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市场周讯 | 多家车企承诺承诺支付账期不超过60天；高通24亿美元收购Alphawave；AMD推出Instinct MI350

| 政策速览 1. 工信部：工业和信息化部今日发布公告，决定成立部物联网、脑机接口、民用爆炸物品等3 个标准化技术委员会和安全应急装备标准化工作组，具体如下：工业和信息化部物联网标准化技术委员会，编号为MIIT / TC3，主要负责物联网行业应用、关键技术、建设运维等领域行业标准制修订工作。第一届工业和信息化部物联网标准化技术委员会由 61 名委员组成，秘书处由中国电子技术标准化研究院承担。工业和信息化部脑机接口标准化技术委员会，编号为MIIT / TC4，主要负责脑机接口基础共性、输入输出接口、数据、行业应用、伦理安全等领域行业标准制修订工作。第一届工业和信息化部脑机接口标准化技术委员会由 52 名委员组成，秘书处由中国电子技术标准化研究院承担。工业和信息化部民用爆炸物品标准化技术委员会，编号为MIIT / TC5，主要负责民用爆炸物品行业安全生产管理、基础通用、产品及检测方法等领域行业标准制修订工作。第一届工业和信息化部民用爆炸物品标准化技术委员会由 55 名委员组成，秘书处由中国爆破器材行业协会承担。工业和信息化部安全应急装备标准化工作组，编号为MIIT/SWG1，主要负责安全应急装备基础通用、信息技术应用、智能装备和管理服务等领域行业标准制修订工作。第一届工业和信息化部安全应急装备标准化工作组由 75 名委员组成，秘书处由中国信息通信研究院承担。 2. 美国：美方延长部分中国商品25%的301关税豁免至8月31日，涉GPU、主板、太阳能电池板等芯片和半导体零部件。 3. 欧盟：或限制采购中国医疗器械，拟禁止中国医疗器械制造商未来5年内参与价值超过500万欧元的欧盟公共采购项目招标。 | 市场动态 4. 车企：比亚迪、吉利、一汽、广汽、东风、长安、赛力斯等等多家知名汽车生产企业陆续发表声明，承诺“支付账期不超过60天”。此次车企缩短账期，是积极落实2024年10月18日国务院第43次常务会议修订通过、自2025年6月1日起施行的《保障中小企业款项支付条例》要求。该条例第二章第九条规定，机关、事业单位从中小企业采购货物、工程、服务，应当自货物、工程、服务交付之日起30日内支付款项；合同另有约定的，付款期限最长不得超过60日。 5. Counterpoint：受关税影响及行业整体发展放缓的冲击，2025年全球智能手机制造产量预计将同比下降1%，相较于2024年产量4%的同比增长，市场情况不容乐观。2024年，中国、印度和越南共持有全球智能手机总产量的90%以上，其中印度增速最快。但是各国制造产量在2025年预计呈现分化态势。 6. IDC：2025年第一季度全球腕戴设备市场出货4,557万台，同比增长10.5%。除中国市场受到国补刺激增长显著之外，西欧、美国、拉美及亚太（除印度）等地区均受到全球市场复苏以及关税贸易影响加快出货节奏，呈现较为明显的增长。中国腕戴设备市场出货量为1,762万台，同比增长37.6%。 7. CFM：预计三季度服务器DDR4产品价格继续上涨但涨幅缩窄，或将落在10%-15%区间。三季度服务器DDR5产品价格预计价格较二季度微幅增长，而四季度随着原厂DDR5产能爬坡、良率提升令供应端集中释放产能，服务器DDR5产品将面临价格风险。 8. AMD：AMD公司的CEO表示，AI芯片市场的规模到2028年将超过5000亿美元；推理芯片市场的增速甚至会更迅猛；马斯克的人工智能初创公司xAI采用AMD的MI300人工智能芯片；推出MI350和MI355芯片；MI400芯片将在明年推出。 9. TrendForce：2025年第一季因国际形势变化促使终端电子产品备货提前启动，以及全球各地兴建AI数据中心，半导体芯片需求优于以往淡季水平，助力IC设计产业表现。第一季前十大无晶圆IC设计业者营收合计季增约6%，达774亿美元，续创新高。 10. TrendForce：AI应用所带动高阶运算芯片需求持续强劲，先进制程以及先进封装工艺均是全球晶圆代工产业的最大需求动力，预计2025年产业年增长率将达19.1%。另外，先进工艺2nm将在今年下半年正式进入量产，先进封装产能也将持续扩大，预计年增长76%。 11. 摩根士丹利：摩根士丹利近日发布报告，指出认为中国正在机器人竞赛中占据优势，领先于美国。报告中强调，中国在机器人发展上的优势，不仅体现在资源、政策与教育方面，更体现在“长期战略思维”上，报告引用中国传统棋类游戏“围棋”的策略特点，称中国倾向于通过“耐心与共存竞争”，逐步将对手引入劣势局面，以实现最终胜利，而不是追求“短期业绩”。 12. WSTS：预测今年全球半导体市场7009亿美元，同比增长11.2%，美洲和亚太区（除日本）分别预增18%和9.8%，欧洲和日本增速缓慢。 13. 海关：进出口：今年前5月我国货物贸易进出口总值同比增长2.5%。其中集成电路出口5264亿元增长18.9%。 14. 公司：2024年本土电源管理芯片上市公司TOP 5依次为矽力杰、南芯科技、圣邦微电子、天德钰、杰华特，市场规模均超16亿元。 15. 存储：存储三巨头停产消息致华强北多款DDR4缺货，因工业、安防、电视需求尚稳预估淘汰周期仍需3-5年。 | 上游厂商动态 16. PCle：美国PCI-SIG组织正式揭晓了PCIe 7.0规范的诞生，这一消息标志着自PCIe 6.0发布三年多后的又一次重大技术革新。具体而言，PCIe 7.0的原始比特率飙升至128.0 GT/s，而在常规的×16通道配置下，其双向传输速度竟达到了的512GB/s。这一速度意味着，即便是PCIe 7.0在×4的配置下，其带宽也与PCIe 5.0在×16的配置相当，展示了前所未有的性能提升。 17. 高通：高通24亿美元收购Alphawave，后者是一家核心业务围绕开发芯片 IP和 IC的公司。Alphawave Semi 的技术对于数据中心、电信和消费电子应用至关重要，可满足对更高数据速率和高效连接日益增长的需求。 18. AMD：AMD表示，Instinct MI350系列采用了三星电子和美光的HBM产品。Instinct MI350系列采用了8个36GB HBM3E内存，具有12Hi堆叠配置和8Gbps性能，内存总容量为288GB，带宽为8TB/s。 19. 三星：截至2025年第一季度，三星晶圆代工高管人数为53人，而2023年第一季度为68人，2024年第一季度为58人，两年内减少了15人。其中技术高管减少，战略、规划和营销等非技术领域的高管人数有所增加。截至今年第一季度，三星晶圆代工的53名高管中有12名为非技术高管，比去年同期增加了2人。 20. 台积电：台积电董事长魏哲家近日表示，台积电日本熊本二厂建设确实延宕，但主因是“塞车问题”。供应链透露，在资金、人力排挤下，加上评估当地客户下单状况，目前台积电日本熊本一厂产能利用率尚未达标，而德国厂兴建与后续进机计划，预估也将有所调整。整体来说，日本、欧洲现阶段车市不佳，已低于台积电先前期望值。 21. 三星：三星电子已开始生产2纳米Exynos 2600原型芯片，该芯片可能被2026年2月左右上市的Galaxy S26系列手机采用。今年早些时候，Exynos 2600初步测试的良率为30%。自上个月以来，三星一直在努力使其良率超过50%。如果一切顺利，明年初就可以开始全面量产。 22. 晶旭半导体：上杭县福建晶旭半导体科技有限公司二期项目——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产整体建筑形象雏形显现。该项目建设负责人章加奇表示，土建部分以及主体的全部的一个封顶工程已经完成，预计在九月份的时候可以完成初步的试产动作。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。 23. NVIDIA：英伟达公司和慧与公司宣布，将与莱布尼茨超级计算中心合作，利用英伟达的下一代芯片建造一台新型超级计算机，该项目名为“蓝狮”（Blue Lion）超级计算机，将使用英伟达的“Vera Rubin”芯片，于2027年初向科学家开放。 24. 美光：美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 在接受专访时表示，该企业已向 PC 及数据中心等领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 停产通知，预计明年一季度后消费性、PC 及数据中心用 DDR4 将缩产或减产。 25. 美光：美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的1250 亿美元扩大至 2000 亿美元，包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。 26. 乐鑫：乐鑫信息科技宣布，ESP32-C61 现已全面进入量产。这款集成 2.4 GHz Wi-Fi 6 与 Bluetooth 5（LE）的 SoC，专为满足新一代智能设备对高速连接与低功耗的双重需求而设计。 27. TI：TI或将从6月15日起全球涨价，涉3300多个料号，ADC、运放等产品涨幅预估超100%，占总数的9%，隔离、LDO、DC-DC等涨幅或在20%左右。 28. Broadcom：全球首款102.4Tbps交换机芯片Tomahawk 6量产，超越当前市场带宽两倍。 29. NVIDIA：降规版AI芯片或为B30，将首度支持多GPU扩展。 30. 国科微：拟购中芯宁波股权，转为“数字芯片设计+特种工艺晶圆代工”模式。 | 应用端动态 31. 字节：在字节跳动火山引擎Force原动力大会上，中科蓝讯展示了与豆包大模型合作的AI玩具方案。双方基于对儿童智能硬件市场的洞察达成战略级合作，将豆包大模型的AI交互能力与中科蓝讯的WIFI IoT芯片AB6003G的连接性能进行了融合。此外，实丰文化在大会上展示了与火山引擎合作的AI魔法星方案。AI魔法星是一个与AI玩具搭配的智能对话终端，具有长记忆功能，支持连续对话。 32. 哪吒：哪吒汽车总部内部宣布，员工自6 月 12 日起居家办公，办公室门禁已经失效，员工搬离个人物品需由行政部门向属地相关部门和物业报备。此外，宣布上述消息的哪吒汽车内部人士还称，哪吒汽车董事长兼 CEO 已经前往桐乡。另一位在职的哪吒汽车员工证实了明日起员工将居家办公的消息。 33. 小鹏：小鹏汽车其自主研发的自动驾驶芯片性能优于英伟达的产品，并预计大众汽车及其他汽车竞争对手将成为其客户。 34. 小鹏：国家智能网联汽车创新中心助力小鹏汇天完成国内飞行汽车首次无线通信性能测试，这一突破为未来低空立体交通体系的通信安全奠定了基础。

