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市场 | 2025年上半年中国半导体产业投资额约4,550亿元，同比下滑9.8%

“根据CINNO Research最新统计数据，2025年上半年，中国半导体产业（含台湾）总投资额为4,550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。值得注意的是，半导体设备投资逆势增长53.4%，成为唯一实现正增长的领域，凸显了中国在供应链自主可控方面的战略决心。” 一、中国半导体产业投资趋势分析：2025年上半年投资总额下降，设备领域逆势增长根据CINNO Research最新统计数据，2025年上半年，中国半导体产业（含台湾）总投资额为4,550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。值得注意的是，半导体设备投资逆势增长53.4%，成为唯一实现正增长的领域，凸显了中国在供应链自主可控方面的战略决心。 2025年上半年中国半导体产业投资呈现明显的结构性特征。根据CINNO Research最新统计数据，从细分领域来看：晶圆制造领域依然占据主导地位，投资规模达2,340亿元，占总投资的51.4%，但较去年同期回落5.1%，显示出成熟制程投资趋于饱和的态势。半导体材料领域获得593亿元投资，占比13.0%，虽然整体下滑8.1%，但投资结构持续优化，特别是高端材料领域占比显著提升。芯片设计领域投资853亿元（占比18.7%）和封装测试领域417亿元（占比9.2%）则遭遇较大幅度调整，同比分别下滑23.7%和28.1%，反映出消费电子需求疲软和国际供应链重组带来的直接影响。虽然全球半导体市场周期性调整与国际技术管制形成双重压力，但中国半导体产业正通过投资结构的战略性优化，在设备自主化、材料创新等关键领域积蓄突破动能，为下一阶段的产业升级奠定基础。图示: 2025年1-6月中国半导体产业投资项目分布情况来源: CINNO • IC Research 二、封锁倒逼创新：中国半导体设备投资的逆势增长逻辑与突围路径中国半导体设备投资的逆势增长，本质上是一场被外部压力倒逼的自主创新突围战。美国的技术封锁如同一把双刃剑，在限制中国获取先进设备的同时，也彻底激活了本土半导体设备的创新动能。政策层面，大基金和地方专项基金的精准灌溉，为设备研发注入了强劲动力；市场需求端，国内晶圆厂扩建潮与国产化替代政策形成了稳定的订单保障；技术突破上，中微半导体、北方华创等企业在刻蚀、薄膜沉积等关键设备领域已跻身国际先进行列。这种“封锁-倒逼-突破”的发展范式，正在重塑全球半导体设备产业格局，中国从被动接受者逐步转变为重要的创新参与者。尽管光刻机等核心设备仍面临瓶颈，但持续的研发投入和产业链协同创新，正在为最终突破积蓄力量。三、中国半导体产业投资趋势分析：地域分布与材料领域投资聚焦地域分布：高度集中，江苏与上海领跑根据CINNO Research最新统计数据，中国大陆21个省市（含直辖市）的半导体投资分布中，前五大区域集中了近八成资金：江苏省以20.7%的占比领跑全国，成为半导体投资的核心集聚区；上海市以18.8%的占比紧随其后；浙江省（14.4%）、北京市（12.5%）和湖北省（12.5%）分列三至五位，五地合计占比达78.9%。这种高度集中的投资格局主要源于三方面因素：其一，长三角地区凭借深厚的产业积淀，如晶圆制造和封装测试领域的完整产业链；其二，政策资源倾斜，以上海、北京为代表的城市通过专项基金和人才政策形成制度优势；其三，区域协同效应凸显，以上海为龙头的长三角半导体产业生态圈已显现规模效应。值得注意的是，湖北省凭借存储芯片产业的突破性发展，跻身投资前五，展现出新兴产业集群的崛起态势。材料领域投资：2025年上半年中国半导体材料领域投资呈现明显的技术升级特征。根据CINNO Research最新数据，在半导体材料细分领域中，第三代半导体材料（SiC/GaN）以162亿元的投资规模位居榜首，占总投资的27.3%，展现出强劲的发展势头。这类宽禁带半导体材料因其在新能源汽车电控系统、5G基站射频器件和智能电网等高端应用场景中的性能优势，正成为产业重点突破方向。与此同时，电子特气领域也获得114亿元投资，占比达19.3%，位居第二。高纯电子特气作为晶圆制造的关键耗材，其投资增长反映出国内企业在半导体材料供应链关键环节的持续突破。值得注意的是，这两个重点领域的投资合计占比接近50%，凸显出中国半导体材料产业正从传统硅基材料向高端特色材料进行战略转型的发展路径。从全球产业格局来看，2025年半导体行业正经历着深刻的周期性调整与结构性变革。尽管AI、5G和物联网等新兴技术持续释放长期增长潜力，但全球经济下行压力与地缘政治冲突的双重影响，使得行业投资呈现明显的分化态势。作为全球最大的半导体消费市场，中国产业发展的独特路径正在重塑全球供应链生态——美国的出口管制虽然在短期内制约了技术获取，却意外激活了中国在设备与材料领域的创新动能，推动本土企业加速突破28nm以下制程设备、第三代半导体材料等关键技术瓶颈。展望未来，中国半导体产业将进入“精耕细作”的新发展阶段。其成长轨迹将取决于三个关键变量的动态平衡：自主创新能力的实质性突破、产业政策工具的精准施策，以及国际技术合作的弹性空间。在全球化退潮与技术民族主义抬头的背景下，中国半导体产业正在走出一条独具特色的发展道路，这种以自主可控为根基、以开放合作为补充的战略取向，或将重新定义全球半导体产业的价值链格局。

半导体

IC Research . 2025-08-11 2495
产品丨超高能效LED：高性能室内照明的理想之选

艾迈斯欧司朗新一代中功率LED为原始设备制造商（OEM）提供面向未来的超高效、长寿命及节能的解决方案——成为灯槽、线条灯与筒灯等商业照明装置的最优选择。全球领先的智能传感和发射器解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，推出满足室内照明应用关键指标的高光效、深度调光性能、可靠性、耐用性与灵活性新型中功率LED——OSCONIQ® S 3030和DURIS® E 2835。 OSCONIQ® S 3030 GW QSLMS1.SM（显色指数80）与GW QSLMS1.KM（显色指数90）代表专为高性能室内照明打造的新一代超高效中功率LED；DURIS® E 2835 GW JTLPS1.SM（显色指数80）与GW JTLPS1.KM（显色指数90）则是在2835平台推出的光效巅峰产品。这些白光中功率3V LED不仅具备卓越发光效能，更以紧凑封装实现高可靠性与设计灵活性。 OSCONIQ® S 3030 在4000K色温（显色指数80）下光效值高达235lm/W，具备深度调光能力与精准色彩控制等先进特性。其长维护周期特性完美适配办公室面板灯、灯槽及连续线条灯。集成至高棚灯与低棚灯照明装置时，可为仓库及制造空间提供均匀辅助照明。 OSCONIQ® S 3030 同时提供高显色指数选项（CRI 80与CRI 90）及2700K至6500K宽色温范围，优化建筑装饰照明与商业展陈效果。卓越的抗硫化氢性能与强化的热循环稳定性，确保其在严苛工况下的长期可靠运行。 DURIS® E 2835 LED专为嵌入式面板灯、线条灯及筒灯应用精密设计。在4000K色温与0.5W输入功率下，典型光效值达225lm/W（显色指数80）与207lm/W（显色指数90）。采用紧凑的2835封装尺寸，支持低至1mA的深度调光，并提供严格的色容差控制（≤3 SDCM），是医疗设施与商业建筑等高要求室内商业照明设计的高效解决方案。凭借高光效输出、卓越耐腐蚀性以及支持即插即用兼容性的稳固焊盘设计，DURIS® E 2835 LED同样适用于需持久高输出解决方案的工业环境与仓储设施。本系列支持2700K至6500K宽色温范围，并在105℃环境下实现LM-80 L90 > 36,000小时可靠长效性能。客户可基于OSCONIQ® S 3030或DURIS® E 2835灵活选择沿用现有设计方案或启用新方案。OSCONIQ系列在效能指标与使用寿命上略胜一筹，而DURIS系列则提供更具性价比的经济型方案。艾迈斯欧司朗通过双产品线布局，精准满足多元化应用场景与客户需求。

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2025-08-11 1735
方案 | 中微半导基于CMS8M3310高性价比无感方波电动工具方案

中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）无感方波电动工具方案专为锂电工具类产品设计，采用高性能的8位MCU-CMS8M3310GA24SS搭配CMS6D180三相预驱芯片，实现优异成本控制，且具备高可靠性、高效率的无感方波电机控制，特别适用于要求高启动力矩和超低速运行的应用场景。该方案在成本控制、工作效率、性能稳定性和用户安全性方面表现卓越，是各类锂电工具：如电钻、电扳手、角磨机、割草机等的理想选择。其高启动力矩、优异的低速性能、强大的抗堵转能力和全面的保护机制，确保了产品在复杂工况下的出色性能和可靠性。核心优势 - 集成虚拟中心点和母线分压，精简外围电路，节约BOM成本 - 驱动耐压高，覆盖10串应用 - 无感方波控制方式 - 适应不同负载启动，100%启动成功 - 启动抖动小，运行平稳 - 支持宽范围电机功率（50W-350W），适配多款电机开发方案规格 - 电机极对数：一对极 - 输入电压：18-25.2Vdc - 电机额定功率：50W-350W - 电机额定转速：60000RPM - PWM开关频率：10~20KHz - 控制方式：无感方波控制 - 保护功能：过欠压、过流、短路、缺相、堵转等核心器件功能参数 MCU-CMS8M3310GA24SS 内核：增强型1T 8051（兼容MCS-51）存储：Flash16KB，RAM 256B，XRAM 512B 工作电压：VLVR3~5.5V@16MHz 1T；VLVR1~5.5V@16MHz 2T 工作温度：温度-40℃~105℃ 定时器：2x8位，2x16位 PWM：6通道增强型PWM 模拟外设： 2路模拟比较器 (ACMP0/1) 1路可编程增益放大器 (PGA，4/8/12/16倍) 1路高精度12位ADC (内建1.2V高精度基准) GPIO：22个通用I/O口三相预驱芯片-CMS6D180-SSOP24 集成2路线性稳压器 5V/30mA输出（带限流保护） 12V/60mA输出（带限流保护）集成三相中压高速栅极驱动悬浮偏移电压+200V 内置直通防止功能、360ns死区时间峰值拉电流0.82A@12V (上升时间70ns@3.3nF) 峰值灌电流0.93A@12V (下降时间50ns@3.3nF) 内置VREG12V、VBS欠压保护、VBAT欠压功能过温保护功能：过温阈值160℃/140℃ 内置电源分压输出模块，分压比1/11 抗静电能力：2000V（HBM）、750（CDM） >>原理框图 >>开发板 >>启动波形 >>运行波形

中微半导

中微半导 . 2025-08-11 1675
技术 | 5V MCU 有什么新增功能？

尽管通用系统设计趋向于采用较低的电源电压，但由于信噪比的物理特性和 5V 传感器的普及，5V 电路仍然是一种流行的设计方法。但是，选择 5V MCU 并不意味着您需要在性能、低功耗或安全性等现代 MCU 优势上有所妥协。 MSPM0H321x 是一个 MCU 系列，设计人员能够利用它们应对 5V 系统的设计挑战，同时增强系统安全性、电源效率和性能。那么，MSPM0H321x 系列 5V MCU 有什么新功能？ MSPM0H321x 系列（包括 MSPM0H3216）基于通用硬件、工具和软件库的 MSPM0 生态系统而构建。借助这些器件和资源，硬件和软件工程师可以在各种应用（从电动工具到汽车设计，甚至包括厨房电器，如图 1 所示）中，轻松地重复使用基于 MSPM0 的设计中的现有代码。图 1：可以使用 MSPM0 MCU 的示例应用这些 MCU 提供引脚到引脚高度兼容的功能，有助于加快器件更换和升级的速度。由于所有 MSPM0 器件上都采用 DriverLib API，因此 MSPM0 系列中器件之间的软件移植也得到了简化。MSPM0H321x MCU 将安全性、低功耗运行和性能融于一身。安全性 MSPM0H321x 5V MCU 系列基于 MSPM0 平台的安全基础构建而成，提供灵活且经济实惠的安全配置功能。客户安全代码 (CSC) 硬件安全架构使设计人员能够在其设计中锁定可定制的信任根。 CSC 提供了硬件功能，可强制执行经过身份验证且具有防回滚保护功能的安全启动。MSPM0H321x MCU 还支持在现场进行安全的固件更新。随着支持软件的产品中安全性变得越来越重要，MSPM0H321x MCU 使应用能够满足当前的安全要求并准备好满足未来需求。低功耗 MSPM0H321x MCU具有低功耗性能和低延迟功耗模式转换功能。这使得应用能够“尽量休眠”，从而可能节省更多功耗。借助 MSPM0 系统控制 (SYSCTL) 架构，应用可以在待机模式下达到 3.5uA 的低功耗状态，同时让 SRAM、CPU 和外设保持待机，并在 20us 内即可退回到运行模式。在需要更低延迟才能从待机状态通过 UART 或 I2C 总线接收命令的情况下，MSPM0H321x 系列支持异步快速时钟请求，即使在 CPU 唤醒之前，此类请求也可以在检测到传入数据时请求快速时钟。特性和性能尽管是以低功耗性能为重点，MSPM0H321x 系列也具有模拟和数字功能组合，由以 32MHz 运行的Arm® Cortex-M0+® CPU 实现，具有单周期乘法扩展以及高达 64kB 的闪存和 8kB SRAM。12 位 ADC 采样速率高达 1.5MSPS，具有高达 27 个输入通道，可支持各种控制和感应应用。高级控制计时器 (TIMA)具有增强的 PWM 生成模式，适用于具有死区功能和超低延迟故障处理的互补对。此外，MSPM0H321x 系列还具有多种封装，其中包括两个引脚间距为 0.8mm 的选项，适用于超低成本 PCB 组装工艺。自 MCU 推出以来，嵌入式工程师不断寻找新的创新方法来利用这些通用器件。MSPM0 产品系列包括支持 1.62V 至 3.6V 电源电压的器件，可帮助工程师采用较低的工作电压，从而降低系统功耗并降低成本要求。但是，仍然需要支持 5V 电源电压的现代 MCU。在具有传统 5V 电路或复杂抗噪能力挑战的应用中，MSPM0H321x MCU 使硬件设计人员能够在 5V 系统中本地工作，并受益于创新的安全性、低功耗和性能特性。

