新品推荐 | 荣湃双通道隔离驱动产品Pai8236系列
新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源等应用的电气系统正在掀起“升压”热潮，400V、800V，甚至1000V以上的平台逐渐成为市场主流。SiC器件开始变得流行，但它有个特点，那就是需要更高驱动电压，才能将内阻降到最低，发挥真正的性能。同时，关断时，它还需要一点反向推力，即负压关断，否则它有可能自己导通。图片来源：荣湃（下同）为了应对这个市场需求，荣湃半导体推出了Pai8236系列双通道隔离驱动芯片，它能够提供40V的正向驱动电压，可驱动MOSFET、IGBT，以及SiC器件等各类功率器件。最高支持5MHz的开关频率，能够满足电源转换器、电机驱动等应用对快速开关和高效率的要求。图：Pai8236系列引脚定义图 主要特性 Pai8236系列基于iDivider技术而设计，具有4A峰值源电流和6A峰值灌电流能力，并提供多个特色子系列，可满足不同应用场景的特定需求。例如Pai8236XS通过分离输出独立控制上升/下降沿时间；Pai8236XN支持外接负电压以实现负压关断；Pai8236XNX集成了内部负偏压关断功能。主要特性如下： 一是高驱动电压与电流能力 它具有40V驱动电压，专为SiC功率器件而设计，能提供更高的正向驱动电压，从而最大程度降低SiC器件的导通电阻，使其性能得到充分发挥。另外，其峰值源电流和峰值灌电流有两个版本，非米勒钳位版本分别是4A和6A，米勒钳位版本可达10A和10A。可确保能够快速有效地驱动大功率MOSFET、IGBT和SiC器件的栅极，实现快速开关，减少开关损耗。 二是高隔离与可靠性 它具备8000VPK增强型隔离，符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01标准，以及UL 1577标准下的1分钟5kVRMS隔离电压，为高压系统提供卓越的电气隔离保护，确保人身和设备安全。共模抑制比最低可达100kV/µs（可选200kV/µs），保证芯片在复杂电磁环境中信号传输的稳定性和可靠性，有效抵抗高dv/dt引起的瞬态干扰。 三是多功能集成，设计灵活 每个驱动器可灵活配置为双低侧驱动、双高侧驱动或带可编程死区时间(DT)的半桥驱动。当DISABLE引脚置高时，可同步关闭双路输出。作为失效保护机制，原边逻辑侧故障时将强制双路输出保持低电平。 此外，N系列产品专为需要负压关断的SiC器件优化，支持外部负压输入，并内置-2V、-3V、-4V、-5V多种负压选项，简化了负压配置，确保SiC器件快速可靠关断。图：Pai8236关键电气参数 主要应用场景 Pai8236系列双通道隔离驱动芯片以其卓越的性能和高可靠性，广泛适用于对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的各类高压电力电子应用。例如，新能源汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器、光伏储能系统中的太阳能逆变器和储能变流器、电机驱动器、不间断电源（UPS），以及工业电源和数据中心等场景。
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芯查查资讯 . 2026-06-01 1 1400
市场周讯 | 长鑫IPO过会；环球晶、联电世界先进、ST、英飞凌再涨价；太空算力关注度持续升高
| 政策速览 1. 广州：广州市人民政府发布关于印发广州市国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要的通知。规划纲要指出，提升电子信息制造产业集群优势地位。做大做强超高清视频与新型显示产业集群，持续扩大高世代显示面板及全柔有源矩阵有机发光二极体（AMOLED）模组生产能力，推动华星光电t8等重大项目建设；增强国家印刷及柔性显示创新中心、国家新型显示技术创新中心创新能力，促进Micro-LED、柔性显示、3D显示、透明显示、激光显示、全息显示等新型显示技术的研发和产业化；加快发展超高清视频，促进5G+4K/8K、虚拟现实（VR）/增强现实（AR）等技术融合应用；大力发展智能眼镜、空中成像屏等智能显示终端。支持黄埔重点发展显示面板、显示模组、关键材料设备等制造环节，推动上下游企业集聚发展。支持增城重点发展上游材料、下游终端应用环节，做大产业规模。支持越秀发展影视内容制作和数字内容生产，打造国内一流、全球知名的超高清视频制作应用示范基地。发展壮大半导体与集成电路产业，加快特色工艺芯片制造、车规级芯片设计、先进封装、第三代半导体等重点领域突破，布局高端数字芯片新赛道，打造国家集成电路产业发展“第三极”核心承载区。加快粤芯四期等重大项目建设。支持黄埔引育高端芯片设计、关键材料设备、先进封装测试企业，打造模拟芯片产业链。支持增城重点发展智能传感器和特色工艺芯片制造。支持南沙打造以宽禁带半导体为特色的产业链集群。 2. 工信部：工信部发布2026年汽车标准化工作要点。其中包括，加速汽车芯片标准发布实施。贯彻落实汽车芯片标准体系，提升汽车芯片环境可靠性、电磁兼容、功能安全和信息安全水平，推进汽车芯片应力试验要求、信息安全技术规范等标准审查报批。系统性推进汽车芯片产品与技术应用标准研究，推动电源管理芯片等标准发布，推进控制芯片、计算芯片、车内通信芯片、安全芯片、功率芯片等标准审查报批，加快传感芯片、车外通信芯片等标准研制，开展汽车存储芯片、驱动芯片等标准预研及汽车芯片匹配试验方法标准研究。 3. 深圳：《深圳市国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》发布，其中提出，全力巩固提升新一代电子信息、新能源汽车、新能源、高端医疗器械等优势产业全球竞争力。深入实施“ICT+”行动，积极布局新一代移动通信、新型显示等重点领域，做强半导体与集成电路全品类制造。做大新能源汽车“深圳造”规模、提升“含深度”，加快“车路云一体化”应用试点，打造新一代世界一流汽车城，全谱系发展新能源智能交通载具。加快建设世界一流新型储能产业中心，推动源网荷储全链条发展，推动数字电网、大功率充放电设施等新能源产业在全球市场抢占先机。全链条支持诊断、治疗、康复类创新医疗器械产业发展。到2030年，战略性新兴产业增加值超2.3万亿元。 4. 武汉：湖北省委常委、武汉市委书记盛阅春5月24日与省内外的集成电路领域企业家座谈交流、共话合作。会上，中芯聚源私募基金管理（上海）有限公司董事长高永岗、长江存储执行副总裁程卫华、长川科技公司董事长赵轶、上海正帆科技公司董事长俞东雷、中芯聚源股权投资管理（上海）有限公司战略合伙人冉昶、芯谋研究董事长顾文军逐一介绍了企业发展情况及合作意向。盛阅春说，希望各位企业家加大在汉投资布局力度，充分发挥专业优势，与武汉携手共建集成电路产业生态，带动更多优质项目、先进技术、高端人才、重点企业汇聚武汉，推动产业延链补链强链；与武汉携手共建集成电路产业创新高地，聚焦化合物半导体、光电子芯片、车规级芯片等重点方向，加强核心技术攻关和科技成果产业化，加快重大项目建设落地，搭建公共服务平台，推动我市集成电路产业加快发展壮大。 5. 四部门：中央网信办、教育部、工业和信息化部、人力资源社会保障部联合印发《2026 年提升全民数字素养与技能工作要点》（下称《工作要点》）。根据中国网信网今天傍晚发布的新闻稿，《工作要点》部署了 6 个方面 15 项重点任务。一是完善数字素养培育体系，包括强化数字资源供给开放、拓宽数字素养提升渠道。二是深化数字应用场景建设，包括提升数字生活品质、提升数字工作能力、激发数字创新活力。三是提升全民人工智能素养，包括强化人工智能赋能教育、加快人工智能人才培育、深化人工智能普及应用。四是促进数字普惠包容发展，包括深化信息无障碍环境建设、打造数字助老惠民公益项目。五是营造安全有序网络空间，包括引导全民文明依法上网用网、筑牢全民网络安全防护意识、促进人工智能安全规范发展。六是健全协同联动工作机制，包括完善多方协作机制、深化国际交流合作。 | 市场动态 6. 存储器：今年一季度，我国集成电路出口724.7亿美元，同比增长77.5%，其中存储器产品出口459.9亿美元，同比增长174.2%。存储器产品出口激增也传导至供应链服务环节。一家物流企业负责人表示，今年以来公司内存出口相关的业务订单量翻了一倍，单笔货值过亿元的大单明显增多。业内人士表示，存储器产品出口的爆发式增长，既有全球供需紧张的周期性因素，更有国内存储行业产业链升级、市场份额提升的产业结构性变革等因素。深圳市电子商会副秘书长称，跟去年3月份相比，存储器价格涨幅已经达到将近十倍，甚至还有一些是十几倍的增长。主要还是因为价格的大幅增长，导致（出口）总金额的上升。国产品牌的价格，跟海外品牌有较大的价差，价格是很有竞争力的。 7. 广东：广东省统计局公布了1—4月份经济运行数据。前四月，广东经济运行平稳，全省规模以上工业增加值同比增长3.9%，其中，高技术产品增势良好，工业机器人、3D打印设备、集成电路、存储芯片产品产量分别增长32.3%、57.0%、30.8%、50.8%。4月份，PPI由上月同比下降0.3%转为上涨1.4%。 8. TrendForce：AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的代理式AI应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，TrendForce集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026年产值从前一版的5516亿美元提高至8893亿美元，2027年则预计由8427亿美元上修至逾1.28万亿美元，年增率约44%。 9. 市场：上海2025年产值突破5700亿元。根据协会统计，从细分领域看，上海IC设计业2025年同比增长率达30.6%，制造业增长率达22.4%，设备材料业增长率达35.6%。2025年上海IC产业规模比2020年增长了2.4倍，超额完成了“十四五”的发展目标，上海集成电路行业营收占到全国的23.4%，展现出强劲的产业的经济效益，产业链环节布局更加完善，龙头企业集聚。 10. 太空算力：今年以来，太空算力这一新概念的关注度持续升高。近期，工业和信息化部对外表示，支持开展太空算力技术前瞻性研究，有序推动太空算力产业发展。太空算力，指的是将芯片、服务器等算力硬件直接部署到太空当中的卫星上，让卫星在天上处理数据，优势主要体现在“实时性”和“覆盖性”。业内机构预测，到2030年，全球太空经济市场规模将超过万亿美元。其中，太空算力是重要的基础设施。据了解，国内业界目前正在搭建规模更大的算力星座、攻关核心技术。今年4月，由产学研多方参与的太空算力创新中心在北京经开区发起筹建，同期还发布了“太空算力关键共性技术攻关榜单”，聚焦在可回收火箭、太空光伏、激光通信、抗辐照芯片等产业链核心环节，未来单个项目最高资助金额可达1000万元。 11. CFM：Q1全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，Q1NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。 12. 摩根士丹利：受惠于AI产业爆发性增长，预估到2030年，全球半导体产业总产值将上看1.5万亿美元，其中AI相关芯片的贡献占比将高达50%，成为推动市场增长的核心引擎。 