应用 | 研华 COMPUTEX 展现边缘 AI 落地实践，以 WEDA 串联 AI Agent 加速跨行业应用
全球边缘计算与边缘AI平台厂商研华科技宣布以「Edge Computing & AI-Powered WISE Solutions」为品牌主题，于 6月2日至6月5日COMPUTEX 2026 南港展览馆一馆 ( K0603a ) 盛大展出，聚焦边缘 AI 、AI Agent 与 Physical AI 发展趋势，展示 AI 从数字世界迈向实体场景的最新成果。现场以四大展区呈现边缘 AI 最新布局，涵盖边缘 AI 软件与机器人平台、工业自动化与智能系统，以及智能医疗与城市服务，全面展示研华从计算平台、生态合作到产业应用的整体布局。同时展位内还举办了 18 场专业论坛，分享 AI 最新技术发展与产业应用趋势。 研华董事长刘克振表示：「AI下一阶段的关键，不只是算力与模型的突破，更在于能否真正进入产业现场，成为推动企业升级的新基础建设。研华深耕边缘计算，并站在 AI 应用落地的最前线，将持续以 Edge AI、AI Agent 与 WISE 解决方案，携手全球生态伙伴，加速 AI 从云端走向边缘、从数字世界进入实体场景。」 直击研华 COMPUTEX 四大展区 展示 Physical AI 与 AI Agent 最新布局 研华工业 AI 软件平台 WEDA（WISE-Edge Developer Architecture）可整合 NVIDIA Nemo Claw，打造制造、能源与设备管理的自主营运应用，展区现场以 SMT 生产与工厂能源管理AI Agent，示范 AI 如何将数据进一步转化为运营决策。同时，研华还展示了 WEDA 如何通过跨芯片、跨操作系统的统一开发架构，整合 API 、容器化部署、数字孪生模拟与 AI 生命周期管理，加速 AI 在边缘端的开发与部署效率。 随着 Physical AI 已成未来各垂直产业关键发展方向，研华今年展示整合 NVIDIA、Qualcomm、Intel 与 AMD 等多元计算平台的边缘 AI 架构，并结合传感器、AI 加速模块、相机与机器视觉技术，建构可快速部署的边缘 AI 机器人系统，进而串联感知、决策与行动的完整运作流程。相关应用涵盖 AMR 自主移动机器人、人形机器人、机械手臂，以及工业无人机与重型设备等多元场景。 产业应用层面，研华通过工业自动化与智能系统以及智能医疗与城市服务展区，带来边缘 AI 于不同产业的落地应用成果。在工业自动化领域，研华展示从 AI 训练、数字孪生仿真到实体场域部署的完整闭环流程，并通过三层式 AI Agent 架构，加速 AI 在自主制造与智能工厂的落地应用。 进入医疗与智慧零售领域，研华以产业情境为核心，展现 AI 技术的实际应用价值。智慧医疗方面，智慧病房（iWard）整合临床决策支持、病患监测与护理协作，通过 AI 实时分析病患生理数据与护理信息，协助医护人员提升交班效率、病患照护质量与用药安全。在智慧零售区则展示 AI 零售应用情境，整合语音、影像 AI 与商品推荐 AI Agent ，让参观者可体验自助服务应用，呈现AI如何从技术能力进一步转化为实际运营价值与服务体验。 研华嵌入式事业群总经理张家豪与WISE事业群副总兼首席软件架构师黄思玮博士亦受邀于 6月4日 COMPUTEX 官方论坛，分享 WEDA 如何串联 AI Agent 、数字孪生与边缘计算，加速 Physical AI 的规模化部署。论坛中也将进一步探讨，当 AI 具备感知、推理与自主行动能力后，Physical AI 如何成为下一波产业智能化升级的重要核心。
研华
研华 . 2026-06-10 994
产品 | Wolfspeed发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅MOSFET
Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27% 该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺 依托 Wolfspeed 已完成认证、可爬坡量产且高度自动化的 200 mm 制造平台，为汽车及工业领域客户提供快速、低风险的市场化解决方案 美国东部时间 2026 年 6 月 9 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 领域行业引领者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代 1200 V 和 750 V 汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。 175℃ 下 1200 V 芯片比导通电阻 RSP，（总面积基准）变化趋势 Wolfspeed 首席商务官 Cengiz Balkas 博士表示：“凭借先前第四代 (Gen 4) 技术，Wolfspeed 实现了客户所需的开关性能突破，而在不到两年后的今天，我们推出了第五代 (Gen 5) 技术，使得工程师们能够在 5x5 mm 的碳化硅 (SiC) 封装内获得尽可能高的电流。最让我兴奋的不仅仅是我们的创新节奏，更是这项技术为客户带来的可能性：助力加速打造针对实际工况条件的更智能、更高效且小型化的系统方案。” 汽车 OEM 厂商持续面临实现电气化目标的压力，而车辆成本、安全性、续航里程和充电基础设施的配套完备度依然是阻碍消费者更大范围采用电动汽车的障碍。Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术旨在全面解决这些障碍，并为比导通电阻 (RSP) — 衡量 MOSFET 有源芯片面积效率的核心品质因数 — 树立了新的标杆。 第五代 (Gen 5) 产品使得系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电的续航里程，从而优化昂贵的电动汽车电池配置。同时此技术可用于开发固态断路器，以替代传统机械继电器，为碳化硅 (SiC) 开辟了新的应用机会，并为电动汽车 (EV) 充电基础设施设立了新的效率标准。该项技术的优势远不止覆盖汽车领域，工业电源等应用同样能从第五代 (Gen 5) 技术优异的开关性能中获益。 实现行业领先的单位碳化硅芯片面积载流能力 与竞品 5x5 mm 封装碳化硅 (SiC) MOSFET 相比，基于 Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术的系统可在高温条件下依旧实现尽可能高的电流。Wolfspeed 对导通电阻 RDS(ON) 的持续优化解决了两项备受关注的设计挑战： 与目前市售的竞品 1200-V 解决方案相对比，其最高可降低 27% 的比导通电阻 RSP，显著改善了系统级导通损耗。1200-V QEM50120-25D10 实现了 175℃ 芯片级比导通电阻 RSP 为 3.4 mΩ-cm2，750-V QEM50075-025D10 实现了 175℃ 芯片级比导通电阻 RSP 为 2.0 mΩ-cm2。 通过针对两个电压平台均实现超窄 +/- 18% 导通电阻 RDS(ON) 分布，减少了对系统级设计裕量的需求。 赋能实现经久耐用的设计 Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术包含了与第四代 (Gen 4) 技术平台相同的体二极管，但同时将结温能力提升至 200℃ 连续工作（215℃ 有限寿命）— 进一步展现了 Wolfspeed 致力于帮助客户构建真正持久耐用系统的承诺。这些 MOSFET 在实现基准导通电阻 RDS(ON) 的同时，凭借软恢复体二极管保持了出色的开关能量；通过进一步改善反向恢复电荷，整体开关损耗也有所降低。 基于商业化成熟的平台进行设计 第五代 (Gen 5) 为客户提供了从方案导入 (design-in) 到量产的直接、低风险路径。即使面对持续攀升的人工智能 (AI) 需求，对于车规级产能爬坡的准备工作也不会产生影响。第五代 (Gen 5) 技术是依托 Wolfspeed 位于美国纽约州莫霍克谷的可爬坡量产的 200mm 器件制造工厂进行设计、制造、认证的第二个 Wolfspeed MOSFET 技术代际。其新产品导入 (NPI)、样品测试和客户验证采用 200 mm 量产材料完成。此外，量产无需新的制造设备。 Wolfspeed 功率器件与封装开发副总裁 Adam Barkley 博士表示：“我们的平面型 (Planar) MOSFET 技术仍有创新的空间。第五代 (Gen 5) 技术建立在我们客户熟悉的工具和工艺基础上，为下一代项目创造了一条低风险的升级路径。对于面临紧迫开发时间表的客户而言，这意味着更快的验证、更快的认证和更快的推向市场速度 — 同时无需牺牲用户认可且信赖的性能。” 要了解 Wolfspeed 如何实现上述性能，请查阅 Adam Barkley 博士的文章 《成果导向研发：第五代 (Gen 5) 技术实现实际工况高性能的三大路径》： https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/engineering-for-outcomes-three-ways-wolfspeed-gen-5-achieves-real-world-performance/ 供货与资源 目前，QEM50120-025D10 和 QEM50075-025D10 的样品通过 Wolfspeed 的直接销售代表向特定客户提供。随着市场需求和客户要求最终确定，预计从 2026 年至 2027 年初将陆续推出更多 750 V 至 1200 V 的新产品。 关于 QEM50120-025D10 更多信息， https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/1200-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-5/em50120-025d10/ 关于 QEM50075-025D10 更多信息， https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/750-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-5/em50075-025d10/ Wolfspeed 将于本周在德国 PCIM 展会 7-435 号展位展示第五代 (Gen 5) 技术。 英文原稿链接如下，或点击阅读原文： https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-announces-gen-5-silicon-carbide-technology/
WOLFSPEED
WOLFSPEED . 2026-06-10 1617
市场 | 第一季全球智能手机生产总数年减1.7%，存储器成本压力将使第二季出现较明显衰退
TrendForce集邦咨询最新研究显示，2026年第一季全球智能手机生产总数约2.84亿支，较去年同期衰退约1.7%。尽管存储器价格从2025年下半年开始大幅度上涨，但考量品牌端尚有低价存储器库存，加上消费者预期后续终端售价将大幅调高带动需求上扬，因此第一季的生产表现受存储器涨价影响尚不显著。 然而，随着部分品牌低价存储器库存告罄，加上连续数季的超额涨幅已全面冲击品牌获利结构，迫使多数品牌在第二季进入生产调节期。展望2026全年，TrendForce集邦咨询预估，全球智能手机生产总数将降至10.51亿支，年减幅度约16.2%；在极端情境下，若存储器价格涨势未见收敛，品牌必须不断调涨售价应对的情况下，不排除年减幅度进一步扩大。 然而，各品牌在销售策略上各有不同，具备高端产品溢价能力与集团资源的品牌倾向逆势布局、维持稳定甚至扩大市占；反观以中低端为主的品牌，则成本压力与市场竞争的双重夹击下，被迫采取更保守的生产计划。 品牌布局各有不同，Samsung、Apple、Huawei等巨头可望逆势增长 季度市占排名第一的Samsung（三星）第一季生产总数约6,260万支；受惠Galaxy S系列新机备货带动，季度生产表现较上季回升7.6%，相较去年同期也有2.3%微幅上扬。TrendForce集邦咨询指出，Samsung智能手机可望凭借集团资金作为支援，加上高端产品占比具一定规模，在这波涨价周期中具备较高的抗压性。然而其低端产品占比亦不容忽视，需持续观察终端市场的消费状况。 Apple（苹果）第一季生产总数约6,020万支，除了受惠新机备货支撑生产表现外，该季另有iPhone 17e新机发表贡献产出，因此较去年同期上扬19.7%，市占排名第二。因此，即便当前存储器价格高涨，相较其他已进入毛利保卫战的品牌而言，Apple仍可维持一定的获利水平。TrendForce集邦咨询认为，Apple更倾向在今年环境中扩大市占基数，为未来付费软件的营收增长空间奠定基础。 OPPO、Xiaomi、Vivo三大品牌力守获利底线，生产规模不排除大幅收敛 OPPO、Xiaomi、Vivo三大品牌第一季生产表现皆呈现季节性回落，OPPO约2,950万支、Xiaomi（小米）约2,600万支、Vivo约2,200万支，市占包括第三到第五名次。以今年整体来看，此三大品牌过往市占表现亮眼，如今受存储器价格飙升冲击获利，其2026年的生产计划存在不确定性。 Transsion（传音）第一季生产总数约1,980万支，基本持平去年同期，季度市占排名第六。该品牌智能手机产品的结构高度集中在入门款及低端市场，获利本就微薄，加上低价库存有限，因此在这波存储器超级涨价周期中受创较深。然而，新兴市场的新增需求仍是智能手机市场的重要支柱，随着Xiaomi等品牌减少低端产出配置，Transsion仍有一定的需求量能作为支撑。
智能手机
TrendForce集邦 . 2026-06-10 1106
市场 | 家用清洁机器人Q1出货893万台：告别普涨时代，决胜“系统战”
