差分晶振--LVPECL到LVDS的连接
随着通讯速度的提升，出现了很多差分传输接口，以提升性能，降低电源功耗和成本。早期的技术，诸如emitter-coupled logic（ECL），使用不变的负电源供电，在当时用以提升噪声抑制。随着正电压供电技术发展，诸如TTL和CMOS技术，原先的技术优点开始消失，因为他们需要一些-5.2V或-4.5V的电平。 在这种背景下，ECL转变为positive/pseduo emitter-coupled logic （PECL）,简化了板级布线，摒弃了负电平供电。PECL要求提供800mV的电压摆幅，并且使用5V对地的电压。LVPECL类似于PECL也就是3.3V供电，其在电源功耗上有着优点。 当越来越多的设计采用以CMOS为基础的技术，新的高速驱动电路开始不断涌现，诸如current mode logic（CML），votage mode logic（VML），low-voltage differential signaling（LVDS）。这些不同的接口要求不同的电压摆幅，在一个系统中他们之间的连接也需要不同的电路。 · 转换原因 1、电平特性差异 a）LVPECL电平的差分摆幅较大（典型值约800mV），共模电压较高（约1.3V-1.9V），需外部端接电阻匹配；而LVDS差分摆幅较小（350mV），共模电压较低（约1.2V），且LVDS接收端内置端接电阻。 b）直接连接可能导致LVDS接收端共模电压超出范围或信号幅度不足。 2、应用场景需求 a）LVPECL常用于高速时钟或数据传输场景（如FPGA输出），而LVDS因低功耗特性更适合长距离或低功耗设计。 b）不同器件间接口不兼容时需电平转换（如FPGA输出LVPECL，但接收端仅支持LVDS） · 转换方式 1、直流耦合 LVPECL到LVDS 的直流耦合结构需要一个电阻网络，如图1.1中所示，设计该网络时有这样几点必须考虑：首先，我们知道当负载是50Ω接到Vcc-2V 时，LVPECL 的输出性能是最优的，因此我们考虑该电阻网络应该与最优负载等效；然后我们还要考虑该电阻网络引入的衰减不应太大，LVPECL 输出信号经衰减后仍能落在LVDS 的有效输入范围内。注意LVDS 的输入差分阻抗为100Ω，或者每个单端到虚拟地为50Ω，该阻抗不提供直流通路，这里意味着LVDS输入交流阻抗与直流阻抗不等.经计算，电阻值为：R1=182Ω，R2=48Ω，R3=48Ω。电阻靠近接收侧放置。 （a)等效电路 （b）LVPECL到LVDS的连接 图1.LVPECL到LVDS的直流耦合结构 2、交流耦合 LVPECL 到LVDS 的交流耦合结构如图2 所示，LVPECL 的输出端到地需加直流偏置电阻（142Ω到200Ω），同时信号通道上一定要串接50Ω电阻，以提供一定衰减。LVDS 的输入端到地需加5KΩ电阻，以提供近似0.86V 的共模电压。 图2.LVPECL到LVDS的交流耦合结构 在信号转换方面，LVPECL到LVDS的转换则需要考虑衰减电阻和交流耦合电容的放置，以及LVDS接收器的重新偏置。相反，LVDS到LVPECL的转换也需要适当的电路设计和元件选择。 LVDS和LVPECL各有其特点和应用场景。LVDS适用于板内信号传输和高速变化信号的传输，而LVPECL则适用于背板传输和长线缆传输等需要强驱动能力和高传输速度的应用。不过，虽然LVPECL到LVDS的转换可以通过电路的设计可以实现，这边建议客户尽量选用相同类型波形的差分传输接口，毕竟电路转换会有很多其他不确定的影响。
差分晶振,LVDS,LVPECL,晶体振荡器
扬兴科技 . 2025-03-13 3470
方案 | 英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案
随着服务器和人工智能应用的发展，CPU/GPU的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经从12V升级到48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从48V到12V的供电转换。 英诺赛科针对48V架构开发了两款行业领先的降压电源方案（四相2kW交错降压电源方案），为更高效、节能的数据中心赋能。 “小身板、大能量” 优势尽显 英诺赛科此次推出的两款降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构，实现了高功率密度的紧凑设计，内置超小体积氮化镓半桥驱动 IC INS2002 和双面散热低压氮化镓 INN100EA035A，效率高达98%，功率部分面积68mmx30mm，仅为智能手机（iphone 15）的1/5大小。 InnoGaN+Driver IC：小体积、低损耗的关键 与Si MOS相比，GaN具备更优越的开关特性和更低的开关损耗, 可以带来更高的转换效率，更高的开关频率，更小的磁性器件尺寸和滤波电容的体积，以及更高的功率密度。此次发布的两款2kW 四相交错降压电源方案均采用4颗英诺赛科100V氮化镓半桥驱动 IC（INS2002FQ）和16颗100V双面散热的低压氮化镓功率晶体管（INN100EA035A）。 INS2002FQ 采用英诺自研的 FCQFN 3mmx3mm 封装，专为驱动GaN打造，十分适合高功率和高频率应用。该产品具备如下特点： 内置自举电路BST钳位电路，能够保护GaN栅极在安全的驱动电压范围内工作 单独的驱动上拉和下拉输出引脚，可分别调节开通和关断速度 支持3态PWM输入，可以通过调节外部配置电阻灵活调节死区时间 和竞品驱动相比，驱动能力更强，传播延迟更低 100V 氮化镓增强型功率晶体管INN100EA035A，采用En-FCLGA3.3x3.3封装，具备超低的导通电阻和双面散热特性，可以使能量损耗大幅降低的同时提升散热能力，是实现高功率密度方案的关键。 四相交错 Buck，提升系统效率 英诺赛科2kW四相交错降压电源方案采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗INS2002FQ和4颗INN100EA035A实现功率传输。 两款方案分别采用双耦合/四耦合电感，将传统Buck方案中的分立电感替换为低耦合系数的耦合电感，有效降低了电感纹波电流，同时降低电感和电容体积，有助于提升系统功率密度，同时具有十分灵活的拓展功能。 在输入40Vdc-60Vdc，输出12V/167A的条件下，两款方案的最大输出功率2000W。其中采用双耦合电感的峰值效率为98%@1200W，满载效率为97.6%@2000W；采用四耦合电感的峰值效率为98.1%@1000W，满载效率为97.7%@2000W。功率级尺寸均为68*30*18mm。峰值效率和满载效率均比市面上最好性能的Si MOSFET高1%以上。 “高效率、低损耗” 行业领先 四相交错 Buck 拓扑，生态成熟，拓展性灵活； 效率超98%，峰值效率和满载效率均比最优的Si MOSFET高1%以上； 高开关频率、高功率密度，且大幅降低能耗，满载无风条件下器件热点温度比最优的Si MOSFET低15度以上 多领域适配，助力系统升级 英诺赛科此次开发的两款降压电源方案可应用于数据中心领域的服务器48V供电系统、新能源汽车48V供电架构，以及工业和通信的电源模块，借助氮化镓的性能降低系统损耗，大幅提升效率，帮助实现低碳、节能发展。
英诺赛科
英诺赛科 . 2025-03-12 1 1155
技术 | Allegro机器人电流传感解决方案：确保每一个动作精准、高效且安全
