应对人工智能数据中心的电力挑战
国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022 年数据中心的耗电量约占全球总用电量的 2%，达到 460 TWh 左右。如今，加密货币和人工智能/机器学习 (AI/ML) 等高耗能应用方兴未艾，而这些技术中通常需要部署大量的高性能图形处理单元 (GPU)。因此，数据中心耗电量仍将不断攀升。 人工智能应用的扩展速度令人震惊。ChatGPT 上线仅 5 天，用户数量就达到了 100 万，并在 2 个
安森美
安森美 . 2024-06-24 1 3400
前排围观 | 碳化硅外延层RDS（ON）与VDS（max）的设定究竟有多讲究
碳化硅器件的漏电流更小且带隙更大，可以在更宽的温度范围内工作，并且具有化学惰性，这些优点进一步巩固了SiC在电力电子领域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC功率器件目前已广泛用于众多应用，例如电源、纯电动车电池充电的功率转换和主驱、工业电机驱动、太阳能和风能逆变器等可再生能源发电系统。 一些情况下，我们需要碳化硅具有非常纯的与衬底有相同晶体结构表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这就要
SiC
安森美 . 2023-03-10 8 4800
【千家计划】微碧半导体：高起点，高品质，快发展
近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等领域应用需求的增长，场效应管产品得到了快速发展，功率场效应管更是备受关注。作为一家成立近二十年的半导体企业，深圳市微碧半导体有限公司一直立足于场效应管MOSFET领域，在成立初期就用前瞻性的决策与台积电等国际一流制造和封装企业合作，占领了行业高位。随后，又通过不断优质的产品和服务一步步形成势能，赢得了大批中高端制造企业的认可，拓宽着自己的市场和机会
千家计划
芯闻路1号 . 2022-11-28 13 62 6407
闻泰安世半导体推出用于热插拔的全新特定型应用 MOSFET (ASFET)，SOA 性能翻倍
11 月 19 日消息，闻泰科技旗下基础半导体器件厂商 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将领先的增强安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on) 相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 图片来源：安世半导体 Nexperia（安世半导体
安世半导体
芯闻路1号 . 2022-11-20 2 2960
MOSFET库存压力大 封测稼动率Q3下滑至6成
基础功率元件金氧半场效电晶体(MOSFET)Q3市况急转直下，中低压MOSFET量能明显缩水，特别是NB/PC、3C消费电子领域出现明显高库存压力，封测业者透露，近期数周客户预估量变动频繁，虽然封测代工(OSAT)厂普遍本身没有库存压力，但稼动率将决定营运表现。 功率元件封测业者坦言，8月中下旬后，部分厂商稼动率也从先前预估的8成，一口气滑落至6成多，部分OSAT业者原本双位数百分比成长目
MOSFET
芯闻路1号 . 2022-09-02 1802
清纯半导体推出车用SiC MOSFET产品，已通过车企及tier1厂商测试
据清纯半导体官方消息，公司正式推出1200V/14mΩ SiC MOSFET产品S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。 据悉，S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，其静态导通特性和动态开关特性均达到了国际一流水平，可应用于新能源汽车电机控制器、大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等领域。 公开资料显示，清纯半导体成立于2021年3月，是国内领先的碳化硅功
清纯半导体
芯闻路1号 . 2022-08-30 2409
豪威发布业内最低内阻双 N 沟道MOSFET
6 月 28 日消息，MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关，近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。 据官方介绍，双 N 沟道增强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻，RSS (ON) 低至 1mΩ，专为手机锂电池电路保护设计。WNM
豪威
芯闻路1号 . 2022-06-28 2277
豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低 Rss(ON)，专为手机锂电池保护设计 近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦
MOSFET
豪威集团 OmniVision . 2022-06-28 2011
简单介绍MOSFET的原理
MOSFET 简介 MOSFET就是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。 以N沟道增强型NMOSFET为例，用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极
MOSFET
零是起源 . 2022-04-11 3777
国内主要的功率半导体IGBT、MOSFET厂商盘点（附图）