割草机器人翻倍增长，擦窗机器人异军突起。清洁机器人行业原有竞争格局与发展逻辑已然重塑。国际数据公司（IDC）最新追踪报告数据显示，2026年第一季度，全球家用清洁机器人市场出货893.6万台，同比增长36.7%。其中扫地机器人市场出货656.3万台，同比增长29.4%，头部厂商在欧洲市场布局力度持续加大。 本文以 IDC 最新追踪报告为依据，深度剖析扫地、擦窗、割草、泳池机器人细分市场的关键节点，助力行业伙伴制定科学可行的发展战略。 扫地机器人：三个市场，三种打法 欧洲：全域加速本地供应链 + 前置仓布局 欧洲市场延续高景气，当期出货量 231.8 万台，同比大增 81.4%；德国、法国、意大利、俄罗斯、荷兰位列欧洲出货量 TOP5 经济体。作为扫地机器人市场渗透率最高、规模最大、增长最快的区域，国内头部厂商同步落地加大海运批量备货 + 扩建区域前置仓双策略，持续深耕本地供应链布局。 北美：线下渠道的决战 北美市场一季度出货量同比 + 5.7%，行业格局持续重塑：iRobot 本土份额持续下行，高端市场份额被中国品牌持续抢占。本土渠道加速变革，国产品牌加速进驻Target、Best Buy 等主流线下商超，线下市场竞争尤为激烈。 中国：高端化对冲需求疲软 国内市场一季度出货小幅上涨 0.4%， 2025 年家电补贴透支前置需求，使得线上零售端需求承压走弱,一季度部分厂商受到企业集采拉动，有效对冲 C 端零售疲软缺口。国内市场产品结构持续向高端升级，市场均价由去年同期 422 美元攀升至 473 美元。 IDC 洞察：全球扫地机器人市场已经进入"一国一策"的阶段。欧洲拼供应链，北美拼渠道，中国拼高端。全球化运营能力，正在取代单一的产品力，成为决定厂商长期竞争力的核心要素。从一季度全球市场综合表现来看，行业增长已告别全市场普涨时代，海外市场比拼供应链建设与线下渠道深耕能力，国内市场依托产品高端结构升级夯实增长底盘，全球化运营实力逐步成为决定厂商长期竞争力的核心要素。落脚产品端，2026 年行业迭代重心聚焦活水洗地为代表的深度清洁技术升级。 割草机器人：97%增长的背后，是国产供应链的降维打击 2026 年一季度割草机器人行业景气度高增，整体出货量同比大涨 97%，产业加速向高端化、智能化迭代升级。无边界激光导航机型已成市场主流，出货占比达 82.5%。 IDC洞察：供给端决定了割草机器人的产品发展趋势。头部国产品牌凭借完备的技术积淀与本土化供应链优势，持续加码欧洲、北美核心市场布局，出货节奏稳步提速。与此同时，传统清洁龙头入局割草赛道，行业加速出清，中小尾部品牌逐步淘汰出局。一季度行业新品密集落地，新品聚焦小庭院、阳台草坪等细分场景，高端机型占比持续抬升。当前硬件升级高度依托国产全链条供应链，激光雷达、驱动电机、动力电池及整机代工均实现国产化配套。在长续航配置、RTK + 激光雷达 + AI 视觉多融合方案驱动下，割草机器人加速落地，深度融入全屋户外庭院智能化生态。 擦窗与泳池：被低估的细分市场 一季度全球擦窗机器人出货102万台，同比增长68.9%，海外市场增长提速。IDC观察到，这个市场的爆发有两个驱动力。一是国内"春节除尘"的季节性刚需；二是海外市场的开拓。行业新品持续迭代，在吸附力、贴边清扫、安全防坠等核心性能全面升级。伴随行业规范落地、国标正式推行，市场资源与份额加速向头部品牌聚拢，全年赛道有望延续高增长态势。 一季度为泳池机器人市场全年淡季，泳池机器人（含地上泳池清洁机器人、地下泳池清洁机器人、水面漂浮器）市场出货42.6万台，同比增长8.8%。在地下泳池清洁机器人，无缆产品占比提升至66.7%。国产厂商市场份额加速提升，产品布局聚焦高端赛道。与割草机器人产品类似，泳池机器人电机、电池、密封组件、传感器、整机组装均由国内供应链主导，产能充足、交付周期短，可以极大程度支持厂商海外市场出货。IDC观察到，伴随海外泳池机器人传统旺季到来，泳池机器人出货在未来两季度将保持稳定增长，供给层面，国内厂商依托完善的全链路供应链、成熟的电机与锂电配套，成本管控优势突出，叠加无缆方案、水下 AI 导航等前沿技术落地带来的产品力升级，在中高端产品线上竞争力持续走强。依托跨境电商与海外线下渠道持续深耕，国产品牌全球出货占比稳步抬升，市场份额延续提升趋势。 决胜2026：三大能力决定座次 01 强化技术研发优势，筑牢产品核心竞争力 持续加大割草机器人、泳池清洁机器人两大核心赛道的研发投入，充分发挥国产供应链协同优势，重点提升整机防水、防腐蚀、复杂地形适应及陡坡通行能力，不断优化户外场景使用体验。针对缠绕、漏割、污渍识别不精准等行业痛点开展关键技术攻关，推动产品性能持续升级。以差异化创新技术构建竞争壁垒，摆脱同质化价格竞争，通过技术领先优势提升高端产品溢价能力。 02 完善全品类产品布局，搭建权价格段体系 顺应海外市场多层次消费需求，打造高端、中端、入门三级产品梯队，实现全价格带覆盖。高端产品聚焦智能化与高性能配置，搭载先进导航系统、长续航能力和智能管理功能，重点开拓欧美高端庭院存量替换市场；中端产品兼顾性能与性价比，满足主流家庭用户需求；入门级产品通过优化配置和成本结构，积极布局中小庭院及新兴市场。 03 落地本地化运维体系，补强海外售后能力 把握欧美市场销售旺季窗口期，加快海外本地化服务网络建设，依托海外仓体系建立区域备件储备中心，实现维修配件就近存储与快速调拨，有效缩短产品返修周期，提升服务响应效率。积极拓展本地化售后服务资源，优选签约维修服务商和线下服务网点，构建覆盖重点市场的售后保障体系。同时上线多语种客服平台和远程故障诊断服务，为用户提供及时、专业的技术支持，切实解决海外用户报修流程复杂、维修周期长等问题。进一步完善产品质保政策和退换货机制，以高质量售后服务提升用户满意度和品牌口碑，增强客户黏性，促进复购增长。 本文作者： 赵思泉，IDC中国高级分析师
割草机
IDC咨询 . 2026-06-10 1778
2026Q1半导体设备市场：中国大陆稳居第一，中国台湾增速最快！
近日，国际半导体产业协会（SEMI）在其《全球半导体设备市场统计报告》中宣布，2026年第一季度全球半导体设备市场销售额同比增长14%，达到365.5亿美元。这一数字不仅创下历史同期最高纪录，也实现了环比1%的温和增长。 SEMI指出，创纪录的季度销售额主要得益于与人工智能相关的持续投资，具体包括：支持前沿逻辑芯片的产能扩张与技术升级、DRAM（动态随机存取存储器） 领域的持续投入、先进封装环节的设备需求增长。 从各地区市场的具体表现来看，2026年第一季度半导体设备市场呈现明显的区域分化态势： 中国大陆以109.9亿美元的销售额继续稳居全球最大设备市场，虽然较上季度环比下滑16%，但同比仍实现了7%的增长，显示出该地区半导体产能扩张的持续性。 中国台湾紧随其后，销售额为87.7亿美元，环比增长18%，同比增速最快，达到了24%，反映出前沿逻辑芯片制造的持续扩产需求。 韩国市场表现也较为抢眼，第一季度销售额达89.3亿美元，环比增长26%，同比增幅16%，在所有主要市场中环比增速最快，主要受益于DRAM领域的强劲投资。 北美市场销售额为32.8亿美元，环比增长6%，但同增长12%，显示该市场稳定的增长。 日本市场销售额为21.6亿美元，环比大跌24%，同比下滑1%，显示出该市场对于半导体制造投资下滑。 欧洲市场销售额为9.5亿美元，环比增长28%，同比增长9%，反映出该区域性的产能投资正在加速。 此外，其他地区合计销售额为14.8亿美元，环比下滑25%，同比大涨43%。 SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“2026年的强劲开局，反映了整个行业为支持AI驱动的半导体增长，在产能和基础设施方面持续进行投资。创纪录的第一季度设备销售额，凸显了前沿制造和先进封装领域的增长势头。” 编辑：芯智讯-浪客剑
半导体设备
芯智讯 . 2026-06-10 1869
技术 | 长电科技推出新一代电源模组封测解决方案 赋能AI数据中心
2026年6月9日，长电科技宣布推出面向AI数据中心应用的新一代高密度3D电源模组封测解决方案。该方案依托长电科技的XDPKG-3DSiP三维系统级封装技术，采用高密度多层互连与立体化模组集成设计，在有限封装空间内实现功率器件、无源器件、互连结构与散热路径的协同优化，全面提升电源模组在功率密度、能效表现、热管理和长期可靠性等方面的性能，为AI算力基础设施提供更加高效稳定的底层支撑。 随着AI大模型训练和推理需求持续增长，全球数据中心功耗快速攀升，供电效率和能源管理能力正成为影响数据中心建设成本、运营效率和可持续发展的重要因素。中金公司测算，AI服务器电源模组市场规模在2025至2027年将从74亿升至325亿美元，三年复合增长率达110%。面对市场趋势，长电科技依托长期积累的先进封装、系统级集成、材料应用和可靠性验证能力，推出的新一代电源模组封测系列解决方案，围绕效率、可靠性、功率密度等方向实现全面进阶。 新一代高密度3D电源模组封测系列解决方案 在工艺链路协同方面 长电科技形成覆盖电源管理芯片与模组的前后道一体化封测能力。在晶圆级封装（Wafer Level Package）阶段，公司可为电源管理芯片与DrMOS器件提供高一致性的凸点（bumping）及相关前道处理能力，为后续系统级集成奠定基础；在此基础上，进一步承接后道SiP模组封装，实现从芯片级互连到系统级集成的衔接。 在效率提升方面 长电科技通过封装结构、互连路径、寄生参数和热路径优化，结合铜柱互联、高密度封装等技术，助力电源模组在高负载工况下实现更优的能量转换效率，为客户优化服务器系统能效、降低供电与散热压力提供支持。 在可靠性方面 长电科技依托ECP基板、铜柱互连及全生命周期质量管控体系，增强模组在高电流密度、长期高负载、温度循环、功率循环及系统级热应力条件下的机械可靠性与电气稳定性，更好地满足AI数据中心对长期稳定运行和高可用性的要求。 在功率密度方面 长电科技通过多层堆叠、多维结构设计、高导热界面材料、顶部散热设计及真空回流等工艺手段，推动电源模组实现更高集成度和更小型化设计。在同等散热边界和设计条件下，与上一代同类方案相比，新一代方案可实现超过20%的功率密度提升，使有限机柜和板级空间承载更高算力需求，为AI服务器系统设计提供更大灵活性。 在协同设计与仿真方面 长电科技通过构建虚拟数字样机，开展电、热、力多物理场协同分析，帮助客户在产品开发早期优化电源完整性、热管理和结构可靠性，为客户缩短开发周期、提升产品可靠性提供支持。 在以高性能计算为核心应用的市场中，公司的高密度电源管理相关业务自2025年以来迎来快速增长，业务能力已获国内外主流客户认可，相关业务需求保持较强增长动能。 长电科技副总裁、工业与智能应用事业部总经理陈灵芝博士表示：“长电科技基于在先进封装和系统级集成领域的长期投入及技术积淀，已面向AI数据中心建立算力、存力、连接、电力全覆盖的封测解决方案组合，不断迭代优化公司服务AI数据中心产业链的综合能力。未来，公司将持续发挥从协同设计到系统级集成与测试的一站式解决方案能力和全球制造布局优势，与全球客户和产业链合作伙伴携手，推动AI数据中心电源管理技术持续升级。” 长电科技是全球领先的集成电路制造与技术服务提供商，向全球半导体客户提供全方位、一站式芯片成品制造解决方案，涵盖微系统集成、设计仿真、晶圆中测、芯片及器件封装、成品测试、产品认证以及全球直运等服务。公司在中国、韩国和新加坡拥有八大生产基地，并在全球设有20多个业务机构，为客户提供紧密的技术合作与高效的产业链支持。 长电科技拥有先进和全面的芯片成品制造技术，包括晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、倒装芯片封装、引线键合封装及主流封装先进化解决方案，广泛应用于汽车电子、人工智能、高性能计算、高密度存储、网络通信、智能终端、工业与医疗、功率与能源等领域。
电源模组
长电科技 . 2026-06-10 1729
Vishay汽车级光耦合器，为电动汽车和太阳能逆变器提供高额定隔离电压和长距离传输
这些器件采用宽体SMD-8封装，CTI值为600，爬电距离和电气间隙≥ 11 mm，VIORM为1500 Vpeak，VIOWM为1060 VRMS 日前，威世科技Vishay宣布，推出两款新型汽车级光耦合器---VOWA617A和VOWA618A。这些器件采用宽体封装，其相比漏电起痕指数（CTI）为600，并具有光电晶体管输出。Vishay推出的VOWA617A和VOWA618A专为电动汽车（EV）和太阳能逆变器设计，旨在提供具有高电隔离特性的信号传输，其VIORM值为1500 Vpeak，VIOWM值为1060 VRMS，外部爬电距离和电气间隙≥ 11 mm。 此次发布的器件已通过AEC-Q102认证，其爬电距离在同类产品中最高，安全裕量比典型的8 mm解决方案高出≥ 38 %，因此非常适合用于并网车载充电机（OBC）、DC/DC转换器以及电池管理系统（BMS）的隔离级。这些器件不仅满足这些高电压应用中对加强绝缘的要求，还具有高VIORM和VIOWM（分别比竞品提高6 %和19 %），隔离电压达5300 VRMS，而VIOTM为8000 Vpeak。 每个光耦合器包含一个红外发射二极管组成，它以光学耦合的方式与采用宽体SMD-8封装的硅平面光电晶体管检测器连接。标准解决方案的CTI通常为175，而VOWA617A和VOWA618A的CTI为600，属于物料组1级，是最高的绝缘组。此外，这些器件的80 V集电极到发射极额定电压允许更大的设计灵活性。 与通常工作温度最高为+85 C的消费级解决方案相比，这些光耦合器的工作温度范围更广，为-40 C至+125 C，结温能力高达+145 C。这些器件符合RoHS标准，无卤素，且符合Vishay绿色标准，在VOWA617A的5 mA和VOWA618A的1 mA低输入电流下，具有50 %至600 %的宽电流传输比（CTR）范围。 最新宽体光耦合器现可提供样品并已实现量产，供货周期为8周。
Vishay . 2026-06-10 2009
SCH1332-TL-H与VBTA8338参数对比报告
