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企业 | 纳微半导体入选NVIDIA新一代数据中心800V HVDC架构

加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达（纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架构开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。 NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，旨在为未来AI的计算负载提供高效、可扩展的电力传输能力，实现更高可靠性、更优效率并简化基础设施设计。现行的数据中心普遍采用传统的54V机架内部配电架构，仅能支撑数百千瓦（kW）的负载。该架构依赖体积庞大的铜制母线将低压电力从电源模块传输至计算单元。然而，当功率需求超过200kW时，该架构受限于功率密度、铜材用量和系统效率等方面的物理极限。为满足日益增长的AI算力需求，现代AI数据中心需配置吉瓦（GW）级供电系统。NVIDIA创新性地采用固态变压器（SST）和工业级整流器，在数据中心外直接将13.8kV交流电转换为800V高压直流，省去多级AC/DC和DC/DC变换环节，显著提升能效与可靠性。得益于800V高压直流的高电压特性，在相同功率传输要求下，可通过降低电流强度使铜缆直径减少最高45%。传统54V直流系统若需支持兆瓦级机架，将消耗超过200公斤铜材，这无法满足吉瓦级下一代AI数据中心的可持续发展。 800V高压直流无需额外配置AC-DC变换器，就可直接为IT机架供电，通过DC-DC变换器降压后为包括Rubin Ultra在内的GPU供电。纳微半导体凭借氮化镓与碳化硅技术，已在AI数据中心供电解决方案领域确立领先地位。高功率GaNSafe™氮化镓功率芯片集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都仅通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分离的氮化镓HEMT一样被处理，不需要额外的VCC引脚。在二次侧DC-DC变换领域，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，专为输出48V-54V的AI数据中心电源优化设计，可实现高速、高效、低占板面积的功率转换。凭借着在碳化硅领域的20年技术创新积累，纳微GeneSiC™独家的“沟槽辅助平面栅”技术可提供业界领先的温度特性，为功率需求高、可靠性要求高的应用提供高速、低温升运行的功率转换方案。第三代快速碳化硅MOSFET相较同类产品不仅效率显著提升，外壳温度也低25°C，同时使用寿命长3倍。纳微GeneSiC™碳化硅产品覆盖650V至6.5kV超高压全电压范围，已在多个兆瓦级储能并网逆变器项目中成功应用。纳微氮化镓与碳化硅技术，打造电网到GPU的完整电力传输链路 2023年8月，纳微半导体推出了一款高速、高效的3.2kW CRPS电源，相较传统硅基方案体积缩小40%，适用于AI与边缘计算场景。随后发布的4.5kW CRPS电源实现137W/in³功率密度与超97%效率。2024年11月，纳微推出全球首款8.5kW AI数据中心电源，采用氮化镓与碳化硅技术实现98%效率，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）标准。此外，纳微自研的IntelliWeave数字控制技术，与GaNSafe功率器件和第三地快速碳化硅MOSFET结合，能使PFC峰值效率高达99.3%，而功率损耗较现有方案降低30%。在5月21日Computex台北国际电脑展期间，纳微举办了“AI科技之夜”，全球首发了12kW AI数据中心电源解决方案。纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan “纳微很荣幸能够参与到NVIDIA 800V HVDC的架构建设当中。我们在高功率氮化镓与碳化硅领域的创新已开拓多个全球首例，并成功切入AI数据中心与电动汽车等新兴市场。全面的产品组合使我们能够支持NVIDIA从电网到GPU的800V HVDC完整电力基建。衷心的感谢NVIDIA对我们技术实力与推动数据中心供电革新的认可。” NVIDIA 800V HVDC架构可让端到端能效提升5%，降低70%的维护成本（由于电源故障减少），并借助高压直流电与IT机架直连技术显著降低冷却成本。

纳微半导体

纳微芯球 . 2025-05-23 1 2700
产品 | 高压不惧，小巧有力——纳芯微车规级绝压传感器NSPAD1N系列拓展压力传感性能边界

纳芯微近日发布全新 NSPAD1N 系列超小体积绝压传感器，专为车规及多种压力检测应用场景打造。该系列产品具备高精度、低功耗、快速响应和强承压能力，符合AEC-Q100标准，支持模拟和数字多种输出方式，广泛适用于座椅气囊、座椅按摩、汽车ECU气压检测、通机控制器等车规场景，同时兼容工业控制、智能气表等工业及消费应用。随着汽车逐步演化为集舒适与智能于一体的“移动第三生活空间”，座椅作为关键交互部件，正经历从基础支撑向智能舒适系统的转型。座椅气囊和按摩功能也日益成为提升驾乘体验与安全性能的重要配置。针对这一趋势，NSPAD1N系列采用高精度信号调理芯片，对MEMS芯体输出进行校准和温度补偿，支持10kPa至400kPa压力范围内的模拟输出（0~5V）及数字输出（I2C/SPI），灵活适配多种应用需求。该系列采用3mm x3mm DFN-8的小型封装，并配备可润湿侧翼设计(wettable flank)，满足车规电子小型化布板需求，支持AOI自动焊接检测。其创新的MIS基板方案，有效规避传统LGA-FR4方案在温度循环下的分层风险，显著提升在高低温交变环境下的结构稳定性。此外，传感器正面采用四小孔进气结构，在确保气流通畅的同时形成物理屏障，有效防止异物侵入芯片腔体，提升环境适应性。 NSPAD1N系列还具备高转换速度、低功耗以及强过载与耐爆压力能力，在复杂工况下依然保持高度稳定与可靠。产品特性高精度、低功耗高度线性，100%温度补偿，无需校准；全寿命精度优于±1%F.S.（-20℃~115℃），工作电流<3mA。多种输出方式支持模拟（绝对压力输出）与数字（I2C/SPI）信号，适配性强，便于集成。量程与输出灵活定制 10kPa~400kPa范围可调，支持定制供电电压和输出方式，覆盖多样应用需求。小型化封装 3mm x 3mm DFN-8车规封装，外围电路精简，助力小型化设计与系统优化。车规级可靠性符合AEC-Q100标准，可承受600kPa过载与800kPa爆破压力，确保在严苛环境下的稳定运行。依托自主可控的MEMS设计与封装工艺，以及多压力温度点自动化批量标定能力，纳芯微为客户提供稳定高效的交付保障，降低供应链风险。同时支持定制化MEMS晶圆和合封产品开发，灵活应对多元应用场景。

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-05-23 1 1 1625
产品 | 小米发布自研3nm SoC

