芯查查-电子信息产业数据引擎

6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

市场 | 2025年，全球智能手机市场复苏乏力，第一季度增长仅1%

Canalys（现已并入Omdia）研究数据显示，2025年第一季度，全球智能手机市场同比增长1%。尽管面临持续的宏观经济下行、消费者信心疲软以及渠道库存出货延迟等挑战，市场仍实现温和增长。三星以20%的市场份额重夺全球第一，苹果紧随其后，市场份额为18%。小米以14%的市场份额位居第三，与去年同期持平；vivo与OPPO分别以8%的市场份额排名第四和第五。 Canalys研究经理刘艺璇（Amber Liu）表示：“尽管全球市场整体仍处于复苏进程中，但2025年第一季度的整体环境比预期更加动荡。在2024年末的强劲表现中，厂商纷纷向渠道大量压货以争夺市场份额，但实际销售（sell-through）低于预期，导致库存周期拉长，进而抑制了2025年初的出货动能（sell-in）。与2024年由疫情后换机潮和大众市场价格优势推动的复苏不同，今年的反弹显得更加脆弱。” Canalys高级分析师Sanyam Chaurasia表示：“受全球宏观经济挑战影响，消费者情绪依然谨慎，抑制了第一季度本应出现的季节性增长。即便是在如斋月等关键市场的节庆期间，需求也低于预期。面对出货量恢复缓慢的情况，厂商正将重点放在提升盈利能力的同时，保持在市场投资上的积极性与灵活性。具体策略包括：动态渠道激励计划以推动出货，与分销商合作在新兴市场扩大融资支持，以及灵活的渠道定价策略，在盈利和价格竞争力之间寻找平衡。” 刘艺璇继续表示：“不断升级的全球贸易紧张局势为2025年的智能手机厂商带来了新的不确定性。在美国，苹果、三星和联想等厂商已经面临本土需求疲软，同时还要应对即将出台的关税可能带来的运营成本上升压力。为此，苹果在4月初提前出货，将第二季度库存前置，以缓解潜在的成本上升影响。虽然新一轮关税的具体范围和时间尚不明朗，但厂商普遍已经在为零部件价格上涨和部分市场出口需求减弱做准备。为降低风险，厂商及其供应链伙伴正加速推进多元化战略，包括转移生产基地、重新评估采购模式以及优化物流网络。预计这些变化将在2025年持续冲击行业盈利能力，并延长全球智能手机行业的规划周期。“

智能手机

Canalys . 2025-04-15 805
产品 | 兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动

今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。 GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率；1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理（BBM）功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理（BBM）功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理（BBM）功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。 “目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。” 目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24（5×5 ball array）5x5ball封装选项。

兆易创新

兆易创新GigaDevice . 2025-04-15 530
企业 | 博世成立合资公司，加速推动量子传感器商业化落地

在人类尚未完全理解的量子世界里，隐藏着颠覆未来的巨大潜力。作为全球技术与服务的引领者，博世正以前瞻性的布局和坚定的投入，持续推进量子科技的产业化进程。近日，博世正式宣布与全球领先的人造金刚石解决方案供应商元素六（Element Six）成立合资公司——博世量子传感（Bosch Quantum Sensing），进一步加速量子传感器的研发、制造与市场落地。新公司总部设于德国路德维希堡，由博世主导运营，Element Six持股25%。该合资公司将以博世于2022年成立的内部初创项目为基础，目前团队规模已达30人。通过深化与Element Six的合作，博世正将其在工业制造、系统集成方面的深厚积淀，与Element Six在人造金刚石材料领域的前沿技术优势相融合，携手构建量子感知的未来图景。量子传感器具备极高的灵敏度，可精确探测微弱磁场，从而在医疗健康、移动导航、自然资源勘探等关键领域打开全新应用空间。博世预估，仅医疗与移动方向的全球市场潜力，到2025年便将达到每年数十亿欧元。凭借结构紧凑、便于量产、具备强大集成能力的最新原型机，博世正致力于将量子传感器体积进一步缩小至可集成于芯片，实现真正意义上的可穿戴与嵌入式智能。 Stefan Hartung博世集团董事会主席：量子传感器是一项具有革命意义的未来技术，能够重塑众多行业并改善人类生活。成立新公司，进一步彰显了这项技术在博世战略蓝图中的重要地位。作为此次合作的重要伙伴，Element Six首席执行官 Siobhán Duffy 也指出：“通过结合双方数十年的技术积淀，我们将在医疗、导航等关键领域开辟全新可能，推动人造金刚石技术的规模化应用进入新时代。” Element Six 首席执行官 Siobhán Duffy（左）和博世量子传感首席执行官 Katrin Kobe 共同成立合资公司博世量子传感博世始终坚信：未来由科技驱动，创新由实践落地。从智能传感到量子感知，博世正在不断拓展感知边界，驱动人类与技术的深度融合。我们正在构建的，不仅是一个智能互联的世界，更是一个充满可能性的量子未来。

博世

Bosch Sensortec . 2025-04-15 680
产品 | 德州仪器新型汽车芯片助力汽车制造商提升车辆的自动驾驶水平和安全性

新闻亮点：与分立式解决方案相比，新型高速单芯片激光雷达激光驱动器能够更快速、更精准地检测到物体。基于体声波 (BAW) 的新型高性能汽车时钟，可靠性比基于石英的时钟高出 100 倍，从而实现更安全的运行。汽车制造商可以借助德州仪器最新的毫米波 (mmWave) 雷达传感器来增强前置雷达传感器和角置雷达传感器的功能。德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）今日推出了一系列新型汽车激光雷达、时钟和雷达芯片，旨在通过为更多类型的汽车引入更多自动驾驶功能来助力汽车制造商提升车辆安全性能。德州仪器全新的 LMH13000 是一款集成式高速激光雷达激光驱动器，能够实现超快速的上升时间，从而改善实时决策能力。基于体声波 (BAW) 的汽车时钟产品，即 CDC6C-Q1 振荡器和 LMK3H0102-Q1 及 LMK3C0105-Q1 时钟发生器，提高了高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的可靠性。为支持不断发展的 ADAS 的需求，德州仪器新推出的 AWR2944P 毫米波雷达传感器搭载了先进的前置雷达和角置雷达功能。 "我们全新的汽车模拟和嵌入式处理产品既有助于汽车制造商达到当前的安全标准，又能推动其朝向无碰撞的未来加速发展。" 德州仪器中国区技术支持总监赵向源表示，"半导体创新为汽车制造商提供了提高整个车队车辆自主性所需的可靠性、精确性、集成性和经济性。" 测量距离延长 30%，改善实时决策激光雷达是未来安全自动驾驶汽车的关键技术，可提供驾驶员周围环境的详细三维地图。这使车辆能够准确探测障碍物、交通和道路状况并迅速做出反应，从而改善实时决策。德州仪器的全新 LMH13000 是一款集成式高速激光驱动器，可提供 800ps 的超快上升时间，与分立式解决方案相比，测量距离延长高达 30%。该器件集成了低电压差分信号 (LVDS)、互补金属氧化物半导体 (CMOS) 和晶体管-晶体管-逻辑 (TTL) 控制信号，无需使用大型电容器或其他外部电路。这种集成还能使系统成本平均降低 30%，同时将解决方案的尺寸缩小四倍，从而使设计工程师能够在更多区域和更多车型上离散安装结构紧凑、价格合理的激光雷达模块。随着激光雷达技术达到更高的输出电流，脉冲持续时间随温度出现巨大变化，使得满足人眼安全标准面临严峻挑战。德州仪器的 LMH13000 激光驱动器可提供高达 5A 的可调节输出电流，在 -40℃ 至 125℃ 的环境温度范围内变化率仅为 2%，相比之下，分立式解决方案的变化可高达 30%。该器件的短脉宽生成和电流控制功能使系统能够符合美国食品药品管理局的 1 类人眼安全标准。利用新款基于 BAW 的汽车时钟设计可靠的 ADAS ADAS 和车载信息娱乐系统中的电子器件必须在面对温度波动、振动和电磁干扰时仍能可靠工作。得益于德州仪器的 BAW 技术，新型 CDC6C-Q1 振荡器和 LMK3H0102-Q1 及 LMK3C0105-Q1 时钟发生器的可靠性比传统石英时钟提高了 100 倍，时基故障率仅为 0.3。增强的时钟精度和在恶劣条件下的恢复能力使下一代车辆子系统的运行更安全、数据通信更简洁、数据处理速度更高。此外，德州仪器还在被广泛采用的 AWR2944 平台基础上推出了新型前置和角置雷达传感器 AWR2944P。新型雷达传感器的增强功能通过扩大检测范围、提高角度精确度和实现更复杂的处理算法来提高车辆安全性。主要增强功能包括：提高信噪比；增强计算能力；更大的内存容量；集成式雷达硬件加速器，可使微控制器和数字信号处理器能够为边缘人工智能应用执行机器学习。德州仪器的新型汽车雷达、时钟及雷达解决方案，能够协助工程师设计适应性强的 ADAS，提供更安全、更自动化的驾驶体验。

