• 市场 | AI数据中心将规模化导入液冷散热技术,预估2025年渗透率逾30%

    根据TrendForce集邦咨询最新液冷产业研究,随着NVIDIA GB200 NVL72机柜式服务器于2025年放量出货,云端业者加速升级AI数据中心架构,促使液冷技术从早期试点迈向规模化导入,预估其在AI数据中心的渗透率将从2024年14%,大幅提升至2025年33%,并于未来数年持续成长。 TrendForce集邦咨询表示,AI服务器采用的GPU和ASIC芯片功耗大幅提升,以NVIDIA GB200/GB300 NVL72系统为例,单柜热设计功耗(TDP)高达130kW-140kW,远超过传统气冷系统的处理极限,遂率先导入液对气(Liquid-to-Air, L2A)冷却技术。 受限于现行多数数据中心的建筑结构与水循环设施,短期内L2A将成为主流过渡型散热方案。随着新一代数据中心自2025年起陆续完工,加上AI芯片功耗与系统密度不断升级,预期液对液(Liquid-to-Liquid, L2L)架构将于2027年起加速普及,提供更高效率与稳定的热管理能力,逐步取代现行L2A技术,成为AI机房的主流散热方案。 目前北美四大CSP持续加码AI基础建设,于当地和欧洲、亚洲启动新一波数据中心扩建。各业者也同步建置液冷架构兼容设施,如Google(谷歌)和AWS(亚马逊云科技)已在荷兰、德国、爱尔兰等地启用具备液冷布线能力的模块化建筑,Microsoft(微软)于美国中西部、亚洲多处进行液冷试点部署,计划于2025年起全面以液冷系统作为标配架构。 TrendForce集邦咨询指出,液冷渗透率持续攀升,带动冷却模块、热交换系统与外围零部件的需求扩张。作为接触式热交换核心元件的冷水板(Cold Plate),主要供应商包含Cooler Master(酷冷至尊)、AVC(奇鋐科技)、BOYD与Auras(双鸿科技),除BOYD外的三家业者已在东南亚地区扩建液冷产能,以应对美系CSP客户的高强度需求。 流体分配单元(CDU)为液冷循环系统中负责热能转移与冷却液分配的关键模块,依部署方式分为In-row(行间式)和Sidecar(侧柜式)两大类。Sidecar CDU目前是市场主流,Delta(台达电子)为领导厂商。Vertiv(维谛技术)和BOYD为In-row CDU主力供应商,其产品因散热能力更强,适用于高密度AI机柜部署。 快接头(QD)则是液冷系统中连接冷却流体管路的关键元件,其气密性、耐压性与可靠性是散热架构运作的安全稳定性关键。目前NVIDIA GB200项目由国际大厂主导,包括CPC、Parker Hannifin(派克汉尼汾)、Danfoss(丹佛斯)和Staubli(史陶比尔),以既有认证体系与高阶应用经验取得先机。

    AI数据中心

    TrendForce . 2025-08-22 3 6775

  • 产品 | 圣邦微电子推出VCE275X 系列磁编码器芯片

    圣邦微电子推出 VCE275X 系列轴心磁编码器芯片。器件基于各向异性磁阻(AMR)技术,结合优化的 CMOS 精细调理电路,可实现 14 位有效分辨率的 360° 磁场角度检测。该系列提供多种输出信号选择,包括增量式 ABZ 信号、绝对式 SPI&PWM 信号以及换相用的 UVW 信号,满足不同类型电机的测量和控制需求。   锚定磁阻式编码器 在电机控制领域,传统高精度测量通常依赖光编码器,但其对清洁度和环境稳定性的高要求限制了应用范围。相比之下,磁编码器通过感应旋转磁场实现角度和转速测量,对粉尘、污垢和油脂等污染物具有更强的耐受性,能够在恶劣环境中保持高分辨率与检测精度,同时安装和维护更加便捷,广泛应用于工业和汽车电机领域。   磁编码器分为霍尔式和磁阻式两种。磁阻式编码器拥有更高的灵敏度、更快的响应速度、更低的信号延迟。此外,磁阻元件在饱和工作模式下对磁场强度变化不敏感,使其相比霍尔式编码器而言,还具备优异的抗震动和抗温度漂移性能,成为高速高精度测量的理想选择。   采用 AMR 磁阻技术的 VCE275X 系列产品 VCE275X 系列磁编码器采用 AMR 磁阻技术,将磁感元件与高精度 CMOS 处理电路集成于单一芯片。装配时,磁传感器中心与转动的磁铁轴心对齐。芯片内置两路惠斯通电桥结构的 AMR 磁感元件,对磁场角度变化极为敏感。当单对极圆柱磁铁随转轴旋转时,磁场方向发生变化,引起磁感元件阻值改变,从而检测出磁场角度变化。   芯片通过内置跟踪算法,结合高精度 OFFSET 补偿、温度偏移补偿和自动增益补偿等功能模块,精确计算出转轴的角度与方向信息。VCE275X 提供多种输出接口(ABZ、SPI、PWM、UVW 和 SSI),满足不同应用需求。其超低延迟(<2μs)和高达 18000rpm 的转速支持能力,使其成为各类角度位置反馈和速度检测应用的理想选择。 图 1 磁铁安装示意图VCE275X 系列   产品关键特性 基于 AMR 技术,支持 0~360° 绝对角度测量; 18 位 SPl 输出,14 位有效分辨率; 系统延迟 <2μs,最大转速 18000 转/分钟; 增量输出 ABZ 支持 1-4096 线任意分辨率; 多种输出形式:ABZ、SPI、PWM、UVW、SSI。 表 1 VCE275X 系列磁编码器详细参数   适配多场景应用 汽车领域:电子助力转向(EPS)、电子油门踏板、节气门角度监测与控制,以及车载电机(如油泵、水泵、雨刷)控制。 电机控制:伺服电机、步进伺服电机、直流无刷电机的转速与方向监测。 无人机与云台:高精度角度监测与控制,抗震动、抗干扰性能优异。 机器人:工业及商用机器人臂的旋转角度检测与控制,支持轴心与偏心安装。 VCE275X 系列以其卓越的性能和广泛的应用场景,为工业与汽车领域提供了高可靠的角度与转速测量解决方案。

    磁编码器

    圣邦微电子 . 2025-08-22 1 6315

  • 产品 | 高通推出第二代骁龙W5+和骁龙W5平台:全球首批支持NB-NTN卫星通信的可穿戴平台

    高通技术公司8月21日宣布推出第二代骁龙® W5+和#第二代骁龙W5可穿戴平台,在连接、能效、产品形态以及定位追踪方面为可穿戴技术带来全面提升。 基于Skylo的窄带非地面网络(NB-NTN),第二代骁龙W5+和第二代骁龙W5平台首次将卫星通信支持引入可穿戴设备行业。这一进展支持从可穿戴设备直接进行双向应急消息通信,为无蜂窝连接的偏远地区用户提供安心保障。例如,探险者在紧急情况下无需担心移动网络覆盖,也可通过可穿戴设备发送SOS信息。 该平台提供两种版本:搭载低功耗协处理器的第二代骁龙W5+,或无协处理器的第二代骁龙W5。这一全新平台基于4纳米系统级芯片(SoC)架构打造,带来多项增强特性,包括:定位机器学习3.0:与前代平台相比,GPS定位精度提升可达50%。经优化的射频前端(RFFE):与前代平台相比,尺寸缩小约20%,同时降低功耗,助力OEM厂商推出更轻薄的可穿戴设计,并延长电池续航。 第二代骁龙W5平台兼容最新版本的Wear OS,并率先应用于Pixel Watch 41,针对多设备体验、无缝集成和先进特性进行了优化。 高通技术公司副总裁兼可穿戴设备与混合信号解决方案业务总经理Dino Bekis表示:凭借第二代骁龙W5+和W5平台,我们继续引领可穿戴技术创新,支持Wear OS成为首个集成NB-NTN的操作系统。该技术能够让用户即使身处最偏远的地区,也能通过卫星收发关键消息,保持连接。此项创新凸显了我们通过将先进卫星技术功能集成至可穿戴平台,确保用户获得更可靠的通信和更高安全性的承诺。 谷歌可穿戴设备产品管理高级总监Sandeep Waraich表示:我们很高兴看到第二代骁龙W5为全新Google Pixel Watch 4提供支持,带来卓越性能、愉悦体验和潜在的救生功能。对于智能手表而言,性能、能效和连接是需要在任何环境下都能无缝运行的关键特性。这一全新平台结合Wear OS 6,在各个方面都表现出色。Google Pixel Watch 4成为市场上首款支持应急卫星通信的智能手表,标志着我们的安全功能套件实现了一次巨大飞跃。 Skylo首席产品官兼联合创始人Tarun Gupta表示:我们很高兴能将与高通技术公司的合作从智能手机、汽车和物联网领域扩展到可穿戴设备,为其引入卫星连接。第二代骁龙W5+确保小型可穿戴设备即使在超出地面服务覆盖范围的区域,也能保持连接。随着集成此前难以想象的优化特性的全新终端和一系列用例陆续面市,这一创新将彻底改变消费者和企业对NTN连接的认知。我们与高通的这项激动人心的合作,旨在提升可穿戴设备的功能和安全性,使其在不牺牲电池续航的前提下,成为用户在任何环境中的必备之选。

