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应用 | 杰理科技全时ANC芯片赋能，vivo Air3 Pro定义半入耳新标杆

近日，vivo 全新力作TWS Air3 Pro 半入耳主动降噪耳机引爆市场，线上线下销售火热。这款耳机不仅拥有高颜值设计，更因其搭载的杰理科技JL7096D蓝牙耳机芯片，在核心性能上实现了全面飞跃，尤其在消费者最关注的降噪效果和佩戴舒适度上，结合超长续航、超低延时与稳定连接，带来了耳目一新的用户体验。突破降噪壁垒：杰理ANC定义半入耳清晰极限 vivo TWS Air3 Pro的核心亮点在于其强大的降噪能力。得益于JL7096D芯片的宽带数字自适应ANC技术（支持混合/前馈/反馈模式），耳机能够精准感知并抵消环境噪音，降噪深度达到50dB。配合三麦AI通话降噪技术，无论是通话还是听音，声音都更加清晰纯净，失真更小。京东用户真实反馈：“通勤地铁上开启降噪，世界瞬间安静了”、“飞机上引擎轰鸣声明显减弱，看剧舒服多了”。与标杆产品苹果 AirPods Pro (入耳式) 对比：在极端噪音环境下，AirPods Pro凭借物理隔音+ ANC的组合确实仍有优势。然而，vivo Air3 Pro作为半入耳耳机，其降噪表现已无限接近实用化，更重要的是，它彻底解决了入耳式耳机长期佩戴的痛点—— “胀耳感”和“异物感”消失无踪。用户盛赞：“戴一整天耳朵也不累不痛”、“舒适度满分，是同款里的T0存在”。这种在舒适与降噪间取得的绝佳平衡，使Air3 Pro 在同形态产品中一骑绝尘，完美契合了消费者“既要降噪好，又要佩戴舒服”的核心诉求。颠覆续航认知：杰理低功耗架构横扫47小时超长待机 JL7096D 芯片的高性能低功耗特性与优秀的电源管理协同发力，铸就了vivo Air3 Pro惊人的续航表现：单次充电可使用9.5小时，搭配充电盒总续航高达47小时。日常通勤、健身运动或短途差旅，电量焦虑不复存在，轻度用户甚至可实现 “一周一充”。对比苹果 AirPods（第三代）约30小时的总续航，vivo Air3 Pro 的优势显著。对于重度用户和长途旅行者而言，这份“电量自由”尤为珍贵。声画零感延迟：杰理超低延时引爆电竞级体验超低延时的实现，是衡量蓝牙耳机芯片竞争力的关键要素，JL7096D在此交出了满意答卷。 vivo TWS Air3 Pro在配套APP中开启游戏模式后，延时可低至44ms，实现出色的声画同步效果。玩家在进行精准操作时，能获得即时无滞后的声音反馈，享受流畅沉浸、决胜毫秒的电竞级游戏体验。重构连接稳定性：杰理原生蓝牙6.0征服全场景挑战连接稳定性是TWS耳机的基础。JL7096D原生支持蓝牙6.0技术，显著提升了传输效率、安全性与抗干扰能力。结合大内存和优化设计，用户在日常使用场景（如置于口袋、背包，或在商场、地铁等复杂环境）中，极少遭遇卡顿或断连问题，开阔环境下的有效连接距离也令人满意。虽然苹果AirPods在自家生态内的无缝切换是其独特优势，但vivo Air3 Pro通过蓝牙6.0在跨平台（尤其是安卓生态）的设备连接稳定性上表现扎实可靠，在保持稳定连接的同时也能够兼顾节省功耗。 vivo TWS Air3 Pro凭借杰理JL7096D芯片，成功在主动降噪、超长续航、超低延迟和稳定连接上实现显著提升，轻盈舒适的佩戴感更是锦上添花。与苹果相比，续航大幅领先，延迟和连接稳定性达顶级体验，半入耳降噪接近实用水平，同时保持AirPods般的舒适度。对于追求高性价比、舒适佩戴、长续航、良好降噪和低延迟的用户（尤其安卓用户），它无疑是值得入手的真无线臻品，实现了从参数到体验的超越。

杰理

珠海市杰理科技股份有限公司 . 2025-07-07 5465
企业 | 2.3亿美元，IAR被收购

最新消息显示，瑞典软件工具开发商 IAR 已接受汽车软件公司 Qt 集团 2.3 亿美元的收购要约。该笔现金交易的价格为 180 瑞典克朗，较当前股价溢价 66%，并获得了主要机构投资者的支持，持有 38% 的股份。交易的完成取决于 90% 的股东在 9 月 25 日之前出售股份，以及获得所有监管部门的批准。 IAR近年来一直举步维艰，在新任首席执行官 Cecilia Wachtmeister 的领导下进行了重组，转向订阅模式。而 Qt 则认为这笔交易将为ARM 和 RISC-V 微控制器带来关键的功能安全工具。 Qt 集团首席执行官 Juha Varelius 表示：“通过合并 Qt 集团和 IAR，我们将扩大我们的总体目标市场，加强我们的全球影响力和客户服务，同时支持 IAR 向基于订阅的业务模式转型——我们非常了解这一过程，因为我们自己已经成功完成了这一过程。” 我们拥有涵盖产品开发流程各个环节的全面产品组合，并制定了清晰的战略来巩固我们作为多产品公司的地位，而IAR是一家备受尊敬的嵌入式开发解决方案提供商。因此，我们向IAR股东提出了一份颇具吸引力的报价，这反映了我们认为作为Qt集团旗下子公司可能带来的益处。 Qt 集团表示，它一直密切关注 IAR 的战略和运营发展，并将这笔交易视为创建一站式服务的一种方式，将为两家公司创造巨大价值。 Qt集团和IAR的产品组合相互补充，Qt集团在移动和桌面应用程序以及嵌入式设备的产品开发各个步骤（从用户界面设计到软件开发、质量保证和部署）方面拥有深厚的专业知识，而IAR在嵌入式开发解决方案方面拥有强大的能力。 Qt 公司和 Qt 集团不打算根据该要约对 IAR 的运营、管理或员工做出任何改变。 IAR 的股东 ALCUR Fonden、Andra AP-fonden 和 Tredje AP-fonden（合计占 IAR 已发行股份的约 25.8%）已承诺接受该交易。此外，IAR 的股东 Fjärde AP-fonden、Aktia Nordic Small Cap Fund 和 Aktia Nordic Micro Cap Fund（合计占 IAR 已发行股份的约 10.9%）已确认支持该交易，并有意接受该要约。 IAR官宣被收购 IAR Systems Group AB 董事会一致建议 IAR Systems Group AB 股东接受 Qt Group Plc 的全资子公司 The Qt Company Ltd 于 2025 年 7 月 4 日宣布的公开现金报价。 2025 年 7 月 4 日， Qt Group Plc（简称“ Qt 集团”）的全资子公司Qt Company Ltd（简称“ Qt公司”或“投标人”）宣布向IAR Systems Group AB（简称“ IAR ”或“公司”）的 B 类股票股东（简称“股份”或单独称为“股份” ）公开要约，以每股 180 瑞典克朗现金的价格将其持有的公司所有股份出售给投标人（简称“要约”）[1]。此要约声明由 IAR 董事会根据瑞典证券市场自律委员会针对纳斯达克斯德哥尔摩和北欧成长市场 NGM 的收购规则 II.19（“收购规则”）作出。董事会已聘请 SEB Corporate Finance 担任本次要约的财务顾问，并聘请 Setterwalls Advokatbyrå 担任法律顾问。竞购方以每股180瑞典克朗现金收购该公司股份，IAR所有流通股估值约为22.93亿瑞典克朗[2]。要约中的每股价格溢价如下：与 2025 年 7 月 3 日（即要约宣布前的最后一个交易日）IAR 股票在纳斯达克斯德哥尔摩证券交易所的收盘价 108.2 瑞典克朗相比，上涨约 66.4%；与要约宣布前三个月 IAR 股票在纳斯达克斯德哥尔摩交易所的成交量加权平均交易价 110.1 瑞典克朗相比，上涨了约 63.6%；与要约宣布前六个月内 IAR 股票在纳斯达克斯德哥尔摩交易所的成交量加权平均交易价 119.4 瑞典克朗相比，上涨了约 50.8%。本要约不包含IAR根据其实施的任何激励计划向其员工授予的任何限制性股票单位或股票期权。竞标者拟就本要约为此类计划的参与者争取合理的待遇。要约的完成取决于（但不限于）以下条件：要约被接受，使得 Qt 公司成为 IAR 股份的持有者，持有的股份占 IAR 股份总数的 90% 以上（完全稀释后），以及获得所有监管、政府或类似机构的批准、批准和决定，这些批准、批准和决定对于要约的完成以及投标人收购 IAR 是必要的。投标人保留全部或部分放弃这些及其他完成要约的条件的权利。投标人还保留一次或多次延长接受期限以及推迟结算时间的权利。收购方在准备要约的过程中，已对IAR进行了尽职调查。为此，收购方已与IAR管理层会面。收购方未获得与尽职调查相关的任何内幕信息。 IAR 的股东 ALCUR Fonder、Andra AP-fonden 和 Tredje AP-fonden（合计约占已发行股份的 25.8%）已承诺接受该要约。此外，IAR 的股东 Fjärde AP-fonden、Aktia Nordic Small Cap Fund 和 Aktia Nordic Micro Cap Fund（合计约占已发行股份的 10.9%）已确认支持并有意接受该要约。投标人预计将于2025年8月15日左右发布与要约相关的要约文件。要约的接受期预计将于2025年8月18日左右开始，并于2025年9月25日左右结束，如有延长，恕不另行通知。如果所有相关审批、批准及决定均已及时收到，使得接受期能够在2025年9月25日之前结束，投标人可提前宣布接受期的结束日期，但该宣布须在新的接受期结束日期前至少两周进行。 2024年12月，IAR宣布了其新的3-5年财务目标，力争实现20%的收入增长和20%的营业利润率。这体现了IAR旨在从技术和地域两方面拓展其潜在市场的拓展战略。作为此次转型的关键组成部分，IAR推出了一款全新的云服务，标志着公司从销售独立的永久授权产品转向通过集成平台模式交付其全套工具。尽管董事会继续对 IAR 的战略方向和未来前景表现出强烈的信心，但股东必须认识到，对未来业绩的预测涉及固有的不确定性，因为它们受到部分超出公司控制范围的事件和条件的影响。董事会已采用通常用于评估上市公司公开要约的标准方法对本次要约进行了评估。评估包括分析IAR相对于可比上市公司和类似历史交易的估值，以及审查先前公开要约中的收购溢价。董事会还考虑了股市对IAR未来业绩的预期，并根据预期未来现金流形成了对公司长期内在价值的自身看法。此外，董事会还评估了IAR的长期增长潜力以及相关风险和执行挑战。此外，董事会还指出，本次要约采用全现金对价结构，若成功完成，将为IAR股东提供一个低风险的短期机会，使其能够以远高于近期市场交易水平的价格将其投资变现。董事会强调，此次要约价格较收盘价溢价66.4%，较要约宣布前三个月和六个月的成交量加权平均交易价分别溢价63.6%和50.8%。因此，此次要约溢价与近期在纳斯达克斯德哥尔摩交易所宣布的其他公开现金要约一致。基于上述情况，董事会一致建议 IAR 股东接受该要约。 IAR 董事会主席 Nicolas Hassbjer 表示：“经过全面评估，董事会认为，该要约不仅为 IAR 股东提供了具有吸引力的的价值，而且还将两家高度互补的业务整合在一起。” 董事会关于本次要约对公司及员工影响的意见根据收购规则，董事会须根据要约人在要约公告中的声明，就要约实施对公司的影响（尤其是在就业方面）发表意见，并就要约人针对公司的战略计划及其预期对就业和公司经营所在地的影响发表意见。要约人在宣布要约的新闻稿中声明： Qt公司和Qt集团认可IAR管理层和员工所取得的成就，并致力于建立一个能够充分利用双方专业知识和资源、并依托两家公司优势的组织。Qt公司和Qt集团尚未计划因本次要约（包括雇佣条款和条件）而对IAR的运营、管理层或员工，或IAR的运营地点进行任何变更。任何整合决策都将基于与IAR共同进行的全面评估，该评估可能在要约完成后启动。董事会认为该描述准确无误，且在相关方面没有理由持不同意见。

