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Allegro 重新定义传感技术，推出全新紧凑型封装电流传感器芯片

近日，Allegro 宣布推出两款全新电流传感器芯片-ACS37030MY 和 ACS37220MZ。凭借 Allegro 的尖端传感技术，这些芯片提供低内部导体电阻、高工作带宽和可靠的性能，适用于各种汽车、工业和消费类应用。 Allegro 的新型电流传感器芯片专为在紧凑耐用的封装中进行精确电流传感而设计。ACS37030MY 和 ACS37220MZ 采用宽体设计，与市面上现有的 16 引脚封装相比，尺寸缩小 40%，隔离度更高。新的创新设计还降低了电阻，有助于减少功耗。 ACS37030MY 是一款完全集成的电流传感器芯片，具有快速的响应时间，可保护宽带隙 GaN 器件。它结合了霍尔效应和感应线圈信号路径，可在宽频率范围内感测电流。这种创新的封装产品不仅比现有解决方案快 5 倍，而且尺寸缩小了 40%。ACS37030 也提供窄体封装，适用于隔离要求较低的应用。 ACS37220MZ 是一款完全集成的霍尔效应电流传感器芯片，具有 150 kHz 带宽和故障引脚。该器件专为经济型电流传感应用而设计，是广受欢迎的 ACS724/5 系列产品的后续产品。ACS37220MZ 的新封装解决方案尺寸缩小了 40%，电阻更低，功耗更低。 Ram Sathappan Allegro 全球营销和应用副总裁： Allegro 持续推动传感器芯片技术的创新前沿，我们很高兴推出最新的电流传感器芯片。这些最新产品树立了精度和可靠性的新标杆，助力客户克服设计和效率标准的重重挑战，同时也生动地展示了我们的技术如何驱动一个更智能、更高效的未来。

Allegro

Allegro微电子 . 2025-01-15 1425
蓝牙技术联盟宣布2025蓝牙亚洲大会重磅回归

北京，2025年1月15日——蓝牙技术联盟（Bluetooth Special Interest Group，SIG）宣布，蓝牙亚洲大会（Bluetooth Asia）将于2025年5月22日至23日在深圳会展中心（福田）5号馆举办。作为蓝牙技术的年度盛会，2025蓝牙亚洲大会在时隔五年后重磅回归，旨在为全球行业领袖、开发者和创新人士分享蓝牙技术的最新进展，共探蓝牙生态的未来发展趋势。 2025蓝牙亚洲大会将聚焦众多热门主题，包括蓝牙技术在人工智能、汽车产业中的作用，Auracast™广播音频带来的变革性新音频体验，以及蓝牙“查找（Find My）”解决方案等。本次大会预计将吸引超过3,000名行业精英参与，并将展示超过60家参展商的最新成果，为业内人士提供一个交流互动、分享智慧、探索前沿蓝牙产品与解决方案的绝佳平台。在丰富的会议日程中，蓝牙技术联盟的全球高管、行业领袖及技术专家将带来多场精彩演讲，同参会者一起深入剖析蓝牙技术的发展动态和新兴应用领域。目前，包括Nordic Semiconductor、泰凌微电子（Telink Semiconductor）、中科蓝讯、富芮坤、百瑞互联、蓝科迅通和奉加科技等在内的行业领先企业已确认参展，足以彰显此次展会的行业影响力。蓝牙技术联盟首席执行官 Neville Meijers 表示： “蓝牙技术联盟非常高兴能够借此机会召集全球产品创新者、开发者、制造商、分析师和媒体，共探蓝牙技术如何塑造无线通信的未来。2025蓝牙亚洲大会不仅将带来行业专家的深度见解，还将为参会者提供一个与高层决策者交流的机会。在这里，我们将通过沉浸式的展览来展示蓝牙技术在消费品领域的应用创新，并展望其在商业和工业市场的广泛扩展。” 大中华区拥有超过10,000家蓝牙技术联盟成员公司，在全球蓝牙生态系统中扮演着举足轻重的角色。此次蓝牙亚洲大会的举办，将进一步推动中国企业在蓝牙技术领域的发展与应用，共同开创更加智能互联的未来。欲了解更多关于2025蓝牙亚洲大会的信息，请访问官方网站：http://www.bluetoothasiaevent.com。如有意申请展位、赞助及演讲机会，请通过邮箱bta@cetimes.com与我们联系。关于蓝牙技术蓝牙（Bluetooth®）技术是一项简单、安全的全球通用无线通信和定位标准，采用它的产品年出货量已超过50亿。自1998年问世以来，蓝牙技术创造的连接开拓了新的市场、塑造了文化，并丰富了人们的生活。蓝牙技术最初只是一项简单的线缆替代技术，而如今它已成为一条使人们生活更加安全、高效和幸福的无形纽带。关于蓝牙技术联盟蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）成立于1998年，是一个非营利会员组织，负责监管蓝牙技术——全球应用最广泛的无线标准之一。蓝牙技术联盟是国际标准制定组织、产品认证机构、专利和商标许可管理机构，以及行业贸易协会的独特结合体。该组织通过与40,000多家会员企业合作，不断改进技术，重新定义无线通信应用的可能性。

蓝牙

蓝牙技术联盟 . 2025-01-15 1320
高速差分接口用小型化车载静噪元件

株式会社村田制作所推出了1210尺寸静噪元件共模扼流线圈“DLM11CN_HH2系列”新产品，适用于汽车中的LVDS、SerDes、USB、HDMI等高速差分接口——其中LVDS(Low Voltage Differential Signaling)是液晶面板用接口，SerDes(Serializer/Deserializer)则用于串行和并行信号互换的电路。本新产品已从2024年12月起开始批量生产。在汽车市场，随着高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶(AD)的发展，汽车周围检测用相机、以及通过激光束检测车辆周围障碍物的系统的LiDAR(Light Detection and Ranging）等传感设备、环视显示器、平视显示器、智能后视镜、液晶速度仪表等使用显示器的设备也不断增加。此类设备的图像数据需要通过LVDS/SerDes来传输。此外，车辆内座位上还配备了多个USB端口，用作与智能手机和个人电脑联动的接口，用于USB端口的小型产品的需求也随之不断增长。此类差分接口的共模静噪对策至关重要，因此需要适用于高速信号的小型共模扼流圈。为此，村田基于自主研发的层压技术，成功研发了相较原有的2012尺寸更小型的1210尺寸产品。主要规格 AEC-Q200是汽车电子协会（AEC，Automotive Electronics Council）制定的一项标准。

村田

Murata村田中国 . 2025-01-15 1 870
从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图

在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经济发展，旨在实现《巴黎协定》设定的温升控制目标。在此趋势下，高效、环保的电源技术成为了行业发展的关键方向。作为全球领先的高能效电源管理解决方案提供商，安森美（onsemi）就不断推出创新产品，致力于加速电源技术的绿色变革。从最新的碳化硅（SiC）技术到集成度更高的电源模块，再到多产品组合的完整电源方案，安森美的技术创新不仅体现了对环境责任的担当，也为行业树立了新的标杆。本文将深入探讨安森美近期发布的几款代表性产品，分析其如何引领电源技术走向更加绿色可持续的发展道路。以创新模块化设计挖掘性能潜力模块化设计在很多领域都成为一种提高产品集成度、功率效率和降低成本的有效方式，而功率半导体应用领域尤其显著，无论是新能源应用、电动汽车和储能领域都收到欢迎。模块化设计通过集成多个功率器件和功能，简化了系统设计和组装过程，提高了系统的可靠性和效率。模块化产品通常具有更好的热管理性能和电气性能，能够承受更高的功率密度和更严苛的工作环境。安森美今年就推出了多款功率模块的最新迭代。其中F5BP封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块就非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS) 的功率。与前几代产品相比，这些模块在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率，将太阳能逆变器的总系统功率从 300 kW提高到 350 kW。这意味着，使用最新一代模块的装机容量为一千兆瓦的大型太阳能发电场，每小时可实现近两兆瓦的节能效果，相当于每年为超过 700 户家庭供电。此外，要达到与上一代产品相同的功率，所需的模块数量更少，可将功率器件的元器件成本降低 25% 以上。由于太阳能发电的平准化能源成本 (LCOE) 最低，太阳能正日益成为全球可再生能源发电的首选。为了弥补太阳能发电的不稳定性，公用事业运营商也在增设大型电池储能系统 (BESS) ，以确保电网的稳定供能。为了支持这种系统组合，制造商和公用事业公司需要能够提供最高效率和可靠电力转换的解决方案。每提高 0.1% 的效率，对于每千兆瓦装机容量，每年可节省 25 万美元的运营成本。 F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT和1200V D3 EliteSiC二极管，实现高电压和大电流转换的同时降低功耗并提高可靠性。FS7 IGBT 关断损耗低，可将开关损耗降低达 8%，而EliteSiC二极管则提供了卓越的开关性能，与前几代产品相比，导通压降 (VF) 降低了15%。这些PIM包含了一种创新的I型中点箝位 (INPC) 拓扑结构的逆变器模块和飞跨电容拓扑结构的升压模块。这些模块还使用了优化的电气布局和先进的直接铜键合 (DBC) 基板，以降低杂散电感和热阻。此外，铜基板进一步将结到散热片的热阻降低了9.3%，确保模块在重载下保持冷却。这种热管理对于保持模块的效率和使用寿命至关重要，使其在需要可靠和持续供电的苛刻应用中非常有效。碳化硅技术再迭代，新平台EliteSiC M3e性能升级如果电源技术没有重大创新，现有的基础设施将无法满足全球日益增长的智能化和电气化出行需求，而电气化的未来依赖于先进的功率半导体，电源创新对于实现全球电气化和阻止气候变化至关重要。碳化硅技术被人们寄予厚望，每一代新的碳化硅技术都会优化单元结构，以在更小的面积上高效传输更大的电流，从而提高功率密度。结合公司自有的先进封装技术，安森美能最大化提升性能并减小封装尺寸，其EliteSiC M3e MOSFET将发挥关键作用，以更低的千瓦成本实现下一代电气系统的性能和可靠性，从而加速普及电气化并强化实施效果。由于能够在更高的开关频率和电压下运行，该平台可有效降低电源转换损耗，这对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足可持续人工智能引擎指数级增长的能源需求。 EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%1。通过延长SiC平面MOSFET的寿命并利用EliteSiC M3e 技术实现出色的性能，安森美可以确保该平台的坚固性和稳定性，使其成为关键电气化应用的首选技术。 M3e MOSFET 还提供超低导通电阻(RSP)和抗短路能力，这对于占据SiC市场主导地位的主驱逆变器应用来说至关重要。M3e 裸片与之前的EliteSiC技术相比，能够提供更大的相电流，使同等尺寸主驱逆变器的输出功率提升约20%。换句话说，在保持输出功率不变的情况下，新设计所需的SiC材料可以减少20%，成本更低，并且能够实现更小、更轻、更可靠的系统设计。强强联合的组合方案向性能优化要效率俗话说，“好钢要用到刀刃上”、“一个好汉三个帮”，要实现当前新能源、储能和数据中心等对效率敏感的领域的高效率运营，个别功率器件的“单打独斗”有时候挖掘效率的潜力有限，组合的方案能实现更高的效率。以能耗大户数据中心为例，如果能够减少约1%的电力损耗。全球的数据中心每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量。为此，安森美推出通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V的数据中心完整电源解决方案，强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，在更小的封装尺寸下达到了能效和热性能的极高指标。预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时（TWh），从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。在12%的损耗中，我们能挖掘很多效率的潜力空间。安森美EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC)MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结(SJ)MOSFET相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。另外，T10 PowerTrench系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的Qrr有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，预计数据中心能够减少约1%的电力损耗。而且，该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架V3(ORV3)基本规范，支持下一代大功率处理器。

