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市场 | 拥抱基础设施变革，抓住人工智能的万亿美元机遇

众所周知，人工智能 (AI) 有望革新人类活动的方方面面。然而，要充分释放这一潜力，就必须面对一个基本事实：支撑传统计算的基础设施已无法满足未来 AI 发展的需求。当前，产业已经见证了这场变革所呈现出的惊人规模：训练 ChatGPT-4 使用了超过 1PB 的数据——相当于两亿首歌曲连续播放长达 1,000 年。 OpenAI 每月为 10 亿活跃用户提供服务，每位用户消耗的数据量是传统应用的一万倍。到 2030 年，这场 AI 革命将带动超过一万亿美元的基础设施投资。这一爆炸性增长正在推动数据中心的能耗从兆瓦级跃升至吉瓦级，由此带来的限制无法仅靠增加更多通用服务器来解决。整个行业必须从根本上重新思考计算基础设施的架构设计、构建方式和部署策略。那些能够成功驾驭这场转型的企业，将充分释放 AI 的潜力；而未能及时跟进的企业，则极有可能面临被市场淘汰的风险。在近日于旧金山举办的第 62 届设计自动化大会 (DAC) 的 SKYTalk 演讲中，Arm 高级副总裁兼基础设施事业部总经理 Mohamed Awad 分享了如何拥抱基础设施变革，抓住 AI 的万亿美元机遇的经验与洞察。过往技术变革的经验启示 Awad 表示，应对如此巨大的技术变革其实已有“蓝图”可循。在过去的 30 年里，从移动计算到汽车变革，再到物联网部署，历次成功的技术革命都遵循着相似的发展路径。而那些最终脱颖而出成为领军者的企业，普遍具备以下三个共同特征：追求技术领先具备系统级思维培育强大的生态系统这一发展模式为 AI 转型提供了重要借鉴。回顾移动革命，它不仅仅是处理器速度的提升，更涉及对能效优化、软件栈乃至制造合作伙伴关系的全面革新。同样，汽车行业向自动驾驶和电动化转型的过程中，也需要在芯片设计、系统架构以及生态协作等层面采取一体化的推进策略。 Awad 表示，“要让 AI 真正实现我们为其设定的宏伟目标，所需的其实还是同样的路径——技术领先、从底层开始设计的系统，以及强大的生态系统。” 基础设施演进的迫切性数据中心的演进过程充分展现了行业快速适应 AI 需求的能力。2020 年之前，企业主要依赖通用服务器，并通过 PCI 插槽添加加速器。到了 2020 年，重点转向了具备 GPU 之间直连能力的集成服务器。2023 年，我们见证了 CPU 与 GPU 的高度耦合集成。而如今，行业正向完整的“AI 工厂”迈进——从芯片层面开始，为特定负载场景打造整个服务器机柜。领先的科技公司正在摒弃“一刀切”的通用架构思路。NVIDIA 的 Vera Rubin AI 集群、亚马逊云科技 (AWS) 的 AI UltraCluster、Google 的 Cloud TPU 机柜，以及微软的 Azure AI 机柜，都是针对自身独特需求而专门打造的定制化系统，而非通用解决方案。 Awad 解释道，“所有领先的超大规模云服务商都在做同样的事情。他们从芯片层开始构建高度集成的系统，根据自身的系统需求反向驱动芯片层的创新。” 这一转变反映出整个行业达成的广泛共识：AI 的计算需求必须依赖专为 AI 工作负载设计的基础设施，而非在通用系统基础上改造的解决方案。经大规模验证的性能表现 AWS 报告称，过去两年新部署的 CPU 算力中，有超过 50% 来自其搭载 Arm 架构的 Graviton 处理器。此外，包括 Amazon Redshift、Prime Day、Google 搜索和 Microsoft Teams 在内的关键工作负载，如今都运行在基于 Arm Neoverse 等先进技术构建的基础设施上，实现了显著的性能提升与能效优化。 Awad 进一步解释说，这些举措并非出于成本削减的考量，而是为了追求性能。企业打造定制芯片，并不是因为它成本更低，而是因为它能在特定数据中心环境下，实现通用解决方案所无法达到的性能与能效水平。通过协作加速创新打造定制芯片面临着诸多挑战，包括高昂的成本、复杂的设计以及漫长的开发周期。解决之道在于通过协作生态系统来降低门槛、加速创新。像 Arm CSS (Compute Subsystems) 此类的预集成的计算子系统、共享的设计资源以及经过验证的工具流程，都能显著缩短开发周期。已有行业实例展现了生态协作的潜力。部分合作项目通过在设计中使用预配置、预验证的 CSS，使合作伙伴节省了 80 人/年的工程师投入，将开发周期从数年缩短至数月。Awad 表示，其中一个项目从启动到制造出能够在 128 个核心上运行 Linux 的芯片，仅用了 13 个月——对于顶尖的芯片开发而言，这一速度堪称惊人。正在兴起的芯粒 (Chiplet) 生态系统，代表了行业协作的又一重大突破。像 Arm 芯粒系统架构 (Arm Chiplet System Architecture, CSA) 这样的行业倡议正在定义通用接口与协议，诸多亚太地区的合作伙伴已经参与其中，共同开发标准化的计算模块，并可按需组合应用于不同场景，从而构建更加灵活且更具成本效益的开发路径。此外，通过 Arm 全面设计 (Arm Total Design) 等生态项目，这类协作框架将晶圆代工厂、设计服务商、IP 供应商以及固件合作伙伴紧密连接起来，以简化整个开发流程。软硬件协同释放 AI 潜力仅靠硬件创新无法真正释放 AI 的潜力。实现成功还需要强大的软件生态系统作支撑——这背后凝聚了长达 15 年的持续投入：数百万开发者的参与、广泛的开源项目支持，以及成千上万家供应商共同打造兼容的解决方案。当今领先的 AI 基础设施部署依托于成熟的软件栈，涵盖 Linux 发行版、云原生技术、企业级 SaaS 应用以及 AI/ML 框架等。这种软件的成熟度使得企业能够放心地部署新的硬件架构，确信其整个技术堆栈可以无缝运行。 Awad 表示，“如果没有软件，硬件就没有意义。这一点至关重要。因为当我们谈论为 AI 而打造的加速器、设备和芯片时，人们常常会问我软件方面的情况。常有初创公司来找我说，‘嘿，我开发了这个很棒的硬件产品。’但当我问他们，‘有多少人专门为它开发软件？’时，答案往往就没那么有说服力了。” 拥抱基础设施变革随着 AI 持续呈指数级增长，基础设施面临的挑战也将愈发严峻。企业无法仅靠增加传统服务器来实现扩展，他们需要的是专为 AI 工作负载优化的定制化系统，同时还必须具备在前所未有的规模下高效运行的能力。能够成功应对这一转型的企业和技术，往往具备共同的特征：它们通过技术领先追求突破性性能表现，采用系统级的整体思维而非组件级思维，并构建协作型生态系统，在加速创新的同时降低个体风险。这场基础设施变革既是挑战，也是机遇。那些正在着手准备——通过理解这些核心原则并构建合适的技术基础——的企业，将更有机会抓住 AI 所带来的万亿美元级市场机遇。而仍然固守旧有模式的企业，则有可能错失当代最大的技术机遇。 Awad 总结，“未来属于那些已经准备好去创造它的人。”基础设施的变革已经启程。

人工智能

Arm . 2025-06-30 880
技术 | 电感式按压传感器为键盘、遥控器及游戏机等多样设备带来极致人机交互体验

在当今智能化时代，电子设备的交互体验愈发重要，它已经成为系统产品吸引用户的关键要素之一。电感式传感芯片作为实现精准交互的关键组件，其性能直接影响用户操作的流畅性与准确性。IQS9320 ProxFusion® 芯片便是一款在多通道电感式传感控制领域表现卓越的创新性芯片产品，它由Azoteq公司推出，专为机械键盘、防水按键、遥控器和游戏控制器等多样化的应用精心设计。由于其显著的线性度和精度优势，IQS9320一经推出就已广泛应用在键盘等产品上。 IQS9320 ProxFusion®芯片是一款灵活的多通道电感式传感器件。它支持每个器件拥有高达20个感应传感器，并可以通过多个器件级联成为更大的传感阵列，从而为复杂的人机按压交互需求提供了基准的硬件基础，为新一代智能设备的设计提供了极大的创新空间，消费者可以从中获得极佳的用户体验。该芯片具备可调节的触发点，能够根据实际使用场景进行灵活设置，以适应不同用户的操作习惯和设备需求。其模拟数据流式传输功能和高报告速率，确保了数据的快速、准确传输，为用户带来流畅的操作体验。此外，该器件集成的TriggerMax™ UI允许根据按键按下或释放的距离进行动态触发，进一步提升了交互的智能性与响应速度。 IQS9320 ProxFusion®电感芯片的主要特性： ·高采样率与精准控制：大于1 kHz的采样率使得IQS9320能够快速捕捉传感器的变化，实现精准的操作反馈。每个按键都具备可调节的触发点，并且支持激活滞后功能，有效避免误操作，提高操作的可靠性。TriggerMax™ 动态触发功能则让按键响应更加智能，能够根据实际使用情况进行自适应调整。 ·传感器灵活性与优化：该芯片具备自动传感器调谐功能，可实现最佳灵敏度，确保在各种环境下都能稳定工作。内部电压调节器和片上噪声滤波功能，进一步提升了传感器的稳定性和抗干扰能力。同时，芯片具备出色的RF抗扰性，保证在复杂电磁环境下也能正常运行。 ·多样化的通信与接口：IQS9320采用I²C通信接口，支持高达快速模式（Fast-Mode Plus，1 MHz），确保数据传输的高效性。可选择的I²C地址使得多个芯片能够在同一系统中灵活配置。模拟通道数据流式传输功能为需要精细数据处理的应用提供了便利。此外，多设备GPIO接口和多设备同步采样功能，使得该芯片能够轻松集成到复杂的系统中，实现多设备协同工作。 ·环境适应性与封装：芯片具备环境跟踪功能，能够适应不同的使用环境。其采用QFN52（6×6×0.75 mm）- 0.4 mm 间距封装，体积小巧，适用于对空间要求较高的设备。工作电压范围为2.2 V至3.5 V，工作温度范围为-40°C 至+85°C，具备广泛的适用性和稳定性。广泛多样的应用场景 ·机械键盘：它能够提供精准的按键感应，提升打字体验； ·防水按钮：该芯片的稳定性和抗干扰能力能够确保在潮湿环境下正常工作； ·遥控器和游戏控制器：高采样率和动态触发功能使得操作响应更加灵敏，为用户带来沉浸式的使用体验。 IQS9320 ProxFusion® 芯片凭借其灵活的设计、丰富的特性和广泛的应用适应性，成为多通道电感式传感领域的一款优秀产品，为提升电子设备的交互体验提供了强有力的支持。无论是在传统的键盘应用，还是在新兴的智能设备中，IQS9320都有望发挥重要作用，推动电感传感技术的进一步发展。搭载IQS9320的键盘产品包括：图：AESCOA67/A83电感轴类磁轴键盘图：黑鲨三模连接磁轴键盘为了使客户、合作伙伴及开发人员更深入、更全面了解IQS9320 ProxFusion® 芯片的产品参数、功能及技术细节，欢迎向Azoteq中国办事处了解该芯片情况和索取IQS9320数据手册。

