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  • 收购 | 安森美以1450万美元收购Codasip低端RISC-V业务

    收购 | 安森美以1450万美元收购Codasip低端RISC-V业务

    Onsemi 以 1450 万美元收购 Codasip 的低端 RISC-V 业务，凸显了从日益商品化的处理器 IP 中挖掘价值的难度。Codasip 正转向基于 CHERI 的安全架构，而 Onsemi 则继续通过收购和授权整合技术。这笔交易强化了 JPR 最新 RISC-V 市场更新报告的核心主题：RISC-V 的下一阶段将越来越由成熟的半导体公司主导，价值将从指令集架构 (ISA) 转向差异化产品和系统集成。    据报道，安森美半导体（Onsemi）已完成对Codasip低端RISC-V处理器业务的收购，交易金额为1450万美元。e15 称，约90%的收购款已支付。此次交易仅涉及Codasip约260名员工中的27名，以及使用其Studio处理器设计工具的许可。 该价格在捷克共和国引发了质疑，尤其考虑到Codasip曾多次获得欧洲和国家层面的研究资助。然而，Codasip辩称，此次交易代表的是一次合理的重组，而非被迫出售其宝贵的技术。包括Codasip Studio所有权在内的关键知识产权以及大部分公共资助项目仍归公司所有。    Codasip最初于4月份宣布剥离该业务，这是其向以安全为中心的处理器架构进行战略转型的一部分。Onsemi将获得一系列低端RISC-V处理器技术和开发专长，这些技术和专长可以支持其汽车和工业半导体业务。    当时，我们写道，该公告强烈暗示“整体出售并未在可接受的条件下进行，管理层已为部分业务找到了买家，并正努力为剩余部分打造更鲜明的品牌形象”。     Codasip目前正全力研发采用CHERI（功能硬件增强型RISC指令）技术的处理器。CHERI旨在通过在硬件层面实施细粒度保护来提升内存安全性。该领域的主要竞争对手是另一家RISC-V公司SCI Semiconductor。SCI Semiconductor于2026年9月完成了一轮融资，金额达500万英镑（约合667万美元），用于开发其自主研发的CHERI处理器。本轮融资由Mercia Ventures和PXN Ventures领投。SCI表示，其已获得价值770万英镑（约合1027万美元）的政府合同。     在最近接受 CHERI 联盟采访时，Codasip 首席执行官 Ron Black 解释说，公司发现市场对安全导向型设计的需求日益增长，尤其是在国防和关键国家基础设施领域。他确认，Codasip 将不再专注于授权传统的非 CHERI 处理器，而是专注于更复杂的处理器设计，因为他们认为这些设计具有更大的商业价值。    即使考虑到交易规模有限，1450万美元的成交价仍然令人瞩目。这凸显了独立RISC-V IP开发者面临的一个问题：随着客户可选择的商业和开源替代方案越来越多，基础处理器内核的差异化和盈利变得越来越困难。基于此，Codasip决定专注于CHERI也就不足为奇了。     Codasip 认为，安全、软件和专用架构比销售传统的处理器内核（Ron Black 将其定义为“中高端乱序处理器，因为这些处理器有更大的需求和价值”）提供了更好的机会。    正如我们在最新的市场报告中所述，业界正进入一个新阶段，在这个阶段，成熟的半导体公司将日益主导 RISC-V 的发展方向。其价值不再局限于指令集本身，而是体现在实现方式和交付差异化产品的能力上。    安森美半导体一直积极收购和授权外部技术以扩展自身能力。它已获得Weebit Nano的ReRAM技术授权，用于其Treo模拟和混合信号平台；其他交易还包括收购Qorvo的碳化硅JFET业务和Aura Semiconductor的Vcore功率技术。    最重要的是，安森美半导体于2026年6月宣布拟以70亿美元收购Synaptics，旨在将其在电源和传感方面的专业知识与互联计算、边缘人工智能和控制技术相结合。该公司在2026年9月的投资者报告中概述了一项雄心勃勃的路线图，涵盖汽车、工业自动化、人工智能数据中心和物理人工智能等领域。    收购 Codasip 符合这一大趋势。Onsemi 正在整合可集成到日益复杂的系统中的技术，而不是自行开发每个组件。RISC-V 是该战略中又一个有用的构建模块。    对于独立IP供应商而言，传统RISC-V内核的经济效益正面临越来越大的挑战。而对于大型半导体制造商来说，RISC-V提供了一种掌控自身架构并有可能降低对外部处理器供应商依赖性的方法。 

    RISC-V

    芯视点 . 5小时前 462

  • 收购 | 153亿元，英特尔宣布重磅收购！

    收购 | 153亿元，英特尔宣布重磅收购！

    芯东西10月27日报道，今早，英特尔CEO陈立武发推文宣布已就收购以色列量子计算软件提供商Classiq达成协议。   “此次收购标志着英特尔量子计算事业部迎来转型时刻，我们将由此建立全新的量子计算业务。”陈立武在推文中写道，“通过与Classiq的合作，英特尔将成为全栈量子解决方案提供商，并将量子计算单元（QPU）添加到我们已涵盖CPU、GPU和ASIC的多元化计算平台产品组合中。” 根据英特尔新闻稿，此次收购将Classiq的自动化量子算法合成平台与英特尔的量子软件平台、硅自旋量子比特技术和半导体制造技术相结合，将打造一个用户友好的全栈量子计算平台，使英特尔成为一家全栈量子计算服务提供商。 这项交易尚需获得监管部门批准并满足其他惯例成交条件，预计将于2027年上半年完成。在交易完成之前，英特尔和Classiq将继续作为两家独立的公司运营。   英特尔没有披露此次收购的价格。   根据以色列《国土报》报道，这笔交易是迄今为止全球量子计算行业规模最大的收购案，也是英特尔四年来的首笔重大收购，知情人士透露称交易价格约为23亿美元（约合人民币153亿元），支付方式将在交易完成时确定。   这是陈立武担任英特尔CEO一年半以来宣布的首笔收购案，也是英特尔在以色列的第二大收购案，仅次于2017年以153亿美元收购以色列自动驾驶技术公司Mobileye。   英特尔新闻稿显示，自2015年以来，英特尔一直致力于量子计算的研发，如今是唯一一家能利用与传统硅基半导体制造工艺相同的设备和流程、大规模生产量子比特芯片和复杂低温控制电子器件的公司。   成立于2020年的Classiq则提供了一个统一软件平台，该平台与底层量子比特模式和硬件无关，这种高层次的抽象使得量子计算能够超越定制的手工电路和应用，成为主流的计算平台。   Classiq联合创始人兼首席执行官Nir Minerbi谈道：“Classiq一直致力于让量子计算变得实用且易于获取，使开发人员、研究人员和企业无需具备深厚的量子电路设计专业知识即可创建可扩展的量子应用。英特尔和Classiq的合作将有助于释放量子计算的优势，并加速其普及应用。”   交易完成后，英特尔计划继续支持Classiq现有的多平台集成，并确保提供与模式和硬件无关的软件解决方案，从而持续推动开放协作的量子软件生态系统的发展。   据以色列《国土报》报道，尽管量子计算市场规模仍然较小，且主要处于研究阶段，但Classiq的软件已被各行各业的数十家公司使用，该公司去年的年化收入达数百万美元，较去年增长了5倍多。   另据彭博社报道，Classiq为客户提供专门开发的AI工具，帮他们测试量子计算对自身业务运营的实用价值。该公司累计融资已超过2亿美元，拥有约130名员工，客户包括宝马和AT&T。   Classiq的合成平台可与英特尔量子硬件和软件能力提供了互补优势。此次收购反映出英特尔拓展业务重点，力图在量子计算领域站稳脚跟。   来源：英特尔，以色列《国土报》，彭博社

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    芯东西 . 5小时前 427

  • 数据 | 2026年1—9月份全国规模以上工业企业利润增长15.5%

    数据 | 2026年1—9月份全国规模以上工业企业利润增长15.5%

    1—9月份，全国规模以上工业企业实现利润总额60337.4亿元，同比增长15.5%（按可比口径计算，详见附注二）。 1—9月份，规模以上工业企业中，国有控股企业实现利润总额19395.5亿元，同比增长13.1%；股份制企业实现利润总额46727.6亿元，增长20.8%；外商及港澳台投资企业实现利润总额13371.4亿元，增长0.5%；私营企业实现利润总额15091.3亿元，增长8.7%。 1—9月份，采矿业实现利润总额8813.7亿元，同比增长38.2%；制造业实现利润总额45738.0亿元，增长17.0%；电力、热力、燃气及水生产和供应业实现利润总额5785.6亿元，下降14.3%。 1—9月份，主要行业利润情况如下：计算机、通信和其他电子设备制造业利润同比增长103.8%，有色金属冶炼和压延加工业增长79.7%，煤炭开采和洗选业增长57.0%，化学原料和化学制品制造业增长49.2%，石油和天然气开采业增长21.3%，纺织业增长7.2%，通用设备制造业增长1.9%，专用设备制造业下降1.3%，电气机械和器材制造业下降5.9%，农副食品加工业下降17.3%，电力、热力生产和供应业下降17.9%，汽车制造业下降22.8%，非金属矿物制品业下降46.9%，黑色金属冶炼和压延加工业下降73.3%，石油、煤炭及其他燃料加工业由亏转盈。 1—9月份，规模以上工业企业实现营业收入106.21万亿元，同比增长6.6%；发生营业成本90.30万亿元，增长6.1%；营业收入利润率为5.68%，同比提高0.44个百分点。 9月末，规模以上工业企业资产总计199.10万亿元，同比增长6.7%；负债合计116.61万亿元，增长7.4%；所有者权益合计82.49万亿元，增长5.6%；资产负债率为58.6%，同比上升0.4个百分点。 9月末，规模以上工业企业应收账款29.77万亿元，同比增长10.0%；产成品存货7.37万亿元，增长11.6%。 1—9月份，规模以上工业企业每百元营业收入中的成本为85.02元，同比减少0.45元；每百元营业收入中的费用为8.35元，同比减少0.13元。 9月末，规模以上工业企业每百元资产实现的营业收入为73.1元，同比增加0.4元；人均营业收入为194.6万元，同比增加12.7万元；产成品存货周转天数为21.0天，同比增加0.6天；应收账款平均回收期为71.6天，同比增加1.3天。 9月份，规模以上工业企业利润同比增长14.4%。 附注   一、指标解释及相关说明   1.利润总额：指企业在生产经营过程中各种收入扣除各种耗费后的盈余，反映企业在报告期内实现的盈亏总额。   2.营业收入：指企业从事销售商品、提供劳务和让渡资产使用权等生产经营活动形成的经济利益流入。包括主营业务收入和其他业务收入。   3.营业成本：指企业从事销售商品、提供劳务和让渡资产使用权等生产经营活动发生的实际成本。包括主营业务成本和其他业务成本。营业成本应当与营业收入进行配比。   4.资产总计：指企业过去的交易或者事项形成的、由企业拥有或者控制的、预期会给企业带来经济利益的资源。   5.负债合计：指企业过去的交易或者事项形成的、预期会导致经济利益流出企业的现时义务。   6.所有者权益合计：指企业资产扣除负债后由所有者享有的剩余权益。   7.应收账款：指资产负债表日以摊余成本计量的，企业因销售商品、提供服务等经营活动应收取的款项。   8.产成品存货：指企业已经完成全部生产过程并验收入库，可以按照合同规定的条件送交订货单位，或者可以作为商品对外销售的产品；以及外购或委托加工完成验收入库用于销售的各种商品。   9.营业收入利润率=利润总额÷营业收入×100%，单位：%。     10.每百元营业收入中的成本=营业成本÷营业收入×100，单位：元。   11.每百元营业收入中的费用=（销售费用+管理费用+研发费用+财务费用）÷营业收入×100，单位：元。   12.每百元资产实现的营业收入=营业收入÷平均资产÷累计月数×12×100，单位：元。   13.人均营业收入=营业收入÷平均用工人数÷累计月数×12，单位：万元/人。   14.资产负债率=负债合计÷资产总计×100%，单位：%。   15.产成品存货周转天数=360×平均产成品存货÷营业成本×累计月数÷12，单位：天。   16.应收账款平均回收期=360×平均应收账款÷营业收入×累计月数÷12，单位：天。   17.在各表的利润总额同比增长栏中，标“注”的表示上年同期利润总额为负数（即亏损）或为0.0亿元；数值为正数的表明利润同比增长；数值在0至-100%之间（不含0）的表明利润同比下降；下降幅度超过100%的表明由上年同期盈利转为本期亏损；数值为0的表明利润与上年持平。     二、规模以上工业企业利润总额、营业收入等指标的增速均按可比口径计算。报告期数据与上年所公布的同指标数据之间有不可比因素，不能直接相比计算增速。其主要原因是：（一）根据统计制度，每年定期对规模以上工业企业调查范围进行调整。每年有部分企业达到规模标准纳入调查范围，也有部分企业因规模变小而退出调查范围，还有新建投产企业、破产、注（吊）销企业等变化。（二）加强统计执法，对统计执法检查中发现的不符合规模以上工业统计要求的企业进行了清理，对相关基数依规进行了修正。（三）加强数据质量管理，剔除跨地区、跨行业重复统计数据。      三、统计范围   规模以上工业企业，即年主营业务收入为2000万元及以上的工业法人单位。      四、调查方法   规模以上工业企业财务状况报表按月进行全面调查（1月份数据免报）。     五、行业分类标准   执行国民经济行业分类标准（GB/T 4754-2017）。  

    工业企业

    统计微讯 . 5小时前 385

  • 2SK3816-DL-1E与VBL1615参数对比报告

    2SK3816-DL-1E与VBL1615参数对比报告

      N沟道功率MOSFET参数对比分析报告   一、产品概述     2SK3816-DL-1E：安森美（onsemi）N沟道功率MOSFET，耐压60V，导通电阻低（RDS(on)1=20mΩ典型值），采用4V驱动。封装：TO-263-2L（SC-83，贴片）。适用于需要低导通电阻和高电流能力的开关应用。     VBL1615：VBsemi N沟道60V Trench MOSFET，极低导通电阻（11mΩ@10V），高电流能力（75A），最高工作结温175°C。封装：D2PAK（TO-263）。适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动、电源工具等高功率密度应用。     二、绝对最大额定值对比   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   漏-源电压   VDSS   60   60   V   栅-源电压   VGSS   ±20   ±20   V   连续漏极电流 (Tc=25°C)   ID   40   75   A   脉冲漏极电流   IDM/IDP   160   200   A   最大功率耗散 (Tc=25°C)   PD   50   136   W   沟道/结温   Tch/TJ   150   175   °C   存储温度范围   Tstg   -55 ~ +150   -55 ~ +175   °C   雪崩能量（单脉冲）   EAS   60   125   mJ   雪崩电流   IAV   40   50   A     分析：VBL1615 在电流能力方面优势显著，连续电流（75A）和脉冲电流（200A）均远高于2SK3816-DL-1E（40A/160A）。同时，VBL1615 的最大功率耗散更高（136W vs 50W），最高工作结温也更高（175°C vs 150°C），意味着其在高温和高功率应用中具有更好的可靠性。两者的耐压等级相同（60V）。VBL1615的雪崩能量也更高。     三、电特性参数对比   3.1 导通特性   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   漏-源击穿电压   V(BR)DSS   60 (最小)   60 (最小)   V   栅极阈值电压   VGS(th)   1.2 ~ 2.6   1 ~ 3   V   导通电阻 (VGS=10V)   RDS(on)   20典型/26最大   11典型   mΩ   正向跨导   yfs/gfs   16 ~ 27   60典型   S     分析：VBL1615 的导通电阻具有压倒性优势（11mΩ vs 20mΩ），这直接关系到导通损耗的大小。其跨导（60S）也远高于2SK3816-DL-1E（16-27S），表明其栅极控制能力更强。两者的阈值电压范围有重叠，均适用于标准栅极驱动。     3.2 动态特性   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   输入电容   Ciss   1780   4300   pF   输出电容   Coss   266   470   pF   反向传输电容   Crss   197   225   pF   总栅极电荷   Qg   40   47   nC   栅-源电荷   Qgs   6.5   10   nC   栅-漏（米勒）电荷   Qgd   11.5   12   nC     分析：2SK3816-DL-1E 的动态电容（Ciss, Coss, Crss）和总栅极电荷（40nC）均略低于 VBL1615，这意味着其栅极驱动功率需求和开关过程中的电容性损耗可能稍低。然而，VBL1615 凭借极低的导通电阻，其FOM（RDS(on)×Qg）可能更具竞争力，需结合具体频率评估整体损耗。     3.3 开关时间   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   开通延迟时间   td(on)   16.5   10 ~ 20   ns   上升时间   tr   160   15 ~ 25   ns   关断延迟时间   td(off)   160   35 ~ 50   ns   下降时间   tf   160   20 ~ 30   ns     分析：根据数据手册提供的典型值范围，VBL1615 的开关速度（上升时间、下降时间）显著快于2SK3816-DL-1E。更快的开关速度有助于降低开关损耗，尤其在高频应用中优势明显。     四、体二极管特性   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   二极管正向压降   VSD   1.05典型/1.5最大   1.0典型 @ 20A   V   反向恢复时间   trr   未提供   45 ~ 100   ns   反向恢复电荷   Qrr   未提供   未提供   μC   峰值反向恢复电流   IRRM   未提供   未提供   A     分析：两款器件的体二极管正向压降相近。VBL1615 提供了反向恢复时间参数，这对于同步整流等应用是重要参考，而2SK3816-DL-1E 未提供此信息。     五、热特性   参数   符号   2SK3816-DL-1E   VBL1615   单位   结-壳热阻   RθJC   未提供   0.85典型/1.1最大   °C/W   结-环境热阻 (稳态)   RθJA   未提供   40典型/50最大   °C/W     分析：VBL1615 提供了完整的热阻参数，其极低的结-壳热阻（0.85°C/W典型值）是实现高功率耗散（136W）的关键，也意味着其散热性能更优，能更高效地将芯片热量传递到散热器。     六、总结与选型建议   2SK3816-DL-1E 优势   VBL1615 优势   ◆ 动态电容和栅极电荷稍低，驱动需求略小   ◆ 数据手册提供了明确的开关时间典型值   ◆ 安森美品牌，供货稳定   ◆ 显著更低的导通电阻（11mΩ）   ◆ 更高的连续与脉冲电流能力（75A/200A）   ◆ 更高的功率耗散能力（136W）   ◆ 更高的最大工作结温（175°C）   ◆ 更快的开关速度   ◆ 更优的热性能（RθJC=0.85°C/W）   ◆ 提供了体二极管反向恢复时间参数   选型建议     选择 2SK3816-DL-1E：当应用对成本敏感，且工作电流适中（远低于40A），对栅极驱动功率有轻微限制，或优先考虑品牌供应链时。     选择 VBL1615：当应用追求最高效率和功率密度时，应优先考虑 VBL1615。其极低的导通电阻和强大的电流/功率处理能力，使其非常适合用于大电流DC-DC转换（如服务器VRM、高端显卡供电）、高性能电机驱动、电动工具等高要求场合。其优异的热性能和175°C结温也提升了系统在高温环境下的可靠性。     备注：本报告基于 2SK3816-DL-1E（onsemi）和 VBL1615（VBsemi）官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请以官方最新文档为准。开关时间等参数对比需注意测试条件可能存在的差异。

