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  • 企业 | 瑞萨放弃SiC计划

    企业 | 瑞萨放弃SiC计划

    据日经亚洲报道，瑞萨电子已放弃进军SiC市场的计划，该公司原定于今年开始生产SiC。   此举可能源于Wolfspeed的预期破产——该公司原本是瑞萨电子的碳化硅晶圆供应商。2023年瑞萨曾向Wolfspeed支付20亿美元预付款以确保十年碳化硅晶圆供应，如今这笔资金恐难追回。   随着电动汽车销售放缓，碳化硅芯片需求减弱，而中国芯片企业又大幅提升碳化硅器件产量并压低价格。与此同时，在政策导向影响

    瑞萨

    芯查查资讯 . 2025-05-30 1 1580

  • 企业 | Wolfspeed高层大调整与财务重组

    企业 | Wolfspeed高层大调整与财务重组

    近期，全球碳化硅（SiC）技术领导者#Wolfspeed 正经历一场全面的领导层重塑与财务结构优化，以应对当前的挑战并为未来的发展奠定基础。    5月23日，Wolfspeed宣布了一项最新人事任命，公司正式任命行业资深人士David Emerson博士为新设立的执行副总裁兼首席运营官（COO）一职，Emerson博士的职责将涵盖监督Wolfspeed的全球运营、供应链及质量部门。 图片来源：W

    Wolfspeed

    集邦化合物半导体 . 2025-05-27 1 2105

  • 企业 | Wolfspeed将申请破产

    企业 | Wolfspeed将申请破产

    《华尔街日报》周二援引知情人士的话报道，半导体供应商 Wolfspeed 正准备在几周内申请破产，因为它正努力解决其巨额债务问题。    该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。   Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性。    报道称，在拒绝了债权人提出的几项庭外债务重组提议后，该公司正寻求申请第 11 章破产保护，这将获得大多数债权人的支持。    当路透

    Wolfspeed

    芯视点 . 2025-05-21 2140

  • 产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

    产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。 四款新器件是首批采用小型表贴DFN

    东芝

    东芝半导体 . 2025-05-21 1340

  • 产品 | 罗姆SiC功率器件指南请收好

    产品 | 罗姆SiC功率器件指南请收好

    近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。    新品直击 针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1

    罗姆

    罗姆半导体集团 . 2025-05-14 2105

  • 产品 | 高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

    产品 | 高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

      全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电

    罗姆

    罗姆半导体集团 . 2025-04-30 1 1 1785

  • 技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性

    技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性

    碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以  Cascode 配置结合在一起，构造出一

    安森美

    安森美 . 2025-04-02 1 4280

  • 企业 | Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产

    企业 | Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产

    碳化硅 (SiC) 芯片厂 Wolfspeed在3月28日股价暴跌约52%，跌至自1998年以来新低，这一剧烈跌幅发生在该公司任命新CEO后的第二天。    投资人对该公司未来的资金流入感到担忧，特别是仍在等待美国《芯片法案》约7.5亿美元补助资金，而资金面临被撤回的风险，进一步加剧市场的悲观情绪。    Wolfspeed正在努力与投资者达成协议，为明年到期的5.75亿美元可转换债券进行再融资。

    wolfspeed

    芯查查资讯 . 2025-03-31 1740

  • 产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片 助力全球最强超级e平台

    产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片 助力全球最强超级e平台

    在3月17日的超级e平台技术发布会上，比亚迪发布了划时代超级e平台，推出闪充电池、3万转电机和全新一代车规级碳化硅功率芯片，核心三电全维升级，搭配全球首个电动车全域千伏架构，刷新多项全球之最。    “超级e平台技术”，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，该系统将电池、电机、电源、空调等都做到了“千伏级”承载能力，以超高电压1000V、超大电流1000A 、超大功率1000kW ，实现兆瓦

    比亚迪

    比亚迪半导体 . 2025-03-24 3610

  • 产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用

    产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用

    瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。  这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy  1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴

    SiC

    瞻芯电子 . 2025-03-11 1 2135

  • 我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

    我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

    通过一个多月的在轨加电试验，碳化硅（SiC）载荷测试数据正常，成功进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨试验与应用验证，在电源系统中静态、动态参数均符合预期。