P沟道功率MOSFET参数对比分析报告 一、产品概述 SCH1332-TL-H： 安森美（onsemi）P沟道硅MOSFET，耐压-20V，采用沟槽技术以最小化栅极电荷和导通电阻，支持低至1.8V栅极驱动。封装：SCH6（超小尺寸1.6mm x 1.6mm）。适用于DC/DC转换器等对尺寸和驱动电压有要求的应用。 VBTA8338： VBsemi P沟道30V沟槽（Trench）功率MOSFET，低导通电阻，提供全面的体二极管参数。封装：SC-75A（6引脚）。适用于负载开关等应用。 二、绝对最大额定值对比 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 单位 漏-源电压 VDSS -20 -30 V 栅-源电压 VGSS ±10 ±20 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID -2.5 -2.4 A 脉冲漏极电流 IDM -10 -20 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 1 2.0 W 沟道/结温 Tch/TJ 150 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +150 -55 ~ +150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 未提供 未提供 mJ 雪崩电流 IAV 未提供 未提供 A 分析：VBTA8338 具有更高的耐压等级（-30V vs -20V）和更高的栅-源电压耐受范围（±20V vs ±10V）。在同等壳温25°C下，VBTA8338的允许功率耗散更高（2.0W vs 1W）。SCH1332-TL-H的脉冲电流承受能力相对其连续电流的比值更高。 三、电特性参数对比 3.1 导通特性 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 单位 漏-源击穿电压 V(BR)DSS -20 (最小) -30 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) -0.4 ~ -1.3 -1.0 ~ -3.0 V 导通电阻 (VGS=-4.5V) RDS(on) 0.138典型 0.042典型 Ω 正向跨导 gfs 2.2 ~ 3.8 (典型) 8 (典型) S 分析：在相近的栅极驱动电压（-4.5V）下，VBTA8338的导通电阻显著更低（42mΩ vs 138mΩ），这有助于降低导通损耗。其正向跨导也更高，表明栅极电压对电流的控制能力更强。 3.2 动态特性 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 单位 输入电容 Ciss 375 450 pF 输出电容 Coss 77 80 pF 反向传输电容 Crss 58 63 pF 总栅极电荷 (VGS=-4.5V) Qg 4.6 5.1 ~ 8 nC 栅-源电荷 Qgs 0.8 1.8 nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 1.3 2.5 nC 分析：两款器件电容参数相近。SCH1332-TL-H 的总栅极电荷和米勒电荷显著更低（Qg=4.6nC, Qgd=1.3nC），这意味着其栅极驱动损耗和开关过程中的损耗可能更低，开关速度潜力大。 3.3 开关时间 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 (VGEN=-4.5V) 单位 开通延迟时间 td(on) 8.1 40 ~ 60 ns 上升时间 tr 26 80 ~ 120 ns 关断延迟时间 td(off) 43 20 ~ 30 ns 下降时间 tf 37 12 ~ 20 ns 分析：SCH1332-TL-H 在-4.5V驱动下的开通相关时间（td(on), tr）显著更短。VBTA8338的关断相关时间（td(off), tf）更优。当VBTA8338采用-10V驱动时（文档有提供），其所有开关时间都会大幅缩短，接近甚至优于SCH1332-TL-H。这表明开关性能与驱动电压条件密切相关。 四、体二极管特性 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 单位 二极管正向压降 VSD -0.82 ~ -1.2 -0.8 ~ -1.2 V 反向恢复时间 trr 未提供 20 ~ 30 ns 反向恢复电荷 Qrr 未提供 20 ~ 30 nC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供 未提供 A 分析：两款器件的体二极管正向压降范围基本一致。VBTA8338 提供了详细的反向恢复参数，这对于需要利用体二极管进行续流或同步整流的应用至关重要，有助于评估开关损耗和EMI。 五、热特性 参数 符号 SCH1332-TL-H VBTA8338 单位 结-壳热阻 RθJC 未提供 未提供 °C/W 结-环境热阻 (特定条件下) RθJA 125 (陶瓷基板) 62.5 (最大，FR4板) °C/W 结-脚(Drain)热阻 RθJF 未提供 41 (最大) °C/W 分析：由于测试条件不同（散热基板不同），直接对比RθJA需谨慎。但数据表明，在典型的FR4板条件下，VBTA8338的热阻相对较低。此外，VBTA8338提供了结至引脚的热阻，为通过PCB散热设计提供了更详细的热管理依据。 六、总结与选型建议 SCH1332-TL-H 优势 VBTA8338 优势 ◆ 极低的栅极电荷（4.6nC），驱动损耗小 ◆ 更小的封装尺寸（SCH6），节省空间 ◆ 支持极低栅极驱动电压（1.8V） ◆ 在-4.5V驱动下，开通速度更快 ◆ 更高的耐压等级（-30V） ◆ 显著更低的导通电阻（42mΩ @ -4.5V） ◆ 更高的绝对最大功率耗散（2.0W） ◆ 提供完整的体二极管反向恢复参数 ◆ 提供结至引脚热阻，便于散热设计 选型建议 选择 SCH1332-TL-H：当应用对尺寸有极端要求、栅极驱动电压极低（如1.8V/2.5V系统）、且工作电压在20V以内时。其超低栅极电荷特性对高频开关的驱动电路友好。 选择 VBTA8338：当应用需要更高的电压裕量（接近30V）、追求更低的导通损耗、或应用场景中体二极管反向恢复特性是关键考量因素时。其更低的RDS(on)和全面的参数文档使其在负载开关等应用中更具性能和可靠性优势。 备注：本报告基于 SCH1332-TL-H（安森美 onsemi）和 VBTA8338（VBsemi）官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂文档，且部分参数（如热阻、开关时间）的测试条件可能不同，直接对比时请注意。设计选型请以官方最新文档为准。
微碧
微碧半导体 . 2026-06-10 854
技术 | 对标新国标！艾为车规级广播 FM-LNA保障极端灾害场景下的车载应急通信
全球多国高度重视广播应急通讯价值：印度（2023年）、巴西（2021年）、墨西哥（2017年）等国强制手机标配并默认开启FM收音；欧盟（2018年）、德国（2019年）立法要求新车搭载DAB数字广播；国际电信联盟等机构也持续呼吁手机厂商保留开放FM功能。在此背景下，中国《车载无线广播接收系统》GB 强制性国家标准于2025年4月底正式立项，预计2027年2月底发布，计划2029年2月底起强制执行，明确标明： 1）国内全部乘用、商用新车（含新能源及智能座舱车型），须标配 AM+FM 广播系统，不得删减收音机模块。 2）严禁仅设置软件界面，车辆需配置独立广播天线与 LNA、混频解调等全套射频硬件。 在极端灾害场景中，移动通信基站极易瘫痪，免流量、不依赖基站的FM/DAB广播，是应急通信的重要兜底保障。传统手机FM存在明显短板，因频段特性需依靠耳机充当天线，使用不便、体验受限。针对行业痛点，艾为电子自2011年率先布局，自研FM LNA专用芯片，通过信号增益实现共享内置天线，摆脱耳机天线依赖，支持FM原生外放，优化机身空间设计，全面改善传统FM 使用弊端，获得市场广泛认可。 艾为电子全新迭代出车规级广播LNA产品，兼容AM/FM/DAB多制式接收，为车载日常收音与应急广播，提供高性能、高可靠的国产化硬件方案。以下是艾为电子主推的LNA选型表： 表1 艾为电子主推LNA选型表 实现FM功能并不复杂，但要做到音质与接收体验出众却颇具难度。若想让内置 FM 呈现优质表现，必须在产品定义阶段就高度重视该功能。 EASY FM 手机应用参考设计如下： 图1 EASY FM 手机应用参考图 01 FM 核心设计要点 一、想要保障 FM 接收天线的优异性能，重点把控以下关键设计： 1）天线长度：决定 FM 信号接收效率。 2）天线宽度：关联天线辐射与接收能力，影响整体接收灵敏度。 3）净空高度：左右天线谐振带宽，制约信号接收范围。 4）天线平面：单平面和多平面布局：会改变信号接收方向性，影响全域接收效果。 5）工作环境：规避周边金属结构、高频器件等干扰源。 案例类型（天线平面）： 1）单个平面天线： 但是方向性差。 2）双平面天线： 方向性优于单平面。 3）三平面天线： 方向兼容性最好。 二、FM 同频干扰源多，需要远离所有干扰源，特别是LCD和音频PA的干扰。 1、 LCD 干扰源问题及优化方案 FM 信号线应与 LCD 保持直线距离 6mm 以上。当前手机多采用全面屏设计，导致 LCD 与天线的距离缩短，LCD（无论是 TFT 还是 OLED）在工作时会产生大量杂散干扰信号，容易对主射频和 FM 接收造成干扰，从而降低接收性能。为有效降低 LCD 对天线的干扰，在设计过程中应采取以下措施： 1）从干扰源入手 在 LCD 选型阶段要求供应商控制 LCD 工作时的杂散干扰，选择杂散小的 LCD 模块。 2）屏蔽措施 在 LCD 模块上增加电磁屏蔽膜或背部铁框等屏蔽结构，减少干扰信号的传播。 3）物理隔离 尽可能让天线远离干扰源，距离越远，受干扰越小。 4）软件优化 现很多LCD都支持通过修改软件设置降低干扰（如展频，修改时钟频率、LCD内部工作频率等），尽可能降低FM 频带内杂散干扰。 2、音频 PA 干扰问题及优化方案 手机通常采用 D/K 类音频PA，其输出信号为脉宽调制的方波，会产生大量谐波干扰。因此，建议 FM 天线与音频 PA 保持 15mm 以上的距离，并在干扰源处加入 EMI 滤波器件（如磁珠或LC电感/电容）来抑制干扰向外扩散。（如图2中FB位置）选择 EMI 器件时，需注意以下几点： 1）磁珠选择 优先选择对音频失真（THD）影响较小的磁珠，同时尽量选择100MHz频率阻抗较大的磁珠以增强滤波效果。 2）LC电感/电容选择 可以在图FB位置设计一个低通（音频）高阻（FM）的LC 滤波器，实际应用中较大的电容对干扰抑制效果更好，但会增加音频工作电流，需在效果与功耗之间权衡。 通常会尽可能选择电感感值大的器件设计该LC滤波电路，大感值电感成本会明显增加。所以需要综合考虑权衡利弊。 3）艾为解决方案 用AB类音频PA不会干扰FM。 AW8155 是同时支持 AB 类和 D/K 类音频PA。在日常使用中选择 D/K 类模式，而在 FM 工作时切换为 AB 类模式，从而完美解决音频数字信号干扰 FM 的问题。 图2 AW8155B原理框图 3、其它干扰：NFC等 NFC工作时其谐波很大一部分会落在FM的频带内，形成FM整个频带内的干扰，建议NFC天线远离FM天线。 02 应用场景 三、典型应用场景：手机EASY FM和车载天线 1、EASY FM在手机应用 1）FM共享GSM天线应用中，LC滤波效果很重要。 如下图艾为电子推荐以下两种LC滤波电路 图3 两种LC滤波电路图 表2 两种LC滤波方案表 a) 优先推荐120nH+22pF并联 LC 方案 因120nH感值偏高，小封装电感DCR偏大，建议选用大封装、高Q值绕线电感；实际应用中，0402规格电感性能优于0201。该电路在手机主射频段插损仅为0.03~0.05dB，该损耗可忽略，同时对 FM 频段呈现高阻特性（隔离度：-11.5~-18dB），隔离效果优异。 b) 68nH+39pF备选方案 若受结构封装限制无法采用0402器件，且0201规格缺少低DCR的120nH电感，可替换68nH+39pF方案。通过降低电感感值、提升电容容值，有效减小电感DCR带来的影响。该电路在手机主射频段插仅 0.02~0.09dB。FM 隔离度： -7.8~-14.2dB，略有衰减，但可满足受限场景使用需求。 2）兼容耳机天线设计 有的客户想追求内置天线与耳机天线的性能都达到极致，为降低内置天线与耳机天线直接并接导致的信号衰减，使用艾为电子的AW13412H开关来切换两个天线与平台之间的连接。差分接法可以使用双刀双掷的开关（AW35742）来进行切换，如下图所示。 图4 差分接法示意图 以下是项目实测用/不用AW13412内置天线和耳机天线的差异： 图5 差异对比折线图 2、FM-LNA车载天线应用 自然灾害、地缘冲突等因素易引发网络中断，全球各地愈发重视应急广播建设，车载天线与接收系统的市场需求持续增长。目前车载天线设计普遍要求兼容 AM/FM/DAB 多制式接收。顺应行业发展趋势，艾为电子推出车规级芯片 AWR15007STR-Q1，全面支持 AM、FM、DAB 全制式广播接收，深度适配车载广播数字化转型需求。典型应用方案详见下图。 图6 AWR15007STR-Q1应用方案图 AM/FM/DAB 整体工作频率偏低、频段排布密集，系统设计需兼顾两大核心指标：既要高效抑制带外干扰、提升频段隔离度，又要严控带内插损，保障接收灵敏度，传统 LC 滤波电路调试难度大。艾为电子车规级高增益广播 LNA 芯片 AWR15007STR-Q1，可有效补偿 LC 滤波带来的信号损耗，优化接收性能。 综上，艾为电子广播接收类产品全面覆盖手机、车载两大主流场景，高集成度、优异射频性能、多场景适配能力与端侧 AI 技术，针对性化解行业设计痛点。从 LNA 器件选型、电磁干扰抑制，到滤波匹配、天线切换管理，可提供完整一站式射频解决方案。无论是终端设备内置 FM 小型化设计，还是车载 AM/FM/DAB 数字化广播升级需求，艾为电子凭借成熟技术沉淀与完备产品矩阵，保障广播信号稳定可靠接收，助力应急广播体系落地完善，筑牢极端场景下的公共信息传播链路，守护关键 “生命电波”。
LNA
艾为官网 . 2026-06-09 1204
突发 | 美国防部正式发布2026年1260H清单（附中英文完整清单）