    微碧

    微碧半导体 . 5小时前 399

  • 蓝牙耳机“隐形核心”拆解：一片贴片电阻如何影响千元级听感差异？

    蓝牙耳机“隐形核心”拆解：一片贴片电阻如何影响千元级听感差异？

    TWS真无线耳机与开放式蓝牙耳机已成为大众日常标配，消费者对耳机的要求早已不止“听得见”，而是更轻巧、更稳定、续航更长、音质更纯净的全方位体验升级。     各大品牌在蓝牙芯片、降噪算法、腔体声学设计上持续内卷。但在这些看得见的战场之外，真正决定产品体验上限的，往往是一个容易被忽视的基础元器件——贴片电阻。它贯穿射频信号链、音频解码电路、电源管理与充电保护等关键节点，其品质直接影响设备的运行稳定性、使用安全性与整机寿命。     行业痛点：当耳机越来越小，电阻的“短板效应”愈发突出 随着耳机微型化、智能化程度不断提升，传统通用电阻的性能局限被急剧放大，形成三个层面的行业顽疾：   痛点一：机身极致微型化，空间冲突加剧 TWS耳机内部PCB空间已被压缩至极限，耳机主板可用面积通常不足1cm²。传统常规封装的电阻尺寸偏大、布局冗余，直接挤占电池、传感器和主控芯片的布置空间，迫使设计端在续航与功能之间做妥协。   痛点二：电路稳定性不足，高频体验缺陷频发 市面普通电阻温漂系数偏大、阻值精度有限，在复杂射频环境下易出现阻值偏移，表现为蓝牙连接卡顿、断连、延迟波动；音频电路中电流波动则引入底噪与谐波失真。对于支持LDAC、LHDC等高码率传输协议的耳机而言，模拟电路中的电阻精度直接决定了解码后信号的信噪比表现。   痛点三：电源管控精度不足，续航与安全面临双重风险 通用电阻参数误差大、稳压精度不足，无法精准管控充放电电路。长期使用下容易出现充电发烫、过流过压、电池鼓包等安全隐患，同时加速电池老化，直接影响用户的续航体验与使用安全。       破局思路：场景化电阻选型，从“通用”走向“精准匹配” 针对上述痛点，合科泰RHL系列0201/0402/0603通用型薄膜贴片电阻进行了场景化专项优化，核心思路是从“一颗电阻打天下”转向按电路模块精准匹配封装与性能。     超微型封装，释放PCB布局空间 RHL系列采用超微型封装设计，专为轻量化开放式、入耳式耳机量身打造。0201封装尺寸仅为0.6mm×0.3mm，0402为1.0mm×0.5mm，可显著节省PCB占用面积，为电池容量提升和传感器集成预留充足布局空间，适配行业微型化、多元化设计趋势。   高精度低温漂，从源头保障信号纯净度 RHL系列采用精密薄膜工艺生产，阻值精度与温漂系数均优于普通厚膜电阻。在蓝牙射频电路中，高精度电阻可稳定高频信号传输链路中的偏置电压与阻抗匹配，减少因阻值偏移引起的信号反射与杂讯；在音频DAC后的模拟滤波与放大电路中，低温漂特性则有效抑制电流波动引入的杂音与失真。同时，高精度特性也强化了电源管理电路的稳压能力，有助于避免充放电异常，从源头保障电池安全与循环寿命。     结语 蓝牙耳机的高端化竞争，从来不止于看得见的外观和参数，更取决于看不见的基础元器件品质。合科泰RHL系列（0201/0402/0603）通用型薄膜贴片电阻，以尺寸适配广、精度高、稳定性强、量产一致性好的产品特性，精准匹配蓝牙耳机轻量化、稳信号、纯音质、护续航的核心需求，为耳机厂商优化产品品质、提升整机可靠性提供了务实的元器件配套选择。

    半导体

    厂商投稿 . 5小时前 469

  • elexcon2026｜德明利展示从主控芯片到云边端场景的全栈AI存储布局

    elexcon2026｜德明利展示从主控芯片到云边端场景的全栈AI存储布局

    9月9日至11日，elexcon2026深圳国际电子展暨嵌入式展在深圳举行。围绕展会主题“All for AI，All for Green”，德明利集中呈现覆盖服务器、AI PC及嵌入式智能终端的全栈AI+存储解决方案，展现从主控芯片、固件算法到存储产品与场景应用的综合能力。 elexcon2026嵌入式与边缘AI创新奖 自研双模主控衔接系统盘演进 拓展企业级定制能力 面向AI基础设施持续迭代带来的系统盘需求，Hima3361作为德明利首颗自研企业级SSD主控芯片，支持SATA与NVMe双协议，适配AI计算与存储节点的启动盘场景，并支持不同平台下的产品形态、固件策略及安全功能等定制化开发。 凭借自研双模主控及企业级应用场景的定制化能力，Hima3361荣获“elexcon 2026嵌入式与边缘AI创新奖”，体现了德明利自研主控能力与企业级场景方案的协同发展，以及在边缘AI硬件适配方面的技术积累。   01 AI服务器存储解决方案 协同性能、容量与可靠性，支撑多元服务器负载 数据库、虚拟化、分布式存储、云计算及AI计算等工作负载，对数据吞吐、持续写入、有效容量和内存可靠性提出差异化要求。德明利企业级SSD与DDR5 RDIMM为AI数据中心及服务器提供持久化数据存储与运行内存支持。 企业级SSD 公司企业级SSD已形成覆盖E1.S、E1.L、 E3.S、U.2、M.2及2.5英寸形态，PCIe 5.0/6.0与SATA接口，TLC/QLC介质，容量 240GB至61.44TB的全谱系产品矩阵，可满足 AI服务器、分布式存储与云数据中心的全场景分层存储需求。 企业级内存模组 DDR5 RDIMM TR510C： TR510C容量为32GB，速率最高可达5600MT/s，系列产品采用On-die ECC与ECC颗粒双重纠错机制，并通过RCD对命令、地址和时钟信号进行缓冲，降低内存控制器的电气负载，提升高速运行条件下的信号完整性与系统稳定性。 02 AI PC存储解决方案 高速存储与新形态内存协同，提升本地AI处理效率 本地AI应用持续增加大文件读写与随机访问需求，对AI PC的存储带宽、响应效率及内存容量提出更高要求。德明利已完成主流PC平台生态认证，具备平台级适配能力，可缩短整机导入验证周期，并已导入多家全球头部PC客户实现批量出货。 商用级PCIe5.0 SSD PCIe5.0 SSD TE5480/TE5440系列： TE5480采用独立DRAM设计与八通道架构，顺序读写速度最高可达14.5GB/s和13.5GB/s，随机读取性能最高可达2000K IOPS，容量覆盖1TB至4TB，适配AI创作、专业设计及高性能计算等复杂负载。 TE5440采用DRAM-less＋HMB方案，并结合SLC Cache提升数据响应效率，顺序读写速度最高可达11GB/s和10GB/s，4K随机性能最高可达1700K IOPS，在性能、功耗与成本之间实现平衡，适配主流AI PC及高性能PC。 消费级内存模组 CU/CSODIMM、LPCAMM2内存模组： CU/CSODIMM面向DDR5高频运行，通过板载CKD提升时钟信号完整性，其中CUDIMM频率最高可达8000MHz； LPCAMM2则兼顾高带宽、紧凑布局与模块化升级，适配轻薄型AI PC设计需求。 03 嵌入式智能终端解决方案 兼顾容量、空间与功耗，适配多元智能设备 智能手机、平板、无人机、运动相机、智能穿戴及物联网设备持续向轻薄化、智能化发展，对存储容量、数据传输、功耗控制及产品尺寸提出更高要求。 QLC eMMC、Subsize eMMC与QLC UFS 德明利QLC eMMC及QLC UFS通过高密度存储介质拓展容量空间，适配移动智能设备不断增长的数据存储需求。 Subsize eMMC采用更紧凑的产品形态，为主板布局和终端轻薄化设计释放更多空间。 LPDDR4X/5/5X 德明利LPDDR产品覆盖LPDDR4X/5/5X。其中，LPDDR5X最高传输速率可达8533Mbps，并采FDVFS全动态电压频率调节等低功耗设计，相关产品功耗较前代降低20%—25%，适配移动智能终端及端侧AI设备对内存带宽、续航和空间布局的综合需求。 从智能终端、AI PC到AI服务器，德明利持续推动主控芯片、固件算法与介质研究成果向产品与解决方案转化。未来，公司将进一步强化软硬件协同与应用适配能力，以可靠、高效的存储支撑AI应用持续演进。

    TWSC . 5小时前 357

  • 同样是大容量电池加湿器，为什么别人续航翻倍？MOS 选型是关键

    同样是大容量电池加湿器，为什么别人续航翻倍？MOS 选型是关键

    秋冬空气干燥，大功率加湿器成为家居、办公、车载场景的刚需爆款。当下消费者对加湿器的要求越来越全面：大雾量强劲雾化、绵密细雾不凝水、360° 全域静音加湿，无线款的续航能力更是用户选购的核心标准。       但很多厂商都遇到了同一个难题：即便搭配大容量电池，并采用双喷、多喷全域出雾设计，却依旧出现续航严重缩水、大功率工作耗电飞快的问题。问题根源不在于电池，而在于功率MOS管选型失误。若导通电阻选型不当，就会产生大量无效功耗，白白损耗电池电量。     行业核心痛点 目前市面热销加湿器普遍配备双喷、多喷雾化结构，但多数低端机型为压缩成本，选用导通电阻偏大、稳定性差的普通MOS管，直接引发一系列体验短板。       普通MOS管导通损耗大、工作温升高，在大雾量持续雾化、高频启停工作时，MOS管内阻会产生大量无效功耗，造成电池电量快速流失、续航大幅缩水。 工作噪音超标，难以实现35dB静谧睡眠加湿；雾化稳定性不足，细雾凝结出水、打湿桌面地面，长期高负荷发热易触发故障，成为产品升级的主要阻碍。     核心优势：多场景覆盖，精准解决痛点 针对大功率加湿器续航缩水、体验不佳的行业难题，合科泰深耕功率器件领域，推出三款适配全档位加湿设备的专用MOS管，适配终端产品大雾量、静音、安全、长效续航的需求。       HKTG40C40｜主流机型全能标配，稳住大雾量与静谧续航 这款型号采用先进沟槽晶圆工艺，大幅降低导通电阻，减少高频雾化的无效功耗。40A大电流承载能力，可稳定支撑360°全域加湿工况，保障设备雾化强劲、大雾量持续输出。低损耗特性有效降低整机工作噪音，助力设备实现轻音运行、35dB静谧加湿，兼顾澎湃雾量与安静体验，是量产主流机型的性价比全能之选。   HKTG60C04｜高端旗舰优选，超低损耗解锁极致长续航 这款型号凭借低导通电阻和60A大电流承载能力，可轻松应对长时间满负荷多喷、全域加湿高强度工况，性能余量充足。功耗损耗极低，减少工作中的无效耗电，最大化释放电池续航潜力。同时，器件散热性能优异，工作温升极低，整机运行更平稳，精准实现夜间安静加湿、睡眠静音无扰。稳定的雾化输出功率让雾化颗粒绵密细雾，高端体验拉满。   HKTG35C06｜高性价比量产款，性能与安全双向在线 这款型号开关性能稳定，导通损耗低，雾化输出持续均匀，轻松实现绵密细雾，不易打湿桌面。同时，其具备优异的抗高温、抗过载能力，可配合设整机电路实现缺水自动断电、防干烧保护、过热保护等安全功能，设备异常时快速响应，稳定保护整机电路。在严控量产成本上，实现静音、省电、高性能、高安全的全方位升级，助力终端打造高性价比热销机型。     精准选型：不同机型，对应最优方案       家用双喷/多喷主流加湿器 追求续航与静音均衡体验，360°双喷多喷全域加湿，优先选用HKTG40C40。 高端旗舰加湿器 追求极致静音与超长续航，绵密细雾不凝水，优选HKTG60C04。 轻量化便携大功率加湿器 主打性价比量产、兼顾基础全能卖点与安全防护、适配大众消费市场，适配HKTG35C06。     最后结语 热销的加湿器，从来不是靠单一参数取胜，而是续航、雾化、静音、安全的全方位均衡体验。 合科泰依托自研晶圆工艺、全自动化生产体系与严苛品控标准，以超低损耗、高稳定性、高安全性的硬核器件实力，全面赋能加湿器升级。从核心元器件优化设备性能，助力各大厂商打造出大雾量、绵密静音、安全长效的差异化产品，提升市场核心竞争力。

