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大联大品佳集团推出基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案

大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于微芯科技（Microchip）dsPIC33CK256MP506主控MCU的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案。图示1-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的展示板图随着全球能源结构的深刻变革，家用储能系统迎来巨大发展机遇。据权威机构数据显示，全球户用储能市场新增装机规模预计将从2021年的9.5GWh激增至2025年的93.4GWh，复合增长率高达77.07%。与此同时，便携式储能市场同样展现出强劲的增长势头，预计到2027年将达到900亿元规模。为了满足市场对高效、便携储能电源的迫切需求，大联大品佳基于Microchip dsPIC33CK256MP506 MCU推出3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案。该方案采用先进的数字控制技术，通过“电流内环+电压外环”的双环数字控制策略，实现高达100KHz的开关频率，并配备短路、过流、欠压、过压等保护功能，进一步确保电源系统的稳定运行。图示2-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的场景应用图本方案核心采用的dsPIC33CK256MP506是Microchip旗下高性能数字处理控制器，内置16位dsPIC33CK CPU，主频为100MHz，搭载256K Flash和24K RAM，具备DSP和增强型外设。并且芯片控制代码内部集成的数字电源专用零极点补偿算法函数，可对PFC的电压电流环进行补偿运算，从而省去诸多外围补偿器件，节约系统设计成本。除此之外，方案还搭载Microchip MSC035SMA070B4碳化硅MOSFET、MCP1755-3302稳压器、MCP6072-E/SN运算放大器、Infineon IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET、2EDF7275F MOSFET栅极驱动器以及TI LMH6642运算放大器等产品，能够为新能源储能逆变设计提供兼具高性能与高性价比的方案。图示3-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的方块图借助这些高性能的器件和先进的设计，本方案不仅能够确保储能电源的可靠并网运行，还能显著降低转换损耗、提升功率密度。此外，通过优化设计流程和提供完善的开发支持，本方案可有效降低开发难度，缩短开发周期，从而帮助客户更快地将产品推向市场。核心技术优势：高速DSP运算：Microchip dsPIC33CK256MP506为高性能数字电源专用控制器，DSC主核工作频率为100MHz，单指令周期运行；高分辨率PWM驱动：PWM分辨率为250ps，以合适的开关频率提高电源转换效率，保证良好的EMI特性；专用ADC内核与共享ADC模块：ADC转换延时仅285ns；双向图腾柱PFC：单相交流220V输入，实现双向AC-DC变换运行，高功率密度、高效率、高功率因数；交流正弦输出并网：经调制的正弦PWM产生经调制的正弦初级MOSFET电流，在输出电容上产生整流正弦电压/电流；双环路数字控制：采用双环路数字控制，开关频率可达100KHz，超高分辨率控制； MPLAB X IDE图形化配置：MPLAB X IDE中的MCC插件，以图形化配置生成各类外设模块的初始化代码和底层驱动，可极大降低软件开发难度，减轻工程师的开发负担，常规应用无需看寄存器定义即可完成开发。方案规格：输入电压：单相AC 220V；最大功率：3.3KW；输入电流：15A；输出电压：400DC +/- 5Vdc； PWM频率：100KHz；转换效率：98.5%； iTHD：小于5%（在Load >20%时）； USB在线升级：支持（使用MCC生成代码）；环境温度：小于50℃；尺寸：208mm×88mm×45mm。本篇新闻主要来源自大大通：基于Microchip dsPIC33CK256MP506高性能DSP开发的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案如有任何疑问，请登陆【大大通】进行提问，超过七百位技术专家在线实时为您解答。欢迎关注大联大官方微博（@大联大）及大联大微信平台：（公众账号中搜索“大联大”或微信号wpg_holdings加关注）。

大联大 . 2025-07-09 1375
从DS12C887到 YSN8130：实时时钟芯片的小型化、低功耗革新之路

在实时时钟（RTC）芯片领域，DS12C887这款由 Dallas 公司生产的RTC芯片，凭借断电后仍可依靠备用电源持续运行的特性，成为众多设备可靠的时间管家。它不仅具备秒、分、小时、日、星期、月、年的精准计数功能，还支持可编程的中断输出，无论是二进制还是BCD码时间格式都能轻松驾驭。此外，DS12C887时钟芯片中带有128BRAM，可用于存储信息；可编程的方波输出，搭配简单的微控制器接口，使其在计算机系统、家用电器、工业控制等领域得以广泛应用。然而，随着智能设备不断向小型化、低功耗、高精度方向发展，其DIP24 封装带来的PCB 空间占用、10μA典型功耗对续航的压力，以及±1 分钟/月的计时误差，逐渐成为物联网、穿戴设备等场景的瓶颈。如今，YSN8130以LGA3.2×2.5×1.0mm 的小型封装（体积缩减95%）、双电源低功耗设计（功耗降低 90%），以及10倍精度提升，从“空间革命、续航跃升、精度跃迁、功能进化”四大维度，让RTC从“能用”走向“好用”，为便携设备的计时需求提供更优解。一、小型化：空间革命传统痛点：DS12C887采用庞大的DIP24封装（24引脚），简单的并行接口，传输速率较慢，占用大量PCB空间，布线复杂。 YSN8130突破：采用先进的I²C串行接口，仅需两根信号线，引脚数量锐减90%。LGA 3.2×2.5×1.0mm超微型封装，体积相较DS12C887缩小95%以上。完美契合智能手表、智能家居等对空间极度敏感的便携设备需求。二、超低功耗：续航跃升传统痛点：DS12C887典型功耗约10μA，对电池供电设备续航构成压力。 YSN8130突破：典型功耗低至0.9μA (FOUT关闭时)，功耗降低90%。采用双电源设计（主电源VDD: 1.6-5.5V，备用电源VBAT: 1.2-5.5V），无缝支持外部电池或超级电容备份。为智能门锁、运动穿戴、智能家居等设备带来数倍延长的电池寿命，显著提升用户体验。三、高精度计时：稳定可靠传统痛点：DS12C887无补偿下月误差可达±1分钟，且工作温度仅支持0~70℃，难以满足工业等高精度场景。 YSN8130突破：精度达±5ppm（约±13秒/月），精度提升10倍。工作温度支持-40~85℃，满足多种场景使用需求。四、功能全面：智能升级传统局限：DS12C887主要提供基础RTC功能和RAM，如遇世纪年份需手动校准 YSN8130优势：配备基础RTC，集成丰富功能： · 集成数字校准、直接支持跨世纪日期； · 闹钟中断：精准触发定时任务（如智能家居场景联动）； · 定时器：提供灵活计时功能； · 智能电池管理：实时监测备份电源状态，有效防止数据丢失； · 支持事件触发。 YSN8130凭借小型化、超低功耗、超高精度、丰富功能的全面优势，广泛应用于工业控制，智能穿戴，智能家居，医疗设备等领域。有RTC需求可以联系小扬获取免费样品，提供相关技术支持~

实时时钟,时钟芯片,RTC,时钟晶振

扬兴科技 . 2025-07-09 1 1455
如何部署流媒体服务实现监控功能--基于米尔TI AM62x开发板

本文将介绍基于米尔电子MYD-YM62X开发板（米尔基于TI AM62开发板）的部署流媒体服务实现监控功能方案的开发测试。摘自优秀创作者-HonestQiao 米尔-TI AM62x开发板除了可以用官方的CSI摄像头，还可以直接使用第三方的USB摄像头，我手头正好有几个个USB摄像头：经过实测，可以很好的在米尔-TI AM62x开发板上使用。这篇分享，就是在这块开发板上部署流媒体服务，通过USB摄像头实现监控功能。一、软件准备要在Linux上面部署流媒体服务，mjpg-streamer是最合适的。首先，在应用开发环境中，进行 mjpg-streamer 跨平台编译，具体步骤如下： git clone https://github.com/jacksonliam/mjpg-streamer cd mjpg-streamer/mjpg-streamer-experimental find -name "Makefile" -exec sed -i "s/CC = gcc/#CC = gcc/g" {} \; grep -rn 'CC = gcc' * make clean make file mjpg_streamer # mjpg_streamer: ELF 64-bit LSB executable, ARM aarch64, version 1 (SYSV), dynamically linked, interpreter /lib/ld-linux-aarch64.so.1, BuildID[sha1]=48d2a902d1672913291a75a055d224d340d77649, for GNU/Linux 3.14.0, with debug_info, not stripped 上面代码步骤中，使用find+sed，来替换Makefile中的CC配置。因为应用开发环境提供了CC变量，可以直接使用。将最终编译出来的mjpg_streamer，部署到开发板上备用，具体如下： ssh root@192.168.10.11 "mkdir ~/mjpeg_server/" scp mjpg_streamer root@192.168.10.11:~/mjpeg_server/ scp *.so root@192.168.10.11:~/mjpeg_server/ 最终，开发板上部署的文件如下：二、摄像头信息获取米尔官方的系统，提供了v4l2工具，可以直接使用。 1. 查看当前的摄像头设备： v4l2-ctl --list-devices 可以看到，找到了USB接口的摄像头，对应的设备地址为 /dev/video0 2. 查看摄像头的支持的格式类型 v4l2-ctl --list-formats -d /dev/video0 3. 查看摄像头的具体参数： v4l2-ctl -D -d /dev/video0 三、流媒体服务启用前面安装好了mjpeg_server，现在可以启用测试了： cd ~/mjpg_streamer ./mjpg_streamer -i "input_uvc.so -d /dev/video0 -n -r 640x480 -f 10" -o "output_http.so -p 8081 -w ./ -c test:test123" 上述命令中，使用/dev/video0做为输入，分辨率为640x480，输出端口为8081。为了安全起见，设置了一个简单的账户密码test/test123。实际使用中，应该使用复杂的用户名和密码。成功后，显示如下表示成功：启动成功后，就可以通过网址 http://192.168.10.11:8081/?action=stream 进行访问了。其中192.168.10.11为开发板的地址。整体环境如下：实际操作效果如下： 00:2 摄像头视频录制结果：【二次测试录制】四、总结从上面的实测视频可以看到，视频流的延迟非常非常低低，而且也非常的流畅，没有丝毫的卡顿。另外，也看了一下当时的CPU负载：资源占用非常低。不过，有一点小小遗憾的是，该开发板暂时还不支持双USB摄像头，不然可以上多个一起玩了。总的来说，虽然米尔-TI AM6231属于米尔-TI AM62x中三个型号的最低配版本，但是做一下工业基础应用，完全足够了。