    可穿戴

    高通中国 . 2025-08-22 1 4940

  • 市场 | 25H1国内消费级XR市场销量26.1万台,全年预期同比增长6.5%

    近期,市场机构CINNO Research发布了XR市场的数据,据该机构统计,2025年上半年,国内XR消费级市场整体销量为26.1万台,环比增长9%,同比下滑21%。其中VR设备方面,国内消费级VR市场处于低谷期,VR设备销售承压。2025年上半年消费级VR销量仅为7.5万台,创近三年销量新低,主要原因是国内对VR内容生态投入较少,且上半年无重量级新品发布。   图:中国近三年AR/VR销售情况   在AR设备方面,2025年上半年国内消费级AR设备(不包含无显示的AI眼镜)销量为18.6万台,同比增长35%,环比增长28%,除了AR眼镜不断有新品发布,国家补贴,以及618电商大促双重优惠也是助力因素。   该机构根据上半年的国内消费级AR/VR销量表现,预测2025年全年国内消费级XR整体销量60.6万台,与去年同期相比增长6.5%,主要是AR设备的带动。   品牌趋势: VR设备市场:2025年上半年,国内消费级VR品牌格局相对稳定。小鸟看看(PICO)以46%的市占率稳居榜首,Meta销量份额占28%和Goovis销量份额占7%,分列二、三位。尽管市场低迷,但头部厂商通过成本控制与生态整合维持份额。值得关注的是AI眼镜作为新赛道崛起,行业头部Meta带头转型重构了自身业务版图,更带动其他VR厂商如PICO、大朋、HTC等厂商加速技术迭代与场景深耕。 AR设备市场:2025年上半年,国内消费级AR市场竞争加剧。雷鸟创新以35%(不包含AI眼镜)的市场份额持续领跑,其成功得益于多维度战略布局。XREAL以22%的市占率位居第二,其生态建设取得突破性进展。星纪魅族凭借对政策红利的精准转化能力与全渠道营销矩阵的优势,2025年上半年销量跃居第三。   技术趋势: VR设备市场:Fast LCD屏幕销量份额回升至87%,搭配其菲涅尔光学方案组合阶段性复苏。Micro OLED屏幕仍然是以高端产品为主。    AR设备市场:Micro OLED屏幕销量份额占比87%,索尼份额占主导,但国产屏幕厂商视涯科技凭借与雷鸟等品牌的深度合作,销量份额同比提升30个百分点,成为2025年上半年增长最快的面板供应商。光波导技术销量份额稳定在13%,技术突破显著,鲲游光电、至格科技等厂商通过纳米压印工艺优化,将单片光波导模组成本降低40%,同时推出视场角突破50°的产品,推动光波导方案向消费级市场渗透。   投融资情况: 2025年上半年全球XR融资37笔,金额达445亿元,与去年同期相比,融资数目减少34笔,但金额增加335亿元,显示资本向头部项目集中趋势加剧。2025年上半年AR/VR投融资呈现“资本集中化、技术核心化、场景生态化、地域集群化”四大特征。资本正从概念炒作转向实质性技术突破与商业化落地,而Micro LED、硅基OLED等核心器件的国产化突破,将成为重塑全球产业链的关键变量。

    AR

    CINNO Research . 2025-08-22 6175

  • 新品 | 超低功耗超小尺寸AW88083数字功放系列强势来袭

    AW88083CSR超低功耗超小封装数字功放是艾为电子推出的新一款产品,适配AR眼镜、骨传导耳机、VR设备等对面积与续航有高要求的可穿戴设备,提升终端产品音频性能。目前AW88083CSR样品已经上市。   超低功耗:AW88083CSR采用超低功耗设计,静态电流低至1.8mA(传统功放通常>3mA)。在可穿戴设备的音频外放功耗中,静态功耗通常占比30%以上,超低的静态功耗可进一步提升可穿戴设备的续航能力。   灵活控制:AW88083CSR支持I²C控制,可灵活控制数字接口格式,匹配各类可穿戴设备主控接口。   超低EMI:AW88083CSR内置扩频调制(SSM)和边沿速率控制,不仅能有效抑制特定频点的EMI辐射,还可显著改善系统的整体电磁兼容性(EMC)表现。   超小封装:0.35pitch WLCSP封装的AW88083CSR,助力客户进一步减小占板面积,减小可穿戴产品的佩戴重量。 图1 AW88083与常规音频功放静态电流&续航时间对比   图2 AW88083CSR典型应用框图   AW88083CSR特性 输入电压范围:2.5V ~ 5.5V 静态电流:1.8mA 超低噪声:10µV 超低关断电流:0.15uA 通道数:单通道 支持快速启动:1ms I²S格式::I2S/TDM1/4/6/8 输入采样率:8kHz ~ 96kHz 控制方式:I²C控制 保护功能:短路保护、过温保护、低压保护 封装:WLCSP-1.402mmX1.182mm-12B 关于艾为 上海艾为电子技术股份有限公司创立于2008年,专注于高性能数模混合信号、电源管理、信号链等IC设计,2021年8月在上海证券交易所科创板成功上市,股票代码为688798。   艾为电子累计拥有42种产品子类、产品型号总计超2000款,产品的性能和品质已达到业内领先水平。公司产品广泛应用于消费电子、工业互联和汽车市场,包含智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴、智能音箱、智能家电、移动支付、物联网、AI教育、智能玩具、服务器、新能源、机器人、无人机、安防、汽车电子等领域。   2024年公司研发投入5.1亿人民币,占营收比例近17%,技术人员占比超74%,累计取得国内外专利649项,软件著作权125项,集成电路布图登记595项。   艾为电子获评国家企业技术中心、音频制造业单项冠军企业、国家知识产权优势企业,“国家高新区上市公司创新百强榜”,上海市创新型企业总部、上海市质量金奖、上海市级设计创新中心、上海市智能音频芯片技术创新中心、上海硬核科技企业TOP100榜单等资质荣誉。  

