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涨价 | 矽创、奕力、联咏、天钰、瑞鼎、敦泰集体涨价，部分产品涨幅最高达20%

做台系产品的芯片代理和分销商们，迎来了新一波涨价函。半导体通膨升温，为反映生产成本上升，IC设计企业陆续传出涨价风声，包括矽创、奕力、联咏、天钰、瑞鼎、敦泰等六大厂已有相关信息，部分产品涨幅最高达20%。业界指出，矽创与奕力的驱动IC将从4月1日起调高报价。业内传出，联咏的时序控制IC产品线要涨价，天钰、瑞鼎将跟进；敦泰的触控与驱动整合IC（TDDI）正酝酿调升报价。矽创计划调升驱动IC价格，业界近期流传矽创的价格调整说明信件，前段晶圆制造与后段封测成本都上升，晶圆厂对驱动IC供应产能持续收紧并上调代工价格，封测成本则受到贵金属、封装材料与人力成本等上升影响，整体供应链成本提高，成本增幅超过业者自行消化范围，预计从4月1日起调涨驱动IC报价达15%。奕力也发出驱动IC调价通知函，从去年第3季起原物料价格大幅上涨，驱动IC生产成本持续显著增加，虽然致力于内部成本优化，但成本涨幅已超过负荷范围，4月1日起调涨驱动IC报价15%至20%，新接订单将按调整后价格执行。奕力证实，跟其他同业都受到成本上涨的影响，下季起适度调整价格，也通知客户。联咏对于市场传出将调涨时序控制IC价格的讯息不予置评。时序控制IC主要应用于电视、桌上型显示器与笔电。先前联咏在法说会中表示，确实面临成本上涨压力，以多管齐下改善毛利率，例如产品减少用金量，或采用其他合金来替代，或与客户动态协商反映成本的上涨，并以调整产品组合及推出新产品提升毛利率。天钰也传出将跟进同业调涨时序控制IC的报价，天钰表示，会针对个别客户的情况跟进。瑞鼎也同样传出时序控制IC产品线报价跟涨。瑞鼎先前在法说会中表示，面板客户仍持续希望零组件供应商在价格上配合，但公司更上游的合作厂商包括晶圆代工涨价，原物料成本也上涨，瑞鼎努力与客户协商希望共同分摊增加的成本。敦泰的TDDI产品也正酝酿调高报价。敦泰表示，会依照成本波动与市场供需情况，与客户进行友好协商。总而言之，正如IC设计厂所说，酝酿产品涨价其实已经有一段时间，现在整体气氛到了才能逐步调整价格。影响IC设计的成本结构中，后端封装厂提高报价触动了涨价机制，上游晶圆代工厂去年至今陆续提高代工价，也为半导体通膨添柴火。 IC价格向来易跌难涨，去年起存储器大涨，影响终端产品售价与买气，IC市场也难因供需吃紧带来涨价动能。原本最早传出酝酿涨价的领域是电源管理IC，台系企业大多处于想涨但还不敢涨的状态，在少数微控制器厂抢先有动作后，如今驱动IC与时序控制IC加入涨价行列。

半导体

芯查查资讯 . 2026-03-30 1 2163
应用 | 高效率 & 低功耗的 18W Calss-D 音频放大器应用

在消费电子、便携音箱与智能硬件快速迭代的今天，音频功放正朝着高效率、小体积、低失真、长续航方向升级。新唐科技推出的Class‑D 18W单声道音频功放(NAU82110)，以核心技术、极致能效与稳定输出，成为中功率音频方案的优选，为音频设备注入清澈、强劲、持久的好声音。 NAU82110 明显优势： · 效率可超过 90% · 系统发热更低 · 延长电池续航时间 · 更适合小型化与便携式设备一、高效内核：效率突破90%，散热与续航双升级区别于传统AB类功放仅60%的效率，这款Class‑D功放采用先进PWM脉宽调制技术，实际工作效率高达90%以上，大幅降低能量损耗与发热。在12V供电、4Ω负载下稳定输出18W额定功率，声音通透、低音饱满、高音细腻，告别失真与杂音。二、硬核性能：全场景稳定驱动，音质不妥协宽压适配：支持宽电压输入(Max 14V)，兼容锂电、车载12V、适配器等多种供电，适配消费电子与车载环境。保护机制：集成过流、过热、过压、欠压闭锁保护，长期满负荷运行稳定可靠，大幅提升设备寿命。灵活增益：支持多档固定增益与I2C可编程调节，32段精细增益设定。三、小巧集成：小封装大能量，设计更自由采用QFN20小型封装，引脚精简、PCB布局简单，完美适配智能音箱、Soundbar、车载喇叭、教育机、医疗设备、无人机喊话器等空间受限场景。功率密度远超传统方案，以更小体积实现更强劲的音频声场。四、适用范围：覆盖消费与车载，一站式音频解决方案消费电子：蓝牙音箱、智能屏、笔记本、电视音响，回音壁；车载影音：车门喇叭、汽车模拟引擎、车载T-BOX，车载仪表；智能硬件：智能家居、智能安防播报、人形机器人，交互型机器人，教育设备；便携设备：户外扩音器，喊话器、对讲机。从智能硬件到便携影音，新唐科技推出的Class‑D 18W音频功放以技术突破为起点，平衡功率、音质、能效、体积四大核心需求，为产品打造更具竞争力的音频体验。成功案例

新唐

新唐MCU . 2026-03-30 1141
应用 | TI AM13E230x MCU 赋能边缘 AI 电机控制，破解人形机器人执行器和智能家电关键难题

AM13E230x MCU 通过在单个器件中结合使用 Arm® Cortex®-M33 CPU 和 TI TinyEngine™ NPU，能够在实时控制应用中实现预测性故障检测和自适应控制算法。人形机器人和电器设备中的本地 AI 模型可以根据实际情况持续监测参数并调整性能，而无需云连接或其他分立式元件。克服传统设计局限，实现支持边缘 AI 的电机控制在工业自动化应用和电器设备的电机系统中，为帮助更大限度缩短停机时间、降低能源消耗和提高整体系统可靠性，对实时监测和控制的需求变得至关重要。为实现可靠的电机功能，传统的设计方法通常需要使用多个微控制器 (MCU) 和分立式元件，而这会增加复杂性、成本和功耗。为了应对这一挑战，设计人员可以使用高度集成的 MCU，如 AM13E230x 系列（包括 AM13E23019），该系列配有用于边缘 AI 的硬件加速器。该系列 MCU 采用高性能 Arm Cortex‑M33 内核，并集成了 TinyEngine NPU，可为工程师提供一个单芯片平台，助力实现精密电机控制、实时监控和本地 AI 推理。这种集成度可将边缘 AI 功能引入到更多电机控制系统，实现预测性故障检测、自适应控制算法、异常检测和智能负载均衡等功能，而在传统方法中，成本、尺寸和功耗方面的考量限制了边缘 AI 在这些领域中的应用。TI 免费的 CCStudio™ Edge AI Studio 作为一套旨在加速边缘 AI 开发的图形和命令行工具，也为该系列 MCU 提供支持。本文探讨了 AM13E230x MCU 如何帮助设计人员解决人形机器人执行器和智能家用电器设计中的关键设计难题。人形机器人：执行器人形机器人通过执行器实现操纵和移动，可同时在多个自由度上运行。此外，高扭矩快速启动（例如，电机从静止状态产生大扭矩的能力）需要保持低噪声运行才能实现出色性能。本地运行的边缘 AI 模型可以检测电机何时在最大水平以上运行并防止长期损坏，从而延长电机寿命。因此，这些模型可以直接帮助实现具有宽运动范围和多自由度的类人关节和手指。图 1 展示了典型人形机器人手部、手臂和肩部中的电机数量。图 1 简化图显示了人形机器人手部、手臂和肩部中可能存在的电机分布情况 AM13E230x MCU 中的边缘 AI 功能在关节运动应用中具有延长电机寿命和提供保护的优势。本地 AI 模型能够主动监测扭矩、负载和电流等电机参数，从而检测到电机何时运行异常，并及早通知潜在问题。此外，该系列 MCU 专为人形机器人应用而设计。在这些应用中，成本、紧凑性和精密电机控制是主要的设计挑战。通过使用集成了可编程增益放大器的器件，而不是使用分立式 CAN 和 IGBT 外设（通常与 MCU 配合使用），设计人员可以降低物料清单成本并减少外部元件数量。对于在系统层面不要求高精度的应用而言，这可以提供更紧凑、更具成本效益的解决方案。AM13E230x MCU 具有 7 × 7mm² 的封装尺寸，因此可实现更大的运动范围，同时还能解决人形机器人关节电机中的空间限制问题。洗衣机中支持边缘 AI 的电机控制随着智能家居应用的加速发展，消费者现在希望电器能够更安静、更高效且更灵敏地运行。AM13E230x MCU 使设计人员能够更轻松地满足终端用户对安静、快速和可靠运行的需求，同时提供工具帮助构建可适应实际使用情况的智能电器。工程师可以使用 AM13E230x MCU 来优化洗衣机电机控制设计——通过运行 AI 模型持续实时监测电机负载，并根据衣物重量自动调整扭矩和速度曲线，从而防止电机应变。图 2 展示了使用 AM13E230x MCU 的洗衣机电机控制系统的简化方框图。图 2 洗衣机电机控制系统的简化方框图 NPU 可分担主 CPU 中的电机控制算法，从而降低了系统延迟和功耗，无需额外的分立式元件即可改善电机控制。优化新一代设计中的电机控制支持边缘 AI 的 MCU 通过在电机层面直接集成智能处理，正在改变各种应用中的电机控制。通过将高性能处理与神经处理能力相结合，这些解决方案能够在单芯片实现方案中实现预测性维护、自适应控制和精密电机管理。随着从人形机器人到智能电器的应用不断发展，在实时电机控制 MCU 中集成边缘 AI 为各行业打造更高效、更可靠和更智能的系统奠定了基础。

TI

德州仪器 . 2026-03-30 1449
产品 | 让AI 可穿戴更安全！艾为全新 OVP+OCP 保护芯片全面护航

2026年，AI可穿戴设备已从潮流单品进化为全民标配，行业迎来规模化普及新阶段。回望2025年，智能戒指出货量突破400万枚，Oura、Samsung、Ringcon等品牌争相布局；AI智能手表依托健康监测、运动分析等核心能力，全球市场以12%的年复合增长率持续扩张。但功能升级与场景拓宽的背后，设备可靠性与安全隐患成为行业共性痛点，艾为电子针对性推出OVP+OCP保护芯片，为AI可穿戴设备全天候稳定运行筑牢安全屏障。产品优势超强端口耐压+输入快速过压保护+输出钳位：利用特色BCD工艺提供高达32V端口耐压，加上<1us的快速高压保护，叠加输出5.8V钳位保护，面对过压/浪涌等异常事件时，提供提供三重保护。图1 三重保护示意图低阻抗保证充电可靠性对比友商，更低导通阻抗，特别针对pogo pin+触点应用场景面对接触不良或氧化造成阻抗有偏大时，配合充电管理新品的DPM功能，也能保证可靠的充电功能; Type-C接口也能减少充电路径IR损耗，提升效率，减少发热对可穿戴产品尤为重要。表1 产品Ron对比可靠安全的过流保护智能戒指、手表等微型设备的充电端口集成度极高，混用非原装充电器、接触不良等情况易引发短路，直接烧毁主板芯片。艾为电子OVP+OCP新品针对性优化电路设计，在遇到瞬间过流事件时，会先尝试关断后重启保证工作可靠性，但是连续超过4次连续过流发生以后，就会直接断电，保证电路安全。图2 过流保护设计小型化封装解决系统设计痛点艾为电子通过封装差异化设计，不仅提供传统性价比高的DFN2*2封装（AW35018DNR），针对xWS耳机/智能戒指等应用，推出FCDFN1*1-4L极小封装产品（AWP35021FDR），但是还能提供1.5A连续过流能力。表2 封装差异对比产品介绍宽输入电压范围3V ~ 6.8V 输入耐压最大28V 集成 105mΩ 低阻抗功率开关可编程限流范围100mA至1.5A 1.5A限流精度可达10% 6.8V输入过压保护过压保护响应时间小于1μs 5.8V输出钳位电压集成过热保护图3 AW35018封装信息图4 AWP35021封装信息图5 AW35018典型应用框图图6 AWP35021典型应用框图典型应用场景充电线材或底座智能戒指/手环/手表 xWS耳机图7 典型应用场景展示产品选型表表3 艾为产品选型表

