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收购 | 又一家半导体公司要消失？安森美有意收购Allegro

据彭博社3月2日报道，安森美半导体（ON Semiconductor）有意收购Allegro MicroSystems。根据报道，近月来，安森美已经聘请专业顾问团队推进对Allegro的收购进程，并且消息人士指出可能有其他竞购方浮出水面，而且Allegro还未表明是否愿意接受安森美的收购要约。受此消息影响Allegro股价小幅上涨2.43%，股价为22.3美元一股，总市值达到了41.06亿美元。不过，Allegro的股价今年累计已经下跌了约31%。安森美的股价当日则小幅下跌0.7%，达到47.05美元一股，当前总市值约为198.28亿美元，今年累计已经下跌42%。可以说这两家公司今年的境遇都不算太好，安森美在2月25日刚刚披露启动成本消减重组计划，预计2025年全球各业务部门裁员约2,400人，裁员比例接近9%（截至12月31日，安森美在33个国家的工厂雇佣了近26,400名全职员工以及约90名兼职和临时员工。）。总部位于美国亚利桑那州凤凰城的安森美在2月时曾预警今年一季度营收及每股利润将大幅低于华尔街预期，他们认为全球汽车芯片需求仍然十分疲软。而安森美的两大营收来源分别是车载CMOS图像传感器（车载CIS）与功率半导体。其中汽车芯片领域，安森美主要聚焦于车载CIS这一细分市场。据市场调研机构统计，安森美在整个汽车CIS市场拥有高达50%的市场份额，并且在电动汽车ADAS的CIS细分市场的份额更高达68%。图：Allegro新任CEO兼总裁Mike Doogue（图片来源：Allegro） Allegro则主要专注于设计和制造磁传感器及其相关集成电路，尤其以霍尔效应传感器见长。这些产品广泛应用于汽车（例如电机控制、电流检测和位置传感）、工业控制，以及消费电子领域。而且在上周一（2月24日），Allegro刚刚公布新任CEO兼总裁人选，以接替任职近三年的CEO Vineet Nargolwala。新任CEO为Mike Doogue，他在1998年就以设计工程师的身份加入了Allegro。此后历任多个领导岗位，在制定战略、技术路线图开发，以及创造驱动客户价值的新型创新产品方面发挥了关键作用。通过先后担任战略营销总监、先进传感器技术副总裁、技术与产品高级副总裁，以及最近的执行副总裁兼首席技术官等领导职务，Mike成功推动了Allegro颠覆性技术和业务线的发展。在担任执行副总裁兼CTO期间，他领导Allegro的技术开发及全球运营组织，涵盖晶圆技术开发、制造、供应链、采购和质量团队。Mike Doogue拥有Colby College的物理学学士学位及达特茅斯学院的电气工程学士学位，而且完成了斯坦福大学商学院的SEP项目。值得一提的是，他持有超过75项美国半导体相关专利。 Allegro的最大股东是日本企业Sanken Electric Co.，持股比例约为32%。从市场和技术角度来看，如果安森美成功收购Allegro，可以借此进一步扩展其传感器产品线，特别是在汽车应用中的磁传感器和电机控制系统产品线。这两家公司的产品中技术和应用上具有互补性，整合后可以提供更加完整的汽车硬件解决方案，并且整合后有望降低芯片产品的研发和生产成本，同时加强供应链整合，提高整体盈利能力。

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芯查查资讯 . 2025-03-03 3 2 1630
产品 | 深入解析 TPS54202DDCR：特性、应用与原厂优势

在现代电子设备的复杂电路系统中，高效、稳定的电源管理至关重要。德州仪器（Texas Instruments）作为全球领先的半导体公司，推出了一系列性能卓越的电源管理芯片，TPS54202DDCR 便是其中一款备受关注的产品。它以其独特的性能参数、关键特性以及广泛的应用场景，在众多电子设备中发挥着不可或缺的作用。一、原厂品牌 —— 德州仪器（Texas Instruments）德州仪器，简称 TI，在半导体行业中拥有举足轻重的地位。自 1930 年成立以来，TI 始终致力于通过半导体技术的创新，为全球电子市场提供多样化的解决方案。公司在模拟和数字信号处理技术方面积累了深厚的技术底蕴，其产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子等多个领域。在电源管理芯片领域，TPS54202DDCR 正是 TI 技术实力与创新精神的结晶，它继承了 TI 产品一贯的高品质、高性能特点，为电子设备的电源管理提供了可靠保障。图：TPS54202简化版原理图（来源：TI）二、TPS54202DDCR 主要参数 1.输入电压范围：TPS54202DDCR 具备 4.5V 至 28V 的宽输入电压范围，这使得它能够适应多种不同的电源输入场景。无论是常见的 12V、24V 分布式总线电源，还是一些采用电池供电且电压波动较大的设备，该芯片都能稳定工作。这种宽输入电压范围的设计，大大提高了芯片的通用性和适用性，减少了因输入电压限制而导致的应用局限性。 2.输出电流与电压：该芯片能够提供持续 2A 的输出电流，满足了许多中等功率需求的电路应用。在输出电压方面，它支持可调输出，范围为 0.6V 至 26V。通过外部电路的合理设计，可以灵活地将输入电压转换为所需的输出电压，为不同工作电压要求的负载提供稳定的供电。例如，在一些需要为多种不同芯片或模块供电的电路板上，TPS54202DDCR 可以通过精确的电压调节，确保各个负载都能获得合适的工作电压。 3.静态电流与开关频率：静态电流（即芯片在空载或轻载时的电流消耗）为 45μA，较低的静态电流有助于降低系统在待机或轻载状态下的功耗，提高能源利用效率。其开关频率固定为 500kHz，这个频率在保证高效功率转换的同时，也能较好地平衡电感、电容等外部元件的尺寸和成本。较高的开关频率可以使用较小尺寸的电感和电容，从而减小整个电源模块的体积，但同时也会增加一定的开关损耗；而 500kHz 的开关频率则在两者之间找到了较好的平衡点，使得芯片在性能和成本方面都具有优势。 4.工作温度范围：TPS54202DDCR 能够在 - 40℃至 + 125℃的宽温度范围内正常工作。这一特性使其非常适合在各种恶劣环境下的应用，如工业控制中的高温环境、汽车电子中的极端温度条件以及户外设备面临的低温环境等。无论是在酷热的沙漠地区，还是在寒冷的极地环境，该芯片都能稳定运行，保证设备的正常工作。 5.封装形式：采用 SOT-23-6 封装，这种封装形式具有尺寸小、占用 PCB 空间少的优点。在当今电子产品追求小型化、轻量化的趋势下，SOT-23-6 封装使得 TPS54202DDCR 能够轻松集成到各种紧凑型电路板设计中，为实现高密度的电路布局提供了可能。同时，该封装也具备良好的电气性能和散热性能，确保芯片在工作过程中的稳定性。三、关键特性 1.集成式 MOSFET：芯片内部集成了 148mΩ 的高端 MOSFET 和 78mΩ 的低端 MOSFET，这种集成设计减少了外部元件的数量，降低了整体解决方案的成本和尺寸。同时，集成的 MOSFET 经过优化设计，能够有效降低导通电阻，提高功率转换效率，减少能量损耗。在 2A 的连续输出电流条件下，内部集成的 MOSFET 能够稳定工作，确保芯片高效地将输入电压转换为所需的输出电压。 2.低功耗特性：除了前面提到的低静态电流外，TPS54202DDCR 还具有 2μA 的关机电流。在设备进入关机状态时，极低的关机电流可以最大限度地减少电池电量的消耗，延长电池的使用寿命。此外，芯片还采用了 Advanced Eco - mode™脉冲跳跃技术，在轻载情况下，通过间歇性地关闭部分电路，进一步降低功耗，提高轻载效率，从而实现了在全负载范围内的高效节能。 3.软启动功能：内部集成了 5ms 的软启动时间，这一特性在芯片启动时能够有效避免浪涌电流的产生。当芯片开始工作时，输出电压会在 5ms 的时间内逐渐上升到设定值，而不是瞬间达到，从而保护了芯片本身以及与之相连的电路元件，减少了因浪涌电流可能导致的元件损坏风险，提高了系统的可靠性和稳定性。 4.频率扩展技术：引入了频率扩展频谱（Frequency Spread Spectrum）技术来降低电磁干扰（EMI）。在开关电源工作过程中，由于高频开关动作会产生一定的电磁辐射，可能对周围的其他电路产生干扰。频率扩展频谱技术通过在一定范围内周期性地改变开关频率，使得电磁能量分布在更宽的频率范围内，从而降低了在特定频率点上的电磁干扰强度，提高了整个系统的电磁兼容性，使设备更容易通过相关的 EMI 测试标准。 5.峰值电流模式控制与多重保护功能：采用峰值电流模式控制方式，能够快速响应负载电流的变化，实现精确的电压调节。同时，芯片具备完善的保护功能，包括对高端和低端 MOSFET 的过流保护，并且采用了打嗝模式（hiccup mode）保护。当检测到过流情况时，芯片会进入打嗝模式，周期性地尝试恢复正常工作，避免了因持续过流而导致芯片过热损坏。此外，芯片还具有过压保护和热关断功能，当输出电压超过设定的过压阈值时，过压保护电路会迅速动作，防止过高的电压对负载造成损害；而当芯片温度过高时，热关断功能会自动启动，将芯片关闭，待温度降低后再自动恢复工作，全方位地保护芯片和整个电路系统的安全运行。四、应用场景 1.工业应用 1）工业自动化设备：在工业自动化生产线上，各种传感器、控制器、执行器等设备需要稳定可靠的电源供应。TPS54202DDCR 的宽输入电压范围、高输出电流能力以及良好的稳定性和可靠性，使其非常适合为这些设备提供电源。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，需要为内部的微处理器、通信模块、数字输入输出模块等供电，TPS54202DDCR 可以将工业现场常见的 24V 电源转换为各个模块所需的不同电压，确保 PLC 的稳定运行。 2）工业电机驱动：在工业电机驱动系统中，电机在启动和运行过程中会产生较大的电流波动和电磁干扰。TPS54202DDCR 的频率扩展技术可以有效降低电磁干扰，避免对其他设备造成影响。同时，其过流保护和打嗝模式保护功能能够在电机出现过载等异常情况时，保护驱动电路和芯片本身，确保电机驱动系统的安全可靠运行。例如，在一些小型工业机器人的关节电机驱动模块中，TPS54202DDCR 可以为驱动芯片提供稳定的电源，保障机器人的精确动作控制。 2.消费类应用 1）音频设备：在音频设备中，如耳机放大器、蓝牙音箱等，需要高质量的电源来保证音频信号的纯净放大和还原。TPS54202DDCR 的低静态电流和高效的功率转换特性，能够减少电池供电时的功耗，延长设备的续航时间。同时，其良好的电压调节性能可以为音频芯片提供稳定的电源，避免因电源波动而产生的噪声干扰，提升音频播放的音质。例如，在一些高端无线耳机中，采用 TPS54202DDCR 为耳机内部的音频处理芯片和蓝牙模块供电，能够在小巧的体积内实现长时间的音乐播放和清晰的音频传输。 2）机顶盒（STB）与数字电视（DTV）：机顶盒和数字电视需要多种不同电压的电源来为其内部的各种芯片和电路模块供电，如主处理器、解码芯片、内存芯片等。TPS54202DDCR 的宽输入电压范围和可调输出电压特性，使其能够方便地满足这些设备的电源需求。并且，其集成的 MOSFET 和较小的封装尺寸，有助于在有限的空间内实现高密度的电路布局，满足机顶盒和数字电视小型化、轻薄化的设计要求。 3）打印机：打印机内部包含多个不同功能的模块，如打印头驱动模块、电机驱动模块、控制电路模块等，每个模块都需要合适的电源电压。TPS54202DDCR 可以将打印机的输入电源（通常为 12V 或 24V）转换为各个模块所需的不同电压，同时其良好的抗干扰性能和保护功能，能够确保打印机在复杂的工作环境下稳定运行，避免因电源问题导致的打印错误或设备故障。 3.通信设备 1）无线接入点（AP）：在无线接入点设备中，需要为射频（RF）模块、基带处理芯片、网络交换芯片等提供稳定的电源。TPS54202DDCR 的宽温度范围工作特性，使其能够适应无线接入点可能面临的各种环境温度条件，无论是在室内还是室外安装。同时，其高效的电源转换和低功耗特性，有助于降低设备的整体功耗，提高能源利用效率，减少运营成本。例如，在一些户外型无线接入点中，采用 TPS54202DDCR 为设备内部的各个模块供电，能够保证设备在高温、低温等恶劣环境下稳定地提供无线网络服务。 2）通信基站：通信基站内部的电路系统复杂，对电源的可靠性和稳定性要求极高。TPS54202DDCR 可以作为基站内部部分电路模块的电源转换芯片，其多重保护功能能够在基站运行过程中，有效应对各种可能出现的电源异常情况，如过流、过压等，确保基站的正常通信功能不受影响。而且，由于基站通常需要长时间不间断运行，TPS54202DDCR 的低功耗特性可以降低能源消耗，符合节能减排的要求。 TPS54202DDCR 作为德州仪器推出的一款高性能降压型同步转换器，凭借其出色的主要参数、丰富的关键特性以及广泛的应用场景，在电源管理领域展现出了强大的竞争力。无论是在工业控制、消费电子还是通信设备等众多领域，它都能为电子设备提供稳定、高效、可靠的电源解决方案，助力电子设备实现更优的性能和更低的功耗。随着电子技术的不断发展和创新，像 TPS54202DDCR 这样的优质电源管理芯片将在未来的电子市场中发挥更加重要的作用。

