中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
应用：
- 服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
特性：
- 表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
- 东芝第3代SiC MOSFET
- 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）
器件型号 |
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封装 |
名称 |
TOLL |
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尺寸（mm） |
典型值 |
9.9×11.68×2.3 |
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绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
650 |
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栅极-源极电压VGSS（V） |
–10至25 |
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漏极电流（DC）ID（A） |
Tc＝25°C |
57 |
39 |
28 |
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电气特性 |
漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝18V |
典型值 |
27 |
48 |
83 |
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栅极阈值电压Vth（V） |
VDS＝10V |
3.0至5.0 |
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总栅极电荷Qg（nC） |
VGS＝18V |
典型值 |
65 |
41 |
28 |
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栅极-漏极电荷Qgd（nC） |
VGS＝18V |
典型值 |
10 |
6.2 |
3.9 |
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输入电容Ciss（pF） |
VDS＝400V |
典型值 |
2288 |
1362 |
873 |
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二极管正向电压VDSF（V） |
VGS＝–5V |
典型值 |
–1.35 |
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库存查询与购买 |
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注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。
[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET
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