芯查查-电子信息产业数据引擎

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收购 | 立讯精密收购闻泰科技ODM业务

近日，立讯精密发布公告称，公司及立讯通讯将收购闻泰科技关于消费电子系统集成（同“ODM”）业务的相关子公司股权、业务资产包。此次交易完成后，公司将取得闻泰科技旗下多家公司100%股权，及印度闻泰、无锡闻泰、无锡闻讯相关业务资产包。闻泰科技表示，本次重组是公司在地缘政治新环境影响下，顺应变化、优化业务布局、提升核心竞争力的重要战略举措，符合公司的长远战略规划。通过本次交易，公司拟战略性退出产品集成业务，集中资源专注于半导体业务发展。据此前消息，2024年12月31日，闻泰科技与立讯精密控股股东立讯有限公司签署了《出售意向协议》，拟将公司及控股子公司拥有与产品集成业务相关的9家标的公司股权和标的经营资产转让给立讯有限或其指定方。今年1月，闻泰科技全资子公司闻泰通讯股份有限公司与立讯通讯（上海）有限公司签署《股权转让协议》，转让嘉兴永瑞、上海闻泰电子和上海闻泰信息（含下属子公司）100%股权。

立讯精密

芯查查资讯 . 2025-03-24 825
产品 | 海思 SAR ADC 架构芯片“AC9610”发布：支持 2Msps 采样率、24bit 采样精度

3 月 23 日消息，海思技术有限公司本月官宣推出 SAR ADC 架构芯片“AC9610”，其实现了高速高精度的精密信号采集系统。据介绍，传统 ADC（模拟到数字转换器，主要用于将连续传输的模拟信号转换为数字信号，便于数字系统对传输信息进行快速处理和分析）在采样率和采样精度这两大关键性能指标上遭遇了兼得性的难题：若片面提升采样率，分辨率便会大打折扣，致使采集到的数据在细节呈现上模糊不清；若着重提升分辨率，采样率又会跟不上快节奏的信号变化，错过关键信息。海思 AC9610 芯片在实现 2Msps 采样率的同时保持了 24bit 超高采样精度，其中 2Msps 的采样率可捕获 μs 级瞬态信号，应对超声、高速传感器等动态信号分析，避免了传统 ADC 因采样间隔过长导致的信号失真；24bit 采样精度可精准识别 0.5uV 弱小信号差异，在精密传感器，高精度测试仪器仪表领域，实现“纤毫毕现”的数据还原。该芯片凭借其低噪声设计，2Msps 下可达 103.5dBFS 的 SNR、在 1Ksps 可达 138dBFS，支持在强干扰环境下分辨目标信号与噪声信号。AC9610 通过先进的封装设计技术，支持-40°C~125°C 宽温工作，同时保证低温漂，确保工业复杂环境下仍能正常运行。 AC9610 关键指标如下：

海思

芯查查资讯 . 2025-03-24 720
产品 | Microchip推出AVR SD系列入门级MCU，降低安全关键型应用的系统成本和复杂性

为帮助工程师在严苛安全要求下最大程度地降低设计成本与复杂性，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）正式推出AVR® SD系列单片机（MCU）。该系列单片机集成内置功能安全机制，专为需要高可靠性验证的应用设计，且定价不到1美元，成为首款在该价位段满足汽车安全完整性等级C（ASIL C）和安全完整性等级2（SIL 2）要求的入门级单片机。该系列单片机功能安全管理体系已通过德国莱茵TÜV认证，进一步增强了安全性能。 AVR SD系列单片机具有多项硬件安全特性，包括双核锁步CPU、双模数模转换器（ADC）、全内存纠错码（ECC）、专用错误控制模块、错误注入机制以及电压与时钟监控器。这些功能大幅缩短故障检测时间并降低软件复杂度，支持实现低至1毫秒的故障检测时间间隔（FDTI）目标，有效预防危险状况并提升系统可靠性。结合Microchip的安全框架软件使用，该系列单片机可自主管理功能安全诊断，检测和处理错误，并在必要时触发安全状态。该系列单片机可用作主处理器，以最小的功耗实现关键功能，如检测热失控或监控旋转位置等传感器数据。它还是复杂系统中协处理器的绝佳候选产品，可镜像或卸载安全关键功能，适用于安全完整性等级较高的应用，最高可支持ASIL D 和SIL 3级别。 Microchip负责单片机（MCU）业务部的公司副总裁Greg Robinson表示：“在设计安全关键型应用时，工程师通常只能使用昂贵而复杂的器件。通过将特定安全功能直接集成到入门级MCU中并提供支持软件框架，我们正在帮助客户以更高的效率满足严格的安全标准。借助AVR SD系列，设计人员可以大大缩短开发时间，最大限度地降低系统和认证成本。” AVR SD系列单片机符合ISO 26262（汽车）和IEC 61508（工业）国际安全标准，适用于航空航天和防务、工业自动化、汽车及医疗等多个领域，具体包括飞行控制系统、点火控制、机器人安全功能、高级驾驶辅助系统（ADAS）及医疗输液泵等。请访问Microchip网站，了解有关公司AVR® MCU和功能安全产品全系列的更多信息。开发工具开发者可基于通过TÜV SÜD认证的MPLAB® XC8 Pro编译器和Microchip Curiosity Nano开发板进行开发，并配套功能安全软件包提供支持，其中包括安全文档（故障模式、影响和诊断分析报告、安全手册、依赖性故障分析报告）、安全软件和合规报告。供货与定价 AVR SD单片机（MCU）起价为0.93美元/件（每5000件起订），批量采购可享更低优惠。

MCU

Microchip . 2025-03-24 1 590
芯查查四周年庆典，精彩活动、超多福利等你来解锁！

芯查查4岁啦~ 自2020年3月诞生以来，我们已陪伴百万电子元器件从业者走过了1460个日夜，累计服务企业超百家，这份成长离不开每一位芯查查用户的认可和支持在这个特别的日子里，我们特别策划“三重芯意”周年庆系列活动，邀您共赴这场“芯动之旅”。第一重：芯查查用户线下茶话会时间：3月28日14:00 地点：深圳市南山区招商局前海经贸中心一期A座20层第二重：四周年庆专属直播间点击此处，即可跳转芯查查四周年庆专属直播间！第三重：芯查查四周岁生日许愿贴以上三场活动，芯查查都给大家设置了超多丰厚的礼品，绝对诚意满满~ 3月27日-28日，我们线上 or 线下，不见不散！

