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企业 | 英伟达宣布建设算力中心

当地时间7月1日，英伟达宣布推出全新的AI基础设施合作模式，将通过收入分成（Revenue-sharing）和信用支持（Credit-support）机制，与AI云服务商共同建设大规模、多租户AI工厂，帮助初创企业、模型开发者、企业及科研机构更快获得AI算力，同时为英伟达创造与算力使用量挂钩的持续性收入。根据方案，AI云厂商将部署基于英伟达DSX AI Factory架构的AI工厂，对外提供云计算服务。据悉，该合作计划已进入落地阶段，首批合作伙伴包括Sharon AI和Firmus。其中，Sharon AI计划部署最多4万块NVIDIA Grace Blackwell GB300 GPU；Firmus将在印度尼西亚巴淡岛建设DSX AI工厂园区，规划扩展至360兆瓦电力规模，并部署最多17万块英伟达GPU。

英伟达

证券时报 . 2026-07-02 2135
涨价 | 半导体涨价潮，蔓延至先进封装

由AI驱动的半导体需求正推动先进封装新一轮价格上涨。据MoneyDJ报道，全球领先的外包半导体封装测试（OSAT）供应商日月光已再度调整封装报价，涨价幅度最高超过20%。此番涨价涵盖各类先进封装技术，包括晶圆基板芯片封装（CoWoS）和扇出型基板芯片封装（FoCoS），其中美国主要客户也受到影响。市场普遍预期，其他封测厂商也有望跟进。关于涨价原因，日月光首席执行官吴田玉表示，涨价首先反映了原材料价格上涨，这类涨价有其必要性；其次，涨价反映了资本开支增加，即投资成本的考量。其补充道，日月光过去每年资本支出大约20亿美元，2025年提升至53亿美元，今年则上调至85亿美元，未来也不排除再次上调。在资本开支拉升背后，OSAT行业正掀起新一轮扩产潮。以日月光为例，该公司正同步推动15座新建及扩建厂区计划，同时全球首条具经济规模的高度自动化面板级封装（FOPLP）量产线也将于今年底正式投产。吴田玉强调，随着人工智能的应用范围从数据中心扩展到汽车电子和人形机器人等物理应用领域，人工智能已成为日月光产能扩张计划的关键驱动力，并表示日月光集团正在全力以赴地扩大产能。报道指出，日月光已成为先进封装热潮的主要受益者之一。由于台积电的CoWoS产能仍然受限，外包业务持续增长，日月光的基板封装和芯片探测服务需求日益强劲。在此逻辑下，市场纷纷向日月光投下信任票：截至昨夜美股收盘，日月光（ASX）单日上涨7.1%，报收45.12美元，续创历史新高，总市值达1005亿美元。今年以来，该股已累计涨超180%。此前美银上调该股估值预期，并表示先进封装仍是产业链中最具壁垒的环节。从行业层面来看，在台积电、三星电子等半导体巨头持续加码产能的背景下，以CoWoS为代表的先进封装技术仍有约10%的供需缺口。据台湾经济日报报道，目前主要的OSAT供应商均在加速投资于2.5D/3D封装、芯片组、HBM集成和面板级封装等技术。根据Counterpoint Research发布的报告，AI投资周期正在重塑半导体价值链，加速行业迈向“晶圆代工2.0”时代。晶圆代工2.0的核心特征是将晶圆制造、先进封装和测试能力进行深度融合。随着先进封装产能成为AI供应链中的关键瓶颈，领先的OSAT厂商也获得更多增长机会。东方证券指出，先进封装设备的重要性正在持续提升，部分投资者低估了该领域的市场体量。目前，国内头部设备厂商已在这一赛道取得实质性突破，其发布的12英寸混合键合设备，成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商，直击3D集成极限要求。同时，相关公司推出多款3D IC系列新品，重点攻克先进逻辑芯片Chiplet异构集成及HBM相关的应用难题。

先进封装

科创板日报 . 2026-07-02 3521
技术 | imec公布制程蓝图：摩尔定律转向，2038年挑战0.3纳米

荷兰半导体研究机构imec公布最新工艺路线图，宣告先进芯片演化重心将有大转变。未来将不再局限于“单纯缩小晶体管尺寸”，而是全面转向标准单元面积缩放、垂直集成及系统层级（如供电与散热）优化。 imec预测，到2038年半导体制程可推进至A3（0.3纳米）世代。然而，接近1纳米世代的A10（约2030年）之后，接触栅极间距（CPP）的微缩将遭遇瓶颈，芯片密度提升将高度依赖全新架构与先进封装集成。 imec研发副总裁Julien Ryckaert表示，半导体产业现已进入纳米片（Nanosheet）时代，并将持续朝“埃”（Angstrom）级前进。路线图指出，A14级工艺预计2028年出现，CPP将缩至约45纳米、标准单元高度降至约115纳米，并在此阶段导入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备。 imec并指出，CPP在2030~2031年登场的A10节点将开始出现缩放停滞。A10到A5世代，CPP将大致维持在42纳米，代表业界无法再以传统栅极微缩大幅提升密度。为了突破微缩瓶颈，imec将CFET（互补式场效应晶体管）视为2030年代初的关键候选方案。约2033年登场的A7节点，虽然CPP仍停滞在42纳米，但采用p型与n型晶体管“纵向堆叠”的CFET技术，标准单元高度可成功降至约80纳米。 ▲纳米片（Nanosheet）架构（搭配叉片设计）将从2纳米一路沿用至A10节点；之后A7及更先进工艺，将全面交棒给CFET架构。（来源：imec）到了2035~2038年的A5与A3阶段，imec预测将发展出实现纵向堆叠与键合（Bonding）的CFET结构。若要达成A3节点约39纳米CPP与50纳米单元高度目标，除了纵向集成，更可能需要仰赖Hyper-NA EUV等超高数值孔径光刻技术。 imec强调，评估未来技术时，芯片密度不再单看晶体管尺寸缩放，而是取决于“标准单元面积”（单元高度×CPP）的下降幅度。面对AI工作负载成为半导体需求主力的趋势，imec提出“异构大规模集成”（HLSI）概念，未来系统将高度结合逻辑芯片、存储器、供电、光学I/O与先进3D/2.5D封装。为此，imec建立“跨技术协同优化”（XTCO）框架，试图打破技术壁垒，将各项组件纳入同个系统层级全面优化。 Ryckaert指出，晶体管纵向集成与多芯片封装已成为业界常态，供电设计与散热将成为未来最严峻的技术瓶颈。包含背面供电网络（BSPDN）及封装内部的集成电压调节器（IVR）等新兴技术，都必须在系统层级协同优化，以确保在不增加功耗开销的前提下，持续提升整体芯片的算力密度与能效。 imec最新路线图清楚显示，尽管传统以“缩小晶体管”为核心的摩尔定律面临严峻挑战，但以标准单元面积缩减、CFET纵向集成，与先进封装及系统级协同优化多管齐下，半导体的逻辑密度在未来十数年内依然将保持强劲的增长动能。

imec

全球半导体观察 . 2026-07-02 2163
产品 | EtherCATx三核算力，满足高端工业控制！纳芯微发布实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列

