安世半导体驱动“光储充”系统革新,加速基建领域高效优质化步伐
在中国,新能源电动汽车市场已经进入了高速发展期。根据公安部数据显示,截至2024年6月底,我国新能源汽车保有量已达2472万辆[1]。然而与电动汽车的需求增速相比形成巨大反差的是,作为电动汽车推广“最后一公里”的充电设施,其配套程度却尚未达到理想水平,充电站和充电桩设施的能源效率也有进一步的提升空间。 因此,这些都使得新能源电车充电站在技术创新和应用能效方面都需要变革和转型,既可以考虑让更多光伏储能充电一体化系统投入使用,也需要更多创新的功率半导体器件和IC芯片担当充电设施系统内核,从而有效解决充电站建设与运转所面临的挑战,并让广大新能源电动汽车用户获益。 市场与政策双重加持“光储充”将成为新生代交通基础设施 根据工信部规划,到2025年,我国将实现电动汽车与充电桩设施数量的车桩比2:1,2030年实现车桩比1:1[2]。由此可见,在新能源电动汽车用户需求高速增长的前提下,我国充电基础设施建设也已经进入快速发展阶段,并且将不断提速。而“光储充”一体化充电站,作为新能源汽车与可再生能源产业深入融合的切入点,也成为了发展迅速的产业新兴赛道。 “光储充”一体化是通过配置光伏、储能系统实现“削峰填谷”,维持电网稳定,最后通过充电桩为新能源车提供清洁电能,能有效解决传统充电桩用电对局域电网的冲击。与此同时,传统充电桩消耗的电能始于发电厂,而发电厂产生的电能大多来源于化石燃料的燃烧,与光伏充电桩相比,其能源并非是清洁无污染的。光伏充电桩的大规模建设,不仅能够满足国内电动汽车充电业务的需要,也能促进我国的经济能源转型,保护我们赖以生存的环境,在可持续发展上具有深远的意义。 光储充一体站的工作运行原理就是根据车辆的充电行为和光伏出力,制定日前运行策略。在一体化充电站内,光伏发电系统所发电能首先满足充电站需求,当不满足负荷需求时,储能系统放电,若仍不能满足,则从电网购电(一般是在夜间使用波谷电价);当光伏出力过剩时,可将过剩的电能给储能系统充电,也可以向电网售电,从而获得一定的收益。储能随着光伏发电及电价情况灵活调整充放电方式,减少充电桩的峰谷差,实现耦合增效,提高系统的经济性和清洁性。“光储充”的电站应用场景大致可以分为三类:城市充电站、高速服务区、工业园区。 光储充一体化充电站在市场需求方面可以说是“应运而生”。国家在政策端对“光储充”一体化充电站建设同样一直保持在高度关注和鼓励态势,并且近年来在政策推动的力度上,可谓“层层加码”: ▪ 2020年11月,国务院办公厅印发《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》,其中明确提出,鼓励“光储充放”多功能综合一体站的建设。新能源汽车“光储充”一体化充电站开始在电动汽车充电基础设施建设发展中引发关注和重视[3]。 ▪ 2022年1月,国家发改委等十部门印发《关于进一步提升电动汽车充电基础设施服务保障能力的实施意见》,文件提出,积极推进试点示范,探索单位和园区内部充电设施开展“光储充放”一体化试点应用。得益于政策推动,2022年以来,有多个城市、多家企业活跃在“光储充”一体化电站建设中[4]。 ▪ 2023年,国务院办公厅发布的《关于进一步构建高质量充电基础设施体系的指导意见》中提出,充分发挥新能源汽车在电化学储能体系中的重要作用,加强电动汽车和电网能量互动[5]。产业开始推崇V2G(Vehicle to Grid)理念,在一体化充电站应用过程中,更加注重实现新能源汽车与电网运营服务相互间的优化效应。 ▪ 2024年4月,国家能源局发布的《关于促进新型储能并网和调度运用的通知》中提出,电力调度机构应根据系统需求,制定新型储能调度运行规程,科学确定新型储能调度运行方式,公平调用新型储能调节资源。积极支持新能源+储能、聚合储能、光储充一体化等联合调用模式发展,优先调用新型储能试点示范项目,充分发挥各类储能价值[6]。 高性能、高效率半导体芯片 构成领先“光储充”解决方案 伴随着在市场规模和用户需求方面的持续上升,更多的“光储充”一体化系统投入使用,使得相应设施的能源转换和利用效率不断提高。而在光伏等可再生能源领域,半导体功率器件和IC芯片是可再生能源转换、存储和管理的关键部件,这些器件对于提高可再生能源系统的效率、可靠性和性能至关重要,尤其是新型宽禁带半导体材料,如:碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的开发,为可再生能源应用开辟了新的可能性。这些材料比传统的硅基半导体具有更加优越的性能,能够在更高的温度、电压和频率下工作。这一进步助力更紧凑、高效和稳健的能源系统得以实现,有利于满足“光储充”一体化充电站这类可再生能源基础设施规模不断增长的需求。 “光储充”系统主要构成的三大部分是光伏发电系统、储能集成系统和充电桩,其中光伏发电系统的转换效率、储能的电池循环性能和充电桩的系统效率,直接决定了“光储充”系统的整体性能和效率。 针对于“光储充”系统这种典型的可再生能源应用场景,安世半导体所提供的解决方案可用于光伏逆变器、储能变流器和EV充电桩三大板块,其中主功率变换、辅助电源、栅极驱动和保护、信号处理和传输等环节,安世半导体均能提供多样化选择,满足不同应用需求。 近期,安世半导体成功推出了多款半导体IC芯片,进一步丰富了其光储充一体化系统的解决方案,巩固了其方案解决商的能力。 安世半导体的NGD4300 120 V半桥栅极驱动器系列产品,可以用于包括逆变器/用户储能系统/充电桩等应用场景,控制器支持更短的传输延时,为提高系统的鲁棒性,提供了包括SOI层等在内的改善设计。在具体性能方面,NGD4300的输入电平瞬态耐负压可达-10 V,为电路提供了高可靠性;并且能够实现13 ns通道延迟、1 ns通道间延迟误差水平的快速瞬态响应能力;同时因为其能够以4 A驱动提升开关速度和0.7 mA的IDDbbO/IHBO工作电流,从而使电路拥有更高效率。 图注:NGD4300半桥栅极驱动器即便在-13 V的负压下,其高/低输入电平仍然能保持稳定、出色的工作状态。 安世半导体的NEX80806 AC/DC反激式控制器适用于光储电源系统的辅助供电模块,例如逆变器多个位置的反激辅助电源设计。NEX80806针对工业应用进行了多项芯片设计优化,其中有工业版本可以向客户提供线电压过压保护功能,实时的监控输入电压,使辅助电源免受电压波动的损伤;NEX80806还使用了先进的倒封(Flip Chip)封装工艺,有效的降低了芯片热阻,为工业应用提供了热冗余。与竞品相比,在相同的IC OTP保护阈值下,NEX80806系列产品将可以容忍的系统环境温度提高了20 ℃以上。 安世半导体的NXF650x驱动器变压器非常适合于需要高效率和低EMI干扰应用场景。该产品具备低RON和高输出(例如NXF6501可实现1.2 A电流,市面上同类产品一般为350 mA)驱动,可实现系统高效率;其具备其他竞品不具备的故障安全输入保护能力,能够防止反向供电,并允许任何阶次上电;能将EMI干扰降至更低超低辐射水平,达到或超过CISPR25 5级和CISPR32 B级。 除此之外,安世半导体还针对逻辑器件推出了最新的SOT8065封装技术,帮助器件实现高效的逻辑控制和信号转换能力。与含铅封装相比,SOT8065封装通过减少PCB面积来最大限度地节省应用成本;该封装提供侧边可湿焊盘(SWF),可实现自动光学检测;该封装提供所有流行的电压系列,可用于缓冲器、逆变器、门电路、开关、触发器和转换器等。 晶体管、二极管等功率器件诸多优势 促进“光储充”水平提升 从功率器件来看,安世半导体在“光储充”系统解决方案中采用的业界领先产品,包括GaN HEMT高电子迁移率晶体管、SiC MOSFET、SiC二极管、IGBT和中低压MOSFET等功率半导体器件,极大地促进了“光储充”系统实现更高的性能水平。 其中,GaN FETs器件具有高临界电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,能够在电源转换拓扑中,实现最高的转化能效和功率密度,最低的功耗/开关损失和系统成本,非常适合于在光伏逆变器、储能系统等高性能功率变换方面的应用。 目前,安世半导体是业内唯一可同时提供级联型(D-mode,Cascode)和增强型(E-mode)两种类型GaN FETs器件的供应商,并且独家提供拥有最佳散热性能CCPAK封装的650 V GaN FETs产品,可直接将“光储充”整个系统的转化能效提高至99%以上,开关频率的理想值可提升至1 Mhz以上,同时其CCPAK封装相较于竞品的GaN FETs产品拥有更高的可靠性。此外,安世半导体的GaN FETs器件还具备较低的反向恢复电荷(Qrr)、卓越的温度稳定性和优异的反向续流能力等多个技术领先优势,进一步巩固了其市场竞争力。 当下,为了克服电车续航里程和充电速度上的两大短板,电动汽车行业正加速从400 V转向800 V的电池系统,在这样的转变下,SiC几乎是唯一且完美的选择。而800 V电压系统就需要1200 V的耐压功率芯片,所以1200 V的SiC功率器件是业界共同的发力方向。目前安世半导体已成功研发出具有性能优异的1200 V SiC MOSFET,主要分为两大类:一类是采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET,另一类是采用越来越受欢迎的D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装的NSF0xx120D7A0系列SiC MOSFET产品。 安世半导体的SiC MOSFET器件具有优异的导通电阻随结温上升的稳定性、综合品质因数FoM和阈值电压稳定性,并且相比于竞品能实现较低的体二极管正向压降,其更小的门极电荷比可以降低器件由于噪声导致的错误开通的概率。安世半导体的SiC MOSFET器件由于具备更高的开关频率,因此可以选择使用更小的磁性器件(比如电感器),降低磁性器件的成本和体积,还可以使得开关损耗更小,从而降低系统发热。在一些高母线电压的应用如光伏逆变器中,采用拥有更高耐压的SiC MOSFET可以简化拓扑,提高效率,减少器件数量和系统成本。凭借这些卓越的工作参数和特性优势,安世半导体的SiC MOSFET大大提高了光伏、工业电源开关及汽车应用的安全性、稳健性和可靠性标准,从而可以满足电动汽车OBC、充电桩、不间断电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业应用市场。 工业应用往往伴随着大电流,当然可以采用功率模块的方式进行对应。但因为功率模块价格高昂,大部分情况下,仍然采用多管并联的方案。VGS(th)是在进行多管并联时影响动态均流重要的参数之一。安世半导体的SiC MOSFET具有业界领先的VGS(th)稳定性,减少由于VGS(th)不一致所造成的电流变化不均匀从而导致单个器件承受较大的电流应力,以及后续潜在的寿命和失效问题。 安世半导体的650 V IGBT产品能够实现低VCESAT以及开关损耗,参数稳定误差小,易于并联使用。该产品同样具有优秀的反向恢复能力,并能够在工作温度下达到更低的正向压降,同时拥有优异的电流能力,满足业界的RoHS和无铅标准。 