小米 15 周年战略新品发布会，正式发布了三款 15 周年献礼之作：小米15S Pro、小米平板7 Ultra、小米手表S4 15周年纪念版，它们都搭载了小米自主研发设计的芯片：玄戒XRING。小米 3nm 旗舰处理器：玄戒O1，10核CPU+16核GPU，A18的6核CPU+5核GPU 玄戒O1采用十核四从集设计，集成2*Cortex-X925@3.9GHz超大核+4*Cortex-A725@3.4GHz性能大核+2*Cortex-A725@1.9GHz能效大核+2*A520@1.8GHz超级能效核，兼顾峰值爆发性能和日用能效，实验室安兔兔跑分达到了300万分以上。工艺制程上，玄戒O1采用了与苹果A18Pro相同的第二代3nm制程，规模上也类似，在109mm²的芯片面积上集成了190亿个晶体管。CPU单核性能单核成绩突破 3000 分大关，但相比单核性能业界领跑的 A18 Pro 仍有差距。多核成绩 9500 分以上，略优于 A18 Pro。总体来说，玄戒O1的CPU性能已经进入第一梯队。玄戒O1在能效方面也比较突出。在瞬时高爆发场景中，玄戒O1的功耗接近苹果A18 Pro，当然由于单核性能的差距，在峰值性能上仍与A18 Pro有一定距离。游戏等需要持续高性能输出场景，得益于四颗性能大核，表现与苹果不相上下；日常使用场景，比如看视频、刷抖音、微博等中低负载场景，能效核心能够大幅优化日常使用能效。在GPU方面，玄戒O1 搭载了Arm最新的Immortalis-G925 GPU，并使用了16核的超大规模，峰值性能大幅领先A18 Pro。从测试数据来看，玄戒O1曼哈顿3.1测试达到330帧、Aztec 1440p测试达到110帧，大幅度领先苹果A18 Pro，同性能下功耗相比A18 Pro 低35%。玄戒O1的GPU采用了动态性能调度技术。重载游戏时，全核全速运行；轻载游戏时，只开启部分核心；绘制完一帧就休眠，等下一帧绘制再唤醒，在帧间实现微秒级的状态切换；长时间不用 GPU，GPU全部下电，提供最佳的功耗表现。对于手机而言，除了CPU和GPU性能，影像系统的能力还取决于ISP。玄戒O1还内置了小米第四代旗舰ISP影像处理器，体现到影像能力上，可以提供高速高画质的体验，ISP每秒可以同时处理 87 亿像素，并且内置独立3A加速单元，自动对焦、自动曝光、自动白平衡这些关键性能指标，最高可以提速100%。另外，实时多帧HDR融合和AI智能降噪能力，在ISP中以硬件单元实现，让视频动态范围更高、“鬼影”更小。特别是夜景视频，每一帧画面都能AI智能降噪，极暗光环境下，信噪比最高提升20倍，夜景更加纯净。Omdia在此前的分析中认为，作为首代产品，玄戒O1 主要承担技术验证使命，规划出货量保守控制在数十万级别，受小规模流片影响，初期成本会居高不下。甚至有消息称，本次两款终端平摊下，玄戒O1的平均每片成本高达万元。下面就来看看这次首发搭载玄戒O1的两款终端产品。小米15S Pro：首发玄戒O1，支持UWB，升级散热雷军表示，去年10月发布的小米15 Pro是小米史上销量最好的Pro。而小米15S Pro是基于小米15 Pro研发的“15周年纪念版”，拥有龙鳞纤维和远空蓝两个外观版本，闪光灯处均添加了XRING自研芯片的专属徽印。除了搭载玄戒O1之外，小米15S Pro在多个方面都进行了升级，包括搭载翼型环形冷泵Pro，散热面积达到4053mm²，导热性能再提升30%；支持UWB超宽带互联，比蓝牙定位更准，抗干扰，更安全，可以作为车钥匙、地铁无感支付等，与YU7联动可以实现无感解锁，靠近自动解锁，主动迎宾。由于定位精准，UWB车钥匙还能实现靠近3秒自动打开前后备箱，离车可以自动落锁等功能。价格方面，小米15S Pro有16+512和16+1TB两个版本，价格分别是5499元和5999元，现已正式发售。小米Pad7 Ultra：轻薄、大电池、搭载玄戒O1 小米平板业务在今年第一季度取得了史无前例的成绩，出货量同比增长56.1%，首次进入了全球前三。这次推出的小米Pad7 Ultra，被雷军称为“小米史上最强平板”，是小米平板高端化的第一枪。小米平板7 Ultra采用全金属一体化外观设计，极致轻薄。整机厚度5.1 mm，重量609g，携带无负担。共有黑色、迷雾灰紫两款配色可选。小米平板7 Ultra采用14英寸超大OLED屏幕，这也是小米首款OLED平板。雷军表示，这块屏幕硬件成本大约相当于同尺寸LCD屏幕的2.5倍。同时，这块14英寸OLED屏分辨率达到3.2K，峰值亮度高达1600nits，支持HDR10+、12bit色深；还拥有3.95mm极窄边框设计，屏占比高达93.6%；采用小米15系列同款的M9低功耗发光材料，同亮度下，对比C8发光材料屏幕功耗降低了8.5%，它还是一块专业原色屏，支持小米生态多屏同色。小米平板7 Ultra还配备旗舰八扬声器、16.5cc超大音腔腔体体积、4组高功率功放独立驱动，提供绝佳影音体验。与小米15S Pro一样，小米平板7 Ultra也搭载了玄戒O1旗舰处理器，但超大核主频从3.9GHz降至3.7GHz。一般来说，平板的性能释放会更好，处理器也能够更长时间保持在高频，利于长时间高负载输出。小米给这款平板定位是“高效生产力工具”，拥有专业 PC 级办公能力，工作台多任务操作能够多窗口自动布局，非常高效。支持 PC 级的 WPS、CAD、CAJ 专业软件，还能远控 PC、作为电脑副屏使用。苹果生态也特别友好，支持苹果办公套件，如 Numbers、Keynote、Pages，以及苹果设备文件、图片互传。同时针对视频会议进行了硬件优化，包括32MP前置相机，支持智能人像居中；以及4麦克风阵列拾音，支持AI声纹降噪。小米平板7 Ultra提供三种内存配置，分别是：12GB+256GB，建议零售价 5699元；12GB+512GB，建议零售价5999元；16GB+1TB，建议零售价6799 元。同时小米还推出了一款悬浮键盘，售价1399元，配备全域压感触控板和1.3mm的超大键程。小米手表：搭载玄戒T1 长续航 4G 手表芯片小米在小米手表S4 eSIM 15周年纪念版上，带来了小米首款长续航4G手表芯片玄戒T1。这颗芯片不是简单的手表芯片，它内部集成了小米首款 4G 基带，代表着小米在基带这一关键赛道上迈出了重要的一步，支持 eSIM 独立通信，整个蜂窝通信链路由小米自主设计。在玄戒T1的加持下，小米手表S4 eSIM 15周年纪念版性能大幅提升的同时，待机功耗降低66%、VoLTE功耗降低46%、数据业务功耗降低27%，哪怕是在eSIM的场景下，都可以做到9天的超长续航。雷军表示，基带研发是难以想象的浩瀚工程，研发投入大、难度高，且网络环境多样，需要对不同基站供应商逐一适配。小米在玄戒T1上进行了海量的现网测试，测试了100多个城市基站，累计测试里程超过了15万公里。小米手表S4 eSIM 15周年纪念版还支持小米SU7、小米YU7 系列远程控车、开关锁、启动、闪灯鸣笛、控制前后备箱、空调通风等功能；开通eSIM，不带手机也可以轻松操控小米汽车。小米手表S4 eSIM 15周年纪念版有黑色和绿焰两个颜色，售价均为1299元。小米YU7：7月上市，售价不低于19.9万元小米SU7的热度在今年毫无疑问超越了市面上其他车型，2025年，小SU7系列累计交付超过25.8万台。4月份SU7交付超过2.8万台，是20万以上价位所有汽车的销量冠军。而小米汽车的第二款产品，YU7（御7），定位为豪华高性能中大型SUV，实际尺寸达到了5米长、近2米宽，轴距达到3米，前备箱容量高达141L，支持电动开合。外观上，小米YU7延续了小米SU7的家族化设计语言，在空气动力学上进行了多处细节优化。比如 100挡主动进气格栅，可以智能开合，降低 18个Counts，最高增加 14km续航；尾部的扰流板，我们工程师优化了很多轮，比一般的扰流板设计降低了10个Counts。量产车最大蚌式铝机盖，面积3.11m²，采用一体化设计，与整车型面浑然一体，不仅好看还能降低2个Counts。内饰方面，YU7的最大亮点就是挡风玻璃下方的小米天际屏全景显示，几乎贯穿车辆的A住。这并不是一块简单的屏幕，据雷军介绍，这是通过三块MiniLED 屏幕，将信息直接反射到前风挡下黑区，实现1.1m超宽全景显示，显示像素密度高达108PPD，1200nits可视峰值亮度，全局903分区控光。转向盲区、地图、速度、驾驶模式、音乐等多种信息都能够在这块屏上显示。动力方面，小米YU7 MAX双电机全轮驱动版本，最大马力690PS、峰值功率508kW，0-100km/h 加速3.23s，最高时速253km/h；100-0km/h最短制动距离33.9m。底盘方面，小米YU7搭载连续阻尼可变减振器，可以精准匹配路况需求，快速调节阻尼力，能适应山路、城市高架、城郊烂路的需求。比如在烂路的时候，悬架可以快速回弹，确保更好的舒适性。此外，闭式双腔空气弹簧，支持5挡高度调节，最大上下调节范围75mm，最高222mm的离地间隙，可以胜任更多路况；还可快速调节空气弹簧刚度，最大高低刚度差超40%，能够在保持路感的同时更加舒适。续航方面，小米YU7有两个电池版本，分别是标准版和Pro版上的96.3 kWh磷酸铁锂电池，以及MAX版上的101.7kWh三元锂电池。标准版为单电机后驱，提供 CLTC 835km续航；Pro版是四驱，支持CLTC 770km续航；MAX版高性能四驱，提供CLTC 760km续航，以及5.2C超级快充。安全性上，小米YU7采用的铠甲笼式钢铝混合车身全面升级，车头正面有效吸能空间达到 659mm，拥有更大的缓冲区。车尾则沿用三段式大压铸后地板，非常坚固。底部增加 1500MPa 防刮底横梁，能大幅降低石头刮坏电池包的可能，同时，也采用了小米SU7 Ultra 同款“防弹涂层”，进一步保证电池安全。同时，在四门防撞梁上采用了2200MPa小米超强钢，它是目前汽车行业中最强的热成型钢，使用在四门防撞梁上，能有效提升侧面碰撞中的乘员舱保护，前门防撞梁承载能力提升52.4%，后门防撞梁承载能力提升37.6%。在电子电气架构上，小米进一步集成了域控制器，将辅助驾驶、智能座舱、整车控制器和T-BOX集成到一个四合一域控制器上，大幅降低了重量以及体积，优化哨兵模式等功能的能耗。值得一提的是，小米YU7座舱芯片没有采用目前主流的8295，而是搭载了第三代骁龙8移动平台，采用4nm制程。能做到车机开启快、应用启动快、OTA升级也更快，小米YU7最快15分钟就能完成一次整车OTA。在辅助驾驶硬件上，小米YU7全系标配激光雷达、4D毫米波雷达和英伟达Thor车载计算平台，拥有700TOPS算力。总结下来，YU7目前的三个版本分别是：小米YU7标准版，拥有 835km 超长续航、96.3 kWh 磷酸铁锂大电池；小米YU7 Pro版，超长续航四驱版，支持770km超长续航，搭载双电机四驱和闭式双腔空簧，零百加速4.27秒，拥有更好的驾驶感和通过性；小米YU7 Max版，是高性能四驱版本，零百加速3.23秒，最高时速253km/h，还升级了101.7 kWh 三元锂大电池、支持760km超长续航、5.2C 超级快充，搭载了布雷博四活塞卡钳、电动吸合门等豪华配置。最后，小米YU7预计7月正式上市，价格不会低于19.9万元。

