• 面向车载应用开发的NR1640 系列产品是具有超低噪声和高PSRR 特性且带有软启动功能的LDO(低压差稳压器)

    近年,随着自动驾驶技术的发展,汽车上装备的高级驾驶辅助系统(ADAS) 和摄像头数量逐渐增多。而这些器件里的传感器多要求具有高精度感测性能。特别是传感器的电源,如果叠加上噪声的话,会影响感测性能,所以电源IC 要具有低噪声和高电源纹波抑制比(PSRR)特性。    NR1640 低压差稳压器系列产品采用了精炼的晶圆制造工艺和优化的电路版图设计,具有超低噪声和高电源纹波抑制比(PSRR)特性。该系列产品实现了6.0 µVrms 输出噪声和80 dB纹波抑制比,对车载传感器件的高性能化做出了贡献。    输入电压范围为 2.7 V到5.5 V (额定值: 6.5 V),输出电流为 200 mA,输出电压范围为2.5 V 到4.8 V (0.1 V单位, 内部固定)。并且,还具有-40°C to +125°C宽工作温度范围,全温度范围的输出电压精度为±1.5 %,能实现苛刻环境下的高精度检测。    NR1640 系列产品在本公司日本兵库县Yashiro工厂生产。该系列产品将预定成为10年可靠持续供应的长期供应程序(PLP)指定产品,客户可以长期放心使用,无需担心产品退市(EOL)。  1. 最适合传感器件的高PSRR 和超低噪声特性 为了最大发挥传感器性能,NR1640 系列同时兼备了高PSRR和超低噪声特性。特别是使用了CMOS 图像传感器(CIS)的ADAS摄像头,这些特性会严重影响图像质量。NR1640 系列具有80 dB (f = 1 kHz)高PSRR 和6.0 µVrms 超低噪声特性,对提高摄像头画质做出贡献。    这些特性对A/D转换器的电源也很重要。为了精准检测来自传感器的信息,就会要求高分辨率,那么系统对噪声的敏感度就会更高。例如,A/D转换器的基准电压设定为3.3V时,要使用16位分辨率时的最低有效位(LSB)电压为50μV,若想无误感测的话,电源IC 就得需要提供几µV 级别噪声的电压。   纹波抑制比 (VOUT = 3.3 V) 输入叠加纹波时的摄像头画质比较 NR1640 输出噪声电压有效值 A/D转换器和最低有效位(LSB)电压的关系  3.3 V / 16 bit 时的最低有效位(LSB)电压为50 µV, 为了不影响感测结果,需要几µV级别的低输出噪声特性。 2. 可选的软启动时间 NR1640系列有4种可选的软启动时间,可从55 µs/V, 110 µs/V, 220 µs/V, 440 µs/V之中选择使用。   这样对使用多个电源的器件的时序控制和减小浪涌电流是有效的。如果负载电容较大,则可以通过将浪涌电流限制在某个值,并以一定的斜率来启动输出电压。在这种情况下,启动将比用内置的软启动功能来限制会更平缓。    此外,在传感器件中电源电压的突然启动往往被禁止,用软启动功能会起到更安全启动的作用。    可选的软启动时间 大负载电容时的启动特性  3. 根据应用优化的车载质量等级 我们准备了两种车载质量等级产品以满足客户的质量要求。NR1640除了有车载等级产品之外,还备有工业等级产品,敝司将按照客户的应用和质量等级要求推荐最适合的等级产品。 

    日清纺

    NISSHINBO Micro Devices . 2025-02-19 1 1 935

  • 利用解决方案供应商的优势加速自主移动机器人开发

    本文将探讨AMR的复杂世界,并考虑选择由一家解决方案提供商来负责AMR所有关键方面的设计——其优势包括降低设计/集成风险和缩短上市时间。   自动导引车(AGV)主要在室内运行,并按照预先确定的路线行驶(通常使用地面上的线条作为引导),自主移动机器人(AMR)则要复杂得多,能够在室内和室外自由导航,而不必遵循预定义的路线。在这方面,它们类似于自动驾驶车辆,因为它们必须识别并避开路径上的障碍物,无论障碍物是静止的还是移动的。 几乎所有 AMR 的核心都是五个主要子系统,分别管理电源、运动、感知、处理和照明。每个子系统本身都很复杂,设计起来往往具有挑战性,同时也是 AMR 成功运行的基础。然而,集成往往是最大的挑战--尤其是从不同供应商处采购子系统或主要部件时。   图 1 - 典型 AMR 的关键子系统(来源:安森美)   要使 AMR 正常运行,子系统之间的信息流和功率流至关重要,这意味着要有一个通用的接口和经过测试可协同工作的部件,以消除兼容性问题。简单来说,从一个解决方案供应商处采购关键系统元件有助于降低开发风险,缩短上市时间,并在竞争激烈的市场中保持领先地位。   构建系统集成的 AMR 感知对于在自由空间中导航的自主移动机器人(AMR)至关重要,尤其是在没有轨道或其他导航辅助设备可用的情况下。AMR必须能够找到安全的路线,并处理路径上的静态和移动障碍物。为了克服天气或照明条件的限制,并适应不同的距离,会使用包括图像传感器、超声波和激光雷达(LiDAR)在内的多种技术。来自多个传感器的数据会被整合,以便更好地了解周围环境。这种技术被称为传感器融合,它提供了更好的可靠性、冗余性和安全性。     安森美(onsemi)一直是智能感知技术的领导者。安森美提供从VGA到4500万像素的各种卷帘曝光和全局曝光图像传感器。这些传感器在动态范围方面具有业界先进的性能,并具备如运动唤醒和自动曝光控制等创新特性。除图像传感器之外,安森美还提供用于测距(LiDAR)的硅光电倍增管(SiPM)、超声波传感器、电感式传感器以及支持到达角(AoA)和出发角(AoD)的Bluetooth®低功耗(BLE)技术微控制器,这些可以用于定位。   运动控制 在 AMR 中非常重要。通常使用无刷直流(BLDC)电机,需要复杂的算法进行精确控制。无刷直流电机驱动级需要许多元器件来正确控制。NCD83591三相栅极驱动器通过开启和关闭功率开关来控制换相,非常适合用于电机控制子系统。   图 2 - 驱动 BLDC 电机需要多个元器件协同工作(来源:安森美)   MOSFET 用作开关为电机绕组供电。安森美提供了一系列中压 (MV) MOSFET 产品组合,包括最新的 PowerTrench® T10 MOSFET,是电机应用的理想之选。 MOSFET 还可用于 AMR 内的一般功率应用。   图 3 - PowerTrench® T10 MOSFET 的优势(来源:安森美)   与硅 MOSFET 相比,碳化硅 (SiC) MOSFET 具有更高的热导率和十倍的击穿电场强度。 这使得碳化硅元件能够在相同材料厚度下承受更高的电压。 当 AMR(例如自动叉车)变得越来越大时,电池电压也会随之升高,而基于 SiC 的系统则可提供更好的性能和更高的效率。   SiC MOSFET 的另一个优势是能够在更高温度下工作,从而简化了散热器设计。 更高的工作频率可减小磁性元件的尺寸(和成本),从而缩小子系统的尺寸,有助于扩大 AMR 的工作范围。   电力输送不仅对电机控制至关重要。系统还需要一个外部充电器,该充电器需要尽可能快且高效地为电池充电。AMR中的DC-DC电源树使用开关模式电源(SMPS)和线性稳压器(LDO)来供应逻辑和低压电平。效率固然重要,但在整个电源架构中部署适当的保护措施也同样重要。安森美提供了一系列适用于AMR应用的电子保险丝(eFuse)和SmartFET解决方案。   通信对 AMR 至关重要,既包括 AMR 本身内部的通信,也包括与配套设施的外部通信,还可能包括与其他 AMR 的通信。 为 AMR 选择通信技术时需要考虑的参数包括其工作范围、数据传输速率、功耗和安全性。 在内部通信方面,长期以来使用了许多协议,包括 CAN、LIN、RS-485 和 RS232。 以太网 10BASE-T1S(如安森美的 NCN26010)集简便性和高性能于一身,因此越来越受欢迎。 它提供通过单根非屏蔽双绞线收发数据所需的所有物理层功能。 与主控 MCU 的通信通过OPEN联盟 MAC-PHY 串行外设接口 (SPI) 协议进行。   无论是发送路由或配置信息以及报告位置和进度,还是用于实时定位服务 (RTLS),外部通信对于 AMR 来说也是必不可少的。 安森美基于Bluetooth LE 5.2 无线 MCU 的 RSL15 超低功耗 Arm® Cortex®-M33 处理器是利用到达角 (AoA) 和出发角 (AoD) 功能实现实时定位系统 (RTLS) 的理想选择,它还可用于连接智能设备。 RSL15 内置电源管理、宽电源电压范围、灵活的 GPIO 和时钟电路以及丰富的外设,为 AMR 设计人员提供了最大的设计灵活性。   照明子系统用于向周围的人员和其他AMR传达AMR的状态、状况和意图。选择AMR照明技术时需要考虑的性能特性和参数包括亮度、色温和功耗。LED控制器和驱动器监控流经LED的电流,并使 LED 发出特定强度和波长的光。LED驱动电路使用高压侧和低压侧功率MOSFET来导通和关断LED电流,同时防止过压和过流情况,并确保LED驱动电路的稳定性。   对AMR 解决方案的支持 选择一家解决方案提供商可能是一个有风险的决定,但他们拥有一套全面的产品解决方案。 同样重要的是在整个设计过程中提供的支持,以及在需要的时间和地点提供产品的能力。   作为一家拥有丰富行业经验的老牌供应商,安森美能够提供系统级应用支持。我们的全球销售和技术团队网络可以不受地区、时区和语言的限制,提供一线支持。   除了现场支持,用户还可以访问我们的在线技术支持中心。 安森美社区论坛是一个在线开发者社区,在这里,安森美产品的资深用户可以分享他们关于产品和应用的丰富知识。 用户可以通过一些特定主题的产品论坛区域访问该论坛,与业内同行互动,提出或回答问题。 帮助库也是了解常见问题 (FAQ) 和答案的好地方。 对于喜欢更多互动的用户,由AI驱动的聊天机器人可以在几秒钟内为您提供答案。   安森美提供了一系列广泛的免费自助服务工具,包括交互式框图、Product Recommendation Tools+TM 产品推荐工具和大量评估板/套件,以促进快速原型开发。 电力电子设计人员会发现这些仿真工具非常有用。 Elite Power Simulator仿真工具和自助式 PLECS 模型生成工具不仅可以通过对实际元器件性能建模以提高准确性,还能加快产品上市时间。   当然,上述一切只有在产品设计完成并投入生产后才有价值。安森美具备内外部双重制造能力,这增加了供应链的韧性并提升了供应保障。   结语 AMR 是一种高效、可靠的运送包裹和执行其他物流任务的方式,因此越来越受欢迎。 然而,完全自主行驶需要高度的复杂性和安全性,这一点与汽车并无二致。   也许最大的设计挑战不在于 AMR 中的各种子系统,而在于这些子系统的集成,特别是如果这些子系统来自不同的供应商,其兼容性很可能是一个挑战。   作为一家解决方案供应商,安森美的独特之处在于可以为 AMR 的设计提供一整套极其先进的产品,以及完善的支持生态系统,包括支持人员、工具、文档、在线论坛等,并以垂直整合的弹性制造能力为后盾。

