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产品 | 东芝推出小型封装车载光继电器，可实现车载电池系统1500V输出耐压

中国上海，2025年8月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”，该产品输出耐压可达1500V（最小值），可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。更短的充电时间以及更长的续航里程对于电动汽车的普及发展至关重要，而解决这些问题的关键就是电池系统的更高效地运行。电池管理系统（BMS）通过监控电池的充电状态实现系统高效运行，同时监控电池与车身之间的绝缘情况，以确保高压电池的安全使用。此外，BMS采用了电气隔离光继电器来处理高电压。东芝的新产品是一款输出耐压为1500V（最小值）的高压光继电器，是东芝TLX9160T光继电器的小型化版本。通过内置MOSFET芯片的尺寸小型化实现SO12L-T封装，其贴装面积比TLX9160T的SO16L-T封装小约25%[2]。此外，这一尺寸的缩小也有助于实现电池管理系统的小型化和成本降低。引脚间距和引脚布局与SO16L-T相同（图1），可使用相同的焊盘尺寸设计。图1：SO16L-T和SO12L-T的引脚分配及焊盘图形全新光继电器采用了相对漏电起痕指数（CTI[3]）超过600的树脂，属于IEC 60664-1[5]国际标准中的I类材料[4]。引脚配置可确保探测器侧的爬电距离在5mm以上[6]（图2）。这些特性均符合IEC 60664-1标准，可提供1000V的工作电压。图2：SO12L-T封装的引脚配置未来东芝将继续扩大其车载光继电器产品线并提供可应对普及电动汽车挑战的解决方案，助力实现碳中和社会。应用：车载设备：BMS（电池电压监控、机械式继电器粘连检测和接地故障检测等）替代机械式继电器特性：小型封装：SO12L-T（7.76mm×10.0mm×2.45mm（典型值））输出耐压：VOFF＝1500V（最小值）常开（1-Form-A）器件雪崩电流额定值：IAV＝0.6mA 高隔离耐压：5000Vrms（最小值）通过AEC-Q101认证符合IEC 60664-1国际标准主要规格：（除非另有说明，Ta＝25°C）器件型号 TLX9161T 触点 1-Form-A 绝对最大额定值输入正向电流IF（mA） 30 通态电流ION（A） 30 工作温度Topr（°C） –40至125 雪崩电流IAV（mA） 0.6 电气特性断态电流IOFF（nA） VOFF＝1000V 最大值 100 输出耐压VOFF（V） IOFF＝10μA 最小值 1500 推荐工作条件电源电压VDD（V）最大值 1000 耦合电气特性触发LED电流IFT（mA） ION＝30mA、t＝10ms 最大值 3 返回LED电流IFC（mA） IOFF＝100μA，Ta＝–40°C至125°C，t＝40ms 最小值 0.05 导通电阻RON（Ω） ION＝30mA、IF＝10mA、t＜1s 最大值 500 开关特性导通时间tON（ms） IF＝10mA、RL＝20kΩ、VDD＝40V 最大值 1 关断时间tOFF（ms）最大值 1 隔离特性隔离电压BVS（Vrms） AC，60s 最小值 5000 电气间隙（mm）最小值 8 爬电距离（mm）最小值 8 封装名称 SO12L-T 尺寸（mm）典型值 7.76×10.0×2.45 库存查询与购买在线购买注： [1] 光继电器：原边（控制）和副边（开关）为电气隔离。直接连接至交流线路的开关以及接地电位不同的设备之间的开关可通过绝缘层控制。 [2] SO16L-T封装尺寸（10.3mm×10.0mm×2.45mm）与SO12L-T封装尺寸（7.76mm×10.0mm×2.45mm）的比较。 [3] 相对漏电起痕指数（CTI）：一种表示绝缘材料在沿其表面形成电轨道（导电路径）之前的耐压能力的指数。 [4] I类材料：IEC 60664-1中对成型材料的一个分类，相对漏电起痕指数（CTI[3]）为600以上的材料。 [5] IEC 60664-1：该标准为AC高达1000V或DC高达1500V的系统规定了绝缘配合的原则、要求和测试方法。 [6] 5mm以上：1000V工作电压、I类材料、污染等级为2（使用电气设备的工作环境的污染程度：污染物完全不导电，但可能因凝结而变得导电。）所需的爬电距离。

光继电器

东芝 . 2025-08-21 1600
三款新品驱动工业新效能！采用沟槽工艺MOSFET和肖特基二极管

产品介绍合科泰新推出三款新品，均为TO-252封装。两款MOSFET型号分别为HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二极管型号为MBRD20150CT。MOSFET产品采用沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有较低的导通电阻、较低的栅极电荷和宽温的特性，可明显地降低导通以及开关损耗，这让MOSFET具备了很高的电流承载能力。非常适用在适配器、逆变器、电机驱动、BMS、LED电源、电动工具等应用。关于MOSFET：HKTD80N03A和3080K的产品特点两款MOS管都是N沟道MOSFET，TO-252封装，采用高密度单元设计。漏源极电压最高30V，持续电流最大80A。两款产品都有较低的导通电阻，具有优秀的开关特性。雪崩电压和电流经过全面表征，具有较好的抗电路冲击能力。关于肖特基二极管：MBRD20150CT 这款肖特基二极管采用金属硅整流工艺，具有较低的正向电压，较高的反向耐压。同时效率高，具备过电压保护功能。本款产品针对整流和电压保护的需要，优化了正向电压能力及过压保护能力，以此提升应用可靠性。更多产品请详见官网典型应用推荐方向适配器，逆变器，电机驱动，BMS，LED电源，电动工具

MOSFET

厂商投稿 . 2025-08-21 755
晶振行业必备术语手册：工程师必收藏(下)

在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。由于内容较长将分为上下两篇文章解释，本文是下篇，介绍内容有： · 共振频率 · 晶振术语＞谐振频率在产品描述中，有三对谐振频率，即：“串联谐振频率”和“并联谐振频率”(fs和fp)“谐振频率”和“反谐振”频率，(fr和fa),和“最大和最小总电纳定位”频率，(fm和fn)。由图9所示的集总等效电路参数均可得到。上述三对谐振频率的定义和关系可以用图10所示的复导纳图清楚地表示。 (图10)谐振复数导纳石英谐振器的关键频率参数可通过导纳和阻抗分析确定：串联谐振频率（fs）：输入电导（导纳实部）最大时对应的频率。此时，晶振阻抗达到最小值，且为纯电阻性。并联谐振频率（fp）：输入电阻（阻抗实部）最大时对应的频率。此时，晶振阻抗达到最大值，且为纯电阻性。谐振频率（fr）与反谐振频率（fa）：电纳（导纳虚部）为零时的两个频率，是实际应用中的核心参数。在等效电路中：动态参数：动电容（C1）、动电感（L1）决定谐振特性。静态电容（C0）：并联支路中的寄生电容，影响高频响应。＞术语 1）标称频率及其公差或校准精度晶体谐振器的频率以MHz或kHz标称，指在特定负载电容下，指在匹配振荡电路中应得的“正常频率”。在25°C基准温度下，实测频率与标称值存在最大允许偏差，以百分比(%)或百万分率(ppm)给出。 2）基音和泛音振动厚度切变振动是AT切角主要存在的振动形式。电极间的高次谐波振动与基频振动共存。由于两个电极的极性相反，压电石英晶体只能激发奇数次谐波振动。(图11) (图11)晶体谐振腔只能激发奇数次谐波振动 3）负载电容负载电容CL是从谐振器两端观察电路时振荡器所展示的负载。负载电容形式上与谐振器串联或并联。在并联负载情况下，CL的存在会影响并联谐振频率，并联谐振频率fL由。公式如下所示。 fl=fs√1+C1/(C0+CL)-------(3) 4）频率-温度稳定性频率-温度稳定性指以25°C为基准，随工作温度变化而产生的频率偏移（以%或ppm计）。其曲线反映偏移量与温度偏差的对应关系，受切割角度、振动模式、晶片尺寸以及工作温区、负载电容和驱动功率共同决定。 5）等效串联电阻(ESR) 串联支路中出现的电阻R1(图9)可以在串联谐振频率下测量，此时C1和11的影响相互抵消，R1表示晶体单元和封装的机械性损失。 6）运动电容C1和运动电感L1 C1与L1这两个参数与串联谐振频率fs相关，如图10所示，在谐振器设计和表征中fs是一个非常确定的参数。工业标准中只规定了C1的值，L1可以由下方公式推导得出。与振荡电路中通常使用的电容相比，C1的值非常小，可以由晶片和电极的材料和几何参数来评估。 7）静态电容C0(在支路中) C0是一个静态电容，无论晶体是否工作都存在，C0的值可以在很低的频率(小于或约1.0MHz)测得，计算公式如下，其中A为电极面积，d为切片厚度，e为相应晶体切片的介电常数。在实际应用中，C0不仅包括电镀石英裸片的静态电容，还包括导电结合材料的电容和封装外壳本身的电容。 8）驱动功率谐振器的驱动功率是以纳瓦、微瓦或毫瓦为单位的功率消耗量。运行功率是保证正常启动并保持稳态振荡的合适功率范围。驱动功率应设置在最低功率，避免长期运行带来的频率漂移和晶体损坏。晶体尺寸越小，其最大可承受的驱动功率也越低，多数场合下建议驱动功率为10 µW–100 µW。 9）质量因子-Q 作为谐振器，质量因子Q值是一个非常重要的参数。在规格中，指定了空载和有负载情况下的Q值。空载Q或机械Q可以表示为，R1是出现在串联支路的电阻。负载值取决于负载电路。 10）牵引率在并联负载电容振荡器中，振荡频率与负载电容CL有关，如图8和图12所示。频率变化(单位ppm)作为负载电容变化(单位pF)的函数是固定的。在某些应用中，负载谐振频率的变化是强制性的(例如VCXO),需要强制指定牵引率。 (图12)频率变化vs负载电容 11）老化老化指在规定时段内工作频率的相对偏移，以ppm计，呈指数衰减。首周变化最快，随后趋缓。常用加速方法：85°C存放1个月，或25°C存放1年。老化速率受封装方式、密封完整性、工艺、材料、工作温度与频率共同影响。 12）存储温度范围存储温度范围指晶体断电时可长期承受的极限低温与高温。只要全程处于该范围，恢复工作并在额定温度区间内运行时，所有指标仍应符合规格书要求。 13）负阻-R 负电阻是振荡电路在谐振器端子处呈现的等效电阻。起振的必要条件之一，是放大器提供足够增益以抵消谐振腔的损耗；对谐振器而言，负载须呈现足够大的负电阻来补偿其自身电阻。