当地时间2026年6月8日，根据《2021财年国防授权法案》第1260H条，美国防部发布了所谓的在美国直接或间接运营的“中国军事企业”清单（CMC清单或1260H清单）的更新版本；该名单已在美国《联邦公报》的“公众查阅”版块正式公布。美国国防部认定有188家实体符合列入最新1260H清单的法定标准，并将10家中国企业移除。与早些时候2月13日发布后又迅速撤回的版本相比，本次更新将“长江存储和长鑫存储”重新列入了1260H清单。 美国防部网站截图 2026年1260H清单完整名单 360 Security Technology, Inc. (Qihoo 360)/360安全技术股份有限公司（奇虎360） Aerospace CH UAV Co., Ltd. (CH UAV)/航天彩虹无人机股份有限公司 Aerosun Corporation (Aerosun)/航天晨光股份有限公司 Alibaba Group Holding Limited (Alibaba)/阿里巴巴 Autel Intelligent Technology Corp., Ltd. (Autel Technology)/深圳市道通科技股份有限公司 Autel Robotics Co., Ltd. (Autel Robotics)/深圳市道通智能航空技术股份有限公司 Aviation Industry Corporation of China, Ltd. (AVIC)/ 中国航空工业集团有限公司(and AVIC subsidiaries: Align Aerospace LLC, Avicopter PLC, AVIC Aerospace Systems Co., Ltd., AVIC Airborne Systems Co., Ltd., AVIC Asset Management Corporation Ltd., AVIC Aviation High-Technology Company Limited (AVIC Aviation Hi-Tech), AVIC Chengdu Aircraft Co., Ltd. (formerly Zhonghang Electronic Measuring Instruments Company Limited (ZEMIC)), AVIC Electromechanical Systems Co. Ltd., AVIC Heavy Machinery Company Limited (AVIC Heavy Machinery), AVIC JONHON Optronic Technology Co., Ltd. (AVIC Jonhon), AVIC Shenyang Aircraft Company Limited (AVIC Shenyang), AVIC Xi’an Aircraft Industry Group Company Ltd. (formerly Xi’an Aircraft Industry Group Co., Ltd.), Changhe Aircraft Industries (Group) Co., Ltd., Cirrus Design Corporation, Continental Aerospace Technologies, Inc., Jiangxi Hongdu Aviation Industry Co., Ltd. (Hongdu Aviation), and Shenyang Aircraft Design Institute) Baicells Technologies Co., Ltd. (Baicells)/北京佰才邦技术股份有限公司 Baidu, Inc. (Baidu)/百度 Beijing Zhidao Chuangyu Information Technology Co., Ltd. (Knownsec)/北京知道创宇信息技术股份有限公司（知道创宇） BGI Group/华大基因集团 (and BGI Group subsidiaries: BGI Americas Corporation, BGI Genomics Co., Ltd. (BGI), Complete Genomics, Inc., Forensic Genomics International (FGI), GBI Diagnostics, Inc., Innomics, Inc., and STomics Americas, Ltd.) BOE Technology Group Co., Ltd. (BOE)/京东方科技集团股份有限公司 BYD Company Limited (BYD)/比亚迪 CALB Group Co., Ltd. (CALB)/中创新航科技集团股份有限公司 CETC Cyberspace Security Technology Co., Ltd. (formerly Cheng Du Westone Information Industry Co., Ltd.)/成都卫士通信息产业股份有限公司 CETC Digital Technology Co., Ltd. (formerly Shanghai East China Computer Co., Ltd.)/上海华东电脑股份有限公司 CETC Potevio Science & Technology Co., Ltd. (formerly Guangzhou GCI Science & Technology Co., Ltd.)/广州杰赛科技股份有限公司 ChangXin Memory Technologies, Inc. (CXMT)/长鑫存储技术有限公司 Chengdu JOUAV Automation Tech Co., Ltd. (JOUAV)/成都纵横自动化技术股份有限公司 Chengdu M&S Electronic Technology Co., Ltd. (M&S Electronics)/成都盟升电子技术股份有限公司 China Aerospace Science and Industry Corporation Limited (CASIC) /中国航天科工集团有限公司(and CASIC subsidiaries: Addisino Co., Ltd., Aerospace Precision Products Co., Ltd., Aisino Corporation, China Aerospace Automotive Co., Ltd.) China Cargo Airlines Co., Ltd. (CCA)/中国货运航空有限公司 China Communications Construction Group (Limited) (CCCG) /中国交建集团有限公司(and CCCG subsidiaries: CCCC Design and Consulting Group Co., Ltd., CCCC First Harbor Engineering Bureau Co. Ltd., CCCC Second Navigation Engineering Bureau Co., Ltd., CCCC Third Navigation Engineering Bureau Co., Ltd., China Airport Construction Group Corporation, China Communications Construction (USA) Co., Ltd., China Communications Construction Company Limited (CCCC), China Transportation Materials Co., Ltd., John Holland Group Pty Ltd., John Holland Services Pty Ltd., Shanghai Zhenhua Shipping Co. Ltd., ZPMC North America, Inc.) China Construction Technology Co. Ltd. (CCTC)/中国建设科技有限公司 China COSCO SHIPPING Corporation Limited (COSCO SHIPPING)/中国远洋海运集团有限公司 (and COSCO SHIPPING subsidiaries: China Ocean Shipping Company Ltd., COSCO SHIPPING (North America) Inc., COSCO SHIPPING Logistics Supply Chain Co., Ltd., Shanghai Ship and Shipping Research) China Electronics Corporation (CEC) /中国电子信息产业集团有限公司(and CEC subsidiaries: China Information Security Research Institute, IRICO Group Company, Ltd., Shenzhen CEC Blue Ocean Holdings Co., Ltd., The 6th Research Institute of CEC) China Electronics Technology Group Corporation (CETC)/中国电子科技集团公司 (and CETC subsidiaries: 14th Research Institute of CETC, 15th Research Institute of CETC, CETC Research Institute 32) China General Nuclear Power Corporation (CGN)/中国广核集团有限公司 China International Marine Containers (Group) Co., Ltd. (CIMC)/中国国际海运集装箱（集团）股份有限公司 China Mobile Communications Group Co., Ltd. (China Mobile Comm)/中国移动通信集团公司 (and China Mobile Comm subsidiaries: Aspire Technologies (Shenzhen) Limited, China Mobile Hong Kong (BVI) Limited, China Mobile Limited (China Mobile)) China National Chemical Corporation Ltd. (ChemChina)/中国化工集团有限公司 China National Chemical Engineering Group Corporation (CNCEC)/中国化学工程集团有限公司 China National Nuclear Corporation (CNNC)/中国核工业集团有限公司 China National Offshore Oil Corporation (CNOOC)/中国海洋石油总公司 (and CNOOC subsidiary: China BlueChemical Limited) China North Industries Group Corporation Limited/中国北方工业集团有限公司 (Norinco Group) (and Norinco Group subsidiaries: China North Chemical Research Academy Group Co., Ltd., Chinese Academy of Ordnance Science, Harbin First Machinery Group Ltd., Inner Mongolia First Machinery Group Co., Ltd. . Kiekert USA Inc., Merit Automotive Electronics Systems S.L.U, North Petroleum International Company Limited, and Yunnan Yuanjin Optical Instrument Co., Ltd.) China South Industries Group Corporation (CSGC)/中国南方工业集团公司 (and CSGC subsidiaries: Baoding Tianwei Baobian Electric Co., Ltd., Beijing Beiji Mechanical and Electrical Industry Co., Ltd., Changan US R&D Center, Inc., China South Industries Group Corporation No. 59 Research Institute Co., Ltd., Heilongjiang Northern Tools Co., Ltd., and Sichuan Jian’an Industry Co., Ltd.) China SpaceSat Co., Ltd. (China SpaceSat)/中国东方红卫星股份有限公司 (and China SpaceSat subsidiaries: Aerospace Star Space Technology Application Co., Ltd., Oriental Blue Sky Titanium Technology Co., Ltd., and Xi’an Aerospace Tianhua Data Technology Co., Ltd.) China State Construction Engineering Corporation Limited (CSCEC) /中国建筑工程总公司(and CSCEC subsidiary: China Construction America, Inc.) China State Shipbuilding Corporation Limited (CSSC) /中国船舶工业集团有限公司(and CSSC subsidiary: China Shipbuilding Trading Co., Ltd. (CSTC)) China Telecom Group Co., Ltd. (China Telecom) /中国电信集团有限公司(and