13. 摩根士丹利：到2030年，全球半导体产业市场规模可能达到1.5万亿美元，其中人工智能相关半导体产品贡献份额占半壁江山。主要云服务提供商的云资本支出依然强劲。摩根士丹利云资本支出追踪器估计，到2026年，云资本支出将接近8110亿美元。研究认为，代理式人工智能产生了不断增长的CPU应用机遇。当AI从推理转向执行时，GPU计算强度随之提升。该机构将基准情景下的编排CPU市场总规模(TAM)上调至790亿美元，CPU编排技术的市场附加价值(TAM)预测将达到2380亿美元。 14. Counterpoint：全球 DRAM 内存市场规模在 2026 年第 1 季度达到 970 亿美元，距千亿美元大关仅一步之遥，环比激增 80%、同比增长更是高达 260%。主要市场参与者中，三星电子巩固了其领先地位，市占扩大至 38%；SK 海力士的市占下滑至 29%；美光市占维持 22% 不变。 15. TrendForce：预估全球市场 2026 年产值将从前一版的 5516 亿美元提升至 8893 亿美元（现汇率约合 6.04 万亿元人民币），2027 年则由 8427 亿美元（现汇率约合 5.72 万亿元人民币）上修至逾 1.28 万亿美元（现汇率约合 8.69 万亿元人民币），同比增长 44%。 16. 国家能源局：2025 年，我国已建成 42 个万卡级智算集群，全国算力中心总用电量达 1700 亿千瓦时，占全社会用电量的 1.6%。全国一体化算力网络 8 大枢纽节点算力用电成为增量主力，近 3 年平均增长率约为 39.5%，远高于全社会用电量的平均增速。国家能源局预计，“十五五”时期全国算力用电量年均新增 1000 亿千瓦时以上，到 2030 年预计达 8000 亿千瓦时，占全社会用电量 6% 左右。 | 上游厂商动态 17. 英特尔：英特尔正大规模投资先进半导体封装，加速其晶圆代工业务复兴。据28日业界消息，英特尔目前正面向全球供应链合作伙伴推进大规模“材料、零部件、设备”采购订单，多项供应合同已签订完成。一位熟悉内情的业内人士表示，“目前先进封装设备投资规模达数万亿韩元。”此次投资重点聚焦于扩大“EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）”产能。英特尔目前还在推进EMIB技术升级，包括在桥接结构中引入硅通孔（TSV）技术的“EMIB-T”，以及融合玻璃基板的封装方案等。 18. Furiosa：韩国AI芯片企业FuriosaAI宣布将与博通合作开发其第三代（下一代AI推理加速器，目标2028年上半年出样。这一芯片将结合2nm先进制程的计算裸晶 (Die)、独立的I/O裸晶、HBM4 (E) 内存堆栈，机架内多芯片间采用博通的SUE（纵向扩展以太网）实现全连接拓扑，可以机架级系统的形式出货。 19. 腾讯：腾讯新一代自研的视频编解码芯片沧海V2芯片已经完成“点亮”并进入量产周期，计划在2026年下半年全面提供线上服务。目前，沧海V1在腾讯云以及腾讯自有场景中规模部署超10万片，覆盖直播和点播、4K超高清高帧率转码等核心场景。 20. 长鑫科技：长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO获上市委会议通过，符合发行条件、上市条件和信息披露要求。长鑫科技招股说明书（申报稿）显示，公司预计2026年上半年实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。公司此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。 21. 环球晶：半导体晶圆制造商环球晶董事长徐秀兰25日在电话会议上表示，今年市况与去年不同，“相对好非常多”，但成本上涨，折旧摊提增加，正积极与客户沟通下半年调涨售价。除了AI需求强劲，非AI应用如车用、工业用产品也陆续回暖。目前环球晶12吋产能满载，其他中小尺寸晶圆稼动率也满高，能见度已达第三季度。 22. 铠侠：铠侠计划在2027年量产第十代BiCS FLASH产品，相关投资细节待到2026H2会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的2026年量产计划。从技术规格来看，BiCS10采用332层单元堆栈架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%，且配合Toggle DDR 6.0接口标准，其I/O传输速率从上一代的3.6G bps提升至4.8G bps(增幅约33%)，同时输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，在标准TLC模式下可实现单颗2Tb的储存容量。 23. 阿里：玄铁团队宣布旗下9系列高性能处理器已完成对Android 16操作系统的适配，并面向战略客户定向发布玄铁安卓平台。作为全球首款成功运行最新版安卓系统的RVA23兼容RISC-V处理器，玄铁9系列实现突破，标志着RISC-V在安卓生态中已从功能移植迈入规范兼容与产品化交付的新阶段，为规模化商业落地奠定技术基础。 24. 英飞凌：英飞凌将于2026年7月1日起对部分产品实施价格调整。涨价函上显示，由于全球半导体行业面临时持续的成本压力，包括能源、原材料、运输和服务，导致产品组合需求的成本大幅上升，且远比几个月预期的更为广泛。尽管持续努力应对这些影响，但无法再将其内部消化，因此将对部分产品进行价格调整，调整自2026年7月1日起生效。 25. ST：据意法半导体最新的涨价函表示：在上一次价格调整后（从2026年4月26日），整个行业的成本压力持续不减，这使我们不得不再次做出调整，主要是针对那些未包含在前次调整范围内的产品。从2026年6月28日起，部分产品的价格将上调。 26. 被动器件：AI用高阶被动元件爆缺，被动元件巨头纷纷启动新一轮调涨，日本松下、美商基美分别在贴片型固态电容（SP CAP）、钽质电容自6月启用新价，涨幅介于5～65％；由于主要国际大厂产能已满，随Vera Rubin平台放量，加剧高阶被动元件供给缺口，排挤中低阶产能之下，转单潮正式拉开序幕，近日被动元件股票涨势喜人。 27. 建滔：PCB 产业链龙头建滔积层板（01888.HK）发布年内第四次涨价通知，宣布自即日起新接单起，板料产品涨价 10%，PP（半固化片）材料涨价 20%，为本次调价的最高幅度。 28. 联合电子：联电财务长刘启东表示，因应成本提高，公司计划于2026年下半年选择性上调部分产品价格，并将于2027年展开更大范围的客户价格谈判，届时涨幅可能进一步扩大。联电将原材料成本上涨及新加坡建厂成本高于中国台湾列为此次调价的核心驱动因素。此前TechNews于4月援引客户通知报道，联电已计划于2026年下半年实施晶圆价格调整，涨幅约10%，最快可能于7月生效。 29. 高通 ：高通公布面向平价入门级 PC 的骁龙 C 处理器骁龙 C 代号 "Kenai"，采用 6nm 制程工艺，配备 1+3+4 共八个 CPU 核心和 900MHz 的 Adreno GPU，内存支持 32-bit LPDDR5，可对外提供 2 条 PCIe Gen3 通道，整体采用 14mm × 12mm 封装。 | 应用端动态 30. 中国电信：中国电信研究院近日联合清华大学、无锡沐创集成电路设计有限公司，成功完成基于国产抗量子芯片的AI(人工智能)多智能体可信通信创新试验。该试验的成功标志着中国在抗量子密码与人工智能深度融合领域取得重要突破。 31. 华为：在电气电子工程师学会（IEEE）举办的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上，华为何庭波发表题为“半导体新路径探索与实践”的主旨演讲，发表了指导半导体产业发展的新原则——韬(τ)定律。韬(τ)定律提出以“时间(τ)缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则——通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。
半导体
芯查查资讯 . 2026-06-01 1 1 2289
Vishay ESD静电保护二极管通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试
VETH100A1DD1符合 OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范 今天Vishay宣布，公司采用DFN1006封装的VETH100A1DD1静电保护二极管成功通过IEEE 10BASE-T1S合规性测试，证实该产品适用于汽车单对以太网（OPEN）总线架构。 VETH100A1DD1符合OPEN Alliance关于静电保护器件的全部三项EMC测试规范，可支持10BASE-T1S、100BASE-T1和1000BASE-T1应用。除了最近完成的IEEE 10BASE-T1S合规性测试之外，该器件还通过了100BASE-T1和1000BASE-T1的合规性测试，而且我们可根据要求提供测试报告。 10BASE-T1S是一种汽车数据总线，可通过一根长达25米的双绞线连接至少8个节点。这种标准通过一条双绞线使用基带传输数据，标称数据速率为10 Mbit/s ，其中“S”表示短程运行。与100BASE-T1和1000BASE-T1等更高速的点对点汽车以太网链路不同，10BASE-T1S采用多点总线拓扑，多个节点共享同一物理介质。 10BASE-T1S网络的每个节点都可包含一个静电保护器件，因此，极低的电容对于保持总线上的信号完整性至关重要。VETH100A1DD1专为满足这一要求而设计，其电容低于10BASE-T1S测试规范中规定的1 pF，非常适合10BASE-T1S应用，同时兼容更高速的汽车以太网标准。 VETH100A1DD1满足10BASE-T1S、100BASE-T1和1000BASE-T1标准，可为设计人员提供多种汽车以太网架构的静电保护解决方案，包括多点总线系统和更高速的点对点链路。
威世 . 2026-06-01 833
10BASE-T1S：破解车载网络瓶颈，重构软件定义汽车通信底座
