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产品 | “高压赋能智控三相”250V三相桥

栅极驱动器是功率变换与电机控制系统的核心关键器件，承担着主控信号与功率MOSFET/IGBT之间高速可靠的桥梁作用。在电子电力系统中，无论是新能源动力电控、光伏逆变器、工业变频器、电机控制系统，其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。【产品介绍】 AiP2181是一款作用于N型功率MOSFET和IGBT等功率器件的三相桥式驱动电路，输入逻辑兼容3.3V/5V/15V，可在高达250V电压下工作；内置直通防止和死区时间，确保上下桥臂不会因为同时导通而烧毁器件；内置VCC和VBS的欠压保护电路，防止器件在过低电压下工作；内置3.3V/5V LDO。【产品优势】极低静态功耗：静态电流＜150uA，可有效降低系统能耗，适配低功耗、便携式等应用场景集成3.3V/5V LDO：输出电压可选，为板级系统组件进行供电，降低系统所需器件数量，简化系统布线兼容主流型号：可支持SOP24、TSSOP24、QFN24、TSSOP20等不同形式的封装【主要特点】最大高侧浮动偏移电压 250V 输出电流+1.2A/-1.5A 输入输出同相输入逻辑兼容 3.3V/5V/15V 死区时间控制功能和直通防止功能 VCC/VBS欠压保护（UVLO）内置3.3V/5V 100mA负载能力 LDO 封装形式：SOP24、TSSOP24、QFN24、TSSOP20 【应用场景】【典型应用图】【功能框图】【引脚排列】【引脚说明】表 2 AiP2181封装引脚说明（SOP24/TSSOP24）【结语】 AiP2181作为一款250V三相桥式驱动电路，凭借高耐压，低功耗，高集成度等特性，可广泛应用于电动自行车、便携式电动工具、小型工业控制等主流场景。芯片集成3.3V/5V LDO，简化板级系统外围电路、优化成本，同时提升系统集成度和稳定性。同时搭配大电流驱动输出及内置电源欠压锁定、防直通等多重保护机制，在三相同步控制精度、响应速度和长期可靠性上均表现优异。

栅极驱动器

中微爱芯官网 . 2026-06-12 518
市场 | 全球固态断路器市场规模预测：2032年或突破23.66亿美元，年复合增速38.21%

固态断路器（SSCB）是以半导体开关器件、控制电路和缓冲吸能电路为核心的电力电子保护装置，可在无电弧条件下快速开断故障电流。与传统机电式断路器相比，固态断路器具有响应速度快、电寿命长、可实现智能控制与监测等特点，更适合直流系统、新能源系统和高可靠电气保护场景。市场观点：固态断路器需求主要受直流电网、新能源发电、电动车充电、轨道交通和工业自动化等场景带动。竞争格局由综合电气设备企业与专业电力电子企业共同参与。主要阻碍因素包括初始成本较高、系统集成复杂、热管理要求高以及标准化与认证门槛。行业机遇集中在新能源与数字化电力系统的高速保护、智能化管理功能，以及中高压产品的更广泛商业化应用。固态断路器，全球市场总体规模根据QYResearch调研与测算，全球固态断路器市场规模预计将由2025年的245.65百万美元增长至2032年的2,366.43百万美元，CAGR为38.21%。下图完整展示了2021-2032年的趋势，但仅标注2025和2032年的具体数据以及CAGR。生产商排名及市场占有率全球范围内，固态断路器主要生产商包括西门子、富士电机、ABB、赛晶科技集团、泰永长征等。全球领先厂商在收入口径下占据主要份额。上图展示了固态断路器主要企业按收入口径的排名。固态断路器，全球市场规模，按产品类型细分就产品类型而言，中压断路器是市场结构中的主要细分产品。固态断路器，全球市场规模，按应用细分就应用而言，电力输送是市场结构中的主要需求来源。全球固态断路器规模，主要生产地区份额全球主要市场固态断路器规模主要驱动因素、阻碍因素与行业发展机遇主要驱动因素：直流电力系统扩张、新能源发电、电动车充电、数据中心、工业自动化以及电气安全要求提升，推动固态断路器在快速保护和智能配电场景中的应用增加。主要阻碍因素：相较传统机械保护器件，固态断路器初始成本较高，并且在系统集成、散热设计、可靠性验证和认证方面存在较高要求。行业发展机遇：智能保护、数字化监测、中高压应用、轨道交通、船舶直流系统、新能源微电网以及电力电子平台化集成，将成为固态断路器进一步商业化的重要方向。竞争趋势：固态断路器市场将从早期专用化部署逐步走向更广泛的电力电子保护平台，综合电气设备企业与本土创新企业都将发挥重要作用。五年行业内主要生产地区和主要消费地区的规模及趋势。

固态断路器

QYResearch . 2026-06-11 3101
企业 | CGD 强强联手恩智浦半导体加速产品上市进程

英国剑桥，2026年6月9日 —— 创新氮化镓（GaN）功率器件全球领导者剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices，CGD）宣布与恩智浦半导体（NXP® Semiconductors）达成合作，共同加速数据中心和汽车市场的产品开发与上市进程。作为当前增长最快的应用领域之一，数据中心和新能源汽车市场为GaN技术带来了巨大发展机遇。国际能源署（IEA）预计，到2030年，全球数据中心能耗将较当前水平翻一番，能源效率提升已成为行业发展的关键课题。数据显示，数据中心功率半导体市场预计将以11.0%的复合年增长率（CAGR）增长，到2032年全球市场规模将达到42.9亿美元；与此同时，ResearchandMarkets.com预测，电动汽车牵引逆变器市场将以16.1%的复合年增长率增长，并于2034年达到676亿美元的市场规模。根据双方达成的长期合作协议，恩智浦将基于CGD先进的GaN产品开发系统级解决方案，并获得CGD下一代GaN技术的优先使用权，同时充分利用CGD团队在GaN工艺与器件技术领域的深厚积累。与此同时，CGD也将受益于恩智浦丰富的处理器和模拟器件产品组合、系统设计能力以及全球市场渠道资源，通过优化的系统级解决方案进一步加速市场拓展。 Fabio Necco | CGD 首席执行官表示，“通过与恩智浦紧密合作，我们正在加速向新一代GaN功率电子技术的转型。这项合作旨在充分发挥GaN的性能优势，在实际数据中心和汽车系统中提升效率、功率密度和可靠性。在这些应用领域，性能、成本和可持续发展必须同步实现。” Chris Bretz | 恩智浦高级电源系统副总裁表示，“CGD将先进的GaN创新技术与实用、可扩展的电源解决方案完美融合，实现卓越的稳健性、可靠性和系统级性能。凭借深厚的器件技术积累和丰富的产业化经验，CGD已成为恩智浦加速高效率GaN技术在数据中心、工业和汽车等高增长市场落地应用的理想长期合作伙伴。” 与传统功率半导体技术相比，GaN器件能够支持更高频率的开关运行，并实现更高的能源转换效率。当前数据中心功耗需求正快速增长，而这一趋势主要由人工智能（AI）应用的迅猛发展所驱动。2022年，单个服务器机柜的功耗通常约为40kW，而如今已达到200kW甚至更高。预计到2030年，单个机柜的功耗需求将突破1MW。随着计算密度不断提升以及新一代供电架构的广泛应用，市场对功率密度、更高降压比以及能源转换效率提出了更为严苛的要求。CGD的ICeGaN®技术凭借其独特优势，能够有效满足这些需求，实现更高开关频率运行、更高功率密度，并相比离散式GaN方案提供更卓越的可靠性表现。在汽车牵引逆变器应用中，GaN技术能够有效提升轻载工况下的系统效率。CGD的ICeGaN™技术是业内唯一采用单晶片GaN架构、且可兼容标准驱动器的解决方案，支持多个器件并联运行，从而满足牵引逆变器对大电流输出能力的需求。凭借双方在知识产权和技术能力上的高度互补， CGD 与恩智浦将能够为客户提供独具差异化优势的系统级解决方案，助力客户充分发挥 GaN 器件在数据中心和汽车这两大战略性高增长市场中的性能与价值优势。

氮化镓

剑桥氮化镓器件 . 2026-06-11 1757
方案 | 爆款Vbot机器狗：十余颗 N32 MCU构筑“关节大脑”

具身智能正在从概念进入千家万户。Vbot 超能机器狗定价 12988 元，首销预售期内获得 6540 台订单，预订销售额近亿元，是消费级具身智能产品上市销量的新标杆。设备核心关节驱动由国民技术 N32 系列 MCU 主控芯片实现。唤醒 Vbot 超能机器狗的核心：国民技术N32 MCU 芯片作为消费级具身智能标杆产品，Vbot超能机器狗凭借灵动的步态、自主导航与智能避障能力“出圈”。机身内置十余颗国民技术 MCU，充当各个关节的微型大脑，全权负责关节电机驱动控制。 Vbot超能机器狗搭载自研关节电机，运行依赖高精度 FOC 磁场定向控制算法。配套该机的国民技术 N32 MCU 内置 4 路模拟运放 + 3 个高速比较器，可极速完成电流采样与 PWM 信号输出，以超低延迟运算，实现流畅自然的四足仿生步态。依托芯片优异稳定性，大批量落地家庭场景的Vbot超能机器狗持续积累实景数据，为具身智能算法迭代筑牢数据底座。跨界技术同源：从自动驾驶到具身智能，N32 MCU的全局赋能 Vbot 维他动力创始团队出身自动驾驶一线：创始人兼 CEO 余轶南是地平线创始团队成员，前智能驾驶总裁，核心骨干均来自地平线智能驾驶研发体系、理想汽车团队，成熟的自动驾驶技术栈跨界落地消费机器人。国民技术深耕车载 MCU 多年，N32 系列芯片已大规模用于车身控制、动力电池管理、车载 OBD 诊断等车载场景，积累成熟车规级可靠性工艺。车规品质下沉机器人领域，让 Vbot超能机器狗在复杂地面行走时关节响应灵敏、步态稳健，长时间工作低热低耗、续航出色，也是这款万元级机器狗收获市场认可的硬核底气。筑牢量产基石，助力 Vbot 数据飞轮高速运转 Vbot 以产品落地带动数据积累、数据优化反哺产品迭代，构建闭环商业数据飞轮，而规模化稳定量产是飞轮转动的先决条件。目前 Vbot 携手华勤公司搭建专属产线，2026 年 5 月首批 500 台机器狗顺利下线，当月交付突破 1500 台，6 月产能提升至 2500 台/月。国民技术 MCU 已批量应用于越疆协作机器人、荣耀机器人等多款知名机器人产品，成熟量产交付能力，完美匹配 Vbot 规模化落地、积累用户反馈与实测数据的发展路径。布局全品类机器人，芯片方案从四足平滑延伸至人形 Vbot 以四足机器狗作为产品落地载体，全尺寸人形机器人研发稳步推进，产品软硬件高度模块化设计，超半数关节模组、传感器、电源组件可在四足、人形形态之间复用，操作系统与通信协议近乎全平台通用。依托全谱系 MCU 产品矩阵，国民技术实现 Vbot 全产品形态芯片配套布局： ● 四足机器狗：N32 系列 MCU 管控关节驱动 + 安全芯片负责设备身份认证 ● 人形机器人：MCU 统筹全身关节、灵巧手、运动小脑控制，搭配无线射频、安全芯片 ● 具身智能系统：安全芯片承担系统权限加密、生态安全管理在Vbot超能机器狗机型打磨成熟的芯片控制方案，可无缝移植下一代人形产品，大幅延长N32 芯片商业化落地生命周期，持续释放产品价值。全栈 MCU 产品矩阵，覆盖机器人全链路硬件需求面向具身智能的多样化需求，国民技术提供完整的MCU产品矩阵，覆盖从感知到执行、从通信到安全的全部关键节点。具体选型推荐如下： ● 关节驱动模组/灵巧手：N32H765EC、N32H47x、N32M4xx ● 运动协调模块（小脑）：N32H785EC ● 激光雷达：N32H47x、N32G430 ● IMU 模块：N32H47x ● BMS：N32G45x、N32L406 ● 编码器：N32G430、N32G401、N32G033 ● 无线通信 / OTA 升级：N32WB031 N32H7 系列采用多核异构架构，支持 EtherCAT 工业总线，适配人形机器人多关节协同控制；N32H47x、N32M4xx 集成高性能模拟外设，是四足关节驱动高性价比选型。通过高中低端产品搭配 + 软硬件一体化方案，国民技术深度绑定具身智能全产业链。结语：一颗“国民芯”的机器人征途从首批量产机器狗下线交付，到批量走进千家万户采集场景数据，再到前瞻赋能下一代人形机器人研发，国民技术国产 N32 MCU 持续陪伴具身智能产业化落地。在行业还在探讨人形机器人落地周期之际，国民技术以批量落地的产品与全覆盖的芯片矩阵再次交出答卷：每一台拥有鲜活灵动的智能机器人，都始于一颗稳定可靠的国民芯。 ✍【品牌小科普｜维他动力 Vbot】 Vbot 维他动力是国内首家消费级具身智能公司，致力于通过创新AI研发，创造生活空间的机器人。产品方面，首款产品Vbot 超能机器狗在首销预售期中累计订单达 6540 台，预订销售额近亿元，是消费级具身智能产品上市销量的最高记录。Vbot目前正同步进行人形机器人的产品研发，打造兼具运动能力与任务能力的全尺寸人形机器人。基于Agentic OS架构的具身智能操作系统（OS），让机器人具备丰富的应用生态，服务家庭、商业、办公等各大生活空间。布局方面，Vbot正加速推进线下体验网络。目前，Vbot 已开设上海长宁来福士体验店、北京蓝色港湾体验店两家官方直营授权店；已入驻山姆会员商店、首程控股旗下陶朱新造局、INNO100全球创新旗舰店，6月，Vbot授权体验店还将陆续覆盖全国10余座城市。目前，Vbot 维他动力已在北京、上海、深圳设立研发中心，加速推动具身智能技术进入家庭生活空间。维他动力的平台化战略，为国民技术MCU从四足向人形演进提供了绝佳的验证与落地场景。