TI

芯查查资讯 . 2025-04-15 2694
收购 | Allegro拒绝安森美收购

美国芯片制造商安森美（Onsemi）周一取消了以 69 亿美元收购规模较小的竞争对手 Allegro MicroSystems 的报价，结束了长达数月的竞购，安森美希望利用市场低迷来扩大其在汽车行业的影响力。今年 3 月份，Allegro 曾表示，Onsemi 提出的每股 35.10 美元的收购报价“不够”，而就在几个月前，Onsemi 还拒绝了后者每股 34.50 美元的收购提议。 Onsemi 首席执行官 Hassane El-Khoury 表示：“鉴于 Allegro 董事会不愿充分参与和探讨我们的提议，我们决定撤回收购提议。” Allegro 尚未回应置评请求。周一盘后交易中，其股价下跌 12.5%，至 19.25 美元，而 Onsemi 股价上涨 1%。去年，这两家公司的股票均遭受重创，原因是受销售放缓的打击，在疫情后汽车需求激增期间，汽车制造商难以获得处理器，因此减少了芯片订单。安森美半导体于 2 月份宣布了一项重组计划，旨在削减成本，裁员约 2,400 人。收购 Allegro 将使该公司在电动汽车和传统汽车使用的电源管理系统市场以及辅助车辆制动和转向功能系统所必需的芯片市场中占据更大的份额。在新闻稿中，安森美表示，尽管 onsemi 仍然相信，这些公司的合并将使两家高度互补的企业走到一起，使各自的客户受益，并为 Allegro 股东带来直接价值，但 onsemi 已确定没有可行的前进道路。安森美半导体将专注于其他现有机会，以提升股东价值。结合今天的公告，安森美半导体计划继续向公司现有的股票回购计划注资。 onsemi 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury 表示：“onsemi 致力于采取严谨的资本配置方式，并最大化股东的长期价值。尽管我们始终相信与 onsemi 的合并将惠及两家公司的所有利益相关者，但经过慎重考虑，鉴于 Allegro 董事会不愿全面参与并探讨我们的收购方案，我们决定撤回收购方案。我们始终尊重 Allegro 的领导团队及其优秀的员工队伍。” El-Khoury 继续说道：“Onsemi 在战略和财务上都占据着有利地位，我们将继续专注于执行核心增长计划，同时推行提升价值的资本配置策略。凭借市场领先的技术、强大的创新渠道和清晰的战略路线图，我们将继续在汽车、工业和 AI 数据中心等核心市场中看到巨大的长期机遇。” 在安森美看来。Allegro加入安森美的价值在于双方高度互补的业务融合，这让各自的客户受益，并为Allegro的股东带来即时。”安森美总裁兼总裁Hassane El-Khoury表示“Allegro团队在汽车和工业终端市场的磁传感和电力IC领域建立了令人惊叹的领导地位。Allegro独特的产品组合与安森美多样化的智能电源和感知技术相结合，将共同打造汽车、工业及AI数据中心应用领域的令人放心的领导者。” 但Allegro拒绝了这次收购。

安森美

芯查查资讯 . 2025-04-15 550
企业 | 英特尔将Altera出售给银湖资本

英特尔刚刚宣布，它已达成最终协议，将其 Altera 业务的 51% 出售给全球领先的技术投资公司银湖资本。此次交易对 Altera 的估值为 87.5 亿美元，确立了 Altera 的运营独立性，并使其成为最大的纯 FPGA（现场可编程门阵列）半导体解决方案公司。Altera 提供经过验证且高度可扩展的架构和工具链，并专注于推动增长和 FPGA 创新，以满足人工智能驱动市场的需求和机遇。英特尔将拥有 Altera 业务剩余的 49% 股份，使其能够参与 Altera 未来的成功，同时专注于其核心业务。英特尔还宣布，拉吉布·侯赛因 (Raghib Hussain) 将接替桑德拉·里维拉 (Sandra Rivera) 担任 Altera 首席执行官，该任命将于 2025 年 5 月 5 日生效。侯赛因是一位成就卓著、富有远见的技术高管，拥有敏锐的商业头脑和工程经验。他加入 Altera 之前曾担任 Marvell 产品与技术总裁。在 2018 年加入 Marvell 之前，侯赛因曾担任 Cavium 的首席运营官，该公司是他共同创立的。加入 Cavium 之前，侯赛因曾在思科和 Cadence 担任工程师职位，并协助创立了企业安全公司 VPNet。英特尔首席执行官陈立武表示：“今天的公告体现了我们致力于聚焦重点、降低支出结构和增强资产负债表的承诺。Altera 正在不断推进产品组合的重新定位，以参与 FPGA 市场中增长最快、利润最高的细分市场。我们感谢 Sandra 在 25 年的英特尔职业生涯中展现出的卓越领导力和持久影响力，并祝愿她在开启新篇章时继续取得成功。Raghib 是一位优秀的高管，我们之所以选择他来领导公司发展，是基于他丰富的行业经验和成功的业绩记录。我们期待在交易完成后与银湖资本合作，因为他们的行业专业知识将有助于加速 Altera 的发展，并为英特尔释放更多经济价值。” Silver Lake董事长兼执行合伙人Kenneth Hao表示：“这项投资是千载难逢的投资良机，可以投资于先进半导体领域的规模领先企业。我们将与Raghib携手，专注于巩固Altera的技术领导地位，并投资边缘计算和机器人等新兴的人工智能驱动市场。我们期待与英特尔紧密合作，英特尔将作为我们的战略合作伙伴，继续在美国提供晶圆代工服务，并与客户开展互补合作。” Hussain表示：“我很高兴能够带领Altera开启新的篇章，与Silver Lake的合作将进一步推进Altera成为全球第一大FPGA解决方案提供商的征程。凭借Silver Lake的卓越业绩，以及作为独立公司明确的发展目标，Altera完全有能力继续保持发展势头，提供突破性的FPGA解决方案，塑造由人工智能驱动的计算未来。在Altera开启新一轮增长阶段之际，我衷心感谢Sandra以及她所打造的团队。” 40 多年来，Altera 一直引领 FPGA 创新。公司提供领先的可编程解决方案，这些解决方案易于使用，可部署于工业、通信、数据中心和军事、航空航天、政府等一系列具有战略意义的领域，以及人工智能/边缘计算和机器人等新兴市场。其丰富的可编程半导体解决方案、软件和开发工具组合，可提供加速客户技术创新所需的可靠性和灵活性。该交易预计将于 2025 年下半年完成，但须遵守惯例成交条件。交易完成后，英特尔预计将把 Altera 的财务业绩从英特尔的合并财务报表中剥离。2024 财年，Altera 的营收为 15.4 亿美元，GAAP 毛利润为 3.61 亿美元，GAAP 运营亏损为 6.15 亿美元。Altera 2024 财年的非 GAAP 毛利润为 7.69 亿美元，非 GAAP 运营利润为 3500 万美元。以下提供 GAAP 和非 GAAP 指标之间的对账。摩根士丹利公司担任英特尔的财务顾问。

英特尔

芯视点 . 2025-04-15 385
产品 | 广汽集团携手裕太微联合发布G-T01芯片，引领智能汽车通信技术革新

近日，裕太微电子作为战略合作伙伴受邀参加“广汽科技日发布会”，与广汽集团联合发布G-T01芯片。该芯片是拥有国内最高容量的国内首款车规级千兆以太网TSN交换芯片，性能上支持高速率、低延迟的数据传输，可满足智能汽车对海量数据实时交互的需求，为车载网络通信领域树立了新的技术标杆，为中国智能汽车产业链实现自主可控保驾护航。填补国内技术空白随着汽车智能化网联化程度的加深，各大车厂的整车架构逐步从分布式架构走向域架构，架构的改变和自动驾驶传感器带来的大量数据处理需求，都使得带宽成为下一代汽车网络技术的关键。与传统的总线技术不同，车载以太网可以提供带宽密集型应用所需的更高数据传输能力，有望逐步实现对整车现有车内通信技术的全面替代。此次裕太微与广汽集团联合开发的G-T01芯片不仅支持千兆以太网带宽，还集成了TSN（时间敏感网络）技术，实现了车内网络通信的高可靠性与稳定性，确保自动驾驶、智能座舱、车联网等关键系统的实时协同，为未来智能汽车的软件定义和功能升级提供了底层硬件基础。G-T01芯片的推出标志着国内企业打破了国际巨头在同领域的技术垄断，国产芯片正从“可用”向“好用”转变。生态共建与行业协同发布会现场，裕太微还正式加入了广汽集团推出的“汽车芯片应用生态共建计划”，进一步促进全产业链协同发展，为智能汽车安全提供坚实的芯片保障。此计划通过深化“产学研用”协同创新，打造整车-控制器-芯片端到端联动验证平台。其“一芯多源”策略，通过操作系统、软硬件接口、核心软件算法、关键系统需求等方面的平台化，实现了一类芯片多种解决方案，多个供应渠道，从而保障供应链的安全稳定，加速国产车规芯片的规模化应用。作为深耕高性能通信芯片领域的本土企业，裕太微前瞻性布局车规级芯片赛道，已在该领域构建起核心技术壁垒。公司车载以太网芯片已覆盖高、中、低端车型，与主流车企及Tier1供应商深度合作，批量应用于车身控制、智能座舱、自动驾驶等场景。

裕太微

裕太微电子 . 2025-04-15 370
产品 | 纳芯微推出高性价比、EMI优化的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列

凭借在隔离领域近10年的深耕细作，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列，相比前代NSI82xx系列，新器件重点优化了EMI（抗电磁干扰）、EOS（过电应力）性能，并通过电路设计、封装测试等方面的全面优化，大幅降低了器件成本。作为纳芯微“隔离+”产品的又一力作，NSI83xx系列的首发型号涵盖1-4通道的数字隔离器，可为系统工程师在新能源汽车车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）、主驱逆变器、热管理PTC等系统中提供高性价比的器件选择。纳芯微第三代数字隔离器NSI83xx系列的推出，是其近10年来在隔离技术领域持续研发和投入的成果体现，该系列基于纳芯微领先的电容隔离技术打造，在隔离耐压方面，NSI83xx系列可实现大于10kVrms的隔离耐压（1分钟），满足增强绝缘要求，同时能够承受大于12kV的浪涌电压。在1ppm失效率、大于1500Vrms的长期工作电压情况下，NSI83xx系列的电容隔离层寿命大于30年，充分满足高压系统对长期可靠性的严苛需求，为高压系统提供安心之选。 EMI大幅优化，全频段通过CISPR 25 Class 5测试随着汽车电驱电压和系统功率密度的提升，越来越多的元器件被集成在车内有限的布板空间内，让原本就棘手的EMI问题更加复杂，成为影响系统稳定性和可靠性的关键挑战。 NSI83xx系列采用了纳芯微专有的EMI优化电路设计，在严苛的CISPR 25 Class 5测试中，该系列RE指标可在全频段范围内保持大于10dB的裕度，在全面满足汽车级应用对于EMI严格要求的同时，让系统工程师在设计过程中显著减少了电磁干扰带来的困扰，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行保驾护航。业内领先的EOS和CMTI性能，全面守护系统可靠性除了优化的EMI性能外，纳芯微第三代数字隔离器在EOS（过电应力）和CMTI（共模瞬态抗扰度）方面同样表现出色。相较于第二代产品，NSI83xx系列的EOS性能提升了约10%，达到大于10V的水平，使得器件在面对电源过应力时具有更高的可靠性，能够有效避免因电源异常波动而导致的器件损坏，提升系统可靠性，延长系统的使用寿命。此外，在新能源汽车三电系统中，SiC功率器件正在加速普及。SiC 功率器件相比传统的硅基功率器件，具有更高的开关频率、更低的导通电阻和更高的耐压能力，系统中的电压和电流变化速度更快，产生的共模瞬态干扰（CMT）强度和频率也显著增加，这就要求数字隔离器具备更高的 CMTI 性能，以保证在这种强干扰环境下，信号传输的准确性和稳定性，避免误导通和信号失真。 NSI83xx系列的CMTI典型值达到200kV/μs，处于业内领先水平。高CMTI性能使得隔离器在高压系统中能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性和稳定性。同时，NSI83xx系列在电源噪声抗扰性方面也表现优异，在1k-30MHz的噪声扰动下，芯片依然能够保持正常输出且不误码，进一步提升了系统在复杂工作环境下的可靠性。无论是在新能源汽车的电池管理系统，还是主驱逆变器中，这些卓越的性能都能确保系统稳定运行，降低故障风险。封装和选型满足AEC-Q100要求的车规级NSI83xx系列预计将于2025年8月量产，可提供1-4通道版本，支持SOP8，SOW8，SOW16和超宽体SOWW16等封装，其中超宽体SOWW16封装爬电距离大于8mm，满足特定应用的安规要求。NSI83xx系列的通讯速率为100Mbps。丰富的隔离及“隔离+”产品，满足多元需求凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列隔离及“隔离+”产品。纳芯微全面的隔离及“隔离+”产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-04-15 380
技术 | 如果没有 “高Q” BAW滤波器，Wi-Fi 7的最佳功能可能根本无法实现

