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产品 | 即装即用、免校准：TE 8xH全隔离高精度压力传感器上市

20秒读懂TE 8xH：精准 | 省事 | 更全 | 更稳即装即用、免现场校准 ±0.1%FS精度，TEB ±0.3% (-20℃~85℃) 全隔离结构，316L不锈钢耐腐蚀，介质兼容 2ms响应、<3mA低功耗，多封装多接口即插即用在工业自动化、医疗设备、半导体制造等对精度要求严苛的应用中，压力传感器的稳定性、可靠性，往往决定着整套系统能否长期平稳运行。现实场景中，许多传统压力传感器依然需要在安装后进行繁琐的现场校准，温度补偿也难以覆盖复杂工况，介质兼容性也常常受限，让系统集成与维护变得格外棘手。基于这些痛点，TE Connectivity （以下简称“TE”）推出 8xH系列高精度全隔离压力胶囊传感器：以±0.1%满量程精度、压力+温度双输出、多种机械封装与全隔离结构带来的高介质兼容性为核心优势，重塑工业级压力测量体验。什么是8xH系列压力传感器？这是一款介质隔离式高精度压力传感器，专为嵌入式工业应用设计。采用“芯片浸油”封装技术，将MEMS芯片、ASIC及无源元件集成于隔离油腔内，同步采集压力与温度并实时补偿，无需外部温度传感器，极大简化系统设计。该系列支持表压、真空表压、绝压三种测量模式，里程覆盖5 - 1500 psi；提供0.5–4.5V量程覆盖与I²C（24位）数字两种输出，便于对接不同工业控制系统。为什么选8xH 高精度与稳定性并重 ±0.1% 满量程（FS）精度，总误差带（TEB）仅±0.3%，在-20℃~85℃范围内保持极高测量一致性。典型长期稳定性±0.1%FS/年，减少复校与维护。智能集成，设计简化压力与温度双输出，实时原位温度补偿，装机即用、免复杂校准步骤。＜3mA低功耗，适用于电池供电的远程监测与IoT设备。 2ms快速响应，支持高频动态测量。灵活配置，快速部署出厂预校准，提供85H（13mm焊接）、85FH（13mm O型圈）、86H（16mm O型圈）、82H（19mm O型圈）等封装，支持齐平/凹膜片。电气接口覆盖引脚式、TE连接器、带状电缆，适配不同安装场景。全隔离结构，适应更严苛环境优异的EMC性能，适应电气噪声复杂的工业现场。工作温度-40℃~+125℃，满足极端环境下的可靠运行。接液部分316L不锈钢，耐腐蚀、抗冲击。用在这些场景，更显价值工业气体流量校正（EVC）：压力+温度双信号助力实时补偿，提升计量准确性。工业变送器与IIoT设备：数字信号直连MCU，支持远程监测与预测性维护等智能工业场景。质量流量控制器与压力校准仪：在半导体与精密气体控制系统中提供稳定反馈，保障工艺一致性。智能消防栓、电网变压器油位监测：长期稳定监测，助力提升安全性与运维效率。 TE 8xH把“高精度测量、温度补偿、双信号输出与可靠封装”集成到同一个传感器里——让压力测量做到预集成，免校准，省心用。

TE

泰科电子 TE Connectivity . 2026-02-06 1680
产品 | 圣邦微电子推出适用于12V汽车应用的四通道高边驱动器SGM42214xQ

圣邦微电子推出SGM42214xQ，一款适用于12V汽车应用，带开漏数字输出（Version A）或模拟电流检测（Version B）的四通道高边驱动器。该器件可应用于多通道LED及灯泡驱动、高边继电器、电磁阀驱动、子模块多通道高边驱动、PLC数字输出驱动等多种场景。 SGM42214xQ是一款通过AEC-Q100 Grade 1认证的高边驱动器，专为各类汽车应用设计。器件可在-40℃至+125℃的严苛温度范围内稳定工作，完全满足汽车电子对高可靠性的要求。在电气特性方面，SGM42214xQ支持4.5V至36V的宽电源电压范围，每通道典型导通电阻为150mΩ，关断态静态电流低至0.5μA。器件A版本集成了开漏数字状态输出，可通过通道对应的状态反馈引脚（nSTx）实时反馈通道的故障状态；B版本内置了330倍的电流检测增益，可通过电流检测输出引脚（CS）实时监测负载电流状态。当检测到过流、过温或负载开路等异常情况时，电流检测引脚会立即输出故障信号。该驱动器通常用于子模块多通道高侧开关和多路继电器、电磁阀控制，负载的另一端连接至地（GND）。内置的智能保护功能包括：可编程的限流保护配置，支持闩锁或自动重启模式的热关断保护。产品经过严格的三温（-40℃、+25℃、+125℃）测试，路测项目主要包括阻性负载持续带载能力、容性负载快速启动能力、感性负载关断负压钳位以及退磁耗散能量EAS等项目；诊断保护方面，完成了负载开路、失电失地、低压短路、PWM重复开关短路、热插拔短路等测试项。此外，SGM42214xQ符合AEC-Q100-012要求，已通过低温环境下长脉冲100万次短路可靠性实验。 SGM42214xQ采用符合环保理念的TSSOP-28（Exposed Pad）绿色封装，其四通道架构可提供单通道2.5A或4通道每通道1.5A的连续电流驱动能力。器件还集成了完善的保护机制，包括负载开路检测、短路至地保护、负电压钳位等，并特别针对汽车电子环境设计了系统级保护功能，如电源异常处理（欠压关断/过压钳位）、接地丢失保护以及电池断电保护。器件兼容3V/5V逻辑电平输入，可灵活适配各类汽车电子控制系统，是满足严苛汽车应用要求的理想解决方案。图1 SGM42214xQ典型应用电路图2 SGM42214xQ功能框图圣邦微电子汽车级驱动产品系列圣邦微电子提供完整的高边与低边驱动器产品组合，以满足汽车电子系统多样化的负载驱动需求。表1 圣邦微电子已推出高低边驱动产品一览

圣邦微

圣邦微电子 . 2026-02-05 2177
产品 | AMD 推出第二代 Kintex UltraScale+ 中端 FPGA，助力智能高性能系统

新款 FPGA 可为下一代医疗、工业、测试与测量以及广播系统提供高带宽、实时性能与广泛连接。借助成熟的工具、先进的安全特性以及至少到 2045 年的供货保障，增强长期可靠性。 AMD 今日推出第二代 AMD Kintex UltraScale+ FPGA 系列，对于依赖中端 FPGA 为性能关键型系统提供支持的设计人员而言，可谓一项重大进步。这一全新系列构建在业经验证的 Kintex FPGA 产品组合基础之上，对内存、I/O 和安全性进行了现代化升级，以满足成像、测试与测量、工业自动化以及专业 4K/8K 媒体工作流程不断增长的需求。专为高要求的数据密集型工作负载打造第二代 AMD Kintex UltraScale+ FPGA 旨在满足广播、测试、工业和医疗市场中日益复杂的系统要求。密集型 4K/8K 媒体工作流程：高速收发器和 PCIe® Gen4 能为专业广播和远程制作提供对 4K AV-over-IP、多流采集和帧级精确传输的支持。高吞吐量测试与测量：更高的内存带宽可在半导体测试和检测系统中助力加速模式生成、故障采集和对时序要求极高的工作负载。先进成像与实时控制：在机器视觉、工业自动化、医疗成像以及机器人系统中，可扩展的传感器连接能提高诊断清晰度和响应能力。采用 Spartan UltraScale+ FPGA 的迁移路径：即刻开始采用 SBVF900 封装的 XCSU200P，随后在 2026 年第四季度迁移至第二代 Kintex UltraScale+ FPGA。集成的 LPDDR4X/5/5X 控制器具备高 DDR 带宽和确定性性能，使设计人员构建的系统能够紧随不断增长的数据速率步伐，同时保持对时延和能效的密切控制。树立中端性能新标杆第二代 Kintex UltraScale+ 器件能提供较之前代产品最多 5 倍的内存带宽¹，扩大了 AMD 在中端 FPGA 领域的领先地位。这些提升可直接转化为更高的吞吐量、更低的时延和更敏捷的系统响应，而无需迫使设计人员转向成本更高的器件等级。第二代 Kintex UltraScale+ FPGA 实现了中端 FPGA 功能的现代化，以应对关键市场日趋增长的带宽、时序精度和连接需求。凭借可扩展的高速 I/O、现代化的内存子系统和确定性的架构行为，第二代 Kintex UltraScale+ FPGA 可实现更快的端侧处理和灵活应变的处理流水线，在实时响应的同时还可扩展，以满足未来的吞吐量需求。增强的安全性与使用寿命在许多基于 Kintex 的系统运行的环境中，长产品生命周期、认证稳定性和可信运行都是十分关键的要求。第二代 Kintex UltraScale+ FPGA 将先进的安全功能直接集成到器件中，从而巩固了我们对这些市场的长期承诺。设备运行认证、比特流加密、防克隆保护、安全密钥管理和 CNSA 2.0 级密码学等功能，有助于保障知识产权并保护在分布式、互联和受监管环境中运行的系统。除了安全性，第二代 Kintex UltraScale+ FPGA 还专为长久寿命而打造。凭借至少到 2045 年的计划供货期，该系列可提供工业、医疗、广播以及测试设备制造商赖以支持数十年部署的供货保障，同时还能助力最大限度缩短重新设计周期，并长期保持监管认证。同样重要的还有开发连续性。第二代 Kintex UltraScale+ 器件依托业经验证的 AMD Vivado 和 Vitis 工具以及成熟的 AMD 视频、以太网和连接 IP 产品组合，提供了稳定的、可预测的开发路径。供货情况与入门指南对 Vivado 和 Vitis 工具的仿真支持计划于 2026 年第三季度推出，为开发团队提供用于开展架构探索与设计工作的早期访问。 XC2KU050P FPGA 的预量产硅片将于 2026 年第四季度开始送样，以开展早期硬件验证和性能表征，量产预计于 2027 年上半年启动。基于 XC2KU050P FPGA 的第二代 Kintex UltraScale+ 评估套件将于 2026 年第四季度开始送样。基于支持迁移的 XCSU200P 器件的现有 Spartan UltraScale+ SCU200 评估套件现已供货，适合希望率先上手 PCIe Gen4、硬内存控制器和高级安全功能的设计人员。 AMD 将于 2026 年 2 月 3 日至 7 日在 Integrated Systems Europe（ ISE ） 2026 期间亮相，展位位置为 4 号厅 Q700 展位。脚注 1）基于 AMD 截至 2025 年 12 月的预测，估算第二代 AMD Kintex UltraScale+ XC2KU040P 和 XC2KU050P FPGA（两者均预计拥有六 (6) 个 32 位硬 LPDDR 内存控制器 @ 4,266 Mb/s）的预期 Gb/s 与上一代 Kintex UltraScale+ FPGA（拥有一个 (1) 64 位 DDR4 软内存控制器 @ 2666 Mb/s）提供的 Gb/s 的对比。结果为 AMD 工程预测，可能会在 AMD 产品发布后而有所不同。(KUS-001)