机器人

国民技术 . 2026-06-11 1 2114
产品 | 意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，赋能工业状态监测

意法半导体（ST）推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。 IIS3DWB10IS振动传感器采用意法半导体MEMS微机电系统工艺制造，内部集成智能传感器处理单元（ISPU 2.0），将高级数字信号处理和人工智能推理能力下移至传感器端。这款传感器尺寸紧凑，稳健可靠，可以测量10kHz及以上的高频振动和冲击，动态范围高达200g，兼具数字化测量的精准度和易用性，工作温度范围高达125℃，可在恶劣的工业环境中稳定工作，帮助客户提升设备稼动率，减少计划外异常停机，并支持预测性维护方案在工业场景内的普及应用。振动分析是工业设备运行状态监测的主流应用领域，很多行业都是使用旋转和往复振动类机械设备，进行切削、成型、输送、冷却及其他工艺作业。通过提前检测设备隐患（如预判轴承故障）来避免设备停机，预测性维护技术可以帮助汽车厂商及其他各行各业优化生产流程。意法半导体APMS产品部执行副总裁、MEMS子产品部总经理Simone Ferri表示：这款工业级MEMS振动传感器满足高端状态监测对动态范围和带宽的严格要求，延续了ST传感器内部嵌入式数字处理器的技术优势。ISPU 2.0智能传感器处理器启用全新的硬件加速器，可在传感器端进行高速信号处理与人工智能推理，精准识别设备磨损状况，同时缩短响应时间，降低功耗。 Bonfiglioli S.P.A.首席技术官Andrea Torcelli表示：在我们的目标市场上和应用环境中，IIS3DWB10IS可谓独树一帜，高动态范围、高带宽和耐高温特性，再加上易用性、设计简单和经济性，让我们得以替代现有的传统压电传感器技术。此外，内置的ISPU 2.0处理器将复杂信号处理与快速AI推理能力移至传感器端，可实现更智能的决策和更快的系统响应。通过实现预测性维护与优先级维护，远程状态监测可帮助企业提升设备稼动率和运营效率，同时杜绝意外突发设备故障，提升生产安全性。据财富商业洞察机构预测，该项技术全球市场规模将于2032年突破50亿美元，复合年增长率（CAGR）超9%。更多技术信息： IIS3DWB10IS振动传感器是首款内置处理器的宽带数字传感器，处理性能可满足高端工业状态监测系统的需求，是一款极具竞争力的压电传感器替代方案。该传感器可以准确测量10kHz以上的振动，动态范围高达拥高达200g，同时噪声基底低至35µg/√Hz，这一噪声性能可与压电传感器相媲美。此外，IIS3DWB10IS传感器的测量准确度和灵敏度也不输于压电传感器，而且还增加了数字传感器的技术优势，包括体积更小、功耗更低，电气及机械设计更简单，算力分配更灵活。 ISPU 2.0智能传感器处理单元新增硬件加速器，可在边缘端执行实时信号处理与AI人工智能推理，提升常用功能的运行速度和能效。该处理核心支持C语言编程，且片上集成程序RAM随机存储器和数据RAM随机存储器。配套生态系统提供各类软件库，方便开发者在ISPU中运行常见振动监测算法，包含快速傅里叶变换、滤波、包络分析、烈度速度及异常检测等算法。 ISPU 2.0的数字信号处理性能是上一代的四倍，达到40 MIPS和40 MFLOPS。此外，ISPU 2.0的传感器接口与MEMS电路之间的数据传输速率是上一代的六倍。 IIS3DWB10IS还集成一个2048x80位FIFO寄存器和一个高准确度的温度传感器。 IIS3DWB10IS传感器采用高稳健性的MEMS设计，工作温度高达125°C，列入意法半导体十年工业级产品供货保障计划。 IIS3DWB10IS采用4.5mm × 4.5mm × 1.5mm的16引脚LGA封装，具备可润湿侧边，便于在高精度表面贴装生产流程中进行自动光学检测。该产品计划于2026年7月上市。

传感器

意法半导体中国 . 2026-06-11 1 1596
技术 | 应对基站3大设计新课题，电容器该怎么选？

随着使用频带的高频化、尺寸的小型化，基站设计越发受到有限的基板空间上可搭载的元件数量及尺寸的制约、元件使用温度的制约等方面的影响。该如何妥善处理这些设计课题呢？为解决此类问题，村田制作所将小型且具有优良高频特性的电容器、减少搭载元件数量的电容器以及可保障高温的电容器新增到产品阵容。本文为你介绍三大类基站实际应用中的村田新增电容器产品阵容及相应的特点，包括： 150°C保障的High-Q电容器和额定电压100V电容器； 0201尺寸及以下High-Q电容器；节省空间的小尺寸大容量100uF超电容器。高温环境下使用的电容器基站用PA会因电路板和组件产生的热量而变热，周边超过125°C。尤其是放大晶体管会产生大量热量，放置在其周围的用于DC截止、匹配电容器也会经受高温。不仅如此，接收到放大电力的电容器本身也会产生更多的热量。另外，近年来，在Multiple-Output化（Tx的增加）趋势下，组件数量有所增加，基站尺寸变小，使得散热器等散热对策的可用空间变少。随着使用频带的进一度高频化，元件所产生的热量在增加，因此将电容器周边温度和自身发热控制在125°C，成为了在电路设计上的制约案例中的一个明显的制约因素。在这种背景下，除了用于DC截止和匹配电容器的高Q值电容器外，用于PA Vdrain电源的去耦电容器也出现了温度超过125°C的情况。村田的GJM/GQM系列是适合DC截止用、匹配用的150°C保障High-Q电容器；而GRM系列则是用于Vdrain去耦的150°C保障额定电压100V的电容器。即使是在高温环境下也能使用的村田电容器：（1）GJM系列型号列表：150°C保障，High-Q，≤100Vdc （2）GQM系列型号列表：150°C保障，High-Q，＞100Vdc （3）GRM系列型号列表：150°C保障，额定电压100V 除了以往保障150°C高Q值电容器产品系列外，村田制作所还拥有保障150°C的通用去耦电容器产品。其通过减少PA周围使用的电容器对环境温度的限制，可以实现更灵活的设计。此外，为了满足传统的温度要求，村田制作所还提供了保障125°C的产品系列，因此您可以根据零件周围的环境选择所需的最高温度的产品。适用于模块化、小型化的高Q电容器在基站用PA的Multiple-Output化（Tx的增加）趋势下，安装在基站PA中的组件数量在不断增加，与此同时设备尺寸则要求和原先一样或者更加小型化，因此增加电路板的密度就变得非常重要。此外，在传统上以离散形式设计的PA外围电路中，为了提高伴随Tx增加的尺寸限制和制造效率，以模块形式设计的情况也在增加。因此，匹配用电容器也需要变小。基站用PA对0201尺寸及以下的高Q电容器的需求增加村田制作所的High-Q电容器除了以往的0402尺寸外，还增加了0201尺寸以下的小型High-Q电容器系列。0201尺寸及以下High-Q电容器GJM/GQM系列，适用于DC切割和匹配。通过专有的构造和材料，即使在静电容量值很低的情况下，与标准规格产品（GRM系列）相比，也可实现更高的Q值。因兼具匹配用电容器的小型化和高Q值，有助于实现高频PA电路设计的高密度化。村田0.5pF适合模块化、小型化的高Q电容器：（1）GJM系列型号列表：≤100Vdc，0201尺寸以下，High-Q （2）GQM系列型号列表：＞100Vdc 0201尺寸，High-Q 小尺寸、大容量，充分利用基板面积由于通信性能的提高，使得基站的IC性能不断提高，所需的总电容器容量也在不断增加；另一方面，为了维持或缩小设备的尺寸，提高电路板的密度变得越来越重要。随着电子设备的功能愈加复杂，需要更严格的电源线电压控制（如更严格的CPU）和更大的电容来保持电源线稳定性。这种趋势在基站中也很明显，随着信息处理量的增加，IC性能也在不断提高。因此，在并联时会选择使用大容量的电容器。一方面，由于Multiple-Output化导致安装元件数量增加，去耦用电容器的占用面积反而需要减少。此外，虽然电解电容器的优点是每单位可以获得较大的电容，但在高温下长期连续使用的环境（如基站）存在可靠性风险。村田提供了超100uF的电容器系列，可以在占用更小面积的情况下实现高电容。去耦用的GRM系列100uF超电容器，小尺寸大容量，节省空间。由于基站需要在恶劣的环境下使用，因此安装的部件也有严格的使用条件。所以村田也在扩充125°C保障的产品系列，可供在恶劣的温度环境下使用。除了超过100uF的电容器外，即使是在48V电源线路上普遍使用的额定电压为100V的电容器，村田也扩充了小尺寸且可应对高温的GRM系列MLCC阵容，通过同时实现省空间、大容量和应对高温，增强了设计灵活性。相应可选的小尺寸大容量的村田电容器：（1）GRM系列型号列表：100uF以上（2）GRM系列型号列表：额定电压100Vdc 总结：村田MLCC的优势村田电容器的优势在于持续的开发能力。村田追求的小型大容量化重点在于电介质层的薄层化技术。确立了可高精度控制陶瓷粉体颗粒大小和形状及高密度且均匀分布的加工技术。更轻薄、更小巧、更准确。村田将继续开发高精尖电容器产品。