TI

德州仪器 . 2025-08-11 985
有奖直播 | 音频IC基础与高端音响MUSES系列芯片介绍

当音响发烧友花费数万元升级设备时，当录音师在专业棚里反复调试音色时，他们追求的都是同一个目标——最纯净、最真实的声音还原。这个"耳朵经济"蓬勃发展的时代，音频质量已经成为消费者最敏感的神经之一。无论是音乐发烧友对Hi-Res的执着追求，还是游戏玩家对沉浸式音效的苛刻要求，亦或是影视工作者对声音细节的精准把控，都在推动着音频技术的边界不断拓展。然而，真正的好声音从何而来？决定最终音质表现的"最后一公里"，往往取决于那颗小小的音频IC芯片。它就像音响系统的心脏，默默决定着声音的纯净度、动态范围和信噪比等关键指标。 8月19日14:30 ，芯查查直播间邀请日清纺FAE，和大家带来日清纺在高端音响方面的产品与方案分享。直播嘉宾王惠宣，日清纺微电子FAE，在集成电路与半导体器件领域具备深厚专业积累，精通客户技术难题解决方案，擅长市场分析。直播内容音频基础知识音频IC的作用 MUSES系列芯片概述应用案例日清纺微电子品牌战略点击文末此处即可进入直播间。进入芯查查直播间的用户，填写报名问卷后，有机会赢取小米定制鼠标、芯查查电脑包等精美周边文创等丰厚礼品，快来参与吧！ 8月19日14:30 相约芯查查直播间日清纺专场还有多款互动礼物，快来参与吧~

日清纺

芯查查资讯 . 2025-08-11 12 5 3460
IC 品牌故事 | 开放合作+特色深耕，华虹的突围之路

华虹集团是中国拥有先进芯片制造主流工艺技术的国有8+12英寸集成电路制造产业集团。2023年，华虹集团在科创板上市，募资超200亿元，创下当年A股最大IPO纪录。2024年，华虹集团营收143.88亿元，归母净利润为3.81亿元，全年平均产能利用率接近100%；折合8英寸后的全年晶圆出货量同比增长超过10%，其中，独立式非易失性存储器、模拟和电源管理、逻辑与射频三大产品线收入及占比取得较大幅度增长。华虹的前身是1996年国家"909工程"的主体承担单位。目前，华虹集团集成电路制造核心业务分布在上海浦东金桥、张江、康桥和江苏无锡四个基地，共拥有3条8英寸和4条12英寸芯片生产线。经过28年发展，华虹已成长为全球产能排名第一的功率器件代工厂，也是中国大陆第二大晶圆代工企业。一家被被给予着万众期待的半导体企业，如何一步步伴随历史潮流发展壮大？请跟随芯查查一起回溯华虹集团的过往吧！图片来源：TrendForece，华虹位列全球第六起源：用市场换技术，用股权换时间故事要从1997年说起。 1997年的春天，上海浦东一处工地上，打桩机的轰鸣声格外刺耳。时任电子工业部部长胡启立站在工地边缘，眉头紧锁。这位中国半导体产业的老将心里清楚，脚下这片土地承载着整个国家的期望——这里是“909工程”的主体项目上海华虹微电子的施工现场。 “909工程”投资上百亿，计划建设一条8英寸生产线，生产工艺水平达到0.5微米，这个项目的工程主体承担单位——上海华虹微电子有限公司正式成立。公司承载着国家意志和产业梦想，在中央财政极其困难的情况下，仍确保"909工程"百亿资金到位。图片来源：网络，图为华虹NEC八英寸项目当时的中国半导体产业正深陷寒冬。一方面，《瓦森纳协定》“N-2原则”（即美国出口的技术必须落后最新技术的两代）如铁幕般横亘，海外技术出口对中国严防死守。另一方面，此前“908工程”（无锡华晶项目）的惨痛教训历历在目：闭门研发十年，结果是投产时与国际主流技术落后两代，连年亏损如无底洞。前车之鉴，后事之师。“909”工程究竟要怎么铺展呢？半导体产业有一个特点，外国技术转让或者国外直接投资能够大幅驱动进口技术国的半导体产业技术升级，意味着半导体的国际学习溢出效应很大。所以，当时的909工程没有执着于“干中学”，而是全球公开寻找外部合作企业。当时，华虹集团对于合作方提出了3个要求：合作伙伴需要转让先进的集成电路制造技术：8英寸生产线，0.5微米工艺。合作伙伴必须以现金方式入股并参与到合资公司的经营中，共同承担风险。合作伙伴必须承诺三分之一的返销加工量，还要负责培训技术和管理人员。电子工业部陆续向日本富士通、东芝、NEC、冲电气(OKI)公司，欧洲的西门子、飞利浦公司，美国的Intel、IBM、AMD、惠普、德州仪器、Rockwell等公司发出了参与“909”建设的正式邀请。商人是逐利的，对于外国投资方来说，这个项目不仅要转移技术（虽然不是最新的），还要承担设备的折旧、产品销量等诸多责任。所以，这些公司普遍反应冷淡，或者提出了很多附加条件。在华虹奠基仪式过去4个多月后，有一家日本企业出现了——NEC，日本电气株式会社。这家姗姗来迟的日本企业是当时世界上第二大的半导体制造公司，此前已经和北京首钢合建了一座6英寸的芯片工厂，首钢NEC。虽然NEC表现出合作意向，但谈判进展漫长且紧张。NEC日方首席代表山本一郎坚持只转让0.8微米技术，理由“中国工人素质达不到更高工艺要求”。关键时刻，胡启立部长亲自致信日本通产大臣佐藤信孝，信中写道：“中日半导体合作不应只是商业交易，更应成为两国技术友谊的桥梁。”这封信通过外交渠道转交，最终促成日本政府出面协调。书中记载，NEC会长关本忠弘在接到通产省电话后，连夜召开董事会，最终同意转让0.35微米工艺。图片来源：网络 NEC会长关本忠弘是一位代表日本和NEC利益，有政治头脑和战略目光的企业家。最终NEC不仅愿意现金参股30%，而且转让的工艺水平（0.35微米）超出了中方的引进目标。最重要的是，NEC 同意保证“909”生产线满负荷运转，产品除中方要求加工的外，均由NEC负责返销。为了不让“909”项目重蹈覆辙，华虹集团主导的芯片产线建设可谓快马加鞭，使用“三班倒”施工方案：土建、设备安装、工艺调试三个环节并行推进。建设时期，恰逢全球半导体产业正在经历下行周期，909工程是当时唯一一个加快建设完工的芯片工厂。 1999年2月23日，第一片64MB DRAM芯片下线。华虹仅用18个月完成“909”工程8英寸超大规模集成电路生产线，意味着中国有了自己的第一条深亚微米超大规模集成电路生产线。投产首月良率就达到82%，三个月后攀升至92%，远超NEC大阪工厂同期水平。除了NEC，还有一个外国公司值得一提。比利时IMEC——欧洲一家微电子研究中心，当时正在拓展中国市场，对与华虹的合作非常感兴趣，愿意以技术合作的方式，帮助华虹开发0.25微米和0.18微米的标准CMOS工艺技术，合同总价1200万美元。这段时间，华虹派出一支学习团队前往比利时IMEC学习，带回了IMEC0.18微米技术整套工艺资料及0.25微米技术后道5层铝布线工艺资料，使得华虹集团基本具备开发自己的0.18/0.25 微米工艺技术的能力。 2001年，华虹和IMEC续约战略合作备忘录，华虹又派出多支工程师队伍学习0.13 微米和0.09微米的CMOS工艺技术研发平台。 2003年4月，华虹集团向美国IDT公司转让新涛半导体，实现了国内自主投资芯片设计企业的首次对外转让。聚焦：从存储转型代工厂 2001年，华虹遭遇成立以来最大危机。由于互联网经济泡沫和911事件的冲击，半导体市场萎靡不振，存储又是其中表现最差的一个，DRAM价格暴跌90%。此外，日本合资方NEC已自身难保，半导体业务给NEC造成了巨额亏损，不得不将将DRAM业务剥离出去。图片来源：网络当时华虹最核心业务就是DRAM，面对上述的双重压力，2003年，华虹做出战略转向：退出DRAM红海，全面转型晶圆代工，也顺势从NEC手上提前收回经营自主权（原约定5年的合资经营合作）。这次的转型，被华虹的内部称为“华虹遵义会议”。随后，华虹开始组建一支本土的半导体制造精英团队。从美国引进了方朋、赖磊平等技术专家负责华虹NEC的代工转型工作。这一抉择背后，是深刻的历史教训——1990年代韩国三星通过DRAM超车成功的案例虽令人神往，但彼时中国既无技术积累，更缺市场支撑，盲目追赶只会重蹈“908工程”覆辙。时任华虹集团总经理方朋组建了一支评估团队，秘密评估三个转型方向。其一、智能卡芯片。中国即将启动二代身份证换发计划，预计需求超10亿片，华虹已掌握0.35μm EEPROM工艺，具备开发条件，但需要需突破德国英飞凌的专利壁垒。图片来源：网络其二、功率半导体。中国加入WTO后，长三角制造业爆发催生巨大需求，英飞凌、仙童等国际大厂纷纷在沪设立研发中心，华虹拥有8英寸生产线，可改造为功率器件专用产线。其三，模拟/混合信号芯片。消费电子爆发带动电源管理IC需求，华虹已开发出0.35μm BCD工艺原型，而且当时中国国内手机厂商80%的PMIC依赖进口。团队用“三色评估法”（红/黄/绿）对各项指标打分，最终功率半导体以87分（满分100）位列第一，但方朋力主"三箭齐发"的多元化策略。 2003年4月，方朋通过产业关系获知公安部正在评估身份证芯片国产化方案，要求产品100%国产化、100%安全、100%可靠。他立即组建“身份证专项组”，并三赴公安部展示华虹的样品，最终拿下订单。功率半导体布局同步展开。如前文，功率器件在长三角爆发出巨大需求，英飞凌、仙童等国际大厂纷纷在沪设立研发中心，产业know-how加速外溢。华虹抓住天时地利，2002年建成全球首个8英寸功率器件代工厂，沿着MOSFET——超级结MOSFET——IGBT的技术路线稳步攀升。模拟芯片制造方面，第二批在比利时IMEC学成归来的工程师开始进入华虹 NEC 生产线，配合代工工厂转型标准逻辑工艺的研发工作。在现有设备的基础上，重新开发标准COMS工艺。通过在生产线上增添部分设备，华虹NEC基本形成完整的0.18微米工艺，2004年该工艺大生产技术实现量产。图片来源：网络到2004年初，华虹NEC已经与包括大唐、华大、士兰、中兴通讯等国内著名系统厂商和设计公司建立了战略合作伙伴关系，树立了国内代工市场占有率第一的地位，在很大程度上实现了当初“909”服务国内市场的目标。 2007年9月，华虹二厂实现量产。 2010年1月，“909”工程升级改造——华力微电子12英寸项目——华虹五厂启动建设 2010年5-10月，华虹集团成功完成2010年上海世博票务系统，实现RFID技术全球范围内展会领域最大规模的应用。 2013年1月，华虹NEC和宏力半导体完成合并，成立上海华虹宏力半导体制造有限公司。 2014年10月，华虹半导体红筹股香港联交所挂牌，8英寸制造平台实现上市。 2016年12月，华力二期12英寸生产线项目——华虹六厂开工。守护：安比精神，创造华虹速度 2018年，全球晶圆短缺危机与行业上行周期共振，华虹落子无锡。华虹七厂——全球首条12英寸功率器件专线破土动工。 533天。无锡市政府3天完成700亩用地审批、98天主厂房封顶、单月安装87台设备……无一不彰显出中国速度。速度快，困难也不小。2018年7月，第10号台风“安比”正以每小时30公里的速度直扑无锡，预计中心最大风力达14级（42米/秒）。华虹此时正值关键建厂阶段：价值1.2亿美元的ASML XT 1900Gi光刻机刚运抵厂区，这是当时全球仅6台的功率器件专用光刻机。但是设备尚未完成安装，临时工棚仅达到抗10级风标准，周边排水系统未完全建成，现场留守工程人员多为设备安装团队，恰逢ASML荷兰工程师团队回国休假，设备处于无人监管状态。危急时刻，华虹工程师用人墙抵住工棚钢架，厂区积水达1.2米深，团队轮番人工排水，半个身子都泡在水里。台风登陆无锡后，临时搭建的工棚也被掀翻，华虹的设备工程师们用钢梁搭建临时支架、用防水布搭成“人工帐篷”保护光刻机。经过8小时鏖战，台风终于过境，检测显示光刻机湿度<5%，符合安装标准。此次事件后，华虹立即制定极端天气设备防护SOP，“安比精神”也成为华虹员工的必修课。 2019年9月，华虹七厂建成投产，再创“华虹速度”。8英寸平台固守0.35微米至90纳米，12英寸主攻90纳米至55纳米。2019年到2022年，12英寸营收占比从不足1%跃升至40%。功率半导体，成为华虹最锋利的矛。新的战场：行业周期中攀登下一座高峰 2023年，行业寒潮袭来，华虹全年营收下滑7.7%。然而，其功率器件板块逆势狂飙16.5%，销售收入达9.02亿美元，贡献近40%营收，超越嵌入式存储登顶。12英寸产能利用率保持95%以上，车规级IGBT通过14家车企认证，超级结MOSFET、IGBT——这些新能源汽车的功率器件，成为华虹穿越周期的压舱石。 2023年，华虹以A股当年最大IPO募资超200亿元，吹响无锡二期（即华虹九厂）冲锋号。聚焦车规级芯片，规划月产能8万片12英寸晶圆。2023年6月开工，2024年8月设备搬入，12月投片量产，速度再破纪录。一、二期满产后，月产能至少18万片，剑指全球最大12英寸功率半导体代工平台。 2024年，行业弱复苏下华虹承压明显，营收降12%，毛利率仅10%，净利润暴跌80%。来到2025年，华虹第二季度销售收入5.661亿美元，同比增长18.3%，环比增长4.6%；毛利率10.9%，同比上升0.4个百分点，环比上升1.7个百分点。对于第三季度，华虹预计销售收入约在6.2亿美元至6.4亿美元之间，毛利率约在10%至12%之间。第二季度产能利用率达到108.3%，环比今年第一季度的102.7%、同比2024年第二季度的97.9%，均有提升。今年第二季度，华虹公司的产能利用率创下近几个季度以来的新高。图片来源：华虹2025Q2财报截图结语从身份证芯片到新能源功率器件，绑定中国产业链爆发性需求，是华虹穿越周期的护城河。从909工程的技术引进，到12英寸功率器件的自主创新，华虹的历程揭示了中国半导体产业的升级路径：在全球化合作中坚持自主发展，在市场波动中坚守技术深耕。这种“特色工艺+本土生态”的发展模式，正为更多中国半导体企业提供启示。 Tips 截至发稿前，芯查查已收录华虹相关资讯信息。点击进入芯查查华虹品牌页即可查看相关数据。