    AMR

    安森美 . 2025-02-19 1020

  • 高精度时间管理的完美搭档:YSN8563RTC与32.768kHz晶振的协同设计

    实时时钟(Real-Time Clock,简称RTC)是一种专用的集成电路,用于提供精确的时间基准。32.768kHz晶振因其二进制分频的便利性而称为RTC中最常用的时钟源,确保RTC在各种应用场景中能够提供可靠和准确的时间基准。 根据是否内部集成可以分为内置晶体RTC(Integrated Crystal RTC)与外置晶体RTC(External Crystal RTC)。内置晶振RTC一致性更好,但灵活性较低且成本较高;外置晶振RTC设计较复杂,但具备更高的灵活性与更强的适应性。   本文将介绍YXC外置晶体RTC YSN8563搭配YXC 32.768kHz晶振的组合方案。   一、YXC时钟芯片YSN8563介绍 YSN8563是一款为需要高精度时间管理和低功耗应用设计的实时时钟芯片。其核心优势在于卓越的时间保持能力以及较低的电流消耗特性,同时采用I2C总线技术,支持最高400Kbit/s的总线速度,显著提升数据传输效率。YSN8563还具备丰富的功能集,包括但不限于可编程的日历闹钟、定时器和周期性中断功能,为用户提供了灵活且高效的时间控制解决方案。   产品特征: 支持报警、定时器与中断功能 · 工作温度:-40℃~+85℃ · 低功耗:0.9μA(典型值) · 供电电压:1.2V~5.5V · I2C总线通信接口 · 内置匹配电容 · 外置晶体:32.768kHz · 封装:SOP8 & TSSOP8 · Pin-to-Pin兼容PCF8563   详细参数: YSN8563由振荡电路(Oscillator)、实时时钟核心(RTC Core)、寄存器(Register)、电源管理(Power Management)、I2C接口(I2C Interface)以及中断输出电路(Interrupt/Fout)等构成。YSN8563的实时时钟核心主要负责提供精确的时间管理,其时钟信号和频率源由内部振荡电路与外部32.768kHz晶振共同提供。 (YSN8563框图)     (YSN8563引脚示意图)       (YSN8563封装尺寸图)       YSN8563在技术参数和性能方面与PCF8563相当,能够满足替代需求。此外,YXC还提供详尽的基础方案设计和技术支持,有助于用户在设计和开发过程中实现更高的准确性和可靠性。 二、32.768kHz晶振匹配方案 晶振是利用石英晶体的压电效应制成的时钟频率器件,主要为电子系统提供高度稳定的时钟信号,实现精准计时,确保系统各部件的同步运行。 32.768kHz晶振是一种低频石英晶体谐振器,广泛用于实时时钟(RTC)和其他需要精确时间基准的电子设备中。YXC提供多种封装形式的32.768kHz晶振,用于满足多样化方案设计需求。   (YSN8563框图)       三、RTC YSN8563 + 32.768kHz组合方案 选择合适的32.768kHz晶振对于确保时钟的准确性与可靠性至关重要。YXC提供的32.768kHz晶振与YSN8563芯片高度匹配,配套方案能够确保RTC系统的精度和可靠性。     以下测试结果展示了RTC YSN8563搭配YXC 32.768kHz晶振实现的时钟频率稳定性。 测试条件: 1、RTC:YSN8563 · YXC外置晶振时钟芯片 2、晶振:YST310S · YXC 谐振器 · 标称频率:32.768kHz · 封装:3.2*1.5mm · 负载电容:12.5pF 3、外挂电容:15pF 测试结果: RTC时钟方案频率偏差为-3.8PPM,具备优异的频率稳定性。   (实测数据展示)     YSN8563与32.768kHz晶振组成的时钟方案,能够在低功耗条件下实现精准的时间控制,适用于物联网设备、可穿戴设备、工业自动化系统、汽车电子、远程监控系统、智能电表及医疗设备等各类应用场景。该方案有效提升系统的能效、准确性和安全性,促进相关行业技术进步与产业升级。

    RTC,实时时钟,32.768khz晶振,YSN8563

    扬兴科技 . 2025-02-19 6165

  • 纳祥科技NX4344N,国产I2S 24位 DAC,可PIN对PIN替代CS4344

    数模转换芯片DAC,即数字模拟转换器(DAC,Digital-to-Analog Converter),是一种能够将数字信号转换为模拟信号的电子芯片。本文主要从性能特性、芯片优势、应用领域等方面,对纳祥科技数模转换芯片NX4344N进行详细介绍。   NX4344N 是一款完整的 2 通道输出数模转换芯片,内含插值滤波器、Multi-Bit 数模转换器、输出模拟滤波器,并支持大部分的音频数据格式,最大支持24bit。NX4344N可以国产替代CS4344,PIN对PIN软硬件兼容。       ㈠ NX4344N主要特性     NX4344N可PIN对PIN软硬件兼容CS4344,主要特性如下——   多位delta sigma调试器 24位分辨率 自动检测采样率高达192千赫 105dB的动态信号范围 -90dB THD+N 低抖动时钟、线性滤波输出 单+3.3V或+5v供电 片上集成了数字去加重电路   ▲NX4344N功能框图     ㈡ NX4344N产品优势       作为一款192K双通道24位DA转换器,NX4344N专为高音质需求而准备,其产品具有低能耗、小封装、自动调节采样率、支持多规格数据格式4大核心优势。   01  低功耗 NX4344N采用单+ 3.3V或+ 5V供电,工作电流和待机电流消耗低,电源电流正常工作只需16mA,关机状态只消耗100uA。    02  小封装MSOP10 NX4344N采用小封装MSOP10,使得NX4344N在体积上小巧轻便,便于在便携式设备中集成和使用。   03  自动调节采样率 NX4344N 基于一个带线性模拟低通滤波器的四阶 Multi-BitΔ∑调制器,对时钟抖动的敏感度很低,且在带宽范围外具有极低的噪声。其可自动检测信号频率和主时钟频率,在 2KHz 和 200KHz 之间自动调节采样率。   04  支持多种规格数据格式 NX4344N 支持接受标准音频采样率的数据格式有:SSM 模式下的 48、44.1和 32kHz,DSM模式下的96、88.2和64kHz,QSM模式下的192、176.4和128kHz。音频数据经串行数据输入引脚 SDIN 输入。左/右时钟(LRCK)确定了数据通道,并且串行时钟(SCLK)将音频数据推入输入数据缓冲器。 ▲NX4344N管脚配置 ▲NX4344N芯片主图       ㈢ NX4344N应用领域     NX4344N含有数字去加重模块,可以在宽电压3.3v-5v下工作,并要求最小的电路支持,这些功能都让NX4344N广泛用于汽车音响、数字音频音响、音频接口、音频播放器、数字电视、DVD 播放解码器等等。   ▲NX4344N半成品图   ▲NX4344N成品示例图       综上所述,纳祥科技推出的NX4344N数模转换芯片凭借其卓越的性能、高保真度以及低成本国产替代的优势,为音频音响、解码器等领域带来了优质的解决方案。

    DAC

    深圳市纳祥科技有限公司公众号 . 2025-02-19 7015

  • 晶尊微MC802:打造炫酷触控发光方案,轻松点亮创意未来

    最近,科技圈出现这样一个好东西。它不仅能随时为手机、耳机等充电设备提供应急充电,还能瞬间变身露营灯、氛围灯、台灯,满足不同场景下的需求,为生活增添满满的仪式感。   没错,它就是特斯拉产品页面上显示缺货的多色氛围灯(Tesla Glow Lantern)。   让我们一起来看看这款会发电发光发热的“宝藏好物”到底有哪些奇妙之处吧!     触控调光工作原理   触摸灯顶部的感应区域来切换灯光模式。 可以使用晶尊微MC802帮助触摸灯类产品,轻松实现酷炫的灯光触控感应效果!   三种颜色模式: 暖白模式:柔和金光,温馨照耀; 露营模式:闪烁火光,灵动闪耀; 浪漫模式:红色柔光,情调环绕。     MC802实现的触控调光演示   单颗MC802即可实现产品的触摸调光调色,连广大厂家最头疼的大金属触摸调光也能轻松搞定!   芯片一致性好,稳定可靠,广泛应用于多种需要触控感应的调光产品上!     MC802 特性   MC802 带 2 个自校正容性触摸按键功能和 4 个 I/O 口的单片机,是以 EPROM 作为记忆体的 8 位微控制器,专为多 IO 产品的应用而设计。   应用场景   触摸按键:触摸开关、模式或档位的选择、LED灯的调光调色和无极调光 滑条滚轮:不同模式状态调节 防水触摸:卫浴产品、户外仪器 隔空感应:空调、起泡机、抽纸机 镜面触摸:卫浴化妆灯、橱柜灯、台灯 人体感应:智能马桶着座、美容仪、脱毛仪、剃须刀等个护类产品 ……   应用优势   单颗支持1~12按键的高性能触摸IC,工业级设计,应用场景广泛; 反应灵敏无误触发,超强抗干扰和稳定性,多用在普通触摸按键开关、大金属触摸及高灵敏度应用场合; 体积小,重量轻,电容式更容易实现集成化、智能化的触控感应功能,有助于提高产品的市场竞争力。 …… 总之,晶尊微触控感应方案具有高性能、高可靠性、适应性强、集成化和智能化等特点!因此,广泛用于工业控制、大小家电、消费电子、医疗设备、物联网等领域。   欢迎联系我们定制专属解决方案!     【END】  

    触摸芯片

    原创 . 2025-02-19 5985

  • 极海正式发布G32R5xx SDK软件开发工具包!

      极海正式发布G32R5xx SDK软件开发工具包,凭借高兼容性设计,可大幅简化实时控制MCU软件迁移工作量,帮助开发者快速上手,提高开发效率,缩短项目周期。   G32R501实时控制MCU 极海全新发布的G32R501实时控制MCU,采用Arm® Cortex®-M52双核架构,主频高达250MHz;支持Arm HeliumTM技术,显著增强DSP和ML应用性能;内置极海自研紫电数学指令扩展单元,可大幅缩短数学计算时间、降低CPU访问延时。G32R501在运算处理、信号采集、实时控制等维度实现全面的技术突破与创新,旨在从芯片端解决新能源光伏、新能源汽车、商业电源以及工业自动化等领域面临的实时控制设计挑战。    G32R5xx SDK 极海G32R5xx SDK,是专为开发者使用G32R501实时控制MCU而设计的一套完整软件开发工具包。它涵盖了从基础代码编写辅助到高级实时控制算法库,可助力工程师快速上手进行项目开发。 1. G32R5xx SDK目录  · boards:包含G32R5xx系列板卡的硬件设计原理图  · device_support:包含所有设备特定的支持文件(包括来自 Arm 的内核文件) 、位字段头和相应例程  · driverlib:包含特定设备的驱动程序库和基于驱动程序的外设示例  · examples:包含涉及多个设备/外设以展示不同应用程序的示例  · Kernel:包含RTOS支持  · libraries:包含特定设备和核心库, 供用户在开发过程中使用。这些库文件被分类存放在DSP 库、数学库、 Flash API 库等不同子目录中   · package:包含MDK芯片支持包  · utilities:包含开发工具应用程序,如 flash 编程器、IAR EW for Arm 下的芯片支持安装包和第三方软件等 2. G32R5xx SDK结构示意图 G32R5xx SDK 结构示意图 G32R501 EVAL评估板 G32R5xx SDK 例程均运行于G32R501评估板上。    G32R501评估板板上资源:   · 带供电的USB隔离接口,板载Geehy-Link调试器   · 可外接电源、JTAG/SWD、VREFHI   · 80引脚的ExpandPack接口   · 可编程LED×2、GPIO×24   · ADC: 24个引脚(可复用为AIO)   · QEP接口×2、QSPI接口×1、隔离式CAN收发器×1 G32R501 EVAL评估板板上资源示意图 开发环境 G32R5xx SDK的软硬件环境支持: 1.IDE   · Keil MDK-ARM V5.40或更高版本   · IAR EW for Arm 9.60.2或更高版本   · Eclipse(即将发布) 2.仿真器   · Geehy-Link(WinUSB)、DAP Link(固件版本为CMSIS-DAP V2及以上)   · ULINK Pro   · J-Link V12(J-Link V7.94g及以上) 3.芯片支持 在正式开发或打开SDK的Example之前,需要安装芯片支持包: 1)MDK环境需要安装:package\Geehy.G32R5xx_DFP.x.x.x.pack。    安装完成后,可在MDK芯片选型列表看到:    2)IAR环境需要安装:utilities\G32R5xx_AddOn\G32R5xx_AddOn_vx.x.x.exe。 使用管理员权限打开该文件,选择安装芯片支持的路径(IAR EW for Arm安装路径),例如:D:\iar\ewarm-9.60.2\ 安装完成后,可在芯片选型列表看到: 仿真调试指南 推荐仿真器工具   · Geehy-Link(WinUSB)、DAP Link(固件版本为CMSIS-DAP V2及以上)   · ULINK Pro 由于G32R501实时控制MCU芯片需要正确的DCS KEY才能进行Flash读取,需要在仿真阶段写入正确的KEY值。 1.MDK 复制一份标准的r501.ini(例程中均包含)至当前工程目录 1)在User选项卡添加keil_dbg_tool(需Python 3.11及以上环境)相关指令进行,如:..\..\..\..\..\..\..\..\utilities\keil_dbg_tool\keil_dbg_tool -r -a #L -d .\r501_dbg.ini 或替代方案,修改r501.ini文件中的Set_SP_PC_Setup函数:   Define unsigned int START_ADDR; START_ADDR = 0x08000000; FUNC void Set_SP_PC_Setup(void) {     SP= _RDWORD(START_ADDR);     PC= _RDWORD(START_ADDR+4);     xPSR |= (1 << 24); }   其中START_ADDR为启动地址。 2)Debug选项卡下添加仿真时的解密脚本:r501.ini,并选择正确的仿真器。 2.IAR 在Debugger -> Extra Options中添加相应的命令即可。 1)设置DCS KY(若是默认密钥,可忽略密钥配置。) --macro_param DCS_ZONE1_CSM0=0xFFFFFFFF --macro_param DCS_ZONE1_CSM1=0xFFFFFFDC --macro_param DCS_ZONE1_CSM2=0xFFFFFFFF --macro_param DCS_ZONE1_CSM3=0xFFFFFFFF --macro_param DCS_ZONE2_CSM0=0xFFFFFFFF --macro_param DCS_ZONE2_CSM1=0xFFFEDFFF --macro_param DCS_ZONE2_CSM2=0xFFFFFFFF --macro_param DCS_ZONE2_CSM3=0xFFFFFFFF 2)设置启动地址   --macro_param _SET_PC_BOOTADDR=0x08000000    3)开启CDE仿真支持:--cdecp=0     极海G32R5xx SDK获取渠道 通过链接,https://www.geehy.com/uploads/tool/G32R5xx_SDK_V1.0.0.zip 即可获取极海G32R5xx SDK! 

