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  • 产品 | 英飞凌全新OptiMOS™ 7应用导向型功率MOSFET震撼登场

    产品 | 英飞凌全新OptiMOS™ 7应用导向型功率MOSFET震撼登场

    英飞凌全新OptiMOS™ 7系列带来的新一代能效与性能标杆。用“应用导向”思维把功率MOSFET推向下一代能效巅峰，该产品针对特定应用需求量身定制，为功率MOSFET技术树立全新标准。   OptiMOS™ 7开关优化型功率MOSFET——为云端算力注入冷静基因 专为未来数据中心、服务器与电信设备而生，革新电源管理。 针对硬开关与软开关拓扑专项优化 Source Down封装显著强化散热能力 品

    英飞凌

    英飞凌官微 . 2025-12-12 1 3675

  • 技术 | 安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效

    技术 | 安森美推出新型散热封装技术，提升高功耗应用能效

    顶部冷却（Top-cool）封装为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统带来卓越的散热性能、可靠性及设计灵活性。

    顶部冷却封装

    安森美 . 2025-12-11 1981

  • 应用 | 从西兰花联想到MOSFET在智能农业中的应用：突破季节性限制的技术革命

    应用 | 从西兰花联想到MOSFET在智能农业中的应用：突破季节性限制的技术革命

    传统农业受季节性限制影响西兰花等蔬菜供应，智能温室大棚技术通过环境控制系统实现全年化生产。MOSFET作为核心电子元件，在温度调控、通风、灌溉和光照管理中发挥关键作用，确保精确控制。其应用带来产量提升、资源利用率提高及农药减量等经济效益，并推动功率半导体行业针对农业需求发展专用器件。智能农业技术正促进农业生产向工业化、标准化转型，未来MOSFET将向更高集成度和智能化发展，支撑农业可持续发展。 西

    MOSFET

    微碧半导体 . 2025-12-09 2023

  • 技术 | 保时捷无线充电系统模块分解与MOSFET分析

    技术 | 保时捷无线充电系统模块分解与MOSFET分析

    在电动化浪潮席卷全球的今天，保时捷以其对性能与奢华的不懈追求，将尖端无线充电技术带入量产视野。这套系统不仅是连接电缆的替代方案，更是一套融合了高频电力电子、精密电磁设计、实时通信与安全保障的复杂机电一体化产品。它代表着当前车载大功率无线充电领域的最高技术水平之一。本文将深入剖析其系统架构，并聚焦于核心功率开关器件——MOSFET，详细分析其在不同模块中的应用选型与关键技术要求。 通过分析整个无线充

    MOSFET

    微碧半导体 . 2025-12-09 1862

  • 产品 | Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

    产品 | Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

    新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。      Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。 MMIX1T500N20X4功率MOSFET   

    Littelfuse

    Littelfuse . 2025-12-09 1610

  • 产品 | ST推出高性能700V VIPerGaND/W高压转换器产品

    产品 | ST推出高性能700V VIPerGaND/W高压转换器产品

    在功率电子领域，追求更高效率、更高功率密度和更高工作频率的征程从未停止。传统的硅基功率MOSFET在经过数十年的发展后，已逐渐逼近其材料理论极限。而氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）作为一种宽禁带半导体器件，正以其卓越的材料特性，从物理层面带来了一场革命性的性能飞跃。 材料本征差别 以下列举了硅（Si），碳化硅和氮化镓（GaN）不同的材料特性。 氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材

    ST

    意法半导体工业电子 . 2025-12-05 2380

  • 产品 | “承袭经典解锁新矩阵”高速栅极驱动器AiP4415(R)、AiP4416(R)

    产品 | “承袭经典解锁新矩阵”高速栅极驱动器AiP4415(R)、AiP4416(R)

    栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中，无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器、工业变频器，其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。   AiP4415(R)、AiP4416(R)系列是系列是高速、高性能的1.5A单路栅极驱动器，输出驱动MOSFET和IGBT等功率器件。逻辑兼容CMOS和TTL信号输入且最低电压可达-5V，主要功能为将常压输入转换为高压输出，在

