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方案 | 移远通信大模型解决方案加速落地，引领服务机器人创新变革

随着人工智能、大模型等技术的蓬勃发展，生成式AI应用全面爆发。在此背景下，服务机器人作为大模型技术在端侧落地的关键场景，迎来了前所未有的发展机遇。作为与用户直接交互的智能设备，服务机器人需要应对复杂场景下的感知、决策和控制任务，这对其实时数据处理的能力提出了严苛要求。通过在端侧集成AI大模型，服务机器人能够在本地进行数据处理，显著降低了数据延迟，提高了响应速度，可为用户提供更加流畅、智能、高效的服务体验。移远通信作为全球领先的物联网整体解决方案供应商，在推动大模型技术的应用方面不断开拓，其端侧大模型解决方案融合前沿的LLM（大语言模型）、RAG（检索增强生成）与Agent（智能体）等业界主流技术，可助力实现 “情景理解、知识融合、智能交互、自主决策、任务执行”等多种功能，目前已在服务机器人等领域加速落地。该方案基于移远边缘计算智能模组SG885G-WF，搭载高通QCS8550平台，具备高达48 TOPS的综合算力，可为方案功能的实现提供充足的算力支持。在移远大模型解决方案的助力下，服务机器人可实现1s以内的意图识别，解码速率超过15 tokens/s，为用户带来更自然的语音交互以及更加个性化的服务体验。从KWS语音唤醒到VAD人声检测，再到ASR语音识别，最后通过TTS语音播报，移远通信大模型解决方案在全语音链路上实现了无缝衔接与高效运行。无论是用户发出指令、提出问题还是寻求帮助，服务机器人都能迅速响应，准确理解用户意图，并以清晰自然的语音进行反馈，为用户带来极具科技感的交互体验。移远大模型解决方案可实现AI模型的端侧部署，不仅提升了响应的实时性，还确保了隐私安全，并能在无网环境下正常工作，大大降低了推理成本。凭借卓越的性能以及高灵活性、高安全性、高性价比等优势，该方案在服务机器人的多种形态中展现出了强大的应用价值，可赋能多个实际场景的智能升级，例如：医疗康养：大模型加持的机器人可以处理预约、咨询等日常任务，减轻医务人员的工作负担。同时，还能为患者提供情感上的陪伴和支持，有助于缓解患者的焦虑和压力；智能客服：依托大模型的自然语言处理和理解能力，智能客服机器人能够快速、准确地理解用户的问题和需求，高效处理各种咨询、投诉和售后服务场景，显著提升服务的效率和质量；接待导览：深度融合大模型能力的接待机器人和导览机器人，不仅能够实现智能迎宾、智能带路、智能问答、远程操控等功能，还可根据用户的兴趣和需求，提供定制化的游览路线和讲解内容，广泛应用于企业展厅、博物馆、旅游景点、医疗机构等场合；零售导购：在大模型技术的加持下，零售导购机器人不仅能回答消费者关于商品、价格、促销活动等问题，还可根据用户购物历史和偏好分析，提供个性化的商品推荐和搭配建议，同时提供便捷的店内导航服务，帮助客户快速找到商品，让购物变得更加轻松愉悦。值得一提的是，移远通信大模型解决方案还具备全方位的工程化服务，能够从感知、规划、决策、执行等阶段，全面解决客户项目中的各种工程化问题，如针对应用场景对模型进行微调、多个模型的合理调度等，使得大模型方案以更快速度、更低成本、更完善的服务体验应用实践。当前，大模型技术日新月异，移远大模型解决方案紧跟技术演进以及模型迭代，成功集成了通义千问、DeepSeek等业界主流大模型，为服务机器人等产业的智能化发展注入了强劲动力。展望未来，移远将继续携手广大合作伙伴，共同推动端侧AI规模商用，为千行百业的智能化进程贡献更多价值。

移远通信

移远通信 . 2025-03-04 980
产品 | 高通推出全球领先的调制解调器及射频——高通X85，带来前所未有的5G速率和智能

• 高通X85 5G调制解调器及射频突破5G创新边界，集成高通5G AI处理器，处于5G创新前沿，为Android智能手机提供最快、最省电、最可靠的5G Advanced连接体验。 • 高通X85旨在提供混合AI和智能体AI体验所需的高性能5G连接。 • 中国电信、中国移动、中国联通、谷歌、KDDI、NTT DOCOMO、T-Mobile和Verizon认可高通X85为全球移动网络、Android旗舰手机和用户带来的独特优势。高通技术公司持续树立连接新标杆，公司宣布推出高通® X85 5G调制解调器及射频，这是公司第八代5G调制解调器到天线的解决方案，也是公司第四代AI赋能的5G连接系统。高通X85专为新一代联网和AI赋能的应用而设计，能够提供更快的速率以支持无缝流传输、下载和上传，提高拥堵区域的网络可靠性，延长电池续航并增强定位精度，从而带来全面卓越的用户体验。高通X85具备行业领先的5G Advanced特性，将为Android智能手机带来连接方面的领先优势。高通X85还为多种其它类型终端带来5G Advanced功能，包括PC、固定无线接入点、汽车、XR等。高通技术公司高级副总裁兼技术规划和边缘解决方案业务总经理马德嘉表示：高通X85是全球最先进的调制解调器到天线系统，旨在提供最佳的5G体验。对于智能手机而言，它将带来只有Android旗舰终端才能实现的速率、能效和可靠性。技术领导力一直且始终是我们关注的焦点。在我们迎来高通公司成立40周年并迈入智能体和终端侧AI新时代之际，推出这一行业领先的平台来庆祝这个重要里程碑，可谓恰逢其时。凭借公司在调制解调器及射频和终端侧AI领域的创新，高通正成为下一代网联智能领域的领军企业。高通技术公司正与全球无线生态系统紧密合作，包括运营商、基础设施供应商、标准和管理组织，以确保行业为高通X85特性的商用做好准备。多家合作伙伴公开表达了对高通X85的支持。除了高通X85，高通技术公司还宣布推出高通X82 5G调制解调器及射频，这是一款专为主流移动宽带应用而优化的5G调制解调器到天线的解决方案，支持数千兆比特下载和上传速率。基于高通X82和高通X85的M.2与LGA参考设计也已推出，可助力客户加速在各行业领域的开发，包括CPE、移动宽带（MBB）、PC、物联网和其它终端。

高通

高通中国 . 2025-03-04 770
市场 | 2024年全球个人智能音频设备市场增长11.2%

Canalys（现为Omdia一部分）的最新数据显示，2024年全球个人智能音频设备（包括TWS、无线头戴式耳机和无线颈挂式耳机）的出货量达到4.55亿台，同比增长11.2%。所有产品类别的出货量均有所增长，其中中国和新兴市场（亚太地区、拉丁美洲、中东和非洲地区）是主要的增长的市场。 Canalys研究分析师Jack Leathem指出：“尽管各头部品牌一直稳定地保持着各自的市场地位，但它们之间的差异化战略正逐渐形成。” 生态系统厂商，以苹果为代表等厂商通过深度软硬件集成继续加强其竞争优势。苹果自研的芯片可实现无缝的跨设备连接，同时将空间音频技术与Apple Music相结合，带来高解析度音频体验。与此同时，小米和华为等中国企业正在利用其智能生态系统战略，发挥IoT设备的协同作用，提升用户体验。而专业音频玩家，索尼、Bose和漫步者合计占据无线头戴式耳机市场约25%的份额。这些厂商以盈利为重，通过提供先进的音频编解码器、高解析度认证和战略流媒体合作伙伴关系瞄准高端消费者。例如，漫步者与QQ音乐合作推出大师级音质服务，精准迎合了眼光独到的音乐发烧友对这方面的独特期待。 Leathem指出：“新兴品牌正通过精准市场定位迅速获得市场关注。”韶音和Cleer 等新兴企业凭借开放式耳机设计成功打入了运动和健康领域。与此同时，Oladance与AI豆包的突破性合作引发了翻译技术的浪潮。这一合作模式被广泛效仿，推动产品在跨语言沟通需求旺盛的海外市场得到迅速扩张。这些新兴品牌还采用差异化定价策略，以迎合当地消费者的购买力，同时针对特定地区的特点迅速推出创新性产品。在区域方面，大中华区以22%的增长率领先，其次是亚太地区（19%）、欧洲、中东和非洲地区（10%）和拉美地区（7%）。 Canalys研究经理Cynthia Chen表示:“AI正在重新定义个人智能音频设备功能的边界，几乎所有厂商都在探索AI的全新用途。然而，在这些解决方案实现大规模商用的应用之前，仍需应对若干关键挑战。”目前，智能音频领域对AI的开发主要集中在三个方面：健康监测：头部品牌已在旗舰产品中集成了AI听力评估和姿势检测技术，并使用生物传感器和算法来督促用户主动进行健康管理。自适应音频技术：基于多种传感器的场景识别技术正在推进动态音频调整功能的进步（例如智能降噪和自适应空间音频），力求在复杂的声学环境中提升用户体验。实时翻译：随着这些功能延伸到中端产品，实时翻译日益普及，促使厂商进一步探索AI与智能音频设备的融合。为了让AI得到有效应用，必须立足于以用户行为数据的深度分析之上，同时专注于解决特定场景的核心痛点，而不仅仅是增加功能。 Canalys对2025年的市场增长持谨慎乐观的态度，预计2025年全球个人智能音频设备出货量将达到5亿台。短期内，市场预计将见证各厂商积极参与，呈现三大主要趋势：具有新颖功能和设计的创新产品将激增。跨品牌合作将增加，助力构建更广泛的生态系统。市场将从给产品增加单一功能转向提升整体用户体验。从长远来看，厂商必须制定涵盖技术开发（包括声学零部件、芯片、算法等）的全面竞争战略，建立符合其业务模式的生态系统合作伙伴关系，并针对特定的应用场景进行开发。将AI技术优势转化，让用户切实从中受益，这将是塑造未来市场格局的关键。

