Wolfspeed ‌是一家专注于碳化硅 （SiC）和 氮化镓 （GaN）等宽禁带半导体材料及器件研发和制造的企业，成立于1987年，最初是 Cree公司 旗下的一个业务部门，主要从事 LED照明 和第三代化合物半导体业务。2017年，Cree更名为Wolfspeed，专注于第三代半导体的纯垂直整合制造。作为曾经的全球霸主，Wolfspeed曾是全球最大的SiC基板制造商之一，2024年占据全球SiC衬底市场的33.7%份额。然而，由于激烈的市场竞争和疲软的需求，尤其是电动汽车需求弱化和工业市场增长放缓影响，该公司营收面临挑战。在2025财年第三季度（截至2025年3月30日），公司营收为1.85亿美元，低于上一季度的2.01亿美元。Wolfspeed甚至下调了2026财年的营收预测至8.5亿美元（约61.35亿元人民币），低于分析师预期的9.587亿美元（约69.19亿元人民币）。
 

2025年5月21日，这家曾掌握全球60%SiC衬底市场的行业先驱，股价单日暴跌57%，市值蒸发超10亿美元。三天后，它正式提交破产保护申请，四十年技术帝国轰然倒塌。这家企业如何从全球巨头陨落至此？芯查查与您一探究竟。

起源：快餐店里诞生的SiC先锋

故事要从1878年说起。
 

在北卡罗纳州立大学里，Bob Davis实验室团队在一次实验中发现SiC的独特价值。他们研究如何使半导体在更高温度和功率下工作时，发现SiC的禁带宽度是硅的3倍，击穿电场强度达硅的10倍。这些特性让器件能在高温高压下稳定工作、能量损耗大幅降低、拥有高击穿场强等优点。于是，他们设计了一种在实验室生长SiC晶体的方法，并在公司成立后将SiC的技术推广开来。
 

此时，有人看到了SiC未来的商业潜力。Bob Davis实验室团队的一员Eric Hunter和自家兄弟Neal Hunter 、自家老爹Charles Cree Hunter，三人在北卡罗纳州立大学旁的一家快餐店里决定成立一家专门研究SiC的公司——Cree，这便是日后SiC（SiC）霸主Wolfspeed的前身。为了拿到北卡罗纳州立大学有关SiC 的研究成果，他们刷爆信用卡，抵押房产，得到了2.5万美元用于公司的创立和初始运营。
 

拿到了独家技术授权后，Bob Davis实验室团队有成员陆续加入Cree。人、财俱全后，Cree竭尽全力赚取他们的第一桶金，他们选择了蓝光 LED领域。
 

1989年8月，Cree推出全球首款采用间接带隙半导体SiC制成的商用蓝光LED，并在20世纪90年代成为全球最大蓝光LED芯片制造商。虽然这种蓝光LED发光效率不足0.03%（2006年CREE推出的XLamp XR-E LED刷新了当时的照明级亮度纪录），但和当时的竞争对手西门子和三洋的LED产品相比，已经拥有了不小的突破。这款基于SiC的蓝光LED获得了住友超百万美元的订单，Cree至此在LED届站稳脚跟。
 

Wolfspeed业务前身的诞生发生在1991年——Cree推出全球首片商用SiC晶圆。随后它陆续推出首款600V、1200V、1700VSiC肖特基二极管，以及首款1200VSiCMOSFET，并将其发展成为公司主力业务之一。
 

1992年，Cree公司的联合创始人John Palmour在SiC衬底MOS电容器专利的基础上，申请了一项具有里程碑意义的专利（US5506421A），该专利详细阐述了垂直沟槽栅极SiC MOSFET的设计方案。这些核心技术为Cree后续推出全球首款SiC功率MOSFET奠定了重要基础。
 

凭借在SiC衬底蓝光LED领域的领先优势，Cree实现了快速发展，仅用不到六年时间就成功上市。1995年6月，公司开始布局第三代半导体材料——氮化镓（GaN），采用SiC作为衬底材料进行GaN外延生长。
 

此后十余年间，公司在SiC和GaN领域持续取得突破性进展。
 

1998年，Cree率先开发出基于SiC衬底的GaN HEMT器件，其GaN MMIC展示了创纪录的功率密度，不仅验证了GaN替代GaAs器件的可行性，更在功率密度方面展现出显著优势，可实现更高功率输出或更小芯片尺寸。
 

21世纪初，公司进一步拓展SiC射频和功率器件业务。2002年推出首款商用600V SiC JBS肖特基二极管，为开发高效节能电源奠定了基础；2011年又率先推出SiC MOSFET产品。
 

随着SiC技术的商业化成熟，Cree的LED照明业务也快速扩张，与西门子、大众汽车、日本信越、住友集团等国际企业建立了长期合作。1998年11月，公司宣布进军固态照明领域，产品线涵盖蓝光、紫外光、白光LED等。到21世纪初，Cree已跻身全球LED五大厂商之列，仅次于Nichia、Lumileds、Osram和Toyoda Gosei。
 