China Telecom subsidiaries: China Telecom Corporation Limited, China Telecom Satellite Communications Co., Ltd., New Guomai Digital Culture Co., Ltd., Tianyi Cloud Technology Co., Ltd., and Zhongjie Communications Co., Ltd.) China Three Gorges Corporation (CTG)/中国长江三峡集团有限公司（长江三峡） China United Network Communications Group Co., Ltd. (China Unicom) /中国联合网络通信集团有限公司（中国联通）(and China Unicom subsidiaries: Beijing Telecom Planning and Designing Institute Company Limited, China Unicom (BVI) Co., Ltd., China Unicom (Hong Kong) Limited, China Unicom Group Corporation (BVI) Co., Ltd., and China United Network Communications Co., Ltd.) CloudWalk Technology Co., Ltd. (CloudWalk)/云从科技有限公司 Commercial Aircraft Corporation of China Limited (COMAC) /中国商用飞机有限责任公司(and COMAC subsidiaries: Beijing Aeronautical Science & Technology Research Institute, COMAC America Corporation Shanghai Aircraft Design and Research Institute, and Shanghai Aircraft Manufacturing Co., Ltd.) Contemporary Amperex Technology Co., Ltd. (CATL)/宁德时代 CRRC Corporation Limited (CRRC)/中国中车集团有限公司 CSSC Offshore & Marine Engineering (Group) Company Limited (COMEC) /中船海洋与防务装备股份有限公司(and COMEC subsidiaries: Guangzhou Wenchuan Heavy Industry Co., Ltd., and Huacheng (Tianjin) Ship Leasing Co., Ltd.) Dawning Information Industry Co., Ltd. (Sugon)/曙光信息产业股份有限公司（中科曙光） EVE Energy Co., Ltd. (EVE Energy)/亿纬锂能 Global Tone Communication Technology Co., Ltd. (GTCOM)/中译语通科技股份有限公司 (and GTCOM subsidiary: GTCOM Technology Corporation (GTCOM-US)) Guizhou Aviation Technical Development Co., Ltd. (Guizhou Aviation Tech)/贵州航宇科技发展股份有限公司 Hangzhou Hikvision Digital Technology Co., Ltd. (Hikvision)/杭州海康威视数字技术股份有限公司 Hangzhou Yushu Technology Co., Ltd. (Unitree)/宇树科技股份有限公司 Hesai Group (also known as Hesai Technology Co., Ltd.)/禾赛科技 Huawei Investment & Holding Co., Ltd. /华为投资控股有限公司（华为控股）(Huawei Holding) (and Huawei Holding subsidiary: Huawei Technologies Co., Ltd. (Huawei)) Inspur Group Co., Ltd. (Inspur)/浪潮集团有限公司 JA Solar Technology Co., Ltd. (JA Solar)/晶澳太阳能科技股份有限公司 MGI Tech Co., Ltd. (MGI)/深圳华大智造科技股份有限公司 NetPosa Technologies, Ltd. (NetPosa)/东方网力科技股份有限公司 NIO, Inc. (NIO)/蔚来 Novogene Company Limited (Novogene)/北京诺禾致源科技股份有限公司 Origincell Technology Co., Ltd. (Origincell)/原能细胞科技集团股份有限公司 Phenix Optical Company Limited/凤凰光学股份有限公司 (formerly Phoenix Optics Company Limited) Quectel Wireless Solutions Co., Ltd. (Quectel)/上海移远通信技术股份有限公司 RoboSense Technology Co., Ltd./深圳市速腾聚创科技有限公司 SDIC Intelligence (Xiamen) Information Co., Ltd. (SDIC Intelligence) /国投智能（厦门）信息股份有限公司(and SDIC Intelligence subsidiaries: Beijing Meiya Hongshu Technology Co., Ltd., and Xiamen Meiya Zhongmin Electronic Technology Co., Ltd.) Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC)/中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际） (and SMIC subsidiaries: Better Way Enterprises Limited, China IC Capital Co., Ltd., Magnificent Tower Limited, Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation (SMIC Beijing), Semiconductor Manufacturing International (Shenzhen) Corporation (SMIC Shenzhen), Semiconductor Manufacturing International (Tianjin) Corporation (SMIC Tianjin), Semiconductor Manufacturing North China (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing South China Corporation (SMIC South China), SilTech Semiconductor Corporation, SMIC Holdings Limited (SMIC Holdings), SMIC Semiconductor Manufacturing (Shanghai) Co., Ltd (SMIC Shanghai), and SMIC, Americas) SenseTime Group, Inc. (SenseTime)/商汤集团股份有限公司 Shanghai Yitu Network Technology Co., Ltd. (Yitu)/上海依图网络技术有限公司 Shenzhen DJI Technology Co., Ltd. (DJI)/深圳市大疆创新科技有限公司（大疆） (and DJI subsidiary: Shenzhen Dajiang Baiwang Technology Co., Ltd.) Sinotrans & CSC Holdings Co., Ltd. (Sinotrans)/中国外运长航集团有限公司 Tencent Holdings Limited (Tencent)/腾讯 Tianma Microelectronics Co., Ltd. (Tianma)/天马微电子股份有限公司 TP-Link Technologies Co., Ltd. (TP-Link) Trina Solar Co., Ltd. (Trina Solar)/天合光能股份有限公司 Wuhan Geosun Navigation Technology Co., Ltd. (Geosun)/武汉际上导航科技有限公司 WuXi AppTec Co., Ltd. (WuXi AppTec)/药明康德 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. (YMTC)/长江存储科技有限责任公司 Zhejiang Dahua Technology Co., Ltd. (Dahua)/浙江大华技术股份有限公司 (and Dahua subsidiary: Chengdu Dahua Wisdom Information Technology Co., Ltd.) Zhongji Innolight Co., Ltd. (Innolight)/中际旭创股份有限公司 2026年1260H清单移除的中国企业 Anhui Sun Create Electronics Co., Ltd. China International Information Services Ltd. China National Chemical Engineering Co., Ltd. China Traffic Construction USA, Inc. CNOOC China Limited (CNOOC China Ltd.) CNOOC International Trading Co., Ltd. (CNOOC International Trading) COSCO SHIPPING Finance Co., Ltd. Costar Group Co., Ltd. (Costar) GLARUN Technology Co., Ltd. Taiji Computer Co., Ltd 信息来源：美国国防部网站 https://media.defense.gov/2026/Jun/08/2003945537/-1/-1/1/ENTITIES-IDENTIFIED-AS-CHINESE-MILITARY-COMPANIES-OPERATING-IN-THE-UNITED-STATES-IN-ACCORDANCE-WITH-SECTION-1260H.PDF
1260H清单
合规观澜 . 2026-06-09 9874
产品 | 上海贝岭推出低功耗低温漂高精度电压基准源BLR4XX系列
上海贝岭推出的BLR4XX系列作为第四代高精度基准电压源，集成了高精度、低功耗与低噪声的卓越特性。 BLR4XX 该系列采用公司专利核心结构，配合优化的热管理设计，显著提升了系统在时间与温度变化下的稳定性，支持-40℃至+125℃的扩展工业温度范围。 其最大450μA的工作电流与200mV的低压差设计，使其在工业控制设备中具备极佳的能效表现，同时该系列采用8引脚SOP封装并提供宽电压输入特性，以及多输出电压规格可供选择，能够为各类精密数据采集与测量系统提供可靠且精准的电压参考。 应用场景 精密数据采集系统 高分辨率数据转换器 高精度测量器件 工业仪器仪表 医疗设备 汽车电池监控 型号类别 型号 输出电压 BLR412A 1.25V BLR420A 2.048V BLR425A 2.5V BLR430A 3.0V BLR433A 3.3V BLR440A 4.096V BLR450A 5.0V 选型指南 型号 最大输入电压 功耗 初始 精度 温漂 负载 能力 封装 形式 BLR2XX 5.5V 1400μA (MAX) ±0.02% 3ppm 10mA (拉电流) 10mA (灌电流) SOP8 MSOP8 BLR3XX 5.5V 110μA (MAX) ±0.06% (C版本) 5ppm (C版本) 25mA (拉电流) 10mA (灌电流) MSOP8 SOT23-3 SOT23-6 BLR4XX 20V 450μA (MAX) ±0.05% (MAX) 5ppm 10mA (拉电流) 10mA (灌电流) SOP8 系统框图 功能框图 引脚配置 SOP-8引脚配置(顶视图) 备注 1. NIC=NO INTERNAL CONNECTION. 2. DNC=DO NOT CONNECT. 引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 DNC 请勿连接 2 VIN 供电电压端口 3 SHDN 休眠控制输入。此引脚为低逻辑电平时，芯片进入低功耗睡眠模式。如果管脚悬空，芯片内部有弱上拉电阻让芯片进入正常工作模式 4 GND 地 5 TRIM/NR 输出调整或降噪引脚 6 VOUT 基准电压输出引脚 7 NIC 无内部连接 8 DNC 请勿连接 低温漂 BLR425系列基准电压源的低温漂特性，提高了温度变化时系统的精度。BLR425系列基准源在全温范围内温漂为5ppm/℃。可以满足客户ADC/DAC等各种应用下的外部基准需求。 BLR425基准输出温漂曲线 低噪声 在高精度应用场景，噪声是影响系统性能的一个重要参数。如下图所示，BLR425的噪声性能为4.5ppm-Vp-p，可以满足客户高精度下的外部基准要求。 BLR425输出电压噪声 低功耗 BLR4XX系列基准电压源能够在室温下和额定输入电压范围内，为负载提供最高10mA的源电流和灌电流。