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客户认可+1！英诺赛科荣获 OPPO 最具创新奖

11月8日，以“聚力同行·凝创未来”为主题的 OPPO 2024 核心合作伙伴大会在深圳举办。英诺赛科凭借其非凡的研发实力与开创性的精神，成功斩获OPPO 2024最具创新奖。英诺赛科作为氮化镓革命的领军者，在氮化镓技术发展的浪潮中，凭借卓越的技术实力，有力地推动着行业创新的步伐。双方合作过程中，英诺赛科与OPPO技术团队紧密协作，深度融合，为OPPO众多旗舰产品提供了全链路的氮化镓技术支撑，充分利用氮化镓高频高效的特性，实现了OPPO产品性能的突破性提升，取得了令人瞩目的巨大飞跃。 2024年，OPPO与英诺赛科携手合作，涉及的主要产品涵盖了OPPO Find系列中的X7/X7pro/X7 Ultra、X8/X8pro/X8 Ultra，以及OPPO旗下一加品牌的Ace 2/2Pro，Ace 3/3 Pro，Ace 3V，还有真我Realme品牌的GT5/6/7/Pro，Realme GT Neo5/Neo 6/Neo SE等。在这些产品中，从电源侧的快速充电（超级闪充/无线充）功能，到手机内部主板的充电过压保护（OVP）系统，均采用了英诺赛科的氮化镓技术。这不仅使产品具备了小型化的优势，还在成本优化和性能提升方面发挥了显著作用，双方共同引领充电技术实现了意义非凡的重大跨越。此次英诺赛科获评年度最具创新奖，充分体现了 OPPO 对氮化镓创新技术的大力支持，以及对英诺赛科产品性能的高度认可。展望未来，期待双方能够继续保持深度合作，携手以卓越的技术实力和优质的产品服务，共同推动行业创新发展，不断创造更多具有里程碑意义的重大进展。

英诺赛科

英诺赛科 . 2024-11-20 1 2 1785
第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。产品型号： ■ IMBG40R011M2H ■ IMBG40R015M2H ■ IMBG40R025M2H ■ IMBG40R036M2H ■ IMBG40R045M2H ■ IMT40R011M2H ■ IMT40R015M2H ■ IMT40R025M2H ■ IMT40R036M2H ■ IMT40R045M2H 产品特点与650V SiC MOSFET相比，FOM更好低Qfr值的快速换流二极管 RDS(on)温度系数小栅极阈值电压VGS(th)=4.5V 可以单电源驱动VGSoff=0V 100%经过雪崩测试开关速度可控性高高dV/dt运行期间的低过冲 .XT互联技术一流的热性能应用价值系统效率高高功率密度设计高设计鲁棒性减少EMI滤波在硬开关拓扑中使用竞争优势支持采用创新拓扑结构（如3L PFC，ANPC）与HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小低Qgd,Qoss,fr,Eoss 高压摆率控制、线性Coss和低Qfr 高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V实现0V-18V驱动以及较低的米勒比，以减轻Cgd/Vds/dt引起的寄生导通竞争优势 AI服务器电源 SMPS 电机控制轻型电动汽车叉车电动飞机固态断路器太阳能能源储存 D类放大器

英飞凌

英飞凌工业半导体 . 2024-11-20 955
深圳中院裁定：柔宇科技破产

据界面新闻引述据深圳市中级人民法院公告，依据管理人对柔宇显示现有资产及负债的调查结果，可以认定柔宇显示不能清偿到期债务，且资产不足以清偿全部债务。依照《中华人民共和国企业破产法》第二条第一款、第一百零七条之规定，本院于2024年11月18日裁定宣告深圳柔宇显示技术有限公司破产。公司官网显示，柔宇科技成立于2012年，在中国深圳、北京及香港，美国硅谷，欧洲荷兰与日本东京设有办公室。柔宇通过自主研发的核心柔性电子技术生产全柔性显示屏和全柔性传感器，以及包括折叠屏手机和其他智能设备在内的全系列新一代人机互动产品。基于强大的自主知识产权和创新性工程与设计能力，柔宇实现了数个业界里程碑，包括推出全球最薄彩色柔性显示屏、建立全球首条全柔性显示屏大规模量产线，发布和量产全球首款折叠屏手机FlexPai柔派，以及发布业内首个Micro-LED弹力柔性屏技术。正是由于颠覆性的技术水准，柔宇科技备受资本追捧。仅从2017年8月到2019年11月，柔宇科技就获得了7轮融资，不乏中信资本、深创投、杭州基石、保利（横琴）资本等众多知名投资机构。 2020年，柔宇科技还曾以60亿美元（约合人民币433.8亿元）的估值跻身于《2020中国新经济独角兽200强榜单》前12名，并成为《中国企业家》2020年度“中国科创企业百强榜”的榜首。然而，近年来柔宇科技的情况却急转直下，持续的“上市失败”“股权冻结”“限制消费”“强制执行”“欠薪风波”，再到如今的“破产清算”，曾经的资本宠儿柔宇科技，已深陷泥潭。早在2019年便有消息传出称柔宇科技将赴美股上市，不过最终未能成行。2020年公司完成上市辅导工作后正式向科创板发起冲刺，根据彼时披露的招股书，柔宇科技在发行后的估值将达到577亿元。然而到了2021年2月，柔宇科技却主动撤回了上市申请。对此，柔宇科技独立董事刘姝威曾表示，主要原因是公司在股东结构方面存在“直接层面三类股东”的情况。过这份招股书也暴露了公司真实的财务状况，2017年至2020年上半年，公司实现5亿元的营收，净亏损额却超过30亿元。不久后，柔宇科技便被传陷入资金困境，并多次被曝欠薪。根据媒体公开报道，去年12月，多名员工在接受采访时称，已被公司拖欠薪酬长达一年，近两年离职的员工也未发放拖欠的薪资，累计欠薪金额约4000万元。今年5月28日，柔宇科技公众号曾发布《关于柔宇历史若干不实言论的澄清》。对“核心技术源自国外，不是自主原创”“产线良率低，设备落后，无法量产”“上市只为圈钱，追求高估值，不上市就躺平主动破产”等不实言论进行了澄清。对于估值问题，柔宇科技表示，公司从天使轮融资发展到pre-IPO轮，一路都是高度市场化的结果，其间每轮融资都得到了市场上多家知名VC/PE专业机构的认可和支持，其专业团队通过详细尽调完成法定投资流程，无论估值还是其他商业条件，都不可能是一方简单一味追求的结果。在上市等问题上，柔宇科技表示，公司一直秉持着高度负责的态度。2020年初因为新冠疫情的暴发，公司主动撤回了纳斯达克上市的机会，后又因科创板相关政策的调整，公司再次主动撤回了上市申请。无论申请上市与否，公司始终在竭尽全力寻求更好的发展，负责任地面对所有挑战和困难，从未躺平或主动申请破产。例如，近两年，数位投资股东和创始人刘自鸿博士个人多次主动借款合计两亿多元给公司，用于解决员工薪资和维持产线基本运行等问题。在文末，柔宇科技还称，创业十二载，柔宇风雨兼程，得益于坚韧不屈，也受益于孱微执义。创新不易，唯有坚持。“无论企业如何发展，世界如何纷扰，我们将一如既往地坚持用科技创新的力量让世界变得更美好”。柔宇科技成立于2012年，是由斯坦福毕业的海归博士刘自鸿及其团队创立的高科技企业，在美国硅谷、中国深圳及香港同步运营。公开资料显示，刘自鸿被称为“天才少年”，17岁以江西省抚州理科高考状元的成绩考入清华大学。清华大学电子工程系硕士毕业后，刘自鸿获得美国斯坦福大学电子工程系博士学位。 2012年，29岁的刘自鸿从美国归国创业，和他的另外两名清华大学兼斯坦福校友魏鹏、樊俊超共同出资10万元创立了柔宇科技。 2014年8月，柔宇科技造出厚度仅0.01毫米，卷曲半径可达1毫米的柔性屏幕，一夜间名声大噪，成为深圳乃至全国知名的独角兽企业，估值一度超过500亿元，累计融资金额近百亿元，吸引了一批国内外风险投资机构和投资人争相投资。此后更是接连闯关纳斯达克和科创板，但均折戟沉沙。 2018年6月，柔宇科技投资约110亿元建设的全球首条全柔性显示屏大规模量产线在深圳正式点亮投产。 2019年便有消息传出称柔宇科技将赴美股上市，不过最终未能成行。随着柔宇科技估值一再上涨，至2020年，刘自鸿以145亿元身家登上了《胡润百富榜》，排名第376。同时，柔宇科技也再次向国内资本市场发起了冲击。2020年公司完成上市辅导工作后正式向科创板发起冲刺，根据彼时披露的招股书，柔宇科技在发行后的估值将达到577亿元。然而到了2021年2月，柔宇科技却主动撤回了上市申请。当时的招股书（申报稿）显示，柔宇科技拟募资144.34亿元，用于柔性前沿技术研发项目及补充流动资金等。其中，补充流动资金需求达72亿元。这也表明，当时的柔宇科技就面临着较大的资金压力。 2021年下半年开始，柔宇科技被曝出大规模欠薪，2022年清明假期前，柔宇科技欠薪问题登上热搜榜，并传出柔宇科技全员放长假的消息。后续又陆续曝出产线停止无法持续生产后续订单，供应商欠款等问题，两年后甚至有员工发起罢工维权的行动。 2023年开始，柔宇科技的欠薪、停产等消息甚嚣尘上。尽管柔宇科技始终坚称自己没有进入破产清算程序。但随着公布的消息越来越多，柔宇科技破产已经是不可逆的事实。今年6月6日，深圳中院发布的公告显示，法院已于2024年5月15日裁定受理柔宇科技破产清算一案，并指定广东华商律师事务所为柔宇科技管理人，进一步做实了“柔宇真的不行了的传闻”。

柔宇科技

芯查查资讯 . 2024-11-20 2 6 4125
美国裁定不违规！三星显示对17家手机维修屏厂发起的337调查初裁结果“折戟”

近日，由韩国三星显示有限公司（三星显示）向美国国际贸易委员会（ITC）发起的有机发光二极管(OLED)专利337调查初裁结果公布，ITC行政法官裁定在本调查中不存在违反《美国1930年关税法》第337条款的情形。美国国际贸易委员会（ITC）初裁结果报告美国ITC “337调查”，是依据《美国1930年关税法》第337条规定，向ITC提出申请，调查进口产品侵犯美国知识产权的行为及进口贸易中的其他不公平竞争，以发布排除令（普遍排除令或有限排除令）和禁止令。2022年12月28日，韩国三星显示向ITC申请启动337调查，列名被告为17家手机维修屏厂商，指控产品为OLED维修屏，请求包括普遍排除令（GEO）、有限排除令（LEO）和禁止令（CDO）。2023年1月27日，ITC正式宣布启动调查。值得注意的是，为了维护显示产业健康发展，最大限度保护OLED产业链相关方正当的合法权益，2023年2月22日，国内显示面板厂商京东方主动申请介入该调查。3月13日，ITC行政法官批准了京东方的申请。近年来，韩国三星显示为了维持其全球OLED市场地位，申请启动337调查，意图推动ITC发布普遍排除令，有针对性地阻止中国OLED产品进入美国市场。业内知情人士分析称，目前国内OLED面板厂商并不存在向品牌客户销售专用于维修的OLED屏幕的情况，作为国内显示龙头企业的京东方主动申请介入案件，考虑的是ITC发布普遍排除令对客户及上下游合作伙伴的影响。一旦ITC颁布普遍排除令，不但调查中的被告17家手机维修屏厂商无法将OLED维修屏进口到美国，下游客户亦无法进口其他厂商的OLED产品到美国用以提供官方服务，这显然侵害了OLED产业链客户的权利。根据当前337调查的初裁结果，ITC行政法官裁定本调查中不存在违反337条款情形。该初裁结果，无论是对于参与调查的厂商，还是对于其他中国显示面板厂商，无疑都是一个好消息。同时，据业内消息称，针对于此次337调查所涉及的专利，京东方和国内面板企业以共同请求人的身份，已针对三星显示的涉案专利提出了专利无效多方复审程序（IPR），目前５件均已成功立案，但还没有做出最终决定。根据历史数据，IPR一旦立案审理，专利被无效的概率非常高。随着中国企业成为全球科技创新的主体，在海外遭遇337调查的案例日益增加，知识产权对创新的保护和推动作用越来越关键。根据京东方公布的公开信息显示，创立30余年来，京东方已建立了完善的知识产权保护体系。截至2023年底，京东方累计自主专利申请已超9万件，其中柔性OLED相关专利申请超3万件，覆盖海内外多个国家和地区，相关技术已广泛应用于全球众多头部移动终端厂商的高端旗舰产品系列。