芯查查

芯查查 . 2025-03-24 4 14 3335
存储 | HBM、DDR5、多层NAND Flash等未来三年的技术发展趋势

重点内容速览： 1. HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 2. DRAM技术持续迭代，进入10nm时代 3. NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后在人工智能的推动下，存储器市场正迎来一场变革，技术的发展节奏明显加快。要知道，当年DRAM等存储器主要就是依赖不断缩小的制程尺寸，来提升存储密度、降低功耗，以及降低成本的。然而在过去10年里，存储器的制程微缩大幅放缓，存储密度提升也相当有限。如今，随着AI的爆发，存储行业格局开始被打破，头部存储器厂商开始追逐新的工艺，推出新的产品，以应对市场需求。如今，高带宽内存（HBM）、先进的DRAM工艺（比如DDR5和3D DRAM）、多层NAND Flash技术等逐步成为三星、美光、SK海力士、铠侠、长江存储等头部存储器厂商争夺的焦点。图片来源：作者摄于2025深圳闪存峰会。图为 3D NAND与DRAM技术发展趋势。根据闪存市场发布的报告，在NAND Flash方面，三星已经量产了286层的V9 3D NAND Flash产品，SK海力士量产了321层的NAND Flash产品，美光也推出了276层的NAND Flash产品，铠侠和长江存储也分别推出了其200层以上的NAND Flash产品；在DRAM 方面，三星正在使用其第6代EUV技术来生产DRAM产品，SK海力士的1b nm EUV技术也已经开始量产，美光的1γ nm技术也已经开始给特定客户量产出货了。可以看得出来，未来围绕人工智能需求，各大存储器厂商必然会在存储技术方面继续突破。接下来，我们围绕市场比较热门的HBM技术、DDR5工艺，以及后续新型3D DRAM和3D NAND Flash等方面进行剖析，看看各家的技术都有哪些不一样。 HBM收益AI需求快速增长，SK海力士一骑绝尘 HBM是一种高性能的3D DRAM技术，其出现是由于按照摩尔定律的演进路线，处理器的性能不断飙升，内存所使用的DRAM却受到物理极限的限制，性能提升速度远慢于处理器速度，造成了DRAM的性能成为制约计算机性能的一个重要瓶颈，这就是所谓的“内存墙”。因此，2008年开始，AMD开始研究HBM技术，后来AMD联合SK海力士合作开发HBM。2013年，HBM技术的第一代规格被提出，并逐渐进入市场化阶段。2014年，SK海力士与AMD联合推出了HBM第一代产，并于2015年开始小批量量产，应用在了AMD的Fiji系列显卡（比如Radeon R9 Fury X）。当时HBM1通过2.5D封装技术，将DRAM堆叠在了一起，使用硅通孔技术（TSV）进行连接，并与GPU封装在了一起。按照JEDEC的分类，HBM属于GDDR内存。随后，HBM产品按照HBM1（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的顺序进行开发。近年来，随着AI和高性能计算的火爆发展，HBM作为一种能够满足高带宽和低功耗要求的内存技术，其市场需求迅速上升。美光和SK海力士今年的HBM产能已经被订购一空。根据TechInsights发布的《2025 Memory outlook Report》显示，AI推动下的HBM出货量今年的增长率将高达70%。图：HBM3E内部结构图（来源：美光）在市场关注度最高的HBM方面，三星推出了定制化的HBM4解决方案，支持客户IP集成。在DDR5 RDIMM方面，由于市场在寻找128GB甚至更高容量的产品，因此，三星推出了目前最大单一芯片DDR5 RDIMM 32Gb，可以最高实现256GB DDR5内存，满足AI算力需求。根据公开信息，HBM3的市场占有率SK海力士最高，占了85%，三星占12%，美光占3%。可看地出来，SK海力士在HBM市场占有先发优势，正在成为HBM市场的主导者。图：HBM细分市场，三大厂商的市占率及产能情况（来源：公开信息，芯查查）未来三年，HBM将先后向HBM3E和HBM4方向发展，各大厂商在封装技术、带宽密度、热管理方案，以及客户服务上存在明显的差异。各家在HBM路线上的侧重点也各不相同。 SK海力士：目前在HBM3E的量产上领先，在2024年，SK海力士就陆续实现了8层和12层HBM3E产品的量产，今年3月19日，其12层HBM4产品也开始向主要客户送样。SK海力士拥有较高的市场份额和成熟的TSV堆叠技术，加上其与NVIDIA等主要客户深度合作，目前在HBM市场一骑绝尘。三星电子：虽然在HBM市场占有一定的市场份额，但其大量的资源正转向3D封装服务，计划以自研HBM4与3D封装技术提升产品竞争力。其正在大力推广的HBM3E产品正在NVIDIA的认证中。3月中旬NVIDIA的高管还访问了三星电子在天安的封装工厂，审计和测试其HBM3E产品。据悉，三星还专门抽调HBM4的研发团队至HBM3E项目组，以帮助优化HBM3E的良率和稳定性，以确保顺利交付。美光科技：在HBM3E领域起步较晚，但借助先进的热管理和功耗优化策略，其2025年计划推出的HBM4产品将在带宽密度和能效方面与对手展开正面对抗。 HBM技术未来的突破方向还在于热管理、能效优化与空间互联技术等几个方面。对于HBM这样的DRAM堆叠产品，热传导路径较长，会导致热阻增加，热导性也会因芯片之间的填充材料而受限，再加上速度和容量的不断提升，也会导致热量增加。如果无法充分控制半导体芯片产生的热量，可能会对产品性能、生命周期和功能产生负面影响。因此，芯片制造商也非常关注热控制问题。SK海力士在其HBM2之前，一直是采用行业标准性热压非导电膜（TC-NCF）技术。到了2019年，SK海力士推出了新型封装技术MR-MUF应对HBM产品热量过高的问题。图： HBM产品发展及散热性能优化时间线（来源： SK海力士）美光的HBM3E产品通过优化堆叠结构，已经实现了功耗降低30%的技术突破；同时，SK海力士在HBM4的研发中通过集成台积电的逻辑芯片，实现了更高的信号完整性和低热阻设计，确保在高频告诉传输中依然保持稳定的工作状态。在空间互联方面，随着TSV技术不断成熟，未来HBM4的封装方案将借助更先进的微间距互联技术，实现10μm 甚至更小间距的精密互联，从而大幅提升内存模块的集成度和带宽密度。 DRAM技术持续迭代，进入10nm时代与数字芯片制程的10nm、7nm、5nm和3nm等之类的数字表达方式不同，存储器行业今年通常使用1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ这样的术语来表示制程。与数字表达方式相对应的话1X大约等同于19nm制程、1Y约等同于18nm、1Z约等同于16~17nm、1α等同于14nm、1β等同于13nm、1γ等同于12nm。目前三星、SK海力士、美光等DRAM头部厂商正在积极推动DRAM技术的进步。比如三星首先商用了1Z nm制程，并积极研发更加先进的1α和1β制程；SK海力士也推出了基于HKMG（高K金属栅极）技术的LPDDR5X产品，以及布局1α和1β制程；美光更是在DRAM上持续创新，最早进入1β制程，最近更是宣布其1γ制程已经进入量产就绪阶段，并开始向特定客户出货。该技术节点采用新制造工艺，使用波长仅为13.5nm的极紫外（EUV）光刻技术，可在硅晶圆上绘制出更精细的图案。该技术可以进一步减小晶体管，以及整个DRAM芯片的尺寸，从而提高位密度。1γ节点还利用美光的新一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术，来提高晶体管的性能，并缩小电路面积。结合创新的CMOS技术以及精心优化的设计，包括对电路原理图和布局的改进，美光1γ 16Gb DDR5实现了高达9200MT/s的速度，同时功耗比前代节点降低20%以上。图：美光多代DRAM技术的性能（来源：美光） DRAM 具有多种不同版本，每种都针对特定应用进行优化。当前主流的 DRAM 类型包括： DDR5 （双倍数据速率 5 代）：主要用于服务器和 PC，具备最高的内存容量，采用 DIMM（双列直插式内存模块）封装。 LPDDR5X （低功耗 DDR5，X 代表增强版）：针对低功耗应用，但对 CPU 连接的距离和电容有更严格的限制，主要用于手机和笔记本电脑。 GDDR6X （G 代表 Graphics）：专为图形应用设计，提供高带宽但延迟较高、功耗更大，主要用于游戏显卡。 HBM3E （高带宽存储器 3E 代）：最优的带宽和功耗表现，但成本极高，主要用于 AI 加速器。图：美光DDR5 MRDIMM产品（来源：美光）如今，DDR5已在逐步取代DDR4，其主要优势在于数据带宽、功耗控制及系统稳定性等方面。当前，美光、三星与 SK 海力士在 DDR5 工艺上的竞争尤为激烈。当前 DDR5 市场正处于供不应求阶段，尤其在高性能服务器和 AI 服务器中，其应用逐渐上升。未来三年内，有以下趋势：价格走势：根据市场机构发布的预测，DDR5的平均价格将在未来三年内呈现周期性上涨，例如2024年约上涨8%，2025年可能达到12%，而2026年由于市场供需平衡后可能调整为7%左右的涨幅。技术成熟：随着更多先进工艺的应用及厂商间的横向竞争，DDR5相关的设计缺陷和初期问题将进一步被攻克，产品稳定性和兼容性不断提高。能效优化：各大厂商在DDR5产品中均将聚焦功耗控制和散热管理，通过进一步采用低功耗设计、芯片尺寸缩小及先进封装技术，把 DDR5 产品性能提升至新水平。图：DDR5的性能指标（来源：美光）在总线带宽、系统能耗及产品价格等方面的综合角度考虑，DDR5 将作为未来三年内主流内存技术的代表，为各类数据中心、云计算平台及 AI 应用提供更加高效的数据存储与传输支持。具体的产品方面，可以参考芯查查上期的文章《2025年都有哪些适合AI应用的全新存储器产品》。在国内，国产厂商正处于起初阶段，长鑫存储、兆易创新、紫光国芯、福建晋华、东芯股份、北京君正等均有DRAM产品。其中长鑫存储聚焦手机、PC和服务器等大宗DRAM市场，目前已经推出多款DRAM商用产品，比如12Gb的LPDDR5颗粒，12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片等。 NAND Flash层数不断突破，国内厂商不甘人后 2023年开始，各大厂商正式突破200层，三星推出第八代236层、海力士推出了238层、美光推出了232层，铠侠推出218层的NAND Flash产品。在美国的设备制裁下，2022年12月美国将长江存储列入了实体清单，尽管如此，长江存储仍然取得了突破，目前市面上已经有232层的长江存储颗粒固态硬盘在销售。随着应用领域和使用场景越来越多样化，特别是AI的推动，市场对NAND Flash的要求也随之提升，对容量的要求越来越高。比如2024年，手机主流的存储容量也到了256GB至1TB之间。因此，在2025年，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据、长江存储等这些NAND Flash的头部企业的目标瞄准了300层的3D NAND Flash商用化。三星甚至宣称将在2030年推出1,000层的NAND Flash产品。图：各大厂商3D NAND Flash产品的关键信息对比（来源：公开信息）通过表中数据可以看出，随着层数的飞跃，混合键合技术与先进封装均将成为 NAND Flash 技术进一步迭代的重要因素。这将为 NAND 市场提供更高的存储密度、更低的功耗以及更优的性能表现，对未来存储器市场产生深远影响。根据IDC的预测，全球企业级SSD出货总容量有望从2024年的219EB增长至2028年的517.6EB；对应出货量从2024年的26.2万个增至2028年的32.4万个；市场规模从2024年的262亿美元增长至2028年的324亿美元。除了AI应用驱动SSD应用占比之外，SSD成本下降也将推动其渗透率上升。随着NAND Flash存储单元从SLC到QLC演进，以及3D NAND Flash层数不断增加，SSD单位成本在持续下降，单位GB价格将由2024年的0.11美元下降至2028年的0.06美元。这将进一步加快SSD硬盘取代机械硬盘的步伐。结语目前全球SSD市场主要以NAND原厂为主，比如三星、铠侠、SanDisk、美光、SK海力士和Solidigm等企业。不过近几年，我国由于信息安全的因素考虑，国内厂商份额逐步提升，国内的供应商有江波龙、忆联、大普微、浪潮、忆恒创源等。随着国家对数据安全自主可控的重视程度不断提高，《工业和信息化部等十六部门关于促进数据安全产业发展的指导意见》等相关政策落地，叠加国内互联网厂商资本开支增加，国内模组厂有望迎增量机遇。

