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AI 算力 | 从增量采购到存量改造，AI算力卡为何突然火了？

重点内容速览： 1. 边缘 AI 算力卡需求大增的原因是什么？ 2. 从M.2到PCIe，边缘AI算力卡有哪些形态 3. 主要供应商及未来发展方向随着工业视觉、安防监控、多路视频分析、机器人自主导航、AI PC，以及边缘服务器等场景对本地AI推理需求的爆发式增长，边缘AI算力卡市场也开始升温。据市场调研机构Market Intelo测算，全球边缘AI算力卡的市场规模在2025年约为48亿美元，预计到2034年增长至252亿美元，复合年均增长率（CAGR）为22.4%。图：边缘AI算力卡2025年市场规模及未来预测（来源：Market Intelo，芯查查）边缘AI算力卡需求大增的原因是什么？从应用端来看，推动边缘AI算力市场规模增长的因素是多方面的，例如工业视觉需要在产线上做实时缺陷检测和多工位图像分析；安防监控正在从视觉采集转向本地结构化理解；机器人开始叠加感知、避障、定位与导航，以及语义理解等功能；AI PC和边缘服务器开始需要部署本地大模型、视觉语言模型和私有化推理任务等等。这些需求的共同点在于，他们都需要本地推理足够实时、稳定，且不能完全依赖云端完成计算。早期的边缘项目主要围绕图像分类、目标检测等视觉模型展开，但现在，厂商已经开始将生成式AI、本地小模型和VLM能力带到边缘设备上。因此，不需要系统重构的算力卡，自然就开始从小众方案变成了高频选择。表：边缘AI算力卡升温的核心驱动力（来源：芯查查）当然，最重要的推动因素应该是成本。边缘AI算力卡可以在现有系统架构的基础上，直接增加算力。对于很多工业客户来说，原有平台已经完成了主板设计、电源设计、EMC验证、温度测试、线束布局，以及软件适配。如果只是为了增加AI推理能力，就去更换主控SoC，重做主板，或者修改整机结构，不仅成本高、周期长，还会连带影响认证和量产计划。但如果能够以PCIe或者M.2形式插入现有系统，提升AI推理能力，他们将更愿意采用。再加上，AI推理一旦使用将会持续消耗词元（Token），这对用户来说是一笔不小的开支，如果能使用本地AI算力，将会节省一大笔开支。而且，本地推理的延迟低、隐私性好，带宽也更好保障。在这些核心驱动力的推动下，边缘AI算力卡市场开始越来越受到市场的关注。从M.2到PCIe，边缘AI算力卡有哪些形态？边缘AI算力卡并不是单一形态。当前市场上常见的产品大致可以分为M.2模组、PCIe加速卡、Mini PCIe加速卡，以及边缘SoM/SoC平台，以及更高功耗的边缘服务器卡。它们都服务于边缘推理，但系统设计逻辑并不一样。 M.2 模组更适合紧凑型设备。它的优势是体积小、功耗低、集成方便，适合工控机、AI PC、边缘终端、小型视觉盒子、机器人控制器等场景。很多 M.2 AI 模块采用 2242 或 2280 规格，通过 PCIe 通道与主机通信。这里需要区分一个概念：M.2 是物理形态，PCIe 是数据通道。也就是说，很多产品看起来是 M.2 卡，本质上仍然是通过 PCIe 与主机交换数据。 PCIe 卡则更适合吞吐量更高的边缘设备。比如边缘服务器、多路视频分析盒子、工业视觉工作站、园区安防服务器等场景，系统通常有更充足的空间、电源和散热条件，也需要同时处理更多路视频或更复杂模型。PCIe 卡的优势是扩展性更强、散热设计更充分，也更适合多卡部署或与服务器平台配合。表：边缘AI算力卡的四种形态及典型应用场景也就是说，M.2 模组强调的是嵌入式导入和低改造成本；PCIe 卡强调的是吞吐、扩展和持续运行；SoM/SoC 平台则更适合从整机设计阶段就规划 AI 能力。它们不是简单的高低端关系，而是面向不同系统边界的选择。从市场结构来看，据Market Intelo统计，PCIe算力卡在2025年占据了42.3%的最大份额；M.2卡占28.4%；Mini PCIe加速卡占21.3%。营收方面，亚太地区以38.2%的收入占比领先全球市场。这些数据说明，一是边缘算力卡的主要应用市场仍然是对吞吐量和扩展性要求更高的边缘主机与服务器，二是亚太地区因为制造业、消费电子、IoT和汽车供应链的密度更高，正在成为边缘AI基础设施部署最活跃的区域。主要供应商及未来发展方向边缘AI算力卡市场的升温，吸引了众多国内外厂商的积极布局，形成了一个多元化、竞争激烈的生态系统。从前面叙述可以知道，目前主流有两条路线，一是M.2模组和PCIe高算力卡。前者主打低功耗、易集成，后者主打更高吞吐和更大模型部署能力。表：边缘AI算力卡主要厂商与产品（来源：各公司官网，芯查查）这其中，后摩智能更强调“存算一体”和端边大模型，产品路线偏国产创新架构，适合对能效和本地推理能力要求高的场景。 Hailo、Axelera、DEEPX、MemryX更强调低功耗边缘推理或专用NPU能力，更偏国际化的边缘AI推理市场，通常以视觉识别、工业检测、智能摄像头为核心应用。 NVIDIA Jetson、SiMa.ai、Ambarella 等更偏平台型SoM、边缘视觉或完整软硬件平台；此外，国内还有地平线、寒武纪、沐曦、瑞芯微、算能、爱芯元智、黑芝麻智能、芯驰科技等不同路线的参与者，分别覆盖车载、工业视觉、边缘服务器、通用推理或智能终端市场。这里面值得一提的是，由于采用M.2卡或者PCIe算力卡的用户更多是旧机型的升级，这时候，如果原来的系统没有M.2和PCIe接口，或者原来的M.2和PCIe接口的驱动电流不足，直接连接会遇到问题。中电港萤火工场针对此问题，特别开发了转接板产品，方便企业直接采用。目前该转接板已经在其飞腾派Pro与后摩智能的力擎LQ50 M.2卡上调试通过了。有需求的企业或者工程师可以联系中电港萤火工场获取。从未来演进方向看，边缘AI算力卡至少会沿着三条路线继续发展。一是负载会继续升级，视觉推理不会消失，但本地NLP、VLM、生成式AI、小模型推理会越来越常见。二是形态会继续分层，PCIe仍然是高性能边缘节点的主力，M.2则会在AI PC和边缘终端中加快渗透。三是市场竞争会越来越偏向方案化，客户买的不是“最强芯片”，而是“最容易交付的AI加速方案”。结语边缘AI算力卡再次受到市场关注，是因为边缘 AI 开始进入真实交付阶段。对于大量工业、安防、机器人和边缘终端项目来说，客户真正需要的是在现有系统中以更低的成本获得本地推理能力。算力卡正好提供了这样一个折中的路径，它既保留了原有的主控和系统架构，又将 AI 推理任务交给了独立加速单元，从而降低了对云端的依赖、缩短了开发周期，并减少了项目交付风险。这也意味着边缘 AI 已经不再停留在展示模型效果的阶段，算力卡的价值也正从“加算力”，转向帮助客户更快完成场景落地。

原创

芯查查资讯 . 2026-07-13 1 1253
方案 | 全栈国产芯，适配新国标：国民技术移动电源合规一站式芯方案

2027年4月1日，《移动电源安全技术规范》GB47372-2026将强制实施。这是我国首部移动电源专用强制性国家标准，从电池安全、智能管理、全流程管控等方面大幅提升产品安全门槛。六大硬性门槛——强制两路独立防护、高精度电芯状态监测、全生命周期异常数据存储、产品唯一溯源加密、PD全协议快充管控、智能互联可视化——已将传统简易方案隔离在外，将推动市场规模约150亿元，年产量近3亿台的移动电源市场全面革新迭代，预计近七成现有供应商无法达标退出市场，贴牌产品面临出清，行业将从中低端无序竞争转向高质量集成制造。同时，优质电芯、BMS芯片、显示屏等硬件升级将推高制造成本，性价比产品趋于同质化，中高端产品的智能化差异将更为突出。国民技术依托高精度电量计、独立MCU、BLE SoC 、PD 协议等四大自研芯片产品，打造匹配移动电源新国标的全栈闭环方案，为移动电源厂商提供完整、合规落地路径。高精度电量计芯片精准匹配国标对电芯监测要求《移动电源安全技术规范》部分内容摘要新国标要求电池电压误差为±1%，电池温度70℃以内误差为±3℃，70℃以上误差为±6℃；支持循环老化析锂监测、过充 / 过流 / 高温多重硬件防护、故障数据长期存储。国民技术 NB401（2~4串）与 NB201（1~2串）系列专用电量计芯片，内置双路 16 位高精度 ADC，搭配自研历史数据追踪SOC 算法，常温计量误差仅 1%、全温≤3%，精准满足国标计量精度限值。同时集成独立硬件保护回路，实现双 IC 冗余防护，满足新标准淘汰单 IC、故障兜底安全规范；支持电芯均衡、JEITA 智能温控充电、针刺/热滥用联动保护策略，可存储充放电循环、超温、过流等异常日志，保存周期覆盖产品全生命周期，实现电池健康度、老化析锂数据本地留存，满足国标可追溯监测要求。主控MCU 整机智能控制中枢，兼顾算力与安全新国标要求移动电源具备参数显示、异常告警、年限提醒、蓝牙数据交互、溯源编码存储等复杂功能，普通MCU难以兼顾算力与安全双重要求。国民技术N32 MCU分层适配： N32G03x（M0内核）：低成本、低功耗，适合入门级充电宝，驱动数码管 / 液晶屏，联动电量计读取电芯数据、实现安全年限弹窗提醒。 N32L406（M4内核）：主频最高108MHz，最高支持 512KB Flash 与 128KB SRAM，集成 CAN2.0B、USB2.0 FS、多路高速 ADC、SPI、I2C、UART 等常用接口，外设资源全面，可满足USB传输和屏驱方案需求。 N32G45x（M4F内核）：144MHz 主频、大容量 Flash ，适合大功率户外储能 / 高端数显产品，统筹 PD 快充、蓝牙通信、电池管理、整机逻辑，适用于100W以上移动电源联动控制或多功能桌面充电站需求，-40~105℃宽温更适配户外复杂场景。蓝牙 BLE 芯片实现智能可视化与远程监测新标准明确支持终端读取电池状态数据，要求用户可实时查看电压、温度、循环次数、剩余寿命。《移动电源安全技术规范》部分内容摘要国民技术N32WB03x与N32WB43x系列低功耗蓝牙 SoC 具有超低待机功耗，同时兼具MCU功能，无需额外搭配MCU芯片，通过 SMBus 与电量计（NB401/NB201）高速互通；手机 APP可同步电芯健康状态、异常告警、安全使用年限提醒；支持设备加密绑定，防止第三方恶意读取电池隐私数据，兼顾智能体验与信息安全，配合屏幕还可以通过蓝牙实现显示屏内容个性化定义，完美适配便携电源智能化升级需求。基于蓝牙SOC的防丢模块设计：移动电源作为日常高频携带品，天然适配防丢场景，且直接可由充电宝供电。防丢模块集成蓝牙模块同时承担“电池数据传输”与“防丢”双重任务，加密算法保障定位隐私安全。仅需增加少量硬件成本（蓝牙芯片+防丢固件），远低于屏幕等其他智能方案。用户通过同一APP，既能管理充电、查看电池状态，又能实现防丢定位、远程响铃，一站式解决“充电 + 防丢”两大需求。 PD 快充协议芯片合规管控快充链路，杜绝充电热失控新国标严格约束充放电电压电流曲线，禁止无管控高压快充引发电芯过热风险。国民技术 NP11/NP12 快充 SoC完整支持 PD3.1 PPS、UFCS 融合快充、QC、AFC 全主流协议，最高支持 100W 大功率输出；内置多级过压 / 过流 / 短路保护，可接收 MCU 指令动态调节充电功率，配合 NB401/NB201 温度数据智能降流充电，实现高温、老化电池主动限功率，规避快充场景热失控隐患，覆盖小容量充电宝、超薄型充电宝以及磁吸式充电宝需求。两大成熟参考方案覆盖屏显/USB/蓝牙传输需求针对不同市场定位，国民技术两套成熟方案可供客户选择，并提供全套技术支持服务，缩短节省客户项目开发周期的同时，告别多供应商兼容难题。硬核架构布局拥抱新国标产业升级国民技术移动电源新国标采用“独立MCU + 高精度电量计 + PD”与“蓝牙MCU + 高精度电量计 + PD”的先进架构，既能满足新国标对安全与监控的强制性要求，又为产品差异化提供了广阔空间。2027年4月强制实施节点临近，是行业洗牌与价值升级的重大机遇。国民技术凭借其完整、成熟、可快速导入的新国标移动电源解决方案，致力于成为客户最可靠的合作伙伴。