AM62

米尔电子 . 2025-07-09 1025
展会 | 2025年PCIM Asia Shanghai聚焦电气化交通，丰富活动共筑高端综合平台

上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（PCIM Asia Shanghai）将于2025年9月24至26日重返上海新国际博览中心（N4及N5馆）。本届展会聚焦电气化交通、太阳能与风能、储能、氢能、人工智能和数据中心的电力电子应用等应用领域，届时将举办一系列精彩活动，包括国际研讨会、主题论坛及全新的电气化交通展示专区等活动，打造集技术展示、产业对接、行业趋势洞察于一体的高端平台。今年展会新增电气化交通深度探索半日团，带领参与各方深入国家磁浮交通工程技术研究中心及大众新能源汽车产线，了解电气化交通最新趋势及技术方案。 PCIM Asia Shanghai自2002年落户中国以来，迄今仍是亚洲市场少有的专注于电力电子领域的专业商贸平台。展会以展览会与研讨会相结合的模式，深耕亚洲市场二十余载，已成为连接业界与科研成果的纽带，每年均汇聚行业与学术界的专家，分享前沿研究成果、行业洞察，更通过覆盖半导体功率器件、功率IC、无源元件、封测技术到系统解决方案等的全方位展示，涵盖全产业价值链。业界精英云集共议产业发展与展会同期举办的PCIM Asia Shanghai国际研讨会也将重磅回归，齐聚一众行业领袖及专家学者，聚焦电力电子于电气化交通的关键应用。今年研讨会的重点内容包括来自汇川动力、剑桥大学及华为数字能源的专家学者主题演讲，他们将分享在电动汽车电源转换器、人工智能与数据中心电源技术方面的前沿成果。丰富同期活动，探索电力电子新能源应用除备受欢迎的展会及国际研讨会外，今年的PCIM Asia Shanghai将围绕电气化交通的主题举办一系列精彩同期活动，打造高效的技术交流与商业合作平台。亮点活动的详情如下：电气化交通产业链展示专区汇聚国内外新能源汽车产业链龙头企业和创新力量，集中展示电力电子在新能源汽车产业链的应用，展现电气化转型的多元化应用，通过“科普展示+实物演示+互动体验”的多维形式，直观解析关键技术原理与创新突破。电气化交通深度探索半日团今年展会将在第三天组织产业链相关技术研发负责人、高校专家等进行电气化交通专题深度探索团，由同济大学康劲松教授主持，深入国家磁浮交通工程技术研究中心，大众新能源汽车产线，了解电气化交通發展趋势及先进技术方案，并举行小型闭门会议作专题探讨。行业领军企业展现电力电子产业价值链 2025年展会展览面积达25,000平方米，预计吸引约260家来自国内外的行业领军企业。五大赞助商：三菱电机、赛米控丹佛斯、富士电机、英飞凌和罗姆将继续鼎力支持PCIM Asia Shanghai 2025。更有众多国内外知名企业已确认参展，包括安森美、安世半导体、博世、东芝、方正微、宏微、华润微、基本半导体、美蓓亚、迈来芯、南瑞半导体、PI、日立能源、太阳诱电、威世、瑶芯微、宜普电源转换、英诺赛科、扬杰、中国中车等。它们将于为期三天的展会上呈现一系列涵盖功率半导体元件、集成电路、传感器、智能运动等电力电子相关创新产品及解决方案。 2025年PCIM Asia Shanghai观众报名登记现已开放，欢迎有兴趣参与人士登入：https://b.gymf.com.cn/wechat/?activityId=82&source=PM8报名参会。

展会

PCIM Asia Shanghai . 2025-07-08 1 2 1680
方案 | 极海 BMP561 单串电量计方案：高效精准的电源管理，让 AI 眼镜续航更可靠

随着技术的加速迭代，AI眼镜正由基础功能交互向轻量化、智能化、时尚化方向快速演变。根据Sigmaintell预测，2025年全球AI智能眼镜市场规模将达到570万台，同比实现110%的爆发式增长；未来5年，有望以19%的复合增长率突破1360万台，这标志着AI眼镜产业正迎来从概念验证到规模化商用的转变。 AI眼镜、智能手机、平板、笔记本、无人机等智能设备的广泛普及，使得优化电源管理技术成为提升产品竞争力的关键。高效精准的电量监测与管理，对于延长电池寿命、保障设备安全以及提升用户体验至关重要。针对电源管理行业对高精度、低功耗以及延长电池寿命的需求，极海推出采用BMP561单节电池电量监测计芯片的单串电量计参考方案。该方案能够精确监测电池状态、延长电池寿命、提升安全性、支持智能充电管理以及促进系统集成与优化，为设备提供高效且可靠的电池管理方案，从而简化硬件设计、降低BOM成本、提高系统可靠性。 BMP561单串电量计参考方案极海BMP561单串电量计参考方案，具有低功耗、高可靠和高性价比等特点，可实现单串电芯监测、电池电量估算及支持I2C通讯，适用于AI眼镜、手机、平板、笔记本、智能手环、智能手表、POS机等单串电池管理场景。该方案由两部分组成： BMP561：集成高精度ADC采样电流和电压，并进行电量估算；保护电路：实现欠压、过压、过流、短路等保护功能。方案框图方案优势高精度：支持软件高精度库伦计数器，集成16位高精度V-ADC和C-ADC分别同步采样电压和电流，进行电量估算低功耗：支持多种节能模式，深度睡眠模式18μA@25℃结合智能休眠机制，可显著延长电池续航能力高可靠：集成一套可根据电池标定适配的算法以及适用于芯片的采样方式和功耗模式，使得芯片在采样精度、低功耗以及SOC精度上最大化 BMP561芯片特性 32位Arm® Cortex®-M0+内核，可根据电池实时状态及时处理和更新计算电池容量，不需要通过外部MCU处理； 2个16位ADC分别采样电压和电流，为算法提供数据支撑； I2C通讯可实现与外部器件的数据交互； HMAC-SHA256认证响应器，支持电池组侧电量监测。单串电量计作为电池管理系统中重要的组成部分，是推动电池管理向智能化、高精度、高可靠性方向发展的关键技术基础。极海BMP561单串电量计参考方案，配有可视化上位机调试界面的工具链，实现方案参数调整、校准以及实现固件的在线/离线升级功能。同时产品具备完善的开发生态，可提供配套技术文档、软硬件开发工具和本地化服务支持，有助于工程师快速开发、加速产品量产落地。

极海半导体

Geehy极海半导体 . 2025-07-08 1655
企业 | 长鑫存储启动上市辅导，预期估值超1400亿元

7月7日，中国证监会官网显示，国产DRAM存储器大厂长鑫科技集团股份有限公司的IPO辅导备案申请获安徽证监局受理，辅导机构为中金公司、中信建投证券。官方资料介绍，长鑫存储成立于2016年，主要从事动态随机存取存储器（DRAM）产品的研发、设计生产及销售。公司注册资本达601.9亿元，无控股股东。第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。官网显示，长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。公司核心管理层由拥有25年以上经验半导体行业领军人物领衔，共同引领公司成长与践行战略。公司管理层持续营造创新文化，鼓励技术创新，并吸纳了来自全球知名半导体企业的人才，致力于为客户、为市场提供高价值的产品与服务，实现商业成功。长鑫存储首席执行官为曹堪宇博士，曹堪宇博士于2017年加入长鑫存储，在担任产品研发执行副总裁以及技术研发执行副总裁期间，制定公司研发战略及设计路线，完成了多款产品的开发和量产应用，实现了DRAM从无到有的转变，并兼任过技术研究与开发、市场及战略等多个领域的管理工作。2023年4月起，他开始担任长鑫存储首席执行官。加入长鑫存储前，曹堪宇博士曾担任兆易创新战略市场副总裁。他曾在北京凡达讯科技有限公司任首席执行官，并于2005年联合创立了昆天科微电子技术有限公司，担任中国区总经理。公开信息显示，目前已有多家知名投资机构入股长鑫存储，包括合肥产投集团、安徽省投、建信金融、大基金二期、兆易创新、小米、美的、阿里、腾讯等。 2024年3月份，长鑫科技宣布了新一轮融资，总额高达108亿元，投前估值约1400亿元。长鑫存储官网显示，2018年，长鑫存储成功研发了国内首个8Gb DDR4芯片。2019年9月20日，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的8Gb DDR4首度亮相。 2023年11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片。 12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。作为半导体科技产业巨头，市场人士认为，长鑫科技产业链投资价值巨大。作为国内DRAM厂商的代表，长鑫科技拥有显著的市场优势，其多元的产品线和多年来深耕本土市场的积累令其市场认可度不断提升，是竞争激烈的芯片行业内具备稀缺性的投资标的。长鑫科技的IPO进展此前一直备受关注，此番完成备案辅导，标志着公司上市有了实质性进展。