传感器

Azoteq中国 . 2025-06-30 720
晶振行业未来趋势：高精度、低功耗与智能制造的三大方向

随着5G技术的全面普及和工业自动化的深入发展，晶振作为电子设备的核心元器件，其性能直接影响着通信、工业控制等领域的设备运行效率与稳定性。2025年行业报告显示，全球晶振市场正朝着高精度、低功耗与智能制造三大方向加速变革。无论是满足5G高频化对时钟信号的严苛要求，还是适应工业自动化对可靠性的需求，晶振行业的技术革新与市场需求紧密交织，呈现出前所未有的发展态势。 5G高频化与工业自动化驱动需求增长 5G高频化催生晶振性能升级需求 5G网络的高频化趋势对晶振提出了更高要求。2025年行业报告指出，随着5G网络向毫米波频段拓展，基站与终端设备需要处理更复杂的信号调制和更高速的数据传输，这使得对晶振的频率稳定性、相位噪声等性能指标要求大幅提升。以5G基站为例，其需要在高频段下实现信号的精准同步和低延迟传输，传统晶振已难以满足需求。据统计，预计到2025年底，5G基站对高性能晶振的需求将同比增长30%，高频差分晶振、恒温晶振（OCXO）等产品将成为市场主流。此外，在5G手机、智能穿戴设备等终端领域，为了实现更流畅的网络体验和更低的功耗，对小型化、高精度晶振的需求也在持续攀升。工业自动化推动晶振需求多元化工业自动化的快速发展为晶振市场带来了新的增长点。在智能制造、工业物联网等领域，设备对晶振的可靠性、抗干扰能力和精度要求极为严格。例如，在自动化生产线中，各类传感器、控制器和执行器需要通过晶振提供的稳定时钟信号实现精准协同工作，确保生产流程的高效、稳定。工业机器人的运动控制、数控机床的高精度加工等，都依赖于高精度晶振提供的时间基准。行业报告预测，2025年工业自动化领域对晶振的需求将增长25%，其中工业级温补晶振（TCXO）因其出色的温度补偿性能和抗干扰能力，将在工业自动化市场占据重要份额。同时，随着工业4.0的推进，对晶振的智能化、网络化需求也逐渐显现，具备自适应调整功能的晶振产品将更受市场青睐。 MEMS技术、TCXO和OCXO的技术革新路径 MEMS技术：开启晶振小型化、集成化新时代 MEMS（微机电系统）技术的不断成熟，为晶振行业带来了革命性变化。传统晶振多采用石英晶体作为谐振元件，体积较大且难以实现高度集成。而MEMS晶振通过微纳加工技术，将晶体谐振器与电路集成在微小的芯片上，具有体积小、功耗低、抗冲击性强等优势。2025年，MEMS晶振在智能手机、物联网设备等领域的应用将进一步扩大。此外，MEMS技术还为晶振的智能化发展提供了可能，通过集成传感器和控制电路，MEMS晶振能够实现自动校准和自适应调整，满足不同应用场景的需求。预计未来几年，MEMS晶振市场份额将持续提升，逐渐成为消费电子和物联网领域的主流选择。温补晶振（TCXO）：性能优化与应用拓展温补晶振（TCXO）凭借其在温度补偿方面的优势，在通信、工业等领域广泛应用。2025年，TCXO技术将朝着更高精度、更低功耗的方向发展。一方面，通过优化温度补偿算法和采用新型温补材料，TCXO的频率稳定度将进一步提升，能够满足5G、卫星通信等对高精度时钟信号的需求。例如，在卫星通信中，TCXO需要在复杂的太空环境下保持稳定的频率输出，新型TCXO产品通过改进温补电路设计，可将频率稳定度提升至±0.1ppm。另一方面，随着半导体工艺的进步，TCXO的功耗将大幅降低，这对于对功耗敏感的便携式设备和物联网终端来说至关重要。同时，TCXO的应用领域也将不断拓展，除了传统的通信和工业领域，在智能汽车、医疗设备等新兴领域的应用也将逐渐增加。恒温晶振（OCXO）：高精度与高可靠性的极致追求恒温晶振（OCXO）以其卓越的频率稳定性和高精度，在航空航天、国防通信等高端领域占据重要地位。2025年，OCXO技术将在高精度和高可靠性方面持续突破。在高精度方面，通过采用先进的控温技术和高精度的晶体谐振器，OCXO的频率稳定度将达到更高水平，能够满足下一代卫星导航、深空探测等对时钟精度要求极高的应用场景。例如，在新一代卫星导航系统中，OCXO的频率稳定度需达到±0.01ppm，以确保定位的准确性。在高可靠性方面，OCXO将加强抗振动、抗辐射等性能的提升，通过优化结构设计和选用高可靠性材料，使其能够在极端环境下稳定工作。此外，随着智能制造技术的发展，OCXO的生产工艺将更加精细化和自动化，提高产品的一致性和生产效率。展望未来，晶振行业在高精度、低功耗与智能制造三大方向的引领下，将不断实现技术创新与产品升级。5G高频化和工业自动化的持续推进，为晶振市场带来了广阔的发展空间，同时也对晶振的性能和品质提出了更高要求。MEMS技术、温补晶振（TCXO）和恒温晶振（OCXO）的技术革新，将推动晶振产品向小型化、高精度、低功耗和智能化方向发展。晶振企业需紧跟行业趋势，加大研发投入，提升技术创新能力，以满足市场不断变化的需求，在激烈的市场竞争中占据一席之地。

晶振

晶发电子 . 2025-06-30 825
纳祥科技客户案例拆解展示：具备32位ARM处理器可寻址的RGB拾音灯方案

随着智能化与艺术化的深度融合，灯光逐渐演变为提高生活品质的关键因素之一，如氛围灯、拾音灯等不仅操作简单，还兼具科技美学。最近，纳祥科技针对音乐节奏同步、多模式交互等场景，推出了一款基于高性能32位ARM处理器的RGB拾音灯方案，为客户提供了高度可定制化的智能灯光解决方案。（一）方案概述本方案通过 “音频信号采集→数字处理→灯光控制” 的闭环逻辑实现声光同步，它采用音乐专用MIC实时采集声音信号，驱动可寻址LED灯珠实现声光联动，提供丰富的显示模式与可调参数。方案内置单片机、电源模块、高灵敏麦克风（支持声控功能）、32颗炫彩灯珠，自带AGC自动增益控制功能，并搭载独家智能消噪算法（支持嘈杂环境下使用），支持不少于8种显示模式、4级亮度调节、5级速度调节及18种色彩模式调节，可根据不同场景，选择闪烁动画效果和灵敏度。（二）方案原理本方案通过软硬件协同，感应外部声音变化，根据音乐节奏展示不同灯光效果。（1）硬件架构 ① 主控芯片：主频达72M的32位ARM处理器 ② 灯珠：32颗可寻址RGB LED ③ 拾音模块：高灵敏度音乐专用驻极体麦克风+放大电路 ④ 电源：5V/1A TYPE-C USB接口供电 ⑤ 控制接口：开关、亮度、速度等调节（2）软件架构 ① 音频处理：ADC采样 ② 灯光控制：PWM调光 ③ 模式管理：8种预设模式（声控律动、频谱分析、彩虹渐变等） ④ 参数调节：亮度（4级）、速度（5级）、色彩（18种）（三）方案演示本方案演示如下—— ① 短按MODE / SPEED键，可选择模式；长按变红后，可选择5档速度 ② 短按COLOR / BRIGHT键，可选择颜色；长按变绿后，可选择4档亮度 ③ 同时按下以上两键，则变为蓝色，学习当前环境噪声㈣总结本方案实测显示，其在复杂声场环境下仍能保持高度的节奏捕捉准确率，功耗较同类产品低，适用于电脑桌面、汽车、卧室等不同场景，提供了创新性与落地价值高的声光融合解决方案。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

拾音灯

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-06-30 1 1335
2025 MWC上海 | 德明利以高可靠存储技术激活移动通信数据流动