小米

芯查查资讯 . 2025-05-23 9 1 4565
产品 | 功耗降低56%！爱普生研发新款晶体振荡器

爱普生开发出一款恒温晶体振荡器(OCXO)“OG7050CAN”，其功耗比爱普生早期的OG1409系列产品（“早期产品”）低56%*1。新款OCXO尺寸为7.0×5.0毫米，高度为3.3毫米（典型值），体积比早期产品小85%。该振荡器体积小、节能，是下一代通信基础设施中参考信号源的理想选择。恒温晶体振荡器(OCXO)“OG7050CAN” 基站和数据中心等有线和无线骨干通信设施中的参考信号源必须符合严格的精度和稳定性标准。恒温晶体振荡器由于其高稳定性而被用作此类应用中的参考信号源。晶体振荡器封闭在控温室（“温箱”*2）中。即使环境温度发生变化，温箱内的温度也能保持恒定，从而最大限度地减少频率漂移。随着第五代通信系统（5G）的推出、物联网（IoT）的普及、数据中心人工智能（AI）的使用以及即将到来的6G服务的推动，通信数据流量持续增长。这些变化预计将导致基站和数据中心的功耗急剧增加，并推动对用作参考信号源的低功耗OCXO的需求。左侧：早期产品。右侧：新开发产品为了满足这一需求，爱普生利用其晶体器件、半导体和安装技术开发出一种OCXO，其功耗比之前的产品降低了56%*1，体积缩小了85%。这一改进在很大程度上得益于温箱的小型化和应力补偿(SC)切割晶体单元。传统OCXO的内部结构（概念图）与普通晶体振荡器中使用的AT切割晶体单元*3不同，SC切割晶体单元具有高度稳定性，并且耐热冲击和抗震性。早期产品采用直径为6毫米的圆形SC切割晶体单元，需要大型温箱和大量电力来保持恒温。为了解决这个问题，爱普生重新设计了晶体单元，使用矩形结构代替圆形结构。他们不仅成功地将SC切割晶体单元的尺寸缩小了90%，同时还提高了性能并降低了功耗。与早期产品相比，重新设计还将温箱的体积减少了96%。开发人员面临的另一个挑战是实现低功耗温箱结构。爱普生开发并优化了自己的振荡器IC和加热器IC，以将SC切割晶体单元保持在恒温的温箱中，同时最大限度地降低功耗。温箱用导热性低的粘合剂粘合在OCXO封装内，以改善内部绝缘。这限制了加热器IC的热量损失并保持低功耗。通过使用数字方式（而非传统的模拟方式）控制SC切割晶体单元的温度，即使在环境温度波动时开发人员也能保持晶体单元的温度更加稳定，从而将OCXO的频率/温度特性从±50×10-9降低到±3×10-9*4。早期产品：0.43W@25℃ 新开发的产品：0.2W@25℃ 这些发展带来了高精度OCXO，其功耗比旧产品降低了56%*1（25℃时为0.2W），体积缩小了85%（7.0×5.0mm）。功耗降低使SC切割晶体单元的温度能够更快稳定，与旧产品相比，启动时的频率收敛时间降低了5倍以上。新型OCXO将于近期开始提供样品，感兴趣的朋友请咨询爱普生销售或授权代理商。作为晶体器件的领导者，爱普生将继续提供满足各种电子设备和社会基础设施需求的晶体器件产品。新产品特性：低功耗：25℃（静止空气）时0.2W 尺寸小：7.0×5.0×3.3mm，典型值频率/温度特性：±3×10-9 启动时间至频率稳定在±20×10-9：30s以内 PLL*5功能允许通过内部IC设置将输出频率设置为1MHz至170MHz之间的任意值抖动减少功能可控制PLL引起的噪声恶化新产品主要规格*6：备注： *1 爱普生OG1409 系列 OCXO（现已停产）在25℃时功耗在0.43W，新产品的功耗为0.2W。 *2 温箱：用于将腔体内部保持在特定恒定温度的装置。 *3 AT切割晶体单元：晶体谐振器，其晶体芯片由以特定角度切割的粗糙晶体制成，称为AT切割。它覆盖兆赫（MHz）波段，是使用最广泛的石英晶体类型。AT切割晶体的频率/温度特性为三次函数，零交叉点接近室温，因此它们具有出色的温度特性。 *4 10-9表示十亿分之一，±10×10-9也通常称为±10 ppb。 *5 PLL：锁相环的缩写，是一种产生所需输出频率以匹配特定频率的时钟信号的电子电路。 *6 参数源自爱普生实验室，因设置和方法不同可能存在差异。 *7 客户选型后由爱普生授权第三方提供销售与配送服务，爱普生不对第三方行为负责。

爱普生

爱普生电子元器件 . 2025-05-23 1515
产品 | 半导体行业采用 NVIDIA Blackwell 和 CUDA-X 加速设计制造

TSMC、Cadence、西门子、新思科技和 KLA 采用 NVIDIA Blackwell 进行芯片设计和制造。 TSMC、Cadence、KLA、西门子和新思科技正采用 NVIDIA CUDA-X 和 NVIDIA Blackwell 平台来推进半导体制造。 NVIDIA Blackwell GPU、NVIDIA Grace CPU、高速 NVIDIA NVLink 网络架构和交换机，以及诸如 NVIDIA cuDSS 和 NVIDIA cuLitho 等特定领域的 NVIDIA CUDA-X 库，正帮助改进高级芯片制造领域的计算光刻和设备仿真。 TSMC 计算机辅助设计技术部门研究员兼总监 Jeff Wu 表示：“我们与 NVIDIA 的合作代表了半导体工艺仿真领域的重大进步。CUDA-X 库和 NVIDIA Grace Blackwell 带来的计算加速将以更低成本模拟复杂的制造流程和设备行为，从而加快工艺流程开发。” NVIDIA cuLitho 和 Blackwell 将光刻速度提升最高达 25 倍。GPU 加速可帮助领先的光刻提供商和半导体制造商（如 TSMC）在开始生产之前就能够以无可比拟的速度预测并纠正光刻问题。本月初，电子设计自动化（EDA）软件和服务提供商 Cadence 宣布推出其 Millennium M2000 平台，该平台完全基于 NVIDIA Blackwell 构建，专为 EDA 市场而打造。M2000 是一款可扩展的交钥匙解决方案，可借助一系列全面加速的 Cadence 设计工具部署 NVIDIA Grace Blackwell 和 CUDA-X 库。 Cadence 还是首批采用 NVIDIA NVLink Fusion 的企业之一，该技术可进行定制化硅芯片扩展，以满足模型训练和代理式 AI 推理等要求严苛的工作负载的需求。通过采用 NVLink Fusion，Cadence 可帮助超大规模企业优化并验证整个设计过程。本月，Cadence 宣布推出 Millennium M2000 AI 超级计算机，以实现硅芯片、系统和药物设计转型。基于 NVIDIA Blackwell 平台的选件包括 NVIDIA Grace Blackwell 机架系统，可使用 Cadence Cerebrus AI Studio 和 Cadence 多物理场系统分析工具来处理大型系统级芯片、3D-IC 和子系统实施与签核，以及用于小型芯片设计和仿真的全新 NVIDIA RTX Blackwell GPU。 Cadence 公司副总裁兼系统设计与分析部门总经理 Michael Jackson 表示：“我们与 NVIDIA 的协作一直致力于突破电子设计自动化以及系统设计和分析的边界。完全基于 NVIDIA Blackwell 构建的 Millennium M2000 平台，其意义已不仅仅是能够加快仿真速度，还重新定义了 AI 驱动式创新基础设施，让曾经难以企及的突破成为现实。” 西门子正通过 NVIDIA CUDA-X 库的并行处理能力和 Grace Blackwell 平台的突破性性能，来显著加快其 Calibre 平台的运行速度。这种技术整合可在半导体关键制造步骤中实现前所未有的速度和精度，包括纳米级精度的光学邻近效应校正、全流程的物理验证、鲁棒型可制造性分析设计、严密的可靠性验证，以及从设计到制造流程的无缝集成与自动化。西门子 EDA CEO Mike Ellow 表示：“通过采用 NVIDIA CUDA-X 和 Grace Blackwell，我们的 Calibre 平台可更快、更高效地进行光学邻近效应校正，而不会牺牲高级半导体节点的精度。随着芯片的复杂性持续增加，这一点尤为重要。” 此外，领先的 EDA 软件和服务提供商新思科技正将 NVIDIA CUDA-X 库和 Blackwell 用于其 EDA 工具，包括 Synopsys PrimeSim、Proteus、S-Litho、Sentaurus Device 和 QuantumATK。通过集成 CUDA-X 库，新思科技在 NVIDIA Blackwell GPU 上取得了突破性的 Sentaurus Device、QuantumATK 和 S-Litho 基准测试结果，与同类 CPU 基础设施相比，性能分别提升了 12 倍、15 倍和 20 倍。另外，新思科技最近还在 NVIDIA GTC 期间宣布，其预计在 NVIDIA Blackwell 平台上，Synopsys PrimeSim 和 Synopsys Proteus 的运行速度将分别提升 30 倍和 20 倍。新思科技战略与产品管理高级副总裁 Sanjay Bali 表示：“长期以来，新思科技一直在与 NVIDIA 协作，加速运行我们的 EDA 解决方案，以更大限度地发挥工程团队的潜力。基于我们业界首创的方法，新思科技正将 NVIDIA Blackwell 架构应用于 TCAD、计算光刻和原子仿真产品，以实现前所未有的性能提升。通过在我们业界领先的仿真求解器中集成 NVIDIA CUDA-X 库和 NVIDIA Blackwell 架构，我们实现了变革性提速，并重新定义了 EDA 推动半导体制造创新的方式。” 半导体流程控制设备制造商 KLA 与 NVIDIA 十余年来，一直在利用 GPU 和 CUDA 生态系统的经优化的高性能计算解决方案，推动 KLA 基于物理学的 AI 的发展。受设计复杂程度增加、产品周期缩短、高价值晶圆产能提升和先进封装需求增长等 AI 驱动的趋势影响，在半导体制造领域，流程控制的重要性日益提升。KLA 行业领先的检测和计量系统通过运行复杂 AI 算法来截取并处理图像，以闪电般的速度查找最关键的半导体缺陷。 KLA 寻求针对某些市场来借助 NVIDIA RTX Blackwell GPU 和 CUDA-X 库，进一步加速为半导体芯片制造提供支持的推理工作负载。通过将 NVIDIA Blackwell 嵌入到 EDA、制造和流程控制中，NVIDIA 正在帮助半导体行业更快交付新一代高性能芯片。

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2025-05-23 1305
方案 | 豪威集团发布车载智能高边开关解决方案：完备的保护和诊断功能，支持功能安全（ASIL-B）

