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市场 | 2025年上半年，中国大陆可穿戴腕带设备市场创历史新高，出货量达3390万台

Canalys（现并入Omdia）数据显示，2025年上半年，中国大陆可穿戴腕带设备出货量达3390万台，同比增长36%，继2024年下半年33%的增长后持续强势攀升。这一增长态势创中国大陆可穿戴腕带设备市场上半年度出货量的历史新高，标志着市场进入全新发展阶段。基础手环品类以80%的惊人增速成为增长最快的细分市场，成为推动中国大陆市场强劲表现的主要动力。华为以1200万台出货量领先市场，占据36%的份额；小米紧随其后，出货量达1100万台，市场份额达32%。两家厂商均首次在上半年实现出货量突破千万台的里程碑，其中小米同比增速尤为亮眼，达到101%。 Canalys研究分析师秦艺源（Claire Qin）表示：“国家补贴政策通过鼓励现有用户设备升级、吸引新用户甚至重新激发老用户的兴趣，有效提振了可穿戴手环的需求。大型'618'促销活动相结合，降低了价格敏感型消费者的购买门槛，并推动消费者购买考虑价格更高的基础手表和智能手表，正是'口红效应'的体现。这与近期可穿戴手环的发展趋势相契合——即使定价在1599至2999元人民币（约400美元）区间的设备，在补贴政策的带动下实现了价格下探，进一步刺激了中高端设备的消费意愿。” Canalys研究经理陈秋帆（Cynthia Chen）表示：“拥有完整可穿戴设备产品组合的厂商表现更为出色。华为Watch GT系列凭借健康管理功能与高端教练服务深度融合，在基础手表市场占据强势地位。辅以补贴政策将价格下探至千元以内的有效定价策略，进一步强化了该系列的市场竞争力。与此同时，小米则通过发布小米手环10持续加码基础手环品类，以功能升级与时尚化设计提升个性化体验的同时保持亲民定价。此策略助力小米实现101%的增速，并通过吸引热衷追逐潮流科技的年轻用户，巩固了其在平价市场的主导地位。” 苹果的线上线下直营渠道于二季度首次参与补贴计划，这表明利用政策优化渠道结构、强化官方直营渠道的重要性，有助于其持续保持其在高端智能手表细分领域的市场定位。陈秋帆总结道：“随着国家卫生健康委"健康管理年"倡议的推进，全民健身意识显著提升，高端运动手表需求随之增长。尽管这一细分市场规模仍不算大，却占据中国大陆可穿戴手环市场价值的10%，并为佳明（Garmin）、高驰等品牌带来更高利润空间，为其他厂商实现高端化转型提供可借鉴路径。随着鼓励运动的政策持续推动全民健身热潮，厂商必把握本土化健身趋势，推出更适用于个人及团体用户的AI教练和不同运动场景下的智能指导等功能。这些创新不仅能影响消费者行为，更能通过反馈和数据分析实现产品功能的持续优化。” 可穿戴腕带设备 Canalys可穿戴腕带设备分析服务为各大厂商，产品，渠道决策者，提供领先于市场的全面、及时和高质量的出货数据追踪和服务，我们将全球30多个市场，40+厂商出货量的追踪数据与我们独有的一级和二级渠道数据相结合，为客户全球策略的制定，精准把握市场规模，识别增长机会以及可以改进的领域，提供专业的数据支撑。我们的可穿戴腕带设备出货数据拥有精准细致的追踪维度，以严格的方法论为指导，细分至市场、厂商，渠道等不同维度。此外，我们还发布季度预测，以帮助客户更好地了解可穿戴腕带设备行业的未来发展和不断变化的行业格局。我们全球的分析师团队为客户提供专属分析沟通会，并协助决策者深入了解最关键的市场趋势，以多层次的数据分析维度提供第三方分析洞见和可执行建议。

可穿戴设备

Canalys . 2025-09-10 8556
产品 | NSSine超高性价比新品：NS800RT113x实时控制MCU，开启“M7平权”新时代

随着行业对算力与实时性的要求不断提升，传统 MCU 平台在运算能力、存储速度与外设性能方面逐渐显现瓶颈。为解决这一挑战，纳芯微推出 NS800RT113x 系列 MCU，该系列基于 Arm® Cortex®-M7 内核，集成自研 mMATH 数学加速核、高速 ADC、精细 PWM 及可编程逻辑模块等创新功能，全面满足电机控制、电力电子等对高性能与高实时性要求严苛的应用需求。此次发布标志着 M7 内核 MCU 进入更广泛的应用场景，为客户带来前所未有的性能平衡与价值体验。高性能高性价比M7内核，突破算力门槛 NS800RT1135/1137 搭载主频 200MHz 的 Cortex®-M7 内核，支持 ECC 的 128~256KB Flash 与 80KB TCM（CPU核内0等待内存），均支持ECC功能，显著提升实时计算性能。配合纳芯微自研的 mMATH 数学加速核，可高效处理三角函数、超越函数与浮点运算，全面增强控制类应用的算力支持。在 MCU 市场中，Cortex®-M4 内核是最常见的主流选择，而 NS800RT113x 系列率先将 Cortex®-M7 内核引入更广泛应用。相较于M4 内核，M7 内核在 DMIPS/Hz 与 CoreMark/Hz 上分别提升 83% 与 49%，并原生支持核内 TCM，实现 CPU 同频 0 等待访问。当前“算力单价”日益受到行业关注，许多应用创新与成本优化都面临算力瓶颈的制约。NS800RT113x 系列高性价比 MCU 的推出，将推动 M7 内核在电机驱动、电力电子及工业控制等场景实现更广泛应用，让客户能够以合理成本获得高性能计算能力，突破算力限制，释放更多创新潜能。先进的控制外设，轻松驾驭复杂场景该系列集成 14 路 PWM，由专用事件管理器控制，并支持多达 8 个比较点的配置，实现高精度 PWM 输出和快速波形响应。其中 2 路高精度 PWM 更可达 80ps 分辨率。高速 ADC 最高采样率达 4.375Msps，支持双模组 21 通道采集，满足复杂信号实时监测需求。片上独创的 2 个 CLB 可编程逻辑模块，可灵活实现复杂时序控制与保护电路，减少外部器件依赖，降低系统成本。多样接口与封装，灵活适配设计需求 NS800RT113x 系列配备 3 路 UART、2 路 SPI、2 路 I2C 及 1 路 CAN 2.0 接口，适配多样化系统需求，并提供 LQFP64、LQFP48、QFN48 与 QFN32 多种封装，兼顾高性能与灵活设计。 NS800RT113x系列选型表供货和价格信息 NS800RT113x系列现已正式发布并可送样。其中，量产后 NS800RT1135-DQNGY2（封装：QFN32）在1千片采购数量的基础上，含税单价仅需5元人民币起。如需了解更多供货及价格详情，欢迎垂询 sales@novosns.com。