摘要：随着软件定义汽车加速落地，高效、精简、适配车载场景的通信技术成为行业核心诉求。10BASE-T1S作为专为车载与工业场景打造的以太网技术，为破解车载网络瓶颈统一提供了关键方案。本系列将分两篇为您深度拆解安森美（onsemi）最新的10BASE-T1S技术白皮书。本文为第一篇，将聚焦架构演进与10BASE-T1S的核心价值。 区域控制架构 如今的汽车均需搭载精密复杂的电子通信网络。与办公场景中网线可隐匿于地毯之下、接口线缆便于手持布设不同，车载网络（IVN）的部署会受到更多物理条件的制约。 区域控制架构是工程师在物理空间极为受限的环境下实现电子器件间通信以支持大量并发电子功能的技术方案。各个电子功能会依据其在车内的相对邻近程度进行分组。 图1：经优化的区域控制架构图 图1展示了现代汽车中的区域网络架构。在传统的域架构中，车辆各项功能均配备独立的电子控制单元（ECU），整车ECU数量多达85-100个；而区域控制架构可将ECU数量大幅缩减至20个左右。 激光雷达成像、车道偏离影像、防撞系统及先进驾驶辅助系统（ADAS）等需要更高带宽的功能，由中央区域控制器统一协调。ADAS通过边缘传感器采集的数据，实现车道偏离预警、防撞、盲区监测及泊车辅助等功能。从网络主干向边缘节点延伸，在越靠近网络边缘的区域控制器处，应用所需的带宽就越少。通过这种方式对功能进行聚类，低带宽功能（例如门锁传感器）就不会对高带宽功能（例如视频图像处理）造成瓶颈。在区域控制架构问世之前，这类瓶颈问题一直是行业内的重要技术难题。 对精简型以太网的需求 图2：经典的办公室间以太网星型拓扑结构[图表由Umapathy提供，遵循Creative Commons3.0许可协议] 为保障效率，网络应尽可能采用端到端统一协议，避免因不同协议之间的转换而显著增加成本与复杂度。汽车整车厂商（OEM）一致认为：以太网是实现车载网络协议统一的理想选择。 以太网最初面向办公设备共享场景设计，后续演进为图2所示的星型拓扑点对点通信模式；因此，需对以太网标准进行适当补充，以适配车载网络的需求。若将网络中所有设备均连接至同一个中央交换机，会导致线缆数量过多，进而增加整车重量。 图3：基本的CAN多点总线配置，两端各连接一个120Ω电阻[图表由Stefan-Xp提供，遵循Creative Commons3.0许可协议] 控制器局域网（CAN）之所以长期成为车载网络的主流协议，核心优势在于其高性价比及如图3所示的多点总线拓扑结构。采用CAN协议时，工程师无需将各边缘器件逐一连接至中央交换机，而是可将一组器件（即传统架构中的“域”）挂载在同一条“共用线路”上实现通信。 然而，将边缘的CAN与以太网骨干网连接起来，会增加网络的整体复杂度，“CAN+以太网”的模式需要增设网关、交换机与连接器等硬件。 10BASE-T1S如何消除瓶颈 图4：三台设备共享一条公共总线的10BASE-T1S配置，通过双绞线连接器同时传输电力与网络信号 10BASE-T1S是10BASE以太网标准的现代化版本，专为满足车载及工业场景的联网需求而扩展。如图4所示，10BASE-T1S节点可通过单对双绞线以多点总线形式实现共享通信，既无需部署以太网交换机，也可彻底省去大体积的以太网/CAN网关。 图5：10BASE-T1S控制器的三种器件配置选项及其连接方式 基于10BASE-T1S的网络中，每个网络节点均包含主机（通常为MCU）和某种形式的以太网收发器或控制器。如图5所示，10BASE-T1S控制器的功能分配可通过三种方案实现，对应其三大核心功能类别。 媒体访问控制（MAC）是实现OSI模型第2层（数据链路层）功能的数字逻辑，负责帧格式、寻址和媒体访问规则，保障以太网通信正常运行。 物理层器件（PHY）是实现以太网OSI模型第1层的组件，负责将MAC输出的数字数据转换为物理介质上的电信号或光信号，反之亦然。 物理介质相关（PMD）子层直接与物理传输介质对接，在10BASE-T1S网络中为单对布线。它位于物理层的最底层，负责完成数字符号到线路实际信号转换所需的各种模拟与电气处理。 在10BASE-T1S网络中，工程师通常根据成本与功能的综合权衡，选用最契合需求的MCU。依据MCU中以太网相关功能的可用性，可选择如图5所示的三种收发器解决方案之一。若选用已集成MAC及PHY数字功能（PCS与PMA）的MCU，只需搭配图5最右侧方案中的PMD收发器，即可构成完整解决方案。由于微控制器普遍采用小特征尺寸工艺制造，将以太网数字器件集成于MCU内部，有利于降低成本。此外，该方案需要的引脚数最少，仅需3个引脚即可将PMD与微控制器连接。 若采用集成了以太网MAC功能的现成器件，则可优先选用图中的中间方案。此类器件支持符合IEEE802.3标准的媒体独立接口（MII），物理层器件可通过相同的MII与上层（MAC）进行通信。虽然这种解决方案最多需要18个引脚，是引脚数量最多的配置，但仍可借助现成器件的成本优势实现整体方案降本。 若所选的MCU未集成任何以太网功能，则可采用图5最左侧的MAC-PHY一体化器件来提供构建完整以太网节点所需的全部功能。为了方便使用，此类MAC-PHY采用标准化的5引脚SPI接口，可兼容市面上许多低成本的MCU。MCU只需支持SPI接口即可确保运行频率不低于15MHz，另外需要一个GPIO作为MAC-PHY器件的中断信号源。 10BASE-T1S支持上述所有方案，便于工程师根据设计目标，灵活选择最优的网络连接实现方式。 未完待续，下一篇推文将解锁安森美10BASE-T1S芯片的硬核黑科技，深度拆解它的独家技术特性与超强功能优势。
安森美 . 2026-06-01 973
阈值电压VGS(th)的常见误读：刚开启并不等于正常工作？
BMS保护板应该遇到过这种情况，PCB板的管子过热烧毁，回去复盘发现MOSFET选型没问题、电流余量够、散热也做了，结果批量上机以后还是有零星炸管，拆下来一看管子烧穿的位置集中在沟道区域。排查到最后，问题往往出在栅极驱动电压上。MCU输出3.3V，MOSFET规格书中写阈值电压1到2V，3.3V比2V高了1.3V，看起来绰绰有余。但实际呢？这1.3V的过驱动电压并不足以让MOSFET进入低电阻的完全导通状态。 此时导通电阻可能比标称值高出好几倍，管子一直处于“半开不关”的状态下工作，自然容易烧毁。问题的根源在于，很多人把阈值电压阈值电压当成了“正常工作电压”，这是一个普遍的误解。 阈值电压到底是什么意思？ 翻开MOSFET的规格书，阈值电压的测试条件都写着：VGS=VDS，ID=250μA。250微安连一个20mA的普通LED都点不亮。栅极电压加到这个值，漏极才刚刚开始有极其微弱的电流流过，MOSFET只是刚刚打开了一个很小的通道。 换句话说，阈值电压对应的状态是器件刚刚从完全关闭进入到轻微导通的的临界点，还远远没达到低电阻的饱和导通区。如果拿这个电压附近的数值去驱动MOSFET带负载，显然是不够的。 我们可以以合科泰的HKTQ40N40为例，计算分析一下。 这颗MOSFET的阈值电压范围是1.0到2.0V。当栅极电压为4.5V时，已经比阈值高了2.5到3.5V，但它的导通电阻仍然比栅极电压为10V时高出了33%以上。假如负载电流为20安培，那么两种驱动电压下的发热功率差异就很明显了。 VGS=10V时， 功耗为20²×7.5mΩ=3.0W； VGS=4.5V时， 功耗为20²×10mΩ=4.0W。 多出1W的额外功耗。在紧凑封装中，这1W意味着结温可能高出15-20℃。如果环境温度本来就高，这一点温差就可能成为热失控的起点。 三种常见误读 误读一：栅极电压只要比阈值电压高一些就行 实际上，阈值电压是一个范围，比如1到2V。同一型号的不同管子，阈值电压可能相差1V。如果某颗管子的阈值电压是1.8V，用3.3V驱动时，高出阈值的那部分只有1.5V。MOSFET的特性在这个区域变化非常剧烈，1.5V的差额意味着导通电阻可能还处于快速下降的阶段，远没有达到稳定值。正确的理解是：栅极电压应该给到规格书中标注导通电阻时所对应的测试电压，那样才算是正常工作。规格书写着导通电阻在栅极电压10V下测得，就必须给10V；写着在4.5V下测得，那么4.5V才算数。 误读二：认为逻辑电平MOSFET用3.3V或5V驱动没有问题 逻辑电平MOSFET确实是为低压驱动设计的，但“逻辑电平”这个名称本身容易让人误解。判断关键还不在名称，而是规格书是否给出了低压栅极电压下的导通电阻数据。如果规格书写了在4.5V栅极电压下的导通电阻是多少毫欧，说明4.5V驱动是可行的，性能有保证；如果规格书只写了只写了在10V栅极电压下的数据，就不应该想当然地认为5V也能用。 误读三：认为阈值电压越低的MOSFET越容易驱动 阈值电压低确实意味着更低的开启电压，但真正有风险的是阈值电压的分散性。同样是阈值电压范围为1到2V的管子，有的批次1.0V就开启了，有的批次1.9V才开启。如果设计时按1.0V来确定驱动电压，那么遇到1.9V才开启的管子时，它可能根本没有导通。设计时必须按照阈值电压的最大值来考虑，不能按最小值或典型值。 三个实操建议 拿到一颗MOSFET，首先看规格书中标注导通电阻时所对应的栅极电压是多少。这个电压才是你应当提供的驱动电压，而不是阈值电压。 如果单片机的通用输入输出接口只有3.3V或5V的输出能力，必须选择规格书中明确标注了在4.5V或更低栅极电压下导通电阻数据的型号。不要仅仅依据阈值电压来判断。 许多工程师为了节省物料成本，直接用单片机的输出引脚去驱动MOSFET的栅极。如果MOSFET需要10V驱动而单片机只有3.3V输出，中间必须增加一级驱动电路。简单的方案是使用两个三极管构成的推挽电路，成本很低；常用的方案是使用专用的栅极驱动芯片，成本也仅需几毛钱。不应该省去这部分成本，因为一颗驱动芯片的价格远低于批量损坏后返修的费用。 小结 阈值电压是MOSFET刚刚开启的临界电压，并非正常工作的条件。规格书中导通电阻所标注的栅极电压，才是你应该提供的驱动电压。当栅极电压仅比阈值电压高1到2伏时，导通电阻可能恶化33%甚至数倍。高压MOSFET必须使用10V驱动，不能省略驱动电路。在低压逻辑驱动的场合，应选择规格书中明确给出4.5V下导通电阻数据的型号。不要因为节省几毛钱的驱动电路，而导致整个方案的可靠性下降。合科泰具有中低高压MOSFET多种封装的产品线，欢迎咨询。
阈值电压
厂商投稿 . 2026-06-01 1190
东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
－助力实现稳定的高速隔离信号传输－ 东芝宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。 随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日益增长。 东芝的新型数字隔离器支持最高125°C的工作温度。其专有的磁耦合隔离传输技术[1]，确保产品的共模瞬态抗扰度（CMTI）可高达150kV/μs（典型值）[2]，从而有助于设备的稳定运行。 新产品提供多种通道配置：正向4通道和反向0通道、正向3通道和反向1通道，以及正向2通道和反向2通道。这种灵活性使其能够满足工业自动化中各类隔离通信接口应用的选型需求，包括I/O接口、电机控制和逆变器等。 随着这些新型数字隔离器的推出，加上东芝此前推出的面向工业设备应用的DCL341x0B系列标准数字隔离器（采用小型SSOP16封装，具备低功耗和中速通信能力，最高可达25Mbps），东芝进一步完善了产品线，使客户能够根据通信速率范围和应用需求选择最合适的产品。 东芝将继续通过开发面向工业设备和汽车设备的数字隔离器，助力实现碳中和，并提供支持使电气隔离设备实现稳定通信与控制的高品质隔离器件。 应用： · 工业自动化：可编程逻辑控制器（PLC）、I/O接口等 · 电机控制 · 逆变器 · 开关电源 特性： · 最高工作温度：125°C（最大值） · 高共模瞬态抗扰度：|CMTI|＝150kV/μs（典型值） · 高速数据速率：tbps＝150Mbps（最大值） 4通道： 正向4通道，反向0通道 正向3通道，反向1通道 正向2通道，反向2通道 主要规格注： [1] 一种将调制芯片和带有绝缘层的解调芯片集成到单一封装中，并利用磁场传输信号的信号传输方法。 [2] 测量条件：VI＝VDDI或0V，VCM＝1500V，Ta＝25°C（VDDI为输入侧的VDD1或VDD2） *本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 *本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
