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IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。然而，这种转变使得电能需求快速增长，给电网带来了极大的压力。尽管能效很高，但电动汽车、数据中心、热泵等应用仍需要大量能源才能运行。太阳能、风能、波浪能等新型可再生能源受到广泛欢迎，正逐渐成为主流。只有完全使用可再生能源的应用，才能被视为真正的“清洁”应用。太阳能市场已经发展多年，相对成熟。Fortune Business Insights 的报告显示，目前太阳能市场规模估计为 2730 亿美元，到 2032 年有望增长到 4360 亿美元。2023年，北美太阳能市场占比超过了 40%。可再生能源应用中的电源转换挑战太阳能发电量正在迅速增长。国际能源署 (IEA) 的数据表明，2022 年，太阳能产生的电力比上一年度增长 26%，达到 1300 TWh。这标志着太阳能发电已超越风电，成为最大的可再生电力来源。太阳能光伏 (PV) 板产生直流电 (DC)，而电网需要交流电 (AC)，因此中央光伏逆变器是大型并网装置不可或缺的一部分。光伏板产生的所有能量都会经过逆变器，因此逆变器效率具有重要影响。尽管太阳能取之不尽，用之不竭，但转换效率低下会导致输送到电网的能量十分有限。过程中所浪费的能量会转化为热量，进而又会构成严峻挑战，因为许多太阳能装置通常位于阳光充沛、温度较高的环境，如沙漠。成本也是非常重要的考虑因素，可直接影响消费者的电费以及电力公司的盈利。为实现更高功率，许多中央逆变器并联使用多个转换模块，具体数量由每个模块的额定功率决定。每个模块功率容量越高，所需模块就越少，进而可以降低成本。尽管电动汽车已经取得了长足进步，但 CAV 在向电力驱动转变方面仍进展缓慢。CAV 体型较大，每次行驶消耗的燃料和产生的排放也更多，虽然数量上仅占汽车总量的 2%，但其温室气体排放量占交通运输排放总量的 28%。虽然商用客运车（如公共汽车）的电动化已经初见成效，但大多数大型卡车、建筑机械和农业车辆（如拖拉机）仍然依赖柴油驱动。现在，情况开始发生变化。为达到欧盟、中国和美国加州等全球市场严格的零排放法规要求，预计到 2030 年，电动卡车（纯电和混合动力）销量占比将从目前的 5% 增加到 40%-50%。相较于化石燃料商用车，电动商用车结构更简单，运动部件更少。在载重能力相同的情况下，电动车体积更小、可靠性更高、维护相关成本更低。目前电池成本大幅降低，电动 CAV 的总拥有成本已经低于内燃机 (ICE) 车辆。与太阳能应用类似，效率也是电动 CAV 的关键要求。每辆车的电池电量有限，逆变器中转换过程的效率越高，车辆行驶距离就越长。或行驶同样的距离所需的电量就更少。鉴于未来我们对太阳能和电动 CAV 的依赖，可靠性自然也就变得非常重要。面向逆变器应用的先进电源技术在三相太阳能光伏逆变器等的高功率应用中，三电平有源中性点箝位 (ANPC) 转换器是比较常见的拓扑。这种多电平拓扑结构专门用于提升系统的性能和效率。普通中性点箝位 (NPC) 转换器使用二极管将直流链路电容的中性点连接到输出端。在 ANPC 配置（图 1）中，箝位由开关执行，因此能够改善控制、减少开关损耗并提高效率，并且能相应地减少对散热措施的需求，从而有助于实现尺寸更小、成本更低的方案。拓扑结构的布置方式降低了各个开关上的电压应力，从而提高了可靠性。此外，ANPC 还能实现对电网有利的波形。图 1：可利用模块轻松构建 ANPC 转换器设计工程师可以通过并联多个功率模块，例如安森美 (onsemi) 的 QDual 3 IGBT 模块，创建高性能三电平有源中性点箝位模块，其系统输出功率可达 1.6 MW 至 1.8 MW。图 2：QDual3 IGBT 模块 QDual 3 模块集成了新一代 1200 V 场截止 7 (FS7) IGBT 和二极管技术，可为大功率应用提供更优异的性能。与前几代产品相比，FS7 技术显著改善了导通损耗。图 3：FS7 技术增强了关键性能参数在 FS7 IGBT 工艺中，沟槽窄台面带来了低 VCE(SAT) 和高功率密度，而质子注入多重缓冲确保了稳健性和软开关特性（图 2）。安森美中速 FS7 器件的 VCE(SAT) 低至 1.65V，适用于运动控制应用；而其 FS7 快速产品的 EOFF 仅 57 µJ/A，是太阳能逆变器和 CAV 等高功率应用的理想选择。图 4：FS7 IGBT 尺寸更小，功率密度更高创新型 FS7 技术使新型 QDual3 模块中的芯片尺寸比上一代缩小了 30%（图 3）。这种小型化与先进的封装相结合，可以显著提高最大额定电流。在工作温度高达 150 摄氏度的电机控制应用中，QDual3 的输出功率为 100 kW 至 340 kW，比目前市场上的其他产品高出大约 12%。可靠性是太阳能和 CAV 应用的关键，因此模块的构造和测试方式至关重要。例如，目前有许多类似方案使用引线键合方式来固定端子，而安森美则选择采用超声波来焊接模块。后者有助于增强电流承载能力，提供更优散热路径，并且比前者更为坚固（图 4）。图 5：超声波焊接可降低温度并增强可靠性这种方法可以提高电导率，从而减少电力损失、提升效率。此外还能降低工作温度、增强机械刚度，以及提高模块的整体可靠性。安森美的新型高功率 QDual3 技术专用 QDual 3 半桥 IGBT 模块NXH800H120L7QDSG 适用于中央太阳能逆变器、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)；而 SNXH800H120L7QDSG 则适用于 CAV。这两款器件均基于 FS7 技术打造，VCE(SAT)和 EOFF有所改进，进而降低了损耗、提高了能效。目前，若使用 600 A IGBT 模块以 ANPC/INPC 架构来设计 1.725 MW 逆变器，总共将需要 36 个模块。然而，若使用额定工作电流为 800 A 的新型 NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG，设计所需模块数量将减少 9 个。相应地，设计的尺寸、重量和成本将节省 25%。这对于太阳能应用和 CAV 应用来说都非常有价值，因为重量减轻和效率提高，将使得车辆行驶里程有所增加。图 6：更大的电流能力支持使用更少的模块来构建系统这些模块包含用于热管理的隔离底板和集成的 NTC 热敏电阻，并支持通过可焊接引脚将模块直接安装到 PCB 上，采用行业标准布局，有助于轻松将现有设计升级到新型 QDual3 技术。安森美的所有 QDual3 模块均经过严格的可靠性测试，其可靠性水平超过市场上的其他同类器件。我们的湿度测试要求产品承受 960V 偏压长达 2000 小时，而同类器件仅需承受 80V 偏压 1000 小时。振动测试对于 CAV 应用至为关键，我们的产品在 30 G 峰值/10G RMS 条件下进行了长达 22 小时的测试，可满足 AQG324 要求。其他器件则是在振动水平低至 5 G 的条件下进行测试，持续时间短至 1 小时。总结全世界的可再生能源使用率越来越高，电网正承受着巨大压力。太阳能发电已经发展成熟，2022 年更是超过风电，成为可再生电力的主要来源。尽管化石燃料驱动的车辆仍是主要的污染源，但 CAV 的电气化正在稳步推进，目前已初见成效。安森美 FS7 等新型半导体技术支持开发低损耗、大功率器件，以满足这些领域的效率和可靠性需求。基于这项技术，安森美的新型 QDual3 器件采用紧凑封装，可实现高功率密度和出色能效。焊接良好的端子和超越业内其他器件的认证测试助力保障 QDual3 器件的稳健性能。新一代 NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG 模块电流能力高达 800 A，得益于此，逆变器设计所需的模块可减少 25%，并能够进一步简化设计、减小其体积、质量并降低成本。这无疑是一项重大进展，安森美将继续潜心钻研 FS7 技术的高性能潜力，力求推出更多超越现有标准的模块，从而满足太阳能行业和 CAV 制造商不断增长的需求。

IGBT

安森美 . 2025-01-08 1 855
江波龙携首款NFC PSSD亮相CES 2025，创新产品备受业界瞩目

美国时间1月7日至10日，2025 CES全球消费电子展在美国拉斯维加斯开幕。本届CES的主题为“Dive In”，聚焦人工智能、可持续发展、移动科技和人类安全等前沿领域。江波龙旗下两大品牌携手亮相，展示了一系列创新存储产品，诠释了存储技术的多样性与无限可能。 NFC移动固态硬盘：碰一碰解锁隐形存储空间 NFC协议 | 可升级支持iTAP协议 | WM3000自研主控在众多产品中，江波龙率先推出的一款NFC移动固态硬盘（PSSD）尤为引人注目。该PSSD支持NFC解锁隐形存储空间，兼顾了常规使用和对隐私数据的保护，是数据安全与便捷性结合的创新突破。用户只需使用智能手机、智能手表或NFC卡等设备轻轻一触NFC感应区域，即可实现数据的无感解锁，极大地提升了数据安全性和操作便捷性。在快节奏的现代生活中，对数据安全和便捷性的需求日益增长。传统加密方法操作复杂，用户体验欠佳。而这款支持NFC的PSSD，通过硬件级无感解锁，为用户提供了随身的隐私存储空间，无论是普通用户，还是律师、金融从业者、科研人员等对保密信息有更高需求的群体，都能凭借其可靠的隐私保护功能，有效避免隐私信息曝光、商业机密泄露和重要信息被盗的风险。该产品提供128GB至4TB的多种容量选择，满足不同用户的需求。同时，搭载江波龙WM3000自研主控，其良好的性能在大文件和多文件的数据传输以及稳定运行上皆有不凡的表现，为用户提供高效、安全的移动存储体验。随着ITMA协会发布的新近场交互技术iTAP的诞生，该款产品可升级支持iTAP协议，在NFC协议的基础上，使设备间的交互变得更加便捷和安全。结合支付宝的支付设备，用户将能够通过简单的碰一碰操作，实现快速、安全的支付体验。除此之外，未来存储设备通过iTAP技术，可以更高效地实现开启门禁、乘车、查阅资料、预约、点菜以及进入商家小程序等日常操作。在PTM商业模式的加持下，NFC PSSD支持对主控芯片、产品方案、固件功能以及尺寸外观等多个维度进行独特定制，满足客户对差异化创新的需求。双双摘桂：Lexar雷克沙两款产品荣获CES创新奖在日前的CES官方媒体Unveiled活动中，消费类高端存储品牌Lexar雷克沙首次精彩亮相，其展示的NM1090 PRO、pexar数字相框等一系列创新产品赢得了全球媒体的广泛关注。值得一提的是，作为本届CES的亮点之一，Lexar雷克沙的两款明星产品Lexar Professional DIAMOND CFexpress™ 4.0 Type B 卡和Lexar SL500 移动固态硬盘磁吸套装分别在影像领域和移动存储领域脱颖而出，荣获CES创新奖。 Lexar Professional DIAMOND CFexpress™ 4.0 Type B 卡采用PCIe 4.0 技术，提供最大3700MB/s的读取速度、3400MB/s的写入速度和3200MB/s的最低持续写入速度。这种高性能实现了VPG400评级，有助于确保无缝捕获8K RAW视频。同时，利用pSLC技术，能够延长产品使用寿命（高达30000TBW），并提高数据可靠性与降低功耗，从而实现更稳定的存储性能。 SL500 移动固态硬盘磁吸套装利用磁性套轻松连接到手机,并支持Apple ProRes视频录制。此外，还配有额外的引磁环，可与笔记本电脑等多种设备同时使用。其卓越的USB 3.2 Gen 2×2性能，提供高达2000MB/s的读取速度和1800MB/s的写入速度，加速数据传输，大幅提高工作效率，为视频内容创作者提供了理想的移动存储设备。全面存储矩阵多元产品探索 CES期间，江波龙还带来了行业类存储产品及应用，集中展示了覆盖嵌入式手机存储、AI PC存储、工规级存储、车规级存储、企业级存储等一系列高可靠性存储产品，充分满足手机、AI、自动驾驶、云存储等多场景需求，为行业客户提供契合海外市场需求的多元化存储解决方案，加速行业应用落地，助力客户实现价值增长。作为2025年全球盛会的开端，CES 2025见证了江波龙对存储技术创新的持续投入和“存储出海”全球化战略的进一步实践。通过整合国内外供应链资源，江波龙已成功构建了灵活高效、成本优化的全球存储制造供应链网络，满足多样化的定制需求，进而为全球客户提供更便捷高效的本地化服务。 2025年，江波龙将坚定地加强数字化转型、质量管理和品牌建设，同时加速国际化步伐，与合作伙伴共创价值。 *上述产品数据均来源于江波龙内部测试实际性能因设备差异，可能有所不同