MCU

纳芯微电子 . 2025-09-10 3550
产品 | 苹果iPhone 17系列全新登场，5999元起售

9月10日凌晨 1 点，2025 苹果秋季发布会准点揭幕。这场以 “前方超燃”（On Fire）为主题的发布会，作为承载无数期待的科技盛宴，瞬间点燃全球科技圈热情。整场发布会的绝对主角，无疑是万众瞩目的 iPhone 17 系列，从核心芯片性能到屏幕显示效果，再到影像系统配置，均呈现关键升级，成为全场关注的核心焦点。此外，新款 Apple Watch、AirPods 也加入新品阵容。 iPhone 17 系列共推出四款机型，分别为 iPhone 17、iPhone 17 Air、iPhone 17 Pro 与 iPhone 17 Pro Max，完整覆盖不同用户需求。该系列将于 9 月 12 日晚 8 点正式开启预购通道，9 月 19 日同步上线发售。关于用户最为关心的国行版售价如下： iPhone 17标准版：256GB：5999 元起；512GB：7999 元起； iPhone Air：256GB：7999 元起；512GB：9999 元起；1TB：11999 元起； iPhone 17 Pro：256GB：8999元起；512GB：10999元起；1TB：12999元起； iPhone 17 Pro Max：256GB：9999 元起；512GB：11999 元起；1TB：13999 元起；2TB：17999 元起；关于上述四款机型的各项核心性能与关键参数，本文已进行梳理总结。 iPhone 17 iPhone 17搭载3纳米A19芯片，该芯片内置6核CPU（包括2个性能核心和4个能效核心），以及5核GPU。配备优化的神经网络引擎，专为Apple 智能量身定制。在A19的支撑下，设备端生成式模型和大语言模型运行速度会快上加快。值得注意的是，苹果自 2020 年推出基于台积电 5nm 架构的 Apple Silicon A14 芯片后，后续两年按序发布 A15、A16 芯片，持续推进芯片工艺迭代。2023 年，随着 3nm 工艺技术走向成熟，苹果开始采用台积电 N3B 工艺，这一调整为旗下设备带来性能与能效的双重提升，成为芯片升级的重要节点。不过从当前信息来看，iPhone 17 系列打破了此前的迭代节奏 —— 这是该系列连续第三年沿用 3 纳米工艺技术，未像往年一样推进工艺代际更新。据悉，苹果可能要等到2026年的iPhone 18系列才会采用2nm芯片。届时，iPhone 18 Pro机型可能会首批采用2nm工艺，而标准款的iPhone 18可能仍将使用3nm工艺。外观方面，iPhone 17提供了薰衣草紫色、青雾蓝色、黑色、白色以及鼠尾草绿色五种配色。屏幕方面，iPhone 17配备了6.3英寸ProMotion显示屏，支持最高120Hz的自适应刷新率。全天候显示屏最低可降至1Hz，并在锁屏界面支持实时活动和小组件。该屏幕还拥有最高3000尼特的户外峰值亮度。为提升耐用性，iPhone 17采用了第二代超瓷晶面板（Ceramic Shield 2），其抗刮擦能力提升了三倍。影像系统方面，iPhone 17配备了4800万像素双融合摄像头系统，支持1倍和2倍光学变焦。该系统可在4800万像素或日常使用的2400万像素模式间切换。在2倍变焦模式下，光学长焦镜头可实现52毫米等效焦距。该摄像头系统巧妙地将超广角镜头和主摄像头融合为一体，提供13毫米和26毫米的焦段选择。此外，前置摄像头还支持人物居中功能，使其拥有更灵活的构图方式。续航方面，iPhone 17承诺“全天候续航”，视频播放时间比iPhone 16增加8小时。此外，仅需充电10分钟，即可获得8小时的视频播放时长。 iPhone 17 Air iPhone 17 Air的问世，是革命性的。因为其主打极致轻薄设计，机身厚度仅5.6毫米，被称为“迄今最薄的iPhone”。 iPhone 17 Air共有4款配色，分别为天蓝色、浅金色、云白色、深空黑色。 iPhone 17 Air正面配备 6.5 英寸 120Hz ProMotion 刷新率面板（峰值亮度 3000 尼特），支持 AOD 1Hz 熄屏显示，匹配 18MP 自拍摄像头。手机背面配备 48MP 融合摄像头（等效 26mm，光圈 F/1.6）。性能层面，iPhone 17 Air搭载最新的A19 Pro处理器，拥有5核图形处理器，引入第二代动态缓存结构，GPU 峰值运算能力高达 A18 Pro 的 3 倍。同时还引入了苹果设计的 N1 芯片，支持Wi-Fi 7、蓝牙 6.0 和 Thread 网络。以及全新的C1X 自研 5G 基带芯片，其速度提升2 倍，能耗降低了 30%。影像方面，iPhone 17 Air采用4800万像素融合单摄方案，集成2倍长焦，借助苹果优化的影像算法，实现更高的画质与细节表现。此外，iPhone 17 Air还将全面转向eSIM设计，延续苹果在简化物理接口、推动通信标准升级上的方向。 iPhone 17 Pro/Pro Max iPhone 17 Pro 和 iPhone 17 Pro Max两款机型凭借全新一体化铝合金机身设计、革命性散热系统及全面升级的影像能力，被苹果CEO蒂姆·库克称为“迄今为止最先进的iPhone”。 iPhone 17 Pro系列共有3款配色，分别为:银色、星宇橙色、深蓝色。外观方面，苹果 iPhone 17 Pro 和 iPhone 17 Pro Max 重构了摄像头模组结构，采用了全新横向大矩阵摄像头设计。这种设计一方面可以提升视觉协调性，而另一方面为升级版长焦镜头提供更多物理空间。核心配置上，iPhone 17 Pro搭载A19 Pro芯片，对比iPhone Air上的A19 Pro，iPhone 17 Pro使用的A19 Pro多了一个GPU核心，图形性能更强。影像能力上，iPhone 17 Pro系列的影像系统实现全面跃升，后置三摄——广角、超广角与潜望式长焦——均升级为4800万像素融合式传感器。其中长焦镜头支持4倍光学变焦（等效100mm）和8倍高品质混合变焦（等效200mm），数码变焦最高可达40倍。前置摄像头统一为1800万像素，支持人物居中功能。视频拍摄能力再进阶，新增对ProRes RAW格式的支持。另外，苹果给iPhone 17 Pro用上VC均热板，得益于全新的散热系统，iPhone 17 Pro通过一体成型铝合金机身快速散热，能充分释放A19 Pro芯片的强悍性能。 Apple Watch、AirPods扎堆亮相除iPhone外，本次发布会还是近三年来首次进行 Apple Watch 全系列的同步更新，包括Apple Watch Series 11、Apple Watch Ultra 3、以及Apple Watch SE 3。这些手表在健康监测功能、耐用性、续航能力以及智能体验方面均实现了显著提升。本次发布的新一代Apple Watch Series 11售价为2999元起，Apple Watch SE 3售价为1999元起，Apple Watch Ultra3售价为6499元起。 Apple Watch系列为9月11日早9点接受预购，9月19日发售。 Apple Watch Ultra 3 作为本次升级亮点，这也是苹果史上最大屏幕、最长续航的手表。外观与显示方面，Apple Watch Ultra 3 采用了先进的广视角 OLED 和 LTPO3 技术，从倾斜角度看屏幕亮度更高。该手表增加 5G 蜂窝网络支持，以及卫星连接功能，电池续航达 42 小时，还有高血压检测等。 Apple Watch SE 3 作为入门级产品，配备了强大的 Apple Watch 芯片 S10，拥有常亮显示屏，并支持手腕轻弹等手势操作。该款手表续航时间长达 18 小时，同时支持快速充电，充电速度比上一代 SE 2 快两倍，仅需 15 分钟即可延长使用时间 8 小时。在外观方面，提供星光色和午夜色两种选择，采用铝制材质打造。健康监测功能进一步增强，除了已有的跌倒检测和碰撞检测外，新增了腕部温度感应、睡眠呼吸暂停通知以及睡眠评分功能，为用户的健康保驾护航。Apple Watch Series 11是本次发布的最薄且舒适的表款，它采用全新的RS玻璃与陶瓷表层设计，硬度提升两倍，耐用性显著增强。该手表配备最新的5G调制解调器和天线架构，支持5G网络连接，耗电更少，覆盖范围更广。 Series 11的电池续航最长可达24小时，表盘设计新增流动风格和精确识别样式。最受大家欢迎的耳机产品也将在下个月推出新款—AirPods Pro 3。 AirPods Pro 3起售价维持249美元不变，与前代持平。新品已于发布会后开启预售，计划于9月19日正式发售。这是苹果新款耳机首次加入心率监测功能，并升级了主动降噪系统（ANC）与实时翻译特性。AirPods Pro 3采用全新的声学设计，带来更出色的音质表现。其主动降噪性能显著增强，官方称降噪效果达到前代产品的两倍，配合新的耳塞材料和优化的密封性，部分场景下综合降噪能力可达上一代的四倍。功能方面，AirPods Pro 3深度集成Apple Intelligence，首次引入“实时翻译”功能。用户可通过双手同时按压耳柄的“新手势”激活该功能，耳机将自动降低环境音，实时播报翻译内容。配合iPhone上的翻译应用，用户的语音可被转换为文字并翻译成目标语言，显示在屏幕上，实现面对面跨语言交流。健康功能也迎来拓展，AirPods Pro 3内置心率传感器，支持50种运动项目的心率监测，并可在运动过程中提供实时语音激励。续航方面，开启主动降噪模式后，单次续航从6小时提升至8小时，通透模式下延长至10小时，整体使用体验更加持久。充电盒同样支持MagSafe和Qi2无线充电。

苹果

网络 . 2025-09-10 7 1.8w
企业 | 戴尔在华启动新一轮裁员，赔偿“N+3”

在多次公开否认“退出中国”后，戴尔科技（Dell Technologies）仍于近日启动新一轮在华裁员。根据南华早报9月8日获得的消息，美国科技巨头戴尔（Dell Technologies）已启动年内第三轮对华员工裁员计划。两名知情人士透露，戴尔本周起将与受影响员工进行一对一沟通，最终离职日期定为10月10日。在此之前，员工可申请公司内部其他空缺职位，赔偿方案沿用“N+3”，但可选内部转岗名额“几乎为零”。据知情人士透露，这是戴尔中国近三个月内的第三轮裁员： 8月15日，首轮集中在厦门工厂生产线； 9月12日，第二轮波及上海中山公园CDC研发中心； 10月10日，第三轮“落槌”对象仍为上海五角场COE与厦门EMC存储事业部，客户端解决方案集团（CSG）亦在名单之中。 “每轮都说是‘局部优化’，但加起来就是‘一锅端’。”一位刚收到通知的工程师说，他所在的存储测试组原本30人，现在只剩3个留守，“领导自己也在找工作”。戴尔财报显示，2025财年（截至1月31日）全球员工总数约10.8万人，比上一财年的12万人减少1.2万，降幅10%。公司把原因归为“业务现代化与成本纪律”，但细分数据透露，客户端业务运营利润同比下滑9%，中国PC市场更是直接跌出前五，Canalys最新季度报告已将其归入“Others”。社交平台上，被裁员工晒出赔偿公式：工龄≥1年可拿“N+3”；工龄＜1年按“N+2”封顶。 “到账数字好看，但下家不好找。”一位入职7个月的软件工程师透露，同类岗位在招聘网站缩量一半以上，“简历投出去，HR第一句就问‘能不能接受降薪30%’”。截至发稿，戴尔中国未回应本轮裁员人数及后续安排。而就在三个月前，戴尔全球副总裁还在公开场合重申“中国是重要市场”，并否认供应链外迁传闻。 8月，硬件博主@硬件茶谈在微博发布了一则“戴尔退出中国计划核心时间轴”的博文，该条博文的配图中详细列出了戴尔退出中国的时间节点：2025年第四季度厦门/成都工厂停产；2026年第一季度消费级PC线停售，并且不再签订企业服务合约；2026年第三季度上海研发中心迁往新加坡；2027年第三季度法律实体注销。随后，戴尔官方回应称：“这是谣言，我们不会对谣言进行评论。”戴尔补充道：“戴尔将继续聚焦业务发展，致力于服务中国的客户及合作伙伴。” 早在2023年1月，《日经亚洲》就报道称，戴尔要求“显著减少在产品中使用中国制造芯片的数量”、“到2024年，戴尔要实现其产品使用的所有芯片都在中国以外生产”、“戴尔要求电子模块和印刷电路板等其他组件的供应商和产品组装商提高在中国以外国家的产能。” 戴尔并非孤例。过去18个月里，IBM关闭中国投资公司，研发实验室千人离职；美光暂停移动NAND产品线，上海、深圳数百岗位消失；微软上海AIoT实验室直接关灯，部分员工被劝“回流总部”。戴尔在2025财年年度报告中曾表示，公司始终致力于严谨的成本管理，并与持续推进的业务现代化计划相协调，采取包括限制外部招聘、员工重组等多项措施降低成本，使投资与已宣布的战略和客户优先事项保持一致。"尽管面临这些艰难的抉择，公司仍将继续致力于赋能员工，并吸引、培养和留住人才。" 截至发稿前，戴尔官方尚未就此次裁员的具体规模和后续安排发表进一步说明，事件进展仍有待观察。

