加载中
热门推荐
我的文章
- 查一下
方案 | 矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案
矽力杰AI服务器 48V散热风扇解决方案 SQ55560 高集成度、低振动、易配置 随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。 矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。 芯片简介 矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。 矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。 ◆ 电源电压范围：6-80V ◆ 睡眠模式 ◆ 集成多种电源模块 ♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能 ♢ 电荷泵升压电路 ♢ 5V LDO ◆ BLDC无传感器正弦电流控制 ♢ 单电阻采样 ♢ 支持正反转控制 ♢ 顺/逆风启动 ♢ 开闭环调速控制 ♢ FG转速反馈 ♢ MTP存储用户配置与速度曲线 ◆ 标准I2C通讯 ◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口 ◆ 多样的转速控制模式 ♢ PWM频率/占空比 ♢ 模拟VSP电压 ♢ I2C ◆ 全面的保护功能 ♢ 可调节死区 ♢ 堵转检测 ♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护 ◆ QFN4*4-32封装 *四线制解决方案应用框图 *服务器风扇测试板（直径22mm） 核心优势 集成BUCK，精简外围BOM 矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。 *最少系统应用 三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验 通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。 *转速开环 *转速闭环（注：黄色为FG转速反馈引脚输出信号，紫色为相电流） 极速响应，瞬间启动 采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。 *开环启动 *闭环启动（注：黄色为FG转速反馈引脚输出信号，紫色为相电流） 顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行 矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。 *顺风启动 *逆风启动（注：黄色为FG转速反馈引脚输出信号，紫色为相电流） 引脚复用，四线制赋能免拆机调试 矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚（SCL/SDA），实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。 结语 矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。
矽力杰
矽力杰半导体 . 14小时前 1 345
市场 | CFM：Flash Wafer价格全面上调，1Tb TLC涨至13美元
据CFM闪存市场最新报价，今日开盘，Flash Wafer价格全面上涨，最高涨幅38.46%。 具体来看，1Tb QLC 涨 25.00% 至 $12.50，1Tb TLC 涨 23.81% 至 $13.00，512Gb TLC 涨 38.46% 至 $9.00，256Gb TLC 涨 14.58% 至 $5.50。
存储
闪存市场 . 14小时前 1 410
市场 | Omdia：2025年第三季度东南亚智能手机出货量下降1%，三星重回榜首，厂商面临成本压力加剧
要点 Omdia最新研究，2025年第三季度，东南亚地区智能手机市场同比下滑1%，出货量达2560万部，连续第三个季度出现同比下跌。 三星以460万部出货量和18%的市场份额领跑该地区得益于其在泰国、越南和马来西亚等高均价市场推出更多偏高端的产品组合。这一策略有效抵消了竞争对手在印度尼西亚和菲律宾等价格更敏感型市场的增长。 传音（TRANSSION）以460万部、18%市占率紧随其后，保持小幅同比增长并稳住其市场地位。 小米以430万台出货量、17%市场份额排在第三位。其增长动力来自 POCO 系列，新入门机型上市后，该系列出货量激增，显著带动了其整体增长。 OPPO以380万部、15%市占率位居第四，因需求疲软及渠道调整导致其出货量大幅下滑。 vivo则以290万部、11%市占率位列前五，其表现主要受新Y系列机型推动，与其核心的中端V系列形成良好补充。 整体来看，东南亚地区智能手机市场仍面临压力，总出货量同比略微下降。 Omdia研究经理周乐轩（Le Xuan Chiew）表示：“入门级智能手机出货量波动性越来越大，管理难度提升，但仍然是市场份额排名的关键因素。” 品牌策略方面，OPPO和vivo更注重价值而非出货量，而荣耀和小米则通过增加出货量来扩大品牌渗透。例如，荣耀 X6c借助更广的渠道覆盖推动销量，使荣耀第三季度出货量较2024年同期翻倍。 他补充道：“经历了2025年上半年市场低迷后，厂商进入下半年时库存水平更健康，预计将采取更积极的策略，包括提前推出第三季度新品。受内存和存储价格上涨推动的物料成本上升，将对低价设备带来显著压力。鉴于东南亚市场价格高度敏感，超过60%的智能手机售价低于200美元，这一影响尤为明显。为了应对成本上升，厂商需要在保持竞争力价格与调整售价、降低硬件成本或缩减营销投入以保护利润率之间做出权衡。” Omdia高级分析师周圣咏（Sheng Win Chow）表示：“传音在印度尼西亚和菲律宾的出货量领先，其性价比高的Infinix和TECNO机型在这些高度价格敏感的市场中表现突出。然而，内存和存储成本的上升可能影响其维持激进定价的能力，并威胁其出货量领先地位。在泰国和越南，三星继续在其传统强势市场保持显著领先，展现出在竞争加剧环境下的韧性。三星提前推出的A17和A07系列在2025年第三季度发挥了关键作用，帮助其迅速响应入门级和中端市场的需求。与此同时，在马来西亚，凭借Redmi 15的强势9月发布，包括5G版本的提前上市，小米夺得市场第一，彰显其在大众市场加速普及5G设备方面的能力。”
智能手机
Omdia新消费生态调研-原Canalys . 14小时前 325
技术 | 应对硬件故障与静默数据损坏：新思科技SLM方案以端到端可靠性守护AI芯片万亿算力
2024年，Meta训练了一款AI模型“Llama 3”，并将相关训练成果汇总发表了一篇论文，受到广泛关注。在为期54天的预训练过程中，Llama 3遭遇了466次训练中断，其中意外中断高达419次。通过进一步调查，Meta了解到，这些异常中断中78%源自GPU及主机组件等硬件问题。 此类硬件问题不仅会导致工作任务中断，还可能导致静默数据损坏（SDC），造成意外数据丢失或异常，而这些问题往往长期难以被察觉。 Meta预训练时遭遇的中断虽出乎意料，但这种现象其实不难理解。像Llama 3这样的AI模型处理需求巨大，必须依赖超大规模计算集群支持。仅在训练环节，AI工作负载往往需要数十万个计算节点及其配套GPU持续协同工作数周甚至数月之久。 高强度、大规模的AI处理和数据交换会产生大量热量、电压波动和噪声，这些因素给计算硬件施加了巨大的压力。相较于以往的常规条件，GPU等底层芯片的退化速度大幅加快，性能和可靠性也随之下降。 这种情况在5nm以下制程中尤为突出，无论是制造环境和实际应用厂家，都能观察到明显的芯片退化和故障行为。 那么，我们该如何应对此类情况？又该如何减少意外中断和SDC？随着行业不断推出更新、规模更大AI工作任务，面对市场对处理能力与规模持续攀升的需求，芯片设计团队应如何确保最佳性能和可靠性？ 确保芯片可靠性、可用性和可维护性（RAS） 以Meta为代表的AI创新企业已构建起完善的监控诊断体系，旨在持续改善计算环境的可用性与可靠性。然而随着算力需求激增、硬件故障频发以及SDC问题日益严峻，行业亟需建立更深层的测试与遥测能力，而且这种能力需要贯穿每个XPU/GPU内部的晶粒、多芯片封装以及互连架构等基础层面。 芯片生命周期管理（SLM）解决方案正是保障端到端RAS的关键所在，其覆盖范围贯穿芯片设计、制造、启动调试及现场运维全流程。 凭借更出色的可见性、监控和芯片层级诊断，设计团队可以： 通过遥测数据了解芯片故障或发生SDC的原因。 识别芯片组件、Multi-Die封装和高速互连中的电压或时序退化、过热和机械故障。 更精确地分析AI工作任务的热性能和功耗性能分析。 检测、特征分析和解决辐射、电压噪声以及可能引发位翻转和SDC的潜在故障机制。 提高芯片的良率、质量和现场RAS。 在寄存器传输级（RTL）设计阶段采用triple modular redundancy and dual core lock step（三模冗余和双核锁步等以可靠性为核心的技术），降低SDC风险。 建立准确的硅前老化仿真方法检测敏感或脆弱电路，并用抗老化电路替换。 优化可靠性模型中的异常检测（识别偏离正常行为的数据点），最大程度减少现场SDC。 新思科技SLM解决方案 作为系统设计的全球领导者，新思科技提供SLM IP和分析解决方案，可显著提升芯片健康状态，并在系统生命周期的各个阶段提供关键运行指标。 该解决方案具备三大监测特性，即环境监测、结构监测和功能监测，分别可以基于器件运行环境了解和优化芯片性能；识别从设计到现场运行阶段的性能变化；以及用于跟踪关键器件功能的健康状况和异常情况。 我们的SLM IP和分析解决方案包括： 工艺、电压和温度监测器 确保最优运行状态，同时最大化性能、功耗与可靠性。 全芯片高精度分布式监测，支持通过频率调节实现热管理。 支持28nm至3nm工艺节点。 路径裕量监测器 测量1000多条综合和功能路径（测试和现场）的时序裕量。 基于实际裕量优化芯片性能。 自动化路径选择、IP插入和扫描生成功能。 时钟和延迟监测器 测量一个或多个信号的边缘之间的延迟。 监测时钟占空比的质量。 借助内置自测（BIST）跟踪，测量内存读取访问时间。 对数字延迟线进行特征分析。 UCIe监测、测试和修复 监测Die-to-Die UCIe通道的信号完整性。 生成算法BIST向量，以检测互连故障类型，包括通道间串扰。 通过冗余分配执行累积通道修复（制造和现场）。 高速访问和测试 支持通过功能接口（PCIe、USB、SPI等）进行测试。 适用于现场运行以及晶圆分拣、最终测试和系统级测试。 可以与自动化测试设备结合使用。 通过减少引脚数量，方便现场远程诊断，降低测试成本。 高带宽内存（HBM）外部测试和修复 全面且经过硅验证的DRAM堆叠测试、修复和诊断引擎。 支持第三方HBM DRAM堆叠提供商解决方案。 高性能Die-to-Die互连测试和修复支持。 与HBM PHY协同工作，并支持一系列HBM协议和配置。 SLM分层子系统 面向片上系统（SoC）的自动化分层SLM和测试可管理性解决方案。 借助系统内调度，自动集成和访问所有IP/核心。 预先验证、随时可用的ATE向量和向量移植功能。 AI时代的芯片测试和遥测 随着AI器件和工作任务的规模和处理需求持续上升，系统可靠性、芯片健康和SDC问题愈发常见。虽然不存在能够彻底规避这些问题的单一解决方案或万能方法，但在芯片层级进行更深入、更全面的测试、修复和遥测，能极大缓解相关风险。其中，检测或预测现场芯片退化的能力尤为关键，这使我们能够在突发或灾难性系统故障发生之前及时采取纠正措施。 在AI技术快速演进的时代背景下，我们必须提供端到端的可见性和RAS保障，这使得芯片测试、修复和遥测的重要性与日俱增。