三频Wi-Fi 7有望比双频Wi-Fi 6和7大幅提升性能，但5GHz和6GHz频段非常接近，这带来了巨大的工程挑战，尤其是对于宽通道、高阶调制和Wi-Fi 7的标志性功能MLO而言。FEM和RF滤波器组件领导者Qorvo表示，如果没有合适的 “高Q”滤波器，Wi-Fi 7的最佳功能可能根本无法发挥作用。当然，Wi-Fi行业专注于使用5GHz和6GHz中所有可用的免授权频谱来提供最佳性能，但事实证明，这两个频段和相关Wi-Fi信道的布局方式带来了巨大的RF工程挑战：通常使用的5GHz信道顶部和通常使用的6GHz (UNII-5)频段底部之间只有110MHz的间隔。Qorvo表示，AP干扰自身的可能性是真实存在的，而且非常大。 “5GHz和6GHz AP会产生自生干扰，因为两个频段的发射器和高灵敏度接收器都集成在同一设备中。在某些情况下，接收器的灵敏度会降低，因为6GHz信号会渗入5GHz频段，反之亦然，从而增加噪声功率并导致数据包丢失。在最坏的情况下，无线电可能会退缩，因为它会将接收到的信号解释为来自不同的设备。” Qorvo高级营销经理Jeremy Foland说道。这意味着隔离频段的要求比以往任何时候都要严格得多。“基本上，设计师需要在Wi-Fi前端引入40-60dB的额外隔离，以确保出色的Wi-Fi 7性能。当然，滤波器在这方面起着关键作用。”Jeremy Foland说。体声波 (BAW) 滤波器提供了正确的质量 (Q) 因子来实现这一点。 320MHz Wi-Fi分别在拥有和没有BAW滤波的情况下在信道31（6GHz 中最低的320MHz信道）下运行。如果没有滤波器，信号重新增长到5GHz频段将降低并中断通信。 Qorvo表示，其BAW滤波器具备所有正确的RF特性：低插入损耗、陡峭裙边、高抑制水平和小尺寸。这意味着它们非常适合任何三频Wi-Fi基础设施产品，包括家庭网关和网状单元以及企业级AP。Qorvo表示，BAW滤波器的所有关键特性都是确保相应AP产品实现最高Wi-Fi 7三频性能所必需的。 “讽刺的是，所有最重要的Wi-Fi 7功能都需要BAW滤波才能实现。这些功能包括320MHz信道、高阶调制，以及MLO，后者通常会同时使用5GHz和6GHz信道。此外，BAW滤波是遵守2.4GHz频段监管要求（例如FCC规定的带外发射限制）的有效解决方案。” Jeremy Foland说。 BAW滤波器的工作原理是将压电材料上的电能转换为声能或机械能。Qorvo已向全球交付了超过240亿个BAW滤波器。

QORVO

Qorvo半导体 . 2025-04-15 680
政策 | 如何解读中美关税博弈下芯片原产地问题

近日，国务院关税税则委员会发布2025年第4号公告，决定对原产于美国的所有进口商品在现行关税基础上加征34%反制关税，引发业界广泛关注。南冠物流关务中心第一时间主动与中国海关相关部门进行政策沟通了解，并在内部组织专题讨论与流程梳理，结合典型业务场景，形成了针对本次关税调整的政策解读与操作指引，为企业客户提供清晰可行的应对方案。以芯片为例，其生产过程通常分为晶圆制造（前段工艺）与封装测试（后段工艺）两个阶段。当这两段工艺分属不同国家完成时，芯片的原产地如何界定，成为企业合规报关时亟需厘清的问题。首先，根据《中华人民共和国进出口货物原产地条例》第三条，“两个以上国家(地区)参与生产的货物，以最后完成实质性改变的国家(地区)为原产地。” 其次，根据《关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定》第三条，“进出口货物实质性改变的确定标准，以税则归类改变为基本标准，税则归类改变不能反映实质性改变的，以从价百分比、制造或者加工工序等为补充标准。” 第四条规定：“税则归类改变”标准，是指在某一国家（地区）对非该国（地区）原产材料进行制造、加工后，所得货物在《中华人民共和国进出口税则》中的四位数级税目归类发生了变化。由于晶圆加工成芯片过程中，商品编码未发生变化，仍属于8542项下，因此“税则归类改变”不能反映实质性改变，需依据从价百分比或制造/加工工序等补充标准加以判断。最后，根据《关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定》第七条以制造、加工工序和从价百分比为标准判定实质性改变的货物在《适用制造或者加工工序及从价百分比标准的货物清单》中具体列明，并按列明的标准判定是否发生实质性改变。未列入《适用制造或者加工工序及从价百分比标准的货物清单》货物的实质性改变，应当适用税则归类改变标准。（在原产地判定中此条经常被忽略）目前，8542项下的集成电路未列入上述清单，根据《关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定》第七条应当适用税则归类改变标准。但是又因为晶圆加工后税则归类没有改变，因此无法认定其原产地发生改变。也就是说封装成芯片后，原产地仍然按晶圆的原产地（注：1、“封装测试”不会改变晶圆的原产地；2、晶圆原产地主要取决于代工厂所在国家/地区）。经典案例解读案例1：中国生产的单晶硅片，在美国进行生产加工成晶圆（未封装、未切割），原产国应如何判定？答：单晶硅片为3818项下产品，加工成晶圆后归入8542项下，税目发生变化。依据《中华人民共和国进出口货物原产地条例》第三条及《关于非优惠原产地规则中实质性改变标准的规定》第三条和第四条，该晶圆原产国为美国。该晶圆进口到中国时，应加征34%关税。案例2：英伟达晶圆在台积电（中国台湾）生产，封装环节在越南完成。因封装未改变商品编码，芯片原产地仍为中国台湾，进口到中国不需加征关税。案例3：英伟达的晶圆在美国代工厂生产，晶圆原产地为美国。然后发到越南封装，封装后的芯片原产地仍为美国，进口到中国需要加征34%关税。建议如下 1、优先采购非美国产晶圆，降低因原产地引发的额外税负； 2、原产美国的晶圆/芯片尽量赶在北京时间2025年4月10日12点前启运，并于2025年5月13日前完成申报进口，以豁免加征关税。 3、向供应链上游要求出具原产地证书，确保晶圆/芯片来源合规可查，有助于应对稽查和申报争议。

关税

深圳南冠物流 . 2025-04-15 5 4 3110
有源晶振四个引脚是如何分布与定义的

常见的引脚分布规律有标记的引脚作为起始引脚：许多有源晶振会在其中一个引脚上或者靠近该引脚的外壳位置做一个明显标记，比如打点、印一个小圆圈、有一个缺口等。这个有标记的引脚一般被定义为1脚。然后将有源晶振的引脚朝下，以正视的角度，按照逆时针方向依次为2脚、3脚和4脚。基于封装外形的引脚识别：正方的DIP-8封装：打点的是1脚，各引脚功能通常为：1脚一般为NC（空脚，不连接任何功能，在某些设计中也可能有特殊用途，但常规应用中悬空）；4脚为GND（接地引脚，用于为晶振内部电路提供参考地电位，确保电路工作稳定，减少噪声干扰）；5脚为Output（输出引脚，输出稳定的时钟信号，供其他电路使用）；8脚为VCC（电源引脚，为晶振内部的振荡电路等提供工作电压，常见的工作电压有3.3V、5V等，不同型号的有源晶振工作电压有所不同）。长方的DIP-14封装：同样打点的是1脚，其引脚功能一般为：1脚为NC（空脚）；7脚为GND（接地）；8脚为Output（输出时钟信号）；14脚为VCC（电源输入）。通用的引脚功能定义电源引脚（VCC）：此引脚接入直流电源，为有源晶振内部的晶体、晶体管以及阻容元件等构成的振荡电路提供电能，使其能够持续稳定地产生振荡信号。电源电压值需严格符合该型号有源晶振的规格要求，如TTL型的有源晶振一般使用5V电源，而HC型的则可支持3.3V或5V电源。如果接入的电源电压过高，可能会损坏晶振内部电路；电压过低，则晶振可能无法正常起振工作。接地引脚（GND）：接地引脚是整个电路的参考电位点，将晶振内部电路的低电位端与系统地相连，能够稳定电路工作，减少信号干扰。在电路中，良好的接地设计对于晶振输出稳定的时钟信号至关重要，若接地不良，可能会引入噪声，导致晶振输出的时钟信号出现抖动，影响使用该时钟信号的其他电路的正常工作。信号输出引脚（OUT）：这是有源晶振的关键引脚，经过内部振荡电路产生并处理后的稳定时钟信号从该引脚输出，以供其他电子元件或电路模块使用，比如为微控制器、数字信号处理器（DSP）等提供精确的时钟基准，确保它们能够按照既定的时序进行数据处理、指令执行等操作。输出信号的频率由晶振内部的石英晶体特性以及振荡电路决定，其频率精度和稳定性直接影响到整个系统的性能。空脚（NC）：空脚在多数常见应用中不连接任何电路，处于悬空状态。它的存在可能是出于晶振生产工艺、电气性能优化或者为未来可能的功能扩展预留的。不过在某些特殊的电路设计中，空脚也可能被赋予特定的功能，但这种情况相对较少。在一般的使用中，无需对空脚进行额外处理，但要注意避免其意外接触到其他带电引脚或受到外界干扰。实际应用中，在使用有源晶振前，一定要仔细查阅该型号晶振的datasheet（数据手册），因为不同厂家生产的有源晶振，即使是相同的封装形式，其引脚定义和功能也可能存在差异。只有严格按照数据手册的说明进行引脚连接和电路设计，才能确保有源晶振正常工作，为整个电子系统提供稳定可靠的时钟信号。

