FT32F030F6AP7高性能国产32位RISC内核MCU兼容STM32F030K6TP7
FT32F030F6AP7是辉芒微FT32F030xx系列中的入门级型号，采用TSSOP-20小型封装，主打低成本、低功耗、高兼容三大卖点。对于熟悉STM32的开发者而言，这颗芯片最大的吸引力在于寄存器级兼容STM32F030K6TP7——这意味着现有的STM32代码库、开发工具链（如Keil MDK、STM32CubeMX）几乎可以无缝迁移，大幅降低国产替代的学习成本。 核心规格速览： 参数 规格 内核 ARM Cortex-M0，72MHz主频 Flash 32KB SRAM 4KB 供电电压 2.0V ~ 5.5V（宽压设计） 封装 TSSOP-20（3mm×6.5mm） 工作温度 -40°C ~ +105°C 关键外设与特色功能 1. 时钟系统：灵活且精准 芯片内置多路时钟源，可根据应用场景灵活选择： HSI48：48MHz高频内部RC，精度±1%，适合USB或无晶振应用 HSI8/HSI14：8MHz和14MHz内部RC，快速启动 HSE：支持4~32MHz外部晶振 LSE：32.768kHz低速晶振，专为RTC设计 PLL：最高可倍频至72MHz系统时钟 实用技巧：对成本敏感的消费电子，可直接使用HSI48省去外部晶振，BOM成本降低约0.3元。 2. 模拟外设：超越同级的精度 12位ADC：1Msps采样率，16个外部通道，支持温度传感器、内部基准电压测量 2个高速比较器：带7位DAC参考，响应速度<100ns，适合过流保护、零交叉检测 1个运算放大器：增益带宽2.5MHz，可直接驱动ADC，简化信号调理电路 亮点：ADC支持IO采样保持电路（VIOSH），能捕获瞬态信号，这在同价位MCU中较为罕见。 3. 定时器与电机控制 TIM1：高级定时器，4通道PWM，支持3对互补输出+死区插入，可直接驱动半桥/全桥 TIM3：通用定时器，4通道PWM TIM6：基本定时器，适合时基生成 TIM14/15/16/17：简单PWM输出 应用场景：单电阻无感FOC控制、BLDC方波驱动、数字电源等。 4. 通信接口 接口 特性 USART×2 最高9Mbps，支持自动波特率检测、RS485硬件流控 SPI×2 最高18Mbps，支持4~16位数据帧 I2C×2 I2C1支持Fast Mode+（1Mbps），20mA驱动能力 SWD 标准2线调试接口 低功耗设计：三模式精细管理 模式 典型电流@3.3V 唤醒源 适用场景 睡眠模式 ~1.2mA（72MHz运行） 任意中断 CPU空闲等待外设 停止模式 5.6μA（LP模式） EXTI、RTC、IWDG 周期性数据采集 待机模式 2.2μA NRST、WKUP、RTC、IWDG 电池供电长期休眠 设计建议：电池应用推荐"停止模式+RTC定时唤醒"组合，兼顾响应速度与功耗。 典型应用场景 1. 小家电控制板 电磁炉/电饭煲主控：TIM1驱动IGBT，ADC采集电流电压，比较器实现硬件过流保护 成本优势：相比STM32方案，单价低15%~20% 2. 电机驱动 筋膜枪、吸尘器BLDC控制：单芯片实现六步换相，72MHz主频足够50kHz PWM 运放内置：省去外部电流采样放大电路 3. 工业传感器 4~20mA变送器：宽压供电（2.0V起）支持两线制回路取电 低功耗设计：电池供电型温湿度传感器，待机2.2μA 4. 消费电子 LED灯带控制：TIM3多通道PWM，支持RGB调光 触摸按键：内置TSC模块，支持24通道电容触摸（需选用带TSC的型号） 选型与替代建议 需求场景 推荐型号 说明 极致成本，20脚够用 FT32F030F6AP7 TSSOP-20，32KB Flash 需要更多GPIO FT32F030K6AT7 LQFP-32，55个GPIO 大容量Flash FT32F030R8AT7 LQFP-64，64KB Flash 需要触摸功能 FT32F032G8BS7 SOP-28，内置TSC 与竞品对比： 特性 FT32F030F6AP7 STM32F030K6T6 GD32F130F6P6 主频 72MHz 48MHz 72MHz Flash 32KB 32KB 32KB SRAM 4KB 4KB 4KB 内置运放 ✓ ✗ ✗ 双比较器 ✓ ✗ 1个 价格（批量） 低 高 中 总结与展望 FT32F030F6AP7代表了国产MCU在兼容性替代路径上的成熟方案。它并非追求参数上的全面超越，而是精准切中"能用、好用、省成本"的市场痛点： ✅ 能用：72MHz主频、完整外设覆盖主流控制需求 ✅ 好用：STM32生态无缝迁移，开发零门槛 ✅ 省成本：宽压设计减少电源芯片，内置运放/比较器减少外围器件 对于正在寻找STM32替代方案的团队，建议从非核心功能模块开始试点（如显示驱动、辅助控制），逐步验证可靠性后扩大应用范围。随着辉芒微工具链和生态的持续完善，这颗芯片有望在更多领域实现规模化国产替代。
深圳三佛科技 . 2026-04-09 1036
面向高压严苛环境的化肥合成塔压力控制MOSFET/IGBT选型策略与器件适配手册
随着现代化肥工业向高效、安全、自动化方向升级，合成塔压力控制系统已成为保障连续生产与工艺安全的核心环节。功率开关器件作为电控调压阀、循环泵及安全泄放装置等关键执行单元的“肌肉”，其选型直接决定系统响应速度、调节精度、抗冲击可靠性及能耗水平。本文针对合成塔高压、腐蚀性介质、连续运行等严苛工况，以场景化适配为核心，形成一套可落地的功率器件优化选型方案。 化肥合成塔压力控制系统总拓扑图 一、核心选型原则与场景适配逻辑 （一）选型核心原则：四维协同适配 器件选型需围绕电压、损耗、封装、可靠性四维协同适配，确保与系统高压、频繁开关及防爆要求精准匹配： 1. 高压冗余设计： 针对380VAC三相供电及感性负载反峰，额定耐压需预留≥100%裕量，主回路优选600V-800V器件，应对持续高压及瞬时过压冲击。 2. 低损耗与快速响应： 优先选择低导通压降（VCEsat/Rds(on)）与低开关损耗器件，适配阀门PWM精密调节需求，提升能效并降低热累积。 3. 封装与散热强化： 中高功率回路选用TO-247、TO-220等传统通孔封装，便于安装散热器与绝缘隔离；注重封装爬电距离，满足工业环境防尘防潮要求。 4. 极端工况可靠性： 满足7x24小时连续运行与可能的热冲击，关注高结温能力（如175℃）、强抗浪涌电流及稳定的参数一致性，保障系统长周期安全。 （二）场景适配逻辑：按控制功能分类 按执行单元功能分为三大核心场景： 一是电控调压阀驱动（调节核心），需中高压、中电流及快速开关能力； 二是循环泵电机控制（动力核心），需高压、大电流及高可靠性； 三是安全泄放与辅助电路（安全关键），需高压隔离与小功率灵活控制，实现器件与功能精准匹配。 二、分场景器件选型方案详解 （一）场景1：电控调压阀驱动（1kW-3kW）——调节核心器件 调压阀需承受母线高压（~560VDC）及中频PWM调节，要求快速响应与适中通流能力。 推荐型号：VBMB16R15SFD（N-MOS，600V，15A，TO-220F） 参数优势： SJ_Multi-EPI技术实现10V下Rds(on)低至240mΩ，平衡导通与开关损耗；TO-220F绝缘封装便于散热器安装与电气隔离，600V耐压满足380VAC整流后裕量要求。 适配价值： 支持10-20kHz PWM频率，实现阀门开度毫秒级精密调节，压力控制精度可达±0.1MPa；较低导通损耗降低温升，适配防爆柜内紧凑散热条件。 选型注意： 确认阀门的电感特性，需配套续流二极管与RC吸收电路；驱动电压需确保≥12V以充分导通，栅极加强抗干扰设计。 电控调压阀驱动拓扑详图 （二）场景2：循环泵电机控制（5kW-15kW）——动力核心器件 循环泵电机（感应电机或永磁电机）功率大、启动电流高，要求高压大电流及抗冲击能力。 推荐型号：VBP16I30（IGBT+FRD，600V/650V，30A，TO-247） 参数优势： TO-247封装提供优异散热路径，30A集电极电流满足泵机额定及启动需求；内置FRD提升感性负载关断安全性，1.65V低饱和压降（VCEsat）有效降低导通损耗。 适配价值： 适用于变频器或软启动器中的逆变桥臂，抗短路能力强，系统可靠性高；相比同电压MOSFET，在中低频（<10kHz）工况下性价比更优。 选型注意：需配套负压关断或米勒钳位驱动电路以防止误导通；关注模块散热设计，建议结温留足裕量至110℃以下。 循环泵电机控制拓扑详图 （三）场景3：安全泄放与辅助电源控制——安全关键器件 安全泄放电磁阀、隔离检测电路等，需高压隔离控制或小功率开关，保障应急安全。 推荐型号：VBM185R04（N-MOS，850V，4A，TO-220） 参数优势： 850V超高耐压提供充足电压裕量，有效抵御泄放瞬间的电压尖峰；Planar技术虽导通电阻较高，但成本优势显著，适用于不频繁动作的安全回路。 适配价值： 用于控制高压侧泄放电磁阀，实现故障时快速安全隔离；亦可用于辅助开关电源的初级侧开关，简化高压隔离设计。 选型注意： 因导通电阻较大，需严格计算通态损耗，确保在脉冲工作模式下不过热；驱动回路需采用光耦或变压器进行可靠电气隔离。 安全泄放系统拓扑详图 三、系统级设计实施要点 （一）驱动电路设计：匹配高压特性 1. VBMB16R15SFD：配套专用高压栅极驱动IC（如IR2110），提供≥12V/-5V驱动电压，栅极串联22Ω电阻并就近放置下拉电阻。 2. VBP16I30：采用带负压输出的IGBT驱动IC（如1ED020I12-F2），关注VGE阈值与关断速度匹配，增设米勒钳位电路。 3. VBM185R04：采用隔离光耦（如TLP350）驱动，次级电源需稳定，栅极回路串联小电阻抑制振铃。 （二）热管理设计：强制散热与绝缘 1. VBP16I30：必须安装于涂有导热硅脂的绝缘型散热器上，建议使用热管或强制风冷，监控基板温度。 2. VBMB16R15SFD与VBM185R04：根据功耗计算选用适当尺寸的散热器，注意安装绝缘垫片与套管，满足高压爬电要求。 3. 系统布局：功率器件集中布置于散热风道内，控制电路远离热源，柜体通风良好。 （三）EMC与可靠性保障 1. EMC抑制 - 1. 