新思科技
新思科技 Synopsys . 14小时前 305
产品 | Microchip推出LAN866x 10BASE-T1S端点器件， 推进分区架构，实现更智能的远程连接
随着汽车行业在车载网络中逐步向分区架构（Zonal Architecture）过渡，设计人员在连接不断增多的传感器与执行器时面临日益严峻的挑战。传统方案通常依赖于为每个网络节点配备单片机和定制软件，导致系统复杂度增加、成本上升及开发周期延长。为应对这些挑战，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出支持远程控制协议（RCP）的LAN866x系列10BASE-T1S端点器件，可将以太网连接扩展至车载网络边缘，助力实现软件定义汽车（SDV）的愿景。 LAN866x端点器件通过充当网络桥接器，将以太网数据包直接转换为本地数字接口信号，从而简化网络集成。与传统方案不同，该器件采用无软件设计，减少节点专用软件编程需求，从而优化芯片资源利用率并缩小物理占用空间。该器件支持标准RCP协议，可集中控制边缘节点实现数据流传输与设备管理。该解决方案采用10BASE-T1S多点拓扑结构，支持全以太网分区架构，可有效减少布线、简化软件集成并降低总成本。 由于无需为每个节点开发软件，LAN866x端点器件可降低硬件与工程成本，缩短部署周期并简化系统架构。该器件特别适用于关键的汽车应用场景，包括照明系统（涵盖内饰灯和前后大灯）、音频系统以及各类控制功能。在这些应用场景中，端点器件可直接将以太网数据桥接至本地数字接口，用于控制照明LED驱动器、传输麦克风与扬声器之间的音频数据，以及通过网络控制传感器和执行器。 Microchip负责网络与通信业务部的公司副总裁Charlie Forni表示：“新增RCP端点器件后，Microchip单对以太网产品线将助力设计人员实现真正的全以太网架构，为软件定义汽车铺平道理。我们致力于提供创新的解决方案，并依托遍布全球的技术专家、完善的技术文档以及开发工具，为客户提供支持，进一步降低设计复杂性，助力其加速汽车产品的上市进程。” Microchip单对以太网（SPE）解决方案涵盖一系列收发器、桥接器、交换机及开发工具，可在单根双绞线缆上实现可靠的高速数据传输，支持10BASE-T1S、100BASE-T1、1000BASE-T1及更高速等级的标准。这些解决方案专门针对汽车、工业及楼宇自动化应用而设计，可简化布线、降低成本并优化以太网连接，同时确保互操作性和可扩展性。 如需了解有关Microchip SPE解决方案的更多信息，请访问Microchip单对以太网解决方案网页（https://www.microchip.com/en-us/products/high-speed-networking-and-video/ethernet/single-pair-ethernet）及汽车以太网解决方案网页（https://www.microchip.com/en-us/products/high-speed-networking-and-video/ethernet/automotive-ethernet-products）。
Microchip
Microchip微芯 . 16小时前 295
技术 | AI 如何开启 L4 级自动驾驶时代
2014 年，国际汽车工程师协会建立了汽车自动驾驶分级框架，为自动驾驶技术的发展制定了行业标准路线图。 然而，近年来这一情况已发生显著变化。过去三四年间，自动驾驶技术取得的进展甚至超过了之前十年的总和。本文将带您了解推动这一飞速发展的最新技术突破。 什么是 L4 级自动驾驶：L4 级自动驾驶是指车辆能够在特定运行区域内自主处理所有驾驶任务，如某些特定城市或特定路线，无需任何人工干预。这一高度自动化级别借助了基础模型、端到端架构、推理模型等 AI 突破性技术，从而能够从容应对各种复杂场景。 推动智能汽车发展的六项 AI 突破： 基础模型：基础模型能够调用整个互联网的海量知识，而不仅依赖于智能汽车的专有数据。借助基础模型，当车辆遇到从未遇到过的突发情况，比如道路上突然出现床垫、或者一个球滚入街道，它能够借鉴从海量训练数据集中学到的知识，进行推理并合理应对。 端到端架构：端到端辅助驾驶架构可通过单一神经网络直接将传感器输入的数据转化为驾驶决策，始终保持上下文情境信息的连贯性。尽管端到端架构的概念并非新提出，但架构的进步和训练方法的优化，最终使其变得具备可行性，从而以更低的工程复杂度实现更优的自主决策能力。 推理模型：推理型视觉-语言-动作（Reasoning VLA）模型将多样化的感知输入、语言理解、动作生成能力与逐步推理过程相融合。这使其能够像人类一样解析复杂情境、评估多种可能结果并确定最佳行动方案。 仿真技术：通过仿真技术等，开发者可通过文本指令生成新的天气与路况，或改变光照、引入障碍物，从而模拟出全新场景，并在前所未有的环境下测试驾驶策略。 算力：如果没有充足的算力，上述所有技术进展都难以实现。NVIDIA DRIVE AGX 和 NVIDIA DGX 平台历经多次迭代，每一代设计都需要既满足当今的 AI 工作负载需求，同时为未来数年的技术发展预留空间。 AI 安全：安全性是 L4 级自动驾驶的基石，其中可靠性是其区别于较低级别辅助驾驶的决定性特征。物理 AI 安全技术在近期取得了突破，通过在设计、部署和验证阶段引入安全防护机制，使基于 AI 的自动驾驶系统能够实现可信部署。 自动驾驶的深远意义：自动驾驶的意义远不止于技术成就。提升车辆安全性不仅能挽救生命，更能节省资金和资源。L4 级自动驾驶可系统性地消除人为失误，而绝大多数事故正是由人为失误所引发。
NVIDIA
NVIDIA英伟达企业解决方案 . 16小时前 245
产品 | Nordic nRF91系列化繁为简 nuSIM重塑蜂窝物联网连接
全球低功耗无线连接解决方案领导者Nordic Semiconductor宣布推出用于其nRF91系列蜂窝物联网模组的nuSIM技术。这款创新的软件SIM解决方案无需物理SIM卡及插槽，使产品开发人员能够缩小设备尺寸、简化制造流程，并增强蜂窝物联网设计的稳健性。 开放式标准与未来兼容性 nuSIM是集成SIM(iSIM)的开放标准方案，其中SIM凭证在设备的安全保护区域内进行加密和管理。通过在nRF91系列应用处理器的安全Arm TrustZone®内作为专用软件组件运行，nuSIM消除了外部SIM硬件，从而直接降低物料清单(BOM)成本并节省宝贵的电路板空间。该方案特别适用于严苛环境下的蜂窝物联网设备，例如水表计量或智能农业灌溉应用，通过取消SIM卡插槽可消除常见的机械故障点，并有效抵御腐蚀与振动影响。完全数字化的配置流程简化了供应链，支持在制造过程中安全推送SIM配置文件至设备，精简物流运作并降低运营成本。 Nordic 长距离业务执行副总裁Øyvind Birkenes表示： Nordic的核心使命是使蜂窝物联网尽可能简单易用。通过将nuSIM标准集成到nRF9151和nRF9160模组中，我们消除了打造超紧凑、坚固且经济高效的蜂窝物联网产品的物理障碍。开发人员现在能够完全在数字域中管理连接性，涵盖从制造到部署过程，这对行业而言是重大的进步。 无缝集成与安全配置 在nRF91系列模组上集成nuSIM是一次性的软件集成过程，通过Nordic功能强大的nRF Connect SDK (软件开发套件) 配合Redtea Mobile的nuSIM集成库，根据开放的nuSIM规范集成nuSIM操作系统的代码即可完成。一旦将nuSIM集成库纳入设备固件，就能够大幅简化工厂配置流程。 将包含nuSIM的应用固件加载到nRF91系列模组后，便可以使用Redtea开发的专用软件工具来为设备做好准备，以安全接收SIM配置文件，随后，该工具连接至选定的网络运营商，安全下载独特的SIM配置文件并安装至每台设备。nRF91系列上的nuSIM方案已通过德国独立测试机构TÜV Nord的安全评测与认证，确保其满足最高的安全性和可靠性标准。 Birkenes补充道：“nuSIM不仅降低了SIM运营成本，其功耗也低于传统SIM。Nordic nRF91系列早已是市场上功耗极低且集成度出色的蜂窝物联网模组系列，nuSIM技术带来了延长客户终端产品现场使用寿命的另一种选择，使得这些设备有望在无需更换电池的情况下持续运行数年。”
Nordic
Nordic半导体 . 16小时前 230
技术 | 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答
在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。 安森美（onsemi） 凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。 0 1 什么是垂直GaN？它与其他GaN 技术有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用横向结构，即GaN 层生长在硅或蓝宝石衬底上。而垂直 GaN 器件的 GaN 层则生长在 GaN 衬底上。这种垂直设计允许电流垂直流过芯片，而不是仅在表面流动；与横向 GaN 器件相比，它能实现更高的电流密度和工作电压，支持的开关频率也远高于硅或碳化硅 (SiC) 器件。 0 2 为何称为“垂直”氮化镓？ 垂直GaN 这个名字来自此类器件中的电流流动方向。在传统（横向）GaN 器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。 0 3 垂直GaN 与硅和碳化硅(SiC) 相比有何优势？ 与硅和碳化硅相比，垂直GaN 具有更宽的带隙、更高的电子迁移率和更高的临界电场，因此开关频率和击穿电压更高，能效也更优。从 Baliga 品质因数 (BFOM) 来看，GaN 约为硅的 1000 倍，且其缺陷密度远低于横向 GaN 器件。 0 4 与竞争对手相比，安森美的垂直GaN 有何独特之处？ 安森美是率先实现垂直GaN 规模化量产和市场化的公司，拥有130 多项专利，并设有专门的研发和制造工厂。其专有的GaN-on-GaN 工艺可提供卓越的性能、可靠性和能效。 0 5 为什么其他公司无法实现垂直GaN 的规模化量产与市场化？ 垂直GaN 的制造需要在块状GaN 衬底上生长厚实且无缺陷的GaN 层，工艺难度远超标准硅器件制造。精确的外延生长技术与新型制造工艺至关重要，即便是微小的晶体缺陷也会影响器件的性能和可靠性。安森美拥有 130 多项全球专利，涵盖器件架构和加工工艺的各个方面。 0 6 为什么垂直GaN 技术对电气化和人工智能的未来发展至关重要？ 垂直GaN (vGaN) 技术对人工智能和电气化的未来发展至关重要，因为它能够实现高能效、高功率的系统，而这些系统是满足电动汽车、可再生能源和人工智能数据中心等技术日益增长的能源需求的关键。 0 7 垂直GaN 技术的主要优势有哪些？ 垂直GaN 技术可使电动汽车用电力电子产品（包括逆变器和快速充电系统）变得更小巧、更轻便且更高效。其高电压和快速开关能力意味着电动汽车可以提升续航里程、加快充电速度并提高可靠性，同时推动关键汽车部件的微型化。 0 8 垂直GaN 技术将如何助力人工智能数据中心发展？ 人工智能数据中心需要高计算密度和高能效。垂直 GaN 具有出色的功率密度和能效，可减少电源转换过程中的能量损耗，从而提升性能和降低散热成本。这使得数据中心能够在更小的空间内集成更高的计算能力，从而在满足 AI 快速发展需求的同时，有效控制能耗。 0 9 垂直GaN 技术如何支持可再生能源系统？ 垂直GaN 技术能够提升太阳能逆变器和风能转换系统的效率，最大限度地提高能量捕获率并减少损耗。其高电压耐受能力与耐用性使其非常适合各种要求苛刻的可再生能源应用。 10 垂直GaN 技术在航空航天领域有何优势？ 该技术具备尺寸紧凑、可靠性高以及能在极端条件下运行的特点，因此非常适合需要电力电子设备具有高耐用性和高性能的航空航天系统。 垂直 GaN 为电力电子领域带来突破性变革，能实现紧凑设计、卓越能效与高可扩展性，适用于从电动汽车到人工智能驱动的数据中心等各类应用。安森美作为率先实现 vGaN 规模化商用的企业，正为高性能系统树立新的行业标杆。
