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企业 | 英特尔、戴尔科技和诺基亚重新定义远边缘的UPF部署

Dell PowerEdge XR8000搭载英特尔® 至强® 6 SoC，为环境复杂且对空间和功耗要求高的5G边缘环境提供高性能的UPF计算能力。传统的集中式云集群在高密度的大城市枢纽中运行良好。但是，要服务整个区域，包括郊区、工业区和偏远地点，电信运营商需要一种更灵活、更分布式的架构。规模较小且部署在关键位置的边缘单元让算力离用户更近，从而在更广阔的范围内提升敏捷性、响应速度和覆盖能力。 Nokia Edge Appliances提供高性能且占地面积小的解决方案如今，越来越多的企业数据在远边缘进行处理。将工作负载从庞大的集中式数据中心转移到靠近终端客户的本地边缘站点，正在改变网络的构建和运营方式。对于电信运营商而言，这种转变构建了一种新的平衡，即在满足严苛性能和延迟目标的同时，扩展容量以应对不断增长的流量和新的实时应用。在巴塞罗那举行的2026年MWC上，英特尔、诺基亚和戴尔预览了一款基于边缘的全新UPF（用户平面功能）设备，为高度分散的网络边缘节点提供了高性能、占地面积小的解决方案。 Nokia Edge Appliances由英特尔至强6（Granite Rapids-D）处理器提供动力，该处理器为企业和服务提供商的远端边缘节点引入了全新的AI能力。该产品将于2026年第三季度初上市。（图片来源：英特尔公司于2026 MWC戴尔展台）戴尔展示PowerEdge XR8720t高性能多节点边缘2U服务器，搭载单颗英特尔至强6 SoC（Granite Rapids-D），拥有多达72个核心。（图片来源：英特尔公司于2026 MWC戴尔展台）戴尔PowerEdge XR8000突显了戴尔、英特尔与诺基亚之间的紧密合作，旨在为电信客户提供不同的UPF部署选项，以满足多样化的业务需求。（图片来源：英特尔公司于2026 MWC英特尔展台）英特尔有线及核心网络事业部总经理Chandresh Ruparel手持英特尔至强6+（Clearwater Forest）处理器。（图片来源：英特尔公司于2026 MWC英特尔展台）英特尔网络与边缘事业部（NEX）副总裁兼总经理Cristina Rodriguez手持英特尔至强6 SoC（Granite Rapids-D）。诺基亚分组核心网产品管理负责人Gordon Milliken表示：“电信行业正经历着深刻变革，企业越来越多地在边缘处理数据。这一转变需要新一代的分布式架构，以实现领先的敏捷性、一致的覆盖能力和严苛的性能要求。凭借搭载英特尔至强6 SoC的诺基亚设备，我们正直接满足这些需求，将高性能、低功耗和集成式AI能力直接带到边缘，助力客户开拓全新可能。” 英特尔有线及核心网络事业部总经理Chandresh Ruparel表示：“我们很高兴能推出基于至强6 SoC的远端UPF解决方案，作为基于英特尔至强6能效核处理器的诺基亚NFVI 5.0 Cloud Core Solution的补充。AI加速了移动通信的转型并改变了数据在网络中的传输方式，我们正帮助客户重构网络，在平衡功耗与性能需求的同时，避免‘推倒重来’式升级带来的复杂性。” 全新边缘UPF拥有降低成本且提升数据处理能力等诸多优势由英特尔、诺基亚和戴尔合作开发的全新边缘UPF，为电信运营商提供了多重优势，涵盖了网络服务商所关注的诸多方面。这些优势包括： ● 灵活的容量：可扩展以处理海量数据，并支持高速连接； ● 成本效益：控制平面和用户平面功能的资源可独立优化； ● 高性能：控制平面和用户平面功能的资源可独立优化； ● 节能：通过优化软硬件显著降低能耗（使用诺基亚5G UPF可节省43%的CPU运行功耗； ● 低延迟：极大地缩短数据传输距离，响应时间更短； ● 高可靠性：通过远端边缘部署增强网络韧性； ● 本地化服务支持：极大地缩短数据传输距离，响应时间更短；

英特尔

英特尔中国 . 2026-04-15 1134
市场 | 零部件交期拉长抑制通用型服务器成长动能，预估2026年整体服务器出货量年增13%

根据TrendForce集邦咨询最新Server（服务器）产业研究，尽管2026年AI将同步推升通用型Server(General Server)与AI Server需求，但因供应商优先分配产能给利润较高的AI Server，导致多项通用型Server零部件交期明显拉长；全年整体服务器出货原本有望年增近20%，然而目前预估年增约13%，难以完全反映市场潜在购买力。 TrendForce集邦咨询表示，通用型Server订单需求稳健，但原本已面临PCB、CPU供应吃紧的问题，目前这两项核心零部件的交期已拉长至近一年。此外，近期PMIC（电源管理芯片）、BMC（基板管理控制器）IC交期也同样出现显著延长的情形。 PMIC方面，由于AI Server对电源密度的需求远高于通用型Server，又属于供应商优先供货的品项，八英寸晶圆BCD（Bipolar–CMOS–DMOS）制程因此大幅偏向AI PMIC。更为严峻的是，因Samsung（三星）计划关闭韩国S7八英寸晶圆厂，将进一步排挤通用型Server使用的PMIC产能，交期因此将从21-26周延长至35-40周。 BMC IC同样主要采用成熟制程，晶圆代工厂考量产能有限，倾向先满足利润较高、需求更急迫的AI专用芯片订单，压缩通用型BMC的产能配额，导致交期从过往的11-16周，拉长至21-26周。在AI Server部分，来自云端服务供应商(CSP)的强劲需求，将支持2026年出货量年增约28%，预计ASIC AI Server的出货成长力道将大于GPU AI Server。但考量Meta、AWS等业者自研芯片调校耗时，有出货递延风险，TrendForce集邦咨询将2026年ASIC占整体AI Server比例从原本的近28%，微调成27%左右，GPU机种维持占大宗。 TrendForce集邦咨询指出，在全球供应链配置不均，以及核心半导体零部件交期瓶颈的影响下，通用型Server出货成长相对AI Server受限，连带将造成2026年整体Server的出货表现面临增长天花板。无法在短期内被满足的超额订单和强劲的采购动能，预计将因等候产能与料件到位的时间差，往后延续至2027年。