晶振

扬兴科技 . 2025-08-21 515
大联大友尚集团推出基于onsemi产品的360W电源方案

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1618 PFC控制器、NCP13994 LLC控制器和NCP4318同步整流控制器的360W电源方案。图示1-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的展示板图当前，电源市场的核心驱动力正从家用电器、工业机器人等传统领域，加速向电动汽车这一前沿赛道转移。在这一进程中，提升功率模块的功率密度已经成为行业聚焦的关键方向。未来，基于逆变器的资源整合与电源集成电路的创新发展，将为电源行业的绿色转型与数字转型注入强劲动力。在此背景下，大联大友尚基于onsemi NCP1618 PFC控制器、NCP13994 LLC控制器和NCP4318同步整流控制器推出360W电源方案，能够显著提升电源的效率，并降低成本，完美契合市场对高效率、高性价比的电源需求。图示2-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的场景应用图 NCP1618 PFC控制器可提供三种模式的操作，包括不连续模式、边界模式与连续模式的操作，以保障电源供应器在不同负载情况下能够获得最佳效率。另外，NCP1618提供的pfc-OK脚位具有与下级电路通信的功能，借助此脚位可控制下级电路的ON/OFF，并且NCP1618还提供Soft-Skip功能，使其在极轻负载情况下工作，从而带来出色的低功耗表现。 NCP13994是一款用于半桥谐振变换器的增强型高性能电流模式控制器。该控制器集成了700V额定高压启动电流源和x2电容放电功能以及栅极驱动器，能够简化布局并减少外部元件数量。并且NCP13994具有一个专用输出，能够在需要PFC前级的应用中控制PFC控制器工作或停用，以提高空载效率。另外，该产品提供一套保护功能，可以在任何应用中实现安全操作。 NCP4318是一款用于LLC谐振转换器的混合模式同步整流（SR）控制器，它利用瞬时漏极电压和之前的死区时间信息，仅需少量外部器件，即可稳定运行。同时，控制器具有的自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，从而最大限度地提高SR MOSFET的导通和效率。此外，多步关断阈值控制和SR电流反转检测功能可防止在快速负载瞬态期间出现反转电流，从而使SR在整个负载范围内可靠运行。图示3-大联大友尚基于onsemi产品的360W电源方案的方块图本方案以系统整合优势，为电源设计工程师提供了快速创新能力，其不仅能够有效降低能源消耗，提高电源转换效率，还可为客户节省成本，提升产品的市场竞争力。未来，大联大还将继续携手onsemi等原厂伙伴，共同深耕电源技术，致力于为客户提供更前沿、更可靠、更具成本效益的技术支持与供应链服务，驱动产业可持续发展。核心技术优势：宽输入电压：90VAC-265VAC； PFC多模式运作，适应多种负载，提供效率；高效率：4点平均效率达95%以上；低空载损耗：<100mW；无辅助电源，快速启动响应；高PF：0.99@110VAC；多种保护：OCP、OVP、BO、BUV、Inrush detect。方案规格：输入电压：90VAC-265VAC；输出电压/电流：12VDC/30A；输出功率：360W；输出纹波：<150mV@满载；平均效率：95%@230VAC；空载功耗：<100mW；功率密度：10.77 W/inch3。本篇新闻主要来源自大大通：基于onsemi NCP1618+NCP13994+NCP4318的360W电源方案

大联大友尚集团 . 2025-08-21 485
逐点半导体携手真我为P4系列智能手机带来旗舰级视觉体验

AI分布式渲染架构提升手机渲染能力，游戏性能测试实时可查帧生成指标逐点半导体宣布，新发布的真我P4 5G、真我P4 Pro 5G智能手机搭载逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器。该处理器通过集成的分布式渲染解决方案，可降低GPU算力负担，大幅提升手机渲染能力。这也是海外中端市场同级产品中，首个集成专业视觉处理器的智能手机。无论是玩游戏还是看视频，消费者都能畅享旗舰级视觉体验。真我P4 Pro 5G智能手机搭载高通技术公司第四代骁龙® 7移动平台，支持144Hz刷新率以及4608Hz高频调光。真我P4 5G智能手机采用联发科天玑7400 Ultra 5G移动平台，配备6.77英寸FHD+144Hz HyperGlow AMOLED显示屏。显示方面，这两款手机均搭载了逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器，为游戏和视频内容提供高质量画质优化，带给用户更沉浸的视觉体验。打破原生帧率禁锢，百款游戏实现144fps高帧效果集成了分布式渲染解决方案的逐点半导体X7 Gen 2视觉处理器，采用超低延时MotionEngine™技术和高效AI游戏超分技术，通过分布式渲染架构，有效降低系统功耗，为终端提升帧率输出能力高达3倍，分辨率输出能力高达4倍。在MotionEngine™技术的助力下，手机内百款游戏可打破原生帧率禁锢，减轻因原生帧率与屏幕刷新率不匹配所造成的画面抖动，加倍提升流畅性和稳定性，实现最高144fps高帧率效果。不仅如此，X7 Gen 2视觉处理器集成了高效AI游戏超分技术，通过自研的AI算法将游戏内容从低分辨率扩展至1.5K分辨率，使游戏画质纹理更清晰细节更丰富细腻。此外，全时HDR功能可有效提升游戏的色彩饱和度和画面对比度，让游戏光影更立体，观感更沉浸。帧生成指标实时可看，游戏测试数据更丰富为增加移动端游戏性能测试数据丰富度，逐点半导体联合PerfDog开发的“帧生成”指标，首次在真我P4 5G、真我P4 Pro 5G智能手机上落地。在逐点半导体渲染加速解决方案加持下，可在测试过程中实时查看硬件加速处理后的游戏帧率数据。 1.5K+120fps同开，打造中端智能手机全新视频体验除游戏外，在X7 Gen 2视觉处理器支持下，真我P4系列打造中端智能手机全新视频体验，在同级别产品中，率先实现1.5K分辨率+120fps的高规格视频显示，为用户带来影院级的视觉享受。其中，逐点半导体MotionEngine™技术助力视频体验加倍升级。在该项技术的支持下，视频帧率可最高提升至120fps，观看体育、赛车等赛事，视觉体验流畅丝滑；高效AI超分技术，为视频实现1.5K高分辨率扩展，画面更加清晰。同时，手机还适配了全时HDR，通过实时SDR至HDR转换，画面亮度和对比度显著提升，可在屏幕上展现更多亮部和暗部细节，用户在YouTube、PLAYit、Netflix、MX Player等视频应用中能够体验身临其境的视觉效果。真我realme印度首席营销官Francis Wong表示：“真我P系列智能手机上市以来，获得了海外用户一致好评。此次和逐点半导体再度携手合作，首次将X7 Gen 2视觉处理器应用于真我P4系列手机上，是在AI时代对技术的一次全新的探索。在前几代机型的基础上，这两款手机在核心配置及功能扩展上全面优化升级，相信能为用户带来更出色的影音娱乐与游戏体验。” 腾讯互娱WeTest PerfDog创始人曹文升表示：“很高兴海外用户可以体验最新研发的帧率新指标。以往在移动端游戏性能测试中，针对帧率这一测试范围，一般采用平均帧率、稳帧指数等指标。此次联合逐点半导体进一步拓展数据维度，有助于测试更加科学准确。也将为游戏开发者、游戏玩家及游戏评测者提供全新指引。” 逐点半导体（上海）股份有限公司副总裁、移动事业部总经理房军表示：“凭借旗舰级性能和越级性价比，真我P系列智能手机一直深受年轻用户青睐。逐点半导体致力于通过先进的技术和产品，带给用户高品质的视觉体验。此次与真我强强联手，从研发初期就开始紧密协作，在深入了解消费者需求后，对视觉处理方案进行开发与优化，通过将AI技术与视觉处理深度融合，进一步提升手机渲染能力，不仅实现了画质升级，也让游戏、视频呈现更加清晰流畅。期待在未来，双方能持续深入合作，为全球用户带来更加惊艳的视觉盛宴。”

