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Melexis 2024年全年实现9.328亿欧元销售额

Melexis在2024年全年实现了9.328亿欧元的销售额，较上年下降3%。从汇率角度看，欧元/美元汇率的变化并未对公司的销售额产生显著影响。在财务表现方面，总毛收入达到4.014亿欧元，占销售额的43.0%，较去年下降9%。在费用控制方面，研发费用占销售额的11.8%，一般行政费用占5.5%，销售费用占2.1%。在经营业绩方面，2024年全年实现了2.199亿欧元的业绩，占销售额的23.6%，与去年同期相比，经营业绩下降了16%。净收益为1.714亿欧元，折合每股4.24欧元，与2023年全年的2.095亿欧元或每股5.18欧元相比，净收益下降了18%。展望 Melexis预计，2025年第一季度其销售额将介于1.9亿至2亿欧元之间。2025年上半年的销售额约为4亿欧元，毛利率约为40%，营业利润率约为16%，这些预测均基于欧元兑美元汇率为1.03的假设。此外，Melexis预计2025年下半年的销售额将较 2025年上半年大幅增长。2025年全年的资本支出约为5,000万欧元。业务更新 Melexis在2024年第四季度的销售额达到1.974亿欧元，但这一成绩低于预期，主要归因于公司与汽车客户合作削减客户库存量水平。纵观2024年全年，Melexis的销售额总计为9.328亿欧元，与2023年相比出现了3%的下滑。尽管如此，公司在2024年仍有表现突出的产品线，其中电机驱动器和位置传感器表现尤为优异。 Melexis在2024年推出了20款新产品，涵盖许多不同的产品线，用于汽车和非汽车应用。例如，用于机器人关节高精度位置传感的磁传感器技术，使机器人系统更经济、更高效。我们还发布了用于服务器的直流风扇驱动器，在提高效率和可靠性的同时降低了成本和复杂性。根据我们全面覆盖各类动力系统的汽车战略，我们推出了用于下一代辅助驱动的先进磁传感芯片，以及用于电动汽车热管理系统的小型化坚固压力传感器。 2024年第四季度和2024年全年，汽车客户的销售额占总销售额的90%。

迈来芯

迈来芯Melexis . 2025-02-07 1490
意法半导体新能源功率器件解决方案：从产品到应用，一文读懂（下篇）

在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。碳化硅MOSFET ST提供丰富的碳化硅器件，到目前共三代产品。第三代器件产品非常丰富，支持650V/750V/900V/1200V，重点产品包括650V/14-55mΩ的不同封装器件、1200V/15-75mΩ不同封装器件。最新推出的2200V/31mΩ特高压SiC MOSFET，特别适合1500V光伏系统应用。 ST还为碳化硅器件提供丰富的封装类型。除传统的TO247三脚、四脚封装，还包括TO-LL、HU3PAK等新型封装。 650V/（40mΩ、55mΩ、27mΩ、14mΩ）碳化硅TO-LL封装器件都已量产，适合高频、高功率密度的服务器电源、储能应用，同时Kelvin引脚支持15V驱动。 HU3PAK器件采用顶部散热形式，可支持650V、1200V，同时获得ACQ101认证，除工业应用外，也适合车载应用，已在车载OBC和DC/DC及光伏储能领域有成熟用例。除分立器件，ST还提供针对不同功率应用的SiC模块产品。ACEPACK DMT-32和ACEPACK SMIT是介于模块和单管间的一种塑封小模块，适合30kW\10kW及以下的功率密度较高的应用；中等规模的ACEPACK1&2适合光伏储能应用；150kW大模块主要针对汽车电驱应用。 ACEPACK SMIT比较灵活，可在内部封装半桥或做成单管，2500V的电气隔离可简化装配，内部集成DBC隔离顶部散热，适合功率密度和效率较高的应用。 ACEPACK1&2包括全桥、半桥、三相桥等很多产品，如全桥1200V/8mΩ、半桥1200V/6mΩ模块、T型1200V/12mΩ等。碳化硅二极管和整流器 ST碳化硅二极管和整流产品包括三类：200V以上不同开关速度的快恢复二极管，650和1200V碳化硅二极管，及小于200V的肖特基功率管。 ST碳化硅二极管电流等级覆盖2-40A，电压等级在650/1200V，主要分为两个系列，都提供工业和汽车两种等级产品： ✦ 侧重于导通压降VF的Blank系列，650V/8-40A ✦ 冲击电流IFSM较大的H系列，650/1200V，2-40A 导通压降VF和冲击电流IFSM是两个重要参数。最新推出的G系列兼具VF和IFSM优势，在低VF基础上提升了IFSM，同时在IFSM与H系列基本一致情况下，对VF值进行了优化。目前，G系列TO-220和D2PAK封装产品，以及其他最新产品都在开发当中。 G系列1200V产品相对于H系列1200V产品，在保持VF值基本相似的基础上，对IFSM做了较大提升。如下图所示，H系列的冲击电流通常是平均电流的6-8倍之间，G系列可达到10倍以上，可靠性和效率表现都出色。 ST快恢复二极管不同的产品系列针对不同开关频率的应用： ✦ MC/HC系列：0-20kHz低频 ✦ AC/RQ系列：20-40kHz ✦ R/M系列：高频更高频率应用可选择碳化硅二极管。LLC输出应用主要推荐RQ系列。它实现了导通损耗和开关损耗的均衡，常用在通信电源、服务器电源和充电桩输出中。氮化镓器件 ST的氮化镓产品具有很多优势：开关速度快，漏电流小，导通压降较低，特别适合高效率、高开关频率应用，硬开关应用更能体现它的优势。相比于碳化硅、IGBT或高压MOSFET，氮化镓硬开关损耗很低，但由于其采用硅衬底，成本比碳化硅低。除了汽车和小功率应用外，氮化镓还可应用于工业、新能源领域的5G电源、服务器电源，以及储能、微型逆变器等。 ST氮化镓e-mode常规性器件基于6英寸工艺，目前提供100V和650V器件，8英寸器件正在开发中。650V产品导通电阻从14mΩ、30mΩ到290mΩ；100V产品正在开发中，导通电阻从1.2mΩ到11mΩ，多种封装形式也在开发中。 ST新能源解决方案除了丰富的功率器件，ST还提供很多解决方案和参考设计帮助用户加速设计。 100W反激式辅助电源，母线电压在200、250V到1000V，针对大多数光伏、UPS及各种工业应用，采用ST 1700V K5开关管，也可用1700V 1Ω碳化硅MOSFET，可以做高母线电压反激拓扑，最高效率可达88%。 1.2kW氮化镓图腾柱PFC应用，采用650V 65mΩ氮化镓器件，PowerFLAT 5*6封装。图腾柱中两个工频管采用M5系列61mΩ普通高压MOSFET，驱动器和主控芯片都采用ST产品。 15kW AC/DC双向转换全碳化硅方案，采用第二代碳化硅器件，横管使用650V 55mΩ器件，竖管用1200V 70mΩ器件，开关频率可达70kHz，功率因数超过0.98。 30kW Vienna PFC碳化硅方案，竖管采用1200V 40A H系列碳化硅二极管，横管用碳化硅MOSFET，峰值效率在800V母线可达98.56%，PF值达0.99。 30kW移相LLC解决方案，采用第三代1200V 25mΩ碳化硅MOSFET。主控和驱动、模拟芯片均使用ST产品，功率密度可达50W/in3。 25kWDC/DC DAB双向转换，前级采用1200V 12mΩ全桥模块，后级采用两个1200V 6mΩ半桥模块，主控采用STM32G474，输入800V，输出250-650V，在80%负载情况下效率可达98%，开关频率达100kHz，适合充电桩、储能应用中的双向转换。 50kW T型三电平DC/AC光伏逆变器，采用ST最新的1200V 8mΩ第三代碳化硅模块，驱动也使用ST器件，效率可达98.6%，开关频率可达40kHz，该方案目前还在开发当中。 ST拥有丰富的功率器件产品组合，涵盖传统硅器件以及第三代半导体产品，除传统封装外，还提供TO-LL、HU3PACK、ACEPACK SMIT等先进封装，适配高功率、高效率应用。此外，ST提供裸带封装、开发板及设计参考，助力用户将产品快速推向市场。为满足新能源市场发展需求，ST将继续创新优化产品与服务，积极适配各类新能源应用场景，为行业发展持续注入强劲动力。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-02-07 1820
意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）

