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市场周讯 | Altera出售51%于银湖资本；美国对华禁售H20；多款GPU涨价，平均涨幅5%

| 政策速览 1. 工信部：工业和信息化部装备工业一司组织召开智能网联汽车产品准入及软件在线升级管理工作推进会。部装备工业发展中心、主要汽车生产企业近60名代表参加会议。会议强调，汽车生产企业要充分开展组合驾驶辅助测试验证，明确系统功能边界和安全响应措施，不得进行夸大和虚假宣传，严格履行告知义务，切实担负起生产一致性和质量安全主体责任，切实提升智能网联汽车产品安全水平。具体内容包括：不允许未经审批的公开测试，如“千人团”、“万人团”都要进行明确、充分验证和公示，不能拿用户去做测试；规范宣传，不要扩大宣传规范技术名词，不能出现“自动驾驶”“自主驾驶”“智驾”“高阶智驾”等名词，要按照自动化分级标准，使用“（组合）辅助驾驶”一词；降低频繁OTA，做好版本的风险管理，验证充分再上车。对频繁OTA的企业要重点审查；禁用“代客泊车”、“一键召唤”、“远程遥控”等功能。 2. 美国：美国政府（USG）通知NVIDIA，美国政府要求对出口至中国（包括香港和澳门）以及D - 5国家，或总部位于上述地区、最终母公司位于上述地区的公司出口英伟达的H20及相关产品时，必须获得许可证。 3. 美国：特朗普政府正启动对药品和半导体进口的调查，作为以广泛依赖外国生产威胁国家安全为由对这两个行业征收关税的一部分。 4. 中国&马来西亚：《中华人民共和国和马来西亚关于构建高水平战略性中马命运共同体的联合声明》发布。声明提出，双方将共同拓展新质生产力合作，围绕先进制造、人工智能、量子技术等前沿领域打造合作新增长点，加强智慧城市合作，加强产业链供应链融合发展。马方欢迎中国企业参与马来西亚5G网络建设，双方致力于发掘半导体产业链合作潜力，维护产供链稳定。 5. 韩国：向芯片产业提供33万亿韩元的支持计划；将建立20万亿韩元的半导体金融援助项目（去年为17万亿韩元） | 市场动态 6. IPnest：2024年全球半导体设计IP（知识产权）市场规模达到84.916亿美元（折合约85亿美元），较2023年的70.625亿美元增长20.2%，创下历史新高。前四大供应商（ARM、Synopsys、Cadence、Alphawave）合并占据 75% 的市场份额，2023年为72%。 7. JEDEC：JEDEC 固态技术协会正式推出 HBM4 内存规范 JESD270-4，该规范为 HBM 的最新版本设定了更高的带宽性能标准。包括：增加带宽：通过 2048 位接口，传输速度高达 8 Gb/s，HBM4 可将总带宽提高至 2 TB/s。通道数加倍：HBM4 将每个堆栈的独立通道数量加倍，从 16 个通道（HBM3）增加到 32 个通道，每个通道包含 2 个伪通道。这为设计人员提供了更大的灵活性和访问立方体的独立方式。电源效率：JESD270-4 支持供应商特定的 VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V 或 0.9V）和 VDDC（1.0V 或 1.05V）级别，从而降低功耗并提高能源效率。兼容性和灵活性：HBM4 接口定义确保与现有 HBM3 控制器的向后兼容性，从而允许在各种应用中实现无缝集成和灵活性，并允许单个控制器在需要时同时与 HBM3 和 HBM4 配合使用。定向刷新管理 (DRFM )：HBM4 结合定向刷新管理 (DRFM)，以提高行锤缓解（row-hammer）能力以及可靠性、可用性和可服务性 (RAS)。容量：HBM4 支持 4 高、8 高、12 高和 16 高 DRAM 堆栈配置，具有 24 Gb 或 32 Gb 芯片密度，可提供 64GB（32 Gb 16 高）的更高立方体密度。 8. IDC：2025年第一季度（1Q25）全球智能手机出货量同比增长1.5%，达到3.049亿部。前五分别为三星、苹果、小米、OPPO、vivo。 | 上游厂商动态 9. ST：ST披露了全球制造布局重塑计划细节，包括：效率提升、部署自动化和人工智能将增强意法半导体的重要技术研发、产品设计和规模制造能力，推进欧洲先进制造计划。 2025、2026和2027三年间重点投资项目包括12英寸硅基和8英寸碳化硅先进制造设施和技术研发，惠及全球客户。随着这一全球计划发布，包括先前披露的成本基数调整和重塑制造布局计划在内，预计接下来三年，除正常人员流失外，约有2,800员工按照自愿原则离开公司。确定到2027年底，每年节省数亿美元成本这一目标。 10. Melexis：公司于2024年签署了一项全面推进本土化生产的合作协议，此协议将于2026年初取得实质性突破：由中国晶圆制造商生产的新产品将正式面世，这意味着产品交货周期将大幅缩短。 11. 安霸：Ambarella与智能边缘软件提供商风河公司（Wind River®）共同宣布，双方将基于安霸 CV3 系列高性能 AI 芯片打造新一代智能驾驶计算平台。 12. 博世：博世宣布与全球领先的人造金刚石解决方案供应商元素六（Element Six）成立合资公司——博世量子传感（Bosch Quantum Sensing），进一步加速量子传感器的研发、制造与市场落地。 13. Allegro：Allegro拒绝onsemi以 69 亿美元的收购。onsemi 提出的每股 35.10 美元的收购报价“不够”，而就在几个月前，Onsemi 还拒绝了后者每股 34.50 美元的收购提议。 14. Altera：英特尔将其 Altera 业务的 51% （约87.5 亿美元）出售给全球领先的技术投资公司银湖资本。 15. 海南大学：海南大学发布自主研发的脑机接口专用芯片等核心技术与产品，包括全球领先的脑机接口专用芯片、神经信号采集系统、神经信号调控系统及神经元定位系统。我国在脑机接口领域实现全链条技术自主可控。 16. 三星：三星再次推迟了其位于德克萨斯州泰勒市的芯片工厂建设，目前计划于2027年2月投产。 17. NVIDIA：中国贸促会会长任鸿斌在北京与英伟达公司首席执行官黄仁勋举行会谈，这是黄仁勋时隔3个月再次到访北京。针对美国政府决定对英伟达对华出口的H20芯片，黄仁勋表示，美国政府加强芯片出口管制已对英伟达业务产生重大影响，作为深耕中国市场三十载的企业，英伟达与中国市场共同成长、相互成就，中国不仅是全球最具规模的消费市场之一，其蓬勃发展的产业生态与领先的软件实力，更成为他们持续创新的重要动力。英伟达将继续不遗余力优化符合监管要求的产品体系，坚定不移地服务中国市场。 18. ASML：ASML在第一财季业绩沟通会上表示，2025年中国市场对ASML芯片制造工具的需求强于预期。对于公司是否像台积电一样将光刻机制造工厂转移到美国，以应对潜在关税影响，ASML表示没有相关计划。 19. 台积电：台积电预计第二季度销售额284亿-292亿美元，市场预估271.6亿美元；台积电预计第二季度毛利率57％至59％，预估58.2％；台积电预计第二季度营业利益率47％至49％，预估48％。 20. AMD：AMD表示美国出口管制适用于公司的MI308产品，AMD预计出口管制可能导致最高约8亿美元的费用。此外，AMD代号“Venice”的新一代AMD EPYC处理器正式完成投片，成为业界首款采用台积电2nm（N2）制程技术的高效能运算（HPC）处理器，该产品预计将于明年上市。 21. 技嘉：主板与显卡厂商技嘉已向中国市场客户发出多款GPU型号的涨价通知，其中包括英伟达的RTX 5090D系列、上一代RTX 4060系列以及AMD的RX 9070系列。据悉，涨价幅度在50元至500元人民币之间，平均涨幅约为5%。 | 应用端动态 22. 小米：小米日前内部宣布，在手机部产品部组织架构下成立芯片平台部，任命秦牧云担任芯片平台部负责人，向产品部总经理李俊汇报。资料显示，秦牧云此前曾在高通任职，担任高通产品市场高级总监，后加入小米。 23. 小鹏：小鹏汽车董事长何小鹏称，公司自研图灵AI芯片将于2025年第二季度正式量产上车，该芯片还将应用于小鹏AI机器人，飞行汽车能物理AI硬件。 24. 广汽：广汽发布多款车规级芯片，分别与中兴微电子、裕太微电子、仁芯科技、矽力杰、极海、奕斯伟、杰华特、国芯、美泰等公司联合开发。其中，与中兴微电子联合开发的C01芯片，是我国首款自主设计的新一代16核心多域融合中央计算处理芯片；与裕太微电子共同打造的G-T01芯片，是拥有国内最高容量的国内首款车规级千兆以太网 TSN 交换芯片；与仁芯科技联合开发的G-T02芯片，是全球首款带宽高达16Gbps的SerDes芯片；与矽力杰开发的G-K01芯片，是全球首款符合ASIL-D功能安全等级的6核RISC-V芯片。 25. 苹果：据市场消息，富士康正在悄悄调整苹果 iPhone 供应链布局，开始在巴西组装 iPhone 16e。

