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方案 | 从机械应答到深度交互，移远通信如何让机器人“灵魂觉醒”？

你是否还在因机器人的“答非所问”而无奈，为它们的“反应慢半拍”而抓狂？别慌！一场引领机器人实现“灵魂觉醒”的技术革命，正如同暗夜中悄然绽放的繁星，彻底颠覆人们对机器人的传统认知。 5月20日，移远通信率先推出了端&云混合大模型机器人大脑解决方案。该方案深度融合AI、大模型、声源定位等前沿技术，宛如为机器人赋予了“超级大脑”和“敏锐听觉”，有效弥补了传统机器人在交互延迟、语义理解等方面的不足，推动人机交互朝着更自然、更精准、更加人性化的方向大步迈进。端云共舞，铸就智能交互“超级大脑” 在移远端&云混合大模型机器人大脑解决方案中，围绕移远AI模组及其强大算力，创新性地构建了端侧与云端大模型的深度协同体系，如同给机器人同时装上了“极速本地处理器”与“云端超级知识库”。端侧大模型堪称机器人的“反应加速器”，赋予其毫秒级的响应能力和可靠的离线功能。无论是前进、转向、原地踏步、站起、蹲下等动作指令，还是企业专属领域的专业问答需求，机器人都能瞬间给出反馈。同时，该方案还支持企业定制化知识库的本地部署，即便处于离线状态，机器人依然可以提供专业、准确的问答服务，为敏感数据筑牢安全防线。云端大模型则化身庞大的“知识宝库”。在联网状态下，机器人可无缝接入豆包、DeepSeek等主流大模型以及专业搜索工具，基于云端海量数据，提供天气、新闻、股票等实时信息和百科知识查询，还支持多轮对话式查询，精准“读懂”用户意图。在情感交互场景中，机器人就像一位会“思考”的伙伴，既能通过启发式对话和用户进行多轮深入交流，还能自定义角色，带来个性化陪伴体验。更厉害的是，云端大模型还能不断“学习”进化，始终保持前沿能力。方案独创的端云协同架构，犹如一位运筹帷幄的“指挥官”，通过智能路由机制，巧妙实现智能与可靠的平衡。在此架构下，机器人能够自动监测网络状态，将任务智能分配到端侧或云端：关键指令优先在端侧快速处理，复杂查询则自动切换至云端，确保交互既高效又精准。即便网络环境波动，端云数据也能无缝同步、无感切换，配合企业级加密通信与权限管理，既能让用户享受丝滑流畅的交互体验，又能全方位守护数据安全。此外，通过移远飞鸢物联网平台，用户可轻松实现对大模型的管理，如用户管理、数据分析、故障告警等，让大模型管理更加便捷、高效。麦克风阵列拾音，赋予机器人“敏锐听觉” 多麦克风阵列拾音技术是方案的另一大技术亮点，为机器人打造了一双“顺风耳”。方案采用先进的6麦克风阵列算法，通过空域滤波技术形成定向拾音波束，能有效抑制环境噪声，增强声源方位人声，在嘈杂环境中依然能够精准捕捉声源。更值得一提的是，10m拾音距离与360°全向感知范围，可实现精准声源定位，让机器人能够迅速锁定声源方位，实时调整方向面向说话人，真正做到“闻声而动，有呼必应”。为进一步强化机器人的“听觉”能力，该方案集成了前置降噪、回声消除、波束成型等全链路语音处理算法，能够有效过滤环境干扰，即使轻声呼唤，机器人也能迅速“苏醒”响应。此外，该方案还支持中英文对话、自定义唤醒词、音色定制等，满足用户多样化需求，让每一次交互都更具温度与个性。多场景绽放，绘就智能生活的多彩画卷依托端侧与云端大模型的深度协同，以及精准的声源定位技术，机器人不再局限于执行指令——它们不仅能实现语义理解、动作控制，更能基于本地私有知识库或者云端海量信息，化身为能理解、会沟通、善思考的“智慧伙伴”，让智能融入生活的每个角落。在商业场景中，商场导购机器人能精准捕捉顾客需求，如私人购物顾问般推荐心仪商品；酒店服务机器人不仅能快速办理入住，还能化身“本地通”，介绍周边美食与景点；医院导诊机器人则凭借专业知识库，迅速为患者指引科室路线。在家庭场景里，教育陪伴机器人成为孩子的“私人教师”，既能辅导功课、陪伴阅读，又能化身“聊天搭子”，在情感交流中见证成长。这场智能变革才刚刚拉开序幕，随着方案的深入应用，机器人正从“工具型”向“伙伴型”加速蜕变。未来，移远通信将持续深耕AI与大模型领域，携手合作伙伴不断探索机器人的更多应用场景，为行业发展注入无限创新活力。

移远通信

移远通信 . 2025-05-21 1 1035
技术 | 针对大批量应用优化的电源开关

在挑选MOSFET时，大多数工程师首先关注的一个参数便是RDS(on)值。然而，面对消费电子、计算、移动设备乃至工业子系统的大批量需求，设计工程师对产品的要求日益多样化，不仅追求高效能、小尺寸、高性能、高可靠性，同时也注重成本效益。因此，对于大部分电源、充电器、电池管理系统 (BMS) 和电机驱动器，关键在于以适当的小尺寸封装和合适的价格提供恰当的RDS(on)值。Nexperia新发布的MLPAK33封装的60 V MOSFET系列产品正好满足了这一市场需求。大批量电子产品的市场格局正经历着剧烈的变化，特别是在功率要求方面。其中最为显著的变化趋势之一便是器件从插电式供电逐渐过渡到可充电电池供电。这种转变提高了对系统功率密度和高功率的需求，同时还要求器件更加轻量化，并大幅缩减复杂电路的可用空间。当然，在实现这一切的同时，还必须确保器件的安全性和可靠性，并有效降低物料清单 (BoM) 成本。扫地机器人或许可以充分展示现代工程师面临的多重挑战。这类设备不仅需要集成功率转换和电池管理系统，还需配备三相吸尘电机、驱动轮子的电机以及控制锁和阀门的执行器，同时还要包括传感、控制与通信电路。要在极其紧凑的PCB空间内实现这些功能，往往需要采用多层设计来容纳所需的大量电子器件。而且，在为电源、充电器、BMS和电机驱动选择合适的功率MOSFET时，设计师的选择标准也因此受到显著影响。兼顾设计优化与空间效率为了满足这些近乎相互矛盾的需求，Nexperia推出了MLPAK56 MOSFET，这也标志着Nexperia在扩展其成熟的功率超结MOSFET产品组合（如NextPowerS3、NextPower 80/100V和特定应用MOSFET）方面迈出的重要一步。随着新一代MLPAK33 MOSFET的推出，Nexperia为设计工程师设计大批量且注重成本效益的应用提供了优化的开关性能(RDS(on) < 10 mΩ)，并在紧凑的封装(10.9 mm²)中保持了Nexperia一贯的高质量、高可靠性、工程专业技术和供应链稳定性的优势。为了实现这种精妙的平衡，Nexperia融合了分裂栅沟槽型(SGT) MOSFET技术和MLPAK（微引脚封装）。SGT技术不仅可实现出色的开关性能，还能在更小封装内实现更高的电流密度。尽管MLPAK33在引脚布局上与业内公认的表面贴装DFN3333完全兼容，但其独特的微引脚设计进一步增强了贴装的可靠性。因此，Nexperia的60 V MLPAK33 MOSFET非常适合满足诸如扫地机器人、30 W有线及无线快充适配器以及各种DC/DC转换器等大批量应用不断变化的需求。

安世

安世半导体 . 2025-05-21 1 965
产品 | 实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81％，导通电阻可降低约33％。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50％。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。新产品在电商平台将逐步销售。 ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。开发背景近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。产品主要特性应用示例・智能手机・VR（Virtual Reality）眼镜・小型打印机・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。 *1) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写) 一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。 Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。 *2) 导通电阻 MOSFET工作（导通）时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 *3) WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) 在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。 *4) GaN HEMT GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si（硅）相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。 *5) 击穿电压 MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。