长鑫存储

独角兽早知道 . 2025-07-08 5360
技术 | 共模浪涌抑制的可行性方案—共模电感搭配过压器件

共模浪涌以前没有特别关注过，最近看到几个类似的应用，因此结合DeepSeek强大的功能与网上搜集到的经验分享，稍作整理归纳，供被共模浪涌困扰的小伙伴简单参考。讲到浪涌抑制不得不先介绍一下EMC核心产品之一，共模电感，是一种用于抑制共模噪声的电子元件，广泛应用于电源、通信和信号线路中。它的主要作用是滤除电路中的共模干扰信号，同时允许差模信号（有用信号）通过。共模电感的结构共模电感通常由两个绕组（线圈）绕制在同一个磁芯上组成，这两个绕组的匝数相同，绕制方向相同。其结构特点如下： - 双绕组设计：两个绕组分别串联在电路的两条信号线上。 - 磁芯材料：通常采用高磁导率的铁氧体材料，以增强电感量。 - 对称性：两个绕组在磁芯上的绕制方式对称，确保对共模噪声的抑制效果一致。共模电感的工作原理共模电感的工作原理基于电磁感应的基本原理： 1. 共模噪声抑制：当共模噪声电流流过两个绕组时，由于电流方向相同，会在磁芯中产生叠加的磁场，从而产生较大的感抗（阻抗）。这种感抗会阻碍共模噪声电流的通过，从而抑制共模噪声。 2. 差模信号通过：当差模信号（有用信号）流过两个绕组时，由于电流方向相反，在磁芯中产生的磁场会相互抵消，因此对差模信号的感抗很小。这样，差模信号可以几乎无损耗地通过共模电感。共模电感的阻抗特性 1. 对共模噪声：共模电感呈现高阻抗，能够有效抑制共模噪声。 2. 对差模信号：共模电感呈现低阻抗，允许差模信号顺利通过。共模浪涌对共模电感的影响 1. 磁芯饱和：共模浪涌通常伴随着大电流，可能导致共模电感的磁芯饱和。磁芯饱和后，电感量急剧下降，导致共模电感的抑制效果显著减弱，无法有效滤除共模噪声。 2. 绕组过热：大电流通过共模电感的绕组时，会产生焦耳热（I²R损耗），可能导致绕组温度升高。如果浪涌持续时间较长或能量较大，可能损坏绕组的绝缘层，甚至烧毁共模电感。 3. 绝缘击穿：共模浪涌的高电压可能超过共模电感的绝缘耐压极限，导致绕组之间或绕组与磁芯之间发生击穿。绝缘击穿会直接损坏共模电感，甚至引发短路故障。 4. 性能下降：即使共模电感未完全损坏，多次承受浪涌冲击后，其磁芯和绕组的性能可能逐渐退化，导致电感量下降、损耗增加，最终影响其滤波效果。共模电感在抑制共模浪涌中的作用尽管共模电感可能受到共模浪涌的影响，但它仍然是抑制共模浪涌的重要元件之一。其作用主要体现在： 1. 抑制高频噪声：共模电感对高频共模噪声有较好的抑制作用，可以减少浪涌中的高频分量。 2. 延缓浪涌上升时间：共模电感的感抗可以延缓浪涌的上升时间，从而降低浪涌的峰值电压和电流。 3. 与其他保护器件配合：共模电感通常与TVS二极管、压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）等浪涌保护器件配合使用，形成多级保护电路，提高系统的抗浪涌能力。应对共模浪涌的措施为了减少共模浪涌对共模电感的影响，并提高电路的抗浪涌能力，可以采取以下措施： 1. 选择合适的共模电感： - 高饱和电流：选择磁芯饱和电流较高的共模电感，以承受较大的浪涌电流； - 高绝缘耐压：选择绝缘耐压等级较高的共模电感，以承受浪涌的高电压； - 耐高温材料：选择耐高温的绕组和磁芯材料，以提高抗浪涌能力。 2. 增加浪涌保护器件： - TVS二极管：在共模电感后并联TVS二极管，用于钳位浪涌电压； - 压敏电阻（MOV）：在输入端并联压敏电阻，吸收浪涌能量； - 气体放电管（GDT）：用于泄放大电流浪涌，保护后续电路。 3. 多级保护设计：采用多级保护电路，例如：第一级使用GDT或MOV进行粗保护，第二级使用共模电感抑制高频噪声，第三级使用TVS二极管进行精细保护。这种设计可以分散浪涌能量，减少对单个器件的冲击。 4. 优化电路布局：将共模电感尽量靠近输入端，以减少浪涌对后续电路的影响。确保共模电感的接地良好，以提供有效的共模噪声泄放路径。共模电感搭配过压保护器件抑制共模浪涌方案分析从前面的分析可以看出，共模浪涌对共模电感的影响主要体现在磁芯饱和、绕组过热、绝缘击穿和性能下降等方面。因此除了电感本身的设计，也可以通过外部电路的协助来实现浪涌抑制的调整，该方案的探讨主要目的是削减共模感应电压，从而减少或规避电感本身绝缘击穿或者端子间的放电拉弧现象，从而保证共模浪涌的能量可靠抑制。 1.通过PCB加放电齿的方式，共模浪涌在共模电感两端感应高电压之后，利用绝缘击穿尖端放电的原理，实现了能量的泄放，防止因为共模过压导致的对后级电路的二次伤害。但是加放电齿长时间使用会出现氧化甚至碳化的情况，同时不能涂刷三防漆。 2. 共模电感并联压敏电阻MOV，该方案具有较高的性价比，能量吸收能力强，有贴片与插件多种可选，但是压敏电阻本身的结电容较大，通常在几百pF以上，因此对于线路EMI设计会有影响，需要重点考虑。 3. 共模电感并联气体放电管GDT，气体放电管有贴片与插件可选，最大的优点就是结电容小，通常在1pF以下，对于EMI影响较小，同时具有高浪涌吸收能力。 4. 共模电感并联固体放电管SIDACtor，固体放电管最大优点就是半导体结构，响应速度快，同时不会有寿命衰减的限制，可靠性较高，该产品有贴片小尺寸DO-214AB封装，目前在OBC上已经广为认可，缺点就是结电容较大，在200-300pF左右，因此选用之后需要对EMI重点设计。我们知道一般共模回路都会直接加压敏电阻与气体放电管串联接地，起到抑制共模浪涌的作用，但是对于一些共模电压过高的情况可以考虑上述方案，或者因为高压绝缘检测的要求，气体放电管必须选择高压2500-3000V的时候，该方案适用。对于共模已经添加低压气体放电管对地，高压绝缘检测的时候通过松开气体放电管与地端连接的螺丝方式，那么无需考虑该方案。

共模浪涌

Littelfuse . 2025-07-08 1 2505
技术 | 三相四线变换器拓扑与原理简介

三相四线制配电具有稳定性高、适用范围广等优点，多应用于工商业、民用等低压配电场景，在传统的APF、UPS等应用里，三相四线变换器已被大量采用，近年来，工商业侧储能正以其经济性、电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载的带载能力、谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。SiC MOSFET结合三相四桥臂变换器在此应用场景具有明显的应用优势，本文上篇将介绍常用的三相四线变换器拓扑及特点以及不同于三相三线系统的调制方法，下篇将结合仿真实例说明SiC MOSFET在其中的应用优势与价值所在。工商业储能系统离网运行时，可能存在单相负载和三相不平衡负载，即会产生三相不平衡电流，由于逆变器的输出阻抗不为零，根据对称分量法，输出电压将会包含零序和负序分量，三相三线变换器因为缺乏零序电流通路无法对零序分量进行补偿，因此若需解决三相不平衡电压问题，满足单相供电等需求，采用三相四线变换器拓扑是非常必要的，常见的拓扑形式有以下几种：变压器方式变压器方式，在传统的三相三桥臂变流器交流输出侧增加一个工频变压器可以最为简单的实现三相四线的供电。变压器的初级侧是三角形连接，因此零序分量在初级侧被短路，系统只需要考虑正序和负序分量的控制，这有助于简化控制方案。次级负载侧通过Yn连接为负载提供中线电流通路。但当负载不平衡程度较大时，这种拓扑结构无法很好地保持电压平衡，负载电压中的零序分量取决于变压器的漏抗，降低变压器漏抗可削弱零序分量造成的三相不平衡，此外，变压器会显著增加系统的体积和成本。图1. 变压器式三相四线拓扑三相三桥臂分裂电容拓扑三相三桥臂分裂电容拓扑，将负载中点与直流中点直接相连，如图2所示，实现三相四线的供电。这种解决方案不需要增加额外的功率器件和变压器，成本相对较低。但当负载不平衡时，不平衡电流会流入直流电容器，考虑长期使用寿命，电容容量需求更大，同时需要增加中点电压不平衡控制策略以及零序控制。该拓扑结构的输出相电压只能在两个电平（-1/2Vdc，+1/2Vdc）之间跳变，相同开关频率下输出电流THD高于三相三线系统，相同母线电压下直流电压利用率更低。由于增加了零序电流路径，空间矢量脉宽调制（SVPWM）无法控制零轴分量，需要采用三维空间矢量调制(3D-SVPWM)或载波调制方法。事实上，一旦交流中点和直流中点相连，三相系统则变成三个独立的单相电路，因此不论是载波调制还是3D-SVPWM，最终的调制效果都与单相SPWM的调制效果一致。在必须使用三相四线接线制式的应用场合，为提高谐波抑制性能，在成本允许的情况下，多重化技术将是不错的选择，或者提高开关频率。总体来讲这种拓扑抑制三相电压不平衡的能力有限。图2. 分裂电容式三相四线拓扑平衡桥臂式三相四线变换器平衡桥臂式三相四线变换器，这种拓扑也被广泛使用，负载中点连接到直流母线中点，平衡支路通过高频电感也连接到直流母线的中点。通过控制平衡桥功率器件的开通关断来调配两个半母线电容能量，使平衡桥臂支路电流和负载中线电流相互抵消，以确保中点电压相对稳定和三相电压平衡，三相桥的控制方法与分裂电容式拓扑相同。对于这种拓扑结构，抑制三相电压不平衡的能力有所提高，且主要取决于平衡支路的硬件能力。三相四桥臂变换器拓扑三相四桥臂变换器拓扑如图四所示，负载中点直接连接到第四桥臂的交流输出点。第四桥臂为不平衡电流提供了通路同时增加了一个控制自由度，可以将三相电压解耦为三个独立的单相控制。与分裂电容式的三相四线拓扑结构相比，直流电容的容量需求降低，这有利于减小装置体积重量。控制中，三相四桥臂变换器多使用三次谐波注入的载波调制方法或3D-SVPWM调制方法，与上述其他拓扑相比，可以实现更高的直流电压利用率，下文将会进一步讨论。三相四桥臂拓扑虽然增加了一定的功率器件成本，但具有最强的不平衡负载带载能力，广泛应用于户用、工商业储能PCS中。图4. 三相四桥臂变换器拓扑对三相四桥臂变换器建模分析表明，与三相强耦合的三相三桥臂变流器不同，三相四桥臂变换器可以解耦为三个独立的全桥变换器，特别是在三相负载不平衡的离网应用时，可以通过V/F方式独立控制并建立输出电压，输出相电压不会相互影响。通常采用三次谐波注入的载波调制方法或3D-SVPWM调制方法，以获得更好的直流电压利用率和更小的输出谐波畸变。对于三相四桥臂变换器，3D-SVPWM调制空间在α β γ 坐标系中是一个六棱柱结构，其中𝛾代表零序分量。输出矢量所在三角棱柱区域的判断以及矢量合成过程相对复杂，与载波调制相比，在工程实际应用中不够友好。且有研究表明，这两种方法在最终调制效果上归一的。图5. 三相四桥臂变换器空间矢量分布对于三相四桥臂变换器的载波调制方法，其调制波形如图六所示，数学表达式为： m为调制比。图6. 三相四桥臂变换器调制波与载波波形上图蓝色曲线对应A相调制波形，B相和C相相位差分别为±120°，对其进行傅里叶展开，基波分量的幅值为2/√3sin(ωt)，这意味着与正弦脉宽调制(SPWM)相比，提高了直流电压的利用率。第四桥臂直接应用三倍频正弦波进行调制，在相电压的输出中此分量可被消除。这种调制方法易于实现，且在工程中被广泛应用。