和竞品相比,安世半导体的650 V IGBT具备优化的EOFF特性和更温和的电磁干扰,在尖峰电压方面可以提供更大的安全裕量,并具有优异的热性能和系统效率。 安世半导体的SiC二极管产品具备超低正向压降和优秀的反向恢复能力,其开关特性受温度影响小,并能够保持基于混合式PIN-SiC二极管(MPS)的高鲁棒性。 安世半导体的中低压MOSFET凭借行业领先的性能和广泛的规格覆盖,为新能源应用提供了卓越支持。这些器件采用创新的LFPAK铜夹片封装,涵盖7种以上封装形式,拥有超过400种料号,可灵活满足低压功率转换、充放电管理等多种应用需求。 此外,安世MOSFET产品广泛采用LFPAK铜夹片封装,不仅具备175 °C的结温特性(相较业内普遍的150 °C更具优势),还在焊接可靠性和抗PCB板弯曲能力方面表现出色。同时,该封装能够有效降低RDS(ON)导通电阻,并提供更高的ID(max)漏极电流,显著提升产品的整体竞争力。 最新推出的NextPower 80/100 V MOSFET系列采用CCPAK1212封装,具备最高持续505 A,峰值3558 A的ID(max)电流能力,0.67 mΩ的超低RDS(ON),以及优异的散热性能。本系列器件还提供顶部和底部散热选项,工程师可以灵活选择散热途径。该产品的发布进一步丰富了安世半导体的MOSFET组合,为高功率密度应用提供了更强的解决方案。 结尾 安世半导体致力于通过创新的前沿技术,为“光储充”系统的光伏逆变器、储能变流器、EV充电桩提供更高效的解决方案。随着“光储充”系统部署规模的扩大和产业效应的提升,不断更新迭代的半导体产品与解决方案,尤其是WBG宽禁带半导体技术的突破,将在以光伏为代表的可再生能源系统实施和优化方面发挥越来越重要的作用。这种持续的演变,不仅有望满足不断增长的能源需求,而且将以可持续、高效和环保的方式来实现。 1. 参考自公安部官网信息:https://www.mps.gov.cn/n2254098/n4904352/c9650715/content.html 2. 参考自中国政府网信息:工业和信息化部等八部门关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知 https://www.gov.cn/ 3. 参考自中国政府网信息:国务院办公厅关于印发新能源汽车产业发展规划2021—2035年的通知 https://www.gov.cn/zhengce/content/2020-11/02/content_5556716.htm 4. 参考自发改委官网信息:【《国家发展改革委等部门关于进一步提升电动汽车充电基础设施服务保障能力的实施意见》政策解读】 https://www.ndrc.gov.cn/ 5. 参考自发改委官网信息:构建高质量充电基础设施体系,支撑新能源汽车高质量发展——《关于进一步构建高质量充电基础设施体系的指导意见》专家解读 https://www.ndrc.gov.cn/ 6. 参考发自国家能源局官网信息:国家能源局印发通知,促进新型储能并网和调度运用 https://www.nea.gov.cn
安世
安世半导体 . 2025-01-14 980
搭载翱捷科技ASR1901, 芯讯通推出全新5G模组A8200
近日,搭载翱捷科技5G芯片平台ASR1901,芯讯通推出全新的5G模组的A8200。作为高性能的5G蜂窝通信模组,A8200具备高速率、高连接密度、低延迟、高可靠等核心优势,能广泛适用于无线视频监控、远程医疗、智慧电力电网、智慧工厂等应用场景,推动物联网应用向更高效、更智能化的方向发展。 芯讯通A8200内置的芯片ASR1901,是翱捷科技面向5G移动宽带和工业物联网应用而推出的5G先进芯片平台,基于12nm制程,符合3GPP R16标准。其强大的性能可适用于广泛应用场景,助力推动5G时代物联网行业的数字化转型和智能化升级。 核“芯”加持 移动通信能力全面提升 芯讯通A8200高性能高性价比5G模块,基于ASR1901平台。该模块具备多模通信能力,支持5G NR、LTE和WCDMA等多种网络制式,兼容5G SA(独立组网)和NSA(非独立组网)模式。同时支持载波聚合、VoNR和VoLTE等关键功能,全面满足不同使用场景的需求。特别是对于具备语音需求的终端设备,A8200能够提供卓越的语音通话质量,为用户带来更加出色的通信体验。 在网络通信层面,A8200展现出强大的自适应能力,能够自动适配5G NSA和SA双模网络。在速率表现上,在Sub-6G SA模式下,A8200下行速率可达4Gbps,上行速率可达1Gbps。外形上,模块采用市场主流的LGA封装,尺寸大小41*44*2.85mm。频段上,该系列产品拥有支持中国区、欧洲区、南美洲区等不同地区频段的版本,可供客户根据需求灵活选择。 广泛适配,深度融合数字经济时代 芯讯通A8200还具备丰富外设接口。可广泛适用于无线视频监控、远程医疗、智慧电力电网、智慧工厂等应用场景,有力推动5G时代物联网行业的数字化转型与智能化升级,为终端客户部署多样化的5G应用提供坚实支撑。 数字经济时代,5G已经与各个产业形成了深度融合,推动着新科技、新经济、新技术的高速演进与发展。5G的广覆盖、高速率、大带宽、低时延等优势,成为各产业转型的重要基石。随着全球5G基础设施的不断完善和应用的持续深化,芯讯通5G模组系列产品将成为推动数字经济高质量发展的关键要素之一,助力各行业探索更多创新应用,加速实现智慧生产、智慧生活、智慧工作、智慧医疗、智慧交通、智慧城市的发展愿景。
翱捷
翱捷科技股份有限公司 . 2025-01-14 1335
机器视觉重构工业生产│工业相机晶振应用
工业相机 市场应用趋势 晶振应用方案 工业相机是一种用于工业自动化和机器视觉领域,能够高效、精确地获取目标物体图像并与自动化设备配合,进行图像处理与分析的专业相机设备。随着工业4.0和智能制造的发展,工业相机的需求和市场迅速增长,尤其在质量检测、生产线监控、自动化控制和机器视觉等领域的应用尤为广泛。 一、工业相机市场应用与趋势 工业相机的主要应用领域涵盖了制造业、电子行业、医药工业、汽车制造、物流等。随着各行业自动化水平的提升而呈现快速增长态势。 根据市场研究,工业相机市场近年来保持了高速增长,尤其是在亚太地区,市场需求尤为旺盛。预计到2025年,全球工业相机市场规模将达到数十亿美元。这一增长得益于以下几大趋势: 01 智能制造与工业4.0的推动 工业4.0的核心是智能制造和自动化,而机器视觉作为其中的关键技术,极大地推动了工业相机的需求。 02 人工智能与大数据的融合 随着人工智能和大数据技术的发展,工业相机不再局限于简单的图像采集,而是与深度学习、边缘计算等技术相结合,实现对复杂图像数据的实时分析和决策。 03 高分辨率和高速化 随着行业对精度和效率要求的不断提高,工业相机的技术发展也在不断升级。高分辨率(如8K及以上)和高速成像的相机将成为未来的主流。 04 多样化的接口与通讯协议 随着工业物联网的普及,支持多种通讯协议(如EtherCAT、Profinet等)的工业相机能够更好地融入自动化系统中,增强数据的流动性和系统的协同效应。 在这些应用场景中,工业相机都要求时钟设备具有较高的精度与准确性。 二、晶振在工业相机中的应用 《工业相机运作流程示意图》 在工业相机的各个模块中,晶体振荡器(晶振)起到提供精确时钟信号的作用,主要用来确保系统中的各个部分能够同步运作,保证信号的稳定和正确处理。不同模块对晶振的频率、精度、温度稳定性等参数有不同的要求。 工业相机常用频点:32.768KHz、24MHZ、25MHZ、27MHZ、40MHZ、100MHZ、125MHZ、156.25MHZ 32.768KHz谐振器 目前工业相机方案主流采用的是封装为3.2*1.5的32.768KHz谐振器。 MHz谐振器 工业相机应用中MHz谐振器主要采用3225/2520尺寸,部分sensor应用有晶振小型化(2016)需求。 CMOS振荡器 工业相机应用要求振荡器具备高精度,高稳定性。部分模块设计可能需要应用特殊频率的振荡器,可通过预编程振荡器满足设计需求。 差分振荡器 万兆网工业相机通常选用156.25MHz等较高频率,并且对抖动有较高要求。 (YSO230LR抖动≤0.1pS,可满足常规工业相机方案对振荡器的抖动需求)
晶振,有源晶振,温补晶振,差分晶振,谐振器,工业相机
扬兴科技 . 2025-01-14 8383
晶尊微SC09B触摸芯片助力奔驰E级的HVAC系统提升触控体验
奔驰E级(Mercedes-Benz E-Class)是奔驰品牌中的一款中大型豪华轿车,以其豪华内饰、舒适驾乘和先进技术而著称。 为了满足广大粉丝的好奇心,我们带大家来揭秘奔驰E级轿车的HVAC系统。该触控系统的触控部分采用的是晶尊微SC09B触摸芯片,确保了反应灵敏且用户友好的交互性能。 奔驰E级的HVAC系统是主要用来控制车内的加热、通风和空调,能够快速实现用户对温度和风速的调节,其触控部分采用的SC09B触摸芯片能够准确地感应到手指的触摸操作,按键输出经过完全消抖,能够保持自动校正,无需外部干预。 以上是HVAC系统触控部分的内部电路板实拍图。相比传统机械按键,触摸按键的设计往往更为简洁,且操作直观,为驾驶者带来了一种前卫的操作体验。 晶尊微SC09B触摸芯片,按照工业级设计,一致性好,有超强抗干扰能力和稳定性。 优势: 应用电路简单,体积小,便于集成; 灵敏度可按照不同需求和应用场景进行调整,设计灵活; 简洁的智能触控界面,更具科技感,有助于提高产品的市场竞争力。 因此,广泛用于工业控制、家用家器、车载设备(后装)、消费电子、医疗设备等领域。 欢迎联系我们定制专属解决方案! 【END】
触摸芯片
原创 . 2025-01-14 8354
成功量产!德明利实现SATA SSD存储控制芯片关键IP和技术平台全自研
2024年下半年,德明利充分利用自身在芯片设计领域的专长能力,实现关键IP与技术平台的高度自研集成,逐步形成“自主研发-市场反馈-产品迭代-生态建设”良性闭环发展,构建起一套完整且高效的技术体系,目前TW6501 已成功完成客户导入并实现量产。 实现核心IP模块及SSD产品自主研发 公司掌握了新一代存储介质管理、硬件加速引擎及软硬件协同、数据安全以及低功耗设计方案等核心关键技术,在“数据读写、处理到存储”全流程数据路径关键环节,建立起流畅交互、高效运算、安全管理及能耗管控综合能效优化体系,全方位驱动存储芯片的高效运算和品质提升。 打造了集“完整性、成熟度和兼容性” 三位一体的技术研发平台 全面贯穿芯片设计、芯片验证、固件协同开发、硬件系统构建、配套软件研发、系统级测试管理以及介质特性分析等完整的产品开发流程,各技术平台相互协作,将芯片开发与产品开发协同起来,大幅缩短产品开发周期,提升了研发效率,全方位赋能存储产品战略落地。 公司将持续积极投入存储芯片设计业务,坚持“软硬件自主可控”的技术战略,继续深耕存储技术深水区,拓展多元行业生态合作,共探存储芯片创新应用,构建存储生态体系,助力科技进步。
德明利
德明利 . 2025-01-14 1 1 8457
由 Arm 驱动的 NVIDIA Project DIGITS 为数百万开发者带来高性能 AI 算力