国民技术

国民技术 . 2026-07-10 1 1778
市场 | AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，下半年缺货风险提高

AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，2H26缺货风险提升根据TrendForce集邦咨询最新MLCC产业研究，在AI Server加速换代、云端服务供应商（CSP）自研ASIC芯片持续放量的双重驱动下，Murata（村田）、Samsung Electro-Mechanics（三星电机）、Taiyo Yuden（太阳诱电）等三大龙头厂商2026年六月下旬BB Ratio（订单出货比）分别达1.30、1.31、1.25创新高，整体MLCC市场BB Ratio也同步升至1.04。受长约定价机制影响，预估3Q26 Server DRAM合约价将季增13-18% 根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，由于部分原厂提早于2026年第二季的报价反映涨幅，加上数家美系云端服务供应商（CSP）已签署多年期长约（LTA），限制原厂对该类客户的涨价空间，TrendForce集邦咨询预估第三季Server DRAM合约价将季增13-18%。然而，随着供不应求格局延续，后续仍可能出现各家原厂竞相上修报价的情况。

存储

TrendForce集邦 . 2026-07-10 1869
产品 | 欧盟CRA合规倒计时！Nordic nRF Cloud一招帮你搞定固件漏洞扫描

低功耗无线连接解决方案全球龙头企业 Nordic Semiconductor 今日宣布，nRF Cloud 即将上线固件漏洞扫描功能，进一步强化平台能力，助力设备制造商做好合规准备，满足欧盟《网络弹性法案》（CRA）要求。借助 nRF Cloud 的固件漏洞扫描功能，开发者可上传软件物料清单（SBOM）至 nRF Cloud，系统能够自动识别清单中存在的通用漏洞披露编号（CVE），并分析接入 nRF Cloud 的全部量产设备受漏洞波及情况。 nRF Cloud 全新功能旨在帮助设备厂商满足《网络弹性法案》（CRA）对漏洞监测的合规要求，无需自行搭建、维护专属的 CVE 识别系统，减轻开发运维负担。该功能可与 nRF Cloud 的固件空中升级（FOTA）服务协同运作，支持批量为市面存量设备推送更新程序。简化欧盟网络弹性法案（CRA）合规待办事项清单欧盟《网络弹性法案》（CRA）要求，联网设备在完整生命周期内均需保障安全，而设备生命周期可长达数年之久，这意味着设备完成部署后，合规相关工作并未就此结束。依托 nRF Cloud 的漏洞检测、固件空中升级（FOTA）等功能，开发者能够更高效地处理合规相关工作，专心打造创新产品。这不仅可以缩短产品上市周期，在产品量产出货后，也能以更少的资源消耗持续履行合规义务。持续漏洞检测，同步分析实际设备受影响范围借助 nRF Cloud 全新固件漏洞扫描功能，开发者可上传各软件版本对应的软件物料清单（SBOM），平台将对清单进行自动、持续扫描。该服务还会清晰标注每项已识别漏洞对应的受影响已部署设备数量。依托这份风险影响数据，厂商能更稳妥地划分漏洞修复优先级；在安全补丁推送部署期间，还可实时监控漏洞整改进度。一站式漏洞检测与修复管理系统搭配 nRF Cloud 现有的固件空中升级（FOTA）能力，固件漏洞扫描功能可让设备厂商在同一平台内完成从发现安全隐患、下发补丁到确认修复全流程操作，同时全程留存完整审计日志。安全补丁向全部设备批量推送时，可实时监控漏洞修复进度。借助 nRF Cloud，开发者能够完成欧盟《网络弹性法案》（CRA）漏洞监测、安全更新下发相关多项核心合规要求，减少合规待办工作。上线时间固件漏洞扫描功能将于未来几周内正式推出。您可报名参加我们的线上研讨会，直观体验该功能，并第一时间获取上线通知。包含固件空中升级（FOTA）等功能的 nRF Cloud 现已全面开放，开发者可随时注册免费开发者账号，体验该平台各项能力。

Nordic

Nordic半导体 . 2026-07-10 1505
企业 | Microchip向开发者免费提供MPLAB® XC 编译器与MPLAB机器学习开发工具包

Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布，MPLAB® XC专业编译器与MPLAB机器学习开发工具包全面免费向客户开放。个人开发者与团队均可不限次数安装使用，免费获取高级代码优化能力与一体化嵌入式机器学习开发流程。 Microchip负责开发工具、单片机及无线产品业务部的公司副总裁Greg Robinson表示：“我们始终致力于优化工程师使用Microchip器件的开发体验。通过取消软件授权费用、免费提供高性能开发工具，我们扫清了创新路上的成本壁垒。客户如今可直接使用优化的编译器与集成的机器学习功能，高效完成从设计到量产的整个流程。” MPLAB XC专业编译器（此前需付费分级授权，现已免费）采用高阶代码优化技术，可缩减代码体积、降低内存占用、提升代码执行速度，为嵌入式应用生成适配芯片架构的高效代码，支持Microchip全系列 8 位、16 位和32 位单片机（MCU）与微处理器（MPU），大幅简化嵌入式开发流程。 MPLAB 机器学习开发工具包模型构建器（Model Builder）同步免费提供。该MPLAB或Microsoft® Visual Studio® Code （VS Code®）插件可生成经过优化的人工智能与物联网传感器识别代码，帮助开发者搭建端到端嵌入式机器学习方案，在资源受限设备上高效部署边缘智能应用。通过在 VS Code 中引入 MPLAB ML，Microchip 致力于满足开发人员对环境的自由选择，提供更灵活且更易用的开发体验。此次免费提供的开发工具还包括MPLAB XC 功能安全编译器。该编译器通过TÜV SÜD认证，面向安全关键型应用设计，可满足各类行业功能安全标准；同时您还可以按需购买配套认证文档与技术支持服务。开发者可免费下载，零成本启动安全设计，仅在需要合规认证时才产生相关费用。编译器相关问题的更新与专属技术支持全部免费。如需了解Microchip全套VS Code扩展工具，请访问官方网站https://www.microchip.com/en-us/tools-resources/develop/mplab-tools-vs-code。供货与定价 MPLAB XC编译器及MPLAB机器学习开发工具包现已免费开放下载。

Microchip

Microchip微芯 . 2026-07-10 1575
技术 | 解读ISO新规，机器人网络威胁该如何分级防护

目前，尚无专门针对人形机器人的功能安全标准。因此，至少在现阶段，仍需依据现有标准提供指导，包括IEC 61508（通用工业功能安全）、ISO 10218（工业机器人）、ISO 13849（机械安全）、IEC 61784-3（黑色通道数据通信）等。本文将探讨工业机器人（含人形机器人）的安全级数据通信问题。主要的工业机器人标准ISO 10218-1:2025新增了第5.3.6节，专门涵盖通信内容。新增章节虽然篇幅不长，但包含了几个重要的概念。条款中引入了“传输类别”，借鉴自铁路通信标准IEC 62280/EN 50159。传输类别1：封闭式传输系统，例如机器人内部网络。传输类别2：半开放式系统，例如固定机器人与PLC间的以太网连接。传输类别3：全开放式系统，例如连接人形机器人与集中控制系统的WiFi网络。针对不同传输类别，需对常规网络威胁采取不同严格程度的防护措施，具体要求遵循IEC 62280（铁路通信）与IEC 61784-3（现场总线），这两项标准均被IEC 61508引用。标准明确了常见数据通信威胁的防护（应对措施）优先级，具体如下： “-”：低优先级，此类威胁发生概率极低，无需重点防护。 “+”：中优先级，需采取措施检测此类较易发生的故障。 “++”：高优先级，必须全力防护此类高频高危威胁。以下是ISO 10218-1:2025中的表3，列出了各传输类别（TC）针对常见网络威胁的防护要求。图1：ISO 10218-1:2025定义的传输类别这意味着，对于机器人本体内部承载安全数据的网络（TC 1），需重点防护数据损坏威胁。对于其他威胁，虽需采取措施，但防护力度可适当降低。ISO 10218标准将伪装攻击对TC1的风险等级列为“-”（即通常无需额外防护）。此处“伪装攻击”指：网络中某节点伪造为合法安全通信节点，接收端若无专项防护措施则无法识别真伪。但机器人内部网络节点固定（如每轴1个，1个用于控制器，1个用于末端执行器），且机体结构可杜绝新增非法节点，因此伪装攻击风险极低。图2：IEC 61784中关于伪装误差的描述对于开放性更高、边界更模糊的TC 2，需严肃对待更多威胁；而TC 3则必须重点防护伪装攻击。TC 3属于开放式网络（如无线网络），接入节点数量无限制。注1：“伪装攻击”不包含蓄意欺诈行为，后者属于网络安全范畴，由ISO 10218-1:2025新增第5.1.16节规范。注2：“威胁”为网络安全标准常用术语，本文语境对应IEC 61784-3定义“通信错误”； IEC 62280标准也在非网络安全场景中使用该术语。上述防护措施通常在通信链路端点的SCL（安全通信层）实现。SCL为依据系统能力（SC）要求开发的软件，运行于符合SC要求的硬件之上；对每条逻辑链路，其导致安全功能的每小时危险故障平均概率（PFH）贡献值通常不超过1%。 “+”与“++”对应不同防护等级：高等级（++）通常需采用双重防护机制。例如，针对“数据延迟”威胁，等级为“++”时需同时设置时间戳 + 超时检测；等级为“+”时仅需单一防护措施。针对“数据重复”威胁，高等级防护可采用长序列号机制（而非简单位翻转），有效防止序列号回滚导致的防护失效。回到人形机器人：人形机器人的移动特性，决定了必须采用无线网络通信。因此，若遵循ISO 10218:2025标准，此类网络上的安全级通信需对所有威胁采取高等级防护（++），因而通信复杂度远高于采用有线以太网的固定机器人。理想情况下，人形机器人的安全功能不应依赖无线网络，但可行性尚不明确。

ADI

亚德诺半导体 . 2026-07-10 1449
涨价 | 台积电涨价10%，三星涨价15%

7月10日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，随着AI芯片投资的大幅扩张，晶圆代工市场的定价逻辑正在发生根本性变化。继全球最大的晶圆代工厂台积电去年已提高先进节点价格之后，今年再次宣布涨价，而三星电子也上调了部分节点的供应价格。报道指出，台积电近日已通知英伟达、苹果和AMD等主要客户，计划将晶圆供应价格提高5%至10%。此次调价不仅涵盖3nm和5nm等尖端节点，还包括用于生产高性能芯片的7nm工艺。业界之所以高度关注此次涨价，更多在于其定价方式的变化，而非涨幅本身。在晶圆代工领域，通常在新节点推出初期收取较高价格，一旦生产良率稳定、生产率提高，便会维持价格不变或逐步调整。除世代交替外，很少对同一节点再次提价。但自AI投资扩大以来，市场氛围发生了显著变化。包括英伟达在内的全球大型科技公司的AI半导体订单激增，先进节点的产能已无法满足需求。与此同时，开发2纳米等下一代节点的费用以及投资先进设备的负担日益加重，导致市场供需和投资成本而非工艺成熟度成为定价的主要驱动因素。业界认为，台积电引领了根据市场状况重新调整同一节点价格的趋势。这一趋势同样体现在三星电子的晶圆代工业务中。三星电子也已针对4nm和5nm等需求旺盛的先进节点，以及部分车用8nm节点，将新客户的供应价格提高了约15%。不过，分析人士指出，三星电子的情况更多是针对特定需求集中节点的价格正常化，而非像台积电那样全面的涨价立场。业界认为，AI半导体和汽车芯片需求的增加改善了部分节点的供应状况，使其定价能力较以往有所提升。市场也将这一转变视为可能改变晶圆代工行业收入结构的信号。过去，拥有技术实力的公司在最先进节点上获得定价权，但自AI投资扩大以来，供应短缺持续存在，进一步强化了制造商的定价能力。晶圆代工价格的上涨很可能转化为整个半导体生态系统成本的增加。除晶圆价格外，HBM（高带宽内存）价格的上涨和先进封装的短缺，预计将推高英伟达、苹果和AMD等公司的制造成本。从长远来看，这可能不仅影响AI服务器的建设成本，还可能影响智能手机和个人电脑等终端产品的价格。一位半导体行业高管表示：“过去，代工厂倾向于通过价格竞争来确保客户，但在AI时代，由于先进节点的供应跟不上需求，定价权正在向供应商一方转移。”他补充道：“只要AI投资周期持续，以先进节点为中心的涨价趋势很可能会持续下去。”