艾为

艾为官网 . 2026-03-30 1113
市场周讯 | ARM宣布造实体芯片；马斯克宣布造芯；纳芯微、ST、Allegro涨价

| 政策速览 1. 中国：国家发展改革委主任郑栅洁会见韩国三星电子会长李在镕。双方重点就中国宏观经济形势、“十五五”规划《纲要》、中国进一步扩大高水平对外开放、三星公司在华业务发展等议题进行了交流。 2. 广东：中共广东省委办公厅、广东省人民政府办公厅印发《广东省推动制造业与服务业协同融合发展2026年行动方案》。方案提出，强化科技创新引领。聚焦制造业需求开展关键核心技术攻关，加快推进职务科技成果“先用后转”改革，上线“先用后转”服务平台，举办科技成果对接会系列专场活动，促进科技成果转移转化。围绕人工智能、智能机器人、集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造、生物医药等重点领域，打造概念验证中心、中试验证平台。深入推进“广东强芯”、“璀璨行动”、核心软件攻关等重大科技工程，补齐工业基础软件、核心电子元器件及配套电子材料等领域技术短板。 3. 深圳：深圳市工业和信息化局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》，计划提出，支持国产GPU、NPU、CPU、DPU等核心芯片产品加快应用和迭代，形成完整产业生态，鼓励基于RISC-V架构的高性能计算芯片研发与产业化，发展高速以太网交换芯片、PCIe/CXL交换芯片等，推动技术迭代与性能升级。支持第三代半导体功率器件研发与应用，支持开发场景化专用电源方案，前瞻布局下一代功率半导体技术。 4. 美国：美国联邦通信委员会 (FCC) 更新受管制清单（Covered List），将外国制造的消费级路由器纳入其中。除获得美国国防部（DoW）或国土安全部（DHS）有条件批准的路由器外，所有在外国生产的路由器均被禁止进口。FCC禁令标志着美国对中国科技产品的供应链安全审查进入新阶段，对中国路由器厂商的影响将是长期且深远的，如产品更新受阻、市场份额被侵蚀。 | 市场动态 5. 存储：DRAM现货市场上涨势头受阻，其中DDR4细分市场表现尤为疲软。展望4月份，预计合约价格将进一步上涨。同时，NAND闪存方面，随着新季度合约价格谈判的临近，预计现货市场将逐步触底反弹。 6. SEMICON China：SEMICON China 2026国际半导体展在上海正式拉开帷幕。1500家展商、5000多个展位，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料等泛半导体全产业链，北方华创、中微、拓荆等国产半导体设备龙头集中发布新品。ASML、佳能、尼康、东京精密、科意半导体、EV Group、Veeco、Evatec等海外半导体设备厂商也亮相展会，尼康更表示将加大对中国市场投入，提供更高优先级和更多资源。 7. SEMI：SEMI中国总裁冯莉表示，预计2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元 HBM产能缺口达50%—60%。 8. 野村：野村大幅上调对存储芯片价格的预测，预计2026年第二季度DRAM与NAND价格将分别环比增长51%与50%，此前预估为6%与20%。野村强调，此轮涨势不仅反映短期供需失衡，更标志着产业结构正在发生根本性转变。 | 上游厂商动态 9. ARM：Arm在3月25日正式发布Arm AGI CPU，意味着它首次把业务边界从“提供设计能力”进一步推进到“提供实体芯片产品”，这也是这家公司创立 35 年来极具标志性的一次角色变化。Arm此次AGI CPU的发布并是不是试探性的，而是一次有明确准备和长期产品路线图支撑的战略投入，明年会推出第二代产品，未来也会有第三代，第四代产品。 10. ST：中国本地制造的STM32通用微控制器现已开启交付。首批由华虹宏力代工的意法半导体STM32晶圆产品已陆续发货给国内客户。这一里程碑标志着意法半导体全球供应链战略的重大进展。公司计划2026年将有更多STM32产品系列（包括高性能、安全及入门级的微控制器）实现本地量产。 11. 广和通：广和通公告称，公司正在筹划以现金方式收购深圳航盛电子控制权，目前交易价格及收购比例仍在论证和协商中。 12. 中微半导：中微半导发布公告，公司拟使用自有资金1.6亿元向珠海博雅科技股份有限公司增资，认购其1250万元新增注册资本，交易完成后，公司将持有珠海博雅20%的股份，成为其参股股东。 13. 纳芯微：纳芯微电子发布价格最新最新调价函，鉴于全球半导体市场持续波动，晶圆、封装材料等核心原材料成本大幅攀升，经过审慎评估，公司决定于近期对部分产品价格进行适当调整。 14. 希荻微：希荻微发布公告，宣布以3.1亿元现金收购深圳市诚芯微科技有限公司100%股权的交易完成交割，诚芯微已于3月20日完成股东、章程、董事等工商变更登记。本次交易完成后，诚芯微将纳入希荻微合并报表范围。 15. 安谋科技：安谋科技发布了面向AI应用新一代VPU IP——“玲珑”V560/V760，代号“峨眉”，该产品已在服务器、无人机、视频转码等领域完成首批客户授权，备受市场认可。 16. 达摩院：阿里达摩院发布“全球性能最高的RISC-V CPU”——新一代旗舰CPU产品玄铁C950，适用于云计算、生成式AI、高端机器人、边缘计算等领域。玄铁C950是一款基于5nm制程、开源RISC-V架构的64位多核处理器，主频为3.2GHz，采用超标量、乱序执行、8指令译码、16级流水线微架构，支持RVA23.1 规范，访存带宽提升至玄铁C920的4倍以上。 17. 高真科技：成都市龙泉驿区人民法院3月20日发布公告称，因成都积体半导体有限责任公司、真芯（杭州）半导体有限责任公司及第三人成都高真科技有限公司下落不明，依法公告送达民事判决书，要求两家股东在合计超 14.6 亿元未缴出资本息范围内，对高真科技债务承担补充赔偿责任。 18. 禾赛：赛科技公布了 2025 年第四季度以及全年未经审计的财务数据。2025 年，禾赛全年营收达 30.3 亿元人民币，同比增长 45.8%，创历史新高并稳居行业第一。其中，第四季度营收超 10 亿元人民币，连续 7 个季度实现同比大幅增长。更重要的是，禾赛成为激光雷达行业首家全年 GAAP 盈利企业，全年 GAAP 净利润 4.4 亿元， Non-GAAP 净利润 5.5 亿元。这已是其连续 3 个季度 GAAP 盈利、连续 5 个季度 Non-GAAP 盈利，盈利能力持续获验证，行业领先地位进一步巩固。 19. 景嘉微：2026年3月，全国首例采用相控阵智能微波作为骨干网构建的应急指挥无线宽带通信专网完成试点建设，并在长沙市应急管理局顺利通过验收。该骨干网系统可为各种自然灾害、事故灾难、社会安全事件等极端场景下的应急指挥通信提供一条大带宽、动中通、高可靠、远域覆盖、高效便捷的空中信息通道，实现指挥中心与灾害一线现场“看得见、听得清、联得上”的目标。 20. ST：意法半导体（ST）发布涨价函。函中表示，因综合成本持续上升，自2026年4月26日起，公司多个产品线将启动价格上调。据内部消息，此次ST各产品线的涨价幅度如下： 21. Allegro： Allegro 发布涨价函。函中显示，自 2026年4月27日起， Allegro将对全线产品进行价格调整，涨价幅度至少10% 。 22. 日本电装：2026年3月24日，电装公司正式宣布已提出收购罗姆半导体股份的提议。电装表示：“我们相信，通过与在工业设备和消费电子领域拥有优势的罗姆半导体公司合作，并相互利用在不同应用和市场领域积累的技术和知识，我们将能够为半导体业务的各个领域做出贡献。” 23. 摩尔线程：摩尔线程与硅臻联合正式推出北京市首个面向全球的“量超智通”融合计算平台。据介绍，该平台实现了从核心芯片到应用软件的全链条自主可控，同时打破了经典算力与量子算力的技术壁垒，实现了多种算力的高效协同。 24. 南亚：DRAM 大厂南亚正式揭晓787.18亿新台币（约合170.04亿元人民币）的定增名单。铠侠、闪迪、SK海力士旗下Solidigm及思科四家公司将分别认购私募普通股7000万股、13868万股、7139万股、7150万股，共3.51亿股。且南亚科此次私募普通股定价为每股223.9新台币，按照其今日收盘价226.5新台币计算，仅折价1.15%。 25. 中微：在SEMICON China 2026期间，中微公司宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力。 26. 星钥光子科技：苏州星钥光子科技有限公司硅光平台3月24日在苏州高新区开工，预计今年底通线。这是全国首条专注于硅基光子芯片的8英寸量产线。星钥光子硅光平台项目聚焦这一痛点，一期总投资12亿元，搭建8英寸90纳米工艺节点生产线，满足1.6T和3.2T硅光模块的市场需求，构建自主可控的硅基光电集成芯片制造生态。 27. 北方华创：北方华创正式发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备——NMC612H。该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题。 28. 博通：博通表示，公司正面临供应链限制，包括芯片制造合作伙伴台积电的产能上限。这凸显了AI需求激增对整个科技行业产生的连锁反应。博通物理层产品部门产品营销总监周二对媒体表示：“我们看到台积电正面临（产能）瓶颈。他们会持续扩充产能直到2027年，但在2026年，这已经成为一个瓶颈，或者说在某种程度上卡住了整个供应链。” 29. 台积电：台积电位于亚利桑那州的Fab 21工厂的建设进度正在提前，P2晶圆厂预计最早将于2027年下半年开始3nm工艺量产。P3和P4晶圆厂主要机械和电气系统的安装工期也比原计划提前。 30. 台积电：受惠AI与高速运算（HPC）需求强劲，台积电2纳米包含A16制程产能严重供不应求，连最大客户英伟达都不够用，为此要变更下世代Feynman平台设计，加上Meta也加入抢产能，使得台积电2纳米客户排队等产能的队伍再拉长，已排到2028年以后，台积电先进制程也将连四年涨价。 31. 三星：三星的首条8英寸氮化镓 (GaN) 生产线最快2026年Q2投产，预计初期营收规模在1000亿韩元以内。三星电子还计划在年内投运碳化硅 (SiC) 功率半导体晶圆代工生产线。 32. 中芯国际：中芯国际控股有限公司发生工商变更，注册资本由59.5亿美元增至约65.3亿美元。该公司成立于2015年7月，法定代表人为刘训峰，经营范围包括在国家允许外商投资的领域依法进行投资、集成电路产品的批发、进出口、佣金代理及相关配套业务等。股东信息显示，该公司由中芯国际全资持股。 | 应用端动态 33. 华硕：华硕预告，第二季将大幅调高PC售价，最高涨幅上看三成。宏碁、微星、技嘉等PC品牌也将调价。 34. 苹果：在一场与Mac有关的访华行程中，苹果CEO蒂姆·库克接受界面新闻记者采访，针对近期OpenClaw带动Mac Mini大卖的问题，他评价称，苹果十年前就在Mac中加入了神经网络引擎，随着苹果芯片、生成式AI以及智能体交互的共同发展，这种硬件与软件的集成使得Mac Mini成为最适合做AI任务的电脑。苹果接下来会持续优化针对AI工作流的Mac性能，事实上，用户现在已经可以在Macbook Pro上训练大语言模型。 35. 戴尔：戴尔中国台湾地区总经理廖仁祥在谈及今年度PC市场时表示，存储零部件与内存成本持续飙涨，今年此时就是购买个人电脑与笔电最便宜的时刻。针对市场关心的供应链状况，廖仁祥透露目前部分CPU也出现缺货或交期拉长的问题。 36. 马斯克：马斯克宣布将在美国得州奥斯汀建设一个芯片制造中心。这个项目将由特斯拉、太空探索技术公司以及xAI合作推进，主要为机器人和太空数据中心等项目提供芯片。马斯克表示，新的芯片制造中心将整合芯片制造的全流程，包括设计、光刻、封装、测试等，当前的目标是量产2纳米工艺芯片。制造中心将有两座晶圆厂，一座生产汽车和机器人所需芯片，另一座则生产用于太空数据中心的芯片。