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芯查查资讯 . 2025-03-03 595
存储 | 一文了解半导体存储器原理、分类及主要供应商

重点内容速览： 1. DRAM技术原理及主要供应商 2. SRAM技术原理及主要供应商 3. Flash存储器原理及主要供应商4. 新型存储器产品半导体存储器（Semiconductor Memories），又称为存储芯片，是用半导体集成电路工艺制成、用于存储数据信息的固态电子器件，由大量能够表征0和1的半导体器件（存储元）和输入输出电路等构成，是计算系统的重要部件。半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，更重要的是存储元阵列和主要的外围逻辑电路兼容，可以制作在同一芯片上。因此，现在的半导体存储器不仅用作计算系统的内存，也在逐渐取代磁性存储器，而作为外存，比如说现在流行的固态硬盘等。也就是说，现在的半导体存储器已经广泛应用于内存、U盘、固态硬盘、智能手机、消费电子，以及智能终端中。生活中经常会听到的存储器主要是DRAM（动态随机存储器）和Flash（闪速存储器，简称闪存），比如我们选择电脑或者智能手机的时候，经常会关注是8+256GB，还是16+512GB，甚至是1TB，这里的8GB、16GB一般指的就是DRAM存储器，256GB、512GB，或者1TB指的就是Flash，而且一般都是NAND Flash。其实，除了DRAM和Flash，半导体存储器还有很多种分类。通常，人们会根据数据在存储器中保存时间的长短，将其划分为易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-volatile Memory)。其中，易失性存储器断电后数据就会丢失，所以主要用来存储短时间使用的程序，它主要为随机存取存储器（简称：随机存储器，RAM），分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM），SRAM通常用于CPU的缓冲（Cache）存储器，速度比DRAM更快，不过价格也更高；DRAM主要应用于电脑、数据中心、手机等领域，它具有快速读写的特性。图：半导体存储器分类（芯查查绘制）而非易失性存储器在断电后，仍然能保持存储的数据，它分为只读存储器（ROM）、闪存（Flash）,以及一些新兴的存储器产品。其中，ROM又可分为掩膜ROM、可编程只读存储器（PROM）、紫外线可擦（UVPROM）和电可擦（EEPROM）两种模式的可擦除PROM，它通常用于储存不需要经常更改的系统程序、软件驱动等；Flash又分为两种，一种是NAND Flash，它的写入速度快、成本较低，主要用于手机存储、固态硬盘、移动硬盘、存储卡等设备；第二种是NOR Flash，它的读取速度快，但写入速度慢，成本较高，通常用于主板上的固件、网通设备，以及物联网系统中。那么，这么多种类的存储芯片都有哪些特点，主要的供应商都有谁呢？芯查查带您一探究竟。 DRAM技术原理及主要供应商最近几十年半导体存储器技术显著发展的进程中，由于DRAM具有高密度和每位低价格的优点，已经成为了生产最多的用于计算机主内存的易失性存储器。一直以来，半导体存储器在全球半导体销售中所占的比例还是很大的，多的年份甚至超过了50%，不过由于2023年上半年存储器产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，2023年9月，DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直到2024年7月再度走低，如今的DRAM价格相对去年7月份价格相对偏低。根据WSTS统计的数据，2024年全球半导体销售额为6,268.7亿美元，其中存储器产品销售额为1,670.5亿美元，占整个半导体销售总额的26.3%。另据CFM闪存市场统计，2024年全球DRAM的销售额为973.7亿美元，占了整个存储器销售额的一半以上。第二大存储器就是NAND Flash，其销售额为696.09亿美元。图：全球DRAM/NAND Flash市场收入季度变化（单位：亿美元；来源：CFM闪存市场） DRAM的原理是利用电容器上的电荷存储来代表存储的二进制的逻辑“0”或逻辑“1”。一般来说，DRAM的基本存储电路（即存储元）有两种结构，即多管存储元和单管存储元。多管存储元的缺点是元件多，占用芯片面积大，故集成度较低，但外围电路较简单。单管存储元的元件数量少，集成度高，但外围电路比较复杂。拿单管存储元来说，它由一个MOS管T1和一个电容C构成（如下图）。写入时，字选择线（地址选择线）为1，T1导通，写入的数据通过位线（数据线）存入电容C中。图：单管动态存储元（来源：网络）这种以电容为核心的存储元电路简单，但电容总会漏电，时间长了，存放的信息就会丢失，或出现错误。因此，需要对这些电容定时充电，这个过程称之为刷新。由于需要定时刷新，所以这种RAM被称为动态RAM。DRAM的存取速度一般会比SRAM的存取速度更低，DRAM的主要特点是集成度很高、功耗低，以及价格便宜，主要应用于计算机、数据中心及手机等场景。前面提到由于DRAM的存取速度比较低，为了改善读写性能，存储器厂商开发出了许多读写操作模式DRAM产品，比如FPM（快页模式） DRAM、EDO（也被称为超快页模式，即HPM） DRAM、RDRAM，以及SDRAM（同步动态随机存储器）等。 SDRAM结构的提出是受存取数据要比EDO DRAM快的要求所驱动。DDR SDRAM（双数据速率同步的动态随机存储器）的开发则是受DDR同步猝发SRAM所启发。DDR SGRAM（双数据速率同步图像随机存取存储器）是SDRAM的逻辑扩充。JEDEC将DDR SDRAM/SGRAM结构定为了“JEDEC 21C固态存储器结构”标准，并定期发布这一标准的新版本，这就是我们熟知的DDR3/GDDR3、DDR4/GDDR4、DDR5/GDDR5、以及LPDDR等产品标准。其实，这几年市场紧缺的HBM（高带宽存储器）也属于SDRAM。 DRAM是IBM研究员Robert H. Dennard博士在1966年发明，并于1968年获得了专利。第一颗DRAM芯片C1103是英特尔在1970年10月推出的，当时容量只有1Kbit，售价10美元。英特尔曾经在1974年在DRAM市场占有率达到82.9%。早期的DRAM产业给领先国家带来了丰厚的利润，从而引发了众多国家之间的激烈竞争。美国、日本、德国、韩国和中国台湾等地轮流上演了数千亿美元的芯片存储器战争，各方投入巨额资金，竞争激烈，从美国独大，到日本称雄，后面韩美称霸全球，三星、SK海力士、美光三家占了全球DRAM市场90%以上的份额。2017年开始，中国开始加入DRAM竞争大军，并已经有DDR5产品出货了。也就是说，现在的DRAM市场供应商并不多，主要有三星电子、SK海力士、美光、南亚科技、华邦电子、长鑫存储、北京君正、紫光国芯、兆易创新、东芯股份等。其中，三星电子、SK海力士和美光近年来在全力发展HBM和DDR5产品，由于近期DDR价格持续下跌，三星电子、SK海力士和美光等DRAM供应商都宣布了将在2025年内停产DDR3和DDR4产品。国内的长鑫存储也主要发力DRAM先进芯片，比如DDR5等，据公开资料显示，其DDR4，DDR5芯片已经开始出货。其他几家主要聚焦在利基型DRAM产品方面。利基型DRAM主要是指那些存储容量较小、对制程要求不高的DRAM产品，主要应用在机顶盒、智能电视、监控、汽车和工控等领域。中国台湾的南亚科技和华邦电子在利基型DRAM市场占据较大的市场份额，兆易创新和东芯股份在积极布局利基型DRAM市场，北京君正在汽车市场比较有竞争力。 SRAM技术原理及主要供应商 SRAM即静态随机存取存储器，其存储元是在静态触发器的基础上附加门控管构成的，靠触发器的自保功能存储数据。只要不掉电，其存储的信息可以始终稳定地存在。下图的SRAM基本存储电路就是由6个MOS管组成的双稳态存储元。图：SRAM双稳态存储元（来源：网络） SRAM存放的数据在不掉电的情况下能长时间保留，状态稳定，其外部电路比较简单，便于使用。但是由于SRAM的基本存储电路中包含的晶体管较多，所以集成度较低，而且功耗比较大。目前可提供SRAM产品企业有三星电子、SK海力士、英飞凌、瑞萨、GSI、安森美、Amic Technology、北京君正、伟凌创芯等。 Flash存储器原理及主要供应商在非易失性存储器当中，有只读存储器（ROM）、闪速存储器（Flash），以及其他新型存储器产品。其中ROM从字面意思上看是只能读出信息，而不能随意写入信息的存储器。但随着技术的发展，目前的ROM也可以写入信息，只是与RAM的随机写入相比，ROM的写操作有一定的条件。