存储

芯查查资讯 . 2025-03-24 7 2 4940
市场周讯 | 闪迪、长存等存储厂宣布涨价；英特尔新任CEO计划裁员；英伟达发布最新一代产品“Blackwell Ultra”

| 政策速览 1. 韩国：韩国产业通商资源部20日成立稀有金属产业发展协会。该协会计划通过研判分析国内稀有金属供应链及相关技术，以应对全球稀有金属及相关技术的出口管制。 2. 苏州：《苏州市加快发展AI芯片产业的若干措施（征求意见稿）》公开征求意见。其中提到，做强骨干核心企业。聚焦GPU通用型芯片、ASIC专用型芯片、FPGA半定制化芯片、存算一体芯片、硅光芯片等重点方向，加大招商力度，加快引育一批带动性强的优质项目、头部企业，对重点项目在空间保障、场地建设、人才引进等方面予以综合支持。推动AI芯片企业通过兼并重组等方式提升资源整合能力，向产业链上下游布局拓展业务，对优质AI芯片企业开展并购重组，鼓励县级市（区）对企业实施兼并重组给予奖励。 3. 欧洲：空客集团、达索系统及逾90家欧洲中小型科技公司与行业团体，于3月14日联名致信欧盟委员会主席冯德莱恩，呼吁欧盟设立主权基础设施基金，以加大公共资金对人工智能、芯片等尖端技术的投资力度。 4. 山东工信厅：2025年，加力塑强现代化工业体系，新兴产业重在聚链成群，推进新技术、新产品、新场景大规模应用示范。未来产业重在打造生态，大力促进人工智能、人形机器人产业创新发展，遴选元宇宙创新名品和应用名景10个以上，培育建设一批未来产业加速园区。 5. 珠海：珠海市工业和信息化局日前制定了《珠海市推动人工智能与机器人产业高质量发展若干措施（征求意见稿）》。其中提出，支持机器人关键技术攻关。面向机器人运动控制算法、灵巧手、高精度传感器、柔性关节、球形电机等领域组织开展技术攻关，组织开展“揭榜挂帅”任务，按不超过项目设备和软件投入的50%，给予最高3000万元的资助。支持人工智能与机器人创新中心建设。支持企业、高校、科研院所等各类创新主体开展联合攻关。鼓励建设机器人数据训练场、机器人关键零部件研发中心、RISC-V开源生态创新中心等创新载体，按创新载体的设备和软件投入不超30%的比例，给予一次性最高1000万元的资助。对获得人工智能与机器人领域国家级、省级制造业创新中心称号的，分别给予最高1000万元、500万元的配套资金支持。 | 市场动态 6. IDC：2025年全球半导体市场年增15.9％，较去年20％成长率略有放缓，仍维持健康发展。以NVIDIA为首的数据中心市场注入强劲动能；车用及工业用领域半导体则有望在今年下半年触底。 6. Counterpoint：全球晶圆代工行业在2024年Q4收入同比增长26% ，环比增长9%。先进制程的产能利用率依然维持在高位，主要受AI及旗舰智能手机需求驱动，尤其是台积电的N3和N5制程。 7. 闪存市场：对于渠道端，原厂控货惜售且涨价态度强硬，部分原厂相继发动新一轮涨价潮，涨价行情自上而下正在传导至现货市场，渠道、嵌入式及行业市场纷纷响应，现货价格全线强势拉涨，“涨价”气氛烘托下令备货需求持续升温。随着资源端持续涨价，令渠道部分成品面临倒挂加剧的压力，从而使得部分渠道存储价格快速推高。 8. TrendForce：2024年全球前十大IC设计业者营收合计约2,498亿美元，年增49%。AI热潮带动整体半导体产业向上，特别是英伟达2024年营收成长幅度高达125%。 9. 国家统计局：前两个月，规模以上高技术制造业增加值同比增长9.1%，比上年全年加快0.2个百分点。国产人工智能大模型异军突起，人工智能+等创新产品跑出了加速度，推动生产方式变革，带动高端制造快速发展。1-2月份，集成电路圆片、工业机器人、动车组、民用无人机等高技术产品产量同比分别增长19.6%、27%、64%、91.5%。 10. IDC：2024年中国新能源车市场规模突破1,100万辆，同比增长38.1%。其中，插电式混合动力（同比增长85.7%）与增程式动力车型（同比增长99.3%）在新能源车中的占比继续提升，分别由2023年的20.5%与7.1%增长至27.6%与10.2%，对新能源车市场增长的贡献进一步有所提升。纯电车型市场规模同比增长亦达18.7%。 11. IDC：全球智能扫地机器人市场2024年全年出货2,060.3万台，同比增长11.2%；全年销额达93.1亿美金，同比增长19.7%；平均单价上涨7.6%至452美金，高端化升级持续深化。 | 上游厂商动态 12. 三星：三星电子近日在博通的8层HBM3E质量测试中表现出色。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。 13. SK海力士：由于博通HBM订单激增，SK海力士计划比原计划提前两个月在其新M15X工厂引入设备。设备交付原定于12月进行，现已提前至10月。 14. SK海力士：SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。 15. NVIDIA：NVIDIA CEO黄仁勋最新表示，中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求，因此，担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的，外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的，未来的计算需求甚至会变得要高得多。 16. NVIDIA：英伟达CEO黄仁勋在GTC主题演讲中推出了新产品“Blackwell Ultra”，并预告了公司的下一代芯片“Rubin”，Rubin之后的下一代命名Feynman。Blackwell Ultra基于公司一年前推出的Blackwell架构，结合了NVIDIA GB300 NVL72机架级解决方案和NVIDIA HGX B300 NVL16系统。 17. 台积电：台积电已向NVIDIA、AMD和博通提议投资于一家合资企业，该合资企业将运营英特尔的晶圆厂。对此，台积电董事刘镜清今日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。 18. 国芯科技：国芯科技宣布与深圳美电科技有限公司展开了深度合作。双方以国芯科技首颗端侧AI芯片CCR4001S为核心，携手推出AI传感器模组。据悉，这款模组已成功实现应用。 19. 英特尔：英特尔新任CEO陈立武计划全面改革芯片设计和制造业务，计划重启人工智能工作，并以每年的节奏生产芯片。还计划进一步裁员以减少臃肿。” 20. 摩根大通：AMD的整体业绩很可能在2025年取得大于20%的双位数增长。其中，人工智能（AI）GPU的业绩可能增长超过60%，带动盈利能力水涨船高。 21. 存储厂商：继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于三星电子、 SK海力士进行减产，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价。NAND价格回涨速度高于原先预期。 22. 软银：软银将以全现金交易的方式收购 Ampere，这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司估值为 65 亿美元。Ampere 的早期支持者包括甲骨文公司和私募股权公司凯雷集团，此次交易为众多希望利用人工智能消费热潮获利的芯片公司增添了新的活力。 23. 汇顶科技：董事会同意聘任柳玉平先生为公司总裁，全面负责公司的整体运营管理并直接向公司董事长兼首席执行官张帆先生汇报，任期自董事会审议通过之日起至第五届董事会任期届满时止。 24. 美光：美光公布截至2025年2月27日的2025财年第二季度业绩，其中营收为 80.5 亿美元。与之相较，上一季营收为87.1亿美元，而2024财年同期为58.2亿美元。 25. Microchip：Microchip负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂（“晶圆厂 2 号”）的市场推广与出售事宜。这一决策是 Microchip 此前公布的制造重组计划的一部分，旨在提升运营效率和盈利能力，以达成其战略目标。 26. 英集芯：英集芯收购辉芒微告吹，主要是由于交易相关方未能就本次重组方案的交易对价等核心条款最终达成一致意见。 27. 华大九天：正在筹划发行股份及支付现金等方式购买芯和半导体的控股权，公司股票自3月17日开市时起开始停牌。 28. 三星：由于特朗普对墨西哥的关税计划引发经济担忧，三星决定停止在墨西哥的所有投资，并裁员30%。 | 应用端动态 29. 苹果：苹果A20处理器芯片应会采用台积电2纳米（N2）制程生产，而非此前误传的第三代3纳米（N3P）制程。 30. 吉利：具身智能机器人公司智平方与吉利科技集团旗下浙江晶能微电子有限公司于18日正式签署战略合作协议。双方将基于智平方自研的端到端具身大模型Alpha Brain和通用智能机器人Alpha Bot（爱宝），共同打造面向半导体高品质制造工厂的通用具身智能机器人解决方案。 31. 云供应商：美国四大公有云供应商——亚马逊、微软、Alphabet Inc.旗下谷歌和甲骨文——去年购买了130万块英伟达老一代的Hopper AI芯片。2025年迄今，这一阵营已购买360万块Blackwell AI芯片。 32. 小米：小米将投入总研发经费的1/4，大约70至80亿左右到AI中。长期来看，AI、OS和芯片三项被列为小米核心技术。短期来看，小米要做好AI基建，开发语言大模型、多模态大模型等AI技术，搭建AI大模型落地的应用场景，比如超级小爱、智能座舱、智能驾驶等，小米内部也会利用AI技术进行内部提效。 33. 长虹：长虹发布了行业首款治愈系AI TV追光系列Q10Air、客餐厅PRO共享空调、面向低空经济的通信模组WF-H105-ESA2等产品。其中，WF-H105-ESA2具有大速率、低延时、多并发、高可靠、长距离通信等特点，支持Open CPU开发，除无人机等低空经济领域外，还可广泛应用于PAD、数据卡、PDA、穿戴设备、影音媒体设备等消费电子和物联网智能终端领域。 34. 微软：微软表示，将在今年年中之前在马来西亚推出其首个云区域，其中包括三个数据中心。微软马来西亚董事总经理Laurence Si在新闻发布会上表示，这些数据中心被称为Malaysia West cloud，将位于大吉隆坡地区，并将于第二季度开始运营。— end —