    半导体

    厂商投稿 . 5小时前 329

  • 深度拆解：实现优异HDR的三种核心方法

    深度拆解：实现优异HDR的三种核心方法

    在无人机、自主移动机器人（AMR）、人形机器人等自主设备的视觉感知系统中，高动态范围（HDR）成像能力是保障复杂光照环境下可靠导航、避障、识别的核心基石。本文为《面向无人机和机器人的图像传感器教程》教程的第二篇，将系统介绍图像传感器的选型标准和实现HDR的三种方法等。第一篇请查看一文读懂无人机与工业机器人的环境感知需求。 图像传感器质量与选型标准 成像性能 在评估适合特定任务的图像传感器时，需依据无人机或机器人的实际应用场景确定性能标准。室内和室外的光照条件截然不同。必须考虑到移动中的物体。商业摄影师可以通过调节快门速度和镜头光圈来达到想要的视觉效果。但测绘、监控、科学观测等应用，对成像设备有着不同的性能要求，尤其是设备自身快门的运用方式。 环境温度会对成像设备的性能造成极大影响，设备供电也会受到影响。图像传感器对热量十分敏感，若工作温度较高且未采用相应的补偿设计，成像画面就会产生噪点。 产品和系统参数 除了尺寸和成本等典型因素外，可靠的功耗管理也至关重要。特别是对于典型的现代无人机云台或人形机器人“头部”这样的多相机系统，成像设备需要具有互操作性。所有成像设备均由电子网络统一管控，因此必须对它们的带宽进行优化。带宽分配过量与带宽占用过载，都会造成严重问题。在传感器中集成尽可能多的功能，将有助于优化性能。 工具和支持 即使是当今顶尖的图像传感器，如果搭配的组件缺少高质量的光学元件、高带宽接口和功能强大的ECU处理器，也无法充分发挥性能。所有成像设备，如同所有用于各种用途的电子元件一样，都必须融入统一的平台中。安森美半导体携手成像生态合作伙伴，确保即便各种平台设备来自不同供应商，也能稳定发挥理想性能，使用顺畅且功能无损。 高动态范围的重要性 动态范围指传感器捕捉场景中不同亮度层级的能力，涵盖最暗阴影到最亮高光的全部区间。在设计成像系统以补偿强光环境并同时保留暗光细节与对比度时，通常可从三个不同维度选择方案： 时间：同步采集多张不同曝光度的图像，然后压缩图像合成的时间间隔（该操作会削弱信号强度）。 空间：缩小光电二极管的尺寸，或是将像素分区设置，用大尺寸高灵敏度像素搭配相邻的小尺寸低灵敏度子像素，以此减少整体进光量（该操作会削弱信号强度）。 增益：增大图像传感器可读取和存储数据的电容容量，通常做法是加大二极管尺寸并增设电容（该操作会提升信号强度，但会占用更多存储空间与处理时间）。 实现优异HDR的三种方法 多重曝光方法将三张不同积分时长的图像进行运算合成，最终生成一张高动态范围图像。这种方法存在一个问题：各帧图像的拍摄时间不同，容易产生运动伪影。若拍摄画面中的光源为脉冲式光源，例如LED灯、汽车尾灯，较短的积分时长会引发频闪伪影。对于高分辨率传感器而言，多重曝光方法操作繁琐，甚至会产生热量。缩短成像间隔会进一步加剧运动伪影；LED光源的频闪频率超出人眼识别范围，却仍能被快门捕捉，频闪现象会愈发突出。 安森美的超曝光方法采用单个光电二极管，在单次积分周期内采集全部图像信息。同时借助像素内多增益技术，在满阱电荷容量极大（饱和前可承载电荷量高）的前提下，实现低本底噪声。 嵌入式HDR（eHDR）的优势 高动态范围可依靠图像传感器相邻ECU的处理功能实现，也可将算法内置在传感器当中。若使用高分辨率传感器，并选择在处理器端实现高动态范围，尤其是采用多重曝光方案时，容易造成带宽占用过高。简单计算可知，采用低压差分信号（LVDS）、动态范围达120dB的HDR传感器，单路相机就需要12Gbps的带宽。多数情况下，ECU难以满足相应的处理需求。 延迟会导致最终成像出现异常，不仅会产生图像伪影，还可能完全丢失快速移动的目标。安森美Hyperlux与Hyperlux LH系列图像传感器，将HDR图像处理功能直接集成在传感器专用集成电路上，可把输出带宽降至原来的五分之一。这样一来，设计工程师就可以选用成本更低、带宽更小的ECU。 利用智能线性化实现eHDR 将多帧图像合成为单帧图像以实现高动态范围的常用处理流程，称为线性化。线性化过程通常占用大量内存，并消耗大量的处理器资源。采用传统方式做线性化处理时，画面极易出现多余伪影，拍摄近距离、高亮度运动物体时尤为明显。这类伪影有时是由长曝光切换至短曝光的过渡时长所导致。一种常见伪影表现为：本应是渐变过渡的两种色调之间，出现生硬分界。机器视觉算法可能会将这种分界误判为实体硬边缘。 安森美的智能线性化技术可解决以上该问题，方法是动态计算长短曝光切换的信号，精准控制时间以实现平滑的过渡。曝光时长切换更平顺，成像画面也会更自然，伪影随之减少。安森美Hyperlux LH系列图像传感器AR0246与AR0822，在嵌入式HDR（eHDR）技术中应用了智能线性化，以极低资源开销实现了极致位深表现。 未完待续，下一篇将继续解析全局快门、远距离iToF与SmartROI等。  

    安森美 . 5小时前 308

  • Wolfspeed 与晶能签署合作备忘录，共同推进碳化硅功率解决方案

    Wolfspeed 与晶能签署合作备忘录，共同推进碳化硅功率解决方案

    本次合作将依托 Wolfspeed 200mm 碳化硅技术，面向电动汽车及高功率应用开展落地 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司与中国领先的功率半导体企业晶能微电子（Geener Microelectronics，以下简称晶能）近日在中国杭州市吉利科技大厦签署合作备忘录（MOU）。 晶能新一代功率模块平台将优先导入 Wolfspeed 碳化硅（SiC）裸芯片，完成模块平台适配，率先应用于新能源车主逆变器等场景。晶能在各模块项目中将优先考量 Wolfspeed 的方案，并给予 Wolfspeed 模块供货的商务及供应优先权。 Wolfspeed 向晶能承诺，依托自身成熟的 200mm 碳化硅（SiC）产线，研发满足或优于晶能性能指标与产品需求的裸芯片，为晶能提供稳定供货与合理商务支持；双方共同对接中国头部车企高压电动平台，力争获取车型 design win（设计定点）项目。 双方合作将落地于新能源汽车领域，并逐步拓展至人工智能（AI）数据中心、工业电源、储能等多元应用场景。双方的协同互补，也将为各应用领域提供更高效率、更高可靠性的碳化硅（SiC）解决方案，持续助力电动出行与绿色能源产业发展。 Wolfspeed 大中华区总裁于代辉表示：“晶能深耕功率半导体模块研发制造，聚焦新能源汽车赛道，具备模块设计、封装、可靠性验证的完整全流程能力。晶能已成功面向车企交付高可靠性功率模块解决方案，并持续向人工智能（AI）数据中心等领域拓展，是 Wolfspeed 理想的长期合作伙伴。本次与晶能签署合作备忘录（MOU），充分彰显 Wolfspeed 依托领先的碳化硅（SiC）技术与成熟的 200mm 碳化硅（SiC）产线，助力新能源汽车向更高效率方案迭代升级的丰厚实力。” 晶能 CEO 潘运滨表示：“本次合作备忘录（MOU）的签署，是强强联合的生动体现。这次合作整合了 Wolfspeed 先进的碳化硅（SiC）芯片技术与产能，以及晶能成熟稳定的模块设计、封装及验证能力，将进一步稳固新能源汽车供应链，推动电动车向更高压、更高效率的技术路线演进；同时亦可为人工智能（AI）数据中心等场景提供高可靠、供应链稳定的产品方案。”  

    Wolfspeed . 5小时前 350

  • Littelfuse推出业内最低钳位电压的超低电容瞬态抑制二极管阵列

    Littelfuse推出业内最低钳位电压的超低电容瞬态抑制二极管阵列

    新型AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG瞬态抑制二极管阵列可在不牺牲信号完整性的情况下保护高速汽车和消费电子接口免受ESD的影响 为安全高效的电能传输提供多元化先进解决方案的领导企业Littelfuse公司，宣布推出AQ4315-01ETG 和 SP4315-01WTG两款新型双向瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），其将业界领先的低钳位电压与超低电容相结合，可在不影响信号完整性的情况下保护当今最快的汽车和消费类数据接口免受静电放电（ESD）的影响。 随着数据线电压为实现节能和降低EMI而降至1 V以下，汽车ADAS、DisplayPort和USB4等高速接口越来越容易受到ESD的损害。传统的瞬态抑制二极管需要在低钳位电压和低电容之间做出权衡，而许多竞争产品虽标榜称更低的击穿电压，其钳位电平却仍会让受保护芯片暴露在损坏风险之下。AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG则弥合了这一差距：它们将钳位电压保持在典型的4.5 V至6.5 V，同时将8,000 V至20,000 V的ESD瞬态在受保护器件处抑制至远低于10 V以下，使到达IC的电压和电流降低800至2,000倍，并确保其始终处于安全工作区（SOA）内。 “整个行业向低压、高速接口演进的速度，已经超过了传统ESD保护所能跟上的步伐，”Littelfuse保护业务部二极管阵列助理产品营销经理Sophia Hu表示。“AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG为设计人员提供了极低的钳位电压，同时避免了电容损失，因此他们可以在获得更强大的ESD和浪涌保护的同时保持下一代汽车和消费类设计所需的信号完整性和电路板空间。” 主要功能与特色： 超低钳位电压：发生ESD时典型值为4.5 V至6.5 V，较同类瞬态抑制二极管改善幅度最高可达十倍 超低电容：0.25 pF （AQ4315-01ETG） 或 0.17 pF （SP4315-01WTG），可保持高速信号完整性 高ESD耐受性：接触放电±15 kV、空气放电±20 kV，符合IEC 61000-4-2标准；AQ4315-01ETG还符合ISO 10605标准 汽车级可靠性：AQ4315-01ETG符合AEC-Q101认证并具备PPAP能力，额定温度范围为-40°C至150°C 行业标准封装：SOD-882/DFN1006 （AQ4315-01ETG） 和 0201 WLCSP 倒装芯片 （SP4315-01WTG），便于快速、轻松地完成设计导入 低漏电流：最大 50 nA，可最大限度地降低电池供电和常开设计中的功耗 宽保护裕度：可将8,000 V至20,000 V的ESD瞬态在受保护器件处抑制至远低于10 V 目标市场和应用： 汽车ADAS、DisplayPort和千兆多媒体串行链路（GMSL）接口 千兆视频接口（GVIF）和低压差分信号（LVDS）链路 2.5G/5G/10G汽车和消费类以太网 Thunderbolt 5.0、USB 3x 和 USB4 消费类计算接口 消费类DisplayPort和其他高速数据线接口 工业机器对机器通信协议和传统USB接口 空间受限的可穿戴和便携式消费电子产品 随着汽车与消费类接口采用越来越低的数据线电压（部分已低于1 V），AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG将Littelfuse SPA®二极管产品组合延伸至一种新型的超低压ESD保护器件。这两款器件可帮助设计团队迅速摆脱性能欠佳的保护方案，改用专为当今最敏感、最高速的接口设计的解决方案。 常见问答 AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG与传统瞬态抑制二极管有何不同？ 大多数瞬态抑制二极管需要在低钳位电压和低电容之间做出权衡。AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG将低至4.5 V的钳位电压与低至0.17 pF的电容相结合，为高速接口提供强大的ESD保护，同时不会造成信号衰减。 钳位电压和电容规格是什么？ AQ4315-01ETG在7 A峰值浪涌电流下的典型钳位电压为6.5 V，电容为0.25 pF。SP4315-01WTG在7 A峰值浪涌电流下的钳位电压为6.5 V，电容为0.17 pF。两者均可承受高达±15 kV接触放电/±20 kV空气放电的ESD冲击，符合IEC 61000-4-2标准。 AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG提供哪些封装？ AQ4315-01ETG采用汽车级SOD-882/DFN1006封装（1.0 × 0.6毫米）;SP4315-01WTG采用节省空间的0201 WLCSP倒装芯片封装（0.63 × 0.33毫米），适用于面积受限的消费类设计。 AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG适用于哪些应用？ AQ4315-01ETG面向ADAS、DisplayPort、GMSL、GVIF、LVDS和汽车以太网等汽车接口。SP4315-01WTG面向消费类和计算接口，包括Thunderbolt 5.0、USB 3x/USB4、DisplayPort、LVDS和以太网。 AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG何时上市？ Littelfuse计划自2026年10月20日起通过Littelfuse及其全球经销商网络提供这两款产品的样品和量产供货。 供货情况 AQ4315-01ETG和SP4315-01WTG系列瞬态抑制二极管阵列提供卷带封装，起订量10,000只。通过全球授权的Littelfuse经销商申请样品。  

    Littelfuse . 5小时前 357

  • 从进口依赖到自主可控：纳祥科技NX899单刀电子开关的替代逻辑

    从进口依赖到自主可控：纳祥科技NX899单刀电子开关的替代逻辑

    在信号链器件中，模拟开关单价不高，却几乎出现在每一块消费电子主板上。长期以来，这一细分市场由海外厂商主导。纳祥科技推出的单刀电子开关 NX899，正试图以参数对标和小尺寸封装切入。   从产品定位看，NX899 是一颗单刀双掷结构的电子模拟开关，采用硅栅 CMOS 工艺制造。该器件在保持 CMOS 低功耗特性的同时，把传播延迟与导通电阻控制在较低水平。   参数层面，NX899 的 VCC 工作范围为 1.65V 至 5.5V，覆盖常见的 3.3V 与 5V 系统；导通电阻典型值为 3Ω（VCC = 4.5V）；带宽可达 250MHz，厂商称其有助于改善信号线性度；开关动作采用先断后通方式，以规避切换瞬间的短路风险。温度方面，工作范围为 -40℃ 至 +85℃，属工业级区间。此外，SEL 引脚支持最高 7.0V 过压输入，且不受工作电压影响。纳祥科技方面称，这一设计针对的是极端工况下的可靠性。   值得注意的是，NX899 在模拟与数字电压上支持全供电范围（VCC 至 GND）内的独立配置。在混合电压系统中，这类设计可减少外围电平转换器件的使用。   替代能力是该产品对外强调的另一重点。按厂商给出的对照关系，NX899 的性能参数可替代 SGM3157 与 SN74LVC1G3157。对正在做物料替换的硬件团队而言，这类同规格选项意味着改板成本相对可控。   应用方面，NX899 采用 SC70-6 或 DFN6 六引脚微型封装，厂商将其指向空间受限的便携设备，包括智能手机、平板电脑与数码相框等数字多媒体产品。

    电子开关

    深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 5小时前 287

  • ADF4360怎么办？SYKG1021E全国产时钟替代方案

    ADF4360怎么办？SYKG1021E全国产时钟替代方案

    简要：SYKG1021E并非ADF4360-8的引脚兼容型号，而是面向“时钟生成”类应用的国产替代：ADF4360-8是集成VCO的整数N分频频率合成器（65~400MHz、三线串行接口）；SYKG1021E是可编程时钟发生器（1~333.33MHz、双路差分+1路LVCMOS、支持I2C/OTP/引脚配置、PCIe Gen5/6抖动20~98fs）。替换前需比对输出频率上限、接口与环路结构。   ADIADF4360等型号交期普遍拉长至20周以上，供货紧张成为客户关注的问题。针对相关国产替代需求，YXC扬兴科技推出SYKG1021E可编程时钟发生器，为部分ADF4360时钟生成应用提供国产化替代选择。   一、被忽视的"卡脖子"环节 在信号仿真、导航测试、测试测量等高端装备领域，时钟器件是系统的"心跳"。它的精度与稳定性，直接决定了信号生成的纯度、测试测量的准确度，以及整个系统的可靠性。 长期以来，这一领域的高性能时钟及频率合成芯片主要由等国际厂商供应。以经典的ADF4360系列为例，作为集成VCO的整数N分频频率合成器，其主输出频率覆盖65MHz至400MHz，广泛应用于测试设备、无线通信、时钟生成等场景，是信号仿真类设备的"标配"。 但供应链问题也给相关项目带来了挑战： · 交期拉长：ADF4360-8等型号交期普遍拉长至20周以上，部分型号甚至更长； · 价格波动：进口高端芯片价格持续上涨，成本压力向终端传导； · 供货不稳：部分型号供货紧张，可能影响项目生产与交付计划。 对于信号仿真、导航测试这类对器件性能要求严苛的行业而言，这已不是"成本问题"，而是"交付风险"。 二、SYKG1021E：升级替代ADF4360-8的国产时钟芯片 SYKG1021E是一款低功耗可编程时钟发生器，针对ADF4360系列做国产化替代而设计。   2.1核心参数 特性 SYKG1021E 输出频率 1MHz~333.33MHz 输出类型 LP-HCSL/LVDS/HCSL/LVCMOS 输出路数 2路差分+1路LVCMOS参考输出 供电 1.8V/2.5V/3.3V 控制接口 I2C/OTP/PIN模式 相位抖动 230fsRMS（156.25MHz，12kHz~20MHz） PCIe参考时钟抖动 Gen5典型30fs、Gen6典型20fsRMS 功耗 <100mW（1.8V、100MHz、LPHCSL) 工作温度 -40°C~+85°C/105℃                                       2.2对比ADF4360-8的核心优势 对比维度 ADF4360-8 SYKG1021E 输出路数 1路差分（RFOUTA/B） 2路差分+1路LVCMOS 供电电压 3.0~3.6V 1.8V/2.5V/3.3V 控制接口 3线串行 I2C/OTP/PIN三种模式 封装尺寸 24-LFCSP（4×4mm） 16-LGA（3.0×3.0×1.1mm）                     · 多路输出：ADF4360-8是单路差分输出。系统需要多路时钟时，通常需要额外增加时钟分配或扇出器件。SYKG1021E单颗芯片提供2路差分+1路LVCMOS参考输出，可直接覆盖多路时钟需求，减少外围器件、缩小PCB面积、降低功耗预算。 · 低压供电：ADF4360-8锁定在3.0~3.6V。SYKG1021E支持1.8V/2.5V/3.3V，向下兼容低压系统设计，适应更宽的系统供电架构。 · 配置灵活性：ADF4360-8使用3线串行接口，上电后有严格的寄存器写入时序要求。SYKG1021E支持I2C、OTP、PIN三种模式，OTP模式下配置烧录一次即可，上电自动加载，主控无需每次初始化，配置更灵活。 · 封装尺寸：ADF4360-8为24-LFCSP(4×4mm)，SYKG1021E为16-LGA(3.0×3.0×1.1mm)，面积缩小约44%，为紧凑型设计留出更多PCB空间。   三、YXC扬兴科技：国产时钟芯片选型与技术支持 针对ADF4360系列国产替代需求，YXC扬兴科技可提供SYKG1021E产品选型、样品申请及FAE技术支持，协助客户开展方案验证。 从输出频率、信号类型到供电及配置方式，扬兴科技可结合客户现有设计需求，评估适配方案，减少选型与调试过程中的工作量。 如果您正在寻找ADIADF4360系列国产替代方案，欢迎联系YXC扬兴科技，获取SYKG1021E产品资料及技术支持。

