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解决模拟输入IEC系统保护问题

与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。现代IC的模拟输入和输出引脚通常采用了高压静电放电(ESD)瞬变保护措施。人体模型(HBM)、机器模型(MM)和充电器件模型(CDM)是用来测量器件承受ESD事件的能力的器件级标准。这些测试旨在确保器件能承受器件制造和PCB装配流程中的静电压力，通常在受控环境中实施。工作于恶劣电磁环境中的系统在输入或输出节点上需要承受高压瞬变——并且在从器件级标准转向系统级标准以实现高压瞬变鲁棒性时，传输到IC引脚的能量水平存在显著差异。因此，直接与这些系统输入/输出节点连接的IC也必须采用充分的保护措施，以承受系统级高压瞬变。如果在系统设计中未能及早考虑这种保护机制，结果可能导致系统保护不足、产品发布推迟、系统性能下降等问题。本文旨在描述如何保护敏感的模拟输入和输出节点，使其免受这些IEC标准瞬变的影响。图1. 面向精密模拟输入的IEC系统保护。 IEC 61000 IEC 61000是有关EMC鲁棒性的系统级标准。该标准中涉及高压瞬变的三个部分为IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5。这些是针对静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌的系统级标准。这些标准定义了在施加这些瞬变影响的情况下用于评估电子电气设备抗扰度的波形、测试方法和测试级别。 IEC 61000-4-2测试的主要目的是确定系统在运行过程中对系统外部的ESD事件的免疫能力——例如，如果系统输入/输出接触到带电人体、电缆、工具时。IEC 61000-4-2规定要使用两种耦合方法测试：接触放电和气隙放电。 IEC 61000-4-4 EFT测试涉及将快速的瞬变脉冲群耦合到信号线上，以表征与外部开关电路关联的瞬变干扰，这类电路能够以容性方式耦合至信号线。这种测试反映了开关触点抖动，或者因为感性或容性负载切换而产生的瞬变，而所有这些在工业环境中都很常见。浪涌瞬变通常由开关操作造成的过压情况或雷击造成。开关瞬变的起因可能是电力系统切换、配电系统中的负载变化或各种系统故障（例如安装时与接地系统形成短路和电弧故障）。雷电瞬变的原因可以是附近的雷击将高电流和电压注入电路中。瞬变电压抑制器 TVS的基本参数：瞬变电压抑制器(TVS)可以用于抑制电压浪涌。用于箝位高压瞬变，使大电流绕过敏感电路。TVS的基本参数为：工作峰值反向电压：低于该值时不会发生显著导电现象的电压击穿电压：等于该值时会发生规定导电现象的电压最大箝位电压：器件上传导规定的最大电流的最大电压在系统输入或输出上使用TVS器件时要考虑多个因素。ESD或EFT事件会产生超快时间（1 ns至5 ns）的瞬变波形，在TVS器件箝位击穿电压之前，在系统输入上导致初始过冲电压。浪涌事件具有不同的瞬变波形，上升时间缓慢(1.2 μs)，脉冲持续时间长(50 μs)；并且在该事件下，将在击穿电压下开始箝位电压，但可能一直增大至TVS最大箝位电压。另外，TVS必须高于可能由接线错误、断电或用户错误导致的任何容许直流过压，以保护系统，使其免受该直流过压事件的影响。所有三种情况都有可能在下游电路的输入上导致具有潜在破坏作用的过压。模拟输入保护电路为了全面保护系统输入/输出节点，必须对系统进行直流过压和高压瞬变保护。在系统输入节点用一个鲁棒的精密型过压保护(OVP)开关，加上TVS，可以保护灵敏的下游电路（例如，模数转换器或放大器输入/输出），因为这样可以阻断过压、抑制未被TVS分流到地的剩余电流。图2. OVP开关功能框图图2显示了一个典型过压保护开关的功能框图；注意，该开关的ESD保护二极管未以其输入节点上的电源电压为基准。相反，它有一个ESD保护单元，在超过器件最大承受电压时激活，使器件能承受并阻断超过其电源电压的电压。由于模拟系统通常只要求开关的外向引脚采用IEC保护，所以，ESD保护二极管依然保留在内向引脚上（标志为开关输出端或漏极端）。这些二极管能带来额外的好处，因为它们起到辅助保护器件的作用。在持续时间较短、上升时间快的高压瞬变（如ESD或EFT）过程中，由于瞬变电压会被箝位，所以电压不会到达下游电路。在持续时间较长、上升时间慢的高压瞬变（如浪涌）过程中，在开关过压保护功能被激活、开关断开、使故障完全与下游电路分离之前，内部保护二极管会箝位开关的输出电压。图3显示了一个与外部接口的系统输入端的工作区域。最左边的区域（绿色）表示正常工作区间，输入电压位于电源电压范围以内。左起第二个区域（蓝色）表示输入端可能存在持续直流或长时间交流过压的范围，原因是断电、接线错误或短路。另外，图中最右侧（紫色）是过压开关内部ESD保护二极管的触发电压。选择的TVS击穿电压（橙色）必须小于过压保护开关的最大承受电压并且大于任何已知的可能持续直流或长时间交流过压，以免无意中触发TVS。图3. 系统工作区域图4中的保护电路可以承受最高8 kV IEC ESD（接触放电）、16 kV IEC ESD（空气放电）、4 kV EFT和4 kV浪涌。ADG5412F（来自ADI公司的±55 V过压保护和检测、四通道单刀双掷开关）可以承受ESD、EFT和浪涌瞬变导致的过压，过压保护电路与漏极上的保护二极管共同保护和隔离下游电路。表1展示的是ADG5412F在TVS击穿电压与电阻的各种组合下可以承受的高压瞬变电平。图4. 保护电路表1. 测试结果（未在0 Ω电阻与33 V TVS及45 V TVS组合条件下进行IEC空气放电测试）图4也展示了高压瞬变事件过程中的各种电流路径。大部分电流通过TVS器件分流到地（路径I1）。路径I2展示的是通过ADG5412F输出节点上的内部ESD消耗的电流，同时，输出电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。最后，路径I3中的电流是下游器件必须承受的剩余电流水平。有关该保护电路的更多详情，请参阅ADI公司应用笔记AN-1436。 IEC ESD保护图5. 测试电路图6和图7所示为在8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件在图5所示测试电路上的测试结果。如前所述，在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前，源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中，开关漏极上的电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。漏极电流测量结果展示的是流入下游器件二极管中的电流。脉冲峰值电流约为680 mA，电流持续时间约为60 ns。相比之下，1 kV HBM ESD电击的峰值电流为660 mA，持续时间为500 ns。我们因此可以得出结论认为，在采用这种保护电路的条件下，HBM ESD额定值为1 kV的下游器件应该能承受8 kV接触放电和16 kV空气放电IEC ESD事件。图6. 8 kV事件期间的漏极电压和漏极输出电流图7. 16 kV空气放电事件期间的漏极电压和漏极输出电流 EFT 保护图8是在4 kV EFT事件的一个脉冲的测量结果。与ESD瞬变过程中发生的情况类似，在TVS器件将电压箝位至54 V左右之前，源引脚上有一个初始过压。在此过压过程中，开关漏极上的电压再次被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。在这种情况下，流入下游器件中的脉冲峰值电流仅为420 mA，电流持续时间仅约为90 ns。同样与HBM ESD事件相比，750 kV HBM ESD的电压的峰值电流为500 mA，持续时间为500 ns。因此，在4 kV EFT事件期间，能量被传输至下游器件的引脚上，该能量少于750 kV HBM ESD事件下的能量。图8. 单次脉冲的EFT电流浪涌保护图9中是将4 kV浪涌瞬变施加到保护电路输入节点上时的测量结果。如前所述，源电压可能增大并超过TVS击穿电压，一直达到最大箝位电压。该电路中的过压保护开关的反应时间约为500 ns，并且在这前500 ns的时间内，器件漏极上的电压被箝位于比电源电压高0.7 V的水平。在此期间以及约500 ns后，流至下游器件的峰值电流仅为608 mA，开关关闭并使下游电路与故障隔离。同样，这里的能量少于1 kV HBM ESD事件期间传输的能量。图9. 浪涌事件期间OVP工作原理结论本文描述了如何依据IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准的规定，对集成电路模拟输入和输出进行高压瞬变保护。本文说明了如何设计系统输入输出保护电路，同时为用户带来如下好处：简化保护设计加速产品上市提高保护电路性能，减少分立元件数量减小信号路径中的串联电阻阻值由于TVS设计窗口很宽，TVS选择更方便达到下列标准的系统-级保护交流和持续直流过压保护高达±55 V 掉电保护可达±55V

ADI

亚德诺半导体 . 2025-01-09 1 3 715
德州仪器推出新一代支持边缘 AI 的雷达传感器和汽车音频处理器，助力汽车制造商重塑驾乘体验

德州仪器 (TI) 通过业内先进的单芯片 60GHz 毫米波 (mmWave) 雷达传感器提升检测精度，能够支持三种通过边缘人工智能 (AI) 来实现的车内检测应用。汽车制造商可以通过一款高度集成、基于 Arm®、结合 TI 基于向量的 C7x 数字信号处理器 (DSP) 内核的业界先进的汽车微控制器 (MCU) 和处理器，提供卓越的音频体验。 TI 的全新音频放大器是业界先进的音频放大器，采用单电感器 (1L) 调制技术，使其能够以一半的电感器数量实现 D 类性能。德州仪器 (TI) 于今日推出了全新的集成式汽车芯片，能够帮助各个价位车辆的驾乘人员，实现更安全、更具沉浸感的驾驶体验。TI AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器通过运行边缘 AI 算法的单个芯片，支持用于座椅安全带提醒系统检测、车内儿童检测和入侵检测，从而实现更安全的驾驶环境。借助 TI 的下一代音频 DSP 核心、AM275x-Q1 MCU 和 AM62D-Q1 处理器，能够更加经济实惠地获得高质量音频体验。结合 TI 全新的模拟产品（包括 TAS6754-Q1 D 类音频放大器），工程师可以获得一个完整的音频放大系统解决方案。TI 将在 2025 年 1 月 7 日至 10 日于美国内华达州拉斯维加斯举办的消费电子展 (CES) 上展示这些器件。 TI 嵌入式处理部门高级副总裁Amichai Ron 表示：无论是入门级汽车还是豪华级汽车，无论是燃油车还是电动汽车，如今的驾驶员都期望这些车辆能够提供更佳的车内体验。TI 持续提供创新技术，旨在推动未来汽车驾驶体验的发展和改进。我们的边缘 AI 雷达传感器帮助汽车制造商提升车辆的安全性，并且能够根据驾驶员的动作和需求做出快速响应，而我们的片上音频系统能提供更加身临其境的音频体验，从而提升了驾驶乐趣。它们共同创造了全新的车内体验。支持边缘 AI 的三合一雷达传感器，提高了检测精度原始设备制造商 (OEM) 正在不断将更多的传感器技术集成到汽车设计中，以提升车内体验并满足不断发展的安全标准。使用 TI 支持边缘 AI 的 AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器后，工程师能够整合三项车内检测功能来替代多种传感器技术（例如，座椅重量传感垫和超声波传感器）。 AWRL6844 集成了四个发送器和四个接收器，能够提供高分辨率的检测数据，并且成本经过优化，非常适合 OEM 使用。采集的数据输入到应用特定的 AI 驱动算法中，这些算法在可定制的片上硬件加速器和 DSP 上运行，从而能够提高决策的准确性并加快数据处理速度。AWRL6844 传感器的边缘智能功能有助于提升驾驶体验，例如：在行驶过程中，该传感器能够以 98% 的准确率检测和定位车内乘员，从而支持座椅安全带提醒功能。停车后，它使用神经网络技术监控车内是否有无人看管的儿童，并且能够实时检测到车内微小的动作，分类准确率超过90%。这种直接检测技术可以帮助 OEM 满足 2025 年欧洲新车安全评鉴协会 (Euro NCAP) 的设计要求。当车辆停好时，它通过智能扫描技术来适应不同的环境，从而减少由于车身晃动和外部物体运动所引起的误报。 TI 完整的音频产品系列，能够提供更佳的汽车音频体验随着驾驶者对各类车型车内体验的期望不断提升，OEM 希望在提供高品质音频的同时，能够尽量降低设计复杂性和系统成本。AM275x-Q1 MCU 和 AM62D-Q1 处理器通过将 TI 基于矢量的 C7x DSP 核心、Arm® 核心、存储器、音频网络和硬件安全模块集成到一个符合功能安全要求的 SoC 中，减少了汽车音频放大器系统所需的元件数量。C7x 核心与矩阵乘法加速器结合，共同构成了一个神经处理单元，用于处理传统音频算法和基于边缘 AI 的音频算法。这些汽车音频 SoC 可进行扩展，设计人员可以根据不同的存储器和性能需求，从入门级到高端系统中进行选择，只需进行很少的重新设计，不需要大量投资。 TI 的下一代 C7x DSP 核心的处理性能是其他音频 DSP 的四倍以上，使音频工程师可以在单一处理器核心上同时处理更多的音频功能。AM275x-Q1 MCU 和 AM62D-Q1 处理器具有空间音频、主动降噪、声音合成和高级车载网络功能（包括以太网音频视频桥接），能够在车内实现身临其境的音频体验。为了进一步优化汽车音频设计，工程师可以使用 TI 的 TAS6754-Q1 音频放大器，该放大器采用创新的 1L 调制技术，可实现出色的音频性能和低功耗，且相比现有的 D 类放大器，其所需的电感数量减少了一半。TAS67xx-Q1 系列器件集成了 OEM 所需的实时负载诊断功能，帮助工程师简化设计、降低成本和提高效率，同时保证音频质量不受影响。 CES 2025 TI 展位在 2025 年 CES 展会上，TI 将展示其半导体技术如何通过实现更高水平的自动化、智能化、功效和性价比，重新定义各类体验。展示内容包括在软件定义车辆、高级驾驶辅助系统、机器人、可穿戴医疗设备、能源基础设施和个人电子产品等领域的创新。