豪威集团，全球排名前列的先进数字成像、模拟、显示技术等半导体解决方案开发商，推出一款全新的高性能车规级智能高边开关芯片ONXQ000。随着汽车智能化的高速发展，车载摄像头、超声波雷达等各类传感器在智驾系统和智能座舱的应用量剧增。对于这些遍布于车身、远离各个域控制器的设备而言，安全稳定的供电能力以及发生故障时的及时的诊断和保护尤为重要。在安全等级要求较高的智驾域和车身域，高集成度、支持汽车功能安全的高边开关芯片已经成为大多数主机厂和Tier1的首选。 ONXQ000系列产品可同时为四路摄像头和USS等设备供电。该系列芯片具备超低休眠电流、宽输入电压范围、高精度电流检测，可调过流限值，并具有完备的诊断和保护机制，为智驾系统和数字座舱域控制器提供了更丰富的设计选择。该款产品的产品特征、产品优势和典型应用框图详情如下：产品特征 • 1000mΩ内阻的四通道开关，具有故障诊断功能 • 超低至0.5uA的休眠电流 • 高精度电流检测 • 可通过外部电阻配置过载电流限制 • 灵活的I2C可选地址 • 保护功能: –对地短路和过载保护并进行输出限流 –输入欠压保护 –输入过压保护 –双重过热保护机制，输出自动重启功能可选 –输入失地和失电源保护 –开关管漏源钳位和输出负压钳位保护 • 诊断功能: –过载和对地短路检测 –负载开路和短接到电池检测 –可通过I2C接口读出状态信息 –可通过全局报错实现快速中断 • AEC-Q100 Grade 1 • 该产品共有3个版本，特点如下： –Ver-A：ONXQ000-PAxx：每路输出具有独立故障报告输出 –Ver-B：ONXQ000-PBxx：模拟信号输出电流检测值 –Ver-C：ONXQ000-PCxx：内置ADC，带有I2C接口，增强诊断功能，满足ASIL-B等级功能安全 • HTSSOP-20L 封装产品优势 • 宽工作电压范围，耐压高达40V，支持直连12V电池 • 支持I2C接口（Ver-C） –可通过寄存器配置各种功能 –通过状态寄存器报告错误 –可通过I2C接口读取输出电流，电压及输入电压等信息 • 内置10bit ADC (Ver-C) –电压读取范围达到40V –电流读取范围达到2A –LSB精度 40mV，2mA • 支持ASIL-B的功能安全(Ver-C) • 多达8个I2C地址可选(Ver-C) • 具有应对继电器，螺线管，阀类或其他感性负载的输出负压保护 • 内置电池极性反接保护，电池反接时开关管自动导通，实现更好的保护功能 • 内置上拉电流源，开路检测时，无需增加外围电路 • 对Vin, Output 等重点引脚, 提供4kV的增强ESD保护 • 独特的输出负压钳位保护功能 –ONXQ000带有输出负压钳位保护功能，当负载是继电器，螺线管，阀类等感性负载，或输出端使用了长线缆的情况下，开关关闭的瞬间输出端会产生负压，过低的负压可能对芯片造成损坏。 –不带有此功能的产品，只能依靠开关管的漏源钳位保护电路，在12V的工况下，输出负压低于-40V时才能触发Vds钳位保护 (如下图所示)。 –在同工况下，ONXQ000 内置的负压保护电路，可将输出电压稳定钳位在-20V左右（如下图所示），以减小对芯片的冲击。典型应用框图 ONXQ000主要应用场景为智能座舱域控制器，智能驾驶域控制器及车身ZCU，可为摄像头、超声波雷达及童锁灯、迎宾灯、氛围灯等小功率设备提供供电和保护功能。带有I2C接口的ONXQ000-PCxx，可以大量减少上位机MCU或SOC的I/O占用，简化系统设计复杂度，最少只需占用4个I/O。

豪威集团

豪威集团 OmniVision . 2025-05-23 1 1885
技术 | 确保可靠性：碳化硅产品上市前的开发与制造

从 MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车 (EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风险--由于碳化硅可提高性能，推迟采用该技术可能会导致丧失市场竞争优势。在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。 SiC半导体有何不同？在化学层面上，Si和SiC的区别仅仅是增加了碳原子。但这导致SiC的晶圆具有更坚硬的纤锌矿型原子结构，相比之下，Si的原子结构为较弱的金刚石型。这种结构差异使得SiC在高温下具有更高的机械稳定性、出色的热导率、较低的热膨胀系数以及更宽的禁带。层间禁带宽度的增加导致半导体从绝缘状态切换到导电状态的阈值更高。第三代半导体的开关阈值介于 2.3 电子伏特（eV）和 3.3 电子伏特（eV）之间，而第一代和第二代半导体的开关阈值介于 0.6 eV 和 1.5 eV 之间。 (图 1）图 1：宽禁带物理特性就性能而言，宽禁带（WBG）半导体的击穿电压明显更高，对热能的敏感性也更低。因此，与硅半导体相比，它们具有更高的稳定性、更强的可靠性、通过减少功率损耗提高效率，以及更高的温度阈值。对于电子行业来说，这可以提高现有设计的效率，并促进电动汽车和可再生能源转换器向更高电压发展。这将带来更多益处，如减少原材料和冷却要求（由于相同功率下电流减小）、减小系统尺寸和重量，以及缩短电动汽车的充电时间。 (图 2）图 2：碳化硅应用优势了解半导体可靠性 MOSFET、二极管或功率模块发生故障会带来灾难性后果。对于直流快充、电池储能系统和工业太阳能逆变器等关键能源基础设施中的元件来说尤为重要。从严重的停机维修，到品牌声誉损失，甚至更广泛的损害或伤害，确保这些元件的可靠性至关重要。典型的半导体要在相当大的负载和应力下工作，这一点在高压SiC应用中尤为明显。在器件的整个使用寿命期间，功率循环、热不稳定性和瞬态、电子运动和低功率电场等因素都可能导致半导体过早失效。偏压温度不稳定性 (BTI) BTI 是影响硅产品可靠性的一种常见老化现象。当在介电界面或其附近，由于界面陷阱电荷的产生，这种现象会导致 "导通 "电阻增加，从而降低阈值电压，减慢开关速度。负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是 MOSFET 的主要可靠性问题之一，通常会随着晶体管的老化而逐渐显现。这一点对于栅极至源极电压为负值或对栅极施加负偏压的器件尤为明显。经时栅极氧化物击穿 (TDDB，Time-Dependent Gate Oxide Breakdown) TDDB 是指在工作过程中，由于持续施加的电偏压和地球电磁辐射的影响，栅极氧化物有可能受损的现象。这是一种基于老化的失效机制，会限制半导体产品的使用寿命。功率和热影响器件上剧烈的功率循环会增加MOSFET的瞬时应力，并可能产生超过击穿电压的电压尖峰。虽然抑制措施有助于随时间减少浪涌效应，但即使是减弱了的动态应力仍会影响器件的可靠性。由于半导体材料的结构本身是其运行的关键，当衬底的不同区域以不同的速度冷却和收缩时，激烈和反复的热循环会导致元件损坏。双极性老化由SiC MOSFET体二极管应力引起的双极性老化，可能导致“导通”状态下的电阻增加，这是由于体二极管正向偏置时流过的电流触发的。这种老化有时也表现为前向电压漂移或关断状态漏电流增加。最常见的是由于现有外延层基晶面位错（BPDs）的激活所引起，通过合理设计外延层并在生产过程中进行扫描可以预防这种激活。确保半导体可靠性对于 SiC 制造商之一的安森美（onsemi ）而言，要确保 SiC 产品能够满足下一代应用的性能要求，就必须针对 SiC 结构量身定制广泛的质量和可靠性项目。要认识到SiC的局限性，从而确定其可靠的工作条件，了解其失效模式和机制至关重要。通过追溯这些失效模式和机制，并通过深入分析、可以暴露弱点和制定纠正措施。项目基础与合作由于许多高性能的SiC应用还涉及到具有长生命周期的系统，因此至关重要的是，SiC的测试要紧密符合应用的预期。为了加深对碳化硅材料失效模式的了解，安森美的质量项目包括一个多元化的团队，其中包括参与前端制造、研发、应用测试和失效分析的人员。通过与世界各地的大学和专业研究中心合作，这一项目得到了进一步加强。晶圆质量认证晶圆质量认证（也称为内在质量认证）主要关注晶圆制造过程，其目的是确保按照合格流程加工的所有晶圆都具有稳定的内在高可靠性水平。这或许是任何 SiC 可靠性中最关键的因素，因为晶圆缺陷既可能导致封装时立即出现故障，也可能在产品的后期寿命中出现问题。为确保长期的可靠性，安森美开发了一系列深入的方法，包括视觉和电子筛选工具，旨在消除有缺陷的晶粒。晶圆制造工艺流程始于衬底扫描，在此过程中使用坐标跟踪和自动分类技术来识别和跟踪缺陷。在整个生产过程中，多次检验扫描用于在关键步骤中识别潜在缺陷（图3）。图3：前端流程中的扫描和检查电气筛选也在多个阶段实施，例如晶圆验收测试、老化测试和晶圆级晶粒分类，以及动态部件平均值测试，以消除电气异常值。最后，所有晶圆都要接受彻底的自动化出厂检查，其中包括视觉缺陷的识别。广泛测试无论是在SiC产品的开发过程中，还是在产品的持续生产过程中，安森美都会进行一系列的测试，旨在测试整个生产过程（晶圆制造、产品封装和应用测试）的质量和可靠性。击穿电荷(QBD)测试安森美使用 QBD 作为评估栅极氧化物质量的一种直接而有效的方法，与栅极氧化物厚度无关。安森美的方法是在室温下对正向偏置栅极施加 5 mA/cm² 的电流，这种破坏性测试在精度和灵敏度方面超过了线性电压 QBD测试，能够检测到内在分布中的细微差异。图 4 显示了平面SiC和Si栅极氧化物内在性能对比测试结果。图 4：SiC NMOS 电容、1200 V 40 mΩ EliteSiC MOSFET 和Si MOSFET 产品的 QBD 测量值在比较内在QBD 的性能（与栅极氧化物厚度无关）时，在相同标称厚度下，安森美平面SiC的内在性能比Si提高了 50 倍。这显示了SiC在性能和可靠性方面的巨大飞跃。在生产过程中，每批产品的栅极氧化物质量是通过将SiC MOSFET产品晶粒的采样QBD与大面积（2.7 mm x 2.7 mm）NMOS电容器进行对比来评估的，并且设定了严格的标准以确保任何异常值都被剔除。 TDDB 测试为了确保其SiC产品的寿命，安森美进行了广泛的TDDB应力测试，这些测试远远超出了常规工作条件。图5展示了一个SiC生产MOSFET的TDDB测试数据示例。该器件在175°C的温度下经受了一系列栅极电压和与电子俘获相关的氧化物电场的影响。图 5：SiC 生产 MOSFET 的 TDDB 数据（175oC 和低于 9 MV/cm 时的应力）即使采用保守的模型，在栅极电压为 21V 的情况下，预测的失效时间为20年，这远高于该型号规定的工作电压（18V）。跨职能方法体系除了QBD和TDDB测试之外，安森美还在公司内部以及与独立的学术研究人员合作，进行一系列广泛的实验。包含双极性老化、动态应力测试和BTI老化测试在内的全套测试流程，构成了一种广泛的跨职能方法体系，旨在对晶圆到最终应用产品进行全面测试。这确保了安森美的产品能够兑现SiC的承诺——提高效率、加快开关速度、支持更高电压以及增强可靠性，以更精确地符合客户的系统要求。 2023 年 11 月，安森美在斯洛伐克的 Piestany 开设了先进的电动汽车系统应用实验室，进一步扩大其应用测试范围。该实验室旨在为电动汽车和可再生能源逆变器下一代系统解决方案的开发提供支持。该实验室包括各种专有测试设备和来自 AVL 等业界知名制造商的解决方案。碳化硅--市场准备就绪的技术大规模采用 SiC 还将面临一些挑战，例如半导体制造商要跟上需求的步伐，由于有了广泛的测试项目（如安森美开展的测试项目），电子行业应该不会对 SiC 的可靠性和性能感到担忧。对于日益增多的高要求应用，包括电动汽车和可再生能源转换器，SiC 技术应成为工程师的首选。过去，对于电子工程师来说，要找到在投放市场后立即在性能和可靠性方面实现飞跃的元件和应用级解决方案极具挑战性，但 SiC 技术却可以做到这一点。