ROHM

罗姆半导体集团 . 2025-05-21 945
方案 | 基于IVCC1104和 ICeGaN®的2.5kW图腾柱无桥PFC方案

近期，碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案领先供应商瞻芯电子与Cambridge GaN Devices(CGD)合作，基于成熟的2.5kW CCM模式图腾柱无桥PFC参考设计，仅简单改动：把原功率器件换成集成驱动和GaN器件的ICeGaN®产品，其测试表现稳定，效率高达98.7%。该方案的成功，不仅再次验证了基于模拟控制芯片（IVCC110x)的图腾柱PFC电路的简单、高效，而且表明ICeGaN®产品良好的易用性和卓越可靠性。 Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆氮化镓(GaN)功率器件生产商，致力于开发节能高效GaN功率管和IC。该公司专利产品ICeGaN®通过高度的集成化，极大地简化设计流程，加速产品落地。图1：方案实测效率曲线图 CGD技术市场与业务拓展总监 Di Chen 表示： “瞻芯电子现有的2.5kW图腾柱PFC参考设计方案是基于TO-247封装，通过一块半桥适配子板，替换为ICeGaN® P2系列的25mΩ GaN IC，在不修改驱动、控制策略、电路拓扑的情况下，即可正常运行。测试结果证明了ICeGaN® 能大幅缩短工程师学习和新品开发周期，加速GaN在大功率电源设计的导入和产品落地。同时，也对瞻芯电子的CCM PFC控制器芯片IVCC1104的高性能和极致性价比，印象非常深刻。” 瞻芯电子首席技术官叶忠博士评价： “ICeGaN®器件在2.5kW图腾柱PFC中首次上电就能工作，开关波形干净，尽管其DFN封装需通过TO247-4适配板焊接至主功率版，且栅极驱动和驱动电源走线较长，但从空载到满载均未发现异常或直通现象，展现出极强的抗噪性、易用性与高效能。这个项目的demo成功，再一次展现出瞻芯电子CCM TTP PFC控制芯片在适配宽禁带半导体器件，包括SiC MOSFET和GaN FET，以实现下一代高性能电源方案的便捷性和高效性。” 基于IVCC1104和ICeGaN的2.5kW PFC方案这款方案选用简单、高效的图腾柱PFC拓扑，采用模拟PFC控制芯片，搭配SiC或GaN功率器件作为高频开关管，都能大幅简化器件选型，降低物料成本，加快电源产品的开发速度，因此已开发出多种衍生PFC电源方案，功率范围覆盖330W~3000W，并展示出优秀的性能、效率表现。图２：２.５ｋＷ图腾柱PFC方案样机图3：图腾柱无桥PFC工作原理主控芯片：采用模拟图腾柱PFC控制芯片IVCC1104，内置高速、精确、可靠的模拟控制器，相比于数字控制芯片，封装更紧凑(16pin)，无需编程调试，还能解决一系列控制难点，保障开关电源方案的高效率、高可靠性，助力产品快速开发与推广。图4：２.５ｋＷ图腾柱PFC主控制板高频开关管：选用ICeGaN® IC（CGD65C025SP2）将栅极接口电路、保护功能与主功率管单片（650V/25mΩ GaN HEMT）集成，可直接和瞻芯电子IVCR1401驱动或市售通用Si/SiC驱动芯片兼容，只需进行简单的改动就可以无缝替换传统的Si器件，实现效能提升。图 4：ICeGaN® IC产品测试环境介绍在瞻芯电子的2.5kW图腾柱PFC方案中，把原650V SiC MOSFET换装ICeGaN® IC产品CGD65C025SP2，并沿用栅极驱动IVCR1401芯片。图5 ：ICeGaN® IC产品在原方案应用空载启动波形：点评：空载启机的电流无异常大电流，波形比较平滑。负载1250W，Vin_AC=115V空载上电测试波形：负载2500W ，Vin_AC=230V空载上电测试波形：点评：与使用瞻芯 SiC MOS FE T 一样， AC 电流过零点的波形都非常平滑，无尖峰和明显的台阶， IVCC110 x 的专利过零点技术在此体现的很好。图6 ：PFC方案功率因数图7 ：PFC方案THD谐波数据该方案验证成功，再次表明IVCC1104芯片不论搭配碳化硅(SiC)器件或氮化镓(GaN)器件，都能极大的缩短工程师开发产品的周期，降低应用门槛，带来更大的项目收益。

瞻芯电子

瞻芯电子 . 2025-05-21 920
市场 | 2025年第一季度，中东智能手机市场出货量下降4%，消费需求低迷

2025年初，中东智能手机市场（不含土耳其）表现趋于疲软。Canalys（现并入Omdia）数据显示，2025年第一季度，中东地区智能手机出货量同比下降4%，至1170万部。尽管2024年市场曾出现强劲复苏，但2025年初因零售需求放缓和消费者趋于谨慎的影响，整体市场出现回落。即便在年底促销力度空前的情况下，仍难以抵消经济不确定性上升与消费者支出持续疲软所带来的影响。此外，油价下跌及美国新一轮关税政策等因素，使石油依赖型经济体面临财政压力，进一步削弱该地区市场信心。 2025年第一季度，沙特阿拉伯以26%的地区份额稳居中东智能手机市场首位，但出货量同比下降12%。这一降幅主要受到斋月期间消费者需求疲软的影响，支出更多转向旅行、美食和汽车升级等生活方式类消费，削弱了智能手机的可支配预算。伊拉克市场则同比下降11%，油价下滑加剧了该国的经济压力，促使消费者优先考虑生活必需品而非设备更新换代。相比之下，阿联酋市场仅微降1%。得益于开斋节期间活跃的零售活动和游客人数的增加，该国经济展现出较强韧性，从而支撑了智能手机的市场需求。相比之下，科威特和卡塔尔则展现出积极的增长势头。科威特在“哈拉节”（Hala Festival）期间，通过Xcite、Eureka等主要零售商主导的大规模促销活动，实现13%的出货增长。卡塔尔则以16%的同比增长领跑整个中东地区，得益于2025年第一季度超过150万的游客到访和蓬勃发展的奢侈品零售市场。该国积极推动旅游业发展，消费者对高端商品的需求上升，加之其高度数字化的消费习惯，使卡塔尔成为本地区最具增长潜力的智能手机市场之一。高端需求推动ASP上涨，三星引领市场增长 Canalys（现并入Omdia）首席分析师Manish Pravinkumar表示：“中东正快速迈向“高端优先”的智能手机市场结构。尽管整体区域市场下滑，2025年第一季度，售价在600美元以上的高端机型出货量仍同比增长17%。其中，三星表现尤为突出，同比增长19%。这一增长得益于Galaxy A系列的持续热销，以及旗舰机型Galaxy S25 Ultra的强劲需求，后者在该季度出货量中占比高达9%。此外，三星与e&（阿联酋电信）在阿联酋等市场深化战略合作，有望重塑智能设备生态系统，进一步巩固其在高端安卓阵营中的主导地位。 Canalys（现并入Omdia）首席分析师Manish Pravinkumar表示：“传音正在应对来自注重性价比品牌的激烈竞争，尤其是在沙特和伊拉克等关键市场。虽然该品牌仍以43%的份额领跑100美元以下价位段，但这一占比较去年同期的51%已有所下滑。其中，Infinix是其三大品牌中最核心的力量，占据整体市场9%的份额。尽管小米重回市场第三位，但其出货量同比下降31%，受到渠道库存调整和审慎策略的影响。该品牌正重新校准其市场优先级与生态策略，力求在2025年重启增长动能。苹果则实现10%的同比增长，主要受益于iPhone 16的热销、“先买后付”（BNPL）提升了产品可负担性，以及零售渠道的进一步下沉。此外，新兴厂商如荣耀和摩托罗拉在中东主要市场扩大零售覆盖并推出更具竞争力的产品组合，分别实现36%和12%的增长，展现出强劲的发展潜力。单靠价格竞争，已无法在中东市场立足 Canalys （现并入 Omdia ）首席分析师 Manish Pravinkumar 表示：“ 5G 已不再是用户换机的主要驱动力。随着 AI 驱动的创新加速，中东市场正朝着更加智能、以体验为导向的设备演进。 2025 年第一季度， AI 智能手机出货量已占比 53% ，这一趋势凸显出技术融合正重塑市场格局。尽管 2025 年开局表现平淡，但高端功能的持续需求以及中端产品的稳健表现，预示着市场仍具增长韧性。中东正在崛起为全球智能手机价值链中的关键一环。在沙特、阿联酋等国家，面对不断变化的贸易环境和上升的零售成本，品牌必须加大在生态系统创新、高端零售体验和深层次合作关系上的投入。 AI 、内容与智能硬件的融合将引领下一轮市场变革。未来的数字中东，将由那些能以价值与体验为核心的品牌引领。 ”

手机

Canalys . 2025-05-21 1 1210
方案 | 安全无小事，这款追踪器方案为个人安全保驾护航

个人安全问题在日常生活中常常容易被忽视，尤其是在独处、探险或是身处偏远地带时，很多人可能未能充分认识到潜在的风险。例如，遇到迷路、自然灾害、意外事故等突发状况时，我们该如何求救？事实证明，在紧要关头，第一时间发出求救信号，并尽可能提供精准的位置信息，是确保能够迅速获得救援的关键举措。为了让用户能够准确掌握自己的位置，安富利基于瑞萨电子（Renesas）NFC和传感器技术推出个人安全追踪器解决方案。该方案集成实时GPS追踪、SOS紧急警示及环境监控等进阶功能，可嵌入至穿戴式装置及医疗保健应用中，从而作为安全信息提示的重要途径。由于追踪器通常需要长时间保持运行，因此其能耗和电池寿命会直接影响到产品的实用性。在电源管理模块的设计上，安富利采用瑞萨的ISL91133升压稳压器和RAA214023超低噪声LDO，为追踪器设备的长久续航和稳定运行提供了支持。 ISL91133能够实现高达96%的效率和低至108µA的待机电流，极大地延长了电池的续航能力。凭借高效的升压模式和低压差特性，ISL91133即使在低电压条件下也能确保设备的可靠性和长效性。此外，该稳压器能够在最低2.5V的输入电压下提供高达2.3A的输出电流，是电池供电的应用的理想选择。 RAA214023作为一款超低噪声、高PSRR、低压差稳压器，该器件以6.5µVRMS的超低噪声，确保追踪器在运行过程中不受电源干扰，从而使数据传输和处理更加精准可靠。在充电器的设计中，本方案采用非接触式快速充电技术，通过搭载瑞萨旗下ISL9301芯片，能够通过28V的电压输入来管理电源，即使在电池电量不足时，也能确保追踪器持续供电。不仅如此，方案具有的电源路径管理功能可以优化充电电流，减少电池充电循环，从而延长电池寿命，让设备能够实现连续操作，无需频繁充电。除了基本的安全功能外，追踪器方案还配备瑞萨ZMOD4410气体传感器平台，实现智能环境感知，能够实时监测空气质量，有效助力预防过敏等问题。ZMOD4410气体传感器平台提供能够准确测量IAQ和CO₂浓度的AI驱动算法，可以持续追踪总挥发性有机化合物（TVOC）和CO₂浓度，帮助用户及时发现潜在的空气质量问题。此外，ZMOD4410的设计极为稳健，即使在潮湿、粉尘和污水等恶劣环境下也能保持可靠运行，为用户提供长期环境监测服务。安富利以科技守护个人安全边界从个人追踪器到监控系统再到便携式医疗设备，安富利致力于通过不断创新的解决方案，让您自由探索世界的美好！