TI

德州仪器 . 2025-01-09 1210
产品矩阵再升级|极海发布多款工业级通用MCU及首款AFE，满足多样化市场需求

在工业自动化、物联网、新能源、电力、消费电子等领域，随着技术演进与大规模部署应用，终端设备更多趋向精简设计、降本增效与数智化功能。这些日益增强的趋势不但激发智能芯片需求增长，也进一步促进芯片在架构、配置、工艺制程、能耗管理等方面的创新。芯片与各行业实现全面转型升级深度关联，其技术创新势必为智能终端设备的性能带来更高突破。为应对各领域持续加码的新要求与新挑战，极海坚定深化“MCU+”与“极海安全芯”双驱动战略，突破多项同质化产品技术痛点，在2025极海渠道合作伙伴大会上全新发布APM32F402高性能高性价比MCU、APM32E030基础拓展型MCU、以及首款BMP561单节电池电量监测计芯片三款产品。 APM32F402工业级高性能高性价比MCU 助力产品实现性能/成本/功能全方位升级极海APM32F402系列工业级高性能高性价比MCU，集多功能、高集成、高可靠性等优势于一体，进一步丰富了Cortex-M4F内核产品矩阵，可应用于编码器、仪器仪表、电力监控保护、工业控制器、家用电器、电梯控制板、游戏键鼠、扫码枪等诸多场景。 APM32F402采用55nm先进工艺，搭载Arm® Cortex®-M4F内核，工作主频120MHz，Flash 128KB、SRAM 32KB；内置温度传感器，集成2个DMA（12个数据流）；电源电压范围2.0V~3.6V，工作温度范围-40℃~85℃/105℃，适应各种复杂的工作温度环境，ESD HBM±4000V、Latch-up±200mA，具有较高的抗电磁干扰能力。该系列新品配备丰富的扩展型外设资源，集成1个I2C；4个U(S)ART，支持ISO7816、LIN和IrDA等功能；2个12位高精度ADC，16通道数，最大采样率1MSPS；2个CAN，兼容2.0A和2.0B（主动）规范，最大速率1M bit/s；片上带PHY高速USB OTG_FS，进一步帮助用户降低硬件成本。APM32F402可提供LQFP48/64、QFN36/48四种封装，并可与同类产品使用相同软硬件平台，实现 pin to pin兼容。 APM32E030工业级基础拓展型MCU 赋能更多自定义功能，满足成本敏感型应用极海APM32E030系列工业级基础拓展型MCU，在APM32F030基础上实现主频、功耗、功能、抗干扰性等全方位的优化升级，能以更高性价比助力客户实现更多创新应用，可广泛应用于舞台灯、编码器、户外电源、传感器、可穿戴设备、小家电、医疗设备及手持设备等场景中。 APM32E030采用12寸55nm先进工艺，搭载Arm® Cortex®-M0+内核，工作主频提高至72MHz；内置64KB Flash、8KB SRAM，Flash 0等待周期最大可达44MHz；电源电压范围2.0V~3.6V，HBM达到±4000V，ESD抗干扰能力更强、电磁环境容忍度更高，工作温度范围-40℃~85℃/105℃，有效保障芯片在复杂环境中稳定运行。 APM32E030内置2个I2C，最高速率1Mbit/s，支持SMBus/PMBus；2个USART，最高速率6 Mbit/s；1个12位高精度ADC，16通道数；可配置TSSOP20、QFN28/32/48、LQFP32/48/64共7种封装，有助于满足用户不同使用需求。APM32E030可灵活同pin兼容APM32F030，轻松实现软硬件迁移。面向电池计量市场首款BMP561单节电池电量监测计随着数智化技术的飞速发展，智能移动终端已成为生活必需品，消费者也对随身设备的安全性、可靠性和续航性能提出了更高要求。作为电池包保护板的重要组件，高精度电池电量监控芯片的市场需求也水涨船高，成为终端应用及电池包制造商的关注焦点。面向电池计量市场，极海全新推出BMP561高集成、高精度单节电池电量监测计芯片，基于Arm® Cortex®-M0+内核，内置可编程闪存，支持可提高容量的并联电池和HMAC- SHA256 认证响应器，有助于提升电池组安全性。该系列新品可广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式可穿戴装备以及便携式音频设备等领域。 BMP561内置两个独立ADC，支持软件高精度库仑计数器，支持电流电压同步采样；内置温度传感器和NTC热敏电阻测量功能，能够精准感应内外部温度；支持低至1mΩ的电流感应电阻器，确保高精度测量；还集成100/400kHz的I2C，适用于高速编程和数据访问，以及单线制HSC接口，便于与主机进行通信。 BMP561充分发挥了Cortex-M0+平台的低开发成本及低功耗设计优势，支持睡眠、深度睡眠、关断、休眠等多种节能模式，可有效延长电池使用寿命，提升能源利用效率。目前可提供WLCSP12、DFN12、QFN16三种封装选择。极海时刻关注市场深度需求与技术发展趋势，致力于为客户提供先进、高效、安全、智能的产品及方案，并通过提供高品质芯片产品以及不断强化的技术支持与服务，为各产业升级提供强有力支撑。

极海

Geehy极海半导体 . 2025-01-09 815
为何企业需要 AI 查询引擎来推动代理式 AI？

数据是 AI 应用的燃料，但企业数据的量级和规模往往会使其使用成本高且耗时，难以有效利用。根据 IDC 的 Global DataSphere1，到 2028 年，企业每年将产成 317ZB 数据——包括 29ZB 的独特数据——其中 78% 是非结构化数据，44% 为音频和视频数据。由于数据量巨大且类型多样，大多数生成式 AI 应用只会使用所存储和生成数据总量的一小部分。为了在 AI 时代蓬勃发展，企业就必须找到利用其所有数据的方法。这一点无法依靠传统的计算和数据处理技术来实现。相反，企业需要一个 AI 查询引擎。什么是 AI 查询引擎？简而言之，AI 查询引擎是将 AI 应用或 AI 智能体与数据连接的系统。它是代理式 AI 的关键组成部分，充当企业或机构知识库与 AI 赋能的应用之间的桥梁，能够实现更准确、具有上下文感知的响应。 AI 智能体构成 AI 查询引擎的基础，它们能够收集信息并开展工作以协助人类员工。AI 智能体将从众多数据源收集信息，计划、推理并采取行动。AI 智能体可以与用户交流，也可以始终保持在后台工作，获取人类的反馈和互动。实际上，AI 查询引擎是一个复杂系统，用于高效处理大量数据、提取和存储知识，并对这些知识进行语义搜索，确保其能够被 AI 快速检索和使用。 AI 查询引擎处理、存储和检索数据——将 AI 智能体与洞察力关联。 AI 查询引擎从非结构化数据中解锁智能企业的 AI 查询引擎将能够访问以多种不同格式存储的知识，而从非结构化数据中提取智能是其实现的最重要进步之一。为产生洞察，传统的查询引擎依赖于结构化查询和数据源，例如关系数据库。用户必须使用类似于 SQL 的语言制定精确的查询，且结果仅限于预先定义的数据格式。相比之下，AI 查询引擎能够处理结构化、半结构化和非结构化数据。常见的非结构化数据格式包括 PDF、日志文件、图像和视频，通常存储在对象存储、文件服务器和并行文件系统中。AI 智能体使用自然语言与用户进行交流。这使其能够通过访问不同的数据源来解读用户意图，即便意图是模糊的。这些智能体能够以对话形式提供结果，以便用户能够理解。这种能力使其能够从任何类型的数据中获得更多的洞察和智能——而不只是整齐排成行和列的数据。例如，DataStax 和 NetApp 等公司正在构建 AI 数据平台，使客户能够为其新一代应用提供 AI 查询引擎。 AI 查询引擎的主要功能 AI 查询引擎具有以下几项关键能力：多样化数据处理：AI 查询引擎能够访问和处理各种数据类型，包括来自多个来源的结构化、半结构化和非结构化数据，如文本、PDF、图像、视频和专业数据类型。可扩展性：AI 查询引擎能够高效处理 PB 级数据，使 AI 应用能够快速获取所有企业知识。精确检索：AI 查询引擎提供高精度、高性能的嵌入、向量搜索以及来自多个来源的知识重新排序。持续学习：AI 查询引擎能够存储并整合来自 AI 赋能应用的反馈，创建一个 AI 数据飞轮，并根据反馈完善模型以及逐渐提高应用的有效性。检索增强生成（RAG）是 AI 查询引擎的一个组成部分。RAG 利用强大的生成式 AI 模型作为数据的自然语言接口，允许模型在响应生成过程中访问和整合来自大量数据的相关信息。使用 RAG，任何企业或组织都能够将其技术信息、政策手册、视频和其他数据转化为有用的知识库。AI 查询引擎可以依靠这些数据源为客户关系、员工培训和开发人员生产力等领域提供支持。其他信息检索技术和知识存储方法也正在研究和开发中，因此预计 AI 查询引擎的能力将会迅速进化。 AI 查询引擎的作用借助 AI 查询引擎，企业能够充分发挥 AI 智能体的作用，将员工与海量企业知识建立连接，提高 AI 生成回答的准确性和相关性，处理和利用以前未开发的数据源，并创建数据驱动的 AI 飞轮以持续改进其 AI 应用。例如，提供个性化、全天候的客户服务体验的 AI 虚拟助手；用于搜索和总结视频的 AI 智能体；用于分析软件漏洞的 AI 智能体或 AI 研究助手。 AI 查询引擎在原始数据和 AI 赋能的应用之间架起一座桥梁，将在帮助组织从数据中提取价值方面发挥重要作用。 NVIDIA Blueprint 能够帮助企业着手将 AI 与其数据连接。

NVIDIA

NVIDIA英伟达 . 2025-01-09 1 1 1190
全球晶圆厂展望：2025年将有18座新晶圆厂启建

国际半导体产业协会（SEMI）于8日发布的最新一季全球晶圆厂预测报告显示，2025年半导体产业将见证18座新的晶圆厂启动建设。这些新晶圆厂包括 3 座8英寸晶圆厂和 15 座12英寸晶圆厂，它们大多预计将在2026年至2027年间开始量产运营。 SEMI全球营销长暨台湾区总裁曹世纶表示，半导体产业正处于关键时刻，扩产投资正在推动先进与主流技术的发展，以满足全球产业不断演进的需求。他指出，生成式AI与高效能运算正在推动先进逻辑与存储器领域的进步，而主流制程则继续支撑汽车、物联网和功率电子类别等关键应用。根据预测，2025年北美和日本将各有4座新晶圆厂计划。中国、欧洲及中东地区讲各有3座晶圆厂新建，中国台湾地区以2座晶圆厂紧随其后，韩国和东南亚各计划建设1座。值得一提的是，根据SEMI于2024年第四季度发布的全球晶圆厂预测报告（涵盖2023年至2025年），全球半导体产业在此期间将有多达97座新建高产能晶圆厂投产。这些晶圆厂包括2024年启用的48座和2025年启用的32座，晶圆尺寸从12英寸到2英寸不等。此外，SEMI的报告还预测，半导体产能将进一步加速增长。2025年，全球半导体产能的年增长率将达到6.6%，达到每月3360万片晶圆。这一产能扩张主要受益于高效能运算（HPC）应用中的前端逻辑技术以及边缘设备中生成式AI渗透度的持续高涨。为了赶上大语言模型（LLM）不断增长的运算需求，半导体业界正在加紧建立先进运算能力。在先进制程方面，芯片大厂正在积极扩大7纳米及以下制程的产能。SEMI预测，到2025年，这些先进制程的产能将实现16%的年增长率，达到每月220万片晶圆。这一增长将主要得益于智能手机、数据中心和人工智能等领域的强劲需求。与此同时，主流制程（8纳米至45纳米）也受到中国芯片自给自足策略、汽车和物联网应用预期需求的带动。SEMI预测，到2025年，主流制程的产能将实现6%的增长，达到每月1500万片晶圆的里程碑。然而，成熟技术制程（50纳米以上）的扩张情况则相对较为保守。由于市场复苏缓慢和利用率较低等挑战，SEMI预测其产能将仅增长5%，到2025年达到每月1400万片晶圆。在晶圆代工领域，SEMI预测晶圆代工供应商仍将是半导体设备采购的领头羊。晶圆代工类别的产能预计将以10.9%的年增长率增长，从2024年的每月1130万片晶圆增长到2025年的每月1260万片晶圆。在内存领域，SEMI预测整体产能扩张将走向稳定缓和路线。2024年成长3.5%，2025年成长2.9%。然而，强劲的生成式AI需求已经席卷内存市场，带来重大变化。其中，高频宽内存（HBM）出现大幅成长，为DRAM和NAND快闪内存部门带来不同的产能成长趋势。DRAM类别将持续走强，到2025年将同比增长约7%，达到每月450万片晶圆。而3D NAND装置容量相对之下也有5%的涨幅，达到同期每月370万片晶圆。