服务器

TrendForce集邦 . 2026-04-15 2058
方案 | 从核心到关节架构：揭秘下一代机器人驱动技术

机器人技术正以前所未有的速度演进，更新、更先进的机器人产品持续问世。无论是可与人协同作业的协作机器人，还是能执行复杂动作序列的人形机器人，关节设计始终是决定整机性能的核心关键。本白皮书将围绕机器人关节技术展开系统性深度分析，全面拆解关节架构的底层复杂性，厘清其对机器人产业发展的核心驱动价值。本文将拆解机器人关节架构的核心逻辑，覆盖不同机器人的关节特性差异、芯片在关节控制驱动中的核心作用，详解电机换向与位置传感器、电机驱动器、电流传感器等核心组件的设计权衡，同时结合相关技术的最新迭代成果，探讨其如何赋能更智能、更强大的机器人产品研发。机器人架构多种多样，每种架构都有其独特的挑战和设计要求。例如，协作机器人和机械臂通常配备 6 个关节，而人形机器人则可能需要配备 24 个甚至更多个关节。以人形机器人为例，最基础的架构可能在每条手臂上设置 4 个关节、每条腿上设置 5 个关节；而更复杂的架构则会进一步集成髋部、躯干、头部乃至手部的精细运动。每个机器人关节的核心，都有一套由集成电路构成的精密系统，负责控制与驱动该关节的运动。典型的机器人关节框图包含以下组件：电机换向传感器：感测电机转子的位置关节位置传感器：感测关节的实际位置电机驱动器：驱动电机运转电机相电流传感器：感测电机各相电流电源：为整个系统供电关节制动驱动器：控制关节制动器图 1：机器人关节框图电机换向传感器电机换向传感器是磁场定向控制 (FOC) 环路中的关键元件，用于精确控制电机的转速与转矩。其主要功能是感测电机转子的位置，并将该角度乘以电机的极对数，从而计算出电机的电角度。尺寸要求传感器的物理集成方式对其设计影响显著。电机换向传感器通常与电机及驱动器组件封装在一起，因此小尺寸始终是优先考虑的因素。对于带有转轴的电机，传感器可安装在转轴一侧，另一侧则与减速箱或关节进行机械连接。而对于需要将线缆穿过电机内部的中空轴电机，则需采用轴侧或穿轴感测方式，这可以通过磁传感器或电感式传感器实现。输出要求电机换向传感器的输出协议必须足够快，以满足约 20kHz 的 FOC 控制环路更新速率要求。此外，诊断功能对于系统安全性以及与关节传感器的数据比对也极具价值。输出类型多种多样，其中最常见的是 SPI 接口和模拟输出。 SPI 协议需要 4 个引脚，可配置为高速模式 (10MHz)，能提供芯片本身的状态信息。此外，多个元器件还可在同一条总线上协同工作。但在高速传输时，不良的 PCB 板布局和噪声干扰可能破坏信号，这一问题可通过协议内置的安全诊断机制来捕捉。部分元器件还允许设置角度采样时间，确保其与电流测量保持同步。模拟 Sin/Cos 输出可采用单端或差分形式。元器件输出两路正交信号，代表被测角度的三角函数值。差分输出可有效抑制信号路径上的共模噪声。采样速度取决于传感器的带宽和外部 ADC 的采样速度。通过合理配置微控制器，可实现高效采样，有时还需进行信号补偿或校准。这为客户提供了灵活的信号处理方案。对于 FOC 控制，信号的 Sin/Cos 值可直接获取，从而减少三角函数运算需求，缩短计算时间。分辨度与精度除了速度，区分分辨率和精度这两个常被混淆的概念也至关重要。高分辨率并不等同于高精度。高精度能提升系统效率，因为在 FOC 控制中，需要利用位置信息将相电流精确转换为轴电流，此处的误差会导致电流纹波。低分辨率也会产生类似影响，因为转子在两次测量之间可能处于未知状态；但如果精度足够高，则可通过插值算法进行补偿。若精度较低，则必须借助外部补偿或查表方式来校正误差。从传感器换能器层面而言，基于霍尔效应的磁传感技术精度高，但分辨率较低。基于 TMR 的磁传感技术噪声低，因此分辨率更高；相比之下，电感式位置传感器可获得最高的分辨率。每种传感器的精度最终取决于其采用的内部/外部信号处理方案。针对各类感测技术，市场均有不同处理级别的产品可供选择，以满足不同精度需求。抗杂散磁场干扰电机换向传感器通常紧密集成于电机附近，且所在 PCB 板敷设有承载电机功率的大电流走线。因此，对电机本身或大电流产生的杂散磁场具备抗干扰能力，是实现可靠设计的关键。选择适当的传感器类型可防御杂散磁场干扰。光学编码器和电感式传感器因其工作原理，天然具备抗杂散磁场干扰的优势。此外，通过对磁传感器进行智能信号处理与优化布局，可采用差分感测方法抑制共模杂散磁场干扰。关节位置传感器关节位置传感器是机器人关节的另一核心组件。它用于感测关节的实际位置，机器人控制系统会依据该信息来规划和执行精确动作。抗杂散磁场干扰与换相传感器类似，关节位置传感器的布局位置决定了其对杂散磁场的抗干扰需求。如果靠近电机组件，电机所产生的磁场会对它造成干扰。然而，如果安装在运动链更下游的位置，例如减速器之后，则容易受到不可预测的外部磁场干扰。例如，人形机器人在抓握带有强磁体的电动工具时，其关节传感器就可能受到干扰。在此类不可预测的环境中，光学或电感式传感器固有的抗干扰能力具有显著优势。小关节机器人系统中最小的关节可能仅能容纳一个传感器，该传感器需要同时兼顾电机换向和关节位置感测。电感式技术具有高分辨率，这在需要计入减速比和电机极对数时非常有利，但其物理尺寸有一定的局限性。磁电流传感器能够集成到极小的空间内，是尺寸受限应用的理想选择。在传感器成本和机器人关节性能之间，设计人员需要审慎权衡。大关节对于大关节，传感器的分辨率直接决定了运动的重复精度。假设系统分辨率为 0.1 度，手臂长度为 80mm，在不考虑其他运动学约束的情况下，末端位置的理论分辨率可能只有 8mm。关节位置传感器所在的控制环路，其更新频率通常低于换相传感器。位置控制环路通常以 1kHz 到 5kHz 的频率运行。标准数字通信协议即可轻松满足数据传输需求。SPI 是常用的标准协议，但如果传感器距离控制器较远，则可能更适合采用高速差分通信方式。电机驱动器电机驱动器的核心目标是以高效、安全的方式开关 FET，从而驱动电机运转。安全性通过两方面实现：一是防止半桥上下的 FET 同时导通造成直通电流；二是耐受电机电感在三相线上可能引起的瞬态电压。效率的提升则通过 FET 开关频率与导通/关断时间之间的最佳平衡来实现。更高的开关频率能带来更平滑的运动控制，但也会导致更高的开关损耗。快速的导通/关断时间能降低开关损耗，但同时会影响 EMI 性能。如果导通/关断时间具有良好可控性且可配置，有助于设计人员在诸多相互制约的因素中找到理想的平衡点。系统的工作电压是电机驱动器架构的首要决定因素，而功率密度则是关键的性能指标。更高电压的电池通常意味着更高的功率密度。然而，当系统电压超过 60V 时，存在对人体和动物造成伤害的风险。48V 电池系统因其能够兼顾安全性与功率密度而成为主流选择。为了提升系统功率密度，设计人员需要在高度集成的三相驱动器与使用三个独立半桥驱动器的分布式架构之间做出选择。功率密度也得益于小型化的实现方案。支持 48V 的电机驱动器无需使用外部稳压器或转换器进行电压转换。从实现尺寸来看，将三个栅极驱动器连同诊断功能集成在单一封装内可能是最优解，这是目前最紧凑的方案。与之相对，采用三个独立的半桥驱动器可以在 PCB 板上分散布局，可能实现更灵活的空间利用。这种方式还能使驱动器更靠近对应的 PET，从而减少寄生电感引起的开关损耗。具有高功率要求的应用需要采用高压系统，这带来了对隔离的严苛要求。通常，这可以通过隔离式栅极驱动器来实现。传统方案采用两侧隔离的芯片，通过光耦实现数据线的信号传输，由外部变压器为两侧提供隔离电源，这种方案整体体积较大。Allegro 的创新技术可以将外部变压器直接集成到封装内部。PWM 信号和电源均通过该变压器传输，不仅实现了空间优化，还减少了外部 DC-DC 匹配的设计工作量。集成的组件同时降低了系统的寄生电感和电容，显著提升了系统效率。电流感测电流感测是关节控制中不可或缺的一环。它既是使用 FOC 算法实现高效换相的基础，也用于关节转矩的估算。在低压机器人关节系统中，常用的两种技术是基于磁传感和基于分流电阻的感测方案，它们可被部署在两个主要位置。低边感测低边感测是一种常见的布局方式，传感器在通往接地的低边路径上测量电流。这种传统方法的优势在于工作电压接近于零，无需处理高共模电压抑制问题。其局限在于，信号仅在半桥的低边 FET 导通期间可用，系统需要精确的时序以确保正确采样。此外，高、低占空比运行会受到电流感测放大器带宽的限制。当使用分流电阻进行低边感测时，电阻值的选取需要在信号强度和功率损耗之间进行权衡。尽管许多电机驱动器集成了电流感测放大器以改善信号匹配度，但电阻固有的功率损耗依然存在。磁传感技术也可用于此场景，但其通常较低的带宽限制了其适用性。磁传感技术的真正优势体现在同相感测中。同相感测同相感测是一种更先进、更灵活的方法，它直接在电机的各相上测量电流。这意味着在任何时刻都可以测量电流，与开关状态无关，从而降低了对传感器带宽的要求。然而，使用分流电阻进行同相感测相当复杂且成本高昂，因为它需要具备高共模抑制比且通常要求完全隔离的专用放大器。这正是磁电流传感器大放异彩的领域。磁电流传感器天生具有电压隔离特性，并提供多种带宽选项以适配不同的系统需求。集成导体式电流传感器具有低阻抗路径，相比基于分流电阻的方案，能有效降低系统损耗。对于高压/大电流系统，磁电流传感器与系统电压完全隔离。不同方案在成本与精度之间的权衡，则取决于采用 C 型磁芯、U 型磁芯还是无磁芯技术。电源如上文所述，基于 48V 电池的系统目前最为普遍。尽管如此，给传感器、微控制器和其他低压电路供电时仍需进行电压转换。支持 48V 输入的稳压器和电源管理芯片不仅能完成电压转换，还能监控功耗，并在常规电路出现故障时及时切断系统电源。关节制动器一些机器人在关节处设有电磁控制的制动器，以确保机器人在断电或进入故障状态时不会意外移动。这些制动器通常由半桥驱动器控制，根据需要通电或断电。这是一个容易被忽视但却至关重要的功能。体积小巧、性能可靠是实现系统轻松集成的关键。结论机器人关节的设计是一个复杂的系统工程，需要全面评估众多相互关联的因素。从传感器和电机驱动器的选型，到系统整体架构的确定，每一个决策都影响着机器人的性能、效率和安全性。随着机器人技术的持续演进，驱动这些精密机器的核心技术也将不断突破。通过深入理解关节各组件的设计权衡与技术考量要素，系统工程师将设计和制造出比以往任何时候都更强大、更可靠、更高效的机器人。

Allegro

Allegro微电子 . 2026-04-15 3549
市场 | 受存储芯片供应紧张影响，2026年Q1全球智能手机出货量下滑4.1%，三星、苹果逆势增长

BOSTON, Mass., 2026年4月14日——根据IDC最新发布的《全球季度手机跟踪报告》初步数据显示，2026年第一季度（1Q26），全球智能手机出货量同比下降4.1%，至2.897亿部。这打破了自2023年年中以来市场连续十个季度的增长势头。我们预计，第一季度的放缓只是2026年全年形势一个温和的前兆，因为存储相关的供应紧张和价格上涨将进一步抑制市场增长。 IDC全球消费设备高级研究总监Nabila Popal表示，由于存储芯片供应严重受限，直接影响了出货量和市场需求，智能手机市场已进入其最具挑战性的时期之一。存储芯片供应不足迫使厂商减少出货量，而价格大幅上涨推高了BOM成本，迫使多家头部品牌提价。在几个新兴市场，手机价格涨幅高达40%-50%，严重打击了对价格敏感地区的需求。手机厂商正在采取更严格的成本控制、削减营销和渠道支持，并更多地采用降规策略来应对，但这些措施同样限制了增长。今年，随着近期中东战争导致元器件、能源和物流成本不断上升，进一步加大了市场前景的下行风险，并给全球智能手机需求带来压力，2026年成为厂商转型的关键拐点。 2026年第一季度全球前五大智能手机厂商表现如何？尽管当前市场面临挑战，但三星和苹果这两家头部公司也是全球前五名中仅有的两家实现同比正增长的厂商。它们专注于高端市场，并且对存储芯片供应商有更强的议价能力，因而能更好地应对这场危机并获取市场份额。随着智能手机市场为了抵消BOM成本上升而向更高价位段转移，所有厂商都面临巨大压力，尤其是那些低端机型占比较高的厂商。尽管如此，小米、OPPO和vivo在本季度基本保住了市场份额，仅有小幅流失。三星在2026年第一季度重回榜首，主要得益于新款Galaxy S26 Ultra的强劲需求。尽管该机型发布时间较晚，但出货量仍同比增长3.6%。Ultra机型因定价与上代持平而表现更佳。此外，中端A系列提前发布，也帮助填补了S26系列因上市晚带来的销量空缺，推动了增长。苹果位居第二，iPhone 17系列表现强劲，尤其在中国市场实现了超过30%的增长，带动第一季度全球销量同比增长3.3%。尽管需求依然旺盛，但在部分关键市场的供货中断和渠道支持减少制约了其进一步增长。对于中国供应商来说，情况喜忧参半：一些厂商在本土市场加倍努力，而另一些则在国内激烈竞争的背景下专注于海外扩张。小米本季度排名第三，尽管是前五大厂商中跌幅最大的，但它仍保住了第三的位置，这是因为它战略性地减少了旧款机型的出货，以避免大幅涨价。 OPPO排名第四，在与realme整合后，其在中国市场的表现强于国际市场，有助于抵消全球范围内较大的下滑。 vivo获得第五名，凭借在中国市场（其最大市场）的积极表现以及在印度的领导地位，缩小了与OPPO在全球舞台上的差距。前五名之外，荣耀、联想（摩托罗拉）和华为等厂商也实现了正增长。其中，荣耀的同比增幅在前十大厂商中最高，达到24%，主要得益于其转向海外扩张的策略。智能手机市场如何应对当前局面？ IDC消费设备副研究总监Kiranjeet Kaur表示，对所有智能手机厂商来说，本季度都充满挑战。在供应受限和价格压力下，它们需要平衡盈利与增长、本土市场稳定与海外扩张。苹果和三星受益于它们在高端市场的主导地位，在提价方面较为克制；而小米、OPPO和vivo等厂商则积极将产品结构向更高价位段转移。未来几个季度，随着它们优化精简产品组合，并敏捷应对市场和供应链变化，其韧性将继续受到考验。它们此前在亚洲的强大根基将面临挑战，因为低价位段市场正被涨价所侵蚀；同时，在欧洲的扩张也将面临来自苹果和三星日益激烈的竞争。未来市场前景如何？ IDC手机研究总监Anthony Scarsella表示，市场4%的下滑只是前奏，存储芯片的紧张局势正在全面加剧。美国等发达市场专注于高端机型，并辅以以旧换新、金融分期等激励措施，受涨价影响相对较小。然而，聚焦200美元以下设备的新兴市场，消费者将几乎没有选择空间，因为存储芯片成本上涨带来的挑战比五年前的疫情时期更为严峻。”尽管出货量前景不佳，但由于成本上升以及厂商主动向更高端产品组合调整，市场平均售价（ASP）正在走高。即使预计到2027年下半年存储芯片价格将趋于稳定，高端化趋势仍将持续。中国市场情况如何？ 2026年第一季度，中国智能手机市场出货量约为6,901万台，同比下降3.3%，整体表现略高于预期，主要得益于华为与苹果的强势拉动。其中，华为Mate 80系列供货明显改善，全新形态折叠屏产品Pura X出货量突破150万台，助力华为延续去年以来的增长势头，继续稳居中国智能手机市场第一。与此同时，苹果iPhone 17系列持续热销，但受限于供货不足，未能进一步推高出货规模。总体来看，尽管2026年开年中国智能手机市场出现小幅回落，但预计将成为全年表现最佳季度。当前，存储成本大幅攀升叠加其他物料价格持续高位，给厂商带来了巨大压力。为应对成本压力，多家厂商已连续下调全年出货目标，尤其严格控制低端产品的出货节奏，从而将压力传导至整个产业链上下游，进一步加剧了市场的寒意。面对行业深度调整与成本持续高企的双重挑战，稳健经营、提质增效、安全过冬，将成为 2026 年国内手机厂商最为核心的发展课题。备注数据为初步统计，后续有调整的可能。出货量仅统计全新设备，不含翻新机。厂商排名按集团口径统计。当市场份额差距≤0.1%时，IDC视其为并列排名。