    SiC

    新华社 . 2025-02-05 1415

  • 从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图

    从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图

    在全球气候变化日益严峻的背景下，节能减排已成为国际社会共同面临的重大课题。各国政府纷纷出台政策，推动能源结构转型和低碳经济发展，旨在实现《巴黎协定》设定的温升控制目标。在此趋势下，高效、环保的电源技术成为了行业发展的关键方向。      作为全球领先的高能效电源管理解决方案提供商，安森美（onsemi）就不断推出创新产品，致力于加速电源技术的绿色变革。从最新的碳化硅（SiC）技术到集成度更高的电源

    安森美

    安森美 . 2025-01-15 2135

  • 暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售

    暴跌84.7%，Wolfspeed挂牌出售

    据了解，美国芯片制造商 Wolfspeed 已将其位于达拉斯郊外的德克萨斯州工厂挂牌出售。    该数据中心位于农民布兰奇，通过Loopnet挂牌出售，价格不详，包含四栋建筑，包括一个 14MW 的数据中心设施。    该数据中心位于 14465 Maxim Drive 的 G 楼，可扩展至 28MW，占地 4,700 平方英尺（436 平方米），设施面积为 35,826 平方英尺（3,328 平

    SiC

    芯查查资讯 . 2025-01-15 2.3w

  • 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项

    基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项

    与传统机械断开开关相比，固态断开开关之所以具有系统级优势，关键在于碳化硅和功率半导体封装的优势。得益于碳化硅技术，器件现在能够兼具较低的导通电阻和热阻，从而实现许多系统中所需的低导通损耗，同时还可以采用保证高可靠性的材料。

    SiC

    Microchip . 2025-01-08 2 3 1895

  • 平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进

    平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进

    随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench）MOSFET，部分原因是基于传统硅功率器件的经验，认为沟槽技术是实现最优功率密度的唯一途径。然而，在决定沟槽技术是否为当前合适选择之前，至关重要的是要考虑下一代SiC MOSFET技术的进

    安森美

    安森美 . 2024-12-26 3820

  • ST工业市场将聚焦自动化、电源与能源以及电机控制三大领域

    ST工业市场将聚焦自动化、电源与能源以及电机控制三大领域

    本次峰会不仅展示了工业市场的技术创新和进步，也展示了ST通过建设完整的生态系统，给工业市场客户提供全面的开发支持，降低开发难度，简化产品设计，帮助开发者集中精力将可持续创新成果推向市场。

    工业控制

    芯查查资讯 . 2024-12-03 2 2495

  • 支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

    支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

    采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ 与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。

    罗姆

    罗姆半导体集团 . 2024-11-20 1 1855

  • 汽车制造商和供应商的功率半导体考虑因素

    汽车制造商和供应商的功率半导体考虑因素

    功率半导体行业正在经历一场革命，设备供应商竞相利用尖端技术来应对新的应用，这既带来了巨大的挑战，也带来了令人兴奋的机遇。其中最重要的是电动汽车，有效利用功率半导体可以增加续航里程、减小动力系统的尺寸和重量、缩短充电时间并降低电池成本。    目前，汽车制造商（OEM）和那些希望在其自身快速发展的行业中摸索前进的各级厂商有多种多样的解决方案。功率半导体可按其制造材料大致分类，每种材料都有优点和缺点。

    汽车电子

    Omdia . 2024-11-19 1220

  • Microchip、wolfspeed 双双换帅！

    Microchip、wolfspeed 双双换帅！

    近日，Wolfspeed公司的总裁兼首席执行官格雷格·洛（Gregg Lowe）计划在本月末辞去他的所有职务，包括在董事会中的席位。与此同时，为确保公司运营的平稳过渡，现任董事长托马斯·沃纳（Thomas Werner）将临时接过执行董事长一职，并负责领导团队直至找到合适的新任首席执行官人选。   格雷格·洛自2017年加入Wolfspeed（前身为Cree公司）以来，一直致力于推动公司向纯碳化硅

    Microchip

    芯查查资讯 . 2024-11-19 2005

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