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应用 | 意法半导体 x Semios：以数据驱动重塑精准农业，赋能农民智慧决策

通过数据驱动型决策赋能农民在农业这个充满复杂变量的领域，每一个因素都可能影响农作物的收成。而数据驱动技术的出现，正在彻底改变这一现状。作为作物管理创新的引领者，Semios正通过其结合农场传感器网络数据的综合性平台，率先实现这一转变。他们的先进系统为农民提供了可行的见解，帮助他们做出更明智的决策，从而提升产量、减少损失，并促进农业的可持续发展。挑战 ■ 数据处理问题和多样化的技术栈阻碍了规模化发展■ 技术难题迫使Semios招聘更多工程技术人员■ 设计需兼顾精通技术和不精通技术的农民需求解决方案 ■ 基于智能传感器数据的适时喷洒彻底革新了害虫防治方式■ 使用具备边缘AI性能的入门级MCU ■ 借助STM32F4 MCU提供蓝牙和LoRa支持，实现最佳连接影响 ■ 精准性 - 使用Semios技术的农民报告产量显著提高■ 可持续性 - 农民反馈信息素的使用量有所降低 ■ 可访问性 - 简化了数据驱动型农业的应用流程 Sumer Johal，Semios首席执行官我们的使命是通过提供高度可靠且可行的数据赋能农民。通过与意法半导体及其广泛的产品线的合作，我们将精准性与简洁性完美结合。追求更高的精准性和简洁性将精准性与简洁性融为一体是令人向往的目标，但实现起来却充满挑战。Semios面临的主要难题是多样化的技术栈和代码库，这使得扩展工作变得复杂，不得不扩大工程团队以维持进展。然而，随着STM32F4 MCU系列的集成应用，一款集成射频功能的高性能MCU的引入，这一局面迎来了重大转折点。该系列最初用于测试Semios的智能信息素系统，为摄像头集成提供了关键接口，加速了产品测试的进程。 Sumer Johal，Semios首席执行官我们需要的是完整的解决方案，而不仅仅是芯片。意法半导体的集成方法和代码库让我们能够专注于自身的独特价值，而不是低级代码。连接农场传感器的挑战为了克服偏远地区连接能力有限的挑战，Semios选择了STM32F4 MCU。背后的原因是该系列能够独特地支持蓝牙和LoRa技术的集成，这一组合是市场上其他芯片无法提供的。这使得Semios不仅能够连接农场传感器，还能在无网络连接的地区进行边缘计算实验。 Sumer Johal，Semios首席执行官数据处理直接在芯片上完成，减少了对云服务的依赖，同时提升了精准度。这种精准度帮助农民更智能地使用信息素，只在真正需要的时间和地点进行应用。论规模大小，皆提供定制化支持 Semios最初选择意法半导体正是因为STM32产品系列, 能够提供广泛的产品选择，这使得他们在代码方面的投入能够得到充分利用。同时，Semios还充分利用了意法半导体丰富的传感器产品组合，包括MEMS和环境传感器。Semios的发展历程彰显了战略合作伙伴关系和先进技术如何强有力地改变农业实践。通过简化复杂数据并将其转化为可行性信息，Semios和意法半导体不仅提升了农业生产力，还为精准农业成为行业标准的未来铺平了道路。关于Semios Semios总部位于加拿大温哥华，拥有超过10年的行业经验，为全球农民设计、生产并销售创新的作物管理和云边缘平台解决方案。Semios致力于帮助种植者利用技术，以更可持续的方式生产更多食品。通过其精准农业平台，Semios为杏仁、开心果、苹果、柑橘和葡萄等复杂特种作物的种植者提供了作物管理工具。

ST

意法半导体中国 . 2025-08-14 1990
晶振偶尔“摆烂”不起振？原因都在这

晶振“罢工”影响大不知道大家有没有过这样的经历，满心欢喜打开智能手表准备开启运动模式，结果发现时间显示混乱，运动数据也记录得乱七八糟；又或者家里的路由器突然连不上网，明明其他设备都正常，就它“闹脾气”。这些看似莫名其妙的故障，很可能是晶振偶尔不起振在“捣鬼”。晶振，作为电子设备的“心脏起搏器”，为整个系统提供稳定的时钟信号。一旦它偶尔“罢工”不起振，设备就如同失去了精准的时间指引，运行变得混乱无序。对智能手表来说，时间错乱和运动数据异常只是小问题；但对于更复杂的电子设备，如医疗设备、航空航天仪器等，晶振偶尔不起振可能导致严重后果，像医疗设备监测数据错误，可能影响医生诊断；航空仪器导航出错，后果更是不堪设想。所以，搞清楚晶振偶尔不起振的原因并解决它，至关重要。起底晶振偶尔不起振的原因电路设计“小差错” 电路设计就像搭建一座房子，每一个细节都至关重要。在晶振电路中，负载电容不匹配是个常见问题。负载电容就如同给晶振配上的“小助手”，需要与晶振完美配合。一旦这两个“小助手”的电容值与晶振要求的不匹配，就像给运动员穿了不合脚的鞋子，晶振很难正常“奔跑”，起振就变得困难重重，有时勉强起振了，也会工作不稳定。反馈电阻缺失或数值不当，也会让振荡电路这个“闭环跑道”无法顺利闭环启动，晶振自然难以进入正常工作状态。晶振自身“小毛病” 晶振在运输或安装过程中，如果受到强烈冲击，就像人被狠狠撞了一下，内部的石英晶片可能会受损。即使外表看起来完好无损，内部也许已经“伤痕累累”，这就容易导致偶尔不起振。随着使用时间增长，晶振也会像老人一样“身体机能下降”，出现老化现象，性能大不如前，起振变得不再稳定。还有一些晶振，在生产制造过程中存在缺陷，就像出厂时就带着“小瑕疵”，这些先天不足也会让它在工作中偶尔“掉链子”，出现不起振的情况。外部因素“小干扰” 不稳定的电源就像一个情绪多变的“供电员”，时而电压过高，时而电压过低，这会让晶振难以适应，无法稳定起振。电路板设计不合理，比如晶振周围的线路像一团乱麻，走线过长、过细，或者其他元器件产生的干扰信号像“捣乱分子”一样影响晶振，晶振就难以正常工作。环境温湿度也对晶振影响很大，过高的温度会让晶振“中暑”，过低的温度又会让它“冻伤”，潮湿的环境还可能导致电路短路，这些都会干扰晶振起振，使它偶尔“罢工”。解决问题有妙招当遇到晶振偶尔不起振的情况时，别慌，咱们可以一步步排查解决。先仔细检查电路元件，看看负载电容的数值是否和晶振规格书要求的一致，要是不匹配，就按照规格书重新计算并更换合适的电容；再瞅瞅反馈电阻有没有缺失，数值是不是恰当，不合适就及时调整。要是怀疑晶振自身有问题，那就换一个新的晶振试试，新晶振说不定能让设备恢复正常工作。优化电路板布局也很关键，把晶振周围的线路整理得简洁有序，缩短走线长度，加粗线条，减少其他元器件的干扰。同时，还要确保电源稳定，给晶振提供一个稳定的“电力后盾”。如果设备工作环境的温湿度比较极端，不妨给它创造一个相对稳定的小环境，比如加个散热片或者防潮罩。