    数字功放

    艾为官网 . 2025-08-22 850

  • 技术 | 从技术底层到场景落地:艾为Haptic触觉反馈全链路方案深度拆解

    自2017年推出线性马达驱动IC以来,艾为Haptic触觉反馈方案便备受赞誉,成为众多海内外主流厂商提升设备触觉体验的优选方案。   艾为致力于为全球消费电子、工业互联及汽车市场领域,提供高性能、低功耗、高精度的触觉反馈方案。其产品线丰富,覆盖常压、中压、高压线性马达驱动芯片。同时,艾为结合自研的awinic TikTap® 、艾为雷震子®、4D游戏算法,能够为用户带来细腻、精准的触感交互体验。凭借卓越的产品性能和优质的客户服务,艾为线性马达驱动IC应用广泛,目前已应用于全球超过7亿台设备。 什么是Haptic Haptic是通过硬件与软件结合的触觉反馈机制,模拟人的真实触觉体验。例如在手机上点击虚拟按键、进行文件删除等操作时,系统会向线性马达发送电信号。线性马达接收到的信号,快速产生相应的振动或位移,然后通过设备的外壳等结构传递到用户的手指,让用户感受到类似于物理按键的真实触感。   Haptic系统构成 一个成熟的Haptic 系统是由三部分组成:高性能的Haptic Driver IC可针对主流线性马达窄频响应、启停慢等缺陷,实现精准控制与校准补偿。振动单元(如LRA ),提供振动反馈。自定义功能的Haptic接口,作为内容传递枢纽,覆盖 UI 交互、铃音随振、游戏 4D、APP 应用、社交互动等场景。    图1 Haptic系统组成单元   如何设计Haptic效果 01、环境搭建 使用艾为Haptic GUI设计出波形后,通过Haptic EVB板驱动LRA马达振动,使用示波器采集当前效果输出波形以及加速度波形,可以通过实时的加速度波形来重复调整GUI中的波形。   图2  设备连线图   02、波形设计工具Awinic SCP Haptic UI 为用户提供开放式调试参数,可以对波形做拼接组合以及刹车效果调试,配合Haptic EVB板可以实时体验波形效果。 图3  Awinic SCP Haptic UI WaveStudio 界面   TikTap APK  预集成各类高品质振动模板 提供多种反馈强度、频率等参数供用户自行调整,满足不同用户对触觉反馈的敏感程度和喜好      图4 Tiktap短振调试界面            图5 Tiktap长振调试界面         图6 Tiktap应用场景示例   TikTap Engine TikTap Engine提供了振动波形可视图、音频转振动、振动效果库等功能,与听觉效果紧密结合,为静态、动态多媒体场景匹配身临其境振感。   图7  TikTap Engine调试界面   建模与仿真 为不同类型的马达定制波形库,供客户索引。  图8 马达仿真示意图   图9 马达效果库示意图 场景匹配 振感原则: 主动反馈得到的振动提醒追求干脆,减少余震 被动反馈得到的振动提醒优先保证强度   利用强度、锐度和粒度的相互作用传达不同信息: 增加强度 为瞬态事件提供明显的触觉反馈,例如,指纹成功或解锁失败 降低强度 为中性事件提供补充反馈,例如拖动APP或打开APP 提高锐度 以传达轻微语义模式反馈,例如UI界面打字场景 降低锐度 以传达重要语义模式反馈,例如虚拟键Home Key 粒度 振动的频率及时间间隔。粒度越小,感知越迅速,例如闹钟拨盘   第六代高压线性马达驱动 IC AW86938SCSR 第六代高压线性马达驱动 IC AW86938SCSR凭借创新架构与技术升级,重新定义触觉反馈体验。 产品特性: 2.3~5.5V宽电压输入 2.0V低UVLO 支持多级电池保护 支持LCC3.0功能 支持AAE2.0 Low power mode 支持I2S/TDM接口 支持ACH & AGH 支持马达快启快停算法 马达内阻检测 Smart Loop功能for 小尺寸马达应用 1ms超快响应时间 LCC精度:±1Hz 8.8Vout@VBAT=4.2V,8Ω Loading Standby current:4.5μA UVP OCP OTP功能 WLCSP- 2.213mm X 1.733mm X 0.541mm-20B封装   图10 AW86938S典型应用图   更多Haptic Driver物料欢迎大家到艾为官网查询:www.awinic.com。

    线性马达

    艾为官网 . 2025-08-22 1115

  • 技术 | 艾为芯:量身匹配割草机器人需求,打造智能人机交互新体验

    随着人们对环境美化、草坪维护和农业效率的重视,家庭园艺、公共绿地、牧场等领域对割草机的需求持续上升,特别是在发达国家和地区。   割草机器人作为软硬结合的智能体,其工作模型可分为感知、决策与控制三大模块。硬件是其存在的基础,需依托实体硬件完成一系列核心动作:一是导航与建图;二是运动执行,如多足、双足等移动功能;三是操作交互,如通过机械臂实现物体抓取或挪移;四是人机互动,即与人类进行信息交互。从商业化进程来看,导航与建图技术已相对成熟,手眼协同的操作智能正处于应用深化阶段,而人机交互则代表着未来的发展方向。   作为中国数模龙头,艾为已与多家割草机器人头部品牌达成合作,推出多款新规格产品,更精准匹配割草机器人的应用需求,并依托声、光、电、射、手五大产品线提供组合方案。   1、 声 艾为全系列音频功放,覆盖模拟/数字接口、1W~5W输出功率,适配各种应用场景需求。 家庭草坪养护 割草机电台可播放用户喜爱的音乐或播客,缓解家庭用户割草时的枯燥感。例如, Husqvarna Automower系列 通过电台与基站连接,支持设置割草时间、区域边界,实现夜间静音作业,并配备GPS定位与异常移动报警功能。    农业与园林设计 割草机电台可与土壤湿度传感器联动,根据牧草生长情况动态调整作业频率与高度,提升牧草品质。此外,在园林设计中通过播放自然音效(如鸟鸣、流水声)营造沉浸式景观体验。   产品特性 VBAT:2.5V~5.5V DVDD:1.65V~1.95V 输出功率:2.5W (THD+N=1% @4Ω负载) 低噪声:9uV THD+N:0.016% 静态功耗:1.98mA@VBAT I²S/TDM接口:标准I²S,左对齐,右对齐,支持1~8slots TDM格式QFN 封装:QFN 3X3-16L   图1 AW88082QNR典型应用框图 表1 艾为音频功放产品系列   2 光 割草机的补光灯主要用于‌夜间或光线不足环境下提升障碍物识别精度‌,通过红外光辅助摄像头实现全天候工作,使割草机能在黑暗中精准识别障碍物,避免碰撞并规划割草路线。   艾为可根据补光灯数量、输入电源电压,提供Buck和Boost LED驱动方案,支持各类红外补光场景。以下为其中一款串联升压型LED驱动。 ‌ 具体作用 增强夜间识别:红外补光灯照亮前方,助力摄像头清晰捕捉地面障碍物轮廓,避免光线不足导致误判。 提升避障精度:配合激光雷达与算法,精准识别复杂场景障碍物,减少绕行或卡顿。 优化割草效率:避免因避障失败造成的重复作业或区域遗漏,提升工作效率。   以下为艾为其中一款串联升压型LED驱动产品介绍:   产品特性 Total Max Number: 3S10P Control Interface:PWM Min Duty (%):1 Max Switching Frequency (MHz):1.1 Power supply:2.7~5.5V 2A over current limit on SW pin SOT23-6L   图2 AW9962ESTR典型应用框图   艾为呼吸灯驱动经过十余年耕耘,产品覆盖3~216通道,提供驱动芯片+灯效算法+软件调试的全方位服务,便于客户的方案实现,已在多家头部厂商导入量产。   AW20XXX高性能矩阵型呼吸灯驱动系列简介如下(以72通道型号AW20072为例):   图3 AW20072QNR典型应用框图   产品特性 6路电流开关,12路高精度独立电流源,可驱动72颗LED/24颗RGB 16级全局电流调控,调节范围为3.33mA-160mA 独立的64级PWM调光,实现亮度调节 独立的256级DC调光,实现精准颜色配色比 3组pattern控制,支持灵活的灯效配置及自主呼吸模式,节省主控功耗与MCU资源 通信接口:400kHz I²C 带有同步时钟接口CLKIO,可实现多片AW20072时钟同步  电源范围:  2.4V~5.5V,支持地址扩展   3、电 艾为OCP系列产品应用广泛,助力割草机产品实现5V,3.3V等功能模块的过流保护需求。   产品特性 输入电压范围:2.5V~5.5V 固定限流电流:2.1A 导通阻抗:低至65mΩ@5V input 静态功耗:典型值28μA 关断功耗:典型值0.32μA 限流电流精度:±10% 内置功能:反向电流保护、欠压保护、过温保护,以及QOD(快速输出电压泄放)功能 封装:SOT 23-5L 图4 AW35045BDSTR典型应用框图   4、艾为割草机产品布局 割草机器人市场的蓬勃发展推动着方案升级与体验革新,艾为依托声、光、电、射、手五大产品线,推出配套产品组合方案,为品牌方及用户带来便捷可靠的使用体验。   图5 艾为割草机应用框图   割草机器人市场持续升温,技术与需求融合推动行业向智能高效进阶。艾为依托声、光、电、射、手五大产品线的协同优势,以适配方案为头部品牌提供支撑,在核心场景展现创新力。未来,艾为将深耕场景需求,助力割草机器人从自动化迈向智能化,为行业添动能,为用户提体验。