赛灵思

Xilinx赛灵思官微 . 2026-02-05 1 2058
产品 | 芯炽科技，以车规级标准践行品质承诺

在汽车智能化、电动化浪潮下，车规级芯片作为整车控制系统的核心部件，其可靠性直接关乎车辆行驶安全与全生命周期稳定性。上海芯炽科技集团有限公司深耕车规芯片领域，旗下两款旋变数字转换器芯片 SC2161、SC2167 已通过 AEC-Q100 Grade 1 认证，以严苛标准赋能车载动力与控制系统升级，彰显国产芯片硬实力。权威认证，车规级品质的全球通行证 SC2161、SC2167 AEC-Q100 Grade 1 证书 AEC-Q100 认证是车规芯片的“黄金标准”与“质量通行证”。该认证体系极为严苛，涵盖高温存储、温度循环、湿度/温度测试、机械冲击和振动、电气应力测试、加速老化等共 7 大类、40 余项全生命周期测试与多维度失效机理验证，确保芯片在冲击、腐蚀、极端温度下的长期可靠性，并具备至少 15 年的工作寿命。而 Grade 1 等级则代表该标准下的最高严苛级别，专为应对车载极端环境而生。芯炽科技的 SC2161 和 SC2167 通过 AEC-Q100 Grade 1 认证，意味着芯片具备车载极端环境长期稳定工作能力，是进入主流车企供应链的“硬通行证”。技术突破，车规级可靠性与性能双优 SC2161、SC2167 分辨率可变、10 位至 16 位 R/D 转换器，内置参考振荡器 SC2161 和 SC2167 作为芯炽科技专为车载场景研发的单芯片旋变数字转换器，凭借通过 AEC-Q100 Grade 1 认证的高可靠性，以及卓越的性能参数，成为车载动力控制与运动检测领域的优选方案。产品特色：精准高效，适配极端工况 Type II 伺服环路用于跟踪输入信号，并将正弦和余弦输入端的信息转换为输入角度和速度所对应的数字量，且没有转换延迟。最大跟踪速率为 3125rps（10 位分辨率）。它还可以抑制噪声，并提供参考和输入信号的谐波失真容限。系统故障检测。故障检测电路可以检测旋变的信号丢失、超范围输入信号、输入信号失配或位置跟踪丢失。各故障检测阈值可以由用户单独编程，以便针对特定应用进行优化。输入信号范围。正弦和余弦输入端支持 3.15VP-P±27% 的差分输入电压。可编程激励频率。可以轻松地将激励频率设置为 2kHz 至 20kHz 范围内的多个标准频率。 3 种格式位置数据。通过 16 位并行端口或 4线串行接口可以访问 10 位至 16 位绝对角位置数据。增量式编码器仿真采用标准 A-quad-B 格式，并提供方向输出。数字速度输出。通过 16 位并行端口或 4 线串行接口可以访问 10 位至 16 位带符号的数字量速度。应用领域：全面覆盖车载动力与控制场景凭借高精度、高可靠性及车规级品质，SC2161 和 SC2167 已广泛应用于以下车载核心控制场景：直流/交流伺服电机控制电动助力转向电动汽车动力系统集成的启动发电机/交流发电机汽车运动检测与控制编码器仿真 ◾结语>>> SC2161 和 SC2167 通过 AEC-Q100 Grade 1 认证，是芯炽科技在车规芯片领域深耕细作的重要成果，彰显了企业对产品可靠性的极致追求。未来，芯炽科技将持续聚焦车载电子核心需求，以技术创新为驱动，研发更多符合车规严苛标准的高性能芯片产品，为汽车智能化、电动化转型提供核心元器件支撑，助力国产车载芯片突破技术壁垒，迈向更高质量发展。

芯炽科技

芯炽科技 . 2026-02-05 2163
企业 | 禾赛与Grab达成战略合作，加速激光雷达在东南亚规模化应用

2026年2月4日，全球激光雷达领导者禾赛科技（NASDAQ: HSAI；HKEX: 2525）宣布，与东南亚科技巨头Grab（NASDAQ：GRAB）达成战略合作。Grab将成为禾赛激光雷达产品在东南亚地区的独家经销商，全面负责该区域内的产品销售、客户支持与市场推广工作。通过此次战略合作，禾赛将依托Grab广泛的资源与成熟的销售网络，显著提升高品质、高可靠激光雷达传感器的市场供应能力，让东南亚客户能够更便捷、更高效地获取激光雷达产品，满足包括机器人解决方案、自动驾驶系统在内的多元行业应用需求。同时，Grab作为禾赛在东南亚的独家经销商，也将为其自动驾驶出行与高精地图业务获得稳定可靠的技术供应保障。德勤东南亚曾在《东南亚的数据中心与AI基础设施要务：把握千载难逢的机遇》报告中预计，东南亚地区对AI驱动的自动化需求将出现前所未有的激增，特别是在制造业、交通运输业和物流行业。因此，激光雷达的应用预计将从早期验证阶段过渡到整个地区的大规模商业部署。通过本次合作，禾赛和Grab将共同推动东南亚地区物理AI和具身智能的发展。双方将助力东南亚各行业获取这一关键基础硬件技术，使智能设备突破数字智能的局限，在东南亚复杂的城市环境中实现安全可靠的实体化运行。禾赛激光雷达安装在文远知行 Robotaxi GXR 的前车顶 Ai.R 自动驾驶车队目前正在新加坡榜鹅的街道上运营，是该国首个面向消费者的自动驾驶服务 Grab是东南亚领先的超级应用平台，业务覆盖配送服务、出行及数字金融服务三大领域。目前，Grab的服务已遍及东南亚八个国家——柬埔寨、印度尼西亚、马来西亚、缅甸、菲律宾、新加坡、泰国和越南的800多个城市，通过单一应用为数百万用户提供日常服务，包括外卖点餐、生鲜杂货采购、包裹寄送、网约车呼叫、在线支付以及借贷与保险等金融服务。 Grab集团联合创始人兼CEO陈炳耀（Anthony Tan）表示：“通过此次合作将全球领先的激光雷达技术引入东南亚，Grab不仅将提升我们自身的自动驾驶出行与高精地图构建能力，更重要的是为机器人装上了洞察世界的‘智慧之眼’，让机器人能够‘看见’并安全通行。这将推动三维感知智能能在东南亚各行业实现普及与规模化应用。” 禾赛联合创始人及CEO李一帆表示：“激光雷达是实现机器人自主感知与安全运行的核心技术。当前东南亚市场对制造、物流及服务机器人等领域均展现出强劲需求。依托与Grab的合作，我们将以成熟可靠的激光雷达技术对接本地市场需求，加速机器人应用中的激光雷达部署与大规模应用。” 禾赛联合创始人及CEO李一帆与Grab集团联合创始人兼CEO陈炳耀（Anthony Tan）为满足日益增长的激光雷达需求，禾赛规划年产能已由 2025 年的 200 万台提升至 2026 年的 400 万台，实现翻倍增长。此外，禾赛在泰国曼谷的新工厂——“伽利略”的建设正稳步推进，预计 2027 年初投产。伽利略工厂将进一步提升禾赛全球产能布局，有力支撑未来业务增长。禾赛位于泰国的海外工厂——“伽利略” 展望未来，禾赛与Grab将继续深化在市场开拓和渠道布局方面的合作，携手推进先进激光雷达技术在东南亚地区的规模化应用。

禾赛科技

禾赛科技 . 2026-02-05 1477
企业 | 英诺赛科与谷歌公司重大业务进展

全球领先的氮化镓行业领导者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（02577.HK，简称：英诺赛科）宣布，公司产品已完成了在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并签订了合规的供货协议。这再次彰显了英诺赛科在技术先进性、产品性能和质量等方面在氮化镓行业的领先地位。基于当前的项目开发与客户对接进展，英诺赛科将聚焦于AI服务器、数据中心等高增长潜力领域，积极与产业链合作伙伴协作，合规地开展相关产品的商业化落地，满足市场及客户需求。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2026-02-05 1974
企业 | 英飞凌发布2026财年第一季度财报

2026财年顺利开局，并因应持续增长的市场动能将进一步强化AI领域投资。英飞凌科技股份公司今日公布了2026财年第一季度财报（数据均截至2025年12月31日）。 ● 2026财年第一季度：营收为36.62亿欧元，利润为6.55亿欧元，利润率17.9%。 ● 2026财年第二季度展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.15，预计营收约为38亿欧元。在此基础上，利润率预计在14%~19%之间。 ● 2026财年展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.15，预计营收较上一财年将实现温和增长。调整后的毛利率预计在40%-43%之间，利润率为17%~19%。计划投资约27亿欧元（此前为22亿欧元），以进一步加速人工智能数据中心电源解决方案的产能扩充。2027财年，该领域营收预计将达到约25亿欧元，本财年约为15亿欧元。调整后的自由现金流约为14亿欧元（此前为16亿欧元），自由现金流预计约为10亿欧元（此前为11亿欧元）。 Jochen Hanebeck 英飞凌科技首席执行官英飞凌2026财年开局良好。在其他市场相对低迷的背景下，人工智能的强劲需求为英飞凌带来了强大的助力。目前，人工智能数据中心的电源解决方案仍是我们的重点；未来几年，电网基础设施的扩建也将成为新的重点领域。为了更好地服务我们的客户，我们正在调整制造产能，以应对该领域持续增长的需求，并提前投资相关领域。其中很大一部分将用于加速我们位于德累斯顿的智能功率半导体新工厂(Smart Power Fab)的量产进程。该工厂将于今年夏天正式启用，时间点完全契合市场发展。