晶发电子 . 2025-08-14 1 1100
纳祥科技客户版旋钮拓展坞方案：9大接口双卡扩展，5Gbps高速传输

随着多设备协同办公与娱乐需求的增加，传统拓展坞接口单一、操作复杂的问题日益凸显。纳祥科技根据客户需求，以及多场景需求情况，推出一款集旋钮交互、多功能快捷键、高速接口及多存储卡槽的智能拓展坞方案，实现高效、便捷的多设备扩展体验。（一）方案概述本方案结合硬件电路与软件逻辑，硬件以USB Hub控制器为核心，通过旋转编码器实现音量/接口控制，微动开关触发系统指令，实现高效交互与设备扩展。方案集合了主控芯片、专用IC、USB音频IC、旋钮交互与4颗快捷键，支持9个接口（1个UAB2.0、2个USB3.0、1个UAB-C、1个UAB-C供电口、1个Host主机口、1个耳机口、1个耳麦口、1个耳机口），以及SD/TF双卡槽，确保多设备兼容与稳定传输。（二）功能模块（1）主控芯片采用高性能USB Hub主控芯片，最高传输速率为5 Gbps，兼容USB3.0和USB2.0规范（2）旋钮交互 ①旋转：调节系统音量（需匹配主机系统音量控制） ②点按：进入静音模式（3）快捷键一键锁屏、截屏、播放/暂停音乐、切换灯光颜色（4）多设备兼容 ①USB-C供电口支持PD快充，可为手机/平板充电 ②USB 口支持外接键鼠或U盘，适配老旧设备 ③Host 口可外接转接线，兼容多系统环境（5）性能参数 ①USB 3.0接口：5Gbps传输速率 ②USB-C接口：5Gbps传输速率 ③SD/TF卡槽：UHS-I快速传输，支持双卡同时读取 ④音频接口：3个3.5mm接口，可连接麦克风/耳机/耳麦（三）方案演示下面，我们将以台式电脑展示本方案—— ① 将转接线分别与Host 口、台式电脑相连 ② 旋转调节音量，点按静音 ③ 分别点击截屏、切换灯光颜色、播放/暂停音乐、锁屏 ④ 还可连接麦克风、耳机、耳麦、手机、游戏机、平板等多种设备（四）方案总结本方案操作便捷、功能丰富与节约成本，满足多设备高效协同需求，适用于商务办公、娱乐影音及开发测试等多领域。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-14 1 4185
3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振，恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，既有源晶振，所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作。小扬简单介绍一下温补晶振与恒温晶振的区别： · 定义：恒温晶振：即恒温晶体振荡器，英文简称为OCXO(Oven-controlled crystal oscillator)，是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。通常人们是利用热敏电阻“电桥“构成的差动串联放大器，来实现温度控制。温补晶振：即温度补偿晶体振荡器，英文简称TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)，是器件内部采用电子(模拟或数字)方式补偿晶体元件减小其频率一温度偏移的振荡器。温补晶体振荡器是利用晶体负载电抗随温度的变化而补偿晶体元件的频率温度稳定度，以达到补偿目的的晶体振荡器。温补晶振术语来自石英晶体振荡器的一种补偿方式已达到产品应用方面的精度要求。温补晶振定义是将压电石英晶体原有的物理特性(压电效应下频率随温度成三次曲线变化)通过外围电路逆向改变使得石英晶体原有频率随温度的变化尽可能的变小的一种补偿方式所做的石英晶体振荡器。 · 工作原理：恒温晶振：是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器，由于晶体振荡器的振荡频率会随着温度的变化而变化，故为了保持频率的稳定性，将晶振控制在一个恒定的温度下工作以此来提高晶振的相频特性。温补晶振：是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。它的温度补偿的原理是通过改变振荡回路中的负载电容，使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶振频率的影响，控制晶振的谐振电容随温度变化而变化，抵消温度晶体影响提高频率稳定性。 · 测量精度：一般的恒温晶振要比温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。例如，温补晶振（TCXO）的频率稳定度通常在 10−6 到 10−7 之间，而恒温晶振（OCXO）可以达到 10−8 到 10−10 甚至更高。因此恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等而温补晶振的开机特性更好。恒温晶振由于需要一个预热过程，其频率稳定度需要数分钟才能达到标称指标，而达到其最佳的长期稳定性则需要更长的运行时间。因此，对于需要即时工作的设备，恒温晶振不太适用。

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扬兴科技 . 2025-08-14 1230
MDD分立器件守护快充充电宝：技术迭代与安全守护下的市场新图景

5G时代智能设备的全面普及，手机、平板、轻薄笔记本等终端产品的性能持续跃升，功耗也随之大幅增加，消费者对便携充电的需求从 “能充” 升级为 “快充、安全、大容量”。快充充电宝作为移动能源的核心载体，近年来市场规模持续扩张，技术迭代加速，而安全与效率的平衡始终是行业发展的核心命题。一、快充充电宝市场：需求驱动下的技术升级需求爆发的四大核心动力 1.智能设备耗电激增：5G手机的高刷新率、折叠屏的双屏功耗、高性能平板，使得设备续航压力陡增，用户对 30W 以上快充的需求占比超 60% 2.快充协议全面普及：iPhone 全系支持 PD 20W 快充，华为、小米、OPPO 等品牌旗舰机标配 66W、88W 甚至120W超级快充，直接推动快充充电宝成为 “刚需” 3.户外场景持续扩容：露营、长途旅行、户外直播等场景的兴起，带动大容量快充充电宝销量增长。 45W 与 65W：中高端市场的 “功率之争” 在快充充电宝中，45W 和 65W（含部分标称 67W 的 PD 协议产品）是中高端市场的两大核心档位，分别瞄准不同用户群体的需求痛点。二、45W 与 65W：中高端市场的 “功率之争” 在快充充电宝中，45W 和 65W（含部分标称 67W 的 PD 协议产品）是中高端市场的两大核心档位，分别瞄准不同用户群体的需求痛点。三、安全为基：快充时代的 “隐形守护者” 快充技术在提升效率的同时，也对设备安全性提出了更高要求。充电宝起火、爆炸等安全事件偶有发生，根源多为充放电过程中的过压、过流、过热等问题。而保障安全的核心，在于锂电保护板与关键分立器件的协同作用。锂电保护板：9 重防护构筑安全屏障优质的快充充电宝必须配备具备 9 重保护功能的锂电保护板，涵盖：过压、过流、过充、过放、短路、温度、Reset、浪涌、电磁场保护分立器件：安全与效率的 “核心执行者” 保护板的 9 重功能并非空中楼阁，而是依赖MOS 管、保险丝、NTC 温度传感器、控制 IC 等分立器件的精准协作。近期多品牌曝出充电宝在快充过程中过热起火的事件，经检测多为核心器件性能不达标所致。 MDD 专注于功率半导体器件研发，其充放电 MOS、同步升降压 MOS 及 Vbus MOS 等产品，具导通有阻低，散热好，可靠性高的特点。 MDD有完整的器件生产线，从材料输入，到成品输出，有完善的质量体系，全程可控。无论是面向旗舰手机用户的 45W 产品，还是适配轻薄本的 65W 快充充电宝，选择 MDD 的分立器件，都能在提升充电效率的同时，将安全风险降到最低，为用户带来 “高效又安心” 的续航体验。

MDD辰达半导体 . 2025-08-14 4400
技术 | 什么是符合OCP的数据中心集中供电系统？

OCP（Open Compute Project）是一个促使有效硬件规格和设计的开源社区，旨在满足日益增长的数据中心需求。据称，符合OCP规格和设计的硬件可为大型数据中心带来高处理能力、高经济效益和低能耗。本文对数据中心需求增长的背景、数据中心面临的诸多课题以及符合OCP的硬件能解决的数据中心课题进行相关介绍。需求日益增长的数据中心 IT的应用每天都在不断扩大和发展，需求也呈现出了多样化。在这种状况下，容纳向网络中连接的终端提供多种服务的服务器和网络设备等IT设备的设施就是数据中心。数据中心需求不断增长的有哪些背景呢？首先，数据中心的需求增长受到了云服务使用量不断增加的影响。云服务使用量增加的原因有在线业务的增长、智能设备的增加和社交媒体的使用等。此外，云流媒体、云游戏和来自IoT设备的数据收集等通常也由云服务提供。为了应对这些情况，需要发送、接收和处理大量数据，这是数据中心需求增长的主要原因。另外，AI数据中心的需求也在增长。 AI数据中心是指提供人工智能和机器学习等AI服务的数据中心。提供AI服务的AI数据中心专为AI处理而设计，拥有高速网络、并行处理能力和大内存等。特别是生成式AI尤其需要学习大量数据的大型语言模型（LLM：Large Language Model），因为准确性和质量会随着学习量的增加而提高。构建LLM需要针对大量学习数据反复进行类似的演算。这样的演算处理由GPU（Graphics Processing Unit）进行。为了实现更低的延迟和更快的处理速度，一般会配备专用的硬件——AI加速器。近年来，生成式AI在商业中的应用不断扩大，对AI数据中心的需求不断增加。数据中心电源系统的课题提供云服务和AI服务等的数据中心设备需要能够长期稳定地正常运行。其中，供应电力的电源设备尤为重要，需要针对所需的电源容量构建一套设备使用率高、浪费很少的电源系统。数据中心的电源系统主要面临以下四个课题。首先，数据中心要能够做到长期稳定地正常运行，散热是目前电源系统的主要挑战之一。在数据中心，服务器高性能化导致TDP(Thermal Design Power)*1不断增加，而且，IT设备的配备密度越来越高，因此，单位面积产生的热量持续迅速上升。特别是配备了GPU和AI加速器的AI服务器往往需要更大的功率，产生更多的热量。高密度化和大功耗化导致的散热问题会增加服务器故障和误动作的风险，因此，冷却不可或缺。但是，冷却设备增加和冷却设备运行所需的功耗增加以及由此带来的运营成本增加和环境负荷已成为大问题。 *1 TDP(Thermal Design Power)：上限功耗时的发热量。其次，在数据中心，由于IT设备的运行而导致局部温度升高的热点现象已成为需要解决的课题。空调系统如果无法仅对热点进行冷却，就只能对整个数据中心进行冷却，从而导致额外的电力消耗。如果对热点放任不管，也会增加服务器性能不足和故障的风险。此外，在提供可靠、持续性服务的数据中心，电源设备不能出现停电和瞬间断电。数据中心需要高质量和高可靠性，因此需要很强的可维护性，以确保在发生商业停电、瞬间断电、电压波动、维护、增设工事和故障时能够连续运行。但是，将IT设备高密度配置后，存在配线密集、降低了可维护性的课题。另外，在数据中心，服务器数量的增加有时会导致空调和电源设备的容量跟不上、难以增加机架的情况发生。此外，在服务器集中的机架上，即使有空间放置设备，在不少情况下也会因为地面负荷增加以及建筑物结构上的原因而导致无法设置额外的机架。因此，需要对选择有效的空调系统和室外设备的布局计划进行慎重地考虑，空间不足已成为一个严重的课题。符合OCP的电源系统的优势符合OCP的电源系统，是如何解决散热、热点冷却、维护和空间不足等课题的呢？通过21英寸机架节省空间符合OCP的数据中心机架使用符合OCP规格的21英寸开放式机架。与传统的19英寸机架相比，21英寸机架的每个单元高度更高。这样就可以增加机架内可配备服务器和存储器的数量，有助于节省空间。另外，21英寸机架的单位叫做“1OU（Open Unit）”，以区别于19英寸机架。改进散热性高散热性对于预防服务器过热不可或缺。通过将传统的分散型供电系统转换为集中供电系统（下图），可以将主要热源——电源部分和服务器分开，并对各自进行理想的温度管理。特别是在GPU和AI加速器导致高发热量而令人担忧的AI服务器中，OCP的理想温度管理对提高服务器的散热性非常有效。将分散型供电系统转换为集中供电系统此外，空调冷却是非常常见的服务器冷却方法，但有人指出这种方法的冷却能力有限。因此，近年来，作为一种效率更高的冷却方式，将服务器浸入特别的液体（非导电介质液体）中进行冷却的浸没式冷却备受关注。通过节省电力实现有效运行集中式供电系统可使系统在转换效率更高的负载区域运行，因此可使电源整体以较高的效率运行。此外，不仅是服务器，冷却分配单元（CDU：Cooling Distribution Unit）也可同时供电。这样能降低机架的耗电量，有助于降低数据中心的运营成本。此外，对于数据中心有限的电力容量，还有可以部署更多的服务器的好处。出众的可维护性符合OCP的服务器和存储器在设计时考虑到了维护时的操作性。服务器上没有电源线，其结构为将服务器直接连接到机架的电源条（母线）来供电。通过这种结构，只要将设备安装到机架上，就立即进入能供电的状态，而且可以简洁地整理配线的布局。此外，还可以使用盲插插头，即使在无法确认嵌合位置的情况下也能正确嵌合。这种便于维护的设计减轻了设备维护作业的负担，有助于保持稳定运行。总结在数据中心，不仅需要有效的电源系统，还需要具备高散热性能、可维护性和节省空间等功能，OCP正是实现这些要求的技术。在村田制作所符合OCP的集中电源系统中，采用高能源密度PSU（Power Supply Unit），实现了小型化、节省空间及较高的电源效率。这也有助于提高散热处理的效率。此外，该系统还具有热插拔功能，可从多种问题中迅速恢复。该电源架有19英寸和21英寸两种尺寸可供选择，可容纳多种尺寸的IT设备。支持Delta/Wye/Single等输入，而且，输入电缆、PDU（Power Distribution Unit）和安装套件等附件也很丰富，因此，可以在多种环境中进行设置。这些功能可以明显发挥OCP的优势，同时消除了数据中心电源系统面临的多种课题，人们期待OCP能成为支持日益增长的数据中心需求的重要举措。点击这里，了解村田的数据中心&开放计算项目(OCP，Open Compute Project)。