安森美

安森美 . 2025-01-15 1335
Qorvo 在手机射频前端模块和Wi-Fi 7 FEM设计上的策略与挑战

随着Qorvo®入选联发科技MediaTek Dimensity 9400首发Wi-Fi 7 FEM重要供应商，移动应用已正式迈入Wi-Fi 7时代。作为射频前端领域的领导者，Qorvo与多家芯片平台供应商保持着长期合作关系。近日，Qorvo资深产品行销经理陈庆鸿（Footmark Chen）与Qorvo亚太区无线连接事业部高级行销经理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的专访，深入探讨了Qorvo在手机RF和Wi-Fi 7技术上的最新进展及市场策略，以下是根据此次专访整理的报告。手机射频前端模块的竞争和技术开发面对激烈的市场竞争和后来者的低价策略，Qorvo在手机5G射频芯片领域持续推动技术创新，力求保持领先地位。据Footmark介绍，尽管从外界看来，5G通信技术的发展速度并不像预期的那样迅速，但在芯片设计方面，仍然需要不断提出新的设计理念，以满足手机内部越来越苛刻的设计要求以及手机SoC平台厂商与调制解调器供应商的规格需求。对于公司而言，技术开发的挑战日益增加，但为了维持市场领先，必须继续投入资源进行新技术研发。现阶段客户最关注的是功耗和体积能否得到有效控制甚至进一步减小，这对产品开发提出了巨大的挑战。Qorvo已经拥有了相应的解决方案，可以满足客户需求并提供使用，这也是公司在市场上保持竞争优势的关键所在。事实上，射频前端模块市场的后来者众多，特别是中国大陆和台湾地区的厂商，正积极寻求切入这个出货量庞大的手机领域。面对这一态势，Qorvo不仅稳固地保持着其在高端及入门级市场的地位，更通过不断的技术革新，专注于提升产品性能，致力于减少手机的功耗与占用空间，从而为客户带来显著的附加价值。这些努力不仅增强了产品的竞争力，也帮助合作伙伴在市场上取得成功。 Wi-Fi 7 FEM设计的三大挑战 Jeff指出，从Wi-Fi 6到Wi-Fi 7的功能大幅升级为客户设计FEM带来了不少挑战。其中最核心的挑战是功耗表现。在手机应用中，改善功耗一直是不变的目标，但近年来各大手机品牌更加注重精准的能耗控制，以在电池容量难以大幅提升的情况下延长续航时间。尤其随着AI功能的加入，电量分配变得更加重要。FEM作为一个相当耗电的芯片模块，在功耗上的优化备受关注，过去只需要设定三种不同的用电模式，现在则需要适应更多使用场景，划分为更多用电模式，这对设计提出了更高要求。另一个挑战是关于高度和面积的问题，这主要是为了配合手机应用中不断增加的需求，如更大的电池或未来可能出现的新功能所需的额外空间。折叠屏手机由于机身比普通智能手机更薄，对FEM的高度也提出了缩小的要求。尽管芯片微缩变得越来越困难，客户仍然对缩小模块体积有显著需求，这使得设计工作非常棘手。最难的部分在于满足客户的各种特殊功能需求。Jeff坦言，由于手机市场的竞争异常激烈，可升级的地方越来越少，各品牌只能通过一些独特的卖点来吸引用户。作为组件制造商，必须配合客户需求进行定制开发，但这有时会与上述两个要求形成矛盾。例如，有些客户可能希望集成手持无线电对讲机功能，这就需要提高放大器的功率，而这又与低功耗设计产生冲突，确实存在很多难题。无论客户需求如何，作为市场的领头羊，Qorvo必须确保其技术始终处于最前沿的位置。尤其是在FEM市场竞争日益激烈的背景下，后来者追赶速度很快，针对Wi-Fi 6的技术投入已经减少，因为该领域已经被后来者瓜分殆尽。未来的重点将放在Wi-Fi 7等先进技术的开发上。在全球无线通信技术迅速发展的背景下，作为射频解决方案的领导者，Qorvo期待着Wi-Fi 7普及化的时刻尽快到来，带动高端新品的大规模销售。在5G手机射频芯片及Wi-Fi 7 FEM的设计上，Qorvo凭借卓越的技术实力和深厚的行业经验，不断推出满足客户需求的创新产品。未来，Qorvo将继续引领行业发展，为全球客户提供更具竞争力的射频解决方案。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-01-15 1340
Supermicro极致性能服务器开始量产供货，可针对AI、高性能计算、虚拟化以及边缘端工作负载优化

全面升级后的服务器搭载全新Intel® Xeon®6900系列性能核（P-core）架构处理器，并已开始量产供货。这些服务器采用优化极致性能设计，支持新一代世代GPU、更高带宽的内存、400GbE网络、E1.S和E3.S硬盘，以及领先业界的直达芯片（Direct-to-Chip）液冷解决方案作为AI/ML、高性能计算、云端、存储和5G/边缘领域的全方位IT解决方案提供企业，开始针对搭载Intel Xeon 6900系列性能核架构处理器的极致性能服务器进行供货。此系列系统采用多种升级后的全新技术，以及新型优化架构，适用于计算需求最严苛的高性能工作负载，包括大规模AI、集群规模高性能计算，以及协作设计、媒体传播等需要GPU数量最大化的应用环境。 Supermicro总裁暨执行长梁见后表示：「目前正量产供应的系统具备低延迟特色与最大化I/O扩充配置，提供高度数据传输量，且具有256颗性能核（每个系统）、针对每个CPU所配备并支持MRDIMM的12组内存信道，以及高性能EDSFF存储选项，可为全球客户带来崭新功能和性能等级。通过我们的服务器建构组件解决方案（Server Building Block Solutions®）设计，Supermicro完整、完善的服务器系列采用全新应用优化技术，并已开始供货。此外，Supermicro也具有可供应任何规模解决方案的全球产能，以及由内部开发，可提供空前散热效率的液冷技术，引领业界迈向极致性能计算的新时代。」通过Supermicro的JumpStart计划，多款X14系统现可供远程测试和验证。 Supermicro X14系统包含多种外形规格，而每个机型皆针对许多类型的性能密集型工作负载进行了优化： ●GPU优化的设计可支持最新一代SXM和PCIe GPU。其中，特定型号也具备了经强化的散热性能和直达芯片液冷技术。 ● 高密度多节点系统包括全新FlexTwin™和GrandTwin®机型，以及经验证与获奖的SuperBlade®架构。这类机型借由共享组件提高效率，且可配备直达芯片液冷技术以实现最高性能密度。 ●经市场认可的Supermicro Hyper机架将单插槽或双插槽架构、高灵活度的I/O，以及传统机架式机型存储配置结合，助力企业和数据中心随着工作负载改变而进行垂直与横向扩充。 Supermicro的极致性能X14系统搭载Intel Xeon 6900系列性能核架构处理器，其中每个CPU具有最高128颗性能核，可支持最高8800 MT/s的高带宽MRDIMM，以及AI专用Intel AMX等内建型加速器。对于任何规模的数据中心，Supermicro皆可提供完整的机架级整合服务，包括设计、建构、测试、验证和交付，使X14系统成为数据中心的完美建构组件。Supermicro拥有领先业界的全球制造产能，每月最高可生产5,000个机架（2,000个液冷机架），并拥有广泛齐全的测试和烧机设施，可在数周内交付任何规模的解决方案，而不用耗时数月。通过Supermicro内部开发的完整液冷直达芯片散热板解决方案，液冷技术可容易地被纳入机架级整合，进一步提高系统效率，减少热节流机制发生，同时降低数据中心部署的总体拥有成本（TCO）和总体环境成本（TCE）。这些一站式解决方案包括机架、布线、电源和散热基础架构，可简化大规模解决方案的部署作业。为了使最新X14系统的性能和密度达到最大化，Supermicro也提供内部开发的完整液冷解决方案，包括用于CPU、GPU和内存的冷板，以及冷却液分配装置、冷却液分配歧管、软管、连接器和冷却水塔。这些液冷技术可容易地被纳入机架级整合中，提高系统效率，减少热节流机制发生，同时降低数据中心部署的总体拥有成本（TCO）和总体环境成本（TCE）。 Supermicro极致性能X14系统支持采用性能核的Intel Xeon 6900系列处理器，其特色包括： GPU优化 - 最高性能的Supermicro X14系统，专为大规模 AI 训练、大型语言模型（LLM）、生成式AI和高性能计算所设计。这些系统支持八个最新一代的SXM5和SXM6 GPU，并可搭配气冷或液冷散热技术。 PCIe GPU - 专为最大GPU灵活性所设计，并能在散热优化5U或边缘优化3U机箱内支持最高10个双倍宽度PCIe 5.0加速器卡。这些服务器非常适合AI推理、媒体、协作设计、模拟、云端游戏和虚拟化工作负载。 Intel®Gaudi® 3 AI加速器 – Supermicro已开始供应业界首款搭载Intel Xeon 6处理器与Intel Gaudi 3加速器的AI服务器，可提升大规模AI模型训练和AI推理的效率并降低成本。这些系统可在OAM通用基板上搭载八个Intel Gaudi 3加速器，并配备六个整合式OSFP端口，能以符合成本效益的方式横向扩充网络，同时也具备一个开放式平台，可运用基于社群的开放原始码软件堆栈，无需软件授权成本。 SuperBlade® - Supermicro的X14 6U高性能、密度优化，以及高能效的SuperBlade，能将机架密度最大化，且每个机架最高可容纳100台服务器和200个GPU。每个节点皆针对AI、高性能计算和其他计算密集型工作负载进行优化，采用气冷或直达芯片液冷技术使效率达到优化，并以最佳的总体拥有成本实现最低的电力使用效率（PUE），同时也可连接最高四个整合式以太网络交换器，通过其100G上行链路和前置I/O支持许多灵活网络选项，且每个节点具有最高400G InfiniBand或400G以太网络。 FlexTwin™ - 全新Supermicro X14 FlexTwin架构是专为高性能计算而打造，并具高度成本效益。这些系统可在多节点配置中提供最大计算力和密度，并能在48U机架内容纳最高24,576个性能核。每个节点皆针对高性能计算和其他计算密集型工作负载进行优化，并采用直达芯片液冷技术以最大化效率并减少CPU热节流机制的发生，同时也具有针对高性能计算的低延迟前置和后置I/O，且支持最高400G的许多灵活网络选项。 Hyper - X14 Hyper是Supermicro的旗舰级机架式平台，专为需求严苛的AI、高性能计算和企业应用程序提供最高的性能。这些平台的单插槽或双插槽配置支持双倍宽度PCIe GPU，可实现工作负载最大加速，并提供气冷和直达芯片液冷式机型，可支持顶级CPU而不受散热因素的限制，同时降低数据中心的冷却成本，并且提高效率。