逐点半导体 . 2025-08-21 475
在家也能做SPA？纳祥科技精油按摩梳方案，集成护发、按摩多种功能

传统工具（如梳子、按摩器、精油喷雾、香薰机）功能单一，使用繁琐，难以满足现代用户“护发+放松”的一站式护理需求。纳祥科技根据以上问题与客户需求，推出多功能精油按摩梳方案：集成护发精油、梳子、头部按摩与香薰功能，解决毛躁、头皮疲劳等问题，适配多场景，助力个人护理升级。㈠方案概述本方案将 “护发、按摩、香薰与负离子技术”集于一体，以“多功能集成+智能控制”为核心，通过微控制器协调各模块运作：当方案在“负离子→精油雾化→负离子”模式循环工作时，振动马达高频按摩促循环；负离子模块消除静电；精油雾化配合香薰扩散，达到更高效的护发体验。方案采用椭圆形人体工学设计，集合单片机、专用IC、充电IC、负离子、微型气泵、储液仓、梳齿、900mAh锂电池、雾化口等关键组件，实现每分钟 2400 次震动；并支持5V Type-C快充，配备过充、短路保护及过热保护功能，高效护理。㈡方案模块（1）核心模块 ①电源系统：900mAh锂电池，支持5V/1A Type-C快充 ②控制中枢：单颗按键+微控制器（MCU），实现模式切换与功能循环（2）功能模块 ①负离子发生器：通过高压电场释放负离子，中和头发静电，抚平毛躁 ②精油雾化：微型气泵将储液仓中的精油雾化，通过梳齿中部的雾化口均匀喷洒 ③头部按摩：振动马达模拟人手揉捏，放松头皮 ④香薰功能：雾化精油扩散至空气，营造芳香环境㈢方案演示我们将为您展示本方案—— ① 加入精油 ② 长按2秒开机/关机 ③ 短按更换模式，在“负离子→精油雾化→负离子”模式循环工作㈣方案总结本方案兼顾便携性、安全性与功能性，适用于居家、办公及旅行场景，满足日常护发、放松按摩与芳香疗愈需求。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-21 1 955
产品 | 瑞萨电子全新超低功耗RA4C1 MCU具备高级安全性和专用外设集

2025年8月21日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出基于80MHz Arm® Cortex®-M33处理器的RA4C1微控制器（MCU）产品群。全新MCU具备超低功耗、高阶安全特性、丰富的通信接口以及段码式LCD支持。得益于独特的功能组合和性能指标，使其成为需要严格安全性电池供电应用的理想之选，涵盖电表、燃气表、水表和工业流量计，以及智能锁、恒温器、楼宇控制系统、工业用户界面等领域。此外，这一新MCU十分契合国内大型电力计量系统控制市场的需求。 RA4C1 MCU采用专有的低功耗技术，在80MHz工作频率下，其工作模式功耗仅为168µA/MHz，而在保留全部SRAM数据的情况下，待机电流可低至1.79µA。同时，RA4C1还配备具有独立电源域的实时时钟（RTC），便于实现基于电池供电的时间数据备份。这一卓越性能，结合低至1.6V输入电压支持，使客户能够设计出采用更小电池，或在同等电池尺寸下实现更高性能的电池供电应用。对于计量系统而言，安全性至关重要。RA4C1 MCU内置RSIP-E31A安全引擎：此引擎可提供一个由专用控制逻辑管理并保护的隔离子系统。该MCU还支持256位硬件唯一密钥和真随机数发生器（TRNG），并具备密钥管理功能，能够生成封装密钥，支持SHA算法、AES硬件加速，以及支持NIST和Brainpool曲线且密钥长度可达384位的ECC。RA4C1还获得了PSA 1级认证，符合欧洲网络弹性法案（CRA）合规扩展，实现瑞萨对网络安全和遵守即将出台的欧洲法规的持续承诺。瑞萨全新MCU还提供一套满足计量系统设计所需的功能集。其内置的512KB双区片上闪存，可实现轻松且安全的软件更新；同时该MCU还配备96KB SRAM和8KB数据闪存，用于片上数据存储。外设包括低功耗ADC、精度达1%的片上温度传感器，以及用于驱动低功耗段码式显示屏的片上LCD控制器。 RA4C1 MCU由瑞萨灵活配置软件包（FSP）提供支持。FSP提供开发所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而助力客户加快应用开发速度。它支持客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。此外，FSP还简化现有IP在RA6或RA2系列产品之间的迁移过程。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“瑞萨拥有完善且广受市场认可的RL78、RX和RA系列产品线，赋能客户开发先进智能计量解决方案，共同迈向更绿色的未来。基于与全球客户的紧密合作，我们开发了这款全新的RA4C1：这一产品经过精心优化，旨在满足客户当前需求及未来。” RA4C1 MCU的关键特性内核：80MHz Arm® Cortex®-M33 存储：256 – 512KB双区闪存，96KB SRAM，8KB数据闪存外设：CAN FD、LPUART、SCI、SPI、QSPI、I²C、ADC、实时时钟、温度传感器、低功耗定时器、LCD、Vrtc 封装：10 mm x 10 mm LQFP64；14 mm x 14 mm LQFP100 安全：唯一ID、支持TRNG、AES、ECC、Hash的RSIP安全引擎成功产品组合瑞萨将全新RA4C1系列MCU与其产品阵容中的众多兼容器件相结合，打造出智能单相电表成功产品组合。成功产品组合采用经过技术审核的系统架构，由相互兼容的器件构成，可无缝协作，从而带来优化的低风险设计，并加快产品上市速度。瑞萨提供400多种成功产品组合，涵盖瑞萨众多产品，帮助客户加快设计流程，并更快地将产品推向市场。您可以在renesas.com/win上找到这些组合。供货信息瑞萨RA4C1 MCU、FSP软件现已上市，还同步推出RA4C1评估板。更多信息，请访问：renesas.com/RA4C1。样品和套件可在瑞萨网站或通过分销商订购。瑞萨MCU优势作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子的MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，是业界优秀的16位及32位MCU供应商，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

MCU

瑞萨电子 . 2025-08-21 820
企业 | 特朗普政府据悉将收购英特尔10%股份

据媒体援引白宫官员和知情人士消息报道，特朗普政府正与英特尔公司洽谈，拟收购后者约10%股份。若交易成行，美国联邦政府将一跃成为这家芯片制造商的最大股东。知情人士表示，美国联邦政府正在考虑对英特尔进行潜在投资，这将涉及将该公司从《美国芯片与科学法案》获得的部分或全部拨款转换为股权。受此消息影响，英特尔盘中一度跌逾5%。上周，受相关收购传闻刺激，英特尔飙涨23%，创下自2月份以来最佳单周表现。分析师曾表示，联邦政府的支持可能给英特尔更多喘息空间，以重振其亏损的晶圆代工业务，但该公司仍面临技术落后的挑战。此前，英特尔已被批准获得109亿美元的《芯片法案》拨款，用于商业及军用芯片产能建设。以英特尔当前市值计算，10%股权价值约105亿美元，与上述拨款金额基本匹配。不过，知情人士声称，具体持股比例或规模，以及白宫是否选择推进该计划，仍然存在变数。白宫发言人Kush Desai拒绝就讨论的细节发表评论，仅表示“政府正式公布前，任何协议都不是正式协议”。另有白宫官员提出，未来可能将更多《芯片法案》补助资金以股权形式注入企业，但目前尚不清楚该想法是否已获政府内部广泛支持，也未知悉是否已与其他潜在受影响公司沟通。上月，美国国防部罕见宣布，将以4亿美元优先股形式入股美国稀土生产商MP Materials，交易完成后五角大楼将成为其最大股东。此举被视为政府直接投资关键供应链企业的先例。与所有《芯片法案》受助企业一样，英特尔的补助资金原本应分阶段发放，具体时间表与项目进展挂钩。截至今年1月份，英特尔已收到22亿美元拨款。目前尚不明确，这笔22亿美元是否会计入潜在股权投资之内；同样不清楚，自特朗普就任以来，公司是否已获得新的补助资金，以及未来若转化为股权，具体拨款的时间安排将如何。