三星

CINNO . 2024-11-20 1075
精准高效 | 基于APM32F103xB的磁电式绝对值编码器参考方案

编码器有多种分类方式，其测量原理主要包括光电式和磁电式，而相对于光电式，磁电式拥有多种优势： · 防尘、防油、抗震动 · 调试方便、安装简单 · 相同精度可以做到体积更小 · 适用于更加恶劣的环境编码器有多种分类方式，其测量原理主要包括光电式和磁电式，而相对于光电式，磁电式拥有多种优势： · 防尘、防油、抗震动 · 调试方便、安装简单 · 相同精度可以做到体积更小 · 适用于更加恶劣的环境据Future Market Insights数据分析，预计2023年-2033年，全球编码器市场规模将以7.6%的复合年增长率，从23亿美元增长至48亿美元，未来工业磁电式编码器将是一个发展潜力巨大、空间广阔的市场。极海磁电式绝对值编码器参考方案介绍 MCU作为编码器设计的核心部件，是系统整体性能的关键所在，极海APM32F103xB磁电式绝对值编码器参考方案，适用于16~21位角度分辨率的应用场景，主要应用于工业控制、消费电子领域，为系统控制提供准确的位置信息。方案特点 • 高精度：17位单圈分辨率，校准前角度精度＜±0.5°，校准后角度精度＜±0.07°； • 低功耗：16位多圈信息，电池供电期间，静态平均电流＜20μA，1100mAh电池使用寿命＞5年； • 通信速率高：RS485通信速率高达4Mbit/s，有助于缩短通信时间、提高数据传输实时性； • 小型化：电路板直径小至35mm，可应用于40mm法兰的伺服电机。方案实现框图电路板资源及基本功能电路板实物图电路板硬件系统框图基本功能： • APM32F103xB通过SPI接口，从单圈芯片读取单圈位置信息和单圈报警信息； • 通过GPIO口读取两个定时器开关状态，再结合单圈位置，计算得到圈数； • 通过I2C接口存储/读取主设备需要的数据； • 通过USART接口实现编码器协议，与主设备进行通信； • 通过ADC采样电池电压和主电电压，实现主电电压监测与异常报警功能。注：由于APM32F103xB的FLASH的页（1KB）擦除时间和16位编程时间之和小于2ms，也可以使用FLASH模拟EEPROM存储/读取主设备需要的数据。 APM32F103xB工业级主流型MCU性能优势 • 低功耗模式：Stop模式电流低至12μA，Standby模式电流低至5μA； • 小封装：最小可提供6×6mm QFN36封装，适用于有低功耗需求、紧凑型的方案设计； • 高速UART：最高通信速率4.5Mbit/s，满足2.5Mbit/s或4Mbit/s的编码器协议应用； • 高速SPI：最高通信速率18Mbit/s，可快速读写单圈编码器芯片的数据； • 高可靠性：通过IEC60730 CLASS B、IEC61508 SIL3认证，工作温度覆盖-40℃~105℃； • 高主频：搭载Cortex-M3内核，主频高达96MHz； • 量产级软硬件生态：可提供磁电式绝对值编码器整个开发过程中的软硬件技术支持与demo板面向编码器应用市场，极海凭借性能卓越的APM32工业级MCU产品线、丰富成熟经验的方案设计团队以及快速响应的技术支持，可满足工业控制和消费电子应用的多种编码器需求，目前已与多家终端厂商深度合作。极海将基于市场实际需求，继续在产品线布局、功能、性能上持续突破创新，助力编码器产业向更高精度、智能化、低成本发展。目前极海APM32F103xB编码器参考方案已有完善的方案规格书、参考设计文档、方案例程、原理图及电路板设计文件可提供。