江波龙

江波龙 . 2025-01-08 1 3 1555
AMD在CES上宣布推出全新图形和游戏产品旨在带来卓越游戏体验

在2025年CES（国际消费电子展）前夕，AMD宣布推出全新游戏产品，旨在扩大其在台式机、移动和手持游戏领域的领导地位，为最具挑战性的游戏提供令人难以置信的性能。AMD推出了全新的锐龙 9900X3D和9950X3D系列台式机处理器，为台式机游戏玩家带来卓越的性能体验；此外，还推出了第二代手持游戏PC处理器——锐龙 Z2，让3A游戏在移动过程中实现非凡性能。 AMD 高级副总裁、计算与图形事业部总经理Jack Huynh表示：“游戏已经成为全球最大的娱乐形式之一，随着游戏的沉浸感和需求的不断提升，拥有合适的软硬件对于提升玩家体验至关重要。今天的发布重申了我们致力于为玩家提供随时随地自由选择游戏体验的承诺，不让性能瓶颈成为阻碍。” 面向游戏玩家和内容创作者的锐龙9950X3D和9900X3D台式机处理器 AMD通过锐龙9950X3D和9900X3D完善其卓越的台式机处理器产品组合。锐龙9950X3D是专为游戏玩家和内容创作者打造的全球领先的16核处理器，配备16个“Zen 5” 核心和AMD RDNA 2图形处理芯片。基于第二代AMD 3D V - Cache技术，全新的X3D处理器为台式机游戏玩家突破了性能和创新的边界。新一代X3D处理器将缓存放置在处理器CCD底部，使“Zen 5”处理器核心更靠近散热器，从而在更低的温度下实现更高的时钟频率，并提供比上一代产品更优秀的性能。全新的锐龙X3D产品预计将于2025年第一季度上市。锐龙Z2系列手持游戏设备处理器 AMD锐龙Z2系列处理器旨在将主机级游戏体验放到用户手掌中，该系列处理器结合了卓越的性能与高效能表现，使得在便携设备中实现出众的台式机游戏体验成为可能。全新的锐龙Z2处理器配备多达8个“Zen 5” CPU核心和基于RDNA 3.5架构的图形处理器，提供超快速响应的游戏体验和令人惊叹的图形效果。通过低功耗优化，让玩家能够长时间不间断地畅玩游戏。预计搭载锐龙Z2处理器的设备将于2025年第一季度上市。面向移动笔记本的锐龙9000HX系列处理器全新的AMD锐龙 9000HX系列处理器为游戏笔记本带来了杰出的卓越性能。全新的锐龙9000HX系列采用了第二代3D V - Cache技术进行重新设计，将内存重新安置在处理器下方，从而实现更高的性能优势、更低的温度和更高的时钟频率，为游戏笔记本电脑用户提供非凡的使用体验。作为该系列的高端产品，锐龙 9955HX3D预计将成为专为游戏玩家和创作者打造的超快移动处理器之一。它配备多达16个核心，能够提供32线程的处理性能，搭载锐龙9000HX处理器的系统预计将成为移动PC处理器中拥有最多高性能核心的产品。配备先进DDR5内存的支持，锐龙9000HX处理器提供低功耗、高带宽的内存，是高性能游戏笔记本的理想之选。预计相关产品将于2025年上半年上市。 AMD携手OEM厂商和游戏开发者构建强大的游戏生态系统各OEM厂商纷纷推出更多搭载AMD锐龙处理器的高性能游戏系统。全新的OEM产品以多种产品形态为游戏玩家提供出众的计算和图形性能。宏碁公司首席运营官Jerry Kao表示：“我们很激动能够在笔记本和掌上领域扩充搭载AMD处理器的高性能游戏产品阵容。随着人们对AI增强型游戏的沉浸感和竞技性期望不断提高，宏碁将通过搭载AMD处理器的新设备，为游戏玩家和创作者带来更出色的体验。” 华硕联合首席执行官Samson Hu表示：“华硕始终站在创新前沿，助力游戏玩家发挥他们的真实潜力。凭借搭载AMD锐龙9000HX系列处理器的全新ROG产品，玩家可以突破自身极限，在高端笔记本中体验更强的性能和强大动力。” 联想高级副总裁兼智能设备业务集团消费业务部总经理Jun Ouyang表示：“在联想，通过推出从高性能笔记本、台式机到掌机设备的创新解决方案，我们正在塑造游戏的未来。凭借AMD最前沿的锐龙Z系列处理器，我们正在突破掌上游戏设备的性能极限。我们与AMD携手，重新定义了游戏玩家在各个平台上与技术的交互方式，并致力于推动下一代游戏创新，以适应全球游戏玩家不断变化的需求。” 前瞻性声明本新闻稿包含有关 AMD 公司的前瞻性陈述，例如 AMD 产品的特性、功能、性能、可用性、时间和预期优势，包括 Ryzen AI Max、Ryzen AI 300 系列和 Ryzen 200 系列处理器以及 Ryzen AI Max PRO、Ryzen AI 300 PRO 和 Ryzen 200 PRO 系列处理器，以及 AMD OEM 合作伙伴关系的预期优势，是根据 1995 年《私人证券诉讼改革法案》的安全港条款制定的。前瞻性陈述通常用“将”、“可能”、“期望”、“相信”、“计划”、“打算”、“规划”等词语和其他具有类似含义的术语来识别。投资者应注意，本新闻稿中的前瞻性陈述基于当前的信念、假设和预期，仅代表截至本新闻稿发布之日的情况，并涉及可能导致实际结果与当前预期存在重大差异的风险和不确定性。此类陈述受到某些已知和未知风险和不确定性的影响，其中许多风险和不确定性难以预测，并且通常超出 AMD 的控制范围，这可能导致实际结果和其他未来事件与前瞻性信息和陈述中表达、暗示或预测的内容存在重大差异。可能导致实际结果与当前预期存在重大差异的重大因素包括但不限于：英特尔公司在微处理器市场的主导地位及其激进的商业行为;Nvidia 在图形处理单元市场的主导地位及其激进的商业行为;AMD 产品销售的竞争性市场;半导体行业的周期性;销售 AMD 产品的行业的市场状况;AMD 及时推出具有预期功能和性能水平的产品的能力;失去重要客户;经济和市场的不确定性;季度和季节性销售模式;AMD 充分保护其技术或其他知识产权的能力;不利的货币汇率波动;第三方制造商及时、足量并使用具竞争力的技术制造 AMD 产品的能力;基本设备、材料、基材或制造工艺的可用性;实现 AMD 产品预期制造良率的能力;AMD 从其半定制 SoC 产品中获得收入的能力;潜在的安全漏洞;潜在的安全事件，包括 IT 中断、数据丢失、数据泄露和网络攻击;涉及 AMD 产品订购和发货的不确定性;AMD 依赖第三方知识产权来设计和推出新产品;AMD 在设计、制造和供应主板、软件、内存和其他计算机平台组件方面对第三方公司的依赖;AMD 依赖 Microsoft 和其他软件供应商的支持来设计和开发在 AMD 产品上运行的软件;AMD 对第三方分销商和AIB合作伙伴的依赖;修改或中断 AMD 内部业务流程和信息系统的影响;AMD 产品与部分或全部行业标准软件和硬件的兼容性;与缺陷产品相关的成本;AMD 供应链的效率;AMD 依赖第三方供应链物流功能的能力;AMD 有效控制其产品在灰色市场上销售的能力;气候变化对 AMD 业务的长期影响;政府行动和法规的影响，例如出口法规、关税和贸易保护措施;AMD 变现其递延所得税资产的能力;潜在的税务责任;当前和未来的索赔和诉讼;环境法律、冲突矿物相关规定和其他法律或法规的影响;政府、投资者、客户和其他利益相关者对企业责任问题不断变化的期望;与负责任地使用 AI 相关的问题;管理 AMD 票据、Xilinx 票据担保和循环信贷协议的协议施加的限制;收购、合资和/或投资对 AMD 业务的影响以及 AMD 整合被收购业务的能力;AMD 完成对 ZT Systems 的收购的能力;合并后公司资产减值的影响;政治、法律和经济风险以及自然灾害;技术许可证购买的未来减值;AMD 吸引和留住合格人才的能力;以及 AMD 的股价波动。我们敦促投资者详细审查 AMD 向美国证券交易委员会提交的文件中的风险和不确定性，包括但不限于 AMD 最新的 10-K 和 10-Q 表格报告。

AMD

AMD中国 . 2025-01-08 1180
瑞萨宣布裁员

据日经新闻获悉，由于多种芯片需求疲软，日本芯片制造商瑞萨电子今年将裁员数百人。拥有大约 21,000 人的瑞萨电子已通知员工，计划在日本和海外裁员，裁员幅度不到 5%。该公司还将推迟原定于春季实施的定期加薪。该芯片制造商还将裁减 1% 至 2% 的员工，并推迟 2024 年的加薪。瑞萨电子的一位发言人表示，这些举措“旨在加强我们的组织以实现长期发展，以便在市场环境持续疲软的情况下实现我们的增长战略。” 瑞萨电子预计 2024 年营收将下降 9% 至约 1.33 万亿日元（84 亿美元），营业利润率预计将下降 5 个百分点至 28.9%。瑞萨电子以非 GAAP 为基础披露盈利预测，不包括非经常性项目。由于需求低迷，10 月至 12 月季度的工厂利用率从 7 月至 9 月的约 40% 降至 30% 左右。汽车和工业设备功率半导体的大规模生产原定于 2025 年初在日本中部山梨县的新工厂开始，但该计划已被推迟。日本一位半导体分销商表示：“市场至少要到2025年下半年才能复苏。”