晶圆

芯查查资讯 . 2025-01-09 1 2410
CES 2025：智能手表

TechInsights的可穿戴设备团队在CES 2025第三天的洞察将聚焦于展会现场发布的智能手表。尽管今年智能手表在CES上的存在感较弱（尤其是与智能戒指和智能眼镜相比），但仍有几款值得注意的产品发布，包括：佳明推出了Instinct 3，提供三种版本——一款新增AMOLED显示屏，一款支持太阳能充电，实现“无限电池寿命”（视天气而定！），还有一款价格更低、功能更精简的版本。这三款均提供两种表壳尺寸，电池寿命以天而非小时计算。尽管佳明的产品线庞大且有时令人困惑，但它们针对的是高度细分的市场，过去几个季度的增长甚至超过了苹果、三星和华为前三大智能手表供应商。 Amazfit以惊人的99美元零售价推出了Active 2。有趣的是，它首先登陆美国市场，全球发布定于2月。这是高端功能组合进入更低价格区间的绝佳例证，如离线地图、AMOLED显示屏、改进的心率传感器和AI语音助手等。电池寿命长达10天，另有升级版售价增加30美元，配备耐用的蓝宝石玻璃和用于非接触式支付的NFC。Amazfit希望扭转过去几个季度销量下滑的趋势。展会现场还有许多智能手表小型供应商，设计创意十足，从专注于儿童的蜂窝连接型号到内置耳机的型号应有尽有。例如Rooftop Shark AI-10智能手表、Aurafit G12智能手表、以及儿童手表Pinwheel、MyFirst和Watchout Wearables。 TechInsights预计2025年智能手表销量将增长5%，增长动力来自AI功能的增加、新型号的强大、传感器和功能组合的改进并渗透到更低价格区间、消费者从健身手环和功能手表升级到支持第三方应用的手表、经济环境改善、新兴市场强劲以及消费者对健康和健身的持续兴趣。在经历了连续六个季度智能手表销量下滑后，市场开始成熟，新买家比例开始下降，智能手表销量重回增长轨道。

智能手表

TechInsights . 2025-01-09 1520
适用于车载UWB的超宽带SPDT射频开关 NJG1801

近年，汽车电子遥控钥匙RKE（Remote Keyless Entry）应用已不光再使用以往的Sub-GHz频段（即频率为1GHz以下，27MHz~960MHz），而是进一步在探讨利用面向下一代Smart Car Access的2.4GHz频段的低功耗蓝牙BLE（Bluetooth Low Energy）或者利用到8.5GHz频段的超宽带UWB（Ultra Wide Band）升级新的安保系统。在汽车电子部件的实装工程上，为了获得牢固的焊接贴片及导入自动目视检查装置，往往要求芯片引线间距要0.5 mm以上，并且要有Wettable Flank的封装结构。符合车载规格AEC-Q100标准是必须的，除此之外，贴片的地方有的是强高温，所以对芯片都会要求耐温125℃。为了满足这些苛刻的要求，日清纺微电子（NISSHINBO）开发了符合AEC-Q100 Grade1汽车电子认证标准（工作温度在 -40 ～ +125℃）的超宽带SPDT射频开关NJG1801BKGC-A。 NJG1801BKGC-A在Sub-GHz到8.5GHz之间非常宽的频率范围内具有良好特性，并且封装的引线间距是0.5mm且是Wettable Flank*封装结构，所以既方便使用又便于导入自动外观检查装置。 NJG1801BKGC-A符合AEC-Q100 Grade1汽车电子认证标准，并且通过了德国汽车工业联合会 (VDA)制定的汽车工业质量标准过程审核VDA6.3的要求。甚至根据客户要求也可提交生产件批准程序PPAP文件。产品特点 ■宽带工作本产品在0.3GHz ~ 8.5GHz之间的宽频率范围内具有0.35 ~ 0.6dB的插入损耗、18 ~ 28dB的隔离度等良好特性。由于这些特性，本产品不光用于汽车电子遥控钥匙RKE相关应用，还可用于2.4GHz频段以及5GHz频段的WiFi应用。 ■具有用于车载应用的0.5mm引线间距和Wettable Flank封装结构在车载应用方面，对芯片强烈要求0.5mm引线间距和Wettable Flank封装结构，本产品已经具备，这样就可以实现牢固的焊接贴片和导入自动外观检查装置。 ■宽工作温度范围，符合车载规格符合AEC-Q100 Grade1（-40 ～ 125℃）汽车电子认证标准。例如，常配有RKE功能的车身控制模块BCM（Body Control Module）具有各种功能，这样处理器周边部件往往会发热甚至产生高温。本产品的工作温度可达125℃，所以应用范围会更广。本产品也通过了VDA6.3审核要求，还可提交PPAP文件。产品性能・切换电压3.0 V typ. ・低消耗电流5.0 μA typ. ・低插入损耗0.35 dB @ f = 0.3 to 2.5 GHz 0.45 dB @ f = 4.9 to 5.9 GHz 0.60 dB @ f = 8.5 GHz ・高隔离度28dB @ f = 0.3 to 2.5 GHz 27dB @ f = 4.9 to 5.9 GHz 18dB @ f = 8.5 GHz ・高P-1dB+31 dBm typ. @ f = 0.3 GHz, 2.5 GHz, 5.9 GHz ・封装ESON6-GC 1.6x1.6x0.78mm, 引线间距0.5mm ・工作温度范围-40 to 125℃ ・符合RoHS 标准、无卤化物、MSL1

日清纺

NISSHINBO Micro Devices . 2025-01-09 1 2 1000
MediaTek 携手意腾科技，于 CES 2025 展出多元 AI 语音方案

MediaTek 与意腾科技宣布，将协同合作为车用、智慧家庭，以及智慧零售市场打造创新的 AI 语音解决方案，并于 CES 2025 展出。双方合作将致力于提升用户与汽车、智能设备的互动体验，为全球用户带来更智能、安全且直观的生活方式。张豫台 MediaTek 副总经理随着 AI 日益融入生活，我们秉持以先进且多样化的技术，让大众能受惠于科技普及所带来的便利，实现更美好的生活。我们此次与意腾科技合作，将其人机互动和语音辨识等 AI 方案带入 MediaTek 天玑汽车座舱平台，以及 MediaTek 智慧家庭与智慧零售解决方案，进而推动更多的 AI 创新。意腾科技副总经理暨台湾分公司总经理许维新表示： “与 MediaTek 的合作让我们突破了边缘运算环境下语音辨识与人机互动的技术极限。我们希望藉此提供更智能、更安全且直观的解决方案，全面提升消费者的使用体验。” 卓越的智能车内语音控制新体验意腾科技以先进的 AI 声学前处理技术，即使在复杂的多人环境中，仍能精准捕捉主控者的需求指令，提供卓越的语音辨识率，确保车内语音互动更智能、高效。该项技术不仅大幅提升车内 AI 助理的功能，也为智能驾乘提供更加流畅、个性化的使用体验。此次合作将意腾科技先进的 AI 声学前处理技术和 AI 科技无缝整合到 MediaTek 包括 3nm 制程的天玑汽车座舱平台内，共同推出专为车内智能语音控制而设计的创新解决方案，合作涵盖了声纹消噪（Voice Print Noise Reduction，VPNR）功能、指向性关键字侦测（Directional Keyword Detection，DOK）、唤醒词（Keyword Spotting，KWS）、语音转文字（Speech-to-Text ，STT）、文字转语音（Text-to-Speech，TTS）功能等。 AI Hub 重新诠释智慧家庭体验针对智慧家庭市场，双方共同推出创新的“智慧家庭 AI Hub”。在 MediaTek 天玑 9400 旗舰移动平台上，整合意腾科技的 AI 自然语音技术，以及平台上原有生态伙伴的边缘 AI 自动语音辨识模型（ASR）、小型语言模型（SLM）与多模态大语言模型（LMM），并结合可将传统 AI 应用程序重构为具备自主性、推理能力与行动力的 MediaTek 天玑智能体化 AI 引擎（Dimensity Agentic AI Engine），为智慧家庭情境带来更为流畅且个性化的语音操作体验。“智慧家庭 AI Hub”将语音科技无缝融入日常生活，让智能设备成为用户的得力助手，全面提升居家的便利性。创造 AI 智慧零售的人机互动新体验双方合作的另一亮点，是针对智慧零售场景打造的生成式 AI 解决方案。该方案将意腾科技的 AI 唤醒词、语音转文字（STT）、文字转语音（TTS）技术与 MediaTek Genio 智能物联网平台、MediaTek DaVinci 生成式 AI 服务平台结合，为智慧零售设备提供生动的虚拟角色界面和自然语言对话功能。这一创新解决方案提供直观且引人入胜的互动体验，不仅为用户带来便利，更树立了智慧零售市场的新标杆。 MediaTek 与意腾科技合作，不仅把业界先进的 AI 声学前处理技术导入至全系列天玑汽车座舱平台，同时也将先进的 AI 解决方案带入智慧家庭市场和智慧零售产业等多元解决方案中。

联发科技

联发科技 . 2025-01-09 875
N1家族又添新成员！安霸N1-655，功耗低于20瓦，支持本地多个通道的VLM和神经网络并行处理

新款 AI SoC 是本地部署AI盒子、具身智能机器人和智慧城市应用的理想之选；其高性能、低成本突破了前端 AI 应用的功耗和成本瓶颈美国加利福尼亚州圣克拉拉市，2025年1月7日- Ambarella（下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA，AI 视觉感知芯片公司）在 CES 上发布了 N1-655 前端生成式 AI 芯片（SoC），该芯片可同时处理 12 路 1080p30 视频解码，并且可运行多个多模态视觉语言模型（VLM）和传统 CNN 混合模型。其高 AI 处理性能可适配大多数流行的多模态视觉语言模型和大语言模型（LLM），而功耗仅为 20 瓦，较云端处理器低 10-100 倍。在本地部署的 AI 盒子、自主移动机器人（AMR）和智慧城市安防摄像机等应用场景中，N1-655 无需互联网连接，即可本地稳定运行 Phi、Gemma、LLaVA-OneVision 和 LLaMA 等模型，高效处理视觉和语音等数据输入。继去年推出首款 N1 SoC 后，安霸便致力于构建前端生成式 AI SoC 系列，力求突破摄像头现有功能的局限。与基于云端推理处理不同，目前该系列的两枚芯片均支持本地推理处理生成式 AI 模型，凭借领先的每瓦性能，显著降低功耗和总成本投入，同时强化了隐私保护功能。 N1-655 延续了安霸业界领先的每瓦 AI 性能水准，为满足最新前端生成式 AI 功能的 AMR（自主移动机器人）和本地部署的 AI 盒子等应用场景而打造，并将功耗控制在 20 瓦以下。 -- 王奉民安霸总裁兼 CEO 安霸总裁兼 CEO 王奉民表示：“这款 SoC 实现了运行速度更快，体积更小的设计目标，有效降低了这类应用对高带宽和成本密集型云处理的依赖。” 鉴于云处理存在带宽成本高、持续服务费用贵、能耗大，以及数据安全和隐私隐患等问题，在前端进行更多生成式 AI 处理已成为行业发展的必然趋势。更适配前端应用的 N1-655 所展示出的高性能和低功耗，充分证明了安霸正走在这一发展趋势的前沿。为助力基于 N1-655 的方案开发，安霸进一步扩展了 Cooper™ 开发者平台，推出 Cooper 开发者套件系列的新成员 -- 具备工业级性能的 Cooper Pro。该套件搭载 N1-655，将于 CES 之后开始发货。