安森美
安森美 . 16小时前 280
企业 | 一碰即享：江波龙综合创新与iTAP共筑安全存储生态
11 月 18 日，以 “一碰即享，引领未来” 为主题的2025 ITMA SUMMIT在深圳成功举办。全球近场交互技术领袖与生态伙伴齐聚一堂，共同见证了iTAP 接入层标准的重磅发布、ITMA全新品牌商标的揭幕，以及ITMA与ECMA协会谅解备忘录的签署，标志着iTAP技术正式迈向国际舞台。 作为生态合作伙伴之一，江波龙副总裁、嵌入式事业部总经理黄强受邀参加大会，并出席 ITMA全新品牌商标揭幕仪式。 同时，江波龙携mSSD与NFC PSSD等一系列创新产品亮相峰会，以其创新设计与前瞻性技术应用，展现了近场交互在数据存储与安全领域的无限潜力。 创新设计备受认可 NFC PSSD打造安全移动存储 大会期间，江波龙旗下高端消费类存储品牌Lexar雷克沙中国区总经理张俊涛发表《雷克沙：聚焦用户 自主创新》主题演讲，分享了品牌以用户需求为核心、深耕存储技术创新的发展理念，以及在高端消费存储领域的技术突破与产品布局。 张俊涛重点介绍了由江波龙孵化的首款NFC PSSD的创新研发思路与核心优势。该产品搭载慧忆微自主研发的WM3000主控芯片（USB 3.2），将便捷性与隐私保护深度融合，支持通过智能手机、智能手表或 NFC卡等设备轻触感应区，即可解锁存储空间。这一设计在保障敏感数据隔离存储的同时，大幅提升了用户的操作效率，实现了安全与易用的平衡。 目前，这款创新产品已率先在Lexar雷克沙实现产品化，并登陆各大电商及线下门店，与消费者见面。 张俊涛表示，随着 iTAP 标准的发布，Lexar NFC 双加密移动固态硬盘将与产业链伙伴携手，在手机端积极探索 iTAP 技术的适配应用，以此进一步提升 “碰一碰” 秒解锁的使用体验，打造安全便捷的存储产品方案，全方位守护用户数据安全。 值得一提的是，江波龙NFC PSSD凭借其突破性的设计理念与技术创新，于2025年10月荣登《财富》杂志“中国最佳设计榜”。 图片来源于《财富》官方网站 融合iTAP技术 拓展“一碰即享”智慧生态 2024年，江波龙LPDDR产品已率先在iTAP碰一碰支付设备实现商用，极大提升消费者支付场景便捷性。本次峰会随着ITMA协会发布新一代近场交互技术标准iTAP，江波龙NFC PSSD有望通过该协议，进一步强化设备间交互的便捷性与安全性。 未来，用户只需通过简单的iTAP“碰一碰”操作，即可快速完成支付、门禁通行、公共交通乘车、资料查阅、预约服务及餐饮点单等场景化应用。 mSSD线下首秀 实测性能获专业媒体高度认可 本次大会上，江波龙 mSSD（全称：Micro SSD）正式迎来线下首秀。产品一经亮相便收获众多用户的高度关注，此前已有专业媒体机构对其开展性能评测 —— 测试数据充分印证了该产品在读写速度、散热表现、运行稳定性及设备兼容性等方面的出众表现。 iTAP技术带来的价值远不止于便捷交互，更在于其构筑安全防线的潜力。结合硬件级加密技术，近场交互存储将为其在各类高安全需求场景中的应用开辟了更广阔的前景。 NFC PSSD是江波龙在近场交互安全存储的重要实践，而iTAP技术的融入将进一步拓展其应用场景。未来，公司将持续与ITMA及全球生态伙伴协同合作，共同构建更安全、便捷的“一碰即享”、“一碰即存”的数字生活体验。 *上述产品数据均来源于江波龙内部测试 实际性能因设备差异，可能有所不同 mSSD产品热点问题速答 峰会现场，mSSD产品备受关注。针对当前用户最为关心的系列问题，以下将逐一进行解答： Q：mSSD的性能实测表现如何？ A：mSSD性能满足PCIe Gen4×4接口的高标准，顺序读取速度最高可达7400MB/s；顺序写入速度最高可达6500MB/s；4K随机读取速度最高可达1000K IOPS；4K随机写入速度最高可达820K IOPS。据专业评测团队MicroComputer及PCEVA评测室实测结果显示，该产品在AMD锐龙平台与Intel酷睿平台中均表现优异，基准性能不仅超过规格标定值，更获得专业评测工具的高分评价。 ① 测试结果由MicroComputer与PCEVA评测室提供，因测试环境、平台及条件不同而存在差异； ② 因Intel平台PCIe最大负载尺寸限制，顺序读取速度略低于标称值属正常现象。 Q：mSSD官方标20×30mm尺寸，跟M.2 2230有什么区别？ A：20×30mm（M.2 2030）比 M.2 2230窄2mm，长度则完全一致，因此 M.2 2030 可完全兼容M.2 2230接口，对用户日常使用没有任何影响。这样设计的初衷是，当M.2 2030规格mSSD搭配散热拓展卡后，整体宽度能与M.2 2242、2280保持一致，既能适配更多样的散热方案与安装场景，也能帮助客户简化采购管理、提升供应链效率。 Q：mSSD如何解决散热问题？ A：mSSD采用高导热铝合金支架、石墨烯贴片与强导热硅胶构建高效散热结构，兼顾高负载下的性能稳定与轻薄设备兼容性。据MicroComputer评测，其无散热片时全盘读取性能未受明显影响，全盘写入时虽温度有所上升，但得益于成熟的温控机制，平均写入速度仍优于不少主流产品。PCEVA评测室测试显示，M.2 2280规格较M.2 2030规格（兼容M.2 2230）散热优势显著，满速读取维持时间更长、过热限速后平均读取速度更高，且不影响空间兼容性。 视频来源于 PCEVA评测室 Q：集成封装mSSD是否无法数据恢复？ A：首先，集成封装让主控、电源芯片等核心部件得到更好保护，相比PCBA 形态，硬件失效率更低，从源头上提升了产品质量。其次，集成封装mSSD的数据恢复方式与普通 SSD保持一致：若出现文件数据丢失，可借助第三方数据恢复工具尝试修复；若遇到固件故障、芯片级问题，则需要通过专业数据恢复设备及技术进行针对性修复。 Q：为什么说 mSSD能创造新的存储介质形态？ A：mSSD 凭借高度集成封装和灵活拓展两大核心属性，打破了传统存储介质的形态局限，既可以作为高性能存储核心，又能搭配不同规格的拓展卡，轻松衍生出PSSD、专用存储卡等多样化存储产品。该特性使其有望能够适配相关存储新兴应用领域对 “小尺寸、高性能、定制化”存储的需求，目前公司正在积极在AI、机器人等前沿场景推广该产品，并相信未来应用空间广阔。 Q：mSSD是否支持NFC或iTAP技术？ A：近场交互与安全存储的融合是值得期待的方向。江波龙具备集成封装、自研固件等多维度能力与优势，可与产业链伙伴联合创新，共同探索mSSD与NFC、iTAP技术的结合可能。
江波龙
江波龙 . 17小时前 335
产品 | 适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。 RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S（8.0mm×8.0mm尺寸）封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻（RDS(on)）*3 4.0mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃）。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。 新产品已于2025年9月开始量产（样品价格800日元/个，不含税）。本产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。 未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。 开发背景 随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。 ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。 应用示例 · 48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路 · 48V系统工业设备电源（叉车、电动工具、机器人、风扇电机等） · AGV（自动引导车）等电池驱动的工业设备 · UPS、应急电源系统（电池备份单元） 关于EcoMOS™品牌 EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。 ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 术语解说 *1) SOA（Safe Operating Area） 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。 *2）热插拔电路 可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。 *3) 导通电阻（RDS(on)） MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗（功率损耗）越少。 *4）浪涌电流（Inrush Current） 在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
ROHM
罗姆半导体集团 . 17小时前 225
产品 | 业界首款！ST 18nm STM32V8震撼登场
近日，意法半导体（ST）发布了新一代高性能微控制器（MCU）STM32V8。为要求严苛的工业应用专门设计，STM32V8在意法半导体位于法国克罗勒300毫米晶圆厂生产，采用意法半导体18纳米先进工艺制造，并集成优异的嵌入式相变存储器（PCM），同时该系列产品还在三星晶圆代工厂生产。STM32产品家族应用广泛，被全球数十亿台产品设备采用，涵盖消费电子产品、家用电器、工业应用、医疗设备、通信节点等领域。 意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示： STM32V8是目前STM32产品家族中处理速度最快的产品，为在恶劣工作环境下高可靠性运行而专门设计，能够替代体积大并且功耗更高的应用处理器。STM32V8代表了高性能MCU的未来发展方向，能够为工业控制、传感器融合、图像处理、语音控制等要求较高的嵌入式AI和边缘AI应用领域带来增益。 得益于Arm® Cortex®-M85内核和18nm制造工艺，STM32V8的时钟频率高达800MHz，是目前在售STM32微控制器中性能最强的产品。容量更大、速度更快的嵌入式存储器是实现各种安全互联应用的关键特性。FD-SOI制造工艺与嵌入式PCM相结合，即使在恶劣的工作环境下，也能为微控制器提供强大的鲁棒性和可靠性。 低轨道（LEO）的高辐射环境就是其中一种严苛的工作环境。SpaceX公司选用STM32V8芯片设计星链微型激光系统，用于连接在低轨道内高速运行的星链卫星。 SpaceX星链工程部副总裁Michael Nicolls表示： 星链卫星激光系统采用ST的STM32V8微控制器，并成功的部署到太空中，标志着星链网络中推进高速连接项目取得了重大进展。STM32V8的高性能算力结合大容量嵌入式存储器和数字功能，对于满足我们严苛的实时处理需求至关重要，同时，得益于18nm FD-SOI制造工艺，STM32V8为低轨道环境带来更高的可靠性和鲁棒性。我们期待将STM32V8集成到其他产品中，并利用其强大的功能开发下一代先进应用。 STM32V8目前处于入市早期阶段，仅为部分指定客户供货，从2026年第一季度开始向OEM大客户供货，随后逐渐扩大供货范围。 STM32V8采用Arm® Cortex®-M系列中最新的性能最高的Arm® Cortex®-M85内核，能够处理复杂的应用，同时保持极高的能效。 意法半导体的绝缘体上硅（FD-SOI）技术具有卓越的能效和稳健性，支持最高140°C的结温。 STM32V8的相变非易失性存储器（PCM）拥有目前市场上最小的单元尺寸，可实现4MB的嵌入式非易失性存储器（NVM），并在保持出色成本效益的同时提供高集成度。 新产品通过利用STM32 Trust框架以及最新的加密算法和生命周期管理标准集成了先进的安全功能。STM32V8的目标是获得PSA 3级认证和SESIP认证，加快即将发布的《网络弹性法案》（CRA）的认证过程。 STM32V8支持3.3V电平为工业应用带来了很多好处，包括更低的功耗、更好的信号完整性，以及集成现代工业通信标准。 新微控制器集成了专用加速器，包括图形加速器、加密/哈希加密加速器，并集成了大量的IP模块，包括1Gb以太网、丰富的数字接口（FD-CAN、8/6通道xSPI、I2C、UART/USART、USB）、模拟外设和定时器。 作为MCU级的STM32V8可以提供MPU级的处理性能，同时支持裸机或基于RTOS的开发项目，实现更好的系统行为、启动时间、资源利用率和攻击防御能力。 新微控制器支持包括STM32Cube软件开发和交钥匙硬件在内的STM32开发生态系统，交钥匙硬件包括Discovery套件和高性价比的Nucleo评估板。