英飞凌

英飞凌官微 . 2026-02-05 1939
企业 | 英飞凌发布涨价函，4月1号全面生效

去年下半年以来，随着三大存储原厂将产能及资源优先供应服务器市场，现货及消费类终端市场备受挤压，如512Gb/1Tb TLC NAND及1Tb QLC等品类不到一个季度累计涨幅超300%。以存储为核心，半导体全产业链的涨价潮已经快速蔓延影响到各个门类，将对电子行业带来巨大成本压力和洗牌。 2月5号，今天功率器件龙头英飞凌发布涨价函，4月1号开始全面生效。译文如下：尊敬的客户与合作伙伴：半导体市场正面临着对我们部分产品需求的显著上升，这主要归因于用于人工智能领域的数据中心的部署，从而导致多种电源开关和集成电路出现短缺。为支持日益增长的需求，英飞凌需要投入大量额外资金以扩充制造产能。此外，我们还面临着原材料和基础设施相关成本的相应上涨。英飞凌始终通过内部效率的提升来应对不断上涨的投入要素成本。如今我们已到达一个临界点再也无法独自承受这些压力。因此，我们必须与所有供应商及合作伙伴共同分担这一成本增长的负担。我们已采取了一切可能的措施，力求将此次价格调整幅度控制在功率开关器件和集成电路产品所涉及的范围之内，而这些产品正受到投资拉动效应及制造成本上涨的影响。我们将于 2026年4月1日开始实施新价格。自该日期起或之后下达的所有新订单，以及自4月1日或之后开始发运的任何现有积压货物，都将反映调整后的定价。请放心，英飞凌将采取一切必要的进一步积极举措，以支持您在受限市场中的发展。我们衷心感谢您给予的信任与支持。我相信，我们之间的牢固伙伴关系与合作定能帮助我们将当前的挑战转化为机遇，并加速您所在市场的增长。您的英飞凌客户经理将在适当时候与您联系，进一步说明。此致，敬礼安德烈亚斯·乌尔希茨管理委员会成员首席营销官

英飞凌

芯查查资讯 . 2026-02-05 8 6167
产品 | LD2410D-B开启环境自适应感知

HLK-LD2410D-B是海凌科电子推出的一款静止人体生命存在传感器，集成了24GHz毫米波雷达硬件与智能微动检测算法，可精准识别运动、微动及静止状态下的人体。该传感器具备10米最远探测距离、±60°宽广覆盖角度，支持挂顶与挂壁安装，并搭载自动门限生成、实时数据上报等功能，适用于智能家居、商业展示、安防监控与智慧照明等多种场景。与传统芯片方案相比，LD2410D-B在硬件布局、检测算法上均有优化，并新增蓝牙与光敏传感支持，适应更灵活的物联网应用需求。一、产品概述 HLK-LD2410D-B采用24GHz FMCW 调频连续波雷达结合自主研发的智能人体存在感知算法，能在复杂室内环境中稳定检测人体运动、微动及静止状态。其核心特点包括：高精度探测：最远探测距离达10米（运动人体），静态人体检测距离达 5 米（挂顶安装），测距精度±0.15米。智能算法优化：内置微动识别算法，支持“触发-保持”双门限独立配置，抗干扰能力强。低功耗设计：平均电流仅100mA，支持3.3V/5V宽电压供电。即插即用：支持UART/GPIO接口，上位机工具灵活配置。增强版功能：在LD2410D基础上，B版本优化硬件布局与信号处理算法，并集成蓝牙与光敏传感器，支持无线调试与环境光自适应控制。二、配置与调试传感器支持挂顶与挂壁两种安装方式，适应不同场景需求：挂顶安装（推荐高度3米）：形成底部半径约5米的圆锥形探测区域，适合大空间覆盖。挂壁安装（高度1.5–2米）：水平方向覆盖±60°，最远10米，适用于走廊、门口等区域。配置方面，海凌科提供可视化上位机工具，用户可实时查看目标距离、能量值曲线，并支持：参数灵活设置：包括探测距离、触发/微动门限、目标消失延迟时间等。自动门限生成：根据环境噪声自动计算最佳检测门限，大幅降低调试难度。干扰提示功能：自动检测电源干扰，保障系统稳定运行。三、适用场景 HLK-LD2410D-B 可广泛应用于各类 AIoT 场景：智能家居：感知人体存在与距离，联动空调、灯光、窗帘等设备，实现“人来灯亮、人走电断”。智能商业：在商超、展厅中识别人体接近，自动点亮屏幕或启动广告播放，提升互动体验。智慧安防：用于门禁系统、楼宇对讲、电子猫眼等，实现无人值守区域的状态监测。智慧照明：在公共场所实现“人近灯亮、人离灯缓灭”，兼具节能与人性化照明。其蓝牙功能支持无线参数配置与数据抓取，光敏传感器则可依据环境光照自动调节检测灵敏度或联动照明策略，进一步增强场景适应性。四、总结 HLK-LD2410D-B作为一款高性能、易集成的静止人体存在传感器，不仅在探测精度、抗干扰能力和环境适应性上表现突出，更通过硬件与算法的双重升级，以及蓝牙+光敏的增强配置，为智能系统开发提供了更完善的解决方案。无论是智能家居、商业交互还是安防照明，该传感器都能以高可靠性、低部署成本助力设备智能化升级，推动人体感知技术在物联网中的规模化落地。

海凌科

海凌科电子 . 2026-02-05 2100
技术 | 瑞萨RX MCU启动文件详解

引言本文详细介绍了RX MCU从复位到进入main函数的过程，有助于读者对RX MCU体系结构的理解，RAM和ROM的初始化，以及bootloader程序的开发。 PART.02 启动代码流程分析 RX MCU启动代码主要在resetprg.c文件中，RX的启动代码以C语言实现，因此可读性和可维护性更高。启动代码统一放在PowerON_Reset_PC函数内，复位向量表保存的正是该函数入口的物理地址。因此当芯片发生复位后，CPU会从复位向量取出该地址，并自动跳转到PowerON_Reset_PC函数执行，完成启动流程并最终进入应用程序。具体的启动流程如下 2.1 从复位向量到启动函数 MCU复位后，CPU会从复位向量地址0xFFFFFFFC读取一个32位入口地址（Reset Vector）。该入口地址会被装载到PC（程序计数器）中，随后CPU跳转到该入口地址开始执行启动代码，0xFFFFFFFC存放的是复位入口函数（PowerON_Reset_PC）的地址。RX的内存分区情况以及跳转过程如下图所示： 2.2 设置栈指针在调用入口函数（PowerOn_Reset_PC）之前，需要初始化栈指针，这一步设计在CC-RX编译器中。CC‑RX编译器在该函数开头自动插入栈指针初始化： RX有两种栈可以设置：中断栈指针Interrupt Stack Pointer(ISP)、用户栈指针User Stack Pointer(USP)，其中中断栈是必须的 MVTC是Renesas RX指令集中的一条汇编指令，全称Move To Control Register，是“把数据写入控制寄存器”。 TOPOF SU+SIZEOF SU等于SU段起始地址+段大小=段末端（栈顶）；SI同理。初始化把USP/ISP设到各自栈区的栈顶，以便随后栈向低地址增长。 2.3初始化中断、异常向量表寄存器：INTB、EXTB 配置中断和异常的控制寄存器，初始化系统中断和异常的响应。代码如下： 2.4 初始化浮点状态寄存器:FPSW FPSW是CPU控制浮点单元的状态寄存器，在启动时需要初始化为预设值，以确保浮点计算正确。代码如下： 2.5 切换到高速运行时钟 MCU RX上电复位后，首先使用的是LOCO（Low-speed on-chip oscillator），到这一步后，时钟源从LOCO切换到用户选择的高速运行时钟，如HOCO（High-speed on-chip oscillator）。代码如下：切换MCU到高速运行模式，调用operating_frequency_set()来设置系统时钟频率。条件编译：如果不是Bootloader工程（BSP_CFG_BOOTLOADER_PROJECT == 0），则执行lpt_clock_source_select()，用于选择低功耗定时器（LPT）的时钟源。 2.6 初始化C运行环境代码如下：在该阶段，调用标准库函数_INITSCT完成RAM数据区初始化：对初始化表BTBL[]指定的B段（.bss段）执行清零；对DTBL[]指定的D/R段（.data段），将ROM中D段初始值拷贝到RAM中对应的R段。 DTBL[]与BTBL[]分别存放在C$DSEC 与C$BSEC段，并通过__sectop() / __secend()等段操作符提供各段的边界地址，供_INITSCT函数遍历处理。 2.7 初始化RAM 代码如下： “硬件资源锁（hardware lock）”机制：用一个全局锁数g_bsp_Locks来防止多个模块/线程/中断同时访问同一个外设资源导致冲突。g_bsp_Locks是RAM变量，必须初始化。BSP_NUM_LOCKS是“枚举总数”。 2.8 初始化I/O库初始化C标准库的I/O流（stdin/stdout/stderr），代码如下：打开或创建标准输入（stdin）、标准输出（stdout）和标准错误输出（stderr）的文件，可以用printf输出打印信息。 2.9 初始化MCU的中断回调代码如下：注初始化BSP的“中断回调函数表”，把所有中断源的回调函数先设为“空函数占位”。避免野指针。 2.10 初始化寄存器保护功能代码如下：注为MCU的寄存器写保护（Register Write Protection）功能做初始化，并定义受保护寄存器的分类。 2.11 配置MCU和板级硬件代码如下： output_ports_configure()：用户可以根据应用需求进行输出端口的配置。 interrupts_configure()：用户可以根据应用需求进行中断的配置。 peripheral_modules_enable()：启用和配置MCU的外设。 bsp_non_existent_port_init()：初始化“芯片封装上不存在的引脚”。 2.12 使能中断和选择栈（I Stack or U Stack）代码如下：开中断和选择使用哪一个栈： I stack or U stack（即中断栈或用户栈）。使用RTOS情况下：进入Supervisor（特权）模式，并且在启动阶段保持中断关闭。非RTOS情况：如果用户只选择1个栈，则不会设置“U”位（即用户栈），CPU将始终使用中断栈。 2.13 选择是否使用RTOS并进入main函数无RTOS或Azure RTOS直接调用R_BSP_MAIN_FUNCTION()（就是main())，不应该返回。至此，是RX MCU 从上电复位到进入main()的全过程。