随着全球对可持续发展的关注度不断攀升，以及各国节能减排政策的大力推进，新能源领域展现出了巨大的潜力和广阔的发展空间。功率器件是新能源系统中的关键核心部件。从新能源发电的高效转换，到储能系统的稳定运行，再到电动汽车的动力驱动，都离不开性能卓越的功率器件为整个产业的发展提供着强劲的动力与支撑。意法半导体为新能源市场提供丰富的功率器件产品组合与解决方案，涵盖 IGBT、高压MOSFET、碳化硅MOSFET、碳化硅二极管/整流器以及氮化镓等产品，并提供多样封装选择，满足不同应用需求，助力新能源市场发展。传统硅基IGBT电压较高，开关速度慢，适合大功率、大电流应用，如UPS等大功率工业和电机驱动。传统硅高压MOSFET适合普通的开关电源、通信电源、各种DC/DC转换应用。碳化硅MOSFET适合高频、高效、高功率应用，尤其是新能源应用，如光伏储能DC/DC转换、充电桩、车载OBC和DC/DC、车载电机驱动等。氮化镓频率和效率都很高，但电压等级较低，适合5-10千瓦以下应用，如高效通信电源、家用储能、DC/DC转换。 IGBT ST的IGBT产品分布很广。H/M系列适合低频电机驱动、家电电机应用等；16-60kHz的HB和HB2系列适合光伏、UPS、充电桩等新能源应用；16-100 kHz/1200V的H系列，电流等级在15-75A，适合光伏、充电、UPS等应用。 ST提供丰富的封装选择，包括插件、贴片、IPM功率模块及新开发的顶部散热小模块等形式，且有车规和工业应用标准之分。 V系列、HB系列、HB2系列和1200V的H系列是比较重要的产品系列。600V的V系列适合高频率应用，其VCEsat在1.8-1.85V之间。V系列有一款产品通过IGBT反并联碳化硅二极管，损耗较小，特别适合高频率硬开关应用。 650V的HB和HB2系列适合大多数新能源应用。HB2导通压降在1.55-1.65V之间，电流等级在15-100A。目前，最常用的50A/75A/100A产品已经量产。 1200V的H系列电流等级在15-75A，短路时间近5μs，其中50A、75A产品比较常用。ST将开发更大电流（100A以上）的器件，以满足更大功率应用需求。 M/H/V/HB/HB2系列的特性如下图所示： V系列开关速度非常快，动态损耗较低，VCEsat略高；H和HB系列损耗比较均衡；最新的HB2系列相对HB系列在动态损耗和导通压降上都有提升。相对于HB系列，HB2的Qg更小，Eoff更低，表明其开关速度更快、损耗更低， VCEsat也做了优化，整体系统效率大大提升，同时增加了软关断特性。如下图所示，在2.2Ω的低驱动电阻状态下，HB2比HB系列的软关断特性更好，电压过充更低。为满足客户的新需求，HB2提供TO247-4L四脚封装，增加了Kelvin引脚，使驱动更快、开关损耗更低（比TO247三脚封装减少约50%）。在对效率要求更高的场合，如新能源应用，客户更倾向使用四脚封装器件。目前50A/75A/100A器件都提供四脚封装。下图是HB2在3.6kW全桥逆变器中的应用。H4桥逆变器输入母线为400V，开关频率36kHz。经测试对比，HB2整体开关损耗比竞争对手低10%，温度低5-6°C。针对光伏逆变器新型应用不同的拓扑位置，ST推荐不同的IGBT。 PFC级升压适合HP2或HB2，速度较快且均衡。HP2的反并联二极管是保护型二极管。HB2是满电流二极管，开关速度居中，开关损耗、导通压降比较均衡。在逆变器场合，如单相H4桥、三相I型三电平或T型三电平可以用650V的HB2系列。T型三电平的竖管可以使用1200V的H系列。在封装方面，ST提供光伏、工业中常见的TO247三脚和四脚封装，同时开发了新型封装——ACEPACK SMIT。ACEPACK SMIT介于分立器件和模块之间，可以封装一个背靠背的管或半桥，用两个模块就可以实现T型三电平，使功率密度更高，设计更紧凑。同时，ACEPACK SMIT是顶部散热，内部集成DBC实现隔离封装。目前，该封装产品在汽车应用中已有成功案例，也适合光伏或储能市场。高压MOSFET器件 ST高压MOSFET器件的产品分布很广泛，面向数字电源、通信电源、光储等应用场景。600V、650V中已量产的产品包括M2、DM2、M6、DM6系列。800V、950V、1200V、1500V、1700V的K5系列高压产品，适用于系统辅助电源。新推出的产品包括M9、DM9系列、K6系列。同时ST还开发了很多新型、小型化封装，如TO-LL、PowerFLAT等，针对不同应用提供多样的封装解决方案。ST还为车载OBC、DC/DC及电池管理等汽车应用提供车规级器件，以及ACEPACK SMIT和HU3PACK封装产品。与M6系列相比，M9系列导通压降和开关速度更快，更适合高速软开关和硬开关应用，如通信电源、高效率的服务器电源及光伏储能，电压等级包括250V、600V、650V。下图是M9在400V、输入1500W的PFC应用测试结果。在40-45mΩ情况下，M9在整个曲线上的效率比M5、M6及竞争对手均有明显提升。 K6系列基于K5系列提升了性能，电压等级在800V-950V。800V K6系列的单位面积阻抗有很大提升。如下图，在75W的反击电源测试中，负载范围20%-100%情况下，K6都可提供0.5%-1%的提升。同为DPACK封装情况下，K5可实现630mΩ阻抗，K6可实现240mΩ阻抗，器件阻抗更小，功率密度和效率更高。高压MOSFET产品在充电桩和储能场景中的具体应用包括PFC的AC/DC、DC/DC软开关应用，以及辅助电源中的反击应用。 PFC AC/DC转换器通常为硬开关，对应产品为M5系列和最新的、效率更高的M9系列。 DC/DC软开关对应产品是目前大量量产的DM6系列。ST还推出了DM9系列，开关速度更高，效率更高。在反激应用中，充电桩、光伏及各种储能系统都需要辅助电源，可选择950V/1000V/1200V的K5系列，以及最新的效率更高、封装更小的800V K6系列。下篇文章，我们将详细介绍 ST的 SiC、GaN等产品及新能源解决方案，敬请期待。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-02-07 965
利用MWCT MCU开启车载无线充电新时代

消费者购买新车时，虽然手机无线充电功能可能并非首要考虑因素，但消费者逐渐期待车载娱乐中控系统中搭载这个重要组成部分。无线充电功能让消费者能够使用便捷易用的充电设备并获得额外的安全性，是汽车制造商提升用户体验的普遍手段。而且，该功能不仅适用于高端配置或奢侈品牌；目前，每家大型汽车制造商在一百多种的车型中都提供无线充电功能。大部分无线充电设备基于Qi无线充电标准，该标准由全球无线充电标准制定机构无线充电联盟 (WPC) 管理。Qi标准适用于大多数主要智能手机，包括苹果和三星的多个型号，已成为车载充电的行业标准。这一现象背后有几个原因：它在行业内获得了广泛认可，WPC致力于持续创新和不断发展标准，以及大量的第三方Qi配件的支持。此外，WPC拥有备受推崇的认证流程，确保充电体验符合消费者的期望。恩智浦和Qi标准恩智浦在为Qi产品提供高性能MWCT MCU方面有着丰富的经验，是车载无线充电产品的全球知名供应商。我们在无线充电领域积极探索，并自始至终与WPC合作制定Qi标准。这包括参加WPC的多个工作组，并支持推动规范的发展。我们还深知开发车载应用程序面临的设计挑战，特别是管理可靠性能所带来的复杂电磁兼容性 (EMC) 设计和集成问题。设备制造商需要定制无线充电设计，需要根据最终设计的具体规格对每个客户进行原理图审查和软件更改。我们的MCU产品组合涵盖了不同功率范围的无线充电设备，从符合Qi规范的1W到15W，再到支持专有协议的50W。除了设备，我们还提供经过认证的软件和硬件设计与支持。恩智浦两款产品系列，MWCT2xxxS和MWCT2xD2A无线充电IC，正在推动Qi标准的性能定义和广泛采用。 2024年11月26日，恩智浦基于MWCT2xD2A MCU的Magnetic Power Profile (MPP) 多设备无线充电发射器，通过了Qi2.0 MPP合规性测试和IOP测试。这是Qi标准合规的一个重要里程碑，因为Qi2.0是最新的WPC标准，MPP确保无线充电发射器和接收器线圈对齐，从而实现高效的电力传输。恩智浦Qi2.0认证的MPP多设备无线充电发射器片上身份验证：开启车载充电新时代 OEM和开发人员在集成无线充电时面临一些非常具体的挑战，包括EMC、功率输出和身份验证。如今，标准的无线充电需要一个专用的MCU来控制充电器，并且需要一个安全芯片来确保充电器符合Qi标准。这是由于Qi 1.3标准中的更新，该更新要求基于硬件的身份验证，以保护用户免受使用假冒产品可能对设备造成的损害。虽然这对用户来说是一个有用的功能，但对于设计人员而言，更多的独立部件会增加设计的复杂性。此外，使用两个独立的部件也会增加材料成本 (BOM)，这是原始设计制造商 (ODM) 面临的一个重要压力。随着MWCT2xxxS和MWCT2xD2A系列的推出，我们在芯片中集成了身份验证功能，消除了对独立安全芯片的需求，并简化了物料清单。这种方法利用恩智浦EdgeLock 2GO服务连接到WPC，生成身份验证证书。然后，客户或授权的第三方可以将其独有的证书下载到每个MCU上进行生产。这样一来，开发人员就能够节省将外部安全芯片集成到系统中的时间。MWCT2xxxS和MWCT2xxxA系列还具有两个由一个MWCT MCU驱动的充电设备，因此原始设计制造商可以通过单个芯片提供此功能，而无需使用两个芯片。恩智浦的无线充电产品组合支持专为车载、消费电子和工业无线充电解决方案设计的设备。为未来的无线充电准备就绪 MWCT2xxxS和MWCT2xD2A系列还包括专为消费电子市场量身定制的MCU，可用于无线充电架和无线充电盒。这扩展了无线充电技术，提供了全面的充电选项，以支持包括汽车、医疗保健和物联网在内的不同市场。与任何技术标准一样，Qi标准将继续发展，并发布新的规范。这通常需要设备制造商进行设计更改，以获得认证或保持合规性。MWCT2xxxS和MWCT2xD2A器件通过灵活的软件和OTA固件更新为无线充电设计提供了未来保障。因此，随着新Qi标准的推出，现有芯片只需进行软件更新即可继续使用。新系列还可覆盖广泛的内存要求，选项从128kB到4MB不等，适用于Qi充电之外的广泛应用。例如，TJAxxxx收发器支持与汽车的CAN和LIN通信，NCx3321支持用于卡保护的NFC、充电控制器的低功耗唤醒和数字钥匙功能。片上身份验证功能的推出将为OEM带来巨大的变化，他们不再需要为Qi认证添加单独的安全芯片，从而降低了无线充电模块的整体成本。恩智浦拥有30多名工程师，他们在各个地区拥有丰富的专业知识和经验，致力于随着无线充电技术的发展，提供创新的MWCT系统解决方案。本文作者 Jan Horak，恩智浦半导体汽车产品经理兼无线充电产品和解决方案负责人。他在嵌入式应用方面拥有超过12年经验，一直是该领域的关键人物。Jan在恩智浦工作超过8年，从软件工程师转变为产品经理，专注于无线充电应用。他在这一领域的广泛知识有助于制定汽车行业无线充电模块产品战略，并促进跨产品的合作。