Murata

Murata村田中国 . 2025-08-13 1275
技术 | 艾为“超薄封装”呼吸灯系列：助力手机轻盈化

还记得那个需要双手紧握的 “大哥大” 吗？它曾是身份与财富的显性符号，却也重得像块随身携带的健身器材。短短数十年间，手机完成了一场惊心动魄的 “瘦身革命”—— 从沉甸甸的通讯工具，蜕变为掌中可握的纤薄艺术品。这场变革的背后，芯片的持续 “瘦身” 堪称关键的隐形推手，而 “薄” 早已超越单纯的便携需求，成为尖端芯片技术与工业设计共舞的巅峰注脚厚重时代的蹒跚起步回溯第一代手机的辉煌岁月，“大哥大” 更像一块移动的 “砖头”。以摩托罗拉 888 为例，即便卸下电池，其惊人的厚度与重量仍在诉说着技术局限——它是身份的彰显者，却绝非便携的践行者。随着功能机时代的到来，手机厚度首次迎来实质性改善。诺基亚 5300 滑盖音乐手机以 21.88mm 的厚度登场，虽仍显厚重，但小巧屏幕与滑盖设计的结合，让它成为人们日常出行的可靠伙伴，也为后续的轻薄化埋下伏笔。图1 滑盖音乐手机轻薄之风渐起乔布斯这位科技传奇人物的出现，彻底改变了手机的格局。他不仅重新定义了手机，更将手机厚度压缩至 10mm 左右，开启了智能手机轻薄化的新篇章。此后，手机厚度在 6mm 至 10mm 间徘徊，众多厂商纷纷加入轻薄化的赛道。 2014 年堪称手机轻薄化进程中的关键节点。苹果推出厚度仅 6.9mm 的 iPhone 6，惊艳众人；同年，OPPO R5 厚度达 4.85mm，vivo X5 Max 更是将记录刷新至 4.75mm，成为史上最轻薄手机，一时间轻薄之风席卷整个手机行业。哪怕在当今的手机设计中，“薄”也是必不可少的元素之一。图2 iPhone6手机艾为芯：LED Driver 超薄化的引领者在手机轻薄化的浪潮中，芯片封装技术的突破扮演着关键角色。艾为电子在 LED Driver 封装领域的深耕，为这场革命注入了核心动力。长期以来，0.75mm 的封装厚度是 LED Driver 领域的行业主流标准。艾为电子通过创新工艺实现了双重技术跨越： 1. 基础突破：将封装厚度压缩至0.55mm，较行业标准降低26.7%； 2. 极限探索：特定产品达成0.37mm超薄封装，创造当前业界量产最小厚度纪录。这一突破为终端应用带来多重价值—— 空间释放：垂直方向节省高达 50.7% 的封装高度，为手机内部结构腾出关键空间；结构优化：为智能手机等消费电子产品的超薄化设计提供核心支撑，让更极致的工业设计成为可能；能效提升：薄的封装层显著提升热传导效率，兼顾轻薄与性能稳定性。图3 封装厚度示意图超薄封装产品选型表表1 超薄封装产品选型表手机的每一次变薄，都是技术迭代与产业协同的结果。艾为电子在封装领域的持续高投入，正为手机 “变薄、变美” 的进化之路提供着源源不断的动力。在精耕细作中突破边界，在笃行致远中引领未来，艾为将继续以技术创新，推动消费电子形态的无限可能。

呼吸灯

艾为官网 . 2025-08-13 315
企业 | 美光中国区裁员，涉及嵌入式、测试、FAE/AE等

据产业链消息，美光（Micron）中国区于8月11日启动裁员，主要涉及国内嵌入式团队研发、测试以及FAE/AE等支持部门，上海、深圳等多地员工受影响。对此，美光回应指出，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，我们将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5的开发。美光表示，此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作，美光将继续开发并支持其他NAND解决方案，如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。美光还将继续在全球范围内开发和支持移动DRAM市场，并提供业界领先的DRAM产品组合。 2023年6月16日，美光科技曾宣布加大对西安厂的投资，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币，并决定收购力成半导体（西安）有限公司的封装设备，同时引进全新且高性能的封装和测试设备，以期更好地满足中国客户的需求。新厂房项目预计在2025年下半年投产，将额外增加500个就业岗位，产值将达36亿元。不仅是美光，今年中旬，三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据五大主要NAND闪存制造商都在2025年上半年选择了减产。据TrendForce报道，三星在2025年上半年除了削减NAND闪存产量外，还将退出消费端MLC NAND闪存业务，进一步精简旗下的产品组合。

美光

芯查查资讯 . 2025-08-13 3150
企业 | 半导体设备商ASMPT关闭深圳工厂

8 月 11 日，ASMPT（ 00522.HK ）宣布对中国制造运营战略优化，决定关闭深圳宝安区的先进半导体设备（深圳）有限公司，该半导体解决方案分部厂房关闭将影响约 950 名员工。此举旨在优化全球供应链，提升成本竞争力、灵活性及运营韧性。公司将为受影响员工提供支持，全球其他基地运营及客户供货不受影响。一、短期3.6亿一次性重组成本：950名员工 2025 年 8 月 11 日，全球半导体设备龙头 ASMPT 的一则公告引发行业震动 —— 关闭位于深圳宝安区的全资子公司 AEC。这一决策背后，是对全球供应链效率的精准重构，而非简单的业务收缩。尽管 AEC 2024 年仍实现 4.85 亿元内部营收、2060 万元净收益，净资产达 4.44 亿元，但 ASMPT 以长远视角推动产能优化：短期承担 3.6 亿元一次性重组成本（涵盖 950 名员工遣散费、停产费用及存货撇销），却为集团锁定了每年 1.15 亿元的运营成本节省。这一调整直指半导体行业的核心挑战：在周期性波动与地缘政治变化中，如何提升供应链韧性与成本竞争力。 ASMPT 明确承诺，深圳工厂关闭不会波及新加坡总部、德国慕尼黑等全球制造基地，通过提前协调供应链，客户供货与服务质量实现 “无缝衔接”。对受影响员工，集团同步启动全面过渡支持方案，既彰显企业责任，也为战略落地扫清障碍。数据印证了决策的前瞻性：短期成本投入将转化为长期运营效率的显著提升，为集团在 AI、汽车电子等高增长领域的深耕蓄力。二、锚定高增长赛道，巩固中国市场关闭深圳工厂，是 ASMPT 资源向核心技术与高潜力市场倾斜的关键一步，绝非对中国市场的战略撤退。集团 2024 年财报显示，先进封装（AP）解决方案收入同比增长 23%，热压键合（TCB）技术在 AI 芯片与 HBM 领域斩获突破性订单，而此次产能调整正与这一战略相匹配 —— 计划 2025 年投入 3.5 亿港元强化 AP 研发，持续巩固在高端制造领域的技术壁垒。在中国市场，ASMPT 的布局反而更趋精准：深圳产能转移后，惠州工厂仍为重要制造枢纽，九江材料工厂等其他布局持续运营。作为半导体气候联盟创始成员，其 2035 年范围 1-2 净零排放的承诺未变，凸显对中国市场的长期信心。这一操作堪称跨国企业供应链优化的典范：通过局部产能整合淘汰低效环节，将释放的资源集中于下一代无粘结剂 TCB 设备等核心技术研发，在 AI 计算、汽车电子等浪潮中抢占先机。从数据到战略，ASMPT 的决策清晰传递出行业趋势：半导体企业正通过动态调整产能布局，在成本控制与技术创新间找到平衡。深圳工厂的关闭，终是为了让全球供应链更 “轻”、更 “韧”，让技术投入更 “准”、更 “深”，最终在激烈的全球竞争中筑牢增长根基。