半导体

芯查查资讯 . 2026-03-30 1 4242
江波龙携全球最小尺寸eMMC与最薄ePOP5x亮相CFMS，以SiP集成与PTM模式重构AI穿戴存储边界

2026年3月27日，CFM|MemoryS2026在深圳盛大启幕，全球存储产业链精英齐聚，共探AI时代存储产业的变革与未来。江波龙立足AI行业发展趋势与江波龙创新积淀，从定位、模式、产品、技术等多维度，全面分享公司对端侧AI存储的核心理解与综合创新成果。而作为端侧AI落地最为活跃的应用场景之一，AI穿戴设备正成为存储技术创新的重要试金石。在本次峰会上，江波龙穿戴存储产品线全面亮相，以全球最小尺寸5.8×6.3mm eMMC、厚度仅0.5mm的最薄ePOP5x等重磅新品，集中呈现了公司在系统级封装、自研主控与全链路制造上的综合实力。从高性能AI/AR眼镜到高端智能手表，江波龙以完整的穿戴存储产品矩阵，精准响应端侧AI时代对“小尺寸、低功耗、高性能”的极致需求。突破物理极限，定义穿戴存储空间法则随着AI大模型向端侧下沉，智能穿戴设备正面临“更轻、更薄、更强”的严苛要求。存储芯片作为核心数据载体，其尺寸、性能、功耗直接决定了整机的工业设计上限。作为国内少数掌握系统级封装全流程设计能力的存储厂商，江波龙能够将SoC、eMMC/UFS、LPDDR、WiFi、蓝牙、NFC等多类芯片集成于一颗封装内。此次亮相的 5.8mm × 6.3mm eMMC是当前业界已公开的最小尺寸eMMC产品。通过极致的封装设计，江波龙将闪存颗粒与自研主控高度集成，较江波龙上一代7.2*7.2mm超小尺寸eMMC，再次缩减了约30%的主板占用面积，为智能眼镜、手表等寸土寸金的穿戴结构进一步释放宝贵空间。同步展示的 0.5mm市面最薄ePOP5x 则代表了当前嵌入式存储封装工艺的又一突破。该产品将高性能eMMC与LPDDR5x DRAM垂直堆叠于单一封装体内，LPDDR5x的传输速率为8533Mbps，厚度仅0.5mm。其超薄特性可完美嵌入超轻量AI眼镜的镜腿末端，在实现数据高速存取与内存高频运行的同时，为终端产品打造“无感佩戴”体验提供了关键硬件支撑。在功耗表现上，两款新品均搭载了慧忆微新一代自研eMMC主控芯片。通过对读写策略与Flash空间管理方式的深度优化，新品静态功耗相比上一代产品显著降低约250%，有效缓解了智能穿戴设备“一天一充”的续航焦虑，为全天候AI语音唤醒、健康监测等常时在线场景提供了坚实的硬件基础。自研主控+元成封测构筑PTM一体化品质护城河极致的小型化与低功耗，离不开核心技术与精湛制造能力的双重支撑。江波龙通过 “自研主控 + 固件算法 + 先进封测”，构建了从芯片定义到成品交付的全链路闭环。在主控层面，江波龙旗下慧忆微专注于存储控制器的自主研发，针对穿戴设备的低功耗、快速响应、场景复杂等特点进行深度优化。自研主控可精准调配读写策略与功耗模式，与终端系统实现高度协同，确保在极小尺寸封装及极致功耗条件下仍能提供稳定、高效的数据存取性能。在封测层面，江波龙旗下元成科技作为公司高端封测制造基地，为穿戴存储产品提供了从晶圆级封装到系统级测试的全流程保障。元成科技拥有一条针对穿戴芯片特点定制的ESAT专品专线，可完成超薄高精度叠层封装及异构堆叠制造，可以实现-40°C至125°C宽温域的严苛可靠性测试。每一颗出厂的存储芯片均经过完整的电性能、老化、温循、跌落等验证，确保在户外眼镜、运动手表等严苛使用环境下依然保证持久稳定运行。这种 “自研主控+固件优化+自主封测” 的PTM一体化模式，是江波龙区别于传统存储厂商的核心竞争力。它使江波龙能够在产品定义阶段即与客户深度协同，针对特定穿戴平台的算力要求、功耗和结构约束，进行从晶圆到成品的全链路定制化设计，将“通用存储”进化为“场景定义存储”。从芯到端：完整穿戴产品矩阵支撑多元场景需求作为最早布局智能穿戴存储的半导体厂商之一，江波龙已构建起覆盖 ePOP、eMMC、UFS等完整接口形态、容量梯队与封装尺寸的穿戴产品矩阵，全面适配从基础功能手环到高端AI眼镜的多样化需求。 ePOP系列：针对极致轻薄的AI眼镜与高端智能手表，提供集成式闪存+内存的ePOP4x、ePOP5x方案，容量覆盖32GB+2Gb至64GB+4Gb，满足不同AI模型部署需求； eMMC系列：面向智能手表、手环、运动相机、智能音频等主流穿戴设备，提供4GB至256GB容量选择，兼顾性能与成本； UFS系列：为高性能AR/VR设备、4K运动相机提供更高读写带宽，支持实时渲染与高码率视频录制。目前，江波龙穿戴存储产品已广泛应用于国内外头部品牌的智能手表、智能手环、TWS耳机、智能眼镜、运动相机等全品类穿戴设备中，成为全球穿戴供应链中不可或缺的关键一环。前瞻布局：以长期主义深耕穿戴市场智能穿戴市场正站在从“小众探索”迈向“大众普及”的关键节点，江波龙基于对这一趋势的深刻洞察，早在数年前便启动穿戴存储的专项技术预研，持续投入自研主控、先进封装与系统级优化，致力于为即将到来的市场爆发储备充足的技术弹药。此次发布的全球最小尺寸eMMC与超薄ePOP5x，正是江波龙长期主义战略布局下的阶段性成果。它们代表了在当前技术边界下，行业所能达到的极致工程能力与集成高度，证明了江波龙不仅有服务头部客户的深度定制能力，更有定义行业技术高度的底层创新实力。面向未来，江波龙正加速探索系统级封装（SiP）的更广阔边界。基于公司在仿真设计、材料工程、热管理、高密度互连等领域的深厚积累，江波龙能够为客户提供高度定制化的合封方案。对于AI眼镜、智能手表等对体积、轻薄度、散热要求极为苛刻的设备而言，SiP技术能够从底层重构硬件架构，大幅缩小主板面积、优化散热路径，为终端产品释放更多设计自由度，更好地适配端侧AI的多元化部署需求。这一技术方向，也将成为江波龙在穿戴存储领域持续引领创新的重要引擎。 “智能穿戴设备正在经历从‘连接工具’向‘AI随身助理’的转变。”江波龙智能穿戴产品总监吕岩川表示，“存储不再仅仅是数据的容器，更是体验的引擎。我们相信，只有将技术储备做在市场需求爆发之前，才能在产业真正起量时，与伙伴们一起跑出加速度。江波龙将持续深化‘芯存协同’，与产业同仁共同推动AI穿戴迈入规模化普及的新阶段。”

智能穿戴

芯查查资讯 . 2026-03-30 2219
政策 | 美国封杀中国路由器

当地时间2026年3月23日，美国联邦通信委员会 (FCC) 更新受管制清单（Covered List），将外国制造的消费级路由器纳入其中。路由器是每个家庭中连接电脑、手机和智能设备到互联网的设备。FCC称，此前由白宫召集的行政部门跨部门机构认定，此类路由器“对美国国家安全或美国公民的安全构成不可接受的风险”。该行政部门认定，外国生产的路由器（1）会造成“供应链漏洞，可能扰乱美国经济、关键基础设施和国防”，（2）会构成“严重的网络安全风险，可能被利用来立即严重破坏美国关键基础设施，并直接损害美国公民的利益”。除获得美国国防部（DoW）或国土安全部（DHS）有条件批准的路由器外，所有在外国生产的路由器均被禁止进口。 FCC的这项命令不会影响消费者继续使用他们之前购买的路由器；也不会阻止零售商继续销售、进口或推广之前通过FCC设备授权流程批准的路由器型号。根据FCC的受管制清单规则将禁止进口新型路由器。 FCC称鼓励消费级路由器生产商按照该决定所附指南提交有条件批准申请。申请应提交至 conditional-approvals@fcc.gov。 FCC更新后的受管制清单补充信息 • 根据《安全可信通信网络法案》（Secure and Trusted Communications Networks Act），FCC只能在国家安全机构的指示下更新“受管制清单”。换言之，FCC不能自行更新此清单，必须执行国家安全机构专家的决定。 • 列入“受管制清单”的设备（“受管制设备”）禁止获得FCC设备授权。大多数电子设备（包括消费级路由器）在进口、销售或在美国销售之前都需要获得FCC设备授权。受管制设备禁止获得新的设备授权，从而阻止了新设备进入美国市场。合规建议 FCC禁令标志着美国对中国科技产品的供应链安全审查进入新阶段，对中国路由器厂商的影响将是长期且深远的，如产品更新受阻、市场份额被侵蚀。建议厂商梳理美国市场在售型号、库存和未来产品规划，评估禁令影响范围；组建专项团队，研究 “有条件批准” 申请流程和要求，尽快提交申请。