在今年的国际消费类电子产品展览会 (CES) 上,NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋在主题演讲中发布了个人 AI 超级计算机 NVIDIA Project DIGITS,朝着 “随处可开发和部署 AI” 的愿景又迈近了重要一步。基于 Linux 系统的 Project DIGITS 搭载了 Arm CPU 核心,使每位 AI 开发者都能拥有一套高性能的 AI 桌面系统。 图:由 Arm 驱动的 NVIDIA Project DIGITS 为数百万开发者带来高性能 AI 算力 Project DIGITS 采用了全新 NVIDIA GB10 Grace Blackwell 超级芯片,搭载 NVIDIA Grace CPU 、 NVIDIA Blackwell GPU、新一代 CUDA® core和第五代 Tensor Cores,通过 NVIDIA NVLink®-C2C 片间互连技术实现连接,并配有 128GB 的统一的高一致性内存。NVIDIA Grace CPU 搭载了先进的高性能 Arm Cortex-X 和 Cortex-A 技术,配置 10 个 Cortex-X925 和 10 个 Cortex-A725 CPU 核心。NVIDIA GB10 超级芯片能以 FP4 计算精度提供高达 1 PFLOPS (1,000 TFLOPs) 的 AI 性能,使开发者能对 AI 大模型进行原型设计、微调和推理,同时还能与云端或数据中心环境无缝对接,实现协同工作。 Arm 计算平台的价值 借助无处不在的 Arm 计算平台,新的 AI 模型和应用能更高效、更快速地在边缘侧运行。在消费级技术市场,不论是用于 Project DIGITS 的最新 Arm CPU,或是集成在 Arm 终端计算子系统 (CSS) 的一部分,Arm CPU 技术已成为市场中高性能边缘侧设备的核心驱动力。这些 CPU 技术经过精心优化,可在各种实际用例和工作负载中实现最大性能和最高效率。 Arm 计算平台还兼具灵活性,可针对不同的 AI 应用场景使用不同的计算引擎。在 NVIDIA Project DIGITS 中,基于 Arm 架构的 NVIDIA Grace CPU 和 NVIDIA Blackwell GPU 互相协作,使开发者能够将这些组件用于各种工作负载。这种异构计算策略对于最大化 AI 性能,同时管理内存利用率和功耗至关重要。 NVIDIA SoC 产品副总裁 Ashish Karandikar 表示:“我们与 Arm 在 GB10 超级芯片的合作上,巧妙地结合了 NVIDIA 的 AI 专业知识与 Arm 可扩展的计算平台,实现了出众的性能和能效,将推动下一代 AI 创新。随着 Project DIGITS 的推出,每位 AI 开发者和研究员都将能拥有一台功能强大的超级计算机。” 释放软件创新的潜能 对于开发者而言,拥有一个完全集成的软硬件 AI 平台至关重要。Project DIGITS使用开源 Linux 操作系统,用户可以访问资源丰富的 NVIDIA AI 软件库,包括 NVIDIA NGC 目录和 NVIDIA 开发者门户网站中提供的软件开发套件、编排工具、框架和 AI 模型,以加快生成式 AI 的工作流程。 Arm 和 NVIDIA Grace Hopper 和 Grace Blackwell 在数据中心的合作,为数据中心和边缘侧设备环境提供一致的平台架构,使开发者能够无缝地使用同一套工具进行 AI 应用开发。此外,Arm 不断积极推动开源开发者社区的重要工作,旨在开发出适配的软件,加速AI 的全面部署。目前,全球已有超过 2,000 万软件开发者在 Arm 计算平台上构建自己的应用程序,共同推动着一个快速创新、日益壮大的开源社区。 赋予高性能 AI 算力的理想平台 Arm 作为当前和未来 AI 领域应用最广泛的计算平台,自然而然地成为了 Project DIGITS 中 GB10 超级芯片的理想平台。Project DIGITS是一个功能强大的个人计算机桌面平台,能够运行高达 200B 参数的 AI 大模型,让原本的不可能变为可能。这种对 AI 生态系统的广泛影响力,为全球数百万开发者带来了灵活、高性能且高能效的 AI 功能。通过与 NVIDIA 及 Arm 强大的软件生态系统紧密的合作,我们翘首以待下一代极具创新的 AI 应用的问世。
AI
Arm . 2025-01-14 1010
国产FPGA SoC芯选择,米尔安路飞龙核心板重磅发布
在边缘智能、物联网、5G通信和自动驾驶等技术的快速发展下,FPGA市场需求呈现爆发式增长。国产FPGA也在这场技术浪潮中崭露头角,吸引了广大行业人士的关注。 今天,米尔电子基于安路科技最新一代国产工业级FPGA FPSoC——发布MYC-YM90X SOM模组及评估套件。该产品采用安路飞龙DR1M90,95K LEs 可编程逻辑,片上集成 64位2*Cortex-A35 @1GHz处理器,适用于复杂的实时嵌入式系统应用,支持多种内存接口和丰富的外设端口,满足多样化场景需求。 通过硬核NPU,JPU,MIPI 来支持边缘智能应用,为FPGA市场注入新的活力。SOM模组标配1GB DDR3和8GB eMMC大容量存储,满足用户数据处理日益增长需求。 MYC-YM90X 核心板——小尺寸,大功能 安路飞龙DR1M90:高性能与丰富接口赋能边缘计算 DR1M90是安路科技推出的SALDRAGON系列高性能FPSoC器件之一。它集成了双核ARM Cortex-A35处理器、FPGA可编程逻辑和AI引擎,延续了安路科技FPSoC家族的低功耗、软硬件可编程和高扩展性的优势。 核心亮点 1.高性能计算(PS):双核ARM v8架构,主频高达1GHz,满足复杂嵌入式系统的实时性需求。 2.可编程逻辑(PL):提供94,464 LEs、240 DSP48单元、5.4Mb Bram,支持灵活的硬件加速功能。 3.可编程加速引擎(NPU,JPU):搭载0.4 TOPS NPU与JPU图像编解码单元,专为高效边缘计算与视频处理设计。 4.丰富接口支持(connect):支持LVCMOS、LVDS、三速以太网、USB、CAN-FD和MIPI等高速接口,通过PL侧可编程IO拓展更多用户可定制接口。 Mutilchipà One chip FPSoC 单片全场景解决方案 集成加速引擎,助力边缘智能 双核Cortex-A35 + 95K LEs等效逻辑单元,定义边缘智能新高度 开发资源丰富,快速上手 米尔为MYC-YM90X核心板及开发板提供完善的开发资源,包括: 操作系统支持:预装Linux系统,支持用户定制化开发。 配套文档:详细的用户手册、原理图PDF、BSP源码包和外设驱动。 开发工具:提供成熟的开发环境和技术支持,帮助开发者快速启动项目。 强劲边缘智能平台,定义行业新标准 评估板接口丰富,开箱即用 配套软件开发资源丰富 MYC-YM90X核心板:工业级品质与紧凑设计 MYC-YM90X集成了DR1M90、DDR、eMMC、QSPI、WDT、Osc、Power IC等电路,在50mm x 52mm x 1.6mm的紧凑尺寸中实现了高功能密度。工艺设计 12层高密度PCB设计:采用沉金工艺生产,具备独立接地信号层,提升信号完整性。 LCC + LGA封装:核心板背面设计有200个引脚,确保可靠焊接与稳定连接。 工业级元器件:经过宽温、高湿、振动等环境适应性测试,适应恶劣工业条件。 LCC+ LGA封装,小尺寸,大功能! 自有工厂,国际认证标准,品质可靠 多元化应用场景 凭借强大的边缘计算能力和广泛的接口支持,MYC-YM90X核心板在以下领域具有广泛的应用前景: 机器视觉:支持复杂图像处理与实时边缘计算。 工业控制:满足工业设备高实时性与稳定性要求。 能源电力:优化智能电网与新能源设备的运行效率。 汽车电子:赋能智能驾驶与车载系统。 多场景应用,工业级设计的最佳选择 配套开发板型号与核心板配置 MYC-YM90X核心板支持多种型号配置,用户可根据项目需求选择不同存储与接口规格。此外,米尔提供全套开发板解决方案,包含必要的外围接口模块,助力用户快速搭建测试环境。 核心板配置型号 产品型号 主芯片 内存 存储器 工作温度 MYC-YM90G-8E1D-100-I DR1M90GEG484 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YM90M-8E1D-150-I (支持硬核MIPI,待上市) DR1M90MEG484 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ 开发板配置型号 产品型号 主芯片 内存 存储器 工作温度 MYD-YM90G -8E1D-100-I DR1M90GEG484 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYD-YM90M-8E1D-80-I (支持硬核MIPI,待上市) DR1M90MEG484 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ 结语 国产FPGA正以强劲的势头推动技术创新,安路DR1M90核心板及其开发板作为代表性产品,为边缘计算和人工智能应用提供了强大的技术支持。米尔电子将继续以客户需求为中心,提供高品质、高可靠性的国产化解决方案,助力更多企业实现数字化转型与技术升级。 更多精彩内容,欢迎关注米尔电子公众号,第一时间获取最新技术资讯和产品动态! 天猫链接: https://detail.tmall.com/item.htm?id=873418199550
国产FPGA
米尔 . 2025-01-14 8536
人形机器人产业趋势已成,NVIDIA推出系列工具加速开发进程