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2026-02-05 2 3 1750
应用 | 中微爱芯逻辑芯片型号说明（附《主流厂商逻辑封装匹配表》）

>>中微爱芯—NEXPERIA—TI逻辑芯片封装交叉参考表（注：具体参数以产品规格书为准）

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中微爱芯官网 . 2026-02-05 406
企业 | 中微爱芯与工信部广五所签订车规项目全面合作协议

近日，无锡中微爱芯电子有限公司与工信部电子第五研究所（中国赛宝实验室）正式签署车规项目全面合作协议，标志着国产芯片企业与权威技术机构深度携手，共同为车规级芯片产业筑牢质量根基，助力汽车电子产业链自主可控。当前全球汽车产业加速向电动化、智能化转型，车规级芯片作为核心零部件，其质量可靠性直接关乎整车安全与产业竞争力。中微爱芯作为国产逻辑芯片领军企业，2021年起深耕汽车电子赛道，已构建覆盖通用逻辑、电源、信号链的车规产品矩阵，多款产品通过AEC-Q100认证并批量供货，依托自有CNAS认可实验室，建立全生命周期质量可靠性保障能力，2026年计划推出百余款车规认证产品。工信部电子第五研究所具备多项顶级资质与全链条认证检测体系，深度参与行业标准制定与国家级攻关。双方将围绕三大核心方向协作：共建联合验证平台优化测试方案、推进国产化标准体系与认证互认、联合培养专业技术人才，同时攻关功能安全认证、信息安全评估等前沿领域。此次战略合作将加速中微爱芯车规芯片认证与产业化进程，推动形成自主可控、安全高效的产业生态，为国产芯片质量升级注入强劲动力。

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中微爱芯官网 . 2026-02-05 630
技术 | 面向工业应用的 HPM5E00 实践：ADC、SDM 与 EtherCAT

概要 1、EUI的简单使用 2、16位ADC采样实验 3、SDM对Σ-Δ调制器输出数据采样 4、外置SRAM模拟为U盘 5、EtherCat io示例实践一、EUI的简单使用收到HPM5E00开发板后，由于SDK V1.9版本尚未支持该型号，开发板只能暂时存放在包装盒中，等待新版本发布。经过一段时间的等待，终于在7月1日收到了SDK V1.10版本发布的通知。我立即下载了最新版本，打开start_gui工具后，欣喜地发现界面中已经明确显示支持HPM5E00evk开发板。这意味着现在可以正式开始基于这款开发板的探索和开发工作了。既然开发板上最显眼的就是LED数码管，那就从它开始探索吧。首先，我查阅了开发板的原理图，确认数码管驱动方式。接着在SDK的例程中寻找相关的驱动代码，发现官方文档中已经有了关于EUI的说明，而且已经提供了EUI的示例，这正是控制数码管显示的基础。我修改了示例代码，试着让数码管显示自增数字，即每500ms数字加一。数码管虽小，却是一个很好的切入点。通过它，可以逐步熟悉这款芯片的EUI库函数，为更复杂的开发打下基础。 1.1 EUI功能描述用户手册中有关于EUI的描述可以理解EUI是用于嵌入式系统中的矩阵键盘或LED显示控制，至于如何使用，使用好官方提供的库函数即可。 1.2 软件部分使用start_gui工具从例程中生成工程生成后，可以用SEGGER Embedded Studio 8.24打开工程，进行修改在main函数中，注释掉原有的函数，调用一个自己的函数 //led_disp_config(); segment_disp(); segment_disp内容如下： voidsegment_disp(void) { eui_scan_disp_data_t disp_data; disp_data.data_8x8[0]= s_disp_code_8_seg[(count/10000)%10]; disp_data.data_8x8[1]= s_disp_code_8_seg[(count/1000)%10]; disp_data.data_8x8[2]= s_disp_code_8_seg[(count/100)%10]; disp_data.data_8x8[3]= s_disp_code_8_seg[(count/10)%10]; disp_data.data_8x8[4]= s_disp_code_8_seg[count%10]; eui_set_scan_disp_data(BOARD_EUI,0,&disp_data); count++; } 就是每次调用函数，count加一，并在5个数码管上显示各位数字在while(1)中增加 segment_disp(); board_delay_ms(500); 每500ms，增加一次count eui引脚初始化 init_eui_pins(BOARD_EUI); 其中#define BOARD_EUI HPM_EUI1 voidinit_eui_pins(EUI_Type *ptr) { if(ptr == HPM_EUI1){ HPM_IOC->PAD[IOC_PAD_PB26].FUNC_CTL = IOC_PB26_FUNC_CTL_EUI1_CK; HPM_IOC->PAD[IOC_PAD_PB27].FUNC_CTL = IOC_PB27_FUNC_CTL_EUI1_SH; HPM_IOC->PAD[IOC_PAD_PB28].FUNC_CTL = IOC_PB28_FUNC_CTL_EUI1_DI; HPM_IOC->PAD[IOC_PAD_PB29].FUNC_CTL = IOC_PB29_FUNC_CTL_EUI1_DO; }else{ ; } } eui初始化函数 staticvoidinit_eui_config(void) { eui_ctrl_config_t ctrl_config; eui_get_default_ctrl_config(BOARD_EUI,&ctrl_config); ctrl_config.work_mode = eui_work_mode_8x8; ctrl_config.clko_freq_khz =100; ctrl_config.key_filter_ms =50; ctrl_config.disp_data_invert =0xFF; ctrl_config.scan_invert =0x00; ctrl_config.dedicate_out_cfg = BOARD_EUI_DEDICATE_OUT_LINES; ctrl_config.dedicate_in_cfg =0x0000; eui_config_ctrl(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq,&ctrl_config); printf("clko_tm_us:%d, slot_tm_us:%d, hold_tm_us:%d, disp_tm_us:%d, filter_tm_us:%d\n\n", eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_clko_time),eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_slot_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_hold_time),eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_disp_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_filter_time)); eui_set_irq_enable(BOARD_EUI, eui_irq_area_mask); intc_m_enable_irq_with_priority(BOARD_EUI_IRQ,1); eui_set_enable(BOARD_EUI, true); } 1.3 运行效果二、16位ADC采样实验 HPM5E00支持高达16位的ADC采样。 SDK中提供了ADC采样示例位于：sdk_env_v1.10.0\hpm_sdk\samples\drivers\adc\adc16 本文对示例做适当修改，将采集数据转换为电压并通过LED数码管显示。 2.1 生成工程 2.2 软件部分 1、初始化oneshot模式 voidinit_oneshot_config(void) { adc16_channel_config_t ch_cfg; /* get a default channel config */ adc16_get_channel_default_config(&ch_cfg); /* initialize an ADC channel */ ch_cfg.ch = BOARD_APP_ADC16_CH_1; ch_cfg.sample_cycle = APP_ADC16_CH_SAMPLE_CYCLE; adc16_init_channel(BOARD_APP_ADC16_BASE,&ch_cfg); adc16_set_nonblocking_read(BOARD_APP_ADC16_BASE); #ifdefined(ADC_SOC_BUSMODE_ENABLE_CTRL_SUPPORT)&& ADC_SOC_BUSMODE_ENABLE_CTRL_SUPPORT /* enable oneshot mode */ adc16_enable_oneshot_mode(BOARD_APP_ADC16_BASE); #endif } 2、EUI设备初始化及数码管显示电压数值函数 #include"board.h" #include"hpm_eui_drv.h" #include"hpm_interrupt.h" #include"hpm_clock_drv.h" #include"common.h" staticconstuint8_t s_disp_code_8_seg[]= BOARD_EUI_SEG_ENCODE_DATA; staticuint32_t s_eui_clock_freq; voidinit_eui_config(void) { eui_ctrl_config_t ctrl_config; clock_add_to_group(BOARD_EUI_CLOCK_NAME,0); s_eui_clock_freq =clock_get_frequency(BOARD_EUI_CLOCK_NAME); eui_get_default_ctrl_config(BOARD_EUI,&ctrl_config); ctrl_config.work_mode = eui_work_mode_8x8; ctrl_config.clko_freq_khz =100; ctrl_config.key_filter_ms =50; ctrl_config.disp_data_invert =0xFF; ctrl_config.scan_invert =0x00; ctrl_config.dedicate_out_cfg = BOARD_EUI_DEDICATE_OUT_LINES; ctrl_config.dedicate_in_cfg =0x0000; eui_config_ctrl(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq,&ctrl_config); /* printf("clko_tm_us:%d, slot_tm_us:%d, hold_tm_us:%d, disp_tm_us:%d, filter_tm_us:%d\n\n", eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_clko_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_slot_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_hold_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_disp_time), eui_get_time_us(BOARD_EUI, s_eui_clock_freq, eui_filter_time)); eui_set_irq_enable(BOARD_EUI, eui_irq_area_mask); intc_m_enable_irq_with_priority(BOARD_EUI_IRQ, 1); */ eui_set_enable(BOARD_EUI, true); } voidadc_led_disp(uint16_t val) { float f_val=val*3.3/65535; printf("f_val:%f\r\n",f_val); eui_scan_disp_data_t disp_data; disp_data.data_8x8[0]= s_disp_code_8_seg[((uint16_t)f_val)%10]|BOARD_EUI_SEG_DP_BIT_MASK; disp_data.data_8x8[1]= s_disp_code_8_seg[((uint16_t)(f_val*10))%10]; disp_data.data_8x8[2]= s_disp_code_8_seg[((uint16_t)(f_val*100))%10]; disp_data.data_8x8[3]= s_disp_code_8_seg[((uint16_t)(f_val*10000))%10]; disp_data.data_8x8[4]= s_disp_code_8_seg[((uint16_t)(f_val*100000))%10]; eui_set_scan_disp_data(BOARD_EUI,0,&disp_data); } 3、oneshot采集处理，增加了调用adc_led_disp函数部分 voidoneshot_handler(void) { uint16_t result; if(adc16_get_oneshot_result(BOARD_APP_ADC16_BASE, BOARD_APP_ADC16_CH_1,&result)== status_success){ if(adc16_is_nonblocking_mode(BOARD_APP_ADC16_BASE)){ adc16_get_oneshot_result(BOARD_APP_ADC16_BASE, BOARD_APP_ADC16_CH_1,&result); } printf("Oneshot Mode - %s [channel %02d] - Result: 0x%04x\n", BOARD_APP_ADC16_NAME, BOARD_APP_ADC16_CH_1, result); adc_led_disp(result); } board_delay_ms(500); } 4、EUI初始化 init_eui_pins(BOARD_EUI); init_eui_config(); 5、采集通道修改从原理图上可以看出ADC对应管脚PF18(ADC_IN11) 所以需要将BOARD_APP_ADC16_CH_1修改为11U 修改 #define BOARD_APP_ADC16_CH_1 (11U) 2.3 运行效果串口输出在跳冒断开的情况下，手触碰jp7，可以改变PF18输入电压，可以看到数码管显示电压随之改变。三、SDM对Σ-Δ调制器输出数据采样 3.1 引言 SDM（Sigma-Delta Modulator）是Σ∆信号接收单元（Σ∆Modulator）。 Σ-Δ电流采样优点是容易实现模拟隔离采样：主回路的开关噪声对控制电路干扰大，会影响系统稳定性和控制精度，隔离Σ-Δ采样可以实现控制与主回路隔离。隔离Σ-Δ转换器是采用脉冲输出方式传输信号，通过数字隔离芯片的原理实现隔离，较模拟隔离成本低而且失真小。 HPM5E00提供SDM模块具有以下特点：信号输入接口： - 4组独立的CLK和DAT信号输入 - 每组CLK/DAT可独立配置采样模式 - 支持多种采样模式： - Mode 0: MCLK上升沿采样 - Mode 1: MCLK上升沿和下降沿采样 - Mode 2: Manchester编码模式 - Mode 3: MCLK下降沿采样 - Mode 4: 每2个MCLK上升沿采样 - Mode 5: 每2个MCLK下降沿采样 - 数据滤波器(PCM_CIC)： - 支持4种滤波器类型： - Sinc1 (1阶) - Sinc2 (2阶) - Sinc3 (3阶) - SincFast (2阶快速) - 可配置过采样率(1-256) - 内置16深度32bit宽度FIFO - 支持同步采样 - 支持掩码控制（指定版本） - 可选时间戳输出功能（指定版本） - 幅值检测器(AMP_CIC)： - 同样支持4种滤波器类型 - 独立的幅值监测通道 - 支持高/低门限检测 - 支持过零检测 - 可配置过采样率(1-32) - 实时幅值输出 - 中断支持： - FIFO阈值中断 - 数据溢出中断 - 数据饱和中断 - 幅值超限中断 - 同步功能： - 支持TRGMUX触发输入 - 支持TRGMUX触发输出 3.2 数据寄存器开发板上已经集成了NSI1306。NSI1306是一款高性能Σ-Δ调制器，基于NOVOSENSE电容隔离技术，其输出与输入分离。该器件的线性差分输入信号范围为±50mV(满量程±64mV)或±250mV范围(满量程±320mV)。差分输入非常适合需要隔离的高压应用中基于分流电阻的电流检测。模拟输入经过放大，并由二阶Σ-Δ调制器连续采样，然后转换为高速，单比特数据流。输出数据与外部时钟同步，时钟上升沿有效，频率范围为5MHz至21MHz。通过使用适当的数字滤波器(例如sinc3滤波器)来抽取比特流，该器件可以在78.125KPS的条件下以20MHz的主时钟实现16位分辨率和86dB/82.5dB信噪比(SNR)。故障安全功能包括输入共模过压检测和VDD1缺失检测，简化了系统设计和诊断。 NSI1306管脚图在CLKIN上升沿时通过DOUT采集数据开发板原理图SDM连接图 SDM使用了PF16、PF17管脚为了进行实验，外部接入如下分压电路，用于测量电池分压后的结果 3.3 软件部分 SDK示例中提供了四种工作模式演示：1. 轮询模式采样；2. 幅值检测模式；3. 中断模式采样；4. 同步信号采样模式下面主要解读轮询模式采样模式。 (1) SDM 模块初始化 sdm_get_default_module_control(TEST_SDM,&control); sdm_init_module(TEST_SDM,&control); 初始化 SDM 模块，配置时钟同步、数据同步。 (2) 通道配置 ch_config.sampling_mode = sdm_sampling_rising_clk_edge; ch_config.enable_err_interrupt = false; ch_config.enable_data_ready_interrupt = false; sdm_config_channel_common_setting(TEST_SDM, TEST_SDM_CHANNEL,&ch_config); 采样模式：在时钟上升沿采样（与 NSI1306 的 Σ-Δ 输出同步）。中断配置：禁用错误中断和数据就绪中断（使用轮询模式）。 (3) 数字滤波器配置 filter_config.filter_type = sdm_filter_sinc3; filter_config.oversampling_rate =256; filter_config.ignore_invalid_samples =2; sdm_config_channel_filter(TEST_SDM, TEST_SDM_CHANNEL,&filter_config); 滤波器类型：Sinc³ 滤波器（适合 Σ-Δ 调制器，抑制高频噪声）。过采样率 (OSR)：256（提高分辨率，但降低带宽）。无效样本忽略：跳过前 2 个样本（避免初始不稳定数据）。 (4) 数据采集与转换 do{ stat =sdm_receive_filter_data(TEST_SDM, TEST_SDM_CHANNEL, true,(int8_t*)filter_result, TEST_DATA_COUNT,4U); }while(stat != status_success); double voltage =sdm_data_value_to_voltage(&filter_config, filter_result[i]); 轮询数据：从 FIFO 读取 32 位滤波后的数据（filter_result 为缓冲区）。电压转换：将原始数据转换为实际电压值。 3.4运行效果串口输出采集结果：采集结果约为14.74mV 根据分压可以算出电池电压：1010*14.74/10=1488.74mV≈1.49V 四、外置SRAM模拟为U盘 SDK中有PPI接口驱动外置SRAM和TinyUSB模拟2个MSC大容量设备的例子。将2者结合可以将外置SRAM(256KB容量)虚拟为U盘。原示例位于： sdk_env_v1.10.0\hpm_sdk\samples\tinyusb\device\msc_dual_lun 4.1 软件部分 1、main函数增加 clock_add_to_group(clock_ppi0,0); init_ppi_pins(); init_sram_config(); init_pmp_for_ppi(); init_disk(0xF8000000); init_ppi_pins为板级函数，初始化PPI引脚以驱动外置SRAM init_sram_config、init_pmp_for_ppi函数均可在 sdk_env_v1.10.0\hpm_sdk\samples\drivers\ppi\async_sram示例中找到 init_disk为将msc_disk1指向外置SRAM区域，用来虚拟U盘空间，这个函数需要在外置SRAM就位后调用。 msc_disk1为指向数组的指针。 uint8_t (*msc_disk1)[DISK_BLOCK_SIZE]; init_disk函数，diskinfo中有3个BLOCK(512字节*3）为FAT文件结构，需要拷贝到msc_disk1中，msc_disk1的其他部分需清零 voidinit_disk(uint32_t start){ // Cast the start address to our disk pointer type msc_disk1 =(uint8_t(*)[DISK_BLOCK_SIZE])start; // Copy the disk info to the disk memory memcpy(msc_disk1, diskinfo,3* DISK_BLOCK_SIZE); memset(msc_disk1 +3,0,(512-3)* DISK_BLOCK_SIZE); } 2、TinyUSB模拟MSC设备部分（msc_disk_dual.c） diskinfo为FAT文件系统定义，对原示例进行了修改。 diskinfo位于flash区域，非内存，需要在外置SRAM就位后，copy到msc_disk1中 block2、block3相同为FAT12表 staticconstuint8_t diskinfo[4][DISK_BLOCK_SIZE]= { { 0xEB,0x3C,0x90,0x4D,0x53,0x44,0x4F,0x53,0x35,0x2E,0x30,0x00,0x02,0x01,0x01,0x00, 0x02,0x10,0x00,0x00,0x02,0xF8,0x02,0x00,0x01,0x00,0x01,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x80,0x00,0x29,0x78,0x56,0x00,0x00,'T','i','n','y','U', 'S','B',' ','1',' ',' ',0x46,0x41,0x54,0x31,0x32,0x20,0x20,0x20,0x00,0x00, /* Zero up to 2 last bytes of FAT magic code */ 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00, 0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00