尽管已取得显著成就，这家以"SiC商业化"闻名的企业并未止步。2004年，Cree通过收购Advanced Technology Materials（ATMI）公司，获得了GaN衬底和外延业务，大幅提升了相关产能。
 

同时，公司注意到其主要客户如欧司朗、住友商社、首尔半导体等都在采购其LED芯片进行自主封装。为此，Cree决定向下游延伸，于2007年收购Cotco公司进入封装领域，并持续扩大封装产能。
 

总之，这些创新奠定了Cree在第三代半导体领域的技术护城河。2010年和2015年，当业界还在摸索时，Cree已分别展示出6英寸和8英寸SiC晶圆样品。

转型：LED风光不再，更名Wolfspeed

2016年7月，英飞凌宣布将以8.5亿美元的现金收购Cree旗下的Wolfspeed公司，最终收购告吹。原因是时任总统的川普政府声称是由于Wolfspeed公司生产的装置采用了具备军事用途的GaN，为了保护美国的国防工业技术，美国无法同意此次收购。美国外资投资委员会（CFIUS）也已告知英飞凌收购Wolfspeed功率与射频部门对美国国家安全构成了威胁。
 

2018年成为关键转折点。特斯拉Model 3首次在逆变器采用意法半导体的SiCMOSFET，让SiC站上新能源舞台中央。而Cree正是意法半导体的核心衬底供应商。
 

这一年3月，英飞凌和Cree“重续前缘”。Cree宣布以3.45亿欧收购英飞凌的射频功率业务。同时，Cree做出战略抉择：剥离占营收近三分之二的LED业务，全力押注SiC半导体。
 

为什么Cree要放弃老本行LED，转战第三代半导体？
 

其一，LED行业被国内厂商“打入白菜价”。由于LED制造环节趋向标准化和通用化，早期的核心发明专利脱离保护年限，Cree的技术和制造优势消失。此外，中国厂商以规模化和性价比的优势划破LED市场，以三安广电、华灿光电、京东方为代表的中国照明厂商迅速崛起，逐渐把LED照明变成了一个由中国厂商把持的红海市场。
 

其二，Cree在当时SiC、 GaN的技术和市场规模可谓一骑绝尘，SiC和GaN都被大规模应用到公司的LED芯片中。Cree在2004年收购ATMI，提高GaN衬底和外延的产能；2011年推出市场上第一个SiC MOSFET——CMF20120D；还有上文提及，Cree反收购英飞凌的射频功率业务。种种迹象表明从Cree从LED转型第三代半导体的决心。
 

Cree内部测算显示，电动车用SiC器件市场规模将在2025年达到30亿美元，年复合增长率超过50%。相比之下，LED市场增速已降至个位数。“我们确定将Wolfspeed作为未来主要增长驱动力。”时任CEO格雷格·罗尔在财报中宣布。2021年10月，公司正式更名为Wolfspeed，股票代码改为WOLF，寓意“像狼一样的领导力、智慧和坚韧”。
 

更名后的Wolfspeed构建了完整产业链（截至2021年底）：

1）功率产品，主要包括SiC MOSFET 及裸芯片、SiC肖特基二极管、功率模块以及栅极驱动板；

2）射频产品， 主要包括 28V、40V、50V 宽带应用场景的 GaN HEMT 器件以及适用于不同波段的碳化 硅基氮化镓和 LDMOS 功率晶体管的产品组合；

３）材料产品，主要包括SiC裸晶圆、 外延片以及SiC晶圆上的 GaN 外延层。此外，公司还提供射频代工服务。
 

此时的Wolfspeed如日中天，它掌握当时全球60%的SiC衬底产能，与英飞凌、瑞萨电子签订几十亿美元长期订单，与车企特斯拉、奔驰、捷豹、路虎达成合作，为其提供下一代电动汽车平台的SiC期间。美国政府也伸出橄榄枝，《芯片法案》承诺提供数十亿美元补贴，支持其纽约州SiC工厂扩建。
 

当然，就在今年的5月30日，瑞萨电子因为Wolfspeed 的供应问题，宣布放弃进军SiC市场，2023年大手笔签下的20亿美元预付款（SiC裸晶圆和外延片的 10 年供应承诺），如今这笔资金恐难追回。

扩张：雄心勃勃的战略反噬

自2015财年起，这家公司连续十年未能实现盈利。亏损如滚雪球般扩大：2018财年2.8亿美元，2023财年3.3亿美元，到2024财年净亏损飙升至8.64亿美元。