半导体

芯查查资讯 . 2025-08-13 6435
企业 | 奥比中光与地平线、地瓜机器人达成战略合作，携手推动机器人智能化

8月11日，奥比中光与地平线及其控股子公司地瓜机器人在北京签订合作协议，双方将在机器人智能化领域展开深度合作，充分发挥各自的技术与产品优势，携手推动机器人产业的技术创新与落地应用。奥比中光创始人、董事长兼CEO黄源浩与地平线创始人兼CEO余凯共同出席见证签约仪式；奥比中光机器人产品线总经理王成、地瓜机器人CEO王丛代表双方签署协议。（签约合照）奥比中光是行业领先的机器人视觉及AI视觉科技公司，也是国内最早深耕机器人细分赛道的企业之一。自研技术积累超20年、机器人落地应用近10年，奥比中光成长为市场上为数不多能够提供全套自主知识产权3D视觉感知产品的企业，也是全球少数几家全面布局六大3D视觉感知技术路线的公司之一，服务全球客户超3000家，在中国服务机器人3D视觉市占率超过70%。地平线是行业领先的智驾科技公司，其控股子公司地瓜机器人是业界领先的机器人软硬件通用底座提供商，致力为具身智能前沿科研探索、消费电子智能化升级、新兴品类机器人孵化提供全链路的开发基础设施。地瓜机器人拥有从芯片、算法到软件的完善产品体系，可满足人形、四足狗、家庭服务、陪伴、物流 AMR 等多种机器人的全栈计算与开发需求。迄今，超过200家中小创客、200+头部高校以及来自全球20多个国家的近100,000名个人开发者在地瓜机器人平台上，创造了数百种形态的智能机器人，为全球超500万用户带来了智能化体验。早在2022年，奥比中光与地平线已建立生态合作，联合推出了适用于服务机器人、扫地机器人的3D视觉应用解决方案。基于深厚的合作与互信基础，此次协议签署将进一步深化双方的生态合作伙伴关系，促进业务共同发展和长期共赢。合作协议提出，基于奥比中光在3D视觉传感器及对应的机器人领域算法方面的优势，以及地瓜机器人在机器人用芯片和底层软硬件架构方面的优良实力，双方将围绕技术方案、产品应用、市场拓展、生态建设等方面展开紧密合作。王成表示： “视觉感知是机器人决策与执行的关键共性能力，奥比中光在机器人与AI视觉领域实现‘全栈式+全领域’深度布局，与地瓜机器人在机器人硬软件底座的实力形成优势互补。此次合作协议的签订，是双方共同致力于打通机器人智能化核心环节——‘眼睛’与‘大小脑’协同的关键一步。期待通过双方的优势融合，为全球客户带来更智能、更可持续的机器人解决方案，助力千行百业智能化跃升。” 王丛表示： “机器人的智能化升级，本质是‘感知-决策-执行’链路的协同进化。双方的深度合作，正是要让‘眼脑协同’更高效、让技术落地更顺畅。从2022年的生态初探到如今的战略携手，我们看到了3D视觉与机器人计算平台融合的巨大潜力。未来，双方将紧密协作，加速推动3D视觉与计算平台的融合创新，让更多场景实现‘感知更准、决策更智’，助力中国机器人产业从规模领先走向技术领跑。” 作为全球最大机器人生产国、拥有全球最大工业机器人市场，中国已然成为全球机器人产业增长的关键引擎。摩根士丹利研究报告预计，到2028年，中国机器人市场规模将从2024年的470亿美元增长至1080亿美元。抢抓发展机遇，奥比中光与地瓜机器人将持续探索机器人技术前沿，进一步深化机器人“手—眼—脑”以及多传感器感知技术的创新融合，共同推动具身智能等机器人产业演进。

地平线

地平线HorizonRobotics . 2025-08-13 1660
产品 | 上海贝岭新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片布局

自 2023 年《智能物联电能表内置负荷开关技术指标》正式发布以来，其中一项重要变化尤为关键：“内置开关的动触点与静触点之间的电气间隙不小于 5.5mm。” 这一标准的提升虽增强了智能电表的安全性，却也给其设计及元器件选型带来了新的挑战。为此，针对新一代国家电网智能电表内置标准的验证与制定工作，始终在有条不紊地推进。负荷开关触点间距增大，对智能电表设计最直接的影响是负荷开关驱动电流的攀升。从现有样品测试结果来看，其驱动电流已从 2020 版标准的 150~400mA，大幅增至 1~2A 甚至更高。驱动电流的增大还带来另一重影响：2020 版电表所采用的现行变压器，受限于尺寸，功率输出已达极限。若要输出如此大的驱动电流，电表电源势必需要调整。目前，开关电源方案（AC-DC）是较为成熟的选择，但有工程师提出，中国挂网电表已超 6.6 亿只，如此大规模应用开关电源时，其可靠性及对电网的影响尚无法通过数据完全验证，因此更倾向于沿用原有的 “线性变压器 + 后接大电容” 设计。此处暂不深入讨论两种方案的利弊，但值得注意的是，开关电源与线性变压器因输入端电压波动导致的后端输出电压波动存在显著差异，这也使得两者对负荷开关驱动芯片的耐压要求大不相同：开关电源输出相对稳定，对应驱动芯片的耐压通常 20V 左右即可；而线性变压器因采用非稳压变比输出，耐压要求通常需达到 36V 以上，如下图所示：设计的差异并不仅限如此，因自国网电能表统一招标以来，负荷开关（继电器）的驱动芯片惯用SOT23-6封装，许多企业和工程师已经习惯了沿用这种封装，但也有工程师认为驱动电流增大，SOT23-6封装体较小，并不稳妥，倾向于功率更大、尺寸更大的SOP8封装。由于设计思路、方案理解存在差异，加之负荷开关尚未量产定型，诸多不确定性导致智能电表生产企业的工程师在选型时思路不一。因此，在这种存在分歧的背景下，若想用单一产品覆盖新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局，难免会捉襟见肘。作为国内智能电表芯片领域的核心供应商，上海贝岭股份有限公司始终以行业需求为导向，通过深入调研市场动态，积极与各生产企业工程师开展多维度技术交流，精准把握行业痛点与发展趋势。在此基础上，公司推出了系列化产品矩阵，为工程师们的选型工作提供了丰富且适配的选择，具体产品信息如下表所示：从列表中不难发现，上海贝岭针对新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局，已形成全面覆盖：电压层面兼顾中压与低压需求，驱动电流范围从 0.7A 延伸至峰值 6.5A，封装形式则包含 SOT23-6、SO8P、ESOP8 等多种规格。这一系列产品矩阵，不仅为新标准的快速落地提供了坚实支撑，更能灵活适配多样化的设计思路，为行业升级注入强劲动力。

上海贝岭

上海贝岭 . 2025-08-13 1105
产品 | 圣邦微电子推出车规级带看门狗、唤醒、复位和使能功能的线性稳压器 SGM70411Q

圣邦微电子推出 SGM70411Q，一款带看门狗、唤醒、复位和使能功能的车规级线性稳压器。该器件可应用于汽车通用电子控制单元、座舱、车身控制、辅助驾驶（ADAS）、移动车载信息系统等应用。 SGM70411Q 是一款具有 5V 固定输出和低静态电流的低降压线性稳压器。该器件采用用户可编程的复位（nRESET）延迟、看门狗定时器、自动唤醒功能和使能功能，同时具备过热保护和过流保护功能，能够承受最大幅度在 45V 以内的瞬态电压。其输出电压精度高，能够提供高达 150mA（250mA Peak）的输出电流。该器件的静态电流低，典型值为 85µA，睡眠模式下的电流通常小于 1µA，适用于微功耗控制应用。SGM70411Q 通过了 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用，工作环境温度范围为 -40℃ 至 +125℃，并采用符合环保理念的 SOIC-8（Exposed Pad）绿色封装。图 1 SGM70411Q 典型应用电路图 2 SGM70411Q 功能框图此外，我们同步推出 SGM70411Q 的工业级版本——SGM70411，期待广大用户选购。

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-08-13 650
市场 | 2025年上半年全球智能眼镜出货量同比激增110%，其中Meta占据了70%以上的市场份额