IRA

芯查查资讯 . 2025-07-07 1440
市场周讯 | 美国取消3大EDA厂商对华出口限制；美国“大而美”法案签字成法；DDR4暴涨67%，超DDR5价格44%

| 政策速览 1. 美国：新思科技、西门子、楷登电子收到美国商务部工业与安全局来函，通知基于 2025 年 5 月 29 日收到的限制令所实施的对华出口管制措施现予以撤销，即时生效。公司正恢复近期受限产品在中国市场的供应和全面客户支持。 2. 四川：四川省政府办公厅近日印发《关于发展壮大新兴产业加快培育未来产业的实施方案（2025—2027年）》，明确了四川发展新兴产业、培育未来产业的总体目标、重点突破方向和重点任务。《方案》提出到2027年，全省新兴产业成链集群发展，培育30家以上具有全国影响力的行业领军企业，打造5个千亿级产业集群、10个五百亿级产业集群；未来产业创新突破发展，培育10家以上高成长创新型企业，涌现一批重大创新成果和标志性产品，产业化能力初步形成。《方案》明确了23个重点突破方向，其中15个新兴产业领域，包括人工智能、机器人、集成电路、新型显示、生物医药、核医疗、商业航天、新型航空、低空经济、氢能、新型储能、激光装备、增材制造、生物农业、先进材料等；8个未来产业领域，包括第六代移动通信(6G)、量子科技、元宇宙、前沿生物、脑科学与脑机接口、可控核聚变、超高速轨道交通、深地科学等。 3. 上海：上海市投资促进工作领导小组办公室印发《关于强服务优环境进一步打响“投资上海”品牌的若干举措》，其中提出，支持产业链联合体项目。加快培育重点产业链，对集成电路、大飞机、船舶海洋、信创产业等重点产业链实施联合体支持政策。支持优质企业以链强链，对于优质项目给予最高产业政策支持，支持产业链上下游重点领域和核心环节项目打包同步落地。 4. 国家药监局：国家药监局发布优化全生命周期监管支持高端医疗器械创新发展有关举措的公告。其中提到，科学制定高端医疗器械审评要求，完善高端医疗器械注册审查体系。加快制修订腹腔内窥镜手术系统、医用磁共振成像系统、种植用口腔骨填充材料和镍钛合金血管内植介入等相关产品技术审查指导原则。研究制定多病种、大模型人工智能领域相关技术指导原则或者审评要点；简化核心算法不变而算法性能优化人工智能医疗器械产品变更注册要求；探索完善采用测评数据库开展人工智能医疗器械性能评价要求；对在不同平台注册的同一人工智能软件功能，若能证明平台的等同性，简化审评要求。研究人工智能、生物芯片等技术在生物材料医疗器械性能及安全性评价中应用。修订高端有源医疗器械使用期限注册技术审查指导原则。探索高端医疗器械使用电子说明书的路径和要求。 5. 美国：美国总统川普力推的“大而美”法案7月4日签字成法，美国电动汽税额抵免政策也即将走到终点。美国国会周四通过全面税收和预算法案，意味着消费者购买或租赁新电动车的7500美元税额抵免以及二手电动车4000美元的税额抵免，都将于9月30日结束。 | 市场动态 6. Canalys：2025年第一季度，美国台式机和笔记本出货量同比增长15%，达到1690万台。由于厂商为应对关税政策调整而加大出货力度，导致渠道库存大幅增加，后续面临清理库存的压力。 7. TrendForce：DRAM方面，16Gb DDR4消费级DRAM芯片现货价格持续上涨，而8Gb DDR4等PC级DRAM芯片则出现小幅回调。NAND Flash方面，随着供应商产能资源逐步释放，加之相关补贴政策效应减弱，导致现货市场低迷。担忧缺货DDR4一个月内暴涨67%，超过DDR5价格44%，形成罕见“价格倒挂”。 8. 韩国：韩国6月出口额同比增加4.3%，为598亿美元。单月出口同比增幅时隔一个月恢复增势。具体来看，半导体出口额同比增加11.6%至149.7亿美元，刷新史上最高纪录。汽车出口额增加2.3%至63亿美元，创下历年同月新高。 9. 香港：香港特区政府创新科技及工业局辖下的创新科技署宣布，杰立方半导体（香港）有限公司提交的“新型工业加速计划”申请已获评审委员会支持。该项目计划在香港兴建一座第三代半导体碳化硅（SiC）晶圆生产设施。 10. SEMI：预计从2024年底到2028年，产能将以7%的复合年增长率（CAGR）增长，达到每月1110万片晶圆（wpm）的历史新高。这一增长的关键驱动力是先进制程产能（7nm及以下）的持续扩大，预计将增长约69%，从2024年的85万wpm增至2028年的历史高点140万wpm——复合年增长率约为14%，是行业平均水平的两倍。 11. 市场：Q1全球智能摄像头市场增速放缓至4.6%，全球TOP5厂商为萤石、亚马逊、小米、大华乐橙、普联。亚太（不含中日）、拉美市场成新引擎，分别增长23.1%及19.6%。 | 上游厂商动态 12. Celestica：Celestica（天弘，东莞）科技有限公司近日发布通告，称为了响应市场变化和公司未来战略的调整，公司将于2025年6月底开始解散，7月1日起终止所有员工劳动合同。该公司已深耕东莞超20年。 13. 三星：由于难以找到客户，三星不得不推迟其在美国得克萨斯州泰勒市半导体工厂的竣工，并正延缓采购工厂设备。报道援引一名不愿透露姓名的知情人士称：“（泰勒芯片厂的）进度被推迟，是因为没有客户。就算现在把设备运来，（三星）也不能做什么”。 14. 士兰微：该厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目也是厦门最大的碳化硅项目。 15. 台积电：台积电美国子公司TSMC Arizona董事长凯西迪（Rick Cassidy）卸任。台积电表示，凯西迪将退休，目前转任顾问，TSMC Arizona董事长尚无继任的信息。 16. 纳微：纳微半导体（Navitas）今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓（GaN）产品。 17. 英特尔：英特尔新任CEO陈立武正考虑对代工业务进行重大改革，不再推销长期开发的18A制程及其变体18A-P制程，将资源集中于下一代14A制程，争取苹果及英伟达等大客户的代工订单。 18. 芯德科技：芯德科技55亿人工智能先进封测基地项目在南京开工。其中项目一期投资10亿元，规划建设15.3万平方米现代化厂房，配置先进生产设备。一期建成达产后可年产1.8万片晶圆级异构集成封装产品和3亿颗晶圆级高密度芯片封装产品。 19. 摩尔线程：摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司科创板首发申请获得上交所受理。此次摩尔线程拟募集资金80.00亿元，保荐机构为中信证券。 20. 沐曦：据上交所官网，沐曦集成电路（上海）股份有限公司科创板首发申请获得上交所受理。此次沐曦股份拟募集资金39.04亿元，保荐机构为华泰联合证券。 21. wolfspeed：碳化硅半导体巨头Wolfspeed当地时间6月30日宣布，已采取下一步措施，实施此前与主要债权人达成的重组支持协议。该公司已根据美国破产法第11章自愿提交重组申请，预计今年第三季度末完成重组。Wolfspeed表示，完成上述流程后，公司预计其整体债务将减少约70%，相当于减少约46亿美元。 22. 星通半导体：佛山市星通半导体有限公司竞拍摘得位于禅城区南庄高端精密智造产业园的一宗约90亩的工业地块，该项目预计带动投资约45亿，达产后的年产值达30亿元，将打造大湾区规模最大的芯片测试封装基地。 23. 美光：三星电子移动体验 (MX) 部门正在测试美光的LPDDR5X样品，以应对明年2月Galaxy S26系列的发布。该部门正在将美光样品与半导体 (DS) 部门的产品一起评估性能和价格，预计结果将于年底公布。美光LPDDR5X样品为今年4月提供，采用1β技术节点，其电路线宽较此前供应给三星S25的LPDDR5X产品电路线宽略有减小，每片晶圆可生产的芯片数量将略有增加。美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ（对应1c）工艺生产的LPDDR5X样品。 24. 上海类比：雅创电子拟2.98亿元入股上海类比，进一步完善模拟芯片布局，拓宽汽车、工业、机器人等领域业务。 25. 芯锋宽泰：国产ADC先驱、14年半导体大厂芯锋宽泰破产清算，其VAT1002产品被视为亚洲首个国际领先水平的高性能ADC。 26. 中星微：近日表示，由于工商经营压力，所以当前需要进行业务重组及薪酬跳转，并且开始组织优化以及降本增效。所以，从7月1日起，全员降薪15%。 27. 湃芯科技：苏州市虎丘区人民法院公开了一则关于‘苏州市湃芯半导体科技有限公司（简称“湃芯科技”）’的破产审查案件，案件编号为【（2025）苏0505破申39号】。 | 应用端动态 28. 智音车：全国首辆搭载“AI大脑”的外卖配送车——智音车，在武汉市汉阳区首发，全国首个即配专用号牌管理系统同步发布。汉阳区委社会工作部负责人介绍，该车加装北斗双频芯片，实现人车绑定智能管理，具有身份识别、自动降速、优化路线、全程可溯等多个功能。 29. 蔚来：蔚来创始人李斌发布微博称蔚来世界模型NWM开始陆续推送到ET9、新ES6、新EC6、新ET5和新ET5T上。这标志着蔚来自研的全球首颗车规级5纳米智驾芯片神玑NX9031的应用性能达到设计目标。“从神玑NX9031芯片上车之后的表现来看，我们初步实现了自研芯片的战略目标。” 30. 微软：软新一代AI芯片Braga的量产时间将从2025年推迟至2026年。延期的主要原因包括芯片设计变化、研发团队人手不足以及员工流动性过高。据知情人士透露，在芯片开发的过程中，微软要求对其设计进行更改，以满足OpenAI提出的新功能需求。这使得芯片在模拟测试中变得不稳定，工程师不得不花费几个月时间来解决问题。同时微软高层坚持要求在年底前完成设计。过大的时间压力导致有五分之一的团队成员离开了项目。

半导体

芯查查资讯 . 2025-07-07 15 3 5880
企业 | 从端侧AI到全链路解决方案：移远通信如何重塑AloT产业？

2025年7月3-5日，第九届集微半导体峰会在上海盛大举办。本届大会汇聚全球数千位产业领袖及学术专家，聚焦半导体/人工智能技术演进、供应链安全、资本赋能等核心议题，共商产业协同发展大计。作为全球领先的物联网整体解决方案供应商，移远通信受邀出席峰会并发表两场演讲，围绕端侧AI、云端AI以及AI安全等全链路解决方案，深度分享其创新突破与全场景落地实践，为AIoT产业智能化升级提供清晰路径。硬核实力：构建端侧 AI 坚实基础在“端侧AI技术与应用创新论坛”上，移远通信AI产品经理王柯发表题为《智能生态引擎-AI整体解决方案的破局之道》主题演讲，详细阐述了在硬件算法协同与端侧大模型研发方面的领先成果。硬件上，移远通信提供覆盖高、中、入门级算力( 1-48 TOPS ) 的智能模组产品线，精准匹配不同端侧AI场景需求。软件上，移远拥有卓越的视觉与音频算法能力：其视觉算法基于图像分类、目标检测、语义分割等主流模型，具备丰富场景化落地经验；音频算法则涵盖声学前端信号处理、语音识别与合成等关键技术。移远通信AI产品经理王柯在端侧大模型研发上，移远持续取得关键突破，聚焦多模态感知、架构创新与模型兼容性，已成功在SG885G模组部署参数规模达7B的LLaVA多模态模型，实现实时视觉理解与多模态信息融合。在架构上，SG885G支持运行非Transformer路线的RWKV7模型，显著降低算力和内存需求。移远还构建了强大的端侧适配体系，率先实现对Llama、通义千问、DeepSeek等主流开源模型的全方位兼容，参数范围覆盖0.5B至8B，打造出功能强大的端侧大模型超级平台。同时，凭借深厚的工程化能力和丰富落地经验，移远持续助力客户拥抱大模型，支持对主流模型进行微调、适配与增强，并运用模型量化等关键技术优化端侧部署和运行效率，确保方案的广泛实用性与高效性。王柯强调，移远的“破局之道”更植根于对行业的深刻认知，始终坚持“行业+AI”方法论，与众多行业头部客户紧密合作，深入洞察真实场景核心痛点。他分享了移远在智能售货机、智能识别秤、理疗机器人等领域的创新实践。例如，通过边缘计算与动态视觉识别技术赋能智能售货机，实现商品精准识别与快速结算，显著提升运营效率；AI智能识别秤借助深度学习视觉算法，大大优化购物体验；理疗机器人则依托高算力模组和端侧大模型，实现自然流畅人机交互，提升服务个性化与智能化水平。这些案例生动展现了移远端侧AI技术的广泛适用性与卓越性能。 AI全链路解决方案应对产业挑战随后，在“集成电路与AI技术应用创新论坛”上，移远通信物联网产品总监丁子文深入剖析了当前AI应用的迅猛发展态势以及如何助力AIoT产业升级。他指出，2025年AI应用渗透速度已达2024年的5倍，53%的大型企业已积极落地生成式AI创新，但开发周期漫长、软硬件方案整合难度大等问题仍在制约其发展。丁子文介绍，为了帮助客户解决上述落地瓶颈问题，移远打造了从硬件接入到软件应用的全流程物联网解决方案，涵盖硬件接入、数据传输、产品管理、服务运维等环节，帮助客户一站式完成AIoT升级，显著缩短产品上市时间。移远通信物联网产品总监丁子文其中，飞鸢物联网平台作为该方案的核心支撑，具备全链路服务优势。平台在全球设立多个数据中心加速节点，确保连接稳定；支持设备毫秒级就近接入，相比自建MQTT集群，大大降低运营成本。同时，移远拥有丰富的全球IoT安全合规经验，严格遵循GDPR、CCPA等国际主流标准，为企业出海筑牢安全防线。他还特别介绍了AIoT的产品核心——智能体灵魂训练，通过移远AI Agent开发平台，帮助客户完成AI Agent定义/开发/运维，满足个性化需求，并凸显AI产品竞争力。最后，丁子文展示了移远通信在AI消费终端领域的落地成果： AI玩具：凭借智能化、低时延的语音交互方案，实现千人千面的个性化交流，结合回声消除与噪声抑制技术，显著提升用户交互体验； AI眼镜：以轻量化硬件架构为基础，集成语音控制、实时导航等复合功能，重塑便捷智能生活体验； AI机器人：依托深度优化的意图识别引擎与多模态交互反馈机制，赋予机器人聪明的灵魂，从而高效适配各种应用场景。此外，移远还通过打造“Terminal+IoT+AI Agent ”的平台架构，帮助客户高效完成从IoT到AIoT的转型，为多元场景筑牢底层支撑。 AI正成为产业智能化升级的核心引擎。未来，移远通信将持续深化AI技术布局，携手合作伙伴开拓更广阔的智能化应用场景，让高效、安全、普惠的AI能力深度赋能千行万业。