6月18日，2025年世界移动通信大会（上海）在上海新国际博览中心隆重开幕。德明利聚焦移动通信设备的存储可靠性挑战，首次参展即展示面向智能终端、工业控制等领域嵌入式存储解决方案，助力AI终端与场景智能化升级。一、智能存储矩阵，赋能通信数据流通面向AI 2.0时代的数据处理需求，德明利推出适用于行业边、端侧的高性能存储解决方案。（一）端侧智能存储针对AI PC、AI手机、智能穿戴等终端设备的多任务处理需求，德明利提供高性能、低功耗、大容量的嵌入式存储产品，提升端侧的智能化适配能力。 l 高性能UFS 3.1凭借2000MB/s连续读取性能，为端侧AI设备高并发数据处理提供稳定支撑； l 新一代高效能内存LPDDR 5X方案通过8533Mbps传输速率与25%功耗优化，高效应对高负载场景多任务挑战，同时优化LPDDR5、4X规格产品线。（二）工业级存储架构德明利eMMC以丰富的闪存及主控方案搭配，差异化应用于工业控制、电力能源等，不仅在极端环境下保持高可靠性，还满足长期稳定运行和性能持续优化需求。目前，德明利eMMC通过主流5G通讯方案商紫光展锐新一代芯片移动平台产品认证许可。（三）高性能存储基座在移动通信场景中模型训练与推理需求，PCIe 5.0 SSD、DDR5内存条成为AI部署中的理想选择。PCIe 5.0 SSD 通过14GB/s连续读取速度、DDR5支持一键超频技术频率最高达10000+MHz，快速加载海量训练数据集，显著缩短模型迭代周期。二、全栈技术能力：深化移动通信存储创新德明利始终坚持以客户需求为导向，从技术研发到产品落地、从生产制造到市场服务，开展持续且全方位技术和管理：基于对存储介质特性与移动通信场景市场需求的深度理解，持续深化自研主控芯片和固件方案的能力，进一步优化硬件设计及封装工艺、强化多平台兼容性测试等技术，提升设备运行稳定性，实现稳定、高效、可靠存储技术的持续迭代。在5G融合应用走深向实关键阶段，德明利将持续创新存储技术，驱动移动通信领域的数据高效流动，为智能化升级提供坚实支撑。

嵌入式

德明利 . 2025-06-30 1770
差分晶振和无源晶振有什么区别

＞工作原理 · 差分晶振（功能性晶振）差分晶振通过使用两种相位彼此完全相反的信号，从而消除了共模噪声，实现一个更高性能的系统。差分输出波形有LVDS、LVPECL、HCSL等。差分属于有源晶振，内部集成振荡电路，外部供电即可直接输出稳定的时钟信号。 · 无源晶振（晶体谐振器）本质是一个被动元件，依赖外部电路（如MCU内部的振荡器）驱动才能起振。需匹配负载电容和电阻才能稳定工作。 ① 差分晶振一般6个PIN脚,测试电路如下图： ② 无源晶振两引脚或四引脚封装（无电源引脚）,需外接负载电容和匹配电阻。＞性能特点＞应用场景 · 差分晶振：高速通信（如FPGA、SerDes等）。对EMI敏感的系统（如射频、航空航天等）。需要长距离传输时钟信号的场景。 · 无源晶振：低成本嵌入式系统（如STM32、51单片机）。消费电子产品（如家电、玩具）。对时钟精度要求相对不高的场景。＞关键区别总结信号类型：差分输出 vs 单端输出。集成度：差分晶振内置振荡器，无源晶振需外部电路驱动。抗干扰：差分信号更适合高速、高噪声环境。设计复杂度：无源晶振需匹配电容/电阻，差分晶振即插即用。

无源晶振,差分晶振

扬兴科技 . 2025-06-30 790
企业 | 高通基于骁龙数字底盘加速汽车行业智能化转型

• 在2025高通汽车技术与合作峰会上，高通技术公司通过展示其骁龙数字底盘产品组合的最新成果与发展势头，巩固其在汽车行业的领先地位。 • 在市场对高能效、可扩展解决方案需求的驱动下，全球超过3.5亿辆汽车采用骁龙数字底盘解决方案，该解决方案在中国市场也被广泛采用。 • 高通技术公司与包括奇瑞、一汽红旗、零跑汽车、车联天下和Momenta在内的多家中国车企和生态系统合作伙伴展开全新合作，这些企业已采用新一代骁龙数字底盘解决方案。今日，在2025高通汽车技术与合作峰会上，高通技术公司携手中国先进车企和生态系统合作伙伴，展示其骁龙®数字底盘产品组合的发展势头和最新成果。骁龙数字底盘解决方案包括骁龙®汽车平台至尊版、面向驾驶辅助和先进驾驶辅助系统（ADAS）的一整套Snapdragon Ride™解决方案、骁龙®座舱平台、骁龙®汽车智联平台和骁龙®车对云服务。在全球范围内，高通技术公司正引领汽车行业向中央计算架构演进，以赋能具备世界级安全特性的新一代软件定义汽车。作为汽车行业的优选技术伙伴，全球超过3.5亿辆汽车已采用骁龙数字底盘解决方案。自2023年以来，在市场对高能效、开放式、可扩展解决方案日益增长的需求驱动下，骁龙数字底盘解决方案已支持众多中国汽车品牌推出超过210款车型，助力推动汽车智能化发展。高通技术公司汽车、工业及嵌入式物联网事业群总经理Nakul Duggal表示：高通技术公司与中国充满活力的汽车行业合作，实现了良好的发展势头，对此我们倍感自豪。通过与领先车企和生态系统伙伴合作，我们展示了骁龙数字底盘产品组合的最新成果，并凭借世界级的安全特性树立了行业创新的全新标杆。这一历程不仅仅是一系列发布，更是我们坚定不移地致力于推动汽车智能化、变革消费者驾乘体验的见证。以下是2025高通汽车技术与合作峰会的最新动态与发布：骁龙汽车平台至尊版：持续推动创新，助力汽车行业迈向智能化未来全新骁龙汽车平台至尊版支持数字座舱和驾驶辅助功能，包括采用可扩展中央计算架构的多个和单颗系统级芯片（SoC）配置，具备行业先进的计算、图形处理和AI性能，以及先进的能效和面向数字座舱与ADAS优化的软件。全球多家车企计划在其即将推出的车型中采用骁龙汽车平台至尊版。其中，十余家中国车企和生态系统合作伙伴计划采用全新的骁龙汽车平台至尊版，包括零跑汽车、理想汽车、蔚来、岚图、极氪、博泰车联网、车联天下、德赛西威和Momenta等*。 Snapdragon Ride平台：实现性能、能效和成本的优化，加速驾驶辅助部署 Snapdragon Ride平台及其一整套产品旨在支持端到端系统，持续赋能汽车生态系统在驾驶辅助部署中实现性能、能效和成本的最佳平衡。迄今为止，全球超过20家车企已采用Snapdragon Ride平台支持其新一代车型。在中国，超过30家中国汽车品牌和一级供应商已在其车型或解决方案中采用Snapdragon Ride平台实现ADAS功能，包括奇瑞、一汽红旗、现代汽车、零跑汽车、上汽通用、上汽大众、元戎启行、德赛西威、Momenta和卓驭科技等 *。作为骁龙数字底盘产品组合中的关键平台，Snapdragon Ride平台集成高性能计算、AI和传感器技术以支持多级别的驾驶辅助。该平台的世界级安全架构采用经全球验证的安全软件栈，可将部署风险降至最低并应对可扩展性挑战，在业内彰显其独特价值。自2016年以来， Snapdragon Ride平台已在全球60多个国家和地区完成验证，并通过持续研发不断提升其功能。该平台利用一个覆盖超过600万公里独特车辆与交通数据的场景目录，并生成覆盖多样化场景的合成数据，实现超过4.82亿公里（3亿英里）的测试行驶总里程。 Snapdragon Ride™ Flex SoC：引领舱驾融合演进，向软件定义汽车转型随着汽车行业在各层级车型中广泛采用ADAS，座舱与ADAS系统的融合对于打造世界级的可扩展驾乘体验至关重要。Snapdragon Ride Flex SoC支持混合关键级工作负载，支持在单个硬件平台上无缝集成数字座舱、ADAS和驾驶辅助（AD）功能。它预集成了Snapdragon Ride™视觉软件栈，凭借面向计算机视觉、AI和高能效计算的协同设计，确保在混合关键级环境中带来卓越性能。车企和一级供应商能够利用这一SoC提供具身AI车内体验，以提高驾乘人员舒适度。凭借从入门级到超算级的可扩展性能，Snapdragon Ride Flex SoC可实现统一的中央计算和软件定义汽车架构，使其在持续演进的汽车格局中成为理想之选。今日，高通技术公司重点分享了该领域的最新合作动态：北汽集团、奇瑞、车联天下、德赛西威、华阳集团、航盛电子、镁佳科技、Momenta、畅行智驾和卓驭科技等*先进的汽车产业公司已采用Snapdragon Ride Flex SoC助力打造已量产或计划量产的车型。