英飞凌

英飞凌工业半导体 . 2025-07-08 1 2020
技术 | 安森美方案组合拳，直击域控变革挑战

三十年前，汽车堪称机械工程领域的奇迹之作，但以如今的标准来看，其构造相当简单。入门级汽车仅配有收音机和电子点火装置。车窗升降器是手动的。仪表盘上装有机电式速度计和一些警示灯。电力通过仪表盘上的开关直接从电池传输至前大灯。那时的汽车没有防抱死制动系统(ABS)和安全气囊，也没有中央计算机。所有部件都使用模拟信号，并且相互独立。如今，车辆集成了数百种功能，其中许多功能是法规强制要求或消费者所需求的。为了实现这些功能，汽车制造商陆续安装了电子控制单元(ECU)。每个系统（制动、照明、信息娱乐等）均配备了各自的ECU、软件和布线。随着时间的推移，单辆汽车中形成了由100到150个ECU组成的复杂网络，并且这个网络变得越来越复杂。为了突破这种复杂性，汽车制造商开始采用软件定义汽车(SDV)架构。SDV旨在实现软件控制的集中化，从而简化功能的更新、管理和扩展。然而，即使实现了这种转变，若汽车制造商不重新考量车辆的物理架构，底层的布线和分布式硬件仍可能成为系统瓶颈。于是，区域控制架构应运而生，这是一种基于位置的现代设计策略，对SDV原则起到补充作用，并显著简化了车辆系统。什么是区域控制架构？区域控制架构是一种范式转变，它依据位置而非功能来组织车辆电子设备。不再为每个子系统配备专属的ECU，而是在车辆的各个区域（如左前角、右后角或车舱内）安装区域控制器。这些控制器管理各自区域内的本地设备，如车灯、开关和传感器。并非每个组件都运行各自的软件，而是由区域控制器充当中心枢纽，负责配电和数据通信。这些区域控制器连接到中央计算机，中央计算机中装有定义车辆行为的核心软件。因此，对于中央门锁、照明或温度控制，无需单独的ECU，中央计算单元做出决策，区域控制器负责执行。这种转变用更简单、更易于管理的区域布局取代了数百条点对点的线路，显著提高了设计的清晰度和系统效率。实施区域控制架构的现实挑战尽管区域控制架构优势显著，但实施过程并非毫无挑战。首先，并非所有边缘模块都可以完全去除智能功能。一些组件（例如先进的照明系统）为实现性能、安全性或专有功能，仍需要本地处理。一级供应商提供的这些模块带有内置软件，因为他们拥有对模块进行编程和控制的专业知识。这给采用区域设计的SDV带来了一项核心挑战，即需在集中控制与本地化灵活性之间找到平衡。在许多情况下，汽车制造商负责处理中央计算软件，而一级供应商则管理所制造模块的嵌入式软件。实现纯软件的中央大脑是目标，但往往需要做出妥协。以太网在区域设计中的作用传统的ECU使用CAN和LIN等传统通信协议，这些协议适用于独立模块，但在区域控制架构中扩展时会变得难以管理。这正是汽车以太网（特别是10BASE-T1S）发挥作用的地方。 10BASE-T1S是一种专为汽车应用设计的低速（10 Mbps）多分支以太网标准。它允许多个节点（如前大灯、转向灯和门锁）共享一对双绞线，减少了对昂贵点对点连接的需求。图1. 10BASE-T1S 多分支连接示例这种方法简化了布线，降低了成本，并利用了以太网成熟的生态系统（包括时间同步和错误恢复功能），避免了100BASE-T1或千兆以太网等高速以太网的开销。对于低带宽设备来说，这些高速以太网是不必要的。配电中的智能开关区域控制器不仅负责数据中继，还为其所在区域内的组件配电。这意味着它们在系统安全和诊断方面起着关键作用。安森美(onsemi)的智能开关功能远不止基本的电路保护。这些智能器件具备以下特性：每个通道的电压和电流监测功能支持 ASIL B、ASIL D 等汽车安全标准故障安全和故障运行模式，即使检测到故障，也能确保功能持续运行例如，在发生故障时，智能开关可以降低功率、隔离故障，或进入安全回退模式，而不是完全关闭前大灯等关键系统。这种洞察和控制能力对于更高级别的自动驾驶来说至关重要。图2.典型的区域配电架构区域控制架构的优势区域控制架构在车辆开发、生产和运营方面具有五大优势：降低布线复杂性和重量：减少电线和连接器的使用，既减轻了车重，又缩短了制造时间。降低材料和装配成本：简化布线意味着制造成本降低，维护更加简便。提高可扩展性：通过软件即可添加或更改新功能，无需重新设计硬件布局。集中软件控制：简化开发流程，并支持无线 (OTA) 更新，这是 SDV 的关键推动因素。更智能的功能协调：以照明为例。在传统车辆中，要实现解锁时前大灯闪烁，需要集成多个 ECU。在区域设计中，中央计算机发送单个命令，然后由相应的区域控制器执行该命令，无需冗余布线或单独的照明逻辑。安森美助力汽车制造商向区域控制架构转型区域控制架构体现了车辆设计与制造方式的范式转变。通过按物理位置对功能进行分组，并利用基于以太网的通信，汽车制造商显著降低了系统复杂性、布线成本和维护难度。与软件定义汽车的原则相结合时，区域设计为更快的创新、更广泛的定制和更智能的诊断铺平了道路。借助10BASE-T1S、远程控制协议IC和智能配电等支持技术，安森美正在助力汽车制造商实现这一愿景，提供可扩展、安全且高效的区域控制方案，以满足现代出行不断变化的需求。

安森美

安森美 . 2025-07-08 1165
企业 | Cadence携手三星晶圆代工厂加速面向 AI 数据中心、汽车及互联应用的系统级芯片、3D-IC 与小芯片（Chiplet）设计

中国上海，2025 年 7月 8日—楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布扩大与三星晶圆代工厂的合作，包括签署一项新的多年期 IP 协议，在三星晶圆代工厂的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先进节点中扩展 Cadence®存储器与接口 IP 解决方案的应用范围。为深化持续的技术合作，双方将利用 Cadence AI 驱动的设计解决方案，结合三星先进的 SF4X、SF4U 和 SF2P 工艺节点，为 AI 数据中心、汽车（包括高级驾驶辅助系统，ADAS）以及新一代 RF 连接应用提供高性能、低功耗的解决方案。 Cadence AI 驱动的设计解决方案以及全面的 IP 与硅解决方案组合，可显著提升设计人员的生产力，并加快基于三星晶圆代工厂先进工艺的尖端系统级芯片、小芯片（chiplet）及 3D-IC 产品上市时间（TTM）。 “我们支持三星晶圆代工厂工艺节点上的各种 IP、子系统和小芯片（chiplet），最新签订的多年期 IP 协议进一步巩固了双方持续的合作关系，”Cadence 高级副总裁兼芯片解决方案事业部总经理 Boyd Phelps 表示，“通过将 Cadence AI 驱动的设计与硅解决方案同三星的先进工艺相结合，我们正在为双方的共同客户提供打造创新产品所需的前沿技术，助力其产品更快上市。” 三星电子副总裁兼代工设计技术团队负责人 Hyung-Ock Kim 补充道：“Cadence 从 RTL 到 GDS 的全套数字工具现已通过三星最新的 SF2P 工艺节点认证，支持 Hyper Cell 和 LLE 2.0 等先进技术。Cadence 还将与三星密切合作，利用 GPU 加速来支持模拟迁移、提升电源完整性，并改进 3D-IC 的热分析和翘曲分析。此外，Cadence 与三星晶圆代工厂签署的多年期协议将进一步扩展存储器和接口 IP 解决方案，巩固我们双方的合作伙伴关系。” 扩充 IP 协议 Cadence 与三星晶圆代工厂新签署了一项多年期协议，旨在为人工智能、高性能计算（HPC）和汽车应用提供先进的存储器与接口 IP 解决方案。扩展后的 SF4X IP 产品组合包含 LPDDR6/5x-14.4G、GDDR7-36G、DDR5-9600、PCI Express®（PCIe®）6.0/5.0/CXL 3.2、Universal Chiplet Interconnect Express™（UCIe™）-SP 32G 以及 10G 多协议 PHY（支持 USB3.x、DP-TX、PCIe 3.0 和 SGMII），配套的控制器 IP 可提供完整的子系统硅解决方案。专为汽车应用定制的 LPDDR5X-8533 PHY IP进一步完善了 SF5A IP 平台解决方案，而新增的 32G PCIe 5.0 PHY 补充了现有的 SF2P 产品，旨在满足领先 AI/HPC 客户的需求。数字全流程认证与先进数字技术开发基于广泛的设计与技术协同优化（DTCO）项目，Cadence 数字全流程已通过最新的三星 SF2P 工艺节点认证，包括三星 Hyper Cell 方法学。此外，Cadence 还实现了对三星Local Layout Effect（LLE）时序精度的支持。双方还就下一代工艺节点的 DTCO 项目展开合作。 Cadence Pegasus™ Verification System 已通过三星 SF2P 及其他三星节点的认证。Cadence 物理验证流程经过优化，依靠大规模可扩展性帮助双方的共同客户实现签核精度与运行时间目标，从而加速产品上市。模拟设计迁移 Cadence 与三星晶圆代工厂成功实现了基于模拟单元的 4 纳米 IP 向先进 2 纳米工艺节点的自动化迁移，在保持功能与设计意图的同时实现更快的周转时间。此次迁移凸显了技术扩展与 IP 复用在节省时间与开发成本方面的重要性，并为未来跨不同工艺节点迁移模拟单元及其他 IP 奠定了基础。射频芯片/封装协同设计参考流程合作 Cadence 与三星晶圆代工厂还基于三星 14 纳米 FinFET 工艺，成功展示了面向下一代毫米波应用的前端模块（FEM) /天线封装（AiP）协同设计完整流程。从初始系统级预算规划，到 RFIC/封装协同设计、分析及版图后验证在内的芯片/模块开发各个阶段的设计数据管理流程得到简化，加快了设计周转时间。 3D-IC 电源完整性 Cadence 与三星合作开发了覆盖全流程的 3D-IC 电源完整性分析方法，涵盖从早期探索到最终签核的完整流程，采用了先进的 Cadence EDA 工具，包括 Voltus™ InsightAI、Innovus™ Implementation System 以及 Integrity™ 3D-IC Platform。针对采用三星 SF2 工艺节点的高速 CPU 芯片，Voltus InsightAI 实现了 80%-90% 的 IR 压降违例修复，同时对时序和功耗几乎没有影响，充分展示了其平衡电源完整性与性能需求的能力。