    极海

    Geehy极海半导体 . 2025-02-18 1 1480

  • 助力数据安全:SK220SMA的优势

    数据服务器24小时不间断运行,让我们可以随时随地进行通信,同时也确保我们所有基于电子设备的日常生活顺利、安全地进行——而这并不是我们能想到的全部。服务器的供电一旦中断,可能会造成巨大的损失,在最坏的情况下,甚至可能引发危机情况——比如紧急呼叫、医疗服务或空中交通管制。正因如此,服务器站总是配备有电池备用电源,其工作电压为24V或48V直流电。    电池管理和充电电路由5V甚至3.3V的低压电子设备控制,这是微控制器的典型供电电压。这些电源电压必须由较高的电池电平产生。由于电路在独立模式下工作而无需人为干预,因此不需要使用隔离开关拓扑结构。一个简单的降压(Buck)转换器可以高效率且可靠性完成这项工作。它由一个MOSFET和一个所谓的降压二极管组成,通常是一个肖特基二极管。选择它们是因为它们具有低正向压降和低开关损耗。    一般来说,直流电压和肖特基允许的反向电压之间的安全裕度应在直流电压的3到6倍之间。只有这样才能保证可靠的运行,确保潜在的电压尖峰保持远低于肖特基二极管的最大额定值。德欧泰克的SK220SMA是一种高压肖特基二极管,可提供200 V的反向电压和标称2A的正向电流。它采用小巧但功能强大的DO-214AC/SMA封装,尺寸仅为5 mm× 2.7mm。在25℃条件下,其正向压降在2A时小于950mA,反向漏电流在200V时低于50µA。这些特性使得该部件非常适合用作数据服务器电池备份系统中的降压二极管。 

    DIOTEC

    德欧泰克半导体 . 2025-02-18 895

  • Qorvo BAW滤波器解决方案如何提升Wi-Fi性能

    在当今的互联世界中,Wi-Fi接入点面临着拥挤的射频(RF)频谱和多频段复杂性的挑战。高性能滤波器,如Qorvo的BAW滤波器,能够有效减轻干扰,确保Wi-Fi 6/7的可靠性能,扩大覆盖范围,并促进相邻频段和自生成频段间的共存。 在连接日益紧密的世界中,对稳健可靠无线通信的需求呈指数级增长。Wi-Fi客户端设备(CPE)接入点在维持各种设备间无缝连接方面发挥着至关重要的作用。然而,由于Wi-Fi三频段射频(RF)频谱的密集占用以及多频段操作中的固有挑战,CPE接入点(AP)需要使用专门设计的滤波器。这些滤波器确保即使存在潜在干扰源,Wi-Fi信号仍能保持强劲和稳定。本文将探讨CPE AP对滤波器的关键需求,并深入分析由RF频谱、自生干扰,以及此类滤波器技术要求所带来的挑战。 图1,家庭中可能造成Wi-Fi AP拥塞和干扰的众多设备 如图2所示,三频段Wi-Fi 6和7实现了更高的带宽,缓解了拥堵并增强了性能,同时还带来更大的容量,为消费者提供了更宽广的数据通道;然而,这也增加了出现干扰的机率,从而可能导致各种应用性能的下降。 图2,三频段AP Wi-Fi频谱 在这些更先进的三频段AP应用中使用RF滤波器不仅能减轻信号干扰,还在扩大覆盖范围、增强频率性能和提高网络容量方面发挥着关键的作用。此外,它们还解决了工程师在开发适用于拥挤RF环境Wi-Fi路由器时面临的主要设计挑战。   多频段路由器中的自生干扰 尽管三频段能力(即2.4GHz、5GHz和6GHz)增强了网络的灵活性和性能,但也引入了一个重大挑战:自生干扰。每当多频段AP进行传输时,就会产生这种干扰。由于多频段发射器与接入点的接收器位于同一产品中,因此减轻跨频段干扰必须成为设计的主要考量。 图3,接入点设备及其可能发生自生干扰的多个区域 例如,如图3所示,当AP同时跨多个频段传输信号时,来自一个频段的强RF信号可能会干扰其它频段。这一点尤其成问题,因为Wi-Fi接收器对微弱信号的检测非常敏感,这使它们更容易受到来自外部信号源和AP内其它频段的干扰。这种现象会导致接收器“减敏”。   RF接收器减敏:一个关键问题 当系统中的多个无线电相互干扰时,就会产生设备内共存问题。这种干扰加上外部AP传输信号,会增加受影响接收器的噪声功率,降低信噪比,并导致接收器灵敏度降低,即“减敏”;从而造成无线连接掉线或中断。    虽然减敏问题由来已久,但如今对于智能手机、Wi-Fi接入点、物联网和蓝牙系统等设备来说,相关挑战尤为棘手。有两种有效的方法可以防止这种情况发生:提供足够的发射和接收信号隔离以及使用RF滤波器。在智能手机和客户端设备中,采用能够减轻减敏问题的共存滤波器十分常见,其在Wi-Fi AP中的使用也正变得越来越重要。    大多数RF链路天线设计在干扰信号和预期信号之间提供了20-30dB的隔离度,以减轻减敏。然而,为了保持良好的吞吐量,干扰信号不应超过-70至-90dBc;这意味着设计者需要在Wi-Fi前端额外获得40-60dB的隔离度。滤波器在实现这一目标中发挥着关键作用。    RF滤波器的技术要求 为确保Wi-Fi AP高效且可靠地运行,它必须配备满足特定技术标准的滤波器。一个合适的CPE AP滤波器应具备以下特性: 低插入损耗:插入损耗指的是信号通过滤波器时强度的减弱。低插入损耗对于发送和接收路径都十分关键。在发射端,最小化插入损耗可减少热量产生和功耗,这对于保持AP的效率举足轻重。在接收端,低插入损耗对于保持接收器灵敏度也起到决定性作用,直接影响着路由器的覆盖范围和性能。 陡峭的滤波器带缘:滤波器的带缘定义了滤波器在频域中的响应如何从低插入损耗快速过渡到高抑制。之所以期待获得更陡峭的滤波器带缘,是因为它们允许更好地与邻近频段共存,无论是在Wi-Fi频谱内还是外部频段中。这一特性在密集的RF环境中尤为重要,因为此时需要精确的滤波来防止干扰。 高抑制水平:抑制是指滤波器衰减无用信号并防止其干扰所需信号的能力。足够的抑制对于将接收器的减敏效应降至最低颇为必要,尤其是在存在带外干扰的情况下。具有高抑制水平的滤波器可确保Wi-Fi接收器即使在复杂的RF环境中也能保持灵敏度和可靠性。 小尺寸:除技术性能外,CPE AP中使用的滤波器还必须小巧且经济高效。由于AP设备变得更加紧凑,制造商努力降低成本,因此找到既满足这些标准又具备高性能的滤波器是一项重大挑战。 图4,典型的RF滤波器响应    Qorvo的同类最佳滤波器 Qorvo作为RF解决方案的领先提供商,已开发出能够出色满足现代CPE AP严苛要求的滤波器产品。Qorvo滤波器卓越性能的关键因素之一在于其采用了体声波(BAW)技术。BAW滤波器以其高品质因数(Q)而著称——这是衡量滤波器在插入损耗和带缘陡峭程度层面效率的一个指标。 图5,RF滤波器Q因数谐振器响应 Qorvo打造了紧凑且经济高效的滤波器,适用于所有Wi-Fi应用。图6展示了两个此类滤波器的放置位置。Qorvo的BAW滤波器具有业界最高的Q值,使它们能够实现低插入损耗、陡峭的滤波器带缘和高抑制水平。这些特性使它们成为CPE AP中的理想选择——在这些设备中,精确滤波是确保可靠和高性能Wi-Fi连接的首要条件。 图6,典型Wi-Fi频段AP方案中的RF滤波 Qorvo的滤波器旨在应对不同Wi-Fi频段、子频段,以及如蜂窝网络等外部系统之间日益严格的共存要求。为了支持这种共存并遵守限制带外发射的规定,Qorvo的滤波器可确保Wi-Fi AP在不损害相邻频段性能的情况下高效运行。   这种优势在通过更宽的Wi-Fi信道传输时尤为关键,例如6GHz频谱中常用的UNII-5频段320MHz信道。在此场景中,AP广播最低信道(信道31),覆盖范围从5945MHz到6265MHz;如下图7所示。在没有滤波器的情况下(如图中的浅蓝色轨迹所示),在320MHz波形的两边都会发生显著的频谱再生。这种再生表示噪声溢出到相邻频段(如5GHz频段的UNII-2c和UNII-3)中。此类噪声会造成5GHz接收器减敏,使其失效。 图7,使用分析仪显示有滤波器和无滤波器情况下的Wi-Fi信道31响应 引入图7所示的带通滤波器后,5GHz频段的噪声显著降低,信号变得更加清晰。该滤波器的高抑制特性,尤其是在320MHz波形左边带的表现,使得AP能够保持信号清晰度,并最大限度地减少对相邻Wi-Fi频段的干扰。如下图8所示,利用5GHz带通滤波器进行信道155传输时也会出现类似情况。当存在滤波器时,产生的噪声水平明显更低,从而确保了更强的信号完整性。 图8,使用分析仪显示有滤波器和无滤波器情况下的Wi-Fi信道155响应 然而,并非所有滤波器都适用于此类应用。要实现最小的插入损耗并确保陡峭的带缘(即低插入损耗到高抑制的过渡发生在较窄的频率范围内),必须使用具有非常高Q值的滤波器。这种陡峭的抑制特性不仅对防止干扰其它Wi-Fi频段至关重要,而且是遵守监管标准(如FCC规定的带外受限发射)的必要条件。   RF滤波器——未来CPE应用的关键组件 随着RF频谱日益拥挤,以及针对高性能Wi-Fi需求的持续增长,CPE路由器对有效滤波器的需求变得前所未有地迫切。这些滤波器在缓解外部和自生干扰方面发挥着不可或缺的作用,确保Wi-Fi信号保持强大、稳定和可靠。通过采用Qorvo等公司提供的高质量滤波器,CPE接入点可以实现最佳性能,即使在最具挑战性的RF环境中也能让用户获得无缝且不间断的连接。