三星

芯智讯 . 2026-07-10 1 1197
IGLD65R140D2 与 VBQE165A20S 参数对比报告

N沟道（增强型）GaN功率晶体管参数对比分析报告一、产品概述 IGLD65R140D2：Infineon CoolGaN™ G5 系列 650 V 增强型 GaN 晶体管，采用 200 mm 晶圆工艺，超快开关速度，无反向恢复电荷，低栅极和输出电荷，优异的换向鲁棒性。封装：PG-LSON-8（带开尔文源极）。适用于工业、电信、数据中心 SMPS、图腾柱 PFC、高频 LLC 及充电器适配器。 VBQE165A20S：VBsemi 650 V 增强型 GaN 晶体管，超低栅极电荷，超高开关频率，无反向恢复电荷，内置 ESD 保护。封装：DFN8×8。适用于服务器与电信电源、开关电源、PFC、快速电池充电。二、绝对最大额定值对比参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位漏-源电压（连续） VDS,max 650 650 V 漏-源电压（瞬态） VDS,trans 900 800 V 漏-源电压（脉冲） VDS,pulse 750 (Tc=25°C) / 650 (Tc=125°C) 750 V 栅-源电压（连续） VGS -10 ~ 未提供 -1.4 ~ +7 V 栅-源电压（脉冲） VGS,pulse -25 ~ 未提供未提供 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 12 20 A 连续漏极电流 (Tc=125°C) ID 未提供 10 A 脉冲漏极电流 IDM 23 30 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 42 119 W 结温 TJ -55 ~ 150 -55 ~ 150 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ 150 -55 ~ 150 °C 雪崩能量（单脉冲） EAS 未提供未提供 mJ 漏-源电压斜率 dv/dt 200 200 V/ns 分析：两款器件耐压均为 650 V，VBQE165A20S 提供更高的连续电流（20 A vs 12 A）和功率耗散（119 W vs 42 W），适合更高功率需求。IGLD65R140D2 的瞬态电压能力更强（900 V vs 800 V），且栅极电压范围较宽（负压可达 -10 V）。三、电特性参数对比 3.1 导通特性参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位漏-源击穿电压 V(BR)DSS 650 (最小) 650 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 0.9 ~ 1.6 (典型 1.2) 典型 1.2 (范围未提供) V 导通电阻 (VGS=6V / 10V) RDS(on) 典型 0.140 / 最大 0.170 (VGS=10mA) 典型 0.110 / 最大 0.140 (VGS=6V) Ω 正向跨导 gfs 未提供未提供 S 分析：VBQE165A20S 的导通电阻更低（典型 0.110 Ω vs 0.140 Ω），有助于减少导通损耗。IGLD65R140D2 阈值电压范围明确，利于驱动设计。 3.2 动态特性参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位输入电容 Ciss 155 120 pF 输出电容 Coss 22 37 pF 反向传输电容 Crss 0.31 0.4 pF 总栅极电荷 Qg 1.8 3.3 nC 栅-源电荷 Qgs 未提供 0.3 nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 未提供 3 nC 分析：IGLD65R140D2 的总栅极电荷极低（1.8 nC），显著降低驱动功耗。VBQE165A20S 的输入电容略小（120 pF vs 155 pF），但输出电容较大（37 pF vs 22 pF）。Crss 均极小，适合高频开关。 3.3 开关时间参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位开通延迟时间 td(on) 7 4 ns 上升时间 tr 7 3 ns 关断延迟时间 td(off) 10 5 ns 下降时间 tf 23 1.2 ns 分析：VBQE165A20S 开关速度显著更快，尤其下降时间仅 1.2 ns，远优于 IGLD65R140D2 的 23 ns，在高频应用中可大幅降低开关损耗。四、体二极管特性参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位二极管正向压降 VSD 典型 2.0 / 最大 2.4 典型 2.4 V 反向恢复时间 trr 0（无反向恢复） 0 ns 反向恢复电荷 Qrr 0 0 μC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供未提供 A 分析：两款器件均为 GaN，无反向恢复电荷（Qrr=0），在桥式拓扑中可消除二极管反向恢复损耗，提升效率。五、热特性参数符号 IGLD65R140D2 VBQE165A20S 单位结-壳热阻 RθJC 3.0 (最大) 1.05（典型） °C/W 结-环境热阻 RθJA 130 (最小封装) / 67 (SMD 6cm²铜箔) 62 (最大) °C/W 分析：VBQE165A20S 具有更低的结-环境热阻（62 °C/W），且功率耗散更高（119 W），配合良好散热可实现更大输出功率。能承受更高功率耗散（119W vs 51W）的关键。在散热设计良好的条件下，VBQE165A20S 可实现更高的功率密度。六、总结与选型建议 IGLD65R140D2 优势 VBQE165A20S 优势 ◆ 更低的总栅极电荷（1.8 nC），驱动功耗极低 ◆ 更高的连续电流（20 A）和功率耗散（119 W） ◆ 更低的输出电容（22 pF），轻载损耗更优 ◆ 更快的开关速度（tf=1.2 ns，td(off)=5 ns） ◆ 更高的瞬态耐压（900 V），过压鲁棒性好 ◆ 更低的导通电阻（典型 0.110 Ω） ◆ 明确的结-壳热阻（3.0 °C/W） ◆ 更低的热阻 RθJA（62 °C/W），散热设计更灵活 ◆ 宽栅极电压范围（-10 V），兼容负压驱动 ◆ 内置 ESD 保护，可靠性增强选型建议选择 IGLD65R140D2：当应用对栅极驱动功耗极度敏感、需要更高瞬态电压裕量或需要使用负压关断方案（如高速半桥驱动）时，该器件凭借极低 Qg 和 900 V 瞬态能力更优。选择 VBQE165A20S：当需要更大电流处理能力（>12 A）、更高功率密度（PD=119 W）及超快开关速度（tf<2 ns）时，VBQE165A20S 凭借低 RDS(on)、高电流额定值和优异热性能成为更优选择，尤其适合高频、高功率密度电源应用。备注：本报告基于 Infineon IGLD65R140D2 和 VBsemi VBQE165A20S 官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂文档，部分缺失参数已标注。设计选型请以官方最新数据手册为准。

微碧

微碧半导体 . 2026-07-10 1127
产品 | 8KB MTP ROM AD型8位微控制器—AiP8M1508

【简介】 AiP8M1508是一款AD型8051内核MCU，内置8 KB MTP ROM、256B IRAM、128B XRAM，内部集成Timer0/1/5、WDT、UART、LVD/CMP和12bitADC。【主要特点】 · 内核：1T 8051 · 工作电压范围：3.5~5.5V@fsys=16MHz · 工作模式：普通模式（RUN）、空闲模式（IDLE）、停止模式（STOP） · 存储器：256B IRAM、128B XRAM 、8KB MTP ROM（擦写次数100次） · 时钟：内部16MHz高速振荡、内部32KHz低速振荡 · 低电压复位：5 level选择（1.6V/1.9V/2.4V/2.6V/3.2V/3.8V） · 低电压检测：16 level选择（1.8V~4.2V） · 中断：4个外部中断源、8个内部中断源，中断优先级软件设置； · GPIO：22个多功能双向I/O口，支持独立弱上拉和弱下拉；4档高电平驱动能力可选，2档低电平驱动能力可选； · 定时器：2个8位通用计时器T0/1，1个12位高级定时器T5支持LED单线通信；看门狗定时器WDT，STOP模式下可以定时器唤醒； · 通信接口：1路UART，支持端口全映射； · ADC：12位分辨率A/D转换器，最多支持8个外部输入通道，内部VDD基准； · 烧录：支持两线烧录及在线仿真，支持带电烧录； · 工作温度：-40~+105℃ · 封装形式： SOP24/SSOP24/SOP20/SSOP20/SOP16/SOP8 【功能框图】图 1 系统框图【引脚排列图】图 2 SOP24/SSOP24引脚排列图图 3 SOP20/SSOP20引脚排列图图 4 SOP16引脚排列图图 5 SOP8引脚排列图【产品优势】（可选） UART端口支持端口全映射、T5支持LED单线通信【应用领域】小家电、消费电子领域【结语】 AiP8M1508是一款经济型MCU电路，在延续传统架构高兼容性的基础上，通过内部集成12位ADC、LVD和多级低电压复位等模拟资源，配合宽电压、多种低功耗模式以及丰富的封装形式，适用于从工业控制、消费电子等领域。如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。

MCU

中微爱芯官网 . 2026-07-10 35
Vishay的新款车规级光耦具备超小外形和高性能

器件通过AEC-Q102认证，CMTI达到业内先进的40 kV/µS，最大重复峰值隔离电压达707 Vpeak 日前，威世科技Vishay Intertechnology宣布，推出新型3.6 mm窄体SOP-5封装车规级1 MBd高速光耦---VOMHA43A。Vishay Semiconductors VOMHA43A相对漏电起痕指数为400，共模瞬态抗扰度（CMTI）不低于 40 kV/µS 达到业内先进水平，可提高信号传输质量并节省空间，适用于额定隔离峰值电压（VIORM）达707 Vpeak的各种应用。日前发布的器件通过 AEC-Q102认证，适于汽车、工业、家居楼宇控制及通信应用隔离数据通信、高速信号切换、地环路信号隔离以及逻辑电压电平转换。在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及低速电动车（LSEV）领域，该光耦可为 CAN、LIN、I2C和SPI接口，以及智能功率模块（IPM）驱动器等隔离驱动电路应用提供通信总线隔离保护。传统SOP-5封装宽度为 4.4 mm，而VOMHA43A采用窄体 SOP-5 封装大幅节省 PCB 空间，同时支持堆叠式布局。器件最小 CMTI 是最接近竞品的两倍以上，显著增强抗电脉冲尖峰、射频干扰（RF）及电磁干扰（EMI）能力。竞品器件的最大重复峰值隔离电压为567 Vpeak，而这款光耦的隔离耐压达到707 Vpeak，完全满足 400V 车载电池系统的应用需求。 VOMHA43A包含 GaAlAs 红外发射二极管，它以光学耦合的方式连接集成的光电探测器及高速晶体管。光电探测器与晶体管采用结隔离，减小密勒电容效应。光耦具备集电极开路输出功能，便于工程师连接不同逻辑系统时灵活调整负载状态，探测器芯片集成法拉第屏蔽层，因此器件能够抑制并减小输入输出端共模瞬态高电压。光耦符合 RoHS 标准，无卤素，工作温度范围 -40 C至 +125 C，与主流竞品元件引脚兼容，可直接替换，无需重新进行机电设计。 VOMHA43A光耦现可提供样品并已实现量产，供货周期为6周。

Vishay . 2026-07-10 2408
企业 | 思远半导体荣获第二十六届中国专利奖！

近日，国家知识产权局公布第二十六届中国专利奖评选结果，思远半导体自主研发的发明专利《一种充电仓的耳机识别与充电电路及方法》（ZL202210218860.7）凭借突出的技术创新性、产业实用性与市场价值，成功获评中国专利优秀奖，斩获我国专利领域国家级重磅荣誉。中国专利奖由国家知识产权局联合世界知识产权组织（WIPO）共同评审授予，是我国专利领域级别最高、认可度最广、评审最严苛的官方专业奖项，被誉为“中国专利界的奥斯卡”。本届评选聚焦新质生产力培育、关键核心技术突破、产学研成果高效转化，重点表彰赋能产业升级、破解行业痛点的高价值专利成果，获奖含金量备受行业与市场认可。思远半导体此次获奖的专利《一种充电仓的耳机识别与充电电路及方法》，采用双通道独立自动切换方案，无需霍尔器件，靠电气交互精准识别耳机入离仓，解决满电检测误差问题。技术搭载SY88XX充电仓PMIC，已批量用于国内外众多知名品牌无线耳机，并取得良好市场口碑。思远半导体始终以技术研发为核心驱动力，聚焦行业关键技术攻坚，持续沉淀高价值自主知识产权成果。此次斩获中国专利奖，既是国家权威机构对思远半导体核心技术创新实力、知识产权建设成果的高度认可，也是公司深耕半导体电源管理赛道、坚持自研创新的有力佐证。未来，思远半导体将持续扎根电源管理芯片核心技术，加大研发创新投入，精进技术迭代与成果转化能力，不断突破行业技术壁垒、优化产品解决方案。同时，公司将持续立足产业需求、赋能终端生态，以硬核科创实力助力消费电子产业高质量发展，积极培育新质生产力，为国产半导体行业创新升级、自主可控发展持续贡献力量。