智能手机

IDC咨询 . 2026-04-15 8398
产品丨极致纤薄、均匀光效，艾迈斯欧司朗超紧凑SMARTLED™ Pure 0201问世

照明与传感创新的全球领导者艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，推出新一代超紧凑型LED产品SMARTLED™ Pure 0201，为极致纤薄设备设计提供均匀优雅的光学解决方案。 SMARTLED™ Pure 0201蝙蝠形辐射特性结合165°超宽视角，可实现高度均匀的光分布，使产品工程师在微型空间内自由构建连续清晰的指示标识与形态。专为塑造日常生活的设备而设计随着设备轮廓日益纤薄、可用光学空间持续缩减，指示灯LED需在无光学畸变的前提下提供清晰均匀的照明效果。例如在智能设备中，微型状态图标即便在浅视角观测下仍能呈现无热点、无边缘晕染的完美均光效果。这正是SMARTLED™ Pure 0201的核心价值：在毫米级精密空间内实现高品质光效，助力用户通过无缝照明体验打造简洁设备美学。艾迈斯欧司朗的新品以紧凑形态与专为极限空间优化的光型特征，满足严苛环境下的清晰度与均匀性照明需求。 SMARTLED™ Pure 0201适配可穿戴设备、智能手机、电子配件、智能门铃、家电及受光波导结构限制的工业设备。通过缩短匀光片间距、保持稳定光学性能并支持灵活集成，该LED能帮助制造商实现更纤薄、更简洁的产品设计，同时确保视觉清晰度。开启紧凑均匀指示光效新篇章作为艾迈斯欧司朗全新产品线，SMARTLED Pure系列中的0201型号专为高密度集成设计，0.6mm×0.3mm微型尺寸赋能跨行业产品的流线型设计。其最核心的技术特征在于蝙蝠形辐射特性。该光学设计使工程师能够将匀光片紧贴LED安装而不产生热点，从而实现更纤薄的设备轮廓与更高自由度的机械布局。客户可集群排列多个单元，实现类似miniLED的视觉效果，同时支持经典与进阶的视觉传达需求。该LED提供全套单色光版本，包括白光、真绿光、红光与蓝光，每种均经优化实现均衡输出和高达165°的宽视角，即便在浅视角下仍保持出色可见性。红光产品👆 白光产品👇 微型封装，革新突破 SMARTLED™ Pure 0201的推出标志着艾迈斯欧司朗向非汽车领域、高速增长的消费类及工业细分市场迈出关键一步。这款米粒级封装器件融合三重创新：精密光学设计、卓越视觉品质及面向新一代紧凑型电子设备的适配架构。

ams OSRAM

艾迈斯欧司朗 . 2026-04-15 1190
技术 | 解决半导体测试与 ATE 电源设计中的四大关键挑战

简介由于人工智能 (AI)、5G、物联网 (IoT) 和电动汽车 (EV) 的快速发展，近年来对半导体测试仪和自动测试设备(ATE) 的需求持续增长。这些行业的芯片越来越复杂，因此需要更强大、更精确的 ATE 来进行测试。在设计半导体测试设备的电源时，随着这些测试仪的复杂性不断增加，通常会导致电流要求不断提高，并需要考虑许多其他特殊注意事项。选择直流/直流转换器时，通常对噪声和频率有严格的要求，以避免影响设备的测量能力。同样，许多测试仪使用高功率 FPGA，后者通常需要低纹波内核电源轨。最重要的是，半导体测试设备追求尽可能高的功率密度和尽可能小的设计尺寸。本文介绍了使用降压稳压器为半导体测试和 ATE 提供电源时所面临的常见设计挑战。表 1 列出了推荐用于半导体测试和 ATE 电源设计的直流/直流降压稳压器，其中包括具有外部频率同步功能的模块（集成电感器）和转换器（集成 FET、独立电感器）。表 1. 半导体测试和 ATE 电源管理器件利用模块设计减小尺寸为了简化电源设计并更大限度地减小 PCB 尺寸，请使用降压模块而不是降压转换器。以 TPSM843620 和转换器版本 TPS543620 为例：测得的 TPS543620 转换器电路设计总尺寸约为 100.8mm2，而测得的 TPSM843620 模块电路设计仅为 66mm2，尺寸减小了 44%。图 1 展示了尺寸减小情况。TPS543620 和 TPSM843620 的 PCB 设计尺寸均根据数据表中针对相同应用的建议进行选择。图 1. TPS543620 和 TPSM843620 之间的PCB 尺寸比较电源挑战 — 功率密度对于 ATE 电源设计，随着功率需求增加，电路板面积和 Z 高度通常是限制因素。因此，通常会为负载点设计选择电源模块，因为这些模块可实现尽可能小的 X-Y 尺寸。 TI 的新型 TPSM843B22 降压模块是一款支持电源设计人员优化功率密度设计的器件。该器件采用 6.5mm × 7.5mm 封装，提供 20A 电流，并具有蝶形布局。当与集成电感器结合使用时，该布局可实现 212mm2 的优化对称布局并采用仅 4mm 高的超模压封装，如图 2 所示。图 3 展示了该器件的示例 PCB 布局的对称性质。借助这种对称设计，能够以最低的成本实现更高的功率密度和更佳的热性能。图 2. 超模压 TPSM843B22 封装图 3. TPSM843B22 示例 PCB 布局电源挑战—低噪声排放半导体测试仪中使用的许多 ADC、DAC 和 AFE 都需要具有极低电压纹波或 1/f 噪声水平的负载点 (PoL) 电源。过去，设计人员使用直流/直流转换器降低电压，然后使用 LDO 对 PoL 电源进行平滑处理，从而解决了该问题。这种方法的问题在于，添加 LDO 会增加所需的布板空间，并导致设计效率降低。借助 TPSM8291x 系列器件，设计人员能够完全放弃 LDO，而仅使用降压模块，从而在不牺牲效率的情况下实现出色的功率密度和噪声性能。该器件的控制器设计为在 100Hz 至 100kHz 范围内 1/f 噪声规格小于 20µVRMS。这样低频噪声和所有相关谐波就不会影响 PoL 电压。1/f 噪声的衰减可以通过调整连接到 NR/SS 引脚的电容来实现。TPSM8291x 系列还具有集成环路补偿功能，允许设计人员添加第二级 L-C 滤波器。这使得能够在反馈环路内添加铁氧体磁珠，从而将输出纹波降低至 < 10µVRMS。这项功能非常实用，可实现非常安静的 PoL 电源轨。该器件还支持可选的展频调制。虽然一些测试仪追求频率信号的可预测性和一致性，但展频功能的频率随机化使设计人员能够将 EMI 和电压纹波分散到更宽的频带上，从而降低纹波或 EMI 信号中的任何峰值。图 4 展示了展频对 VOUT 纹波快速傅里叶变换(FFT) 的影响。图 5 展示了铁氧体磁珠能够放置在基于集成补偿网络的反馈环路内的位置。图 4. TPSM82913 12VIN 至 3.3VOUT、1A、2.2MHz 时的 VOUT 纹波 FFT 图 5. 采用集成式铁氧体磁珠滤波器补偿的典型 TPSM82913 应用电源挑战—效率效率也是 ATE 电源设计中的一个关键问题。使用效率较差的降压设计会消耗过多的能量，甚至可能导致系统出现热问题。 TI 的新型 TPSM843620 是一款高效的 6A 降压模块，输入电压范围为 4V 至 18V，输出电压范围为 0.5V至 5.5V，输出电流为 6A，并且封装尺寸较小 (3.5mm× 3.5mm× 1.6mm)。如图 6 所示，该器件在以 1MHz 开关频率进行 12V 到 3.3V 的转换时，可实现约 92% 的效率。图 6. TPSM843620 在 12VIN 时的效率电源挑战—监测电源参数为了进行监控或简化调试，有时在 ATE 电源设计中首选具有 PMBus 等数字接口的降压稳压器，尤其是用于更高电流的电源轨时。通过将降压稳压器与带有遥测功能的 PMBus 接口搭配使用，可以轻松监控实时输出电压并进行高精度电压调节。图形用户界面 (GUI) 可以监控温度和输出电流等各种参数，并可针对过警告和过故障设置不同的响应。该工具可在 Fusion Digital Power Designer 工具页面中找到。图 7 展示了可在其中更改规格和修改直流/直流稳压器的 GUI 屏幕。图 7. 监视器屏幕因此，即使相关的 FPGA 不使用 PMBus 与直流/直流模块进行通信，PMBus 也是一个很有吸引力的选项。设计人员无需调整无源器件，即可在原型设计和测试阶段通过数字方式更改参数，并在最终生成电路板时通过引脚配件来将所有外部无源器件设置为控制运行。这可以在原型设计过程中节省大量焊接时间和麻烦，从而在开发过程中节省时间和成本。 TPSM8S6C24 是 TI 的新款 35A 降压模块，具有 PMBus 和遥测功能以及扩展安全功能，输入电压范围为 2.95V至 16V，输出电压为 0.5V 至 3.6V。扩展安全功能通过提供写入锁定保护来尽可能地减少错误或恶意写入命令的风险，无需重新设计硬件，只需少量固件修改即可实现。结语设计 ATE 电源需要考虑设计尺寸、噪声排放、效率和电源参数监测。TI 提供广泛的降压模块和转换器产品系列，能够有效解决从 3A 到 140A 负载电流要求的各种电源设计难题。