瑞萨

芯查查资讯 . 2025-01-08 970
MOS管有哪些常见应用领域？

所谓分立器件，顾名思义就是由单个电子器件组成的电路元器件，它包括二极管、桥堆。三极管以及MOS管、IGBT、电源IC等产品，作用包括整流、开关、小信号放大、稳压、调节电压电流、电路保护等作用。随着分立器件技术不断发展，集成度更高、耐压耐流能力更强的分立器件产品不断涌现，市场应用场景也越来越多，在光伏、储能、新能源汽车、智能家电、智慧安防、AIoT以及通讯、可穿戴设备、工控、医疗等应用广泛应用。MOS管作为目前最重要也是应用最多的分立器件产品之一，在上述很多产品上有应用。本期主要给大家讲解下MOS管这种分立器件常见的五大应用场景，具体它是如何帮助产品实现更多功能的。一、电源及储能、光伏产品 MOS管在电源电路中常作为电子开关使用，通过控制栅极电压来改变漏源极之间的导通状态，实现电流的快速接通和断开。MOS管具有较低的导通电阻和开关时间，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率。在开关电源中，MOS管配合PWM控制器等芯片，能够实现精准的电压调节和过流保护。通过反馈机制，MOS管按需调整开关频率和占空比，以维持输出电压稳定。当检测到过载或短路时，MOS管可以通过快速关断来避免电源系统遭受损害‌。MOS管在电源电路中不仅能够实现高效的能量转换和稳压保护，还能降低电磁干扰，确保电源系统的稳定性和可靠性。 ‌MOS管在储能电源上主要是开关和稳压、保护等作用，在便携式储能电源中，MOS管主要用于逆变器部分，负责将电池的直流电转换为交流电，提供稳定的交流输出。高品质的MOS管能够提升电气品质，确保电源的稳定性和可靠性‌。在户用储能系统中，MOS管主要用于逆变器和DC-DC变换电路中。逆变器将太阳能电池板的直流电转换为家庭使用的交流电，而DC-DC变换电路用于最大功率点跟踪（MPPT），提高充电转换效率‌。在储能变流器中，MOS管用于实现电能的交直流双向转换，控制电池的充电和放电过程。MOS管的高效率、快速响应和高可靠性特性使得储能变流器能够高效、稳定地运行‌。 MOS管在光伏逆变器中应用包括光伏功率转换‌，光伏模块产生的是直流电，但大部分电气设备需要交流电来运行，逆变器将直流电转换为交流电，MOS管作为关键的开关元件，通过快速地开关动作，将直流电转换为交流电‌。还有在最大功率点追踪上，由于光伏系统中太阳光的强度和温度等因素会导致光伏模块的最大功率点发生变化，需要通过MPPT控制器来追踪和获取最大功率点，从而最大限度地提高光伏系统的发电效率。在MPPT控制器中，MOS管通过调整开关频率的方式，实现对最大功率点的精确追踪‌。二、BMS 在电动汽车产品中，BMS系统用于确保电池组的性能和安全性，监控电池的电压、电流、温度等参数，以防止过充或过放，从而延长电池寿命并保持安全。 ‌MOS管在BMS系统的电池充放电过程中，它会根据BMS的指令，控制电流的大小和通断。充电时，当电池充满后，MOS管会及时切断充电回路，防止过充，放电时，当电池电量低到一定程度时，MOS管会切断放电回路，防止过度放电‌。当电路遇到线路短路或电流突然过大的情况时，MOS管会迅速反应切断电路，防止电池组因电流过大而发热、损坏甚至爆炸，这种快速响应的特性使得MOS管成为BMS中的重要安全卫士。在新能源电动车里面，通常，电池组由多个单体电池组成，随着时间的推移，单体电池之间可能会出现电量不均衡的情况。MOS管通过其开关特性，可以实现电池组的均衡管理，确保每个电池都能得到适当的充电和放电，从而延长电池组的使用寿命和稳定性‌。三、LED照明 LED电源是各种LED照明产品，如LED灯管、LED灯泡、LED投光灯等产品必备的，在汽车照明领域，MOS管也为汽车LED照明系统提供稳定、高效的驱动电压。MOS管在LED驱动电源中可以作为开关使用，通过调节其导通和截止状态，可以控制LED的电流，从而实现LED的亮灭和调光功能。在恒流源设计中，MOS管能够精确控制通过LED的电流，确保LED在安全、稳定的电流下工作，避免因电流过大而损坏。MOS管具有过压、过流等保护功能。当检测到异常电压或电流时，MOS管可以迅速切断电源，保护LED和驱动电路不受损害。在LED调光的应用上，MOS管主要通过脉宽调制（PWM）技术实现亮度调节。它主要作为开关使用，通过调节其导通和截止状态来控制LED的电流，从而实现调光功能。通过PWM信号控制MOS管的开关状态，从而调节LED的亮度。当PWM信号的占空比增加时，MOS管导通的时间增加，LED亮度增加；反之，当占空比减小时，LED亮度降低‌。四、机器人 ‌MOS管在机器人领域的应用非常光，它可以作为放大器，能够调节输入信号的电压，从而在不失真的情况下放大信号，提升机器人传感器系统的灵敏度和准确性，这对于机器人在各种复杂环境和任务中的精确感知至关重要‌。它还可以作为开关实现精确控制‌，能够在不同的电压和电流条件下控制电路的通断，实现对机器人系统的精确控制，这种精确的控制能力使得机器人能够执行精细的动作和复杂的任务。作为智能集成度非常高的产品，智能机器人通常需要多种电源来满足不同组件的电能需求，包括高压和低压电源。MOS功率放大器和开关电源在机器人电源管理中发挥着至关重要的作用，能够有效地管理这些电源，提供稳定可靠的电能供应。在机器人通信系统中的关键作用‌，现代智能机器人通常需要与其他设备、机器人或中央控制系统进行实时通信。MOS管作为信号处理和调制的关键组成部分，确保信号的传输和接收的稳定性和可靠性。五、仪器仪表 MOS在仪器仪表中的应用十分广，比如在温度传感与信号处理上，MOS管常用于温度传感和信号处理电路。在电子体温计中，虽然MOS管本身不直接作为温度传感器，但它可能参与温度信号的放大、转换或处理过程。通过MOS管构成的放大电路，可以将热敏电阻等传感器输出的微弱温度信号放大，以便后续电路进行更精确的处理。此外，MOS管还用于滤波、模数转换前的信号调理等信号处理电路，有助于将模拟信号转换为数字信号，以便微处理器或数字显示电路进行读取和显示。 MOS管常被用于仪器仪表的控制电路中。通过控制MOS管的导通和截止状态，可以实现仪器仪表的自动化控制和开关功能。如在自动测试设备中，MOS管可以用于控制测试信号的通断和切换，从而实现对被测设备的精确测试。 MOS管在医疗仪器中用于监测和控制药物输送系统、医疗成像设备等。在测量仪器中，MOS管常用于信号处理电路和电源管理电路。在工业自动化领域，MOS管被广泛应用于各种传感器和执行器的控制电路中。此外，MOS管在仪器仪表的电源管理电路中发挥着重要作用。通过MOS管构成的开关电源电路，可以为仪器仪表提供稳定、高效的电源供应。既然MOS管的优点和应用如此广泛，那么作为应用厂商，如何选择好的MOS进行产品设计呢？笔者认为，把握住这些关键TIPS您会事半功倍。比如，在选择MOS管时，需要考虑其性能参数、封装形式、工作环境、品牌特点以及使用场景等因素。具体电路设计具体分析，要确保MOS管正常工作。在MOS管性能选择上，需要考虑以下几个参数Vds、Vgs、Id、Vth、Rds(on)、开关速度、工作温度范围、功耗、散热以及高频特性等，在具体应用电路上，需要考虑MOS散热设计，MOS管的布局和布线，合理布局可以减少环路面积，降低EMI干扰，确保MOS管的电源和地线布局合理，减少电压降和噪声。

厂商投稿 . 2025-01-08 8580
“国产双系统”出炉！复旦微FMQL20SM非对称AMP:Linux + 裸机

AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非对称多处理架构。“非对称AMP”双系统是指多个核心相对独立运行不同的操作系统或裸机应用程序，如Linux + RTOS/裸机，但需一个主核心来控制整个系统以及其它从核心。每个处理器核心相互隔离，拥有属于自己的内存，既可各自独立运行不同的任务，又可多个核心之间进行核间通信。图 1 FMQL20SM AMP异构多核框架示意图 “非对称 AMP” 对工业的重大意义更强“系统实时性” 在工业自动化控制的复杂场景中，对于系统实时性的要求极高。非对称AMP架构凭借其独特优势，能够运用固定的核心来处理实时任务，很好兼顾复杂功能与实时性需求。AMP架构全面提升了系统实时性、执行效率、计算能力以及响应速度，让工业生产更加精准、高效。更高“系统稳定性” 非对称AMP架构在稳定性方面表现卓越。无需多个分立CPU之间频繁交互数据，每个处理器核心拥有属于自己的内存，核心之间互不干扰。开发者可灵活分配任务或指定核心间通信，大大增强了系统稳定性，有效减少崩溃风险，全方位保障数据的完整性。更低“系统硬件成本” 成本控制一直是工业领域关注的重点。非对称AMP架构通过优化内部通信，仅需一套硬件电路即可实现复杂功能，显著降低系统硬件成本。其各核心能运行不同操作系统，并行处理多个任务，无需额外硬件支持，真正做到了高效且经济。相比之下，采用分立CPU方案则需要两套硬件电路(CPU/ROM/RAM/PMIC)，系统硬件成本成倍增加。图 2 “非对称AMP”双系统的应用领域随着嵌入式系统的发展，对其性能和功能的要求日益提高，非对称AMP架构如今已成为一种新选择，主要应用于工业领域，如电力DTU、数据采集器、继电保护设备、运动控制器、驱控一体控制器等。图 3 FMQL20S400M 非对称AMP开发案例接下来，为大家详细介绍基于FMQL20S400M异构多核SoC处理器PS端的AMP通信案例，适用开发环境如下。 Windows开发环境：Windows 7 64bit、Windows 10 64bit Linux开发环境：Ubuntu 16.04.5 64bit 虚拟机：VMware16.2.5 PL端开发环境：Procise 2023.1 LinuxSDK：FMQL-Linux-SDK-Prj-20230801 U-Boot：U-Boot-2018.07 Kernel：Linux-4.14.55 硬件平台：创龙科技TLFM20S-EVM工业评估板为了简化描述，本文仅摘录部分方案功能描述与测试结果，详细产品资料请扫描文末二维码下载。基于Linux启动AMP裸机程序案例功能本案例主要实现如下的功能：（1）配置CPU0、CPU1、CPU2运行Linux系统，配置CPU3运行裸机程序。（2）运行Linux系统的CPU核功能为：初始化系统；控制运行裸机程序的CPU核启动；与运行裸机程序的CPU核通信，控制LED亮灭。（3）运行裸机程序的CPU核功能为：与Linux系统通信；接收Linux系统的控制命令，并根据命令控制LED亮灭。案例演示首先，请将案例的可执行程序拷贝至评估板文件系统任意目录下，参考产品资料进行环境配置，完成后，执行以下命令，加载裸机程序至PS端DDR地址0x19000000。备注：我司提供的Linux系统已在PS端DDR内存中分配AMP裸机程序的内存空间，地址范围为0x1900 0000 ~ 0x19FF FFFF，容量为16MByte。 Target# ./filetomem ./amp_led_ctrl.bin 0x19000000 图 4 执行如下命令，设置CPU3核运行裸机程序。 Target# ./amp 3 0x19000000 图 5 执行如下命令，运行Linux端AMP应用程序，点亮或熄灭评估底板PS端LED1。 Target# ./led 1 on Target# ./led 1 off 图 6 基于U-Boot启动AMP裸机程序案例功能本案例主要实现如下的功能：（1）CPU0启动U-Boot，基于U-Boot配置CPU1/CPU2/CPU3其中一个核心运行裸机程序。（2）CPU0功能为：初始化系统，控制运行裸机程序的CPU核启动。（3）运行裸机程序的CPU核功能为：控制LED亮灭。案例演示首先，请将Linux系统启动卡通过读卡器插至PC机USB端口，并将案例的amp_led_flash.bin文件拷贝至Linux系统启动卡BOOT分区（FAT32格式）。图 7 然后，在插入Linux系统启动卡后，启动评估板，进入U-Boot命令行，执行如下命令。加载Linux系统启动卡中的裸机程序至DDR地址0x19000000，并设置CPU3运行裸机程序。 U-Boot> dcache off U-Boot> fatload mmc 0 0x19000000 /amp_led_flash.bin U-Boot> bootamp 3 0x19000000 图 8 程序运行后，您就能看到评估底板PS端LED1每隔0.5s闪烁，是不是很神奇？如果各位工程师想要查看更多 FMQL20SM 相关的案例演示，欢迎扫描下方二维码下载，快来探索吧！

工业自动化

创龙科技 . 2025-01-08 8613
NVIDIA 宣布推出 Isaac GR00T Blueprint，以加速人形机器人开发

拉斯维加斯—CES—太平洋时间 2025 年 1 月 6 日—未来二十年，预计人形机器人市场将达到380 亿美元。为了满足这一巨大需求，尤其是工业和制造业领域的需求，NVIDIA 发布了一系列机器人基础模型、数据管线和仿真框架，以加速下一代人形机器人的开发进程。 NVIDIA创始人兼首席执行官黄仁勋今日在CES 上宣布 NVIDIA 正式推出用于合成运动生成的NVIDIA Isaac GR00T Blueprint，该Blueprint 可帮助开发者生成海量的合成运动数据，以便通过模仿学习来训练人形机器人。模仿学习是机器人学习的一个子集，它能让人形机器人通过观察和模仿人类专家的示范来获取新技能。在真实世界中收集这些广泛、高质量的数据集既繁琐又耗时，而且成本往往高得令人却步。通过用于合成运动生成的Isaac GR00T Blueprint，开发者只需少量人类示范，就能轻松生成海量的合成数据集。首先通过 GR00T-Teleop 工作流，用户可以借助 Apple Vision Pro 在数字孪生环境中捕捉人类动作。这些人类动作会被记录下来作为金标准，并在仿真环境中由机器人模仿学习。然后，GR00T-Mimic 工作流会将捕捉到的人类示范扩展成更大的合成运动数据集。最后，基于NVIDIA Omniverse 和NVIDIA Cosmos 平台构建的 GR00T-Gen 工作流，会通过域随机化和 3D 提升技术，指数级扩增这个数据集。之后，该数据集可作为机器人策略的输入，在NVIDIA Isaac Lab（一个用于机器人学习的开源模块化框架）中，教会机器人如何在其环境中高效且安全地移动和互动。世界基础模型缩小仿真与现实的差距 NVIDIA在 CES 上还发布了 Cosmos 平台，该平台拥有一系列开放的预训练世界基础模型，专为生成具有物理感知的视频和物理 AI 开发所需的世界状态而设计。它包含自回归模型和扩散模型，有各种模型尺寸并适用于多种输入数据格式。这些模型基于 1800 万亿个数据单元进行训练，其中包括 200 万小时的自动驾驶、机器人、无人机拍摄的视频以及合成数据。除了帮助生成大型数据集外，Cosmos 还能通过将图像从 3D 扩展到真实场景，缩小仿真与现实之间的差距。将 Omniverse（一个用于构建 3D 应用程序和服务的应用程序编程接口和微服务开发平台）与 Cosmos 相结合至关重要，通过其高度可控、物理精确的仿真提供关键保障，有助于最大限度地减少世界模型常见的幻觉问题。不断扩展的生态系统 NVIDIA Isaac GR00T、Omniverse 和 Cosmos 正在助力物理 AI 和人形机器人创新实现巨大飞跃。包括波士顿动力和 Figure 在内的主要机器人公司已开始采用Isaac GR00T，并展示了相关成果。人形机器人的软件、硬件制造商以及机器人厂商可以申请提前加入 NVIDIA 的人形机器人开发者计划。