SMCI

SMCI . 2025-01-15 1135
暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售

据了解，美国芯片制造商 Wolfspeed 已将其位于达拉斯郊外的德克萨斯州工厂挂牌出售。该数据中心位于农民布兰奇，通过Loopnet挂牌出售，价格不详，包含四栋建筑，包括一个 14MW 的数据中心设施。该数据中心位于 14465 Maxim Drive 的 G 楼，可扩展至 28MW，占地 4,700 平方英尺（436 平方米），设施面积为 35,826 平方英尺（3,328 平方米）。这四栋建筑是企业科技园区的一部分。园区占地 26 英亩，由七栋建筑组成，总面积为 457,000 平方英尺（42,500 平方米）。这四栋建筑均不可单独出售。 A 栋目前是一家半导体制造厂，占地 162,500 平方英尺（15,000 平方米），设有实验室、制造室和办公空间。 B 栋和 D 栋位于创新大道 4331 号和 4345 号，分别为办公空间和仓库。该场地配备两台 2500 KVA 变压器，其中 A 栋配备一台 200kW、500kW 和 750kW 柴油发电机。G 栋的主电气室还配备一台 400kW 柴油发电机和 750kVA UPS。该工厂的前任所有者 Wolfspeed 在其 2025 年第一季度财报电话会议上表示，其目标是简化业务，专注于 200 毫米碳化硅晶圆。该公司目前正在努力应对 150 毫米晶圆需求下降的问题，其德克萨斯州工厂的关闭预计将导致裁员 75 人。 Wolfspeed 还无限期暂停在德国萨尔州建设设备工厂的计划。预计 Farmers Branch 的最终生产将很快结束。去年 10 月，Wolfspeed与该部门签署了一项临时协议，获得高达 7.5 亿美元的直接资金，以支持在北卡罗来纳州和纽约建造两座新工厂。该公司的主要功率器件制造现在将在纽约进行。一年暴跌84.7％尽管大盘呈现看涨趋势，但Wolfspeed 的股票在 2024 年仍遭遇重创。根据标普全球市场情报的数据，这家碳化硅技术专家的股价在去年的交易中下跌了 84.7% 。与此同时，标准普尔 500指数上涨了 23.3%，纳斯达克综合指数上涨了 28.6%。图片来源：雪球截图 Wolfspeed 股票去年却遭遇大幅抛售，原因是该公司继续出现巨额亏损。除了亏损不断增加外，该公司关闭生产设施并放弃建造新工厂的计划也使盈利之路受到质疑。去年对 Wolfpseed 来说是一段艰难的时期。根据该公司最新的季度更新，该公司在过去 12 个月内亏损超过 7.5 亿美元。Wolfspeed 上一季度的长期债务约为 30 亿美元，长期负债约为 31 亿美元。由于旨在长期提高销售额和收益的业务扩张项目被取消，Wolfspeed 的亏损和利润问题变得更加严重。8 月，有消息称 Wolfspeed 将关闭其位于北卡罗来纳州达勒姆的一家生产工厂。10 月，该公司宣布放弃在德国建造一家价值 30 亿美元的工厂的计划。该公司还宣布将关闭位于德州的一家工厂。 11 月有消息称，Woflspeed 首席执行官 Gregg Lowe 将辞职，公司正在寻找新的领导团队。尽管领导层变动导致股价上涨，但年底仍出现巨额亏损。在目前看来，Wolfspeed 股票在 2025 年仍在暴跌。在 2025 年交易初期，这个SiC公司的股票继续遭遇大幅抛售。截至本文撰写时，该公司股价今年迄今已下跌约 26%。这些抛售发生在标准普尔500指数下跌 0.8% 和纳斯达克综合指数回调 1.2%的背景下。周一，该公司跌破 5 美元，创下 1990 年代末以来的最低水平。虽然这对投资者来说是个坏消息，但对做空该股票的人来说，这是一个更受欢迎的发展。而且做空该股票的人很多。虽然没有任何重大业务新闻推动该公司股价下跌，但 Wolfspeed 的估值大幅回落，同时受到宏观经济压力和地缘政治动态的影响。美国劳工统计局的最新数据显示，美国经济 12 月新增就业岗位远超经济学家的预期，这引发了人们对通胀压力可能再次上升的担忧。拜登政府最近公布了一系列全面的法规，限制向中国、俄罗斯、伊朗和朝鲜出口人工智能芯片，这为该股增添了另一个利空因素。虽然这些限制不太可能直接影响 Wolfspeed，但它们已导致投资者对整个股市采取更为规避风险的策略。

SiC

芯查查资讯 . 2025-01-15 2.3w
圣邦微电子硅 TVS 二极管：通过 IEC61000-4-2 测试认证的高性能射频 ESD 防护器件

静电放电（ESD）是造成电子产品和集成电路系统损坏的主要元凶之一，每年给电子行业带来的损失高达数千亿人民币。ESD 对电子产品造成的损伤中有 90% 都是潜在性损伤，这类损伤在出厂质量检测中难被检测到，但会在产品使用过程中逐渐显现出质量问题。因此，ESD 被视为是电子产品质量最大的潜在威胁，而静电防护也成为电子产品质量控制中的关键环节。在静电防护设计中，选择合适的 ESD 保护器件至关重要。在所有静电防护的应用场景中，天线等射频接口是对 ESD 保护器件要求最高的场景之一。这类应用场景下，器件不仅要能在受到正向或者反向瞬态高能量冲击时极快地将其两极间的高阻抗变为低阻抗，以吸收高能量的瞬时过压脉冲并将其电压钳位于一个预定值，还要尽可能减少由于 ESD 保护器件的寄生参数或电气特性带来的谐波噪声和互调干扰。谐波噪声和互调干扰可能会导致无线模块传输信号失真或者接收灵敏度下降，进而增加通信的误码率。 ESD 保护器件的种类常见的 ESD 保护器件主要包括压敏电阻、陶瓷 TVS 二极管和硅 TVS 二极管等。压敏电阻的工作原理基于其非线性的伏安特性，响应时间相对较慢（通常在 ns 级），而其高达几百 pF 的结电容使其不适宜直接应用于高频信号的保护。此外，压敏电阻的 ESD 性能会随着使用次数的增加而逐渐降低。陶瓷 TVS 二极管采用电极间放电机制，其结电容很低，一些国际优秀厂商的产品甚至可以做到 0.05pF。然而它们能够承受的 ESD 脉冲次数有限，一般在 1000~10000 次之间。硅 TVS 二极管是基于 PN 结雪崩击穿原理，能够在 ps 级时间内吸收数千瓦的浪涌功率。虽然其结电容相对于陶瓷 TVS 略高，过往认为不太适合用于射频产品，但随着工艺的进步，硅 TVS 的结电容也在逐渐逼近陶瓷 TVS 的水平。此外，硅 TVS 的工作原理决定了其使用次数没有限制，性能也不会随着 ESD 脉冲的增加而下降。圣邦微电子推出的 TVS 二极管是硅 TVS 二极管。器件结电容做到了 0.15pF，且已成功通过 IEC61000-4-2 测试认证。接下来，我们将主要介绍器件结电容低和属于非回弹型 TVS 二极管两方面特性以及这两种特性在射频应用中具备的优势。一、低结电容 TVS 二极管特性及在射频应用中的优势射频技术为何青睐低结电容的 TVS 二极管？射频芯片因其高工作频率，对任何非预期的寄生参数都极为敏感，这些参数在高频环境会放大其负面影响。因此，射频领域对 ESD 保护器件提出了更严苛的要求。图1展示了圣邦微电子不同结电容 TVS 二极管在 10Gbps 高速信号传输情况下的眼图。最左侧的眼图显示了未经PCB板传输的信号，中间的眼图显示了仅通过空 IC PCB 板传输的信号，最右侧的眼图则是经过加装 IC 的 PCB 板信号传输的情况。通过对比可以明显看出，当 PCB 板加装了结电容为 0.692pF 的 TVS 二极管后，传输信号波形发生了明显畸变；相对地，使用结电容为 0.232pF 的 TVS 二极管时，其眼图与仅通过空 PCB 板传输的眼图基本一致。这一结果标明，TVS 二极管的结电容越小，对系统高速信号传输性能影响越小。图 1 不同结电容 TVS 二极管在高速信号传输情况下的眼探查这一现象背后的机理，是射频 IC 的源阻抗或电路板寄生电阻会与 TVS 二极管的结电容结合，形成一个 RC 低通滤波器，这种滤波器对高频信号有衰减作用。寄生电容的增加会导致 RC 低通滤波器的极点频率下降，进而增加插入损耗（Insert Loss，是指发射机和接收机之间，由于插入器件带来的信号损耗，其定义为：IL = -10log(PO/PI)，测试原理框图可见图 2）。图 2 TVS 二极管插入损耗测试原理框图表 1 列出了 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 这两款器件的基本参数，它们分别代表 5V 和 15V 的 TVS 保护器件。两款产品均是双向（Bidirectional）二极管，且结电容都小于 0.4pF。表 1 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 的基本参数根据图 2 原理框图进行的插入损耗测试结果在表 2 中列出。SGM15UB1E2 在 2GHz 频率的测试下，插入损耗仅为 -0.01dB；而在 6GHz 频率的测试下，插入损耗也仅为 -0.02dB。这些数据表明，低结电容的 TVS 带来的插入损耗是极低的。表 2 SGM05FB1E2 和 SGM15UB1E2 的插入损耗二、非回弹型 TVS 二极管特性及在射频应用中的优势触发电压（Trigger Voltage）是 TVS 二极管从高阻抗状态转换为低阻抗状态所需的最低电压。对于回弹型（Snap-Back）TVS 二极管，触发电压标记着进入回弹区域的第一个拐点；而对于非回弹型（Non-Snap-Back）TVS 二极管，其电流随两端的电压增大而单调上升，不存在折返特性。图 3 展示了 GSM 天线接口连接电路。若 TVS 二极管的触发电压太高，可能无法触发保护机制，导致周围低压器件受损。天线等射频接口电路的电容等元件一旦烧毁，极易影响滤波网络，导致二次、三次等谐波增大。因此，降低触发电压是 TVS 二极管研究的重要方向之一。图 3 GSM 天线接口连接电路图 4 展示了最大工作电压为 15V 的陶瓷 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线。其中黑色曲线代表 I-V 特性，蓝色曲线代表漏电流。可以看出，这种陶瓷 TVS 二极管是典型的回弹型器件，其触发电压接近 200V。如此之高的触发电压使得陶瓷 TVS 二极管用在信号线上的应用极易导致器件未能及时动作而损坏后端被保护的 IC，其 ESD 防护性能不全面，存在很大的潜在风险。同时可以看出，陶瓷 TVS 二极管的漏电流稳定性较差。相对的，图 5 展示了最大工作电压 15V 的硅 TVS 二极管（SGM15UB1E2）的 I-V 特性和漏电流曲线。该器件是非回弹型器件，触发电压低于 20V。超低的触发低压可以更早吸收浪涌能量，并极大降低浪涌电压来临时器件不动作的概率。此外，器件的漏电流非常稳定，保持在 55pA 左右。图 4 陶瓷 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线图 5 硅 TVS 二极管的 I-V 特性和漏电流曲线图 6[1] 和图 7[1] 分别展示了非回弹型和回弹型 TVS 二极管在 100MHz RF 信号下的电流和电压瞬态波形。从图中可以明显看出，回弹型 TVS 的电流和电压受到严重的 RF 信号干扰。表明回弹型 TVS 二极管很可能会导致更强的谐波，从而导致天线的灵敏度下降；而非回弹型 TVS 二极管在很大程度上不受 RF 信号的影响。因此，从谐波角度来看，非回弹型 TVS 二极管可能是更适合在天线等射频应用中使用的器件。图 6 100MHz RF 信号下的 TVS 二极管电流瞬态波形图 7 100MHz RF 信号下的 TVS 二极管电压瞬态波形最后，为了方便研发工程师快速而准确地挑选圣邦微电子的 TVS 二极管型号，图 8 详细展示了圣邦微电子 TVS 二极管产品命名规则。图 8 圣邦微电子 TVS 二极管命名规则参考文献： [1] G. Maghlakelidze, S. Marathe, W. Huang, J. Willemen and D. Pommerenke, "Effect of RF Signals on TVS Diode Trigger Voltage for ESD Protection," 2020 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility & Signal/Power Integrity (EMCSI), Reno, NV, USA, 2020, pp. 194-199.