音频设备

Canalys . 2025-03-04 1 915
扩产 | 台积电在美国再建3座晶圆厂，2座封装厂

全球最大的人工智能芯片生产商台湾半导体制造股份有限公司计划向美国工厂额外投资 1000 亿美元，以提高其在美国本土的芯片产量，并支持唐纳德·特朗普总统增加国内制造业的目标。台积电首席执行官魏哲家周一在白宫与特朗普会面，公布了该公司扩大美国业务的愿景，该愿景于 2020 年总统第一任期期间启动。特朗普表示，此举意味着“世界上最强大的人工智能芯片将在美国制造。” 特朗普在罗斯福厅表示：“没有半导体，就无法推动人工智能、汽车、先进制造业等一切领域的经济发展。” 魏哲家表示，这笔支出是台积电在美国已在筹划的 650 亿美元投资的基础上的又一项投资，他强调这些举措将创造数千个新的就业岗位。台积电是全球领先的人工智能用先进半导体生产企业，也是英伟达公司和苹果公司的主要芯片制造合作伙伴。这项投资将有助于加强特朗普让美国在人工智能领域占据主导地位的承诺。台积电的新投资仍需得到台湾政府的批准。台湾官员表示，他们将谨慎审查先进芯片技术领域的对外投资。总统发言人在正常办公时间以外没有接听电话。台积电美国存托凭证股价当天早些时候下跌逾 3%，但随着魏哲家和特朗普发表讲话，跌幅开始缩小。台积电的声明标志着特朗普重返政坛以来美国最新的重大科技投资，包括苹果、OpenAI 和 Meta Platforms Inc. 在内的公司承诺的支出超过 1 万亿美元。即便如此，其中许多承诺的范围仍不明确，包括 Meta 在内的一些投资可能包括先前计划的支出。周一宣布这一消息之际，特朗普正考虑对半导体、木材、汽车和制药等多个行业征收关税，以解决他认为损害美国的全球贸易失衡问题。对芯片征税将对台湾造成严重打击，因为台湾生产着全球绝大多数最先进的晶圆，尤其是用于人工智能的晶圆。关税威胁特朗普一再指责台湾“窃取”美国半导体产业，并威胁对外国生产的芯片征收关税，而美国高层官员则一直重申致力于促进国内制造业。对于中美竞争的核心技术来说，尤其如此。当被问及他的关税威胁在影响投资决策方面所发挥的作用时，特朗普说：“通过在这里这样做，他就不会被征收关税。” 美国总统表示倾向于使用关税来促进美国芯片制造业，而不是政府补贴，这是前总统乔·拜登 (Joe Biden) 所青睐的做法，他推动通过《芯片与科学法案》以振兴国内产业。该法案于 2022 年签署，使台积电赢得了 66 亿美元的拨款，以支持凤凰城的三家工厂。然而，随着特朗普大幅削减联邦政府工作人员，芯片法案项目的未来实施仍因大幅裁员的前景而蒙上阴影。据知情人士透露，负责 520 亿美元芯片补贴计划的美国政府办公室将失去约五分之二的员工。据彭博社此前报道，特朗普政府官员还与台积电洽谈收购英特尔工厂的控股权。这些谈判仍处于初期阶段，但此举旨在缓解人们对英特尔财务状况恶化的担忧，这迫使英特尔削减了工作岗位并遏制了全球扩张计划。在特朗普第一任期内，他的政府吸引台积电来美国的部分原因是出于国家安全方面的考虑。当台积电于 2020 年首次宣布在美国投资一家先进工厂时，特朗普官员当时表示，这家台湾芯片制造商在亚利桑那州生产的芯片将为从人工智能到 F-35 战斗机等所有产品提供动力。该公司在亚利桑那州的第一家工厂目前已投入运营，其早期生产产量已超过了其本国同类工厂。台积电拟扩大在美投资至1650亿美元台积电今天宣布，计划将在美国先进半导体制造领域的投资再增加 1000 亿美元。在该公司目前对亚利桑那州凤凰城先进半导体制造业务的 650 亿美元投资的基础上，台积电在美国的总投资预计将达到 1650 亿美元。此次扩建包括计划建设三个新的制造厂、两个先进的封装设施和一个大型研发团队中心，使该项目成为美国历史上最大的单笔外国直接投资。通过此次扩张，台积电预计将为人工智能和其他尖端应用创造数千亿美元的半导体价值。台积电扩大的投资预计将在未来四年内支持4万个建筑岗位，并在先进芯片制造和研发领域创造数万个高薪、高科技岗位。预计未来十年还将为亚利桑那州和全美带来超过2000亿美元的间接经济产出。此举凸显了台积电致力于支持其客户，包括苹果、NVIDIA、AMD、博通和高通等美国领先的人工智能和技术创新公司。台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士表示：“早在 2020 年，得益于特朗普总统的远见和支持，我们便踏上了在美国建立先进芯片制造的征程。如今，这一愿景已成为现实。人工智能正在重塑我们的日常生活，而半导体技术是新功能和新应用的基础。凭借我们在亚利桑那州的第一家工厂的成功，以及所需的政府支持和强大的客户合作伙伴关系，我们打算将美国半导体制造投资再增加 1000 亿美元，使我们的总计划投资达到 1650 亿美元。” 台积电的亚利桑那州工厂目前在亚利桑那州占地 1,100 英亩，拥有 3,000 多名员工。该工厂自 2024 年底开始量产。此次扩建将通过增加美国先进半导体技术的生产，在加强美国半导体生态系统方面发挥关键作用。作为台积电在美国的首次先进封装投资，它还将完善国内人工智能供应链。在美国，除了位于菲尼克斯的最新制造工厂外，台积电还在华盛顿州卡马斯设有一家晶圆厂，并在德克萨斯州奥斯汀和加利福尼亚州圣何塞设有设计服务中心。

台积电

芯查查资讯 . 2025-03-04 815
市场 | 2024年全球半导体设备厂商市场规模排名Top10

CINNO • IC Research统计数据表明，2024年全球半导体设备商半导体营收业务Top10营收合计超1,100亿美元，同比增长约10%。 2024年全球半导体设备厂商市场规模Top10与2023年的Top10设备商相同，前五排名无变化，荷兰公司阿斯麦（ASML）2024年营收超300亿美元，排名首位；美国公司应用材料（AMAT）2024年营收约250亿美元，排名第二；美国公司泛林（LAM）、日本公司Tokyo Electron（TEL）、美国公司科磊（KLA）分别排名第三、第四和第五；从营收金额来看，2024年前五大设备商的半导体业务的营收合计近900亿美元，约占比Top10营收合计的85%。北方华创作为Top10中唯一的中国半导体设备厂商，2023年首次进入全球Top10，2024年排名由第八上升至第六。图示：2024年全球半导体设备厂商市场规模排名Top10 注： (1)本排名汇率2024年1欧元=1.07美元，1日元=0.0065美元， (2)本次营收排名以上市公司半导体业务营收金额为依据，不含FPD/PCB等其他业务营收。 Top 1 阿斯麦（ASML）-荷兰全球第一大光刻机设备商，同时也是全球唯一可提供7nm及以下先进制程的EUV光刻机设备商。2024年半导体业务营收同比增长1.3%。 Top 2 应用材料（AMAT）-美国全球最大的半导体设备商，行业内的“半导体设备超市”，半导体业务几乎可贯穿整个半导体工艺制程，半导体产品包含薄膜沉积（CVD、PVD 等）、离子注入、刻蚀、快速热处理、化学机械平整（CMP）、测量检测等设备。2024年半导体业务营收同比增长5.3%。 Top 3 泛林（LAM）-美国泛林又称拉姆研究，主营半导体制造用刻蚀设备、薄膜沉积设备以及清洗等设备。2024年半导体业务营收同比增长13.2%。 Top 4 Tokyo Electron（TEL）-日本日本最大的半导体设备商，主营业务包含半导体和平板显示制造设备，半导体产品包含涂胶显像设备、热处理设备、干法刻蚀设备、化学气相沉积设备、湿法清洗设备及测试设备。2024年半导体业务营收同比增长17.0%。 Top 5 科磊（KLA）-美国半导体工艺制程检测量测设备的绝对龙头企业，半导体产品包含缺陷检测、膜厚量测、CD量测、套准精度量测等量检测设备。2024年半导体业务营收同比增长15.8%。 Top 6 北方华创（NAURA）-中国中国大陆的龙头半导体设备商，主营半导体装备、真空装备、电子元器件等，其半导体业务覆盖了刻蚀、沉积、清洗等主要半导体制造设备，预计2024年半导体业务营收增长39.4%。 Top 7 迪恩士（Screen）-日本主营业务包含半导体、平板显示和印刷电路板制造设备，半导体产品包含刻蚀、涂胶显影和清洗等设备。2024年半导体业务营收同比增长22.4%。 Top 8 爱德万测试（Advantest）-日本主营半导体测试和机电一体化系统测试系统及相关设备，半导体产品包含后道测试机和分选机。2024年半导体业务营收同比增长32.3%。 Top 9 ASM国际（ASMI）-荷兰主营业务包括半导体前道用沉积设备，产品包含薄膜沉积及扩散氧化设备。2024年半导体业务营收同比增长10.1%。 Top 10 迪斯科（Disco）-日本全球领先的晶圆切割设备商，主营半导体制程用各类精密切割，研磨和抛光设备。2024年半导体业务营收同比增长23.5%。

半导体

IC Research . 2025-03-04 1765
产品 | 意法半导体推出STM32C0 MCU降低嵌入式开发门槛

2025 年 3月 3 日，中国——意法半导体的 STM32C0系列微控制器 (MCU) 新增三款产品，为设计人员带来更高的设计灵活性，提供更高的存储容量、更多的接口和CAN FD选择，以增强通信能力。 STM32C0高性价比系列的新产品STM32C051配备最高64KB的闪存，适合对存储空间要求更高而STM32C031 MCU又无法满足的应用设计，最多48引脚的封装具有更多的接口和用户I/O通道。另外两款新产品STM32C091和STM32C092的闪存容量扩展到256KB，采用最多64引脚的封装。此外，STM32C092还增加了一个CAN FD接口，有了片上CAN FD接口，用户可以削减 BOM物料清单成本，简化工业通信和网络设备的硬件设计，充分利用协议升级后的灵活性、速度和有效载荷能力。意法半导体通用 MCU 部门总经理 Patrick Aidoune 表示：“作为 STM32系列中注重成本的产品线，STM32C0系列为开发者提供很高的设计灵活性，片上闪存容量从32KB到256KB ，并集成丰富的外设接口。现在，STM32C091/C092的大容量闪存和 RAM可以让设计人员把图形用户界面软件与主应用程序都存放在微控制器上，利用 ST的TouchGFX工具创造悦目娱心的使用体验，简化开发过程。” 作为 STM32 系列经济实惠的入门级产品，STM32C0 MCU包含广泛使用的接口，例如，无晶振 USB 全速设备和USART，以及定时器和模拟/数字转换器 (ADC)。为了完善注重成本的功能组合，这个经济设计具有片上时钟，电源输入只有一个，可以节省更多的外部元件，例如，计时器、去耦电容，降低物料清单成本 (BOM)。节省外部元器件还可让PCB电路板变得更小、更简单。 STM32C0全系MCU为开发人员带来了更多的好处，包括 ST的延长产品寿命计划，确保ST的芯片在工业项目的整个生命周期内长期有货供应。作为高品质的STM32产品家族的一员，STM32C0 MCU可以简化产品级认证，例如， IEC 61508功能性安全认证。STM32C0系列与 STM32G0系列都采用 Arm® Cortex®-M0+内核，但是STM32G0系列的性能和功能更强。这两个系列 STM32 MCU有很多共同点，包括封装样式和引脚排列以及外设 IP模块，因此，这个两个系列在应用设计中可以相互替换。 STM32C0系列微控制器新产品现已投产，意法半导体网站电子商城ST eSTore 提供免费样品。

MCU

厂商供稿 . 2025-03-04 1 510
晶体谐振器与负性阻抗：电路设计中的关键互动

在电子电路的设计领域，晶体谐振器和负性阻抗的概念虽然各自独立，但它们之间存在着紧密的联系，共同影响着电路的性能和稳定性。本文将探讨晶体谐振器与负性阻抗之间的关联，以及它们在电路设计中的应用。晶体谐振器的作用晶体谐振器，简称晶振，是一种能够提供稳定频率信号的电子元件，广泛应用于时钟电路、通信系统和各种振荡器中。晶振的核心优势在于其极高的频率稳定性和准确性，这对于维持电子系统的正常运行至关重要。负性阻抗的概念负性阻抗是指电路中某些元件或电路配置在特定条件下表现出的一种阻抗特性，其特点是能够提供额外的能量给电路，从而抵消电路中的损耗。这种现象在电路设计中可以用来实现特定的功能，如提高振荡器的稳定性。晶体谐振器与负性阻抗的关联振荡电路的稳定性提升负性阻抗在振荡电路中的应用，可以有效地提高晶体谐振器的稳定性。由于晶振在振荡过程中会产生能量损耗，负性阻抗的引入能够补偿这些损耗，确保晶振持续稳定地振荡。补偿电路损耗在振荡电路中，晶振的损耗会导致振荡幅度下降，甚至停止振荡。通过引入负性阻抗，可以有效地补偿这些损耗，维持晶振的振荡幅度，从而保持电路的稳定性。提高Q因子晶振的Q因子是衡量其性能的关键参数。负性阻抗的应用可以提高晶振的Q因子，减少能量损耗，增强其选择性，从而提升整个电路的性能。振荡启动和维持在某些条件下，晶振可能难以启动或维持振荡。负性阻抗可以帮助晶振更容易地启动振荡，并在各种环境下保持稳定的振荡状态。电路设计中的注意事项在设计含有晶振的电路时，需要注意负性阻抗的精确控制。不恰当的负性阻抗值可能会导致频率偏移或振荡不稳定。因此，设计师需要根据晶振的特性和电路的要求，精心调整负性阻抗的参数。晶体谐振器和负性阻抗在电路设计中相互依赖，共同发挥作用。正确理解和应用这两者之间的关系，对于提升电子电路的性能和稳定性具有重要意义。通过精心设计，可以确保晶振在电路中发挥出最佳效果，为电子系统的可靠运行提供保障。晶发电子专注17年晶振生产,晶振产品包括石英晶体谐振器、振荡器、贴片晶振、32.768Khz时钟晶振、有源晶振、无源晶振等，产品性能稳定,品质过硬,价格好,交期快.国产晶振品牌您值得信赖的晶振供应商。