英特尔

科创板日报 . 2025-08-20 1 1870
方案 | 基于Infineon MCU和CoolSiC™碳化硅MOS的6.6KW双向DCDC方案

随着新能源车快充、光储一体系统及工业微电网需求激增，高效率、高功率密度双向DCDC成为关键部件。传统硅基方案受限于开关损耗和体积，效率已尽极限，且散热成本较高；还有双向拓扑控制复杂，动态响应不足等问题；而碳化硅（SiC）器件凭借耐高温、低损耗特性，能做到更好的效率同时减少散热以及产品体积等优势，随着碳化硅（SiC）器件成本的降低，正加速替代硅基方案，预计2025年全球市场规模超50亿美元。在此背景下，安富利（Avnet）推出基于Infineon XMC系列MCU和CoolSiC™系列碳化硅器件的6.6KW双向DCDC方案：方案采用CLLC拓扑结构，全数字控制，动态响应时间小于10ms；Buck模式效率≥98%，Boost模式效率亦达到97%；方案灵活多变，可根据实际需要调整输入输出以及功率大小；可广泛（但不限于）应用在储能、电池化成、EV charging、工业电源等领域。核心器件说明主控MCU： Infineon的XMC4402将英飞凌先进的外设集与行业标准的ARM® Cortex™ - M4结合在一起。高精度PWM单元电源电压范围：3.13 - 3.63V ARM Cortex™ - M4，120MHZ，包括单周期DSP MAC和浮点运算（FPU） eFlash: 256kB，80kB SRAM 10/100以太网MAC（含IEEE 1588），2x CAN 8通道DMA + USB和以太网专用DMA USIC 4ch [Quad SPI, SCI/UART, I²C, I²S, LIN] 硬件ECC 这些都可帮助客户游刃有余的完成整个电源的转换，同时根据需要可以灵活选择；功率MOSFET IMT65R022M1H： Infineon CoolSiC™碳化硅MOSFET； 650V，22moh，TOLL封装；性能可靠稳定，搭配英飞凌配套驱动IC，最大化实现碳化硅MOSFET的优势；可根据实际设计需要更换型号。 IPT017N12NM6： Infineon OptiMOS™ 6，最新一代的OptiMOS，120V，1.7moh，TOLL封装；搭配英飞凌配套驱动IC，充分发挥出OptiMOS的优异性能；可根据实际设计需要更换型号。 Driver IC： 2EDF8275F是实现大功率开关噪声环境中高边及低边MOSFET初级侧控制可靠稳健运行的理想选择。4A/8A的强大驱动能力，150v/ns的CMTI能力；2个输出通道均单独隔离。 Aux-power IC: ICE5QSBG英飞凌第五代准谐振反激式PWM控制器性能强大，具有全面的保护组合，有效提高了系统稳健性。方案特点：拓扑简单，效率高，功率密度大；完全自主设计，可提供全套的软硬件支持；可根据客户需求调整设计，协助客户快速出产品。

Infineon

安富利 . 2025-08-20 1 4545
方案丨瑞萨USB数据记录器方案，开启高效数据采集时代

在数字化浪潮席卷千百行业的今天，数据已成为驱动决策、保障合规、优化效率的核心资产。从冷链物流的温度监控到科研实验的环境参数记录，高效、可靠的数据采集与记录，是支撑各行业稳健运行与创新突破的刚性需求。然而，传统数据记录器常因功耗高、连接复杂、成本居高不下等问题，难以满足现代工业对便携性、实时性与经济性的严苛要求。洞察到这一挑战，瑞萨电子推出一款低功耗、高性价比的USB数据记录器解决方案，旨在从根本上简化数据采集流程，通过创新的集成设计与性能优化，为用户提供了一种即插即用、持久耐用且成本可控的数据记录方式。本方案的核心采用RA2L2 MCU，该MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器，拥有丰富的功能特性，并全面支持USB-C Revision 2.4新标准，是USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。 RA2L2 MCU采用瑞萨专有低功耗技术，在性能与能效间实现卓越平衡：其工作电流低至87.5µA/MHz，软件待机电流仅250nA，可显著延长电池续航时间。此外，该MCU为低功耗UART提供独立工作时钟，可在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统，从而进一步降低系统功耗。基于上述指标，若设备使用两节AA电池，每天进行1万条数据记录，整体功耗仅为2~3mWh/天，可支持系统连续运行超过半年。此外，得益于RA2L2 MCU集成的USB全速（FS）功能与Type-C检测技术，本方案可实现无缝连接，并支持作为受电端运行。同时MCU内置RD端接电阻与VBUS检测功能，可减少外部元件数量，降低系统BOM成本。在数据储存方面，为确保数据写入的可靠性与持久性，本方案搭载高速低功耗EEPROM存储器——R1EX25512A。该存储器采用先进的MONOS存储器技术和CMOS低功耗工艺以及低电压电路技术，具备128字节页面写入能力，支持超过100万次写入循环，并在常温下实现超过100年的数据保存时间。这些特性确保即使在电源意外断电等极端工况下，数据也能长期稳定留存，满足科研与工业级记录设备对高可靠性的严苛需求。在电源管理方面，该方案集成DA9168电池管理芯片和RAA489110 Buck-Boost可配置电池充电器IC。其中，DA9168芯片集成双路独立LDO，具备反向升压功能，可支持USB On-The-Go（USB-OTG）标准，具有极低的静态电流消耗和非常紧凑的占位面积，非常适用于注重空间设计与功耗敏感的电池供电型设备。搭配DA9168，方案采用RAA489110 Buck-Boost可配置电池充电器IC，支持2至4节锂电池串联配置，具备NVDC直充与HPBB旁路模式，支持反向供电能力，并具备对USB-C PD输出进行PPS电压调节的硬件支持。通过外部MCU或PD控制器的固件协同，该芯片能够响应PPS电压/电流请求，实现对PD输出的动态控制。同时，RAA489110内置SMBus通信接口，结合瑞萨R3™控制技术，可实现灵活配置、快速动态响应和高效率电源管理，适应多源供电需求，为系统稳定运行提供保障。瑞萨USB数据记录器方案深度融合了RA2L2 MCU的高性能、高速EEPROM的可靠存储以及出色的电源管理技术，能够有效延长电池使用寿命并提高能效，保障系统长期运行。

瑞萨电子

Renesas瑞萨电子 . 2025-08-20 2580
方案 | 勇芯科技BCL603S2H：让智能戒指兼具高性能与长续航

勇芯科技是人工智能物联网 (AIoT) 芯片级解决方案开发商，推出了一套基于 Nordic Semiconductor 新一代 nRF54L15 超低功耗无线系统级芯片的模组。该模组旨在帮助智能戒指开发商更快地将新产品推向市场，同时提供紧凑且功能强大的解决方案，并延长电池寿命。 nRF54L15 先进处理器赋能传感器 5毫米×5毫米的“BCL603S2H”智能戒指芯片级封装（Chiplet）集成了nRF54L15系统级芯片（SoC），可实现智能戒指与佩戴者智能手机之间的蓝牙®低功耗（LE）无线连接。除了连接功能外，Nordic 系统级芯片的 Arm® Cortex®-M33 处理器时钟频率为 128 MHz，RISC-V 协处理器在处理时间敏感任务的同时运行软件定义的外设，并配备 1.5 MB 非易失性存储器 (NVM) 和 256 KB RAM，这确保了该勇芯科技芯片组拥有充足的处理能力，可运行一系列集成传感器，从而实现智能戒指的功能。该模组提供五种不同版本，基础型号的传感器可提供心率、血氧、体温、运动、睡眠和压力指标，而高端型号还提供医疗级脉搏波传播时间（PWTT）血压监测和心电图（ECG）数据。根据型号不同，额外功能包括手势识别、触控交互、NFC、振动提醒和麦克风。勇芯科技首席执行官靳宗明表示：得益于Nordic新一代nRF54L15系统级芯片（SoC），智能戒指开发者可通过BCL603S2H芯片组为终端用户提供无限功能。除了医疗级健康监测功能外，该芯片组还支持智能眼镜、智能手机及智能家居设备的动作控制，以及智能手机摄像头或音乐的触控操作。内置的NFC功能支持支付功能，麦克风支持语音录音，而触觉传感器则可实现消息提醒。从一个智能戒指中，一切皆有可能。超低功耗尽管尺寸极度紧凑，该芯片级封装（Chiplet）集成了电源管理集成电路（PMIC）和低压差线性稳压器（LDO），实现了低功耗设计，使智能戒指在单次充电后可长时间使用，从而消除频繁充电的必要性并提升用户体验。低功耗还减少了发热，从而避免了智能戒指佩戴者感到不适。低功耗部分得益于 nRF54L15 系统级芯片的超低功耗特性，包括 Nordic 专有技术，如低泄漏 RAM 和该公司第四代超低功耗多协议 2.4 GHz 无线电中运用到的设计专业知识。 “勇芯科技选择 nRF54L15 SoC 作为我们智能戒指芯片的芯片，是因为其更低的功耗、更小的体积、更强的计算能力和更快的时钟速度，”靳宗明继续说道。“更快的频率使智能戒指能够快速响应用户的操作指令，同时处理多项任务。更强的计算能力使芯片能够运行更复杂的算法和人工智能模型，并高效处理大量健康数据。”