如今人形机器人已经成为全球关注的焦点,从实验室到现实应用,再到资本市场,人形机器人技术不断取得突破,它甚至开始有落地产品出现,并带来了新的机遇。 不久前的1月7日,国务院还发文重点支持人形机器人技术在养老领域的研发应用。资本方面,人形机器人的融资也一笔接着一笔,近期获得大额融资的人形机器人公司就有不少,比如傅利叶智能完成了高达8亿元的E轮融资;杭州西湖机器人完成了天使+轮融资等。在新进展方面,近日,阿加犀智能联合高通发布了人形机器人“通天晓”;马斯克表示,今年预计生产数千台人形机器人,如果进展顺利,2026年会上升到5万到10万台,2027年再增长10倍。 一直关注人形机器人发展的NVIDIA CEO 黄仁勋也在1月8日的2025 CES的主题演讲中表示,人形机器人时代即将到来。为此,NVIDIA面向物理AI开发者社区开放了Cosmos世界基础模型,同时还推出了一系列基础模型、数据管线和仿真框架,以加速下一代人形机器人的开发进程。 比如,针对人形机器人的基础训练方面,NVIDIA曾经在2024年3月份的GTC大会上推出了首个人形机器人通用模型GR00T,这次NVIDIA则更近一步,推出了NVIDIA Isaac GR00T Blueprint,该 Blueprint 可帮助开发者生成海量的合成运动数据,以便通过模仿学习来训练人形机器人。 模仿学习是机器人学习的一个子集,它能让人形机器人通过观察和模仿人类专家的示范来获取新技能。在真实世界中收集这些广泛、高质量的数据集既繁琐又耗时,而且成本往往高得令人却步。通过用于合成运动生成的 Isaac GR00T Blueprint,开发者只需少量人类示范,就能轻松生成海量的合成数据集。 首先通过 GR00T-Teleop 工作流,用户可以借助 Apple Vision Pro 在数字孪生环境中捕捉人类动作。这些人类动作会被记录下来作为金标准,并在仿真环境中由机器人模仿学习。 然后,GR00T-Mimic 工作流会将捕捉到的人类示范扩展成更大的合成运动数据集。最后,基于 NVIDIA Omniverse 和 NVIDIA Cosmos 平台构建的 GR00T-Gen 工作流,会通过域随机化和 3D 提升技术,指数级扩增这个数据集。 之后,该数据集可作为机器人策略的输入,在 NVIDIA Isaac Lab(一个用于机器人学习的开源模块化框架)中,教会机器人如何在其环境中高效且安全地移动和互动。 除了Isaac GR00T Blueprint,NVIDIA全新推出的Cosmos世界基础模型平台也有助于人形机器人的开发。因为人形机器人的训练需要大量的真实数据和测试,而Cosmos世界基础模型能让开发者轻松生成大量基于物理学的逼真合成数据。当然,Cosmos不仅可以用于人形机器人开发,也能用于自动驾驶、视觉AI等应用的开发。 再加上Omniverse,NVIDIA的人形机器人生态系统正在逐渐完善,助力加速下一代人形机器人的开发。据悉,波士顿动力、Figure、宇树等人形机器人公司都在采用NVIDIA的开发工具开发人形机器人产品。
人形机器人
芯查查资讯 . 2025-01-13 2 1 1070
HPM6E80高压伺服EtherCAT驱动器方案
求远电子基于先楫半导体HPM6E80推出的HPM6E00_EtherCAT_MDR高压伺服EtherCAT从站驱动器方案,提供完善的软硬件参考,可极大的降低产品开发难度,缩短产品上市时间。 HPM6E00_EtherCAT_MDR 高压伺服EtherCAT从站驱动器 总线型伺服驱动器是一种用于控制伺服电机的设备,它通过总线通信协议(如CANopen、EtherCAT等)与上位机或控制系统相连,实现高效、精准的数据传输与控制指令下达,能同时控制多个伺服电机协同工作,在自动化生产线、数控机床、机器人等领域应用广泛,具备高速响应、高精度定位、灵活组网等优点。 HPM6E00_EtherCAT_MDR是求远电子基于HPM6E80精心推出的一套高压伺服EtherCAT从站驱动器方案。依托EtherCAT通信技术,作为从站与主站进行高效的数据交互,接收主站下达的各类控制指令,像位置控制指令、速度调节指令以及力矩设定指令等。在高压环境下,其凭借出色的性能,精准驱动高压伺服电机运转,确保电机在高电压工况下依然能实现稳定且精确的位置控制、速度跟随以及力矩输出,为众多对精度和动力要求较高的工业应用场景,比如大型数控机床、重型自动化生产线等,提供可靠的动力支持与精准的控制保障。该控制器具有两端口的EtherCAT从站输入输出,支持EtherCAT CIA402协议,支持多种编码器、通讯接口及控制接口。该方案完成度高,用户可快速评估功能,极大地降低产品开发难度,缩短产品上市时间。 图1 整机图 驱动器特点: 输入:AC 200-240V 4.0A 50/60Hz 输出:AC 0-240V 2.8A 0-500Hz 400W 600M双核RISC-V处理器提供澎湃动力 支持两端口的的EtherCAT从站输入输出 支持EtherCAT CIA402协议 支持支持多摩川绝对值编码器以及增量式编码器 支持两路隔离CANFD、两路隔离RS-485、两路RS-232 支持8路隔离DI、8路隔离DO 内带调试器,可直接通过外部USB口进行软件调试、下载及串口通信 接口说明图 整体控制流程: 在本方案中,伺服电机采用了先进的FOC三环控制方式,这其中涵盖了极为关键的电流环、速度环以及位置环。通过这三环的协同配合,使得电机可以达成对位置、速度以及力矩的精确控制,从而在各种应用场景中都展现出卓越的性能。与此同时,本方案借助三路sigma-Delta ADC来采集三相电流,它能够以高精度、高频率的方式捕捉电流数据,为后续的控制调节提供可靠依据。而且,还运用编码器来采集位置信息,并将其作为反馈内容,通过这样的反馈机制,电机可以实时根据实际情况进行调整,进而真正实现精确的位置控制,让整个系统运行得更加稳定、高效且精准。 控制流程 HPM6E00系列处理器介绍 HPM6E00系列MCU是上海先楫推出的一款高性能、高实时以太互联,双RISC-V内核的微控制器。HPM6E00系列提供多达4端口千兆以太交换机,支持时间敏感网络(TSN: Time-Sensitive Networking),并且支持EtherCAT从站控制器(ESC:EtherCAT Slave Controller),以及32路高分辨率PWM输出,Σ∆数字滤波,高精度运动控制系统,可以在工业自动化领域实现基于高实时性低延时以太网的高性能伺服电机控制、机器人运动控制等应用。 处理器优势特点: 高性能双核RISC-V处理器,主频高达600MHz; 片内最大支持2MB SRAM; 支持4端口千兆以太网交换机,且支持TSN协议; 支持3端口的EtherCAT从站控制器; 支持4个高分辨率PWM模块(32通道),调制精度高达100ps; 支持4个编码器接口,支持脉冲式与绝对值式位置传感器,2个旋变解码器; 支持运动管理控制器、坐标变换器和环路计算器以及可编程逻辑模块PLB; 支持4个高性能ADC,16位/2MSPS(或12位/4MSPS),最大32路模拟输入引脚; 支持2个Σ∆数字滤波SDM; 支持8路CANFD等众多通讯接口。 HPM6E00芯片资源框图
伺服驱动器
先楫半导体HPMicro . 2025-01-13 1 1145
2024年电子元器件价格涨跌幅排行榜TOP15
芯查查作为电子信息产业数据引擎,不仅有海量的芯片大数据及丰富的产业链上下游资源,也在运用供应链波动工具,梳理和分析电子元器件的库存、价格、交期等市场行情信息,为元器件选型和采购提供参考。 根据芯查查2024年对电子产业链的监控,我们整理出来了2024年电子元器件价格涨幅和跌幅最大的15个产品型号,供行业参考。 2024年电子元器件价格涨幅TOP 15 根据芯查查监测,在2024年涨幅最高的电子元器件型号为美光的MTFDKBZ3T8TFR-1BC1ZABYY,该器件在2024年年初的价格为3703元,年底的价格为6541元,涨幅高达76.63%。这是一款支持PCIe4.0的存储器。 除了涨幅第一的MTFDKBZ3T8TFR-1BC1ZABYY,美光还有一款DRAM产品上榜,那就是MT40A1G16TB-062E IT:F TR,该产品从年度的88.254元,上涨到了150.391元,涨幅70.41%。 从这两款存储器件的涨幅,可以大致看出今年的存储市场变化。2024年存储市场增长迅速。根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计,2024年半导体市场将增长19%,其中存储市场贡献最大,其涨幅预计在81%左右。 2024年存储市场之所以能够实现如此强劲的增长, 主 要归因于AI应用领域对于存储器需求的持续攀升,这一年存储器价格呈现上涨趋势,尤其是DRAM产品。 不过2025年,存储市场能否持续上涨可能就一个未知数,虽然与AI相关的HBM存储的产能已经被订购一空,但DRAM的价格在2024年年底出现松动,有下行趋势。 图1:2024年价格涨幅排行TOP15(数据来源:芯查查) 涨幅排名第二的产品是来自Microchip的ATF750LVC-15SU,该产品年初的价格是17.399元,年底已经上涨至29.935元,涨幅72.05%。这是一款CPLD产品,它来自Microchip收购的一家公司ATMEL, 涨幅排名第4的是来自瑞能的一款晶闸管产品BTA41-600BQ,该产品从10.75元涨到了18.014元,它具有大电流可控硅、低热阻、高工作结温能力(Tj最高可达150℃)、高电压能力,可用于高电流/高浪涌应用,以及电暖、电机等高功率的工业控制常营。 排名第5的是来自ADI的DSP产品AD536AJQ,这是一款完整的单芯片运算放大器芯片,可执行真均方根-直流转换。它提供的性能可与价格昂贵得多的混合或模块化装置相媲美或更胜一筹。AD536A直接计算任何包含交流和直流成分的复杂输入波形的真有效值。波峰因数补偿方案允许波峰因数高达7时的测量误差为1%。该器件的宽带宽将测量能力扩展至300 kHz,对于大于100 mV的信号电平,误差小于3 dB。具体信息可以参考芯查查上的数据。 排名第6至10的产品分别是安世的整流器产品BAS70LSYL、金升阳的电源管理IC产品K7805-500R3、力特的晶闸管Z0107MNT1G、ADI的射频IC产品AD8313ARMZ-REEL7、英特尔的CPLD产品EPM240T100C5N。 排名11至15的产品分别是英特尔的FPGA产品EP2C5T144C8N、意法半导体的MCU产品STM32F103CBT6、TI的放大器产品LM358DR、意法半导体的MCU产品STM32F103C8T6TR,以及TI的电源管理IC产品UC2901MDREP。 意法半导体的两款MCU产品是市场上的网红产品,很多产品都会用到,虽然今年MCU市场卷得比较厉害,但ST还是有两款MCU产品进入了涨幅榜单。据公开信息显示,ST的STM32系列MCU每年全球出货量达数十亿颗。2024年, 意法半导体还宣布了将与华虹合作开发40nm MCU,以加速本土化,从设计到流片直接在国内产业链上完成,以应对来自国内同行的挑战。 2024年电子元器件价格跌幅TOP 15 2024年电子元器件跌幅榜单中前5个产品型号中,有3个是电源管理IC,其中降幅最大的是来自TI的电源管理IC产品O3853AQDCARQ1,该产品从年初的350.545元一颗,下降到了年末的31.734元,下降幅度达94.6%。 跌幅第2的产品也是一款电源管理IC产品VNH3SP30TR-E,不过它来自意法半导体。年初价格为373.238元,年末价格为42.579元,降幅达92.56%。 跌幅第3的产品是来自TI的一款接口IC产品TLV320AIC23BRHDR,从33.041元降到了6.9元,降幅为79.12%。 图:2024年电子元器件价格跌幅排行TOP15(数据来源:芯查查) 跌幅第4的电子元器件是来自意法半导体的一款电源管理IC产品VNH5180ATR-E;跌幅第5的是来自Allegro的位置传感器产品A1333LLETR-T,降幅为72.21%。 可以明显看到跌幅前5的产品均为模拟半导体。可见2024年模拟半导体市场相比预期差了不少,很多模拟半导体厂商都在降价促销,以抢占更多市场份额,特别是国际半导体厂商。 跌幅第6至10的产品分别是来自安森美的整流器产品MBRS340T3G、恩智浦的压力传感器产品MPXAZ6115AP、莱迪思的CPLD产品M4A3-64/32-55VNC、欧姆龙的光学传感器产品B5W-DB11A1-A-1、以及英特尔的CPLD产品5M160ZM100C5N。 