破局AI数据中心电源的“三高”挑战，全新高效能组合方案提供关键支撑
如何为AI数据中心部署高能效高功率密度的电源方案显得尤为重要，也成为行业亟待破局的一大痛点。
AI数据中心
安森美 . 2024-08-27 2 1430
OBC设计不断升级，揭秘如何适应更高功率等级和电压
消费者需求不断攀升，电动汽车(EV)必须延长续航里程，方可与传统的内燃机(ICE)汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法： 在不显著增加电池尺寸或重量的情况下提升电池容量，或提高主驱逆变器等关键高功率器件的运行能效。为应对电子元件导通损耗和开关损耗造成的巨大功率损耗，汽车制造商正在通过提高电池电压来增加车辆的续航里程。 图1：生产中的电动汽车以及所需的复杂系统 由此，800 V 电池架构越来越普及
安森美
安森美 . 2024-08-15 7515
新品 | 车载Nch MOSFET10种型号、3种封装
非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。
罗姆
罗姆半导体集团 . 2024-08-14 4410
新洁能 Gen.5 Trench MOSFET PMOS 30V 系列介绍
新洁能研发团队持续创新，中低压沟槽型工艺平台推出增强型MOSFETG5系列新品，电压涵盖20-60V系列产品，N型沟道和P型沟道，不同功率级别的众多封装外形系列产品,已在8英寸和12英寸产线成功量产，本次着重推介PMOS 30V产品型号。 G5系列在已有沟槽型工艺平台基础上，芯片具有超高成度，超短沟道长度特点。产品采用超高元胞密度、超小线宽独特设计，使得单位芯片面积内电流密度增加，集成度较
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2024-08-14 4375
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。 这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电
安世半导体
安世半导体 . 2024-08-07 3055
CoolSiC™ MOSFET G2赋能新一代高性能系统
英飞凌全新沟槽型CoolSiC™ MOSFET G2使得SiC性能达到全新水平，同时在所有常见功率变换应用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中达到最高质量标准。
英飞凌
英飞凌官微 . 2024-08-01 3635
德欧泰克：配备DIF120SIC053的直流快速充电站
直流快速充电技术使电动汽车（EV）的充电速度比传统的交流充电快得多。 有直流快速充电器，通常也被称为三级电动汽车充电器。这意味着他们可以同时给两到三辆车充电。这些充电器的输出功率为60至240KW，充电时间仅需一小时，是目前电动汽车最快的充电选择。商业用电从现有的三相交流电中转变成直流电，并直接输入汽车电池。通过这种方式，就可以更快、更有效地为车辆提供动力。直流快速充电站是电动汽车需要在尽可能
德欧泰克
德欧泰克半导体 . 2024-07-15 1450
Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET，精准优化匹配您的设计需求
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如，应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia，我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合，打造了一系
半导体
安世半导体 . 2024-07-15 1235
德欧泰克：用于植物保护和有效土壤栽培的无人机——由DI280N10TL提供动力
农业无人机已经证明了它们在直接从空中施肥和植物保护方面的价值。集成摄像头可以快速识别关键区域，并在需要的地方施用肥料或生物农药。这节省了时间、材料，因此也节省了大量资金。这也是越来越多的农民使用这些设备的一个原因。从无人机的“空中”位置，即使是高大的植物和树木也可以轻松管理，这样它们的果实也可以有效地受精和保护。为了使无人机尽可能长时间地在空中飞行，轻型和节能的组件是必要的。 德欧泰克的N通道
功率器件
德欧泰克半导体 . 2024-07-01 1265
应对人工智能数据中心的电力挑战
国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022 年数据中心的耗电量约占全球总用电量的 2%，达到 460 TWh 左右。如今，加密货币和人工智能/机器学习 (AI/ML) 等高耗能应用方兴未艾，而这些技术中通常需要部署大量的高性能图形处理单元 (GPU)。因此，数据中心耗电量仍将不断攀升。 人工智能应用的扩展速度令人震惊。ChatGPT 上线仅 5 天，用户数量就达到了 100 万，并在 2 个
安森美
安森美 . 2024-06-24 1 2570
前排围观 | 碳化硅外延层RDS（ON）与VDS（max）的设定究竟有多讲究
碳化硅器件的漏电流更小且带隙更大，可以在更宽的温度范围内工作，并且具有化学惰性，这些优点进一步巩固了SiC在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯电动车电池充电的功率转换和主驱、工业电机驱动、太阳能和风能逆变器等可再生能源发电系统。 一些情况下，我们需要碳化硅具有非常纯的与衬底有相同晶体结构表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这就要