ST
意法半导体中国 . 17小时前 645
产品丨100V宽SOA MOSFET上市，助力AI服务器热插拔无感升级
随着AI算力需求爆发式增长，2024–2027年AI服务器市场规模预计激增近6倍，单机功率突破3000W，远超传统服务器的600W水平。在此背景下，48V高压架构成为主流，但热插拔（Hot-Swap）过程中的浪涌电流管理成为关键难题——若未限制电容充能电流，可能导致系统电压骤降甚至器件损毁。 芯迈半导体今日正式发布100V N沟道功率MOSFET SDH10N1P8TA-AA，以1.3mΩ超低导通电阻（RDS(on)）和60V/10ms工况下8A安全工作区（SOA）的行业领先性能，直击高可靠性、高效率的电源设计痛点，为AI服务器热插拔电路提供硬核保障。 性能突破：双维度重构行业标准 超低RDS(on)，能效再攀高峰 · 典型导通电阻仅1.3mΩ，较业界1.5mΩ平均水平降低13%，显著减少稳态导通损耗，提升电源转换效率。 · 助力数据中心优化PUE（电源使用效率），降低散热系统负荷，契合碳中和目标下的严苛能效要求。 关键性能突破 1.3mΩ RDS(on) + 60V/10ms Tc=25°C下8A SOA 参数 SDH10N1P8TA-AA芯迈 行业典型竞品 参考 耐压 VDSS 100V 100V Typ导通电阻RDS(on）（VGS=10V,Tj=25°C） 1.3 mΩ 1.5mΩ SOA（VDS=60V, Pw=10ms Tc=25°C） ~8 A ~7 A 封装 Toll Toll 宽SOA设计，可靠性全面升级 · 在60V电压、10ms脉宽的典型热插拔场景中，安全电流高达8A，避免浪涌冲击下的热击穿风险。 · 通过优化器件结构（如图1），芯迈在热不稳定区域实现SOA性能大幅提升，确保系统在极端工况下的稳定运行。 图1：宽SOA对比示意图 图中红色为未优化器件，芯迈新品在关键区间性能显著增强 兼容性与供应链优势：加速客户落地 · 标准化封装：采用通用TOLL封装，客户无需修改PCB即可直接替换，缩短开发周期。 · 快速响应需求：产品已进入试样阶段，具备大规模稳定供货能力，满足云服务商对供应链的高韧性要求。 专家观点：重新定义电源器件标准 芯迈半导体技术负责人表示：“AI服务器对电源器件的可靠性、效率及功率密度提出了前所未有的要求。SDH10N1P8TA-AA在RDS(on)与SOA上的双重突破，使其成为48V热插拔、电子保险丝等高密度电源设计的理想选择，助力下一代AI基础设施的持续进化。”
芯迈
芯迈半导体 . 昨天 480
方案 | 22kW→350kW+！安森美全功率电动汽车充电方案全覆盖
蓬勃发展的电动汽车（EV）市场推动了包括电动汽车充电器在内的多个行业的发展，为满足日益增长的电动汽车需求并实现低碳目标，通过高效设计电动汽车充电系统来完善充电基础设施至关重要。 直流电动汽车充电器在充电站内部将交流电转换为直流电，充电速度显著提升，因此成为主流选择。它能提高最高电压以适配 400V 和 800V 两种电动汽车电池，并将输出功率提升至 350 kW以上，实现超快充。碳化硅（SiC）技术凭借更高的效率以及更强的高压、高温耐受能力，成为实现这些目标的理想选择。 电动汽车直流充电桩框图 下图展示了安森美（onsemi） 设计的直流电动汽车（DC EV） 充电桩解决方案。 该图阐释了直流电动汽车充电桩中所采用的功率转换与电源管理技术。 其中包含碳化硅（SiC） 分立MOSFET、 IGBT、 电源模块、隔离栅极驱动器等主要元器件， 以及其他相关产品。 如下述推荐产品表所示，该框图中大部分功能块都可采用安森美的器件/方案。 评估板与参考设计 用于1200V M3S 4-PACK F2 EliteSiC MOSFET模块的评估板|EVBUM2878G-EVB 该评估板专为评估安森美采用F2封装的1200V M3S 4-PACK模块而设计。 其主要用途是对以下全桥模块进行双脉冲开关测试和开环功率测试： NXH011F120M3F2PTHG, NXH007F120M3F2PTHG 该评估板可连接外部控制器， 来接收PWM输入信号并处理故障信号。 主要特点： 4层FR4印制电路板，铜箔厚70µm 采用黑色PCB面板，具有高热辐射率 4个隔离式单栅极驱动器，具备2.5 kV绝缘等级 用于输入和输出信号的连接器接口 集成薄膜直流母线 预留安装孔，便于连接罗氏线圈和测量探头 低寄生电感PCB布局设计 图1： EVBUM2878G 评估板正面与背面视图 用于1200V M3S 2-PACK F1 EliteSiC MOSFET模块的评估板|EVBUM2880G-EVB 该评估板专为评估安森美采用F1封装的1200V M3S（半桥） 2-PACK模块而设计。 其主要用途是对以下半桥模块进行双脉冲开关测试和开环功率测试： NXH008P120M3F1PTG, NXH010P120M3F1PTG, NXH015P120M3F1PTG, NXH030P120M3F1PTG 该评估板可连接外部控制器， 来接收PWM输入信号并处理故障信号。 主要特点： 采用F1 封装双 M3S 2-PACK 模块插座 集成260 µF直流母线，供两个2-PACK模块共用（适用于全桥应用设计） 为每个2-PACK模块配备具有5 kVRMS隔离等级的隔离栅极驱动器NCP51561 采用黑色PCB，具备高热辐射率 四路独立 DC-DC 电源插座 低寄生电感PCB布局设计 通过单路 PWM 输入信号生成死区时间，控制双 2-PACK 模块（可选） 通过两路独立PWM 输入信号确保死区时间，控制双 2-PACK 模块（可选） 通过两路独立PWM输入信号直接控制2-PACK模块，无需修改输出逻辑（可选） 图2： EVBUM2880G 正面与背面视图 解决方案推荐 直流电动汽车充电桩市场涵盖多种应用场景， 服务于住宅和商业应用中不同的功率等级和充电时间需求。 作为功率半导体行业的领军企业， 安森美针对直流快充（DCFC） 应用提供定制化解决方案， 并针对各种功率等级提供了全面的建议。 从功率低于22 kW的直流壁挂式充电系统， 到功率超过350 kW的超快速电动汽车充电系统， 安森美的EliteSiC MOSFET和Field Stop 7 IGBT可实现更高效率与功率密度， 同时搭配隔离栅极驱动器， 显著提升系统安全性与可靠性。 表2： 安森美解决方案推荐
安森美
安森美 . 昨天 580
产品 | 不只快，更会思考！全新NPU5打造AI PC智能体核心引擎
从简单的识别工作，到贴心的智能助手，AI PC正在迎来一次新的进化。而这背后，离不开英特尔® 酷睿™ Ultra处理器（第三代）全新升级的NPU5。准备好，见证你的PC如何从一个工具，蜕变为一个专家级智能助手吧！ Q：这一代平台的AI算力有多强？ 提升显著，暴涨50%！ A：新一代酷睿Ultra的NPU、CPU、GPU三擎发力，全平台算力直冲180 TOPS，比上一代暴涨50%1，能轻松跑各种复杂模型。 这一代酷睿Ultra搭载的NPU5专门为AI任务优化，单位面积算力（TOPS/mm²）提升超过40%2。它的能效比更高，处理AI又快又省电。不仅如此，这一代NPU专为生成式AI量身打造，支持原生FP8数据类型，进一步提升了NPU算力。 Q：我的AI PC将能获得什么增益？ 你的AI将实现功能上的飞跃！ A：随着AI发展进入“智能体时代”，搭载第三代酷睿Ultra的AI PC不再只是帮你生成内容，而会变成一个超懂你的“智能体”专家级助手，规划、思考、执行任务，一站解决，帮你彻底解放脑力。 智能体能力进阶：伴随上下文规模从4K提升至128K token（增长超过15倍），AI智能体模型能力也从Llama 2 7B的20%提升至Phi 4 Reasoning Pro 14B的76%，已接近人类专家级水平（78%）。 Q：这么强的算力和AI，具体能给我怎样的体验？ 新的酷睿Ultra 不仅能跑大模型，还能跑得更快、更可靠、更贴心！ A：AI任务直接在你的PC上运行，数据隐私有保障；离线也能用AI，再也不怕没网了；延迟更低，反应超快，眨眼间助你完成任务。不仅如此，英特尔还在持续与ISV合作，推出更多有用、好用的AI助手。 在AI智能体全面迸发的时代，酷睿Ultra第三代的NPU必将加速智能体融入日常生活，它不仅仅是硬件的升级，还将提升工作效率、丰富娱乐体验、助力个人成长，真正成为日常生活不可或缺的智慧助手。 1. 基于产品对比测试得出，结果可能有所差异。详情请参见ark.intel.com。 2. 基于产品规格。更多信息请参见 intel.com/performanceindex。 3. 数据来源：https://huggingface.co/spaces/TIGER-Lab/MMLU-Pro ©英特尔公司，英特尔、英特尔logo及其它英特尔标识，是英特尔公司或其分支机构的商标。文中涉及的其它名称及品牌属于各自所有者资产。
英特尔
英特尔中国 . 昨天 1720
产品 | 第五代骁龙8至尊版移动平台：释放AI价值，变革终端侧智能体验