比如可编程ROM就可以通过电和光照的方法写入要存储的程序和数据，但是只能编程写入一次，写入的数据能够永久保存。随后也出现了可擦可编程ROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）,可多次编程写入。用户根据需要编程写入相应的数据，并能够把已写入的内容擦去后再改写。最开始的EPROM芯片上方预留了一个石英透明窗口，需要用紫外线照射芯片上的透明窗口来擦除存储的数据，擦除后可以使用专门的编程写入器对其重新编程。再然后就出现了电擦除可编程ROM（Electrically-Erasable Programmable ROM，EEPROM），其工作原理类似EPROM，只是EEPROM的擦除操作是使用高电平，无需透明窗口。尽管EEPROM能够在线编程，但其编程时间相对RAM来说还是太长了，特别是对大容量的芯片更是如此。人们希望有一种写入速度类似于RAM，掉电后数据又不丢失的存储器。这时候，Flash存储器就被研制出来了，Flash的编程速度快，掉电后数据也不丢失，因此得到了广泛的应用。 Flash从技术特性上主要分为NOR Flash和NAND Flash两种。NOR Flash的结构中，每个存储单元是并联的，可以实现按位读取。这种并联结构决定了其具有存储单元可独立寻址，因此适合储存代码，而且其特点是芯片内执行（Execute In Place，XIP），此类型的闪存可以使应用程序直接在闪存内运行，不必将代码读取到系统RAM中。但存储单元的并联结构，还决定了金属导线占用很大的面积，因此NOR Flash的存储密度较低，无法适用于需要大容量存储的应用场景。加上其写入采用了热电子注入方式，效率较低。也就是说，NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低，比较适合于嵌入式系统、固件存储、启动代码等应用场景。受益于TWS耳机，以及生成式AI浪潮带动算力需求增加，拉动了NOR Flash的需求。比如GPU的增加将带动终端设备增长40~60颗NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也将采用NOR Flash存储。另外AI PC也需要额外的NOR Flash资源。目前NOR Flash的容量也在往512Mb、1Gb，甚至2Gb方向迈进。据Mordor Intelligence的数据，2024年NOR Flash全球市场规模约为26.9亿美元，预计2029年增长至36亿美元。目前NOR Flash的供应商主要有美光、英飞凌、Microchip、华邦电子、旺宏、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份、复旦微电等。 NAND Flash各个存储单元之间是串联的，全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是512字节。这种串联结构决定了其无法进行位读取，也就是无法实现存储单元的独立寻址，因此程序不可以直接在NAND Flash中运行。NAND Flash是以页为读取和写入单位的，以块为擦除单位。基本存储单元的串联结构减少了金属导线占用的面积，因此NAND Flash的存储密度更高，适用于需要大容量存储的应用场合。NAND Flash采用的F-N隧道效应方式写入数据的，效率较高，适用于频繁擦除和写入的场合，比如固态硬盘、U盘、手机存储等。 NAND Flash也是存储器市场的主力，其销售额仅次于DRAM，2024年的销售额为696.09亿美元，约占整个存储器市场销售额的40%。目前NAND Flash的头部厂商包括三星电子、SK海力士、铠侠、美光、西部数据等，除了这些厂商之外，还有长江存储、旺宏电子、华邦电子、兆易创新、江波龙、东芯半导体、普冉半导体、复旦微电子等。其他新型存储器产品为了突破传统非易失性存储器的尺寸极限，开发出高速、高密度、低功耗的非易失性存储器，近年来，研究者们将目光聚焦在了一些有特殊性能的材料，并依据这些材料提出了一些存储器模型。其中最为引人注目的有以下几种存储器：铁电随机存储器（Ferroelectric RAM，FRAM）、相变存储器（Phase-change RAM，PRAM）、磁阻随机存储器（Magnetoresistive RAM，MRAM）和阻变存储器（Resistive switching RAM，RRAM）。 FRAM采用铁电材料作为存储介质，利用铁电材料的不同极化方向来存储数据。在铁电材料上施加一定大小的电场时，晶体中的原子在电场的作用下发生位移，使得晶体中的正负电荷中心不重合，并处于一种稳定状态（极化向上）；当施加反向电场时，晶体的中心原子向反方向发生位移，达到另一种稳定状态（极化向下）。极化向上或者向下代表着两个双稳态，就可以用来存储二进制的信息“1”和“0”。即使当电场撤销后，极化后晶体中的原子中没有获得足够的能量之前都会保持在原来的位置，因此，FRAM的数据保持不需要电压来维持，是一种非易失性存储器。 FRAM具有高速度、低功耗、以及循环性能好等特点。虽然FRAM被认为是有潜力的下一代非易失性存储器，但是目前它还面临四个挑战。一是容量问题，目前FRAM的量产容量仍然有限，最大仅为16Mb；二是擦写循环特性要求更高，因为FRAM每次数据读取都需要重新写入，也就是说，FRAM的读取过程中就伴随着大量的擦写操作；三是存储密度低，由于FRAM的存储单元是1T1C结构，即由1个晶体管搭配一个电容组成，因此FRAM单个存储单元的特征面积太大，同样的线宽下，FRAM的密度将比DRAM和Flash还要低。此外，FRAM的结构中因为电容的存在也使得其很难实现三维存储。供应商方面，目前英飞凌和RAMXEED（原富士通半导体）已经有量产的FRAM产品， SK海力士也有相关技术积累。 MRAM是一种利用磁阻效应的非易失性存储器。MRAM的结构中包括固定磁层、隧穿层和自由磁层。MRAM擦写速度快，反复擦写次数高，被认为有潜力替代现在的多种存储器。尤其是最近开发的自旋转移力矩（Spin-transfer Torque，STT）MRAM，利用放大了的隧道效应，使得磁阻变化更加明显。STT MRAM利用自旋电流的特征，有望使其集合DRAM和Flash的共同优点，成为非常有潜力的下一代非易失性存储器之一。尽管如此，MRAM的高低阻态之比还是太小，尤其是当读取电压降低时更加明显。另外，由于磁性材料的原因，MRAM在进行写入和擦除操作时，不同存储单元之间存在磁场干扰问题，器件小型化之后，这一问题将更加突出。全球主要的MRAM供应商包括Everspin Technologies、Avalanche Technology、瑞萨、Crocus Nano Electronics、三星电子等。 PRAM是一种基于相变材料（一种或多种硫族化合物）的非易失性存储器，其主要是利用电流的焦耳热作用下材料在晶态和非晶态之间的转变来实现存储。相变材料在晶态与非晶态之间的转变必然导致电阻和反射率等性质的变化。 PRAM具有重复擦写次数高、存储密度高、具备多值存储潜力等一系列优点。PRAM被认为是取代NOR Flash的候选产品，并且随着微电子加工工艺的发展，PRAM在更小的线宽下有望获得更高的存储密度。但是，高质量的相变材料的制备，以及使材料发生相变所需的大电流是限制PRAM商用化的主要原因。电流大就意味着高功耗，这是PRAM大规模应用前需要解决的主要问题。到目前为止，国际上仅三星电子和英特尔推出了相关产品，但多为非嵌入式相变存储器产品，距离量产和普及还需要一段时间。另外，美光、SK海力士等厂商都有相关研究，而且在2024年3月意法半导体和三星电子联合推出了18nm FD-SOI工艺，支持嵌入式相变存储器（ePCM）。 RRAM利用某些薄膜材料在外加电场的作用下，表现出的两个或两个以上的不同电阻态来实现数据存储，是近几十年来受到学术界和工业界广泛关注的一种新型非易失性存储器。RRAM具有擦写速度快，存储密度高、重复擦写次数高、多值存储和三维存储潜力等众多优点。RRAM还面临两大核心问题，一是存储材料体系的选择和优化；二是器件结构的设计。在商业化上，富士通、松下、Crossbar、昕原半导体、Adesto、索尼、美光、SK海力士等厂商均已在开展RRAM相关的研究和生产工作。代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都在同步规划RRAM的生产。量产的产品主要有Adesto的130nm CBRAM和松下的180nm RRAM。

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芯查查资讯 . 2025-03-03 2 17 5305
产品 | DSPIC30F2010 - 30I/SP 芯片深度剖析

