第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
第 4 代 MOSFET 主要面向高功率汽车、工业和可再生能源系统，为碳化硅技术带来了新的范式。此类器件为产品开发的长期路线图提供了灵活的基础，包括应用优化的裸芯片、模块和分立式产品等。
碳化硅
Wolfspeed . 2025-02-19 1 990
意法半导体推出第四代碳化硅功率技术：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。
SiC MOSFET
意法半导体 . 2024-09-30 1 2 5535
电动压缩机设计-SiC模块篇
尽管SiC MOSFET在电动压缩机应用中存在一些挑战，但通过合理的设计和技术选择，可以有效地提高驱动频率、降低系统噪声并提高效率，最终有助于增加电动汽车的续航里程。
SiC MOSFET
安森美 . 2024-09-25 2400
VBsemi碳化硅 MOSFET 的短路保护应用方案
本文将深入探讨SiC MOSFET与Si IGBT的差异特性，详细描述并比较三种短路保护方法，并总结SiC MOSFET在短路保护方面的特殊需求。
微碧VBsemi
VBsemi微碧 . 2024-07-29 2825
罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
“在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 ” 从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的
罗姆
罗姆 . 2022-12-21 1511
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