NXP

NXP客栈 . 2025-02-07 1 1665
毫米波雷达 | 回顾2024年，有10家毫米波雷达企业拿到投融资

重点内容速览： 1. 获得两次融资的欧思微和加特兰 2. 专注 4D高分辨率毫米波雷达的企业毫米波雷达是指一种利用波长在1~10mm，工作频率在30~300GHz之间的毫米波来进行探测和测距的雷达技术。毫米波雷达具有高分辨率、抗干扰能力强、体积小、功耗低等优点。因此，在军事和民用领域得到了广泛的应用，比如自动驾驶、无人机导航、汽车防撞系统、智能家居、生物医学成像等等。毫米波雷达系统的关键核心组件包括天线、发射和接收模块（包括振荡器、功率放大器、低噪声放大器等）、信号处理模块（包括模数转换器、信号处理器等）、以及负责对信号进行进一步分析，生成目标的位置和速度等数据的处理器。其实这几年毫米波雷达的关注度一直都很高，刚刚过去的2024年，毫米波雷达赛道热情依然不减，这也直接反映在了资本市场。据不完全统计，算上2025年1月13日加特兰的D+轮融资，近期总共有10起融资事件。虽然都没有具体的融资额度，但估算起来融资总额应该接近10亿元了。在获得融资的毫米波雷达相关企业中，欧思微和加特兰均获得了两次融资。获得两次融资的欧思微和加特兰欧思微成立于2020年10月23日，总部位于合肥高新区，同时在荷兰，上海以及深圳、南昌设有研发中心。该公司从事超宽带等无线 SoC芯片的研发以及销售。其团队成员主要来自国内外一线芯片设计公司，研发团队硕士学历占比40%（包括5名海外博士）8年以上工作经验占比90%以上，平均年龄37岁，是一个既有丰富经验又充满活力的团队。据该公司官网介绍，其所有核心技术全部自研，包括射频、基带、算法、协议跟软件、应用软件和硬件方案，为客户提供通信及车载相关芯片及相关应用技术和系统解决方案。欧思微在2024年1月10日完成了近亿元的Pre-A轮融资，本轮融资由力合资本领投，合肥高投和博通集成跟投，光源资本担任财务顾问。随后8月26日，欧思微又完成了数千万元的Pre-A+轮融资首批交割，此次由金鼎资本与康希通信（688653）共同设立的基金投资，云岫资本担任本轮融资的财务顾问。本轮融资资金将用于继续投入超宽带（UWB）及汽车毫米波雷达芯片的技术研发，为加速产品量产落地提供安全保障。欧思微半年内相继完成总计超亿元人民币融资。加特兰则是一家创立于2014年，在2017年成功量产全球首个汽车级CMOS工艺77/79GHz毫米波雷达射频前端芯片的公司。该公司率先实现了在汽车前装市场的突破；2019年又推出了集成雷达信号处理基带加速器的SoC芯片，为高性能、易开发、小型化毫米波雷达传感器的开发实现带来了全新的变革。此外，加特兰还量产了全球首个77GHz和60GHz毫米波雷达封装集成片上天线（AiP）SoC芯片，加速了毫米波雷达在汽车和工业消费市场的普及。 2024年7月2日，加特兰完成了数亿元的D轮融资，本轮融资由国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、上海国鑫创业投资有限公司、福创投，老股东国投招商、华登国际投资追投。2025年新年伊始，国家集成电路产业投资基金二期再度出手，加特兰完成了D+轮的融资，不过此次融资金额并没有披露。专注4D高分辨率毫米波雷达的企业毫感科技、圭步电子、承泰科技、复睿智行，以及斯达领动都是专注于4D高分辨率毫米波雷达的企业。其中苏州毫感科技有限公司专注于4D高分辨率毫米波雷达的研发，其产品主要应用于辅助驾驶和自动泊车等领域。该公司在2024年1月完成了数千万元人民币的Pre-A轮融资，由欣创创投领投。这是公司自成立以来的第三轮融资，显示出资本市场对其技术实力和市场前景的认可。圭步电子是一家毫米波射频电路设计仿真及雷达芯片系统架构设计的公司，其产品涵盖77GHz等4D毫米波雷达芯片。该公司在2024年2月完成了新一轮战略融资，投资方包括博世创投和清华控股旗下的金信资本。融资资金将用于芯片规模化量产、人员招聘及市场拓展。复睿智行专注于智能驾驶技术的自主研发，其核心产品为4D毫米波雷达。该公司在2024年2月完成了数亿元人民币的Pre-A轮融资，由浙商创投领投。融资资金将用于提升感知融合方案和生产能力。斯达领动是一家专注于毫米波雷达产品开发与规模化应用的企业，其产品包括单芯片4D角雷达及距离雷达。该公司在2024年9月完成了数千万元人民币的Pre-A轮融资，投资方包括共进股份、乾德电子及个人投资者。融资资金将用于加速产品量产及市场拓展。深圳承泰科技有限公司成立于2016年，是国内著名的毫米波雷达产品研发企业，通过了IATF 16949及ISO9001体系认证。已经成为多家商用车和乘用车主机厂的供应商，也是多家Tier-1的合作伙伴。 2024年8月21日，承泰科技宣布C轮融资，融资额未披露，参与投资机构包括国科投资、毅达资本、南通鑫汇集团。11月30日，该公司还发文称，其汽车毫米波雷达累计出货量已达3,083,240只，其中应用于中高阶智驾系统（控车，非L0）的前雷达1,751,220只，角雷达1,332,020只。11月当月雷达出货量307,616只，创历史新高。结语 2024年，毫米波雷达领域的融资活动频繁且金额可观，反映了资本市场对这一技术的高度认可。从苏州毫感科技到加特兰微电子，多家企业在不同阶段完成了多轮融资，用于技术研发、量产及市场拓展。这些融资活动不仅推动了毫米波雷达技术的进步，也为其在智能驾驶、自动驾驶等领域的广泛应用奠定了基础。

原创

芯查查资讯 . 2025-02-07 1 8 5620
如何理解射频开关IC规格书中定义的开关时间Switching Time

射频开关芯片类似天线和内部处理电路之间的桥梁，切换各类射频信号的发射或者接受，在2G/3G/4G/5G蜂窝通信系统、Wi-Fi、蓝牙、GPS等系统中，均是不可或缺的器件。射频开关芯片除了插损，隔离度等指标外，还有一个较为重要的指标switching time，以日清纺微电子的车规SPDT开关NJG1801BKGC-A为例，其规格书标称开关时间在100ns左右。　除了switching time之外，还有几个和时间相关的指标上升时间 RISE TIME 下降时间 FALL TIME 开启时间 ON TIME 关断时间 OFF TIME SWITCHING TIME也称为port-to-port switching time（射频开关端口到端口的切换时间）其定义如下从将要关闭的端口（Port B）的RF功率水平下降到其原始值的90%处开始，到将要开启端口Port A的RF功率水平上升到其最终值的90%之间的时间间隔。见图 1。 RISE TIME 上升时间（ＴＲ）是指射频开关从关闭状态切换到打开的过程中，RF功率从10%到90%时所需要的时间，见图2 FALL TIME 下降时间　(TF) 是指射频开关从导通状态切换到关闭的过程中，RF功率从90%降至10%时所需的时间 ON TIME 开启时间(TON) 是指射频开关从关闭切换到打开过程中，从输入控制信号幅值50%处到RF功率升至90%时所需的时间 OFF TIME 关断时间（TOFF）是指射频开关从开启切换到关闭的过程中，从输入控制信号幅值50%处到RF功率降至10%时所需的时间