在数字信号处理领域，一款性能卓越的芯片对于众多电子设备的高效运行至关重要。 Microchip Technology 公司推出的 DSPIC30F2010 - 30I/SP 型号芯片，凭借其出色的特性和广泛的适用性，在各类应用中崭露头角。一、原厂品牌 ——Microchip Technology Microchip Technology（微芯科技）是一家在全球半导体行业颇具影响力的企业。自 1989 年成立以来，始终专注于为嵌入式控制应用提供高性能、低功耗且成本效益高的半导体解决方案。公司拥有丰富的产品线，涵盖微控制器、模拟器件、接口芯片等多个领域，为汽车、工业、消费电子、通信等众多行业提供支持。凭借先进的技术研发实力、严格的质量把控以及良好的客户服务，Microchip 在半导体市场赢得了广泛的认可和信赖，DSPIC30F2010 - 30I/SP 正是其在数字信号处理领域技术实力的体现。图：DSPIC30F2010 - 30I/SP内部框图二、主要参数 CPU性能：该芯片基于 16 位数字信号控制器（DSC）架构，能够以 30MIPS 的速度运行，这意味着它每秒可执行 3000 万条指令。强大的运算能力使其能够快速处理复杂的数字信号处理任务，如数字滤波、快速傅里叶变换（FFT）等，满足对实时性要求较高的应用场景。内存配置：内部集成了 8KB 的 Flash 程序存储器，用于存储用户编写的程序代码，确保设备在断电后程序不丢失。同时，配备了 512 字节的 SRAM 数据存储器，可用于数据的快速读写，方便在运行过程中对数据进行临时存储和处理，为高效的数据处理提供了有力支持。外设接口：具备丰富的外设接口，包括多个通用输入 / 输出（GPIO）引脚，可灵活配置为各种功能，如控制外部设备的开关、采集传感器数据等。此外，还集成了 SPI（串行外设接口）、I²C（集成电路总线）等通信接口，方便与其他芯片或模块进行高速数据通信，实现系统的扩展和集成。三、关键特性 1.数字信号处理能力：内置专门的数字信号处理指令集，能够高效执行乘法累加（MAC）等运算，这对于数字滤波、电机控制算法等应用至关重要。例如，在电机控制中，通过快速的数字信号处理，可以精确地调节电机的转速和扭矩，提高电机的运行效率和稳定性。 2.低功耗设计：采用先进的低功耗工艺，在保证性能的同时，有效降低了芯片的功耗。芯片支持多种低功耗模式，如空闲模式和休眠模式。在空闲模式下，CPU 停止工作，但外设仍可继续运行，可降低系统功耗；在休眠模式下，芯片几乎不消耗电流，大大延长了电池供电设备的续航时间，非常适合便携式设备应用。 3.可靠性高：具备多种硬件保护机制，如欠压复位（BOR）功能，当电源电压低于设定阈值时，芯片会自动复位，防止因电压过低导致程序运行错误。同时，内置的看门狗定时器（WDT）可在程序出现异常时强制系统复位，确保系统的稳定运行，提高了设备在复杂环境下的可靠性。四、应用场景 1.工业控制：在工业自动化生产线中，常用于电机控制。利用其强大的数字信号处理能力和丰富的外设接口，可精确控制电机的转速、转向和扭矩，实现自动化设备的精准运行。例如，在自动化机床的运动控制中，DSPIC30F2010 - 30I/SP 能够根据预设的程序精确控制电机，实现刀具的准确走位，提高加工精度和效率。 2.消费电子：在便携式音频设备中应用广泛，如 MP3 播放器、蓝牙音箱等。其低功耗特性可延长设备的电池续航时间，数字信号处理能力则可对音频信号进行高效处理，提升音频质量，实现音效增强、降噪等功能，为用户带来更好的听觉体验。 3.智能家居：可作为智能家居系统中的节点控制器，通过其丰富的外设接口连接各类传感器和执行器，如温湿度传感器、门窗传感器、智能开关等。利用芯片的运算能力和通信接口，实现对家居设备的智能控制和数据采集，如根据室内温湿度自动调节空调温度，或通过手机远程控制家电设备等。综上所述，DSPIC30F2010 - 30I/SP 凭借其出色的性能参数、关键特性，在多个领域展现出强大的应用潜力，为各类电子设备的智能化、高效化发展提供了有力支撑。随着技术的不断进步，这款芯片有望在更多创新应用中发挥重要作用。

Microchip

芯查查资讯 . 2025-03-02 485
2024年中国半导体产业投资额约为6,831亿元，同比下降41.6%

从全球视角来看，2024年半导体行业正处于后疫情时代的调整期。尽管人工智能、5G和物联网等新兴技术驱动长期需求增长，但短期内全球经济放缓和地缘政治紧张局势对行业投资产生了抑制作用。中国作为全球最大的半导体消费市场，其投资动态不仅影响本土产业格局，也对全球供应链的稳定性产生深远影响。一、中国半导体产业投资趋势分析：2024年投资总额下降，设备领域逆势增长根据CINNO Research最新统计数据，2024年中国（含台湾）半导体产业项目投资总额为6,831亿人民币，较去年同期下降41.6%。尽管如此，细分领域的数据显示，半导体设备投资逆势增长1.0%，达到402.3亿人民币，成为唯一实现正增长的投资类别。从投资结构来看，晶圆制造仍是资金的主要流向，2024年投资金额为2,569亿人民币，占比37.6%，但同比下降35.2%。芯片设计领域投资额为1,798亿人民币，占比26.3%，同比下降39.5%。半导体材料和封装测试领域的投资降幅更为显著，分别下降50.0%和46.7%，投资金额为1,116亿人民币和945.1亿人民币，占比16.3%和13.8%。尽管中国在半导体制造和设计领域持续发力，但全球需求疲软、技术壁垒以及国际供应链重组等多重因素对投资信心造成了一定压力。图示: 2024年中国半导体产业投资项目分布情况（来源: CINNO • IC Research）二、中国半导体设备投资增长的多重驱动因素：美国出口管制政策的深远影响值得注意的是，半导体设备投资的逆势增长不仅反映了中国在半导体供应链自主化方面的战略决心，也在很大程度上受到美国施压国际设备厂商限制对华出口政策的直接影响。美国出口管制政策的催化作用近年来，美国通过一系列出口管制措施，限制国际半导体设备厂商向中国出口先进制程设备及相关技术。例如，美国商务部工业与安全局（BIS）对荷兰ASML、美国应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）等国际领先设备厂商施加压力，限制其向中国出口高端光刻机和其他关键设备。这些政策直接导致中国在先进制程设备领域的进口受限，倒逼中国加速本土化设备研发和生产。美国的出口管制政策不仅影响了中国半导体产业的短期发展，也促使中国政府和企业在设备领域加大投资力度，以突破技术瓶颈。2024年设备投资的逆势增长正是这一背景下的直接结果。中国通过政策支持、资本投入和技术攻关，正在逐步缩小与国际先进水平的差距。政策支持与资本投入的双重驱动中国政府在“十四五”规划中将半导体产业列为战略性新兴产业，并出台了一系列支持政策，包括税收优惠、研发补贴和产业基金等。特别是在设备领域，国家集成电路产业投资基金（俗称“大基金”）加大了对本土设备厂商的支持力度，推动关键设备的自主研发和产业化。此外，地方政府也积极参与半导体设备产业链的布局。例如，上海、北京、深圳等地纷纷设立专项基金，支持本地设备企业的发展。这些政策举措为设备投资的增长提供了强有力的保障。技术突破与市场需求的双重拉动在外部压力和政策支持的共同作用下，中国半导体设备企业在部分领域已取得显著进展。例如，中微半导体（AMEC）在刻蚀设备领域已达到国际先进水平，北方华创（NAURA）在薄膜沉积设备方面也取得了重要突破。这些技术突破不仅提升了本土设备的市场竞争力，也吸引了更多资本流入设备领域。同时，中国作为全球最大的半导体消费市场，对设备的需求持续增长。随着国内晶圆厂扩建计划的推进，对光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备的需求不断增加。尽管国际设备供应受限，但本土设备厂商正在逐步填补这一市场空缺。全球半导体产业格局的变化美国的出口管制政策不仅影响了中国，也对全球半导体产业链产生了深远影响。国际设备厂商在失去部分中国市场的同时，也面临技术竞争加剧的压力。例如，荷兰ASML在中国市场的销售额显著下降，而中国本土设备厂商的市场份额则逐步提升。未来，随着技术突破的不断推进和政策支持的持续加码，中国半导体设备产业有望在全球竞争中占据更重要的位置。同时，国际设备厂商也可能在政策压力和市场需求的博弈中重新评估其对中国市场的战略。三、中国半导体产业投资趋势分析：地域分布与材料领域投资聚焦地域分布：高度集中，台湾与江苏领跑根据CINNO Research最新统计数据，从投资地域分布来看，2024年中国半导体产业投资涉及25个省市（含直辖市），但资金分布高度集中。台湾以37.2%的投资占比位居第一，成为半导体产业的核心投资区域。江苏紧随其后，占比14.7%。浙江、上海和北京分别以9.2%、6.3%和5.7%的占比位列第三至第五。前五个地区的投资总额占比高达73.1%，显示出半导体产业在地域上的高度集聚效应。这种集中化趋势与地方产业基础、政策支持力度以及产业链配套能力密切相关。台湾作为全球半导体产业的重要基地，在晶圆制造和芯片设计领域具有显著优势；江苏则依托长三角地区的产业集群效应，在半导体制造、封装测试等领域占据重要地位。浙江、上海和北京等地在政策支持、人才储备和市场资源方面也具有独特优势。内外资分布：内资主导，台资占比显著从内外资分布来看，2024年中国半导体产业投资以内资为主，占比达到62.5%，显示出中国在推动半导体产业自主化方面的决心。台资占比为36.8%，凭借其在晶圆制造和芯片设计领域的技术积累，继续发挥重要的市场作用。材料领域投资：硅片与第三代半导体成焦点根据CINNO Research最新统计数据，在半导体材料领域，2024年投资资金按项目类别分布显示，硅片投资占比最高，达到36.4%，投资金额为406.3亿人民币。硅片作为半导体制造的核心材料，其投资规模反映了中国在提升晶圆制造能力方面的持续努力。此外，第三代半导体材料（SiC/GaN）投资占比为20.5%，投资金额达到228.6亿人民币。SiC/GaN材料在新能源汽车、5G通信和能源电力等领域的应用前景广阔，其投资增长表明中国正在加速布局下一代半导体技术，以抢占未来产业制高点。从全球视角来看，2024年半导体行业正处于周期性调整阶段。尽管人工智能、5G和物联网等新兴技术驱动长期需求增长，但全球经济放缓和地缘政治紧张局势对行业投资产生了抑制作用。中国作为全球最大的半导体消费市场，其投资动态不仅影响本土产业格局，也对全球供应链的稳定性产生深远影响。美国的出口管制政策对中国半导体产业构成了短期挑战，但也加速了中国在设备、材料等关键领域的自主创新步伐。随着全球半导体市场逐步复苏，中国有望在硅片、第三代半导体材料以及设备制造等领域实现更大突破，进一步巩固其在全球半导体产业链中的地位。同时，地域集中度的提升和内外资结构的优化，也将为中国半导体产业的可持续发展提供更强动力。展望未来，中国半导体产业的投资趋势将取决于多重因素，包括政策支持力度、技术突破进展以及国际合作的深化程度。尽管短期内投资增速放缓，但中国在半导体设备、材料等关键领域的逆势增长表明，其产业升级和自主创新的战略方向并未改变。在全球半导体行业变革的背景下，中国通过聚焦关键领域的技术突破和产业链自主化，展现其应对复杂国际环境的战略韧性。