安霸

Ambarella安霸半导体 . 2025-01-09 3220
差模噪声与共模噪声的区别是什么？

开关稳压器的EMI分为电磁辐射和传导辐射(CE)。本文重点讨论传导辐射，其可进一步分为两类：共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。为什么要区分CM-DM？对CM噪声有效的EMI抑制技术不一定对DM噪声有效，反之亦然，因此，确定传导辐射的来源可以节省花在抑制噪声上的时间和成本。本文介绍一种将CM辐射和DM辐射从LTC7818控制的开关稳压器中分离出来的实用方法。知道CM噪声和DM噪声在CE频谱中出现的位置，电源设计人员便可有效应用EMI抑制技术，这从长远来看可以节省设计时间和BOM成本。图1.降压转换器中的CM噪声路径和DM噪声路径图1显示了典型降压转换器的CM噪声和DM噪声路径。DM噪声在电源线和返回线之间产生，而CM噪声是通过杂散电容CSTRAY在电源线和接地层（例如铜测试台）之间产生。用于CE测量的LISN位于电源和降压转换器之间。LISN本身不能用于直接测量CM和DM噪声，但它确实能测量电源和返回电源线噪声——分别为图1中的V1和V2。这些电压是在50Ω电阻上测得的。根据CM和DM噪声的定义，如图1所示，V1和V2可以分别表示为CM电压(VCM)和DM电压(VDM)的和与差。因此，V1和V2的平均值就是VCM，而V1和V2之差的一半就是VDM。测量CM噪声和DM噪声 T型功率合成器是一种无源器件，可将两个输入信号合成为一个端口输出。0°合成器在输出端口产生输入信号的矢量和，而180°合成器产生输入信号的矢量差。因此，0°合成器可用于产生VCM，180°合成器产生 VDM。图2所示的两个合成器ZFSC-2-1W+ (0°)和ZFSCJ-2-1+ (180°)来自Mini-Circuits，用于测量1 MHz至108 MHz的VCM和VDM。对于这些器件，频率低于1 MHz时测量误差会增大。对于较低频率的测量，应使用其他合成器，例如ZMSC-2-1+ (0°)和ZMSCJ-2-2 (180°)。图2.0°和180°合成器图3.用于测量(a) VCM和(b) VDM的实验装置图4.用于测量CM噪声和DM噪声的测试设置测试设置如图3所示。功率合成器已添加到标准CE测试设置中。LISN针对电源线和返回线的输出分别连接到合成器的输入端口1和输入端口2。0°合成器的输出电压为VS_CM = V1 + V2；180°合成器的输出电压为VS_DM = V1 – V2。合成器的输出信号VS_CM和VS_DM必须在测试接收器中处理，以产生VCM和VDM。首先，功率合成器已指定接收器中补偿的插入损耗。其次，由于VCM = 0.5 VS_CM且VDM = 0.5 VS_DM，因此测试接收器从接收到的信号中再减去6 dBμV。补偿这两个因素之后，在测试接收器中读出测得的CM噪声和DM噪声。 CM噪声和DM噪声测量的实验验证使用一个装有双降压转换器的标准演示板来验证此方法。演示板的开关频率为2.2 MHz，VIN = 12 V，VOUT1 = 3.3 V，IOUT1 = 10 A，VOUT2 = 5 V，IOUT2 = 10 A。图4显示了EMI室中的测试设置。图5和图6显示了测试结果。在图5中，较高EMI曲线表示使用标准CISPR 25设置测得的总电压法CE，而较低辐射曲线表示添加0°合成器后测得的分离CM噪声。在图6中，较高辐射曲线表示总CE，而较低EMI曲线表示添加180°合成器后测得的分离DM噪声。这些测试结果符合理论分析，表明DM噪声在较低频率范围内占主导地位，而CM噪声在较高频率范围内占主导地位。图5.测得的CM噪声与总噪声的关系图6.测得的DM噪声与总噪声的关系根据测量结果，在30 MHz至108 MHz范围，总辐射噪声超过了CISPR 25 Class 5的限值。通过分离CM和DM噪声测量，发现此范围内的高传导辐射似乎是由CM噪声引起的。添加或增强DM EMI滤波器或以其他方式降低输入纹波几乎没有意义，因为这些抑制技术不会降低该范围内引发问题的CM噪声。因此，该演示板展示了专门解决CM噪声的办法。CM噪声的来源之一是开关电路中的高dV/dt信号。通过增加栅极电阻来降低dV/dt，可以降低该噪声电平。如前所述，CM噪声通过杂散电容CSTRAY穿过LISN。CSTRAY越小，在LISN中检测到的CM噪声就越低。为了减小CSTRAY，应减少此演示板上开关节点的覆铜面积。此外，转换器输入端添加了一个CM EMI滤波器，以获得高CM阻抗，从而降低进入LISN的CM噪声。通过实施这些办法，30 MHz至108 MHz范围的噪声得以充分降低，从而符合CISPR 25 Class 5标准，如图7所示。图7.总噪声得到改善结论本文介绍了一种用于测量和分离总传导辐射中的CM噪声和DM噪声的实用方法，并通过测试结果进行了验证。如果设计人员能够分离CM和DM噪声，便可实施专门针对CM或DM的减轻解决方案来有效抑制噪声。总之，这种方法有助于快速找到EMI故障的根本原因，节省EMI设计的时间。

ADI

ADI智库 . 2025-01-09 1 1045
详细分解海尔扫地机器人（文末附工程文件）

每逢假期的时候，我们都是在最后的时刻知道的放假通知，既不能出去走走，在家无聊的时候，只有陪陪孩子和搞搞自己的硬件设计，这次放假我把淘来的扫地机器人进行了一次大分解。看到芯查查举办的拆卸活动，正好手头上有这台二手扫地机器人，借这个机会拆开看看，学习一下机器内部的驱动电路。首先简单介绍一下：这次拆卸的是智能清扫扫地机器人 SWR-T321，具有智能清扫，干湿两用，超长续航，强力干脱，超大吸力，TAC智能感应，自动回充功能；组成部件：红外信号接收头，保险杠，面板，垃圾盒，水箱/拖布，万向轮，左/右边刷，集尘盒，滤网等等部件（这个组成太多了，稍后一一进行介绍）工具：万用表，电烙铁，焊锡丝，大十字螺丝刀，小螺丝刀套装外部分解图片如下内部电路板图片如下一：充电基座及虚拟墙拆解利用万用表测量一下输出充电电源正常，硬件电路如下二：主机部分介绍： 2.1从正方向观察：红外信号接收头：显示窗/按键：显示当前的状态，按键操作机器人工作状态，保险杠：当左/右保险杠触发到障碍物时候，可以触发该处的限位开关，从而电机改变运行方向。面板：主要起到外壳支撑的作用，而且看起来比较美观。中间盖：按下时，可以弹起，拿出垃圾盒。 2.2从底部将所有的螺丝拆掉，拖布拆掉，左右侧的保险杠拆掉我拆的时候不小心把前面的开关弄坏了，不过没关系有电烙铁可以补救。下面我简单介绍一下板子内部的结构和各个负载电机 1：小型喇叭：可以提示内部支持的语音包：比如:充电已完成，电量不足请及时充电等等。 2：左右轮电机：主要功能是将垃圾扫到电机的垃圾盒内，从而达到清扫的目的。 3：左右行走电机：此处电机为万向轮电机，可以实现任意角度的转向功能。 4：中间电机：此处也为万向轮电机，可以在任意角度下转向。 5：计数检测：两侧的行走电机具有计数检测功能，可以记录行走的距离。 2.3 介绍负载控制方式： 1:中间电机为直流电机， 2：两侧电机为步进电机，显示电路分析：显示电路使用的74HC595进行驱动，可以省下很多IO口。软件驱动代码如下： void Display_Out() { delay_cycles(32); HC595_RCK(0); delay_cycles(32); HC595_RCK(1); } void HC595_WriteData(uint8_t data) { uint8_t i; for(i = 0; i < 8; i++) { if((data & 0x80)>0){ HC595_DAT(1); } else { HC595_DAT(0); } HC595_CLK(0); delay_cycles(32); HC595_CLK(1); delay_cycles(32); data <<= 1; } } void HC595_SEND_DATA(uint8_t disp_num, uint8_t disp_bit) { HC595_WriteData(disp_num); HC595_WriteData(1<<disp_bit); Display_Out(); } 电机控制分析部分： STM32上面有很多的定时器，控制左右两侧的行走电机，我觉得是利用PWM（等有时间利用芯查查兑换的示波器测试一下）简单介绍一下PWM技术：利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。 PWM是一种对模拟信号电平进行数字编码的方法。通过高分辨率计数器的使用，方波的占空比被调制用来对一个具体模拟信号的电平进行编码。扫地机器人的电机是带编码的电机，这种电机可以将实际的电机行走情况反馈给主控制器，从而实现左右行走，其原理如下：其中左转，右转，都是根据两个轮子的速度差实现；左轮速度>右轮速度；则向右边转弯；左轮速度<右轮速度；则向左转弯；速度差越大，转弯越大；因此可以设置速度差，实现大转弯和小转弯的目的；当一个轮子的速度为0，另外一个轮子有速度的时候，会绕着速度为0的轮子转圈，转圈的半径为两个轮子的轮间距，但是实际上，会发生轮子打滑的情况，所以会有点偏移；由于是步进电机作为动力，因此，可以控制电机的速度，进行小车的速度控制。因此，实际控制小车的几个动作，实际就转化为控制电机的速度。硬件电路分析：控制PWM输出应该时利用的某个定时器的硬件PWM输出功能。下面我简单介绍下TIM的PWM输出测试：函数分为：定时器的初始化，重设PWM的输出频率函数 /***************************************************************************************** 重新设定PWM脉冲频率值重新设定保持占空比不变输入参数iFre：目标频率值(单位0.1HZ) 需要经过计算，将目标频率值转换成分频系数 TIM5 Frequency = TIM5 counter clock/(iFre + 1) *****************************************************************************************/ void ReSetPulseFre(int iFre) { int k; /* ----------------------------------------------------------------------- TIM5 Configuration: generate 1 PWM signals at 50%: TIM5CLK = 36 MHz, Prescaler = 0x0, TIM5 counter clock = 36 MHz TIM5 ARR Register = 999 => TIM5 Frequency = TIM5 counter clock/(ARR + 1) TIM5 Frequency = 36 KHz. TIM5 Channel1 duty cycle = (TIM5_CCR1/ TIM5_ARR)* 100 = 50% ----------------------------------------------------------------------- */ // k =360000000/iFre; k =36000000/iFre; //10分频 TIM5_TimeBaseStructure.TIM_Period = k - 1; TIM_TimeBaseInit(TIM5, &TIM5_TimeBaseStructure); TIM5_OCInitStructure.TIM_Pulse = k/2; TIM5_OCInitStructure.TIM_OCPolarity = TIM_OCPolarity_High; TIM_OC1Init(TIM5, &TIM5_OCInitStructure); } /************************************************************************* SetServoMotorSpeed 设置伺服电机速度输入参数：速度，0-500.0 mm/min 的升降速度，需要将其转化成电机速度值执行结果：将速度值转换成脉冲速率，然后根据脉冲速率计算PWM分频系数执行本函数后，无需重新启动电机即可生效。注意一个关键常量PULSERPM，编码器与电机旋转角度对应关系。 *************************************************************************/ void SetServoMotorSpeed(int iSpeed) { //将速度转换成每秒脉冲数 int PulsePerS; int Motorrpm; Motorrpm = iSpeed * iEELoadSpeedScale/100.0; // PulsePerS = (Motorrpm * iEEMotorSpeedScale)/60.0; CURRsiMotor2OutSpeed = iSpeed; ReSetPulseFre(PulsePerS); //设定PWM频率(包含1位小数) } /************************************************************************************* PulseGenerator_TIMxInit 脉冲发生器的TIM5定时器初始化功能：初始化O1HS输出口，使其具备产生频率可调的脉冲配置默认的PWM频率：36K (电机默认速度) 注意：仅仅完成初始化，不启动PWM输出 *************************************************************************************/ void PulseGenerator_TIMxInit(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; /* ----------------------------------------------------------------------- TIM5 Configuration: generate 1 PWM signals at 50%: TIM5CLK = 36 MHz, Prescaler = 0x0, TIM5 counter clock = 36 MHz TIM5 ARR Register = 999 => TIM5 Frequency = TIM5 counter clock/(ARR + 1) TIM5 Frequency = 36 KHz. TIM5 Channel1 duty cycle = (TIM5_CCR1/ TIM5_ARR)* 100 = 50% ----------------------------------------------------------------------- */ /* Time base configuration */ TIM5_TimeBaseStructure.TIM_Period = 999; TIM5_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 9; //10分频 TIM5_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision = 0; TIM5_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up; TIM_TimeBaseInit(TIM5, &TIM5_TimeBaseStructure); /* PWM1 Mode configuration: Channel1 */ TIM5_OCInitStructure.TIM_OCMode = TIM_OCMode_PWM1; TIM5_OCInitStructure.TIM_OutputState = TIM_OutputState_Enable; TIM5_OCInitStructure.TIM_Pulse = TIM5DefaultCCR1_Val; TIM5_OCInitStructure.TIM_OCPolarity = TIM_OCPolarity_High; TIM_OC1Init(TIM5, &TIM5_OCInitStructure); TIM_OC1PreloadConfig(TIM5, TIM_OCPreload_Enable); TIM_ARRPreloadConfig(TIM5, ENABLE); //TIM5 CH1 IO config /*GPIOA Configuration: TIM5 channel 1 as alternate function push-pull */ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure); /*GPIOA Configuration: PA1 作为方向选择端子*/ GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_1; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure); u8CurrMotorRunDir = 0; } 后记：如果说没有芯查查举办的这次拆卸活动，估计我也不去拆卸这台二手扫地机器人，显然是几年前的产品，利用的还是STM32的主控。现在国产32的崛起，国内平台也越来越完善，不过ST32里电机驱动部分是值得我们去学习的。类似于APM32的低压电机评估版一样，不仅仅有电压控制，还有电流检测，霍尔计数等等，这些功能国内已经有很多厂家可以做到，甚至比 STM32做的还要好，等有时间自己也做一个电机控制小车，借鉴这次拆卸的机会和之前参加APM32积累下来的经验，难度应该是不大。这些就是我拆卸家用扫地机器人的全部过程，图片和视频资料，当然拆卸的过程中我家的小伙伴也是在一旁帮我，真的很感谢她，要不我早就写好了…… 点击此处跳转工程附件。附件中已上传电路板使用的芯片资料和部分驱动电路感兴趣的可以下载。