晶振

官网 . 2025-04-15 1 2415
新品上市 | MDD82052那么小又那么大，原来是这颗MOS

在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着便携式设备、智能家居和工业自动化对功率密度和能效的要求越来越高，工程师需要更高性能的MOSFET解决方案。一、双N沟道，为高效而生 MDD8205是一款20V双 N沟道MOS，采用SOT-23-6L封装，在20V耐压下实现极低导通电阻（RDS(on)）与超快开关速度。其专为严苛负载场景优化，兼顾高电流承载与微型封装，成为高效率、高可靠性设计的理想选择。二、四大核心优势，赋能电机驱动 1、高电流承载，动力输出更澎湃双N沟道设计：支持5A持续电流与25A脉冲电流，轻松应对电机启停、电动工具瞬间高负载，避免过热降频。 20V耐压：稳定适配各类低压电池系统，保障设备长时间高强度运行。 2、超低导通损耗，续航与效率双提升 RDS(on)低至22mΩ（Vgs=4.5V）：相比传统MOSFET，功耗降低30%以上，显著延长如扫地机器人、手持吸尘器等设备的电池续航。低栅极电荷（Qg=10nC）：减少开关损耗，高频工况下效率提升20%，适合DC-DC转换器等高动态场景。 3、微型封装，高密度设计更灵活 SOT-23-6L封装：节省70% PCB空间，完美适配紧凑电路板、电动工具微型驱动模组设计，助力产品轻量化与成本优化。 4、宽温运行，无惧严苛环境 -55℃~150℃工作范围：从极寒户外到高温工业场景，保障扫地机器人、电动工具在恶劣环境下的稳定运行，故障率降低50%。三、开关时间测试电路和波形四、应用场景：让智能设备“动力十足” 1. 便携式设备负载开关 MDD8205适用于智能手机、TWS耳机等电池供电设备，低RDS(on)延长续航。 SOT-23-6L封装节省空间，助力超薄设计。 2. DC-DC转换器快速开关特性提升Buck/Boost转换效率，适用于POL（点负载）电源设计。双管并联支持更高电流输出，适用于FPGA、ASIC供电。 3. 电机驱动（扫地机器人、电动工具） 5A持续电流支持高扭矩电机控制。低开关损耗优化PWM驱动效率，减少发热。 4. LCD显示逆变器宽温工作范围确保背光驱动稳定性。优化的栅极电荷（Qg）适合高频PWM调光。无论是追求极致能效的智能家电，还是需要可靠动力的工业设备，MDD8205以大承载、小体积、低损耗、强耐候的四大特性，助力电机驱动领域发展。

MDD辰达半导体 . 2025-04-15 2220
德明利亮相环球资源香港展，全栈定制能力释放数据价值

作为全球消费电子领域最具影响力的盛会之一，德明利以“一站式定制”服务推出最新大容量、高速传输、高耐用性存储方案亮相，加速数据价值深度释放与用户体验升级。产品升级性能铁三角破解存储技术升级核心诉求 “大容量、高速度、便携性” 德明利聚焦AI PC、QLC NAND闪存技术等前沿领域，升级全栈消费级存储技术方案。在PC市场中，AIPC带动PCle 4.0/5.0 SSD发展，目前PCle 4.0 SSD仍是市场主流选择。德明利PCle 4.0 SSD以超7000MB/s读写速度配合QLC NAND闪存介质优化方案，在4TB大容量配置下持续改善存储性能，在无独立缓存设计下维持稳定IOPS输出，为AIPC及高性能计算场景提供可靠存储支持。大容量TB级存储满足多场景需求 microSD卡智能microSD卡搭载自研SD6.0主控芯片TW2985，通过高速接口协议优化、智能缓存管理及动态功耗控制技术，提供全高清录制规格的专业速度和容量，全面适配无人机航拍、移动设备扩容、安防监控等高负载场景。高速移动固态硬盘PSSD 荣膺最佳产品设计奖德明利旗下品牌CUSU K8 PSSD搭载USB3.2 Gen2×2高速接口，实现高达2000MB/s高速读写性能，提供512GB至4TB弹性容量配置，为内容创作者提供即插即用的跨平台数据方案。展会现场，CUSU K5 PSSD荣膺最佳产品设计奖。服务升级全栈定制能力垂直整合满足差异化场景需求覆盖存储核心技术全链路德明利深度整合研发、智能制造和供应链资源，构建从NAND Flash颗粒验证、主控芯片设计、固件开发到硬件量产交付的垂直赋能体系。全栈定制服务为无人机、智能终端等七大领域提供兼具高可靠性、协议兼容性、高能效比的定制化存储方案，将技术优势转化为高性能存储方案的全球化竞争力，助力客户在快速变化市场中的应变能力和业务连续性。德明利以全栈定制突破存储性能边界通过“一场景一方案”精准适配分层需求推动消费级存储从标准化产品向场景化价值服务升级为全球数字化转型提供底层支撑力

德明利

德明利 . 2025-04-15 2305
整流桥导电特性有哪些？

整流桥，作为电子领域中不可或缺的关键部件，由四个二极管以精妙布局连接而成，主要负责将单相交流电巧妙转换为全波整流后的电流形式。其工作原理犹如一场精密的电流 “舞蹈”：在交流电正半周时，其中两只二极管如同训练有素的舞者，迅速导通，而另外两只则保持截止状态，此时电流顺势通过负载，方向呈现正向；当进入负半周，原本导通与截止的二极管角色瞬间互换，神奇的是，电流依旧保持正向流动，如此循环往复，成功将双向交流电驯服为单向的脉动直流电。一、正向导通：压降与效率的权衡整流桥正向导通时的特性，首当其冲体现在正向压降上。每个二极管导通之际，都会 “消耗” 一定电压，硅二极管通常产生约 0.7V 的正向压降，肖特基二极管则相对较小，约为 0.3V。在整流桥的电流通路中，每次电流需 “穿越” 两个二极管，所以总的正向压降，硅二极管整流桥约为 1.4V，肖特基二极管整流桥约 0.6V。别小看这看似不起眼的压降，在大电流应用场景里，它引发的功率损耗不容小觑，好比管道中的微小阻力，在水流湍急时也能消耗大量能量。为攻克这一难题，工程师们往往青睐低压降的肖特基二极管来搭建整流桥。在大电流奔腾而过时，肖特基整流桥凭借更低的功率损耗，为电路整体效率的提升立下汗马功劳，让电子设备在高效运行的道路上一路驰骋。二、反向阻断：守护电路的 “盾牌” 反向阻断特性堪称整流桥导电特性中的坚固 “盾牌”。在交流电的半个周期内，有两个二极管处于反向偏置的 “防守” 姿态，它们肩负着承受反向电压且坚决不导通的重任，这便是二极管强大的反向阻断能力在发挥作用。理想状态下，反向漏电流应微弱到近乎可以忽略不计，如此方能减少能量的 “跑冒滴漏”，全力保障电路稳定运行。在高效整流桥的构建中，通常选用反向阻断特性极为出色的二极管，即便面对高压炙烤的恶劣环境，也能坚守岗位，稳定工作。特别是在工业应用的复杂战场，整流桥时常遭遇高电压、极端温度等 “敌人”，此时其反向阻断特性便成为决定自身可靠性与使用寿命的关键因素。三、导电损耗：寻找能耗的 “黑洞” 整流桥的导电损耗主要源自两个 “黑洞”：一是正向导通压降引发的损耗，二是反向漏电流造成的能量流失。在大功率应用的广阔舞台上，导电损耗在电路总损耗中占据相当大的比重，如同一个隐形的 “电老虎”，吞噬着大量电能。因此，挑选低压降、低漏电流的二极管成为降低损耗的关键一步。除此之外，整流桥的工作频率也会对导电损耗产生影响。在高频应用的快节奏世界里，反向恢复特性欠佳的二极管可能会在开关过程中产生额外损耗，就像跑步时步伐不协调会消耗更多体力。而快恢复二极管和肖特基二极管在高频整流领域大放异彩，它们既降低了导通损耗，又巧妙减少了开关损耗，双管齐下，极大地提升了整流桥的整体效率。四、实际应用：特性与需求的碰撞整流桥在电源适配器、充电器、逆变器以及形形色色的工业电源中都有广泛应用，其导电特性在这些场景中起着举足轻重的作用。以开关电源为例，整流桥的效率直接关乎电源的能效等级，高效的整流桥能让电源在节能的道路上更进一步；在逆变器中，整流桥的可靠性则如同定海神针，决定了设备能否稳定运行以及使用寿命的长短。不同的应用场景对整流桥的性能有着千差万别的需求。在低电压、大电流的应用场景下，低正向压降的肖特基整流桥无疑是最佳拍档，能最大限度降低能量损耗；而在高压应用领域，反向阻断特性卓越的快恢复二极管则更能胜任，为电路安全稳定运行保驾护航。总之，整流桥作为关键的整流元件，其导电特性与电路整体性能息息相关。通过精准选择合适的二极管类型，巧妙优化整流桥的正向导通和反向阻断特性，能够显著提升电路的效率与可靠性。在实际应用中，深入理解并精心优化整流桥的导电特性，将为设计出更高效、更稳定的电子设备奠定坚实基础。