移远通信

移远通信 . 2025-07-07 1985
年中盘点 | 近一年1.8万余款新品发布，这些IC新品都有哪些特点？

2025年上半年，芯查查在数据服务项目中新增了一项功能——新产品，该功能主要收集了半导体企业近一年来推出的新产品数据，方便工程师查阅。这些新产品包括传感器、光电器件、分立器件、模拟芯片、模拟芯片、微处理器，以及存储器芯片等。据芯查查的统计，近一年来，全球2,000多个半导体品牌共推出了18,456款新产品。其中，美国半导体企业发布的数量最多，达到了48%，占了近一半的数量；中国半导体企业推出的新产品数量位列第二，占了17%；欧洲、日本和韩国分列第三、四、五位。图：不同国家或地区的半导体企业推出的新产品型号数量占比情况（数据来源：芯查查）推出新产品数量最多的企业排行TOP 10 从半导体品牌来看，推出新产品数量最多的企业包括来自美国的Microchip、TI、ADI、Diodes；来自中国的圣邦微和安世半导体；来自日本的罗姆和TDK，以及德国的英飞凌和韩国的KEC等。图：推出新产品数量最多的半导体企业排名TOP 10（数据来源：各公司官网、芯查查）从推出新产品的主要类别来看，以二极管、晶体管、MOSFET、电源管理与放大器等模拟芯片、MCU等微处理器芯片、接口、逻辑芯片等为主。比如Microchip近一年来推出了不少8位、16位和32位的MCU，以及FPGA和时钟振荡器新产品；TI近一年来推出的914款新产品当中，有285款位电源管理芯片、其次是逻辑与电压转换器芯片155款、其他隔离、音频、MCU等产品的数量也比较多。图：TI近一年来推出的新产品（来源：TI）国内的圣邦微则推出了大量的放大器、比较器、LDO、ADC/DAC、电压探测器/检测器、负载开关、DC/DC等模拟芯片新产品。新产品特点：汽车和工业应用领域受重视 2015年上半年一晃就过去了，半导体市场虽然有诸多波折，但依然热闹，AI相关的半导体需求继续高涨，手机行业稍微有些复苏，汽车和工业市场已经开始触底回升，国产半导体企业开始进入更多细分领域，特别是在汽车芯片领域，不少国内芯片企业推出了高边开关、车载SerDes，SiC器件与模块、高端DSP、高性能MCU等相关产品。图：数据来源芯查查比如高边开关产品，此前这块市场主要是海外半导体产品的天下，如今我们看到了国内的类比半导体、南芯科技、稳先微、希荻微等半导体企业在近一年都有新产品推出。此外，茂睿芯、帝奥微、纳芯微等不少厂商在一年前就推出了相关产品。图：数据来源芯查查另一个比较热门的领域就是车载SerDes芯片，近年来国内不少企业进入了该领域，并且推出了相关产品，比如瑞发可半导体、首传微、仁芯科技、纳芯微、豪威科技等等。当然，车载SerDes芯片市场，国外厂商也很重视。恩智浦在2024年12月以2.4亿美元现金收购了美国车载SerDes初创企业Aviva Links；Microchip在2024年4月完成了对韩国车载高速链路技术企业VSI的收购；2025年6月，高通宣布以24亿美元的价格收购SerDes IP与芯片企业Alphawave。此外，MCU市场也是国内外半导体企业都非常重视的一块市场，虽然今年MCU市场很卷，但新产品其实还是推出了不少。根据芯查查的统计，MCU企业推出的新产品都在围绕性能、功能、成本和开发支持等方面做文章。图：数据来源芯查查在内核方面，我们看到越来越多的厂商开始选择更新的Arm Cortex-M0+、Arm Cortex-M23和Arm Cortex-M33内核作为其新产品的CPU。而且开始加入更多的接口类型，比如CAN-FD、EtherCAT等接口。比如兆易创新推出的GD32H75E系列支持EtherCAT通信；先楫半导体的HPM5E00系列和HPM6E00则搭载了倍福授权的EtherCAT IP，方便工程师使用。结语芯查查作为电子信息产业数据引擎，一直致力于半导体产业数据的收集和治理。我们新推出的“新产品”功能主要用来收集半导体企业近一年以来发布的新产品数据。进入方式也很简单，用户只需要打开芯查查首页，点击“数据服务”选项，在下拉菜单中选择“新产品”栏即可。进入新产品页面后，您可以在搜索框中输入您想查询的芯片型号，也可以点击下面的半导体企业品牌浏览它们近一年来推出的新产品。图：芯查查新设“新产品”功能（来源：芯查查）当然，芯查查的新产品板块还会继续优化升级，除了新品展示，还会有新品的立体宣传，欢迎半导体企业联系我们推广新产品。此外，工程师还可以通过芯查查的SaaS项目了解更多半导体行业的信息，比如头部半导体企业的营收信息，全国乃至全球半导体企业的分布情况等。图：芯查查SaaS页面（来源：芯查查）

原创

芯查查 . 2025-07-07 12 2 3765
产品丨瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，由Transphorm公司（瑞萨已于2024年6月收购该公司）首创。与硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，以最大限度地减少功率损耗，并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型（e-mode）GaN产品所无法达到的性能。新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%，基于此实现30毫欧（mΩ）的更低导通电阻（RDS(on)），较前代产品降低14%，并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标（FOM）上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本，减少输出电容，进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择，特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容，便于升级，同时保护已有的工程投入。这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装，为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择，满足热性能与布局优化的要求，还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径（TOLL）和顶部散热路径（TOLT），有助于降低外壳温度，方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外，常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量，以实现更高的功率。 Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示：“Gen IV Plus GaN产品的成功发布，标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后，在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容，致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用，更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中，这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率，且总系统成本更低的产品设计方案。” 独特的耗尽型常关断设计实现可靠性与易集成性与此前的耗尽型GaN产品一样，瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置，拥有无缝的常关断操作，同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET，SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动，而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程，又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。为满足电动汽车（EV）、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求，基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比，它们具有更高的效率、更高的开关频率，和更小的尺寸。瑞萨在GaN市场上独具优势，提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案，这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前，瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件，累计现场运行时间超过300亿小时。感受瑞萨动力以创新、品质与可靠性为核心驱动，瑞萨引领功率电子行业的发展，每年出货量超过40亿颗组件，产品组合包括电源管理IC、分立和宽带隙GaN产品、计算功率器件等。这些产品覆盖汽车、物联网、基础设施和工业应用等所有主要市场。瑞萨的功率产品组合无缝对接其领先的MCU、MPU、SoC与模拟解决方案，借助数百种经工程验证的“成功产品组合（Winning Combinations）”以及PowerCompass™和PowerNavigator™等创新设计工具，显著简化并加速了客户设计流程。

瑞萨

Renesas瑞萨电子 . 2025-07-04 4 2 1715
产品 | ±28g 高加速度，打造智能运动追踪新标准

精确捕捉高达 ±28 g 的动态动作，如重击、挥动和跳跃集成具备自学习能力的 AI，实现本地手势识别——无需依赖云端或预设训练数据搭配 Motion AI Studio 与开放 SDK，可快速在传感器中部署机器学习模型与各类算法超低功耗设计，适用于穿戴式设备与耳戴设备中的持续追踪紧凑且完全可编程的传感器系统，内置处理器封装尺寸：2.5 x 3.0 x 0.95 mm³ 封装类型：20 引脚 LGA 测量范围： -(A)：±4g、±8g、±16g、±28g* 功耗： - Fuser2（运行 CoreMark） - 长运行模式（20MHz）：959μA - 传感器融合（Hub+IMU）运行（计算游戏旋转矢量，800Hz ODR）：1.2mA - 100Hz ODR：1.0mA - 待机电流：8μA 高冲击动作，也能精准识别 BHI385可精准捕捉高强度动作，如高尔夫挥杆、网球重击、跳跃等动态行为，加速度范围达 ±28 g，为专业运动分析、健身训练和游戏交互等场景提供强大支持。内建 Bosch 领先的 IMU 技术平台，融合加速度计与陀螺仪，并集成 32 位微处理器与 AI 引擎，为系统构建一套完整、可编程的动作感知系统。 AI驱动分析，动作“理解”更进一步 BHI385不止是“追踪”动作，更能“理解”用户在做什么、做得如何： ►支持手势识别（单击/双击/三击） ►实现 6DoF/9DoF 融合、计步、活动识别等功能 ►拥有自学习周期性动作识别能力，可适应不同用户习惯，智能判断动作质量与重复节奏自学习周期性手势识别使其能够识别重复动作模式，并可根据个体差异进行自适应——不仅了解“做了什么”，还能判断“做得如何”。这使其支持更高级的应用场景，如体育或康复训练中的动作质量评估。所有数据处理在本地低功耗 MCU 上完成无需唤醒主机 CPU。在 50 Hz 的传感器融合下，典型电流消耗小于 500 µA；基于加速度计的简单算法功耗甚至低于 50 µA。 Stefan Finkbeiner 博士Bosch Sensortec 首席执行官借助 BHI385，我们让穿戴设备超越了基础动作追踪——设备可以直接在本地理解运动强度、重复动作质量以及用户特定的运动模式。 BHI385的高能效表现，使其在智能手表、健身手环、头戴式设备等电池续航敏感的产品中具有明显优势。紧凑、高能效、便于开发者使用 Bosch Sensortec 为 BHI385 配备了： ►开放 SDK ►Motion AI Studio 工具套件开发者可快速训练与部署机器学习模型，实现个性化算法嵌入，加快产品上市进程。 BHI385尤其适合用于运动活动追踪、包括技术分析在内的详细动作评估，以及穿戴设备中的嵌入式机器学习处理。其高加速度范围与智能算法也使其非常适合于冲击与碰撞检测，以及通过动作控制实现直观的人机交互。目标设备包括智能手表与健身手环、专业运动穿戴设备（如智能服装）、用于 AR/VR 和音频应用的头戴式设备，以及联网健身或游戏设备。这些设备将受益于 BHI385的紧凑封装设计、嵌入式智能与出色的动作追踪能力。上市时间 BHI385将于2025 年第三季度起通过 Bosch Sensortec 全球授权分销合作伙伴正式供货。 -(G)：±125°/s、±250°/s、±500°/s、 ±1000°/s、±2000°/s