近日，纳芯微正式发布NSSine™系列新一代实时控制MCU/DSP——NS800RTA7系列。该系列面向工业自动化、机器人、数字能源、通用伺服及运动控制等应用场景，首批推出NS800RTA7P65DE、NS800RTA7P66DE、NS800RTA7P66TE三款型号，覆盖大小核、双大核和三核等不同内核配置，集成EtherCAT 从站控制器（ESC）、第二代eMATH浮点数学加速核、高精度模拟采样、高级控制外设及功能安全、信息安全能力，为高性能实时控制系统提供高效、可靠、易于集成的控制平台。 NSSine™产品矩阵工业控制走向系统融合，主控芯片需求持续升级随着工业自动化、机器人、数字能源及运动控制等应用持续升级，实时控制平台正在从“单一控制”走向“计算 + 通信 + 采样 + 安全”的系统融合。以机器人控制器、通用伺服、PLC、变频器、数字电源以及工商业大型储能系统为代表的应用场景，对主控芯片提出了更高要求：一方面，需要处理复杂算法、多任务协同、高速实时通信和多轴同步控制；另一方面，也需要具备高精度采样、小尺寸封装、高可靠性及信息安全能力。在工业实时通信领域，EtherCAT已成为高性能运动控制和工业自动化系统中的重要通信技术。EtherCAT的价值不仅在于通信接口本身，更在于支撑多轴同步、实时响应和系统协同控制能力。面向这一趋势，NS800RTA7系列通过多核并行计算、片上EtherCAT 从站控制器集成、高精度模拟采样和安全可靠设计，进一步提升实时控制系统的集成度和响应能力。首批发布三款型号，覆盖不同性能与系统复杂度需求 NS800RTA7系列首批发布NS800RTA7P65DE/NS800RTA7P66DE/NS800RTA7P66TE三款型号，面向不同性能等级和应用复杂度提供灵活选择。其中，NS800RTA7P65DE采用“400MHz + 200MHz”的大小核配置，兼顾控制性能与系统成本；NS800RTA7P66DE采用“2×400MHz”双大核配置，面向高性能实时控制应用；NS800RTA7P66TE采用“2×400MHz + 200MHz”三核配置，可支持更复杂的多任务协同、多轴控制和实时通信场景。三款产品均集成EtherCAT、USB、CAN-FD、FSI、SPI、I2C、UART、USART等丰富通信接口，并支持eCAP、QEP、CLB、SDFM、ePWM、HRPWM等控制外设资源，满足伺服驱动、机器人控制、数字电源、储能逆变和工业自动化设备对实时控制与高速通信的综合需求。 NS800RTA7P65DE/7P66DE/7P66TE 产品参数多核Cortex-M7架构第二代eMATH 支撑复杂实时控制任务在核心性能方面，NS800RTA7系列最高支持三核同构Cortex-M7架构，并为不同内核搭配eMATH数学加速器及专属TCM资源，为多核分时计算提供充足算力。该系列支持DSP指令集、FPU、eMATH、TCM与Cache等能力，可满足复杂控制算法、多任务协同及实时响应需求。通过大小核、双大核和三核三种配置，客户可根据应用复杂度、控制轴数、通信任务和成本目标进行灵活选型。第二代eMATH浮点数学加速核比一代eMATH提速约一倍，涵盖三角函数、指数和对数、开方、FFT/iFFT、滤波器、矩阵计算、卷积和相关性运算等多种数学运算，可在FOC电流环、数字电源控制和复杂DSP算法等应用中提升实时浮点计算效率。集成德国倍福正式授权 EtherCAT 从站控制器提升高实时工业通信能力 NS800RTA7系列集成德国倍福正式授权的EtherCAT 从站控制器(ESC)，在片内集成ESC MAC，区别于传统系统中主控芯片与外部独立ESC器件配合的设计方式，降低BOM成本与PCB面积，提升系统集成度。在实时数据交换方面，NS800RTA7系列的硬件从站控制器（ESC）可处理EtherCAT帧转发，减少MCU对通信帧处理的参与；同时，片内ESC可直接与MCU内核内部高速总线互联，并通过内部共享RAM映射过程数据，支持高实时数据交换。该系列还支持多FMMU和同步管理器，便于灵活配置PDO映射，满足伺服驱动、机器人、PLC、运动控制和工业自动化设备等场景对高速通信与多轴同步的需求。在同步控制方面，NS800RTA7系列集成硬件分布式时钟单元，可实现高精度时钟同步，并精确生成Sync0/Sync1事件，用于触发ADC/PWM等实时控制任务，多节点同步事件触发误差小于30ns；在125us帧周期下，实时任务MCU负荷率仅为2%，可支撑多轴联动、精密运动控制等对同步性、低抖动和低系统负载有较高要求的应用。高精度采样 CLB可编程逻辑增强高速闭环控制灵活性 NS800RTA7系列最多可集成4个12bit ADC模组，最多可支持55路ADC采样通道，每个ADC支持32个SoC触发事件；同时支持36路ePWM、36路HRPWM，HRPWM分辨率达80ps，并集成6个CLB、7个eCAP、6个QEP和16路SDFM，为伺服驱动、变频控制、数字电源和多轴运动控制提供丰富外设资源。其中，CLB片上可编程逻辑模块可通过软件配置实现定制化数字逻辑功能，并可与ePWM、eCAP、eQEP及外部GPIO互联，用于增强现有外设功能，支持复杂协议位置编码器硬件解码、实时脉冲序列输出、信号整定和时间阈值监测等应用。功能安全x信息安全面向高可靠控制系统面向工业控制、数字能源及汽车相关应用对可靠性和安全性的要求，NS800RTA7系列支持ISO 26262 ASIL B与IEC 61508 SIL2功能安全设计，可满足汽车与工业领域高可靠控制系统的功能安全需求。在信息安全方面，NS800RTA7系列集成AES-128/256加密引擎、SHA哈希算法、TRNG真随机数发生器以及RSA和ECC等非对称加密引擎等硬件安全能力，为系统通信、数据处理和安全启动等应用提供信息安全支持。在数据完整性保护方面，NS800RTA7系列最高集成1.8MB eFlash与864KB SRAM，并通过ECC错误校正码覆盖eFlash和SRAM，可自动检测并纠正数据错误，提升关键数据存储与系统运行可靠性。小封装与平台化设计助力客户快速导入 NS800RTA7系列兼顾平台化设计与灵活封装需求，支持BGA169、BGA256、HLQFP176、HLQFP100等封装选择，其中BGA169封装尺寸为9mm × 9mm，可为空间受限的高性能控制系统提供更紧凑的封装选择。同时，该系列支持引脚兼容和外设寄存器兼容，有助于客户在不同性能等级和应用复杂度之间实现平滑迁移，复用已有软硬件资产，降低二次开发成本并加速产品导入。完善开发生态，支持高效开发 NSSine™系列实时控制MCU/DSP同步提供覆盖开发工具、硬件平台、软件支持和生态系统的完整支持能力。在工具链方面，NS800RTA7系列支持NovoStudio、ARM Keil MDK、IAR EWARM等开发环境，并提供NovoMonitor实时监测与调试工具、NovoClbConfig逻辑单元配置工具，帮助客户完成变量监控、参数调试、逻辑配置和系统验证。在硬件与软件支持方面，纳芯微提供评估板、SWD/JTAG仿真器、逆变器系统板、底层驱动、BootCode、CAN-FD/LIN通信软件支持，以及FreeRTOS、uC/OS-II、RT-Thread等EOS支持，帮助客户缩短开发周期、提升产品导入效率。

