随着新能源车快充、光储一体系统及工业微电网需求激增，高效率、高功率密度双向DCDC成为关键部件。传统硅基方案受限于开关损耗和体积，效率已尽极限，且散热成本较高；还有双向拓扑控制复杂，动态响应不足等问题；而碳化硅（SiC）器件凭借耐高温、低损耗特性，能做到更好的效率同时减少散热以及产品体积等优势，随着碳化硅（SiC）器件成本的降低，正加速替代硅基方案，预计2025年全球市场规模超50亿美元。
在此背景下，安富利（Avnet）推出基于Infineon XMC系列MCU和CoolSiC™系列碳化硅器件的6.6KW双向DCDC方案：
方案采用CLLC拓扑结构，全数字控制，动态响应时间小于10ms；Buck模式效率≥98%，Boost模式效率亦达到97%；方案灵活多变，可根据实际需要调整输入输出以及功率大小；可广泛（但不限于）应用在储能、电池化成、EV charging、工业电源等领域。
核心器件说明
主控MCU：
Infineon的XMC4402将英飞凌先进的外设集与行业标准的ARM® Cortex™ - M4结合在一起。
高精度PWM单元
电源电压范围：3.13 - 3.63V
ARM Cortex™ - M4，120MHZ，包括单周期DSP MAC和浮点运算（FPU）
eFlash: 256kB，80kB SRAM
10/100以太网MAC（含IEEE 1588），2x CAN
8通道DMA + USB和以太网专用DMA
USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I²C, I²S, LIN]
硬件ECC
这些都可帮助客户游刃有余的完成整个电源的转换，同时根据需要可以灵活选择；
功率MOSFET
IMT65R022M1H：
Infineon CoolSiC™碳化硅MOSFET；
650V，22moh，TOLL封装；
性能可靠稳定，搭配英飞凌配套驱动IC，最大化实现碳化硅MOSFET的优势；
可根据实际设计需要更换型号。
IPT017N12NM6：
Infineon OptiMOS™ 6，最新一代的OptiMOS，120V，1.7moh，TOLL封装；
搭配英飞凌配套驱动IC，充分发挥出OptiMOS的优异性能；
可根据实际设计需要更换型号。
Driver IC：
2EDF8275F是实现大功率开关噪声环境中高边及低边MOSFET初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4A/8A的强大驱动能力，150v/ns的CMTI能力；2个输出通道均单独隔离。
Aux-power IC:
ICE5QSBG英飞凌第五代准谐振反激式PWM控制器性能强大，具有全面的保护组合，有效提高了系统稳健性。
方案特点：
拓扑简单，效率高，功率密度大；
完全自主设计，可提供全套的软硬件支持；
可根据客户需求调整设计，协助客户快速出产品。
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