德州仪器

德州仪器 . 2026-04-15 1064
技术 | 碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了👉碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。 👉三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。 👉SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比本表对比了安森美（onsemi） EliteSiC CJFET 器件 UJ4C075033K3S 与某竞品厂商的Si超结（SJ） MOSFET 的关键特性。其中，UJ4C075033K3S 在25°C 下的额定值为 750 V，33 mΩ；而竞品Si SJ MOSFET 在25°C 下的额定值为 650 V，29 mΩ。在此对比中，该 CJFET 的反向恢复电荷 QRR 降低至 1/60，栅极电荷 QG 降低至 1/6，反向传输电容 COSS(tr) 降低至 1/10。最大限度降低反向传输电容 SiC CJFET 与 Si SJ MOSFET 之间最显著的差异在于电容特性与裸片尺寸。在安森美 UJ4C075044B7S CJFET 与某竞品 Si SJ MOSFET 的对比中，尽管 CJFET 的阻断电压 VBRDSS 高出 100V，且两者的导通电阻 RDS(on) 额定值相近，但 SJ MOSFET 的反向传输电容 COSS(tr) 却高出 13倍以上。这一差异源于 SJ MOSFET在低压范围内表现出的非线性特性，如下图所示。CJFET 的电压转换时间远短于SJ MOSFET 。在采用半桥整流拓扑（而非全桥）的电源系统中，CJFET 能始终实现显著更快的开关速度。降低导通损耗，缩短死区时间在用 SiC CJFET替代 Si SJ MOSFET 时，安森美建议通过调整死区时间（dead time）或在 CJFET 上增加缓冲电容，以有效管理因死区引起的导通损耗。尤其在较高开关频率下，死区时间带来的影响会变得更加显著。对于CJFET而言，从检测到电流反向到JFET沟道完全导通通常存在延迟。举例来说：若死区时间为 100 ns，而开关频率为 100 kHz，则开关周期为 10 µs，此时死区仅占周期的 1%，该延迟影响相对较小。然而，若开关频率提升至 1 MHz，开关周期将缩短至 1 µs，死区时间便占整个周期的 10%，其影响不可忽视。在相同死区时间下，相较于 Si SJ MOSFET，SiC CJFET 的漏源电压 VDS 放电速度更快，导致其体二极管在剩余死区时间内持续导通。假设 CJFET 剩余死区时间 TDT(CJFET) 为 0.2 µs，体二极管正向压降 VFD 为 1.2 V，开关频率 FSW 为 100 kHz，开关电流 IC 为 10 A，则全桥拓扑中由剩余死区引起的功率损耗 PDT 可通过以下公式计算：在此案例中，计算得出的损耗为0.96W。然而，通过对栅极应用Adaptive Gate Control, 在死区时间内提前提升 VG2，让 VDS(CJFET) 降至 0V 的瞬间开通。即可使该部分损耗趋近于零。这一效果可通过观测 VDS 与 VGS 的输出波形加以验证。死区时间越长，体二极管导通损耗的持续时间也越长。通过缩短 CJFET 的死区时间，或为其增加缓冲电容以匹配 Si SJ MOSFET 的 COSS ，可有效改善此问题。消除反向恢复失效风险在对比 SiC CJFET与Si SJ MOSFET时，当两者具有相同的电流变化率（ Δi/Δt ）并在相同的结温（ TJ = 25°C ）下工作，安森美UJ4C075033K3S CJFET 的反向恢复电荷（ QRR ）最多可比后者低 60 倍。更小的反向恢复电荷意味着更高效率、更低噪声与更优的电磁兼容性。此外，CJFET在反向恢复过程中没有导致器件失效的风险，可显著提升系统整体稳健性。开关电源应用适用于任何电压等级的高能效表现为展示CJFET在电源快速开关需求下的性能，我们测试了四款不同的安森美 CJFET 器件在3.6 kW图腾柱功率因数校正 (TPPFC) 硬开关拓扑中的效率。所有被测CJFET在半负载条件下均实现了超过99% 的峰值效率。同步整流 (SR) 技术同步整流的实现，首先在于用可控的场效应晶体管（FET）替代谐振型电源转换器中通常在初级侧（有时也在次级侧）使用的二极管。由于这些 FET 的开关时序可以更直接地控制，转换器输出的直流波形能够更准确地匹配负载所需的电压和频率。全桥移相有源桥零电压转换拓扑以这种在 AC-DC 应用中日益普及的电路拓扑为例：所有通常使用二极管的开关位置均被场效应晶体管替代。“ZVT”代表零电压转换，该技术巧妙利用了主变压器的漏电感与开关的输出电容——这些通常被视为寄生元件的特性——并将其转化为优势。例如，在标准全桥拓扑中置于初级侧外部的漏电感，现在可集成至内部。它在实现相同功能的同时，大幅缩减了占用空间。通过有源桥移相控制，脉宽调制（PWM）可转换为固定开关频率的工作模式，这使控制实现更为简便，同时降低了开关对击穿电压的耐压要求。电磁干扰频谱也更为集中，使系统在整个宽输出电压范围内均能实现稳定且高效率的运行。零电压开关（ZVS）从电气工程师的角度来看，全桥功率转换过程的一大优势在于它能够实现软开关。严格来说，ZVS 并非一种刻意设计的技术手段，而更像是一种可被巧妙利用的物理现象。它通过功率转换器的谐振网络（或称“谐振腔”）得以实现。典型的零电压开关会利用电容和电感构成一个谐振电路（即“谐振腔”）。而在实际应用中，常以变压器固有的励磁电流作为便捷的替代。可以把这个励磁电流看作一种振荡信号，它能够在PFC电路中 MOSFET（或 CJFET）两端电压为零（或极低）时，将器件导通。波形整形的核心思想是：在输入电压处于波峰或波谷时导通或关断输出开关，而谐振所产生的自然振荡，恰好为这种基于电感特性的开关动作提供了理想时序。该电流被有意设置为相位滞后于谐振网络的电压，正是这种滞后引发了谐振，从而触发场效应晶体管导通（并促使其他开关按序关断）。在此过程中，开关损耗得以有效避免，EMI 噪声也显著降低。高频电源的五个转换级这是前文介绍的图腾柱PFC完整电路图。这种全"无桥式"拓扑结构包含五个功率转换级。最左侧为硬开关，其余四个均采用软开关技术。从左至右，每个同步整流转换级的电路结构逐级简化。对于“快速桥臂”（即硬开关），图腾柱PFC需搭配RC缓冲器使用CJFET。若PCB布局空间受限无法容纳此元件，则 SiC MOSFET 可能成为唯一选择。否则，若考虑 CJFET 配合 RC 缓冲电路所能实现的性能特性，CJFET 将是更优方案。对于"慢速桥臂"（即同步整流器件），其核心要求是具备低导通电阻RDS(on) ，因此CJFET是最佳选择。对于位于中间的初级 LLC 转换级（因其紧邻两个电感L和一个电容C而得名），导通损耗是主要损耗因素。在高开关频率下，关断开关损耗是另一个关键参数，因为 LLC 作为一种零电压开关（ZVS）拓扑，不存在导通损耗。CJFET 在配置缓冲器后已展现出极低的关断能量损耗Eoff ，因此是初级 LLC 转换级的最佳选择。随后的次级 LLC 转换级以及最右侧的 O-Ring 级可用于 400 V 输出电压的设计中。对于此类高压应用，低导通电阻 RDS(on) 和低输出电容 COSS 至关重要，这使得 CJFET 在整个次级侧相比 SiC MOSFET 或 Si SJ MOSFET 更具优势。未完待续，我们将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因等。

安森美

安森美 . 2026-04-15 1043
企业 | Microchip与领先车载摄像头制造商舜宇智领达成战略合作，拓展全球ASA-ML生态系统

Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）始终致力于通过整体系统解决方案让创新设计变得更简单。今日其与全球车载摄像头模组供应商舜宇智领（舜宇光学科技集团旗下子公司）宣布达成战略合作，旨在共同拓展汽车 SerDes 联盟移动链路（ASA-ML）生态系统。作为此次合作的一部分，舜宇智领推出了基于 Microchip VS700 系列 ASA-ML 器件的高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头模组，旨在为汽车行业提供更快速、更简便且更具成本效益的摄像头开发方案。此次合作将 Microchip ASA-ML 串行器技术与舜宇智领在摄像头模组领域的专业经验相结合，旨在帮助汽车整车厂（OEM）和一级供应商更轻松地为软件定义汽车（SDV）开发安全、高速且标准化的 ADAS 摄像头解决方案。ASA-ML 能够实现车载连接的互操作性，为传统的私有串行器/解串器（SerDes）技术或单一供应商生态系统提供了一个替代方案。 ASA-ML 技术的核心优势在于其集成的板载安全与时序功能。内置的安全单元 ASAsec 可提供原生的链路层认证与加密功能，在保护车载数据的同时，有效降低系统复杂性，并减轻主机处理器的安全运算负荷。精准时基（PTB）技术则在各传感器之间实现高度精准又确定的时间同步，从而确保了可靠的传感器对准，并为高级ADAS 传感器融合应用提供强有力支持。此次合作标志着 ASA-ML 生态系统日趋成熟，使整车厂商更加确信核心合作伙伴与供应商正围绕该标准达成一致。舜宇智领选择 Microchip 的 ASA-ML 解决方案来实现其摄像头模组的标准化，反映了生态系统成熟度的持续提升，为该标准的广泛采用奠定坚实基础。 Microchip负责通信业务部的副总裁Kevin So表示：“通过与舜宇智领等全球供应商紧密合作，我们正围绕ASA-ML打造一个可量产的多厂商参与的摄像头生态系统，为整车厂商提供切实可用的平台级选择。本次合作将推出可扩展的ASA-ML系列摄像头模组，助力中国及全球汽车客户采用安全、同步且面向未来的软件定义汽车架构。” 舜宇智领市场营销总监Ryan Zhou表示：“Microchip在面向车载摄像头解决方案的ASA- ML技术领域处于领先地位，与Microchip合作是我们的战略选择。本次合作为我们推动中国下一代 ADAS 技术发展奠定了重要基石。” 舜宇智领摄像头模组集成Microchip的ASA-ML串行器（VS775S），支持在日益扩展的ASA-ML生态系统中进行原型开发和评估。Microchip正与舜宇智领携手合作，助力汽车整车厂商及一级供应商加速开发标准化且可互操作的 ADAS 摄像头架构，满足行业对可扩展软件定义汽车的需求。

Microchip

Microchip微芯 . 2026-04-15 952
企业 | 贸泽电子蝉联“2025年度华强电子网优质供应商奖”