芯片

芯查查资讯 . 2025-04-21 9 1 3210
智能驾驶 | 车规级芯片晶圆代工厂产线分布及产能情况

重点内容速览： 1. 台积电：最大的车规级芯片代工厂商 2. 三星：晶圆代工产线主要分布在韩国和美国 3. 中芯国际：多有平台验证成车规级 4. 华虹集团：国内第二大晶圆代工厂 5. 高塔半导体：多产品线支持车规级芯片制造众所周知，车规级芯片与消费级和工业级芯片相比，要求更高的可靠性、安全性、稳定性，以及更长的供货周期，需要通过AEC-Q100、汽车行业质量管理体系IATF16949、功能安全标准ISO26262等标准认证。特别是近期美国关税政策的变化，引发全球连锁反应，对半导体产业链也造成影响。比如美国对中国出口到该国的个别商品累计各种明目的关税最高已经达到245%，我国商务部新闻发言人表示坚决反制。此前，我国也宣布了针对美国提高加征税率采取反制措施，对美国进口商品加征的关税税率增至125%，这对美国制造占比高的芯片产品影响较大。近期关于芯片原产地的问题颇受业界关注。不久前，中国半导体行业协会还专门发了一篇《关于半导体产品“原产地”认定规则的紧急通知》，里面提到根据海关总署的相关规定，“集成电路”原产地按照四位税则号改变原则认定，即流片地认定为原产地。因此，我们有必要了解一下芯片产品的制造基地主要分布在哪些地方，在上一篇文章中，芯查查介绍了全球Top5的IDM车规级芯片主要生产基地，但其实更多的车规级芯片企业是Fabless企业，他们需要通过晶圆代工厂来制造车规级芯片，比如国外的恩智浦，国内的兆易创新、杰开科技、国芯科技、芯海科技、中颖电子、芯旺微、芯驰科技、极海半导体、国民技术、中微半导、云途半导体、小华半导体、灵动微电子、琪埔维半导体、凌鸥创芯、旗芯微、芯擎科技、地平线、航顺芯片、先楫半导体等都是采用第三方晶圆代工进行流片的；即便是传统的IDM厂商，比如意法半导体、瑞萨、ADI、Microchip等也有一部分的车规级芯片在委托第三方晶圆代工厂进行流片。目前具有车规级芯片生产线的晶圆代工厂商主要有台积电、三星、中芯国际、联电、格罗方德、华虹宏力、Tower等，那么这些晶圆代工厂的产线是如何分布的，产能情况如何呢？台积电：全球最大的车规级芯片代工厂商台积电是全球首家集成电路晶圆代工厂，也是目前市场份额最大的晶圆制造公司，其主要业务包括晶圆制造、封装、测试，以及技术服务。根据集邦咨询统计的数据，2024年全球前十大晶圆代工厂中台积电排名第一，占了67.8%的市场份额，远超排名第二的三星（10.4%）。截止到2024年12月31日，台积电部署了288种不同的工艺技术，为522名客户生产了11,878种产品。2024年的总晶圆出货量达到了1,290万片12英寸等效晶圆，相比2023年的1,200万片12英寸等效晶圆有所增长。据其2024年财报显示，台积电7nm及以下制程的收入占总晶圆收入的69%，高于2023年的58%。根据台积电官网的介绍，目前台积电的晶圆制造厂主要分布在中国台湾、南京、上海、美国亚利桑那州、日本熊本县、以及欧洲德累斯顿等地区。其中已经量产的晶圆厂包括位于中国台湾的四座12英寸晶圆GIAAFAB工厂、四座8英寸晶圆工厂和一座6英寸晶圆工厂，以及台积电南京有限公司和台积电美国亚利桑那公司这两家全资子公司旗下的两座12英寸晶圆厂；还有台积电控股的制造子公司日本先进半导体制造公司（JASM）旗下的12英寸晶圆代工厂，以及台积电华盛顿和台积电中国有限公司这两家全资子公司旗下的两座8英寸晶圆代工厂。图：台积电全球新布局（来源：台积电、福邦咨询、民生证券）具体来看，国内方面: 中国台湾地区：新竹科学园区，作为台积电的全球研发中心，包括Fab12A（12英寸晶圆厂）、Fab 12B（12英寸晶圆厂）、Fab 12P（12英寸晶圆厂）等，主要生产16纳米、28纳米、3纳米，以及未来的2nm等先进制程技术。8英寸晶圆厂Fab3、Fab5、Fab8等。台南南部科学园区包括Fab14（12英寸晶圆厂,16nm工艺主要生产基地）、Fab16、Fab18（12英寸晶圆厂）、Fab25（在建12英寸晶圆厂，规划P1~P3部署1.4nm制程技术，P4~P6部署1nm制程技术）等晶圆厂。8英寸晶圆厂Fab6，6英寸晶圆厂Fab2。台中中部科学园区包括Fab15（12英寸晶圆厂）等晶圆厂，2nm制程正在规划中。南科竹科厂规划于2025年量产，技术节点从0.45微米到2nm，以及CoWoS先进封装。嘉科厂专注于CoWoS先进封装技术。高雄厂 Fab22将生产2nm制程，预计在2025年实现量产。南京与上海地区南京厂，Fab16，负责16nm和28nm制程芯片制造，月产能约2万片/月。上海松江厂，8英寸晶圆厂，主要生产微米级制程，供应车规级芯片和家电类芯片。美国：亚利桑那州凤凰城，积极建设12英寸晶圆厂Fab21，一期针对4/5nm，2024年Q4已经开始了4nm技术的量产，产能爬坡将继续顺利进行，预计达产产能约2万片/月；二期针对2/3nm，且建设已经完成，目前正处于安装设施系统的阶段，计划2026年开始生产3nm制程芯片；2024年台积电就宣布了计划在亚利桑那建设第三家工厂，第三家工厂将生产采用2nm或更先进工艺的芯片。华盛顿州卡马斯市，拥有8英寸晶圆厂Fab11。日本：熊本县，与索尼、电装和丰田等合作建立晶圆厂（JASM），一厂主要生产12/16/22/28nm制程，产能约5.5万片/月，同时计划2025Q1兴建日本熊本二厂，主要生产6/7nm制程，预计到2027年投入量产，产能约6万片/月。计划为汽车、工业、消费电子和高性能计算相关应用提供晶圆代工服务。最高的HBM方面，三星推出了定制化的HBM4解决方案，支持客户IP集成。在DDR5 RDIMM方面，由于市场在寻找128GB甚至更高容量的产品，因此，三星推出了目前最大单一芯片DDR5 RDIMM 32Gb，可以最高实现256GB DDR5内存，满足AI算力需求。欧洲：德国德累斯顿晶圆厂，该工厂2024年8月已经奠基，它是一家专注于汽车和工业应用的特色工艺工厂，将生产台积电的28/22nm平面CMOS和16/12nmFinFET工艺技术，产能约4万片/月。近年来，台积电在积极扩产先进工艺，3月31日，台积电在高雄举办了2nm扩产典礼，并于4月1日起接受2nm晶圆订单预订。其实台积电在竹科宝山厂（Fab20）完成了5,000片风险试产，良率超过60%，计划2025年下半年正式进入量产阶段。在新竹宝山晶圆厂（Fab20）和高雄晶圆厂（Fab22）共同贡献下，预计到2025年底，台积电2nm工艺的总月产能将突破5万片晶圆，2026年提升至8万片/月，潜在客户包括苹果、AMD、英特尔和博通等。根据公开的信息显示，台积电在车规级芯片的专用产线和共用产线布局方面，台积电正在加大对汽车电子领域的产能倾斜力度，其南京工厂和日本熊本厂的产线面向车规级芯片产品，用于生产车规级MCU等芯片，正在建设的德国德累斯顿工厂也主要面向汽车和工业类应用。在先进制程方面，台积电的先进制程技术，比如5nm的SoC技术被广泛应用于车规级芯片的生产，例如恩智浦的高端车规级芯片几乎全部外包给了台积电；特斯拉的FSD芯片也是在台积电代工的；NVIDIA的车规级Thor芯片也选择了在台积电代工。三星：晶圆代工产线主要分布在韩国和美国三星晶圆代工业务部门在2017年5月从系统LSI业务部门独立出来，成立了三星电子晶圆代工。三星电子从2005年开始进入12英寸晶圆代工领域，已经整整20年了。目前三星晶圆代工主要以12英寸晶圆代工为主，仅有1家8英寸晶圆代工厂（位于韩国京畿道器兴（Giheung）），正在生产的一共有6条产线，包括传感器、功率IC、分立器件、eFlash，以及逻辑等成熟制程产品。图：三星晶圆代工制造工厂分布（来源：三星）其12英寸产线有7家，其中2家成熟制程代工厂S1（韩国器兴，）和S2（美国德克萨斯州奥斯汀，2007年开业）；先进工艺代工厂3家，其中S5、S6位于韩国平泽（Pyeongtaek），还有一家位于美国德克萨斯州泰勒市（Taylor），该工厂提供65nm至14nm工艺的晶圆制造；以及一家同时具有成熟制程和先进制程位于韩国华城（Hwaseong）的S3代工厂。其产品平台包括智能手机平台、高性能计算/数据中心平台、汽车电子平台、家居/工业IoT平台，以及个人计算机平台。目前三星晶圆代工的车规级芯片包括14nm、8nm和5nm工艺的车载信息娱乐系统处理器；特制8英寸PMIC/BMIC产品；ADAS/AD处理器和传感器；为MCU客户提供28nm嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，嵌入式闪存、嵌入式MRAM，以及基于FinFET的eMRAM等产品。在车规级工艺方面，三星晶圆代工已在AG1提供14纳米逻辑芯片和28纳米eFlash eNVM芯片，并在AG2提供 SF5A和8纳米逻辑芯片。未来几年，三星计划将SF4A甚至SF2A芯片推向市场，并将完成14/8/5纳米eMRAM工艺开发。电源管理方面，三星提供130nm的1.5/3.3/5/7’’70V/eFlash的BCD电源IC。还计划在未来几年推出130纳米100V BCD、90纳米70V BCD和+DTI。同时，三星晶圆代工即将为eFlash提供 1.2V、ESF3。近年来，三星在汽车芯片领域展现出了雄心壮志，比如推出Exynos Auto基于人工智能的汽车处理器；与现代汽车在汽车芯片领域展开合作；计划在未来20年内投入300万亿韩元（约2,290亿美元）在首尔郊区兴建一个新的芯片集群。该集群预计将在龙仁市新建5个内存和代工晶圆厂，旨在吸引150多家本地和外国芯片公司。中芯国际：多有平台验证成车规级作为国内领先的晶圆代工企业，中芯国际成立于2000年，总部位于上海，历经20多年的发展，在国内外多地布局了生产基地，构建起了庞大的制造和服务网络。根据其官网及公开资料显示，中芯国际主要在长三角、珠三角、京津冀三个地带中电布局。具体分布如下：图：中芯国际晶圆代工厂分布图（来源：中芯国际）上海作为其总部所在地，也是中芯国际重要的生产基地，现有一座12英寸晶圆厂（中芯南方，主要生产14nm及以下先进制程，规划月产能3.5万片）和3座8英寸晶圆厂（生产成熟制程的模拟、功率器件等）。此外，临港12英寸晶圆代工生产线项目（中芯东方）正在扩建，总投资约1,000亿元，分三期建设，规划总产能10万片/月，聚焦28nm及以上工艺。一期工程已于2023年投产，预计2027年达产。北京，中芯国际拥有两座12英寸晶圆厂（中芯北方B1/B2厂，主要生产28nm及以上成熟制程芯片，应用于通信和消费电子等领域），2024年底，12英寸产能较2023年增加了约6万片，以满足市场需求。天津，拥有一座8英寸晶圆厂，月产能10万片，主要生产电源管理、传感器和射频芯片等。同时，正在推进新增12英寸晶圆厂建设，覆盖28nm至180nm制程技术，规划产能为10万片/月，总投资75亿美元，2022年启动，目标是2025年投产。深圳，拥有一座8英寸晶圆厂，且正在扩建12英寸晶圆厂，原计划2024年投产，因设备调试延迟至2025年，规划月产能4万片，聚焦28nm及以上制程，主要生产驱动芯片和电源管理芯片等。绍兴，拥有一座8英寸晶圆厂，月产能7万片，专注于MEMS、功率器件，用于智能汽车和家电芯片生产。另外，中芯国际在成都代管了成都成芯半导体的8英寸晶圆厂，主要生产分立器件和模拟芯片，并设有封装测试厂，服务后端制造；在武汉代管了武汉新芯集成电路的一座12英寸晶圆厂，聚焦于3D NAND Flash及NOR Flash芯片生产。根据中芯国际官网，公司工艺平台涵盖电源/模拟、DDIC、IGBT、eNVM、NVM、混合信号/射频、汽车电子和IoT等。2024年中芯国际的营业收入为578亿元，其中晶圆代工收入为532.5亿元，毛利率18.6%，晶圆制造代工方面消费电子占比最大为37.8%；其次为智能手机27.8%；电脑与平板16.6%；互联与可穿戴10%，工业与汽车应用占7.8%。中芯国际打算在三年内实现满足于国内汽车芯片1/3需求的目标，近年来，中芯国际持续推出高性能、高质量、高可靠性的汽车电子技术服务来满足芯片客户及汽车品牌方的需求，在高电压、大电流、高可靠性BCD及模拟平台、超低功耗逻辑平台、高性能微控制器平台、车规级显示驱动平台、高可靠性存储器平台等都已经实现了车规级认证、量产和终端应用。面向未来持续增长的汽车市场，中芯国际加速部署客户产品，并全面覆盖娱乐、连接、动力控制、车身及底盘等车载应用。对于车规级芯片产线的问题，中芯国际的做法是在每个工厂里优选产能，用不同的质量管理系统来管理这些设备做汽车产品。也就是说，他们要把平台，验证到工业级和车规级，这样就可以在同一个工厂里面来分配产能，好的产能的部分去做汽车产品，然后其他的来做工业和消费类产品。因此，中芯国际现在要做的是把所有平台验证成车规级，再逐渐上量。华虹集团：国内第二大晶圆代工企业华虹集团的晶圆代工业务由华虹宏力和上海华力微两家子公司运营，前者是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，后者则采取逻辑工艺与特色工艺同步发展的策略。华虹集团覆盖了逻辑、功率、嵌入式/独立式非易失性存储、模拟、射频、CIS等诸多领域。华虹集团拥有3条8寸线和4条12寸线芯片生产线，月产能分别为17.8万片和25.6万片，分布在金桥、张江、无锡、康桥四大基地，是国内仅次于中芯国际的第二大晶圆代工企业。图：华虹集团产能分布（来源：华虹官网，平安证券）华虹公司子公司华虹宏力负责运营华虹一厂、华虹二厂、华虹三厂、华虹七厂、华虹九厂，其中华虹一、二、三厂是8英寸晶圆厂，七厂、九厂是12英寸晶圆厂。2024年12月10日，无锡华虹九厂建成投产，主要负责车规级芯片制造，月产能8.3万片，工艺等级覆盖65/55-40nm。高塔半导体：多产品线支持车规级芯片制造高塔半导体（Tower）依托其遍布全球的多家制造基地，包括以色列、欧洲、美国和日本，为Fabless公司和IDM厂商提供高质量、灵活可靠的产能保障，帮助其提升生产能力并实现生产布局多元化。目前，高塔半导体在以色列运营两座晶圆厂（分别为6英寸和8英寸），在美国运营两座8英寸晶圆厂，在日本则拥有一座8英寸和一座12英寸晶圆厂。2021年6月，高塔半导体宣布与意法半导体（ST Microelectronics）达成合作协议，共同建设并使用位于意大利阿格拉泰的新建12英寸晶圆厂。为了满足众多终端市场及多种产品日益增长的需求，高塔半导体已在多处生产基地扩充产能，并稳步提升产线利用率，在此过程中始终保持卓越的关键绩效指标（KPI）。高塔半导体依托成熟且模块化的平台体系，提供全面且先进的模拟技术解决方案，旨在全方位支持整个汽车生态系统的发展需求。其技术布局与长期发展战略紧密契合推动汽车市场高速增长的三大核心趋势：全域互联、持续提升的车辆自动化水平，以及动力系统的全面电气化。通过与各细分领域的行业领导者深度合作，高塔半导体不断开发行业领先的技术，全面服务于广泛的汽车客户群体，包括整车厂（OEM）、一级系统集成商（Tier-1）、集成器件制造商（IDM）以及无晶圆厂（Fabless）企业。高塔半导体的先进电源管理平台具备超低导通电阻（Rdson）以及卓越的电压和电流处理能力，适用于多种关键应用，包括电机驱动器、DC-DC转换器、电池管理芯片（BMS IC）、电源管理IC（PMIC）、负载开关、电压调节器、LED驱动器等。在图像传感技术方面，该公司提供先进的CMOS图像传感器，具备卓越的单光子雪崩二极管（SPAD）性能，专为激光雷达（LiDAR）设计。通过其高性能的全局快门（Global Shutter, GS）技术，实现了在飞行时间（ToF）感应、抗LED频闪、极低照度成像以及热成像等应用中无与伦比的图像表现。GS技术也是手势识别、乘客状态监测等高级结构光应用的首选方案。此外，我们的非成像传感平台支持多种环境、健康与接近感应类的高精度传感器解决方案。值得一提的是，高塔半导体高性能的硅锗（SiGe）技术已在大规模雷达产品中应用，并已准备好支持V2X（车联网）及5G通信需求。硅光子（Silicon Photonics）技术则正在推动小型化激光雷达的发展，助力实现真正的全自动驾驶及智能机器人系统。在高性能射频（RF）和模拟领域，其RFSOI和RFCMOS技术广受市场领先客户青睐。结语当然，除了前面提到的这些公司，格罗方德、联电、晶合集成、世界先进、华润微等晶圆代工企业也都有车规级芯片的晶圆代工产线，这里就不一一列举了，有兴趣的可以到芯查查官网上的半导体产业链地图查看。 ‍

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芯查查资讯 . 2025-04-21 1 10 5745
产品丨艾迈斯欧司朗推出新型高功率455nm蓝激光二极管