华虹

芯查查资讯 . 2025-08-11 16 1w
技术 | AW96205DNR高性能手机防水游戏肩键：艾为触控，重塑移动游戏体验

在移动游戏产业蓬勃发展的当下，手游外设已从 “可选配件” 升级为 “核心装备”。其中，手机电容式防水肩键凭借无物理触点、低延迟响应、IP68 级防水等特性，成为专业手游玩家的首选。技术演进背景：从机械到电容的必然转型传统的手机游戏物理肩键，存在以下三大主要痛点：机械磨损（按键寿命约50万次）防水缺陷（物理缝隙导致IP68认证困难）空间占用（单按键占用＞35mm³）在手机游戏肩键的方案应用上，电容式防水肩键与传统物理肩键之间，主要区别如下：电容式方案的核心优势在于非接触式触发，彻底解决了物理按键的磨损、进灰、防水难题。通过算法优化，其最小触发距离已接近物理按键的键程体验。100Hz的响应速度在《和平精英》《原神》等竞技游戏中可带来明显的操作优势。容式肩键的技术挑战：游戏肩键主要技术要求电容式检测，主要依赖的是检测电容的变化，来判断是否为按键触摸。检测电容的变化量，与实际按压的接触面积，以及检测电极上的介电常数，有很大的相关性。考虑到游戏场景下用户的操作复杂性，每次按压的实际接触面积是不一致的，且可能存在边缘触摸的可能性（边缘接触面小，信号变化小），单一的阈值检测的方案，无法覆盖所有的接触场景。另一方面，长期使用，人手汗液会残留在检测电极表面，使电容变化量，较干燥场景下，变化更大，增加了误触发的风险。同时，长期使用，检测电极表面温度会上升，也会对检测结果产生较大的干扰。基于上述描述，电容式游戏按键，面临的具体技术难点，可总结如下： 1. 极速响应与全区域触发干手快速点击：响应时间需实现100Hz以上，确保连击操作无感知滞后。边缘按压：最低需要实现1/3键面的按压识别（电极边缘信号衰减导致灵敏度下降30%~50%）。 2. 复杂环境下的稳定识别带水/汗操作：在 0.1~0.3ml 液体残留（模拟洗手后未擦干状态）下保持>95%识别率。姿势变化抗干扰：手指侧滑/滚动按压时，会导致接触面积变化，信号特征不稳定。 3. 精细化触发控制轻触识别：手指轻搭在接触面上可识别缓慢按压：速度≥0.2mm/s 可识别长按稳定：持续10s+ 无断触悬空防误触：感应距离≤2mm（精度±0.3mm）艾为游戏肩键算法方案：大禹防水算法在容式游戏肩键的应用场景上，艾为有一套自研的成熟算法方案——大禹防水算法。该算法方案，是为了应对游戏场景下的各类问题，定制开发的一种专用方案。目前，已在手机游戏肩键上应用，市场端反馈良好。方案的技术特点如下：刷新速率可达到500HZ以上，满足快速响应的需求；最多支持三档灵敏度的调节，以适应不同群体对响应速度的要求；通过按压信号的特征识别，实现高精度判别，提高了水、汗场景下识别的准确率；采用阶梯式分段的阈值设定策略，适应不同手势下的按键触发；自适应基线调整策略，保证长时使用的稳定性；水量预测方案，根据信号特征，预测按键残留的水量，采用特定的基线策略，应对水量过多残留的场景。 1. 算法模块框架该方案，算法在底层固件实现。上层可通过指令下发的方式，对初始电容状态进行校准，以及对灵敏度的设置。底层固件，经过一系列算法处理，输出算法判定后的触摸、非触摸状态，供上层处理。算法模块框图如下：图1 算法模块框图 2. 典型应用场景下的数据展示针对游戏肩键场景下的几种典型操作手法，进行测试，数据特征如下（VALID表示有效信号量，STATUS0表示常规触摸方案的触摸状态，STATUS1表示“大禹防水”触摸方案的触摸状态）：图2 干手点击图3 干手按压变化按压姿势图4 带水点击从典型场景数据测试结果可以看出： 1）“大禹防水”算法方案，在防水性能上优于常规触摸方案。在有水渍残留的场景下，对数据趋势的变化，更敏感，更易捕捉到离手动作； 2）“大禹防水”算法方案，在干手情况下，也能做到与常规触摸方案等同的触摸效果。艾为游戏肩键方案实施：芯片选型艾为游戏肩键应用，算法集成在AW96205DNR系列芯片内，该款芯片的主要特性如下：图5 AW96205DNR应用框图芯片特性介绍 5通道高灵敏度 Cap Sensor -电容分辨率：1aF -补偿电容：220 pF -高性能自适应温补算法 -“大禹”防水防汗算法 -程序灵活，支持客制化 -10000次在线升级（OTA）低功耗 -Active：22uA -Doze：6.7uA -Sleep：5.5uA -Deep Sleep: 2.5uA I²C ： 400 kHz, 地址可扩展 VCC：2.7~3.6V 内存：16kB Flash，8kB RAM 温度：-40°C~85°C

电容式检测

艾为官网 . 2025-08-11 1365
企业 | 传NVDIAI、AMD向美政府上缴售往大陆AI芯片15%收入

据金融时报》报道，英伟达公司和AMD)已同意向美国政府提供其在中国芯片销售收入的15%。《金融时报》引用熟悉情况的人士，包括一名美国官员的话称，这项协议是与特朗普政府达成的获取对国内出口许可证安排的一部分，这些许可证已于上周获批。报道称，英伟达将分享其H20芯片在中国销售收入的15%，而AMD也将分享其MI308芯片收入的类似比例。上周有报道称，特朗普政府已开始发放许可证，允许英伟达和AMD恢复销售其面向国内市场的芯片。今年早些时候，这两家公司被禁止在中国销售产品。但过去两个月两国之间关系改善，使特朗普政府允许这两家公司在国内恢复部分芯片销售。尽管如此，作为拜登时代对国内限制措施的一部分，英伟达和AMD仍被禁止在国内销售其最先进的人工智能芯片。 H20是英伟达专门为中国市场制造的芯片，在国内一度是热销产品，被国内众多主要人工智能开发商使用，包括国内众多互联网那个大厂及大模型企业。国内方面，网信办7月31日约谈了英伟达，要求说明芯片的漏洞或后门的安全风险问题，并提交相关证明材料。首席执行官黄仁勋曾批评美国对中国销售的限制，因为这样的举措将阻止英伟达进入一个主要市场。