纳芯微

纳芯微电子 . 2026-07-02 2149
企业 | 村田中国亮相2026慕尼黑上海电子展，四大领域及人形机器人创新方案智启无界新生

2026年7月1日，中国上海——今日，行业领先的综合电子元器件制造商村田中国（以下简称“村田”）以“方寸之间，智启无界新生”为主题，亮相2026慕尼黑上海电子展（Electronica China 2026），（上海新国际博览中心，展位号N1馆300号）。本届展会上，村田聚焦于通信与计算、车载、工业与环境、健康四大核心应用领域，并系统展示了面向人形机器人的元器件解决方案，通过多元互动向观众展现微小元器件驱动数智世界的无穷可能。全链技术方案赋能边缘到云端智能升级人工智能与数据驱动的技术浪潮正推动通信与计算领域持续进化。为了应对智能终端的轻薄化、高速化需求，及IT基础设施对高性能、高可靠性的要求，村田重点展示多款MLCC、静噪元件、传感器、电源模块、通信模块等产品，满足从边缘设备到数据中心的全链路需求，助力行业更好迎接AI浪潮所带来的通信速率、稳定性等挑战。适用于光模块的硅电容及硅集成器件村田高密度硅电容器基于半导体MOS工艺开发，采用3D结构提高电容密度，实现更高静电容值。此次村田展示了包括用于AC耦合的宽频硅电容、用于DC去耦硅电容及定制化硅基板等方案。相比传统陶瓷电容，硅电容方案可大幅节省板上空间，提高集成化，同时硅电容的波导设计确保有限空间内的良好稳定性与超高频性能。射频连接器村田携两款射频连接器产品亮相展会，其中高频多极连接器支持板到板传输数字及射频信号，隔离度性能出众，小巧尺寸支持高频至20GHz，在帮助可穿戴终端节省内部设计空间的同时实现高性能通信。另一款微小型同轴开关连接器采用射频与ANT电路分离设计，可互不干扰地测量电路，适用于可穿戴设备等各类小尺寸设备中。用于电子设备散热的均热板随着设备集成度攀升，高效散热成为关键，均热板通过两相流技术逐渐占领市场。村田自研吸液芯以全新的加工方法，独特的微观结构，达到数倍于传统吸液芯的毛细力，可进一步减薄均热板厚度并增强散热性能，适用于智能手机、平板、笔电、光模块等高功率密度场景。超声波方式追踪系统(1) 村田基于pMUT（压电微机械超声换能器）技术开发的小型超声波传感器高精度追踪系统，可提供准确的3D空间定位与位置追踪（6DoF）。该系统以小尺寸、低功耗、高鲁棒性为特点，完美适配XR（AR/VR/MR）设备及可穿戴终端，为空间定位与手势交互提供完整的解决方案。注释 (1)开发中的产品，产品规格、外观如果有变更，恕不另行通知。赋能汽车行业创新，智启出行新纪元随着汽车产业的智能化与电动化转型，未来出行模式正发生根本性变化。对此，村田展品聚焦于高级驾驶辅助系统（ADAS）、电动动力总成、智能座舱等关键领域，展示了电容电阻、传感器、晶振热敏、通信模块等稳定高效的车载电子解决方案。适用于车载应用的硅电容及硅集成器件激光雷达（LiDAR）作为自动驾驶核心感知器件，需要高峰值窄脉宽的脉冲以满足高精度、长距探测与小型化的市场需求。村田硅电容采用3D结构提高电容密度，实现更高静电容值，体积微小、稳定性高、ESL低，能够准确满足LiDAR需求。村田此次展出了多款低ESL硅电容方案，包括电容标准品方案、4排容方案及排容定制方案，灵活匹配多样化设计。自动驾驶电容方案此次展会村田带来了适用于AD/ADAS/V2X的丰富陶瓷电容器产品线：车规级GCM系列通过了更严格的温度循环与耐湿测试；车规级小型三端子低ESL NFM系列具有出众的高频特性，适用于高速IC去耦与噪声对策；车规级低损耗GCQ系列采用铜内部电极，高频下实现高Q值；LW长款倒置型低ESL LLC系列厚度仅0.2mm，可直接贴装于封装背面，优化电源阻抗。这些产品以小型、高容、低ESL等特性助力空间节省与PDN优化。车载摄像头超声波自清洁装置(2) 针对自动驾驶摄像头在雨雪、泥污等恶劣环境下的视野保持难题，村田开发了集成于摄像头内部的超声波自清洁装置。该装置利用压电模组在超声波频率下产生高频振动，以非破坏性方式清除镜头表面的积水、冰霜等附着物。凭借高效、低功耗的特点，该技术可有效保障自动驾驶影像系统在复杂工况下的清晰度与可靠性。注释 (2)开发中的产品，产品规格、外观如果有变更，恕不另行通知。助力智能工厂，推动绿色能源发展在全球工业智能化转型与可持续发展的背景下，村田展示了其在设备安全、智慧工厂建设以及农业、清洁能源等领域的创新应用，包括适用于设备预测性维护的各类传感器产品、用于工业机器人及视觉系统的静噪元件，以及面向光伏与储能系统的高性能元器件。惯性传感器村田此次展出了能够以高水平精度检测姿态角和自身位置的非车规小型6轴惯性传感器，其内置陀螺仪偏置不稳定性低于0.5°/h，噪声密度低至0.0004°/s/√Hz，工作温度覆盖-40~110°C区间，低陀螺仪噪声水平和灵活的数字输出选项，使得村田的工业用惯性传感器适用于严苛的应用场景，如工业级惯性测量装置（IMU）、无人机飞控、机器人位姿检测及动态倾角测量等。小功率隔离DC-DC模块针对能源与工业市场对高绝缘性能、高可靠性隔离电源的需求，村田推出小功率隔离DC-DC模块系列，涵盖通讯接口电源隔离和高压采样隔离DC-DC模块与门极驱动隔离电源两大类型。新一代的DC-DC隔离模块采用低高度iLGA封装，具备高隔离耐压、全自动化制造优势，兼容工业标准封装，支持更广的工作温度范围。门极驱动隔离电源则聚焦第三代功率半导体器件驱动需求，同样通过全自动化制造工艺实现低隔离电容（CMTI > 200kV/µs），并提供优化的IGBT/SiC和MOS栅极驱动双极输出电压，以高可靠性、低成本特性助力系统稳定运行。该系列产品为光伏逆变器、储能系统以及固态变压器等场景提供了灵活、高效的隔离供电方案。以创新元器件，智领医疗未来随着智能医疗行业的迅速发展，医疗设备的智能化、微型化与高可靠性成为关键需求。村田聚焦数字健康，在此次展会中展示了其广泛应用于医疗设备、可穿戴设备及智慧医院管理等领域的关键元器件，包括电容电感、传感器、无线通信模块、电源及多款创新产品。可伸缩电路板SPC(3) 村田通过优化材料、设计与工艺，将电子元器件安装到柔性薄膜上，开发出可伸缩电路板。该产品在高湿高电压条件下可保持良好的性能，能很好地贴合身体活动关节部位，即使在弯曲和拉伸状态下，电极和布线也可维持导电性能，伸长率可达60%。该产品亦可单片实现多种功能，柔软亲肤，适用于EEG（脑电图）、EIT（电阻抗成像）等可穿戴医疗设备，有助于实现更加舒适的健康监测方案。注释 (3)参考产品，产品规格、外观如果有变更，恕不另行通知。医疗器械用RFID 针对手术器械全流程管理及小型医疗设备的匹配管理与追溯需求，村田带来抗金属UHF RAIN标签。可利用物体金属表面作为天线助推器，即使在表面沾有血污的情况下也可实现稳定读取。支持批量读取，便于高效管理，可实现对器械生命周期的准确追溯、有助于库存管理。可记录医疗器械的使用顺序，有助于提升术前器械准备效率。除了抗金属标签，村田还提供一系列HF/UHF标签，采用微型封装（最小尺寸1.2×1.2×0.55mm）支持胶水、热收缩或注塑等多种附着方式，非常适合手术器械、自动注射器、内窥镜等医疗场景的器械管理。人形机器人：精微元器件驱动灵活运动随着人形机器人的产业化进程不断推进，关节驱动、姿态感知、电源管理及无线通信等环节对元器件的集成度和动态响应提出了新的要求。村田利用其在元器件领域的技术积累以及持续推进的创新产品与技术开发，助力具身智能机器人在关节控制、感知与决策、无线互联、能源管理等关键环节实现技术突破。观众可在展会现场充分了解村田在具身智能领域的完整产品方案。展会期间，村田技术专家将围绕上述解决方案与观众深入交流，并设置多款互动演示。诚邀您于2026年7月1日至3日莅临上海新国际博览中心N1馆300号，共同探索电子元器件如何于方寸之间开启无界新生的未来。

村田

村田 . 2026-07-02 2016
产品 | AI PC快充防护再进阶！艾为电子推出Type‑C OVP系列产品

随着 AI PC 算力持续跃升、性能全力释放，设备功耗与补能需求大幅提升，大功率快充已然成为行业不可逆发展趋势。传统 100W 以下快充规格早已难以满足高性能 AI 终端的使用需求，PC 快充功率正式迈入阶梯式升级通道，形成65W→100W→140W→180W→240W升级路径，全面适配 AI PC、高性能轻薄本、游戏本及多功能扩展坞的大功率供电场景。艾为电子Type‑C OVP系列产品功率升级的技术驱动，源于 USB PD 协议的持续迭代，充电电压也完成关键规格跃迁，实现了从 20V（SPR）→28V（EPR）→36V（EPR）→48V（EPR）的进阶升级。其中PD3.1 SPR 20V 规格适配 65W-100W 常规快充场景，全新PD3.2 EPR 28V/36V/48V 高压规格，则助力设备突破功率瓶颈，支撑 140W-240W 以上超大功率快充，大幅提升充电效率与整机供电稳定性。针对行业升级趋势，艾为电子推出系列快充保护产品，满足SPR 20V/EPR 28V充电电压需求，覆盖140W-180W充电功率应用，精准适配新一代 AI PC 快充系统的设计需求。 Type-C 接口凭借通用、高速、集成度高的核心优势，成为 AI PC 与扩展坞的标配接口，多 Type-C 口并行工作更是主流硬件设计。28V 高压 + 大功率 + 多接口同时工作的全新工况，让设备供电系统的防护压力陡增，传统简易的保护方案早已无法适配严苛的高压快充环境，行业对 Type-C 接口的系统化安全防护能力，提出了高鲁棒性设计标准。想要保障 AI PC、扩展坞在高压大功率快充场景下长期安全稳定运行，硬件设计必须配齐四大核心防护能力，全方位筑牢供电安全防线：一、适配多 C 口应用场景采用背靠背结构 OVP 保护，兼容多接口并行充放电工况；二、搭载快速过压保护搭配强劲的浪涌防护与静电保护能力，为 Type-C 接口输入端及后级电路提供高鲁棒性安全防护，抵御各类高压异常与电气干扰；三、集成防反灌保护有效避免电流反灌，避免芯片与整机受损；四、标配短路保护快速处置插拔异常、线路短路等故障，全面覆盖大功率快充各类安全隐患。产品优势 1、快速过压保护艾为AWP3210x产品外接TVS SP1224,VIN=20V,VIN surge 100V，Rload=100Ω，CIN/COUT NC 图1 艾为方案OVP响应时间 OVP响应时间27ns，VIN max 26.28V,VOUT max 22.81V 行业其他方案外接TVS SP1224,VIN=20V,VIN surge 100V，Rload=100Ω，CIN/COUT NC 图2 行业其他方案OVP响应时间 OVP响应时间>1us, VIN max 28.5V,VOUT max 27.6V 2. Ideal Diode + Fast RCP 双重保护优势这不只是两项功能的叠加，而是精准解决OVP保护产品设计的一对核心矛盾：日常供电要高效，灾难故障要自保两种独立机制，覆盖两类完全不同的应用场景。图3 艾为OVP保护方案 Ideal Diode：应对缓变异常，常态高效防反灌适配器拔出或电压跌落瞬间，系统侧储能容易反向倒灌，轻则指示异常，重则反灌损坏前级。传统方案依赖肖特基二极管，大电流下发热严重，高温时存在热失控风险。优势：实时闭环调节MOS栅压，维持极低且稳定的正向压差。高温满载下性能不衰减，从原理上消除热失控，实现高效、平稳的无缝切换。 Fast RCP：应对极端短路，纳秒级极速硬件保护当VBUS对地短路，电流以极高di/dt飙升。若仅靠微秒级关断保护（Ideal Diode响应时间），反向浪涌会在瞬间冲至数十上百安培，足以熔断Bonding线、炸裂MOSFET、烧毁PCB，甚至引发系统彻底崩溃。优势: 以纳秒级速度感知并瞬时切断反向通路，在破坏性冲击形成前彻底阻断能量，为芯片自身和整机系统提供最后一道安全保障。 Ideal Diode 负责日常高效供电与平滑切换,Fast RCP 负责极端故障下的极限生存。两者分层互补，从常态到灾难性场景，形成一套完整的保护闭环。 3. 艾为专利技术加持的输入输出浪涌防护机制芯片内置一体化浪涌保护，用内部Q3等效替代外部TVS，一颗器件同时守住VIN和VOUT两端浪涌，省器件，省面积，设计更精简。图4 艾为方案浪涌泄放结构产品介绍-AWP32107DNR l Wide Input Voltage range from 3.4V to 23V l 8A continuous current capability l VIN and VOUT are rated 38V Abs max l Integrated ultra-low Ron switch: typical 17mΩ l Over-Voltage Protection turn-off response: typical 100ns l Ideal Diode RCP l Programmable soft-start l VIN Under-Voltage Lockout (UVLO) l Over-Temperature Protection (OTP) l Short Circuit Protection l IEC 61000-4-2 Contact Discharge +/-8KV l IEC 61000-4-5 45V Surge Protection on VIN and VOUT l Thermally enhanced DFN3*3-12L 图5 AWP32107DNR封装信息-Top View 图6 AWP32107DNR典型应用框图产品介绍-AWP32109DNR/AWP32109S l Wide Input Voltage range from 3.4V to 32V l 8A continuous current capability l VIN and VOUT are rated 38V Abs max l Integrated ultra-low Ron switch: typ 17mΩ-AWP32109, typ 16mΩ-AWP32109S l Over-Voltage Protection turn-off response: typical 100ns l Ideal Diode RCP l Programmable soft-start l VIN Under-Voltage Lockout (UVLO) l Over-Temperature Protection (OTP) l Short Circuit Protection l IEC 61000-4-2 Contact Discharge +/-8KV l AWP32109: IEC 61000-4-5 45V Surge Protection on VIN and VOUT AWP32109S: IEC 61000-4-5 115V Surge Protection on VIN and 80V on VOUT l AWP32109DNR DFN3*3-12L AWP32109SDNR DFN4*4-16L 图7 AWP32109DNR封装信息-Top View 图8 AWP32109DNR典型应用框图图9 AWP32109SDNR封装信息-Top View 图10 AWP32109SDNR典型应用框图典型应用场景适配于笔记本电脑、扩展坞、笔记本拓展底座等应用场景。图11 应用场景示例表1 艾为电子产品选型表