    割草机器人

    艾为官网 . 2025-08-21 1100

  • 技术 | 便携式革命:Qorvo引领更智能的电池驱动系统转型

    从园艺工具到人形机器人,对先进电池管理和电机控制技术的需求正以十年前几乎无人能想象的速度增长。在这一变革的核心,Qorvo已稳固确立其领先地位,为各种电压范围内的电池供电系统提供高性能、高度集成的解决方案。 Qorvo产品线管理总监Brian McCarthy指出,公司当前及未来增长主要由两大趋势驱动:向电池供电系统的广泛转型,以及向无刷直流电机(BLDC)的普遍迁移。    “所有的设备都在转向便携式、可充电电池,”Brian表示,“无论是电动自行车、乘骑式草坪拖拉机,还是无人机和机器人,电气化趋势清晰可见;而这些应用需要更智能的电源管理和更精确的电机控制。” 填补中电压市场空白 长期以来,功率电子市场一直被划分为两大类:低压工具,如12-20V无绳电钻;和高压系统,如电动汽车(400-800V)。但如今,电动滑板车、农业无人机和机器人系统等新兴工业与商业产品正迅速填补48–100V的中压市场空白;这正是Qorvo看到的一个最大机遇。    “我们在中压领域具有非常明显的优势。”Brian指出,“我们的电池管理系统(BMS)单芯片即可支持多达20节锂离子电芯。这意味着仅需一颗芯片就能实现高达80V的电压;而许多竞争对手仍需要堆叠多个芯片才能达到这一电压水平。”   这种单芯片解决方案不仅降低了成本和电路板设计复杂度,还提高了安全性与可靠性——这对于构建可扩展电池供电平台的OEM而言,是关键卖点。 电压范围及应用示例 电机控制:核心所在 尽管Qorvo在电池管理系统(BMS)领域日益得到广泛认可,但其技术根基源于电机控制。十余年来,Qorvo持续投入BLDC电机控制技术的研发,推出了一系列紧凑、高度集成的解决方案,相比有刷电机,在能效和使用寿命方面均有显著提升。    “有刷电机效率低下,且会随时间磨损。”Brian说,“这正推动行业向更可靠的BLDC电机方案迁移。虽然这些应用的控制方案更为复杂,但Qorvo正是凭借高度集成、完整的硬件与固件解决方案,为客户带来支持。再结合我们在配套电池管理产品上的持续加大投入,使我们成为众多客户所期待的完整系统解决方案提供商。”   这一“双轮驱动”的投资策略使Qorvo成为一站式提供商,能够为客户带来电源管理与运动控制能力的整合服务。这两种技术的融合,实现了更小的外形尺寸、更短的开发周期和更卓越的系统性能。在机器人、电动出行等快速增长的市场中,这些优势尤为关键。 展望未来:机器人、AI及更广阔领域 随着人工智能(AI)与自动化成为焦点,功率电子与运动控制领域的下一个前沿阵地是人形机器人——这些机器在狭小空间内集成了数十个微型电机。Brian认为,这一市场将需要需要超小型化、高效率的系统,而Qorvo已为此挑战做好充分准备。   与此同时,Qorvo正积极投入电池化学领域的研究,紧跟钠离子等新兴材料的发展步伐;这些新型电池技术未来有望提供比锂离子电池更安全、更可持续的替代方案。 独特的适应性 Qorvo的电机与BMS产品均基于完全可编程的行业标准ARM Cortex MCU。这使得客户能够添加自有IP,以增强其解决方案的差异化竞争力。Qorvo正助力客户探索新的差异化途径,例如融入微型机器学习(TinyML)算法,用于电量状态估算和电机故障检测等场景。    从高性能无人机到自主机器人,再从智能园艺工具到AI驱动的配送系统,Qorvo不仅在预判市场需求,更通过积极研发下一代技术,塑造电气化的未来蓝图。在电池管理与电机控制领域的领先地位,为Qorvo带来了助力客户加速创新、简化设计,并在各自市场中占据领先地位的宝贵机遇。

    Qorvo

    Qorvo半导体 . 2025-08-21 3890

  • 产品 | 村田首款面向车载市场的10µF/50Vdc/0805英寸MLCC

    株式会社村田制作所开发了面向车载市场、村田首款(村田调查结果,截至2025年6月25日)、尺寸为0805英寸(2.0×1.25mm)、额定电压50Vdc、容值10µF的多层片式陶瓷电容器(MLCC)。该新品代码为GCM21BE71H106KE02,已开始量产。 图:GCM21BE71H106KE02    产品主要特点 与同容值、同额定电压的传统产品相比,其占板面积减少了约53% 与同尺寸、同额定电压的传统产品相比,其容值增加了约2.1倍 村田首款在车载用0805英寸中实现10µF容值和50Vdc额定电压的MLCC产品 可安装于12V的车载标准电源线,有助于节省电路板空间及减少电容器数量    近年来,随着自动驾驶等级的提升,车辆搭载的系统数量及高性能化趋势加速。为确保这些系统稳定运行,用于自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的IC周边所需电容器的容量持续增加。由此导致IC周边搭载的电容器数量增多,基板内的空间受限。    为此,村田采用专有陶瓷元件和薄膜技术,面向车用市场开发并开始量产村田首款尺寸为0805英寸、额定电压为50Vdc且电容值为10µF的MLCC产品。与电容值为10µF的村田传统产品(尺寸为1206英寸(3.2×1.6mm)/额定电压50Vdc)相比,本产品的占板面积减少约53%,实现了小型化;与村田尺寸为0805英寸的传统产品(电容值为4.7µF/额定电压为50Vdc)相比,本产品的电容值增加约2.1倍,实现了大容量化。本产品可安装于12V的车载标准电源线,有助于节省电路板空间及减少电容器数量。    主要规格   产品名称     GCM21BE71H106KE02   尺寸(L×W×T)   2.0mm×1.25mm×1.25mm   电容值   10µF   工作温度   -55~125℃   温度特性   X7U(EIA)   额定电压   50Vdc   今后,村田将继续致力于多层片式陶瓷电容器的小型化和电容值的提升,并扩大产品组合以满足车用市场的需求,从而为汽车的高性能化和多功能化做出贡献。同时,村田还将积极致力于通过电子元件的小型化,来减少材料用量以及提高单位生产效率,通过减少工厂用电量等方式降低对环境的影响。  

    MLCC

    Murata村田中国 . 2025-08-21 1 4145

  • 方案 | 用USB AI降噪麦克风模组轻松搞定专业的降噪和高性能音频输入输出方案

    随着在线会议、直播和游戏语音交流的普及,高质量的音频输入设备变得越来越重要。为此,边缘AI和智能音频专家XMOS携手其全球首家增值分销商飞腾云科技,利用其集边缘AI、DSP、MCU和灵活I/O于一颗芯片的xcore处理器,推出一款专为语音收集和处理设计的USB AI降噪麦克风模组——A316-Codec-V1。这是一款基于XMOS XU316芯片和Codec芯片的专业音频处理模组,专为麦克风输入和耳机输出场景设计,即插即用且无需额外驱动,尺寸为18mm×35.16mm。 凭借其专业的音频处理能力和AI降噪功能,A316-Codec-V1 USB AI降噪麦克风模组可适用于多种应用场景:USB直播麦克风:为内容创作者提供清晰的语音收集和背景噪声抑制;USB游戏耳机:提升游戏中的语音通信质量,减少环境干扰;USB降噪收音设备:用于会议、录音等需要高质量语音采集的场景。   A316-Codec-V1模组具有以下技术特性: 核心功能: ·处理平台:基于XMOS XU316芯片,提供强大的数字信号处理能力 ·音频编解码:集成专业CODEC芯片,确保高质量的音频采集和输出 ·AI降噪:通过先进的算法实现环境噪声抑制,提升语音清晰度 接口与协议支持: ·USB接口:支持USB 1.0/2.0,即插即用,无需驱动 ·音频协议:支持UAC 1.0/2.0协议,确保广泛的兼容性 ·系统兼容性:支持Windows、macOS和Linux等多种操作系统 工作参数: ·工作电压:5V供电 ·工作温度:-20℃至85℃,适应各种使用环境 ·采样率:支持16kHz和48kHz,满足语音和音乐处理需求 ·位深度:支持16bit、24bit和32bit,提供高精度音频处理能力   A316-Codec-V1的系统架构主要包括XMOS XU316处理器、CODEC芯片、USB接口和相关外设。系统通过USB接口与主机连接,由XU316处理器控制CODEC芯片进行音频采集和处理,实现高质量的语音输入和输出功能。 为了支持开发者基于A316-Codec-V1进行产品开发,XMOS还提供了完整的技术文档和调试工具,包括数据手册:详细的技术规格和接口说明;应用电路:参考设计电路,便于产品开发;调试工具:用于固件开发和测试的专业工具。此外,还提供基于A316-Codec-V1硬件模组的专业固件定制开发服务,可根据具体需求开发专属固件,包括需求分析、功能实现、验证测试和量产支持等全流程服务。   同时,为了便于开发者评估A316-Codec-V1的性能,XMOS还提供了A316-MIC-EVB USB AI麦克风评估板,该评估板用于评估模组在语音收集和降噪应用中的性能,提供丰富的接口和测试功能。   “A316-Codec-V1作为一款专业的USB AI降噪麦克风模组,凭借其搭载的XMOS XU316芯片的强大处理能力、集成的CODEC芯片和先进的降噪算法,为各类需要高质量语音输入的设备提供了理想的硬件平台。无论是直播设备制造商、游戏外设开发者还是专业音频设备厂商,都可以通过这款模组实现高性能的语音处理解决方案,”XMOS亚太区市场和销售负责人牟涛说道。“XMOS正在全球扩大基于其xcore平台芯片的智能、高品质和多通道音频产品创新生态。双方将利用XMOS集边缘AI、DSP、控制单元和I/O等功能于一体的xcore芯片平台和音频解决方案,为全球的品牌厂商(OEM)用户、运营商和渠道商等商业客户设计和制造新一代的音频产品”。