路由器

合规观澜 . 2026-03-27 2590
技术 | AI时代拍摄设备，既要提画质又要降码率，怎么办？“玲珑”V560/V760 VPU IP献妙招

应用挑战：智能拍摄设备，画质与码率常两难全如运动相机、高速摄影机等针对动态场景拍摄的设备，既要在复杂环境下“看得清”，又要在有限传输带宽下“传得动”。但由于光线多变、运动剧烈、远距离等环境因素，视频画面的清晰度与流畅度难以保障，需要消耗更高的码率来进行视频编码，这进一步加重了传输带宽和存储成本。应用锦囊：“玲珑”CAE技术加持，“画质+码率+存储+带宽”全调优 CAE（内容感知编码）技术集成轻量化AI，为视频处理装上“感知大脑”，可基于内容感知进行动态码率的智能化分配。例如启用CAE技术后，在前处理过程中，编码器可自动识别到需要重点处理的敏感对象，避免了非必要的高频信号编码任务，从而有效降低码率、存储成本及传输带宽，提升画质。新一代“玲珑”V560/V760 VPU IP可实现同等视频码率下，编码质量平均提升20% 同等编码质量下，视频码率平均降低20% 特定场景下码率最大降低80% “玲珑”V560/V760直击视频行业痛点，以卓越性能为AI时代的各类视频应用提供强大核芯。该VPU IP采用了灵活可配置架构，并融合积木式堆叠研发特色，集成CAE先进编码技术，支持H.266等主流编解码视频标准，可广泛应用于Edge AI、Physical AI及Cloud AI领域。

安谋科技

安谋科技 . 2026-03-27 1449
企业 | 莱迪思加入英伟达（NVIDIA）Halos生态系统，通过Holoscan传感器桥接技术提升物理人工智能安全性

莱迪思半导体今日宣布正式加入英伟达（NVIDIA）Halos AI系统检测实验室生态体系。该实验室是首个获得美国国家标准协会认证委员会（ANSI National Accreditation Board, ANAB）认证、针对人工智能驱动的物理系统的检测实验室。此项合作在英伟达 GTC 2026大会上正式公布，莱迪思将与英伟达及其他Halos生态成员携手，开发基于Halos认证的Holoscan传感器桥接技术的物理人工智能 (AI) 方案，并随着行业不断发展，助力制定最佳实践方案。莱迪思半导体细分市场副总裁Raemin Wang表示：“物理人工智能正快速走出受控环境，走向现实世界应用，而安全、可靠与可信是重中之重。通过本次合作，莱迪思期待凭借其在低功耗FPGA领域的专业技术与屡获殊荣的解决方案，为机器人、工业自动化及自主应用等领域打造可可扩展、值得信赖的物理人工智能系统。” 英伟达Halos是面向物理人工智能打造的综合性全栈式安全体系，可统一车辆与机器人架构及其底层人工智能模型中的各项安全要素。它集成了硬件与软件组件、工具、模型及设计原则，为基于人工智能的端到端自动驾驶与机器人技术栈提供安全保障。英伟达Holoscan传感器桥接是一项硬件加速的低延迟以太网传感器传输技术，旨在助力实现可扩展的物理人工智能系统。莱迪思凭借灵活、低功耗FPGA解决方案领域的专业实力，将助力英伟达Holoscan传感器桥接生态打造可扩展、可落地的物理人工智能系统，在边缘侧实现安全性、高效性、确定性与低延迟的一体化设计。相关资料如需了解更多英伟达（NVIDIA）Halos AI系统检测实验室生态体系，敬请访问: https://www.nvidia.com/en-us/ai-trust-center/physical-ai/safety-certification/

Latticesemi

Latticesemi . 2026-03-27 1400
产品 | AMD锐龙AI 产品更新，为AI PC注入全新活力

3月以来，OpenClaw养龙虾异常火爆，在锐龙AI新品发布会上，AMD借此展示了其新一代产品的AI实力，以及基于其锐龙AI新品的全新形态AI PC产品。在AI算力成本高企的当下，以端侧AI算力，驱动下一次AI应用的革命。新一代的锐龙AI 400系列处理器，已经登录华硕、联想、机械革命、ThinkPad等品牌笔记本电脑，以及铭凡、零刻的锐龙AI 400系列Mini主机。然而，这只是一个开始，锐龙AI Max以其超强的集成图形核心和AI算力，为更多细分市场所接受，如华硕、惠普、ROG、玄派就推出了基于锐龙AI Max的笔记本电脑，而壹号本OneXPlayer掌机推出了采用锐龙AI Max的游戏掌机。锐龙AI Max的出色AI算力，不仅源于其CPU+GPU+NPU三位一体的算力，更在于有着灵活的统一内存结构，128GB系统可分配高达96GB“显存”，可支持像Qwen 3.5 122B这样的超大模型，以及多个大模型的同时加载，尤其适合OpenClaw等AI代理场景中的多模型、应用调用。基于这一产品，多家厂商推出了Mini工作站或小尺寸机型等更多形态产品。今年CES上，AMD发布了锐龙AI 400和新型号的锐龙AI Max产品，进一步加强化其AI PC产品对消费及商用AI PC产品的覆盖，打造速度超快、智能化程度超高且安全性超强的 Windows 11 AI+ PC。其中，锐龙 AI Max+ 392与锐龙 AI Max+ 388 处理器，将高性能 AI 计算能力、集成的桌面级显卡性能以及统一内存架构引入高端超轻薄笔记本、工作站以及紧凑型迷你PC。 AMD中国区消费市场部营销总监廖金宁表示，AMD全新的锐龙 AI 400系列处理器基于先进的 “Zen 5” 架构打造，并搭载采用第二代 AMD XDNA 2 架构的 NPU，NPU AI 算力至高可达 60 TOPS，全面超越 Windows 11 AI + PC 的 TOPS 性能要求，实现无缝流畅的本地 AI 计算体验。凭借最高 12 个高性能 CPU 核心，集成 AMD Radeon 800M 系列显卡，并支持更高的内存频率，这些处理器可在多种系统与设备形态中释放领先性能、实现超长电池续航，并提供更智能的计算性能。以华硕天选Air 2026锐龙款笔记本电脑为例，它就包括两个基本机型供消费者选择：锐龙AI Max+ 395（Radeon 8060S集显）和锐龙AI 9 H 475（RTX 5060独显），前者配备更大、更快的64GB LPDDR5x-8533内存，以万元的价位，为AI及游戏应用提供高性能、高便携的移动选择。定位旗舰的锐龙 AI Max+ 处理器助力 OEM厂商打造超强的 Windows 11 AI + PC，在不牺牲便携性与用户体验的前提下，同时优化高强度创作与 AI 工作负载以及沉浸式游戏体验。最新的锐龙 AI Max+ 系列处理器结合了高能效的AMD “Zen 5” CPU 核心、AMD Radeon 8060S 系列显卡，以及基于第二代 AMD XDNA 架构的 NPU，在单一、高能效架构中实现出色的整体性能。无论是加速大语言模型、渲染高分辨率媒体内容，还是在高设置下畅玩当代主流游戏，锐龙 AI Max+ 系列处理器都能在高端超轻薄设计中提供全方位、不妥协的性能表现。除了拓展产品阵容和创新产品形态，AMD 还与领先的软件开发商合作，加速推动整个AI 生态系统的建设，将全新 AI 功能引入人们日常使用的应用中。无论是内容创作、生产力，还是游戏体验，这些合作都确保锐龙AI PC开箱即用的情况下带来切实可感的价值。依托日益丰富的工具、框架与开发者支持，AMD 正在其所有平台上实现更高效的工作流、更智能的自动化以及更具个性化的体验。

AMD

奇谱智慧科技 . 2026-03-27 1 2170
企业 | 艾迈斯欧司朗@ALE2026：坚守车规级品质，赋能本土智能出行

照明与传感创新的全球领导者艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日亮相2026第二十一届汽车灯具产业发展技术论坛暨上海国际汽车灯具展览会（ALE）。本届ALE以“光驭未来：智能、绿色与安全的车灯新生态”为主题，聚焦智能化浪潮下车灯技术的演进方向。艾迈斯欧司朗在T203展位集中展示其在汽车信号、内外饰照明及智能前照灯领域的先进技术与创新产品，呈现对车规级质量标准的长期坚守，以及与中国本土市场深度融合的多项成果。随着汽车照明从功能件向智能交互载体不断演进，功能升级对产品的可靠性、一致性及长期稳定性提出更高要求，也推动着行业相关标准与规范的同步完善。艾迈斯欧司朗依托其在光学与传感技术领域的深厚积淀，以高于行业标准的产品品质和深度耕耘本土化的实践，助力中国车企打造兼具安全与创新体验的智能照明解决方案。严苛于芯，安全于行艾迈斯欧司朗始终将产品质量与出行安全视为重中之重。在研发与生产全流程中，艾迈斯欧司朗执行严格的质量管控标准，其内部管控要求普遍高于行业通用的AEC-Q102车规级准入标准。这一理念在产品层面得到充分体现。在自动驾驶时代，车辆与外界道路使用者的“沟通”正成为新的安全课题。在本届2026 ALE艾迈斯欧司朗展台上呈现的ADS自动驾驶标志灯正是为这一场景而设计。该产品基于SYNIOS™ P 2222紧凑型封装，不仅显著节省空间，还能提升光输出稳定性，用于标识车辆自动驾驶状态，实现从车到人的清晰信号传递。其可靠性设计对于行车安全具有关键作用。作为ADS自动驾驶标志灯的技术支撑，SYNIOS™ P 2222是艾迈斯欧司朗针对中低功率汽车信号LED推出的新型标准平台。该产品继承了SYNIOS™系列“高可靠性、低热阻及出色亮度”的成熟特性，采用QFN封装，占位面积小、高度低，所需安装空间显著小于传统PLCC元件，实现了更高的元件密度且不影响性能。平台方案覆盖中功率与低功率版本，可与中高功率的SYNIOS™ P 2720实现无缝互补——不同功率等级产品无需调整封装尺寸，相同电路板布局即可适配不同亮度需求。旨在为客户提供从低功率到中功率的稳定、可靠信号应用方案。除产品层面的严苛标准外，艾迈斯欧司朗亦积极参与全球汽车行业法规与标准的制定。目前，汽车应用开放系统协议（OSP）已迈入国际标准化阶段，ISO已正式启动该协议的标准化进程。艾迈斯欧司朗持续发挥技术优势，推动相关标准完善与落地。艾迈斯欧司朗汽车照明亚太区高级市场总监金宇清强调：车规级可靠性是汽车照明的基石。艾迈斯欧司朗始终坚持高于行业标准的内控要求，从产品设计到生产制造，全方位保障每一颗LED在严苛环境下的稳定表现。现场展出的OSIRE E3731i智能RGB产品即为符合OSP协议的成熟应用。该产品专为高动态RGB照明场景的汽车内饰应用而设计，除集成R/G/B LED外，还嵌入了艾迈斯欧司朗的驱动IC芯片，该芯片集成了三个R/G/B LED的驱动程序及光学测量数据。外部微控制器可通过OSP在菊花链拓扑结构中寻址和控制每个LED，开放协议允许微控制器读取数据并运行任意颜色算法，同时可回读温度值以优化颜色算法。该产品在所有汽车生产国均遵守已知专利及知识产权合规，并通过AEC-Q102-003认证。目前，艾迈斯欧司朗OSIRE E3731i智能RGB产品已广泛应用于极氪车型氛围灯。未来，也将在国内头部汽车厂商的旗舰新车上落地。植根中国，立足创新艾迈斯欧司朗深耕中国市场，聚焦本土新能源车企的核心需求，在舱内、舱外多个产品领域达成合作。不仅是“在中国，为中国”，更是进一步“与中国共创”，深度适配本土新能源车企的创新需求，以高品质产品与创新技术赢得客户认可。在舱外照明领域，EVIYOS™ HD 25采用一体式像素化µ-LED芯片矩阵，包含25,600个独立可控发光芯片，每个微米级发光芯片均可实现完全精准控制。EVIYOS™技术于2024年荣获“德国未来奖”，彰显艾迈斯欧司朗在µ-LED像素化照明领域的创新实力。目前，EVIYOS™ HD 25已应用于蔚来ET9与ES8两款高端车型，支持其智能高清投影大灯实现前方500米超远照明覆盖、100米外25厘米分区精准控光，以及循迹光毯、道路风险高亮提示等主动安全功能，为夜间驾驶提供更清晰、更安全的视野保障。在基础照明领域，艾迈斯欧司朗大功率LED广泛应用于传统汽车及新能源车型的远近光模组，配套OSLON® Compact PL系列产品，以高光效和可靠性支持前照灯的照明性能。在舱内交互领域，零跑新C11车型搭载了艾迈斯欧司朗的AR HUD方案，以高亮度、广色域的显示效果提升驾驶信息交互体验。金宇清表示，中国新能源汽车市场创新活跃，艾迈斯欧司朗致力于与本土车企深度共创。从蔚来ET9搭载的EVIYOS™ HD 25，到极氪车型应用的OSIRE E3731i，我们的技术正在助力中国品牌打造差异化的智能照明体验。未来，我们将继续以本地化研发和服务，支持中国客户引领全球汽车智能化潮流。除了已量产的本土合作成果，艾迈斯欧司朗还在展台上呈现了面向未来的创新前瞻技术——ALIYOS™ LED-on-foil技术，采用透明、柔性的LED薄膜结构，厚度小于1毫米，可实现2.5D弯曲，可附于多种基材表面，支持多个LED薄膜层叠布置以实现3D造型和动态效果。凭借透明特性，ALIYOS™可在光源关闭时形成隐藏式设计，开启后呈现清晰发光区域，其在透明表面上的发光效果与设计自由度，可满足下一代车型对差异化、个性化照明的设计需求。艾迈斯欧司朗以车规级品质和深度本土化实践，持续为汽车照明与传感领域提供创新解决方案。未来，公司将继续依托全球技术积淀与本地化服务能力，与中国新能源汽车产业协同演进，共同推动车灯技术向智能化、个性化方向不断演进，为构建更安全、更富交互性的移动出行未来贡献力量。