艾为

艾为官网 . 2026-07-01 1 2030
涨价 | 芯联集成宣布涨价25%

6月30日，国内功率半导体和MEMS代工大厂芯联集成向合作伙伴发布价格调整通知函，宣布将在2026年第三季度对产品价格进行上调，调整幅度为15%至25%。此次调价源于全球半导体产业链持续的结构性成本上涨，以及AI、新能源等领域需求爆发带来的产能持续紧张。芯联集成表示，此举旨在持续保障产品品质与供应稳定。今年以来，芯联集成已多次释放涨价信号。2026年1月，公司已率先对8英寸MOSFET产品线执行新的价格体系。公司管理层此前在业绩说明会上表示，本轮涨价由需求驱动，MOSFET等供需格局良好的领域成本传导较为顺畅，公司订单持续饱满。2026年一季度，公司实现收入19.62亿元，同比增长13.19%，毛利率提升至5.69%。

芯联集成涨价

芯查查资讯 . 2026-07-01 2506
涨价 | 士兰微宣布涨价15%

国产功率器件大厂士兰微向客户及合作伙伴发出“价格调整通知函”，宣布自7月1日起，对士兰微电子各产品线涨价15%。对于涨价的原因，士兰微表示，“近期，受上游原材料市场波动及产业供需结构变化影响，我司供应链各项成本持续攀升，尤其是晶圆制造所需的关键原材料价格及封装测试环节的综合成本显著增加。面对这一挑战，士兰微始终积极作为，通过全面提升内部运营效率、持续优化生产工艺、推行精益化管理等举措竭力消化成本压力。但经多轮核算与评估，目前持续上涨的供应链成本已超出我司内部可完全消化的承受范围。”为确保持续稳定的产品供应、保障交付能力与品质标准，经公司管理层慎重决策后决定涨价。士兰微指出，当前全球半导体供应链环境持续演变，此次涨价给客户寄合作伙伴的供应链管理与成本规划带来一定压力，并对此深表理解与歉意。值得一提的是，今年2月，士兰微就曾宣布，受全球金属等原材料成本上涨影响，自3月1日起，针对小信号二极管/三极管芯片、MOS类芯片等，统一涨价10%。

士兰微

芯查查资讯 . 2026-07-01 5208
涨价 | 硅动力发布涨价通知，多数产品上调5%起

无锡硅动力微电子发布涨价函，受原材料短缺、产能紧张及制造成本攀升影响，公司将调整产品售价。除碳化硅、氮化镓系列及少量品类外，其余产品涨价5%-8%，新规自2026年6月22日起发货生效。企业表示将持续优化产品与服务，携手客户共渡成本难关。

硅动力

芯查查资讯 . 2026-07-01 2639
涨价 | 电子布大厂富乔工业涨价15%-30%

由于制造成本上涨及市场供不应求，电子级玻璃纤维布（glass cloth，简称“玻纤布”或“电子布”）大厂富乔工业近日已向客户发出正式涨价通知，宣布对旗下电子布产品涨价15%-30%，新价格将于2026年7月1日起正式生效。根据富乔向客户下发的正式涨价通知，此次调价呈现明显的差异化特征，其中：针对面向通用PCB、消费电子的普通E-glass产品统一涨价30%；针对面向AI服务器、高速高频板的低介电常数Low DK2产品涨价15%。富乔工业表示，涨价原因在于玻璃纤维原纱（玻纤纱）成本持续上涨，以及能源、运输及制造相关成本增加。值得注意的是，富乔工业E-glass的涨幅高于高端Low DK2，反映出两类产品供需格局的差异：普通E-glass面临更大的供需缺口，而高端Low DK2因富乔持续扩产且客户长期锁单，涨幅相对温和。富乔工业在全球玻纤纱市场市占率达32%、玻纤布市占率约14%。显然，此次富乔工业对其电子布产品大幅涨价，或将进一步推动下游的印刷电路板（PCB）及IC载板产品涨价。资料显示，电子级玻纤布（电子布）是IC载板与PCB的关键零组件，也是打造电子设备所需的最基础的材料，这些基板主要承载处理器并负责信号传输。由于玻纤维的制造需在约1,300°C 高温下进行熔融纺丝，设备须使用昂贵的铂金材料，且每一根纤维都必须比头发更细、完全圆润、不得含有气泡，制造难度较高。而且电子布的品质稳定性也直接决定了基板品质。当前，AI芯片与高端处理器对于数据传输的稳定性与传输速度要求极高，就需要用到特殊规格的高端电子布，比如低膨胀系数（Low CTE）电子布和低介电常数（Low DK）电子布，因为其具有尺寸稳定、刚性高、利于高速信号传输等特性，能支撑AI芯片与高端处理器所需的高频、高密度设计（可以直接匹配AI服务器对M8、M9级别覆铜板的需求）。第三方数据显示，2026年6月初，市场上常用规格的电子布已完成年内第五轮提价，均价达到7.4元/米，较2025年第三季度的低点涨幅高达100%。多家研究机构认为，电子布供需紧张格局短期内难以缓解。核心制约因素在于： 1、AI服务器、高速高频板对高端电子布需求持续攀升。 2、由于AI相关的高端电子布需求旺盛且利润率远高于普通产品，头部厂商正积极将有限的产能更多地调配去生产高端电子布，这也造成了普通的E-glass供应不足。2026年2月，台资CCL大厂台耀科技就曾公告，由于上游原厂转产Low DK，将减少E-glass相关产品的供应。 3、电子布产能扩张受制于高端织布机的供应瓶颈。高端喷气织布机由日本厂商垄断，交付周期拉长至1-2年，排期已到2030年。这使得短期内难以通过新增产能来弥补普通布的供给缺口。综合来看，由于当前电子布扩产周期长达数年，叠加需求端持续增长，电子布供应短缺和涨价问题预计1-2年内难以有效缓解。

电子布

芯智讯 . 2026-07-01 4375
涨价 | Microchip8月中旬调涨价格

根据Microchip于6月29日发布的客户通知，公司将对旗下部分产品进行价格调整，新价格将自2026年8月14日起正式生效，适用于所有新订单和后续出货。在涨价函中，Microchip表示，此次价格调整主要是受到市场环境变化影响，包括原材料、人工、物流以及能源成本上涨。同时，上游供应商、封装厂以及晶圆代工伙伴制造成本持续增加，公司虽然不断提升运营效率，但仍无法完全消化成本压力，因此决定对部分产品价格进行调整。作为全球重要的MCU和模拟芯片供应商，Microchip产品广泛应用于工业控制、汽车电子、电源管理、消费电子以及物联网等领域，其价格调整往往会对下游市场产生较强的示范效应。