晶振

晶发电子 . 2025-03-04 4465
什么是HDMI ARC？一文读懂纳祥科技HDMI ARC方案

随着家庭娱乐需求增长，用户对影音体验要求提高，但传统音频连接线繁杂且影响音质。HDMI ARC技术有效解决了这些问题。下面让我们了解纳祥科技的HDMI ARC解决方案吧！㈠方案概述 HDMI ARC（HDMI Audio Return Channel，即HDMI音频回传通道），它在HDMI的基础上增加了音频回传的功能，允许显示设备（如电视）通过HDMI线，将音频信号回传到音频设备（如音响系统），大大简化了布线。然而，当音响没有ARC功能时，我们需要用到纳祥科技HDMI ARC方案，将电视→HDMI ARC方案→音响连接起来。简单来说，就是在不增加额外的线缆、不更换HDMI线缆的情况下，将电视的音频信号回传到音响。㈡方案实施流程本方案可同时支持左右声道、同轴、光纤和3.5mm 四种输出方式，可将支持ARC功能的电视通过本方案，将音频信号回传到音响中，完美解决音响没有ARC功能而无法发声的问题。具体设置方式如下所示：第一步，将电视的HDMI ARC设置为自动，数字输出音频格式为PCM； ▲图例展示（以本公司电视为例）第二步，将电视的HDMI线插入HDMI口，接上电源，打开ARC开关； ▲图例展示第三步，分别将左右声道、同轴、光纤、3.5mm接口与音响连接即可（同时连接也可以）。 ▲左右声道输出 ▲同轴输出 ▲光纤输出 ▲3.5mm输出 ★方案关键组件本方案使用纳祥科技NX7005、NX8420等芯片作为关键组件，它们能够帮助方案优化性能，较进口芯片降低了20%~30%成本。如NX7005是一款专门用于HDMI ARC音频采集的芯片，拥有极高速的处理器，能够处理高工作频率，实现高带宽音频信号处理与回传。㈢方案功能本方案主要具备音频回传、高带宽支持‌、全数字化传输‌与设备控制4个功能特点，具体说明如下展示—— ㈣方案优势与对比 ①与普通HDMI接口相比 ②与传统家庭影院系统布线对比 ③注意事项确保HDMI线缆符合相应标准（更多也可查询纳祥科技相关芯片）。音画信号传输的质量，由内部线芯结构和质量决定，如果质量不过关，会导致画面掉帧、卡顿等问题。㈤应用领域与前景本方案被广泛应用于家庭影院、高级音响设备、企业会议室中。 ① 家庭影院 HDMI ARC接口是家庭影院系统的理想选择，可以将电视的音频信号传输到高端音响系统，享受影院级的音质体验。 ② 高级音响设备对于追求高品质音质的用户，HDMI ARC接口可以将音频信号无损地传输到高级音响设备，满足专业级的听音需求。 ③ 企业会议室在需要高质量音视频会议的企业会议室中，HDMI ARC接口可以简化设备的连接，提升会议的效率和体验。㈥总结纳祥科技HDMI ARC方案在音质、布线简化、成本控制及兼容性上均显著优于传统方案，尤其适用于追求高音质与便捷安装的场景。未来随着HDMI及ARC技术的升级普及，本方案也将进一步升级芯片与部件，以适配增强功能；目前也可根据实际应用场景与领域，进行方案设计，具备长期市场竞争力。纳祥科技现将提供完整的方案技术支持与迭代欢迎您与我们深入交流与探讨

HDMI ARC

深圳市纳祥科技有限公司公众号 . 2025-03-04 1 7230
智存无界全栈智能 | 德明利邀您共聚CFMS 2025！

3月12日，2025中国闪存市场峰即将启幕，本届峰会齐聚全球存储产业链及核心应用企业，共同探讨技术创新与产业变革。届时，德明利将展示全栈式智能存储矩阵和场景化解决方案，聚焦客户多元化需求，构建从芯片设计到终端应用的完整价值链条，助力存储生态向高效能、场景化、可持续方向升级！ 01德明利展位亮点抢先看亮点一全栈智能存储解决方案覆盖智能终端（AI PC/手机）、车载电子、AIoT等领域的定制化存储产品，以自研主控芯片、固件算法实现性能突破；亮点二创新产品首发低功耗嵌入式存储模组、高耐久工业级解决方案现场揭秘，适配严苛环境下的数据读写需求；亮点三技术赋能对话与工程师面对面，探讨存储技术如何驱动AI训练加速、智能终端等前沿场景升级。 02互动有礼到场参观即可参与抽奖，赢取限量版TWSC周边！德明利诚邀您莅临展台参观、交流期待与您共绘存储产业新蓝图以“全栈智能”打破边界开启无限可能！

德明利

德明利 . 2025-03-03 5065
4核CPU，ARM中量级多面手,米尔瑞芯微RK3562核心板上市

RK3562、RK3562J、RK3562核心板、RK3562J开发板近日，米尔电子携手推出全新一代ARM核心板——基于瑞芯微RK3562(J)处理器的MYC-YR3562核心板及开发板。这款核心板凭借其强大的性能、丰富的接口和灵活的扩展能力，为工业控制、物联网网关、边缘计算等领域提供了高性价比的解决方案。核心板基于 RK3562 或RK3562J处理器，采用四核ARM Cortex-A53架构，主频高达2GHz，集成Mali-G52 GPU，支持4K视频解码和1080P视频编码。相较于前代产品，RK3562在性能上有了显著提升，同时保持了较低的功耗，堪称ARM中量级处理器中的多面手。MYC-YR3562核心板存储配置存储器1GB/2GB LPDDR4、8GB/16GB eMMC等多个型号供选择，配备开发板供开发者评估使用。下面详细介绍这款核心板的优势。瑞芯微RK3562处理器，1TOPS NPU,升级摄像头ISP RK3562J/RK3562 是一款专为消费电子及工业设备设计的高性能、低功耗四核应用处理器。配备四核 ArmCortex-A53 +Cortex-M0，主频最高可达2.0GHz；具有1TOPS NPU，与TensorFlow、PyTorch、Caffe、ONNX、MXNet、Keras、Darknet 等深度学习框架兼容；集成 Mali G52 GPU，支持OpenGL ES1.1/2.0/3.2、OpenCL2.0 和 Vulkan1.1。丰富的多媒体资源 RK3562支持3D GPU Mail-G52-2EE，13M IPS，支持1080P@60fps H.264 编码，4K@30fps H.265、1080P@60fps H.264解码，支持丰富多媒体接口MIPI CSI/Parallel RGB/LVDS/MIPI DSI等。根据主芯片、存储器件参数的不同，MYC-YR3562核心板细分为3种型号，请从以下列表中选择最适合您的型号。其他配置可联系销售代表定制。核心板配置型号产品型号主芯片 NPU 内存存储器工作温度 MYC-YR3562J-8E1D-180-I RK3562J / 1 GB LPDDR4 8 GB -40℃~+85℃ 工业级 MYC-YR3562J-16E2D-180-I RK3562J / 2 GB LPDDR4 16 GB -40℃~+85℃ 工业级 MYC-YR3562-16E2D-200-C RK3562 1 TOP NPU 2 GB LPDDR4 16 GB 0℃~+70℃ 商业级 MYC-YR3562核心板选型表开发板配置型号产品型号对应核心板型号工作温度 MYD-YR3562-16E2D-200-C MYC-YR3562-16E2D-200-C 0℃~+70℃ 商业级 MYD-YR3562J-16E2D-180-I-GK MYC-YR3562-16E2D-180-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YR3562开发板选型表