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2026-03-27 1701
产品 | 8KB MTP ROM 的电机控制 MCU——AiP8M7008

AiP8M7008是一款8051内核电机控制MCU，内置8KB MTP ROM、256B IRAM、256B XRAM，内部集成 T0/T1/T4/T5、UART、1路OPA、2路CMP和12位ADC。主要特点内核：1T 8051，16MHz系统主频工作电压：2.0V~5.5V 工作模式：普通模式、空闲模式、停止模式存储器：8KB MTP、256B IRAM、256B XRAM 时钟：内部16MHz高速振荡、内部32kHz低速振荡中断：5个外部中断源，10个内部中断源，中断优先级软件设置定时器：2个16位通用定时器T0/1用于定时，1个16位高级定时器T4用于捕获外部输入，1个16位高级定时器T5用于输出PWM IO：26个多功能双向I/O口，支持独立弱上拉/弱下拉，高电平驱动4挡可选，输出斜率可配置，输入翻转点支持TTL电平通信接口：1路普通型UART OPA：1路，运放输出可作为AD的输入通道 CMP：2路，比较器1支持3个正端输入桥接用于反电动势过零点检测，比较器2正端输入内部参考电压可选、负端输入外部可选，支持正/负迟滞配置 12位A/D转换器：支持15个输入外部通道和1个内部通道；基准电压2V/3V/4V/VDD可配置，支持ADC硬件触发电机控制模块T5：2路（1对）16位PWM输出，PWM支持互补或独立模式，输出极性单独控制；支持边沿对齐模式、中心对齐模式（中心对齐互补模式下支持对称和非对称波形），触发ADC方式可配置工作温度：-40℃~+105℃ 封装类型：SSOP28、QFN28 功能框图产品优势片内集成了运放与比较器，运放的输出可直接关联至ADC，无需外部连线即可实现闭环控制，降低PCB布板难度，帮助客户优化BOM成本，缩短产品研发周期。应用领域电机驱动与控制：无刷直流电机驱动器、电动工具、护理工具、风扇、有刷电机等。结语如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。电机系列相关选型表如下：

MCU

中微爱芯官网 . 2026-03-27 301
企业 | 东微半导4.08亿收购慧能泰

3月24日，东微半导发布公告，计划以4.08亿元收购深圳慧能泰半导体科技有限公司（简称“慧能泰”）53.0921%的股权。此次收购完成后，慧能泰将成为东微半导的控股子公司，并入其合并财务报表。图片来源：东微半导公告截图东微半导表示，此举旨在整合双方在协议芯片与数字控制IC方面的优势，实现“控制—驱动—执行”全链条的贯通，推动公司从单一功率器件供应商向一站式系统解决方案提供商进行战略转型。东微半导还透露，本次股权转让完成后，公司计划通过公开摘牌方式进一步收购剩余国资股东（厦门半导体投资集团有限公司）所持慧能泰5.3231%的股权，目前正与相关方积极磋商。慧能泰专注于高性能模拟与混合集成电路的定义、开发及商业化应用，其核心业务涵盖USB Type-C生态链与数字能源两大领域，主要聚焦智能快充产品和数字能源产品线。东微半导表示，将把慧能泰的协议芯片和数字能源控制IC整合进自身产品体系，以实现深度的产业协同效应。行业分析指出，东微半导专注于高性能功率器件（如MOSFET、IGBT等），慧能泰则深耕高性能模拟与混合集成电路，尤其在USB Type-C生态链及数字能源领域拥有技术优势。本次收购意在整合双方在“控制—驱动—执行”全链路的资源，使东微半导能够将慧能泰的协议芯片与数字能源控制IC融入自身产品矩阵，实现从单一功率器件供应商向一站式系统解决方案提供商的转型。此外，慧能泰的核心团队来自国际顶尖半导体公司，拥有近20年的数字电源开发经验，其数字控制IC产品在电源转换效率、软件可编程性等方面表现突出。东微半导的高性能功率器件与慧能泰的控制芯片相结合，有望填补国内高端数字能源控制芯片的空白，双方将携手拓展数据中心、新能源汽车、光伏储能等高增长领域市场。

慧能泰

集邦化合物半导体 . 2026-03-27 1806
方案 | 英诺赛科+广芯微电子突破高速电机控制边界：100KHz双频同步，实测超25万转稳定运行

伴随氮化镓（GaN）功率器件、超高速电机与高功率密度系统持续演进，电机控制系统正进入新的技术拐点。尤其在高速、低电感、高电角速度应用中，一个长期被行业忽视的结构性矛盾日益凸显：功率级已跨入100KHz时代，而控制级仍普遍停留在更低频的“旧世界”。这种电流环与PWM非同步架构在超高速工况下，会持续放大采样、计算与更新链路中的延迟影响，逼近工程设计的边界。近日，全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者英诺赛科（Innoscience）与国产电机控制MCU领军企业广芯微电子（Unicmicro），联合发布基于UM32G421确定时序实时控制 MCU、INS2040FQ 驱动芯片及 INN060EB009DAD氮化镓功率管的“100KHz双频同步FOC控制方案”。在2对极超高速永磁同步电机（PMSM）测试平台上，该方案已成功实现 250,000 RPM机械转速的稳定闭环运行；在实验室极限工况下，机械转速进一步超过 270,000 RPM，对应电频率约9.0KHz。实测数据显示，在800W典型工况下，该方案在100KHz载频条件下实现了 97.6%的板级峰值效率，显著降低了散热需求与板级温升。图1：100KHz双频同步电机控制板确定时序：推动控制从“平均正确”走向“时序正确” 本次方案的关键突破，不只是单纯推高PWM频率，而是实现了PWM载频与FOC电流环更新频率同为100KHz的高维同步。这意味着系统在每一个10µs周期内，均能独立完成采样、计算、更新与生效，将等效控制延迟严格控制在 TDelay＜1xTpwm以内。对于高电频、低载波比的超高速应用而言，这种“确定时序”能力从根本上抑制了跨周期历史信息混入控制决策的风险，极大提升了高速段电流环、观测器与调制过程的整体稳定性。核心硬件协同：算力与功率的深度耦合方案的稳定落地，源于控制与功率两个维度的深度硬件协同，全面超越传统国产与国际主流竞品的工程极限：控制心脏（广芯微电子 UM32G421 MCU）：凭借独特的定时器倍频技术，PWM分辨率达到纳秒级；内置高达204MHz（Boost模式）的运算核心，将FOC环路计算时间压缩至 <3µs以内（不含观测器时间），为100KHz单周期内的复杂算法与安全检测预留了充足裕量。此外，芯片内置的高速运放（OPA）与比较器支持纳秒级硬件短路保护响应，完美护航GaN器件的安全运行。UM32G421已获得AEC-Q100 Grade 1车规级认证。图2：UM32G421-KCU7 实物图 UM32G421是一颗面向电机控制与高性能电力电子的“确定时序”实时控制 MCU。所谓“确定时序”，是指控制系统能够在预定周期内，以可预测、低抖动的方式完成采样=》计算=》调制更新与纳秒级保护响应。它通过高分辨率定时器、外设同步触发链、高速模拟前端与快速硬件保护机制，强化了控制链路的时序可控性，适用于电机控制、DCDC、数字电源、逆变器、PFC 等对时序一致性、低延迟保护和高速闭环响应要求极高的场景。图3：UM32G421-KCU7 资源框图能量引擎（英诺赛科 GaN 功率级）：本方案搭配英诺赛科的INS2040FQ栅极驱动器以及六颗INN060EB009DAD氮化镓功率管。凭借驱动链路约25ns的超低传播延迟以及 GaN 器件的零反向恢复（Zero Qrr）特性，系统在 100KHz 高频开关条件下仍保持极低的开关损耗。图4：基于UM32G421 + INS2040FQ + INN060EB009DAD的硬件拓扑框图表1：英诺赛科 GaN方案 vs 传统 Si方案 (材料级对比) 本方案的核心意义在于：让控制从“平均意义正确”，升级为“时序意义正确”，确保在每一个 PWM 周期内完成独立、确定的控制决策。突破载波比极限：从N≈15 到N≈11 本次发布的关键突破，在于重新界定了超高速电机控制的工程可行域。广芯微电子技术团队在充分挖掘UM32G421控制资源的基础上，于实测中实现了如下关键技术指标： “在 2 对极（4 极）超高速PMSM电机上，实现 100KHz PWM与100KHz电流环的同步更新控制。于机械转速约 270,000 RPM（对应电频率fe≈9.0KHz工况下，按 (N=fpwm/fe定义的载波比达到 (N≈11)。系统采用双采样/双更新的同步架构，将采样—计算—更新—生效的等效控制延迟控制在TDelay＜1xTpwm，实现高速段无失步、无失控的稳定运行。” 实测波形解读：在物理极限附近保持确定性 1. 100KHz 双频同步波形图5：实测100KHz载频下的PWM波形（蓝色）与相电流波形（绿色）如图所示，PWM 波形与相电流波形在时序上高度对齐，FOC 控制在每一个PWM周期内完成独立矢量计算。相电流呈现出畸变极低、接近理想正弦的形态，谐波含量极低。 2. 极限工况下的调制鲁棒性图6：超高转速实测，电频率达9.058KHz（折合电转速约543,480 RPM）如图所示，当电频率逼近9.06KHz（载波比 (N≈11)），低载波比的恶劣离散采样条件下，UM32G421 的观测器依然能紧锁相位，保持连续可控的相电流基波，证明了在这一极限区间下的可控性与稳定运行能力。面向高速响应与高功率密度赛道基于时序确定性、先进调制与宽禁带功率级深度协同的系统级优势，该平台的意义不只在于实现了100KHz 双频同步，更在于验证了高计算载频与高发波载频在高速闭环控制中的系统级价值：前者提升控制更新率与观测实时性，后者改善调制分辨率与纹波表现，而平台在采样窗口、死区、调制方式与检测链路之间形成的协同优化，则为高电频、低载波比场景下的稳定运行提供了关键支撑。本平台验证了一套面向高电频、低载波比、高速闭环场景的领先控制能力，这套能力具备向多个高价值电机与电力电子应用迁移的潜力。该平台尤其契合对动态响应、转速与轻量化有严苛要求的高价值市场，例如高KV值 FPV 穿越机 FOC 电调及高性能无人机动力系统。同时，该方案也为超高速微型压缩机、高功率密度科技家电，以及未来向机器人高端灵巧手微型执行器、EDF 涵道风扇等方向的演进，构建了可迁移的底层控制平台。图7：电机应用参考图 (来源：广芯微)

