三款新品驱动工业新效能！采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管
产品介绍 合科泰新推出三款新品，均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二极管型号为MBRD20150CT。MOSFET产品采用沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有较低的导通电阻、较低的栅极电荷和宽温的特性，可明显地降低导通以及开关损耗，这让MOSFET具备了很高的电流承载能力。非常适用在适配器、逆变器、电机驱动、BMS、LED电源、电动工具等应用
MOSFET
厂商投稿 . 2025-08-21 420
技术丨高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓（GaN）和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。 GaN和Cascode D-Mode架
瑞萨
Renesas瑞萨电子 . 2025-07-24 1 895
产品 | 2153X系列 600V 自震荡半桥 MOSFET/IGBT驱动芯片
2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET/IGBT，浮地通道最高工作电压可达600V。内置死区保护电路，可以有效防止高低侧功率管直通。2153X全系列内置自举电路，可以简化芯片外围电路。 产品特性 ● PIN2PIN替换Infineon IR2153(1)(S/D)、IRS2153(1)D(S)PbF ● VCC、VB双欠压
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2025-07-24 1 765
产品 | 圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330
MCU行业翘楚发布全新产品，满足性能与小型化需求，提供专为电机控制优化的外设
圣邦微
圣邦微电子 . 2025-07-10 1125
SiC MOSFET并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。 然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导
ST
意法半导体工业电子 . 2025-06-27 910
MOS管组合成的CMOS的如何应用在电路中
CMOS的逻辑门如何应用在电路中 前言 在如今的电子电路中，CMOS逻辑门有着接近零静态功耗和超高集成度的特点，是数字电路不可或缺的存在。其独特之处在于PMOS与NMOS晶体管的互补设计：当输入低电平时，PMOS导通实现电流上拉；输入高电平时，NMOS导通完成信号下拉。两种晶体管交替工作，构成无直流通路的完美配合。合科泰采用的沟槽屏蔽栅工艺优化了晶体管性能，让CMOS互补管在开关切换的电路降低，满
CMOS
厂商投稿 . 2025-06-20 1 2 1205
企业英飞凌CoolMOS™ 8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
英飞凌为电源管理解决方案领域领导者光宝科技提供600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS™ 8提供了一体化解决方案，将优化光宝科技新一代技术在现有及未来服务器应用与数据中心设计中的性能。 英飞凌CoolMOS™ 8为优化服务器应用而设计 英飞凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8产品引领着高压超结M
英飞凌
英飞凌官微 . 2025-06-17 960
技术 | SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
安森美 cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。
碳化硅
安森美 . 2025-06-13 1 1 1295
纳祥科技双N沟道MOSFET NX7010，兼容替代AP20H03DF用于智能小家电
纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时，两个MOS管都处于导通状态，电流从N1的源极流向N2的漏极，再从N2的源极回到N1的漏极。纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压
纳祥科技
深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-06-13 885
产品 | 碳化硅MOSFET：提升安全、稳健且可靠的电源开关性能
面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。这些器件具备出色的RDS(on)温度稳定性、超快的开关速度以及超强的短路耐受性，是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器以及电机驱动的不二选择。 随着X.PAK封装的加入，我们丰富多元的产品系列现包含TO-247-3和4、D2PAK-7和X.PAK封装选项，充分保证能够契合客户的各类需求。这
安世
安世半导体 . 2025-06-12 1 1285
产品 | 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-06-11 720
MOS管在电动牙刷中的应用分析
电动牙刷的电机驱动与电源管理系统中，MOS管作为核心功率开关器件，直接决定了产品的效率、续航及可靠性。合科泰电子针对旋转式与声波式电动牙刷的不同需求，通过SGT工艺MOS管（如HKTQ50N03）与超结MOS（如HKTD80N06）的差异化应用，解决了传统方案中导通损耗高（RDS(on)≥10mΩ）
电动牙刷
厂商投稿 . 2025-06-09 2 775
方案 | 高能效时代，安森美PowerTrench® MOSFET如何让光伏逆变器 “轻装上阵”？
随着全球对可再生能源需求的快速增长，光伏系统的效率与可靠性成为行业关注的焦点。 安森美（onsemi） 提供多种MOSFET方案，助力光伏逆变器厂商实现更高性能、更紧凑的系统设计。 利用领先的 T10 MOSFET 实现卓越设计 安森美先进的PowerTrench®MOSFET解决方案，专为高能效、高性能和紧凑型光伏逆变器而设计。我们领先的屏蔽栅级沟槽型功率MOSFET技术最大限度地减少了开
安森美
安森美 . 2025-05-28 870
产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。 四款新器件是首批采用小型表贴DFN
东芝
东芝半导体 . 2025-05-21 1060
产品 | Vishay推出新款Gen 4.5 650V E系列功率MOSFET
新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率。
MOSFET
Vishay . 2025-04-16 1410
产品 | 导通电阻再创新低，东芝新款MOSFET引领锂电池保护电路新趋势
随着全球对电动化、智能化和便携式设备需求的不断增加，锂离子电池作为主流能源来源，已成为各类消费电子产品和电动工具的核心。在这一发展过程中，锂离子电池的保护电路正面临着更高的要求。特别是在快充技术日益成熟的今天，如何实现高效的电池管理，确保电池在高负载条件下的安全性和稳定性，成为设计者亟待解决的关键问题。 MOSFET作为电池管理系统的重要元件，其性能的提升直接影响到整个系统的功效和稳定性。东
东芝
东芝半导体 . 2025-04-14 1240
新能源汽车IGBT模块中MOS管的关键作用
随着新能源汽车技术的普及，对电力控制系统IGBT的需要也随之提升，自2020年IGBT全球短缺以来，国产替代IGBT研发制造兴起，目前多数企业依赖外购品牌加部分国产替代方案。今天咱们重点讲讲新能源汽车IGBT中的关键分立器件——MOS管，到底是如何促进IGBT的电力控制。
新能源汽车
厂商投稿 . 2025-03-27 2980
产品 | 一键概览罗姆MOSFET，了解产品优势与技术亮点
高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。 罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-03-26 1695
产品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
MOSFET
罗姆半导体集团 . 2025-03-12 1125
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。 这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴
SiC
瞻芯电子 . 2025-03-11 1 1990
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