电源管理

思远官网 . 2026-07-10 35
产品 | 中微爱芯高精度零漂移运放系列，让微弱信号“稳”操胜券

【简介】面对工业传感、医疗检测以及精密测量中微弱信号易被噪声湮灭的行业痛点，中微爱芯推出了以“微伏级超低失调、极低温漂”为核心特点的高精度零漂移运放，无论是微弱传感器信号调理还是高精度数据采集，它们都能轻松确保在全温度域内信号放大的极致稳定，除此之外，该系列产品覆盖多种带宽选择，完美兼顾低速高精度和中高频动态信号处理需求，轻松实现系统性能的跨越式升级。【产品型号】中微爱芯高精度零漂移运放覆盖AiP07、AiP853X、AiP855X、AiP856X、AiP858X、AiP851X*六大系列，失调电压低至5uV，温漂低至0.05uV/℃，同时适配不同带宽需求： AiP07：电源电压范围6~36V，失调电压低于150uV(MAX)，增益带宽积 600kHz，适用于宽电压供电的中速精密检测场景。 AiP853X 系列：失调电压低于10uV(MAX)，增益带宽积350kHz，适用于中速高精度动态信号处理。 AiP855X 系列：失调电压低于5uV(MAX)，增益带宽积3.5MHz，高精密需求仪器的首选。 AiP856X 系列：失调电压低于10uV(MAX)，增益带宽积11MHz，高速数据采集系统优选。 AiP858X 系列：失调电压低于10uV(MAX)，增益带宽积15MHz，超高速工业采集、闭环控制等场景适配。 AiP851X*系列：电源电压范围4.5~40V，失调电压低于15uV(MAX)，增益带宽积12MHz，适配超宽电压供电的工业采集或强波动供电环境。高精度零漂移系列运放具有低失调，零漂移等特性，性能参数可直接对标国外主流品牌，是国产化替换的可靠选择。【关键参数】工作电压：2.4V~40V 输入失调电压：≤150uV(MAX) 输入失调温漂：≤0.7uV/℃ 增益带宽：600kHz/350kHz /3.5MHz /11MHz/15MHz/12MHz 开环增益：120-150dB 电源抑制比：115-150dB 共模抑制比：110-150dB 【产品优势】 1. 超低失调+全温零漂移采用斩波稳零架构，全系失调最低5uV、温漂最低0.05uV/℃，全温区间抑制零点漂移，微弱传感信号放大无温漂误差。 2. 宽压域覆盖+强供电兼容覆盖2.4~40V宽电压区间，兼容多类供电架构，简化电源设计，适配工业，便携检测等多元场景。 3. 轨到轨架构，信号无失真低压工况下充分利用电压摆幅，小信号采集不削波，适配电池供电，便携仪器设计。 4. 多挡位带宽灵活选型覆盖多种增益带宽的产品矩阵，兼顾中高频动态信号处理需求，灵活适配各类复杂场景。 5. 高增益 + 强抗扰 120~150dB开环增益，闭环控制精度高，减小放大回路稳态误差，提升采样精度。高电源抑制比/共模抑制比指标，有效抑制电源纹波与共模干扰，适配工业、车载复杂工况。 6. 通道与封装齐全提供单/双/四通道，带/不带使能配置可选。覆盖 SOT23‑5、MSOP8、DFN8等小型化封装，小体积PCB布局，适配车载、便携设备不同结构。【应用领域】精密电流采样：充电桩计量模块、工控伺服电源、智能电表等传感信号调理：热电偶温控仪表、扩散硅压力变送器、应变式称重模块等医疗精密设备：心电监护、电子血压计、生化仪前置放大器等医疗设备汽车BMS：新能源车动力电池、高压盒BMS采集模组、电芯电压采集板等【结语】中微爱芯推出的高精度零漂移系列运放，依托微伏级低失调、零温漂、低噪声、宽电压等核心优势，搭配多带宽灵活选型，兼顾精密采样与动态信号处理，是工业传感、医疗设备、精密测量领域实现系统性能升级的优质国产化选择。同时中微爱芯提供稳定供应链、配套技术服务与高性价比产品，能够快速响应客户定制化需求。

运放

中微爱芯官网 . 2026-07-10 812
应用 | AiP384X AiP284X系列高性能电流模式PWM控制器

一、概述 AiP3842/AiP3843/AiP3844/AiP3845 和 AiP2842/AiP2843/AiP2844/AiP2845 是固定频率、电流模式 PWM 控制集成电路，广泛应用于离线式开关电源和 DC-DC 转换器中。该系列芯片具有外围电路简单、响应速度快、保护功能完善等优点，特别适用于驱动功率 MOSFET。两个系列的关系： ●AiP284x 与 AiP384x 基于相同的芯片设计和制造平台，电气性能规格完全一致。两者主要区别在于产品等级定义与质量管控标准： ●AiP284x 系列：定位于工业级产品，出厂默认按工业级标准执行温度分级（-40℃～+125℃）与质量管控，在批次追溯性和长期供货一致性上更具优势，适合对供应链可靠性要求较高的严苛环境（如工业控制、车载辅助电源等）。 ●AiP384x 系列：定位于通用级产品，性能可靠，同样覆盖 -40℃～+125℃ 的工作温度范围，可满足绝大多数常规消费/商业类应用场景。两者在 PCB 设计上完全兼容，实际应用中可根据项目对质量等级、供货渠道及成本的综合要求进行灵活选型。不同型号之间的主要区别在于：二、引脚功能说明三、工作原理深度解析 3.1 PWM调制机制 AiP384x / 284x 均采用电流模式控制，PWM 信号生成过程如下：周期开始：振荡器时钟强制RS触发器输出高电平，OUT引脚输出高电平，MOSFET导通。导通期间：ISENSE引脚电压随电感电流线性上升形成斜波信号，只要ISENSE < COMP，PWM比较器输出低，OUT保持高。关断时刻：当ISENSE ≥ COMP时，PWM比较器翻转，RS触发器复位，OUT输出低，MOSFET关断。关断期间：OUT保持低，直到下一个时钟周期开始，重复步骤1。 3.2 芯片工作状态机四、典型应用电路 4.1 典型应用图(PWM控制原理演示电路) 外围及功能简述： 4.2 关键参数设计 1. 振荡频率设定 RT ：接在VREF和RT/CT之间的电阻（单位 kΩ），推荐 RT范围：4.7kΩ ~ 10kΩ（电阻越大频率变化越大，最终可能导致不准） CT ：接在RT/CT和GND之间的电容（单位 nF），推荐CT 范围：1nF ~ 10nF 得到的 fosc单位是 MHz 具体可见下表： 2. 电流检测电阻 VISENSE(max) ：一般取 1.0V（芯片保护阈值） Ipeak(primary)：变压器初级峰值电流（由具体应用决定）注意： Rsense 的功率损耗为 Irms^2 ×R，需选用合适功率的电阻。 3. 环路补偿 COMP引脚外接RC网络，典型值为：R_COMP = 10kΩ，C_COMP = 100nF 用于稳定反馈环路，避免振荡五、PCB布局建议 VCC与GND：滤波电容（0.1μF + 10μF）尽量靠近芯片引脚，走线短而粗。 ISENSE走线：应尽量短，避免与功率回路共地，建议采用差分方式或独立地线。 RT/CT走线：远离高频开关节点，避免干扰。 OUTPUT走线：驱动MOSFET的走线应短且宽，必要时加串联电阻（10Ω~100Ω）抑制振铃。地线处理：功率地与控制地应单点连接，避免共阻抗干扰。六、常见问题与排查建议 6.1 芯片不启动或无输出检查VCC是否高于UVLO ON阈值（如AiP 2843/3843需>8.8V）检查启动电阻是否过大，启动电流不足（启动电流<0.3mA）检查VREF是否为5V，若无则芯片未工作 6.2 输出占空比异常若使用AiP3844/2844 或AiP3845/2845，确认最大占空比被限制在 50% 以内检查ISENSE是否过早触发（如噪声干扰导致提前关断）检查COMP电压是否异常偏低 6.3 打嗝模式触发可能由输出过流、过压或反馈环路开路引起检查VFB和COMP电压是否异常检查VCC供电是否连续稳定 6.4 频率不稳定检查RT/CT引脚是否有外部干扰检查CT电容是否使用NPO/C0G材质（温度稳定性好）检查VREF是否稳定，负载是否过大七、总结 AiP384x / 284x 系列是一款成熟、可靠的电流模式 PWM 控制器，适用于多种 AC-DC 和 DC-DC 应用。合理选择型号并优化外围设计，可显著提升电源系统的效率、稳定性和保护能力。实际设计中建议严格遵循数据手册的电气参数，必要时预留调试接口，以便优化环路响应和保护阈值。

中微爱芯

中微爱芯官网 . 2026-07-10 854
企业 | 长鑫科技7月16日启动申购

长鑫科技集团股份有限公司披露科创板上市招股意向书及《发行安排及初步询价公告》，正式启动科创板IPO 发行程序。公告显示，公司新股网下申购日和网上申购日均定为 2026 年 7 月 16 日。长鑫科技的证券代码及网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。本次拟初始公开发行股票668,808.8608 万股，占发行后总股本的比例约为 10.00%（超额配售选择权行使前）。发行后总股本为 6,688,088.6077 万股（超额配售选择权行使前）。发行人授予联席保荐人（联席主承销商）中国国际金融股份有限公司不超过初始发行股份数量 15.00% 的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至 769,130.1608 万股，占发行后总股本的比例约为 11.33%。联席保荐人（联席主承销商）为中国国际金融股份有限公司和中信建投证券股份有限公司，联席主承销商还包括国泰海通证券股份有限公司、国元证券股份有限公司、华泰联合证券有限责任公司和招商证券股份有限公司。本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售与网上向持有上海市场非限售A 股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行。初始战略配售数量为334,404.4304 万股，占拟发行数量的 50.00%；网下初始发行数量为 267,523.5804 万股；网上初始发行数量为 66,880.8500 万股。初步询价日为2026 年 7 月 13 日，发行公告将于 7 月 15 日刊登，网上申购时间为 7 月 16 日 9:30 至 11:30 及 13:00 至 15:00，网下缴款及网上缴款截止日均为 7 月 20 日。长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。近年来，国产DRAM厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。业绩方面，今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归属于母公司所有者的净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。公司一季度业绩大幅增长主要得益于DRAM产品价格的快速上涨。拟募资295亿元，投向产能与技术研发本次发行拟募资295亿元，创科创板IPO拟募资额之最。募集资金扣除发行费用后计划投入三个项目：75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造，130亿元用于DRAM存储器技术升级，90亿元用于前瞻技术研究与开发。这一规模使长鑫科技成为科创板历史上仅次于中芯国际的第二大IPO。中芯国际当年拟募资200亿元，实际募资达532.3亿元。2023年度、2024年度扣非归母净利润分别为-167.52亿元和-78.70亿元，连续两年深度亏损。2025年扣非归母净利润转正至53.16亿元，全年营收617.99亿元。进入2026年，业绩开始爆发。一季度实现营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。公司预计2026年上半年营收1100亿至1200亿元，同比增长612%至677%；归母净利润500亿至570亿元。业绩暴增的直接驱动力是DRAM产品价格快速上涨。 2026年第一季度，DRAM合约价环比飙升93%至98%。行业研究机构SemiAnalysis报告显示，长鑫一季度营业利润率达70%，同期SK海力士为73%，三星81%，美光84%。全球第四的DRAM厂商，产能逼近美光长鑫科技成立于2016年，总部位于安徽合肥，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。目前在合肥、北京两地拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，月产能约28至30万片。公司采取"跳代研发"策略，已完成第一代至第四代工艺技术平台量产，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X。创始人朱一明此前创立兆易创新，后者也持有长鑫科技部分股权。根据Omdia数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，位居全球第四。三星、SK海力士、美光分别占据33.96%、34.48%和23.41%，三家合计超过90%。SemiAnalysis预测，到2026年底长鑫产能有望接近甚至超越美光，2028年全球份额将提升至17%左右。客户层面，长鑫已与腾讯签署超200亿元长期供货协议，阿里云、字节跳动、联想、小米均为主要客户。消费端方面，搭载长鑫颗粒的内存已进入美商海盗船产品线，微星也为其AM5平台主板推送了兼容性优化BIOS。 AI需求驱动存储景气周期，长鑫卡位供需缺口本次IPO的行业背景是AI算力需求对存储产业链的强力拉动。单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8至10倍，服务器已取代手机成为存储第一大需求场景。三大海外原厂将80%以上先进产能转向HBM和高端DDR5，通用DRAM供给被严重挤压。瑞银7月5日报告预计，DRAM行业供需紧张局面将至少持续至2028年上半年。IDC预测2026年全球DRAM市场营收达4186亿美元，同比增长177%。海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢为长鑫打开了企业级和消费级窗口。国联民生证券指出，长鑫科技现有产能已接近满产，中长期多基地推进布局，IPO募资295亿元启动大规模扩产，后续扩产增量空间大。扩产资本开支将沿产线建设节奏逐级传导：第一阶段前道设备招标采购，刻蚀、薄膜沉积等核心设备率先受益；第二阶段订单向上游零部件传导；第三阶段产线爬坡后材料耗材需求持续放量。长鑫科技也在加速布局高端存储。公司已启动HBM3送样和小批量试产，规划2028年配套产线月产10万片。上海新工厂主攻高端DDR5、LPDDR5X及HBM3，规划月产能40至60万片。不过，HBM对先进封装和TSV技术要求极高，长鑫与国际领先水平仍存在差距，良率爬坡和周期下行风险仍是需要关注的不确定因素。