机器人技术正以日新月异的速度蓬勃发展。我们常常惊叹于机械臂以超乎想象的精度组装复杂电子设备，手术机器人以无比精妙的操作实施微创手术，还有自动驾驶汽车在复杂环境中看似轻而易举地自如穿梭。然而，在这些令人瞩目的工程成就背后，隐藏着一个极为关键却常被忽视的组件——电流传感器。这些身形小巧却功能强大的组件堪称现代机器人的关键要素，它们构建起重要的反馈机制，助力机器人能够精准、高效且安全地与周围世界交互。 电流传感器是机器人“大脑”（控制系统）与其“肌肉”（电机）之间的桥梁，不断监测流经电机的电流。电流与电机产生的扭矩（或旋转力）成正比，为了解机器人的物理消耗提供了实时窗口。监测此持续反馈回路是构建精确运动控制的基础。如果没有准确且响应迅速的电流传感，机器人就会变得笨拙且不可预测，无法执行制造、手术和自动导航等领域所需的精细操作。想象一下，如果不知道施加压力的准确性，机械臂试图将一个微型组件放置在电路板上——结果很可能是组件损坏或电路板损坏。电流传感器不仅能够实现精度，而且在优化能源效率方面也发挥着至关重要的作用。通过密切跟踪电流消耗，控制系统可以微调输送到每个电机的功率，从而极大限度地减少能源浪费并最大限度地延长电池寿命。这对于移动机器人（例如用于仓库、勘探或送货服务的机器人）尤其重要，因为延长它们的运行时间至关重要。 此外，电流传感器对于确保机器人和与其一起工作的人员安全至关重要。它们可以快速检测过流情况，这可能是由于电机过载、短路或其他故障引起的。传感器可以触发保护性关闭，防止机器人及其周围环境损坏，并可能防止附近人员受伤。 Allegro解决方案：一颗具有巨大影响的小芯片 Allegro ACS37030/32 高带宽电流传感器，专为要求严苛的机器人领域而设计。无人机、紧凑型协作机器人 (cobot) 和微型医疗机器人都需要在微型空间中实现高性能。ACS37030/32 在 4.9x6mm 的小封装中精确地实现了这一点。这些器件采用巧妙的双路径传感架构。霍尔效应传感器捕获直流和低频电流信息，而感应线圈则处理高频分量。这种巧妙的组合产生了从直流到 5MHz 的宽带宽，捕获了电流动态的全部频谱。40ns 的典型响应时间即使在最动态的机器人应用中也能实现实时控制。这些器件可以配置为三种检测范围：+/- 20A、+/-40A 或 +/-65A。精度至关重要，这些芯片在整个温度范围内提供 ±2% 的灵敏度误差和 50mARMS 的低输入参考噪声，确保一致的性能和清晰的信号。 超越规格：机器人的重要特性 但 ACS37030/32 的价值超越了原始性能数据。正是这些经过深思熟虑的功能才使这些芯片在机器人领域真正脱颖而出。例如，ACS37030 为差分布线提供专用参考电压输出 (VREF)。这在机器人系统（尤其是紧凑型机器人系统）中常见的电噪声环境中是一个至关重要的优势，在这些系统中，组件的紧密接近会导致干扰。使用 VREF 的差分布线有助于抑制共模噪声并确保干净、准确的电流测量。ACS37032 型号通过集成用于过流检测的专用故障输出，进一步提高了安全性。此功能对于防止过载或短路造成的损坏非常有用，这在较小型机器人中尤其重要，因为空间限制会增加此类事件的风险。ACS37030 和 ACS37032 均采用紧凑的 6 引脚 SOIC 封装，极大限度地减少了它们的占用空间，并简化了与空间受限设计的集成。此外，AEC-Q100 温度等级 0 认证表明这些芯片符合严格的汽车级可靠性标准，即使在非常恶劣的机器人环境中也能保证可靠的性能。这种高可靠性对于不容许出现故障的应用（例如自动导航或关键安全系统）至关重要。 为大型和小型机器人的未来提供动力 ACS37030/32 的低功耗（在 3.3V 时典型值为 20mA）和低内部导体电阻（典型值为 0.68mΩ）在小型机器人中尤其突出，因为电池寿命通常是主要的设计限制。这些特性有助于极大限度地延长运行时间并有利于最大限度地减少因散热造成的功率损耗。这种效率对于移动机器人和无人机尤其重要，因为每节省一毫瓦就意味着更大的航程和任务能力。除了运动控制、效率和安全性的基本要素之外，ACS37030/32 等电流传感器还支持先进的机器人功能。它们是力传感和控制的关键，使机器人能够以精细的触感与其环境互动。它们还通过检测电机性能的细微变化来实现预测性维护，从而为主动维修铺平道路并尽量最大限度地减少停机时间。在协作机器人领域，电流传感器对于确保人机交互的安全至关重要，可在意外接触时触发立即停止。无论是大型工业机器人还是小型、灵活的协作机器人，电流传感器都在为下一代机器人技术提供动力。它们堪称精准、高效和安全的基石，正塑造着一个机器人与人类能够无缝且安全协同作业的未来。 机器人技术的未来与传感技术的进步密不可分。以 Allegro 的创新型电流传感器 ACS37030/32 为例，它们不仅仅是组件，更是构建智能、高效、安全机器人的基础。随着机器人不断融入我们生活的各个方面，电流传感所发挥的重要作用只会变得更加突出，从而开启人机协作和创新的新纪元。这些传感器是每一个精确动作、每一个高效操作和每一个安全交互背后的无声力量，塑造了机器人和人类无缝协作以实现非凡成就的未来。
Allegro
Allegro微电子 . 2025-03-12 2 825
产品 | 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。 新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。 随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。 特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。 因此，更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的芯片可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。 新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。 另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购买。 ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来，ROHM将继续扩大相关产品阵容，为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。 产品阵容 查看详情 RS7E200BG RS7N200BH RS7N160BH 应用示例 ・企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路 ・AI（人工智能）服务器48V系统电源的AC-DC转换电路 ・工业设备48V系统电源（风扇电机等） 术语解说 *1）导通电阻（RDS(on)） MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。 *2）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。 *3）功率MOSFET 适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。 *4）热插拔控制器（HSC：Hot Swap Controller） 可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC（集成电路），发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流，并保护系统和所连接元器件的重要作用。 *5）浪涌电流（Inrush Current） 在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。
MOSFET
罗姆半导体集团 . 2025-03-12 630
夯实国产供应链安全、践行功能安全体系，纳芯微再获更高等级功能安全管理体系认证
近日，纳芯微宣布，其功能安全管理体系通过德国莱茵TÜV（以下简称"TÜV莱茵"）的严格审核，正式获得ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证。 此次认证确认了纳芯微在国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器、国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动等项目上的体系实践，标志着纳芯微成为国内少数在功能安全领域完成从“Managed”（体系建立）到“Defined-Practiced”（体系实践）能力跃迁的芯片企业，其功能安全研发能力及管理体系成熟度获得权威认证机构的认可，通过公司在研发管理、质量保障、流程建设方面的能力提升，为全球客户提供高安全等级的芯片奠定了坚实基础。 体系进阶：从符合标准到实践落地 自2021年12月通过ISO 26262 ASIL D "Managed"（体系建立）级别认证以来，纳芯微持续、系统性地推进功能安全研发能力建设及流程体系优化。此次认证中，TÜV莱茵重点审核了功能安全全生命周期管理、安全文化建设、研发能力等若干维度，针对轮速传感器NSM41xx系列和隔离式栅极驱动NSI6911等项目进行了全面的流程、技术评审，最终确认其体系成熟度达到进阶的"Defined-Practiced"（体系实践）标准。 ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证证书 国产首颗具备功能安全的ABS轮速传感器 NSM41xx系列是国内首颗基于AMR技术、符合功能安全要求的ABS轮速传感器，严格按照ISO 26262 ASIL B（D）要求开发，支持最高ASIL D等级的系统集成。该系列产品通过集成先进的磁性传感敏感单元与ASIC技术，能够精准监测车轮转速，为防抱死制动系统（ABS）、车身电子稳定系统（ESP）以及电动转向助力系统（EPS）等控制系统提供有力支持，确保在极端条件下仍能保持高度的功能安全性和可靠性。 国产首颗具备功能安全的隔离式栅极驱动 NSI6911是国内首颗用于新能源汽车主驱动并符合 ASIL D 功能安全等级的隔离式栅极驱动，其集成12位高精度ADC、具备完善可靠的诊断功能与SPI可编程接口，能够可靠驱动和保护SiC MOSFET 和 IGBT。NSI6911具有隔离耐压高、驱动电流大、响应延迟低、保护机制全、可靠性高等特点，为新能源汽车的安全行驶保驾护航。此外，NSI6911的生产交付基于全国产供应链，满足供应链多元化的需求，全面提升客户的供应链韧性和安全性。 落实可靠、可信赖的研发和质量管理体系 作为国内车规芯片领军企业，汽车应用是纳芯微一直以来聚焦的核心领域。汽车芯片对安全性、可靠性的严苛要求也对纳芯微的研发能力和质量体系提出了更高的要求。 秉承“可靠、可信赖”的价值观，纳芯微将功能安全能力建设作为关键战略，构建了符合ISO 26262:2018的全流程开发能力以及完备的车规质量管理体系，在保障产品质量的同时，实现了大批量稳定量产供货。截至2024年，纳芯微汽车芯片累计出货量超过5亿颗，汽车业务占比超过35%，产品已经全面覆盖新能源汽车主机厂和零部件供应商。 纳芯微致力于成为全球汽车产业链首选的芯片供应商，通过坚实的研发能力、可靠的质量保障、稳定的量产交付、灵活的定制化服务，为行业用户提供高质量、高可靠性、高性能的汽车级模拟及混合信号芯片产品和一站式、系统级解决方案。
纳芯微
纳芯微电子 . 2025-03-12 825
产品 | 安森美推出面向工业应用的先进深度传感器
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其首款实时、间接飞行时间(iToF)传感器Hyperlux™ ID 系列，可对快速移动物体进行高精度长距离测量和三维成像。 Hyperlux ID 系列采用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉完整场景，同时实时进行深度测量。这种创新方法突破标准iToF传感器的局限性，实现最远30米的深度感知，是标准iToF传感器的四倍，而且外形尺寸更小。此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。 因此，Hyperlux ID 系列实现了简化设计和业内领先的超深度感知能力，能在动态场景条件下工作以及捕捉快速移动物体，这在以前都是无法实现的。 随着自动化和机器人技术在工业领域的广泛应用，快速且高效地获取高精度深度信息对于提升在复杂环境中的生产效率和安全性变得至关重要。然而，到目前为止，iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光照条件下性能不佳且无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。 由于能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，Hyperlux ID 系列将有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。此外，Hyperlux ID 系列还适用于面部识别、手势检测和3D视讯会议等消费应用场景。 Hyperlux ID 系列非常适合用于广泛的工业环境，例如： 自动化与机器人：通过检测物体以实现更好的导航和避障，从而提高工厂车间的安全性。 制造与质量控制：通过测量物体的体积和形状、检测缺陷，确保产品符合质量标准。 物流与物料处理：通过测量托盘和货物的位置、尺寸及货物比例，以优化仓储管理和运输流程。 农业与种植：通过测量植物高度、检测疾病以及优化灌溉和施肥过程，来监测作物生长和健康状况。 访问控制系统：为支付终端、家庭和商业入口系统等提供高精细、高准确度的面部识别。 Hyperlux ID传感器系列融合了全局快门架构和iToF技术，实现精确且快速的深度感知。iToF技术通过测量从一个或多个垂直腔面发射激光器（VCSEL）发出的反射光的相移来感知深度。专有的像素架构使传感器能够在一次曝光中同时捕获并存储四种不同的光相位，即时捕捉完整场景并提高深度测量的准确性。 此外，全局快门技术将所有传感器像素与VCSEL同步，从而显著减少来自其他光源的环境红外噪声。自带的深度处理功能还可输出实时结果，而无需昂贵的外部存储器和高性能处理器。 “Hyperlux ID系列不仅具备比市场上其他iToF传感器更高的分辨率和更好的环境光抑制能力，其集成处理功能也给我们留下了深刻印象。该功能可高速生成深度、置信度和强度图，使其特别适合捕捉移动物体。”IDS Imaging Development Systems董事总经理Alexander Lewinsky表示，“得益于与安森美的紧密合作，我们能够非常迅速地开发并扩展我们的3D相机系列，推出了一款高性价比的飞行时间相机，大规模用于室内和室外应用。” Hyperlux ID 系列包括120万像素全局快门、3.5µm背照式（BSI）像素传感器。AF0130型号还自带处理功能，令集成更简单并降低系统成本。对于那些希望集成自有深度检测算法的客户可以选用AF0131，为他们的系统增加了更大的灵活性。
安森美
安森美 . 2025-03-12 645
产品 | 国内首颗车规级数字环境光传感器
随着汽车智能化加速演进，传感器技术正向集成化、微型化、低功耗方向迭代。矽力杰率先推出国内首颗车规级数字环境光传感器SA88137AS22-J00,该器件凭借小封装、超高灵敏度及低功耗，为智能座舱环境光自适应系统、ADAS摄像头光感优化等场景提供精准感知支持。 芯片简介 SA88137AS22-J00 *芯片示意图 ◆ 国内首颗通过车规认证，符合AEC-Q100 Grade 2 标准 ◆ 双通道精准感知： ♢ALS通道+CLEAR通道，动态优化环境光检测精度 ♢最高灵敏度达0.2mlux/count ◆ 低功耗： ♢工作电流150μA ♢待机电流低至10μA ♢可配置不同睡眠时间，进一步降低运行功耗 ◆ 全温域稳定运行：工作温度-40°C~105°C ◆ 智能中断功能： ♢可编程阈值+滤波机制 ♢实时响应光照变化 *应用场景 核心优势 ◆ 接口：通用I2C，支持设备地址切换 ◆ 小封装：2.0×2.0×0.6mm³ ◆ 超高灵敏度：16位ADC ♢最高灵敏度 0.2mlux/count，实现弱光捕捉 ◆ 供电范围：2.5V~3.6V，兼容主流车载电源 ◆ 可调增益和积分时间： ♢增益范围：1x-256x，可动态调整增益，轻松应对从黑夜到强光的多变场景（最大检测量程达107klux） ♢积分时间：25ms-800ms ♢睡眠时间：100ms- 1600ms ◆ FOV：±50°的视场角，使设备接收光强的角度大，照度值也更加贴近真实 *典型原理图 *FOV示意图
矽力杰
矽力杰半导体 . 2025-03-12 620
产品 | 申矽凌CHT8325-Q车规级温湿度传感器芯片 —— 智感未来，芯动出行
在智能汽车与新能源浪潮下，申矽凌推出车规级温湿度传感器芯片CHT8325-Q，以国产自主创新技术重新定义汽车环境感知标准，为座舱舒适、电池安全与智能驾驶提供可靠保障。 车规级认证，严苛环境从容应对 CHT8325-Q通过AEC-Q100认证，支持-40℃ ~ 125℃超宽温域运行，抗振动、耐高低温冲击，满足引擎舱、电池包等严苛场景需求。单芯片集成传感器与信号处理单元，减少外部干扰，确保长期稳定性。 高精度感知，守护每一度舒适与安全 温度精度±0.1℃(Typ.)，湿度精度 ±1.5% RH（Typ. @20%~80% RH），支持动态补偿算法，精准调控座舱温湿度，提升驾乘体验。 实时监测电池包 / 电机热管理系统，预警异常温升，保障新能源汽车核心部件安全。 低功耗设计，高效协同车联网 宽电压1.8V~5.5V 适配车载电源，平均电流5.5μA，待机电流低至 0.36μA。 I2C/SMBus 高速通信，支持多地址配置，助力汽车电子系统高效协作。 国产创新，赋能供应链安全 作为国产自主知识产权芯片，CHT8325-Q 核心模块（ADC、校准算法）完全自研，性能对标国际一线品牌。 通过 IATF 16949 体系认证，提供本地化 FAE 支持，助力车企构建安全可控的供应链。 应用场景 智能座舱温湿度调控 电池包热失控预警 HVAC 系统节能优化 自动驾驶环境感知