芯片

芯查查资讯 . 2025-03-24 1 3 1120
市场 | 2024年Q4全球晶圆代工行业收入同比增长26%

根据 Counterpoint Research 的《晶圆代工季度追踪报告》数据，全球晶圆代工行业在 2024 年 Q4 收入同比增长 26% ，环比增长 9% ，主要受强劲的 AI 需求以及中国市场持续复苏的推动。先进制程的产能利用率依然维持在高位，主要受 AI 及旗舰智能手机需求驱动，尤其是TSMC的 N3 和 N5 制程。与此同时，全球（不含中国）的成熟制程晶圆代工厂仍面临较低的产能利用率困境，本季度整体利用率徘徊在 65%-70% 之间。其中，12 英寸制程的复苏势头强于 8 英寸制程，后者受汽车和工业领域需求低迷的影响更大。不过，非 AI 需求正逐步回暖，尤其是在消费电子和 PC 半导体领域，这得益于与美国关税相关的预先生产需求以及中国补贴驱动的需求，这为更广泛的市场稳定带来了一些乐观因素。随着 AI 和高性能计算（HPC）持续推动先进制程需求增长，先进封装在支撑行业增长方面发挥了关键作用。TSMC 积极扩展 CoWoS-L 和 CoWoS-R 产能，进一步强化这一趋势，并缓解了市场此前对产能及订单调整的担忧。数据来源：《2024 年 Q4 全球晶圆代工行业收入追踪报告》，（包含其关联公司 HLMC（FAB 5/6） 2023年Q4至2024年Q4全球晶圆代工市场收入份额与排名 TSMC 在 2024 年 Q4 交出了亮眼的成绩单，毛利率超出预期。TSMC 进一步扩大了其在行业中的收入份额，2024 年 Q4 达到了创纪录的 67% ，高于上一季度的 64% 。这一业绩的增长主要得益于先进制程的高产能利用率，尤其是 N3 和 N5 制程，这主要是受到 AI 加速器需求以及旗舰智能手机强劲销售的推动。尽管 2025 年第一季度受到智能手机市场的季节性影响，但 AI 相关需求预计将抵消这一影响，AI 业务收入有望在 2025 年翻倍。除 AI 之外，非 AI 半导体市场也开始出现复苏迹象，库存逐步恢复正常，同时更广泛的终端市场也呈现温和回暖。 TSMC 仍然处于有利位置，有望持续跑赢代工行业，预计 2025 年晶圆代工行业的收入将同比增长 10%，而TSMC预计 2025 年收入将同比增长 20% 左右。此外，TSMC 的长期增长前景依然稳健，预计 2024 至 2029 年期间收入将以 20% 的年复合增长率（CAGR）增长。与此同时，AI 加速器业务收入预计将在同一时期以 40% 左右的 CAGR 增长。公司对 2024 至 2029 年期间的收入指导和 AI 加速器收入预期均显著高于市场预期。数据来源: Counterpoint Research，（*）包括其关联公司 HLMC（FAB 56） Samsung 晶圆代工在 2024 年 Q4 的收入出现了轻微的环比下降，主要原因是安卓智能手机需求低于预期。运营表现受到较低产能利用率和较高研发费用的影响，后者可能与先进制程工程成本相关。移动市场需求疲软进一步对收入造成压力，导致 Samsung 代工在行业营收份额中的占比从 2024 年 Q3 的 12% 下降至 Q4 的 11%。尽管短期面临挑战，Samsung 代工仍专注于长期增长。公司计划通过增加先进制程上的 AI 和 HPC 产品销售，推动 2025 年的同比收入反弹。与此同时，Samsung 晶圆代工还在增强其在先进制程上的竞争力，并推动 2nm GAA 技术的发展，计划于 2025 年实现量产。 SMIC 2024 年 Q4 的业绩符合预期。公司在本季度的稳健收入增长主要得益于消费电子需求的持续恢复以及中国国内的国产化推进工作。公司 12 英寸晶圆出货量继续增长，而 8 英寸晶圆出货量相对疲软，这是由于 2024 年上半年存在提前拉动的需求。因此，SMIC 的整体产能利用率从上一季度的 90.4% 降至 2024 年 Q4 的 85.5% ，反映了本季度产能扩张和 8 英寸制程产能利用率较弱的情况。尽管 SMIC 对 2025 年 Q1 的业绩给出了乐观的指引，这表明在国内消费补贴以及美国关税前的预先生产需求的支持下，智能手机和消费电子领域的季节性增长将会好于预期，但由于缺乏强劲的需求驱动因素以及行业供过于求的现状，该公司对于 2025 年 Q2 以及 2025 年下半年的发展态势持保守态度。 UMC 2024 年 Q4 的业绩基本符合预期，在消费电子领域偶尔出现的紧急订单的支撑下，晶圆出货量保持稳定。然而，定价压力和 1 月台湾地震的影响压低了公司的毛利率，导致 2025 年 Q1 的前景较预期更为疲软。尽管 Wi-Fi、电视和显示驱动 IC 等消费应用的需求显现出初步的复苏迹象，管理层仍保持谨慎，指出整体市场动能仍然不足。UMC 继续看好互联封装技术、光子 IC 以及高压显示应用制程的市场机会，但这些领域短期内难以带来显著的收入增长。公司预计 2025 年成熟制程将实现低个位数的同比增长，并可能超越整体晶圆代工市场。然而，产能利用率的持续恢复仍然存在不确定性。 GlobalFoundries 报告称，2024 年 Q4 业绩稳定，强劲的晶圆出货量抵消了智能手机领域的季节性疲软。汽车需求仍然是主要的增长驱动力，受设计获胜（design win）项目推进的推动大幅增长。与此同时，在光收发器、卫星通信以及人工智能推理芯片需求不断增长的推动下，通信基础设施和数据中心业务的收入也得到了显著提升。家庭和工业物联网领域也出现了初步的复苏迹象，推动了收入环比增长。尽管由于季节性疲软和持续的宏观经济挑战，2025 年 Q1 的前景较为疲软，但该公司预计，在汽车领域增长势头的带动、AI相关机遇的不断拓展以及面向消费者市场的稳定趋势的支撑下，2025 年全年每季度的收入都将实现持续增长。 Counterpoint 研究分析师 Adam Chang 在评论季度业绩时表示：“2024 年 Q4 ，晶圆代工行业的强劲表现，在很大程度上是由 AI 和旗舰智能手机需求的激增所推动的，这使得先进制程的产能利用率保持高位，特别是 TSMC 的 N3 和 N5/N4 制程。AI 和 HPC 应用继续推动行业增长，进一步强化了对先进封装解决方案（如 CoWoS 和 SoIC）的需求。然而，成熟制程的晶圆代工厂，尤其是 8 英寸制程，仍面临来自汽车和工业领域需求疲软的持续挑战。进入 2025 年，晶圆代工行业的增长预计将保持强劲。AI 驱动的先进制程增长的可持续性以及传统工艺制程的广泛稳定性是值得关注的关键趋势。”