低结电容

圣邦微电子 . 2025-01-14 1 1425
高通重回服务器处理器市场

高通正在组建一个开发团队，为数据中心设计服务器处理器。该公司网站上发布的一则招聘信息就是证据。该公司正在寻找一名服务器片上系统 (SoC)安全架构师，招聘信息中详细列出了该公司“正在开发基于高通骁龙 SoC 的参考平台，提供包括硬件、软件、参考设计、用户指南、SDK 等在内的综合解决方案。” 招聘信息证实了“高通数据中心”团队的存在，该团队正在设计“用于数据中心应用的高性能、节能服务器解决方案”。当然，我们只是在猜测，高通可能计划将其 Nuvia 团队设计的高性能节能核心用于数据中心应用。这个团队还开发了该公司用于笔记本电脑的骁龙 X 处理器，但在被纳入高通旗下之前，它最初设计服务器处理器。事实上，高通曾经开发和销售基于 Arm 的数据中心 CPU，但并没有取得多大成功，这大概就是它停止的原因。然而，亚马逊的 Graviton 处理器已经证明基于 Arm 的解决方案可以在数据中心蓬勃发展，市场对更多创新型进入者敞开大门。显然，亚马逊的成功让高通重新思考，重新开始数据中心 CPU 的开发。招聘启事写道：“我们正在寻找经验丰富的 SoC 安全架构师加入我们的团队。如果您对硬件安全架构有深入的了解，并且热衷于在先进工艺节点上设计和设计复杂的 SoC，我们将非常乐意听到您的声音。这一关键角色涉及与其他平台架构师合作，设计下一代安全系统和硬件基础设施，以优化整体功率、性能、面积 (PPA) 效率和安全保障，同时确保符合行业标准。” 有趣的是，在收购 Nuvia 时，高通特别指出，它计划在其客户端 PC 处理器中使用 Nuvia 的 Phoenix 内核，而不是数据中心，尽管 Nuvia 最初设计内核时考虑的是数据中心。如今，被称为“Oryon”的内核为高通的客户端 PC 骁龙 X 处理器提供动力。但现在，高通显然已经改变了对数据中心产品的看法，并正在组建一个 SoC 开发团队（核心团队已经成立），因此有理由预计该公司将在未来几年内开发出数据中心解决方案。虽然我们并不确定，但首批使用高通 CPU 的设备很可能是该公司的 5G 平台，然后是 6G 基站平台，而高通控制着这个领域的硬件和软件堆栈。至于高通为目前由 x86 主导的数据中心开发芯片，只有时间才能证明这是否是该公司的最终意图。

高通

芯查查资讯 . 2025-01-14 840
Arm计划长期战略，将价格提高300%

芯片公司技术供应商 Arm Holdings 正在制定一项长期战略，将价格提高 300%，并讨论设计自己的芯片，以与其最大客户竞争。几十年来，这家英国公司一直保持低调，但每年却是数十亿美元芯片销售的核心。它授权苹果、高通、微软和其他公司设计芯片时使用的知识产权，并对使用 Arm 技术生产的每块芯片收取少量使用费。尽管 Arm 在智能手机和节能数据中心芯片的崛起中发挥着核心作用，但与其客户相比，Arm 的规模仍然很小，2024 财年的收入为 32.3 亿美元。在最近的一个财年，苹果从其硬件产品（均采用基于 Arm 的芯片）中获得的收入是其 90 倍以上。但软银集团（拥有 Arm 90% 的股份）首席执行官孙正义和 Arm 首席执行官雷内·哈斯决心改变这一现状，根据上个月的一场审判中披露的计划，Arm 试图从高通那里获得更高的专利使用费率，但没有成功。Arm 的野心的细节在法庭证词和仍处于保密状态的文件中有所描述，此前尚未报道过。 Arm 和高通拒绝置评。据高管密封证词显示，Arm 的计划在早期阶段被称为“毕加索”项目，至少可以追溯到 2019 年，目标是在大约 10 年内使智能手机年收入增加约 10 亿美元。 Arm 计划通过提高客户为使用其最新计算架构 Armv9 的芯片设计的现成部件支付的芯片专利费率来实现这一目标。在审判期间，Arm 高管出示了 2019 年 8 月的文件，其中讨论了 300% 的涨幅。2019 年 12 月，Arm 当时的首席执行官西蒙·塞格斯 (Simon Segars) 告诉 Arm 董事会主席孙正义，Arm 已与高通达成协议，将在“毕加索”计划下使用现成的技术。但高通和苹果等其他大客户已经足够成熟，可以使用 Arm 的架构从头设计自己的芯片，而不需要 Arm 价格更高的现成产品，这意味着他们不一定会受到所有这些价格上涨的影响。哈斯在 2021 年高通收购 Nuvia 当天举行的 Microsoft Teams 聊天中表示：“我们与高通和 Fender 签订了粗略的遗留协议。”该初创公司将帮助高通减少使用 Arm 的现成技术。 “Fender”是 Arm 为苹果公司设计的内部代号。苹果公司拒绝置评。软银于 2016 年收购 Arm 后，这家英国公司的计算架构从为智能手机提供支持扩展到了在 PC 和数据中心市场取得巨大进展。根据证词和庭审文件，Arm 高管讨论的计划包括可能逐步实现 Arm 自己的完整芯片设计。Arm 出售芯片设计蓝图，但其大多数客户仍需要数月时间才能完成芯片设计。参加审判的 Tantra Analyst 创始人 Prakash Sangam 表示：“Arm 竟然考虑（制造自己的芯片），这对我来说还是个新闻。这应该会让他们的客户感到不寒而栗。” 在审判中，高通律师展示了哈斯在 2022 年 2 月申请担任首席执行官时向 Arm 董事会做的演示文稿，其中建议 Arm 改变其商业模式。哈斯表示，Arm 不应该只销售芯片蓝图，而应该销售芯片或小芯片，这是一种较小的构建模块，用于制造 AMD 和其他公司生产的一些处理器。据证词和文件显示，几个月前，在与另一位 Arm 高管的对话中，哈斯表示有信心，如果 Arm 将芯片投放市场，它就能与自己的客户竞争。哈斯在审判期间展示的 2021 年 12 月的 Teams 消息中表示：“其余的都失败了”，他指的是高通等芯片公司在与完整的 Arm 芯片设计竞争时将面临的问题。在审判期间，哈斯淡化了这些言论，称它们反映了许多高管与同事和董事会成员之间的长期战略讨论。哈斯表示，虽然 Arm 从未涉足芯片设计业务，但他一直在考虑可能的策略。他向八名陪审团成员表示：“我唯一想的就是未来。

arm

芯查查资讯 . 2025-01-14 1 765
借助Qorvo QPG6200 为物联网构建安全与信任

在物联网（IoT）日益融入日常生活的时代，消费者对相关技术的信任建立在其安全性保障的基础之上。稳健的网络安全措施对于构建这种信任至关重要。为应对这一需求，行业和政府纷纷出台规定，加强了对网络威胁的防御要求，以保护消费者的隐私及安全。在美国，网络安全标识（Cyber Trust Mark）作为消费者的一项重要参考标准，表明拥有该标识的产品遵循了如美国国家标准与技术研究院（NIST）IR 8425 文件中所详述的安全指南。同样，欧洲电信标准化协会(ETSI)即将通过 ETSI EN 303 645 设立一个强有力的框架，旨在为欧盟市场内的物联网设备设定高标准。本白皮书将深入探讨Qorvo 针对物联网量身定制的广泛多标准、节能型无线连接解决方案产品组合。接下来的章节将详细分析QPG6200的安全特性，并辅以全面的技术文档和应用说明。下一代 Matter™ 解决方案我们生活在一个物联网(IoT)的时代，身边遍布数以百万计的智能设备；从智能音箱等智能网关，到灯泡、恒温器等各式各样的智能家电，不一而足。Qorvo立足行业前沿，为全球物联网制造商提供高性能解决方案。QPG6200正是Qorvo致力于保障物联网安全的有力证明；其设计融入了满足市场严苛要求和行业标准认证的安全特性。 QPG6200专为要求高安全性而又不影响成本效益或效率的物联网应用而设计。其具有专用的安全管理引擎——安全元件；该引擎提供安全的产品生命周期管理、安全存储、安全启动、安全调试，以及带侧信道分析（差分功率分析）保护功能的硬件加速加密。 QPG6200已获得PSA 2级认证，标志着产品安全性的可靠保障。其配套的软件开发工具包（SDK）、硬件开发板以及一系列软件工具和文档，简化了安全设计的复杂性，使其更加直观易懂。着眼于未来，QPG6200为Matter等先进协议奠定了坚实基础，确保其准备好迎接下一波物联网创新浪潮。硬件概览图1，用于概述安全功能的简化方框图如图1所示，QPG6200包含一个应用处理器（Arm® Cortex®-M4F）、一个用于射频（RF）通信的实时（RT）系统，以及安全元件。安全元件作为一个独立组件，内含安全处理器、信箱、DMA引擎、调试质询接口（DCI），以及硬件加速加密模块。产品生命周期图2，产品生命周期中的各个状态 QPG6200实现了安全的产品生命周期，生命周期状态之间的转换定义明确（图2）。新设备处于未初始化的生命周期状态（LCS）SM_INIT。在这种状态下，所有可配置的安全功能均被禁用，以方便开发。在产品交付给最终客户之前，必须使用安全资产对设备进行初始化（请参阅“安全配置”章节）。这一步骤将设备转变为安全生命周期状态。在此状态下，可使用安全启动和安全调试等安全功能。如果设备需要执行退货授权（RMA）流程并退回芯片制造商，则必须确保系统制造商的数据安全。在退回之前，可以擦除设备的特定机密信息，从而将设备转入RMA生命周期状态。这一过程保证了所有客户和制造商数据的安全；一旦设备离开原用户环境后便无法恢复任何敏感信息。安全存储安全存储利用安全元件保障数据机密性；该安全元件使用唯一的存储根密钥对数据进行加密。此密钥可源自物理不可克隆功能，也可由芯片上的随机数生成器创建。安全存储内保护的每项数据均使用独特的密钥进行加密；该密钥是安全元件存储根密钥的派生密钥。此过程通常称为“密钥封装”，用于在安全元件内部加密敏感数据。之后，这些加密的数据可以安全地存储在非安全内存中（如应用内存），而解密只能由安全元件执行。系统制造商可以选择对安全存储内的数据实施使用限制，以加强控制；例如，密钥可能仅限于在加密操作中使用，且永远不离开安全元件，从而防止潜在的信息泄露。安全存储的密钥可以通过安全配置进行部署、在安全元件内创建，或由应用程序协商产生。这些措施确保密钥及其保护的数据免受未经授权的访问。安全启动 QPG6200的多阶段安全启动（如图3所示）流程确保只有授权软件能在设备上运行。图3，安全启动概览在启动时，应用处理器和实时处理器最初都处于非工作状态，被置于复位模式。启动过程从安全元件内的ROM引导加载程序开始。该程序运行于安全处理器之上，触发安全启动序列。它的主要作用是作为硬件锚定且不可更改的信任根，并验证安全元件固件上的ECDSA签名。如果验证成功，安全元件的控制权将转移给安全元件固件。此外，ROM引导加载程序还具备处理安全元件固件安全升级的功能，确保设备从一开始便拥有安全完整性。安全元件固件启用安全元件的安全功能，并使用ECDSA签名认证应用程序的引导加载程序。一旦认证通过，应用处理器被激活以运行经验证的应用引导加载程序。安全元件固件继续保持警惕，处理来自应用处理器的安全相关请求；如执行硬件加速加密和管理安全存储。此外，它还负责升级应用引导加载程序。随后，应用处理器上的应用引导加载程序接手，利用安全元件的安全服务来验证应用的ECDSA签名。验证成功后，控制权将移交给应用程序，然后由应用处理器执行。此外，应用引导加载程序还负责管理应用程序的更新。安全升级安全元件固件芯片制造商可能会为安全元件固件提供升级。这些升级以不透明的二进制文件形式提供，由Qorvo进行加密和加密签名。应用程序负责及时下载这些升级包。当下载完成后，应用程序必须通过向安全元件发送命令来触发升级。应用引导加载程序系统制造商可为应用引导加载程序提供升级。这些升级同样以加密并经过加密签名的二进制文件形式提供。应用程序负责及时下载这些升级。下载完成后，应用程序必须向安全元件发送命令来触发升级。应用程序应用程序的升级由应用引导加载程序执行，这让系统制造商在实施定制升级机制时获得了最大的灵活性。 QPG6200 SDK中包含了一个涵盖应用引导加载程序和应用程序的参考实施方案；其中，应用程序负责下载加密并经过签名的升级镜像，然后指示应用引导加载程序进行升级并重置设备。安全调试开发人员可以使用JTAG或SWD接口访问应用处理器的调试功能。这些调试设施默认连接到一组特定的引脚，便于使用，从而促进快速开发。然而，这种标准设置并不安全。如果不加以限制，调试端口可能会危及应用处理器的安全性。因此，在设备发货给客户之前，确保调试端口的安全性至关重要。系统制造商可以选择以下两种方法之一来保障调试访问的安全性：永久关闭调试端口启用安全调试请注意：配置这两个选项中的任何一项，都是不可逆的操作。当启用安全调试时，调试端口提供对调试质询接口（DCI）的访问。开发人员可以向芯片请求一次性随机质询。质询内容连同解锁应用处理器调试的命令必须由用户使用私钥进行加密签名。发送回此命令和签名后，将解锁应用处理器的完整调试功能。这一过程确保了持有私钥的各方能够安全地获得调试权限。安全配置安全配置是系统制造商初始化QPG6200安全参数的过程。这些参数至少包括：应用引导加载程序和应用程序签名验证密钥（ECDSA公钥摘要）应用引导加载程序和应用程序升级加密密钥（AES-256密钥）安全调试解锁命令签名验证密钥（ECDSA公钥摘要）配置流程可包括以下可选内容：初始应用引导加载程序初始应用程序特定于应用程序的安全参数，包括但不限于： Matter设备认证证书（DAC）和认证私钥其它特定应用密钥这些可直接配置到安全存储中配置数据通过AES-GCM算法和每个系统制造商独有的系统制造商配置密钥进行打包并加密。这既保护了配置数据的机密性及真实性，又简化了生产设施的安全要求。设备认证认证作为一种安全流程，允许外部验证者确认设备或系统的真实性。通常，验证者会向设备发送质询信息，通常是一串随机数据。设备随后使用其唯一的私钥对该数据进行签名，并将签名以及包含与私钥对应公钥的证书返回给验证者。这样，验证者就可以验证签名和证书的真实性。 QPG6200支持此认证流程。它可以验证硅芯片本身的真实性，也提供应用级别的认证机制；如Matter协议中定义的设备认证证书（DAC）。每个QPG6200芯片都嵌入了芯片级的唯一私钥，Qorvo对该私钥的公钥进行加密签名。随后，系统制造商可以使用Qorvo的证书链来验证签名及证书，确保Qorvo硅芯片的真实性。虽然这对系统制造商来说是有价值的信息，但对嵌入QPG6200的产品进行认证时，应验证整个产品，而不仅仅是芯片。不同的标准推荐了不同的认证方法。QPG6200支持基本的认证要求，包括第三方设备认证（非VID范围的PAA）和系统制造商（VID范围的PAA），这些要求已专门针对Matter协议合规性进行了定义。硬件加速加密安全元件包含用于加速加密操作的硬件。下文重点介绍了主要算法，完整列表请参见QPG6200数据手册。硬件加密加速算法： AES128/192/256，支持ECB/CTR/CBC/CFB 以及CCM/GCM/GMAC模式 SHA-1、SHA-2/256/384/512 ECDSA、ECDH（P-192、P-256、P-384、P-521） EdDSA（Ed25519/Curve25519） J-PAKE PBKDF2、HKDF AES引擎和公钥（PK）加密引擎均具备抵御侧信道分析攻击的保护措施。这些防御手段阻止了攻击者通过时间分析或功耗观察来推断敏感密钥材料。结论 Qorvo 致力于提供安全的认证解决方案，以降低OEM的风险并减少成本。QPG6200正是这一承诺的体现，其安全架构符合物联网设备的关键行业标准和网络安全法规。其强大的套件以安全元素为亮点，提供全面的生命周期管理和先进的安全功能，并达到PSA 2级认证水平。 QPG6200随附的完整SDK、硬件开发板和详细文档简化了复杂的安全设计；确保了OEM能够高效集成最先进的安全措施，保持市场竞争力，并为Matter等协议做好准备。QPG6200不仅仅是一款产品，更开拓了通往下一代物联网创新领导地位的路径。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-01-14 810
美国发布史上最严厉AI管制，全球被分为Tier1-3，大模型首次纳入管控范围