Microchip

芯查查资讯 . 2026-07-01 1442
涨价 | 国巨上调全系列产品报价

市场传出，被动元件公司国巨通知客户，自今（1）日起上调全系列电容产品报价，涵盖积层陶瓷电容（MLCC）、铝电解电容、钽质电容、高分子铝电容、薄膜电容及超级电容等，是国巨近年来调涨范围最大的一波。目前，MLCC主要应用于AI服务器、智能手机、PC、车载电子及工业设备；钽电容可靠性、温度稳定性优异，广泛配套服务器、通信基站、航空航天设备；液态铝电解、高分子铝电解电容多用于电源适配器、AI服务器、新能源车等高功率设备；薄膜电容集中应用于光伏风电新能源、工业自动化、汽车电控领域；超级电容主要落地短时储能、智能电网、工业启停控制等场景。业内人士指出，此次调价主要反映全球制造成本持续攀升，以及金属、石化等关键原材料价格维持高位，电容产品营收约占国总巨营收五成，该公司过去采取自行吸收成本策略，并通过优化制程、提升效率及整合供应链等方式降低冲击，但近期中东局势持续紧张、国际运价波动，供应链不确定性增加，促使厂商陆续启动价格调整机制。国巨董事长陈泰铭此前表示，今年下半年国巨将“非常忙碌”，直言AI产业目前仍在“第二局上半场”。 “AI+新能源汽车”双轮驱动机构判断涨价仍将持续电容是电路中实现储能、滤波、去耦的核心被动元器件，在AI服务器中，电容被称为"电RAM"——HBM是算力的数据缓冲，电容是算力的能量缓冲。根据介质材料不同，电容器可分为陶瓷电容（MLCC）、铝电解电容、钽电解电容、薄膜电容、硅电容及超级电容等品类。其中，MLCC是用量最大的品类，占整个电容器市场中的占比达45%以上；硅电容和超级电容等也同样受益于AI需求成为新兴高增长赛道。随着AI大模型、高性能计算及超大规模数据中心快速发展，GPU算力持续提升、功耗同步走高，电容作为保障供电稳定性的核心被动元件，需求迎来结构性增长。据TrendForce数据，普通服务器单机MLCC用量约2200-4000颗，英伟达VR200NVL72新一代算力机柜用量更是达到44万-60万颗。此外，三星在5月份签署了约68亿人民币的硅电容供应合同，用于AI服务器GPU和HBM。全球龙头村田已于2026年4月1日正式实行涨价，针对AI服务器和高端车规级MLCC产品启动全面涨价，三星电机在财报中也披露了平均销售单价（ASP）上升趋势。光大证券认为，AI浪潮正推动电容从“电子工业基础元器件”向“算力核心元器件”价值跃迁，叠加汽车电动化带来的市场拓展，行业有望迎来量价齐升的新一轮成长周期。虽然年初以来电容公司股价已有较大幅度上涨，但综合考虑行业供需状态，判断涨价仍将持续，该机构对今年内后续行情持乐观态度，但强调应聚焦行业龙头公司，具备高端技术积累、产能储备、客户资源以及中间代理环节的企业将享受行业“通胀”红利。国信证券表示，随着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电体系已经难以满足超高频、低电压、大电流场景下的稳定供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特点，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介层（Interposer）与GPU/HBM周边，实现更短的供电回路与更低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。随着技术不断进步，对高效能、尺寸小巧的电容器需求逐渐增大，硅电容潜在市场发展空间可达百亿级。

国巨

科创板日报 . 2026-07-01 3220
应用 | 立体声智慧音频功放的应用

新唐科技在过往音频功放芯片的基本之上，继续推出本期亮点产品智慧功放《NAU83G60》，而智慧音频功放区别传统的Class-D，具有更智能，更高效，更高集成度的优势（内置DSP），同时内置KCS=Klippel Control Sound核心技术，将喇叭控制在非线性区，减少喇叭因机械原理受限的谐波失真和发热问题，发挥喇叭的特性与效率极致，获得更好的声场表现。新唐智慧音频功放的控制核心技术（KCS=Klippel Control Sound）在于，因喇叭工作时可分为线性区域和非线性区域，KCS算法可针对不同的工作区域进行优化处理，其对喇叭的卓越性能控制表现如下：持续稳定的输出保护，应对物理现象的老化、温湿度及生产差异发挥喇叭的更大声场，更佳音质消除非线性失真实现理想的线性目标性能新唐智慧功放的优势特点：宽电压输入：5V~24V 立体声2x30W, @4Ω THD+N<10%(24V)，PBTL模式60W,@2Ω THD+N<10%(24V). 多段PEQ调试(2x15 bands)+3段DRC 内置KCS算法（包括输出功率限制，喇叭诊断，喇叭失真补偿，输出反馈检测）音频接口包括I2S、PCM、TDM（最多8通道和192K采样率）支持I2C操作界面（高达1Mbps）保护功能具备ALC,OVP,OCP,OTP,UVLOP. 新唐智慧功放的应用领域：消费类，便携式音箱，会议音箱，回音壁，笔电或一体机，等，汽车类，头枕音箱，主动噪声处理，回声消除处理，等。新唐智慧功放路线：如需详细了解新唐智慧音频功放，包括其它更多关于新唐音频类产品资讯，欢迎访问新唐科技官方网站与我们联系。

新唐

新唐MCU . 2026-07-01 966
市场 | 苹果全面调价带来消费端需求变量，预估2026年全球笔记本出货将减少13.6%

根据TrendForce集邦咨询最新笔记本产业研究，Apple（苹果）全面调涨MacBook售价已改变过去市场认知，即便是高端品牌，现在也必须反映部分成本至终端市场，预计将更加强化消费者对笔记本价格上升的预期心理，导致整体换机需求趋于保守。考量MacBook全面调涨将自第三季反映至终端市场、消费需求趋缓，TrendForce集邦咨询预估，2026年Apple笔记本出货约2,310万台。上半年受稳定的定价策略及MacBook Neo开卖强劲销售支撑，表现优于预期，即便下半年动能放缓，预估全年出货年增幅仍维持双位数成长。 TrendForce集邦咨询表示，MacBook涨价可能缩小其与部分高端Windows机种间的价格重叠，促使价格敏感型消费者转向Windows阵营。但在整体笔记本价格普遍上升、消费市场需求转弱的情况下，预计需求外溢有限，难以成为带动整体市场回升的主要动能。然而，和整体笔记本市况相比，Apple全年表现仍较具韧性。Apple Silicon平台持续带动既有用户升级需求，加上macOS生态系与跨设备整合优势，有助于支撑其基本需求。不过，若终端价格上升对需求的抑制情况高于预期，不排除Apple后续出货表现仍有进一步修正的可能。 TrendForce集邦咨询指出，由于AI Server需求持续扩张，半导体供应链的资源排挤效应未见缓解，存储器、电源管理IC及金、铜等关键原材料价格维持高档，笔记本整机成本结构持续承压。但和2026年初相比，第二季主流价格带CPU供应情况呈逐月改善，带动品牌厂加速拉货与提前出货，2026上半年笔记本出货表现优于原先预期。上半年需求提前兑现，意味着下半年可支撑市场的需求相对有限。随着零部件成本逐步反映至终端售价，消费力度开始出现转弱迹象。TrendForce集邦咨询说明，部分品牌已明显感受到消费性需求疲软，尤其入门及主流消费型产品价格敏感度明显提高，消费者延长换机周期的现象逐步浮现。虽然商务换机与教育标案需求目前仍相对稳定，成为重要支撑力量，但仍不足以完全抵销消费市场降温的影响。综合上半年供给改善带来的提前拉货效应，以及下半年需求透支与终端价格上升的影响，TrendForce集邦咨询预估2026年全球笔记本出货将衰退13.6%。产业仍同时面临两大难题：AI Server持续排挤存储器及先进制程资源，供应吃紧与成本上升压力短期内难以缓解；另一方面，终端市场对价格上涨的接受度逐步受到考验。在供应受限与需求放缓的情况下，如何平衡成本转嫁与终端需求，将成为品牌厂未来营运的最大挑战。

苹果

TrendForce集邦 . 2026-07-01 1323
涨价 | 7月1日，半导体开启第二轮涨价潮

7月1日，全球半导体行业迎来新一轮价格调整窗口。芯联集成6月30日对客户发函称，受成本上涨因素影响，叠加AI、新能源等需求爆发，公司产能持续紧张；为持续保障产品品质与供应稳定，决定在2026年第三季度对公司产品价格进行调整，调整幅度为15%—25%，这也是公司年内第二轮提价。稍早之前，斯达半导、扬杰科技、士兰微也分别对客户发布了涨价通知，也均是年内第二轮涨价。比如，斯达半导表示，受晶圆制造、大宗金属、封装等材料价格上升影响，公司产品制造成本持续大幅增加，随着多重成本增加压力继续叠加，目前成本压力已超出内部可消化的范围。公司决定自7月1日起，对IGBT、SiC MOSFET等功率半导体模块和分立器件进行涨价，调价幅度为15%起。公开资料显示，今年3月至4月，德州仪器、MPS（芯源系统有限公司）、意法半导体、恩智浦（NXP）纷纷发布涨价函，其中AI服务器电源产品涨价20%至85%不等。国内多家模拟、功率器件厂商同步跟进上调产品价格。据记者不完全统计，超过20家国内外半导体公司在上半年发布了第一轮涨价函。在德州仪器（TI）、英飞凌、意法半导体（ST）等发函将于7月份开启二轮涨价后，士兰微、扬杰科技、华润微、斯达半导等国内功率半导体龙头全线跟进涨价。目前，宣布涨价的国内外公司已近20家。

涨价

上海证券报 . 2026-07-01 4340
产品 | 超小封装+负压适配！思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电