高通

高通中国 . 2025-06-27 3 1 1550
应用 | 艾迈斯欧司朗×合鉅光電：绿色高效净水杀菌，开启健康饮水新蓝海

全球领先的光学解决方案供货商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，携手合鉅光電（Hergy International Corp. ）成功导入 OSLON® UV 3535 UV-C LED 技术，推出创新的 Perazim 系列饮用水杀菌器，成为该产品自 2024 年问世以来的首个商业化应用案例。本次合作不仅显示出合鉅光電对光源质量的高标准要求，也进一步奠定艾迈斯欧司朗于 UV-C LED 净水应用领域的技术与市场领先地位。合鉅光電团队在 LED 领域已深耕逾二十年，具备完整的定制化开发与模块整合能力，近年积极投入 UV-C LED 水处理解决方案，其水杀菌反应器覆盖工业、商业和家庭等多元应用场景，拥有当前市场上最完整的系列产品组合之一，旗下自有品牌 Perazim 与 Perazim Pro 主攻欧美及亚洲市场，应用涵盖家庭饮水龙头到高流量商业系统。合鉅光電已在工业应用领域建立稳固的市场基础与合作伙伴关系，对于家庭应用市场的成长潜力亦充满信心，并持续扩大布局。此次藉由导入艾迈斯欧司朗的 OSLON® UV 3535，产品在稳定性与能源效率上获得显著提升，进一步强化其在绿色净水领域的竞争优势。随着全球对洁净饮水需求上升、环保法规趋严，加速传统汞灯替代，UV-C LED 将成为未来主流技术。据市场研究预测，UV-C LED 水处理市场未来数年将呈现高速成长，并在住宅、医疗、食品与商用设备领域快速扩展。此次合作亦象征台湾供应链正以高技术、高信赖度产品，参与全球洁净科技转型。图：合鉅光電多款产品均内置艾迈斯欧司朗UV-C Perazim (https://perazimwater.com/)系列专为家庭与商用场景打造，具备即装即用、无需耗材的设计特色。导入 OSLON® UV 3535 后，产品在杀菌效能、可靠性与能源效率方面全面升级。得益于合鉅光電专利的高效杀菌流道设计，即使仅以 3W 的超低耗能，也能达成 NSF 55 Class B 高标准的杀菌要求，展现业界领先的能源利用效率。其中，Perazim 每分钟可处理 2 公升水流量，年耗电费用低于 0.1 美元；进阶型 Perazim Pro每分钟水流处理能力达 6 公升，特别适用于对水质与处理效率要求较高的商业空间。两款机型皆采用紧凑外型与高效杀菌设计，搭配 OSLON® UV 3535 的高输出与高耦合特性，提供稳定、安全且环保的饮用水消毒体验。合鉅光電总经理罗圣泰表示：在全球水资源匮乏与环保法规日益严峻的背景下，UV-C LED 技术为我们提供了迈向绿色净水的新路径。Perazim 系列产品的推出不仅代表合鉅光電在产品端的创新实践，更象征着一种更安全、可持续的水处理思维。我们非常重视与艾迈斯欧司朗的深度合作，结合其在UVC LED方面的领先地位与我们专利流道的水杀菌反应器，共同推动UV-C LED水处理在家庭与商用场域的普及。这项合作不仅提升了双方在国际市场的竞争力，也强化了我们在净水产业价值链中的关键角色。艾迈斯欧司朗工业与多元市场资深销售总监金安敏表示： UV-C LED 是未来洁净水处理的重要技术支柱，而像合鉅光電这样具备垂直整合能力与国际市场洞察的伙伴，是推动产业转型不可或缺的力量。此次合作充分展现了我们在 UV-C 光源可靠性、效能稳定性及技术支持层面的价值，也强化了我们推进永续环境目标的承诺。未来，我们将持续与产业生态系伙伴紧密合作，以创新光学技术响应全球对洁净、水资源与健康的高度关注。 OSLON® UV 3535 采用 265nm 峰值波长设计，具备高效能、高整合度与长寿命等特性，为合鉅光電于净水模块开发与商品化过程中提供了关键技术支持。其 115mW 输出功率与 120° 发光角有助于提升 UV-C 剂量的分布均匀性与杀菌效能，而小巧的 3.5×3.5mm 陶瓷封装则提供更高的设计弹性，便于应用于空间受限的模块化系统。这些技术优势不仅加速了产品开发流程，也协助合鉅光電更快速地完成从设计验证到商业化落地的转换过程。图：Perazim 系列饮用水杀菌器此次合作不仅展现光电技术与应用端的深度融合，更是一个亚洲供应链驱动下的永续创新实例。未来，艾迈斯欧司朗将持续携手合鉅光電等产业伙伴，推动 UV-C 技术于水、空气与表面消毒等多元应用场景的普及化，实现更安全、更智慧、更永续的生活型态。关于合鉅光電合鉅光電由一群来自各领域的专家与EMS产业的专业团队创立，专注于紫外线（UV）技术，特别是UV-C LED水杀菌领域。与全球UV技术领导品牌合作，提供UV-C LED水杀菌模块、客制化产品设计与高精密制造等服务。合鉅光電独家发明专利的流体杀菌通道设计荣获NSF/ANSI 55 Class B component认证，是全球极少数具有此项认证的UV-C LED water disinfection reactor制造商，而且耗能极低，超高的杀菌效率展现我们在UV-C LED水杀菌技术的领先实力。相较传统汞灯，合鉅光電的产品可节省>99.9%能源，无需耗材，更无需频繁维护，使用寿命长达数十年。除了搭配市电外，产品也适用于离网环境与太阳能系统，为水资源匮乏地区提供安全、卫生的饮用水方案，兼顾环境友善与能源效率，是迈向净水永续的最佳选择。

ams OSRAM

艾迈斯欧司朗 . 2025-06-27 1 1 1825
企业 | Nordic 收购 Memfault，推出首个用于互联产品生命周期管理的 “芯片到云”完整平台

全球领先的低功耗无线连接解决方案供应商 Nordic宣布收购其长期合作伙伴Memfault Inc.。市场领先的云平台提供商Memfault Inc.致力于互联产品的大规模部署，此次收购标志着 Nordic 从硬件供应商转型为完整解决方案合作伙伴的重大飞跃。 Nordic 现提供全面的平台以简化开发流程并加快产品上市时间。在整个产品生命周期内，持续的软件升级能够增强产品在现场的安全性、性能、功耗和功能性，这使得客户毋须应付碎片化的复杂物联网生态系统，能够专注于创新。简化流程和扩展规模以促进产品开发 Memfault 已成为领先的设备观察和管理平台提供商，并提供安全的无线 (OTA) 软件更新，无需现场返修或退货即可确保最高的设备可靠性。 Memfault可用于监控、维护和扩展互联产品，深受日益壮大的开发者社区和客户所信赖。Nordic 将把 Memfault 的功能集成到其完整的产品组合以及现有的 nRF Cloud服务平台中，以打造功能更强大的解决方案。构建创新互联产品的未来 Nordic 首席执行官 Vegard Wollan 表示： “此次收购表明了双方的合作意愿。我们将使成千上万的客户能够与现场数百万台设备持续互动。我们正在全球半导体领域树立起集成硬件、软件、工具和服务的新标杆。通过将 Nordic 的超低功耗无线连接解决方案与 Memfault 的云服务相结合，我们将在互联产品的整个生命周期使开发、维护和升级变得更快、更简单、更安全。” Memfault 首席执行官 François Baldassari 表示： “Nordic 世界一流的片上系统与 Memfault 的云平台相结合，为互联产品打造了无与伦比的全栈解决方案。我们的共同目标很清晰易明，就是让客户和工程师自由创新，同时该平台还能为数百万款在现场工作的产品提供可靠性和洞察力。” 增强Nordic的边缘AI和安全解决方案此次收购进一步巩固了 Nordic 在满足当前和未来市场需求方面的领导地位。随着物联网节点通过边缘 AI 变得越来越智能，以及安全标准在欧盟网络弹性法案等框架下的不断发展，Nordic 的软件和云服务将为产品开发者提供全面的工具，使其始终领先于行业和监管预期。致力于持续性并赢得客户信任 Nordic 和 Memfault 拥有广泛的共同客户和市场。Nordic 致力于支持每一家物联网设备制造商，包括所有现有的 Memfault 客户，不管他们选择何种硬件。Memfault 平台将继续蓬勃发展，并在硬件集成、设备管理和高级 AI 功能方面进一步投入和增强。此次收购体现了 Nordic 致力于打造卓越客户体验的承诺。Nordic 的全新软件服务将为成千上万的客户消除复杂性并创造价值，使他们能够专注于产品创新。该解决方案将缩短产品上市时间，降低运营成本，并使客户能够在整个生命周期内有效管理其互联产品。

Nordic

Nordic半导体 . 2025-06-27 1030
产品 | 轻量化5G加速上车！移远通信发布车规级RedCap模组AG53xC系列

6月26日，全球领先的物联网和车联网整体解决方案供应商移远通信宣布，重磅发布其首款车规级5G RedCap模组AG53xC系列。该模组基于高通SA510M平台打造，支持3GPP R17标准，在成本性能平衡、硬件兼容、软件架构等方面表现优异，为车载通信领域带来了更加高效、经济的解决方案。目前，该系列模组已进入量产阶段，预计年内将支持多家汽车客户批量出货。 RedCap领航，车载5G加速驶入“快车道” RedCap作为3GPP在5G R17阶段引入的轻量化 5G 技术，通过优化终端支持带宽、接收天线数量及速率等，在降低成本与功耗的同时，确保了5G网络的低时延与高可靠性，非常适用于车载通信场景，不仅能保障车辆联网的稳定性，还可满足组合辅助驾驶、车路协同等应用对数据传输实时性的严苛要求。在相关政策的大力支持下，国内运营商积极布局RedCap网络建设。目前，RedCap网络已覆盖全国多数城市，部分地区已实现城区连续覆盖，这为RedCap技术在车载领域的大规模应用奠定了坚实基础。硬件无缝兼容，4G/ 5G平滑切换作为一款车规级RedCap模组，AG53xC系列搭载高通SA510M平台，支持5G SA（独立组网）模式，并向下兼容LTE 与NR - FR1（20MHz）网络，最高下行速率可达 228 Mbps，最高上行速率可达123 Mbps。该系列模组采用双天线设计，集成多星座双频 GNSS接收机，可满足不同环境下快速、精准定位的需求。在硬件设计上，AG53xC系列与移远车载4G模组AG35系列兼容，支持客户在不改动现有车载硬件架构的前提下，实现4G到5G的无缝升级，同时提供兼容设计指导，帮助客户节省硬件设计成本，缩短产品上市周期。双架构赋能，软件难题轻松“拿捏” 在软件层面，AG53xC系列采用移远自研QuecOpen架构。该架构历经5年车载量产模组验证，深度融合30余家主流车企需求，具备高度的灵活性、稳定性和可靠性，其A/B双系统设计，可实现关键固件无感升级，确保系统运行的连续性。QuecOpen还拥有出色的跨平台、跨系统兼容能力，显著降低开发复杂度，助力客户快速构建多元化车载应用方案。此外，移远通信还提供QuecRPC跨系统协同架构，实现Android、Linux系统与模组能力的深度直连。开发者仅需简单调用API接口，即可轻松驾驭5G通信、高精度定位等核心功能，加速车载智能应用的开发进程。目前，AG53xC系列已通过CCC认证，其可靠性与安全性得到权威验证。接下来，移远通信将持续深耕车载通信技术创新，为行业提供更具竞争力的产品和解决方案，推动智能网联汽车产业迈向新的发展阶段。