整流桥正向导通特性

官网 . 2025-04-15 1 2250
方案 | UFS 4.1：旗舰手机高清影像时代的存力底座

如今，智能手机的影像能力已经进入了“8K视频、亿级像素、RAW格式”时代。然而，仅仅搭载这些先进的影像功能，并非万事大吉。在实际使用过程中，存储性能不足往往会成为影响拍摄体验的瓶颈：写入速度低：如今的影像旗舰手机支持RAW格式连拍——这种曾经能让手机直接宕机的操作对于存储设备的写入速度提出了极高的要求。手机单张Raw格式文件约为75-85MB，在动辄数十张每秒的连拍场景中往往会出现写入速度不足的情况，不仅影响了拍摄的连贯性，还可能导致卡顿而错过关键瞬间。容量不足： 8K视频和1亿像素几乎成为旗舰手机的标配功能。然而，手机录制1分钟的8K视频的文件大小通常约为791MB，单张JPG格式的一亿像素照片文件也通常超过40MB。换言之，一部256GB的手机满打满算只能装下大约5个小时的8K视频素材。掉电快： 8K视频的分辨率为7680x4320，大约含有3300万个像素点。在处理和录制如此高分辨率视频的过程中，低效的存储协议会显著增加功耗，导致手机在拍摄过程中发热严重、耗电过快。试想，当你打开手机的8K高清视频录制，想记录一段超高清的家庭旅行温馨时光。此刻，瞬间即永恒，你一定不希望手机因为任何问题而掉链子。随着智能手机影像功能的不断提升，用户对于拍摄的需求也越来越高。而存储设备，才是决定影像体验能否“丝滑落地”的关键。然而，这些存储性能上的痛点，可能会在全新的UFS 4.1标准下得到有效解决。全新UFS 4.1标准：释放手机多重影像潜能 UFS 4.1作为新一代的存储标准，具有诸多优势，能够有效地解决影像旗舰手机在存储方面所面临的痛点问题，释放出高速度、高能效、高容量等多重潜能。速度跃升实现大文件写入 UFS 4.1拥有翻倍的接口带宽，理论读写速度最高可达约4.2GB/s。这一速度的提升，无论是高速连拍还是高码率视频录制，UFS 4.1都能够提供足够的速度支持，确保数据能够快速、稳定地写入存储设备。用户再也不用担心因为存储速度不足而导致的卡顿、延迟问题，可以尽情地享受拍摄的乐趣。能效比革新减缓续航压力在提升速度的同时，UFS 4.1还在能效比方面进行了革新。它能够在拥有更高的写入、读取速度的同时，保持低功耗运行。这意味着手机在进行长时间拍摄时，不会因为存储设备的高功耗而出现发热严重、耗电过快的情况。相反，UFS 4.1能够有效地延长连续拍摄时长，避免因过热强制降频甚至关机。大容量加持尽情记录精彩随着用户拍摄需求的不断增加，对于存储容量的要求也越来越高。UFS 4.1标准下，嵌入式存储的最大容量将提升至1TB，这为专业创作提供了充足的存储空间，在紧凑的手机空间内实现更高的容量，让用户告别 “存储空间不足”的弹窗焦虑。长江存储UFS嵌入式存储解决方案作为国内领先的存储解决方案提供商，长江存储一直致力于为用户提供高性能、高可靠性的存储解决方案。长江存储在UFS嵌入式存储产品的技术上不断突破创新，依托晶栈®Xtacking®这一创新架构，实现了存储设备的高性能和高可靠性，在存储密度、读写速度、稳定性和安全性等方面进行了优化和提升，为旗舰手机等智能终端提供高质量存力。图：长江存储首款UFS4.1嵌入式闪存芯片UC420 在今年3月12日的MemoryS闪存峰会上，长江存储首次展示了长江存储UFS4.1嵌入式存储新品UC420，该产品以多项技术创新重新定义高端移动存储标准。UC420实现了0.85mm超薄封装技术突破，同时保持饱和带宽与满血性能表现，成为业界UFS 4.1标准下的性能标杆*。UC420提供1TB超大容量，满足了折叠屏手机对存储器小尺寸、高性能、大容量的三重需求。未来，长江存储将继续推动存储技术的发展，不断提升UFS嵌入式存储的性能和功能，以满足市场对高性能存储设备不断增长的需求，打造旗舰手机AI影像时代的存力底座。注：与业界旗舰UFS 4.x产品对比，在长江存储内部实验环境下测试结果

长江存储

长江存储商用存储方案 . 2025-04-14 1085
产品 ▏24Bit高性能Σ-Δ ADC_ LTD2532

LTD2532 是一颗面向高端称重市场推出的24位分辨率、高性能、低失真的两通道Σ-Δ ADC 。针对目前高端称重市场现有产品的痛点，LTD2532以更低的功耗，提供了更好的噪声性能以及动态响应性能，解决了现有产品在高采样率下有效位不够的问题。 LTD2532 产品特点 LTD2532内部集成了多路复用器、低噪声可编程增益放大器、Δ-Σ调制器，以及可编程数字滤波器。器件采用 SPI 通信协议进行交互。器件内部集成的可编程增益放大器具有高输入阻抗和低噪声的特点，对于小信号的精密测量有显著优势，同时其自稳零技术有效地将失调电压、失调电压漂移以及 1/f 噪声降到最小。在默认配置下，LTD2532的 FIR 数字滤波器组合可以实现 250SPS 到 4000 SPS 的数据转换速率，对应于最高1652Hz 的-3dB信号带宽。利用Sinc滤波器模式可以实现更快的采样速率，采样速率为8kSPS到128kSPS。器件具备同步功能，允许外部信号触发 ADC 的数据转换动作，因此可以用同一触发信号同步控制多个器件进行同步转换。器件的关断引脚可以使器件功耗最小化运行并复位寄存器设置。SPI 兼容性允许并行器件共享公共串行总线。 LTD2532还支持增益误差和失调电压的系统校准功能。器件优化了失真性能，典型积分非线性性能可达± 0.0001%FS。 LTD2532的最小应用系统如图所示。LTD2532支持单电源供电以及正负电源供电。为了实现更高的噪声性能，基准输入可以通过外部基准源来提供。 LTD2532应用示意图 LTD2532的最小应用系统如图所示。LTD2532支持单电源供电以及正负电源供电。为了实现更高的噪声性能，基准输入可以通过外部基准源来提供。 LTD2532典型表征 LTD2532器件优化了针对工业现场的可靠性，器件的 HBM ESD 可达 4000V 以上；MM ESD 可达 300V 以上。下表给出了LTD2532在集中典型模式下的输入RMS噪声以及无噪声分辨率测试结果。下图给出了在几种典型条件下LTD2532的噪声直方图统计结果以及噪声频谱。 250SPS PGA=1 250SPS PGA=64 噪声结果 4000SPS PGA=1 4000SPS PGA=64 噪声结果下图给出了几种典型条件下LTD2532的失真特性。 250SPS PGA=8 2000SPS PGA=8 失真性能使用LTD2532代码示例在LTD2532的使用过程中，通过使用OFFSET设置可以有效解决IDLE TONE问题。在使用OFFSET后，通过自动校正模式可以消除OFFSET的影响。下面给出了一个更好的使用LTD2532的代码示例。代码给出了初始化LTD2532以及配置offset寄存器以及失调自动校正寄存器的过程；在校正完成后，开始正常读取数据。如有必要，还可以根据控制外部输入信号来进行增益校正。 LTD2532 典型应用高精度仪器快速称重 LTD2532订购信息

先积集成

先积集成 . 2025-04-14 560
产品 | 导通电阻再创新低，东芝新款MOSFET引领锂电池保护电路新趋势

随着全球对电动化、智能化和便携式设备需求的不断增加，锂离子电池作为主流能源来源，已成为各类消费电子产品和电动工具的核心。在这一发展过程中，锂离子电池的保护电路正面临着更高的要求。特别是在快充技术日益成熟的今天，如何实现高效的电池管理，确保电池在高负载条件下的安全性和稳定性，成为设计者亟待解决的关键问题。 MOSFET作为电池管理系统的重要元件，其性能的提升直接影响到整个系统的功效和稳定性。东芝一直致力于为锂离子电池保护电路提供高性能的MOSFET解决方案，尤其在降低导通电阻方面，SSM14N956L代表了公司在这一领域的又一重要创新进展。低导通电阻，提升功率效率 SSM14N956L是东芝MOSFET产品系列中的新成员，是一款专为移动设备锂离子电池组设计的低导通电阻产品，与此前发布的SSM10N954L和SSM6N951L类似，均采用了微工艺技术，但在此基础上进一步降低了导通电阻。 SSM14N956L与SSM10N954L的主要规格对比 SSM14N956L的源极-漏极通道电阻的典型值为RSS(ON)＝1.1 mΩ（@VGS＝3.8 V），这一特性使其在高电流条件下能够显著降低功率损耗，在锂电池保护电路中，低导通电阻能够最大限度地减少电流通过MOSFET时的电压降，从而提升整体系统的能效。 SSM14N956L的RSS(ON)与栅源电压（VGS）关系的图示在快充应用场景中，电流密度较高，对MOSFET的导通电阻要求更加严格。低导通电阻不仅有助于减小热量产生，还能提高电池的充电效率。这对于提高充电速度、延长电池寿命以及提升设备安全性至关重要。 SSM14N956L的其他亮点解析除低导通电阻外，SSM14N956L还具备低栅源漏电流，即使在较高的栅源电压下，其漏电流依然保持在非常低的水平，IGSS最大值仅为±1 μA（@VGS＝±8 V）。在锂电池保护电路中，MOSFET的栅源漏电流对待机功耗有着直接影响。较低的漏电流意味着在设备处于待机模式时，系统能耗更低，从而有效延长电池的使用时间。 SSM14N956L IGSS与VGS之间的关系这一特性对于便携式设备尤为重要，尤其是智能手机、平板电脑等需要长时间待机的应用场景。随着设备对低功耗技术要求的提高，SSM14N956L凭借其低栅源漏电流，为电池管理系统提供了更高效的能量管理方案。超薄封装设计，满足小型化需求现代移动设备不断追求更小巧、更轻便的设计，因此电子元件的体积和厚度成为了产品设计中不可忽视的因素。 SSM14N956L采用的TCSPED-302701封装，尺寸为2.74 mm×3.0 mm，厚度仅为0.085 mm（典型值）。这一超薄小型化封装，不仅满足了空间受限的设计需求，还能有效降低电路板上的布局复杂度。此外，这种封装还支持更高的散热效率，避免了过热对系统稳定性和电池性能的负面影响。 TCSPED-302701封装和引脚布局 SSM14N956L采用的共漏极结构，由于其较低的开关损耗和简化的驱动需求，特别适合用于高效、可靠的电池保护电路设计。应用场景自2023年5月发布以来，SSM14N956L已经在市场中得到广泛应用，并取得了积极的市场反馈。SSM14N956L可广泛应用于家用电器、消费类电子产品以及办公和个人设备中，特别是采用锂离子电池的智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器等。总结东芝SSM14N956L MOSFET优异的性能和小型化封装使其成为移动设备电池保护电路的理想选择。未来，东芝将持续致力于MOSFET技术的研发与创新，不断推出更高性能、更具竞争力的产品，以满足市场日益增长的需求。