    AI降噪

    XMOS . 2025-08-21 1525

  • 市场 | 2025年上半年印度智能手机出口量同比增长30%,达到4000万部

    根据Counterpoint Research的 “印度制造服务”,2025年上半年印度智能手机出口量同比增长30%,达到4000万部。这一表现凸显了印度电子制造生态系统的持续发展态势,以及其在全球供应链中日益重要的战略地位。目前,在印度销售的智能手机中,近99%已实现本地生产,充分反映了印度在建设强大的国内生产基地方面的努力和成效。这一进展得到了生产挂钩激励(PLI)计划等强有力的政府举措及本地产能快速扩张的支持,使印度成为全球智能手机的主要制造和出口中心。 图:2020年上半年—2025年上半年印度智能手机出口量(单位:百万台)(来源:Counterpoint的“印度制造服务”)   2025年上半年,美国仍然是印度智能手机出口的首选目的地,占总出货量的54%,高于2024年上半年的30%,占苹果出口量的75%以上。美国在2025年Q1宣布加征关税,导致以苹果为首的主要品牌扩大了从印度的出口规模,以避免美国市场潜在的价格上涨,并减少对中国的依赖,从而推动了这一销售激增。   与此同时,印度对欧洲的出口同比下降25%,其份额由2024年上半年的47%降至2025年上半年的27%,主要原因在于苹果将大量出货转移到美国以积累库存。展望未来,得益于苹果和三星在印度的出口导向型制造布局,以及两者在欧洲市场的强势地位,印度仍有望成为欧洲主要的智能手机出口国。   苹果的出口量同比增长53%,首次于上半年突破2000万大关。这一增长动力来自其在印度的制造能力持续提升、更大的产能布局以及政府利好政策的支持。此外,美国加征关税也推动了苹果出口导向型制造的扩张。iPhone占据了出口机型排行榜的前三名,其中iPhone 16以印度智能手机出口总量18%的份额领跑,iPhone 15和iPhone 16e紧随其后。   三星智能手机出口在2025年上半年同比小幅增长1%。其超过60%的出口直接销往奥地利、德国、法国和西班牙等西欧市场,而同期对美国的出口同比飙升268%。从出口机型结构来看,Galaxy A系列占智能手机出口总量的四分之三,彰显了该品牌对中端市场的持续关注。   摩托罗拉则以7倍的同比增长成为出口增速最快的品牌,出货量突破100万部,其中95%销往美国。根据Counterpoint的全球手机型号月度销量追踪报告,2025年上半年,摩托罗拉在美国的销量同比增长10%,抓住了HMD等竞争对手缺乏新品迭代以及部分小型厂商缩减在美业务的机会。相较于2024年,摩托罗拉更早推出了2025年的G系列新品,抓住了报税季的需求。由此,摩托罗拉在2025年上半年超越小米和vivo,跻身印度第三大智能手机出口商。   展望未来,在各大手机品牌厂商的积极扩张和PLI计划等政府举措的大力支持下,印度的智能手机出口预计将持续增长。然而,美国近期宣布对印度商品加征关税,税率最高可达50%,这为未来的供应链格局蒙上不确定性。虽然智能手机和电子产品目前仍然豁免范围内,但豁免的临时性意味着未来形势依旧难以预。手机品牌厂商和制造商需要保持灵活性,以应对不断变化的贸易政策,通过市场多元化与战略性贸易协议来维持印度在全球电子出口领域的增长势头。

    智能手机

    Counterpoint . 2025-08-21 2365

  • 产品 | 东芝推出小型封装车载光继电器,可实现车载电池系统1500V输出耐压

    中国上海,2025年8月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”,该产品输出耐压可达1500V(最小值),可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。 更短的充电时间以及更长的续航里程对于电动汽车的普及发展至关重要,而解决这些问题的关键就是电池系统的更高效地运行。电池管理系统(BMS)通过监控电池的充电状态实现系统高效运行,同时监控电池与车身之间的绝缘情况,以确保高压电池的安全使用。此外,BMS采用了电气隔离光继电器来处理高电压。   东芝的新产品是一款输出耐压为1500V(最小值)的高压光继电器,是东芝TLX9160T光继电器的小型化版本。通过内置MOSFET芯片的尺寸小型化实现SO12L-T封装,其贴装面积比TLX9160T的SO16L-T封装小约25%[2]。此外,这一尺寸的缩小也有助于实现电池管理系统的小型化和成本降低。引脚间距和引脚布局与SO16L-T相同(图1),可使用相同的焊盘尺寸设计。 图1:SO16L-T和SO12L-T的引脚分配及焊盘图形   全新光继电器采用了相对漏电起痕指数(CTI[3])超过600的树脂,属于IEC 60664-1[5]国际标准中的I类材料[4]。引脚配置可确保探测器侧的爬电距离在5mm以上[6](图2)。这些特性均符合IEC 60664-1标准,可提供1000V的工作电压。   图2:SO12L-T封装的引脚配置   未来东芝将继续扩大其车载光继电器产品线并提供可应对普及电动汽车挑战的解决方案,助力实现碳中和社会。   应用: 车载设备:BMS(电池电压监控、机械式继电器粘连检测和接地故障检测等) 替代机械式继电器   特性: 小型封装:SO12L-T(7.76mm×10.0mm×2.45mm(典型值)) 输出耐压:VOFF=1500V(最小值) 常开(1-Form-A)器件 雪崩电流额定值:IAV=0.6mA 高隔离耐压:5000Vrms(最小值) 通过AEC-Q101认证 符合IEC 60664-1国际标准   主要规格: (除非另有说明,Ta=25°C) 器件型号 TLX9161T 触点 1-Form-A 绝对最大额定值 输入正向电流IF(mA) 30 通态电流ION(A) 30 工作温度Topr(°C) –40至125 雪崩电流IAV(mA) 0.6 电气特性 断态电流IOFF(nA) VOFF=1000V 最大值 100 输出耐压VOFF(V) IOFF=10μA 最小值 1500 推荐工作条件 电源电压VDD(V) 最大值 1000 耦合电气特性 触发LED电流IFT(mA) ION=30mA、t=10ms 最大值 3 返回LED电流IFC(mA) IOFF=100μA,Ta=–40°C至125°C,t=40ms 最小值 0.05 导通电阻RON(Ω) ION=30mA、IF=10mA、t<1s 最大值 500 开关特性 导通时间tON(ms) IF=10mA、RL=20kΩ、VDD=40V 最大值 1 关断时间tOFF(ms) 最大值 1 隔离特性 隔离电压BVS(Vrms) AC,60s 最小值 5000 电气间隙(mm) 最小值 8 爬电距离(mm) 最小值 8 封装 名称 SO12L-T 尺寸(mm) 典型值 7.76×10.0×2.45 库存查询与购买 在线购买   注: [1] 光继电器:原边(控制)和副边(开关)为电气隔离。直接连接至交流线路的开关以及接地电位不同的设备之间的开关可通过绝缘层控制。 [2] SO16L-T封装尺寸(10.3mm×10.0mm×2.45mm)与SO12L-T封装尺寸(7.76mm×10.0mm×2.45mm)的比较。 [3] 相对漏电起痕指数(CTI):一种表示绝缘材料在沿其表面形成电轨道(导电路径)之前的耐压能力的指数。 [4] I类材料:IEC 60664-1中对成型材料的一个分类,相对漏电起痕指数(CTI[3])为600以上的材料。 [5] IEC 60664-1:该标准为AC高达1000V或DC高达1500V的系统规定了绝缘配合的原则、要求和测试方法。 [6] 5mm以上:1000V工作电压、I类材料、污染等级为2(使用电气设备的工作环境的污染程度:污染物完全不导电,但可能因凝结而变得导电。)所需的爬电距离。