当AI大模型从云端向终端加速扩展，终端侧智能正迎来爆发式增长，并迈向新的纪元。第五代骁龙® 8至尊版移动平台正是这场变革的核心载体之一，它不仅将终端侧AI的性能、能效与应用体验推向新高度，拓宽了手机在AI时代的能力边界，也让用户与智能设备之间的交互方式迎来重要转变。 高通AI引擎，终端侧AI的算力基石 第五代骁龙8至尊版移动平台 的AI能力源于底层硬件的突破性升级，全新高通® Hexagon™ NPU作为高通AI引擎的核心处理单元，相较前代平台实现了37%的性能提升与16%的每瓦特性能优化1。它拥有12个标量加速器、8个向量加速器以及升级的张量加速器，其中标量加速器专注于图像识别、音频分析等经典AI任务，同时也支持LLM推理；向量加速器用于加速复杂的像素级图像模型，以及在LLM场景上支持更长的上下文窗口；张量加速器则用于加速更大更复杂的多媒体用例以及LVM模型。此外，高通Hexagon NPU还支持INT2与FP8精度，可通过减少内存占用来提升计算效率并优化能耗。 得益于高通AI引擎先进的异构计算架构，高通Hexagon NPU能够与第三代Qualcomm Oryon™ CPU和高通® Adreno™ GPU以及其他加速单元实现协同工作。第三代Qualcomm Oryon CPU集成的超级内核主频提升至最高4.6GHz，相较前代平台实现了20%的单核性能提升、17%的多核性能提升以及35%的能效提升，不仅可快速响应语音唤醒、界面交互等低延迟即时任务，也能够更加高效地管理与调度复杂任务。 作为SoC中集成的另一个通用处理器，高通Adreno GPU同样具备强大的计算能力，对于处理与人工智能应用相关的密集型工作负载至关重要。在第五代骁龙8至尊版上，高通Adreno GPU相较前代平台实现了23%的性能提升和20%的能效提升，此外还支持容量高达18MB的Adreno独立高速显存（HPM），可对游戏、机器学习、视频处理、图像处理等用例带来性能和功耗的收益。在GPU、NPU、CPU等加速单元的协同工作下，第五代骁龙8至尊版支持高达220 Tokens每秒的出字速度2，可更快响应复杂推理任务。 第五代骁龙8至尊版移动平台还内置了独立的硬件模块——高通传感器中枢，它不仅是数据感知的核心，更是智能体的入口。相较前代平台，高通传感器中枢的功耗降低了33%，通过在本地构建更深入、更个性化的个人知识图谱，它支持随时在线的自然语言识别、周围环境感知等能力，赋予终端侧AI更强的个性化体验与更高的安全保障，让手机成为更懂用户的智能助手。 从“被动响应”到“主动服务” 当前，智能体AI正从工具属性向数字伙伴演进，其核心价值在于重构人机交互模式——用户无需繁琐操作，智能体通过自主感知、分析数据、制定策略并执行任务，实现复杂场景的自动化处理，让用户需求真正可以“一键直达”。 围绕Agentic AI，高通与小米、马蜂窝等合作伙伴展开了深度合作，基于第五代骁龙8至尊版出色的终端侧AI能力，超级小爱x马蜂窝可以为用户贴心制定旅行规划，从行程安排到美食推荐再到天气提醒，用专属定制、完备周到的保姆级攻略让“说走就走”成为可能。 高通还助力面壁智能发布了全新GUI Agent智能体AgentCPM，该智能体能够理解用户的自然语言指令及手机屏幕的图形界面，通过模拟点击、长按、滑动、输入等动作，协助用户自动化完成复杂任务。利用第五代骁龙8至尊版的低功耗高通传感器中枢，AgentCPM显著提升了自动语音识别（ASR）模型的运行能力，可实现例如自动挑选图片、编辑文案和发送社交动态等创新智能体AI体验。 多场景赋能，推动体验革新 通过将核心硬件的性能突破与AI技术深度融合，第五代骁龙8至尊版还将更多先进的AI用例带到更广泛的场景，为游戏、影像和连接体验等带来多方位提升，让高性能AI触手可及，为用户带来更流畅、直观、沉浸的智能体验。 在游戏领域，从渲染优化到资源调度，从画质提升到交互革新，AI技术不仅能够带来图形和视觉效果的增强，更赋予了游戏更多玩法和趣味性。例如，高通与一加合作打通了GPU、NPU异构交互框架，运用NPU运算推理来进行AI光流插帧渲染，在3D UI、运动轨迹及半透明特效上实现精美的渲染效果；高通还与网易合作，在《逆水寒》手游中实现利用玩家实时面部表情，控制游戏角色的面部表情的新玩法，带来了更沉浸的游戏社交体验。 第五代骁龙8至尊版的前沿AI能力还在影像创作中发挥了巨大作用，20-bit AI三ISP可实现4倍动态范围提升，并带来专业级拍摄效果。通过Hexagon直连，ISP可以从底层与NPU进行协同，使得NPU能够直接访问ISP上的原始RAW传感器数据，并通过AI算法与ISP硬件协同运行，实现对4K 60fps暗光视频拍摄进行实时AI补光等辅助增强。 设备在复杂网络环境下的出色连接能力同样依赖AI。第五代骁龙8至尊版搭载的高通® X85 5G调制解调器及射频和高通® FastConnect™ 7900移动连接系统均支持AI连接技术，可实现蜂窝网络与Wi-Fi网络之间的无缝切换，从而提升视频通话、游戏等应用的实时性能表现。AI还能够优化连接性能和效率，根据应用程序需求动态分配带宽，并降低能耗以延长电池续航，从而实现更流畅的流媒体传输和浏览，提升整体连接体验。 截至目前，第五代骁龙8至尊版已经赋能小米17系列、荣耀Magic8系列、红魔11 Pro系列、iQOO 15、真我GT8 Pro、努比亚Z80 Ultra、REDMI K90 Pro Max、一加 15等旗舰终端，以强大的端侧AI能力为用户带来触手可及的智能体验。更多旗舰机型陆续发布中，敬请期待！ 1. 与前代对比。 基于ML Perf Geomean 25。基于鲁大师AImark v4 Resnet50模型进行内部功耗测量，与前代骁龙8至尊版对比。 2. 30亿参数的小型语言模型。峰值性能，使用高通公司先进的并行解码技术，针对选定的使用案例，上下文长度为2K。 * 骁龙、高通、以及其他Snapdragon与Qualcomm旗下的产品系高通技术公司和/或其子公司的产品。
高通
高通中国 . 昨天 1255
产品 | 感知准才控得稳，纳芯微推出MT911x/MT912x系列线性位置传感器
纳芯微正式推出新一代线性位置传感器 MT911x与MT912x系列。新品面向无人机、3D打印机、手持稳定器、工业自动化设备等对位置检测精度与响应速度要求严苛的应用场景，兼具高精度、高带宽、低功耗与小型封装优势，为多种位置感知需求提供更可靠、更灵活的解决方案。 在消费与工业位置检测领域，不同设备虽应用各异，但核心性能挑战一致：手持云台、无线打印机等电池设备对低功耗尤为敏感；游戏手柄扳机、磁轴键盘等紧凑设计产品，要求高精度、快速响应及小型化传感器；而在工业自动化场景中，宽温适应与高带宽能力是系统稳定运行和实时控制的关键。 针对不断升级的市场需求，纳芯微MT911x和MT912x系列针对性地给出了适配方案：±1.5%的高线性度确保测量精准；静态电流低于2mA，有效降低整体功耗；高响应速度能够快速捕捉位移变化。同时，MT911x支持双极型选择，MT912x支持单极型选择，可灵活适配不同位移结构满足更广泛的设计需求。 精准与响应兼得，捕捉细微位移 MT911x 和MT912x系列集成了先进磁感应技术，具备±20mV失调电压与±1.5%线性度误差，可实现高精度线性位置与角度检测，细微位移与复杂角度变化均能准确识别。30kHz带宽确保高速运动场景下的实时响应，无延迟、无失真，为动态应用提供更顺滑的控制体验。 低功耗，助力无线续航更进一步 在保持高带宽输出的同时，新系列产品将静态电流控制在 2mA 以内，显著降低功耗。对于依赖电池供电的设备，这意味着更长的续航表现。低压工艺设计进一步平衡了功耗与精度，实现低功耗下的稳定高精度测量。 小体积封装，适配紧凑空间设计 为满足设备结构小型化趋势，MT911x 和MT912x系列提供 DFN1616、SOT23、TO-92S 等多种小尺寸封装，便于在高度集成或空间受限的设计中灵活布局，适用于紧凑型消费类产品和结构复杂的工业设备。
纳芯微
纳芯微电子 . 昨天 395
市场 | 存储器价格攀升冲击消费市场，下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测
根据TrendForce集邦咨询调查显示，2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，TrendForce集邦咨询下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。 DRAM涨势强劲，低端智能手机首当其冲 从个别产品来看，2025年智能手机存储器价格上扬主要由DRAM带动。2025年第四季 DRAM合约价格对比去年同期上扬逾75%，以存储器占整机BOM cost约10~15%估算，2025年该成本已被垫高8~10%。 随着DRAM及NAND Flash合约价格仍持续攀升，预估明年整机BOM cost将在今年的基础上再提升约5~7%，甚至可能更高。对于原本就利润偏薄的低端机种而言，品牌端势必调降该产品占比，同时针对全系列产品分层上调终端售价以维系正常营运。 由于存储器供应紧张状况延续，规模较小的智能手机品牌资源取得难度加大，不排除该市场将进入新一轮洗牌，大者恒大的趋势将更为明确。 供给收缩推升存储器大涨，2026年笔电市场恐迎来成本与需求双重压力 2026年笔电市场同样将面临明显压力，以今年存储器上涨前的成本结构为基准观察，DRAM及NAND Flash合计占笔电整机BOM cost的比重约10~18%，在如此大幅且连续数季的上涨下，预估存储器占整机BOM cost的比重将进一步扩大至20%以上。 若品牌选择将成本转嫁，预估2026年笔电终端售价将普遍上调5~15%，对需求形成实质压力。笔电低价位市场同样对价格变化高度敏感，预期将出现延后换机或转向二手市场的情况。中价位市场的换机动能则可能显著放缓，企业与家庭用户皆倾向延长设备生命周期。此外，高价位市场虽相对具韧性，但预算有限的创作者与电竞用户仍可能调整至较低端配置。 综合来看，存储器价格持续上涨将使2026年笔电市场面临BOM cost推升、通路压力扩大、需求疲软等三重压力，品牌端需在规格调整、库存运作与通路补贴间取得平衡，以降低对销售与毛利的冲击。 至于可视为PC外围延伸的显示器，其所搭载的存储器多为小容量存储器，受直接涨价冲击影响有限。其隐忧来自间接影响，若PC零售价格大幅调涨导致整体出货下修，将连带冲击显示器出货表现，因此显示器年度出货将从微增0.1%转为年减0.4%。
存储器
TrendForce集邦 . 昨天 2 480
方案 | 赋能高精度运动控制！极海基于APM32F425/427系列总线型低压伺服方案为机器人、工业自动化注入新动力
随着全球制造业向智能化、柔性化方向加速转型，以及服务消费领域的无人化趋势加速，协作机器人、服务机器人和智能家居市场正迎来爆发式增长。这一波增长的核心驱动，在于机器人与人类工作、生活场景的深度共融，其对核心执行部件——伺服系统，提出了前所未有的要求：不仅需要极高的性能，包括高精度控制、更快的响应速度等，还必须满足严苛的成本约束、紧凑的尺寸等。为进一步满足市场的需求，极海新推出的基于APM32F425/427系列总线型低压伺服方案。 目标应用 方案优势&价值 全闭环控制模式：方案稳定支持位置、速度、转矩三种闭环控制模式，可无缝覆盖精密定位、平稳调速、恒力输出等绝大多数伺服应用场景。 开放的硬件架构：提供丰富的外设接口与可配置的硬件资源，赋予用户高度的设计灵活性，轻松实现深度二次开发与定制化功能集成。 卓越的动态响应性能：电流环更新与功率器件开关频率均高达16kHz，确保系统对指令的响应更快、更准，轻松胜任高速、高动态负载的苛刻应用。 可视化调试：配备功能强大的上位机软件，支持参数整定、实时波形显示、系统状态监控与故障诊断于一体，极大降低开发门槛，加速产品上市。 APM32F425/427总线型低压伺服方案设计基于极海自主研发的APM32F425/427系列高性能拓展型MCU，搭载Arm® Cortex®-M4F内核，最高支持1MB eFlash，其中APM32F427系列内置448KB+4KB的SRAM，APM32F425系列支持256KB Flash零等待，内置192KB+4KB SRAM，全系列支持全温度范围内240MHz主频运行。得益于APM32F425/F427的优秀设计，极海的总线型低压伺服方案在执行同样功能代码时，执行时间更短，客户可以实现更高效的二次开发。 APM32F425/427系列特点 方案参数 输入电压：20-70V 典型功率：400W 控制周期：62.5us（16kHz） 转速范围：-4000~4000rpm 编码器类型：增量编码器、绝对值编码器（RS485） 控制模式：力矩模式、速度模式、位置模式 额定输出电流（Arms）：10 最大输出电流（Arms）：25 方案核心 方案硬件 方案硬件系统可拆解：为电源模块、控制核心模块、信号处理模块、功率驱动模块、保护模块五大核心单元，各单元协同实现电流、速度、位置的闭环控制。其技术关键在于：反馈信号的精准采集，PID 及扩展算法的优化，功率模块的高效驱动三部分。 实现方式 通过TMR1模块，产生3组互补PWM信号输出，实现电机矢量控制 通过高精度ADC模块，可实现两路相电流信号的精确采样，提高伺服控制精度 通过UART模块或TMR模块，实现绝对值编码器和增量编码器通信 通过并口模块，与EtherCAT从站芯片高效通信，实现EtherCAT总线控制 通过UART模块，实现与上位机的数据交互 通过I2C模块，实现外部EEPROM通讯，存储伺服关键参数 丰富的输入输出端口，满足多种控制信号输入或状态输出，提升方案的多场景适用性 方案软件 软件设计框图 软件设计方案采用三环级联模式： 电流环，其给定来自速度环的输出，实现对给定电流的快速跟踪，并对直流母线电压的波动，反电动势的影响，以及被控对象的非线性等因素起到抑制作用。 速度环，其给定来自位置环的输出，也接受来自外部模拟量或者内部多段速的给定，实现对给定速度的跟踪，并抑制负载扰动对系统的影响。 位置环，其位置给定来自总线控制时直接写入的绝对位置值或者增量位置值、IO控制的多段内部设定位置的给定，实现对位置给定的精确定位，并且通过PID调节来保证无超调。 方案采用简易的单中断处理的设计架构，可以实现电机三环闭环控制，客户可以在此基础上进行自定义功能扩展，可支持客户更高性能，更丰富功能的产品设计。 中断处理流程 测试数据 速度波动实验测试 搭载17位磁编码器下的实测各个速度段波形效果如下： 执行效率测试 通过测试对比，具备零等待配置的APM32F425与同类型产品的代码执行效率对比，结果相当，略胜一筹。 APM32F425/427总线型低压伺服方案，涵盖较为完整的软硬件设计，内含全功能软件固件以及极海自研伺服控制上位机，配有详细的使用手册，方便快速使用，性能评估以及二次开发。配套的资料已在极海geehy.com官网上架，更多详情可联系极海各办事处销售经理。