极海

Geehy极海半导体 . 2024-11-20 1 2 2075
为何基准电压噪声非常重要？

从天然气勘探到制药和医疗设备制造，这些行业越来越需要能够实现高于24位分辨率的超高精度测量。例如，制药行业使用高精度实验室天平，该天平在2.1g满量程范围内提供0.0001mg分辨率，所以需要使用分辨率高于24位的模数转换器(ADC)。校准和测试这些高精度系统对仪器仪表行业来说是一大挑战，要求提供分辨率达到25位以上、测量精度至少7.5数字位的测试设备。为了实现这种高分辨率，需要使用低噪声信号链。图1显示噪声与有效位数(ENOB)和信噪比(SNR)之间的关系。注意，噪声是基于基准电压(VREF) =5V，ADC输入设置为满量程范围来计算的。举例来讲，要实现25位分辨率，或者152dB动态范围，可允许的最大系统噪声为0.2437µVrms。图1.噪声与ENOB和SNR。基准电压设置输入模拟信号的限值，ADC可以解析该信号。公式1是ADC的理想转换函数，其中输出数字码（小数形式）通过模拟输入信号VIN、基准电压VREF和ADC位数N计算得出。一般来说，ADC数据手册中的分辨率是基于输入短路技术得出，其中ADC输入连接至GND，或者ADC差分输入连接至共源极。ADC输入短路技术有助于确定ADC分辨率的绝对限值特性，方法是忽略ADC输入源噪声，消除VREF噪声的影响。结果确实如此，因为VIN设置为0V，使得VIN/VREF比也等于0V。为了研究基准电压噪声对整体系统噪声的影响，图2显示了总系统噪声(rms)和ADC输入直流源电压之间的关系。实施本次测试期间，我们使用了AD7177-2 32位ADC，其VREF输入连接至LTC6655-5(5V)，ADC输入则连接至低噪声直流源。ADC输出数据速率设置为10kSPS。注意，在整个ADC输入电压范围内，ADC噪声保持恒定(35nV/√Hz)，但ADC直流输入源噪声增大(≤6nV/√Hz)，与基准电压噪声(96nV/√Hz)相比，仍保持较低水平。如图2所示，总体噪声与ADC直流输入电压成正比。这是因为VIN(5V)，ADC输入则连接至低噪声直流源。ADC输出数据速率设置为10kSPS。注意，在整个ADC输入电压范围内，ADC噪声保持恒定(35nV/√Hz)，但ADC直流输入源噪声增大(≤6nV/√Hz)，与基准电压噪声(96nV/√Hz)相比，仍保持较低水平。如图2所示，总体噪声与ADC直流输入电压成正比。这是因为VIN/VREF比随之增大，所以在ADC使用满量程输入时，VREF噪声主导整体系统噪声。信号链中各组件的噪声会以和方根(RSS)的方式叠加，导致曲线形状如图2所示。图2.ADC VIN与rms系统噪声之间的关系。VREF设置为LTC6655-5。为了实现25位或以上的高测量分辨率，即使是市面上最好的独立基准电压（具备低噪声规格）也需要获取一些帮助来衰减其噪声。添加外部电路（例如滤波器）可以帮助衰减噪声，以达到所需的ADC动态范围。本文的其余部分介绍各种类型的低通滤波器，以及如何使用这些滤波器来衰减基准电压噪声，同时还会讨论滤波器设计技术和与滤波器有关的取舍。本文将以衰减基准电压噪声为基础，介绍两种类型的低通滤波器，分别是简单的无源RC低通滤波器(LPF)和基于有源信号流程图(SFG)的低通滤波器。电路性能部分会展示系统评估结果，用Σ-ΔADC表示测试。使用无源低通滤波器来降低噪声图3显示基准电压通过低通滤波器驱动ADC，该滤波器采用了外部储能电容C1、储能电容的等效串联电阻(ESR)，以及基准电压运算放大器（运放）的输出阻抗。无源RC LPF截止频率由以下公式确定从公式可以看出，带宽与电阻R和电容C成反比。从公式可以看出，带宽与电阻R和电容C成反比。储能电容C1也可以用作本地电源存储器，用于补偿ADC基准电压电路突然要求负载电流发生变化时产生的电压尖峰。图4显示Σ-ΔADC AD7177-2和SAR AD7980ADC动态基准电流响应。图4.AD7177-2和AD7980模拟动态基准电流响应。用户可以选择C1电容的值来满足LPF截止频率要求，但是有些SAR ADC要求基准输入端采用至少10µF电容，以保证正常运行。最小的10µF C1电容可以降低基准电压源缓冲器的相位裕量。随着相位裕量降低，缓冲器反馈不再为负。在单位增益交叉频率附近的信号与输入信号同相反馈。1这导致闭环响应在交叉频率附近出现噪声峰值。由于源自截止频率（–3dB点）的带宽最高达到16MHz，总集成噪声(rms)由噪声峰值主导。即使基准电压储能电容C1作为噪声滤波器使用，并补偿电压尖峰，也需注意噪声峰值。图5显示LTC6655基准电压的噪声峰值，该峰值因储能电容C1引起。噪声峰值幅度由储能电容的值和其ESR额定值决定。图5.LTC6655基准电压噪声峰值密度。大多数基准电压都具备复杂的输出级，以驱动适用于ADC基准电压源电路的大型负载电容。例如，LTC6655输出级设计用于采用设置为10µF的储能电容来执行关键衰减。LTC6655的储能电容设置为最小2.7µF、最大100µF时，会产生噪声峰值。 VREF输出储能电容的等效串联电阻会消除主要的噪声峰值，但是会在100kHz和以上频率时产生二次噪声峰值。究其原因，可能是因为电容的ESR产生零噪声，可以改善相位裕量和降低主要噪声峰值。但是，这个零噪声与LTC6655固有的零噪声结合在一起，产生了二次噪声峰值。注意，图5所示的噪声响应只适用于LTC6655基准电压源。过滤基准电压噪声、消除噪声峰值，以及合理驱动ADC的另一种解决方案是添加无源RC LPF，然后添加缓冲器。通过添加缓冲器，我们可以隔离LPF和ADC基准电压源输入电容之间的设计限制。参见图6。图6.无源RC LPF，后接缓冲器。将无源RC LPF截止频率设置为远低于单位增益交越频率，不止可以降低宽带和低频率噪声，还可以避免出现噪声峰值。例如，图7显示LTC6655噪声响应，其中C1=100µF(ESR=0Ω)，后接无源LPF，其中R=10kΩ、C2=10µF(ESR=0Ω)，在1.59Hz时产生极点。增大低通滤波器电阻R可以帮助实现低截止频率，但是也可能会降低精密基准电压的直流精度。添加无源RC LPF时，用户还必须考虑对负载调整和VREF缓冲器响应(τ=RC)的影响，在驱动ADC时，这会影响其瞬变性能。要达到所需的瞬变性能，建议如图6所示使用缓冲器。选择缓冲器时，要考虑的关键规格包括超低噪声、支持高负载电容的能力、低失真、出色的压摆率，以及宽增益带宽。建议采用的缓冲器为ADA4805-1和ADA48071。图7.LTC6655-5，后接无源RC LPF噪声响应。使用有源LPF降低噪声表1指明了所需的动态范围和必须满足的可允许最大系统噪声要求，以实现所需的ENOB ADC分辨率。根据ADC带宽，按20dB/10倍衰减的单极低通滤波器可能无法达到所需的宽带噪声消除。级联无源低通滤波器构建一个阶梯结构，可以生成更高阶的滤波器，但每个部分的输入阻抗将是前一部分的负载。这会降低精密基准电压的直流精度。但是，基于有源组件设计更高阶的LPF可以在输入和输出之间提供良好的隔离，最大限度避免基准电压直流精度下降，并提供低输出阻抗来驱动ADC的基准电压源电路。表1.条件：VREF = 5 V，ADC输入设置为满量程范围不同类型的有源低通滤波器，例如，Bessel、Butterworth、Chebyshev和elliptic，具体如图8所示。采用平坦带通或无纹波带通，可以最大限度地避免降低精密基准电压的直流精度。在所有滤波器类型中，基于Butterworth拓扑的LPF设计可以实现平坦的带通和陡峭的衰减。图8.滤波器振幅响应示例。有源低通滤波器设计技巧信号流程图是用图形表示源自一系列线性公式的系统。SFG用于连接转换函数和对应的系统电路拓扑。该理论可用于基于有源电路设计模拟滤波器。SFG滤波器设计方法的主要优点在于：衰减系数Q和截止频率都可以单独控制。SFG LPF可以帮助衰减噪声和提高信噪比，但会导致物料成本(BOM)、PCB区域和功率增加。此外，SFG LPF可以影响基准输出电压与温度，导致产生微小PPM误差，造成直流精度下降。图9所示为二阶低通滤波器示例，该滤波器采用SFG方法，从转换函数转换至电路块。扩展电阻(R)和电容(C)针对截止频率实施配置（请参见公式5）。图9.基于SFG方法实施有源RC低通滤波器。有关信号流程图理论的更多信息，请参考Addison-Wesley出版的Feedback Control of Dynamic Systems（《动态系统反馈控制》）。其中 Rs表示比例因子 Cn表示比例因子 Ws表示截止频率(Rad/s) 以下是一个计算示例，用于说明如何设计二阶0.5Hz截止频率SFG低通Butterworth滤波器：为了保持简明，选择Rs=1Ω，Cn=1F。选择Fs=0.5Hz，以最大化宽带噪声抑制效果。Ws=2×π×0.5=3.141rad. 设置衰减因子Q=0.71。选择此值可实现平坦的带通和陡峭的衰减，以反映Butterworth拓扑。 R、C和Rq值基于迭代流程选择，以实现较低热噪声和可用于表面贴装的组件值。 LTC6655LN简介考虑到与RC LPF和SFG LPF有关的取舍，更好的解决方案是如图10所示，将低通滤波器安装在基准电压的集成式低噪声缓冲器之前。这种布局不但会减小PCB面积，还不影响基准电压缓冲器的响应。使用快速稳定，具有高输入阻抗，能够灌电流和拉电流的基准电压缓冲器，有助于解决负载调整不良的问题，保持直流精度，以及改善瞬变性能。LTC6655LN采用了这种架构。它配有降噪引脚，可以帮助降低宽带噪声，支持使用集成式输出级缓冲器。LTC6655LN内置R3电阻（参考图10），允许用户在降噪(NR)引脚位置连接外部电容，以创建低通滤波器。采用LTC6655LN架构时，用户可以根据系统要求配置低通截止频率。表2.3 dB截止频率，适合连接至NR引脚的电容实现不同值 LTC6655LN RC LPF连接至缓冲器的非反向节点，该节点是此器件最灵敏的引脚。必须做好预防措施，应选择极低漏电流类型的外部电容，以防泄漏电流从R3电阻漏出，导致直流精度下降。此外，R和C之间的变化相互无关，所以RC时间常数和LPF截止频率会因为流程、电压和温度(PVT)差异而产生变化。表3.3种电压选项的R3的电阻值基准电压（例如内置LPF的LTC6655LN）提供最佳解决方案，用于简化噪声滤波器设计，消除对外部缓冲器的需求，以驱动ADC基准电压电路。图10.LTC6655LN方框图。测试电路描述AD7177-2精密ADC被用于确定LTC6655/LTC6655LN加10uF NR电容以及LTC6655后接SFG滤波器的标准性能，。AD7177-2是高分辨率32位低噪声快速稳定2通道/4通道∑-∆模数转换器，用于实现低带宽输入。AD7177-2集成可编程数字带通滤波器，允许用户控制5SPS至10kSPS的输出数据速率(ODR)。设计SFG LPF（图11）时用到的组件包括2个ADA4522-1运算放大器、1个AD797运算放大器、多个25ppm表贴式电阻、多层表贴式陶瓷电容，以及1个10µF WIMA薄膜电容。ADA4522是一款轨到轨输出运算放大器，宽带噪声密度为5.8nV/√Hz，闪烁噪声为177nVp-p。AD797是一款低噪声运算放大器，具备0.9nV/√Hz宽带噪声、50nVp-p闪烁噪声、20V/µs出色压摆率，以及100MHz增益带宽，因此适合驱动ADC。图11.SFG LPF。在使用LTC6655和带有AD7177-2的LTC6655LN时，为了正确评估性能，需要使用整体噪声低于ADC基准电压和ADC噪声的直流源。因此，会使用理想源，也就是9V电池电源，具体如图12所示。图12.低噪声直流源。电路性能图13显示噪声谱密度，图14显示输出数据速率(ODR)和ENOB，描述AD7177-2的性能，它的VREF输入连接至LTC6655或者采用10uF NR电容的LTC6655LN或者使用SFG方法滤波的LTC6655。关于在1 kHz时噪声谱密度的比较结果，请参见表4。图13和图14都有两个重要区域。表4.1 kHz时的噪声谱密度比较结果区域A：噪声谱密度图（图13）显示，ODR为500SPS及以上时，滤波LTC6655(SFG)和ADC直流输入源噪声远低于ADC的噪声，因此，ADC可以最大限度的去实现其最大性能，具体如图14中的区域A所示。从ODR、ENOB和噪声谱密度图中可以看出，在区域A中，总集成噪声(rms)的增高会妨碍信号链达到25位测量分辨率。区域B：在这个区域中，噪声谱密度图（图13）显示，三个基准电压选项和直流源的闪烁噪声升高，整体的系统噪声则受直流源噪声主导。区域B中的闪烁噪声升高，会导致测量性能和ADC可以实现的最大性能之间的ENOB偏差增大（图14）。根据ODR和ENOB图，滤波LTC6655(SFG)的ODR在小于等于20SPS时可以实现25位分辨率，带10µF NR电容的LTC6655LN-5和LTC6655实现的分辨率最高不超过24.6位。图13.噪声谱密度。图14.ODR与ENOB。下方的表5汇总介绍AD7177-2ADC的性能，其中VREF输入连接至LTC6655或者带10µF NR电容的LTC6655LN，或者连接至滤波LTC6655(SFG)。在ADC输入连接直流源，VREF输入连接至LTC6655时，零缩放栏确定AD7177-2可以实现的最佳动态范围。在ADC输入设置为近乎满量程时，带10 μF NR电容的LTC6655LN-5的动态范围平均增大4dB（与LTC6655相比，ODR范围为10000SPS到59.96SPS）。另一方面，滤波LTC6655(SFG)的动态范围平均增大7dB（与LTC6655相比，ODR范围为10000SPS到59.96SPS）。在59.96SPS以下，动态范围区域的变化不大，由ADC输入直流源产生、占主导作用的低频率闪烁噪声是导致差异的主要原因。与LTC6655/LTC6655LN相比，将10µF电容连接至LTC6655LN的NR引脚时，在1kHz时可以将宽带噪声降低62%，滤波LTC6655(SFG)可以将宽带噪声降低97%。结论精密系统如果想要实现25位或以上的分辨率，必须非常重视基准电压噪声。如图2所示，VREF噪声占系统噪声的比例与ADC满量程的使用率成正比。本文显示，在精密基准电压中添加滤波器可以衰减VREF噪声，从而降低整体的系统噪声。后接SFG滤波器的LTC6655基准电压可以将未配备滤波器的LTC6655的宽带噪声降低97%。但这会额外增加物料成本，增大PCB面积和功耗，降低几PPM的直流精度，且导致精密基准电压源输出随温度发生变化。在考虑与SFG LPF有关的取舍时，LTC6655LN采用简单设计，功耗低，只需要使用单个电容来降低宽带噪声，且无需使用外部缓冲器来驱动ADC。带10µF NR电容的LTC6655LN与不带滤波器的LTC6655相比，其宽带噪声降低62%。因此，用户现在可以使用内置的LTC6655LN低通滤波器来让精密系统实现所需的分辨率。

ADI

亚德诺半导体 . 2024-11-20 1165
纳芯微CAN收发器NCA1044-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证

近日，纳芯微宣布其新推出的汽车级CAN收发器芯片NCA1044-Q1获得欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau出具的EMC认证测试报告。 NCA1044-Q1成功通过所有测试项，成为国内首颗全面通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC测试的CAN收发器芯片。纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。 CAN收发器芯片常用于汽车中的CAN总线网络，通常用于控制，诊断等关键功能，如三电、制动、转向、安全气囊等。这种环境中存在多种电磁干扰源，如电动车三电系统、发动机、变频器、无线通信设备等。这些干扰会对数据传输产生不良影响，从而导致信号传输错误或系统故障，甚至有可能影响整个系统的安全性。此外，由于汽车系统中CAN总线布线长，CAN收发器的噪声容易以CAN总线作为天线对外产生辐射，从而导致模块或整机对外辐射发射（Radiated Emission）和传导发射（Conducted Emission）性能超出整车要求，因此，具备良好EMC（Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性）性能的CAN收发器芯片是实现系统可靠性的重要保障。全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证鉴于CAN收发器芯片的EMC性能对汽车行驶安全的关键作用，各地区制定了严格的汽车电子电磁兼容性标准和认证流程，并要求汽车制造商遵循。例如，美国汽车工程师协会（SAE）的J2962标准和欧洲的IBEE/FTZ-Zwickau认证都对汽车电子的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC62228-3标准进行，IEC62228-3相较于SAE J2962标准，排除了系统外围电路的影响，更聚焦CAN收发器本身的EMC特性，且要求等级更高，在除欧洲以外的车企中也得到了广泛参考应用。 IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰（Emission RF Disturbances）, 抗射频干扰（Immunity RF Disturbances），瞬变免疫力（Immunity Transients）和抗静电（Immunity ESD）共四项测试，纳芯微NCA1044-Q1全部通过。表-1：纳芯微NCA1044-Q1全部通过四项测试业界领先的抗干扰特性 NCA1044-Q1通过巧妙的电路设计，解决了其输出电路受到异常高压干扰，导致输出信号出现误码的问题，从而提高了EMC性能，可帮助客户显著降低EMC设计难度，简化外围器件并降低成本。此外，NCA1044-Q1还具备行业领先的抗干扰特性。根据IEC62228-3标准，当外部不同频段的射频噪声耦合到CAN总线时，可通过的功率越高，说明CAN收发器的抗干扰能力越强，在系统中出现误码的风险也就越低。纳芯微NCA1044-Q1即使在总线不需要共模电感滤波的情况下，仍可以通过标准要求的最高功率（如图-1和表-2，应用层面一般不做要求，但纳芯微NCA1044-Q1依旧通过该项测试），可帮助用户减少系统外围电路，降低成本，提升系统鲁棒性。图-1：NCA1044-Q1的DPI测试结果（器件的DPI性能可转换为系统级的BCI性能参考）表-2：NCA1044-Q1的DPI测试表格（器件的DPI性能可转换为系统级的BCI性能参考）封装和选型 NCA1044-Q1现已量产，提供SOP8和DFN8两种封装。NCA1044-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，提供过温保护；NCA1044-Q1支持TXD显性超时保护，待机模式下支持远程唤醒。