    栅极驱动器

    中微爱芯官网 . 2025-11-28 210

  • 方案 | 从数据中心到电动汽车：意法半导体高压MOSFET的高效能量转换之路

    方案 | 从数据中心到电动汽车：意法半导体高压MOSFET的高效能量转换之路

    高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势，已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高压MOSFET技术研发，以全系列产品与创新方案，为多领域发展注入强劲动力。 意法半导体高压MOSFET工业领域布局 数据中心和5G对更高功率密度系统的需求十分迫切，更高效的拓扑结构也需要定制化技术来支撑；绿色能源发展带动了

    ST

    意法半导体工业电子 . 2025-11-28 2695

  • 方案 | 东芝新型功率MOSFET：藏在芯片里的“效率加速器”，破解电源设计大难题

    方案 | 东芝新型功率MOSFET：藏在芯片里的“效率加速器”，破解电源设计大难题

    数据中心机房内，数十台服务器电源正发出沉闷的嗡鸣——这并非设备平稳运行的正常律动，而是散热风扇因器件高温被迫“超负荷加班”的抗议；工业车间的变频器旁，工程师紧盯着测温仪眉头紧锁：明明已竭力压缩电源体积，可输出功率刚一提升，PCB板就频频触发高温警报。    这正是电源设计领域难解的“三角困局”：既要追求更紧凑的体积，又要提升输出功率，往往就陷入散热失控的困境。而打破这一困局的关键，就是藏在功率半导

    东芝

    东芝半导体 . 2025-11-26 1 2303

  • 产品 | 适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

    产品 | 适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

    全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。 RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-

    ROHM

    罗姆半导体集团 . 2025-11-19 1701

  • 产品丨100V宽SOA MOSFET上市，助力AI服务器热插拔无感升级

    产品丨100V宽SOA MOSFET上市，助力AI服务器热插拔无感升级

    随着AI算力需求爆发式增长，2024–2027年AI服务器市场规模预计激增近6倍，单机功率突破3000W，远超传统服务器的600W水平。在此背景下，48V高压架构成为主流，但热插拔（Hot-Swap）过程中的浪涌电流管理成为关键难题——若未限制电容充能电流，可能导致系统电压骤降甚至器件损毁。    芯迈半导体今日正式发布100V N沟道功率MOSFET SDH10N1P8TA-AA，以1.3mΩ超

    芯迈

    芯迈半导体 . 2025-11-18 2359

  • 合科泰MOS管在低功耗DC转换器中的应用

    合科泰MOS管在低功耗DC转换器中的应用

    随着便携电子设备、智能可穿戴设备和物联网终端等设备的普及，对电源的需要也越来越普遍，而影响电源效率的低功耗DC转换器成为了重点。合科泰生产的MOS管为高效电源提供了应用方案，以此提升设备系统整体的能效，以及运行的可靠性。以下合科泰为您详细讲解MOS管在低功耗DC转换器中的实际应用价值。 ‌   工作原理 DC转换器是一种把直流电压高效转换为另一种直流电压的设备，通过电子器件的开关实现转换，目前广泛

    DC转换器

    厂商投稿 . 2025-11-11 1386

  • 技术 | MOSFET的三重防护（1）

    技术 | MOSFET的三重防护（1）

    MOSFET的Drain（漏极）、Source（源极）、G（栅极）三个引脚，其两两之间都可以用TVS来做过压保护。 VGS的保护（TVS1） MOSFET的规格书中对于VGS都会有限定的电压范围。在实际应用中，VGS可能会由于ESD或者瞬态浪涌等影响而超过限定值，即使时间很短也有可能会导致栅极氧化层的损坏，从而导致MOSFET失效。 上述MOSFET规格书的例子中，VGS稳态电压的范围是±20V，

    Littelfuse

    Littelfuse . 2025-11-05 2940

  • 企业 | 顶住酷暑，熬过严寒！泰科天润碳化硅SBD和MOSFET历经充换电多场景、长寿命的严苛考验，展现出国产芯片的高可靠性

    企业 | 顶住酷暑，熬过严寒！泰科天润碳化硅SBD和MOSFET历经充换电多场景、长寿命的严苛考验，展现出国产芯片的高可靠性

    从南国云南到内蒙古矿区，从东海宁波到香港特别行政区，由泰科天润自主研发的碳化硅功率器件，正在全国各地充换电设施中稳定运行，见证着国产芯片在技术上有重大突破。    在云南一座繁忙的重卡换电站，重型卡车有序驶入，短短几分钟便可完成电池更换，重新投入运输作业中去。这套高效换电系统的核心电源模块，正是采用了由泰科天润自主研发的碳化硅功率器件和超级充电解决方案。 与此同时，在内蒙古阿拉善左旗珠拉金矿矿区，