全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，推出新型高功率蓝色激光二极管PLPT9 450LC_E，该创新产品拥有高达43%的出色电光效率以及首次达到455纳米波长。 PLPT9 450LC_E采用TO90封装，进一步丰富艾迈斯欧司朗蓝激光产品阵容，其设计紧凑而坚固，完美契合对封装强度和光学功率有较高要求的应用场景。艾迈斯欧司朗产品经理Michael Mayr 表示：这款新型蓝色激光二极管是蓝色激光技术领域的一大进步，为我们的客户在高要求应用中提供了强大且高效的解决方案。凭借其卓越的高光学功率、高效能以及紧凑的设计，这款455纳米激光二极管极大地优化各行业进一步发展基于激光的应用。经过精心设计，PLPT9 450LC_E可在455纳米波长下能够输出高达5.5瓦的光功率。这款新型激光二极管的电光效率显著提升，一般情况下可达43%。凭借高输出功率与高效率，使其在工业和医疗等对光学性能要求极高的应用场景中表现出色。此外，该产品提供2纳米的波长分档，客户可以精准选择合适的器件，实现对波长有严格要求的应用。其采用坚固耐用的TO90金属封装，具备低热阻特性，进一步提升产品的可靠性和稳定性。多样化的转换能力波长转换是蓝色激光技术的关键要素，极大地拓展其多功能性和应用范围。借助荧光粉转换工艺，蓝色激光二极管能够产生高功率白光，适用于对高照明质量有严格要求的应用场景，例如具备窄光束角的聚光灯。除白光之外，蓝色激光还可以通过荧光粉转换工艺转换为其他颜色，如红色、绿色和橙色。在此工艺中，不同的荧光粉材料在受到蓝光激光激发时会发出不同的颜色。这种灵活性能够以精确且高效的方式产生各种颜色，从而满足不同行业的特定需求。舞台照明和特种照明等应用能够从产生广泛光谱颜色的能力中显著受益，从而显著提升其功能和性能。例如，在显微镜应用中，产生特定颜色并结合窄光束角的能力可以大幅提升成像的对比度与细节清晰度。投影及其他应用 PLPT9 450LC_E依靠其强大的高光学功率，使得图像明亮且清晰，在激光投影领域展现出卓越性能。该产品凭借高效率以及稳定可靠的特性，能够全方位满足工业用户的多样化需求，在各类技术解决方案中成为高适配性的关键组件之一。不管是大尺寸的投影，还是复杂精细的激光显示，这款蓝色激光二极管均能发挥出色性能，为多个平台带来显著提升的视觉体验。除在投影领域的广泛应用，蓝色激光在诸如雕刻和焊接等材料处理应用中同样表现出色。凭借其卓越的精确性和可靠性，蓝色激光成为精细打标等工业应用的理想选择。

ams OSRAM

艾迈斯欧司朗 . 2025-04-18 1 1140
技术 | 解决噪声问题试试从PCB布局布线入手

噪声问题是每位电路板设计师都会听到的四个字。为了解决噪声问题，往往要花费数小时的时间进行实验室测试，以便揪出元凶，但最终却发现，噪声是由开关电源的布局不当而引起的。解决此类问题可能需要设计新的布局，导致产品延期和开发成本增加。本文将提供有关印刷电路板(PCB)布局布线的指南，以帮助设计师避免此类噪声问题。作为例子的开关调节器布局采用双通道同步开关控制器 ADP1850，第一步是确定调节器的电流路径。然后，电流路径决定了器件在该低噪声布局布线设计中的位置。 PCB布局布线指南第一步：确定电流路径在开关转换器设计中，高电流路径和低电流路径彼此非常靠近。交流(AC)路径携带有尖峰和噪声，高直流(DC)路径会产生相当大的压降，低电流路径往往对噪声很敏感。适当PCB布局布线的关键在于确定关键路径，然后安排器件，并提供足够的铜面积以免高电流破坏低电流。性能不佳的表现是接地反弹和噪声注入IC及系统的其余部分。图1所示为一个同步降压调节器设计，它包括一个开关控制器和以下外部电源器件：高端开关、低端开关、电感、输入电容、输出电容和旁路电容。图1中的箭头表示高开关电流流向。必须小心放置这些电源器件，避免产生不良的寄生电容和电感，导致过大噪声、过冲、响铃振荡和接地反弹。图1. 典型开关调节器(显示交流和直流电流路径) 诸如DH、DL、BST和SW之类的开关电流路径离开控制器后需妥善安排，避免产生过大寄生电感。这些线路承载的高δI/δt交流开关脉冲电流可能达到3 A以上并持续数纳秒。高电流环路必须很小，以尽可能降低输出响铃振荡，并且避免拾取额外的噪声。低值、低幅度信号路径，如补偿和反馈器件等，对噪声很敏感。应让这些路径远离开关节点和电源器件，以免注入干扰噪声。第二步：布局物理规划 PCB物理规划(floor plan)非常重要，必须使电流环路面积最小，并且合理安排电源器件，使得电流顺畅流动，避免尖角和窄小的路径。这将有助于减小寄生电容和电感，从而消除接地反弹。图2所示为采用开关控制器ADP1850的双路输出降压转换器的PCB布局。请注意，电源器件的布局将电流环路面积和寄生电感降至最小。虚线表示高电流路径。同步和异步控制器均可以使用这一物理规划技术。在异步控制器设计中，肖特基二极管取代低端开关。图2. 采用ADP1850控制器的双路输出降压转换器的PCB布局第三步：电源器件——MOSFET和电容(输入、旁路和输出) 顶部和底部电源开关处的电流波形是一个具有非常高δI/δt的脉冲。因此，连接各开关的路径应尽可能短，以尽量降低控制器拾取的噪声和电感环路传输的噪声。在PCB一侧上使用一对DPAK或SO-8封装的FET时，最好沿相反方向旋转这两个FET，使得开关节点位于该对FET的一侧，并利用合适的陶瓷旁路电容将高端漏电流旁路到低端源。务必将旁路电容尽可能靠近MOSFET放置(参见图2)，以尽量减小穿过FET和电容的环路周围的电感。输入旁路电容和输入大电容的放置对于控制接地反弹至关重要。输出滤波器电容的负端连接应尽可能靠近低端 MOSFET的源，这有助于减小引起接地反弹的环路电感。图2中的Cb1和Cb2是陶瓷旁路电容，这些电容的推荐值范围是1 μF至22 μF。对于高电流应用，应额外并联一个较大值的滤波器电容，如图2的CIN所示。散热考虑和接地层在重载条件下，功率MOSFET、电感和大电容的等效串联电阻(ESR)会产生大量的热。为了有效散热，图2的示例在这些电源器件下面放置了大面积的铜。多层PCB的散热效果好于2层PCB。为了提高散热和导电性能，应在标准1盎司铜层上使用2盎司厚度的铜。多个 PGND层通过过孔连在一起也会有帮助。图3显示一个4层 PCB设计的顶层、第三层和第四层上均分布有PGND层。图3. 截面图：连接PGND层以改善散热这种多接地层方法能够隔离对噪声敏感的信号。如图2所示，补偿器件、软启动电容、偏置输入旁路电容和输出反馈分压器电阻的负端全都连接到AGND层。请勿直接将任何高电流或高δI/δt路径连接到隔离AGND层。AGND是一个安静的接地层，其中没有大电流流过。所有电源器件(如低端开关、旁路电容、输入和输出电容等)的负端连接到PGND层，该层承载高电流。 GND层内的压降可能相当大，以至于影响输出精度。通过一条宽走线将AGND层连接到输出电容的负端(参见图4)，可以显著改善输出精度和负载调节。图4. AGND层到PGND层的连接 AGND层一路扩展到输出电容，AGND层和PGND层在输出电容的负端连接到过孔。图2显示了另一种连接AGND和PGND层的技术，AGND层通过输出大电容负端附近的过孔连接到PGND层。图3显示了PCB上某个位置的截面，AGND层和PGND层通过输出大电容负端附近的过孔相连。电流检测路径为了避免干扰噪声引起精度下降，电流模式开关调节器的电流检测路径布局必须妥当。双通道应用尤其要更加重视，消除任何通道间串扰。双通道降压控制器ADP1850将低端MOSFET的导通电阻RDS(ON)用作控制环路架构的一部分。此架构在SWx与 PGNDx引脚之间检测流经低端MOSFET的电流。一个通道中的地电流噪声可能会耦合到相邻通道中。因此，务必使 SWx和PGNDx走线尽可能短，并将其放在靠近MOSFET的地方，以便精确检测电流。到SWx和PGNDx节点的连接务必采用开尔文检测技术，如图2和图5所示。注意，相应的 PGNDx走线连接到低端MOSFET的源。不要随意将PGND 层连接到PGNDx引脚。图5. 两个通道的接地技术相比之下，对于ADP1829等双通道电压模式控制器，PGND1和PGND2引脚则是直接通过过孔连接到PGND层。反馈和限流检测路径反馈(FB)和限流(ILIM)引脚是低信号电平输入，因此，它们对容性和感性噪声干扰敏感。FB和ILIM走线应避免靠近高δI/δt走线。注意不要让走线形成环路，导致不良电感增加。在ILIM和PGND引脚之间增加一个小MLCC去耦电容 (如22 pF)，有助于对噪声进行进一步滤波。开关节点在开关调节器电路中，开关(SW)节点是噪声最高的地方，因为它承载着很大的交流和直流电压/电流。此SW节点需要较大面积的铜来尽可能降低阻性压降。将MOSFET和电感彼此靠近放在铜层上，可以使串联电阻和电感最小。对电磁干扰、开关节点噪声和响铃振荡更敏感的应用可以使用一个小缓冲器。缓冲器由电阻和电容串联而成(参见图 6中的RSNUB和CSNUB)，放在SW节点与PGND层之间，可以降低SW节点上的响铃振荡和电磁干扰。注意，增加缓冲器可能会使整体效率略微下降0.2%到0.4%。图6. 缓冲器和栅极电阻电阻栅极驱动器路径栅极驱动走线(DH和DL)也要处理高δI/δt，往往会产生响铃振荡和过冲。这些走线应尽可能短。最好直接布线，避免使用馈通过孔。如果必须使用过孔，则每条走线应使用两个过孔，以降低峰值电流密度和寄生电感。在DH或DL引脚上串联一个小电阻(约2 Ω至4 Ω)可以减慢栅极驱动，从而也能降低栅极噪声和过冲。另外，BST与SW 引脚之间也可以连接一个电阻(参见图6)。在布局期间用0 Ω栅极电阻保留空间，可以提高日后进行评估的灵活性。增加的栅极电阻会延长栅极电荷上升和下降时间，导致 MOSFET的开关功率损耗提高。总结了解电流路径、其敏感性以及适当的器件放置，是消除 PCB布局设计噪声问题的关键。ADI公司的所有电源器件评估板都采用上述布局布线指导原则来实现最佳性能。评估板文件UG-204和UG-205详细说明了ADP1850相关的布局布线情况。注意，所有开关电源都具有相同的元件和相似的电流路径敏感性。因此，以针对电流模式降压调节器的 ADP1850为例说明的指导原则同样适用于电压模式和/或升压开关调节器的布局布线。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-04-18 7 1 1990
产品 | 性能、容量、功耗兼备，固态硬盘实现游戏和工作“两手抓”

这个四月，一款广受主机玩家好评的3A大作正式登陆PC平台，PC玩家终于能体验其精彩的剧情与极具创意的画面表现......对PC游戏玩家而言，PC不仅是游戏设备，更是重要的生产工具。因此在选购设备时，玩家既要既要确保设备能流畅运行3A游戏，也要兼顾办公场景下的效率与功耗表现。除了关注CPU、GPU等核心参数外，存储设备的性能同样重要。 3A大作的震撼冲击，容量与性能的双重挑战通常，从主机平台移植至PC的3A大作会在画面表现和游戏内容上进行优化升级，这不仅提升了玩家体验，也显著增加了游戏体积。以本月发布的这款PC版3A游戏为例，其官方最低配置要求150GB以上的固态硬盘空间，几乎是PS5版本的两倍。而Steam平台最新硬件调查报告显示，目前多数PC用户的可用硬盘空间在100GB至249GB之间，难以同时容纳多款3A大作。此外，3A游戏在运行过程中需要处理复杂的角色动作指令、实时读取高精度纹理以及进行大规模场景切换等操作，这些都需要存储设备频繁执行数据交互，因此对存储设备的顺序和随机读写性能提出了极高要求。 AI时代的办公，效率与功耗的平衡在现代化办公场景中，随着AI PC的快速普及，人工智能技术已深度渗透至工作流程的各个环节——从云端大模型与终端侧小模型的协同计算，到智能语音识别、图像处理及数据分析等应用，均依赖于高速稳定的存储系统支撑。以AI助手为例，在执行关键信息提取、市场趋势分析、智能文档生成、图像设计及创意视频制作等任务时，需要实时处理多模态输入数据，并依托大模型算法进行高效运算，最终实现快速响应输出。这对存储设备提出了双重需求：一方面，需具备充足容量以承载海量数据；另一方面，需拥有卓越的读写性能来保障AI应用的高效运行。值得注意的是，作为核心办公设备，AI PC往往需要长时间持续工作。因此，固态硬盘在确保高性能的同时，还必须兼顾运行稳定性与低功耗特性，以避免在长期使用过程中出现数据完整性风险或性能衰减问题。商用消费级固态硬盘，兼顾游戏办公多重需求面对游戏和办公场景对数据存储的多重需求，固态硬盘成为理想的解决方案。其在容量、性能与功耗等方面均经过优化，可同时满足用户运行3A游戏大作与AI办公场景的需求。高速读写，3A大作秒级加载：固态硬盘采用闪存芯片存储数据，无需机械部件寻道，顺序读写速度显著提升。许多行业媒体的测评都显示，无论运行网络游戏还是3A大作，从启动游戏到加载多人战场，SSD均能实现秒级响应，表现远超机械硬盘。容量充足，无惧海量数据：一款兼顾游戏与AI办公需求的存储设备，不仅需容纳100GB以上的3A游戏，还需存储数十亿参数规模的AI大模型，并高效处理AI应用在分析、生成等任务中产生的海量数据。因此，其所需的固态硬盘单盘容量通常达2TB以上。大容量固态硬盘配合卓越的读写性能，确保用户在AI时代从容应对数据洪流。功耗优化，远离电量焦虑：固态硬盘通过优化通道数量，有效降低高负载运行时的发热量，从而延长设备续航时间，减少电量焦虑。长江存储商用消费级固态硬盘，游戏与工作的平衡之选为应对AI时代用户多元化的存储需求，作为国内领先的存储解决方案提供商，长江存储推出了一系列创新产品，全面覆盖从游戏娱乐到专业办公的多场景数据存储需求。在今年3月12日的MemoryS闪存峰会上，长江存储首次展示了商用消费级固态硬盘新品PC450。作为第二代四通道、无缓旗舰产品，PC450拥有优秀的功耗和温度控制，全面满足高端游戏本、高端商务本、超薄本、台式电脑等终端的存储需求，为用户提供优异的产品体验。 PC450采用先进的晶栈®Xtacking®创新架构，搭载新一代X4-9070 TLC闪存颗粒，并支持主机缓存方案（HMB），实现高达7000MB/s的最大读取速度。基于经市场验证的成熟方案，PC450不仅能够提供稳定可靠的存储性能，还能有效降低开发成本，助力PC用户获得流畅的游戏体验和高效的AI办公体验。