东芝 . 2026-06-01 1078
聚焦网络通信场景，德明利工业级存储方案助力长期稳定运行
随着5G及5G-A网络建设持续推进 交换机、路由器、防火墙及边缘通信设备 部署规模不断扩大 网络基础设施正加速向 高带宽、低时延及长期在线方向发展 工信部数据显示，截至2026年3月底，全国累计建成5G基站495.8万个，5G-A已覆盖330个城市。在高负载、复杂环境及7×24小时持续运行场景下，工业级存储产品正成为保障通信设备稳定运行的重要基础。 一、工业级DDR PNM4300系列 ECC纠错机制保障数据稳定运行 针对长期在线运行场景，德明利推出工业级DDR存储解决方案，覆盖DDR4、DDR5 UDIMM/SODIMM等多种规格，可满足不同通信平台数据缓存与实时处理任务。 LDPC纠错机制，实时保障数据完整 产品支持LDPC纠错机制，能够实时监测并自动修复单比特错误，有效降低数据异常风险，保障系统稳定运行。 支持长期在线运行 针对7×24小时持续运行场景进行优化，具备良好的稳定性、数据安全性及耐久表现，可满足交换机、路由器等设备长期在线运行需求。 抗硫化设计，提升复杂环境适应能力 采用抗硫化设计，进一步提升复杂环境下的长期可靠性与使用寿命。 二、工业级mSATA NS1300系列pSLC与宽温设计适配长期高频读写场景 德明利工业级mSATA采用pSLC方案，适用于系统启动、数据存储及日志记录等长期高频读写场景，可广泛应用于交换机系统盘、边缘网关及网络安全设备等网络通信设备，mSATA的小尺寸设计也更适配空间受限型设备。 pSLC方案，提升耐久与稳定性 产品采用全盘pSLC技术，擦写次数超过30K次，并具备超过300万小时无故障时间（MTBF），可满足7×24小时持续运行场景需求。 宽温运行，适应复杂部署环境 德明利工业级mSATA支持-40℃~85℃宽温运行，可适应户外基站、工业通信及边缘设备等复杂部署环境，在高低温环境下依然保持稳定运行。 多重保护机制，保障系统稳定运行 产品支持LDPC纠错、PLP掉电保护等机制，可降低异常断电及数据异常带来的系统风险，进一步提升设备运行稳定性与数据可靠性。 随着通信设备持续向高可靠、长周期及复杂环境部署方向发展，德明利将持续围绕稳定性、可靠性及场景适配能力，完善工业级存储解决方案，为通信设备长期稳定运行提供支撑。
德明利
TWSC . 2026-06-01 2408
AEM00920的国产替代MF9005：太阳能遥控器/键盘PMIC选型
一、AEM00920：e-peas为遥控器/键盘量身定做的PMIC 2024年1月CES展上，e-peas发布了AEM00920和AEM10920两款PMIC，明确瞄准遥控器和无线键盘市场。这俩兄弟长得几乎一样，都是QFN-24封装，4mm×4mm占位，区别主要在于MPPT策略——AEM00920做恒压源调节，AEM10920做比例MPPT。 AEM00920的核心参数拿出来看看： 冷启动：275mV / 5μW，光伏输入 输入电压范围：250mV ~ 3.2V（启动后） BOOST/BUCK效率：>90% 最大输入电流：135mA 输出：Buck稳压，2.2V/2.5V/2.8V可选 储能保护：过充/过放保护，支持锂电池、电容 特色功能：5V_IN辅助充电口、Shipping Mode运输保护、GPIO全配置 封装：QFN-24，4×4mm e-peas给这芯片的定位很清晰——遥控器和无线键盘等。从方案完整性来看，AEM00920确实把遥控器/键盘这类场景吃透了：超低冷启动保证弱光能开机，恒压调节适配钙钛矿/非晶硅这类近似恒压输出的光伏片，Buck输出直接喂给BLE SoC，5V_IN备用充电口兼容USB应急补电，运输模式防止出厂前把储能元件耗干。 二、MF9005：米德方格的对应牌 国内做微能量采集PMIC的厂商不多，米德方格算是跑在前面的。MF9005这颗料，从参数上看跟AEM00920差别不大。 MF9005官方标称的关键参数： 冷启动：380mV / 3.7μW 输入范围：250mV ~ 3.2V BOOST/BUCK效率：≥95% 最大输入电流：135mA 输出：Buck稳压，2.2V/2.5V/2.8V可选 储能保护：过充/过放保护，支持可充电电池/超级电容 特色功能：5V充电输入、Shipping Mode、固定MPP电压配置 封装：QFN-24，4×4mm 对比下来，MF9005和AEM00920的框架高度相似：都是Boost+Buck双级架构，都是QFN-24 4×4mm，都是GPIO配置，都带5V辅助充电和运输模式。差异主要在冷启动与最大输入电流。 三、工程验证：别只看Datasheet 两颗料的Datasheet都大于90%效率，但实际系统效率取决于外围器件选型——电感DCR、电容ESR、PCB布局走线，这些细节能把90%拉到80%甚至更低。 另一个验证点是静态功耗。遥控器99%时间在睡觉，PMIC自身的待机电流直接决定能睡多久。AEM00920和MF9005都标了超低静态，但具体数字Datasheet里往往含糊，需要实测对比。 四、结语：替代不是目的，合适才是 说"国产替代"有点宏大叙事的味道。对做遥控器/键盘的工程师来说，选PMIC就是算账：性能够不够、价格接不接受、供货稳不稳、技术支持到不到位。 AEM00920是条成熟的路，e-peas在能量采集领域的技术积累和客户案例摆在那里。MF9005是条新的路，米德方格作为国产厂商，在交期、成本、本地化支持上有天然优势。 两颗料参数接近，框架相似，最终选谁，大概率不是技术决定的——是供应链决定的。当你的遥控器项目从Demo走到量产，从1K走到100K，进口料的交期开始拉长、价格开始浮动，国产替代的意义才真正浮现。
AEM00920
电子发烧友 . 2026-06-01 1253
执法记录仪低功耗计时方案：YSN8563 RTC芯片应用解析
随着法治化进程加速，执法记录仪已成为公安、城管等执法领域的核心装备。但在一线实战中，执法记录仪普遍存在整机功耗偏高、续航不足、高低温环境计时漂移等计时痛点，容易导致音视频记录时间错乱、证据链失效。 针对以上行业痛点，YXC扬兴科技推出YSN8563低功耗RTC芯片，全面适配执法记录仪全场景需求，是保障执法记录时间精准可靠、实现设备低功耗长续航的关键。 一、YSN8563 核心参数一览 YSN8563是一款搭载I2C总线接口的分离式实时时钟芯片，兼具超低功耗、宽温工作、高稳定性与高性价比等优势，完美适配执法记录仪这类便携式、户外作业的终端设备。 参数 规格说明 晶振要求 需外接一颗32.768kHz晶振，推荐YST310S 精度 依据外接晶体而定 封装尺寸 SOP-8/TSSOP-8/MSOP-8 工作温度 -40℃ ~ +85℃，适配户外宽温工况 功耗 0.25μA（3.3VDD Typ.） 工作电压 1.8 V ~ 5.5 V 守时电压 1.0V ~ 5.5V 通信接口 标准I2C总线（最高速率支持400KHz） 特色功能 日历、定时、闹钟、中断、低电压检测等 二、行业痛点与YSN8563针对性解决方案 执法记录仪的核心使命是留存真实、可追溯的执法证据，精准计时与长效续航是其正常运行的关键，当前执法记录仪普遍面临三大计时痛点： 痛点一：日常走时偏差大，计时精度不足 执法记录仪对时间记录有着严苛标准，部分设备计时误差较大，在事故责任认定、执法流程时效核查等关键场景中，偏差超标的时间数据会降低证据可信度，无法满足执法取证的规范性要求。 · YSN8563解决方案 Ø 高精度计时输出：提供准确的年、月、日、星期、时、分、秒等时间信息，确保系统时间精准同步。 Ø 数据一致性保障：芯片在读取时间寄存器时，内部计时电路会自动暂停，该设计确保主控MCU读取到的是同一瞬时的、无逻辑矛盾的时间数据。 Ø 支持低电压检测功能：当电压低于可靠工作阈值时，芯片会置位状态标志，主动通知系统，及时预警供电异常，避免因电压不稳引发计时错乱、数据丢失等问题，全程保障时间数据真实可信。 痛点二：整机功耗偏大，户外续航能力不足 执法记录仪的使用必须贯穿执法全流程，户外执法作业时间长。若RTC芯片功耗过高，会持续消耗设备电量，直接缩短整机续航，无法支撑全流程执法记录需求。 · YSN8563解决方案 Ø 超低功耗：YSN8563是一款专为低功耗场景设计的RTC芯片，其典型功耗仅0.25μA（@3.0V，25℃），几乎不影响整机续航。 痛点三：宽温环境计时漂移，温度稳定性不高 户外执法工况复杂多变，高温、严寒、雨雪等恶劣天气频发，普通计时方案在宽温范围内容易出现计时偏差，可能造成同一执法场景下多台设备时间不同步、录像时间与实际执法时间不符的问题，直接影响执法证据的司法效力，难以满足执法设备的高可靠性要求。 · YSN8563解决方案 Ø 具备优异的宽温工作特性：支持-40℃~ +85℃超宽温工作，在极端高低温环境下仍能保持极低时间漂移，计时精度稳定可靠，从源头保障执法记录时间合规、有效。 YXC扬兴科技YSN8563 RTC芯片依托高精度计时、超低功耗、宽温运行等性能优势，精准解决当前执法记录仪续航短、记录时间偏差大等核心难题。YSN8563能够提供精准、可靠的时间基准，既保障执法证据的合法性与可追溯性，又有效延长设备户外续航时间，是执法记录仪计时模块的优选方案。
时钟芯片
扬兴科技 . 2026-06-01 742
手持设备ESD老不过？先查这三件事再换TVS
选了加了TVS焊接，但是ESD测试还是过不了，而更令人困扰的是，同样的TVS型号有的可以过4级，有的却连2级都过不了。这里的问题很可能不是出在TVS本身，而是在三件事上：位置放置、接地走线、参数查看。这三件事情理清楚，要比换一件更贵的TVS更管用。 死机不一定是打穿了器件 很多时候，遇到ESD出了问题的第一反应往往是芯片被打坏了。但手持设备的ESD故障很多时候都是干扰，而非打穿。在MCY运行着各种中断的场景中，触摸屏在采样，蓝牙也在通信。这时候，ESD能量从USB口或者外壳分析耦合进来，只需要信号线上的一串毛刺，就可以让MCU的中断控制器被反复出发，这直接导致了堆栈溢出、程序跑飞，最终整体死机。 这种情况压根不需要击穿任何器件，还特别难以定位问题。因为ESD拿回来重新上电，又能正常地运行了，这种情况下要复现的条件都不稳定。一旦大规模生产，产品到了冬天就会涌来批量投诉。这里的关键不在器件是否扛得住，而在ESD能力是否被正确引导。 加了TVS还是死机？问题出在三个地方 为了应对这种情况，通常工程师都会加TVS，如果加了还是不行，通常可能要以下的三个原因。 第一是TVS放错位置。如果TVS放在靠近MCU一侧，处于接口和MCU之间的位置，ESD电流实际 已经走过了一段线路，这会产生足以干扰MSU的地弹和辐射。正确的做法就是放在接口的位置，让电流走最短路径倒地。 第二是接地回路不够短。GND如果走线绕了大半圈，回路阻抗比较高，就会导致TVS的钳位效果大打折扣。有人分享过USB外壳直接和板卡GND连接，过四级没问题；但是也有说USB和GND用RC做隔离的，区别在于整体的接地策略，直连GND的前提是平面足够干净，而使用RC隔离的前提是ESD能量有其他泄放的路径。 第三是TVS选型没看钳位电压VC。选对TVS工作电压只VRWM是保证不误触发，要起到防护效果要看TVS钳位电压，这决定ESD发生时把接口电压钳位到多高。如果钳位电压超过MCU的耐受电压，那TVS相当于没加。 手持设备ESD防护选型参考 手持设备的ESD防护根本接口不同，而有着不同的防护需求。选型时主要关注工作电压、钳位电压和封装。