申矽凌
申矽凌微电子 . 2025-03-12 1 585
产品 | TI推出全球最小MCU
德州仪器 (TI) 今日推出了全球最小的 MCU，扩展了其全面的 Arm Cortex -M0+ MSPM0 MCU 产品组合。 这款名为MSPM0C1104 MCU 的晶圆芯片级封装 (WCSP) 尺寸仅为 1.38mm²，大约相当于黑胡椒片的大小，使设计人员能够优化医疗可穿戴设备和个人电子产品等应用中的电路板空间，而不会影响性能。 TI MSP 微控制器副总裁兼总经理Vinay Agarwal表示：“在耳塞和医疗探头等微型系统中，电路板空间是一种稀缺而宝贵的资源。随着全球最小 MCU 的加入，我们的 MSPM0 MCU 产品组合提供了无限可能，让我们在日常生活中实现更智能、更互联的体验。” TI 的 MSPM0 MCU 产品组合拥有 100 多种经济高效的 MCU，可提供片上模拟外设的可扩展配置和一系列计算选项，以增强嵌入式设计的传感和控制功能。 TI表示，消费者不断要求日常电子产品（例如电动牙刷和触控笔）在更小的体积内提供更多功能，同时降低成本。为了在这些不断缩小的产品中进行创新，工程师越来越多地寻求紧凑、集成的组件，使他们能够在节省电路板空间的同时增加功能。MSPM0C1104 MCU 利用 WCSP 封装技术的优势，以及有意的功能选择和 TI 的成本优化努力。八球 WCSP 的尺寸为 1.38mm²，比竞争设备小 38%。 该 MCU 具有 16KB 内存、三通道 12 位模拟数字转换器、六个通用输入/输出引脚，并兼容通用异步接收器发送器 (UART)、串行外设接口 (SPI) 和集成电路间 (I 2 C) 等标准通信接口。将精确、高速的模拟组件集成到世界上最小的 MCU 中，使工程师能够灵活地保持其嵌入式系统的计算性能，而无需增加电路板尺寸。 TI在博客中介绍说，封装创新是半导体领域为数不多的肉眼可见的改进之一。为了帮助减小封装尺寸，半导体制造商能够通过从传统引线选项转向高级封装选项来去除不必要的塑料外壳和引线。这些封装选项的尺寸与芯片尺寸直接相关，可以减少实现预期功能所需的面积。 TI 在其嵌入式处理产品组合中提供了几种微型封装： • 四方扁平无引线 (QFN)。QFN 封装与传统引线不同，它由塑料外壳边缘周围的扁平触点和底部的裸露导热垫组成，以提高热性能。 下图显示了 MSPM0C1104 的封装图，这是一款 20 引脚微控制器，面积仅为 9mm²。 晶圆芯片级封装 (WCSP)。与其他封装类型相比，这些封装具有最小的外形尺寸。焊球阵列直接连接到硅片，使封装尺寸等于硅片（见下图）。在 1.38mm²中安装八个焊球，每平方毫米可集成更多功能。MSPM0C1104 还采用 WCSP 封装，比竞争器件小 38%，是世界上最小的 MCU。 在TI看来，解决电路板空间有限问题的另一种方法是优化设备中的功能集成。每个组件都有自己的塑料封装、引线和所需的布局空间，它们占用的电路板空间比具有集成功能的单个芯片要大得多。 在推动小型化的过程中，集成模拟和数字外设的 MCU 和处理器可以证明是有用的。以脉搏血氧仪为例。与离散设计方法相比，如上图所示，将模数转换器 (ADC)、比较器和电压基准集成到 MCU 中可以减少所需组件的数量，从而减小 PCB 尺寸，如下图所示。 不过，TI也坦言， 选择将哪些功能集成到 MCU 中需要做出一些权衡。功能集成可以减少设计中的组件数量，但包含不必要的功能可能会违背意图并增加单芯片解决方案的大小。这就是功能优化如此重要的原因。添加的外设与芯片大小和设备成本直接相关。未使用的功能会浪费空间和金钱，并降低空间受限设计的效率。了解市场的真正需求可以带来具有成本和尺寸竞争力的嵌入式解决方案。例如，MSPM0C1104 8 球 WCSP 不仅体积小，而且具有众多集成功能和组件。它在 1.38 mm² 封装中提供 16KB 闪存、具有三个通道的 12 位 ADC 和三个计时器。通过使用 MSPM0C1104 等器件来优化每平方毫米的特征数量，工程师可以在设计中发挥更多作用。 随着物理集成电路变得越来越小，设计和生产方法也在不断发展。虽然转向更小的电气元件可以帮助最小化 PCB 尺寸，但也需要考虑布局、处理和生产流程。 使用芯片级封装进行设计时，两种类型的 PCB 焊盘图案很有用：阻焊定义 (SMD) 和非阻焊定义 (NSMD)，如下图所示。SMD 类型包含与基板重叠的较大铜焊盘，而 NSMD 类型包含尺寸更紧凑的较小铜焊盘。 NSMD 型焊盘在芯片级封装中提供更好的均匀覆盖、更好的布线和更低的应力。 元件的放置和处理也非常困难。对于半导体和产品制造商而言，制造过程中使用的贴片机和真空笔可最大程度地降低损坏 WCSP 和 BGA 封装裸露芯片的风险。为了提高贴片精度，贴片机中的视觉系统可以定位封装轮廓或单个凸块。焊料凸块的几何形状可实现 PCB 焊盘的自动定心和校正。随着电子元件尺寸的减小，制造机械也随之发展以弥补这一缺陷。 TI表示，全新 MSPM0C1104 加入了 TI 的MSPM0 MCU 产品组合，该产品组合具有可扩展性、成本优化和易用性，可加快产品上市时间。TI 的 MSPM0 MCU 具有引脚对引脚兼容的封装选项和功能集，可满足个人电子产品、工业和汽车应用中的内存、模拟和计算要求。该产品组合的起价为0.16 美元（1,000 件），还包括其他小型封装，有助于减小电路板尺寸和物料清单。该产品组合的优化和功能集成可帮助工程师设计任何尺寸的产品，同时降低系统成本和复杂性。 为了提供进一步的支持，TI 的综合生态系统包括针对所有 MSPM0 MCU 的优化软件开发套件、用于快速原型设计的硬件开发套件、参考设计以及子系统（常见 MCU 功能的代码示例）。TI的 Zero Code Studio工具使用户能够在几分钟内配置、开发和运行 MCU 应用程序，而无需编码。工程师可以利用这个生态系统来扩展设计并重复使用代码，而无需进行重大的硬件或软件修改。除了这个生态系统之外，TI 的 MSPM0 MCU 产品组合还得到了 TI 对其内部制造能力不断增加的投资的支持，以满足未来的需求。
TI
芯查查资讯 . 2025-03-12 1 8 2425
产品 | 兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
兆易创新今日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。 为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。 “GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决方案，助力创新应用的发展。” 目前，兆易创新GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已开始提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。
兆易创新
兆易创新GigaDevice . 2025-03-12 565
芯擎科技喜获双奖，汪凯博士荣膺年度经济人物