长江存储

长江存储商用存储方案 . 2025-04-18 1665
企业 | 安霸与风河达成战略合作，联合发布新一代智能驾驶计算平台

2025 年 4 月 18 日，Ambarella（下称“安霸”，纳斯达克股票代码：AMBA，AI 视觉感知芯片公司）与智能边缘软件提供商风河公司（Wind River®）共同宣布，双方将基于安霸 CV3 系列高性能 AI 芯片打造新一代智能驾驶计算平台。该联合解决方案计划于 2025 年 4 月举办的上海国际汽车工业展览会上首度公开展示，标志着双方在智能驾驶系统软件与硬件协同创新领域的重要突破。安霸 CV3 系列芯片凭借其行业领先的高算力、高能效比及多传感器融合能力，成为本次合作的核心技术基石。 CV3 系列芯片采用 5nm 车规工艺，搭载第三代 CVflow® AI 计算架构，在实现数百 TOPS 算力的同时，保持了行业领先的每瓦能效比。相较于传统 GPU/DSP 计算架构，CV3 的软件执行效率大幅提升，功耗大幅降低，每瓦功耗的 AI 算力行业领先，特别在多传感器数据融合处理方便展现出独特优势。芯片内置的 8K 级超高清图像处理器与多模态数据实时协同计算，支持低照度增强与高动态范围（HDR）技术，确保全天候环境下的精准感知。通过搭配风河中国自主开发的车用 ASIL-D 级实时操作系统、底软和中间件等，为城市 NOA、高速领航等高阶功能提供确定性计算保障。风河凭借其在汽车功能安全软件领域的技术积淀，为 CV3 芯片量身定制了符合 ISO 26262 标准的系统软件栈，包含底软、中间件、开发与调试工具、功能安全、信息安全相关设计等。双方联合开发的计算平台支持 L2++ 以上自动驾驶功能，接入 11 路视觉传感器与激光雷达等多传感器输入，运行端到端自动驾驶算法，显著提升复杂交通场景的感知可靠性。CV3 系列芯片的低功耗，使得整体散热成本降低 40%，为混动及燃油车型智能化升级提供可行方案。 CV3 系列芯片均为 ASIL-B/D 功能安全等级，多个 Cortex A78AE 和 R52 CPU 核带来的强大的计算性能，搭配风河车用实时操作系统具备的 ASIL-D 功能安全等级和高实时性、高可靠性，利用风河在软件系统开发，软件配置管理，在线升级的丰富经验，组成一个高功能安全和信息安全的综合解决方案。另外，基于安霸和风河双方技术合作的阶段性成果，其前代产品，以 CV2 ASIL C 为主芯片的智能泊车域控已在某主流车企实现量产，并陆续在中国和海外市场发售。该方案通过五路摄像头实现厘米级定位精度，支持垂直/斜列式等复杂泊车场景的实时建模，并依托风河在线升级（OTA）实现算法的持续进化。风河公司中国区高级行业负责人唐尧坤指出：“我们很高兴与安霸携手推进智能驾驶项目合作。风河推出了中国本土开发的 RTOS 实时操作系统，通过集成到安霸的 CV3 智驾 SoC，能够实现边缘计算硬件与确定性软件栈的深度耦合。我们将共同打造开放的智能驾驶生态系统，通过标准化软件接口降低车企开发门槛，推动智能驾驶技术向经济型车型渗透。” 安霸总裁兼 CEO 王奉民表示：“高阶智能驾驶正在加速演进，CV3 系列芯片的设计初衷即为应对 L3 级智能驾驶的复杂挑战。” CV3 芯片的设计理念与风河在实时操作系统，功能安全软件领域的专业能力形成完美互补。此次合作将重新定义智能驾驶系统的可靠性与经济性，助力汽车产业加速向软件定义时代转型。 -- 王奉民安霸总裁兼 CEO 4 月 23 日至 5 月 2 日的上海车展期间，安波福基于 CV3 SoC 和风河 RTOS 开发的支持城市 NOA 的低功耗域控制器方案将在安波福展台展出，届时将通过实车演示与技术解析，全面展现其下一代高阶智驾解决方案的应用潜力。

安霸

Ambarella安霸半导体 . 2025-04-18 1145
AI | NVIDIA 推出 AI 驱动的医疗机器人开发平台 NVIDIA Isaac for Healthcare

医疗科技的未来是机器人化——医院将全面自动化，由 AI 驱动的手术系统、机器人助手和自主患者护理彻底改变现有医疗模式。构建 AI 驱动的机器人系统面临几项关键挑战。首要挑战是将数据收集与专家见解相融合，另一项挑战则是为逼真的解剖结构、传感器和机器人创建详细的生物力学仿真，这些仿真对于生成合成数据和训练机器人至关重要。确保从虚拟部署无缝过渡到现实场景同样关键，此外还需在操作过程中管理高带宽、多模态传感器 AI 的超低延迟问题。这些技术瓶颈凸显了对整体性框架的需求——该框架需包含三个核心计算模块：用于训练先进模型的 AI 计算，用于在高保真虚拟环境中开发和验证机器人行为的仿真计算，以及用于临床环境实时执行的运行时计算。 NVIDIA Isaac for Healthcare 是一款用于 AI 医疗健康机器人的开发者框架，能帮助开发者应对这些挑战。Isaac for Healthcare 适用于医疗健康特定领域，基于 NVIDIA 三台计算机实现物理 AI。该框架包含用于采用 MONAI 提供预训练模型和代理式 AI 框架，其中 MAISI、Vista-3D 等模型可生成仿真工作流所需的解剖合成数据；其次，它包含用于仿真的 NVIDIA Omniverse（包括 NVIDIA Isaac Sim 和 NVIDIA Isaac Lab），开发者可以导入医疗设备/机器人、传感器及解剖结构，以构建具有物理精确性的虚拟环境，让机器人系统能安全地学习技能；第三，它包含 NVIDIA Holoscan，用于实现在机器人端部署和进行实时传感器处理。该框架能够提供数字原型设计、硬件在环（HIL）产品开发测试、用于 AI 训练的合成数据生成、策略训练，以及实时部署等，适用于各类型医疗机器人，包括：手术与介入机器人影像诊断机器人康复辅助与服务机器人图1. NVIDIA 三台计算机解决方案，正在为医疗健康领域的下一代 AI 机器人发展提供支持 Isaac for Healthcare：引领医疗 AI 机器人技术新浪潮 Isaac for Healthcare 通过数字孪生与物理 AI 技术的融合，为医疗领域提供以下核心能力：针对下一代医疗机器人系统、传感器及器械的数字化原型设计。利用高保真仿真环境生成的真实数据与合成数据训练 AI 模型。在具备硬件在环（HIL）的数字孪生环境中验证 AI 模型。通过在数字孪生环境中实现对机器人系统的扩展现实（XR）和 / 或具备触觉反馈的远程操作，收集用于通过模仿学习来训练机器人策略的数据。利用 GPU 并行计算来训练强化学习和模仿学习算法，提升机器人灵巧操作能力（比如在机器人辅助手术的场景中）。通过硬件在环数字孪生系统，对机器人进行持续测试（CT）。构建从仿真到现实的部署应用，实现物理手术机器人的落地。最新版本重点推出两大端到端参考工作流：手术子任务自动化与自主机器人超声扫描，全面覆盖外科手术和医学影像机器人应用场景，旨在加速实现用户特定场景下的自主机器人能力开发。下文将详细解析这两大工作流的技术实现。机器人手术子任务自动化工作流本工作流为开发者构建和部署手术子任务自动化解决方案提供标准化模板。通过整合数字孪生、强化学习与模仿学习、高保真合成数据生成以及实时机器人评估等技术，该方案为 AI 驱动的手术自动化提供了可扩展的实施路径。该工作流基于 ORBIT-Surgical 项目开发，该项目由 NVIDIA、PAIR 实验室（多伦多大学与佐治亚理工学院联合实验室）及 AUTOLAB（加州大学伯克利分校）共同推进，并得到苏黎世联邦理工学院的研究协作支持。 ORBIT-Surgical 现正迁移至 Isaac for Healthcare 平台，并逐渐演变为机器人手术子任务自动化工作流。未来，来自学术界、产业界和临床医疗机构的现有合作伙伴及新伙伴，将共同协作推动该工作流的进一步发展。图 2. Isaac for Healthcare 工作流 1——机器人手术子任务自动化，帮助开发者构建手术子任务自动化策略约翰霍普金斯大学和斯坦福大学的合作团队，将一个经过数小时手术视频训练的视觉语言模型（VLM）与达芬奇研究套件（dVRK）集成，该系统可自主执行三个关键手术任务：小心提起身体组织、使用手术针和缝合伤口（如上图所示）。借助这一工作流，开发人员可以将自己的手术机器人、传感器、器械和患者模型引入 NVIDIA Omniverse，创建高保真手术数字孪生模型。这使他们能够在不接触患者的情况下，对缝合、切割和组织操作等复杂手术过程进行仿真，同时大规模生成大量基于物理原理的、逼真的合成数据，用于训练机器人策略。然后，这些合成生成的数据集将在 Isaac Lab 中用于训练强化学习和模仿学习流程，或者微调现有的通用视觉语言动作模型（例如 π0），以使手术机器人能够掌握人类外科医生的技能和灵活性。最后，在数字孪生中经过充分训练的策略，实现了从仿真到现实的过渡，并部署到一台物理手术机器人上（本例中为 dVRK）。 Isaac for Healthcare 在手术子任务自动化工作流中的关键能力包括：自带（BYO）组件：使用自定义机器人、器械、耗材和解剖结构具备仿真环境：逼真、基于物理的数字孪生模型数据生成和收集：合成数据以及专家示范操作数据策略训练：用于技能获取的强化学习和模仿学习评估和测试：在数字孪生中进行基于 HIL 测试的基准测试 Sim2Real 迁移：将 AI 从仿真环境部署到真实手术中图 3. Isaac for Healthcare 机器人手术子任务自动化工作流是一个主要基于 NVIDIA Omniverse 和 NVIDIA Holoscan 构建的框架 BYO 解剖学该流程创建逼真解剖模型的步骤如下：从 AI 辅助的合成 CT 生成（使用 NVIDIA MAISI）和分割操作（使用 NVIDIA VISTA3D 或 Auto3DSeg）开始，随后进行网格转换、网格清理和优化、逼真纹理处理，最终将所有带纹理的器官组装成统一的 OpenUSD 文件。该工作流能够创建针对特定患者的模型，用于罕见或复杂病例的仿真。这一点尤为重要，因为此类病例的真实患者数据往往非常稀缺，这就使得仿真成为了用于培训和术前准备的极为宝贵的工具。逼真人体器官模型可在 GitHub 获取： github.com/isaac-for-healthcare/i4h-asset-catalog BYO 机器人 / 仪器该工作流基于达芬奇研究套件（dVRK）开发，但所提供的模板能够推广应用到其他机器人平台。导入手术机器人的流程需要遵循 Isaac Sim 通用导入指南。详细指导请参考 Isaac Sim URDF 导入教程。 Isaac Sim 4.5 提供了简化的工作流，通过将机器人 CAD 模型转换为 USD 格式来准备仿真模型。转换为 USD 后，可进行关节装配的关键步骤，包括添加关节物理特性和定义机器人的运动学属性。完成这些关键准备工作后，您的机器人模型即可集成到仿真场景（数字孪生模型）中，以物理精确的方式与器官或其他物体交互。 BYO 传感器该工作流为 AI 策略学习提供多种感知模式。开发者可集成不同的成像传感器（如立体相机、内窥镜相机、深度传感器）来定制 AI 感知流程。专家示范数据采集（通过远程操作技术）该工作流还提供方案/示例，支持通过不同手术任务的远程操作，生成高质量示范数据，这些数据对于训练和评估手术机器人中的 AI 模型至关重要。各种外围设备，包括键盘、空间鼠标、游戏手柄、VR 控制器和达芬奇研究套件（dVRK）的主工具操作器（MTM），都可以与数字孪生体进行通信，并提供输入指令，来控制 Cartesian 空间中的机器人。策略学习对于任务自动化，支持各种先进的强化学习和模仿学习算法，例如 Action Chunking Transformer（ACT）和 https://arxiv.org/abs/2303.04137，以便获取高效的手术技能。自主机器人超声工作流超声成像具有无创、便携和安全等优势。然而，要获得高质量的超声图像需要熟练的超声技师操作。但是由于训练有素的专业人员面临日益短缺的情况，超声成像充分展现了任务自动化在扩大医疗服务可及性、支持及时准确诊断方面的潜在优势。该参考工作流提供了一个可复现、可定制且模块化的框架，通过 AI、数字孪生和更广泛的三台计算系统框架，构建超声机器人自动化方案。该工作流的主要功能大多与机器人手术子任务自动化工作流重叠，因此本文仅重点阐述超声工作流特有的核心能力。图 4. Isaac for Healthcare 工作流 2——自主机器人超声，使开发者能够开发机器人超声自动化策略使用此工作流，开发者可以将机械臂、相机传感器、超声探头和患者模型导入 NVIDIA Omniverse，以创建高保真超声检查的数字孪生模型。开发人员可以构建逼真的解剖模型和虚拟探头，对超声波与不同密度组织的相互作用进行仿真，生成丰富的训练数据集。这种方法使开发人员能够在不受物理实验室限制的情况下，探索不同的扫描角度、压力水平以及解剖结构的变化情况。开发者可以利用 Isaac Lab，获取来自仿真和专家示范操作的数据，以采用强化学习或模仿学习，训练机器人系统进行最佳定位，并调整超声波探针的方向以捕获高质量图像。图 5. Isaac for Healthcare 自主机器人超声工作流框架 Isaac for Healthcare 的早期采用者与生态系统合作伙伴 Isaac for Healthcare 正通过与手术机器人、介入机器人、影像机器人以及机械臂供应商等领域的领先机构合作，加速 AI 驱动的医疗机器人的发展。在手术机器人领域，Virtual Incision 正在评估 Isaac for Healthcare 在手术合成数据生成（SDG）方面的能力，以开发其未来手术机器人系统的自主任务能力，并利用真实仿真环境提升手术精度。 Moon Surgical 正在对自主机器人设置进行原型设计，使机器人能够动态适应外科医生的技术和手术流程，从而提高手术的精准度和效率。在介入机器人领域，Neptune Medical 使用 NVIDIA Omniverse 和 Isaac Sim 设计与仿真机器人内窥镜检查，以增强诊断能力。 XCath 正字利用 Isaac for Healthcare 为其血管介入机器人、治疗设备和人体血管系统创建全面的数字孪生，在其基于导管的机器人系统中实现自主导航的运动规划和控制。 Kinova 和 Franka 等领先机械臂提供商，正在通过在 Isaac for Healthcare 中提供可直接用于仿真的预构建机械臂，推动开发者生态系统的发展。结合全面的参考工作流，这些解决方案为开发者提供了坚实的技术基础，使他们能够快速制作原型，并将自主功能部署到医疗设备中，推动医疗机器人领域的创新发展。