东芝

东芝半导体 . 2025-04-14 480
市场周讯 | 中美关税大战，美方集成电路建议以流片原产地报关；国巨被动器件涨价10%；英飞凌收购Marvell汽车以太网业务

| 政策速览 1. 中国&美国：2025年4月9日，中国加强对特朗普(Trump)新关税政策的反制措施。自2025年4月10日12时01分起，中国国务院关税税则委员会调整对原产于美国的进口商品加征关税税率，由34%提高至84%。中国商务部将12家美国实体列入出口管制管控名单，禁止向其出口可能具有军事用途的物项；将6家美国公司列入“不可靠实体清单”，禁止这些公司从事与中国有关的进出口活动以及在中国境内新增投资。与此同时，2025年4月9日，特朗普在社交媒体平台Truth Social宣布再次提高对中国商品的关税，将税率提高至125%；并暂停90天实施对其他国家的“对等关税”；但是，美国对所有进口产品征收 10% 的全球基准税将继续有效。 2. 中国：中国海关发布《中华人民共和国进出口货物原产地条例》，其中“集成电路”原产地按照四位税则号改变原则认定。中国半导体行业协会建议，“集成电路”无论已封装或未封装，进口报关时的原产地以“晶圆流片工厂”所在地为准进行申报。 3. 广东：广东省正推动人工智能与机器人产业创新发展，加快打造全球人工智能与机器人发展高地，将大力推动“机器人+”在民生领域的广泛应用，以医疗健康、养老服务、教育、城市管理服务等领域为重点，遴选一批应用价值高、推广潜力大的应用场景，以应用场景为牵引，促进机器人技术迭代升级，形成技术支撑、场景牵引、深度赋能的机器人创新发展生态，加速机器人在重点行业的规模化应用。 4. 工信部：工业和信息化部电子信息司在《新型工业化》发布《践行新时代北斗精神高质量发展北斗产业》一文。文章表示，加快培育北斗独立定位新业态。围绕北斗芯片搜星、融合解算和高可靠性等关键环节，鼓励企业加大投入，开展质量攻关，提升北斗芯片、模组、终端性能及质量，以高质量供给创造引领新需求。引导北斗芯片企业调整算法及产品结构，从源头加大北斗产品的供应，面向各行业不断加大北斗产品供给量。通过多项有力举措，持续完善北斗产品供给体系，保障北斗产品的充足供给。 5. 国家认监委：近日批准《汽车芯片认证审查通用技术要求》等5项认证认可行业标准立项。此次5项认证认可行业标准的立项、制定，将进一步规范汽车芯片认证审查活动，提升认证机构、设计机构、测试机构、算力机构等技术能力。同时，将填补国内相关领域标准空白。 | 市场动态 6. SIA：2025年2月全球半导体销售额为549亿美元，较2024年2月的469亿美元增长17.1%，比2025年1月的565亿美元下降2.9%。 7. SEMI：全球半导体制造设备出货金额2024年达到1171亿美元，相较2023年的1063亿美元增长10%。其中晶圆加工设备的销售额增长了9%，其它前端细分领域的销售额增长了5%。 8. 欧盟：欧盟表示将把重点放在建设人工智能数据和计算基础设施上，并使企业更容易遵守监管规定，以便在人工智能竞赛中赶上美国和中国。欧盟委员会表示，希望开发人工智能超级工厂网络，以帮助企业训练最复杂的模型。 9. CFM：手机、PC、TV等终端厂商普遍正评估因关税带来的影响，而终端在加征关税驱动下令成本或将抬高部分地区售价，进而削弱竞争优势影响销售。后续关税带来的成本压力也将传导至作为消费终端上游环节的存储芯片领域，届时存储备货需求也将受到抑制。目前渠道存储价格居高不下，客户在保有库存情况下备货意愿低，使得近期渠道市场需求转淡，关税冲击下令部分客户对后市表示担忧。 10. IEA：国际能源署（IEA）预测，全球数据中心的电力需求到 2030 年将达约 945TWh，是现有水平的两倍以上，接近日本现在的总用电量；而 AI 优化的数据中心电力需求更是将超过目前的四倍。 11. Gartner：2024年全球半导体收入总计6559亿美元，较2023年的5421亿美元增长21%。凭借AI基础设施建设和数据中心GPU需求激增，英伟达以766.92亿美元营收首次攀升至第一位，首次超越三星电子和英特尔。三星营收656.97亿美元位列第二，营收增长60.8%，英特尔以498.04亿美元排名第三。 | 上游厂商动态 12. 美光：存储器大厂美光（Micron Technology）已告知美国客户，某些产品将自周三（4月9日）起加收附加费，以因应美国总统川普（Donald Trump）最新的对等关税政策。 13. 国巨：国巨早在2月份就宣布收购日本传感器大厂芝浦电子，但这笔公开收购并没有获得芝浦电子的热情回应。相反，对方呈现出更为谨慎的态度，也因此引发日本国内关于资产流失的考虑。不过，最近这笔收购案可能会有变动，传日本电子元件厂美蓓亞三美（MinebeaMitsumi）同样向芝浦电子提出收购提案，且开出的价格比国巨更高. 14. 国巨：由于AI需求激增，被动元件市场掀起涨价风。根据网友提供的国巨集团涨价通知，国巨旗下基美将于6月1日起调涨被动元件钽电容的报价，涨幅将超过10%。 15. 英飞凌：英飞凌将以约 25 亿美元现金的价格收购 Marvell Technology汽车以太网业务，以扩大其微控制器部门。 16. ST：意法半导体计划三年内裁员多达2,800人。 17. NVIDIA：NVIDIA CO黄仁勋上周五前往佛罗里达州海湖庄园出席晚宴后，美国白宫改变了限制英伟达向中国出口H20的计划，并暂停进一步限制这种芯片出口。NPR称，白宫和美国商务部尚未就上述报道回应置评请求。NVIDIA方面则拒绝置评。 18. 台积电：3月营收2859.6亿元台币，同比增长46.5％；一季度营收8,392.5亿元台币，同比增长41.6%。 19. 三星：三星电子开始研发1.0nm晶圆代工工艺，部分曾参与2nm等尖端制程的研发人员被抽调组建专项团队。三星预计，量产时间将在2029年之后。 20. 三星：三星半导体针对“三星晶圆厂（Samsung Foundry）暂停所有中国业务”的传言亲自下场辟谣。三星半导体在官方公众号发文称：经证实，“三星晶圆代工暂停与中国部分公司新项目合作”说法属误传，三星仍在正常开展与这些公司的合作。 21. Black Semiconductor：德国石墨烯光电芯片企业 Black Semiconductor 当地时间 3 月 27 日宣布收购荷兰石墨烯材料企业 Applied Nanolayers，加速其石墨烯光电互联的商业化落地。 22. 豪威：豪威集团发布全新的OV50X CMOS图像传感器。该传感器拥有手机行业中的超高动态范围，可实现电影级视频拍摄。OV50X是一款5000万像素的传感器，采用1英寸光学格式，像素尺寸为1.6微米。 23. 芯耀辉：证监会披露了关于芯耀辉科技股份有限公司（简称：芯耀辉）首次公开发行股票并上市辅导备案报告，其上市辅导机构为国泰君安。 24. 联发科：公布2025年3月份营收为新台币560亿元，较2月份增加21.28%，较2024年同期增加10.93%，创下30个月以来的新高纪录。累计2025年前3个月营收达到1,533.1亿元，较2024年同期增加14.88%，创下历年同期新高。 25. 立讯精密：公司正在与客户讨论应对美国关税的策略，其中包括将更多生产转移至中国以外的地区，如美国和东南亚。 | 应用端动态 26. 中国移动：由中国移动承建的全国首个“四算合一”算力网络调度平台日前正式投入使用。“四算合一”是指将通用算力、智能算力、超级算力和量子算力四种计算能力融合的算力体系。据了解，该算力调度平台可以支持每天上亿次的算力调用，能调度全国1/6的算力规模，算网一体化效率提升20%。平台自有智算中心的芯片国产化率超过90%，兼容8种国产AI芯片，对保障供应链安全、推动国家数字经济高质量发展具有重大意义。 27. 特斯拉：特斯拉Model S/X暂停新车预订，现车即刻交付上海地区Plaid版，售价90.29万元起。高管确认“可预见的未来不会停产”，并预告“今年晚些时候带来技术升级”，暗示车型将搭载Model 3/Y同款新技术。 28. 宝马：宝马正在考虑为其位于美国南卡罗来纳州的斯帕坦堡工厂增设生产班次，以将年产量最多提升 8 万辆。当前，多家车企正寻求化解与美国政府的紧张关系，避免贸易冲突持续升级。 29. 微软：微软正在考虑进一步裁员，这次的重点是管理人员和非程序员，而不仅仅是低绩效员工，新一轮裁员最早可能在5月份进行。 30. Alphabet：2025年将斥资约750亿美元扩建数据中心容量，加倍押注生成式人工智能（Generic AI），即便回报尚不明朗，且全球贸易战可能导致成本上升。