勇芯科技

Nordic半导体 . 2025-08-20 1960
企业 | 安费诺10亿美元收购互连和电缆组件供应商 Trexon

安费诺 (Amphenol) 已与 Audax Private Equity 达成协议，以约 10 亿美元现金收购国防市场互连和电缆组件供应商 Trexon。安费诺周一表示，总部位于波士顿的 Trexon 预计 2025 年的销售额约为 2.9 亿美元。Trexon 在美国和英国的工厂拥有 1100 名员工。安费诺总部位于康涅狄格州沃灵福德，是一家生产电气、电子和光纤连接器、互连系统、天线和传感器的公司，2025 年上半年的销售额为 104.6 亿美元。安费诺表示，将使用现有现金为此次收购提供资金，预计收购将于年底前完成。总部位于波士顿的 Audax 于 2021 年监督了 Trexon 平台的组建，将多家互连业务整合到一个企业品牌下。 Audax 是一家中低端市场投资公司，管理着约 190 亿美元的资产。该公司表示，Trexon 交易标志着其自 2024 年 8 月以来第 11 次宣布或完成的退出。安费诺将获得一家拥有约1100名员工的公司，为国防和航天等行业的客户提供服务，并在美国和英国设有工厂。此前，安费诺于8月4日宣布将以105亿美元收购康普的连接和电缆解决方案业务。安费诺首席执行官兼总裁R. Adam Norwitt在一份书面声明中表示：“我们非常高兴地宣布这项协议，Trexon将加入安费诺大家庭。Trexon独特的高可靠性电缆组件产品组合将与我们在国防市场的现有产品高度互补。我们期待与Trexon经验丰富的管理团队携手合作，在交易完成后为客户提供更多高科技解决方案。” Audax 的高管在自己的新闻稿中表示，他们于 2021 年监督了 Trexon 平台的组建，将多家互连业务整合到一个企业品牌下。他们还指出，Audax 通过 11 项“附加”收购来支持该平台。Trexon 今年的销售额预计约为 2.9 亿美元。 Audax 董事总经理蒂姆·波特 (Tim Porter) 在一份声明中表示：“我们认为，Trexon 的成功证明了 Audax 的价值创造战略，以及我们战略资源和投资组合支持团队的运营能力。通过与（Trexon 首席执行官）马克·特瓦尔夫霍芬 (Mark Twaalfhoven) 合作执行我们的价值议程，我们招募了一支才华横溢的管理团队，将 Trexon 定位为一家独立公司，并通过有机举措和收购增强了产能和互补能力。” Twaalfhoven 在一份声明中表示：“此次出售标志着 Trexon 在 Audax 的领导下实现显著增长和转型，包括对团队和设施的投资、专注于核心竞争力的战略性努力，以及通过内部收购和收购的方式扩展我们的产品和能力。我们非常高兴能够作为安费诺家族的一员继续我们的成长之旅。” 给安费诺 (Amphenol) 留言询问有多少 Trexon 员工将加入公司，但并未立即得到回复。根据安费诺2024年年报，该公司去年在全球拥有约12.5万名员工，其中约1.2万名在美国。该报告并未披露位于沃灵福德霍尔大道358号总部的员工人数。

安费诺

芯查查资讯 . 2025-08-20 3035
市场 | DDDR4大厂南亚科8月价格平均调涨11-16%

据市场消息，作风向来保守的南亚科8月价格平均调涨11％～16％，预计第4季将再涨双位数水平，南亚科单月转亏为盈的目标有望提前达阵。三星、美光及SK海力士等全球三大DRAM厂因DDR5及HBM未来商机，去年起开始陆续关闭DDR4产能，今年起通知客户逐步减产讯息。DDR4产能在下半年出现明显供给缺口，产品报价持续看涨。虽然今年消费性产品吹逆风，但DDR4却出现现货价及合约报价都同步大幅上涨的明亮前景。原先就在DDR4市场的南亚科顺势搭上这波涨价商机，平常作风保守的公司更主动出击、调涨合约报价。供应链透露，南亚科8月1日正式向客户实施新价格，根据不同客户别分别调涨11％～16％不等。由于DDR4整体市场需求仍大于全球产能，业界推估今年下半年这波DDR4的供给缺口已经达到10％～15％，南亚科酝酿第4季再度上调DDR4的报价，估将可望达到双位数水平。业界进一步说，DRAM市场近两年因消费市场需求锐减，价格走跌，让南亚科截至今年第2季为止缴出连九季亏损。但南亚科最新财报显示，库存金额仍高达300亿元新台币以上，因DDR4近期价格逐月上调，成为让南亚科第3季获利的主要关键。南亚科公告7月合并营收达53.52亿元新台币，创下三年半以来单月新高，月增31.4％，年增94%。累计今年前七月合并营收超越去年同期水平，年增4%，为三年来同期新高。南亚科今年6月开始产能利用率恢复满载，虽然三大DRAM厂仍持续供应DDR4，但南亚科报价较具市场优势。这波DDR4价格强劲，仍使用DDR4的终端产品包括网通、显示器、AI物联网等相关装置，更改设计时间需要至少一年，代表DDR4涨价商机可旺到年底。布局DDR4利基型内存市场的威刚、钰创、创见、宇瞻等相关供应链，摆脱汇损效应后，下半年业绩可望逐季上升，赚DDR4涨价财。搭上涨价潮，内存模块厂有机会将先前打消库存的存货在这波顺利销售，加上新台币汇率开始持稳，业界普遍看好，本季内存模块厂营收有机会缴出近年新高的亮眼成绩。威刚在内存模块厂有相对指针性， 7月营收年成长39.5％至42.61亿元新台币，维持在单月40亿元新台币以上的高水平。近年持续亏损的钰创也传出好消息，7月营收3.07亿元新台币，是近一年以来单月新高，较6月营收月增22.4％。钰创受惠于网通客户持续追加订单，使DDR4规格4Gb至16Gb的出货量都增加。

南亚科

半导体前线 . 2025-08-20 1 7 4150
产品 | 全国产供应链！纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制

在实时性要求极高的电力电子与电力拖动领域，如新能源逆变器、工业伺服控制及车载电机驱动中，系统必须在毫秒甚至微秒级完成数据处理与响应。纳芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU（DSP）：NS800RT7374/7377/7379，以高性能实时控制内核为核心，集成丰富外设与保护功能，能够显著提升控制精度和系统稳定性，缩短开发周期，提供高可靠国产选择。高性能内核与存储架构，赋能实时运算 NS800RT737x系列采用单/双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM（含256KB TCM*2+256KB SRAM），为复杂算法和多任务处理提供充足空间。 NS800RT737x系列详细规格多通道高速采样与超高精度控制 NS800RT737x系列内置4个12位ADC模块（4.375MSPS），最高支持25路ADC，8对比较器以及2路DAC，可同时采集多路信号，适配高动态响应需求。36路PWM（其中32路高精度PWM）具备124ps最小细分，实现超精细的功率控制，满足光伏储能逆变器、数字电源、电机控制等对控制精度极高的应用。丰富可编程与信号处理外设提升系统集成度 NS800RT737x系列最高支持6个CLB可配置逻辑模块，可通过编程实现各种灵活的功能；16路SDFM(Sigma-Delta Filter Module)提供多路高精度数字输入，适配隔离式电流/电压采样场景；四线QSPI实现高速外部通信；双32通道DMA提升数据传输效率，减轻CPU负载。完善通信接口，护航信息安全 NS800RT737x系列最高支持2路CAN-FD、1路CAN 2.0、4路SPI、6路UART、2路I²C、1路PMBus及一路EMIF外扩总线，确保在车载、工业等多总线环境下的稳定通信。同时，芯片内置CRC、BGCRC、TRNG、HASH-AES等硬件加密引擎，加持信息安全。生态友好，降低开发门槛 NS800RT737x系列兼容ARM常用IDE（Keil、IAR）并支持纳芯微自主开发的NovoStudio工具链，帮助客户快速迁移和部署，缩短产品上市周期。（H）LQFP176 （H）LQFP100 NS800RT737x 封装 NS800RT737x系列评估板

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-08-20 1 1575
技术 | 克服线性直驱光模块(LPO)部署挑战：从标准到规模化