Cadence

Cadence楷登 . 2025-07-08 5595
技术 | 空间与性能的平衡艺术：5G射频前端在NSA/SA场景下的技术革新

当用户通过 5G 手机进行视频流媒体传输时，基站与终端之间的信号链路中，射频前端作为核心功能模块承担着关键处理任务。这一集成于手机主板的微型无线系统，负责完成无线信号的接收放大、发射滤波、信号切换等核心功能。随着全球 5G 网络从非独立组网（NSA）向独立组网（SA）演进，以及两种模式长期混合部署的行业现状，射频前端的架构设计与信号处理策略正经历系统性技术变革。这种变革不仅直接影响终端设备的信号质量、续航能力和集成密度，更成为支撑 5G 网络多模协同、全频段覆盖及复杂场景适配的底层技术关键。两种组网模式的信号密码 NSA模式需要借用4G网络作为临时桥梁，手机需同时保持与4G和5G网络的连接。在此模式下，射频前端必须同时支持4G（如1.8GHz的B3 频段）和5G（如2.6GHz的n41频段）等多个频段的信号处理，并在不同网络间灵活切换。例如，中国移动的用户在NSA模式下，手机会自动将4G频段（保障覆盖）与5G频段（提升速率）进行载波聚合，这时射频前端需要精准控制两路信号的同步接收，在保障4G与5G通信链路之间互不干扰的前提下，还要确保双连接状态下的功耗平衡。而SA则是完全独立的5G高速公路，直接使用5G核心网，既能在Sub-6GHz频段（如2.6GHz的n41、4.9GHz的n79）稳定传输，也能利用毫米波（如26GHz的n258）实现超高速度。这时候的射频前端更像专业赛车手，需要专注优化高频信号的处理能力。以毫米波为例，虽然能承载海量数据，但信号衰减很快，几乎无法穿透建筑物。为了克服这个问题，需通过16 通道以上的大规模MIMO天线阵列结合波束赋形技术（波束增益≥15dBi）补偿路径损耗。射频前端面对的重重关隘手机支持的频段从4G时代的十余个扩展至5G时代的三十多个，覆盖VLB（Very Low Band，400-700MHz，如700MHz）、MB（Middle Band，1.4-2GHz，如1.8GHz）、HB（High Band，2.3-2.7GHz，如2.6GHz）、UHB（Ultra High Band，3.3-5GHz，如3.5GHz、4.9GHz）等区间，给手机射频前端带来复杂的技术考验，尤其是在实际网络混合部署NSA与SA的场景下，这种挑战呈现出多维度的复杂性。 5G时代的滤波器、开关等前端元件数量较4G时代增长40%，这种趋势将导致天线区域受到压缩。为了避免因空间压缩而带来的天线性能退化，射频前端必须采用更高集成度的设计，在有限空间内实现高性能与高复杂度的兼容。通过模组化集成设计与天线复用器、孔径调谐等技术，工程师实现了手机主板射频区域面积的高效压缩与空间复用功能，但NSA/SA混合场景下的频段组合复杂度导致信号路由矩阵规模指数级增长，传统分立器件方案的寄生参数已无法满足3.5GHz以上频段的相位匹配要求。中频3.5GHz作为5G主流部署频段，虽无毫米波的穿透损耗，却面临高带宽与高阶调制的严苛考验。与此同时，Sub-6GHz频段的载波聚合技术极易产生相邻频道信号串扰导致的互调干扰，需依赖高性能BAW滤波器构建射频干扰抑制屏障—— 这类滤波器通过体声波谐振技术实现陡峭的带外抑制特性，在NSA与SA的不同组网模式下，对滤波器的阻带抑制深度、插入损耗一致性提出了差异化技术要求。在网络模式切换场景中，射频前端需化身精准的动态调节器。当用户从地铁等密集场景进入开阔地带，前端需在毫秒级时间内完成从4G/5G双连接的NSA模式到5G独立工作的SA模式的切换。这一过程中，低噪声放大器（LNA）需实时协同优化接收灵敏度与PA功耗控制：在NSA模式下，因需同时维持4G语音链路与5G数据通道的双连接，LNA需在保证4G频段高灵敏度接收的同时，通过动态增益控制避免5G频段信号过载；而在SA模式下，虽无需兼顾4G链路，但为平衡高速率传输与终端续航，LNA需在提升5G频段接收灵敏度的同时，通过自适应偏置技术降低静态功耗。这种高频次、高精度的多参数协同调整，对低噪声放大器的全模式动态响应能力提出了极高要求。在NSA与SA混合部署的网络环境中，前端不仅要适应不同组网模式下的信号处理需求，还要在多路信号协同处理中确保相位同步，避免因相位偏差导致的信号干扰，进一步加剧了设计难度。多种新技术并进破局传统射频前端恰似散落的精密工具箱，滤波器滤除杂波以提纯信号，开关负责频段通道的智能切换，功率放大器则承担信号能量的增强任务。要面对5G频段扩展与主板空间压缩的双重挑战，业界通过高度集成化模组实现硬件架构重构。例如，将低噪声放大器 (LNA) 与功率放大器模组 (PAMiD) 深度融合，形成L-PAMiD模块化方案，正成为行业技术革新的核心方向。Qorvo推出的QM77051就是这种趋势的体现。该产品集成了高度整合低频、中频、高频频段处理链路，相当于将客户端广泛应用的QM77052低频集成方案与QM77058中高频集成方案的功能模块，全部浓缩至单一封装内。这种创新设计彻底颠覆了传统射频前端的系统设计逻辑，将原本繁复的多器件协同工程，简化为标准化的模块级解决方案，在提升信号一致性的同时，显著降低了终端厂商的设计复杂度与供应链管理成本。在5G Sub-6GHz频段的复杂信号处理场景中，BAW滤波器凭借其低插入损耗、高抑制特性和宽温域稳定性，成为应对互调干扰与载波聚合挑战的核心技术。通过FBAR结构设计（利用空气界面声波反射）和晶圆级封装（WLP）技术，BAW滤波器实现了对相邻频段的高效隔离。例如，采用Qorvo的LowDrift或NoDrift技术的BAW滤波器可将温度漂移系数控制在-20~+25ppm/℃（LowDrift）或 0±2ppm/℃（NoDrift），较传统SAW滤波器（-45~+35ppm/℃）稳定性显著提升。这种温漂抑制能力可减少滤波器通带偏移，在NSA/SA动态频率切换场景中维持带外抑制性能，降低因温度变化导致的带外信号侵入风险。 RF-SOI技术在射频开关中已得到广泛应用，它也被用于LNA，通过缩短栅长来提高增益和降低噪声系数。基于高电阻率SOI基板（HR-SOI）的开关器件，在1.9GHz及以下频段可实现0.5dB以下的插入损耗和35dB以上的隔离度，为LNA增益参数的快速切换提供路径选择支持，以适配NSA/SA多模网络的需求。例如，在弱信号场景中，通过开关切换至高增益LNA模式以维持链路稳定性。结语 5G时代的射频前端技术革新，本质上是一场精密工程与系统架构的双重革命。从离散器件到高度集成化模组的演进，不仅是物理空间的压缩艺术，更是信号处理逻辑的重构。多种技术的出现，不仅是单一器件的性能迭代，更标志着射频前端从功能堆砌向系统协同的范式转变，为5G终端在复杂网络环境中实现无缝连接、极致性能与长续航的平衡奠定了技术基石，推动移动通信进入 “全频段融合、全场景适配” 的智能化新阶段。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-07-08 1340
时钟芯片RTC原理介绍、晶振选型、应用场景

【小知识】时钟芯片一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路，英文名称：Real-time Clock/Calendar Chip（简称：RTC），可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时，具有闰年补偿功能。采用IIC通信接口。＞时钟芯片的原理 · 解析时钟芯片的工作原理一、时钟芯片的基本结构时钟芯片是一种集成了计时功能的微控制器，其基本结构包括输入/输出端口、定时器/计数器、中断控制器等。其中，输入/输出端口用于接收外部信号，定时器/计数器用于产生时间基准，中断控制器用于处理定时器的溢出事件。二、时钟芯片的工作原理 1、输入/输出端口时钟芯片可以通过输入/输出端口接收外部信号，以便根据需要调整系统时间。例如，通过串行通信接口(UART、I2C、SPI等)接收计算机或其他设备的时钟信息，或者通过网络接口(如NTP)同步网络时间。 2、定时器/计数器时钟芯片内部通常集成了一个或多个定时器/计数器，用于产生时间基准。定时器/计数器的工作方式是通过一个预分频器和一个计数器实现的。预分频器将系统时钟频率降低到合适的计数器时钟频率，计数器则用于计算经过的时间。当定时器/计数器的计数值达到设定值时，会触发一个中断事件，通知系统更新时间。 3、中断控制器为了处理定时器的溢出事件，时钟芯片还具有一个中断控制器。当定时器/计数器的计数值达到设定值时，会向中断控制器发送一个中断请求。中断控制器会识别这个请求，并执行相应的中断服务程序(ISR),如更新系统时间、唤醒等待处理的任务等。 4、系统时间的更新在系统时间发生改变时，时钟芯片需要执行一系列操作来更新系统时间。首先，通过输入/输出端口接收新的时钟信息；然后，使用定时器/计数器计算经过的时间差；接着，将计算得到的时间差加到当前系统时间上；最后，通过中断控制器通知其他部分系统时间已更新。＞时钟芯片与晶振的联系 · 时钟芯片的电路设计中常用的时钟晶振频率为什么是32.768kHz？因为时钟芯片需要精确计算时间，而32.768khz比较容易分频(1hz转换为1s)，以便于产生1秒的时钟频率，因此也成为了时钟芯片最佳搭档，我们每天用的手表、手机、电脑上显示作用的钟就是由它演变过来的。 32.768KHz是一个标准的频率，主要有以下几个方面的参数：尺寸、负载电容、频率偏差、应用范围。按尺寸分主要分2012/3215；根据各公司的设计可用的型号有很多。时钟系统中，秒是一个重要的时间单位，1秒正是1hz，如果要提高时间精度，那这个1hz必须要准确。我们知道，在数字世界里，只有0和1两种可能，下面看一个计算： 2^15=32768=32.768K 2的15次方正好等于32768，反过来讲，如果要把32.768khz的时钟频率经过15次分频的话，得到的频率正好是1Hz。＞时钟芯片应用场景 · 时钟芯片广泛应用于通信设备、消费电子、工业控制、汽车电子、物联网及智能家居等领域，为各类电子系统提供精准时钟同步和计时功能。YXC产品系列在参数一致情况下可P2P替代国外大部分品牌。应用场景 · 安防监控系统：提供报警、搜索和回访等功能的时间标识，各节点间的时间同步。 · 智慧办公：考勤机、门禁系统等需要精准时间记录的场合。 · 服务器与网络设备：记录设备工作日志，用于设备管理和故障定位。 · 消费电子：数码相机、MP3播放器、电子手表等设备中提供时间显示和闹钟功能。 · 智能家居：定时控制家电设备，实现能源管理。 · 物联网设备：保证设备精准运行和数据准确记录。＞ YXC实时时钟（RTC）产品组合 1、带温补功能的高精度RTC。工作温度范围内具备优良的稳定性，精度可达+-3.4ppm@-40~85℃。 2、低功耗RTC。低电流消耗（典型值为250nA）。 3、小体积RTC。封装尺寸为3.2*2.5mm，适用于小型化设备。 4、分离式RTC。设计方案更加灵活。