2026年4月15日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布荣膺“2025年度华强电子网优质供应商奖”。凭借深厚行业积淀与持续创新，贸泽电子以精准的产业洞察、敏捷的市场响应及稳健的全球供应链能力，深度贴合工程师与采购方研发设计需求，获评审与行业高度认可，成功蝉联该奖项。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“在 AI 普及应用、制造业转型升级的行业浪潮下，贸泽紧跟技术前沿，持续引入全球原厂新品，构建一站式技术支持体系，全面赋能客户项目研发。此次蝉联奖项，既是公司长期深耕行业的成果体现，也印证了市场对贸泽在供应链保障、技术创新与高效服务等方面的高度认可。未来，贸泽将持续发挥新品引入（NPI）核心优势，携手原厂与客户，为中国电子产业创新与智能制造升级注入更强动能。” 作为全球领先的授权代理商，贸泽电子始终以赋能技术创新为使命，并持续强化核心竞争力：原厂授权与丰富库存：与全球1,200 余家品牌制造商深度合作，常备超 100 万种现货 SKU，全年新增63家厂商品牌，全面覆盖工业自动化、AI 计算、5G 、物联网、新能源与汽车电子等核心领域。稳健全球供应链：依托全球化智能仓储与本地化服务支持中心，实现全天候订单处理与快速发货，服务全球数十万工程师与采购客户，持续提升供应链韧性与稳定性。一站式数字化服务：通过 FORTE 智能 BOM 工具、实时库存查询、多语言多货币平台与API对接，大幅提升工程师选型与采购效率，打造一站式数字化采购体验。本土化服务与AEO认证：深耕中国市场提供本土化服务，严格遵循AEO高级认证标准，在享受通关便利、提升物流效率的同时，切实满足中国客户从研发设计到批量生产的全周期需求，助力客户降本增效。

数字化

贸泽电子 . 2026-04-15 924
技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

Tom Truman Vice President, Performance Computing Power Division 在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓（GaN）半导体的普及应用。剖析AI数据中心的电力挑战相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间（具体数值因供应商而异），按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。 AI推动新型电源架构这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流（AC）配电向800V直流（DC）（或±400V直流）架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元（或称“超级集群”）最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。更少的转换环节，更高的电压面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V（或±400V）直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电（480V三相交流）形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电（415V交流），最终再次转换为直流电（48V）供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。为何是GaN，又为何是现在？ GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹（MHz）级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。 GaN的“黄金应用区间”：800V至48V转换与双向供电在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅（SiC）于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压（如48V，特定情况下为12V）的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。瑞萨电子：将GaN定位为系统级解决方案 AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议（APEC）上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。普及之路的挑战与未来展望尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。

瑞萨

Renesas瑞萨电子 . 2026-04-15 1 2149
应用 | 沐曦股份曦云 C 系列 GPU Day 0 适配 ERNIE‑Image 极致轻量算力支撑顶尖文生图体验

4月15日，百度文心大模型团队重磅推出ERNIE‑Image文生图模型，沐曦股份曦云 C 系列 GPU 已完成对 ERNIE‑Image 的Day 0 深度适配，同步支持 ERNIE‑Image Turbo 极速推理版本，以轻量高效的国产算力，为顶尖文生图应用提供即插即用的算力底座。此次 Day 0 适配，标志着沐曦股份与百度文心在国产算力 + 国产文生图模型协同发展再迈关键一步，双方共同构建 “模型发布 — 芯片适配 — 产业落地” 高效闭环，为多模态 AI 应用国产化替代提供坚实支撑。依托沐曦股份自研 GPU 硬件 + MXMACA 全栈软件的软硬一体核心优势，公司得以快速响应大模型迭代节奏，高效完成各类主流模型的适配工作。近一段时间以来，沐曦股份已累计完成 Day 0 适配模型超 15 个，全面覆盖 MiniMax、智谱、通义千问、阶跃星辰、百度飞桨等头部厂商的最新旗舰模型，涵盖语言、多模态、OCR、文生图等全品类，在国产 GPU Day 0 适配赛道持续保持行业领先地位，以全栈技术实力为大模型快速落地筑牢算力支撑 ERNIE‑Image：轻量架构，媲美商业模型的文生图巅峰 ERNIE‑Image 是百度文心大模型团队推出的旗舰文生图模型，基于DiT 架构设计，参数量仅80 亿（8B），凭借极致高效的架构设计，只需 24GB 显存的消费级显卡，即可生成媲美顶级商业模型的复杂、真实图像，大幅降低文生图应用部署门槛。在通用图像生成能力方面，ERNIE‑Image 以40% 的参数规模超越第一梯队大部分模型，与先进模型持平，在多项权威 benchmark 上全面领先其他开源模型，斩获世界第一成绩。模型在复杂指令理解与生成上优势显著，尤其在精准文字渲染、知识密集型生成任务中表现突出；同时在动漫、二次元、胶片、超现实主义、剪影、老照片等多元艺术风格生成上均具备顶级水准，满足创作、设计、传媒等全场景高质量图像需求。同步推出的ERNIE‑Image Turbo版本，实现仅 8 步推理即可生成高保真图像，在保持画质不变的前提下，大幅提升生成速度，适配高并发、低时延的在线文生图服务场景。沐曦全栈技术：轻量高效，Day 0 就绪即享巅峰体验沐曦曦云 C 系列 GPU 凭借自主核心 GPU IP 与 MXMACA 全栈软件深度协同，在 ERNIE‑Image 发布当日即完成全功能适配，实现模型发布即算力就绪的 Day 0 极致体验，让开发者与企业用户零成本迁移、即部署即用。极致轻量适配完美匹配 ERNIE‑Image 8B 轻量架构，24GB 级显存即可稳定高效运行，充分释放曦云 C 系列高能效比优势，单机单卡即可支撑高质量文生图推理。极速 Turbo 支持同步完成 ERNIE‑Image Turbo 适配，8 步极速推理流畅运行，兼顾生成质量与速度，满足实时交互、批量生产等场景需求。多元风格支撑高效支撑复杂指令、精准文字渲染及多元艺术风格生成，与模型能力完美匹配，输出效果媲美高端算力平台。全栈生态兼容 MXMACA 软件栈原生兼容 PyTorch、Diffusers 等主流 AI 框架，支持 40 + 框架、500+AI 模型、4500 + 开源项目，覆盖 95% 主流 AI 场景，大幅降低开发者迁移成本。截至 2026 年 3 月，MXMACA 开源社区注册开发者已突破 30 万人，API 调用超 5591 万次，覆盖超半数 C9 高校，为 ERNIE‑Image 等文生图模型提供持续迭代优化的生态支撑。目前，ERNIE‑Image 及 ERNIE‑Image Turbo 已可在沐曦曦云 C 系列 GPU 上全量稳定运行，广泛适用于内容创作、广告设计、数字媒体、游戏动漫、教育科研等场景。沐曦股份将持续深耕全栈自研 GPU 技术，强化软硬协同与生态共建，以开放兼容的软件生态和高效强劲的硬件底座，持续为国产多模态大模型、文生图应用提供高效、安全、普惠的国产算力，助力 AI 产业高质量发展。

沐曦股份

沐曦股份MetaX . 2026-04-15 1855
技术 | 芯片决定上限，PCB决定表现 ——Z20A3130 / Z20A3160 散热设计指南

一、芯片的散热路径在电源系统的散热分析中，芯片产生的热量最终通过两条路径离开：路径1：芯片封装表面 → 空气这条路径的散热能力主要由芯片自身的尺寸决定。芯片面积越大，与空气接触的表面积越大，通过对流和辐射带走热量的上限越高。这一路径在芯片选型完成后基本固定，应用阶段难以再做优化。路径2：芯片引脚 → PCB铜箔 → 空气这条路径的传导效率，由芯片引脚设计与PCB Layout共同决定。其中，芯片设计提供了路径的起点截面，而PCB Layout则决定了热量能否被高效地承接并扩散出去——这正是应用阶段最具优化空间的关键环节。仿真图所呈现的温度分布，正是路径二的直观映射：热量从芯片引脚出发，沿铜箔走线向外传导，温度沿路径逐步衰减。走线的截面积越大，热阻越低，热量的传导效率就越高。二、应用阶段的关键抓手：Fan-out线宽在芯片引脚与大面积覆铜之间，存在一段过渡走线。其宽度决定了路径二初始段的扩散热阻。若此处线宽不足，相当于在热源出口与散热主体之间形成瓶颈。热量传导受阻，芯片温度随之升高——即便芯片自身尺寸提供的表面散热能力尚有富余，也会因传导路径不畅而无法充分利用。反之，适当展宽Fan-out线宽，可降低这段瓶颈热阻，让热量更顺畅地从芯片流入PCB，再经大面积铜皮散入空气。三.Z20A3130 / Z20A3160 与散热路径的配合智芯 Z20A3130 (3A) / Z20A3160 (6A) 同步降压转换器，在设计层面为路径二的优化提供了便利：内部功率器件的低损耗设计：器件通过优化内部功率管结构与驱动控制策略，在全负载范围内实现了更低的转换损耗。更低的损耗意味着产生的热量基数更小，从源头上减轻了后续散热路径的负担。优化的引线框架与内部互连：我们通过优化内部引线框架的金属化结构与布局，降低了从结到引脚的热阻。热量在芯片内部被更高效地收集并导向引脚，为后续的 PCB 传导提供了更顺畅的起点。对称布局与多GND引脚的散热贡献：该封装采用对称的VIN与GND引脚排布，其中Z20A3130配置双GND引脚，Z20A3160配置四GND引脚。这种设计在改善EMC性能的同时，也为散热路径带来了直接增益——多个GND引脚并联，等效于增大了热量从芯片内部传导至PCB的“出口”总截面积。截面积越大，该段路径的热阻越低，热量越容易从芯片流入PCB铜箔，有效降低了传导路径中的瓶颈效应。四、Layout设计建议基于上述散热路径分析，在使用Z20A3130 / Z20A3160进行PCB设计时，建议关注以下两点：出线展宽：所有网络从焊盘引出时尽量将线加宽，但需注意：SW到电感的后续走线所围成的回路面积应做平衡考量——线宽需满足载流要求，但过宽可能增大干扰耦合到大地的共模干扰，对EMC产生不利影响。热过孔就近放置：在展宽的铜皮区域内布置多个过孔连接内层大面积铜皮构建垂直方向的导热路径，提升整体散热效率。散热的本质，是为热量规划一条低阻力的传导路径。芯片尺寸决定了第一条路径的上限，而PCB Layout决定了第二条路径能否将热量高效送达。Z20A3130 / Z20A3160的引脚排布与效率优化，为这条路径的规划提供了更友好的起点。用好芯片，也用好铜皮，才能将散热性能变为实际应用中的可靠表现。

智芯SEMI

智芯SEMI . 2026-04-15 1127
晶振启动时间优化指南：Q值、负载电容与电路设计

晶振的启动时间如果太长，可以从哪些方面入手优化？晶振的启动时间，是指晶振通电到进入稳定振荡状态所需的时间。影响时间长短的因素常见有5点。品质因数 (Q值) 品质因数Q值是衡量晶振性能的一个重要参数，这是储存能量与损耗能量的一个比值。Q值越高，能量积累越快，起动时间就越短；反之，低Q值会导致起动时间延长。高Q值的晶振通常启动时间会比较短。老化现象随着使用时间的增长，晶振会发生老化，导致其Q值降低、谐振阻抗增加。这些变化会使电路需要更多时间和能量来建立稳定的振荡，从而延长起动时间。负载电容晶振的负载电容如果过大，除了会导致振荡频率降低，同时也会增加启动时间。因为电容需要更多的能量来充电。驱动功率驱动功率决定了为晶振提供能量的大小，在一定范围内，提高驱动功率可以缩短起动时间。虽然较高的驱动功率可以更快地累积能量，让晶振更快达到稳定的振荡状态，但功率过高会有晶振过热或者损坏的潜在风险。电路设计电路的增益、反馈路径的阻抗和其它元器件的选择等，这些因素都会对启动时间产生影响。不合理的PCB布局，例如晶振距离主控芯片过远、走线过长，或靠近噪声源（如电源、高速信号线），都容易引入电磁干扰，影响晶振的正常起振。另外温度和电源电压的稳定性，也会影响晶振的启动时间。温度对晶振的物理特性有显著影响，在极端温度（尤其是低温）环境下，晶振的响应会变慢，导致起动时间明显延长；电源电压的波动或噪声会直接影响振荡电路的稳定性，电压不稳可能导致晶振起动困难或起动时间变长。