戴尔

电子工程专辑 . 2025-09-10 2 4555
技术 | 从技术突破到场景落地，多维创新引领 5G 射频芯片升级

中国5G基站总数已达455万个，5G移动电话用户达11.18亿户，5G应用正呈现B端加速落地、C端稳步创新的态势。这种全场景需求驱动下，射频芯片作为5G基础设施的核心，正面临多频段覆盖、高集成度、低功耗、跨场景适配等多重挑战。 Qorvo以业界性能领先的产品提供支撑，覆盖小基站、固定无线接入（FWA）、客户终端设备（CPE）、5G基站（gNodeB）、卫星通信等应用场景，实现从兆赫兹（MHz）到毫米波（mmWave）的全频段覆盖，通过完整产品组合动态满足 5G 需求，推动射频芯片技术落地场景。 mMIMO与FWA：高集成组件破解射频前端核心难题 mMIMO与FWA作为5G商用落地的核心场景，随着5G场景化落地进程加速，缩小射频尺寸、优化散热性能及简化设计成为行业普遍面临的核心困境。对此，Qorvo凭借高效的前置驱动器技术与紧凑型高抑制比BAW滤波器，能够提供高可靠性的射频基础组件，进而助力客户高效实现高性能mMIMO、FWA及其他5G应用的落地。 QPQ3550是专为3.55–3.7GHz CBRS频段设计的BAW滤波器，具有小于2dB的最大插入损耗、群时延小于40ns且输入功率承载能力达30dBm，能降低信号衰减、保障传输稳定可靠；其2.0×1.6mm层压封装非常适用于CPE、FWA节点、小型蜂窝基站等紧凑型多频段无线系统。 Qorvo宽带高效预驱动放大器QPA9862专为5G mMIMO无线系统设计，可支持32T和64T基站架构。其采用3.0×3.0mm LGA紧凑型封装，适配密集天线阵列狭小空间；支持无缝替换，无需改动现有PCB布局，显著提升产品迭代效率。该放大器工作温域覆盖-40°C至+115°C，可耐受基站极端运行环境，降低运维故障率；同时内部集成匹配网络，减少外围离散元件使用，既简化射频前端设计，又能降低外部干扰，提升信号稳定性。小基站：密集化部署下的灵活适配与成本优化随着5G网络容量需求激增，小基站作为宏基站的关键补充，已成为密集城区、室内场馆等场景的 “容量倍增器”，但仍面临 “规模化部署成本” 与 “多场景适配性” 的双重矛盾。对此，Qorvo 通过 “标准化模块+定制化组合” 策略针对性破解： Qorvo的QPQ3509 BAW滤波器专为基站应用设计，可覆盖3.7-3.98 GHz 5G频段，采用2.0×1.6毫米超紧凑型封装，适配小基站小型化硬件设计需求。该滤波器核心优势突出：低插入损耗可最大限度减少信号传输中的功率损耗，保障通信效率；高带外衰减能强效屏蔽相邻频段干扰，提升信号纯净度，是5G C频段小基站的高性能滤波优选。 QPB9850开关低噪声放大器模块集成了两级低噪声放大器与高功率处理开关。该模块工作频率覆盖2.3-5GHz宽频带，其高功率承受能力的开关可在无线电处于发射模式时保护低噪声放大器，同时还能关闭低噪声放大器的电源以降低设备功耗，为5G基站射频前端提供了紧凑且高效的接收解决方案。两款产品协同搭配，既能实现频谱适配、性能优化与空间节省的多重目标，又可以通过标准化模块特性降低了设计与成本门槛，为小基站突破部署瓶颈、加速5G网络致密化进程提供可靠的射频前端支撑。卫星通信：应用空天连接的能效革命，填补全场景盲区在“空天地一体化”通信网络加速落地的当下，卫星通信已成为填补海洋、沙漠、极地等地面网络盲区的核心支撑，更是应急救灾、远洋航运、偏远地区互联的 “生命线”。 Qorvo专为基于相控阵的用户终端设计的硅基Ku波段卫星通信波束成形IC系列产品AWMF-0240(Rx)和AWMF-0241(Tx)，该系列产品可在不牺牲等效全向辐射功率或噪声灵敏度的前提下，实现行业领先的能效水平，其核心优势精准破解行业难题：在功耗优化上，通过显著降低直流功耗，保证关键性能的同时，解决传统终端续航短、便携性不足的问题，适配野外、应急等无固定供电场景；在设计集成上，无需额外搭载外部低噪声放大器，有效减少终端体积与重量；无需复杂校准即可稳定运行，大幅降低研发生产难度与部署成本；在场景适配方面，可充分响应全球高速、可靠的卫星通信需求，同步满足商业（如远洋航运、偏远地区互联）与国防领域相控阵终端的核心诉求。结语从mMIMO与FWA的小型化需求，到小基站的密集化适配，再到毫米波的高容量突破，Qorvo以“材料创新+架构集成+场景深耕”的三维策略，推动5G射频芯片从“技术可行”走向“商业落地”，产品矩阵不仅解决了当前5G部署中的频段兼容、成本控制、覆盖短板等痛点，更通过预研混合信号集成、AI射频优化等技术，为5G-A与6G奠定基础，持续引领全球通信技术的演进方向。

小基站

Qorvo . 2025-09-09 2 6425
有奖直播 | 艾迈斯欧司朗 2025CIOE 展台直击！

当传感融于光，未来便有了可触的形状。从微观尺度到全域感知，艾迈斯欧司朗将携近20款传感、光源、可视化创新Demo，于中国光博会CIOE 2025，为您揭开光影赋能万物的奥秘。 9月11日14:00，芯查查直播间带您直击CIOE 2025 艾迈斯欧司朗展台现场，多款好礼在直播间送不停！扫描上面图片的二维码，或者点击“直播”链接，即可预约直播。进入芯查查直播间的用户，填写报名问卷后，有机会赢取ams OSRAM定制书包、京东卡、定制水杯、定制蓝牙键盘等丰厚礼品，快来参与吧！ 9月11日14:00 相约芯查查直播间ams OSRAM CIOE 2025 专场还有多款互动礼物！快来参与吧！

传感器

芯查查 . 2025-09-09 1695
市场 | 2025年上半年全球高端智能手机销量创历史新高

根据Counterpoint Research于2025年7月发布的《手机型号销量追踪》报告，2025 年上半年全球高端智能手机销量同比增长8%，创上半年历史新高；增速高于同期仅同比增长4%的全球智能手机总市场。随着消费者对智能手机的使用深度与粘性持续提升，并在可负担能力增强的背景下升级至高端设备，“高端化”趋势在各地区愈发明显。多数品牌与地区均受益于这一趋势。整体来看，高端市场贡献了全球智能手机营收的60%以上，凸显其战略重要性。苹果（Apple）在上半年仍然是最大的品牌，同比增长3%，在高端市场份额达62%。但由于其他OEM厂商增速更快，苹果的份额有所回落：其在新兴市场的表现提升，但在中国被华为与小米蚕食。凭借忠诚用户群与强大的线下覆盖率，华为在中国仍极具吸引力，并通过诸如三折叠Mate XT等独特设计机型，不断收复份额并赢得消费者的青睐。图来源：Counterpoint Research手机型号销量追踪，Q2 2025 小米（Xiaomi）在中国高端细分市场的表现亦有显著提升。其不仅在智能手机业务推进高端化，也在电动汽车（EV）与物联网（IoT）业务同步发力；高端EV的光环效应正反哺手机业务，而手机又与EV、IoT深度整合。谷歌（Google）时隔五年重返高端智能手机品牌前五。其销量在Pixel 9系列强劲表现、拓展新市场与更积极的营销推动下同比翻倍。谷歌正将Pixel系列定位有纯净软件体验的AI优先设备，而非仅强调硬件参数，消费者对Pixel的信心正稳步提升。三星（Samsung）依托S25系列实现增长，该机型表现优于S24。展望未来，受益于显著的硬件升级，Z Fold7也有望优于前代。从国家/地区层面看，前十大高端市场贡献了该细分市场近80%的销售额，其中印度以同步37%的增长成为增速最快的市场，主要由苹果的良好表现与便捷融资推动，显著扩大了高端设备的可及人群。就绝对数量而言，作为全球最大的高端市场的中国仍是增长的最大贡献者。折叠屏仍属一个小众但不断增长的品类——既是品牌差异化的关键抓手，也是扩展高端/奢华产品线的战略步骤。对消费者而言，折叠屏在形态上带来了焕新体验。苹果预计将于2026年入局，或进一步推动该细分市场增长。在AI方面，具备生成式 AI（GenAI）能力的设备在2025年上半年占高端智能手机销售的80%以上。高端消费者持续青睐前沿创新，各品牌也在将GenAI打造成该细分市场的下一代关键差异因素。随着硬件差距的缩小，消费者的选择将越来越依赖于AI生态系统。