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    扬兴科技 . 5小时前 273

  • 公用事业规模储能系统的电源转换优化

    公用事业规模储能系统的电源转换优化

    基于混合SiC技术的ANPC逆变器设计考量 随着电力需求持续攀升，市场对可提供稳定可靠电力的储能系统（ESS）的需求愈发迫切。在此背景下，构网型储能系统架构的应用价值日益凸显，同时也对电源转换系统（PCS）提出了更高功率输出要求。 在ESS PCS采用的各类中性点钳位（NPC）拓扑中，与传统NPC电路相比，有源中性点钳位（ANPC）逆变器具有更高的效率和更低的热应力。为最大限度地降低系统损耗，通常采用IGBT、Si二极管和SiC MOSFET的组合方案。 然而，SiC MOSFET的快速开关特性会带来设计难题，尤其是多器件并联配置中的串扰问题。若设计缺乏适当的考量，这可能导致系统失稳、器件误导通，甚至可能导致器件故障。 本文将以大功率ESS PCS通用ANPC逆变器配置为研究对象，分析上述问题对系统环境的实际影响。该拓扑采用同时包含SiC MOSFET与IGBT的混合器件方案，兼顾开关性能、效率和成本，并采用适用于公用事业规模应用的功率模块结构。下文将描述该拓扑内的具体器件分配。 在这种结构中： 1.内部开关采用SiC MOSFET 2.外侧和中性点侧采用低饱和导通电压（VCE(sat)）的IGBT和低正向压降（VF）的Si二极管 与传统NPC方案相比，这种混合配置能够提高效率。 1.混合器件选型依据 SiC MOSFET与IGBT/二极管器件的组合是一种经过深思熟虑的系统级优化： 1.SiC MOSFET（内侧开关）： 1.承担高频开关任务 2.降低开关损耗 2.IGBT + 二极管（外侧开关）： 1.主要承担导通任务 2.具有成本和鲁棒性优势 这种混合方案有效平衡了效率、热性能和系统成本之间的关键取舍。 3.为何在大功率ESS PCS中选择ANPC 与传统NPC拓扑相比，ANPC具有以下优势： 4.通过优化开关分配提高效率 5.降低各器件的热应力 6.在开关和导通角色分配方面具有更大的灵活性 上述特性使ANPC特别适合用于大功率ESS逆变器中的SiC + IGBT混合方案。 然而，SiC MOSFET的快速开关特性会带来若干问题。本文介绍了此类配置中的串扰问题，并提出了在实际ANPC电路上验证过的缓解方法。此外，本文还讨论了使用RC−IGBT的替代器件配置。 7.ANPC有助于实现最优混合器件策略 ANPC拓扑为SiC MOSFET与硅基器件搭配提供了理想的基础，在控制系统成本的前提下最大限度地提高效率。 在本文提出的架构中： 8.SiC MOSFET被分配用于高频开关功能，充分发挥其低开关损耗的优势。 9.IGBT和Si二极管主要承担以导通为主的工况，在性能、鲁棒性和成本之间实现良好平衡 上述器件技术选型分配方案使设计人员能够在显著降低SiC用量和整体系统成本的同时，实现全SiC解决方案的诸多优势。同时，上述方案也引入了与高速开关行为和热管理相关的新设计考量，必须妥善解决这些问题才能实现可靠运行。 ANPC逆变器功率模块 如图1所示，所提出的方案通过采用安森美（onsemi）的F5BP封装实现的ANPC模块进行了验证。 图1：安森美的ANPC逆变器功率模块NXH270A120M3F5SHG，采用F5 + 底板（F5BP）封装 设计考量 如图2所示，安森美ANPC模块的内侧开关采用六个并联的SiC MOSFET，而每个外侧开关和中性点开关均采用单个IGBT和Si二极管实现。 在这个电路中： 10.SiC MOSFET以开关频率工作 11.IGBT和Si二极管以电网频率工作 因此： 12.SiC MOSFET同时产生开关损耗和导通损耗 13.IGBT和二极管主要产生导通损耗 图2：ANPC电路配置 所考虑的关键设计改进 本文评估了两种设计改进方案： 14.通过布局优化降低串扰（已验证） 此项为确保稳定运行所必需的关键设计改进，已通过验证。 15.基于RC−IGBT的替代器件优化（概念性） 一种可选的架构替代方案，未在所呈现的模块中实现。 串扰分析与缓解 串扰机制：当SiC MOSFET以互补方式工作时，其快速开关行为会产生高dv/dt，从而导致非开关器件的栅极电压发生波动，此现象即称为串扰。 这种现象可能导致： 16.误导通 17.栅极电压过冲超出允许限值 18.潜在的器件故障 使用图 3 所示的电路进行仿真 图3：仿真电路 19.仿真方法 为评估实际工作条件下的串扰行为，使用SIMetrix结合制造商提供的SPICE器件模型进行了仿真。使用Ansys Q3D提取封装寄生参数（包括电感和电阻），并将其纳入仿真模型。 上方SiC MOSFET配置为被测器件（DUT），下方开关位置采用六个并联SiC MOSFET，工作于体二极管导通模式下。在600 A电流条件下，对下部开关施加−5 V栅源电压，评估串扰性能。 寄生电感的影响 如图4所示，不对称的源极杂散电感会导致电压行为不均匀，进而加剧串扰。 图4：不对称源极杂散电感 图5中的仿真结果显示栅极电压摆幅较大，部分波动已超出器件的额定限值。 图5：不对称源极杂散电感下的串扰 20.寄生电感引发的串扰严重程度 仿真结果表明，不对称的源极电感会导致栅极电压在约+5 V至−17 V之间波动。由于SiC MOSFET的栅极电压额定值为+22 V至−10 V，这种波动可能接近或超过安全工作限值，从而增加误导通事件、器件性能退化和长期可靠性问题的风险。 上述结果凸显了在高速SiC设计中尽量减小寄生参数不平衡的重要性，尤其是在多个器件并联运行时。 建议的解决方案：对称电感布局 通过均衡寄生电感（图 6），串扰得到显著降低。 图5：不对称源极杂散电感下的串扰 图6：对称源极杂散电感 图7：对称源极杂散电感下的串扰 21.设计指南：并联SiC MOSFET布局 仿真结果表明，当源极杂散电感在不同器件间存在差异时，由此产生的不平衡会导致栅极电压出现显著波动，可能超过器件额定安全范围并损害系统可靠性。 相比之下，当寄生电感实现对称后，栅极电压行为显著稳定，串扰降低至可接受的水平。上述结果凸显了在采用SiC器件的高速开关应用中布局设计的重要性。 替代缓解方法：独立栅极电阻 降低串扰的另一种方法是为每个并联的SiC MOSFET使用独立的栅极电阻。 为评估这种方法，专门进行了仿真（图8），使用10 Ω栅极电阻，同时保持与图 4 所示相同的不对称源极电感分布。结果表明，与基线配置相比，串扰有所降低。 最大栅极电压改善至约−0.5 V，最小栅极电压达到约−8.6 V。虽然增加栅极电阻减小了栅极电压波动幅度，但与对称布局方法相比，波动仍然较大。 图8显示了在并联SiC MOSFET中添加独立栅极电阻（10 Ω）的情况，同时保持与图4所示相同的杂散电感。 图8：不对称源极杂散电感下添加栅极电阻 图9显示了在相同工作条件下获得的仿真结果。与图5所示情况相比，串扰有所降低。 图9：外加栅极电阻和不对称源极杂散电感下的串扰 上述结果表明，虽然独立栅极电阻可以改善串扰性能，但优化源极电感对称性仍然是抑制并联SiC MOSFET设计中串扰的最有效方法。 在实践中，设计人员应确保并联器件之间的电流路径和寄生元件尽可能保持一致，以最大限度地减小不平衡。因此，仔细考量布局对称性对于防止误导通事件和确保在高开关速度下稳定运行至关重要。 替代器件方案：RC-IGBT 当外侧开关和中性点开关采用IGBT和Si二极管时，二极管相对较小的尺寸可能会限制其在高电流工作条件下的散热能力。 由于此类器件在ANPC拓扑中以电网频率运行，主要承受导通损耗而非开关损耗。随着储能系统功率等级的不断提高，此类器件的热管理变得日益重要。 RC−IGBT为何能提升热性能 虽然可通过降低VCE(sat)或VF来减小导通损耗，但此类改进最终会受到半导体器件特性的限制。另一种方法是通过增加芯片面积来降低热阻。 传统IGBT需要一个单独的反并联二极管来实现反向电流导通。相比之下，RC−IGBT将两种功能集成到单个半导体结构中。这种集成方式可在相同的封装尺寸内实现更大的有效芯片面积，同时保持相近的导通性能。 因此，RC−IGBT可实现更低的热阻、更好的热扩散能力，并在高电流工作下实现更低的结温。其他优势包括： 22.减少器件数量 23.改善热性能 24.简化模块设计 25.有望降低系统成本 图10：IGBT、Si二极管和RC-IGBT芯片面积比较 热性能评估 为评估实际过载条件下的热性能，采用以下工作条件进行了仿真： 26.直流母线电压：1500 Vdc 27.交流输出电压：690 Vac 28.输出功率：360 kW 为进行比较，RC−IGBT的建模采用了更大的有效硅面积，同时保持与传统IGBT和Si二极管方案相近的导通损耗特性。 结果显示： 29.传统IGBT最高结温：108°C 30.传统Si二极管最高结温：122°C 31.RC−IGBT结温（IGBT 导通模式）：99°C 32.RC−IGBT结温（反向导通模式）：94°C 上述结果表明，在导通损耗相当的情况下，RC−IGBT凭借更低的热阻和更高的芯片面积利用率，实现了显著更低的结温。 尽管RC−IGBT技术尚未在当前的ANPC模块中得到应用，但它代表了一种前景广阔的未来优化路径，可改善以工频运行的ANPC开关位置的热性能。 33.公用事业规模储能系统的电气与热优化 对于运行功率等级不断提高的公用事业规模ESS PCS设计，混合ANPC架构的成功实施需要同时进行电气和热优化。 本文呈现的研究结果表明，寄生电感控制对于SiC MOSFET的稳定运行至关重要，而RC−IGBT等先进的器件集成方案可以显著改善以导通为主的开关位置的热性能。 上述设计实践共同实现了： 34.更高的逆变器效率 35.更高的系统可靠性 36.更高的功率密度 37.更低的热应力 38.更强的下一代储能系统平台可扩展性 随着储能系统不断朝着更高功率、更高电压和更低系统成本的目标发展，上述设计考量对于实现实用且具备商业化落地价值的逆变器解决方案变得日益重要。

    安森美 . 5小时前 245

  • 罗姆出席英伟达在2026年OCP全球峰会的活动

    罗姆出席英伟达在2026年OCP全球峰会的活动

    ROHM（罗姆半导体）宣布，罗姆应邀出席于10月12日至15日在美国圣何塞举行的“2026年OCP全球峰会（Open Compute Project，简称OCP，由Meta【原Facebook】于2011年发起的全球最大规模的硬件开源盛会）”上的英伟达“AI Factory MGX Ecosystem”活动。   随着生成式AI的普及和AI服务器性能的提升，数据中心的功耗不断增加，提高供电效率已成为一项重要课题。在此背景下，新一代800V直流（800VDC）电源架构因其能够降低功率损耗并提升电源系统的功率密度而备受关注。   作为英伟达的合作伙伴，罗姆正在积极协助推进面向新一代AI数据中心的800V直流供电架构。通过结合适用于高电压、大功率电力转换的SiC MOSFET和SiC功率模块，以及具有优异高速开关性能的GaN器件，并整合SiC、GaN、Si等广泛的功率器件与模拟IC，罗姆致力于降低功率转换损耗，并助力打造更紧凑、更节能的电源系统。   今后，罗姆将继续深化与英伟达等生态系统合作伙伴的合作，通过功率半导体和模拟IC技术，为实现高能效的下一代AI基础设施贡献力量。     <相关信息> 白皮书：《ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案》

    罗姆 . 5小时前 301

  • 瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载MRAM

    瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载MRAM

    高达600MHz的RXv3e内核与高速MRAM可实现快速、可靠的实时性能 RX74M可在单一器件上支持包括EtherCAT、支持TSN的千兆以太网和CAN FD在内的主流工业网络 基于硬件的安全功能可满足新一代安全需求，如符合《网络弹性法案》要求，并支持后量子密码技术 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子推出全新旗舰级32位微控制器（MCU）RX74M和RX74N。两款产品的运行频率最高可达600MHz，是RX家族中首批采用22nm工艺并集成嵌入式MRAM的产品。与240MHz的上一代产品RX72M和RX72N相比，两款新品的性能均提升至两倍以上。RX74M面向工业自动化和工厂自动化设备，例如交流驱动器、工业机器人和可编程逻辑控制器（PLC）；RX74N则面向包括智能电表、功率调节器以及暖通空调（HVAC）系统在内的广泛工业设备。 22nm工艺与MRAM实现高速实时处理 随着工业系统日益复杂，在网络中同步连接众多节点的同时实现稳定、高速运行的需求不断增长。RX74M和RX74N采用22nm工艺，集成600MHz RXv3e内核、1MB（兆字节）MRAM（磁阻随机存取存储器）、256KB（千字节）零等待状态TCM（紧耦合存储器）以及1.5MB SRAM，即使面对频繁中断和分支的工作负载，也能实现快速、低抖动的实时处理。与传统嵌入式闪存不同，MRAM写入数据前无需先执行擦除操作，因此可加快代码和数据更新、缩短编程时间并减少系统停机时间，从而提升需要频繁保存参数和日志或更新数据的应用的响应速度。 支持包括EtherCAT、以太网TSN和CAN FD在内的主流工业网络 市场对跨多种工业以太网标准实现无缝连接的需求日益增长，但以往支持多种协议通常需要使用多个器件。RX74M将EtherCAT从站控制器、支持TSN的千兆以太网交换机和CAN FD集成于单颗芯片中。这些功能使其能够在单颗芯片上支持EtherCAT、PROFINET和EtherNet/IP等主流工业网络，包括通过TSN实现确定性通信，以及支持以前几代产品无法实现的EtherNet/IP DLR（设备级环网）等冗余网络配置。因此，该器件可提供面向工业物联网（IIoT）的工业网络基础，将现场设备与上层系统连接起来。 面向CRA与PQC的基于硬件的安全功能 随着物联网设备不断普及，《网络弹性法案》（CRA）等法规正推动全球市场对覆盖设备全生命周期的安全措施产生更高需求。 RX74M和RX74N通过在RX CPU中集成ProtectZone，进一步增强了基于硬件的安全功能，可在单颗芯片内隔离安全区域与非安全区域。此外，新一代瑞萨安全IP（RSIP）在传统TSIP的基础上扩展了公钥密码功能，并支持认证加密以及更广泛的哈希算法，从而能够在单颗MCU中实现包括后量子密码（PQC）在内的先进、面向未来的安全方案。 瑞萨电子EP先进MCU事业部高级总监Yoshi Ishikawa表示：“工业设备开发需要具备三大关键要素：先进的实时性能、多样化的工业网络以及强大的安全性。新产品将这些要求集成于单颗芯片中，可简化日益复杂的工业设备设计，并推动工业自动化持续发展。” 借助全面的合作伙伴生态系统提升开发效率 瑞萨与生态系统合作伙伴携手，为RX74M和RX74N提供解决方案，帮助客户缩短开发周期。 软件：Codewerk、RT-Labs 开发工具：IAR 实时操作系统：eForce、Zephyr RTOS 有关其他合作伙伴的信息，请参阅瑞萨电子合作伙伴计划。 其他特性 除高性能600MHz产品外，还提供功耗降低20%以上的300MHz产品 丰富的封装阵容，包括176/224/320引脚LFBGA和100/144/176引脚LFQFP 1.62V至3.6V的宽电源电压范围，以及−40℃至+125℃（Tj）的工作温度范围 支持从外部Octa Flash执行XiP（就地执行）和即时解密 通过RX、RA和RZ家族通用的FSP（灵活软件包）构建可扩展的开发环境 成功产品组合 瑞萨将新款MCU与其产品组合中的多种兼容器件相结合，推出包括磁悬浮输送系统和集成从执行器的智能HVAC控制在内的广泛解决方案。 供货信息 RX74M和RX74N现已上市。  