时钟芯片,实时时钟,RTC时钟晶振

扬兴科技 . 2025-07-08 1325
基于米尔全志T536开发板的多协议物联网关的方案测试

本文将介绍基于米尔电子MYD-LT536开发板（米尔基于全志T536开发板）的多协议物联网关方案的开发测试。摘自优秀创作者-ALSET 米尔基于全志T536开发板为了充分的应用该开发板，结合T536处理器的特点，这里进一步的进行软件开发，充分利用开发板的硬件资源，完成业务产品的需求。这里以物联网多协议网关应用为研究为目的，首先建立基础的从各个硬件设读取硬件端口的数据，并且通过SOCKET由网络收发的过程。在一般开发物联网网关时可以采用MQTT，MODBUS等协议库，作为标准的通讯，来解决硬件型号采集和对TCP/IP网络发送的过程。但有些业务则需要专有的通信协议来进行通讯，比如TCP、IP或者UDP的方式进行网络收发。在米尔的官方资料中已经提供了全套的开发资料，可以参考开发板的资料，来搭建所需要的开发环境。开发资料中提供了系统固化镜像、Bootloader源码、内核驱动源码，以及丰富的Demo程序，阅读资料有助于快速的构建开发环境。这里将在此开发板上进行验证和测试。 1.主机硬件端口读取米尔在T536开发板上支持了丰富的端口并且开发板上做了型号的隔离，非常适合工业物联网型号采集和控制。首先查看一下开发板的端口硬件资源：开发板的物联网接口资源丰富，它引出2路RS485、1路RS232、2路CAN、3路Ethernet、5路USB、Local Bus等通信接口，同时引出LVDS，HP OUT/MIC IN等音视频多媒体接口，内置2TOPS NPU、8M@30fps ISP，并支持4K@25fps H.264视频编码。这里首先进行读取RS232和485端口数据，这里设计可配置的数据参数读物方式，端口配置保存在板子用户目录下。 2.端口配置文件通过使用端口配置，可以方便的在实施时配置与业务对应的参数，符合应用场景。这样不必修改程序即可投入使用，这里配置端口文件如下 3.进程间通讯程序RPC 为了使读取的数据，能多重的使用，这里使用多线程的方式，其中一个线程负责读取线程，并把读取的数据压入系统的队列中。另外一个线程则可以检查和处理数，比如对数据做异常值检查，对数据做平滑，抽稀，均值等处理，通信线程则把需要的数据向另外的进程通过进程通讯的方式进行发送，RPC线程程序设计如下： 4.交叉编译环境脚本编写编写好编译脚本，即完成整体工程的创建，并传输到编译环境主机中进行编译。把工程项目传到主机交叉编译环境中：然后直接make 进行编译：很顺利的编译成功。 5. 开发http服务程序在物联网网关设备中，通常采用web的管理界面，用户监控系统应用的工作状态，以及进行的必要的配置和设置等工作。这里设计一个嵌入式的http服务程序，考虑服务程序和硬件紧密结合，这里不使用nginx等这样的独立的web服务程序，而是使用httpd开源的小型http服务工程，进行二次开发，好处是可以方便的加入对硬件的访问以及特别的应用功能，不如获取端口的数据，并做处理，通过web网关传到页面前端，通过动态html脚本，完成灵活的页面和底层访问的功能。这里使用httpd开源工程进行二次开发：工程主代码如下：工程目录如下：其中需要创建几个运行目录，tmpl是前端页面模板目录，里面可以放入html模板，供http服务器程序渲染输出最终的html页面。 www目录则放置静态资源文件，如图片，样式表文件，js前端脚本文件等。这几个目录也需要在开发板上创建。对工程进行编译，编译如下：可见成功的编译出httpd板上执行程序。6.设计并开发前端页面为了使这个物联网网关根直观可用，这里还需要设计一组前端页面，方便观察网关的运行装填，以及对响应的配置文件等进行配置。因为前端页面不是开发板主要的开发目标，这里我们使用AI辅助设计前端页面，顺便也看一下AI前端页面设计的能力。这里使用字节跳动的coze spzce智能体来设计物联网网关的前端页面，首先打开扣子空间页面：在提示词中详细描述我们的页面设计内容，提示词内容如下：再点击生成，经过大约5分钟的时间，生成了页面代码和样式表文件以及相关js代码，生成内容如下：输出的页面内容如下： 7.手动调整修改HTML前端页面由智能体生成的页面，通过检查，发现页面中有不少错误和缺失，首先对页面进行人工检查错误和修改，对页面中的实例数据进行删除，并修改为全局模板变量，对访问的静态资源文件位置进行修改，对访问数据的XRH方式进行jquery方式进行修改。 8.服务程序和前端页面模板部署把端口数据服务程序以及WEB后台服务程序httpd都传输到开发板上，并且把页面模板也传输到开发板httpd的同级目录下：前端页面的部署： 9.服务启动运行部署好服务程序后，即可开始启动相关服务程序，首先启动 multi-serial-monitor 打开浏览器，输入开发板的IP，访问WEB页面，显示出来：总结通过初步的通讯多端口数据的采集与收发，和使用多线程的的工作方式，以及多进程的任务服务方式，实现了T536数据采集与收发的程序测试。并且开发了嵌入式的http服务，提供一个简单明了的客户端管理界面，整个开发过程整体非常顺畅。很容易建立好开发板的使用环境。同时通过开发板的多协议网关程序，也可以进一步将该数据网关用户智能生产控制领域，如智慧楼宇，智慧工厂等。通过开板的完备的功能以及各个子系统的紧凑联系，使得面向物联数据开发过程游刃有余，对进一步开发复杂的业务逻辑和定制化业务流程也很有帮助。

T536

米尔 . 2025-07-08 1150
DDR4价格飙升！国产替代产业链深度解析来了！

北京贞光科技有限公司作为紫光国芯的核心代理商，贞光科技在车规级存储和工业控制领域深耕多年，凭借专业的技术服务能力为汽车电子、ADAS系统等高可靠性应用提供稳定供应保障。近期DDR4内存价格出现大幅上涨，引发市场广泛关注。这背后反映的是整个DRAM产业链的深层次变化，从上游芯片制造到下游应用市场，各个环节都在经历重新洗牌，国产供应链正面临前所未有的发展机遇。作为紫光国芯的核心代理商，贞光科技在车规级存储和工业控制领域深耕多年，凭借专业的技术服务能力为汽车电子、ADAS系统等高可靠性应用提供稳定供应保障。 DRAM芯片制造商长鑫存储作为国内DRAM龙头，长鑫存储在DDR4市场占据重要地位，预计2025年DRAM市占率将突破12%。其合肥工厂月产能达20万片，成本较韩厂低40%，成为填补国际大厂退出后市场真空的关键力量。尽管计划2026年全面停产DDR4，但目前仍在加速DDR4出货以满足工业控制、汽车电子等领域的需求。兆易创新兆易创新拥有自主研发DDR4内存芯片打破国际垄断，其利基型DDR4产品（如4Gb/8Gb容量）覆盖网通、安防、车载影音等领域，并通过长鑫存储代工实现自主生产。2025年一季度营收同比增长17.32%，显示出强劲的市场竞争力。封装测试与模组厂商深科技子公司沛顿科技是国内最大的高端DRAM封测企业，为长鑫存储提供代工服务，并承担金士顿等品牌的DDR4封装需求。其车规级DDR4封装技术满足工业控制领域的高可靠性要求。太极实业作为SK海力士中国区独家封测合作伙伴，太极实业的工业级DDR4产品寿命达10万小时，主要供应华为、浪潮等服务器厂商。无锡基地月产能30万片，深度受益于DDR4封装需求激增。江波龙 DRAM产品以DDR4、DDR5为主，涵盖LPDDR及内存条等主流产品，广泛应用于消费电子、汽车电子领域。2024年AI端侧领域营收增长294%，显示出多元化市场布局的优势。佰维存储工业级DDR4模组抗震动指标超国标3倍，应用于卫星存储系统及智能电网。企业级ECC DDR4产品与中兴通讯共建服务器生态，功耗控制行业领先。内存接口芯片与测试设备澜起科技全球内存接口芯片龙头，DDR4及DDR5内存接口芯片广泛应用于服务器和云计算领域。2024年DDR5芯片出货量已超过DDR4，预计2025年DDR5渗透率再提升30%，同时作为DDR5国际标准制定者，持续受益于技术迭代红利。精智达半导体测试设备覆盖DDR4/DDR5芯片，其高端测试机支持9Gbps信号输出，单机价值量超5000万元。2025年HBM测试设备订单超5亿元，毛利率达65%，成为存储测试领域的核心供应商。材料与设备供应商康强电子作为存储芯片封装材料龙头，其引线框架产品精度达微米级，满足DDR4小型化、高密度封装需求，是长鑫存储、通富微电等厂商的关键配套供应商。生益科技覆铜板龙头企业，产品用于存储芯片基板。随着国产存储产能扩张，其高端材料需求持续增长，尤其在DDR4封装载板领域占据重要份额。汽车电子与工业控制领域紫光国芯车规级LPDDR4产品通过AEC-Q100认证，支持动态电压频率调节，满足自动驾驶场景下的低功耗、高可靠性需求。2025年车载AI算力需求激增，其产品在ADAS系统和边缘推理设备中应用广泛。大为企业车规DDR4X通过ISO 26262认证，温度范围覆盖-45℃~125℃，主要应用于车载中控系统及工业控制设备，在高可靠性市场中具备竞争力。结语在当前DDR4价格波动的背景下，产业链各环节的协同合作显得尤为重要。贞光科技作为紫光国芯的专业代理商，不仅在产品供应方面建立了稳定的渠道优势，更重要的是通过专业的技术服务团队，为客户提供从选型到应用的全流程支持。无论是车规级LPDDR4的技术咨询，还是工业级存储方案的定制化服务，贞光科技都能够依托与紫光国芯的深度合作关系，为客户在复杂的市场环境中找到最优的存储解决方案。

