• 合科泰MOS管在低功耗DC转换器中的应用

    随着便携电子设备、智能可穿戴设备和物联网终端等设备的普及,对电源的需要也越来越普遍,而影响电源效率的低功耗DC转换器成为了重点。合科泰生产的MOS管为高效电源提供了应用方案,以此提升设备系统整体的能效,以及运行的可靠性。以下合科泰为您详细讲解MOS管在低功耗DC转换器中的实际应用价值。 ‌   工作原理 DC转换器是一种把直流电压高效转换为另一种直流电压的设备,通过电子器件的开关实现转换,目前广泛

    DC转换器

    厂商投稿 . 2025-11-11 1442

  • 技术 | MOSFET的三重防护(1)

    MOSFET的Drain(漏极)、Source(源极)、G(栅极)三个引脚,其两两之间都可以用TVS来做过压保护。 VGS的保护(TVS1) MOSFET的规格书中对于VGS都会有限定的电压范围。在实际应用中,VGS可能会由于ESD或者瞬态浪涌等影响而超过限定值,即使时间很短也有可能会导致栅极氧化层的损坏,从而导致MOSFET失效。 上述MOSFET规格书的例子中,VGS稳态电压的范围是±20V,

    Littelfuse

    Littelfuse . 2025-11-05 3094

  • 企业 | 顶住酷暑,熬过严寒!泰科天润碳化硅SBD和MOSFET历经充换电多场景、长寿命的严苛考验,展现出国产芯片的高可靠性

    从南国云南到内蒙古矿区,从东海宁波到香港特别行政区,由泰科天润自主研发的碳化硅功率器件,正在全国各地充换电设施中稳定运行,见证着国产芯片在技术上有重大突破。    在云南一座繁忙的重卡换电站,重型卡车有序驶入,短短几分钟便可完成电池更换,重新投入运输作业中去。这套高效换电系统的核心电源模块,正是采用了由泰科天润自主研发的碳化硅功率器件和超级充电解决方案。 与此同时,在内蒙古阿拉善左旗珠拉金矿矿区,

    泰科天润

    泰科天润半导体 . 2025-11-05 4900

  • 企业 | 荷兰安世断供东莞工厂,内部人员:国内还在正常出货!有客户上门“催货”,订单达10多亿元;三家大型代理商最新回应

    一纸来自荷兰的“断供”通知,让全球功率半导体龙头安世半导体(Nexperia)与其位于东莞的封测工厂走向“决裂”。    11月2日凌晨,安世半导体中国有限公司(以下简称安世中国)微信公众号发文称,荷兰安世半导体单方面决定自2025年10月26日起停止向位于东莞的封装测试工厂(ATGD)供应晶圆。 图片来源:安世半导体中国有限公司微信公众号    据第一财经报道,记者来到安世半导体位于广东东莞的封

    安世

    每日经济新闻 . 2025-11-04 2653

  • 方案 | 工控伺服驱动器状态机设计与VBP165R47S MOSFET保护机制详解

    在现代工业自动化控制系统中,伺服驱动器作为核心执行部件,其可靠性和安全性至关重要。本文基于状态图模型,深入分析工控伺服驱动器的工作流程,并重点探讨VBP165R47S功率MOSFET在系统中的关键作用及保护机制。 系统整体状态架构 1. 基础状态流程 伺服驱动器的状态机设计遵循严谨的工业标准,确保系统在各种工况下的稳定运行: 上电初始化流程: PowerOff → Standby → Ready

    微碧

    微碧 . 2025-11-04 1519

  • 方案 | 全球第一款机器人管家即将走进现实世界-机器人管家不在科幻

    还记得科幻电影里那个能帮你打理一切家务的机器人伙伴吗?它或许不再是遥远的梦想了。由OpenAI、英伟达和三星等科技巨头支持的机器人公司1X宣布,其首款面向消费者的人形机器人Neo正式开放预订。这标志着全球第一款真正能走入家庭、处理杂务的通用型人形机器人,即将从实验室走进我们的客厅。 从展示到实干:机器人技术的分水岭 过去的机器人演示,总离不开跳芭蕾、翻跟头等程式化表演。但Neo的使命截然不同:它生

    微碧

    微碧 . 2025-11-04 4732

  • 企业 | 反转!安世中国称荷兰安世半导体目前欠付东莞厂10亿

    11月2日,安世中国发布致客户公告函称,荷兰安世半导体单方面决定自2025年10月26日起停止向位于东莞的封装测试工厂(ATGD)供应晶圆。    据公告称,荷兰安世半导体所谓“当地管理层近期未能遵守约定的合同付款条件”完全是无中生有,恶意抹黑安世中国管理层。 不仅安世中国不存在违约行为;恰恰相反,荷兰安世半导体目前欠付ATGD的货款高达10亿元人民币。    荷兰安世半导体相关管理层在决策过程中

    安世

    半导体芯情 . 2025-11-02 1988

  • 技术丨电动摩托车电驱解决方案

    在全球交通变革浪潮中,电动摩托车凭借零排放、低噪音的环保优势,正成为城市通勤与户外探险的新宠。与传统燃油车外形相似,却以电池储能、电机驱动、智能电控三大系统为核心,彻底颠覆了两轮交通工具的动力逻辑。其电力驱动系统采用高效轴传动设计,结构更简洁,密封性强、寿命更长,尤其适合高端及越野车型。现代电机技术不仅追求大功率、高扭矩的爆发力,更在运行平稳性与静音表现上不断突破,重新定义骑行体验。   电摩电驱

