产品 | 高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-04-30 1 1 765
技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以 Cascode 配置结合在一起，构造出一
安森美
安森美 . 2025-04-02 1 1005
企业 | Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产
碳化硅 (SiC) 芯片厂 Wolfspeed在3月28日股价暴跌约52%，跌至自1998年以来新低，这一剧烈跌幅发生在该公司任命新CEO后的第二天。 投资人对该公司未来的资金流入感到担忧，特别是仍在等待美国《芯片法案》约7.5亿美元补助资金，而资金面临被撤回的风险，进一步加剧市场的悲观情绪。 Wolfspeed正在努力与投资者达成协议，为明年到期的5.75亿美元可转换债券进行再融资。
wolfspeed
芯查查资讯 . 2025-03-31 790
产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片 助力全球最强超级e平台
在3月17日的超级e平台技术发布会上，比亚迪发布了划时代超级e平台，推出闪充电池、3万转电机和全新一代车规级碳化硅功率芯片，核心三电全维升级，搭配全球首个电动车全域千伏架构，刷新多项全球之最。 “超级e平台技术”，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，该系统将电池、电机、电源、空调等都做到了“千伏级”承载能力，以超高电压1000V、超大电流1000A 、超大功率1000kW ，实现兆瓦
比亚迪
比亚迪半导体 . 2025-03-24 680
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。 这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴
SiC
瞻芯电子 . 2025-03-11 1 1080
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
通过一个多月的在轨加电试验，碳化硅（SiC）载荷测试数据正常，成功进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨试验与应用验证，在电源系统中静态、动态参数均符合预期。
SiC
新华社 . 2025-02-05 900
从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图
在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经济发展，旨在实现《巴黎协定》设定的温升控制目标。在此趋势下，高效、环保的电源技术成为了行业发展的关键方向。 作为全球领先的高能效电源管理解决方案提供商，安森美（onsemi）就不断推出创新产品，致力于加速电源技术的绿色变革。从最新的碳化硅（SiC）技术到集成度更高的电源
安森美
安森美 . 2025-01-15 1060
暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售
据了解，美国芯片制造商 Wolfspeed 已将其位于达拉斯郊外的德克萨斯州工厂挂牌出售。 该数据中心位于农民布兰奇，通过Loopnet挂牌出售，价格不详，包含四栋建筑，包括一个 14MW 的数据中心设施。 该数据中心位于 14465 Maxim Drive 的 G 楼，可扩展至 28MW，占地 4,700 平方英尺（436 平方米），设施面积为 35,826 平方英尺（3,328 平
SiC
芯查查资讯 . 2025-01-15 2.2w
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
与传统机械断开开关相比，固态断开开关之所以具有系统级优势，关键在于碳化硅和功率半导体封装的优势。得益于碳化硅技术，器件现在能够兼具较低的导通电阻和热阻，从而实现许多系统中所需的低导通损耗，同时还可以采用保证高可靠性的材料。
SiC
Microchip . 2025-01-08 2 3 1100
平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进
随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiC MOSFET技术的进
安森美
安森美 . 2024-12-26 1630
ST工业市场将聚焦自动化、电源与能源以及电机控制三大领域
本次峰会不仅展示了工业市场的技术创新和进步，也展示了ST通过建设完整的生态系统，给工业市场客户提供全面的开发支持，降低开发难度，简化产品设计，帮助开发者集中精力将可持续创新成果推向市场。
工业控制
芯查查资讯 . 2024-12-03 2 1630
支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ 与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。
罗姆
罗姆半导体集团 . 2024-11-20 1 1115
汽车制造商和供应商的功率半导体考虑因素
功率半导体行业正在经历一场革命，设备供应商竞相利用尖端技术来应对新的应用，这既带来了巨大的挑战，也带来了令人兴奋的机遇。其中最重要的是电动汽车，有效利用功率半导体可以增加续航里程、减小动力系统的尺寸和重量、缩短充电时间并降低电池成本。 目前，汽车制造商（OEM）和那些希望在其自身快速发展的行业中摸索前进的各级厂商有多种多样的解决方案。功率半导体可按其制造材料大致分类，每种材料都有优点和缺点。
汽车电子
Omdia . 2024-11-19 780
Microchip、wolfspeed 双双换帅！
近日，Wolfspeed公司的总裁兼首席执行官格雷格·洛（Gregg Lowe）计划在本月末辞去他的所有职务，包括在董事会中的席位。与此同时，为确保公司运营的平稳过渡，现任董事长托马斯·沃纳（Thomas Werner）将临时接过执行董事长一职，并负责领导团队直至找到合适的新任首席执行官人选。 格雷格·洛自2017年加入Wolfspeed（前身为Cree公司）以来，一直致力于推动公司向纯碳化硅
Microchip
芯查查资讯 . 2024-11-19 1230
国产SiC在汽车主驱上的替代已经起步
目前国内SiC产业链日趋完善，国内企业从材料到辅材、衬底、外延、加工设备，包括设计、代工基本都有覆盖。每个细分行业都有典型的代表企业，技术水平也跟国际头部厂商的差距不大。
SiC
芯查查资讯 . 2024-11-18 2740
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。 散热 功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件
工业电子
英飞凌工业半导体 . 2024-10-22 2245
高功率SiC模块助力实现可持续轨道交通
与电动汽车不同的是，电力机车已被广泛使用了一百多年。然而，全球范围内的轨道交通电气化转型仍然方兴未艾，不同国家和地区的轨道交通电气化率存在着很大的差异。
SiC
英飞凌官微 . 2024-09-26 3770
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构。
SiC
东芝 . 2024-09-25 2245
电动压缩机设计-SiC模块篇
尽管SiC MOSFET在电动压缩机应用中存在一些挑战，但通过合理的设计和技术选择，可以有效地提高驱动频率、降低系统噪声并提高效率，最终有助于增加电动汽车的续航里程。
SiC MOSFET
安森美 . 2024-09-25 2380
功率电子产业：面临产能快速扩张
截至 2029 年，功率电子市场总额将达到 357 亿美元。功率电子供应链经历了产能快速扩张的阶段，特别是 SiC 和硅器件，以及 SiC 晶圆的制造。功率电子供应链将进入整合期，推动技术创新、降价和新的战略。
功率器件
Yole Group . 2024-09-19 1 3200
- 1
- 2
- 3
- 4