    瑞萨电子 . 5小时前 322

  • 艾迈斯欧司朗推出用于人机交互的光学压力传感解决方案，赋予产品表面智能交互能力

    艾迈斯欧司朗推出用于人机交互的光学压力传感解决方案，赋予产品表面智能交互能力

    数字光电技术领导者艾迈斯欧司朗宣布，艾迈斯欧司朗AS7160模拟前端与SFH7065光学前端助力产品表面成为主动交互界面。一只可感知触觉的机械手、一块无可见按键的简约烤箱前面板、一款表壳本身就能实现输入操作的智能手表。在这些应用中，产品表面被赋予全新的功能：它不再只是一层外壳，更成为交互体验的重要组成部分。 光学压力传感技术不仅能够检测触碰，还能将触碰转化为额外的信息来源 艾迈斯欧司朗高级产品经理Christian Feierl表示：“人们对产品表面的功能提出了越来越高的要求，而光学压力传感技术恰好满足这一需求。该技术能够检测表面极其细微的形变，并将其转化为可用于实际操作的信息，例如触碰、压力和接触状态等。这使产品表面成为主动式交互界面，为人机交互开辟更多可能，应用范围覆盖从家用电器到机器人的各类产品。” 从每一次触碰中获取更多信息 要让产品表面实现超越传统按钮或触控面板的功能，就不能仅仅停留在检测是否发生接触的层面，还需要尽可能充分地提取每一次触碰所包含的信息，并在接触点完成采集。 当触碰和压力同时发生在多个位置，而非单一点位时，这一要求便更具挑战性。例如，机械手每次抓取工具时，都必须检测多根手指之间的受力分布，以及抓握过程中受力情况的变化。只有整合来自多个接触点的信息，才能完整呈现整个交互过程。 艾迈斯欧司朗AS7160模拟前端正是为满足这一需求而设计。该器件能够同时控制多达八个光学前端，并行采集多个传感器测点的数据。以机械手为例，这意味着它能够分析来自多个接触点的压力信息，从而更准确地掌握整个抓握过程。 AS7160模拟前端能够同时控制多达八个光学前端，并行采集多个传感器测点的数据 系统的高灵敏度在这一过程中发挥着决定性作用。艾迈斯欧司朗AS7160能够检测小至0.22微米的表面位移，足以识别远小于人类头发直径的微小形变。因此，即使隔着金属或处于潮湿环境中，传感器也能识别作用力的细微变化，并及早发现工具是否正在机械手中发生移动。 机器从触碰中获取的信息越丰富，就越能准确地理解周围环境。然而，同样重要的问题是在哪里采集这些信息。艾迈斯欧司朗SFH7065光学前端正是针对这一问题而设计。作为一款侧视型传感器单元，它可沿表面侧向而非从上方检测表面变化，从而为在复杂几何结构中集成传感技术提供更多可能，例如将其应用于机械手的指尖、关节、手指侧面及弯曲区域。这种侧向传感能力使其能够同时测量压缩力和剪切力。因此，传感器不仅能够检测物体被抓握得有多紧，还能判断物体是否在抓握过程中发生移动或开始滑脱。通过结合侧视型与顶视型传感器，开发人员可以将传感器精准布置在实际发生触碰和受力的位置。由此，传感技术能够真正融入产品结构，不再只是受到保护或隐藏在表面之下，而是可以主动参与检测与控制。 SFH7065光学前端是一款侧视型传感器，可沿表面侧向而非从上方检测表面变化，从而为在复杂几何结构中集成传感技术提供了更多可能 不止于触碰：让压力成为额外的信息来源 同样的原理也适用于日常生活中的各类应用，光学压力传感技术为用户交互带来全新的可能。 在烤箱等家用电器中，控制装置可以完全隐藏在封闭的玻璃面板之后。通过布置多个传感器测点，便可形成多个专属控制区，无需在面板上显露任何独立按键。即使戴着隔热手套，用户也能通过轻触产品表面打开菜单，再通过用力按压激活相应功能。 同样，在紧凑型设备中，也可以将更多功能直接集成到现有产品表面。例如，智能手表的表壳本身即可充当输入界面：长按手表侧面即可进入运动模式，短按则可以接听电话。通过这种方式，无需改变产品的外观设计或外形尺寸，就能增加新的输入方式。 光学压力传感技术不仅能够检测触碰，还能将触碰转化为额外的信息来源。如今，这项技术已在机器人、家用电器和可穿戴设备等领域展现出应用潜力，同时也预示着一种更广泛的发展趋势：产品正逐步具备数字化触觉感知能力，从而能够以更加细致、多样的方式与周围环境进行交互。 更多相关内容：以智能表面取代机械按键 欢迎联系我们订购样品，或咨询相关产品的技术问题。  

    艾迈斯欧司朗 . 5小时前 266

  • 深化机器人产业布局：大联大以“双核心引擎”构建从器件到系统的全链路服务能力

    深化机器人产业布局：大联大以“双核心引擎”构建从器件到系统的全链路服务能力

    大联大控股宣布，其在人形机器人产业的战略布局已进入全面深化阶段。公司已组建专门服务团队，并持续增加投入，以加速人形机器人相关技术的商业化落地与生态构建。同时，借助旗下世平、诠鼎两大集团协同效能，大联大致力于打造从元器件供应到系统方案落地的全链路服务能力，助力客户实现从原型验证迈向规模量产。 具身智能量产爆发前夜，大联大构建“器件+方案+生态”服务 人形机器人产业链条横跨芯片原厂、方案商、零部件企业、整机厂商及终端应用客户等多个环节，各方协同的重要性日益凸显。在此背景下，半导体元器件分销商的价值正从单一的器件供应，向技术支持与方案服务延伸，系统整合能力成为产业链竞争的关键要素。 作为立足亚太、辐射全球的先进半导体分销商，大联大代理产线超250条，能够将计算、通信、消费、汽车、工业、储能等多个领域的技术沉淀，迁移至具身智能这一新兴场景。面对全球半导体行业周期波动，大联大自2025年启动全球转型计划，并于2026年起正式确立世平、诠鼎两大集团“双核心引擎”运营格局，以更加精简高效的组织架构、优化的资源配置，把握新兴产业发展机遇。2026年8月，大联大营收创历年同期新高，累计首度突破兆元新台币大关，展现强劲的成长动能。 大联大中国区总裁沈维中指出，大联大已组建专属业务团队，对代理的相关产线进行整合，并依据人形机器人各功能区块，面向客户推广适配的产品。与此同时，大联大还将通过在线研讨会、产业论坛、机器人相关展会交流等方式，推动技术方案向终端渗透。具体而言，这一布局由旗下世平与诠鼎两大集团分工推进：世平聚焦“整机+控制+传感+能源”技术框架，诠鼎则在GaN电源、灵巧手微型化等方向提供技术支持。 大联大世平集团中国营运区资深副总邵元中表示，集团以“1+4+2”战略为牵引，构建覆盖脑、关节、传感、能源的全栈技术能力，打造“器件+方案+生态”三位一体的本地化服务体系。未来三年，大联大将聚焦B端场景落地，推动国产与国际双供应链协同，助力中国机器人产业实现从原型验证到规模量产的跨越。 大联大诠鼎集团中国客户行销S事业群副总经理林明勋表示，过去分销商比拼的是货源与交期，如今客户需要的是从“大脑算力”到“四肢执行”的全链路协同。为此，诠鼎把AE/FAE能力前置到整机厂商研发早期，围绕关节执行器、灵巧手等核心单元做系统级方案孵化，为整机厂商快速迭代技术产品提供有效支撑。 从被动交付到协同研发，大联大重塑分销商价值边界 人形机器人产业正处于百家争鸣的早期阶段，全链路自研与专业分工两种模式并行，客户需求高度分化。这一阶段，分销商能否提供稳定的供应链保障与适配的技术方案，往往比单纯的价格与交期更具价值。 大联大世平集团陆商工业行销群总监刘汉指出，人形机器人行业的分销商角色转变路径可以分为半导体贸易商→技术增值分销商→人形机器人产业链生态服务商三个阶段，其核心竞争力是工艺理解、样机验证、项目协同能力以及生态运营能力。他表示，经过一年半的深耕，世平已经跨过第一阶段的门槛，在同质化元器件的选型及开拓能力上显著提升。 大联大诠鼎集团产品行销副执行长室总监曾英平表示，人形机器人横跨计算、控制、驱动、传感、通信与能源管理，行业客户的核心痛点并非缺乏高性能单芯片，而是难以实现各类器件在复杂整机系统中的高效协同、稳定适配与联动工作。因此，诠鼎正在打造机器人执行端系统方案能力，推动自身从元器件分销商向执行端系统方案协同伙伴转型。 技术方案落地，世平、诠鼎双线并进赋能机器人核心单元 作为重点布局的新兴增量市场之一，人形机器人将与车用、工业、储能、电源等既有领域协同推进，形成资源共享、技术共振的发展格局。大联大旗下世平、诠鼎分别推出面向机器人核心执行单元的成熟方案，展示公司从“器件供应”向“系统方案交付”升级的实质性进展。 大联大世平推出基于NXP i.MX RT1189的11自由度灵巧手方案 此方案以恩智浦（NXP）i.MX RT1189 MCU为核心，搭载总驱动自由度达11个，其中包含6个主动自由度，能够实现握拳、张开、胜利等多种手势控制。方案采用连杆与蜗轮蜗杆传动方式，整手最大钩握负载可达40公斤。其指尖部分通过搭载光学压力传感器，能够实时感知抓握力大小，实现针对不同物体的精准力控抓取。 大联大世平以NXP产品为核心的11自由度灵巧手方案的场景应用图 大联大诠鼎携手ST打造人形机器人执行器全链路方案 此方案涵盖基于STM32的电机控制、MOSFET/氮化镓（GaN）功率器件、STDRIVE栅极驱动器、STSPIN封装系统级电机驱动器，同时配套通信、惯性测量单元、传感器及PMIC芯片和DC/DC转换芯片等，适用于关节驱动、动力控制、信号感知与边缘计算等多个环节，旨在以高集成、易部署、可量产的完整技术生态，助力人形机器人企业加速产品落地与性能跃升。 大联大诠鼎携手ST推出的人形机器人系统级技术布局框架图 在人形机器人产业化浪潮下，大联大将以半导体元器件分销为底座，向上延伸子系统参考方案与产业链生态服务，不仅持续提供客户稳定的供货需求和强大的技术支持，更携手上、下游伙伴，共同打通从芯片选型、系统集成到整机落地的路径，推动具身智能产业生态加速成熟。    

    大联大 . 6小时前 301

  • 重型AR眼镜BMS选型指南：耐压、内阻、散热三大核心参数如何取舍？

    重型AR眼镜BMS选型指南：耐压、内阻、散热三大核心参数如何取舍？

    空间计算持续引爆AR眼镜赛道！重型AR眼镜向着沉浸式虚实交互体验全速迭代，但光鲜的体验升级背后，硬件电源侧的挑战接踵而至：高亮度投影光机上电瞬间爆发巨大浪涌电流，AI 算力芯片、多传感器集群同步工作带来持续重载。不少原型样机在测试中频繁黑屏、意外重启，看似是显示或算法故障，根源却藏在锂电池BMS保护回路。国产功率 MOS管，针对性解决重型AR锂电保护难题，为整机安全保驾护航。     行业核心痛点 开机浪涌耐受不足，极易触发 BMS 误保护 传统通用MOS管抗浪涌能力弱。瞬时大电流下器件快速发热，BMS误判为过流故障，触发保护，直接造成AR眼镜黑屏、意外重启，样机测试与量产良率深受影响。 导通内阻偏高，重载工况发热严重 传统MOS管导通损耗大，当光机、端侧AI芯片、多传感器集群同步持续重载工作时，持续大电流会带来显著温升。PCB空间狭小密闭，热量难以散出，形成温度越高→内阻越大→发热加剧的恶性循环。 耐压裕量不足，快充尖峰存在失效风险 传统通用MOS管电压余量偏小，面对快充瞬态高压扰动，容易被电压尖峰冲击，存在器件击穿、可靠性下降隐患，无法适配大功率PD快充方案。     核心优势：多场景覆盖，精准解决痛点 针对重型AR眼镜狭小的PCB高密度布局，合科泰推出多款热门MOS管，搭载大散热基底、短导热路径设计，散热表现优异。差异化参数规划，覆盖BMS充电、放电不同回路场景。     HKTG40C40：40V 耐压，量产通用主力放电开关 这款型号具有40V耐压等级预留充足安全裕量，电流承载能力扎实，导通特性稳定。作为 BMS放电主开关，兼顾大电流承载能力，适配多数常规重型AR方案。器件开关特性均衡，在连续负载与短时冲击工况下都不易出现异常发热，降低BMS误保护概率，非常适合追求方案成熟度、控制BOM成本的量产项目，通用性极强，可缩短客户器件选型、验证周期。   HKTG60C04：60V 高耐压，PD快充机型充电回路专用 这款型号具有60V超高耐压规格，拥有更大电压余量，专门用于搭载PD快充的重型AR充电回路。快充启停阶段极易产生电压尖峰、高频浪涌，该型号抗尖峰能力突出，可有效吸收、抑制快充瞬态高压扰动，避免被尖峰击穿。器件开关损耗控制优异，快充长时间工作温升可控，保障快充过程稳定可靠，支持大功率PD快充方案落地。     精准选型建议       放电主回路推荐HKTG40C40 适配常规普通功耗机型，平衡性能与BOM成本，满足基础放电保护。 充电回路推荐 HKTG60C04 支持PD快充、存在适配器热插拔场景的机型，依靠充足耐压裕量抵御快充电压尖峰，提升充电环节可靠性。     最后结语 面对AR硬件国产化提速，合科泰依托依托全自动化生产体系与严苛品控标准、成熟的功率器件生产制造体系以及严控产品一致性能够稳定供货，可快速响应消费类AR项目的样品测试与批量交付需求。合科泰已形成成熟的产品矩阵，助力国产AR硬件从原型走向稳定量产，为空间计算终端提供可靠的国产功率器件解决方案，打造可靠的差异化产品，提升市场核心竞争力。

    半导体

    厂商投稿 . 6小时前 287

  • OPA333AIDBVR精密运算放大器技术解析

    OPA333AIDBVR精密运算放大器技术解析

    在信号链设计里，传感器的微弱信号往往要被放大数千倍甚至上万倍。放大器自身的失调电压、温漂和噪声，此时就成了误差的主要来源。鼎芯OPA333AIDBVR这类采用自稳零（chopper）技术的CMOS运放，正是为压低这几项指标而来。它的核心价值并不在于参数堆砌，而在于让精密测量在低功耗和低成本下同时成立。 零漂移架构，把失调电压压到微伏级 传统运放的失调电压一般在毫伏量级，且随温度变化明显。鼎芯OPA333系列内置自稳零电路，把输入失调电压做到 ±1μV（典型值），失调电压温漂低至 ±0.005μV/℃。这意味着从 -40℃ 到 125℃ 的全温区内，由失调带来的误差几乎可以忽略。对使用应变片、压力传感器或热电偶的应用来说，这一点很关键。测量端噪声和温漂若与信号同量级，后端无论怎么校准都难以收敛。零漂移架构从源头压缩了这部分误差，电路设计者可以把精力放在系统的其他环节，而不是反复做温度补偿。 低噪声与低功耗，精密测量的双重要求 噪声决定了一个放大器的分辨下限。鼎芯OPA333在 0.01Hz 到 10Hz 频段内的输入电压噪声为 3.2μVpp，属于低频区间的优秀水平；低频闪烁噪声被自稳零技术显著抑制。同时，每通道静态工作电流只有60μA，工作电压 2.3V 即可启动。这对电池供电的设备尤为重要。便携医疗仪器、无线传感器节点长期待机，功耗预算紧张。60μA的静态电流让运放可以长期在线，不必频繁开关；需要时又能在极短时间内进入工作状态，配合6μs的过载恢复时间，满足间歇性采样的需求。 带宽与压摆率，兼顾速度的合理取舍 精密运放常被误解为 "越慢越好"。鼎芯OPA333提供了350kHz 的单位增益带宽和0.17V/μs的压摆率。这个速度并不追求高速放大的极致，但对压力传感器、温度传感器这类变化缓慢的信号已经足够。需要注意的是，压摆率有限意味着大信号阶跃时输出会有建立过程。设计时若同时放大高频成分，需结合带宽评估系统响应；若只处理低频信号，则可放心使用。这一取舍让器件在保证稳定性的前提下，把更多功耗预算让给了精度和低噪声。 轨到轨输入输出，让动态范围更实用 低电压供电最容易牺牲的就是动态范围。鼎芯OPA333 采用轨到轨输入和输出架构，输入共模范围可延伸至电源轨之外 0.1V，输出高电平可达 V+ -2mV，低电平低至 1mV。在 3.3V 或 5V 单电源下，它能把可用信号摆幅铺满整个电源区间。这对电池供电、供电电压偏低的场景很友好。系统无需额外生成负压或提高电源电压，就能获得足够大的输出摆幅，减少了外围电路数量。共模抑制比和电源抑制比均为 130dB，对电源波动和共模干扰也有较强的抑制能力。 典型应用与选型提示 从材料表看，鼎芯OPA333 常用于温度传感器、压力传感器、体重秤传感器、应变放大器，以及医疗和工业仪器、电池供电仪表。其单通道 SOT23-5 封装占用面积小，适合对板级空间敏感的便携设备；若需要双通道，可选用 OPA2333 的 SOP8 封装。选型时还应留意两点：一是该系列属于精密运放，输入端口内部虽有对电源轨的钳位二极管保护，输入电流仍需限制在 ±10mA 以内；二是器件 ESD 等级为人体模型 ±5000V，虽有一定防护能力，焊接和装配仍建议在防静电环境下进行，避免参数劣化。 结语 鼎芯OPA333AIDBVR精密运算放大器的定位很清晰：用自稳零技术解决失调和温漂，用低功耗满足电池设备需求，用轨到轨架构换取动态范围。它对追求测量精度、又在意成本和功耗的设计者，提供了一个直接的选项。具体是否适配，最终取决于信号频率、供电条件和精度目标，建议结合实际电路做一次验证。