晶圆代工

Counterpoint . 2025-03-24 1 1155
电动工具产品需要哪些分离元器件？

在现代工业和生活中，电动工具扮演着不可或缺的角色，从建筑工地到家庭装修，从专业维修到日常DIY，它们以其高效、便捷的特性，极大地提升了工作效率和生活质量。而在这背后，MOS管作为电动工具的关键核心部件，就像一颗强劲的“动力引擎”，为电动工具的稳定运行和高效性能提供了有力保障。今天，就让我们一起走进合科泰的MOS管世界，探索它们在电动工具应用中的卓越表现。 MOS管：电动工具的“动力引擎” 想象一下，电动工具在工作时，需要快速而精准地控制电机的启动、停止、调速以及扭矩输出等操作，而这些复杂的动作需要以MOS管组成的功能模块来实现。它就像是一个智能的“开关”，能够瞬间响应控制信号，精确地控制电流的通断和大小，从而驱动电机按照预设的模式高效运转。以合科泰的TO-252封装的HKTD50N03为例，这款MOS管具有极低的导通电阻，能够有效降低在大电流工作时的能耗，提高电动工具的能效比。同时，它还具备出色的耐压能力和快速的开关速度，确保电动工具在各种复杂的工作条件下都能稳定运行，无论是高负载的长时间作业，还是频繁启停的间歇性工作，都能轻松应对。它就像一颗强劲而可靠的“动力引擎”，为电动工具提供了源源不断的动力支持。选型指南：为您的电动工具找到“完美引擎” 选择一款合适的MOS管对于电动工具的性能至关重要，就像为汽车选择合适的发动机一样。合科泰为您提供了一份详细的选型指南，帮助您根据电动工具的具体需求，找到最适合的“动力引擎”。首先，您需要根据电动工具的功率和工作电压来选择MOS管的耐压和电流参数。对于小型手持电动工具，如电钻、螺丝刀等，通常功率较小，工作电压较低，可以选择TO-252封装的HKTD50N03或PDFN3x3封装的HKTQ30N03等型号；而对于大型电动工具，如角磨机、切割机等，功率较大，工作电压较高，则需要选择耐压更高、电流更大的型号，如PDFN5x6封装的HKTG150N03或HKTG48N10等。其次，要考虑MOS管的开关速度和导通电阻。开关速度越快，电动工具的响应就越灵敏；导通电阻越低，能耗就越小，效率就越高。合科泰的MOS管在这些方面都经过了精心设计和优化，能够满足不同电动工具对性能的要求。最后，还要考虑MOS管的封装形式和散热性能。不同的电动工具对安装空间和散热要求不同，合科泰提供了多种封装形式供您选择，如TO-252、PDFN3x3、PDFN5x6、SOP-8等，确保MOS管能够完美适配您的电动工具。总之，选择合适的MOS管对于电动工具的性能至关重要。合科泰丰富的MOS管产品线涵盖了多种封装形式和性能参数，能够满足不同电动工具模块的需求。通过合理选型，可以有效提升电动工具的能效、可靠性和使用寿命，为电动工具的高效运行提供强劲动力。希望上述选型推荐和注意事项能为您的电动工具设计和选型提供有价值的参考。

电动工具

厂商投稿 . 2025-03-24 3000
一篇文章带您玩转T113的ARM+RISC-V+DSP三核异构！-米尔电子

近年来，随着半导体产业的快速发展和技术的不断迭代，物联网设备种类繁多（如智能家居、工业传感器），对算力、功耗、实时性要求差异大，单一架构无法满足所有需求。因此米尔推出MYD-YT113i开发板（基于全志T113-i）来应对这一市场需求。米尔基于全志T113-i核心板及开发板一、 T113-i芯片及OpenAMP简介 o T113-i芯片简介 T113-i由两颗ARM A7 、一颗C906（RISC-V）和一颗DSP（HIFI 4）组成。 · C906（RISC-V核）特性：主频最高1008MHz 32KB I-cache+32 KB D-cache 操作系统支持裸跑和FreeRTOS实时操作系统 4. 支持少量数据核间通讯（RPMsg）和大量核间数据（RPBuf） DSP（HIFI 4）特性：最高主频600MHz 32KB L1 I-cache+32 KB L1 D-cache 64KB I-ram+64KB D-ram 操作系统支持裸跑和FreeRTOS实时操作系统 4. 支持少量数据核间通讯（RPMsg）和大量核间数据（RPBuf） o OpenAMP系统原理 T113-i=2×ARM A7 + 1×C906（RISC-V） + 1×DSP（HIFI 4）组成，其中两个A7核为主核心，C906（RISC-V核）和DSP为双副核心。而其中的RISC-V属于超高能效副核心，标配内存管理单元，可运行RTOS或裸机程序，T113的主核运行Linux进行人机界面的交互和应用流程，而RISC-V则是后台可进行大数据数据采集，或者相关编码器的控制等，降低主核被中断的次数，大大提供了主核的运行效率。每个处理器核心相互隔离，拥有属于自己的内存，既可各自独立运行不同的任务，又可多个核心之间进行核间通信，这些不同架构的核心以及他们上面所运行的软件组合在一起，就成了 AMP 系统（Asymmetric Multiprocessing System 异构多处理系统）即非对称多处理架构。二、 AMP系统通信机制详解 o AMP通信原理由于两个核心存在的目的是协同的处理，因此在异构多处理系统中往往会形成Master-Remote结构。主核心启动后启动从核心。当两个核心上的系统都启动完成后，他们之间就通过IPC（Inter Processor Communication）方式进行通信，而 RPMsg就是IPC中的一种。在AMP系统中，两个核心通过共享内存的方式进行通信。两个核心通过AMP中断来传递讯息。内存的管理由主核负责。 o 使用 RPMsg进行核间通信 RPMsg整体通讯框架上面介绍了通讯原理，这里讲解如何通讯，AMP使用RPMsg框架进行通讯，该框架用于AMP场景下处理器之间进行相互通信。OpenAMP内部实现了可用于RTOS或裸机系统中的RPMsg框架，与Linux内核的RPMsg框架兼容。其通信链路建立流程如下： RTOS 端调用 rpmsg_create_ept 创建指定 name 的端点。 Linux 端 rpmsg core 层收到端点创建消息，调用 rpmsg_register_device 将其作为一个设备注册到 rpmsg bus。 Linux 端 rpmsg bus 匹配到相应的驱动，触发其 probe 函数。 Linux 端驱动 probe 函数完成一些资源的分配以及文件节点的生成。 Linux 端驱动的 probe 函数调用完后，rpmsg bus 会回复一个 ACK。 6. RTOS 端收到 ACK 后设置端点的状态，此时使用 is_rpmsg_ept_ready 函数会返回 true。 RPMsg数据传输流程如下：下面展示一次RPMsg数据传输的通信过程，下面详细说明： arm端把数据拷贝到buffer中，在初始化时已经将buffer和payload memory地址绑定，因此数据拷贝后相当于存放到了payloadmemory中。 2. 在消息传输命令后加上数据在payload memory中的起始地址和长度，组成数据包，调用RPMsg接口发送。 RPBuf：基于共享内存和RPMsg消息通知，实现传输大数据传输的框架。 RPMsg：基于VirtIO管理的共享内存，实现数据传输的框架。 VirtIO：原本是一套用在虚拟化环境中传输数据的框架，这里用作共享内存（VRING）的管理。 OpenAMP：OpenAMP框架为RTOS、裸机和Linux用户空间提供了RPMsg、VirtIO、re-moteproc（未列出）的实现，并且与Linux内核兼容。 Msgbox：是全志平台提供的一套消息中断机制，已通过linux内核中原生的mailbox框架作适配。 MSGBOX_IRO_REG：Msgbox的中断相关寄存器。 buffer：表示申请到的共享内存。用户通过操作buffer对象，可直接访问对应的共享内存。payload memory：用来存放实际传输数据的共享内存，因此称为payload（有效负载）。VRING：由Virtl0管理的一个环形共享内存。三、案例与性能测试 o A核与RISC-V核通讯流程 A核与RISC-V核通讯流程如下： 1. 首先监听端点 2. 创建端点 3. 节点通讯 linux向riscv发送 4. riscv接收数据 o A核与RISC-V核数据传输性能测试 A核与RISC-V核数据传输性能测试，使用rpmsg_test命令对rpmsg进行性能测试，测试发送方向和接收方向各自的耗时以及速率。 1. 主核测试结果： 2. 从核测试结果： 3. 通过输出的结果可以得到： [rpmsg1] send: 496.000000Kb 20.000000ms 24.799999M/s [rpmsg1] receive : 496.000000Kb 9980.000000ms 0.049699Mb/s 发送496KB数据耗时20ms发送速率为24.79Mb/s 接收496KB数据耗时9980ms发送速率为0.049699Mb/s DSP GPADC采集测试采集流程如下： 1. 开启DSP 2. DSP核打印 3. 开启DSP后，把GPADC0引脚接入1.8V电源，此时用户可以执行A核应用程序与DSP进行通讯，使DSP进行GPADC采集并返回数据可以看到GPADC0收的电压数据为1792，转换为电压值为：1792/1000=1.792V。米尔T113-i核心板配置型号产品型号主芯片内存存储器工作温度 MYC-YT113i-4E256D-110-I T113-i 256MB DDR3 4GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-4E512D-110-I T113-i 512MB DDR3 4GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-8E512D-110-I T113-i 512MB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ MYC-YT113i-8E1D-110-I T113-i 1GB DDR3 8GB eMMC -40℃~+85℃ 表 MYC-YT113-i核心板选型表米尔T113-i开发板配置型号产品型号对应核心板型号工作温度 MYD-YT113i-4E256D-110-I MYC-YT113i-4E256D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-4E512D-110-I MYC-YT113i-4E512D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-8E512D-110-I MYC-YT113i-8E512D-110-I -40℃~+85℃ 工业级 MYD-YT113i-8E1D-110-I MYC-YT113i-8E1D-110-I -40℃~+85℃ 工业级表 MYD-YT113-i开发板选型表如需了解板卡的具体介绍，您可以通过访问以下米尔电子官网链接了解更多：https://www.myir.cn/sho‍ws/148/78.html