RK3562

米尔电子 . 2025-03-03 1 5135
以“芯”筑梦，科教兴国：中电港承建多个集成电路半导体领域“援建支持”类小平科技创新实验室

2021年开始，在集团公司的指导下，中电港先后在四川、宁夏、陕西、海南建成六所实验室。在筹建过程中，中电港充分发挥国家队产业优势，组织产业资源搜集到来自全球50多家企业提供的电脑整机和100多款芯片样品；组织各界专家有针对性的设计教学课程及教材；用前瞻性的思维设计布局，为未来升级预留充足的空间。实验室促进学校在集成电路领域教育发展，推动集成电路技术的普及与应用，通过教育振兴助推乡村振兴，真正实现教育帮扶阻断贫困代际传递的作用。图：中电港连续两年获得“小平科技创新实验室” 授牌集成电路领域小平科技创新实验室的建设，旨在教育帮扶和科技创新两个领域中发挥重要作用。聚焦于集成电路这一高精尖技术，该实验室不仅是对学生进行先进技术教育的重要平台，更是培养未来电子工程、信息技术领域专才的摇篮。一方面，集成电路作为现代电子器件和信息产业的基础，对科技进步和社会发展有着举足轻重的影响。集成电路领域小平科技创新实验室致力于引领学生深入了解集成电路设计、加工与应用各个环节，使其在基础电子学知识的学习过程中，能够与产业界最前沿的技术接轨，培养学生的创新意识和解决实际问题的能力。另一方面，该实验室的建设对促进区域教育资源均衡分配，提升腹地教育质量具有深远影响。通过输入最前沿的教学内容，实验室可提供丰富的教学内容和实践机会，帮助学生突破传统教育的局限，激发学习兴趣，增强科学素养。对于广大青少年而言，这样的实验室不仅能够平衡城乡教育资源差距，还能激发他们对于科学技术的探索热情，为国家培养更多的科技创新人才。自2021年以来，中电港在中国电子的指导下，充分发挥国家队产业优势，组织产业资源和专家力量，先后在四川广安友谊中学、宁夏银川市第九中学、陕西镇安中学、四川广安青少年宫和临高实验中学等五所学校建成六所实验室，助力引导青少年从了解、认识到爱上集成电路半导体，在青少年群体中种下科技创新的“芯”火种。一、四川广安友谊中学集成电路半导体领域“援建支持”类小平科技创新实验室作为中电港首批援建的集成电路半导体领域实验室，四川广安友谊中学的“小平科技创新实验室”于2021年7月前落成。中电港通过整合全球50余家企业的电脑整机与芯片样品资源，结合专家设计的针对性课程，为该校搭建起前沿的集成电路半导体教学实践平台。实验室不仅提升了学生对集成电路技术的认知与实践能力，更通过教育帮扶助力革命老区人才培养，为乡村振兴注入科技动能。图：小平科技创新实验室 2022年12月四川广安友谊中学再获中电港援建升级版实验室。新增的芯片样品资源与拓展课程体系，进一步强化了该校在集成电路半导体领域的教学深度。实验室通过“理论+实践+竞赛”多层次培养模式，成为川东地区青少年科技创新的孵化基地，持续赋能地方教育振兴。二、宁夏银川市第九中学集成电路半导体领域“援建支持”类小平科技创新实验室 2021年7月1日前夕，宁夏银川九中的“小平科技创新实验室”建设落成，该实验室是西北地区首个聚焦集成电路半导体领域的援建实验室。中电港在筹建中联合产业专家开发适配西部教育的课程体系，并引入国际先进芯片样品与设备。实验室的建立弥补了区域集成电路半导体教育资源短板，推动当地学生接触尖端技术，为培养西部科技人才、缩小城乡教育差距提供了重要支撑。图：中电港萤火工场自研教学设备三、陕西省镇安中学集成电路半导体领域“援建支持”类小平科技创新实验室 2022年11月，中电港在陕西省镇安中学建成集成电路半导体实验室。通过定制化教材与模块化实验设计，实验室将抽象的理论转化为直观操作，激发山区学生创新潜力。该项目的落地不仅深化了校企合作，更通过“科技+教育”模式助力县域经济转型，为乡村振兴提供可持续智力支持。四、四川广安青少年宫集成电路半导体领域“援建支持”类“小平科技创新实验室” 建设完成 2022年12月初，在上级单位指导下，中电港承建的集成电路半导体领域“援建支持”类“小平科技创新实验室” 在广安市青少年宫建设完成。这是中电港承建的第四所小平实验室。集成电路领域“小平实验室”总面积约169平米。以走进、了解、探索、应用集成电路为主要内容，空间布局主要分为四个功能区，感性认知、教学讲授区、拓展体验区与创意制作区。为了给青少年提供全面丰富的集成电路应用知识与展示，中电港组织了小平实验室志愿者10余名，参与实验室内容规划、展品筛选、科普内容编制，以及竞赛辅导、云支教、云讲座等实验室配套活动，走访十余家产业相关企业，争取支持，组织了飞腾、小华半导体、华大电子、上海贝岭、澜起科技在内的50余家公司，提供了100多个各类芯片样品等。五、海南临高中学集成电路半导体领域“认定授牌”类小平科技创新实验室 2023年12月，海南临高中学“认定授牌”类实验室正式启用。中电港依托该平台引入产学研融合机制，结合海南自贸港政策优势，打造热带地区首个集成电路半导体科普与技能培训中心。实验室通过普及集成电路技术，推动当地教育链与产业链衔接，为区域经济发展储备技术人才。 2023年12月14日，中国电子定向资助的集成电路领域“小平实验室”揭牌仪式在海南临高中学举行。这是中电港在中国电子指导下承建的第五所集成电路领域小平科技创新实验室。随着揭牌仪式的成功举办，小平实验室的使命得以进一步凸显——用“芯”推进教育振兴，点亮每一位学子的中国梦。六、海南临高耕读山房中国电子科技创新实验室 2023年12月与海南临高中学小平科技创新实验室同期建成的临高耕读山房实验室，创新性采用“科技+农耕文化”跨界模式进行教育研学。中电港在此嵌入集成电路半导体技术实践场景（如水下机器人），结合乡村振兴需求开发特色课程，使学生能在生态农业与电子科技融合中探索创新。该项目成为教育赋能乡村发展的示范案例，助力海南特色产业升级。布局设计特色：“趣味性”和“进阶型”双管齐下集成电路领域“小平实验室”结合中学生学段的认知水平，立足于从增强对集成电路半导体产业基础的感性认知出发，通过动手实践，到最后完成相关应用项目，设计了科学合理的实验室区域设计方案和进阶型课程配置。实验室分为四大区域，分别为集成电路半导体感性认知区、动手实操区、多媒体教学区、赛事教学区。历经三年不断升级更新，实验室内容涵盖体验实验箱、历史人物事件图例、产品实物和配套学习套件，从感性认识到了解历史，再从历史看当下集成电路半导体领域科技的快速演变。通过演示实验、科学实践、对抗赛事等活动循序渐进，为中学生打开了一扇了解集成电路半导体的“窗户”。贴近前沿科技产业领域，播下“芯”希望，推广中国“芯” 实验室开建以来，团中央青年发展部、中国青少年发展基金会、实验室承建方中电港积极号召包含长城、飞腾、澜起科技、华大半导体、华大电子、上海贝岭、江波龙在内的50余家集成电路公司，提供了100多个样品支持“小平实验室”的现场教学。为使中学生更全面理解产业发展情况，实验室全面贴近产业链，在配套了集成电路样品的基础上“升级”配套了集成电路产业上下游材料，如晶棒、各尺寸晶圆、各类封装芯片、PCBA、整机产品等，并将每个展示产品进行形象化科普，以便于中学生更好认知它们。让来到实验室的小伙伴们能够认识集成电路半导体，爱上集成电路半导体，从小立志为国家集成电路半导体的研究发展贡献力量。教学特色：立足前沿、精心设计、专业创新实验室遵循教育规律和人才成长规律，充分考虑中学生的知识储备和认知能力，坚持因地制宜、因材施教，为进一步激发中学生爱科学、学科学、用科学的梦想、兴趣和潜力，加大在中学生群体中广泛动员和选拔培养具有创新潜质和成长潜力的“好苗子”的力度，实验室在课程设计和制作层面下足了功夫。实验室立足前沿科技，大胆创新，组建了一支由博士和专业研发人员组成的十多人的教研团队，开发了系列视频课程，其中不乏有动漫形式的科普和VR课程。除此之外，也有如江波龙、FT等集成电路公司捐助的科普视频，还有行业著名导演捐赠的“点沙成金”科普视频。动手实操是认识集成电路的关键一步，承建方针对中学生群体，通过具体应用实践来编写教材。为增加强动手实操性，所有课程将编程语言图形化，每个课程都配有10个及以上数量的动手实操案例，通过系列有趣好玩、深入浅出的课程，帮助来到实验室的小伙伴们通过学习和实践更好地用科学梦丰富自己的人生梦，用科学梦为实现中国梦贡献力量。创新通道特色：“大手拉小手”，线上线下齐步走在实验室的建设交付同时，“小平实验室”操作实践师资培训也顺利开展并结业。未来，实验室的课程分为线上线下同步模式，让参与的学生和老师们随时感受到“大手拉小手”的实践乐趣。未来，落成后的“小平实验室”将开展内容丰富、参与面广、形式多样的主题创新实践活动，为发挥实验室实效提供丰富载体；实验室的课程分为线上线下同步模式，让参与的学生和老师们随时感受到“大手拉小手”的实践乐趣。同时，实验室还将加强实验室与所在区域的大学和其他科研院所的互动交流，为中学生朋友们打造更多的创新通道。实验室还将积极建立实验室共享开放机制，推动实验室间“跨学校、跨区域、跨层次”的常态化“线上”和“线下”交流和组团式研究，互通有无、取长补短、协同育人。

小平科技创新实验室

中电港 . 2025-03-03 1 2727
裁员 | Microchip裁员2000人

全球知名的微控制器（MCU）制造商Microchip Technology宣布了一项重大裁员计划，以应对当前严峻的市场挑战。这一决定在业界引起了广泛关注。 Microchip Technology表示，将裁员约 2,000 人，约占员工总数的 9%，以重组业务以应对汽车制造商需求放缓的问题，这一消息推动其股价周一上涨近 4%。 Microchip Technology是一家专注于为汽车、消费电子产品及其他领域生产芯片的领先企业。然而，近年来，受全球经济环境不佳和市场需求不足的影响，Microchip的业绩持续下滑。根据Microchip公布的财报显示，2025财年第三季度，公司净销售额为10.26亿美元，同比下降41.9%。毛利率和营业利润也均出现大幅下降，净亏损达到5360万美元。面对如此严峻的市场形势，Microchip不得不采取果断措施来降低成本、提高盈利能力。为了应对销售额的暴跌和库存水平的高企，Microchip宣布将在其位于俄勒冈州和科罗拉多州的工厂进行裁员。在 12 月季度注销 8200 万美元的过剩库存后，该公司预计到 2026 年 3 月总库存将减少 3 亿多美元。该公司还将在菲律宾的后端制造工厂进行裁员。微芯片预计裁员相关成本将达到 3000 万至 4000 万美元，包括现金遣散费和相关重组费用。裁员计划将于本月通知员工，并于 6 月底全面实施。这些举措预计将使其年度持续运营费用减少约 9000 万至 1 亿美元。除了 12 月份披露的与亚利桑那州晶圆厂关闭有关的每年约 9000 万美元现金节省外，各个工厂的额外裁员将使 Microchip 工厂的就业相关成本再减少 2500 万美元。一年前，Microchip 最后一次公布全球员工人数，当时该公司在全球拥有约 22,000 名员工，销售额也未出现持续下滑。 Microchip 周一表示，格雷沙姆的裁员规模将“略小于”其他工厂，因为该公司将在未来几个月内间歇性地让员工休假，以便在产品需求增加时迅速扩大规模。该公司上周告诉员工，将裁掉不到三分之一的俄勒冈州员工。周一的裁员是 Microchip 关闭亚利桑那州一家工厂后将裁掉 500 名员工的又一举措。Microchip 于 12 月宣布关闭该工厂；该公司周一表示，将于 5 月关闭该工厂，比原计划提前四个月。 Microchip 首席执行官史蒂夫·桑吉 (Steve Sanghi) 周一早些时候在电话会议上告诉投资分析师：“我们的制造足迹对于我们的业务规模来说太大了。” 上周，微芯片公司告诉俄勒冈州的员工，被解雇的员工将获得两到六周的遣散费，具体取决于他们在公司工作的时间长短。微芯片公司在本财年的前九个月销售额暴跌 45%，至 34 亿美元。利润下降 91%，至 1.54 亿美元。该公司报告上个季度亏损 5400 万美元，并预计本季度将继续亏损。自去年春天销售下滑开始之前，微芯片公司的股价已下跌约 40%。周一股价上涨约 1%。去年 12 月，在宣布关闭亚利桑那州的工厂后，微芯片公司搁置了寻求联邦政府帮助以补贴俄勒冈州和科罗拉多州工厂扩建的计划。这些扩张计划被搁置。微芯片公司生产用于工业设备、航空航天、数据中心、消费技术和汽车的嵌入式芯片。由于过去几个月客户需求暴跌，库存积压创历史新高，其销售额也随之下降。周一，Microchip 表示正在开发技术以扩大其市场。该公司表示，1 月和 2 月的订单量有所增加。在裁员计划宣布之前，Microchip已经采取了一系列措施来应对市场挑战。公司计划在2025年9月之前关闭位于亚利桑那州坦佩的晶圆工厂，这一决定预计将影响约500名员工。此外，Microchip还暂停了多数工厂的扩张行动，并缩减了2025年和2026年度的资本支出。这些措施旨在降低公司的运营成本，提高财务灵活性。 Microchip的裁员计划宣布后，市场反应强烈。公司股价在盘后交易中出现了大幅下跌，投资者对公司未来的盈利能力表示担忧。然而，Microchip方面表示，裁员和工厂关闭是公司为了应对当前市场挑战所做出的必要决策。通过这些措施，公司有望降低成本、提高竞争力，并在未来实现更可持续的发展。 Microchip的裁员计划并非个例。近年来，受全球经济环境不佳和市场需求不足的影响，整个半导体行业都面临着巨大的挑战。许多芯片制造商都在通过裁员、关闭工厂等措施来降低成本、提高盈利能力。同时，随着AI、物联网等新兴技术的快速发展，半导体行业也面临着巨大的机遇。那些能够在技术创新和市场拓展方面取得突破的企业，有望在未来实现更可持续的发展。

Microchip

芯查查资讯 . 2025-03-03 1 1065
士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线（一期）全面封顶

2025年2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。封顶仪式现场，海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜，士兰微电子董事会秘书、高级副总裁陈越，中建三局（福建）投资建设有限公司总经理王召坤分别致辞。陈越介绍，2024年6月18日，士兰集宏项目正式开工，经过8个月紧张有序的建设，今天项目正式封顶。这是项目严格按照事先制定的重大里程碑节点准时完成封顶，也是一次性实现各栋号的全面封顶。长期以来，士兰微电子坚持走IDM（设计制造一体化）发展道路，不断积累技术和工艺经验，推动和引领着国内功率半导体芯片行业的发展。士兰微在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线，从2022年起至今已经量产三年，目前基于士兰自主研发和生产的二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已大批量上车，得到了TOP客户认可，并且士兰微已完成了四代SiC芯片的研发，新一代SiC功率模块也将于今年上量。士兰集宏项目，体现了士兰微电子“集中意志和力量，努力实现超越式发展，争取早日成为具有世界一流竞争力的综合性半导体公司”的宏大愿景，其中总投资70亿元的一期项目，我们尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成，将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。国家开发银行厦门市分行、厦门市产投、厦门海翼集团、厦门海发集团、厦门海投集团、厦门半导体投资集团、中建三局、士兰厦门公司等百余位政企代表共同见证封顶仪式。各方表示，将继续以高效协作和优质服务保障项目推进，为厦门“跨岛发展”战略和全国半导体产业高质量发展注入新动能。随着最后一方混凝土浇筑完成，厦门士兰集宏项目迈入建设新阶段。这座现代化产线的建成，不仅将强化士兰微电子在碳化硅芯片制造领域的核心地位，更将推动国产半导体产业链自主创新，为新能源汽车、光伏、储能等行业以及双“碳”经济的建设增添“芯”动力。