每个开关器件DS/CE间并联RC吸收网络（如100Ω+2.2nF），母排正负间加高频薄膜电容。 - 2. 电机输出端加装三相滤波器，柜体进线端安装磁环与交流滤波器。 - 3. 采用多层板设计，严格区分功率地、数字地，单点连接。 2. 可靠性防护 - 1. 电压电流降额：稳态工作电压不超过额定值的70%，电流不超过标称值的60%（考虑温升）。 - 2. 过流与短路保护：直流母线设霍尔传感器，驱动电路集成DESAT保护功能。 - 3. 浪涌与静电防护：电源输入端加压敏电阻与气体放电管，每个栅极并联18V TVS管。 四、方案核心价值与优化建议 （一）核心价值 1. 高压安全可靠：器件耐压充分冗余，系统抗过压冲击能力强，满足合成塔长期高压运行需求。 2. 控制精准高效：中高压MOSFET与IGBT组合，实现调压快速响应与泵机高效驱动，提升工艺稳定性。 3. 工业级耐久性：选用工业级封装与宽结温器件，适应车间高温、振动环境，保障连续生产。 （二）优化建议 1. 功率升级：更大功率泵机（>20kW）可选用VBP165R11S并联或选用额定电流更高的IGBT模块。 2. 效率优化：对开关频率要求更高的调压回路，可评估采用SJ-MOSFET VBMB165R15S（650V/15A，Rds(on)仅300mΩ）。 3. 集成化设计：对于多路阀控，可考虑使用智能功率模块(IPM)以简化驱动与保护设计。 4. 极端工况：环境温度极高的场合，优先选用结温175℃的器件，并强化散热设计。 功率开关器件选型是合成塔压力控制系统稳定、精准、安全运行的核心。本场景化方案通过高压、中功率、安全隔离等多维度匹配，为化肥行业高压电控设备研发提供关键技术参考。未来可探索碳化硅（SiC）器件在超高开关频率与高温领域的应用，助力打造下一代高效智能的化工压力控制装备。
微碧
微碧半导体 . 2026-04-09 1057
合科泰MOSFET选型指南：7N60与7N65的核心区别及替换原则
前言 在MOSFET选型过程中，工程师经常遇到一些疑问，如型号为7N60和7N65的器件究竟有什么区别，以及能否直接相互替换。从命名规则来看，7N60和7N65中的“7N”代表电流规格为7A，而“60”和“65”分别表示耐压等级为600V和650V。两者最核心的差异就在于漏源电压相差了50V。 除此之外，合科泰的规格书显示，这两款产品的栅源电压均为±30V，连续漏极电流均为7A，栅极阈值电压均为2.0至4.0V，耗散功率均为27.2W，封装也同为TO-252。导通电阻方面，7N60的典型值为1.20Ω，7N65约为1.30Ω，两者基本相当。 为什么不能互相替换 关于替换问题，结论是清晰的：7N65可以替换7N60，但反过来则不行。由于7N65的耐压更高（650V对600V），其他参数相同且封装兼容，因此直接用7N65替换7N60无需改动PCB，仅成本略高。而如果原设计采用7N65，试图换成7N60来降低成本，则存在风险，因为耐压从650V降至600V后，安全裕量可能不足。具体场景下，开关电源反激拓扑可根据实际电压裕量选择7N60或7N65；LED驱动通常对成本敏感且600V已够用，推荐7N60；工业电源和逆变器前级因电网波动大、可靠性要求高，建议选用7N65以留足余量。 在销售和技术支持过程中，需明确绝不夸大实测极限值。客户常常追问“你们的7N65实测能到700V吗”，正确的回答应是强调规格书标称650V，对之负责，生产虽会留测试余量但只承诺规格书参数；若需要700V耐压的产品，则推荐专门的700V规格型号。错误的回答方式包括承诺实测能到700V、称极限可到750V，或暗示实际性能高于标称。 这样做有三个原因：不同批次之间存在微小差异，极限值无法保证每批次都达到；一旦承诺极限值而客户按此使用出问题，责任难以界定；作为原厂，不夸大参数是基本的工程伦理和专业底线。 合科泰的HKTD7N65采用TO-252封装，N沟道，漏源电压650V，栅源电压±30V，连续漏极电流7A，导通电阻最大值1.3Ω（在栅源电压10V条件下），栅极阈值电压2.0至4.0V，耗散功率27.2W，单脉冲雪崩能量550。该产品适用于开关电源、LED驱动、工业电源、适配器以及逆变器前级等场景。 结语 7N60与7N65的核心区别在于耐压，7N65可以向下替换7N60，反之则不行。选型时应根据实际电路裕量、成本预算和可靠性要求综合判断。最重要的是，无论何时，承诺只认规格书，不说极限值，不夸大参数，这是原厂应有的专业态度。如有选型疑问，可联系合科泰技术团队获取支持。
MOSFET
厂商投稿 . 2026-04-09 1022
艾迈斯欧司朗推出应用于超紧凑空间的均匀光效新方案SMARTLED™ Pure 0201
照明与传感创新的全球领导者艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）宣布，推出新一代超紧凑型LED产品SMARTLED™ Pure 0201，为极致纤薄设备设计提供均匀优雅的光学解决方案。其蝙蝠形辐射特性结合165°超宽视角，可实现高度均匀的光分布，使产品工程师在微型空间内自由构建连续清晰的指示标识与形态。 SMARTLED™ Pure 0201应用图片 专为塑造日常生活的设备而设计 随着设备轮廓日益纤薄、可用光学空间持续缩减，指示灯LED需在无光学畸变的前提下提供清晰均匀的照明效果。例如在智能设备中，微型状态图标即便在浅视角观测下仍能呈现无热点、无边缘晕染的完美均光效果。这正是SMARTLED™ Pure 0201的核心价值：在毫米级精密空间内实现高品质光效，助力用户通过无缝照明体验打造简洁设备美学。艾迈斯欧司朗的新品以紧凑形态与专为极限空间优化的光型特征，满足严苛环境下的清晰度与均匀性照明需求。 SMARTLED™ Pure 0201适配可穿戴设备、智能手机、电子配件、智能门铃、家电及受光波导结构限制的工业设备。通过缩短匀光片间距、保持稳定光学性能并支持灵活集成，该LED能帮助制造商实现更纤薄、更简洁的产品设计，同时确保视觉清晰度。 SMARTLED™ Pure 0201红光产品图片 SMARTLED™ Pure 0201白光产品图片 开启紧凑均匀指示光效新篇章 作为艾迈斯欧司朗全新产品线，SMARTLED Pure系列中的0201型号专为高密度集成设计，0.6mm×0.3mm微型尺寸赋能跨行业产品的流线型设计。 其最核心的技术特征在于蝙蝠形辐射特性。该光学设计使工程师能够将匀光片紧贴LED安装而不产生热点，从而实现更纤薄的设备轮廓与更高自由度的机械布局。 客户可集群排列多个单元，实现类似miniLED的视觉效果，同时支持经典与进阶的视觉传达需求。 该LED提供全套单色光版本，包括白光、真绿光、红光与蓝光，每种均经优化实现均衡输出和高达165°的宽视角，即便在浅视角下仍保持出色可见性。 微型封装，革新突破 SMARTLED™ Pure 0201的推出标志着艾迈斯欧司朗向非汽车领域、高速增长的消费类及工业细分市场迈出关键一步。这款米粒级封装器件融合三重创新：精密光学设计、卓越视觉品质及面向新一代紧凑型电子设备的适配架构。
艾迈斯欧司朗 . 2026-04-09 819
2026电子产业链全景图：百家企业产品线速查手册
贞光科技是一家以科技创新为驱动力的综合性产业集团，是国内知名电子元器件产品授权分销商及应用解决方案供应商，拥有专业的技术支持团队和完善的营销网络，深耕汽车电子与工业领域。公司与全球知名电子元器件设计制造商紧密合作，为客户提供电子元器件产品及电子元器件应用解决方案和现场技术支持等多纬度服务。 来源：ittbank
网络整理 . 2026-04-09 1470
光模块供电回路：一个被低估的电阻市场
前言 在电子元器件行业中，有些市场规模庞大且广为人知，而有些市场虽然单个产品体积微小，整体需求量却极为惊人。光模块供电回路便属于后者。单个光模块仅有指甲盖大小，但每年所需的电阻数量可达数十亿颗甚至百亿颗级别。本文从国产原厂的视角出发，深入剖析这一隐形的高增长市场。 从光电转换到稳定供电 光模块是光纤通信系统中的核心器件，其基本功能是完成光电信号转换。常见应用场景包括5G基站、数据中心、骨干网络以及企业网络。 所谓供电回路，是指为光模块各功能模块提供稳定电源的电路系统。典型的供电回路通常由外部电源接入保护电路，经过DC-DC转换和滤波电路，最终为功能模块供电。在这一过程中，厚膜电阻常被用作采样电阻，负责电流检测和反馈控制。 光模块供电回路的一个重要特性是支持热插拔。这对电路提出了明确的技术要求：插入瞬间必须限制浪涌电流，避免对电源造成冲击；拔出瞬间则要迅速切断回路，保护其他模块。这就要求其中的电阻在瞬态大电流冲击下，依然能保持参数稳定，不失效、不漂移。 为何用量如此巨大？ 首先，光模块市场本身增长迅猛。5G基站建设持续推进，到2025年中国5G基站数量已超过三百万个，每个基站需要多个光模块。数据中心因云计算和AI算力需求的爆发而不断扩张。此外，数据中心光模块正向400G和800G等高速率升级，换代需求十分旺盛。2024年全球光模块市场规模约为一百亿美元，预计到2028年将突破两百亿美元。 其次，每个光模块供电回路中电阻的使用数量相当可观。以高功率厚膜电阻为例，每模块通常需要二至四颗用于电流采样和限流，另外还需一至两颗精密电阻用于电压检测。按全球每年数十亿个光模块的产量计算，仅高功率厚膜电阻的年需求量就达到数十亿至百亿颗。 更为关键的是，光模块供电回路的主要接口控制芯片（MAC）市场高度集中，其配套电路方案标准化程度很高，电阻选型相对固定。 这意味着，一旦电阻产品通过芯片原厂或头部客户的认证，后续订单将非常长期且稳定。对于电阻制造商而言，这代表着可观的量产机会和极佳的客户粘性。 厚膜电阻为何是优选？ 在光模块供电回路中，高功率厚膜电阻之所以被广泛采用，主要得益于其多项优势：高功率密度：能够在0603、0805等极小封装下实现0.25W至1W的功率承载，完美匹配光模块内部寸土寸金的空间。高可靠性：厚膜工艺成熟，长期稳定性和一致性有保障，能满足通信设备严苛的寿命要求。成本效益：相比同等功率的合金电阻，厚膜电阻具有更佳的成本优势，助力客户降本。标准化与易用性：标准封装和阻值系列齐全，便于设计师快速选型和布局。 关键参数与设计考量 针对此应用，厚膜电阻的关键参数有明确要求：功率：0.25W 至 1W阻值：0.01Ω 至 1Ω（毫欧级采样）精度：±1% 至 ±5%温度系数（TCR）：最好控制在±100ppm/°C以内封装：以0603、0805、1206为主 选型时必须注意两个核心要点：1. 功率降额：由于内部散热条件苛刻，电阻实际工作功率建议不超过额定功率的50%。2. 温漂控制：温漂会直接影响采样精度。例如，一颗100mΩ、TCR为±100ppm/°C的电阻，在50°C温差下阻值变化约0.5mΩ，相对误差达0.5%。因此，选择低TCR产品至关重要。 结语 总而言之，光模块供电回路是一个需求明确、增长强劲、且准入后订单稳定的优质市场。厚膜电阻作为其中的关键器件，其高功率密度、高可靠性和成本效益的优势，与这一市场的技术需求高度契合。对于行业参与者而言，深入理解这一细分领域的技术要点与市场逻辑，是把握机遇的第一步。