2025 年上半年，在Ray-Ban Meta智能眼镜的强劲需求以及小米和RayNeo等新厂商的加入下，全球智能眼镜市场同比增长110%。 Meta在全球智能眼镜市场的份额在2025年上半年升至73%，这主要得益于强劲的需求及其主要生产合作伙伴Luxottica的产能扩张。除了Meta之外，2025年上半年实现出货的主要AI眼镜厂商还有小米、RayNeo、Kopin Solos和Thunderobot，其中小米AI眼镜的首次亮相成为业界最受期待事件。预计2025年下半年将有更多新型AI眼镜进入市场，其中包括 Meta、阿里巴巴和几家规模较小的公司即将发布的产品。Counterpoint预计全球智能眼镜市场的快速增长将持续到2026年及以后。根据Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》报告，2025年上半年国际智能眼镜市场的出货量同比增长了110%。Ray-Ban Meta智能眼镜的强劲需求以及小米、RayNeo和一些小品牌新厂商的加入推动了这一增长。 AI能智能眼镜占2025年上半年总出货量的78%，高于2024年上半年的46%和2024年上半年的66%，这主要归功于Ray-Ban Meta AI眼镜的主导地位。人工智能眼镜细分市场的年增长同比超过250%，大幅超越整体市场。全球智能眼镜出货量（按设备类型）来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新分析师观点高级研究分析师Flora Tang在评论整体市场表现时表示：“到目前为止，今年上半年全球电子设备关税危机对智能眼镜市场的影响有限，因为对于主要的智能眼镜厂商及其制造合作伙伴来说，情况似乎仍在可控范围内。“ 在竞争方面，Tang表示：“尽管其他进入者推出了新产品，但Meta在全球智能眼镜市场的份额在2025年上半年上升到73%。在此期间，Ray-Ban Meta AI眼镜的出货量同比增长超过200%，这反映了强劲的市场需求和Meta主要生产合作伙伴Luxottica的产能提升。Luxottica在Meta的成功中扮演着至关重要的角色，该公司不仅扩大了生产规模，还通过扩充款式种类和推动零售销售来支持产品的长盛不衰。根据我们的渠道跟踪，Luxottica自己的零售网络——包括线上和线下Ray-Ban商店、Sunglass Hut和 LensCrafters——占据了产品销售额的很大一部分。全球智能眼镜市场关键厂商出货量份额来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新分析师观点在谈及市场动态时，Tang说："除Meta外，2025 年上半年活跃的主要AI智能眼镜厂商还包括中国企业，例如RayNeo的RayNeo V3系列、小米的首款小米AI眼镜、Thunderobot的AURA智能眼镜以及Kopin Solos AirGo V 系列。小米的AI眼镜成为全球智能眼镜市场的一匹黑马，尽管仅在2025年上半年上市销售了一周左右，该设备却得到了中国科技爱好者和小米粉丝的大力支持，一举成为了全球第四大畅销机型和AI眼镜品类第三大畅销产品。我们期待小米在未来几个月通过OTA和软件更新继续提升产品性能。" 研究分析师Akshay RS表示：“由于能提供更先进功能（如照片和视频捕捉、图像和物体识别、基于百科全书的问答、实时翻译等）的AI眼镜的竞争日益激烈，，目前包括华为、亚马逊和米家（小米生态链品牌）等厂商在智能音频眼镜领域都在此期间经历了下滑。此外，我们还看到中国公司的新产品，如小米AI眼镜和阿里巴巴的夸克AI眼镜（仍处于预商用阶段），都在积极探索基于玻璃的支付解决方案。这些产品旨在减少用户在户外购物和订餐场景中对智能手机的依赖。" 在Ray-Ban Meta AI眼镜的主导地位推动下，该产品上市的地区（例如北美、西欧和澳大利亚等）引领了全球智能眼镜的出货量增长。2025年第二季度，Meta和Luxottica将业务拓展至印度、墨西哥和阿联酋，这也提升了这些市场的出货量份额。全球智能眼镜出货量份额（按地区）2025年上半年来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新预计从2025年下半年开始，将有更多的AI智能眼镜进入市场，其中包括Meta和阿里巴巴等互联网巨头将推出的产品。Meta最近推出了Oakley Meta眼镜，与Ray-Ban Meta AI眼镜相比，它的电池续航时间更长，视频拍摄质量更高，主要面向运动员和运动爱好者。Counterpoint的行业调查显示，该款产品的市场反馈是积极的。我们预计，Meta将采取更积极的态度，并在Meta Connect活动上推出更丰富的产品阵容，以进一步推动业务增长。与此同时，我们相信苹果公司也在积极探索这一领域，并正在开发其首款AI眼镜。在处理领域，高通最近推出了其高端智能眼镜SoC的升级版AR 1+Gen 1，声称该SoC体积缩小了26%，功耗降低了7%，从而实现更纤薄的产品设计和更长的电池续航时间。与此同时，全志科技等多家中国芯片组制造商正在以经济型的SoC解决方案进入市场，旨在为更经济实惠的智能眼镜提供动力。鉴于市场的发展势头和新进入者的持续涌入，我们上调了2025年和2026年的智能眼镜市场预测。我们仍预计2024年至2029年间市场将以超过60%的复合年增长率增长。这种大幅扩张预计将使整个生态系统的所有参与者受益，包括智能眼镜厂商、处理器供应商、ODM/EMS合作伙伴、音频、电池和结构部件供应商，甚至包括传统眼镜渠道。

AI眼镜

Counterpoint 咨询 . 2025-08-13 1 4325
新品 | 艾为推出SIM卡电平转换AW39103，成功通过高通平台认证

艾为推出SIM卡电平转换产品AW39103，其凭借优异的性能，成功通过高通平台认证，并获得高通最高推荐等级(GOLD)。图1 高通平台认证随着手机平台处理器工艺向 4nm/3nm 演进，其 I/O 电平已降至1.2V，而SIM卡 I/O 仍遵循ISO-7816-3标准，维持Class A/B/C 三档5V/3V/1.8V（目前手机常用 3V/1.8V）。为解决平台与 SIM卡的I/O电平兼容问题，艾为推出 SIM 卡电平转换产品 AW39103，可高效实现电平转换，保障通讯稳定。 AW39103产品特性主控Host端供电电压范围：1.08V~1.98V SIM卡端供电电压范围：1.65V~3.6V 支持25MHz时钟频率内部集成EMI滤波器内部集成必要的上拉电阻和下拉电阻，无需额外的外部电阻 SIM卡端具有高于IEC61000-4-2最高等级的系统级ESD能力：接触放电＞±8kV，空气放电＞±15kV 符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3 接口要求支持主控与SIM卡之间Clock、Data、Reset信号的自动电平转换封装：QFN 1.8mm x 1.4mm-10L、FOWLP 1.06mm x 1.06mm-9B 图2 AW39103典型应用图产品特点一符合ETSI、IMT-2000标准及ISO7816-3规范，可确保SIM卡的正常启用与禁用操作。 AW39103集成三路电平转换器，可对SIM卡的RST、CLK 及IO信号进行电平转换，实现SIM卡端口（1.8V/3V）与主芯片端口（1.2V/1.8V）的正常通讯。产品遵循 ISO-7816-3 标准的关机时序要求：当EN引脚置低时，先关闭 RST_SIM 通路启动关机流程，随后CLK_SIM 和IO_SIM通路由内部下拉电阻拉低，整个关机时序可在 10μs内完成，既能确保SIM卡正确禁用以降低功耗，也能在热插拔场景中避免数据误写与损坏。图3 AW39103关断时序产品特点二 SIM卡端具有强健的ESD防护能力，可省去外部ESD器件，简化设计流程。 AW39103的SIM卡端具备强劲ESD防护能力，可满足IEC 61000-4-2系统级ESD最高等级要求。传统设计中，工程师通常需额外增加或预留ESD防护器件以应对ESD 事件；而采用AW39103后，因其SIM卡侧已集成高等级系统级ESD防护，可直接省去外部ESD器件，简化设计流程。图4 传统平台与先进平台设计对比艾为在电平转换产品领域拥有多年技术积累，全系列产品覆盖消费电子、工业互联、汽车应用等多元场景。详细产品规格可参考下表：

电平转换

艾为官网 . 2025-08-12 455
技术 | 电容触摸技术进化论：瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