移远通信

移远通信 . 2025-06-27 1 1450
企业丨瑞萨RH850/U2A MCU现支持MediaTek天玑汽车座舱平台，提升软件定义汽车的安全性和效率

随着车辆从交通工具向智能“第三空间”演变，对高性能、安全认证解决方案的需求不断增长。作为先进汽车半导体领域的领导者，瑞萨电子凭借其RH850/U2A区域/域微控制器系列满足了这些需求，该系列是为在不断发展的电子电气架构下实现统一控制而设计的下一代解决方案。针对智能汽车的产品和技术需求，瑞萨提供多样化车用解决方案和多款高性能车用MCU。其中RH850/U2A区域/域微控制器系列作为新一代车载控制器件，是瑞萨跨域MCU产品系列的首款产品，旨在满足日益增长的将多种应用集成到单颗芯片中的需求，以实现针对不断发展的电子电气架构（E/E架构）的统一电子控制单元，尤其适用于要求高性能和高安全性的应用。截至目前，RH850/U2A系列产品已完成多家客户的平台适配。近期，RH850/U2A MCU以及一颗用于为该 MCU供电、可支持达到ASIL D要求的系统功能安全要求的车用PMIC也已成功搭载于MediaTek新近发布的天玑汽车旗舰座舱平台C-X1中，以车规级安全标准打造出具备更高可靠性的AI智能座舱方案，助力实现平台安全等级和能效的强化，推动软件定义汽车的趋势加速落地。至此瑞萨也成为MediaTek生态合作伙伴之一。作为连接与控制“中枢”，瑞萨RH850/U2A MCU基于28纳米（nm）先进制程，搭载四个400MHz CPU内核，采用双核锁步架构，支持ISO 26262 ASIL D功能安全要求，且通过硬件虚拟化技术实现多系统独立运行，完美兼容座舱控制、区域与网关通信的复杂需求。瑞萨RH850/U2A MCU的关键优势 - ASIL-D安全：双核锁步架构符合ISO 26262的最高安全标准，适用于座舱、区域、ADAS、底盘、域控制器等。 - 高性能：28纳米工艺的四个400MHz CPU内核，可实现无缝的多系统操作。凭借内置的虚拟化管理程序硬件支持，它还能实现ECU集成，降低整体系统成本。 - 增强安全性：集成HSM（Evita Full）和多个加密核心，提供强大的网络攻击防护，支持安全的OTA软件更新。 - 生态系统与软件支持：提供符合AUTOSAR标准的工具、软件和合作伙伴关系，加速软件开发。 - 值得信赖的合作伙伴：凭借数十年的汽车微控制器专业知识，具有经过验证的可靠性和极小开发风险。通过整合瑞萨MCU技术，汽车制造商为下一代座舱系统获得了可靠的基石——集安全性、高性能和灵活性于一体。您可扫描下方二维码，获取瑞萨RH850/U2A MCU的更多产品信息： https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/rh850-automotive-mcus/rh850u2a-zonedomain-microcontroller-series#overview 随着汽车行业向软件定义创新的转变，瑞萨始终致力于为合作伙伴提供高性能、以安全为导向的解决方案。展望未来，我们将继续通过尖端半导体技术推动智能出行的发展。未来，瑞萨也将持续以技术创新赋能全球车企和合作伙伴，推动智能出行体验迈向更安全、更沉浸的新高度。

瑞萨

Renesas瑞萨电子 . 2025-06-27 1 1 2055
SiC MOSFET并联的关键技术

基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联，因为参数差异会影响均流特性。本文将深入探讨该问题，并展示ST第三代SiC MOSFET如何完美适配并联应用。分立MOSFET和功率模块分立器件采用单管封装形式（每个封装仅含单个MOSFET或二极管），可灵活选择通孔插装（THT）或表面贴装（SMD）封装。这种形式对拓扑设计和混合封装应用没有任何限制。功率模块则截然不同：其内部器件按特定拓扑（如全桥）集成，一旦封装完成，既无法修改拓扑也不能调整器件参数。因此在原型设计阶段，工程师需要投入更多精力进行仿真验证，而使用分立器件时能直接进行实物测试。功率模块有两大优点： ■ 功率耗散：功率模块的横截面结构通常包括散热基板、陶瓷电气绝缘层以及铜平面走线，硅或碳化硅芯片（如MOSFET）通过烧结工艺直接连接在铜走线上。这种设计在散热方面具有显著优势：散热基板可直接与散热器接触，无需额外电气绝缘，两者之间仅需导热界面材料（TIM，如导热硅脂）即可实现高效热传导。 ■ 模块的另一大优势在于缩短换流回路，这一点虽比散热设计更复杂，但效果极为关键，能有效降低寄生参数。走线本身具有电阻和电感，长度越长，寄生效应越严重：电阻会因流经的RMS电流产生不可忽视的导通损耗；电感则会在电流变化时引发电压过冲，开关速度越快，电压尖峰越高，甚至可能损坏器件。在以下方面，分立器件难以与模块相比： ■ 散热设计：分立器件的散热基板通常不绝缘且与MOSFET漏极相连，因此导热界面材料需同时满足绝缘和导热需求。 ■ 走线长度：分立器件芯片间的走线长度较长。电流通过键合线流至封装引线，然后流至PCB，再返回。在模块中，器件并联非常简单：两颗芯片并列安装，其余节点通过短键合线连接。走线更短且热耦合性能更优。分立器件之间的热耦合性能不如模块好。热量从芯片到封装，再通过导热界面材料（TIM）到达散热器，再到其他MOSFET。每种介质以及它们之间的每次转换都会产生热阻，导致温度梯度。并联分立MOSFET的动机尽管存在上述局限，分立MOSFET并联仍具备不可替代的优势：设计灵活性、参数可扩展性、供应链冗余以及原型验证便捷性。此外，并联本身还能带来以下物理层面的优化：热阻与封装散热面积成反比。若将损耗均分至两个相同器件，总散热面积翻倍，单个封装的热耗减半，从而使结到散热器的热阻降低一半，器件实际温度更接近散热器温度。 MOSFET损耗主要包含导通损耗和开关损耗。导通损耗由沟道导通电阻（RDS(on)）引起，并联N个相同MOSFET可使总RDS(on)降至1/N。 ▲图1导通示例：Ch1漏极-源极电压、Ch4漏极电流，Math耗散功率开关损耗源于开关过程中电压与电流的重叠（图1）。尽管瞬态时间极短，但高压大电流下峰值功率非常显著。通过对功率随时间进行积分（曲线下方的区域）可得到特定条件下的开通能量和关断能量，将二者乘以开关频率（若条件变化则累加1秒内的所有能量），即可计算出开关损耗。给定条件是值得注意的地方，因为开关能量很大程度上取决于几种参数：瞬态时间、电压、电流和温度。关于并联方案，在开关能量的电流函数中隐藏着一些优势。（图2） ▲图2开关能量示例：单个MOSFET和两个MOSFET并联开关能量的变化曲线不是线性的，略呈指数趋势。因此，电流加倍会导致能量增加超过两倍。并联时，结果正好相反：如果将电流均分到两个相同的器件，总开关能量会比单个器件单独开关时更低。如果我们将功率模块中的一个MOSFET与两个分立MOSFET进行比较，则该模块将处于劣势：对比功率模块中的单个MOSFET与分立形式的两个MOSFET，模块反而处于劣势： ■ 散热路径：由于模块结构不同，散热路径难以比较，但是，分立器件通过更大散热面积可弥补结构劣势，甚至超越模块性能。 ■ 导通损耗和开关损耗：分立MOSFET并联的导通损耗是功率模块的二分之一，开关能量损耗显著降低，因此，并联分立MOSFET在损耗方面优势非常明显。这说明，在所述功率范围内，分立器件并联与模块方案存在性能重叠。使用更多的相同规格的器件可以提高功率，而并联时选择更高导通电阻而成本更低的器件，仍有可能在相同功率下与模块方案竞争。热失控——优势背后的隐患 MOSFET的导通电阻（RDS(on)）并非静态参数，其数值随电流变化，且受温度影响更为显著。在当前功率范围内，碳化硅（SiC）MOSFET已成为主流选择，其RDS(on)温度特性远优于硅基MOSFET。 ▲图3：SCT011HU75G3AG的导通电阻对温度归一化曲线以ST最新一代HU3PAK封装（顶面散热）的SCT011HU75G3AG为例（图3），导通电阻RDS(on)非常低，是并联设计的理想选择。然而，从25°C至175°C其导通电阻RDS(on)仅上升约50%，与标准硅基MOSFET相比，这一增幅明显更低，传统硅基MOSFET在150°C（而非175℃，这是其绝对最高额定温度）时RDS(on)增幅可达200%。平坦的导通电阻（RDS(on)）温度曲线是理想设计特性，能使导通损耗随温度变化保持稳定。然而，当损耗上升时，存在热失控风险：损耗增加导致温度升高，进而进一步加剧损耗。这种正反馈效应曾是硅基MOSFET的难题，但对碳化硅（SiC）器件通常可忽略——除非采用并联配置。为何存在这种差异？关键在于参数离散性，尤其是导通电阻RDS(on)。以型号SCT011HU75G3AG为例，其标称RDS(on)为11.4mΩ，但实际可能高达15mΩ。虽然同一批次中出现如此大偏差的概率较低，但我们仍以此极端情况分析：15mΩ比11.4mΩ高出32%，意味着在相同电压下该器件承载的电流将减少32%。因此，11.4mΩ的MOSFET会产生约32%的额外损耗并更易发热。若RDS(on)随温度上升的斜率更大，虽然会导致更高损耗，但发热更严重的MOSFET会通过自我调节（升温导致电阻增加）使电流向低温器件转移。实际应用分析实际应用中的风险等级如何？由于并联MOSFET共享散热器（存在热耦合），这仍构成严重威胁。为验证此问题，我们通过仿真进行深入研究：假设两个HU3PAK封装的SCT011xx75 MOSFET（TO247封装表现会更好，此处选择更严苛案例），一个RDS(on)=11.4mΩ，另一个=15mΩ。散热器温度设定为90°C，采用导热界面材料（TIM）为填隙胶（导热系数7W/(m·K)，厚度0.4mm）。在总RMS电流140A条件下，重点关注导通损耗。HU3PAK的冷却面积为120mm²，计算得TIM导致的壳到散热器热阻为0.476K/W。模拟实验结果 ■ 140A电流中的63A流经15mΩ MOSFET，壳温为123.7°C，结温为139.9°C。 ■ 其余的77A流经11.4mΩ MOSFET，壳温为131.8°C，结温为151.8°C。当前电流失匹率为22%，而初始值为32%，并且两个MOSFET都有充足的温度裕度，即实际温度与最高绝对温度的差值很大。TIM导热胶的热梯度是一个关键因素，在15mΩ MOSFET中，从外壳到散热器，温度降幅达到33.7°C，而另一个MOSFET则达到41.8°C。在这种情况下，TIM导热胶才是真正的限制因素，而MOSFET之间的电流失衡不是问题。热导率选定为7W/(m∙K)，这个值不错，但并非最佳。幸运的是，近期市场需求推动了对此类材料的研究，现在已出现超过20W/(m∙K)的电隔离间隙填充材料。结论功率模块适合高功率应用场景，但分立MOSFET也具备诸多优势，使其同样适用于模块的功率范围。选择合适的MOSFET，需要考虑哪些关键因素？答案是优异的开关性能和出色的热管理性能。幸运的是，意法半导体的第三代SiC MOSFET应运而生，并联时仍能保持稳定开关性能，其导通电阻RDS(on)的热变特性在降低能量损耗和有效抑制热失控实现了双重优化。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-06-27 1050
米尔出席2025安路科技FPGA技术沙龙