时至今日，Wolfspeed的债务高达约65亿美元，其中包括阿波罗全球管理公司持有的15亿美元优先担保贷款，年利息支出约8亿美元，现金储备仅13亿美元。
 

财务失控的背后是四重战略失误：

• 产能扩张的疯狂。 公司在纽约州莫霍克谷建造全球最大200mmSiC工厂，同时推进北卡罗来纳州材料工厂建设。其中，单条8英寸产线投资超10亿美元，尤其是莫霍克谷工厂建厂时，斥资50亿美元，而该厂利用率在2024年底才刚过25%。激进的投资导致2021-2024财年wofspeed资本支出需求高达5.66亿美元/年。
• 良率陷阱 。2023财年，达勒姆6英寸工厂良率骤降，材料业务出货受阻。当管理层忙于救火时，8英寸产线又遭遇工艺瓶颈。
• 市场预判的偏差 。特斯拉2023年3月突然宣布“将SiC用量减少75%”，重创整个行业。欧美电动车市场增速放缓，许多欧美国家取消电动车补贴，导致消费成本增高，购车需求低迷，车企不得不推迟订单，Wolfspeed的晶圆产线空置率高，毛利率一降再降。
• 迟迟未到的补贴 。美国政策朝令夕改，《芯片法案》中的补贴和退税（原计划将退6亿美元）可能无法落实，对Wolfspeed的财务状况无疑是雪上加霜。

梅开二度：继LED后，来自中国厂商的第二轮追赶

在Wolfspeed紧盯欧美电动车市场的时候，中国电动车市场、光伏以超速规模扩张，给了中国第三代半导体厂商巨大的市场机会。

  
中商产业研究院数据显示，2023年中国SiC外延片整体市场规模已达到约16.24亿元，至2026年中国SiC外延片市场规模有望上升至107亿元。

  
技术和成本方面，2024年，中国厂商TanKeBlue（天科合达）、SICC（天岳先进）、长飞先进等近年来发展迅速，前两者分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。其中， 

• 天岳先进在8英寸晶圆市场中占据领先地位，其在2024年年底首发全球12英寸SiC衬底，6英寸晶圆价格从1000美元砍至400美元，接近硅基器件成本； 
• 天科合达的8英寸衬底良率突破80%，此时Wolfspeed还受困于6英寸的良率问题；
• 长飞先进5月底刚刚宣布正式投产SiC晶圆，成为目前国内规模最大的SiC半导体基地。

从价格和技术层面，中国厂商在第三代半导体中卷出新高度。

  
下游应用方面，中国新能源汽车市场一路高歌猛进，比亚迪、蔚来、小鹏等车企加速SiC器件导入；光伏逆变器领域国产化SiC器件占比逐年提升，占据领先优势。

国内第三代半导体产业正在从“春秋时代”进入“战国时代”，竞争一定会激烈，这也是产业成熟化的必由之路。市场博弈的焦点会是技术领先性、技术创新能力、规模大小、性价比。

重组：2025年的破产与自救

2025财年第三财季，Wolfspeed营收同比下滑7%，仅为1.85亿美元，且未提供第四财季的业绩指引。此外，公司预计2026年营收为8.5亿美元，低于分析师预期的9.587亿美元。公司经调整后每股亏损为72美分，亏损幅度较去年进一步扩大。

2025年5月21日，债权人谈判破裂的消息传出，股价单日腰斩。三天后，创立38年的技术先驱正式申请破产保护。Wolfspeed负债约为65亿美元（约合人民币470亿元）。其中包括2026年5月到期的5.75亿美元（约合人民币41.5亿元）期末付款。该公司表示，截至3月31日，该公司持有现金为13亿美元（约合人民币93.8亿元），仍能维持目前经营。
 

需要强调的是，Wolfspeed 的破产清算（《美国破产法》中的chapter11）并非等同于企业倒闭，而是在破产保护下的业务重组，这是一种法律保护，帮助陷入财务困境的企业通过结构性调整，债务人可以在破产法院的监督下继续经营，寻求业务好转的可能。历史上也有在破产重组下涅槃重生的企业，如哥伦比亚航空集团（Avianca）、拉塔姆航空（LATAM）和墨西哥航空（AeroMéxico）在2020年新冠疫情期间申请Chapter 11破产保护，重组后，通过自身努力，最终让企业焕发出第二条生命线。
 

Wolfspeed也在积极进行自救。
 

Wolfspeed正在与债权人进行多轮谈判，试图通过债务重组来缓解财务压力。次级债权人机构已向Wolfspeed提交了一份提案，计划提供约6亿美元用于2026年到期的可转换债券再融资，并注入新的营运资金。同时，wofspeed关闭北卡罗来纳州达勒姆150mm工厂，裁员20%，整合设施。
 

结语

2030年全球碳化硅衬底市场规模将达到24亿美元，而中国企业正以惊人的速度抢占技术制高点。在厦门士兰微的工厂里，机械臂精准抓取着8英寸SiC晶圆；而远在北卡罗来纳州，那座以创始人命名的John Palmour超级工厂，正等待破产重组后的新生。

  
产业迭代的巨轮从未停歇，只是这一次，创新的火炬正在地球另一侧燃起更明亮的火焰。

Tips

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