人形机器人

NVIDIA . 2025-01-07 1 2 1390
NVIDIA Blackwell GeForce RTX 50 系列开启 AI 计算机图形新世界

拉斯维加斯—CES—太平洋时间 2025 年 1 月 6 日— NVIDIA 宣布为游戏玩家、创作者和开发者推出最先进的消费级 GPU——GeForce RTX™ 50 系列台式机和笔记本电脑 GPU。 GeForce RTX 50 系列采用 Blackwell 生成式 AI 架构 | NVIDIA 架构、第五代 Tensor Cores 和第四代 RT Cores，在 AI 渲染领域，包括神经网络着色器、数字人技术、几何图形和光照等方面取得突破。 NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示：“Blackwell 作为 AI 引擎为 PC 游戏玩家、开发者和创作者带来全新体验。Blackwell 融合了 AI 驱动的神经网络渲染和光线追踪，是我们在 25 年前推出可编程着色技术以来最重要的计算机图形创新。” GeForce RTX 5090 D GPU 拥有 920 亿个晶体管, AI 算力最高可达 2375 TOPS。Blackwell 架构的创新和 DLSS 4 使得 GeForce RTX 5090 D GPU 的性能高达 GeForce RTX 4090 D GPU 的 2 倍。 GeForce Blackwell 笔记本电脑GPU具备桌面产品的所有功能特性。这些前沿技术为移动计算带来了显著升级，提供强大的图形性能和出色的功耗表现。基于Blackwell 架构的 NVIDIA Max-Q 技术最高可延长电池续航时间达 40%，使得轻薄型笔记本电脑保持其时尚的设计，而无需以牺牲性能和功率为代价。 NVIDIA DLSS 4 带来至高可达8倍的性能提升 DLSS 4 多帧生成技术首次亮相，借助 AI 可为每个渲染帧生成多达三帧以进一步提高帧率。多帧生成技术可与全套 DLSS 技术协同运行，与传统渲染技术相比，性能提升至高可达 8 倍，同时通过 NVIDIA Reflex 技术保证响应速度。 DLSS 4 还引入了图形行业首个 Transformer 模型实时应用。基于 Transformer 架构的 DLSS 超分辨率和光线重建模型具备 2 倍的参数量和 4 倍的计算量，可提高画面稳定性，减少伪影，增加细节并增强抗锯齿效果。GeForce RTX 50 系列 GPU 支持 DLSS 4，发布之日即有超过 75 款游戏和应用支持该技术。 NVIDIA Reflex 2 With New Frame Warp Technology Reduces Latency In Games By Up To 75% | GeForce News | NVIDIA 支持 Frame Warp，这项创新技术可在将渲染帧发送至显示器前，根据最新的鼠标输入信号对其进行更新，从而降低游戏延迟。与原生渲染相比，Reflex 2 最高可降低 75% 延迟，为多人竞技类游戏玩家带来制胜优势，也能提高单人游戏操作时的响应速度。 Blackwell 架构将 AI 引入着色器 25 年前，NVIDIA 推出 GeForce 3 和可编程着色器，从像素着色到计算着色再到实时光线追踪，为 20 年来的图形技术创新奠定基础。除了 GeForce RTX 50 系列 GPU ，NVIDIA 还推出 NVIDIA RTX Neural Rendering Introduces Next Era of AI-Powered Graphics Innovation | NVIDIA Technical Blog网络NVIDIA RTX Neural Rendering Introduces Next Era of AI-Powered Graphics Innovation | NVIDIA Technical Blog，将小型 AI 网络融入可编程着色器，为实时游戏带来电影级的材质、光照等。渲染游戏角色是实时图形渲染中最具挑战性的任务之一，玩家很容易注意到数字人身上的细微错误和伪影。NVIDIA RTX Neural Rendering Introduces Next Era of AI-Powered Graphics Innovation | NVIDIA Technical Blog 只需使用简单的光栅化面孔和 3D 面部姿态数据作为输入，即可使用生成式 AI 实时渲染具有时间稳定性的逼真面孔。 RTX Neural Faces 配备了全新的NVIDIA RTX Neural Rendering Introduces Next Era of AI-Powered Graphics Innovation | NVIDIA Technical Blog。全新 NVIDIA RTX Neural Rendering Introduces Next Era of AI-Powered Graphics Innovation | NVIDIA Technical Blog 可将场景中的光线追踪三角形数量至多增加 100 倍，从而使游戏角色及其所在环境的真实感获得大幅提升。 GeForce RTX 50 系列通过全新的突破性技术演示 -- Zorah，展示了神经网络渲染、DLSS 4 和全新 DLSS Transformer 模型的强大能力。拥有自主意识的游戏角色 GeForce RTX 50 系列 GPU 具备业界领先的 AI TOPS 算力，可在游戏渲染的同时为拥有自主意识的游戏角色提供动力。 NVIDIA 推出了一套全新 NVIDIA ACE | NVIDIA 开发者NVIDIA ACE | NVIDIA 开发者技术，使游戏角色能够像真人玩家一样感知环境、制定计划并付诸行动。由 ACE 驱动的拥有自主意识的角色将集成到 KRAFTON 的《绝地求生》和该发行商即将推出的生活模拟游戏 InZOI，Wemade Next 的《传奇 5》以及网易的《永劫无间手游》PC 版中。在《绝地求生》中，由 NVIDIA ACE 驱动的 AI 队友规划战略和实施战术行动，与真人玩家动态合作以确保可以存活下来。InZOI 的 Smart Zoi 角色，可以根据角色的人生目标和游戏内事件自主调整行为。在《传奇 5》中，LLM 驱动的突袭 Boss 可根据玩家行为调整战术，营造更动态、更具挑战性的战斗。《永劫无间手游》PC 版将在 3 月添加基于 NVIDIA ACE 技术的本地推理 AI 队友功能，《永劫无间》PC 版也将在 2025 年内发布此功能。该游戏将是首款采用 NVIDIA ACE 和大语言模型在 PC 端侧实现 AI 队友功能的国产游戏，借助由 NVIDIA ACE 提供支持的 AI 队友可以与玩家组队，并肩作战。适配RTX AI PC 的 AI 基础模型 AI 基础模型涵盖 LLM、视觉语言模型、图像生成、语音、检索增强生成的嵌入模型、PDF 提取和计算机视觉等应用场景。NIM 微服务及 PC 上运行 AI 的所有必要组件均已针对所有 NVIDIA GPU 的部署进行了优化。为展示 RTX 爱好者和开发者如何使用 NIM 微服务构建 AI 智能体和 AI 助手，NVIDIA 将发布一系列来自包括 Black Forest Labs、Meta、Mistral 和 Stability AI 等顶尖模型开发者的适用于 RTX AI PC 的 NVIDIA NIM 微服务和 NVIDIA AI Blueprints。针对 AI 智能体和 AI 助手， NVIDIA 推出了 Project R2X，一款具有视觉能力的 PC 虚拟形象，让信息触手可及，协助用户使用桌面应用、进行视频会议、阅读和总结文档等。 Project R2X 将在数月内向 GeForce RTX 50 系列 PC 和笔记本电脑用户开放下载，供爱好者和开发者定制和体验。面向创作者的 AI 驱动工具 GeForce RTX 50 系列 GPU 可增强创意工作流。RTX 50 系列 GPU 作为首款支持 FP4 计算精度的消费级 GPU，与上一代产品相比，让 AI 图像生成（如 Flux 模型）性能至高提升 2 倍，并可让生成式 AI 模型在本地以更小的显存占用运行。 NVIDIA Broadcast 应用为主播带来两项 AI 驱动功能：音棚音效（Studio Voice) ，可升级麦克风音频质量；虚拟补光 (Virtual Key Light) ，可对面部重新打光，以获得更精致的直播画面。Streamlabs 推出由 NVIDIA ACE 和 Inworld 驱动的智能直播助手，担任助播、制作和技术助手的角色以增强直播效果。购买途径对于台式机用户，具有 2,375 AI TOPS 的 GeForce RTX 5090 D GPU 和具有 1,801 AI TOPS 的 GeForce RTX 5080 GPU 将于 2025 年 1 月 30 日上市，建议零售价分别为人民币16499 元和 8299 元。具有 1,406 AI TOPS 的 GeForce RTX 5070 Ti GPU和具有 988 AI TOPS 的 GeForce RTX 5070 GPU 的产品将于 2 月上市，建议零售价分别为749美元和 549美元。 NVIDIA GeForce RTX 5080 和 RTX 5070 GPU Founders Edition 可直接在京东商城（JD.com）购买。 NVIDIA GeForce RTX 5090 D、RTX 5080、RTX 5070 Ti 和 RTX 5070 GPU 标频版和超频版可从华硕、七彩虹、耕升、影驰、技嘉、映众、微星、索泰、万丽、翔升、铭瑄、盈通等合作伙伴处购买。 GeForce RTX 5090、RTX 5080 和 RTX 5070 Ti 笔记本电脑将于 3 月上市，RTX 5070 笔记本电脑将于 4 月由全球领先OEM发售，包括宏碁、华硕、戴尔、惠普、联想、机械革命、微星、雷蛇等。

NVIDIA

NVIDIA . 2025-01-07 1260
应对5G复杂性：理解射频前端设计中的“功率等级2”