    Qorvo

    Qorvo半导体 . 2025-02-18 430

  • 半导体设备大厂泛林在印度投资1000亿卢比

    近日,据外媒报道,美国半导体设备大厂泛林集团(Lam Research)将在印度卡纳塔克邦投资1000亿卢比(约合人民币84.12亿元)。    这一消息得到了印度电子与IT部长Ashwini Vaishnaw的证实。Ashwini Vaishnaw在社交平台中提到,“我们的半导体之旅又迎来一个里程碑:Lam Research宣布在印度投资超过1000亿卢比。这对莫迪总理的半导体愿景充满信心。”  外媒报道称,此次宣布的投资计划是泛林集团将其芯片制造设备供应链扩展到印度计划的一部分。外媒进一步报道指出,泛林集团已经与卡纳塔克邦政府签署了一份谅解备忘录,将租赁并最终购买班加罗尔怀特菲尔德的一块土地。    三驾马车驱动半导体产业发展 近年来,印度抢抓市场机遇,大力发展半导体产业。除塔塔电子、CGPower和Kaynes Technology等本土公司进一步加强投资之外,还吸引了来自美光、瑞萨电子、力积电、高塔半导体、应用材料、TEL等在内的众多国际大厂也奔赴当地投资。    不过,需要注意的是,在上述厂商的建厂计划中,除了应用材料之外,大多都集中在晶圆制造或是封装测试领域,例如,存储巨头美光科技耗资27.5亿美元在印度萨南德开建的工厂是芯片封装和测试工厂;力积电与塔塔集团合资建设一座晶圆厂,总投资9100亿卢比;高塔半导体则计划与印度阿达尼集团投资100亿美元在该邦建设晶圆厂;瑞萨电子计划与印度CG Power和泰国Stars Microelectronics共同建设封测工厂,总投资760亿卢比。    在半导体设备领域,印度亦有所准备,除了泛林集团外,还得到美国应用材料和日本TEL的助力。2023年6月,应用材料宣布,未来四年内,将在印度投资4亿美元建立一个新的工程中心;日本半导体设备大厂TEL则于2024年9月与塔塔电子签署了战略合作谅解备忘录,共同加速后者在印半导体工厂的设备基础设施建设。    其中应用材料新中心将位于该公司在印度班加罗尔的现有设施附近,可能支持超过20亿美元的计划投资;TEL则将为后者的印度首座晶圆厂和另一座在印后端OSAT厂提供设备基础设施建设支持,并计划在2026年左右在印度招聘和培训一支当地芯片工程师团队。    综合来看,泛林集团不是第一家,也不会是最后一家投资印度的半导体设备公司。而未来,印度有望进一步加强国际合作,积极参与全球半导体产业链,从而提升本土半导体产业的国际竞争力。    印度发展半导体,机遇与挑战并存 当前,印度将半导体产业视为经济战略的关键领域,并出台了多项政策支持半导体产业的发展,包括“半导体使命(India Semiconductor Mission, ISM)”计划、“芯片到初创企业(Chips to Startup,C2S)”计划等。    印度希望在未来五年内跻身全球五大半导体生产国之列,并计划到2030年实现5000亿美元的半导体本地制造规模,并跻身全球供应链核心地位。    印度是全球第二大手机市场,电子产品消费需求持续增长,对半导体芯片的需求量巨大。不过,目前印度芯片几乎完全依赖进口,本土制造能力薄弱,这也为半导体设备市场提供了巨大的增长空间。    与此同时,目前全球半导体供应链关系紧张,各国都在寻求供应链多元化发展,印度作为新兴市场,有望吸引更多半导体企业投资,从而带动对半导体设备的需求。    不过,作为半导体领域高占比、高投入、高技术壁垒的环节,印度要发展半导体设备依然面临产业基础薄弱、人才短缺等挑战。    正如印度蜂窝和电子协会主席Pankaj Mohindroo曾表示,国内公司的积极参与,向全球展现了印度半导体生态系统的活力与开放。不过他同时也指出,虽然已经为半导体制造奠定了基础,但这仅仅是个开始,未来还有很长的路要走。    当前,印度半导体设备产业正处于起步阶段,面对巨大的市场发展潜力,需要印度政府和企业的共同努力,抓住机遇并克服挑战,如此有望在全球市场上中占据一席之地。

    印度

    芯查查资讯 . 2025-02-17 6512

  • 北京中关村,半导体、AI等领域再投100亿

    2025年海淀区经济社会高质量发展大会上,中关村科学城释放重磅信号:科技成长三期基金携100亿规模强势登场,促使该基金总规模飙升至200亿。两份新政发布,多份项目签约,全方位助力海淀打造新质生产力发展高地。   中关村科学城科技成长基金总规模增至200亿 在近日举办的2025年海淀区经济社会高质量发展大会上,中关村科学城科技成长三期基金发布,规模达100亿元,由此该科技成长基金总规模增至200亿元。    据悉,中关村科学城科技成长三期基金将坚持投早、投小、投长期、投硬科技,并且适度向成长期和中后期进行一定的扩展,紧密围绕“1+X+1”现代化产业体系培育,实现基金对海淀产业赛道的全覆盖,重点包括但不限于AI、半导体、具身智能、新一代信息技术、商业航天等领域融资企业,围绕海淀打造“最具投资价值之城”。    回顾中关村科学城科技成长基金的发展历程,其成长脉络清晰可见。2019年,一期基金设立,总规模50亿元,为早期科技企业注入了关键的发展动力;2024年,二期基金设立,由 40亿元母基金和10亿元直投基金组成,聚焦医药健康、集成电路、商业航天等战略性新兴产业,进一步完善了区域创新创业发展环境。    在本次大会上,中关村科学城科技成长二期基金子基金签约仪式也备受瞩目。汉康资本、君联资本、九合创投、达晨财智、峰瑞资本等5家头部投资机构与海淀区政府共同开启合作。目前,科技成长二期基金已公示合作子基金11家,首批签约的5家投资机构前期累计已投海淀项目数近300个,投资金额超百亿元,此次合作将进一步助推双方共同发掘和投资高价值潜力企业,加速科技创新成果转化和落地应用。    两份新政促进AI、集成电路产业发展 海淀区在大会上发布了两份关于AI、集成电路等高科技产业的新政策支持。其中《中关村科学城加快建设具有全球影响力人工智能产业高地的若干措施》的发布,标志着超过10亿元的政策支持计划正式启动,旨在建设具有全球影响力的创新策源地和产业高地,打造世界级AI产业集群。    技术攻关方面,海淀区每年将投入最高3亿元,加快颠覆性技术创新布局。同时,每年安排算力补贴最高3亿元,数据奖励最高5000万元,支持人工智能高端数据标注基地建设,给予最高1亿元资金补贴等。    在集成电路产业支持方面,海淀区发布了《中关村科学城集成电路流片补贴申报指南》,为从事集成电路设计业务的企业提供多项目晶圆(MPW)或工程产品首轮流片(全掩膜)的补贴,单个企业补贴最高可达1500万。    早在2024年的9月,海淀就发布了《中关村科学城集成电路创芯引领行动计划(2024-2026年)》(以下简称“《行动计划》”),并为其集成电路设计园二期揭牌。    该《行动计划》明确了发展目标,到2026年底,海淀区集成电路产业发展质量明显提高,成为具有全球影响力的集成电路产业创新高地,形成2-3个引领带动效益显著的集成电路设计业集群;海淀区集成电路设计服务、测试等产业配套能力显著提升,全面建成涵盖人才服务、金融支持、应用创新、交流合作等多层次、可持续的集成电路企业全周期服务体系,为推动《行动计划》落地落实,海淀区从强化金融服务、保障集成电路创新平台建设、集成电路产业空间载体等方面推动海淀区集成电路产业创新发展。    项目签约与园区发布,勾勒未来发展蓝图 在此次大会上,AI、互联网、集成电路、具身智能等多个领域的11个重点项目签约,涉及企业包括中驰车福、华大集团北方总部等。    此外,海淀区还集中发布了18个重点科技产业园区,总建筑面积达368万平方米,其中包括中关村综保区(一期)创新研发主楼,总建筑面积12.1万平方米;中关村温泉科技二期,总建筑面积30.4万平方米,规划具身智能产业加速平台,集成电路协同创新平台,还有高品质配套服务供给;中关村东升科技园三期——东畔科创中心,总建筑面积25.4万平方米,聚焦新一代AI和未来产业等。    2024年,海淀区在经济社会发展方面取得了显著成就。地区生产总值实现12907.1亿元,增长6%,占北京市的比重达到了25.9%。目前,海淀区已形成以设计业为核心,涵盖封测、设备和材料研发的集成电路产业体系,聚集企业240余家,约占全市一半以上,拥有10家上市企业、3家独角兽企业、44家国家级专精特新“小巨人”企业,集成电路产业集聚优势显著,已形成“一区一带”协同创新发展格局。其代表性企业如中国电科、地平线、兆易创新、寒武纪、紫光同芯、中芯国际、北方华创等。    展望未来,海淀区将继续围绕发展新质生产力,布局产业链,加快构建“1+X+1”现代化产业体系,推动经济实现良性循环。海淀区将聚焦人工智能、集成电路设计等新兴产业发展,利用科技创新优势,把握未来产业发展机遇,进一步完善现代化产业体系。

    中关村

    芯查查资讯 . 2025-02-17 6441

  • MDD辰达半导体通过IATF 16949认证,以车规级品质赋能汽车电子新未来

    一、通过IATF 16949认证 近日,安徽辰达半导体有限公司与母公司深圳辰达半导体有限公司(以下合并简称“MDD辰达半导体”)共同接受了全球领先认证机构德国TÜV莱茵的IATF 16949:2016质量体系的审核,并获得德国TÜV莱茵认证机构颁发的认证证书!这标志着MDD在汽车行业质量管理领域迈上了新的台阶,为公司持续深耕汽车市场奠定了坚实基础!   二、IATF 16949认证:车规级赛道的“通行证”与“试金石”   IATF 16949是全球汽车行业公认的权威质量管理标准,其以ISO 9001为基础,结合汽车供应链的严苛需求,对产品全生命周期管理提出更高要求。该认证不仅要求企业具备零缺陷交付能力,更强调对供应链风险管控、持续改进机制及客户特殊需求的快速响应能力。对于半导体企业而言,通过该认证是进入全球主流汽车供应链的核心门槛。   MDD辰达半导体此次认证覆盖整流器件、小信号、保护器件、MOSFET等关键车规级分立器件的设计、生产及测试全流程。审核过程中,MDD辰达半导体在技术研发规范性、生产一致性管控、供应商管理及客户服务体系等方面的表现均获认证机构高度评价,充分彰显其“车规级品质”的硬实力。   三、深耕技术+严控质量,MDD打造国产半导体突围标杆   作为国家级高新技术企业,MDD辰达半导体始终聚焦半导体分立器件的自主创新与技术突破。公司依托深圳总部研发中心及安徽滁州先进制造基地,已构建覆盖消费电子、工业控制、新能源及汽车电子的多领域高品质分立器件产品矩阵,累计获授权专利近百项,产品性能对标国际一线品牌。此次通过IATF 16949认证,既是MDD辰达半导体长期坚持“质量先行”战略的成果,亦是对其车规级产品可靠性的权威背书。   “汽车半导体对器件的可靠性、耐久性要求远超消费电子,一颗芯片的失效可能导致整车安全隐患。”MDD品质负责人表示,我们以‘零缺陷’为目标,从设计源头导入IATF 16949等车规标准,搭建全流程数字化质量追溯系统,并投入可靠性实验室,确保产品在极端温度、振动、湿度等复杂工况下的稳定表现。     四、锚定汽车电动化浪潮,加速国产替代进程 随着新能源汽车渗透率快速提升及智能驾驶技术迭代,车用半导体需求呈现爆发式增长。据行业预测,2025年中国汽车半导体市场规模将突破1500亿元,其中功率器件占比超40%。然而,车规级芯片长期被欧美日企业垄断,国产化率不足10%。MDD通过IATF 16949认证,标志着国产半导体企业在高端车规市场迈出关键一步。 目前,MDD辰达半导体的已成功对接多家新能源车企的BMS(电池管理系统)、OBC(车载充电机)及智能座舱车规产品需求。公司计划未来三年将持续深耕汽车电子领域,同步扩建智能化产线,实现车规级器件年产能达亿颗。   未来,MDD辰达半导体将会继续为汽车行业提供更加优质、可靠的半导体分立器件解决方案。同时,MDD辰达半导体也将继续加强质量管理体系的建设和运行,推动汽车行业质量升级,为中国制造企业降本增效、实现工业变革与产业升级贡献力量。