2025年1月13日，美国发布迄今为止采取的最严厉的出口管制措施——“人工智能扩散临时最终规则”（Interim Final Rule on Artificial Intelligence Diffusion）。新规禁止将人工智能关键技术外包，确保人工智能按照美国标准执行，对一些国家的先进人工智能芯片数量设定上限，并要求美国企业出口人工智能技术和芯片时必须获得许可。把全球分成Tier1—3 其中 18 个美国的亲密盟友获得豁免资格，即"人工智能授权国家"（Artificial Intelligence Authorization Countries，AIA），包括：澳大利亚、比利时、加拿大、丹麦、芬兰、法国、德国、爱尔兰、意大利、日本、荷兰、新西兰、挪威、韩国、西班牙、瑞典、英国、美国；另有1个地区也获得豁免资格：中国台湾。 Tier 1，美国及其18个亲密盟友，包括英国、加拿大、德国、日本、韩国、荷兰、中国台湾等不受限制，自由购买AI芯片。 Tier 2，约120个其他国家/地区，限制进口AI芯片的数量上限，但可通过与美国政府达成特殊协议来增加总量，旨在阻止中国大陆等通过这些国家/地区绕道获取AI芯片。 Tier 3，中国大陆、俄罗斯、朝鲜等国家及地区，受到先前存在的AI芯片采购禁令约束，被禁止购买先进芯片和前沿的封闭AI模型。图片来源：彭博社 Tier 2 的国家是美国对中东和亚洲的120 多个盟国享有"低处理性能" (Low Processing Performance，LPP) 许可豁免机制，即采购配额限制，包括：新加坡、阿联酋、沙特阿拉伯、以色列、印度、马来西亚等。美国此举将制约这些国家建立大型人工智能数据中心的发展前景。美国或其盟友的公司能否在一个处于不是信赖盟友，也不是对手的中间地带国家建立AI代理？可以，但是这些“灰色地带”的Tier 2 国家需满足：符合高安全性和信任标准，且总部设在亲密盟友和合作伙伴的实体，可以获得“通用验证最终用户”（Universal Verified End User，UVEU）地位，但必须遵守“75/7”规则：确保至少 75% 的受管控 AI 芯片部署在美国及盟友境内，且在任何单一其他国家的部署不得超过 7%。对于总部位于美国的 UVEU 企业，还需确保至少 50% 的芯片留在美国本土。非美国对手国家，也可以申请获得资格，前提是满足安全和信任标准，且总部设在任何非受关注国家/地区的实体，可以申请“国家核实最终用户”（National Verified End User）身份，允许在未来两年内购买最多相当于 32 万个先进的人工智能芯片。这项规定允许受信任的国家实体受益于先进的美国技术，为当地、政府和地区客户提供服务，同时防范转移风险。那些没有获得这一资格的、非验证的最终用户（Non-Verified End User，Non-VEU）可以购买最多相当于 5 万个先进的人工智能芯片。这一上限确保美国技术可用于服务外国政府、医疗保健提供商和其他本地企业。来自当非美国客户的订单里的先进AI芯片数量小于 1,700 块，则无需许可证，也不计入各国芯片采购上限。绝大多数芯片订单都属于这一类，尤其是那些由大学、医疗机构和研究组织出于明显无害目的（clearly innocuous purposes）下的订单。这些新规似乎在鼓励各国应用美国先进人工智能技术，但是其中的规则要求极为严苛，而且对相关国家采取了重大措施，限制它们使用先进的人工智能系统和用于训练其计算能力。这些措施包括：原文PDF，复制网址到浏览器即可查看： https://public-inspection.federalregister.gov/2025-00636.pdf 确保先进半导体不会被“受关注国家”（countries of concern）用来训练先进的人工智能系统。“受关注国家”指美国出口管制条例（EAR）的国家列表D5组及中国澳门地区(Country Group D:5 and Macau)。限制将先进的封闭权重模型（advanced closed-weight models）的模型权重转移给不受信任的参与者。必须制定安全标准（security standards）来保护先进的封闭式模型的权重，虽然可以在世界各地安全地存储和使用，但必须防止非法对手访问（prevent illicit adversary access）。这些新规则是在拜登政府一系列出口管制措施基础上的升级版。自2022年10月7日以来，拜登政府已采取了一系列出口管制措施，试图阻止中国获得最先进的芯片、芯片制造设备及其他技术等，并随后在2023年10月17日、2024年3月29日、2024年12月2日分别更新了这些管制规定。如果以上新规得以执行的话，这意味着很多国家在建立人工智能计算设施上与美国相比处于竞争劣势。美国一些人工智能计算设施包含大量 NVIDIA的人工智能芯片，包括埃隆·马斯克 (Elon Musk ) 的 xAI 公司在田纳西州孟菲斯（Memphis, Tenn.）建造的 Colossus 超级计算机，该超级计算机的规模正在扩大，将包括 20 万个芯片。因此，这些新规得到了一些鹰派人士的大力支持，他们认为此前对中国采购美国先进人工智能芯片的管制不够充分。图片来源：SIA官网，地址为：Source:https://www.semiconductors.org/sia-statement-on-biden-administration-action-imposing-new-export-controls-on-ai-chips/ 但是，拜登政府此举在科技公司和行业协会之中引起了强烈反对。美国半导体行业协会在规则发布之前就强烈反对这些法案，在规则发布后迅速公开发表声明表示失望。这是该行业协会罕见的公开反对。新规对美国科技公司的经营业绩将受到影响，比如影响NVIDIA销售人工智能系统和在全球建立计算基础设施的能力。NVIDIA在阿联酋和沙特阿拉伯等国家对人工智能的需求上建立了庞大的业务。世界各国也越来越多地将人工智能计算设施视为国家核心资产。美国商务部长吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo ) 认为，新措施使美国能够在全球范围内管控先进技术，维护国家安全利益。因为如果对手国家能够利用人工智能来增强其军队实力，美国国家安全利益可能会受到危害。雷蒙多表示，这是“临时最终规则”（IFR），公众可以在规则正式公布（2025年1月15日）后的120天内提交评论意见建议，并且有一年的时间进行调整。大模型首次被纳入管制范围根据新规，人工智能大模型公司（如 OpenAI 和谷歌）需要获得出口许可，才能将这些模型附带的“权重”发送到第三国。模型权重是 ChatGPT 等先进人工智能系统的核心能力，它是一系列可以微调其性能的代码。但是，值得注意的是，美国人工智能芯片出口管制规则，对不同国家和企业适用的方式不同。比如，这些规则不适用于公开可用的权重模型（models with weights that are publicly available），其中最突出的是Meta的 Llama 模型。具体意思是，训练计算量超过 10^26 次运算的模型在出口时将需要授权。开源模型不受管制，超过计算量阈值的闭源模型，如果其性能不及最先进的开源模型，也将获得豁免。 NVIDIA的声明 NVIDIA表示，几十年来，计算机和软件生态系统的领导地位一直是美国实力和全球影响力的基石。联邦政府明智地避免对主流计算机和软件的设计、营销和销售进行指挥——而这些正是创新和经济增长的关键驱动力。特朗普第一届政府为美国目前在人工智能领域的实力和成功奠定了基础，营造了美国工业界可以在不损害国家安全的情况下竞争并取得胜利的环境。因此，主流人工智能已成为每项新应用不可或缺的一部分，推动经济增长，促进美国利益，并确保美国在尖端技术领域的领导地位。如今，世界各地的公司、初创企业和大学都在利用主流人工智能推动医疗保健、农业、制造业、教育和无数其他领域的发展，推动经济增长并释放各国的潜力。以美国技术为基础，人工智能在世界各地的应用推动了国内外各行业的增长和机遇。如今，全球人工智能的进步正面临危险。拜登政府现在试图通过其史无前例且误导性的“人工智能扩散”规则来限制主流计算应用程序的访问，这可能会破坏全球创新和经济增长。在执政的最后几天，拜登政府试图通过一份长达 200 多页的监管法案来破坏美国的领导地位，该法案是秘密起草的，没有经过适当的立法审查。这一全面的越权行为将对美国领先的半导体、计算机、系统甚至软件的全球设计和营销方式施加官僚控制。通过试图操纵市场结果并扼杀竞争——创新的命脉——拜登政府的新规则有可能浪费美国来之不易的技术优势。虽然这些规则披着“反华”措施的外衣，但对增强美国安全毫无作用。新规则将控制全球技术，包括主流游戏电脑和消费硬件中已经广泛使用的技术。拜登的新规则非但不能减轻任何威胁，反而会削弱美国的全球竞争力，破坏让美国保持领先的创新。尽管该规则在 120 天内无法执行，但它已经损害了美国的利益。正如第一届特朗普政府所表明的那样，美国通过创新、竞争和与世界分享我们的技术来取胜——而不是躲在政府过度干预的墙后面。我们期待恢复加强美国领导地位、促进经济并保持我们在人工智能及其他领域竞争优势的政策。