半导体

芯查查资讯 . 2025-06-16 9 1 3630
工业电子 | 国内PLC厂商崛起，国产芯片有何潜力？

重点内容速览： 1. PLC市场概况：国产份额稳步提升 2. PLC的基本构成单元与核心芯片 3. 国产芯片的机会与挑战在现代工业自动化的浪潮中，可编程逻辑控制器（PLC）扮演着“大脑”的角色，它以高可靠性、灵活性，以及易于编程等特点，广泛应用于各种自动化设备和系统中。近年来，随着国内制造业的转型升级和政策支持，国产PLC厂商正迎来新的发展机遇，而作为PLC核心的芯片，国产替代的潜力也备受关注。 PLC市场概况：国产份额稳步提升根据国际电工委员会（IEC）的定义，PLC是一种数字运算操作的电子系统，是专为在工业环境应用而设计的。它采用可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字和模拟式输入、输出控制各种类型的机械或生产过程。一般来说，按照I/O点容量分类，PLC可以分为微型PLC（I/O点数为64点以下，内存容量为256B~1KB）、小型PLC（I/O点数为65~128点，内存容量为1~3.6KB）、中型PLC（I/O点数为129~1024点，内存容量为3.6~13KB）、大型PLC（I/O点数为1024点以上，内存容量为13KB以上）。也有一些超大型的PLC控制点数可达几万点、十几万点，甚至更高。一般来说，点数多的PLC，功能也相应较强。当然，这个划分标准并不十分严格，只是业界普遍这么来分类。图： 2021年至2027E年中国PLC整体市场规模及预测（数据来源：睿工业） QYResearch的调研显示，2024年全球工业可编程逻辑控制器（PLC）市场规模大约为164.8亿美元，预计2031年将达到213.4亿美元，2025-2031期间年复合增长率（CAGR）为3.7%另据睿工业发布的数据，2021年至2023年，中国PLC销售数据稳步上升。2024年PLC整体市场规模有所下降，小型PLC和中大型PLC均出现销量下滑，这主要是受下游行业需求萎缩，以及2022年和2023年积压库存的影响。尽管如此，我们观察到，PLC的国产化率在逐渐提升，小型PLC尤其明显。在国内整体PLC市场下滑的背景下，小型PLC市场中仍有一些厂商出现了逆势增长的态势，取得了销售额和市占率的双提升。比如信捷电气、汇川技术、台达和雷赛智能。其中，信捷电气在小型PLC市场份额占据国内第三、汇川技术第四、台达位列第五，雷赛智能作为驱动产品和PC-based产品市场的供应商，近年来才开始进军PLC市场，但其增速还不错。图：中国小型PLC市场不同系别厂商分布（左）与中国小型PLC市场竞争格局（右）（数据来源：睿工业）在中大型PLC市场，由于工艺复杂、用户对产品安全性和抗干扰性要求更高，外资品牌凭借领先的技术优势和完善的销售与服务网络，占据优势。在2024年，西门子、欧姆龙、三菱电机、AB等厂商是市场份额更高。其中前两家的合计市场份额就超过了51%。图：中国中大型PLC市场不同系别厂商分布（左）与中国中大型PLC市场竞争格局（右）（数据来源：睿工业）在中大型PLC市场，虽然国产厂商的市场份额提升相对缓慢，但已经处在扩展之中了。在电力、石油石化、钢铁冶金等关键领域，国产替代的需求极为迫切。以傲拓科技、宝信软件、和利时、中控技术等为代表的拥有中大型PLC的企业，凭借长期的技术积累和国产化替代的政策利好，已经在水利水电、船舶、冶金、轨道交通、石油石化等多个领域取得突破。另外，汇川技术的中型PLC近年来在光伏、锂电、手机等行业取得了突破；信捷电气依托在小型PLC市场优势向中型及大型PLC拓展，2024年已成功实现1000多万元的中型PLC销售额，并且计划今年下半年推出大型PLC产品。目前，对于中大型PLC市场，国产厂商在短期内难以像小型PLC那样实现快速突破，还需要经历一定的市场验证周期。 PLC的基本构成单元与核心芯片 PLC通常是由多个模块组成的模块化系统，比如控制单元（通常称为中央处理单元，或者CPU）、过个输入/输出模块、存储器、电源模块、通信接口，以及其他功能模块（扩展模块）等。这些基本构成单元的正常运行都离不开各种类型的芯片。图：PLC基本构成单元（来源：ST）控制单元（CPU）芯片：CPU作为PLC的核心，负责执行用户程序、处理输入信号、控制输出，以及进行各种运算和逻辑判断。CPU芯片的性能直接决定了PLC的处理能力和运行速度。常见的CPU芯片供应商包括Intel、AMD、TI、NXP、瑞萨、ST、ADI等国际半导体厂商，他们主要提供的工业级微处理器，以及近年来崭露头角的国产芯片厂商，例如华为海思、飞腾、龙芯等。比如，西门子S7-1200系列PLC就采用了SIEMENS CPU 1212C，这是一种32位微处理器，采用ARM Cortex-M3内核，主频为100MHz；西门子S7-200有采用TI生产的DSP芯片；三菱电机则有其自研的CPU模块，如FX5U系列和Q系列等。存储器：用于存储用户程序、数据、操作系统和工作数据等。主要包括ROM（只读存储器）用于存放系统程序、固件等；RAM（随机存取存储器）用于存放用户程序、数据、中间结果等，掉电会丢失；以及EEPROM或Flash存储器用于存储用户程序和数据，掉电不丢失，可重复擦写。存储器芯片的供应商众多，国际厂商如美光、三星、SK海力士、Microchip、英飞凌、ST等，国内厂商有长江存储、长鑫存储、华邦电子、兆易创新、江波龙等。输入/输出（I/O）接口模块：负责处理现场设备的输入信号（如传感器信号）和输出信号（如控制执行器）。需要的芯片包括数字量输入/输出芯片（比如按钮、限位开关、继电器等）、模拟量输入/输出芯片（ADC/DAC等）、光耦、接口驱动芯片等。主要芯片供应商包括英飞凌、TI、ST、ADI、东芝、瑞萨电子等是主要的工业级I/O芯片供应商。这些厂商提供各种数字隔离器、ADC/DAC、电源驱动IC等。例如，英飞凌提供内置保护和智能功能的数字输入/输出（I/O）模块组件。国内厂商包括圣邦微、思瑞浦、艾为电子、纳芯微、上海贝岭、荣湃半导体等。通信接口模块：用于PLC与上位机、HMI（人机界面）、其他PLC或现场设备进行数据交换和网络通信。包括多种工业通信协议，比如Ethernet/IP、Profinet、Modbus、CANopen等。需要的芯片包括以太网控制器/收发器芯片、串行通信接口芯片、现场总线控制器/收发器芯片等。主要的芯片供应商包括TI、英飞凌、瑞萨电子、ADI、Microchip、倍福等提供各种工业以太网和现场总线通信芯片。此外，国内半导体厂商近几年也出现了一些支持工业总线通信的产品，比如亚信电子、纳芯微、先楫半导体等都有相关产品。电源管理模块：负责为PLC各部分提供稳定可靠的电源。它通常将外部交流电源转换为PLC所需的低压直流电源，并具备过压、过流、短路保护等功能。需要的芯片包括DC-DC转换器、LDO、PWM控制器，以及MOSFET、IGBT等功率器件。主要的芯片供应商包括TI、英飞凌、ST、ADI、瑞萨电子、Microchip、安森美等是主要的电源管理芯片和功率器件供应商。国内厂商如矽力杰、圣邦微电子、南芯科技、杰华特、晶丰明源、英集芯等也在电源管理芯片领域崭露头角。国产芯片的机会与挑战近年来，国家对工业控制设备国产化高度重视，为国产芯片提供了有利的政策支持。比如工信部提出到2027年关键工业控制设备国产化率提升至40%的目标，这将直接刺激对国产PLC及其核心芯片的需求。在市场方面，电力、石油石化、军工等关键领域，对供应链安全的高度重视使得国产替代需求极为迫切。这为国产CPU、存储、I/O等芯片提供了进入市场的机会。再加上国内芯片设计和制造技术不断进步，国产芯片在性能、可靠性等方面与国际厂商产品的差距正在不断缩小，国产芯片在PLC等工业领域的应用潜力不小。当然，我们也要正视现状，比如之前有行业人士拆解国产的PLC产品内部采用的大都是国际半导体供应商提供的芯片产品，采用国产芯片的数量并不多。但我们相信随着国内芯片技术的不断成熟，高性能的国产CPU、存储器、IO控制芯片等逐渐能够满足PLC的应用需求，特别是小型PLC领域，国产芯片的优势正不断凸显。加上政策推动和国产替代的紧迫性将加速国产芯片中PLC中的应用。在对安全性要求高的关键基础设施领域，国产芯片将获得优先采用的机会。结语总之，国内PLC厂商的崛起为国产芯片提供了重要的应用场景。通过持续的技术创新、加强产业链合作以及抓住政策和市场机遇，国产芯片有望在PLC领域取得突破，为中国工业自动化实现更高水平的自主可控贡献力量。未来的工业电子，国产芯片将扮演越来越重要的角色。

原创

芯查查资讯 . 2025-06-16 2 5 5730
有奖直播 | FOC/BLDC电机驱动板硬件设计

在电动工具无声转动中，无人机精准的悬停里，甚至家里空调出风口轻柔摆动背后，都藏着一套精密的电机驱动系统。随着无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）在消费电子、工业自动化等领域的爆发式应用，高效可靠的电机驱动设计正成为硬件工程师的"必修课"。然而，从电源选型的稳定性到MOS驱动的动态响应，从采样电路的精度到HALL信号的抗干扰处理，每个环节都藏着让电路板"翻车"的陷阱。从一线工程师的真实案例出发，手把手拆解FOC/BLDC电机驱动板的硬件设计全链路——无论是正在选型纠结的电源拓扑，还是让工程师挠头的采样噪声问题，你都能在这里找到答案！ 6月19日14:30，芯查查直播间邀请朱老师物联网大讲堂讲师樊心昊，和大家分享有关FOC/BLDC电机驱动板的硬件设计实战干货。直播嘉宾樊心昊，电机驱动研发经理，研发经验5年+，曾主导超15个新能源、工业控制、物联网等领域项目。直播内容电机驱动板整体概述电源部分选型与设计 MCU选型与外围电路设计 MOS驱动选型与外围设计采样电路设计 HALL传感器接口电路设计点击此处即可进入直播间有机会赢取芯查查精美周边文创等丰厚礼品，快来参与吧！ 6月19日14:30，相约芯查查直播间电机驱动设计专场还有多款互动礼物，快来参与吧~