跌幅第11至15的产品分别为来自恩智浦的DSC(数字信号控制器)产品MC56F84763VLH、英飞凌的MCU产品CY8C4014LQS-422ZT、霍尼韦尔的运动传感器产品RTY090LVNBX、MaxLinear通信及网络IC产品88LX2730A0-NYC2C000、以及Silicon Labs的MCU产品EFM32HG210F64G-C-QFN32R。 这些产品中大部分都是模拟电子元器件,占了66.7% 。而数字电子元器件产品中MCU又占了大半。可见2024年的模拟半导体市场与MCU市场竞争之激烈。 在MCU市场中,由于前几年投产过多,造成库存积压,可以说2024年一整年都在清理库存过程中,不过目前行业状态来看,库存基本已经出清,开始步入正轨。 虽然2024年MCU市场整体都比较卷,但也有一些新兴市场出现,比如由于AI市场的快速增长,对光模块的需求大增。而光模块中除了需要使用光芯片和DSP之外,MCU也是不可或缺的一种器件。据公开市场信息显示,目前 高速光模块中需要使用的MCU单颗成本在5~6美元之间,每个通道至少需要1颗MCU。 但高速光模块中所采用的MCU需要集成高精度模拟功能的同时,实现小型化、低功耗,且在高温、高频电磁信号环境中保持稳定性和可靠性。因此技术门槛相对较高,属于尚未实现国产替代的细分MCU领域。 目前主要的供应商是ADI、瑞萨和ST 。 据称,兆易创新在2020年推出的GD32E501系列MCU可用于光模块,该系列MCU基于Arm Cortex-M33内核,主频100MHz,提供丰富的外设接口和多种封装选项,尺寸仅为4mm×4mm,适合光模块小型化趋势,可用于单通道100G以上的光模块。 结语 除了2024年电子元器件的价格波动TOP 15,芯查查还推出过2024年芯片热搜排行,全球半导体市值排行TOP70,以及即将推出2024年半导体行业融资情况等系列新年特辑文章,欢迎关注芯查查的后续报道。
原创
芯查查 . 2025-01-13 1 12 6385
极海G32R501总线型高压伺服控制器参考方案,加速工业自动化系统转型升级
高压伺服控制器是一种高精度电子装置,用来控制高压伺服电机的位置、速度和力矩,可确保工业机器人、数控机床、喷绘写真、激光切割以及自动化生产线等设备实现高精度运动定位控制。其通过提供高效性能、快速响应、优化能量转换效率,保障伺服系统稳定可靠运行,有助于推动智能制造和工业4.0的转型与升级。 随着工业自动化的持续发展以及技术创新和行业应用的不断拓展,高压伺服控制器的市场前景广阔。未来几年,高压伺服控制器将继续沿着高效化、智能化、数字化方向演进,成为推动工业自动化智能转型的重要力量,展现出强劲的增长潜力和市场活力。 极海400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案,主控芯片采用全新发布的G32R501高性能实时控制MCU,具备灵敏感知、高效运算、精准控制等特性;整体方案采用双核并行处理架构设计和开放式伺服全功能设计,同时支持上位机ModBus协议和EtherCAT总线协议,提供配套的上位机参数调试工具,可灵活配置400余项伺服参数,有效满足各类定制化工业应用场景需求。 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案介绍 ■ 输入电源范围:单相AC 200V~240V, -10%~+10%, 50/60Hz; ■ 额定输出电流:3.0Arms,最大电流输出:9.0Arms; ■ 速度范围:±7000rpm,支持弱磁算法; ■ 转速精度:额定转速下可达1‰左右; ■ 支持三环闭环控制和电机参数静态辨识,电机参数通过总线获取,PID参数与电机参数相关联,可适配不同电机; ■ 支持多种编码器协议,支持协议握手,可兼容不同波特率编码器; ■ 支持EC总线功能,可通过主站进行位置控制; ■ 多种控制模式:外部脉冲位置控制、JOG控制、全闭环位置控制、速度控制、力矩控制; ■ 丰富报警代码:过压/欠压/过流/过载/过热/过速、主电源输入缺相、再生制动状态异常、位置偏差/制动率过大、编码器反馈错误、行程超限、EEPROM 错误等。 G32R501实时控制MCU特点 ■ 单芯片方案,基于Cortex-M52双核架构,主频250MHz,通过CPU0处理位置环、速度环、I/O状态、以及协议处理;通过CPU1处理位置通信、电流环以及PWM输出; ■ 通过3路PWM模块产生3组互补PWM信号输出,实现高精度电机矢量控制; ■ 4个Σ-Δ滤波器模块(SDF),通过2路SDF采样两路相电流信号数字量,提升电流信号的精确度、响应效率以及信噪比; ■ 2个UART,1路实现总线编码器通讯,并预留兼容脉冲型编码器的设计;1路支持与上位机的数据交互; ■ 2个SPI,1路与EtherCAT从站芯片高效通信,实现EtherCAT总线控制;1路实现按键面板显示; ■ 1个I2C,实现外部EEPROM通讯,存储伺服关键参数; ■ 丰富输入输出端口,满足多种控制信号输入或状态输出,提升方案的多场景适用性。 软硬件介绍 G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器参考方案,由功率板、控制板、按键显示板组成。 方案框图 采用三环级联模式的软件设计: ■ 位置环:给定来自外部脉冲、总线、I/O控制;位置反馈来自外部总线编码器; ■ 速度环:给定来自位置环的输出,也接受来自外部模拟量或多段速的给定,一般速度环带宽不超过 400Hz;速度反馈来自编码器位置解算; ■ 电流环:给定来自速度环的输出,电流反馈由SDF模块采样获得,执行周期选为62.5μs。 控制逻辑框图 G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器量产级参考方案,采用双核并行处理设计架构,其中CPU0中断处理时间低至13.6μs,CPU1中断处理时间低至8.6μs,可支持客户实现更高性能、更丰富功能的产品设计。 双核处理架构 极海G32R501 400W EtherCAT总线型高压伺服控制器量产级参考方案,涵盖完整的软硬件设计,可提供全功能软件固件和极海自研的伺服控制上位机PC调试工具,支持参数设置、JOG调试、故障排查、波形分析等功能;方案配有详细使用指南,方便工程师快速进行上手使用、性能评估以及二次开发。 极海始终秉承创新为魂、技术为本的发展理念,专注于为工业控制领域提供领先的量产级参考方案和全面且高效的技术支持,旨在为广大工程师和研发团队提供强大的创新动力。在工业自动化浪潮中,极海将矢志不渝地推动技术创新与突破,愿携手业界同仁共同谱写智能制造新篇章。
极海
Geehy极海半导体 . 2025-01-13 845
2024年,全球PC出货量增长3.8%,达到2.55亿台
2024年,全球PC市场趋于稳定,并于2025年全盘复苏,进入商用市场更新周期。Canalys的最新数据,PC市场在第四季度实现连续5个季度的增长,台式电脑、笔记本和工作站的总出货量达到6,740万台,增长4.6%。笔记本(包括移动工作站)的出货量为5,370万台,增长6.2%,而台式机(包括台式工作站)的出货量则下降1.4%,为1,370万台。Canalys预计,2025年将是加速增长的一年,因为微软会在10月终止Windows 10的系统支持,迫使数亿PC用户更新设备。 Canalys分析师Kieren Jessop表示:“2024年是PC市场小幅回暖并回归传统季节性的一年,全年出货量增长3.8%。在第四季度,增长小幅提升,出货量同比增长4.6%。这表明,在距离微软终止向Windows 10系统提供支持前的一年内,市场总体呈现出积极向好的发展趋势。厂商和零售商纷纷大力促销,吸引了一众对价格愈发敏感的消费者,进而有力支撑了假日季的需求。此外,先买后付”服务的推广也助长这一趋势。越来越多的例子表明,商家正利用该服务推动PC等大件商品的消费。在中国需求疲软的大环境下,政府通过提供消费补贴来刺激笔记本电脑的消费。” Canalys首席分析师Ishan Dutt表示:“展望未来,受商用需求的推动,PC市场将加速增长,企业正为Windows 10系统结束做准备。CES 2025上展示的进步表明,PC市场正致力于将AI PC打造成明星类别,这引发消费者开始关注更广泛的机型进行探讨。鉴于CPU和PC厂商的产品路线图开始在各类别、各价格区间和各地区中应用端侧AI,我们预计2025年AI PC将占全球出货量的35%。” 2024年第四季度,联想引领全球市场,全球出货量高达1,690万台,与2023年第四季度强劲的出货量相比,同比增长4.9%。惠普紧跟其后,位居第二,全球出货量达到1,370万台,同比下降1.6%。戴尔稳居第三,但其出货量在全年各季度均呈下滑趋势,第四季度降幅达0.2%。苹果位居第四,出货量为590万台,年增长率达到3.1%。而华硕同比增长率为21.6%,成为前五大厂商中增幅最快的厂商。
台式机
Canalys . 2025-01-13 1475
文晔24年营收跨入2100亿,大联大营收逼近2000亿
在人工智能(AI)浪潮的席卷下,生成式AI(Generative AI)与高性能计算(HPC)的需求热度不减,AI服务器及其相关零部件,已成为各大IC代理商业务增长的核心驱动力。 步入2025年,尽管业界普遍预计,新的一年PC与消费电子市场仅会呈现小幅增长,但业内人士认为,随着AI应用场景的不断丰富,传统及AI服务器、电源、PC/NB、手机等各类电子零部件需求将持续增长,将为整体市场注入稳步向上的动力,有望推动代理商在这一年的营收持续上扬。 2024年,IC代理行业的两大巨头——大联大与文晔,均交出了创新高的全年营收。 文晔:全年营收超9,500亿元 根据文晔数据,2024年12月自结合并营收约958.3亿元新台币,环比增长42.0%,同比增长62.9%;2024年第四季度营收为2,619亿元,环比微增0.2%,同比大增38.0%,创下季度营收新高,超出财测高标。 受益于2024年完成对富昌电子(Future Electronics)的收购,文晔全年合并营收约9,594.3亿元新台币(约2122.96亿人民币),2023全年营收为5945亿元新台币(约1315.47亿元人民币),同比增长61.3%,再度刷新年度营收纪录。 大联大:全年营收超8,800亿元 根据大联大数据,2024年12月营收为835.8亿元新台币,环比增长14.1%,同比增长44.7%,创同期新高;2024年第四季度营收达2,316.6亿元,同比增长26.3%,创历史单季次高。 大联大2024全年合并营收达到8,806.1亿元 (约1948.55亿元人民币)的历史新高,首次突破新台币8,000亿大关,年增长率为31%。 尽管大联大与文晔在上季度法说会中,因季节性因素,对第四季度AI服务器和数据中心的表现预期有所下调,但从两家公布的营收数据来看,AI与数据中心客户的采购热情依旧高涨,备货积极,出货形势一片向好。 展望市场需求,文晔认为AI相关应用需求持续强劲,其他领域则维持稳定。整体而言,库存调整预期于2025年上半年结束,随后市场展望转为乐观,文晔预计2025年的业绩表现将优于2024年。 多数行业机构亦预测2025年全球半导体销售将达到两位数的增长,而主要推动力仍是AI,但汽车和工业的需求可能还会疲软,意味着欧洲市场可能还会低迷一段时间。 随着AI PC及手机等终端品牌不断引入AI功能,边缘AI成为多数代理商眼中极具潜力的后市成长动力。 益登表示,2025年看好AI服务器和网通领域的发展机遇,将持续深耕NVIDIA Jetson系列产品。 代理业界普遍认为,除AI服务器外,边缘AI也将成为未来产业增长的重要引擎。AI有望在消费产品、机器人等其他应用领域大放异彩,不过这仍需取决于市场接受程度,还需时间进行培育和发展。