半导体

CINNO Research . 2025-02-28 6 2 1960
“芯”动上市 | 红旗天工05跳动着哪颗“中国芯”？

在智能座舱的赛道上，芯擎科技再创佳绩：搭载了两颗“龍鹰一号”智能座舱芯片的红旗天工05终于官宣上市。作为红旗天工系列的首款电动轿车，红旗天工05在概念车阶段就已备受瞩目。2月26日，天工05正式上市，这辆超长续航850km，提供AI智能座舱体验，轴距优于特斯拉Model3的全新车型，注定会成为又一爆款。红旗是一汽集团旗下中国民族汽车高端品牌的最佳代表，芯擎是高性能车规级芯片的领航者，二者的合作由来已久，强强联合。 “龍鹰一号”是芯擎科技自研的国内首款7nm车规级智能座舱芯片，量产两年即创造国产智能座舱芯片市占率第一的成绩。红旗天工05搭载的灵犀座舱，使用了双“龍鹰一号”的解决方案——CPU算力200 KDMIPS，ASIL-D安全认证，国密级隐私安全，极速响应，无极进化，这让灵犀座舱真正做到了沉浸式的人车交互，“越用越懂你”。值得一提的是，在“龍鹰一号”强大的性能和丰富的软件生态下，天工05不仅可以高效处理各类复杂驾驶场景，还能借助“龍鹰一号”的强大算力完成与DeepSeek的深度融合，率先具备大模型AI语音的能力。天工05是红旗“All in”新能源战略的核心落地平台。上周，芯擎刚刚与一汽集团成立“舱驾芯片应用协同创新实验室”，这标志着芯擎与一汽的合作更加深化。在实验室的揭牌仪式上，一汽研发总院副院长、九章平台CEO周时莹博士曾表示，在深化座舱合作的同时，一汽也会结合芯擎的自动驾驶芯片“星辰一号”开展研发，并将产品落地。随着汽车智能化需求的持续增长，不仅是智能座舱芯片，芯擎的自动驾驶芯片以及舱行泊一体、高阶舱驾一体等解决方案将为更多车厂提供支持，推动汽车智能化迈向新的高度。

智能座舱

芯擎科技SiEngine . 2025-02-28 1 6 1415
i.MX 95系列如何推动功能安全的新纪元?

随着互联设备日益智能化，计算要求也更加复杂。设备必须快速处理并传输来自机器视觉等人工智能应用的大量数据。系统必须具备可靠性、功能安全和信息安全。恩智浦的i.MX 95处理器系列正是为这股新的边缘创新浪潮而设计。为什么功能安全至关重要? 功能安全是指通过实施安全功能来帮助减轻电子系统因随机和系统失灵而发生故障的风险。功能安全就像安全带，在关键时刻提供保护。功能安全特性确保系统故障可预测，且发生时能够安全响应。这对于需要保障人身安全的应用，以及系统故障可能造成巨大损失的场景尤为重要。为满足汽车和工业应用的功能安全需求，恩智浦的旗舰产品i.MX 95系列提供了一种高度灵活、可扩展的架构，使客户能够安心设计安全可靠的边缘平台。该系列适用于汽车、工业环境和智能家居等嵌入式应用。图：i.MX 95系列应用处理器为各种边缘应用提供安全、可靠、节能的边缘计算。汽车功能安全尽管现代汽车比以往任何时候都更安全，但潜在问题依然存在。功能安全特性使汽车制造商能够增加额外的保护层，更好地保障乘客安全并降低风险。以下是i.MX 95系列的部分目标汽车应用：连接域控制器该系统结合了汽车的无线接口，允许驾驶员收听广播、使用GPS导航等。驾驶员希望能够准时到达，并了解情况。 eCockpit 许多汽车将娱乐中控、连接和安全监测功能整合到一个名为eCockpit的界面中。安全监测功能的示例包括车道偏离警告和仪表盘提示灯。软件定义无线电软件定义无线电 (SDR) 不仅仅用于在数字广播中播放您喜爱的歌曲；它还为制造商提供了部署车对车 (V2X) 通信技术的平台，并支持通过无线更新来引入新功能和区域标准。乘客监测系统如果您驾驶一辆新车，无意中离开车道，可能会看到一个咖啡杯图标。乘客监测系统能够提醒驾驶员休息或保持警觉。这种系统还可以检测乘客是否被意外遗忘在后座上。盲点监测系统 (BSM) 与多摄像头监测当您在高速公路上快速变道，或者从车库倒车时，希望监测功能能够正常运行。近年来，这些技术取得了巨大的进步，帮助驾驶员安全地导航和泊车。图：i.MX 95 MPU为汽车市场的多种安全应用提供了强大的处理性能 i.MX 95系列通过恩智浦的SafeAssure平台，按照ISO 26262 ASIL B和SIL-2 IEC 61508标准进行设计。ISO 26262标准能够确保汽车的功能安全，适用于各种娱乐中控、连接和安全汽车应用。汽车安全完整性等级 (ASIL) 规定了不同类型车辆部件的安全要求。工业应用的功能安全 i.MX 95系列还能够满足工业应用的功能安全需求，从大型机器到手持设备均适用。这些处理器功能强大，足以满足机器人控制器、使用人工智能进行视觉检查的设备以及其它工厂自动化功能的性能要求。同时，其能效高，适用于数字自助服务终端和指示牌、工业PC和视觉支付系统。恩智浦技术不仅保障工作人员的安全，还能降低昂贵设备故障的风险。 SIL-2 IEC 61508是一项关键的功能安全标准，专为各行业需要较高安全性的电子系统而设计。IEC 61508旨在预防系统故障，并在出现问题时提供安全机制。例如，如果机器温度过高，IEC 61508会确保系统切换到安全状态，以帮助减轻损坏。图：i.MX 95应用处理器支持工业应用的AI视觉检查强大高效计算的新纪元 i.MX 95处理器集成了6个Arm Cortex-A55内核，以满足汽车和工业应用的性能需求。该设计包括一个带有Arm Cortex-M33处理器的独立安全域，以及一个集成了Arm Cortex-M7处理器的实时域。高集成度的设计实现了实时的高性能处理，使汽车和工业应用能够即时做出决策。 i.MX 95系列通过我们的Energy Flex架构大幅降低了系统级能耗。处理器具有应用域和安全域的精密独立电源管理。让安全域可靠、可预测地运行至关重要，这种方法允许开发人员保持安全域不中断运行，仅在必要时使用应用域，从而降低功耗。提高功能安全标准在功能安全方面，恩智浦代表着高质量和可靠性。通过SafeAssure计划，i.MX 95的客户可以放心设计产品，因为他们知道自己的产品符合严格的安全标准。这有助于简化合规流程，使各企业能够更快地将产品推向市场。本文作者 Toby Foster，恩智浦半导体安全连接边缘资深产品市场经理，专注于网络应用和Layerscape系列处理器的管理。他还担任网络处理器系统架构师和应用工程经理。Foster先生拥有美国哈维穆德学院电气工程学学士和硕士学位。

i.MX 95

NXP客栈 . 2025-02-28 1 890
东芝推出符合AEC-Q100标准的车载标准数字隔离器

中国上海，2025年2月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1]的高共模瞬态抑制（CMTI）和50 Mbps（最大值）[2]的高速数据传输速率，支持稳定运行。所有器件均符合面向车载电子组件安全性和可靠性的AEC-Q100标准。该系列10款产品于今日开始支持批量出货。为了确保混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）中使用的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）的安全性和可靠性，需要能够确保隔离并防止噪声传播的器件。车载标准数字隔离器可为当前隔离设备所需的多通道高速通信和高CMTI提供解决方案。新的隔离器采用东芝专有的磁耦合隔离传输方式，以实现100 kV/μs（典型值）的高CMTI。这不仅实现隔离信号传输中输入和输出间电气噪声的高容限，还确保了稳定的控制信号传输，有助于设备的稳定运行。此外，这些新产品还具有0.8 ns（典型值）[2]的低脉宽失真和50 Mbps（最大值）的数据传输速率，适用于多通道高速通信应用，例如具备SPI通信的I/O接口。东芝的工业标准数字隔离器产品现已量产，目前其产品线扩展至车载设备领域。未来，东芝将增加这两个领域产品的封装类型和通道数量，并将继续提供高质量隔离器件和光耦，以支持车载设备所需的可靠性和实时数据传输。应用：车载设备电池管理系统（BMS）车载充电器（OBC）逆变器控制特性：高共模瞬态抑制：CMTI＝100 kV/μs（典型值）[1] 高速数据速率：tbps＝50 Mbps（最大值）[2] 低脉宽失真：PWD＝0.8 ns（典型值）四通道支持（请参见具体器件的主要规格）：正向四通道，反向零通道；正向三通道，反向一通道；正向两通道，反向两通道主要规格：（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）器件型号 DCM341L01 DCM341H01 DCM341A01 DCM341B01 通道数（正向：反向） 4 （3:1）默认输出逻辑低高低高使能控制输出使能输入禁用封装 SOIC16-W 绝对最大额定值工作温度Topr（°C） –40至125 存储温度Tstg（°C） –65至150 隔离电压 BVS（Vrms） t＝1分钟，Ta＝25 °C 最小值 5000 电气特性共模瞬态抑制 CMTI（kV/μs） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V， VCM=1500 V 典型值 100 数据速率 tbps（Mbps） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V 最大值 50 脉宽失真 PWD（ns）典型值 0.8 传输延迟时间 tPHL、tPLH（ns） 10.9 库存查询与购买在线购买在线购买在线购买在线购买（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）器件型号 DCM340C01 DCM340D01 DCM340L01 DCM340H01 通道数（正向：反向） 4 （4:0）默认输出逻辑低高低高使能控制无输出使能封装 SOIC16-W 绝对最大额定值工作温度Topr（°C） –40至125 存储温度Tstg（°C） –65至150 隔离电压 BVS（Vrms） t＝1分钟，Ta＝25 °C 最小值 5000 电气特性共模瞬态抑制 CMTI（kV/μs） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM=1500 V 典型值 100 数据速率 tbps（Mbps） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5V 最大值 50 脉宽失真 PWD（ns）典型值 0.8 传输延迟时间 tPHL、tPLH（ns） 10.9 库存查询与购买在线购买在线购买在线购买在线购买（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）器件型号 DCM342L01 DCM342H01 通道数（正向：反向） 4 （2:2）默认输出逻辑低高使能控制输出使能封装 SOIC16-W 绝对最大额定值工作温度Topr（°C） –40至125 存储温度Tstg（°C） –65至150 隔离电压 BVS（Vrms） t＝1分钟，Ta＝25 °C 最小值 5000 电气特性共模瞬态抑制 CMTI（kV/μs） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V 典型值 100 数据速率 tbps（Mbps） VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V 最大值 50 脉宽失真 PWD（ns）典型值 0.8 传输延迟时间 tPHL、tPLH（ns） 10.9 库存查询与购买在线购买在线购买注： [1] 测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V，Topr＝–40 °C至125 °C [2] 测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，Topr＝–40 °C至125 °C