BLDC

芯查查资讯 . 2025-06-16 1 1435
纳祥科技案例：基于单片机与重力感应的电子沙漏计时器方案

传统沙漏作为计时工具，虽具备仪式感，但存在功能单一、无法实时调整具体定时等局限性。应客户需求，纳祥科技推出了结合LED显示、重力感应、低功耗等技术的电子沙漏计时器方案，实现传统沙漏的美学与现代电子设备的实用性统一。（一）方案概述本方案集计时、照明、装饰于一体，融合重力感应，采用三轴加速度计自动识别翻转动作，触发沙漏计时；通过8×8 LED点阵动态模拟沙粒流动效果，流速随时间加速，还原真实沙漏视觉体验。方案集成了主控MCU、重力感应模块、LED驱动、电源管理、PWM调光等关键组件，支持无限计时模式与30分钟内计时模式，兼具节能与实用性。（二）方案原理本方案通过硬件与软件协同设计，实现智能化计时与动态显示功能。（1）硬件设计 ① 主控系统：低功耗MCU，处理传感器数据、LED驱动、触控响应 ② 重力感应模块：加速度计检测沙漏翻转动作，触发计时逻辑 ③ LED驱动模块：64颗LED组成8×8点阵，动态扫描模拟沙流 ④ 电源管理模块：锂电池+充电IC，支持Type-C口，充插两用 ⑤ 交互模块：按钮开机、调节计时与亮度（2）软件逻辑与算法 ① 翻转检测：识别沙漏倾斜角度并启动计时，倾斜角度＜45°停止计时 ② 亮度调节：按钮切换PWM占空比，共15档亮度调节（三）方案演示我们将以方案的2种计时模式，为大家展示本方案（1）无限计时模式 ① 按model键至屏幕显示∞，再按一次 ② 沙漏计时结束后，将自动重新计时（2）30分钟内计时模式 ① 按击model、＋、﹣进入时间设置；选定时间后再按model键，开始计时 ② 计时结束后，倒置沙漏可重复计时（四）方案总结本方案通过模块化设计（硬件+软件+算法）实现传统沙漏的智能化升级，兼具实用性、美观性和低成本潜力，可以替代传统沙漏、小夜灯、计时器，适用于柔光伴睡、起夜照明、会议计时、时间管理、停电应急等多种场景中。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-06-16 1 1335
方案 | 全球成像雷达商用加速，什么样的方案才是趋势之选？

根据Yole Intelligence的预测，到2029年，全球约40%上路的汽车将配备L2+/ L3自动驾驶功能，届时L4汽车数量也将增加。伴随着ADAS和自动驾驶市场持续的增长，新一代成像雷达在乘用车领域的部署和量产会持续加速。在日前举办的“第七届汽车毫米波雷达前瞻技术展示交流会 (EAC 2025)”上，恩智浦半导体雷达系统产品线ADAS市场总监顾环宇先生受邀发表了题为《成像雷达全球推广加速，可扩展性和效率成为关键推动因素》的主题演讲，概述了ADAS和自动驾驶市场发展趋势，分析了新趋势下成像雷达的技术升级之路，以及如何应对挑战开发新一代成像雷达解决方案。顾环宇先生在演讲中表示，在过去的一年中，成像雷达商用取得了许多令人鼓舞的进展，比如第一款入门级成像雷达已在中国知名的电动汽车制造商车型上投入批量生产。随着更多车企的效仿和跟进，未来3-5年成像雷达会在L2+及更高级别的车型中实现更广泛地应用。多样化的市场需求，将推动成像雷达市场的持续成长，而在竞争中，更高效和更具可扩展性的解决方案，将成为至关重要的制胜因素。为了响应这一市场需求，恩智浦新近推出了第三代成像雷达解决方案——S32R47成像雷达处理器，其性能比前代产品提升高达两倍，同时改进了系统成本和能效，可满足L2+至L4级自动驾驶要求，提供更高分辨率的感知能力，支持高级应用场景，满足未来软件定义汽车（SDV）规模化发展的需求。在EAC 2025的圆桌讨论环节，顾环宇先生还深入探讨了与成像雷达技术和应用发展相关的前瞻性议题，比如：重新定义毫米波雷达在下一代自动驾驶中的作用、4D成像雷达成本效益的协同策略、汽车雷达行业如何应对竞争激烈中的盈利能力挑战，以及如何以更低的成本构建更安全的自动驾驶汽车等。

毫米波雷达

恩智浦 . 2025-06-13 3 1 2345
市场 | 2025年全球智能手机制造预计小幅下滑，印度制造有望逆势增长

根据Counterpoint Research最新的《全球智能手机制造分布追踪报告》，受关税影响及行业整体发展放缓的冲击，2025年全球智能手机制造产量预计将同比下降1%，相较于2024年产量4%的同比增长，不难看出市场情况不容乐观。2024年，中国、印度和越南共持有全球智能手机总产量的90%以上，其中印度增速最快。但是各国制造产量在2025年预计呈现分化态势。图：全球智能手机制造总产量各地区同比占比（数据来源：Counterpoint Research《全球智能手机制造分布追踪报告》） 2025年中国将切实感受到关税冲击，预计导致产量下降和国内市场疲软。Counterpoint Research资深分析师Ivan Lam表示：“后疫情时代全球智能手机制造转移持续加速，但关税影响了全产业链，从上游零部件供应商到下游进口分销商，从品牌方到制造代工厂无不受到波及。手机品牌厂商别无选择，只能逐步撤出中国，将更多产能与产量向其他国家转移。这一措施的主要受益者是具备显著增长潜力的印度，以及在地理位置上更接近中国、且拥有成熟的消费电子合约制造及出口体系的越南。” 印度预计成为最大受益者，2025年制造产量预计实现两位数百分比增长，达到全球总产量的20%，创下新高。这主要得益于Apple和Samsung持续的生产和出口需求。与此同时，越南作为全球制造与出口枢纽，在Samsung和Motorola增加生产的情况下，产量预计也能实现稳健增长。 Counterpoint Research资深分析师Prachir Singh指出：“随着全球传统电子制造服务（EMS）巨头持续投资印度，加之本土EMS企业积极参与，印度本土制造能力经过近十年的发展已经显著提升，完全能够满足要求更高的生产需求。同时，印度整体制造业生态体系持续扩张，本土制造在良率与工艺复杂度方面均稳步提升。为加速零部件生态建设，政府近期推出的电子元件制造计划（ECMS）也在激励企业在印投资设厂。”与此同时，其他地区的制造占比相对较低，受限于本地市场的需求和投资规模，短期内预计仍将维持小幅下滑趋势。根据当前全球形势判断，印度将成为长期赢家。Counterpoint Research副总裁Neil Shah指出：“如果Apple真在美国生产iPhone，考虑到各项要素尚未齐备，可以预测售价至少上涨15%-20%，也就是150-200美元。我们认为成本激增主要源于劳动力成本的差异、工厂分期摊销资本支出以及物流费用的增加。” 供应链迁移绝非一朝一夕就能完成，需要投入大量人力、资金与时间。中国、印度、越南等国家历经数十年积累，才有了如今的产业能力与产能规模。

智能手机

Counterpoint Research . 2025-06-13 1 1 3290
技术 | SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以cascode 配置结合在一起，构造出一个常关开关模式“FET”，这种结构保留了大部分SiC JFET的优点。 Cascode结构共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode 结构具有常见的常关特性。该结构可在额定漏源电压范围内阻断电流，但如同任何MOSFET（无论是硅基还是碳化硅基器件）一样，其反向电流始终可以流通。图 1 Cascode配置当内部MOSFET导通或有反向电流流过时，不论cascode的栅极电压如何，JFET的栅极-源极电压几乎为零，JFET处于导通状态。当MOSFET关断且cascode两端存在正的VDS（漏源电压）时，MOSFET的VDS会增加，与此同时JFET的栅源电压会降低至低于JFET的阈值电压，从而关断 JFET。请参见图1。图 2 分立cascode结构分立cascode 结构采用并排芯片，如图 2（a）所示，或堆叠芯片，如图 2（b）所示。在这两种情况下，SiC JFET 通常都是银烧结在封装引线框架上。在并排配置中，MOSFET 安装在一个金属镀层的陶瓷隔离器上，有两组源极连接线：一组连接 JFET 源极和 MOSFET 漏极（金属镀层陶瓷的顶面），另一组连接 MOSFET 源极和源极引脚。在堆叠芯片配置中，JFET 源极和 MOSFET 漏极之间的连接线被取消，从而减少了杂散电感。并采用直径较小的连接线连接 JFET 和 MOSFET 栅极。该MOSFET专为cascode结构设计，其有源区雪崩电压设定约为25V。MOSFET基于30V 硅工艺制造，具有低导通电阻RDS(on)，通常仅为JFET的10%，并且具有低反向恢复电荷QRR等特性。JFET用于阻断高电压。大部分的开关和导通损耗都集中在JFET上。图 3 Cascode正向和反向电流操作 Cascode的导通电阻RDS(on)包括 SiC JFET 和低压Si MOSFET 的导通电阻。cascode栅极关断时，反向电流流经 MOSFET 体二极管，从而自动导通 JFET，如图 3（b）所示的非同步反向电流情况。在这种情况下，源极-漏极电压为 MOSFET 体二极管压降加上 JFET 导通电阻的压降。由于cascode内的 MOSFET 由硅制成，因此栅极关断时的源极-漏极电压不到同类 SiC MOSFET 的一半。当栅极导通时，cascode结构在正向和反向电流下具有相同的导通损耗。 Cascode的栅极电压范围非常灵活，原因有二。首先，栅极是 MOSFET 栅极，在室温下阈值电压接近 5 V，无需负栅极电压。栅极电压范围为±20 V，且不存在阈值电压漂移或迟滞风险，同时内置了栅极保护齐纳二极管。其次，cascode具有高增益。图 4 显示了采用 TOLL (MO-229) 封装的 750 V、5.4 mΩ第 4 代堆叠芯片结构的cascode—— UJ4SC075005L8S 在 25 °C的输出特性曲线。图 4 Cascode的高增益可实现 10 V 栅极驱动请注意，当cascode栅源电压超过约 8 V 时，其电导率的变化非常小。一旦MOSFET导通，JFET即完全导通。这意味着cascode可以用 0 至 10 V 的自举电压来驱动，从而最大限度地降低栅极驱动器的功率和成本。另一方面，更宽的栅极电压范围（如 -5 至 +18 V）也不会对器件造成损害。图 5 Cascode电容图 5(a) 显示了 MOSFET 和 JFET 的芯片电容变化曲线。请注意，图 5(b) 中的 JFET 栅极电阻 RJG 并不是一个单独的电阻，而是 JFET 芯片的一部分。cascode与其他功率晶体管的一个主要区别是没有栅漏电容。当漏源电压VDS超过JFET阈值电压后，Crss实际上会降至零。这是因为 JFET 没有漏极-源极电容（既没有 PN 结，也没有体二极管来产生这种电容）。这意味着在开关电压转换过程中，cascode的 dVDS/dt 主要由外部电路而不是cascode栅极电阻决定。Cascode的 MOSFET 开关速度可通过其栅极电阻调节，而 JFET 的开关速度部分由 MOSFET 决定，部分则由外部电路决定。这解释了为何在硬开关情况下，cascode结构需借助漏源缓冲电路（snubber）来控制关断速度并抑制电压过冲，下文将对此进行说明。所有 JFET 输出电容（包括栅漏电容与漏源电容）都是栅漏电容。cascode输出电容 Coss约等于 JFET 栅极-漏极电容。cascode输入电容 Ciss主要来自cascode的 MOSFET 栅极-源极电容。