数据中心行业在采用线性直驱光模块（LPO）技术方面正迎来关键节点。随着带宽需求激增和功耗问题日益突出，行业的关注点已从“什么是LPO？”转向更复杂的问题：“如何在保障运营可靠性的同时，成功实现LPO的大规模部署？” 这种转变标志着LPO技术的成熟——超大规模云服务提供商和数据中心运营商如今正专注于克服运营层面的顾虑，确保其在各类基础设施环境中实现无缝部署。标准基础：建立行业信心任何新兴技术的成功部署，都离不开确保互操作性和可靠性的健全标准。全面的LPO标准开发，推动该技术从实验室概念迈向可部署的解决方案。行业标准的制定工作主要聚焦两个关键领域：1）电接口标准与测试；2）光链路性能与部署。光互联论坛（OIF）专注于电接口标准，尤其围绕以下测试点展开: TP1：测试模块输入，模拟主机输出信号到达模块连接器时的状态 TP1a：测试主机ASIC发射器输出经主机板和卡边缘连接器后的状态 TP4：验证模块电输出信号，并校准用于测试主机输入合规性的信号 TP4a：测试主机输入这项工作确立了关键的测试方法，包括用于衡量发射端口质量的电眼闭合四元（EECQ）指标，以及确保最佳信噪比的复杂端口均衡方法。作为补充，LPO多源协议（LPO MSA）正着手解决光链路性能与部署挑战，提出了端到端链路优化方法，以及反映真实部署场景的应力信号测试协议实现真正的即插即用操作早期的LPO实现通常需要在模块与端口间进行手动调谐，由此产生的运营开销抵消了诸多效率优势。而基于标准方法的开发从根本上改变了这一模式。真正的即插即用操作围绕几项关键创新展开：预校准的端口与模块如今可无需手动调整即可协同工作；通用管理接口规范（CMIS）功能支持模块自动配置，以匹配端口特性；基于端口损耗特性的确定性连续时间线性均衡器（CTLE）设置，可确保最佳性能，且无需人工干预。这种方式促进了不同供应商生态系统间的无缝集成，解决了数据中心运营商在使用多供应商设备时的主要顾虑。光功率要求和信号质量满足TP2光功率和消光比规范，对许多早期实现而言是一大挑战。研究表明，电接口均衡不足和驱动器增益不够通常是导致这些问题的原因。解决方案包括全面的驱动器均衡——在使用发射有限脉冲响应（TxFIR）滤波器和驱动器输入CTLE时，确保主机端口完全均衡。此外，调制器专用均衡提供独立调节能力，而发射信号丢失（TX LOS）检测和自动增益控制（AGC）等功能，则确保了在各种条件下的稳定运行。现代LPO驱动器整合了这些功能，既能提供满足TP2要求所需的完整均衡能力，又能保持部署的简便性。高损耗主机端口性能具有高损耗主机端口的数据中心，在维持可接受的误码率（BER）性能方面面临特殊挑战。解决方案是在跨阻抗放大器（TIA）中实现接收端均衡能力，在不同端口损耗特性下实现链路的最佳均衡，同时保持全链路的信噪比优化。诊断和故障排除能力超大规模云服务提供商对LPO相比基于数字信号处理（DSP）的重定时模块在诊断可见性上的降低表示高度关切。对此，行业在发射端和接收端都实现了全面的诊断功能作为回应。发射端诊断包括TX LOS检测、输入信号电平测量和发射功率监控；接收端诊断包括信号丢失（LOS）检测、调制丢失（LOM）监控，以及交换机接收器的眼图监控能力。这些功能与网络管理系统的适当集成，为运营商提供了有效维护和排查LPO部署故障所需的可见性。增强的CMIS集成 CMIS的扩展对实现智能LPO部署至关重要。增强功能包括：模块插入时的自动数据极性设置、基于端口特性的输入均衡器自动配置，以及模块与交换机之间的线性度调整。用于优化输出均衡设置的端口损耗通知，构建了一个全面的自动化框架。这些增强功能是即插即用生态系统的最后一块拼图，使LPO在各类基础设施环境中实现真正无缝的部署成为可能。经验证的互操作性成果 LPO多源协议代表了49家以上公司共同致力于互操作性规范开发的合作成果。2025年初开展的全面互操作性测试有来自成员公司的约90名参与者参与，达成了一项重要里程碑。测试结果令人印象深刻，成功率极高——几乎所有测试链路在连接后立即正常工作。多家模块供应商成功与各类交换机平台实现互操作，且这一成果在多种实现方法中均得到验证。这些结果有效反驳了早期对LPO稳健性的质疑，为该技术已准备好大规模部署提供了具体证据。未来发展和200G演进当前LPO实现的成功为持续创新奠定了基础。开发工作正推进下一代每通道200 Gbps能力，利用先进的仿真模型进行高速性能预测，并针对极端数据速率开发增强均衡技术。通过行业论坛的合作开发，确保未来标准将保持使当前实现成功的互操作性和即插即用特性。预计200G能力的产品将在2025年底前问世，使该技术继续处于光网络创新的前沿。战略部署考量对于评估LPO部署的组织而言，从行业经验中可总结出几个关键成功因素：标准合规性仍是基础——电接口和光接口都必须满足既定规范，以确保互操作性和可靠运行。全面的均衡能力至关重要，需要具备完整均衡、增益和诊断功能的全功能驱动器。现代数据中心环境的复杂性，要求解决方案能够适应各种条件，同时保持最佳性能。智能管理能力（尤其是利用增强的CMIS功能实现无缝即插即用操作）对发挥运营效率优势至关重要。自动化能力降低了部署复杂性和持续的运营开销。最后，与在互操作性和标准制定方面展现领导力的供应商合作，可确保实施方案能成功集成到现有基础设施中，并支持未来的技术演进。前进之路线性直驱光模块技术已成功从一种构建低功耗、高性能光网络的前景方案，发展为可部署的成熟解决方案。行业正有效解决最初阻碍部署的实际挑战，为大规模采用铺平了道路。来自OIF和LPO MSA的全面标准框架，为跨供应商生态系统的可靠互操作性提供了基础；经验证的诊断能力确保满足运营可见性要求；真正的即插即用操作则消除了可能阻碍大规模部署的复杂性障碍。如今的重点已从证明技术可行性，转向优化部署流程和高效扩展运营。通过适当实施符合标准、具备全面均衡和智能管理能力的解决方案，LPO有望实现其降低功耗和复杂性的承诺，同时满足现代数据中心对可靠性和性能的要求。 LPO成功部署的基础已牢固确立。数据中心运营商如今可以满怀信心地评估和实施LPO解决方案，因为技术挑战已得到解决，行业生态系统也为可靠、可扩展的部署提供了支持。下一阶段的重点将是优化操作流程，充分释放最初激发行业对该技术兴趣的效率优势。

Semtech

Semtech升特半导体 . 2025-08-20 2010
晶振行业必备术语手册：工程师必收藏(上)

在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。本文将从常规名词切入，解析晶振材料、结构、电路等关键概念，让“门槛”变成“垫脚石”。由于内容较长将分为上下两篇文章解释，本文是上篇，介绍内容有： · 石英材料及频率控制产品 · 压电性 · 石英晶体切割类型 · 振动方式 · 频率-温度特性 · 晶体谐振器的等效电路＞石英材料及频率控制产品石英是一种具有压电性的晶体（SiO₂），广泛应用于电子设备的频率控制。其主要产品分为两类：体声波器件：如晶体谐振器、晶体滤波器和时钟振荡器（如皮尔斯振荡器、压控振荡器等）。表面声波器件：如声表面波（SAW）谐振器和滤波器，利用叉指换能器（IDT）在石英表面产生高频振动。 (图1)结晶石英材料＞压电性在稳定状态下，SiO₂（二氧化硅）的电偶极子沿硅的六轴排列，整体呈电中性。当外加电场时：沿偶极方向施加电场：硅侧显正电，氧侧显负电，感应电场平衡系统。反向施加电场（硅侧负电、氧侧正电）：氧离子相互靠近，其水平振动频率与垂直交变电场同步，振幅取决于电场与偶极子的夹角。当交变电场频率与氧离子水平振动频率一致时发生共振，振幅取决于电场与偶极的夹角。三维器件中，电场由晶圆表面电极提供，偶极方向由切割角度决定。压电性是石英晶体的一项重要物理特性，它描述了电能和机械能之间的相互转换。具体来说： ○ 当对石英晶体施加机械应力（如挤压、拉伸或弯曲）时，其内部电荷会重新分布，在晶体表面产生电压。 ○ 反之，当对石英晶体施加电压（或交变电场）时，晶体内部的原子会发生位移，导致晶体产生机械形变或振动。正是利用这种“电-力”相互转换的特性，我们才能让石英晶体在电路中精确地振动，从而产生稳定的频率信号。 (图2)SiO₂的一维压电简化＞石英晶体切割类型根据对石英棒切割角度的不同，有不同种类的石英板材，例如AT、BT、CT、DT、NT、GT切型板材。不同类型的石英板材，以一组欧拉角表示，具有不同的可用弹性、压电和介电性能。这是设计石英晶体器件的基本参数。最常用的石英切割类型如图3所示。 (图3)Z板石英晶体的取向角。＞振动模式石英晶体单元的振动类型分为弯曲振动，扩张振动，表面切变振动和厚度切变振动。通常使用的振动类型和切割方式的示意图列在表1中。基频和泛音可以在任何类型的谐振器中工作。基频和泛音可以在任何类型的谐振器中工作。最常用的是基频，但对于厚度型器件也常用泛音，如图4所示。） (图4)振动模式和切割角度。＞频率-温度特性石英产品大多作为电路元件用于频率选择和/或频率控制，因此器件的频率-温度特性是最重要的参数。这种百万分之一(ppm)级频率-温度特性的稳定性是石英频率器件的另一个优点，是LCR离散分量振荡电路无法在大规模生产中实现的。对于常用的石英晶体切割，其频率-温度特性如图5所示。 (图5)各种石英切片的频率-温度特性。AT切型是石英器件中最受欢迎的MHz晶体切割。(图6)为+x轴俯视图AT切型方向。 (图6)AT平台定位图7显示了AT晶体切角与频率温度特性的关系。结果表明，AT切割石英在较宽的温度范围内具有良好的频率稳定性，由于在这个温度范围内，频率温度曲线的一阶和二阶导数（即温度系数的一阶和二阶分量）都趋近于零，因此其频率变化主要由三阶函数控制。 △fs(i)=A1(Ti-25)3+A2(Ti-25)2+A3(Ti-25)+A4 (图7)AT-cut 频率-温度特性＞晶体谐振器的等效电路 (图8)显示了金属型和陶瓷贴片型谐振器的简图及其符号。当工作在谐振频段附近时，空载谐振器的电学特性可以用巴特沃斯-范戴克(Butterworth-VanDyke,BVD等效电路近似表示，如图9所示。 A)金属柱型谐振器 B)陶瓷贴片d型谐振器 CL C)象征水晶细针利用图8所示的参数，对晶体谐振器和由晶体谐振器组成的振荡器的主要电学特性进行如下描述。 (图9)电容特性 C0:并联电容 C1:动态电容 L1:动态电感 R1:动态电阻