极海
Geehy极海半导体 . 昨天 320
产品 | 兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求
兆易创新（GigaDevice）推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接连接1.2V SoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性，广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。 GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。 依托创新的1.2V I/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越性能的同时，也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA；与常规的1.8V八通道SPI NOR Flash产品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高速运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。 “GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来，兆易创新将持续拓展双电压供电产品线，覆盖更丰富的容量与封装规格，助力客户打造更加高效、可靠的低功耗存储解决方案。” 兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，灵活满足不同应用对存储空间的差异化需求。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前，128Mb的GD25NX128J产品已开放样片供客户评估，64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步准备中。如需获取详细技术资料或报价信息，欢迎联系当地授权销售代表。
GD
兆易创新GigaDevice . 昨天 385
产品丨17.7 GHz至55 GHz高性能宽带微波收发信号链产品
传统的射频微波系统因为采用大量分立器件，面临着体积、重量和功耗的三大瓶颈。目前，这种设计理念已无法满足市场对紧凑、高效解决方案的需求。因此，行业亟需一款革命性的高集成度毫米波芯片，要像sub-6G芯片一样，同时实现低功耗、高性能与小尺寸的完美平衡。 ADMV1355和ADMV1455两款芯片是高性能、宽带微波收发信号链产品，专为在17.7 GHz至55 GHz射频范围内工作的系统进行了优化。内部集成了一个LO信号链，可接受8.85 GHz至27.5GHz范围内的的LO信号。同时，芯片内部集成的放大器、2倍频器、可编程谐波抑制滤波器及相位调整电路，便能自动生成驱动内部混频器所需的17.7 GHz至55 GHz高频信号。
ADI
亚德诺半导体 . 昨天 490
技术 | 从小白到精通调试瑞萨RZ/T2H PCIe通信
RZ/T2H 本文阐述了RZ/T2H的PCIe外设作为EP，在Windows上做驱动开发、速率测试时，可能会遇到无法被Windows识别的问题。本文总结了一些调试方法和技巧，来排查问题原因和解决方法。 如下图所示，RZ/T2H有着丰富的外设资源。 图1：RZ/T2H系统框图 如红色方框部分，RZ/T2H有两路第三代PCIe接口，可以支持到最高8.0 GT/s的传输速率。物理连接可以是x1，x2的方式，并且2路接口可以独立作为RC和EP使用。 在某驱控一体项目中，客户是将其中1路PCIe作为EP，采用X1配置；Windows PC作为RC，通过PCIe实现快速通信。我们在Windows端基于Windows Driver Framework开发了相关驱动程序。 考虑到Windows是非实时性操作系统，所以将所有与PCIe交互的代码放在了驱动层，以提高通信的实时性。经过测试，Windows PC做RC，RZ/T2H做EP，RC读取数据的传输速率是：33 Bytes/us（考虑到Windows是非实时操作系统，达不到8GT/s的传输速率也属正常）。如果T2H EVK 用作RC端，则速率可以达到PCIe3.0的标准。 PCIe3.0的标准是8.0GT/s的传输速率，根据128b/130b的编码规则，其数据有效率为 128/130=98.46%，从而可以得到有效数据速率为8.0×0.9846=7.877Gbit/s≈0.985GB/s per lane，即985 bytes/us。 T2H默认的MPS（Max Payload Size）最大可以配置成4096B。考虑到加入TLP的header（假如3WD，12B，且MPS配置为256B），则其传输有效数据量为（RC连续发 MRd）。 每us能传输的完整completion次数为：985/（256+12）≈3.67次 对应的有效数据量≈3.67×256≈939B/µs 图2：RZ/T2H驱动程序 图3：Windows端测量PCIe读写速率的消息序列图 客户主板设计上通过PCIe金手指与PC主板的PCIe x1接口相接。遇到的问题是：客户主板烧录程序，连接到PC，无法被PC识别。 由于没有高速示波器来分析PCIe总线上的异常，我们只能从以下几个角度来分析。 1 检查电源是否合理。 依次检查了5V，3.3V，1.8V，0.8V，均正常。 2 由于只有500M的示波器，只能抓启动的波形。通过RZ/T2H EVK的波形与客户板子的波形作对比。 图4：加PCIe延长线，便于抓取必要波形 我们通过PCIe的启动过程了解到，在链路还没有训练（LTSSM还没进入L0正常工作状态）时，允许设备通知对方自己的存在。这种通知被定义为Beacon，它是一种低速、低频的物理信号，并不是 PCIe 8b/10b或128b/130b编码的数据流。 鉴于此，我们采用500M的示波器，将TX+（B14），TX-（B15）通过PCIe的延长线接头处，引到示波器上。C1为TX+，C2为TX-。 图5：RZ/T2H EVK Beacon 图6：客户RZ/T2H主板Beacon 从图五和图六可以看到： RZ/T2H EVK的Beacon持续时间是370ms，TX+和TX-的幅值在400mV左右，且非常对称。 客户RZ/T2H主板的Beacon持续时间是3.5s，猜想该Beacon持续时间太久的原因是一直没有得到EP的应答。且TX+的幅值在400mV左右，而TX-的幅值不到100mV，不对称。 TX+/TX-是从RC端发起的信号，为何在金手指端的波形发生不对称现象？于是我们再仔细核对了客户的PCB，发现客户的第6，7层没有铺地。 由于客户的电路与EVK有局部的不同，为了防止我们判断错误，将RZ/T2H EVK修改成和客户板相同的配置（电阻值以及对应信号悬空等），开发板都能正常启动PCIe，所以基本可以认为是PCB铺地原因导致的差分信号不均衡，从而RZ/T2H作为EP时没有正确收到PC的握手信号，而不响应RC，所以没有下一步动作。 经过客户重新布板，该主板可以进行正常的PCIe通信了。 从这次debug可以看出，PCIe参考地有非常重要的意义。如果PCIe信号线在没有参考地平面的情况下布线，将会导致诸如以下问题： 1 阻抗不连续与严重反射：阻抗在整个走线上剧烈波动，导致信号在每一个阻抗变化点都会发生反射。这会严重劣化信号质量。若地平面断裂/跨分割会导致局部阻抗突变，反射增大，可能引起链路训练失败。 2 信号完整性（SI）问题： 眼图塌陷：在接收端看到的眼图会非常“瘦”，甚至完全闭合，眼高和眼宽都不达标。 振铃（Ringing）和过冲（Overshoot）/下冲（Undershoot）：由于阻抗失配和反射，信号会产生严重的振荡。 时序错误：边沿变得缓慢且不确定，建立时间和保持时间无法满足。 3 电磁干扰（EMI）问题：缺少参考平面，信号产生的电磁场无法被有效屏蔽和约束，会向外辐射，导致EMI测试失败，也可能干扰板上的其他电路。 4 系统不稳定与高误码率：最终结果是PCIe链路训练失败、速率协商不上去、或者在运行中出现大量的数据错误（误码率BER飙升），导致系统频繁蓝屏、卡顿、设备无法识别。 对于PCIe 3.0及以上速率，layout要求较为苛刻， PCB设计者需要足够重视，没有完整的参考地平面，项目失败的风险极高，也会为后期带来不必要的debug工作。PCB一定要遵守RZ/T2H的硬件设计指导书。 RZ/T2H完整的软硬件设计规范、参考例程、工具等，请登录以下网址获取更多资料： https://www.renesas.com/en/products/rz-t2h
瑞萨
瑞萨嵌入式小百科 . 昨天 500
无源晶振和有源晶振能混用吗
无源晶振和有源晶振能不能混用?这个问题看似简单，却暗藏致命风险！ 一、无源与有源的“基因差异” 无源晶振（晶体谐振器） 它就像一把“哑琴”，需要外部电路（如反相器、电容）才能奏响乐章。结构极简，只有两个引脚，成本低但依赖性强。比如常见的32.768kHz晶振，必须搭配RTC芯片才能工作。 有源晶振（振荡器） 自带“乐队”（驱动电路），通电即可输出稳定信号。四个引脚中，一脚悬空、二脚接地、三脚输出、四脚供电，堪称“即插即用”的懒人神器。其频率稳定度可达±10ppm以内，是通信基站的首选。 二、混用的“三大致命陷阱” 电平不兼容引发的灾难 无源晶振信号电平由外部电路决定，而有源晶振输出固定电平（如3.3V或5V）。若强行混用，可能导致芯片输入过压烧毁，或信号幅值不足引发误判。 负载电容的生死博弈 无源晶振依赖外部电容（如15pF）起振，而有源晶振内部已集成匹配电路。若混用，外部电容会破坏有源晶振的振荡条件，导致频率偏移甚至停振。 驱动能力的冰火两重天 无源晶振需要芯片内部振荡器提供驱动，而有源晶振自带驱动电路。若两者并联，可能形成“电流拔河”，轻则信号抖动，重则烧毁晶振。 三、这些场景千万别踩雷！ 嵌入式系统：STM32等单片机常同时使用8MHz主晶振和32.768kHzRTC晶振，但两者分属不同电路，绝不能接在同一引脚上。 通信设备：5G基站需高精度恒温晶振（OCXO），若误用无源晶振，信号同步误差可能导致数据丢包率飙升。 消费电子：手机WiFi模块若混用两种晶振，可能引发频段干扰，导致网络连接不稳定。 四、正确姿势：按需选择，拒绝“混搭” 低成本方案选无源 适合对精度要求不高的场景，如家电遥控器。但需注意匹配外部电路，否则可能出现“起振失败”的尴尬。 高可靠场景用有源 工业控制、医疗设备等领域，建议选择温补晶振（TCXO），其温度稳定性可达±0.1ppm。虽然成本高3-5倍，但能避免后期维护的天价费用。 多晶振共存的正确打开方式 若需同时使用两种晶振（如主时钟+RTC），务必通过隔离电路或独立电源供电，避免信号串扰。例如STM32开发板中，8MHz晶振用于系统运行，32.768kHz晶振专供实时时钟，两者分工明确互不干扰。