CAN收发器

纳芯微电子 . 2024-11-20 1 1075
韧性与创新并存，2024 IIC创实技术再获奖分享供应链挑战下的自我成长

11月5日-6日，由全球电子行业知名媒体AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田会展中心7号馆圆满落幕。作为业界颇具影响力的系统设计峰会，IIC Shenzhen 2024再次为半导体产业搭建了一个专业的交流平台，聚集国内外电子产业领袖、管理人员、设计精英及决策者，聚焦重大前沿新兴技术及产品、市场应用以及供应链发展变迁和趋势，以此助推产业的创新稳健发展。在同期举行的“2024年度全球电子元器件分销商卓越表现奖”颁奖盛典上，业内领先电子元器件分销商深圳创实技术有限公司（简称“创实技术”或“Cytech Systems”）荣获“2024年度全球电子元器件分销商卓越表现奖之国际潜力之星分销商”！这也是创实技术继2023年获奖之后，再次获得此殊荣。图1. 创实技术销售总监王良兴（左）作为公司代表上台领取“国际潜力之星分销商”奖杯韧性！面对未来市场分化，供应链挑战依旧！再次获奖不仅是对创实技术实力的肯定，更是对其在变革周期中积极调整策略的褒奖。创实技术也表示，这个奖项意味着来自市场的认可和肯定，是多年来努力经营的回报。获奖本身也将激励创实技术继续提升自身实力，为客户提供更优质的产品和服务，进而巩固并稳步提升其在行业中的地位和影响力。 2024年，半导体行业强劲复苏，但仍呈现不均衡的状态，供应链依旧充斥着诸多挑战与薄弱环节，对分销行业韧性的考验加剧。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测，2024年全球半导体市场预计将增长16%，达到6110亿美元。而推动这一增长的主要动力来自逻辑芯片（预计增长10.7%）和存储芯片（预计增长76.8%）。贝恩咨询同样在报告中警示，AI驱动的需求激增将对供应链构成新的压力。当下，生成式AI的突破使得数据中心GPU需求激增，预计到2026年，数据中心对当前一代GPU的需求将实现翻倍。同时，个人设备中AI功能的嵌入也将激发新设备购买需求的增长，预计到2026年，PC销量将增长31%，智能手机销量将增长15%。这一趋势无疑将进一步加剧供应链的紧张态势，尤其是在高端芯片和存储器供应方面。据麦肯锡最新报告揭示，2024年高达90%的受访企业遭遇了供应链困境，而造成困境的原因也更趋多元，可能是地缘政治，可能是自然灾害，也可能是当前贸易的紧张局势对部分半导体产品在全球流通造成的严重制约。鉴于全球经济环境的变化和电子元器件市场的波动，分化也是创实技术预测未来市场所给出的标签：一方面，一些传统的电子元器件市场可能会逐渐萎缩，另一方面，与新兴技术相关的电子元器件市场将迎来快速发展。基于对一线市场的深入调研，创实技术表示未来几年内物联网、人工智能、新能源等领域的市场发展值得看好。同时，为应对这种趋势变化，公司也已经在产品选型、技术储备、市场开拓等方面做好了相应的准备。百炼成钢，在周期变革中夯实数字化硬实力从2022年的半导体短缺市场走来，电子元器件分销领域经历了各种黑天鹅事件叠加的行业起伏。如果说曾经的PPV+Shortage并行策略，让创实技术积累了一波快速成长。那么当市场从短缺穿越到过剩，战略调整势在必行。拓展新商机，大力发展代理事业部和PPV服务并重，创实技术以此应对新挑战。众所周知，分销业务伴随市场起伏，对信息化技术要求极高，创实技术若想要在起伏中抢得商机，就必须密切关注市场动态以及客户的未来生产计划，合理调整库存水平，这一切都离不开先进的数字化管理。引入更为先进的SAP供应链系统只是第一步。创实技术通过ERP系统对采购、库存、销售等各个环节进行实时监控和管理，从而大幅提高供应链的透明度和效率。此外，创实技术还引入了LIMS和 WMS智能仓储管理系统，实现流程的自动化管理，全面提升库存与物流管理效率，加快客户需求响应速度，进一步提升客户满意度。在数字化助力的基础上，加强上下游企业的深度合作，建立更紧密的战略联盟，实现信息共享和协同运作，创实技术才能游刃有余地应对挑战，比如对于库存积压的产品，积极开拓新兴市场和应用领域，寻找新的销售渠道；而在价格下跌环境下，就进而优化采购策略，与供应商协商更有利的价格条款，进一步加强成本控制，以期强化竞争力，提高供应链的整体效率和韧性！多样化需求背景下，强化增值服务是必由之路此外，2024年半导体行业的复苏表明，未来几年内，全球半导体市场仍将处于扩张状态。然而，随着投资的快速增长和产能的不断扩张，行业也将面临新的供需失衡风险。同时市场分化加剧也将带来不同地区、不同行业的发展速度差异，客户需求将更加多样化。创实技术发现，过去几年，很多国外OEM已对中国半导体厂商的态度发生改变，对国产芯片的接受度不断提升。在敏锐察觉到这一变化之后，创实技术也开启了对更多优质国产芯片代理业务的开拓，其旗下专注国产芯片和模块推广的子公司深圳创华芯电子有限公司（简称“创华芯”或“CHCHIP”)承担起了这一重任。比如专注于低功耗蓝牙主芯片的上海奉加，具有全栈自研的蓝牙协议栈和丰富的市场产品应用开发能力；比如在功率器件领域有着丰富产品类型和应用的广东仁懋不仅是国内知名的半导体封装测试的高新技术企业，还是国家级专精特新小巨人企业；又比如专注于AC-DC、DC-DC高频模块电源的广州爱浦，作为20年品牌企业和高新技术型企业，拥有丰富的产品设计经验以及完善的电源解决方案和产品。目前，创华芯已经积累了包含洛仑兹、爱浦、仁懋、有方、奉加、辉芒、沁恒、伯恩、金誉、诚芯微、先楫、沐曦等一众各自领域内的优秀国产厂商资源。图2. 创实技术和创华芯携部分原厂展品亮相IIC Shenzhen 2024 在引进国产代理线的基础上，创实技术更进一步打磨自身服务——对应提供包括产品选型、技术支持和售后服务等在内的定制化解决方案。此外，创实技术更是探索了许多新供应渠道，导入线上销售平台，结合线下的销售团队和服务网点，一方面整合更多有竞争力产品线，另一方面整合技术方案增值，再结合线上线下融合服务，为客户提供更便携、更高效的采购体验。以完善的质量管理体系和敏捷响应客户需求为服务基石，创实技术不断开拓着自己的能力边界，比如走出去。开发海外客户和业务是创实技术早几年就在规划的事情。未来，电子元器件分销行业必将面临市场竞争加大、技术更新迭代快、客户需求多样化等多重挑战，如何提升创实技术在海外的知名度已是重中之重。将客户群体进一步深化到全球的OEM、EMS和ODM等已成创实技术当下的战略重点，今年8月创实技术就与日本顶尖电源管理IC厂商Torex达成了授权代理合作。而在海外布局方面，创实技术直言要逐步将业务拓展到日本、新马泰和越南等地，不断提高市场份额，以期成为电子元器件代理以及分销行业的领军企业。尽管硬科技行业都在不懈地努力提升全球供应链的韧性，但供应链依旧充斥着诸多挑战与薄弱环节，当然这一切对勇于向前的人来说，都是机会！

创实技术

芯查查资讯 . 2024-11-19 1 895
AMD推出第二代Versal Premium，采用6nm工艺支持CXL3.1和PCIe Gen6

近日，AMD推出了其第二代AMD Versal Premium系列，该自适应SoC旨在面向各种工作负载提供高水平系统加速，这是行业首款在硬IP中采用CXL3.1和PCIe Gen6，并支持LPDDR5存储器的器件。 AMD第一代Versal Premium系列产品更多关注的是加速网络，在高安全性、高通量和带宽的情况下加速网络。第二代Versal则主要针对数据中心、通信，以及测试测量市场中数据密集型应用，特别是数据中心应用需要越来越多的内存来支持大语言模型，因此，AMD增加了CXL内存的分享和池化。生产工艺方面，第二代Versal Premium采用了6nm制程。之所以采用该制程，AMD自适应与嵌入式计算事业部( AECG ) Versal产品营销总监Manuel Uhm 解释称，随着摩尔法则的衰减，现在制程的重要性越来越低，更重要的是架构，“所以也不可能像过去那样实现只有一半的功耗，但是可以达到双倍的性能。关键这里的问题就是看用例是什么，针对什么样的用例，通过这样的方式选择合适的计算引擎来解决问题。我们Versal系列的产品总是能够非常精准地去针对一些关键的应用，来确保能够有最合适的关于算力、I/O以及内存的组合，实现最高的性价比，而不总是采用最新的制程。” 谈到第二代AMD Versal Premium系列，AMD自适应和嵌入式计算事业部( AECG )高级产品线经理Mike Rather主要强调了该系列产品在三个领域的创新，即加速主机连接、释放更多内存，以及加强数据安全。加速主机连接加速主机的连接对于现在高端的应用非常关键。AMD在Versal Premium自适应SoC和AMD EPYC CPU之间能够形成很好的协同。PCIe Express能够提供Versal Premium和CPU之间非常高性能的连接，这可以用于卸载计算、网络以及存储工作负载。也能拥有非常连贯的接口，这样Versal Premium和EPYC处理器就能够共享内存空间，从而减少搁置内存。再加上PCIe IDE以及内存DRAM的加密，数据能够做到端到端的安全性。 AMD通过支持CXL来倡导开放式创新，CXL是处理器与器件之间的开放式行业标准互连技术。第二代Versal Premium器件支持业界最快的主机接口CXL 3.1和PCIe Gen6，高达64Gb/s，可实现高带宽主机CPU到加速器连接。与支持 PCIe Gen4 或 Gen5 的 FPGA 相比，PCIe Gen6 能提供了 2 至 4 倍的线速率2，而运行 PCIe Gen6 的 CXL 3.1 在类似时延下则能提供使用 CXL 2.1 器件的双倍带宽3，以及增强的架构和一致性功能。值得一提的是，第二代AMD Versal Premium系列内部的DSP计算密度得到了进一步的提升，实现了更高的每平方毫米的DSP算力，可支持多种工作负载。 Mike Rather表示，AMD在第二代AMD Versal Premium系列增加了一个新的收发器-----GTM2。GTM2它能够结合第一代Versal Premium产品上面的两个收发器，一个是GTM，还有一个是GTM1。GTM2能够支持的数据速率是从1.25 Gb/s到128 Gb/s，同时还支持NRZ和PAM4编码。“我们也保留了非常熟悉的设计流程，所以开发者可以使用GTM2，同时还确保全过程的可靠性。”他强调。此外，在I/O方面，AMD增加了对于高速MIPI C-PHY和D-PHY接口的支持。提高存储器带宽与利用率由于现在人工智能方面的应用越来越普遍，使得数据量越来越大，因此，更快速的释放更多内存显得非常重要。第二代AMD Versal Premium系列在DDR5和LPDDR5上支持的数据的速率是其第一代产品支持的DDR4和LPDDR4的2倍。而且DDR5和LPDDR5相比DDR4和LPDDR4，消耗的功率是有20%到30%的下降。更重要的是，AMD还增加了硬内联ECC与加密来保护内存。与 CXL 存储器扩展模块进行连接可使总带宽较之单独使用 LPDDR5X 存储器高出至多 2.7 倍5。因此，第二代 Versal Premium 系列允许为多个加速器实现可扩展的内存池和扩展，进而优化存储器利用率并增加带宽和容量。通过为多个器件动态分配内存池，第二代 Versal Premium 系列自适应 SoC 旨在提高多头单逻辑器件（ MH-SLD ）的存储器利用率，使其无需架构或交换机即可运行，同时支持至多两个 CXL 主机。数据安全加密在不断变化的安全形势下，增强数据安全性正变得日益重要。增强的安全功能有助于第二代 Versal Premium 系列在传输和静态状态下均可快速、安全地传输数据。其是业界首款在硬IP中提供集成PCIe完整性和数据加密（ IDE ）支持的 FPGA 器件。硬核 DDR 内存控制器内置的内联加密可助力保护静态数据，而400G高速加密引擎则能帮助器件以至高2倍的线速率保护用户数据，从而实现更快速的安全数据事务。工具支持，产品表及时间表 Vivado是AMD所有的Versal器件统一的设计环境。据Mike介绍，AMD也在不断地改善Vivado的开发环境，每次发布都有改善，适用于所有的Versal，也包括第二代AMD Versal Premium系列。目前，AMD通过采用新的P&R算法，并且改善多线程的性能，还有增强的增量流，减少编译时间。此外，AMD引入了用于顶层设计的RTL流程，以及用于GTM2的RTL流程。全新的第二代AMD Versal Premium系列产品共有4种。从140万逻辑单元到330万逻辑单元不等，从3300到7600的DSP引擎，有片上内存和内存控制器。另外还有双核A72应用处理器、双核R5F实时处理器。有从32到72的GTM2收发器，PCIe和CXL方面的器件，还有100G和600G的以太网MAC，以及400G的高速加密引擎和LDPC的解码器。供货情况方面，第二代AMD Versal Premium系列产品的早期文档将会在2024年11月提供，功率估算工具提供的时间为2024年Q4，第二代 AMD Versal Premium 系列开发工具预计将于 2025 年第二季度提供，随后于 2026 年初提供芯片样片。预计将于 2026 年下半年开始量产出货。