设计面临全新挑战：如光模块的尺寸受标准化约束，同时需为光路器件等预留空间，如何在紧凑 PCB 空间内，兼顾高转换效率与长久续航？针对行业痛点，思瑞浦（3PEAK）推出新一代高频、超低静态功耗同步降压转换器TPP05301。该产品体积小巧、性能出众，可直接为DSP、Serdes等AI设备系统的关键核心器件稳定供电，一站式解决空间受限、功耗管控与电流输出难题，为端侧智能设备打造可靠电源支撑。 TPP05301支持2.5V~5.5V宽输入电压范围，输出电压0.6V~VIN调节，稳态输出电流高达3A。采用COF（Constant Off-Time）控制架构。集成OCP、OVP、UVLO等多种保护机制。同时产品可提供 SOT563（1.6mm×1.6mm）超小封装，助力光模块、通信设备和穿戴设备等市场。产品优势小巧尺寸，释放空间在寸土寸金的电路板上，面积就是成本。TPP05301采用了小型 SOT563 (1.6mm × 1.6mm) 封装。同时，2.2MHz的高开关频率允许系统使用更小尺寸的电感和电容，极大程度减少了整体BOM面积，芯片及外围的整体方案可以优化至30mm2，良好适配光模块、便携式设备对空间的极致要求。图 1 PCB尺寸3D示意图卓越效率，降低损耗 TPP05301展现出卓越的能效表现，针对光模块最常用的3.3V主电源轨，在3.3V转1.8V的典型应用中，其峰值效率可达95%。这意味着更少的电能转化为热量，显著缓解了高带宽光模块面临的散热压力，保障信号传输更稳、更远。图 2 VIN=3.3V时效率曲线超低功耗，续航持久针对电池供电系统，TPP05301表现出了优异的节能特性。其关断电流可低至100nA，非开关状态下的典型静态电流（Iq）仅为25µA，全温度范围内均在30µA以下。图 3 静态电流同时，TPP053010版本支持Power-Save Mode(PSM)省电模式，在轻载条件下自动切换至降频工作状态，大幅提升轻载效率，有效延长设备的电池续航时间。支持直通，切换丝滑支持100%占空比（Low Dropout），当输入电压接近输出电压时，芯片可进入100%占空比模式，最大限度压榨电池的最后一点电量。TPP05301采用COF（Constant Off-Time）控制架构，控制固定的关断时间，自适应调节Ton时间，让进入与退出直通模式更加平滑。图 4 进入与退出直通模式低压使能，灵活控制随着AI终端和算力设备的发展升级，供电和控制轨的电压不断降低。TPP05301具备原生低压使能特性，其EN引脚阈值完美适配1.2V逻辑电平，无需额外电平转换。这一特性可直接为先进芯片DSP、FPGA或SoC的GPIO进行控制，极大地提升了电源时序管理的灵活性与设计自由度。图 5 EN使能示意图产品特性 •输入电压范围 (VIN)： 2.5V ~ 5.5V； •输出电压范围 (VOUT)： 0.6V ~ VIN； •最大持续输出电流： 3A； •开关频率： 2.2MHz/1.1MHz； •静态功耗 (Iq)： 25µA (Typ.)； •关断电流 (Isd)： 100nA (Typ.)； •工作温度范围： -40℃ ~ +125℃； •基准电压精度： 0.6V ±1%； •封装形式： SOT563 (1.6mm × 1.6mm)；典型应用得益于宽泛的输入电压、超小的封装和出色的效率，TPP05301可广泛应用于以下领域：数据中心网络设备：光模块、交换机、无线AP AIoT与视觉终端： IP Camera (网络摄像机)、无人机、智能穿戴设备消费类电子：智能电视、DVR、STB 通用便携设备：智能家居终端、电池供电的通用电源模块负压供电方案光模块应用中需要给DSP的IO/PIC的TX提供负压供电，TPP05301可以实现负压方案，并提供较小的纹波输出，VIN=3.3V，VOUT=-1.8V，ILoad=80mA时的输出电压纹波如图。图 6 TPP05301负压方案示意图及输出电压纹波 TPP05301系列现已量产，提供样品申请及评估板技术支持。如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2026-07-01 1435
展会 | 三展联动聚力AI算力全产业链！IICIE、CIOE、elexcon共筑光电芯存一体化生态

当下，AI 大模型与十万卡级算力集群加速落地，行业发展早已打破光、芯、存、电各领域独立发展的格局。光互连是算力集群高效互通的核心骨架，集成电路制造与先进封装为硅光、CPO 光电共封装筑牢工艺根基，高端存储芯片决定算力集群的数据吞吐能力，电子整机及嵌入式系统则承载算力技术的最终落地应用。在此产业背景下，IICIE 国际集成电路创新博览会、CIOE 中国国际光电博览会、elexcon深圳国际电子展暨嵌入式展将于 9 月 9 日 - 11 日，在深圳国际会展中心（宝安）同期举办。三大展会定位互补、产业链深度衔接，串联起从上游基础材料到下游终端应用的完整链路。参观企业可一站式逛遍 AI 算力全产业链，有效降低跨领域对接成本，加速技术协同与商务合作落地，打造全球范围内技术交流、商贸对接、生态共建的顶级产业平台。 IICIE 国际集成电路创新博览会：夯实产业根基，助推硅光与 CPO 产业化落地作为半导体全产业链专业展示平台，IICIE 承担着全链条底层工艺支撑的重要作用。展会集中展示半导体关键材料、晶圆制造设备、封测设备、2.5D/3D 先进封装、混合键合异构集成等核心技术与产品，是硅光、CPO、HBM 存储实现规模化商用的重要保障。 1. 材料与设备筑牢量产基础：现场展出 SOI 硅片、光刻胶、特种封装基板等硅光专用材料，以及光刻机、刻蚀机、薄膜沉积、光学耦合测试等核心设备，全方位补齐硅光芯片量产制造能力。 2.先进封装赋能光电融合：CoWoS、SoIC、混合键合、TSV 堆叠等异构封装技术，可实现光子芯片与电芯片高密度共封装，直接推动 CPO 技术走向成熟量产。可以说，高精度先进封装技术，是硅光集成、光算一体规模化发展的关键前提。 3.全域协同打通供需链路：展会汇聚的晶圆、封测企业，可现场对接 CIOE 硅光、光引擎、光模块厂商，同时为 ELEXCON 存储芯片提供堆叠封装配套服务，构建起 “集成电路工艺→光电器件→存储芯片” 的底层供给体系，有效解决行业工艺适配、量产良率等核心痛点。本次展会集结大批行业企业，部分展商如下：晶圆制造及封测领域：上海华力、东方晶源、晶合集成、比亚迪半导体、通富微电、时代民芯、云天半导体、华进半导体、佰维存储、天芯互联等企业齐聚亮相；半导体设备领域：北方华创、中微半导体、盛美上海、拓荆科技、沈阳和研、御渡半导体、华海清科、微崇半导体、华煜半导体、隆友德、精测电子、中电科、华卓精科、中科飞测、迈为、三丰等企业聚焦光刻、刻蚀、量检测等关键环节，展示半导体设备核心技术与创新；半导体材料：沪硅产业、江丰电子、安集科技、中船特气、上海新阳、上海集成电路材料研究院、清溢微、西陇科学等企业，将带来硅片、靶材、特种气体等关键材料，支撑产业链自主可控升级；半导体核心零部件领域：中科仪、新松半导体、万瑞冷电、上银科技、新莱集团等企业将展示半导体核心零部件及智能制造解决方案；三展联动，同期汇聚半导体制造及封测优质参展商：如GlobalFoundries、Tower Semiconductor、ASMPT、ASTRO PLASMA、JEOL、Raith、E-Globaledge、Samco、润华全芯微、施密科、思立康、华创智能、Finetech、MRSI(Mycronic Group)、MKS、OXFORD INSTRUMENTS、PIC、TECDIA、吉永商事、ADT、GLRH、和研、京创先进、概伦电子、圣昊光电、博众半导体、智立方、恩纳基、微见智能、猎奇、艾科瑞思、艾凯瑞斯、普莱信、触点、耀野、中科晶禾、奥创普、中科精工、镭神、兴启航、固高科技、铭赛机器人、凯格精密、快克芯装备、创凯智能、科阳、深圳科瑞、EXFO、联讯仪器、MPI、和林微纳、苏州天准、普赛斯、SENTECH、ISMC等。 CIOE 中国光博会：聚焦光互连，打造 AI 算力集群核心枢纽作为全球光电行业标杆盛会，CIOE中国光博会重点展示光芯片、高速光模块、硅光集成、光电融合、CPO 光引擎等核心产品与技术，直击 AI 算力集群在带宽、功耗方面的发展瓶颈。随着 800G 光模块实现规模量产、1.6T 产品加速迭代，高速光模块已然成为算力服务器之间的 “信息高速路网”；而光芯片、硅光子作为光模块的核心元器件，直接决定数据互连的速率与能效。本届展会集中展出 CW 激光器、EML、VCSEL、硅光 PIC 集成芯片、线性驱动芯片、1.6T/3.2T 高速光模块、CPO/LPO/XPO 解决方案及配套封测设备，直观展现光互连技术作为万卡、十万卡级 AI 算力集群核心节点的价值。展会向上衔接 IICIE 半导体制造、先进封装资源，向下联动 ELEXCON 算力整机、存储配套企业，打通 “硅光芯片制造 —CPO 封装集成 — 高速光互连部署” 全链路，为算力企业提供低延迟、高能效的全栈光互联解决方案。参展企业包含如COHERENT高意、COMPOUNDTEK、ENABLENCE、KAM、LIGENTEC SA、LUCEDA PHOTONICS、MARVELL、MITSUBISHI ELECTRIC、PIC、PLANSEE、POET、SICOYA、SIFOTONICS、SIMWORKS、WD PHOTONICS、WOORIRO、BROADCOM、CREDO、MACOM、SEMTECH、芯思杰、长光华芯、赛勒、光库、海思、光迅、华工正源、新易盛、纳真科技、剑桥、立讯技术、新华三、联特、智禾光通、德科立、昂纳等海内外知名光电企业将携前沿产品重磅参展。 IICIE + elexcon：发力存算一体，释放算力集群极致性能 IICIE同时汇聚芯片及芯片设计企业，聚焦AI芯片底层布局，展会已吸引中兴微电子、北京君正、澜起科技、华大九天、广立微、兆芯集成等头部企业参展，同步设立AI+高性能算力、RISC-V生态两大特色专区，完善国产AI算力全链条生态。 elexcon深耕电子与嵌入式领域，展会现场将集中展示AI存储芯片/模组、嵌入式AI、AI配套电子元器件、功率、电源、高速连接器等方案。目前已有长江存储、康盈半导体、德明利、ARM、SEGGER、研华等头部企业参展，电子与嵌入式同频共振助力国产AI算力全链条生态。双展将以存算一体化为核心，补齐算力系统底层性能短板。搭配同场CIOE高速光互连资源，形成“内部存算高速交互、外部跨节点光速传数”的协同体系。依托IICIE、elexcon、CIOE三展联动，本次展会串联完整AI落地链路：上游覆盖存算芯片设计与封测，中游补齐算力硬件配套，下游衔接高速光互连模块，完整呈现“芯片封装-模组-光互联整机-端边AI应用”全流程，直观展现集成电路、存储、光互连三大板块协同升级，赋能行业端边AI规模化落地。三展同期专业论坛：多维研讨，覆盖全产业链前沿技术三大展会同步相关领域专业论坛，从底层技术、封装工艺到系统应用，全方位解读行业趋势与技术方向：光电融合技术与产业发展论坛：汇聚科研院所、信通院、运营商、行业分析师以及头部器件、制造、封装、测试服务及设备专家，深入探讨硅光集成、光电合封、光计算芯片、核心光器件等前沿技术进展，推动光电融合技术从单点突破迈向全链条成熟，为数字经济高质量发展注入核心动能。先进封装与测试技术论坛：论坛将汇聚设备、材料、封测全产业链核心力量，重点围绕3.5D异质整合架构，深度探讨融合混合键合（Hybrid Bonding）与2.5D中介层的创新设计思路，同步拆解高性能芯片的散热瓶颈与优化方案。其次，针对硅光子光电共封装（CPO）与玻璃基板（Glass Core）的前沿应用，系统阐述光学互连技术与低损耗材料的协同效应，及其在大幅降低数据中心延迟、优化能耗效率中的核心价值。 AI 算力时代 CPO 与光电异构集成技术论坛：聚焦AI算力基础设施演进背景下的CPO产业化实践，汇聚设计、制造、封装、材料、设备、EDA及终端应用企业，共同探讨光电融合时代的新技术路线与产业生态。 SiP China 第十届系统级封装大会：设立“光电互连”分论坛，深度探讨CPO（共封装光学）技术，标志着封装技术正式从“电”时代迈向“光电混合”时代，解决AI数据中心的功耗与带宽瓶颈。智算之源：2026芯算力创新峰会：聚焦于芯片设计价值链的高端对话平台，汇聚全球领先的设计公司、EDA巨擘与核心IP提供商，共同探讨在“后摩尔时代”，如何通过架构创新、设计流程革命与IP复用策略，共同突破算力瓶颈，重塑产业新生态。三展联动核心价值：一站式贯通 AI 光电芯存全生态本届三展同期举办，实现资源互通、优势互补，为全行业带来多重价值：规模空前，生态集聚：三展总展览面积达 32 万平方米，参展企业超 5000 家，预计迎来 24 万余名专业观众，全面覆盖光电、集成电路、电子嵌入式三大核心领域，形成产业集聚效应。高效观展，一站览尽全链：算力运营商、云厂商、服务器企业、AI 大模型团队、通信运营商等专业观众，无需辗转多地，即可一站式考察半导体材料设备、硅光 CPO 光互连、HBM 高速存储、整机嵌入式方案等全环节产品与技术。跨界对接，拓宽合作渠道：光芯片企业可现场对接晶圆代工、先进封装厂商；封测设备企业同步挖掘硅光、HBM 存储两大应用市场；存储、整机厂商可一站式采购高速光模块与光电集成组件，跨界合作高效落地。算力时代，产业链协同发展已是大势所趋。本次 IICIE、CIOE、elexcon三大展会打破单一展会的局限，以全产业链思维整合资源，搭建起集技术创新、供需对接、生态合作于一体的优质平台，助力国内 AI 算力基础设施高质量发展。同时，点击此处一键报名即可一证通行三展！诚邀全球产业同仁 9 月齐聚深圳，共赴行业盛会，携手共创光电芯存产业新未来！扫码登记，一证参观三展！

