产品 | 极端高温催生技术革命：SiC器件为空调注入极端工况“免疫力”
“ 今年夏季，全国范围内的极端高温（多地突破40℃）不仅点燃了空调消费热潮，更引发了一波前所未有的“罢工”危机。京东数据显示，7月以来空调维修订单同比暴涨10倍，北京、重庆等高温地区维修需求甚至激增300%，平均等待时长超48小时。 这场“维修潮”暴露出传统空调压缩机在极端工况下的可靠性短板——硅基IGBT器件损耗高、耐高温性不足，导致压缩机频繁过载停机。在此背景下，碳化硅（SiC）功率
爱仕特
深圳爱仕特科技有限公司 . 昨天 2 1820
产品 | Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性
这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装，提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离。
Vishay
Vishay . 2025-07-31 1070
企业 | 英飞凌对马来西亚增资508亿建200mm SiC工厂
7月28日，德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon）宣布，将在马来西亚额外投资300亿令吉（约508亿RMB），在吉打居林高科技工业园兴建全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂。 这一举动进一步巩固大马作为全球半导体制造重镇的地位的同时，也为本地带来了1500个高薪职位。 马来西亚投资、贸易及工业部长拿督斯里东姑扎夫鲁指出，这项潜在投资是首相拿督斯里安华于访德期间，在与英飞凌科技高
英飞凌
芯查查资讯 . 2025-07-30 785
企业 | 安森美和舍弗勒扩大合作，推出基于EliteSiC的新型插电式混合动力汽车平台
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布扩大与领先的驱动技术公司舍弗勒（Schaeffler）合作，双方在一项新的设计中标项目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC 产品系列 。安森美的解决方案将整合进舍弗勒的主驱逆变器，用于一家全球领先汽车制造商的先进插电式混合动力电动汽车（PHEV）平台。 安森美的 EliteSiC 技术具有显著降低的导通损耗和卓越的抗短
安森美
安森美 . 2025-07-28 1 825
展会 | 九月锁定上海：宽禁带风暴来袭，PCIM Asia上海展定义零碳“芯”速度
当 800 V 超充、AI 服务器液冷 PSU、氢燃料电池 DCDC、磁悬浮列车成为关键词，您需要的不仅是一场展览，而是一张“零碳时代的电力电子全景地图”。PCIM Asia Shanghai 2025 以 25,000 ㎡ 实体展 + 全链路同期活动，把“材料—器件—系统—场景—人才”一次览尽。 9月24-26日，上海新国际博览中心，PCIM Asia Shanghai 2025将再次集结 26
展会
PCIM电力电子新世代 . 2025-07-21 2 880
产品 | Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管，扩展宽禁带产品组合，赋能大功率基础设施
PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计，可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。
SiC
安世半导体 . 2025-07-11 1255
产品 | 纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
NSI6602MxEx系列提供六种型号可选，具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格，灵活适配多种应用场景。
隔离半桥驱动
纳芯微电子 . 2025-07-11 850
技术 | Wolfspeed 1700V MOSFET 技术，助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本
Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的设计能力。
碳化硅MOSFET
Wolfspeed . 2025-07-03 1 1090
技术 | 基于SiC的熔丝保护高压电气系统
基于SiC的电子熔丝（E-Fuse）具有多项系统级优势，不仅比传统解决方案更有效地保护线路和负载，还能简化系统设计以及保护、控制和传感的集成。
SiC
Microchip . 2025-07-02 1 800
SiC MOSFET并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。 然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导
ST
意法半导体工业电子 . 2025-06-27 880
企业 | Wolfspeed正式宣布破产重组