AMD

芯查查资讯 . 2024-11-19 1 1825
中标国内首条第8.6代AMOLED产线项目！迈为股份携手京东方，激光装备再创佳绩

近日，迈为股份全资子公司迈为技术(珠海)有限公司（简称：迈为技术）中标国内显示面板龙头企业京东方的第8.6代AMOLED生产线项目，将向"成都京东方技术有限公司"供应3套平板显示器基板切割机(激光)、2套激光切割机，分别用于柔性OLED面板切割工艺、Hybrid OLED面板TPF半切工艺及TPF废料撕除工艺。关于京东方第8.6代AMOLED生产线根据京东方此前公告，其第8.6代线为国内首条、全球首批高世代 AMOLED 生产线，总投资630亿元，项目产品主要定位在笔记本电脑/平板电脑等高端触控OLED显示屏，主攻中尺寸OLED IT类产品，将极大推动OLED显示产业快速迈进中尺寸发展阶段，对促进半导体显示产业的优化升级具有重要意义。京东方董事长陈炎顺在该8.6代AMOLED生产线封顶仪式上曾表示，此项目的建成将成为技术最先进、产能最大的中尺寸OLED显示器件生产基地，加速全球OLED新型显示产业发展，为上下游产业带来更加广阔的发展机遇。国产核心装备加速显示产业创新从2021年至今，双方已就超过二十套OLED激光设备达成合作，包括OLED柔性屏弯折激光切割设备（Bending Cut)、OLED激光切割设备（Film cut)、OLED激光修复设等。迈为股份总经理、迈为技术董事长王正根表示：“ 作为京东方的长期合作伙伴，我们高度重视第8.6代AMOLED生产线项目。公司将全力以赴，向客户交付国际先进水平的OLED装备，以我们自主研发、稳定可靠的国产装备，助力客户完善产线结构、优化升级产品，携手共促先进显示技术及显示行业的高质量发展。” 迈为股份OLED柔性屏激光切割设备

迈为

迈为股份 . 2024-11-19 1345
瑞萨RA-T系列芯片ADC&GPT功能模块的配合使用

在马达或电源工程中，往往需要采集多路AD信号，且这些信号的优先级和采样时机不相同。本篇介绍在使用RA-T系列芯片建立马达或电源工程时，如何根据需求来设置主要功能模块ADC&GPT，包括采样通道打包和分组，GPT触发启动的设置。本文以RA6T2为范例，结果可推广到RA-T系列其他芯片和相关领域。在马达或电源工程中，需采样的信号众多。但是采样信号的重要性并不相同，一般按优先级可分为两类： 1）算法必须使用的采样数据，需在每个载波（算法）周期更新，优先级和实时性要求较高，比如马达工程里的电机的三相电流，电源工程里的输出目标的电压或者电流。 2）变化频率不高或幅度基本稳定的采样数据，有些不参与算法处理，但是仍需采集，以辅助系统控制，或者监控系统运行状态，比如马达工程的母线电压，电源系统的输入电压，关键元器件温度采样等。为了使设计更为灵活，RA6T2 ADC模块采用虚拟通道的概念。客户可以不受物理位置的限制，将相同类型功能通道编制到相邻的虚拟通道位置，然后打包成group。通过对整体group属性设置，统一协调控制通道的动作。特别对于两个单元共享的20-28通道，可以自由选择，灵活使用。以瑞萨官方提供的无位置传感器FOC样例工程为例，这个应用中需采样5个信号。更多信息您可复制下方链接至浏览器打开或扫描二维码进行查看： https://www.renesas.cn/cn/zh/document/scd/sensorless-vector-control-permanent-magnet-synchronous-motor-mckmcb-ra-family-sample-code?r=1542426 其中三相电流信号Iu，Iv，Iw参与FOC算法执行，需每个周期更新，实时处理。母线电压BUS_voltage和驱动信号Rotation speed command实时性没有这么高，可以另行处理。其系统设计框图如下：我们可以把实时处理的三相电流采样打包成一个group（此样例中为group0）。把母线电压和其他采样打包成另一个group（此样例中为group1）。在每个载波周期中需更新AD采样值，则设置group0和group1都由GPT触发启动（在本应用中，使用两组ADC分属不同的ADC单元，所以group标号设置顺序，不影响工程性能，可随意设置），这样AD采样时机与载波周期相关联。此样例工程所使用方案为三电阻采样，需在每载波周期GPT下溢时刻触发ADC采样。请看本实例，可设置触发在向下计数时触发A/D转换，并且技术匹配点为0，则下溢触发时刻设置完成。在group0中设置采样完成中断使能，使group0采样完成后立即进入中断，执行FOC算法。这样设计的目的是在采集完FOC算法所必须的三相电流数据后，就立即执行FOC算法。可以使整个系统逻辑运行设计更紧凑、合理。具体到不同实际应用，如果采样通道确需打包为两个或两个以上的group，建议参考数据手册Table 36.4，将优先级高的采样信号（如此处的三相电流采样）选择同一个采样单元（如此处ADC0）的所属通道（比如本样例工程使用AN000，AN002，AN004），将优先级低的采样信号（如此处的母线电压和驱动信号）选择另外的采样单元（如此处ADC1）的所属通道（比如本样例工程使用AN006，AN008），这样可以使两个采样单元同时触发执行，提高运行效率。如果需设置超过2个以上group，且由同一个触发源启动，并且使用的是同一个采样单元，此时小标号的group0优先级高，会先执行。比如，group0由采样单元0中的3个通道组成，group1由采样单元0中的2个通道组成，那么当发生触发时，group0优先级高，先执行，然后执行group1。所以，请用户在使用时根据实际情况进行评估，按照系统优先级设置group。如您在使用瑞萨MCU/MPU产品中有任何问题，可识别下方二维码或复制网址到浏览器中打开，进入瑞萨技术论坛寻找答案或获取在线技术支持。 https://community-ja.renesas.com/zh/forums-groups/mcu-mpu/

RA-T

瑞萨嵌入式小百科 . 2024-11-19 1 1370
汽车制造商和供应商的功率半导体考虑因素

功率半导体行业正在经历一场革命，设备供应商竞相利用尖端技术来应对新的应用，这既带来了巨大的挑战，也带来了令人兴奋的机遇。其中最重要的是电动汽车，有效利用功率半导体可以增加续航里程、减小动力系统的尺寸和重量、缩短充电时间并降低电池成本。目前，汽车制造商（OEM）和那些希望在其自身快速发展的行业中摸索前进的各级厂商有多种多样的解决方案。功率半导体可按其制造材料大致分类，每种材料都有优点和缺点。传统的硅材料仍然是一个引人注目的选择硅基 IGBT 是主力产品经过多代改进，它们将良好的性能与出色的可靠性和成本结合在一起。此外，它们还可从全球范围内的众多供应商处获得，因此是一种可靠的选择，也是评判其他解决方案的标准。碳化硅 MOSFET 是高性能器件的首选。与硅基 IGBT 相比，这些 MOSFET 的效率更高，系统尺寸也更小，但价格却要高得多。自特斯拉首次将 SiC 引入动力总成逆变器以来，其使用范围已扩大到许多中高端汽车。最后是氮化镓，这种材料在电源适配器中的应用可能让人耳熟能详，但尚未以任何明显的方式渗透到汽车市场。氮化镓也具有出色的效率，其价格更接近硅。不过，氮化镓不容易扩展到高电压，而且普遍被认为不可靠。这种名声在很大程度上是没有道理的，但它在汽车应用中缺乏现场数据，有时会成为采用的障碍。那么，动力总成工程师应该选择哪种材料呢？硅仍应是标准材料，只有全电动汽车才应考虑使用替代材料。虽然插电式混合动力汽车在电动续航里程和充电方面的改进将使其受益匪浅，但内燃机的后备选择使其更难证明额外的芯片和工程成本是合理的。就全电动汽车而言，碳化硅在许多情况下都优于硅。全电动汽车市场正朝着两条不同的道路发展：一种是续航里程较小的汽车，旨在满足日常使用的一般需求，另一种是续航里程较大的汽车，可满足包括长途旅行在内的所有驾驶需求。从目前的情况来看，那些以较小续航里程为目标的车辆应该坚持在牵引逆变器中使用硅 IGBT。续航里程只需足够，成本才是更关键的因素。或者，可以使用碳化硅或氮化镓来减小电池尺寸，从而节省成本，而不是提高续航能力。目前，这种计算方法并没有站在新材料的一边，但我们可以想象，不久之后就会出现这种情况。当汽车制造商试图最大限度地延长续航里程时，碳化硅显然是最佳解决方案。汽车制造商寄希望于客户愿意为获得所需的续航里程而支付溢价，而这些车辆通常都不是经济型车辆。越来越多的汽车采用 800 V 电池系统，而碳化硅是这一转变的关键推动因素，1200 V 的设备也随时可用。碳化硅也已成熟到有多家汽车合格部件供应商的地步，它们拥有各自不同的供应链。以前的碳化硅芯片供应限制已有所松动。那么，氮化镓何时才是正确的选择呢？预计氮化镓最早将于 2025 年开始用于车载充电器。这将有助于氮化镓器件在高可靠性标准的汽车生态系统中变得成熟，并有可能为将其应用于逆变器铺平道路。虽然目前已有 900 V 和 1200 V 氮化镓设备，但它们在很大程度上仍处于起步阶段，因此可能需要转向三相拓扑结构，以实现 800 V 电池与广泛使用的 650 V 设备之间的兼容性。由于性能有望得到改善，目前许多制造商都在计划采用这种技术，但碳化硅也有 600 V 的器件，这意味着并不能保证氮化镓一定会被采用。一旦生态系统足够成熟，氮化镓器件的性能将明显优于硅器件，而价格仅略有上升，因此成本效益分析有利于氮化镓。在这种情况下，我们可能会看到氮化镓逆变器用于经济型汽车，甚至插电式混合动力汽车。目标市场、电池选择和设计拓扑结构都会影响半导体材料的选择。碳化硅已经在这一日益复杂的产品领域找到了自己的方向，而氮化镓虽然潜力巨大，但前路漫漫。Omdia 可以为希望了解供应情况的动力总成设计人员或希望在供应过程中规划路线的设备供应商提供支持。