工作电压要保证不误触发正常信号，钳位电压VC要低于被保护器件的耐受值，封装方面空间受限时SOD-123FL比SMA更合适。以下针对手持设备常见接口给出TVS选型参考，参数来自合科泰TVS选型表。 先看USB 2.0数据线防护，工作电压为5V。 SMF系列200W峰值功率对手持设备的数据线已经够用，而且SOD-123FL封装的面积只有SMA的一半，适合手机、TWS耳机这类对空间要求极高的产品。如果接口可能要承受更严苛的ESD事件，比如工业手持终端，那么SMAJ系列的400W余量更为保险。需要注意的是，结电容Cj在高速数据线选型中同样关键，本文聚焦于VRWM和VC的选型逻辑，Cj需结合具体型号规格书进行评估。 再看锂电池供电端防护，工作电压为6.5V。 锂电池满充电压为4.2V，加上余量选择工作电压6.5V。这里使用单向TVS即可，因为电池端不需要双向钳位。需要留意漏电流的差异：SMF6.5A的漏电流为75µA，而SMAJ6.5A为500µA。如果设备对待机功耗敏感，SMF系列更为合适。 接着看USB-C PD防护，工作电压为20V。 USB-C PD协议最高支持20V，选型时工作电压至少需要24V。USB-C PD口是ESD的高风险入口，用户插拔频繁，建议至少使用SMAJ级别。如果是工业手持设备或充电宝产品，SMBJ的600W峰值功率更为稳妥。如果涉及PD 3.1 EPR模式的48V防护，选型时工作电压VRWM至少需要54V，可参考SMF54CA及以上型号。 TVS选型还需要注意单向和双向的选择。在手持设备的外露接口上，例如USB口和耳机孔，它的正反两面都可能被ESD打到，因此接口防护应该选用双向的TVS。选择料号查看后缀带C的就是，如SMF5.0CA。电池端和电源端只有正向ESD的风险，使用单向就可以，如SMF5.0A。单向TVS的漏电流通常比双向低一个数量级，在待机功耗敏感的场景中需要注意区分。 ESD防护是一个系统工程，TVS作为这个系统的核心器件，只有把它放在正确的位置、选对参数、配合合理的接地策略，才能把设备从“一摸就死机”变成“怎么摸都没事”。
TVS选型
厂商投稿 . 2026-06-01 994
纳秒级抖动×24小时零丢帧：RK3576工业级EtherCAT主站全拆解
前言：从"通用"到"硬实时"的那堵墙 在工业自动化现场，我们时常听到这样的抱怨："明明 Linux 上跑个 EtherCAT 主站协议栈很简单，可一到多轴联动、精密组装这类场景，周期一不小心就'飘'了，轨迹抖得让人心慌。" 问题就出在"硬实时"三个字上。要在通用操作系统上实现微秒级的确定性与低抖动，一直是机器人、多轴运动控制、半导体设备等高精度场景落地的关键挑战。 开源界的明星——IgH EtherCAT Master 协议栈，凭借其精悍的内核级架构和 DC（分布式时钟）同步能力，已成为连接 EtherCAT 从站与上层应用的核心桥梁。然而，要让这颗明珠绽放全部光芒，Preempt-RT 实时内核的加持以及底层硬件的精准配合缺一不可。 今天，我们基于米尔电子 MYD-LR3576 开发板——搭载瑞芯微 RK3576 高性能处理器，通过 1 ms 周期同步速度模式与 125 μs 周期同步位置模式的实测对比，为您揭示：在 CPU 隔离核与满负载压力下，如何将通讯抖动控制在亚微秒到微秒级范围，并奉上一套可直接落地的工业级实时控制方案。 第一章：IgH EtherCAT Master——开源协议栈的"硬核心脏" 对于初学者朋友，您可以简单地把 EtherCAT 理解为一种"工业现场的快递网络"——主站是调度中心，从站是各个执行节点，数据报文像一列永不停止的高速列车，把所有节点的信息一站收集、一站下发。IgH EtherCAT Master 就是那个极度守时的调度中心，它运行在 Linux 内核空间，直接从驱动层收发报文，避免了用户态调度带来的不确定性。 在专业工程师眼里，IgH 的优点很直白：支持分布时钟（DC）、内核级主站与通用以太网驱动深度结合、丰富的命令行与 API。它的抖动水平，直接反映了整个实时系统的品质。而我们要做的，就是让这调度中心的"心跳"在这个平台上，达到高精度的规整。 第二章：实战项目——当 RK3576 遇上微秒级 EtherCAT 周期 2.1 项目配置一览 开发环境与硬件 核心板：米尔 MYD-LR3576（RK3576，4×Cortex-A72 + 4×Cortex-A53，双千兆网口） 操作系统：buildroot，内核 6.1.118 打上 Preempt-RT 补丁 EtherCAT 主站：IgH EtherCAT Master 1.6.0 伺服与电机：4 台支持 EtherCAT 的 SV630N 伺服驱动器，搭配汇川 MS1H4 电机 测试工具：主站内部高精度时间戳 图2：硬件连接逻辑 – 双千兆网口之一作为 EtherCAT 主站，下挂多台伺服 2.1.1 测试方法与统计口径 为了确保测试数据的可复现性和可信度，本节说明测试方法与统计口径： 抖动定义：本文中的周期抖动指实际周期时长相对目标周期的偏差（实际周期 − 目标周期），正负值分别表示周期超调和滞后。 统计方式：最大值、最小值、平均值基于原始采样数据直接计算，未剔除启动阶段数据，反映全周期真实表现。 测试时长：空载和压力测试每组连续运行 30 分钟以上，长时间拷机连续运行 12 小时。 测试负载：空载测试仅保留串口输出，关闭图形界面、SSH 服务和其他后台任务。压力测试通过 stress-ng 对非隔离核（0-6）施加 CPU 满载、内存读写和 IO 压力，同时用 hackbench 制造调度延迟。 从站配置：4 台 SV630N 伺服驱动器，每台配置标准 PDO 映射（控制字、状态字、目标位置/速度、实际位置/速度），DC 同步模式以第一个支持 DC 的从站为参考时钟。 测量方法：通过主站内部高精度时间戳记录每个周期起点，相邻周期起点的时间差即为实际周期时长。 2.2 空载测试：亚微秒级的精准心跳 我们把 EtherCAT 主站配置为 1 ms 周期同步速度模式，CPU 核 7 专供主站实时线程（isolcpus=7），内核锁内存、线程优先级提升至最高，系统除串口外无其他负载。连续运行半小时的周期抖动分布如下： 图3. ec_stmmac.ko 1000Hz 空载周期抖动分布（最大 922ns，平均 22ns） 切换到更极限的 125 μs 周期同步位置模式（即每秒 8000 帧），电机在执行连续微步定位。得益于 DC 同步与驱动层精确时间标记，实测抖动依然控制在较低水平： 125 μs 空载（ec_stmmac.ko）：最大周期抖动 922 ns，平均抖动 22 ns，执行耗时 12.7 μs 125 μs 空载（ec_generic.ko）：极端抖动 ±11.7 μs，平均抖动 21.1 ns，执行耗时 26.4 μs，>1μs 尖峰仅 1 次（0.054%） 对于习惯 μs甚至ms级别抖动的传统方案而言，看到抖动进入亚微秒，意味着毫秒级的轨迹规划将拥有极干净的底层时钟基准，电机噪音更低，多轴同步更精准。 2.3 压力测试：加压验证系统繁忙时的实时表现 接下来我们测试压力模式下的设备实时情况。启动 stress-ng工具，对除隔离核以外的 0-6 核施加满负载压力（CPU 满载、内存轮番读写、文件系统疯狂 IO），同时用hackbench制造大量调度延迟。压力测试命令如下： stress-ng -c 4 --io 2 --vm 1 --vm-bytes 256M --timeout 1000000s & 即使在这种高负载的环境下，我们隔离核上的 EtherCAT 主站实时线程依然保持稳定： 1 ms 压力测试（ec_stmmac.ko）：最大周期抖动 1.63 μs，平均抖动 121 ns，>1μs 尖峰高达 283 次（11.58%） 1 ms 压力测试（ec_generic.ko）：极端抖动 ±33.7 μs，平均抖动 36.0 ns，>1μs 尖峰仅 5 次（0.21%） 125 μs 压力测试（ec_stmmac.ko）：最大周期抖动 1.30 μs，平均抖动 57 ns，>1μs 尖峰仅 1 次 125 μs 压力测试（ec_generic.ko）：极端抖动 ±43.5 μs，平均抖动 26.3 ns，>1μs 尖峰 10 次（0.55%） 图4. ec_stmmac.ko 8000Hz 压力测试抖动分布（最大 1.30μs，平均 57ns） ec_generic.ko 对比：相比之下，ec_generic.ko（通用驱动）在同等压力条件下虽然 >1μs 尖峰极少（1000Hz 仅 5 次），但极端抖动值可达 ±33.7 μs，说明其在高压场景下瞬时抖动幅度更大。而在 8000Hz 压力测试中，ec_generic 的极端抖动达到 ±43.5 μs，>1μs 尖峰 10 次，ec_stmmac 则仅有 1 次超过 1 μs 且极值控制在 ±1.30 μs，高频率下优势明显。 图5. ec_generic.ko 8000Hz 压力测试抖动分布（极端 ±43.5μs，>1μs 仅10次） 图6：满负载压力下的实时隔离示意 – 非隔离核满负荷，隔离核抖动仍保持在亚微秒级 2.4 长时间拷机：时间是最好的质检员 我们将 125 μs 周期位置模式连续运行 12 小时，确保车间日夜不关机场景下的可靠性。期间： 图7. ec_stmmac.ko 8000Hz 长时间运行抖动分布（47512 条记录，最大 1.25μs） 0 丢帧，主站状态机未发生一次 OP 到 SAFEOP 的异常跳变 DC 时间漂移补偿稳定在 ±20 ns 以内 抖动统计与 1 小时测试高度吻合，无周期性尖峰或缓慢恶化现象 这证明整套方案不仅能跑，更可长期稳定运行，具备了从打样走向量产的底气。 第三章：方案实现的硬核细节——从内核到代码层层拆解 这部分为专业工程师准备，拆解低抖动背后的技术骨架。 3.1 EtherCAT 驱动栈：专用驱动是关键 我们在 MYD-LR3576 上部署了 ec_stmmac.ko，这是专为 RK3576 的 STMMAC 千兆以太网控制器适配的实时驱动。EtherCAT 主站需要精确控制网卡的数据收发时机，标准 Linux 网卡驱动使用中断驱动模型，其响应时间受内核调度器影响，无法满足 EtherCAT 周期性通信（通常 1ms 甚至更短）的确定性要求。ec_stmmac.ko在原有通用 MAC 驱动基础上，针对 Preempt-RT 内核做了 NAPI 调度优化，并开启了硬件时间戳（HW Timestamp），确保报文收发流程中的时间标记和中断处理延迟降至最低。 相比之下，ec_generic.ko 作为通用 IgH 网卡驱动，适用于大多数标准以太网控制器，兼容性好但执行效率较低（1000Hz 下耗时 32.3 μs，是 ec_stmmac 的近 3 倍），且极端抖动幅度更大。 图8：IgH 驱动栈与 Preempt-RT 内核的关系 3.2 内核：Preempt-RT + 精调配置 内核版本：6.1.118-rt36，启用了完全内核抢占（CONFIG_PREEMPT_RT） 关键配置项： CONFIG_HZ=1000（提高内核定时器精度） CONFIG_HIGH_RES_TIMERS=y，CONFIG_NO_HZ_FULL=y（针对隔离核关闭无干扰时钟） CONFIG_CPU_ISOLATION=y bootargs 配置：isolcpus=7 rcu_nocbs=7 nohz_full=7 irqaffinity=0-6 这样，隔离核 7 上几乎不处理内核杂务和中断，将全部算力留给 EtherCAT 实时线程。 