博世

Bosch Sensortec . 2025-07-04 1 1 2855
产品 | 更快捷、更密集、更智能：适用于下一代数据中心的EBO扩束连接器

超大规模数据中心呈现爆发式增长，传统基建模式已难以为继。AI迅猛发展、云计算及高性能计算负载呈指数级增长，对可扩展的高密度光纤网络的需求激增。当前真正的挑战已不仅是带宽，更是部署速度。为满足此类需求，关键在于找到既能高效扩容又能保持高密度的解决方案。虽然传统的多芯光纤 (MPO) 连接器仍然应用广泛，但在超大规模数据中心场景中，频繁的清洁、校准和插入测试需求拖慢了部署和持续维护期间的网络扩张速度。扩束连接器创新性地采用非接触式光学耦合，降低维护需求，加速规模部署。这种突破性的光纤接口方式，让更高效灵活的基础设施成为可能。面对传统基础设施的局限性，数据中心该如何跟上发展步伐？部署速度：消除瓶颈超大规模数据中心的发展是一场与时间的较量。AI应用的爆发式增长，倒逼基础设施必须高速扩容。无论是人力不足、安装失误，还是光纤部署缓慢，任何环节的延迟都会让运营商陷入被动。传统多纤连接器因依赖精密对准和频繁的污染检测，严重制约部署效率。当需要安装成千上万的光纤端点时，细微的效率损失将层层叠加，最终导致数日甚至数周的进度滞后。 EBO可回避这些问题。它摒弃了传统的光纤物理接触方式，转而通过气隙扩展光束，配合先进的 3M™ EBO套管使用，让实际安装速度提高 85%*。这种设计彻底摆脱了耗时的清洁、检测和污染排查流程，安装快捷，普通技术人员即可操作，无需专业工具。数据中心扩展的侧重点已从“增加光纤数量”转变为“加快可靠安装”。在不牺牲性能的前提下，缩短安装时间的运营商将获得竞争优势。这一转变凸显集成高级解决方案的重要性。简洁，高密度对于超大规模数据中心而言，光纤密度是核心挑战。光纤数量的增加可能导致拥堵、插入损耗和信号衰减。传统多光纤连接器依赖精密对准和复杂操作，使得高密度部署效率低下且人力成本高昂。而EBO采用非接触式设计，可改善高密度网络的灵活性和效率。通过扩大光斑和气隙传输技术，降低对准精度要求，有效规避灰尘干扰。这种非接触式方法不仅简化了高密度布线，更彻底解决了最大痛点之一：如何确保海量光纤端接始终清洁、精准对齐。 MPO连接器的弹簧套圈易随时间老化，而EBO的自由空间光路即使经历数千次插拔仍稳定如初。在超大规模网络开始采用224G信号传输，并准备向448G通道升级的趋势下，EBO以卓越的密度和可靠性，为800G乃至1.6T系统架构时代的到来铺就道路。减少维护，提高可靠性高密度光纤网络的可靠性取决于最薄弱的连接环节。传统光纤连接器接口在反复插拔过程中易受污染和物理磨损，性能下降在所难免。每次连接都会增加细小碎屑堆积的风险，导致插入损耗和性能下降。而EBO通过消除直接光纤接触，显著降低了这些风险。准直光束在微小空间中传输，既能有效降低插入损耗，又规避了物理接触带来的磨损与污染风险。此外，EBO每个连接器最高支持144芯光纤集成，可节省机架空间，改善密集部署环境的空气流动, 结果是在保障了高性能的同时，显著减少了故障点与维护需求。 EBO生态系统就绪 EBO正成为行业生态的焦点：由多家供应商开发的合作网络不断壮大，持续提升其技术能力、性能表现与稳定性，尤其适用于高速发展场景。Molex莫仕和3M等行业内具有影响力的企业，通过将EBO整合至数据中心基础设施，加速技术推广应用。这些超大规模运营商正寻求此类解决方案来避免单一来源依赖，确保供应链稳定性与灵活应变能力。知识产权许可与联合生产协议扩大了产品的可获得性，使运营商摆脱对单一供应商的依赖，更赋予了基础设施规划前所未有的弹性空间。 VersaBeam EBO：简洁的高性能光纤在密集、高速的环境中，性能取决于连接器的可靠性。Molex莫仕VersaBeam EBO互连解决方案专为应对这些挑战而设计，每个连接器可整合144根光纤，减少机架拥堵并简化网络架构。其全内反射 (TIR) 透镜将插入损耗控制在 <0.7 dB（单模）/0.3 dB（多模），回波损耗高于 55 dB（单模）/25 dB（多模）。推拉式连接器机制可简化高密度机架中的安装流程，既减少操作失误，又加快部署速度。 Molex莫仕的优势：扩展EBO技术超大规模数据中心不仅在扩展，更是在加速扩展。AI工作负载激增、光纤密度提升以及快速部署的需求，正以前所未有的速度重塑基础设施。Molex莫仕以定制化EBO解决方案引领高速高密度网络变革。依托其在光纤领域的专业积淀、全球化的生产布局及制定行业标准经验，Molex莫仕正将EBO技术应用于攻克超大规模数据中心难题。该技术在航空航天及工业场景表现卓越，已充分证明其在严苛环境下的稳定品质。基于这一成功经验，Molex莫仕正根据超大规模环境的特点完善EBO技术。摒弃直接光纤接触的设计可减少人力维护需求、简化大规模部署，为数据中心快速扩容铺平道路。但要真正释放其所有潜力，需要的不仅仅是技术，更需要一个支持广泛采用的生态系统。 Molex莫仕正通过三大措施来构建这一生态系统：整合强大的供应链、支持超大规模基础设施的采用，以及与系统架构师协同处理数据中心难题。光纤升级不应中断运营，这正是Molex莫仕致力于确保光纤升级平稳高效的原因。了解我们的光纤连接器和适配器产品组合。 *速度提高数据基于在3M客户实际部署期间执行的测试记录。该测试的样本量有限。结果可能有所不同。

Molex

Molex莫仕连接器 . 2025-07-04 6 1 1890
技术 | 电源电压滤波，选LC滤波器还是线性稳压器？

在对电源电压进行滤波时，有几种不同的电路可供选择。本文将阐释使用LC滤波器和线性稳压器进行滤波之间的主要区别。线性稳压器能够将较高的电压转换为较低的电压，并将产生的电压精确调节至一个可调整的值。借助这种方式，可以轻松地为各种各样的应用生成电源电压。然而，由于效率相对较低，线性稳压器在许多应用中已被开关模式电源 (SMPS) 取代。图1展示了一个用于电压转换的简易线性稳压器电路。图1. 一个简易线性稳压器将较高电压转换为较低电压。近年来，线性稳压器拓宽了应用范围，尤其是在电源线滤波方面。图2展示了一种采用LC滤波器的无源滤波方案，由一个电容器和一个线圈构成。这种滤波器因直流(DC)损耗低而备受青睐，而这主要归功于线圈 L 的串联电阻 (DCR)。图2展示的正是这样一个LC滤波器。图2. 一种采用LC滤波器的滤波电路，用于降低SMPS的电压纹波。这种滤波器的效果取决于其传递函数，具体表现为波特图中双极点的位置。自转折频率起，增益以每十倍频程40 dB的速率下降，而转折频率由电感L和电容C的值共同确定。这种滤波器作为低通滤波器，能够让直流电压顺利通过，同时抑制高频干扰，比如电源线上的电压纹波。与有源电路不同，此滤波器不需要有源元件，而是依靠线圈和电容器来工作。线圈所需的额定电流与电感各有不同，其成本可能会相当高昂。图3展示了一种充当滤波器的线性稳压器，其作用是最大限度降低SMPS的电压纹波。此滤波器的性能优劣取决于电源电压抑制比(PSRR)，PSRR通常通过与频率相关的图表形式来呈现。对于线性稳压器而言，在典型的1 MHz开关稳压器频率下，良好的 PSRR值意味着可实现高达80 dB的衰减效果。图3. 用于滤波的线性稳压器。图中所示的LT3042是一款线性稳压器，非常适合用作滤波级，因为即便处于高频环境下，它依然能够提供较高的PSRR，同时自身产生的干扰微乎其微。在需要使用滤波器来净化电源电压的应用中，上述特性显得尤为关键。关于LDO 线性稳压器 LT3042 LT3042 是一款高性能低压差线性稳压器，其采用 LTC 的超低噪声和超高 PSRR 架构以为对噪声敏感的 RF 应用供电。LT3042 被设计为后随一个高性能电压缓冲器的高精度电流基准，其可容易地通过并联以进一步降低噪声、增加输出电流和在 PCB 上散播热量。该器件可在 350mV 典型压差电压条件下提供 200mA。工作静态电流的标称值为 2mA，并在停机模式中减小至 <<1μA。LT3042 的宽输出电压范围 (0V 至 15V) 及保持单位增益操作的能力可提供几乎恒定的输出噪声、PSRR、带宽和负载调整率，这与编程输出电压无关。此外，该稳压器还拥有可编程电流限值、快速启动能力和用于指示输出电压调节的可编程电源良好。 LT3042 可在采用 4.7μF (最小值) 陶瓷输出电容器的情况下实现稳定。内置保护功能电路包括反向电池保护、反向电流保护、以及具折返的内部电流限制和具迟滞的热限制。LT3042 采用耐热性能增强型 10 引脚 MSOP 封装和 3mm x 3mm DFN 封装。应用 RF 电源：PLL、VCO、混频器、低噪声放大器 (LNA) 非常低噪声仪表高速 / 高精度数据转换器医疗应用：成像、诊断高精度电源用于开关电源的后置稳压器实现滤波的方式多种多样，而使用线性稳压器进行滤波的一个显著优势在于，它能够精确调节输出电压。LC滤波器缺乏独立的电压调节环路，这就导致其产生的电压会受到原始电压源（如SMPS）特性的影响。根据流过LC滤波器（如图2所示）的直流电流大小，线圈的DCR会在不同程度上影响输出电压。虽然这种情况对于负载电流恒定的应用来说或许尚可接受，但在负载电流变化的应用中，这可能引发一系列问题。对于特定的应用，使用仿真工具来评估不同滤波方案的优缺点将带来极大助益。LTspice®是一款免费且高效的仿真工具，能够为评估工作提供助力。

ADI

ADI智库 . 2025-07-04 4 1290
技术 | 间隙增加？电气间隙与爬电距离的相关设计

众所周知，48V相较12V电压上升，因此需要更大的爬电距离（安全绝缘路径）和电气间隙（安全绝缘间距）。这意味着部分连接器需要重新设计。举例：以 TE Connectivity（泰科电子，简称TE）某大厂定点车型某48V产品为例，爬电距离/电气间隙参照IEC 60664-1和ISO21780要求，基于污染等级3、材料组别、环境、海拔条件，爬电距离和电气间隙设计参照如下： _ 材料组别I 材料组别II 材料组别III 电气间隙（mm） 1.7 1.7 1.7 爬电距离（mm） 2.1 2.3 2.5 那么，更大到底是多大？参照怎样的标准？现有的标准是否足够应对革新挑战？今天我们来探讨以上问题。连接器设计参照标准：IEC 60664-1:2020与ISO 21780:2020 IEC 60664-1:2020：更通用的低压系统绝缘配合标准，由国际电工标准化委员会IX-CENELEC发布。适用于低压系统（≤1000V AC/1500V DC）的绝缘配合设计，定义污染等级、材料组别、海拔修正等基础原则。 ISO 21780:2020：汽车专用的电气电子设备绝缘配合标准，由国际标准化组织（ISO）定义，全称《道路车辆—电气电子设备绝缘配合》。它在IEC 60664-1框架下，增加了汽车特殊工况要求：振动、温度冲击、盐雾与油渍腐蚀等车载环境因素； 48V系统双电压架构的绝缘协调规则；密封等级与污染等级的对应关系。 GB/T 45120-2024：是中国于2024年底发布的推荐性国家标准（全称《道路车辆 48V供电电压电气要求及试验》），在ISO 21780:2020基础上进一步提升了部分细节的要求。优先级：中国汽车市场优先遵循GB/T 45120-2024；国际上车用48V系统优先遵循ISO 21780，未明确条款则引用IEC 60664-1。关键参数一：污染等级（Pollution degree）依据IEC 60664-1和ISO 21780，污染等级按环境导电风险分为4级，车用场景主要涉及2级与3级。关键说明： 48V系统在机舱/底盘区域默认按污染等级3设计，需考虑粉尘、油污、冷凝水的复合影响。密封性等级（如IP6K9K）可降低污染等级。全密封（IP67+）可视为等级2。关键参数二：材料组别（Material Group）分类与CTI值材料组别由相对漏电起痕指数（CTI）划分（参照IEC 60112标准），决定绝缘材料的抗表面放电能力。关键说明： 48V系统推荐使用II组及以上材料（CTI≥400），若用IIIb组材料需额外增加20%爬电距离。例如：48V电池包内PCB若采用FR-4（CTI=220，IIIa组），需按IIIa组查表计算爬电距离。注：TE定点车型48V产品塑壳采用I组材料。材料组别 CTI值范围 I CTI ≥ 600 II 400 ≤ CTI < 600 IIIa 175 ≤ CTI < 400 IIIb 100 ≤ CTI < 175 其他关键设计考量电气间隙（Clearance）:主要取决于工作电压+过压类别+污染等级。基础要求（污染等级3，海拔≤2000m）冗余设计：实际需叠加瞬态过电压（如考虑负载突降影响），预留安全冗余。爬电距离（Creepage）核心变量：工作电压+材料组别+污染等级。密封性影响：全密封（IP67+）：可按污染等级2设计。非密封：污染等级3下，若用IIIb材料（CTI<175），需额外增加爬电距离20%（例：48V DC需≥3.0mm）。双重绝缘：48V系统一次侧（高压）对车身需电气间隙+爬电距离要求双重达标。现有标准：仍有局限现行标准IEC 60664-1未涵盖车载动态应力影响（如振动、温度冲击），而ISO 21780:2020当初主要针对过电压点高达70V的轻混动力汽车（MHEV）所制定，其爬电距离和电气间隙仍基于稳态电压设计，对于负载突降、开关浪涌等因素导致的瞬态电压激增情况未明确要求。GB/T 45120-2024增加了更多细节考量，但对于开关浪涌抑制，以及长久使用下的EMC考量、深度盐雾腐蚀、密封材料老化造成降距风险等，特别针对机舱高振动区、800V/48V共板区域，以及高原/沿海热销车型，车厂仍需加强标准提升，关注人车安全。凭借80余年的丰富连接技术经验和48V架构整车量产案例，TE可基于客户的实际架构设计和环境需求，根据客户目标市场要求的标准提供量体裁衣的专家建议，为48V连接解决方案提供因地制宜的产品，在架构革新的同时，提供足具安全保障又兼顾整体性价比的方案。 ©2025 TE Connectivity 保留所有权利。 TE Connectivity, TE connectivity（标识）是商标。其它标识、产品和公司名称可能是各自所有人拥有的商标。 TE Connectivity (TE) 不对本信息的准确性、完整性或最新性做出任何保证，并不对该信息的使用承担任何责任。TE产品的使用者应自行评估确定每种产品是否适用于特定用途，TE的义务只在该产品的TE的标准销售条款和条件中规定。TE 有权对本文中提及的信息随时进行调整，本文中的尺寸、参数如有变更，恕不另行通知。若要了解最新尺寸和设计规格，请咨询 TE。