晶振,晶振电路,晶振参数,晶振电容

扬兴科技 . 2025-08-19 6 2015
企业 | 芯擎科技完成新一轮融资，获得两省首单AIC

近期，芯擎科技宣布完成规模超10亿元人民币的B轮融资。在去年中国国有企业结构调整基金二期等多家机构投资的基础上，又有多地政府基金、险资和银资积极参与，总计融资金额超10亿元人民币。在本轮融资中，芯擎科技成功获得湖北、山东两省首单AIC股权项目，在国资、银资、险资以及产业链协同资本等多维度实现里程碑式进展。芯擎科技创始人、董事兼CEO汪凯博士表示：“新一轮融资的顺利完成，体现了投资人对芯擎技术实力和发展前景的高度认可，更为公司的长远规划注入了新的活力。未来，芯擎将继续保持技术创新和市场拓展的双重优势，不断推动中国汽车智能化的升级和发展。” 成为“黄金标的 ”，筑牢长期投资价值成立近6年，芯擎科技已经拥有了颇具协同优势的投资人阵容，从汽车产业链上下游、集成电路全产业链到众多地方政府的支持，成功构建了多方合力的产业生态与发展格局。芯擎科技的B轮整体融资由国调二期基金领投，多地国资产业基金跟投，还成功获得湖北、山东两省AIC首单以及央企险资太平金控的战略投资，跻身国家科技金融改革试点的标杆受益企业行列，深度融入“科技-产业-金融”的国家级循环。更多耐心资本的加持，突显了芯擎商业化能力的可持续性与稳健性。点燃“座舱+智驾”双引擎盖世汽车数据显示，芯擎科技在2024年已经成为国产智能座舱芯片市占率第一的公司。此外，芯擎也是国内为数不多可同时覆盖智能座舱到智能驾驶关键SoC的供应商。依托“龍鹰”系列座舱芯片、“星辰”系列高阶辅助驾驶芯片以及AI加速芯片，芯擎科技可以为生态伙伴打造众多个性化解决方案，并对其开放全场景生态平台，分别从芯片基础能力，操作系统、系统软件、中间件、算法算子库、AI工具链，生态方案等多方面赋能，提供一站式算法开发和端到端的大模型部署。 2021年，芯擎科技推出国内首款7纳米车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”，目前，该芯片已在国内外数十款主力车型里应用或定点，包括一汽红旗天工系列、吉利领克系列、银河系列、德国大众在欧洲和美洲的海外车型，以及其他知名车厂即将推出的主力车型。 2024年，芯擎科技推出全场景高阶辅助驾驶芯片“星辰一号”，直接对标国际先进主流产品，并在CPU性能、AI算力、ISP处理能力、NPU等关键指标上实现全面提升。在不久前结束的2025香港车博会上，汪凯博士表示芯擎科技正在研发新一代座舱芯片“龍鹰二号Ultra”和“龍鹰二号Lite”。 “大生态”驱动新增长曲线芯擎科技秉持“大生态”的开放合作模式，一直在积极探索和布局第二增长曲线，并已在具身智能、低空经济、边缘计算等领域展现出强劲的上升势头。在今年的上海国际车展上，搭载了“龍鹰一号”工业芯片的机器人备受瞩目。汪凯博士说道：“全球智能汽车的发展可谓飞速，马上就会进入淘汰赛阶段，芯擎科技已经有了坚实的技术积累和市场基础，在国际国内两大市场的双重推动下，公司在新一轮融资后仍会坚定地加大研发投入，持续拓宽护城河，让更多产品用上更好的‘中国芯’。”

芯擎科技

芯擎科技SiEngine . 2025-08-19 2280
企业 | 软银集团与英特尔公司签署20亿美元投资协议

软银集团与英特尔公司今日宣布签署最终证券购买协议。根据协议，软银将以每股23美元的价格认购英特尔普通股，总投资额达20亿美元。该交易需满足惯例成交条件。软银的投资是基于英特尔的长期愿景，即通过加速布局支持数字化转型、云计算及下一代基础设施的先进技术，实现人工智能变革。前瞻性陈述 This document contains certain forward-looking statements related to the proposed transaction between Intel and SoftBank, including statements regarding the benefits and the timing of the transaction. Words such as “anticipate,” “believe,” “could,” “estimate,” “expect,” “forecast,” “intend,” “likely,” “may,” “plan,” “potential,” “project,” “predict,” “seek,” “should,” “target,” “would” and “will” and variations of such words and similar expressions are intended to identify such forward-looking statements. Such statements are based on management’s expectations as of the date they were first made and involve risks and uncertainties, many of which are beyond our control, that could cause our actual results to differ materially from those expressed or implied in our forward-looking statements. Such risks and uncertainties include, among others, uncertainties as to the timing of the consummation of the transaction and the potential failure to satisfy the conditions to the consummation of the transaction, including the expiration or termination of any applicable waiting periods, and the receipt of any required approvals, under the Hart-Scott-Rodino Antitrust Improvements Act of 1976; inability to realize expected benefits of the transaction; litigation related to the transaction or otherwise; potential adverse reactions or changes to business relationships resulting from the announcement or completion of the transaction; and other risks detailed in Intel’s filings with the Securities and Exchange Commission (the “SEC”), including those discussed in Intel’s most recent Annual Report on Form 10-K and in any subsequent periodic reports on Form 10-Q and Form 8-K, each of which is on file with or furnished to the SEC and available at the SEC’s website at www.sec.gov. SEC filings for Intel are also available on Intel’s Investor Relations website at www.intc.com. Readers are cautioned not to place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the date they were first made. Unless otherwise required by applicable law, Intel and SoftBank undertake no obligation and do not intend to update these forward-looking statements, whether as a result of new information, future events or otherwise.

英特尔

英特尔中国 . 2025-08-19 1 2395
方案 | 中微半导基于CMS32M6736E 高性价比无感FOC割草机方案

中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）基于电机专用SoC芯片CMS32M6736E，推出具有成本效益的FOC割草机驱动方案。该方案专为高性价比且严苛工况的割草机设计，集成200V耐压6N预驱，有效控制BOM成本并简化开发流程。方案支持无感FOC（单/双/三电阻采样）+无感方波启动双模式，兼顾效率与兼容性。最大功率2000W，最大电转速100000RPM，通过精准转矩控制与高速动态响应，实现更平稳、高效、安全的动力输出，显著提升割草机作业效率与用户体验。核心优势 - 极速响应：支持100000RPM+电转速，适应高负载草坪切割 - 强劲动力：最大功率2000W，满足大面积草坪作业需求 - 双模控制：支持无感FOC（单/双/三电阻采样）+无感方波启动，兼顾效率与兼容性 - 高性价比：集成200V耐压6N预驱，精简外围电路 - 适配度高：超宽输入电压40-80V DC（适配多电池配置） - 高效运行：高速效率补偿算法，相电流平滑补偿算法，运行效率高且稳定 - 启动即成功：顺风启动，启动顺滑，100%启动成功 - 全面硬件保护：完备的主动限制、故障保护、重启功能 - 简化开发：电机兼容性高，参数调整极少方案参数 - 输入电压：40-80V DC - 最大电转速：100000RPM+ - PWM开关频率：20KHz - 最大功率：2000W - 控制方式：无感单/双/三电阻FOC - 闭环方式：速度环、功率环 - 保护功能：过欠压、过流、短路、缺相、堵转等核心器件功能 CMS32M6736EGH48FA 强大配置：Arm Cortex®-M0+ @72MHz（工作电压1.8V-5.5V）宽温运行：-40℃~105℃工业级温度范围丰富存储：128KB FLASH，4KB SRAM0，8KB SRAM1 高精度采样： ·27通道12-BIT ADC@1.2MSPS（实时电流闭环） ·4路可编程PGA（增益1-15×全差分）智能驱动： ·6通道EPWM+硬件死区控制 ·2组CCP模块，支持4路PWM输出+4通道同步捕获（无感位置检测）集成预驱：200V耐压6N预驱（5-20V驱动电压）计算加速：单周期32位硬件乘法器、除法器、开方/除法器丰富定时器：2x32/16-BIT，1x4通道16-BIT，1x12-BIT间隔定时器,1x24-BIT SYSTICK，1x17-BIT WDT 充足接口：32个通用GPIO 开发板原理框图顺风启动波形运行相电流波形中微半导CMS32M6736E割草机方案以“高集成FOC控制+200V预驱”为核心，实现对电机速度和转矩的精准控制。其2000W强劲动力及100000RPM高速响应，有望为割草机提供兼具高性能、高可靠、极简设计的全新驱动解决方案选择。