伴随更多频段的增加和愈发复杂的移动设备出现，蜂窝通信市场已发生巨大变化。随着4G和5G的部署，3GPP的最新规范已将PC2引入FDD频段，更高的发射功率水平也由此带来了与之相关的全新挑战。下面，就让我们回顾一下PC2的基础知识，并深入探讨PC2如何随着这些新的5G部署而演进。功率等级基础知识在TS36.101和TS38.101-1等3GPP规范中，发射功率通常指的是移动设备在给定信道带宽上传导输出端口所提供的额定功率。这些传导输出端口与在实际手机操作中用于信号发射和接收的真实天线相关联。3GPP针对用户设备（UE）的最大传导发射功率定义了功率等级类别，以确保在不同网络条件下的性能。射频（RF）规范中的要求通常会根据不同频率范围（FR）分别定义。本规范版本中，用于NR操作的频率范围如表1所示。表1，3GPP对频率范围的定义在本文的讨论中，我们将仅涉及FR1中的功率等级。FR1中定义了四个不同的功率等级；每个等级都针对4G LTE和5G NR频谱内特定设备的要求和使用场景进行了定制（包括PC1、1.5、2、3和4）。所有FR1频段默认支持功率等级3，但其它等级的支持情况因频段而异。 PC1——面向固定无线、车载应用，以及公共安全等高功率场景。FR1 PC1针对部分选定频段，最大功率约为31dBm。 PC1.5——针对如n41、n77和n79等频段，满足智能手机和FWA设备的需求。此类UE的最大输出功率为29dBm，在2Tx配置下实现。 PC2——面向NR TDD频段内CA和高功率UE，最大发射功率为26dBm。 PC3——除非另有规定，否则此等级为默认功率等级；在所有频段上的最大发射功率为23dBm。下表提供了3GPP标准组织规定的FR1频段及其最大功率额定值的组合。下表仅供参考；请通过表下方的3GPP链接查阅最新版本的规范。表2，3GPP规定的FR1功率等级额定值（来源：3gpp.org）深入探讨功率等级2 我们在之前的文章中曾提及，PC2作为4G LTE的一项新标准于2016年12月推出，旨在支持高功率用户设备（HPUE），并增强2.5GHz LTE TDD的全球覆盖。文中指出，FR1内的高频信号由于路径损耗较大，相比低频信号在同一功率水平下的传播距离更短。为解决这一路径损耗问题而不增设昂贵的信号塔，并实现预期的网络覆盖能力，PC2应运而生。此外，这些较高频率需要穿透建筑物以支持室内通信；同时，PC2还能在更理想的条件下提高基站接收到的信号强度，使网络能够获得更好的信噪比（SNR），并启用更高阶的调制方式，以提高数据吞吐量。在此之前，即2016年12月之前的标准——功率等级3（PC3），为保持与旧技术的兼容性，将B41等频段的上行链路功率限制在23dBm。如下图1所示，功率等级2允许输出功率达到26dBm——扩大了之前由功率等级3定义的最大覆盖范围。图1，网络中功率等级2与3的输出功率水平尽管功率有所提升，但HPUE手机仍必须遵守美国联邦通信委员会（FCC）和其它监管机构设定的特定吸收率（SAR）限制，以确保辐射水平安全（SAR值反映了无线手持设备用户头部、手部等部位吸收到的相对射频能量）。对于TDD系统，PC2传输通过限制占空比来减少平均吸收的能量。随着FDD PC2的引入，发射和接收操作不再存在双工占空比，因此必须对PC2传输实施时间限制，以确保随时间推移所吸收的平均能量保持在可接受水平。从RF前端模块的角度来看，分析表明，将TDD频段功率提升至26dBm可以在相关发射占空比下延长电池寿命，改善小区边缘覆盖，并在更典型的运行条件下提高吞吐量。预计FDD PC2的加入将进一步优化网络运行并延长用户电池寿命。 PC2的射频挑战对于支持更高频率的前端RF来说，支持PC2功率等级面临一些挑战。首先是效率问题；其直接关系到电池寿命。更高的功率要求低损耗的后级功率放大器（PA）阵容，包括性能更高的声学滤波器。这些滤波器必须在提供足够带外（OOB）抑制的同时，保持低插入损耗；此外还必须解决发射链路中的谐波和其它杂散信号生成问题，以满足手机级要求；因为这些信号的水平通常会随着功率的提高而增加。同样，在高功率、高VSWR条件下，如果设计不当，滤波器和功率放大器都更容易损坏，因此高功率等级下的坚固性也是一个关注点。 FDD PC2系统不仅需要应对所有TDD PC2面临的挑战，还有更多额外考量。随着功率水平的提高，如果接收频段内的发射泄漏和发射噪声等RF参数未得到妥善管理，接收灵敏度可能会受到影响。如果多路复用器在一个特定频段内为了达到PC3发射功率条件下的接收灵敏度目标而需要60dB的发射到接收隔离度，那么可以合理推测，在发射功率高出3dB的情况下，可能需要63dB的隔离度。此外，由于功率水平在相对较长的时间内保持较高，提高效率和采用额外的热管理方法也极为关键。射频设计工程师必须尽量减少匹配损耗，优化系统链路预算，以满足 PC2 的性能要求。Qorvo采用高度集成的模块、天线复用器、优质开关技术和高性能射频滤波器来实现这一目标。Qorvo 的 RF Flex™ 和 RF Fusion™ 等集成射频模块将滤波器、开关和功率放大器集成在一起，实现了直接匹配，并将Tx和Rx通路的匹配损耗降低了0.5dB。这种降低有助于实现26dBm的输出目标，而不会使功率放大器过载。图2，Qorvo射频融合模块体声波（BAW）技术以其高Q值、低杂散信号、陡峭的带缘和卓越的热性能，带来了出色的表现，成为满足5G PC2要求、降低高功率水平下系统热量的理想选择。随着5G设备变得愈发复杂，高效的设计对于维持性能举足轻重。图3，Qorvo BAW滤波器优势 Qorvo的BAW滤波器，无论是分立器件还是模块内集成，都凭借其卓越的衰减性能和低插入损耗，在解决共存问题方面发挥着关键作用；这对于避免干扰和优化B41频段链路预算至关重要。此外，针对5G频段n77、n78和n79的滤波器得益于优化的耦合设计，在PC2载波聚合（CA）应用中设计多路复用器时同样扮演了不可或缺的角色。随着RF前端复杂性不断增加，工程师面临着在满足多个CA和区域模式要求的同时最小化天线数量的难题。此类问题可以通过使用集成到天线复用器中的开关、滤波器以及高性能天线调谐解决方案来解决。这些组件简化天线设计，将插入损耗降至最低，在降低复杂性的同时保持最佳的共存性能。随着PC2被引入更多频段，应对这些挑战对于下一代设计变得更加重要。结语在日新月异的RF前端设计中，频段数量的增加、频率的提升，以及载波聚合技术的扩展，无一不持续带来严峻考验。尽管功率等级2颇具挑战性，但RF工程师与专业RF供应商携手合作，仍能有效应对。诸如Qorvo的BAW滤波器等高性能技术，以及RF Flex™和RF Fusion™等集成设计方法，是助力手机设计人员更快速实现高效与成功的关键工具。这些先进解决方案不仅减少了匹配损耗、优化了链路预算，还解决了复杂问题，确保即使在PC2所需的高功率水平下，系统也能保持稳健性能。总体而言，Qorvo在RF模块集成领域的创新，对于满足4G和5G日益复杂设备的严苛要求方面发挥着至关重要的作用。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-01-07 2790
输入偏置电流仅100fA！思瑞浦推出飞安级运算放大器TPA3530

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出飞安级输入偏置电流运算放大器TPA3530。产品工作电压范围4.5V至16V，输入偏置电流仅为100fA，非常适合需要低偏置电流的光电二极管跨阻和传感器接口电路。 TPA3530产品优势 MOSFET输入级设计 TPA3530采用MOSFET输入级，结合独特的二极管结构，不仅提供了有效的ESD保护，而且能极大程度降低漏电流对输入引脚的影响。集成保护环缓冲器 TPA3530内部集成了保护环缓冲器，用于隔离输入引脚，防止受到PCB板漏电流的影响。缓冲器的输入连接到同相输入端 (IN+)，在主放大器反馈环路建立后，同相输入电压约等于输入共模电压。缓冲器的输出连接到外部引脚（GRD），有效保护外部器件免受漏电流影响。优化的SOIC8封装 TPA3530采用工业标准SOIC8封装，并对引脚排列进行优化，可有效防止敏感输入引脚、电源和输出引脚之间的信号耦合，同时简化了保护环走线的布线。下图展示了跨阻放大器（TIA）电路中保护环的实现，保护环形状沿着无源元件周围布设，确保整个高阻抗节点都受到保护，由内部的保护环缓冲器（标红引脚）驱动。 TPA3530应用场景电流输出传感器 TPA3530非常适合用于电流输出传感器，如光电二极管和光电倍增管等。这些传感器需要检测微弱的光电流信号，并将其转换为电压信号。由于偏置电流Ib产生的电压等于Ib×Rf，因此低偏置电流对于降低直流输出误差至关重要。实验室仪器 TPA3530广泛应用在生物、化学、医药等领域的实验室仪器中，如光度计、色谱仪、质谱仪和pH计等。这些仪器需要将特定波长的光通过高灵敏度光电检测器转换为电信号。由于光学器件的反射损耗等原因，到达检测器的能量比较微弱，因此除了减小偏置电流的影响外，TPA3530优异的失调电压、温漂和噪声性能，可满足测量精度的要求。 TPA3530产品性能供电电压: 4.5V~16V (±2.25V~±8V) 静态电流: 1.4mA (最大25°C) 输入偏置电流: ±100fA (最大25°C) 增益带宽积: 2.1MHz 失调电压: ±0.15mV (最大25°C) 失调电压温漂: 2µV/°C (典型值) 噪声: 18 nV/√Hz @f=1kHz 温度范围: −40°至+125°C

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2025-01-07 1 1020
打造新一代逻辑电平转换器，安森美Treo平台有哪些优势？

在当今技术驱动的时代，电子设备的互操作性至关重要。从汽车 ADAS（先进驾驶辅助系统）到数据中心和工业自动化，现代电子电路必须能够支持各种组件之间的高速通信。高速逻辑电平转换器（有时称为电压转换器或电平移位器）在现代电子设备中不可或缺，它们使得在不同电压水平下工作的器件之间能够实现无缝通信。然而，许多现有的方案无法满足最新的技术需求，因此亟需新的方案。于是，安森美 (onsemi) Treo 平台及其新一代电平转换器产品系列应运而生，它们专为满足当前技术需求而设计。现代电子设备对电平转换器的需求日益增加过去，早期 CMOS 技术和传统晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 普遍采用 5V 作为标准工作电压，这使得嵌入式电子器件中的器件接口相对简单。然而，现代电子设备追求在更小的体积内实现更多的功能，设备尺寸越来越小，而对能效和性能的要求却越来越高。在这些需求的推动下，许多集成电路 (IC) 已经从 40nm 过渡到更小的节点，例如 10nm 和 7nm，并且其系统电压也降至 5V 以下。在数字 IC 中，功耗与电源电压的平方成正比。因此，系统电压的降低有助于减少功耗。晶体管从 0V 的低电平状态切换到 1.2V 或 1.8V 的高电平状态时，也比从 0V 切换到 5V 时消耗的能量要少。此外，低压器件不仅产生的热量更少，从而减轻热管理负担，而且还支持采用更小的晶体管。这样，设计人员就能减小芯片尺寸或增加晶体管，从而提升性能。应对当前的转换挑战传统电压转换通常依赖于分立晶体管或基本 CMOS IC。然而，这些既有方法已难以满足现代电子设备的严苛要求。例如，在自动驾驶汽车中，传感器等低压组件与控制系统之间的实时精确电压转换至关重要。 T30LMXT3V4T245 和 T30LMXT3V4T244 电平转换器是安森美首批采用新 Treo 平台的产品系列之一，该平台基于 65nm BCD 半导体工艺技术。这些产品旨在有效应对当前市场的最新需求。更高速度现代逻辑电平转换器需要能够处理高速协议，以支持跨不同电压电平进行快速双向通信，而不出现延迟或信号完整性问题。为了在 100Mbps SPI 等高速接口中保持同步，市场上的许多电平转换器都使用反馈时钟，这也带来了更高的 CPU/GPIO 和功耗（图 1）。图1 安森美的 T30LMxT3V245 能够在不使用反馈的情况下支持更高的数据速度 T30LMXT3V4T245 支持高达 400Mbps 的数据速率，能够流畅地处理 SPI 等高速协议。它通过在高速下精确地进行电压电平转换来确保信号完整性，无需反馈时钟，从而降低了设计复杂性和功耗。安森美最新电平转换器提供的高速能力还将有助于实现更复杂的汽车和工业设计，在这些领域，集成千兆以太网的需求日益增长。为了达到 1 Gbps 的速度，通常需要使用 RGMII 接口，该接口使用 125 MHz 时钟和双倍数据速率 (DDR) 信号，并以 250Mbps 的速度同时发送 4 位数据。为了支持这些高速信号转换，并处理以太网物理层 (PHY) 和介质访问控制 (MAC) 之间的不同电压电平，必须使用高性能电平转换器（图 2）。图2 安森美的 T30LMXT3V4T245 专为支持最新网络而设计 T30LMXT3V4T245 的性能针对工业自动化和汽车 ADAS 系统进行了优化。这些系统依赖高速千兆网络来快速、可靠地执行自主任务，即使在更宽的电压转换范围内也能保证稳定运行。安森美的 BCD 工艺作为 Treo 平台的核心，其关键优势之一是在较低工作电压下具有出色的性能。虽然许多 5V 器件在技术上能够支持较低电压（如 1.8V），但其速度通常会大幅下降。同样，3.3V 器件在 1.8V 电压下表现更好，但在电压降至 1.2V 及以下时效率会降低。然而，Treo 平台在这些低电压范围内表现出色，即使在 1.8V 和 1.2V 等较低电压下，也能实现高转换速度。因此，T30LMXT3V4T245 非常适合千兆以太网等高数据速率应用，这些应用要求支持低电压，同时又不得影响速度或可靠性。确保可靠运行得益于 Treo 的 65nm BCD 技术，T30LMXT3V4T245 能够在 -40°C 至 125°C 的温度范围内运行，从而确保在严苛环境中的长期可靠性能。 Treo 平台通过精确的电阻和电容管理，实现高效的功率控制并降低寄生效应的影响。其架构采用先进的隔离技术，能够降低电磁干扰 (EMI) 并提升耐用性。此外，相较于现有方案，Treo 固有的低噪声设计和精确的低压 CMOS 技术使得能够在逻辑电平之间实现更精确的低噪声切换。特别是在较宽电平转换范围内，例如 1.2V 到 5V 之间的转换，由于噪声放大，信号衰减的风险增大，因此这一点尤其重要。总结在这个电子设备日益复杂和互联的时代，可靠且高效的电压转换变得尤为重要。通过利用安森美的突破性 Treo 平台，T30LMXT3V4T245 和 T30LMXT3V4T244 在逻辑转换技术上设定了新标杆，为当今和未来的电子系统带来出色的速度、能效和耐高温性能。