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2026-03-27 1883
方案 | Vision China 2026：安森美智能感知方案赋能3D深度感知、机器人应用升级

随着全球制造业加速迈向高端化、智能化，机器视觉作为“工业之眼”，其在精度、速度及复杂环境下的适应性被赋予了更高期待。在这场全球视觉风向标盛会Vision China 2026上，安森美（onsemi）通过一系列革新性成像方案，展示了如何凭借先进感知技术，推动应用创新实现跨越式提升。从 iToF 深度感知、短波红外穿透视界，到全局快门消除运动伪影、SmartROI 技术大幅降低系统功耗，再到亿级像素的极致成像，安森美的每一项展示都精准击中行业痛点。实时3D感知，空间细节精准拿捏针对3D感知应用中常见的运动伪影问题，Hyperlux™ ID 系列的AF0130 iToF深度传感器通过采用独特的专有集成和读出结构设计给出了高效的解题思路，可以通过兼具片上存储和实时处理能力的全局快门捕获快速移动目标，同时依托片上处理能力，摆脱了对外部FPGA或额外计算平台的依赖，进一步减少系统成本和尺寸。在提供1.2MP高分辨率的同时，该传感器凭借独特的iToF技术将精准测量距离拓宽至30米，比常规iToF产品高出20米。短波红外“透视眼”，穿透高密材料见真章在高密度材料检测等领域，传统可见光成像技术正面临严峻挑战。安森美的短波红外（SWIR）技术，将胶体量子点 (CQD) 与CMOS传感器相结合，实现了从400nm至2100nm的宽光谱响应。相比传统受限于ITAR管制的InGaAs方案，安森美的SWIR传感器不仅具有更宽的光谱响应，成本显著降低、出口更为便捷。此外，该产品分辨率最高可达1920×1080，且可以在常温下工作，在晶圆检测、半导体封装与材料检测等领域具有独特的优势。高速识码精准高效，机器人感知实力进阶机器人的高速扫码和精准定位、地图构建等应用对图像传感器提出了更高的要求，Hyperlux SG 系列的AR0235专为优化机器人应用而生。该产品以其业界领先的全局快门效率、高达2.3 MP的分辨率以及120 帧/秒的高速成像能力脱颖而出，同时还提供RGB和单色两种选择，这意味着该产品不仅能有效消除机器人高速扫码等应用中的运动伪影问题，还能进行颜色识别与色彩分析，为机器人的分拣和物料识别等应用打开了新的维度。其紧凑的尺寸（1/2.8英寸）和低功耗特性，使其易于集成到空间和功耗受限的设备中。低照度极致成像，高动态明暗还原面对复杂光照环境对后端处理资源带来的压力，Hyperlux™ LH系列的AR1223传感器创新性地引入了 SmartROI（智能感兴趣区域）技术。该技术允许系统仅对关键区域进行筛选输出，显著降低了算力和带宽负载压力。配合其120dB的高动态范围（eHDR）与卓越的低照度性能，AR1223 确保了在极端明暗对比或微光环境下，系统依然能还原丰富的成像细节，为高端安防及复杂机器视觉应用定义了性能新标杆。超高分辨率全局成像，精细检测 “分毫必现” 安森美这款超高分辨率、全局快门成像传感器，将分辨率推至1亿至3亿+像素级别，无需多相机阵列即可实现高速吞吐的清晰成像，达成了性能、分辨率与帧率的前所未有的协同。其采用2.74µm背照式（BSI）像素，兼具出色动态范围、低读出噪声与高量子效率，同时以家族化、引脚全兼容的设计大幅缩短产品上市时间，可广泛应用于电池检测、半导体检测、显示面板检测、高端机器视觉等场景。

安森美

安森美 . 2026-03-26 2135
企业 | Embedded World 2026回顾：泰凌真8K方案刷新低时延交互体验，Sidewalk解决方案拓展物联边界

近期，德国纽伦堡嵌入式展（Embedded World 2026）成功举办。泰凌微电子携多款创新技术亮相，凭借其在Telink HDT技术上的突破性进展，Amazon Sidewalk全栈等解决方案，成为现场关注的焦点。从真8K无线电竞的毫秒级操控，到跨障碍物场景的“永不失联”，泰凌微电子正以硬核技术实力重新定义无线连接的边界。 Telink HDT技术助力“真8K”交互体验当前电竞外设正向真8K回报率加速演进，传统专有2.4G方案已难以满足高回报率、高精度输入场景下的海量数据传输需求，容易出现输入延迟、信号抖动甚至丢帧等问题，直接影响玩家的操控体验。泰凌微电子自研的Telink HDT无线技术给出了破局之道。这套基于2.4GHz频段的专有协议，最高传输速率达6Mbps，为真8K超高回报率场景提供了充足的无线链路保障，在同类方案中处于业界领先水平。支撑这一无线性能的核心，是全新发布的TL322X系列SoC。芯片内置双核处理器，最高主频达192MHz，能够稳定高效地处理信号采集、姿态解算、按键扫描等任务；同时集成高速USB接口，传输速率高达480Mbps，打通了从无线接收到有线上传的整条数据链路，实现端到端无瓶颈传输。在内存架构上，TL322X采用RRAM与Flash混合方案，单封装内双存储区支持同时读写。这一设计在高频输入场景下尤为关键——系统可在处理当前数据帧的同时，并行写入下一帧数据，既提升了数据吞吐效率，又有效避免了存储访问冲突带来的额外延迟。接口与封装方面，芯片提供多个GPIO引脚，并集成I3C、CAN-FD、多通道高速SPI等先进外设接口，可灵活适配鼠标、键盘、游戏手柄等多种电竞外设。同时提供QFN40、QFN56等多种封装选项，满足不同尺寸与复杂度的硬件布板需求。在高性能输出的同时，TL322X系列保持了优秀的低功耗特性，可有效延长无线外设的电池续航时间。展会现场，泰凌微电子特别设置了8K游戏演示专区，不少参观者亲自操作后表示，基于TL322X方案的无线外设与有线设备相比几乎感觉不到延迟差异，让用户在摆脱线缆束缚的同时，依然能享受到“有线级”的操控反馈。 Amazon Sidewalk解决方案拓展物联边界与应用版图无线连接的魅力不仅在于交互上的“低延迟”，更在于走出家门后的“永不失联”。针对智能家居、智慧社区等应用场景在长距离、跨障碍通信上的痛点，泰凌微电子展示了其Amazon Sidewalk全栈解决方案。这一方案并非单一协议的简单适配，而是覆盖蓝牙LE、Sub-GHz（FSK/LoRa）的多协议深度融合。基于泰凌微电子的SoC与第三方Sub-GHz芯片的协同工作，终端设备可根据场景灵活切换通信模式：短距离低功耗场景下使用Bluetooth® LE，远距离穿越墙体或户外覆盖时则切换至Sub-GHz。这种设计可显著提升中远距离传输的稳定性与抗干扰能力。在开发层面，泰凌微电子提供完整的Sidewalk SDK，涵盖模块化示例程序与详细开发手册，大幅缩短设备认证与量产周期。现场不少开发者对“开箱即用”的模组方案表现出浓厚兴趣，认为这有效降低了物联网产品接入Sidewalk生态的门槛。从智能门锁、资产追踪标签，到户外智能电表与照明控制，泰凌微电子的Sidewalk解决方案正将蓝牙连接从“室内短距离”拓展至“社区级广域覆盖”。展会现场通过动态演示，直观呈现了设备在跨障碍物场景下的稳定通信能力，勾勒出智慧生活与智慧社区的全新想象空间。结语从Telink HDT技术对无线传输吞吐量极限的突破，到Sidewalk SDK对Bluetooth® LE与Sub-GHz多协议栈的深度整合，泰凌微电子在Embedded World 2026展现了其对无线通信底层架构的掌控力。随着TL322X系列产品的量产与Sidewalk解决方案的就绪，极致交互与广域连接已从协议标准转化为成熟的工程交付能力。泰凌微电子正加速全球物联方案从基础连接向极致体验进化，为万物智能互联的未来注入更多可能。