智能手机

Counterpoint Research . 2025-09-09 1 3860
产品 | 艾为推出30V工业级宽电压线性稳压器AWP3778L05

在工业设备及智能小家电控制系统中，电源供电质量是影响设备使用寿命的关键因素！艾为针对严苛的工业应用环境，重磅推出新一代宽电压输入电源芯片AWP3778L05，支持最高30V输入电压，5V稳定输出电压，并且采用SOT89-3封装。该产品凭借卓越的电压稳定性、高效能转换及工业级可靠性，已经成功应用于电吹风等智能小家电以及其他多个工业领域。 AWP3778L05产品优势宽电压输入：适应复杂工业环境 AWP3778L05支持最高30V输入电压，可耐受工业场景中常见的电压波动与瞬态尖峰，确保在高干扰环境中稳定输出5V电压，为后级电路提供干净电源。全维度保护机制内置短路保护（SCP）、过温保护（OTP）与过流保护（OCP），在电吹风热保护、电机堵转等异常工况下自动切断输出，防止器件损坏。独特的电流限制设计可平衡负载驱动与系统安全性。 AWP3778L05产品介绍输入电压范围：7V ~ 30V 输出电压：5V 100mA最大输出驱动能力静态功耗：300µA 低Dropout：750mV (IOUT=40mA, VOUT=5V) 输出电压精度：±5% 支持OCP OTP 封装：SOT89-3L 图1 AWP3778L05封装信息图2 AWP3778L05典型应用图应用场景可广泛应用于电吹风等智能小家电以及其他多个工业领域。图3 小家电领域图4 工业领域产品选型表 Low VINLDO 表1 Low VINLDO 产品选型表 Mid VINLDO 表2 Mid VINLDO 产品选型表 High VINLDO 表3 Mid VINLDO 产品选型表 LDO PMICs 表4 LDO PMICs产品选型表

电源芯片

艾为官网 . 2025-09-09 985
展会预告｜芯查查与您相约SEMI-e深圳国际半导体展

SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展将于9月10-12日在深圳国际会展中心（宝安新馆）开幕。此次展会以 “IC设计与应用”、“IC制造与供应链”、“化合物半导体” 为三大核心主题，全面覆盖集成电路全产业链。芯查查将精彩亮相本届SEMI-e深圳国际半导体展（展位号：14号馆14N11），全面呈现我们覆盖半导体产业的海量数据资源与服务能力，多维度展示行业生态全景。现场更有权威人形机器人报告与精美文创周边等您来领，诚邀您莅临交流！芯查查云逛展同期，CIOE中国光博会也将联动启幕。芯查查将带您云逛展，直击艾迈斯欧斯朗展台，深度探索dTOF、先进LED、新一代红外IR:6等前沿光学技术。观看直播更有丰富好礼等您来拿，敬请期待！ SEMI-e 2025深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展芯查查与您相约！还有多款互动礼物！快来参与吧！

半导体

芯查查 . 2025-09-09 1840
技术 | PCIe Gen6加速落地，泰克携手安立与澜起展示完整一致性测试方案

PCIe总线的高吞吐量和低延迟，使得处理器与处理器之间、处理器与外围芯片之间能更高效地协同工作，这对于处理大规模的神经网络和复杂的AI模型至关重要，是AI蓬勃发展的关键技术底座之一。根据行业动态推测，新一代PCIe规范 - PCIe Gen6将在2025年下半年开始加速落地。值此技术迭代的关键时期，泰克(Tektronix)和安立(Anritsu)在2025年8月26日于苏州举办的PCIe技术发展大会上，展出了物理层发送端&接收端一致性测试的完整解决方案，并对澜起的PCIe6 Retimer产品在现场进行了实测演示。优异的实测结果展示了泰克、安立和澜起领先的产品力。 PCIe：AI算力的关键底座随着人工智能与大模型的爆发式增长，数据中心与高性能计算系统对高速互连的依赖日益增强。PCIe总线凭借高吞吐量、低延迟、良好的兼容性，成为处理器与处理器、处理器与加速器、处理器与存储/网络之间协同的核心通道。在 AI训练场景中，PCIe 提供海量数据搬运能力，确保 GPU/AI 加速器高效并行。在数据中心与云计算中，PCIe 保证高速网络卡、存储设备与 CPU 的高效交互。在车规与边缘计算领域，PCIe 则是实时处理与低功耗优化的基础设施。随着速率跨越式提升至 64 GT/s (Gen6)，链路中的损耗、抖动、误码等问题更加突出，一致性验证和信号完整性保障成为产业升级的关键。根据行业预测，PCIe Gen6 将在2025年下半年开始加速落地，这也意味着整个生态对测试与验证工具提出了前所未有的要求。技术迭代下的合作展示在这一关键时期，泰克 (Tektronix) 与安立 (Anritsu) 于2025年8月26日在苏州举办的 PCIe 技术发展大会上，联合展出了物理层发送端与接收端一致性测试的完整解决方案，并携手澜起科技 (Montage) 现场实测了其 PCIe Gen6 Retimer 产品。本次演示不仅覆盖了 CEM一致性测试的完整流程，还通过真实 DUT 的接入，向业界展示了可落地、可追溯的测试能力。发送端一致性测试：精细化控制与自动化分析在发送端 CEM 测试环节，泰克 59GHz 示波器作为核心仪器，承担了高精度波形采集与自动化分析任务。码型切换与损耗仿真：示波器联动 AFG 自动切换测试码型，并在 Gen6 测试模式下注入 18.2 dB 链路损耗，真实还原高速互连环境。自动化分析：结合 PAMJET 软件，完成长时间波形的自动采集与结果判定，生成 Pass/Fail 报告。参数测量覆盖全面：包括眼图（眼高/眼宽）、抖动（Jitter）、SNDR（信噪失真比）、Preset 测试等，全面对标 PCI-SIG 协会规范。噪声修正：通过内置工具建立 Scope Noise 数据库，消除示波器底噪影响，确保结果的准确性。现场结果表明：眼高、眼宽裕量充足，远高于协会最低要求；眼图对称性良好，信号完整性表现稳定；测试流程全自动化，工程师无需手动反复调试，大幅提升效率。接收端一致性测试：链路训练与误码验证在接收端测试环节，安立 MP1900A BERT 配合澜起 DUT，完成了基于 PCIe Gen6 最新规范的 Link Training 与误码率验证。测试拓扑：PG 输出 → ISI 通道 → CBB → DUT 接收端 → DUT 发射端环回输出 → BERT 内置 Redriver & Equalizer → 误码检测。校准过程：首先完成接收端校准，选择合适的 ISI Pair，确保链路处于标准损耗环境下。 BER 测试：在完整训练至 64 GT/s 链路下，DUT 的 First BER 达到 1E-10，完全满足 CEM 规范。调试功能：系统可追踪从 Gen1 (2.5 GT/s) 到 Gen6 (64 GT/s) 的完整训练过程，便于工程师快速定位链路问题。共赢未来：测试为创新护航通过本次联合演示，业界可以看到 PCIe Gen6 从规范到实测落地的可行性：加速 AI 算力规模化：为大模型训练与推理提供稳定的高速互连。支撑新一代数据中心：帮助服务器、网络与存储系统实现更高能效比。推动本土创新：澜起 Retimer 的成功验证，标志着本土芯片企业在 PCIe Gen6 生态中的重要地位。此次泰克与安立的合作展示，不仅展现了全流程一致性验证能力，也通过与澜起的协作，体现了测试厂商与本土企业共建生态的决心。未来，泰克将继续秉持 “测试为先” 的理念，携手更多合作伙伴推动 PCIe Gen6 的产业化落地，为 AI、数据中心、新能源与高性能计算等前沿应用提供坚实的互连基础。

PCIe

泰克 . 2025-09-09 1485
国产存储桥接芯片破局，合肥云澜电子发布2款存储桥接芯片

随着随着NVR、存储阵列、NAS 设备在数据中心、安防监控等领域的广泛应用，市场对多存储桥接芯片的需求日益迫切。包括SATA的PM芯片，以及PCIE转sata芯片等长期以来，这一关键芯片领域被美国及台湾地区企业主导，国内企业缺乏自主可控的解决方案，不仅推高了应用成本，也存在供应链安全风险。在此背景下，合肥云澜电子科技有限公司自主研发的2款存储桥接芯片，分别是sata pm芯片，型号为YLB3105,以及 PCIE 转 SATA 芯片 YLB3118 应运而生，成为打破国外垄断的重要突破。该芯片采用 8*8 TFBGA-143 封装，上行接口为 PCIe Gen3 x2，搭配 100MHz 差分输入参考时钟，下行则提供 8 个 SATA 3.0 接口，可直接满足当前市面上 8 盘位存储设备的需求，无需额外复供 8 个 SATA 3.0 接口，可直接满足当前市面上 8 盘位存储设备的需求，无需额外复杂转接。同时，芯片还支持 SPI、UART、I2C 接口及 19 个 GPIO，配备 25MHz 外置晶振，兼容 3.3V IO 电压与 1.1V 内核电压，功能全面且适配性强，尤其适用于后端 DVR、NVR 及数据中心等核心场景。 SATA-PM芯片资料 YLB3105是一款SATA PM控制芯片。该产品面向DVR、NVR以及数据中心等应用场景，提供6个独立SATA通道，支持1 to 5的sata 接口拓展。通用规格 . 参考时钟25MHz，由外置晶振提供 . 支持SPI接口，可连接外置SPI flash（默认无flash模式） . 支持UART接口 . 支持15个GPIO . 支持3.3V IO电压，1.1V内核电压 . 9*9 QFN-64封装 SATA接口规格支持6个SATA 3.0接口支持6Gbps，3Gbps，1.5Gbps的传输速率支持partial/slumber低功耗模式支持SSC 支持热插拔支持LED闪灯，指示接口Ready、Busy、Error等状态支持ATAPI 支持PM aware and non-PM aware host PCIE转sata芯片 YLB3118产品是一款SATA AHCI芯片，实现从主机PCIe接口至存储设备SATA接口的桥接；该产品面向后端DVR、NVR以及数据中心等应用场景，提供了1个PCIe Gen3 x2的上行接口、8个SATA下行接口。该产品可级联PM芯片实现SATA接口的进一步扩展。通用规格 . 参考时钟25MHz，由外置晶振提供 . 支持SPI接口，可连接外置SPI flash（默认无flash模式） . 支持UART接口 . 支持I2C接口 . 支持19个GPIO . 支持3.3V IO电压，1.1V内核电压 . 8*8 TFBGA-143封装 PCIe接口规格 . PCIe参考时钟100MHz，差分输入 . 支持1个PCIe 3.0 x2 EP接口，兼容x1 EP接口 . 支持8Gbps/lane，5Gbps/lane，2.5Gbps/lane的传输速率 . 支持ASPM/L1低功耗模式 . 支持legacy 中断，以及1个 MSI中断 . 支持Max Payload Size = 512 Bytes . 支持Max Read Request Size = 512 Bytes SATA 接口规格 . 支持8个SATA 3.0接口 . 支持6Gbps，3Gbps，1.5Gbps的数据传输率 . 支持partial/slumber低功耗模式 . 支持SSC . 支持热插拔 . 支持级联PM芯片实现SATA接口的扩展 . 支持LED闪灯，指示接口Ready、Busy、Error等状态