长鑫存储

半导体产业纵横 . 2026-07-09 1 3486
技术 | 座舱实体按键迎来“文艺复兴”

你有没有过这样的经历——开车途中想调一下雨刮器速度，结果需要在触控屏上翻两三级菜单；想打开双闪，手指在光滑的屏幕上划了好几下才找到虚拟按键的位置。等你终于操作完成，视线离开路面已经好几秒了。这种“触控搞定一切”的设计，正在被全球汽车安全法规“紧急叫停”。两股监管力量，指向同一方向作为长期专注于汽车内饰照明技术的专家，艾迈斯欧司朗观察到目前大多数汽车制造商都在减少实体按键的使用，甚至将一些高频使用的功能设置在多层级菜单之下。这类设计虽然有助于降低成本并营造科技氛围，但在实际驾驶过程中，却对驾驶者的注意力构成了明显干扰。正是基于这样的现实考量，2026年，全球汽车人机交互的设计逻辑正在迎来一次根本性的转折。先看国内。 2026年2月，国家工业和信息化部发布了《汽车操纵件、指示器及信号装置的标志》（GB 4094）强制性国家标准的修订征求意见稿。这份文件的核心变化之一就是针对汽车设计触控化过度等问题出台新要求——如果车辆具备相关功能，转向信号灯、危险报警灯、挡位切换、雨刮器、紧急呼叫、车窗升降及组合驾驶辅助系统激活等19项关键功能，必须配备实体操纵件。同时，新规对实体操纵件提出了明确的技术要求：有效操作面积不小于10mm×10mm，驾驶员应能通过触觉确定各操纵件位置，操作时至少具备触觉或听觉反馈。用大白话说就是——关键功能必须“盲操可达” ，不允许驾驶员为了找某个按键而把视线从路面上移开。再看欧洲。 Euro NCAP在2026年全面更新的新车安全评级协议中，明确把关键驾驶控制指示是否有物理按键或指示纳入评分标准。新规明确：转向灯、危险报警灯、喇叭、雨刮器、eCall紧急呼叫这五项关键安全功能，必须通过实体按键或拨杆操作，否则无法获得最高的五星安全评级-。整个“安全驾驶”板块的总分是30分，其中“通用车辆控制”占5分，而驾驶控制（转向灯、挡位选择、危险警告灯、eCall、喇叭）就占了1分。 *图源 Euro NCAP 自从汽车电动化开始普及之后，娱乐设备也借此不断增加，车企以此充分凸显车辆的科技感。同时有部分车企为了塞进更多的娱乐功能，连转向灯，换挡等与安全驾驶息息相关的操作也被做成触摸开关，或是集成在中控屏幕中。可以说，触摸屏的过度使用已成为整个汽车行业的问题，这迫使驾驶员在操作时将视线离开道路，增加了分心驾驶事故的风险。一个是中国强制性国标，一个是欧洲五星安全评级——两套体系给出同一个结论：核心驾驶功能必须回归物理操作。触控操作的危险性？数据不会说谎监管层为什么会在这个时间点“集体出手”？因为数据显示的结论已经不能再忽视了。 Euro NCAP的研究表明，仅通过触屏操作关键功能，会使驾驶员视线离开路面的时间增加2到3倍，反应时间延长0.5到1秒。 2022年，一家瑞典汽车杂志《Vi Bilägare》测量了驾驶员在时速110公里的情况下完成切换广播电台或调节温度等操作所需的时间。该杂志比较了11辆配备触摸屏的汽车和一辆配备实体按键的旧款车型。在配备实体按键的旧款车型中，驾驶员能够在大约十秒内完成所有任务，这段时间内汽车行驶了约300米，然而即使在表现最好的配备触摸屏的车型中，测试人员完成任务的时间仍比在旧款车型中长几秒，更别提其他表现更差的触摸屏车型中，相同的任务需耗时45秒，这段时间内汽车行驶了1.4公里。由华盛顿大学与丰田研究院联合开展的一项《行驶中的触屏：量化认知负荷对分心驾驶的影响》。研究证明，驾驶过程中操作触屏会导致操作的指向精准度与速度下降超过58%，一旦驾驶员开始操作触屏，车辆的车道偏离幅度会增加40%以上，更易接近或跨越车道分界线，碰撞风险显著提升。当一块屏幕承载了太多功能，驾驶员就不得不在“操作”和“看路”之间反复切换注意力。而驾驶安全这件事，恰恰容不得这种反复切换。艾迈斯欧司朗的专家也认为，驾驶员在驾驶与触屏操作之间频繁切换注意力时，其多任务处理能力存在天然的认知瓶颈，而这种瓶颈并不会因为操作熟练度的提升而消失。实体按键回归，谁来给它“点亮”价值？实体按键的回归，表面上是一个交互方式的“复古”，但实际上对汽车照明技术提出了全新的要求。原因很简单：实体按键要发挥作用，首先得让驾驶员在第一时间“看见”并“找到”它。无论是拨动转向灯、开启雨刮器，还是按下双闪危险警告灯，这些动作都必须在一瞬间凭直觉完成。这就对背光照明提出了刚性需求——它们无一不需要清晰、均匀、可靠的背光支持。尤其是在夜间或隧道等低光照条件下，按键背光直接决定了驾驶员能否快速定位并准确操作。这恰恰回应了新法规反复强调的核心目标： “减少视线偏离”。与此同时，随着实体按键数量的增加，例如《汽车操纵件、指示器及信号装置的标志》（GB 4094）中所列出的19项核心功能都需要独立或组合的物理操纵件——按键背光LED的用量也将显著增长。每一颗按键背后，都需要一颗可靠的小封装LED来提供照明。 TOPLED® E1608：为按键背光而生正是在这个背景下，艾迈斯欧司朗的TOPLED® E1608系列LED产品迎来了全新的应用机遇。 TOPLED® E1608是业内最小的封装形式之一，尺寸仅为1.6mm × 0.8mm × 0.6mm。这种紧凑的封装尺寸，使其非常适合布置在空间有限的按键内部或边缘，尤其适用于汽车内饰中要求结构尺寸小、可靠性高的应用场景。但小尺寸并不意味着性能妥协。TOPLED® E1608的典型辐射角度为120°，能够提供均匀的光分布，确保按键表面光照一致。其典型亮度可达5.4 lm（光通量）或1.8 cd（光强），低至0.058W的电功率使其在保证照明效果的同时兼顾了能效表现。更重要的是，TOPLED® E1608通过了AEC-Q102认证，耐腐蚀可靠性等级达到2B级。这意味着它能够满足汽车应用的严苛环境要求——无论是高温、高湿还是盐雾腐蚀，都能保持长期稳定的工作状态。对于车企和Tier 1供应商而言，TOPLED® E1608还带来了一个关键优势：统一的封装平台。无论选择哪种颜色或亮度等级，所有产品均采用pin-to-pin设计，可以在不同车型、不同功能按键之间实现高度的设计复用，显著降低研发成本和供应链管理难度。从仪表背光到按键照明，从氛围灯到车载显示屏背光，艾迈斯欧司朗在汽车内饰照明领域积累了数十年的经验。TOPLED® E1608正是这一经验的集大成者——小封装、高可靠、全色彩、平台化，完美契合了新法规时代对按键背光的所有技术需求。 2026年，实体按键的回归已经不只是设计潮流的变化，而是全球汽车安全法规的共同选择。当驾驶员不再需要在“看路”和“触控”之间反复切换注意力，当每一次关键操作都能通过触觉和视觉的双重反馈得到快速确认，道路安全的底线才能真正被守住。而在这条底线的背后，一颗颗小小的TOPLED® E1608正在默默发光——为每一颗按键提供清晰、可靠、一致的照明。毕竟，最好的科技，是让你感受不到它的存在，却始终在为你保驾护航。

ams OSRAM

感光现象 . 2026-07-09 1533
市场 | Omdia：存储成本飙升，400 美元以下全球智能手机市场将下滑 22%

7 月 9 日消息，根据 Omdia 今天（9 日）发布的最新研究，近几个季度以来，DRAM 和 NAND 价格持续大幅上涨，且预计未来仍将保持上升趋势。不断攀升的存储成本已成为中低端智能手机厂商面临的重要挑战，并推动 400 美元（IT之家注：现汇率约合 2724 元人民币）以下智能手机市场同比下滑超过 22%。在 400 美元以下智能手机中，存储成本占 BOM 成本的比重在 2026 年第一季度几乎翻了一番；而在 400 美元（现汇率约合 2724 元人民币）以上机型中，这一占比也增长了 100% 以上。对于价格高度敏感的低端消费群体而言，产品涨价很可能导致市场需求明显下滑。结合未来几个季度存储价格走势来看，低端机型的盈利能力正不断受到挤压，并面临因零售价格持续上涨而导致需求进一步走弱的风险。因此，今年以来，越来越多智能手机厂商开始主动、逐步缩减低端市场布局。根据 Omdia 今年 5 月发布的最新预测，受 400 美元及以下智能手机出货量大幅下滑影响，2026 年全球智能手机市场出货量预计将同比下降 12%。其中，400 美元及以下机型的出货量预计将同比下降 22% 以上。相比之下，400 美元以上智能手机市场则展现出较强韧性，预计 2026 年出货量将同比增长 5.7%。这一趋势主要受到以下三个因素推动：智能手机厂商正加快向中高端市场转型。终端零售价格持续上涨，进一步推动 400 美元以上机型的市场占比提升。高端消费者对价格的敏感度相对较低，使高端市场需求保持较强韧性。显示面板：中国智能手机厂商开始在部分高端机型中重新采用 LTPS OLED 面板，取代此前升级使用的 LTPO OLED 面板，并仅在旗舰产品中保留 LTPO 技术。此举预计可为每台设备节省约 3 至 5 美元的成本。该机构认为，随着产品售价提升，400 美元以上智能手机中存储成本占物料清单（BOM）成本的比例迅速下降。尤其是在 600 美元以上机型中，由于高规格系统级芯片（SoC）、显示屏和摄像头模组占据了更高的 BOM 成本比例，厂商可以通过优化这些关键部件，在一定程度上缓解存储成本上涨带来的压力。显示面板：中国智能手机厂商开始在部分高端机型中重新采用 LTPS OLED 面板，取代此前升级使用的 LTPO OLED 面板，并仅在旗舰产品中保留 LTPO 技术。此举预计可为每台设备节省约 3 至 5 美元的成本。摄像头模组：厂商可根据不同产品定位，采用更加灵活的影像配置方案，例如使用尺寸更小的图像传感器，或减少摄像头数量，以降低整体成本。系统级芯片（SoC）：在 600 美元以上智能手机中，SoC 仍然是成本占比最高的核心部件。厂商可通过延长上一代平台的使用周期，放缓芯片升级节奏，预计比使用最新平台的成本降低 30% 至 40%。