射频开关

日清纺 . 2025-02-06 1 1 1175
AI 争霸战：资本能否决定胜负？

星际之门计划（Stargate）宣布的 5000 亿美元投资，其中很大一部分可能已包含在此前各大公司公布的投资中，并被重新整合、包装为该计划中的一部分。截至 2025 年，微软、谷歌和 Meta 在支持 AI 发展的数据中心上累计投入已超过 2000 亿美元。因此，未来五年内的 5000 亿美元投资并未实质性地改变行业的发展轨迹，反而更像是对现有投资的加码与延续。图片来源：Semiconductor Trends in Data Centers 2024 - Yole Group 星际之门的未来治理架构将如何运作？此次真正的新变化——也引发诸多疑问的，是 5000 亿美元投资将由 OpenAI、甲骨文（Oracle）、软银（SoftBank）及 MGX 共同持有的一家公司进行运营。关键问题在于：家公司的治理架构将如何构建？各方如何在利益错综复杂的情况下达成共识？微软、Meta、谷歌和苹果等科技巨头在 AI 领域各有布局，既是行业合作伙伴，又是潜在竞争对手。如今，他们需要面对一个由软银、甲骨文和 OpenAI 主导的投资框架，而这些公司本身也有不同的商业目标、市场策略和技术发展方向。如何在如此多元化的利益诉求下制定投资决策、资源分配和技术发展路径，将成为星际之门计划面临的最大挑战之一。图：Yole Group 总裁 & CEO Jean-Christophe Eloy “在此背景下，我们不得不提及 ARM 与软银的深厚联系，以及这些公司在竞争 OpenAI 相关产品和技术上的巨额投资和合作。此外，苹果的自研 AI 进展，以及各大厂商在 AI 领域的竞争，使得 5000 亿美元的投资方向和战略决策变得极为复杂。” 星际之门的商业模式是什么？关于星际之门计划的商业模式，还有一个关键问题：在考虑到涉及的公司后，如何定义对5000亿美元投资的回报并不简单，可能也根本不值得考虑。公司是否仅仅在建设和管理数据中心方面发挥作用，还是会支持AI模型的训练，并将其使用权销售给外部客户？公司是否还会开发AI模型来满足特定客户的需求？至于数据中心性能的关键因素——潜在的ASIC AI开发，又将如何处理？图片来源：Generative AI 2024 - Impact on Processors, Memory, Advanced Packaging and Substrates - Yole Group DeepSeek 颠覆市场格局 DeepSeek 的发布对 AI 生态系统形成了巨大冲击，同时也让星际之门计划的可行性受到质疑。 DeepSeek-V3 声称其性能可媲美 OpenAI，而训练和推理成本仅为其一小部分。这一现象再次证明，与历史上众多技术演进过程相似，市场竞争是推动 AI 发展的核心要素——不仅仅是硬件供应商和模型开发者之间的竞争，更是 AI 产业链各环节的竞逐。这种竞争促进了创新、思维模式的变革和资源优化（包括 AI 计算所需的能源）。从长远来看，随着 AI 计算成本的下降，新应用和 AI 创业公司将获得更多发展机会，而 DeepSeek 或许提供了一条捷径。面对这一市场变化，英伟达、OpenAI、甲骨文和软银势必采取行动，以维护和强化自身的竞争优势，这可能与星际之门计划推动美国 AI 领导地位的初衷产生矛盾。DeepSeek 的成功表明，5000 亿美元的投资或许可以有更好的用武之地…… 图片来源：Overview of the Semiconductor Device Industry 2025-H1 - Yole Group

星际之门

Yole Group . 2025-02-06 1 2 1070
壁仞适配DeepSeek R1，赋能开发者创新

DeepSeek开源模型的推出，不仅为AI技术的普及和应用提供了强有力的支持，也开启了行业创新与变革的新篇章。凭借其开放性、高效性和易用性，DeepSeek开源模型正在成为推动AI技术普惠化的重要力量。国产算力再提速：壁仞科技数小时完成全系列模型适配推理效率已成为目前行业各公司发展的核心竞争力。凭借壁仞科技自主研发的壁砺系列产品出色的兼容性能，仅用数小时即完成对DeepSeek R1全系列蒸馏模型的支持，涵盖了从1.5B到70B各等级参数版本，包括LLaMA蒸馏模型和千问蒸馏模型。为开发者提供高性能、低成本的大模型部署与开发解决方案。这也让壁仞科技成为少数实现国际、国内多模型同步高效适配的芯片平台之一，证明了国产芯片对复杂AI应用任务的驾驭能力。 DeepSeek提供了一种高效的模型蒸馏技术，能够将大规模模型的能力迁移至更小、更高效的版本，并且通过Multi-Head Latent Attention（MLA）和DeepSeek MoE两大核心技术，显著降低显存占用，优化模型性能。此次壁仞科技壁砺TM系列产品在较短时间内成功支持DeepSeek全系列蒸馏模型，也意味着其在AI推理任务中具备强大的兼容性和易用性，能够满足日益增长的AI应用需求。壁仞科技AI算力平台升级：云端体验DeepSeek R1模型服务即日起，壁仞AI算力平台正式上线 DeepSeek R1 蒸馏模型推理服务，全球开发者可云端体验 1.5B、7B、8B、14B、32B、70B 全系列模型服务。该服务具备以下两大核心优势： 1、零部署成本：免去硬件采购与环境搭建，实现“开箱即用”的云端推理体验。 2、多场景覆盖：针对LLM等不同任务预置优化配置方案。壁仞科技AI算力平台邀请客户体验第一步：通过邮箱申请登录账号，账号申请邮箱地址： developer@birentech.com 第二步：通过复制网址登录使用： https://sgc.birentech.com:1443/ 目前，壁仞科技已构建起从底层硬件到模型服务的完整AI技术栈，可为中小企业和研究机构提供“芯片+模型”的端到端解决方案。未来将继续加大研发投入，推动芯片技术和开发者生态的迭代升级，力争在更多领域取得突破。产业协同：壁仞科技携手多家战略伙伴打造AI合作新范式壁仞科技已联合上海智能算力科技有限公司、中兴通讯、科华数据、无问芯穹、开源中国（Gitee AI）、UCloud、一蓦科技等战略伙伴，基于壁砺TM系列训推产品106M、106B、106E、110E，凭借先进的芯片架构、高效的多模型适配能力、广泛的数据精度支持以及强大的解码能力，全面开展包括R1在内的DeepSeek全系列模型的适配与上线，以满足不同规模参数量模型的部署需求：轻量级模型（1.5B-8B）：适配智能终端与边缘计算设备，实现低延时实时推理。中大规模模型（14B-32B）：服务于大规模企业级应用和高并发任务，满足数据安全与定制化需求。大规模模型（70B）：依托云端超算集群，支撑前沿AI研究与复杂任务处理。壁仞AI算力平台与DeepSeek R1的深度融合，不仅实现了国产自主技术路线的可行性，更通过开源协作与硬件创新，为开发者提供了“高性能+低成本”的创新体验。在AI技术的推动下，应用场景不断拓展，壁仞科技有望在更多领域实现突破，推动国产芯片占据重要地位，引领行业发展趋势。

人工智能

壁仞科技 . 2025-02-06 1 1840
Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2025年2月5日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一系列新的多匝表面贴装金属陶瓷微调电位器--- TSM3。TSM3系列器件专为恶劣环境中空间受限的工业、消费和通信应用而设计，采用3 mm x 4 mm x 4 mm的紧凑尺寸，温度范围为-65 °C至+150 °C，密封等级为IP67。与上一代器件相比，日前发布的微调电位器的外形尺寸缩小了25 %，而且工作温度范围更宽。此外，TSM3系列允许在10 Ω至2 MΩ的宽电阻范围内微调，并且比单匝微调电位器的设置时间更快。这些器件在+70 °C条件下的额定功率为0.125 W，提供了顶部和侧面两种调节方式，可灵活地满足各种设计要求。 TSM3系列支持自动化PCB组装和设置过程，这样不仅提高了生产效率，节省了时间，而且降低了成本。这些微调器完全密封，能够承受标准的电路板清洗处理，以确保自动化控制和传感器、焊接和冷却系统、机器人、电动工具、烟雾探测器、以及无线电和精密测试仪器的可靠性。 TSM3系列现可提供样品并已实现量产，订货周期为15周。