    光继电器

    东芝 . 2025-08-21 1800

  • 三款新品驱动工业新效能!采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管

    产品介绍 合科泰新推出三款新品,均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K,一款肖特基二极管型号为MBRD20150CT。MOSFET产品采用沟槽工艺技术和高密度单元设计,具有较低的导通电阻、较低的栅极电荷和宽温的特性,可明显地降低导通以及开关损耗,这让MOSFET具备了很高的电流承载能力。非常适用在适配器、逆变器、电机驱动、BMS、LED电源、电动工具等应用。     关于MOSFET:HKTD80N03A和3080K的产品特点 两款MOS管都是N沟道MOSFET,TO-252封装,采用高密度单元设计。漏源极电压最高30V,持续电流最大80A。两款产品都有较低的导通电阻,具有优秀的开关特性。雪崩电压和电流经过全面表征,具有较好的抗电路冲击能力。   关于肖特基二极管:MBRD20150CT 这款肖特基二极管采用金属硅整流工艺,具有较低的正向电压,较高的反向耐压。同时效率高,具备过电压保护功能。本款产品针对整流和电压保护的需要,优化了正向电压能力及过压保护能力,以此提升应用可靠性。 更多产品请详见官网     典型应用 推荐方向适配器,逆变器,电机驱动,BMS,LED电源,电动工具

    MOSFET

    厂商投稿 . 2025-08-21 1145

  • 晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

    在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。 由于内容较长将分为上下两篇文章解释,本文是下篇,介绍内容有: · 共振频率 · 晶振术语     > 谐振频率   在产品描述中,有三对谐振频率,即:“串联谐振频率”和“并联谐振频率”(fs和fp)“谐振频率”和“反谐振”频率,(fr和fa),和“最大和最小总电纳定位”频率,(fm和fn)。由图9所示的集总等效电路参数均可得到。上述三对谐振频率的定义和关系可以用图10所示的复导纳图清楚地表示。   (图10)谐振复数导纳       石英谐振器的关键频率参数可通过导纳和阻抗分析确定: 串联谐振频率(fs):输入电导(导纳实部)最大时对应的频率。此时,晶振阻抗达到最小值,且为纯电阻性。 并联谐振频率(fp):输入电阻(阻抗实部)最大时对应的频率。此时,晶振阻抗达到最大值,且为纯电阻性。 谐振频率(fr)与反谐振频率(fa):电纳(导纳虚部)为零时的两个频率,是实际应用中的核心参数。 在等效电路中: 动态参数:动电容(C1)、动电感(L1)决定谐振特性。 静态电容(C0):并联支路中的寄生电容,影响高频响应。     > 术语 1)标称频率及其公差或校准精度 晶体谐振器的频率以MHz或kHz标称,指在特定负载电容下,指在匹配振荡电路中应得的“正常频率”。在25°C基准温度下,实测频率与标称值存在最大允许偏差,以百分比(%)或百万分率(ppm)给出。       2)基音和泛音 振动厚度切变振动是AT切角主要存在的振动形式。电极间的高次谐波振动与基频振动共存。由于两个电极的极性相反,压电石英晶体只能激发奇数次谐波振动。(图11) (图11)晶体谐振腔只能激发奇数次谐波振动       3)负载电容 负载电容CL是从谐振器两端观察电路时振荡器所展示的负载。负载电容形式上与谐振器串联或并联。在并联负载情况下,CL的存在会影响并联谐振频率,并联谐振频率fL由。公式如下所示。 fl=fs√1+C1/(C0+CL)-------(3)       4)频率-温度稳定性 频率-温度稳定性指以25°C为基准,随工作温度变化而产生的频率偏移(以%或ppm计)。其曲线反映偏移量与温度偏差的对应关系,受切割角度、振动模式、晶片尺寸以及工作温区、负载电容和驱动功率共同决定。       5)等效串联电阻(ESR) 串联支路中出现的电阻R1(图9)可以在串联谐振频率下测量,此时C1和11的影响相互抵消,R1表示晶体单元和封装的机械性损失。       6)运动电容C1和运动电感L1 C1与L1这两个参数与串联谐振频率fs相关,如图10所示,在谐振器设计和表征中fs是一个非常确定的参数。工业标准中只规定了C1的值,L1可以由下方公式推导得出。与振荡电路中通常使用的电容相比,C1的值非常小,可以由晶片和电极的材料和几何参数来评估。 7)静态电容C0(在支路中) C0是一个静态电容,无论晶体是否工作都存在,C0的值可以在很低的频率(小于或约1.0MHz)测得,计算公式如下,其中A为电极面积,d为切片厚度,e为相应晶体切片的介电常数。在实际应用中,C0不仅包括电镀石英裸片的静态电容,还包括导电结合材料的电容和封装外壳本身的电容。 8)驱动功率 谐振器的驱动功率是以纳瓦、微瓦或毫瓦为单位的功率消耗量。运行功率是保证正常启动并保持稳态振荡的合适功率范围。驱动功率应设置在最低功率,避免长期运行带来的频率漂移和晶体损坏。晶体尺寸越小,其最大可承受的驱动功率也越低,多数场合下建议驱动功率为10 µW–100 µW。       9)质量因子-Q 作为谐振器,质量因子Q值是一个非常重要的参数。在规格中,指定了空载和有负载情况下的Q值。空载Q或机械Q可以表示为,R1是出现在串联支路的电阻。负载值取决于负载电路。 10)牵引率 在并联负载电容振荡器中,振荡频率与负载电容CL有关,如图8和图12所示。频率变化(单位ppm)作为负载电容变化(单位pF)的函数是固定的。在某些应用中,负载谐振频率的变化是强制性的(例如VCXO),需要强制指定牵引率。 (图12)频率变化vs负载电容 11)老化 老化指在规定时段内工作频率的相对偏移,以ppm计,呈指数衰减。首周变化最快,随后趋缓。常用加速方法:85°C存放1个月,或25°C存放1年。老化速率受封装方式、密封完整性、工艺、材料、工作温度与频率共同影响。       12)存储温度范围 存储温度范围指晶体断电时可长期承受的极限低温与高温。只要全程处于该范围,恢复工作并在额定温度区间内运行时,所有指标仍应符合规格书要求。       13)负阻-R 负电阻是振荡电路在谐振器端子处呈现的等效电阻。起振的必要条件之一,是放大器提供足够增益以抵消谐振腔的损耗;对谐振器而言,负载须呈现足够大的负电阻来补偿其自身电阻。    

    晶振

    扬兴科技 . 2025-08-21 990

  • 大联大友尚集团推出基于onsemi产品的360W电源方案

    大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1618 PFC控制器、NCP13994 LLC控制器和NCP4318同步整流控制器的360W电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的展示板图 当前,电源市场的核心驱动力正从家用电器、工业机器人等传统领域,加速向电动汽车这一前沿赛道转移。在这一进程中,提升功率模块的功率密度已经成为行业聚焦的关键方向。未来,基于逆变器的资源整合与电源集成电路的创新发展,将为电源行业的绿色转型与数字转型注入强劲动力。在此背景下,大联大友尚基于onsemi NCP1618 PFC控制器、NCP13994 LLC控制器和NCP4318同步整流控制器推出360W电源方案,能够显著​​提升电源的效率,并降低成本​​,完美契合市场对​​高效率、高性价比的电源需求。 图示2-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的场景应用图 NCP1618 PFC控制器可提供三种模式的操作,包括不连续模式、边界模式与连续模式的操作,以保障电源供应器在不同负载情况下能够获得最佳效率。另外,NCP1618提供的pfc-OK脚位具有与下级电路通信的功能,借助此脚位可控制下级电路的ON/OFF,并且NCP1618还提供Soft-Skip功能,使其在极轻负载情况下工作,从而带来出色的低功耗表现。 NCP13994是一款用于半桥谐振变换器的增强型高性能电流模式控制器。该控制器集成了700V额定高压启动电流源和x2电容放电功能以及栅极驱动器,能够简化布局并减少外部元件数量。并且NCP13994具有一个专用输出,能够在需要PFC前级的应用中控制PFC控制器工作或停用,以提高空载效率。另外,该产品提供一套保护功能,可以在任何应用中实现安全操作。 NCP4318是一款用于LLC谐振转换器的混合模式同步整流(SR)控制器,它利用瞬时漏极电压和之前的死区时间信息,仅需少量外部器件,即可稳定运行。同时,控制器具有的自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压,从而最大限度地提高SR MOSFET的导通和效率。此外,多步关断阈值控制和SR电流反转检测功能可防止在快速负载瞬态期间出现反转电流,从而使SR在整个负载范围内可靠运行。 图示3-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的方块图 本方案以系统整合优势,为电源设计工程师提供了快速创新能力,其不仅能够有效降低能源消耗,提高电源转换效率,还可为客户节省成本,提升产品的市场竞争力。未来,大联大还将继续携手onsemi等原厂伙伴,共同深耕电源技术,致力于为客户提供更前沿、更可靠、更具成本效益的技术支持与供应链服务,驱动产业可持续发展。​​ 核心技术优势: 宽输入电压:90VAC-265VAC; PFC多模式运作,适应多种负载,提供效率; 高效率:4点平均效率达95%以上; 低空载损耗:<100mW; 无辅助电源,快速启动响应; 高PF:0.99@110VAC; 多种保护:OCP、OVP、BO、BUV、Inrush detect。 方案规格: 输入电压:90VAC-265VAC; 输出电压/电流:12VDC/30A; 输出功率:360W; 输出纹波:<150mV@满载; 平均效率:95%@230VAC; 空载功耗:<100mW; 功率密度:10.77 W/inch3。 本篇新闻主要来源自大大通: 基于onsemi NCP1618+NCP13994+NCP4318的360W电源方案    