泰凌微

泰凌微电子 . 2026-03-26 1848
产品 | 思瑞浦车规级高边开关TPW4020DQ，以硬核技术，重塑高端智能功率控制

在电气化与智能化浪潮中，高边开关作为连接数字控制与物理执行器的关键，其性能至关重要。为满足高端市场对性能、可靠性与智能化的极致需求，思瑞浦正式发布了新一代应用在车身电控的高端双通道智能高边开关TPW4020DQ。国产首发的大功率单die高边开关方案 TPW4020DQ的问世，标志着思瑞浦在智能功率器件领域实现了多项关键突破。它并非一个简单的功率开关，而是一个集“驱动、感知、保护”于一体的智能功率管理与安全控制单元。产品的核心优势源于创新的VDMOS + BCD集成工艺平台与更全面的保护功能。国产高边芯片的传统方案中控制芯片和功率MOS芯片分开制造，在框架上通过打线互联。该方案的不足在于打线引入额外的寄生参数，在高频和大电流下对性能产生影响，可靠性不如单芯片集成方案。 TPW4020DQ是国产第一颗大功率单die高边开关，将单通道导通阻抗降至20mΩ（常温25°C）的行业领先水平，极大降低了导通损耗和发热；同时优化了芯片布局和散热，为集成高精度监控电路释放了空间。TPW4020DQ保护功能的全面性与可靠性上对标国际厂商, 保护功能包括：过流/短路限流，以支持更严苛的大电容上电场景；绝对过热自保护及热梯度自保护；智能功率锁止；电源/地反接功率管自保护；电源/输出反接功率管自保护；丢地/丢电源自保护，过压/欠压保护等。 TPW4020DQ产品特性：支持车载12V供电应用 Typical导通阻抗20mΩ 每通道5A持续过流能力输出2A时，电流检测精度达到±4% 具有Reverse On和Inverse On保护功能 Lose of GND保护功能工作温度：-40 ℃ 至 125 ℃ 封装：EQSOP14，与行业主流方案可直接Pin-to-Pin替换图1、TPW4020DQ系统内部框图超宽电源工作范围，适配全场景车载电源图1为TPW4020DQ系统内部框图，思瑞浦凭借高边开关核心技术专利全覆盖，TPW4020DQ实现了行业领先的性能参数：工作电压范围宽达4-28V，集成了高精度的实时负载电流监控功能（在2A以上负载电流时，精度达到±4%）和多种电压钳位保护机制； TPW4020DQ单通道可持续输出10A负载电流（常温25°C），瞬态输出电流能力高达50A，足以应对数倍于典型应用场景的浪涌电流如电机启动场景。独特的保护机制实现大容性负载上电将智能的Latch（锁存）保护机制和独特的Fault Retry机制有效结合，TPW4020DQ既能在检测到持续的过流或过温严重故障时，彻底关断通道并锁定，并需外部复位才能恢复开启，有效防止故障扩大；又能支持大电容负载的上电，避免上电过程被Latch保护机制终止。高标准可靠性测试，从容应对车载极端电压冲击在测试验证方面，TPW4020DQ还通过了ISO 7637-2、ISO16750-2标准车规波形测试、AEC-Q100-012重复短路可靠性测试和感性负载退磁Emax极限测试，其中AEC-Q100-012对高边开关短路可靠性有着极高的要求，TPW4020DQ在输出负载0uH/5uH电感的循环短路测试（>1000000次）后，仍能保证芯片的正常功能。此外，TPW4020DQ实现了Reverse On和Inverse On保护功能，前者可以在电源反接的情况下自动打开功率开关，后者可以在正常工作OUT反灌电流时仍保证功率开关不会被误关断，从而实现对功率开关的保护。表1、TPW4020DQ主要指标对比赋能客户设计在中高端市场上，高边开关的需求繁杂多样，但如何找准需求，精准提供符合客户需求的产品，赢得市场认可，是芯片厂商在产品开发过程中的最大难题之一。思瑞浦采用“性能对标为基础，服务与成本为突破口”的策略，深入各行业挖掘核心痛点，开发贴合客户需求的高边开关产品。在性能上，思瑞浦在导通阻抗、单die设计能力、稳定性等关键指标上都已经实现国内领先水平，导通阻抗低至20mΩ，同时单die设计方案相较于合封方案寄生参数更小、集成度更高，可满足众多类型场景需求，这是构建竞争优势的基础。 TPW4020DQ立足于工程师的实际设计需求，从四个方面构建了全方位的客户价值。成本优化与效率提升 20mΩ的超低导通阻抗直接降低了功耗与散热成本，并采用EQSOP-14封装，与国际主流竞品引脚兼容，便于客户快速替换与升级。内部集成地网络节省了外部元件，降低了BOM成本与PCB占用，并进一步实现了电源反接耐受——即使在现场接线接反的意外情况下，芯片也能避免立即损坏，为系统提供了宝贵的容错能力。全场景的负载监控与线束可靠保护实时高精度的电流监控、丰富的诊断与保护机制。以车载系统为例，其电动助力转向电机、制动电磁阀、座椅调节电机、LED灯光系统等中依赖高精度电流反馈实现精准控制。高精度电流监测可以实时向域控MCU反馈负载的工作电流，MCU通过调整PWM占空比，精准控制电机扭矩、电磁阀开度、LED亮度等，实现更细腻的负载控制。同时，也能通过电流数据判断负载是否正常工作（比如电磁阀是否正常吸合、电机是否堵转），及时调整控制策略。极端工作环境下的高系统鲁棒性车载环境存在强电磁干扰、电池电压大幅波动（比如启动时电压骤降、抛负载时电压骤升）、宽温域变化等恶劣条件。VS-GND和VS-IS电压钳位能够使芯片适应电压骤变，避免引起系统故障。VDS电压钳位和限流机制、绝对温度和温度梯度保护机制能够有效避免长距离布线在断电/短路时因走线电感续流或过流而引起系统故障。支持全生命周期的故障诊断与溯源满足ISO-26262功能安全的强制合规要求，在内部故障诊断的基础上（过流诊断、绝对温度与温度梯度诊断），凭借高精度的电流监测有效区分正常波动与真实故障，避免误触发、漏触发，提升系统在复杂环境下的稳定性。关键应用场景，攻坚高端严苛应用图2、TPW4020DQ典型应用框图 TPW4020DQ将过流/短路限流、绝对与梯度过热保护、输出开路检测、丢地/丢电源保护、过压/欠压保护等完备的诊断与保护功能集成于一体。在实际应用中，扮演着三重角色——大功率负载驱动器、系统状态监测器的和故障风险熔断器。 TPW4020DQ是对可靠性、安全性有极致要求场景的理想选择，其应用上可以覆盖以下几个方面：新能源汽车热管理与底盘控制用于直接驱动电子水泵、电子油泵、主动悬架电磁阀等。TPW4020DQ峰值70A限流能力应对启动冲击，Latch保护在故障时快速隔离，高精度电流监控用于状态监测与预测性维护，保障热管理与行驶安全。新能源汽车PDU与智能配电在区域控制器中驱动PTC加热器、鼓风机等TPW4020DQ电源反接保护特性，可避免装配错误导致的模块损坏，提升系统容错性。工业伺服驱动与机器人关节控制用于驱动制动器、抱闸线圈等。TPW4020DQ出色的抗反电动势能力和反复短路承受力，能确保急停、保持等动作的绝对可靠，保护设备与人员安全。高端电源与能源基础设施在UPS、服务器电源中作为智能固态开关。超低损耗提升效率，精准电流监控用于负载管理与故障定位，强大保护实现故障快速隔离。在复杂的工作环境中，一些故障更是对高边开关本身提出更加严苛的要求。图3以带4.7uH电感hard short短路（AEC-Q100-012）故障为例，触发限流保护过程开关电流峰值高达73A，随后触发温度梯度保护机制（关闭功率开关），电感续流使功率开关VDS电压达到钳位电压（接近40V），钳位过程最大电流高打50A，极高的瞬间功率给高边开关的可靠性带来严峻的挑战。图3中TPW4020DQ在短路故障发生后开始计时，并通过温度梯度保护机制不断Retry，计时达到TRetry后将开关彻底关闭从而保护相关应用。图3、输出带4.7uH hard short短路测试 TPW4020DQ特别的故障Retry和Latch保护机制，实现智能功率锁止，使其能够支持更大电容负载的应用，图4所示为TPW4020DQ通过内部限流与温度保护控制的多次Retry过程，实现了输出带4.7mF电容的正常上电。而同样条件下，国外竞品带4.7mF电容的上电波形如图5所示。图4、TPW4020DQ输出带4.7mF电容上电图5、友商A输出带4.7mF电容上电 TPW4020DQ的推出，是思瑞浦在高端智能高边开关领域的关键落子，精准响应了市场对高可靠性、高集成度国产功率器件的迫切需求，展现了思瑞浦以技术创新驱动，深耕汽车与工业核心市场的决心。未来，思瑞浦将继续围绕系统级解决方案拓展产品组合，并与生态伙伴深化合作，致力于成为全球智能功率管理与驱动领域的领导品牌。同时，思瑞浦也持续为客户提供从定制化方案设计、快速响应的技术咨询到全生命周期供应链保障的端到端支持，加速客户产品上市，共赢智能化未来！目前思瑞浦已推出多款车规级高边驱动芯片： TPS42Q20xQ：40V、4通道、2A/CH集成故障检测报错功能的高边开关； TPS42S40xQ：40V、单通道、4A高精度电流检测的高边开关; TPW20400xQ：15V、4/2通道、0.6A/CH、支持I²C通信、符合功能安全标准的高边开关。

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2026-03-26 1344
展会 | SEMICON China 2026开幕主题演讲：共铸万亿美金的半导体时代 · 未来已来