安富利

安富利 . 2025-05-21 740
市场 | Microchip PolarFire FPGA和SoC降价30%

5月20日，据外媒报道，芯片大厂 Microchip对其 PolarFire 现场可编程逻辑 FPGA 和系统级芯片（SoC）器件的价格进行了调整，价格降低了30%。 Microchip FPGA 营销和战略副总裁 Shakeel Peera 表示：“去年年底，随着行业危机的持续发展，其他供应商进行了'价格调整'，尤其是低端供应商。” “去年 #FPGA 市场处于库存膨胀状态，并且这种情况仍在继续，因此市场处于复苏模式。因此，我们坐下来研究了我们与 PolarFire 的业务情况，并制定了未来五年的展望。我们有能力做出降价的调整，因为我们希望更多的增加市场份额。该公司通过禁用芯片上的某些模块（尤其是收发器）来降低定价，以降低 PolarFire Core 和 PolarFire #SoC Core 的测试成本。 “我们研究了 PolarFire 衍生产品的机会，它解决了智能边缘应用的运营成本，而不是晶圆成本。我们正在移除的主要功能是收发器和 PCIe 2.0 控制器，这是一种具有用户内存的加密处理器，用于军事，并简化了我们生产这些部件和库存的方式，“他说。“平均而言，在经销商处，您将减少 30% 的费用。” “对于相同的掩模组，芯片尺寸是相同的，但我们节省的是测试成本，并且我们在前端和后端测试中做了一些事情来降低成本。我们在 1 月份做出了这个决定，并准备在 5 月份发货，这告诉你它不是新的模具。但这也意味着从设计工具到作系统的所有内容都是可重用的。 Peera表示，降低成本是为了从 AMD、Altera 和 Lattice 等其他供应商那里夺取市场份额。“当我们开始从国防和航空航天领域实现多元化时，我们的市场份额为 5%，去年为 10%。我们希望通过这个达到 15%。“ 根据早前Microchip公开的财务报告显示，#Microchip 第四季度（1-3月）营收9.705亿美元，环比下降5.4%，同比下降26.8%；毛利率为51.6%，营业亏损为1.003亿美元，净亏损为1.568亿美元。新上任的总裁Steve Sanghi表示：“我们本季度的收入为9.705亿美元，超过了我们的预期目标，我们相信这标志着Microchip已经走出了长期的行业衰退周期。我们根据九点计划采取了果断行动，通过提高生产效率、改善库存管理和重新调整战略重点，增强了我们的运营能力。随着我们从充满挑战的财政年度向前迈进，我们相信Microchip能够更好地把握市场环境变化带来的增长机遇。”

Microchip

芯查查资讯 . 2025-05-21 7 1 2305
方案丨极海基于APM32F402的2kW低压通用变频器应用方案

变频器作为智能制造、新能源、电动汽车等领域的关键设备，主要用于控制和调节三相交流同步电机的速度和转矩，实现设备的精准控制与高效节能。随着全球工业自动化升级和“双碳”目标的推进，经济性和技术优势使变频器市场需求持续增长。据数据分析：预计到2025年，中国通用变频器市场规模将达到620亿元，其中，中低压变频器占比64.98%，市场规模将突破370亿元。在该领域，极海推出基于APM32F402工业级高性能高性价比MCU的低压通用变频器应用方案，集成先进算法和硬件设计，支持高精度电机控制、多协议通信和智能化功能，可显著提升变频器的性能与可靠性；凭借灵活适配、精准控制、高性价比等优势，可为用户提供强有力的技术支撑，推动行业向高效化、智能化方向加速迈进。广泛适用于纺织机、楼宇自动化、工业控制、冶金、注塑机、风力发电、化工等细分领域。变频器应用领域 APM32F402变频器应用方案介绍组成结构：主控MCU：APM32F402CBT6 内部电路：整流电路（AC-DC）、滤波电路、逆变电路（DC-AC）、刹车制动单元、变频功率驱动输出电路、电流/电压/位置检测单元、保护电路等外围设备：通信、按键、显示电路（外部接口）、散热风扇等核心原理：主控MCU APM32F402CBT6实时接收检测电路及通信接口的给定参数，通过高精度PWM驱动逆变电路及功率电路，实现电源电压和频率的动态调整；系统可根据实际需求输出最优电源、电压、电流，从而实现节能降耗、高效调速、低噪静音等功能；同时集成刹车制动单元和多维保护电路，精准检测电路、电流、电压、温度等状况，实现过压、过流、过载等保护作用，确保变频器在复杂环境中的长期稳定运行。方案实现框图方案优势通过优化控制，可实现零速自由切换；支持USB外挂WiFi和BLE模块，实现远程参数设置或状态监控；高主频MCU，支持浮点运算，可实现高精度速度和转矩控制、快速动态响应；支持参数给定、加减速曲线选择、定长控制、摆频控制、计数功能等，满足不同应用场景的需求；支持电机参数自识别，通过状态观测器，实现电阻、电感、反电动势常量计算和估计； CAN、RS485、Modbus、外接无线传输模块等多种通信协议； V/F曲线：直线型、多点型、N次方型V/F曲线；稳定可靠：拥有行业大客户批量成果应用案例。 APM32F402芯片特性 Arm® Cortex®-M4F内核，工作主频120MHz Flash 128KB，SRAM 32KB 模拟外设：ADC×2，T-sensor x 1 通信外设：U(S)ART×4，SPI×2，I2C×1, CAN×2，USB OTG_FS×1 封装：QFN36/48、LQFP48/64 具备较强的可移植性和扩展性，可高效替代国内外友商同类竞品极海2kW低压通用变频器应用方案，以APM32F402CBT6作为主控MCU芯片，通过脉冲注入法实现电机转子初始位置定位，也可通过编码器来做抖动补偿，实现精准定位。并能以高性价比助力方案，实现更高效算法、更高转速比、更小转速波动以及更好保护机制等功能特性。

极海半导体

Geehy极海半导体 . 2025-05-21 810
企业 | 智能工厂革命：UWB技术如何重新定义制造业效率

让我们搭乘时光机，回到20世纪80年代的一家制造商；如果用那时的日常运营方式应对今天的竞争环境，它还能生存下来吗？恐怕很难。当今的制造业早已不仅仅是传统意义上的生产制造，而是迈向了智能制造的新时代。德国高科技巨头通快（Trumpf）已成为智能制造业的先锋，率先采用超宽带（UWB）定位技术推动产业变革。得益于其在精密工具领域的深厚根基，以及作为激光切割和钣金机械市场领导者的全球声誉，通快如今借助Qorvo的UWB芯片组和omlox的实时定位解决方案，成功实现智能工厂转型。通快的转型历程讲述了一个引人入胜的故事：先进的定位技术如何推动实际运营效益，并使品牌在工业4.0领域占据领先地位。从精密工具到精密追踪通快早在多年前就踏上了UWB的技术征程，在美国、德国和奥地利等多个制造基地部署了实时定位系统（RTLS）。通快追踪公司CEO Eberhard Wahl表示，该系统带来的影响立竿见影且意义重大。“整体生产率显著提升。”他说道，“准时交付率也大幅提高。最令人印象深刻的是，我们在钣金生产中的故障率降低了——这一切都源于RTLS的实施。”取得这些成果的秘诀何在？那就是为omlox实时定位产品提供动力的Qorvo 3000系列UWB芯片组。这些芯片组在强多径反射的工业环境中提供了必要的精度、可靠性和韧性，而这正是RFID或Wi-Fi等传统技术常常失效的场景。 omlox为omlox核心区域和omlox集线器定义了接口：借助这些技术，不同厂商基于UWB的设备可以在一个本地区域内实现定位，并整体映射来自互补定位技术的定位信息。为何选择 UWB —— 可扩展的精度随着工厂数字化的推进，仅仅知道部件或工具的位置已远远不够。工厂需要精确、实时、二维（最终实现三维）的可见性——尤其要获得更高层次的数字化转型。“从工业4.0成熟度等级3开始，精准的位置数据就变得至关重要。”Wahl引用了一项Fraunhofer的独立研究说道，“而到了第4等级，除了UWB，没有其它技术能够提供所需的性能。” UWB技术凭借其多径反射解析能力脱颖而出，这在金属结构密集、设备频繁移动的复杂工厂环境中尤为关键。据Wahl介绍，这正是Qorvo芯片组的优势所在——能够实现精确的定位，从而支持数字孪生、自主移动机器人（AMR）、电动工具追踪、增强现实导航等应用。战略性传感器布局与用例通快的部署工作有条不紊，从跟踪工单和材料等基本用例开始。随着时间的推移，系统功能不断扩展：在产品、工具、运输单元（如AMR和叉车）、操作人员及设备上放置标签与传感器。用例逐步扩展到包括实时生产计划、质量管理、AR引导的工作流程以及HEV导航。 “你不会一开始就给所有东西都贴上标签。”Wahl说道，“但你需要为未来做好规划。因此我们建议不要从RFID入手——它在3级阶段就已经是死胡同了，而要从基于UWB、支持多用途的架构开始。” omlox 的优势通快不仅采用了omlox技术，还参与推动了其创建。作为该开放标准的创始成员之一，通快与omlox共同确保了从航空航天到汽车等各行业的互操作性及可扩展性。“omlox核心区域是基础。从这里起步，你可以逐步扩展到一个完整的工业4.0工厂。”Wahl强调。这种战略远见也为供应商和OEM打开了合作的大门：omlox确保来自不同供应商的设备、标签和系统能够无缝协作——从而创造一个创新的生态系统，而非孤立的解决方案。与Qorvo携手：一次开创性的旅程通快、omlox和Qorvo之间的合作不仅仅是产品采用——更是一种共同创新。“我们作为先行者，当时没有现成的路线图，所以有时需要反复试错。”Wahl回忆道，“但Qorvo的支持和可靠的芯片组让这次探索取得了成功。”借助Qorvo面向频段9的UWB技术，通快打造了如今被称为omlox Air 8的系统——这是一个高度可靠、可扩展的系统，构成了其智能工厂的核心支柱。展望未来：UWB成为竞争的必备要素 Wahl认为，基于UWB的实时定位系统不再是锦上添花，而是未来任何具有竞争力的制造企业所必备的基础。“在某种程度上，没有omlox和UWB技术，就没有真正意义上的大规模生产。”他表示，“这将成为标配。”通快的转型就是一个有力的证明：UWB定位技术并非概念炒作，而是一项具有可衡量投资回报率的战略性投入。那些希望在工业4.0浪潮中引领未来的公司，应借鉴通快的经验：从UWB技术入手，规划可扩展性架构，并与像Qorvo和omlox这样经验丰富的创新者合作。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-05-21 890
产品 | PMIC全家桶，让电源管理和节能更进一步！