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2025-04-18 1 1 1385
方案 | ST电机控制方案如何为高功率冷却系统“降温增效”

在数据中心、暖通空调（HVAC）以及电池储能系统（BESS）飞速发展的当下，高功率冷却系统的重要性愈发凸显。作为这些系统的关键一环，电机控制技术的优劣直接影响着冷却效率与能耗。为解决这些痛点，ST推出用于高功率冷却系统的电机控制解决方案，它是如何在节能与高效上大显身手的？让我们来一探究竟。高功率冷却系统的市场“热”情与能耗“痛点” 当前，数据中心的规模呈指数级扩张，HVAC在各类建筑中的普及，以及BESS在电网稳定中的关键作用，都让高功率冷却系统市场持续升温。数据显示，2022年数据中心冷却业务市场规模为31.4亿美元，预计到2032年将飙升至311亿美元；HVAC业务2023年规模达2940亿美元，2032年有望增至4810亿美元；BESS业务从2023年的54亿美元，预计到2030年增长至269亿美元，市场潜力巨大。然而，高功率冷却系统的能耗问题却不容小觑。作为冷却系统的“动力心脏”，电机消耗着系统中约40%的能源。特别是AI服务器，预计2030年AI消耗的电力可能占全球的10%以上，其中电机能耗更是大头。以典型数据中心为例，下图是典型的1.2MW数据中心参考设计。要带走CPU、GPU等产生的热量，大概需配备800KW左右的散热方案，其中散热风扇500kW，冷却器300kW。整个数据中心实际耗能在2MW左右，冷却能耗占到四成。数据中心冷却系统的基本架构如下图所示，一般采用直接芯片冷却方式，将冷板与CPU或GPU直接连接，通过冷却液带走热量，通常可带走机架中设备生成的70-75%的热量，需使用混合方法（风扇）进行冷却。高效的电机驱动器如何帮助冷却系统节能？采用IE4、IE5等级的高效电机，相比IE2和IE3电机可节约5-15%的能源；运用宽禁带半导体变频调速技术；电机变速驱动装置根据电流需求调整电机速度，能节约20-60%的能源；驱动装置还可根据负载优化电机磁通量，最多节约20%；再加上分布式dPFC提升电能质量，最后，使用系统分析进行冷却优化，节约约30%。 ST 10kW电机+三相Vienna PFC方案：冷却系统的“节能利器” ST推出的10kW永磁同步电机驱动方案，搭配三相Vienna PFC，堪称冷却系统的“节能利器”。在此方案中，MCU选用170MHz主频的STM32G431，犹如整个系统的“智慧大脑”，精准调控各个环节。在硬件搭建上，Vienna PFC部分和电机控制部分采用分立器件。Vienna部分包括1200V/30A的STTH30S12W二极管、650V/40A的STGWA40H65DFB2 IGBT，电机控制部分包括1200V40A的STGWA40M120DF3 IGBT。电机采样拓扑支持三电阻和单电阻采样，灵活适应不同场景；隔离驱动采用STGAP2S，高压轨1700V，抗扰性能达100V/us，传播延时仅75ns，还具备多种保护功能，为系统安全稳定运行保驾护航。 STM32G431堪称集成模拟外设的“多面手”，内部集成丰富模拟外设，运算放大器精度为12位，过采样可提升至16位，用于电流采样；比较器与运放配合实现硬件过流保护；DAC在调试时监控变量，强大的模拟功能为电机控制和PFC调节提供精准数据支持。 650V HB2系列IGBT是PFC的“节能先锋”，该系列IGBT的VCESAT较低，在1.55V-1.65V之间，裸晶片中电流能力15A-100A，Qg比HB系列更低，关断特性软，电压尖峰低，还有多种二极管选项，广泛应用于PFC、太阳能等领域，能有效提升电能质量，降低能耗。 1200V M系列IGBT是电机控制的“动力担当”：1200V M系列IGBT的VCESAT在1.7V-1.85V，电流能力覆盖8A-50A，裸晶片中最高达75A，开关频率2-20kHz，短路时间10us，适用于电机控制、变频器等，为电机稳定高效运行提供可靠保障。多维度技术优化：成就节能、高效、精准 ST的解决方案通过多维度的技术优化，实现了节能、精准和高效的理想效果。任务时序优化：提升效率本方案只用一个MCU同时控制电机和Vienna PFC，因此合理规划任务时序至关重要。PFC任务优先级高于电机控制FOC任务，方案通过精准分配MCU资源，可避免计算量失衡，提升了处理效率。比如，在ADC2 INT中执行5kHz的MC FOC任务，在TIM6 INT中执行20kHz的PFC VOC任务，有条不紊。下图是STM32G431 CPU的负载测试结果。其中压缩机开关频率为5kHz，FOC控制频率也为5kHz，任务持续时间为9.5us，占用4.8%的CPU负载。PFC开关频率为40kHz，VOC电压矢量控制任务频率为20kHz，占用CPU负载约57.1%，加上其他低频任务，共计占用CPU负载不超过67.7%，这充分说明了STM32G431强大的性能优势和高效的处理能力。本方案使用64引脚的STM32G431RBT6，其中有18个未使用引脚，用户可利用这些剩余引脚做一些自定义设计。高精度采样与谐波控制：保障性能电流谐波不提供有功能量交换，会降低系统效率，在数据中心或通信基站等场景还可能影响到通信，因此降低谐波能大幅提升系统性能。本方案通过过采样将PFC的电压电流采样精度提高到15位，过采样率为8，用TIM2触发采样，在一个开关周期内对电网电压和电流进行8次采样。此外，还额外加入谐波滤波器，有效控制5次、7次、11次、13次等谐波。实测数据见证实力：方案性能经得起考验从实验数据来看，该方案表现十分出色。在不同功率工况下，Vienna PFC的iTHD控制良好，1kW工况下iTHD在11.25%左右，3kW工况下约为4.156%，满足数据中心、储能应用在30%负载下电流iTHD小于6%的要求；10kW负载下的输入电流iTHD在1.7%左右，谐波含量低，系统稳定性高。压缩机测试波形也显示，该方案能稳定驱动压缩机运行，无论是低功率还是高功率场景，都能应对自如，充分证明了方案在实际应用中的可靠性。多种冷却系统解决方案：满足个性化需求 ST为用户提供多种冷却系统解决方案，针对不同功率级、电机控制应用以及单相单路、单相双路交错PFC或三相Vienna PFC需求，均有对应产品。从1kW低成本单电机控制方案，到10kW商用压缩机搭配三相PFC Vienna方案，一应俱全，且均已上市，客户可根据自身需求灵活选择。 STM32电机控制生态：完善工具助力高效开发除了提供解决方案，ST还通过搭建STM32电机控制生态系统，提供一系列丰富且实用的工具，为电机控制领域的开发者构建了一个全面、高效的开发环境。电机控制套件：在线工具，方便开发者访问意法半导体MCU生态中的电机控制资源，适用于STM32、STSPIN32和STM8 MCU。电机控制分析仪：可自动检测Rs、Ls、Ke等关键参数，无需额外设备，适用于STM32 MCU。电机控制软件开发工具包（SDK）：含完整特征的固件库，ST电机控制工作站作为图形化配置/监视器，适用于STM32、STSPIN32 MCU。强大的处理性能、多维度优化技巧、全面的解决方案加之完整的生态系统，ST的电机控制方案有望帮助用户破解高功率冷却系统的“困局”，有效助力数据中心、HVAC、BESS等领域的绿色、高效发展。

ST

意法半导体工业电子 . 2025-04-18 1 1 1005
方案 | 恩智浦新一代可配置模拟前端，如何重塑工业自动化？

恩智浦的工业4.0软件可配置模拟输入系列 (NAFE1和NAFE7系列) 在市场上广受好评，在此基础上，又推出了其下一代模拟输入/输出 (AIO) 系列的首款产品NAFE33352。该产品专为工业测量与控制应用打造，旨在提供卓越的精度与灵活性。 NAFE3 AIO系列凭借其专为智能工厂打造的先进功能，有效应对关键的工业4.0发展趋势。这彰显了恩智浦对于面向工厂自动化应用的系统解决方案的长期承诺与投入。赋能机器学习驱动的工业自动化在这些系统中，主控制器通过嵌入式或远程I/O模块接收传感器输入，并向执行器提供输出。 NAFE333352凭借高采样率 (输入为576kSPS，输出为200kSPS)，以及卓越的精度与准确度 (输入为24位，±0.005%误差，输出为18位，±0.0025%误差)，成为需要快速、准确地处理数据的机器学习工业应用的理想选择。灵活且经济高效的设计 NAFE33352采用高集成度、灵活的软件可配置架构，可降低产品尺寸和成本，同时大幅提升研发和制造效率。其输入与输出均可通过软件进行数字化配置，无需人工干预，支持快速调整。凭借这一优势，NAFE3系列能够有效应对工业4.0的重要挑战——如何让工厂快速、高效地适应不断变化的市场需求。 NAFE33352软件可配置模拟输入/输出前端为工业4.0应用提供支持精准测量与控制，源于设计作为AIO系列的首款产品，NAFE33352具备卓越的输入与输出灵活性，支持±12.5V电压输入/输出和±25mA电流输入/输出范围。其宽泛的输入范围可在各类工业应用中实现精准的信号处理，确保高精度数据采集、监测与控制。 NAFE33352器件集成了一个模拟输入/输出 (AIO) 和两个模拟输入。未来，NAFE3系列还将推出包含1个AIO的版本和包含1个AO的型号，并保持引脚对引脚和固件兼容。 NAFE33352采用高集成度、创新的系统架构，其紧凑的6mm × 6mm封装内包含一个精密的18位数模转换器 (DAC)、一个24位模数转换器 (ADC)、低漂移参考电压、低偏置漂移缓冲器以及高压高精度放大器，带70V输入保护电路，适用于EMC和布线错误情况，实现了真正的软件可配置的通用模拟输入/输出。该系列还将推出带有较低分辨率16/14位DAC及16位ADC的型号。 NAFE33352模拟前端结构框图 NAFE3系列助力打造高速、高精度且极为精准的模拟控制环路。其14/16/18位DAC、16/24位ADC以及高性能放大器，结合高分辨率、单调性、快速稳定时间和低噪声，构建出色的功能集，可满足下一代高精度模拟环路控制系统的严苛要求。用于预测性维护的诊断功能 NAFE33352系列集成了先进的诊断电路，用于输入与输出级。输出级具备内置诊断与保护电路，可检测开路与短路。输入级具有先进的诊断电路，可实现异常检测，助力预测性维护与功能安全。这些强大的诊断功能能够尽量减少智能工厂的停机时间，确保其运营可靠性，从而大幅提升生产效率。 NAFE33352为多种应用赋能 NAFE3系列集成了关键功能，适用于可编程逻辑控制器 (PLC)、远程I/O、温度测量及工业称重系统应用。 NAFE33352采用2:1的输入输出组合，并支持在共享终端上进行软件配置。此外，NAFE33352还集成了用于功能安全实现的诊断功能，是多功能PLC应用的优选方案，包括切片I/O模块和远程I/O。该器件的高精度、低漂移DAC参考源适用于单通道或多通道隔离式温度测量系统。此外，NAFE33352支持工业称重和负载传感器应用，提供高达25mA的激励电流或12.5V的激励电压。同时，AC激励技术有效消除偏移，进一步提升精度。 NAFE33352适用于多功能PLC应用，如切片I/O模块和远程I/O 加速可配置AIO模块的设计 KITNAFE33352-EVB用于快速评估恩智浦的模拟前端NAFE33352。该解决方案独具特色，展现了模拟输入/输出模块的完整系统设计。通过使用现成的LPC54S018 MCUXpresso SDK驱动程序和评估专用的GUI工具，该解决方案能够显著加速系统设计流程。作为一款符合EMC标准并经过全面测试的硬件解决方案，它能够帮助工程师快速采用这一设计。它集成了经过验证的电源电路，可提供NAFE的电压源 (±15V，3.3V)，同时配备数字隔离器，有效保护MCU免受各类模拟信号的干扰，此外，还配有开关，以充分发挥NAFE33352的软件可配置性。所有必要的信号均已路由至接头，可直接连接至LPC54S018 EVB。该设计经过全面测试，确保卓越的准确性和精度，用户校准后，输入精度可达±0.005%，输出精度达±0.0025%，同时具备24位输入分辨率和18位输出分辨率。 KITNAFE33352-EVB评估套件帮助您加速全软件可配置模拟输入/输出模块的开发 KITNAFE33352-EVB解决方案配备了图形用户界面 (GUI)，让用户能够轻松配置NAFE33352并运行多种应用程序，包括称重传感器、电压测量、电流感测和RTD (温度传感) 等，以实现其它的快速评估。GUI能通过配置参数加速各类传感器的评估和试验过程，从而优化性能。 KITNAFE33352-EVB解决方案具有图形用户界面，允许用户配置NAFE33352并运行多个应用程序总体而言，完整的KITNAFE33352-EVB解决方案将显著加速完全软件可配置模拟输入/输出模块的硬件和软件开发进程。 NAFE33352的评估能力即将通过NAFE33352-UIOM得到扩展。NAFE33352-UIOM是一款软件可配置的输入/输出AFE Arduino Shield扩展板，支持快速评估，并与恩智浦的FRDM-MCX开发板实现即插即用的兼容性。用户可借助恩智浦应用代码中心提供的示例代码，快速实现电压、电流及温度测量 (RTD与热电偶)，有效缩短开发周期。长期供货对于工业应用至关重要，NAFE33352和NAFE3系列器件将包含在恩智浦产品长期供货计划中。总结与展望 NAFE33352作为模拟前端产品组合的新成员现已量产。AIO-AFE适用于PLC、流程控制、I/O模块及称重应用。工程师可使用KITNAFE33352-EVB (现已上市) 或即将推出的NAFE33352-UIOM来评估恩智浦的模拟输入/输出前端系列。其中，NAFE33352-UIOM作为恩智浦FRDM开发平台的组成部分，与恩智浦微控制器兼容。