基站

Murata村田中国 . 2026-06-11 1 1183
产品 | EPC2378 eGaN器件量产，聚焦高密度电源

增强型氮化镓（eGaN®）功率器件的领导者 EPC，宣布其新款 EPC2378 25V eGaN 功率晶体管已进入量产，使高密度电源系统设计人员能够在 DC-DC 转换应用中实现更高效率、更快开关速度和更高功率密度。EPC2378 针对 48V 至 8V 或 5V LLC 转换器次级侧的同步整流器应用进行了优化。除了同类最佳的 410 µΩ 典型 RDS(on) 外，该器件还拥有行业领先的 RDS(on) × QG 性能指标，支持更高开关频率和更高效率运行。这些性能对于 AI 基础设施、数据中心、电信、工业系统和先进计算平台等快速增长的市场尤其具有价值。 EPC2378 支持最高 101A 的连续漏极电流，适用于高电流、低电压电源设计。该器件采用紧凑的 3.3 mm × 3.3 mm PQFN 封装，并配备背面散热焊盘，针对需要卓越热管理和最高效率的高功率密度应用进行了优化。 EPC 首席执行官、创始人 Alex Lidow表示，“随着对更小型化、更高效率电源转换系统需求的不断增长，市场亟需能够在更高频率下以更低损耗运行的先进功率半导体。EPC2378 展现了 eGaN 技术的优势，在实现极低导通损耗的同时提供卓越的开关性能，使电源设计人员能够在 AI 基础设施等复杂应用中实现更高效率、更高功率密度以及更紧凑的系统设计。” 为加快开发进程并简化评估，EPC 同时推出 EPC90185 开发板。该平台专为展示 EPC2378 的完整性能而设计，集成了两颗 EPC2378 晶体管、半桥栅极驱动器、死区时间控制电路、输入电容、测试点及大电流连接器，使工程师能够在实际应用环境中快速评估其性能表现。 EPC2378 现已进入量产，并可通过 EPC 全球分销渠道及直销网络订购，助力客户在数据中心电源、同步整流级、电机驱动及其他高功率密度电源转换应用中实现规模化设计。价格与供货信息 EPC2378 eGaN FET 以每卷 3000 颗计价，单价为 2.40 美元。EPC90185 开发板单价为 226 美元。 EPC2378 与 EPC90185 开发板预计将于 6 月底前通过 Digi-Key及 Mouser 开始供货。

GaN

EPC宜普电源 . 2026-06-11 1 1176
产品 | 3纳米192核，最强Arm CPU正式上线

当地时间6月10日，亚马逊云科技（AWS）正式宣布，基于其去年12月发布的第五代自研Arm处理器——Graviton5的Amazon EC2 M9g和M9gd实例正式上线。这不仅是一次常规的硬件迭代，更被业界视为AWS为即将爆发的“智能体AI”（Agentic AI）时代所布下的关键一子。 3nm制程，192核芯随着智能体AI（Agentic AI）的爆发，AI的工作负载正在发生根本性转变：从简单的“文本问答”转向“自主行动”——实时推理、代码生成、多步骤任务编排以及跨系统工具调用。这些任务对负责逻辑控制与调度的中央处理器（CPU）提出了前所未有的高并发、低延迟需求。采用大核心、大缓存、高内存带宽设计的AWS Graviton5，正是为了应对“智能体AI”需求而来。 Graviton5采用了台积电3nm制程工艺，在同样功耗下封装了更多晶体管，实现了更高的电路密度与能效比。 Graviton5所搭载的Neoverse V3内核由Arm与AWS Annapurna Labs联合定义。其一级缓存（64 KB）、二级缓存（2 MB）虽非最大亮点，但三级缓存（L3 Cache）暴增5倍，达到192 MB，能够将海量热点数据留在离核心更近的地方。同时，其分支预测能力大幅提升，使得运行真实数据库等复杂代码时的性能提升高达30%，这远非那些只能跑分的小型循环测试所能比拟。在核心数量方面，Graviton5从Graviton4的96核一举提升至192核，实现了100%的增长。但更重要的是，AWS放弃了此前的单一计算核心芯片（Die）架构，转而采用了一套先进的4芯片组（Chiplet）设计。这意味着192个核心被均匀分布在4个独立的芯片组上，每个芯片组包含48个核心，并集成了专属的DRAM内存控制器和PCIe 6.0 I/O控制器。这种设计带来了两大优势：首先，数据无需再长距离穿越整个芯片去访问内存或I/O设备，极大降低了延迟；其次，通过定制的芯片间互连技术，四个芯片组之间可提供高达420 GB/s的带宽，确保整体计算网格的协同效率。更关键的是，Graviton5成为云端首个支持DDR5-8800内存和PCIe Gen 6的处理器。AWS强调，通过与DRAM制造商的紧密合作，Graviton5提供的内存速度是当前所有云端处理器中最快的。对于内存带宽敏感型应用（如大型数据库、实时分析），这意味着瓶颈的显著放宽。此外，Graviton5还采用了去盖设计（去掉CPU金属散热顶盖，让裸片直接接触散热设备），使散热风扇功耗降低33%。 AWS此前在公告中曾明确称Graviton5为“迄今为止性能最强、能效最高的自研CPU”（our most powerful and energy efficient custom-designed chip yet）。虽然这限定于AWS自研芯片范畴，但考虑到AWS在Arm服务器芯片领域的市场地位，这一表述具有相当的参考价值。 M9g实例的跨场景碾压 Graviton5的硬件参数的提升最终要落地为实例性能的改善。作为Graviton5的首发载体，M9g实例在多个维度交出了令人信服的成绩单。根据AWS官方数据，M9g实例相比上一代基于Graviton4的M8g实例：通用计算性能提升 25%；Web应用性能提升 35%；机器学习推理性能提升 35%；数据库性能提升 30%。在长达数月的预览期，多家行业标杆客户用实际生产环境验证了这些数字： ClickHouse：在零代码更改的情况下，获得 36% 的性能提升。 Honeycomb：在生产可观测性工作负载的6个月A/B测试中，每核心吞吐量提升 36%。 HubSpot：将MySQL数据库迁移至M9g后，查询时长最高下降 60%。 Meta：已承诺签约部署数千万个Graviton核心用于其智能体AI项目，成为全球最大的Graviton客户之一。对于需要本地高速存储的工作负载，AWS同时推出了M9gd实例，提供高达11.4 TB的NVMe SSD，IOPS比上一代提升30%。网络方面，最大实例的网络带宽提升至100 Gbps，EBS带宽提升至72 Gbps，并支持实例带宽配置（IBC），允许用户在VPC网络和EBS存储间动态调配最高25%的带宽，以适应不同的I/O敏感型任务。首次集成Nitro隔离引擎在性能之外，Graviton5首次引入了AWS安全体系的又一个里程碑——Nitro隔离引擎。传统的虚拟化隔离基于软件和硬件的一系列检查与测试，理论上可能存在未被发现的漏洞。而Nitro隔离引擎利用形式化验证技术，这是一种通过数学逻辑来证明硬件或软件的行为完全符合预期（而非仅通过特定测试用例）的方法。该引擎作为一个专用组件，通过一组最小化的API严格管控对所有虚拟机内存、CPU寄存器状态及I/O设备的访问。这使得AWS Nitro成为首个经过形式化验证的云管理程序。它不再是“我们相信它是安全的”，而是“从数学上证明它是安全的”。对于金融、政府和安全敏感型工作负载，这提供了一种前所未有的、数学级别的隔离保证。上市与可用性目前，M9g和M9gd实例已在AWS美国东部（弗吉尼亚北部、俄亥俄）、美国西部（俄勒冈）和欧洲（法兰克福）区域正式可用。客户可以通过按需、预留实例或Savings Plans等方式进行购买。为了帮助客户平滑迁移，AWS还提供了Graviton快速上手指南、成本节省仪表板以及AI驱动的代码转换服务AWS Transform，后者可以自动化地将Java应用从x86架构迁移到Graviton实例上。小结根据AWS公布的数据，目前，已有超过12万家客户使用Graviton处理器，支持的实例类型超过350种，覆盖了从Web应用、微服务、容器到电子设计自动化（EDA）、游戏、视频编码的全领域。年收入超过200亿美元且保持三位数增长的芯片业务，证明了AWS自研路线不仅是技术探索，更已成为其云业务的核心利润与差异化引擎。 Graviton5的发布，标志着AWS在云端自研芯片的道路上再次迈出了决定性的一步。它不再满足于在性价比上追赶x86架构，而是通过对智能体AI工作负载的前瞻性优化，试图定义下一代云计算的计算基座。编辑：芯智讯-浪客剑

Arm

芯智讯 . 2026-06-11 1435
兆易创新推出全新光模块专用MCU，聚力光互联产业升级

兆易创新GigaDevice宣布推出全新GD32E512和GD32E252系列光模块专用MCU，精准覆盖从传统低速到新一代高速光模块的多元应用场景。这两款新品的发布，将进一步拓宽兆易创新在光通信领域的产品矩阵，并将为AI算力中心及下一代网络基础设施的高速光互联产业升级提供强有力的底层硬件支撑。八年坚实积淀，构筑光模块市场核心优势凭借长期的技术积淀与持续的产品优化，兆易创新已稳居全球光模块MCU核心供应商之列，构筑了坚实的市场优势。作为32位通用MCU领军企业，兆易创新在持续深化多领域业务的同时，其在光模块赛道的纵深推进也始终与全球通信技术的演进同频共振。2018年，公司前瞻布局光模块MCU研发，发布首颗专用芯片，实现技术破局，并于产品上市当年迅速达成百万级出货。随着通信技术红利的释放与公司产品矩阵的不断完善，2022年兆易创新光模块专用MCU出货量迈入千万级，跻身全球前列，并完成对海内外主流光模块与设备客户的全面覆盖。在AI算力蓬勃发展与高速互联需求激增的浪潮下，兆易创新GD32 MCU现已全面适配基站与传输、数据通信及接入网等核心应用场景，并进一步锚定高速热插拔、硅光及CPO三大前沿技术方向，持续助力行业向下一代高速率网络演进。紧扣算力时代脉搏，精准覆盖全场景应用 GD32E512系列：面向高速光模块场景的性能旗舰面向高速光模块核心场景，GD32E512系列MCU搭载Arm® Cortex®-M33高性能内核，主频高达120MHz，该系列MCU全新引入I3C高性能通信接口，可满足高速光模块对高带宽、低时延、高密度通信的严苛要求。 GD32E512系列MCU支持3×3mm超小封装，充分契合光模块小型化、集成化发展趋势，释放PCB布局空间。此外，该系列还集成更丰富的行业专属外设，包括3xI²C、1xMDIO、2xADC、4xDAC、2xCOMP、2xOPA等，可一站式实现高速光模块的监控与管理功能。 GD32E252系列：面向低速光模块场景的产品升级 GD32E252系列MCU专为低速光模块场景设计，搭载Arm® Cortex®-M23高性能内核。该系列经过迭代升级，产品模拟性能大幅提升，同时拥有高集成度、低功耗、高稳定性等优势，可完美适配接入网、工业光通信等应用领域。GD32E252系列芯片在小型化封装、宽温运行、抗干扰性能方面完成全面优化，帮助客户有效控制成本、加快研发进度。 GD32 MCU全栈赋能，芯启高速光联兆易创新GD32E512与GD32E252系列新品的齐发，标志着其光模块专用MCU产品矩阵的进一步完善，实现了对AI数据中心、云计算及骨干网等核心应用场景的深度协同与精准覆盖。兆易创新将持续深化在光通信细分赛道的布局，以硬核技术驱动产品创新升级。公司将依托全场景的产品生态与稳健的供应链保障，加速打通高速互联关键链路，为全域光互联产业的高质量演进筑牢算力根基，注入澎湃发展动能。