微调电位器

Vishay . 2025-02-06 875
Microchip 推出下一代低噪声芯片级原子钟 SA65-LN

在对尺寸、重量和功耗（SWaP）有严格限制的航空航天和防务应用中，开发人员需要超洁净的计时设备。芯片级原子钟（CSAC）是这些系统的重要基准，可在传统原子钟体积过大或功耗过高以及其他卫星基准可能受到影响的情况下，提供必要的精确而稳定的计时。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出第二代低噪声芯片级原子钟（LN-CSAC），型号为 SA65-LN，具有更低的外形高度和更宽的工作温度范围，可在苛刻的条件下实现低相位噪声和原子钟稳定性。 Microchip 自主开发了真空微型晶体振荡器（EMXO）技术，并将其集成到CSAC中，使SA65-LN型号外形高度降低到 ½ 英寸以下，同时功耗保持在 < 295 mW。新设计具有体积小、功耗低和精度高等优点，是移动雷达、拆卸式无线电、拆卸式简易爆炸装置干扰系统等航空航天和防务关键任务应用，以及自主传感器网络和无人驾驶车辆应用的最佳选择。这款新型LN-CSAC 的工作温度范围更广（-40°C至 +80°C），可在极端条件下保持频率和相位稳定性，从而提高可靠性。 Microchip负责频率和时间系统业务部的副总裁Randy Brudzinski 表示：“我们的新一代 LN-CSAC 以极其紧凑的外形提供了卓越的稳定性和精确度，是频率技术的一大进步。该器件使客户能够获得卓越的信号清晰度和原子级精度，同时还能降低设计复杂性和功耗。” LN-CSAC将晶体振荡器和原子钟的优点集合于同一个紧凑型器件中。EMXO在 10 Hz 时的低相位噪声 < -120 dBc/Hz，在1秒平均时间内的阿伦偏差（ADEV）稳定性 < 1E-11。原子钟的初始精度为 ±0.5 ppb，低频漂移性能 < 0.9 ppb/月，温度引起的最大误差 < ±0.3 ppb。与采用两个振荡器的设计相比，LN-CSAC 可节省电路板空间、设计时间和总功耗。 LN-CSAC的晶体信号纯度和低相位噪声可确保高质量的信号完整性，这对混频至关重要。原子级精度允许更长的校准间隔，这有助于延长任务持续时间，并有助于降低维护要求。 Microchip的航空航天和防务产品专为满足相关市场的严格要求而设计，具有高可靠性、高精确性和高耐用性。公司解决方案包括单片机（MCU）、微处理器（MPU）、FPGA、电源管理、存储器、安全和定时器件，可确保在航空电子设备、雷达系统和安全通信等关键任务应用中实现最佳性能。如需了解更多信息，请访问Microchip 航空航天与防务解决方案网页。开发工具 LN-CSAC SA65由 Microchip 的图形用户接口（GUI）Clockstudio™ 软件工具提供支持，可帮助开发人员在时钟功能之间切换，并绘制工作参数。此外，还提供 LN-CSAC 开发工具包。供货与定价 LN-CSAC SA65 现已开始批量供货。如需了解更多信息或购买，请联系Microchip销售代表、全球授权分销商或访问 Microchip采购和客户服务网站。

晶体振荡器

Microchip . 2025-02-06 975
晶振外壳接地的必要性：何时需要采取此措施？

在电子电路设计领域，晶振作为提供稳定频率信号的核心元件，其性能的稳定与否至关重要。而晶振外壳接地这一操作，在特定场景下有着不可忽视的作用。一、晶振外壳接地的特定情况一般而言，我们所探讨的晶振外壳接地问题主要聚焦于无源晶振，其中圆柱形晶振和 49S 晶振尤为典型。在大多数情形下，晶振的金属外壳通常不被建议接地，但实际应用中的某些案例却凸显了接地的必要性。二、实际案例剖析以一个常见的 RTC 实时时钟芯片为例：在系统启动后，该芯片出现了明显的时间偏差，每小时快达十几秒，然而当采用备用电池供电时，误差大幅降低至每天一两秒。经过分析，电源干扰被认定为问题的主要根源。起初，尝试通过增加负载电容来增强晶振的抗干扰能力，然而效果并不理想。最终，将晶振外壳与地线连接后，问题得到了彻底解决。三、接地作用的深度解析当晶振外壳接地后，相当于为晶振内部的晶体构建了一个全金属封闭的屏蔽罩。从电磁学的角度出发，这种屏蔽能够极大地阻挡外部辐射信号，为晶振营造了更为稳定的工作环境，进而显著增强了其抗干扰性能。四、接地的目的与明确结论晶振外壳接地的主要目的在于增强屏蔽效果，减少晶振对其他电路的频率干扰，其核心价值在于大幅提高晶振的抗干扰能力。正如三脚晶振的中间引脚专门用于接地一样，两引线晶振外壳接地的原理与之相同。五、实践操作中的注意要点值得注意的是，在后期对晶振外壳进行接地操作时，比如采用锡膏堆积法，可能会面临诸多不便。因此，如果电路对干扰抑制有着严格要求，那么选择带有接地引线的三脚或四脚晶振无疑是更为直接且高效的解决方案。综上所述，晶振外壳接地是一种行之有效的抗干扰策略，在特定情况下对于确保电路的稳定性和可靠性具有重大意义。在电子电路设计阶段，工程师们应当充分考虑晶振接地的必要性，从而为系统实现最佳性能提供有力保障。通过合理选择晶振类型以及恰当的接地策略，能够有效提升电子产品的整体性能。

晶振

晶发电子 . 2025-02-06 7705
智能扫地机器人的工作原理和构成

随着“懒人经济”快速发展，现在很多年轻人家中配置了智能扫地机器人产品，它通常具有清扫、吸尘、擦地、智能提醒等功能，通过滚刷高速旋转形成真空，利用高速气流将垃圾吸入，然后收集在布袋中，经过滤网净化后的空气冷却电动机，并最终排出扫地机器人。操作便捷，小巧方便，成为家居重要消费电子产品。智能扫地机器人一般包括金属材料、塑料、包材、零部件以及相关辅件等，元器件部分主要包括芯片、传感器、电机、电子元器件、锂电池、激光雷达、控制器、减速器、执行器、地刷等。智能扫地机器人是由哪些产品组成，它通常需要哪些分立器件产品？本期给大家捋一捋。智能扫地机器人的工作原理和构成智能扫地机器人的核心是自主导航，技术壁垒是非常高的。扫地机器人的工作环境是由已知的静态障碍物和动态障碍物，如人、宠物等组成，自主导航技术涉及定位、路径规划算法和传感器技术，技术的复杂性较高，非常关键，对产品性能影响巨大。扫地机器人通常有几大模块组成，比如机器人前端的控制模块区，这个部分主要有电脑板块、传感器、电池、接线板和开关等部件，垃圾存放区，这部分主要有吸尘器、灰尘盒、毛刷、拖板和拖布等部件，产品的运动部件装配区，这部分主要有电机、风机、传动装置和配重部件等。这种产品就是一个自动化的可移动装置，外佳有集尘盒的真空吸尘装置，控制发出指令为机身设定对应的控制路径，让其在室内反复行走。扫地机器人系统一般包括电池管理系统、电源管理、电机驱动系统和传感器及信号调理、人机交互界面等。电池管理部分可采用多节锂电池串联，这部分包括电池保护和充电管理，可能用到电源管理芯片和电阻电容产品。锂电池为了保证电池安全和寿命，对充电过程分为四个阶段，涓流充电（低压预充）、恒流充电、恒压充电和充电终止，配置电池电压检测、输入电流限制、充电完成后关断充电器、电池部分放电后自动启动充电等功能。很多产品采用4.5V至24V的宽输入输入电压范围，支持1-4节的电池，可编程输入电流限制、充电电压、充电电流和最小系统电压调节。集成电路产品1117/A-3.3线性电源IC具有稳定的电压调节能力，宽温级范围，产品稳定可靠，非常适用于智能机器人产品。在电池保护和电量计部分，这个可能用到专用锂电池保护IC。根据用户不同需求，可能包含过压/欠压保护，放电过流/短路保护，过温/欠温保护，放电过流/短路保护，电量计算，电压电流温度的全面的保护等功能。在智能扫地机器人中的电源管理部分会有降压稳压过程，稳压提供给外置模块、传感器以及相关逻辑电路。5V电压经过二级降压到3.3V或者1.8V等，LDO稳压器产品可帮助电路实现稳定降压。在同步整流和非同步整流电路部分，桥堆以及稳压二极管等产品可以发作用。LDO具有低噪声和静态电流低、低功耗以及稳定等特点。在扫地机的电机驱动部分，通常亦直流有刷电机和无刷电机，电机通常需要TVS管保护，对这类产品要求是耐压能力大而稳定，开关损耗小，电机部分可以用MOS管进行开关，实现对电机的控制。实现扫地机器人的主轮的正转、反转、刹车、空挡滑行等。HKTG40C40可满足要求。在传感器和信号调理部分，智能扫地机器人通常需要实现避障传感、沿墙传感、悬崖检测、虚拟墙检测、碰撞传感、里程检测，、动回充检测等功能，这对于电路要求，开关速度更高频，更快高效。很多扫地机还需要LED驱动和显示部分，这也需要很多二极管和三极管产品实现显示驱动，MMBT5551、SS34L等产品可以满足。目前，智能扫地机器人基本满足高频、自动化、全面清扫等浅度清洁需求，未来有望进一步拓宽应用场景，如成为具备家庭伴侣，实现影音娱乐或具备家庭安全管家等功能。近年来，AIoT等技术的应用使得扫地机器人更加智能和强大，清洁更加精准、深度和高效，对于供应产品而言，元器件产品需要更加小型化、智能、低功耗，满足客户需求。