AI

芯查查资讯 . 2025-01-14 2 7 8865
地平线SuperDrive首发三大黑科技，决胜智能化竞争下半场

1月13日，“Beyond the Horizon 地平线智驾科技畅想日”在上海举办，回顾地平线以软硬结合技术实力取得的量产创新成果，展望2025高阶智驾爆发之年。同时，“SuperDrive智驾百人团体验活动”在上海静安区繁华路段开展，首发三大智驾黑科技，打造拟人高效、“10分上手”的智驾体验新标杆。决胜智驾竞争赛点以实力“向上捅破天” 在畅想日上，地平线创始人兼CEO余凯博士带来了一场风趣而深刻的“智驾脱口秀”。回顾地平线成立的初心与愿景，他表示：“创业之初，我们就认为智能机器人将在未来无处不在。将机器学习与神经网络应用在智能驾驶，是如今智能机器人的最佳落地。但无论是智能汽车还是智能机器人，最终目的都是将人从枯燥、重复的工作中解放出来。技术的最终价值，在于让人更伟大。地平线的使命，是用技术让人类生活更安全、更美好。让大家把驾驶交给地平线，把生活还给自己。” 此外，余凯博士分享了创业九年经历的关键节点，并表示2024年地平线成功赴港IPO迎来了自身的“成人礼”。展望未来，他表示：“在2025年，地平线智能计算方案即将迈过1000万量产大关，持续引领中国智驾量产落地、推动智驾生态繁荣生长，‘向下扎深根’。与此同时，地平线SuperDrive及征程6系列都将在年内量产落地，以领先性能与全新体验‘向上捅破天’，为行业打造新标杆，决胜智驾竞争关键三年！” SuperDrive 首发三大智驾黑科技打造“10分上手”体验新标杆本次“SuperDrive智驾百人团体验活动”在上海繁忙城区开展，Horizon SuperDrive™（简称HSD）全场景智能驾驶解决方案不仅能轻松应对各种复杂交通场景，还首发三大智驾黑科技，打造拟人高效、“10分上手”的智能驾驶新体验。在复杂城区道路中，掉头是当前智能系统的难例场景。在狭窄城区道路掉头，即使是人工驾驶也时常会有碰撞隐患，对智驾系统侧后感知、路径规划和横纵向控制提出了更高要求。HSD首发国内首个融合倒车能力的城市NOA，无需人工接管，即可实现“三点式”、“五点式”掉头和“N点掉头”，在狭窄路段、甚至死胡同也能掉头脱困，让智驾应用场景进一步“无死角”覆盖。 HSD首发国内首个支持漫游模式（城区+园区）的城区NOA。在封闭园区，车辆不开启导航即可漫游行驶，如同人类司机般“绕圈等人”。在城区场景下，即使不设置目的地，HSD也能带你在城市“智驾漫游”，领略陌生城市街道的风光与景色。未来，系统结合智能泊车功能可实现真正的“点到点”自动驾驶。 HSD还拥有更加智能的规划决策策略，通过跨域融合，首发国内首个自主规避拥堵的城区NOA。系统通过对导航信息进行分析，对领航辅助路线进行自主规划，能够如同经验丰富的智能司机般帮用户规避拥堵、提高出行效率。除了三大首发黑科技，HSD在本次活动中整体表现稳定、出色，创造“10分上手”的智驾体验新标杆。在上海城区各种复杂交通场景中，HSD表现出堪比老司机的交互博弈，优雅从容、拟人高效。同时，HSD以下一代SR实时环境渲染能力，实现3A游戏大作般的HMI界面、沉浸式还原现实世界，并整合端到端算法，基于VLA大模型，提升交通场景理解和综合推理能力，能对红绿灯、交警动作、路口标识文字等信息进行识别、反应及动作规划，遵守交通规则、行为更拟人。除此之外，得益于端到端世界模型和数据驱动的交互博弈架构的领先性和飞速成长，HSD已经摆脱高精地图束缚，实现“全国都能开”。目前，HSD完成全国泛化，预计在2025年第三季度实现首款量产合作车型交付。稳占第一梯队冲刺汽车智能化下半场九年发展，地平线凭借丰富的软硬件产品矩阵以及规模化量产实力，已与包括中国前十大车企在内的全球超40家车企及品牌达成合作，赋能合作车型超300款，为超500万车主创造优秀的智慧出行新体验，稳占第一梯队。截止目前，地平线征程家族车载智能计算方案累计已出货超700万套。征程6系列已获超20家车企及品牌的平台化定点，自2025年起将助力超100款车型搭载中高阶智驾功能上市。征程6旗舰版已顺利投片，计划将在第一季度内回片点亮，重新定义全场景NOA计算效率。征程家族出货量也即将正式跨越1000万大关，持续引领中国智能驾驶量产规模与速度。面向未来，作为头部智驾科技企业，地平线将持续以大规模量产经验为基石、全场景智驾产品为支柱，与上下游合作伙伴紧密协作，共同冲刺汽车智能化下半场竞争，为广大消费者创造更加智能、安全、高效的出行未来。

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地平线HorizonRobotics . 2025-01-14 1 995
2024年全球智能手机出货量增长6.4%——2025仍持乐观态度

国际数据公司（IDC）发布的最新《全球季度手机跟踪报告》初步数据显示，2024年第四季度（4Q24）全球智能手机出货量同比增长2.4%，达到3.317亿部，连续第六个季度保持增长。2024年全年同比增长6.4%，出货量达到12.4亿部，这标志着在经历了两年充满挑战的下滑后，全球智能手机市场出现了强劲复苏。IDC预计，该市场将在2025年继续增长，但因为换机周期继续延长，过去几年积压的换机需求在2024年逐渐得到了释放，2025年增速将有所放缓。 IDC 全球终端设备高级研究总监Nabila Popal表示，2024 年的强劲增长证明了智能手机市场的韧性，尽管存在宏观经济的挑战挥之不去、新兴市场的外汇担忧、持续的通货膨胀以及需求低迷的情况。厂商通过专注于促销、在多个价格区间推出新产品、提供免息分期计划以及积极的以旧换新策略，成功调整了战略来推动增长 ——继续保持高端化并提升低端产品份额,尤其是在中国和一些新兴市场。尽管我们对 2025 年的持续增长保持乐观，但新一届美国政府可能实施的新增加关税的威胁增加了整个行业的不确定性，促使一些厂商寻求预防措施来降低风险；然而，到目前为止，影响微乎其微。尽管苹果和三星在第四季度和全年保持了前两名的位置，但这两家公司都出现了同比下降，其市场份额也因中国厂商今年的超强增长而缩小——这些中国厂商通过专注于低端设备、在中国的快速扩张和发展推动了整体市场的增长。在苹果和三星之外，小米在该季度和全年的排名中位列第三，全年是前五名厂商中同比增长率最高的。传音排名第四，但该季度与vivo并列，全年与OPPO并列，这三者之间的竞争日益加剧。 2024年第四季度全球前五大智能手机厂商市场表现： IDC EMEA终端设备副总裁Francisco Jeronimo指出，对于中国的智能手机厂商来说，过去的这个季度尤其引人瞩目，包括小米、OPPO、vivo、荣耀、华为、联想、realme、传音、TCL和中兴。他们实现了一个历史性的里程碑，因为他们的单季度总出货量达到了前所未有的高点，第四季度占全球智能手机出的56%。虽然他们的核心市场仍然是中国和整个亚洲，但得益于其低端和中端产品的强劲表现，这些品牌正在迅速扩大其在欧洲和非洲的影响力。值得注意的是，华为脱颖而出，其大部分出货量集中在高端和超高端细分市场，突显了其在中国的独特市场定位。 2024年全球前五大智能手机厂商市场表现： IDC终端设备研究总监Anthony Scarsella表示，尽管在多个地区持续增长，但我们发现尽管促销和营销力度加大，但市场对折叠屏手机的需求有所下降。由于消费者兴趣仍然低迷，厂商开始将研发资源从折叠屏手机转移出来。此外，随着AI功能越来越多地出现在更多设备上，尤其是GenAI的出现，许多厂商正在以牺牲折叠屏手机为代价来优先考虑新一代AI功能的发展。备注: *当两家或两家以上供应商的收入份额或出货量份额相差0.1%或更少时，IDC宣布全球智能手机市场存在统计上的并列情况。数据为初步数据，存在变化的可能。公司出货量为品牌设备出货量，不包括所有供应商的OEM销售。 “公司”代表所有作为子公司拥有和运营的品牌的当前母公司(或控股公司)。数据不包括翻新设备。

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IDC咨询 . 2025-01-14 1640
安世半导体驱动“光储充”系统革新，加速基建领域高效优质化步伐