碳化硅

安森美 . 2025-05-23 1100
技术 | XMOS推出支持AES67标准的以太网音频解决方案

中国深圳，2025年5月——全球领先的边缘AI和智能音频专家XMOS宣布：推出支持AES67标准的以太网音频解决方案和对应的开发板，以支持零售和工业环境中广泛采用的公共广播系统、建筑物中的背景音乐及音频采集、公共交通或建筑设施中的小型对讲解决方案；该开发板集成了将语音和音频设备添加到任何网络所需的一切功能。AES67协议已在欧洲等区域市场得到了广泛的应用，XMOS计划将在2025年下半年支持中国客户引入该方案，向包括国内市场在内的全球市场提供更加灵活和性价比更高的专业音频产品和系统。 AES67 是由音频工程协会（AES）设立的一项开放标准，它采用基于IP的音频（AoIP）来解决专业音频领域中存在多种音频传输协议的兼容性和设备控制问题。常见的专业音频协议包括‌CobraNet、‌Livewire、‌Wheatnet-IP和‌Dante等，每种协议都有自己的优势，但它们之间的兼容问题导致了音频设备和系统的集成变得复杂且昂贵。AES67作为一个开放标准和无缝通信框架，通过提供设备管理、连接管理、传输管理和时钟同步，允许音频设备通过IP和以太网进行高精度同步和低延迟的音频传输，使音频设备能够实现互联互通并提高了音频网络系统的灵活性和扩展性。 XMOS结合自己在音频处理领域内丰富的经验，并采用其集边缘AI、控制、DSP和灵活IP于一体的XCORE处理器，为专业音频设备制造商提供了一种符合AES67标准的音频开发板。同时，该音频板上集成的放大器可以提供高达30W的功率，可以实现强大的音频回放；集成的麦克风可以拾音或感知其他音频事件。该方案支持以太网（PoE）供电，仅使用一根电缆就实现信号和电能的传输和设备运行；且用于回声消除、定向捕获和声量增强的音频算法符合AES67音频协议栈标准。图：XMOS的AES67解决方案系统架构原理图 XMOS解决方案的优势 • 该开发板包括了AES67协议栈和AFEnext音频算法的授权。 • 提供原理图、BOM清单、Gerbers、库、应用笔记、参考应用程序，同时以开源方式提供特定的XTC工具。 • 每个开发板构成一个端点，从而创建一个完整的、仅用两片开发板的端到端解决方案。 • XMOS的架构允许对所有的GPIO进行灵活的配置，包括处理核心分配以及快速和确定的访问引脚和路由。网络协议（包括软件定义的MAC）、实时音频处理和uC功能都在同一个通用芯片上实现。 • 已将多个器件集成到一个XCORE处理器中，从而可以实现快速开发。相比其它解决方案，降低了复杂性、成本和功耗。 “XMOS的XCORE是一类全新的、易用的高性能微控制器，具有多个处理器内核、令人难以置信的灵活的I/O、以及独特的时频确定性。通过使用XCORE，您可以轻松设计新的嵌入式电子系统和边缘AI方案。”XMOS亚太区市场和销售负责人牟涛说道。“除了支持符合AES67标准的以太网音频，XMOS多样化的智能音频技术和方案目前已经被广泛应用于消费电子、智能家居、智能汽车和办公应用，不仅为各种终端和系统提供了高质量的音频，而且作为无所不在的人机接口和新兴生产力工具帮助这些应用连入各种网络和云生态。” 如希望了解XMOS全球领先的智能音频解决方案、软件定义SoC、边缘AI应用及其在其他垂直行业的应用，或希望与我们合作共同开发面向全球的创新性产品，交流诸如AES67标准以太网音频等产品导入计划，请发邮件到：ThomasMu@xmos.com 与XMOS面对面交流第23届广州国际专业灯光、音响展览会（以下简称“广州展”）将于5月27 – 30日在中国进出口商品交易会展馆A、B、D区盛大启幕。XMOS作为全球领先的数字音频及多媒体AI处理芯片及解决方案提供商，将携其分销商晓龙国际、威健实业和瑞致科技，以及增值分销及设计公司飞腾云和其它方案公司共同参加本届广州展，届时将展出先进音频接口、AI降噪及空间音频、DSP音效、Hi-Fi解码器参考设计和麦克风阵列参考设计等技术和方案。欢迎莅临XMOS展位：5.2A66。

智能音频

XMOS . 2025-05-22 1595
产品 | 思特威推出4MP智能安防应用图像传感器升级新品SC4336H

2025年5月22日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出4MP智能安防应用图像传感器——SC4336H。作为思特威基于DSI™-3工艺技术打造的首款产品，SC4336H采用1/3"靶面尺寸设计，搭载了SFCPixel®等思特威专利技术，拥有高感度、高色彩还原度、低噪声、低功耗等性能优势，凭借出色稳定的高质感成像，充分满足智能安防应用的性能升级需求。近红外感度跃升，成就出色暗光影像在安防监控低照度场景的实际应用中，以室内监控为例，采用940nm红外补光的应用方案无红曝现象，对室内人员休息干扰较小，其市场需求显著增长。这一趋势对图像传感器的近红外感度性能提出了更高要求。 SC4336H基于思特威全新DSI™-3工艺技术打造，通过优化硅片外延以及前道工艺，实现了近红外感度的大幅提升，帮助摄像头在红外灯下获得高质量的暗光成像效果。在850nm波段，SC4336H的峰值量子效率(peak QE)较前代产品显著提升约21%，能够在夜间等低照度场景为摄像头捕捉到细节清晰的画面信息。在940nm波段，SC4336H的峰值量子效率(peak QE)较前代产品提升约15%，可在极暗或无光的环境中输出清晰明亮的优质影像，满足夜晚红外补光监控的使用需求，保障监控画面的清晰度与输出画质的稳定性。高感光高色彩还原度，打造清晰生动图像作为一款面向智能安防应用的性能升级产品，SC4336H依托思特威先进的DSI™-3工艺技术、Microlens及色彩优化工艺，实现了可见光感度、色彩还原度等性能的优化，能够为安防摄像头带来高清细腻、艳丽生动的画面质感。可见光感度增强基于DSI™-3工艺技术，SC4336H在可见光波段拥有优异的感光性能，520nm波段下的峰值量子效率(peak QE)优于同规格FSI工艺图像传感器，能够实现媲美同规格BSI工艺图像传感器的成像效果，帮助摄像头获得更加真实清晰的高品质影像。高色彩还原度当周围环境光线不足时，图像传感器的色彩捕捉质量会受到影响，容易导致色彩偏移失真。SC4336H搭载了思特威先进的Microlens及色彩优化工艺，能够精确捕捉并还原各种色彩的细微差别，避免出现偏色、画面过暗等情况，呈现出明亮逼真、艳丽生动的图像色彩。精准噪声抑制，兼顾功耗显著优化 SC4336H搭载思特威专利的SFCPixel®技术与超低噪声外围读取电路技术，噪声抑制性能突出。与行业同规格产品相比，其读取噪声(RN)大幅降低约53%，固定噪声(FPN)降低约72%，可显著减少画面中的噪点，即使在暗光场景下也能为摄像头捕获到更清晰干净、细腻丰富的影像画面，有效提升安防监控的图像捕捉能力。得益于内部电路模块的精准化控制设计，SC4336H实现了功耗的显著优化。在30fps工作帧率下，SC4336H的功耗低至120mW左右(低功耗模式)，能够有效减少摄像头因长时间运行造成的发热情况，满足安防终端应用的全天候视频录制需求。此外，SC4336H还可与前代产品Pin2Pin兼容(CSP 35pin)，能够在已有硬件设计的基础上实现无缝替换，帮助客户加速摄像头产品的迭代升级。作为思特威智能安防应用H系列的首款产品，SC4336H在继承前代系列产品性能优势的基础上实现了进一步优化，在感度、色彩还原度等方面表现出色，能充分满足室内云台摄像头、户外监控摄像头等智能安防应用的性能升级需求。未来，思特威将依托DSI™-3工艺技术，推出更多分辨率规格、更高性能的图像传感器产品，助力多元终端应用的全面升级，推动安防行业的智能化再进阶。目前，SC4336H已接受送样，将于2025年Q3实现量产。

CMOS图像传感器

思特威 . 2025-05-22 1 1500
报告 | 2025年4月元器件供应链监测报告——芯查查指数1+7分析

本篇报告运用芯查查指数分析半导体市场整体行情，包括传感器、存储器、分立器件、光电器件、逻辑电路、模拟电路、微处理器7大类元器件的细分指数分析和2025年4月的价格&交期概览。点击此处跳转报告原文链接（登录后才可跳转到报告页哦~）结论先行 4月份芯查查指数为76.14，位于基准100（100以上说明比2022年行情好，100以下说明不如2022年行情）点以下，市场需求意愿较低迷，本月元器件市场整体平均价格有所下降，供货交期缩短 ;去库存完成后量开始缓慢回升，整个半导体行业较去年同期指数下降，主要原因为成熟制程的分立器件、模拟器件产能充足，价格持续下降所致。部分品类出现高景气局面，存储类的HBM、DDR5、闪存和智能AI芯片。但由于半导体行业整体产能相对充裕，交期缩短，厂商这间通过低价格抢占市场竞争激烈，因此整个行业仍呈现出低景气度状态。