晶振

扬兴科技 . 2026-04-15 1 819
泰瑞达推出Photon 100全面型自动测试平台，加速大规模硅光子和共封装光学量产

今天Teradyne（泰瑞达）宣布，推出全面型光电自动测试平台——Photon 100，该平台专为加速大规模硅光子（SiPh）和共封装光学（CPO）量产打造。受AI与下一代数据中心发展推动，市场对高速、节能光互连的需求激增。然而，制造商在实现SiPh和CPO大规模量产的过程中面临着诸多挑战。泰瑞达Photon 100将先进的光学和电气设备与泰瑞达成熟的UltraFLEXplus平台集成，可在晶圆、光学引擎和共封装模组插入等所有关键制造阶段，实现高产能的自动测试。该方案不仅简化操作流程、加快产品上市速度，更能为硅光子和共封装光学制造提供快速扩容能力。泰瑞达硅光子测试副总裁Geeta Athalye表示：“Photon 100是一款全面性、可扩展的集成式解决方案，降低了量产硅光子和共封装光学测试的复杂性，为客户带来巨大的价值。成熟的UltraFLEXplus平台与先进的光学和电气设备深度融合，既确保在当前规模化生产下的稳定高效表现，又能随行业技术持续创新灵活迭代，满足客户的未来需求。” 主要特性和优势：集成光学与电气设备：融合先进的光学与电气测试能力。适配大规模量产的可扩展性：专为满足SiPh和CPO大规模量产环境的严苛要求设计。全面的测试覆盖：支持晶圆（单面和双面）、光学引擎和CPO测试插入。可定制光学设备：提供标准配置，支持定制化光学设备。操作简便：由泰瑞达设计、制造与维护，客户无需集成和运维多供应商解决方案。开放生态系统：客户可自主选择大规模量产的生态系统合作伙伴，涵盖晶圆级和裸片级探针方案。凭借Photon 100，泰瑞达巩固了在大规模SiPh和CPO测试领域的领先地位，为应对当下先进制造领域的核心挑战，提供了一种集成式、可扩展、自动化的解决方案。通过将前沿光学和电气设备与成熟的UltraFLEXplus平台结合，泰瑞达Photon 100能够助力客户加速创新，降低操作复杂度，并快速扩大产能，以满足AI和下一代数据中心持续增长的需求。此次Photon 100的推出，充分彰显了泰瑞达以先进测试解决方案推动硅光子和共封装光学制造产业发展的坚定决心。

泰瑞达 . 2026-04-15 1099
思特威推出全新升级1.3MP高性能车规级CMOS图像传感器

今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，推出全新升级1.3MP高性能车规级CMOS图像传感器——SC126AT。SC126AT基于CARSens®-XR Plus技术平台打造，采用单像素架构设计，搭载SFCPixel®、PixGain HDR®等优势技术，具备高感度、高动态范围、低噪声等多项性能优势并支持片上ISP功能。作为全流程国产化的车规级CMOS图像传感器，SC126AT在兼顾性能与成本优势的同时，符合ISO 26262 ASIL-B汽车功能安全标准，能够满足车载环视、后视摄像头影像拍摄的性能升级与安全功能配置需求。更高感度与动态范围，从容应对复杂环境挑战车辆在道路行驶中常会遇到暗光、逆光、强光等复杂光线场景，极易影响车载摄像头的成像效果，从而导致画面模糊、细节丢失等问题出现。SC126AT搭载思特威先进的SFCPixel®及PixGain HDR®技术，拥有3.0µm大像素尺寸，在感度和动态范围上具备显著优势，能够在低照度、高明暗对比度等光线环境下，为车载环视、后视摄像头采集到清晰准确的图像信息。 ·更高感度，暗光成像效果升级 SC126AT基于CARSens®-XR Plus技术平台以及单像素架构，搭载SFCPixel®专利技术，实现了感光性能的显著提升。SC126AT在520nm可见光波段下的峰值量子效率(peak QE)高达83%，较前代产品提升约11%，即使在夜晚路面、地下车库等低照度场景下，SC126AT也能为车载摄像头提供清晰明亮的影像画面。 ·更高动态范围，视频拍摄更清晰 SC126AT基于思特威PixGain HDR®+VS三帧HDR技术，最高动态范围可达120dB，能够在隧道、地下停车场进出口等明暗光线对比强烈的环境下，保留更多画面亮部与暗部细节，可帮助车载摄像头实现清晰的高动态范围视频拍摄效果。综合性能全面优化，打造车载视觉高质量影像作为全流程国产的高性能车规级CMOS图像传感器，SC126AT基于思特威先进的CARSens®-XR Plus技术平台打造，搭载SFCPixel®及超低噪声外围读取电路技术，实现了噪声抑制和高温成像性能的显著优化，并支持片上ISP功能。在最大增益模式下，SC126AT的读取噪声(RN)和固定噪声(FPN)分别低至0.69e-和0.06e-，固定噪声较前代产品大幅降低约57%，可帮助摄像头在暗光环境下获得更加清晰干净的成像效果。同时，SC126AT在80℃高温条件下的暗电流(DC)较前代产品大幅降低约41%，能够让车载摄像头的高温成像更加稳定清晰。此外，SC126AT支持片上ISP功能，内置ISP算法包含AWB、降噪等功能，可覆盖图像处理全链路RAW域、RGB域及YUV域，帮助优化图像色彩、噪声等综合性能，为车载环视、后视摄像头应用提供高质量的清晰影像。 SC126AT作为思特威全流程国产化高性能车载CIS系列的拓展新品，兼顾性能与成本优势，可与已推出的同系列车载CIS产品SC226AT和SC326AT，共同组成覆盖车载环视、前视及后视摄像头应用的国产高性能CIS影像方案，为客户带来优质可靠的多元车载视觉影像选择。 SC126AT目前已接受送样，将于2026年Q2实现量产。想了解更多有关SC126AT的产品信息，请与思特威销售人员联系。

思特威 . 2026-04-15 1141
600V MOSFET替代选型的七个关键检查项

在电源设计、LED驱动以及逆变器等产品的量产维护过程中，MOSFET的稳定供应直接决定了产品能否持续供货。当原有设计方案面临进口器件交期延长、价格波动甚至停产的风险时，寻找可靠的国产替代方案已成为工程师的核心技能。合科泰基于功率器件研发经验，整理出600V高压MOSFET替代选型中需要重点关注的七个检查项。一、耐压等级与安全裕量 600V等级的MOSFET主要应用于AC-DC电源、PFC升压电路以及LED驱动等领域。选型时，必须综合考虑输入电压波动、开关电压尖峰及电网浪涌等极端情况。核心原则是所选器件的漏源击穿电压不应低于实际工作电压峰值的1.2倍。以220V交流输入为例，整流后母线峰值电压约311V，加上漏感尖峰可能超过500V，因此建议选择如合科泰HKTD7N65的650V耐压器件，为系统预留充足的安全裕量。二、电流能力与降额设计需要区分连续漏极电流ID与脉冲漏极电流IDM两种工况。数据手册中的ID值通常在理想条件下测得，实际应用中需考虑热降额。对于环境温度较高的工业应用，选择ID不低于实际负载电流1.5倍的器件更为稳妥。务必通过结温公式进行验算，确保结温在安全范围内。三、导通电阻与系统效率导通电阻RDS(on)是决定导通损耗和发热量的核心参数。在相同电流下，导通电阻RDS(on)越小，效率越高。需要注意的是，导通电阻RDS(on)具有约0.4%~0.8%/°C的正温度系数，高温下会显著增大。选型时应采用工作结温下的修正值进行损耗估算，避免低估实际发热。四、开关特性与栅极驱动在高频应用中，开关损耗尤为关键。栅极电荷Qg是衡量开关速度的关键指标，Qg越小，开关损耗越低，对驱动电路的要求也越低。对于如开关电源100kHz以上的高频应用，应优先选择Qg小的器件。同时，需确保驱动电压与器件的栅极阈值电压VGS(th)匹配，驱动电压应比栅极阈值电压高出至少2V，并注意栅极阈值电压的负温度特性。五、热设计与封装评估热阻是衡量散热能力的核心参数，不同封装差异显著。以下是常见封装的热阻与适用功率范围参考：对于采用TO-252封装的HKTD7N65，需配合足够的PCB铜皮面积散热。热设计验证步骤计算功耗、估算总热阻、计算结温、确保结温不超过最大值。六、可靠性验证与出厂测试批量应用前，可靠性验证不可或缺。除常规电参数测试外，应重点关注雪崩能量EAS，它直接关系到器件在关断感性负载时承受电压尖峰的能力。可靠的供应商应对每颗器件进行出厂全检，包括热阻、雪崩能量及阈值电压分布测试，以保障批次一致性和应用可靠性。七、封装兼容性与PCB布局替代选型时，封装兼容性是首要考量，需确认引脚定义、封装尺寸及安装方式三者均与原器件匹配。TO-252封装因其成熟的工艺和良好的散热性，是该功率段的主流选择，可直接兼容大多数现有PCB布局。在布局优化时，应缩短栅极驱动走线以减小寄生电感，并加大源极铺铜面积以改善散热和降低回路阻抗。总结科学的MOSFET替代选型，需系统性地审视参数匹配、热安全和供应链保障这三个核心维度。参数匹配方面，耐压、电流、导通电阻、栅极电荷等关键参数必须满足设计要求，并预留合理裕量；热安全方面，通过热阻分析和结温计算，确保器件在全工况下工作在安全范围内；供应链保障方面，选择具备自主可控产能和出厂全检能力的国产原厂，才能确保长期稳定供货。遵循以上七步检查法，逐一核对，可以有效规避风险，实现从进口器件到国产优质器件的平稳、可靠替换。