    电驱系统

    芯迈半导体 . 2025-10-31 1 5789

  • 产品 | ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

    体积更小且支持大功率

    ROHM

    罗姆半导体集团 . 2025-10-22 4837

  • 产品 | 英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

    【2025年10月17日,德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统,以及商用、工程和农用车辆(CAV)等大功率应用场景,正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求,以满足日益提升的性能预期。同时,这些需求也带来了新的设计挑战,例如,如何在严苛环境条件下实现可靠运行,在应对瞬态过载时如何保持稳定性,以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(F

    英飞凌

    英飞凌工业半导体 . 2025-10-17 1 2870

  • 产品 | 圣邦微电子推出 40V 耐压、低导通电阻、高性能的 N 沟道 MOSFET SGMNQ12340

    圣邦微电子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。    SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点,其典型值仅为 13mΩ(VGS = 10V),最大值不超过 18mΩ(VGS = 10V),能有效降低导通损耗。

    圣邦微

    圣邦微电子 . 2025-10-13 2905

  • 产品 | 养生壶爆炸事件背后的MOSFET选型思考 - 从一起安全事故看电路可靠性设计

    前言 一岁孩童全身40%烫伤,养生壶突然爆炸的事故令人痛心。 济南一名网民称,家中使用的养生壶突然爆炸,崩出的碎玻璃砸中一岁孩子,热水造成孩子全身40%大面积烫伤。这起事故不仅是一个家庭悲剧,更为整个小家电行业敲响了警钟。 作为MOSFET厂家,我们深知功率半导体器件作为养生壶等小家电的“心脏”,其选型与可靠性直接关系到用户安全。本文将深入分析养生壶的电路结构,并探讨MOSFET选型如何成为产品安

    微碧

    微碧半导体 . 2025-10-13 3248

  • 产品 | 全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101

    近日,国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET,更以"热传导与电流路径解耦"的核心设计,实现了功率密度与散热效率的跨越式升级,标志着我国在高功率半导体封装技术领域成功跻身国际先进行列。 创新封装,破解高功率散热难题 VBGQTA1101采用的TOLT封装,通过将散热

    微碧

    微碧半导体 . 2025-10-13 3892

  • 技术 | 详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

    功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。    也许,今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一

    ADI

    亚德诺半导体 . 2025-10-10 2436

  • 技术 | 利用主动短路技术将电动自行车安全提升到新高度

    电池供电的电动自行车和电动踏板车为传统摩托车提供了一种可持续且环保的替代方案。许多电动自行车采用较大的 48V 或 36V 电池,在提供充足扭矩的同时支持以更低电流运行。然而,随着市场对大功率电动自行车需求不断增长,设计人员和制造商面临着确保安全与可靠的重大设计挑战。    电动出行系统的核心架构是低压牵引逆变电机,可在正常骑行时辅助蹬踏,并在上坡时减轻骑行者负担。通常位于车轮处的电机能将电能转化

    电动自行车

    德州仪器 . 2025-10-09 3017

  • 功率MOS管在电源管理场景下的发热原因分析及其优化建议

    功率MOS管在工作过程中不可避免地会产生热量,导致温度升高。当MOS管温度过高时,不仅会降低系统效率,还可能导致器件性能下降、寿命缩短,甚至引发系统故障。合科泰带您深入理解功率MOS管在电源管理场景下的发热原因,助力工程师优化电源设计、提高系统稳定性。

    MOSFET

    厂商投稿 . 2025-09-02 3458

  • 三款新品驱动工业新效能!采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管

    产品介绍 合科泰新推出三款新品,均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K,一款肖特基二极管型号为MBRD20150CT。MOSFET产品采用沟槽工艺技术和高密度单元设计,具有较低的导通电阻、较低的栅极电荷和宽温的特性,可明显地降低导通以及开关损耗,这让MOSFET具备了很高的电流承载能力。非常适用在适配器、逆变器、电机驱动、BMS、LED电源、电动工具等应用

    MOSFET

    厂商投稿 . 2025-08-21 2800

  • 技术丨高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

    随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高,功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿,为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里,我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战,并探讨一些行业用例。 GaN和Cascode D-Mode架

    瑞萨

    Renesas瑞萨电子 . 2025-07-24 1 4249

  • 产品 | 2153X系列 600V 自震荡半桥 MOSFET/IGBT驱动芯片

    2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作电压可达600V。内置死区保护电路,可以有效防止高低侧功率管直通。2153X全系列内置自举电路,可以简化芯片外围电路。   产品特性 ● PIN2PIN替换Infineon IR2153(1)(S/D)、IRS2153(1)D(S)PbF ● VCC、VB双欠压

    新洁能

    无锡新洁能股份有限公司 . 2025-07-24 1 3101

  • 产品 | 圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330

    MCU行业翘楚发布全新产品,满足性能与小型化需求,提供专为电机控制优化的外设

    圣邦微

    圣邦微电子 . 2025-07-10 2765