米尔 . 2025-03-24 2 2715
企业 | 汇顶任命柳玉平为新总裁

深圳市汇顶科技股份有限公司（以下简称“公司”）发布公告，为满足公司发展的需要，经公司首席执行官提名、董事会提名委员会资格审核，于 2025年3 月19日召开第五届董事会第六次会议，审议通过了《关于选聘公司总裁的议案》。董事会同意聘任柳玉平先生为公司总裁，全面负责公司的整体运营管理并直接向公司董事长兼首席执行官张帆先生汇报，任期自董事会审议通过之日起至第五届董事会任期届满时止。柳玉平，男，1979年出生，中国籍，无境外永久居留权，本科学历。2005年3月至2015年1月，历任深圳市汇顶科技股份有限公司研发工程师、项目经理、质量部经理、工程部总监等职务；2015年1月至2022年5月，历任深圳市汇顶科技股份有限公司副总裁、供应链负责人、产品线负责人。2025年3月加入深圳市汇顶科技股份有限公司，现任公司总裁。截至披露日，柳玉平先生未持有公司股份，与公司控股股东、实际控制人以及其他董事、监事、高级管理人员和持股5%以上的公司股东之间不存在关联关系，无重大失信等不良记录情况，亦未受过中国证监会及其他有关部门的处罚和证券交易所的惩戒，其任职资格符合《公司法》《上海证券交易所股票上市规则》等相关法律、法规及《公司章程》规定的任职要求。