新品发布

合肥云澜电子科技有限公司官网 . 2025-09-09 2690
晶振的使用寿命一般在多久

晶振的使用寿命实际表现受多种因素影响，不同应用场景和制造质量差异显著。以下是关键要点解析： 1、晶振的寿命与工作条件有关晶振的使用寿命是受到工作条件的影响的。晶振的工作条件包括电压、温度、湿度等。如果在这些条件下晶振工作过于苛刻或者不符合使用要求，在使用过程中就可能缩短其使用寿命。一般来说，正常工作电压下，晶振的工作寿命可以达到10年左右，但在过高或者过低的电压下工作，就可能使晶振的寿命大大缩短。 2、晶振的寿命与工作环境密切相关晶振的工作环境也会对其使用寿命产生影响。如果晶振暴露在日光下，会加速其老化速度，使其使用寿命缩短。此外，高温、高湿、高腐蚀性气体环境，都可能对晶振的性能产生影响，影响其使用寿命。 3、晶振的寿命与制造质量也有关晶振的制造质量也是影响晶振寿命的一个因素。如果生产质量不过关，会导致自身电性能、波动等问题，影响实际使用寿命。所以，晶振的质量是决定使用寿命的一个重要因素。

晶振

晶发电子 . 2025-09-09 765
精准时钟，稳定核心：±0.05PPM高精度温补晶振

在信息通信、精密测量和高精度定位日益发展的今天，频率源的稳定性和可靠性直接决定了系统的整体性能。扬兴科技推出的高精度温度补偿晶体振荡器(TCXO)，凭借0.05PPM的超高温度稳定性与宽温工作范围(-40°C~+85°C)，成为行业内高端应用的不二之选。产品优势一览 l 温度稳定性:0.05 PPM 在不同环境温度下，频率偏差几乎可以忽略，保证信号长期一致性 l 工作温度范围:-40°C~+85°C 无论是高温户外基站，还是低温极端环境，均能稳定运行。 l 封装尺寸:7050 小巧紧凑，适合高密度电路设计 l 频率范围:10 MHz~52 MHZ 覆盖主流通信与定位系统所需频点，兼容性强。高精度温补晶振对应用的深远影响 1. 基站:保障网络稳定与同步现代 4G/5G基站需要海量小区站点协同工作，频率误差过大会导致数据丢包、时延增加和网络掉线。扬兴科技的高精度TCXO为基站提供稳定的时钟源: l 确保上下行信号精准同步 l 提升网络整体稳定性与用户体验 l 在极端环境下依然维持高可靠性，降低维护成本 2. 高精度测试设备:提升测量可信度在高精度仪器仪表中，频率稳定度直接关系到测试结果的准确性。采用普通晶振，环境温度波动可能造成读数误差，而扬兴科技高精度TCXO则: l 提供长期稳定的基准信号 l 确保数据结果可重复、可信赖 l 满足科研、计量、通信设备测试的严格标准 3. 高精度定位模块:提升授时与定位精度无论是GNSS定位模块还是授时系统，频率偏差都会导致定位漂移与授时误差。扬兴科技的高精度 TCXO 通过极低的温度漂移提升定位精度，减少误差累积确保授时精准到微秒级在电力、交通、金融等行业的时钟同步中发挥核心作用为什么选择扬兴科技? l 技术沉淀:多年专注晶振领域，持续创新。 l 品质保障:严格品控流程，出厂即为高可靠标准。 l 客户导向:面向通信、仪器、定位等高端市场，提供定制化支持，扬兴科技高精度温补晶振，不仅是一颗器件，更是通信稳定、测试可靠、定位精准的关键基石。扬兴科技--让每一份信号更精准，让每一次同步更可靠。

温补晶振,国产晶振,TCXO温补晶振

扬兴科技 . 2025-09-09 1105
语音互动、单片机控制，纳祥科技红外摸高计数方案解锁家庭锻炼多方式

全民健身意识增强与体育教学专业化发展，使传统体能训练工具面临数据模糊、反馈滞后、适配性差等问题。纳祥科技本次客户案例——多功能运动红外计数器方案，聚焦于不同人群跳跃、摸高、坐位体前屈等多场景专项训练，通过视听双重反馈、双模式自由切换，提升训练动力，激发潜能。（一）方案概述本方案以单片机作为核心控制器，通过检测摸高、跳跃等动作触发红外感应，自动记录跳跃次数；短按开机键可切换模式。方案采用数码管动态显示当前计数值，并配合语音芯片预存的中文提示音，实现视听双重反馈。方案集成了单片机、语音芯片、数码管、喇叭、充电芯片与锂电池等模块，支持摸高模式（12次/组）与计数模式（最高9999次）2种模式，兼顾功能性与趣味性。（二）功能模块 ①单片机：系统主控，处理逻辑与计时 ②语音芯片：存储语音指令 ③数码管：显示当前计数值（0-9999） ④喇叭：播放音效、语音 ⑤红外感应：非接触式检测跳跃动作，触发精准计数 ⑥机械按键：短按模式切换，长按开关机 ⑦充电芯片+锂电池：主供电来源，支持Type-C快充，低功耗设计延长续航（三）方案演示下面，我们将为您展示本方案—— ①摸高模式，适用于摸高锻炼，12次1组，语音播报当前值 ②计数模式，适用于开合跳，高抬腿等，计数最高可达9999 （四）方案总结本方案将红外检测和语音合成技术融合，模块化硬件便于量产维护，相比同类产品，其在交互友好度、安全性和续航能力上具有显著优势，低成本高性价比，适用于家庭、学校、健身房等场景，具备良好的商业潜力与社会意义。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

方案开发

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-09-09 2 775
恒歌烧结金属滤芯技术：实现0.01μm级高压气体超精过滤

恒歌HG系列过滤器采用多层级烧结金属滤芯，在40MPa高压环境下实现0.01μm过滤精度，成为工业气体净化的核心技术方案。一、烧结滤芯结构设计梯度孔隙架构：基层：80μm不锈钢纤维烧结层(孔隙率65%) 过渡层：15μm球形粉末烧结层(孔隙率45%) 功能层：5μm纳米纤维复合层(孔隙率30%) 三维贯通孔道：孔道曲折度≤1.35(行业平均1.8) 比表面积达8000m²/m³(传统滤芯的3倍) 二、过滤性能关键指标截留效率：颗粒直径 0.1μm 0.05μm 0.01μm 截留率 99.99% 99.97% 99.95% 纳污容量：初始压差0.02MPa 容尘量达1200g/m²(寿命延长50%) 三、极端工况适应性高温高压测试： 250℃/40MPa连续运行1000小时，孔隙结构无坍塌抗热震性能：ΔT=200℃/min骤变后无裂纹化学兼容性：耐受pH1-14介质(氢氟酸除外) 耐硫化氢浓度达20%vol 应用案例：某半导体工厂在氩气净化系统中采用恒歌烧结滤芯后，晶圆表面金属离子污染降低至0.01ppt，良品率提升2.3个百分点。