3月8日，武汉经开区高质量发展“比学赶超 创先争优”大会举办。本次大会上，芯擎科技荣获“2024年度中国车谷经济高质量发展企业”，芯擎科技创始人、董事兼首席执行官汪凯博士荣膺“2024武汉经开区年度经济人物”。 作为国家级经济开发区，武汉经开区积极打造汽车产业创新高地。芯擎科技立足于经开区稳步发展，已迅速跻身国家级专精特新“小巨人”和全球独角兽行列，荣获中国汽车工程学会“科技进步一等奖”等多项国家级荣誉，充分展示了其在车规芯片领域的创新实力和领先地位。 2021年，芯擎科技推出了国内首款7nm车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”，不仅打造了领克08、银河E5、红旗天工05等数十款畅销车型，还与德国大众集团合作，为欧洲和南美等海外国家打造智能汽车。目前，“龍鹰一号”已成为中国乘用车装载量第一的国产智能座舱芯片。2024年，芯擎科技成功推出了拥有自主知识产权的自动驾驶芯片“星辰一号”，预计2025年量产，2026年大规模上车应用。 本次大会还授予芯擎科技汪凯博士“2024武汉经开区年度经济人物”的荣誉，该奖项旨在表彰极富企业家精神，为产业发展做出卓越贡献的商界领袖。汪凯博士率领芯擎团队攻克了中国车规级芯片“卡脖子“的难题，推动国产芯片与国际顶尖水平比肩发展，引领行业创新，填补了中国大算力智能座舱芯片和自动驾驶芯片的产业空白。成立6年以来，汪凯博士带领芯擎成为了行业发展的领跑者和国产芯片开拓发展的探路者。汪凯博士表示：“经开区给与芯擎的荣誉，是对我们巨大的鼓舞。芯擎将继续积极地承担行业领军者的责任，推动产业链上下游协同创新，促进汽车芯片生态的繁荣发展，为武汉经开区乃至全国、全球的汽车产业转型升级贡献力量。”
芯擎科技
芯擎科技SiEngine . 2025-03-11 1 945
SK Keyfoundry斥资250亿韩元收购 SK Powertech
SK Keyfoundry 宣布决定以 250 亿韩元的价格从 SK Inc. 收购 SK Powertech 98.59% 的股份。此次收购预计将于今年上半年完成。 SK Keyfoundry 是一家 8 英寸晶圆代工厂，于 2020 年 9 月从 Magnachip Semiconductor 分拆出来，并于 2022 年 8 月成为 SK Hynix 的子公司。 SK Powertech 前身为 Yes Power Technics，于 2022 年被 SK Inc. 收购，以其在设计和制造碳化硅 (SiC) 功率半导体方面的专业知识而闻名。 SK Keyfoundry 表示：“此次股权收购旨在增强我们在下一代化合物半导体业务中的竞争力。我们相信，凭借其半导体量产专业知识，SK Keyfoundry 可以与拥有基于 SiC 的功率半导体技术的 SK Powertech 产生协同效应。” 功率半导体对于管理和转换各种应用中的电能至关重要，包括电动汽车、工业机械和通信网络。作为 SK Keyfoundry 增长战略的核心支柱，收购 SK Powertech 有望加速 SiC 功率半导体能力的发展，最终将 SK Keyfoundry 转变为“功率半导体专业代工厂”。
收购
芯查查资讯 . 2025-03-11 2 735
超800万年薪，汇顶科技总裁胡煜华离职
3月10日晚，汇顶科技发布公告称，公司近日收到总裁胡煜华女士的书面辞职报告。 汇顶发公告称胡煜华辞职 汇顶科技在3月10日晚间公告称，公司董事会于近日收到公司总裁胡煜华女士的书面辞职报告。胡煜华女士因个人原因，申请辞去公司总裁职务。公告指出，胡煜华女士辞职后将不再担任公司任何职务，根据相关规定，胡煜华女士的辞职报告自送达汇顶科技公司董事会之日起生效。 汇顶科技表示，胡煜华女士的辞职不会影响公司日常经营活动的开展，公司将按照相关规定尽快聘任新的总裁，并及时履行信息披露义务。此外，为保证公司运营管理工作的正常开展，在公司未正式聘任新的总裁之前，由公司董事长兼首席执行官张帆先生代行总裁职责。 胡煜华教育背景及工作经历 胡煜华女士拥有香港科技大学的工商管理硕士学位，以及南华大学计算机科学学士学位。 她曾任德州仪器(TI)中国区市场和销售总经理、公司副总裁及中国区总裁，负责TI在中国的整体运营—— 2013年，担任德州仪器中国区销售和市场应用部总经理，促进TI模拟与嵌入式处理业务在中国市场的发展；2015年6月8日，任德州仪器半导体技术（上海）有限公司总裁（德州仪器中国区总裁）；2018年，当选为德州仪器全球副总裁，并继续留任中国区总裁。 2021年3月，胡煜华女士加入汇顶科技，担任公司总裁，全面负责公司的整体运营管理，建立全球化的运营体系和流程以不断提升运营和管理效率。2025年3月10日，因个人原因辞去汇顶科技总裁职务，由公司董事长兼首席执行官张帆代行总裁职责。 胡煜华任职汇顶总裁期间的成绩 2021年3月，胡煜华入职汇顶科技，被视作当时处于低潮时期的汇顶科技的“救命稻草”。 彼时，由于苹果取消指纹解锁采用面部解锁，叠加智能手机告别高增长，指纹芯片行业的盈利能力也经历了断崖式下滑。胡煜华入职前的2020年，汇顶科技的归母净利润从2019年的23.17亿下降至16.59亿元，降幅近三成；毛利率也从60.4%下滑至52.27%，下降超8个百分点。 在胡煜华任职汇顶科技总裁期间(2021年3月至2025年3月)，无论是公司业绩还是产品布局业务，均取得了新成绩。 一方面，汇顶科技的业绩呈现“先抑后扬”的V型走势： 2021年营收57.13亿元（同比-14.57%），归母净利润同比下滑48.1%至8.60亿元； 2022年受消费电子需求疲软拖累，营收进一步降至33.84亿元（同比-40.77%），归母净利润亏损7.48亿元； 2023年通过库存出清和费用优化，前三季度实现净利润1.65亿元扭亏为盈； 2024年迎来爆发式增长，上半年营收22.56亿元（同比+11.58%）、净利润3.17亿元（同比+333.29%），前三季度净利润同比飙升3499.3%至4.48亿元，毛利率回升至41.74%； 2025年预计延续增长态势，全年净利润预增233.22%-287.75%至5.5-6.4亿元。 另一方面，汇顶科技在指纹识别芯片、触控芯片、新兴领域布局方面均做出了 新成绩。 汇顶科技2024年屏下指纹芯片市占率达56%，光学指纹产品2023年安卓市场市占率近70%，2024年保持全球领先地位 。第三代超薄指纹方案（厚度≤0.2mm）于2024年已量产并适配主流安卓机型。 车规级触控芯片成为核心业务，覆盖智能座舱触控屏等场景。 在新兴领域布局方面，IoT解决方案（低功耗蓝牙、安全芯片）加速落地，智能座舱触控芯片需求增长显著。 收购云英谷“折戟” 汇顶科技成立于2002年，是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商，主要面向智能终端、物联网及汽车电子领域提供领先的半导体软硬件解决方案，产品和解决方案主要应用于华为、OPPO、vivo、小米、中兴、一加、魅族、Amazon、Samsung等知名品牌。 汇顶科技于2016年10月登陆上交所主板市场。截至3月10日收盘，汇顶科技股价为79.23元/股，总市值约为366亿元。 2024年前三季度，汇顶科技实现营业收入32.23亿元，同比增长0.82%；实现归母净利润4.48亿元，同比增长3499.3%。对于业绩的大幅增长，汇顶科技称，主要系公司聚焦于自身优势明显且市场前景可观的研发项目，持续提升研发效率及加强销售、管理费用管控所致。 值得一提的是，此前汇顶科技曾谋求收购OLED显示驱动芯片公司云英谷科技股份有限公司100%股份。汇顶科技称，该次交易将“拓宽上市公司的技术与产品布局，提升上市公司竞争力，同时提升上市公司业务规模，实现公司股东价值最大化”。 3月3日晚间，汇顶科技公告称，因交易双方未能就该次交易对价等商业条款最终达成一致意见，决定终止该次交易事项。 云英谷是一家以显示技术研发为核心，专业从事OLED显示驱动芯片的研发、设计及销售的企业。公司采用Fabless的运营模式，主要产品包括AMOLED显示驱动芯片及Micro OLED硅基显示驱动背板芯片。其中，AMOLED显示驱动芯片下游应用终端为智能手机，而Micro OLED硅基显示驱动背板芯片主要的下游应用终端则为VR/AR等智能头戴式设备。2024年12月，世界集成电路协会发布2024中国半导体企业影响力百强报告，云英谷入选百强榜。 汇顶科技在投资者说明会上表示，终止该次交易事项系经公司审慎研究，并与交易各方充分沟通、友好协商后做出的决定。公司一直关注OLED的TDDI的发展趋势，正按长期战略推进相关研发工作，公司有信心通过自研方式完成技术积累，实现最终商用。
汇顶科技
芯查查资讯 . 2025-03-11 735
市场 | 2025到2030年，全球智能手机市场将如何变化？