碳化硅

安森美 . 2025-06-13 1 1 1655
方案 | 矽力杰150V光伏功率优化器方案SQ37509

在光伏系统中，组串式逆变器加功率优化器的方案作为MLPE技术路线的主流方案之一占据了MLPE市场大量份额。功率优化器的作用是将太阳能输出电压进行调节，使整个光伏系统始终工作在最高效率下以提高太阳能电池板的输出功率，从而提升系统的电力输出。一、矽力杰光伏功率优化器矽力杰SQ37509作为一款面向功率优化器应用的高度集成化解决方案，内置了带电荷泵的半桥控制器，可实现0~100%占空比导通。SQ37509可以提供3.3V和12V两路电源供系统使用，可为MCU和驱动辅助电源供电。另外，SQ37509具有输出快速放电功能，能够满足组件级快速关断安规需求，其供电输入电压高达7.5V~150V，最高可接入2块光伏串联组件，极大程度节约成本，提高光伏优化器工作效率。 SQ37509主要特性如下： ◆ 输入电压范围：7.5~150V ◆ 双路Buck转换器 ♢ Buck1: 12V/200mA输出，工作频率350kHz ~ 650kHz可调 ♢ Buck2: 3.3V/400mA输出，工作频率1MHz ♢ 内部软启动限制过冲电流 ♢ 完善的保护功能 ◆ 半桥MOS控制器 ♢ Source/Sink电流能力: 3A/3A ♢ 兼容CMOS/TTL 输入 ♢ 上升/下降时间: 5.7ns/4ns ,1000pF ♢ 传播延时≤50ns ♢ 延时匹配: 5ns ♢ 带电荷泵，支持0~100%导通 ◆ 输出快速放电FETG MOS，满足组件级快速关断功能 ◆ 封装: QFN5x5-24 ◆ 工作温度: –40°C~ 125°C 二、SQ37509典型应用功率优化器通过实时追踪单个光伏组件的最大功率点（MPPT）动态调节输出电压电流，解决因阴影遮挡组件差异或者老化导致的系统效率下降问题，如下图：功率优化器通过实时追踪单个光伏组件的最大功率点（MPPT）动态调节输出电压电流，解决因阴影遮挡组件差异或者老化导致的系统效率下降问题，如下图：高度集成化：大大降低设计难度，更高的功率密度。宽输入电压范围：SQ37509供电输入电压高达7.5V~150V，最高可接入2块光伏串联组件，大大节约成本。内置电荷泵的半桥驱动：SQ37509支持0~100%导通，MPPT功率控制。

功率优化器

矽力杰 . 2025-06-13 1 1 2015
从时钟精度看晶振频率稳定度的重要性

在当今数字化的时代，电子设备无处不在，从我们日常使用的智能手机、电脑，到工业生产中的自动化控制系统，再到航空航天领域的精密仪器，这些设备的正常运行都离不开一个关键的组件——晶振。晶振，全称为晶体振荡器，它就如同电子设备的“心脏起搏器”，为设备提供稳定的时钟信号，而晶振的频率稳定度则是决定时钟精度的核心因素，对电子设备的性能和可靠性起着至关重要的作用。晶振频率稳定度与时钟精度的关系晶振通过在晶体内部产生共振来输出特定频率的电信号，这个频率理论上应该是固定不变的，即标称频率。然而，在实际应用中，由于受到多种因素的影响，晶振的实际输出频率会与标称频率存在一定的偏差，这种偏差的变化程度就是晶振的频率稳定度。例如，常见的晶振精度指标有20ppm、30ppm、50ppm、100ppm等，ppm（partspermillion）即百万分之一，20ppm意味着晶振的频率偏差在每一百万次振荡中最多为20次，ppm值越小，晶振的频率稳定度越高，时钟精度也就越高。时钟精度是指电子设备计时的准确程度，它直接取决于晶振提供的时钟信号的准确性。以数字时钟为例，如果晶振的频率稳定度较差，随着时间的推移，时钟显示的时间就会逐渐偏离实际时间，出现走时不准的现象。在更复杂的电子系统中，时钟精度的微小偏差可能会引发一系列严重的问题，因为整个系统的各个部件都是按照晶振提供的时钟信号来同步工作的。晶振频率稳定度对不同领域电子设备的影响通信领域在通信设备中，无论是无线通信还是有线通信，对晶振频率稳定度的要求都极为苛刻。在移动通信系统中，基站与手机之间需要通过精确的频率同步来实现高质量、稳定的通信。如果晶振的频率稳定度不佳，频率精度出现偏差，就可能导致信号失真，误码率大幅增加，甚至会使通信链路中断。想象一下，在通话过程中，如果因为晶振问题导致声音断断续续、模糊不清，或者数据传输时频繁出现丢包现象，这将极大地影响用户体验。在卫星通信领域，晶振频率稳定度的重要性更是不言而喻。卫星与地面站之间的距离极其遥远，信号在传输过程中本身就会面临各种损耗和干扰，此时微小的频率偏差经过长距离传输后会被放大，可能导致地面站无法正确接收卫星信号，进而影响卫星通信的可靠性和稳定性。在光纤通信中，为了实现高速率、大容量的数据传输，需要高精度的晶振来提供稳定的时钟信号，以确保数据能够准确无误地在光纤中传输。电子测量仪器电子测量仪器如示波器、频谱分析仪、频率计等，都依赖高精度的晶振作为频率标准。以示波器为例，晶振提供的时钟信号用于控制采样率和显示精度。若晶振频率不稳定，示波器在采集和显示信号时就会出现波形失真、抖动等问题，无法准确反映被测信号的真实特征，这对于需要精确分析信号的工程师和科研人员来说，无疑会严重影响对电子设备性能的准确评估。在频率计中，晶振的精度更是直接决定了测量频率的准确性，对于一些需要进行高精度频率测量的应用场景，如通信频率校准、科研实验等，必须使用稳定度极高的晶振，否则测量结果将毫无意义。计算机与数字电路在计算机和数字电路系统中，晶振提供的时钟信号就像是指挥家手中的指挥棒，协调着各个部件有条不紊地工作。如果晶振频率精度不高，可能会导致计算机系统运行不稳定，出现死机、数据丢失等严重问题。在现代高速数字电路中，如高速处理器、内存控制器等，对时钟信号的频率精度和稳定度要求更为严格。因为在高速数据传输和处理过程中，微小的频率偏差都可能导致数据传输错误，使系统性能大幅下降。例如，在计算机内存读写操作时，如果时钟信号不准确，可能会导致数据读写错误，进而影响整个计算机系统的运行效率和可靠性。在一些需要精确时间同步的应用中，如网络时间协议（NTP）服务器，晶振的稳定度直接影响到时间同步的精度，确保网络中各个设备的时间一致性对于许多分布式系统的正常运行至关重要。导航与定位系统在GPS、北斗等导航系统中，晶振的频率稳定度直接决定了位置计算的准确性。导航系统通过测量卫星信号的传播时间来确定用户的位置，而这个时间测量的精度依赖于晶振提供的精确时钟信号。任何晶振频率的偏差都可能导致测量的传播时间出现误差，进而使定位结果产生偏差，影响导航的可靠性。对于飞机、船舶等交通工具的导航系统而言，高精度的晶振是确保飞行安全和航行准确的关键因素。如果晶振频率不稳定，可能会使飞机偏离预定航线，船舶迷失方向，带来严重的安全隐患。消费电子产品即使在看似对精度要求相对较低的消费电子产品中，晶振的频率稳定度也对产品性能有着显著影响。以智能手机为例，晶振提供的时钟信号用于控制处理器、通信模块、显示屏等多个关键部件的工作。如果晶振频率不稳定，可能会导致手机出现卡顿、死机、信号不稳定等问题，严重影响用户的使用体验。在数字音频设备中，高精度的晶振可以提供更纯净的音频信号，有效提升音质，让用户能够享受到更优质的音乐体验。在数码相机和摄像机中，晶振的稳定度对于图像的采集和处理也起着重要作用，能够保证拍摄出的照片和视频更加清晰、稳定。影响晶振频率稳定度的因素及应对措施温度因素温度是影响晶振频率稳定度的最主要因素之一。晶体材料的物理特性会随温度变化而发生改变，从而导致晶振的输出频率发生漂移。为了应对温度对晶振频率的影响，常采用温度补偿技术。一种常见的方式是使用温度补偿晶体振荡器（TCXO），它通过内置的温度传感器实时监测环境温度，并根据温度变化调整晶振电路中的电容或电感，从而补偿温度引起的频率漂移。在一些对温度稳定性要求极高的应用场景中，还会采用恒温槽控制技术，将晶振放置在恒温槽内，通过精确控制恒温槽的温度，使晶振工作在一个相对稳定的温度环境中，最大限度地减小温度对频率稳定度的影响。老化因素晶振在长期使用过程中，由于晶体材料的老化、电极损耗等原因，其频率也会逐渐发生变化。为了降低老化对晶振频率稳定度的影响，在晶振生产过程中，可以采用高质量的晶体材料和先进的制造工艺，减少晶体内部的缺陷和杂质，从而降低老化速率。此外，在实际应用中，可以定期对晶振进行校准，通过与高精度的频率标准进行比对，及时调整晶振的输出频率，确保其在长时间使用过程中的频率稳定性。电源噪声与电磁干扰电源噪声和周围环境中的电磁干扰也可能影响晶振的频率稳定度。电源电压的波动、纹波等噪声会耦合到晶振电路中，导致晶振输出频率出现抖动。为了减少电源噪声的影响，可以采用高性能的电源滤波电路，对输入晶振的电源进行净化处理，去除电源中的杂波和干扰信号。同时，在电路设计中，要合理布局晶振及相关电路，采用屏蔽措施，减少外部电磁干扰对晶振的影响。例如，将晶振放置在金属屏蔽罩内，或者在电路板上设置专门的接地层和屏蔽层，以提高晶振的抗干扰能力。晶振作为电子设备中不可或缺的关键部件，其频率稳定度直接决定了时钟精度，进而对电子设备在各个领域的性能和可靠性产生深远影响。从通信、电子测量到计算机、导航以及消费电子等众多领域，高精度、高稳定度的晶振都是保障设备正常运行、实现精确功能的基础。随着科技的不断进步，电子设备对时钟精度的要求越来越高，这也促使晶振技术不断创新和发展。通过采用先进的制造工艺、温度补偿技术、抗干扰措施等手段，不断提高晶振的频率稳定度，满足日益增长的市场需求，为推动电子信息技术的发展提供坚实的支撑。在未来的电子设备设计和应用中，深入理解晶振频率稳定度的重要性，并合理选择和应用晶振，将成为确保设备性能优势的关键环节。