AI芯片

今日芯闻 . 2025-08-11 5 2320
市场周讯 | 特朗普要求英特尔CEO立即辞职；TI 6万余款产品涨价；特斯拉解散Dojo 超级计算机团队

| 政策速览 1. 七部门：工业和信息化部、国家发展改革委、教育部、国家卫生健康委、国务院国资委、中国科学院、国家药监局近日发布关于推动脑机接口产业创新发展的实施意见。其中提出，突破关键脑机芯片。发展高通道、高速率脑信号采集芯片，强化模数转换、通道管理和噪声抑制，增强脑信号采集放大能力。研发高性能、超低功耗脑信号处理芯片，强化并行处理能力，推动感知、计算和调节等功能的一体化集成。研发超低功耗、高速率、高可靠的通信芯片，提升脑信号传输和抗干扰能力。 2. 美国：美国总统特朗普表示，美国将对芯片和半导体征收约100%的关税，但不针对“在美国建厂”的公司。除了苹果外，包括台积电、英伟达和格罗方德（GlobalFoundries）在内的几家顶级芯片制造商已经承诺在美国生产部分产品。而根据半导体行业协会的数据，自2020年以来，美国已经宣布了130多个投资项目，总额达6000亿美元。、 3. 上海：上海市人民政府办公厅印发《上海市具身智能产业发展实施方案》。其中提到，发挥上海自主智算芯片、本体机器人与大模型企业集聚优势，加快具身智能专用芯片、核心主板等核心零部件研制，增强软硬协同适配能力，开发匹配具身机器人本体需求的关键配套产品。推动关节模组、智能传感器、视觉相机等高价值零部件企业研发生产基地在沪落地。 4. 上海：上海市人民政府办公厅印发《上海市支持企业加强基础研究增强高质量发展新动能的若干措施》，其中指出，支持企业与政府深入实施“探索者计划”。完善“探索者计划”组织实施机制，充分发挥政府引导作用，支持企业面向经济社会发展急需领域和重大需求，聚焦底层关键科学问题，布局基础研究项目。吸纳更多集成电路、生物医药、人工智能等产业领域企业加入“探索者计划”，对重点领域企业凝练提出的紧迫急需选题动议，予以快速响应支持。 | 市场动态 5. Canalys：2025年第二季度，全球平板出货实现连续六季度增长，华为表现抢眼，跃升至第三；联想稳居上半年Chromebook市场首位。 6. 行业：2029年全球机器人市场规模将突破4000亿美元，中国市场将占据近半份额。 7. 行业：2024年全国新型储能累计装机规模达7376万千瓦/1.68亿千瓦时，占全球总装机比例超40%。 8. 行业：2024年我国北斗产业规模达5700亿元，北斗终端22亿台，超2.88亿部智能手机支持北斗定位，预期今年规模将超6000亿元，下一步发力低空经济领域。 9. 现货：据现货市场消息，以下原厂部分系列存在涨价可能：（1）TI：PMIC、DSP、数据转换器、MCU；（2）ADI：开关、多路复用器IC、线性产品、MAXIM；（3）ST：分立器件、模拟器件；（4）NXP：汽车MCU；（5）ALTERA：Cyclone、MAX系列。 10. WSTS：今年1~6月全球半导体市场规模达3460亿美元，同比增长18.9%。一季度市场规模约1670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1800亿美元，同比增长19.6%。上半年逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体则增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长 4%。 11. SIA：2025年第二季度全球半导体销售额为1797亿美元，同比增长近20%，环比增长7.8%。SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示，今年第二季度全球芯片销售依然强劲，市场同比增长主要得益于亚太和美洲市场的销售增长，预计下半年全球市场将实现年度增长。 12. 华大九天：华大九天推出先进封装版图设计解决方案Empyrean Storm。Empyrean Storm是一款专为先进封装设计打造的具备自动布线与物理验证的版图平台，可提升Chiplet布线效率。 13. 工信部：工信部发布数据，上半年，软件产品收入15441亿元，同比增长10.6%，占全行业收入比重为21.9%。其中，基础软件产品收入903亿元，同比增长13.8%；工业软件产品收入1445亿元，同比增长8.8%。上半年，信息技术服务收入48362亿元，同比增长12.9%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入7434亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的15.4%；集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%；电子商务平台技术服务收入5882亿元，同比增长10.2%。 | 上游厂商动态 14. 英特尔：美国前总统特朗普（Donald Trump）周四通过社交媒体“真相社交”发文，称英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）存在“严重的利益冲突”，并要求其“立即辞职”。他表示：“这个问题没有其他解决办法。” 15. TI：已经通知部分客户将对产品进行涨价，本次涨价每个客户涨价情况不一，但涨价品类和涨价幅度远超6月2日那次涨价。据悉，本轮涨价涉及6万多个产品料号，其中6.5%的料号涨价小于10%、37.6%的料号涨价10%~20%、14.4%的料号涨价20%~30%、41.3%的料号涨价超过30%，工业和汽车等长周期应用领域的产品涨价幅度普遍较高。 16. 安费诺：全球连接器巨头安费诺（Amphenol）即将以约105亿美元（含债务）的价格收购康普控股（CommScope Holding）旗下宽带连接和电缆部门（CCS）。全球连接器巨头安费诺（Amphenol）即将以约105亿美元（含债务）的价格收购康普控股（CommScope Holding）旗下宽带连接和电缆部门（CCS）。 17. 博世：博世集团宣布，正式完成对美国江森自控（Johnson Controls）暖通空调（HVAC）业务的收购。这笔耗资80亿美元（约74亿欧元）的交易，不仅是博世公司史上规模最大的收购案，更标志着其在能源与建筑技术领域的战略布局迈出了关键一步。 18. 英飞凌：2025财年第三季度营收为 37.04 亿欧元，利润为6.68 亿欧元，利润率18.0%。预计Q4营收将达到 39 亿欧元。在此基础上，利润率预计为17%~19%左右。 19. 安森美：2025年第二季度收入为14.687亿美元，非GAAP毛利率均为37.6%，经营活动现金流为1.843亿美元，自由现金流为1.061亿美元。 20. 博通：Broadcom现已推出 Jericho4 以太网结构路由器——一个用于分布式 AI 基础设施的平台。Jericho4 系列在大多数企业网络中并不常见。这款 ASIC 专为大规模 AI 集群而设计，这些集群的目标是 100 万个 AI 加速器，并具有线速 MACsec 加密等功能。 21. NXP：总收入：29.26 亿美元，同比降 6%，环比增 3%；GAAP 毛利率：53.4%，非公认会计准则毛利率：56.5%。其中，汽车业务：17.29 亿美元，环比增 3%，工业与物联网：5.46 亿美元，环比增 7%，移动：3.31 亿美元，环比降 2%，通信基础设施及其他：3.20 亿美元，环比增 2%。 22. 纳微：2025年Q2季度营收1450万美元，本季度的GAAP营业亏损2170万美元，2024年同期营业亏损为3110万美元，2025年第一季度营业亏损为2530万美元。此外，NVIDIA选中纳微半导体参与下一代800V HVDC数据中心电源架构开发。 23. 海思：上海海思朱雀临境显示推出 AI-Touch 触控解决方案，它专为手机触控量身打造具备防误触防水、又准又快、强抗干扰的卓越性能。AI-Touch 的技术亮点在于创新端侧 AI 核与高性能 RISC-V双核驱动模式，通过自主创新芯片设计与软件算法融合，让每一次操作都精准流畅。 24. 华大：华大电子凭借其自主研发的CIU9872B_01系列芯片产品，成功助力中国银行、工商银行、中信银行、广发银行、民生银行等多家银行发行银联-VISA双标卡。这款集银联PBOC标准与国际EMV标准于一体的芯片卡，有效解决传统磁条卡在安全性与兼容性方面短板，标志着我国金融芯片产品实现从本土化到全球化的跨越式突破。 25. 英诺赛科：推出全球首款 100V 低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化 40V 至 120V 双向 VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS 设计。 26. AMD：XILINX 16/20/28nm系列或将实行配额制，交期拉长，部分Kintex7、Virtex7或推出对华专供型号。 27. 南芯科技：发布第二代车规级HSD SC77450CQ，是国内首颗全国产供应链垂直集成工艺的高边开关产品。 28. 台积电：台积电7月销售额3231.7亿元台币，同比增长25.8%；今年前7个月累计销售额2.1万亿元台币，同比增长37.6%。 29. 中芯国际：中芯国际发布业绩，2025年二季度整体实现销售收入22.09亿美元，环比下降1.7%；毛利率为20.4%，环比下降2.1个百分点；产能利用率92.5%，环比增长了2.9个百分点。公司上半年销售收入为44.6亿美元，较去年同期增长22.0%；毛利率21.4%，较去年同期提升7.6个百分点。公司预期国际财务报告准则下的指引为：第三季度收入环比增长5%至7%，毛利率介于18%至20%的范围内。中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，从目前最新的订单状况来看，预计至少到今年10月份左右，中芯国际产能依然维持供不应求，表明客户获取市场份额的能力可以持续。因关税政策紧急拉货动作到8、9月份停止，预计到第四季度急单和拉货情况会相对变缓，但中芯国际对订单获取有很大信心。 30. 华虹：华虹半导体发布业绩，2025年第二季度销售收入5.661亿美元，同比增长18.3%，环比增长4.6%；毛利率10.9%，同比上升0.4个百分点，环比上升1.7个百分点；母公司拥有人应占利润800万美元，同比上升19.2%，环比上升112.1%。2025年第三季度指引：预计销售收入约在6.2亿美元至6.4亿美元之间，预计毛利率约在10%至12%之间。 31. 三星：三星电子已开始为组建1c DRAM生产线下达半导体设备采购订单。部分退火设备已完成订购，三星正与合作伙伴商讨沉积设备订单规模。此外，基于1c DRAM的半导体芯片封装设备供应商也在遴选中。业界预测通过此次投资，三星电子到明年上半年将形成月产能15-20万片晶圆（以投片量计）的1c DRAM生产能力。 32. AMD：AMD称提前量产MI350，预计人工智能（AI）芯片收入将在三季度增长，预计年度AI收入有望达到数百亿美元以上。 33. 英特尔：用于生产下一代“Panther Lake”、被英特尔寄予厚望的“翻身仗”制程Intel 18A良率偏低。两位知情人士称，自去年年底以来，通过18A工艺生产的PantherLake芯片中，仅有5%左右可以提供给客户。今年夏天，这一比例升至约10%，但仍远低于英特尔的量产门槛。当前良率水平远不足以支撑Panther Lake的盈利量产，若无法大幅提升，英特尔可能被迫以低利润率或亏损价销售该芯片。 | 应用端动态 34. 帕西尼：完成新一轮 A 系列融资，本轮由京东战略领投，浦耀信晔、宏兆基金、张科垚坤、上市公司新国都、北京昌平先进能源制造产业直投基金、财鑫资本、复琢投资跟投，老股东湖南财信产业基金、钧犀资本、TCL创投、毅达资本持续加码，庚辛资本中国继续担任独家战略财务顾问。帕西尼全球首创的 6D 霍尔阵列传感技术能以每秒数百万次的高频率对多层嵌套磁场阵列分布进行高精度采集，经传感器内封装的非线性力学反演算法处理，最终以极高的可靠性与 1000Hz 的频率输出精细的六维力触觉及其分布信息。帕西尼在短短 4 个月内，已狂揽 10 亿元人民币，刷新了全球相关领域的融资规模与融资速度，进一步夯实了其在该赛道的绝对领先地位。 35. 特斯拉：特斯拉将解散其 Dojo 超级计算机团队，其负责人也将离职，这将颠覆该汽车制造商开发无人驾驶技术内部芯片的努力。Dojo 项目负责人彼得·班农 (Peter Bannon) 即将离职，CEO埃隆·马斯克已下令停止该项目，约 20 名员工跳槽至新成立的 DensityAI，剩余的 Dojo 员工将被调往特斯拉内部的其他数据中心和计算项目。 36. 长安汽车：中国长安汽车集团有限公司在渝成立，着力智能汽车机器人、飞行汽车、具身智能等领域，加快开拓东南亚、中东非洲、中南美洲、欧亚、欧洲五大区域市场。

半导体

芯查查资讯 . 2025-08-11 1 2575
RISC-V | 芯片上车，国产厂商已经走在了前面

重点内容速览： 1. 紫荆半导体：长城汽车的RISC-V先锋 2. 二进制半导体：央企联合的高可靠性探索 3. 芯来科技：RISC-V车规IP的“破冰者”，定义安全与标准 4. 奕斯伟计算：构筑“RISC-V + AI”计算矩阵，赋能智能汽车场景 RISC-V已经在消费领域，尤其是个人音频、智能穿戴领域发展良好，在工业通用控制领域也在积极布局，但在高门槛、高附加值的汽车应用和高性能计算领域占比还比较低，这也说明在这两个领域RISC-V的发展空间更大。芯查查上周的文章介绍了RISC-V在高性能计算领域的发展情况。这篇文章将主要介绍RISC-V在汽车应用领域的进度。图：RISC-V渗透率持续快速增长（来源：Omdia） RISC-V芯片上车是大势所趋，而且自2024年下半年开始已经按下了加速键。目前在RISC-V的车规级IP方面，已经有多家厂商推出了相关产品。比如SiFive的E6-A、E7-A、S7-A（64位）、X200-A（64位）、X280-A等；晶心科技（Andes）的N25F-SE、D25F-SE、D23-SE、D45-SE；阿里巴巴达摩院旗下的玄铁R910/R908（A）；芯来科技的NA300/900等；以及奕斯伟计算的S500A（64位）、R520A、R500A、E330A、E320A、E302A等。可以看到，这些厂商当中大部分都是国产厂商。其实，不仅是IP，在芯片端，国产厂商也已经走在了前面。在英飞凌今年3月宣布，未来几年将会推出基于RISC-V的全新汽车微控制器，新产品将纳入其汽车MCU品牌AURIX系列；德国博世才开始评估RISC-V在ESP系统中的替代方案时，国产半导体厂商的RISC-V车规级芯片已经量产流片成功，准备在汽车上试点了，最快2026年Q1就会上车了。紫荆半导体：长城汽车的RISC-V先锋长城汽车孵化的南京紫荆半导体有限公司（简称紫荆半导体，Cercis-Semi）于2024年11月29日成立，专注于RISC-V车规级芯片的设计，其产品不仅给长城使用，也会供应整个汽车行业。紫荆半导体首席战略官许兴奎在不久前的RISC-V中国峰会上表示，紫荆半导体的第一目标是通过自研产品实现全栈可控的RISC-V车规级芯片供应；第二个目标是2028年以后，通过并购、合作，实现IPO的目标；最终将紫荆半导体打造成一个平台型的芯片供应商。其自研产品方面主要集中在MCU、模拟芯片和域控SoC。据他介绍，其旗舰产品“紫荆M100”是一款32位RISC-V MCU，符合ISO 26262 ASIL-B安全等级，支持国密HSM、ISO 21434标准和AEC-Q100 Grade 1认证。紫荆M100采用4级流水线架构，性能提升38%，增强型ESD设计（HBM±8kV，CDM±2000V）满足越野场景需求，实现CPU核、核心IP和配套软件100%自主研发。图片来源：紫荆半导体紫荆M100的研发速度创行业纪录： 6个月完成FPGA点亮，12个月实现流片，6个月完成ASIL-D开发流程。据悉，目前紫荆M100量产芯片已经下线，正在封装测试，预计9月份上车测试，计划2026年Q1完成上车任务。除了M100，紫荆半导体还在规划M200，M300产品的研发。其中M200将采用40nm工艺，计划2026年年底实现交付，应用于T-Box更复杂的场景；M300预计今年年底将会启动研发，应用于动力底盘应用。二进制半导体：央企联合的高可靠性探索作为由中国信科与东风汽车两大央企联合孵化的“国家队”选手，武汉二进制半导体自成立之初就肩负着推动车规MCU产业化的重任。二进制研发团队从2017年开始切换到RISC-V赛道，并于2019年研发成功了RISC-V架构的工业控制MCU，2021年研发过工业交换的SoC产品。在2024年11月正式推出RISC-V架构的全流程自主可控的高性能MCU芯片DF30。据悉，DF30这款车规级MCU是由东风汽车定义，二进制半导体负责设计的一款RISC-V产品。它采用了芯来科技NA900系列处理器IP、使用多核锁步处理器、最高主频为350MHz、采用了国内40nm车规工艺，全流程国内闭环，功能安全等级达到了ASIL-D，具有低功耗、高规格及国民商等多种安全加密算法。在二进制半导体CTO陈永洲看来，在技术创新上，DF30实现了四大关键突破：首先，基于开源RISC-V架构，显著提升了开发与调试的速度和灵活性；其次，通过算法、硬件与软件的深度融合，构建了多重安全机制下的可信执行环境；再者，它支持高性能的定时管理单元、高精度的PWM波形调制，以及可编程的MCS内核，能实现复杂的8线程控制；最后，也是至关重要的一点，DF30是国产先进工艺的首次车规级应用，标志着从设计到制造的全面自主。 DF30不仅仅是一款新产品的发布，更是对“全流程自主可控”的一次全面实践。陈永洲强调，这款芯片实现了高达ASIL-D级别的功能安全，通过了严苛的AECQ100认证，并采用了先进的多核锁步处理器架构。在技术创新上，DF30实现了四大关键突破：首先，基于开源RISC-V架构，显著提升了开发与调试的速度和灵活性；其次，通过算法、硬件与软件的深度融合，构建了多重安全机制下的可信执行环境；再者，它支持高性能的定时管理单元、高精度的PWM波形调制以及可编程的MCS内核，能实现复杂的8线程控制；最后，也是至关重要的一点，DF30是国产先进工艺的首次车规级应用，标志着从设计到制造的全面自主。为了确保DF30的可靠性，二进制团队对其进行了包含295项基础、压力和应用测试在内的系统性验证，并成功完成了上车的冬季实地摸底测试，证明了其在极低温环境下的稳定、可靠与安全性。目前，团队正积极筹备夏季热区测试，为大规模量产铺平最后道路。在推动产业化方面，二进制半导体深知“孤木不成林”的道理。公司同步释放了OS、MCAL、SDK等全套AUTOSAR软件及其配套开发环境，目前已联合多家头部企业完成了发动机和安全气囊控制器的开发，极大地缩短了客户的应用开发周期。同时，二进制积极投身于RISC-V生态共建，从修复Linux Kernel的BUG，到推动完善国产AUTOSAR生态，再到联合伙伴优化编译器工具（使编译负载率降低12%），全方位地为RISC-V在汽车领域的繁荣贡献力量。陈永洲最后呼吁，RISC-V车规生态的成熟需要全行业的协同攻坚，共同推动一个真正自主可控的中国“芯”体系的构建。芯来科技：RISC-V车规IP的“破冰者”，定义安全与标准在产业链的上游，作为一家纯粹的CPU IP供应商，芯来科技扮演了RISC-V车规生态“破冰者”和“奠基人”的角色。芯来科技目前有3款针对汽车应用的RISC-V内核IP产品，分别是NA300、NA900和NA1000，其中NA9000对标Arm的R52、A55系列内核，NA1000对标Arm的A76、A78内核。芯来科技汽车电子产品经理范添彬表示，虽然近几年来国内车规芯片厂商比较多，但车规IP并不多，无论是功能安全的ISO26262标准，还是真正的量产，车规IP相对可参考的经验比较少，成熟方案就更少了。对于新兴的RISC-V架构而言，一张权威的功能安全认证证书是进入汽车行业的“敲门砖”，它能极大降低客户的解释成本和集成风险。为了拿到这张“入场券”，芯来科技针对不同的安全等级，提供了精细化的解决方案： ASIL-D方案：采用物理上“硬碰硬”的双核锁步（Lock-Step）机制。这种方案虽然在诊断覆盖率上无懈可击，能达到99%，但会带来约2.5倍的面积增加，因此更适用于对成本不极度敏感的核心安全控制器。 ASIL-B方案：则是一种更为精巧的软硬件结合方案。硬件层面，通过ECC、关键寄存器备份等方式处理随机硬件失效和软失效；软件层面，芯来提供了一套强大的软件自测库（STL），通过在CPU运行时注入自检程序，来周期性地诊断硬件的健康状况，确保在不大幅增加硬件成本的前提下，达到超过90%的故障诊断覆盖率。一系列成就的背后，是芯来科技对ISO 26262标准的深刻理解和严格遵循。他们创新性地将整车厂的FMEA（失效模式与影响分析）方法论应用到了IP的微架构设计中，对每一个子模块的失效模式都进行了详尽的分析和验证关联，并建立了完整的CPU开发V模型，确保了产品的最高质量。目前，芯来的NA系列车规IP已获得18家客户的正式授权，其中4家已实现大规模量产，其IP方案被广泛应用于东风DF30、矽力杰SA32D6等真实的车规芯片中，覆盖了除自动驾驶主控A核外的绝大多数车身、底盘和网关控制场景。奕斯伟计算：构筑“RISC-V + AI”计算矩阵，赋能智能汽车场景与聚焦于MCU的二进制和紫荆不同，北京奕斯伟计算则展示了其作为智能解决方案提供商的广阔视野。在智能汽车场景，奕斯伟计算可提供智能座舱、智能控制解决方案。其中，智能座舱解决方案通过RISC-V技术矩阵打通从图像采集到屏幕显示完整链条，提供涵盖车载视觉感知、通信连接及人机交互的整体解决方案；智能控制解决方案涵盖采用自研RISC-V内核的车载通用MCU和车载电机专用MCU，具有外设接口丰富、实时控制精度高、强容错与安全保障、轻量级AI应用等优势，可应用于车门、车窗、安全带、座椅等。图：奕斯伟计算展示的智能汽车解决方案也就是说，奕斯伟计算的产品布局覆盖了从感知、连接、通用控制到区域控制器的多个关键领域，其核心竞争力在于能够利用一个成熟的技术平台，快速开发出针对不同应用场景、且均达到ASIL-B功能安全等级的系列化芯片。在IP产品方面，奕斯伟计算的RISC-V内核IP R500A在今年6月份通过了德国莱茵TÜV颁发的ASIL-B功能安全认证，成为全球首个通过德国莱茵TÜV ASIL-B 功能安全认证的RISC-V 内核。 R500A是一款高性能32位RISC-V车规级实时内核产品。其CoreMark性能高达5.794 CoreMarks/MHz，即在每兆赫兹主频下可实现约 5.794 分的计算性能，DMIPS在legal和best分别达到2.552、7.297DMIPS/MHz。凭借精简高效的架构设计，R500A在实时性、低延迟及安全隔离性上表现卓越。结语除了上面提到的这些公司，SiFive、晶心科技、阿里巴巴达摩院的玄铁团队、国芯科技等也是RISC-V车规级芯片的重要参与者。此外，还有更多生态链的企业，比如经纬恒润、普华、兆松科技、IAR System、知从科技等多家企业也都在为RISC-V芯片上车在做着努力。可以预见的是，未来几年将会有更多的RISC-V芯片会在汽车上出现，而中国企业在RISC-V汽车电子赛道上已经全面布局和深度耕耘，这展示出他们不仅是技术的追随者，更是标准的参与者和生态的共建者。更预示着，一个由中国企业深度参与并塑造的RISC-V汽车电子新生态正破土而出，蓄势待发。