MOSFET

厂商投稿 . 2026-04-15 1141
NCE6003X新洁能SOT23,60V3A,N沟道增强型功率MOSFET场效应管解析

NCE6003X是新洁能推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）工艺技术制造。该器件专为中等功率开关应用设计，在SOT-23小型封装内实现了60V耐压和3A电流能力，是电池保护、DC/DC转换等应用场景的理想选择。核心定位：小体积、低导通电阻、高性价比的功率开关器件主要电气参数参数数值说明漏源耐压 VDS 60V 最高工作电压连续漏极电流 ID 3A 25°C环境温度下脉冲漏极电流 IDM 10A 受限于结温栅源耐压 VGS ±20V 栅极保护范围导通电阻 RDS(ON) 68mΩ（典型）@VGS=10V 低损耗关键指标导通电阻 RDS(ON) 80mΩ（典型）@VGS=4.5V 支持逻辑电平驱动栅极电荷 Qg 10.2nC 开关速度快最大功率耗散 PD 1.7W 25°C环境温度结温范围 -55°C ~ 150°C 工业级温度范围关键优势：在VGS=4.5V逻辑电压下，RDS(ON)仅80mΩ，可直接由MCU或逻辑电路驱动，无需额外的栅极驱动电路。封装与标识封装形式： SOT-23（表面贴装）丝印标识： 6003X 引脚定义（顶视图）：引脚号名称功能 1 G 栅极控制端 2 S 源极 3 D 漏极包装信息：每盘3000颗，8mm编带，适合自动化贴片生产。技术特点详解 1. 先进沟槽工艺（Advanced Trench Technology）相比传统平面MOS，沟槽结构大幅降低了导通电阻相同芯片面积下实现更高的电流密度改善了开关特性和热性能 2. 双电压驱动兼容栅极电压导通电阻应用场景 VGS = 10V 68mΩ（典型），90mΩ（最大）标准驱动，最低损耗 VGS = 4.5V 80mΩ（典型），110mΩ（最大）逻辑电平直接驱动设计提示：虽然4.5V即可驱动，但10V驱动能获得最佳导通性能，降低导通损耗。 3. 快速开关特性开通延迟时间 td(on)： 5ns 上升时间 tr： 10ns 关断延迟时间 td(off)： 12ns 下降时间 tf： 8ns 总栅极电荷 Qg = 10.2nC，意味着较低的驱动功率需求和快速的开关速度，适合高频开关应用（如DC/DC转换器）。 4. 内置体二极管特性连续正向电流 IS： 3A 正向压降 VSD：典型1.2V（VGS=0V, IS=3A）可用于感性负载的续流保护，简化外围电路设计。典型应用场景 1. 电池保护电路应用场景：锂电池组过充/过放/过流保护优势：低RDS(ON)减少压降和发热，延长电池续航典型电路：背靠背串联实现双向开关 2. DC/DC转换器应用场景：降压（Buck）、升压（Boost）、升降压（Buck-Boost）拓扑优势：快速开关速度支持高频工作，减小磁性元件体积适用功率：建议15W以下（取决于拓扑和散热条件） 3. 负载开关（Load Switch）应用场景：便携设备电源路径管理、USB电源切换优势： SOT-23小体积，逻辑电平兼容，低静态功耗 4. 电机驱动应用场景：小型直流电机、步进电机单相驱动注意：需考虑电机启动电流和感性负载关断时的电压尖峰热设计与降额使用热阻参数结到环境热阻 RθJA： 73.5°C/W（FR4板，表面贴装）实际应用建议环境温度建议最大功耗 3A电流时的允许压降 25°C 1.7W 0.57V 50°C 1.36W 0.45V 85°C 0.85W 0.28V 重要提示：实际应用中建议保留至少50%的降额裕量，确保长期可靠性。与同类产品对比参考参数 NCE6003X 同类竞品A 同类竞品B 耐压 60V 60V 60V 电流 3A 3.6A 2.8A RDS(ON)@10V 68mΩ 55mΩ 85mΩ 栅极电荷 10.2nC 15nC 8nC 封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23 NCE6003X定位：在导通电阻和开关速度之间取得良好平衡，性价比较高的通用型选择。总结 NCE6003X是一款均衡型中低压功率MOSFET，在SOT-23小封装内实现了： ✅ 60V耐压，覆盖多数低压应用 ✅ 3A电流能力，满足中小功率需求 ✅ 低导通电阻（68mΩ@10V），降低导通损耗 ✅ 逻辑电平兼容（4.5V驱动），简化电路设计 ✅ 快速开关（Qg=10.2nC），支持高频应用最适合的应用：锂电池保护板、便携设备电源管理、小型DC/DC模块、LED驱动等空间受限且成本敏感的场合。对于需要更高电流或更低导通电阻的应用，可考虑同系列的更大封装产品（如DFN5x6或SOP-8封装）。

深圳三佛科技 . 2026-04-15 1603
贞光科技代理——三星电容解决方案：人形机器人MLCC选型指南

作为三星电机授权代理商，贞光科技始终关注人形机器人产业对高可靠被动元器件的迫切需求。从AI运算单元到关节驱动再到精密传感，我们依托三星电机全系列MLCC产品线与本地化技术支持，为机器人客户提供从选型指导到稳定供货的一站式服务。下文将系统解析三大核心单元电容方案，助力您的机器人项目实现性能与可靠性的双重突破。一、行业背景：为什么人形机器人需要专用MLCC？人形机器人不再是简单的执行机构，而是集成了AI推理、运动控制、环境感知的复杂系统。这种转变对被动元器件提出了前所未有的要求：高功率密度：AI芯片（SoC/GPU/NPU）瞬时功耗波动剧烈空间极度受限：小型化机身要求元器件尺寸不断缩小严苛环境适应：振动、冲击、温度变化下的长期可靠性微秒级响应：关节控制对电源瞬态响应要求极高 MLCC（多层陶瓷电容器）作为电源去耦、滤波、储能的核心元件，其性能直接决定机器人的运算稳定性、运动精度和感知可靠性。二、核心单元一：面向Computing Module的Humanoid SoC专用All-in-One MLCC 2.1 技术挑战人形机器人的"大脑"——AI推理芯片（AP/GPU/NPU）具有以下特点：功耗波动剧烈，瞬态电流变化大实装密度极高，PCB空间极其有限对电压波动敏感，影响推理精度 2.2 三星电机解决方案：超小型·超高容量MLCC 三星电机开发了专门针对AI芯片电源设计的MLCC产品线，实现"在受限的板级空间内将电压波动降至最低，构建无数据处理延迟的最优运算基础设施"。产品规格主要应用位置应用原因 0201 (0603m) 10µF / 2.5V AI芯片组正下方及超小型传感器模组【超高速响应】在距离芯片组最近处布置，最小化电感并去除高频噪声 0402 (1005m) 47µF / 2.5V GPU/NPU电源Rail (Decoupling) 【电压稳定化】防止AI运算负载突增时出现的快速电压下陷，确保实时推理准确度 0603 (1608m) 100µF / 2.5V PMIC输出端及主电源区域【空间革新】以压倒性容量用单一器件替代多个MLCC，大幅减少板面积 2.3 产品型号速查表 Part Number Size (inch/mm) Capacitance Related Voltage TCC CL03W106MS5C6W# 0201/0603 10µF 2.5Vdc X6T CL05X476MS6N9W# 0402/1005 47µF 2.5Vdc X6S CL10X107MS8NZW# 0603/1608 100µF 2.5Vdc X6S 2.4 实现无1ms误差的敏捷动作在数十个关节同步运作的复杂地形行走场景中，电压不稳定可能导致指令延迟。三星电机的高容量MLCC具备：更低ESR特性：相比钽电容，改善响应速度外部振动环境适应性：维持信号完整性，完成机器人的敏捷平衡控制 Ultra-High Capacitance Product Lineup： Part Number Size Capacitance Voltage TCC CL21X107MSYN3W# 0805/2012 100µF 2.5Vdc X6S CL31X227MSKNW# 1206/3216 220µF 2.5Vdc X6S CL32X337MSVN4S# 1210/3225 330µF 2.5Vdc X6S CL32Z227MSVN4S# 1210/3225 220µF 2.5Vdc X7T 三、核心单元二：用于控制驱动单元专用执行器的高电压·高可靠性MLCC 3.1 技术挑战为实现人形机器人的柔性运动，数十个执行器面临：振动环境：关节运动带来的持续机械应力发热问题：大电流驱动导致的温升反电动势（back EMF）：电机启停时的电压冲击严苛工况：户外、工业场景下的长期可靠性要求 3.2 三星电机解决方案：100V级高电压·高可靠性MLCC 三星电机突破传统电解电容的局限，即使在恶劣条件下也能实现精密运动控制。其48伏驱动系统专用 MLCC产品阵列，保障高温环境下的稳定运行。关键技术：弯曲强度（Bending Strength）改善技术支持在关节反复运动与强振动下缓解物理应力坚固设计确保长期可靠性 3.3 1206 inch size Product Lineup Application Feature Bending Strength Part Number Size Capacitance Rated Voltage TCC Industrial General 1mm CL31Y475KCK6NW# 1206/3216 4.7µF 100Vdc X7S Industrial Soft-term 3mm CL31Y475KCK64N# 1206/3216 4.7µF 100Vdc X7S Automotive General 3mm CL31Y475KCK6PN# 1206/3216 4.7µF 100Vdc X7S CL31Y475KCK64N# 特性曲线： Frequency Characteristics：宽频带低阻抗特性 DC Bias Characteristics：高直流偏置下的容量稳定性 3.4 1210 inch size Product Lineup Application Feature Bending Strength Part Number Size Capacitance Rated Voltage TCC Industrial General 1mm CL32Z475KUJ6NW# 1210/3225 4.7µF 125Vdc X7T Industrial General 1mm CL32Y106KCV6NW# 1210/3225 10µF 100Vdc X7S Industrial Soft-term 3mm CL32Y106KCV64N# 1210/3225 10µF 100Vdc X7S Automotive General 5mm CL32Y106KCV6PN# 1210/3225 10µF 100Vdc X7S Automotive Soft-term 5mm CL32Y106KCJ6PJ# 1210/3225 10µF 100Vdc X7S 四、核心单元三：用于人形机器人精密控制的传感器用高容量MLCC 4.1 技术挑战要实现人形机器人的"五感"，传感器电源设计面临：空间限制：高度小型化的视觉传感器内部空间极有限稳定供电：MLCC需在尽可能降低占用面积的同时，为运行功耗提供稳定供电振动环境：行走过程中的振动与电压波动噪声抑制：关节电机动作时产生的电气噪声对微弱传感器信号的干扰 4.2 三星电机解决方案平衡传感器应用：搭载于平衡传感器的MLCC可在行走过程中将容量变化降至最低，帮助维持绝对水平基准点。触觉传感器应用：触觉传感器区域的MLCC发挥滤波作用，精密滤除关节电机动作时产生的电气噪声，避免其影响微弱的传感器电路。由此可去除对微小压力变化必须高度敏感的触觉信号中的噪声，并防止因电压不稳定导致的误差，从而提升机器人动作稳定性。 4.3 产品型号速查表 Part Number Size (inch/mm) Capacitance Related Voltage TCC CL03X225MQ5N6W# 0201/0603 2.2µF 6.3Vdc X6S CL03X475MS3CNW# 0201/0603 4.7µF 2.5Vdc X6S CL03W106MS5C6# 0201/0603 10µF 2.5Vdc X6T 结语人形机器人作为"Next AI基础设施"，其硬件设计的精细化程度正在不断提升。MLCC虽小，却是保障系统稳定运行的"隐形英雄"。三星电机凭借在工规电容领域的深厚积累，为机器人行业提供了从运算、驱动到传感的全链条解决方案，助力下一代智能机器人实现更高性能、更高可靠性的突破。