在中国，新能源电动汽车市场已经进入了高速发展期。根据公安部数据显示，截至2024年6月底，我国新能源汽车保有量已达2472万辆[1]。然而与电动汽车的需求增速相比形成巨大反差的是，作为电动汽车推广“最后一公里”的充电设施，其配套程度却尚未达到理想水平，充电站和充电桩设施的能源效率也有进一步的提升空间。因此，这些都使得新能源电车充电站在技术创新和应用能效方面都需要变革和转型，既可以考虑让更多光伏储能充电一体化系统投入使用，也需要更多创新的功率半导体器件和IC芯片担当充电设施系统内核，从而有效解决充电站建设与运转所面临的挑战，并让广大新能源电动汽车用户获益。市场与政策双重加持“光储充”将成为新生代交通基础设施根据工信部规划，到2025年，我国将实现电动汽车与充电桩设施数量的车桩比2:1，2030年实现车桩比1:1[2]。由此可见，在新能源电动汽车用户需求高速增长的前提下，我国充电基础设施建设也已经进入快速发展阶段，并且将不断提速。而“光储充”一体化充电站，作为新能源汽车与可再生能源产业深入融合的切入点，也成为了发展迅速的产业新兴赛道。 “光储充”一体化是通过配置光伏、储能系统实现“削峰填谷”，维持电网稳定，最后通过充电桩为新能源车提供清洁电能，能有效解决传统充电桩用电对局域电网的冲击。与此同时，传统充电桩消耗的电能始于发电厂，而发电厂产生的电能大多来源于化石燃料的燃烧，与光伏充电桩相比，其能源并非是清洁无污染的。光伏充电桩的大规模建设，不仅能够满足国内电动汽车充电业务的需要，也能促进我国的经济能源转型，保护我们赖以生存的环境，在可持续发展上具有深远的意义。光储充一体站的工作运行原理就是根据车辆的充电行为和光伏出力，制定日前运行策略。在一体化充电站内，光伏发电系统所发电能首先满足充电站需求，当不满足负荷需求时，储能系统放电，若仍不能满足，则从电网购电（一般是在夜间使用波谷电价）；当光伏出力过剩时，可将过剩的电能给储能系统充电，也可以向电网售电，从而获得一定的收益。储能随着光伏发电及电价情况灵活调整充放电方式，减少充电桩的峰谷差，实现耦合增效，提高系统的经济性和清洁性。“光储充”的电站应用场景大致可以分为三类：城市充电站、高速服务区、工业园区。光储充一体化充电站在市场需求方面可以说是“应运而生”。国家在政策端对“光储充”一体化充电站建设同样一直保持在高度关注和鼓励态势，并且近年来在政策推动的力度上，可谓“层层加码”： ▪ 2020年11月，国务院办公厅印发《新能源汽车产业发展规划（2021－2035年）》，其中明确提出，鼓励“光储充放”多功能综合一体站的建设。新能源汽车“光储充”一体化充电站开始在电动汽车充电基础设施建设发展中引发关注和重视[3]。 ▪ 2022年1月，国家发改委等十部门印发《关于进一步提升电动汽车充电基础设施服务保障能力的实施意见》，文件提出，积极推进试点示范，探索单位和园区内部充电设施开展“光储充放”一体化试点应用。得益于政策推动，2022年以来，有多个城市、多家企业活跃在“光储充”一体化电站建设中[4]。 ▪ 2023年，国务院办公厅发布的《关于进一步构建高质量充电基础设施体系的指导意见》中提出，充分发挥新能源汽车在电化学储能体系中的重要作用，加强电动汽车和电网能量互动[5]。产业开始推崇V2G（Vehicle to Grid）理念，在一体化充电站应用过程中，更加注重实现新能源汽车与电网运营服务相互间的优化效应。 ▪ 2024年4月，国家能源局发布的《关于促进新型储能并网和调度运用的通知》中提出，电力调度机构应根据系统需求，制定新型储能调度运行规程，科学确定新型储能调度运行方式，公平调用新型储能调节资源。积极支持新能源+储能、聚合储能、光储充一体化等联合调用模式发展，优先调用新型储能试点示范项目，充分发挥各类储能价值[6]。高性能、高效率半导体芯片构成领先“光储充”解决方案伴随着在市场规模和用户需求方面的持续上升，更多的“光储充”一体化系统投入使用，使得相应设施的能源转换和利用效率不断提高。而在光伏等可再生能源领域，半导体功率器件和IC芯片是可再生能源转换、存储和管理的关键部件，这些器件对于提高可再生能源系统的效率、可靠性和性能至关重要，尤其是新型宽禁带半导体材料，如：碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的开发，为可再生能源应用开辟了新的可能性。这些材料比传统的硅基半导体具有更加优越的性能，能够在更高的温度、电压和频率下工作。这一进步助力更紧凑、高效和稳健的能源系统得以实现，有利于满足“光储充”一体化充电站这类可再生能源基础设施规模不断增长的需求。 “光储充”系统主要构成的三大部分是光伏发电系统、储能集成系统和充电桩，其中光伏发电系统的转换效率、储能的电池循环性能和充电桩的系统效率，直接决定了“光储充”系统的整体性能和效率。针对于“光储充”系统这种典型的可再生能源应用场景，安世半导体所提供的解决方案可用于光伏逆变器、储能变流器和EV充电桩三大板块，其中主功率变换、辅助电源、栅极驱动和保护、信号处理和传输等环节，安世半导体均能提供多样化选择，满足不同应用需求。近期，安世半导体成功推出了多款半导体IC芯片，进一步丰富了其光储充一体化系统的解决方案，巩固了其方案解决商的能力。安世半导体的NGD4300 120 V半桥栅极驱动器系列产品，可以用于包括逆变器/用户储能系统/充电桩等应用场景，控制器支持更短的传输延时，为提高系统的鲁棒性，提供了包括SOI层等在内的改善设计。在具体性能方面，NGD4300的输入电平瞬态耐负压可达-10 V，为电路提供了高可靠性；并且能够实现13 ns通道延迟、1 ns通道间延迟误差水平的快速瞬态响应能力；同时因为其能够以4 A驱动提升开关速度和0.7 mA的IDDbbO/IHBO工作电流，从而使电路拥有更高效率。图注：NGD4300半桥栅极驱动器即便在-13 V的负压下，其高/低输入电平仍然能保持稳定、出色的工作状态。安世半导体的NEX80806 AC/DC反激式控制器适用于光储电源系统的辅助供电模块，例如逆变器多个位置的反激辅助电源设计。NEX80806针对工业应用进行了多项芯片设计优化，其中有工业版本可以向客户提供线电压过压保护功能，实时的监控输入电压，使辅助电源免受电压波动的损伤；NEX80806还使用了先进的倒封（Flip Chip）封装工艺，有效的降低了芯片热阻，为工业应用提供了热冗余。与竞品相比，在相同的IC OTP保护阈值下，NEX80806系列产品将可以容忍的系统环境温度提高了20 ℃以上。安世半导体的NXF650x驱动器变压器非常适合于需要高效率和低EMI干扰应用场景。该产品具备低RON和高输出（例如NXF6501可实现1.2 A电流，市面上同类产品一般为350 mA）驱动，可实现系统高效率；其具备其他竞品不具备的故障安全输入保护能力，能够防止反向供电，并允许任何阶次上电；能将EMI干扰降至更低超低辐射水平，达到或超过CISPR25 5级和CISPR32 B级。除此之外，安世半导体还针对逻辑器件推出了最新的SOT8065封装技术，帮助器件实现高效的逻辑控制和信号转换能力。与含铅封装相比，SOT8065封装通过减少PCB面积来最大限度地节省应用成本；该封装提供侧边可湿焊盘(SWF)，可实现自动光学检测；该封装提供所有流行的电压系列，可用于缓冲器、逆变器、门电路、开关、触发器和转换器等。晶体管、二极管等功率器件诸多优势促进“光储充”水平提升从功率器件来看，安世半导体在“光储充”系统解决方案中采用的业界领先产品，包括GaN HEMT高电子迁移率晶体管、SiC MOSFET、SiC二极管、IGBT和中低压MOSFET等功率半导体器件，极大地促进了“光储充”系统实现更高的性能水平。其中，GaN FETs器件具有高临界电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，能够在电源转换拓扑中，实现最高的转化能效和功率密度，最低的功耗/开关损失和系统成本，非常适合于在光伏逆变器、储能系统等高性能功率变换方面的应用。目前，安世半导体是业内唯一可同时提供级联型（D-mode，Cascode）和增强型（E-mode）两种类型GaN FETs器件的供应商，并且独家提供拥有最佳散热性能CCPAK封装的650 V GaN FETs产品，可直接将“光储充”整个系统的转化能效提高至99%以上，开关频率的理想值可提升至1 Mhz以上，同时其CCPAK封装相较于竞品的GaN FETs产品拥有更高的可靠性。此外，安世半导体的GaN FETs器件还具备较低的反向恢复电荷（Qrr）、卓越的温度稳定性和优异的反向续流能力等多个技术领先优势，进一步巩固了其市场竞争力。当下，为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板，电动汽车行业正加速从400 V转向800 V的电池系统，在这样的转变下，SiC几乎是唯一且完美的选择。而800 V电压系统就需要1200 V的耐压功率芯片，所以1200 V的SiC功率器件是业界共同的发力方向。目前安世半导体已成功研发出具有性能优异的1200 V SiC MOSFET，主要分为两大类：一类是采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET，另一类是采用越来越受欢迎的D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装的NSF0xx120D7A0系列SiC MOSFET产品。安世半导体的SiC MOSFET器件具有优异的导通电阻随结温上升的稳定性、综合品质因数FoM和阈值电压稳定性，并且相比于竞品能实现较低的体二极管正向压降，其更小的门极电荷比可以降低器件由于噪声导致的错误开通的概率。安世半导体的SiC MOSFET器件由于具备更高的开关频率，因此可以选择使用更小的磁性器件（比如电感器），降低磁性器件的成本和体积，还可以使得开关损耗更小，从而降低系统发热。在一些高母线电压的应用如光伏逆变器中，采用拥有更高耐压的SiC MOSFET可以简化拓扑，提高效率，减少器件数量和系统成本。凭借这些卓越的工作参数和特性优势，安世半导体的SiC MOSFET大大提高了光伏、工业电源开关及汽车应用的安全性、稳健性和可靠性标准，从而可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业应用市场。工业应用往往伴随着大电流，当然可以采用功率模块的方式进行对应。但因为功率模块价格高昂，大部分情况下，仍然采用多管并联的方案。VGS(th)是在进行多管并联时影响动态均流重要的参数之一。安世半导体的SiC MOSFET具有业界领先的VGS(th)稳定性，减少由于VGS(th)不一致所造成的电流变化不均匀从而导致单个器件承受较大的电流应力，以及后续潜在的寿命和失效问题。安世半导体的650 V IGBT产品能够实现低VCESAT以及开关损耗，参数稳定误差小，易于并联使用。该产品同样具有优秀的反向恢复能力，并能够在工作温度下达到更低的正向压降，同时拥有优异的电流能力，满足业界的RoHS和无铅标准。和竞品相比，安世半导体的650 V IGBT具备优化的EOFF特性和更温和的电磁干扰，在尖峰电压方面可以提供更大的安全裕量，并具有优异的热性能和系统效率。安世半导体的SiC二极管产品具备超低正向压降和优秀的反向恢复能力，其开关特性受温度影响小，并能够保持基于混合式PIN-SiC二极管（MPS）的高鲁棒性。安世半导体的中低压MOSFET凭借行业领先的性能和广泛的规格覆盖，为新能源应用提供了卓越支持。这些器件采用创新的LFPAK铜夹片封装，涵盖7种以上封装形式，拥有超过400种料号，可灵活满足低压功率转换、充放电管理等多种应用需求。此外，安世MOSFET产品广泛采用LFPAK铜夹片封装，不仅具备175 °C的结温特性（相较业内普遍的150 °C更具优势），还在焊接可靠性和抗PCB板弯曲能力方面表现出色。同时，该封装能够有效降低RDS(ON)导通电阻，并提供更高的ID(max)漏极电流，显著提升产品的整体竞争力。最新推出的NextPower 80/100 V MOSFET系列采用CCPAK1212封装，具备最高持续505 A，峰值3558 A的ID(max)电流能力，0.67 mΩ的超低RDS(ON)，以及优异的散热性能。本系列器件还提供顶部和底部散热选项，工程师可以灵活选择散热途径。该产品的发布进一步丰富了安世半导体的MOSFET组合，为高功率密度应用提供了更强的解决方案。结尾安世半导体致力于通过创新的前沿技术，为“光储充”系统的光伏逆变器、储能变流器、EV充电桩提供更高效的解决方案。随着“光储充”系统部署规模的扩大和产业效应的提升，不断更新迭代的半导体产品与解决方案，尤其是WBG宽禁带半导体技术的突破，将在以光伏为代表的可再生能源系统实施和优化方面发挥越来越重要的作用。这种持续的演变，不仅有望满足不断增长的能源需求，而且将以可持续、高效和环保的方式来实现。 1. 参考自公安部官网信息：https://www.mps.gov.cn/n2254098/n4904352/c9650715/content.html 2. 参考自中国政府网信息：工业和信息化部等八部门关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知 https://www.gov.cn/ 3. 参考自中国政府网信息：国务院办公厅关于印发新能源汽车产业发展规划2021—2035年的通知 https://www.gov.cn/zhengce/content/2020-11/02/content_5556716.htm 4. 参考自发改委官网信息：【《国家发展改革委等部门关于进一步提升电动汽车充电基础设施服务保障能力的实施意见》政策解读】 https://www.ndrc.gov.cn/ 5. 参考自发改委官网信息：构建高质量充电基础设施体系，支撑新能源汽车高质量发展——《关于进一步构建高质量充电基础设施体系的指导意见》专家解读 https://www.ndrc.gov.cn/ 6. 参考发自国家能源局官网信息：国家能源局印发通知，促进新型储能并网和调度运用 https://www.nea.gov.cn