兆易创新GigaDevice . 2026-06-11 1344
高压MOSFET的导通电阻是不是越低越好？

很多工程师选MOSFET，第一反应就是看导通电阻RDS(on)数值，认为越低越好。这思路在低压场景没毛病，但一到高压应用，问题就来了。做充电桩的工程师选的MOSFET导通电阻只有零点几欧，开关的时候却烫得能煎蛋。原因是他全盯着导通电阻RDS(on)选，完全没看栅极电荷Qg和开关时间参数。高压场景下，开关损耗才是发热大户，光看导通电阻就等于只买了个"省电"的壳子，里面的"坑"全忽视了。今天就拿三款650V高压MOSFET料号来聊聊这个事：HKTS13N65、HKTD7N65、HKTD5N65。导通电阻低就省电？先搞清楚损耗从哪来 MOSFET的损耗分两块：导通损耗和开关损耗。导通损耗好理解，就是电流流过器件时的I²R损耗，这部分确实和RDS(on)正相关。RDS(on)越低，导通损耗越小。开关损耗就不一样了，是MOSFET在开通和关断过程中产生的能量损耗，主要和栅极电荷Qg、开关时间td(on)和td(off)相关。开关频率越高，这块损耗占比越大。高压场景为什么开关损耗更突出？因为高压MOSFET的导通电阻普遍偏高，导通损耗本身就不低；而高压还意味着更高的VDS电压，开关瞬间的dv/dt也更剧烈，Qg大一点、开关时间长一点，损耗就蹭蹭往上涨。举个具体数字帮助理解：假设一个开关电源工作频率100kHz，高压MOSFET的导通损耗可能只占30%，剩下70%都是开关损耗。这时候你盯着RDS(on)选，省下的那点导通损耗，可能还不够填补开关损耗的窟窿。三个核心参数，一文说透选高压MOSFET，不能只盯着RDS(on)，这三个参数得放一起看： 1. RDS(on)导通电阻直接决定导通损耗大小，单位是毫欧（mΩ）。当然是越低越好，但别忘了前面说的，高压场景下它不是唯一决定因素。 2. Qg栅极总电荷 MOSFET要导通，需要往栅极注入电荷把电容充满。Qg越大，驱动电路要提供的电荷越多，开关速度越慢，开关损耗越高。单位是纳库仑（nC）。 3. td(on)/td(off)开通/关断延迟时间从驱动信号变化到MOSFET实际完成开通/关断的时间。这个时间越长，开关速度越慢，同样会推高开关损耗。重点来了：低RDS(on)往往意味着更大的芯片面积，芯片大了，结电容和栅极电荷也跟着涨。所以低压MOSFET追求低RDS(on)是合理的，高压场景下这个思路要调整。三款料号对比权衡这里拿合科泰三款650V高压MOSFET做个对比，参数都来自规格书： HKTS13N65的RDS(on)最低，只有380mΩ，看着很诱人。但它的栅极总电荷Qg是28nC，开关时间也偏长。如果你的应用频率不高、发热主要来自导通损耗，选它没问题。但如果你的开关频率在50kHz以上，HKTD7N65或HKTD5N65反而更合适。虽然导通电阻高一些，但栅极电荷Qg更小、开关更快，总损耗反而更低。特别是HKTD5N65，栅极电荷Qg只有14nC，关断时间65ns，开关性能相当利索。有个简单的判断方法：估算一下导通损耗占比，如果低于50%，就别死磕导通电阻RDS(on)了，栅极电荷Qg和开关时间才是重点。实际选型建议结合上面的参数对比，给几个具体场景的建议：高频开关电源（100kHz以上）：优先看栅极电荷Qg和开关时间，推荐HKTD5N65或HKTD7N65，开关损耗低，整体效率更有保障。低频大功率应用（20kHz以下）：导通损耗占比大，可以选导通电阻RDS(on)低的HKTS13N65，导通电阻的优势能充分发挥出来。对效率要求高、发热敏感的应用：做个简单的损耗计算，算清楚导通损耗和开关损耗各占多少，再决定侧重哪个参数。还有一个容易被忽略的点：散热条件。RDS(on)低的器件芯片面积大，散热路径反而可能受限；导通电阻RDS(on)高一点的器件芯片小，TO-220F还是全塑封绝缘封装，散热设计反而好做。选购避坑总结高压MOSFET选型，记住这三点： 1. 别只看RDS(on)，高频场景Qg和开关时间才是关键 2. 先算损耗占比，导通损耗低于50%就别死磕导通电阻 3. 结合散热条件，TO-220F绝缘封装在某些场景反而更实用选型这事，没有绝对的"好"和"坏"，只有适合不适合。下次有人跟你说"RDS(on)越低越好"，可以直接把这篇文章甩给他看。

TO-220

厂商投稿 . 2026-06-11 1750
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET：性价比优势对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJFET始终能提供最低的导通电阻RDS（on）。您无需并联多个器件来提升性能，从而节省宝贵的PCB空间。安森美（onsemi）采用TOLL封装的750VUJ4SC075005L8S CJFET在25℃时的RDS（on）仅为5.4mΩ。相比之下，竞品器件即使额定电压仅达600V或650V，其RDS（on）仍可能高达该值的十倍之多。正得益于这一显著的导通电阻优势，安森美的EliteSiC CJFET如今在成本与性能两方面，均能有力地与硅基超结MOSFET（Superjunction MOSFET）展开有力竞争。 SiC Cascode JFET的动态特性 SiC CJFET的工作机制如下：在器件导通阶段，向低压硅MOSFET（LVMOS）的栅极施加12V至15V的正向驱动电压，使其沟道导通。在此期间，阻抗很低，其漏源电压VDS迅速降至0V。而恰好0V即为SiC JFET的导通电压，因此器件也随之导通。在关断阶段，将LVMOS电压置为0V。漏极偏置电压会通过SiC JFET传递，导致LVMOS的漏源电压VDS升高。这种电压反转会充当JFET的栅极驱动信号，当LVMOS的VDS超过SiC JFET的阈值电压时，JFET的导电沟道被夹断（pinch-off），从而阻断系统中剩余的全部高压。相比SiC MOSFET，具备极低的关断开关损耗除了导通电阻和导通损耗的优势外，安森美SiC CJFET器件在开关模式应用中，相较于SiC MOSFET，关断能量损耗（Eoff）和导通能量损耗（Eon）也具有显著优势。下方图表展示了某竞品厂商的SiC MOSFET、安森美的NTBG023N065M3S SiC MOSFET，以及安森美的UJ4SC075018B7S SiC CJFET的实测开关损耗数据。为确保测试公平性，在40A关断电流条件下，各被测器件的续流二极管电压过冲保持一致。在0A至80A范围内，配合使用330pF的缓冲电路，CJFET在关断开关损耗方面具有显著优势。在40A电流下，其关断损耗几乎比竞品低5倍。这种优异的关断损耗性能在导通损耗方面略有代价——CJFET的导通损耗确实高于竞品器件，这是由于CJFET内部增加了额外的电容所致。在硬开关导通条件下，会产生更高的导通损耗。但在LLC等典型应用场景中，不存在导通开关损耗，因此CJFET凭借其极低的导通电阻RDs（on）和关断损耗Eoff，成为理想选择。相比SiC MOSFET，具备极低的整流损耗续流二极管（亦称飞轮二极管）能在开关关断、电流中断时实现反向电流通过，从而抑制感性负载两端的高压尖峰。然而，该二极管通常也是反向恢复损耗的另一个主要来源。当电路利用器件的体二极管进行续流导通时，体二极管的导通压降（on-state drop）会导致显著的导通损耗。这通常是采用同步导通方式的原因——通过将JFET沟道导通来减少损耗。在与两款不同的SiC MOSFET进行相同条件的对比测试中，安森美的CJFET展现出最低的整流关断损耗（Erec）。事实上，在使用缓冲电路的情况下，CJFET的整流损耗随着电流升高反而呈现下降趋势。当综合考量导通损耗Eon，关断损耗Eoff，与整流损耗Erec这三项关键指标时，即便CJFET的导通损耗较高，其总体开关损耗仍可降低多达三分之一。 CJFET如何利用JFET的超低导通电阻如前所述，安森美第四代SiC JFET的总导通电阻仅为SiC MOSFET的一半。通过对比SiC MOSFET（左图）与SiC CJFET（右图）的平面结构图，这一战略优势带来的收益显而易见。MOSFET存在固有沟道电阻Rchannel，该电阻对器件整体导通电阻的贡献高达60%。而在共源共栅（cascode）结构的JFET器件中则不存在这种沟道电阻（Rchannel）。取而代之的是一个低压MOSFET，其导通电阻RDS(A)本身就非常低，仅占整体RDS（on）的约10%。通过将反向漂移从SiC MOSFET的体二极管中移除，CJFET在导通电阻形成的空间和时间维度上都得以缩减。更低的体二极管正向压降（VF） EliteSiC CJFET的设计可在第三象限反向恢复阶段实现自动同步整流（SR）。在此阶段，即使未对低压MOSFET施加正向偏置，其体二极管仍可在约+0.7V的电压下导通。由于JFET本身是常开型器件，该低压即可有效将其开启。因此无论是否选择采用同步开关控制，JFET沟道始终能在第三象限导通期间提供同步整流功能。降低导通损耗在第三象限导通期间，SiC MOSFET的体二极管压降明显高于CJFET。如以下两幅图所示，这是对两款典型安森美器件——1200V/80mΩ SiC MOSFET与同规格（1200V、80mΩ）SiC CJFET——在25℃条件下进行的对比测试结果。当栅极偏置电压为0V时，SiC MOSFET的漏源电压VDS高达4.8V（见蓝色圆圈处）。相比之下，由于CJFET在第三象限自动导通，在相同0V栅压和30A反向电流条件下，其VDS压降仅为约2.45V（见蓝色圆圈处）。因此，在死区时间（dead-time）内，CJFET的导通损耗显著更低。极低的栅极电荷，实现更灵活的栅极驱动共源共栅（cascode）结构通过与硅MOSFET栅极相连，显著提升了栅极驱动的灵活性。该结构可耐受极宽的电压范围，并内置了静电保护（ESD）功能。假设无需将栅极驱动电压（VGS）提升至15V：如左上图所示，仅9V的VGS即可近乎完全导通SiC CJFET。因此，若仅采用10V而非15V的VGS进行驱动（如右上图所示），器件的栅极电荷（QG）将降低12nC——降幅达30%，且不会对RDS（on）造成任何负面影响。这对于电源在轻载条件下降低高频LLC拓扑的栅极驱动损耗尤为重要。 SiC Combo JFET的应用灵活性 SiC Combo JFET是一种由低压硅MOSFET与高压常开型SiC JFET组成的复合器件。与cascode器件结构不同，在该组合结构中，SiC JFET的源极连接至低压Si MOSFET的漏极，从而使JFET和MOSFET的栅极均可独立接入以方便控制。使用Combo JFET最简便的方法，是通过单个电阻RG将JFET栅极与MOSFET源极连接。通过调节该电阻值，即可有效调控器件的开关速度。右图展示了四个并联运行的Combo JFET输出特性曲线，每个器件导通电流为100A。值得注意的是，波形中未出现振荡现象，且开关速度与电流均流性能均得到了良好控制。将Si MOSFET堆叠在SiC JFET之上安森美EliteSiC Combo JFET将常开型SiC JFET与常闭型的Si MOSFET串联连接。但与传统做法不同的是，该器件并未在封装内部将栅极连接到源极，而是将JFET的栅极和MOSFET的栅极分别引出至封装外部，从而可根据具体应用需求灵活地在外部连接。下方的剖面图展示了蓝色的SiC JFET芯片，它通过银烧结工艺键合至封装铜基底上。黄色的Si MOSFET芯片则通过银烧结工艺堆叠在JFET芯片的顶部。两个芯片各自的栅极分别通过独立的引脚引出封装。未完待续，还有更多干货知识等您解锁：利用SiC CJFET代替超级结JFET、开关电源应用。