人形机器人

三星电容代理商 . 2026-04-15 2065
机器人主控平台米尔RK3576 + ROS2，目标跟随与机械臂抓取实战演示

回顾上篇：基于RK3576+ROS2 Humble+SLAM Toolbox+Nav2，我们实现了机器人的建图与自主导航。机器人已经能够“走到哪里”。但真正的智能机器人不仅要“走到哪”，还要“看到并操作”——识别特定物体、主动跟随、近距离抓取。本文将在此基础上，集成深度摄像头，实现机器人核心功能：使用米尔RK3576 NPU加速MixFormerV2进行目标跟踪，替代传统OpenCV算法；移动底盘跟随目标物体，保持安全距离；机器人机械臂抓取物体，完成“识别-跟随-抓取”闭环。名词预先了解：手眼转换：将相机看到的物体坐标转换到机械臂可执行的坐标系下。逆运动学：给定末端目标位姿，反解出机械臂各关节应转动的角度。米尔基于RK3576核心板开发板第一章：系统总体架构与硬件连接 1.1 硬件组成主控：米尔基于RK3576核心板开发板（内置6TOPS NPU）深度摄像头：RGB-D深度相机（输出RGB、IR、深度三路数据）机械臂：6轴轻量机械臂（串口控制）移动底盘：STM32控制，麦克纳姆轮 1.2 软件模块与数据流整个系统分为五个核心ROS2节点：整体数据流：相机→ MixFormerV2跟踪器 → 手眼转换 → 底盘跟随节点 → 靠近停止 → 机械臂逆运动学规划 → 抓取执行。第二章：深度相机数据获取与普通USB摄像头不同，深度相机在ROS2下通过标准驱动节点发布话题数据。本文使用的RGB-D相机输出三路信息： RGB图像：用于目标跟踪的视觉输入 IR图像：辅助深度计算（夜间或弱光可用）深度图像：每个像素的毫米级距离值相机输出格式为：640×400 NV12，帧率13~15 FPS。主控RK3576通过订阅ROS话题（如/camera/color/image_raw和/camera/depth/image_raw）即可获取数据，无需直接操作/dev/video*节点。关键点：深度图像与RGB图像需要时间对齐和空间对齐（通常相机驱动已提供对齐后的深度图），以便后续将目标2D框映射到3D坐标。第三章：NPU加速的MixFormerV2目标跟踪 3.1 为什么放弃OpenCV，改用NPU+MixFormerV2？传统OpenCV跟踪算法（KCF、CSRT等）在光照变化、遮挡、快速运动下容易丢失目标，且完全依赖CPU，帧率受限。而MixFormerV2是一种基于Transformer的端到端跟踪器，精度高、鲁棒性好。配合RK3576内置的6TOPS NPU，可以：推理速度提升：单帧推理30ms左右，实际跟踪帧率可达15~20 FPS； CPU占用大幅降低：NPU独立处理视觉任务，CPU可专注ROS2通信与运动控制；功耗更低，适合嵌入式移动机器人。 3.2 模型转换与部署流程 1.模型转换：下载MixFormerV2的PyTorch权重，使用RKNN-Toolkit2工具转换为.rknn格式，并做INT8量化。2.ROS2节点实现：订阅RGB图像话题；将图像缩放至模型输入尺寸（如224×224），进行预处理；调用NPU推理，输出目标边界框；结合深度图中对应区域的有效深度值，通过手眼转换得到目标在机器人坐标系下的3D坐标（X, Y, Z）；发布/target_3d_position和/tracking_box话题。 3.性能匹配：相机帧率约15 FPS，MixFormerV2采用累计3帧一起推理的方式（batch size=3），单次耗时约70ms，整体匹配流畅。 3.3 手眼转换本文采用“眼在手上” 的配置：深度相机固定在机械臂末端，随机械臂一起运动。此时，相机到机械臂末端（camera_link → end_effector_link）的变换是固定的（可通过标定获得），而机械臂末端到基座（end_effector_link → arm_base_link）的变换则随关节角度实时变化。在ROS中，我们需要：标定相机到机械臂末端的静态TF。机械臂驱动节点根据当前关节角度实时发布end_effector_link → arm_base_link的动态TF。通过tf2监听完整变换链，将物体坐标从相机系转换到机械臂基座系。第四章：底盘移动跟随目标当跟踪节点输出目标在机器人底盘坐标系下的3D位置后，底盘跟随节点object_follower执行以下逻辑：计算相对位置：得到目标相对于机器人中心的水平距离和角度偏差。优先调整方向：先原地旋转，使机器人正对目标（角度偏差 < 5°）。前进至抓取距离：保持正对，以线速度向前移动，直到距离目标约0.5米（安全抓取范围）。停止并通知抓取：到达抓取范围后，发布速度零指令，并触发抓取标志。第五章：机械臂抓取物体当底盘停止在抓取距离（约0.5米）后，抓取节点启动。本系统不依赖MoveIt 2，所有机械臂控制通过串口直接下发各关节角度，逆运动学由我们自行实现。 5.1 手眼转换（眼在手上）相机固定在机械臂末端，因此手眼转换分为两部分：静态部分：相机到机械臂末端的变换（camera_link → end_effector_link），通过一次标定得到固定值。动态部分：机械臂末端到基座的变换（end_effector_link → arm_base_link），由机械臂当前关节角度实时决定。在抓取流程中，目标物体在相机图像中被检测到后，首先得到物体在相机坐标系下的3D坐标，然后通过ROS的tf2监听完整的变换链：camera_link → end_effector_link → arm_base_link，自动转换到机械臂基座坐标系。这一过程无需手动干预，只要机械臂驱动节点正确发布关节状态和TF即可。 5.2 逆运动学解算六轴机械臂通过串口接收角度指令（每个轴一个角度值）。为了抓取目标点，需要求解逆运动学：已知末端夹爪在机械臂基座下的目标位置（以及期望的姿态，例如垂直向下抓取），反算出6个关节的角度。实现方式：针对具体机械臂的几何参数（D-H参数），编写解析解或数值迭代解（如雅可比伪逆法）。解析解速度快，适合固定构型；数值法通用但需注意收敛。输出：6个关节角度（单位：度或弧度），通过串口逐条发送（可同时发送或按顺序移动）。 5.3 抓取流程获取目标坐标：从跟踪节点读取底盘停止瞬间的目标3D点（已转换到arm_base_link坐标系）。设定抓取姿态：根据物体形状和相机视角，设定夹爪的期望方向（例如让夹爪水平或垂直接近）。这一步需结合经验预设。逆运动学求解：输入末端目标位姿，计算出各关节角度。若求解失败（如目标超出工作空间），则调整底盘位置重新跟随。发送关节角度：通过串口依次发送6个关节的角度指令，等待机械臂运动到位（可简单延时或读取状态反馈）。夹取：发送夹爪闭合指令（串口另一命令），通过电流反馈或限位开关判断是否夹住物体。完成：抓取成功后，机械臂保持闭合，底盘可原地等待下一步指令。第六章：总结与展望本文在上篇“建图与导航”的基础上，为米尔RK3576机器人增加了“视觉跟随与抓取”能力，实现了完整的“识别-跟随-抓取”闭环。关键技术包括： MixFormerV2 + NPU 实现高能效目标跟踪；手眼转换：将相机看到的物体坐标转换到机械臂可执行的坐标系下。本文采用“眼在手上”配置（相机固定在机械臂末端），需同时考虑固定偏移和关节运动。自研逆运动学控制6轴机械臂精准抓取（不依赖MoveIt 2）。米尔RK3576这一方案可广泛应用于服务机器人、巡检机器人、教育竞赛等场景。下一步可探索：多目标切换跟随；动态避障与跟随并行；抓取后自动放置（结合上篇的导航回位功能）。

嵌入式

米尔电子 . 2026-04-15 2184
赋能智能车与机器人技术转型：大联大世平集团携手AutoSys举办线上研讨会

大联大控股旗下世平集团宣布，于4月1日携手AutoSys（先进智能系统）成功举办“Edge AI赋能智能车与机器人产业的感知技术转型路径”线上研讨会。当前，智能车与机器人技术正加速融合，AI大模型深度赋能感知与决策，推动自动驾驶和机器人走向端到端架构与城市级泛化；车路云一体化与多模态交互提升系统安全与自然交互体验；舱驾融合与算力平台统一则降低了技术落地成本，使人形机器人与智能车共享感知与控制技术。未来，汽车将演变为移动智能机器人，机器人则深入服务、制造等场景，形成软硬件共通、数据共生的技术生态。 AutoSys项目处处长张均东在分享从智能车到机器人产业转型的优势与挑战时表示：智能车产业的核心成果在于解决车辆智能化Level 2到Level 4的问题，是感知技术发展的母体。在机器人发展过程中，智能车的技术可有效迁移至机器人产业，许多算法均可延伸应用于智能工厂的机械制造；AMR自主移动机器人所具备的自主感知、导航、空间定位等能力，正是从智能车延伸而来。可以说，智能机器人的灵魂源于智能驾驶。当前转型面临的主要挑战在于云端运算存在即时性、带宽与信息传输、信息安全等技术瓶颈。在“从‘Automotive’到‘Everything on Wheels’”的演进中，AutoSys采用自研AI模型与NEH架构，为图像处理、目标检测及分割等任务提供核心意图检测能力，通过轻量化深度学习模型与多类型传感器AI融合，并结合AI数据生成与仿真技术，具备工业级可靠性与汽车级认证，广泛应用于机器人、无人机、自主移动机器人（AMR）及自动光学检测（AOI）等场景。本次研讨会聚焦AutoSys的Edge AI技术新方向与解决方案，展示了公司具备高性价比竞争力的AI产品体系，涵盖私有数据生成工具、L4级自动驾驶，如ODD、RRN、ACC，以及重型卡车ADAS与Euro NCAP合规性，并演示了关键技术拓展与开发，包括标准硬件与非汽车应用等核心技术。 AutoSys致力于成为ADAS、自动驾驶、机器人、无人机、智能制造及智能监控等领域的系统与解决方案领导厂商。公司所有核心技术均为自主开发，涵盖算法、系统设计与优化、安装与校准等关键环节，以100%自主知识产权的软件与专利为主要交付形式。同时，AutoSys为客户提供具备量产性的系统关键技术，并支持大规模生产、测试、装配、真实演示与验证等全流程技术服务。作为全球领先电子元器件分销商，大联大世平集团代理品牌完整，产品覆盖从3C、工业电子到汽车电子，提供从基础元件到核心组件乃至物联网解决方案的全品类组合，满足客户多元采购需求。公司持续强化软硬件整合的技术支持能力，涵盖零件推广、次系统与系统整合解决方案、物联网及云端应用与APP开发，并设有专属实验室与专业设备，助力客户缩短研发周期、实现快速量产。本次研讨会全程通过大联大旗下平台“世平大大芯”进行直播，无需注册登录即可观看，“世平大大芯”平台每月举办多场研讨会，分享市场最新技术趋势与热门应用实例。欢迎业界同仁随时回顾精彩内容，深入了解Edge AI技术新方向与解决方案。

大联大世平集团 . 2026-04-15 728