电阻
厂商投稿 . 2026-04-09 1127
企业 | Day 0适配GLM-5.1：壁仞科技率先完成智谱新一代旗舰模型适配
4月8日，智谱正式上线并开源新一代旗舰模型GLM-5.1。作为目前全球最强的开源模型，GLM-5.1在长程任务（Long Horizon Task）处理能力上实现了显著突破。壁仞科技（06082.HK）壁砺™166系列产品在模型发布当日率先完成适配，成为国内首批适配GLM-5.1的国产GPU厂商之一。 GLM-5.1基于BR166芯片完成推理任务 针对GLM-5.1的744B MoE架构、200K长上下文、DSA稀疏注意力等核心特性，壁仞科技开展全栈深度优化；依托自研芯片的高算力优势与BIRENSUPA™软件栈的算子级深度协同能力，基于vLLM、SGLang两大主流开源框架，精准适配40B激活参数与Interleave Thinking交叉推理模式，实现200K上下文无损推理。同时，通过MoE调度、稀疏计算、Tensor Parallel、Context Parallel、MTP等多重优化技术，实现低时延、高吞吐的高效推理。 壁砺™166系列为数据中心大算力训推一体芯片，可满足万亿参数模型需求，广泛应用于大语言模型、多模态AIGC、图像与语音处理等领域。凭借卓越的技术成熟度与出色的开箱即用特性，壁砺™166系列产品可显著降低开发者的模型部署与应用门槛，以全栈化能力助力国产SOTA（目前最佳）大模型规模化落地，推动AI应用普惠向实。 关于GLM-5.1的官方介绍 相比于GLM-5，GLM-5.1的整体能力得到了全面提升，并在长程任务（Long Horizon Task）处理能力上实现了显著突破。有别于当前以分钟级交互为主的模型，GLM-5.1能够在单次任务中持续、自主地工作长达8小时，凭借自主规划、执行与迭代进化，最终交付完整的工程级成果。 一、综合性能SOTA GLM-5.1是智谱迄今最智能的旗舰模型，也是目前全球最强的开源模型。下图是业内最具代表性的三个代码评测基准的平均结果，包括衡量模型专业级软件开发工作的SWE-Bench Pro、像工程师一样操作命令行解决问题的Terminal-Bench 2.0、从零构建完整代码仓库的NL2Repo。三项综合平均分，GLM-5.1取得全球模型第三、国产模型第一、开源模型第一的成绩。 在最接近真实软件开发的SWE-bench Pro基准测试中，GLM-5.1刷新全球最佳成绩，超过GPT-5.4、Claude Opus 4.6。 二、你睡觉的8小时，是模型上班的8小时 过去两年，行业用Benchmark衡量模型有多智能。GLM团队认为，下一阶段的衡量标准应该是“能工作多久”，即模型在长程任务（Long-Horizon Task）中的表现。在METR榜单的同等评估标准下，GLM-5.1是唯一达到8小时级持续工作的开源模型，也是全球范围内除Claude Opus 4.6外少数具备这一能力的模型。 国产算力的快速适配能力，是大模型落地的核心支撑，也是国产AI产业崛起的核心引擎。目前，壁仞科技已具备与全球前沿算法协同进化的能力，并成为业内极少数全面适配SOTA大模型的国产算力厂商之一。壁仞科技将持续深化与国产大模型厂商合作，让开发者与客户在第一时间拥抱全球最前沿模型能力，推动国产大模型从“技术领先”迈向“应用领先”，共建开放繁荣、自主可控的人工智能产业生态。
壁仞科技
壁仞科技Birentech . 2026-04-08 2464
企业 | 地瓜机器人再获1.5亿美元投资，B轮累计融资2.7亿美元，加速全球化业务布局
2026年4月8日，地瓜机器人宣布完成1.5亿美元B2轮融资，B轮累计融资额达2.7亿美元。本轮融资由某零售科技与供应链巨头、Prosperity7风投基金、远景科技集团等战略投资机构，慕华科创、云锋基金、华控基金(T-Capital)、LOOK CAPITAL、凯联资本等一线财务投资机构联合加持，老股东高瓴创投、和暄资本、线性资本、黄浦江资本、滴滴、五源资本、初心资本、梅花创投、淡马锡旗下Vertex Growth持续跟投，将全面加速地瓜机器人商业和开发者生态的全球化布局，以软硬协同、端云一体的具身智能原生技术底座为支撑，为全球机器人产业创新打开全新增长极。 地平线致力于构筑面向物理AI时代的超级平台。地瓜机器人作为地平线在机器人领域的重要战略合作伙伴，双方始终保持技术同源、战略协同。未来，地平线将持续支持地瓜机器人的发展，双方将共同打造“具身智能大脑基座”，推动机器人核心软硬件技术的创新与突破。 2025业绩实现“三级跳”，出货量激增180%、客户量翻倍、开发者破10万 2025年，地瓜机器人业务成果“量质齐飞”，全年出货量同比大幅增长180%，客户数量同比增长200%，头部客户实现了从成熟消费级品类到前沿具身智能机器人的全领域覆盖，迄今总计推出超百款机器人产品，并成为越来越多爆款产品背后的“最大公约数”，为全球用户带来智能化的创新体验。 地瓜机器人开发者生态亦同步高速发展，全球开发者数量突破10万，同比增长100%，遍布亚太、欧洲、北美等20多个国家和地区。截至目前，地瓜机器人推出的“地心引力”创新企业加速计划已服务500+中小创新团队，助力200+团队落地爆款产品，成为智能机器人创新企业的第一选择。为进一步降低机器人开发门槛、缩短开发周期，地瓜机器人携手超过60家软硬件和解决方案等产业上下游生态伙伴，共同打造可靠完整的软硬一体解决方案，赋能客户和开发者加速智能机器人规模化落地。 软硬协同打造具身智能大脑基座，1+1>2 打开机器人全新想象 作为业界领先的软硬件通用底座提供商，地平线积极布局具身智能全栈关键技术。2025年11月，地平线正式发布两大具身智能开源模型——具身智能小脑基座模型HoloMotion和具身智能大脑基座模型HoloBrain。2026年2月，地平线正式宣布其HoloBrain-0基座模型及框架全面开源。持续推动推动具身智能技术从实验室原型加速向规模化产业应用转型，助力整个具身智能领域的技术革新与生态共建。 软硬协同是机器人持续创新的核心驱动力。地瓜机器人与地平线始终保持技术同源、战略协同。地瓜机器人的具身智能机器人大算力开发平台RDK S600与地平线开源的具身智能小脑基座模型HoloMotion和具身智能大脑基座模型HoloBrain可实现原生适配、深度优化，将赋予机器人“像人一样行动”的灵活控制和拟人的空间感知与细腻操作能力，并支持“一脑多形”，可全面适配不同形态、不同场景机器人产品的应用需求。 地平线致力于构筑面向物理AI时代的超级平台，聚焦并投资于BPU计算架构及基础模型底座。未来，地平线与地瓜机器人将持续围绕“大算力+大模型”深化系统性创新，从底层架构实现算力与模型的双向优化和效率提升，打造“1+1>2”的协同效能，助力客户和开发者在有限投入下实现更优性能和体验，全面释放机器人的多场景应用潜力与多元创新活力，为具身智能打开更大想象空间。
地平线
地平线HorizonRobotics . 2026-04-08 1799
企业 | 英特尔加入马斯克TeraFab项目
当地时间4月7日，英特尔公司通过社交媒体平台“X”宣布，很荣幸能加入埃隆·马斯克（Elon Musk）的TeraFab项目，将帮助SpaceX、xAI以及特斯拉重构硅晶圆厂技术。 △英特尔CEO陈立武与马斯克在英特尔总部合影 英特尔表示：“我们大规模设计、制造和封装超高性能芯片的能力将有助于加快Terafab实现每年生产1太瓦（TW）计算的目标，为人工智能和机器人技术的未来发展提供动力。” 英特尔首席执行官陈立武还在另一篇X帖子中表示：“埃隆·马斯克在重新构想整个行业方面有着成功的记录，这正是当今半导体制造所需要的。TeraFab代表了未来硅逻辑、存储器和封装制造方式的重大转变。英特尔为成为埃隆的合作伙伴并紧密合作这一高度战略性的项目感到自豪。” 特斯拉也通过X平台转发了英特尔的帖子，并表示，特斯拉与SpaceX、xAI 正在启动有史以来最史诗般的芯片制造工作，将逻辑、内存和先进封装结合在一起。 受该消息影响，英特尔股价在4月7日的盘中交易中一度上涨5%。 此前在美国当地时间3月21日晚间，特斯拉、SpaceX、xAI CEO埃隆·马斯克就正式宣布了“TeraFab”晶圆厂项目，这座被称为“全球最大2nm先进芯片工厂”的超级设施，将落户美国德克萨斯州奥斯汀，将成为人类算力史上的新里程碑。 马斯克在发布会上自豪地表示：“据我所知，在世界上任何地方，都不存在这样一个设施——它拥有制造逻辑芯片、内存芯片、进行封装、测试、制作光罩、改进光罩并不断循环迭代所需的一切。因此，在单一建筑内，我们就可以制作光罩、制造芯片、测试芯片、再制作新光罩，从而形成一个极快速的递归循环，不断改进芯片设计。” 根据马斯克的计划，TeraFab项目是为机器人、人工智能和太空数据中心制造自己的芯片，远期的目标是达到惊人的1太瓦（Terawatt，TW）级别的算力芯片产能，即每年产出超过相当于1太瓦功率的算力芯片，而1太瓦等于1000吉瓦，相当于100个当前最大的在建的10吉瓦的AI数据中心的规模。 虽然TeraFab规划的每年生产总计1太瓦功率的算力芯片产能很惊人，但是这也只是一个超远期目标。按照马斯克之前的说法，该晶圆厂初期每月将至少生产10万片晶圆，并最终提升至100万片晶圆。 为了解决如此大规模算力芯片所需的能源供应，马斯克明确表示，其计划将TeraFab生产的80%的算力芯片转移到太空近地轨道，仅20%的算力芯片的会留给地面应用。 