扫地机器人

芯查查资讯 . 2025-01-09 7720
Qorvo推出车规级UWB SoC芯片QPF5100Q，凭借可配置软件推动创新

全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，推出全新已通过车规级认证的超宽带（UWB）片上系统（SoC）——QPF5100Q，并面向主要客户提供样品。这款突破性SoC满足汽车行业对高精度、可靠UWB技术的需求，适用于诸如无钥匙车辆安全门禁、数字钥匙，以及儿童存在检测和运动感测等UWB雷达应用。 Qorvo全新的UWB SoC提供先进的UWB功能和可配置软件，使汽车设计师能够定制独特的功能，从而提升产品性能并为最终用户的应用带来差异化优势。QPF5100Q立足Qorvo超过10年的UWB创新技术积累，旨在满足严格的汽车行业标准。 Qorvo连接产品与传感器总裁Eric Creviston表示：“通过提供可配置软件，我们赋予客户更强的创新能力和竞争优势，满足汽车市场及下一代UWB应用的关键需求。Qorvo致力于支持客户在汽车技术领域的创新，这也是这款全新SoC的核心所在。” QPF5100Q目前正在与领先的汽车制造商开展设计验证测试（DVT），预计将于今年晚些时候投入量产。这款创新的SoC彰显Qorvo致力于打造前沿车用UWB解决方案的承诺，其低功耗和高集成度特性助力客户实现“面向未来”的产品设计。基于稳健的产品路线图，Qorvo的汽车UWB解决方案具备可扩展的系统架构和持续的技术进步，能够确保适应不断演变的行业标准和新兴应用。

UWB

Qorvo半导体 . 2025-01-09 825
5城集中开通，服务8000万市民！

近日，天津、重庆、深圳、合肥、贵阳五个城市的9条城市轨道线路集中开通，基于飞腾CPU的自动售检票系统（AFC）正式投入使用，为五城近8000万市民的日常出行担当运行保障，用中国芯服务社会。此次集中开通的线路包括深圳地铁的7号线二期、11号线二期、12号线二期、3号线四期和13号线南段，天津地铁11号线西段，贵阳轨道交通S1线，重庆市郊铁路璧铜线，以及合肥地铁8号线一期。飞腾公司与数城科技股份有限公司（以下简称“数城科技”）基于飞腾腾珑E2000 CPU联合研发推出的“PKmoho-3221”高性能嵌入式工业计算机和“PKmoho-7622”人脸Pad，凭借设备和系统在计算性能、功耗控制、数据安全、接口适配性、稳定性等方面的优异表现，为AFC的顺利投运打造了坚实可靠的硬件底座。高性能嵌入式工业计算机人脸Pad内构图 AFC系统是一种在城市轨道交通场景广泛应用的工控级系统，旨在大幅提高乘客进出站的效率，减少人工售检票的工作量和出错率。在大型城市的繁忙地铁线路，相较于平峰时段，高峰时段系统面临的每小时进出站行为处理量将达到百倍、千倍以上，对支持AFC运转的软硬件提出了严苛的要求。本次开通的9条地铁线路均采用飞腾腾珑E2000 CPU作为硬件核心，与麒麟软件的银河麒麟嵌入式操作系统V10、数城科技工控机产品组合，实现了方案的高度国产化和自主可信，树立起我国轨道交通AFC系统国产化进程中的重要里程碑。飞腾腾珑E2000是飞腾公司面向新一代工业互联网、物联网应用开发的一款高端嵌入式CPU，最高主频可达2.0GHz，同时支持飞腾自主定义的PSPA安全架构规范，从硬件层面增强了芯片的安全性，广泛应用于数据采集、数据通讯、数据计算以及存储等场景。 ‍ 基于飞腾系列CPU的轨道交通解决方案已经在全国主要城市的数‍十条地铁线路上线投运，服务覆盖过亿城市居民。飞腾公司还将继续携手产业链合作伙伴，持续提升产品算力水平，推进关键核心技术攻关，围绕关键基础行业需求、痛点夯实算力底座，为助力数字中国蓬勃发展、锚定2035年建成科技强国的战略目标贡献不竭动力。

飞腾

Phytium飞腾 . 2025-01-09 910
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项

得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及电路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。宽带隙半导体技术的优势在选择最佳半导体材料时，应考虑多项特性。目标是打造兼具最小导通电阻、最小关断泄漏电流、高电压阻断能力和高功率能力的开关。图1显示了硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料的特性。SiC和GaN的电击穿场大约是硅的十倍。这使得设计漂移区厚度为等效硅器件十分之一的器件成为可能，因为漂移区厚度与电击穿场成反比。此外，漂移区的电阻与电击穿场的立方成反比。这使得漂移区电阻降低了近1000倍。在固态开关应用中，所有损耗都是导通损耗，高电击穿场是一项显著的优势。此外，电阻降低还意味着无需担心动态闩锁问题，否则较高的dV/dt瞬变可能会分别触发硅功率MOSFET和IGBT中的寄生NPN晶体管或晶闸管。图1、Si、SiC和GaN三种材料的特性碳化硅的热导率是Si和GaN的三倍，可显著提高芯片散热能力，使其运行温度更低并简化热设计。或者，对于等效目标结温来说，这意味着支持更高的工作电流。更高的热导率搭配高电击穿场可以降低导通电阻，从而进一步简化热设计。碳化硅是一种宽带隙（WBG）半导体材料，其能隙几乎是硅的三倍，因此能够在更高的温度下工作。半导体在高温环境下将无法发挥半导体的功能。更宽的能隙使得碳化硅能够在高出硅几百摄氏度的温度下正常工作，因为其自由载流子的浓度较低。但是，基于当今技术的其他因素（如封装和栅极氧化层泄漏）将器件的最大连续结温限制在175 °C。WBG技术的另一项优势是其关断泄漏电流较低。考虑到以上特性，碳化硅是该应用的最佳半导体材料。以下器件类型之间的差异：IGBT、MOSFET和JFET 晶体管的类型是下一个关键因素。大多数情况下，导通损耗是需要面临的最大设计挑战。为了满足系统的热要求，应最大限度地减少导通损耗。一些系统采用液体冷却，而其他系统可能使用强制风冷或依靠自然对流。除了大限度地减少导通损耗之外，还必须将压降保持在最低水平，以便最大限度地提高所有工作点（包括轻载条件）的效率。这对于电池供电系统尤为重要。许多系统（包括直流系统）中还有一个重要因素，即电流都是双向的。通常需要兼具低导通损耗、低压降和反向导通能力的晶体管。可以考虑的晶体管通常包括IGBT、MOSFET和JFET。尽管IGBT在峰值负载电流下的导通损耗与MOSFET相当，但一旦负载电流减小，基于IGBT的解决方案就会变得效率低下。这是因为压降由两部分组成：一部分压降接近恒定，与集电极电流无关；另一部分压降与集电极电流成正比。使用MOSFET时，压降与源电流成正比。它没有IGBT的开销，这使得所有工作点（包括轻载条件）都能实现高效率。MOSFET允许第一象限和第三象限的通道导通，这意味着电流可以正向和反向流过器件。MOSFET在第三象限工作有一个额外的好处，即其导通电阻通常比在第一象限略低。而IGBT仅在第一象限导通电流，并且需要通过反并联二极管来实现反向电流导通。JFET是一种旧技术，但目前正在复兴，它既可以正向导通也可以反向导通，并且与MOSFET一样，其压降与漏极电流成正比。JFET与MOSFET的不同之处在于它是一种耗尽型器件。也就是说，JFET属于常开器件，需要通过栅极偏置来抑制电流的流动。这给设计人员在考虑系统故障条件时带来了挑战。作为一种变通方法，可以使用包括串联低电压硅MOSFET的共源共栅配置来实现常闭器件。串联硅器件的加入增加了复杂度，进而削弱了JFET在高电流应用中的一些优势。SiC MOSFET属于常闭器件，兼具许多系统中所需的低电阻和可控性。热封装 SiC功率模块可实现高级别的系统优化，这很难通过并联分立MOSFET来实现。Microchip的mSiC™模块具有多种配置以及电压和电流额定值。其中包括共源配置，该配置以反串联的方式连接两个SiC MOSFET，从而实现双向电压和电流阻断。每个MOSFET均由多个芯片并联组成，以实现额定电流和低导通电阻。对于单向电池断开开关，两个MOSFET在功率模块外部并联连接。为了使芯片保持较低的运行温度，需要较低的导通电阻和热阻。模块中使用的材料是决定结至外壳热阻及其可靠性的基本要素。具体来说，芯片粘接、基板和底板材料特性是形成模块热阻的主要因素。选择高热导率的材料有助于最大限度地降低热阻和结温。除了热性能之外，选择热膨胀系数（CTE）紧密匹配的材料可以降低材料界面和内部的热应力，从而延长模块的使用寿命。表1汇总了这些热特性。氮化铝（AlN）基板和铜（Cu）底板是mSiC功率模块的标配。氮化硅（Si3N4）基板和铝碳化硅（AlSiC）底板的可靠性更高。图2给出了采用通过DO-160认证的标准SP3F和SP6C封装以及高可靠性无底板BL1和BL3封装的共源功率模块。材料 CTE （ppm/K）热导率（W/cm-K）密度（g/cm3）芯片 Si SiC 4 2.6 136 270 基板 Al2O3 AlN Si3N4 7 5 3 25 170 60 底板 CuW AlSiC Cu 6.5 7 17 190 170 390 17 2.9 8.9 表1. 芯片、基板和底板的热特性图2. 采用共源配置的Microchip mSiC™模块器件耐用性和系统电感除了模块的热性能和长期可靠性之外，电路中断器件的另一个设计注意事项是高感应能量。继电器和接触器的循环次数是有限的。它们通常指定无负载机械开关循环，极少指定电气负载开关循环。系统中的电感会导致触点间产生电弧，进而在电流断开时导致性能下降。因此，电气循环额定值的工作条件被明确定义，并对其寿命有很大影响。即便如此，在使用接触器或继电器的系统中仍然需要连接上游熔丝，因为在较高的短路电流下，触点可能会熔接关断。固态电池断开开关不会受到这种性能下降的影响，因此有助于打造可靠性更高的系统。尽管如此，对于管理中断高电流时存在的感应能量来说，了解系统的寄生和负载电感与电容也是至关重要的。感应能量与电感以及中断时系统中电流的平方成正比。开关输出端子发生短路会导致电流快速增加，其上升速率等于电池电压与源电感之比。举例来说，800V母线电压和5 µH的源电感会导致电流以每微秒160A的速度增加。5 µs的检测和响应时间将导致电路中产生800A的额外电流。由于不建议在雪崩模式下操作SiC功率模块，因此需要使用缓冲电路或钳位电路来吸收这种感应能量以保护模块。但是，当经过适当设计以满足爬电距离和间隙要求时，缓冲电路引入的寄生效应会进一步限制其有效性。因此，开关应足够缓慢地关断，以限制模块内部电感引起电压过应力和电流突然下降。采用低电感设计的模块有助于进一步最大限度地降低该电压应力。在硅功率器件中，高电流的快速中断会带来触发寄生NPN或晶闸管的风险，进而导致无法控制的闩锁并最终引发故障。在SiC器件上，非常快速的关断可能会导致每个芯片在关断过程中发生低能量雪崩击穿，直到缓冲电路或钳位电路吸收掉高能量为止。Microchip的mSiC MOSFET经过专门设计和测试，具有非钳位电感开关（UIS）耐受性，可在缓冲电路或钳位电路的性能开始下降时提供额外的安全裕度。图3给出了与市场上其他SiC器件的单触发和重复UIS性能对比。图3，单触发（上）和重复（下）雪崩能量性能尽管应了解器件级抗短路能力，并且IGBT的器件级抗短路能力确实比MOSFET更出色，但在实际系统中会面临不同的应力条件。由于系统电感固有的限流特性，模块不太可能达到其短路电流额定值。限制因素为缓冲电路或钳位电路设计。为了设计出外型小巧的高性价比缓冲电路，允许的系统级峰值短路电流将被限制在远低于模块短路电流额定值的范围内。例如，在由9个芯片并联组成并设计用于防止短路电流超过1350A的500A电池断开开关中，每个芯片导通150安培的电流（假定电流均匀分布）。这比器件级短路测试中的电流要低得多，器件级短路测试期间的电流会超过几百安培。电压钳位器件的优化是稳健型固态电池断开开关设计的关键环节。其他设计注意事项除了功率器件之外，还有一些与控制电子器件相关的设计注意事项，其中包括电流检测技术、过流检测和保护以及功能安全。对于低寄生电感系统的设计来说，是否使用电流检测电阻或磁性技术进行电流检测的决策非常重要，因为快速的响应时间至关重要。是否使用硬件、软件或两者结合进行过流检测也是一项重要的决策，尤其是在需要满足功能安全要求时。以上讨论了关于固态电池断开开关中高电压功率器件的选择和设计的一些关键方面。与传统机械断开开关相比，固态断开开关之所以具有系统级优势，关键在于碳化硅和功率半导体封装的优势。得益于碳化硅技术，器件现在能够兼具较低的导通电阻和热阻，从而实现许多系统中所需的低导通损耗，同时还可以采用保证高可靠性的材料。