晶振

晶发电子 . 2025-06-13 1595
纳祥科技双N沟道MOSFET NX7010，兼容替代AP20H03DF用于智能小家电

纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极；当栅极电压小于截止电压时，两个MOS管都处于截止状态，电路中的电流几乎为零。在性能上，NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF 。 ▲NX7010芯片主图（一）NX7010主要特性 NX7010主要具备以下特性： ● 30V，20A ● RDS (ON) =11.5mΩ(Typ.)@VGS=10V ● RDS (ON) =16.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5V ▲NX7010功能框图（二）NX7010芯片亮点 NX7010采用小型化封装，结合其优良性能，成为许多高性能电子设备的理想选择。 ① 小型化封装 NX7010采用PDFN3*3封装，具备良好的接地性能，底部金属片设计利于散热，整体尺寸小巧，重量轻，有助于节省PCB设计空间。 ② 电源效率高在栅极电压为 10V 时，NX7010的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 11.5 mΩ ，能减少功率损耗和发热，提高电路效率。 ▲NX7010管脚配置（三）NX7010应用领域因其低功耗、高可靠性和快速开关速度的特点，NX7010被广泛应用于以下这些应用中—— ● 电源开关‌ ● 信号放大器‌ ● 振荡器‌ ● 电动工具、液晶电视、电动自行车、安防、电机‌ ● 智能小家电、电源产品、开关电源、LED调光和驱动产品、音频放大器、继电器驱动‌ ▲NX7010应用示例图

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-06-13 1255
MDDG03R01G低导通MOS 跨越新领域，提升同步整流、DC-DC转换效率

在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。一、技术突破：PowerTrench工艺与屏蔽栅设计 MDDG03R01G在栅源电压 VGS = 10V、漏极电流 ID = 50A 的条件下，其最大导通电阻 RDS (on) 仅为 1.0mΩ。如此低的导通电阻，能够有效降低器件在工作过程中的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该产品具备极低的反向恢复电荷 Qrr，这一特性对于提高开关频率、降低开关损耗至关重要，有助于实现更高效的电源转换和更快速的信号处理。同时，MDDG03R01G 通过了 100% UIS 测试，确保了产品的一致性和可靠性，并且完全符合 RoHS 标准，满足环保要求。二、核心性能与关键参数 1. 导通与动态特性低压驱动兼容性：在VGS=4.5V, ID=30A时最大导通电阻仍保持1.6mΩ水准，适配低压控制电路。低栅极电荷（Qg=61nC）：减少开关损耗，支持高频应用（如400kHz LLC拓扑）。快速开关响应：开启延迟（td(on)）仅10ns。关断延迟（td(off)）71ns 超强电流承载：300A持续电流（Tc=25℃），1200A脉冲电流，满足严苛负载需求。 2、工业级可靠性 100% UIS测试：单脉冲雪崩能量EAS达到430.5mJ(VDD=24V, L=0.5mH, IAS=41.5A)时，保障感性负载安全性。宽温工作范围：-55℃~150℃，适应极端环境。三、应用场景深度适配 1. 专为ATX/服务器/电信电源的同步整流而生 0.75mΩ RDS(on)：其低导通电阻和高开关性能能够显著提升电源的转换效率，降低发热，延长设备的使用寿命低Qrr特性：优化LLC谐振拓扑效率，满载效率提升1.5% 2. 工业电机驱动与UPS 300A持续电流：支持伺服电机、AGV小车瞬间启停，耐受1200A脉冲冲击。软恢复体二极管：反向恢复时间（trr）82ns，降低EMI干扰。 3.高功率DC-DC转换器高频开关能力：开启延迟10ns，关断延迟71ns，适配Buck/Boost拓扑。实现高效的电压转换，满足不同负载对电源的需求。 PDFN5×6-8L封装：底部散热焊盘设计，通过大面积铜箔降低热阻。四、选型推荐除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。

MDD辰达半导体 . 2025-06-13 1340
开关器件应用辨析：可控硅能否替代MOS管？

引言在电力电子系统中，可控硅（晶闸管）与MOS管（场效应管）均属于关键开关器件。针对工程师常提出的"是否可用可控硅直接替换MOS管"这一问题，答案是否定的。虽然二者均具备电流通断能力，但其工作原理、性能参数及应用领域存在显著区别。本文基于合科泰电子（Hottech）的技术文档与产品特性，从运行机制、性能对比、典型应用三个层面进行系统性分析，明确选型逻辑。一、结构与控制机制的本质区别 1.可控硅（晶闸管）特性触发机制：电流控制型器件，需门极注入电流触发（典型值50mA脉冲）。一旦导通，无法通过门极直接关断，必须依赖外部电路强制截断电流回路。《功率管发展史》指出，晶闸管"不具备自主关断能力"，适用于低频、非频繁开关场景（如工频整流电路）。 2.MOS管特性触发机制：电压控制型器件，仅需栅极施加电压（310V）即可实现微秒级导通/关断，支持MHz级高频PWM调制。合科泰《MOSFET产品介绍》强调，其"电压驱动特性"使其成为高频开关电源与电机驱动的理想选择。二、典型场景适配性分析 1.MOS管不可替代场景高频开关电源：如30W快充初级侧采用合科泰HKTD7N65（650V/7A）进行100kHzPWM开关，替换可控硅将导致效率骤降。同步整流：次级侧需使用HKTG48N10（100V/79A）等MOS管实现<50ns快速关断，可控硅无法满足时序要求。电机PWM调速：电动工具中HKTD80N03支持50kHz调制，可控硅因关断延迟会引发转矩波动。 2.可控硅优势场景交流调压：如合科泰ABS210整流桥在电动工具调速电路中的应用。静态大电流通断：电烤箱温控等非频繁切换的工频场景。三、拓扑结构中的角色差异 1.反激式开关电源拓扑（MOS管方案） AC输入→整流桥→高频变压器→MOS管（HKTD7N65）→PWM控制器→输出优势：高频开关缩减变压器体积，效率＞90%。 2.可控硅调压拓扑 AC输入→可控硅（HKTT8系列）→触发电路→负载局限：仅通过导通角调节电压，无法实现高频斩波。结语：基于设计本质的器件选择可控硅与MOS管如同"钳工扳手与精密螺丝刀"，功能定位各异，不可简单互换。在高频应用如新能源、快充、电动工具等领域，MOS管仍占据主导地位；而可控硅在传统工控领域持续发挥独特价值。合科泰电子提供高可靠性低中高压功率器件，助力工程师精准匹配需求。

MOS管

厂商投稿 . 2025-06-13 1 1615
方案 | Molex莫仕推出“即插即用型”VersaBeam EBO互连解决方案，助力超大规模数据中心的发展

Molex莫仕推出VersaBeam扩展光束光纤(EBO)互连解决方案，该方案是一个专为超大规模数据中心、云和边缘计算环境优化的创新型高密度光纤连接器系列。这一产品组合利用3M™ EBO套管扩展连接器之间的梁，旨在降低对灰尘和碎屑的敏感度，并可能减少频繁清洁、检查和维护的需要。创新的VersaBeam EBO技术，可提高可靠性，降低清洁、检查和维护需求。有助于提升部署效率，简化安装流程。 Molex莫仕光连接业务总经理Trevor Smith表示：最好的设计往往是最简单的，Molex莫仕VersaBeam EBO连接器便是如此，客户只需轻按一下就能实现可靠连接。安装这些连接器无需特殊技能，这让企业能迅速获得灵活可扩展的光纤连接所带来的性能和成本优势。面向未来数据中心的下一代连接器为顺应AI发展日益增长的容量需求，数据中心提供商必须不断升级带宽，同时尽量减少基础设施变更。Molex莫仕的VersaBeam EBO技术非常契合机架内及服务器连接，将更多光纤集成到超小型外形尺寸(VSFF)中，以提升机架单元利用率并降低空间占用。 3M电子材料解决方案部全球产品组合总监Kevin Twomey说道，扩展光束光纤连接器是高速、灵活的数据中心基础设施的未来。我们很高兴能与 Molex莫仕携手，变革数据中心的多光纤连接方式。与传统连接器相比，这项技术具有颠覆性突破，显著降低了污染风险，同时提升了部署速度和性能。 Molex莫仕的VersaBeam EBO连接器提供高光纤密度而不受弹簧力限制，可实现最佳对准与即插即用装配。单模和多模选件，含12芯、16芯连接器及容纳多达144 根光纤的高密度连接器，有助于在空间有限的环境中实现更灵活的系统设计、更简易的电缆布线，以及加快数据中心启动。更快、更简易的部署可降低TCO VersaBeam EBO 连接器部署与维护简便，相关人员无需掌握专业知识或耗费大量精力，这缓解了当前对高技能数据中心技术人员短缺的担忧。同时，端接时间缩短，组件数量减少，节省了运营成本，降低了供应链复杂性，缩短了系统开通时间，从而降低了 TCO。 Ciena 公司高级光网络研发总监Dave Boertjes表示： Molex莫仕的VersaBeam EBO极具价值，它解决了我们数据中心基础设施的连接难题，且以低功率密度简化了每个连接的清洁与检查工作。通过使用VersaBeam EBO，我们的检查清理时间缩短了6倍，这对加快设备部署速度和跟上当前形势至关重要。在3M与超大型数据中心客户开展的EBO连接器现场测试中，与传统MPO连接器的部署相比，实现了类似的时间节省。3M测试清洁与检查环节共节省85%的时间，总计缩短了超过6小时的部署时间。

Molex

Molex莫仕连接器 . 2025-06-12 1 2320
技术 | PCIe 7.0发布：原始比特率飙升至128.0 GT/s，传输带宽达512GB/s

美国PCI-SIG组织正式揭晓了PCIe 7.0规范的诞生，这一消息标志着自PCIe 6.0发布三年多后的又一次重大技术革新。具体而言，PCIe 7.0的原始比特率飙升至128.0 GT/s，而在常规的×16通道配置下，其双向传输速度竟达到了的512GB/s。这一速度意味着，即便是PCIe 7.0在×4的配置下，其带宽也与PCIe 5.0在×16的配置相当，展示了前所未有的性能提升。与PCIe 6.0相同，PCIe 7.0也采用了PAM4信令模式，进一步提升了信号传输的效率和稳定性。PCI-SIG强调，尽管性能大幅提升，但PCIe 7.0依然保持着与前几代技术的兼容性，确保了技术的平稳过渡和广泛应用。值得注意的是，PCIe 7.0的推出并非终点，PCI-SIG已经启动了PCIe 8.0规范的探索工作，预示着未来还将有更多的技术突破等待揭晓。 PCI-SIG总裁兼主席Al Yanes对此表示：“二十多年来，PCIe技术一直是高带宽、低延迟IO互连的首选。我们非常自豪地宣布PCIe 7.0规范的发布，这不仅延续了我们每三年将IO带宽翻一番的传统，更是对未来技术发展的坚定承诺。” 随着人工智能应用的迅速扩张，数据密集型市场对带宽的需求日益迫切。PCIe 7.0技术的推出，将有力支撑超大规模数据中心、高性能计算（HPC）、汽车以及军事/航空航天等领域的快速发展，为这些行业提供更加坚实的技术基础。