厂商投稿 . 2025-02-06 8195
AMD前总裁Victor Peng入职Microchip

美国微芯科技公司 (Microchip Technology Incorporated) 今天宣布，美国超威半导体公司 (AMD) 前总裁 Victor Peng 将于 2025 年 2 月 10 日起加入Microchip董事会。对于Victor被任命为董事会成员，Microchip 总裁兼首席执行官 Steve Sanghi 表示：“Victor 最近担任 AMD 总裁，AMD 是一家设计和制造高性能计算硬件的上市公司。在此之前，他在赛灵思工作了 14 年，最近担任总裁、首席执行官和董事会成员。凭借 40 多年的行业经验，Victor 在赛灵思担任过领导职务，责任越来越大，他从 2008 年到 2022 年在赛灵思工作，从 2022 年到 2024 年在 AMD 工作。他为 Microchip 带来了多年的技术、战略和运营行业经验。这些技术和半导体行业的知识对我们的董事会来说非常宝贵。Victor 自 2019 年 2 月起还担任 KLA Corporation（一家半导体制造工艺控制和产量管理系统提供商）的董事会成员。我们欢迎 Victor 加入我们的董事会，并期待从他的经验中受益。” Victor表示：“我很荣幸被任命为 Microchip 董事会成员。我相信我的行业经验和领导能力能够对公司的战略方向和计划产生积极影响。我期待与 Microchip 董事会合作，实现公司的目标。” Victor在自2024年8月30日从AMD退休，退休前将担任AMD总裁，负责自适应、嵌入式和数据中心GPU业务、高级研究和公司的AI战略，包括AI硬件路线图和团建工作。他于2022年2月重新加入AMD，此前在赛灵思工作了14年。而在加入赛灵思之前，Victor曾就职于AMD，担任图形产品事业部硅工程公司副总裁，并领导中央硅工程团队，负责图形、游戏机产品和CPU芯片组的支持。在此之前，Victor曾在MIPS Technologies、SGI和Digital Equipment Corp担任高管和工程领导职务。

Microchip

芯视点 . 2025-02-05 1 1850
ADI新年寄语 | 激活智能边缘，把握数字时代新机遇

新数字时代，随着人工智能、机器学习等技术在全球范围内迅速实现大规模的普及与应用，人与机器的交互方式发生了根本性的变化，这从根本上重塑了我们生活的世界，深刻影响着我们的家庭、工作和娱乐。同时，这些变革还将彻底改变医疗健康、通信、金融、制造等行业，为交通运输、医疗服务等领域带来显著变化。据预测，到2027年，全球数据总量将超过180ZB1。数据在全球范围内的无限扩展为人类开辟了广阔的前景。数据量的急剧增长也引发了人们对数据传输、访问和存储方式的关注，并使人们日渐认识到智能边缘的重要性。图：ADI中国区销售副总裁赵传禹智能边缘旨在利用技术随时随地为制定决策提供数据和洞察。作为智能边缘领域的创新者，多年来，Analog Devices, Inc. (ADI)将智能融入技术创新与实践中，持续巩固强大的模拟技术基础，同时加大在数字技术、软件和人工智能领域的投入，不断拓展创新边界，并产生重大影响。释放边缘人工智能潜力近年来，人工智能以前所未有的速度渗透到商业和社会领域，成为推动半导体行业复苏与转型的关键因素之一。ADI相信，在开发跨行业与跨技术的解决方案过程中，人工智能将发挥重要作用。如今，95%的人工智能工作负载集中在数据中心，但预计到2028年，50%的人工智能工作将转移至网络边缘2。这一转变意味着，凭借着数百亿的互联节点和设备，人工智能有望大幅提升智能边缘的智能化水平，通过对物理与数字世界交汇处产生的数据进行安全感知、转换和分析，并据此执行相应的操作，助力硬件系统更高效且更具针对性地运行。将人工智能迁移至边缘端可带来诸多益处。首先，如大家所了解，在自动驾驶汽车、远程手术和机器人系统等应用中，每一毫秒都至关重要，而通过在本地处理数据，可实现实时决策。其次，基于边缘的人工智能系统将比许多目前运行中的集中式人工智能应用更节能。第三，通过在本地处理数据，边缘人工智能可以缓解带宽压力，提升响应速度和可靠性，并确保关键功能在网络连接出现问题时仍能正常运行。最后，目前的边缘应用大多使用预训练模型，但未来设备上实时训练和微调将变得更加普遍，这意味着边缘设备可以随着时间的推移根据本地数据变化进行学习和调整，从而在无需依赖云端重新训练的情况下提升性能和个性化。作为智能边缘领域的创新者，ADI正致力于推动从传感器到云端的人工智能变革。我们的大部分工作围绕产品组合创新展开，以便能够充分挖掘人工智能的巨大潜力。例如，多模态 AI 将通过整合多种互补传感器输入，提供更深入的洞察，帮助系统实现更优且更具针对性的操作。这将推动传感器的大量广泛应用，为ADI广泛的信号链和电源产品组合带来显著的增长动力。通过在产品中、产品周边及运营过程中更多地运用人工智能，ADI旨在更全面地满足客户需求，巩固我们在行业内的领先地位，推进人工智能为人类和我们生活的世界带来更大的福祉。持续利用模拟、数字和软件技术提供变革性解决方案数十年来，ADI一直在为产品注入算法和软件智能，近年来更是加大了投资的范围与速度。例如，ADI近期推出的全新CodeFusion Studio™软件开发平台，为嵌入式软件开发提供了一个资源丰富且直观的编程环境，加速助力ADI的模拟混合信号和数字产品线发展。凭借不断增强的数字、软件和算法能力，并结合先进的模拟产品组合，ADI能够帮助客户应对在数字化工厂、移动出行和数字医疗等领域中的最严峻挑战。例如，在工业领域，ADI的智能运动和定位解决方案已被多家大型客户应用到其机器人系统中，这使得ADI技术在每台机器人中的含量提升了3倍。在汽车领域，ADI的GMSL和A2B连接技术以及功能安全汽车产品线的业务均在2024财年再创新高。值得一提的是，ADI还推出了E2B解决方案，进一步丰富了我们的连接解决方案产品组合，为实现软件定义汽车的愿景提供了有力支持。在医疗健康领域，尤其是在快速增长的连续血糖监测(CGM)市场，ADI独特的数字化模拟前端解决方案显著提升了监测设备的精度和能效，电池续航时间能够从几天延长至数周，从而为患者带来更好的使用体验。与中国生态伙伴紧密合作、共创未来作为中国创新生态的一员，ADI视中国为技术与业务创新的沃土。这些年来，我们参与并见证了中国各行各业的飞速发展，中国速度及积极拥抱新技术的态势令人称道。ADI始终秉持以客户为中心的原则，与国内客户密切合作共创，并通过出色的支持与服务解决客户在最具影响力的应用领域遇到的棘手挑战。展望未来，我们将持续与全球客户在人工智能驱动的智能边缘领域共同开拓，发挥ADI在半导体领域深厚的技术专长与差异化的竞争力，助力激活智能边缘，构筑更美好的未来。由衷感谢生态合作伙伴的信任，让我们携手同行，共建创新未来！参考资料： 1. Statista “2010-2020年全球创建、采集、复制和消费的数据/信息量，以及2021-2025年预测” (https://www.statista.com/statistics/871513/worldwide-data-created/)。 2. 资料来源：Techopedia

人工智能

ADI . 2025-02-05 1 1055
DeepSeek的低成本AI模型将催生光通信需求，光收发模块2025年出货量年增56.5%

DeepSeek模型虽降低AI训练成本，但AI模型的低成本化可望扩大应用场景，进而增加全球数据中心建置量。光收发模块作为数据中心互连的关键组件，将受惠于高速数据传输的需求。未来AI服务器之间的数据传输，都需要大量的高速光收发模块，这些模块负责将电信号转换为光信号并通过光纤传输，再将接收到的光信号转换回电信号。根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询统计，2023年400Gbps以上的光收发模块全球出货量为640万个，2024年约2,040万个，预估至2025年将超过3,190万个，年增长率达56.5%。 TrendForce集邦咨询指出，DeepSeek与CSP，AI软件业者将共同推动AI应用普及，特别是未来的大量数据将会在边缘端生成，意味着工厂、无线基地台等场域需布建大量微型数据中心。并透过密集部署光收发模块，预期将使每座工厂的光通信节点数量较传统架构增加3-5倍。相较于传统的电信号传输，光纤通信具有更高的频宽、更低的延迟和更低的信号衰减，能够满足AI服务器对高效能数据传输的严苛要求，这使得光通信技术成为AI服务器不可或缺的关键环节，AI服务器的需求持续推升光收发模块800Gbps以及1.6Tbps的增长动力。传统服务器也随着规格升级，带动了400Gbps光收发模块的需求。光收发模块由以下关键元件组成：激光光源（Laser Diode）、光调变器（Modulator）、光传感器（Photo Detector）等。其中，激光光源负责产生光信号，光调变器负责将电信号调变到光信号上，光传感器负责将接收到的光信号转换为电信号。在激光光源的供应链当中，由于EML激光带有调变功能，生产技术困难，再加上目前的高速传输需求，单通道需要达到100Gbps的光传输速度，甚至部分规格达到200Gbps，因此进入门槛相对高。目前主要的供应商多半集中在美日等大厂，如Broadcom、Coherent、Lumentum等公司，鲜少委外代工。至于硅光子模块当中的CW激光(连续波激光)，由于激光的光调变与分波等功能被硅光子（SiPh）制程整合了，因此仅需要提供光源，部分厂商因而进入CW 激光的代工供应链当中。如联亚透过帮国际数据中心大厂制作CW 激光、华星光与光环等厂商则结合了激光芯片制程进行代工。在光传感器的供应链当中，目前主要的供应商多半集中在既有激光光源的美日等大厂手中，如Broadcom、Coherent、Lumentum、Hamamatsu等公司。然而随着光模块的传输速度增加至200Gbps左右，光传感器挑战也越来越高。由于光传感器的优劣取决于收光的灵敏度。因此外延的材料掺杂均匀度或结构缺陷都会影响收光效果。200Gbps Per Lane的APD(雪崩光电二极管)光传感器目前除了Broadcom完全自制之外，Coherent的100Gbps与Lumentum、Hamamatsu等大厂的200Gbps APD的外延则交由美商IET代工。