DDR4

紫光DDR4代理商 . 2025-07-08 2 8745
纳祥科技NX9019，功能覆盖CS5361、CS5381的国产I2S 114DB 音频ADC

近日，纳祥科技在原来的产品基础上，更新了一款高性能的集成音频编码器 NX9019。NX9019 能够以高达 192kHz 的采样率执行立体声模拟到数字（A/D）转换，最高支持 24 位串行值，动态范围达114dB，总谐波失真加噪声（THD+N）低至-100dB。（一）NX9019芯片概述纳祥科技NX9019 集成了可选择的软斜坡和过零点过渡功能，以消除咔嗒声和爆破音。对于32kHz、 44.1kHz 和 48kHz 的采样率，标准 50/15µs 去加重功能可用，以兼容使用 50/15µs 预加重技术制作的数码音频节目。集成电平转换器使得NX9019 与运行在广泛逻辑电平范围内的其他设备之间的接口变得简单。片上振荡器消除了外部晶体振荡器电路的需求。这可以降低整体设计成本并节省电路板空间。 NX9019 在没有应用主时钟的情况下自动使用片上振荡器，使这一特性易于使用。在性能上，NX9019可功能覆盖CS5361，CS5381，PCM1804，AKM5704。 ▲NX9019芯片主图（二）NX9019主要特性在芯片特性方面，NX9019主要表现如下： ① 114dB动态范围 ② -100dB THD+N ③ 最高192kHz采样率 ④ 差分模拟输入 ⑤ 多位 Delta-Sigma 转换 ⑥ 高通滤波器或直流偏移校准 ⑦ 低延迟数字抗混叠滤波 ⑧ 16 位数据自动抖动处理 ⑨ 可选择的串行音频接口格式，24位左对齐方式或24位I2S ▲NX9019功能框图（三）NX9019芯片亮点作为一款专业的HIFI 114DB音频模拟转数字信号转换器，NX9019具备宽动态范围、低失真、低噪声的特质。 ①宽动态范围 NX9019拥有114dB的宽动态范围，能够处理幅度变化范围极广的信号，因此可适应各种信号条件，提供高品质的音频输出。 ②低失真低噪声 NX9019采用差分架构，这种设计在信号处理方面表现卓越，能够有效抑制共模噪声和干扰。它还实现-100dB超低THD+N，精准还原音频细节。 ▲NX9019管脚配置（四）NX9019应用领域目前，NX9019能被广泛应用于A/V 接收器、 DVD-R、 CD-R、数字调音台、效果处理器、机顶盒系统和汽车音响系统中，满足数字时代消费者对高指标高清晰高动态范围的听觉的享受。 ▲NX9019应用示例图

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-07-08 1 1 1360
企业 | 莱迪思和英伟达的网络边缘人工智能解决方案荣获2025年人工智能突破奖

莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布莱迪思和英伟达的网络边缘人工智能（Edge AI）解决方案在2025人工智能突破奖（AI Breakthrough）评选中被评为“年度最佳网络边缘AI解决方案”。该解决方案将莱迪思CertusPro™-NX传感器到以太网桥接板与英伟达Holoscan平台相结合，为实时数据采集和处理提供了一个灵活的全栈平台。莱迪思半导体公司首席战略和营销官Esam Elashmawi表示：人工智能时代要求解决方案不仅功能强大，而且在边缘具有适应性和高效性。这一认可印证了我们与英伟达合作的价值——我们共同交付的参考设计，成功架起了从多样化传感器输入到高性能计算的桥梁。通过携手合作，我们正助力开发者加速创新，并简化智能边缘系统在各行业的部署流程。 AI Breakthrough董事总经理Steve Johansson表示：从智能家居设备到自动化机械，市场对高效、可扩展且灵活的边缘AI解决方案的需求从未如此迫切。莱迪思与英伟达的网络边缘AI解决方案，助力开发者攻克了传感器到计算集成碎片化的常见难题，实现了更快速的创新周期、更高效的数据处理，以及边缘端AI应用的规模化落地。

Latticesemi . 2025-07-07 2 1180
产品 | Microchip携手Nippon Chemi-Con和NetVision打造日本汽车市场首个ASA-ML摄像头开发生态系统

汽车行业正在进行一场转型，以开放且可互操作的汽车串行解串器联盟运动链路（ASA-ML）标准（由全球150多家成员企业推动）解决方案取代专有的摄像头连接方案。为简化并加速高级驾驶辅助系统（ADAS）对ASA-ML的采用，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）与摄像头模块供应商日本贵弥功株式会社（Nippon Chemi-Con）和视频测试解决方案供应商NetVision有限公司合作，推出了首个ASA-ML摄像头开发平台，将ASA-ML标准的可扩展高速非对称数据速率引入日本汽车市场，同时支持关键的基于硬件的链路层安全，以满足新兴的汽车网络安全法规要求。 Microchip负责通信业务部的公司副总裁Kevin So表示：“我们通过收购VSI率先将ASA-ML芯片组推向市场，现在又与日本贵弥功株式会社和NetVision等行业先驱合作，推出了首个摄像头开发生态系统，以降低风险并加快ASA-ML标准在日本OEM厂商的采用。日本贵弥功株式会社的CDTrans摄像头模块和NetVision的NV061开发仿真板均基于我们的VS775S单端口串行器/解串器器件，这进一步印证了行业对普及ASA-ML标准化解决方案的坚定承诺——随着基于摄像头的ADAS系统因安全与便捷需求迎来快速增长，日本汽车制造商正积极拥抱这一技术趋势。” 日本贵弥功株式会社常务执行役员兼首席技术官野上克典（Katsunori Nogami）表示：“我们很高兴与汽车半导体市场领导者Microchip合作，向日本OEM厂商提供另一款重要的首创产品——基于ASA-ML标准的、集成VS775S串行器的新型汽车摄像头模块CDTrans。我们认识到基于开放标准的连接技术（如ASA-ML）的重要性和益处，汽车一级供应商和OEM需要相关技术实现可互操作的多供应商解决方案。此次合作是在日本快速演变的软件定义汽车（SDV）市场格局下，加速下一代ADAS摄像头系统采用ASA-ML的关键举措。结合NetVision广受认可的摄像头测试和仿真平台，我们的摄像头模块将实现跨供应商兼容性、面向未来的可扩展性，并提供突破封闭系统的路径。” NetVision工程部总监Kenji Kudo博士表示：“与Microchip和日本贵弥功株式会社就新型ASA-ML生态系统平台进行合作，将有助于为日本软件定义汽车（SDV）时代实现标准化且可扩展的电气/电子车载网络架构。我们开发基于VS775S的ASA-ML串行器连接板，配合我们独特的面向ADAS ECU的摄像头仿真开发平台，将有助于消除许多日本OEM和一级供应商采用该标准的关键障碍，避免受限于互操作性和可扩展性有限的专有连接协议。我们期待在推进ASA-ML生态系统方面持续合作。” ASA-ML有数十家成员企业，如宝马、福特、沃尔沃、通用汽车、大陆集团和博世等领先车企，以及包括日本电装和Microchip在内的众多半导体公司，它们正致力于促进ASA-ML标准的产业化和推广。其成员企业覆盖完整的汽车生态系统，包括汽车制造商、一级供应商、半导体供应商、线缆和连接器制造商、测试工具供应商和测试机构。OEM采用基于ASA-ML等新标准的摄像头解决方案，需要开发工具、仿真平台和广泛的供应链支持。 Microchip的VS775S单端口ASA-ML串行器/解串器（https://www.microchip.com/en-us/product/vs775s）通过符合标准的非对称且可扩展带宽视频支持解决了前述问题，帮助贵弥功株式会社为日本汽车市场打造具备完善生态系统的摄像头模块。NetVision摄像头仿真和开发平台也利用了Microchip的VS775S，通过在摄像头模块和发动机控制单元（ECU）设计期间有效评估视频信号质量，进一步简化了开发和验证。该平台利用Microchip的VS775S评估板实现了视频信号的实时捕获。多供应商解决方案已成为管理整个汽车行业供应链风险的关键优先事项。OEM和一级供应商寻求更大的采购灵活性和长期的运营韧性。对于L2和L2+级自动驾驶应用领域尤其如此，随着车辆集成摄像头和传感器数量的持续增加，市场对高带宽连接解决方案提出了更严苛的要求：必须具备架构灵活性、多供应商互操作性及高度可扩展性，以克服封闭单一供应商生态体系在行业变革中的固有缺陷。