TE

泰科电子 TE Connectivity . 2025-07-04 1 2525
技术 | 高度集成的低边电流检测放大器简化了高精度传感

意法半导体的TSC1801低边电流检测放大器集成了匹配的电阻器来设置增益，在简化电路设计的同时，还节省了材料成本，并确保在整个温度范围内增益精度在0.15%以内。不仅如此，固定增益还消除了外部电阻器的生产微调。 TSC1801结合了极高的精度和宽带宽，可用于电机控制、太阳能调节、高带宽电流检测和汽车功率调节。其提供的第一个增益值是20V/V，随后是5V/V和50V/V型号。该放大器能够进行双向电流检测，经优化可在低共模电压下搭配使用精密低值分流（检测）电阻器。该架构专门用于低边检测，可严格控制参数，包括优于0.5%的总输出误差和±200μV（最大）的偏移电压。 TSC1801的2.1MHz带宽额定值允许在非常高频的电源管理系统中进行逐脉冲电流控制，从而带来切实的好处（例如更平滑的扭矩调整，以降低电机驱动器的振动）。放大器的快速响应还确保了快速的过电流检测，保护敏感的输出级组件在发生故障时免受损坏。器件可适应较宽的电源电压范围（2.0V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+125°C。另有车规级版本提供，已根据AEC-Q100和Q003或同等标准进行了认证和鉴定，同时依照AEC Q001和Q002或同等标准进行了高级筛选。除汽车和电机控制领域外，TSC1801还有望在工业、服务器和电信基础设施的功率转换、功率因数校正和高精度信号调理中得到应用。工业级TSC1801BILT（固定增益20V/V）现已进入量产阶段，采用6引脚SOT23双列直插式封装；千片起订。是否需要更多低边电流检测放大器？探索我们精选的尖端电流检测解决方案。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-07-04 2 1070
产品 | 东芝双路直流有刷电机驱动IC：电机设计“瘦身”，实现紧凑高效动力！

在现代电子设备中，电机扮演着至关重要的角色。随着设备向更小尺寸、更轻重量和更高性能方向发展，减小电机电路板空间成为了一个重要的挑战。它不仅涉及组件尺寸，还关系到热管理、信号完整性、电磁兼容性、制造工艺和成本控制等。为此，工程师们首先要选择能够减少外部部件的小型封装电机驱动IC，以节省电路板空间，同时保持甚至提升设备的性能。东芝面向消费类产品和工业设备推出的双路直流有刷电机驱动IC TB67H481FNG和TB67H480FNG，不仅能够有效减少所需的外部部件数量，还采用了极为通用且节省空间的小型封装，更有助于减小电机电路板的尺寸。直流有刷电机驱动器IC功能特性分析 TB67H481FNG和TB67H480FNG是采用PWM斩波器类型的恒流双H桥驱动IC，专为直流有刷电机驱动而设计。两款产品的电机输出额定电压（绝对最大值）为50V，电机输出额定电流（绝对最大值）为2.5A。TB67H481FNG的输入接口为IN输入，TB67H480FNG则使用PHASE输入。IC操作的内置稳压器允许电机由单个VM电源驱动。两款产品采用BiCD（双极－CMOS－DMOS）工艺制造，并使用极为通用的小型HTSSOP28封装，其表贴面积比东芝当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%。与四周排列端子的QFN型封装不同，HTSSOP封装在两个方向排列端子，因此电路板布线更为便捷。这些IC内部都集成了用于电荷泵电路的电容，不仅可减少外部部件，还有助于节省电路板空间。两款电机驱动IC不仅支持8.2V至44V的电机电源电压，而且休眠模式下低功耗电流（IM1）最高为20μA，因此可广泛用于12V／24V电源应用。直流有刷电机驱动器IC主要特性 TB67H481FNG和TB67H480FNG的主要特性如下： ● 采用BiCD工艺集成单片IC，用于输出功率晶体管的DMOSFET ● 两个用于输出的内置H桥 ● 多种电流衰减模式可选：混合衰减、慢衰减、快衰减 ● 低导通电阻：Rds(on)（H+L）=0.4Ω（典型值） ● PWM恒流驱动 ● 3.3V稳压器输出 ● 高击穿电压、大电流：50V／2.5A（绝对最大值） ● 省电功能：休眠模式 ● 电荷泵电路无需外接电容：减少外部部件 ● 接口：IN输入控制@H481；Phase输入控制@H480 ● 保护检测：热关断检测（TSD）、过电流检测（ISD）和欠压锁定检测（UVLO），错误检测标志输出功能（LO） ● 低功耗：休眠模式IM1＝20μA（最大值） ● 小型HTSSOP28封装：P－HTSSOP28－0510－0.65－001，28引脚表贴，尺寸为6.4mm×9.7mm（典型值）以下是产品的主要规格： TB67H481FNG和TB67H480FNG的主要规格产品亮点及应用方向 TB67H481FNG和TB67H480FNG是东芝直流有刷电机驱动的新产品，可以驱动双路有刷电机或单路步进电机，最大规格为50V／2.5A。两款IC均内置了堵转保护，并可输出标志信号，实现内置过温保护、过流保护和欠压保护。 BiCD恒流双H桥驱动IC产品的最大优势在于其兼容性，可用于驱动2台有刷电机或1台步进电机。器件采用THSSOP28封装，引脚与之前的产品兼容；电荷泵电路无需外接电容，进一步减少了外部部件，为实现体积小巧的电机提供了理想的解决方案。 TB67H481FNG和TB67H480FNG的应用方向是办公自动化和工业领域，具体应用实例包括打印机、多功能打印机、自动取款机（ATM）、外币兑换机、监控摄像头、投影仪等。帮助工程师简化设计、缩小电路板面积并降低总成本一直是东芝不遗余力的追求。未来，东芝将持续开发广泛应用的产品和总体解决方案，为实现电子产品的小型化和节能助一臂之力。

东芝

东芝半导体 . 2025-07-04 1 3 965
方案 | 新兴无线BMS系统解决方案深度分析

随着电动汽车（EV）行业的快速发展，电池管理系统（BMS）的重要性日益凸显。BMS作为电动汽车中的核心组件，负责监控电池的状态，确保电池安全、高效地运行。传统的有线BMS在电动汽车中的应用面临着布线复杂、成本高、维护困难等问题。无线电池管理系统（Wireless BMS）作为一种新兴技术，通过消除传统BMS中的物理连接，提供了一种更为灵活和经济的电池管理方案。无线BMS技术原理无线BMS利用无线通信技术，如蓝牙、Wi-Fi或专用的无线协议，实现电池单元数据的采集和监控。系统主要由无线通信模块、电池监控单元、中央控制单元和电源管理单元组成。无线BMS能够实时收集电池的电压、电流、温度等数据，通过算法处理后，实现电池状态的评估和故障诊断。无线BMS的优势简化布线和PACK设计：无线BMS减少了线束的使用，简化了电池包的设计和制造过程，降低制造复杂度和成本。高系统可靠性：有效减少高压模块间物理连接点，从而减少了潜在的故障风险，提高了系统电气连接可靠性。增强灵活性和可维护性：无线BMS使得电池包的组装和维护更加灵活，便于电池的更换和升级。支持电池的梯次利用和回收：无线BMS便于追踪电池状态，有助于电池的二次利用和回收。无线BMS面临的技术挑战通信可靠性：在复杂的汽车环境中，特别是电磁干扰，保证无线通信的稳定性和可靠性是一个挑战。技术标准和法规：无线BMS需要满足汽车行业的安全和通信标准，如ISO 26262和ISO21434等级。英飞凌无线BMS解决方案如何解决这些技术挑战英飞凌无线BMS方案，主板采用了以高性能著称的MCU AURIX™ TC397及PMIC TLE35584，子节点为TLE9018DQK，以低功耗蓝牙芯片为数据传输媒介，选用了业界首科量产的汽车级符合BLE5.4协议的低功耗蓝牙芯片CYW89829。可以有效解决面临的技术挑战。 Connected Mesh 组网方式增强系统组网灵活性 Connected Mesh 组网方式给系统带来了更多的灵活性，它允许将子节点按组网通信数据传输方式分成两级，一级子节点可与主节点直接通信，二级子节点可通道一级子节点与主节点建立连接。这种组网方式，在系统经历复杂电磁环境或者机械结构反射障碍或远距离造成子节点通信困难或丢失时，可通过相邻节点实现数据回传。提高了系统的灵活性和可靠性。 Connected Mesh 组网方式 PAwR提高通信效率及可靠性 PAwR技术是Periodic Advertisement with Response的简写，蓝牙5.4协议支持该通信方式。相对于传统的通信方式，PAwR通信中主节点不必与所有子节点事先建立连接，可以直接以广播的方式传输命令及接收数据。因此，PAwR可以大大节省数据传输的时间，提高通信效率。在系统要求的数据刷新周期内，可以实现数据多次重传机制，减小误码率，提升通信的可靠性。传统数据传输与PAwR参数对比 PAwR数据传输机制以2M传输速率，50000传输数据容量为例，以下数据为无数据重传机制与一次重传数据误码率PER对比。其中可以看出误码率峰值有1.3974%降至0.036%，如果采用3次或4次重传，误码率会大幅降低。 PAwR数据传输机制数据对比 AFH动态监测机制降低数据误码率 AFH是英飞凌另一种处理机制，它可以实时监监测每个信道的通信质量，对信道进行动态的禁用和重启。如果发现某个信道在一段时间或工况下通信质量下降，可以暂时禁用该信道，此时，数据传输会避过该信道。当该信道的通信恢复，又可重启该信道。这样可以让系统的通信可靠性大幅提升。 AFH信道动态禁用与重启-1 同样以2M传输速率，50000传输数据容量为例，以下数据为AFH使能与未使能时无数据重传机制与一次重传数据误码率PER对比。其中可以看出无数据重传时误码率峰值有0.046%降至0.002%。 AFH信道动态禁用与重启-2 系统级功能安全及信息安全英飞凌模拟前端TLE901x与控制器TC3xx均符合功能安全ASILD，端对端通过通信校验等功能安全机制覆盖随机及系统失效，实现系统功能安全ASIL-D级信息安全。凭借在无线蓝牙和车规领域的多年应用经验，Infineon无线BMS解决方案，可提供从系统仿真到可靠性测试验证整套开发设计流程报告及技术支持，在保证产品可靠低成本的同时，可缩短项目开发周期及开发难度。

英飞凌

英飞凌汽车电子生态圈 . 2025-07-04 1 1570
技术 | Wolfspeed 1700V MOSFET 技术，助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本