士兰微

杭州士兰微电子股份有限公司 . 2025-03-03 1 1060
产品 | 新洁能宽SOA MOSFET HO系列

随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等具体电路应用要求。产品通过优化器件结构设计、采用特殊的工艺制程，解决了高功率场景下效率、热管理与可靠性的平衡难题。核心技术优势 1.超强线性区短路电流，短路能力实测对比使用宽SOA HO系列代表产品NCE09N70A与新洁能相同功率级别老产品做短路能力测试对比：线性区短路能力1提升50%，一类短路能力2提升50%。 2.超宽安全工作区（SOA）通过优化器件结构与掺杂分布，在相同导通电阻下，对1ms/10ms两种脉冲时间下热不稳定性线的测试可以明显看到，HO系列产品较老产品具备更宽的SOA区域，SOA较传统产品提升30%以上，支持更高电压与大电流组合工况。 3. 高可靠性设计通过严格全面老化项目考核测试，最高结温可达175℃，可通过AEC-Q101车规级认证，满足汽车电子长期稳定运行要求 4. 热稳定性增强内置动态热保护机制，在瞬态过载或短路条件下，可通过栅极负偏压快速抑制电流上升，避免热击穿。备注： 1、线性区短路能力指MOS管未完全开启时短路能力 2、一类短路能力指MOS管完全开启时短路能力系列产品型号新洁能已成功推出HO系列产品型号，多种封装外形满足不同电路设计布局使用需求：典型应用场景 1. 工业电源：高频开关电源、UPS系统 2. 电动汽车：汽车空调风量控制器、车载充电器 3. 新能源：光伏逆变器、储能系统PCS 4. 轨道交通：牵引供电与辅助电源 5. 电动工具：调速开关

MOSFET

无锡新洁能股份有限公司 . 2025-03-03 995
禁令 | 传美国将全面对华禁售AI芯片

3月1日，一位华尔街分析师表示，投资者们应该为特朗普政府“可能出台重大的新对华 AI 和出口许可证限制”做好准备。这一消息可能给英伟达及其他 AI 芯片制造商的股价带来压力。瑞穗证券（Mizuho Securities）的分析师Vijay Rakesh在发给客户的一份研究纪要中称，他预计新的限制措施会在未来几周内出台。 Rakesh 说：“从业界头条新闻来看，加上我们与华盛顿团队经过核实，我们认为，重大的 AI 限制措施即将出台。” 他提到 Landon Heid 被提名为美国商务部助理部长、Jeffrey Kessler 被提名为工业和安全局（BIS）副局长。 Rakesh 表示，这些人事任命可能导致“全面禁止所有 AI 芯片进入中国”。这将影响英伟达的 H20和 B20，这两款产品目前获准在中国市场销售。与英伟达的顶级 AI 处理器相比，这两款处理器的性能稍逊一筹。英伟达 2026 财年受到的潜在影响可能是收入减少 40 亿美元至 60 亿美元。Rakesh 表示，这还可能导致每股收益减少 13 美分至 18美分。他说：“我们认为，限制措施可能会扩大到： 1）潜在的所有对华 AI 芯片出口，一些传统芯片也包括在内； 2）可能影响到与中国关系密切的国家的出口许可证。” 多方面影响对中国的影响：短期内，高性能AI芯片的获取将受到限制，可能阻碍科研项目及企业AI创新应用的拓展。长远来看，这将倒逼国产AI算力芯片及先进制程的发展，促使国内半导体产业链协同合作，提升整体竞争力。同时，国产AI芯片企业也将迎来更多市场机遇。对美国芯片企业的影响：如英伟达、英特尔等企业的营收将受到损害，与中国在AI领域的合作减少，创新动力可能减弱。特别是英伟达，其H20和B20芯片可能受到直接影响，导致营收大幅下降。对其他企业的影响：如AMD、博通等在中国有AI芯片及GPU业务的企业也可能受到影响。国际关系上，过度管制可能导致盟友关系紧张，国际形象受损。对全球AI产业的影响：技术发展层面，中美技术交流受阻，创新速度可能放缓，技术标准分歧可能加剧。市场格局上，市场份额面临调整，产业转移趋势可能显现。供应链安全方面，供应链稳定性可能被破坏，促使企业寻求多元化。英伟达股价应声波动在 2025 财年，中国市场的收入约占英伟达总收入的 13%。近三年，英伟达来自中国（包括香港）的收入分别为 171.08 亿美元、103.06 亿美元、57.85 亿美元。《路透社》报道，中国公司正在加大订购 H20。腾讯、阿里巴巴、字节跳动为主要买家。 Rakesh 表示，博通也将受到影响，因为它与中国的字节跳动有一个定制 AI 芯片项目。在3月1日早上的股市早盘交易时段，英伟达股价一度下跌 3.1%，之后有所回升。英伟达股价在常规交易时段收涨 3.9%，至每股 124.92 美元。微软呼吁放宽AI 芯片出口限制与此同时，微软已要求特朗普总统改变严格限制 AI 芯片出口的政策。微软副主席兼总裁 Brad Smith 在周四的一篇博文中将矛头对准了拜登政府在最后一刻出台的最终版《人工智能扩散规定》（AI Diffusion Rule），该规定针对美国 AI 部件向“许多快速增长且具有重要战略意义的市场”的出口设定了上限。 Smith说：“根据草案，该规定严重干扰了特朗普政府的两大优先事项：加强美国在 AI 领域的领导地位，并减少美国近万亿美元的贸易逆差。如果不加改变，拜登政府规定将使中国在逐渐传播自己的 AI 技术方面具有战略优势，这与十年前中国在 5G 电信领域的迅速崛起相呼应。” Smith 表示，拜登规定的改变使许多美国盟友对美国科技公司在其国家建立和扩大 AI 数据中心的能力施加了数量上的限制。这些国家包括印度、印度尼西亚、以色列、希腊、波兰、沙特阿拉伯、新加坡、瑞士和阿联酋。 Smith 说：“如果规定保持不变，《人工智能扩散规定》对中国迅速扩张的 AI 行业而言无异于一份礼物。”

禁令

CINNO . 2025-03-03 1290
收购 | 又一家半导体公司要消失？安森美有意收购Allegro

据彭博社3月2日报道，安森美半导体（ON Semiconductor）有意收购Allegro MicroSystems。根据报道，近月来，安森美已经聘请专业顾问团队推进对Allegro的收购进程，并且消息人士指出可能有其他竞购方浮出水面，而且Allegro还未表明是否愿意接受安森美的收购要约。受此消息影响Allegro股价小幅上涨2.43%，股价为22.3美元一股，总市值达到了41.06亿美元。不过，Allegro的股价今年累计已经下跌了约31%。安森美的股价当日则小幅下跌0.7%，达到47.05美元一股，当前总市值约为198.28亿美元，今年累计已经下跌42%。可以说这两家公司今年的境遇都不算太好，安森美在2月25日刚刚披露启动成本消减重组计划，预计2025年全球各业务部门裁员约2,400人，裁员比例接近9%（截至12月31日，安森美在33个国家的工厂雇佣了近26,400名全职员工以及约90名兼职和临时员工。）。总部位于美国亚利桑那州凤凰城的安森美在2月时曾预警今年一季度营收及每股利润将大幅低于华尔街预期，他们认为全球汽车芯片需求仍然十分疲软。而安森美的两大营收来源分别是车载CMOS图像传感器（车载CIS）与功率半导体。其中汽车芯片领域，安森美主要聚焦于车载CIS这一细分市场。据市场调研机构统计，安森美在整个汽车CIS市场拥有高达50%的市场份额，并且在电动汽车ADAS的CIS细分市场的份额更高达68%。图：Allegro新任CEO兼总裁Mike Doogue（图片来源：Allegro） Allegro则主要专注于设计和制造磁传感器及其相关集成电路，尤其以霍尔效应传感器见长。这些产品广泛应用于汽车（例如电机控制、电流检测和位置传感）、工业控制，以及消费电子领域。而且在上周一（2月24日），Allegro刚刚公布新任CEO兼总裁人选，以接替任职近三年的CEO Vineet Nargolwala。新任CEO为Mike Doogue，他在1998年就以设计工程师的身份加入了Allegro。此后历任多个领导岗位，在制定战略、技术路线图开发，以及创造驱动客户价值的新型创新产品方面发挥了关键作用。通过先后担任战略营销总监、先进传感器技术副总裁、技术与产品高级副总裁，以及最近的执行副总裁兼首席技术官等领导职务，Mike成功推动了Allegro颠覆性技术和业务线的发展。在担任执行副总裁兼CTO期间，他领导Allegro的技术开发及全球运营组织，涵盖晶圆技术开发、制造、供应链、采购和质量团队。Mike Doogue拥有Colby College的物理学学士学位及达特茅斯学院的电气工程学士学位，而且完成了斯坦福大学商学院的SEP项目。值得一提的是，他持有超过75项美国半导体相关专利。 Allegro的最大股东是日本企业Sanken Electric Co.，持股比例约为32%。从市场和技术角度来看，如果安森美成功收购Allegro，可以借此进一步扩展其传感器产品线，特别是在汽车应用中的磁传感器和电机控制系统产品线。这两家公司的产品中技术和应用上具有互补性，整合后可以提供更加完整的汽车硬件解决方案，并且整合后有望降低芯片产品的研发和生产成本，同时加强供应链整合，提高整体盈利能力。