且BLR4XX系列具有低功耗特性，disable下功耗仅为20μA，enable时功耗最大为450μA。 BLR425静态电流与温度的关系 负载能力 BLR4XX系列基准电压源具备负载能力特性，最高支持10mA负载电流，且负载调整率在全温范围内最大为20ppm，可以满足客户负载能力下的外部基准要求。 BLR4XX负载调整率与温度的关系（源电流） 1宽电压输入范围 BLR4XX系列支持最大20V宽电压输入范围工作，有效提升了产品的抗干扰能力和现场适应性，满足客户需求。 2任意负载电容稳定 BLR4XX系列具备对任意负载电容无条件稳定的特性，无需额外设计补偿网络或对外接电容范围施加限制，即可在全负载电容范围内实现无条件的稳定性输出。 应用方案 双极性输出基准电压源 下图所示为双极性基准电压配置。通过将BLR4XX系列基准源芯片的输出连接至运算放大器的反相端，可以同时获得正基准电压和负基准电压。R1和R2必须尽可能严格匹配，以确保负输出与正输出之间的差异最小。如果电路用于温度摆幅较大的环境，还必须使用低温度系数的电阻。如若不然，随着环境温度变化，两个输出端之间会产生压差。 BLR4XX双极性输出基准电压源 提高基准源电流输出能力 下图显示一种能够从BLR4XX系列基准电压源获得高电流驱动能力而不牺牲精度的配置。运算放大器调节流经金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电流，直到VOUT等于基准电压源的输出电压。然后电流直接从VIN获得，而不是从基准电压源本身获得，从而提高电流驱动能力。 增强基准输出电流应用 该电路的电流源能力仅取决于MOSFET的电流额定值，因此只需根据应用选择适当的MOSFET，就能调整输出驱动能力。 BLR4XX用作ADC外部基准 下图为BLR425提供BL1081外部基准示例图。BLR4XX系列可以为模数转换器提供稳定、精准的标准参考电压，进一步弥补器件内置基准源精度、温漂系数的不足。外部基准保障输入模拟量与数字转换结果精准对应，有效降低电源波动、环境温度变化带来的采样误差，大幅提升数据采集精度与稳定性。在多路采集、多片ADC协同工作场景中，统一外部基准可实现各路采样量程一致，保证测量数据同步可比。 BLR425驱动多个BL1081 ADC
电压基准
上海贝岭 . 2026-06-09 1428
展会 | 聚力 AI 赛道！康盈半导体四大存储产品线亮相 COMPUTEX 2026
台北，2026年6月 – 伴随全球端侧AI加速落地，存储作为智能硬件算力承载与数据流转的核心基础设施，迎来全新迭代升级。6月2日-5日，以「AI Together」为主题的第45届COMPUTEX 2026台北国际电脑展隆重举行。作为全球ICT与人工智能产业风向标，本届展会汇聚全球33个国家、1500余家科技企业参展，聚焦端侧AI落地、高性能算力升级与智能存储创新等核心赛道。 存储品牌康盈半导体（KOWIN）亮相本次行业盛会，携嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘、DRAM内存模组、移动存储四大核心产品线参展。凭借全品类、高规格的场景化存储产品，赋能AI穿戴、AI PC、Mini主机、工业工控等终端落地，全面展示品牌在AI存储领域的技术积淀与产品创新实力。 当前AI产业已进入端侧规模化落地阶段，AI穿戴设备、AI PC、工业PC、边缘算力设备等终端持续迭代，对存储的小型化、低功耗、高稳定性、高速读写及算力适配性提出严苛要求。康盈半导体精准匹配行业需求，本次参展聚焦「全品类存储+细分AI场景」，集中展示全系产品在多元AI终端的落地应用能力。 全矩阵产品硬核亮相，精准适配多场景AI应用需求 本次展会，康盈半导体四大产品线精准覆盖端侧AI等AI场景应用需求，依托稳定性能，针对性解决AI终端数据存储、算力释放、数据流转等核心痛点。 1. 嵌入式存储芯片：小型化、高稳定，筑牢端侧AI硬件底座 针对轻量化AI穿戴场景，Small PKG. eMMC嵌入式存储芯片采用超小型封装工艺，超小体积7.2mmx7.2mmx0.8mm，适配AI智能眼镜等极致机身设计。读取速度可达240MB/s，写入速度可达200MB/s,可稳定支撑设备本地AI推理、高清影像采集存储，适配穿戴设备小空间、低功耗、长续航的核心需求。 适配智能手表等超薄设备的ePOP多芯片封装嵌入式存储芯片，采用集成堆叠工艺，无需占用额外PCB空间，可提供最大容量组合64GB+16Gb，具备高集成、薄型化、高可靠特性，可同时满足设备系统运行、数据存储与算力缓存需求，是超薄智能穿戴设备的核心适配存储方案。 面向工业场景的工业级eMMC，支持-40℃~85℃宽温运行，经过高低温循环、老化、跌落等严苛测试，可适配工业PC、工控主板、边缘网关、工业视觉等设备，筑牢工业智能化数据存储底座。 2. 全系SSD固态硬盘：高速大容量，赋能AI算力设备数据存储 康盈半导体展出全系列SATA、PCIe架构SSD产品，适配Mini PC、AI创作主机、边缘算力设备等终端。产品搭载优质主控与原厂颗粒，具备高速读写、低延迟、高兼容、低功耗特性，容量覆盖128GB~4TB主流区间。 其中PCIe 5.0 SSD读取速度可达14000MB/s，写入速度可达13000MB/s，可高效承载AI绘画、AI视频生成、本地大模型运行产生的海量数据，快速完成素材读写与调取，解决AI终端存储不足、读写卡顿等问题，充分释放Mini主机与边缘设备的AI运算性能，适配家用、商用、AI创作、边缘计算等多元场景。 3. DRAM内存模组：高带宽低时序，拉升AI整机算力上限 内存是AI终端算力释放的关键核心，本次展出的SODIMM、UDIMM DRAM模组，覆盖DDR4、DDR5规格，容量涵盖8GB~32GB，适配新一代AI笔记本与台式整机。 产品经过专属固件调校与严苛兼容性测试，优化内存时序与传输带宽，有效降低数据延迟，可稳定适配多任务并发、本地大模型推理、4K/8K剪辑、AI渲染等高强度算力场景。模组稳定性与抗干扰能力优异，可充分释放整机硬件潜能，提升AI终端整体算力表现。 4. 移动存储产品：便携高速，打通AI数据全域流转链路 针对AI设备移动化、便携化数据交互需求，康盈半导体展出高速microSD存储卡、SD存储卡、USB3.0/3.2闪存盘。microSD卡支持U3、A2高速规格，适配便携AI设备、智能记录仪、运动相机，可满足离线素材采集与存储需求；高速U盘即插即用、传输高效，具备防水防震、耐用稳定的特性。 移动存储产品可高效完成AI素材、模型文件与办公数据的快速传输、离线存储与安全备份，打通AI数据流转链路，适配户外创作、移动办公、设备数据导出等多元场景。 完整的全场景存储矩阵、成熟的性能参数与精准的场景适配能力，充分彰显康盈半导体国产存储产品的硬核技术实力。 深耕存储创新，持续赋能AI产业高质量发展 目前，康盈半导体已构建消费级+工业级、端侧+终端的全场景存储布局，全面覆盖AI穿戴、AI PC、Mini主机、工业工控等核心赛道。本次亮相COMPUTEX 2026，集中展示了品牌在AI存储领域的技术沉淀与产品迭代成果。 未来，康盈半导体将持续深耕存储技术研发与产品迭代，持续优化全场景AI存储解决方案，以高性能、高稳定的国产存储产品，持续赋能全球AI终端与工业智能产业创新发展。 关于康盈半导体（KOWIN） 康盈半导体是专注于存储芯片、内存模组、固态硬盘、移动存储研发、生产与销售的高新技术企业，深耕存储行业，聚焦智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧医疗、AI终端等领域，提供超可靠的存储解决方案，助力智能产业创新升级。
存储芯片
芯查查资讯 . 2026-06-09 1379
Cadence 携手 NVIDIA 发布业界首款具备全自主芯片设计能力的虚拟工程师
Level-5 ChipStack AI Super Agent 框架与 NVIDIA OpenShell 运行环境携手推动代理式 AI 在半导体开发中的安全落地 楷登电子近日宣布推出业界首款具备全自主能力的AI虚拟工程师，将 ChipStack™ AI Super Agent 提升至 Level-5 自主水平。全新的智能体能力基于 Cadence 的 AI 驱动电子设计自动化（EDA）产品组合，结合 NVIDIA Nemotron 模型构建，并由 NVIDIA OpenShell 运行环境提供安全保障，赋能客户在自动化工作流程中运行动态仿真。在 NVIDIA，数千名工程师正每年使用数十亿计算小时数来运行数百万次测试以验证其设计。每位工程师都将使用 ChipStack 智能体，配合 Cadence® Xcelium™ Logic Simulation 和 Jasper® Formal Verification 来运行数百次动态仿真，从而使 RTL 验证周期提速 40 倍以上，并将通常长达五周的验证周期缩短至不到一天，极大提升复杂半导体设计的验证速度。 “我们看到客户正在利用 AI，让其资深工程师能够以更高速度和更强信心推进更具挑战性的芯片设计。”Cadence 高级副总裁兼系统验证事业部总经理 Paul Cunningham 表示，“借助 ChipStack AI Super Agent，我们正在迈向下一步——从辅助工程师的 AI 演进为能够执行实际设计和验证工作的自主虚拟工程师。这些智能体以我们高精度签核引擎为基础，并在安全、受控的环境中运行，让团队能够充满信心、更高效地加速创新。” 从 AI 辅助迈向自主工程设计 ChipStack AI Super Agent 现具备 Level-5 自主水平，可独立执行复杂的芯片设计和验证工作流程，同时允许工程师根据需要进行检查、指导和协作。该智能体与协作环境原生集成，并兼容 Codex 或 Claude Code 等工具，为自主活动提供了极高的透明度，帮助团队随时掌握系统的进度和决策。 ChipStack AI Super Agent 不再依赖逐步提示，而是能够评估中间结果，决定下一步行动，并在规格理解、RTL 生成、验证规划、形式分析、仿真、调试和设计收敛等任务间不断迭代，直至目标完成。工程师的角色也将从执行单项任务转向监督结果并引导目标。在前沿部署中，自主验证工作流已将传统上需要数周的验证周期缩短至不到一天。 立足工程级准确性，为量产保驾护航 Cadence 的一个关键差异化优势在于，智能体的自主行为与该公司基于物理原理的核心设计和验证引擎紧密结合。这将确保 AI 引导的行动始终立足于经过验证的计算模型和具备高精度签核的结果，为高风险工程项目建立起所需的信任。 为支持生产部署，ChipStack AI Super Agent 将在 NVIDIA OpenShell 环境中运行。NVIDIA OpenShell 是为自主智能体打造的沙箱环境，通过策略控制、隔离以及对工具、基础设施和设计数据的受控访问来强化监管并帮助保护敏感知识产权（IP）。Cadence 的物理引擎与 OpenShell 的安全架构相结合，为从受监督的试点项目到生产级自主工作流程提供了一条切实可行的路径。 “随着半导体设计日益复杂，工程团队需要能够在不牺牲安全性、可控性或信任的前提下加快验证速度的 AI 智能体。”NVIDIA 副总裁兼计算工程总经理 Timothy Costa 表示，“通过使用 NVIDIA OpenShell 保障 Cadence 的 ChipStack AI Super Agent，并借助 Nemotron 模型提供支持，Cadence 正将受控自主性引入芯片设计工作流程——给予客户一条更快、更安全的先进半导体开发和验证路径。” 引领代理式 AI 新时代 此次发布体现了 Cadence 在由 NVIDIA 提供支持的代理式 AI 的创新速度。继 2025 年 11 月收购 ChipStack 后，Cadence 于 2026 年 2 月推出首款产品，并于 4 月在 CadenceLIVE 上将其扩展为 AI 超级智能体产品组合，推出用于定制和模拟设计的 ViraStack AI Super Agent、用于数字实现和签核的 InnoStack AI Super Agent 以及作为跨设计堆栈协调代理工作流程的编排框架的 Cadence AgentStack。Cadence 现正努力将这些功能扩展至完全自主水平。 可用性 ChipStack AI Super Agent 和 AgentStack 编排框架的 Level-5 自主能力预计将于 2026 年下半年向早期体验客户开放。
Cadence . 2026-06-09 924
65W氮化镓快充头BOM清单：整流到输出，涉及到哪些元器件？