安森美 . 2026-06-11 1113
打造智能照明创新范式，大联大世平集团携手ams OSRAM深度解析EVIYOS前沿应用方案

大联大控股旗下世平集团宣布，携手全球照明与传感技术头部企业艾迈斯欧司朗（ams OSRAM），成功举办“ams OSRAM EVIYOS应用方案”线上专题研讨会。本次研讨会聚焦智能照明产业发展新趋势，全面解析ams OSRAM EVIYOS Shape产品的核心优势及多领域应用场景，分享了大联大世平专属EVIYOS MicroLED像素投影灯整体解决方案，为工业照明、商业楼宇、智能交通、车载照明等赛道的智能化升级，提供全新技术路径与落地范式。随着智能科技与照明产业的深度融合，传统照明正从“基础亮化”向“智能交互、精准可控、场景定制”全面迭代。相较于传统LED、OLED等光源技术，MicroLED凭借高亮度、长寿命、低功耗及超快响应速度的综合性能优势，成为新一代智能照明的核心技术载体。依托像素级独立发光、精细化可编程调控的特性，MicroLED光源彻底打破传统照明的单一亮化局限，赋予照明产品图形化交互、动态场景适配、个性化定制的全新能力，全面适配高端工业、智能出行、商业光影艺术等多元化高阶应用场景，重塑智能照明产业生态。作为全球照明与传感领域的创新领军者，ams OSRAM积淀百年行业深耕经验，依托顶尖工程技术与全球化智能制造实力，持续深耕光源可视化、智能传感领域，以技术迭代驱动行业革新，凭借稳定可靠的产品性能与前沿的创新方案，赢得全球各行业客户的广泛认可与信赖。本次介绍的EVIYOS系列产品，是ams OSRAM布局下一代智能数字照明的标杆性创新成果，凭借微米级像素精准控制能力，实现照明从“被动发光”到“主动智能交互”的跨越式升级，助力打造更安全、更智能、更可持续的光影应用生态。研讨会上，ams OSRAM高级应用技术工程师迟光伟（Louis Chi）围绕EVIYOS产品价值、应用场景、技术参数展开分享，系统性解读了这款创新像素级MicroLED产品的落地优势。他表示，EVIYOS的价值在于以精细化像素调控能力，突破传统照明与投影设备的技术瓶颈，实现动态、精准、可编程的智能光影输出，可广泛适配多行业创新场景。在场景应用层面，EVIYOS已实现四大领域的成熟落地：建筑光影亮化场景：产品可集成于庭院灯、路灯等常规照明设备，在建筑外立面、出入口投射动态LOGO、指引标识，区别于传统静态投影灯，支持通过SD卡自定义切换动态光影内容，实现楼宇视觉展示与智能导视的动态升级。智能道路安全场景：结合智能算法可精准预判行人、非机动车过街意图，实时在路面投射动态斑马线、通行指引光带，有效警示过往车辆，全方位保障行人和骑行者的通行安全，赋能智能交通建设。高端机器视觉场景：依托25600个独立可控像素点，可精准生成高质量条纹结构光，完美适配工业零部件3D尺寸检测、表面缺陷筛查、三维建模等工业检测需求，凭借高精度、高稳定性的光学输出，成为工业智能制造视觉检测的优质光源方案。智能车载骑行场景：可集成于高端山地自行车灯，不仅具备超高流明输出以及更清晰的照明视野，还可联动自行车码表与GPS系统，将车速、行进轨迹等骑行数据实时投射至路面，兼顾骑行安全性与科技体验感。迟光伟介绍说，EVIYOS自落地以来，凭借颠覆性的技术创新与场景价值，斩获多项行业权威创新奖项，获得全球产业平台的高度认可。该产品核心参数极具竞争力，其发光面为12.8×3.2mm狭长矩形结构，集成25600颗微米级独立MicroLED发光单元，每个单元尺寸仅发丝大小，像素间距40μm，分辨率达320×80，脉冲模式下最大亮度可达13500lm，目前主推白光版本。同时，产品推出L1、L2、L3三大梯度版本，可匹配不同客户的研发能力与项目需求，适用于从基础开发到高端定制的全层级市场需求，大幅降低客户创新落地门槛。会上，大联大世平集团技术应用副理和李玥（Larry He）发布了世平专属EVIYOS MicroLED像素投影灯整体解决方案，助力客户快速落地个性化、高阶化智能照明产品。该方案采用成熟稳定的NXP S32K312+onsemi NCN26010+ams OSRAM EVIYOS技术架构，严格遵循10Base-T1S IEEE802.3cg协议规范，支持PLCA功能与PC上位机视频实时传输，具备兼容性强、稳定性高、开发便捷、响应快速等优势。该方案可广泛应用于汽车智能大灯、道路安全光影投影、工业精准照明、商业楼宇动态光影展示等多元场景，全面覆盖民用、工业、交通等智能照明细分领域。和李玥还详细演示了EVIYOS配套开发调试工具的操作方法，针对性讲解了投影大灯方案选型要点、开发注意事项、场景适配技巧等实操内容，为参会客户提供从技术原理、方案选型到落地调试的全流程技术指导，切实解决客户研发落地的各类痛点。本次双方强强联合，通过线上研讨会精准输出EVIYOS前沿技术与落地方案，不仅为广大客户搭建了高效的技术交流与创新对接平台，更进一步拓宽了MicroLED智能照明的应用边界。作为全球领先电子元器件分销商，大联大世平集团代理品牌完整，产品覆盖从3C、工业电子到汽车电子，提供从基础元件到核心组件乃至物联网解决方案的全品类组合，满足客户多元采购需求。公司持续强化软硬件整合的技术支持能力，涵盖零件推广、次系统与系统整合解决方案、物联网及云端应用与APP开发，并设有专属实验室与专业设备，助力客户缩短研发周期、实现快速量产。本次研讨会全程通过大联大旗下平台“世平大大芯”进行直播，无需注册登录即可观看，“世平大大芯”平台每月举办多场研讨会，分享市场最新技术趋势与热门应用实例。欢迎业界同仁随时回顾精彩内容，深入了解ams OSRAM EVIYOS应用方案。

大联大世平集团 . 2026-06-11 1036
AD-04 双麦模拟转 PDM 模组：替代自研电路，省 80% 研发量产成本

做音频硬件的工程师都踩过这个经典坑：主控芯片定版后才发现只预留了 PDM 数字麦接口，而客户要求用成本更低、供应链更稳定的传统模拟电容麦。自己用分立元件搭双麦转 PDM 电路，不仅研发周期长，量产一致性和良率更是老大难。今天给大家推荐一款经过量产验证的标准化解决方案 ——KiN 声学 AD-04 双麦 ADC 转换模组，不用改板、不用写驱动、不用调音频参数，直接解决模拟麦与 PDM 数字系统的接口兼容问题。一、自研转换电路 vs AD-04 量产成本对比表格对比维度分立元件自研方案 AD-04 标准化模组节省比例研发周期 14-21 天（画原理图 + 调参数 + 双麦同步） 30 分钟（接线验证） 98% 焊接点数 30 + 个 8 个 73% 物料种类 12 + 种（电容 / 电阻 / 运放 / ADC 芯片） 1 种 92% 量产不良率 3%-5%（焊接 + 参数漂移） <0.1%（出厂全检校准） 98% 售后维修时间 2-4 小时 / 台（逐个排查元件） 5 分钟 / 台（模块化更换） 96% 二、选型必看核心技术规格（原厂实测）核心功能：双路模拟麦克风差分输入 → 标准 PDM 数字信号输出（立体声双声道）音频参数：固定 16K 采样率（宽频通话专用），信噪比 56dB，数字本底噪声 - 82dBFS，1kHz/100mVpp 输入时 THD 仅 0.1% 电气兼容：1.8V~3.6V 宽电压供电（直接复用主控 3.3V），PDM 时钟支持 1.024~3.6MHz（典型 2.048MHz）环境耐受：工作温度 - 20℃~65℃，相对湿度 < 90%，覆盖室内 / 车载 / 户外安防全场景物理规格：标准 2.54mm 间距 8Pin 针座，支持插装 / 贴片两种安装方式，新旧项目通用三、3 步接线即用上电无需任何配置表格模组引脚号引脚名称连接对象注意事项 1 DAT 主控 PDM 数据输入口 2 CLK 主控 PDM 时钟输出口推荐 2.048MHz 3 GND 系统电源地 4 3.3V 系统电源正极支持 1.8V~3.6V 5-6 MIC1-/MIC1+ 右声道模拟麦克风差分输入抗干扰更强 7-8 MIC0+/MIC0- 左声道模拟麦克风快速功能验证：可搭配原厂 A-51 专用测试模块，10 秒完成音频通路测试。四、主流平台与量产应用场景 AD-04 兼容所有带 PDM 接口的主控芯片，已大规模应用于以下领域：消费电子：录音笔、对讲机、平板 / 笔记本电脑外接麦安防 IPC：海思 / 瑞芯微 / 君正平台的带语音摄像头、门禁对讲智能家居：ESP32/STM32 方案的语音面板、全屋智能对讲行业设备：车载通话系统、银行客服录音、医院 / 监狱呼叫器、电梯广播对讲五、选型总结 AD-04 不是一款简单的接口转换器，而是专为量产优化的全链路音频转换方案。它解决了自研电路最头疼的三大问题：研发周期长、量产一致性差、供应链复杂。对于需要快速落地、控制成本、保证产品稳定性的音频项目来说，AD-04 是目前市面上性价比最高的选择。资料获取完整规格书、PCB 封装库、测试报告：可在芯查查平台搜索「AD-04」下载样品申请与技术支持：联系 KiN 声学原厂或授权经销商