3.3 应用层代码的"护身符" 在应用程序启动时，我们做了四件事确保实时线程不被打扰： 内存锁定：调用 mlockall(MCL_CURRENT | MCL_FUTURE)，避免缺页导致延迟。 线程优先级：将 EtherCAT 主站循环线程设置为 SCHED_FIFO，优先级 99。 CPU 亲和性：将实时线程与日志、监控等非实时线程物理隔开，实时线程绑定在隔离核 7，其余线程限定在核 0-6。 DC 同步配置：激活主站的分布式时钟，以第一个支持 DC 的从站作为参考时钟，补偿静态漂移，并将周期任务与 DC 信号对齐，确保数据交换窗口精确同步。 图9：隔离核与非隔离核的线程分配 – 实时线程独占核7，不受日志/UI干扰 第四章：展望——从单板高速运动到边缘智能控制 基于 RK3576 的出色算力（内置 6 TOPS NPU）和双千兆以太网，这套 EtherCAT 主站方案不仅能满足 32 轴甚至更多轴的微秒级同步控制，还可无缝融入边缘 AI 推理。想象一下，同一块板子上，隔离核驱动 125 μs 高精度运动控制，其余核运行视觉抓拍与缺陷检测，这种"运动+视觉"实时一体化架构，将彻底简化产线控制器设计，为柔性制造、协作机器人等领域带来质的飞跃。 米尔 MYD-LR3576 开发板完备的接口和工业级温度范围，让其本身即可作为量产核心板直接嵌入设备，大大缩短产品上市周期。 第五章：落地注意——避开那些看不见的坑 最后，分享几点实操经验，帮您少走弯路： 中断亲和性不可马虎：不仅要隔离 CPU，还需通过 /proc/irq/*/smp_affinity 将千兆网口中断绑定到非隔离核，否则隔离核会被频繁唤醒。 实时驱动选择：通用网卡驱动在 RT 内核下可能出现锁反转，务必使用适配的 ec_stmmac 驱动，若遇丢帧首先检查 DMA 缓冲区大小与中断合并设置。 DC 时钟的冷启动驯服：刚进入 OP 状态时，驱动系统漂移补偿需要数秒收敛，建议在应用层检测 DC 稳定标志后再开始严格同步的运动指令。 监控而不打扰：将实时数据通过共享内存传递到非 RT 核，由非实时核负责存储或网络上报，避免直接 printf 或写磁盘引起千奇百怪的延迟。 驱动对比分析与选型建议 本文同时对 ec_generic.ko（通用 IgH 驱动）和 ec_stmmac.ko（DWMAC 专用驱动）进行了全面的周期抖动对比测试，关键对比数据如下： 选型场景推荐 推荐使用 ec_generic.ko 的场景： 系统存在 CPU 压力负载 — 压力下 >1μs 尖峰仅 5 次，优于 ec_stmmac 的 283 次 运行频率较低（~1000Hz）— 执行耗时不是瓶颈，抗干扰能力更有价值 不能容忍偶发性大抖动中断控制流程 — 虽最大抖动大但概率极低 使用独立 PCIe 网卡（IGB/IGC）而非 DWMAC 内置 MAC 推荐使用 ec_stmmac.ko 的场景： 系统 CPU 资源充裕、无压力干扰 — 抖动低至 922ns，执行耗时仅 11μs 高频率运行（≥8000Hz）— 执行耗时优势明显，压力下表现反而更优 长时间不间断运行 — 经测试 47512 条记录仅 10 次微小超限 对执行效率有较高要求 — 每周期可节省约 20μs CPU 时间 总结：ec_stmmac.ko 性能更好、效率更高，但在 CPU 压力场景下 >1μs 尖峰较多；ec_generic.ko 虽慢但在低频压力下尖峰更少、抗突发干扰能力较好。建议根据实际负载特征和周期要求进行选型：压力负载高、周期较低时 ec_generic 更有优势；高频场景或充裕隔离资源下 ec_stmmac 表现更优。 最终结论 基于 MYD-LR3576 的 RK3576 平台，结合 Linux Preempt-RT 实时内核和 IgH EtherCAT Master，可构建具备工业实时控制能力的 EtherCAT 主站方案。在本测试条件下，该方案能够稳定运行 1 ms 和 125 μs 控制周期，并在长时间测试中保持主站状态稳定。其中，ec_stmmac.ko 专用驱动在执行耗时和高频周期场景下优势更明显，适合对 8000 Hz 等高控制周期有要求的应用；ec_generic.ko 通用驱动兼容性更好，适合快速验证和通用网卡场景。实际项目中应结合周期频率、极端抖动容忍度和开发维护成本进行选型。
嵌入式
米尔 . 2026-06-01 896
微碧半导体（VBsemi）重磅发布高频 GaN HEMT 新品，引领功率电子新时代
在现代电子设备对高效率、高功率密度和低损耗的要求日益增长的背景下，功率器件的性能升级成为行业关注的核心。微碧半导体（VBsemi）近期推出两款全新 E-MODE GaN HEMT 器件——VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，以卓越的性能和创新技术，为高频功率转换领域注入新动力。 顶尖参数，性能突破传统限制 VBQE165A20S 拥有 650V 漏源电压（VDS），门源电压范围 -1.5V 到 7V，开启阈值电压 Vth = 1.5V，在 6V 驱动下的导通电阻仅 130 mΩ，最大电流 ID = 20A。紧凑的 DFN8X8 封装，不仅有效提升散热能力，还在高功率密度应用中保持稳定性能。 VBQA165A10S 同样具备 650V VDS，门源电压范围 -1.5V~7V，Vth = 1.6V，6V 驱动下导通电阻 190 mΩ，最大电流 ID = 10A，采用 DFN8 (5X6) 封装，更适合中低功率场景，为各类电子系统提供灵活可靠的解决方案。 这两款器件均为 Single-N 配置，充分满足工业和消费电子对高频、高效率器件的需求，性能指标远超传统硅基 MOSFET，尤其在高开关频率下表现更为卓越。 E-MODE 技术优势：效率与可靠性的完美结合 微碧半导体采用的 E-MODE（增强型）GaN 技术，实现了无需负偏压即可开启器件，带来以下关键优势： 导通损耗低：在高频切换下，能量损耗显著下降，系统效率提升明显。 开关速度快：支持数百 kHz 至 MHz 级的高速开关应用，提高功率转换效率。 热性能优异：降低热量产生，减轻散热设计负担，增强系统可靠性。 高功率密度：在同等尺寸下，提供更大电流承载能力，为紧凑设计提供支持。 相比传统硅 MOSFET，这两款 GaN HEMT 在电源转换、逆变器及快充应用中能够实现更低能耗、更小体积和更高系统可靠性。 多元化应用场景：驱动行业升级 微碧半导体 VBQE165A20S 和 VBQA165A10S 的高性能特性，使其在以下应用场景中具备显著优势： 高效 DC-DC 转换器：提升转换效率，降低能耗和热量，提高电源整体性能。 无线充电与快速充电：支持高频率开关，高功率密度设计满足现代快充标准。 电动汽车充电桩：在高压、高电流环境下稳定工作，确保充电系统高效运行。 数据中心电源：降低能源消耗，提高服务器供电可靠性，实现绿色节能。 工业逆变器与电源管理：满足高频、高效和高可靠性的工业应用需求。 这些应用场景正是未来电子产业发展热点，VBsemi 的新品为客户提供了可持续、高效和高可靠的解决方案。 品牌实力保障：微碧半导体的创新承诺 作为高性能 GaN 技术的先行者，微碧半导体一直致力于为全球客户提供领先的功率电子解决方案。此次推出的 VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，体现了公司在高频功率器件设计、材料选择和封装技术方面的全面实力。选择 VBsemi，客户不仅获得卓越性能的器件，更享受完善的技术支持和可靠保障。 展望未来：高频 GaN 时代的加速器 随着新能源、智能电网、电动车及高效数据中心的快速发展，对高频、高效、高可靠功率器件的需求持续攀升。微碧半导体的 VBQE165A20S 与 VBQA165A10S，凭借 E-MODE GaN 技术、卓越开关性能和高功率密度，将成为推动高频 GaN 应用加速落地的重要引擎。 在功率电子新时代，微碧半导体再次证明了自己引领行业创新的决心。高频、高效、可靠——VBsemi GaN HEMT，助力每一位客户赢在未来。
微碧
微碧半导体 . 2026-06-01 868
产品 | 宽电压-大点数点阵驱动：AiP33626L低功耗LED驱动芯片
中微爱芯
中微爱芯官网 . 2026-05-29 1 672
产品｜中微爱芯 nA 级系列低功耗运放，解锁电池供电新方案
在便携式仪器、无线传感、医疗电子、智能家居等电池供电场景中，低功耗、长续航、小体积已成为核心刚需。中微爱芯重磅推出nA 级超低功耗运算放大器，以纳安级静态电流、宽压适配、轨到轨性能，为低压低功耗系统提供国产优选方案。 【产品型号】 中微爱芯 nA 级运放覆盖AiP862x、AiP864x两大系列，静态电流均＜1μA，真正实现微功耗运行： AiP862x 系列：静态电流350–380nA/CH，增益带宽积5kHz，极致省电，适配超低频信号调理。 AiP864x 系列：静态电流670–700nA/CH，带宽分15kHz/100kHz两档，兼顾低功耗与响应速度。 纳安低功耗运放系列具有超低静态电流，低失调，输入/输出轨到轨等特性，性能参数可直接对标国外主流品牌，是国产化替换的可靠选择。【关键参数】 工作电压：1.4V–5.5V 静态电流：700nA / CH(MAX) 增益带宽：5kHz / 15kHz / 100kHz 输入失调电压：2.5mV(MAX) 轨到轨：输入/输出轨到轨 输出短路电流：23mA 关断电流：带使能典型 8nA 【产品优势】 1. 宽压适配，电池友好 工作电压1.4V–5.5V，兼容纽扣电池、锂电池、干电池等多种供电方案，低压场景稳定不掉链。 2. 轨到轨输入 / 输出 输入输出全轨到轨，信号摆幅最大化，避免削顶失真，小电压下也能充分利用动态范围。 3. 精度与驱动兼顾 输入失调电压 ≤2.5mV，低频信号放大精准可靠。 输出短路电流23mA，带载能力强，适配多数传感器与后级电路。 4. 通道与封装齐全 提供单 / 双 / 四通道，带 / 不带使能灵活可选。 覆盖 SOT23‑5、MSOP8、DFN8 等小型化封装，节省 PCB 空间，适配高密度布局。 【应用领域】 便携式医疗：动态血糖监测、手持检测仪、低功耗医疗传感前端。 无线传感：物联网节点、环境监测、温湿度 / 气压 / 土壤传感器信号调理。 智能终端：智能手表、TWS、遥控器、烟感、智能门锁等电池供电设备。 工业低功耗：低频采集、电池供电仪表、能量 harvesting 系统信号放大。 【结语】 中微爱芯 nA 级低功耗运放，以纳安功耗、轨到轨性能、宽压适配、丰富选型，成为电池供电与低功耗系统的理想选择。用更小电流，释放更长续航，赋能万物互联的低功耗时代！ 中微爱芯提供稳定供货、完善技术支持与高性价比方案，助力客户简化设计、提升系统可靠性，轻松实现进口器件国产化替代。
运算放大器
中微爱芯官网 . 2026-05-29 1134
产品 |“聚力新程 智驱功率”三相PNMOS栅极驱动器AiP4480