半导体

芯查查资讯 . 2025-04-14 2 1 1495
智能驾驶 | 全球TOP5车规级芯片企业的制造基地介绍

重点概览 1. 英飞凌：产品品类最全的车规级芯片供应商，拥有15个生产基地 2. 恩智浦：8个前道工厂和4个后道工厂 3. 意法半导体：7个前道工厂和7个后道工厂 4. TI：9个前道工厂与6个后道工厂 5. 瑞萨：5家前道工厂和7家后道工厂 6. 国内车规级芯片概况近几年，随着汽车电动化和智能化程度的加快，车规级芯片的需求量在快速提升，特别是功率、MCU、模拟、CIS、存储器、通信，以及智能驾驶芯片的需求增长迅速。据TechInsights统计，2024年全球汽车半导体市场规模为684亿美元，IDC则预计到2027年，全球汽车半导体的市场规模将超过880亿美元。另据易车数据，2022年传统燃油车单车平均使用了934颗芯片，智能电动汽车使用了1,459颗芯片。该机构预计2025年传统燃油车单车芯片用量将提升至1243颗，智能电动汽车的用量将提升至2,072颗。图：全球汽车半导体市场规模及预测（来源：IDC）不过，车规级芯片与消费级和工业级芯片不同，它需要具有更高的可靠性、安全性，以及稳定性，而且要求零缺陷和更长的供货周期。这大大提高了进入这个行业的标准与门槛。而且，如果要进入汽车前装市场，产品需要经过一系列的认证，比如常见的芯片元器件层面可靠性标准AEC-Q100、汽车行业质量管理体系IATF16949、功能安全标准ISO26262等。其中，AEC-Q100主要用于集成电路，分立器件为AEC-Q101、功率模块为AQG 324，无源器件为AEC-Q200等。也就是说，车规级芯片的研发周期更长，如果是一家从未涉足汽车行业的半导体厂商想要进入车规级市场，它至少要花两年的时间自行完成相关的测试，并提交测试文件给主机厂。还需要通过相关车规级标准规范的认证和审核，只有通过严格考核的企业才能进入汽车前装供应链。这导致了几十年来，全球车规级芯片市场的产业格局非常稳定，基本上被英飞凌、恩智浦、意法半导体、TI、瑞萨、安森美等海外企业所垄断。不过，近几年来，随着汽车行业加速进入智能化时代，尘封数年的车规级芯片市场格局开始被打破，尤其是特斯拉FSD（完全自动驾驶）芯片的推出，以及智能驾舱从概念变成现实，让更多新的半导体厂商开始进入这个行业。比如NVIDIA、高通、联发科技、全志科技、兆易创新、地平线、黑芝麻等厂商成为市场新生力量。可以看到这些企业里面有不少是IDM厂商，也有Fabless厂商，接下来就请跟随芯查查看看这些厂商的产线布局，看看这些主流的车规级芯片都是在哪里生产出来的吧。英飞凌：产品品类最全的车规级芯片供应商，拥有15个生产基地根据TechInsights的统计，2024年英飞凌在全球汽车半导体市场的份额为13.5%，据全球首位，且该公司已经连续5年位居榜首了，其中，英飞凌在中国市场以13.9%的市场份额领跑。英飞凌目前是车规级芯片产品品类最全的半导体供应商，除了其最大的优势产品功率半导体之外，去年其车规级MCU产品市场表现也很抢眼，由于其MCU在高级辅助驾驶等应用中表现出色，市场份额增长了3.6%，达到了32%，位居全球第一，在汽车MCU整体市场同比下降8.2%的情况下仍然保持了增长。图：英飞凌在半导体市场中的地位（来源：英飞凌）根据其2024年财报显示，英飞凌在在全球拥有约58,065名员工，2024财年的营收为149.6亿欧元，其中56%是汽车半导体所贡献。英飞凌采用的IDM模式，拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂，自行完成芯片的全生命周期，包括从设计到制造的整个过程。这种模式允许企业更好地控制产品质量和技术创新，同时降低成本和提高生产效率。截至2024年9月30日，该公司在全球共有71家研发机构和15个生产基地。图：英飞凌15个工厂的分布情况（来源：英飞凌）根据英飞凌官方的介绍，他们在美洲地区有4个工厂，其中美国有3家（包括前道工厂奥斯汀和梅萨，后道工厂蒂华纳），墨西哥位于莱姆斯特的工厂是一家后道工厂。不过最新的消息是，今年2月26日，英飞凌宣布与美国晶圆代工厂SkyWater签订了协议，将德克萨斯州奥斯汀的8英寸晶圆厂Fab25出售给了SkyWater，并签订了相应的长期供应协议。Fab25晶圆厂目前每年为主要汽车、工业和通信公司生产多达10亿颗半导体芯片，该工厂拥有65nm基础设施、扩展的铜处理规模和高压BCD技术等。该交易目前正在等待美国监管机构的批准，预计未来几个月之后完成。欧洲是英飞凌的总部所在地和核心基地，有5家工厂，包括2家前道（德国的德累斯顿和奥地利的菲拉赫）、2家后道（德国的瓦尔施泰因和匈牙利的采格莱德），以及一家包括前道和后道一起的德国的雷根斯堡。英飞凌很重视欧洲地区的生产布局，2021年月，英飞凌投资16亿欧元建设的菲拉赫新12英寸晶圆厂正式投入运营，这座全新的工厂重点生产碳化硅和氮化镓功率半导体。2023年，英飞凌又对菲拉赫12英寸功率半导体厂进行了大规模的扩建，投资金额超过16亿欧元，以扩大碳化硅和氮化镓功率半导体的生产能力。同年，英飞凌还在德国德累斯顿（Dresden）开启了新的12英寸晶圆厂建设，这一项目投资金额超过了50亿欧元，预计2026年投产。该晶圆厂专注于28nm以下先进制程节点的研发与生产，特别是针对汽车和工业领域的半导体需求。值得注意的是，菲拉赫和德累斯顿的12英寸晶圆厂采用了“虚拟一体化工厂”理念，两地采用一致的生产工艺、设备配置，以及自动化与数字化系统。这不仅带来了规模效益，也为客户提供了灵活的产能调配能力，让英飞凌可以根据需求在两地间灵活切换生产量。亚太地区主要的后道工厂为主，位于马来西亚的居林（Kulim）是仅有的一家前道工厂。居林工厂是英飞凌全球最大的碳化硅功率半导体生产基地，其第三厂区（8英寸）产线在2024年8月投产，该工厂的一期项目投资额高达20亿欧元，主要生产碳化硅功率半导体和氮化镓外延的生产。生产的产品主要供汽车、新能源和工业客户使用。英飞凌还计划额外投资50亿欧元用于居林工厂的第二期建设，以进一步扩大产能。值得一提的是，居林工厂与菲拉赫形成了“虚拟协同工厂”，共享宽禁带技术工艺。泰国的曼谷、马来西亚的马六甲、新加坡、印度尼西亚的巴淡，以及中国的无锡工厂均为后道工厂。其中，中国的无锡工厂是英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一，生产的产品广泛应用于电动汽车、新能源、消费电子和工业等多个领域。1995年，英飞凌在无锡建厂，当时主要聚焦于后道封装制造领域。2021年，英飞凌对无锡工厂进行了扩建，以增加封测产能，专注于车规级功率半导体的生产和测试。2024年12月，英飞凌CEO Jochen Hanebeck透露，为了满足中国客户的特定需求，公司正在积极推进商品级产品的本地化生产策略，与中国市场保持紧密的业务联系。也就是说，英飞凌决定调整生产布局，将部分产品的制造环节转移至中国的代工厂。在今年电动汽车百人会2025现场，英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞正式宣布了英飞凌汽车业务 “在中国，为中国”的本土化战略，这是英飞凌近年来首次在公开场合提出业务的本土化战略。尤其是曹彦飞提出，AURIX TC4x MCU也会在国内生产，不止包括后道，也包括前道。据悉，英飞凌的车规级MCU、AURIX、TRAVEO，以及PSoC都有国内前道生产计划，另外NOR及部分模拟混合信号产品也会在中国有前道工序。虽然英飞凌是一家IDM厂商，但他们也有一部分的产品是委外代工的，主要是集成度更高的数字芯片，比如微控制器、连接模块和安全芯片等。同时英飞凌也入股了台积电主导成立的欧洲半导体制造公司（ESMC），他们占了10%的股份。该公司已经在2024年8月举行了德累斯顿晶圆厂的奠基仪式。恩智浦：8个前道工厂和4个后道工厂恩智浦也是车规级芯片的主要玩家之一，他们2024财年营收126.1亿美元，其中汽车芯片占了其总营收的57%，为71.51亿美元。恩智浦的芯片制造主要有三种模式，分别是自有晶圆厂、与其他半导体公司合资运营的晶圆厂，以及委托第三方代工厂和封装测试供应商进行生产。根据恩智浦官网的介绍，恩智浦正越来越多地将内部制造资源聚焦于具有竞争优势的8英寸晶圆产线，主要生产140nm、180nm和250nm等成熟制程节点。他们自有的晶圆厂制造工艺CMOS、Bipolar、BiCMOS以及DMOS等技术，能生产90nm至3微米的集成电路，以及0.5微米至4微米以上的分立器件。至于封装测试工作，大部分是是由恩智浦自有工厂完成的。图：恩智浦前端生产和装配测试工厂分布（来源：恩智浦）目前恩智浦主要有8家前端生产和4家后端封装测试工厂。8家前端生产工厂分别为：荷兰的奈梅亨晶圆厂、美国的钱德勒晶圆厂、ECHO晶圆厂、ATMC、橡树山晶圆厂，以及新加坡的SSMC和VSMC晶圆厂；后道工厂包括泰国曼谷装配测试厂、吉隆坡装配测试厂、高雄装配测试厂以及天津装配测试厂。恩智浦的美国工厂主要是由于当年收购飞思卡尔时带来的资产。其中，与台积电联合持有的位于新加坡的SSMC晶圆厂主要生产8英寸晶圆。2021年，恩智浦在美国亚利桑那州投资数亿美元扩建现有封装测试工厂，增强汽车电子产品封装能力，这一举措旨在支持北美客户对车规芯片的需求，提升供应链的稳定性和效率。同时恩智浦还对中国天津的封测工厂进行了扩建，加强封测能力，优化为中国市场服务的效率。 2022年时，恩智浦对马来西亚的吉隆坡装配测试厂进行了扩建，以提升其封测能力，主要面向汽车和工业应用的高性能产品。在2024年6月，恩智浦宣布与世界先进（VIS）宣布在新加坡成立合资公司——VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），计划投资78亿美元建设一座12英寸（300毫米）半导体晶圆制造厂。该工厂将主要采用130纳米至40纳米的制程工艺，生产混合信号、电源管理和模拟芯片，目标客户涵盖汽车、工业、消费电子和移动终端市场。工厂中2024年下半年动工，预计2027年实现量产，月产能预计达到5.5万片晶圆。此外，双方还考虑在首座晶圆厂成功量产后，继续建设第二座晶圆厂。此外，台积电主导的ESMC，恩智浦与英飞凌一样也参与了投资，持股也是的10%。恩智浦可以获得该晶圆厂10%的产能配额，该工厂预计2027年初步投产。意法半导体：7个前道工厂和7个后道工厂意法半导体也是一家IDM厂商，该公司2024财年营收132.7亿美元，其中汽车芯片贡献了46%。其生产制造基地覆盖欧洲和亚洲地区，形成了“前道工序（晶圆制造）+后道工序（封装测试）”的完整产业链。目前意法半导体在欧洲和亚洲的9个国家和地区设立了14个主要制造基地，包括7个晶圆制造工厂和7个封装和测试工厂。图：意法半导体全部布局（来源：意法半导体）前道工厂分别为瑞典的北雪平、意大利的卡塔尼亚和阿格拉泰、法国的图尔、克洛勒和鲁塞，以及新加坡工厂；后道工厂包括摩洛哥的布斯库拉、马耳他的科尔科普、意大利的马尔恰尼塞、法国的雷恩、马来西亚的麻坡、菲律宾的卡兰巴，以及中国的深圳工厂。其中，2021年，意法半导体对法国克罗勒的晶圆厂进行了产能升级，增加对高需求技术如SiC和GaN的投入。这一年，意法半导体还扩建了深圳封测工厂，以支持本地客户的汽车和工业产品需求。 2022年，意法半导体在新加坡投资数亿美元扩大8英寸SiC功率器件晶圆厂产能，以支持模拟、MEMS（微机电系统）和功率技术的发展，旨在加强亚太地区的供应能力，满足当地市场对高性能半导体产品的需求。此外，意法还在马来西亚槟城扩建了封测厂，进一步增加封装测试产能，以支持更大规模的功率半导体产品需求。 2023年，意法半导体持续推进意大利阿格拉特12英寸晶圆厂建设，预计2025年实现全面投产，该项目将专注于CMOS、模拟和功率产品的制造，支持汽车电子和工业芯片制造。预计到2027年，12英寸产能翻倍至4,000片/周。除此之外，意法半导体还与三安光电合作，在中国建立8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂，生产碳化硅外延片，该项目计划总投资约230亿元。该工厂已经在2月27日正式通线，预计2025年第四季度实现批量生产，这将是国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，项目规划全面达产后，每周可以生产1万片车规级晶圆。 2024年底，意法半导体宣布了“在中国，为中国”战略，宣布将与华虹合作，计划在2025年底在中国本土生产40nm MCU，其认为在中国进行本地制造对其竞争地位至关重要。 TI：9个前道工厂与6个后道工厂 TI的成长历程可以参考芯查查之前的文章《IC 品牌故事 | 从石油勘探中诞生的TI传奇》，该公司2024财年的营收为156.4亿美元，其中车规级芯片占了35%，是TI所有应用领域中收入最高的一块。据悉，TI每年芯片产量超过100亿颗，计划到2030年其芯片内部制造比例达到95%。图：TI的全球制造布局（来源：TI）在TI的全球制造布局中，TI总共有15个制造基地，包括多家晶圆制造、封装测试工程，以及凸点和探头工厂。其中晶圆厂有9家，封装测试工厂6家。其晶圆制造厂主要分布在美国，包括美国德克萨斯州的舍曼（Sherman）、理查森（Richardson）、达拉斯（Dallas），犹他州的李海（Lehi），以及缅因州的南波特兰（So.Portland），德国的弗赖辛（Freising）、中国的成都，加上日本的会津（Aizu）和美保（Miho）工厂。美国达拉斯DMOS6工厂成立于2014年，是TI最早的12英寸晶圆厂之一。2014年推出了12英寸模拟技术，用于生产先进的模拟芯片和嵌入式处理器；理查森RFAB1是2009年投产的，RFAB2于2022年下半年投产，与RFAB1相连，用于扩大射频和电源管理芯片的生产，满产产值约60亿美元；犹他州的李海LFAB1厂是2021年收购自美光，已经在2022年底投产，主要支持65nm和45nm工艺的模拟和嵌入式产品；LFAB2厂2023年2月开始建设，计划2026年开始投产；德克萨斯州的舍曼S1~S4四个工厂，S1/S2建设中，计划2025年S1投产、2026年S2投产、2027年S3投产、2028年S4投产。舍曼基地的建设始于2021年，总投资约300亿美元。这些扩建的产能均为12英寸产线。至于中国成都工厂，原来是包括晶圆制造产线的，不过近几年开始已经有所改变，目前只剩下封装和测试产线在运行了。瑞萨：5家前道工厂和7家后道工厂以前瑞萨的大部分的产品都是自己工厂生产的，但从2010年开始，瑞萨宣布未来将朝着轻工厂（Fab-Light）战略迈进，使用代工厂生产28nm及以下的器件，且不再大规模投资晶圆厂。现在瑞萨的制造工厂数量从2011年的22座缩减到了现在的5座，且基本都在日本。晶圆厂包括茨城县那珂工厂、爱媛县西条市西条工厂、山梨县甲府工厂、神奈川县川崎工厂，以及群马县高崎工厂。其中那珂工厂主要生产车规级芯片（MCU、SoC等）、功率半导体等，拥有8英寸和12英寸晶圆生产线，是瑞萨车规级芯片的主要生产基地；甲府工厂曾经在2014年10月关闭了，但2022年5月，瑞萨宣布重新投资900亿日元，将原来的6英寸和8英寸生产线，升级成12英寸生产线。甲府工厂已经在2024年4月开始正式运营，计划2025年开始大规模生产以IGBT为主的功率器件，以满足电动汽车市场的需求。据悉，甲府工厂的12英寸生产线主要生产750/1200V的IGBT，并将提供1200/1700V的SiC。除了提高本身晶圆厂产能，瑞萨还积极扩大委外代工，加大台积电、联电和世界先进等订单。比如2023年瑞萨宣布入股台积电熊本工厂，取得约10%股权。另外，瑞萨拥有7家封测工厂，其中两家在北京和苏州。国内车规级芯片概况整体来看，我国汽车芯片与世界领先水平的差距仍然较大。国内车规级半导体在基础环节、标准和验证体系、车规产品验证、产品配套等方面能力薄弱，同时在半导体各个产品的自主率较低，与我国消费电子半导体产业链相比，由于汽车半导体在可靠性，稳定性等领域的要求更高，国内企业在汽车半导体领域的整体市场占有率更低，但同时也对应着可观的国产替代空间。当然，随着国内新能源汽车的快速发展，通过并购或者自研，也涌现出来了一批车规级芯片企业。比如北京君正通过收购矽成半导体（ISSI），进入了车用存储器，车载网络接口芯片市场；韦尔半导体通过收购豪威科技进入了车载CIS市场；四维图新收购前身为联发科技旗下的汽车电子事业部杰发科技，进入了车规级MCU、SoC等芯片市场；锡产微芯收购LFoundry获得了车规级代工生产线，以及车规级芯片制造工艺和功率芯片等；华灿光电收购美新半导体，具备了车规级MEMS传感器量产能力。而华为、全志科技、兆易创新、比亚迪半导体，芯旺微、地平线、黑芝麻智能、芯擎科技、纳芯微、南芯半导体、富瀚微、芯海科技等一大批半导体企业都进入了车规级芯片领域。这从前几年车规级芯片市场的国产化率不到5%提升到了2024年的近10%就可见一斑。不过，国内进入车规级芯片领域的半导体企业大都是Fabless企业。芯查查下一篇文章将会详细介绍有哪些晶圆工厂和封装厂可以提供车规级芯片代工和封装测试服务。