芯片
芯查查资讯 . 2025-01-13 2485
川土微电子CA-IS3212有源米勒钳位CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器
川土微电子CMOS输入、带有源米勒钳位(可选)单通道隔离式栅极驱动器新品发布,该系列产品为驱动SiC、IGBT和GaN功率管而优化设计。 产品概述 CA-IS3212是一系列CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器,可提供4A拉、5A灌峰值驱动电流能力,具有出色的动态性能和高可靠性,适用于逆变器、电机控制或隔离开关电源等系统中的大功率Si、SiC、IGBT和GaN功率管的驱动应用。 CA-IS3212提供窄体SOIC8和宽体SOIC8两种封装选型,在控制侧和驱动侧之间采用基于SiO2电容隔离技术,其中宽体SOIC8封装的器件隔离耐压高达5.7kVRMS(1分钟),增强绝缘等级,支持高达2121VPK的长期隔离工作电压和12.8kVPK的浪涌电压;窄体SOIC8封装的器件隔离耐压是3.75kVRMS(1分钟),基本绝缘等级,支持990VPK的长期隔离工作电压和6.5kVPK的浪涌电压。CA-IS3212的最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为150kV/μs,确保在恶劣的运用环境中信号在隔离栅之间的正确传输。 CA-IS3212针对Si、SiC、IGBT和GaN功率管的不同特性提供不同的功能版本,如下所示: CA-IS3212Mxx型号内部集成5A有源米勒钳位功能; CA-IS3212Sxx型号提供OUTH和OUTL分离输出; CA-IS3212Vxx型号提供COM引脚,以支持驱动侧的双电源供电; 控制侧电源(VCC)和驱动侧电源(VDD-VEE)均内置监测欠压状况的功能,并提供驱动侧不同的欠压锁定(UVLO)检测阈值选项,其中CA-IS3212MYS驱动侧UVLO电压低至4V,专门为GaN功率管的驱动而优化设计。 本次发布CA-IS3212SCS和CA-IS3212MCG,可提供工程送样,两款器件的特性对比如下: 产品特性 • 驱动高达2121VPK工作电压的功率管 • 4A峰值拉电流和5A峰值灌电流 • 宽电源电压范围: - 输入端VCC供电范围:3.0V至5.5V - 不同欠压锁定(UVLO)选项下的输出驱动供电(VDD–VEE)高达33V: Y版本:4V A版本:6V B版本:8V C版本:12V • 多功能选项: - CA-IS3212M 集成5A有源米勒钳位 - CA-IS3212V 提供COM引脚,支持双电源供电 - CA-IS3212S 提供OUTH和OUTL分离输出 • 40ns(典型值)输入毛刺滤波器 • 匹配的传播延迟: - 85ns传播延迟(典型值) - 器件间最大15ns传播延迟失配 - 最大15ns脉冲宽度失真 • 封装选项: - 8脚宽体SOIC封装,爬电距离和电气间隙>8mm - 8脚窄体SOIC封装,爬电距离和电气间隙>4mm • 强大的电气隔离: - 长寿命:额定电压下超过40年 - 宽体封装下最高可达5.7kVRMS的隔离耐压 - 能承受最高12.8kVPK的浪涌 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于±150kV/μs • - 40°C至150°C工作结温(TJ)范围 应用 • 电机驱动器 • 光伏逆变器 • 车载充电器 • 功率转换系统 • 充电桩电源模块 • 伺服驱动器 • 变频器 • 不间断电源(UPS)
CMOS
川土微电子chipanalog . 2025-01-13 1 1140
新年特辑 | 5个关键词总结半导体行业的2024,企业们都这样说
重点内容速览: 1. 创新 2. 国产替代 3. 车 4. AI 5. 并购 2024已过,半导体行业有怎样的新变化、新趋势?哪些领域引领我们迅猛向前?我们遇到了怎样的困难险阻?芯查查采访了安森美、瑞萨、江波龙、芯耀辉、芯擎科技、Imagination、纳芯微、瑞森科技、镓未来、芯邦科技、SDVoE联盟等数十家中外半导体企业和联盟协会。他们回顾了2024年,做出详实、客观、贴合业务领域的总结与回顾。其中,有5个关键词被企业们高频提及。 创新 创新一词几乎出现在每家半导体企业的总结中,是“标准配置”。技术创新是半导体行业发展的核心动力,企业没有创新,等同于退步。在复苏和承压的环境下,半导体行业仍焕发出新的技术面貌。 半导体材料方面,第三代半导体突飞猛进,石墨烯规模化制备。宽禁带半导体在晶圆尺寸实现突破,8英寸碳化硅开始量产,12英寸氮化镓、碳化硅晶圆陆续发布;碳化硅晶圆上实现半导体级石墨烯的规模化制备,成功解决了石墨烯无带隙的先天缺陷,使其真正具备了半导体特性。 半导体制造方面,台积电向2nm制程工艺迈进,3D混合键合技术实现超高密度封装。台积电计划在2025年量产2nm工艺;3D混合键合技术每平方毫米超过100万个互连点的超高密度封装,实现铜与铜直接键合,无需传统的焊球或微凸点,大幅降低互连延迟,提高带宽。 IC设计方面,各家Fabless百花齐放。逻辑器件方面,安森美基于最新BCD技术,带来了全新逻辑电平转换器Treo,突破技术边界,创新工艺交付方式。安森美总裁、首席执行官、董事Hassane El-Khoury 表示:“安森美已经走过25年春秋,我们的使命和战略就是致力于推动创新,创造智能电源和智能感知技术。基于65纳米工艺的先进节点,Treo不仅能增强模拟功能,还能大幅提升数字信号处理能力。此平台具备业内最广的电压范围,提供的1V至90V电压范围覆盖了目前所有BCD平台的应用需求。作为技术前沿推动者,我们在视觉系统、车身控制、动力传输系统、逆变器等多个应用领域中有不同的产品技术组合。同时,还在发力工业和人工智能领域。” 图注:安森美总裁、首席执行官、董事 Hassane El-Khoury 半导体行业的创新突破不仅体现在先进的工艺制程方面,更在计算性能的提升、能源管理的优化以及新材料的应用等多个方面取得显著进展。 瑞萨在多个领域推出具有创新性的产品。“ 面向高性能机器人应用的新产品RZ/V2H、基于内部自研CPU内核构建的通用32位RISC-V的R9A02G021 MCU、适用于有线基础设施、数据中心和工业应用的全新超低25fs-rms时钟解决方案FemtoClock™ 3、室内空气质量监测一体化传感器模块RRH62000、用于EV驱动电机系统的‘8合1’概念验证(PoC)方案以及采用车规3nm制程的多域融合SoC R-Car X5H。”瑞萨中国区总裁赖长青 介绍道。 图注:瑞萨电子中国区总裁 赖长青 半导体存储品牌企业江波龙 对2024半导体行业关键词也提到创新。 江波龙表示,2024是半导体技术突破的关键之年。 NAND Flash 持续向300+、400+ Layer推进,支持带宽持续提升,单位面积的存储密度呈倍数增长,大幅度提升读写性能。 同时,芯片设计领域新的架构与算法不断涌现,如针对AI的专用芯片。 此外,江波龙在2024年创新提出的PTM(存储产品技术制造)模式已经逐步落地,以通信行业为例,江波龙依托PTM全栈定制服务,为运营商提供超越“标准菜单”的定制化解决方案——从NAND Flash、DRAM、主控芯片、固件到硬件/元器件的全方位定制化组合,以满足客户在供应链方面的战略要求;在测试制造方面,不仅通过自动化测试脚本库提高了测试效率,降低客户开发部署成本,还在中山的自有存储产业园搭建了高精度SMT企业级专用产线,确保了eSSD和RDIMM产能的稳定性。 汽车芯片厂商 芯擎科技创始人、董事长汪凯博士 认为创新是半导体市场永恒的主题。“在2024年,随着智能座舱和自动驾驶技术的不断演进,对芯片的性能、功耗和集成度提出了更高要求。”他强调,“芯擎一直致力于研发更先进、更高效、更具性价比的智能汽车高端处理器解决方案,创新不仅是我们保持竞争力的关键,也是推动整个半导体行业持续发展的关键动力。” 图注:芯擎科技创始人、董事兼CEO 汪凯博士 国产替代 2024年,中国半导体行业面临严峻挑战。外有重重阻挠,多方监管;内部投资浪潮退去,竞争加剧,行业处于优胜劣汰关键时期,缺乏竞争力和专业能力者被边缘化或者出局。修炼内功、加强国内半导体供应链的弹性和韧性是所有中国半导体企业的“必修课”。“千磨万击还坚劲,任尔东西南北风”,国产厂商们一方面要韬光养晦,攻坚克难;一方面抬头看天,时刻关注行业风向、国际动向,内外兼修。 面对复杂的国际形势,国产IP和半导体解决方案的需求愈加迫切,推动国产替代的进程加速。作为国产芯片IP的领军企业, 芯耀辉董事长曾克强 表示,2024年芯耀辉成功实现了从传统IP到IP2.0的战略转型,整合完整的子系统资源,从方案制定到集成验证,再到硬化和封装测试,提供端到端的解决方案,帮助客户在激烈的市场竞争中取得优势。“我们不仅提供高性能、低功耗、强兼容的高速接口IP,还配套提供基础IP和控制器IP,帮助SoC客户从内到外提升性能。注重产品的可靠性、兼容性与可量产性,并提供系统级封装支持,优化PHY布局、Bump和Ball排布,提升量产性能。” 同时,曾克强也表达了对国产替代轰轰烈烈热潮下的隐忧: “国产先进工艺迭代速度放缓,SoC一方面需要在现有工艺上实现更高速的接口IP设计; 另一方面,Chiplet是SoC从架构上做改进的首选,但是Chiplet也带来封装、测试和可量产等一系列挑战,这就要求IP公司不仅要提供可靠性高、兼容性强且可量产的产品,还要具备较高的系统封装设计能力和强大的供应链保障。 针对这一局面,芯耀辉推出了符合UCIe、112G Serdes、HBM3/3E等先进协议标准、高可靠性、可量产的Chiplet IP产品,并与行业上下游紧密合作,共同打造稳固的国产芯片供应链。 ” 国内模拟芯片厂商纳芯微在动荡的2024年里,坚守并扩大了其市场份额,汽车芯片出货量超2.7亿颗。从模拟器件领域切入, 纳芯微CEO王升杨 认为国产替代固然给了国产半导体厂商们巨大的发展空间,但行业整体压力也在加剧。“国产模拟芯片行业发展来到了一个新阶段,市场进入行业出清的时候,当前节点,国产芯片厂商只有依靠强大的产品竞争力做支撑,才能不断地拓展市场和客户,为公司、行业的持续发展构建基础。”王升杨谈道。 图注:纳芯微CEO 王升杨 瑞森半导体在2024年实现了功率器件硅基和碳化硅基产品线全系列覆盖,电源IC产品线开发LLC恒牙芯片和新型的双管反激芯片。 瑞森半导体研发总监王来营 同样指出了国产替代浪潮下存在的问题和解决方案:“功率器件同质化严重,上游企业出现产能过剩,面临库存挑战,有部分企业凭借资本优势、或亟待营收业绩完成对赌条款或祈望下一轮融资,采取低价竞争的方式来实现去库存,出现非良性竞争。