    MDD辰达半导体 . 2025-02-17 2 1 6840

  • 晶尊微SC01B芯片:为养生壶带来精准液位提醒,从此告别液位焦虑

    在盘点年度爱用好物时,养生壶无疑会占据一席之地。它凭借功能强大、使用便捷等诸多优点深受人们喜爱,甚至有人夸张地形容它是“幸福感+10086”的小家电。而提到养生壶,大家尤为关心是防干烧功能,接下来我们就来详细了解一下这一重要特性。       养生壶的防干烧功能:壶内水位过低,自动断电不再加热,起到缺水保护安全的作用。晶尊微SC01B液位检测芯片,能够准确地感应到水壶内的液位变化,及时输出高低电平信号。     以上是养生壶的液位检测的内部电路板实拍图。SC01B液位检测芯片可以准确判断壶内水是否到达最低液位线,为养生壶的防干烧提供了一种简单而又有效的实现方式!   晶尊微SC01B液位检测芯片,按照工业级设计,有超强抗干扰能力。能够轻松实现纯净水、自来水、饮料、酱料、洗涤液配比溶液等宽范围溶液的检测,一致性好,稳定可靠!广泛应用于多种需要液位检测的产品上!       应用场景: 高低液位提醒:智能监测,及时提醒。例如,健康家电(养生壶、温奶器、加湿器等)、清洁电器(洗地机、扫地机器人)的缺水/满水提醒; 一定水位高度提醒:按照实际需要,自定义水位提醒,告别液位焦虑。   应用优势:  精度高达±1mm,超强抗干扰和稳定性,可满足大多数液位检测需求; 非接触式检测,可以隔着任何导电介质检测到容器的液位的变化;  水箱容器里粘稠物质,不会影响到检测结果,可靠性高;  体积小,安装方便,电容式更容易实现集成化、智能化的液位检测功能,有助于提高产品的市场竞争力; 工业级设计,应用场景广泛……   总之,晶尊微液位检测方案具有高精度、高可靠性、适应性强、集成化和智能化等特点!因此,广泛用于工业控制、大小家电、消费电子、医疗设备等领域。   欢迎联系我们定制专属解决方案!   【END】  

    液位检测芯片

    原创 . 2025-02-17 6645

  • 新品发布|高频低抖动晶体振荡器SG2016CBN/SG2520CBN正式发布

          随着数字媒体的快速发展,网络设备对于图像、音频的传输要求越来越高。为了更好的适配这一需求,爱普生正式发布高频率、低抖动晶体振荡器SG2016CBN和SG2520CBN系列。      SG2016CBN 和 SG2520CBN 采用爱普生新型低噪声整数N锁相环技术,支持从75MHz 到 170 MHz的高频率区间,最低全温频率容差仅为±15 x 10-6ppm,工作温度最高可达125℃,并且低抖动典型值仅为0.3 ps。 抖动值 Vcc 相位抖动* 1.8V 0.31ps 2.5V 0.3ps 3.3V 0.3ps               *偏移频率:12kHz to 20MHz   规格书   项目 符号 规格 条件/备注 供电电压 Vcc 1.80 V Typ 2.50 V Typ 3.30 V Typ   1.62 V to 1.98 V 2.25 V to 2.75 V 2.97 V to 3.63 V   输出频率范围 fo 75 MHz to 170 MHz   100 MHz,125 MHz,150 MHz,156.25 MHz 标准频率 储存温度 T_stg -55℃ to +125℃ 单独储存 工作温度 T_use H:-40℃ to +105℃   J:-40℃ to +125℃         频率容差       f_tol B:±15×10-6 T_use=-40℃ to +105℃ D:±25×10-6   T_use=-40℃ to +125℃ J:±50×10-6   T_use=-40℃ to +125℃      爱普生电子元器件一直秉承着“省,小,精”的设计理念,不断技术革新,推出适应市场发展的新产品,如果你有任何疑问,请通过爱普生电子元器件官网或者公众号联系我们。      

    爱普生电子元器件官方 . 2025-02-17 6445

  • RK3576有多强?实测三屏八摄像头轻松搞定-米尔

    RK3576参数确实很强 RK3576是瑞芯微电子股份有限公司推出的一款高性能AIoT处理器,这款芯片以其卓越的计算能力、多屏幕支持、强大的视频编解码能力和高效的协处理器而闻名。   CPU十分强悍 RK3576的主芯片计算能力十分突出,采用了八核大小核架构,包括四核Cortex-A72和四核Cortex-A53,主频分别高达2.2GHz和1.8GHz,这样的配置使得RK3576能够应对各种复杂计算任务,CPU算力高达58K DMIPS,外加6TOPS的NPU AI算力。   原生支持三屏益显 在多屏幕支持方面,RK3576支持三屏异显,最高支持4K@120fps + 2.5K@60fps+ 2k@60fps 组合分辨率的视频显示,能够提供清晰的视觉体验。同时配备多种图像处理算法,进一步提升了图像的清晰度和色彩表现。   多媒体能力爆表 频编解码能力是RK3576的又一亮点。这款芯片支持8K@30fps、4K@120fps的H.265/HEVC、VP9、AVS2、AV1等格式的视频解码,以及4K@60fps的H.264/AVC视频解码,能够流畅播放高分辨率、高码率的视频文件。同时,RK3576还支持4K@60fps的H.265/HEVC、H.264/AVC视频编码,方便用户进行视频的录制和编辑。   独立6TOPS算力 RK3576搭载了独立的6TOPS(Tera Operations Per Second,每秒万亿次操作)算力NPU,这一强大的算力基础使其能够处理复杂的神经网络运算。RK3576的NPU支持多种深度学习框架,如TensorFlow、PyTorch等,为开发者提供了灵活的选择和广泛的应用场景。同时,RK3576的NPU能够进行Transformer架构下超大规模参数模型的私有化部署,如Gemma-2B、LlaMa2-7B等大型语言模型,满足高端AI应用需求。     三屏8摄像头轻松搞定 米尔基于他们推出的MYD-LR3576开发板开发了一个3屏异显,8路摄像头输入的DEMO, 实测下来,RK3576轻松搞定了该任务。 MYD-LR3576开发板是基于RK3576设计的一款高性能开发板。它提供了丰富的接口资源,包括HDMI、DP、DSI、CSI等多种多媒体接口,USB 3.1/TYPE-C/DP1.4等高速接口,以及多个SAI音频接口、PCIe 2.1、SATA 3.1等接口。这些接口使得MYD-LR3576开发板能够灵活应用于各种场景。   米尔基于LINUX 系统开发的DEMO具体设计如下:   开发平台: 米尔MYD-LR3576开发板 配置使用2GB DDR和16GB EMMC进行部署   三屏异显: LVDS实现接10寸触摸屏:输出内容为是通过开启浏览器引擎访问米尔网页 MINI DP接27寸显示器:输出内容为8路摄像头捕捉图像预览 HDMI接15寸HDMI显示器:输出以基于QT开发的人机互动界面   八路摄像头: 通过米尔AHD转接板,每一路转接板将4路1080P AHD摄像头转换成MIPI信号。 本DEMO中,采用了MIPI CSI1和CS2,总计接了8路AHD摄像头。实现了8路摄像头的视频预览和采集。   性能分析: 运行以上全部应用,CPU占用34%,DDR占用50%,CPU仍有具体的利用空间赋能应用开发。 运行以上应用,在常温环境下,不加散热片状态,CPU读取温度约为65度。正面了高负载下的低功耗和低发热特性。     RK3576将为多屏多摄像头应用场景带来更高性价比的选择 RK3576的多屏多摄像头能力使其适用于多种应用场景,包括机器人、工程机械和高端显控系统。 机器人: 在机器人领域,RK3576的多屏显示和多摄像头输入能力使得机器人能够同时处理多个视觉任务,提高机器人的智能化水平。例如,迎宾机器人/养老机器人/快递机器人等可以通过多摄像头输入实现人脸识别和物体检测,同时通过多屏显示提供丰富的交互信息。米尔的MYD-LR3576开发板凭借其强大的计算能力和丰富的接口资源,非常适合用于机器人的原型开发和功能测试。 工程机械: 在工程机械领域,RK3576的多屏显示和多摄像头输入能力可以帮助工程机械实现远程监控和智能控制。通过多摄像头输入,工程机械可以实时采集工作现场的画面,并通过多屏显示提供清晰的监控画面,帮助操作人员更好地掌握工程进展。米尔的MYD-LR3576开发板以其高性能和稳定性,非常适合用于工程机械的智能控制系统开发。 高端显控系统: 在高端显控系统领域,RK3576的多屏显示能力使得系统能够同时支持多个高清显示屏幕,提供丰富的信息显示和交互界面。例如,在指挥中心或控制中心,高端显控系统需要同时显示多个监控画面和数据信息,RK3576的多屏显示能力能够满足这一需求。米尔的MYD-LR3576开发板凭借其强大的计算能力和丰富的接口资源,非常适合用于高端显控系统的开发和优化。   综上所述,RK3576以其卓越的计算能力、多屏幕支持、强大的视频编解码能力和高效的协处理器,在多屏多摄像头应用场景中表现出色。米尔的MYD-LR3576开发板凭借其丰富的接口资源和强大的性能,非常适合用于这类产品的开发,为机器人、工程机械和高端显控系统等领域的发展提供了有力支持。  

