面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。

随着X.PAK封装的加入，我们丰富多元的产品系列现包含TO-247-3和4、D2PAK-7和X.PAK封装选项，充分保证能够契合客户的各类需求。这些先进的解决方案在散热管理方面表现优异，具有较低的寄生电感，可靠性进一步提升，非常适合那些要求极为严苛的应用场景。

在您的大功率设计中，选用Nexperia的SiC MOSFET，借助前沿技术，助力提升性能与可靠性，实现创新突破。  

关键应用

电动汽车充电基础设施

光伏逆变器

开关模式电源

不间断电源

电机驱动器  

设计优势

开关损耗非常低

快速反向恢复

开关速度快

关断时的开关损耗不受温度变化影响

固有体二极管速度很快且稳健性佳

凭借额外的开尔文源极引脚，实现了更快的换流速度和更卓越的开关性能

主要技术特性

RDS(on)温度稳定性优于同类产品

栅极电荷性能优越和栅极电荷比

- 栅极驱动器功耗低

- 对寄生导通的耐受性高

阈值电压容差非常小

体二极管稳健性强，正向电压非常低

1200 V时漏电流更低

封装解决方案

TO-247-3 (SOT429-2)

通孔技术

20.95 x 15.94 x 5.02 mm *

TO-247-4 (SOT8071-1)

通孔技术

23.45 x 15.94 x 5.02 mm *

 D2PAK-7 (SOT8070-1)

表面贴装技术

10.08 x 15.88 mm **

X.PAK (SOT8107)

表面贴装，顶部散热技术

14 x 18.5 mm **

* 封装尺寸（长 x 宽 x 高）

** 封装尺寸包括引脚（长 x 宽）

产品范围

SiC FET | 命名