马斯克此前就曾多次强调，在太空部署AI数据中心的优势：太空里有近乎无限的太阳能，没有大气层遮挡，发电效率是地面的数倍；同时，太空的低温、真空环境也更适合芯片运行，能进一步降低数据中心的能耗。 因此，在之前的发布会上，马斯克还展示了其微型AI卫星的设计方案AI Star mini，每吨卫星重量可配置100KW的算力，这些AI卫星将搭载TeraFab芯片生产的算力芯片，通过Starship V3发射升空，这些卫星具有高速激光链路，可以在太空中组成一张庞大的太空算力网络，并利用太阳能供电来完成AI计算、数据处理，彻底摆脱地面电力与基础设施的瓶颈限制。 对于地面算力芯片的产能分配，马斯克计划将产能用于生产面向自动驾驶和机器人的AI5、AI6和D3芯片。 不过，正如之前芯智讯在《马斯克TeraFab启动：年产千亿颗2nm芯片，80%上太空！》一文中所指出的那样，马斯克TeraFab虽然很宏大，但是其并未解决最为关键的技术来源问题。 无论是特斯拉，还是SpaceX和xAI，都没有制造芯片的经验和人才储备，更不用提区研发和生产当前最尖端的2nm制程芯片，即便的现在开始自己研发也必然需要漫长的时间周期和技术专利侵权的风险。目前2nm技术也只有台积电、英特尔和三星拥有，日本新创晶圆代工厂Rapidus的2nm技术来源也是IBM。 对此，马斯克在2025年11月份的特斯拉年度股东大会上就曾表示，特斯拉可能必须建造“一个巨型的芯片工厂”，以满足其人工智能和机器人技术的需求。马斯克当时就表示，特斯拉可以与英特尔进行合作。 显然，马斯克在对外透露这个想法之后不久，应该就开始与英特尔进行了接洽。在今年3月正式宣布TeraFab计划之后，双方的的合作意向才开始趋于达成。 英特尔此次虽然正式宣布将加入Terafab项目，帮助SpaceX、xAI以及特斯拉重构硅晶圆厂技术，但是双方具体的合作细节并未公布。双方均未发布正式的新闻稿或SEC文件，这引发了关于英特尔与TeraFab的合作框架可能并不具有法律约束力的质疑。 芯智讯猜测，双方目前只是达成了一个初步的合作意向，未来具体的合作模式大概率是：马斯克的SpaceX、xAI以及特斯拉共同出钱建厂，英特尔提供技术授权和负责运营，产能也主要供给特斯拉、SpaceX和xAI，如果有富余还可交由英特尔对外代工供应。 所以，对于马斯克来说，接下来的一个关键问题就是，筹集建设Terafab项目所需的巨额资金。 以台积电为例，目前在中国台湾建造一座月产能2万片晶圆产能的2nm晶圆厂的投资额约为230亿美元（包含了土地、厂房及配套设施的总投入）。而对于马斯克来说，如果要在美国建这样一座月产能2万片晶圆的2nm晶圆厂，所需要的投资额可能将会更高。 所以，如果要在美国建造最终产能达到每月100万片晶圆的Terafab项目，其总投资将会超过1万亿美元，更别提还需要配套的先进封装设施。即便仅计算建造月产能10万片的晶圆厂的成本，可能也超过1000亿美元，远超马斯克计划初期投入250亿美元。除非英特尔也愿意参与投资，并分享部分的产能。
特斯拉
芯智讯 . 2026-04-08 1694
方案 | 汇顶推出全球首个为AI Agents设计的安全芯片解决方案
随着AI Agents 从云端走向终端，越来越多的硬件产品如智能音箱、车载助手、企业终端、家庭网关等，开始集成AI的能力，让设备能够理解自然语言、调用云端大模型、自主执行复杂任务。 这一趋势为产品带来了巨大想象空间，同时也提出一个全新的安全命题：当AI Agents代替用户与云端持续通信时，设备侧的身份凭证如何获得可靠保护？针对这一挑战，汇顶推出面向AI Agents场景的安全解决方案，通过全新的物理隔离设计，全面保护AI时代智能硬件的核心安全资产。 ▌依赖软件的通信安全存在结构性短板 当前主流的Agents部署方案中，通信安全几乎完全依赖软件实现。API密钥以明文形式存储在设备本地的配置文件或Flash分区中，TLS会话密钥驻留在主机内存里。这套方案在云端环境或受控的开发环境中可以工作，但放到终端硬件产品的语境下，会面临三个结构性问题： 第一，设备端的运行环境不可控。硬件产品出厂后长期运行在用户环境中，固件提取、系统Root、存储直读都是威胁建模中必须覆盖的现实攻击面。对于出货量达到一定规模的产品，这些攻击大概率会发生。一旦主机系统被攻破，或者经过二手设备买卖，明文存储的API密钥和内存中的TLS会话密钥将全部暴露。 第二，多模型生态显著放大了攻击面。今天的AI Agents通常不止对接一个模型服务。主对话、代码生成、语音识别、图像理解能力等可能分别来自不同的服务商，设备内同时存储着多组独立的API密钥。每一组密钥的泄露都构成独立的安全事件，而当前方案缺乏对多密钥场景的统一管控能力。 第三，设备生命周期远长于软件防护的有效期。在一台智能终端工作的三到五年内，软件层面的安全补丁依赖持续OTA推送和用户配合，而硬件攻击手段的演进在不断更新。在设备的全生命周期内，纯软件方案难以提供一致的安全保障。 过去一年中，因配置泄露、供应链污染、固件逆向等导致的API密钥失窃事件持续发生，已经从开发者社区的个案演变为产品安全团队必须纳入风险评估的系统性问题。 面对这一形势，汇顶推出了专为 AI Agents场景设计的安全芯片解决方案。该方案基于获CC EAL5+的eSE芯片，核心设计原则是将最需要保护的安全资产从主机侧剥离，放入物理隔离的硬件可信环境中。这将从根本上消除对主机软件环境的安全依赖，将安全锚点下沉到具备证照和金融级安全的抗物理攻击硬件中。 通信链路保护：TLS全流程在芯片内闭环 汇顶方案在eSE芯片内部集成了完整的TLS 1.3协议栈，让Agent与云端大模型之间的每一次通信，从TLS握手、证书验证到数据加解密，全部在芯片内部完成。在这一架构下，主机的角色被重新定义为"密文转发器"：从eSE芯片接收加密数据包并转发至网络接口，再将云端返回的加密数据包传回芯片。主机全程经手密文，不持有任何会话密钥和与云端模型通信的明文数据。即使设备固件被完整提取、主机系统被完全控制，攻击者在主机侧获取到的也只是无法解读的加密流量。 从而，通信安全不再取决于主机侧任何软件组件的可靠性，这为产品安全合规提供了一个更明确的结论：设备遭受物理攻击时，用户的AI通信数据仍然受到保护。 API 密钥管理：全生命周期在eSE芯片中使用 汇顶安全芯片的安全存储区针对多模型场景进行了专门设计，可同时管理多组不同服务商的API密钥，每组密钥绑定对应的模型Endpoint、请求格式和认证方式。运行时，主机仅需向eSE传递目标模型标识和请求内容。密钥查找、认证头构造、请求加密和TLS发送全部在芯片内部自动完成。在产品的整个生命周期中，API密钥不会以任何形式出现在芯片外部——不在配置文件中，不在主机内存中，不在固件镜像中…… 对于规模化出货的产品线而言，这意味着单台设备被破解不会影响其他设备的安全。每颗安全芯片的密钥独立存储、物理隔离，从架构层面阻断了"一点突破、全线失守"的风险传导路径。 高兼容性：对现有AI大模型产品架构适配性高 汇顶安全芯片解决方案在设计之初就将生态兼容性作为核心约束，使其对现有产品架构的影响降至最低。 • 云端模型服务：零改造。汇顶安全芯片输出的API请求完全遵循标准接口规范，无需与任何模型服务商做额外对接。 • Agent软件框架：零改造。仅涉及将网络请求出口从系统网络栈切换至汇顶eSE通信接口。Agent的业务逻辑、Prompt工程、工具调用链和上层功能完全不受影响。 • 硬件集成：标准接口。安全芯片通过SPI与主机MCU连接，不要求特殊的硬件设计。对于已有产品的改款升级，增加SE也无需对主板架构进行重大变更。 汇顶安全芯片解决方案为解决多样化硬件 AI 场景的安全痛点而生，可为多元场景安全赋能。在消费与开源生态中，它能有效覆盖智能设备如音箱等对环境开放、长期运行的需求，并为资源有限的开源项目提供商业级安全屏障；在企业与工业场景中，无论是需满足车规合规及数据审计的企业终端，还是需对接复杂多模型服务的边缘网关，汇顶的安全方案均能提供关键的技术支撑。该方案也将为更多AI应用场景的安全加固打开新的想象空间。未来，汇顶科技将继续携手生态合作伙伴，共同推动更多创新方案落地。
汇顶科技
汇顶科技 . 2026-04-08 1463
产品 | 士兰微5.5kW PSU方案助力算力供电升级
当前算力数据中心正朝着800V直流母线架构加速演进，士兰微电子凭借在半导体各细分领域的深厚积累，构建了“从电网到核心”的全链路供电解决方案，可为算力数据中心供电系统提供士兰“功率器件+电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、eFuse、Multiphase Controller、DrMOS、POL 等产品，全面覆盖算力电源SST、HVDC、PSU、BBU、IBC、Hot-Swap、BoardPower、Accelerator Card等应用，为高性能计算应用的发展注入强劲动力。本篇将介绍士兰微电子在5.5kW PSU上的成套应用方案。 方案介绍 下图为由“图腾柱PFC+LLC”组成的5.5kW PSU。 在图腾柱 PFC、连续导通模式的高频高效拓扑中，快管承担高频硬开关动作，开关损耗决定了整机效率、温升与功率密度，需要选用低 Eon、Eoff 且栅电荷 Qg 优异的 SiC MOSFET。士兰微650V电压平台系列的SiC MOSFET产品（料号为SCDP65R040NB2LB）满足上述应用场景的需求，可显著降低高频工况下的能量损耗，提升系统整体转换效率，同时减少散热压力，支持更高频率、更高功率密度的电源设计，满足数据中心、服务器电源等场景对高效、高可靠供电的严苛需求。 PFC慢管工作在工频整流状态，导通损耗与直接决定整机效率、温升与运行可靠性。选用士兰微的低导通电阻 Rds (on)、正向压降优异，同时兼顾浪涌电流能力的超结 MOSFET（料号为SVSP60R022LBS5），在工频导通期间的损耗有效降低，提升系统效率与热稳定性。 在 LLC的SR位置，中重载情况下软关断，轻载情况下硬关断。士兰微的自研低压MOSFET（料号为SVGP081R8NL5-3HF）具有导通电阻 Rds (on)低、栅电荷 Qg 小、反向恢复特性优异的特点，能帮助客户提升半载和满载效率，优化轻载时EMC表现。 士兰微SiC MOS、超结MOS以及低压MOSFET方案已助力头部客户在5.5kW PSU 产品上实现功率转换效率达到97.5%。今后，士兰微电子将继续深耕算力数据中心供电领域，迭代推出更多先进产品，助力各电源客户实现更高的效率目标。