降噪

原创 . 2026-06-11 924
应用 | 芯原推动AV2在下一代视频与流媒体应用中商用落地

2026年6月9日，中国上海——芯原股份 (芯原，股票代码：688521.SH) 今日宣布其VC9800D视频处理 (VPU) IP已支持AV2解码，进一步扩展了公司面向下一代视频与流媒体应用的先进视频编解码IP组合。VC9800D支持在广泛的智能消费电子及多媒体设备中灵活部署新一代视频技术。芯原已向全球多家客户提供支持AV2的VC9800D IP，并基于正式发布的AV2 V1.0规范持续优化该IP。 AV2是开放多媒体联盟 (Alliance for Open Media, AOMedia) 推出的新一代视频编码规范，其在AV1基础上进一步提升了视频压缩效率，可在显著降低码率的同时实现高质量视频传输。该标准针对流媒体、广播电视及实时视频会议等各类不断演进的应用场景进行了优化。芯原的VC9800D具备高度可配置的视频处理能力，可支持独立AV2解码，或与多种视频格式灵活组合配置，以满足不同系统的集成需求。除AV2外，该IP还支持多种先进视频格式，包括AVC/H.264、HEVC/H.265、VVC/H.266、AVS2、AVS3、VP9及AV1，可广泛兼容全球多媒体应用生态。VC9800D支持单核8K@30fps及双核8K@60fps处理性能，适用于高性能流媒体、智能显示及AI多媒体平台。 “随着OTT、移动终端、汽车及智能多媒体应用对高品质视频体验的需求持续增长，客户正寻求高效的视频处理解决方案，以加速下一代视频标准的采用。”芯原首席战略官、执行副总裁、IP事业部总经理戴伟进表示，“我们一直与全球领先客户紧密合作，加快AV2解码解决方案在其产品中的部署。依托芯原广泛的视频客户生态以及与AOMedia的深度合作，我们致力于推动AV2格式在行业内的广泛采用，并助力实现下一代高质量、高带宽效率的视频体验。”

芯原

芯原VeriSilicon . 2026-06-10 1253
企业 | NVIDIA 推出面向智能汽车、机器人和视觉 AI 的智能体技能，开启物理 AI 研究新时代

由 NVIDIA Cosmos 3 驱动的全新物理 AI 智能体技能，可帮助研究人员加速面向辅助驾驶系统开发的数据生成、仿真、策略训练和评估。在 CVPR 上，NVIDIA 推出了全新物理 AI 智能体技能，助力研究人员和开发者加快智能汽车、机器人以及视觉 AI 系统的开发进程。推动辅助驾驶研究，超越已记录的行驶里程：借助 NVIDIA 辅助驾驶的相关技能，研究人员和开发者可以让 AI 智能体根据车队数据自动执行场景重建工作流，并生成合成场景。神经重建技能可以帮助 AI 智能体将车队收集的数据转换为可编辑的 3D 场景，用于仿真和合成数据生成；同时，NVIDIA Omniverse NuRec、InstantNuRec、Harmonizer 以及 HiGS 加速渲染器等技术，有助于加速重建过程、提高场景真实度并生成新视图。NVIDIA AlpaGym 是一个开源的闭环强化学习框架，它通过将策略执行、高保真仿真与智能体技能连接起来，从而帮助研究人员完成从环境搭建、策略执行到评估的全流程。NVIDIA 还推出了强大的开放驾驶基础模型 NVIDIA Alpamayo 2 Super 以推进自动驾驶研究。推动面向现实世界的视觉 AI 系统发展：全新的 NVIDIA Metropolis 的新技能正在帮助研究人员和开发者利用 AI 智能体生成包括异常情况的合成视觉场景，增强数据，并支持伪标注。这些技能受益于 Cosmos 3 的混合 Transformer 架构，该架构使用推理 Transformer 来分析观测结果，并将指令输入到生成模块，从而帮助扩展基于物理的虚拟世界。借助智能体就绪的仿真工作流扩展机器人学习：借助 NVIDIA 机器人开发技能，研究人员可以让 AI 智能体自动执行场景准备、仿真和机器人学习等各阶段最常见的开发步骤，这背后依托于 NVIDIA Omniverse 库、Isaac Sim 以及 Isaac Lab 框架。在医疗健康机器人领域，Cosmos-H-Surgical-Simulator 通过生成逼真的手术机器人数据进行策略训练和评估，以此推进研究发展。 NVIDIA 正在通过用于训练、微调和评估的数据集，进一步扩展物理 AI 背后的研究基础设施。NVIDIA 物理 AI 数据集在 Hugging Face 的下载量已超 1500 万次，而 NVIDIA Isaac GR00T X Embodiment Sim 已成为下载量最高的机器人数据集之一。新发布的数据集包括 GRAIL（包括约 50 小时的人形机器人交互数据），以及六个用于在机器人、物理、数字人、辅助驾驶、仓库安全以及空间推理等领域训练 Cosmos 3 的合成视频数据集。

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2026-06-10 1337
方案 | 罗姆助力多个应用场景性能升级

随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域，各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中，三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。针对这些需求，罗姆不断推出相应产品及解决方案，为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品，方便您查看。高性能运算放大器罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，该产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。产品新闻当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后，下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策，尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。完全独立型AI解决方案“Solist-AI™” 该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成，具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。当边缘AI做出决策后，需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中，电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是，如何让电机在响应指令的同时，兼顾高效与低噪，成为整个链路中不可忽视的关键环节。三相无刷直流电机驱动器IC 适用于中等耐压系统（12V～48V系统）的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与罗姆以往的恒流驱动产品相比，该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式（UQFN28）和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。未来，罗姆将依托技术积累，推出适配相关应用领域的核心器件与解决方案，助力行业发展。更多内容，您可点击前往查看。

ROHM

罗姆半导体集团 . 2026-06-10 1176
产品 | 安森美发布 GaNEXUS™ 氮化镓功率产品组合

安森美（onsemi）宣布推出全新 GaNEXUS™ 氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率密度及更优热性能而设计。首批产品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET样品，其中包括集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并提升整体可靠性。新闻亮点安森美的GaNEXUS产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能覆盖40V至650V的GaNEXUS FET及集成保护功能的650V GaN FET ——GaNEXUS Smart器件，现已开始提供样品结合安森美集成感知、控制、保护和电源管理功能的Treo平台，GaNEXUS可实现更智能、更可靠、更稳健的系统级电源解决方案结合安森美的硅、EliteSiC与GaNEXUS技术，为客户优化整个电力传输链的能效、热性能、系统尺寸及总成本提供更大灵活性。安森美（美国纳斯达克股票代号：ON）推出GaNEXUS™氮化镓功率产品组合，首批样品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET ——GaNEXUS Smart器件。该产品组合适用于对电力需求高的应用场景，包括AI数据中心供电、48V系统、机器人与工业自动化，以及能源基础设施等。 GaNEXUS 的加入扩展了安森美智能电源产品组合的能力，能够为不同应用、电压域和性能要求提供优化的电源解决方案。GaNEXUS、硅和 EliteSiC 技术构成了安森美广泛的电源产品组合，为客户在整个电力传输架构中优化性能、能效、热性能及系统总成本提供更大灵活性。重要意义随着AI基础设施、电气化、工业自动化及能源系统的快速发展，对更高能效和更紧凑电源架构的需求持续增长，设计人员在能耗、热管理及系统尺寸方面面临日益严峻的挑战。与传统硅基方案相比，GaNEXUS通过实现更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更优热性能，有效应对上述挑战。这些优势帮助客户能够在AI数据中心供电、电动汽车充电、机器人及工业电源系统等应用设计中，缩小磁性元件及散热系统尺寸，同时提升整体系统能效与响应速度，并降低系统成本。安森美氮化镓事业部副总裁Antoine Jalabert 表示：“我们的GaNEXUS产品组合正在推动电源系统设计迈向全新架构。随着客户不断追求在更小空间内实现更大功率，GaNEXUS为工程师提供了更大的灵活性，以突破传统电源架构的限制。” 技术实现 GaNEXUS旨在优化现代电源系统中的电能转换与电源管理。将GaNEXUS与安森美的Treo平台（集成感知、控制、保护及电源管理）配合使用时，可提供完整的系统级电源解决方案，实现更智能、更可靠、更稳健的系统表现。这种系统级方案有助于客户简化整个电力传输链的设计复杂性，加速开发与认证速度，降低散热与冷却需求，并优化性能。在包括AI服务器48V中间母线转换器（IBC）、电池备用单元（BBU）及电机驱动等中低压系统中，GaNEXUS可实现：磁性元件尺寸缩小约30–60% 功率密度提升约1.5–2倍能效提升约0.5–2%（取决于拓扑结构）降低开关损耗，改善热性能与控制稳定性在AI电源机架、高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级等高压应用中，GaNEXUS可实现：在高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多可缩减约60% 在PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度提升约1.5–2倍能效提升约0.5–1%，在规模化部署时显著改善热性能及运营成本更低损耗可减轻紧凑型高功率系统中的热应力 GaNEXUS Smart降低系统风险，简化功率级设计，从而加快认证速度并提升可靠性 GaNEXUS 器件采用增强散热的封装，具备行业标准的引脚布局，支持双源供货，例如 TOLL 底部散热、TOLT 顶部散热，以及 3.3mm x 3.3mm 和 5mm x 6mm 的双面散热封装。