手机

Omdia . 2026-07-09 1561
产品 | 降本增效！8口PoE芯片新标杆JWH72978，单芯片实现240W满载免风扇，PCB面积节省40%+

硬核集成｜单颗芯片包揽8路PoE，告别堆料设计 JWH72978是专为中小功率PoE设备打造的高集成、高性价比PSE解决方案，能有效革新传统分立架构，把复杂电路全部集成进一颗小封装芯片，大幅简化硬件开发流程。核心集成优势全内置功率器件：集成8通道低阻高压MOS，单通道RdsON仅300mΩ，线路损耗低，满载温升表现良好，省去外置功率管配套设计免外挂采样电阻：每通道搭载无损高精度电流检测，无需外接采样器件，BOM清单大幅精简节省片式多层陶瓷电容器（MLCC）：JWH72978仅需配置一颗1uf MLCC于VCC5V pin，八通道输出与48V输入之间的输出电容容值可选用容值≤0.1μF规格，极简成本下，可以省去输出电容；而传统分立方案需搭配大量大尺寸封装的分立功率MOS、大封装sense电阻和高耐压的MLCC，MCU电源pin的外围同样需搭配多颗MLCC，选用JWH72978可显著缩减MLCC物料数量，节约BOM成本。小巧封装省空间：采用QFN6×6-28紧凑型封装，对比传统MCU+多分立器件方案，PCB布局面积可节省40%以上大幅降低失效率：单芯片替代多颗分立元器件，减少焊点与故障节点，设备稳定性、量产良率双重提升在协议适配方面，芯片90%兼容IEEE802.3af/at标准，支持上电自动PD设备侦测、负载断线检测、硬件限流，满足多数安防、网络设备的供电需求。引脚一键切换功率模式芯片无硬件分级限制，仅通过L1引脚上下拉即可快速切换功率档位，单颗芯片可适配两类供电产品： L1上拉：单口30W｜Class4满功率at标准 L1下拉：单口15W｜Class3常规af标准多品类产品可共用一颗物料，减少备货种类，降低供应链成本。同时搭载14bit高精度ADC，搭配400KHz高速I2C接口，可实时采集每端口电压、电流数据；I2C总线支持最多挂载2颗芯片，轻松拓展出16口PoE方案，适配多规格设备开发。采用工业级宽温设计，-40℃~+85℃稳定运行，轻松应对户外露天、高温机房、恶劣工地等杂场景。全链路防护，稳定耐用｜240W满载免风扇，降低运维成本市面多数PoE设备普遍存在满载温升偏高、需额外加装散热风扇、运行噪音大、结构物料成本高、风扇易老化失效、整机使用寿命受限等问题。JWH72978经实测验证，8端口满载总功率可达240W，整机无需额外配置散热风扇，节省风扇、结构配件、装配人工、后期售后维护等多项成本。搭载多层次防护机制基础硬件防护：欠压、过压、过流、限流、过温、输出短路全方位保护进阶专属防护：Fetbad故障保护、过功率保护、软启动保护，有效防止上电冲击损坏设备系统长效防护：MPS保护长效在位侦测，实时监测PD设备掉线状态；I2C看门狗保护，规避总线卡死问题强悍抗干扰能力：HBM±2kV人体静电防护、±500V机器放电防护，适配工地、户外等复杂安装场景高压兼容设计：集成110V热插拔MOSFET，大幅提升系统抗电压冲击能力图为功率MOSBV曲线图为240W满载温升图实用功能适配批量落地智能功率仲裁：整机超功率时优先关闭低优先级端口，保障核心监控设备不断电端口极速关断：短路瞬间快速保护，有效降低炸机风险傻瓜式操作：全自动/关机双模式，上电即可工作，无需配置寄存器双工作架构：支持无MCU独立运行、外挂MCU I2C精准管控，按需选型适配故障主动上报：异常点位主动中断告知MCU，快速定位故障，售后检修更省心抗误上电设计：支持多次频繁热插拔，不会出现误启动，全面保护后级PD设备方案对标｜全方位突破传统MCU分立方案相较于行业通用的「MCU+分立MOS」传统方案，JWH72978集成方案实现了成本、体积、性能、开发效率四维全面升级。传统方案核心痛点：元器件数量多、贴片成本高、PCB空间浪费严重，软硬件联调周期长，对工程师技术要求高，且量产一致性差、失效率偏高，后期售后成本高昂。 JWH72978落地核心优势：单芯片替代整套分立方案，缩短新品研发周期、降低BOM物料成本、PCB布线面积可缩减40%以上，同步提升量产良率，是现阶段PoE设备优化成本、提升生产效率的优选方案。相较于PSE6*6mm尺寸，传统MCU方案摆件尺寸示意图全域落地｜已量产适配三大核心场景 JWH72978定向适配安防、网络设备、供电配件三大主流赛道，现阶段已完成多客户批量导入，适配范围广泛：安防设备：NVR网络硬盘录像机、DVR数字录像机内置PoE供电模块网络设备：8口/16口PoE交换机、企业级路由供电系统供电配件：大功率PoE中跨注入器依托成熟PoE供电技术，一根网线即可同时传输数据+供电，无需单独铺设电源线。网线覆盖区域均可布设监控摄像头，有效降低50%的现场施工成本，提升项目落地效率。用芯助力智能安防目标市场精准破局，赋能PoE行业降本升级当前PoE设备行业市场竞争激烈，单纯依靠低价竞争难以形成长期优势，优化硬件方案、控制物料成本、提升设备稳定性才是企业核心竞争力。 JWH72978创新采用单芯片一体化架构，替代传统MCU搭配多组分立MOS的复杂电路；内置功率MOS、高精度ADC与全套保护电路，可完整覆盖PD识别、功率调配、短路防护全链路管控，既能缩减PCB布线空间、MLCC数量以及BOM成本，优化整机散热表现，还可将设备整机返修率由8000PPM降至5ppm左右。该方案精准契合厂商对高性价比、简易调试、高稳定运行的需求，妥善化解分立器件批次一致性差、售后维修成本偏高的行业痛点，产品落地后快速通过多家客户验证并实现批量量产。未来，杰华特将持续深耕智能电源管理技术，以硬核芯片实力，为安防、网络通信行业赋能，助力更多企业打造高性价比、高稳定性的标杆级产品。

杰华特

杰华特微电子股份有限公司 . 2026-07-09 1582
方案 | 瑞芯微 × 声网联合发布机器人平行操控一体化解决方案

基于 RK3588/RK3576 芯片，打造底层算力支撑的超低延迟远程操控方案近日，瑞芯微联合实时互动服务商声网，推出标准化机器人平行操控解决方案。方案以 RK3588、RK3576 两大机器人主力芯片为硬件底座，深度适配自研 Rockit 多媒体框架，融合声网 RTC 音视频、RTM 实时信令能力，在 4G/5G/Wi-Fi 环境下端到延迟稳定低于 200ms，网络延迟中位数仅 76ms，为全品类机器人提供标准化远程图传、实时人工干预能力。当前服务机器人市场高速增长，四足、割草、工业巡检等设备需求爆发。平行操控是机器人实现人机共融的核心刚需，但行业普遍存在通信方案零散、开发周期长、弱网操控失效等痛点。本次软硬协同方案，依托瑞芯微底层芯片算力，打通端侧至云端完整链路，降低厂商开发成本。平行操控：机器人规模化落地安全底座机器人自主导航、避障能力可应对常规场景，但厂区杂物、户外陡坡、居家突发障碍等未知场景，必须依靠人工远程接管，该能力即为平行操控。复杂现实环境下，人工终极干预是长期刚需，平行操控是机器人商用的安全保障。此前厂商多自研通信链路，调试周期长达数月，弱网易出现画面卡顿、指令丢失。瑞芯微 RK3588/RK3576 已成为行业主流机器人主控，本次底层联合优化，让搭载 RK 芯片的设备原生具备稳定远程操控能力。软硬全栈底层协同，芯片硬件深度优化方案并非简单接口对接，而是从 RK 芯片指令集到云端信令全链路联合调优，核心依托瑞芯微自研 Rockit 框架实现硬件加速。 Rockit 采用模块化架构，统一封装采集、编解码、图像预处理等底层功能，屏蔽芯片复杂底层逻辑。声网基于该框架做专属适配，直接调用 RK 硬件编解码单元，减少多层数据转换损耗，显著降低延迟、缩短开发周期。 1.芯片算力硬件支撑 RK3588 搭载八核 CPU+6TOPS 自研 NPU，支持多路 8K 硬件编解码，可同步运行 SLAM 感知、AI 识别、高清图传多任务；RK3576 异构架构兼顾实时控制与低功耗。瑞芯微主控芯片已批量供应宇树、云深处、科沃斯、极智嘉等头部机器人企业，是通用机器人算力平台。 2.框架硬件联动优化 Rockit 媒体管线与声网实时通信引擎深度打通，音视频采集、编码、传输、渲染全流程硬件加速，兼顾操控实时性与整机低功耗。核心实测性能指标经双方联合测试，方案可靠性指标突出：超低时延：端到端延迟＜200ms，多数场景低至 150ms，全网延迟中位数 76ms，操控反馈同步自然；超强抗弱网：80% 音视频丢包环境下画面连续，远程操控不中断；信令高可靠：70% 控制信令丢包时，转向、抓取、启停指令送达率接近 100%。整套方案依托芯片底层算力解决远程操控核心痛点，消除设备商用的安全顾虑。全行业机器人场景适配依托 RK 芯片均衡算力，方案覆盖五大应用领域：工业：机械臂、AGV、巡检机器狗，高危车间远程作业、多机协同调度；农业：收割、采茶、割草机器人，田间画面实时回传，远程处置故障；城市服务：清扫、送餐机器人，园区开放环境稳定调度；家庭：陪伴、扫地机器人，移动端远程查看、实时互动；公共安全：消防、边防巡逻设备，危险现场实时画面回传与远程处置。快速集成，缩短产品上市周期任何基于 RK3588 或 RK3576 进行机器人开发的团队，均可直接联系声网或瑞芯微获取完整开发 Demo，快速集成平行操控能力，大幅缩短产品上市周期。共建人机共融国产化算力底座瑞芯微深耕 AIoT 芯片二十余年，RK3588、RK3576 构成机器人底层算力核心。本次联合方案补齐机器人标准化实时通信能力。未来瑞芯微将持续联动声网等生态伙伴，迭代芯片、多媒体框架与云端协同方案，完善机器人全栈软硬件体系，赋能工业、农业、家用、安防机器人规模化商用，共建人机协同时代国产化端侧算力底座。