芯查查指数

芯查查资讯 . 2025-05-22 3 1 2120
市场 | 2025年一季度中国PC工作站市场中小企业需求攀升，连续两季度增长超30%

2025年第一季度，中国PC工作站市场迎来关键转折点。根据IDC最新发布的数据显示，2025年第一季度中国整体PC工作站市场同比增长1.2%，结束了连续下滑的趋势。其中，中小企业市场表现尤为亮眼，同比增长达到74.1%连续两个季度涨幅超30%。大客户市场由于采购周期的延长导致，表现相对低迷，同比增长负24.2% 同时，在工业制造、高科技电子、专业服务业和高校为主的行业对于PC工作站的需求进一步提升。IDC预计，中国PC工作站市场出货量2025-2029年复合增长率将达到14.2%。中小企业市场年增长率连续两季度超30% 随着数字化转型加速，中小企业对高性能计算的需求显著提升。以设计、影视编辑、数据分析等为主的中小企业，因业务场景对实时渲染、AI推理和复杂建模的依赖增强，也将对高性能生产力工具产生更强的需求。IDC数据显示，2025年第一季度中国PC工作站中小企业市场同比增长74.1%，连续两个季度同比增长超30%。软件信息、专业服务以及工业制造引领PC工作站行业出货量增长 IDC《中国PC市场分行业出货跟踪报告》显示，2025年第一季度中小企业市场中28.7%的PC工作站出货集中在软件及信息服务，同比增长130.0%，成为中小企业PC工作站出货占比最高的行业。AI大模型技术的发展及中小型互联网企业数量的增加成为其增长的主要驱动力。在大型企业市场中，在区域政策推动下，制造业中高端研发需求使得工业及其他制造由2024年第一季度的7.1%提升至 2025年第一季度的 10.5%。另外，随着大模型以及芯片半导体需求的增加，2025年预计软件信息服务和高科技电子行业PC工作站的出货预计将出现明显增长。市场格局 2025年第一季度，中国PC工作站市场联想仍以39.1%占据第一的地位；戴尔位居第二，份额同比下降；惠普位居第三，份额同比有所提升。

PC工作站

IDC咨询 . 2025-05-22 1 1920
市场 | 人形机器人马拉松背后的思考，兆易创新如何赋能机器人产业

机器人在成为“人”的道路上又跨出了新一步尝试。4月19日，北京亦庄的一场特殊竞技成为舆论关注的焦点，二十几支人形机器人队伍在马拉松的赛场上展开竞技。这场戏剧化的演出引发了大家对人形机器人相关问题的进一步思考。近日，第三十三届中国国际电子生产设备暨微电子工业展（NEPCON China）在上海举办，兆易创新携多款产品亮相。在展会期间的人形机器人制造技术沙龙上，兆易创新MCU事业部产品市场总监李懿发表了《从一场马拉松来看当前人形机器人的痛点及未来发展》的演讲。 ▲ 兆易创新MCU事业部产品市场总监李懿一个机器人有20个左右的自由度和关节，每个关节都有其特定的负载要求。在完成一个动作时，各关节之间需要精准协调，如果协调不当，例如手关节快，而腿关节慢，就容易导致摔跤。对此，李懿重点强调了两个点：一是每个关节单独硬件设计要过硬，二是每个关节之间需要形成一个闭环实时网络系统以实现高效通信，该网络系统通常采用EtherCAT®标准。他提到：“兆易创新GD32G553系列高性能MCU，采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达216MHz，比较适合控制一些大的关节。对于需要更加精密运动控制的精细关节，其对算法实时性要求更高，采用Arm® Cortex®-M7内核、主频600MHz的GD32H7系列MCU会更加合适。有的客户一个机器人整体算下来会用到20多个M7内核的MCU，再加上10多个M33内核的MCU去做不同的关节任务，这些关节之间通过内置的总线进行通信，以保障每个关节之间的运动同步和数据同步。该系统的抖动可控制在纳秒级，同步周期约125微秒，甚至更短。” GD32 MCU 产品家族 ▲ GD32 MCU产品布局尽管当前机器人的速度只有10公里/h，但李懿认为5-10年后其速度将超越普通运动员甚至顶尖选手。而这种性能的提升伴随着重大安全隐患——频繁故障可能导致严重后果，这与自动驾驶汽车面临的安全挑战高度相似。对此，他呼吁：“机器人设计必须像智能驾驶汽车一样，对整个产品功能安全有全局性的考量。既要系统性地规划整体电子电器架构，又要对每个零部件有一定的功能安全要求。只有构建这样的全链条安全保障，才能最终实现安全可靠的商业化应用。” IEC61508/ISO10218 功能安全交付包 ▲ 功能安全交付包除了功能安全以外，李懿还强调了信息安全，这个容易让人忽视的问题。每个机器人厂家都不希望自己的商业机密被友商破解，要解决这个问题，既需要行业标准的健全，法律法规的完善，同时，也需要产业链上下游软硬件协同配合，以此杜绝安全隐患。值得一提的是，在功能安全及信息安全方面，兆易创新都针对性地制定了解决方案以保证客户的芯片安全。完善的信息安全交付包 ▲ 信息安全交付包演讲最后，李懿对兆易创新的MCU生态系统进行了简单介绍，罗列了该公司现有的生态工具。作为深耕机器人行业多年的企业，兆易创新拥有127家全球泛机器人客户，能够在各个环节给予开发者足够的支持，帮助客户完成设计，助力国产机器人行业创新！总之，兆易创新的芯片产品长期深耕机器人领域，凭借深厚的技术积淀和成熟的解决方案，已成功赋能多家头部具身智能企业。公司通过覆盖MCU、传感器、存储等全栈产品矩阵，为人形机器人提供从感知、决策到执行的全链条芯片级支持。

兆易创新

兆易创新GigaDevice . 2025-05-22 1390
报名 | 人工智能赋能研修班

人工智能已经成为国家战略科技力量的重要组成部分，技术人员与科研人员需要全面了解人工智能的核心技术，比如机器学习、深度学习、强化学习等，以及DeepSeek核心技术优势；管理层作为企业的决策者和领导者，需要具备人工智能的战略视野和应用能力，以应对技术变革带来的机遇与挑战。本次培训由罗铁坚教授领衔，联合产业界资深专家，融合20年科研教学经验与一线实战案例，直击AI核心通点！此次研修班主要有两大课程，分别是针对企业管理层的“人工智能赋能管理层高级研修班”和针对技术及科研人员的“人工智能技术及科研人员研修班”。其中，针对管理层的课程亮点如下：一、聚焦战略认知、技术趋势与组织重塑的深度融合；二、面向管理决策者，讲授AI的实际价值与落地方法；三、强化“大模型+应用场景+组织能力”联动思维；四、通过DeepSeek等案例启发管理者构建数字化转型蓝图。时间：5月26日 14：00~17：30； 5月27日 9：00~12：30 地点：深圳市南山区招商前海经贸中心一期A座20层主讲导师：罗铁坚教授，中国科学院大学计算机科学与技术学院教授/博士生导师、中国科学院软件研究所智能软件研究中心总工程师/研究员（兼）、《工程研究》杂志副主编。研究领域包括机器智能、数据科学、系统安全、软件工程等。 2003 年指导研发千万行代码的中科院教育云应用至今，主持完成过 20 多项国家级和企业项目，发表了 100 多篇学术论文和英文专著一部，拥有 30 多项软件著作权和发明专利。部分论文发表在 IEEE Transactions on Image Processing、Cybernetics、Pattern Recognition、 ECCV、 ACM MM、 AAAI、IJCAI 等期刊和顶会上。获国产银行系统“九五”攻关项目一等奖。获人工智能学会的全国大学生智能设计竞赛优秀指导教师奖、中国科学院朱李月华优秀教师奖。

人工智能

芯查查资讯 . 2025-05-22 1 6 2455
企业 | 贸泽电子2025技术创新论坛探讨“边缘AI与机器学习”新纪元

2025年5月22日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于5月28-20日举办2025贸泽电子技术创新论坛首场活动。本期论坛将深度聚焦“边缘AI与机器学习”，云集Analog Devices, Amphenol, NXP, Silicon Labs, VICOR等业界知名厂商及产学研专家阵容，共同解构AI浪潮下企业数字化转型的创新路径和可持续发展战略，携手创造智能化未来。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平表示：“边缘AI与机器学习不断协同创新，帮助各行各业提升效率并迅速做出智能化决策。未来，随着算力成本下降和技术的成熟，边缘AI与机器学习的结合将构成数字经济时代的‘新基建’。本期专题活动，贸泽特别邀请到业内知名厂商和重点高校的技术专家们，从不同的角度分享边缘AI和机器学习在不同场景下的核心技术与创新方案，助力工程师们构建面向下一代智能系统的创新思维。” 随着边缘AI与机器学习的深度融合应用，多个行业正不断从理论化数字处理转向现实高效响应，构建更可控、更安全和更可持续的数字化生态。本期活动将重点探讨下一代GPU & ASIC供电、边缘低功耗AI微处理器、新一代机器人系统大模型技术、物联网边缘智能、通用微控制器AI方案、高速互联解决方案赋能边缘AI和机器学习、边缘智能系统中的可信机器学习技术等内容，展现AI应用多样性，推动AI与社会更好地连接。想要了解2025贸泽技术创新论坛首场-边缘AI & 机器学习专题活动的更多内容，请访问：https://www.mouser.cn/edge-ai-technical-forum/ 。