晶发电子 . 昨天 355
强化信息技术自主创新，德明利加速构建国产存储高可靠体系
随着信创替代全面提速，国产存储产业正迈入技术自主与生态协同并进的新阶段。德明利依托17年自主研发积累，在主控芯片、固件算法及系统优化方面实现系列突破，推出面向政企、工业与教育领域的信创存储产品矩阵，并积极推进与飞腾、龙芯、麒麟等平台适配认证，为行业提供高可靠数据支撑，加速信创体系的落地与普及。 当前全球技术经贸格局正经历深刻变革，供应链与核心技术断供存在不确定性因素，我国信息技术发展重点从解决“有无”问题转向“好用与可靠”新阶段。存储系统的性能、可靠性与安全性，直接关系到数字基础设施的稳定与效能。 存储创新成为国产信息体系规模化应用关键 政策与市场需求的双重驱动下，国产存储产业正迈向技术深水区。《2025存力发展报告》显示，国产存储在介质、芯片与系统层面实现三级突破：QLC芯片容量已达2TB，头部云服务商也完成从控制器、分布式存储到整机的垂直整合，存力产业链自主可控能力持续增强。 然而，面对2027年央企国企全产业链100%信创替代，以及关键行业核心系统国产化率超70%的目标，产业规模化部署仍面临稳定性、兼容性及核心系统迁移可靠性的现实挑战，尤其在PCIe/CXL新标准和AI驱动的存算一体架构兴起下，国产存储的性能、标准与生态融合正成为突破重点。 自主研发与全链路国产化，构建可靠存储底座 德明利拥有十七余年主控芯片与固件算法研发经验，构建了“芯片+算法+场景”的全栈技术体系，形成覆盖消费级、工业级、嵌入式与企业的完整产品矩阵。截至2025年6月，公司累计申请知识产权527件（已授权241件），研发人员超350余人，并布局深圳、成都、杭州、北京、长沙五大研发基地，为国产化产品持续创新提供坚实支撑。 基于自主技术积累，德明利打造国产化存储方案，依托自研 SATA SSD 主控芯片 TW6501、国产闪存颗粒与固件算法，实现从核心器件到整机产品的最高产化率。通过覆盖设计、制造与测试的本土化体系，构建可验证、可追溯、可持续的安全供应链，为政企、教育、金融等行业提供高可靠存储支撑。 嵌入式信创方案：筑牢面向端侧生态的高可靠存储支撑 德明利嵌入式AVL系列产品提供LPDDR4X与eMMC 5.1，广泛应用于国产化终端与边缘设备，已与紫光展锐、瑞芯微等国产SoC平台完成深度适配，广泛应用于智能座舱、工业控制与物联网网关等终端设备，具备高集成度、低功耗与长期稳定特性，为端侧生态提供自主可控的高可靠数据支撑。 消费级信创方案：实现全场景适配，兼顾高性能与高兼容 面向桌面办公、终端整机、教育信息化等消费级场景，德明利推出SATA与PCIe系列固态硬盘以及DDR4/DDR5内存条信创产品，具备高速传输、低延迟与稳定耐久等特性，产品已完成银河麒麟桌面操作系统等主流国产平台的兼容性测试，能够满足行业关键应用需求。 工业级信创方案：强化可靠性设计，应对极端环境与关键任务 面向工业制造、轨道交通、能源金融与通信等关键行业，德明利推出ES1020与EP2021系列SSD产品，并在统信桌面操作系统中通过全面兼容性测试。 ES1020系列采用自研SATA SSD主控，具备宽温与超长寿命特性，满足抗震、防潮、防静电等工业级标准，并搭载端到端数据路径保护、增强型掉电保护及安全擦除等功能，实现7×24小时持续稳定运行。EP2021系列凭借PCIe 4.0高速接口与严选颗粒方案，兼顾高速与低延迟，适用于工业控制与边缘计算等高强度应用。 共建信创生态，推动行业标准 德明利积极参与信创生态建设，作为供应链成熟度专委会、光合组织成员和主平台认证合作伙伴，协同芯片、硬件、软件等上下游企业推进全栈国产化供应链体系建设，参与制定存储技术规范，助力构建统一行业标准。 在可靠性方面，德明利与飞腾、龙芯、兆芯及海光等主流国产CPU平台及统信、麒麟、中科方德等操作系统开展联合测试与长期生态适配，通过联合实验室机制持续验证，确保产品在多系统生态中实现“开箱即用、稳定可靠”，为信创产业的规模化应用与运维优化提供关键支撑。通过从底层到系统的深度适配能力，德明利正携手生态伙伴，共同推动安全、高效、可持续的数字化进程。
德明利
德明利 . 昨天 1170
大联大世平集团推出基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案
大联大控股宣布，其旗下世平推出基于易冲半导体（ConvenientPower）CPSQ5453和CPSQ5352芯片的汽车矩阵式大灯方案。 图示1-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的展示板图 在电气化与智能化的双重驱动下，汽车产业正经历着深刻的变革，而汽车大灯作为整车的重要功能部件，也迎来了技术升级与市场扩张的黄金期。随着LED、激光大灯等新技术的普及，车灯已从单纯的照明工具转变为集安全、智能交互于一体的核心系统。 大联大世平基于易冲半导体CPSQ5453和CPSQ5352芯片推出的汽车矩阵式大灯方案，通过高效驱动LED光源，实现了精准的光束控制和动态调节功能，不仅可提升夜间行车的安全性，还支持自适应远近光、弯道辅助照明等智能化应用。 图示2-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的场景应用图 CPSQ5453是一款双通道可独立运行的恒压恒流升压电源控制器，具有强大的功能。它支持Boost、Buck-Boost等拓扑控制，输入电压范围4.5V-65V。内置抖频功能可改善EMI干扰，并配备SPI通信接口方便灵活配置功能参数。此外，CPSQ5453采用峰值电感电流控制技术，响应更快。同时芯片提供正常、跛行等多种模式，部分OTP寄存器烧录可独立运行。不仅如此，CPSQ5453拥有电流误差补偿功能，可在低电流工作场景下保持较高的电流精度。安全方面，该芯片具备输出过压、短路、过流等完善保护机制。 CPSQ5352是一款车规级双通道降压型LED驱动芯片，每通道最大输出电流为1.6A，输入电压范围4.5V-65V。它支持2MHz以上SPI通信频率，采用先进的COT控制管道设计，具有快速的动态负载响应能力，特别适合与矩阵大灯控制器配合使用。在所有工作条件下，CPSQ5352都能维持高精度的电流控制。此外，CPSQ5352支持模拟调光和PWM调光，并允许通过编程控制输出电流以及PWM调光的占空比和频率。此外，芯片内部还集成10比特高精度ADC，便于用户实时读取关键参数。 图示3-大联大世平基于易冲CPSQ5453&CPSQ5352的汽车矩阵式大灯方案的方块图 本方案采用高集成度设计，兼具卓越能效表现与稳定性，可充分适配各类应用场景，尤其适用于对响应速度要求严苛的矩阵大灯控制器等应用，不仅能够实现精准调节，还能进一步提升系统监控与管理能力，有力推动智能车灯市场的快速发展。 核心技术优势： CPSQ5453： 支持4.5V至65V输入电压范围； 能够控制Boost、Buck-Boost等多种电源拓扑； 采用峰值电感电流控制技术，具有较快的响应速率； 在低电流工作场景下具备电流误差补偿功能，保持较高电流精度。 CPSQ5352： 每通道最大输出电流可达1.6A； 在所有工况下均保持高电流精度，误差4%以内，适用于多种LED驱动应用； 采用COT控制方式，具有较快的动态负载响应速度； 支持模拟调光和PWM调光，输出电流、PWM调光占空比和频率均可编程控制，适合与矩阵大灯控制器配合使用。 方案规格： 技术支持：提供Demo板使用手册、培训文档、软件开发手册、Demo板等。 本篇新闻主要来源自大大通： 基于CPSQ5453&CPSQ5352的易冲车灯方案
大联大世平集团 . 昨天 405
禾望电气选择 Wolfspeed，凭借先进的碳化硅技术助力风能未来
此次合作助力禾望电气推出风电行业首个全碳化硅功率柜 创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中，共同推动下一代风电解决方案的开发。 作为中国最大的风电变流器供应商之一，禾望电气对其风电解决方案采用了新颖的方法：该产品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封装技术，实现了功率密度提升 38% 和高达 6 kHz 的高开关频率，显著提高了效率和可靠性。Wolfspeed 与禾望电气的合作有望加速全球市场下一代风电解决方案的开发。 Wolfspeed 的碳化硅解决方案正助力推动向更可持续、更具成本效益的下一代能源系统转型。Wolfspeed 的 2.3 kV LM Pack 模块提供了显著的系统优势，包括简化系统设计、提高效率、增加功率密度以及改善可靠性——这些关键因素有助于降低大型风电应用的整体系统成本并提供卓越性能。2.3 kV LM Pack 模块预计于 2026 年初实现商业化量产供应。 Wolfspeed 与禾望电气的此次合作，标志着风电行业持续发展的一个关键里程碑，有助于为全球范围内更清洁、更高效的能源解决方案铺平道路。 Wolfspeed 副总裁兼中电压与高电压产品总经理 John Perry 表示：“我们很高兴与可再生能源行业公认的领军企业禾望电气达成合作。Wolfspeed 的 2.3 kV LM Pack 模块完美契合了风电行业对更高电压、更高电流和更高效率系统日益增长的需求。此次合作不仅巩固了 Wolfspeed 作为值得信赖的长期碳化硅供应商的地位，也有助于满足全球对可再生能源解决方案日益增长的需求。” 禾望电气总部位于中国深圳市，近期入选全球知名能源研究机构彭博新能源财经（Bloomberg New Energy Finance，简称 BNEF）的光伏逆变器制造商一级名单（Tier 1）。全球仅有七家公司成功进入一级梯队，这肯定了禾望电气在光伏领域的全球影响力和竞争力。 禾望电气副总经理兼风电事业部总经理王琰表示：“禾望电气非常高兴与 Wolfspeed 达成合作，凭借 Wolfspeed 世界级的碳化硅技术来提升我们风电变流器的性能。通过采用 Wolfspeed 先进的 2.3 kV LM Pack 模块，我们正朝着为风电行业提供高效、可靠且具成本效益的解决方案迈出重要一步。” 关于 Wolfspeed, Inc Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）在全球范围内推动碳化硅技术采用方面处于市场领先地位，这些碳化硅技术为全球最具颠覆性的创新成果提供了动力支持。作为碳化硅领域的引领者和全球最先进半导体技术的创新者，我们致力于为人人享有的美好世界赋能。Wolfspeed 通过面向各种应用的碳化硅材料、功率模块、分立功率器件和功率裸芯片产品，助您实现梦想，成就非凡（The Power to Make It Real TM）。 关于禾望电气 禾望电气是中国领先的风电变流器供应商，专注于为可再生能源领域提供高质量产品。除了风电变流器，禾望电气还开发和制造光伏逆变器、储能系统（ESS/PCS）和氢能解决方案。禾望电气致力于提供尖端技术和可持续解决方案，助力更绿色的未来。 前瞻性声明 本新闻稿包含前瞻性陈述，这些陈述涉及已知和未知的风险与不确定性，可能导致 Wolfspeed 的实际业绩与前瞻性陈述中所指示的业绩存在重大差异。就其性质而言，前瞻性陈述涉及在不同程度上具有不确定性的事项，例如关于 Wolfspeed 的战略计划、优先事项、增长机遇以及实现盈利能力的陈述。实际业绩可能因 Wolfspeed 向美国证券交易委员会（“SEC”）提交的文件（包括其最近的 10-K 表格年度报告以及后续向 SEC 提交的文件）中详述的因素而存在重大差异。这些前瞻性陈述代表 Wolfspeed 截至本新闻稿发布之日的判断。除美国联邦证券法律要求外，Wolfspeed 不承担在本新闻稿发布之日后更新任何前瞻性陈述的任何意图或义务。