安森美

安森美 . 2025-01-07 1 1 710
Qorvo融合尖端安全技术，打造耐用的BLDC电机控制应用

下一代电池驱动工具需要配备能够利用高电压驱动户外作业的电机和控制器，同时集成安全功能，以保护用户和设备。Qorvo凭借其在无刷直流（BLDC）电机高压控制器方面的专业技术，在这一领域大显身手。Qorvo高度集成的智能电源应用控制器（PAC）片上系统（SoC）产品组合，可以将BLDC或永磁同步电机（PMSM）可编程电机控制器和驱动器集成到单个集成电路（IC）中，以控制现今工作电压范围从44V至600V的动力工具。 BLDC电机在需要高效率、高可靠性和精确控制的应用中得到了广泛应用。当这些应用涉及关键安全功能时，通常需要满足如B类认证等严格的安全标准；以下是BLDC电机控制应用需要B类安全认证的几个关键领域：电动工具：包括电钻、电锯，乃至检测与测绘无人机等；以及为草坪和花园维护带来所需灵活性的最新型电动割草机、修剪机和吹叶机。汽车：电动助力转向（EPS）：确保转向系统安全运行，降低事故风险。电动汽车（EV）：用于车辆推进的电机控制系统，以及需要满足高安全标准，从而确保乘客安全和车辆可靠性的各类子系统。电动自行车和自主驾驶汽车：（在这些车辆中，）精确控制和功率效率至关重要。工业自动化：机器人和自动化设备：确保制造过程中的安全可靠运行，并跟踪仓库库存，从而保护工人及设备。输送系统：需要安全且一致的运行，以确保物料处理过程中不发生事故。家用电器：洗衣机：确保电机控制安全，防止过热或机械故障。冰箱：可靠的电机运行对于保持恒定温度并避免（食物）变质至关重要。家庭自动化和智能设备：暖通空调（HVAC）系统：安全的电机控制对于可靠、高效的供暖、通风和空调十分必要。智能锁和安全系统：确保可靠运行，以维护安全并防止未授权访问。航空航天和国防：无人机：其电机控制系统需要高可靠性和高精确度，以实现导航（功能）与稳定性。飞机执行器：确保控制各种飞机部件的安全性及可靠性。 B类安全认证的关键要素为获得B类安全认证，BLDC电机控制系统必须解决几个关键方面（的问题）：故障检测与管理：实施强大的故障检测机制，以处理过流、过压和热过载等问题。冗余设计：采用冗余系统，确保在发生故障时仍能持续运行。隔离措施：确保适当的电气隔离，以防止安全隐患。安全监控：持续监控电机的运行参数，以监测和消除潜在故障。合规性测试：通过严格测试确保符合安全标准；如家用电器的IEC 60730标准或车载应用的ISO 26262标准。 Qorvo不断推进智能电机控制器的技术革新；其PAC52xxx/55xxx系列便是这一领域的卓越典范。这些平台为运行于44V至72V的系统，配备集成式高阶防护功能，简化了稳固可靠的系统设计流程。该系列产品延续了公司一贯的高度集成化设计思路，将ARM® Cortex® MCU、模拟前端、电源管理和驱动器集成到单个芯片；同时更增加了针对安全关键型应用的特性，超越了原始PAC5xxx SoC的功能集。原始的PAC5xxx系列智能控制器能够处理大多数电动工具中的BLDC电机，内置50MHz Arm Cortex-M0 32位微控制器、带双自动采样定序器的高速10位1微秒（μs）模数转换器（ADC）、灵活的时钟源、定时器、PWM引擎和多个串行接口。该SoC还配备了可编程多模式电源管理器、可配置模拟前端和专用电源驱动器。多模式电源管理器（MMPM）如同电源管理的“瑞士军刀”，能够高效地处理不同的电压，并包含一个可在降压或SEPIC模式下工作的多模式开关电源控制器，以及多达四个线性电源。专用电源驱动器（ASPD）可利用高压电源驱动器执行特定的控制应用，如H桥、三相、智能功率模块（IPM）和通用驱动。可配置模拟前端（CAFE）作为SoC的大脑，具有可编程增益放大器、比较器、数模转换器（DAC）等。此类功能允许灵活的信号采样、反馈放大和传感器监控。与微控制器一起，这些解决方案为高达600V的直流电源提供集成电源管理、驱动、反馈和控制功能等众多紧凑应用。集成安全功能：安全性是电机控制器设计的关键方面，特别是在运行条件苛刻的电动工具中。Qorvo的控制器通过固件集成了安全性，为所有应用提供温度感测及保护功能。温度感测与保护：SoC内置温度传感器，可经由CAFE的ADC通道访问，并通过固件设置和测量参数。温度保护分为两个级别，包括过温警告和过温故障。当芯片温度达到140°C时触发温度警告；而当温度升至170°C时则会产生过温故障。固件中采用字母和数字系统来标识问题发生的位置、遇到的温度和电压读数，以明确警告和故障的性质。问题排除后，这些警告和故障可以被重置。 VDS感测：新款控制器配备了VDS感测功能，用于实现快速过流和短路保护；该功能包含一个独立的比较器和电平移位器，适用于高压侧MOSFET。此外，它还为每个MOSFET提供了可编程的DAC电平基准和可编程消隐间隔；由于SOA内的电流控制更为严格，这使得设计师能够选用更小的裸片和成本更低的电子元件；从而提高了可靠性，并在出现意外电流瞬变时保护MOSFET。 CBC保护：新款控制器系列还配备了逐周期（CBC）保护功能，确保能迅速响应操作周期内出现的任何不利条件或故障；助力设计人员保障电机和控制器的安全性及完整性，并显著降低功率损耗。同时，它还有助于缩减物料清单（BOM）成本、减少处理器开销，并帮助最大限度地简化整体设计复杂性。驱动器禁用与制动功能：Qorvo的电机控制产品通过栅极驱动器控制选项带来额外的安全功能，让设计人员能够在出现问题时停用或关闭为电机供电的驱动器电路。控制器配有一个AIO2引脚用于禁用栅极驱动器（nDVRDIS），以及一个专用的AIO4引脚以便在出现问题时强制栅极驱动器对电机进行制动（nBRAKE）。此外，控制器还配备了额外的ADC输入，包括具有可编程增益的单端专用缓冲馈电AIO3和AIO5引脚，进一步推动BOM成本的降低。 Qorvo电机控制器产品家族不仅适用于电动工具，还可广泛应用于其它领域；如最新款电动自行车（其对电源效率要求极高）、仓库中用于跟踪库存的自主机器人，以及制造业中作为生产支柱的自动化系统。此外，包括家用电器、机器人技术、暖通空调（HVAC）系统、医疗设备、自主驾驶汽车和数控（CNC）加工等在内的众多领域，也将从Qorvo下一代PAC系列智能电机控制器中受益。展望未来，其前景一片光明。

电机

Qorvo Power . 2025-01-07 1 500
纳祥科技NX6806，一款国产替代PCF8591的8位A/D和D/A转换器，I²C4路AD+1路DA

PCF8591是一款单片集成、低功耗的8位CMOS数据采集器件，具备出色的低功耗特性。由于种种原因，PCF8591目前已停产，所幸的是已有国内厂商推出了相应的国产替代产品，如NX6806，它在原版的性能、功能上做了相应的提升，兼备低功耗和高性价比。（一）NX6806芯片概述纳祥科技NX6806是一种单芯片、单电源、低功耗的8位CMOS数据采集设备，具有四个模拟输入、一个模拟输出和一个串行I2C总线接口。三个地址引脚A0、A1和A2用于对硬件地址进行编程，允许使用最多八个设备连接到I2C总线，不带额外的硬件。通过双线串行传输设备之间的地址、控制和数据双向I2C总线。设备的功能包括模拟输入多路复用，片上跟踪和保持功能，8位模数转换和8比特数模转换。最大转换率由I2C总线的最大速度给出。（二）NX6806主要特性 NX6806是一款高性能的8位A/D和D/A转换器，其主要特性如下所示： ●单电源供电 ●工作电源电压2.5 V至6 V ●低待机电流 ●通过I2C总线的串行输入/输出 ●通过3个硬件地址引脚进行寻址 ●I2C总线速度给出的采样率 ●4个模拟输入，可编程为单端或差分输入 ●自动递增频道选择 ●模拟电压范围从VSS到VDD ●片上跟踪保持电路 ●位逐次逼近A/Δ转换 ●具有一个模拟输出的乘法ΔAX ●封装：SOP16 ▲NX6806功能框图（三）NX6806芯片亮点 NX6806在设计和性能方面具有诸多亮点，主要体现在外围零件少、检测精准、多通道输入上。 ■外围零件少 NX6806是一款具有I2C总线接口的8位A/D及D/A转换器，‌其外围零件较少，‌这得益于其集成的功能、高度的集成度、以及典型的I2C总线接口器件寻址方法，简化硬件连接，降低了系统成本。 ■多通道输入 NX6806具备四个模拟输入通道，可以同时采集多个模拟信号，并通过I2C总线进行传输。这方便了对多信号的采集和处理需求。 ■低功耗，高可靠 NX6806工作电压范围为2.5V至6V，工作电流也很低；工作温度范围广，可达-40℃C至+85℃℃，能够适应各种环境要求。 ▲NX6806管脚说明（四）NX6806应用领域 NX6806凭借其芯片优势，主要被广泛应用于以下设备与领域中： ●闭环控制系统 ●远程数据采集的低功率转换器 ●电池操作设备 ●在汽车、音频和电视应用中获取模拟值 ▲NX6806应用示例图

8位A

公众号：深圳市纳祥科技有限公司 . 2025-01-07 1 8578
美国防部将长鑫、腾讯等134家中企列入黑名单

美国国防部周一表示，已将包括腾讯控股、电池制造商宁德时代在内的中国科技巨头添加到其表示与中国军队协作的公司名单中。据当局文件，名单中还包括芯片制造商长鑫储存科技公司、长江存储、中芯国际、移远通信等厂商。根据《联邦公报》发布的通知，每年更新的中国军事公司名单(根据美国法律正式规定为"第 1260H 条名单")指定了134家公司。虽然该指定并不涉及立即禁令，但可能会对受影响公司的声誉造成打击，并向美国实体和公司发出严厉警告，提醒他们与他们开展业务存在风险。还可能增加美国财政部制裁该等公司的压力。美国国防部亦剔除六家据称不再符合指定要求的公司，包括人工智能公司北京旷视科技、中国铁建、中国建筑集团和中国电信集团、深圳科思、中国海洋信息电子股份有限公司。针对美国近期将中国企业列入出口管制“实体清单”，商务部新闻发言人此前在例行新闻发布会上回应称，中方注意到有关情况。一段时间以来，美方以所谓涉俄、涉军等为由，接连将中国企业列入出口管制“实体清单”。美方泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，对中国企业肆意实施单边制裁和“长臂管辖”。这是典型的经济胁迫和单边主义霸凌行径，中方对此坚决反对。美方应当立即纠正错误做法，停止对中国企业的无理打压。中方将采取一切必要措施，维护中国企业的正当合法权益。