收购

芯查查资讯 . 2025-03-03 3 3 2060
产品 | 深入解析 TPS54202DDCR：特性、应用与原厂优势

在现代电子设备的复杂电路系统中，高效、稳定的电源管理至关重要。德州仪器（Texas Instruments）作为全球领先的半导体公司，推出了一系列性能卓越的电源管理芯片，TPS54202DDCR 便是其中一款备受关注的产品。它以其独特的性能参数、关键特性以及广泛的应用场景，在众多电子设备中发挥着不可或缺的作用。一、原厂品牌 —— 德州仪器（Texas Instruments）德州仪器，简称 TI，在半导体行业中拥有举足轻重的地位。自 1930 年成立以来，TI 始终致力于通过半导体技术的创新，为全球电子市场提供多样化的解决方案。公司在模拟和数字信号处理技术方面积累了深厚的技术底蕴，其产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子等多个领域。在电源管理芯片领域，TPS54202DDCR 正是 TI 技术实力与创新精神的结晶，它继承了 TI 产品一贯的高品质、高性能特点，为电子设备的电源管理提供了可靠保障。图：TPS54202简化版原理图（来源：TI）二、TPS54202DDCR 主要参数 1.输入电压范围：TPS54202DDCR 具备 4.5V 至 28V 的宽输入电压范围，这使得它能够适应多种不同的电源输入场景。无论是常见的 12V、24V 分布式总线电源，还是一些采用电池供电且电压波动较大的设备，该芯片都能稳定工作。这种宽输入电压范围的设计，大大提高了芯片的通用性和适用性，减少了因输入电压限制而导致的应用局限性。 2.输出电流与电压：该芯片能够提供持续 2A 的输出电流，满足了许多中等功率需求的电路应用。在输出电压方面，它支持可调输出，范围为 0.6V 至 26V。通过外部电路的合理设计，可以灵活地将输入电压转换为所需的输出电压，为不同工作电压要求的负载提供稳定的供电。例如，在一些需要为多种不同芯片或模块供电的电路板上，TPS54202DDCR 可以通过精确的电压调节，确保各个负载都能获得合适的工作电压。 3.静态电流与开关频率：静态电流（即芯片在空载或轻载时的电流消耗）为 45μA，较低的静态电流有助于降低系统在待机或轻载状态下的功耗，提高能源利用效率。其开关频率固定为 500kHz，这个频率在保证高效功率转换的同时，也能较好地平衡电感、电容等外部元件的尺寸和成本。较高的开关频率可以使用较小尺寸的电感和电容，从而减小整个电源模块的体积，但同时也会增加一定的开关损耗；而 500kHz 的开关频率则在两者之间找到了较好的平衡点，使得芯片在性能和成本方面都具有优势。 4.工作温度范围：TPS54202DDCR 能够在 - 40℃至 + 125℃的宽温度范围内正常工作。这一特性使其非常适合在各种恶劣环境下的应用，如工业控制中的高温环境、汽车电子中的极端温度条件以及户外设备面临的低温环境等。无论是在酷热的沙漠地区，还是在寒冷的极地环境，该芯片都能稳定运行，保证设备的正常工作。 5.封装形式：采用 SOT-23-6 封装，这种封装形式具有尺寸小、占用 PCB 空间少的优点。在当今电子产品追求小型化、轻量化的趋势下，SOT-23-6 封装使得 TPS54202DDCR 能够轻松集成到各种紧凑型电路板设计中，为实现高密度的电路布局提供了可能。同时，该封装也具备良好的电气性能和散热性能，确保芯片在工作过程中的稳定性。三、关键特性 1.集成式 MOSFET：芯片内部集成了 148mΩ 的高端 MOSFET 和 78mΩ 的低端 MOSFET，这种集成设计减少了外部元件的数量，降低了整体解决方案的成本和尺寸。同时，集成的 MOSFET 经过优化设计，能够有效降低导通电阻，提高功率转换效率，减少能量损耗。在 2A 的连续输出电流条件下，内部集成的 MOSFET 能够稳定工作，确保芯片高效地将输入电压转换为所需的输出电压。 2.低功耗特性：除了前面提到的低静态电流外，TPS54202DDCR 还具有 2μA 的关机电流。在设备进入关机状态时，极低的关机电流可以最大限度地减少电池电量的消耗，延长电池的使用寿命。此外，芯片还采用了 Advanced Eco - mode™脉冲跳跃技术，在轻载情况下，通过间歇性地关闭部分电路，进一步降低功耗，提高轻载效率，从而实现了在全负载范围内的高效节能。 3.软启动功能：内部集成了 5ms 的软启动时间，这一特性在芯片启动时能够有效避免浪涌电流的产生。当芯片开始工作时，输出电压会在 5ms 的时间内逐渐上升到设定值，而不是瞬间达到，从而保护了芯片本身以及与之相连的电路元件，减少了因浪涌电流可能导致的元件损坏风险，提高了系统的可靠性和稳定性。 4.频率扩展技术：引入了频率扩展频谱（Frequency Spread Spectrum）技术来降低电磁干扰（EMI）。在开关电源工作过程中，由于高频开关动作会产生一定的电磁辐射，可能对周围的其他电路产生干扰。频率扩展频谱技术通过在一定范围内周期性地改变开关频率，使得电磁能量分布在更宽的频率范围内，从而降低了在特定频率点上的电磁干扰强度，提高了整个系统的电磁兼容性，使设备更容易通过相关的 EMI 测试标准。 5.峰值电流模式控制与多重保护功能：采用峰值电流模式控制方式，能够快速响应负载电流的变化，实现精确的电压调节。同时，芯片具备完善的保护功能，包括对高端和低端 MOSFET 的过流保护，并且采用了打嗝模式（hiccup mode）保护。当检测到过流情况时，芯片会进入打嗝模式，周期性地尝试恢复正常工作，避免了因持续过流而导致芯片过热损坏。此外，芯片还具有过压保护和热关断功能，当输出电压超过设定的过压阈值时，过压保护电路会迅速动作，防止过高的电压对负载造成损害；而当芯片温度过高时，热关断功能会自动启动，将芯片关闭，待温度降低后再自动恢复工作，全方位地保护芯片和整个电路系统的安全运行。四、应用场景 1.工业应用 1）工业自动化设备：在工业自动化生产线上，各种传感器、控制器、执行器等设备需要稳定可靠的电源供应。TPS54202DDCR 的宽输入电压范围、高输出电流能力以及良好的稳定性和可靠性，使其非常适合为这些设备提供电源。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，需要为内部的微处理器、通信模块、数字输入输出模块等供电，TPS54202DDCR 可以将工业现场常见的 24V 电源转换为各个模块所需的不同电压，确保 PLC 的稳定运行。 2）工业电机驱动：在工业电机驱动系统中，电机在启动和运行过程中会产生较大的电流波动和电磁干扰。TPS54202DDCR 的频率扩展技术可以有效降低电磁干扰，避免对其他设备造成影响。同时，其过流保护和打嗝模式保护功能能够在电机出现过载等异常情况时，保护驱动电路和芯片本身，确保电机驱动系统的安全可靠运行。例如，在一些小型工业机器人的关节电机驱动模块中，TPS54202DDCR 可以为驱动芯片提供稳定的电源，保障机器人的精确动作控制。 2.消费类应用 1）音频设备：在音频设备中，如耳机放大器、蓝牙音箱等，需要高质量的电源来保证音频信号的纯净放大和还原。TPS54202DDCR 的低静态电流和高效的功率转换特性，能够减少电池供电时的功耗，延长设备的续航时间。同时，其良好的电压调节性能可以为音频芯片提供稳定的电源，避免因电源波动而产生的噪声干扰，提升音频播放的音质。例如，在一些高端无线耳机中，采用 TPS54202DDCR 为耳机内部的音频处理芯片和蓝牙模块供电，能够在小巧的体积内实现长时间的音乐播放和清晰的音频传输。 2）机顶盒（STB）与数字电视（DTV）：机顶盒和数字电视需要多种不同电压的电源来为其内部的各种芯片和电路模块供电，如主处理器、解码芯片、内存芯片等。TPS54202DDCR 的宽输入电压范围和可调输出电压特性，使其能够方便地满足这些设备的电源需求。并且，其集成的 MOSFET 和较小的封装尺寸，有助于在有限的空间内实现高密度的电路布局，满足机顶盒和数字电视小型化、轻薄化的设计要求。 3）打印机：打印机内部包含多个不同功能的模块，如打印头驱动模块、电机驱动模块、控制电路模块等，每个模块都需要合适的电源电压。TPS54202DDCR 可以将打印机的输入电源（通常为 12V 或 24V）转换为各个模块所需的不同电压，同时其良好的抗干扰性能和保护功能，能够确保打印机在复杂的工作环境下稳定运行，避免因电源问题导致的打印错误或设备故障。 3.通信设备 1）无线接入点（AP）：在无线接入点设备中，需要为射频（RF）模块、基带处理芯片、网络交换芯片等提供稳定的电源。TPS54202DDCR 的宽温度范围工作特性，使其能够适应无线接入点可能面临的各种环境温度条件，无论是在室内还是室外安装。同时，其高效的电源转换和低功耗特性，有助于降低设备的整体功耗，提高能源利用效率，减少运营成本。例如，在一些户外型无线接入点中，采用 TPS54202DDCR 为设备内部的各个模块供电，能够保证设备在高温、低温等恶劣环境下稳定地提供无线网络服务。 2）通信基站：通信基站内部的电路系统复杂，对电源的可靠性和稳定性要求极高。TPS54202DDCR 可以作为基站内部部分电路模块的电源转换芯片，其多重保护功能能够在基站运行过程中，有效应对各种可能出现的电源异常情况，如过流、过压等，确保基站的正常通信功能不受影响。而且，由于基站通常需要长时间不间断运行，TPS54202DDCR 的低功耗特性可以降低能源消耗，符合节能减排的要求。 TPS54202DDCR 作为德州仪器推出的一款高性能降压型同步转换器，凭借其出色的主要参数、丰富的关键特性以及广泛的应用场景，在电源管理领域展现出了强大的竞争力。无论是在工业控制、消费电子还是通信设备等众多领域，它都能为电子设备提供稳定、高效、可靠的电源解决方案，助力电子设备实现更优的性能和更低的功耗。随着电子技术的不断发展和创新，像 TPS54202DDCR 这样的优质电源管理芯片将在未来的电子市场中发挥更加重要的作用。