汽车电子

Omdia . 2024-11-19 770
利用 NVIDIA SHARP 网络计算提升系统性能

AI 和科学计算是分布式计算问题的典型示例。这些问题通常计算量巨大，计算很密集，无法在单台机器上完成。于是，这些计算被分解为并行任务，由分布在数千个 CPU 或 GPU 的计算引擎上运行。为了实现可扩展的性能，需要把工作负载划分在多个节点，如训练数据、模型参数或两者一起划分。然后，这些节点之间需要频繁交换信息，例如模型训练中反向传播期间新处理的模型计算的梯度。这些通信往往需要高效的集合通信，如 all-reduce、broadcast 以及 gather 和 scatter 等操作。这些集合通信模式可确保整个分布式计算中模型参数的同步和收敛。这些操作的效率对于最大限度地减少通信开销和最大限度地提高并行计算效率至关重要，优化不佳的集合通信可能会导致瓶颈，限制可扩展性。瓶颈源于以下几个因素：延迟和带宽限制：集合操作依赖于节点间的高速数据传输，而这些高速数据传输受到物理网络延迟和带宽的限制。随着系统规模的增加，要交换的数据量也随之增加，通信所花费的时间成为至关重要的因素。同步开销：许多集合操作需要同步点，确保所有参与的节点必须先达到相同的状态，才能继续下一步操作。如果某些节点速度较慢，将拖累整个系统延迟，从而导致效率低下，被称为 stragglers。网络争用：随着越来越多的节点试图同时通信，网络变得更加拥塞，对带宽和网络资源的争夺也在增加，这进一步降低了集合操作的性能。非优化通信模式：一些集合通信算法（例如基于树的归约操作或基于 Ring 的 all-reduce 操作）并非始终针对大规模系统进行了良好优化，导致可用资源的低效利用和延迟增加。克服这一瓶颈需要先进的网络技术（例如 InfiniBand 和 RDMA）和算法优化（例如分层 all-reduce 或流水线技术），以最大限度地减少同步延迟、减少资源争用并优化分布式系统之间的数据流。创建 NVIDIA SHARP 关键的集合通信使所有计算引擎能够相互交换数据。在网卡或服务器上管理这类通信需要交换大量数据，并且会受到延迟或集合性能差异的影响，称为服务器抖动。将管理和执行这些集合通信的任务迁移到网络交换机上，可以将传输的数据量减半，并最大限度地减少抖动。NVIDIA Scalable Hierarchical Aggregation and Reduction Protocol（SHARP）技术实现了这一理念，并引入了网络计算概念。它集成在交换机 ASIC 中，旨在加速分布式计算系统中的集合通信。 SHARP 已随着 NVIDIA InfiniBand 网络一起推出，可将集合通信操作（如 all-reduce、reduce 和 broadcast 等）从服务器的计算引擎卸载到网络交换机。通过直接在网络中执行归约（如求和、平均等），SHARP 可以显著改进这些操作并提升整体应用程序性能。 NVIDIA SHARP 代际演进第一代 SHARP 专为科学计算应用而设计，侧重于小消息归约操作。它随着 NVIDIA EDR 100Gb/s 交换机产品推出，并迅速得到行业领先 MPI 通讯库的支持。SHARPv1 小消息归约可以并行支持多个科学计算应用。 MVAPICH2 是 MPI 标准的开源实现，专为 HPC 场景而设计。负责 MVAPICH MPI 通信库的俄亥俄州立大学团队在德克萨斯先进计算中心 Frontera 超级计算机上验证了 SHARP 的性能。MPI AllReduce 的性能提高了 5 倍，而 MPI Barrier 集合通信的性能则提高了 9 倍。第二代 SHARP 随着 NVIDIA HDR 200Gb/s Quantum InfiniBand 交换机推出，增加了对 AI 工作负载的支持。SHARPv2 支持大消息规约操作，每次支持一个工作负载。这一版本进一步提升了该技术的可扩展性和灵活性，支持更复杂的数据类型和集合操作。 2021 年 6 月 NVIDIA MLPerf 提交的结果展示了 SHARPv2 的性能优势，其中 BERT 的训练性能提高了 17%。 NVIDIA 副总裁兼人工智能系统首席架构师 Michael Houston在加州大学伯克利分校的机器学习系统课程中介绍了 SHARPv2 的 AllReduce 性能优势。 SHARPv2 将 AllReduce 的带宽性能提高了一倍，将 BERT 训练性能提高了 17％。图 1.加州大学伯克利分校机器学习系统课程示例（来源：分布式深度学习，第 II 部分：扩展约束）第三代 SHARP 随着 NVIDIA Quantum-2 NDR 400G InfiniBand 平台推出。SHARPv3 支持多租户 AI 工作负载网络计算，与 SHARPv2 的单工作负载相比，可同时支持多个 AI 工作负载的并行使用。 Microsoft Azure 首席软件工程师 Jithin Jose 在“Transforming Clouds to Cloud-Native Supercomputing:Best Practices with Microsoft Azure”专题会议上展示了 SHARPv3 性能。Jithin 介绍了 InfiniBand 网络计算技术在 Azure 上的应用，并展示了 AllReduce 在延迟方面取得数量级的性能优势。图 2. SHARPv3 的 AllReduce 延迟性能端到端 AI 系统优化 SHARP 强大功能的经典示例是 allreduce 运算。在模型训练期间，多个 GPU 或节点之间需要进行梯度求和，SHARP 在网络中实现梯度求和，从而无需在 GPU 之间或节点之间进行完整的数据集传送。这缩短了通信时间，从而加快 AI 工作负载的迭代速度并提高吞吐量。在网络计算和 SHARP 时代到来之前，NVIDIA Collective Communication Library（NCCL）通信软件会从图中复制所有模型权重，执行 all-reduce 运算来计算权重之和，然后将更新的权重写回图，从而产生多次数据复制。 2021 年，NCCL 团队开始集成 SHARP，引入了用户缓冲区注册。这使 NCCL 集合操作能够直接使用指针，从而消除了在此过程中来回复制数据的需求，提高了效率。如今，SHARP 已与广泛用于分布式 AI 训练框架的 NCCL 紧密集成。经过优化的 NCCL 充分利用 SHARP 的能力，将关键的集合通信操作卸载到网络，从而显著提高分布式深度学习工作负载的可扩展性和性能。 SHARP 技术有助于提高分布式计算应用程序的性能。SHARP 正被 HPC 超级计算中心用于科学计算工作负载，也被人工智能（AI）超级计算机用于 AI 应用程序。SHARP 已成为实现竞争优势的“秘诀”。一家大型服务提供商使用 SHARP 将其内部 AI 工作负载的性能提高了 10% 到 20%。 SHARPv4 SHARPv4 引入了新算法，可支持更多种类的集合通信，这些通信类型已用于领先的人工智能训练应用。 SHARPv4 将随着 NVIDIA Quantum-X800 XDR InfiniBand 交换机平台一起发布，从而将网络计算能力提升至更高水平。

NVIDIA

NVIDIA英伟达网络 . 2024-11-19 1 2 1780
『从射频信号完整性到电源完整性』射频应用中的挑战与解决方案

Qorvo首席系统工程师/高级管理培训师 Masashi Nogawa将通过《从射频信号完整性到电源完整性》这一系列文章，与您探讨射频（RF）电源的相关话题，以及电源轨可能对噪声敏感的RF和信号链应用构成的挑战。本文将提出一个简单的问题：鉴于受噪声“污染”的电源可能会破坏您的信号，那您将如何保持电源轨的“清洁”？多年来，电子工程师们一直在讨论“信号完整性”，但如今越来越意识到“电源完整性”对RF和信号质量的影响。可以这样说，关于电源完整性的讨论始于20世纪末，当时的关注点在于如何为有高电流瞬态需求的微处理器提供合适的电源。这种需求首先在个人及商务计算机所使用的英特尔（Intel）和太阳微系统（Sun Microsystems）等公司的生态系统中出现；例如，Istvan Novak博士曾在2000年的DesignCon上就电源分配网络（PDN）的阻抗测量问题做了题为《在电源分配网络中测量毫欧姆和皮亨》的演讲。如今，市场上出现了各种类型的微处理器，如DSP、FPGA和GPU，如何处理瞬态电流被视为PDN日益严峻的技术挑战。最初，PDN设计更偏向于给数字系统供电，以确保和维持准确的逻辑高、低电平。例如，由负载电流瞬变导致的过多电源轨输出电压下冲可能会翻转逻辑状态，过多的过冲可能会损坏处理器芯片。由于允许的过冲和下冲峰值之间的裕量很小，而且电源轨电压越来越低，因此开发出了一些特殊技术；如英特尔移动电压配置（IMVP）规范中所述的方法，即在负载瞬变时有意引入“下垂”，以限制总电压偏移（图1）。图1，利用主动引入“下垂”调制来减少由负载瞬变导致的总的电压偏差随着我们社会数字化程度的加深，嵌入式处理器（DSP、FPGA、GPU）被广泛应用于各种设备中，人机界面的普及以及由此产生的数据洪流意味着我们必须应对日益增长的高速数据通信需求。更高的数据速率通常意味着处理器及通信接口消耗的功率更大。更长路径的连结让传输信号更类似于模拟信号，伴随着边沿偏移，电平易受下垂以及其它电源的影响。这使得驱动通信线路的电源轨完整性变得愈发重要。按照PDN设计目标随时间的发展顺序，系统对电流需求的增加可分为以下几类：计算机：CPU中晶体管更高的集成度，要求更高的电流和更好的负载瞬态处理能力嵌入式处理：DSP、FPGA和/或GPU处理更大的数据吞吐量，从而要求更高的电流及更高的负载瞬态水平高速通信：数字数据的激增要求通信接口提供更大的电流这些日益增长的需求成为推动电源完整性提升的主要动力；原因在于最简单同时也是最重要的一条规则：欧姆定律。在PDN的考量中，欧姆定律转化为一个目标阻抗ZTarget，如Larry Smith、Steve Sandler和Eric Bogatin在一篇文章中所表述的“等式1”所示。该等式定义了从处理器晶圆内核往PDN看进去的最高阻抗。如果PDN的阻抗保持在此限值之下，即便芯片中流入最极端的瞬态电流，也会产生一个可接受的低电源轨瞬态电压。 ZTarget=ΔV(max-noise)/ITransient （等式1）当谈到电源完整性时，大多数情况下，我们的“电源轨”是一个电压调节器，有时也被称为电压调节模块（VRM）。Keysight Technologies公司的Heidi Barnes在其文章中对此进行了很好的总结：“POL电源通常是采用降压调节器DC/DC转换器设计的开关模式电源。在微处理器印刷电路板领域，将其称为电压调节模块。所有这些术语彼此皆可等价互换，都用来指代电源的来源”。 VRM旨在为其负载设备提供稳定、恒定的电压输出，无论面对多高的负载电流亦或多快的负载电流瞬变。任何偏离VRM目标输出电压的偏差都被视为误差或噪声。在此处，我们使用“误差电压”这个术语来更多地表示直流意义上的电压偏差；相比之下，“噪声电压”一词则更多指代交流或频域中的电压偏差。因此，我们完美而理想的直流电源（如目标电压为3.3V）应具有以下特点：使用校准后的高精度数字万用表（DMM）读数为3.300000000… 在示波器上，使用最敏感的电压量程显示为一条直线使用频谱分析仪监测3.3V输出时，无可见信号功率，低至底噪图2，完美的VRM输出导致VRM系统出现直流误差或噪声的因素有很多，因此以下列出的因素并非详尽无遗。对此，本系列的后续文章将就这些主题展开详细探讨。对于本系列所有文章而言，需要强调的一个重要因素在于VRM输出电压通常分配给多个负载器件，无法在每一个器件上都保持完全精准。这与RF或信号链电路设计并无不同。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2024-11-19 1395
Microchip、wolfspeed 双双换帅！