割草机

中微半导 . 2025-08-19 1 2120
技术 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1 所示。图 1：微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC..230VAC)。功率级别过去通常在 300-400W 之间，但最近也出现了每个输入功率高达 600W 以及多输入系统的实施。微型逆变器传统上构建为单向转换器，因为电力是从光伏电池板流向交流电网。主要有两种实施：隔离式电流源逆变器 (CSI) 和隔离式电压源逆变器 (VSI)。VSI 略为复杂，但在功率级别相当的情况下效率更高。需要使用隔离栅将光伏电池板与高压交流连接隔离，以免在有人触碰电池板时发生电气危险。此外，隔离级也可以减少共模电压在光伏板的寄生电容中产生的漏电流。要将隔离式直流/直流级双向用于储能系统，需要进行的更改是用 CLLLC 或双有源电桥 (DAB) 等双向转换器取代推挽式或反激式级，如图 2 所示。交流/直流级保持不变，既可以是图腾柱 PFC/逆变器，也可以是单极或双极运行的全桥。图 2：便携式电源的双向功率级拓扑 CLLLC 是一种谐振转换器，控制 MCU 利用频率调制来控制输出功率。谐振控制器在接近谐振频率的窄范围内运行时效率很高。双有源电桥通常以固定频率运行，功率流由两侧输入电桥和输出电桥之间的相移控制。两种方案各有利弊。具体选择哪一个方案取决于系统要求，如输入和输出电压范围。两级转换器的功率效率通常限制在 96% 的范围内（从直流到交流），尤其是在整流级上使用二极管单向运行时。从纯电源开关数量的角度来看，两级转换器很容易出现多达 10-12 个高压开关元件。本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。功率转换控制算法基于扩展相移，降低了对 MCU 速度和软件复杂性的要求。 Cyclo 转换器基础知识 cyclo 转换器或 cyclo 逆变器通过合成无中间直流链路的交流电源各段的输出波形，将一种恒定幅度和频率的交流波形转换为另一种较低频率的交流波形。对于微型逆变器或便携式电源的用例，输入波形为纯直流。输出为交流电网连接。图 3 直观显示了可能的实施方案。图 3：直流侧全桥和交流侧半桥的 cyclo 转换器在本例中，直流侧实施全桥，在变压器 T1 的初级侧生成输入信号 VP。交流侧实施半桥配置（带电容分压器），模拟次级侧各段 VS 的交流输出 VGRID。对于正输出信号，开关 S1B 和 S2B 永久导通。该转换器可视为以相移方式运行的双有源电桥。对 S1A 施加 PWM，对 S2A 施加互补，则两者的输出电压和电流类似。传输的功率大小由 VP 和 VS 之间的相移决定。对于负输出电压，S1A 和 S2A 永久导通。同样，开关 S1B 和 S2B 会形成一个用于负输出电压和电流的相移双有源电桥。在参考设计 TIDA-010954 中，TI 的 GaN 器件用于以快速开关频率运行转换器，以尽可能减小所有磁性元件的体积，同时不牺牲效率。为何使用 GaN？ • cyclo 转换器是一种软开关拓扑，这意味着开关损耗可以忽略不计。 • 与 SiC 或 SiFET 相比，GaN FET 的关断损耗要低得多。 • GaN 器件的输出电容 COSS 低于 SiFET。这有助于实现更宽的零电压开关范围。 • 导通损耗由器件的 RDSON 引起，这决定了转换器最终将有多少损耗。初级侧使用的器件是 100V GaN 半桥 LMG2100R026（RDSON 为 2.6mΩ）。对于次级侧，使用的是带集成栅极驱动器的 650V GaN 器件：LMG3650R035（RDSON 为 35mΩ）。设计注意事项和效果只要开关在软开关模式下运行，相移双有源电桥转换器就能有较高的效率。当次级侧电压发生变化时（例如交流侧的正弦波），很难实现这一点。TIDA-010954中实施了两种相移控制方法。对于大功率，在交流峰值附近实施“模式 II”。对于小功率（交流斜率和交流信号的过零点），则使用“模式 III”。模式 II 和模式 III 的相移控制差异如图 4 所示。图 4：相移模式和控制变量控制变量 D1 和 D2 用于控制功率流，并在微控制器 (TMS320F28P550) 中根据转换器的运行模式进行计算。需要指出的是，在模式 II 下，初级电压 VP 始终领先于次级电压 VS，以实现正向功率传输。对于反向功率传输，VP 始终滞后于 VS。这是为了使转换器在软开关模式下进行大功率传输。在模式 III 下，初级电压脉冲 VP 完全包含在次级电压脉冲 VS 内。这是为了降低变压器中的 RMS 电流和减少开关中的传导损耗。除了相移控制外，还实施了频率控制，以在转换器轻负载运行时保持变压器中较小的 RMS 电流。转换器的工作频率在 300kHz 到 600kHz 之间变化。具有可变频率调制的扩展相移控制在 TMS320F28P550 内核（时钟速度为 150MHz）上的 20kHz (50us) 中断服务例程中运行，所需 MCU 利用率低于 40%。这样便可添加额外的辅助整理例程并在单个 MCU 上运行控制。之所以能实现如此低的利用率，是因为微控制器具有“可配置逻辑块 (CLB)”等高级功能，可在硬件中运行时间关键型代码，而无需加载 MCU。此外，TMS320P550 还具有非常出色的外设，能够在极短的时间内同时更新 PWM，用于相移和频率调制。为了在传统 MCU 上实现此功能，通常需要额外的 FPGA 或 ASIC 实施来执行这类组合控制算法。使用 PLEXIM 仿真器对设计进行仿真，以在硬件构建之前预测控制的正常功能。图 5 显示在两种不同负载条件（300W 和600W）下 40VDC 输入和 230VAC 输出的模拟结果。图 5：300W 和 600W 负载条件的模拟结果在模拟时可以看到模式变化，即当转换器更改工作模式时，电流波形上会出现少量峰值（红色）。 TIDA-010954 采用标准 6 层 PCB 制造。所有 GaN 器件均采用底部冷却方式，将功率耗散到 PCB 中，无需额外的散热器。图 6 所示为转换器图片。该设计的功率密度约为 600W/L。这比目前具有相同额定功率的商用两级微型逆变器高约两倍。图 6：cyclo 转换器 TIDA-010954 的照片在实验室的各种负载条件下对转换器进行了测量。图 7 显示转换器交流输出的时间域测量值。图 7：300W 和 600W 负载条件的测量结果模拟和测量之间的完美吻合如图 5 所示。在 600W 的满载条件下测得的总谐波失真仅为 2.6%，远低于并网微型逆变器 3% 的要求。不同负载条件下的测试是一个重要的性能参数。转换器不仅需要在满载和 50% 负载条件下实现高效率，还需要在较轻负载条件下实现高效率。图 8 给出了测得的效率曲线。峰值效率约为 97%。图 8：测量效率与负载条件间的关系为了比较不同的微型逆变器设计，我们定义了加权效率。最常见的定义是 Euro 和 CEC 效率。上述曲线表示 ηEURO 约为 95.4%，ηCEC 约为 96.4%。与市场上基于传统两级拓扑的解决方案相比，这一效率非常高。成本优化系统成本是微型逆变器或便携式电源设计的一个重要考虑因素。本节深入探讨了从基于 SiFET 的两级转换器迁移到基于 GaN 的单级转换器如何对系统成本产生积极的影响。在 cyclo转换器中，可以减少电源开关的数量。对于推挽式和反激式转换器，直流侧使用的开关额定电压需为 170V；而对于 cyclo 转换器，单面板输入的额定电压可为 100V。这种新型循环转换器的工作频率范围在 300kHz 到 600kHz 之间。这意味着，与两级转换器相比，磁性元件设计（变压器和电感器）要小得多。“两级”转换器的工作频率通常低于 100kHz，以保持较小的 SiFET 开关损耗。此外，与全桥交流/直流转换器相比，cyclo 转换器接入电网所需的 EMI 滤波器要小得多。这就降低了总体成本。图 9 展示了成本比较。推挽式转换器的成本用作相对比较的 100% 基准。图 9：成本比较电源开关的成本略有增加，而磁性元件的成本则大幅下降。因此，整体解决方案的成本降低了 12%。结语本技术文章概述了一种新型单级转换器（cyclo 转换器），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效、尺寸更小，同时还降低了成本。功率转换控制算法基于具有附加频率调制的扩展相移。这提高了中低输出功率级别的效率。通过使用新型实时 C2000™ MCU，控制算法无需外部 FPGA 或专用 ASIC 即可运行。

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德州仪器 . 2025-08-19 1395