2025年6月12日，由安路科技主办的2025 FPGA技术沙龙在南京正式召开，深圳市米尔电子有限公司（简称：米尔电子）作为国产FPGA的代表企业出席此次活动。米尔电子发表演讲，并展出米尔基于安路飞龙派的核心板和解决方案。现场，米尔与技术专家及生态伙伴共聚一堂，探讨前沿技术趋势，解锁定制化解决方案，共建开放共赢的FPGA生态圈！米尔电子向参会者展示FPGA核心板论坛上，米尔电子产品经理Jeson以“基于飞龙派的视觉应用和工控软硬解决方案”为题发表主题演讲。演讲首先回顾了FPGA技术40年的发展历程，指出当前市场亟需能与国际巨头比肩的国产FPGA SoC解决方案。作为嵌入式领域的领军企业，米尔电子与安路科技强强联合，成功推出国产FPGA产品。Jeson重点介绍了米尔在嵌入式FPGA模组领域的创新成果：通过前沿的设计理念和持续的研发投入，公司为客户提供了兼具高性能、紧凑尺寸、卓越稳定性和成本优势的解决方案，有效助力客户产品快速实现商业化。演讲最后，Jeson还分享了米尔基于安路系列FPGA产品的多个成功应用案例。米尔产品经理发表演讲此次活动，米尔电子带来国产FPGA产品：MYC-YM90X核心板及开发板。这款产品采用安路飞龙DR1M90处理器，高效赋能边缘计算。DR1M90是安路科技推出的SALDRAGON系列高性能FPSoC器件之一。它集成了双核ARM Cortex-A35处理器、FPGA可编程逻辑和AI引擎，延续了安路科技FPSoC家族的低功耗、软硬件可编程和高扩展性的优势。米尔基于安路飞龙派核心板的产品特点： 1.高性能计算（PS）：双核ARM v8架构，主频高达1GHz，满足复杂嵌入式系统的实时性需求。 2.可编程逻辑（PL）：提供94,464 LEs、240 DSP48单元、5.4Mb Bram，支持灵活的硬件加速功能。 3.可编程加速引擎(NPU，JPU)：搭载0.4 TOPS NPU与JPU图像编解码单元，专为高效边缘计算与视频处理设计。 4.丰富接口支持（connect）：支持LVCMOS、LVDS、三速以太网、USB、CAN-FD和MIPI等高速接口，通过PL侧可编程IO拓展更多用户可定制接口。

FPGA

米尔电子 . 2025-06-27 1190
充电宝频频爆雷，电路设计千万要注意这些点！

近日，知名充电宝品牌宣布召回50万台移动电源产品，原因是"部分电芯原材料来料原因，极少数产品在使用过程中可能存在过热现象，在极端场景下可能产生燃烧风险"。这一事件再次将移动电源的安全问题推到了风口浪尖。作为分立器件领域的专业厂商，我们不禁要问：除了电芯本身的质量控制外，还有哪些电子元件在默默守护着我们的充电安全？今天，我们就来深入探讨分立器件——特别是保护器件ESD（静电放电保护器件）和TVS（瞬态电压抑制二极管）在移动电源中的关键作用。一、移动电源的安全防线：不止于电芯移动电源的安全防护是一个系统工程，电芯质量固然是基础，但外围保护电路的设计同样至关重要。一套完整的移动电源保护系统通常包括： 1. 电芯本身的安全设计 2. 电池保护电路（BMS） 3. 输入/输出过压、过流保护 4. 温度监控和保护 5. 瞬态电压和静电防护其中，TVS和ESD器件主要负责后两项防护任务，它们是移动电源抵御外部电气威胁的第一道防线。二、瞬态电压的"闪电侠——功率TVS TVS（瞬态电压抑制二极管）是一种高效能的保护器件，能够在极短时间内（纳秒级）响应电压浪涌并将其钳位到安全水平。在便携式电源中，TVS主要发挥以下作用，MDD的功率TVS，专为高能瞬态电压抑制设计。具有200-5000W峰值脉冲功率（10/1000μs波形）响应时间达纳秒级，可快速钳位危险电压工作电压范围覆盖11V至440V，适配各种移动电源和户外储能超低泄漏电流，不影响设备正常工作时长符合RoHS标准的SOD123F DO214AC(SMA) DO214AA(SMB) DO-214AB(SMC)等封装例如5.0SMDJ系列采用CLIP结构，释放了芯片和支架之间的应力，可靠性高，已经在户外储能领域广泛应用。 SMF和SMF4L系列也广泛应用于移动电源受电端，减少热插拔带来的浪涌和异常静电带来的风险。该封装满足PCB小型化的需求。在移动电源中的应用价值： 1. 输入端口保护：当电网波动较大时，劣质充电器输出端会产生各种电压尖峰脉冲，从移动电源的输入端进入。移动电源输入端Vbus装配TVS，则能够迅速吸收这些能量，防止高压损坏内部电路。 2. 输出端口保护：移动电源连接感性负载时，可能会导致电压尖峰，TVS为这些不可预见的电压波动提供泄放路径。 3. 雷击耦合浪涌保护：虽然不常见，但在雷雨天气使用移动电源时，线缆耦合浪涌对充电回路产生破坏风险。TVS为此类极端情况提供额外保障。以此次充电宝召回事件为例，过热导致内部电路出现异常电压，但加载TVS防护的BMS电路中，TVS可以高效吸收异常电压，避免BMS芯片损坏导致监控失效带来的起火风险。三、静电的"无声守卫"——信号ESD ESD（静电放电保护）器件专门用于防护日常静电放电对电子设备的损害。人体静电可达数千伏甚至上万伏，足以损坏精密的充电控制芯片。 MDD的SDXXC系列双向TVS二极管专为ESD防护设计，具有以下特性：符合IEC61000-4-2 Level 4标准：±30kV（空气/接触放电）工作电压5-36V，匹配Type C输出的各种电压应用小尺寸封装SOD323，为客户产品节省空间在移动电源中，ESD保护的重要性体现在： 1. 接口防护：USB等外露接口极易受到人体静电放电影响。ESD器件为这些敏感节点提供低阻抗放电路径。 2. 芯片保护：现代移动电源使用的MCU、电量计等芯片对静电敏感，ESD器件为其I/O口提供贴身防护。 3. 提升耐用性：良好的ESD设计能显著提高产品在干燥季节（静电高发期）的可靠性。值得注意的是，在高温环境下（如此次召回事件中提到的过热情况），半导体器件的ESD耐受能力通常会下降，所以设计时ESD要留足余量。四、设计启示：如何构建更安全的移动电源从工程角度看，一次完整的安全设计应包括： 1. 多层次保护架构：采用"电芯-BMS-接口保护"的多级防护策略，避免单点失效。 2. 保护器件的合理选型： TVS应选择适当的钳位电压和功率容量 ESD器件需考虑结电容对高速数据线的影响 3. 布局优化：保护器件应尽可能靠近被保护端口，走线短而粗。 4. 安全冗余设计：关键保护功能应有备份机制，如温度保护可采用"软件+硬件"双监控。 5. 严格测试验证：包括但不限于：雷击测试（IEC 61000-4-5）ESD测试（IEC 61000-4-2）、异常充放电测试、高温老化测试五、消费者如何识别相对安全的充电宝？对于普通消费者，虽然无法直接查看内部保护器件，但可以通过以下几点判断产品安全性： 1. 认准正规品牌和认证标志（如CE、UL、PSE等） 2. 检查产品是否明确标注保护功能（过充、过放、短路等） 3. 注意产品做工，优质产品通常更注重内部保护 4. 避免购买异常轻便的"高容量"产品 5. 使用时注意异常发热情况，及时停止使用