企业需要规划一条符合自身定位的发展方向、产品路线,先生存,才有基础和机会持续做好、做强。” 对于国产替代,瑞森指出了2025年可能存在的商机。1. AI算力提升带来电源板迭代升级需求,对电源的功率需求增大,转换效率高,体积小。2. 政策要求办公电脑国产化(尤其是政府部门),所以电脑和服务器等电源等需要迭代,产生功率器件和电源管理芯片国产替代的机遇。 图注:瑞森科技研发总监 王来营 镓未来研发总监张大江 谈到2024年中国半导体市场,一词“胜者为王”涵盖之,他指出了如今三代半导体市场激烈的竞争局面,“仅仅是第三代半导体GaN、SiC设计公司就达上百家,中国功率市场无法支撑如此多的厂商。 因此,有口碑、有稳定客户、有独家技术的企业才能在竞争中存活。 2024年在资本层面上也是一个转折点,没有优势的企业很难拿到融资。 ” 镓未来通过技术革新来抵御这场竞争风暴,“比如65W以下功率等级陷入无底线的价格竞争,我们优化产品线结构,开发无损电流采样等功能的智能氮化镓芯片,满足客户高效率高功率密度的差异化需求。”张大江如是说。 图注:镓未来研发总监 张大江 车 2024 年,汽车芯片行业发生了大转变,从“缺芯荒”到如今的价格跳水,汽车芯片市场正从高峰期进入调整阶段。 不过,由于新能源汽车增长动能依旧持续,汽车半导体行业长期需求依旧强劲。 水深火热的汽车半导体企业如何度过和评价这一年? 针对汽车智能化需求,Imagination在2024年推出的Imagination DXS GPU IP,不仅算力和性能领先业界,而且还以仅仅略微增加芯片面积的方式实现了功能安全,并提供HyperLane硬件虚拟化功能。Imagination 产品总监郑魁表示2024年,汽车行业正在加速转型,“随着汽车产业和产品加速向“新四化”转型,汽车正向新的电子电气架构转型,不仅是驾驶辅助(ADAS)和自动驾驶(AD)技术开始广泛渗透到汽车产业。这一变革引领了汽车行业的剧变,包括新主机厂商和tier-1和tier-2的出现,以及电子部件在汽车成本中所占比例大幅度提升等。” 作为全球先进的MCU/MPU厂商,瑞萨最大的业务之一就是汽车。 赖长青表示,瑞萨将长期投资汽车领域,“2024年我们的市场份额保持稳定并略有增长。 众所周知,无论是新能源汽车还是智能汽车的发展,对于车用半导体的需求都是成倍增加的,因此瑞萨凭借出色的MCU/MPU、功率半导体、传感器等产品,在全球汽车产业链中占据了重要地位。 ” 高端汽车芯片领域里,智能座舱以及“舱泊一体”是汽车市场的刚需,智能驾驶以及高阶的“舱驾一体”是大势所趋。中国已经涌现出众多可以在与国际一流供应商“掰手腕”的本土高端芯片供应商。例如,芯擎科技布局了全场景的自动驾驶芯片“星辰一号AD1000,并且通过1颗、2颗到4颗芯片的级联,实现L2+到L5的自动驾驶。其在2022年推出的“龍鹰一号”也是唯一大规模量产的7纳米国产车规级智能座舱芯片。 AI 接下来两个关键词围绕终端应用展开。AI作为今年最火爆的风口,无论业务是否涉及AI领域,半导体行业都很难绕开这个字眼。 Gartner预测,2024年全球人工智能(AI)半导体总收入将达到710亿美元,较2023年增长33%;工信部等六部门印发的《算力基础设施高质量发展行动计划》提出,2025年我国算力规模将超过300 EFLOPS,智能算力占比达到35%……诸多数据表明,AI在未来会给半导体持续提供发展动能。 江波龙认为AI技术正处于起步阶段,但也已经成为半导体行业的重要驱动力。下一步需要更多的AI模型、AI场景开发以支撑AI的突破式增长。面向该新兴市场,江波龙旗下拥有企业级固态硬盘eSSD(SATA和PCIe)、企业级内存条RDIMM(DDR4和DDR5)和CXL2.0内存拓展模块等产品,以高质量、高稳定性存储解决方案助力数据中心的发展。 SDVoE 联盟秘书长杨先华 表示:“联盟会继续投入AI业务,让产品更加宽泛,覆盖领域加大。” 图注:SDVoE 联盟秘书长 Alan 杨先华 AI驱动了半导体市场的强劲增长,对高性能计算芯片及相关接口IP的需求呈爆发式增长。针对行业趋势,芯耀辉推出UCIe,HBM3E以及112G SerDes等高速接口IP,均广泛应用在Chiplet和人工智能领域。 UCle IP包含PHY和Controller IP,其中PHY IP在先进封装上最大速率可以支持32Gbps,标准封装上最大速率也可以支持到24Gbps,最大传输距离支持到50mm,远高于协议标准中的25mm; HBM3E PHY和Controller IP,PHY的最大传输速率可以支持到7.2Gbps,Controller最大速度可以支持到10Gbps; SerDes PHY最大可以支持到112Gbps,可以支持PCIe、OIF以及以太网等多种协议,满足不同客户对SerDes PHY的速率追求,同时也推出了可以兼容PCIe和CXL的控制器IP。 并购 随着“国九条”、“科创板八条”以及“并购六条”等政策的接连发布,2024年中国半导体行业并购潮热情高涨。根据Wind数据库及市场观察,年内首次公布的半导体并购事件总计达到31起,其中超过半数是在9月20日之后,即新政出台后披露的。其中,有业内大鱼吃小鱼,也有跨界并购。 并购31起事件中,模拟厂商和材料厂商占比达45%。纳芯微在2024年收购了麦歌恩,并表示:“模拟芯片行业已经进入到了资源整合阶段,通过并购不断成长,实现资源配置的优化,打造规模效应,避免同质化竞争,是我国模拟芯片行业继续往前发展的必由之路。纳芯微收购麦歌恩,也是遵循这个思路开展的一个探索。” 专注于UWB领域的芯邦科技认为并购重组有利于半导体行业健康发展。“资源整合,减少不必要的重复开发,给出一条除ipo以外的新的资本市场路径。”芯邦科技董事长张华龙 对此提出自己的见解,“政府出台政策鼓励并购重组,对半导体行业是一大利好。希望政府能组织人力物力,深入研究半导体行业内卷现象的本质,制止内卷式无序竞争现象,使得半导体行业在一个健康良性的竞争环境中发展壮大。” 结语 总体而言,2024年对于半导体厂商们来说是风雪交加的一年,外部风云变幻,内部竞争激烈。AI浪潮声势滔天,大数据、服务器和大模型快速发展;汽车行业进入调整期,但长期需求依旧保持;外部禁令不断,国产芯片设备、零部件和软件替代刻不容缓;消费电子逐渐复苏,物联网应用推动半导体持续发展。 2024年,几家欢喜几家愁,你方唱罢我登场。2025年,国内半导体行业将迎来优胜劣汰的关键时期,也要做好外来竞争愈猛愈烈的心理准备。最后,一句话送给半导体行业的同仁们,保持信心、乐观,于黑暗中见光明,共同迎接2025年的新挑战、新机遇。 “坚冰还盖着北海的时候,我看到了怒放的梅花。”
半导体
芯查查 . 2025-01-13 4 20 1.1w
思特威全新推出物联网系列3MP高性能图像传感器SC301HIOT
2025年1月10日,中国上海 — 思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,全新推出物联网(IOT)应用3MP图像传感器——SC301HIOT。作为思特威全性能升级物联网系列(HIOT)的首款产品,SC301HIOT基于DSI™-2 Plus工艺技术打造,搭载了SmartAOV™、超低噪声外围读取电路等多项先进技术,具备近红外感度增强、高动态范围(HDR)、超低功耗、低噪声等优势性能并支持全时录像(AOV)功能。新品SC301HIOT支持4:3画幅比例,以优异的成像表现,更好地满足智能门铃/门锁、宠物喂食器等IoT摄像头以及全景鱼眼摄像头、双目拼接摄像头等多元超大视场角监控应用的升级需求。 4:3画幅比例,兼容超大视场角应用 SC301HIOT采用2048Hx1536V分辨率,具备4:3画幅比例。相较于16:9画幅比例的CIS,SC301HIOT能为摄像头系统提供更大的视场角,可适用于360°全景鱼眼摄像头和180°双目拼接摄像头等小体积、超广角摄像头设备。配备大视场角CIS的鱼眼或双目拼接摄像头,能实现180°至360°的超宽视野监控画面(相当于多台普通视场角摄像头的组合覆盖),为系统后续图像分析识别提供更大面积监控区域内的实时事件影像,显著提升监控效率并降低监控方案成本投入。 近红外感度提升,综合性能全面优化 思特威新一代全性能升级物联网系列(HIOT)图像传感器基于DSI™-2 Plus工艺技术打造,在融合前代系列性能优势的基础上实现了进一步升级。相较于前代系列产品,HIOT系列产品兼具近红外感度增强、高动态范围、低噪声、高温性能优化等优势。HIOT系列的推出,成功助力思特威物联网系列产品进入发展新阶段。 SC301HIOT基于思特威全新DSI™-2 Plus工艺技术打造,通过优化硅片外延以及前道工艺,实现了近红外感度的大幅提升。与前代技术产品相比,SC301HIOT在850nm波段下峰值量子效率(peak QE)提升了约29%,在940nm波段下峰值量子效率(peak QE)提升了约35%,在夜晚红外灯场景下,能为摄像头提供更清晰、明亮的影像。 得益于思特威先进的DSI™-2 Plus工艺技术和超低噪声外围读取电路技术,新品在噪声抑制方面表现出色。SC301HIOT的读取噪声与固定噪声(FPN)分别低至0.66e-与0.1e-,能为摄像头提供清晰、低噪点的画面。同时,SC301HIOT在高温成像稳定性方面得到显著改善,使摄像头在面临户外阳光直射、设备整机发热等高温环境干扰时依旧能持续输出准确、稳定的影像。此外,SC301HIOT可支持100dB以上的双重曝光行交叠宽动态模式(2-exposure staggered HDR),可有效保留画面的明暗细节,呈现层次分明、细节丰富的高质感影像。 SmartAOV™技术,超低功耗全天候录制 SC301HIOT搭载了思特威独特的SmartAOV™技术,支持全时录像(AOV, Always-On Video)功能。在遇到事件触发时,SC301HIOT能够从休眠状态中快速启动,并以30fps的常规帧率进行录制,以极低的启动耗时,确保从休眠到启动过程中的每一帧画面都清晰可见,不错过任何事件信息。在无事件触发时,SC301HIOT能以每秒1帧的超低帧率进行超低功耗持续录制(整套方案工作功耗<40mW),从而实现7*24小时全天候录像。SC301HIOT出色的超低功耗全时录制功能,能进一步为摄像头系统整体功耗减负,保障智能门铃/门锁等无线电池供电摄像头设备和太阳能4G监控等无电无网设备实现节电工作。 基于内部电路模块的精准化控制设计,SC301HIOT在30fps工作帧率下的功耗低至约100mW左右,以优异的低功耗性能表现,有效降低摄像头设备运行过程中的整机发热量,提升整机续航能力。 多规格高性能CIS,助力系列化产品布局 目前,思特威面向鱼眼和拼接类摄像头应用已推出3款CMOS图像传感器产品,覆盖3MP至6MP分辨率。未来,思特威将持续布局细分化市场,推出更多高分辨率、高性能CMOS图像传感器,助力客户实现多元物联网终端应用的全面升级。 SC301HIOT目前已接受送样,将于2025年Q1实现量产。
CMOS图像传感器
思特威 . 2025-01-10 505
CES 2025 | 泰凌微电子闪耀拉斯维加斯!