3月25日，全球规模最大、规格最高、最具影响力及最新技术热点全覆盖的半导体“嘉年华”——SEMICON China 2026国际半导体展在上海正式拉开帷幕。开幕主题演讲汇集了全球行业领袖，演讲嘉宾们在现场和大家分享全球产业格局、前沿技术与市场走势，共话万亿级半导体产业新机遇，共谋全产业链创新突破与高质量发展路径。 SEMI中国总裁冯莉在致辞中代表SEMI对各位来宾和产业专家们的到来表示热烈欢迎和诚挚感谢。冯莉指出，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年才会达到的万亿美金芯时代有望于2026年底提前到来。她指出2026年半导体产业的三大趋势。第一个趋势：AI算力。2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求，而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。第二个趋势：存储革命。存储是AI基础设施核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体第一增长极。2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口达50- 60%。第三个趋势：技术驱动产业升级。随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减 ; 一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍。先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。 SEMI数据显示，2020年至2030年间，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，超过亚洲新增产能的一半。在22至40纳米主流制程节点，中国产能占比将从2024年的25%提升至2028年的42%。冯莉在谈到本届展会盛况时提到，SEMICON / FPD China 2026 今日盛大启幕，本届展会展览面积逾10 万平米、1500 家全球展商及 5000 余个展位，覆盖半导体全产业链的完整生态，预计吸引逾18万人次专业观众共襄盛举。自1970 年成立以来，SEMI 致力于推动全球半导体产业的沟通与协作，SEMI 于1985年进入中国，1988年举办首届展会，到2028年将迎来40周年，这一路走来SEMI见证了中国半导体产业的发展、崛起。SEMI China作为全球化、专业化、本地化、市场化的中立平台，支持自由贸易、市场开放、知识产权保护以及合作共赢。在致辞的最后，冯莉为这个澎湃的时代定调：回望半导体行业的发展大周期，从信息时代的发展一直到手机的诞生，从移动互联网到智能汽车的落地，每个阶段都有一个杀手级应用带动整个产业的增长。今天，我们身处AI时代，这已经不是一个单一的杀手级应用，而是全产业链的赋能。这不是一轮新的周期，这是一个新时代的开始。 SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha通过远程视频向现场观众问好。Ajit指出，今年SEMICON的全球主题是“Transform Tomorrow”，其中的核心是深耕行业的各位，以及各家企业、机构研发的前沿技术。最新行业预测显示，人工智能的发展大幅加速了半导体产业增长，众多分析师认为，一万亿美元市场规模的里程碑有望在今年提前达成。伴随产业的高速扩张，SEMICON China已成为半导体、电子制造及设计供应链的顶级交流合作平台。50余年来，SEMI一直是推动产业发展的核心伙伴，始终坚持中立的原则，支持自由开放贸易、跨境合作以及稳健的全球半导体供应链，助力中国半导体生态体系发展壮大。中国电子商会会长王宁在欢迎辞中表示，SMEICON/FPD China目前已成为全球规模最大、规格最高的半导体专业展之一。回顾过去，中国电子商会始终与SMEICON/FPD China同频共振，与中国半导体产业并肩同行。2026年，我们将与SEMI携手，在继续延续全产业链覆盖优势的基础上，聚焦AI算力、化合物半导体、先进显示等前沿热点，打造技术展示、产业对接、投资洽谈、人才赋能的综合生态平台，为全球半导体产业注入新的动能。面对全球产业变革的机遇与挑战，结合中国半导体产业的实际与未来，王宁提出开放合作、技术创新和人才培育三大方面的建议。大会主题演讲环节由英飞凌科技高级副总裁、英飞凌无锡董事总经理范永新主持。浙江大学教授吴汉明发表了“AI&IC的双向赋能推动信息产业发展”主题演讲，他系统阐述了人工智能与集成电路深度融合的发展路径。在效率和成本的驱动下，实体晶圆厂向虚拟晶圆厂转变成为一大趋势，通过人机协作能显著提升半导体工艺开发效率并降低成本。在“AI for IC”部分，他重点介绍了虚拟制造技术，利用知识-数据融合建模框架，可实现集成电路制造全流程虚拟仿真，精准预测良率与工艺问题。在“IC for AI”部分，他举例55nm神经网络芯片基于CMOS芯片，解决了传统神经网络芯片成本高、功耗大的痛点；探索CMOS在低温下的性能；研发电源管理芯片支撑数据中心发展。他总结道，当前是AI和IC双向赋能的一个黄金时代，呼吁开放合作共推行业发展。 Comet董事会主席、SEMI全球董事会副主席Benjamin Loh带来了“赋能未来：护航半导体产业增长与创新”主题演讲。他指出，全球半导体器件市场将迎来超预期增长，2025至2030年间，市场预计将以13%的年复合增长率扩张。AI将成为核心驱动力，到2030年，AI相关应用将占整个半导体市场规模的54%，推动数据中心电力需求激增。行业同时面临多重不确定性，比如能源与PFAS危机、地缘政治影响、全球供应链、人才短缺以及先进封装等新技术节点演进。为应对这些挑战，全球晶圆厂正加速扩张，到2028年，全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲84座，中国占47座。他最后回顾了SEMICON China自1988年以来的发展历程，从1个展馆扩展至11个，已成为全球规模最大的半导体专业展会。长电科技董事、首席执行长郑力带来了“先进封装的原子级革新定义芯片成品制造新范式”主题演讲。他表示当前先进封装走到原子级的“精度革命”，为集成电路产业带来了重要转折，即从追求“晶体管数量”转向追求“系统结构质量”的范式升级。原子级封装，带来了对准精度、互连密度、表面粗糙度和界面间隙四个“精度革命”，真正实现了芯片的系统级制造。同时，原子级先进封装与AI实现了“双向赋能”，AI工具既是芯片制造的必选项，原子级封装技术也为AI系统能力的扩展提供支撑。站在产业技术前沿，原子级先进封装创新开辟出一个新的广阔天地，将为整个产业链带来丰富的发展机遇。 AMD副总裁、企业战略与合作部负责人Mario Morales带来了“半导体产业2030增长展望：算力、实体AI与50亿AI用户驱动新周期”主题演讲。他指出，AI正处在“Yottaflop时代”的转折点，AI使用的快速普及推动算力需求呈指数级攀升，却也受电力约束，半导体企业需布局低功耗芯片。在技术趋势上，AI模型正变得更智能、更开放，推理成本每年快速下降，推动推理需求加速释放，资本支出预测将随需求预期而持续上调。AI正从训练阶段转向推理阶段，推动更多终端设备和企业的应用，尤其是在编程领域已展现巨大潜力。物理AI将在未来十年成为重要的增长驱动力，先进封装、存储（HBM）和供应链管理也将成为重要增长点。沐曦股份高级副总裁、首席产品官孙国梁带来了“做强中国芯，共筑算力底座”主题演讲。全球进入算力时代，根据第三方数据显示，以OpenClaw为代表的智能体应用，每日平均Token消耗量相较于聊天机器人增长巨大，推动推理需求爆发式增长。他认为人工智能革命的本质更多是智力的革命，产业从 “+AI” 转向 “AI+”。对此，沐曦构建了统一自研架构下的完整GPU产品矩阵，覆盖AI训练、推理、图形渲染、科学智能等场景，配套的自研软件栈全面兼容主流生态，并积极推动开源生态建设。在生态与商业布局上，沐曦股份提出“1+6+X”战略，以1个数字算力底座为核心，深度赋能金融、医疗健康、能源、教科研、交通、大文娱6大核心行业，同时向包括具身智能、低空经济等“更多”和“未来”的行业场景拓展，构建起覆盖当下、面向未来的算力服务生态，致力于赋能千行百业。西门子EDA IC产品事业部执行副总裁Ankur Gupta带来了“以AI重塑电子设计的未来”主题演讲。他指出AI普及、软件定义一切、异构集成以及可持续发展四大力量对行业产生深远影响，而芯片设计正面临工艺复杂度提升、设计成本飙升、验证瓶颈凸显、人才缺口等多重挑战。他提出，以AI驱动的EDA工具预计大幅提升设计生产力，缩短设计周期，他拆解为可通过提升工程师效率、加速引擎和提供设计智力三方面来实现。为了实现三大目标，西门子EDA构建了三层技术架构：底层算力基础设施，第二层物理建模以及第三层智能设计流程。西门子EDA的目标是将数字孪生带入制造全生命周期管理，并投入大量工作以解决大模型幻觉。开幕主题演讲为SEMICON/FPD China 2026的盛大举办拉开了精彩序幕。作为全球半导体领域备受瞩目的年度盛会，SEMICON/FPD China 2026构建起覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等全产业链的深度交流平台，再次以更加宏大的规模与更深远的视野，汇聚全球产业前沿技术与智慧洞见，为中国乃至全球半导体产业的发展注入蓬勃动力。

SEMICON China

SEMI . 2026-03-26 3731
企业 | 中微半导1.6亿增资NOR Flash厂商珠海博雅

3月22日晚间，中微半导(688380)发布公告，公司拟使用自有资金1.6亿元向珠海博雅科技股份有限公司增资，认购其1250万元新增注册资本，交易完成后，公司将持有珠海博雅20%的股份，成为其参股股东。在中微半导看来，公司与珠海博雅具有较强的业务协同性和互补性。具体来说，中微半导核心产品MCU是智能控制所需的主控芯片，伴随着自动智能化对算力需求增加， MCU往往与存储芯片搭配使用，因此公司将存储芯片领域作为实施“MCU+战略”的战略性布局。年初，中微半导发布首款SPI NOR Flash，进军存储产品市场，本次投资珠海博雅有助于进一步完善在存储芯片市场的布局。公告显示，珠海博雅成立于2014年，是一家由海归博士参与创建成立的芯片设计公司，专注于NOR Flash等存储芯片研发设计。公司创始人、实控人DI LI为闪存技术资深专家，历任Micron Technology, Inc.（美国美光公司）器件工程师、高级工程师、闪型存储器仿真项目主管，Spansion（美国飞索半导体）高级研究员。除DI LI外，公司多名核心技术人员均拥有10年以上闪存芯片设计、量产、推广经历。业务方面，珠海博雅同时在ETOX、SONOS两种不同的NOR Flash工艺结构上进行研发、设计，产品在65、55、50、40纳米制程量产，覆盖512Kb-2Gb全容量、多品类，主要用于存储启动代码和固件，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子等领域，代表客户有瑞萨、涂鸦、力合微等。 2023—2025年，珠海博雅产品出货量分别是6.92亿颗、6.02亿颗、4.34亿颗，对应营业收入分别为1.80亿元、1.70亿元、1.97亿元，毛利率分别是-14.24%、4.10%、12.39%，处于持续亏损之中。不过，近年来公司产品结构持续转向高端化，55nm/65nm产品占比从93.7%下降至58.7%，50nm产品占比从6.3%提升至35.9%，40nm产品2025年开始出货，同时1Gb大容量产品成功导入市场。中微半导表示，2026年，伴随着存储芯片市场回暖，目前珠海博雅营收大幅增长，毛利率快速提升。预计在获得足够营运资金后，珠海博雅将进入快速增长期，有望实现扭亏为盈。在估值方面，结合当前半导体一级市场投资情况及公司业务情况后，双方确定珠海博雅本轮投前估值确定为6.4亿元。除持续拓展业务边界外，中微半导在既有主业领域优势持续稳固。2025年，公司芯片出货量再创新高，其中车规级芯片出货量增长约100%;其他消费电子、工业控制出货量增长超50%。业绩方面，中微半导2025年实现营收11.22亿元，同比增长23.09%；净利润2.84亿元，同比增长107.68%。拆分来看，消费电子领域营收为4.67亿元，小家电领域营收为3.34亿元，工业控制领域、汽车电子领域营收分别为2.67亿元、0.53亿元。

中微半导

芯查查资讯 . 2026-03-26 1722
产品 | 华润微电子推出第五代高性能SGT MOS产品，保障BMS高效可靠运行

随着新能源汽车与储能系统对电池性能要求的不断提高，电池系统正朝着更高电压、更大容量和更高能量密度的方向演进。这要求其核心部件——电池管理系统（BMS）必须具备更高精度、更强监控能力和更高安全等级，以持续满足市场对电池续航、寿命与安全性的严苛需求。据相关机构预测，到2027年全球BMS市场规模有望突破千亿元，成为能源变革中的关键增长领域。瞄准这一高速增长的市场领域，华润微电子功率集成事业群（PIBG）重磅推出第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5Z，为全球BMS市场带来突破性的技术升级和产品体验。 △产品封装外形：TOLL 产品简介 PIBG推出的CRSZ014N08N5Z，是公司第5代SGT技术平台的最新成果，其综合性能大幅提升。相较于上一代产品，CRSZ014N08N5Z在SOA以及UIS等关键指标上提升显著，能够为BMS应用提供更安全、更可靠的解决方案。产品优势 1.性能提升显著实测参数对标：与业界主流产品（最大导通电阻约为1.4mΩ规格）相比，CRSZ014N08N5Z的实测RDS（on）最低。其VTH典型值3.1V，既兼顾了稳态开通时，沟道全打开低RDS（on）的要求，又可以在关断时获得更快的关断阈值。 △直流参数测试 SOA特性：在BMS主回路保护与功率控制场景下，MOSFET的SOA特性是其安全可靠工作的关键性因素。为满足系统安全稳定运行需求，PIBG基于第5代SGT技术平台，对MOSFET的SOA特性进行严格界定与优化。实测对比波形显示，在相同的Roff条件下模拟BMS应用慢关断能力，CRSZ014N08N5Z的短路电流冲击能力较上一代产品显著提升，使BMS应对极端情况时优势突出。 △第5代CRSZ014N08N5Z实测SOA特性 △上一代 CRSZ014N08N4Z实测SOA特性 △CRSZ014N08N5Z与上一代CRSZ014N08N4Z实测SOA特性数据 UIS能力：CRSZ014N08N5Z与上一代CRSZ014N08N4Z 的UIS能力实测数据如下： △第5代CRSZ014N08N5Z实测UIS波形 △上一代CRSZ014N08N4Z实测UIS波形在大幅优化Rsp的基础上，PIBG通过创新的产品设计与结构优化，显著提升了第五代SGT MOSFET的SOA、UIS等关键性能。这使其在BMS应用中不仅具备更高的可靠性，还实现了更优的成本控制，从而为客户提供了极具竞争力的高性价比解决方案。应用测试：在17串三元锂电池组的120A BMS保护板实测中，产品能够满足极端工况下的应用需求。 2.技术亮点先进12吋fab低压极小线宽工艺； Super SOA Ruggedness； Rsp值已达到行业领先水平。 3.产品应用 PIBG的第5代SGT MOS产品CRSZ014N08N5Z可广泛应用于各类BMS应用领域，如家储及户储等多种储能系统，两轮及三轮车电池系统等，已实现向多家BMS领域头部企业批量供货。 4.新品列表 5.展望未来 PIBG持续进行技术创新和产品迭代升级，致力于为BMS领域提供更高效、更可靠的解决方案，将于近期推出一系列创新产品，敬请期待！第五代250V SGT MOSFET ：面向高串数、高电压市场需求，PIBG开发了第五代250V产品CRST187N25N5Z，已通过1000H三批量可靠性认证。现已衍生出TO-247&TO-263&TOLL等封装形式的新产品。 STOLL封装系列产品：面向汽车OBC应用需求，PIBG开发了第五代100V车规级产品CRSZS025N10N5Q。该产品优化了闩锁能力，满足AEC-Q101标准，赋能OBC实现高效可靠运行。

华润微

华润微电子功率集成事业群 . 2026-03-26 1792