近日，Wolfspeed公司的总裁兼首席执行官格雷格·洛（Gregg Lowe）计划在本月末辞去他的所有职务，包括在董事会中的席位。与此同时，为确保公司运营的平稳过渡，现任董事长托马斯·沃纳（Thomas Werner）将临时接过执行董事长一职，并负责领导团队直至找到合适的新任首席执行官人选。格雷格·洛自2017年加入Wolfspeed（前身为Cree公司）以来，一直致力于推动公司向纯碳化硅制造商的转型。在他的领导下，Wolfspeed取得了显著进展，但转型之路并非一帆风顺。上个月，该公司宣布裁员1000人，并在今年早些时候面临激进投资者的压力。尽管如此，格雷格·洛的贡献仍得到了现任董事长托马斯·沃纳（Thomas Werner）的高度评价。沃纳表示，格雷格·洛在领导公司转型和抓住未来机遇方面发挥了重要作用。 Lowe 周一在一份声明中表示：“过去七年来，我们已将 Wolfspeed 打造成国内唯一一家纯垂直整合的碳化硅运营商，以利用下一代半导体技术的结构性和长期需求。虽然仍有工作要做，但我完全有信心 Wolfspeed 将执行其战略重点，并在未来几年扩大其碳化硅领导地位。” 但分析人士称，Wolfspeed 在向碳化硅转型的过程中犯了错误，包括多次错过生产期限，这让投资者感到失望。该公司股价在过去两年中暴跌，从每股 100 多美元跌至不到 10 美元。随着 Wolfspeed 股价下跌，著名的维权投资者 Jana Partners增持了其股份。在最近的财报电话会议上，Lowe指出，公司受到了电动汽车需求疲软的打击。今年夏天，由于流动性问题，Wolfspeed 宣布将关闭位于三角研究园附近的主园区的一家设备工厂。从 8 月开始，这家芯片制造商开始通过自然减员、自愿买断和裁员等方式，将其 5,000 名全球员工减少 20%。该公司表示，这些裁员大多影响到北卡罗来纳州的员工。 Wolfspeed 在过去 12 个月内也取得了成功。今年 3 月，该公司在 Siler City 附近完成了价值数十亿美元的材料工厂的建设。上个月，该公司签署了一项非约束性协议，将通过联邦 CHIPS 和科学法案获得 7.5 亿美元的拨款。随着格雷格·洛的离职，托马斯·沃纳将担任执行董事长，负责监督Wolfspeed的日常运营，并在寻找新任首席执行官期间领导公司。沃纳表示，他将继续推动公司的长期价值增长，并专注于完成关键优先事项。这包括执行CHIPS PMT协议中的里程碑、完成重组计划以降低盈亏平衡点，以及实现持续的销售增长。沃纳还强调，Wolfspeed相对于其战略价值被严重低估，他将致力于探索释放价值的方案。同时，沃纳对格雷格·洛的离职表示了感激和尊重，并感谢他为Wolfspeed所做的贡献。未来，Wolfspeed将在沃纳的领导下继续前行，努力扩大其碳化硅领导地位，并抓住半导体市场的结构性和长期需求。无独有偶，Microchip 在一份声明中表示，Microchip Technology Inc. 首席执行官 Ganesh Moorthy 将于本月底迎来 65 岁生日，并于周一退休。他在该公司任职 23 年，曾担任首席运营官。董事长 Steve Sanghi 将继续任该职，并立即担任临时首席执行官兼总裁。今年下半年，Microchip 陷入了严重的销售低迷，预计今年的收入将暴跌 40%。Sanghi 是公司资深人士，在 Moorthy 于 2021 年上任之前担任首席执行官，并发誓要帮助公司重回正轨。 “我期待再次担任首席执行官兼总裁，带领 Microchip 度过这次行业低迷，让公司恢复收入和盈利增长，并提高股东价值，”他在声明中表示。该公司生产用于汽车、消费设备和其他产品的芯片，是今年费城证券交易所半导体指数中表现最差的公司之一。2024 年，该公司股价下跌了 28%。

Microchip

芯查查资讯 . 2024-11-19 1210
ST全新紧凑型 SILIMM大功率 IPM提高您电机驱动设计的集成度和功率

新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计，节省了电机驱动平台(最高5 kW)的物料成本。 STGIK50CH65T是最新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块(IPM)，属于SLLIMMTM（小型低损耗智能模封模块） High Power 系列。新推出的SLLIMM HP 650 V/50 A产品在设计时采用全新内部驱动器配置(具有沟槽栅场截止IGBT，加上一个功率级续流二极管)，扩展了现有SLLIMM 系列的击穿电压、电流能力和功率范围。该产品非常适合三相逆变器电机驱动,专门用于功率不超过5 kW的工业应用，如HVAC(供暖、通风和空调)、伺服电机、GPI(通用逆变器)，以及工业洗衣机应用应用比较为了突出我们新推出的SLLIMM HP的主要特点，我们将其性能与竞品(功率不超过5 kW的空调系统，采用典型的工况)进行了比较。如图1所示，STGIK50CH65T在整个功率范围内具有更好的性能:在5 kW工况下，效率提高了0.6 PoP，节约了约16%的功耗。【图1:总体功率损耗和效率 vs Pin】图2表明，由于将最新的功率器件和封装技术相结合的解决方案，在最大工况下，我们的SLLIMM HP具有较低的ΔTcase(最高约为28°C)。【图2:Δ温度vs Pin】注意:* 测试条件:V BUS = 400 V， f SW = 6.5 kHz，T A = 25°C 除了STGIK50CH65T外，我们还将提供高达1200V/10 A的产品。新产品将以20 kHz的频率运行，并提供短路和欠压锁定保护。此外，还将集成一个用于故障保护的比较器。工程师就可以直接使用热仿真器（ST PowerStudio）和开发板（STEVAL-IPM系列）开始工作。探索高效电源管理系统的关键，旨在改善住宅区和社区乃至整个地球的节能。更新版《电源管理指南》展示了我们针对各种应用的最新产品和解决方案，以确保您找到匹配您的设计的各种资讯。在环保革命理念的指引下，电机控制正向着更高效电机和驱动器的方向快速发展。此外，为了支持新技术的市场占有率，需要以最低成本提高集成度，同时提升安全性和可靠性。ST致力于电机控制方面的研究已有20余年，是最早意识到这些趋势的公司。

ST

意法半导体工业电子 . 2024-11-19 1375
首推1700V额定耐压GaN开关IC，PI拓宽GaN应用领域

2024年11月4日，Power Integrations（PI）推出采用了PI专有的PowiGaN技术的1700V额定耐压GaN开关IC产品InnoMux2。这是业界首款支持如此高耐压的GaN开关IC。其实早在2018年，PI就推出了集成750V耐压的GaN产品InnoSwitch，改变了手机充电器市场；2022年，PI继续推出900V耐压的产品，满足了550V DC下20%的降额，2023年推出了1250V产品，继续推高氮化镓的裕量和耐用性，如今新品来到了1700V的高耐压值。 1700V高耐压值有什么好处？ GaN和SiC同为第三代半导体材料，目前的产品中GaN产品主要应用在高频和中低压（一般指750V以下）应用中，SiC主要应用与大电流和高压（一般指1200V以上）应用中。但如今PI将GaN产品也做到了1700V的耐压。这么做有什么好处呢？更高电压具有多项好处，随着对于功率与效率增加的需求与日俱增，电压正在不断提升，因为更高的电压意味着可以降低电流，根据功率P=I2R，可以有效减少功率传输过程中的损耗。同时，更高的耐压也可以更简单的应对电网波动。图：PI营销副总裁Doug Bailey 在PI营销副总裁Doug Bailey看来，1700V高耐压的GaN产品带来最大的，也是最直接的好处，就是可以显著节省产品成本。因为相对于SiC产品来说，GaN产品的成本更低。首先SiC是一个高耗能产业，其外延生产过程需要保持在2200℃以上的高温，而且耗时较长；其次是SiC硬度很高，切割损耗比较大；三是SiC大部分生产设备需要特别定制，而GaN的生产设备可以直接采用硅的生产设备。他同时强调，PI自从建立以来，人员、设备，以及技术都集中在高压市场，高压跟低压最大的不同是，高压需要考虑爬电间距，或者是空间间距的安全性，因为高压涉及到安全性和可靠性的问题。“从市场方面来看，我们更希望致力于高附加值的高压市场。” 图：PI 资深技术培训经理阎金光 “1700V的PowiGaN在1360V时可以提供80%的降额，这非常适合汽车充电器、太阳能逆变器、三相电表和各种工业电源系统等场景中，可取代昂贵的SiC。” Doug Bailey表示。 InnoMux2有哪些优势谈到InnoMux2这个新产品的优势，PI 资深技术培训经理阎金光主要列举了以下几点：首先是具有1700V的PoweiGaN开关；二是极高的多路输出效率。InnoMux2单级架构大幅提高了多路输出效率，以为无需后级稳压电路，消除了相关级联叠加的变换损耗，从而在1000V DC输入情况下可以实现高于90%的功率变换效率；三是高精度输出调整，可精确控制2组或3组CV输出，在不同输入电压及负载条件下，精度都可达到±1%；四是出色的待机性能，空载输入功率小于50mW；五是具有独特的SR-ZVS技术，可在多路输出的反激式电源设计中实现零电压开通（ZVS），且不需要有源钳位或任何额外器件。通过ZVS，可在1000V DC下保证开关损耗的降低；六是元件更简单，元件数更少，这样可以节约器件数量及PCB面积；七是具有完善的保护。传统上，从750V低压氮化镓获得高压支持的最佳替代方法是在其上串联一个StackFET。可以注意到，在900VDC的母线电压下，其效率约为82%，而采用1700V氮化镓器件，其损耗几乎减少了一半。“这是一种更好的思路。当我们把效率从80%多提升到90%多时，损耗可以减少一半。或者，可以从相同的体积获得双倍的能量。这是非常重要的。”阎金光指出。结语据Yole统计，到2029年底，功率GaN器件市场规模将达到20亿美元，并将扩展到各个应用领域，与SiC器件相比，其成本优势更具吸引力。其实我们也看到了GaN器件正逐渐向更多应用领域渗透。PI也将更多的资源投向了GaN领域，在Doug Bailey看来，随着GaN技术越来越成熟，其应用领域将会越来越广。