边缘AI

贸泽电子 . 2025-05-22 815
产品 | 小米发布XRING O1自研芯片，冲击高端芯片自主化

2017年，小米推出了首款自主研发的4G手机SoC芯片——澎湃S1。这款基于28纳米工艺打造的芯片曾应用于小米5c手机，但由于市场因素未能持续迭代。然而，小米并未就此止步芯片研发之路，而是转向了技术难度相对较低的专用小芯片领域。自2021年起，小米陆续在旗下产品中商用多款自研小芯片，涵盖影像处理、电源管理和信号增强等功能模块，为后续芯片研发积累了宝贵的实战经验。经过八年的技术沉淀，小米于近期重磅推出了全新自研旗舰SoC芯片——玄戒O1。这款采用目前最先进的3纳米制程工艺的芯片，创新性地采用自研AP架构搭配外挂第三方基带方案，其性能表现已可媲美当前市面上的旗舰级芯片产品。值得一提的是，小米由此成为继华为之后，中国第二家实现旗舰SoC芯片量产并商用的手机终端制造商，标志着中国在高端芯片自主创新领域又迈出了坚实的一步。自主研发的AP和第三方基带芯片是小米SoC发展的最佳路径目前，采用自研应用处理器（AP）搭配第三方基带芯片的方案，是小米SoC发展路径上的最优选择。这一决策源于基带芯片自主研发面临的三大核心挑战：首先，专利壁垒高筑。基带技术专利高度集中在少数头部企业手中，包括高通、联发科、紫光展锐和华为等产业巨头。若选择自研基带芯片，小米将面临严峻的专利突围战，要么需要构建全新的专利规避方案，要么不得不支付高昂的专利授权费用。其次，全球适配成本巨大。要实现全频段通信支持并保持对4G/3G/2G网络的向下兼容，必须与全球各地的通信设备商和运营商进行深度协作。这一过程不仅涉及众多基站设备厂商的适配调试，还需要投入数以亿计的资金和数年时间的持续优化。第三，通信环境极端复杂。现实中的无线通信场景千差万别，要确保芯片在各种复杂环境下都能保持稳定的信号接收性能，必须进行长期、大规模的实地测试和持续优化。目前全球范围内，除华为和三星具备基带集成能力外，其他手机厂商普遍采用外挂基带方案，这充分印证了该技术路线的现实合理性。小米持续投入芯片研发的战略价值主要体现在以下三个方面：首先，构建软硬一体的完整生态闭环。目前小米已形成涵盖智能汽车、智能手机、平板电脑、PC、可穿戴设备、智能电视及各类IoT产品的全场景硬件布局，芯片需求呈现指数级增长。通过自研芯片，小米能够打造自主可控的芯片供应链体系，从根本上保障产品供应安全。其次，实现跨终端深度协同。基于澎湃OS操作系统，配合自研芯片的底层优化能力，小米产品矩阵将实现前所未有的软硬件协同效应。这种深度整合不仅能显著提升设备间的互联互通体验，更能为用户带来更流畅、更智能的全场景交互。第三，强化科技创新领导力。在半导体领域，先进制程SoC的研发能力被视为科技企业的核心竞争力标杆。通过持续投入芯片自研，小米不仅能够实现产品差异化设计，更能塑造高端科技品牌形象，提升品牌溢价能力。这种技术壁垒的构建，将为小米在全球化竞争中奠定长期优势。小米智能手机SoC采用多元化供应模式根据Omdia的Smartphone Tech监测报告显示：2024年小米智能手机所采用的SoC芯片全部依赖第三方供应商。多元化的供应格局：联发科（MediaTek）占据主导地位，其SoC芯片在小米手机中的采用率高达63%，成为最主要的芯片供应商；高通（Qualcomm）位居第二，供应占比为35%，主要服务于小米的中端高端机型；紫光展锐（UNISOC）作为国产芯片代表，获得了2%的供应份额。从价格分价格段看，MTK的SOC在小米智能手机出货中有95%运用在400美金以下的产品，而5%的产品在400美金以上。而高通供应小米智能手机的SOC中，有20% SOC应用在小米的400美金以上智能手机中。基于已公开的技术参数分析，小米玄界O1芯片采用了高频超大核架构与超大缓存设计，其基准测试成绩已超越当前市面部分旗舰芯片。据悉，该芯片将率先搭载于小米S15 Pro旗舰手机及小米平板7 Ultra两大高端产品线。作为首代产品，主要承担技术验证使命，规划出货量保守控制在数十万级别，受小规模流片影响，初期成本会居高不下。而Omdia数据显示在2024年,小米搭载高通骁龙8系列的手机出货为1950万台，搭载MediaTek天玑9000系列芯片的小米智能手机出货为370万台。小米自研芯片多代产品的市场验证，以及成本优化，短期内，很难对其现有的旗舰SOC供应格局产生影响，因此无需担心影响于第三方芯片供应商的关系。小米仍需要与第三方的芯片供应商继续保持紧密的合作。

小米

Omdia . 2025-05-21 1 3825
企业 | Wolfspeed将申请破产

《华尔街日报》周二援引知情人士的话报道，半导体供应商 Wolfspeed 正准备在几周内申请破产，因为它正努力解决其巨额债务问题。该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。 Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性。报道称，在拒绝了债权人提出的几项庭外债务重组提议后，该公司正寻求申请第 11 章破产保护，这将获得大多数债权人的支持。当路透社联系沃尔夫斯皮德时，他拒绝发表评论。该公司使用碳化硅制造芯片，本月早些时候提出了持续经营的疑虑，并预测年收入将低于预期。该公司预计 2026 年营收为 8.5 亿美元，低于分析师预期的 9.587 亿美元。 SiC巨头，何以至此？美国碳化硅巨头 Wolfspeed 此前公布了 2025 年第三季度业绩，由于对公司长期生存的担忧，股价下跌近 25%。 2025年第三季度营收为1.85亿美元，而2024年第三季度为2.01亿美元。莫霍克谷工厂贡献了7800万美元的营收，而2024年第三季度为2800万美元。毛利率为-12%（2024年第三季度为11%）。每股GAAP亏损为1.86美元（2022年第三季度为-1.18美元）。虽然营收数据看起来还不错，但该公司正苦苦挣扎于65亿美元的债务。而且，正如其在监管文件中所述，“根据ASC 205-40的要求，该公司自发行日起持续经营的能力存在重大疑问。” 根据美国《芯片法案》（CHIPS Act），沃尔夫斯皮德正在等待7.5亿美元的联邦资金。2025年3月，唐纳德·特朗普总统表示，美国立法者应该废除该法案，并将资金用于偿还债务。与此同时，据路透社报道，Wolfspeed 的客户正在应对关税引发的不确定性，通用汽车下调了 2025 年的利润预测，而梅赛德斯奔驰则撤回了 2025 年的盈利预期。 TrendForce最新研究显示，受汽车及工业领域需求减弱影响，2024年SiC基板出货量增速放缓，全球n型SiC基板营收将同比衰退9%。尽管 SiC 需求有所下降，但 TrendForce 表示，随着 8 英寸（200 毫米）路线图的推进，SiC 的长期需求依然强劲。Wolfspeed 将在 2024 年以 33.7% 的市场份额领跑 SiC 基板市场，并引领向 8 英寸晶圆的转型。中国供应商 TanKeBlue 和 SICC 分别以 17.3% 和 17.1% 的市场份额位居第二和第三。相比之下，Coherent 则以 13.9% 的市场份额跌至第四位。 Wolfspeed表示，其目前对未来12个月的运营预测将使其能够维持运营，并在正常业务过程中履行对客户、供应商和员工的义务。该公司已聘请外部顾问Paul Walsh和Mark Jensen加入董事会，协助制定包括资本重组在内的战略替代方案。 Walsh 最近担任 Allegro Microsystems 的首席财务官兼财务及行政高级副总裁。此前，他曾担任 Rocket Software 的首席财务官，并在 Silicon Laboratories 担任过多个财务职位，最终担任高级副总裁兼首席财务官。他目前担任 Kopin Corporation 和 Semtech Corporation 的董事会成员。 Jensen 拥有丰富的财务和会计经验，此前曾于 2001 年至 2012 年担任德勤美国科技行业执行合伙人。加入德勤之前，他曾担任 Redleaf Group 首席财务官和安达信执行合伙人等高级职位。Jensen 目前担任 23andMe 和莱迪思半导体的董事。 Wolfspeed 董事会主席 Tom Werner 表示：“公司在年初制定了一项计划，重点是加强资本结构、改善盈利路径，并筹集成本效益高的资金以支持我们的增长计划。我很高兴地报告，董事会和管理层在我们列出的所有优先事项上都取得了重大进展——完成 2 亿美元的 ATM 发行、获得 1.92 亿美元的 48D 条款现金退税、简化业务以专注于我们纯粹的 200 毫米产能、加快实现现金流盈亏平衡，以及聘请 Robert Feurle 担任 Wolfspeed 的新任首席执行官。” “最重要的是，我们将继续与贷款方密切合作，寻找解决资本结构问题的方法，以便 Wolfspeed 拥有强大的财务基础来支持其持续成功。” Feurle 补充道：“我决定加入公司的关键因素之一是 Wolfspeed 的巨大潜力，这得益于其强大的基础要素。该公司的碳化硅技术首屈一指，并且已经建立了一个全新的、一流的、全自动 200 毫米制造基地，为我们的客户提供下一代解决方案。我将调整组织架构，推动整个业务以及关键战略垂直领域的创新，这些领域对质量、可靠性和效率有着至关重要的要求——而我们专门打造的 200 毫米平台正是我们脱颖而出的关键所在。”