预计2025年全球智能手机市场的增长将快速放缓至1.5%。厂商仍有机会寻求本地化增长机会。 长期增长将保持稳定，但幅度有限，且面临多方面挑战，出货量不会出现显著激增。 包括俄罗斯/乌克兰局势以及关税/贸易战在内的风险可能会对市场产生更大影响 强劲复苏后的2025年呈现降温趋势 2024年，全球智能手机市场增长7.1%，达到12.23亿部，超过了早前在2024年11月发布的预测。年末需求强劲和智能手机厂商积极补充库存是这一增长的重要因素。然而，Canalys预测显示，市场增长预计将在2025年快速放缓至1.5%。市场表现将因地区而异，某些地区将达到增长拐点并开始下滑。 市场即将放缓的核心逻辑 在全球宏观经济和供应链的临时性背景下，上述驱动因素只能为市场提供短期动力。与此同时，2025年的智能手机市场将面临几项新挑战。 库存风险：2024年高企的出货量和激烈的竞争可能导致一些地区，包括亚太新兴市场、印度和拉丁美洲等，出现较大库存升高的风险。智能手机厂商和分销商正将重点转向优化库存，以实现可持续运营。 换机周期高峰已过：2024年见证了需求的显著复苏，标志着自疫情和地缘政治冲突导致的经济衰退以来的首次大规模升级和换机。然而，预计从2025年开始，换机需求将明显放缓。 需要监测的潜在市场风险 一些风险因素可能会在短期内影响市场趋势，Canalys正在密切关注这些因素以评估是否应调整预测。 俄乌局势 过去一两年内，战争对全球智能手机市场的初步影响已经减弱，因为包括物流瓶颈、全球食品价格上涨和通胀、货币波动和经济衰退在内的干扰大部分已经被消化或释放。只有特定市场（如俄罗斯和乌克兰等）仍面临直接挑战，包括人口流失、渠道重组、经济压力、通胀和营商环境不确定性等。根据当前的地缘政治局势，战争可能在2025年结束或达成可行的解决方案。Canalys概述了如果战争得到解决，短期内可能的结果。 关税和贸易战 各国之间（包括中国大陆、美国、墨西哥等）持续的关税争端和贸易战带来了持续的风险。
智能手机
Canalys . 2025-03-11 1570
24 位高精度 Σ-Δ ADC SGM58201：引领高性能测量新标准
在精密测量领域，市场竞争日益激烈，选择合适的 ADC 芯片成为一个挑战：需要高精度、高集成度、低功耗，同时又要具备较高的性价比。SGM58201 凭借自主研发的 IP 和创新性的架构设计，为工程师提供了一个兼顾性能与应用需求的理想选择。 圣邦微电子推出的 SGM58201，作为新一代高性能 24 位 Σ-Δ ADC，支持 4 通道，内置 PGA、MUX、REF、IDAC 等功能，凭借最高 22Bits ENOB 有效分辨率、10ppm/℃ 全温度范围温漂系数，以及万分之二的恒流源匹配精度，树立了行业同品类的新标杆。 图 1 SGM58201 功能框图 核心优势解析：为何选择 SGM58201 SG Micro Corp 22Bits ENOB：精准还原真实信号 在高精度数据采集应用中，实际有效分辨率（ENOB）直接影响可用数据的质量。SGM58201 提供最高 22Bits ENOB，确保用户获取真实、高精度的测量数据。 10ppm/℃ 全温度温漂：极端环境下仍能精准测量 温漂是高精度测量系统的巨大隐患，温度变化可能导致 ADC 测量精度下降。SGM58201 全温度温漂系数仅 10ppm/℃，即使在宽温度范围（-40°C 至 +125°C）内，依然能出色的保证测量数据的一致性。 万分之二的恒流源匹配精度：精密 RTD 传感测量的利器 在 RTD 温度测量等应用中，恒流源匹配精度直接决定了测量精度。SGM58201 的恒流源匹配精度高达 0.02%（万分之二），减少了传统方案中对二次采样需求，显著降低了校准成本。同时，结合单周期稳定技术，实现毫秒级响应，满足高速产线的检测需求。 SGM58201 实测数据验证 SG Micro Corp 表 1 根据 RMS 噪声得出的 ENOB（根据噪声峰值得出的无噪声位） 表 2 噪声，单位为μVRMS (μVPP) *测试条件：AVDD = 3.3V，AVSS = 0V，正常模式，内部基准电压 = 2.048V 图 2 SGM58201 电压基准初始精度 图 3 SGM58201 线性度（INL） 图 4 SGM58201 电压基准全温度误差 图 5 SGM58201 基准源长期漂移 图 6 SGM58201 恒流源匹配误差 SGM58201 提供多样的评测工具 SG Micro Corp 评估板（EVB） 为了帮助客户快速评估 SGM58201，圣邦微电子的产品线支持团队开发了完备且稳定的 EVAL 板和 GUI 软件配套。该套件支持即时配置所有寄存器，并能实时计算和展示时域、频域以及直方图等各种数据。 图 7 EVB GUI 软件界面 参考设计电路板（Reference Design Demo Board） 针对 SGM58201 的典型温度变送器应用，圣邦微电子的 AE 团队搭建了一整套基于公司 ADC、DAC、OPA、REF 等核心物料的 4mA - 20mA 环路供电参考电路设计，支持 TC 和 RTD 等功能，方便客户评估整体系统的综合指标性能。同时配套的专用 GUI 可用于对 ADC 和 DAC 的详细测试，简化了客户的评估工作。 图 8 温度变送器参考设计信号链框图 图 9 温度变送器参考设计电路板 SGM58201 市场应用场景：高精度测量的理想选择 SG Micro Corp 工业自动化：高精度温度 TC（热电偶）和 RTD（热电阻）、压力传感器数据采集 医疗电子：生物信号测量、血氧检测 测试仪器：精密电阻测量、电流传感器 能源管理：电池监测、能量计量 如果您正在寻找一款具备高精度、低温漂和高集成度的 ADC，SGM58201 是一个理想的选择。它不仅能提升测量系统的精度和稳定性，也为高端测量应用提供了可靠方案，助力为工业、医疗、能源等领域的高端测量系统在技术上不断迈上新台阶。
ADC
圣邦微电子 . 2025-03-11 1 690
方案 | ADI发布扩展版CodeFusion Studio™解决方案，助力加速产品开发并确保数据安全
▶️CodeFusion Studio™系统规划器(System Planner)支持在异构架构中实现便捷的资源分配，并能够优化代码生成以提高效率 ▶️ 数据溯源软件开发(Data Provenance Software Development)解决方案 旨在确保用户整个数据栈中的数据可信度和可追溯性 今日，ADI在其以开发者为核心的套件基础上发布扩展版本，其中涵盖的新解决方案旨在助力开发者提高效率和安全性，同时为客户创造更高价值。CodeFusion Studio™系统规划器能够帮助客户实现智能边缘创新，提升功能，并加快产品上市。全新的数据溯源软件开发解决方案旨在为智能边缘端产生的数据构建信任框架，确保数据从产生到使用或存储的过程中保持可信度和保真度。 ADI发布扩展版CodeFusion Studio™解决方案 ADI软件与数字平台事业部高级副总裁Rob Oshana表示：“嵌入式开发者的工作比以往任何时候都更加繁琐，不仅要应对日渐复杂的处理器，还要面临多团队开发协作和日益严峻的安全环境所带来的挑战。我们多次收到客户反馈，他们希望能够更快速、更轻松地管理系统设计、分配资源、验证概念，同时在边缘端保障数据完整性。为了满足这些需求，ADI推出了扩展版CodeFusion Studio™系统规划器及数据溯源软件开发解决方案。” 近年来，嵌入式设备的处理速度、内核数量、功能及复杂度呈指数级增长，这使得嵌入式设备的成本与空间得以优化，但软件开发流程的复杂性亦显著增加。传统开发工具通常缺乏灵活度和定制性，难以融入现代系统设计所需的高效开发流程和既有代码库。ADI CodeFusion Studio™系统规划器解决了复杂异构设备上项目创建与资源划分的诸多难题。 ADI CodeFusion Studio™系统规划器 ADI的CodeFusion Studio™系统规划器采用获得许可的开源架构，支持在多核平台上灵活地创建项目，并通过图形界面直观地分配内存和外设资源。该产品同时包含配置工具，能够感知内核上使用的实时操作系统或固件平台，为分配给内核的外设或内存块提供上下文感知配置设置。通过深入了解系统性能，并利用便捷的开源工具改善资源分配，开发者将能更有效地优化设计。 此外，系统规划器还允许开发者通过基于插件的项目创建系统生成所需的代码。该系统在确保开发者享有极大灵活性的同时，还通过整套通用的配置工具来提升开发效率。针对Zephyr RTOS、ADI SDK等常见固件平台，该系统预置了一组插件，客户不仅能够开箱即用，还能根据自身需求，自由复制和修改这些项目创建和配置插件。插件系统利用了底层的模板引擎，可通过替换特定位置的字符串修改静态文件，并利用JavaScript或TypeScript函数增强代码生成逻辑。 最后，系统规划器提供了图形化实用程序来划分内存资源，将分区分配给单个或多个内核。