汇顶科技

芯查查资讯 . 2025-03-21 4 1005
政策 | 武汉光谷发布软件产业新政策，EDA领域最高支持3亿元

近日，东湖高新区发布《关于加快促进软件和信息技术服务业创新发展的若干措施》，共14条具体措施，其中针对人工智能布局、开源生态建设支持再加码。政策全文如下：为推动全区软件和信息技术服务业（以下简称“软件产业”）高质量发展，打造软件特色产业基地，引领中国软件特色名城建设，特制定本措施。本措施根据《公平竞争审查条例》相关要求，重点对有助于促进科学技术进步、增强国家自主创新能力的发展方向予以奖励支持。本措施适用于在东湖高新区依法登记注册，具有独立法人资格的软件和信息技术服务企业（具体条款另行规定的除外）。重点支持方向主要包括基础软件、工业软件、行业应用软件、嵌入式软件、新兴平台软件、数字新技术等。一、支持软件产业重点领域突破（一）强化关键软件领域技术创新。支持企业加大研发投入，对主营业务为基础软件、工业软件等的软件企业，研发投入占营业收入比例达15%及以上的，按照不超过企业年研发投入的10%给予最高200万元补助。（二）建设工业软件领域创新平台。支持重点企业围绕国产自主可控，牵头建设面向工业软件（EDA、CAX等）方向的技术创新或产业生态服务平台，对总投入超过1亿元、具有较强产业带动效应并符合国家重点发展战略的平台，按照平台每年建设投入的50%给予支持，单个平台每年支持金额不超过1亿元，累计不超过3亿元。（三）加快软件新兴领域（AI大模型）布局。鼓励企业全面拥抱大模型。支持模型和算法合规备案，对首次完成生成式人工智能服务备案的，给予备案企业不超过100万元一次性奖励；对首次完成境内深度合成服务算法备案的，给予企业不超过20万元一次性奖励。强化算力要素保障，鼓励企业利用算力资源，开展模型训练、推理及调优等，每年设立专项“算力服务券”，对模型备案地在光谷的企业，按照算力总投入分档给予30%（500万元以上）、40%（100万—500万元）、50%（100万元以下）的算力支持，单个企业最高不超过500万元。打造AI大模型标杆，支持龙头企业研发原创性、引领性的大模型产品，对参数量超过千亿的通用大模型，或者参数量超过百亿、有行业影响力的行业大模型，综合考虑其技术创新性、应用推广情况等因素，连续三年对牵头研发单位按照当年研发投入的30%，给予累计最高5000万元的支持。支持模型示范应用，鼓励企业围绕工业、办公、政务、医疗、出版、教育、游戏、交通等领域开展模型“首试首用”，每年评选一批成功应用的示范案例，按照项目总投入的50%对试点应用企业给予最高不超过100万元的支持。二、鼓励软件企业创品牌、上规模（四）鼓励企业提升竞争力。对于软件企业获评独角兽、潜在独角兽、种子独角兽的，分别给予一次性1000万元、300万元和100万元奖励。对首次入选财政部和工信部支持的软件重点小巨人、国家级专精特新“小巨人”软件企业、软件和信息技术服务综合竞争力百强、国家鼓励的重点软件企业、工信部工业软件优秀产品、中国软件名企、中国网安产业竞争力50强的，分别给予200万元、100万元、100万元、50万元、50万元、30万元、20万元奖励。鼓励首版次软件认定，对入选国家级、省/市级首版次软件产品清单的，分别给予企业100万元、50万元一次性奖励。（五）支持软件业务剥离。支持大型工业企业、行业龙头企业等将软件业务剥离成立具有独立法人资格的软件企业。自成立之日起三年内进入规上服务业库的企业，给予一次性100万元的奖励。三、支持软件开源生态建设（六）鼓励开源技术创新应用。鼓励企业基于重大开源项目实施二次开发形成商业发行版软件产品（操作系统、数据库等），每年评审支持若干引领产业发展和颠覆式突破并实现商业化销售的软件产品，给予单个最高500万元的奖励。鼓励软件企业或相关机构基于自主核心技术实施软件开源战略，对将优质开源软件项目捐赠给重点开源机构并被接收的，给予100万元一次性奖励。鼓励企业基于操作系统、数据库、人工智能开发框架等开源项目进行研发创新，对入选武汉市优秀开源软件项目的，单个项目给予30万元奖励，每家企业每年不超过150万元。（七）鼓励建设开源服务平台。支持企业自建或依托科创供应链平台搭建开源创新中心、开源社区、开源开发测试、开源代码托管等开源服务平台，对经过备案的平台，按项目建设费用的30%给予支持，单个平台支持金额不超过1000万元。（八）支持开源原生应用开发。鼓励企业开发基于开源系统的原生应用软件与工具软件（三方引擎、闭源库等），对首次通过开源系统原生应用认证并上线商用的软件，给予开发企业10万元的研发支持，每家企业支持数量不超过5个；设立专项支持资金，每年遴选不超过3个具有行业影响力的重大原生应用开发项目，按企业研发费用投入的50%进行支持，单个项目最高不超过3000万元。对移动端连续三个月月度活跃用户数（MAU）达到1亿、5000万、1000万、500万、100万的开源原生应用软件，给予开发企业最高500万元、200万元、100万元、50万元和20万元的一次性奖励。对PC端通用办公、设计创作、外设管理、行业专用等垂直领域，每个领域第三方综合评分（用户使用量、性能、用户满意度打分等）年度排名前三的原生应用软件分别给予开发企业100万元、80万元、50万元的一次性奖励。（九）支持开源项目适配应用。鼓励企业智能终端产品（不含个人使用的手机、平板等）开展开源适配认证，对首次通过适配认证并取得开源社区兼容性等证书的，按照轻量设备、小型设备、标准设备分别给予2万元、5万元、10万元的奖励，每家企业最高50万元。对于适配智能终端产品实现产业化销售的，按照轻量设备最高10元/台、小型设备最高40元/台、标准设备最高150元/台的标准，给予企业最高1000万元奖励（逐年递减）。（十）强化开源应用示范打造。引导应用场景开放，鼓励政府（国有企事业单位）、龙头链主企业在政务、金融、城市生命线工程、科技及产业配套、生产制造等领域，积极开放应用场景，每年定期发布区级开源应用场景清单。鼓励企业基于开源项目打造行业化、系统化解决方案，并在东湖高新区试点应用，每年评选一批应用示范项目，按照项目总投入的50%对试点应用企业给予最高不超过100万元的支持。四、强化软件产业要素支撑（十一）强化软件人才集聚。大力建设光谷软件产业核心区，推进核心区软件人才集聚，对入驻核心区的软件企业，上一年度缴纳社保人员新增达20人、50人、100人以上的，分别给予10万元、20万元、30万元的人才集聚奖励。鼓励企业吸纳开源人才，按照企业当年获得开源项目人才认证的员工数量，给予企业2000元/人的培训补贴，每家企业累计不超过100万元。（十二）支持软件产业载体升级。支持争创中国软件名园，对园区获评中国软件名园的，在享受市级奖励的基础上，东湖高新区按照市级奖励标准给予1:1的配套奖励。对获评省级软件名园的，给予100万元一次性奖励。鼓励特色软件园区创建，支持园区根据产业发展特色，创建开源、工业软件、北斗、智能网联汽车等方向的特色软件园区。对经认定挂牌的特色软件园区，且引进10（含）个以上特色领域软件企业的，给予园区运营主体100万元的挂牌奖励。鼓励软件园区产业集聚、规模提升，支持在光谷打造若干个规模化软件产业集聚区，对总面积不少于10万方、软件业务收入大于30亿元且具有拓展潜力的专业化软件园区，由政府加强指导，每年度综合考虑园区运营成效、企业集聚情况等因素，给予园区运营单位不超过2000万元的运营奖励。（十三）加强软件企业投融资支持。鼓励区内软件企业通过上市、并购重组、再融资、发行创新性融资工具等方式募集资金；创新信贷方式，鼓励银行开发软件特色融资产品，通过综合专利、商标等多种知识产权要素，全面评估软件企业授信额度，同时给予各类知识产权质押贷款提供利率优惠；鼓励政府性担保机构积极为重点企业提供无抵押信用担保。（十四）支持举办特色展会赛事。支持企业或机构举办或承办国际性、全国性大型软件展会等活动，对参加人数超过100人的活动，经认定后，按照活动相关费用（活动场租、设计搭建、嘉宾住宿等）的50%给予补贴，最高不超过200万元。支持企业联合在汉高校举办工业软件、新兴平台软件、大模型等领域的大学生创新创业大赛，对总投入10万元（含）以上的活动，经认定后，按照总投入的50%给予最高不超过50万元补贴。本政策由武汉东湖新技术开发区管委会负责解释，自印发之日起实施，有效期3年，《武汉东湖新技术开发区管理委员会、中国（湖北）自由贸易试验区武汉片区管理委员会关于印发东湖高新区加快促进软件和信息技术服务业创新发展的若干措施及实施细则的通知》（武新管〔2023〕9号）同时废止。同一企业的同一项目符合本政策和东湖高新区其他政策要求的，按就高不重复原则落实。实施过程中，与国家法律法规和省市有关规定冲突的，以国家法律法规和省市有关规定为准。

政策

芯查查资讯 . 2025-03-21 5 1 4128
财报 | 美光公布2025财年第二季度财报

内存大厂美光科技公布了截至2025年2月27日的2025财年第二季度业绩。其中营收为 80.5 亿美元。与之相较，上一季营收为87.1亿美元，而2024财年同期为58.2亿美元。 GAAP净利15.8亿美元，EPS为1.41美元。非GAAP净利为17.8亿美元，EPS 1.56美元。有消息指出，美光第二季营收80.5亿美元虽略低于第一季，但超过普遍市场预期的78.9亿美元数字。另外，该公司报告第二季非GAAP的EPS 1.56美元，也超过市场分析师预期的每股1.42美元。因此，整体表现超乎了市场预期，也牵动了股价表现。美光科技董事长、总裁兼执行长Sanjay Mehrotra表示：美光第二季EPS超出预期，是因为数据中心营收较2024年同期成长了两倍。另外，随着 1-gamma DRAM 节点的推出，我们正在扩大我们的技术领先地位。我们预计第三季度的单季度收入将创下纪录，数据中心和针对消费者的市场对DRAM和NAND的需求都将增长，我们有望在2025财年达到创纪录的营收和显著提高的盈利能力。美光也针对第三季营收进行了预测，其营收金额为88亿美元，上下浮动2亿美元。该公司预计三季度调整后EPS为1.57美元，上下浮动10美分。

美光

芯查查资讯 . 2025-03-21 4 3542
企业 | Microchip 将出售晶圆厂

3 月 20 日消息，Microchip Technology（纳斯达克股票代码：MCHP）宣布已委托麦格理集团（Macquarie Group）负责其位于亚利桑那州坦佩的晶圆制造工厂（“晶圆厂 2 号”）的市场推广与出售事宜。这一决策是 Microchip 此前公布的制造重组计划的一部分，旨在提升运营效率和盈利能力，以达成其战略目标。晶圆厂 2 号内配备已安装且可正常运行的半导体设备，将在麦格理集团大宗商品与全球市场业务旗下的半导体和技术团队的指导下进行市场推广与销售。目前，Microchip 在晶圆厂 2 号的产品制造和技术正分别转移至位于俄勒冈州的晶圆厂 4 号和科罗拉多州的晶圆厂 5 号。这两处工厂对于 Microchip 的长期生产和产能规划依旧至关重要。 Microchip 晶圆厂运营高级副总裁 Michael Finley 表示：“关闭并出售晶圆厂 2 号，是我们持续重组进程中的最新进展，这展现了我们对制造规模进行调整的努力。我们相信，麦格理集团在从先进设备到完整工厂的资产营销与处置方面拥有丰富经验，能够出色地负责晶圆厂 2 号的出售工作。” 麦格理集团大宗商品与全球市场业务的高级董事总经理 Don Trent 补充道：“从设备再营销到半导体晶圆厂销售，麦格理为半导体制造业务提供以资产为核心的关键解决方案。我们已经完成了 50 多个晶圆厂处置项目，很高兴 Microchip 委托我们促成坦佩晶圆制造工厂的出售。” 麦格理集团的半导体和技术团队服务半导体行业超 20 年，在代表客户促成完整晶圆厂的收购或处置、实现资产价值最大化方面成绩斐然。Microchip 仍致力于提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和产品质量。该公司将继续优化运营，以更好地满足市场不断变化的需求，为股东创造价值。 Microchip受到需求下降的冲击。上个月，该公司报告称，2025 财年第三季度净销售额同比下降 42%，Sanghi 指出，这一业绩反映了“我们需要采取果断措施来调整业务”。针对Microchip发行可转换股票，穆迪评级周四将其高级无抵押评级从“Baa1”下调至“Baa2”。穆迪表示：“评级下调反映出Microchip因盈利大幅下滑而导致的财务状况疲弱。 Microchip的股价周四下午下跌约 5％，过去一年来其市值已缩水约 40％。