NXP

NXP客栈 . 2025-04-18 3 1 1580
市场 | 2024年全球芯片IP：TOP 4包揽75%市场，HPC接口IP增长强劲

近日，据行业机构IPnest发布数据显示，2024年全球半导体设计IP（知识产权）市场规模达到84.916亿美元（折合约85亿美元），较2023年的70.625亿美元增长20.2%，创下历史新高。 Top 10厂商垄断83.7%市场 2024年，全球设计IP市场Top 10厂商合计营收70.89亿美元，同比增长22.8%，市场份额从2023年的81.7%提升至83.7%。其中，ARM、Synopsys两家企业合计占据66%的市场份额，较2023年提升4.5个百分点。前四大供应商（ARM、Synopsys、Cadence、Alphawave）合并占据 75% 的市场份额，而2023年为72%。 2024年，全球设计IP市场收入同比增长逾20%，创下历史新高，主要得益于有线接口类别和处理器类别的强劲表现，分别增长23.5%和22.4%。 ARM的主要目标市场是移动计算，而排名第二、第三和第四的IP公司（Synopsys、Cadence、Alphawave）则专注于高性能计算（HPC）应用。HPC领域的IP主要基于PCIe和CXL等互连协议、以太网和SerDes（串行器/解串器）、芯片到芯片（UCIe）互连，以及包括高带宽内存（HBM）的DDR内存控制器。值得注意的是，这些厂商还提供先进工艺节点的解决方案，以满足AI超大规模开发者的特殊需求。Synopsys覆盖了主流市场，获得了更大的营收。头部供应商表现 ARM主要专注于处理器IP，以绝对优势蝉联设计IP市场榜首。2024年，其营收从2023年的29.384亿美元跃升至36.944亿美元，同比增长25.7%，市场份额达到43.5%。这一增长主要得益于移动端5G SoC（系统级芯片）和AI加速器的需求激增。此外，ARM在边缘计算设备（如智能汽车芯片）的渗透率提升。 Synopsys以23.6%的增速位列第二，2024年营收从15.424亿美元增长至19.064亿美元，市场份额达到22.5%。Synopsys通过提供高性能接口IP（如PCIe和CXL）和处理器IP，满足了HPC和汽车电子领域的需求。在高性能接口IP方面，其解决方案在数据中心和AI芯片领域占据主导地位，英伟达的AI芯片均深度集成其接口IP。在3nm及以下节点，Synopsys与台积电、三星合作开发的GAA架构IP，被谷歌TPU v5、特斯拉Dojo等AI芯片广泛采用。 Cadence以27.2%的增速成为Top 10厂商中增长最快的企业，2024年营收从3.911亿美元增至4.976亿美元，市场份额提升至5.9%，其增长动力来自“IP+EDA工具链”的协同效应。Cadence的接口IP解决方案广泛应用于HPC和移动计算领域。 Alphawave成立于2017年，通过提供高性能SerDes IP，迅速崛起为市场第四大供应商，2024年营收增长25.6%，从2.157亿美元增至2.7亿美元，市场份额3.2%。作为专注于高速SerDes（串行器/解串器）IP的新兴企业，Alphawe在数据中心光模块市场表现突出。其他厂商则分化明显，Rambus排名第五，营收增长13.9%，达1.436亿美元，主要依靠DDR5内存接口IP的渗透；Imagination Technologies排名第六，营收下滑10%，仅1.397亿美元；eMemory Technology排名第七，增长18.2%，营收达1.142亿美元。 AI、HPC与先进工艺的三重共振有线接口IP是设计IP市场增长的主要驱动力，2024年增长率达到23.5%，高于处理器类别。这一领域的增长主要得益于PCIe、DDR、以太网和D2D等协议的广泛应用。IP市场大部分的年增长率来自单一领域——HPC。台积电2024年第四季度数据显示，HPC平台贡献了53%的营收，且同比增长58%，而智能手机占35%，物联网占5%，汽车占4%，其他占3%，智能手机、物联网、汽车和DCE的收入分别同比增长23%、2%、4%和2%，其他领域则有所下降。这一数据与设计IP市场中HPC相关IP（如SerDes、PCIe、CXL）的23.5%增速完全吻合。HPC需求的爆发性增长驱动了芯片设计对先进IP的需求。 IPnest报告指出，回顾2016年至2024年IP市场的发展，可以了解一些主要趋势。全球IP市场增长了145%，而前三大供应商的增长并不均衡。从2016年至2024年，全球IP市场增长了145%。其中，Synopsys和Cadence的增长率分别达到326%和321%，而ARM的增长率为124%。市场份额方面，ARM的市场份额从2016年的48.1%略微下降至2024年的44%，而Synopsys的市场份额从13.1%增长到23%。通过对比2016年至2024年的复合年增长率（CAGR），可以总结如下： Synopsys的复合年增长率CAGR为19%； Cadence的复合年增长率CAGR为19%； ARM的复合年增长率CAGR为9%。 IPnest还根据许可和特许权使用费IP收入对IP供应商进行了排名：在IP许可收入方面，Synopsys在2024年以32%的市场份额位居第一，ARM以30%的市场份额位居第二。 2024年设计IP市场的强劲增长反映了全球对高性能计算和先进接口IP的持续需求。随着AI、大数据和5G技术的进一步普及，设计IP市场有望在未来几年继续保持快速增长。在设计IP领域，SerDes（Serializers/Deserializers，串行/解串器）是高速数据传输的核心技术，尤其在HPC（高性能计算）、AI芯片和数据中心的应用。在IPnest的报告中指出，Alphawave凭借SerDes IP，在7年内从 0 增长至超过 2.7 亿美元，跻身行业前列，表明高性能 SerDes IP 对于现代数据中心应用至关重要，并呼吁“别轻视SerDes”。

芯片IP

芯查查资讯 . 2025-04-18 2 1670
政策 | 严管智能驾驶，车企不得夸大虚假宣传智驾

2025年4月16日，工业和信息化部装备工业一司组织召开智能网联汽车产品准入及软件在线升级管理工作推进会。部装备工业发展中心、主要汽车生产企业近60名代表参加会议。会议围绕工业和信息化部、市场监管总局《关于进一步加强智能网联汽车产品准入、召回及软件在线升级管理的通知》有关产品准入和软件在线升级备案要求，听取汽车生产企业落实情况及建议。部装备工业发展中心介绍智能网联汽车产品准入及软件在线升级管理的重点关注事项。会议强调，汽车生产企业要深刻领会《通知》要求，充分开展组合驾驶辅助测试验证，明确系统功能边界和安全响应措施，不得进行夸大和虚假宣传，严格履行告知义务，切实担负起生产一致性和质量安全主体责任，切实提升智能网联汽车产品安全水平。公告中提到，汽车生产企业要充分开展组合驾驶辅助测试验证，明确系统功能边界和安全响应措施，不得进行夸大和虚假宣传，严格履行告知义务，切实担负起生产一致性和质量安全主体责任，切实提升智能网联汽车产品安全水平。具体内容包括：不允许未经审批的公开测试，如“千人团”、“万人团”都要进行明确、充分验证和公示，不能拿用户去做测试；规范宣传，不要扩大宣传规范技术名词，不能出现“自动驾驶”“自主驾驶”“智驾”“高阶智驾”等名词，要按照自动化分级标准，使用“（组合）辅助驾驶”一词；降低频繁OTA，做好版本的风险管理，验证充分再上车。对频繁OTA的企业要重点审查；禁用“代客泊车”、“一键召唤”、“远程遥控”等功能。图源：网络，仅供参考 3月29日小米安徽事故是‘药引子’，政府开始用猛药治理、严管高阶智驾乱象。 3月29日，一辆小米SU7轿车在安徽铜陵德上高速发生交通事故，三名大学生因此身亡。根据小米公布的信息，事故发生时为夜晚，车辆在事故前处于NOA智能辅助驾驶状态。这起车祸是小米SU7上市一年以来最严重的车辆碰撞事故，也是国内辅助智能驾驶商用以来伤亡最严重的一起事故。事故背后，关于辅助智能驾驶系统安全性的问题，以及车企是否有过度宣传辅助智能功能，导致消费者对智能驾驶功能预期过高，模糊了智驾能力边界成为了最大争议。本次规范的严厉程度是前所未有的。 “智驾平权的前提是安全。在智驾行业已经发展起来的当下，行业亟待相关部门和产业链上下游共同去规范标准。在所有国家和地区，涉及汽车安全的标准一定是强制标准，这样才真正能够有所保障。”智能驾驶是与生命安全挂钩的产品，新能源汽车发展的过程中每天都有新技术诞生，不能把安全当代价。

政策

芯查查资讯 . 2025-04-18 3 13 3945
PIN TO PIN 英集芯IP2313，纳祥科技充电芯片NX7016可用于电动工具

纳祥科技NX7016是一款兼具高集成度和高可靠性的5V输入单节锂电池同步降压2A充电管理芯片。 NX7016 同步整流控制环路包含输入电压、输入电流和输出电流，采用涓流模式、恒流模式和恒压模式的控制算法优化充电过程，电池充满后芯片自动停止充电并转灯提示，当电池电压降低至回充电压阈值后芯片再次启动对电池充电。 NX7016 内置自适应充电环路以满足不同型号及电流能力的适配器，它持续监测 VIN 端的输入电压，当该电压降至 VIN TRACK(自适应充电电压阈值)时，内部的反馈环路将减小充电电流以防止 VIN 端电压持续降低，从而保护适配器不致因过载而损坏。 NX7016 采用 ESOP8 封装，在性能上可PIN TO PIN 英集芯IP2313，功能覆盖IU5918R、XP4302 。 ▲NX7016产品外形（一）NX7016主要特性 NX7016主要具备以下特性： ● 5V/2A 输入同步开关降压充电-恒流与恒压阶段效率高至 90%以上 ● 涓流/恒流/恒压充电 ● 电池充电饱和电压 4.2V ● 内置 2 个 MOSFET ，外接 10uH 电感 ● 750KHz 固定开关频率 ● 内置防倒灌功能，无需外接二极管 ● LED 显示充电状态，支持双色灯显示 ● 多重保护、高可靠性 ● 休眠模式，自适应、自动再充电功能 ● NTC 电池温度检测 ● 恒流充电 12 小时超时保护 ▲NX7016应用电路图（二）NX7016芯片亮点 NX7016是一款高性能的2A同步降压单节充电IC，电路简单，转换效率高，能实现快速充电。 ① 快速充电 NX7016的固定开关频率750KHz，有助于减小电感和电容的尺寸，同时提高充电速度和效率，减少了不必要的能量损耗，延长续航时间和降低能耗。 ②电路简单 NX7016恒流与恒压阶段效率高至 90%以上，内置 2 个 MOSFET，减少了外部电路复杂性和所需的外部组件数量，使得整体电路更加简洁，转换效率高，易于使用。 ▲NX7016管脚配置（三）NX7016应用领域基于其高效能、低功耗、高集成度的特质，NX7016被广泛应用于电动工具、小型便携式设备中。 ▲NX7016应用示例图

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-04-18 2 1 3675
差分晶振的输出方式有哪几种呢

差分晶体振荡器（Differential Crystal Oscillator）也简称“差分晶振” 它通过两个输出端子输出两个相位相反的信号（起到抗干扰能力）。差分晶振通过差分信号输出，在抗干扰、信号完整性、EMI抑制等方面有显著优势，能够提供更稳定、更高速性能的时钟信号。因此差分晶振通常用于高速通信系统、光模块、高速串行接口（如PCIe、USB 3.x）等场景。差分晶振输出方式有5种：LVPECL、LVDS、CML、HCSL、LPHCSL‌。 1、‌LVPECL模式‌：LVPECL（Low Voltage Positive Emitter-Couple Logic）是主要的差分输出之一。它通过避免晶体管饱和，实现更快的开关速度，并配备恒定电流源驱动器。由于大电压摆动（通常为600-1000mV），LVPECL具有卓越的抖动性能，从而输出低噪声信号，适用于PON、显卡、光模块、智能网卡等。 ‌LVPECL差分晶振输出方式及输出波形 2、‌LVDS模式‌：LVDS（Low Voltage Differential Signaling）可同时提供低功耗和低电磁干扰（EMI）组合。由于电压摆幅较小（通常为350mV），相比LVPECL差分输出模式功耗更低，负载阻抗为100Ω的差分线上的电流一般不超过4mA，使其不易受噪声影响，在音视频处理器、服务器、路由器和交换机等应用中非常重要。 ‌LVDS差分晶振输出方式及输出波形 3、‌HCSL模式‌：HCSL（High-speed Current Steering Logic）是一种高速差分信号，通常在较低的电压水平工作。它始于90年代末，用于高速串行计算机扩展总线标准（如PCI Express）参考时钟。HCSL的特点包括极低的抖动和功耗，广泛应用于系统内部的高速串行通信、时钟分配和数据通路等对速度、功耗、性能要求高的场景。 HCSL差分晶振输出方式及输出波形 4、CML模式：CML（Current Mode Logic）特点：电流源输出、无需外部电阻（内置匹配）、高速低功耗。通常应用在光模块、高速串行链路（如10G/25G以太网）。 CML差分晶振输出方式及输出波形 5、LPHCSL：（Low Power High Current Source Logic，低功耗高电流源逻辑）LPHCSL差分晶振是一种特殊的差分输出晶振，它结合了低功耗和高电流驱动能力的特点，这种输出方式通常用于需要高驱动能力但又对功耗敏感的应用场景。LPHCSL输出电压摆幅较大，驱动能力更强，功耗更低，适合需要高驱动能力的场景，例如（PCIe Gen4/5、USB 3.x、高速SerDes、数据中心）等。 LPHCSL具有优越的高温稳定性，操作温度范围为-40°C至+105°C，适用于要求严格的环境下，频率稳定性及线路图如下图所示。 YXC差分晶体振荡器选型表其中YSO211PJ可编程差分晶振，宽频率范围（150~2100MHZ），支持LVPECL、PECL、HCSL、CML输出信号类型。可编程频率精度达小数点后6位，确保发挥系统高性能。

