产品 | Vishay推出新款Gen 4.5 650V E系列功率MOSFET
新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率。
MOSFET
Vishay . 2025-04-16 500
产品 | 导通电阻再创新低，东芝新款MOSFET引领锂电池保护电路新趋势
随着全球对电动化、智能化和便携式设备需求的不断增加，锂离子电池作为主流能源来源，已成为各类消费电子产品和电动工具的核心。在这一发展过程中，锂离子电池的保护电路正面临着更高的要求。特别是在快充技术日益成熟的今天，如何实现高效的电池管理，确保电池在高负载条件下的安全性和稳定性，成为设计者亟待解决的关键问题。 MOSFET作为电池管理系统的重要元件，其性能的提升直接影响到整个系统的功效和稳定性。东
东芝
东芝半导体 . 2025-04-14 510
新能源汽车IGBT模块中MOS管的关键作用
随着新能源汽车技术的普及，对电力控制系统IGBT的需要也随之提升，自2020年IGBT全球短缺以来，国产替代IGBT研发制造兴起，目前多数企业依赖外购品牌加部分国产替代方案。今天咱们重点讲讲新能源汽车IGBT中的关键分立器件——MOS管，到底是如何促进IGBT的电力控制。
新能源汽车
厂商投稿 . 2025-03-27 2365
产品 | 一键概览罗姆MOSFET，了解产品优势与技术亮点
高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。 罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-03-26 675
产品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
MOSFET
罗姆半导体集团 . 2025-03-12 665
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。 这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴
SiC
瞻芯电子 . 2025-03-11 1 1080
技术 | 为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
碳化硅JFET 的增强性能使其在用于人工智能数据中心、储能和直流快充等 AC-DC 电源单元中实现更高的效率。随着对更高功率密度和更紧凑外形需求的增加，安森美SiCCascode JFET 能够实现更小、更轻和更低成本的终端设备。
碳化硅
安森美 . 2025-03-11 1 610
产品 | 新洁能宽SOA MOSFET HO系列
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等具体电路应用要求。产品通过优化器件结构设计、采用特殊的工艺制程，解决了高功率场景下效率、热管理与可靠性的平衡难题。 核心技术优势 1.超强线性区短路电流，短路能力实测对比 使用宽SOA HO系列代
MOSFET
无锡新洁能股份有限公司 . 2025-03-03 795
从汽车到AI数据中心，安森美MOSFET助您轻松拿捏
安森美（onsemi）凭借其创新的MOSFET技术，为汽车、工业以及人工智能数据中心等多个行业提供了强大的支持。一起了解安森美最新的T10 MOSFET技术，以及采用Top Cool封装的功率MOSFET如何重新定义性能标准。 利用领先的 MOSFET 实现卓越设计 安森美先进的PowerTrench® MOSFET解决方案，专为满足对高能效、高可靠性和紧凑型设计不断增长的需求而设计。无论您是为汽
汽车电子
安森美 . 2025-02-26 3 2 1360
开关性能大幅提升！M3S 与M2 SiC MOSFET直观对比
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低，提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真，评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。👉第一篇介绍Si
安森美
安森美 . 2025-02-21 3 2 1465
利用解决方案供应商的优势加速自主移动机器人开发
自主移动机器人（AMR）是一种复杂的系统，与自动驾驶汽车有许多共同之处--它们需要感知、电机驱动、电源转换、照明和电池管理。也许最大的挑战是将这些子系统整合到一个最终产品中--由于需要集成来自不同供应商的不同子系统，这一挑战变得更加困难。
AMR
安森美 . 2025-02-19 885
意法半导体VIPower全桥电机驱动器配备实时诊断功能
VIPower全桥电机驱动器集成保护功能及专用输出状态引脚，简化功能安全及低中功率通用直流电机驱动应用设计。
电机驱动器
厂商供稿 . 2025-02-11 2 880
意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）
随着全球对可持续发展的关注度不断攀升，以及各国节能减排政策的大力推进，新能源领域展现出了巨大的潜力和广阔的发展空间。功率器件是新能源系统中的关键核心部件。从新能源发电的高效转换，到储能系统的稳定运行，再到电动汽车的动力驱动，都离不开性能卓越的功率器件为整个产业的发展提供着强劲的动力与支撑。 意法半导体为新能源市场提供丰富的功率器件产品组合与解决方案，涵盖 IGBT、高压MOSFET、碳化硅MOSF
ST
意法半导体工业电子 . 2025-02-07 740
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
与传统机械断开开关相比，固态断开开关之所以具有系统级优势，关键在于碳化硅和功率半导体封装的优势。得益于碳化硅技术，器件现在能够兼具较低的导通电阻和热阻，从而实现许多系统中所需的低导通损耗，同时还可以采用保证高可靠性的材料。
SiC
Microchip . 2025-01-08 2 3 1100
上海贝岭150V SGT新品发布
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。 上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用
上海贝岭
上海贝岭 . 2025-01-03 860
平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进
随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiC MOSFET技术的进
安森美
安森美 . 2024-12-26 1630
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
新器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 ℃/W的RthJC可优化热性能。
MOSFET
Vishay . 2024-12-04 1 860
第2代CoolSiC™ MOSFET 400V
CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。 产品型号： ■ IMBG40R011M2H ■ IMBG40R015M2H ■ I
英飞凌
英飞凌工业半导体 . 2024-11-20 965
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。 当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOS
东芝
东芝半导体 . 2024-11-15 2 2 1020
VBI1322 MOSFET:赋能车身控制模块，提升汽车安全与性能
现代汽车电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种关键的功率器件，其在车身控制模块上的应用正日益展现其重要性。本文将深入探讨MOSFET在这一领域的具体作用及其应用情况，特别是微碧半导体的VBI1322系列MOSFET如何在提升车身控制模块性能上发挥着核心作用。 MOSFET在车身控制模块中的角色 车身控制模块（BCM）是汽车电子系统的核心之一，它负责对车载电气设备和功能进行
微碧
VBsemi微碧半导体 . 2024-11-12 1 1115
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