SiC

Microchip . 2025-01-08 2 3 1300
IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。然而，这种转变使得电能需求快速增长，给电网带来了极大的压力。尽管能效很高，但电动汽车、数据中心、热泵等应用仍需要大量能源才能运行。太阳能、风能、波浪能等新型可再生能源受到广泛欢迎，正逐渐成为主流。只有完全使用可再生能源的应用，才能被视为真正的“清洁”应用。太阳能市场已经发展多年，相对成熟。Fortune Business Insights 的报告显示，目前太阳能市场规模估计为 2730 亿美元，到 2032 年有望增长到 4360 亿美元。2023年，北美太阳能市场占比超过了 40%。可再生能源应用中的电源转换挑战太阳能发电量正在迅速增长。国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022 年，太阳能产生的电力比上一年度增长 26%，达到 1300 TWh。这标志着太阳能发电已超越风电，成为最大的可再生电力来源。太阳能光伏 (PV) 板产生直流电 (DC)，而电网需要交流电 (AC)，因此中央光伏逆变器是大型并网装置不可或缺的一部分。光伏板产生的所有能量都会经过逆变器，因此逆变器效率具有重要影响。尽管太阳能取之不尽，用之不竭，但转换效率低下会导致输送到电网的能量十分有限。过程中所浪费的能量会转化为热量，进而又会构成严峻挑战，因为许多太阳能装置通常位于阳光充沛、温度较高的环境，如沙漠。成本也是非常重要的考虑因素，可直接影响消费者的电费以及电力公司的盈利。为实现更高功率，许多中央逆变器并联使用多个转换模块，具体数量由每个模块的额定功率决定。每个模块功率容量越高，所需模块就越少，进而可以降低成本。尽管电动汽车已经取得了长足进步，但 CAV 在向电力驱动转变方面仍进展缓慢。CAV 体型较大，每次行驶消耗的燃料和产生的排放也更多，虽然数量上仅占汽车总量的 2%，但其温室气体排放量占交通运输排放总量的 28%。虽然商用客运车（如公共汽车）的电动化已经初见成效，但大多数大型卡车、建筑机械和农业车辆（如拖拉机）仍然依赖柴油驱动。现在，情况开始发生变化。为达到欧盟、中国和美国加州等全球市场严格的零排放法规要求，预计到 2030 年，电动卡车（纯电和混合动力）销量占比将从目前的 5% 增加到 40%-50%。相较于化石燃料商用车，电动商用车结构更简单，运动部件更少。在载重能力相同的情况下，电动车体积更小、可靠性更高、维护相关成本更低。目前电池成本大幅降低，电动 CAV 的总拥有成本已经低于内燃机 (ICE) 车辆。与太阳能应用类似，效率也是电动 CAV 的关键要求。每辆车的电池电量有限，逆变器中转换过程的效率越高，车辆行驶距离就越长。或行驶同样的距离所需的电量就更少。鉴于未来我们对太阳能和电动 CAV 的依赖，可靠性自然也就变得非常重要。面向逆变器应用的先进电源技术在三相太阳能光伏逆变器等的高功率应用中，三电平有源中性点箝位 (ANPC) 转换器是比较常见的拓扑。这种多电平拓扑结构专门用于提升系统的性能和效率。普通中性点箝位 (NPC) 转换器使用二极管将直流链路电容的中性点连接到输出端。在 ANPC 配置（图 1）中，箝位由开关执行，因此能够改善控制、减少开关损耗并提高效率，并且能相应地减少对散热措施的需求，从而有助于实现尺寸更小、成本更低的方案。拓扑结构的布置方式降低了各个开关上的电压应力，从而提高了可靠性。此外，ANPC 还能实现对电网有利的波形。图 1：可利用模块轻松构建 ANPC 转换器设计工程师可以通过并联多个功率模块，例如安森美 (onsemi) 的 QDual 3 IGBT 模块，创建高性能三电平有源中性点箝位模块，其系统输出功率可达 1.6 MW 至 1.8 MW。图 2：QDual3 IGBT 模块 QDual 3 模块集成了新一代 1200 V 场截止 7 (FS7) IGBT 和二极管技术，可为大功率应用提供更优异的性能。与前几代产品相比，FS7 技术显著改善了导通损耗。图 3：FS7 技术增强了关键性能参数在 FS7 IGBT 工艺中，沟槽窄台面带来了低 VCE(SAT) 和高功率密度，而质子注入多重缓冲确保了稳健性和软开关特性（图 2）。安森美中速 FS7 器件的 VCE(SAT) 低至 1.65V，适用于运动控制应用；而其 FS7 快速产品的 EOFF 仅 57 µJ/A，是太阳能逆变器和 CAV 等高功率应用的理想选择。图 4：FS7 IGBT 尺寸更小，功率密度更高创新型 FS7 技术使新型 QDual3 模块中的芯片尺寸比上一代缩小了 30%（图 3）。这种小型化与先进的封装相结合，可以显著提高最大额定电流。在工作温度高达 150 摄氏度的电机控制应用中，QDual3 的输出功率为 100 kW 至 340 kW，比目前市场上的其他产品高出大约 12%。可靠性是太阳能和 CAV 应用的关键，因此模块的构造和测试方式至关重要。例如，目前有许多类似方案使用引线键合方式来固定端子，而安森美则选择采用超声波来焊接模块。后者有助于增强电流承载能力，提供更优散热路径，并且比前者更为坚固（图 4）。图 5：超声波焊接可降低温度并增强可靠性这种方法可以提高电导率，从而减少电力损失、提升效率。此外还能降低工作温度、增强机械刚度，以及提高模块的整体可靠性。安森美的新型高功率 QDual3 技术专用 QDual 3 半桥 IGBT 模块NXH800H120L7QDSG 适用于中央太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)；而 SNXH800H120L7QDSG 则适用于 CAV。这两款器件均基于 FS7 技术打造，VCE(SAT)和 EOFF有所改进，进而降低了损耗、提高了能效。目前，若使用 600 A IGBT 模块以 ANPC/INPC 架构来设计 1.725 MW 逆变器，总共将需要 36 个模块。然而，若使用额定工作电流为 800 A 的新型 NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG，设计所需模块数量将减少 9 个。相应地，设计的尺寸、重量和成本将节省 25%。这对于太阳能应用和 CAV 应用来说都非常有价值，因为重量减轻和效率提高，将使得车辆行驶里程有所增加。图 6：更大的电流能力支持使用更少的模块来构建系统这些模块包含用于热管理的隔离底板和集成的 NTC 热敏电阻，并支持通过可焊接引脚将模块直接安装到 PCB 上，采用行业标准布局，有助于轻松将现有设计升级到新型 QDual3 技术。安森美的所有 QDual3 模块均经过严格的可靠性测试，其可靠性水平超过市场上的其他同类器件。我们的湿度测试要求产品承受 960V 偏压长达 2000 小时，而同类器件仅需承受 80V 偏压 1000 小时。振动测试对于 CAV 应用至为关键，我们的产品在 30 G 峰值/10G RMS 条件下进行了长达 22 小时的测试，可满足 AQG324 要求。其他器件则是在振动水平低至 5 G 的条件下进行测试，持续时间短至 1 小时。总结全世界的可再生能源使用率越来越高，电网正承受着巨大压力。太阳能发电已经发展成熟，2022 年更是超过风电，成为可再生电力的主要来源。尽管化石燃料驱动的车辆仍是主要的污染源，但 CAV 的电气化正在稳步推进，目前已初见成效。安森美 FS7 等新型半导体技术支持开发低损耗、大功率器件，以满足这些领域的效率和可靠性需求。基于这项技术，安森美的新型 QDual3 器件采用紧凑封装，可实现高功率密度和出色能效。焊接良好的端子和超越业内其他器件的认证测试助力保障 QDual3 器件的稳健性能。新一代 NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG 模块电流能力高达 800 A，得益于此，逆变器设计所需的模块可减少 25%，并能够进一步简化设计、减小其体积、质量并降低成本。这无疑是一项重大进展，安森美将继续潜心钻研 FS7 技术的高性能潜力，力求推出更多超越现有标准的模块，从而满足太阳能行业和 CAV 制造商不断增长的需求。