半导体

芯查查资讯 . 2025-01-07 1435
简化隔离驱动电源设计，纳芯微推出集成晶振的NSIP3266全桥变压器驱动

纳芯微今日宣布推出集成晶振与多种保护、支持软启动的全桥变压器驱动NSIP3266，可广泛应用于汽车车载充电机（OBC）、牵引逆变器及充电桩、光伏发电和储能、服务器电源等系统中的隔离驱动供电电路。 NSIP3266支持宽范围输入的全桥拓扑，同时凭借巧妙的引脚和功能设计，极大简化了隔离驱动供电电路设计，为系统制造商优化系统电路，缩短产品上市时间提供便利。当前高压系统中的隔离驱动供电有集中式、全分布式、半分布式三种架构形式。集中式架构只有一级电源，辅助电源输入电压为宽输入范围，需要闭环工作；同时变压器设计复杂，尤其是采用单个低成本隔离电源时，有多路输出负载调整率和长走线的问题，加大了系统设计和调试难度。一种典型的采用单个隔离电源的集中式架构全分布式架构采用独立的隔离电源模块为隔离驱动供电的方式，优势是可以做到对隔离驱动1对1的供电和针对性保护，但是需配置对应数量的隔离电源模块，系统成本较高。一种典型的采用多个隔离电源模块的全分布式架构半分布式架构采用均衡的策略，通过两级辅助电源架构，第一级使用宽输入电压范围的器件生成稳压轨，第二级可以简洁的开环形式，使用其他器件为隔离驱动提供隔离电源供电。半分布式架构因在设计相对简洁的基础上，兼顾了系统成本、性能和保护需求，因此正受到越来越多工程师的青睐。一种典型的采用两级辅助电源的半分布式架构全桥拓扑精简电路设计纳芯微全桥变压器驱动NSIP3266专为隔离驱动供电的半分布式架构而设计，半分布式架构的常见拓扑选择包括推挽，LLC和全桥等。 NSIP3266采用全桥拓扑，相较其他方案，全桥拓扑原理简单，变压器结构无需中心抽头，工作原理不涉及外部L和C的设计选型，外围BOM往往最少。与此同时，全桥拓扑对变压器设计，包括漏感和寄生的包容度也较高，可节省工程师系统设计和调试的精力。 NSIP3266采用全桥拓扑设计巧妙设计释放MCU资源值得一提的是，NSIP3266通过内部集成的晶振电路和RT引脚设计，使得工程师仅需外接电阻即可完成开关频率配置，实现了对MCU控制的解耦，布局更加灵活，同时在MCU故障时依然能够安全供电，促进了更高的系统安全。除此之外，NSIP3266自带的软启动功能也省去了MCU的控制需求，在无需配合MCU域走线的同时，节省了副边限流电阻，大大简化了布板设计，提升了架构灵活度。采用NSIP3266进行设计的典型隔离驱动供电电路支持宽压输入和全面的保护功能 NSIP3266支持6.5V~26V的宽工作电压，系统电路中不需要额外增加TVS保护管，允许工程师更加灵活地选择前级电源。此外NSIP3266提供诸多保护功能，包括欠压保护、过流保护、过温保护等，全面的保护功能使得工程师能够聚焦于系统核心功能的优化与创新，快速高效地进行系统设计并满足可靠性要求。封装和选型 NSIP3266提供EP-MSOP8封装（3.0 x 3.0mm x 0.65mm，带散热焊盘），工规版本NSIP3266-D和满足AEC-Q100要求的车规版本NSIP3266-Q1将于2025年上半年陆续量产。丰富的隔离产品满足多元需求凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列隔离及“隔离+”产品。 NSIP3266是纳芯微隔离电源系列的全新成员，纳芯微亦提供其他高性价比与高性能高集成度的产品选择，包括推挽式变压器驱动NSIP605x系列；集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列；以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-01-06 1 1 1105
晶振知识科普 | 晶振外接2颗电容的3个好处

YXC晶振知识小课堂答疑篇外接两颗电容的作用 · 什么是电容？晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容，即晶振要正常振荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 · 如何选择电容电容与内部电路共同组成一定频率的振荡，这个电容是硬连接，固定频率能力很强，其他频率的干扰就很难进来了。晶振电路其实是个电容三点式振荡电路，输出是正弦波晶体等效于电感，加两个槽路分压电容，输入端的电容越小，正反馈量越大。负载电容每个晶振都会有的参数，例如稳定度是多少PPM，部分人会称之为频差，单位都是PPM，负载电容是多少PF等。当晶振接到振荡电路上在振荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时振荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同。比如：一个4.0000MHz ±20PPM负载电容是16PF的晶振，当负载电容是10PF时振荡电路所出的频率就可能会是4.0003MHz，当负载电容是20PF时振荡电路所出的频率就可能会是3.9997MHz。在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准就是并多个可调电容来微调频率的，如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了，晶振负载电容一般有2种接法 1并联在晶振上2串联在晶振上，第2种比较常用2个脚都接一个电容对交流地。晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容).就是说负载电容15pf的话，两边个接27pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF。 · 外接2颗电容的作用 01增加频率稳定在不同的工作条件下，如电源电压波动或者温度变化，2颗电容可以提供更好的谐振频率。 02制造公差无源晶振的标称负载电容，通常是一个范围，并非固定值，2颗电容可以灵活的调整实际的负载电容，补偿制造过程中的公差。 03灵活设计电路 2颗电容设计更灵活，工程师可根据实际应用需求来调整谐振回路的特性。

晶振电容,无源晶振,晶振,电容

扬兴科技 . 2025-01-06 8577
DFN封装和QFN封装有哪些相同以及不同之处？

芯片封装是芯片必须经过的一道工序，您可以理解为集成电路用的外壳，它起着安放、固定、密封和保护芯片、增强电热性能等作用，是芯片内部世界与外部电路沟通的信号桥梁，封装质量对信号的稳定性、可靠性以及芯片的寿命等具有关键性作用。本期给大家讲解两种流行的芯片封装形式，它们在很多电子产品上均有应用。作为技术先进的芯片封装形式，DFN封装和QFN封装具有共同点，那就是它们都是无引脚表面贴装封装结构，它们均具有现代底部排放和顶部嵌入式封装的特点，它们都具有体积小、易于集成、一致性好、小型化、轻量化和薄型化等优点，它们的底部通常具有较好的导热性能，能够有效地散发热量，提高芯片的可靠性和稳定性能，两者均有良好的电气性能，均匀的信号传输路径，低功耗。此外，它们均可以通过SMT设备实现大规模自动化生产，它们的封装具有较高的灵活性和强适用性，应用场景多样，DFN封装和QFN封装均可广泛应用于物联网、计算机、通信、汽车电子、智能家电、安防、可穿戴、医疗设备、工控设备、仪器仪表、消费类电子产品。但是，两种封装也有很多不同之处。 DFN封装和QFN封装的主要区别有哪些？一、封装焊盘分布位置不同 DFN封装的焊盘分布在芯片四周，而QFN封装的焊盘集中在芯片底部。二、焊接结构与底部材料的不同 QFN封装通常无铅焊接结构，产品具有更低电感、低容抗等特点。QFN封装的底部为一般为铜质材料，具有更好的导热性能和电性能，能够有效地散发热量。三、封装的边长范围不同 DFN封装的形状更加纤薄，常用的宽度通常不到1mm，而QFN封装的边长范围一般在2-7mm之间。四、部分应用场景不同比如，DFN封装在高频、高速、高精度等需求市场得到了广泛运用。在5G通信中的天线体，通常使用DFN封装器件，医疗、工业、汽车等应用的传感器、照明驱动芯片、打印机传感器等很多用DFN封装。 QFN封装的特性更适用于功率放大器、电池充电管理芯片、自动控制设备类芯片以及娱乐电子产品等，其紧凑的尺寸和高集成度的特性非常实用。此外，DFN封装和QFN封装的形状有些许差别，DFN封装通常管脚分布在封装体两边且整体外观为矩形，而QFN封装的管脚分布在封装体四边且整体外观为方形。DFN和QFN封装有共同点，也各有不同，客户根据不同的应用场景和需求选择最合适的封装产品。

厂商投稿 . 2025-01-06 8695
新年特辑 | 2024年全球半导体企业市值TOP 70排行榜

2024年已然结束，对半导体行业而言，这是充满挑战的一年。这一年的全球半导体企业的市值发生了很大的变化，万亿美元市值俱乐部成员有3家，分别是NVIDIA、博通和台积电，后两家都是今年才刚刚迈入该门槛。市值变化当中，与AI相关的企业，市值一路狂飙，错过AI机会的企业，市值在不断缩水。这其中有两个典型，市值一路狂飙的是NVIDIA，其股价在2024年飙升了171%，市值达到了3.39万亿美元。不仅让首席执行官黄仁勋的财富再创新高，也让其3位董事会成员跻身亿万富豪行列。黄仁勋目前以1,144亿美元的财富排名全球第12，他的财富仅在2024年就增加了超过700亿美元。当然，搭上AI列车的还有市值排名第2的博通、排名第3的台积电、排名第10的Marvell、加上三星电子、海力士和美光等HBM内存供应商，以及中国大陆的寒武纪、海光信息等。与之相反，曾经半导体行业市值排名第1的英特尔，如今只剩下的800多亿美元的市值，市值蒸发之快让人所料不及。不过今年AMD的市值表现也差强人意，他们已经从2024年的最高点下跌快50%，整年来看市值也是缩水的。国内半导体企业今年市值上涨明显，以排名第19的寒武纪涨幅最大，排名第16的中芯国际和排名第17的海光信息也涨幅明显。可以明显看到中国大陆半导体企业的市值在排名中变得越来越多，在芯查查整理的排名前70的半导体企业当中，国内企业有30家。要是排名前100的话，数量将会更多。具体排行参见下表。图：全球半导体企业市值TOP 70排行