展会

芯查查资讯 . 2026-07-01 1407
3W D类功放芯片推荐：NX8403兼容替代PAM8403，效率更高成本更优

音频功率放大器是决定消费电子产品音质体验的核心环节，一颗高效、简洁的功放芯片尤为关键。今天的主角——纳祥科技立体声功率放大器 NX8403，不仅可兼容并替代 PAM8403、CS8403 及 NS8403 等型号，也为国产音频芯片的自主化提供了一条可靠路径。（一）芯片概述 NX8403 是一款 3 W 立体声 D 类音频功率放大器，能够以 D 类放大器的效果提供 AB 类功率放大器的性能。芯片采用低噪音、无滤波器结构，可以省去传统 D 类放大器的输出低通滤波器。它需要极少的外围元件，从而节省 PCB 的空间和系统成本，是便携式应用的理想选择。 NX8403 能够以高于 85% 的效率提供 3W 功率，同时具有系统关断及静音控制功能。特殊的线路架构增强了抗噪音能力，减少了射频干扰。（二）主要特性 ① 无滤波的 D 类放大器，低静态电流和低EMI ② 在 4Ω 负载和 5V 电源条件下，提供高达 3W 输出功率 ③ 高达 90％效率 ④ 低 THD，低噪声 ⑤ 短路电流保护 ⑥ 热保护 ⑦ 极少外部元器件，节省空间和成本 ⑧ 封装形式：SOP-16，无铅封装 ⑨ 关断电路 16uA ⑩ 待机电流 6.3mA （三）芯片亮点 NX8403 凭借小封装和极少的外部元器件，助力产品实现更轻薄紧凑的设计，具体优势如下： ①极少外部元器件 NX8403 采用无滤波器架构，省去了传统 D 类放大器必须搭配的输出滤波器——这通常是外围元器件中数量最多、占用面积最大的部分。同时，芯片内部集成了多重保护功能，无需外挂额外保护电路。这意味着工程师在设计时只需极少的被动元件即可完成完整方案，大幅简化了 BOM 清单和采购流程。 ②节省空间和成本元器件的精简直接带来了 PCB 面积的缩减，NX8403 还采用了 SOP-16 无铅封装，进一步压缩了芯片自身的占位面积。在成本层面，元器件数量的减少既降低了材料采购成本，也缩减了贴片焊接工序，使整体制造成本得到有效控制。（四）应用领域目前，NX8403凭借出色的性能表现，充分满足了消费者对家用小功率音响高品质、高保真的使用需求，已广泛应用于各类音频设备与相关领域，尤其在蓝牙便携式音响与桌面音响场景中表现突出： ● 小型音响 ● 便携式播放器、游戏机 ● 蓝牙音响 ● 桌面音箱 ● 便携式音响等

功放

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2026-07-01 931
电动汽车快速充电教程：分立组装与模块组装对比分析

摘要：《实现电动汽车快速充电教程》从技术层面深入探讨驱动下一代电动汽车充电系统的架构设计与相关器件。重点涵盖兆瓦级电动汽车充电技术背后的设计挑战与创新、分立式方案和功率集成模块（PIM）方案如何助力构建可扩展、高效且可靠的快速充电基础设施。我们已经介绍过：《兆瓦级充电系统架构、双有源桥的应用前景等》《电动汽车充电桩的电压等级分类、现代电动汽车充电桩的规格概览》，本文将介绍分立组装与模块组装、兆瓦级充电的可行性实现路径、液冷难题等。分立组装与模块组装的比较 1级充电桩和部分2级充电桩最有可能在设计中使用分立半导体器件。但是，高压充电桩需要采用散热性能更优的器件，分立器件与PIM器件散热方式的对比清晰地说明了这一点。如图所示，各示意图的上半部分为两种封装的芯片至散热器的机械组装剖面，同时标出了结温测量点。下半部分显示了每种机械组装的热电气模型。这里，功率流用电流表示，温度用电压表示。对这些电气状态进行建模时，分立组装的引脚漏电阻参数（PON37W–49W）远高于模块组装（18W–24W）。分立封装不提供电气隔离。因此，即使手动引入热防护加固措施，也不可能从分立封装中导出40W以上的热损耗。在所示位置，分立组装的理论热结温升幅ΔTJH可能高达290℃，而在对应位置，PIM的温度升幅仅有38℃。对于高压应用而言，PIM模块封装可能是唯一选择。兆瓦级充电的可行性实现路径随着全球重型车辆向兆瓦级充电迈进，现有的充电标准可能不再适用。2024年8月，特斯拉推出了Tesla Semi半挂卡车车队，并联合百事可乐展开了全美范围的测试。报告称其EVC效率为每英里1.64千瓦时（kWh/mi）。反向推算可知，每千瓦时可行驶约半英里。因此，为了达到250英里的目标续航里程，电池容量需要接近500kWh。ORNL的兆瓦级系统要在半小时内将特斯拉半挂卡车电池充电至80%，必须能够提供1.2MW的EVC功率。 ORNL的设计确实允许充电系统通过单一电网接入点提供高达16MW的功率，并且每个接入点支持多个端口。然而，这些端口不仅会连接特斯拉半挂卡车等负载，还会连接备用储能系统（ESS）和光伏系统（PV）。右侧表格列出了各端口的充电要求。为了同时满足所有这些要求，充电系统需要使用宽禁带2kV SiC MOSFET[例如安森美（onsemi）的M3S系列]，作为其DC-DC电源转换系统的关键开关元件。液冷难题令许多人感到惊讶的是，电动汽车充电系统在充电过程中，最热的部分竟然是连接器。如今，所有政府认可的国际标准EVC连接器都必须配备液体冷却液的进出口管。该冷却系统是一个闭环系统，冷却液永久密封在其管道和收集罐中。没有液体从外部注入。一种安全、低导电性、不可燃且具有良好导热性能的流体（如乙二醇/水溶液），通过电站内部的独立泵送装置循环流经冷却回路。与充电线缆平行布置的管道直通连接器，可直接接触温度最高的部位。这种接触会吸收热量，将其从连接器带走，再沿电缆组件返回，最终传导回充电站。在充电站中，热量由主动冷却系统处理，例如强制空气通道，或在某些情况下使用第二个封闭液体回路。该系统不仅保护充电桩，还可以保护与其连接的车辆。液冷是目前为止改善结温的最佳方法，不仅能够延缓功率器件的老化效应，还能增强焊点和引线键合的强韧性。然而，在充电站中，除了已有的回路之外，再增加一个独立的液体循环回路来保护电源转换器电子元件，可能并不现实。可扩展性权衡空气驱动的散热系统因操作简便、零部件少、易于集成等优点而备受赞誉。另外，相较于冷却液泄漏，人们对空气泄漏危险性的担忧要小得多。 IEC外壳防护标准IP20规定，电力设备组件需预留自然通风通道，而另一项IEC标准IP65则要求为强制通风通道预留空间。然而，为使这些通道有效，这些标准要求使用较粗的铜线，从而增大与通道气流接触的表面积，但这也会导致电源系统的体积和成本增加。即使抛开标准不谈，风冷系统据称也是充电设备中故障率最高的组件之一，常导致系统失效并产生过大噪声。据报道，有些EVC厂商正在研发所谓的“液体接口”。这种接口能够让围绕功率模块的液体闭环系统实现扩展，并有可能与系统中其他位置的循环泵连接。不过，业界普遍认为，对于采用分立半导体器件的高压充电桩而言，任何液冷系统都无法有效散发其产生的热量。最终在市场上胜出的散热架构，需要在热完整性和可升级性之间取得最佳平衡，并且设计中必须纳入PIM。至少在快速充电EVC普及之前，系统的不同组件可能会搭配不同的闭环散热机制，这种方式完全可行。未完待续，后续推文将陆续介绍功率因数校正（PFC）级、谐振电源转换级、打造更快速电动汽车充电系统的安森美方案、现代地面交通的演进等。