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芯查查资讯 . 2025-08-11 1 3875
展会 | 2025年PCIM Asia Shanghai国际研讨会聚焦电力电子关键应用，共话行业未来发展

亚洲电力电子业界的年度学术会议，PCIM Asia Shanghai国际研讨会将于九月重返上海。本届国际研讨会将聚焦碳化硅、氮化镓、电机驱动和运动控制等热门话题及前沿技术，齐聚业界领袖、技术专家、科研学者分享先进技术解决方案，展望行业未来发展趋势。今年研讨会更设立与演讲者对话专区，为参与各方提供一个专业、开放且高效的交流平台，进一步深化各方的互动与合作。作为亚洲电力电子业界的学术盛会，PCIM Asia Shanghai国际研讨会每年都会与上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（PCIM Asia Shanghai）同期举行。研讨会专注探索运动控制系统、电源和电力供应解决方案等行业热门话题。其中，电力电子元件及系统、电力转换、智能运动相关的前沿技术和行业趋势都将在研讨会期间得以展示。来自电子行业、应用领域以及科研院所的一众业界精英将于现场分享他们的真知灼见，共议行业未来。 2025年研讨会将有95场演讲，深入探索电力电子于不同领域的应用、先进技术与发展。研讨会将设置主题演讲、口述专场、墙报交流专场、特邀演讲共四大报告形式，满足参与各方多样化的交流需求，打造精彩纷呈的知识共享平台。主题演讲主题演讲将聚焦电力电子领域的前沿发展，围绕数据中心、芯片供电和新能源汽车三大应用场景，探讨能效提升、功率密度优化及可靠性增强等方面的技术突破：华为数字能源侯召政先生将探讨AI数据中心供电架构的演进趋势，分析从高压输入到芯片供电链路的解决方案。剑桥大学龙腾教授将分享高密高效智算芯片供电电源技术，解析如何通过先进电力电子技术满足高性能处理器挑战性的供电需求。苏州汇川联合动力刘畅先生将阐述电动汽车电力电子变换器的技术演进，从系统架构到制造工艺全方位展望未来发展方向。特邀演讲：“功率芯粒技术—面向未来电力电子的超高功率密度平台” 本场特邀演讲将首次提出“电源芯粒（Power Chiplet）”创新概念，作为应对AI服务器、电动汽车车载充电器等领域对元器件小型化日益增长需求的新一代解决方案。演讲由九州工业大学大村一郎教授组织、富士电机藤岛直人先生主持，汇聚了来自中日欧的杰出专家学者，共同探讨芯片嵌入式PCB技术实现超高功率密度和系统集成的创新路径，为突破摩尔定律限制、降低成本并实现异构集成提供了全新思路。九州工业大学大村一郎教授将分享下一代电力电子系统的电源芯片技术； Fraunhofer研究所的Lars Boettcher博士介绍碳化硅MOSFET集成的高性能功率模块； Aoi Electronics的Yoshiaki Aizawa先生分享面向AI和汽车应用的芯片嵌入式面板级电源封装；珠海越亚半导体的冯磊先生则解析电源芯片模组的先进封装方案。口述专场及墙报交流专场亮点口述专场及墙报交流专场将云集来自富士电机、哈尔滨工业大学、三菱电机、同济大学、英飞凌等龙头企业与知名学府的专家学者。他们将分享来自产业界和学术界的优秀论文，围绕硅器件、电动汽车、功率转换、宽禁带功率器件技术、封装、外围元件和电路、智能电网等热门主题展开交流讨论，探索一系列电力电子业界关键细分领域的先进产品、技术突破以及前沿研究的应用与创新，为参与各方搭建沟通桥梁，推动产业知识共享。与演讲者对话专区：深度交流，共筑行业未来本届研讨会特别设立了与演讲者对话专区，演讲人的专业分享将突破传统的单向输出交流形式。专区将为演讲嘉宾提供专属展台，为演讲嘉宾与参会观众搭建更直接、深入的互动平台，促进产学研交流对话。听众可以就演讲中的关键内容、行业热点问题或个人关注的领域，向演讲人提出针对性的问题，分享自身的见解与经验，与一众行业领袖建立长效合作纽带，让创新想法在现场转化为商业机遇。四大奖项表彰电力电子行业杰出成就 PCIM Asia Shanghai国际研讨会将继续颁发多个奖项，表彰为电力电子领域创新及持续发展作出重要贡献的人士。研讨会顾问专家将从创新性、严谨性、应用价值等方面进行评分，最终从95篇优秀投稿中评选出最佳论文奖（由三菱电机赞助）、青年工程师奖（由赛米控丹佛斯赞助）和高校科学家奖（由英飞凌科技赞助）三大奖项的得奖者。另外，本届研讨会也新设置优秀墙报奖，由专场主持人根据演讲人的论文、墙报、现场展示、专业知识及问答情况，当场评选并颁发奖金、奖杯和奖状，以嘉奖墙报演讲人。 2025年PCIM Asia Shanghai国际研讨会观众报名登记现已开放，8月31日前报名更可享早鸟优惠，欢迎有兴趣参与人士登入：https://qr.messefrankfurt.com/03da5报名参会。更多演讲人介绍请浏览https://pcimasia-shanghai.cn.messefrankfurt.com/shanghai/zh-cn/programme-events/pcim-asia-conference.html或关注微信公众号：PCIM电子电力新时代欲了解更多有关PCIM AsiaShanghai的详情，请浏览www.pcimasia-shanghai.com或电邮至pcimasia@china.messefrankfurt.com。 PCIM Asia Shanghai由广州光亚法兰克福展览有限公司和德国美赛高法兰克福展览有限公司联合举办。展会同时也是PCIM品牌一系列全球展会的成员之一，该品牌的其他展会包括： PCIM Asia New Delhi Conference：2025年12月9至10日，印度，新德里 PCIM Expo & Conference—PCIM国际电力组件、可再生能源管理展览会暨研讨会：2026年6月9至11日，德国，纽伦堡 PCIM Asia Shenzhen—深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会：2026年8月26至28日，中国，深圳

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PCIM . 2025-08-08 1525
产品 | 精准时钟，驱动未来 —— 澜起科技重磅发布多款高性能时钟芯片

澜起科技今日正式宣布，继时钟发生器芯片成功量产后，公司旗下时钟缓冲器和展频振荡器产品已正式进入客户送样阶段。该系列时钟产品凭借高性能、低功耗及易用性等核心优势，将为人工智能、高速通信、工业控制等关键领域提供精准、可靠的时钟信号支撑。作为电子系统的“心脏”，时钟芯片产生的脉冲信号是系统运行的基石，其信号质量直接决定了系统的稳定性与可靠性。澜起科技依托在数模混合芯片设计、核心I/O技术和PLL模块等关键技术的深厚积累和技术创新，成功研发出性能达到国际领先水平的时钟芯片系列产品，为多领域电子系统构建从源头到终端的完整时钟树解决方案，赋能系统高效稳定运行。产品类型：时钟发生器：支持最高4路独立差分输出，提供业界领先的高精度时钟源。时钟缓冲器：具备4至10路可扩展输出，实现信号无损分配。展频振荡器：通过先进的展频技术，有效抑制电磁干扰 (EMI)，显著提升系统稳定性。核心优势：采用先进的数模混合架构，实现了业界领先的超低输出相位噪声。每个输出通道均支持独立配置I/O类型、驱动能力、电压值、输出频率及展频参数，能够精准匹配不同接收端的需求。显著提升信号完整性，有效降低系统功耗与设计复杂度。随着人工智能算力需求的爆发式增长、5G通信的持续升级以及工业自动化程度的不断深化，市场对时钟信号的精度与稳定性提出了越来越严苛的要求。澜起科技的时钟芯片产品凭借高可靠性、超低抖动和广泛的适配能力，已成功通过多家头部客户的严格测试验证。未来，该系列产品将广泛应用于人工智能服务器与数据中心、通信基础设施、工业控制设备、消费电子及汽车电子等领域。澜起科技总裁Stephen Tai先生表示：“时钟芯片是数字系统的脉搏，精准的时序信号是系统稳定运行的基石。澜起科技通过持续的技术创新，为客户提供兼具卓越性能与高度灵活性的解决方案。此次系列产品的成功发布，标志着澜起科技在高精度时钟芯片领域迈出了关键的一步。未来，我们将持续深耕核心技术，以客户需求为导向，助力千行百业加速实现数字化与智能化的转型升级。”

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澜起科技 . 2025-08-08 1 5105
企业 | 特斯拉解散Dojo团队