Nordic 发布了 nPM2100 PMIC 和 nPM2100 评估套件，现已向开发人员提供 nPM2100 评估套件、软件和技术文档！此次发布公布了 PMIC 的完整文档，供开发人员使用 nPM2100 开始设计和开发应用。此外，nPM2100 评估套件 (EK) 也已全面上市，多家分销商在发布当天提供库存套件并进行销售。 nPM2100 是一款电源管理集成电路 (PMIC)，旨在为原电池供电应用节约能源，减少非充电式应用的电池浪费并延长其工作寿命。利用 nPM2100 EK，开发人员和工程师可以开始评估 PMIC 在其特定设计中的性能，并开发将 nPM2100 集成到其固件应用中所需的代码。为便于使用，nPM2100 EK 可连接到 nRF Connect for Desktop 启动器中的 nPM PowerUP PC 应用程序，该应用程序提供了一个易于使用的软件图形用户界面，可用于 nPM2100 PMIC 的测试和开发。相关资源推荐技术文档 nPM2100 PMIC 通过实施原电池省电功能工具箱，延长了每块电池的运行时间。nPM2100 设计用于为任何原电池应用提供高效电源调节，并在 nRF Connect SDK 中为 Nordic nRF52、nRF53 和 nRF54 系列无线多协议系统级芯片 (SoC) 提供卓越的软件支持。nPM2100 还适用于非Nordic主机设备。 https://docs.nordicsemi.com/category/npm2100-category 电子书《电源管理 IC 可优化调节、充电和充电状态测量》电子书以nPM1300为例提供了开发物联网设备时的最佳电源管理方案。其中包含电源管理选择，PMIC 设计注意事项，电池充电状态测量，PMIC 详情，应用示例： USB-C 充电，应用示例：电量计及客户案例，开发硬件及软件等。您将快速了解nPM1300并学习用它开发应用。 👆扫码下载最新电子书技术视频关注B站【Nordic半导体】，随时获取最新产品资讯与技术培训 https://space.bilibili.com/1094567118 nPM系列 nPM2100 nPM2100通过实施原电池省电功能工具箱，延长了每块电池的运行时间，它采用紧凑型 1.9 x 1.9 mm WLCSP 和通用型 4 x 4 mm QFN16 封装。 https://www.nordicsemi.cn/products/npm2100/ nPM2100 EK nPM2100 评估套件可对 nPM2100 电源管理 IC (PMIC) 进行简单评估和无代码配置。 https://www.nordicsemi.cn/tools/npm2100ek/ nPM1300 nPM1300通过将嵌入式低功耗蓝牙设计所需的基本功能集成到一个小封装中，简化了系统设计，从而以更少的组件实现更长续航和高效的电池充电。 https://www.nordicsemi.cn/products/npm1300/ nPM1100 nPM1100具有高效的双模式可配置降压稳压器和集成电池充电器，可以确保供电可靠和运行稳定，同时通过高效和低静态电流让电池寿命最大化。 https://www.nordicsemi.cn/products/npm1100/