MDD辰达半导体 . 2025-06-27 3 1 1560
安全稳定！德明利全栈国产化方案加速应用部署

6月26日，在北京举办的2025龙芯产品发布暨用户大会圆满落幕。德明利作为优秀的产业链合作伙伴受邀参展，展出全国产化存储方案，为工控领域、移动终端、数据中心等提供从芯片到系统的全栈赋能，共建安全可控信息技术体系。持续创新，全链条赋能数字化和国产化人工智能、云计算等新兴技术正重塑工业数字化进程和产业生态格局，德明利依托“芯片+算法+场景”的全栈自研技术能力，以自研SATA III控制芯片TW6501为基点，以创新RISC-V架构设计和关键IP的自主研发为核心，打造高可靠国产存储方案，提升重点行业关键信息基础设施领域的场景配能力。聚焦AI前沿，深化工业场景新机遇、新应用100%全国产化德明利全国产化工业级SSD方案搭载自研主控芯片与长江存储闪存颗粒，从芯片设计到生产制造全程国内完成，产品通过严苛的稳定性压力测试与可靠性验证，满足工业场景高强度、长周期作业需要。严苛工业高可靠DS1420系列：全链条保障工控作业性能覆盖128GB-2TB容量，具备-40℃至85℃宽温域工作能力，采用直写固件逻辑，内置电容实现 PLP保护，集成一键数据销毁机制，实现数据零丢失与存储服务持续在线。智慧化轻工业基础ES1020系列：适配多样化端侧AI硬件环境覆盖64GB-4TB容量，支持多形态，适配网络安全设备、工控计算机、记录仪等多样化端侧AI硬件环境，MTBF时长达200万小时，可擦写次数超过3K，配合自研直写算法实现7×24小时持续稳定写入，支撑高效稳定运行。智慧视频监控场景VS1030系列：AI智能监控结构化存储和实时计算系列产品结合智能分布数据流技术，通过动态写入机制实现持续高负载状态下50MB/s稳态写入带宽，保障16路4K高清视频连续30天不掉帧。同时结智能垃圾回收机制减少数据碎片化，延长产品使用寿命至300TBW，保障安防数据完整分析与画面连续性。强化自主可控存储技术，赋能国产化全域生态 AI浪潮为构建国产算力生态赋能工控场景应用奠定基础，德明利携手国产生态厂商打造全栈兼容方案和工业级可靠性标准制定，以本土供应链整合保障工业客户对长期稳定供货的需求，持续推动国产工业存储方案的规模化应用与协同发展。

德明利 . 2025-06-27 1 2785
贞光科技观察 | 紫光同芯THA6国产车规MCU突围之路

近日，AutoSEMI 2025智能汽车芯片产业大会圆满落幕，紫光同芯凭借在汽车芯片领域的卓越表现获颁"年度创新车规级芯片提供商"奖项。北京贞光科技有限公司作为紫光同芯授权代理商，深耕电子元器件领域数十载，专为汽车与工业客户提供车规级安全芯片及配套服务。市场窗口期的紧迫感紫光同芯技术市场总监罗正发在会上分享的《国产高端MCU THA6上车之路》让人印象深刻。他提到TechInsights的数据显示，全球汽车MCU市场将在2027年迎来向下拐点，而中国市场的窗口期更为紧迫，预计2025年达到峰值后随即面临下行压力。这个市场预判和我们在一线接触客户的实际感受高度吻合。在日常业务中，我们明显感受到客户对国产化替代的需求变得越来越迫切，同时对产品性能和可靠性的要求也在不断提升。罗正发指出，越是在这样充满挑战的市场环境中，越需要企业聚焦核心赛道。紫光同芯选择锚定动力总成、底盘域控、区域控制与新能源三电等应用领域，这个战略选择我们觉得很务实。毕竟在供应链安全和自主可控的大背景下，找到一个相对稳定的赛道确实更重要。 THA6芯片技术演进的实际路径从产品发展轨迹来看，紫光同芯的技术演进路线图相当清晰。早在2020年，他们就推出了第一代汽车域控芯片THA6 Gen1系列，这款产品成为国内首款获得ASIL D认证、率先通过百万公里路测的动力域控MCU。这个突破性成果让国产芯片在汽车核心动力域控领域站稳了脚跟，目前已经在多款国产车型上实现量产应用。 2023年推出的第二代THA6 Gen2系列更是全面对标国际大厂。作为国内首款采用Arm Cortex-R52+内核的ASIL D MCU，这个产品不仅延续了前代产品的优势基因，在实时处理能力和多核性能上也有了明显提升。罗正发在现场特别解读了内核选型的考量。他说："在汽车芯片的研发中，内核选择是牵一发而动全身的关键决策。R52+是Arm功能安全特性最高的内核，专为动力、底盘及智驾安全岛等汽车高安全场景量身定做，拥有业界成熟的软件工具链与开发生态，能有效降低客户开发门槛，加速产品落地。" 这番话让我们感触颇深，因为客户的开发难度直接关系到产品的市场推广效果。拥有成熟生态支持的芯片产品，不仅能够降低客户的技术门槛，对我们代理商而言也意味着能够为客户提供更全面的技术服务支持。全方位技术升级的标杆意义 THA6 Gen2系列的技术升级确实称得上全方位：在高安全方面，获得了ISO 26262 ASIL D流程与产品双认证及ISO/SAE 21434网络安全认证，内置硬件安全模块(HSM)，支持EVITA-Full级加密及国密算法(SM2/SM3/SM4)。在高实时性上，搭载400MHz高主频CPU，实现eFlash高速访问与低时延响应；集成GTM 4.1通用定时器模块及高精度DSADC、SARADC，能够精准满足电喷、电机控制等高实时应用需求。在高可靠性方面，通过了AEC-Q100 Grade 1严苛可靠性认证，并严格遵循VDA6.3 + ISO/TS 16949体系进行全流程品质管控，确保车规级产品的长期稳定运行。目前这个系列产品已经率先适配国内外主流工具链，导入了众多头部主机厂和Tier1，即将量产上车。平台实力与产业化经验紫光同芯作为新紫光集团汽车电子与智能芯片板块的核心企业，依托在安全芯片领域二十余年的研发和实践积累，深入拓展汽车电子前沿领域，形成了以信息安全和功能安全为基础，逐步覆盖周边配套产品的业务布局，赢得了多家头部主机厂和Tier1的认可。时代责任与产业机遇罗正发在演讲最后表示："汽车'新三化'浪潮正重塑全球产业格局，这既是本土芯片企业的黄金机遇，也是我们必须扛起的时代责任。"紫光同芯期待与产业链伙伴携手并进，以更多创新产品和解决方案，为中国乃至全球汽车产业的高质量发展注入"芯"动能。身处产业链关键环节，贞光科技深知自身责任的重大。在汽车芯片国产化替代的历史进程中，专业代理商不仅要承担好产品分销职责，更要在技术方案支持、供应链风险管控、产业生态建设等方面发挥更大价值，为国产车规芯片的市场化应用贡献专业力量。

国产汽车芯片

THA6国产芯片代理商 . 2025-06-27 1665
产品｜全新第二代1.2mΩ高边开关芯片HD80012

致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012，单通道低内阻1.2mΩ产品。自类比第一代高边开关芯片HD7XXX系列2023年面世以来，该系列产品已经在国内外知名Tier1和车厂大批量出货，高边开关系列产品累计出货量已突破千万颗。为解决国产1-4mΩ低内阻大电流高边开关芯片空白带来的供应链风险，类比半导体联合上下游供应链历经两年解决工艺，设计和封装等关键技术难点，实现高边开关芯片产品国产化新的进步。 HD80012系列产品特性内置电池反接保护和输入电源过压保护电路，无需外围增加TVS和防反二极管，减少系统电路复杂度和降低成本。工艺，设计，封装三方联合攻关，实现比肩国际厂商高边芯片产品的散热能力多重保护功能和CS负载诊断，快速过流保护和动态过温保护专利技术高精度的负载电流采样，高阶温度补偿专利技术，实现低温漂的负载电流采样