先楫半导体

先楫半导体HPMicro . 2026-02-05 1925
企业 | Allegro发布2026财年第三季度财报

Mike Doogue Allegro总裁兼首席执行官 “我们 2026 财年第三季度业绩表现强劲，销售额达到 2.29 亿美元，超出了我们此前预期范围的上限。此外，非 GAAP 每股收益同比增长超过一倍，达到 0.15 美元。这一业绩得益于汽车业务销售的全面增长，该板块销售额同比增长 28%，其中电动出行（e-Mobility）业务增长达到 46%。我们的工业销售同样实现了强劲增长，同比增长 31%，其中数据中心业务季度销售额再创新高。我们的订单和未交付订单持续增长，本财年迄今的设计订单量相较上一财年也有显著提升。我们期待在即将举行的分析师日活动（Analyst Day）上，更深入地分享我们的长期战略、业绩增长驱动因素以及目标运营模式。” 第三季度财务业绩摘要业务展望对于 2026 财年第四季度（截至 2026 年 3 月 27 日），公司预计总净销售额在 2.3 亿美元至 2.4 亿美元之间。以中值计算，预计净销售额同比增长 22%。此外，公司基于非 GAAP 准则预计实现以下财务结果：毛利率：49% 至 51% 运营费用：预计环比增长约 3%，达到 8,100万美元（主要受年度薪酬税重置影响）利息支出：预计约 500 万美元摊薄后每股收益：预计约 0.14 至 0.18 美元 Derek D’Antilio Allegro执行副总裁兼首席财务官 “本月初，我们再次将定期贷款利率下调 25 个基点，调整到 SOFR 利率加 175 个基点，预计这一调整每年可进一步减少约 70 万美元的利息支出。此次利率下调反映了贷款机构对我们商业模式和财务管控能力的信心。” * 因相关调节项难以合理预估，Allegro 未提供 2026 财年第四季度非 GAAP 毛利率、非 GAAP 运营费用、非 GAAP 利息支出以及非 GAAP 摊薄每股收益与 GAAP 准则的调节报表。要在这些前瞻性的非 GAAP 指标与可比的前瞻性 GAAP（美国通用会计准则）指标之间提供合理的预估，难度很大。一些对 Allegro 能否准确估算这些项目具有重要意义的因素不在公司控制范围内，且无法合理预测。