Nordic

Nordic半导体 . 2025-05-21 760
技术 | 对你来说，多少电源噪声是可以接受的？

从5G到工业应用，随着收集、传送和存储的数据越来越多，也在不断扩大模拟信号处理器件的性能极限，有些甚至达到每秒千兆采样。由于创新的步伐从未放缓，下一代电子解决方案将使解决方案体积进一步缩少，电源效率持续提高，并对噪声性能提出更高的要求。人们可能认为应当最大限度地减少或隔离各电源域（模拟、数字、串行数字和数字输入输出(I/O)）中产生的噪声，以实现出色的动态性能，但追求绝对最小噪声可能会使收益递减。设计人员如何知道电源的噪声性能是否足够？首先要量化器件的灵敏度，使电源频谱输出与该电源域要求匹配。知识就是力量：通过避免过度设计来节约设计时间，对设计会有很大的帮助。本文概述如何量化信号处理链中负载的电源噪声灵敏度以及如何计算最大可接受电源噪声。还会讨论测量设置。最后，我们将讨论一些满足电源域灵敏度和现实电源噪声需求的策略。了解并量化信号处理负载对电源噪声的灵敏度电源优化的第一步是研究分析模拟信号处理器件对电源噪声的真正灵敏度。其中包括了解电源噪声对关键动态性能规格的影响，以及电源噪声灵敏度的表征 — 即，电源调制比(PSMR)和电源电压抑制比(PSRR)。 PSMR和PSRR表明是否具有良好的电源抑制特性，但仅凭它们并不足以确定纹波应有多低。本文介绍如何利用PSMR和PSRR确定纹波容限阈值或最大允许电源噪声。只有确定与电源频谱输出相匹配的阈值才可能实现优化电源系统设计。如果确保电源噪声低于其最大规格值，则优化电源不会降低每个模拟信号处理器件的动态性能。电源噪声对模拟信号处理器件的影响应了解电源噪声对模拟信号处理器件的影响。这些影响可通过三个测量参数进行量化：无杂散动态范围(SFDR) 信噪比(SNR) 相位噪声(PN) 了解电源噪声对这些参数的影响是优化电源噪声规格的第一步。无杂散动态范围(SFDR) 电源噪声可耦合到任何模拟信号处理系统的载波信号中。电源噪声的影响取决于其相对于频域中载波信号的强度。一种测量方法是SFDR，它代表能与大干扰信号区分开来的最小信号 — 具体来讲，就是载波信号的幅度与最高杂散信号幅度的比值，不管它在频谱的哪个位置，都得出下式： SFDR = 无杂散动态范围(dB) 载波信号 = 载波信号幅度的均方根值（峰值或满量程）杂散信号 = 频谱中最高杂散幅度的均方根值图1.使用(a)干净电源和(b)噪声电源两种情况下，AD9208高速ADC的SFDR SFDR可以相对于满量程(dBFS)或载波信号(dBc)来指定。电源纹波耦合到载波信号可产生干扰杂散信号，这会降低SFDR。图1比较了采用干净电源和噪声电源供电两种情况下，AD9208高速ADC的SFDR性能。在这种情况下，当1 MHz电源纹波作为调制杂散出现在ADC的快速傅立叶变换(FFT)频谱输出的载波频率附近时，电源噪声会使SFDR降低约10 dB。信噪比(SNR) SFDR取决于频谱中的最高杂散，而SNR则取决于频谱内的总噪声。SNR限制模拟信号处理系统识别低振幅信号的能力，并且理论上受系统中转换器分辨率的限制。SNR在数学上定义为载波信号电平与所有噪声频谱分量（前五次谐波和直流除外）之和的比值，其中： SNR = 信噪比(dB) 载波信号 = 载波信号的均方根值（峰值或满量程）频谱噪声 = 除前五次谐波之外的所有噪声频谱分量的均方根和噪声电源通过在载波信号中耦合并在输出频谱中添加噪声频谱分量，可降低SNR。如图2所示，当1 MHz电源纹波在FFT输出频谱中产生频谱噪声分量时，AD9208高速ADC的SNR从56.8 dBFS降低到51.7 dBFS。相位噪声(PN) 相位噪声是衡量信号频率稳定性的参数。理想情况下，振荡器应能够在一定时间段内产生一组特定的稳定频率。但是在现实世界中，信号中总是存在一些小的干扰幅度和相位波动。这些相位波动或抖动分布在频谱中的信号两侧。相位噪声可采用多种方式定义。在本文中，相位噪声定义为单边带(SSB)相位噪声，这是一种常用定义，其使用载波信号偏移频率的功率密度与载波信号总功率的比值，其中： SSB PN = 单边带相位噪声(dBc/Hz) 边带功率密度 = 载波信号偏移频率下每1 Hz带宽的噪声功率(W/Hz) 载波功率 = 总载波功率(W) 图2.使用(a)干净电源和(b)噪声电源两种情况下，AD9208高速ADC的SNR 图3.(a) 输出噪声量有显著差异的两个不同电源。(b) 分别由这两个电源供电时，ADRV9009产生的相位噪声性能对于模拟信号处理器件，通过时钟电源电压耦合到器件时钟中的电压噪声会产生相位噪声，进而影响内部本振(LO)的频率稳定性。这扩大了频谱中LO频率的范围，增加了与载波相对应的偏移频率下的功率密度，从而增加了相位噪声。图3比较了由两个不同电源供电时ADRV9009 收发器的相位噪声性能。图3a显示两个电源的噪声频谱，图3b显示产生的相位噪声。两个电源都基于采用展频(SSFM)的 LTM8063 µModule® 稳压器。SSFM的优势在于，通过将基频分布在一定范围内，可改善转换器的基波开关频率及其谐波的噪声性能。从图3a中可以看出这一点 — 注意在1 MHz及其谐波处具有相对较宽的噪声峰值。需要权衡考量的一点是，SSFM的三角波调制频率会产生低于100 kHz的噪声 — 注意峰值从2 kHz左右开始。备用电源添加一个低通滤波器以抑制高于1 MHz的噪声，添加一个 ADP1764 低压差(LDO)后置稳压器以减少整体本底噪声，特别是低于10 kHz的噪声（主要是SSFM产生的噪声）。由于额外滤波，整体电源噪声获得改善，从而增强了10 kHz偏移频率以下的相位噪声性能，如图3b所示。模拟信号处理器件的电源噪声灵敏度负载对电源纹波的灵敏度可以通过两个参数来量化：电源电压抑制比(PSRR) 电源调制比(PSMR) 电源电压抑制比(PSRR) PSRR表示器件在一定频率范围内衰减电源引脚噪声的能力。通常，有两种类型的PSRR：静态（直流）PSRR和动态（交流）PSRR。直流PSRR用于衡量直流电源电压变化引起的输出失调变化。这一点几乎无需关注，因为电源系统应该会为负载提供稳定调节的直流电压。另一方面，交流PSRR表示器件在一定频率范围内抑制直流电源中交流信号的能力。交流PSRR通过在器件的电源引脚注入正弦波信号，并观察在注入频率下出现在数据转换器/收发器输出频谱本底噪声上的误差杂散来确定（图4）。交流PSRR定义为测得的注入信号幅度与输出频谱上相应的误差杂散幅度之比，其中：误差杂散 = 注入纹波引起的输出频谱中的杂散幅度注入纹波 = 在输入电源引脚处耦合并测量的正弦波幅度图4.电源纹波引起的模拟信号处理器件输出频谱中的误差杂散。图5所示为典型PSRR设置的方框图。以AD9213 10 GSPS高速ADC为例，在1.0 V模拟电源轨上有源耦合1 MHz、13.3 mV峰峰值正弦波。在ADC的–108 dBFS FFT频谱本底噪声之上出现相应的1 MHz数字化杂散。1 MHz数字化杂散为–81 dBFS，对应的峰峰值电压为124.8 μV，参考1.4 V峰峰值的模拟输入满量程范围。使用公式4计算1 MHz的交流PSRR，得到1 MHz的交流PSRR为40.5 dB。图6显示了AD9213 1.0 V AVDD轨的交流PSRR。图5.PSRR/PSMR测试设置的简化方框图图6.1.0 V AVDD轨的AD9213高速ADC交流PSRR 电源调制比(PSMR) PSMR对模拟信号处理器件的影响与PSRR不同。PSMR表示使用RF载波信号进行调制时，器件对电源噪声的灵敏度。这种效应可以看作是施加于器件的载波频率周围的调制杂散，表现为载波边带。电源调制通过使用线路注入器/耦合电路将输入纹波信号与干净的直流电压相结合来实现。电源纹波作为正弦波信号从信号发生器注入电源引脚。调制到RF载波的正弦波产生边带杂散，其偏移频率等于正弦波频率。杂散水平受正弦波幅度和器件灵敏度的影响。简化的PSMR测试设置与PSRR的相同，如图5所示，但输出主要显示载波频率及其边带杂散，如图7所示。PSMR定义为电源注入纹波幅度与载波周围调制边带杂散幅度的比值，其中：调制杂散 = 注入纹波引起的载波频率边带杂散幅度注入纹波 = 在输入电源引脚处耦合并测量的正弦波幅度图7.电源纹波引起的载波信号中的调制边带杂散假设AD9175 12.6 GSPS高速DAC在100 MHz载波下工作，在1.0 V AVDD轨上有源耦合约3.05 mV峰峰值的10 MHz电源纹波。载波信号的边带中出现相应的24.6 μV峰峰值调制杂散，偏移频率等于约10 MHz的电源纹波频率。使用公式5计算10 MHz的PSMR，得到41.9 dB。图8显示通道DAC0在各种载波频率下的AD9175 1.0V AVDD轨PSMR。图8.1.0 V AVDD轨（通道DAC0）的AD9175高速DAC PSMR 确定最大允许电源纹波 PSMR可与受电器件的基准阈值相结合，用于确定模拟信号处理器件的每个电源域的最大允许电压纹波。基准阈值本身可以是几个值之一，代表器件可容忍而不会显著影响其动态性能的允许杂散电平（由电源纹波引起）。此杂散电平可以是无杂散动态范围(SFDR)，最低有效位(LSB)的百分比或输出频谱本底噪声。公式6显示最大允许输入纹波(VR_MAX)与PSMR和各器件测得的本底噪声呈函数关系，其中： VR_MAX = 在输出频谱本底噪声中产生杂散之前各个电源轨上的最大允许电压纹波 PSMR = 目标电源轨的噪声灵敏度(dB) 阈值 = 预定义的基准阈值（本文中为输出频谱本底噪声）例如，AD9175的输出频谱本底噪声约为1 μV峰峰值。1800 MHz载波在10 MHz纹波下的PSMR约为20.9 dB。使用公式6，器件电源引脚中可容忍而不会降低其动态性能的最大允许纹波为11.1 μV峰峰值。图9显示LT8650S 降压型Silent Switcher® 稳压器（带和不带输出LC滤波器）的频谱输出和AD9175 1.0 V AVDD轨的最大允许纹波的组合结果。稳压器频谱输出包含基波开关频率及其谐波处的杂散。直接为AD9175供电的LT8650S产生超过最大允许阈值的基频，导致在输出频谱中产生调制边带杂散，如图10所示。只需添加一个LC滤波器就可以将开关杂散降至最大允许纹波以下，如图11所示。图9.LT8650S在1.0 V AVDD轨上的电源频谱输出和最大允许电压纹波的关系。图10.AD9175 DAC0在1800 MHz载波频率下的输出频谱（使用LT8650S DC-DC Silent Switcher转换器直接输出到AVDD轨）图11.AD9175 DAC0在1800 MHz载波频率下的输出频谱（使用带LC滤波器电源的LT8650S）结论高速模拟信号处理器件出色的动态性能很容易被电源噪声削弱。为了避免系统性能下降，必须充分了解信号链对电源噪声的灵敏度。这可通过设定最大允许纹波来确定，最大允许纹波对于配电网络(PDN)设计至关重要。知道最大允许纹波阈值后，就可以采用各种方法来设计优化电源。如果最大允许纹波具有良好的裕度，则PDN不会降低高速模拟信号处理器件的动态性能。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-05-21 635
产品 | NVIDIA Grace CPU C1 在边缘、电信和存储领域获得广泛支持

NVIDIA 在本周 COMPUTEX 上重点展示了其全新的 Grace CPU C1，并获得多家主要原始设计制造商合作伙伴的大力支持。不断扩展的 NVIDIA Grace CPU 产品线，包括功能强大的 NVIDIA Grace Hopper 超级芯片和旗舰版 Grace Blackwell 平台，正在为应对高要求 AI 工作负载的大型企业带来显著的效率与性能提升。随着 AI 不断快速发展，在为从大语言模型到复杂仿真等应用设计数据中心时，能效已成为一个关键因素。 NVIDIA Grace 架构正帮助直接应对这一挑战。集成了 36 个 NVIDIA Grace CPU 和 72 个 NVIDIA Blackwell GPU 的 NVIDIA Grace Blackwell 机架级系统，正被大型云提供商应用于加速 AI 训练和推理，包括复杂推理和物理 AI 任务。 NVIDIA Grace 架构现在有两种主要配置：双 CPU Grace 超级芯片和全新的单 CPU Grace CPU C1。 C1 版本正在边缘、电信、存储和云部署中获得大量关注，在这类部署中，最大化提高性能功耗比至关重要。据介绍，与传统 CPU 相比，Grace CPU C1 实现了 2 倍的能效提升，在分布式环境和功耗受限的环境中，这是一项至关重要的优势。 Foxcon、Jabil、Lanner、MiTAC Computing、Supermicro 和 Quanta Cloud Technology 等领先制造商都在推动这一趋势，利用 Grace CPU C1 的功能来开发系统。在电信领域，NVIDIA Compact Aerial RAN Computer 将 Grace CPU C1 与 NVIDIA Ada Lovelace GPU 和 NVIDIA ConnectX-7 相结合，作为分布式 AI-RAN 平台正日益受到关注，其可满足蜂窝基站部署的功耗、性能和尺寸要求。 NVIDIA Grace 还在存储解决方案中找到用武之地，WEKA 和 Supermicro 正部署该系统，以提高性能和内存带宽。对现实世界的影响 NVIDIA Grace 的优势不仅限于理论方面，在现实世界部署中，也具有明显优势：埃克森美孚正使用 Grace Hopper 进行地震成像，通过处理大规模数据集以获得次表层特征和地质构造方面的洞察。 Meta 正在部署 Grace Hopper 用于广告投放与过滤，通过使用 CPU 与 GPU 之间高带宽的 NVIDIA NVLink-C2C 互联技术，实现对海量推荐数据表的高效管理。德克萨斯高级计算中心正在其 AI 和仿真系统中使用 Grace CPU，以推动研究进展。