在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本，同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。 Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力。这些电源可再生能源、工业电机控制和车辆电气化等快速增长的市场变得越来越重要。依托 Wolfspeed 可靠的第三代碳化硅技术，并在行业领先的 200 mm 制造工厂独家制造，该产品系列使得工程师能够重新考虑如何解决低功耗辅助电源系统设计时的各种权衡取舍的问题。除了 TO-247-3 (D) 和 TO-263-7 (J) 封装外，Wolfspeed 产品组合还增加了一种新型的用以支持工业应用全模塑封装 TO-3PF (M)。此封装通过避免使用绝缘热界面材料，从而降低了组装成本和发生错误的风险。另外，TO-3PF (M) 封装通过将引脚之间的最小爬电增加到 4.85 mm，并且避免了外露的漏极板，从而提高了产品在恶劣环境下的稳健性。更高的性能和即插即用能力相比先前的 C2M 1700 V 系列和竞品，Wolfspeed 的 C3M 和 E3M SiC MOSFET 技术带来了多项改进。在新推出的 C3M / E3M 系列中，栅极电荷从 C2M 等效器件中的 22 nC 降低至仅 10 nC，减少了栅极驱动的功率需求，简化了反激式电源中的启动操作。此外，还降低了输出电容，使得 Eoss 降低了 30%，从而减少了开关损耗。实现系统级改进并非总是那么容易，因为更改设计可能需要集中时间和资源。在大多数现有低功耗辅助电源设计中，Wolfspeed 新系列 900 mΩ 碳化硅 MOSFET 都具备即插即用的兼容性，使您能够充分发挥新器件的优势，而无需进行大量的的重新设计工作。从封装角度来看，TO-247-3（通孔封装）和 TO-263-7（表面贴装）与当今市面上的其他碳化硅和硅器件兼容，无需更改 PCB 布局或散热器附件。许多辅助电源都配有 12 - 15 V 输出，用于运行其他控制或负载。C3M / E3M 系列可以直接将此电压轨用于反激式控制器和由此产生的栅极电压，无需使用单独的辅助绕组或变压器分接头，即可提供前几代和某些竞品所需的更高 18 - 20 V 电压。硅和碳化硅 MOSFET 竞品的栅极电压水平范围从 12 V 到 20 V 不等，加剧了设计人员在多源设计方面的挑战。幸运地是，Wolfspeed C3M0900170x 系列可直接支持 12 - 18 VGS。得益于优化调整的内部栅极电阻，Wolfspeed 器件可在高达 22 VGS 的电路条件下工作。在栅极电压 > 18 V 的设计中，可以使用齐纳二极管代替外置栅极电阻，将驱动电压降低至 12 - 18 V 范围以内。图：将 RG_EXT 替换为 3.3 V 齐纳二极管，以降低 MOSFET 栅极处的 VGS 升级硅基系统时的性能改进虽然高压 (1500 - 2000 V) 硅 MOSFET 也可用于此系统空间；但缺点是，由于1 - 2 Ω 器件每单位面积 RDS(ON) 较高，造成价格往往比较昂贵，并且损耗较高。取而代之地是，可以利用双开关反激式拓扑来选择较低电压的硅器件。虽然此类器件比较便宜，但双开关拓扑的设计更加复杂，需要更多组件和空间。碳化硅 MOSFET 非常适合此类电压等级，并可轻松实现适用于辅助电源应用的低 RDS(ON)和低开关损耗。设计人员能够利用单开关反激式拓扑，这可以消除了双开关设计所需的额外电路和设计复杂性。图：双开关拓扑需要更多组件和额外的 PCB 面积图：采用碳化硅 MOSFET 的简化单开关设计节省了空间和成本。面向所有应用的耐用性设计在许多需要长寿命和可靠运行的工业和汽车应用中，都能发现辅助电源的身影。C3M / E3M 系列额定工作结温为 -55 °C 至 +175 °C，使得其适用于极端温度条件。C3M0900170D、C3M0900170J 和 E3M0900170D 均通过 THB-80 (HV-H3TRB) 测试，其测试条件为85% 湿度、85 °C 环境温度下施加1360 V 阻断电压进行持续 1000 小时的测试。在讨论半导体在不同应用中的耐受性时，必须考虑宇宙辐射引起的失效率（FIT）。Wolfspeed C3M / E3M 系列通过改进器件设计和减小芯片尺寸，进一步降低了旧有 C2M 系列本已很低的失效率（FIT）。与上一代相比，使用 Wolfspeed 第三代器件的典型 1200 V母线电压反激电路在海平面连续运行 10 年后，失效率（FIT）降低了 65%。启动碳化硅系统开发的设计资源 Wolfspeed 在为工程师提供设计支持方面处于行业领先地位，而新推出的 1700 V 系列部件亦不例外。

碳化硅MOSFET

Wolfspeed . 2025-07-03 1 1265
技术 | 缝纫机伺服0.3秒启停：三招驯服“针位漂移”

当缝纫机伺服电机以500rpm/s²加速度急停时，针杆定位误差超0.5°直接导致布料跳线。本文揭秘某浙江服装厂量产验证的改造方案，成本低于200元/台。故障根因三重锁定三步低成本改造“针位漂移” 一、电流环硬化改造（成本：￥40）参数原值优化值工具速度前馈增益 0.25 0.82 伺服调试软件电流滤波常数 1600Hz 3200Hz 示波器FFT模式制动电阻功率 100W 200W 铝壳电阻+强制风冷红外热像仪二、机械共振破解（成本：￥120）皮带张力调制：用 DT-20张力计校准至35±2N（原50N过紧）减振基座：在电机底板贴 3mm厚硅胶阻尼片（裁切尺寸120×80mm）实测35Hz振动能量↓70%（ISO 10816-3 Class B达标）三、针位补偿算法（零成本） // 启停阶段位置补偿核心代码（STM32F407） if(Accel > 300rpm/s) { Target_Angle += 0.12f * sin(2*π*35*t); // 注入反相谐振分量 } 量产验证数据（200台/6个月）指标改造前改造后检测标准针距一致性 ±0.8mm ±0.15mm GB/T 4515-2008 月均断线次数 37次 2次工厂MES系统电机温升 ΔT=28K ΔT=15K 热电偶贴装工程师避坑指南禁用普通弹簧秤测皮带张力（误差>30%，必须用数显张力计）警惕制动电阻表面温度（>130℃需强制风冷，否则阻值漂移）必须在针杆顶端贴反光片（用激光位移计验证定位精度） 2025年5月30日宁波某服装厂新增产线数据：改造后连续运行142天零定位漂移低成本诊断工具包：手机APP频谱分析（如Spectroid）抓35Hz共振记号笔在皮带画白线（观察启停抖动）点击此处跳转社区原文贴。

缝纫机

芯查查资讯 . 2025-07-03 1 1115
政策 | 美国解除新思科技、西门子对华出口限制

2025 年 7 月 2 日——新思科技就美国解除近期对华出口限制发布以下声明。新思科技于 7 月 2 日收到美国商务部工业与安全局来函，通知基于 2025 年 5 月 29 日收到的限制令所实施的对华出口管制措施现予以撤销，即时生效。公司正恢复近期受限产品在中国市场的供应和全面客户支持。据路透社报道指出，西门子可以恢复向中国客户全面提供相关EDA（电子设计自动化）软件与技术支持。西门子也发布新闻稿说，该公司已恢复对中国大陆客户的所有软件和技术供应。

EDA

芯查查资讯 . 2025-07-03 1 8 4505
方案 | 芯驰科技与立锜联合开发车载SoC参考设计，助力实现高性能、小型化的智能座舱系统

芯驰科技与模拟IC 设计公司立锜联合推出了面向智能座舱的参考设计“SD210”。该参考设计基于芯驰X9系列智能座舱SoC芯片，搭载了立锜的SoC PMIC RTQ2209等产品，能够充分满足多样化电源需求，助力实现高性能、小型化的智能座舱系统。芯驰科技与立锜于2023年建立起先进技术开发合作伙伴关系，重点面向智能座舱相关应用。此前，双方基于芯驰“X9M/E”产品，搭载立锜 RTQ2209、DCDC RTQ2102A等产品，联合开发参考板，已被多家汽车制造商采用。本次双方再度联手推出的参考设计“SD210”将继续助力提升汽车信息娱乐系统的便利性和安全性。关于“SD210”参考设计 “SD210”基于芯驰“X9H”、 “X9HP”和“X9SP”智能座舱SoC，搭载立锜的SoC PMIC RTQ2209、Multi-Phase Step-Down Converter RTQ2134、DCDC RTQ2102A和LDO RTQ2531A。该参考设计可使用IC内部存储器（MTP/OTP）进行输出电压设置和时序控制，根据具体的电路需求高效且灵活地供电。引脚兼容的各款SoC可以在不更改电路的前提下快速更改规格。立锜科技全新推出的RTQ2209-QA模拟IC，专为车规级应用设计，采用先进的wettable flank QFN6x6封装，集成10通道多配置电源管理，支持I2C灵活配置，具备超低静态电流（50uA），在STR模式下实现极致低功耗，显著优化系统效能并延长电池寿命。同时，针对高功率平台，立锜科技提供20A输出、多相4通道降压转换器RTQ2134-QA等高端车用产品，满足更高性能需求。针对座舱系统多样化配置需求，立锜科技提供4套电源配置方案来适配X9SP/X9HP/X9H等SoC。这些方案充分发挥了RTQ2209高度集成化的优势：线路简洁，节省空间，操作便捷，完美满足座舱系统极简、高效的需求。 Solution A for X9SP/X9H/X9HP Configuration 1(见下图）：适用于搭载MCU，采用DRAM LP4的系统，该电源方案由RTQ2209+RTQ2134组成。由MCU通过GPIO和I2C接口控制RTQ2209+RTQ2134的运行。RTQ2209负责给RTC、SAF、DRAM、GPU等供电，RTQ2134负责给AP、CPU供电。 Solution A for X9SP/X9H/X9HP Configuration 2(见下图）：适用于搭载MCU，采用DRAM LP4x的系统，该电源方案由RTQ2209+RTQ2134+RTQ2102A组成。由MCU通过GPIO和I2C接口控制RTQ2209、RTQ2134和RTQ2102A的运行。RTQ2209负责给RTC、SAF、GPU和 LP4x等供电，RTQ2134负责给AP、CPU供电，RTQ2102A给LP4x供电。 Solution B for X9SP/X9H/X9HP Configuration 3(见下图）：适用于不搭载MCU，采用DRAM LP4的系统，该电源方案RTQ2209+RTQ2134+RTQ2531A组成。由X9SP/X9H/X9HP通过GPIO和I2C接口控制RTQ2209+RTQ2134的运行。RTQ2209负责给SAF、DRAM、GPU等供电，RTQ2134负责给AP、CPU供电，RTQ2531A给RTC域供电。 Solution B for X9SP/X9H/X9HP Configuration 4(见下图）：适用于不搭载MCU，采用DRAM LP4x的系统，该电源方案由RTQ2209+RTQ2134+RTQ2102A+RTQ2531A组成。由X9SP/X9H/X9HP通过GPIO和I2C接口控制RTQ2209+RTQ2134+RTQ2102A的运行。RTQ2209负责给SAF、GPU和LP4x等供电，RTQ2134负责给AP、CPU供电，RTQ2102A给LP4x供电，RTQ2531A给RTC域供电。芯驰智能座舱X9系列产品全面覆盖仪表、IVI、座舱域控、舱泊一体等从入门级到旗舰级的座舱应用场景，已完成百万片量级出货，量产经验丰富，生态成熟。盖世汽车研究院最新数据（国内乘用车上险量）显示，2025年1-3月，在10万元以上的车型中，芯驰科技的X9系列座舱芯片（包括仪表、中控和域控）装机量位居本土第一名，覆盖上汽、奇瑞、长安、一汽、广汽、北汽、东风日产、东风本田等车企的50多款主流车型和大量出海的车型。立锜科技市场整合行销处协理Brian Chu表示：“非常荣幸能够再次携手芯驰科技，为其X9系列平台提供全方位电源管理支持。双方的深度合作不仅推动了智能座舱技术的创新突破，也为新能源汽车产业注入强劲动力。我们期待未来与芯驰科技持续深化合作，共同引领智能汽车新时代，畅游无限可能。” 关于立锜科技立锜科技是国际级模拟 IC 设计公司。成立于 1998 年，公司总部设于台湾，在亚洲、美国和欧洲皆有服务网点。专注于整合技术能力、坚持品质和积极的客户服务，以提供客户产品价值为宗旨，产品广泛应用于电脑、消费性终端产品、网路通讯装置、工业用与车用等领域。欲了解详情，请至立锜科技官网：https://www.richtek.com 关于芯驰芯驰科技是全场景智能车芯引领者，专注于提供高性能、高可靠的车规芯片，覆盖智能座舱和智能车控领域，涵盖了未来汽车电子电气架构最核心的芯片类别。芯驰全系列芯片均已量产，出货量超800万片。芯驰目前拥有超200个定点项目，服务超过260家客户，覆盖国内90%以上主机厂及部分国际主流车企，包括上汽、奇瑞、长安、东风、一汽、日产、本田、大众、理想等。