Allegro

Allegro微电子 . 2026-02-05 2086
精准掌控，静默守护：晶振如何成为汽车遥控器的“心跳”引擎

轻轻一按，车辆应声解锁这个日常动作背后，是一枚不到指尖大小的晶振在精确指挥着每一次信号传输。一按车钥匙，车灯闪烁、车门解锁，这套看似简单的动作背后，隐藏着现代汽车电子系统的精密时序网络。汽车遥控器内部的核心——晶振，正是这套系统的“心跳”引擎。晶振通过石英晶体的逆压电效应产生精确的频率信号，为遥控器内的微控制器提供精准的时序基准。 Ø 扬兴科技 —— 让每一次按动，都精准无误。小小遥控器，大大科技芯。汽车遥控钥匙已经从简单的机械替代工具，发展成为集便捷进入、智能控制、安全防盗、个性化服务于一体的核心电子设备。它极大地提升了用车的便利性、安全性和舒适性，是现代智能汽车交互体验的重要入口。 Ø 晶振在汽车遥控器中的关键作用晶振在此过程中承担三大核心功能： · 提供基准频率：为MCU提供系统时钟，确保程序逻辑按时执行； · 保障射频稳定性：为射频发射模块提供载波频率参考，避免频率偏移导致通信失败； · 提升抗干扰能力：高Q值的石英晶体具有优异的频率稳定性，可在温度变化、震动等恶劣环境下维持性能。尤其在汽车使用环境中，遥控器需面对-40℃~+85℃甚至更宽的温度范围、频繁跌落冲击以及电磁干扰，这对晶振的可靠性提出了严苛要求。 Ø 汽车无线技术的代际演进与晶振选型我们将汽车钥匙的技术演进分为三个阶段，为您详细解析各阶段的频点由来、精度要求与封装标准： 1. 传统RKE/PKE阶段（射频遥控与 NFC 应急模块）这是目前应用最广泛的方案。射频芯片通过内部锁相环（PLL）对晶振基频进行倍频，产生UHF频段信号，对中心频点的对齐和起振速度极其敏感。 l 射频遥控模块（RKE/PKE）：负责30-50米的车辆控制。 a. 13.560MHz /13.52127MHz：对应全球通用的433.92MHz发射频率。其中13.52127MHz是专为匹配特定芯片分频算法而诞生的精密偏置频点，确保发射信号精准锁定在中心信道，获得最佳接收灵敏度； b. 9.84375MHz：对应美、日市场常用的315MHz发射频率； c. 27.1412MHz：早期特定美系车及工业无线遥控采用的经典27MHz频段方案； d. 选型要求：3225封装/2016封装无源晶振，精度±20ppm。需重点关注 ESR（等效电阻），确保在纽扣电池低电量环境下依然能秒速起振。 l NFC应急感应模块：作为一个独立的硬件链路，确保钥匙在完全没电的状态下，仍能通过近场感应开启车门。 a. 27.120MHz：现代汽车NFC（近场通信）控制器的标准基频，支撑13.56 MHz的载波握手。 b. 选型要求：3225封装/2016无源晶振。由于是应急“最后一道防线”，对晶振的机械强度与抗冲击性能要求极高，需严格符合AEC-Q200认证。 2. BLE数字钥匙阶段（蓝牙接入）随着手机数字钥匙的普及，蓝牙（BLE）成为了实现身份认证与无感进入的主流选择。车端节点与手机/智能钥匙之间需要进行高频次的快速连接。 l 技术核心：蓝牙跳频机制要求极高的频率稳定性。若晶振频偏过大，会导致连接超时或数据重传，破坏用户“靠近即开锁”的无感体验。 l 核心频点：32.000MHz l 选型要求：频率精度收紧至±10ppm。必须通过AEC-Q200认证。高精度晶振能显著缩短连接建立时间，并有效降低系统的待机功耗。 3. UWB数字钥匙阶段（厘米级精准定位） UWB（超宽带）技术的引入，为数字钥匙带来了精准的空间感知能力。其底层逻辑从相位调制转向了ToF（飞行时间）测量，对时间漂移极度敏感。 l 技术核心：在ToF 机制下，1ns的时间误差会被放大为30cm的空间距离误差。普通晶振的温漂特性完全无法支撑 UWB 的高精度定位算法。 l 核心频点：38.400 MHz l 选型要求：必须引入温补晶振(TCXO)。精度需达到±2ppm。TCXO通过内部补偿电路压制温漂，是实现满足CCC规范、厘米级精准交互的唯一方案。 Ø 应用案例扬兴科技的车规级谐振器目前已广泛配套应用于汽车产业链的Tier1、Tier2核心供应商，深度覆盖车载智能驾驶、车联网、车载娱乐等多类电子系统，成为国产汽车电子迈向高阶智能的关键“心跳”器件。

晶振,石英晶体,车规级晶体,温补晶振

扬兴科技 . 2026-02-05 1 1386
【新品发布】超高集成：TP4316内置Type-C协议与1A充放电，解锁极致精简BOM

便携设备市场高度内卷，降本增效与快速上市已成为刚需。天源中芯（TPOWER）新品 TP4316 全集成电源管理SOC，凭借 “单芯片集成Type-C协议与 1 A 同口充放电” 的极致方案，助力客户以极简BOM实现可靠电源设计，大幅压缩项目周期，为产品赢得关键竞争力。一、核心优势：品牌原厂直供，打造高集成度解决方案天源中芯 TPOWER 拥有完整的自主知识产权和稳定货源保障，每一颗芯片都经过严格的可靠性测试，为客户提供性能稳定、供货可靠的最佳选择。天源中芯TPOWER坚持 “芯片定义产品” 的设计理念。TP4316 是一款高度集成的TYPE-C协议单芯片电源管理SOC：全集成电源SOC：单芯片集成 Type-C 协议、1 A 线性充电、1 A 同步升压、LED电量指示及多重保护电路；极简外围设计：采用PMOSFET架构，无需外置MOSFET、检测电阻与隔离二极管；智能充放电管理：支持同口充放电与边充边放功能，自动识别设备插入与移除。这极大地降低了物料成本（BOM Cost）、精简了PCB布局、缩短了开发周期，让您的产品能以更快的速度、更优的成本抢占市场。二、可定制LED电量指示，灵活适配产品需求 TP4316 支持多种 LED 电量指示模式定制，客户可根据产品定位、成本与用户体验需求灵活选择，实现差异化设计： 4灯模式（TP4316_4D）适合中高端移动电源，电量显示更精细。支持充放电双逻辑指示： 2灯模式（TP4316_2D）适用于追求简洁设计与成本平衡的产品： 1灯模式（TP4316_1D）极致精简方案，适用于对成本极度敏感或空间极其受限的产品：可定制的三种模式均支持自动识别充放电状态，无需外部MCU控制，进一步降低系统复杂度与成本。三、精准性能：关键电气参数，源自品牌原厂严格测试 TP4316 的每一项参数都经过天源中芯TPOWER半导体严格的测试与验证，确保其在实际应用中的精准与可靠。 1. 智能高效的线性充电： 1 A 恒流充电：在标准5V输入下，充电电流典型值达1 A 。 4.2 V 精准浮充电压：确保锂电池被安全、准确地充满，避免过充，有效延长电池寿命。 0 V 电池激活：当电池电压低于2.8 V 时，芯片自动启用涓流充电模式，可安全激活深放电电池。智能再充电：当电池电压降至 4.10 V ，时自动重新充电，避免电量轻微损耗后不必要的频繁充放电循环。 2. 稳定持久的同步升压： 5.1 V 稳定输出：同步升压转换器输出电压典型值5.10V，输出电流能力达1A，轻松为手机、平板等设备充电。高达 91%的转换效率（典型值）：大幅减少能量损耗，提升整体续航。超低静态功耗：空载时自动进入休眠，静态电流仅 20 μA（典型值），实现超长待机。 3. 全面原厂级全面可靠的系统保护： •内置多重保护：包括输出过压保护（ 5.8 V ）、过流保护、短路保护、电池欠压保护、NTC 温度保护及 150 ℃ 过温保护（芯片内部），构建从芯片到电池的全方位安全防护。 TP4316典型应用电路图▲ 四、应用方案：成熟方案助力产品快速上市 01 方案一：标准移动电源— 可靠性与经济性的平衡 • 标准移动电源：1 A 充放电+全面保护，极简外围助力快速量产。 • 核心参数支撑：TP4316 集成1 A 同步升压与 1 A 线性充电，转换效率高达 91%（典型值），结合 4.20V 精准浮充与多重保护机制，为主流移动电源提供稳定、安全且高性价比的核心解决方案。方案二：嵌入式便携设备— 小体积与长待机嵌入式设备：QFN3*3—16L 超小封装，极简外围（单电感），静态电流低。核心参数支撑：TP4316 小封装与超低功耗是其嵌入狭小空间并实现长久待机的关键。芯片支持负载移除自动休眠，显著降低待机功耗，特别适合便携风扇、蓝牙音箱等设备。方案三：超薄卡片式电源— 高效与紧凑的融合超薄电源：1 MHz 开关频率允许使用微型电感，助力实现毫米级超薄设计。核心参数支撑：TP4316 高开关频率结合高集成度，允许采用更小尺寸的功率电感与电容，在极致紧凑的PCB空间内实现 5.10 V /1 A 的稳定输出，完美契合时尚礼品市场对便携性的追求。方案四：高性价比促销品— 基础功能与安全底线促销礼品：在保留 1 A 充放电能力及过压、过温等核心保护的前提下，实现极致的BOM成本控制。核心参数支撑：TP4316 芯片本身的高集成度（无需外置MOS、检测电阻等）是降低系统成本的基础。同时，5.8 V 输出过压保护、150℃过温保护等关键安全功能并未妥协，确保基础款产品仍具有可靠性与安全性。总的来说，TP4316 是一款高度集成的TYPE-C协议的单芯片电源管理SOC，它将移动电源所需的Type-C协议识别、1 A 线性充电、1 A 同步升压放电、LED电量指示及多重保护电路全部集成于一颗芯片之内，让您的产品能以更快的速度、更优的成本抢占市场。全方位技术支持：从概念到量产的全流程护航天源中芯TPOWER建立完善的技术支持体系：从概念设计到规模量产，天源中芯专业团队全程护航，确保项目高效推进、快速落地。选择天源中芯TPOWER新品 TP4316 ，不仅是选择一颗芯片，更是选择可靠的供应链保障和专业的技术支持。我们期待与您携手，共同打造更具市场竞争力的电源产品。立即联系天源中芯销售团队，获取免费样片和技术文档，联系我们，立即获取开发资料！ ➷➷➷点击底部阅读原文，进入TPOWER官网下载产品规格书！扫码免费申请样品长按扫码直达申请页企业工程师/产品经理限时专享