IGBT

安森美 . 2025-01-08 1 995
江波龙携首款NFC PSSD亮相CES 2025，创新产品备受业界瞩目

美国时间1月7日至10日，2025 CES全球消费电子展在美国拉斯维加斯开幕。本届CES的主题为“Dive In”，聚焦人工智能、可持续发展、移动科技和人类安全等前沿领域。江波龙旗下两大品牌携手亮相，展示了一系列创新存储产品，诠释了存储技术的多样性与无限可能。 NFC移动固态硬盘：碰一碰解锁隐形存储空间 NFC协议 | 可升级支持iTAP协议 | WM3000自研主控在众多产品中，江波龙率先推出的一款NFC移动固态硬盘（PSSD）尤为引人注目。该PSSD支持NFC解锁隐形存储空间，兼顾了常规使用和对隐私数据的保护，是数据安全与便捷性结合的创新突破。用户只需使用智能手机、智能手表或NFC卡等设备轻轻一触NFC感应区域，即可实现数据的无感解锁，极大地提升了数据安全性和操作便捷性。在快节奏的现代生活中，对数据安全和便捷性的需求日益增长。传统加密方法操作复杂，用户体验欠佳。而这款支持NFC的PSSD，通过硬件级无感解锁，为用户提供了随身的隐私存储空间，无论是普通用户，还是律师、金融从业者、科研人员等对保密信息有更高需求的群体，都能凭借其可靠的隐私保护功能，有效避免隐私信息曝光、商业机密泄露和重要信息被盗的风险。该产品提供128GB至4TB的多种容量选择，满足不同用户的需求。同时，搭载江波龙WM3000自研主控，其良好的性能在大文件和多文件的数据传输以及稳定运行上皆有不凡的表现，为用户提供高效、安全的移动存储体验。随着ITMA协会发布的新近场交互技术iTAP的诞生，该款产品可升级支持iTAP协议，在NFC协议的基础上，使设备间的交互变得更加便捷和安全。结合支付宝的支付设备，用户将能够通过简单的碰一碰操作，实现快速、安全的支付体验。除此之外，未来存储设备通过iTAP技术，可以更高效地实现开启门禁、乘车、查阅资料、预约、点菜以及进入商家小程序等日常操作。在PTM商业模式的加持下，NFC PSSD支持对主控芯片、产品方案、固件功能以及尺寸外观等多个维度进行独特定制，满足客户对差异化创新的需求。双双摘桂：Lexar雷克沙两款产品荣获CES创新奖在日前的CES官方媒体Unveiled活动中，消费类高端存储品牌Lexar雷克沙首次精彩亮相，其展示的NM1090 PRO、pexar数字相框等一系列创新产品赢得了全球媒体的广泛关注。值得一提的是，作为本届CES的亮点之一，Lexar雷克沙的两款明星产品Lexar Professional DIAMOND CFexpress™ 4.0 Type B 卡和Lexar SL500 移动固态硬盘磁吸套装分别在影像领域和移动存储领域脱颖而出，荣获CES创新奖。 Lexar Professional DIAMOND CFexpress™ 4.0 Type B 卡采用PCIe 4.0 技术，提供最大3700MB/s的读取速度、3400MB/s的写入速度和3200MB/s的最低持续写入速度。这种高性能实现了VPG400评级，有助于确保无缝捕获8K RAW视频。同时，利用pSLC技术，能够延长产品使用寿命（高达30000TBW），并提高数据可靠性与降低功耗，从而实现更稳定的存储性能。 SL500 移动固态硬盘磁吸套装利用磁性套轻松连接到手机,并支持Apple ProRes视频录制。此外，还配有额外的引磁环，可与笔记本电脑等多种设备同时使用。其卓越的USB 3.2 Gen 2×2性能，提供高达2000MB/s的读取速度和1800MB/s的写入速度，加速数据传输，大幅提高工作效率，为视频内容创作者提供了理想的移动存储设备。全面存储矩阵多元产品探索 CES期间，江波龙还带来了行业类存储产品及应用，集中展示了覆盖嵌入式手机存储、AI PC存储、工规级存储、车规级存储、企业级存储等一系列高可靠性存储产品，充分满足手机、AI、自动驾驶、云存储等多场景需求，为行业客户提供契合海外市场需求的多元化存储解决方案，加速行业应用落地，助力客户实现价值增长。作为2025年全球盛会的开端，CES 2025见证了江波龙对存储技术创新的持续投入和“存储出海”全球化战略的进一步实践。通过整合国内外供应链资源，江波龙已成功构建了灵活高效、成本优化的全球存储制造供应链网络，满足多样化的定制需求，进而为全球客户提供更便捷高效的本地化服务。 2025年，江波龙将坚定地加强数字化转型、质量管理和品牌建设，同时加速国际化步伐，与合作伙伴共创价值。 *上述产品数据均来源于江波龙内部测试实际性能因设备差异，可能有所不同

江波龙

江波龙 . 2025-01-08 1 3 1990
AMD在CES上宣布推出全新图形和游戏产品旨在带来卓越游戏体验

在2025年CES（国际消费电子展）前夕，AMD宣布推出全新游戏产品，旨在扩大其在台式机、移动和手持游戏领域的领导地位，为最具挑战性的游戏提供令人难以置信的性能。AMD推出了全新的锐龙 9900X3D和9950X3D系列台式机处理器，为台式机游戏玩家带来卓越的性能体验；此外，还推出了第二代手持游戏PC处理器——锐龙 Z2，让3A游戏在移动过程中实现非凡性能。 AMD 高级副总裁、计算与图形事业部总经理Jack Huynh表示：“游戏已经成为全球最大的娱乐形式之一，随着游戏的沉浸感和需求的不断提升，拥有合适的软硬件对于提升玩家体验至关重要。今天的发布重申了我们致力于为玩家提供随时随地自由选择游戏体验的承诺，不让性能瓶颈成为阻碍。” 面向游戏玩家和内容创作者的锐龙9950X3D和9900X3D台式机处理器 AMD通过锐龙9950X3D和9900X3D完善其卓越的台式机处理器产品组合。锐龙9950X3D是专为游戏玩家和内容创作者打造的全球领先的16核处理器，配备16个“Zen 5” 核心和AMD RDNA 2图形处理芯片。基于第二代AMD 3D V - Cache技术，全新的X3D处理器为台式机游戏玩家突破了性能和创新的边界。新一代X3D处理器将缓存放置在处理器CCD底部，使“Zen 5”处理器核心更靠近散热器，从而在更低的温度下实现更高的时钟频率，并提供比上一代产品更优秀的性能。全新的锐龙X3D产品预计将于2025年第一季度上市。锐龙Z2系列手持游戏设备处理器 AMD锐龙Z2系列处理器旨在将主机级游戏体验放到用户手掌中，该系列处理器结合了卓越的性能与高效能表现，使得在便携设备中实现出众的台式机游戏体验成为可能。全新的锐龙Z2处理器配备多达8个“Zen 5” CPU核心和基于RDNA 3.5架构的图形处理器，提供超快速响应的游戏体验和令人惊叹的图形效果。通过低功耗优化，让玩家能够长时间不间断地畅玩游戏。预计搭载锐龙Z2处理器的设备将于2025年第一季度上市。面向移动笔记本的锐龙9000HX系列处理器全新的AMD锐龙 9000HX系列处理器为游戏笔记本带来了杰出的卓越性能。全新的锐龙9000HX系列采用了第二代3D V - Cache技术进行重新设计，将内存重新安置在处理器下方，从而实现更高的性能优势、更低的温度和更高的时钟频率，为游戏笔记本电脑用户提供非凡的使用体验。作为该系列的高端产品，锐龙 9955HX3D预计将成为专为游戏玩家和创作者打造的超快移动处理器之一。它配备多达16个核心，能够提供32线程的处理性能，搭载锐龙9000HX处理器的系统预计将成为移动PC处理器中拥有最多高性能核心的产品。配备先进DDR5内存的支持，锐龙9000HX处理器提供低功耗、高带宽的内存，是高性能游戏笔记本的理想之选。预计相关产品将于2025年上半年上市。 AMD携手OEM厂商和游戏开发者构建强大的游戏生态系统各OEM厂商纷纷推出更多搭载AMD锐龙处理器的高性能游戏系统。全新的OEM产品以多种产品形态为游戏玩家提供出众的计算和图形性能。宏碁公司首席运营官Jerry Kao表示：“我们很激动能够在笔记本和掌上领域扩充搭载AMD处理器的高性能游戏产品阵容。随着人们对AI增强型游戏的沉浸感和竞技性期望不断提高，宏碁将通过搭载AMD处理器的新设备，为游戏玩家和创作者带来更出色的体验。” 华硕联合首席执行官Samson Hu表示：“华硕始终站在创新前沿，助力游戏玩家发挥他们的真实潜力。凭借搭载AMD锐龙9000HX系列处理器的全新ROG产品，玩家可以突破自身极限，在高端笔记本中体验更强的性能和强大动力。” 联想高级副总裁兼智能设备业务集团消费业务部总经理Jun Ouyang表示：“在联想，通过推出从高性能笔记本、台式机到掌机设备的创新解决方案，我们正在塑造游戏的未来。凭借AMD最前沿的锐龙Z系列处理器，我们正在突破掌上游戏设备的性能极限。我们与AMD携手，重新定义了游戏玩家在各个平台上与技术的交互方式，并致力于推动下一代游戏创新，以适应全球游戏玩家不断变化的需求。” 前瞻性声明本新闻稿包含有关 AMD 公司的前瞻性陈述，例如 AMD 产品的特性、功能、性能、可用性、时间和预期优势，包括 Ryzen AI Max、Ryzen AI 300 系列和 Ryzen 200 系列处理器以及 Ryzen AI Max PRO、Ryzen AI 300 PRO 和 Ryzen 200 PRO 系列处理器，以及 AMD OEM 合作伙伴关系的预期优势，是根据 1995 年《私人证券诉讼改革法案》的安全港条款制定的。前瞻性陈述通常用“将”、“可能”、“期望”、“相信”、“计划”、“打算”、“规划”等词语和其他具有类似含义的术语来识别。投资者应注意，本新闻稿中的前瞻性陈述基于当前的信念、假设和预期，仅代表截至本新闻稿发布之日的情况，并涉及可能导致实际结果与当前预期存在重大差异的风险和不确定性。此类陈述受到某些已知和未知风险和不确定性的影响，其中许多风险和不确定性难以预测，并且通常超出 AMD 的控制范围，这可能导致实际结果和其他未来事件与前瞻性信息和陈述中表达、暗示或预测的内容存在重大差异。可能导致实际结果与当前预期存在重大差异的重大因素包括但不限于：英特尔公司在微处理器市场的主导地位及其激进的商业行为;Nvidia 在图形处理单元市场的主导地位及其激进的商业行为;AMD 产品销售的竞争性市场;半导体行业的周期性;销售 AMD 产品的行业的市场状况;AMD 及时推出具有预期功能和性能水平的产品的能力;失去重要客户;经济和市场的不确定性;季度和季节性销售模式;AMD 充分保护其技术或其他知识产权的能力;不利的货币汇率波动;第三方制造商及时、足量并使用具竞争力的技术制造 AMD 产品的能力;基本设备、材料、基材或制造工艺的可用性;实现 AMD 产品预期制造良率的能力;AMD 从其半定制 SoC 产品中获得收入的能力;潜在的安全漏洞;潜在的安全事件，包括 IT 中断、数据丢失、数据泄露和网络攻击;涉及 AMD 产品订购和发货的不确定性;AMD 依赖第三方知识产权来设计和推出新产品;AMD 在设计、制造和供应主板、软件、内存和其他计算机平台组件方面对第三方公司的依赖;AMD 依赖 Microsoft 和其他软件供应商的支持来设计和开发在 AMD 产品上运行的软件;AMD 对第三方分销商和AIB合作伙伴的依赖;修改或中断 AMD 内部业务流程和信息系统的影响;AMD 产品与部分或全部行业标准软件和硬件的兼容性;与缺陷产品相关的成本;AMD 供应链的效率;AMD 依赖第三方供应链物流功能的能力;AMD 有效控制其产品在灰色市场上销售的能力;气候变化对 AMD 业务的长期影响;政府行动和法规的影响，例如出口法规、关税和贸易保护措施;AMD 变现其递延所得税资产的能力;潜在的税务责任;当前和未来的索赔和诉讼;环境法律、冲突矿物相关规定和其他法律或法规的影响;政府、投资者、客户和其他利益相关者对企业责任问题不断变化的期望;与负责任地使用 AI 相关的问题;管理 AMD 票据、Xilinx 票据担保和循环信贷协议的协议施加的限制;收购、合资和/或投资对 AMD 业务的影响以及 AMD 整合被收购业务的能力;AMD 完成对 ZT Systems 的收购的能力;合并后公司资产减值的影响;政治、法律和经济风险以及自然灾害;技术许可证购买的未来减值;AMD 吸引和留住合格人才的能力;以及 AMD 的股价波动。我们敦促投资者详细审查 AMD 向美国证券交易委员会提交的文件中的风险和不确定性，包括但不限于 AMD 最新的 10-K 和 10-Q 表格报告。

AMD

AMD中国 . 2025-01-08 1440
瑞萨宣布裁员

据日经新闻获悉，由于多种芯片需求疲软，日本芯片制造商瑞萨电子今年将裁员数百人。拥有大约 21,000 人的瑞萨电子已通知员工，计划在日本和海外裁员，裁员幅度不到 5%。该公司还将推迟原定于春季实施的定期加薪。该芯片制造商还将裁减 1% 至 2% 的员工，并推迟 2024 年的加薪。瑞萨电子的一位发言人表示，这些举措“旨在加强我们的组织以实现长期发展，以便在市场环境持续疲软的情况下实现我们的增长战略。” 瑞萨电子预计 2024 年营收将下降 9% 至约 1.33 万亿日元（84 亿美元），营业利润率预计将下降 5 个百分点至 28.9%。瑞萨电子以非 GAAP 为基础披露盈利预测，不包括非经常性项目。由于需求低迷，10 月至 12 月季度的工厂利用率从 7 月至 9 月的约 40% 降至 30% 左右。汽车和工业设备功率半导体的大规模生产原定于 2025 年初在日本中部山梨县的新工厂开始，但该计划已被推迟。日本一位半导体分销商表示：“市场至少要到2025年下半年才能复苏。”