PCIe 7.0

芯查查资讯 . 2025-06-12 11 1 6620
方案 | 汽车域控方案指南：从设计到落地，难点全破解

向软件定义汽车 (SDV) 的转型促使汽车制造商不断创新，在区域控制器中集成受保护的半导体开关。电子保险丝和 SmartFET 可为负载、传感器和执行器提供保护，从而提高功能安全性，更好地应对功能故障情况。不同于传统的域架构，区域控制架构采用集中控制和计算的方式，将分散在各个 ECU 上的软件统一交由强大的中央计算机处理，从而为下游的电子控制和配电提供了更高的灵活性。本系统方案指南 (SSG) 探讨了车辆区域控制架构的最新趋势和技术。第一篇介绍了区域控制架构的市场趋势，第二篇介绍了系统架构和方案，本文将介绍区域控制器 (ZCU)框图、NCV7410 10BASE-T1S 以太网收发器等。方案概述区域控制器 (ZCU) – 框图区域控制器 (ZCU) 是车辆区域控制架构中的基本元素，负责管理指定区域内的配电。 ZCU 从 PDU 接收电力，并将电力智能分配给所负责区域内的各种电气系统、负载和传感器。传统的 ECU 仍可通过 CAN、 LIN 等传统总线，保持与 ZCU 的连接。这种分布式方法大大降低了车辆线束的复杂性和重量。 ZCU 能够集成多个关键组件，如 SmartFET、电子保险丝和分立 MOSFET。 ZCU 还支持高速通信网络，可利用 NCV7410 和T30HM1TS2500 等 10BASE-T1S 以太网收发器。通过这些收发器， ZCU 可与中央计算机或其他车辆系统进行高效数据通信。目前有多种方案可供选择，能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。下面的框图简要展示了 ZCU 的组成结构。 NCV7410 10BASE-T1S 以太网收发器 – 产品简介 NCV7410 是一款符合 IEEE 802.3cg 规定且遵循 10BASE-T1S 标准的以太网收发器，集成了介质访问控制器 (MAC-PHY)。它支持在共享介质（多点）网络上运行，单根双绞线 (UTP / STP) 连接长度可达 25 米。 NCV7410 配有从属模式 SPI 接口，允许低引脚数连接到标准是主机 MCU 或 SoC。图 1 中展示了这种连接。它能以 10 Mbps 的速度与连接到共享介质(UTP) 的多个节点进行通信。 NCV7410 QFNNW32(5 x 5 mm) 封装图 1： NCV7410 的应用示意图 10BASE-T1S 中的多点拓扑多点拓扑可能是汽车以太网的革命性变革，它为区域控制架构下的现代汽车网络提供了经济、可扩展且高效的方案。多个器件（节点）连接到同一根双绞线电缆，形成类似总线的结构。虽然与 CAN 等先前的技术类似，但具备了以太网功能。通过新的区域控制架构，基于域的复杂布线可得到简化，更易于管理和维护。多个节点：标准规定至少可连接 8 个节点，根据实际的实现方案和长度，或可连接更多节点。如今的车辆需要具备很高的灵活性， 10BASE-T1S 支持轻松添加新节点，无需进行大量重新布线。物理层冲突避免 (PLCA)： PLCA 机制会为每个节点分配特定的时间段来传输数据，从而避免数据冲突。 NCV7410 实现了一项独特功能： PLCA 优先模式。较低的 PLCA ID 优先于较高的 PLCA ID，提供了类似 CAN的仲裁机制：当任一站点开始传输时，协调器（即头节点）就会发送新的信标。图 2：在 PLCA 中，协调器（头节点）通过信标发起通信，然后每个从属节点都有机会发送数据。 T30HM1TS2500 10BASE-T1S 以太网收发器 – Treo 产品预览 T30HM1TS2500 (T2500) 是一款先进的 10BASE-T1S 以太网收发器，集成了介质访问控制器 (MAC-PHY)。它是基于全新Treo 平台 (BCD65) 设计的新一代 10BASE-T1S 器件，能够以 10 Mbps 的速度与连接到共享介质 (UTP) 的多个节点进行通信。 T30HM1TS2500QFNNW20 (4 x 4 mm) 封装 T2500 由 CSMA/CD MAC 和 PHY 组成，并具备物理层冲突避免 (PLCA) 功能。 PLCA 可防止物理层冲突，提高 CSMA/CD的吞吐量。 T2500 使用 SPI（时钟频率高达 25 MHz）作为与更高层进行通信的接口。相较于 NCV7410， T2500 支持更多特性，例如：拓扑发现（符合 TC14），支持节点间的距离测量。休眠/唤醒（符合 TC10）配置功能，休眠模式下电流消耗低 (35 µA) 时间戳（符合 TC6），可实现精确的时间同步。可直接连接电池（VBAT 引脚），最高支持 48 V。在更小、更紧凑的 QFNW20 4 x 4 mm 封装中，融入了更多功能。 10/100/1000BASE-T1S 以太网的 ESD 保护 SZESD9901 和 SZESD9902 旨在保护敏感的汽车电子设备免受 ESD、浪涌及其他有害瞬变事件的影响。这些器件符合OPEN Alliance 10/100/1000 BASE-T1 以太网和其他高速数据网络的规范。这些器件可为收发器 PHY 的连接器侧提供双向 ESD 保护。高触发电压 (≥ 100V) 功能如图 2 所示。较高的触发电压可消除差分信号失真箝位。图 3： SZESD9901 和 SZESD9902 的瞬态保护响应 I-V 曲线。 Treo 平台 – 技术概述安森美开发了一款名为 Treo 的全新模拟和混合信号平台，专门用于对能效、集成度和性能的迫切需求。 Treo 平台采用65nm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) 工艺技术，并支持 1 - 90V 的电压范围，将进一步扩展安森美的智能电源和感知技术，助力打造下一代电源管理 IC、传感器接口、专用通信器件和可靠的标准产品。 Treo 平台基于 BCD65 技术，将三类晶体管的优点整合到一颗芯片中：双极晶体管，用于模拟功能。 CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管，用于数字处理。 DMOS（双重扩散金属氧化物半导体）晶体管，用于功率和高压元件。尽管市面上已有其他 BCD 平台，但安森美 Treo 平台的独特之处在于，它提供了比目前任何其他平台更宽的电压范围(1-90 V)。先进的 65nm 工艺技术实现了超高的集成度，同时降低了功耗。产品预览和样品目前已有多款基于该平台的产品开发完成，现已进入样品测试阶段，其中包括电压转换器、 LDO 和多相控制器。部分产品面向大众市场，而另一些产品则是根据客户需求定制的。从 2025 年开始，安森美将利用该平台开发更多种类的产品，包括电感位置传感器、 10BASE-T1S 以太网控制器、 DC-DC 转换器、 LDO、多相控制器、汽车 LED 驱动器、电气安全 IC 等。芯片面积缩小：图 4 对比了 65 nm BCD 工艺技术 (BCD65– 2.5 V) 与之前的工艺节点 (180 nm – 3.3 V/ 5 V)。从 180 nm 节点切换到 65 nm 节点时，每个功能（模拟、数字、高压电源）的面积都有显著缩小。图 4 显示，比较器电路尺寸缩小了 45%。在模拟（和混合信号）领域，保持相似精度的同时降低电压，不仅可以降低芯片成本，还可在更小的封装空间内集成更多功能。图 4： BDC65 工艺已实现比较器电路尺寸缩小 45%。 4 通道 10A 集成电子保险丝 NIV3071 是一款 60 V DC、 65 V TR 电子保险丝，在一个封装中集成了 4 个独立通道。电子保险丝支持高达 10 A 的连续输出电流。采用小型 5x6 mm WQFN16 封装。每个集成电子保险丝都有固定的软启动时间。所有通道共用可配置的电流限制。该器件还具有控制和状态监测引脚，适用于 12 V 至 48 V 的广泛汽车应用。保护最多 4 个独立的 2.5 A 负载，或将电子保险丝配置为单通道保护，以驱动高达 10 A 的单个连续负载电流。非常适合实现汽车区域控制器，确保整个车辆的局部 ECU 受到保护且稳健可靠。保护 12 V 和 48 V 下游负载免受输出短路、过载和过电流事件的影响。电子保险丝可以通过构建冗余网络来提高 48V 电气架构的稳健性和可靠性。遵循 PCB 设计指南（参考设计），以实现良好的散热性能。图 5： NIV3071 示例配置由于一个车辆区域中有多个负载，因此 NIV3071 的各个独立通道可灵活地在多种配置中驱动多个负载： A. 4 个独立电源，驱动 4 个独立负载，每个负载 2.5A 连续电流。 B. 单个电源，驱动 4 个独立负载，每个负载 2.5A 连续电流。 C. 在单通道中使用该器件，可驱动高达 10A 的连续负载电流。 D. 2 个独立电源，驱动 2 个独立负载，每个负载 5A 连续电流。评估板 - 10BASE-T1S 以太网收发器对于 NCV7410 10BASE-T1S 以太网收发器，当前已有两款评估板 (EVB) 可用于评估。如需获取评估板和配套的软件图形用户界面 (GUI)，请联系安森美销售人员。评估板按连接方式分为两种版本： MAC-PHY（SPI 接口），通过 SPI 接口与 MCU 兼容（图 7）。 10BASE-T1S 转 USB 加密狗（图 6），可用于两种不同的用例：通过 USB-C 端口将 PC 连接到 10BASE-T1S。使用安森美的 GUI 来控制评估板。引脚接头可连接到示波器或信号分析仪，用于监测 MII 接口流量。通过引脚接头连接到远程 MCU，以评估 10BASE-T1S PHY。图 6： EVB 10BASE-T1S 转 USB 加密狗图 7：带 SPI 接口的评估板 NIV3071 电子保险丝 - 评估板 NIV3071 评估板可用于测试和评估 NIV3071 电子保险丝。用户将直流电压施加到输入端，可将（每个通道）最多 4 个高达2.5 A的负载连接到输出端。这款评估板具有 NIV3071 所有引脚的测试点，可选择跳线进行调节，而且具有用于设置电流限制的电位器。这款评估板有两种版本： NIV3071MTW3GEVB - 闩锁版电子保险丝 NIV3071MTW4GEVB - 自恢复版电子保险丝图 8： NIV3071 评估板（左）和器件布局（右）（评估板上带有测试点引脚）。