成本怎么省？器件选型是关键。今天就说说分立器件这一块，从交流输入到直流输出，每个模块都给你对应料号。拿着这份清单去找采购，BOM成本能降多少不好说，但至少心里有底。 65W快充头电路结构长什么样 先有个整体概念。65W氮化镓快充的典型架构大概分这么几块： 交流输入进来，先过EMI滤波，然后整流桥把AC转成脉动DC，PFC升压（现在基本标配了），接着是氮化镓主开关管做高频功率变换，再经过同步整流，最后输出稳压给到USB接口。 整个链路里，分立器件主要用在： ·输入整流：整流桥 ·功率开关：氮化镓管 ·输出侧：快恢复二极管、肖特基二极管、TVS、LDO ·保护电路：TVS 下面按模块挨个说。 输入整流模块：整流桥选型 整流桥是AC-DC转换的第一个关口。 65W快充头，输入电压范围通常是90-264Vac。整流桥要承受的最大反向电压不难算：264Vac峰值是373V，再加上电网波动和浪涌余量，选600V耐压是起步，最好有800V。 电流方面，整流桥平均电流大概0.3-0.4A（65W输出/220V输入/0.8效率），但浪涌电流能到3-5倍平均值，因为后面有大电容充电瞬间。选型时脉冲电流能力要重点看。 合科泰推荐料号：GBU4K GBU4K的4A平均电流对65W应用绑绑够用，关键看浪涌能力。80A单次脉冲能扛住启动时的电容充电电流。价格比GBU6K便宜不少，是这个功率段的性价比选择。 如果你的65W适配器追求极致成本，2A的GBU2K也不是不能用，但建议加上软启动电阻限制启动电流，器件选型时要更谨慎。 功率变换模块：快恢复二极管 在PFC级和主功率级之间，通常需要快恢复二极管做升压或者钳位。 快恢复二极管的关键参数就三个：耐压、正向电流、反向恢复时间（trr）。65W快充应用，600V耐压是主流，如果功率做到65W以上，可能要用800V。 trr不能太长。开关频率越高，对trr要求越严格。氮化镓方案开关频率能到几百kHz，普通快恢复trr是500ns级别，高频应用要选低trr型号。 合科泰推荐料号：FR107L 1000V耐压对于65W应用余量很足。SOD-123FL封装体积小、散热好，贴片工艺方便自动化生产。trr 500ns在中低频段够用，如果做高频PFC可以考虑同系列的FR107L低trr版本。 应用在快充电路里，FR107L常用于电感缓冲回路和反向保护，能有效减少开关管的温升和电压尖峰。 输出整流模块：肖特基二极管 同步整流是现在快充的主流方案，但在某些低成本方案里还是会用肖特基做输出整流。另外在低压侧做续流、极性保护，肖特基也是常见选择。 肖特基的优势就一个：正向压降低。普通二极管VF在0.7-1V，肖特基能做到0.3-0.5V，效率差距明显。 但肖特基耐压做不上去，40V以上就贵得离谱。所以低压输出（5V/9V/12V）用肖特基，高压输出直接上同步整流MOSFET。 合科泰推荐料号：SK34 3A电流对单口65W输出绑绑够用。VF 0.5V是亮点，比普通二极管省不少损耗。SMC封装散热性能比SMA更好，适合持续工作的适配器场景。 如果你是双口或者多口设计，每路输出都要一颗SK34，别想着用一颗大电流的共用，省不了多少钱但增加了布线和热管理的复杂度。 保护电路模块：TVS 快充头虽然功率不大，但毕竟连着电网，雷击浪涌和电网波动都可能进来。加上热插拔USB线缆产生的瞬态，没保护器件心里不踏实。 TVS是快充头里性价比最高的保护方案。在输入端放一颗，能扛住大部分浪涌。在协议芯片附近放一颗，能保护敏感的控制电路。 选TVS要看两点：工作电压够用，钳位电压低于后级耐压。 合科泰推荐料号：SMAJ15A 15V挡位适合12V系统或者5V/9V快充协议线的保护。400W功率对应65W快充头够用了，别小看这个功率值，瞬态浪涌的能量密度很高。 如果你做的是多口快充，建议每个输出口都加一颗小功率TVS，虽然成本多几毛钱，但能省下不少售后麻烦。 输出稳压模块：LDO 虽然快充输出是直接给到USB接口，看起来不需要LDO。但在某些设计里，辅助供电或者协议芯片的供电轨会用LDO做二次稳压。 LDO在这个位置主要不是降压，而是滤波和隔离。开关电源输出有纹波，LDO能把它滤干净。 合科泰推荐料号：1117系列 1117是经典款，满大街都是。但要注意，1117需要至少1.2V以上的压差才能正常工作，输入输出压差太小会进入线性区甚至失效。 对于65W快充的多口设计，每增加一颗LDO就是多一分功耗。如果协议芯片本身支持宽电压输入，直接用开关电源的输出供电就行，别硬加LDO。 功率开关模块：MOSFET 氮化镓快充里，主开关管现在基本都用氮化镓器件了，但同步整流和初级MOSFET的位置，有些方案还是用硅基MOSFET。 65W快充里用到的MOSFET，主要场景是初级开关和同步整流。选型逻辑差不多：耐压、导通电阻、开关速度。 合科泰推荐料号：HKTD50N03 / HKTD80N06 HKTD50N03适合12V/24V系统，30V耐压有1.5倍以上安全裕量。RDS(on) 8.5mΩ在同规格里算不错的，能降低导通损耗。 HKTD80N06适合更高电压或者更恶劣的应用场景，60V耐压应对电网波动更从容。 TO-252封装自带散热焊盘，PCB布局时Drain引脚那片铜要铺够，建议500mm²以上，配合过孔连接内层铜箔，热阻能控制在60°C/W以内。 一站式采购的价值 说完单个器件，说说为什么要一站式采购。 快充头的分立器件看起来没多少，但供应链管理起来挺烦。整流桥、FR、肖特基、TVS、LDO、MOSFET，少说也要四五家供应商。样品确认、账期谈判、来料检验、物流对账，每个环节都要投入精力。 更麻烦的是缺货。某一颗器件断供，整批货都出不了。一站式配齐至少能减少一半的供应商管理成本。 合科泰的分立器件覆盖了快充BOM里大部分位置，规格书参数透明，现货充足。有兴趣可以联系他们FAE要样。 最后 65W快充BOM的成本优化，不是单颗器件的价格比拼，而是整体设计思路和供应链管理水平的综合较量。器件参数看规格书，用途选型看场景，成本控制靠整合。一站式采购省下的不只是钱，还有时间和精力。希望这份清单对你有用。如果有具体的电路拓扑或者功率段要求，可以再细化选型方案。
65W充电头
厂商投稿 . 2026-06-09 1260
产品 | 18位、2MSPS、100dBFS SNR，圣邦微电子SGM51823D登场
圣邦微电子推出18位、2MSPS、100dBFS SNR、单通道、真差分输入、串行接口的精密SAR ADC SGM51823D。器件适用于电池供电设备、机器自动化、医疗设备、精密数据采集系统和自动测试设备。 SGM51823D采用1.8V VDD供电，支持-VREF至+VREF的差分输入范围，外置参考电压范围为4.096V至5.1V，VIO电源电压范围为1.8V至5V。器件兼容SPI接口，但需注意：最大2MSPS的转换速率仅在启用Turbo模式、SCLK频率不低于100MHz且VIO ≥ 2.7V的条件下才能实现。 该产品符合环保要求，为无铅、无卤素绿色器件，工作温度范围达-40℃至+125℃，满足扩展工业级标准，采用符合环保理念的MSOP-10绿色封装。 SGM51823D主要特点与优势 亮点一：高吞吐率，便于系统设计 器件吞吐率达2MSPS。不仅支持高频信号精准采集，还有余量做过采样，从而可适当放宽抗混叠滤波器的设计要求。 亮点二：动态性能优异 典型SNR（信噪比）：100dBFS（@1kHz，5V参考） 典型THD（总谐波失真）：-107.5dBFS（@1kHz，5V参考） 亮点三：灵活的电源与输入接口 核心供电电压：1.8V 数字接口供电范围：1.71V至5.5V（方便直接连接1.8V、3.3V或5V逻辑电平，无需额外电平转换电路） 真差分输入范围：-VREF至+VREF，共模抑制能力强 参考电压范围：4.096V至5.1V，兼容常用基准电压源 亮点四：高ESD防护等级 器件提供业界较高水平的ESD防护能力： HBM（人体模式）耐压±4000V CDM（充电器件模式）±1250V 有助于提升板级设计与产线焊接的良率和可靠性。 亮点五：封装友好，上手门槛低 器件采用符合环保理念的MSOP-10绿色封装，便于手工焊接和调试，有利于研发阶段的快速验证。 SGM51823D的支持与服务 样品与代码：DEMO板和参考代码均已准备就绪，支持客户直接上板实测。 小包装福利：新增500PCS/TR小包装选项，对小规模用户和研发阶段非常友好。 SGM51823D的适用场景 电池供电设备（低功耗，11.2mW@1MSPS） 机器自动化（强抗干扰能力，工作温度范围-40℃至+125℃） 医疗设备（高精度要求） 精密数据采集与ATE（自动测试设备） 图1 SGM51823D功能框图 图2 SGM51823D封装引脚图
圣邦微
圣邦微电子 . 2026-06-09 1225
产品 | 超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点
当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。 思瑞浦（3PEAK，股票代码：688536）推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。 产品优势 超小型化封装 DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装（11.5mm*5.8mm*2.5mm），单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。 优异的直流精度 失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。 出色的动态性能 信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。 产品特性 强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行； 宽供电电压范围: 高侧(VDD1): 3.0V到5.5V 低侧(VDD2): 3.0V到5.5V 输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102)； 低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102); 低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ； 系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能； 宽工作温度范围: −40°C至+125°C； 隔离耐压: 工作耐压:200VRMS, 280VDC 瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC 典型应用 48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。
思瑞浦
思瑞浦3PEAK . 2026-06-09 1239
产品 | 村田开始量产汽车用树脂外部电极片状MLCC
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开发了汽车动力总成/安全设备(1)用树脂外部电极片状多层陶瓷电容器（MLCC）“GCJ21BD72A225KE02”（以下简称“本产品”），在0805英寸（2.0×1.25mm）尺寸、额定电压100Vdc条件下，村田初次(2)实现了2.2Μf特大静电容量。该产品已开始量产。 本产品在汽车电源系统中实现了小型化、大容量与高耐压，同时通过降低基板弯曲引起的裂纹（龟裂）发生风险，有助于增强贴装可靠性。 注释 (1) 汽车动力总成/安全设备：与汽车行驶、控制及安全装置等相关的车用设备。 (2) 由村田调查得出。截至2026年6月3日。 近年来，随着AD(3)/ADAS(4)的功能不断增强以及车辆电气化的持续推进，搭载部件数量增加，基板空间的限制愈发严格。此外，受车辆电气化带来的电力需求增加影响，48V电源系统的应用日趋普遍，用于此类电路的汽车用MLCC需要同时兼顾小型化、大容量与高耐压。 另外，受车辆行驶时振动及发热引起的温度变化影响，贴装基板可能产生弯曲，存在部件发生裂纹的隐患。 注释 (3) AD：Autonomous Driving（自动驾驶） (4) ADAS：Advanced Driver-Assistance Systems（高阶驾驶辅助系统） 为此，村田采用专有陶瓷材料及微粒化、均匀化技术进行陶瓷材料设计，开发了本产品，在0805英寸（2.0×1.25mm）尺寸、额定电压100Vdc条件下，实现了汽车用树脂外部电极片状MLCC的2.2μF特大静电容量。 此前，村田额定电压100Vdc、静电容量2.2μF的产品中，1206英寸（3.2×1.6mm）尺寸为微小尺寸，而本产品成功将尺寸缩小至0805英寸。由此，与额定电压100Vdc、静电容量2.2μF的村田过往产品相比，贴装面积减少约51%。此外，与村田0805英寸尺寸的过往产品（额定电压100Vdc、静电容量1.0μF）相比，静电容量扩大到约2.2倍。 今后，村田将继续推进兼具小型化、大容量、高耐压、高可靠性的汽车用多层陶瓷电容器的开发，通过扩充产品阵容，助力汽车的高性能化与多功能化发展。 产品名称 GCJ21BD72A225KE02 尺寸（L×W×T） 0805英寸（2.0×1.25mm） 静电容量 2.2μF 工作温度范围 -55～125℃ 温度特性 X7T（EIA） 额定电压 100Vdc
村田
芯查查资讯 . 2026-06-09 1169
功能上新 | 应用方案、邀新有礼、商城采购三大功能全面升级！
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芯查查 . 2026-06-08 1421
新品推荐 | 新洁能150V 宽SOA SGT MOSFET新品NCEP15LT14T
随着电动汽车、数据中心和激光等新兴领域的蓬勃发展，对宽安全工作区（SOA）MOSFET的市场需求日益旺盛，尤其是在热插拔、电池保护和驱动管等关键应用场景中。针对这一趋势，无锡新洁能股份有限公司（以下简称“新洁能”）近期推出了其150V SGT（Super Junction Trench）系列新品——NCEP15LT14T。 这款新型MOSFET通过器件结构优化，显著降低了零温度系数点（ZTC），大幅拓宽了SOA，同时兼顾了低导通电阻和强大的短路能力，可助力客户实现高可靠性、高性能系统的搭建。 主要特性 NCEP15LT14T集成了新洁能多项核心技术，能在要求严苛的线性工作模式下有突出表现，为工程师提供了更大的设计灵活性和系统稳定性。 更低零温度系数点（ZTC），优化线性工作表现 零温度系数点（ZTC）是MOSFET设计中的一个关键参数，它决定了器件在不同工作状态下的热稳定性。 当器件工作在ZTC以上时，呈现正温度系数，局部温升会抑制电流集中，从而增强器件的热稳定性；当工作在ZTC以下时，则为负温度系数区，局部温升反而会加剧电流集中，降低热稳定性。 图：NCEP15LT14T零温度系数测试结果 NCEP15LT14T通过优化器件结构，显著降低了ZTC点，这意味着器件可以在更低的栅源电压（VGS）和漏源电流（IDS）条件下进入热稳定状态。这一特性使得NCEP15LT14T能够更好地适应线性工作模式，为需要精细电流控制的应用提供更可靠的基础。 超宽工作安全区（SOA），无惧极端工况 安全工作区（SOA）是功率器件可靠性的重要指标，表示器件在特定电压和电流下能够安全工作的区域。 在1毫秒脉宽条件下，当漏源电压（VDS）达到40V时，NCEP15LT14T的最大电流可达97.5A，相比通用平台产品NCEP15T14T的51.1A，提升了近1.91倍。随着VDS的进一步增大，NCEP15LT14T的最大电流提升幅度更为显著。实测结果清晰地表明，NCEP15LT14T成功拓宽了SOA中受热不稳定性限制的部分区域，使其在更广泛的电压和电流组合下依然能够稳定运行，特别适合长期工作在线性模式的场景。 强短路能力，提升系统鲁棒性 在许多工业和汽车应用中，功率器件面临短路风险，瞬态高电流可能对器件造成永久性损坏。 NCEP15LT14T在短路能力方面展现出显著的提升。例如，在VDD=120V、VGS=10V的测试条件下，NCEP15LT14T的短路承受时间高达32微秒（us），相较于NCEP15T14T的3us，提升了10.6倍。 即使在更严苛的VGS=15V条件下，NCEP15LT14T的短路承受时间也能达到4us，是NCEP15T14T的两倍。这种强大的短路能力极大地增强了系统的鲁棒性，有效避免了因突发短路造成的器件失效和系统停机，为终端产品提供了更坚实的安全保障。 图：VGS分别为10V、15V时一类短路测试波形 主要应用场景 凭借其卓越的性能和可靠性，NCEP15LT14T在多个关键领域都将发挥重要作用，为各种高功率、高可靠性系统提供理想的解决方案，例如工业电源、电动汽车、储能系统，以及通信/服务器领域等。