TI

芯查查资讯 . 2025-03-03 895
存储 | 一文了解半导体存储器原理、分类及主要供应商

重点内容速览： 1. DRAM技术原理及主要供应商 2. SRAM技术原理及主要供应商 3. Flash存储器原理及主要供应商4. 新型存储器产品半导体存储器（Semiconductor Memories），又称为存储芯片，是用半导体集成电路工艺制成、用于存储数据信息的固态电子器件，由大量能够表征0和1的半导体器件（存储元）和输入输出电路等构成，是计算系统的重要部件。半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，更重要的是存储元阵列和主要的外围逻辑电路兼容，可以制作在同一芯片上。因此，现在的半导体存储器不仅用作计算系统的内存，也在逐渐取代磁性存储器，而作为外存，比如说现在流行的固态硬盘等。也就是说，现在的半导体存储器已经广泛应用于内存、U盘、固态硬盘、智能手机、消费电子，以及智能终端中。生活中经常会听到的存储器主要是DRAM（动态随机存储器）和Flash（闪速存储器，简称闪存），比如我们选择电脑或者智能手机的时候，经常会关注是8+256GB，还是16+512GB，甚至是1TB，这里的8GB、16GB一般指的就是DRAM存储器，256GB、512GB，或者1TB指的就是Flash，而且一般都是NAND Flash。其实，除了DRAM和Flash，半导体存储器还有很多种分类。通常，人们会根据数据在存储器中保存时间的长短，将其划分为易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-volatile Memory)。其中，易失性存储器断电后数据就会丢失，所以主要用来存储短时间使用的程序，它主要为随机存取存储器（简称：随机存储器，RAM），分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM），SRAM通常用于CPU的缓冲（Cache）存储器，速度比DRAM更快，不过价格也更高；DRAM主要应用于电脑、数据中心、手机等领域，它具有快速读写的特性。图：半导体存储器分类（芯查查绘制）而非易失性存储器在断电后，仍然能保持存储的数据，它分为只读存储器（ROM）、闪存（Flash）,以及一些新兴的存储器产品。其中，ROM又可分为掩膜ROM、可编程只读存储器（PROM）、紫外线可擦（UVPROM）和电可擦（EEPROM）两种模式的可擦除PROM，它通常用于储存不需要经常更改的系统程序、软件驱动等；Flash又分为两种，一种是NAND Flash，它的写入速度快、成本较低，主要用于手机存储、固态硬盘、移动硬盘、存储卡等设备；第二种是NOR Flash，它的读取速度快，但写入速度慢，成本较高，通常用于主板上的固件、网通设备，以及物联网系统中。那么，这么多种类的存储芯片都有哪些特点，主要的供应商都有谁呢？芯查查带您一探究竟。 DRAM技术原理及主要供应商最近几十年半导体存储器技术显著发展的进程中，由于DRAM具有高密度和每位低价格的优点，已经成为了生产最多的用于计算机主内存的易失性存储器。一直以来，半导体存储器在全球半导体销售中所占的比例还是很大的，多的年份甚至超过了50%，不过由于2023年上半年存储器产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，2023年9月，DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直到2024年7月再度走低，如今的DRAM价格相对去年7月份价格相对偏低。根据WSTS统计的数据，2024年全球半导体销售额为6,268.7亿美元，其中存储器产品销售额为1,670.5亿美元，占整个半导体销售总额的26.3%。另据CFM闪存市场统计，2024年全球DRAM的销售额为973.7亿美元，占了整个存储器销售额的一半以上。第二大存储器就是NAND Flash，其销售额为696.09亿美元。图：全球DRAM/NAND Flash市场收入季度变化（单位：亿美元；来源：CFM闪存市场） DRAM的原理是利用电容器上的电荷存储来代表存储的二进制的逻辑“0”或逻辑“1”。一般来说，DRAM的基本存储电路（即存储元）有两种结构，即多管存储元和单管存储元。多管存储元的缺点是元件多，占用芯片面积大，故集成度较低，但外围电路较简单。单管存储元的元件数量少，集成度高，但外围电路比较复杂。拿单管存储元来说，它由一个MOS管T1和一个电容C构成（如下图）。写入时，字选择线（地址选择线）为1，T1导通，写入的数据通过位线（数据线）存入电容C中。图：单管动态存储元（来源：网络）这种以电容为核心的存储元电路简单，但电容总会漏电，时间长了，存放的信息就会丢失，或出现错误。因此，需要对这些电容定时充电，这个过程称之为刷新。由于需要定时刷新，所以这种RAM被称为动态RAM。DRAM的存取速度一般会比SRAM的存取速度更低，DRAM的主要特点是集成度很高、功耗低，以及价格便宜，主要应用于计算机、数据中心及手机等场景。前面提到由于DRAM的存取速度比较低，为了改善读写性能，存储器厂商开发出了许多读写操作模式DRAM产品，比如FPM（快页模式） DRAM、EDO（也被称为超快页模式，即HPM） DRAM、RDRAM，以及SDRAM（同步动态随机存储器）等。 SDRAM结构的提出是受存取数据要比EDO DRAM快的要求所驱动。DDR SDRAM（双数据速率同步的动态随机存储器）的开发则是受DDR同步猝发SRAM所启发。DDR SGRAM（双数据速率同步图像随机存取存储器）是SDRAM的逻辑扩充。JEDEC将DDR SDRAM/SGRAM结构定为了“JEDEC 21C固态存储器结构”标准，并定期发布这一标准的新版本，这就是我们熟知的DDR3/GDDR3、DDR4/GDDR4、DDR5/GDDR5、以及LPDDR等产品标准。其实，这几年市场紧缺的HBM（高带宽存储器）也属于SDRAM。 DRAM是IBM研究员Robert H. Dennard博士在1966年发明，并于1968年获得了专利。第一颗DRAM芯片C1103是英特尔在1970年10月推出的，当时容量只有1Kbit，售价10美元。英特尔曾经在1974年在DRAM市场占有率达到82.9%。早期的DRAM产业给领先国家带来了丰厚的利润，从而引发了众多国家之间的激烈竞争。美国、日本、德国、韩国和中国台湾等地轮流上演了数千亿美元的芯片存储器战争，各方投入巨额资金，竞争激烈，从美国独大，到日本称雄，后面韩美称霸全球，三星、SK海力士、美光三家占了全球DRAM市场90%以上的份额。2017年开始，中国开始加入DRAM竞争大军，并已经有DDR5产品出货了。也就是说，现在的DRAM市场供应商并不多，主要有三星电子、SK海力士、美光、南亚科技、华邦电子、长鑫存储、北京君正、紫光国芯、兆易创新、东芯股份等。其中，三星电子、SK海力士和美光近年来在全力发展HBM和DDR5产品，由于近期DDR价格持续下跌，三星电子、SK海力士和美光等DRAM供应商都宣布了将在2025年内停产DDR3和DDR4产品。国内的长鑫存储也主要发力DRAM先进芯片，比如DDR5等，据公开资料显示，其DDR4，DDR5芯片已经开始出货。其他几家主要聚焦在利基型DRAM产品方面。利基型DRAM主要是指那些存储容量较小、对制程要求不高的DRAM产品，主要应用在机顶盒、智能电视、监控、汽车和工控等领域。中国台湾的南亚科技和华邦电子在利基型DRAM市场占据较大的市场份额，兆易创新和东芯股份在积极布局利基型DRAM市场，北京君正在汽车市场比较有竞争力。 SRAM技术原理及主要供应商 SRAM即静态随机存取存储器，其存储元是在静态触发器的基础上附加门控管构成的，靠触发器的自保功能存储数据。只要不掉电，其存储的信息可以始终稳定地存在。下图的SRAM基本存储电路就是由6个MOS管组成的双稳态存储元。图：SRAM双稳态存储元（来源：网络） SRAM存放的数据在不掉电的情况下能长时间保留，状态稳定，其外部电路比较简单，便于使用。但是由于SRAM的基本存储电路中包含的晶体管较多，所以集成度较低，而且功耗比较大。目前可提供SRAM产品企业有三星电子、SK海力士、英飞凌、瑞萨、GSI、安森美、Amic Technology、北京君正、伟凌创芯等。 Flash存储器原理及主要供应商在非易失性存储器当中，有只读存储器（ROM）、闪速存储器（Flash），以及其他新型存储器产品。其中ROM从字面意思上看是只能读出信息，而不能随意写入信息的存储器。但随着技术的发展，目前的ROM也可以写入信息，只是与RAM的随机写入相比，ROM的写操作有一定的条件。比如可编程ROM就可以通过电和光照的方法写入要存储的程序和数据，但是只能编程写入一次，写入的数据能够永久保存。随后也出现了可擦可编程ROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）,可多次编程写入。用户根据需要编程写入相应的数据，并能够把已写入的内容擦去后再改写。最开始的EPROM芯片上方预留了一个石英透明窗口，需要用紫外线照射芯片上的透明窗口来擦除存储的数据，擦除后可以使用专门的编程写入器对其重新编程。再然后就出现了电擦除可编程ROM（Electrically-Erasable Programmable ROM，EEPROM），其工作原理类似EPROM，只是EEPROM的擦除操作是使用高电平，无需透明窗口。尽管EEPROM能够在线编程，但其编程时间相对RAM来说还是太长了，特别是对大容量的芯片更是如此。人们希望有一种写入速度类似于RAM，掉电后数据又不丢失的存储器。这时候，Flash存储器就被研制出来了，Flash的编程速度快，掉电后数据也不丢失，因此得到了广泛的应用。 Flash从技术特性上主要分为NOR Flash和NAND Flash两种。NOR Flash的结构中，每个存储单元是并联的，可以实现按位读取。这种并联结构决定了其具有存储单元可独立寻址，因此适合储存代码，而且其特点是芯片内执行（Execute In Place，XIP），此类型的闪存可以使应用程序直接在闪存内运行，不必将代码读取到系统RAM中。但存储单元的并联结构，还决定了金属导线占用很大的面积，因此NOR Flash的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场景。加上其写入采用了热电子注入方式，效率较低。也就是说，NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低，比较适合于嵌入式系统、固件存储、启动代码等应用场景。受益于TWS耳机，以及生成式AI浪潮带动算力需求增加，拉动了NOR Flash的需求。比如GPU的增加将带动终端设备增长40~60颗NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也将采用NOR Flash存储。另外AI PC也需要额外的NOR Flash资源。目前NOR Flash的容量也在往512Mb、1Gb，甚至2Gb方向迈进。据Mordor Intelligence的数据，2024年NOR Flash全球市场规模约为26.9亿美元，预计2029年增长至36亿美元。目前NOR Flash的供应商主要有美光、英飞凌、Microchip、华邦电子、旺宏、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份、复旦微电等。 NAND Flash各个存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是512字节。这种串联结构决定了其无法进行位读取，也就是无法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在NAND Flash中运行。NAND Flash是以页为读取和写入单位的，以块为擦除单位。基本存储单元的串联结构减少了金属导线占用的面积，因此NAND Flash的存储密度更高，适用于需要大容量存储的应用场合。NAND Flash采用的F-N隧道效应方式写入数据的，效率较高，适用于频繁擦除和写入的场合，比如固态硬盘、U盘、手机存储等。 NAND Flash也是存储器市场的主力，其销售额仅次于DRAM，2024年的销售额为696.09亿美元，约占整个存储器市场销售额的40%。目前NAND Flash的头部厂商包括三星电子、SK海力士、铠侠、美光、西部数据等，除了这些厂商之外，还有长江存储、旺宏电子、华邦电子、兆易创新、江波龙、东芯半导体、普冉半导体、复旦微电子等。其他新型存储器产品为了突破传统非易失性存储器的尺寸极限，开发出高速、高密度、低功耗的非易失性存储器，近年来，研究者们将目光聚焦在了一些有特殊性能的材料，并依据这些材料提出了一些存储器模型。其中最为引人注目的有以下几种存储器：铁电随机存储器（Ferroelectric RAM，FRAM）、相变存储器（Phase-change RAM，PRAM）、磁阻随机存储器（Magnetoresistive RAM，MRAM）和阻变存储器（Resistive switching RAM，RRAM）。 FRAM采用铁电材料作为存储介质，利用铁电材料的不同极化方向来存储数据。在铁电材料上施加一定大小的电场时，晶体中的原子在电场的作用下发生位移，使得晶体中的正负电荷中心不重合，并处于一种稳定状态（极化向上）；当施加反向电场时，晶体的中心原子向反方向发生位移，达到另一种稳定状态（极化向下）。极化向上或者向下代表着两个双稳态，就可以用来存储二进制的信息“1”和“0”。即使当电场撤销后，极化后晶体中的原子中没有获得足够的能量之前都会保持在原来的位置，因此，FRAM的数据保持不需要电压来维持，是一种非易失性存储器。 FRAM具有高速度、低功耗、以及循环性能好等特点。虽然FRAM被认为是有潜力的下一代非易失性存储器，但是目前它还面临四个挑战。一是容量问题，目前FRAM的量产容量仍然有限，最大仅为16Mb；二是擦写循环特性要求更高，因为FRAM每次数据读取都需要重新写入，也就是说，FRAM的读取过程中就伴随着大量的擦写操作；三是存储密度低，由于FRAM的存储单元是1T1C结构，即由1个晶体管搭配一个电容组成，因此FRAM单个存储单元的特征面积太大，同样的线宽下，FRAM的密度将比DRAM和Flash还要低。此外，FRAM的结构中因为电容的存在也使得其很难实现三维存储。供应商方面，目前英飞凌和RAMXEED（原富士通半导体）已经有量产的FRAM产品， SK海力士也有相关技术积累。 MRAM是一种利用磁阻效应的非易失性存储器。MRAM的结构中包括固定磁层、隧穿层和自由磁层。MRAM擦写速度快，反复擦写次数高，被认为有潜力替代现在的多种存储器。尤其是最近开发的自旋转移力矩（Spin-transfer Torque，STT）MRAM，利用放大了的隧道效应，使得磁阻变化更加明显。STT MRAM利用自旋电流的特征，有望使其集合DRAM和Flash的共同优点，成为非常有潜力的下一代非易失性存储器之一。尽管如此，MRAM的高低阻态之比还是太小，尤其是当读取电压降低时更加明显。另外，由于磁性材料的原因，MRAM在进行写入和擦除操作时，不同存储单元之间存在磁场干扰问题，器件小型化之后，这一问题将更加突出。全球主要的MRAM供应商包括Everspin Technologies、Avalanche Technology、瑞萨、Crocus Nano Electronics、三星电子等。 PRAM是一种基于相变材料（一种或多种硫族化合物）的非易失性存储器，其主要是利用电流的焦耳热作用下材料在晶态和非晶态之间的转变来实现存储。相变材料在晶态与非晶态之间的转变必然导致电阻和反射率等性质的变化。 PRAM具有重复擦写次数高、存储密度高、具备多值存储潜力等一系列优点。PRAM被认为是取代NOR Flash的候选产品，并且随着微电子加工工艺的发展，PRAM在更小的线宽下有望获得更高的存储密度。但是，高质量的相变材料的制备，以及使材料发生相变所需的大电流是限制PRAM商用化的主要原因。电流大就意味着高功耗，这是PRAM大规模应用前需要解决的主要问题。到目前为止，国际上仅三星电子和英特尔推出了相关产品，但多为非嵌入式相变存储器产品，距离量产和普及还需要一段时间。另外，美光、SK海力士等厂商都有相关研究，而且在2024年3月意法半导体和三星电子联合推出了18nm FD-SOI工艺，支持嵌入式相变存储器（ePCM）。 RRAM利用某些薄膜材料在外加电场的作用下，表现出的两个或两个以上的不同电阻态来实现数据存储，是近几十年来受到学术界和工业界广泛关注的一种新型非易失性存储器。RRAM具有擦写速度快，存储密度高、重复擦写次数高、多值存储和三维存储潜力等众多优点。RRAM还面临两大核心问题，一是存储材料体系的选择和优化；二是器件结构的设计。在商业化上，富士通、松下、Crossbar、昕原半导体、Adesto、索尼、美光、SK海力士等厂商均已在开展RRAM相关的研究和生产工作。代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都在同步规划RRAM的生产。量产的产品主要有Adesto的130nm CBRAM和松下的180nm RRAM。