汽车产业正在加速从传统汽车向新能源汽车和智能汽车发展，而汽车电子化程度的提升，功率半导体首先受益。 功率半导体是实现电能转换的核心器件，可以处理高电压、大电流能力，主要用途包括逆变、变频、变压功率管理等。可以简单理解为，功率半导体是电能转化与电路控制的核心。随着未来电气化程度的加深，功率半导体的市场也会愈发广阔。 据统计，功率半导体在传统燃油车单车的价值量达 87.6 美元，在新能源汽
功率半导体
芯闻路1号 . 2022-03-15 2 6 6739
消费电子市场趋于平稳，MOSFET的新增长点在哪里？
MOSFET是各种中低功率电源应用中的关键元件。由于市场对消费电子产品的高需求，2021年MOSFET经历了高成长的一年，然而，机构分析认为，消费电子对MOSFET的营收贡献将会下降，原因是人们对电子设备的需求随着疫情影响消退而降低。 取而代之的是，汽车辅助驾驶系统和电动化推动对功率MOSFET的需求，电机驱动低压MOSFET需求，而电气化推动高压MOSFET需求，后者被用于DC/DC转换
汽车
芯闻路1号 . 2022-03-11 10 4316
提高迟滞，实现平稳的欠压和过压闭锁
作者：ADI 公司 高级应用工程师，Pinkesh Sachdev 电阻分压器可将高电压衰减至低压电路能够承受的电平，且低压电路不会出现过载或损坏。在功率路径控制电路中，电阻分压器有助于设置电源欠压和过压闭锁阈值。这种电源电压验证电路常见于汽车系统、便携式电池供电仪器仪表以及数据处理和通信板中。 欠压闭锁（UVLO）可防止下游电子系统在异常低的电源电压下工作，避免导致系统故障。例如，当
adi
厂商供稿 . 2021-11-05 1700
马来西亚强化管制令致IDM厂停工，MOSFET Q3价格或再涨1-2 成
据台媒报导，受疫情影响，马来西亚近日实施更强硬的「强化行动管制令」，当地 IDM 大厂皆被迫停工，据悉，IDM 均已通知客户交期延长至少 2 周以上，MOSFET 供给缺口将再扩大，业界预期，受各家抢料及晶圆成本上涨，MOSFET 第三季价格可望再涨价 1-2 成。 ON Semi 日前公告，Seremban、ISMF 两地工厂均已全数关闭，也正与当地政府协调，期望将工厂列入可维持 60% 人力生
MOSFET
中国闪存市场 . 2021-07-12 1196
Nexperia新8英寸晶圆生产线启动，首批产品具有行业内极低的Qrr品质因数（RDS（on）x Qrr）
新生产线提高了产能，力求满足及时供应。 奈梅亨，2021年6月24日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF （100 V）和PSMN3R5-80YSF （80
Nexperia
厂商供稿 . 2021-06-28 1568
消息称英飞凌将调涨MOSFET售价，涨幅约12%
据外媒报导，英飞凌正在酝酿新一轮价格调涨，还有多家功率半导体厂近期都将发布涨价通知。 报导指出，目前市场对于二极管、晶体管、低中高压MOSFET、IGBT等功率半导体产品的需求依旧旺盛，部分进口产品的交期长达52周，英飞凌计划自本月中旬起调涨MOSFET售价，涨幅约12%。
英飞凌
中国闪存市场 . 2021-06-16 1678
Vishay推出先进的30V N沟道MOSFET，进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
器件采用PowerPAK® 1212‑8S封装，导通电阻低至0.95 mW，优异的FOM仅为29.8 mW*nC 宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
Vishay
厂商供稿 . 2021-05-26 1390
用功率MOSFET制作线性放大器有何风险？
多年前，RudySeverns曾参加国际整流器(InternaMOSFET。当时这条产品线还相当新，根据笔者的记忆，大约是在1981年左右。那时候，Severns担任IR外部顾问及发言人。 Severns介绍了Hexfets如何为开关模式电源(SMPS)做出了出色的贡献。但他明确建议，对于制造线性放大器或用于任何其他非饱和业务，选择Hexfets都可能引起麻烦。因为会发生以下两个问题： 1.Hex
开关模式
电子技术设计 . 2021-04-15 1295
通过Buck降压调光驱动器的数字调光闪烁方案
在低压调光应用领域，通常会采用Buck降压调光驱动器，具有高效率、高集成度和低成本等优势。对于Buck降压调光驱动器，存在High-sideBuck和Floa电感串联。相比Floa短路到地的工况，可以完成有效保护，可靠性更高。 图1：High-sideBuck和FloaMOSFET，线路中存在BOOT电容。在每次二极管导通过程中，芯片内部路径会对BOOT电容充电。在输入和输出压差较低、调光频率较低
滤波电感
电子元件技术 . 2021-03-14 1435
使用MOSFET和额外的肖特基二极管的电路设计可最大限度地减少干扰
在负载点（POL）降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。 但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电
二极管
ADI亚德诺半导体 . 2020-11-09 1445
基于ADC进行数字控制的低噪声APD偏置电路实现案例
该电路产生并控制光通信中雪崩光电二极管（APD）的低噪声偏置电压。该可变电压通过控制APD的雪崩增益，优化光纤接收器的灵敏度特性。该电路采用低噪声、固定频率PWM升压转换器，带有一个工作在非连续电流模式的电感。内部MOSFET的低开关速率降低了高频电压毛刺，降低了噪声。本文给出了完备的电路，建议采用扩展电路。扩展电路采用ADC进行数字控制，允许微控制器读取热敏电阻的值、并根据查找表进行温度补偿。
光电二极管
博客园 . 2020-08-08 1230
- 1
- 2
- 3
- 4