安世

安世半导体 . 2025-01-14 1305
搭载翱捷科技ASR1901, 芯讯通推出全新5G模组A8200

近日，搭载翱捷科技5G芯片平台ASR1901，芯讯通推出全新的5G模组的A8200。作为高性能的5G蜂窝通信模组，A8200具备高速率、高连接密度、低延迟、高可靠等核心优势，能广泛适用于无线视频监控、远程医疗、智慧电力电网、智慧工厂等应用场景，推动物联网应用向更高效、更智能化的方向发展。芯讯通A8200内置的芯片ASR1901，是翱捷科技面向5G移动宽带和工业物联网应用而推出的5G先进芯片平台，基于12nm制程，符合3GPP R16标准。其强大的性能可适用于广泛应用场景，助力推动5G时代物联网行业的数字化转型和智能化升级。核“芯”加持移动通信能力全面提升芯讯通A8200高性能高性价比5G模块，基于ASR1901平台。该模块具备多模通信能力，支持5G NR、LTE和WCDMA等多种网络制式，兼容5G SA（独立组网）和NSA（非独立组网）模式。同时支持载波聚合、VoNR和VoLTE等关键功能，全面满足不同使用场景的需求。特别是对于具备语音需求的终端设备，A8200能够提供卓越的语音通话质量，为用户带来更加出色的通信体验。在网络通信层面，A8200展现出强大的自适应能力，能够自动适配5G NSA和SA双模网络。在速率表现上，在Sub-6G SA模式下，A8200下行速率可达4Gbps，上行速率可达1Gbps。外形上，模块采用市场主流的LGA封装，尺寸大小41*44*2.85mm。频段上，该系列产品拥有支持中国区、欧洲区、南美洲区等不同地区频段的版本，可供客户根据需求灵活选择。广泛适配，深度融合数字经济时代芯讯通A8200还具备丰富外设接口。可广泛适用于无线视频监控、远程医疗、智慧电力电网、智慧工厂等应用场景，有力推动5G时代物联网行业的数字化转型与智能化升级，为终端客户部署多样化的5G应用提供坚实支撑。数字经济时代，5G已经与各个产业形成了深度融合，推动着新科技、新经济、新技术的高速演进与发展。5G的广覆盖、高速率、大带宽、低时延等优势，成为各产业转型的重要基石。随着全球5G基础设施的不断完善和应用的持续深化，芯讯通5G模组系列产品将成为推动数字经济高质量发展的关键要素之一，助力各行业探索更多创新应用，加速实现智慧生产、智慧生活、智慧工作、智慧医疗、智慧交通、智慧城市的发展愿景。

翱捷

翱捷科技股份有限公司 . 2025-01-14 1 2085
机器视觉重构工业生产│工业相机晶振应用

工业相机市场应用趋势晶振应用方案工业相机是一种用于工业自动化和机器视觉领域，能够高效、精确地获取目标物体图像并与自动化设备配合，进行图像处理与分析的专业相机设备。随着工业4.0和智能制造的发展，工业相机的需求和市场迅速增长，尤其在质量检测、生产线监控、自动化控制和机器视觉等领域的应用尤为广泛。一、工业相机市场应用与趋势工业相机的主要应用领域涵盖了制造业、电子行业、医药工业、汽车制造、物流等。随着各行业自动化水平的提升而呈现快速增长态势。根据市场研究，工业相机市场近年来保持了高速增长，尤其是在亚太地区，市场需求尤为旺盛。预计到2025年，全球工业相机市场规模将达到数十亿美元。这一增长得益于以下几大趋势： 01 智能制造与工业4.0的推动工业4.0的核心是智能制造和自动化，而机器视觉作为其中的关键技术，极大地推动了工业相机的需求。 02 人工智能与大数据的融合随着人工智能和大数据技术的发展，工业相机不再局限于简单的图像采集，而是与深度学习、边缘计算等技术相结合，实现对复杂图像数据的实时分析和决策。 03 高分辨率和高速化随着行业对精度和效率要求的不断提高，工业相机的技术发展也在不断升级。高分辨率（如8K及以上）和高速成像的相机将成为未来的主流。 04 多样化的接口与通讯协议随着工业物联网的普及，支持多种通讯协议（如EtherCAT、Profinet等）的工业相机能够更好地融入自动化系统中，增强数据的流动性和系统的协同效应。在这些应用场景中，工业相机都要求时钟设备具有较高的精度与准确性。二、晶振在工业相机中的应用《工业相机运作流程示意图》在工业相机的各个模块中，晶体振荡器（晶振）起到提供精确时钟信号的作用，主要用来确保系统中的各个部分能够同步运作，保证信号的稳定和正确处理。不同模块对晶振的频率、精度、温度稳定性等参数有不同的要求。工业相机常用频点：32.768KHz、24MHZ、25MHZ、27MHZ、40MHZ、100MHZ、125MHZ、156.25MHZ 32.768KHz谐振器目前工业相机方案主流采用的是封装为3.2*1.5的32.768KHz谐振器。 MHz谐振器工业相机应用中MHz谐振器主要采用3225/2520尺寸，部分sensor应用有晶振小型化（2016）需求。 CMOS振荡器工业相机应用要求振荡器具备高精度，高稳定性。部分模块设计可能需要应用特殊频率的振荡器，可通过预编程振荡器满足设计需求。差分振荡器万兆网工业相机通常选用156.25MHz等较高频率，并且对抖动有较高要求。（YSO230LR抖动≤0.1pS，可满足常规工业相机方案对振荡器的抖动需求)

晶振,有源晶振,温补晶振,差分晶振,谐振器,工业相机

扬兴科技 . 2025-01-14 8408
晶尊微SC09B触摸芯片助力奔驰E级的HVAC系统提升触控体验

奔驰E级（Mercedes-Benz E-Class）是奔驰品牌中的一款中大型豪华轿车，以其豪华内饰、舒适驾乘和先进技术而著称。为了满足广大粉丝的好奇心，我们带大家来揭秘奔驰E级轿车的HVAC系统。该触控系统的触控部分采用的是晶尊微SC09B触摸芯片，确保了反应灵敏且用户友好的交互性能。奔驰E级的HVAC系统是主要用来控制车内的加热、通风和空调，能够快速实现用户对温度和风速的调节，其触控部分采用的SC09B触摸芯片能够准确地感应到手指的触摸操作，按键输出经过完全消抖，能够保持自动校正，无需外部干预。以上是HVAC系统触控部分的内部电路板实拍图。相比传统机械按键，触摸按键的设计往往更为简洁，且操作直观，为驾驶者带来了一种前卫的操作体验。晶尊微SC09B触摸芯片，按照工业级设计，一致性好，有超强抗干扰能力和稳定性。优势：应用电路简单，体积小，便于集成；灵敏度可按照不同需求和应用场景进行调整，设计灵活；简洁的智能触控界面，更具科技感，有助于提高产品的市场竞争力。因此，广泛用于工业控制、家用家器、车载设备（后装）、消费电子、医疗设备等领域。欢迎联系我们定制专属解决方案！【END】

触摸芯片

原创 . 2025-01-14 8373
成功量产！德明利实现SATA SSD存储控制芯片关键IP和技术平台全自研

2024年下半年，德明利充分利用自身在芯片设计领域的专长能力，实现关键IP与技术平台的高度自研集成，逐步形成“自主研发-市场反馈-产品迭代-生态建设”良性闭环发展，构建起一套完整且高效的技术体系，目前TW6501 已成功完成客户导入并实现量产。实现核心IP模块及SSD产品自主研发公司掌握了新一代存储介质管理、硬件加速引擎及软硬件协同、数据安全以及低功耗设计方案等核心关键技术，在“数据读写、处理到存储”全流程数据路径关键环节，建立起流畅交互、高效运算、安全管理及能耗管控综合能效优化体系，全方位驱动存储芯片的高效运算和品质提升。打造了集“完整性、成熟度和兼容性” 三位一体的技术研发平台全面贯穿芯片设计、芯片验证、固件协同开发、硬件系统构建、配套软件研发、系统级测试管理以及介质特性分析等完整的产品开发流程，各技术平台相互协作，将芯片开发与产品开发协同起来，大幅缩短产品开发周期，提升了研发效率，全方位赋能存储产品战略落地。公司将持续积极投入存储芯片设计业务，坚持“软硬件自主可控”的技术战略，继续深耕存储技术深水区，拓展多元行业生态合作，共探存储芯片创新应用，构建存储生态体系，助力科技进步。

德明利

德明利 . 2025-01-14 1 1 8504
由 Arm 驱动的 NVIDIA Project DIGITS 为数百万开发者带来高性能 AI 算力

在今年的国际消费类电子产品展览会 (CES) 上，NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋在主题演讲中发布了个人 AI 超级计算机 NVIDIA Project DIGITS，朝着 “随处可开发和部署 AI” 的愿景又迈近了重要一步。基于 Linux 系统的 Project DIGITS 搭载了 Arm CPU 核心，使每位 AI 开发者都能拥有一套高性能的 AI 桌面系统。图：由 Arm 驱动的 NVIDIA Project DIGITS 为数百万开发者带来高性能 AI 算力 Project DIGITS 采用了全新 NVIDIA GB10 Grace Blackwell 超级芯片，搭载 NVIDIA Grace CPU 、 NVIDIA Blackwell GPU、新一代 CUDA® core和第五代 Tensor Cores，通过 NVIDIA NVLink®-C2C 片间互连技术实现连接，并配有 128GB 的统一的高一致性内存。NVIDIA Grace CPU 搭载了先进的高性能 Arm Cortex-X 和 Cortex-A 技术，配置 10 个 Cortex-X925 和 10 个 Cortex-A725 CPU 核心。NVIDIA GB10 超级芯片能以 FP4 计算精度提供高达 1 PFLOPS (1,000 TFLOPs) 的 AI 性能，使开发者能对 AI 大模型进行原型设计、微调和推理，同时还能与云端或数据中心环境无缝对接，实现协同工作。 Arm 计算平台的价值借助无处不在的 Arm 计算平台，新的 AI 模型和应用能更高效、更快速地在边缘侧运行。在消费级技术市场，不论是用于 Project DIGITS 的最新 Arm CPU，或是集成在 Arm 终端计算子系统 (CSS) 的一部分，Arm CPU 技术已成为市场中高性能边缘侧设备的核心驱动力。这些 CPU 技术经过精心优化，可在各种实际用例和工作负载中实现最大性能和最高效率。 Arm 计算平台还兼具灵活性，可针对不同的 AI 应用场景使用不同的计算引擎。在 NVIDIA Project DIGITS 中，基于 Arm 架构的 NVIDIA Grace CPU 和 NVIDIA Blackwell GPU 互相协作，使开发者能够将这些组件用于各种工作负载。这种异构计算策略对于最大化 AI 性能，同时管理内存利用率和功耗至关重要。 NVIDIA SoC 产品副总裁 Ashish Karandikar 表示：“我们与 Arm 在 GB10 超级芯片的合作上，巧妙地结合了 NVIDIA 的 AI 专业知识与 Arm 可扩展的计算平台，实现了出众的性能和能效，将推动下一代 AI 创新。随着 Project DIGITS 的推出，每位 AI 开发者和研究员都将能拥有一台功能强大的超级计算机。” 释放软件创新的潜能对于开发者而言，拥有一个完全集成的软硬件 AI 平台至关重要。Project DIGITS使用开源 Linux 操作系统，用户可以访问资源丰富的 NVIDIA AI 软件库，包括 NVIDIA NGC 目录和 NVIDIA 开发者门户网站中提供的软件开发套件、编排工具、框架和 AI 模型，以加快生成式 AI 的工作流程。 Arm 和 NVIDIA Grace Hopper 和 Grace Blackwell 在数据中心的合作，为数据中心和边缘侧设备环境提供一致的平台架构，使开发者能够无缝地使用同一套工具进行 AI 应用开发。此外，Arm 不断积极推动开源开发者社区的重要工作，旨在开发出适配的软件，加速AI 的全面部署。目前，全球已有超过 2,000 万软件开发者在 Arm 计算平台上构建自己的应用程序，共同推动着一个快速创新、日益壮大的开源社区。赋予高性能 AI 算力的理想平台 Arm 作为当前和未来 AI 领域应用最广泛的计算平台，自然而然地成为了 Project DIGITS 中 GB10 超级芯片的理想平台。Project DIGITS是一个功能强大的个人计算机桌面平台，能够运行高达 200B 参数的 AI 大模型，让原本的不可能变为可能。这种对 AI 生态系统的广泛影响力，为全球数百万开发者带来了灵活、高性能且高能效的 AI 功能。通过与 NVIDIA 及 Arm 强大的软件生态系统紧密的合作，我们翘首以待下一代极具创新的 AI 应用的问世。

AI

Arm . 2025-01-14 1120