安森美

安森美 . 2025-06-12 2475
技术 | 带你全面了解和分析开关稳压器噪声

一般而言，与低压差(LDO)稳压器输出相比，人们认为传统开关稳压器的输出电压噪声很大。然而，LDO电压会引起严重的额外热问题，并使得电源设计更加复杂。全面认识开关稳压器噪声很有必要，有助于设计低噪声开关解决方案，使之产生与LDO稳压器相当的低噪声性能。本文分析和评估的目标是采用电流模式控制的降压稳压器，因为它在应用中很常用。信号分析是了解开关纹波噪声、当前宽带噪声特性（及其来源）、开关引起的高频尖峰噪声的主要法。本文将讨论开关稳压器PSRR（电源抑制比，其对输入噪声抑制很重要）以及信号分析方法。开关纹波噪声本部分依据基波和谐波理论介绍降压转换器输出纹波计算公式。根据开关稳压器拓扑结构和基本操作，纹波始终是开关稳压器中的主要噪声，因为峰峰值电压幅度一般为几mV到几十mV。它应被视为周期性且可预测的信号。如果以固定开关频率工作，则在时域中通过示波器，或在频域中通过傅立叶分解，很容易将其识别并进行测量。图1所示为典型的降压稳压器。两个开关交替接通和断开，因此SW节点电压VSW是一个理想的方波，此特性进而传递到占空比和输入电压。VSWVSW可以用下面的公式表示：图1. 降压稳压器拓扑其中：VIN为输入电压。D为占空比；对于降压稳压器，其等于 VOUT/VIN VIN 确定后，VSW基波和谐波成分仅取决于占空比。图2显示了与占空比相关的 VSW基波和谐波幅度。当占空比接近一半时，纹波幅度以基波为主。图2. 降压稳压器 VSWW幅度与占空比的关系降压稳压器输出LC级传递函数如下：其中，L为输出电感值，DCR为电感电阻值，CL为电感并联电容值。 COUT为输出容量值。ESL为电容串联电感值。ESR为电容串联电阻值。因此，VOUT可表示如下：为了简化计算，我们假设输出LC级为20 dB/十倍频程，然后是与占空比相关的VOUT纹波基波和谐波幅度，如图3所示。当占空比接近一半时，三次或奇数次谐波将高于偶数次谐波。由于LC抑制，较高的谐波将具有较低的幅度，并且与总纹波幅度相比，其比例非常小。同样，基波幅度是开关稳压器输出纹波中的主要成分。图3. 降压稳压器VOUT纹波幅度与占空比的关系对于降压稳压器，基波幅度与输入电压、占空比、开关频率和LC级有关；但是，所有这些参数都会影响应用要求，如效率和解决方案尺寸等。为了进一步降低纹波，建议增加后置滤波器。宽带噪声开关稳压器中的宽带噪声是输出电压上的随机幅度噪声。它可以用整个频率范围内的噪声密度来表示，单位为 V/√Hz z，或用Vrms来表示，其与频率范围内的密度不可分。由于硅工艺和基准电压源滤波器设计的限制，宽带噪声主要位于开关稳压器的10Hz至1MHz频率范围内，在低频范围内很难通过增加滤波器来将其降低。典型降压稳压器宽带噪声峰峰值幅度电压约为100μV至1000μV，远低于开关纹波噪声。如果使用额外的滤波器来降低开关纹波噪声，则宽带噪声可能成为开关稳压器输出电压的主要噪声。图4显示了当没有额外滤波器时，降压稳压器输出噪声的主要来源是开关纹波。图5显示了当使用额外滤波器时，输出噪声的主要来源是宽带噪声。图4. 无额外滤波器的VOUT 图5. 有额外滤波器的VOUT（使用1000倍前置放大器进行测量）为了识别和分析开关稳压器输出宽带噪声，必须获得稳压器控制方案和模块噪声信息。例如，图6显示了典型的电流模式降压稳压器控制方案和模块噪声源注入。图6. 典型电流模式降压稳压器控制方案对于获得的控制环路传递函数和模块噪声特性信息，有两种不同的噪声：环路输入噪声和环内噪声。控制环路带宽内的环路输入噪声会传输到输出，而环路带宽之外的噪声会被衰减。对于开关稳压器，设计低噪声EA和基准电压源至关重要，因为单位反馈增益会保持噪声水平不变，而不是随着输出电压电平增加而提高它。最大的挑战是找出整个系统中最大的噪声源，并在电路设计中降低该噪声。ADP5014针对低噪声技术进行了优化，采用电流模式控制方案和一个简单的LC外部滤波器，在10Hz至1MHz频率范围内实现了低于20μVrms的噪声性能。ADP5014的输出噪声性能如图7所示。图7. 采用额外LC滤波器的ADP5014输出噪声性能。高频尖峰和振铃第三类噪声是高频尖峰和振铃噪声，因为输出电压是由开关稳压器导通或关断瞬变产生的。考虑硅电路和PCB走线中的寄生电感和电容；对于降压稳压器，快速电流瞬变将在SW节点处引起高频电压尖峰和振铃。尖峰和振铃噪声会随着电流负载的提高而提高。图8显示了降压稳压器如何形成尖峰。根据开关稳压器的导通/关断压摆率，最高尖峰和振铃频率将在20MHz至300MHz范围内，受寄生电感和电容影响，输出LC滤波器在抑制方面可能不是非常有效。与上述关于传导路径的所有讨论相比，最差的是来自SW和VIN节点的辐射噪声，由于其频率非常高，输出电压和其他模拟电路会受到影响。图8. 降压稳压器高频尖峰和振铃噪声为了降低高频尖峰和振铃噪声，建议采用有效方法实施应用和芯片设计。首先，在终端负载上应使用额外的LC滤波器或磁珠。通常，这会使输出上的尖峰噪声远小于纹波噪声，但会增加更高频率的成分。其次，应屏蔽SW和输入节点的噪声源或让其远离输出侧及敏感模拟电路，并且屏蔽输出电感。精心布局和布线对设计很重要。第三，优化开关稳压器的导通/关断压摆率，并尽量减小开关稳压器的寄生电感和电阻，从而有效降低SW节点噪声。ADISilentSwitchr®技术也有助于通过芯片设计降低VIN节点噪声。开关稳压器PSRR PSRR反映开关稳压器抑制输入电源噪声传输到输出的能力。本部分分析低频范围内的降压稳压器PSRR性能。高频噪声影响输出电压主要是通过辐射路径，而不是通过前面讨论的传导路径。根据图9所示的降压小信号图，降压PSRR可以表示如下：图9. 从输入电压到输出的电流模式降压小信号图。其中：将信号模式计算与仿真结果进行比较。小信号模式是有效的，与仿真结果一致。开关稳压器的PSRR性能取决于低频范围内的环路增益性能。开关稳压器的固有LC滤波器可以抑制中频范围（100Hz至10MHz）内的输入噪声。此范围内的抑制性能比LDO PSRR好得多。因此，开关稳压器具有理想的PSRR性能，因为其在低频时具有高环路增益，而固有LC滤波器会影响中频范围。图10. 采用降压小信号模式的PSRR计算结果图11. SIMPLIS模式的PSRR仿真结论越来越多的模拟电路，如ADC/DAC、时钟和PLL等，需要干净的能提供高电流的电源。每个器件对不同频率范围内的电源噪声都有不同的要求和规格。有必要全面了解不同类型的开关稳压器噪声并认知电源噪声要求，从而设计和实现高效率、低噪声开关稳压器，以满足大多数模拟电路电源的低噪声规格。与LDO稳压器相比，这种低噪声开关解决方案将有更高的功效比、更小的解决方案尺寸和更低的成本。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-06-12 1 1 1410
产品 | 碳化硅MOSFET：提升安全、稳健且可靠的电源开关性能

面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。随着X.PAK封装的加入，我们丰富多元的产品系列现包含TO-247-3和4、D2PAK-7和X.PAK封装选项，充分保证能够契合客户的各类需求。这些先进的解决方案在散热管理方面表现优异，具有较低的寄生电感，可靠性进一步提升，非常适合那些要求极为严苛的应用场景。在您的大功率设计中，选用Nexperia的SiC MOSFET，借助前沿技术，助力提升性能与可靠性，实现创新突破。关键应用电动汽车充电基础设施光伏逆变器开关模式电源不间断电源电机驱动器设计优势开关损耗非常低快速反向恢复开关速度快关断时的开关损耗不受温度变化影响固有体二极管速度很快且稳健性佳凭借额外的开尔文源极引脚，实现了更快的换流速度和更卓越的开关性能主要技术特性 RDS(on)温度稳定性优于同类产品栅极电荷性能优越和栅极电荷比 - 栅极驱动器功耗低 - 对寄生导通的耐受性高阈值电压容差非常小体二极管稳健性强，正向电压非常低 1200 V时漏电流更低封装解决方案 TO-247-3 (SOT429-2) 通孔技术 20.95 x 15.94 x 5.02 mm * TO-247-4 (SOT8071-1) 通孔技术 23.45 x 15.94 x 5.02 mm * D2PAK-7 (SOT8070-1) 表面贴装技术 10.08 x 15.88 mm ** X.PAK (SOT8107) 表面贴装，顶部散热技术 14 x 18.5 mm ** * 封装尺寸（长 x 宽 x 高） ** 封装尺寸包括引脚（长 x 宽）产品范围 SiC FET | 命名

