技术 | 脉冲IV测试在MOSFET器件表征中的应用与实现
在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。 相比连续直流测试，脉冲测试通过在极短时间内施加激励，可显著降低器件自发热（焦耳热）对测量结果的影响，从而更准确地表征器件的本征特性。这一优势使脉冲测量被广泛应用于纳米器件、功率器件及晶圆级测试等场景，
MOSFET
泰克科技 . 2026-05-06 609
SiC碳化硅产品选型参考：充电桩与光伏应用
前言 随着新能源行业的快速发展，SiC碳化硅功率器件在充电桩、光伏逆变器等领域的应用日益广泛。对于工程师和采购人员而言，如何在众多型号中快速匹配到适合的产品，是日常选型工作的核心需求。本文梳理合科泰SiC产品线，从二极管到MOSFET，帮助您快速定位适配型号。 选型时关注的核心参数 在SiC器件选型中，以下几个参数是决定性因素： 电压等级：主流应用集中在650V和1200V。650V适用于输入
碳化硅二极管
厂商投稿 . 2026-04-27 539
储能系统中的功率器件：MOSFET与电阻的应用
进入2026年第二季度，储能产品出口表现依然强劲。无论是大型储能电站还是便携式户外电源，储能设备正在从工业场景逐步走向普通消费者的日常生活。这些设备能够高效稳定运行，离不开一类关键元器件：功率器件。在储能系统内部，MOSFET和电阻分别扮演着核心开关与辅助测量的角色，它们的选型直接关系到系统的效率、发热控制和长期可靠性。 储能核心模块 一台储能设备的内部通常由几个核心模块组成：电池管理系统（B
储能系统
厂商投稿 . 2026-04-20 490
600V MOSFET替代选型的七个关键检查项
在电源设计、LED驱动以及逆变器等产品的量产维护过程中，MOSFET的稳定供应直接决定了产品能否持续供货。当原有设计方案面临进口器件交期延长、价格波动甚至停产的风险时，寻找可靠的国产替代方案已成为工程师的核心技能。合科泰基于功率器件研发经验，整理出600V高压MOSFET替代选型中需要重点关注的七个检查项。 一、耐压等级与安全裕量 600V等级的MOSFET主要应用于AC-DC电源、PFC升压
MOSFET
厂商投稿 . 2026-04-15 644
合科泰MOSFET选型指南：7N60与7N65的核心区别及替换原则
前言 在MOSFET选型过程中，工程师经常遇到一些疑问，如型号为7N60和7N65的器件究竟有什么区别，以及能否直接相互替换。从命名规则来看，7N60和7N65中的“7N”代表电流规格为7A，而“60”和“65”分别表示耐压等级为600V和650V。两者最核心的差异就在于漏源电压相差了50V。 除此之外，合科泰的规格书显示，这两款产品的栅源电压均为±30V，连续漏极电流均为7A，栅极阈值电压均为2
MOSFET
厂商投稿 . 2026-04-09 889
800V快充时代来临，国产超结MOSFET如何成为“压舱石”？
前言 2026年，新能源汽车的补能革命已进入深水区。随着搭载800V高压平台的新车型，从豪华领域快速下探至10-20万元的主流市场，一场由电压等级跃升引发的产业链变革正在加速。 数据显示，2026年第一季度，800V车型的市场渗透率已突破10%，预计到年底将覆盖超三成的新上市纯电车型。相比传统的400V平台，800V架构在理论上能将快充时间缩短一半以上，系统综合效率提升3-4%，其带来的体验优势不
合科泰
厂商投稿 . 2026-04-02 1204
应对户外电源DC-DC严苛挑战：合科泰高匹配度MOS管选型指南
户外电源的爆发对内部的DC-DC模块提出了更高效率和体积的要求，如Type-C快充、太阳能MPPT。这些挑战最终都落在核心功率开关器件MOS管的性能与稳定性上。合科泰解析60V至150V耐压的MOS管，如何通过优化的电气参数与封装工艺，精准匹配DC-DC模块设计中面临的各种苛刻条件。 Type-C快充模块的器件需求 现代户外电源普遍集成Type-C PD快充功能，支持5V至20V宽范围输出。在10
户外电源
厂商投稿 . 2026-03-26 791
产品 | 为 AI 与超充 “降温”！ 爱仕特 1200V 30mΩ TOLT SiC MOSFET 正式量产，全兼容 TOLL
创新驱动发展 AI 算力爆发、快充功率升级，高功率密度设计正面临四大核心难题：散热瓶颈难突破、PCB 空间不足、多管并联热串扰、改板升级成本高。 对电源工程师而言，底部散热器件让 FR4 板材成了 “保温层”，热过孔加再多也压不住结温；多管并联的寄生振荡、热不均，又不得不牺牲性能妥协 —— 这些行业痛点，正是顶部散热封装的核心价值所在。 依托成熟的 1200V SiC MOSFET 芯片
爱仕特
深圳爱仕特科技有限公司 . 2026-03-23 1113
产品 | 专为AI服务器电源优化，25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装
新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。 日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS
AOS
AOSemi . 2026-03-18 1484
企业 | Vishay、新洁能、捷捷微电、华润微、宏微5家企业发布涨价函，功率器件成涨价重点区域
近期，全球半导体产业链上游核心金属材料价格剧烈波动，铜、银、锡等关键原材料价格大幅攀升，导致晶圆制造、封测等环节成本持续走高。在这样的行业背景下，多家国内外功率半导体企业相继发布涨价通知函，对旗下产品价格进行调整，以应对不断增加的综合成本压力。 Vishay-Siliconix 上调 MOSFET 与 ICs 价格 作为全球知名的半导体厂商，Vishay-Siliconix 在 2026 年 2
涨价
芯查查资讯 . 2026-02-26 3 2 4277
合科泰工业级MOSFET的关键参数解读与选型陷阱