知情人士透露，特斯拉将解散其 Dojo 超级计算机团队，其负责人也将离职，这将颠覆该汽车制造商开发无人驾驶技术内部芯片的努力。据不愿透露姓名、因讨论内部事务而不愿透露姓名的消息人士透露，Dojo 项目负责人彼得·班农 (Peter Bannon) 即将离职，首席执行官埃隆·马斯克 (Elon Musk) 已下令停止该项目。消息人士称，该团队最近有约 20 名员工跳槽至新成立的 DensityAI，剩余的 Dojo 员工将被调往特斯拉内部的其他数据中心和计算项目。消息人士称，特斯拉计划增加对外部技术合作伙伴的依赖，包括用于计算的 Nvidia 和 Advanced Micro Devices，以及用于芯片制造的三星电子。据彭博社本周报道，即将正式亮相的DensityAI正在研发芯片、硬件和软件，用于驱动人工智能数据中心，这些数据中心可用于机器人、人工智能代理、汽车应用等多个领域。该公司由Dojo前负责人Ganesh Venkataramanan以及特斯拉前员工Bill Chang和Ben Floering创立。彭博社报道后，特斯拉股价延续盘后跌势，截至纽约时间下午 5 点 29 分，跌幅不到 1%。今年，特斯拉面临着核心人才的流失，因为它面临着日益激烈的竞争、销量下滑以及消费者对马斯克政治活动的强烈不满。Optimus 工程主管米兰·科瓦奇 (Milan Kovac) 和软件工程副总裁戴维·刘 (David Lau) 已于今年早些时候离职，而彭博社在 6 月份报道称，马斯克的长期密友奥米德·阿夫沙尔 (Omead Afshar) 也突然离职。这家电动汽车制造商上个月与三星达成了一项价值 165 亿美元的协议，以确保到 2033 年为止的人工智能半导体供应。该计划是利用即将在德克萨斯州建立的工厂来生产特斯拉的下一代 AI6 芯片，从而使特斯拉的采购渠道多元化，不再局限于领先的芯片制造商台湾半导体制造公司。马斯克在特斯拉最近一次季度财报电话会议上暗示了一项战略转型，暗示公司未来内部技术的迭代可能会与合作伙伴的技术融合。“考虑到Dojo 3和AI6推理芯片，直觉上，我们希望在那里找到融合点，也就是基本上是同一款芯片，”马斯克在7月23日的电话会议上表示。特斯拉首席执行官去年承认，公司可能不会永远追求 Dojo，而是更多地依赖外部合作伙伴。 “我们正在寻求英伟达和 Dojo 的双轨发展，”马斯克在 2024 年 1 月表示。“但我认为 Dojo 的前景渺茫。但值得一试，因为回报可能非常高。” 特斯拉Dojo回顾埃隆·马斯克不想让特斯拉仅仅成为一家汽车制造商。他希望特斯拉成为一家人工智能公司，一家搞清楚如何让汽车实现自动驾驶的公司。对这项任务至关重要的是Dojo，这是特斯拉定制的超级计算机，旨在训练其全自动驾驶 (FSD) 神经网络。FSD 实际上并非完全自动驾驶；它可以执行部分自动驾驶任务，但仍然需要驾驶员保持专注。但特斯拉认为，随着数据、计算能力和训练的不断提升，它可以从近乎自动驾驶迈向完全自动驾驶。这就是 Dojo 的作用所在。马斯克一直在调侃 Dojo，但这位高管在 2024 年期间一直在加紧讨论这款超级计算机。如今已是 2025 年，另一台名为 Cortex 的超级计算机也加入了讨论，但 Dojo 对特斯拉的重要性或许依然生死攸关——随着电动汽车销量下滑，投资者希望特斯拉能够实现自动驾驶。以下是 Dojo 的提及和承诺时间线。 2019，首次提及 Dojo 当年4月22日——在特斯拉自动驾驶日（Autonomy Day）上，这家汽车制造商的人工智能团队登台演讲，探讨了自动驾驶和全自动驾驶，以及驱动两者的人工智能。该公司分享了特斯拉专为神经网络和自动驾驶汽车设计的定制芯片的信息。发布会上，马斯克透露 Dojo 是一台用于训练人工智能的超级计算机。他还指出，届时生产的所有特斯拉汽车都将配备实现完全自动驾驶所需的所有硬件，只需进行软件更新即可。 2020 年，马斯克开始 Dojo 路演 2 月 2 日——马斯克表示，特斯拉很快将在全球拥有超过一百万辆联网汽车，这些汽车配备了实现完全自动驾驶所需的传感器和计算能力，并大力宣传 Dojo 的功能。我们的训练超级计算机 Dojo 将能够处理海量视频训练数据，并高效运行具有海量参数、充足内存和超高核心间带宽的超空间阵列。稍后我们将详细介绍。 8月14日—— 马斯克重申特斯拉计划开发一款名为Dojo的神经网络训练计算机，旨在“处理真正海量的视频数据”，并称其为“一头野兽”。他还表示，Dojo的第一个版本“大约需要一年时间”才能发布，这意味着它的发布日期将在2021年8月左右。 12月 31日 ——埃隆表示， Dojo并非必需，但它会让自动驾驶变得更好。“仅仅比人类驾驶员更安全是不够的，Autopilot最终需要比人类驾驶员安全10倍以上。” 2021年，特斯拉正式推出 Dojo 8月19日——特斯拉在首届“AI Day”上正式宣布推出Dojo超级计算机，旨在吸引工程师加入特斯拉的AI团队。特斯拉还推出了其D1芯片，并表示将与英伟达的GPU一起为Dojo超级计算机提供动力。特斯拉指出，其AI集群将容纳3000块D1芯片。 10 月 12 日——特斯拉发布Dojo 技术白皮书，题为“特斯拉可配置浮点格式和算法指南”。该白皮书概述了一种新型二进制浮点算法的技术标准，该算法用于深度学习神经网络，可以“完全以软件、完全以硬件或任何软件和硬件的组合”实现。 2022年。特斯拉公布 Dojo 进展 8 月 12 日——马斯克表示，特斯拉将“逐步采用 Dojo。明年将不再需要购买那么多增量 GPU。” 9月30日——在特斯拉第二届人工智能日（AI Day）上，该公司宣布已安装首个Dojo机柜，并进行了2.2兆瓦的负载测试。特斯拉表示，他们每天构建一块芯片（由25块D1芯片组成）。特斯拉在台上演示了Dojo，并运行稳定扩散模型，创建了一幅由AI生成的“火星赛博卡车”图像。重要的是，该公司设定了完整的 Exapod 集群完成目标日期，即 2023 年第一季度，并表示计划在帕洛阿尔托建造总共 7 个 Exapod。 2023年。“不太可能的赌注” 4 月 19 日——马斯克在特斯拉第一季度财报发布会上告诉投资者，Dojo“有可能将培训成本提高一个数量级”，并且“有可能成为一种可销售的服务，我们会像亚马逊网络服务提供网络服务一样向其他公司提供这种服务”。马斯克还指出，他“将 Dojo 视为一种不太可能成功的赌注”，但“值得一试”。 6月21日——特斯拉AI X账号发布消息称，该公司的神经网络已经应用于客户车辆。该帖子包含一张图表，展示了特斯拉当前和预计的计算能力时间表，其中显示Dojo将于2023年7月投产，但目前尚不清楚这指的是D1芯片还是超级计算机本身。马斯克当天表示，Dojo已经上线并在特斯拉数据中心运行任务。该公司还预测，到 2024 年 2 月左右，特斯拉的计算能力将跻身全球前五（没有迹象表明这一预测成功），到 2024 年 10 月，特斯拉的计算能力将达到 100 exaflops。 7月19日——特斯拉在第二季度财报中指出，Dojo电动汽车已开始生产。马斯克还表示，特斯拉计划到2024年在Dojo上投入超过10亿美元。 9月6日——马斯克在X上发帖称，特斯拉受到AI训练计算能力的限制，但英伟达和Dojo将解决这个问题。他表示，管理特斯拉每天从其汽车获取的约1600亿帧视频数据极其困难。 2024年，扩大规模的计划 1月24日——在特斯拉第四季度及全年财报电话会议上，马斯克再次承认Dojo是一个高风险、高回报的项目。他还表示，特斯拉正在“走Nvidia和Dojo的双轨路线”，“Dojo正在发挥作用”，并且“正在开展训练工作”。他指出，特斯拉正在扩大Dojo的规模，并制定了“Dojo 1.5、Dojo 2、Dojo 3等一系列计划”。 1月26日——特斯拉宣布计划斥资5亿美元在布法罗建造一台Dojo超级计算机。马斯克随后淡化了这笔投资的重要性，他在X上发帖称，虽然5亿美元是一笔巨款，但“仅相当于英伟达的10k H100系统。特斯拉今年在英伟达硬件上的投入将超过这个数字。目前，在人工智能领域保持竞争力的门槛至少是每年数十亿美元。” 4 月 30 日——据 IEEE Spectrum 报道，在台积电的北美技术研讨会上，该公司表示 Dojo 的下一代训练模块 — — D2 已经投入生产，该模块将整个 Dojo 模块放在一块硅晶片上，而不是连接 25 块芯片来制作一块模块。 5 月 20 日——马斯克指出，Giga Texas 工厂扩建的后部将包括建造“超密集、水冷超级计算机集群”。 6月4日——CNBC报道称，马斯克将为特斯拉预留的数千块英伟达芯片转给了X和xAI。马斯克最初否认该报道不实，但在X上发帖称，由于德州超级工厂（Giga Texas）南扩建工程仍在继续，特斯拉没有地方发送这些英伟达芯片，“所以它们只能放在仓库里”。他指出，该扩建工程将“容纳5万辆用于全自动驾驶（FSD）训练的H100芯片”。他还发帖称： “我之前说过，特斯拉今年将在人工智能方面投入约 100 亿美元，其中约一半用于内部支出，主要是特斯拉设计的人工智能推理计算机和所有车型的传感器，以及 Dojo。用于构建人工智能训练超级集群的 Nvidia 硬件约占总成本的三分之二。我目前对特斯拉今年收购 Nvidia 硬件的最佳预测是 30 亿至 40 亿美元。” 7月1日——马斯克在特斯拉X上透露，目前的特斯拉汽车可能没有合适的硬件来支持该公司的下一代AI模型。他表示，如果不升级车辆推理计算机，“下一代AI的参数数量增加约5倍”将“非常难以实现”。 NVIDIA 供应挑战 7 月 23 日——在特斯拉第二季度财报电话会议上，马斯克表示，对 Nvidia 硬件的需求“如此之高，以至于通常很难获得 GPU”。 “因此，我认为我们需要在 Dojo 上投入更多精力，以确保我们拥有所需的训练能力，”马斯克说道，“我们确实看到了 Dojo 能够与英伟达竞争的潜力。” 特斯拉投资者演示文稿中的一张图表预测，到2024年底，特斯拉的AI训练能力将从6月份的约4万个提升至约9万个H100 GPU。当天晚些时候，马斯克在X上发布消息称，Dojo 1“到年底将拥有约8000个H100 GPU的在线训练能力”。他还发布了这台超级计算机的照片，它似乎采用了与特斯拉Cybertruck相同的类似冰箱的不锈钢外壳。从 Dojo 到 Cortex 7 月 30 日—— 马斯克在回复某人的帖子时表示，AI5 距离大规模生产还有大约 18 个月的时间，该帖子声称要成立一个“特斯拉 HW4/AI4 车主对 AI5 推出时落后感到愤怒”的俱乐部。 8 月 3 日——马斯克在 X 上发帖称，他参观了“Giga Texas（又名 Cortex）的特斯拉超级计算集群”。他指出，该集群将由大约 100,000 个 H100/H200 Nvidia GPU 组成，并“拥有用于 FSD 和 Optimus 视频训练的海量存储空间”。 8 月 26 日——马斯克在 X 上发布了Cortex 的视频，他将其称为“正在奥斯汀特斯拉总部建造的巨型新型 AI 训练超级集群，旨在解决现实世界的 AI 问题”。 2025 年，Dojo 不再更新 1月29日——特斯拉在2024年第四季度及全年财报电话会议上并未提及Dojo。不过，特斯拉在奥斯汀超级工厂的全新AI训练超级集群Cortex却亮相了。特斯拉在股东大会上指出，Cortex已完成部署，该集群由约5万块H100 Nvidia GPU组成。信中写道：“Cortex 帮助实现了 FSD（监督式）的 V13，由于数据量增加了 4.2 倍、视频输入分辨率更高……以及其他增强功能，其安全性和舒适性得到了重大提升。” 在电话会议中，特斯拉首席财务官 Vaibhav Taneja 指出，特斯拉加快了 Cortex 的建设，以加速 FSD V13 的推出。他表示，包括基础设施在内的 AI 相关资本支出“迄今为止已累计约 50 亿美元”。Taneja 表示，他预计 2025 年 AI 相关资本支出将持平。

特斯拉

芯视点 . 2025-08-08 1 1855
产品 | 英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN™生态系统

英诺赛科 (Innoscience) 双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比，可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET，显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统的尺寸，降低了 BOM 成本。当前，我们正在扩展组件生态系统，通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。 INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系统更小、更高效、更低成本！英诺赛科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化 40V 至 120V 双向 VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS 设计。全球首款，性能卓越超低功耗：8uA 典型静态电流，极大延长电池待机时间高速开关：具备高速开通和关断能力，能够快速响应故障保护系统强驱动力：能够驱动多颗VGaN™并联，满足大电流应用广泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制逻辑宽工作电压与高耐压：VCC提供从8V-90V的电压范围，且关键引脚耐压高标准封装：标准SOP-8封装，方便使用和贴装革命性替代，颠覆传统BMS 英诺赛科 100V 低边驱动芯片 INS1011SD 专为驱动 VGaN™而生，二者结合完美替代传统两颗或多颗背靠背SiMOS及其驱动方案，带来小型化、轻量化、降成本的系统优势。减小系统尺寸和重量： VGaN™体积小，能够以一替二，简化驱动电路；降低系统成本：减小器件数量，如MOSFET、相关驱动及PCB占板面积；提升效率： VGaN™导通电阻Rds(on)更低，开关损耗更小；简单易用：INS1011SD兼容现有主流AFE/MCU控制逻辑，方便工程师集成到现有BMS设计中多领域赋能，提升应用价值高性能 INS1011SD+双向 VGaN™，可广泛应用于电池管理系统（BMS）低边保护、储能电池包、电动交通电池保护、不间断电源和蓄电池保护以及电动工具等电池供电设备保护等，实现更小、更轻、更省、更高效的优势！至此，英诺赛科完成了从单一VGaN™系列到“ VGaN™+专用驱动”的完整解决方案的迈进，推动氮化镓技术实现更广泛、更便捷的应用，构建完善生态。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-08 1770
市场 | 2025年Q2全球智能手机营收首次突破1000亿美元，创历史同期新高