差分晶振,有源晶振,晶体振荡器

扬兴科技 . 2025-04-18 3210
大联大友尚集团推出基于ST和天合智控产品的高精度定位系统应用方案

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STA8135 GNSS芯片和天合智控TH1100模组的高精度定位系统应用方案。图示1-大联大友尚基于ST和天合智控产品的高精度定位系统应用方案的展示板图近年来，随着无人机、测量测绘、农机自动驾驶、驾考驾培、智能割草机等多个领域的蓬勃发展，GNSS（全球导航卫星系统）在市场的需求不断攀升。在此背景下，大联大友尚基于ST STA8135芯片和天合智控TH1100模组推出高精度定位系统应用方案，旨在满足日益增长的高精度定位需求，帮助各行业实现智能化升级。图示2-大联大友尚基于ST和天合智控产品的高精度定位系统应用方案的场景应用图 STA8135是ST新一代三频高精度定位芯片，支持多星座、多频段信号接收，具备厘米级定位能力，结合天合智控的RTK（实时动态定位）算法，能够更好地满足各应用市场对高精度定位的需求。天合智控专注于智能网联汽车关键部件的研发与生产，同时在高精度导航定位领域积累了丰富的技术与工程经验。公司通过自主研发的系统架构、核心算法和硬件设计，推出了一系列高精度定位产品，包括高精度定位模组、组合导航模组、定位终端（VPNS）、高性能惯性组件（MEMS-IMU）以及车载卫导天线等。此次方案应用的TH1100模组基于STA8135芯片，支持同时接收GPS、GLONASS、Galileo、BDS和QZSS等多个星座的三频信号（L1+L2+L5），并通过外置RTK算法实现厘米级定位精度。此外，TH1110模组内置惯性测量单元（IMU），具备航迹推算能力，即使在弱卫星信号或无信号环境下，也能通过融合IMU数据、GNSS测量、车辆速度信息和动力学模型，持续提供精准的定位信息。图示3-大联大友尚基于ST和天合智控产品的高精度定位系统应用方案的方块图天合智控的技术优势弥补了ST STA8135 GNSS芯片在RTK算法上的短板，使本方案能广泛应用于无人机、农业机械、智能设备等领域，为其提供高精度定位支持，使之在复杂的环境下仍能保持卓越的定位性能，从而显著提升作业效率。核心技术优势：可通过配置固件切换频段：L1+L2/L1+L5/L1+L2+L5；支持“重感知/轻地图”和“高精地图RTK”两种智驾应用场景；支持RTK和PPP-RTK；天合可提供外置双频RTK、三频RTK算法和惯导算法；支持PVT/Raw Data输出；天合提供定制GNSS天线及模组适配解决方案；支持E6频段和HAS服务；支持国标。方案规格：尺寸：17.0mm×22.0mm×3.1mm；工作温度：-40℃~105℃；存储温度：-40℃~105℃；封装：54-pin LGA；接收频段： GPS（L1 C/A、L2C、L5）； GLONASS（L1OF、L2OF）； BeiDou（B1C、B1I、B2a、B2I）； GALILEO（E1、E5a、E5b、E6）； QZSS（L1 C/A、L2C、L5）； NAVIC - former IRNSS（L5）。功能：三频GNSS导航定位模组；默认星座：GPS＋Galileo＋BDS＋GLONASS；水平定位精度：<1.2m； RTK算法SDK（外置）：可配合外部SOC的方式支持；速度精度：无辅助<0.1m/s； 1PPS精度：20ns； TTFF（AGNSS关闭）：冷启动：35s；温启动：30s；热启动：1.5s。灵敏度：捕获：-147dBm；跟踪：-160dBm；重捕获：-153dBm。接口：UARTx1，默认460800bps；时间脉冲信号频率：1Hz；协议：NMEA0183，RTCM；天线类型：有源天线；电压范围：1.7V~3.6V，典型值3.3V；备用电压：1.7V~3.6V，典型值3.3V；功耗：260mA@3.3V；质量与可靠性：按照IATF 16949:2016标准生产。

大联大 . 2025-04-18 3365
OpenCV行人检测应用方案--基于米尔全志T527开发板

本文将介绍基于米尔电子MYD-LT527开发板（米尔基于全志T527开发板）的OpenCV行人检测方案测试。摘自优秀创作者-小火苗一、软件环境安装 1.安装OpenCV sudo apt-get install libopencv-dev python3-opencv 2.安装pip sudo apt-get install python3-pip 二、行人检测概论使用HOG和SVM构建行人检测器的关键步骤包括：准备训练数据集：训练数据集应包含大量正样本（行人图像）和负样本（非行人图像）。计算HOG特征：对于每个图像，计算HOG特征。HOG特征是一个一维向量，其中每个元素表示图像中特定位置和方向的梯度强度。训练SVM分类器：使用HOG特征作为输入，训练SVM分类器。SVM分类器将学习区分行人和非行人。评估模型：使用测试数据集评估训练后的模型。计算模型的准确率、召回率和F1分数等指标。三、代码实现 import cv2 import time def detect(image,scale): imagex=image.copy() #函数内部做个副本，让每个函数运行在不同的图像上 hog = cv2.HOGDescriptor() #初始化方向梯度直方图描述子 #设置SVM为一个预先训练好的行人检测器 hog.setSVMDetector(cv2.HOGDescriptor_getDefaultPeopleDetector()) #调用函数detectMultiScale，检测行人对应的边框 time_start = time.time() #记录开始时间 #获取（行人对应的矩形框、对应的权重） (rects, weights) = hog.detectMultiScale(imagex,scale=scale) time_end = time.time() #记录结束时间 # 绘制每一个矩形框 for (x, y, w, h) in rects: cv2.rectangle(imagex, (x, y), (x + w, y + h), (0, 0, 255), 2) print("sacle size:",scale,",time:",time_end-time_start) name=str(scale) cv2.imshow(name, imagex) #显示原始效果 image = cv2.imread("back.jpg") detect(image,1.01) detect(image,1.05) detect(image,1.3) cv2.waitKey(0) cv2.destroyAllWindows() 四、实际操作

T527

米尔电子 . 2025-04-18 1 3090
标准 | JEDEC正式推出HBM4 内存规范JESD270-4

JEDEC 固态技术协会美国弗吉尼亚州当地时间4月16 日宣布，正式推出 HBM4 内存规范 JESD270-4，该规范为 HBM 的最新版本设定了更高的带宽性能标准。 JESD270-4 HBM4 的设计是超越先前 HBM3 标准的进化步骤，它将进一步提高数据处理速率，同时保持更高带宽、功率效率以及每个芯片和/或堆栈的更大容量等基本特性，因为更高的带宽可以实现更高的数据处理速率。 HBM4 带来的改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成式人工智能 (AI)、高性能计算 (HPC)、高端显卡和服务器。HBM4 在该标准的先前版本上进行了多项改进，包括：增加带宽：通过 2048 位接口，传输速度高达 8 Gb/s，HBM4 可将总带宽提高至 2 TB/s。通道数加倍：HBM4 将每个堆栈的独立通道数量加倍，从 16 个通道（HBM3）增加到 32 个通道，每个通道包含 2 个伪通道。这为设计人员提供了更大的灵活性和访问立方体的独立方式。电源效率：JESD270-4 支持供应商特定的 VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V 或 0.9V）和 VDDC（1.0V 或 1.05V）级别，从而降低功耗并提高能源效率。兼容性和灵活性：HBM4 接口定义确保与现有 HBM3 控制器的向后兼容性，从而允许在各种应用中实现无缝集成和灵活性，并允许单个控制器在需要时同时与 HBM3 和 HBM4 配合使用。定向刷新管理 (DRFM )：HBM4 结合定向刷新管理 (DRFM)，以提高行锤缓解（row-hammer）能力以及可靠性、可用性和可服务性 (RAS)。容量：HBM4 支持 4 高、8 高、12 高和 16 高 DRAM 堆栈配置，具有 24 Gb 或 32 Gb 芯片密度，可提供 64GB（32 Gb 16 高）的更高立方体密度。 NVIDIA 技术营销总监兼 JEDEC HBM 小组委员会主席 Barry Wagner 表示：“高性能计算平台正在快速发展，需要在内存带宽和容量方面进行创新。HBM4 由 NVIDIA 与技术行业领导者合作开发，旨在推动 AI 和其他加速应用在高效、高性能计算方面的飞跃。” JEDEC 董事会主席 Mian Quddus 表示：“JEDEC 成员致力于制定支持未来技术所需的标准。” 他补充道：“HBM 小组委员会不断改进 HBM 标准的努力，有望推动各种应用领域的重大进步。” Cadence 高级副总裁兼芯片解决方案事业部总经理 Boyd Phelps 表示：“AI 模型规模的大幅增长需要更高的内存带宽，以提高采用异构计算架构的 AI 硬件系统的效率，确保大规模数据快速无缝地移动。HBM4 标准通过显著的增强功能满足了这一更高带宽需求。通过与 JEDEC 及生态系统合作伙伴的合作，Cadence 正在通过提供业界性能最高、功耗和面积最省的 HBM4 内存子系统来促进这一转变。” 谷歌云芯片副总裁尼基尔·贾亚拉姆 (Nikhil Jayaram) 表示：“内存带宽是 AI 计算系统性能的关键支柱之一。JEDEC HBM4 代表着谷歌在下一代训练和推理系统所需的带宽方面迈出了一大步。我们期待基于 HBM4 的系统能够推动 AI 的进步，并期待与 JEDEC 合作，共同拓展 HBM 的未来。”

HBM4

hpcwire . 2025-04-17 1 1 1430
企业 | 意法半导体披露公司全球计划细节,重塑制造布局和调整全球成本基数

✦ 效率提升、部署自动化和人工智能将增强意法半导体的重要技术研发、产品设计和规模制造能力，推进欧洲先进制造计划。 ✦ 2025、2026和2027三年间重点投资项目包括12英寸硅基和8英寸碳化硅先进制造设施和技术研发，惠及全球客户。 ✦ 随着这一全球计划发布，包括先前披露的成本基数调整和重塑制造布局计划在内，预计接下来三年，除正常人员流失外，约有2,800员工按照自愿原则离开公司。 ✦ 确定到2027年底，每年节省数亿美元成本这一目标。意法半导体（简称ST）披露了全球制造布局重塑计划细节，进一步更新了公司此前发布的全球计划。2024年10月，意法半导体发布了一项覆盖全公司的计划，拟进一步增强企业的竞争力，巩固公司全球半导体龙头地位，利用公司的技术研发、产品设计、大规模制造等全球战略资产，保障公司的垂直整合制造（IDM）模式长期发展。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：今天宣布的制造布局重塑计划将依托我们在欧洲的战略资产，为意法半导体IDM模式的长期发展提供保障，并更快地提升我们的创新力，造福所有利益相关者。我们将重点投资先进的制造设施和主流技术，继续充分利用现有的所有工厂资源，并重新定义其中某些工厂的使命，以支持这些工厂获得更长远的成功。意法半导体承诺，将按照我们长期秉持的价值观，以负责任的方式、遵从完全自愿的原则落实该计划。我们在意大利和法国的技术研发、产品设计和制造将仍然是我们全球业务的核心，并且我们将通过对主流技术的投资来加强这一布局。通过产品创新和扩大规模来提高制造效率随着当今产品创新周期缩短这一趋势，意法半导体的制造战略也在不断迭代，同时我们加快步伐，为全球汽车、工业、个人电子和通信基础设施市场的客户大规模提供创新的专有技术产品。意法半导体制造业务的重塑和现代化旨在实现两大目标：第一，优先投资面向未来的制造设施，如，12寸硅基晶圆厂和8寸碳化硅晶圆厂，使工厂达到盈亏临界规模，同时最大限度地提高现有的6寸晶圆厂和成熟的8寸晶圆厂的产能和效率。第二，继续投资制造技术升级改造，通过部署更多人工智能和自动化技术，以进一步提高技术研发、产品制造、可靠性和验证测试的效率，并始终关注可持发展。加强意法半导体制造生态未来三年，通过制造布局重塑计划，意法半导体将打造一个优势互补的制造生态并不断加强：法国工厂将以数字技术为核心，意大利工厂将围绕模拟和功率技术，而新加坡工厂则专注于成熟技术。上述工厂的结构优化旨在充分利用产能，推动技术差异化，提升公司的全球竞争力。正如之前宣布的那样，意法半导体现有的每个工厂都将继续在公司的全球运营中发挥长期作用。在Agrate和Crolles打造两座12寸超级硅基晶圆厂意法半导体将继续扩大意大利Agrate的12寸晶圆厂规模，目标是将其打造成意法半导体智能功率和混合信号技术量产旗舰工厂。按照计划，到2027年，该工厂产能将提高一倍，周产量达到4,000片，并计划进行模块化扩建，将最高周产能拉升至14,000片，具体数字将取决于市场情况。由于公司加大了对12寸晶圆制造的关注，Agrate的8寸晶圆厂将专注于MEMS制造。法国Crolles 12寸晶圆厂则将进一步扩大制造规模，巩固其在意法半导体数字产品生态圈中的核心地位。按照计划，到2027年，周产能将攀升至14,000片，并计划通过模块化扩建，将周产能拉升至20,000片，具体数字将取决于市场情况。此外，意法半导体将改造Crolles 8寸晶圆厂，以支持EWS（Electrical Wafer Sorting）晶圆测试和先进封装技术等大规模制造，开展目前欧洲尚不存在的业务，专注光传感器、硅光集成等下一代先进技术。卡塔尼亚功率电子专业制造和技术创新中心意大利Catania将继续承担功率器件和宽带隙半导体卓越中心的职能。新碳化硅园区建设正在按计划稳步推进，预计2025年第四季度开始生产12寸晶圆，巩固意法半导体在下一代功率技术领域的龙头地位。卡塔尼亚现有6寸和EWS制造资源将迁移到8寸碳化硅和硅基功率半导体生产线上，包括硅基氮化镓（GaN-on-silicon），以巩固意法半导体在下一代功率技术领域的龙头地位。优化其他制造厂法国Rousset工厂将继续专注于8寸晶圆制造活动，并消化从其他工厂分配来的额外生产任务，使现有产能达到完全饱和状态，从而实现制造效率优化目的。法国Tours工厂将继续专注在其8寸硅生产线上制造指定产品，而其他生产活动，包括原有的6寸制造，将转移至意法半导体的其他工厂。Tours工厂仍将是氮化镓（GaN）的技术创新中心，主要从事晶片外延制造活动。此外，Tours工厂还将开展面板级封装新业务。面板级封装是制造芯粒的关键技术之一，而芯粒可以实现复杂半导体应用，是意法半导体未来发展的关键。新加坡宏茂桥工厂是意法半导体成熟技术的量产晶圆厂，将继续专注于8寸硅制造，同时也将承接意法半导体全球整合的6寸硅产能。马耳他Kirkop工厂是意法半导体在欧洲的大规模封测厂。该工厂将进行升级，增加先进的自动化技术，更好地支持下一代产品。员工队伍和技能需求进化为了实现意法半导体未来三年内重塑制造业布局这一目标，员工数量和所需技能也需要随之进步。先进制造活动将从涉及重复性人工劳动的传统流程，变为更加注重过程控制、自动化和产品设计的制造流程。在执行这一转型计划时，意法半导体将采取自愿原则，根据适用的国家法规，继续与员工代表进行建设性对话和谈判。根据目前的预测，除了正常的人员流失外，预计全球将有2,800名员工自愿离职。这些变化预计主要发生在2026和2027两年内。公司将向利益相关者定期汇报最新进展。