数字隔离器

东芝 . 2025-02-28 2 855
Melexis推出高性能磁位置传感器芯片MLX90425

2025年02月28日，比利时泰森德洛——Melexis宣布，推出双模封装（DMP）版本的MLX90425磁位置传感器芯片，进一步扩展其磁位置传感器系列。新器件沿用与现有MLX90364和MLX90421相同的封装设计，为汽车一级供应商和原始设备制造商（OEM）提供一条便捷的升级路径。该芯片能够实现360°磁感应旋转检测，并具备卓越的抗杂散磁场干扰（SFI）性能，精准响应了汽车行业对高精度位置检测和抗干扰能力的需求。迈来芯DMP封装版MLX90364和MLX90421已在内燃机（ICE）汽车领域取得巨大成功，广泛应用于油门位置、废气再循环（EGR）系统、变速箱位置以及其他执行器或运动反馈系统中，为车辆提供精确的位置反馈信息。随着汽车制造商从传统ICE驱动汽车向更加可持续的高压混合动力系统转型，对电子元件的抗杂散磁场干扰（SFI）性能提出来更高的要求，以确保磁感应芯片提供准确的感应反馈信息。 MLX90425在延续MLX90364和MLX90421成熟DMP封装设计和PIN布局的基础上，以工程师熟悉的传统封装形式引入迈来芯最新的磁位置感应技术，为汽车市场提供一条无缝且极具成本效益的升级方案，有效避免大量组件或工具的重新设计工作。迈来芯全球营销经理Klaus Wilczek表示：“在推进汽车市场向可持续发展转型的过程中，汽车行业需要采用创新的解决方案，开发出更具有成本效益的新型高压混合动力系统。MLX90425充分体现我们对客户和产品设计的承诺。该产品以工程师熟知的封装形式，提供先进的SFI磁感应技术，避免大量的重新设计和改造工作，从而为客户节省大量成本。” DMP封装MLX90425现已上市。

磁位置传感器

迈来芯 . 2025-02-28 1 890
三安与意法半导体重庆8英寸碳化硅晶圆合资厂正式通线

2025年2月27日，中国重庆 – 意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 和三安光电今日宣布，双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（即“安意法半导体有限公司”，以下简称安意法）现已正式通线。这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。三安光电和意法半导体于2023年6月共同宣布在重庆成立8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（安意法半导体有限公司，简称安意法），全面落成后预计总投资约为230亿元人民币（约32亿美元）。该合资厂预计将在2025年四季度投产，届时将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线。此外，坐落在同一园区内的重庆三安半导体有限责任公司（重庆三安）将为合资厂（安意法）独家提供8英寸碳化硅衬底，而封装测试将在意法半导体国内工厂完成，形成一条完整的中国本地化8英寸碳化硅供应链。图：意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery 本次通线仪式在西部科学城重庆高新区西永微电园内的安意法半导体有限公司隆重举行。庆典现场嘉宾云集，共同见证和庆祝了这一里程碑时刻。现场嘉宾包括：意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery，质量、生产及技术总裁Fabio Gualandris, 总裁兼首席财务官Lorenzo Grandi等意法半导体公司高层；三安集团董事长林秀成，三安光电总经理、安意法董事长林科闯等三安公司高层；重庆市市长胡衡华、常务副市长陈新武、副市长郑向东、副市长马震等重庆市领导；商务部外资司副司长王亚；行业协会、上下游企业和合作伙伴代表；以及其他各界嘉宾。图：三安光电总经理、安意法董事长林科闯在通线仪式上，主办方与在座的各位嘉宾一同回顾了重庆三安意法半导体碳化硅项目的成长历程： ● 2023年6月：重庆三安意法半导体项目完成签约落户及项目奠基仪式正式启动； ● 2023年9月：整个项目（包括两个厂）正式开工建设； ● 2024年8月：重庆三安衬底厂于2024年8月31日顺利“点亮”试生产； ● 2024年11月：安意法合资厂11月底达到“点亮”条件； ● 2025年2月：整个项目于2025年2月正式通线。意法半导体与三安光电携手，仅20个月便完成了从项目奠基、封顶、设备调试到通线投片的全流程，这不仅展现了“重庆速度”，也展现了“国际标准”与“中国效率”的完美结合。据介绍，安意法产出的碳化硅晶圆也将在意法半导体国内工厂完成封装测试，从而在国内形成从衬底-外延-晶圆-封装的8英寸碳化硅全环节本地化产业链。意法半导体表示，这种“本地研发-本地制造-本地交付”的模式，能够实现从碳化硅衬底到晶圆、功率模块的全流程本地化生产，不仅大大缩短了供应周期，降低了供应风险，还能更快速地响应中国市场的需求。此外，目前全球仅意法半导体等少数企业具备8英寸碳化硅芯片量产能力，安意法项目的通线加快了全球8英寸碳化硅时代的到来，预计2026年8英寸碳化硅将进入产能释放的关键节点。8英寸晶圆综合成本相比6英寸可降低30%；此外，在中国建立本地化制造业务也将显著降低生产与物流成本，确保高质量标准的同时，让产品价格更具优势。这两点将加速碳化硅从“高端器件”向“普惠技术”演进。

碳化硅

芯查查资讯 . 2025-02-28 3 1 2035
单片机晶振电路的原理和作用

单片机晶振电路是单片机系统中非常重要的一部分，在单片机中，晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，它直接影响着单片机的时钟信号和运行稳定性。在单片机系统中，晶振电路起着提供时钟信号的作用，而时钟信号则是单片机进行运算、控制和通讯的基础。无源晶振电路的基本原理是利用晶体的压电效应来产生稳定的时钟信号。晶振电路由晶体谐振器、放大器和补偿电路组成。首先，晶体谐振器是晶振电路的核心部分，它由晶体和负载电容组成。晶体是一种能够产生机械振动的压电元件，当施加电场或者受到机械振动时，晶体会产生电荷的积累和分布，从而产生电压。负载电容则是为了配合晶体的振荡频率而设置的，它会影响晶振电路的谐振频率和稳定性。（当然也可以找到我们扬兴的技术团队进行匹配测试）有源晶振外接电路有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。有源晶振不需要MCU的内部振荡器，连接方式相对简单。单片机是一个复杂的同步时序电路，为了保证同步方式的实现，电路应在唯一的时钟信号控制下严格地按照时序进行工作。而晶振起到的作用就是为单片机系统提供基准时钟信号，类似于部队训练时喊口令的教官，所有的士兵都在教官的口令下完成响应的动作，例如指令执行、数据传输等。单片机内部所有的工作都是以这个时钟信号为基准来进行工作的。用于产生单片机工作所需要的时钟信号的电路就是时钟电路。使用晶振电路可以避免单片机内置RC振荡器不稳定和抗干扰性差的问题，提供更高精度、低抖动的时钟信号，从而确保系统的可靠性和稳定性。此外，晶振电路还可以根据需要调整频率，满足不同应用的要求。因此，在设计和制作单片机系统时，晶振电路的质量和稳定性非常重要，直接关系到整个系统的性能。

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扬兴科技 . 2025-02-28 5145
美光1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

美光科技股份有限公司2025年2月26日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%1，功耗降低超过20%2。 1γ DRAM节点的重要性随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战： ● 提升性能 — 基于1γ节点的DRAM性能卓越，能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来AI工作负载的需求。 ● 降低功耗 — 美光1γ节点采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低了20% 以上，并实现更优的散热。 ● 提升容量密度产出 — 美光1γ节点采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30% 以上3，从而实现更高效的内存供应扩展能力。美光执行副总裁暨首席技术与产品官Scott DeBoer表示，“美光凭借开发专有DRAM技术的专长，结合对EUV光刻技术的战略运用，打造出基于1γ节点的先进内存产品组合，助力推动AI生态系统发展。1γ DRAM节点实现了更高的容量密度产出，彰显了美光卓越的制造实力和效率，并使我们能够扩大内存供应的规模，满足行业日益增长的需求。” 美光在经过多代验证的DRAM技术和制造策略的基础上，成功打造出优化的1γ节点。1γ DRAM节点的创新得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。美光执行副总裁暨首席商务官Sumit Sadana表示，“美光再次引领行业，推出全球领先的内存技术。1γ DRAM制程凭借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光1γ DRAM产品将提供可扩展的内存解决方案，涵盖从数据中心到端侧设备等各个领域，助力AI生态系统发展，确保我们的客户能够应对行业日新月异的需求。” 推动云端至端侧的产品变革 1γ节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中： ● 数据中心 — 基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。 ● 端侧AI — 1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案的用户体验。 ·AI PC — 1γ DDR5 SODIMMs可提升性能并降低20%的功耗4，从而延长续航，优化笔记本电脑的用户体验。 ·移动设备 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的AI体验，延续美光在移动设备领域的领先地位。 · 汽车 — 基于1γ的LPDDR5X内存可提升容量、耐用性和性能，同时传输速率高达9600MT/s。