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芯查查资讯 . 2025-03-03 2 17 6295
产品 | DSPIC30F2010 - 30I/SP 芯片深度剖析

在数字信号处理领域，一款性能卓越的芯片对于众多电子设备的高效运行至关重要。 Microchip Technology 公司推出的 DSPIC30F2010 - 30I/SP 型号芯片，凭借其出色的特性和广泛的适用性，在各类应用中崭露头角。一、原厂品牌 ——Microchip Technology Microchip Technology（微芯科技）是一家在全球半导体行业颇具影响力的企业。自 1989 年成立以来，始终专注于为嵌入式控制应用提供高性能、低功耗且成本效益高的半导体解决方案。公司拥有丰富的产品线，涵盖微控制器、模拟器件、接口芯片等多个领域，为汽车、工业、消费电子、通信等众多行业提供支持。凭借先进的技术研发实力、严格的质量把控以及良好的客户服务，Microchip 在半导体市场赢得了广泛的认可和信赖，DSPIC30F2010 - 30I/SP 正是其在数字信号处理领域技术实力的体现。图：DSPIC30F2010 - 30I/SP内部框图二、主要参数 CPU性能：该芯片基于 16 位数字信号控制器（DSC）架构，能够以 30MIPS 的速度运行，这意味着它每秒可执行 3000 万条指令。强大的运算能力使其能够快速处理复杂的数字信号处理任务，如数字滤波、快速傅里叶变换（FFT）等，满足对实时性要求较高的应用场景。内存配置：内部集成了 8KB 的 Flash 程序存储器，用于存储用户编写的程序代码，确保设备在断电后程序不丢失。同时，配备了 512 字节的 SRAM 数据存储器，可用于数据的快速读写，方便在运行过程中对数据进行临时存储和处理，为高效的数据处理提供了有力支持。外设接口：具备丰富的外设接口，包括多个通用输入 / 输出（GPIO）引脚，可灵活配置为各种功能，如控制外部设备的开关、采集传感器数据等。此外，还集成了 SPI（串行外设接口）、I²C（集成电路总线）等通信接口，方便与其他芯片或模块进行高速数据通信，实现系统的扩展和集成。三、关键特性 1.数字信号处理能力：内置专门的数字信号处理指令集，能够高效执行乘法累加（MAC）等运算，这对于数字滤波、电机控制算法等应用至关重要。例如，在电机控制中，通过快速的数字信号处理，可以精确地调节电机的转速和扭矩，提高电机的运行效率和稳定性。 2.低功耗设计：采用先进的低功耗工艺，在保证性能的同时，有效降低了芯片的功耗。芯片支持多种低功耗模式，如空闲模式和休眠模式。在空闲模式下，CPU 停止工作，但外设仍可继续运行，可降低系统功耗；在休眠模式下，芯片几乎不消耗电流，大大延长了电池供电设备的续航时间，非常适合便携式设备应用。 3.可靠性高：具备多种硬件保护机制，如欠压复位（BOR）功能，当电源电压低于设定阈值时，芯片会自动复位，防止因电压过低导致程序运行错误。同时，内置的看门狗定时器（WDT）可在程序出现异常时强制系统复位，确保系统的稳定运行，提高了设备在复杂环境下的可靠性。四、应用场景 1.工业控制：在工业自动化生产线中，常用于电机控制。利用其强大的数字信号处理能力和丰富的外设接口，可精确控制电机的转速、转向和扭矩，实现自动化设备的精准运行。例如，在自动化机床的运动控制中，DSPIC30F2010 - 30I/SP 能够根据预设的程序精确控制电机，实现刀具的准确走位，提高加工精度和效率。 2.消费电子：在便携式音频设备中应用广泛，如 MP3 播放器、蓝牙音箱等。其低功耗特性可延长设备的电池续航时间，数字信号处理能力则可对音频信号进行高效处理，提升音频质量，实现音效增强、降噪等功能，为用户带来更好的听觉体验。 3.智能家居：可作为智能家居系统中的节点控制器，通过其丰富的外设接口连接各类传感器和执行器，如温湿度传感器、门窗传感器、智能开关等。利用芯片的运算能力和通信接口，实现对家居设备的智能控制和数据采集，如根据室内温湿度自动调节空调温度，或通过手机远程控制家电设备等。综上所述，DSPIC30F2010 - 30I/SP 凭借其出色的性能参数、关键特性，在多个领域展现出强大的应用潜力，为各类电子设备的智能化、高效化发展提供了有力支撑。随着技术的不断进步，这款芯片有望在更多创新应用中发挥重要作用。

Microchip

芯查查资讯 . 2025-03-02 740
2024年中国半导体产业投资额约为6,831亿元，同比下降41.6%

从全球视角来看，2024年半导体行业正处于后疫情时代的调整期。尽管人工智能、5G和物联网等新兴技术驱动长期需求增长，但短期内全球经济放缓和地缘政治紧张局势对行业投资产生了抑制作用。中国作为全球最大的半导体消费市场，其投资动态不仅影响本土产业格局，也对全球供应链的稳定性产生深远影响。一、中国半导体产业投资趋势分析：2024年投资总额下降，设备领域逆势增长根据CINNO Research最新统计数据，2024年中国（含台湾）半导体产业项目投资总额为6,831亿人民币，较去年同期下降41.6%。尽管如此，细分领域的数据显示，半导体设备投资逆势增长1.0%，达到402.3亿人民币，成为唯一实现正增长的投资类别。从投资结构来看，晶圆制造仍是资金的主要流向，2024年投资金额为2,569亿人民币，占比37.6%，但同比下降35.2%。芯片设计领域投资额为1,798亿人民币，占比26.3%，同比下降39.5%。半导体材料和封装测试领域的投资降幅更为显著，分别下降50.0%和46.7%，投资金额为1,116亿人民币和945.1亿人民币，占比16.3%和13.8%。尽管中国在半导体制造和设计领域持续发力，但全球需求疲软、技术壁垒以及国际供应链重组等多重因素对投资信心造成了一定压力。图示: 2024年中国半导体产业投资项目分布情况（来源: CINNO • IC Research）二、中国半导体设备投资增长的多重驱动因素：美国出口管制政策的深远影响值得注意的是，半导体设备投资的逆势增长不仅反映了中国在半导体供应链自主化方面的战略决心，也在很大程度上受到美国施压国际设备厂商限制对华出口政策的直接影响。美国出口管制政策的催化作用近年来，美国通过一系列出口管制措施，限制国际半导体设备厂商向中国出口先进制程设备及相关技术。例如，美国商务部工业与安全局（BIS）对荷兰ASML、美国应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）等国际领先设备厂商施加压力，限制其向中国出口高端光刻机和其他关键设备。这些政策直接导致中国在先进制程设备领域的进口受限，倒逼中国加速本土化设备研发和生产。美国的出口管制政策不仅影响了中国半导体产业的短期发展，也促使中国政府和企业在设备领域加大投资力度，以突破技术瓶颈。2024年设备投资的逆势增长正是这一背景下的直接结果。中国通过政策支持、资本投入和技术攻关，正在逐步缩小与国际先进水平的差距。政策支持与资本投入的双重驱动中国政府在“十四五”规划中将半导体产业列为战略性新兴产业，并出台了一系列支持政策，包括税收优惠、研发补贴和产业基金等。特别是在设备领域，国家集成电路产业投资基金（俗称“大基金”）加大了对本土设备厂商的支持力度，推动关键设备的自主研发和产业化。此外，地方政府也积极参与半导体设备产业链的布局。例如，上海、北京、深圳等地纷纷设立专项基金，支持本地设备企业的发展。这些政策举措为设备投资的增长提供了强有力的保障。技术突破与市场需求的双重拉动在外部压力和政策支持的共同作用下，中国半导体设备企业在部分领域已取得显著进展。例如，中微半导体（AMEC）在刻蚀设备领域已达到国际先进水平，北方华创（NAURA）在薄膜沉积设备方面也取得了重要突破。这些技术突破不仅提升了本土设备的市场竞争力，也吸引了更多资本流入设备领域。同时，中国作为全球最大的半导体消费市场，对设备的需求持续增长。随着国内晶圆厂扩建计划的推进，对光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备的需求不断增加。尽管国际设备供应受限，但本土设备厂商正在逐步填补这一市场空缺。全球半导体产业格局的变化美国的出口管制政策不仅影响了中国，也对全球半导体产业链产生了深远影响。国际设备厂商在失去部分中国市场的同时，也面临技术竞争加剧的压力。例如，荷兰ASML在中国市场的销售额显著下降，而中国本土设备厂商的市场份额则逐步提升。未来，随着技术突破的不断推进和政策支持的持续加码，中国半导体设备产业有望在全球竞争中占据更重要的位置。同时，国际设备厂商也可能在政策压力和市场需求的博弈中重新评估其对中国市场的战略。三、中国半导体产业投资趋势分析：地域分布与材料领域投资聚焦地域分布：高度集中，台湾与江苏领跑根据CINNO Research最新统计数据，从投资地域分布来看，2024年中国半导体产业投资涉及25个省市（含直辖市），但资金分布高度集中。台湾以37.2%的投资占比位居第一，成为半导体产业的核心投资区域。江苏紧随其后，占比14.7%。浙江、上海和北京分别以9.2%、6.3%和5.7%的占比位列第三至第五。前五个地区的投资总额占比高达73.1%，显示出半导体产业在地域上的高度集聚效应。这种集中化趋势与地方产业基础、政策支持力度以及产业链配套能力密切相关。台湾作为全球半导体产业的重要基地，在晶圆制造和芯片设计领域具有显著优势；江苏则依托长三角地区的产业集群效应，在半导体制造、封装测试等领域占据重要地位。浙江、上海和北京等地在政策支持、人才储备和市场资源方面也具有独特优势。内外资分布：内资主导，台资占比显著从内外资分布来看，2024年中国半导体产业投资以内资为主，占比达到62.5%，显示出中国在推动半导体产业自主化方面的决心。台资占比为36.8%，凭借其在晶圆制造和芯片设计领域的技术积累，继续发挥重要的市场作用。材料领域投资：硅片与第三代半导体成焦点根据CINNO Research最新统计数据，在半导体材料领域，2024年投资资金按项目类别分布显示，硅片投资占比最高，达到36.4%，投资金额为406.3亿人民币。硅片作为半导体制造的核心材料，其投资规模反映了中国在提升晶圆制造能力方面的持续努力。此外，第三代半导体材料（SiC/GaN）投资占比为20.5%，投资金额达到228.6亿人民币。SiC/GaN材料在新能源汽车、5G通信和能源电力等领域的应用前景广阔，其投资增长表明中国正在加速布局下一代半导体技术，以抢占未来产业制高点。从全球视角来看，2024年半导体行业正处于周期性调整阶段。尽管人工智能、5G和物联网等新兴技术驱动长期需求增长，但全球经济放缓和地缘政治紧张局势对行业投资产生了抑制作用。中国作为全球最大的半导体消费市场，其投资动态不仅影响本土产业格局，也对全球供应链的稳定性产生深远影响。美国的出口管制政策对中国半导体产业构成了短期挑战，但也加速了中国在设备、材料等关键领域的自主创新步伐。随着全球半导体市场逐步复苏，中国有望在硅片、第三代半导体材料以及设备制造等领域实现更大突破，进一步巩固其在全球半导体产业链中的地位。同时，地域集中度的提升和内外资结构的优化，也将为中国半导体产业的可持续发展提供更强动力。展望未来，中国半导体产业的投资趋势将取决于多重因素，包括政策支持力度、技术突破进展以及国际合作的深化程度。尽管短期内投资增速放缓，但中国在半导体设备、材料等关键领域的逆势增长表明，其产业升级和自主创新的战略方向并未改变。在全球半导体行业变革的背景下，中国通过聚焦关键领域的技术突破和产业链自主化，展现其应对复杂国际环境的战略韧性。

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CINNO Research . 2025-02-28 6 2 2410