当地时间6月22日，全球最大的碳化硅衬底制造商Wolfspeed正式宣告破产，并公布了与主要债权人达成的《支持重组协议》相关内容。 Wolfspeed主要债权人包括：持有超过97% 高级担保票据的持有人；瑞萨电子株式会社的全资美国子公司；持有超过 67% 已发行可转换票据的可转换债券持有人。 Wolfspeed宣布破产，可能退市 Wolfspeed表示，重组计划已获得足够债权人的支持，
wolfspeed
芯查查资讯 . 2025-06-24 1500
产品 | 荣湃发布支持40V驱动电压的双通道隔离驱动产品系列
新能源汽车高压电气系统正掀起“升压”热潮，800V乃至1000V平台逐渐成为主流趋势，在这个追求高功率密度和极致效率的竞技场上，SiC功率器件正大放异彩，逐渐取代Si。 但SiC有个特点：它需要更高驱动电压，才能把“内阻”降到最低，发挥真正实力。同时，关断时它还需要一点“反向推力”——即负压关断，否则在那些快如闪电的电压变化瞬间（高dv/dt），它可能一个“激灵”就给自己导通了！ 不仅
荣湃
荣湃半导体 . 2025-06-06 1 1210
IC 品牌故事 | Wolfspeed：从LED到SiC，被中国厂商围追堵截的巨头
Wolfspeed 是一家专注于碳化硅 （SiC）和 氮化镓 （GaN）等宽禁带半导体材料及器件研发和制造的企业，成立于1987年，最初是 Cree公司 旗下的一个业务部门，主要从事 LED照明 和第三代化合物半导体业务。2017年，Cree更名为Wolfspeed，专注于第三代半导体的纯垂直整合制造。作为曾经的全球霸主，Wolfspeed曾是全球最大的SiC基板制造商之一，2024年占据全球S
SiC
芯查查资讯 . 2025-06-03 1 4 6110
企业 | 长飞先进碳化硅晶圆量产通线，年底月产能达3500片
5月28日，长飞先进武汉基地一期已实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆成功下线。 据悉，长飞先进武汉基地项目总投资200亿、占地面积498亩，其中一期占地344亩，达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力。 长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，基地最新下线的6英寸碳化硅晶圆的主要应用场景是新能源汽车的主驱，“已通过车规可靠性标准认证，首批良率达到
SiC
科创板日报 . 2025-05-30 3 1 3090
方案 | 爱仕特SiC三电平方案：突破工商储能PCS高效极限
在全球能源转型与“双碳”战略驱动下，工商业储能系统对储能变流器（PCS）的效率、功率密度和可靠性需求显著提升。传统硅基IGBT因开关损耗高、高温性能不足，难以适配高频化、高功率化的储能场景。碳化硅（SiC）器件凭借宽禁带材料的先天优势，成为技术破局的关键。 工商业储能PCS：能源变革的核心枢纽 能源转型驱动储能爆发 • 全球碳中和目标推动可再生能源占比飙升（2025年预计达38%），其间歇性
爱仕特
深圳爱仕特科技有限公司 . 2025-05-30 2 4 1935
企业 | 瑞萨放弃SiC计划
据日经亚洲报道，瑞萨电子已放弃进军SiC市场的计划，该公司原定于今年开始生产SiC。 此举可能源于Wolfspeed的预期破产——该公司原本是瑞萨电子的碳化硅晶圆供应商。2023年瑞萨曾向Wolfspeed支付20亿美元预付款以确保十年碳化硅晶圆供应，如今这笔资金恐难追回。 随着电动汽车销售放缓，碳化硅芯片需求减弱，而中国芯片企业又大幅提升碳化硅器件产量并压低价格。与此同时，在政策导向影响
瑞萨
芯查查资讯 . 2025-05-30 1 1385
企业 | Wolfspeed高层大调整与财务重组
近期，全球碳化硅（SiC）技术领导者#Wolfspeed 正经历一场全面的领导层重塑与财务结构优化，以应对当前的挑战并为未来的发展奠定基础。 5月23日，Wolfspeed宣布了一项最新人事任命，公司正式任命行业资深人士David Emerson博士为新设立的执行副总裁兼首席运营官（COO）一职，Emerson博士的职责将涵盖监督Wolfspeed的全球运营、供应链及质量部门。 图片来源：W
Wolfspeed
集邦化合物半导体 . 2025-05-27 1 1685
企业 | Wolfspeed将申请破产
《华尔街日报》周二援引知情人士的话报道，半导体供应商 Wolfspeed 正准备在几周内申请破产，因为它正努力解决其巨额债务问题。 该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。 Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性。 报道称，在拒绝了债权人提出的几项庭外债务重组提议后，该公司正寻求申请第 11 章破产保护，这将获得大多数债权人的支持。 当路透
Wolfspeed
芯视点 . 2025-05-21 1675
产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。 四款新器件是首批采用小型表贴DFN
东芝
东芝半导体 . 2025-05-21 1045
产品 | 罗姆SiC功率器件指南请收好
近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。 新品直击 针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-05-14 1700
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