原创

芯查查资讯 . 2025-04-14 12 3 4820
产品 | 极海与广汽集团联合发布国产首款AK2超声波传感器芯片

2025年4月12日，极海受邀出席"广汽科技日发布会"，与会现场联合广汽集团正式发布国产首款量产车规级芯片——AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片。该芯片以"安全驾驶"为核心设计理念，深度融合自动泊车、环境感知与冗余安全技术，旨在为智能汽车提供更可靠、更高效的底层支持。此次合作标志着双方在汽车芯片领域的技术协同迈入新阶段，成功突破了国外技术封锁，采用全国产供应链，为国产汽车智能化技术的自主化发展注入强劲动力。强强联合，共筑智能安全防线广汽芯片发布会与芯片联盟签约仪式于广汽研究院创新中心举行，极海总经理汪栋杰、副总经理曾豪等受邀出席。极海与广汽合作的国产首款AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片的研发及产业化展开深度合作，G32A217（G-S01）与GAIF2042（G-T03）系列芯片已完成验证，进入批量量产阶段。极海总经理汪栋杰表示："与广汽的合作不仅是技术融合，更是对'安全为先'理念的实践。AK2超声波传感器芯片通过多层级冗余设计和全场景验证，助力更高级别智行安全的发展与突破，推动国产汽车芯片的安全自主可控。此次战略联盟旨在联合推进完善设计领域、制造能力、应用生态、测试认证体系等方面，推动汽车芯片全产业链的生态共建。以安全为核，赋能广汽灵星电子电气平台作为本次合作的核心成果，AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片在广汽灵星电子电气架构中予以展示，赋能自动泊车与智能安全场景。国产芯片自主化的里程碑国产芯片向前一小步，自主创新一大步。国产AK2超声波传感器芯片与双通道DSI3网络收发器芯片的发布，不仅填补了在车用超声波传感器芯片领域国内市场的空白，并实现从设计到量产的全链条自主可控及技术研发与应用落地的双向贯通。极海与广汽集团的战略合作，不仅是一次技术联姻，更是国产汽车芯片迈向高端化、安全化的重要一步。标志着国产超声波雷达从单一功能向高精度、高安全性的技术演进，为智行系统提供了高性能、高可靠性及成本更优的感知方案。未来，双方将持续以用户需求为导向，推动汽车智能化从"功能创新"向"安全革命"跨越，为全球消费者创造更安心、更便捷的出行体验。

极海

芯查查资讯 . 2025-04-14 3251