技术 | 为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
碳化硅JFET 的增强性能使其在用于人工智能数据中心、储能和直流快充等 AC-DC 电源单元中实现更高的效率。随着对更高功率密度和更紧凑外形需求的增加，安森美SiCCascode JFET 能够实现更小、更轻和更低成本的终端设备。
碳化硅
安森美 . 2025-03-11 1 1140
产品 | 新洁能宽SOA MOSFET HO系列
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出HO系列MOSFET产品，优化了SOA工作区间，可满足热插拔、缓启动、电子保险丝、电机驱动、BMS等具体电路应用要求。产品通过优化器件结构设计、采用特殊的工艺制程，解决了高功率场景下效率、热管理与可靠性的平衡难题。 核心技术优势 1.超强线性区短路电流，短路能力实测对比 使用宽SOA HO系列代
MOSFET
无锡新洁能股份有限公司 . 2025-03-03 1515
从汽车到AI数据中心，安森美MOSFET助您轻松拿捏
安森美（onsemi）凭借其创新的MOSFET技术，为汽车、工业以及人工智能数据中心等多个行业提供了强大的支持。一起了解安森美最新的T10 MOSFET技术，以及采用Top Cool封装的功率MOSFET如何重新定义性能标准。 利用领先的 MOSFET 实现卓越设计 安森美先进的PowerTrench® MOSFET解决方案，专为满足对高能效、高可靠性和紧凑型设计不断增长的需求而设计。无论您是为汽
汽车电子
安森美 . 2025-02-26 3 2 2335
开关性能大幅提升！M3S 与M2 SiC MOSFET直观对比
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低，提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真，评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。👉第一篇介绍Si
安森美
安森美 . 2025-02-21 3 2 2320
利用解决方案供应商的优势加速自主移动机器人开发
自主移动机器人（AMR）是一种复杂的系统，与自动驾驶汽车有许多共同之处--它们需要感知、电机驱动、电源转换、照明和电池管理。也许最大的挑战是将这些子系统整合到一个最终产品中--由于需要集成来自不同供应商的不同子系统，这一挑战变得更加困难。
AMR
安森美 . 2025-02-19 1285
意法半导体VIPower全桥电机驱动器配备实时诊断功能
VIPower全桥电机驱动器集成保护功能及专用输出状态引脚，简化功能安全及低中功率通用直流电机驱动应用设计。
电机驱动器
厂商供稿 . 2025-02-11 2 1530
意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）
随着全球对可持续发展的关注度不断攀升，以及各国节能减排政策的大力推进，新能源领域展现出了巨大的潜力和广阔的发展空间。功率器件是新能源系统中的关键核心部件。从新能源发电的高效转换，到储能系统的稳定运行，再到电动汽车的动力驱动，都离不开性能卓越的功率器件为整个产业的发展提供着强劲的动力与支撑。 意法半导体为新能源市场提供丰富的功率器件产品组合与解决方案，涵盖 IGBT、高压MOSFET、碳化硅MOSF
ST
意法半导体工业电子 . 2025-02-07 1440
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
与传统机械断开开关相比，固态断开开关之所以具有系统级优势，关键在于碳化硅和功率半导体封装的优势。得益于碳化硅技术，器件现在能够兼具较低的导通电阻和热阻，从而实现许多系统中所需的低导通损耗，同时还可以采用保证高可靠性的材料。
SiC
Microchip . 2025-01-08 2 3 1695
上海贝岭150V SGT新品发布
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件具有极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压Vdss；采用屏蔽栅极结构，器件获得优良的开关性能，使得150V SGT系列产品具有极低的开关损耗。 上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品可广泛应用
上海贝岭
上海贝岭 . 2025-01-03 1480
平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进
随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiC MOSFET技术的进
安森美
安森美 . 2024-12-26 3115
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
新器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 ℃/W的RthJC可优化热性能。
MOSFET
Vishay . 2024-12-04 1 1235
第2代CoolSiC™ MOSFET 400V
CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。 产品型号： ■ IMBG40R011M2H ■ IMBG40R015M2H ■ I
英飞凌
英飞凌工业半导体 . 2024-11-20 1335
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。 当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOS
东芝
东芝半导体 . 2024-11-15 2 2 1385
VBI1322 MOSFET:赋能车身控制模块，提升汽车安全与性能
现代汽车电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种关键的功率器件，其在车身控制模块上的应用正日益展现其重要性。本文将深入探讨MOSFET在这一领域的具体作用及其应用情况，特别是微碧半导体的VBI1322系列MOSFET如何在提升车身控制模块性能上发挥着核心作用。 MOSFET在车身控制模块中的角色 车身控制模块（BCM）是汽车电子系统的核心之一，它负责对车载电气设备和功能进行
微碧
VBsemi微碧半导体 . 2024-11-12 1 1805
德欧泰克的DI110N06D1用于电动坐椅功能
德欧泰克的功率MOSFET DI110N06D1在提升现代牙科椅的性能和可靠性方面发挥着关键作用。 去看牙医不仅仅是例行检查——这是保持健康笑容和整体健康的重要一步。无论你是要洗牙、补牙还是更专业的治疗，去看牙医都有助于在问题成为重大隐患之前进行预防。随着现代牙科护理的进步和对患者舒适度的关注，如今牙科的就诊比以往任何时候都更顺畅、更有效。 德欧泰克的功率MOSFET DI110N06
电动座椅
德欧泰克半导体 . 2024-10-17 1820
如何评估热载流子引导的MOSFET衰退
本文说明描述了如何在Keithley 4200-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。
MOSFET
泰克科技 . 2024-09-19 3765
破局AI数据中心电源的“三高”挑战，全新高效能组合方案提供关键支撑
如何为AI数据中心部署高能效高功率密度的电源方案显得尤为重要，也成为行业亟待破局的一大痛点。
AI数据中心
安森美 . 2024-08-27 2 3210
OBC设计不断升级，揭秘如何适应更高功率等级和电压
消费者需求不断攀升，电动汽车(EV)必须延长续航里程，方可与传统的内燃机(ICE)汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法： 在不显著增加电池尺寸或重量的情况下提升电池容量，或提高主驱逆变器等关键高功率器件的运行能效。为应对电子元件导通损耗和开关损耗造成的巨大功率损耗，汽车制造商正在通过提高电池电压来增加车辆的续航里程。 图1：生产中的电动汽车以及所需的复杂系统 由此，800 V 电池架构越来越普及
安森美
安森美 . 2024-08-15 8131
新品 | 车载Nch MOSFET10种型号、3种封装
非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。
罗姆
罗姆半导体集团 . 2024-08-14 5140
新洁能 Gen.5 Trench MOSFET PMOS 30V 系列介绍
新洁能研发团队持续创新，中低压沟槽型工艺平台推出增强型MOSFETG5系列新品，电压涵盖20-60V系列产品，N型沟道和P型沟道，不同功率级别的众多封装外形系列产品,已在8英寸和12英寸产线成功量产，本次着重推介PMOS 30V产品型号。 G5系列在已有沟槽型工艺平台基础上，芯片具有超高成度，超短沟道长度特点。产品采用超高元胞密度、超小线宽独特设计，使得单位芯片面积内电流密度增加，集成度较
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2024-08-14 5990
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5