安森美 . 2026-07-01 910
为了您的看球体验，小基站背后的芯片厂商拼了！

目前，“美加墨”世界杯正如火如荼的进行。除了围在电视前观赏这场国际盛事以外，还有不少幸运儿能够到现场观摩。但伴随着汹涌的人潮，运营商需要直面一个头疼的问题——手机因海量用户同时接入而无法上网。从技术上看，这主要源于四大因素：通道因人多被挤爆、无线频谱有限导致带宽不足、应急基站互相干扰，以及瞬间爆发的数据洪峰直接冲垮传输网和核心服务器。面对空前的网络负载压力，如何保障海量并行的网络体验，已成为设备开发者首要解决的头等大事。（AI 生成仅供参考）一切为了更好的体验根据实现方法的不同，上网分为有线和无线（蜂窝与 Wi-Fi）两种。受 ROI（投资回报率）限制，网络容量无法按峰值设计，因此需要方案来应对瞬时数据并发。在蜂窝连接中，运营商常使用小基站。它具备体积小、部署快、回传灵活和功耗低等特点。根据 3GPP 规范，无线基站分为宏基站、微基站、皮基站和飞基站。后三者统称为“小基站”，相较于传统宏基站大幅“瘦身”，发射功率通常在 50mW 至 10W 之间，覆盖半径约为 10 到 200 米。虽然体积远小于传统宏基站，但小基站却“五脏俱全”。具体而言，则包括三大核心模块：采用高主频 SoC、FPGA 或 ASIC 芯片的 BBU（基带处理单元），集成处理器与网络接口，是降低功耗和成本的关键；包含 PA、LNA 及滤波器的 RFU（射频单元），负责将数字信号转换为无线电波，或反向接收信号以及由内置或室外天线组成的天线系统，负责无线电波的收发。小基站架构示意图（AI 生成仅供参考）随着网络的演进，小基站一方面需要去满足更多的频段需求，另一方面还需要去增加带宽。再者，同时满足 5G 和免许可频段的容量和数据速率要求也是必要的。此外，还提高平均功率放大器（PA）的输出功率。然而，这一要求也增加了 PA 设计人员的复杂性，因为他们需要在提高PA 输出功率的同时，保持高线性度和高效率。同时功率限值的提高增加了产生带外失真（Out-of-band distortion）的可能性，导致制造商难以满足频谱发射掩模（SEM）的规范要求。因此，寻找能够提供满足高功率要求 PA 产品的射频供应商，有助于缩短设计周期并减少射频链路（RF chain）中的元器件数量。当然，除了 PA 以外，作为 RF 组成中的重要组成，极具竞争力的低噪声放大器（LNA）、滤波器、双工器、交换机和前端模块产品组合也是必不可少的。在室内和企业级场景中，5G 小基站并非孤军奋战，电信运营商希望用户利用公共 Wi-Fi 热点共享 5G 流量，蜂窝与 Wi-Fi 的固网移动融合（FMC）正成为新常态。在这种趋势下，CPE 也成为缓解网络高流量并发的重要补充。特别是随着 Wi-Fi 8 的到来，CPE 在其中的重要性与日俱增。熟悉这个行业的读者都知道，传统的 CPE 在室内面对多设备连接或邻居 Wi-Fi 干扰时，依然会出现局域网内的延迟抖动。但 Wi-Fi 8 CPE 通过引入创新的物理层与 MAC 层机制，彻底改变了这一现状。得益于其本身的特性，Wi-Fi 8 也能在高密度、多设备、多 AP 的场景下，保证每台设备连接稳定流畅、资源分配公平，提升整体网络可靠性，给用户带来更平顺的使用体验。借用了 Wi-Fi 8 使系统能够通过多链路操作（MLO）、多 AP 协作以及跨三个频段的动态调度，以更智能的方式主动分配资源。然而，信号数量的增加也意味着更复杂的干扰环境。由于目标是提供更稳定的体验，Wi-Fi 8 需要解决的核心问题之一已从信号强度转向信号纯度。总而言之，无论是小基站还是 Wi-Fi，要想使上述设备在实际应用中提供稳定可靠的体验，就需要从主控到射频前端各个环节筑牢高质量的保障底座。而要提升上述设备的能力，首先就要了解设备本身。 Qorvo 的应对之策如上所述，因为小基站对于 PA 和滤波器有很高的需求，因此如何打造先进的 PA 和滤波器是保障其性能的关键。作为一家深耕射频领域多年的厂商，面对这些需求，Qorvo 已然准备了很好的解决方案。针对种种痛点，Qorvo 在工艺上深耕，打造具有超高带宽、优异原始线性度的 PA，解放基带 DPD 算力。此外，公司还推行了多级全集成模组（FEM），让厂商无需射频调试，像拼积木一样快速部署轻量化小基站。除了打造领先 PA 及相应射频旗舰赋能小基站外。因应 Wi-Fi 8 对网络的支持，Qorvo 在这上面也有了广泛的布局。从射频角度看，Wi-Fi 8 延续了 Wi-Fi 7 的 4096-QAM、320MHz 带宽及低 EVM 等核心指标，基础规格并无剧变；真正的挑战在于整体架构更加复杂，主芯片厂商正将更多射频相关的复杂难题，交由前端器件厂商来解决。面对这些问题，Qorvo 提供了包括自适应射频前端、非线性 PA 技术、高集成一体化方案、可扩展系统架构以及更高质量的滤波器等产品，以满足开发者需求。事实证明，在这些解决方案的支持下，用户的 Wi-Fi 8 应用体验水涨船高。值得一提的是，Qorvo 从传统线性 PA 转向非线性 PA 设计，再配合主芯片平台算法，在提升效率的同时降低功耗的做法，更是当前 Wi-Fi 射频前端的主流方向。过去，为了信号质量和 EVM 表现，行业着重强调 PA 线性度。但随着非线性 PA 和 DPD 数字预失真算法逐渐成为主流，系统开始在效率和线性度之间重新平衡。又因为 Wi-Fi 8 可能需要支持 12 路甚至 16 路高复杂度射频链路，为了降低多路并发下的功耗，非线性 PA 设计将会成为未来的首选。来到滤波方面，作为信号“纯净度”的重要守护者，Qorvo 也基于过往的积累，针对 Wi-Fi 8 的需求推出了 coexBoost、bandBoost 和 edgeBoost 三类专属滤波技术。在这些技术的支持下，Qorvo 认为 Wi-Fi 技术可以在高密度、多设备、多 AP 的场景下，保证每台设备连接稳定流畅、资源分配公平，提升整体网络可靠性，给用户带来更平顺的使用体验。正是在 Qorvo 这一类芯片厂商的“死磕”下，我们的无线网络体验在近年来的高流量变革中取得了重大进展。他们凭借这种锲而不舍的硬核精神，克服了一道又一道常人难以想象的技术关卡。下次，当你身处万人高歌的演唱会现场，或是身处设备密集的智慧工厂，依然能流畅地刷出视频、发出消息时，请不要忘记，这正是那些小小基站外壳之下，无数颗芯片在疯狂运转带来的成果。而 Qorvo，毫无疑问是这场无线连接革命中最当之无愧的功臣之一！

Qorvo . 2026-07-01 735