SiC MOSFET并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。 然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导
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意法半导体工业电子 . 2025-06-27 360
企业 | Wolfspeed正式宣布破产重组
当地时间6月22日，全球最大的碳化硅衬底制造商Wolfspeed正式宣告破产，并公布了与主要债权人达成的《支持重组协议》相关内容。 Wolfspeed主要债权人包括：持有超过97% 高级担保票据的持有人；瑞萨电子株式会社的全资美国子公司；持有超过 67% 已发行可转换票据的可转换债券持有人。 Wolfspeed宣布破产，可能退市 Wolfspeed表示，重组计划已获得足够债权人的支持，
wolfspeed
芯查查资讯 . 2025-06-24 755
产品 | 荣湃发布支持40V驱动电压的双通道隔离驱动产品系列
新能源汽车高压电气系统正掀起“升压”热潮，800V乃至1000V平台逐渐成为主流趋势，在这个追求高功率密度和极致效率的竞技场上，SiC功率器件正大放异彩，逐渐取代Si。 但SiC有个特点：它需要更高驱动电压，才能把“内阻”降到最低，发挥真正实力。同时，关断时它还需要一点“反向推力”——即负压关断，否则在那些快如闪电的电压变化瞬间（高dv/dt），它可能一个“激灵”就给自己导通了！ 不仅
荣湃
荣湃半导体 . 2025-06-06 1 915
IC 品牌故事 | Wolfspeed：从LED到SiC，被中国厂商围追堵截的巨头
Wolfspeed 是一家专注于碳化硅 （SiC）和 氮化镓 （GaN）等宽禁带半导体材料及器件研发和制造的企业，成立于1987年，最初是 Cree公司 旗下的一个业务部门，主要从事 LED照明 和第三代化合物半导体业务。2017年，Cree更名为Wolfspeed，专注于第三代半导体的纯垂直整合制造。作为曾经的全球霸主，Wolfspeed曾是全球最大的SiC基板制造商之一，2024年占据全球S
SiC
芯查查资讯 . 2025-06-03 1 4 3990
企业 | 长飞先进碳化硅晶圆量产通线，年底月产能达3500片
5月28日，长飞先进武汉基地一期已实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆成功下线。 据悉，长飞先进武汉基地项目总投资200亿、占地面积498亩，其中一期占地344亩，达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力。 长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，基地最新下线的6英寸碳化硅晶圆的主要应用场景是新能源汽车的主驱，“已通过车规可靠性标准认证，首批良率达到
SiC
科创板日报 . 2025-05-30 3 1 1425
方案 | 爱仕特SiC三电平方案：突破工商储能PCS高效极限
在全球能源转型与“双碳”战略驱动下，工商业储能系统对储能变流器（PCS）的效率、功率密度和可靠性需求显著提升。传统硅基IGBT因开关损耗高、高温性能不足，难以适配高频化、高功率化的储能场景。碳化硅（SiC）器件凭借宽禁带材料的先天优势，成为技术破局的关键。 工商业储能PCS：能源变革的核心枢纽 能源转型驱动储能爆发 • 全球碳中和目标推动可再生能源占比飙升（2025年预计达38%），其间歇性
爱仕特
深圳爱仕特科技有限公司 . 2025-05-30 1 1 1270
企业 | 瑞萨放弃SiC计划
据日经亚洲报道，瑞萨电子已放弃进军SiC市场的计划，该公司原定于今年开始生产SiC。 此举可能源于Wolfspeed的预期破产——该公司原本是瑞萨电子的碳化硅晶圆供应商。2023年瑞萨曾向Wolfspeed支付20亿美元预付款以确保十年碳化硅晶圆供应，如今这笔资金恐难追回。 随着电动汽车销售放缓，碳化硅芯片需求减弱，而中国芯片企业又大幅提升碳化硅器件产量并压低价格。与此同时，在政策导向影响
瑞萨
芯查查资讯 . 2025-05-30 1 1000
企业 | Wolfspeed高层大调整与财务重组
近期，全球碳化硅（SiC）技术领导者#Wolfspeed 正经历一场全面的领导层重塑与财务结构优化，以应对当前的挑战并为未来的发展奠定基础。 5月23日，Wolfspeed宣布了一项最新人事任命，公司正式任命行业资深人士David Emerson博士为新设立的执行副总裁兼首席运营官（COO）一职，Emerson博士的职责将涵盖监督Wolfspeed的全球运营、供应链及质量部门。 图片来源：W
Wolfspeed
集邦化合物半导体 . 2025-05-27 1 1185
企业 | Wolfspeed将申请破产
《华尔街日报》周二援引知情人士的话报道，半导体供应商 Wolfspeed 正准备在几周内申请破产，因为它正努力解决其巨额债务问题。 该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。 Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性。 报道称，在拒绝了债权人提出的几项庭外债务重组提议后，该公司正寻求申请第 11 章破产保护，这将获得大多数债权人的支持。 当路透