士兰微
杭州士兰微电子股份有限公司 . 2026-04-08 2261
产品 | 支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。 近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。 因此，对于兼具“低电容（抑制高速通信时的信号劣化）”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。 对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。 这些优势有助于提高各种高速数据通信设备（例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品）的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS（高级驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄像头以及ECU（电子控制单元）等应用。 ROHM今后将继续扩充低电容ESD保护二极管和TVS二极管的产品阵容，助力AI服务器、通信基础设施、自动驾驶系统等电子技术的发展，为实现安全、安心且舒适的数字社会贡献力量。 产品阵容 RESD3V3BAED RESD5V0BAED RESD3V3UCED RESD3V6UCED RESD3V3BASAFH RESD5V0BASAFH RESD3V3UASAFH RESD5V0UASAFH 应用示例 适用于支持USB4、USB3.x、Thunderbolt 4、HDMI、DisplayPort、PCI Express、LVDS、MIPI D-PHY/C-PHY、车载SerDes以及车载以太网（10/100/1000Mbps）等各种接口的设备。 · 工业设备：AI服务器、数据中心、路由器、光模块、5G/6G通信基站、FA设备用摄像头等 · 消费电子：PC、服务器、USB加密狗、智能手机、平板电脑、游戏机、影音设备、通信天线等 · 车载设备：ADAS（高级驾驶辅助系统）/AD（自动驾驶）/全景影像系统/倒车影像系统用的摄像头、车载信息娱乐系统、车身控制ECU、中控台（影音系统、显示屏）等。 网售信息 开始销售时间：2026年3月起 新产品在电商平台将逐步发售。 销售商品 DSN0603-2J封装： RESD3V3BAED RESD5V0BAED RESD3V3UCED RESD3V6UCED DFN1006-2W封装： RESD3V3BASAFH RESD5V0BASAFH RESD3V3UASAFH RESD5V0UASAFH 术语解说 *1) 动态电阻 （Dynamic Resistance） 表示ESD保护二极管在保护IC时，其电压随电流变化的增量程度的指标，又称“交流电阻”。该值越小，表示即使流过相同的放电电流时，也能将引脚电压的上升幅度控制得越低，从而减轻IC承受的电气应力，提高保护性能。 *2) ESD保护二极管 用来保护电路免受过电压、浪涌和ESD（Electro-Static Discharge：静电放电）影响的半导体器件。通过吸收突发的电压和电流尖峰（浪涌），来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，对于电气方面发生严重波动时的保护至关重要。 *3) 引脚间电容 （Capacitance Between Terminals） 电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。 *4) 钳位电压 ESD保护二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。 *5) SerDes 成对使用IC实现大容量数据高速传输的通信方式。信息发送端的串行器（Serializer）将多个数字信号数据转换为一个高速串行信号发出，信息接收端的解串器（Deserializer）则将其还原为原始数据。因其能以数Gbps至数十Gbps的速度高速传输大量数据，而被广泛应用于PC、服务器及车载摄像头系统等的高速接口。
ROHM
罗姆半导体集团 . 2026-04-08 1281
应用 | 为了让你在车里待更久，可见光很有担当
当车到达目的后，你一般还会在车里待多久？ 艾迈斯欧司朗高级市场经理窦明杰相信很多人跟他一样，会选择在座舱里待十几分钟到半小时再下车，甚至在有些场景下，会在车里待1~2小时。 究其原因，主要还是因为车已经从单纯的交通工具延伸为一个第三生活空间，和消费者的很多生活场景紧密连接。当然，假如我们在车内待得时间越长，就越需要这个空间给予我们特定、家庭式的氛围体验。 可见光的应用，就是抓手之一。 可见光在座舱内“变身” 从20多年前艾迈斯欧司朗将自己的第一颗LED应用于车内的仪表背光，数十年间可见光在汽车座舱的应用已发生巨变，尤其是近3~5年，重心转向了氛围灯以及车载显示屏的背光应用，这些变化亦可从艾迈斯欧欧司朗的业务结构中窥见一斑。 窦明杰表示，由于新能源汽车乃至智能汽车的兴起，氛围灯的应用趋势已产生明确变化：单色向多色的转变；日间应用需求的增加；“见光不见灯”设计理念的流行导致透过各种材质的间接光成为流行；从静态到动态的发展；对颜色一致性更为严苛的要求；从线条勾勒到面光源氛围灯的呈现；到最后也是最重要的一条——氛围灯早已不满足于装饰的职能，正在拓展为人机交互的加强工具。 比如在后视镜或者门板处的氛围灯可以警示超车车辆的接近或者行人的通过；比如在车机系统接收语音输入时，氛围灯给出明确提示……甚至车载氛围灯以小间距的RGB形式集成触控功能，变成人机互动的交互界面。 过去，单车的氛围灯数量仅为几颗、十几颗，到现在部分车型中高达200多颗的用量。激增的需求，必须有产品力来支撑。 OSIRE® Pyramid是艾迈斯欧司朗的氛围灯产品系列，他们将这个系列基于RGB数据是否标定、以及标定数据获取的难易分成了金字塔般的三层级。 这里多解释一句，LED的标定数据是指每颗RGB芯片的原始亮度、颜色、波长、纯度、Vf等信息，而这些标定数据就是混光均匀性和一致性的基础要素。 第一级的标准LED是不含标定数据的，Tier 1客户需要自己在产线上架设设备并现场采集； 第二级的产品是带二维码的LED，二维码对应的地址信息中，就附有每颗LED的标定信息，只需几十毫秒的时间即可获取； 第三级的产品是智能RGB OSIRE® E3731i，其中集成了驱动，并预存了附带标定信息的OTP，通过艾迈斯欧司朗的开放式协议OSP（Open System Protocol）可以跟车内的其他总线进行无缝连接。 RGB OSIRE® E3731i也就成为最适用于多颗数集合的动态氛围灯应用方案。 为什么是它？！ 为什么是智能RGB产品呢？ 据窦明杰介绍，当前氛围灯从静态转向动态的趋势已定，在静态时可能只有几个、十几个点，可以通过LIN总线与车身总线进行通信。但到了当下，车内氛围灯的颗数激增至几百颗甚至上千颗，同时刷新频率提高，响应速度加快，对通信带宽的要求提升，而LIN并不是为了动态氛围灯专门设计的总线。 因此，对于高刷新率的动态氛围灯，开放系统OSP协议可以更轻松地对接到我们车内的主干网络，例如CAN总线甚至以后的以太网架构。“这也是我们当时研发新的OSP协议的初衷。” 而这个初衷也是完全契合汽车电子电气架构的演变。 汽车中的EE架构最终是通过域控向中央集成式方向去发展，氛围灯的演变也正好赶上了EE架构变化的快车道，通过OSP开放协议的加持，智能RGB完全可以无缝集成，让整个系统变成主从式架构。 大家可以从上图看出，基于OSP协议的智能氛围灯OSIRE® E3731i灯条产品可以做得非常轻薄，“在量产上车的项目中，我们最薄可以做到8mm。”这主要是因为前面提到的主从式架构，将基本算力都转移到了域控制器或中央控制器上，那么灯条/灯带本身就可以做得非常纤细，非常便于主机厂布置车身造型，特别是一些带曲面的拐弯或者转角的地方。 所以这也是OSP协议带给客户的另一大好处。 一起做大做强 在智能氛围灯产品以外，艾迈斯欧司朗还推出了一个基于OSP协议的独立驱动SAID，配备9通道驱动，可以选择驱动3颗RGB LED；也可以选择将其中几个通道配置成I2C接口，从而去接其他的传感器或执行器。 如此也会带来一些超乎想象的应用。 如下图所示，除了智能动态氛围灯OSIRE® E3731i，通过在同一个链路上植入了独立驱动SAID，进而驱动了几颗白光LED，实现了RGB和白光LED在同一灯条的场景。 当然，也可以利用SAID去驱动一些接近传感器或者ToF，如此一来，用户在手靠近或者有手势变化时，氛围灯也会有相应的互动反馈。 此外，据窦明杰介绍，其RGBi产品还支持IMSE制程中的模内注塑工艺，将LED和驱动电路都印制在一个塑料件中，从而将多层结构的产品简化为一层设计，整个模组会变得非常轻薄，同时兼顾高温高压要求，实现轻薄、高效的动态面光源展示。 “这种设计还将大幅提高系统效率，因为会大幅减少智能RGB的使用量。” 因此，OSP对艾迈斯欧司朗来说不仅仅是一个产品，更是一个生态系统。这个生态系统不仅可以支持自身产品，更可以支持市面上其他的LED、MCU产品。因此，艾迈斯欧司朗也是希望基于OSP开放协议和合作伙伴一起去把生态做大做强。 PHUD提前来了？ 就汽车座舱布局的变化，艾迈斯欧司朗其实早有预判（如下图）。 唯独稍稍出乎意料的是，PHUD提前来了！在2025年的车展上，很多OEM厂商已经在展示其PHUD产品。 PHUD，Panorama HUD，顾名思义即全景式HUD。贯穿A柱的PHUD实际上正是为了解决传统WHUD等的应用痛点，比如透明玻璃投射在强光下可视性差；信息过载反而会影响驾驶安全…… PHUD技术首先通过加宽显示区域（从左A柱延伸至右A柱）环节信息拥挤问题；更关键的是，在挡风玻璃底部增设的特殊黑色涂层作为不透明反射面将显著提升不同光线条件下的显示效果；此外，通过光学设计实现的超越车头长度的虚拟成像距离，使得驾驶者无需频繁调节焦距，大幅提升了驾驶安全性。 当前贯穿A柱的PHUD系统是由3块3连屏来实现，而每块屏实际上都需要几百~1000个LED去做直下式背光。同时，由于反射膜的加持，其亮度可以达到5,000~20,000nit的高范围。 若拿PHUD和WHUD以及远端屏方案相比，综合FOV、对比度、造型自由度以及系统效率等多个方面，PHUD都占有绝对优势。 事实上，艾迈斯欧司朗创新性的360°发光LED SYNIOS® E1515也是第一颗用于量产车PHUD方案的LED产品。 窦明杰预测PHUD在2026仍会有较高增长。艾迈斯欧司朗的首颗LED产品量产经验给了他们更多底气，去按照产品路线图进一步降低成本，跟进分时复用方案解决LED光效不够的痛点……这都值得业界继续期待。