芯驰科技

芯驰科技SemiDrive . 2025-07-03 1320
技术丨自动测试设备应用中PhotoMOS开关的替代方案

问题：人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，是如何影响自动测试设备（ATE）厂商的设计复杂度的呢？答案：高带宽存储器（HBM）对于人工智能而言至关重要，因为它具备高密度和高带宽的特性，能够满足高效数据处理的需求。自动测试设备（ATE）厂商及其开发的系统需要紧跟先进的存储器接口测试的步伐。ADI的互补金属氧化物半导体（CMOS）开关非常适合自动测试设备（ATE）厂商进行存储器晶圆探针电源测试，它具有诸如快速导通速度和可扩展性等特点，这些特点能够提升测试的并行性，从而可以对存储器组件进行更全面、更快速的测试。人工智能(AI)应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，芯片设计因此变得更加复杂。自动测试设备(ATE)厂商是验证这些芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。除了上述优点外，PhotoMOS开关的关态电压也较高，但也存在一些局限性，主要体现在可靠性、可扩展性和导通速度方面。其中，导通速度较慢一直是客户不满的一大原因。为了应对这些挑战，ADI公司开发出了新型开关来取代存储器晶圆探针电源应用中的PhotoMOS。ADI开关不仅导通速度非常快，而且同样具备低CxR特性，可以确保高效切换。此外还具有良好的扩展性，能够改善测试的并行处理能力，使ATE能够处理更大规模、速度更快的测试任务。如今AI应用对高效和高性能内存测试的需求日益增长，为此，ATE公司正积极寻求更优的解决方案。在这种背景下，ADI开关凭借一系列出色特性，成为了PhotoMOS的有力替代方案。应用原理图在ATE设置中，开关扮演着非常重要的角色。开关能够将多个被测器件(DUT)连接到同一个测量仪器（例如参数测量单元PMU），或者将它们从测量仪器上断开，以便执行测试流程。具体来说，开关使得PMU能够高效地向不同DUT施加特定电压，并检测这些DUT反馈的电流。开关能够简化测试流程，在需要同时或依次测试多个DUT的情况下，这种作用更加突出。通过使用开关，我们可以将PMU的电压分配到多个DUT，并检测其电流，这不仅提高了测试效率，还大幅减少了每次测试之间重新配置测试装置的麻烦。图1展示了如何利用开关轻松构建矩阵配置，使得一个PMU就能评估多个DUT。这种配置减少了对多个PMU的需求，并简化了布线，从而显著提高了ATE系统的灵活性和可扩展性，对于大批量或多器件的测试环境至关重要。图1. PMU开关应用开关架构为便于理解评估研究（即利用开发的硬件评估板对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较）以及研究得出的结果，这里比较了PhotoMOS开关和CMOS开关的标准。从二者的开关架构开始比较更易于看出差别。 CMOS开关和PhotoMOS开关的架构不同，图2显示了开关断开时的关断电容(COFF)。该寄生电容位于输入源极引脚和输出引脚之间。图2. PhotoMOS和CMOS开关架构对于PhotoMOS开关，COFF位于漏极输出引脚之间。此外，PhotoMOS开关具有输入到输出电容（也称为漏极电容），同时在其用于导通和关断输出MOSFET的发光二极管(LED)级也存在输入电容。对于CMOS开关，COFF位于源极和漏极引脚之间。除了COFF之外，CMOS开关还有漏极对地电容(CD)和源极对地电容(CS)。这些对地电容也是客户在使用CMOS开关时经常抱怨的问题。当任一开关使能时，输入信号便可传输至输出端，此时源极和漏极引脚之间存在导通电阻(RON)。通过了解这些架构细节，我们可以更轻松地分析评估研究中的电容、RON和开关行为等性能指标，确保为特定应用选择正确的开关类型。开关规格和附加值为了更好地对开关进行定性和定量评估，应该考察其在系统设计应用中带来的附加值。如上所述，对于图1所示应用，ADG1412 是理想选择，可以轻松替代PhotoMOS开关。这款CMOS开关是四通道单刀单掷(SPST)器件，拥有出色的特性，包括高功率处理能力、快速响应时间、低导通电阻和低漏电流等。设计人员可以通过比较表1列出的重要指标，评估CMOS开关性能并打分，从而量化其相对于其他替代方案的优势。这有助于更深入地了解器件的信号切换效率，对于复杂或敏感的电子系统非常有帮助。表1. 开关规格 * CD (OFF) 会影响 CxR乘积性能关断隔离：开关断开时的电容两种开关的关断隔离曲线（图3）表明，输入信号受到高度抑制（100 kHz时为-80 dB），未到达输出端。随着频率提高，PhotoMOS的性能开始略高一筹，二者相差-10 dB。对于图1所示的开关应用（直流(DC)切换），开关电容并不重要，重要的开关参数是低漏电流、高导通速度和低插入损耗。图3. 关断隔离曲线插入损耗：开关导通电阻低ON的开关至关重要。I*R电压降会限制系统性能。各器件之间以及温度变化引起的RON波动越小，测量误差就越小。图4中的插入损耗曲线显示，在100 kHz频率下，PhotoMOS开关的插入损耗为-0.8 dB，而CMOS开关的插入损耗仅为-0.3 dB。这进一步证实了CMOS开关具有较低的RON (1.5 Ω)。图4. 插入损耗曲线开关导通时间当驱动使能/逻辑电压施加到任一开关上，使其闭合并将输入信号传递到输出端时，如果使用的是PhotoMOS开关，则会存在明显的延迟（如图5所示）。这种较慢的导通速度由于LED输入级的输入电容，以及内部电路将电流转换为驱动MOSFET栅极所需电压的过程中产生的延迟造成的。导通速度慢一直是客户不满的主要原因，而且会影响系统整体应用的速度和性能。相比之下，CMOS开关的导通速度(100 ns)是PhotoMOS开关(200,000 ns)的2000倍(×2000)，更能满足系统应用所需。图5. 开关导通时间设计迁移：PhotoMOS替换为ADG1412开关如果系统中使用的是PhotoMOS开关，并且遇到了测量精度不高、导通速度慢导致系统资源占用过多，以及难以提高通道密度等问题，那么升级到采用CMOS开关的方案将使开发变得非常简单。图6显示了PhotoMOS开关与CMOS开关的连接点对应关系。因此，系统设计可以利用CMOS开关，以更低的成本实现更高的通道密度。图6. 开关连接点 ADI开关可提高通道密度表2列出了一些能够提高通道密度的ADI开关示例。这些开关具有与ADG1412类似的性能优势，导通电阻更低（低至0.5 Ω），而且成本比PhotoMOS开关还低。这些开关提供串行外设接口(SPI)和并行接口，方便与控制处理器连接。表2. 能够提高通道密度的ADI开关示例结论本文着重说明了CMOS开关的潜力。在ATE应用中，ADG1412可以很好地取代PhotoMOS开关。比较表明，CMOS开关的性能达到甚至超过了预期，尤其是在对开关电容或漏极电容要求不高的场合。此外，CMOS开关还拥有显著的优势，例如更高的通道密度和更低的成本。 ADI公司的CMOS开关产品系列非常丰富，不仅提供导通电阻更低的型号，还支持并行和SPI两种控制接口，从而更加有力地支持了在ATE系统中使用CMOS开关的方案。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-07-03 945
技术 | 突破延迟极限：在 NVIDIA Blackwell GPU 上优化 DeepSeek-R1 的性能

近年来，大语言逻辑推理模型取得了显著进步，但也带来了新的部署挑战。其中，因复杂的“思考与逻辑推理”过程而引起的输出序列长度 (OSL) 的加长已成为一大难题。OSL 的加长提高了对 token 间延迟 (Token-to-Token Latency, TTL) 的要求，往往会引发并发限制。在最极端的情况下，实时应用会面临单并发（最小延迟场景）这一特别棘手的问题。本文将探讨 NVIDIA TensorRT-LLM 如何基于 8 个 NVIDIA Blackwell GPU 的配置，打破 DeepSeek-R1 在最小延迟场景中的性能纪录：在 GTC 2025 前将 67 token / 秒 (TPS) 的速度提升至 253 TPS（提速 3.7 倍），而目前这一速度已达 368 TPS（提速 5.5 倍）。实现配置一、工作负载配置文件输入序列长度 (ISL)：1000 token 输出序列长度 (OSL)：2000 token 二、模型架构 DeepSeek-R1 的基础主模型包含：3 个密集层（初始）和 58 个 MoE 层，此外还有 1 个多 token 预测 (Multi-Tokens Prediction, MTP) 层（相当于 MoE 架构）用于推测性解码。我们的优化配置将 MTP 层扩展成 3 个层，采用自回归方法探索其最大性能。图1: DeepSeek-R1 的基础主模型该图片来源于 Github: Pushing Latency Boundaries: Optimizing DeepSeek-R1 Performance on NVIDIA Blackwell GPUs 一文，若您有任何疑问或需要使用该图片，请联系该文作者三、精度策略我们探索出了一种能够更好平衡准确度与性能的混合精度方案。 * TensorRT-LLM 已支持 FP8 Attention。但在该延迟场景下，低精度注意力计算并不能提升性能，因此我们为注意力模块选择了 BF16 精度。 ** NVFP4 模型检查点由 NVIDIA TensorRT 模型优化器套件生成。 *** RouterGEMM 使用 BF16 输入 / 权重与 FP32 输出来确保数值的稳定性四、并行策略我们还在 8 个 Blackwell GPU 上尝试并引入了混合并行策略。具体而言，该延迟场景的最佳策略为 “TP8EP2”，其定义如下：五、一图整合现在，我们将所有内容整合成一张图，该图表示的是解码迭代中的一个 MoE 层。该图片来源于 Github: Pushing Latency Boundaries: Optimizing DeepSeek-R1 Performance on NVIDIA Blackwell GPUs 一文，若您有任何疑问或需要使用该图片，请联系该文作者图中的模块包括：输入模块：一个形状为 [m, 7168] 的 BF16 张量，其中 m 表示 token 数量（例如使用 3 个 MTP 层时 m = 4），7168 为模型的隐藏大小。模块 1：Fuse_A_GEMM 拼接 WDQ、WDKV 和 WKR 的权重，以减少内核调用开销。模块 2：2 个 RMSNorm 对 Q / K 张量进行归一化。这些张量可以重叠在多个流上，也可以合并成单个分组 RMSNorm。模块 3：UQ_QR_GEMM 拼接 WUQ 和 WQR 的权重，以减少内核调用开销。模块 4：UK_BGEMM 在批量 GEMM 中使用 WUK。为防止权重规模膨胀和产生新的加载成本，我们未加入模块 3 和 4。模块 5：Concat KVCache & applyRope 合并 K / V 缓存并应用 ROPE（旋转位置编码）。模块 6：genAttention 在生成阶段执行 MLA，作用类似于 num_q_heads = 128 / TP8 = 16 的 MQA 模块 7：UV_GEMM 执行带 WUV 权重的批量 GEMM。模块 8：WO_GEMM 使用 WO 权重运行密集 GEMM。为避免增加权重加载的开销，我们未加入模块 7 和 8。模块 9：融合内核将 oneshotAllReduce、Add_RMSNorm 和 DynamicQuant (BF16->NVFP4) 整合到单个内核中。模块 10：routerGEMM & topK 处理路由器 GEMM (Router GEMM) 和 topK 选择。模块 11：共享专家模型与模块 10 和模块 12 部分重叠。模块 12：稀疏专家模型通过分组 GEMM (Grouped GEMM) 实现专家层。模块 13：最终融合内核同时执行 localReduction、oneshotAllReduce 和 Add_RMSNorm 操作。主要优化一、系统级优化 1、CUDA Graph 与可编程依赖启动 CUDA Graph 对于克服小型工作负载中的 CPU 开销必不可少，而可编程依赖启动可进一步降低内核启动延迟。 2、MTP 基于 MTP 的两种优化措施： 1) 自回归 MTP 层根据我们的研究结果，3x MTP 层的配置性能最佳。 2) 宽松接受验证逻辑推理模型 (如 DeepSeek R1) 的生成过程可以分为两个阶段：思考阶段和实际输出阶段。在思考阶段，如果启用宽松接受 (Relax Acceptance) 模式，候选 token 处于候选集时即可被接受。该候选集基于 logits topN 和概率阈值生成。 topN：从 logits 中采样前 N 个 token。概率阈值：基于 topN 个候选 token，只有概率大于 Top1 的概率减去 delta 的 token 时可保留在候选集。在非思考阶段，我们仍采用严格接受模式。这是一种宽松的验证和比较方法，可以在对精度影响很小的情况下，提升接受率并带来加速。如需了解更多信息，请访问： multi-token-prediction-mtp 3、多流我们引入了基于多流的优化措施以隐藏部分内核的开销，例如：将共享专家模型与稀疏专家模型重叠将 Concat_KVCache 内核与 GEMM 重叠稀疏专家模型作为 GEMM (仅当 moe_backend=CUTLASS 时有效) 该图片来源于 Github: Pushing Latency Boundaries: Optimizing DeepSeek-R1 Performance on NVIDIA Blackwell GPUs 一文，若您有任何疑问或需要使用该图片，请联系该文作者现有的基于 CUTLASS 的稀疏专家模型流（如图所示）将输入的 token 分发到指定的专家模型，然后在每个专家模型的输出上进行索引式的局部归约，最后进行全局 AllReduce。分发和索引局部归约在低延迟场景下会产生高开销。为解决此问题，我们提出将“稀疏专家模型作为 GEMM”处理，即将所有 token 发送至每个激活的专家模型，并在局部归约前屏蔽不需要的输出。由于分组 GEMM 受显存限制，冗余 token 产生的额外计算开销几乎没有影响，有效避免了昂贵的分发，同时减少开销。 4、重新平衡稀疏专家模型稀疏专家模型常用的并行化策略有两种：专家并行 (EP) 和张量并行 (TP)。专家并行 (EP) 将每个专家模型分配到独立的 GPU，以此实现高显存和计算效率。但 token 放置依赖于数据，导致 GPU 间工作负载分布不均，并在 MoE 模块后的 AllReduce 步骤中显示额外开销。张量并行 (TP) 将每个专家模型均匀划分到多个 GPU，虽平衡了工作负载，但却牺牲了数学 / 显存效率。混合 ETP 结合 EP / TP 的混合方法可缓解上述问题。实验结果表明，TP4EP2 配置在实际中表现最佳。智能路由器另一方案是将所有专家模型权重存储在由 4 个 GPU 组成的集群中，随后将其复制到另一个 4 GPU 集群，智能路由器可将 token 动态地分配到各集群。该设计在不显著影响本地显存和计算效率的前提下，保持了工作负载分布的平衡。二、内核级优化 1、注意力内核我们开发了定制的 MLA 注意力内核，以便更好地使用 GPU 资源应对延迟场景。 2、分组 GEMM CUTLASS 后端（默认后端）我们的默认 MoE 后端基于 CUTLASS，该后端具有灵活性和稳定性，但可能不是最佳的性能方案。 TensorRT-LLM 后端另一个 MoE 后端是 TensorRT-LLM，其性能更优。我们正在努力提高其灵活性和稳定性，未来将作为延迟场景中分组 GEMM 计算的默认后端。 3、通信内核对于小规模消息，受常规 NCCL 延迟影响的 AllReduce 内核效率低下，为此我们开发了一款定制化的一次性 AllReduce 内核。该内核通过先模仿初始广播，然后进行局部归约的方式，利用 NVSwitch 的强大硬件能力在最小延迟场景中实现了更优的性能。 4、密集 GEMM 优化我们重点优化两种密集 GEMM：Fuse_A_GEMM 和 RouterGEMM。因为这两种 GEMM 占据了大部分执行时间、显存效率低下且难以分片（两者均基于 DP）。 Fuse_A_GEMM 我们开发了一个定制的 Fuse_A_GEMM，通过将大部分权重预先载入到共享显存（通过 PDL 实现并与 oneshot-AllReduce 重叠），大幅提升了性能。当 num_tokens < 16 时，该内核性能较默认的 GEMM 实现有明显提升。该图片来源于 Github: Pushing Latency Boundaries: Optimizing DeepSeek-R1 Performance on NVIDIA Blackwell GPUs 一文，若您有任何疑问或需要使用该图片，请联系该文作者 RouterGEMM 我们通过使用内部的 AI 代码生成器，自动生成经过优化的 RouterGEMM 内核。在 num_tokens ≤ 30 时，该内核性能较默认的 GEMM 实现有显著提升。该图片来源于 Github: Pushing Latency Boundaries: Optimizing DeepSeek-R1 Performance on NVIDIA Blackwell GPUs 一文，若您有任何疑问或需要使用该图片，请联系该文作者 5、内核融合为了减少最小延迟场景中额外的全局显存写读开销，内核融合必不可少。我们目前支持以下融合模式：将两个重叠的 RMS_Norm 融合成一个 GroupedRMSNorm 将 (LocalReduction) + AR + RMS_Norm + (Dynamic_Quant_BF16toNVFP4) 融合成一个内核将 Grouped GEMM_FC1 + 点激活 (当 moe_backend=TRTLLM 时) 融合成一个内核如何复现 github.com/NVIDIA/TensorRT-LLM/blob/main/docs/source/blogs/Best_perf_practice_on_DeepSeek-R1_in_TensorRT-LLM.md#b200-min-latency 需要注意的是，宽松接受模式是 Deepseek-R1 模型的特有模式。若要启用该模式，需在准备基准数据集时设置 add_generation_prompt = True，示例代码如下： input_ids = tokenizer.encode(tokenizer.apply_chat_template(msg, tokenize=False, add_generation_prompt=True), add_special_tokens=False) 还需在 speculative_config 中设置 use_relaxed_acceptance_for_thinking: true, relaxed_topk: 10 和 relaxed_delta: 0.6。后续工作增加融合增加重叠增加对注意力内核的优化增加对 MTP 的研究结语在延迟敏感型应用中突破 DeepSeek R1 的性能极限是一项非凡的工程。本文详细介绍的优化措施是整个 AI 技术栈各个领域的协作成果，涵盖了内核级优化、运行时增强、模型量化技术、算法改进以及系统性能分析与调优。希望本文介绍的技术和最佳实践，能够帮助开发者社区在任务关键型 LLM 推理应用中更充分地发挥 NVIDIA GPU 的性能。