SiC
安森美 . 2023-03-10 8 3020
【千家计划】微碧半导体：高起点，高品质，快发展
近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等领域应用需求的增长，场效应管产品得到了快速发展，功率场效应管更是备受关注。作为一家成立近二十年的半导体企业，深圳市微碧半导体有限公司一直立足于场效应管MOSFET领域，在成立初期就用前瞻性的决策与台积电等国际一流制造和封装企业合作，占领了行业高位。随后，又通过不断优质的产品和服务一步步形成势能，赢得了大批中高端制造企业的认可，拓宽着自己的市场和机会
千家计划
芯闻路1号 . 2022-11-28 13 62 5227
闻泰安世半导体推出用于热插拔的全新特定型应用 MOSFET (ASFET)，SOA 性能翻倍
11 月 19 日消息，闻泰科技旗下基础半导体器件厂商 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将领先的增强安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on) 相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 图片来源：安世半导体 Nexperia（安世半导体
安世半导体
芯闻路1号 . 2022-11-20 2 2405
MOSFET库存压力大 封测稼动率Q3下滑至6成
基础功率元件金氧半场效电晶体(MOSFET)Q3市况急转直下，中低压MOSFET量能明显缩水，特别是NB/PC、3C消费电子领域出现明显高库存压力，封测业者透露，近期数周客户预估量变动频繁，虽然封测代工(OSAT)厂普遍本身没有库存压力，但稼动率将决定营运表现。 功率元件封测业者坦言，8月中下旬后，部分厂商稼动率也从先前预估的8成，一口气滑落至6成多，部分OSAT业者原本双位数百分比成长目
MOSFET
芯闻路1号 . 2022-09-02 1352
清纯半导体推出车用SiC MOSFET产品，已通过车企及tier1厂商测试
据清纯半导体官方消息，公司正式推出1200V/14mΩ SiC MOSFET产品S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。 据悉，S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，其静态导通特性和动态开关特性均达到了国际一流水平，可应用于新能源汽车电机控制器、大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等领域。 公开资料显示，清纯半导体成立于2021年3月，是国内领先的碳化硅功
清纯半导体
芯闻路1号 . 2022-08-30 1864
豪威发布业内最低内阻双 N 沟道MOSFET
6 月 28 日消息，MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关，近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。 据官方介绍，双 N 沟道增强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻，RSS (ON) 低至 1mΩ，专为手机锂电池电路保护设计。WNM
豪威
芯闻路1号 . 2022-06-28 1837
豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低 Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计 近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦
MOSFET
豪威集团 OmniVision . 2022-06-28 1546
简单介绍MOSFET的原理
MOSFET 简介 MOSFET就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。 以N沟道增强型NMOSFET为例，用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极
MOSFET
零是起源 . 2022-04-11 2182
国内主要的功率半导体IGBT、MOSFET厂商盘点（附图）
汽车产业正在加速从传统汽车向新能源汽车和智能汽车发展，而汽车电子化程度的提升，功率半导体首先受益。 功率半导体是实现电能转换的核心器件，可以处理高电压、大电流能力，主要用途包括逆变、变频、变压功率管理等。可以简单理解为，功率半导体是电能转化与电路控制的核心。随着未来电气化程度的加深，功率半导体的市场也会愈发广阔。 据统计，功率半导体在传统燃油车单车的价值量达 87.6 美元，在新能源汽
功率半导体
芯闻路1号 . 2022-03-15 2 6 6154
消费电子市场趋于平稳，MOSFET的新增长点在哪里？
MOSFET是各种中低功率电源应用中的关键元件。由于市场对消费电子产品的高需求，2021年MOSFET经历了高成长的一年，然而，机构分析认为，消费电子对MOSFET的营收贡献将会下降，原因是人们对电子设备的需求随着疫情影响消退而降低。 取而代之的是，汽车辅助驾驶系统和电动化推动对功率MOSFET的需求，电机驱动低压MOSFET需求，而电气化推动高压MOSFET需求，后者被用于DC/DC转换
汽车
芯闻路1号 . 2022-03-11 10 3781
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