类比半导体

类比半导体 . 2025-06-27 840
技术 | 优化导航系统中的MEMS IMU数据一致性和时序

PNT专家Dana Goward在近期的一篇社论中指出，如今社会极度依赖GPS提供的位置导航授时服务(PNT)。现有GPS/GNSS PNT服务面临着一系列复杂威胁，众多导航平台开发人员必须快速评估新兴技术，以便帮助应对其当前PNT策略的脆弱性。自动驾驶汽车(AV)的制导与导航控制(GNC)系统就属于这类技术，它必须能够识别与PNT服务丢失或受损相关的一系列复杂威胁。事实上，许多AV开发商和运营商都面临着多重挑战，因此不得不开始考虑为其平台添加惯性传感器。对于初次使用微机电系统(MEMS)惯性测量单元(IMU)的企业来说，要以充分发挥其性能的采样速率来实现数据的同步性可能是一项重大挑战。即使在早期原型设计和初步现场试验中，采样速率和数据是否同步也会对最终系统性能产生影响，在系统开发人员需依靠初步结果来评估开发过程中的长期需求时，相关影响更加显著。因此，识别和优化MEMS IMU的关键工作特性是首要步骤。 MEMS IMU MEMS IMU通常包含三轴线性加速度计和三轴陀螺仪，用于测量物体在三个正交轴上的线性加速度和角速率。图1说明了其惯性参考系以及每个传感器的极性和轴线定义。图1. ADIS16576惯性参考系自动驾驶地面车辆(AGV)用例图2为AGV主处理循环的简化流程图，该AGV利用视频、车轮里程计和GPS实现惯性导航和跟踪。虚线部分说明了如何在这个循环中添加一个读取操作，以读取 ADIS16576 MEMS IMU的六个惯性传感器的数据。图2. AGV处理的简化流程图举例来说，主循环以50 Hz的主循环速率从视频和车轮里程表获取数据，同时以10 Hz的速率更新GPS/PNT数据。该AGV的第一代产品用于在空军基地的建筑物之间提供基本的补给运送服务。对于下一代产品，AGV操作员必须评估使用更多的传感器，以应对部分GPS中断情况（例如只有两颗GPS卫星可用）。此外，产品需要升级到GNC，以保障其在复杂越野环境中的速度能提高一倍。ADIS16576 MEMS IMU是供评估的优选产品。 MEMS IMU为了实现更优性能和运行状态，需要一定的采样速率，而目前循环更新速率与该采样速率的差异高达80倍，如何弥合此差距是首要挑战。提高GNC系统处理循环的速度需要进行重大改动，这对于第一批原型和初步现场试验来说可能不切实际。如何才能确保在初步现场试验中，更有效地评估MEMS IMU在这一特定用例中的价值？答案在于优化“数据缩减”、“时间一致性”、“同步”和“缓冲”这几个工作特性之间的合理搭配：数据缩减要降低数据速率，一种简单方法是以较低速率获取数据。然而，这种方法可能会造成信号欠采样，从而引入误差。在进行高动态运动或处于复杂环境中时，由于AGV平台主要依赖MEMS IMU传感器获取信息来提供反馈，因此更容易出现误差。MEMS IMU核心传感器（加速度计、陀螺仪）和信号链的带宽，通常比大多数其他AGV检测平台要宽。因此，任何旨在降低惯性信号数据速率的策略，都需要考虑降低带宽。在MEMS IMU的信号链中应用数字滤波，可以迅速解决这个问题。例如，将ADIS16576适配到图2中的系统时，将其Bartlett FIR滤波器设置为每级64抽头会使截止频率降至约20 Hz。将其抽取滤波器设置为每次数据更新平均需要80个连续样本时，其输出数据速率(ODR)会降至50 Hz。运用这些滤波器时，应确保数据宽度能够支持相应的位增长。在这个特定例子中，系统处理器需要为每个惯性传感器获取两个16位寄存器（总共32位）的数据。为了满足32位惯性传感器数据的要求，当使用突发读取命令、串行时钟频率为8 MHz且通信开销为4 μs时，通信序列时间将从24 μs增加到40 μs。时间一致性优化数据速率和相关带宽之后，下一个优化重点在于确保IMU数据采样与系统时钟参考的时间一致性。为了便于说明，我们将视频同步频率(50 Hz)定义为系统参考。以出厂默认配置运行时，ADIS16576使用内部时钟参考，这不可避免地会与视频同步频率存在一定程度的不匹配。当IMU的ODR低于视频同步频率时，偶尔会读取到过时的数据。当IMU的ODR高于视频同步频率时，会丢失或错过一些样本。这种情况发生的频率取决于各时钟之间不匹配的程度。另一个局限性则是IMU数据的延迟，其延迟变化时间可达一个采样周期(20 ms = 1/50 Hz)。有两种方法可以增强时间一致性。第一种方法是利用IMU的数据就绪信号触发IMU数据采集。图3为在两种不同操作后检查IMU数据的流程图。这种方法能够解决数据样本缺失的问题，确保以50 Hz的主循环速率来获取时间一致的IMU数据流。此概念还可以扩展到在GNC处理与视频读取的间隙，检查IMU中是否有新数据。图3. 使用IMU中断的简化AGV处理流程图同步确保时间一致性和精确延迟的另一种方法利用了MEMS IMU的外部同步特性。ADIS16576提供了两个主要选项：直接式和比例式。对于图2中的流程图而言，比例同步模式较为合适。系统时钟以50 Hz运行，而此器件在4000 Hz时性能最佳，因此将时钟比例设置为80倍。与片上滤波器结合使用时，结果仍为20 Hz带宽和ODR，但相对于系统时钟参考（视频同步频率），延迟是固定的。数据缓冲如果非常需要最快采样速率允许，但只能使用仅提供同步数据通信服务的平台进行初步现场试验，数据缓冲技术很有帮助。为了实现数据缓冲，系统架构师可以在选择IMU时明确要求其具备数据缓冲功能，或将IMU与共置的嵌入式处理器搭配使用。同样，对于图2中的示例，当禁用ADIS16576中的所有板载滤波时，板载FIFO将在主循环的一个周期内收集80个样本。此配置下无需在IMU的信号链中使用滤波，因此系统可以使用16位数据格式来优化通信时间。因此，当8 MHz的串行时钟且各16位通信段之间的停转时间为6 μs时，AGV处理器能够在不到4 ms的时间内获取所有六种惯性样本的全部80个样本。结语为了充分利用MEMS IMU的性能，系统架构可能需要进行重大调整。在投入大量资源推进此类升级之前，优化现有数字特性可以帮助AGV开发人员评估其应用场景，并最终针对其看重的目标，制定切实可行的计划。对于AV开发者而言，快速构建与MEMS IMU响应时间同步或相关的系统或模式是重要一步，将有助于他们应对不断扩大的任务范围，同时应对现有PNT服务日益增长的威胁。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-06-27 875
产品 | 圣邦微电子推出 8.5MHz，低噪声，轨到轨输入/输出运算放大器 SGM8610-2/SGM8610-4

圣邦微电子推出 SGM8610-2/SGM8610-4，一款 8.5MHz，低噪声，轨到轨输入/输出运算放大器。该系列器件可应用于电池供电设备、便携式设备、有源滤波器、医疗设备和信号调理。 SGM8610-2（双通道）和 SGM8610-4（四通道）是高性能的低噪声运算放大器，专为低电压应用而设计。它们能够在 2.5V 至 5.5V 的单电源或 ±1.25V 至 ±2.75V 的双电源下稳定工作，同时每个放大器的典型静态电流仅为 0.9mA，显著降低了功耗。此外，这些放大器支持轨到轨输入和输出操作，能够充分利用电源电压范围，提供更宽的信号动态范围。 SGM8610 系列运算放大器具备单位增益稳定性，提供高达 8.5MHz 的增益带宽积和 4.8V/µs 的快速转换速率，能够轻松应对高速信号处理的需求。它们还具有极低的输入偏置电流（典型值为 ±5pA），进一步提升了信号处理的精度和稳定性。凭借这些特性，SGM8610-2/4 在保持高速性能的同时，实现了低功耗运行，非常适合用于电池供电设备、便携式设备、传感器接口以及有源滤波器等对功耗和性能要求较高的应用领域。在封装方面，SGM8610-2 提供紧凑的 UTDFN-2×2-8BL 和 SOIC-8 封装，而 SGM8610-4 则提供 SOIC-14 和 TSSOP-14 封装，封装均符合环保理念。这些小型化封装不仅节省空间，还便于集成到各种紧凑型设备中。此外，SGM8610 系列在 -40℃ 至 +125℃ 的扩展温度范围内均能保持稳定的性能，使其能够适应从工业到医疗等广泛环境条件下的应用需求。图 1 SGM8610-2/SGM8610-4 封装引脚图

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-06-27 1185
产品 | 供应链全国产，赋能高精度电流测量系统！纳芯微发布闭环磁通门信号调节芯片NSDRV401

近日，纳芯微正式发布NSDRV401高精度闭环磁通门信号调节芯片。该产品专为闭环磁通门电流传感器设计，集成精密补偿驱动、电流检测放大器及2.5V基准源，支持4.5V至5.5V单电源供电，工作温度范围支持-40℃至125℃，适应复杂工业环境，为光伏，逆变器、充电桩提供高可靠、高隔离的电流测量解决方案。随着新能源与智能制造领域的高速发展，电流测量在系统安全与能效控制中的作用愈加关键。与此同时，复杂应用场景对测量精度、集成度与稳定性的要求也在不断提升，传统传感器调节芯片难以兼顾高精度、快速响应与多重保护，成为系统设计的瓶颈。纳芯微NSDRV401融合先进闭环控制机制与多重诊断防护能力，为客户带来全新电流测量解决方案。高精度闭环控制突破测量精度限制 NSDRV401基于闭环磁通门技术，通过补偿电流与原边电流的动态平衡，显著提升系统测量精度。芯片内置高性能电流检测放大器（CSA），输入失调电压低至±10μV（典型值），全温区温漂仅±0.1μV/℃，典型增益误差控制在±0.02%，温漂低至0.5ppm/℃，满足全温域内的精密电流测量需求。在动态响应方面，NSDRV401具备2MHz的-3dB带宽和8.5V/μs的压摆率，能够精准捕捉快速电流变化，满足高速电机驱动、功率变换器等瞬态响应要求。同时，CSA通道的共模抑制比（CMRR）高达90dB，电源抑制比（PSRR）达102dB，即使在强干扰场景中也能保持测量精度，保障测量稳定。全温度模组实测结果：电流检测精度优于0.5% 内置多重保护机制保障系统可靠运行为提升系统可靠性，NSDRV401还集成多项故障检测功能。芯片内置退磁电路，有效消除剩磁影响；同时支持磁探头线圈开路/短路、补偿线圈开路检测，并通过ERROR引脚实时反馈异常状态，防止系统损坏。通过严苛认证适配多场景应用在严苛环境适应性方面，NSDRV401表现同样出色。产品支持±4kV HBM、±1kV CDM的ESD防护，工作温度范围覆盖-40℃至125℃，可稳定运行于复杂工业环境。此外，NSDRV401采用带散热焊盘的QFN20封装，有效提升热传导效率，满足高功率密度系统的集成需求。 NSDRV401产品封装信息

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-06-27 740