NVIDIA

NVIDIA英伟达 . 2025-05-21 895
企业 | 新思科技携手英特尔共同推动基于18A和18A-P工艺的埃米级芯片设计

新思科技完整的EDA流程和广泛的IP产品组合助力英特尔的先进工艺和封装技术实现最佳PPA 新思科技已推出针对英特尔18A、18A-P工艺的数字与模拟完整的EDA流程，并将进一步推动技术的广泛应用，加速高性能设计的开发；参与英特尔14A-E早期设计工艺协同优化工作基于“从架构探索至签核”统一化平台进行全面优化的EDA参考流程，显著提升了采用Intel EMIB-T先进封装技术的Multi-Die系统设计效率新思科技提供基于英特尔18A工艺的最全面的高性能低功耗IP产品组合和对英特尔18A-P工艺的扩展支持，助力客户实现更短的流片周期宣布加入英特尔代工加速器设计服务联盟和新成立的英特尔代工加速器芯粒联盟，以推动英特尔代工技术的普及和创新发展近日，在英特尔代工Direct Connect 2025上，新思科技宣布与英特尔在EDA和IP领域展开深度合作，包括利用其通过认证的AI驱动数字和模拟设计流程支持英特尔18A工艺；为Intel 18A-P工艺节点提供完备的EDA流程支持；实现业界首个商用PowerVia背面供电技术代工方案。凭借基于英特尔18A、18A-P的EDA流程、Multi-Die解决方案和丰富基础IP与接口IP组合，新思科技正助力开发者从硅片到系统全方面加速高效AI和HPC芯片的设计开发。新思科技与英特尔代工的成功合作，正通过从硅片到系统的设计解决方案推动半导体产业发展，从而满足AI和高性能计算应用不断变化的需求。我们完备的EDA流程、IP和Multi-Die解决方案，为双方的共同客户提供了全方位的技术支持，加速开发达到甚至优于预期的芯片设计。 John Koeter IP事业部高级副总裁新思科技我们与新思科技的持续合作，使开发团队能够充分利用英特尔出色的系统代工能力，结合针对英特尔18A和18A-P工艺优化的新思科技EDA流程和IP解决方案，加速‘芯片系统’的创新，打造差异化设计并实现更快的交付。英特尔代工和新思科技正在共同推动设计、制造和封装的协同优化，助力客户满足AI时代的需求。 Suk Lee 代工生态系统技术办公室副总裁兼总经理英特尔全面的EDA和Multi-Die解决方案推动设计创新新思科技的数字和模拟设计流程已通过英特尔18A工艺认证，并已针对英特尔18A-P做好量产准备，可加速交付更高质量的先进芯片。新思科技IP和EDA流程针对英特尔18A和18A-P工艺在功耗和面积上也进行了优化，充分利用英特尔的PowerVia背面供电网络技术，在基于PowerVia的设计中实现热效应感知功能。这一切都得益于新思科技工程团队与英特尔之间广泛的设计技术协同优化（DTCO）合作。目前，新思科技与英特尔代工已着手开展针对英特尔14A-E工艺的早期设计技术协同优化，以确保新思科技EDA流程能够为下一代先进工艺做好准备。新思科技将IP组合扩展至面向先进埃米级设计埃米级工艺对下一代AI和HPC芯片至关重要，可实现性能、功耗、面积和延迟方面的优化。为加速产品上市，新思科技正基于英特尔18A工艺开发丰富的接口IP、基础IP和芯片生命周期管理（SLM）IP，包括224G以太网、PCIe 7.0、UCIe、USB4、嵌入式存储器、逻辑库、IO和PVT传感器。利用英特尔PowerVia背面供电技术，新思科技IP将大幅改善配电效率和性能表现，帮助客户利用英特尔代工技术实现差异化芯片设计。深化英特尔代工生态合作，加速技术应用与创新新思科技加入英特尔代工加速器设计服务联盟以及新成立的英特尔代工加速器芯粒联盟，进一步拓展与英特尔代工及生态系统的合作。作为英特尔最新代工联盟的成员，新思科技致力于提供专业设计服务以及经优化的EDA工具和IP解决方案，助力客户加速先进芯片设计。作为英特尔全新芯粒联盟的创始成员，新思科技将进一步支持基于英特尔18A工艺的Multi-Die芯片设计，改善其互操作性、可制造性和设计解决方案。

新思科技

新思科技 Synopsys . 2025-05-21 720
技术 | 适用于 AI 工厂数字孪生的 NVIDIA Omniverse Blueprint ，通过集成新生态系统和开发工具实现扩展

NVIDIA 宣布大幅扩展适用于 AI 工厂数字孪生的 Omniverse Blueprint，为工程团队提供更多 AI 工厂构建工具，目前已作为预览版推出。该蓝图集成了新的 AI 工厂电源、冷却和网络生态系统，包括行业领导者 Delta Electronics、Jacobs 和西门子以及当前合作伙伴 Cadence、Schneider Electric with ETAP 和 Vertiv。 AI 工厂数字孪生由数十亿个组件组成，而这个不断壮大的生态系统统一了这些组件的设计和仿真模拟。扩展后的蓝图使工程团队将能够在物理精确的虚拟环境中设计、仿真和优化整座 AI 工厂，从而提前发现问题，并打造出更加智能、可靠的工厂。该蓝图以 NVIDIA 驱动的 AI 工厂参考架构为基础，并连接通用场景描述（OpenUSD）资产库。因此，开发者可以将表示数据中心各个方面的详细 3D 和仿真数据汇集到一个统一的模型中，以此设计和模拟具有更高效率、吞吐量和弹性的先进AI基础设施。适用于 AI 工厂数字孪生的 Omniverse Blueprint 将 AI 工厂的电源、冷却和网络组件整合到一个仿真中 AI 工厂生态系统与 NVIDIA 强强结合适用于 AI 工厂数字孪生的 Omniverse Blueprint 汇集了能够优化 AI 工厂设计、仿真、部署和运营的合作伙伴和工具。NVIDIA 宣布了加入该框架的新合作伙伴。西门子正在根据该蓝图建立 3D 模型，并参与 SimReady 标准化工作，Delta Electronics 正在添加其设备的模型。这些模型均使用 OpenUSD 构建，使用户能够准确模拟这些工厂设备。Jacobs 正在协助测试和优化端到端蓝图工作流。此外，Schneider Electric with ETAP 和 Vertiv 等数据中心电力和冷却解决方案领域的领先企业也在贡献 SimReady 资产，为 AI 工厂数字孪生提供电力、冷却和机械系统的 3D 模型。 ETAP 首席执行官 Tanuj Khandelwal 表示：“AI 工厂的规模继续以空前的速度扩展，其所产生的能源需求正在重塑整个数字基础设施格局。通过使用 Omniverse Blueprint 和 SimReady 资产，客户可以在建造前对复杂而密集的 AI 工作负载进行测试并降低它们的能耗。” 由于该蓝图已连接到 Cadence Reality 数字孪生平台和 ETAP，工程团队能够早在开始建造前就通过热仿真和电源仿真对电源、冷却和网络进行测试和优化。这能够帮助 NVIDIA 及其合作伙伴以全新的方式构建 AI 基础设施，从而实现更加智能化的设计、避免停机并充分利用 AI 工厂。 Cadence 多物理场系统分析研发副总裁 Ben Gu 表示：“全球对 AI 工厂的需求日益增加，而数字孪生是满足这一需求的基础。集成了 Cadence Reality 数字孪生平台的 NVIDIA Omniverse Blueprint 改变了整个工程流程，使 AI 工厂的设计效率和运营效果达到了空前的水平。我们非常期待继续与 NVIDIA 开展全面的协作。” 构建适用于 AI 工厂的 SimReady 资产该蓝图中基于 OpenUSD 的模型由于从设计之初就遵循物理学，因此本身就是 SimReady 资产。这种资产能够让工业 AI 快速、大规模地仿真电力和冷却系统、楼宇自动化系统以及整个IT运营流程，因此对于在这些 AI 工厂内开发和测试物理 AI 与代理式 AI 尤为重要。 SimReady 标准化工作流使开发者能够在数字孪生环境中看到标准化热气流仿真。该蓝图的一个重要改进是 SimReady 标准化工作流。该工作流最初作为一项 SimReady 标准化提案开发，目的是简化 NVIDIA 的内部 OpenUSD 资产创建流程。现在，该工作流已成为公开可用的行业通用资源，为 SimReady 功能的开发提供了标准化的要求和流程。这让数据中心开发者和数据中心制造商所有者能够高效地建立、优化和严格测试自己的关键基础设施数字孪生，尤其是 AI 工厂内的电气管理和热管理。创建更加智能的 AI 基础设施适用于 AI 工厂数字孪生的 NVIDIA Omniverse Blueprint 经过此次扩展后，大大方便了工程师设计、模拟和构建工业 AI 所需的复杂基础设施。通过提供一个建立在 OpenUSD 稳健基础上，并以 SimReady 标准化为指导的统一且物理精确的数字孪生，该蓝图能够帮助行业降低开发风险、提高性能并加速下一代 AI 工厂的部署。查阅相关软件产品信息说明： https://www.nvidia.cn/about-nvidia/terms-of-service/ 图片由 Cadence、ETAP、施耐德电气和 Vertiv 提供