安森美

安森美 . 2026-06-10 1890
技术 | 提升精密数据采集性能的18位SAR ADC设计与应用

许多应用都要求采用精密数据采集信号链以数字化模拟数据，从而实现数据的精确采集和处理。精密系统设计师面临越来越大的压力，需要找到创新的办法，提高性能、降低功耗，同时还要在小型PCB电路板上容纳更高的电路密度。本文旨在讨论精密数据采集信号链设计中遇到的常见难点，探讨如何运用16位/18位、2 MSPS、精密逐次逼近寄存器(SAR) ADC解决这些难点。 AD4000/AD4003（16位/18位）ADC基于ADI的高级技术设计而成，集成了多种简单易用的特性，具有多种系统级优势，有助于降低信号链功耗，降低信号链复杂性，提高通道密度，同时还能提高性能水平。本文将重点讨论数据采集子系统性能和设计挑战，说明该ADC系列如何在多个终端市场形成应用级影响。常见的信号链设计难点图1显示了在构建精密数据采集系统时使用的典型信号链。要求精密数据采集系统的应用（如自动化测试设备、机械自动化、工业和医疗仪器仪表）呈现出通常被认为在技术上相冲突的共同趋势。例如，系统设计师被迫在性能上妥协，以维持紧张的系统功率预算，或者在电路板上保留较小的面积以实现高通道密度。这些精密数据采集信号链的系统设计师在多个方面面临着共同的挑战：驱动SAR ADC输入；保护ADC输入以使其免受过压事件影响；用单电源降低系统功耗；用低功耗微控制器和/或数字隔离器实现更高的系统吞吐量等。图1. 典型的精密数据采集信号链受开关电容输入结构影响，高分辨率精密SAR ADC的驱动一直是个棘手的问题。系统设计师需要密切关注ADC驱动器数据手册，了解噪声、失真、输入/输出电压上裕量/下裕量、带宽和建立时间等技术规格。一般地，采用的高速ADC驱动器需要具备宽带宽、低噪声和高功率等特征，以便在可用采集时间内建立SAR ADC输入的开关电容反冲。这项要求会大幅减少用于驱动ADC的可用放大器选择，不得不在性能/功率/面积方面进行大幅妥协。另外，选择一款合适的RC滤波器置于驱动器与ADC输入之间，这项要求又对放大器选择和性能构成了进一步的限制。ADC驱动器输出与SAR ADC输入之间需要用RC滤波器来限制宽带噪声，减少电荷反冲的影响。一般情况下，系统设计师需要花费大量时间去评估信号链，确保所选ADC驱动器和RC滤波器能切实驱动ADC，以实现所需性能。在功耗敏感型应用（如电池供电仪器仪表）中，通常需要用低压单电源来运行系统。这虽然较大限度地降低了电路的功耗，但却给放大器前端带来了上裕量和下裕量问题。这意味着，可能无法使用ADC输入的全部范围，因为驱动放大器无法一直驱动到地，也无法一直驱动到ADC输入范围的上限，结果会降低整个系统的性能。这种情况可以通过提高电源电压来弥补，但其代价是会增加功耗，或者造成系统的动态范围性能下降。多数ADC模拟输入（IN+和IN−）除ESD保护二极管以外没有过压保护电路。在放大器电轨大于VREF且小于地的应用中，输出有可能超过器件的输入电压范围。在过压事件中，两个连接REF的模拟输入（IN+或IN−）引脚之间的ESD保护二极管正向偏置连接REF的输入引脚并使其短路，有可能使基准电压源过载，导致器件损毁，或者干扰在多个ADC之间共用的基准电压源。结果就需要为ADC输入添加肖特基二极管一类的保护电路，避免过压条件损害ADC。不幸的是，肖特基二极管可能会因漏电流而增加失真及其他误差。精密应用在连接ADC的处理器方面有着不同的需求。出于安全考虑，有些应用需要使用电气隔离机制，并在ADC与处理器之间使用数字隔离器来实现这个目的。这种处理器选择和隔离需求对用于连接ADC的数字接口的效率形成了限制。一般地，低端处理器/FPGA或低功耗微控制器都拥有较低的串行时钟速率。这可能导致ADC的吞吐量低于预期，因为在输出转换结果之前存在较长的ADC转换延时。数字隔离器也可能限制在隔离栅上可以实现的最大串行时钟速率，因为隔离器中的传播延迟会限制ADC吞吐量。在这些情况下，最好使用既可实现更高吞吐速率，又无需大幅增加串行时钟速率的ADC。 AD4000/AD4003精密SAR ADC AD4000/AD4003系列是基于SAR架构的快速、低功耗、单电源、16位/18位精密ADC，将高性能与简单易用的特性独特地结合在一起，可以降低系统复杂性，简化信号链BOM，并大幅缩短上市时间（见图2）。借助该系列，设计师可以解决精密数据采集系统的系统级技术挑战，并且无需做出重大折衷。例如，留给用户更长的采集时间、高输入阻抗(Z)模式和跨度压缩模式等特性在AD4000/AD4003 ADC系列中的结合可以减少与ADC驱动器级设计相关的挑战，增加ADC驱动器选择的灵活性。这样就可以降低系统总功耗，提高密度，缩短客户设计周期。通过SPI接口写入配置寄存器，可以使能/禁用多数简单易用的特性。注意，AD4000/AD4003 ADC系列与10引脚AD798x/AD769x ADC系列引脚兼容。图2. AD4000/AD4003 ADC的主要优势长采集阶段 AD4000/AD4003 ADC拥有更短的转换时间290 ns，ADC会在当前转换过程结束前100 ns返回采集阶段。SAR ADC周期时间由转换阶段和采集阶段构成。在转换阶段，ADC电容DAC与ADC输入断开，以执行SAR转换。输入在采集阶段重新连接，ADC驱动器必须在下一个转换阶段开始之前将输入建立至正确的电压。较长的采集阶段可以降低对驱动放大器的建立要求，并且允许较低的RC滤波器截止频率，这意味着可以使用噪声较高且/或功率/带宽较低的放大器。可以在RC滤波器中使用较大的R值和较小的对应C值，减少放大器稳定性问题，同时也不会大幅影响失真性能。较大的R值有助于在过压条件下保护ADC输入；同时还能降低放大器中的动态功耗。高输入阻抗模式为了达到高分辨率精密SAR ADC数据手册中列示的优质性能，系统设计师通常不得不使用专用的高功率、高速放大器来驱动其精密应用中的传统型开关电容SAR ADC输入。这是在精密数据采集信号链设计中经常遇到的难点之一。高Z模式的优势在于，能在慢速(<10 kHz)或直流类信号条件下支持低输入电流，并且可在高达100 kHz的输入频率范围内实现更高的失真(THD)性能。 AD4000/AD4003 ADC集成了一个高Z模式，在采集开始时，可以在电容DAC切换回输入时减少非线性电荷反冲。在使能高Z模式时，电容DAC在转换结束时充电，以保持上次采样的电压。这一过程可以减少转换过程的任何非线性电荷效应，该效应会影响到下次采样前在ADC输入端采集的电压。图3所示为AD4000/AD4003 ADC在高Z模式使能/禁用时的输入电流。低输入电流使ADC比市场上现有的传统SAR ADC更易驱动，即便是在高Z模式禁用的情况下。如果将图3中高Z模式禁用时的输入电流与上一代AD7982 ADC的输入电流进行比较，则会发现，AD4003已经将1 MSPS条件下的输入电流降低了4倍。高Z模式使能时，输入电流进一步降至次微安级。在输入频率超过100 kHz时，或者在多路复用输入时，应禁用高Z模式。借助AD4000/AD4003 ADC降低的输入电流，就能以比传统SAR高得多的源阻抗来驱动。这意味着，RC滤波器中的电阻值可以比传统SAR设计大10倍。图3. 在高Z使能/禁用条件下的AD4003 ADC输入电流与输入差分电压如图4所示，AD4000/AD4003 ADC允许用带较低截止频率的RC滤波器的多种低功率/带宽精密放大器来驱动ADC，消除了使用专用高速ADC驱动器的必要性，并且可以降低精密低带宽应用（信号带宽<10 kHz）的系统功耗、尺寸和成本。最终，AD4000/AD4003允许基于目标信号带宽，而非基于开关电容SAR ADC输入的建立要求来选择ADC之前的放大器和RC滤波器。图4. 传统精密信号链图5和图6所示为AD4003 ADC的SNR和THD性能，其中，在使能/禁用高Z及各种不同RC滤波器值的情况下，以2 MSPS的全速吞吐量驱动AD4003 ADC时，使用的是ADA4077 (IQUIESCENT = 400 µA/放大器)， ADA4084 (IQUIESCENT = 600 µA/放大器)， ADA4610 (IQUIESCENT = 1.5 mA/放大器) 精密放大器。在2.27 MHz RC带宽和1 kHz输入信号条件下使能高Z时，这些放大器可实现96 dB至99 dB的典型SNR以及优于–110 dB的典型THD。在使能高Z模式时，甚至在R值大于200 Ω时，THD约改善了10 dB。即使在超低RC滤波器截止频率条件下，最高SNR也接近99 dB。在使能高Z时，ADC消耗约2 mW/MSPS的额外功耗，但这仍然显著低于使用ADA4807-1 一类的专用ADC驱动器时的功耗，从而可以节省PCB电路板面积和物料成本。对于多数系统，前端通常会限制信号链可以实现的整体交流/直流性能。从图5和图6所选的精密放大器数据手册中可以看出，精密放大器自身的噪声和失真性能在某个输入频率下主导着SNR和THD规格。然而，带高Z模式的AD4003 ADC可以极大地增加驱动器放大器的选择，包括信号调理级中使用的精密放大器，同时还可提高RC滤波器选择的灵活性。例如，当AD4003 ADC的高Z使能并配合 ADA4084-2 驱动器放大器使用一个4.42 MHz宽带输入滤波器时，SNR性能约为95 dB。如果用498 kHz滤波器对ADC驱动器噪声进行强力滤波，SNR可提升3 dB，至98 dB。AD7982 ADC在较低RC截止频率下的SNR性能下降是因为该ADC输入未在较短的采集时间内消除反冲。图5. 使用ADA4077、ADA4084和ADA4610精密放大器时的SNR与RC带宽图6. 使用ADA4077、ADA4084和ADA4610精密放大器时的THD与RC带宽图7(a)表明，系统设计师可以使用功率低2.5倍的ADC驱动器ADA4077（相比ADA4807），在高Z模式禁用时，AD4003 ADC仍然能取得约97 dB的SINAD（比AD7982 ADC高3 dB）。即使RC带宽增加至2.9MHz，ADA4077放大器也无法直接驱动AD7982 ADC并取得优质性能。如果用较低的RC带宽截止频率强力滤波，驱动器无法在可用采集时间内消除ADC反冲，ADC SINAD性能因而下降。在禁用或使能高Z模式时，AD4003 ADC的开关电容反冲大幅缩减，在1 MSPS时的采集时间长2.5倍，因此，其SINAD性能仍然大幅优于AD7982 ADC。在使能高Z模式时，在较低RC滤波器截止频率下使用两个ADC驱动器，AD4003 ADC的SINAD性能较好，这有助于在目标信号宽带较低时，消除更多来自上游信号链组件的宽带噪声。在不使能高Z模式时，RC滤波器截止频率与SINAD性能之前存在折衷。图7. 使用ADA4077和ADA4807时AD4003 ADC和AD7982 ADC放大器驱动器的比较：在禁用和使能高Z模式时的SINAD与RC带宽(FS = 1 MSPS, fIN = 1 kHz)。跨度压缩 AD4000/AD4003 ADC集成了一个跨度压缩模式，对仅用一个单电源为SAR ADC驱动器供电的系统非常有用。该模式可以消除ADC驱动器对负电源的要求，同时还能维持ADC的全分辨率，减少功耗，降低电源设计复杂程度。如图8所示，ADC可执行数字缩放功能，映射从0 V至0.1 V × VREF的零电平代码，以及从VREF至0.9 × VREF的满量程代码。在减小的输入范围内，AD4000/AD4003 ADC的SNR约为~1.9dB (20*log(4/5))。举例来说，对于采用5 V单电源且典型基准电压为4.096 V的子系统，满量程输入范围为~0.41 V至3.69 V，为驱动放大器提供了充足的裕量。图8. AD4000/AD4003 ADC跨度压缩工作模式过压箝位在放大器电轨大于VREF且小于地电压的应用中，输出可以超出器件的输入电压范围。当正输入超过范围时，电流通过D1流入REF（见图9），对基准电压源形成干扰。甚至更加糟糕的是，可能将基准电压源拉高至绝对最大基准值的水平，因而可能损坏器件。当模拟输入超过基准电压~400 mV时，AD4000/AD4003 ADC的内部箝位电路将开启，电流将通过箝位流入地，防止输入进一步升高而可能损坏器件。图9. AD4003 ADC等效模拟输入电路如图9所示，AD4000/AD4003 ADC的内部过压箝位电路有一个较大的外部电阻(REXT = 200Ω)，可以消除外部保护二极管的必要性（并由此消除额外电路板空间的必要性）。箝位在D1之前开启，其最大吸电流能力为50 mA。箝位电路通过将输入电压箝位在安全工作范围中来防止器件损坏，同时避免对基准电压源造成干扰，这对在多个ADC之间共用基准电压源的系统来说尤其重要。高效数字接口 AD4000/AD4003 ADC有一个灵活的数字串行接口，有七种不同的模式，并且具有寄存器编程能力。其Turbo模式允许用户在ADC仍在转换时开始输出上次转换的结果，如图10所示。短转换时间和Turbo模式相结合，可实现较低的SPI时钟速率，简化隔离解决方案，降低数字隔离器的延迟要求，增加处理器选择，包括低端处理器/FPGA或者串行时钟速率相对低的低功耗微控制器。例如，运行于1 MSPS时，AD4003 ADC可以使用比AD7982 ADC慢2.5倍的SPI时钟速率（25 MHz相比于66 MHz）。用户可以写/读回寄存器位，以使能AD4000/AD4003 ADC简单易用的特性，可以在转换结果上附加一个6位的状态字，实现诊断和寄存器读回。串行接口规格完全支持低至1.8 V的逻辑电平，可以在这些条件下实现2 MSPS全速吞吐量。使能Turbo模式时，要在2 MSPS条件下运行AD4003 ADC，需要的最低SCK速率为75 MHz。图10. AD4003 ADC的Turbo工作模式 AD4000/AD4003 ADC性能 AD4000/AD4003 ADC采用1.8 V工作电压，在2 MSPS下的典型功耗为14 mW/16 mW，线性度非常出色，最大值为±1.0 LSB (±3.8 ppm)，保证18位无失码。图11所示为AD4003 ADC的典型INL与代码性能。AD4003 ADC可在高达奈奎斯特的超宽输入频率范围内实现比AD7982 ADC更出色的SINAD性能（图12），使系统设计师能开发出带宽更宽、精度更高的仪器仪表设备。AD4000/AD4003 ADC采用小型10引脚封装（提供3 mm × 3 mm LFCSP和3 mm × 5 mm MSOP两种选项），与AD798x/AD769x ADC系列引脚兼容。图11. AD4003 ADC INL与代码的关系图12. AD4003 ADC和AD7982 ADC SINAD与输入频率的关系 AD4000/AD4003 ADC在每个转换阶段结束时自动关断；因此，其功耗和吞吐量呈线性变化关系，如图13所示。这一特性使得该器件非常适合低采样速率（甚至低至几赫兹）和电池供电的便携式和可穿戴式系统。即使在低占空比应用中，第一个转换结果也始终有效。图13. AD4003 ADC功耗与吞吐量的关系系统应用 AD4000/AD4003 ADC系列集简单易用的特性、高性能、小尺寸和低功耗等特点于一身，是诸多精密控制和测量系统应用的理想选择，如图14所示。AD4000/AD4003 ADC可以降低测量不确定性，提高可重复性，支持高通道密度，并能提高自动化测试设备、自动化机械控制设备和医疗成像设备的吞吐效率。这款ADC非常适合需要更高频率性能以捕获快速瞬变和飞行时间信息的系统，比如功率分析仪、质谱仪等应用。图14. AD4000/AD4003 ADC终端系统应用借助AD4000/AD4003 ADC系列，设计师可以解决精密数据采集系统的系统级技术挑战，无需做出重大折衷，还能缩短整个系统的设计时间。AD4000/AD4003 ADC的高性能可以提高测量精度，其小尺寸和低系统级散热则可实现更高的密度