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天源中芯公众号 . 2026-02-05 1526
散热设计不良会导致 MOSFET 过热失效？MDD辰达半导体一文讲透

一、问题背景在电源、BMS、车载电子、电机驱动等应用中，MDD辰达半导体的 MOSFET 常年工作在大电流、高频、高环境温度条件下。很多现场失效案例中，MOSFET 本身参数选型并不低，但仍然频繁烧毁，最终溯源发现，根本原因并非器件质量，而是散热设计不良。散热问题往往是“隐性故障”，短期测试可能正常，但在长期运行或高温环境下极易暴露。二、MOSFET 过热失效的典型机理 1、结温持续超标 MOSFET 的最大结温通常为 150℃ 或 175℃。当散热设计不足时，结温长期接近极限，器件虽未立即损坏，但寿命会大幅缩短。 2、导通电阻正温度系数放大问题 MOSFET 的 Rds(on) 随温度升高而增大，形成：温度升高 → 导通损耗增加 → 温度进一步升高最终形成热失控。 3、封装内部键合线疲劳长期热循环会导致 Bond Wire 热应力疲劳，最终出现开路或瞬时失效。 4、雪崩能力下降在高温下，MOSFET 的雪崩耐量明显下降，更容易在浪涌或关断瞬间击穿。三、常见散热设计错误 1、只看 Rds(on)，忽略功耗很多设计只关注“毫欧级导通电阻”，却忽略： ① 实际工作电流 ② 开关损耗 ③ 占空比与工作频率 2、PCB 铜箔面积不足 ① MOSFET Drain 铜皮过小 ② 无大面积散热铺铜 ③ 热量无法有效扩散 3、散热过于依赖环境 ① 无散热片 ② 无强制风冷 ③ 机壳热阻过大 4、封装选型不合理使用 TO-252 / SOP-8 却承载接近 TO-220 的功耗，是非常典型的失效根因。四、FAE 建议的优化方向 1、以结温为核心重新计算热设计使用：Tj=Ta+P×Rth(j−a) 2、PCB 作为第一散热路径 ① Drain 铺铜 ≥ 2~4 cm² ② 多过孔连接内层地或电源层 ③ 加厚铜箔（2oz 优于 1oz） 3、合理使用散热片或金属壳体尤其在车载、电源模块中，应主动设计散热路径。 MOSFET 的失效，80% 是热问题，50% 来自散热设计。散热不是“锦上添花”，而是 MOSFET 能否长期可靠工作的核心保障。

MDD辰达半导体 . 2026-02-05 1834
Vishay推出采用SOT-227封装的100 V Gen 2 TMBS整流模块，正向压降低至0.83 V

器件提供即插即用的替换方式，降低导通损耗，提高工业应用的效率日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用紧凑型、全绝缘SOT-227封装的新型100 V Gen 2 Trench MOS 势垒肖特基（TMBS®）整流模块---100 A VS-QA100FA10、200 A VS-QA200FA10和400 A VS-QA400FA10，以及150 A单相桥式VS-QA150BA10。这些器件适用于各种工业应用功率转换，正向压降低至0.83 V达到业内先进水平，有助于减少导通损耗。日前发布的Vishay Semiconductors整流模块包括配置双二极管并联结构的100 A VS-QA100FA10、200 A VS-QA200FA10和400 A VS-QA400FA10，以及150 A单相桥式VS-QA150BA10。采用行业标准SOT-227封装，这些器件可以即插即用方式替换竞品解决方案，提高效率。这些新型模块正向压降极低，额定电流高，Qrr可忽略不计，工作温度高达+150 C。器件可用于高频转换器和电源，适用于焊接和工业SMPS应用、48 V轻型电动车和通信设备，以及大型电池系统的阻流二极管。 VS-QA100FA10、VS-QA150BA10、VS-QA200FA10和VS-QA400FA10符合RoHS标准，并通过UL E78996认证。器件规格表：新型TMBS整流模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为18周。

vishay . 2026-02-05 1036
面向高端分布式光伏与户用储能系统的功率半导体选型分析——以高效、高可靠能量转换与管理系统为例

在能源转型与智能电网建设加速的背景下，分布式光伏与户用储能系统作为实现能源自给、提升用电经济性与安全性的核心单元，其性能直接决定了发电效率、储能密度与系统长期运行可靠性。功率半导体器件是能量转换系统的“心脏”，负责在光伏DC-DC优化、电池DC-AC双向变流及精细负载管理等关键环节实现高效、精准的电能变换与控制。器件的选型，深刻影响着系统的整体效率、功率密度、热管理复杂度及全生命周期成本。本文针对高端户用光储系统这一对效率、可靠性、功率密度及智能管理要求严苛的应用场景，深入分析关键功率节点的器件选型考量，提供一套完整、优化的解决方案。高端分布式光伏与户用储能系统总拓扑图功率半导体选型详细分析 1. VBPB19R20S (N-MOS, 900V, 20A, TO-3P) 角色定位：光伏输入DC-DC升压/MPPT电路主开关或储能变流器（PCS）高压侧开关技术深入分析：电压应力与超高可靠性：在三相或单相户用光伏系统中，直流母线电压可高达600V-800V。选择900V超高耐压的VBPB19R20S，为应对光伏板开路电压、雷击浪涌及开关尖峰提供了极其充裕的安全裕度（>30%），确保前端能量采集环节在恶劣户外环境下的绝对可靠运行，尤其适用于采用组串式或优化器架构的高压系统。高效能与功率密度：采用SJ_Multi-EPI（超级结多外延）技术，在900V超高耐压下实现了仅270mΩ (@10V)的导通电阻。作为MPPT升压或双向变流器的高压开关，其优异的品质因数（QgRds(on)）能显著降低导通与开关损耗，提升全周期发电/转换效率，直接提升系统能源收益率。TO-3P封装具备卓越的散热能力，可承受持续大功率运行，有助于实现高功率密度设计。系统匹配性： 20A的连续电流能力，完美匹配5-15kW级户用光储系统的高压侧电流需求，是实现高效、紧凑、高可靠前级能量变换的核心选择。光伏MPPT升压与高压变换拓扑详图 2. VBGQA1401 (N-MOS, 40V, 150A, DFN8(5x6)) 角色定位：锂电池组低压侧双向DC-DC变换器主开关或大电流负载路径管理扩展应用分析：低压大电流能量交换核心：现代户用储能系统普遍采用48V或更低电压的锂电池组，其充放电电流可达数百安培。选择40V耐压的VBGQA1401提供了充足裕量，能从容应对电池端电压波动及开关瞬态。极致导通损耗与功率密度：得益于SGT（屏蔽栅沟槽）技术，其在4.5V/10V驱动下Rds(on)低至1.5mΩ/1.09mΩ，配合150A的极高连续电流能力，导通压降与损耗极低。这直接最大化提升了电池充放电回路的效率，减少能量在存储环节的损失，并降低散热需求。超小尺寸的DFN8(5x6)封装为实现超高功率密度的紧凑型电池管理单元（BMU）或模块化DC-DC变换器提供了可能。动态性能与热管理：极低的栅极电荷支持高频开关，有利于减小电感等无源元件体积。其封装虽小，但通过底部大面积散热焊盘与PCB敷铜紧密贴合，可实现高效的热传导，满足持续大电流工作下的温升要求。电池双向DC-DC与能量管理拓扑详图 3. VBE2658 (P-MOS, -60V, -35A, TO-252) 角色定位：系统内辅助电源、负载智能投切及安全隔离开关（如光伏板快速关断、应急电路控制）精细化电源与安全管理：高侧开关与安全控制：采用TO-252封装的P沟道MOSFET，其-60V耐压完美适配12V/24V/48V辅助电源总线及安全关断回路。该器件可用于实现系统关键节点的电源通断控制，例如，响应快速关断（RSD）指令，安全切断光伏组串与逆变器的连接，满足安规要求；或用于智能投切非关键负载，实现能源调度。高效节能管理：利用P-MOS作为高侧开关，可由控制芯片直接驱动，电路简洁。其低至46mΩ (@10V)的导通电阻确保了在导通状态下，电源路径上的压降和功耗极低，提升了辅助电源的利用效率。可靠性与鲁棒性： Trench技术保证了稳定的开关性能。TO-252封装具有良好的散热和功率处理能力，-35A的电流等级足以应对多数辅助负载和关断回路的需求，确保安全功能执行的绝对可靠。智能负载管理与安全控制拓扑详图系统级设计与应用建议驱动电路设计要点： 1. 高压侧驱动 (VBPB19R20S)：需搭配隔离型栅极驱动器，确保驱动可靠并优化开关轨迹，降低高压下的开关损耗与EMI。 2. 电池侧大电流驱动 (VBGQA1401)：需确保栅极驱动电压稳定（推荐10V以上）且驱动电流充足，以实现快速开关，减少开关损耗。布局时需极致优化功率回路以减小寄生电感。 3. 高侧开关驱动 (VBE2658)：驱动电路简单，可采用电荷泵或专用高侧驱动IC，确保快速、可靠的开关动作，尤其对于安全关断功能，开关速度与可靠性至关重要。热管理与EMC设计： 1. 分级热设计： VBPB19R20S需安装在系统主散热器上；VBGQA1401依赖多层PCB的大面积敷铜和可能的散热过孔进行散热；VBE2658可根据电流大小选择是否附加小型散热片。 2. EMI抑制：在VBPB19R20S的开关节点需精心设计缓冲电路或采用软开关拓扑，以抑制高压高频开关产生的传导和辐射EMI。VBGQA1401的极高di/dt要求功率回路面积最小化。可靠性增强措施： 1. 降额设计：高压MOSFET工作电压不超过额定值的80%；大电流MOSFET需根据实际工作结温对电流进行充分降额。 2. 保护电路：为VBE2658控制的关断回路增设状态监测与反馈，确保安全功能执行无误。为VBGQA1401所在的电池回路设计多层级的过流与短路保护。 3. 静电与浪涌防护：所有器件的栅极应做好ESD保护。在VBPB19R20S的漏极及VBE2658的源漏之间，需根据安规和浪涌等级要求配置合适的TVS或压敏电阻。结论在高端分布式光伏与户用储能系统的能量转换与管理系统设计中，功率半导体器件的选型是实现高效发电、高效存储、智能管理与安全运行的关键。本文推荐的三级器件方案体现了在高电压、大电流、高可靠性场景下的精准设计理念：核心价值体现在： 1. 全链路能效最大化：从光伏端的高压高效变换（VBPB19R20S），到电池端的超低损耗能量交换（VBGQA1401），再到系统级的智能安全控制（VBE2658），全方位降低能量转换与管理环节的损耗，提升系统整体能源利用效率（整机效率>97%成为可能），直接增加用户收益。 2. 高功率密度与紧凑化：采用SJ_Multi-EPI、SGT等先进技术及DFN、TO-252等封装，在提升性能的同时显著减小了系统体积与重量，利于户用场景下的安装与空间利用。 3. 超高可靠性保障： 900V超高耐压、充足的电流裕量、优异的散热封装以及针对光伏与储能特殊工况（如反复启停、户外环境、大电流冲击）的设计考量，确保了系统25年长寿命运行的稳定可靠。 4. 智能化与安全性： P-MOS开关便于实现符合最新安规要求的快速关断等智能安全功能，提升了系统的本质安全性与可维护性。未来趋势：随着光储系统向更高电压（1500V）、更高效率、更智能（AI调度）发展，功率器件选型将呈现以下趋势： 1. 对碳化硅（SiC）MOSFET在高压高频主拓扑中的应用需求增长，以追求极限效率与功率密度。 2. 集成电流传感、温度监控及数字接口的智能功率模块（IPM/SIP）在双向变流器中的应用。 3. 用于模块化储能单元的更低Rds(on)、更小封装的大电流MOSFET需求激增。本推荐方案为高端户用光储系统提供了一个从光伏输入、电池管理到系统控制的关键功率器件解决方案。工程师可根据具体的系统规格（如电压等级、功率等级）、散热条件（自然冷却/强制风冷）与智能化需求进行细化调整，以打造出性能卓越、安全可靠且具备市场竞争力的下一代智慧能源产品。在能源自主的时代，卓越的硬件设计是构建稳定、高效家庭能源系统的基石。