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    鼎芯电子 . 6小时前 308

  • 产品 | 5.5V动态调压+双接口高速通信，艾为AWD86037H赋能下一代影像防抖

    产品 | 5.5V动态调压+双接口高速通信，艾为AWD86037H赋能下一代影像防抖

    移动端影像技术飞速迭代的今天，传统OIS驱动方案越来越难以满足日益轻薄的多摄模组需求。更小封装、更高集成度、极简外围、更低功耗，同时实现多轴协同、快速防抖响应，成为影像模组开发的核心诉求。   艾为电子重磅推出 AWD86037H 高精度 5.5V 动态调压 AP-OIS 闭环驱动芯片，单芯片内置 Hall 传感器、13-bit DAC、16-bit ADC、数字 PID 控制器及512 Bytes eFlash，支持 1.7V-5.5V 动态调压，完美平衡了性能、功耗，以一体化解决方案，助力智能手机多摄、运动相机、安防监控等影像设备实现更强防抖性能，是传统分立OIS方案的升级优选。   核心亮点 • 超小封装，灵活适配多摄架构：AWD86037H 采用 WLCSP-6B 封装，尺寸仅2.09mm×0.60mm×0.30mm，极致紧凑的体积使其能够轻松嵌入寸土寸金的手机摄像头模组内部。   • 单芯片全集成，简化方案设计：芯片内置 Si Hall 传感器、恒流驱动、PWM 驱动、16-bit ADC 以及数字 PID 控制器，支持线性化校准与串扰校准。无需外置 Hall 芯片，显著降低 BOM 成本和模组设计难度。   • 双接口高速通信，支持多机并联：同时支持 I2C（最高 3.4MHz）和 I3C（最高 12.5MHz），兼容 1.2V/1.8V IO 电平。通过广播模式和多机自适应地址识别，单条总线最多可挂载8颗芯片，轻松实现多摄系统的协同控制。   • 进阶算法内核，防抖控制更精准顺滑：搭载 Advanced PID，支持内置 Hall 校准、双端励磁补偿、AGC 控制、分段 PID 等功能，适配复杂运动场景；配备 soft start/land 功能有效降低上下电异响；Advanced driver smart hold/close 智能驱动机制，进一步优化镜头控制表现。   •精准驱动，多场景自适应：恒流驱动默认±300mA，内置可配置 PID 控制器与数字滤波器，512 Bytes 用户 eFlash 支持掉电保存校准参数。   • 宽压供电，稳定可靠：动态电压范围 1.7~5.5V，具备过流保护（OCP）与过温保护机制，严苛环境下依旧稳定工作。   • 长行程支持 250mT@2.5mm。     上海艾为电子技术股份有限公司（awinic）是国内领先的数模混合信号、模拟、射频芯片设计企业，产品广泛应用于智能手机、物联网、汽车电子、可穿戴设备等领域。AWD86037H 的发布进一步丰富了艾为在摄像头马达驱动领域的产品矩阵，助力客户打造更轻薄、更稳定、更高清的影像终端。

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    艾为官网 . 20小时前 266

  • 产品 | 更适合工业开发的RK3588开发板，6 路千兆网+6路摄像头+双M.2算力卡

    产品 | 更适合工业开发的RK3588开发板，6 路千兆网+6路摄像头+双M.2算力卡

    RK3588 是瑞芯微推出的旗舰级高性能处理器，采用 8nm 先进制程，搭载四核 Cortex-A76 +四核 Cortex-A55 八核 CPU，集成 6TOPS 算力 NPU 和 ARM Mali-G610 MP4 四核 GPU，支持 8K@60fps H.265/VP9 视频解码和8K@30fps 编码，支持四路独立显示输出。   米尔电子 MYD-YR3588 开发板重点围绕工业产品的量产开发，把常用接口一次配齐：6 路千兆以太网，多网口组网，可直接做工业网关与协议转换；6 路 MIPI CSI 摄像头接口，面向具身智能等场景的多路视觉数据采集；独立 PCIe 连接器可外接 FPGA，实现自定义实时控制与专用算法加速；双 M.2 插槽（PCIe 3.0 + PCIe 2.1）可同时挂载 2 路 RK1828 算力卡，叠加板载 6TOPS NPU，在端侧运行更大参数规模的大模型。此外还配齐 CAN FD×2、RS232×2、RS485×2、隔离 DI/DO、4×USB3.0 等工业接口。   MYC-YR3588核心板及开发板——更适合工业产品开发 ，适用于工业网关、机器人小脑、医疗内窥镜/超声、工程车车载终端、工业视觉检测、边缘计算、智能安防等场景。 旗舰级八核 CPU + 6TOPS AI 算力 MYC-YR3588核心板搭载瑞芯微 RK3588 处理器，商业级 4×Cortex-A76@2.4GHz + 4×Cortex-A55@1.8GHz（工业级 RK3588J 为 1.6GHz/1.3GHz），内置 6 TOPS NPU，支持 INT4/INT8/INT16/FP16/BF16/TF32 多精度混合运算，兼容 TensorFlow/PyTorch/Caffe 等主流 AI 框架，满足边缘 AI 推理、机器视觉、机器人感知等高算力需求。 邮票孔+LGA 混合封装，超小尺寸高可靠集成 MYC-YR3588核心板采用 LCC+LGA 426Pin 混合封装设计（192 邮票孔 + 234 LGA 焊盘），外形尺寸仅 50mm×52mm×3.8mm，是米尔 RK3588 系列中最紧凑的核心板方案。超小体积便于集成到空间受限的嵌入式设备中，同时通过 12 层高密度 PCB 设计、沉金工艺保障信号完整性和工业级可靠性，适合医疗内窥镜、工程车终端等对体积和可靠性有严苛要求的场景。 8K 多媒体引擎 + 四屏独立异显 MYC-YR3588核心板支持 HDMI 2.1/eDP 1.3/DP 1.4a/MIPI DSI 多路视频输出，实现四屏独立异显；支持 8K@60fps H.265/VP9 视频解码和 8K@30fps 编码，双路 ISP 最高 4800 万像素图像处理。视频输入支持 2×MIPI DCPHY + 4×MIPI CSI + 1×HDMI IN + 1×DVP，满足手术全景视图、车载多屏座舱、多路视频拼接等高端显示场景。 最高 16GB LPDDR5 + 128GB eMMC，4 型号灵活选 MYC-YR3588核心板板载 LPDDR5 内存 + eMMC 存储，提供 8GB+64GB 和 16GB+128GB 两档配置，结合商业级/工业级芯片选项，共 4 种型号覆盖不同性能和成本需求。相比 LPDDR4 带宽显著提升，同等负载下功耗更低、响应延迟更优，在复杂 AI 推理、8K 视频编解码、海量数据边缘计算等场景中充分释放高算力潜能。 12层工业级 PCB，12 项可靠性测试 MYC-YR3588核心板核心板采用 12 层高密度 PCB 设计，沉金工艺生产，独立接地信号层，全信号完整性优化。工业级型号（RK3588J）支持 -40℃~+85℃ 宽温工作，通过高低温循环、5000 次通断电、7×24 小时满负载老化、ESD 四等级静电等 12 项可靠性测试，目标生命周期 10 年。 开发板 6 路千兆网 + 6路摄像头，外设接口全 MYB-YR3588-I 底板提供 6 路千兆以太网口、4×USB 3.0 Host + 2×USB 2.0 Host + 2×USB Type-C OTG、2×M.2 NVMe SSD 接口（PCIe 3.0 + PCIe 2.1）、板载 WiFi/BT 模组、1 路 4G/5G 模块接口、2×CAN FD + 2×RS232 + 2×RS485（凤凰端子引出）、2×DI/2×DO 隔离接口、4×ADC 输入，以及 6 路 MIPI CSI 摄像头接口 + 1 路 HDMI RX 输入，满足多传感器接入、多屏联动、工业通信组网等复杂应用需求。 全栈软件生态，多系统 + 大模型支持 MYD-YR3588开发板提供 Yocto Linux、Buildroot Linux 系统镜像（已发布），Robot Debian、Android、Ubuntu（开发中）多系统方案。内置 RKNN AI 工具链、RKLLM 大模型部署框架、EtherCAT 主站协议栈，外设驱动源码全部开放，配套完整的产品手册、硬件用户手册、底板 PDF 原理图及 Linux 软件开发指南，帮助开发者快速完成产品原型验证和量产交付。 聚焦四大高价值垂直场景 MYC-YR3588核心板及开发板，面向机器人小脑、医疗内窥镜/超声、工程车车载终端、工业视觉检测四大高价值场景，提供从 Robot SDK 适配、四屏异显视图、360° 环视推流到 PCIe 外扩算力卡的完整方案支撑，配合多系统软件生态和丰富的外设接口，帮助客户快速完成产品落地。 MYD-YR3588 开发套件适用于以上高端应用场景，凭借八核高性能 CPU、6TOPS NPU、四屏独立异显、邮票孔超小封装和 6 路千兆网等丰富外设接口，为嵌入式开发者提供稳定参考设计和完善软件开发环境。 ※ 同期预告：米尔 SMARC 2.2 标准版本 MYD-JR3588 开发套件即将发布，采用 82mm×50mm 标准尺寸 + 314 Pin 金手指接口，可与全球 SMARC 载板生态互换兼容，敬请关注。 核心板配置型号 开发板配置型号

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  • 论坛回顾 | 华沿机器人：以全栈自研技术赋能半导体制造

    论坛回顾 | 华沿机器人：以全栈自研技术赋能半导体制造

    10月14日，2026湾区半导体产业生态博览会（深圳）同期举办的“让AI走进物理世界——具身智能应用技术创新论坛”在深圳会展中心（福田）举行。论坛由深圳市半导体与集成电路产业联盟、深圳市机器人协会主办，中电港芯查查协办，汇聚来自优必选、华沿机器人、阿加犀、AMD、华成工控、Molex、三未信安、黑芝麻智能、迈来芯、进迭时空等产业代表。   华沿机器人姜弃疾以《华沿机器人用全栈自研技术引领芯片柔性制造新格局》为题，围绕半导体制造的四类痛点，介绍协作机器人、七轴人形双臂和高精密运动平台三类解决方案，以及相关技术在半导体与光通信领域的应用。 一、半导体制造的四类痛点 华沿机器人主要面向工业场景提供机器人本体及核心部件。在协作机器人领域，公司不做系统集成，主要提供硬件本体；在具身智能方向，则聚焦核心零部件与双臂产品，不直接提供整机和模型。 基于这一业务定位，华沿将半导体与光通信制造中的需求归纳为四类痛点。 第一，微米、纳米级定位的精度要求。光刻掩膜对准、光纤耦合和晶圆检测等工序需要精细的位置控制，对设备的定位精度、振动和热稳定性提出了较高要求。 第二，光模块插拔的一致性与良率问题。插拔测试和精密装配仍有不少环节依赖人工，对位精度和插拔力度难以始终保持一致，操作不当还可能损伤光器件。 第三，晶圆及晶圆盒搬运的洁净与安全要求。人工搬运可能带来颗粒污染、振动冲击和破片风险，洁净室内的作业环境也增加了搬运难度。 第四，重复性作业带来的用工压力。上下料、搬运和测试等任务重复频次高、劳动强度大，招工难和人力成本等问题也使长时间连续生产面临挑战。 针对这些不同的工艺需求，华沿布局了三类产品。协作机器人主要承担搬运和上下料，七轴人形双臂面向光模块插拔等精细操作，高精密运动平台则负责光纤耦合、晶圆检测等需要微纳级定位的任务。 二、协作机器人承担晶圆搬运与设备上下料 对于晶圆搬运、设备上下料等重复性任务，自动化设备既要满足生产节拍，也要兼顾成本、安全性和操作门槛。 姜弃疾谈到，传统自动化设备成本较高，工业机器人还涉及安全与编程要求，一线操作人员未必具备相应的编程能力。协作机器人能够与人员协同作业，发生接触时可自动停止，在安全性和使用门槛方面更适合部分工业场景。 华沿采用Elfin、Elfin-Pro及S系列协作机器人，最高重复定位精度可达±0.015 mm，负载覆盖范围为3—66 kg。通过与复合机器人、视觉系统及产线设备配合，机器人可完成晶圆搬运、设备上下料等任务。 在晶圆产线中，协作机器人可以配合复合机器人和末端视觉系统进行自主搬运，单台机器人可照管8台工艺设备，并支持24小时连续作业。在半导体塑封工序中，多台机械臂还可协同完成排片、塑封、除溢料和收料等环节的上下料。 为了适应长时间运行的工业场景，华沿还采用自主研发的双关节模组，并提供图形化编程功能，降低设备操作与部署的门槛。 其协作机器人洁净等级可达Class 5，并通过SEMI S2认证。 三、七轴人形双臂面向光模块插拔与精细操作 当光模块插拔对机械臂提出了不同于常规搬运的要求。  器件需要准确对位，插拔过程中还要控制接触力度，避免因操作偏差损伤接口。面对这类任务，华沿推出Echo、HY系列七轴人形双臂，重点提升精细操作中的运动灵活性与力觉感知能力。 产品重复定位精度可达±0.015 mm，末端力觉感知指标为0.1 N，全关节力控精度不超过0.02 N·m。七自由度设计配合十字交叉腕关节，使机械臂能够进行避障、绕行和曲臂等动作，以适应狭小空间内的操作。 在光模块插拔和精密装配中，视觉引导负责识别器件位置、完成对位，力控系统则感知接触状态并调整作用力，两者配合实现精准对位与柔顺插拔。 产品覆盖3 kg、5 kg、7 kg和15 kg等单臂负载规格，也可用于晶圆盒搬运等任务。 如果说七轴双臂主要解决器件的精细操作，那么光纤耦合还需要将光纤与芯片或透镜调整到合适的相对位置，使光功率达到最佳状态。这类工序对微小位移、运动稳定性和振动控制有更高要求，也是高精密运动平台的主要应用方向。 四、高精密运动平台实现纳米级定位与低振动控制 华沿的高精密XYZ直线电机平台面向晶圆检测、晶圆量测、光刻掩膜对准、探针台测试及光纤耦合等应用。平台通过机械结构、电机、传感器与控制算法的协同，实现微米甚至纳米级的位置控制。 其核心参数包括： 重复定位精度：±0.05 μm 分辨率：1 nm 静态抖动：±10 nm 补偿后定位精度：±200 nm 动态截止频率：大于100 Hz 其中，±10 nm的静态抖动体现了其纳米级的静态振动控制能力。 在光纤耦合等精密工序中，平台需要保持稳定的位置控制，避免运动波动影响光纤与芯片之间的精细对准。 针对400G、800G及1.6T高速光模块的耦合工艺，华沿还采用高阶螺旋线轨迹规划方案。该方案以较小的加速度完成运动任务，降低运动冲击与振动，同时减少电机发热。相关搜索流程的运行时间约为620 ms，方案已面向400G、800G及1.6T高速光模块耦合工艺开展验证。 平台的精度与稳定性也离不开底层电机技术。华沿的技术积累涉及空载反电势、傅里叶分析、力矩波动、电磁分析和温度分析等方面。公司从2005年开始开展电机相关工作，2017年正式成立机器人公司，逐步将电机与运动控制方面的技术积累应用于机器人本体和精密运动平台。 结语 从晶圆搬运、光模块插拔到光纤耦合，华沿以三类产品对应半导体制造中的不同自动化需求，并通过核心部件与控制技术提供支撑。随着精密制造对自动化设备的要求不断提高，机器人在重复性作业之外，也将有机会承担更多精细操作与高精度定位任务。  