    RK3576

    米尔电子 . 2025-02-17 7610

  • 市场周讯 | 台积电再限中国大陆IC企业16/14nm产品;美国或将推迟发放芯片法案拨款;全球56%的人形机器人公司总部在中国

    | 政策速览 1.  台积电:台积电向中国IC芯片设计公司发出了正式通知,16/14nm工艺将严格限制使用。具体的措施是,从2025年1月31日起,如果客户的16/14nm及以下工艺的相关产品,不在BIS白名单中的“Approved OSAT”进行封装,而且台积电没有收到该封装厂的认证签署副本,这些产品将被暂停发货。   2. 合肥:2025年,合肥将持续提升集成电路、新型显示、人工智能等三大国家级战新产业集群能级,力争新能源汽车、光伏新能源、生物医药等跻身新的国家级产业集群。产业规模方面,合肥力争新能源汽车产业营收规模突破5000亿元、集成电路与新型显示产业集群突破4000亿元、先进光储产业集群突破2000亿元、智能家电(家居)产业规模稳定在千亿元以上。   3. 广东:广东省人民政府办公厅印发《关于推动制造业与生产性服务业深度融合发展的若干措施》,推动制造业与科技服务融合。围绕集成电路、低空经济、智能机器人、新材料等重点产业,推动制造企业与高校、科研院所等联合建设一批概念验证和中试验证平台。到2025年,建成30-50家省中试验证平台,到2027年,现代化中试验证平台体系基本建成,中试公共服务能力在国内处于领先水平。   4. 美国:特朗普对加墨征收25%关税,或致美国汽车平均成本飙升5790美元。   5. 美国:白宫正寻求就《美国芯片和科学法案》中的拨款重新磋商,并暗示将推迟部分即将发放的半导体拨款,评估和调整当前要求后,对部分协议进行重新磋商。 | 市场动态 6. JPR:主要得益于 AI PC 的热潮,2024 年第 4 季度全球客户端 CPU 市场强劲增长,连续两个季度实现扩张。2024 年第 4 季度全球客户端 CPU 同比增长 5%,服务器端 CPU 环比增长 6%,同比增长 5.5%,AMD 的市场份额下滑至 25.2%。   7. IDC:2024 中国平板电脑市场出货量为 2985 万台,同比增长 4.3%。华为市占率32.3%,登顶年度第一。   8. 摩根士丹利:中国在人形机器人发展方面处于领先地位,全球 56% 的人形机器人相关公司总部位于中国。在全球人形机器人产业链中,中国所占份额更是达到 63%。而在“身体”类别,中国从事集成的企业占比达 45%。   9. 韩国:韩国十大制造业企业今年投资规模将同比增加7%,为119万亿韩元(约合人民币5990亿元)。具体来看,半导体行业将以尖端存储芯片为中心加大投资力度,迎合全球稳步增加的人工智能(AI)设备需求。汽车行业将加大对电动化转型的投资力度。但受电动汽车需求停滞、全球供应过剩等因素影响,二次电池和钢铁行业的投资恐将减少。   10. 分析师:汽车制造商目前正在调整库存,以适应不断变化的需求和趋势。汽车制造商累积了大量库存,以预期后疫情时代的持续需求。然而,销售在过去三到四个季度有所下降,全球汽车业半导体芯片已供应过剩。   11. TechInsights:过去两年中,中国一直是晶圆制造设备的最大买家,购买价值410亿美元的工具,占2024年全球销售额的40%。今年,中国支出预计将降至380亿美元,同比下降6%,其在全球采购中的份额将降至20%,这是自2021年以来的首次下降。   | 上游厂商动态  12. NXP:NXP将在现有中国业务布局基础上,进一步整合中国区销售与市场、技术支持、质量管理、运营与供应链、以及全球新能源及驱动系统产品线,组成垂直的业务单元——“中国事业部”。同时,还将在中国设立MCU创新中心 (MCU Hub)。   13. NXP:将以 3.07 亿美元现金收购美国边缘 AI 芯片初创公司 Kinara。   14. 英特尔:有分析师推测,英特尔可能正在转向与台积电进行更紧密的合作,以使其陷入困境的制造部门起步。   15. 中芯国际:2024年公司销售收入为80.3亿美元,同比增长27%,毛利率为18%。2024年公司资本开支为73.3亿美元,年底折合8英寸标准逻辑月产能为94.8万片,出货总量超过800万片,年平均产能利用率为85.6%。   16. 安森美:安森美公布其2024年第四季度及全年业绩,其中四季度营收为 17.3 亿美元,同比下降 14.6%,全年营收70.8亿美元,同比下降14%。   17. 华虹半导体:2024年销售收入为20.04亿美元,同比下降12.3%;归母净利润为5810万美元,上一年度为2.8亿美元。年度毛利率为10.2%。   18. 日月光:对 AI 芯片强劲需求带动公司封装领域业绩,预计今年业务规模达 16 亿美元。今年Q1,封测及材料业务营收较 2024 年第四季度将出现约 5% 的季减,封测毛利率预计会小幅下降约 1 个百分点,电子代工服务(EMS)业务的业绩预计会出现小幅的年减。   19. Nearfield:淡马锡支持的荷兰芯片设备制造商Nearfield Instruments首席执行官Hamed Sadeghian表示,该公司计划最迟2028年上市,并计划在美国开设办事处。   20. 三星:有消息传出由于4nm订单暴增,三星电子芯片代工事业部已解除生产设备关机措施,并计划最快于2025年6月,将平泽园区产线稼动率提升至最高水准。   21. SK海力士:三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。据业内人士透露,为了应对供应过剩的问题,三星电子和SK海力士从去年年底开始将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺。   22. 台积电:1月21日,台湾地区经历一次里氏6.4级地震,随后农历新年假期期间发生了几次显著的余震。由于地震和余震,2025年第一季度的收入预测现在预计更接近250亿美元至258亿美元指导区间的低端。根据初步评估,公司估计相关的地震损失约为53亿新台币,扣除保险索赔后,将在2025年第一季度确认。尽管如此,公司维持第一季度毛利率为57%至59%,营业利润率预计在46.5%至48.5%之间,全年展望没有变化。   23. Arm:Arm 最早将于今年夏天推出其首款自研芯片。这将是一颗数据中心 CPU,由台积电或其它专业晶圆厂代工,首批客户将包括 Meta。   24. 应用材料:截至4月的财年第二财季销售额约为71亿美元,去年第四季度,中国占公司销售额的31%,低于一年前的45%。此外,拜登政府最后几个月实施的出口规则将使应用材料2025财年的收入减少约4亿美元。   25. 通富微电:公司已完成收购京元电子持有的京隆科技26%股权,交易金额为13.78亿元,本次交易资金来源为自筹资金。京隆科技于2002年9月30日成立,是全球半导体最大专业测试公司京元电子在中国大陆地区的唯一测试子公司。   26. TE:将以约 23 亿美元现金收购公用事业电网产品制造商Richards Manufacturing Co,以期加强其在电力公用事业市场的地位,从而利用电力需求激增的机会。   | 应用端动态 27. OpenAI:OpenAI准备于2025年上半年将自研AI芯片设计交由台积电进行制造,OpenAI始终将自研芯片视为与芯片供应商谈判的筹码。   28. 阿里云:阿里云宣布在泰国第二座数据中心正式启用。本次新增的数据中心,将为泰国本地企业、中国出海公司及当地开发者提供更强大的云计算资源。   29. 日系车企:日产汽车株式会社、本田技研工业株式会社和三菱汽车株式会社今日早些时候宣布,决定终止原本计划三方合作的谅解备忘录(MOU)。   30. Meta:正在考虑收购韩国人工智能(AI)半导体初创公司FuriosaAI。FuriosaAI于2017年创立,于2021年推出第一代AI芯片Warboy,并于2024年8月推出下一代产品Renegade。尽管与H100相比性能略低,但Renegade以较低的功耗和成本而闻名。   31. 保时捷:保时捷将在2家德国工厂1900人,使员工人数减少15%,这将应对电动汽车需求疲软和“具有挑战性的地缘政治和经济环境”。   32. 百度:文心一言将于 4 月 1 日零时起,全面免费,所有 PC 端和 App 端用户均可体验文心系列最新模型;同时,还将上线深度搜索功能,同样免费使用。

    半导体

    芯查查资讯 . 2025-02-17 2 2 3160

  • DeepSeek时代的终极硬件?忆阻器存算一体技术深度解析!

    AI领域正在经历一场颠覆性的变革!DeepSeek,一款近期火爆全球的开源AI大模型,正与GPT-4、Sora等模型一起,掀起一场前所未有的算力竞赛。随着AI训练规模的指数级增长,计算资源的短缺已经成为无法忽视的问题——算力不足,功耗爆表,传统芯片难以支撑未来AI需求!   当前主流的冯·诺依曼架构已无法跟上AI发展的步伐,存储与计算分离导致数据搬移成为巨大瓶颈。这不仅拖慢了计算速度,还消耗了大量能量。如何突破这一困境?存算一体技术成为破局关键! 清华大学此前发布的全球首颗忆阻器存算一体芯片,这一创新技术让AI计算直接在存储单元内完成,大幅降低数据搬移的功耗和时间开销,真正实现计算与存储合二为一。   忆阻器:从理论设想到AI计算革命的中坚力量 忆阻器(Memristor),这个概念最早可以追溯到 1971 年,当时加州大学伯克利分校的蔡少棠教授在理论上提出了它的存在。然而,这个“电子世界的遗珠”一度被遗忘,直到 2008 年 HP 实验室的科学家们首次成功制备出忆阻器,人们才意识到,它可能会成为改变计算格局的关键。 忆阻器的魅力在于,它不仅是一个存储单元,同时还能进行计算!想象一下,如果你的硬盘不仅能存储数据,还能直接进行深度学习计算,那么 AI 训练的速度将大幅提升。忆阻器的这一特性,使其成为存算一体架构的核心组件。   忆阻器的核心特性 ●  非易失性存储:即使断电,数据仍然得以保留。 ●  高并行计算能力:大规模忆阻器阵列可以同时存储和处理数据。 ●  超低功耗:相比传统存储器,忆阻器计算能耗更低,特别适合AI计算。   在AI计算领域,忆阻器的优势尤为显著。它能够模拟神经网络中的突触行为,使得类脑计算(Neuromorphic Computing)成为可能。 这意味着,未来的AI计算不再依赖庞大的GPU阵列,而是能够用更加高效、低功耗的方式进行智能学习。   忆阻器的核心特性 可靠性与一致性问题 忆阻器的开关特性和数据存储能力可能受到制造工艺的影响,导致器件的性能不稳定。在AI计算过程中,即使是微小的误差,也可能导致推理精度下降,这对忆阻器的可靠性提出了更高的要求。   存储密度与集成度 当前AI计算任务需要极高的存储密度。如何让忆阻器适应高密度存储需求,并与先进CMOS工艺兼容?业界正在探索HBM(高带宽存储)堆叠技术,将多个忆阻器阵列垂直集成,提高存算一体芯片的计算能力。   低功耗与高计算吞吐量 相比传统存储架构,忆阻器存算一体的计算方式降低了数据搬移的功耗。然而,如何提升计算吞吐量,使其真正适用于AI训练任务,是当前研究的重点之一。   忆阻器的测试测量挑战:精确测量是产业化的关键 如果忆阻器要真正进入AI计算的核心,精准测试是绕不开的环节。忆阻器测试涉及多个方面: 器件级测试 器件级测试主要关注单个忆阻器的基础性能,包括: ●  直流(DC)扫描测试:测量忆阻器的 I-V 特性,确保其开关状态的稳定性。 ●  脉冲(AC)测试:研究忆阻器在 AI 计算中的突触可塑性,模拟人脑神经元的工作方式。 ●  耐久性测试:研究忆阻器在反复读写后的性能衰减情况。   2. 阵列级测试 当忆阻器应用于存算一体芯片时,需要进行阵列级测试,以验证其在大规模协同计算中的表现。测试内容包括: ●  存算一体芯片的计算精度测试,确保大规模忆阻器阵列在AI任务中的计算误差可控。 ●  端到端AI推理性能测试,直接运行神经网络算法,并对计算结果进行评估。 ●  数据保持特性,评估忆阻器在长时间存储时的稳定性。   3. 现实环境模拟测试 为了确保忆阻器可以应用于实际场景,需要进行多种环境因素的模拟测试: ●  温度可靠性测试,研究忆阻器在不同温度范围(如 -40℃ 至 125℃)下的稳定性。 ●  湿度影响测试,确保忆阻器在高湿度环境下不会发生数据丢失。 ●  辐射耐受性测试,评估忆阻器在航天、医疗等特殊环境中的适用性。   Tektronix:助力忆阻器产业化的测试方案 作为全球领先的测试测量设备提供商,Tektronix提供全面的忆阻器测试解决方案,帮助研究人员和企业加速忆阻器技术的商业化。 4200A-SCS半导体参数分析仪 ●  高精度源测单元(SMU):支持 DC、低频 AC 测试,确保忆阻器的电学性能。 ●  纳秒级脉冲测量(PMU):精准测试忆阻器在 AI 计算中的动态表现。 2. 矩阵开关测试方案 Keithley 3706系列矩阵开关,适用于大规模忆阻器阵列测试,低漏电特性确保精准测量。   3. 自动化测试与数据分析 Tektronix TMAS平台,支持Python可编程测试,提供自动化数据采集和分析。 忆阻器存算一体架构正在快速发展,预计在未来5-10年内将进入商业化应用。随着AI大模型计算需求的持续增长,忆阻器将在高密度存储、低功耗计算方面发挥越来越重要的作用。Tektronix将继续推动忆阻器测试技术的发展,为存算一体计算架构的未来提供最前沿的测量方案。

    忆阻器

    泰克科技 . 2025-02-17 1495

  • 探索制造无限可能,贸泽电子将首秀SPS广州国际智能制造展

    2025年2月17日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于2月25-27首次亮相2025 SPS广州国际智能制造展(展位号:4.1号馆 F13号展位)。届时,贸泽电子将携手Analog Devices, Amphenol, 英飞凌,Molex, Silicon Labs, TE Connectivity, VICOR等国际知名厂商,分享有关工业5.0、工厂自动化、工业自动化、机器人、智能边缘技术、柔性生产线和智能制造等领域的创新和洞见。   贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示:“随着智能制造领域的蓬勃发展,以大数据、云计算、人工智能等先进技术为驱动,不断加速推动传统制造业向智能化、高效化转型。此次SPS广州国际智能制造展汇聚了传感技术、驱动和控制、工业机器人、智能装备等智能制造领域的诸多技术,为行业提供了良好的交流合作平台。展会期间,贸泽电子将带您了解工业自动化领域的最新产品和技术资源,欢迎各位业界同仁前来贸泽展位,和我们共探未来制造的无限可能。”    随着技术的突破与应用场景的持续拓展,未来智能制造将与更多技术领域相融合,构建起智能和协同的制造生态体系。贸泽电子作为全球半导体和电子元器件代理商,持续扩充工业自动化产品阵容和资源中心,帮助客户奠定工业5.0发展的基础,为电子设计工程师和买家提供潮流产品和资源来应对复杂的现代工业应用。   展会现场,贸泽还准备了丰富的互动体验专区,欢迎现场观众前来贸泽展台尽情体验,在欢快的互动交流中和贸泽一起推动智能制造行业持续发展。

    自动化

    贸泽电子 . 2025-02-17 955

  • 毫米波雷达 | 有哪些热门毫米波雷达芯片和解决方案?