此实用程序旨在帮助客户生成链接脚本或设备树内存覆盖文件。外设模块也可以通过RTOS感知的配置选项，以图形化方式分配给内核。 除了CodeFusion Studio™系统规划器之外，ADI还宣布对ADI Assure™可信边缘安全架构进行升级，发布公司首款数据溯源软件开发解决方案先行版，旨在为客户提供贯穿数据生命周期的数据可信度和可追溯性保障。 ADI数据溯源软件开发解决方案 目前，ADI新推出的数据溯源解决方案先行版可为信号链数据构建信任框架，确保智能边缘端产生的数据在整个系统传输中的完整性、真实性和保真度。数据溯源解决方案允许附加安全元数据，从而增强所生成数据的可信度和保真度。保真度来源于附加的数据在传输过程中的历史信息，可信度的建立则基于强大的密码学证明，使得用户能够更便捷地评估其数据在复杂网络中的真实性和完整性，无论这些数据是用于简单的仪表板显示还是复杂的机器学习模型。 数据溯源通过建立端到端信任并增强数据保真度，使模型输出更加准确安全，同时也能使决策更加精准。其直接应用包括：利用高质量的真实数据构建更可靠的算法或AI模型；提取经过验证的传感器洞察，以提高对信号链输出和操作可靠性的理解；有效减少数据浪费；以及简化对数据完整性和真实性的验证。 Rob Oshana表示：“我们不仅致力于满足客户当前对简化开发工具和支持数据信任的需求，而且同时积极开发更多解决方案，以期将AI和机器学习模型更好地集成到嵌入式系统中。未来几个月，我们将持续扩展CodeFusion Studio™平台的功能，助力客户更轻松地打造拥有嵌入式智能的产品。”
ADI
亚德诺半导体 . 2025-03-11 1 620
产品 | 瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。 这款模块 产品 ( IV1B12009HA2L ) 尺寸与标准的Easy 1B封装 相同，其壳体紧凑，高度仅 1 2 mm。 该模块内部芯片布置于陶瓷覆铜基板（ DCB） 上，具有内绝缘功能，可直接紧贴散热器，无需外加陶瓷绝缘垫片，安全可靠，散热更好； 同时，模块采用弹簧安装座，组装方便， 集成的安装夹使安装 牢 固 。 图1，模块外观 模块电路拓扑 该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。 该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用安全和可靠。 图2，模块拓扑 SiC MOSFET芯片 这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。 应用场景 该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点，典型应用场景如下： 高频开关应用 高压直流变换器（DC-DC） 直流充电桩 不间断电源（UPS）
SiC
瞻芯电子 . 2025-03-11 1 1045
技术 | 为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。 Properties 特性 Si 4H-SiC GaN Energy(eV) Bandgap 禁带能量（eV） 1.12 3.26 3.50 Electron Mobility (cm2/Vs) 电子迁移率(cm2/Vs) 1400 900 1250 Hole Mobility (cm2/Vs) 空穴迁移率(cm2/Vs) 600 100 200 Breakdown Field (MV/cm) 击穿电场(MV/cm) 0.3 2.0 3.5 Thermal Conductivity (w/cm°c) 导热性(w/cm°c) 1.5 4.9 1.3 Maximum Junction Temperature (°C) 最高结温 (°C) 150 600 400 图 1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较 什么是碳化硅Cascode JFET技术？ 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等器件开发电源系统。这些器件因各自特性（优缺点不同）而被应用于不同场景。 然而，安森美（onsemi）的EliteSiC 共源共栅结型场效应晶体管（Cascode JFET）器件（图2）将这一技术推向了新高度。该器件基于独特的"共源共栅（Cascode）"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同封装，形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们的碳化硅Cascode JFET能够轻松、灵活地替代IGBT、超结MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件类型（图3）。 本文将深入探讨安森美EliteSiC Cascode JFET相较于同类碳化硅MOSFET的技术优势。 图 2：安森美碳化硅 Cascode JFET 器件框图 碳化硅相较于硅的技术优势 与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： 对于给定的电压与电阻等级，碳化硅可实现更高的工作频率，从而缩小元器件尺寸，显著降低系统整体尺寸与成本。 在较高电压等级（1200V 或更高）应用中，碳化硅可以较低功率损耗实现高频开关。 而硅器件在此电压范围内几乎无法胜任。 在任何给定的封装中，与硅相比，碳化硅器件具备更低的导通电阻（RDS(ON)）和开关损耗。 在与硅器件相同的设计中，碳化硅能提供更高的效率和更出色的散热性能，甚至更高的系统额定功率。 碳化硅Cascode JFET：无缝升级替代硅基方案，卓越性能全面释放 这些优势也体现在安森美 EliteSiC Cascode JFET 的性能中，这是一种更新且功能更强大的器件，针对多种功率应用进行了优化。 与硅基栅极驱动器兼容：实现向碳化硅的无缝过渡 首先，碳化硅Cascode JFET 的结构允许使用标准硅基栅极驱动器。 这简化了从硅基到碳化硅设计的过渡，提供了更大的设计灵活性。它们与各种类型的栅极驱动器兼容，包括为 IGBT、硅超结 MOSFET 和 碳化硅MOSFET 设计的驱动器。 图 3：按电压分类的功率半导体器件 其他优势 在给定封装中，拥有业内领先的漏源导通电阻RDS(ON)，可最大程度地提高系统效率。 更低的电容允许更快的开关速度，因此可以实现更高的工作频率；这进一步减小了如电感器和电容器等大体积无源元件的尺寸。 与传统应用于这一细分领域的硅基IGBT相比，碳化硅Cascode JFET在更高电压等级（1200V或以上）下能够实现更高的工作频率，而硅基IGBT通常速度较慢，仅能在较低频率下使用，因此开关损耗较高。 安森美EliteSiC Cascode JFET器件在给定RDS(ON)的条件下，实现更小的裸片尺寸，并减轻了碳化硅 MOSFET常见的栅极氧化层可靠性问题。 SiC MOSFET vs. 安森美SiC Cascode JFET:深入对比 让我们花一点时间来更深入地了解SiC MOSFET 与 安森美SiC JFET 技术之间的差异。 从下面的图 3 中我们可以看到，SiCMOSFET 技术不同于安森美的集成式SiCCascode JFET——这是精心设计的结果。安森美设计的SiCJFET去掉了碳化硅MOSFET 的栅极氧化层，这不仅消除了沟道电阻，还让裸片尺寸更为紧凑。 安森美碳化硅 JFET 较小的裸片尺寸成为其差异化优势的一个关键所在，"RDS(ON) x A"（RdsA）品质因数 (FOM) 得以最佳体现，如图 4 所示。这意味着对于给定的芯片尺寸，SiCJFET 具有更低的导通电阻额定值，或者换言之，在相同的 RDS(ON) 下，安森美SiC JFET 的裸片尺寸更小。安森美在 RdsA FOM 方面的卓越表现树立了行业领先地位，体现在以相对较小的行业标准封装（如 TOLL 和 D2PAK）提供的超低额定电阻产品。 图 4：碳化硅MOSFET 与安森美Cascode JFET 的比较 (从外部看，Cascode 是一种常关 FET） 与SiCMOSFET 相比，EliteSiC Cascode JFET 具有更低的输出电容 Coss。输出电容较低的器件在低负载电流下开关速度更快，电容充电延迟时间更短。