Wolfspeed . 昨天 355
最新低功率压电气泵驱动芯片-LX8201
（摘要）最近静音压电气泵在可穿戴式血压计上的应用出现暴增，国内创新企业深圳乐而信/LOXIM TECHNOLOGIES推出针对低功率压电陶瓷（微孔压电片，以及压电气泵）的专用驱动芯片LX8201，针对20-30KHz, 30-50KPa以及0.5-1.5L/min的气泵，具备良好的工作性能和明显的成本优势。 压电泵是种新型流体驱动器，它不需要外加的驱动电机，而是直接利用压电陶瓷的逆压电效应使压电振子在电场作用下径向压缩，内部产生拉应力，从而使压电振子弯曲变形，再由变形产生泵腔的容积变化实现流体的平缓连续输出或者利用压电振子产生波动来传输流体。 于传统泵所不具备的结构和设计特点，压电气泵具有以下显著优势: 高效节能: 无需额外的驱动电机，能耗低，效率高。 体积小巧: 体积小，结构简单，易于集成到各种设备中。 无噪音: 在工作过程中不产生噪音，适用于对噪音敏感的环境。 无电磁干扰: 不产生电磁辐射，适用于对电磁环境要求高的场合， 尽管压电泵的发明与发展仅20多年的历史，但在航空航天器、机器人、汽车、医疗器械、家电、生物医学、微型机械和IC电路冷却等领域里得到广泛的应用，潜在的社会及经济效益极其显著。 跟很多其他工业器件的发展轨迹一样，压电气泵也是先从发达国家首先研制出来，然后国内的公司开始跟进开发，其中有代表性的公司为： 1. 日本村田Murata 2. 日本高砂TAKASAGO 3. 德国Bartels 4. 台湾CurieJet 5. 广东奥迪威 6. 常州威图 7. 江苏蚂蚁动力 8. 东莞西喆 9. 谐振精密 10. 厦门白边 以常州威图的一款压电气泵MAC20 A-01为例，其主要特性参数如下： 驱动方案的选择 压电气泵一般的工作频率在20-25KHz,驱动的功率也不高，一般采用下面两种驱动电路，但因为此类分立器件组成的电路对死区时间以及电源电压稳定性有很高要求，导致驱动的效率（压力/流量特性）以及压电气泵的发热超出预期，另外因为分立器件的原因，也会导致不同的压电气泵的一致性有明显波动。 改进方案 采用LOXIM的压电陶瓷驱动芯片（LX8201），用在压电气泵的驱动上，采用专利的硬件电路和自动追频算法，初步尝试结果显示： 维持同样的输出特性（P-Q）下，压电气泵的发热会明显降低 不同气泵输出特性曲线的一致性会更好更加稳定 随着压电气泵在可穿戴设备、血压监测、吸奶器、冷却风扇以及其他工业/医疗行业应用的不断拓展，LOXIM压电气泵驱动芯片的应用会越来越广。
压电气泵
原创 . 昨天 360
纳祥科技多通道DAC NX1227，如何兼容替代已停产的CS4361，用于5.1家庭影院？
针对已停产的CS4361六通道DAC，纳祥科技提供了一款可行的国产替代芯片——支持I2S接口的6路数模转换芯片NX1227，功能对标替代，通过兼容设计降低了供应链风险。 （一）芯片概述 纳祥科技NX1227 系列是一款完整的 6 声道输出数模转换芯片，内含插值滤波器、multi-bit 数模转换器、输出模拟滤波器。NX1227系列支持大部分的音频数据格式。 NX1227 系列基于一个带线性模拟低通滤波器的四阶 multi-bit Δ ∑ 调制器，而且可以通过检测信号频率和主时钟频率，在 2KHz 和 216KHz 之间自动调节采样率。 NX1227系列含有数字去加重模块，可以在 3.3V 和 5V 下工作，另采用TSSOP20封装，性能上可国产替代CS4361。 （二）主要特性 ❶Muti-bit Δ ∑ 调制器 ❷24bit D/A 转换器 ❸自动检测最大到 192KHz 的信号频率 ❹100dB 动态范围 ❺-90dB 总谐波失真+信噪比 ❻低时钟抖动敏感度 ❼3.3V 或 5V 工作电压 ❽线性滤波输出 ❾片上数字去加重 ❿输出静音控制 （三）应用领域 NX1227是一款高性能、低成本的多通道数模转换芯片。它外置元件少，可自动调节采样率，具备去加重功能，支持丰富的音频接口和大部分音频数据格式，同时兼具低功耗与高稳定性优势。目前，该芯片已广泛应用于车载5.1音箱、5.1家庭影院等设备中，为专业设备提供可靠保障，是CS4361的高质量国产替代方案。
DAC
深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 昨天 1 460
晶振驱动功率测试与计算
无源晶振本身不具备振荡功能，必须依靠外部电路驱动才能工作。激励功率指驱动晶振所需的能量，高驱动功率造成Crystal的特性恶化(如频率异常跳频、内阻值异常Jump)，甚至可能会使晶体损坏；低驱动功率有时会使Crystal内阻值变大，当再次启动振荡器时，可能会时振时不振的无再现性的现象。正确匹配激励功率是确保晶振长期稳定工作的核心要素。 计算公式 驱动功率 DL 的计算公式为： DL=I2×ESR 其中：I为流过晶振的电流有效值（单位：A/mA），ESR 为晶振的等效串联电阻（单位：Ω），DL 的单位为瓦特（W），常以微瓦（μW）表示。 测试方法 准备设备：PCB板、晶振（具有等效电路常数数据）、示波器、电流探头。 电路连接：将晶振一侧引脚脱焊，串联一根引线并连接电流探头，重新焊接回PCB，确保电路完整。 1、测量电流波形：给PCB上电，用示波器观察晶振电流波形，确认为正弦波或类似波形。 2、读取电流有效值：读取电流有效值RMS。 3、计算驱动功率：根据 DL=I2×ESR 计算驱动功率，其中 ESR 可通过专业设备测试出晶振单体的等效值。结果判断：比较计算得到的DL与晶振规格书中的最大驱动功率，确保DL不超过最大值。 注意事项： 测量精度：使用高精度电流探头和示波器，确保测量结果准确。 电路完整性：改造电路时，引线尽量短，避免引入额外干扰或寄生参数。 波形确认：确保晶振电流波形为正弦波，若波形畸变，需检查电路是否过驱动或存在其他问题。 安全操作：避免短路或过电流，防止损坏晶振或电路元件。 通过以上步骤，可准确测试和计算晶振驱动功率，确保晶振在安全范围内工作，保障电路的稳定性和可靠性。
晶振,有源晶振,无源晶振
扬兴科技 . 昨天 275
MDD辰达半导体防护器件，全方位防护USB充电口浪涌静电
一、USB快充发展趋势与防护挑战 随着USB快充的发展，支持的产品种类也越来越多，比如手机、笔记本电脑、平板、电动工具、各种消费类产品乃至小型家电等高能耗设备。然而，随着功率的提升，充电口面临的浪涌和静电威胁也越来越严重，对产品可靠性提出了更高的防护要求 二、关键线路与潜在风险 充电功率从5V/3A逐步提升至36V/5A，用于充电功能的关键线路（如USB-A中的Vbus、DP、DM，以及USB-C中的Vbus、DP、DM、CC1、CC2）成为防护的重点。EOS浪涌和ESD可能通过这些线路侵入后级电路，甚至因插拔操作产生的浪涌也可能导致主控芯片损坏。 三、SDxxX系列防护器件介绍 MDD推出的SDxxX系列防护器件，功率覆盖300~450W，具备强大的浪涌防护能力，静电防护可达接触和空气放电±30KV。该系列采用SOD-523贴片小型封装，符合产品小型化需求，适用于各类充电头、电动剃须刀、电动牙刷、小型蓝牙音响等USB充电产品的充电口防护。 四、MDD质量保障体系 MDD工厂位于安徽滁州，占地面积2w㎡，已全线引入全自动化生产设备。工厂通过IATF16949认证及ISO 9001/ISO 14001等体系认证，工厂配备有可靠性实验室。MDD拥有完整的器件生产线，从材料输入，到成品输出，皆经可靠性实验室进行测试，确保所有出厂产品皆经过严苛测试，全程可控。 五、典型快充充电头防护电路示意图 六、选型推荐 MDD目前推出的高性能、小封装的ESD与浪涌防护器件，具备高防护等级、低漏电、低钳位电压和优良的温度适应性，适合现代便携电子设备中对空间与可靠性要求并重的USB接口及其他高速数据线的保护设计。
静电防护
MDD辰达半导体 . 昨天 405
高精度机器人控制的核心——基于 MYD-LT536 开发板的精密运动控制方案
一、背景：机器人迈向“微米级控制时代” 随着智能制造和自动化产业的持续升级，工业机器人不再仅仅承担重复搬运，而是被要求在装配、检测、精密加工等高精度场景中完成微米级控制任务。 在这些“高精度机器人控制”应用中，系统必须具备高计算力、低延迟控制环路、实时反馈和多传感器融合能力。 传统的PLC或单片机方案在高并发计算与多轴同步控制方面往往性能不足，因此越来越多的工程师开始采用基于高性能SoC平台的机器人控制系统，例如米尔的 MYD-LT536 开发板。 二、MYD-LT536：为机器人控制系统而生的核心平台 米尔 MYD-LT536 开发板基于全志T536 高性能四核 Cortex-A55 处理器，支持 1.8 GHz 主频，并集成2Tops NPU、G2D、VPU 4K高清视频编解码器，为复杂控制算法与视觉融合计算提供充足算力。 米尔MYD-LT536开发板 在“高精度机器人控制”场景中，MYD-LT536 具备以下突出优势： 1. 高算力与实时性兼顾 四核 Cortex-A55 架构可并行运行多线程控制任务，满足多轴机器人同步控制与动态补偿算法的实时计算需求； T536 AMP多核异构设计，满足高性能计算和实时控制的需求场景需求； 2. 丰富接口助力系统集成 板载 双千兆以太网、PCIe2.1/USB3.1、Localbus、4*CANFD、17*UART、SDIO、SPI、PWM 等工业接口，方便连接编码器、伺服驱动器、激光雷达、IMU、工业相机等设备； 支持 MIPI-DSI、Parallel DSI、Dual-LVDS和MIPI-CSI、Parallel CSI、5M ISP多媒体接口，适合构建机器人视觉-运动融合系统，实现工件识别与动态定位。 3. 支持闭环控制与误差校正 可结合高分辨率编码器反馈数据，运行机器人闭环控制算法； 利用AI 协处理器实现机器人误差校正方案，实时补偿位置偏差与温度漂移，显著提升轨迹规划精度与重复定位精度。 4. 模块化系统集成方案 MYD-LT536 提供完整SDK、Linux 驱动与开发文档，可快速构建机器人系统集成方案； 开发者可直接对接上层 ROS 框架，实现多轴机器人同步控制与智能路径规划。 三、典型应用：高精度装配机器人控制系统 在某高端电子装配项目中，工程团队基于 MYD-LT536 构建了一套高精度装配机器人控制系统： - 视觉定位模块：通过 CSI 接口将数据实时传输至 MYD-LT536； - 反馈环路：编码器信号经 CAN 总线反馈，实现机器人闭环控制与误差自适应补偿； - 误差修正算法：AI 模块基于历史误差趋势自动拟合机器人位置反馈误差模型，最终使装配误差稳定在 ±0.05 mm 以内。 整个系统架构紧凑、响应快速，为高精度装配提供了可靠的技术底座。 四、面向未来的机器人控制平台 随着工业机器人向更高精度、更复杂任务迈进，控制平台需要兼具算力、扩展性、实时性与AI能力。 MYD-LT536 开发板在软硬件生态上已完全满足这些要求： - 支持 Linux RT、ROS、Python 算法与 C++ 实时模块开发； - 可作为控制核心部署在高精度测量机器人、激光切割机械臂、协作机械臂、AGV导航车等系统中； - 具备机器人动态补偿算法与误差校正方案运行环境，为“高精度机器人控制”应用提供了强大的硬件支撑。 五、结语 “高精度机器人控制”是智能制造时代的核心竞争力。 米尔 MYD-LT536 开发板凭借强大的计算能力、丰富的工业接口与成熟的系统生态，能够帮助工程师快速搭建高精度机器人控制平台，实现从“算法到执行”的全闭环控制。 无论是在工业装配、视觉检测、智能搬运还是协作机器人领域，MYD-LT536 都将成为高精度控制系统的理想选择。
高精度机器人控制
米尔电子 . 昨天 495