安世

安世半导体 . 2025-06-12 1 1885
产品 | 灵活配置过流保护！思瑞浦推出电流检测专用比较器TPA170C！

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK (股票代码：688536)推出36V高共模输入电流检测比较器 TPA170C，该产品在-40°C至125°C全温范围内可提供高精度过流保护功能，支持多模式灵活配置，响应时间与迟滞电压可调，可广泛应用于通信设备、服务器及各类电源等过流保护场景。 TPA170C通过测量分流电阻上产生的电压，并将该电压与设置的阈值电压进行比较，输出高或低电平告警信号，实现过流检测的功能。 TPA170C产品优势可编程阈值与灵活参数配置通过单个外部电阻即可设置0mV至250mV的检测阈值（公式为 Vlimit=Rlimit×Ilimit，其中Ilimit固定为20μA），简化系统设计流程。如下图所示，产品提供2mV、4mV、8mV三档迟滞电压(VHYS)选项，有效抑制输出信号抖动，增强系统稳定性；响应时间支持 10μs、50μs、100μs 三档配置，用户可根据实际需求平衡响应速度与抗干扰能力。 TPA170C可编程阈值特性多模式工作机制与开漏输出设计 Transparent模式：当输入电压低于阈值时自动解除警报，适用于实时监测场景； Latch模式：警报状态持续锁定直至手动清除，便于捕捉瞬态过流事件；支持微秒级快速启用/禁用切换，开漏输出兼容多种逻辑电平，灵活适配不同系统架构。低功耗设计工作模式下静态电流最大310µA，待机禁用模式下仅2µA，适合电池供电或低功耗应用。 TPA170C产品特性 •宽共模输入电压范围：0V至36V •高精度性能：低输入失调电压，典型值180uV；低温漂，典型值1μV/°C •输出类型：Open-Drain（开漏输出） •使能控制：高电平有效 •宽温工作范围：-40°C至125°C TPA170C典型应用在计算机、电信设备、服务器、电源设备及电池充电器等领域，实时监测电源输出电流，在过载或短路时快速切断电路，以保护器件乃至系统安全尤为关键。 TPA170C凭借高共模输入电压范围（0V～36V）、高精度低温漂特性(1μV/°C)及灵活的配置功能，可满足上述场景的过流保护需求，为系统可靠性提供有力保障；

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2025-06-12 1 1340
方案 | 迈向无电池时代：Qorvo助力打造更智能的家居

物联网（IoT）正在迅速改变我们的生活和工作方式；数十亿台互联设备实现了更智能的家居、自动化建筑以及更高工业效率。然而，随着物联网的普及，如何为这些设备提供可持续的电力供应也成为挑战。根据IoT Analytics的数据，到2030年，物联网设备的数量预计将达到400亿台，较现在增长140%。对无线且始终在线的连接需求不断增长，意味着更多设备依赖电池——这导致需要频繁更换电池、成本上升以及电子垃圾激增。欧洲委员会估计，每天将有7,800万块物联网设备电池被丢弃，考虑到妥善处理电池的选择十分有限，这无疑是一个令人震惊的环境问题。为克服这些挑战，行业正转向能量收集技术——这是一种从环境中捕获能量来为设备供电而无需电池的技术。为了展示智能家居设备如何在不需要更换电池的情况下可靠运行，比利时创新企业 e-peas 半导体公司正在开创新的能量收集解决方案。向自供电物联网的转变能量收集技术能够捕获环境中的能源，如环境光、热或运动，并将其转化为可用的电能（见表1）。采用能量收集技术的设备无需更换或丢弃电池，可在没有人工干预的情况下运行数年，为智能家居、工业自动化等领域提供了变革性的替代方案。得益于对低维护、环保物联网解决方案的需求，能量收集市场正在崛起，预计到2030年将达到10亿美元的规模。然而，实现能量收集不仅要有能量源，还需要智能电源管理来确保高效的能源捕获与分配。克服能量收集应用中的常见挑战尽管能量收集潜力巨大，但在物联网设计中采用该技术仍面对一些技术层面的误解，尤其是在储能管理和系统可靠性方面。然而，这些担忧往往源于过时的假设。每个能量收集系统的核心都包含三个基本要素：能量源、储能元件以及应用本身。人们通常对环境能量源的可靠性和集成储能元件的复杂性存在疑虑。然而，当与现代电源管理集成电路（PMIC）及紧凑、可充电的储能元件搭配使用时，能量收集不仅可行，而且效率极高，设置和集成的复杂性也显著降低。与大型一次性电池不同，专为能量收集设计的储能元件更小、更轻、寿命更长，在外形尺寸、碳足迹和总拥有成本方面具有明显优势。另一个常见的误解围绕能量收集效率展开。当系统性能未达预期时，人们很容易将其归咎于较低的能量转换率。然而，系统能否成功，在很大程度上不仅取决于能量收集芯片本身，还取决于PMIC管理和调节功率流的能力——即优化能量的捕获、存储以及向应用的输送方式。因此，选择一款能与高性能连接片上系统（SoC）无缝集成的高质量PMIC至关重要。 e-peas与Qorvo在Matter协议照明开关上的合作便是一个极具说服力的例子。尽管光伏电池负责提供能量，但AEM13920 EH-PMIC确保了能量被高效采集并合理利用；它为储能元件充电，防止其过充或深度放电，保障系统平稳运行。与此同时，Qorvo的QPG6200片上系统（SoC）负责通信与连接，使该照明开关能够无缝融入现代智能家居生态系统。简而言之，要实现能量收集在实际应用中的可靠效果，并非在于突破环境能量源本身的极限，而是要从智能电源管理入手，做出明智的设计决策。无电池创新方案推动智能家居发展能量收集最具前景的应用领域之一便是智能家居自动化；在这一领域，减少对电池的依赖既能提升便利性，又增强了可持续性。为了消除电池浪费、简化智能家居系统，e-peas与Qorvo共同研发了一款基于室内光能量收集、支持Matter™协议的创新型照明开关。这款无电池照明开关的核心部件是一个光伏（PV）电池，它能够吸收环境光并将其转化为电能。随后， e-peas的能量收集PMIC对这部分能量进行捕获和调节；这款PMIC在优化功率传输、提供稳定电压以及防止储能元件过充或深度放电方面发挥着关键作用。该PMIC配备了I2C总线接口，可与系统的SoC通信，从而实现对储能元件电压的实时监测以及额外的系统诊断。这一级别的可视化不仅提高了系统的可靠性，还支持诸如自适应电源管理和根据可用能量进行性能调优等高阶功能。能量存储后，将为Qorvo的Matter SoC供电；其中，这一SoC负责管理照明开关在智能家居生态系统中的连接与通信。作为一款多标准连接解决方案，e-peas选择采用QPG6200是因为其独特的ConcurrentConnect™技术。该技术能够实现与Matter、Zigbee、低功耗蓝牙和Thread顺畅、可靠的集成，确保同多种设备的广泛兼容性。当按下开关时，它会向连接的照明网络发送信号，无需有线电源或电池即可点亮灯光。通过利用环境能量，e-peas智能照明开关的设计使其能够运行超过十年而无需任何维护。其无电池设计不仅省去了电池更换成本，还带来更大的安装灵活性——业主和企业可以将开关安装在任何位置，无需担心布线限制。超越智能家居：无电池物联网的未来能量收集技术与智能家居设备有着天然的契合点；当然，这一技术的应用潜力更远不止于照明控制。在未来几年，自供电物联网设备有望消除偏远或难以到达地区的电池维护需求，从而推动各行业实现变革。能量收集的未来应用领域包括：可穿戴健康设备 – 实现持续监测，无需充电或更换电池。智能基础设施传感器 – 为桥梁、道路和铁路配备自供电传感器，确保对建筑结构进行长期健康监测。公共交通与运输 – 利用动能收集技术为车辆追踪和运行传感器供电。灾害应急系统 – 在电力供应受限的应急区域，使用自主、自维持的设备。这些领域越来越多地采用能量收集解决方案，反映了一个更大的行业趋势：向真正自主的物联网发展，实现高效、可持续运行，且无需维护。引领可持续物联网的潮流基于能量收集技术的Matter照明开关，便是该技术从概念走向现实的典范。通过利用环境能源，无电池智能家居解决方案正逐渐变得切实可行，这不仅降低了对环境的影响，还使物联网设备的管理更加便捷。随着能量收集技术的不断演进，其重新定义设备供电方式的潜力正逐步显现。无论是在智能家居、工业环境还是公共基础设施领域，物联网的未来正朝着更智能、更高效且真正自维持的解决方案迈进。作为连接领域的领军企业，Qorvo拥有由前沿创新产业合作伙伴构建的广泛生态系统。其与e-peas在Matter照明开关项目上的合作，标志着Matter协议在物联网应用推广方面又迈出了关键一步。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-06-12 1665
产品丨瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器，支持USB-C Rev. 2.4标准

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出RA2L2微控制器（MCU）产品群，率先在业内支持USB-C Revision 2.4新标准。这款MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器，拥有丰富的功能特性，使其成为便携式设备和个人电脑（PC）的理想选择。全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值（1.5A电源为0.613V，3.0A电源为1.165V）。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。 RA2L2 MCU采用专有低功耗技术，提供87.5µA/MHz工作电流，仅250nA的软件待机电流。还为低功耗UART提供独立的工作时钟，在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统。包括对USB-C的支持，这些特性使RA2L2成为USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。新型MCU不仅支持具有CC检测功能和最高15W（5V/3A）的USB-C，以及USB FS外，还可提供LP UART、I3C和CAN接口，帮助设计人员减少所需元件数量，有效降低BOM成本、节省电路板空间并减少功耗。 RA2L2 MCU由瑞萨灵活配置软件包（FSP）提供支持。FSP提供所需的基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接和网络功能，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可简化现有IP在不同RA产品之间迁移。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“RA2L2产品群MCU作为我们首款全面支持全速USB与USB-Type C连接器的产品，通过减少外部元件，可有效控制系统成本保持在较低水平；同时，延续了瑞萨广受欢迎的RA2L1产品的低功耗优势，这些新产品彰显了我们快速响应客户需求、提供高效解决方案的实力与承诺。” RA2L2 MCU的关键特性内核：48MHz Arm Cortex-M23 存储：128-64KB闪存、16KB SRAM、4KB数据闪存外设：USB-C、USB-FS、CAN、低功耗UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12位ADC（17通道）、低功耗定时器、实时时钟、高速片上振荡器（HOCO）、温度传感器封装：32、48和64引脚LQFP；32和48引脚QFN 安全性：唯一ID、TRNG 宽环境温度范围：Ta = -40°C至125°C 工作电压：1.6V-5.5V；USB工作电压：3.0V-3.6V 成功产品组合将全新RA2L2 MCU与瑞萨产品阵容中的众多可兼容器件相结合，创建了广泛的“成功产品组合”，包括USB数据记录器、配备GNSS（全球导航卫星系统）的电子收费系统、游戏键盘和游戏鼠标等。这些设计方案基于相互兼容的产品，可以无缝地协作工作，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，从而加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。供货信息 RA2L2 MCU以及FSP软件现已上市；此外，瑞萨还推出RA2L2评估套件。更多产品相关信息，请访问：renesas.com/RA2L2。客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。瑞萨MCU优势作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。关于瑞萨电子MCU的更多信息，请访问：renesas.com/MCUs。（文中相关信息您可识别下方二维码或复制链接至浏览器中打开查阅）成功产品组合 https://www.renesas.cn/zh/applications RA2L2 https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/ra-cortex-m-mcus/ra2l2-48mhz-arm-cortex-m23-entry-level-usb-general-purpose-microcontroller?utm_campaign=mcu_ra2l2-empr RA2L2评估套件 https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/ra-cortex-m-mcus/ek-ra2l2-evaluation-kit-ra2l2-mcu-group?utm_campaign=mcu_ra2l2-empr （备注）Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

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