2025年第二季度全球智能手机营收同比增长10%，首次在第二季度突破1000亿美元大关。前五大品牌在2025年第二季度均实现营收同比增长，其中苹果表现最为亮眼，增幅达13% 苹果第二季度营收创历史新高，占据全球智能手机市场营收的 43%。 2025年第二季度全球智能手机平均售价（ASP）达到同期历史最高水平，同比增长7%，其中OPPO在五大品牌中ASP增幅最大，达14%。根据Counterpoint Research最新发布的市场监测服务显示，2025年第二季度全球智能手机市场营收同比增长10%，首次突破1000亿美元大关，创下第二季度历史最高纪录。相比之下，全球智能手机出货量同比增长仅3%。与此同时，2025年第二季度全球平均售价（ASP）也创下第二季度新高，同比上涨7%，接近350美元。高级分析师Shilpi Jain在评论2025年第二季度的市场动态时表示：“尽管多地仍承受宏观经济逆风，全球智能手机市场在 2025 年第二季度依旧实现了销量和营收的双重增长。随着美国关税政策逐步放松，高端设备需求在发达市场表现尤为强劲。融资渠道的拓宽、以旧换新计划的升级，以及更大力度的促销活动，共同降低了消费者进入高端市场的门槛，使高端化进程的速度超出此前预期。” 全球智能手机市场营收同比增长10%，创下第二季度历史纪录数据来源：Counterpoint 市场监测服务初步数据注：自2021年第三季度起，OPPO包含一加品牌数据；ASP以批发价格为基准关于苹果公司的业绩，研究总监Jeff Fieldhack表示：“苹果公司凭借iPhone 16系列产品在全球范围的出色表现及更广泛的全球智能手机市场高端化趋势，进一步巩固了其营收领先地位。由于关税的不确定性，本季度苹果在美国的出货节奏有所提前。与此同时，日本市场受iPhone 16e的带动实现了销售增长，使日本成为苹果增长最快的地区之一。中东、非洲和印度等新兴市场也继续保持强劲增长。” 三星在2025年第二季度继续保持全球智能手机出货量的领先地位，同时营收同比增长4%。该品牌增长主要得益于各地区对其更新的中端A系列设备的强劲需求，同时Galaxy S25系列及新增的S25 Edge机型推动了其在高端市场的销量。 OPPO的ASP在2025年第二季度同比增长14%，为前五大品牌中增幅最高，而其营收则同比增长10%。尽管出货量有所下降，但凭借Reno 13系列与Find X8等高端机型的持续t推动，OPPO实现了ASP与营收的双增长。 vivo在2025年第二季度的营收同比小幅增长4%，出货量则同比增长5%。该品牌持续在印度、中东与非洲和拉丁美洲等市场扩张，同时逐步提升其在欧洲市场的份额。展望未来， Counterpoint预计全球智能手机市场的高端化趋势将延续， 2025 年营收增幅将跑赢销量增长。此外，随着生成式人工智能（ GenAI ）手机与折叠屏机型的关注度持续上升，这两大新兴趋势有望为全球智能手机市场带来显著的增长机会。

智能手机

Counterpoint Research . 2025-08-08 2680
应用 | 智芯半导体电机驱动芯片来袭，让汽车智能座舱吸顶屏“智”启未来新视界！

随着智能汽车向“第三生活空间”演进，座舱的交互与娱乐体验成为车企竞争的新高地。吸顶屏作为提升后排乘客体验的核心部件，其智能化、轻量化、高可靠性的需求日益凸显。智芯半导体凭借自主研发的车规级电机驱动芯片Z20A8300，成功赋能国内某头部智能座舱供应商的吸顶屏折叠系统，以高精度控制、低功耗设计及功能安全认证，推动智能座舱技术升级。智能吸顶屏：座舱体验的“第二屏幕”革命吸顶屏正从单一的显示设备进化为集娱乐、办公、社交于一体的智能终端。现代吸顶屏需满足三大核心需求：空间适应性：通过电动折叠结构减少对车内空间的占用，提升天窗通透性。交互精准性：支持多角度调节，适配不同乘客的观影距离与视角。高可靠性：需通过车规认证（如AEC-Q100），确保在振动、温变等严苛环境下稳定运行。智芯半导体的电机驱动芯片Z20A8300，正是为这类高要求场景量身定制。该芯片符合AEC-Q100 Grade 1标准，支持ASIL-B功能安全等级，与智芯MCU Z20K14X及自主开发的FOC控制算法相结合,可精准控制吸顶屏的折叠电机，实现吸顶屏的丝滑转动。智芯电机驱动芯片的技术硬实力高集成度设计，简化系统架构 3个N-MOS半桥栅极驱动，死区时间可配置集成增益和偏置可配置的运放 SPI接口用于参数配置和诊断反馈支持高边N-MOS防反接保护 2. 功能安全与实时控制故障自诊断：内置过流、过热、欠压保护，实时监测电机状态，确保吸顶屏在异常情况下安全锁定。低延时响应：驱动芯片指令执行延迟＜1μs，满足座舱系统的实时性需求。 3. 电机控制算法支持采用Z20K14x实现双电机FOC算法，控制两个直流无刷电机，实现双电机同步工作。集成HALL自学习功能，自动学习电机的HALL相序以及HALL安装的偏置角度。支持闭环启动，电机无抖动启动，缓启缓停功能实现屏幕的优雅开合。集成自动纠偏功能，运行过程中自动纠正误差，实现屏幕角度精准控制。落地应用：头部供应商的联合创新智芯的电机驱动芯片已被国内某头部智能座舱供应商采用，用于其新一代吸顶屏系统。该方案具备以下亮点： 1. 智能调节：通过车机指令控制电机折叠/展开，结合乘客身高、座椅位置自动优化观影角度。 2. 精准控制: 采用双电机同步运行, 两个电机运行时的最大行程差在2个HALL信号以内，系统自动调整实现屏幕角度和位置精准控制。 3. 静音运行：动态阻尼控制技术将电机噪音降至40分贝以下，提升座舱静谧性。 4. 多屏联动：支持与中控屏、后排娱乐屏的内容共享，打造沉浸式交互体验。目前，该方案已通过国内某车厂的严苛认证，并于2025年第一季度量产。四、从“中国芯”到“世界芯” 技术对标国际：Z20A8300在性能上媲美TI、英飞凌等国际大厂产品，且成本降低30%。生态协同：智芯以芯片为支点，提供“电机驱动+控制算法+应用场景”全栈解决方案，与Tier 1客户深度共创，协同重构硬件架构、软件系统及控制算法，推动电动吸顶屏实现高质量、智能化视觉体验。未来，随着智能座舱向“场景化”演进，智芯半导体将持续迭代产品线，覆盖更多执行机构（如旋转屏、隐藏式出风口），助力车企打造差异化体验。

智芯

智芯SEMI . 2025-08-08 1765
应用 | 告别进口依赖！ZGAD250S14，国产频谱分析仪核心芯片的自主可控之选

频谱分析仪作为射频信号测量的"黄金标准"，在卫星通信、电子对抗、移动通信和电磁兼容测试等领域发挥着不可替代的作用。随着5G/6G通信、卫星互联网等技术的发展，对频谱分析仪的动态范围、分辨率和实时性提出了更高要求。本文将深入解析超外差式频谱分析仪的系统架构，重点介绍ZYNALOG徴格半导体自主研发的高速ADC芯片ZGAD250S14如何突破传统瓶颈，为现代频谱分析系统提供关键技术支持。图1：频谱分析仪频谱分析仪超外差架构的原理和特点超外差架构频谱分析仪的基本原理为：通过本地振荡器(LO)与混频器的协同工作，可将任意高频信号下变频至固定的中频(IF)进行处理，具有灵活的频率变换能力。其特点为：前端电路无需针对每个频段单独优化中频处理链可针对特定频率进行深度优化系统可覆盖从kHz到GHz的宽广频率测试范围对中频信号的处理，可分为传统的模拟中频处理和数字中频处理。传统的模拟中频一般会使用对数放大器、包络检波器、视频滤波器等，但由于其分辨率带宽高、扫描时间长，不利于更高要求的频谱分析应用。接下来着重介绍数字中频技术。数字中频技术：大幅突破RBW 传统的模拟中频受制于模拟LC和晶体滤波器，只能实现1kHz及更高的分辨率带宽(RBW)，而数字中频技术是现代频谱分析仪的重大革新，它可使最窄的分辨率带宽达到1Hz~300Hz。该技术通过高速ADC替代中频滤波后的模拟分辨率带宽滤波器，经ADC数字化后再采用数字滤波处理。这种架构革新不仅显著提升了测量速度和频率分辨率，更增强了仪器处理复杂信号的能力。图2：数字中频频谱分析仪方案 ZGAD250S14：重新定义频谱分析ADC标准 ADC作为数字中频技术核心器件，凭借高采样率和宽动态范围，可以将中频信号快速数字化。作为频谱分析仪信号链的"数字门户"，ZGAD250S14 ADC芯片以突破性性能树立行业新标杆。关键参数解析： 250Msps采样率：支持宽频带信号实时捕获 90dB SFDR：确保微小信号不被杂散干扰淹没 70dB SNR：提供卓越的信号保真度 1.8V单电源供电：简化系统电源设计 378mW超低功耗：解决高密度集成散热难题 1.5GHz全功率带宽：满足各类中频采样频率要求图3：基本功能框架实测性能展示在11MHz输入信号测试中，ZGAD250S14展现出：极高的采样精度极低的本底噪声优异的动态范围 11Mhz输入信号频率时AD性能完整信号链解决方案优化系统级设计徵格半导体提供从前端驱动到电压基准的完整信号链支持： ZYNALOG差分驱动器ZGA25XX参数 ZGA2501 ZGA2521 ZGA2511 供电电压(V) 4.7 – 5.25 4.7 – 5.25 2.7 - 5.5 3dB带宽(MHz) 2570 2570 500 压摆率（V/μs) 7800 7800 1100 静态电流(mA) 52 52 24 总谐波失真 (HD2/HD3) -87.2dB/-94.9dB -87.2dB/-94.9dB -99dB/-111dB 电压噪声(nV/√Hz)@1MHz 1.116 1.116 5 输入偏置电流 (μA) 56 56 8 温度范围(℃) -40℃to+125℃ -40℃to+125℃ -40℃to+125℃ 封装 UQFN-14 UQFN-16 SOIC8 兼容芯片 LMH6554 THS4508 THS4509 THS4511 THS4513 THS4520 AD8138 AD8139 AD8132 AD8131 THS4551 THS4521 ZYNALOG电压基准ZGR系列参数 ZGR12XX ZGR11XX ZGR10XX 温漂(ppm/℃) 5 15 30 输出电压(V) 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 供电电压(Vmax) 5.5V 5.5V 5.5V 精度(max) ±0.1% ±0.1% ±0.2% 温度范围(℃) -40℃ ～125℃ -40℃ ～125℃ -40℃ ～125℃ 封装 SOP-8 SOT23-3 SOT23-5 SOT23-6 SOT23-3 SOT23-5 SOT23-6 兼容芯片 REF50XX ADR42X ADR43X ADR44X ADR45XX REF31XX REF30XX REF33XX ZYNALOG优势一、品质可靠：每颗芯片均采用全正向设计，从架构定义到物理实现全程自主可控，确保产品的稳定性。二、出色性价比：保证芯片性能同时，对比国际大厂同类产品，价格更具优势。三、稳定交付：交付周期准时可靠，保证每一位客户供应链的安全稳定。四、技术支持：专业顶尖的设计团队提供全周期高效的客户支持。技术赋能未来我们诚邀各行业合作伙伴共同探索频谱分析技术的创新应用，携手推进中国高端测试仪器的自主化进程。