HMI（人机界面）是指用户与机器设备之间进行信息交互的硬件与软件系统，其核心功能是实现用户指令输入、系统状态反馈及数据可视化呈现。从形态上看，HMI涵盖触控面板、显示屏幕、按键旋钮等输入输出组件。根据贝哲斯咨询发布的《基于触摸的人机界面（HMI）行业研究报告》，2023年全球基于触摸的 HMI市场规模达357.82亿元，预计到2029年将增长至498.64亿元，预测期间的年复合增长率（CAGR）为5.37%。纵观HMI发展史，一个核心要义是用更少物理约束实现更自然信息交换。因此，传统物理按键逐渐退出历史舞台，电容式触摸技术凭借高抗噪、低功耗、高精度等优势，已成为现代HMI人机界面的核心交互方式。多年来，瑞萨电子一直在深耕电容式触摸技术，其第三代电容式触控技术（CTSU2）自2019年推出市场后，便得到了市场的广泛欢迎。电容式触摸技术的核心参数以及CTSU2的优势从技术原理来看，电容式触摸技术基于人体电场的电容耦合效应，通过检测电极电容变化来定位触摸位置。该技术主要分为自电容（绝对电容）技术和互电容（投射电容）技术：前者每个电极独立构成电容，触摸时人体靠近会改变电极的寄生电容值，控制器通过检测电容变化确定触摸位置；后者由横向（X轴）和纵向（Y轴）电极阵列组成交叉电容网络，每个交叉点形成耦合电容，触摸时人体会耦合部分电场，导致交叉点电容值下降，通过检测各点电容变化量确定触摸坐标。整个电容式触摸系统主要包括触控面板、触控控制器（一般是MCU）和驱动软件。其中，触控控制器作为系统的硬件核心，主要集成电容检测电路、信号处理芯片，负责采样、滤波、坐标计算。衡量一款电容式触摸系统是否优质，有许多关键参数，包括分辨率、采样率、信噪比、抗干扰能力等。分辨率主要关系到触控精度，指单位面积内可识别的最小触摸点间距，精度越高，触控定位越精准；采样率为每秒检测触摸信号的次数，高采样率能够提升触控流畅度；信噪比是信号强度与噪声强度的比值，高信噪比能够减少误触，提升抗干扰能力；抗干扰能力则综合包括抗电磁干扰（EMI）、抗静电（ESD）、抗环境光干扰，以及防水防污等性能。当然，对于一些应用场景，系统的低功耗水平同样至关重要。瑞萨电子深耕电容式触摸技术多年，很早就推出了第二代技术IP——CTSU，并搭载于相关的MCU产品上。2019年，瑞萨电子将第三代电容式触控技术（CTSU2）推向市场。相较于前代CTSU技术，CTSU2在抗干扰能力、功耗控制、防水性能、功能集成等方面实现了显著突破。 CTSU2通过多频测量与主动屏蔽，在抗干扰性能方面取得革命性提升。CTSU2基于三频率测量，可有效抑制同步噪声，即使某一频率受干扰，其他两个频率仍能准确捕捉电容变化，确保测量结果的稳定性，从而在测量端大幅提升抗噪性能。 CTSU2在第二代技术的基础上，优化了屏蔽电极的设计，可实现多个电极共用一个屏蔽电极，使硬件的设计难度大幅降低。同时，通过驱动触摸电极与屏蔽护罩电极以相同电位和相位工作，CTSU2可大幅降低水滴、油渍等污染物导致的误触。 CTSU2也着重优化了精度和灵敏度。首先，CTSU2 提高了Sensor（电流计数器）的温漂精度，适用于温度变化大的应用场景；其次，CTSU2在通用触摸IP技术上，增加了高速并行扫描功能（Capacitance Frequency Conversion），大幅减少了扫描次数，从而缩短了按键的延时响应，非常适合矩阵排列的多按键使用场景。此外，相较于第二代技术，CTSU2在功耗方面表现更佳。CTSU2在通用IP的基础上，针对低功耗触摸应用，增加了多电极连接（Multi Electrode Connection）和自动判断功能（Auto Judgement）。其中，自动判断功能在MCU待机状态下（如休眠模式），无需唤醒CPU即可检测触摸事件，一旦检测到触摸，系统自动切换至正常工作模式；多电极连接功能可将所有电极连在一起进行一次扫描，从而减少了每个通道逐一扫描的时间。瑞萨电子触摸MCU产品矩阵综上所述，CTSU2作为瑞萨电子在电容式触摸技术领域的集大成者，通过多频测量、主动屏蔽、低功耗设计、高集成度等核心创新，重新定义了复杂环境下的触控体验。目前，瑞萨电子已经推出了多种内核的触控MCU产品，RL78（16bit）和RX（32bit）为瑞萨私有内核MCU，RA（32bit）为ARM内核产品。其中，RL78/G23、G22系列，RX140系列，以及RA2L1、RA2E1、RA4L1系列均基于CTSU2技术。以RA2L1为例，该系列MCU基于Arm® Cortex®-M23核心，CPU时钟频率最高 48MHz，采用优化的制程和瑞萨电子的低功耗工艺技术，是业界一流水平的超低功耗微控制器——相较于竞品，RA2L1为例运行模式电流和待机模式电流都更低。RA2L1产品群配备了增强型电容式触摸感应单元（CTSU2）、串行通信接口、高精度模拟电路和定时器，可应用于消费者应用、家用电器、工业自动化、楼宇自动化、医疗与保健等领域。当前，瑞萨电子在电容触摸MCU方面产品类型丰富，用户可基于封装、闪存大小和触摸通道数量的需求快速选型。其中既有基于CTSU2技术的产品，也有基于CTSU技术的产品，满足用户的差异化需求。同时，灵活的产品选型也表明，瑞萨电子的技术优势不仅体现在性能参数的提升，更通过与 MCU、安全模块和开发工具的深度协同，为汽车、工业、医疗等市场提供了“硬件+软件+生态”的一站式解决方案。结语从技术原理的革新到MCU产品矩阵的深度布局，瑞萨通过CTSU2技术将电容触摸体验推向新高度，不仅满足消费电子、工业自动化、医疗健康等多领域对触控精度与稳定性的严苛需求，更以“硬件+软件+ 生态”的一站式解决方案，构建起从技术创新到场景落地的完整闭环。在HMI向智能化、轻量化演进的趋势下，瑞萨电子凭借CTSU2技术与多元MCU产品的协同发力，正持续为全球用户打造更自然、更可靠的人机交互生态，推动触控技术在万物互联时代释放更大价值。

瑞萨电子

Renesas瑞萨电子 . 2025-08-12 1 1305
技术 | 使用LTspice仿真来解释电压依赖性影响

本文说明如何使用LTspice仿真来解释由于使用外壳尺寸越来越小的陶瓷电容器而引起的电压依赖性（或直流偏置）影响。尺寸越来越小、功能越来越多、电流消耗越来越低，为满足这些需求，必须对元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，电压依赖性或直流偏置的影响也受到关注。要实现陶瓷电容器的微型化，就必须在越来越小的空间内实现更高的电容值。为此，具有高介电常数(ε)和越来越薄的介电绝缘层的材料正在被实现，这使得现在有可能在工业级规模上生产高质量的陶瓷层。遗憾的是，介电常数εr = ƒ()是电场强度的函数，因此电容表现出电压依赖性。根据陶瓷类型和层厚度，这种影响可以非常显著。在最大允许电压下，电容下降到标称值的10％以下并不罕见。在将恒定电压作用于MLCC的应用中（例如解耦电容），很容易考虑此影响。只要电压保持恒定，就可以从制造商提供的数据手册或在线工具中获取剩余电容值。但是，对于电压可变的情况该怎么办？例如在图4中，开关稳压器上的输入滤波器采用5 V USB电源至24 V工业电源供电。另一个例子是，2线以太网PHY与相同线路上不同电压值的电源交流耦合。在此类情况下，使用LTspice进行电路仿真可提供有用的洞察。有些MLCC制造商已经提供了相应的直流偏置模型供下载。此外，LTspice提供了模仿电压依赖行为的方法及实施工具。对此，电容与电压关系的曲线及图3中描述的方法之一很有用。 LTspice提供了一个众所周知的具有恒定电容的电容模型以及一个非线性模型。该非线性模型用于求解电荷方程。由于需要保留电荷，直接求解非线性电容模型是不合适的。但在这里，这不应该是问题，因为电容是通过电荷对电压微分来获得的。反过来，必须对电压相关电容进行积分。这已经针对如下方法完成，因此无需任何数学知识便可使用这些模型。一阶方法使用线性电压依赖性：从中通过积分可得出：以上便是电荷方程。现在可以将其直接插入LTspice术语中，以代替电容器的电容值： Q=x*{c0V}-0.5*x**2*({c0V}-{cVmax})/{Vmax}. 然而，许多MLCC的近乎恒定的初始电容即使在中等电压下也会迅速降低，之后几乎保持恒定。在此类情况下，如果仅使用线性模型，则对于较大范围的电容，有效电容会被高估。对于这种分布广泛的情况，可以使用基于双曲正切(Tanh)的模型：无需进一步的辅助工具便可轻松估算参数。图1.Tanh近似函数和相关参数电容值可由电荷等式替换 Q=x*({C0+Csat})/2+({Csat-C0})/4*{Vtra}*ln(cosh((x-{Vth})*2/{Vtra})). 图2.10 µF MLCC 为了检查LTspice中的电容模型，应用了恒定电压斜坡。这样，通过电容的电流量便完全对应于电容值，因为：图3清楚地显示了所提出的非线性模型相对于标准恒电容模型的优越性。利用这种电容曲线，线性模型足以适用于大多数应用。图3.在LTspice中以不同电容模型仿真10μF 6.3V 0805 MLCC的示例最后应注意的是，这里仅仿真了单个非理想效应。MLCC仍然存在许多其他效应，包括老化、温度依赖性、频率依赖性、AC幅度依赖性、电介质吸收等。对于许多应用，将直流偏置依赖性视为唯一的主要效应就足够了。在制造第一个原型之前，LTspice可以用作解释直流偏置等非理想特性的实用工具。图4.针对不同电源电压，使用Tanh模型从转换器侧仿真 LT8619 降压调节器的输入滤波器的干扰电流抑制

