新能源汽车高压电气系统正掀起“升压”热潮，800V乃至1000V平台逐渐成为主流趋势，在这个追求高功率密度和极致效率的竞技场上，SiC功率器件正大放异彩，逐渐取代Si。

  
但SiC有个特点：它需要更高驱动电压，才能把“内阻”降到最低，发挥真正实力。同时，关断时它还需要一点“反向推力”——即负压关断，否则在那些快如闪电的电压变化瞬间（高dv/dt），它可能一个“激灵”就给自己导通了！

  
不仅如此，系统里那些可预见或突如其来的“噪声刺客”，冷不丁也会给驱动芯片施加额外的电压压力。面对如此“高压”挑战，驱动芯片需得扛得住更高的正负电压冲击，成为守护系统的可靠“护法”。

  
荣湃半导体推出的新产品——Pai8236系列双通道隔离驱动芯片， 它的亮点之一，就是能稳稳驾驭高达40V的驱动电压！有了它，SiC可以尽情施展拳脚，系统也能在高压环境中稳如泰山。

Pai8236产品系列提供多款特色子系列满足不同需求：

• S系列：擅长“分兵作战”，提供分离输出能力，给予设计者更灵活的布局自由。  
• M系列：配备了“防误动保险”——集成米勒钳位功能，专门用来抑制由米勒电容引起的误导通风险，提升系统鲁棒性。
• N系列：是处理“负压”的专家。它非常灵活，既支持外部负压输入，也内置了多种负压选项（-2V, -3V, -4V, -5V），就像它的“兄弟”单通道驱动Pai8216一样，让负压配置变得简单可靠。

如图1，三种系列的引脚定义图。

  
Pai8236逻辑侧集成固定死区配置(DT)，全局使能(DISABLE)。关键电气参数如表1所示。

Pai8236系列选型表：