电源设计趋势逐渐转向GaN晶体管
经过大量实践检验，已被证明安全可靠的硅MOSFET已经成为电源电路设计的中流砥柱，但随着基于氮化镓的最新功率器件技术的发展，电源设计的趋势正逐渐转向GaN晶体管。 硅功率MOSFET电源晶体管多年来一直是电源设计的中流砥柱。时至如今，尽管硅MOSFET仍被广泛使用，但在某些新的设计中，氮化镓(GaN)晶体管已经开始逐渐取代硅MOSFET。随着GaN技术的最新发展，再加上经过大量优化的GaN器件和驱
MOSFET
未知 . 2018-08-06 945
输出电流的控制和感测基础
随着微处理器对电力电子控制能力的增强，管理负载电流益发行之有效，而不再是不堪的恶梦。在本文中，我们从基本的输出电流控制和感测开始，然后介绍一种智能负载管理产品。 输出电流控制技术随半导体开关的进步而发展。对大多数负载管理电路来说，MOSFET晶体管正在迅速取代继电器成为所选择的开关技术。有两种方法可将MOSFET晶体管插入到电路中： 作为高侧P沟道开关 作为低侧N沟道开关 对两种MOSFET晶体管
MOSFET
未知 . 2018-05-31 695
对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案
电动工具中直流电机的优先配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更有效的无刷直流（BLDC）解决方案。典型的诸如斩波器配置的有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用（或不使用）实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三个半桥或至少六个场效应管（FET），因此从有刷电流转向无刷电流意味着全球电动工具FET总区域市场的3倍到6倍倍增（见图1）。作为推动TI的Ne
BLDC
德州仪器 . 2017-06-06 1330
门极驱动器为SiC-MOSFET模块提供全面保护
1、SiC-MOSFET模块 如今，对高效的功率能量转换的需求催生了全SiC-MOSFET模块，它由并联的SiC-MOSFET和SiC二极管芯片组成。在参考文献［1， 2， 3， 4］中，专门介绍了Mitsubishi Electric的1200V/800A全SiC-MOSFET模块FMF800DX-24A，该模块适合几百kW级别的大功率应用。有了这款功率模块，设计者将能够实现100 kH
ti
PI电源芯片 . 2016-11-16 1015
精华！兼容路创和Leviton调光器的LED灯丝灯解决方案
历经2015年LED照明市场的沉浮发展，灯丝灯成为市场关注的焦点。今天，小编为大家带来的是：晶丰明源高性价比灯丝灯可控硅调光解决方案。 BP3216灯丝灯可控硅调光方案解决了哪些灯丝灯调光应用面对的问题呢？ 1、体积要小，成本要低E26/E27限制了驱动电路的体积大小，要求灯丝灯解决方案体积小，成本低。BP3216采用开环峰值电流控制，控制方式简单，不同输出规格，采用相同的电路结构，只
LED灯丝灯
晶丰明源 . 2016-05-25 1035
MOSFET工艺突破：普通塑料片上打造高性能晶体管
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UW Madison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。 研究人员称，这项突破性的纳
印刷线路板
Gizmag . 2016-04-30 805
专家分享：高效高可靠LED驱动设计的心得
一、不要使用双极型功率器件 DougBailey指出由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，因为随着LED驱动电路板温度的提升，双极型器件的有效工作范围会迅速缩小，这样会导致器件在温度上升时故障从而影响LED灯具的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的使用寿命要
功率器件
我爱方案网 . 2014-05-12 950
恩智浦推高整合LED驱动器 应对MOSFET缺货
半导体业者竞相开发高整合度发光二极体（LED）照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延的窘境，因此晶片商正加紧发表整合高压MOSFET的LED照明驱动IC方案，让LED照明系统客户免于高压MOSFET缺货之苦。 恩智浦区域市场总监王永斌表示，调光与非调光LED驱动IC和LED灯具的谐振控制器皆需要高压MOSFET，因此恩
LED驱动
新电子 . 2012-12-03 980
IGBT 系统设计详解
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不
双极型器件
本站整理 . 2012-03-06 915
MOSFET Pass Element Yields 100
In terms of low RON, the best pass transistor for a low-dropout, posiTIve-voltage regulator is an N-channel MOSFET. All such commercially available regulators, however, use bipolar PNP pass transistor
MOSFET
转载 . 2009-04-30 610
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