栅极驱动器是功率变换与电机控制系统的核心关键器件，承担着主控信号与功率MOSFET/IGBT之间高速可靠的桥梁作用。在电子电力系统中，无论是新能源动力电控、光伏逆变器、工业变频器、电机控制系统，其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。 【产品介绍】 AiP4480是一款高速、高性能的三相P/NMOS栅极驱动芯片，能够稳定驱动MOSFET、IGBT等功率器件。产品逻辑全面兼容CMOS和TTL信号输入，主要功能为将低压逻辑信号转换为高压驱动输出，在全电压工作范围内，具有交直流电气参数稳定的特点。 【产品优势】 极低静态功耗：静态电流＜1mA，可有效降低系统能耗，适配低功耗、便携式等应用场景 集成5V 60mA负载能力 LDO：可提供系统中MCU和板级其它电路的供电，降低系统所需器件数量，简化系统布线 集成过温保护功能：自检系统温度，触发过温可及时关断和锁定输出，温度恢复即释放锁定，可有效保护系统在全工况条件下正常工作 兼容主流型号，可支持SOP16、TSSOP16、QFN16等不同形式的封装 【主要特点】 三相 P/N MOS 管栅极驱动 VCC推荐工作范围6V~36V 具有VCC欠压保护 极低静态电流：≤1mA LIN1/2/3 输入高电平有效，分别控制LO1/2/3输出 LO输出电流能力：-60mA/+280mA HIN1/2/3 输入高电平有效，分别控制HO1/2/3输出 HO输出电流能力：-280mA/+75mA 具有过温保护功能 集成5V LDO输出功能 封装形式：SOP16、QFN16 【应用场景】 【典型应用图】 【功能框图】 【引脚排列】 SOP16 QFN16 【引脚说明】 表 2 AiP4480封装引脚说明（SOP16） 【结语】 AiP4480作为一款高性能三相P/NMOS栅极驱动芯片，针对性解决了传统驱动芯片驱动余量不足、开关损耗偏高、多相同步精度差、恶劣工况稳定性不足等行业痛点。芯片支持6~36V宽幅电压供电，可广泛适配工业控制、消费类电源及电机驱动场景，全电压范围电气性能稳定。搭配大电流驱动输出，能够实现功率MOSFET、IGBT高速开关，同时内置完善的闭锁、抗干扰、欠压及过热保护设计，在三相驱动同步性、负载驱动能力、响应速度与系统长期可靠性方面，均具备优异的综合性能。
栅极驱动
中微爱芯官网 . 2026-05-29 994
方案 | 制冰脱冰，芯中有数——基于中微爱芯AiP8S3408的制冰机解决方案
制冰机是一种高效制冷设备，通过压缩制冷系统将水快速冻结，制成不同规格的冰块，广泛应用于家庭、餐饮、商超、奶茶店等多种场景。相比传统手动制冰，制冰机不仅高效快捷，大幅节省制冰时间，更支持冰块厚度调节、自动脱冰、缺水保护等智能化功能。同时，采用食品级内胆与可拆卸部件设计，清洁便捷，符合食品卫生标准，为用户带来安全、便捷、高效的使用体验。 【整体解决方案】 中微爱芯制冰机方案采用AiP8S3408作为主控芯片，集成高精度制冷控制与智能传感技术，配合食品级内胆材料，实现智能制冰、自动脱冰、恒温保鲜、定时启停、缺水报警等功能。AiP8S3408是一款触控型8051内核MCU，内置256B XRAM、256B IRAM、8KB FLASH与128B EEPROM，满足制冰流程控制与参数掉电保存需求；13通道12bit ADC精准采集温度与水位信号；6路12bit PWM灵活驱动负载，实现制冷、脱冰、循环全流程自动化控制，适配制冰机的复杂工作场景，保障制冰效率与冰块品质。 制冰机方案 【方案特点】 工作参数：支持220VAC/50Hz供电，功率100W，日制冰量达15kg 控制与显示：按键控制搭配LED指示灯显示，操作直观简单 全自动智能制冰：控温精准，制冰成型规整高效，全流程无需人工干预 高效制冰：6~8分钟快速出冰，脱冰利落无粘连，出冰流畅无阻，保障连续制冰效率 大小冰可调，场景百搭：大冰、小冰随心切换，不同厚薄满足不同使用需求 双重智能防护： 缺水检测报警：水位不足时及时预警提示，保护压缩机 冰满停机保护：冰盒储满自动停止制冰，智能启停无需人工看管，有效规避设备空转与过载运行 【方案实物/PCB】 制冰机实物图 制冰机显示板PCB 制冰机电源板PCB 【芯片资源】 可用于制冰机开发的高性价比MCU： 【结语】 该款制冰机制冰速度快、冰块成型均匀，能耗低、使用寿命长，定时精准、操作便捷。采用模块化设计，便于版本升级和功能更新，可根据不同场景需求灵活调整参数。如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。
MCU
中微爱芯官网 . 2026-05-29 910
技术 | 区域控制器迈向“标配”时代，安森美为区域控制构筑坚实技术底座
当软件定义汽车（SDV）从概念走向规模化落地，一场深刻的电子电气架构革命正在席卷整个汽车产业。传统的分布式ECU架构已难以支撑智能汽车的算力需求与功能迭代，"中央计算+区域控制"的新型架构正以惊人的速度成为行业主流。据最新数据显示，2025年中国市场前装标配区域控制器（ZCU）的车型交付量已达289.90万辆，同比增长92.79%，年度渗透率突破10%。这一标志性节点意味着，ZCU正从高端车型的"选配"快速转变为智能汽车的"标配"。 在这场架构升级的浪潮中，半导体技术扮演着至关重要的角色。区域控制器不仅作为数据网关通过高速以太网与中央计算机通信，更需要同时承担高效配电与可靠边缘通信的双重使命。如何在有限的空间内实现通信确定性、功率效率与系统可靠性的完美平衡，成为摆在车企与Tier1面前的核心挑战。作为全球领先的汽车半导体供应商，安森美（onsemi）凭借在车载通信、功率器件与智能配电领域的深厚积累，正以"系统级组合"的创新思路，为区域控制架构构筑坚实的技术底座。 以太网成为架构升级的核心载体 2026年4月的汽车行业格外热闹，在北京车展上，首次设立的"舱驾一体"技术专题展区成为全场焦点，各大厂商集中展示了"中央计算+区域控制"的最新技术路径。而在稍早举办的以太网峰会上，车载以太网的技术创新与规模化应用更是成为行业热议的核心话题。 这两场盛会传递出一个共同的信号：高带宽、低延迟的以太网正在成为连接中央计算机与区域控制器、边缘节点的核心载体。在以太网峰会上，安森美不仅分享了10BASE-T1S以太网技术解析及PLCA协议相关机制，更通过五大demo全面展示了10BASE-T1S在高精度同步、集中控制、冗余可靠性、远距离抗噪等方面的技术优势，为车载以太网的落地应用提供了宝贵的技术参考。 然而，架构升级的道路并非一帆风顺。随着区域控制器的普及，行业正面临着双重挑战：在通信层面，传统分布式ECU之间的低带宽、点对点通信难以满足中央计算对高吞吐量与低延迟的需求，边缘传感器与执行器的接入需要兼顾实时性与确定性； 同时，由于区域控制器通常部署在靠近线束和电磁环境恶劣的位置，对信号完整性、抗噪及鲁棒性提出了更高要求。在功率驱动层面，高度集成的功率器件需要在有限散热条件下同时平衡效率、EMI与负载保护等功能，以满足紧凑设计需求； 此外，从传统熔断器到智能电子保护的升级也势在必行，以支撑整车功能安全与远程维护，真正适配软件定义汽车的迭代升级。 全栈式产品矩阵：覆盖通信、驱动、配电三大核心维度 面对这些挑战，安森美强调以"系统级组合"降低客户集成与验证成本，围绕智能车灯、车门控制、ZCU电源管理等汽车核心应用场景，打造了覆盖"边缘通信-功率驱动-智能配电"的全栈式系统解决方案。 10BASE-T1S以太网：将确定性连接延伸至边缘节点 在边缘通信领域，随着车内传感器与执行器数量的爆发式增长，传统LIN/CAN总线已难以同时满足带宽、实时性与可扩展性的需求，导致网关设计复杂、调试周期拉长。为此，安森美推出了两款车规级10BASE-T1S MAC-PHY收发器，专为ZCU与车门、车灯、座椅等边缘节点的下游通信而设计。 NCV7410作为基础款产品，完全符合IEEE 802.3cg标准，集成MAC+PHY与PLCA调和子层，通过SPI接口与MCU通信，工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，支持基础休眠唤醒功能。而T30HM1TS2500则是基于全新Treo平台（BCD65工艺）的增强型产品，采用更小的QFNW-20封装（4×4mm），工作温度扩展至-40°C至+150°C，支持TC10休眠唤醒（休眠电流仅35µA）、TC14拓扑发现与距离测量、时间戳、线束缺陷检测（HDD）等高级功能，并支持VBAT直接供电（最高48V）。 这两款产品的核心竞争力在于PLCA（物理层冲突避免）机制，它彻底消除了传统以太网CSMA/CD机制下的数据碰撞问题，从根本上保证了通信的实时性和确定性。更值得一提的是，安森美独有的ENI增强抗噪模式将抗干扰能力提升至远超IEEE标准的水平，并将网络覆盖范围提升近2倍，完美适配车身域复杂的线束环境。 PowerTrench® T10 MOSFET：中低压功率转换的新标杆 在功率驱动领域，区域控制器将更多功率器件集中在同一盒体内，效率、散热与EMI往往成为量产验证过程中反复迭代的痛点。为此，安森美推出了继T6/T8之后的最新一代屏蔽栅极沟槽技术——PowerTrench® T10MOSFET，涵盖40V和80V电压等级，分为T10M（电机控制优化）和T10S（高频开关优化）两个子系列。 T10技术带来的性能提升是全方位的：业界领先的低RDS(on)比前代降低30%-40%，40V产品可低至0.42mΩ，80V产品如NTBLS1D1N08XTXG达到1.1mΩ，可承载299A连续电流；栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）降低两倍以上，开关损耗实现减半；软恢复体二极管的低Qrr和软恢复特性大幅降低了振铃、过冲和EMI；UIS能力提升约10%，更好地满足电机等感性负载的要求。 同时，T10系列提供TCPAK57（顶部散热）、SourceDown双冷封装、Advanced QFN56 Gen2等多种先进封装选项，灵活适应不同的功率密度需求。目前，该系列已通过AECQ101认证，并获得佛瑞亚海拉（FORVIAHELLA）的战略合作，在其先进汽车平台全面采用。 智能配电与保护：eFuse+SmartFET重塑供电安全 在智能配电领域，当区域控制器承接更多负载供电时，传统"保险丝+继电器"方案在保护速度、可复位与故障定位上的短板被进一步放大，直接影响整车可靠性与售后效率。为此，安森美提供了可复位的智能保护开关方案，全面替代传统保险丝和继电器。 NIV3071作为四通道60VeFuse，每通道支持2.5A，并联可达10A，响应速度比传统保险丝快100倍以上，特别适用于摄像头、雷达、LED车灯等敏感负载的保护。而NCV841x系列SmartFET则是自保护低侧MOSFET，内置限温、限流和过压钳位功能，具有温度不敏感的电流限制特性，可直接由MCU逻辑电平驱动，广泛应用于电磁阀、继电器、小型电机等场景。 从产品组合到方案落地的价值跃升 单一产品的技术突破固然重要，但安森美真正的差异化优势在于实现了多产品之间的系统级协同。在典型的区域控制器中，安森美的产品能够形成"通信-配电-驱动"的完整闭环，为客户带来1+1>2的系统价值。以智能车灯模块为例，我们可以清晰地看到这种协同效应。 传统的矩阵式LED大灯方案需要在灯内配置一颗MCU来完成协议转换和驱动控制，这不仅增加了硬件成本，还提高了软件升级的复杂度。而安森美提出的无MCU智能车灯方案则彻底改变了这一局面： 在通信侧，RCP芯片连接中央计算机，其集成的RCP（远程通信协议）芯片直接替代了传统MCU——无需额外单片机，即可完成协议解析与控制逻辑； 在驱动侧，T10MOSFET负责LED矩阵的功率开关，凭借极低导通电阻和软恢复体二极管降低EMI，完美满足车灯密集布板的严苛要求；在保护侧，NIV3071eFuse为LED驱动提供灵敏的过流保护，并可诊断上报故障，支持远程维护。 