原创 . 2025-09-09 990
从比亚迪到极氪：三星 MLCC 如何助力主流品牌 800 V 车型量产

作为三星MLCC产品的专业代理商，贞光科技始终致力于为新能源汽车产业链提供高可靠性元器件及技术支持。贞光科技依托专业的技术团队，为车企提供从选型、验证到批量供货的全流程服务，确保客户能够快速导入并稳定应用。谈起当下新能源汽车技术的跃进，不得不将视线投向 800 V 高压平台——它代表了更快充电、更轻车身、更长续航的趋势。比亚迪、极氪等主流品牌在这条道路上正快速前行，而三星电机推出的高压 MLCC 正是这一浪潮中的细节之处，却又不可或缺。高压 MLCC 的角色与价值 2000 V 高压 MLCC 为 800 V 平台提供安全裕度三星专门为 800 V 电动车电池管理系统（BMS）开发了 2000 V 级 MLCC，能够提供超过两倍于工作电压的安全裕度，显著提升了快充下的稳定性和可靠性。从 250 V 到 2000 V：齐全产品覆盖多种系统模块 X7R 制程的 MLCC 产品覆盖额定电压从 250 V 到 2000 V，电容范围在 2.2 nF 到 470 nF，是面向 OBC、DC-DC 转换器、电机驱动逆变器、无线充电、BMS 等高压子系统的理想元件。新增 1812 尺寸，增强结构可靠性三星将产品从传统的 1210 大小扩展到更大的 1812（4.5×3.2 mm）封装，通过材料微细化和软端接技术，提高了 MLCC 在机械弯曲、热循环环境下的可靠性。 1000 V 级 MLCC 领跑量产最近，又推出 1812 尺寸、X7R 材质、100 nF、1000 V 额定的 MLCC，这类元件特别适合安装在高可靠场景下，同时具备量产能力。封装尺寸额定电压电容范围材料特性主要应用领域 1812 mm 250～2000 V 2.2 nF ～ 470 nF X7R（-55 ℃～125 ℃） OBC、DC-DC 转换、逆变器、BMS 等高压子系统 1812 mm 1000 V 100 nF X7R 高速充电 OBC / 电力转换模块多种封装 2000 V 多规格可选高耐压材料 + 安全电压分布设计 BMS 中的关键稳定元件（注：表中内容基于三星公开资料，确保准确引用；如需更详细型号与参数，可参考官方数据手册。）如何帮助 “比亚迪—极氪” 实现 800 V 量产？规格匹配主流技术需求比亚迪和极氪等品牌虽然侧重点不同，但在 800 V 高压平台上都有快充、轻量化、安全冗余等共性要求。三星 MLCC 2000 V 安全裕度产品，恰好满足电池系统对高压、快充的高可靠需求。更高的稳定性意味着更少维护成本尤其是 OBC 和 DC-DC 转换模块，经常经历高温、高频切换，传统薄膜电容存在发热和体积上的局限。X7R MLCC 不仅频率适应性更好，而且体积更小，这减轻了整车电子模块设计的空间压力。量产能力为 OEM 供应链提供稳定保障三星扩展了产品线尺寸，从 1210 到 1812，并开始量产多种规格 MLCC，意味着它能更好响应比亚迪、极氪这样的品牌大批量、高一致性生产需求。全球电动车对高压 MLCC 需求快速增长市场研究机构预计高压 MLCC 市场将以约 22 % 年复合增长率增长，从 2024 年的 40 亿美元增长到 2029 年的 110 亿美元，这背后正是 800 V 平台及其高压元件的需求驱动。

三星电容

三星电容代理商 . 2025-09-09 775
瑞萨电子推出新型16位RL78/L23微控制器（MCU）产品群

针对HMI应用所需的段码式LCD和电容式触控进行优化，为电磁炉提供精准控制；支持通过双区闪存实现便捷、安全的OTA 瑞萨电子今日宣布推出新型16位RL78/L23微控制器（MCU）产品群，进一步拓展其低功耗RL78产品家族。RL78/L23 MCU工作频率为32MHz，集成卓越的低功耗性能与双区闪存、段码式LCD控制器及电容式触控等关键功能，可应用于智能家居电器、消费电子、物联网和表计系统等领域。凭借紧凑的设计和优异的性价比，RL78/L23 MCU能够充分满足现代设备基于显示屏的人机交互界面（HMI）应用对性能与功耗的双重要求。超低功耗运行，优化LCD性能 RL78/L23针对超低功耗进行了优化，适合大多数时间处于待机状态的电池供电应用。其工作电流为109μA/MHz，待机电流可低至0.365μA，并具备1μs快速唤醒时间，有助于最大限度地减少CPU活动。与现有RL78/L1X产品群相比，该产品采用新型VL4参考模式的LCD控制器，可将LCD工作电流降低约30%。其还配备SMS（SNOOZE模式序列器），可在无需CPU干预的情况下实现动态段码式LCD显示。通过将任务转移至SMS，该产品还可最大限度地减少CPU唤醒次数，有助于实现系统级功耗优化。这些创新不仅显著延长电池寿命，还简化设计并降低更换成本，尽可能减少对环境造成的影响。 RL78/L23的工作电压范围为1.6V至5.5V，可直接适配家用电器和工业系统中常用的5V电源，省去对外部电压调节器的需求。该MCU还集成电容式触控感应模块、温度传感器和内部振荡器等关键组件，有效降低BOM成本及PCB尺寸。功能丰富的外设，适用于HMI系统 RL78/L23专为满足HMI市场的灵活需求而设计，在紧凑且经济高效的封装中集成一系列先进功能。其内置的段码式LCD控制器和电容式触控功能，为电磁炉与暖通空调（HVAC）系统等产品打造出流畅、灵敏的用户界面。IH定时器（KB40）可实现精确的多通道加热控制，对电饭煲和电磁炉等智能厨房电器提供核心支持。产品还配备双区闪存，可通过FOTA（空中固件更新）进行无缝固件更新，确保更新时计量等应用系统依旧持续运行，最大限度减少停机时间：双区架构允许一个存储区运行用户程序，而另一个存储区接收更新，如此可确保在整个过程中系统功能始终在线，增强其可靠性。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“瑞萨16位RL78产品家族已问世十余年，一直备受市场青睐，特别在家用电器领域表现尤为突出。我很高兴宣布推出RL78/L23，这是RL78微控制器的新一代产品，它具备丰富功能，非常适合智能家电和对成本敏感的物联网解决方案。借助久经市场验证的瑞萨技术，我们旨在通过直观的开发环境打造更好的用户体验，使客户能够更高效、更有信心地投入生产。” RL78/L23的关键特性 16位RL78微控制器，工作频率为32MHz 内置段码式LCD控制器和电容式触控功能最高512KB双区闪存，支持无缝FOTA更新最高32KB的SRAM和8KB的数据闪存 SMS实现超低功耗运行 IH定时器（KB40），支持最多3通道的电磁感应加热控制宽工作电压范围：1.6V至5.5V 工作温度范围：-40°C至+105°C 多种串行接口，包括UART、I2C、CSI 符合IEC60730标准的自检库 44-100引脚LFQFP、LQFP和HWQFN封装直观的开发环境，加速产品上市 RL78/L23配备易于使用的开发环境。开发人员可借助Smart Configurator和QE for Capacitive Touch等支持工具，简化系统设计。此外，瑞萨还提供与Arduino IDE兼容的RL78/L23快速原型开发板，以及用于深入测试和验证的电容式触控评估系统。成功产品组合瑞萨将全新RL78/L23产品群MCU与其产品组合中的众多兼容器件相结合，开发了感应加热电饭煲解决方案及广泛的“成功产品组合”。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来已优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。供货信息 RL78/L23 MCU现已上市，同时提供快速原型开发板（FPB-RL78L23）和电容式触控评估系统（RSSK-RL78L23）。瑞萨MCU优势作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子的MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，是业界优秀的16位及32位MCU供应商，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