ST

意法半导体中国 . 2025-04-17 1 2030
产品 | Microchip推出防务级高可靠性BR235和BR235D系列功率继电器

作为航空航天和防务市场的领先供应商，Microchip 致力于提供创新、稳健的产品，专为最严苛环境下关键任务性能而设计。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出符合MIL-PRF-83536规范和ISO-9001认证标准的BR235和BR235D系列25A QPL 气密封装机电功率继电器。该系列新型功率继电器专为任务关键型商用航空、防务和航天应用而设计。这些设备提供可靠的供货和全球技术支持，为航空航天和防务客户提供其执行任务所需的可靠性和长期保障。此系列继电器采用3PDT（三刀双掷）结构，额定电流达25安培，提供多样化配置选项：包含抑制与非抑制线圈版本，支持6-48VDC及115VAC线圈电压；配备不同方向的安装片或无安装片结构，直插式或J型钩端子引脚，以及镀锡或镀金触点处理工艺。 BR235 和 BR235D系列树立了高可靠性继电器的标准，在极端环境下具备卓越的性能。经测试验证，可耐受30G振动与200G机械冲击，并在-70°C至125°C温度环境下稳定运行。 Microchip负责分立器件产品事业部的企业副总裁Leon Gross表示：“Microchip深知航空航天和防务领域对稳定且供货有保障的高可靠性继电器的迫切需求。我们的BR235和 BR235D继电器专为满足关键任务应用的最高可靠性和性能标准而设计。尽管其他供应商可能会转移重心或缩减支持， Microchip 始终致力于持续提供可靠的解决方案，助力客户应对各类独特挑战。” 作为拥有60年航空级产品经验的企业，Microchip为航空航天和防务市场提供广泛的产品组合，包括MCU、MPU、FPGA、电源管理和计时解决方案，旨在满足严格的航空、防务和航天要求。供货 BR235 和 BR235D 功率继电器现已批量生产。

继电器

Microchip . 2025-04-17 1 780
企业 | Melexis宣布中国战略新动向，强调供应链的本地化

2025年04月16日，比利时泰森德洛——全球微电子工程公司迈来芯（Melexis）正式公布其中国战略的未来规划——基于在中国现有的业务根基，增设本地物流中心并将实现完全本地化制造。此次举措代表公司“客户至上”理念的战略升级，意在深化公司对快速增长且充满创新活力的中国市场的承诺。迈来芯在中国与持续攀升的中国市场份额中国汽车、消费、工业以及机器人行业的迅猛发展，使其成为迈来芯重点聚焦区域。2024年，亚太地区在迈来芯总销售额中占据60%的份额，而中国在其中贡献了近半壁江山。迈来芯在汽车动力总成、内饰照明、转向和制动系统等关键领域成果斐然，凭借其先进的传感与驱动芯片解决方案，为OEM厂商带来显著的性能提升与可靠保障。这些成果不仅充分印证迈来芯在中国及亚洲市场始终坚守的承诺与投资正在转化为实质性的增长红利，更反映出迈来芯中国战略规划前瞻性布局的良好落地。迈来芯强化中国战略布局历经二十多年深耕细作，迈来芯的中国战略如今迈入全新发展阶段。这一阶段聚焦于强化创新能力、深化客户合作，同时致力于缩短产品交货周期、降低组件成本。自2024年初起，迈来芯积极布局，在中国成功搭建起本地外包半导体组装和测试（OSAT）合作伙伴体系，以此增强在本土的服务效能。作为战略拓展的关键一环，迈来芯在2024年底完成严谨的筛选流程后，又新增一家中国半导体晶圆制造合作伙伴，并已在该合作工厂启动专为中国市场定制化研发的迈来芯产品生产进程。当前，相关产品正处于开发阶段，预计将于2026年上半年正式投产。此外，迈来芯于2025年3月在上海启用了全新且规模更大的办公室，作为销售、营销、品牌、技术支持以及工程活动的核心枢纽，将助力迈来芯本地团队为中国客户提供更为全面、高效且及时的服务。通过实施这些全新举措，迈来芯可充分发挥备受认可的欧洲设计专业优势，与本土团队强大的执行能力深度融合。这种协同效应，赋予迈来芯在汽车、机器人以及数字健康等前沿领域，持续推出创新产品的强大实力。谈及这一战略进展，迈来芯中国战略副总裁Dieter Verstreken表示：“深耕中国市场20余年，这些举措将持续推进并拓展迈来芯在中国的战略蓝图。公司于2024年签署了一项全面推进本土化生产的合作协议，此协议将于2026年初取得实质性突破：由中国晶圆制造商生产的新产品将正式面世，这意味着产品交货周期将大幅缩短。在当下这个快速发展的市场中，迈来芯的这一系列布局已获得我们现有客户的积极反馈。” 中国市场对前沿、创新驱动型产品的旺盛需求正加速驱动迈来芯本土制造业务的布局。展望未来，迈来芯将始终坚守创新、提升效率与保障客户满意度的核心理念，它不仅指导着中国区的业务发展，更是公司全球运营的重要基石。

传感器

Melexis . 2025-04-17 1 1100
产品 | 从专业应用到大众市场：Qorvo QPF5100Q UWB SoC芯片如何改变游戏规则

在智能汽车时代，厘米级定位精度与毫秒级响应速度正成为刚需。从数字钥匙到车内生命体征监测，汽车电子系统对可靠性和实时性的要求已逼近物理极限。UWB（超宽带）技术凭借其抗干扰能力强、定位精度高的特性，已成为破解这一难题的关键钥匙。而Qorvo最新推出的车规级UWB SoC芯片QPF5100Q，不仅将技术指标推向新高度，更以“架构革命”重塑产业生态，让曾经高不可攀的尖端技术走向大众市场。普及UWB所面临的困境尽管UWB技术早就展现了其在高精度定位和安全通信方面的巨大潜力，但其应用范围大多局限于技术爱好者和特定行业的专业应用。以Qorvo旗下Decawave的早期方案为例，这些方案主要采用了Transceiver分立架构，即芯片仅提供无线射频模块，而开发者需要额外配置主控芯片（MCU），并自行编写底层驱动程序来实现完整的功能。对于拥有强大研发能力和丰富资源的头部企业来说，这种模式能够提供极大的灵活性和性能优化空间，他们可以通过深度定制MCU来达到最佳的系统性能。然而，对于大多数汽车制造商和其他中小型企业而言，这样的开发模式带来了显著的挑战。首先，第三方MCU的兼容性问题常常导致开发周期延长。其次，由于需要处理复杂的硬件集成和软件调试工作，系统的功耗管理和成本控制变得异常困难，导致最终产品的能耗较高且成本居高不下。这些问题严重限制了UWB技术在更广泛市场中的普及与应用。随着市场对高效、低成本解决方案的需求日益增长，行业急需一款高度集成化的UWB SoC芯片来克服上述障碍，帮助更多企业快速上手，尤其是那些没有深厚技术背景的企业，利用UWB技术开发出满足市场需求的产品。QPF5100Q目前已与业内领先的汽车Tier 1厂商开展合作，预期将于今年量产。 QPF5100Q的“效率密码” Qorvo全新推出的车规级UWB SoC芯片QPF5100Q，通过了AEC-Q100 Grade 2车规认证，能够在-40℃至+105℃的极端温度范围内稳定运行。这款芯片针对CCC（车联网联盟）和FiRa联盟的测距方案以及UWB脉冲雷达进行了优化，支持TDoA（到达时间差）和AoA（到达角）定位系统，典型定位精度达±6厘米，并支持存在检测。同时，它可同步实现高精度定位与数据传输。 QPF5100Q展现出了行业领先的射频性能，支持UWB脉冲雷达，其数据速率覆盖850kbps至 62.4Mbps的广泛区间，满足复杂应用需求，丰富车内互联体验。此外，该芯片支持通道5（6489.6 MHz）、6（6988.8 MHz）、8（7488 MHz）、9（7987.2 MHz）四大频段，不仅符合中国最新的UWB频谱规范，也能适应欧美市场的标准，实现了真正的“一芯全球化部署”。传统UWB解决方案通常需要外接射频前端、安全芯片与处理器，增加了开发周期和成本。QPF5100Q采用“All-in-One”设计，解决了这一难题。配备最高达2MB的嵌入式闪存（eFlash NVM）及最高达256KB的SRAM，QPF5100Q能够处理复杂算法、实时数据交换及频繁的数据存储与检索等任务。它还集成了CAN FD控制器、多路高速/低速SPI、I2C、UART、PWM等多种外设接口，仅需单芯片即可替代传统方案中“MCU+射频模块+安全芯片”的复杂组合，这不仅简化了设计流程，减少了技术障碍，还大幅缩短了产品从概念到市场的转化时间。除了其高度集成的设计，QPF5100Q在数据安全上的表现同样亮眼。QPF5100Q支持TrustZone可信执行环境，构建了一个端到端的安全体系，提供了高级别的安全服务，如安全启动、远程认证等。敏感数据（如数字钥匙的加密密钥）被隔离在独立安全区，即便系统其他部分遭受攻击，也能确保关键信息的安全。 QPF5100Q创造了一个灵活且高效的“可配置技术生态系统”。其“开箱即用”的特性极大地提升了开发效率，使得即使是小型团队也能迅速推出高质量的产品。更重要的是，它打破了以往只有大型企业才能充分利用UWB技术的局面，促进了市场的多元化发展，使得越来越多的本土企业和初创公司能够参与到UWB解决方案的开发中来，推动了整个行业的创新和发展。汽车电子的未来革新当深入探索QPF5100Q时，不难发现它不仅在技术参数上领先，更在实际应用中展现了其独特的价值与潜力。它在汽车电子中的核心应用尤其引人注目，这些应用场景不仅是对现有技术的革新，更是对未来出行方式的一种全新设想： 0 1无钥匙进入系统的安全革命传统方案依赖蓝牙信号强度（RSSI）定位，这使其容易受到中继攻击的影响。QPF5100Q采用加密UWB脉冲信号，并遵循IEEE 802.15.4z标准，实现动态密钥更新，显著提升了车辆的安全性。即使面对复杂的攻击手段，车辆的无钥匙进入系统也能保持高度的安全性，有效保障车主的财产安全。 0 2数字钥匙的生态裂变通过与车联网联盟（CCC）标准深度整合，QPF5100Q推动了数字钥匙生态系统的蓬勃发展。该芯片支持多终端协同工作，如手机钥匙、智能手表钥匙等，极大地提升了用户体验。无论是解锁车门还是启动引擎，QPF5100Q提供的精准位置感知和快速响应确保每一次操作都准确无误，为用户带来无缝且便捷的体验。 0 3舱内感知系统的精准突破利用UWB脉冲雷达模式，QPF5100Q能够穿透座椅材质，在极端温度条件下有效地检测到微弱的生命体征，如呼吸或心跳。这项技术优势使得它成为实现儿童存在检测、驾驶员状态监控以及入侵检测等功能的理想选择，为车内环境的安全管理提供了强有力的技术支撑。 0 4短距雷达的成本重构 QPF5100Q的问世大幅降低了原本高昂的成本，使得诸如手势控制、电动门防撞、泊车辅助等高端车型特有的功能得以普及至中低端车型。这意味着更多消费者将有机会享受到这些先进的驾驶辅助技术，享受更加智能和安全的驾乘体验。 END QPF5100Q带来的不仅是技术迭代，更是商业逻辑的升维。其高度集成化的设计显著降低了开发门槛，不仅简化了设计流程，减少了开发阶段的技术障碍，还大幅缩短了产品设计的上市时间。更重要的是，QPF5100Q的推出为整个行业带来了新的商业模式和发展机遇，激发了更多的创新和应用场景。Qorvo也将继续推进技术创新，让越来越多的企业参与到UWB技术解决方案的开发中来，共同为用户塑造一个更加智能、更加安全的出行体验。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-04-16 1 1455