    大联大友尚集团 . 2025-08-21 595

  • 逐点半导体携手真我为P4系列智能手机带来旗舰级视觉体验

    AI分布式渲染架构提升手机渲染能力,游戏性能测试实时可查帧生成指标 逐点半导体宣布,新发布的真我P4 5G、真我P4 Pro 5G智能手机搭载逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器。该处理器通过集成的分布式渲染解决方案,可降低GPU算力负担,大幅提升手机渲染能力。这也是海外中端市场同级产品中,首个集成专业视觉处理器的智能手机。无论是玩游戏还是看视频,消费者都能畅享旗舰级视觉体验。 真我P4 Pro 5G智能手机搭载高通技术公司第四代骁龙® 7移动平台,支持144Hz刷新率以及4608Hz高频调光。真我P4 5G智能手机采用联发科天玑7400 Ultra 5G移动平台,配备6.77英寸FHD+144Hz HyperGlow AMOLED显示屏。显示方面,这两款手机均搭载了逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器,为游戏和视频内容提供高质量画质优化,带给用户更沉浸的视觉体验。 打破原生帧率禁锢,百款游戏实现144fps高帧效果 集成了分布式渲染解决方案的逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器,采用超低延时MotionEngine™技术和高效AI游戏超分技术,通过分布式渲染架构,有效降低系统功耗,为终端提升帧率输出能力高达3倍,分辨率输出能力高达4倍。在MotionEngine™技术的助力下,手机内百款游戏可打破原生帧率禁锢,减轻因原生帧率与屏幕刷新率不匹配所造成的画面抖动,加倍提升流畅性和稳定性,实现最高144fps高帧率效果。不仅如此,X7 Gen 2视觉处理器集成了高效AI游戏超分技术,通过自研的AI算法将游戏内容从低分辨率扩展至1.5K分辨率,使游戏画质纹理更清晰细节更丰富细腻。此外,全时HDR功能可有效提升游戏的色彩饱和度和画面对比度,让游戏光影更立体,观感更沉浸。 帧生成指标实时可看,游戏测试数据更丰富 为增加移动端游戏性能测试数据丰富度,逐点半导体联合PerfDog开发的“帧生成”指标,首次在真我P4 5G、真我P4 Pro 5G智能手机上落地。在逐点半导体渲染加速解决方案加持下,可在测试过程中实时查看硬件加速处理后的游戏帧率数据。 1.5K+120fps同开,打造中端智能手机全新视频体验 除游戏外,在X7 Gen 2视觉处理器支持下,真我P4系列打造中端智能手机全新视频体验,在同级别产品中,率先实现1.5K分辨率+120fps的高规格视频显示,为用户带来影院级的视觉享受。其中,逐点半导体MotionEngine™技术助力视频体验加倍升级。在该项技术的支持下,视频帧率可最高提升至120fps,观看体育、赛车等赛事,视觉体验流畅丝滑;高效AI超分技术,为视频实现1.5K高分辨率扩展,画面更加清晰。同时,手机还适配了全时HDR,通过实时SDR至HDR转换,画面亮度和对比度显著提升,可在屏幕上展现更多亮部和暗部细节,用户在YouTube、PLAYit、Netflix、MX Player等视频应用中能够体验身临其境的视觉效果。 真我realme印度首席营销官Francis Wong表示:“真我P系列智能手机上市以来,获得了海外用户一致好评。此次和逐点半导体再度携手合作,首次将X7 Gen 2视觉处理器应用于真我P4系列手机上,是在AI时代对技术的一次全新的探索。在前几代机型的基础上,这两款手机在核心配置及功能扩展上全面优化升级,相信能为用户带来更出色的影音娱乐与游戏体验。” 腾讯互娱WeTest PerfDog创始人曹文升表示:“很高兴海外用户可以体验最新研发的帧率新指标。以往在移动端游戏性能测试中,针对帧率这一测试范围,一般采用平均帧率、稳帧指数等指标。此次联合逐点半导体进一步拓展数据维度,有助于测试更加科学准确。也将为游戏开发者、游戏玩家及游戏评测者提供全新指引。” 逐点半导体(上海)股份有限公司副总裁、移动事业部总经理房军表示:“凭借旗舰级性能和越级性价比,真我P系列智能手机一直深受年轻用户青睐。逐点半导体致力于通过先进的技术和产品,带给用户高品质的视觉体验。此次与真我强强联手,从研发初期就开始紧密协作,在深入了解消费者需求后,对视觉处理方案进行开发与优化,通过将AI技术与视觉处理深度融合,进一步提升手机渲染能力,不仅实现了画质升级,也让游戏、视频呈现更加清晰流畅。期待在未来,双方能持续深入合作,为全球用户带来更加惊艳的视觉盛宴。”    

    逐点半导体 . 2025-08-21 590

  • 在家也能做SPA?纳祥科技精油按摩梳方案,集成护发、按摩多种功能

    传统工具(如梳子、按摩器、精油喷雾、香薰机)功能单一,使用繁琐,难以满足现代用户“护发+放松”的一站式护理需求。   纳祥科技根据以上问题与客户需求,推出多功能精油按摩梳方案:集成护发精油、梳子、头部按摩与香薰功能,解决毛躁、头皮疲劳等问题,适配多场景,助力个人护理升级。   ​   ㈠ 方案概述     本方案将 “护发、按摩、香薰与负离子技术”集于一体,以“多功能集成+智能控制”为核心,通过微控制器协调各模块运作:当方案在“负离子→精油雾化→负离子”模式循环工作时,振动马达高频按摩促循环;负离子模块消除静电;精油雾化配合香薰扩散,达到更高效的护发体验。   方案采用椭圆形人体工学设计,集合单片机、专用IC、充电IC、负离子、微型气泵、储液仓、梳齿、900mAh锂电池、雾化口等关键组件,实现每分钟 2400 次震动;并支持5V Type-C快充,配备过充、短路保护及过热保护功能,高效护理。     ㈡ 方案模块     (1)核心模块 ①电源系统:900mAh锂电池,支持5V/1A Type-C快充 ②控制中枢:单颗按键+微控制器(MCU),实现模式切换与功能循环   (2)功能模块 ①负离子发生器:通过高压电场释放负离子,中和头发静电,抚平毛躁 ②精油雾化:微型气泵将储液仓中的精油雾化,通过梳齿中部的雾化口均匀喷洒 ③头部按摩:振动马达模拟人手揉捏,放松头皮 ④香薰功能:雾化精油扩散至空气,营造芳香环境     ㈢ 方案演示     我们将为您展示本方案——   ① 加入精油 ② 长按2秒开机/关机   ③ 短按更换模式,在“负离子→精油雾化→负离子”模式循环工作     ㈣ 方案总结     本方案兼顾便携性、安全性与功能性,适用于居家、办公及旅行场景,满足日常护发、放松按摩与芳香疗愈需求。   我们现将提供完整的方案技术支持与迭代,欢迎您与我们深入交流与探讨。  