瑞芯微

瑞芯微电子 . 2026-07-09 1666
技术 | PQC：你想知道但又无处可问的后量子密码干货都在这里了

后量子密码，简称PQC，如今已是众多科技公司公开讨论的热门话题。但是，在半导体行业，仍有很多人难以弄懂后量子密码的复杂原理，而真正明白为何如今亟需转向后量子密码的人更是寥寥无几。不妨在这里探讨一下，我们应该如何思考这个问题，探讨其当下对决策者来说究竟意味着什么。想要理性探讨后量子密码，就必须先储备些许有关量子计算的基础原理的知识，了解量子力学知识，哪怕只是浅显了解，也是必不可少的。后量子密码学内容庞杂，涉及面非常广泛，一篇博文根本无法深入探讨这个专题。故此，本文仅梳理几项最核心的基础原理，力求揭开后量子密码的神秘面纱。基础原理：什么是量子计算？传统计算机依靠电信号存储和处理信息，电信号仅有高低电压两种基础状态，因此，我们用由0和1组成的二进制语言来表示这两种状态。无论是运行程序，还是显示图片和视频，传统计算机所做的事情，归根结底都是一长串0和1的组成的数据。量子计算机的运算基础同样是物理系统，但它并不用传统的电信号，而是采用电子、光子等量子，量子的运动遵循量子力学定律。 19世纪初托马斯・杨完成的双缝干涉实验是一个著名的解释量子运动规律的例子。光线穿过两条狭缝时，会形成干涉条纹，仿佛是光波同时穿过了两道缝隙。可一旦借助测量设备观测光线具体穿过哪条狭缝，干涉条纹便会立刻消失，此时，光线又呈现出粒子形态，这便是量子力学中的波粒二象性。多年来，科研人员利用各类光子或物质多次再现这一特性，它也是量子计算学的核心理论依据之一。什么是量子比特？ ▲一台量子计算机的近距离特写照片双缝干涉实验与量子计算机有何关联？简单来说，量子计算机用量子态表示量子计算机的核心基础信息。传统计算机用比特，而量子计算机则用量子比特，又称Qubit。比特代表电压范围，量子比特则可表示光子偏振态或电子自旋状态。无论是传统计算机还是量子计算机，都需要通过测量来确定比特或量子比特的数值，而双缝干涉实验证实，量子在测量前后的表现截然不同，这与传统力学规律完全相悖。传统计算机的比特采用二进制计数，只用0和1两个数字，0或1代表一个比特；量子计算机同样设定量子比特有两种基础状态，例如，两种能级、两种角动量等。量子比特与传统比特不同之处是，传统比特的两种状态是互斥的，也就是说，比特不是0，就是1，而量子比特可以处于两种状态的叠加态，如同光波能同时穿过两条狭缝一般，兼具比特的0和1两种状态。因此，量子比特里的0态和1态以概率幅形式存在，概率幅决定了测量结果是0还是1的概率。系统一旦执行测量操作，量子比特的叠加态就会坍缩为0或1，量子计算就此结束，这和前文双缝干涉实验中观测光线通过哪条狭缝的原理一致。为此，量子算法利用精心设计的运算来调整量子比特的概率幅。简单来说，量子算法就是调控概率幅，以提高正确结果概率，抑制错误结果的概率，确保测量一次，结果正确一次。量子计算背后掩藏着繁杂深奥的数学理论，一篇博文难以详尽讲解。不过，上面简要的介绍有助于我们明白为何量子计算是一个难题。相较于传统计算机，量子计算机潜在的核心优势是，能够利用叠加态并行推演大量可能情况，而传统计算机只能逐步依次演算。对于特定问题，量子计算机可借助量子特性减少运算次数，实现算力大幅提升，不过，这并非适用于所有情况。过去，量子计算机仅在执行特定类型任务时远超传统计算机，例如，优化运算、量子系统仿真，以及部分密码和搜索类应用场景。量子威胁 ▲迈向后量子密码时代：量子比特电路特写实拍什么是密码相关量子计算机（CRQC）？目前全球各大实验室虽已研制出量子计算机，但无一能够对传统密码算法构成实际威胁。业内将这类设备定义为“非密码相关”量子计算机，意思是这类计算机不具备密码攻击能力。不过，我们显然正在迈向密码相关量子计算机CRQC时代，这类未来量子计算机利用容错量子算法和海量的量子比特，能够破解公钥密码加密体系。有业内预估，此类设备还需10至15年才能问世，但目前很难做出精准可靠的预判。究其原因，一台量子计算机要想具备密码攻击能力，必须能够处理海量的量子比特，还必须满足多项额外硬性技术条件。今天的量子计算机难以识别并修正运算错误与损坏的数据，而密码相关量子计算机CRQC必须能够实时检错和纠错。今天的量子计算机生成的逻辑量子比特极易出错，而想要具备破解密码的能力，量子计算机必须支持处理数百个逻辑量子比特。逻辑量子比特是大量的物理量子比特通过编码组合而成，以防止量子比特出错，类似于ECC内存中的纠错码。2024年，谷歌已研发出由105个物理量子比特组成的逻辑量子比特。最后，密码相关量子计算机还需完成数百万次量子门运算，并稳定运行至少数小时。不满足以上全部条件，一台量子计算机算不上真正具备密码攻击能力。量子威胁是什么？传统算法量子计算机将如何破解传统密码算法？最常被提及的破解方法便是肖尔算法，该算法以数学家彼得・肖尔命名。想要弄清它的原理，首先要明白：当下众多主流密码算法都依靠一个事实：在传统计算机上进行大整数因数分解难度高，耗时长。我们都知道，两个数字相乘既简单又快捷，可要反向找出这个大数是哪几个质数相乘的结果则需要很长时间，使得这种运算几乎没有可行性。这本质上就是RSA这类加密算法的核心原理。这个大数就是加密后的数据，两个质数分别对应公钥与私钥。如果同时持有两组质数密钥，解密过程就会十分简便迅速；若仅有公钥，靠暴力枚举破解私钥几乎无从实现。举例来说，用传统计算机破解采用2048位整数的RSA加密，大约需要300万亿年。据一篇2021年发表的热门论文，如果同一破解运算在量子计算机上执行，只需8个小时和2000万个有噪量子比特就能破解密码。肖尔算法与格罗弗算法量子计算背后隐藏的无数个复杂深奥的数学原理可以解释，密码相关量子计算机如何快速破解RSA加密算法。本文不深入探讨数论与模运算相关知识，但可以介绍两个关注度较高的连主流刊物都引用的热门算法：肖尔算法与格罗弗算法。本质而言，这两种均为量子算法，能让量子计算机在某些情况下运算速度远超传统计算机。因此，当各行各业谈及量子计算机对现行密码标准构成威胁时，部分原因正是这些算法已从数学层面证实了这种破解的可行性。简单来说，彼得・肖尔于1994年提出了肖尔算法，证实了量子计算机能够以惊人速度完成阶数求解及其他复杂运算。深究其原理，我们不难发现，量子计算机可操控多个量子比特执行模运算和其他运算，运算速度远超传统计算机。因此，肖尔算法能用很少的运算步骤完成大整数因式分解运算，以更快的速度破解RSA加密，极大动摇了这类加密算法的安全根基。 1996年，洛夫・格罗弗同样提出了一种量子算法，这个量子搜索算法可用于暴力破解对称密钥，适用于AES这类分组密码，以及HMAC-SHA-256等带密钥的哈希结构算法。传统暴力破解几乎需要演算所有可能密钥。以常用的128位密钥为例，演算全部密钥需要底层密码算法执行2128次运算，说白了，理论上，我们必须试遍所有的密钥值。相反，格罗弗算法利用量子计算机的特性，每一次运算都会提升正确密钥的概率幅，经过约264次运算后，就能以极高概率测出正确密钥。 AES-192和AES-256 虽然量子计算机可一次性处理海量信息，运算能力远超传统计算机，对部分加密算法构成安全隐患，但美国商务部国家标准与技术研究院公开表示，并非现行所有加密算法都会失效。例如，该机构明确指出：192位和256位高级加密标准（AES）在未来很长一段时间内依旧安全无虞。原因在于格罗弗算法在实现上受到限制，严重限制了其对此类加密方式的暴力破解能力。除了需要大量的量子计算外，它难以实现高效并行运算，进一步制约了其实用优势。前瞻布局，应对未来我们既不能夸大当前密码相关量子计算机带来的风险，也绝不能低估其潜在威胁。随着量子计算机技术越来越成熟，现在尚好的加密体系，未来将不堪一击。这对于许多需要长期稳定运行数十年甚至更久的数字签名与认证技术而言，无疑是一大隐患。同理，即便当前基于传统公钥密码体系的区块链能满足所有安全标准，若无法抵御二十年后的量子计算机攻击，最终也将彻底失去使用价值。如今，攻击者还普遍采用先盗后破的策略：提前囤积大量的涉密数据，待量子算力足以破解密钥后，再行破解之事。因此，不难理解，即便密码相关量子计算机尚未问世，部分现有加密算法在量子计算机问世之前还有很长的生命力，众多企业已然在做后量子密码技术升级，以抵御破解能力很强的量子计算机的攻击。知名内容分发网络服务商云帆去年就推出了后量子密码相关计划，谷歌也刚刚宣布更新了Chrome浏览器和云服务，新增一个量子安全加密工具。无独有偶，苹果也表示已在iMessage应用中采用了后量子密码算法，以此防范未来来自量子计算机的安全威胁。 CRQC何时能够问世？各国监管机构相继出台了后量子密码部署路线图。像美国国家安全局（NSA）一样，很多机构坦言，目前无法确定密码相关量子计算机（CRQC）具体问世时间。但各方早已启动相关规划，因为从正式标准化到全系统集成，整个迁移过程往往需要十年甚至更久。简言之，抗量子破解算法技术迁移已然启动，行业正全面向后量子密码转型。各国政府机构也已公布后量子密码迁移建议时间表，提前布局应对量子危机日（Q-day），迎接密码相关量子计算机正式问世。欧盟 2024年6月，欧盟委员会要求各成员国在欧盟后量子密码建议发布起两年后制定出后量子密码实施路线图，截止时间定为2026年底。欧盟在官方路线图中明确：高风险应用场景需尽快完成后量子密码迁移，最晚不迟于2030年底；到2035年，尽可能完成绝大多数系统的迁移改造。欧盟网络安全局（简称ENISA）已发布迁移白皮书与集成研究报告，帮助各国达成上述目标。美国国家标准与技术研究院同样，美国国家标准与技术研究院（NIST）在2025年的一份研究报告中提出，计划在2030年前逐步淘汰易受量子攻击的加密算法，并于2035年全面禁用此类算法。美国商务部表示，在后量子密码迁移过渡期内，经由NIST认证的128位安全强度的传统对称密码基础算法依旧可以正常使用，各机构也可继续使用112位安全等级的公钥算法。不过，NIST清楚，全面切换至抗量子攻击算法是一项庞大的工程，需要升级基础设施，开发新的软硬件、密码库等多项工作。因此，该机构早在数年前就启动了相关标准化工作，全力推动行业尽早完成向后量子密码体系的转型。 NSA美国国家安全局与此同时，美国国家安全局（NSA）表示，力争所有国家安全系统（NSS）在2035年前全部完成抗抗量子攻击升级改造。为达成该目标，该局已制定商用国家安全算法套件2.0版（CNSA 2.0），明确列出可应用于国家安全系统的各类抗量子攻击算法。美国国家安全局指出：所有在国家安全系统中采用通用标准算法的产品，都必须使用CNSA 2.0规定的算法。自2027年1月1日起，国家安全系统所有新采购设备均需符合CNSA 2.0标准；到2030年12月31日，除特殊说明外，所有无法兼容CNSA 2.0的软硬件设备与服务必须逐步淘汰；至2031年12月31日，相关系统将强制统一启用CNSA 2.0系列算法。 PQC时代的到来哪里需要部署PQC？各类基础设施受量子计算机的影响程度不尽相同，各类算力设备也无需以统一节奏向后量子密码迁移。但不能片面认为，只有存储国家机密的超级计算机才需要优先完成PQC迁移。实际上，决定设备是否优先PQC迁移的核心因素，往往不在于设备用途，而是实际使用年限。即便是普通工业设备，一旦设计周期长达数十年，也会成为高敏感设备。倘若其安全启动、远程空中升级机制不具备抗量子攻击能力，整套系统就会沦为企业整体网络的安全漏洞。正因如此，全球移动通信系统协会（GSMA）在2024年发布指引，明确电信运营商向后量子密码体系过渡的实施办法。美国网络安全和基础设施安全局也向全部运营技术（OT）类业主和企业发布了相似指引，提醒相关主体绝不能等到密码实用型量子计算机问世后，才着手制定和落地应对方案。该局指出，认为仅有信息技术（IT）体系会遭受量子威胁的想法实属误区。文件中说明，一旦密码相关量子计算机成型，攻击者可在所有运营技术系统中伪装成可信主体，悄无声息篡改数据，或是破解保护通信链路的加密信息。因此，一些看似毫不起眼、用途普通的小型设备反而面临最大安全风险，可信平台模块（TPM）便是典型代表。这类微型安全芯片是信任根的核心载体，负责固件签名和密钥生成管理，以及设备启动流程的安全防护。倘若设备的信任根遭到攻破，全世界保护网络安全的抗量子攻击TLS证书将毫无意义，形同虚设。同理，各国政府、企业及机构普遍采用安全身份凭证与各类安全组件存储个人信息。这类身份凭证使用周期极长，常被用于文件签署与身份核验。一旦这类凭证存在量子安全漏洞，将会引发灾难性后果。全新的后量子密码标准有哪些？它们与传统加密算法存在哪些差异？更难解的数学题在准备向后量子密码迁移的过程中，很多人想知道怎样才能具备抗量子攻击能力。虽然底层数学原理十分复杂，但是，核心思路是采用比大数分解运算量更大的加密算法，格基密码便是典型代表。简单来说，格基密码使用一组坐标，可以粗略理解为二维平面上的点，求解高维结构化代数等数学难题。这类算法还会运用数论变换等复杂数学手段进一步提升运算量，以此强化自身的抗量子破解能力。资源消耗更高此外，后量子密码还采用一些直观却十分有效的方式提升安全强度，增大密钥长度便是其中之一。正如高级加密标准（AES）所体现的，即便其底层加密原理在理论上可被量子计算机破解，只要密钥长度足够大，攻击者破解所需耗费的时间与资源就会达到难以实现的程度。除此之外，部分抗量子算法将会启用状态值，原理类似随机数值，每次生成签名时，计数器都会生成对应的状态值，系统通过核验该值来确认消息来源是否可靠、数据是否遭到劫持篡改。RSA、椭圆曲线数字签名算法（ECDSA）等传统传统算法均为无状态值设计，而部分后量子密码机制采用有状态值设计，以此增添一重安全防护，有效杜绝签名被冒用的风险。 PQC算法清单 2024年，美国国家标准与技术研究院（NIST）正式发布三个后量子密码标准：ML-KEM（FIPS 203）、ML-DSA（FIPS 204）、SLH-DSA（FIPS 205）。ML代表模格密码；KEM即密钥封装机制，用于在不安全通信信道中安全传递会话密钥。后两个标准属于数字签名算法，用于核验数据真实性与合法性。SLH指代无状态哈希基密码，依靠哈希运算实现加密，而非格结构数学难题。这三个标准算法为抗量子攻击安全奠定了坚实的基础。例如，苹果已启用ML-KEM；谷歌选用了ML-DSA与SLH-DSA，但是，谷歌云密钥管理系统是三个标准全都支持。业界仍在持续推进新算法标准化工作，以适配各类特殊应用场景。例如，美国国家标准与技术研究院已批准另外两种有状态哈希签名算法：LMS（莱顿 - 米卡利签名算法）与XMSS（扩展默克尔签名方案）；同时还在推进另一款格基签名算法FN-DSA（FIPS 206）的标准化进程。该算法融合格密码与快速傅里叶变换技术，既能缩减密钥长度，又可保障抗量子攻击能力。但是，这个算法依赖浮点运算，实现难度较大，并不适用于主打抗侧信道攻击的产品场景。向后量子密码迁移面临哪些挑战？资产梳理企业团队往往只聚焦将要采用的抗量子攻击算法，却忽视了迁移过程中的其他各类难题。事实上，美国网络安全和基础设施安全局发布量子安全就绪指南时，并未提及任何具体算法名称，而是重点列出多项要求，指导企业梳理加密资产清单，此举可帮助机构评估安全风险，甄别存在安全隐患的通信协议，明确认证限制要求，同时摸清向后量子加密算法迁移会波及的所有关联问题。举例来说，不少企业一心着手升级云端基础设施，却彻底忽略员工访问云端服务所用的智能卡、硬件安全模块以及虚拟专用网络等设备与工具。密码敏捷性因此，行业定义了密码敏捷性这一概念。美国国家标准与技术研究院（NIST）将其定义为：在保障安全与业务持续运行的前提下，替换和调整协议、应用程序、软硬件、固件及基础设施中的加密算法的能力。简单来讲，就是能够在尽可能不影响日常业务运转的前提下，完成向后量子密码的平稳迁移。具体包含这些举措：全面梳理有加密功能的产品目标；搭建可通过应用程序接口（API）对算法进行抽象封装的底层架构；确保所有软件均可便捷、安全地更新升级。同时，密码敏捷性还是指机构能否多算法并行使用，一旦发现现有算法存在安全漏洞，能否及时无缝切换至全新加密算法的能力。密码敏捷性是所有后量子密码迁移工作的核心要求。它既能减少设备停机时长，降低业务损失，也能保障迁移过程安全可控。例如，若在迁移工作中舍弃密码敏捷性原则，对证书规范、通信协议、密钥容器等进行硬编码固定，企业不仅会因部署不当承受更高安全风险，后续安全方案的迭代更新也会变得极为困难，进而引发更长时间的停机时间与更大的业务损失。量子攻击防护技术转型带给我们的启示是：网络信息安全技术始终在不断发展演进，搭建具备密码敏捷能力的企业架构，是顺应安全发展趋势的最佳途径。互通性与混合部署密码敏捷性的另一大核心原则是互通兼容性，即确保各系统无论处于何种迁移阶段，彼此之间都能正常通信。倘若某套系统升级为抗量子攻击算法后，无法与其余基础设施正常通行，将会引发严重故障。正因如此，众多企业开始采用混合部署模式，在同一系统内，传统加密和后量子密码两种算法都用，两者之间实时动态切换，以此保障设备互联互通。混合部署虽会提升架构复杂度，增加运算资源开销，但对于大型机构而言，这往往是平稳完成后量子密码迁移的最优方案。资源受限型系统工程师们清楚，在部分资源受限型系统上推进后量子密码迁移同样困难重重。这类设备通常内存配额紧张、带宽偏小，搭载的微控制器算力也十分有限。即便部分设备自带加密功能，也往往缺少可高效运行抗量子攻击算法所需的驱动程序、中间件以及应用程序接口。因此，嵌入式系统研发人员必须提前做好后量子密码适配规划。部分已投入使用的产品尚可升级支持后量子密码算法，但还有不少产品很难甚至无法完成改造，除非设计阶段就提前预留了后量子密码适配方案。 PQC对计算机系统有哪些影响？向后量子密码(PQC)迁移将给计算机系统的设计、部署与运维方式带来深远影响。为应对迁移过程中固有的各类难题，工程师需从硬件、软件两大层面多维度着手推进。硬件层面，部分后量子加密方案需要更长的密钥、签名和密文，要求更高的运算量，这就要求系统配备更大内存和外存，以承载更长的密钥和证书，以及更多的中间数据；同时还需提升处理器性能，或搭载专用加密加速器，将处理延迟与功耗控制在合理范围。此外，部分设备平台还需更新系统架构与安全模块，适配全新的加密流程。后量子密码迁移绝非仅仅启用新算法那么简单，还需要强化针对物理攻击与代码实现层面攻击的防护能力。即便选用安全性顶尖的抗量子攻击算法，一旦攻击者能够利用其代码实现中的漏洞发起攻击，算法防护也会彻底失效。举例来说，若缺乏完善防护手段，黑客可通过监测设备功耗、电磁辐射、运算时间差，或是向系统注入故障等方式，破解获取私钥与各类敏感数据。为抵御此类侧信道攻击，系统必须集成各类防护机制与硬件级防御手段，确保抗量子密码算法不会因非量子类安全缺陷遭到攻破。换言之，如果一套高安全等级的后量子密码算法代码极易被普通设备攻破，那么它所带来的安全防护也只是形同虚设。 ST如何应对PQC带来的各项挑战？ ▲The ST33KTPM ST33KTPM可信平台模块意法半导体积极应对后量子密码时代带来的各类挑战，为通用及安全微控制器提供全套的软件库与硬件IP模块，为行业后量子密码迁移赋能。代表性解决方案包括适配STM32系列的X-CUBE-PQC后量子密码软件包，以及ST33KTPM可信平台模块，该产品支持主流后量子密码算法的核心功能。例如，该模块的有状态哈希签名方案采用LMS莱顿 - 米卡利签名算法，保障固件身份真实可信；同时支持后量子密钥封装机制ML-KEM与后量子数字签名算法ML-DSA。这个模块还是意法半导体首款具备抗量子攻击能力的TPM。 ST33KTPM已通过FIPS 140-3安全认证，证明其满足严苛的安全规范要求，也标志着该产品已全面做好迎接后量子时代的准备。作为一个TPM，ST33KTPM可用作服务器、个人电脑、物联网设备及各类嵌入式系统的硬件信任根。意法半导体将后量子密码机制直接集成至这一核心安全基石中，确保各类系统核心的数据完整性、身份验证和密钥管理功能具备很强的防御韧性，甚至能够抵御未来的量子计算机的攻击。实现密码敏捷性与PQC就绪能力除全新硬件产品外，意法半导体还持续投入研发各类软件库与开发工具，助力现有及新一代产品准备好迎接后量子密码时代的到来，实现密码敏捷性是其中一个重要目标，即在不重新设计整体系统的前提下，逐渐灵活部署、整合或替换各类加密算法的能力。借助这类软件库，开发人员可整合后量子密码算法与传统加密算法，搭建混合加密方案，让迁移过程更平稳、更安全。随着行业标准迭代，新型安全威胁出现，技术团队还能通过系统更新灵活切换加密算法、调整密钥长度。即便在密码相关量子计算机尚未大规模普及前，现有平台提前做好准备是防御量子计算机攻击的最高效的方式之一。