这种"HPC-10Base-T1S以太网-RCP芯片-LED驱动器"的扁平化架构，不仅实现了显著的降本增效，更有利于实现软硬件解耦，大幅提升了OTA升级能力。除大灯方案外，这种设计思路还可广泛应用于车身控制（门窗、后视镜、座椅局部执行器）、分布式传感器采集（温度、压力、位置等低速信号）、小功率驱动（继电器、加热丝、风门电机）等多个场景。 技术创新与价值的具象化呈现 在车身域的量产实践中，线束成本和连接器成本始终是极其敏感的因素。许多人会问：引入10BASE-T1S是否反而增加了线束的BOM成本？答案是否定的。事实上，10BASE-T1S最大的优势恰恰在于线束简化。它支持多点拓扑（Multi-drop），一根双绞线可以串联多个节点，而传统的CAN/LIN通常需要点对点连接。虽然单根线材的成本可能略有差异，但线束总长度和连接器数量的大幅减少，最终实现了整体降本。 同样，eFuse的引入也带来了全生命周期的成本优化。传统保险丝一旦熔断就需要物理更换，而eFuse的"可诊断、可复位"特性不仅减少了现场维护成本，更重要的是，其6μs的超快响应速度远优于传统保险丝，能够显著降低峰值电流和功耗，为整车能效提升做出贡献。 安森美的区域控制解决方案已在多个关键场景得到验证：在ZCU内部电源管理中，T10MOSFET用于DC-DC转换器，提供12V/48V高效转换；在车门区域控制器中，T10MOSFET驱动车窗/门锁/后视镜电机，配合NCV7410实现以太网通信；在智能车灯模块中，RCP芯片+T10MOSFET的组合实现了无MCU的动态灯光控制与OTA；在座椅舒适模块中，10BASE-T1S通信+T10电机驱动+eFuse保护的铁三角架构，完美支撑了位置记忆、加热通风等舒适功能；在48V轻混系统中，T10 80V MOSFET用于48V-12V DC-DC转换，高效支持启停和能量回收；在电池保护电路中，T10MOSFET则作为低压电池保护开关发挥关键作用。
安森美
安森美 . 2026-05-28 1848
企业 | 信驊科技与莱迪思合作推进新一代数据中心控制架构
随着 AI 工作负载与数据中心架构持续演进，系统对于灵活控制、可扩展性与安全管理能力的需求也在不断提升。 近日，信驊科技（ASPEED Technology）与莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）宣布建立战略合作伙伴关系，双方将共同推进下一代数据中心管理控制技术。 作为双方合作的首项成果，信驊科技推出 AST1840 辅助管理芯片（SMC），并整合莱迪思 FPGA 技术，为服务器平台带来更具灵活性与扩展性的控制能力。 面向新一代数据中心的可编程控制能力 随着 AI 数据中心持续向高性能、模块化与多样化部署方向发展，控制层（Control Plane）的作用也变得愈发关键。 AST1840 将服务器平台管理与可编程控制功能整合至单一平台，通过 Arm 处理系统结合嵌入式 FPGA，在不增加系统复杂度的情况下，支持更灵活的接口配置与功能扩展。 针对现代数据中心需求，该平台还支持： LTPI 接口扩展管理功能 OCP OBMF-ICP 标准协议 基于 Caliptra 2.x 的 Streaming Boot 安全机制 这使开发团队能够更快适配行业标准，同时打造具备差异化能力的系统设计。 提升服务器平台的灵活性与扩展能力 通过将平台管理与可编程能力进一步整合，AST1840 能够帮助系统设计人员根据不同工作负载与部署需求进行灵活调整，并为未来架构演进预留更多扩展空间。 这一方案也有助于： 简化系统整合 减少额外组件依赖 提升平台适应能力 支持更广泛的数据中心部署场景 信驊科技董事长暨总经理林鸿明表示： AST1840 的推出，代表服务器平台管理朝向更高灵活性的重要一步。通过整合可编程能力，我们能够帮助客户更灵活地应对不断演进的系统需求。 莱迪思半导体总裁兼 CEO Ford Tamer 表示： 随着数据中心架构持续发展，可编程控制的重要性正不断提升。莱迪思与信驊科技的合作，将帮助客户打造更具扩展性与适应性的基础设施平台。 推动 AI 数据中心架构持续演进 在 AI 数据中心不断发展的趋势下，可编程控制能力正逐渐成为服务器基础设施中的关键组成部分。 此次合作结合了信驊科技在平台管理领域的专业经验，以及莱迪思在低功耗 FPGA 与可编程控制技术方面的优势，进一步推动数据中心平台向更灵活、更可扩展的方向发展。 目前，AST1840 工程样品预计将于 2026 年第三季度开始供货。
莱迪思
Latticesemi . 2026-05-28 1344
涨价 | PCB大厂建滔积层板年内第四次发布涨价函
5 月 27 日，PCB 产业链龙头建滔积层板（01888.HK）发布年内第四次涨价通知，宣布自即日起新接单起，板料产品涨价 10%，PP（半固化片）材料涨价 20%，为本次调价的最高幅度。 涨价核心原因与执行细节 建滔在通知中明确指出，本次涨价的直接原因是近期铜价高企，玻璃布价格持续上涨且供应日趋紧张。这两大原材料占覆铜板（PCB 核心基材）成本的 60% 以上，价格持续攀升给企业带来巨大成本压力。 值得注意的是，这已是建滔积层板 2026 年以来的第四次调价： 3 月 10 日：板料、PP 及铜箔加工费统一上调 10% 4 月 3 日：板料、PP 半固化片再次上调 10% 4 月 28 日：FR-4 覆铜板及 PP 半固化片继续上调 10% 5 月 27 日：板料 + 10%，PP+20% 经过这四轮调价，建滔核心产品年内累计涨幅已超过 40%，成为 PCB 产业链中涨价频率和幅度最高的企业之一。 建滔的持续涨价并非孤立事件，而是 PCB 全产业链涨价潮的缩影。目前全球 PCB 行业正面临供需失衡 + 成本上涨双重压力： 上游材料全面紧缺：电子玻璃布（尤其高端 Low-DK 产品）供应缺口超 3 亿米，环氧树脂等关键材料交期从 3 周延长至 15 周 AI 需求爆发：AI 服务器、数据中心等高端应用对 PCB / 覆铜板需求激增，高端 BT/ABF 载板缺口超 40% 成本传导加速：日本 Resonac、三菱瓦斯化学等国际巨头此前已宣布涨价 30% 以上，台光电、台耀等企业跟进涨价 20%-40% 对于下游客户而言，建滔作为全球覆铜板产能最大的企业（约占全球 18% 市场份额），其涨价举措将不可避免地传导至 PCB 制造商和终端电子企业，可能进一步推高智能手机、服务器、汽车电子等产品的生产成本。 分析人士指出，随着三季度传统旺季来临，PCB 产业链涨价趋势可能持续，头部企业将凭借规模优势和议价能力进一步扩大市场份额。
涨价
九如芯闻 . 2026-05-28 8443
产品 | 中微半导全新超低功耗CMS32F159系列 重塑家电与工业控制应用布局
近日， 中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导 股票代码：688380）宣布，正式推出其新一代32位超低功耗CMS32F159系列。该系列芯片基于ARM Cortex®-M0+内核，以超低功耗、高集成度及高性价比差异化优势，为白色家电、电机驱动及移动设备等领域带来了极具竞争力的单芯片解决方案。 随着物联网和智能设备的发展，2025年全球超低功耗MCU市场规模高达56.6亿美元，但市场仍存在低成本与高性能不可兼得、集成度不足导致BOM成本增加等痛点。中微半导CMS32F159系列的推出，正是为了打破这一僵局，实现运行能效、芯片集成度和系统成本三重优化。 CMS32F159系列性能亮点 - 强劲内核与存储，兼顾算力与能效 中微半导全新CMS32F159系列最高可工作于64MHz主频，配备最大256KB的嵌入式闪存及32KB SRAM。芯片内置硬件32位除法单元（DIV），可显著提升有符号整数除法运算效率，为电机FOC矢量控制等高强度算法提供硬件加速。 在低功耗设计方面，该系列不仅支持睡眠和深度睡眠模式，更集成了事件联动控制器（ELC）。这一创新设计允许硬件模块之间直接连接，无需CPU干预即可实现外设联动，不仅比传统中断响应速度更快，还有效降低了CPU的活动频率，从而延长电池供电设备的续航能力。此外，片内集成的8通道增强型DMA控制器，支持中断触发和链式传输，进一步释放了CPU的负载压力。 - 专为电机控制优化，定时器资源丰富 针对电机驱动这一核心应用，CMS32F159系列配置了功能强大的定时器系统。其特有的定时器M拥有8个通道，支持多达6路同步复位PWM或6路互补PWM输出，完美适配无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的矢量控制需求。结合通用定时器单元（Timer4/Timer8），该系列可满足复杂工业控制对多路PWM生成的需求。 同时，该系列集成了采样率高达1.2Msps的12位高精度ADC，最多支持32个外部模拟通道，能够实现对电流、电压及位置的精准采样，确保电机运行平滑、高效且噪音低。 - 高集成度与高可靠性，简化系统设计 CMS32F159系列在单一封装内高度集成了丰富的模拟与数字外设： 模拟性能：包含模拟比较器（ACMP，支持可调迟滞）、数模转换器（DAC）以及电压检测电路（LVD）。 通讯接口：提供丰富的连接选项，包括最多6路UART、I2C、LIN及标准串行接口IICA，满足各类通讯需求。 宽压与环境适应性：工作电压范围宽达2.5V至5.5V，可直接适配工业及家电领域的5V供电环境；温度范围覆盖-40℃至105℃，适应严苛工作条件。 在安全可靠性方面，该系列符合IEC60730及IEC61508功能安全标准，具备高抗干扰能力（ESD/EFT性能优越）。内置的双看门狗定时器（WWDT和IWDG）、硬件CRC校验、重要SFR保护功能以及128位唯一ID，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供了全方位保障。 应用领域 CMS32F159系列凭借其超低功耗+高集成度+高性价比优势，打破当前同类产品功耗与性能的平衡瓶颈，可广泛应用场景： 白色家电：空调、冰箱、洗衣机主控及变频 厨房电器：热水器、智能洗碗机、油烟机、净水机 工业与移动设备：工业控制设备、电池供电工具、传感器网关、储能产品 中微半导始终致力于提供高可靠性、高性能的芯片解决方案。此次CMS32F159系列的发布，是公司在超低功耗MCU领域的又一重要突破，不仅丰富了公司32位MCU产品矩阵，更填补了低功耗、高集成、高性价比ARM Cortex®-M0+内核MCU的市场空白，与公司车规级系列、高性能系列形成协同，全方位覆盖不同场景需求，助力客户突破产品边界，实现价值跃升。 开发支持 为满足不同产品的设计需求，CMS32F159系列提供LQFP32、LQFP44、LQFP48、LQFP64等多种封装选项，引脚兼容且便于功能扩展。结合中微半导完善的一站式开发工具与方案支持，工程师可以快速完成从原型设计到量产的整个过程。 产品状态 中微半导CMS32F159系列已于2026年Q2季度实现批量生产和交付，搭配设计灵活的解决方案，有助于简化产品设计并加快芯片评估及方案开发进程。
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中微半导 . 2026-05-28 1932
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