AI模型

集邦咨询 . 2025-02-05 1 7918
NXP全年营收126.1亿美元，同比下降5%

2月3日，NXP发布了截至2024年12月31日的第四季度和全年财务业绩。据报告，NXP第四季度营收31.1亿美元，同比下降9%，略高于指引范围的中点；毛利率为53.9%，营业利润率为21.7%，摊薄后每股收益1.93美元；经营活动产生的现金流量为3.91亿美元，净资本支出为9900万美元。 NXP全年营收126.1亿美元，同比下降5%；毛利率为56.4%，营业利润率为27.1%，摊薄后每股收益9.73美元；全年经营活动产生的现金流量为27.82亿美元，净资本支出为6.93亿美元。 NXP第四季度继续执行其资本回报政策，支付了2.58亿美元的现金股息，并回购了4.55亿美元的普通股；本季度的总资本回报为7.13亿美元，按过去12个月计算，向股东返还的资本总额为24亿美元，2024年第四季度的中期股息于2025年1月8日以现金形式支付给截至2024年12月5日登记在册的股东；在第四季度结束后，从2025年1月1日至2025年1月31日，NXP通过10b5-1计划执行了额外的股票回购，总额为1.01亿美元。 NXP 2024年第四季度和全年亮点如下： 2024年10月15日，推出S32J系列高性能汽车以太网交换机和网络控制器，以支持下一代软件定义汽车开发（SDV）。S32J系列与恩智浦S32汽车处理设备产品组合共享一个通用交换机内核，最大限度地提高了软件重用率，简化了网络配置和集成； 2024年10月23日，宣布奥迪在其先进的UWB平台中采用Trimension® NCJ29Dx超宽带（UWB）产品系列，提供精确安全的实时定位，通过智能移动设备和其他基于UWB的功能实现免提安全汽车访问。采用恩智浦 Trimension UWB器件的汽车，包括奥迪Q6 e-tron将于2024年上路； 2024年11月12日，发布i.MX 94系列，这是i.MX 9系列应用处理器的最新产品，专为工业控制、远程信息处理、网关以及楼宇和能源控制而设计。i.MX94系列包括以太网时间敏感网络（TSN）交换功能； 2024年11月12日，发布业界首款基于超宽带（UWB）连接的无线电池管理系统（BMS），扩展了其 “FlexCom”系列有线和无线BMS解决方案。基于UWB的新型BMS解决方案可提高电池能量密度，实现机械和电气开发的解耦，从而加快产品上市时间； 2024年12月17日，宣布与Aviva Links达成最终协议，以全现金方式收购Aviva Links，后者是一家符合汽车串行芯片联盟（ASA）标准的车载连接解决方案提供商，交易价值为2.425亿美元。收购Aviva Links后，NXP市场领先的车载网络（IVN）产品组合得到扩展，拥有业界最先进的ASA兼容产品组合，支持数据速率高达16 Gbps的SerDes点对点（ASA-ML）和基于以太网的连接（ASA-MLE）； 2025年1月7日，宣布与软件定义汽车（SDV）安全关键系统和中间件领域的领先企业TT Tech Auto达成最终收购协议。这项全现金交易价值6.25亿美元，将加速恩智浦CoreRide平台的发展，帮助汽车制造商降低复杂性，最大限度地提高系统性能，缩短产品上市时间。TT Tech Auto的MotionWise中间件平台拥有良好的行业记录，旨在管理SDV中的互联系统，在确保无缝集成的同时优先考虑安全关键功能。 NXP总裁兼首席执行官Kurt Sievers讲到：“NXP在2024年交出了稳健的业绩，尽管市场环境充满挑战，但其执行稳健、毛利率稳定、自由现金流健康。我们严格专注于管理我们可以控制的事情，在执行增长战略的同时实现软着陆。” 对于2025财年第一季度，NXP预计营收将在27.25亿至29.25亿美元之间，毛利率在54.6%至55.7%之间，营业利润在6.52亿至7.73亿美元之间，营业利润率在23.9%至26.4%之间，摊薄后每股收益将在1.75至2.14美元之间。可能全球范围裁员1,800人同时在2月4日，NXP表示，由于欧盟部长开会讨论与美国的贸易关系，市场压力加大，该公司可能在全球范围内裁员 1,800 人。该公司在埃因霍温、奈梅亨和代尔夫特设有主要工厂，并表示无法在短期内为潜在的贸易限制做好准备。 NXP的一位发言人表示：“我们不知道具体会发生什么。因此无法预测。生产一个芯片需要几个月的时间，很难每天调整产量。” 虽然该公司已经宣布裁员，但该公司澄清说，这一决定与对潜在贸易战的担忧没有直接关系，而是与更广泛的市场状况有关。该公司预计其员工数量将“略有减少”，全球裁员人数不超过 5%。 NXP共有 34,000 多名员工，其中约 2,500 名在荷兰，此次裁员相当于全球数百人。该公司告诉《德盖尔德兰德报》，裁员不一定与每个地点的员工人数成比例。该发言人承认，进口关税可能导致价格上涨，进而抑制需求。然而，恩智浦在不同的市场开展业务，需要评估此类措施的预期持续时间及其对不同行业的影响。 NXP为各种联网设备生产半导体，某些产品的需求特别容易受到经济波动的影响。该公司不得不适应汽车芯片需求下降的趋势，而汽车芯片是其业务的关键部分。该公司没有排除强制裁员的可能性，但希望通过自然减员来管理裁员。该发言人表示：“鉴于对技术人员的需求很高，我认为人们不会长期失业。” NXP业务遍及 30 多个国家，在奈梅亨设有大型工厂，拥有约 1,600 名员工。该公司已将自己定位为半导体行业的主要参与者，为汽车和工业等各个行业生产芯片。今年早些时候，恩智浦从欧洲投资银行（EIB）获得了 10 亿欧元贷款，以加速其半导体创新。这笔融资专门用于恩智浦位于荷兰、奥地利、法国、德国和罗马尼亚的工厂在汽车和工业领域的芯片开发。