    重点内容速览: 1.  毫米波雷达的硬件构成 2. 恩智浦:汽车 毫米波雷达的主要供应商 3. TI:已经推出3代毫米波雷达传感器  4. 英飞凌:在4D成像毫米波雷达领域落后于恩智浦和TI 5. 加特兰:专注于CMOS工艺的国产毫米波雷达芯片企业 6. 矽杰微:物联网毫米波雷达传感器的重要玩家 毫米波雷达的工作原理是雷达通过发射电磁波,以及接收目标反射的电磁波,来实现目标的检测,其探测原理类似蝙蝠或者海豚,只是毫米波雷达发射的是电磁波,而蝙蝠和海豚发出的是超声波。从工作频段来看,目前我国的毫米波雷达有5个使用频段,分别是:24GHz~24.25GHz(仍可继续使用)、24.25GHz~26.65GHz(不再受理和审批新的设备,原设备用到报废为止)、59GHz~64GHz(无变动,居家、工业应用较多)、76GHz~79GHz(用于新的汽车毫米波雷达设备)。   毫米波雷达有两种工作方式,即脉冲方式和连续波方式,其中连续波又分为频移键控(FSK)、相移键控(PSK)、单频连续波(CW)和调频连续波(FMCW)四种。目前,连续波工作方式中的FMCW是主流方案,该方案不仅能同时测出多个目标的距离和速度信息,还可对目标进行连续跟踪,而且发射功率和成本较低。   前面几篇关于《毫米波雷达》的文章中,我们谈到了初创企业的融资情况,主要的应用领域,本文主要介绍毫米波雷达的主要结构,以及芯片供应商都有谁,他们有哪些比较典型和热门的芯片产品和解决方案。   毫米波雷达的硬件构成 从硬件方面来看,毫米波雷达系统主要由天线、雷达前端收发模块、数字信号处理单元,以及各种接口模块组成。其中雷达前端收发模块的功能是进行毫米波信号的调制、发射与接收,硬件包括天线阵列、射频前端、中频电路、模数转换器等;数字信号处理单元的功能是进行信号处理与数据处理,包括DSP、MCU或者FPGA等;接口模块负责数据通信及与其他系统的集成。 图:毫米波雷达的主要硬件构成(来源:Prof.Marcus Gardill webinar) 最初,毫米波雷达的射频链路是由分立器件搭建的,难度很大,只有博世、大陆等技术能力比较强的少数几个公司可以完成产品研发与量产,而且价格也比较昂贵。但随着半导体集成技术的发展,开始出现越来越多的集成芯片,比如MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit,单片微波集成电路)的出现,将射频前端的分立器件集成在了一块芯片上,迅速降低了设计门槛和成本。再加上MMIC制造工艺从最初的砷化镓(GaAs)工艺,发展到锗硅(SiGe)工艺,再过渡到CMOS工艺与FD-SOI工艺,推动了制造成本的持续降低。而且,随着技术的发展,已经有部分厂商将后面的数字信号处理单元也集成到了MMIC芯片当中,做成了单芯片。   如今,主流的MMIC芯片供应商有恩智浦、英飞凌、ST、TI、Arbe、Uhnder、ADI、索喜等,国内供应商有加特兰、矽杰微、清能华波、牧野微、矽典微、岸达科技、厦门意行、毫感科技、圭步微等。其中,恩智浦、英飞凌、TI与ST占据了大部分的市场份额。   数字处理单元所用到的DSP、MCU、以及FPGA等产品供应商,全球来看有TI、英飞凌、恩智浦、意法半导体、ADI、瑞萨、AMD、Altera等,国内有中电科14所、中电科38所、湖南进芯电子、北京中星微电子、兆易创新、安路科技、紫光同创、复旦微电子、高云等。接下来是芯查查总结的毫米波雷达主流厂商的芯片产品及解决方案介绍。   恩智浦:汽车毫米波雷达的主要供应商 恩智浦很早就布局了毫米波雷达技术,尤其是在汽车ADAS和自动驾驶应用中表现突出。恩智浦在飞思卡尔时代就与大陆集团有长期的合作,为大陆集团的毫米波雷达系统ARS300和ARS400系列提供基于SiGe工艺的MMIC芯片和雷达MCU产品。据悉,当时双方约定,恩智浦提供给大陆集团的MMIC产品是不能对中国销售的。比如基于SiGe工艺的MMIC产品MR2001和MR3003系列就是此类产品。   到了2018年,恩智浦开始推出基于40nm的CMOS工艺MMIC产品TEF810x系列,并开始向中国销售。其中TEF810x系列包含7个型号,包括低端的1发3收、中端的2发4收,以及高端的3发4收。该系列MMIC是一款单芯片、低功耗汽车FMCW雷达收发器,适合短距、中距和长距雷达应用,涵盖76~81GHz的整个汽车毫米波雷达频带。完全集成的3个发射器、4个接收器、ADC,以及一个低相位噪声压控振荡器(VCO)。TEF810x还内置了功能安全监视器,并提供MIPI-CSI2和LVDS外部接口功能,符合ISO26262 ASIL-B标准。 图:恩智浦TEF810x系列产品主要特性(来源:恩智浦) 2020年,恩智浦推出了其第二代RFCMOS MMIC产品TEF82xx系列。TEF82xx 是一款完全集成的RFCMOS 76-81GHz汽车雷达收发器。它通过支持各种关键安全应用来实现360°感测,包括自动紧急制动、自适应巡航控制、盲点监控、横向交通告警和自动泊车。 图:TEF82xx系列重要特性(来源:恩智浦) 与TEF810x不同的是,TEF82xx集成了相位旋转器,输出功率更大,ADC采样率更高。 图:TEF82xx系列主要应用框图(来源:恩智浦) 2023年1月,恩智浦推出了集成度更高的单芯片SoC产品SAF85xx,该系列SoC采用了28nm RFCMOS工艺,它将雷达收发器与基于Arm Cortex-A53、Arm Cortex-M7内核和SRAM的雷达微处理器单元(MPU)集成在一起。此外,它还包含包含4个发射器、4个接收器、ADC转换功能、相位旋转器、低相位噪声VCO、SPT雷达加速器、BBE32矢量DSP等,可支持各种使用情况和不同的雷达数据输出,如目标数据、点云数据或FFT输出。SAF85xx是面向ASIL B级符合ISO 26262标准的器件,旨在通过其HSE安全引擎满足最新的SHE+、EVITA Full安全要求。 图:恩智浦SAF85xx的主要应用(来源:恩智浦) 随后还推出了SAF85xx的裁剪版SAF86xx,同样是基于28nm RFCMOS工艺,主要用于卫星雷达系统。 图:恩智浦单芯片SoC产品规划(来源:恩智浦) 随着除了MMIC芯片,在雷达处理器芯片方面,恩智浦也入局较早。在2018年时,恩智浦推出了基于Power架构的S32R274系列雷达处理器芯片。2019年推出了更新的S32R294系列,仍然采用的是Power架构,采用了16nm工艺。到2020年在推出TEF82xx系列收发器的同时也推出了S32R45雷达处理器。S32R45是基于Arm Cortex-A53和Arm Cortex-M7内核的32位汽车雷达微处理器单元(MPU)。专注于提供先进的高分辨率远程前雷达或后雷达传感器,提供成像雷达分辨率功能。高性能雷达处理能力和能效通过适用于批量采用的专用处理器支持最新的ADAS雷达应用,同时还涵盖了需要专用高性能雷达处理的工业和消费类应用。 图:Zendar在CES 2025上展示的Semantic radar AI解决方案(来源:恩智浦) 在解决方案方面,恩智浦的合作伙伴大陆集团、华域汽车、隼眼科技等都有相关的4D毫米波雷达解决方案和产品提供。值得一提的是,在今年的CES展会上,恩智浦携手合作伙伴Zendar展示了AI在毫米波雷达上的应用。Zendar在基于恩智浦的S32R雷达处理器平台和RFCMOS SAF85xx单芯片SoC的分布式孔径雷达(DAR)方案上演示了其Semantic radar AI,这是Zendar使用基于雷达数据训练的AI模型,使用该AI模型后,即使人和物体处于静止状态,也能准确地感知,这项技术能够在全天各种天气条件下更精确地了解场景。   TI:已经推出3代毫米波雷达传感器产品 TI在毫米波雷达领域有广泛的产品和解决方案,涵盖了工业、汽车和消费电子等多个应用场景。其产品主要分为两大类,即工业毫米波雷达和汽车毫米波雷达。据其官网信息,TI总共有30个(工业和汽车各15个)毫米波雷达传感器产品系列在售,包括其最近在CES2025上发布的IWRL6844工业毫米波雷达传感器,AWRL6844和AWR2944P汽车毫米波雷达传感器这三款预发布的产品。 图:TI推出的IWRL6844产品系列简介(来源:芯查查) 据TI官方介绍,TI的AWRL6844毫米波雷达传感器采用的是4个发射器和4个接收器设计,通过将边缘AI算法集成到单一芯片中,提供更高的检测精度,可以用于座椅安全带提醒、车内儿童检测和入侵检测等功能。这些功能的实现不仅确保车辆内乘客的安全,也为未来的智能驾驶打下了基础。 图:TI毫米波雷达传感器产品(来源:TI)  其实TI第一代毫米波雷达传感器包括了AWR1243、AWR1443、AWR1642、AWR1843、AWR1843AOP,其中AWR1243属于射频前端产品,其余的为单芯片雷达传感器产品,且为3/2发射器与4接收器;第二代产品有AWR2243、AWR2943/4,开始改为3/4发射器与4接收器设计了;到了最新的第三代产品AWRL6844和AWR2944都改为了4发射器与4接收器设计。 值得一提的是,AWR2544 是业界首款用于卫星雷达架构的芯片,也是业界首款采用封装上装载(Launch On Package,简称LoP)技术的产品,可通过PCB内部的波导设计,实现MMIC与3D天线之间的直接信号传输,可极大提升电磁信号的传输效率。在车载毫米波雷达市场中,LoP技术开始成为众人瞩目的焦点,其与先进3D波导天线的结合,更是为距离和物体检测带来了前所未有的性能提升。   解决方案方面,TI提供了毫米波雷达软件开发套件,支持评估和开发毫米波传感器应用,包括构建块、演示和示例,而且TI还与多家公司合作,提供即用型模块、完整端到端硬件和软件解决方案。   英飞凌:在4D毫米波雷达领域落后于恩智浦和TI  英飞凌与博世合作比较紧密,长期为博世定制毫米波雷达芯片。2009年,该公司就推出了全球首款基于SiGe工艺的77GHz车用毫米波雷达芯片。不过,英飞凌在4D成像毫米波雷达领域布局缓慢,落后于恩智浦和TI。   在2017年,英飞凌推出了RTN7735PL,采用3发射器和4接收器架构;2020年,推出RXS816x,仍是3发射器和4接收器架构,但可以支持4D雷达级联;2022年11月推出CTRX8191收发器,采用了4发射器和4接收器架构,也是英飞凌首款采用28nm CMOS工艺的MMIC产品,此前,英飞凌所有的MMIC产品都是采用130nm SiGe工艺制造的。 图:英飞凌的TC4X产品(来源:英飞凌) 在毫米波雷达专用MCU上,英飞凌主要有TC3X和TC4x,后者相比前者升级了信号处理单元SPU,增加了可以运行机器学习算法的并行计算单元PPU。TC3x 系列中可以用作毫米波雷达专用处理器的是TC336、TC356/357、TC397,性能最强的TC397可以支持3/5片RXS8162级联。而TC4x系列基于台积电28nm,首批样品已于2023年底提供给客户,不过实际量产估计要到今年了。其信号处理单元从上一代的SPU2.0升级为了SPU3.0,使得FFT等信号处理运算延迟大幅减少;增加了并行计算单元 PPU,可以运行机器学习算法。   加特兰:专注于CMOS工艺的国产毫米波雷达芯片企业  加特兰成立于2014年,2017年成功量产了全球首个汽车级CMOS工艺77/79GHz毫米波雷达射频前端芯片,率先实现了在汽车前装市场的突破。2019,加特兰还推出了集成雷达基带处理的SoC芯片,以及AiP(Antenna-in-Package)技术,通过在芯片封装内部集成天线阵列,减少用户天线设计和高频板材投入,并大幅缩短模块研发和生产周期。   图:加特兰的AiP毫米波雷达芯片优势(来源:加特兰) 在2024年6月的“2024加特兰日”上,加特兰透露其产品已经进入了20余家车企,实现了200款车型搭载。并推出了多个全新毫米波雷达芯片平台、技术和方案,包括Andes SoC芯片的两片级联参考设计方案、Kunlun车规级毫米波雷达SoC平台,以及毫米波封装技术ROP。   Andes SoC芯片将毫米波雷达的4发4收射频芯片和计算芯片融合成一颗SoC芯片,并支持Chip-to-Chip灵活级联,帮助下游雷达厂商通过选择不同数量的SoC进行级联,快速打造出具备不同性能的成像雷达产品,从而降低物料成本并简化开发流程。Andes两片级联参考方案,不仅比现有4D成像雷达方案拥有更好的射频和计算性能,并且在性能、成本和尺寸三大指标上也更平衡。    Kunlun平台的SoC均采用射频和计算模块集成化设计,其射频模块拥有高达6发6收的通道数量,远超常见的2发3收和2发4收毫米波雷达射频芯片。计算模块包括高性能双核CPU、1.8MiB片上存储空间,以及RSP雷达信号处理器。同时,其还拥有13mm x 16mm的微小封装体积和超低功耗优势,可为各类新兴应用提供精度更高、稳定性更强的空间感知能力。    ROP封装技术通过辐射体(Radiator)将信号直接传输到波导天线系统中,不仅解决了传统标准封装技术中的天线馈线损耗较大的问题,而且相较AiP技术,还拥有更高的通道隔离度,可让雷达实现更远的探测距离和更宽的FOV。ROP封装技术将应用到Alps-Pro和Andes系列产品中。   矽杰微:物联网毫米波雷达传感器的重要玩家  矽杰微的前身是上海微技术工业研究院的RFIC部门,于2016年获得专业基金公司投资后,独立运营,并于2019年被评为国家高新技术企业。该公司2017年开发出国内第一颗具有自主知识产权的高集成度24GHz雷达SoC,目前已经拥有一系列的24GHz、60GHz和77GHz的毫米波雷达芯片,应用领域覆盖汽车、物联网及工业领域。 图:矽杰微芯片产品(来源:矽杰微) 中电港的萤火工场基于矽杰微设计了一系列的物联网毫米波雷达解决方案,包括CEM5826-M11、CEM5881-M11、CEM5861L、CEM5861G-M11、CEM5825F、CEM5855H、CEM5831E-M12、CEM5819等。   图:中电港萤火工场设计的毫米波雷达感应模块功能对比(来源:中电港) 除了前面提到比较多的汽车应用,毫米波雷达其实在智能家居领域也应用颇广,比如智能马桶、智能冰箱、电饭煲、智能台灯、电热水器等产品。中电港萤火工场针对这些物联网场景提供了一系列的毫米波雷达解决方案,感兴趣的伙伴可以联系中电港萤火工场获取。 图:中电港萤火工场设计的CEM5819毫米波雷达解决方案(来源:中电港) 其中CEM5819采用了CW调制方式,可应用于智能家居、自动门感应器、扶梯控制、水龙头控制、智能马桶、传送带测速等多个应用场景中。    结语 当然,除了上面提到的企业和产品,其实还有很多毫米波雷达企业,比如ST、Arbe、瑞萨电子、安森美、ADI、索喜、岸达科技、厦门意行、毫感科技、圭步微、牧野微、迈矽科、问智微、清能华波等。   目前毫米波雷达芯片的主要供应商还是海外厂商为主,但可以明显看到国内毫米波雷达芯片企业发展迅速,已经开始攻城略地了。另外,近几年发展火热的AI也开始在毫米波雷达领域渗透。 