瑞萨电子 . 2025-09-09 1785
新品推荐 | NVIDIA Jetson AGX Thor为通用人形机器人大脑注入澎湃算力

在人工智能浪潮席卷全球的今天，一场深刻的变革正从数字世界涌向物理世界。机器人技术正从执行单一、固定任务的专用时代，迈向能够在多变环境中执行多样化任务的通用机器人时代。这一转变的核心，是对强大计算能力的极致渴求——机器人需要一个“大脑”，能够实时处理海量传感器数据，并运行复杂的生成式AI模型，从而实现与人类和物理世界智能、安全的交互。图1：NVIDIA Jetson AGX Thor™开发者套件和Jetson T5000™量产级模组（来源：NVIDIA）正是在这一时代背景下，NVIDIA于近日正式宣布，其新一代机器人计算机——NVIDIA Jetson AGX Thor™开发者套件和Jetson T5000™量产级模组，现已全面发售。这不仅仅是一次产品的迭代，更是对物理AI（Physical AI）性能天花板的重新定义。Jetson Thor的问世，旨在为全球数百万机器人开发者赋能，为制造、物流、医疗、农业乃至人形机器人等前沿领域，提供前所未有的端侧实时推理能力。性能的代际飞跃：Blackwell架构驱动的算力猛兽与上一代Jetson AGX Orin™相比，Jetson Thor实现了一次惊人的性能飞跃。其核心动力源自NVIDIA最新的Blackwell GPU架构，并配备了高达128GB的LPDDR5X统一内存。这一强大的硬件组合，使其AI算力飙升至惊人的2070 FP4 TFLOPS，是Jetson AGX Orin的7.5倍。同时，其能效也提升至后者的3.5倍，这意味着在同等功耗下能释放更强大的性能。图2：Jetson AGX Thor开发者套件内部结构图（来源：NVIDIA）除了GPU性能的巨大提升，Jetson Thor还搭载了性能强劲的14核Arm® Neoverse®-V3AE CPU，CPU性能相较上一代提升了3.1倍。而在数据吞吐能力上，其I/O带宽更是达到了Orin的10倍之多，配备了4路25GbE的高速网络接口，足以应对多传感器融合带来的海量数据流挑战。这一系列高性能参数，都集成在一个可在40瓦至130瓦之间灵活配置功耗的紧凑模组中，完美契合了机器人领域对性能、功耗和体积的严苛要求。产品形态详解：T5000模组与开发者套件为了满足从原型开发到规模化量产的不同需求，NVIDIA此次推出了两种产品形态：Jetson T5000模组和Jetson AGX Thor开发者套件。而且这两种产品形态均可在国内购买，中电港旗下的艾矽易商城已有销售。其中Jetson T5000的国内首发价为26,999元（https://www.iceasy.com/product/1950144139587960834）。 Jetson AGX Thor开发者套件的国内首发价为30,999元（https://www.iceasy.com/product/1950144336908992513）。具体参数如下： NVIDIA Jetson T5000模组：生产就绪的AI核心 Jetson T5000是一款生产就绪的模组系统（System-on-Module, SoM），专为大规模商业部署而设计。它采用了NVIDIA Blackwell架构GPU，配备一个Transformer引擎，且支持多实例GPU（MIG），能轻松运行最新的生成式AI模型。更重要的是，它将GPU与14核Arm Neoverse-V3AE CPU等强大计算单元、内存和关键接口高度集成在一块尺寸仅为100毫米x87毫米的板卡上，通过699针的板对板（B2B）连接器与载板连接。 T5000模组关键技术规格： AI性能：2070 TFLOPS（FP4稀疏） GPU：2560核NVIDIA Blackwell架构GPU，配备96个第五代Tensor Core CPU：14核Arm® Neoverse®-V3AE 64位CPU 内存：128 GB 256位LPDDR5X，带宽273 GB/s 视频处理：支持多路4Kp60 H.265视频编码和4K/8K H.265视频解码摄像头接口：支持通过HSB接口连接最多20个摄像头，或通过16通道MIPI CSI-2接口连接最多6个摄像头高速I/O：支持PCIe Gen5，提供4路25GbE网络能力表1：NVIDIA Jetson T5000模组具体参数（来源：NVIDIA官网） NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件：加速创新与原型验证对于希望率先体验Jetson Thor强大性能的开发者和研究人员来说，NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件无疑是理想的起点。该套件包含一个Jetson T5000模组、一块功能丰富的参考载板、带风扇的主动式散热解决方案以及电源适配器，提供了一个“开箱即用”的开发环境。开发者套件载板关键特性存储：板载M.2 Key M插槽，预装1TB NVMe固态硬盘高速网络：1个支持4路25GbE的QSFP28接口，以及1个5GBe RJ45以太网口无线连接：板载M.2 Key E插槽，预装Wi-Fi 6E和蓝牙模组多功能接口：提供多个USB 3.2/3.1接口、HDMI 2.0b和DisplayPort 1.4a视频输出，以及CAN、I2C、SPI等丰富的I/O扩展接口开发者可以轻松地将该套件集成到现有的机器人平台中，无需等待完整的系统设计，即可开始软件开发、算法验证和性能测试工作。表2：NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件规格参数（来源：NVIDIA官网）应用场景：从人形机器人到智慧城市 Jetson Thor的诞生，将极大拓展边缘AI的应用边界。其强大的生成式推理能力和多模态传感器处理能力，使其成为物理AI应用的卓越平台。通用与人形机器人：这是Jetson Thor的核心应用领域。它能够支持从NVIDIA Isaac™ GR00T™等视觉语言动作模型（VLA）到所有主流LLM和VLM的流畅运行。优必选、银河通用、宇树科技、智元机器人等人形机器人企业已率先采用Jetson Thor，以实现机器人更强的敏捷性、更流畅的动作和更高水平的自主交互能力。智能驾驶与自主机器：搭载Jetson AGX Thor的自动驾驶域控制器，能够以其2070 FP4 TFLOPS的强大算力，驱动低速无人车（如物流车、清扫车）等场景。其多传感器同步技术和丰富的接口，确保了感知数据的精准与稳定。边缘大模型与视频分析：Jetson Thor能够在边缘侧本地化部署主流LLM和VLM，为智能客服、工业质检、内容生成等场景提供低延迟、高能效的AI推理能力。结合NVIDIA Metropolis软件栈，它可以构建强大的视频搜索与总结（VSS）智能体，实时分析摄像头数据流。智慧城市与工业自动化：作为智慧城市的“智能引擎”，Thor边缘计算节点可以实时优化交通、预测设备故障等。在工业自动化领域，它能为复杂的机械臂和生产线提供前所未有的智能。完善的软件生态硬件的强大离不开软件生态的支持。Jetson Thor可运行NVIDIA JetPack™ 7软件开发套件，并完全兼容NVIDIA从云到端的全栈式AI软件，包括用于机器人开发的NVIDIA Isaac™、用于视觉AI的NVIDIA Metropolis™以及用于实时传感器处理的NVIDIA Holoscan™。这个拥有超过200万开发者的庞大生态系统，以及超过1000家合作伙伴提供的载板、传感器和软件服务，将帮助开发者极大缩短产品上市时间。结语 NVIDIA Jetson Thor不仅是一款独立的边缘计算模组，更是NVIDIA为机器人领域精心构建的“三台计算机”开发范式中的关键一环。随着Jetson AGX Thor和T5000的正式发布，我们有理由相信，一个由更智能、更强大、更具适应性的机器人所构成的未来，正加速向我们走来。

人形机器人

芯查查 . 2025-09-08 8240
市场周讯 | 美国撤销台积电南京厂设备运送权；闪迪全系产品涨价10%；博通获100亿美元AI定制芯片大单

| 政策速览 1. 美国：继韩国三星电子和SK海力士后，美国政府又撤销台积电对旗下大陆主要芯片厂南京厂运送必要设备的授权，此举将打击台积电在大陆生产芯片的能力。台积电南京厂主要负责成熟制程，包括16纳米和28纳米，主要用于汽车电子、物联网、智能手机的主流芯片、消费性电子产品等。去年5月，台积电宣布获得美国商务部的VEU授权，但9月2日证实接到美方通知，授权将在今年12月31日到期并撤销。 2. 美国：美国总统特朗普当地时间9月4日宣布，美政府将对未将生产转移至美国的半导体企业进口产品征收关税。他强调，若企业在美投资或有建厂计划，则可豁免关税。特朗普称关税幅度将“相当可观，但不会过高”，并点名表示苹果CEO库克“不错”，因苹果已承诺未来四年在美投资6000亿美元。此前，台积电、三星与SK海力士均已宣布在美建厂。 3. 无锡：2025集成电路（无锡）创新发展大会9月4日在无锡拉开帷幕。本届大会上，长三角国家技术创新中心车规级芯片中试服务平台、无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线、江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线揭牌，中国开放指令生态（RISC-V)联盟江苏省中心启动，无锡城市智算云中心节点发布，立足无锡从人才、技术等方面为集成电路企业创新探索提供更完备的生态支撑。 4. 两部门：工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业2025－2026年稳增长行动方案》，方案指出，加力推进电子信息制造业大规模设备更新、重大工程和重大项目开工建设，充分发挥重大项目撬动牵引作用，推动产业高端化、智能化、绿色化发展。编制完善产业链图谱，有序推动先进计算、新型显示、服务器、通信设备、智能硬件等重点领域重大项目布局。聚焦行业垂直领域场景，切实推动算力转换为生产力，打造以跨平台计算框架为核心的计算生态，加快对多体系芯片、多类型软件、多元化系统的兼容适用，提升产业生态主导地位。加强CPU、高性能人工智能服务器、软硬件协同等攻关力度，开展人工智能芯片与大模型适应性测试。适度超前部署新型基础设施建设，提升各地已建基础设施运营管理水平，强化服务器、芯片和关键模块的兼容适配。 5. 两部门：工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业2025－2026年稳增长行动方案》，方案指出，加强电子信息领域制造业创新中心等创新平台建设，强化行业关键共性技术供给。通过国家重点研发计划相关领域重点专项，持续支持集成电路、先进计算、未来显示、新型工业控制系统等领域科技创新。提升协同攻关效率，支持人工智能、先进存储、三维异构集成芯片、全固态电池等前沿技术方向基础研究。面向光子领域重点环节开展技术攻关，加大对高速光芯片、光电共封等领域的研发投入力度，推动光架构与现有电架构体系生态融合。谋篇布局时空信息产业，一体推进卫星定位、导航、授时、遥感、地理信息系统（GIS）、通信、网络等协同发展，突破多源融合定位、室内外无缝定位、低轨导航增强、自适应抗干扰防欺骗等北斗关键技术。加快网络化、开放化、智能化、协同化的新型工业控制系统和操作系统架构体系研究。加快推动RISC-V产业发展，促进产品技术研发、标准体系建设、应用落地和国际化合作。 | 市场动态 6. TrendForce：2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。 7. 重庆：重庆市智能网联新能源汽车芯片产业联盟9月1日在渝成立。联盟由重庆市及市外的66家整车企业、汽车芯片企业、科研院所等共同组成，将建立产业链上下游信息沟通渠道，打通国产汽车芯片上车应用的技术通道和产业通道，创建“立足重庆，服务全国”的汽车芯片产业创新生态圈。联盟选举赛力斯集团股份有限公司作为联盟理事长单位，重庆长安汽车股份有限公司、华为技术有限公司等6家企业为副理事长单位，重庆赛宝工业技术研究院有限公司为秘书长单位。 8. Omdia：今年第二季度，随着DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，全球DRAM产业的销售额为309.16亿美元（约合人民币2206.04亿元），比前一季度增长了17.3%。凭借着HBM赛道上的优势，SK海力士的DRAM市场占有率（以销售额为准）从第一季度的36.9%上升到第二季度的39.5%，连续两个季度超过了三星电子。 9. 工信部：前7个月，信息技术服务收入57246亿元，同比增长13.4%，占全行业收入的68.8%。其中，云计算、大数据服务共实现收入8663亿元，同比增长12.6%，占信息技术服务收入的15.1%；集成电路设计收入2511亿元，同比增长18.5%；电子商务平台技术服务收入7156亿元，同比增长9.8%。 10. 市场：随着原厂NAND产能加速切换至新制程，旧制程产出明显缩减，尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少，推动其现货价格逐渐上扬。与此同时，新旧制程的切换下令高容量NAND供应较为充足，使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整。 11. TrendForce：2025年第二季因中国市场消费补贴引发的提前备货效应，以及下半年智能手机、笔电/PC、Server新品所需带动，整体晶圆代工产能利用率与出货量转强，推升全球前十大晶圆代工厂营收至417亿美元以上，季增达14.6%的新高纪录。第三季晶圆代工主要成长动能来自新品季节性拉货，先进制程迎来即将推出的新品主芯片订单，高价晶圆将明显助力产业营收，成熟制程亦有周边IC订单加持，预期产业整体产能利用率将较前一季提升，推动营收持续季增。 12. 闪迪：NAND 闪存原厂之一的闪迪 Sandisk 宣布针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行 10% 的普涨。 13.印度：美光、塔塔两家企业的测试芯片开始在印度生产，2025年底前印度将开始启动商业化半导体生产。届时，印度将在全球半导体市场发挥重要作用。 | 上游厂商动态 14. NVIDIA：英伟达同意从Lambda租赁1万个装有英伟达自家AI芯片的GPU服务器，为期四年，总价值13亿美元。此外，英伟达还与该公司达成另一笔2亿美元的交易，租赁8000个装有英伟达芯片的服务器，具体时间尚未确定。这些合约将使英伟达成为Lambda最大的客户。英伟达此前便参投Lambda，参与该公司融资的还有AI技术大牛Andrej Karpathy等。 15. NVIDIA：英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。 16. 英特尔：英特尔首席财务官David Zinsner周四表示，公司将利用美国政府的资金清偿2025年底到期的债务。他强调，英特尔希望在所有债务都到期后，不再借入任何债务。在美国政府表示入股前，英特尔已经从政府处获得了22亿美元，还有57亿美元的拨款尚未到位。此外，英特尔还从《芯片法案》“安全飞地”计划中申请了30亿美元资金，但也存在不确定性。 17. 博通：营收159.6亿美元，同比增长22%，创下纪录新高，预期为158.3亿美元。调整后每股收益1.69美元，预期1.65美元；净利润为41.4亿美元。博通预计第四财季收入为174亿美元，高于华尔街分析师预期的170.2亿美元。博通首席执行官陈福阳表示，已从一家新客户那里获得了100亿美元的定制芯片订单，这一消息令投资者们感到惊喜，并推动该公司股价在盘后交易中上涨超4.5%。 18. 中微：中微公司近日推出六款半导体设备新产品，包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。刻蚀设备方面，新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE®和专注于金属刻蚀的PrimoMenova™12寸ICP单腔刻蚀设备，旨在满足客户在极高深宽比刻蚀和金属刻蚀领域的需求。薄膜沉积设备方面，包括三款原子层沉积产品和一款外延产品，如PreformaUniflash®金属栅系列和PRIMIOEpita®RP双腔减压外延设备。这些新产品预计将对公司未来半导体设备市场拓展和业绩成长性产生积极影响。新产品尚处于市场导入初期，存在市场推广和客户验证等风险，可能对公司收入和盈利带来不确定性。 19. 尼康：日本半导体设备公司尼康目标到2027财年，将其晶圆对准站（用于在光刻前测量晶圆变形）的销售额较2024财年翻一番。报告强调，尼康的“对准站”是其一项关键优势，它可以测量晶圆的变形，从而提高曝光设备的套刻精度。随着3D堆叠和晶圆键合在NAND和逻辑芯片生产中的应用日益广泛，尼康正着眼于EUV领域以外的增长。 20. 存储：由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。 21. 海光信息：海光信息将开放CPU能力，向产业生态伙伴提供直连IP、开放协议及定制化指令集，实现与国内AI芯片的高效衔接，推动应用顺畅对接与调用。 22. Cadence：EDA软件公司Cadence Design宣布，将以27亿欧元（31.6亿美元）收购总部位于斯德哥尔摩的Hexagon AB的设计与工程部门，以扩大客户群并扩展产品组合。 23. 先楫半导体：先楫半导体先楫半导体宣布完成新一轮战略融资，由浦东创投集团旗下科创母基金及张江集团旗下张江科投和张科垚坤基金联合领投。此外，雷赛智能与上海先楫半导体宣布达成一项重大的战略投资合作。双方将携手在人形机器人运动控制领域展开深度合作，共同研发下一代高性能专用运动控制芯片，旨在增强核心部件的自主可控能力，提升整个产业链的竞争实力。 24. 禾赛科技：禾赛科技宣布再获美国Motional全球独家激光雷达订单，连续两年为Motional全电动IONIQ 5 Robotaxi独家供应近距激光雷达，据介绍，该车型单车搭载4颗禾赛激光雷达。 | 应用端动态 25. 吉利：马来西亚车企宝腾今天宣布启用首个电动汽车组装厂，以推动国家电动汽车产业发展。 26. 宇数科技：宇树科技在社交平台X发文披露机器人业务声明，根据IPO计划，公司将在今年10月至12月之间提交上市文件，届时将披露相关运营数据。