ADI

亚德诺半导体 . 2025-08-12 1 1500
技术 | 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium Nitride, GaN）无疑是最具代表性的技术之一。本文为第一篇，将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。 GaN技术优势 GaN作为一种宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor），其材料特性天然地优于硅，在多个关键指标上具备显著优势。在相同输出功率的条件下，GaN可在 MHz 等级的开关频率下工作，能显著缩小磁性元件（如变压器与电感）与滤波电容的体积，实现更高的功率密度与更小的系统尺寸。 GaN 元件具备较小的输入与输出电容，同时无反向恢复电流，能有效降低死区时间损耗（Dead Time Loss）与反向恢复损耗（Reverse Recovery Loss），使其在高频开关下仍维持高效率。虽然 GaN 的单位面积成本高于硅，但其更低的 RDS(on)使整体效率更佳，并能减少散热器面积与系统散热需求。虽然 GaN 本身具备卓越性能，但其驱动与控制的难度较高。单纯采用分立式 GaN 所带来的设计挑战不容忽视，特别是在高频驱动、PCB 布线、EMI 控制与可靠性设计方面，难度远高于传统硅 MOSFET。为了解决上述问题，整合型 GaN（Integrated GaN，简称 iGaN）技术应运而生。安森美iGaN概述本文将介绍安森美（onsemi）所推出的iGaN产品，为读者在元件选择与系统设计上提供实际参考。同时，本文针对PCB Layout 实操技巧与参考设计准则，协助设计者实际应用并优化系统效能。文章最后，提供300W高效能游戏适配器的参考设计以及实验数据。安森美将 e-mode GaN 与栅极驱动器（Gate Driver）整合于单一封装中。这样的整合大幅减少了 PCB 上的布线长度与相关的寄生参数，使得 GaN 开关可以更快速、更稳定地运作。如图1所示，安森美的产品带来的优势包括： PWM信号幅度合规性: 能够兼容多种PWM信号幅度，包括3.3V、5V和10V。这使得集成GaN技术在不同的应用场景中具有更高的灵活性和适应性。而分立GaN无法满足多种PWM信号幅度的需求。 6V钳位驱动保护GaN栅极氧化层: 具有6V钳位驱动功能，能够有效保护GaN栅极氧化层，防止其受到过高电压的损害。分立GaN技术则缺乏这一保护措施，可能会导致GaN栅极氧化层在高电压环境下受到损害。调节VDRV和驱动强度以驱动GaN速度: 可以根据需求调节驱动强度，以适应不同的应用要求。这使得iGaN技术在不同的应用场景中具有更高的灵活性和适应性。最小化驱动器和GaN之间的线路电感: 能够最小化驱动器和GaN之间的线路电感，这有助于提高系统的性能和可靠性。分立GaN技术则无法有效减少线路电感，可能会导致系统性能下降。噪音免疫性/CMTI评级（150+ V/ns）: 具有较高的噪音免疫性和CMTI评级（150+ V/ns），这有助于提高系统的稳定性和可靠性。分立GaN技术则无法提供这一功能，可能会导致系统在高噪音环境下出现不稳定的情况。图1 安森美iGaN的优势安森美作为业界领先的 iGaN 技术供应商，其 NCP5892x系列涵盖650V/ 50mohm, 78mohm以及150mohm 范围，广泛应用于快充电源、工业电源、服务器电源模组等领域。图2以NCP58921为例，呈现功能框图和引脚说明。该产品将高性能高频驱动器和 650 V、50 mΩ 氮化镓 (GaN)整合在一个开关结构中。硅驱动器和 GaN HEMT 功率开关的强大组合，相比分立式 GaN，性能更卓越。同时，TQFN26 8 x 8 mm封装降低了电路和封装寄生效应，同时实现了更紧凑的设计。图2 NCP58921的功能框图和引脚说明另一方面，使用者会在给定的应用和条件下检查元件的电压应力或是系统EMI特性。原因是PCB 布局寄生电容以及电感寄生电容和电源回路杂散电感会影响开关切换的表现。NCP58921 可透过串联 RON电阻和 VDR 去耦 CVDR 电容来调整开启压摆率 (dv/dt)。建议的 VDR 去耦电容为多层陶瓷电容器 (MLCC) X7R 材质。 CVDR电容为 100 nF，额定电压高于 25 V，可提供更好的热/电压稳定性。务必添加串联电阻 (RON)，以便设定turn on slew rate并进行应用调试。建议的起始 RON值为 33 Ω。 RON电阻值取决于应用要求和工作频率，但 100 Ω 应被视为最大值。图3是调整不同的RON值，表现出不同的dv/dt。图3 iGaN透过调整RON产生不同的 dv/dt iGaN虽已大幅降低传统 GaN 设计在驱动与匹配上的困难，但良好的 PCB layout仍是发挥其高速、高效率特性的关键。尤其在高电压、高频率、高功率密度应用中，即便微小的布线失误，也可能引发 EMI、切换尖峰、震荡甚至元件损坏。接下来，将以实际设计为导向，逐步说明 iGaN 的 PCB 布线原则，涵盖关键元件摆放、高频回路设计以及接地处理。 VDD, LDO旁路电容 iGaN 在高速驱动驱动过程，在栅极电容的短暂充电期间需要更高的电流。此电源电流透过内部调节器从 VDD 解偶电容 CVDD 提供，该电容用于解耦 VDD 电源电压。 CVDD 必须直接连接在 VDD 和 GND 接脚之间。 CVDD 电容应为至少 1 uF 的陶瓷电容，并尽可能靠近电源引脚，以便滤除高频操作下所有的突波。 LDO OUT 是通用稳压器的输出，用于为 5 V 数字隔离器或隔离栅极驱动器供电。此稳压器需要在 LDO OUT 和 GND 引脚之间连接陶瓷电容，以解耦输出电压。建议电容值为 100 nF，其材料应为稳定性良好的 X7R。图4为典型的半桥电路PCB布局以及元件位置，可看到CVDD位于VDD的引脚附近，LDO OUT的引脚与GND之间也有陶瓷电容。图4 半桥架构下Layout布局减少寄生电感如果功率回路中的寄生电感太大，搭配iGaN极高的电流变化率 di/dt，容易产生尖峰电压，甚至导致损坏。同时，这也会产生大量辐射 EMI。如图5所示，标示了 Vbus、HB、GND 以及旁边的 bypass 陶瓷电容。我们可以看到，从 Vbus → iGaN →Switch Node →iGaN，再经由 Via 返回 GND，这整条就是高功率电流回路。为了减少寄生电感，在PCB布局时，把 iGaN 与旁路电容（MLCC）放在彼此紧邻位置，减少回路的长度。同时，使用宽铜面，并在下一层有完整 GND 作为返回路径，可形成电场与磁场的抵销。上层与内层中间的板厚越薄越好，有助于形成耦合电感来等效减少整个路径上的寄生电感。图5 半桥架构下的高功率电流路径减少Switch Node 寄生电容 iGaN器件具有非常低的输出电容，并且以高dv/dt快速切换，从而产生非常低的开关损耗。为了保持这种低开关损耗，必须最小化添加到(switch node)开关节点的额外电容。根据电容的公式， C=0.0886⋅εr⋅A/h 这里： εr：是材料的介电常数，FR4 材质约为 4.5 A：是 Switch Node 与其他平面（如 GND 或 Heatsink）的重叠面积 h：是这两个导体之间的距离（通常为板厚、Dielectric）简单来说，最小化开关节点平面与其他电源和地平面的重叠，整体形成的寄生电容 C 也会跟着下降。此外，亦可以通过以下指南来最小化开关节点的寄生电容： 1. 将功率电感器尽可能靠近iGaN器件。 2. 功率电感器必须使用单层绕组构造，以最小化绕组内电容。 3. 如果单层电感器不可行，考虑在主电感器和iGaN器件之间放置一个小电感器，以有效屏蔽GaN器件免受额外电容的影响。 4. 如果使用背面散热器，使用最少的开关节点铜覆盖面积在底层铜层上，以改善热散热。

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安森美 . 2025-08-12 900
展会｜电子与嵌入式年度大展8月26日开幕！热门展品和演讲人抢先看