这意味着，由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求，现在可以制造出更小、更轻、成本更低且功率密度更高的终端设备。 图 5：安森美碳化硅Cascode JFET 与碳化硅 MOSFET 的竞争产品对比 以下是关于SiCMOSFET的其他挑战： 碳化硅MOS 沟道电阻高，导致电子迁移率较低。 Vth 在栅极偏置较高的情况下会发生漂移，这意味着栅极到源极的电压驱动范围受到限制。 体二极管具有较高的拐点电压，因此需要同步整流。 然而，使用安森美的SiCJFET，上述缺陷得以根本解决，因为： SiCJFET 结构的器件上摒弃 MOS（金属氧化物）结构，因此器件更加可靠。 在相同芯片面积下，漏极至源极电阻更低。 电容更低，这意味着更快的开关转换和更高的频率。 为什么选择安森美EliteSiC Cascode JFET？ 尽管市场上可供选择的SiC功率半导体种类繁多，但在某些特定应用中，一些器件的表现确实比其他器件更为出色。安森美的集成式SiC Cascode JFET便是其中的佼佼者，因其低 RDS(ON)、低输出电容和高可靠性等独特优势，能够提供卓越的性能。此外，碳化硅 Cascode JFET架构使用标准硅基栅极驱动器，简化了从硅到碳化硅的过渡过程，可在现有设计中实施。 因此，它为从硅到碳化硅的过渡提供了灵活性--实施简单，同时得益于SiC技术而提供卓越的性能。 图 6：EliteSiC Cascode JFET 这些优点帮助安森美的SiCCascode JFET 技术在其他技术无法企及的领域大放异彩。 碳化硅JFET 的增强性能使其在用于人工智能数据中心、储能和直流快充等 AC-DC 电源单元中实现更高的效率。随着对更高功率密度和更紧凑外形需求的增加，安森美SiCCascode JFET 能够实现更小、更轻和更低成本的终端设备。由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求，有助于实现更高的功率密度。
碳化硅
安森美 . 2025-03-11 1 580
纳祥科技一款隔离度高的8T射频开关NX7007，可PIN TO PIN SKY13418、AW13418
纳祥科技NX7007是一款绝缘体上硅（ SOI ）单刀八掷（ SP8T ）天线开关，其要求插入损耗非常低，隔离度高，线性度性能好。 NX7007采用紧凑的2.0mm x 2.0mm、 14引脚表面贴装四扁平无引脚（ QFN ）封装制造，具备优异的高频特性，并能够提供良好的电性能，数据传输率高。 在性能上，NX7007可以PIN TO PIN兼容替代MXD8680、MXD8580、SKY13418、AW13418。 （一）NX7007主要特性 NX7007是一款采用SOI工艺制造的8T射频开关器件，它主要具备以下这些特性： ① 出色的插入损耗和隔离性能 ② 高线性 ③ GPIO控制接口 ④ 宽带频率范围： 0.1至3 GHz ⑤ 小封装：QFN-14 2.0mm x 2.0mm ⑥ 不需要隔直电容器 ⑦ 所有引脚均具有1kV HBM ESD保护 ▲NX7007功能框图 （二）NX7007芯片亮点 NX7007的芯片亮点可圈可点，具体表现为以下3点： ① 低插入损耗&高隔离度 NX7007具备出色的低插入损耗与高隔离度，减少了信号在传输过程中的损失，提高系统的整体效率，在高频通信系统中具有较大的优势。 ② 高线性 NX7007具有良好的线性度，能够保证信号在传输过程中的完整性和准确性，减少信号失真。这对于高质量的无线通信系统非常重要，尤其是在处理高速数据信号时。 ③ 1kV HBM ESD保护 NX7007 的所有引脚均具有 1kV HBM ESD 保护。这一强大的保护机制能够有效防止静电放电对产品造成的损害，提高了产品的可靠性和稳定性，即使在较为恶劣的电磁环境中，也能确保产品正常工作，为用户提供更加安全、稳定的使用体验。 ▲NX7007管脚配置 （三）NX7007应用领域 因其低插入损耗、高隔离度、高功率处理能力等优异性能特质，NX7007主要被广泛应用在以下领域： ① 2G/3G/4G多模式蜂窝平板电脑和多模式GSM、EDGE、WCDMA、LTE ② 分集天线切换 ▲NX7007产品外形/半成品图 ▲NX7007应用示例图
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性能先锋N沟道MOSFET：开关、放大和驱动领域的得力伙伴！
原理 N沟道MOSFET通过控制栅源电压来控制源漏间电子通路的导通与截止。当栅源电压高于阈值电压时，栅极下方会形成N型导电沟道，源极电子在电场作用下流向漏极，实现电流导通，且改变栅源电压可调节沟道宽窄和漏极电流。 增强型N沟道MOSFET在VGS = 0时截止，VGS大于阈值电压（Vth）时才会出现导电沟道；耗尽型N沟道MOSFET在VGS = 0时就存在导电沟道，施加反向电压（VGS < 0）会使沟道变窄，VGS达到某负值时沟道消失，器件截止。增强型可以理解为常闭，需要有外来的电压将它打开，耗尽型可以理解为常开，需要有外来的电压将它关闭。 产品特性 合科泰半导体推出的N沟道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低导通电阻、高电流承载能力和优异的散热性能等优势。它具备高效功率转换和快速开关能力，特别适用于低功率DC-DC转换器、负载开关以及表面贴装设备等应用。其电学特性表现优异，包括直流反向电压30V、正向电流50A@25℃、正向涌浪电流112A、反向电流1μA@25℃以及正向电压1.0V至3.0V。 HKTD50N03产品采用TO-252封装，这是一种表面贴装（SMD）形式。TO-252封装的产品具有紧凑的尺寸、优异的散热性能和高可靠性，适合于在高密度电路板和自动化生产线中使用。N沟道MOSFET具有非常好的电学性能，如超低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等产品。 产品应用 HKTD50N03型号N沟道MOSFET的具有很好的功率处理能力和高效开关性能，应用特别地广泛在低功率DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动以及消费电子产品等产品上，均可见到它的身影。 HKTD50N03产品具有很好的特性，它可以和电容、电阻、电感、二极管以及控制器IC等元器件进行合理的连接，构成高效、稳定的电路，可以实现功率转换、负载控制、信号放大、开关控制以及能量管理等多种功能。 公司介绍 合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。 产品包括： 1、半导体封装材料；2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感；3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。 合科泰设有两个智能生产制造中心： 1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地； 2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台； 2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是： 1、顺芯半导体，主要负责研发生产集成电路功率器件； 2、南充安昊，主要负责研发生产晶片电阻和车规级电阻； 3、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料； 产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。 合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。 合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。 合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。 产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。
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