Microchip

Microchip微芯 . 2025-07-07 1125
活动 | 智领行业・赋能应用：中电港携手多方共探机器人技术新未来

7 月 4 日，“智领行业・赋能应用 —— 中电港机器人技术应用研讨会暨走进‘成果超市’对接活动” 在中国科学院深圳先进技术研究院 B 栋 B100 会议室顺利举办。此次活动由中电港联合深圳市机器人协会主办，深圳市计算机行业协会、深圳市半导体行业协会、深圳电子信息产业联合会共同协办。NVIDIA、瑞萨电子、ADI、高通、ams OSRAM、村田等半导体厂商参与交流分享，与来自业界的众多行业专家、企业代表齐聚一堂，围绕机器人技术应用展开深度剖析，助力产学研用深度融合，为机器人产业高质量发展注入新动能。活动伊始，中国科学院深圳先进技术研究院院企合作与创新发展处处长、深圳市机器人协会秘书长毕亚雷带来了《技术创新的产业价值实现》的精彩分享。他深入解读了深圳机器人产业的最新市场动态与发展趋势，为与会嘉宾构建了宏观的视野基础。中电港萤火工场副总经理沈奕鹏发表了《机器人应用创新 - 首选中电港解决方案供应商》主题演讲，全面展示了中电港在机器人应用创新领域的强大实力与优质解决方案，彰显了其作为行业领先的电子元器件应用创新与现代供应链综合服务平台的优势与担当。在技术分享环节，多家行业领军企业代表纷纷亮出“硬核” 技术成果。瑞萨电子高级市场经理谭绍鹏深入解读《瑞萨电子在机器人伺服控制与 ETHERCAT 实时通信中的应用》，详细剖析了工业机器人及人行机器人市场中的通信革命，并详述了瑞萨在工业机器人关节和人形机器人上的核心产品与解决方案；中电港 NVIDIA 产线资深 FAE 曾卫君带来了《NVIDIA Jetson 相关的软硬件生态》，展现了 NVIDIA 在机器人技术领域的软硬件协同创新的最新成果。 DI 亚太区电源市场经理黄庆义聚焦机器人重要组成部分------电源，分享了《ADI 高性能的机器人电源管理解决方案》，涵盖浪涌保护、DC-DC 转换等系列产品，以高效率、小体积、低噪声等特性，为机器人可靠运行保驾护航；高通产品市场高级经理周三奇分享了《Q ualcomm 机器人行业解决方案》；艾迈斯欧司朗集团大中华区高级渠道经理徐丽娟则阐述了《ams OSRAM 传感器在机器人中的应用》，众位专家从不同技术维度为机器人技术发展提供新思路。精彩的演讲结束后，现场进入了热烈的交流互动环节。与会嘉宾围绕机器人技术的前沿趋势、行业痛点，以及产学研合作模式创新等议题展开了深入讨论，推动机器人技术在多领域的创新应用与产业升级。此次中电港机器人技术应用研讨会暨走进 “成果超市” 对接活动的成功举办，为机器人行业注入了新活力。中电港将以此为契机，携手合作伙伴，持续深耕机器人技术创新与应用，共同探索产业边界，加速科技成果向现实生产力的转化。

人形机器人

中电港 . 2025-07-07 1570
市场 | Omdia：2025年BOE有望成为苹果MacBook显示屏的最大供应商

Omdia平板电脑和笔记本显示面板及OEM情报服务，最新分析显示，2025年京东方（BOE）将占据苹果MacBook显示器供应量的51%。苹果的MacBook系列以其最先进的LCD显示面板器而著称，其具备高分辨率、氧化物背板、Mini LED背光和低功耗等特性。笔记本电脑厂商也计划在未来几年内从LCD过渡到OLED。 2025年，苹果MacBook面板采购量预计达到2,250万台，较去年同期仅增长1%。由于从2024年底起的美国关税政策存在不确定性，苹果已将OEM生产从中国转移至越南。同时，公司还在2024年第四季度和2025年第一季度提前为美国市场备货MacBook产品，尤其是MacBook Air。此举推动了BOE、LG Display和Sharp等面板制造商出货量的增长。然而，从2025年第二季度开始，除了专门供应苹果MacBook Air的BOE外，主要的MacBook面板供应商可能会收到保守的需求预测。作为苹果有史以来最大的笔记本面板供应商，LG Display的份额将在2025年降至35%，较2024年减少9%。其供应量预计将同比下降12.2%至848万台，这主要由于苹果将MacBook Air显示器订单转移至BOE，导致MacBook Pro需求疲软所致。 Omdia最新预测，BOE在2025年MacBook面板供应中的预期份额为51%，较去年同期增长12%。图：苹果每年向面板制造商采购笔记本面板的数量（百分比）平板电脑和笔记本电脑显示面板及OEM高级首席分析师Linda Lin表示:"BOE正在扩大其MacBook Air面板订单，特别是热门的13.6英寸和15.3英寸型号。这是BOE首次拿下了超过一半的苹果MacBook面板订单份额。BOE计划在2025年向苹果供应1,150万块笔记本电脑面板，与去年同期相比增长显著。” Lin补充道：“Sharp将继续专注于14.2英寸和16.2英寸的MacBook Pro面板。然而，由于2025年MacBook Pro需求疲软，Sharp向苹果的年度供应量可能同比下降20.8%至310万台，占14%的市场份额。” Lin总结道：“OLED技术凭借其卓越的显示性能和更薄更轻的机身设计，预计将于2026年起应用于MacBook系列。届时Samsung Display有望加入苹果MacBook供应链，随着市场从LCD向OLED转型，显示面板制造商之间的竞争将进一步加剧。”

BOE

Omdia . 2025-07-07 1555
技术 | 让隐形现形：IR:6重塑红外技术新标杆

虽然人眼无法感知红外光，但它却是众多现代科技的核心要素。艾迈斯欧司朗第六代红外芯片，IR:6通过真正的技术创新，在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中实现性能、效率和图像质量的全方位提升。现代科技对高性能光源的需求与日俱增，即便这些光源超出了人眼可视范围。IR:6以更高亮度、更低能耗和更优画质脱颖而出。其优化的LED架构结合新增的920nm技术，在安防等关键领域树立了距离覆盖和系统可靠性的新标杆。 IR:6绝非普通升级，而是为多领域带来实质性提升：更清晰的成像效果、更持久的电池续航、更优化的传感器性能等等。搭载IR:6技术的红外LED能输出更明亮、更清晰的图像，确保面部识别精准可靠，赋能安防系统全面升级。即便在弱光环境下，也能实现更清晰的监控画面和更稳定的物体识别。能效，是可持续发展、绿色环保的关键。IR:6通过降低功耗显著延长便携设备的续航时间，为可穿戴设备、门铃门锁、笔记本电脑和智能安防系统带来显著优势。除了常规的850nm, 940nm, 艾迈斯欧司朗推出全新的920nm技术，实现了探测距离与成像质量的完美平衡，使红外摄像机能够捕捉更精细的对比度和细节，减少多余反光，并提升安防系统和身份识别系统的可靠性。 IR:6的应用场景红外技术的应用领域远超大众认知，而IR:6技术则进一步强化了这些应用，使其更加可靠、高效和精准。例如在生物识别安防领域，IR:6让笔记本电脑、智能手机和门禁系统能够实现更快更精准的面部识别，确保认证过程流畅安全。智能监控摄像头因成像质量提升，可提供更清晰的画面和更详实的录像记录，全面增强安防能力。其他典型安防应用还包括：远距离闭路电视监控、中短距离闭路电视监控、客流统计、智能门铃、家用监控摄像头和婴儿监护设备等。可穿戴设备与健康监测装备因IR:6实现了更精准的生物数据采集，不仅优化了健康监测与运动追踪功能，更赋能静脉识别、指纹识别、2D面部识别、高精度眼球追踪及增强现实等先进技术。在工业自动化与机器人领域，优化的红外技术强化了物体检测能力，而这正是智能制造与自动驾驶系统的核心需求，由此催生出更高效率、更稳定可靠的工业运营体系，具体应用涵盖工业机器人、机器视觉、交通管控与车牌自动识别等场景。汽车工业则通过IR:6革新了驾驶辅助系统与夜视摄像头性能，确保暗光环境下依然呈现清晰视野，从而提升驾驶安全。科技与客户需求作为行业领导者，艾迈斯欧司朗依托数十年技术创新积累，推出堆叠架构，在单一芯片内实现双P/N结串联结构，使光输出功率较传统单层结构跃升1.8倍。尽管堆叠式LED工作电压更高，但其多维优势显著：组件精简带来空间集约化与系统成本优化，辐射通量与输出功率同步提升，有效照射距离显著拓展。艾迈斯欧司朗薄膜芯片技术持续精进，成效卓著。产品线中几乎所有红外发光LED均集成多代薄膜芯片，性能实现阶梯式提升。通过在10微米厚度的薄膜层内激发辐射，该技术显著降低能量吸收，光电转换效率得以优化。背向发射光线由金属反射镜层实现精准反射，而特殊纹理化表面通过随机化内部反射角度，使辐射提取效率大幅提升。凭借这些技术突破，薄膜发射器的发光效能较标准体发射器高出约300%。 IR:6技术还实现了材料体系的优化升级。新型内部反射器在增强辐射强度的同时，显著降低了芯片内部的光学损耗。通过优化设计的表面粗化工艺，光能解耦效率得到提升，使得输出光分布更为集中。此外，全新设计的n型接触电极（焊盘）采用芯片表面中心化布局，有效改善了电流在器件表面的分布均匀性，从而降低正向工作电压。不同红外照明应用对光源特性存在差异化需求。短距离照明聚焦于小视场角下的小区域照射，而中长距离照明则需要更窄的发散角实现大范围覆盖。艾迈斯欧司朗产品矩阵提供多样化的输出功率等级与发散角配置，精准匹配各类应用场景需求。例如：850nm波段产品专为机器视觉或户外安防监控设计，其在成像传感器端具有高灵敏度优势，适合远距离补光；940nm解决方案是面部识别与眼球追踪系统的理想选择，仅伴低红曝，人眼不被打扰，近距离补光感受更舒适；而920nm技术则能在传感器灵敏度与低红曝之间达成最佳平衡。 IR:6技术的多元化应用领域艾迈斯欧司朗基于IR:6技术打造了丰富的产品组合，精准适配多样化场景需求： OSLON® Black系列提供多样化功率选项，满足汽车座舱传感、工业安防及消费电子等领域的灵活应用； OSLON® P1616凭借卓越的封装尺寸与性能比成为标杆产品，在紧凑封装中实现高功率光输出； SYNIOS® P2720透镜集成款通过紧凑封装与高功率的结合，专为门禁控制及生物识别系统优化设计。 IR:6技术印证了艾迈斯欧司朗以创新驱动发展的核心战略。该技术不仅提升了现有系统的性能基准，更融入了可持续发展理念。客户可显著降低运营成本、提升能效水平，同时开拓全新应用场景；艾迈斯欧司朗则持续巩固其在红外技术领域的全球领导地位。更高性能与更低能耗的协同效应，实现企业价值与生态效益的双赢格局！

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2025-07-07 1460