All for AI, All for GREEN 作为电子与嵌入式技术年度大展，elexcon2025将汇聚全球超过400家优质技术提供商，发布有关GPU、AI存算与边缘计算、AI存储与新型存储、高性能MCU/MPU、数字电源等嵌入式技术；GaN、高速连接等高性能电子元件组件；chiplet、AI电源系统级封装、PLP与TGV等先进封测技术等。海量demo展示嵌入式技术、芯片和元器件在消费电子、AI硬件、机器人、机器视觉、电动汽车与智能驾驶、工业控制、物联网等领域的应用！专业观众火热抢票中🔥 一键预约👇🏻展会入场证+会议门票热门展品现场抢先看「 elexcon2025 展商速览」同期论坛、研讨会与开发者会议展会同期召开的15+论坛、研讨会，涵盖边缘AI、具身智能、AI算力、智能驾舱、新能源汽车三电技术、机器视觉、SiP与先进封装等热门议题，超过70位专家参与演讲。会议详细日程大湾区开发者/工程师嘉年华专为大湾区工程师打造的硬核技术嘉年华，海量原厂和方案商，几千个demo现场上手，大厂开发板、开发工具领不停，多场次技术论坛和开发者活动，现场硬核拆解和游戏可参与，60+主流工程师社群深度参与，现场更多惊喜盲盒等你来拆！开发工程师年度必冲技术展会🔥 一键预约👇🏻展会入场证+会议门票 AI 特色专区 elexcon2025深圳国际电子展暨嵌入式展特设AI专区，沉浸式探展AI专题，聚焦AI热门产品及元器件，覆盖AI机器人、AI玩具、AI眼镜等，汇聚雷鸟等30+家AI+垂直赛道头部展商抢先发布，抓住AI浪潮洞察行业最前沿趋势！现场更多AI+产品惊喜等你来探！ AI玩具互动体验区小鹰视界、蓝讯智能、新迪泰电子、德馨童娱乐、乐开科技、Oilovef、组创微、知慧云等 AI机器人生态专区越疆、兆威机电、鑫精诚、高创传动、迈特芯、睿研智能、帕西尼、西恩科技、模量科技、忆海原识、大寰机器人、逐际动力、华力创科学、三喜机器人、AIRS+创新中心+联盟、德国浩亭（Harting）公司等 AI眼镜专区雷鸟、百亿美、微光科技、摩尔图像、鸿石光电、视享科技、豪鹏、深圳易天科技、深圳联合影像、影目科技、酷睿视、多屏未来、谷东科技、亮亮视野、仙瞬科技、松尖塑胶、光粒科技、积善科技等扫码进入预登记系统用户注册进入预登记注册页面，大陆观众输入手机号及验证码；海外及港澳台观众点击海外注册页面，输入邮箱。（划重点：注册手机号别忘记～后续可凭该手机号登陆，查看预约凭证及邀约好友）填写个人信息及问卷准确填写个人信息，输入真实姓名、真实有效的证件号码，并完成问卷填写。预登记成功显示以下界面即完成预登记，现场凭此确认码及名片换取胸卡证件入场。还可帮好友填写信息一齐观展。站在技术浪潮之巅，我们不仅是见证者，更是推动者！ 8月26-28日，我们现场见！立即登记领取门票 🎫 抢大厂开发板！

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芯查查资讯 . 2025-08-12 2 2350
压控晶体振荡器参数及选型

＞压控晶振的介绍压控晶振（VCXO，Voltage Controlled Crystal Oscillator）简称：VCXO是石英晶体振荡器的一种，全称：电压控制晶体振荡器，是一种与晶体谐振器串联插入变容二极管，根据外部加入的电压使二极管的容量发生变化，来达到输出频率可根据晶体谐振器的负载电容特性变化的晶体振荡器。＞构成及原理 VCXO主要由石英谐振器、变容二极管和振荡电路组成，其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容，从而“牵引”石英谐振器的频率，以达到频率调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈调制的目的。＞压控晶振特点压控晶振是由品质因素极高的石英晶体振子（即谐振器和振荡电路组成）。晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等，共同决定振荡器的性能。压控晶体振荡器具有以下特点：＞压控晶振的重要参数如何选购一款合适的VCXO压控晶振，主要从以下9个参数维度来考量。 ①标称频率标称频率是指压控晶振（VCXO）在标准工作条件（如控制电压为中间值、常温、额定电源电压）下的中心输出频率。它是VCXO的基准频率，通常由内部的石英晶体谐振器决定。 ②频率稳定度(关键参数) 指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用ppm(百万分之一)表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。 ③电源电压常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V应用较广。 ④输出方式根据需求采用不同输出（CMOS、CML、TTL、PECL、LVPECL、 LVDS、HCSL等）每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。应该关注三态或互补输出的要求。 ⑤工作温度常规工作温度-40~+85℃，存储温度-55~+125℃，某些特殊场合如航天军用等对温度有更苛刻的要求。 ⑥相位噪声和抖动相位噪声和抖动都是衡量输出时钟 “纯净度” 的指标：它们描述的是信号在理想周期之外的随机或确定性偏差有多大，数值越小，时钟越干净，系统误码率越低。 1）相位噪声（Phase Noise）定义：在频域上，信号频谱的 “裙边” 有多宽。单位：dBc/Hz（相对于载波功率，每赫兹带宽的噪声功率）。 2）抖动（Jitter）定义：在时域上，真实边沿与理想边沿的时间偏差（统计值）。单位：ps（皮秒）。相噪是频域的噪声功率分布，影响信号频谱纯度；抖动是时域的时钟边沿不确定性，决定时序精度。两者本质是同一现象的两种表述方式，但优化手段不同（如低噪声电源改善相噪，PCB布局减少抖动）。 ⑦牵引范围是针对压控晶振的参数。带有压控功能的晶振为(VCXO) ，通过施加外部控制电压(1.65±1.35V)使振荡频率可变的频率偏差范围，表示变化频率（增大或缩小）与中心频率的比值，范围一般为±50ppm~±200ppm。取决于VCXO的结构和所选择的晶体。 ⑧封装尺寸与其它电子元件相似，石英振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折中。 ⑨老化率在所有其它条件都恒定不变的情况下，振荡器的频率仍会随着时间推移而发生的漂移，这种长期漂移是由晶体元件和振荡电路的其它元器件缓慢变化造成的，即晶振随时间变化而引起的频率变化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。＞ YXC压控晶振选型推荐 · CMOS压控晶振＞ YSV310PR系列产品特点： * CMOS输出 *10~250MHz频率范围任意编程 *宽牵引范围：±50ppm（min.） *低抖动：1.0ps typ. *快速交付、交期灵活 *封装：3.2x2.5mm、5.0x3.2mm、7.0x5.0mm *应用于太阳能光伏、锂电池、10 GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等。＞ YSV311PJ系列产品特点： *可编程压控晶振 *多种电压可选（1.8V、2.5V、3V、3.3V） *15~250MHz宽频率范围任意编程 *CMOS输出 *宽牵引范围：±200ppm typ. *超低抖动：0.15ps typ. *封装：5.0x3.2mm、7.0x5.0mm · 差分压控晶振＞ YSV220PR系列产品特点： *压控差分晶振VCXO *10~1500MHz超宽频率范围任意编程 *多种电压可选（2.5V、3.3V） *宽牵引范围 *输出类型丰富（LVDS、LVPECL） *快速交付、交期灵活 *封装：3.2x2.5mm、5.0x3.2mm、7.0x5.0mm ＞ YSV221PJ系列产品特点： *15~2100MHz超宽频率范围任意编程 *多种电压可选（1.8V、2.5V、3.3V） *宽牵引范围：±200ppm typ. *输出种类丰富（LVDS、PECL、HCSL、CML） *超低抖动：0.163ps typ. *封装：5.0x3.2mm、7.0x5.0mm Tips：小扬给大家送一个选型口诀 “先定频点，再定可调范围；小封装省空间，大封装低相噪；数字用 CMOS，高速用差分。” 记住了吗？

压控晶振,VCXO,压控晶体振荡器,有源晶振

扬兴科技 . 2025-08-12 780
纳祥科技客户案例：基于单片机的红蓝光电动喷雾按摩梳方案

随着现代生活节奏加快，头发护理与头皮健康管理需求日益增长。普通梳子仅具备基础梳理功能，无法满足用户对按摩放松、光疗养护、便携性等多元化需求。纳祥科技针对以上问题与客户需求，推出了一款集多模式振动按摩、红蓝光疗于一体的红蓝光电动喷雾按摩梳方案，旨在为用户提供便捷简单的头皮护理解决方案。（一）方案概述本方案集成3档振动按摩、红蓝光疗及雾化功能：以单片机为核心控制单元，振动模块通过PWM调速驱动微型马达，实现低/中/高3档强度调节；雾化片将水槽液体转化为纳米级雾；光疗模块采用红光(波长：640~650nm±10)与蓝光(波长:460~470nm±10) 交替模式，覆盖不同需求。方案集合单片机、微型振动马达、充电IC、锂电池、雾化片、LED灯、3个独立按键【开关/出雾口（长按开关，短按出雾口）、震动、光疗键】等关键组件，通过高频振动按摩头皮，减缓长时间用脑导致的压力和疲劳，兼顾功能性与便携性。（二）功能模块（1）核心模块 ①振动系统：微型振动马达通过PWM调频实现低/中/高3档强度 ②光疗系统：红光促循环，蓝光抑油脂，通过独立LED灯珠切换实现 ③雾化系统：雾化片将水槽内的液体（水/精油）转化为喷雾，按键触发 ④电源管理：锂电池（500mAh）搭配充电芯片，支持USB-C快充，长效续航（2）控制逻辑 ①单片机核心：低功耗MCU处理按键信号，协调振动、灯光、雾化等功能 ②按键定义： ●开关/出雾口键：长按（>2s）开关机，短按触发一次雾化 ●震动键：循环切换振动档位（低→中→高循环） ●光疗键：循环切换红光→蓝光→关闭（红光常亮促循环，蓝光闪烁控油）（三）方案演示我们将为您展示本方案—— ①长按开机，短按出雾/关雾 ②短按光疗键，红光、蓝光交替 ③短按震动键，具备3种震动模式（四）方案总结本方案具有操作简便、便携性强的显著特点，能够精准满足头皮健康护理的多功能需求，适用于日常护发、差旅等多种应用场景。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

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深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-12 1 3745