新洁能
芯查查资讯 . 2026-06-08 1582
端侧AI：谁在定义下一代AI MCU？MCU厂商路线图深度解读
重点内容速览： 1. AI MCU 是如何进化的？ 2. AI MCU 的四大技术路线 3. 中国 MCU 厂商的机会在哪里？ 过去几年，全球半导体产业最热门的话题几乎都是围绕AI展开的。从GPU到AI服务器，从AI PC到AI手机，市场的关注焦点主要集中在高算力芯片。但如果仔细观察产业变化，你会发现另一场变革也正在悄然发生。那就是，AI正在进入MCU。 一辆新能源汽车可能搭载100至300颗MCU；一台工业机器人会用到几十颗MCU；未来的人形机器人，其关节控制、传感器融合、电池管理等等，将会需要上百颗MCU；另外，工业传感器、电机控制器、智能家电、烟感器、智能门锁、电表等大部分的终端设备，普遍采用MCU作为核心控制器。而且，从数量上来看，MCU是全球出货量最大的芯片品类之一。据多家市场调研机构统计，MCU的近几年的出货量均在300亿颗以上。 图：边缘 AI 设备介绍（来源：村田） 如今，AI能力下沉到端侧设备、TinyML、小型语言模型（SLM）、量化模型的出现，越来越多AI任务能够在资源受限的硬件平台上运行。再加上终端设备对实时性和隐私保护的要求越来越高。AI开始从边缘SoC进一步向MCU迁移。 对MCU厂商来说，这既是一次技术升级，也是新的市场机会。 AI MCU 是如何进化的？ 从技术角度来看，AI MCU并不是突然出现的。它经历了一个逐步演进的过程。随着计算架构、存储技术和开发工具链的不断革新。 第一阶段：纯软件推理（2017年-2020年）。这个阶段的AI MCU主要依赖软件实现AI功能。开发者可以通过TensorFlow Lite Micro等框架，将经过压缩的神经网络模型部署到Cortex-M4/M7等内核的MCU上运行。典型的代表是STM32H7、GD32H7等高性能MCU。 这一阶段的最大优势是成本低，但缺点也很明显，就是CPU占用率高、推理速度慢、功耗高、模型规模有限。据当时的评测数据，一个关键词检测模型跑完一次推理需要数百毫秒，勉强可用，谈不上实用。 第二阶段：DSP和SIMD加速（2020-2022年）。为了提升AI计算效率，厂商开始强化DSP能力。例如兆易创新的GD32G5系列在Cortex-M33基础上加入了DSP硬件加速单元。 另外，Arm引入Helium技术，Cortex-M55开始支持SIMD向量指令，DSP运算性能大幅提升。典型代表产品包括Silicon Labs xG24，以及后来的极海G32R501和新唐科技的M55M1系列产品。 这条路线不需要额外的NPU硬件，成本增量小。缺点是推理吞吐量依然受限于通用CPU的串行计算模式。 第三阶段：异构架构+专用NPU（2022年-至今）。真正的转折点出现在NPU进入MCU。2022年开始陆续有厂商推出了采用异构架构与专用NPU的MCU产品，使AI计算从CPU中解放出来。CPU负责逻辑控制，NPU专门处理神经网络矩阵运算，二者并行执行，互不干扰。 这是当前主流国际厂商的选择，也是AI MCU真正意义上的“质变”节点。STM32N6、NXP i.MX RT700、英飞凌PSoC Edge E83/E84、瑞萨RA8P1等产品均属于此类。 第四阶段：MCU向SLM演进（2025年及以后）。Arm Ethos-U85已经开始支持Transformer算子，并在2024年底演示了在MCU上运行小型语言模型（SLM）的效果。这也意味着，AI MCU的上限正在快速拉高，从音频关键词检测，到视觉目标识别，再到本地轻量化对话推理等等，边界仍在持续扩展。 当然，AI MCU的普及离不开易用、高效的AI部署工具链。这包括模型量化、剪枝、编译优化、运行时库以及与主流AI框架（如TensorFlow Lite Micro）的兼容性。例如，ST的Edge AI、NXP的eIQ和TI的TinyEngine等，都旨在简化AI模型在MCU上的部署流程，降低开发门槛，让更多嵌入式工程师能够利用AI能力。 AI MCU的四大技术路线随着AI能力逐步进入MCU，不同厂商也选择了不同的发展路径。这些多元化的技术路线，各具特色，共同推动着端侧AI的发展。从目前的市场格局来看，大致可以分为四条技术路线，分别是Arm Ethos、自研NPU、DSP增强，以及RISC-V加AI路线。 Arm Ethos：国际厂商的主流选择 对于大多数MCU厂商而言，自研NPU并非易事。因此，采用Arm Cortex-M处理器，搭配Arm Ethos-U系列NPU，成为目前最成熟，风险最低的方案。 这一阵营的代表厂商包括英飞凌、瑞萨和新唐科技。 英飞凌PSoC Edge E83/E84是这条路线的标杆产品。E83/E84搭载Cortex-M55处理器，并集成Arm Ethos-U55 NPU，同时结合其NNLite低功耗神经网络加速器，面向始终在线（Always-On）场景下的语音唤醒和环境感知等持续推理任务。英飞凌还在2025年宣布支持NVIDIA TAO模型微调工具链，大幅降低视觉AI模型的定制门槛。 瑞萨RA8P1则将这一思路进一步推向高性能方向。该产品采用1GHz Cortex-M85和250MHz Cortex-M33双核架构，并集成Ethos-U55 NPU，标称AI性能达256GOPS。重点布局预测性维护和安全敏感的AIoT场景。 新唐科技的NuMicro M55M1同样走的是Cortex-M55与Ethos-U55组合。并提供专为TinyML设计的NuEdge Wise IDE，支持从数据标记、模型训练到芯片部署的完整闭环，已经在人脸特征点检测、手势识别等应用上实现量产方案。主要面向工业控制、智能家居和边缘视觉应用。 这一路线的最大优势是IP成熟、开发工具完善，开发者可以直接使用Arm提供的软件工具链和模型转换工具，大幅降低AI开发门槛。但其局限也比较明显，对Arm生态依赖较强，产品同质化趋势明显，难以形成差异化竞争优势。 因此，越来越多的MCU厂商开始尝试第二条路线。 自研NPU：差异化与垂直优化 与采用标准IP不同，一些国际MCU厂商选择开发自有NPU架构，以实现更深度的软硬件协同优化，打造具有独特竞争力的AI MCU产品。这一路线通常能提供更高的算力密度和更优的能效比，但对厂商的研发实力要求较高。 最具代表性的产品是ST的STM32N6，它是STM32家族首款AI MCU，集成了ST自研的Neural-ART Accelerator神经网络加速器（NPU），同时引入了Arm Helium向量技术，可实现600GOPS的AI推理能力。 另一家代表企业是NXP，其i.MX RT700跨界MCU集成自研eIQ Neutron NPU，并采用双Cortex-M33、DSP和协处理器组成的异构架构。重点面向AR眼镜、可穿戴、智能家居HMI等场景。 TI则走出了另一种风格。在实时控制领域，TI在TMS320F28P55x系列MCU中集成了其自研的TinyEngine NPU，用于电弧故障检测、电机状态分析等实时AI应用。2026年初，TI又进一步将TinyEngine下沉到低成本MCU平台，推出了集成NPU的MCU产品MSPM0G5187，面向成本敏感型边缘AI应用。 与Arm Ethos路线相比，自研NPU路线的优势在于架构可以深度优化，厂商可以根据自身在特定应用领域的积累，设计出最适合其产品线的NPU架构，从而在性能、功耗和成本之间取得最佳平衡。这也有助于构建更完整的软硬件一体化解决方案。但这同时也意味着，需要更高的研发投入和更长的生态建设周期。 DSP 增强：兼顾成本与灵活性 如果说前面两条路代表未来，那么DSP增强路线则代表当下。事实上，目前绝大多数的MCU并没有真正集成NPU。对于许多应用而言，通过提升CPU性能、增加DSP单元，以及引入向量计算能力，是可以满足当前的部分AI需求的。 极海半导体的G32R501是这条路线中的一个典型代表，它采用了Arm Cortex-M52双核架构的实时控制MCU/DSP，并支持Helium向量扩展技术。在信号处理和AI推理效率方面较传统MCU有明显提升。极海半导体将其定位为具身机器人关节控制的核心芯片，面向伺服控制器、逆变器、机器人等场景。 兆易创新的GD32H7/GD32G5则代表了国产通用MCU厂商的主流做法。GD32H7采用 600MHz Cortex-M7，GD32G5采用216MHz Cortex-M33，均内置高级DSP硬件加速器、单精度浮点单元和三角函数/滤波算法加速器，同时搭建Embedded AI平台，支持将主流模型部署到GD32 MCU，并提供基于Sensory平台的语音识别参考方案。 乐鑫科技则从无线连接切入AI MCU市场。其ESP32-P4采用双核RISC-V架构，加上自研 Processor Instruction Extensions（PIE）用于加速AI和DSP算法，配合乐鑫提供的ESP-NN深度学习加速库，支持语音唤醒、人脸识别等AIoT应用。另外，乐鑫ESP32-S3带AI加速指令的AIoT芯片出货量增长迅速，已被字节跳动AI玩具"显眼包"等产品采用，是消费级AIoT芯片里商业化落地最快的案例之一。 还有，Silicon Labs xG24的MVP加速器也属于这一类别，在超低功耗IoT场景（电池驱动的异常检测、手势识别、音频分类）中表现突出。 从商业角度来看，这条路线最符合当前中国MCU产业的发展现实。因为它的优势在于成本效益和灵活性。厂商不需要投入巨额资源开发NPU，只需要通过软件优化和指令集扩展，就能在不大幅增加硬件成本的情况下提升AI性能，特别适合对语音、图像等信号处理有较高要求的应用。 RISC-V加AI：中国厂商的新机会 除了Arm生态之外，RISC-V正在成为另一股重要力量。在AI MCU领域，中国企业正试图借助RISC-V实现差异化突破。 芯来科技是其中的重要推动者。其推出的NI900处理器支持宽向量扩展，并针对AI应用进行优化。同时，2025年7月，芯来科技正式推出NACC（Nuclei Neural-Network Accelerator）端侧AI加速器IP，面向边缘AI传感器、智能感知等场景，已在多个客户项目实现落地，完整软件栈覆盖TFLite Micro及自研Nuclei AI SDK，并提供CPU+NACC+DMA+总线的整体子系统集成服务。目前芯来科技已有超过250家正式授权客户，IP遍及AI、汽车电子、5G、工业控制等多个领域。 国芯科技则更进一步。其CCR4001S集成AI加速能力，面向空调控制、电力检测和工业设备等场景。CCR7002则采用RISC-V处理器与AI子系统的多芯片封装方案，进一步提升AI处理能力。 对中国厂商而言，RISC-V最大的吸引力在于开放性。相比Arm授权模式，RISC-V能够提供更大的自主可控空间。不过，目前这一生态仍处于发展阶段，软件工具链、模型部署框架，以及开发者生态仍需持续完善。 图：AI MCU 四大技术路线对比（来源：芯查查） 中国MCU厂商的机会在哪里？ 从目前竞争格局来看，中国MCU厂商短期内不太会走自研NPU架构的路线，因为打造一颗高性能AI MCU不仅需要先进工艺和NPU设计能力，更需要长期的软件生态积累。而这些并不是短时间能够完成的事情。 因此，国内MCU厂商可以采取循序渐进的发展路径。第一步采用DSP增强，例如兆易创新和极海半导体现在正在推进的；第二步是采用RISC-V AI MCU；第三步是推出行业专用AI MCU，例如智能空调控制、电机预测性维护、工业故障检测、能源管理系统等。相比通用AI MCU，这类产品更容易形成差异化竞争优势。 例如在工业控制的垂直场景中，电机驱动、逆变器控制、变频器PID调节等，这些实时控制场景对AI的需求是“小而精”，因为这些应用不需要跑图像分类大模型，而是需要将自适应控制算法和故障预测集成进实时控制环路。极海半导体的G32R501和兆易创新的GD32H7系列就是此类。未来，国内MCU厂商在这些特定领域积累了一定经验后，可以进一步探索集成NPU的自研路线。 或许有人会认为，国内MCU厂商也应该推出像STM32N6那样具有NPU的MCU产品，其实未必。因为STM32N6之类的AI MCU主要面向视觉AI、边缘推理等应用场景，而国内MCU厂商最有优势的市场在工业控制、家电、电机控制、新能源等，这些场景更需要实时控制AI。因此，未来国产AI MCU更可能先诞生于逆变器、储能、BMS、机器人关节、工业控制器等场景，而不是智能摄像机。 总之，中国厂商的机会在于发挥本土优势，深耕细分市场，并积极拥抱RISC-V等开放架构，通过软硬件协同创新，打造具有差异化竞争力的AI MCU产品。 图：2025-2026 年 AI MCU 新品（数据来源：各公司官网、芯查查） 结语 AI MCU的崛起，不仅是微控制器产业的一次重大升级，更是端侧AI普及的关键一步。从Arm Ethos的标准化路径，到自研NPU的差异化竞争，再到DSP增强的灵活策略和RISC-V的定制化潜力，全球厂商正以前所未有的热情投入这场技术竞赛。中国厂商凭借其独特的市场优势和技术积累，有望在全球AI MCU版图中占据重要一席。而机器人等新兴市场的爆发，更将为AI MCU带来广阔的增长空间。
端侧AI
芯查查资讯 . 2026-06-08 2387
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