艾迈斯欧司朗
感光现象 . 2026-04-08 1316
产品 | 村田开始量产7款车载MLCC，实现按额定电压与尺寸分类的特大静电容量
株式会社村田制作所（以下简称“村田”）在面向汽车的多层陶瓷电容器（以下简称“MLCC”）领域，已启动7款新品的量产。这些产品根据额定电压与尺寸进行划分，实现了特大静电容量。本次量产的7款产品分为两类，包括用于自动驾驶（AD）(1)/高级驾驶辅助系统（ADAS）(2) IC周边电路、额定电压为2.5～4Vdc的低额定电压MLCC（以下简称“低额定电压MLCC”）和用于电源线路、额定电压为25Vdc的中额定电压MLCC（以下简称“中额定电压MLCC”）(3)。 注释 (1)AD：Autonomous Driving（自动驾驶）。 (2)ADAS：Advanced Driver-Assistance Systems（高级驾驶辅助系统）。 (3)在本新闻稿中，将用于IC周边用途的2.5～4Vdc产品记载为“低额定电压”，将用于电源线路用途的25Vdc产品记载为“中额定电压”。 相关产品解析 产品型号：GCM035D70E225ME02 额定电压类型：低额定电压 额定电压值：2.5Vdc 尺寸：0201inch/0603mm 静电容量：2.2μF 主要特点：在2.5Vdc／0201inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM31CD70E107ME36 额定电压类型：低额定电压 额定电压值：2.5Vdc 尺寸：1206inch/3216mm 静电容量：100μF 主要特点：在2.5Vdc／1206inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM035D70G225MEC2 额定电压类型：低额定电压 额定电压值：4Vdc 尺寸：0201inch/0603mm 静电容量：2.2μF 主要特点：在4Vdc／0201inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM31CD70G107ME36 额定电压类型：低额定电压 额定电压值：4Vdc 尺寸：1206inch/3216mm 静电容量：100μF 主要特点：在4Vdc／1206inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM32ED70G227MEC4 额定电压类型：低额定电压 额定电压值：4Vdc 尺寸：1210inch/3225mm 静电容量：220μF 主要特点：在4Vdc／1210inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM155D71E105KE36 额定电压类型：中额定电压 额定电压值：25Vdc 尺寸：0402inch/1005mm 静电容量：1μF 主要特点：在25Vdc／0402inch尺寸中实现特大容量 产品型号：GCM31CC71E226ME36 额定电压类型：中额定电压 额定电压值：25Vdc 尺寸：1206inch/3216mm 静电容量：22μF 主要特点：在25Vdc／1206inch尺寸中实现特大容量 近年来，随着自动驾驶技术的不断深化，车载系统的数量与性能持续升高。因此，IC周边所需的低额定电压MLCC容量呈现增长趋势，所使用的MLCC数量也在增加，进一步加剧了电路板内的空间限制。 另一方面，从车载电源稳定性及提高安装密度的角度出发，对车载系统电源线路中使用的中额定电压MLCC的小型化与高容量化的需求也在不断上升。 尤其是在AD/ADAS相关系统中，无论是IC周边还是电源线路，对高容量化与小型化的需求均进一步增强。 为应对上述市场需求，村田通过自主研发的陶瓷材料以及微粒化与均一化技术，开始量产7款实现特大静电容量的车载MLCC产品，满足不同额定电压与尺寸的需求。 在低额定电压MLCC方面，村田扩充了100μF以上的高容量产品阵容，将此前在1210inch(4)尺寸中实现的100μF静电容量，成功缩小至1206inch，从而使电路板占用面积减少约36%。此外，针对0201inch的小尺寸汽车用MLCC，静电容量由以往的1μF增至2.2μF。 注释 (4)尺寸标记表示元器件的外形尺寸（长度×宽度，inch），例如1210inch尺寸表示0. 12inch×0. 10inch。 在中额定电压MLCC方面，村田也将此前在0603inch中实现的1μF静电容量缩小至0402inch，使电路板占用面积减少约61%。 低额定电压MLCC可满足IC周边电路对高容量化的需求，支持IC的稳定运行。而中额定电压MLCC则有助于稳定电压波动较大的电源线路。 通过组合使用本系列产品，可同时应对汽车市场中IC周边高容量化、电路板空间紧张以及电源线路稳定化等多种课题，助力系统整体稳定运行的同时提高设计自由度。 此外，通过减少MLCC的使用数量，还可降低电路板材料用量及制造工序中的电力消耗，有助于减轻环境负担。各产品型号均符合AEC Q200标准，具备较高的可靠性。 村田长期致力于车载MLCC的开发，已为从IC周边到动力总成及安全设备等多个领域提供了多款性能优良的产品。今后，村田也将持续通过贴合市场需求的产品开发，为汽车的高性能化与多功能化作出贡献。
村田
村田 . 2026-04-08 1372
企业 | 富瀚微赋能旷明智能，携手小牛电动，共启两轮车智能新时代
当两轮出行迈入智能化深水区，真正拉开差距的，已不再是单一功能的叠加，而是围绕用户骑行体验、安全感知与系统协同能力展开的全面升级。近日，富瀚微生态合作伙伴旷明智能与全球智能城市出行品牌小牛电动达成深度合作，并在2026新品发布中联合亮相。根据参考资料，旷明智能作为本次智能仪表核心软硬件战略合作伙伴和供应商，围绕定制化高算力芯片平台、自研智能车机OS基础平台以及图形、音频等关键能力，与小牛电动共同推动两轮车从“功能智能化”向“系统级智能”加速迈进。 从行业趋势来看，两轮车智能化正在经历一轮深层重构。过去，智能仪表更多承担信息显示与基础交互功能；而今天，随着用户对骑行安全、交互效率、联网体验和整车智能协同提出更高要求，仪表正逐步从“信息屏”升级为真正意义上的“出行大脑”。参考资料显示，旷明智能与小牛电动此次合作，不仅聚焦于产品功能升级，更强调从底层技术到场景体验的整体重塑，力图为两轮车行业树立新的智能化标杆。 站在富瀚微的角度来看，这一合作的意义，不仅在于一款新品的落地，更在于芯片平台能力与场景方案能力实现了更深层次的结合。富瀚微长期深耕智能视觉、视频处理与边缘计算领域，持续推动芯片技术在更广泛终端场景中的应用延展。此次与生态合作伙伴旷明智能协同赋能小牛电动，正是富瀚微将成熟的芯片能力进一步拓展至两轮出行赛道的重要实践，也展现出产业链上下游协同创新的实际价值。 在本次合作中，旷明智能承担整体技术支撑角色。依托其自研智能车机OS基础平台，以及图形引擎、音频引擎、多终端互联和系统集成能力，旷明智能完成了从系统框架、交互逻辑到应用体验的整体构建，并结合小牛电动对骑行场景、安全需求和用户习惯的理解，打造出更贴合两轮出行场景的新一代智能仪表方案。富瀚微则在芯片层面持续赋能，以MC635X/108H系列为代表的平台能力，为系统快启、高清显示、多媒体处理、智能感知和低功耗运行提供坚实的底层支撑。双方协同，不是简单的器件配套，而是从场景定义、系统设计到芯片底座的深度融合。 依托MC635X/108H系列的能力支持，新一代智能仪表可以在多个关键维度实现升级。首先，在用户最直观感知的交互体验上，平台可支撑更快的系统启动、更流畅的UI渲染以及更高效的多任务并行处理，让整车交互更加顺滑自然。其次，在安全与感知层面，结合参考资料中提到的多摄AI感知、环境识别、障碍物识别、哨兵模式等能力，芯片平台也能够为更高阶的视觉处理与算法部署提供基础支撑，助力两轮车由“可连接”向“可感知、可判断、可响应”持续演进。与此同时，在全域互联、智能混音以及系统级低功耗优化等方向，平台能力也为整车体验进一步打开了空间。 对于富瀚微而言，此次合作不仅是一次产业协同创新的落地，更是公司面向未来智能终端市场的一次积极布局。随着两轮车产品形态不断升级，用户对智能座舱、感知安全和交互体验的要求还将持续提升。富瀚微也将继续携手生态合作伙伴，推动芯片、算法与系统平台的深度融合，为两轮出行行业带来更高性能、更高集成度、更低功耗的智能化解决方案。 富瀚微 MC635X/108H 系列 采用 12nm 工艺，支持最高 8MP 输入、 3 路输入，视频编码与解码均支持到 8MP@30fps ，显示输出支持 MIPI DSI ，最高 1080p@60fps 。同时，该系列具备双核 CPU 与从核 CPU 架构，并支持最高 1TOPS 智能引擎。面向两轮车智能化不断升级的未来，这样的平台能力，也将为更多创新应用打开想象空间。
富瀚微
富瀚微电子 . 2026-04-07 2037
企业 | 中微半导体向港交所递交上市申请