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    芯查查资讯 . 昨天 588

  • 技术 | 5μV Max + 10MHz + 5V/μs：HCR8552 零漂移双运放工程师选型笔记

    技术 | 5μV Max + 10MHz + 5V/μs：HCR8552 零漂移双运放工程师选型笔记

    本期目录 01先给结论：HCR8552 适合谁，不适合谁 02自稳零原理：「零漂移」的代价 03引脚兼容与替代注意 04典型案例：3.3V 低边双向电流检测 05国内外双通道零漂移运放对比 06电子工程师调试 Checklist 07论坛发帖建议标题 08总结 01　先给结论：HCR8552 适合谁，不适合谁 HCR8552 是禾芯荣 HCR8551/8552/8554 系列里的双通道版本，SOIC-8 / MSOP-8 封装，引脚与 AD8552、RS8552、SGM8552、DIO2352 等双通道运放兼容。 芯片实物与核心参数       02　自稳零原理：「零漂移」的代价 HCR855X 采用 auto-zero 自稳零架构。简化理解：内部有主放大器和调零（校正）放大器；自零相位采样失调并存储于内部电容；放大相位再把校正电压注入主通道，抵消失调。 等效输入失调公式 因为校正环路增益 AB 很大，所以等效失调被压到 μV 级。 工程收益 失调 5μV MAX，温漂 0.005μV/℃，全温误差极小 1/f 噪声被抑制，0.01~10Hz 仅 0.75μVp-p CMRR / PSRR 典型 130dB，共模和电源变化引起的误差小 无需外部电容，BOM 简单 工程代价（必须知道） 1. 自稳零时钟馈通。高增益时输出可能看到微小高频毛刺。AD8552 内部约 4kHz，HCR8552 手册未给时钟频率，但同类架构都存在。高增益 >40dB 时，可在反馈电阻并联 3.3nF~10nF，或输出加 RC，但会降带宽。 2. 输入偏置电流随温度上升。HCR8552 数据手册的输入偏置电流–温度曲线显示 显示 25℃ 约几十 pA，125℃ 升到数百 pA。高阻源要算误差。 3. 容性负载有限。手册阶跃响应测试用 CL = 100pF。直接驱动 >100pF 建议串 50~100Ω 或加 R-C snubber。 4. 过载恢复虽快，但仍非理想。2μs 已优于 AD8552 的 50μs、SGM8552 的 60μs，适合多路 ADC 和 PWM 电流检测。 5. 绝对最大电源有矛盾。HCR8552 表格写 Supply Voltage +Vs to -Vs 最大 6V，正文又提 7V。按 6V 留余量，推荐工作不超过 5.5V。    设计提示    自稳零运放不是「理想运放」——它把低频误差搬到了时钟频率附近。高增益应用一定要检查输出频谱，必要时用反馈电容或输出 RC 滤除时钟馈通。 03　引脚兼容与替代注意 HCR8552 SOIC-8 / MSOP-8 引脚与 AD8552、RS8552、SGM8552、DIO2352 的双通道版本引脚一致，可做硬件兼容替换。 引脚定义（SOIC-8 / MSOP-8） 替换验证清单（pin-to-pin ≠ drop-in） 带宽变化：HCR8552 10MHz，AD8552 1.5MHz，RS8552 4.5MHz，SGM8552 1.5MHz，DIO2352 1.2MHz。原反馈网络带宽会变大，噪声带宽增加，可能拾取更多高频噪声。 容性负载能力：不同型号驱动能力不同，替换后看阶跃过冲。 ESD 等级：HCR8552 HBM ±2kV，RS8552 ±5kV，SGM8552 8kV，DIO2352 按手册。接口暴露场景要加 TVS / 限流。 最低供电：HCR8552 最低 2.7V；SGM8552、DIO2352 可到 2.5V。 绝对最大电源：HCR8552 按 6V 留余量；RS8552 7V；DIO2352 7.5V。5V 系统 OK，但瞬态高压要评估。 单通道不要混：HCR8551 为 SOT23-5 封装，与双通道 8 脚版本引脚不兼容；即使对比单通道型号，替换前也务必先核对具体封装与引脚。 替换警告：pin-to-pin 兼容 ≠ 直接替换。HCR8552 带宽比 AD8552 高 6 倍以上，反馈网络不变的情况下，相位裕度和噪声特性都会变。替换后必须重新验证稳定性和噪声。 04　典型案例：3.3V 低边双向电流检测 这是 HCR855X 手册给出的经典电路，非常适合展示 HCR8552 的双通道价值——一路做差分放大，一路做基准缓冲。 设计目标 电源：3.3V 输入电流：-1A ~ +1A 输出：1.65V ± 1.54V，即 110mV ~ 3.19V 电路结构 U1A 为差分放大器，U1B 为基准缓冲器。Rsense = 100mΩ，R1 = R3 = 1kΩ，R2 = R4 = 15.4kΩ，R5 = R6 = 10kΩ（分压得 1.65V 基准）。R1~R4 用 0.1% 精度，Rsense 用 0.5% 或更好。 传递函数 误差预算 HCR8552 失调 5μV MAX → 等效电流误差：5μV / 100mΩ = 50μA 温漂 0.005μV/℃ × 165℃ → 0.825μV，等效 8.25μA 主要误差来源：Rsense 公差、R1~R4 匹配、R5/R6 分压、PCB 热电势 为什么适合 HCR8552 双通道刚好一路差分、一路基准 轨到轨输入覆盖低边共模 轨到轨输出满足 110mV~3.19V 零漂移保证小电流精度  0MHz / 5V/μs 适合负载突变和 PWM 电流检测    布局建议 开尔文连接采样电阻；差分走线等长等宽；0.1μF 去耦电容紧贴电源引脚；避免热梯度穿越敏感走线；高阻节点加 guard ring。 05　国内外双通道零漂移运放对比 选取失调、温漂、GBW、压摆率、噪声、过载恢复 6 项关键维度，对数归一化为 0-10 分（越高越好），直观对比各型号综合性能。    关键参数速查 选型结论 要速度 + 零漂移：HCR8552 优势明显（10MHz GBW，5V/μs 压摆率） 要高 ESD：RS8552（±5kV）、SGM8552（8kV）更好 要 2.5V 供电：SGM8552、DIO2352 更合适 要经典 AD8552 替代：HCR8552 pin-to-pin，但带宽高 6 倍，需重验稳定性 要最快过载恢复：RS8552 1μs，HCR8552 2μs，DIO2352 8μs 06　电子工程师调试 Checklist 记忆口诀 电源去耦贴脚放，输入过压要限流；自稳馈通加反馈，容性负载串电阻；高阻高温算偏流，替换一定重验证。 07　总结 HCR8552 的工程价值在于：5μV Max 失调、0.005μV/℃ 温漂、0.75μVp-p 低频噪声，同时给到 10MHz GBW 和 5V/μs 压摆率、2μs 过载恢复。    双通道 SOIC-8 / MSOP-8 与主流零漂移运放 pin-to-pin，适合做 3.3V/5V 精密信号链和双向电流检测。 选型时重点确认 替换原则 替换 AD8552 / RS8552 / SGM8552 / DIO2352 时，不要只看失调——要重新验证带宽、噪声、稳定性和保护。pin-to-pin 只是开始，不是结束。

    禾芯荣

    禾芯荣半导体 . 昨天 588

  • 企业 | 从制造到联合开发，CKL如何服务中国半导体设备厂商？

    企业 | 从制造到联合开发，CKL如何服务中国半导体设备厂商？

    在半导体设备开发中，气体输送系统连接着工艺需求与硬件执行。管路、阀门、流量控制和加热单元能否稳定协同，关系到工艺气体的输送状态，也影响设备调试与交付。   9月发布全新品牌形象及“超越所见·科技成林”品牌口号后，超科林（CKL）于10月13日举行媒体交流会，进一步解释“在中国，为中国”战略。芯查查在现场了解到，这家2004年便在上海开展业务的企业，正把本地能力从制造延伸至研发和服务。CKL此次调整主要的目的是，应对国内设备厂商越来越快的产品迭代节奏，将CKL的长期制造经验转化为开发效率的提升。 图：CKL中国区总经理Kevin Ong 从交付产品到参与设备开发 “研发在中国，制造在中国，服务也在中国。”超科林销售总监李永岱用这三句话概括CKL的新战略。他坦言，国内气体传输领域竞争激烈，而且客户需求已从能否获得产品，转向质量、交付、服务、价格、技术的综合要求。 图：CKL销售总监李永岱 李永岱强调，经过在中国22年的发展，CKL在技术与质量方面已有长期积累， CKL还需要在保持既有质量标准的同时，缩短工程沟通和交付链条。   过去，CKL上海基地主要承接成熟产品制造；现在，国内客户有了更多定制需求，需要密集技术沟通。因此，CKL现在在推动设计、技术和质量人员提前参与客户开发，在方案阶段确认要求、排查风险，减少后续返工。据CKL介绍，其中国团队已获得相关系统的全流程工程主导权，服务范围正向设备开发前端延伸。   如今，CKL的业务除了气体与化学品输送外，其能力覆盖了加热组件、精密焊接、和系统集成。针对气体箱及复杂模组，CKL强调贯通设计协同、工程验证、供应链整合、制造与测试，以减少开发反复，并支撑批量交付。 用模块化承接差异化需求 CKL的业务覆盖气体与化学品输送、管路加热、精密焊接及系统集成。以气体输送为例，交付内容包括管路、阀门、流量计和传感器，还要完成控制与反馈的协同。   难点在于，不同工艺对气体有不同要求，不同整机厂又采用不同接口与通信协议。如果每个项目都重新设计，开发和验证负担就会增加。   据超科林制造工程总监Kevin Shi介绍，CKL通过控制模块转换客户接口信号，再向下连接质量流量控制器、阀门和加热单元，复用已有模块。这里标准化的是可复用的控制部分，气路、温度等要求仍需结合具体工艺确定。   他分享了一个国内客户案例：某种特殊气体在低温下容易液化，客户原计划由整机另设一套系统控制管路加热。CKL建议把加热控制纳入现有气体控制系统，客户最终采纳，并据公司介绍减少了额外控制成本。   这个案例说明，系统集成的价值体现在对控制关系的重新组织。更早介入设计，才能发现重复配置，并把成熟模块用于新的需求。   模块复用仍要经过验证。Kevin Shi表示，公司采用五阶段的新产品导入流程，完成客户确认、工程测试和稳定性验证后，再推进量产。缩短交期，需要依靠设计复用与流程协同，质量确认仍是必要环节。 本地化要落实到供应链与工程团队 制造基础是这一转型的支撑。据超科林高级运营总监Steven Yan介绍，超科林在上海有两家工厂，总面积15,300平方米，洁净车间7,000平方米；管路焊接中心产能约每周一万根。小批量复杂产品与大批量产品采用不同生产组织方式，为定制开发和规模交付提供配套。 图：CKL销售总监李永岱（左）、高级运营总监Steven Yan（中）和制造工程总监Kevin Shi（右）在回复媒体提问 下一步更值得关注的是供应链认证。CKL在会上披露，气柜本土化率已达约50%，目标是2026年底达到80%，并通过专项团队推进本土零部件认证。   而且，其工程团队也在持续扩充中。李永岱对芯查查表示，CKL工程卓越中心核心技术团队持续扩员，销售和工程团队的整体人员配备计划于2027年下半年完成。 结语 CKL计划将其在中国22年的制造经验，转化为面向中国本土客户的系统能力，在前端参与设计，在中端整合供应链，在后端实现可复制的量产交付。对CKL来说，这是一个新的起点，希望能通过此次战略变更，CKL能够真正串联起本地工程决策、供应链与客户开发各个链条，满足市场需求。

    原创

    芯查查资讯 . 2026-10-23 686

  • 市场 | 预估2027年服务器CPU出货年增破40%，Arm-Based产品市占持续扩大

    市场 | 预估2027年服务器CPU出货年增破40%，Arm-Based产品市占持续扩大

    根据TrendForce集邦咨询最新AI服务器产业研究，随着各AI服务厂商积极推出AI Agent相关应用，服务器CPU需求自2025年下半年起稳步成长，预估2026年出货年增幅将达31%。2027年由于AI推理需求持续成长、Agentic AI服务渗透率提升，服务器CPU出货量有望再年增逾40%，不过以x86阵营主导的市场格局可能出现变化。    TrendForce集邦咨询指出，因AI Agent服务兴起，预估云端数据中心服务器AI推理工作负载占比日益增加，也逐渐改变服务器内部CPU与GPU/ASIC配比，若以厂商规划服务器机柜方案及成长态势来看，将从过往的1:8向1:2、甚至1:1的方向发展，增添服务器CPU出货动能。    从竞争格局分析，2025年以Intel（英特尔）、AMD（超威）为主的x86阵营，主宰近90%市场，且AMD的占比已有提升，Arm-Based架构产品的市占率才刚突破10%。2026年x86、Arm-Based CPU皆积极出货，以争取AI推理商机。不过，Intel新品在制程、封装阶段面临调整，出货时程出现延后，由既有Emerald Rapids、Granite Rapids产品线支撑，受限于产能紧张，整体出货成长受一定影响。      AMD新品Venice已于2026年进入小规模量产，出货主力同样为既有Genoa、Turin平台，虽然加单情况因TSMC（台积电）产能紧绷而有局限，但预估今年AMD服务器CPU市占将显著成长至27%左右。    而Arm-Based CPU除AWS（亚马逊云科技）持续导入自研的Graviton CPU，NVIDIA（英伟达）Grace CPU需求也持续扩张，Google（谷歌）自研Axion CPU进入大量出货阶段，Microsoft（微软）Cobalt 100以及Arm自研AGI也进入量产出货阶段，造就2026年Arm-Based CPU出货成长优于x86产品，并且在CPU市占率突破20%。    TrendForce集邦咨询预估，2027年Arm-Based CPU市占率可望扩大至30%，动能主要来自NVIDIA Vera CPU将明显扩大出货，以及Google、AWS、Microsoft、OpenAI、Arm、Huawei（华为）等新CPU进入大量生产阶段，和Alibaba（阿里巴巴）推出倚天720/730等新CPU带动。至于x86阵营，预估Intel新品仍处于小量释出阶段，AMD出货情况则更加稳健，加上预计于2027年上半年推出新品，市占率将继续提升。  

    服务器

    全球半导体观察 . 2026-10-23 1043

  • 市场 | 2026 年第三季度全球 PC 出货量同比下降 21%，第四季度降幅预计扩大至 27%

    市场 | 2026 年第三季度全球 PC 出货量同比下降 21%，第四季度降幅预计扩大至 27%

    受存储及其他零部件成本高企推动 PC 价格上涨、需求承压影响，2026 年第三季度全球 PC 出货量同比下降 21% 至 5700 万台。 联想继续保持市场领先地位，华硕和苹果的出货量降幅均小于整体市场，市场份额有所提升。 消费市场需求持续疲软，商用换机需求则为市场提供了一定支撑。 2026 年第四季度全球 PC 出货量预计将同比下降 27%，2027 年全年出货量预计与 2026 年基本持平。 根据 Counterpoint Research 初步数据，2026 年第三季度全球 PC 出货量同比下降 21% 至 5700 万台，环比下降 13.8%。主要由于存储及其他零部件成本持续高企，推动 PC 价格上涨，并对市场需求形成压力。    随着价格上涨，消费者更难为换机找到充分理由，消费市场需求持续疲软。受企业设备持续更新与 Windows 系统迁移持续推进支撑，商用需求相对稳健，但仍不足以抵消整体市场的收缩。    本季度同比降幅亦源于去年同期基数较高。2025 年第三季度，Windows 10 支持终止期限前的集中采购以及关税相关的库存调整曾共同推动 PC 出货量增长。这一较高基数加大了 2026 年第三季度的同比降幅。   按 OEM 划分的全球 PC 出货量（单位：百万台） 2026 年第三季度与 2025 年第三季度对比 来源：Counterpoint Research PC 出货量初步数据 2026 年第三季度主要 PC 厂商的市场表现呈现分化，苹果与其他领先厂商之间的差距有所扩大： 联想出货量为 1500 万台，市场份额为 26.3%，尽管其出货量同比下降 23%，仍继续保持市场领先地位。 惠普以 1030 万台的出货量位居第二，市场份额为 18.1%。其出货量同比下降 31%，为出货量排名前六的厂商中降幅最大的厂商。 戴尔以 760 万台的出货量位居第三，同比下降 25%，市场份额为 13.3%。其降幅表明，相对稳健的商用需求并不能使厂商完全免受整体市场下行的冲击。 苹果出货量同比下降 11% 至 560 万台，市场份额从上年同期的 8.7% 提升至 9.8%。MacBook Neo 在一定程度上缓冲了出货量下滑，使苹果表现优于整体市场。 华硕出货量为 520 万台，同比下降 7%，环比增长 19.4%，同比降幅小于其他前五大厂商，市场份额由去年同期的 7.8% 提升至 9.2%。    上述五家厂商合计占全球 PC 出货量的 76.7%。其他厂商出货量合计为 1330 万台，同比下降 16%。   PC 存储价格环比走势 2025 年第三季度至 2027 年第一季度（预测） 来源：Counterpoint Research 存储价格追踪与预测 *本报告中的价格基于合约价。   Counterpoint Research 高级分析师 Minsoo Kang 表示：“随着存储及其他零部件成本不断上涨，整机价格随之提高，消费者也因此推迟换机，全球 PC 市场正面临日益加大的压力。商用换机周期与 Windows 迁移仍提供一定支撑，但已不足以抵消需求走弱。苹果和华硕凭借差异化的产品组合和具有竞争力的市场定位，表现优于整体市场。然而，随着价格承受能力日益成为消费者购买决策中的关键因素，即使是市场领先厂商，也难以维持出货量增长势头。”    成本上涨的影响并不仅限于产品价格提高。随着厂商优先配置更能应对零部件成本上涨的产品配置，价格敏感型消费者可选的入门级产品减少，换机难度进一步上升。即使更换老旧设备的需求依然存在，出货量也因此受到进一步制约。    Counterpoint Research 预计，2026 年第四季度全球 PC 出货量将同比下降 27%。2027 年全年出货量预计与 2026 年基本持平，表明市场有望在较低的出货量水平上趋于稳定。    Counterpoint Research 副总监 David Naranjo 表示：“PC 产业正进入结构性调整阶段。零部件成本上涨、整机价格走高以及换机周期延长，正在从根本上重塑市场格局。随着消费市场需求持续走弱，OEM 厂商面临两难局面：既要保护利润率，又要维持产品的价格竞争力。2026 年第四季度全球 PC 出货量预计同比下降 27%，2027 年预计基本持平，市场趋稳并不等同于复苏。AI PC、高端显示屏和差异化产品将带来新的市场机遇，但能够将创新与有竞争力的定价、供应链管理能力，以及对消费者和企业具有吸引力的产品价值相结合的厂商，才更有可能在竞争中取得优势。”