前言 在工业电源、电机驱动及照明等应用中，功率MOSFET的选型直接影响系统的效率、温升与长期可靠性。一个常见的误区是仅依据单一参数进行选择，而忽略了参数间的相互制约及其在实际工作条件下的变化。合科泰旨在分析Vds、Rds(on)、栅极电荷Qg及安全工作区SOA等关键参数在工业应用中的综合影响，并提供系统的选型考量要点。 关键参数的综合影响分析 功率MOSFET的参数并非独立，需在具体应用背景
MOSFET
厂商投稿 . 2026-02-02 1 1561
产品 | 芯迈半导体发布第二代80V SGT MOSFET：性能对标国际竞品，推动高端MOSFET国产化进程迈出重要一步
芯迈半导体正式发布其第二代80V SGT MOSFET产品线。该系列产品在关键性能指标上不仅全面超越第一代产品，更达到国际一线品牌同等水平，为中国功率半导体产业实现"弯道超车"提供了有力支撑。 技术背景与市场机遇 2008年，屏蔽栅技术（SGT）商业化以来，SGT MOSFET凭借其极低的导通电阻、优异的开关特性以及较低的制造成本，在工业驱动、电源管理、汽车电子等领域获得广泛应用。据市场研究数据显
芯迈
芯迈半导体 . 2026-01-23 1 2338
产品 | 新洁能250V超快反向恢复SGT MOSFET产品介绍
在通信、电机控制、工业电源等硬开关应用场景中，功率MOSFET的反向恢复特性对系统效率及可靠性有着重要影响。功率MOSFET反向恢复电荷大，将导致系统效率低、电压尖峰高等一系列问题，制约系统朝向高性能、高可靠性的进一步发展。新洁能推出具有超快反向恢复特性的250V SGT 功率MOSFET NCEP025S90T，相比上代产品显著降低了反向恢复电荷，为高性能、高可靠性要求的硬开关应用提供更优选择。
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2026-01-21 2842
新品推荐 | 罗姆针对AI服务器推出宽SOA范围MOSFET
随着AI技术的爆发式发展，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其是在热插拔电路中，能够应对浪涌电流和过负载、实现稳定运行的宽SOA（Safe Operating Area，安全工作区）范围功率MOSFET至关重要。 由于AI服务器的电能消耗越来越大，为了节省能耗，AI服务正在加速向电源转换效率更高的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电
罗姆
芯查查 . 2026-01-12 3 2303
MOSFET在48V轻混系统电源管理中的应用解析
引言 随着全球汽车电动化浪潮的加速，48V轻混系统（MHEV）凭借其高效、低成本的优势，正成为传统燃油车向纯电动汽车过渡的重要技术路径。48V轻混系统通过集成BSG（皮带启动发电机）、DC-DC转换器、电池管理系统等核心部件，实现了发动机启停、能量回收、助力加速等功能，可助力整车油耗大幅降低。合科泰将系统阐述MOSFET在48V轻混系统电源管理中的关键。 系统组成与MOSFET在其中的作用 一
电源管理
厂商投稿 . 2026-01-12 1617
技术 | 英飞凌CoolMOS™ 8为长城电源的电源技术系统性能优化树立了新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司凭借其硅基功率MOSFET技术CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓越的性价比。 英飞凌CoolMOS™ 8全系封装产品 英飞凌的
英飞凌
英飞凌官微 . 2026-01-08 1 1379
产品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件
CoolSiC™ MOSFET 400V与440V 第二代器件 CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电源、电机控制、可再生能源与储能系统以及D类音频放大器等功率
英飞凌
英飞凌工业半导体 . 2025-12-31 3 3045
破解MOS管高频振荡困局：从米勒平台抑制到低栅漏电容器件选型
MOS管（场效应管）的本质在栅极（G）电压对漏极（D）与源极（S）间导电沟道的精准控制，作为开关器件成为电子应用的核心。原理是当栅源电压（Vgs）超过阈值电压（Vth），沟道形成，电流流通。在实际应用，根据沟道载流子类型分为N沟道（电子导电）和P沟道（空穴导电）。合科泰为您讲解MOS管的核心应用及选型防护。 核心应用：高速开关与信号放大 MOS管在数字电路当中，有着高效通断的特性，优势在于其高速开
高频电路
厂商投稿 . 2025-12-24 2583
充电桩 | 100kW充电模块核心：SiC MOSFET主导下的效率革命
重点内容速览： 1. 100kW充电模块主要供应商 2. 100kW充电模块的核心技术与功率器件 3. 100kW充电模块主要功率器件及供应商 随着电动汽车（EV）市场的迅猛发展，特别是800V及更高电压平台电动汽车的渗透率越来越高，直流快充桩功率不断提升，从早期的120kW向360kW，甚至是兆瓦级演进。今年比亚迪、华为和极氪纷纷推出兆瓦级充电桩。道通科技则面向欧洲商用车市场，推出了Maxi
充电桩
芯查查资讯 . 2025-12-22 1 13 8382
厂商MOSFET在无人机电路系统中的关键应用与选型策略
无人机性能的持续突破，其核心驱动力之一在于关键电子元件的创新。作为电路控制的“执行单元与信号通路”，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的开关效能、导通特性及功率密度，直接塑造了无人机的续航表现、动力响应速度以及整体可靠性。针对无人机系统的三大核心电路模块——电源管理、电机驱动与信号切换，合
无人机
厂商投稿 . 2025-12-19 1 2450
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