原创

芯查查 . 2025-01-06 3 20 8966
新年特辑 | 2024年半导体行业十大新闻事件回顾

重点内容速览： 1. 日本地震影响芯片产业 2. 瑞萨收购Altium 3. 印度政府批准152亿美元芯片工厂投资计划 4. 国家大基金三期成立，注册资本达3440亿元 5. 英特尔面临集体诉讼，代工亏损引投资者不满 6. 荷兰扩大光刻机管制 7. Arm打算取消对高通许可 8. 美国商务部将140家中国半导体企业列入实体清单 9. ST、英飞凌、NXP等扩大中国供应链 10. 新一代量子芯片纠错能力达到实际应用必要条件 2024年已然结束，对半导体行业而言，这是充满挑战的一年。这一年大部分的半导体企业在努力清库存，但与AI相关的芯片则产能紧张；这一年，芯片制程技术还在往前推进，但成本越来越高，很多厂商开始转向先进封装和chiplet技术；这一年，很多企业在裁员、降薪以节省开支；这一年，半导体产业并购潮起，行业整合加速；这一年，量子计算芯片取得新进展，为实现未来量子计算实际应用迈出关键一步……芯查查将带您回顾2024年半导体行业的十大新闻事件，一同见证半导体行业如何塑造我们的数字世界，以及它对未来科技趋势的影响（1）日本地震影响芯片产业 2024年1月1日下午北京时间3点10分左右，日本中北部的石川县能登地区发生了7.6级（据美国地质调查局报告）大地震，震源深度为10千米。主震的震源机制显示，这是一次沿着东北走向、向西北或东南倾斜的浅层逆断层活动。本次地震造成了至少10人死亡，数百人受伤，以及大量的房屋和基础设施损毁。同时，此次地震也迫使位于当地的芯片和电子公司暂时停止运营，受影响的公司包括东芝、中国台湾硅片生产商环球晶圆（GlobalWafers）、多层陶瓷电容器（MLCC）制造商村田制作所（Murata Manufacturing）、多层陶瓷电容器制造商太阳诱电（Taiyo Yuden）、日本硅片生产商信越（Shin-Etsu）、新唐与Tower共同运营的TPSCo、晶圆代工厂联电USJC与台积电、封测厂商力成日本厂(Teraprobe)与安靠等。市场研究机构TrendForce随后发布了日本石川县能登地区强震影响调查报告。据悉，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在4-5级震区（截至1月2日），均在工厂耐震设计范围内。调查指出，多数工厂初步检查设备并未受到严重灾损，地震对行业的影响有限。补充： 2024年的自然灾害中，除了日本这次地震，中国台湾地区2024年4月3日7时58分，在中国台湾花莲县海域（北纬23.81度，东经121.74度）发生了7.3级地震。地震后，全台主要晶圆厂包括台积电、世界先进、联电、力积电、南亚科、华邦、旺宏等七家业者几乎都出现生产线破片与停机的状况。但由于这些公司的工厂多集中于台南、台中和新竹，而此次地震的震中则位于东海岸，这些工厂停产几天进行检修后，都及时复工。而且如台积电等台湾地区的半导体厂商对于地震都有较为成熟的应急响应机制，此次地震对他们造成的影响也有限。唯一受影响比较大的是内存厂商。在内存方面，新竹、台中和桃园占据了69%的产能。由于靠近震中，它们被破坏的风险最高。由于美光超过60%的DRAM产能位于台中和桃园，该公司的风险敞口相当大。地震发生后，美光科技也暂时停止了与客户协商DRAM储存芯片的定价。此次地震虽然对台湾地区的半导体公司造成了一定的影响，但对于整个半导体行业的影响则有限。（2）瑞萨收购Altium 2024年2月14日，瑞萨电子和Altium联合宣布，瑞萨电子将根据澳大利亚法律通过安排计划收购Altium，收购金额为59亿美元。随后在2024年8月1日，瑞萨电子正式宣布成功完成对Altium的收购。随着交易的完成，Altium成为瑞萨电子的全资子公司。Altium的首席执行官Aram Mirkazemi被任命为瑞萨电子高级副总裁兼软件与数字化主管，继续担任Altium的首席执行官。瑞萨电子与Altium的结合基于他们共同的愿景：构建一个集成的电子系统设计与生命周期管理平台。此次收购旨在将Altium的云平台技术与瑞萨电子强大的嵌入式解决方案结合起来，以实现电子设计数据的标准化、集成化以及设计流程的数字化迭代，从而提高设计效率和生产力。可以看到如今的半导体厂商不仅仅专注于IC产品的设计、生产与制造，也越来越重视软件产品，以提供给客户完整的解决方案。（3）印度政府批准152亿美元芯片工厂投资计划印度电子和信息技术部部长阿什维尼.维什瑙当地时间2月29日宣布，印度政府批准价值1.26万亿印度卢比（约152亿美元）的半导体制造厂投资计划，其中包括塔塔集团建设该国首座大型芯片制造厂的方案。具体而言，塔塔集团将与力积电合作，在古吉拉特邦Dholera建立印度第一家芯片制造厂，投资规模9100亿卢比；塔塔集团子公司塔塔半导体组装和测试将在阿萨姆邦建立价值2700亿卢比的芯片封装厂；印度企业集团Murugappa旗下CGPower将与日本瑞萨电子和泰国StarsMicroelectronics合作，在古吉拉特邦建设规模760亿卢比的芯片封装厂。维什瑙称，这些工厂将在未来100天内开建，投产后将为印度国防、汽车和电信等行业制造和封装芯片。近年来，印度在半导体行业方面动作频频，除了政府投资，在9月份，美国白宫还发布了《美国和印度继续扩大全面和全球战略伙伴关系》声明，美国总统拜登和印度总理莫迪承诺加强定期接触，以改善人工智能、量子、生物技术和清洁能源等领域的合作势头。美国计划与印度合作建立一家新工厂，以制造红外、氮化镓和碳化硅半导体产品。（4）国家大基金三期成立，注册资本达3440亿元 2024年5月，国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司（简称“大基金三期”）注册成立，注册资本达3440亿元人民币，超过前两期注册资本总和，为集成电路产业提供估摸空前的资金支持。大基金三期有望延续对半导体产业链“卡脖子”环节投资，包括大型制造以及设备、材料等环节，HBM等AI关键领域也有望获得投资，体现出国家对集成电路产业发展的高度重视和持续大力支持，也将撬动更多社会资本促进半导体产业链的快速发展。在2024年的最后一天，大基金三期首次出手，参与新设两只基金，出资总额逾1600亿元。分别是出资额为930.93亿元的华芯鼎新（北京）股权投资基金（有限合伙）和出资额为710.71亿元的国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）。（5）英特尔面临集体诉讼，代工亏损引投资者不满 6月16日，据外媒报道，由Levi & Korsinsky律师事务所发起的诉讼指控英特尔在2024年1月发布的2023年业绩报告中，未能正确披露其制造部门的巨额亏损情况，误导了投资者。该诉讼已呼吁所有在指定期间内因持有英特尔股票而遭受损失的投资者加入。英特尔自2024年第一季度起采用了内部代工模式（Internal Foundry），允许其产品部门和外部客户从其独立的英特尔代工部门购买制造和封装服务。然而，英特尔并未单独报告其制造部门的业绩，仅公布了针对外部客户销售制造服务的英特尔代工服务（Intel Foundry Services）部门的业绩。最新的消息是英特尔首席执行官Pat Gelsinger在逾40年的职业生涯后，从公司退休，于2024年12月1日卸任董事会职务。英特尔近年来麻烦不断，在如今AI形势大好的情况下，逐渐掉队，产品竞争力开始落后于对手，市场份额逐步被竞争对手蚕食，未来前景堪忧。（6）荷兰扩大光刻机管制 2024年9月6日，荷兰政府宣布扩大光刻机出口管制范围至浸没式深紫外光刻设备，ASML如果要向中国出口TWINSCAN NXT：1970i和1980i型号浸润式DUV光刻系统，需要先向荷兰政府申请出口许可证。对此，ASML回应称，这项新要求将使出口许可证的发放方式更协调统一。我国商务部新闻发言人回应称，中荷双方就半导体出口管制问题已经开展了多层级、多频次的沟通磋商。荷方在2023年半导体出口管制措施的基础上，进一步扩大对光刻机的管制范围，中方对此表示不满。荷方应从维护国际经贸规则及中荷经贸合作大局出发，尊重市场原则和契约精神，避免有关措施阻碍两国半导体行业正常合作和发展，不滥用出口管制措施，切实维护中荷企业和双方共同利益，维护全球半导体产业链供应链稳定。（7）Arm打算取消对高通许可 10月23日，Arm提前60天向高通发出强制性通知，取消高通的架构许可协议。若期满后未能达成解决方案，高通或将无法使用Arm的指令集进行芯片设计。Arm本次取消高通的许可协定与两家在2022年开启的诉讼密切相关。2021年，高通收购了一家获得Arm许可的芯片设计初创企业Nuvia。Nuvia团队开发的Oryon架构后被融入了高通的AI PC芯片产品线。 2022年，Arm对高通的这一收购案提起诉讼，认为高通违反了合同，并侵犯其商标权。Arm认为高通在收购Nuvia后未能重新谈判合同条款，但高通认为他们与Arm的现有协议涵盖了Nuvia的活动。 Arm认为，高通使用Nuvia的设定，违反了高通与Arm的许可协定。Arm要求高通销毁在Nuvia收购之前创建的设计。根据Arm向美国特拉华州地方法院提起的原始诉讼，未经许可，这些设计不能转让给高通。在谈判未能达成解决方案后，Nuvia的许可证于2023年2月被终止。不过最新的进展是，12月20日，在Arm指控高通违反了芯片技术许可协议的一案中，美国特拉华联邦地区法院的陪审员裁定，高通拥有有效许可，可以使用Arm的基本芯片架构来生产中央处理器。不过，由于陪审团在需要做出裁决的另一个问题上陷入了僵局，审判最终宣布无效，Arm表示将寻求重审。（8）美国商务部将140家中国半导体企业列入实体清单 2024年12月2日，美国商务部宣布美国商务部工业和安全局（BIS）发布了出口管制新规，其中包括将140家中国半导体企业列入实体清单。这是拜登政府任期内第三次大规模加码对华芯片管制。我国商务部迅速做出反应，发布了关于加强相关两用物项对美国出口管制的公告，决定：禁止两用物项对美国军事用户或军事用途出口。原则上不予许可镓、锗、锑、超硬材料相关两用物项对美国出口；对石墨两用物项对美国出口，实施更严格的最终用户和最终用途审查。此外，中国互联网协会、中国半导体行业协会、中国汽车工业协会、中国通信企业协会四个协会3日晚间陆续发布声明，建议中国相关行业谨慎采购美国芯片。（9）ST、英飞凌、NXP等扩大中国供应链近期，多家欧洲半导体厂商宣布将扩大中国供应链，其中ST与华虹宏力（HHGrace）合作，在40 nm、OFT、BCD/IGBT技术节点上构建专属产能通道。40nm eNVM STM32将采用中国和非中国的双重供应链，并计划于2025年底在中国本土生产。此外，ST还投资扩建深圳后端封测厂（STS赛意法），该工厂是ST最大的全球组装和测试基地，迄今已经扎根中国30年，贡献公司全球超过50%的产能。恩智浦（NXP）执行副总裁Andy Micallef表示，恩智浦在努力寻找一种方式来服务那些需要中国产能的客户，将为客户建立一条中国芯片供应链。在中国，恩智浦选择台积电南京、中芯国际、华虹分别开发16/28nm，40nm以及180nm不同种类的产品。天津封测厂完成80%的内部制造，20%由外部实现。英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck在接受采访时表示，公司正在中国进行商品级产品的本地化生产，旨在加强与中国市场客户的紧密联系。Hanebeck指出，中国客户对某些难以更换的零部件提出了本地化生产的要求，为了满足这一需求，英飞凌决定将一些产品的生产转移到中国的代工厂。（10）新一代量子芯片纠错能力达到实际应用必要条件这一成功不仅是技术上的杰作，更是对未来的一次大胆预演。 12月10日，《自然》杂志发表了一篇论文，揭示了谷歌最新一代量子芯片“Willow”在纠错能力上的重大突破——首次将错误抑制在一个关键阈值以下。这一成就被视为实现未来量子计算实际应用的关键一步，为大规模容错量子计算的运算要求铺平了道路。量子计算的潜力巨大，但其脆弱性也一直困扰着科学家。面对这一挑战，量子计算研究人员设计了一种巧妙的解决方案：量子纠错。量子纠错的概念简单却充满智慧——通过将信息分布到多个量子比特上，系统可以在不破坏计算的情况下识别并补偿错误。然而，这种策略并非没有风险。额外的量子比特可能会引入更多的错误，使得实现“低于阈值”的运算成为一项艰巨的任务。这个名为“Willow”的最新一代超导量子处理芯片架构，成功实现了低于表面码关键阈值的量子纠错。表面码是一种特定的量子纠错技术，它犹如一张精密编织的安全网，捕捉并修复那些随时可能出现的错误。研究人员在一个拥有72个量子比特的处理器和另一个拥有105个量子比特的处理器上进行了测试。随着码距从3增加到5再到7，逻辑错误率显著减半。这意味着，“Willow”不仅能在数小时内稳定运行最多100万个周期，同时还能实时解码错误并维持出色的表现。 “Willow”让我们看到了一个新时代的曙光。在这个时代里，量子计算将不仅仅是实验室里的奇迹，而是能够真正改变世界的力量。结语 2024年的半导体行业，是变革与创新的一年。从技术突破到市场重组，从政策调整到产业变革，半导体行业在不断的变化中寻找新的增长点。展望未来，半导体行业将继续在全球科技和经济发展中扮演关键角色，推动着人类社会向更智能、更高效的未来迈进。

原创

芯查查 . 2025-01-06 2 12 5715
2025年传感器市场展望

目录 1. 2025年传感器市场五大展望 2. 市场展望 3. 技术展望 4. 采购展望 5. 价格展望 6. 交货期展望传感器市场正迎来关键传感器产品需求的回归，并正在克服近期收入增长放缓的困境。在过去两年中，传感器市场见证了包括移动、汽车和工业在内的主要应用领域库存积压的负面影响，这导致出货量急剧下降，领先供应商的经营利润率（OPM）也随之下滑。传感器市场在2025年将会如何发展呢？移动设备推动图像传感器收入增长高分辨率、大像素和大尺寸传感器的扩张势头迅猛，为移动CMOS图像传感器（CIS）产品在客户供应链中创造了强有力的地位，而更高的平均售价将进一步推动图像传感器收入增长。高级驾驶辅助系统（ADAS）需求推动CIS应用要提高ADAS系统的性能，摄像头必须依赖汽车级图像传感器，ADAS需求直接影响着传感器采用。具有更高分辨率、高动态范围 (HDR) 和 LED 闪烁减缓 (LFM) 功能的图像传感器预计将在前向ADAS和环视摄像头应用中获得强劲需求。生物识别传感器扩展生物识别传感器解决方案在移动设备、PC、门禁和支付系统中已成为标配。随着超声波指纹传感器和用于安卓智能手机面部认证的传感器的扩展，生物识别传感器市场预计将增长。中国传感器供应商市场份额增长供应链的本地化仍然是中国品牌客户关注的焦点，这为中国传感器供应商提供了竞争和增加市场份额的良机。对中国供应商的图像传感器、指纹传感器和MEMS传感器产品的需求前景十分广阔。 TechInsights预计，中国领先的传感器半导体供应商将缩小技术差距，并从全球传感器供应商手中夺取市场份额。 Metavision传感器提升传感机会 Metavision 传感器可在光线不足和快速移动的情况下可提供惊艳的图像质量，因此预计3D 传感市场将迎来复苏。 Metavision 传感器在智能手机中的应用为消费者摄影提供了一个强大的使用场景，并预计将在图像传感器内容增加的支持下推动 3D传感收入的增长。在这份完整报告中您将深入了解：传感器市场将如何从库存积压的负面影响中恢复？除了智能手机和汽车领域，还有哪些新兴市场对传感器需求增长有显著贡献？高端CIS产品供应紧张对智能手机图像传感器市场有何影响？汽车图像传感器市场增长的主要驱动力是什么？传感器市场在扩张产能时如何平衡供应与定价？

传感器

TechInsights . 2025-01-03 1 2 2575