美国时间2025年1月7日,全球瞩目的科技盛会CES 2025在拉斯维加斯盛大开幕。泰凌微电子携前沿技术与创新产品重磅登场。 泰凌微电子CEO盛文军先生在开展前表示:“此次参展是给公司展现实力的绝佳舞台,更是我们迈向全球无线科技前沿的有力跳板。我们将以此为契机,全力推动创新,深化合作,为行业发展注入全新活力”。 在展会现场,泰凌微电子大放异彩,吸引无数目光,展位前人潮如织,专业人士与科技爱好者们纷纷前来,深入交流探讨无线科技的无限可能。 芯片墙:呈现技术实力矩阵 踏入泰凌微电子展位,首先映入眼帘的便是精心打造的芯片墙,集中展示了TL721X、TL751X、TLSR9118等多款热门系列芯片。每一款芯片旁,都清晰标注着关键特点与技术规格,高集成度、卓越的低功耗性能以及强大的运算处理能力等优势一目了然,生动展现出泰凌微电子在芯片研发领域的深厚积累与领先技术。 泰凌微电子CTO郑明剑先生谈及技术研发成果时称:“芯片墙及各展示区的成果,是团队不懈钻研的结晶,我们会持续突破,为产品注入更多的技术活力。” Demo区:创新科技齐绽放 蓝牙信道探测 蓝牙信道探测Demo被参观者围得水泄不通。泰凌微电子的该项技术能够精准探测长达100米的距离,精度可达+/-50厘米。即便在复杂的户外环境下,基于100米往返测试的准确度依然超过95%,强大的抗干扰能力与超高稳定性,为蓝牙连接设备赋予了精准的距离感知“超能力”。 Auracast音频 在Auracast演示区域,蓝牙音频技术的魅力展露无遗。泰凌微电子的TL751x、TL721x等一系列产品全面支持LE Audio和Auracast,以高品质音频传输、低功耗特性以及多设备共享功能,重塑音频体验。特别是TL751x,其具备低于25毫秒的超低延时,让声音与动作实现近乎零延迟的完美同步。 三合一游戏 无线游戏场景的三合一游戏演示区热闹非凡。只需一个小小的USB Dongle,无线鼠标、键盘和耳机便能实现无缝协作。当前,键盘和鼠标的报告率可达1k,耳机延迟低于30毫秒,而未来新款SoC上系统集成高速USB后,报告率将飙升至4K/8K,带来更加流畅、极致的游戏操控体验。 Matter智能家居 Matter演示区展示了泰凌微电子对智能家居生态的深刻理解与卓越贡献。其支持Matter协议的芯片,为构建可靠、安全的物联网生态系统提供了核心支撑。泰凌微电子提供了不同层级的基于Thread的Matter解决方案,从适用于智能传感器的TL721x,到实现计算能力与功耗平衡的TLSR9228H,全面助力智能家居产业迈向新高度。 沉浸式体验区:感受智能生活魅力 泰凌微电子的沉浸式体验区,宛如一个未来生活的缩影。在这里,参观者能亲身体验基于泰凌SoC的丰富产品。谷歌遥控器,即可随心调节智能灯的亮度与色彩,或是轻松控制智能插座,实现家电的远程便捷管理。智能水杯实时追踪饮水量,智能牙刷精准反馈刷牙数据,为健康生活提供科学指导。SoundBar带来影院级震撼音效,游戏耳机、鼠标和键盘则营造出身临其境的游戏世界,每一次操作都灵敏精准,带来极致的沉浸感。 泰凌微电子市场VP Andy Lin对此次展会的市场影响力充满信心:“借由CES 2025,泰凌微电子将进一步提升品牌影响力,拓展市场版图。” 在本次CES 2025展会中,泰凌微电子以创新为笔,以科技为墨,描绘出无线科技领域的宏伟蓝图。未来,泰凌微电子将继续秉持创新精神,不断探索进取,为全球消费者带来更多卓越的产品与解决方案,推动无线科技行业迈向新的辉煌!
泰凌微
泰凌微电子 . 2025-01-10 1 7 1920
传美国对中国大陆芯片限制从7nm扩大至16nm
美国有意再对陆收紧芯片管制,现任总统拜登卸任前,最快10日宣布拉高对陆AI等先进芯片出口限制措施,业界并传出,美方会把制程技术管制范围扩大,从现行7纳米先进制程,延伸至16纳米成熟制程,台积电等晶圆厂大陆接单面临更大挑战。 台积电将于下周四(16日)举行法说会,现正处于法说会前缄默期,如今传出美方有意拉高对陆半导体管制的消息,引发关注,一切须待法说会当天由台积电高层说明。 财报显示,2024年第3季台积电16纳米营收占比约8%,法人推估相关客户来源若以总部所在地区分,并非全数是中国大陆客户。考量台积电3纳米与5纳米家族先进制程贡献扩大,业界评估,若美方将管制扩大至16纳米,影响应有限且可控,反而是格罗方德等16纳米营收占比较高厂商则须观察。 另,彭博引述知情人士报导,即将卸任的拜登政府,打算进一步紧缩AI等先进芯片出口限制,防止先进技术落入大陆和俄罗斯之手。新措施可能不利英伟达和超微等美国芯片巨擘。英伟达、超微9日美股盘前均走低。 知情人士透露,拜登当局研拟将AI芯片的销售限制,扩大至全球多数地区,以控管AI技术的普及。 据了解,名列第一级的少数美国盟友,基本上可继续无限制取得美国芯片。敌对国家列入第三级,形同遭到封杀,无法进口先进芯片。名列第二级的国家,可取得的总芯片算力会遭限制。 台湾、日本、南韩、欧洲等获纳第一级,中国大陆和俄国等则归入第三级。东南亚、中东等属于第二级,面临新限制,以避免这些地区的AI芯片流入中俄。 NVIDIA反对这个提案,并发布新闻稿说,拜登政府临去前对全球大部分地区实施出口管制,政策上转变太大,不仅无助于降低误用的风险,反而会威胁到经济成长与美国领导地位。
美国
芯查查资讯 . 2025-01-10 2 11 5345
Altera 脱离英特尔
本周,Altera 在其位于加州圣何塞的总部附近正式升起了一面以自己名字命名的旗帜,标志着该公司从英特尔分拆出来,成为一家独立公司。新成立的公司仍归英特尔所有,将专注于以更大的灵活性扩展其 FPGA 产品,同时保持与英特尔的战略合作伙伴关系。 Altera 在X 帖子中发表声明称:“今天,我们正式将 Altera 打造成一家独立的 FPGA 公司,这是一个值得骄傲的里程碑。我们很高兴能够以敏捷和专注推动未来的创新,在http://altera.com上塑造 FPGA 技术的新时代。” FPGA 是 Altera 的专长,特别适合适应快速变化的技术需求,且无需像 ASIC 开发那样花费高昂成本。Altera 的目标是加强其在汽车、通信和航空航天等成熟行业以及人工智能、云计算、边缘技术和 6G 等新兴领域的影响力。 对于 AI,FPGA 非常适合,因为它具有灵活性,并且添加新指令和数据格式的成本较低。除了定制 AI 应用程序外,FPGA 还可用于在硅片中实现即将推出的 AI 处理器之前对其进行模拟。此外,Altera 的 FPGA AI Suite 与 TensorFlow 和 PyTorch 等框架集成,使开发人员能够构建与行业标准兼容的优化解决方案。 尽管 Altera 现已独立,但该公司仍打算与英特尔代工厂保持密切关系,后者将使用具有竞争力的生产节点制造其芯片。这种合作确保了可靠的供应链,同时也使 Altera 能够自由地与其他代工厂合作,从而拓宽其制造选择并保持竞争力。如果该公司的战略取得成功,那么该公司可能会进行首次公开募股 (IPO)。 2015 年,英特尔斥资 167 亿美元收购了 Altera,这是该公司历史上最大的一笔收购。当时,英特尔对这家 FPGA 开发商寄予厚望,希望它能实现收入来源多元化,并可能增强其在数据中心领域的地位。现在,英特尔希望 Altera 能够作为一家独立实体取得成功,从而在 IPO 期间获得一些额外现金。 Altera 将由首席执行官 Sandra Rivera 和首席运营官 Shannon Poulin 领导。
英特尔
芯查查资讯 . 2025-01-10 1 2 1105
VR 目镜画质再进一步:自适应插黑背光驱动 SGM3791
圣邦微电子推出了具备黑帧插入功能的 LCD 背光驱动芯片 SGM3791。该芯片 采用了自主研发专利技术,有效解决了插黑带来的输入电流冲击。随着半导体产业不断升级,智能电子产品也逐渐朝更高效、更智能,甚至更多元化拓展。虚拟现实(VR)、增强现实(AR)和基于前两者的混合现实(MR)逐渐进入大众视野,相对应的终端智能产品也以不同的产品形态被推广到市场供大众体验。相较成熟的智能手机市场,VR/AR/MR 未来有望成为智能产品市场一个新的增长点。现在用于头戴式 VR 设备的都是 LCD 显示屏。头戴式 VR 设备的 LCD 屏距离人眼非常近,如果要支持高速运作的运动场景,厂商需要解决视觉上的动态拖影,以减少动态模糊。黑帧插入(Black Frame Insertion)技术被广泛运用在 LCD 显示屏的 VR 设备上。黑帧插入,顾名思义,即在帧与帧之间插入黑帧,利用人眼的视觉暂留效应,掩盖住灰色拖影,减少视觉上的动态模糊。插黑后,LCD 屏的背光系统成了脉冲式负载,插黑时关闭所有 LED 背光通道,仅在每一帧画面的刚开始点亮背光通道。这种情况下,传统 DC/DC 电源在提供 LED 灯串阳极供电时,会面临输入电流冲击的问题。 图 1 展示了传统 DC/DC 电源提供 LED 灯串阳极供电时,10% LED 点亮时间下的动态波形(测试条件:单节锂电池 3.6V 输入电压,30V 阳极电压输出,60Hz 刷新率,六通道,100mA 每通道)。图中波形可见,当背光点亮,负载等效为 30V 输出;0mA 到 600mA 的动态,等效到 3.6V 输入源,为接近 6A 直流电,需要以 60Hz、10% 的周期循环从电池抽取。 图 1 传统 Boost 架构的 LCD 背光驱动芯片 在考虑实际 PCB 走线阻抗和电池内阻的情况下,插黑操作导致的输入电流脉冲显著降低了系统所能支持的最低工作电压。为此,圣邦微电子推出的插黑背光驱动芯片 SGM3791 采用了自主研发的专利技术,有效缓解了插黑过程中引起的输入电流冲击问题。 SGM3791 典型应用原理图,如图 2 所示。SGM3791 具备输入隔断控制功能,集成自适应阳极电压控制的升压 DC/DC,以及六通道高匹配度的 100mA LED sink;SGM3791 具备两个独立控制的 PWM 控制引脚,供 VR 设备左右眼屏幕的独立控制,PWM1 控制通道 1 到 3,PWM2 控制通道 4 到 6,六个 LED 通道完全跟随 PWM 引脚的信号,两个 PWM 信号可以独立异步控制也可以短接做同步控制。 图 2 SGM3791 典型应用原理 由图 3 所示,无论是在插黑帧过程还是背光屏点亮过程,输入电流都能保持恒定不变;还可以看出 SGM3791 会根据 LED 阴极电压,自适应提供足够的阳极电压,确保 LED 灯串电流按照设定的电流点亮屏幕,避免闪屏。 图 3 SGM3791 插黑背光控制 综上所述,圣邦微电子推出的 SGM3791 芯片凭借其创新的黑帧插入功能和专利技术,显著提升了 VR/AR/MR 设备的显示效果。SGM3791 有效解决了插黑过程中产生的输入电流冲击问题,不仅增强了系统的稳定性和可靠性,还为用户带来了更流畅、更清晰的视觉体验。随着智能电子产品市场的不断扩展,SGM3791 的推出将为相关设备制造商提供强大的技术支持,推动虚拟现实和增强现实技术的进一步普及和应用。圣邦微电子将继续致力于技术创新,为客户提供更优质的产品和服务,助力智能电子产业的持续发展。
圣邦微
圣邦微电子 . 2025-01-10 1 2 1635
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