    毫米波雷达

    芯查查资讯 . 2025-02-17 11 4 8349

  • 650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次,ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有丰富业绩的日月新半导体(威海)有限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下简称“ATX”)。 为了实现无碳社会,“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求,ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。   新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片,在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (R DS(ON)×Q oss *2) 方面,数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。新产品已于2024年12月投入量产(样品价格 3,000日元/个,不含税)。   关于新产品的量产,ROHM利用其在垂直统合型一体化生产体系中所积累的元器件设计技术和自有优势,进行了相关的设计和规划,并于2024年12月10日宣布作为与台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,以下简称“TSMC”)合作的一环,前道工序在TSMC生产,后道工序在ATX生产。另外,ROHM还计划与ATX合作生产车载GaN器件。预计从2026年起,GaN器件在汽车领域的普及速度将会加快,ROHM计划在加强内部开发的同时,进一步加深与这些合作伙伴之间的关系,以加快车载GaN器件投入市场的速度。 日月新半导体(威海)有限公司 董事兼总经理 廖弘昌表示:  “ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备,并拥有非常先进的制造技术,很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流,目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可,从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作,未来也会继续加深双方的合作伙伴关系,以促进各领域的节能,为实现可持续发展的社会做出贡献。” ROHM Co., Ltd. AP生产本部 本部长藤谷 谕 表示:    “非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件,还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案,而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作,ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐,同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来,我们将继续通过提高GaN器件的性能,促进各种应用产品的小型化和效率提升,为丰富人们的生活贡献力量。”   <什么是EcoGaN™> EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。 EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 <产品阵容>   ☆:开发中 <应用示例> 适用于服务器、AC适配器(USB充电器)、通信基站电源、工业设备电源、PV逆变器、ESS(Energy Storage System / 储能系统)等输出功率500W~1kW级的广泛电源系统。   <术语解说> *1) GaN HEMT   GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的高频特性,越来越多的应用开始采用这种材料。 HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。   *2) RDS(ON)×Qoss 评估元器件性能的指标,Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外,RDS(ON)(导通电阻)是使MOSFET启动(导通)时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。这两者相乘得到的值越低,开关工作效率越高,开关损耗越少。

    罗姆

    罗姆 . 2025-02-14 1 4 1660

  • 利用设计工具提高位置传感器系统精度

    电机驱动系统 (EMDS) 高度依赖位置编码器来提升效率,并满足日益严苛的法规要求。如图 1 所示,位置编码器将感知到的速度和位置信息反馈给控制器,从而实现高精度电机控制和同步。位置编码器种类繁多,包括机械式、光学式、磁式或电感式。   图 1:通过编码器实现高精度电机控制和同步  值得注意的是,旋转电感编码器在恶劣环境下具有显著优势,能够有效抵抗污垢、磁性碎屑、湿气和冲击等污染因素的影响。这些器件基于法拉第电磁相互感应原理,在工业 4.0 的各个领域得到广泛应用,能够测量变速箱、踏板、机械臂等众多工业系统的位置移动。   旋转电感传感器原理   典型的旋转电感编码器有三个主要部件,如图 2 所示。转子安装在旋转电机轴上,定子安装在编码器外壳上。转子和定子都有扁平线圈,这些线圈被集成在 PCB 上,而位置感知器件(例如安森美 (onsemi) 的 NCS32100 电感位置传感器)通常安装在定子上。   感知器件将正弦波(NCS32100 为 4 MHz)传输到定子上的励磁线圈,该线圈起到天线的作用,将能量耦合到转子的接收线圈中。定子也有一组接收线圈,当转子旋转时,其线圈中的耦合能量会对定子接收线圈产生扰动。感知器件与定子接收线圈相连以接收输入信号,并通过分析定子接收线圈中的扰动来测量转子位置。   通过增加转子和定子线圈的数量,改变线圈的模式,以及增加感知器件接收的输入数量,可以提高旋转电感编码器的分辨率和精度。   图 2:旋转电感编码器有三个主要部件   安森美 NCS32100 简介   NCS32100 是一款新近获得专利的双电感传感器,非常适合工业市场应用,包括机器人、电机控制和定位、伺服应用等。   NCS32100 支持静态高速应用,在高达 6,000 rpm 的转速下可实现 50 角秒或更高的精度,功能转子转速最高可达 45,000 rpm。   全功能控制器和传感器接口与非接触式 PCB 传感器配合使用时,可实现高分辨率、高精度角度感知。该器件具有高度可配置的 8 通道传感器接口,支持连接多种类型的电感传感器,并提供丰富的数字输出格式。此外,它还提供了速度、温度和备用电池测量,集成的电源电路支持宽 VCC 范围和备用电池能力。   安森美基于 Web 的设计工具   旋转电感编码器的整体分辨率和精度,取决于定子和转子 PCB 的设计以及感知器件的性能。PCB 设计具有挑战性,对走线宽度和间距、通孔焊盘直径、钻孔直径、铜和绝缘层的厚度等参数都有严格的容差要求。   鉴于不当的设计会极大地影响编码器的性能,安森美创建了基于 Web 的 NCS32100 PCB 设计工具,以指导工程师完成必要的 PCB 设计步骤。使用该工具时,用户遵循三步流程(参见图 3):首先输入一组明确的数据来描述编码器设计,然后生成转子和定子 PCB 的详细图纸,最后根据输入的设计参数运行仿真。用户运行的这些仿真根据输入参数模拟接收器输入幅度和角度误差(角秒),通过迭代这些参数,解决方案就能针对成本和精度要求进行优化。   图 3:使用 NCS32100 PCB 设计工具的三步开发流程   安森美助您更快实现盈利 旋转电感编码器因其稳健性和抗污染能力,成为恶劣工业环境中电机控制方案的常见选择。虽然安森美的 NCS32100 传感器为设计人员提供了高度精确且可配置的方案,但糟糕的 PCB 设计可能会降低任何使用该传感器的编码器系统的整体性能。NCS32100 PCB 设计工具让设计人员能够放心地优化 PCB 设计,而无需投入资源进行原型设计。PCB 线圈设计工具支持一系列输入选项的快速迭代,帮助设计人员根据成本和精度要求迅速优化 PCB 设计,从而加快开发进程并缩短产品上市时间。   工业系统制造商对其基于 NCS32100 的设计的精度充满信心,因为在安森美进行的测试中,该器件的精度水平可与被视为行业标杆的精密 Gurley 编码器相媲美。

    安森美

    安森美 . 2025-02-14 3 2 1450

  • 1
  • 38
  • 39
  • 40
  • 41
  • 42
  • 500