DRAM

Micron美光科技 . 2025-02-28 1 660
Arm 推出全球首个 Armv9 边缘 AI 计算平台，推动物联网实现新一代性能

Arm 控股有限公司（纳斯达克股票代码：ARM，以下简称“Arm”）今日发布 Arm®v9 边缘人工智能 (AI) 计算平台，该平台以全新的 Arm Cortex®-A320 CPU 和领先的边缘 AI 加速器 Arm Ethos™-U85 NPU 为核心，可支持运行超 10 亿参数的端侧 AI 模型。 Arm 高级副总裁兼物联网事业部总经理 Paul Williamson 表示：“AI 的革新已不再局限于云端。随着世界的互联和智能化水平的日益提升，从智慧城市到工业自动化，在边缘侧处理 AI 工作负载不仅带来显著的优势，其必要性更是不可或缺。专为物联网打造的 Armv9 边缘 AI 计算平台的推出，标志着这一发展趋势迈入了重要的里程碑。” Armv9 边缘 AI 计算平台——在边缘集成效率、安全和智能 OEM 厂商正面临着前所未有的压力，迫切需要快速推出解决方案，以应对物联网应用不断攀升的计算需求，这些需求包括自动驾驶车辆在工厂环境中的精准导航、智能摄像头通过软件升级灵活调整功能，以及构建能够提供更自然 AI 交互体验的人机界面。为了快速创新和扩展，OEM 厂商需要在合适的位置灵活执行 AI 工作负载，以实现更强大的安全性和更高的软件灵活性，Armv9 技术正是能在大规模应用中满足这些需求的理想之选。Arm 此次发布的计算平台集成了全新的超高能效 Armv9 CPU——Cortex-A320 和支持 Transformer 算子网络的 Ethos-U85 NPU，打造出全球首个专为物联网优化的 Armv9 边缘 AI 计算平台。相较于去年推出的基于 Cortex-M85 的平台，新的边缘 AI 计算平台的机器学习 (ML) 性能提高了八倍。 Arm 技术的广泛应用，使得合作伙伴现在能够在从云端到边缘侧的各种计算场景中部署强大的 Armv9 技术。从授权该技术以构建 SoC 芯片的合作伙伴，到构建下一代设备的 ODM 和 OEM 厂商，该平台受到了包括亚马逊云科技 (AWS)、西门子、瑞萨电子、研华科技和 Eurotech 在内的多家业界领先合作伙伴的支持。全新 Cortex-A320 为下一代智能物联网设备奠定安全基础新型边缘 AI 计算平台的推出标志着边缘计算发展的重要里程碑。Cortex-A320 为物联网带来了先进的 AI 功能和开发者优势，将 Armv9 架构的功能扩展到高能效设备，并提供全面的软件支持。 Cortex-A320 充分发挥了 Armv9 架构的优势，如针对 ML 性能的 SVE2。相较于前代产品 Cortex-A35，Cortex-A320 的 ML 性能提升了十倍，标量性能提升了 30%。该平台所采用的 Armv9.2 架构还为最小的 Cortex-A 设备带来了高级的安全功能，例如指针验证 (PAC)、分支目标识别 (BTI) 和内存标记扩展 (MTE)。这些功能至关重要，因为边缘设备通常在暴露的环境中运行并处理敏感数据。随着边缘 AI 在 Arm 平台上持续集成，这一全新产品的加入使 Arm 现已能为物联网提供最为先进的 Armv9 Cortex 处理器系列，覆盖从极致性能到成本和能效受限的设备。将 Arm Kleidi 扩展到物联网边缘 AI 普及面临的最主要障碍之一是软件开发和部署的复杂性，这正是 Armv9 边缘 AI 计算平台软件生态系统发挥优势的关键所在。Arm 将 Arm Kleidi 扩展到物联网，这是一套面向 AI 框架开发者的计算库，旨在优化基于 Arm CPU 的 AI 和 ML 工作负载，无需开发者额外操作。KleidiAI 已集成到常见的物联网 AI 框架中，如 Llama.cpp 和 ExecuTorch 或 LiteRT（通过 XNNPACK），加速了 Meta Llama 3 和 Phi-3 等关键模型的性能。例如，在 Llama.cpp 上运行微软的 Tiny Stories 数据集时，KleidiAI 为新的 Cortex-A320 带来了高达 70% 的性能提升。这些提升至关重要，因为在当今快节奏的技术环境中，产品的上市速度往往决定其成败。新的边缘 AI 计算平台确保了与更高性能 Cortex-A 处理器在软件层面的无缝兼容。这种可扩展性使开发者能够打造可随需求变化而灵活调整的解决方案。借助庞大的 Armv9 生态系统，以及与 Linux 等功能丰富的操作系统和 Zephyr 等实时操作系统的兼容性，开发者拥有了前所未有的灵活性。他们可以充分利用现有的工具和知识，以及软件复用的优势，从而加快产品上市时间，并降低总体拥有成本。全球范围内有 2,000 多万活跃的 Arm 开发者，这为未来的技术创新提供了巨大潜力。展望未来展望未来，显然 AI 的未来趋势将转向边缘，而全新 Arm 边缘 AI 计算平台将成为新一轮物联网创新的催化剂。Armv9 架构的特性、先进的 AI 功能和全面软件支持的结合，为 OEM 厂商和开发者创造了新的可能性。该平台能够支持基于智能体的 AI 应用上运行经过调优的大语言模型 (LLM) 和小语言模型 (SLM)，从而开辟全新类别的边缘应用场景。在未来的场景中，智能决策将更接近数据采集源头，这不仅能显著减少延迟，还能有效提升隐私保护水平。这不仅仅是一次渐进式的进步，它代表着行业对边缘计算和 AI 处理方式的根本性变革。这是行业首次迎来专为物联网应用优化的 Armv9 CPU，将超高能效与先进 AI 能力结合，实现了前所未有的突破。 ### 合作伙伴证言： “边缘 AI 的发展步伐日益加速，Arm 物联网计算架构方面的进步将为边缘智能带来新的可能性。作为边缘计算和边缘 AI 领域的领先企业，研华科技认为这一创新代表着 Arm 生态系统向前迈出了重要一步，它将助力各行各业打造出更智能、更高效、更安全的 AI应用。这一创新将激发边缘计算市场的行业繁荣和技术突破。” 研华科技嵌入式物联网部门总裁张家豪 “全新的 Arm 边缘 AI 计算平台为我们的客户实现在 Armv9 技术上运行 AWS IoT Greengrass 的轻量级设备运行时环境—— Nucleus Lite，从而让边缘设备以最低的内存需求高效运行。这两项技术的无缝集成为开发者提供了优化的解决方案，支持构建现代边缘 AI 应用，例如精准农业中、智能制造和自动驾驶的异常检测。” 亚马逊云科技物联网技术负责人 Yasser Alsaied “随着物联网市场的不断扩展，Eurotech 将继续为客户提供最新边缘 AI 应用所需的性能、安全性和高效的解决方案。Arm 的全新边缘 AI 计算平台为我们提供了构建下一代多样化物联网设备的基础，Armv9 让我们能够将安全性能、能效和软件灵活性提升到全新水平。” Eurotech 首席技术官 Marco Carrer “瑞萨电子致力于在真正可扩展的计算平台上，通过多样化的用例和日益智能化的工作负载，服务于广泛的 AI 物联网细分市场。我们对最新的 Armv9 Cortex-A320 CPU 感到兴奋，它不仅在AI/ML 高性能和安全性方面表现出色，还显著优化了功耗和面积效率。这一突破有助于我们加快创新步伐，进一步提升效率和可扩展性。” 瑞萨电子嵌入式处理部副总裁 Daryl Khoo “西门子致力于在边缘应用中释放 AI 潜能。基于 Armv9 架构的全新边缘 AI 计算平台有助于我们将高度安全、高性能和高能效的 AI 创新产品组合扩展到所有客户，涵盖一系列工业、智能基础设施和移动应用。” 西门子集成电路与电子研究及预开发部门副总裁 Herbert Taucher

边缘AI

Arm . 2025-02-27 2 1035
江波龙首次登场 MWC25！存储黑科技与应用革新抢先看

2025年世界移动通信大会（MWC25）即将在西班牙巴塞罗那拉开帷幕，江波龙将携一系列创新存储技术和产品应用首次登场。本次展会，江波龙将以“PTM赋能世界移动通信”为主题，展示其基于PTM商业模式为移动存储领域带来的最新成果。作为全球最大的移动技术盛会，MWC25将于3月3日至6日在西班牙巴塞罗那举行。本届大会以“Converge. Connect. Create”为主题，聚焦移动网络的演进、人工智能（AI）、智能设备以及可持续发展等前沿领域。作为行业领导者和技术先锋的展示平台，MWC25吸引了来自全球的科技企业、行业精英和创新者，共同探讨未来移动通信技术的发展方向。江波龙一直致力于通过技术创新、产品应用创新推动移动通信行业的发展，其存储产品在AI、5G、智能汽车等多个领域广泛应用。此次展会，江波龙将在MWC25上重点展示其PTM商业模式下的创新存储解决方案。从主控芯片研发到产品方案设计，再到严苛的测试验证和智能生产制造，江波龙将为全球移动通信行业客户带来专属的存储产品和服务。展会期间，江波龙将基于自研主控芯片，采用创新工艺，显著提升性能并降低功耗，并应用于两款创新存储产品，为用户带来全新、差异化的存储体验。此外，江波龙还将带来Lexar系列手机影像存储产品，满足专业摄影需求，提供高速读写性能和大容量存储。同时，江波龙在手机嵌入式存储、AI服务器存储领域构建的全面产品矩阵也将亮相，覆盖从入门到高端的多样化需求，为移动智能终端提供全方位的存储支持。敬请期待江波龙在MWC2025上的首秀和创新成果，以PTM商业模式为移动通信的未来赋能！

存储

江波龙 . 2025-02-27 3 3 990
思特威与晶合集成签署深化战略合作协议，携手推进国产CIS发展

2025年2月27日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）宣布，思特威（上海）电子科技股份有限公司董事长徐辰博士于2月24日接待了到访的合肥晶合集成电路股份有限公司董事长蔡国智先生一行，双方就全新合作目标进行了深入交流，并现场签署了长期深化战略合作协议。本次协议签署标志着思特威与晶合集成迈入了全方位、深层次的升级合作阶段。双方将整合优势资源，以技术创新为驱动，以产业升级为目标，携手推动国产CIS技术迈向新高度。根据此次签署的战略合作协议，思特威与晶合集成将在工艺开发、产品创新、产能供应等方面加大合作力度。在工艺开发方面，思特威与晶合集成此前联合开发的FSI和BSI工艺平台已进入大规模量产阶段，全新55nm Stack工艺平台也将于今年实现量产。后续，双方研发团队将继续紧密协作，深度整合优势资源，共同推动国产CIS工艺迈向新高度。在产品创新方面，双方将深入洞察市场需求变化与技术趋势，联合开发更多满足不同应用场景与功能的高性能CMOS图像传感器产品，为下游应用领域提供更优质、更具创新性的解决方案。本次会议中，思特威与晶合集成就产能供应制定了清晰的阶段性目标。晶合集成将在第一阶段实现向思特威提供月产能1.5万片Stacked晶圆的交付能力，以满足思特威当前产品的量产需求。随着思特威产品市场份额的进一步提升，在第二阶段，晶合集成将进一步加大产能支持，完成月产能4.5万片Stacked晶圆的交付，为思特威高端CIS产品的规模化生产和市场拓展提供坚实保障。此次战略合作的深化对双方企业意义深远。在晶合集成先进工艺与高效产能的支持下，思特威将进一步提升全流程国产高端CIS的技术创新实力与交付能力，保障卓越产品质量与稳定可靠的客户供货服务。思特威产研联动的深化技术投入，同样将大大提升晶合集成在CIS Stacked工艺的技术攻坚能力，进一步巩固其在国产晶圆代工领域的技术优势与市场地位双方的强强联手，将加速国产高端CIS芯片技术进步，促进高性能CIS Stacked技术全面普及应用于更广泛的智能手机机型，同时推动CIS Stacked技术在车载电子、机器视觉等新兴领域的应用拓展。以此次签约为重要里程碑，未来思特威与晶合集成将持续深耕CMOS图像传感器芯片产业，深化产研技术合作，不断提高CIS芯片产品技术能力与质量，提升高端CIS芯片国产供应能力，携手为国产半导体行业的发展贡献更多力量。双方将致力于为全球客户提供更具价值的产品和服务，共同在全球半导体市场中彰显中国企业的实力与担当。