瑞萨

芯查查资讯 . 2025-01-08 1145
MOS管有哪些常见应用领域？

所谓分立器件，顾名思义就是由单个电子器件组成的电路元器件，它包括二极管、桥堆。三极管以及MOS管、IGBT、电源IC等产品，作用包括整流、开关、小信号放大、稳压、调节电压电流、电路保护等作用。随着分立器件技术不断发展，集成度更高、耐压耐流能力更强的分立器件产品不断涌现，市场应用场景也越来越多，在光伏、储能、新能源汽车、智能家电、智慧安防、AIoT以及通讯、可穿戴设备、工控、医疗等应用广泛应用。MOS管作为目前最重要也是应用最多的分立器件产品之一，在上述很多产品上有应用。本期主要给大家讲解下MOS管这种分立器件常见的五大应用场景，具体它是如何帮助产品实现更多功能的。一、电源及储能、光伏产品 MOS管在电源电路中常作为电子开关使用，通过控制栅极电压来改变漏源极之间的导通状态，实现电流的快速接通和断开。MOS管具有较低的导通电阻和开关时间，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率。在开关电源中，MOS管配合PWM控制器等芯片，能够实现精准的电压调节和过流保护。通过反馈机制，MOS管按需调整开关频率和占空比，以维持输出电压稳定。当检测到过载或短路时，MOS管可以通过快速关断来避免电源系统遭受损害‌。MOS管在电源电路中不仅能够实现高效的能量转换和稳压保护，还能降低电磁干扰，确保电源系统的稳定性和可靠性。 ‌MOS管在储能电源上主要是开关和稳压、保护等作用，在便携式储能电源中，MOS管主要用于逆变器部分，负责将电池的直流电转换为交流电，提供稳定的交流输出。高品质的MOS管能够提升电气品质，确保电源的稳定性和可靠性‌。在户用储能系统中，MOS管主要用于逆变器和DC-DC变换电路中。逆变器将太阳能电池板的直流电转换为家庭使用的交流电，而DC-DC变换电路用于最大功率点跟踪（MPPT），提高充电转换效率‌。在储能变流器中，MOS管用于实现电能的交直流双向转换，控制电池的充电和放电过程。MOS管的高效率、快速响应和高可靠性特性使得储能变流器能够高效、稳定地运行‌。 MOS管在光伏逆变器中应用包括光伏功率转换‌，光伏模块产生的是直流电，但大部分电气设备需要交流电来运行，逆变器将直流电转换为交流电，MOS管作为关键的开关元件，通过快速地开关动作，将直流电转换为交流电‌。还有在最大功率点追踪上，由于光伏系统中太阳光的强度和温度等因素会导致光伏模块的最大功率点发生变化，需要通过MPPT控制器来追踪和获取最大功率点，从而最大限度地提高光伏系统的发电效率。在MPPT控制器中，MOS管通过调整开关频率的方式，实现对最大功率点的精确追踪‌。二、BMS 在电动汽车产品中，BMS系统用于确保电池组的性能和安全性，监控电池的电压、电流、温度等参数，以防止过充或过放，从而延长电池寿命并保持安全。 ‌MOS管在BMS系统的电池充放电过程中，它会根据BMS的指令，控制电流的大小和通断。充电时，当电池充满后，MOS管会及时切断充电回路，防止过充，放电时，当电池电量低到一定程度时，MOS管会切断放电回路，防止过度放电‌。当电路遇到线路短路或电流突然过大的情况时，MOS管会迅速反应切断电路，防止电池组因电流过大而发热、损坏甚至爆炸，这种快速响应的特性使得MOS管成为BMS中的重要安全卫士。在新能源电动车里面，通常，电池组由多个单体电池组成，随着时间的推移，单体电池之间可能会出现电量不均衡的情况。MOS管通过其开关特性，可以实现电池组的均衡管理，确保每个电池都能得到适当的充电和放电，从而延长电池组的使用寿命和稳定性‌。三、LED照明 LED电源是各种LED照明产品，如LED灯管、LED灯泡、LED投光灯等产品必备的，在汽车照明领域，MOS管也为汽车LED照明系统提供稳定、高效的驱动电压。MOS管在LED驱动电源中可以作为开关使用，通过调节其导通和截止状态，可以控制LED的电流，从而实现LED的亮灭和调光功能。在恒流源设计中，MOS管能够精确控制通过LED的电流，确保LED在安全、稳定的电流下工作，避免因电流过大而损坏。MOS管具有过压、过流等保护功能。当检测到异常电压或电流时，MOS管可以迅速切断电源，保护LED和驱动电路不受损害。在LED调光的应用上，MOS管主要通过脉宽调制（PWM）技术实现亮度调节。它主要作为开关使用，通过调节其导通和截止状态来控制LED的电流，从而实现调光功能。通过PWM信号控制MOS管的开关状态，从而调节LED的亮度。当PWM信号的占空比增加时，MOS管导通的时间增加，LED亮度增加；反之，当占空比减小时，LED亮度降低‌。四、机器人 ‌MOS管在机器人领域的应用非常光，它可以作为放大器，能够调节输入信号的电压，从而在不失真的情况下放大信号，提升机器人传感器系统的灵敏度和准确性，这对于机器人在各种复杂环境和任务中的精确感知至关重要‌。它还可以作为开关实现精确控制‌，能够在不同的电压和电流条件下控制电路的通断，实现对机器人系统的精确控制，这种精确的控制能力使得机器人能够执行精细的动作和复杂的任务。作为智能集成度非常高的产品，智能机器人通常需要多种电源来满足不同组件的电能需求，包括高压和低压电源。MOS功率放大器和开关电源在机器人电源管理中发挥着至关重要的作用，能够有效地管理这些电源，提供稳定可靠的电能供应。在机器人通信系统中的关键作用‌，现代智能机器人通常需要与其他设备、机器人或中央控制系统进行实时通信。MOS管作为信号处理和调制的关键组成部分，确保信号的传输和接收的稳定性和可靠性。五、仪器仪表 MOS在仪器仪表中的应用十分广，比如在温度传感与信号处理上，MOS管常用于温度传感和信号处理电路。在电子体温计中，虽然MOS管本身不直接作为温度传感器，但它可能参与温度信号的放大、转换或处理过程。通过MOS管构成的放大电路，可以将热敏电阻等传感器输出的微弱温度信号放大，以便后续电路进行更精确的处理。此外，MOS管还用于滤波、模数转换前的信号调理等信号处理电路，有助于将模拟信号转换为数字信号，以便微处理器或数字显示电路进行读取和显示。 MOS管常被用于仪器仪表的控制电路中。通过控制MOS管的导通和截止状态，可以实现仪器仪表的自动化控制和开关功能。如在自动测试设备中，MOS管可以用于控制测试信号的通断和切换，从而实现对被测设备的精确测试。 MOS管在医疗仪器中用于监测和控制药物输送系统、医疗成像设备等。在测量仪器中，MOS管常用于信号处理电路和电源管理电路。在工业自动化领域，MOS管被广泛应用于各种传感器和执行器的控制电路中。此外，MOS管在仪器仪表的电源管理电路中发挥着重要作用。通过MOS管构成的开关电源电路，可以为仪器仪表提供稳定、高效的电源供应。既然MOS管的优点和应用如此广泛，那么作为应用厂商，如何选择好的MOS进行产品设计呢？笔者认为，把握住这些关键TIPS您会事半功倍。比如，在选择MOS管时，需要考虑其性能参数、封装形式、工作环境、品牌特点以及使用场景等因素。具体电路设计具体分析，要确保MOS管正常工作。在MOS管性能选择上，需要考虑以下几个参数Vds、Vgs、Id、Vth、Rds(on)、开关速度、工作温度范围、功耗、散热以及高频特性等，在具体应用电路上，需要考虑MOS散热设计，MOS管的布局和布线，合理布局可以减少环路面积，降低EMI干扰，确保MOS管的电源和地线布局合理，减少电压降和噪声。

厂商投稿 . 2025-01-08 8638
“国产双系统”出炉！复旦微FMQL20SM非对称AMP:Linux + 裸机

AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非对称多处理架构。“非对称AMP”双系统是指多个核心相对独立运行不同的操作系统或裸机应用程序，如Linux + RTOS/裸机，但需一个主核心来控制整个系统以及其它从核心。每个处理器核心相互隔离，拥有属于自己的内存，既可各自独立运行不同的任务，又可多个核心之间进行核间通信。图 1 FMQL20SM AMP异构多核框架示意图 “非对称 AMP” 对工业的重大意义更强“系统实时性” 在工业自动化控制的复杂场景中，对于系统实时性的要求极高。非对称AMP架构凭借其独特优势，能够运用固定的核心来处理实时任务，很好兼顾复杂功能与实时性需求。AMP架构全面提升了系统实时性、执行效率、计算能力以及响应速度，让工业生产更加精准、高效。更高“系统稳定性” 非对称AMP架构在稳定性方面表现卓越。无需多个分立CPU之间频繁交互数据，每个处理器核心拥有属于自己的内存，核心之间互不干扰。开发者可灵活分配任务或指定核心间通信，大大增强了系统稳定性，有效减少崩溃风险，全方位保障数据的完整性。更低“系统硬件成本” 成本控制一直是工业领域关注的重点。非对称AMP架构通过优化内部通信，仅需一套硬件电路即可实现复杂功能，显著降低系统硬件成本。其各核心能运行不同操作系统，并行处理多个任务，无需额外硬件支持，真正做到了高效且经济。相比之下，采用分立CPU方案则需要两套硬件电路(CPU/ROM/RAM/PMIC)，系统硬件成本成倍增加。图 2 “非对称AMP”双系统的应用领域随着嵌入式系统的发展，对其性能和功能的要求日益提高，非对称AMP架构如今已成为一种新选择，主要应用于工业领域，如电力DTU、数据采集器、继电保护设备、运动控制器、驱控一体控制器等。图 3 FMQL20S400M 非对称AMP开发案例接下来，为大家详细介绍基于FMQL20S400M异构多核SoC处理器PS端的AMP通信案例，适用开发环境如下。 Windows开发环境：Windows 7 64bit、Windows 10 64bit Linux开发环境：Ubuntu 16.04.5 64bit 虚拟机：VMware16.2.5 PL端开发环境：Procise 2023.1 LinuxSDK：FMQL-Linux-SDK-Prj-20230801 U-Boot：U-Boot-2018.07 Kernel：Linux-4.14.55 硬件平台：创龙科技TLFM20S-EVM工业评估板为了简化描述，本文仅摘录部分方案功能描述与测试结果，详细产品资料请扫描文末二维码下载。基于Linux启动AMP裸机程序案例功能本案例主要实现如下的功能：（1）配置CPU0、CPU1、CPU2运行Linux系统，配置CPU3运行裸机程序。（2）运行Linux系统的CPU核功能为：初始化系统；控制运行裸机程序的CPU核启动；与运行裸机程序的CPU核通信，控制LED亮灭。（3）运行裸机程序的CPU核功能为：与Linux系统通信；接收Linux系统的控制命令，并根据命令控制LED亮灭。案例演示首先，请将案例的可执行程序拷贝至评估板文件系统任意目录下，参考产品资料进行环境配置，完成后，执行以下命令，加载裸机程序至PS端DDR地址0x19000000。备注：我司提供的Linux系统已在PS端DDR内存中分配AMP裸机程序的内存空间，地址范围为0x1900 0000 ~ 0x19FF FFFF，容量为16MByte。 Target# ./filetomem ./amp_led_ctrl.bin 0x19000000 图 4 执行如下命令，设置CPU3核运行裸机程序。 Target# ./amp 3 0x19000000 图 5 执行如下命令，运行Linux端AMP应用程序，点亮或熄灭评估底板PS端LED1。 Target# ./led 1 on Target# ./led 1 off 图 6 基于U-Boot启动AMP裸机程序案例功能本案例主要实现如下的功能：（1）CPU0启动U-Boot，基于U-Boot配置CPU1/CPU2/CPU3其中一个核心运行裸机程序。（2）CPU0功能为：初始化系统，控制运行裸机程序的CPU核启动。（3）运行裸机程序的CPU核功能为：控制LED亮灭。案例演示首先，请将Linux系统启动卡通过读卡器插至PC机USB端口，并将案例的amp_led_flash.bin文件拷贝至Linux系统启动卡BOOT分区（FAT32格式）。图 7 然后，在插入Linux系统启动卡后，启动评估板，进入U-Boot命令行，执行如下命令。加载Linux系统启动卡中的裸机程序至DDR地址0x19000000，并设置CPU3运行裸机程序。 U-Boot> dcache off U-Boot> fatload mmc 0 0x19000000 /amp_led_flash.bin U-Boot> bootamp 3 0x19000000 图 8 程序运行后，您就能看到评估底板PS端LED1每隔0.5s闪烁，是不是很神奇？如果各位工程师想要查看更多 FMQL20SM 相关的案例演示，欢迎扫描下方二维码下载，快来探索吧！

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创龙科技 . 2025-01-08 8666