徴格半导体

徴格半导体 . 2025-08-08 1205
应用 | 应对AI智能眼镜低功耗设计挑战，引爆下一代智能终端新纪元！

随着AI与智能硬件的不断融合，AI智能眼镜已经不再是科幻作品中的产物，而是真正走进了大众生活。如今，市场上涌现出形态各异、功能丰富的AI眼镜新品，覆盖了从随身助理到健康管理的多元应用场景。操作的便捷性成为AI眼镜的一大亮点：用户无需频繁掏出手机，便可以流畅实现提词、拍摄、物体识别、实时翻译、导航、健康监测、支付等操作，其无限的应用可能性被喻为“承载人机交互应用的极佳载体”。 AI眼镜的电力挑战 AI眼镜面临的主要挑战在于电池续航能力。受限于设备本身的重量，AI眼镜所配备的电池容量通常仅为200~300mAh。为了支持多样化的应用场景，相关高性能应用处理器多采用6nm及以下的先进工艺节点。虽然该制程下的芯片具备卓越的动态运行性能，但同时带来了严重的漏电问题——随着工艺节点的微缩，芯片的漏电流呈数十倍增长。高漏电流与有限电池容量之间的矛盾显著缩短了产品的实际使用时间，对用户体验构成负面影响。 AI眼镜的主流架构当前市面上的AI眼镜解决方案主要采用两种主流架构—— "应用处理器+协处理器”架构 “应用处理器+协处理器”方案能够给用户带来更丰富的功能体验。应用处理器基于先进工艺制程，芯片偏重于高性能，通常支持高分辨率摄像头、视频编码、高性能的神经网络处理单元，Wi-Fi和蓝牙通信。协处理器通常采用成熟工艺技术芯片，芯片通常使用长通道晶体管和短通道晶体管结合，芯片侧重常开模式下低主频运行功耗和静态功耗。协处理器通常具有完整的音频接口和相当的音频处理能力，可以支持语音唤醒，语音通话和音乐播放。图像处理器GPU和显示接口可以支持矢量文字，图片的绘制，内置的AI运算处理单元还可以加速语音识别，降噪等音频算法。 “应用处理器+协处理器”架构框图 “低功耗处理器” 主控架构 “低功耗处理器” 主控方案更加注重眼镜重量、佩戴的舒适性和使用时长。重量是眼镜用户体验最核心的因素之一。低功耗处理器作为AI眼镜的主控制器可以更大规模减少外围电源器件的数量和电池体积，从而可以使眼镜重量控制在30g以内。低功耗处理器主控架构框图 i.MX RT：突破架构创新和电池续航瓶颈 i.MX RT500、i.MX RT600和i.MX RT700是恩智浦i.MX RT低功耗产品系列的三款芯片。这些芯片作为协处理器，目前被广泛应用于全球多家客户的创新AI眼镜设计中。 i.MX RT500 Fusion F1 DSP可以支持智能眼镜的语音唤醒，音乐播放和通话功能。同时, 图形处理器和显示接口最大可以支持VGA分辨率的图像显示。i.MX RT600主要作为智能眼镜的音频协处理器，最大主频600MHz的HiFi4处理器可以支持绝大多数的降噪，波束成形及唤醒算法。 i.MX RT500、i.MX RT600在芯片设计层面应用了多项低功耗技术，如I3C总线、动态电压调节、低静态功耗SRAM、工艺-电压-温度传感器、低功耗时钟源、时钟，电源域开关等。 i.MX RT700是i.MX RT系列的最新一代产品，采用双DSP（HiFi4/HiFi1）架构，支持多种复杂度的算法处理。其2.5D GPU显示控制器和MIPIDSI接口可以支持最大720P、每秒60帧图形显示。同时，i.MX RT700配备了Neutron神经网络加速单元，结合eIQ软件开发环境，能快速部署机器学习应用，极大简化客户开发流程。 i.MX RT700在低功耗设计方面实现了进一步优化，其动态功耗相比i.MX RT600降低了45%，而静态功耗仅为i.MX RT600的20%。i.MX RT700通过“精细化分区设计”实现功耗优化，片上系统分成了主计算区域（main compute domain）、传感器计算区域（sense compute domain）、媒体区域（media domain）、电源控制区域、共享区域、DSP区域及常开区域（Always-on domain）。这些区域均可通过电源开关实现独立的开启与关闭，部分区域还可根据运算频率的变化动态调节电压，实现性能与能耗的最优平衡。 AI眼镜省电秘诀：基于应用场景切换模式作为AI眼镜中的协处理器，i.MX RT700能够基于不同的应用场景，通过灵活配置电源管理和时钟域，实现角色切换：既可作为高性能多媒体数据处理的AI计算单元，也可在超低功耗状态下，作为语音输入传感器枢纽（Sensor Hub）进行数据处理。智能眼镜主要依赖语音控制实现用户交互，因此语音唤醒是使用时间最长的场景，也是决定AI眼镜电池寿命的关键。在主流方案中，协处理器需要保持激活状态以确保接收用户的语音命令，而在嘈杂环境下进行语音识别还需要降噪算法的参与。基于此用户场景，i.MX RT700可以被配置为传感器模式，此时只有HiFi1 DSP、DMA、MICFIL、SRAM、电源控制（PMC）等少数模块处于活动状态，MICFIL用于麦克风信号的采集，DMA用于麦克风信号的搬运，HiFi1 用于号的降噪和唤醒算法执行，其他芯片的内部模块都处于掉电状态。 i.MX RT700传感器枢纽模式另外，除了传感器模式的应用，低功耗无失真音频时钟源FRO, 麦克风模块的FIFO和硬件语音检测（Hardware VAD），DMA唤醒等低功耗技术也保证i.MX RT700语音唤醒场景的系统功耗可以低至1.91 mW，在持续监听的同时最大限度节省电量。对于视频显示的用户场景，i.MX RT700可以配置为“高性能模式”。在此模式下，矢量图形加速器GPU, 显示控制器（LCDIF），显示总线MIPIDSI及显示缓存xSPI2都会使能。i.MX RT700的各个外设处于高频运行模式。在“高性能模式”下，i.MX RT700也支持MIPI ULPS (Ultra Low Power State)，动态电压调节等低功耗技术。 i.MX RT700高性能图像渲染模式 i.MX RT700用到的低功耗技术还包括状态保持（State Retention Power Gated），开关电容电压转化模块（Switched Capacitor Power Converter）, 聚合电源管理（Aggregated Power Management）等等。作为AI/AR眼镜的电源管理方案，PMIC也发挥着很重要的作用。PMIC不仅可为MCU和各种外设提供电源，其所集成的DVS功能可以配合MCU实现各种复杂的高/低频率以及高/低功耗工作模式，以保证系统的整体功耗最优，电池续航时间最长。作为i.MX RT500/600的电源方案，PCA9420拥有315mA的电池充电能力，以及两路buck和两路LDO，可实现对i.MX RT500/600的电源轨全覆盖。作为i.MX RT700的电源方案，PCA9422拥有640mA电池充电能力，基于软件的电量计FLEXGAUGE™，三路buck输出，四路LDO输出，以及一个buck-boost输出，不但能够覆盖i.MX RT700的电源轨需求，还能轻松驾驭各种外设的电源需求，提供一个整体的电源管理方案。随着智能硬件与人工智能的不断融合，选择合适的低功耗高性能芯片成为产品创新的关键。i.MX RT系列凭借其深厚的技术积累，为AI眼镜等前沿应用提供了坚实的基础。本文作者尔宾，恩智浦边缘处理事业部MCU应用技术经理，毕业于北京工业大学，获通信工程学士学位、电路与系统硕士学位，于2008年加入恩智浦半导体公司后，专注于IIoT低功耗微控制器产品的应用开发和产品支持。

NXP

NXP客栈 . 2025-08-08 1 1905
技术 | 借助PCIe发展，引领数据中心的未来

随着人工智能(AI)、机器学习(ML)和云计算的发展，数据中心不得不面对爆炸式增长的数据，压力不断增长。这些工作负载需要更快、更高效的基础设施，以前所未有的速度处理和存储数据。要实现这一转型，核心在于PCIe（外围组件高速互连），这是高速数据传输的关键推动因素。随着时间推移，PCIe不断发展，已可满足现代数据中心不断增长的性能需求，成为其架构中不可或缺的一部分。但PCIe的未来是什么，它将如何继续塑造数据中心格局？借助PCIe提高数据传输率和带宽效率每一代PCIe都致力于提高数据传输速率，以支持数据密集型工作负载。例如，PCIe 6.0提供64GTps的数据传输率，比PCIe 5.0的32GTps翻了一倍，更是显著超过PCIe 2.0的5GTps。这些改进与AI/ML、云计算和大数据分析的发展保持同步，其中高带宽和低延迟至关重要。 PCIe 6.0的一个突出特性是使用PAM4（四电平脉冲幅度调制）。传统的NRZ（不归零）编码每个时钟周期传输一比特逻辑信息，而PAM4使用四个不同的电压电平，每个周期可以传输两比特逻辑信息。这样一来，PCIe 6.0能够在不增加带宽消耗的情况下将数据传输率提高一倍，这一点至关重要，因为现代工作负载需要效率，但又不能压垮现有的基础设施。 PAM4调制：为未来的PCIe世代铺平道路随着数据需求的增加，PAM4调制已成为一项基础技术，不仅体现在PCIe 6.0中，还体现在未来更迭中。它能够在不扩大带宽的情况下显著提高数据传输率，因此是带宽效率至关重要的环境的理想选择。高性能计算(HPC)和AI/ML等应用程序需要处理大量数据集，对减少延迟的要求极高。PAM4通过使吞吐量翻倍来实现这一目标，因此非常适合带宽占用大的工作负载。然而，这项技术也带来了挑战。PAM4的多个电压水平对噪声更加敏感，因此在高速下保持数据准确性更加困难。为解决这个问题，需要前向纠错(FEC)和信道均衡等技术来确保数据完整性。展望未来，随着PCIe 7.0等PCIe标准的发展，PAM4将继续在实现更快的数据传输方面发挥关键作用。利用高级解决方案解决信号完整性问题随着PCIe数据传输率的攀升，信号完整性越发成为一项巨大的挑战。高频传输会带来插入损耗、回波损耗和符号间干扰(ISI)等问题，这些问题会降低信号质量，导致数据错误和性能下降，特别是在PCIe 6.0及更高版本的高速下。 PAM4在提高数据传输率的同时，也降低了信噪比(SNR)，使得系统对噪声和信号失真更加敏感。为确保可靠的数据传输，数据中心依靠信号中继器和重定时器来辅助传输。信号中继器放大和重塑信号以抵消衰减，而重定时器则清除抖动并重新生成信号，从而提高高速信号完整性。除了信号调节，电缆解决方案对于维持信号质量也至关重要。有源电缆具有内置放大器和均衡器，有助于保持大型数据中心长距离的信号完整性。对于较短的距离，无源电缆提供了一种具有成本效益的替代方案，因为信号衰减不是什么大问题。这些解决方案协同作用，支持高速数据传输的同时也不影响性能。分离架构和AI/ML的崛起数据中心正朝着分离架构发展，其中计算、存储和网络资源被分成模块化组件。这种方法可提供更大的灵活性和可扩展性，使数据中心能够根据工作负载需求动态地分配资源。它还避免了传统整体式基础设施中出现的效率低下问题，即经常过度配置资源。 PCIe是分离架构中的关键组件，可提供连接计算、存储和网络组件所需的高速、低延迟连接。它具有可扩展性和灵活性，因此是高效连接分布式资源的理想解决方案。这对于资源密集型AI和ML工作负载尤其重要，因为它们是资源密集型的，需要以最小的延迟实现大量的数据吞吐量。PCIe可在提供高带宽的同时保持低延迟，确保数据中心能够应对日益增长的AI/ML需求，同时支持未来的技术扩展。PCIe可实现跨分离式系统的无缝数据传输，帮助数据中心管理日益复杂的工作负载。展望未来：PCIe 6.0及更高版本虽然PCIe 6.0的64 GT/s数据传输率已令人瞩目，但看起来未来能实现更快的速率。PCIe 7.0等下一代标准有望进一步推动数据传输速率，以满足AI、ML和云计算日益增长的数据需求。 PAM4调制仍将是这些进步的核心，可在不增加带宽需求的情况下实现更高的数据吞吐量。由PCI-SIG主导的全行业标准化将确保新的PCIe技术在各个系统之间顺利集成。这些标准化工作对于保持兼容性和可扩展性至关重要，使数据中心能够在不发生重大中断的情况下采用PCIe技术。 Molex莫仕实现PCIe更迭在PCIe不断更迭的背景下，高速互连对于支持现代数据中心至关重要。这些互连提供可扩展性和相应性能，可应对不断增长的工作负载，推动高效的数据处理和大吞吐量。在数据中心不断突破性能界限的过程中，Molex莫仕始终积极采用现代PCIe标准（5.0到7.0），成为高速互连领域的领军企业。Molex莫仕提供广泛的解决方案，可满足数据中心不断发展的需求，确保无缝、高速的数据传输和卓越的可靠性。 NextStream电缆组件：NextStream支持PCIe 6.0及更高版本，可为计算、AI服务器、存储和网络连接组件提供高速、低延迟的连接。这些组件采用先进的信号完整性技术，旨在最大限度地减少延迟，改善分离式数据中心的性能。此外，NextStream电缆还支持有源电缆选项（包括内部信号中继器），可满足需要更薄电缆(32 AWG/34 AWG)或需要尽量减少信号衰减的系统的严苛插入损耗要求。扩展阅读👉NearStack PCIe连接器系统：这款低型连接器系统针对PCIe 6.0进行了优化，可提供直接连接以增强信号完整性并减少延迟，支持高达64Gbps的数据传输率。其设计改善了热管理，因此是高性能计算和AI应用的理想选择。 PCIe 7.0准备就绪：Molex莫仕已经为下一代PCIe 7.0标准做好了准备，开发了相应的解决方案，可通过PAM4调制等技术提供更高的数据传输率，同时保持带宽效率。借助Molex莫仕全面的PCIe解决方案组合，数据中心架构师可以确保其基础设施能够适应未来的工作负载需求，包括AI、ML、云计算和大数据分析。Molex积累了数十年的工程专业知识并提供多种创新产品，是PCIe更迭历程中值得信赖的合作伙伴。

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Molex莫仕连接器 . 2025-08-08 1 1135
企业 | 特朗普：英特尔CEO陈立武须立即辞职没有其他解决办法

美国总统特朗普（Donald Trump）周四通过社交媒体“真相社交”发文，称英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）存在“严重的利益冲突”，并要求其“立即辞职”。他表示：“这个问题没有其他解决办法。” 这一表态源于共和党籍联邦参议员汤姆·科顿（Tom Cotton）周三致信英特尔董事会主席弗兰克·耶里（Frank D. Yeary），对陈立武与中国企业的关系及其前雇主Cadence的违规行为提出质疑。科顿的三大核心质疑 Cadence的违规记录科顿在信中询问英特尔董事会是否知晓，在聘用陈立武之前，Cadence曾因违反美国出口管制规定而收到传票。上周，Cadence承认向中国某院校出售硬件和软件，违反美国出口管制，并支付1.406亿美元罚款达成和解。美国司法部指出，Cadence在2015年至2021年期间，通过其中国子公司向中国某院校提供受管制的电子设计自动化工具，且未获得必要的出口许可。陈立武在2008年至2021年担任Cadence CEO，并担任执行董事长至2023年5月，该违规行为发生在其任职期间。陈立武在中国的投资今年4月，路透社报道称，陈立武本人或其运营的风险基金曾向数百家中国芯片及先进制造公司投资至少2亿美元。知情人士称，陈立武已从部分中国实体撤资，但具体范围尚不明确。美国法律并未禁止公民投资与中国有关联的企业，除非这些企业被明确列入美国财政部的一份中国企业管制清单。目前尚无证据表明陈立武投资了名单上的企业。英特尔参与“安全飞地计划”的潜在风险去年9月，英特尔获得拜登政府根据《芯片和科学法》提供的30亿美元资助，用于“安全飞地计划”（Secure Enclave），旨在为美国政府提供安全的半导体制造能力。科顿质疑陈立武是否充分披露其与中国企业的关系，并询问英特尔是否要求其从与中国有关联的企业撤资。他强调：“英特尔必须负责任地管理美国纳税人的钱，并遵守安全法规。” 英特尔回应英特尔发言人表示：“英特尔和陈先生坚定致力于维护美国的国家安全，以及我们在美国国防生态系统中的角色完整性。”公司称将就相关问题与科顿进一步沟通。背景延伸：美国对中国技术的持续警惕同日，七名共和党参议员联名致信美国商务部，要求评估中国开源人工智能模型（如DeepSeek）可能带来的数据安全风险，并询问这些模型是否可能向中国关联企业提供美国用户数据。参议员们已提出立法草案，拟禁止DeepSeek在美国政府设备上运行，并禁止联邦承包商使用该技术。美国商务部尚未就此置评。事件影响目前，英特尔股价尚未出现剧烈波动，但此事凸显美国政界对半导体行业高管与中国关联的高度敏感。在中美科技竞争加剧的背景下，类似审查可能成为常态。

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