业绩

NXP . 2025-02-05 1730
美国加强AI芯片管制对中国企业有什么影响？

2025年新年伊始，美国出台了一系列针对AI先进半导体相关的政策。1月13日，商务部工业与安全局（BIS）发布了《人工智能扩散框架》（Framework for Artificial Intelligence Diffusion）的临时最终规则（Interim Final Rule，简称IFR），该举措标志着美国政府对先进计算集成电路（advanced computing integrated circuits）和封闭式两用AI模型权重的出口控制力度进一步加大，并引入了全新的强制性全球许可制度。该政策不仅针对直接出口，还扩展了长臂管辖，意在限制第三方国家与中国之间的正常贸易往来。新规在发布后还需要接受为期120天的公众意见征询，但其最终实施仍需要1月20日上任的特朗普政府批准。新管制措施将各个国家划分为3个等级。第一梯队（Tier-1）为美国的同盟国英法德、澳大利亚、加拿大、日本、韩国等18个国家和地区。这些地区在先进半导体及AI基础模型的技术转让方面不受限制。第二梯队（Tier-2）主要是墨西哥、瑞士、以色列、新加坡等东南亚各国、印度及中东各国，总共约为120个。目前，面向第二梯队国家的大多数出口都需要获得美国政府的批准。需要很长时间才能获批，有时还不批准。根据新的管制方案，在每年1700块的数量限制下，将建立一个无需许可证即可向第二梯队国家出口先进半导体的机制。 1年间，1700块以内的小规模交易无需许可证，同时将确保能够随时掌握数量及出口目的地，牵制经由东南亚或中东向中国进行的迂回出口。关于第二梯队国家的先进半导体库存情况，此前完全无法掌握，但这些国家可能存在大量库存。在巴西，印度等第二梯队国家，AI的应用以及美国科技企业的当地业务可能会停滞，因此美国政府将设置例外措施。第三梯队（Tier-3）包括中国、俄罗斯、朝鲜等被美国视为敏感或敌对的22个国家和地区。这些地区原本就受到美国的出口管制。此次将新设禁止向中国等国家转让最先进AI基础模型的措施。 1月15日，美国商务部工业和安全局宣布更新《出口管理条例》（EAR），将25家中国企业及其相关实体列入实体清单。此次被列入实体清单的中国企业涵盖了多个高科技领域，包括但不限于人工智能、半导体以及量子技术等。具体名单如下： 1.北京科益虹源光电技术有限公司（Beijing Keyi Hongyuan Optoelectronics Co., Ltd.） 2.北京聆心智能科技有限公司（Beijing Lingxin Intelligent Technology Co., Ltd.） 3.北京元音智能科技有限公司（Beijing Yuanyin Intelligent Technology Co., Ltd.） 4.北京智谱未来科技有限公司（Beijing Zhipu Future Technology Co., Ltd.） 5.北京智谱华章科技有限公司（Beijing Zhipu Huazhang Technology Co., Ltd.） 6.北京智谱领航科技有限公司（Beijing Zhipu Linghang Technology Co., Ltd.） 7.北京智谱清言科技有限公司（Beijing Zhipu Qingyan Technology Co., Ltd.） 8.杭州智谱华章科技有限公司（Hangzhou Zhipu Huazhang Technology Co., Ltd.） 9.南京智虎信息科技有限公司（Nanjing Zhihu Information Technology Co., Ltd.） 10.上海智谱寰宇科技有限公司（Shanghai Zhipu Huanyu Technology Co., Ltd.） 11.深圳智谱未来科技有限公司（Shenzhen Zhipu Future Technology Co., Ltd.） 12.成都算泽科技有限公司（Chengdu Suanze Technology Co., Ltd.） 13.福建算丰科技有限公司（Fujian Sophon Technology Co., Ltd.） 14.福建算芯科技有限公司（Fujian Suanxin Technology Co., Ltd.） 15.江苏算芯科技有限公司（Jiangsu Suanxin Technology Co., Ltd.） 16.青岛算能科技有限公司（Qingdao Sophgo Technology Co., Ltd.） 17.渠梁电子有限公司（Quliang Electronics Co., Ltd.） 18.Shanghai Suanhu Technology Co., Ltd. 19.北京算能科技有限公司（Sophgo Technologies Ltd.） 20.算丰科技（北京）有限公司（Sophon Technology (Beijing) Co., Ltd.） 21.算力（福建）科技有限公司（Suanli (Fujian) Technology Co., Ltd.） 22.Tianjin Shunhua Technology Co., Ltd. 23.武汉算能科技有限公司（Wuhan Suanneng Technology Co., Ltd.） 24.无锡算能科技有限公司（Wuxi Suanneng Technology Co., Ltd.） 25.厦门算能科技有限公司（Xiamen Sophgo Technologies Limited.）新加坡 26.Sophgo Technologies Pte. Ltd.. and 27.PowerAir Pte. Ltd. “16nm/14nm节点”及以下工艺管制同时，BIS还更新先进计算半导体的出口管制，根据EAR文件中的定义，先进节点集成电路包括满足以下任一标准的集成电路：（1）采用非平面晶体管结构或“生产”“技术节点”为16/14 nm或以下的逻辑集成电路；（2）128层及以上的NOT AND（NAND）存储集成电路；（3）动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，具有：i）存储单元面积小于0.0019 µm 2；或 ii）内存密度大于每平方毫米0.288 gigabits。而且美国还将加强对台积电、三星、英特尔等晶圆代工厂的尽职调查，并防止其流向中国。要求对寻求出口某些先进芯片的代工厂和封装厂实施更广泛的许可要求，除非满足如下三个条件之一： ① 出口到值得信赖的“经批准（Approved）”或“授权（Authorized）”集成电路设计商，由该设计商证明芯片低于相关性能阈值； ② 芯片由澳门以外地点或D:5国家组的目的地的前端制造商封装，由制造商核验最终芯片的晶体管数量； ③ 芯片由“经批准”的外包半导体组装和测试服务（OSAT）公司封装，该公司核验最终芯片的晶体管数量。此外，BIS还首次加大对生物技术设备实施新的出口管制，涉及脑机接口、AI制药、新材料等领域。路透报道称，因担心中国问题，还称相关实验室设备可用于“增强人类能力、脑机接口、仿生合成材料，甚至生物武器。” 美国商务部长雷蒙多表示，“这些规则将进一步针对和加强我们的管制，以帮助确保中国和其他试图规避我们的法律并破坏美国国家安全的人的努力失败，我们将继续通过限制先进半导体的获取、积极执行我们的规则以及主动应对新出现的威胁来维护我们的国家安全。” 对中国企业的影响中国与美国的科技战已经演变成AI战争，半导体和模型管制成为重要一环。特朗普政府未来或许会调整国家的分级，以及扩大管制范畴，但不变的是中美两大阵营的壁垒将更加分明。美国的这些新政策对中国有什么影响呢？首先，增加了中国企业获得先进芯片的难度。新的管制措施针对东南亚和中东地区，在设置“数量限制”的同时，建立便捷的出口机制，目的在于掌握先进半导体在海外的流通和库存数据，封堵向我国的迂回出口。这让原来我国企业与东南亚和中东地区国家的正常贸易受到限制。其次，中国芯片企业业务受到影响。据中国半导体行业协会统计，目前已经有246家中国半导体企业被美国政府列入了实体名单，占中国半导体行业协会会员总数的1/4左右，如果算上波及的外企会员，总数超过1/3。这么多企业在实体名单中，很多业务都受到了影响。三是，破坏了全球半导体产业长期以来达成的公平、合理、无歧视的共识和WTO公平贸易的宗旨，伤害了包括中国半导体企业在内的全球半导体从业者团结协作的努力。给全球半导体产业链的安全稳定造成了实质性损害。四是增加了全球半导体供应链的成本。随着美国出口管制措施的不断加码，对我国管制措施的随意性，对包括中国和美国企业在内的全球芯片企业造成了供应链中断、运营成本上升等影响，影响了美国芯片产品的稳定供应。美国芯片产品不再安全、不再可靠，中国相关行业不得不谨慎采购美国芯片。芯查查观点： 1、美国的芯片出口管制直接限制了中国企业获取高端AI芯片的能力，因此中国企业需要加大研发投入，突破核心技术瓶颈，尤其是在光刻机、EDA工具、先进制程工艺等方面取得突破。 2、芯片设计企业可通过与海外合作伙伴合作，并购或投资海外技术公司，获取先进技术资源或共同研发符合要求的AI产品。 3、面对美国禁令带来的挑战，中国企业需加强产业链上下游的协同合作, 整合国内资源，形成从芯片设计、制造到封装测试的完整产业链，并推动国产替代产品的普及。 4、美国禁令对中国半导体行业短期内会形成压力和困难，需谨慎对待做好防范，中国企业需要建立多元化的供应链体系，避免过度依赖单一供应商。例如，通过与多家代工厂合作，分散生产风险。在关键零部件和原材料方面，中国企业应建立应急储备机制，确保在极端情况下仍能维持生产。

人工智能

芯查查资讯 . 2025-02-05 2 5 4540
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

据新华社上海2月2日消息，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产SiC功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以SiC为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。 2024年11月15日，中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的SiC载荷系统，搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了空间站轨道科学试验之旅。 “本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗辐射的SiC功率器件进行空间验证，并在航天电源中进行应用验证，同时进行综合辐射效应等科学研究，逐步提升我国航天数字电源功率，支撑未来单电源模块达到千瓦级。”刘新宇说。通过一个多月的在轨加电试验，SiC载荷测试数据正常，成功进行了高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证，在电源系统中静态、动态参数均符合预期。业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，SiC功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。

SiC

新华社 . 2025-02-05 1055
全球数据中心数量美国占据近半，德英并列第二

根据Voronoi应用程式的最新调查，全球数据中心的总数已达到11,800座。其中，美国占据全球总数的45.6%，成为拥有资料中心最多的国家，德国和英国紧随其后，各占据4.4%。这一数据显示，美国在全球运算领域处于领先地位，而微软和亚马逊等大型科技集团已在数字基础设施和人工智能方面投资数十亿美元。然而，运算能力的提升也带来了能源消耗的增加。据高盛研究预测，到2030年，数据中心将占据美国电力总需求的8%，高于2022年的3%，成为美国电力需求的最大驱动力。另一方面，由于美国禁止出口NVIDIA GPU等先进芯片，中国现在必须自行设计和制造芯片。这是因为中国本土没有能够生产尖端半导体芯片的公司，而制造这些芯片所需的设备全部来自荷兰的ASML，也被禁止向中国出口。这意味着中国可能需要花费很多年的时间来培养这种专业知识。这些数据和预测都显示出全球资料中心和半导体行业的现状和未来趋势。

数据中心

Voronoi . 2025-02-05 1485
2024年全球半导体厂商Top 10出炉，三星超越英特尔登顶

据市场研究机构Gartner的最新统计，2024年全球半导体行业营收达到6260亿美元，同比增长18.1%。三星超越英特尔，重新夺回全球半导体市场的头把交椅，英伟达则凭借强劲的AI业务表现，跃居第三名。具体来看，得益于内存价格回升，三星在2024年的营收攀升至665亿美元，超越英特尔的491亿美元，重新成为全球最大的半导体厂商，英特尔则退居第二位。英伟达在AI业务的推动下，2024年营收接近460亿美元，排名上升两位至第三。 SK海力士以428亿美元的营收位居第四，排名也上升了两位，高通以323亿美元的营收位居第五，排名下滑两位。美光在2024年的营收达到278亿美元，从2023年的第12位跃升至第六位，博通位居第七，AMD第八，苹果第九，英飞凌（Infineon）第十。 Gartner统计显示，2024年内存营收强劲增长71.8%，约占整体半导体营收的25.2%，其中HBM营收约占DRAM营收的13.6%。

半导体

Gartner . 2025-02-05 3010