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2025-07-03 1270
技术 | 从互操作性到安全性：Matter和Thread如何重塑我们的智能生活

消费者选择智能设备，旨在改善家庭的安保水平，提升安全性、便利性、节能效果，以及健康保障。虽然单个设备的特性和功能能够满足用户需求，但在整个智能家居网络中，互操作性问题却困扰着许多用户。随着设备数量的增加，通过Thread、Wi-Fi和蓝牙®等多种技术标准来管理多个接口常常让用户感到力不从心。 Matter借助其行业标准框架，有效解决了智能家居领域的碎片化难题，促进了设备间的无缝互联、稳定性与安全性。它独立支持Wi-Fi、Thread和以太网，使开发者、设备制造商及消费者能够专注于应用与用例本身，而无需过多关注技术或标准细节，为构建更加兼容、高效的智能家居生态打下基础。图1，物联网生态系统的早期阶段（左）和支持Matter的新生态系统（右） Matter通过单一接口为物联网制造商、平台供应商（如亚马逊、谷歌、苹果）以及智能家居设备市场提供了必要的互操作性和控制能力。图2展示了Matter带来的主要推动因素。图2，围绕Matter的主要驱动因素 Matter通过标准化开发和产品认证支持来简化智能设备生态系统。这使得零售商能够解决消费者对无线生态系统和互操作性的担忧。那么，在Matter的整体架构中，无线通信协议Thread又扮演着怎样的角色？Thread是基于 IEEE 802.15.4 标准构建的一种低功耗无线网络协议，并采用互联网协议第6版（IPv6）作为其网络层协议。Thread具备多项优势，包括强大的加密功能、低延迟通信以及低功耗设计，同时支持单个网络内容纳数百个设备。这种无线技术专为支持Matter的智能家居设备而设计，有助于增强Matter设备的整体性能、容量和覆盖范围。在本文后续部分我们将更深入地探讨Thread，但在此之前，让我们先快速了解一下Matter。 Matter 及其软件架构栈如图3所示，Matter采用分层架构，底层是物理层，顶层为应用层，并整合了多种IP技术，包括传输控制协议（TCP）和用户数据报协议（UDP）——均为用于网页浏览的常见协议。在核心层面，Matter使用IPv6。IPv6作为一种互联网层协议，能够在各种网络中实现端到端的数据传输，常见于笔记本电脑和智能手机等日常设备中。图3，Matter分层架构这一框架使Matter能够在基于IPv6的传输协议上建立安全的应用层，从而促进消息路由。与当前的蓝牙或Zigbee等系统不同，使用IP技术使所有网络设备都能直接通信——例如，您的笔记本电脑可以使用Wi-Fi与支持IP的灯泡实现交互，而无需基于云的翻译或网关解析。此外，Matter支持多种物理层连接方式，包括以太网和Wi-Fi。它还引入了通过Thread协议使用Matter的选项；这种支持Thread的标准提高了电池供电设备的响应速度与能效表现。接下来，我们将探讨Thread如何为更高效、更可靠的家庭网络提供所需的推动力。 Thread的技术优势 Thread是一种专为电池供电设备等低功耗物联网设备设计的无线网状网络标准。其低功耗特性显著延长了电池寿命，非常适合应用睡眠模式运行的终端设备，如恒温器、门锁和家庭传感器。 Thread的设计旨在使物联网设备运行更快、故障点更少、功耗更低，并实现更加无缝的互联互通。它特别针对那些需要长时间休眠、仅短暂唤醒发送数据后再次进入休眠状态的设备进行优化。总体而言，Thread是一种低功耗、高速率通信标准，能够创建网状网络。这使得它能够在网络中具备冗余能力，通信速度也优于蓝牙和低功耗蓝牙（BLE）。 Thread网络中只需要一个边界路由器，它可以内置于任何Wi-Fi网络设备中，如灯泡、恒温器等。然而，网络中的边界路由器越多，网络就越高效、越可靠。如图4所示，配备更多支持Thread的设备和边界路由器，可以增强网络的效率及可靠性。图4，Matter的物联网智能家居生态系统 Thread创建了一个网状网络，使得灯泡、恒温器、照明开关、智能窗帘、传感器等设备能够相互通信，而无需每次都回传至Wi-Fi或网络中继器或网桥。Thread网络不需要中继器，因为如果网络中的某个设备出现故障，数据会自动通过其他设备进行转发（例如另一个灯泡或传感器）。 Thread的互操作性与未来适应性理想的智能家居将拥有一个普遍兼容的设备生态系统，无论制造商是谁，设备之间都能相互通信；这正是Matter的目标。为了实现这一目标，Matter必须采用一种能够确保未来适应性的技术标准。投资Thread这样的技术就能保证这一点，因为它被设计为能够随着时间的推移而不断进化；例如通过Thread 1.4.0等更新，为家庭物联网的未来发展做好准备。作为一种基于IP的开放技术，Thread不依赖于特定制造商或市场策略。物联网将很快拥有几乎无延迟或延迟难以察觉的设备。Thread协议面向这些低延迟、高吞吐量、实时场景而设计；无论是将数据传输到云端，还是在网络设备间传输，它都能以最小的延迟确保有效性和效率。Thread还支持多路径路由，因此随着更多基于Matter的物联网设备面向消费者推出，它们也能轻松接入现有网络。在网络中，安全性始终至关重要，而在物联网领域，安全漏洞是一个令人担忧的问题。Thread构建了一个高度安全的网状网络，采用金融级安全加密技术。Thread对所有网络数据流量都采用128位高级加密标准（AES），为用户提供高阶安全保障。 Thread所带来的优势：增强的灵活性： Thread允许每个设备在自修复、自组织的网状网络中充当微型中继器。无需中央控制节点，即使某个设备离线，也能确保网络持续运行。互操作性： Thread基于互联网协议（IP），意味着它可与所有基于IP的设备直接通信，如智能手机、平板电脑、计算机和Wi-Fi路由器。低延迟：基准测试显示，Thread是一种低延迟的通信标准。安全性： Thread通过为所有网络流量使用128位AES加密、采用金融级的安全措施来防护常见的安全漏洞，并为每个设备分配唯一的网络密钥，以防止未经授权的访问，确保所有通信都经过加密且防篡改，从而为物联网和智能家居打造高度安全的网状网络。自修复：如果某个路由器或边界路由器离线，其它设备将自动接管其功能，确保网络稳定可靠。易于设置和集成： Thread使用IP协议，使开发者和制造商可以与产品和用户保持直接通信；利用标准的互联网工具，能够更快地将产品推向市场，并随着时间的推移对应用层和云服务进行更新。实时通信： Thread专为低延迟和高吞吐量场景而设计，通过支持多径路由，确保在设备离线或超出覆盖范围时仍能维持通信可靠性，无单一故障点。可扩展网络：作为一种低功耗、低延迟的无线协议，Thread支持最多250台设备接入。通过边界路由器构建网状网络，无需中心中继器或桥接设备，各设备之间可直接通信。作为一种低功耗、低延迟的无线协议，Thread支持最多250台设备接入。通过边界路由器构建网状网络，无需中心中继器或桥接设备，各设备之间可直接通信。高度兼容： Thread利用现有的技术和2.4GHz频段上的IEEE 802.15.4无线电实现全球部署，具有能效高和易于安装的特点，其开放标准以及主流品牌的支持增强了在Thread网状网络中的兼容性与集成性。更低功耗：以路由网状方式运行，设备主动寻找最佳路由，从而降低功耗和延迟。克服 Matter/Thread 发展中的阻碍当然，Thread和Matter的发展并非一帆风顺，至少目前还不是。但就像Wi-Fi和蓝牙刚起步时一样，它们也面临过一些阻碍。最终，Matter的主导者选择了Wi-Fi和Thread作为其无线通信技术。连接标准联盟（CSA）和Thread 工作组（Thread Group）意识到了这些阻碍，因而通过整合竞争对手的技术来推动Thread的采用。例如，Thread使用蓝牙进行初始设备发现，并允许ZigBee的应用层在其网络上运行，以确保与现有ZigBee软件的兼容性。与任何新标准一样，Thread也面临着挑战，其普及需要时间。然而，Thread带来的诸多优势最终将使其成为安全物联网Matter设备的首选标准之一。最终，Thread的整体解决方案需要平台和制造商就一种统一的方法达成一致，以便在设备间共享网络凭证，并创建一个行业标准，用于在家中安全地建立统一的Thread网络。如今，CSA和Thread工作组正通过鼓励团结和制定清晰的战略路线图，果断地应对这些阻碍。结语本文深入探讨了Matter和Thread如何共同提升物联网领域的发展，为智能家居设备提供了一个强健的技术框架。Matter通过其开源、基于IP的标准简化了网络复杂性，确保了设备间的互操作性；该标准支持多种物理层，包括以太网、Wi-Fi和Thread。Thread专为与Matter互补而设计，擅长创建高效、可靠的网状网络，支持多种设备，且无需中央控制节点。其特点，如低延迟、采用128位AES加密的高安全性，以及自修复能力，解决了当前物联网面临的许多挑战。尽管面临阻碍，但得益于行业中各厂商间的协作，市场正在涌现网络凭证共享的标准化解决方案，旨在减少平台碎片化，提升智能家居的用户体验。Matter和Thread的共同努力正在为构建一个普遍兼容、可扩展且安全的物联网生态系统奠定基

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-07-03 965