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2025-05-21 780
企业 | MediaTek 新一代通信、计算、多媒体技术亮相 COMPUTEX 2025，展现从边缘到云端的 AI 愿景

COMPUTEX 2025 期间，MediaTek 将以「AI 无界智能无限」（AI for Everyone: From Edge to Cloud）为主题展示从边缘 AI 计算到云端 AI 计算的新一代前沿技术；MediaTek 副董事长暨执行长蔡力行博士于 5 月 20 日发表主题演讲，深入探讨 AI、6G、边缘计算、云计算在数字化转型浪潮中所扮演的角色，并展现 MediaTek 将无处不在的智慧融合运算带给全球用户的企业愿景。陈冠州 MediaTek 董事、总经理暨营运长无所不在的 AI 趋势创造了许多新机遇，在今年的 COMPUTEX 上，我们展示了 MediaTek 深耕多年的通信、计算、多媒体产品和技术，涵盖 224G SerDes 技术、混合计算概念、天玑汽车平台、实网测试的 5G-Advanced NTN 低轨道（LEO）卫星通信技术，完整呈现了从边缘 AI 到云端 AI 的先进全方位解决方案，同时也带来了与全球合作伙伴的深度合作成果，为用户带来跨应用场景的 AI 智慧体验。通过推动生成式 AI 应用普及，进而提升并丰富大众生活。 MediaTek 以卓越的计算技术推动云端 AI 的创新为了满足 AI 加速器与数据中心的密集运算与高速芯片互连需求而日益复杂的芯片设计需求，MediaTek 推出了定制芯片解决方案。为此，MediaTek 率先布局世界前沿的技术蓝图，涵盖先进制程解决方案、高速芯片互联接口、采用先进封装技术，以及客制化高带宽内存（HBM）整合方案等。MediaTek 通过在技术领域不断精进，持续提升性能与能效表现，充分彰显了 MediaTek 致力于突破技术边界，将前沿技术在高可靠性应用场景商业化落地的承诺。此外，MediaTek 通过与 NVIDIA 的战略合作，正在为 AI 与云端科技生态带来突破性变革。为 NVIDIA DGX Spark 设计的 NVIDIA GB10 Grace Blackwell 超级芯片，给开发者带来了业界先进的小型化 AI 超级计算机，不仅能提供业界罕见的 1,000 TOPS AI 算力，NVIDIA DGX Spark 可在端侧运行参数量达 2000 亿（200B）的 AI 模型，将 NVIDIA 强大的 AI 能力实现桌面化部署。融合计算与通信的混合计算概念展示，赋能 AI 新世界为解决生成式 AI 时代下各设备间信息孤岛的问题，MediaTek 提出融合计算与通信的混合计算概念，以实现不同 AI 智能体之间可以更紧密合作，以及 AI 生态间可以实现更流畅的信息沟通。为此，MediaTek 全球率先展出了 5G 生成式 AI 网关概念方案；该方案将 MediaTek 先进的 5G FWA 平台与端侧生成式 AI 计算技术整合至单一设备中，同时实现了高性能、高隐私保护、高带宽和低延迟等特性，目前已成功与全球先进的电信运营商完成概念性验证（Proof of Concept），并且入选了 COMPUTEX 2025 Best Choice Award。通过此概念方案的展示，MediaTek 完整展现了智慧家庭概念，通过 AI Hub 串联家庭其他联网设备，让不同设备中的多个 AI 智能体通力合作，成为客制化私人助理。此外，MediaTek 与 NVIDIA 共同展示了“边缘云”的概念，将通信节点的无线接入网（RAN）与计算资源相结合，并结合不同设备计算资源的“设备云”，实现“边缘云”，在智能体化 AI 与动态资源计算调度等应用场景中，实现低延迟、电信级隐私和个人资料治理等特性。天玑汽车平台整合 5G 与 AI 技术，探索智慧汽车的创新应用 MediaTek 天玑汽车平台持续为智能互联的软件定义汽车注入创新动力。天玑汽车座舱平台提供具备先进 AI 功能的可扩展软件与硬件平台，天玑汽车旗舰座舱平台 C-X1 整合了先进的生成式 AI 模型与 AI 声学技术，提供贴心的智慧助理服务；该平台支持 8K、Dolby Vision HDR 显示以及 Dolby Atmos，提供身临其境的车载娱乐体验。此外，天玑汽车旗舰联接平台 MT2739 支持三发射通道天线系统（3Tx）双卡双通技术，具备行车场景智能识别与 AI 网络优化能力，可依据不同连接需求自动切换更优模式，显著提升网络速率与连接稳定性，全方位提升用户体验；此次还展出了先进的 5G NG eCall 新一代紧急呼叫功能，当车辆发生严重事故时，将自动拨通救援电话，以更及时的通讯保护每一个紧急时刻。 Genio 物联网平台，开启物联网 AI 新时代 MediaTek Genio 系列物联网平台专为智能家居、智慧零售等商业与工业物联网产品而设计，支持先进的生成式 AI 模型、人机界面（HMI）、多媒体及连接功能。本次 COMPUTEX 期间，MediaTek 将与合作伙伴共同展示多个垂直应用成果，例如摩托车控制板、机械臂、零售和服务机器人等。为了进一步响应市场需求细分化的趋势，MediaTek Genio 物联网平台提供了一站式的开发工具，在 MediaTek AI 开发工具 NeuroPilot 中整合 NVIDIA TAO 模型训练工具套件，让开发者提供了一个支持 Andriod、Yocto Linux、Ubuntu 等操作系统的全方位边缘 AI 开发环境。新一代 Genio 720/520 物联网平台具备生成式 AI 能力，可为垂直应用场景创造附加价值。MediaTek 已经与全球物联网企业如研华、凌华、威盛合作开发项目。支持混合 AI 计算的连接技术手机及可穿戴设备由于体积因素，导致天线配置数量受限，MediaTek 设备多天线协同（Device Co-MIMO）技术，允许手机或可穿戴设备通过附近其他设备聚合并接收 5G/6G 信号，从而有效提升吞吐量，助力可穿戴设备实现顺畅的网络连接。此项技术尤其适用于基站信号更容易受到屏蔽的室内环境，为低延迟应用场景提供助力。此外，MediaTek Filogic Wi-Fi 通过 AI 优化用户体验，支持在网络干扰发生时准确识别干扰来源并自动优化；还可识别多个设备间不同的应用需求，从而智能分配带宽资源，为低延迟网络体验加分。此外，MediaTek 将在本次 COMPUTEX 上展出业界先进的新一代 5G-Advanced 低轨道（LEO）卫星通信技术（NTN），以 Ku 频段 NR-NTN 技术赋能 5G-Advanced 设备宽频通信。提升边缘 AI 体验的多媒体技术 MediaTek 将多媒体领域的技术积累赋能边缘计算，此次将展出 MediaTek 率先用于大尺寸显示设备，支持 15,000+ 区域动态调光的 RGB mini-LED 显示 SOC，同时具备高亮度、广色域、低功耗、支持大尺寸等特性。相较于 OLED 技术，RGB mini-LED 亮度可提升 276%，色域容积提升 18%，同尺寸下功耗可节省达 20%，面板尺寸支持增加 18%，突破 OLED 的尺寸限制；相较 White mini-LED 技术，RGB mini-LED 可视角度提升 14%、色域容积提升 16%，功耗节省可达 10%。此外，MediaTek 业界率先推出 8K 60Hz AI 画质增强显示控制芯片（Scaler），以像素点对点（Pixel-based）处理技术，达到零帧延迟（Zero-frame latency）效果，搭配画面场景自动识别功能，让画质更加细腻逼真，使显示器厂商无需额外开发操作系统；此方案适用于商用及消费级显示设备。