    深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-21 1 2580

  • 产品 | 瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集

    2025年8月21日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于80MHz Arm® Cortex®-M33处理器的RA4C1微控制器(MCU)产品群。全新MCU具备超低功耗、高阶安全特性、丰富的通信接口以及段码式LCD支持。得益于独特的功能组合和性能指标,使其成为需要严格安全性电池供电应用的理想之选,涵盖电表、燃气表、水表和工业流量计,以及智能锁、恒温器、楼宇控制系统、工业用户界面等领域。此外,这一新MCU十分契合国内大型电力计量系统控制市场的需求。   RA4C1 MCU采用专有的低功耗技术,在80MHz工作频率下,其工作模式功耗仅为168µA/MHz,而在保留全部SRAM数据的情况下,待机电流可低至1.79µA。同时,RA4C1还配备具有独立电源域的实时时钟(RTC),便于实现基于电池供电的时间数据备份。这一卓越性能,结合低至1.6V输入电压支持,使客户能够设计出采用更小电池,或在同等电池尺寸下实现更高性能的电池供电应用。 对于计量系统而言,安全性至关重要。RA4C1 MCU内置RSIP-E31A安全引擎:此引擎可提供一个由专用控制逻辑管理并保护的隔离子系统。该MCU还支持256位硬件唯一密钥和真随机数发生器(TRNG),并具备密钥管理功能,能够生成封装密钥,支持SHA算法、AES硬件加速,以及支持NIST和Brainpool曲线且密钥长度可达384位的ECC。RA4C1还获得了PSA 1级认证,符合欧洲网络弹性法案(CRA)合规扩展,实现瑞萨对网络安全和遵守即将出台的欧洲法规的持续承诺。   瑞萨全新MCU还提供一套满足计量系统设计所需的功能集。其内置的512KB双区片上闪存,可实现轻松且安全的软件更新;同时该MCU还配备96KB SRAM和8KB数据闪存,用于片上数据存储。外设包括低功耗ADC、精度达1%的片上温度传感器,以及用于驱动低功耗段码式显示屏的片上LCD控制器。   RA4C1 MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供开发所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而助力客户加快应用开发速度。它支持客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发提供充分的灵活性。此外,FSP还简化现有IP在RA6或RA2系列产品之间的迁移过程。   Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“瑞萨拥有完善且广受市场认可的RL78、RX和RA系列产品线,赋能客户开发先进智能计量解决方案,共同迈向更绿色的未来。基于与全球客户的紧密合作,我们开发了这款全新的RA4C1:这一产品经过精心优化,旨在满足客户当前需求及未来。” RA4C1 MCU的关键特性 内核:80MHz Arm® Cortex®-M33 存储:256 – 512KB双区闪存,96KB SRAM,8KB数据闪存 外设:CAN FD、LPUART、SCI、SPI、QSPI、I²C、ADC、实时时钟、温度传感器、低功耗定时器、LCD、Vrtc 封装:10 mm x 10 mm LQFP64;14 mm x 14 mm LQFP100 安全:唯一ID、支持TRNG、AES、ECC、Hash的RSIP安全引擎   成功产品组合 瑞萨将全新RA4C1系列MCU与其产品阵容中的众多兼容器件相结合,打造出智能单相电表成功产品组合。成功产品组合采用经过技术审核的系统架构,由相互兼容的器件构成,可无缝协作,从而带来优化的低风险设计,并加快产品上市速度。瑞萨提供400多种成功产品组合,涵盖瑞萨众多产品,帮助客户加快设计流程,并更快地将产品推向市场。您可以在renesas.com/win上找到这些组合。   供货信息 瑞萨RA4C1 MCU、FSP软件现已上市,还同步推出RA4C1评估板。更多信息,请访问:renesas.com/RA4C1。样品和套件可在瑞萨网站或通过分销商订购。   瑞萨MCU优势 作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子的MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,是业界优秀的16位及32位MCU供应商,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

    MCU

    瑞萨电子 . 2025-08-21 1410

  • 企业 | 特朗普政府据悉将收购英特尔10%股份

      据媒体援引白宫官员和知情人士消息报道,特朗普政府正与英特尔公司洽谈,拟收购后者约10%股份。若交易成行,美国联邦政府将一跃成为这家芯片制造商的最大股东。    知情人士表示,美国联邦政府正在考虑对英特尔进行潜在投资,这将涉及将该公司从《美国芯片与科学法案》获得的部分或全部拨款转换为股权。    受此消息影响,英特尔盘中一度跌逾5%。上周,受相关收购传闻刺激,英特尔飙涨23%,创下自2月份以来最佳单周表现。    分析师曾表示,联邦政府的支持可能给英特尔更多喘息空间,以重振其亏损的晶圆代工业务,但该公司仍面临技术落后的挑战。    此前,英特尔已被批准获得109亿美元的《芯片法案》拨款,用于商业及军用芯片产能建设。以英特尔当前市值计算,10%股权价值约105亿美元,与上述拨款金额基本匹配。    不过,知情人士声称,具体持股比例或规模,以及白宫是否选择推进该计划,仍然存在变数。    白宫发言人Kush Desai拒绝就讨论的细节发表评论,仅表示“政府正式公布前,任何协议都不是正式协议”。    另有白宫官员提出,未来可能将更多《芯片法案》补助资金以股权形式注入企业,但目前尚不清楚该想法是否已获政府内部广泛支持,也未知悉是否已与其他潜在受影响公司沟通。    上月,美国国防部罕见宣布,将以4亿美元优先股形式入股美国稀土生产商MP Materials,交易完成后五角大楼将成为其最大股东。此举被视为政府直接投资关键供应链企业的先例。    与所有《芯片法案》受助企业一样,英特尔的补助资金原本应分阶段发放,具体时间表与项目进展挂钩。截至今年1月份,英特尔已收到22亿美元拨款。    目前尚不明确,这笔22亿美元是否会计入潜在股权投资之内;同样不清楚,自特朗普就任以来,公司是否已获得新的补助资金,以及未来若转化为股权,具体拨款的时间安排将如何。

    英特尔

    科创板日报 . 2025-08-20 1 2055

  • 方案 | 基于Infineon MCU和CoolSiC™碳化硅MOS的6.6KW双向DCDC方案

    随着新能源车快充、光储一体系统及工业微电网需求激增,高效率、高功率密度双向DCDC成为关键部件。传统硅基方案受限于开关损耗和体积,效率已尽极限,且散热成本较高;还有双向拓扑控制复杂,动态响应不足等问题;而碳化硅(SiC)器件凭借耐高温、低损耗特性,能做到更好的效率同时减少散热以及产品体积等优势,随着碳化硅(SiC)器件成本的降低,正加速替代硅基方案,预计2025年全球市场规模超50亿美元。 在此背景下,安富利(Avnet)推出基于Infineon XMC系列MCU和CoolSiC™系列碳化硅器件的6.6KW双向DCDC方案: 方案采用CLLC拓扑结构,全数字控制,动态响应时间小于10ms;Buck模式效率≥98%,Boost模式效率亦达到97%;方案灵活多变,可根据实际需要调整输入输出以及功率大小;可广泛(但不限于)应用在储能、电池化成、EV charging、工业电源等领域。 核心器件说明 主控MCU: Infineon的XMC4402将英飞凌先进的外设集与行业标准的ARM® Cortex™ - M4结合在一起。 高精度PWM单元 电源电压范围:3.13 - 3.63V ARM Cortex™ - M4,120MHZ,包括单周期DSP MAC和浮点运算(FPU) eFlash: 256kB,80kB SRAM 10/100以太网MAC(含IEEE 1588),2x CAN 8通道DMA + USB和以太网专用DMA USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I²C, I²S, LIN]   硬件ECC 这些都可帮助客户游刃有余的完成整个电源的转换,同时根据需要可以灵活选择;   功率MOSFET IMT65R022M1H: Infineon CoolSiC™碳化硅MOSFET; 650V,22moh,TOLL封装; 性能可靠稳定,搭配英飞凌配套驱动IC,最大化实现碳化硅MOSFET的优势; 可根据实际设计需要更换型号。    IPT017N12NM6: Infineon OptiMOS™ 6,最新一代的OptiMOS,120V,1.7moh,TOLL封装; 搭配英飞凌配套驱动IC,充分发挥出OptiMOS的优异性能; 可根据实际设计需要更换型号。    Driver IC: 2EDF8275F是实现大功率开关噪声环境中高边及低边MOSFET初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4A/8A的强大驱动能力,150v/ns的CMTI能力;2个输出通道均单独隔离。    Aux-power IC: ICE5QSBG英飞凌第五代准谐振反激式PWM控制器性能强大,具有全面的保护组合,有效提高了系统稳健性。    方案特点: 拓扑简单,效率高,功率密度大; 完全自主设计,可提供全套的软硬件支持; 可根据客户需求调整设计,协助客户快速出产品。

    Infineon

    安富利 . 2025-08-20 1 7340

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