ADI

亚德诺半导体 . 2026-06-10 1120
产品 | 纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器

纳芯微宣布推出全国产化供应链的汽车级CAN收发器芯片NCA1043D-Q1，新器件凭借业内领先的抗干扰特性，在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中，实现无特殊条件备注、全测试项通过最高Class III等级。 NCA1043D-Q1同时满足大众集团VW80121-3，2023-12标准，纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。 CAN收发器是整车系统通信链路上的核心器件，通信过程中任何EMC问题带来的扰动都可能演变为整车系统的功能异常，因此车厂和Tier 1通常将CAN收发器视为EMC设计和验证的重点器件之一。尤其在800V高压平台、SiC功率器件和复合材料电池包逐渐普及后，CAN收发器的EMC性能已经成为影响整车开发周期和系统可靠性的重要因素。纳芯微NCA1043D-Q1全部通过四项测试全面通过最高Class III等级测试简化系统设计 IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC 62228-3标准进行，测试项包括：发射射频干扰（Emission RF Disturbances）, 抗射频干扰（Immunity RF Disturbances），瞬变免疫力（Immunity Transients）和抗静电（Immunity ESD），纳芯微NCA1043D-Q1在测试中表现优异，各种条件下均能通过器件最高Class III等级，以优异的EMC性能助力用户简化系统设计，加速产品开发和上市。 NCA1043D-Q1的相关测试项全部通过最高Class III等级支持振铃抑制功能，满足复杂拓扑和提速需求 NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率，同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率，使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片，在保障车载通信质量的同时，降低物料成本。全国产供应链加持，提升交付效率与供应韧性 NCA1043D-Q1在芯片设计、晶圆制造、封装测试等关键环节均实现国产化布局，构建了自主可控的全国产供应链体系。在保障供应安全与稳定供货能力的同时，依托本土产业链协同优势，有效缩短交付周期、提升响应速度，并降低综合供应链成本，为客户提供更具确定性和竞争力的供应保障。封装和选型 NCA1043D-Q1将于近期量产，提供SOP14和DFN14两种封装，支持低至1.8V的VIO和睡眠模式唤醒；NCA1043D-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围。可通过纳芯微官网进行样片申请。平台化接口IP，赋能全面产品布局纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。以EMC为例，纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1，NCA1057-Q1，NCA1145B-Q1以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1；其中NCA1044-Q1和NCA1462-Q1亦通过日本VeLIO认证，相关器件均已量产，欢迎垂询。

纳芯微

纳芯微电子 . 2026-06-10 1295
企业 | 元器件分销商盈方微电子8.97亿并购同行肖克利

6月8日晚间，盈方微电子股份有限公司发布最新重大资产重组公告，公司拟通过发行股份及支付现金相结合的方式，收购上海肖克利信息科技股份有限公司100%股权，交易作价8.97亿元。此次并购聚焦同行优质标的，是盈方微深耕电子元器件分销赛道、扩大产业规模、补强细分领域优势的关键布局，也进一步印证了国内芯片分销行业头部集中、抱团整合的发展大势。值得注意的是，本次交易为盈方微2026年产业布局的重要调整，相较于年初披露的收购方案，公司对交易标的与估值进行优化，聚焦上海肖克利核心优质资产，精准发力功率半导体、碳化硅等热门细分分销赛道。交易完成后，上海肖克利将成为盈方微全资子公司，纳入公司合并报表范围。并购双方企业核心概况收购方：盈方微，双轨布局的上市芯片企业盈方微是国内兼具芯片研发设计与电子元器件分销双业务体系的上市公司，两大板块协同发展，其中电子元器件分销为公司核心营收支柱，收入占比位居首位，下游主要覆盖各类消费电子、智能硬件等终端应用领域。近年来，盈方微持续深耕分销赛道，不断扩充芯片、存储元器件等热销产品供应体量，强化供应链规模效应。2025年公司分销业务实现稳健增长，逐步搭建起完善的供应链渠道与客户体系。同时，公司保留集成电路芯片自主研发、设计与销售业务，形成“分销引流+自研赋能”的差异化竞争模式，为产业链上下游客户提供多元化半导体产品与配套服务。标的方：上海肖克利，高端半导体细分优质分销商上海肖克利是国内专注于高端电子元器件分销及技术配套服务的优质企业，深耕半导体分销领域多年，拥有成熟的原厂授权体系与细分赛道资源优势。公司核心分销产品线覆盖东芝、罗姆、村田等全球一线半导体品牌，主营产品聚焦功率半导体、碳化硅器件、光电耦合器等高端元器件，广泛应用于工业控制、新能源、消费电子等高景气赛道。不同于综合类分销商，上海肖克利深耕功率半导体与宽禁带半导体细分领域，具备极强的垂直领域深耕能力，不仅能够为客户提供标准化元器件供应，还可提供产品选型、技术适配、供应链保障等一体化解决方案，积累了稳定的中高端客户资源，与盈方微现有业务形成良好互补。国内芯片分销行业发展现状与趋势电子元器件（芯片）分销是半导体产业链的核心中游环节，承担着连接上游晶圆原厂、下游终端厂商的关键作用，是保障半导体供应链高效流转的核心枢纽。近年来，伴随国产半导体产业加速崛起、下游新能源、工业智能化、消费电子复苏，国内芯片分销行业进入结构化升级与集中整合的新阶段。 1、行业集中度持续提升，并购整合成常态长期以来，国内芯片分销行业呈现“小、散、多”的格局，中小分销商数量众多，同质化竞争激烈，议价能力与供应链抗风险能力较弱。而近年来行业洗牌加速，头部企业凭借资金、渠道、原厂资源优势，持续通过并购同行、整合资产扩大规模。数据显示，2024年国内前十芯片分销商市场份额持续攀升，行业强者恒强格局愈发明显。全球范围内，分销巨头并购动作频繁，文晔科技、艾睿电子等国际头部企业持续通过收购整合巩固市场地位；国内A股上市分销商同样加速布局，深圳华强、力源信息、雅创电子、商络电子等企业均通过并购同行、收购细分标的补齐业务短板，并购整合已成为行业规模化发展的核心路径。 2、细分赛道价值凸显，专业化分销成核心竞争力随着半导体产业精细化发展，通用型分销竞争日趋白热化，而功率半导体、碳化硅、车载芯片、工业控制芯片等细分赛道需求持续爆发，具备原厂独家授权、垂直技术服务能力的细分分销商稀缺性凸显。行业发展逻辑从单纯的“货源贸易”转向“技术+供应链+解决方案”的综合服务模式，能够为下游客户提供定制化技术支持的专业化分销商，逐步占据市场主导地位。上海肖克利深耕的功率半导体与碳化硅赛道，正是当前新能源、高端制造产业的核心刚需领域，具备极高的成长空间。 3、国产替代深化，本土分销商迎来发展机遇过去国内高端芯片分销市场长期被国际巨头垄断，而随着国内半导体供应链自主可控需求提升，下游终端厂商逐步倾向于选择服务高效、响应快速的本土分销商。本土上市分销商凭借合规化运营、资金实力强、信用度高等优势，持续替代中小杂牌分销商及部分国际渠道，行业市场资源不断向头部上市企业集中。

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九如芯闻 . 2026-06-10 2436