    泰科天润

    泰科天润半导体 . 2025-11-05 4627

  • 企业 | 荷兰安世断供东莞工厂，内部人员：国内还在正常出货！有客户上门“催货”，订单达10多亿元；三家大型代理商最新回应

    企业 | 荷兰安世断供东莞工厂，内部人员：国内还在正常出货！有客户上门“催货”，订单达10多亿元；三家大型代理商最新回应

    一纸来自荷兰的“断供”通知，让全球功率半导体龙头安世半导体（Nexperia）与其位于东莞的封测工厂走向“决裂”。    11月2日凌晨，安世半导体中国有限公司（以下简称安世中国）微信公众号发文称，荷兰安世半导体单方面决定自2025年10月26日起停止向位于东莞的封装测试工厂（ATGD）供应晶圆。 图片来源：安世半导体中国有限公司微信公众号    据第一财经报道，记者来到安世半导体位于广东东莞的封

    安世

    每日经济新闻 . 2025-11-04 2317

  • 方案 | 工控伺服驱动器状态机设计与VBP165R47S MOSFET保护机制详解

    方案 | 工控伺服驱动器状态机设计与VBP165R47S MOSFET保护机制详解

    在现代工业自动化控制系统中，伺服驱动器作为核心执行部件，其可靠性和安全性至关重要。本文基于状态图模型，深入分析工控伺服驱动器的工作流程，并重点探讨VBP165R47S功率MOSFET在系统中的关键作用及保护机制。 系统整体状态架构 1. 基础状态流程 伺服驱动器的状态机设计遵循严谨的工业标准，确保系统在各种工况下的稳定运行： 上电初始化流程： PowerOff → Standby → Ready

    微碧

    微碧 . 2025-11-04 1442

  • 方案 | 全球第一款机器人管家即将走进现实世界-机器人管家不在科幻

    方案 | 全球第一款机器人管家即将走进现实世界-机器人管家不在科幻

    还记得科幻电影里那个能帮你打理一切家务的机器人伙伴吗？它或许不再是遥远的梦想了。由OpenAI、英伟达和三星等科技巨头支持的机器人公司1X宣布，其首款面向消费者的人形机器人Neo正式开放预订。这标志着全球第一款真正能走入家庭、处理杂务的通用型人形机器人，即将从实验室走进我们的客厅。 从展示到实干：机器人技术的分水岭 过去的机器人演示，总离不开跳芭蕾、翻跟头等程式化表演。但Neo的使命截然不同：它生

    微碧

    微碧 . 2025-11-04 4606

  • 企业 | 反转！安世中国称荷兰安世半导体目前欠付东莞厂10亿

    企业 | 反转！安世中国称荷兰安世半导体目前欠付东莞厂10亿

    11月2日，安世中国发布致客户公告函称，荷兰安世半导体单方面决定自2025年10月26日起停止向位于东莞的封装测试工厂（ATGD）供应晶圆。    据公告称，荷兰安世半导体所谓“当地管理层近期未能遵守约定的合同付款条件”完全是无中生有，恶意抹黑安世中国管理层。 不仅安世中国不存在违约行为；恰恰相反，荷兰安世半导体目前欠付ATGD的货款高达10亿元人民币。    荷兰安世半导体相关管理层在决策过程中

    安世

    半导体芯情 . 2025-11-02 1743

  • 技术丨电动摩托车电驱解决方案

    技术丨电动摩托车电驱解决方案

    在全球交通变革浪潮中，电动摩托车凭借零排放、低噪音的环保优势，正成为城市通勤与户外探险的新宠。与传统燃油车外形相似，却以电池储能、电机驱动、智能电控三大系统为核心，彻底颠覆了两轮交通工具的动力逻辑。其电力驱动系统采用高效轴传动设计，结构更简洁，密封性强、寿命更长，尤其适合高端及越野车型。现代电机技术不仅追求大功率、高扭矩的爆发力，更在运行平稳性与静音表现上不断突破，重新定义骑行体验。   电摩电驱

    电驱系统

    芯迈半导体 . 2025-10-31 1 5439

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