    PC

    Counterpoint 咨询 . 2026-10-23 966

  • 禁令 | 美国拟限制对中国生物技术、半导体等公司的投资（附原文件）

    禁令 | 美国拟限制对中国生物技术、半导体等公司的投资（附原文件）

    当地时间2026年10月22日，美国财政部发布了一份163页的拟议规则制定通知（NPRM），旨在根据美国国会在《全面对外投资国家安全法案》（COINS法案）中提出的指导意见，对“对外投资安全计划”（OISP）进行更新。   该法案是作为美国《2026财年国防授权法案》的一部分获得通过的。COINS法案将美国政府监管美国主体（U.S. persons）特定对外投资的做法以法律形式固定下来，并在此前美国财政部已有的“对外投资安全计划”（OISP）基础上进行了扩展。 COINS法案指示美国财政部长制定相关法规，要求： (1) 美国主体在涉及从事“需申报技术”的特定外国主体（covered foreign persons）的交易时，须向美财政部提交申报； (2) 禁止美国主体参与涉及从事“受限技术”的特定外国主体的其他特定交易。   COINS法案授权美财政部长制定法规，明确五大技术领域中“受限技术”和“需申报技术”的具体技术参数，这些领域包括：半导体技术与微电子、人工智能系统、量子信息技术、高性能计算与超级计算，以及高超音速系统。   此外，COINS法案还授权美国财政部长——在与国会相关委员会磋商并履行“通知与征求意见”的规则制定程序后——将法律明确列举范围之外、但有助于“受关注国家”发展军事、情报、监控或网络相关能力的技术纳入监管范围并进行定义。   据此，美国财政部长已将“生物技术”纳入了此次拟议的法规中。    今天发布的拟议规则制定公告（NPRM）详细阐述了该计划拟议实施过程中的关键概念和各个方面，包括： 适用于美国主体（包括任何受其控制的外国实体）的相关要求； 属于国家安全监管范围的交易类别； 相关定义； 受监管的外国主体范围； 豁免交易； 基于特定技术和产品的技术规范，用于界定国家安全监管交易的范围，涵盖领域包括：半导体技术与微电子、量子信息技术、超级智能系统、高超音速系统、高性能计算与超级计算，以及生物技术； 美国主体在履行申报义务时须向财政部提供的信息； 申请非约束性反馈及提交保密信息的流程； “知悉”标准，以及对美国主体在进行交易前开展合理且审慎调查的期望；以及 被视为违反拟议规则的行为，以及针对此类行为的相应处罚。    该征求意见期将于2026年12月7日结束。 拟议规则制定通知（NPRM）的核心要点 下文对拟议规则制定通知（NPRM）的核心要点进行概述。如需了解更多细节（包括本文所用术语的定义），请查阅该拟议规则制定通知全文（已上传至合规观澜知识星球）。   1.属于国家安全审查范围的特定交易类别：根据拟议规则制定通知（NPRM），美国主体参与的特定交易将受到管辖，包括：获取股权或或有股权；涉及可转换为股权或赋予贷款方特定权利的债务融资；组建合资企业；将或有股权转换为股权；新建投资（绿地投资）或其他企业扩张行为；美国主体主导由外国主体进行的特定交易；以及作为有限合伙人（LP）或以类似身份在非美国主体设立的集合投资基金中进行的特定投资。   2.涉及“受规管外国主体”：拟议规则还将“受规管外国主体”的定义扩展至以下实体：该实体在一个或多个“受规管外国主体”中持有表决权、董事会席位或股权，且该实体的一项或多项关键财务指标中，超过50%的份额归因于上述“受规管外国主体”。   3.与“受关注国家”存在关联：根据《COINS法案》及相关拟议规则，“受关注国家”被定义为：中国（包括香港和澳门）、古巴、伊朗、朝鲜、俄罗斯，以及马杜罗·莫罗斯（Nicolás Maduro Moros）政权统治下的委内瑞拉。   4.须申报技术与禁止技术：《COINS法案》在“须申报技术”和“禁止技术”的法定定义范围内列出了五个技术领域，并授权美国财政部长根据国家安全的合理需要，界定这些领域内各项技术的具体技术参数。《COINS法案》还授权美国财政部长增设并界定其他技术领域——即那些能够增强“受关注国家”在军事、情报、监视或网络领域相关能力的各类技术。以下是拟议规则所涵盖技术领域的概要：   半导体技术与微电子 维持现行禁令，禁止美国人士投资于特定电子设计自动化（EDA）软件、制造或先进封装设备、特定先进集成电路（IC）的设计或制造，以及集成电路的先进封装技术； 扩大禁令范围，纳入抗辐射集成电路、光子集成电路、高带宽存储器，以及其他类别的先进集成电路； 对于未被禁止的其他集成电路相关活动，维持现行的申报要求。   人工智能系统（敏感技术/系统） 扩大现有禁令，更广泛地限制美国人士投资于“受关注国家”内开发任何SI系统的实体；此举将取消针对此类交易现有的申报要求。   量子信息技术 维持现行禁令，禁止美国人士投资于量子计算机及其关键组件、量子传感平台，以及量子网络或量子通信系统； 扩大禁令范围，将美国人士对量子计算算法或应用开发的投资也纳入其中。   高性能计算与超级计算 维持现行禁令，禁止美国人士投资于超级计算机； 扩大禁令范围，纳入其他类别的先进集成电路（详见前文“半导体与微电子”部分）； 针对高带宽、低延迟互连技术，新增申报要求。    高超音速系统 禁止美国人士投资以下领域：高超音速系统或能够实现高超音速飞行的推进系统；与高超音速系统相关的特定技术及赋能技术；旨在承受高超音速飞行时大气环境的特定材料；以及能够测试高超音速系统的设施。    针对美国人士投资以下领域，增设了通知要求：高超音速系统所用的传感器、控制设备和软件，以及可用于高超音速系统的其他军民两用材料。    生物技术 新增禁令，禁止美国人士投资以下领域：特定的生物衍生化合物或材料；脑机接口；生物制造设备及设施；涉及生物设计、测序及其他相关活动的生物技术或设备；生物信息学工具；以及用于自动化科学发现或实验的硬件或软件。

    禁令

    合规观澜 . 2026-10-23 2779

  • 企业 | 美光奖金大涨，产线工人薪酬估将超200万

    企业 | 美光奖金大涨，产线工人薪酬估将超200万

    美光（Micron）10月21日与台湾美光记忆体工会（台中工会）签署劳资协议，奖酬制度全面升级，包括新增季度分润奖金等，基层至工程师总薪酬将随着大幅提高。 据台中工会预测，产线人员总薪酬可望从新台币63万元增加到超过200万元。    美光正面回应工会提出的分润制等诉求，奖酬制度全面升级，不仅新增季度分润奖金、进行结构性调薪、全面调升轮班津贴、额外增加3天有薪假，并将劳退提拨率提高至10%。 据美光台中工会预测，奖酬制度调整后，2027会计年整体年度奖酬金额，可望较2025会计年的奖酬金额大幅提升约3倍。    美光台中工会估算，基层至工程师总薪酬将大幅提高，预测产线人员总薪酬可望从63万元增加到逾200万元，初阶工程师可望从145万元增加到近400万元，中高阶工程师从200多万元增加到近600万元。    美光指出，辛苦的产线轮班人员，日班轮班津贴将增加3倍，自每月1500元增至4500元。    美光调整后总薪酬涵盖基本薪资、季度分润、激励奖金计划（IPP）、Maxout奖金、年度股权奖酬、公司退休金提拨及适用津贴，并非全数为当年度可领取的现金。

    美光

    大话芯片 . 2026-10-23 1288

  • 产品｜瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载MRAM

    产品｜瑞萨推出旗舰级32位MCU RX74M和RX74N，首次在RX家族中采用22nm工艺并搭载MRAM

    高达600MHz的RXv3e内核与高速MRAM可实现快速、可靠的实时性能 RX74M可在单一器件上支持包括EtherCAT、支持TSN的千兆以太网和CAN FD在内的主流工业网络 基于硬件的安全功能可满足新一代安全需求，如符合《网络弹性法案》要求，并支持后量子密码技术 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日推出全新旗舰级32位微控制器（MCU）RX74M和RX74N。两款产品的运行频率最高可达600MHz，是RX家族中首批采用22nm工艺并集成嵌入式MRAM的产品。与240MHz的上一代产品RX72M和RX72N相比，两款新品的性能均提升至两倍以上。RX74M面向工业自动化和工厂自动化设备，例如交流驱动器、工业机器人和可编程逻辑控制器（PLC）；RX74N则面向包括智能电表、功率调节器以及暖通空调（HVAC）系统在内的广泛工业设备。 22nm工艺与MRAM实现高速实时处理 随着工业系统日益复杂，在网络中同步连接众多节点的同时实现稳定、高速运行的需求不断增长。RX74M和RX74N采用22nm工艺，集成600MHz RXv3e内核、1MB（兆字节）MRAM（磁阻随机存取存储器）、256KB（千字节）零等待状态TCM（紧耦合存储器）以及1.5MB SRAM，即使面对频繁中断和分支的工作负载，也能实现快速、低抖动的实时处理。与传统嵌入式闪存不同，MRAM写入数据前无需先执行擦除操作，因此可加快代码和数据更新、缩短编程时间并减少系统停机时间，从而提升需要频繁保存参数和日志或更新数据的应用的响应速度。  支持包括EtherCAT、以太网TSN和CAN FD在内的主流工业网络 市场对跨多种工业以太网标准实现无缝连接的需求日益增长，但以往支持多种协议通常需要使用多个器件。RX74M将EtherCAT从站控制器、支持TSN的千兆以太网交换机和CAN FD集成于单颗芯片中。这些功能使其能够在单颗芯片上支持EtherCAT、PROFINET和EtherNet/IP等主流工业网络，包括通过TSN实现确定性通信，以及支持以前几代产品无法实现的EtherNet/IP DLR（设备级环网）等冗余网络配置。因此，该器件可提供面向工业物联网（IIoT）的工业网络基础，将现场设备与上层系统连接起来。 面向CRA与PQC的基于硬件的安全功能 随着物联网设备不断普及，《网络弹性法案》（CRA）等法规正推动全球市场对覆盖设备全生命周期的安全措施产生更高需求。    RX74M和RX74N通过在RX CPU中集成ProtectZone，进一步增强了基于硬件的安全功能，可在单颗芯片内隔离安全区域与非安全区域。此外，新一代瑞萨安全IP（RSIP）在传统TSIP的基础上扩展了公钥密码功能，并支持认证加密以及更广泛的哈希算法，从而能够在单颗MCU中实现包括后量子密码（PQC）在内的先进、面向未来的安全方案。   瑞萨电子EP先进MCU事业部高级总监Yoshi Ishikawa表示： 工业设备开发需要具备三大关键要素：先进的实时性能、多样化的工业网络以及强大的安全性。新产品将这些要求集成于单颗芯片中，可简化日益复杂的工业设备设计，并推动工业自动化持续发展。 借助全面的合作伙伴生态系统提升开发效率    瑞萨与生态系统合作伙伴携手，为RX74M和RX74N提供解决方案，帮助客户缩短开发周期。 软件：Codewerk、RT-Labs 开发工具：IAR 实时操作系统：eForce、Zephyr RTOS 其他特性   除高性能600MHz产品外，还提供功耗降低20%以上的300MHz产品   丰富的封装阵容，包括176/224/320引脚LFBGA和100/144/176引脚LFQFP   1.62V至3.6V的宽电源电压范围，以及−40℃至+125℃（Tj）的工作温度范围   支持从外部Octa Flash执行XiP（就地执行）和即时解密   通过RX、RA和RZ家族通用的FSP（灵活软件包）构建可扩展的开发环境    成功产品组合 瑞萨将新款MCU与其产品组合中的多种兼容器件相结合，推出包括磁悬浮输送系统和集成从属执行器的智能HVAC控制在内的广泛解决方案。有关其他成功产品组合，请访问renesas.com/win。    供货信息 RX74M和RX74N现已上市。有关RX74M、RX74N及评估板的详细信息， 请访问https://www.renesas.cn/products/rx74m和https://www.renesas.cn/products/rx74n。 更多产品信息您可复制链接至浏览器中打开查阅。）   Codewerk https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners/codewerk   IAR https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners/iar   RT-Labs https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners/rt-labs   eForce https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners/eforce   Zephyr RTOS https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners/zephyr-project   瑞萨电子合作伙伴计划 https://www.renesas.cn/zh/design-resources/partners   磁悬浮输送系统 https://www.renesas.cn/zh/applications/industrial/industrial-automation/maglev-conveyor-system   集成从属执行器的智能HVAC控制 https://www.renesas.cn/zh/applications/industrial/building-automation/smart-hvac-control-integrated-slave-actuator

    瑞萨电子

    Renesas瑞萨电子 . 2026-10-23 1708

  • 论坛回顾 | 从具身小脑到国产总线，华成工控探索机器人控制底座重构

    论坛回顾 | 从具身小脑到国产总线，华成工控探索机器人控制底座重构

    10月14日，2026湾区半导体产业生态博览会（深圳）同期举办的“让AI走进物理世界——具身智能应用技术创新论坛”在深圳会展中心（福田）举行。论坛由深圳市半导体与集成电路产业联盟、深圳市机器人协会主办，中电港芯查查协办，汇聚来自优必选、华沿机器人、阿加犀、AMD、华成工控、Molex、三未信安、黑芝麻智能、迈来芯、进迭时空等产业代表。   华成工控董事、具身行业总监杜晓磊以《基于国产总线的具身智能运动控制底座重构》为题，围绕工业具身机器人的落地需求，介绍了华成工控的具身小脑运动控制方案，并重点分享了面向机器人内部通信与布线问题的智爻总线探索。 一、从工业应用需求出发，构建具身运动控制底座 从春晚上的机器人表演，到机器人马拉松，再到人形机器人在半马比赛中刷新纪录，具身智能正从科研教育和商业服务逐步走向工业应用。搬运、上下料、快递分拣等场景已经出现落地案例，但在精密装配等任务中，机器人仍面临技术挑战。 工业应用还需要考虑投资回报率（ROI）和设备可靠性。杜晓磊指出，随着机器人本体成本下降，工业现场对设备稳定性的要求依然很高，机器人需要具备持续、可靠的作业能力，才能胜任制造业流水线上的工作。 华成工控成立于2005年，长期从事线性机器人和工业机器人控制系统研发，并于2023年开始布局具身智能。依托多年运动控制经验，公司将技术切入点放在具身小脑，希望把已有的控制算法与工程经验转化为可直接调用的运动控制能力。 二、具身小脑：让大模型调用机器人的运动能力 在大小脑分层架构中，大脑负责感知、认知、决策和任务规划，小脑负责运动执行、精度控制与实时响应。大脑规划任务后，还需要小脑协调关节和执行机构，将任务转化为实际动作。 华成工控提供即插即用的具身小脑控制方案，帮助客户减少底层运动控制算法的开发工作。   杜晓磊将其概括为：“通过大模型来调用整个身体的运动。”除独立的小脑控制系统外，华成工控也在探索将小脑嵌入大小脑协同架构，让上层模型更直接地调用底层控制能力。 目前，华成工控在轮式具身机器人领域布局较多，相关方案可覆盖底盘、腰部、双臂及头肩颈等部位，控制轴数可达32轴。围绕具体工业工艺，公司还展示了端子装配等应用，并探索利用垂域模型提升装配任务的自主执行能力，推动机器人从依靠编程完成动作，逐步转向更自主的运动。 当机器人需要协调更多关节、完成更复杂的操作时，控制系统还必须与相机、触觉传感器等设备协同工作。这不仅涉及动作如何执行，也涉及执行过程中产生的各类信号如何传输，由此引出了机器人内部通信架构的改进需求。 三、 智爻总线：将实时控制、高带宽数据与供电整合到一条链路 具身机器人在执行任务时，需要关节模组实时接收控制信号，也需要相机传输视觉数据。对于配备灵巧手的机器人，视触觉等传感数据还会进一步增加通信需求。   这些信号对传输的要求不同，例如关节控制强调实时性，相关通信可能需要在1毫秒以内完成。视觉和视触觉数据则需要更高带宽。此外，视觉相机可能采用GMSL、USB或网线等不同连接方式，当多类线路集中在机械臂内外部，特别是需要穿过中空关节时，布线、装配和结构设计都会变得复杂。   目前，EtherCAT已在工业控制领域形成较成熟的应用生态。其主站有开源和授权方案，从站相关IP也已集成到多种芯片方案中，伺服驱动、I/O和传感器等设备具有较好的接入基础。既然已有成熟的工业总线，为什么还要探索智爻总线？ 杜晓磊给出了两个方向： 1.推动国产工业总线的自主可控； 2.解决具身机器人在实际应用中遇到的通信与布线问题。   智爻总线由华为牵头推动，华成工控参与相关工作并承担演示方案开发。其核心思路是将实时控制信号、高带宽数据传输与供电整合到同一链路中。   关节模组的实时控制、相机的视觉数据，以及灵巧手的视触觉信号，可以通过融合后的总线进行传输，同时满足设备供电需求。杜晓磊对此解释道：“将实时信号、高带宽，还有供电都集成在一起。”   在传输能力上，相关方案目前可支持千兆级带宽，并提供供电能力。面向相机数量更多、数据量更大的应用场景，未来还计划向万兆级带宽拓展。将多类信号融合到一条链路中，有助于减少机械臂内外部的线束数量，也为中空关节和末端执行器的结构设计提供便利。   不过，技术方案要真正推广，还需要完善配套生态。EtherCAT经过多年发展，已积累丰富的主站、从站和设备接入方案。智爻总线在推进自主可控的同时，也需要逐步解决相关设备接入与协同应用的问题。 结语 除智爻总线外，华成工控还提供关节模组驱动方案，供相关客户进行产品开发。其最新方案将关节模组驱动、编码器和力矩传感器集成为一体，旨在缩小关节模组的厚度。 对于需要在有限空间内布置多个关节的具身机器人，更轻薄的关节模组能够为本体结构设计提供更大的灵活性。   从具身小脑的运动控制，到智爻总线对实时信号、高带宽数据和供电的融合，华成工控的技术布局围绕机器人如何执行任务、如何连接内部设备展开。杜晓磊希望通过这些方案，推动具身机器人进一步适应工业应用，最终实现“让我们的具身机器人真的能够来干活”愿景。

    华成工控

    芯查查资讯 . 2026-10-23 833

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