2026 年 3 月 30 日，深圳本土 MCU 龙头企业中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称中微半导体或中微半导）正式向香港联合交易所递交上市申请，拟在主板挂牌交易，独家保荐人为中信建投国际。这是继 2022 年成功登陆科创板（股票代码：688380.SH）后，中微半导体在资本市场迈出的又一重要步伐，也意味着这家扎根深圳二十余年的芯片设计企业有望成为国内为数不多的 A+H 两地上市 MCU 企业。 这一步，对一家长期深耕通用MCU与电机控制芯片的本土厂商来说，不只是融资节点，更像是一次阶段性验收：从替代进口到形成体系能力，再到冲击资本市场，它的路径其实颇具代表性。 提到中微半导体，熟悉国内 MCU 行业的人都不会陌生。 这家成立于 2001 年 6 月 22 日的企业，从深圳南山区的一间办公室起步，一步步成长为国内智能控制解决方案领域的领军者。 创始人杨勇于 1991 年从电子科技大学毕业后，曾在深圳赛格日立担任车间助工，凭借对半导体行业的热爱和敏锐的市场洞察力，最终创立了中微半导体，书写了一段从技术工人到企业掌门人的创业传奇。 二十多年来，中微半导体始终专注于数模混合信号及模拟芯片的研发与设计，以微控制器（MCU）为核心产品，构建了覆盖 8 位、16 位、32 位的完整产品矩阵。 在 8 位 MCU 领域，中微半导体的市场份额长期位居国内前列，其经典产品系列如 CMS89F0X、CMS89F3X 等凭借高性价比和稳定可靠性，成为众多家电厂商和工业控制企业的首选；而在 32 位 MCU 领域，公司推出的 CMS32F003 系列等产品，以入门级价格提供接近主流性能的解决方案，打破了国际厂商在中低端市场的垄断格局。 从产品结构来看，中微半导体的核心还是围绕控制二字展开，尤其是在电机控制MCU这一细分领域，积累较深。 无论是家电里的风机、水泵，还是小型工具、电动出行设备，背后都离不开对电机的精确控制。这类应用对MCU的实时性、稳定性以及模拟外设集成度要求较高，而中微半导体通过自研内核架构优化、外设模块定制以及算法配套，把产品打磨成半方案化的形态，也就是不仅卖芯片，还提供参考设计和控制算法，降低客户导入门槛。 除了电机控制，公司在电源管理、消费电子控制以及工业小型设备领域也有一定布局。 尤其是在小家电和白电细分领域，中微半导体已经进入不少头部厂商供应链。这个市场看似分散，但规模巨大，对成本极为敏感，本土MCU在性价比和响应速度上的优势更容易发挥。 技术层面，中微半导体并不是走最前沿制程路线，而是更注重成熟工艺下的性能优化与可靠性设计。 大多数产品基于55nm、40nm甚至更成熟节点，这样做的好处是成本可控、供应稳定，同时更容易通过工业级和车规级认证。在当前半导体周期波动明显的背景下，这种策略反而显得务实。 当然，MCU行业的竞争并不轻松。一方面，国际大厂正在通过降价、扩展产品线重新抢占中低端市场；另一方面，国内厂商之间的同质化竞争也在加剧，从兆易创新到芯海科技，再到一批新兴MCU设计公司，都在不断压缩利润空间。在这种环境下，中微半导体能否持续保持差异化，就变得尤为关键。 虽然竞争压力大，不过近年来中微半导体的业绩表现比较亮眼。 根据公司 2025 年年度报告，其全年实现营业收入超过 15 亿元，同比增长约 20%；归母净利润超过 3 亿元，同比增长约 25%，毛利率更是从 2022 年的 35% 提升至 2025 年的 42%，实现了三年毛利翻倍的良好业绩。 这一成绩的取得，既得益于国产替代浪潮下国内 MCU 市场的快速增长，也离不开中微半导体在产品结构优化和技术创新方面的持续投入。公司积极布局高附加值的 32 位 MCU 和汽车电子芯片，产品结构不断升级，为业绩增长注入了新动力。 在技术研发方面，中微半导体始终保持高强度投入，研发费用率连续多年维持在 10% 以上，远高于行业平均水平。 公司建立了完善的研发体系，从芯片设计、验证到测试，拥有全套自主知识产权的技术平台，能够快速响应客户需求，提供定制化解决方案。 除了 MCU 芯片，中微半导体还在不断拓展产品边界，布局新的增长领域。公司推出的首款低功耗 SPI NOR Flash 芯片 CMS25Q40A，填补了国内在该领域的技术空白，进一步完善了公司在存储芯片领域的布局；同时，公司在电源管理芯片、电机驱动芯片等领域也取得了显著进展，形成了 MCU + 周边芯片的协同发展模式，为客户提供一站式芯片解决方案。 此次冲击港交所，对中微半导体而言意义重大。 一方面，通过两地上市，公司可以进一步拓宽融资渠道，为技术研发和产能扩张提供充足资金支持，加速推进 32 位 MCU 和汽车电子芯片的研发进程，提升在高端市场的竞争力； 另一方面，港交所作为全球重要的资本市场，能够为中微半导体带来更广泛的国际影响力，有助于公司吸引全球优质投资者，提升公司治理水平，为未来开拓国际市场奠定坚实基础。
中微半导体
芯查查资讯 . 2026-04-07 2814
技术 | 拍照发热、掉电快？动态调压 +艾为SmartHolding智能算法，从根源解决VCM功耗痛点
如今智能手机已成生活刚需，用户影像需求持续升级，大底传感器、高速 AF、OIS 等配置不断普及，大幅提升拍摄体验。但影像控制系统愈发复杂，高功耗问题愈发突出。高功耗不仅加剧耗电、引发电量焦虑，拍摄高清照片与 4K 视频时还易造成机身发热，既影响握持手感，还会触发过热降频、中断拍摄，破坏创作体验。 同时手机轻薄化设计趋势下，高功耗加大散热难度与成本，尤其超薄镜头发热更明显。因此，优化影像驱动、降低功耗，既是保障续航的基础，更是释放高端影像性能的关键，艾为针对这类问题提供了新方案。 一、VCM控制系统功耗之殇 从马达结构，结合控制方案差异来看，大致可以分为两类：弹片类马达和滚珠类（包含导杆式）马达；两种马达有各自不同的功耗之殇： 1、弹片类马达的“维持电流”损耗： 弹片类VCM依靠电磁力与弹片弹力的平衡实现镜头位置控制。当镜头到达目标位置并需要“保持”时，系统必须持续提供“维持电流” 以抵消弹片的回弹力。在恒流驱动模式下（市面主流的驱动方案），传统方案恒流源驱动电路工作在固定的外供电压下，此时，即使负载电流I（即维持电流）不大，驱动电路本身也会因为恒流控制电路上的压降而产生无谓的功率耗散, 这种损耗在长时间保持状态下累积显著。 图1 绝对无效功耗P vs 维持电流I 可知：恒流驱动在恒压电路下，必然出现无谓的功耗损失，且功耗损失和维持电流呈倒扣二次曲线关系。 2、滚珠类马达的“静摩擦”挑战： 滚珠类利用滚珠或轴承结构实现镜头的悬浮支撑。此类马达在静止状态下存在“静摩擦力”。在实际的运动控制中，为了克服静摩擦并启动镜头移动，系统需要瞬间提供较大的电流脉冲。然而，在镜头到达目标位置并进入“保持”状态后，理论上不需要电流维持位置（靠摩擦力或其他机械力自锁）。但传统控制系统往往无法精细区分“启动”和“保持”状态，或者为了维持环路稳定性，即使在保持状态下也可能维持一个并非绝对必要的电流水平，以随时准备克服静摩擦力。这部分看似不大但持续存在的“保持电流”同样会在驱动电路上产生损耗。 二、VCM场景Awinic低功耗解决方案 艾为电子深耕手机核心器件领域，深刻洞察上述行业痛点，并通过持续的技术创新，在VCM驱动效率提升方面取得了显著突破。我们的方案正是针对这些根源性问题展开： 1、动态调压方案赋能：按需供电，精准节能 针对维持电流，尤其是弹片类马达恒流控制电路产生的损耗，艾为首创动态调压方案： 恒流动态调压技术（SmartDynaVolt）。 该方案通过集成在驱动芯片内部或与外部AP/MCU协同的预测算法，实时感知VCM所需的实际驱动电流。结合高效的调压芯片（如BUCKBOOST），动态调整供给VCM驱动电路的电压，实现“按需供电”。当负载电流降低时（如维持状态），系统自动降低供电电压，从而显著减小驱动电路上的压降损耗： 图2 恒流驱动电路原理 实测收益： 在保证OIS性能（如SR值）不受影响的前提下，该技术可为OIS子系统不同场景节省30%~50%的功耗，在维持稳定性的同时大幅降低能耗。特别适用于需要持续维持电流的弹片类AF/OIS控制系统。 Awinic支持动态调压的VCM芯片有： AW86033ACSR： 第二代高精度分离式OIS控制芯片，1.8V~3.6V动态调压范围，集成Awinic 2rd闭环控制算法。 AW86066CSR、AW86068CSR： 第二代高精度2~3轴集成式OIS控制芯片，1.5V~3.6V动态调压范围，支持Awinic最新算法和客户算法二次开发集成。 AW86008CSR： 高精度4轴集成式OIS控制芯片，1.8V~3.6V动态调压范围，支持Awinic最新算法和客户算法二次开发集成。 AW86022CSR： 第二代高精度闭环控制芯片，1.7V~3.6V动态调压范围，集成Awinic 2rd闭环控制算法。 AW86026CSR： 第二代高精度长行程闭环控制芯片，1.7V~3.6V动态调压范围，集成Awinic 2rd+闭环控制算法。 AW86026HCSR： 第二代高精度长行程大电流闭环控制芯片，1.7V~5.25V动态调压范围，支持300mA电流挡位，集成Awinic 2rd+闭环控制算法。 图3 OIS动态调压系统框架 为匹配Awinic动调压方案，我司针对性推出了专用的动态调压DCDC芯片——AWP37702CSR： 输入电压范围：2.2V ~ 5.5V 输出电压范围：1.4V ~ 4.575V 支持动态电压调节控制(斜率:2V/ms, 5V/ms, 10V/ms, 20V/ms 自动选择 PFM 模式和强制 PWM 模式 不同工况最大连续输出电流：800mA~1.5A 封装：WLCSP 1.3mmX1.3mm-9B 图4 AWP37702CSR典型应用原理图 智能算法加持：场景优化，深度休眠 (尤其针对滚珠类马达的保持状态) 特定场景痛点： 在类滚珠马达应用场景，由于维持一个保持电流抵抗不必要的静摩擦力产生的功耗损失，艾为开发了SmartHolding智能算法。该算法通过创新的算法控制环路机制，显著降低不必要的用于抵抗静摩擦力的驱动电流，进而显著降低功耗。 实测收益： 测试数据显示，采用SmartHolding算法后，滚珠类马达的Holding状态电流可从大幅度，实现了近乎“深度休眠”的超低功耗状态。这直接解决了滚珠类马达因静摩擦担忧而产生的保持电流浪费问题。 表1 SmartHolding算法实测效果 前述支持动态调压的VCM控制和SmartHolding算法的芯片有： AW86066CSR、AW86068CSR、AW86008CSR、AW86022CSR、 AW86026CSR、AW86026HCSR等。 三、VCM场景Awinic低功耗解决方案长期探索 长远看，Awinic会持续在VCM低功耗控制技术上探索更优的解决方案：优化马达控制性能的同时，极致降低功耗代价。除本文描述的动态调压和智能算法外，Awinic将在PWM控制和先进制程降低基底电流方向上持续投入并产品化，为行业提供更多的低功耗VCM控制解决方案。