微碧

微碧半导体 . 2026-02-05 2590
技术 | 艾为K类功放：十数年迭代，用 “功放之王” 的实力，铸就音频领军品牌

客户需求是艾为存在的唯一理由，极致音频体验，是我们刻进基因的核心使命！从口袋里的便携智能终端，到居家影音的沉浸式空间，再到车载出行的流动音乐厅，音频应用场景持续拓宽，用户对高品质声学的渴求，早已突破“够用”，直奔“专业级”“天花板级”的极致追求！ 2010年之前传统D类音频功放由于工作电压的天然瓶颈，让客户产品始终摆脱不了“音量小、声量弱”的尴尬，这不仅是厂商的技术死结，更是亿万用户的听觉痛点！而艾为，从不做行业痛点的妥协者，只做技术突破的领航者！我们始终以“工程商人”的务实底色，深耕客户一线，精准捕捉市场真需求、用户真痛点，直击行业核心瓶颈。2010年，艾为开创性推出K类音频功放技术，这不仅是打破传统D类功放功率桎梏的技术革命，更是中国音频产业的里程碑式突破——作为首个由中国人定义、艾为独家开创的音频技术架构品类，K类功放的诞生，彻底终结了国外品牌对音频核心技术架构的长期垄断，让中国半导体企业在全球音频领域首次掌握核心定义权，为全场景音频设备注入强劲“声”命力，更开启了十余年持续引领全球音频体验升级的中国征程！ K类命名：藏着巅峰实力的底气宣言 “K”这个字母，不是随意的代号，而是三重硬核底气的极致彰显：既是客户对艾为产品的高度认可与深切期许，更是艾为研发团队对产品性能的绝对自信，更承载着中国音频技术打破垄断、登顶巅峰的荣耀！作为首个由中国人定义的音频技术架构品类，“K”的每一笔都写满行业话语权，每一次发声都代表中国智造的顶尖实力！“K”，是“功放之王”（King）的巅峰加冕，意味着艾为K类功放生来即巅峰，碾压传统功放的性能局限；是“功放杀手”（Killer）的实力宣言，敢于颠覆行业固有格局，让痛点彻底成为历史. 图1 K类注册商标更直观的震撼的是，K类功放的外放音量堪称“听觉炸弹”——在嘈杂的公共场合一经启用，瞬间突破环境干扰，成为全场焦点，这份声量优势，就是艾为技术实力最直白的证明！行业独霸：“K类”商标，艾为专属真正的行业领导者，不仅要做技术的开创者、标准的定义者，更要做中国技术的守护者！作为首个由中国人定义的音频技术架构品类，艾为从诞生之初就立志将K类技术打造成中国半导体走向全球的核心名片。2014年，艾为电子率先向国家知识产权局提交“K类音频功放”产品类别商标注册申请，2016年正式获批！这一举措，不仅筑牢了艾为的知识产权壁垒，更在法律层面彻底固化了“K类=艾为技术”的行业铁律！从此，“K类功放”不再是泛泛的技术名词，而是艾为的专属标签、行业的唯一标杆！更是中国半导体在音频领域掌握核心定义权的权威象征！任何厂商未经艾为授权，擅自使用“K类功放”进行宣传，均构成商标侵权——这，就是艾为在音频领域的技术主权，更是中国定义的技术标准在全球市场的无可撼动的地位。技术狂飙：从奠基封神到全场景碾压 1 首款K类功放：奠定技术基石作为K类功放的奠基之作，更是首个由中国人定义的音频技术架构品类的开篇巨作，AW8730一登场就自带“王炸”气场，集四大核心黑科技于一身，直接重构功放行业的性能标准：业内首创正电压电荷泵：打破供电限制，为功率爆发注入核心动力；经典D类功放架构：兼顾极致效率与澎湃性能，无冗余损耗； NCN智能防破音系统：精准守护音质纯净度，大声量也不刺耳、不破音； EEE全带宽EMI抑制技术：彻底杜绝电磁干扰，音质输出更稳定、更纯净。四大黑科技强强联合，实现效率、音量、音质的完美闭环，更奠定了K类功放的行业标杆地位！自2010年开创以来，艾为便开启K类功放的“迭代狂飙模式”，K1、K2、K3三代精品接连问世，每一代都实现跨越式升级，直接让跟风者望尘莫及、彻底躺平放弃！艾为也从此在音频功放领域站稳“人无我有、人有我优”的绝对高地，构建起对手无法复制的差异化壁垒！ 2 持续迭代：打造行业标杆艾为的技术突破，从不止步于“领先”，更追求“持续碾压”，以中国智造的硬核实力，不断突破全球音频体验的边界，让首个中国定义的音频技术架构品类持续进化： AW8731：一线脉冲控制+更高AV增益调节，简化系统设计的同时，响度再上台阶，NCN防破音技术护航，音质音量双在线； AW8733：第三代技术升级，电荷泵最高升压至6.3V，RNS噪声抑制技术加持，纯净音质无懈可击； AW8735：创新融合Class AB+Class D双模，灵活适配多场景需求，无缝切换更从容； K7（AW8737）：1.5倍电荷泵高效率方案，极致性能与长续航兼得，彻底解决用户续航焦虑； K8（AW87318）：独创Multi-level AGC技术，音质与音量双重突破，听觉体验再攀巅峰； K9（AW873X9）：Boost/2倍电荷泵驱动技术，功率与电压双双破界，搭配顶尖awinicSKTune神仙算法，打造无可挑剔的高端音频方案！ 3 智能时代：全场景覆盖自2010年K类功放技术开创至今，艾为从未停下进化的脚步，紧跟时代浪潮持续迭代，全面渗透生活每一处听觉场景：搭载Multi-Level AGC技术的K8系列，精准控场音质音量；采用DO-Charge pump技术的K9 Plus，性能再攀高峰；适配数字音频时代的Digital Smart K系列，智能交互更便捷；中大功率Medium Power K系列，满足高端影音需求；专为车载场景量身打造的Auto K系列，让出行听觉体验更震撼——十余年深耕，艾为让极致音频无处不在！硬核荣誉加冕：实力铸就行业标杆技术的持续领跑与行业的绝对主导，让艾为收获国家级权威认可，成为中国音频芯片领域的标杆典范！艾为手机音频功放芯片凭借绝对领先的技术优势、全球领先的市场占有率以及无可替代的行业影响力，获评国家级“制造业单项冠军企业”称号，这一荣誉是对艾为在音频领域极致创新与产业贡献的最高肯定，更是中国定义音频技术获得国家层面认可的硬核佐证！同时，凭借深厚的技术积淀、持续的研发投入与行业引领地位，艾为被评为“上海市智能音频芯片技术创新中心”，聚焦智能音频芯片设计、封测及产业化核心需求，开展集芯片与软件算法于一体的高端解决方案研发，全力推进数字大功率智能音频芯片规模化国产替代，成为引领区域乃至全国智能音频芯片技术创新的核心引擎，以国家级标准、世界级视野，持续夯实中国音频技术的全球竞争力！未来可期：以持续创新，定义音频新未来未来，艾为初心不改，将持续加码研发投入，聚焦效率提升、音质优化、驱动强化、创新AI四大核心维度，以永不停歇的技术迭代，不断刷新音频体验的上限！K类功放，早已不是一款产品，而是正在重塑消费电子产品的音频标准，为全球终端用户带来更震撼、更纯净、更极致的听觉盛宴！对消费者而言，音频体验从来都是产品差异化的核心竞争力；而K类功放的技术演进史，不仅是一部硬核创新史，更是一部持续定义用户听觉体验标准的进化史！未来已来，艾为将以更颠覆的技术、更卓越的产品，带来更多音频惊喜，引领行业迈向全新纪元！

艾为

艾为官网 . 2026-02-05 1043