CIS

思特威 . 2025-02-27 1 960
【标准】IEC正式发布由我国牵头制定的养老机器人国际标准

据澎湃新闻2月27日报道，近日，国际电工委员会（IEC）正式发布由我国牵头制定的养老机器人国际标准（IEC 63310《互联家庭环境下使用的主动辅助生活机器人性能准则》）。该项标准依据老年人生理和行为特点，为各类养老机器人的产品设计、制造、测试和认证等提供基准，将引领全球养老机器人产业健康发展。该项标准聚焦互联家居环境中老年人在日常生活、健康护理等各个方面的需求和特征，基于老年用户所需的辅助支持水平，提出养老机器人的功能和性能分类，除了可用性、可靠性、无障碍、能耗和噪声等通用要求以外，还对养老机器人提供的健康状况和紧急情况监测服务，与家人及医护人员的通信支持，多样化的家务、娱乐、家居管理、照护等活动支持，外出和助行等移动性支持，信息和数据管理性能等分别提出了技术要求。世界卫生组织数据显示，预计2050年全球60岁以上人口数量将达21亿，其中包括4.26亿80岁以上的老年人。随着年龄增长，老年群体在感知、体力和认知等方面，将不同程度地出现功能衰减甚至失能。养老机器人的出现不仅可以减轻社会和家庭对老年人的照料负担，还可支持老年人有尊严的独立居家高质量生活。该项标准的发布将引导养老机器人制造商精准聚焦老年人的生理心理特点及需求，进行养老机器人产品的设计开发，提升产品质量水平，进一步增强老年人融入社会的能力，造福全球银发群体。

养老机器人

澎湃新闻 . 2025-02-27 1455
芯原推出低功耗AI降噪与AI超分辨率系列IP

2025年2月27日，中国上海--芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）今日宣布推出其最新的AI图像处理系列IP，包括提供智能降噪的AINR1000和AINR2000，以及提供先进超分辨率的AISR1000和AISR2000。该系列IP为汽车、监控、云游戏、消费电子等多个领域提供高效、灵活且可扩展的解决方案，并兼具成本效益和优化的性能、功耗和面积（Performance, Power, and Area, PPA）特性。芯原的AI-NR和AI-SR系列IP均采用了公司自主研发的AI像素处理算法，以提供先进的图像处理能力。其中，AINR1000 IP和AINR2000 IP能够在显著降低图像噪点的同时，精准保留画面细节和色彩真实性，在低光环境或复杂光照条件下表现出色。这两个IP在静态和动态场景中均能高效降噪，确保画面始终清晰流畅。AINR1000支持2560x1440分辨率下30帧/秒的处理能力，非常适合低分辨率、成本敏感型应用，如入门级网络摄像头（IPC）；而AINR2000则具备更高的性能，支持5600x4208分辨率下60帧/秒的处理能力，能够满足先进的安防系统和运动相机等高端应用需求。芯原的AISR1000 IP和AISR2000 IP提供先进的基于AI的超分辨率技术，能够将标清（SD）、高清（HD）和全高清（FHD）的视频源高质量地提升至4K分辨率，支持实时视频、云游戏和云桌面等多种输入源。这两个IP通过创新的算子层与图层融合的方式，显著增强图像细节并有效消除锯齿边缘，从而生成更加清晰、自然的高分辨率图像。其中，AISR1000支持最高4K分辨率下60帧/秒的处理能力，而AISR2000则采用双引擎架构，能够在4K分辨率下实现高达144帧/秒的处理速度，同时优化了性能与能效表现。AI-SR系列IP支持高达五倍的灵活缩放比例，确保了卓越的视觉质量和可扩展性，非常适合需要实时高分辨率图像增强的应用场景。通过采用芯原创新的FLEXA接口通信技术，这些IP可以与芯原的图像信号处理器（ISP）IP、视频处理器（VPU）IP，以及显示处理器（Display Processing）IP无缝集成，使其能够高效且灵活地嵌入现有的成像流水线，从而提升整体系统性能。此外，这些IP还可以集成到第三方像素处理流水线中，灵活适配多种应用场景。 “我们的AI-NR和AI-SR系列IP旨在通过利用最前沿的AI技术，显著提升成像质量，同时兼顾低功耗和硅效率。这些IP已被众多客户成功应用于各类设备中，包括电池供电的摄像头及移动应用处理器。此外，我们的AI-SR系列IP已部署于数据中心领域，用于增强AI驱动的视频应用的视频转码能力。”芯原首席战略官、执行副总裁、IP事业部总经理戴伟进表示，“我们的解决方案能够无缝集成，为客户提供全面的图像增强功能，助力其加速开发具有卓越性能的新一代产品。展望未来，我们正进一步扩展基于AI的图像预处理（图像重建）和后处理（图像增强）技术布局，持续引入新功能，以进一步提升图像质量和效率。” 芯原的AI-NR和AI-SR系列IP现已开放授权和集成。

AI

芯原 . 2025-02-27 770
IDC：2024 印度平板出货量573万台，同比增长42.8%

市场调查机构 IDC 2 月 26 日发布最新报告，2024 年印度平板电脑市场出货量激增，同比增长 42.8%。 IDC 数据显示，2024 年印度平板电脑（包括可拆卸平板和传统平板）出货量达到 573 万台，同比增长 42.8%，其中可拆卸平板电脑和传统平板电脑的出货量分别同比增长 30% 和 47.2%。在消费者市场，受益于电商平台的促销、折扣和返现优惠，2024 年印度消费者市场同比增长 19.2%，三星以 24.4% 的份额领跑电商渠道。在商用市场，在政府资助教育项目的推动下，教育领域同比增长 104.5%，带动印度商用平板市场同比增长 69.7%，尽管大型企业（VLB）领域同比下降 9.9%，但仍无法抵消教育领域的强劲增长。图：2024 年第 4 季度印度平板市场图：2024 年印度平板市场前五大厂商: 三星：以 42.6% 的市场份额领跑，在商用和消费者领域分别占据 51.1% 和 32.1% 的份额。宏碁：以 18.7% 的市场份额位居第二，在商用领域表现出色，份额为 32.8%。苹果：以 11% 的市场份额位居第三，在商用和消费者领域均表现良好，分别同比增长 45.3% 和 4.7%。联想：以 9% 的市场份额位居第四，其消费者领域同比增长 18.6%。小米：同样以 9% 的市场份额位居第四，同比增长 101.7%。

平板电脑

IDC . 2025-02-27 5 2 4145
纳祥科技音频I2S ADC NX5340，兼容性好可外挂，替代CS5340

ADC（Analog-to-Digital Converter），即模数转换器，是一种将连续的模拟信号转换为数字信号的设备，它可以将模拟信号输入转换为数字信号输出。 NX5340是纳祥科技一款典型的24位模数转换（24bit ADC）芯片，兼容性好，芯片可以在外持转数字转发射光纤和铜轴芯片CS8406就能实现数字发射机功能；可以外挂CS8416+4344作数字信号和模拟信号双路输入功能，性能上可媲美替代CS5340。㈠ NX5340主要特性 NX5340主要特性如下所示—— ● 支持多位 Delta-Sigma 结构 ● 支持24位数字转换输出 ● 支持所有音频采样率，包括 192 千赫 ● 输出幅度：101分贝动态范围，5V供电 ● 输出信噪比(THD+N): -94 分贝 ● 输出功率(W)：90mW ● 支持高通滤波器，以消除直流偏移 ● 支持模拟/数字核心供电范围：3.3V ~ 5V ● 支持1.8V ~ 5V的逻辑电平 ● 低延迟数字滤波器 ● 支持从模式下自动模式选择 ▲NX5340功能框图㈡ NX5340优势展示 NX5340 是一个完整的模拟到数字的转换器，动态范围101db，信噪比 -94db，可用于数字音频系统。其产品优势主要有以下几点—— 01 自动检测 NX5340 使用一个5阶，多位Δ-Σ调制器的数字滤波和抽取，从而无需外部抗混叠滤波器，自动检测信号频率和主时钟频率。 02 支持大部分音频数据格式 NX5340是完整的采样、模数音频信号转换、抗混叠滤波的芯片，在串行格式下以每声道最高200kHz，采样率可达24位宽，并支持大部分的音频数据格式。 03 低失真低噪音 NX5340支持 I2S 和左对齐串行音频格式，适用于宽动态范围、低失真和低噪音的音频系统，可以工作在3.3V 和5V 下，支持1.8~5V 的逻辑电平。 04 高密度封装 NX5340的封装形式是TSSOP-16，体积小、高密度、可靠性高，使得在有限的空间内实现更多的功能和性能成为可能，如音响、数字音频播放器等。 ▲NX5340管脚配置㈢ NX5340应用领域作为一款模拟转数字信号转换器，NX5340以其可忽略的失真和低噪音的特征，适用于各类数字音频系统，如——HIFI音响/数字音频播放器、卡拉OK播放器、DVD刻录机、数字调音台、汽车音响等等。 ▲NX5340半成品示意图 ▲NX5340成品示例图 NX5340 是一款性能卓越的数字音频处理器，专为各种音频应用场合而设计，成为各种音频应用场合的理想选择，助力工程师实现各种音频需求。

ADC

深圳市纳祥科技有限公司公众号 . 2025-02-27 4 5375
从汽车到AI数据中心，安森美MOSFET助您轻松拿捏

安森美（onsemi）凭借其创新的MOSFET技术，为汽车、工业以及人工智能数据中心等多个行业提供了强大的支持。一起了解安森美最新的T10 MOSFET技术，以及采用Top Cool封装的功率MOSFET如何重新定义性能标准。利用领先的 MOSFET 实现卓越设计安森美先进的PowerTrench® MOSFET解决方案，专为满足对高能效、高可靠性和紧凑型设计不断增长的需求而设计。无论您是为汽车、工业还是人工智能数据中心应用进行设计，我们的MOSFET技术都能提供卓越性能，助您满怀信心地实现设计目标。 Top Cool封装 MOSFET 提供卓越的散热性能我们的 Top Cool 封装采用了创新设计，将引线框架暴露在顶部表面。这种方法能够实现紧凑、高效的系统和卓越的热管理性能。 Power 22 T10 MOSFET：结构紧凑、坚固耐用安森美专为汽车应用中高效电源解决方案设计了紧凑型 2x2 mm 尺寸、 30-60V Power 22 MOSFET。 Power 33 T10 MOSFET：高密度封装这些40-80V MOSFET采用3x3毫米高密度封装，凭借PowerTrench技术提升效率并减少损耗。

汽车电子

安森美 . 2025-02-26 3 2 1335