ST

意法半导体中国 . 2026-07-09 1204
产品 | SMU新品落地半导体测试，普源精电开辟全新增长曲线

近日，普源精电（RIGOL）自愿披露，公司即将发布DSU2000系列台式精密源测量单元（SMU）及SUP5000系列PXIe高密度源测量系统，进一步完善解决方案产品矩阵，产品能力将覆盖半导体研发、验证及量产测试等关键场景，持续深化半导体测试领域布局。 DSU2000系列是普源精电首次发布的台式精密源测量单元，提供了最多两个通道的四象限电源输出和测量的能力，每个通道均具备40W的最大输出功率，±220V/±1.1A的电压电流范围，以及最小50us脉宽，最大3A的电流脉冲输出能力，面向半导体器件表征、光电测试、新能源研发及生产线自动化测试等场景，提供高功率、高速度、低噪声的精准源测量能力。 SUP5000系列是一款高精度、高集成度的多通道源测量系统，采用国内首款单PXIe板卡24通道设计，单机箱最高可扩展至384通道，可满足多通道、高密度的半导体产线自动化测试需求，助力用户构建定制化测试解决方案。半导体量产测试：电子测量价值的“高地” 电子测量仪器作为现代高端制造的重要基础工具，广泛应用于研发设计、产品验证、生产制造及质量检测等环节，是通信、新能源、汽车电子及半导体产业发展的重要基础支撑。其中，半导体测试是电子测量技术最具技术门槛和产业价值的应用方向之一。从晶圆制造、器件研发，到封装测试、可靠性验证，再到最终量产测试，测试能力直接影响芯片性能、良率和可靠性，是保障先进工艺稳定运行的重要基础。与传统研发测试相比，半导体量产测试对设备提出了更高要求，不仅需要具备更高的测量精度、更低的噪声水平和更好的长期稳定性，还需要支持自动化系统协同、高吞吐测试及长期连续运行。一旦完成客户验证并进入量产体系，测试设备通常伴随产品全生命周期持续应用，客户粘性和复用价值更高，也形成了更高的技术壁垒。当前，以AI算力、高性能计算、先进封装、Chiplet、第三代半导体、汽车电子等为代表的新一轮产业升级正在持续提升芯片复杂度，对参数测试、可靠性测试和动态测试提出更高要求。同时，在国产替代持续推进、高端测试设备自主可控需求不断提升等因素推动下，国内半导体测试市场正迎来新的发展机遇，也为国产电子测量企业提供了更广阔的发展空间。覆盖研发、验证到量产，深化产业应用作为半导体测试的重要基础仪器，源测量单元广泛应用于半导体器件研发、晶圆制造、封装测试及系统级自动化测试等关键环节。在静态参数测试领域，DSU2000/SUP5000系列可应用于MOSFET、IGBT、SiC、GaN等功率半导体器件I-V特性、阈值电压、击穿电压等关键参数测试，以及晶圆级漏电流筛查、封装后器件参数分选、可靠性验证等典型场景，为半导体研发及Fab、封测产线提供高精度测试能力。在动态测试领域，产品可结合高速示波器、脉冲测试等解决方案，支持面向HVDC和高压电源等应用场景的SiC/GaN功率器件动态参数测试，为高性能功率半导体开发及验证提供测试支撑。除半导体领域外，DSU2000/SUP5000系列还可广泛应用于LED及激光器LIV测试、VCSEL阵列测试、太阳能电池及锂电池特性测试、新材料与传感器研究，以及ATE系统集成等多个应用方向，并兼容行业主流SMU指令集，可有效降低客户自动化测试平台升级成本，进一步提升系统部署效率。从实验室研发，到晶圆制造，再到封装测试及自动化量产验证，DSU2000/SUP5000系列进一步丰富了普源精电面向半导体产业链的测试能力，也推动公司行业解决方案持续向更深层次应用场景延伸。自主创新驱动，持续拓展高端测试测量能力近年来，普源精电持续推进自主核心技术创新，围绕数字示波器、微波射频仪器、直流精密仪器及模块化仪器构建完整产品体系，并不断向半导体、通信、新能源等高景气行业深化布局。作为全球少数实现自研ASIC芯片电子测量仪器商业化应用的企业之一，公司持续突破高端电子测量核心技术，高端产品矩阵逐渐完善，为行业解决方案能力不断提升奠定了坚实基础。此次DSU2000系列源测量单元及SUP5000系列源测量系统的推出，不仅进一步完善了普源精电在半导体测试领域的产品布局，更标志着公司产品能力持续向研发、验证及量产测试等高价值应用场景延伸。随着AI算力、先进封装、第三代半导体、高端制造等战略行业需求持续释放，公司有望进一步拓展高附加值应用领域，培育新的增长动能，为长期高质量发展打开更加广阔的空间。未来，普源精电将继续坚持自主研发创新，围绕半导体、高端制造等重点行业持续完善测试测量产品与解决方案布局，以更加完整的产品矩阵和行业解决方案服务全球客户，为产业创新持续创造价值。

普源精电

普源精电RIGOL . 2026-07-09 1407