GaN

芯查查资讯 . 2024-11-19 1640
瑞萨再次亮相第七届中国国际进口博览会

瑞萨电子今日宣布，将携多款面向智能工业、物联网、汽车电子以及软件开发平台的先进解决方案，再次亮相第七届中国国际进口博览会（以下简称：进博会）。第七届进博会将于11月5日至10日在国家会展中心（上海）举行，瑞萨电子展位号：4.1号馆，A0-02展位。自2022年开始瑞萨已经连续三年积极投身进博会，始终本着“To Make Our Lives Easier（让生活更轻松）”的企业愿景，望为共筑中国智能化可持续发展社会添砖加瓦。本次进博会瑞萨将同样带来多款首次在中国市场展示的核心产品及解决方案，让我们先睹为快（部分）：工业大功率BLDC电机控制方案基于瑞萨专用电机控制微控制器（MCU）RA4T1的大功率、全速率范围的FOC电机控制方案适用于电动工具、家电、工业控制等多种应用。该方案采用磁链观测和高频注入算法，支持高速、低速和零速率的全速率范围FOC控制，支持大功率输出，并具有低噪声和平滑控制等高性能。 RZ/V2H多分类目标检测方案基于RZ/V2H——一款高算力的四核视觉AI微处理器（MPU），并采用DRP-AI3（动态可重配置处理器）加速器和高性能实时处理器。其高算力，低功耗的特性，无需冷却风扇，即满足处理复杂的实时物体识别及推理任务。适合图像处理、机器人应用所需的动态计算以及实时性要求复杂的应用，是工厂自动化中自主机器人和机器视觉等应用的理想微处理器。物联网 240W USB PD3.1氮化镓整体电源方案 240W整体电源解决方案，直接支持USB PD3.1 EPR。USB-PD电源提供48V/5A输出，利用ZVS技术实现高效率；USB-C充电支持48V/5A输入并对应7串电池充电。提供从“墙到电池”的整体充电解决方案。汽车电子可扩展的ADAS与自动驾驶开发平台基于R-Car V4系列高性能片上系统（SoC）的辅助驾驶与自动驾驶整体解决方案，通过芯片扩展最高提供高达60TOPS算力，支持从摄像头一体机到行泊一体域控制器等多种产品形态，满足客户从L2级别功能到高速领航、城区记忆行车、记忆泊车等多种功能的需求。软件/开发平台电子产品全生命周期管理平台（来自Altium——瑞萨电子于2024年8月完成对Altium的收购） Altium依托云计算技术赋能电子产品制造过程中的软硬件系统，助力其寻源、开发环节及全生命周期管理，推动关键行业流程的全面数字化以及电子行业的整体升级转型。进博会中展示的管理平台将包含三个主要方面：ELM——赋能企业电子产品全生命周期管理、Altium 365——助力企业电子产品敏捷研发及协同管理，以及Octopart——支持采购团队参与产品设计决策。

瑞萨 . 2024-11-19 9645
富士通半导体将更名RAMXEED，专注FeRAM和ReRAM产品

富士通集团将会从2025年1月1日起，正式退出半导体市场，富士通半导体也将会在这一天更名为RAMXEED，并专注于铁电随机存储器（FeRAM）产品。这是RAMXEED，富士通半导体科技（上海）有限责任公司总经理冯逸新在不久前EEVIA主办的以“创新、突破、绿色发展”为主题的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛上表示。富士通半导体的总部在日本新横滨，在1980年代曾属于世界顶级半导体供应商，但到了1980年代后期，受到美国的打压，早就了韩国半导体的发展，富士通从2000年退出SRAM和DRAM市场，2005年退出了NAND Flash和NOR Flash市场，到了2012年，退出了ASIC、MCU和模拟IC市场，其中ASIC部分与松下半导体合资成立了索喜（Socionext），MCU和模拟IC出售给了当时的Spansion，不过后面Spansion被Cypress收购了，而Cypress如今又被英飞凌收归旗下了。如今的富士通半导体仅专注于FeRAM和ReRAM，以及以这两种存储器为基础的一些定制化产品，生产销售也主要以日本市场为主，并以定制芯片ASIC为主，亚太市场主要以中国和中国台湾为主。其中，中国市场主要是表计、工厂自动化、新能源、汽车充电桩、PV逆变器和储能应用，中国台湾主要是工厂自动化和医疗电子标签应用。其实在存储器产品中，DRAM、NAND Flash和NOR Flash产品占了整个存储器市场的98%，剩下的2%市场主要包括FeRAM、ReRAM、EEPROM、MRAM和SRAM等利基产品。这些利基产品中，EEPROM大概占5亿美元左右，FeRAM约为2.15亿美元，MRAM约为0.5亿美元，SRAM约为0.4亿美元。什么是FeRAM和ReRAM?它们的市场定位是什么？存储器分为非易失性存储器和易失性存储器，EEPROM、NOR Flash、NAND Flash等就属于非易失性存储器，而SRAM、DRAM等就属于易失性存储器。其中易失性存储器最大的特点就是随机覆盖写入，不需要擦除操作，且写入速度很快；Flash和EEPROM等非易失性存储器主要用来保存程序，或下电后保存重要数据；而FeRAM则结合了这两者的特点，同时具有低功耗特性，它被归为非易失性存储器。图：FeRAM产品的主要优势也就是说，跟传统的存储器相比，FeRAM有三大优势：一是更高的读写速度，由于它的写入方式是覆盖写入，不需要擦除操作，读写速度更快可以达到纳秒级，远超NOR Flash和EEPROM；二是更高的读写耐久性，其读写次数超过了1013之多，在某种意义上来说，相当于无限次，而一般的EEPROM读写次数为106以内；三是更低的功耗，不需要电荷泵电路也能工作。基于以上特点，在实时写入、掉电保护等要求比较高的应用，比如需要读写次数比较高的电表应用当中，就比较合适选用FeRAM。一般来说，FeRAM主要应用在了汽车电子、工业控制、表计和助听器市场。图：富士通半导体FeRAM每年出货量（来源：富士通半导体）富士通半导体从1995年就开始了FeRAM产品的研发，以响应市场对低功耗、高速读写存储器的需求。1999年，FeRAM开始量产，至今已经累计交货44亿片。最近几年ReRAM在全球受到很多关注，很多人认为NOR Flash在下一代的时候会遇到工艺瓶颈，而ReRAM则可以用来替代NOR Flash。但是也有一个问题，那就是，目前ReRAM量产最大的容量是12Mb，想要替代NOR Flash，ReRAM的容量需要达到16Mb至1Gb。据悉，包括海力士、中芯国际等知名厂商在内的企业都在研发ReRAM产品。其实，ReRAM是基于低功耗CMOS技术的SPI I/F接口的阻变式存储器产品，它更适用于只读取应用。其中富士通半导体是实现ReRAM量产的为数不多的半导体供应商之一。目前ReRAM相当于EEPROM的加强版，容量更大，DIE（晶粒）尺寸更小，读出功耗更低。这就适合于助听器，因为助听器不需要写入，根据每个人的听力能力，设定一个参数，每次用的时候读出来即可。据冯逸新介绍，ReRAM可看作是EEPPOM的加强版，它的容量更大，可用来存储设备的启动程序；而FeRAM和MRAM的读写耐久性更高，可用来记录日志数据。目前市场上的MRAM主要来自Freescale分出的公司Everspin，它是一个磁式的存储器。它相对FeRAM来说，速度更快、读写次数高，但同时有功耗高，容易受磁场影响的弱点。富士通半导体的FeRAM和ReRAM新产品布局富士通在1990年代，当时Ramtron把FeRAM推向市场的时候主要定位于跟EEPROM进行替换，所以是pin to pin的互换，软件也是互换。EEPROM的接口有三个，SPI接口、I2C和和并口的接口，FeRAM也一样。据冯逸新介绍，富士通半导体在SPI接口的FeRAM产品当中，对其产品进行了一些升级，主要集中在温度方面，将产品的最高温度做到了125℃，而一般的工业温度是85℃。另外，工作频率从常规的30MHz做到50MHz，还根据市场更小封装的需求，一般的封装是SOP8封装，富士通半导体可以做到DFN 8封装。图：富士通半导体的1Mbit SPI FeRAM与MRAM产品比较富士通半导体开发的新产品工作频率高达50MHz，跟MRAM比较，FeRAM优势更明显。同时，该公司还会研发出了Quad（四线）SPI产品，一般的标准的SPI存储器有一个I/O，有时候需要速度更快的需要做2个I/O，叫做Dual SPI。在游戏机和高端的工业自动化应用上，需要速度更快的产品，富士通半导体可以做四线 SPI，称为Quad SPI。Quad SPI FeRAM在很多应用上都有绝对的优势。“上周我去在台湾访问了几家向美国做游戏机方案的公司，他们现在用的是MRAM，因为MRAM速度很快，我把新产品推荐给他们后，他们表示很感兴趣。”冯逸新分享道。 I2C产品主要用在电表计量方面用。白色是富士通半导体现有的产品线，也做了做了升级，包括温度的升高。I2C最高的速度一般1MHz，该公司可以做到3.4MHz。并口类的产品在中国用得比较少，主要用于电力设备、游戏机等，富士通半导体永阳也做了产品升级，从传统的85℃升级到了105℃。因为市场的需求量比较多，汽车级的产品在这两年也做了很多升级。过去的新能源电池包、BMS、TBOX、行车记录仪，甚至包括一些先进的胎压监测，一般都是需要SPI的接口AEC-Q100。过去几年当中，甚至还有需求一些I2C的汽车级的产品，因此，富士通半导体也专门做了产品线的补充。容量方面，该公司可以做到1Mbit，当然也能做小封装。下一代高速FeRAM研发方向 FeRAM在市场上的应用量并不算大，主要的瓶颈有两个，一是容量太小，目前最大容量是8Mbit；二是成本比较高，限制了发展。那么，未来产品如何做大容量呢？其实做大存储器容量的方法都大致相同，那就是，在最大的8Mbit基础上，叠加2个DIE(晶粒)可以有16个Mbit，叠加4个DIE(晶粒)是32个Mbit。还有就是做镜像芯片，其实NOR Flash大容量的变化中，过去的做法也比较类似，例如英特尔Intel等公司都是多阶存储单元（MCL）和以前Spansion的Mirror bit的做法，富士通在这方面也在做一些研发。也就是说，未来富士通半导体不仅可提供8Mbit的FeRAM，可以做到32Mbit，这样就可以进入到Nor Fash的容量范围之内。 MRAM、SRMA的访问速度一般是35ns，富士通半导体目前最快的是120ns，该公司预计下一代产品的速度能达到35ns。在富士通半导体期待的目标应用当中，冯逸新觉得高速FeRAM首先可以替换SRAM+battery的应用，SRAM需要电池，根据电池市场对电池管理的要求是如何能做到环保低碳，我们未来的发展方向，就是可以把电池去掉。二是替换SRAM+EEPROM（或者NVSRAM），从用户来看，它跟FeRAM是一样的东西。三是MRAM，因为磁屏蔽+MRAM的整体成本要高于仅用FeRAM的成本，同时要求高速写入。如何实现这个目标呢？冯逸新认为可以使用堆叠技术，就是堆叠技术与高速FeRAM的组合。当然，这需要先制造出高速1Mbit FeRAM，然后通过堆叠技术，可以同时开发2Mbit、4Mbit的FeRAM。从冯逸新透露富士通半导体的产品发展路线图来看，该公司的第一步是高速化，从120ns变为35ns。第二步是大容量化，从目前的8Mbit做到328Mbit甚至更高。

存储器

芯查查资讯 . 2024-11-18 1 4525
需求展望疲弱、库存和供给上升，预计2025年DRAM价格将下跌

第四季为DRAM产业议定合约价的关键时期，根据TrendForce集邦咨询最新调查，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。 TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，先前受三大供应商积极建置HBM产能，加上预计新厂到2026年才会步入量产阶段等影响，TrendForce集邦咨询原本对于2025年DRAM价格走势看法偏乐观。然而，近期市场动态变化快速，使得TrendForce集邦咨询对明年的价格预测进行调整，2025年DRAM价格将转为下跌，上半年的跌幅较明显，其中，DDR4和LPDDR4X的降价压力将持续大于DDR5与LPDDR5X。从供给角度分析，由于NAND Flash市况同步转弱且获利能力较DRAM产品差，将促使部分产线从NAND Flash转向DRAM。此外，虽然HBM3e 12hi明年有望快速成为AI应用主流，但并非每家供应商都能如期通过NVIDIA（英伟达）认证，因此供应商将TSV产能转回一般型DRAM（conventional DRAM）的可能性增加。吴雅婷表示，业界产能扩张快速，除此之外，消费型电子产品需求持续弱化，也将为2025年DRAM价格走势带来冲击，若厂商未能做好产能调控，整体产业库存的去化速度将更加缓慢。

DRAM

TrendForce集邦 . 2024-11-18 1230