市场周迅

芯查查资讯 . 2025-09-08 2605
方案 | 拆解安森美核心光伏方案：从器件到系统，全面推动能效提升

太阳能逆变器种类丰富，可按类型（集中式、组串式、微型）或终端应用场景（住宅、商业、公用事业）进行划分。目前，组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级，单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升，而单价和尺寸却不断下降，这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。集中式太阳能逆变器通常应用于公用事业电站，具有超大容量。但受安装地点限制，近年来其新增装机容量已被组串式太阳能逆变器超越。微型太阳能逆变器主要用于住宅发电，同时也广泛服务于城市基础设施供电，例如路灯、交通信号灯等场景。太阳能逆变器的核心是功率转换部分，具体包含 DC-DC 升压转换器与 DC-AC 逆变器。随着功率器件的持续发展，以及终端产品催生出的新需求，诸多新型拓扑结构应运而生。深入了解这些拓扑结构及功率产品，有助于更透彻地理解整个系统并实现快速设计。光伏逆变器下面的框图展示了由安森美 (onsemi)打造的光伏逆变器解决方案。该框图呈现了光伏逆变器所采用的电源管理和功率转换技术。安森美提供品类齐全的产品，涵盖分立碳化硅 (SiC) 器件、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)、功率模块、隔离式栅极驱动器及电源管理控制器，助力系统实现更高的功率密度和效率。市场信息和趋势碳化硅替代品碳化硅 (SiC) 有助于提供更高的效率以推进当前技术趋势。与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比，SiC 器件在高电压场景下的优势尤为突出：高压器件可简化拓扑结构，无需使用多电平转换器； SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案；同时， SiC MOSFET 的开关速度更快，能够缩小无源器件（尤其是电感）的尺寸。这两方面因素共同提升了功率密度，使相同尺寸和重量的器件可实现更高功率输出。不过，实际应用中必须在成本与性能之间进行权衡，并结合具体需求来选择最合适的解决方案。 IGBT 和 SiC 二极管 SiC 二极管替代方案的应用正愈发普遍，尤其在 DC-DC 转换环节，原因有三：其一，成本已降至合理水平；其二，无需对电路设计进行大幅改动；其三，也是最重要的一点，能显著提升系统性能。此外，工作频率的提高还可缩小无源器件的尺寸。在大功率产品（约 200kW 以上）中， IGBT 仍是首选。一方面， IGBT 在大电流场景下表现优异，且这类系统对工作开关频率的要求不高，因此 IGBT 关断速度慢的问题不会造成太大影响。另一方面，全 SiC 系统需要全新设计，且成本高昂。例如，基于 IGBT 的转换器驱动电路与 SiC 系统不兼容；由于 SiC 元件的短路耐受时间 (SCWT) 短于 IGBT，还需重新设计保护方案。更高的母线电压对大功率的需求持续增长，在同等功率条件下，采用 1500V 组串替代 1100V 组串时，因电流更低而能够降低互联成本。为顺应此类趋势，更高电压等级的开关器件应运而生。无论是选用高压开关器件，还是采用多电平拓扑结构，都能显著提升光伏逆变器的工作功率。关于 1500V 逆变器与 1100V 逆变器的对比，详见后文。表 1： 1500V（型号-2）与 1100V 光伏逆变器的对比公用事业级解决方案 300 kW+ 光伏组串式逆变器 - 公用事业级解决方案安森美发布了采用 F5BP 封装的新型 Si/SiC 混合功率集成模块 (PIM)，可为公用事业级光伏组串式逆变器及储能系统提升 15% 的功率输出。这些模块能够提高功率密度与效率，使光伏逆变器的功率从 300kW 提升至 350kW。这意味着，对于一座 1 吉瓦的光伏电站而言，每小时可额外节省近 2 兆瓦的电力。此外，新型模块凭借更高的功率密度与效率，减少了所需模块的数量，将元件成本降低 25% 以上。该系列模块集成了先进元件，包括 1050V FS7 型 IGBT 与 1200V D3 EliteSiC 二极管，与前代产品相比，功率损耗降低高达 8%，开关损耗减少 15%。这些 PIM 模块在逆变器部分采用创新的 I-NPC 拓扑结构，在升压部分则采用飞跨电容拓扑。此外，它们采用先进的直接键合铜 (DBC) 基板，可大幅减少杂散电感和热阻。这种设计将散热器的热阻降低了 9.3%，有助于在高负载下维持较低的工作温度，进而提升整体可靠性。图 1： 300 kW+ 光伏组串式逆变器原理图图 2： F5BP 与 F5 的热性能 👉Si/SiC 混合模块， F5BP NXH600N105H7F5P2HG 特性 • I 型中性点钳位三电平逆变器模块 • 1050V 场截止 7 型 IGBT 和 1200V SiC 二极管 • 高效率、高功率密度及出色可靠性 • 低热阻底板 • 低电感布局，内置 NTC 热敏电阻优势 • 系统效率高达 99% • 减少模块数量，简化 PCB 设计并降低系统成本应用 • 1500 V 组串式工商业用光伏逆变器图 3： F5BP 封装PIM60 112x62（压接式）

光伏逆变器

安森美 . 2025-09-08 1770