MTK

联发科技 . 2025-05-21 1 840
新品 | 圣邦微电子推出 I²C 控制且支持旁路模式的单节电池 8A 开关电容充电器 SGM41600S

SGM41600S 是一款高性能的 8A 开关电容电池充电器，具备 I²C 控制功能，能够在电荷泵电压分压模式或旁路模式下灵活运行。它支持 3.4V 至 11.5V 的宽输入电压范围，能够为单节锂离子或锂聚合物电池充电，适用于智能适配器或移动电源等多种输入源。其优化的开关电容架构可实现 50% 占空比，开关电容结构允许输入电流为充电电流的一半，显著减少线路压降、损耗和限制温升；支持 200kHz 至 1.6MHz 的可调开关频率，确保在不同应用场景下的高效运行；同时支持展频和抖屏功能，支持在线频率可调。在 2:1 工作模式下，当电池电压（VBAT）为 4V、电池电流（IBAT）为 6A 时，其效率可达到 97.11%。该设备采用双通道开关电容拓扑结构，有效减少输入电容需求，提高了整体效率并显著降低输出纹波。该芯片支持单端单电容至三电容设计，极大简化外围设计。为确保充电过程的安全性和可靠性，SGM41600S 配备了全面的保护功能，包括外部过压保护、输入短路保护、输入过流和欠流保护、电池过压保护、输出短路保护、电池电流过流保护、飞电容短路保护、开关峰值过流保护、芯片过温保护，以及 PMID 至 VOUT 的过压和欠压保护。此外，设备还内置了 6 通道 12 位（有效）ADC 转换器，可实时监测 VBUS、IBUS、VBAT、IBAT、VOUT 和 TDIE 等关键参数，高达 0.3% 的电池电压和输出电压采样精度，保障充电安全。 SGM41600S 采用符合环保理念的 WLCSP-2.7×2.75-36B 绿色封装，能够在 -40℃ 至 +85℃ 的环境温度范围内稳定工作，适用于各种复杂的应用场景，为用户提供高效、安全且可靠的充电解决方案。图 1 SGM41600S 典型应用电路图 2 SGM41600S 功能框图

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圣邦微电子 . 2025-05-21 630
技术 | 游戏与创作性能双升级：摩尔线程发布图形显卡驱动v300.110

5月20日，摩尔线程发布版本号为v300.110的图形显卡驱动程序，为游戏玩家和专业用户带来全方位的性能优化与体验提升，特别在3DMark基准测试工具Steel Nomad中，测试成绩显著提升35%，将MTT S80的性能潜力进一步释放。新驱动针对多款热门游戏进行了深度优化，其中《生化危机4：重制版》表现最为亮眼，游戏平均帧率提升高达200%，画面流畅度与细节表现大幅提升。此外，《幽灵线：东京》平均帧率提升超过120%，RIDE 3平均帧率提升近100%，《看门狗：军团》平均帧率提升超过30%。而《第一狂战士：卡赞》在DirectX 11模式下，平均帧率也接近翻倍，提升近100%。在专业设计软件方面，新驱动同样表现出色。在Solid Edge 2025三维CAD软件中，实时渲染平均帧率提升了50%，大幅提高了工作效率，助力专业用户更高效地完成复杂的设计与建模任务。同时，新驱动修复了AutoCAD 2026中的画错问题，确保精准稳定的工作流程。此外，新驱动对多款游戏进行了针对性的优化，包括《燕云十六声》《摩托 GP 20》《最后生还者》《生化危机 4：重制版》《霍格沃茨之遗》，让玩家享受更稳定、更沉浸的游戏体验。 ▼ PES控制中心下载地址： https://www.mthreads.com/driver/pes ▼ 完整版发布说明以及驱动文件MD5值参见： MTT S 系列 Windows桌面驱动程序: PES控制中心300.110 https://www.mthreads.com/pes/drivers/driver-info/DESKTOP_MTT_S80/release-note/v300.110?productType=DESKTOP&osVersion=Windows%2011

摩尔线程

摩尔线程 . 2025-05-21 995
产品 | 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V／0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω 续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（E on）和关断损耗（E off）比较应用 ● 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源 ● 电动汽车充电站 ● 光伏逆变器 ● 不间断电源特性 ● DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗 ● 东芝第3代SiC MOSFET ● 通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性 ● 低漏源导通电阻×栅漏电荷 ● 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）主要规格 (除非另有说明，Ta=25°C) 注： [1] 截至2025年5月。 [2] 电阻、电感等。 [3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。 [4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。 [5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。

东芝

东芝半导体 . 2025-05-21 700
产品 | 德欧泰克的LDI67-05EEN：用于烟雾传感器应用的精密低压降线性稳压器

德欧泰克推出LDI67-05EEN，这是一款针对+5.0 V烟雾传感器电路进行优化的高压低压线性稳压器，具有紧密的±1.5%输出容差和高达80mA的负载电流。主要规格和特性： •输入电压：高达60V •输出电流：80Ma •静态电流：超低，可延长电池寿命 •使能功能：适用于低功耗系统待机模式 •热过载保护：确保本质安全 •封装：热效率高的ESOP-8 这款低压降线性稳压器专为长电池寿命、紧凑外形和热可靠性有严格要求的应用而设计，例如光电烟雾探测器。在存储模式下（例如，在包装和运输期间），使能功能使系统处于深度睡眠状态，减少不必要的电量消耗。一旦安装，稳压器能够可靠地激活，维持安全的操作条件，并且由于低压降和高效的热设计，将热量降到最低。无论您的系统是由9V电池还是24V工业总线供电，LDI67-05EEN都能提供稳定的5V稳压和长期性能，满足现代烟雾探测器通常所需的10年使用寿命要求。

德欧泰克

德欧泰克半导体 . 2025-05-21 535
技术 | 五款参考设计满足800V纯电动汽车不同电源需求

为了缓解人们的续航焦虑，新能源汽车厂商在快充方面下足了功夫。近年来，支持高压大功率快充的新能源汽车越来越多，前不久比亚迪甚至推出了兆瓦级闪充电池，最高充电电压达到了1000V，其他汽车厂商也在跟进相关的高压快充技术。汽车的电气机构也开始从400V向800V甚至更高电压平台切换。图：高压转低压DC/DC变换器在800V纯电动汽车中的应用（来源：PI）这就导致了汽车上的供电电源有了新的需求，也给电源设计带来了新的挑战。为了满足800V纯电动汽车中DC/DC母线变换、逆变器应急电源（EPS）、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）、动力转向、12V系统待机电源，以及μDC/DC变换器等不同应用需求，PI（Power Integrations）近期基于其2024年9月推出的1700V InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列设计了五款参考设计，覆盖了16W至120W的功率水平，有绕线式变压器和扁平的平面变压器两种选择。图：InnoSwitch3-AQ采用了全新的InSOP-28封装，爬电距离更宽（来源：PI）据PI资深FAE王晓戈介绍，InnoSwitch3-AQ采用了1700V碳化硅（SiC）开关技术，无需使用光耦器，且提供了更高的电压余量（200-300V）。最重要的是PI还优化了其封装，使用了新的InSOP-28封装，该封装形式增加了漏极与源极引脚之间的间距，达到了5.1mm爬电距离，可满足高压应用对增强安全性和可靠性的需求。而且由于该封装提供了足够的隔离，无需喷涂三防漆，这位客户节省了制造工艺步骤和相关的认证工作。 PI此次推出的五款参考设计如下： RDK-994Q — 35W超薄型牵引逆变器门极驱动或应急电源，输入电压为40-1000VDC、输出电压为24V； RDK-1039Q — 采用平面变压器的18W电源，用于牵引逆变器门极驱动器或应急电源； RDK-1054Q — 采用平面变压器的120W电源，设计用于缩小或消除笨重的12V电池； DER-1030Q — 20W四路输出电源，其中一路输出为24.75V的应急电源(EPS)，三路输出为25.5V的门极驱动电源； DER-1045Q — 16W四路输出电源，其中一路为14V应急电源(EPS)输出，三路分别有+18V/-5V输出电压的门极驱动输出。图：InnoSwitch3-AQ及其五款参考设计（来源：PI）采用平面变压器的18W和120W超紧凑平面电源由于功能安全的要求，纯电动汽车往往需要配备一定的应急电源，以防止原来的供电电源突然失效造成严重后果。在纯电动汽车中，应急电源可以通过高压电池配合DC/DC，将高压直流电转换为12V低压直流电来作为应急电源使用，提升整车的可靠性和安全性。另外，纯电动汽车中也出现了一些新的应用，比如μDC/DC变换器。这是一个新的概念，其特征是在原有12V电池供电系统中，引入一种高度集成、体积小巧，而且高效的电源模块，可以取代部分，甚至全部的12V电池供电系统。据王晓戈介绍，目前这个概念得到了越来越多汽车主机厂的认可，他预计很快会有采用该方案的量产车型上市。针对这两类应用，PI分别推出了RDK-1039Q和RDK-1054Q这两个参考设计。而且都采用了平面变压器。谈到为何会采用平面变压器，王晓戈解释称，与传统的绕线变压器相比，平面变压器则具有多重优势：一是轮廓更薄，通过将绕组嵌入PCB层间，可使厚度减少40%以上；二是散热性能更高，大面积的铜层有利于热量均匀分布；三是机械稳定性更强，抗震性能优于传统绕线结构；四是一致性更好，自动化生产确保参数高度一致。而且，他还特别提到，平面变压器的设计难点在于PCB本身，其多层PCB设计既要满足性能，还要加强绝缘，尤其是现在的800V高压平台，或者更高的1000V高压平台，就更要关注绝缘和爬电距离的要求。因此，PI特别推出了一个设计工具帮助工程师快速设计出新的产品，王晓戈表示，“该工具可以根据工程师选取的变压器的类型和尺寸大小，给出一个现成的PCB布局设计，这个参考设计会兼顾热设计和机械性能，工程师只需要根据实际项目需求，做微调即可。” 总结 PI 的这五款参考设计已经在其官网上公布了，可为工程师提供完整的电路原理图、BOM清单、PCB布局和Gerber文件，甚至还附带了详细的性能测试报告和变压器规格，工程师可以直接用于产品开发，或者在其基础上进行修改。这将极大地降低工程师的开发门槛，加速产品从设计到落地的进程。

应急电源

芯查查资讯 . 2025-05-20 970