艾为
艾为官网 . 2026-04-07 1036
市场 | 我国将加快太空算力产业生态培育
记者近日从工业和信息化部了解到，我国将加快太空算力产业生态培育。 中国信通院云大所数据中心部副主任谢丽娜介绍，算力卫星可通过激光通信组网，实现全球无缝覆盖，直接在轨处理数据，将灾害预警、资源监测等场景的数据时效从数小时压缩至秒级，这是地面算力无法实现的。 谢丽娜表示，目前，我国是率先实现太空计算星座在轨组网运行的国家，在工程实践与商业落地速度上已走在世界前列，在太空算力赛道处于全球“第一梯队”。 工业和信息化部信息通信发展司副司长赵策介绍，围绕遥感实时处理、通信增强、时空信息等场景发掘太空算力应用，探索“通导遥算”一体化服务创新。支持在低空经济、应急通信等领域开展数据在轨处理，促进算力与卫星互联网等融合发展。 据了解，工业和信息化部将支持相关单位积极开展太空算力技术前瞻性研究，逐步建立覆盖软硬件、网络、安全等环节的标准体系，推动星载抗辐射芯片、星间激光通信等技术和产品研发。 什么是太空算力?为什么要把算力搬上天？ 太空算力是指在太空部署计算能力，通过卫星组网实现全球无缝覆盖。与地面算力中心相比，其最大优势在于“实时性”和“覆盖性”。太空算力是AI算力需求爆发、可回收火箭技术突破、地面算力建设面临能源与空间瓶颈等多重因素共同驱动的。 简单理解，太空算力相当于要把原来地面的数据中心“搬”到太空去，让卫星在天上直接处理数据。传统的卫星就像“只会拍照的相机”，在太空采集数据后，要把海量的原始信息全部传回地面机房，再由超级计算机进行分析决策。而太空算力，相当于把抗辐射芯片、服务器、存储设备全都部署到太空中的卫星上，让多颗卫星进行组网，相当于给卫星装上了“AI超级大脑”，这样就不用把大量数据传回地面，可以直接在太空就地采集、就地分析、就地决策，只把最有价值的结果传回地面。 目前，除了我国之外，不少国家都在加紧布局太空算力。美国SpaceX公司计划在近地轨道部署百万颗卫星构建太空“轨道云”、俄罗斯正推进“球体”星座算力升级、日本也在聚焦地球观测数据的在轨处理。 在太空部署算力有哪些优势和好处？ 在太空部署算力成本并不低，大家为什么还想着把算力“搬”到太空呢？在太空部署算力有哪些优势和好处呢？ 首先，地面上的超算中心普遍面临耗电惊人和散热极贵两大问题，而太空是天然的“绿色机房”，可以直接利用太阳能，而且，散热无需风冷、水冷，更为节能。 其次，地面基站、数据中心受地理限制，像海洋、沙漠、高空、偏远地区可能就处于“盲区”，而太空算力卫星组网可以实现全球100%无缝覆盖。 再有就是，传统模式下卫星拍一张高清图、传回地面、处理分析耗时比较长，而太空算力模式下，卫星可以在轨实时识别分析、生成预警、秒级回传，节约时间。 另外，在太空部署算力，在数据安全上也有战略意义，比如它可以作为地面网络瘫痪时的应急算力补充，还可以为深空探测提供算力支撑。
太空算力
中国信通院CAICT . 2026-04-07 1 1442
涨价 | 三星DRAM合约价再涨30%
4月6日消息，据韩国媒体ETnews报道，存储芯片大厂三星电子在今一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，而二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。这也反应了人工智能（AI）基础设施投资持续扩张的背景下，DRAM需求依然强调。 报道称，三星电子已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。30%的DRAM合约价涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。 一位熟悉此事的行业高管表示：“仍有许多客户希望提前获得DRAM以保障供应安全，因此我们将在第一季度后进一步提高价格并供货。” 三星电子此前在第一季度将DRAM的平均价格提高了100%。这是因为随着对AI基础设施投资的扩展，AI加速器的供应迅速增加，且对其安装的HBM需求也随之增加。随着包括三星电子在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。 这意味着，如果2025年DRAM价格为10,000韩元，那么第一季度将以20,000韩元和第二季度26,000韩元的价格向市场供应。这意味着“DRAM价格是当今最便宜的”这句话仍适用。第二季度的涨幅比第一季度缓慢，但涨价仍在继续。而这也必然将会导致PC、智能手机等依赖于通用DRAM的智能终端产品的价格持续上涨。 在今年一季度，联想、惠普、华硕、戴尔等PC大厂，以及OPPO、vivo等智能手机厂商都因为DRAM等零部件成本的上涨，已经对相关产品进行了涨价。 戴尔科技集团台湾总经理廖仁祥在3月底的新春媒体交流会上也表示，因DRAM等零组件成本上涨，戴尔的PC产品已调涨价格，具体涨幅视各产品的零组件成本占比而定，目前市场确实在提前拉货，今年第一季看得到“拉力很强”，用户知道现在这个时候买大概是今年最低价。 进入二季度，随着DRAM等核心零部件的价格进一步上涨，PC和智能手机也将继续面临成本上涨压力。 PC大厂华硕联合科技系统事业总经理廖逸翔3月下旬在接受采访时指出，PC关键零组件的涨价已是不可逆的方向，第二季PC价格预估将上涨25% 至30%，第三季仍有继续涨价的压力，因此若消费者本来就有换机需求，建议“越早买越好，越后面会越来越高”，甚至可说是“越早买越享受”。 小米公司4月3日发布公告称，受全球存储芯片等关键零部件价格持续大幅飙升影响，经过审慎评估，公司将自2026年4月11日00:00起，调整部分在售产品的建议零售价。 同日，业内还传出消息称，苹果近期正以高价大量从市场上扫货移动DRAM，甚至不惜牺牲部分利润，来确保自身供应稳定，同时避免竞争对手取得足够的内存。 这些迹象也反应了目前DRAM供应依然紧缺，并且供应紧缺的问题还将会持续。 虽然近期一些DDR4的涨幅已经放缓（比如，DRAM Exchange数据显示一些DDR4产品，例如DDR4 8Gb的平均固定交易价格与上个月相同），甚至部分DDR5内存条现货甚至出现了价格下跌。但是，普遍共识是最新的通用DRAM产品和服务器应用的DDR5的价格仍在稳步上涨。这其中的关键原因在于三大DRAM产能供应增长低于需求增长。 根据SemiAnalysis的预测，2026年全球总DRAM产能供给比需求仍低约7%，其中HBM供应缺口将从2025年的约5%扩大到2026年的约6%。2027年，HBM供应缺口将进一步扩大到约9%。与此同时，2026年至2027年，通用DRAM的供应却也会持续维持在约7%左右。 一位行业高管解释道：“随着我们试图扩大以大型科技为核心的AI服务器等基础设施建设，高性能DRAM和HBM的需求并未改变”，并且“长期合同和稳定保障DRAM的竞争需求也在加剧。” 由于拥有全球最大DRAM产能的三星电子已将价格上调30%，SK海力士和美光预计将在第二季度以类似的价格涨幅水平来进行DRAM供应。据说他们正与其他存储器制造商制定价格上涨和供应合同方法的详细战略，并与客户进行讨论。
三星
芯查查资讯 . 2026-04-07 1 1750
涨价 | 多家PCB厂及其原材料供应商宣布涨价
据悉，包括中国巨石、河南光远新材两家公司在内的多家行业企业已于3月底敲定调价方案，4月1日起正式执行上调后的产品价格。 卓创资讯监测数据显示，4月1日，河南光远新材（图中“林州光远”为公司曾用名）7628电子布出厂价为6.5元/米，已较3月整体提价0.5元/米；国际复材（图中重庆国际）7628电子布出厂价现为6.2元/米，3月均价为5.68元/米。 “今年每个月都有调，本轮调价比上一次提高了9%-10%。”中国巨石的工作人员称，本月底是否继续制定调价方案目前尚不确定，将根据后续市场行情灵活调整。 AI算力需求持续高增，拉动电子布需求快速放量，为其中长期支撑逻辑。中国巨石表示，去年以来，AI相关产品需求增长挤占了部分产能，同时供给端相对有限。供需两端共同推动了此次提价。 短期来看，中东地缘冲突升级已持续一月，推动树脂价格上涨，成为需求端的潜在影响因素。据介绍，中国巨石下游是覆铜板行业，覆铜板由玻纤布、铜箔与树脂共同构成。树脂价格上涨会直接抬升覆铜板厂商的综合成本，进而对其采购决策产生一定影响。但目前来看整体影响有限，价格仍可顺利上调。 “供不应求，客户这边也在催，但是没那么多量。”河南光远新材销售经理对记者表示。 按厚度规格划分，电子布包含7628等厚型常规产品，以及2116、1080、106等薄型及超薄型高端产品。 该经理表示，预计7628电子布要紧缺到5月份；1080型号全年大概率都将处于紧缺状态，主要原因是行业几乎没有新增产能投放；而2116型号的供给格局，主要取决于中国巨石的新产线进展。如果该产线顺利达产，2116价格上涨动能或将减弱；若产能释放不及预期，预计2116价格将持续维持高位。 根据业内企业已经披露的年报信息来看，行业整体持续高景气。 2025年，中国巨石玻纤粗纱与电子布销量再创历史新高，分别突破320万吨和10亿米，实现量价齐升、营业收入和利润同比增长。 3月23日，中国巨石就玻纤和电子布的涨价预期回复投资者称，普通玻纤产品受供给宽松影响，价格以平稳为主，高端产品稳步提升；电子布受下游需求回暖、结构性供给偏紧影响，价格稳中有升。 根据中材科技已披露的年报，2025年，全资子公司泰山玻纤经营业绩实现大幅增长，盈利能力和核心竞争力显著增强。全年对外销售玻璃纤维产品137万吨，创历史新高；销售特种纤维布1917万米，产品均已完成国内外头部客户的认证及批量供货。特种纤维布作为高毛利产品，成为公司利润的新增长点。 3月20日，中材科技表示，AI用特种纤维布目前处于缺货状态，预计2026年需求旺盛。公司特种纤维布新增产能预计在2026年下半年开始逐步释放。行业整体织布机存量较为充足，目前公司在薄布和极薄布产品上全部使用进口织布机，国产织布机还无法满足技术要求。 覆铜板企业最新涨价函铺天盖地。
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