Wolfspeed

芯视点 . 2025-05-21 1675
方案 | 从机械应答到深度交互，移远通信如何让机器人“灵魂觉醒”？

你是否还在因机器人的“答非所问”而无奈，为它们的“反应慢半拍”而抓狂？别慌！一场引领机器人实现“灵魂觉醒”的技术革命，正如同暗夜中悄然绽放的繁星，彻底颠覆人们对机器人的传统认知。 5月20日，移远通信率先推出了端&云混合大模型机器人大脑解决方案。该方案深度融合AI、大模型、声源定位等前沿技术，宛如为机器人赋予了“超级大脑”和“敏锐听觉”，有效弥补了传统机器人在交互延迟、语义理解等方面的不足，推动人机交互朝着更自然、更精准、更加人性化的方向大步迈进。端云共舞，铸就智能交互“超级大脑” 在移远端&云混合大模型机器人大脑解决方案中，围绕移远AI模组及其强大算力，创新性地构建了端侧与云端大模型的深度协同体系，如同给机器人同时装上了“极速本地处理器”与“云端超级知识库”。端侧大模型堪称机器人的“反应加速器”，赋予其毫秒级的响应能力和可靠的离线功能。无论是前进、转向、原地踏步、站起、蹲下等动作指令，还是企业专属领域的专业问答需求，机器人都能瞬间给出反馈。同时，该方案还支持企业定制化知识库的本地部署，即便处于离线状态，机器人依然可以提供专业、准确的问答服务，为敏感数据筑牢安全防线。云端大模型则化身庞大的“知识宝库”。在联网状态下，机器人可无缝接入豆包、DeepSeek等主流大模型以及专业搜索工具，基于云端海量数据，提供天气、新闻、股票等实时信息和百科知识查询，还支持多轮对话式查询，精准“读懂”用户意图。在情感交互场景中，机器人就像一位会“思考”的伙伴，既能通过启发式对话和用户进行多轮深入交流，还能自定义角色，带来个性化陪伴体验。更厉害的是，云端大模型还能不断“学习”进化，始终保持前沿能力。方案独创的端云协同架构，犹如一位运筹帷幄的“指挥官”，通过智能路由机制，巧妙实现智能与可靠的平衡。在此架构下，机器人能够自动监测网络状态，将任务智能分配到端侧或云端：关键指令优先在端侧快速处理，复杂查询则自动切换至云端，确保交互既高效又精准。即便网络环境波动，端云数据也能无缝同步、无感切换，配合企业级加密通信与权限管理，既能让用户享受丝滑流畅的交互体验，又能全方位守护数据安全。此外，通过移远飞鸢物联网平台，用户可轻松实现对大模型的管理，如用户管理、数据分析、故障告警等，让大模型管理更加便捷、高效。麦克风阵列拾音，赋予机器人“敏锐听觉” 多麦克风阵列拾音技术是方案的另一大技术亮点，为机器人打造了一双“顺风耳”。方案采用先进的6麦克风阵列算法，通过空域滤波技术形成定向拾音波束，能有效抑制环境噪声，增强声源方位人声，在嘈杂环境中依然能够精准捕捉声源。更值得一提的是，10m拾音距离与360°全向感知范围，可实现精准声源定位，让机器人能够迅速锁定声源方位，实时调整方向面向说话人，真正做到“闻声而动，有呼必应”。为进一步强化机器人的“听觉”能力，该方案集成了前置降噪、回声消除、波束成型等全链路语音处理算法，能够有效过滤环境干扰，即使轻声呼唤，机器人也能迅速“苏醒”响应。此外，该方案还支持中英文对话、自定义唤醒词、音色定制等，满足用户多样化需求，让每一次交互都更具温度与个性。多场景绽放，绘就智能生活的多彩画卷依托端侧与云端大模型的深度协同，以及精准的声源定位技术，机器人不再局限于执行指令——它们不仅能实现语义理解、动作控制，更能基于本地私有知识库或者云端海量信息，化身为能理解、会沟通、善思考的“智慧伙伴”，让智能融入生活的每个角落。在商业场景中，商场导购机器人能精准捕捉顾客需求，如私人购物顾问般推荐心仪商品；酒店服务机器人不仅能快速办理入住，还能化身“本地通”，介绍周边美食与景点；医院导诊机器人则凭借专业知识库，迅速为患者指引科室路线。在家庭场景里，教育陪伴机器人成为孩子的“私人教师”，既能辅导功课、陪伴阅读，又能化身“聊天搭子”，在情感交流中见证成长。这场智能变革才刚刚拉开序幕，随着方案的深入应用，机器人正从“工具型”向“伙伴型”加速蜕变。未来，移远通信将持续深耕AI与大模型领域，携手合作伙伴不断探索机器人的更多应用场景，为行业发展注入无限创新活力。

移远通信

移远通信 . 2025-05-21 1 1280
技术 | 针对大批量应用优化的电源开关

在挑选MOSFET时，大多数工程师首先关注的一个参数便是RDS(on)值。然而，面对消费电子、计算、移动设备乃至工业子系统的大批量需求，设计工程师对产品的要求日益多样化，不仅追求高效能、小尺寸、高性能、高可靠性，同时也注重成本效益。因此，对于大部分电源、充电器、电池管理系统 (BMS) 和电机驱动器，关键在于以适当的小尺寸封装和合适的价格提供恰当的RDS(on)值。Nexperia新发布的MLPAK33封装的60 V MOSFET系列产品正好满足了这一市场需求。大批量电子产品的市场格局正经历着剧烈的变化，特别是在功率要求方面。其中最为显著的变化趋势之一便是器件从插电式供电逐渐过渡到可充电电池供电。这种转变提高了对系统功率密度和高功率的需求，同时还要求器件更加轻量化，并大幅缩减复杂电路的可用空间。当然，在实现这一切的同时，还必须确保器件的安全性和可靠性，并有效降低物料清单 (BoM) 成本。扫地机器人或许可以充分展示现代工程师面临的多重挑战。这类设备不仅需要集成功率转换和电池管理系统，还需配备三相吸尘电机、驱动轮子的电机以及控制锁和阀门的执行器，同时还要包括传感、控制与通信电路。要在极其紧凑的PCB空间内实现这些功能，往往需要采用多层设计来容纳所需的大量电子器件。而且，在为电源、充电器、BMS和电机驱动选择合适的功率MOSFET时，设计师的选择标准也因此受到显著影响。兼顾设计优化与空间效率为了满足这些近乎相互矛盾的需求，Nexperia推出了MLPAK56 MOSFET，这也标志着Nexperia在扩展其成熟的功率超结MOSFET产品组合（如NextPowerS3、NextPower 80/100V和特定应用MOSFET）方面迈出的重要一步。随着新一代MLPAK33 MOSFET的推出，Nexperia为设计工程师设计大批量且注重成本效益的应用提供了优化的开关性能(RDS(on) < 10 mΩ)，并在紧凑的封装(10.9 mm²)中保持了Nexperia一贯的高质量、高可靠性、工程专业技术和供应链稳定性的优势。为了实现这种精妙的平衡，Nexperia融合了分裂栅沟槽型(SGT) MOSFET技术和MLPAK（微引脚封装）。SGT技术不仅可实现出色的开关性能，还能在更小封装内实现更高的电流密度。尽管MLPAK33在引脚布局上与业内公认的表面贴装DFN3333完全兼容，但其独特的微引脚设计进一步增强了贴装的可靠性。因此，Nexperia的60 V MLPAK33 MOSFET非常适合满足诸如扫地机器人、30 W有线及无线快充适配器以及各种DC/DC转换器等大批量应用不断变化的需求。

安世

安世半导体 . 2025-05-21 2 1340
产品 | 实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81％，导通电阻可降低约33％。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50％。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。新产品在电商平台将逐步销售。 ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。开发背景近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。产品主要特性应用示例・智能手机・VR（Virtual Reality）眼镜・小型打印机・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。 *1) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写) 一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。 Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。 *2) 导通电阻 MOSFET工作（导通）时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 *3) WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) 在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。 *4) GaN HEMT GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si（硅）相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。 *5) 击穿电压 MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。

ROHM

罗姆半导体集团 . 2025-05-21 1155
方案 | 基于IVCC1104和 ICeGaN®的2.5kW图腾柱无桥PFC方案

近期，碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子与Cambridge GaN Devices(CGD)合作，基于成熟的2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC参考设计，仅简单改动：把原功率器件换成集成驱动和GaN器件的ICeGaN®产品，其测试表现稳定，效率高达98.7%。该方案的成功，不仅再次验证了基于模拟控制芯片（IVCC110x)的图腾柱PFC电路的简单、高效，而且表明ICeGaN®产品良好的易用性和卓越可靠性。 Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆氮化镓(GaN)功率器件生产商，致力于开发节能高效GaN功率管和IC。该公司专利产品ICeGaN®通过高度的集成化，极大地简化设计流程，加速产品落地。图1：方案实测效率曲线图 CGD技术市场与业务拓展总监 Di Chen 表示： “瞻芯电子现有的2.5kW图腾柱PFC参考设计方案是基于TO-247封装，通过一块半桥适配子板，替换为ICeGaN® P2系列的25mΩ GaN IC，在不修改驱动、控制策略、电路拓扑的情况下，即可正常运行。测试结果证明了ICeGaN® 能大幅缩短工程师学习和新品开发周期，加速GaN在大功率电源设计的导入和产品落地。同时，也对瞻芯电子的CCM PFC控制器芯片IVCC1104的高性能和极致性价比，印象非常深刻。” 瞻芯电子首席技术官叶忠博士评价： “ICeGaN®器件在2.5kW图腾柱PFC中首次上电就能工作，开关波形干净，尽管其DFN封装需通过TO247-4适配板焊接至主功率版，且栅极驱动和驱动电源走线较长，但从空载到满载均未发现异常或直通现象，展现出极强的抗噪性、易用性与高效能。这个项目的demo成功，再一次展现出瞻芯电子CCM TTP PFC控制芯片在适配宽禁带半导体器件，包括SiC MOSFET和GaN FET，以实现下一代高性能电源方案的便捷性和高效性。” 基于IVCC1104和ICeGaN的2.5kW PFC方案这款方案选用简单、高效的图腾柱PFC拓扑，采用模拟PFC控制芯片，搭配SiC或GaN功率器件作为高频开关管，都能大幅简化器件选型，降低物料成本，加快电源产品的开发速度，因此已开发出多种衍生PFC电源方案，功率范围覆盖330W~3000W，并展示出优秀的性能、效率表现。图２：２.５ｋＷ图腾柱PFC方案样机图3：图腾柱无桥PFC工作原理主控芯片：采用模拟图腾柱PFC控制芯片IVCC1104，内置高速、精确、可靠的模拟控制器，相比于数字控制芯片，封装更紧凑(16pin)，无需编程调试，还能解决一系列控制难点，保障开关电源方案的高效率、高可靠性，助力产品快速开发与推广。图4：２.５ｋＷ图腾柱PFC主控制板高频开关管：选用ICeGaN® IC（CGD65C025SP2）将栅极接口电路、保护功能与主功率管单片（650V/25mΩ GaN HEMT）集成，可直接和瞻芯电子IVCR1401驱动或市售通用Si/SiC驱动芯片兼容，只需进行简单的改动就可以无缝替换传统的Si器件，实现效能提升。图 4：ICeGaN® IC产品测试环境介绍在瞻芯电子的2.5kW图腾柱PFC方案中，把原650V SiC MOSFET换装ICeGaN® IC产品CGD65C025SP2，并沿用栅极驱动IVCR1401芯片。图5 ：ICeGaN® IC产品在原方案应用空载启动波形：点评：空载启机的电流无异常大电流，波形比较平滑。负载1250W，Vin_AC=115V空载上电测试波形：负载2500W ，Vin_AC=230V空载上电测试波形：点评：与使用瞻芯 SiC MOS FE T 一样， AC 电流过零点的波形都非常平滑，无尖峰和明显的台阶， IVCC110 x 的专利过零点技术在此体现的很好。图6 ：PFC方案功率因数图7 ：PFC方案THD谐波数据该方案验证成功，再次表明IVCC1104芯片不论搭配碳化硅(SiC)器件或氮化镓(GaN)器件，都能极大的缩短工程师开发产品的周期，降低应用门槛，带来更大的项目收益。

瞻芯电子

瞻芯电子 . 2025-05-21 1620