Wolfspeed
芯视点 . 2025-05-21 1260
产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。 四款新器件是首批采用小型表贴DFN
东芝
东芝半导体 . 2025-05-21 765
产品 | 罗姆SiC功率器件指南请收好
近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。 新品直击 针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-05-14 1390
产品 | 意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能
STGAP4S具有高集成度、电隔离和诊断功能
ST
芯查查资讯 . 2025-05-13 1040
产品 | 高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-04-30 1 1 1240
技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以 Cascode 配置结合在一起，构造出一
安森美
安森美 . 2025-04-02 1 2105
企业 | Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产
碳化硅 (SiC) 芯片厂 Wolfspeed在3月28日股价暴跌约52%，跌至自1998年以来新低，这一剧烈跌幅发生在该公司任命新CEO后的第二天。 投资人对该公司未来的资金流入感到担忧，特别是仍在等待美国《芯片法案》约7.5亿美元补助资金，而资金面临被撤回的风险，进一步加剧市场的悲观情绪。 Wolfspeed正在努力与投资者达成协议，为明年到期的5.75亿美元可转换债券进行再融资。
wolfspeed
芯查查资讯 . 2025-03-31 1290
产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片 助力全球最强超级e平台
在3月17日的超级e平台技术发布会上，比亚迪发布了划时代超级e平台，推出闪充电池、3万转电机和全新一代车规级碳化硅功率芯片，核心三电全维升级，搭配全球首个电动车全域千伏架构，刷新多项全球之最。 “超级e平台技术”，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，该系统将电池、电机、电源、空调等都做到了“千伏级”承载能力，以超高电压1000V、超大电流1000A 、超大功率1000kW ，实现兆瓦
比亚迪
比亚迪半导体 . 2025-03-24 1250
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。 这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴
SiC
瞻芯电子 . 2025-03-11 1 1535
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
通过一个多月的在轨加电试验，碳化硅（SiC）载荷测试数据正常，成功进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨试验与应用验证，在电源系统中静态、动态参数均符合预期。
SiC
新华社 . 2025-02-05 1110
从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图
在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经济发展，旨在实现《巴黎协定》设定的温升控制目标。在此趋势下，高效、环保的电源技术成为了行业发展的关键方向。 作为全球领先的高能效电源管理解决方案提供商，安森美（onsemi）就不断推出创新产品，致力于加速电源技术的绿色变革。从最新的碳化硅（SiC）技术到集成度更高的电源
安森美
安森美 . 2025-01-15 1470
暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售
据了解，美国芯片制造商 Wolfspeed 已将其位于达拉斯郊外的德克萨斯州工厂挂牌出售。 该数据中心位于农民布兰奇，通过Loopnet挂牌出售，价格不详，包含四栋建筑，包括一个 14MW 的数据中心设施。 该数据中心位于 14465 Maxim Drive 的 G 楼，可扩展至 28MW，占地 4,700 平方英尺（436 平方米），设施面积为 35,826 平方英尺（3,328 平
SiC
芯查查资讯 . 2025-01-15 2.3w
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