Microchip

芯查查资讯 . 2025-03-21 2 3281
产品 | 思特威推出5000万像素0.8μm像素尺寸手机应用CMOS图像传感器

2025年3月20日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出5000万像素1/2英寸0.8μm像素尺寸手机应用图像传感器——SC532HS。SC532HS基于思特威SmartClarity®-SL技术平台打造，采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载思特威专利PixGain HDR®、SFCPixel®及AllPix ADAF®等多项优势技术，具备高分辨率、高动态范围、100%全像素对焦、低噪声等多项性能优势。作为全流程国产的Stacked BSI CMOS图像传感器，SC532HS兼顾了性能与成本优势，可广泛适用于主流智能手机主摄及长焦摄像头，促进国产高性能Stacked BSI技术全面普及应用。多种高动态范围模式，光影自然生动 SC532HS搭载了思特威先进的PixGain HDR®技术，能够实现动态范围的大幅提升，同时有效抑制运动伪影的产生。PixGain HDR®模式下，SC532HS动态范围可达80.89dB，能够在明暗对比强烈的复杂光线条件下，帮助摄像头捕捉到细节丰富，明暗有致，无运动拖影的高质量图像，可充分满足手机移动影像全天候拍摄需求。并且SC532HS支持PixGain HDR®模式下4K 30fps高动态视频录制，让视频光影效果更生动。此外，SC532HS支持Staggered HDR及NDOL HDR等多种HDR模式，可满足多样化影像功能需求，全面提升主流智能手机摄像头动态范围能力。出色画质表现，夜色时刻精彩 SC532HS基于先进的Stacked BSI工艺打造，创新搭载了思特威专利SFCPixel®技术，能够在有效提升感光度的同时降低图像噪声，为手机摄像头带来高清、细腻的出色画质效果，让夜景拍摄时刻精彩动人。高感度得益于先进的Stacked BSI工艺与思特威专利SFCPixel®技术，SC532HS实现了更高的感度效果，其感光度高达2547mV/lux*s。因此，SC532HS能够在光线不足的傍晚及夜景拍摄中，帮助手机摄像头捕捉到更明亮清晰的高质量图像，夜景拍摄轻松出片。低噪声基于思特威专利SFCPixel®技术与超低噪声外围读取电路技术，SC532HS有着出色的噪声控制性能。其读取噪声(RN)＜1e-，较行业同规格产品显著降低约46.5%。SC532HS良好的低噪声表现，能够显著提升手机摄像头夜间成像质感，让夜景画面干净，细节更清晰细腻。 100%全像素对焦，清晰高速抓拍 SC532HS搭载了思特威AllPix ADAF®及Sparse PDAF技术，拥有双模式自适应快速对焦能力，能够帮助手机摄像头在不同光线条件下实现兼顾对焦速度与功耗优化的高清高速对焦效果。在暗光场景下，SC532HS可开启AllPix ADAF®模式，实现100%全像素对焦，保障暗光对焦速度与准确性，满足傍晚、夜景等光线不足场景下的高速抓拍需求。在光线充足时，SC532HS可以切换至Sparse PDAF模式，通过部分像素相位检测实现快速对焦，显著降低运行功耗。片上像素重组，高分辨率快速出图 SC532HS支持片上像素重组（Remosaic），可实现Fullsize高分辨率快速出图，同时支持12.5MP Fullsize视频录制。片上像素重组降低了高分辨率影像输出对手机SoC算力的支持要求，可适配更多智能手机机型，提升主流智能手机拍摄清晰度与视频拍摄质感，满足移动影像专业化拍摄需求。思特威产品市场副总裁石文杰表示：“SC532HS是思特威基于全国产供应链推出的CMOS图像传感器新品。作为5000万像素0.8μm像素尺寸的手机应用CMOS图像传感器，SC532HS充分发挥了国产Stacked BSI平台技术优势，显著提升了产品的高动态范围、低噪声、快速对焦等多方面性能，将为主流智能手机主摄带来更出色的综合影像能力。并且，SC532HS是思特威深化国产供应链战略合作的代表性新产品，兼顾了性能与成本优势，有着稳定的产能供应能力，可适用于更广泛的智能手机机型。未来，思特威将继续深化国产供应链合作，推出更多高性能国产Stacked BSl系列产品，推动国产Stacked BSl技术全面普及应用。” 目前SC532HS已接受送样，将于2025年Q3实现量产。

CMOS图像传感器

思特威 . 2025-03-21 2 1 720
纳祥科技2T射频开关NX7009，0.45dB低插入损耗替代MXD8625H

纳祥科技NX7009是一款单刀双掷（SPDT）GSM / LTE / WCDMA / WiFi发射和接收开关。开关由带有单个控制引脚的集成GPIO接口控制。 NX7009单刀双掷（SPDT）开关采用紧凑的1.1mm x 0.7mm x 0.5mm 6引脚DFN封装，可实现小尺寸解决方案，除非外部施加直流电，否则无需外接直流隔直电容。在性能上，NX7009可PIN TO PIN MXD8625H ，功能覆盖NX7006。（一）NX7009主要特性 NX7009主要具备以下特性： ● 宽带频率范围：0.1至6.0GHz ● 低插入损耗：0.45dB@2.7GHz ● 低插入损耗：0.65dB@5.8GHz ● 高隔离度：30dB，高达2.7GHz ● P0.1dB:38dBm ● 无需外部隔直电容器 ● 带电压的单GPIO控制线调节器: - VCTL=0 to VDDV - VDD=1.62 to 3.3V ▲NX7009功能框图（二）NX7009芯片亮点 NX7009芯片优势尤为突出：宽带频率范围更广，插入损耗更低，保障了系统的稳定性能。 ① 紧凑封装 NX7009采用紧凑小型化1.1mm x 0.7mm x 0.5mm 6引脚DFN封装，具备高集成度、良好的电气性能与散热性能，可降低生产成本，适用于对空间要求严格的电子产品。 ② 高宽带 NX7009具备0.1至6.0GHz的宽带频率范围，可以覆盖从2G到5G多个通信频段，适应多种复杂的应用场景，提高了设备的兼容性和灵活性。 ③ 低插入损耗&高隔离度 NX7009具备30dB高隔离度，高达2.7GHz；还兼具0.45dB@2.7GHz、0.65dB@5.8GHz低插入损耗，能有效避免干扰，保证了信号质量。 ▲NX7009管脚配置（三）NX7009应用领域目前，NX7009已经被广泛应用于以下领域： ① GSM/WCDMA/LTE发送和接收 ② WiFi2.4G/5G传输和接收 ③ HPUE应用程序

射频

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-03-21 2 1 3235
YXC晶振在功放机中的作用

功放机（功率放大器）作为音频系统的核心部件，负责将微弱的音频信号放大到足以驱动扬声器的功率。在传统模拟功放和现代数字功放（如D类功放）中，晶振作为频率控制和时钟同步的核心元件扮演着至关重要的角色。一、晶振的基本原理晶振是一种基于压电效应的频率控制元件，其核心是石英晶体。晶振是利用石英晶体的压电效应制成的时钟频率器件，在数字电路中扮演着重要角色，誉为电子系统中频率基准的“心脏”。二、晶振在功放机中的核心作用 1. 数字信号处理（DSP）的时钟源现代功放机普遍采用数字信号处理技术（如DSP均衡、分频、动态压缩等），需要严格的时序控制。采样率同步：音频信号的模数转换（ADC）和数模转换（DAC）依赖晶振提供的时钟信号，确保采样率精确（如44.1kHz、48kHz等），避免时基误差（Jitter）导致的音质劣化。算法执行时序：DSP芯片的运行时钟由晶振提供，保证滤波、降噪等算法的实时性，防止音频信号处理延迟。 2. D类功放的PWM调制控制在高效D类功放中，音频信号需通过脉宽调制（PWM）转换为高频开关信号。载波频率稳定性：晶振为PWM调制器提供基准频率（通常为数百kHz至数MHz），确保开关频率稳定。频率漂移可能导致电磁干扰（EMI）或开关损耗增加。谐波失真抑制：精准的PWM时钟可减少开关时序误差，降低总谐波失真（THD），提升音质纯净度。 3. 系统控制与通信接口微控制器（MCU）时钟：功放机的控制逻辑（如音量调节、输入切换、保护电路）需要MCU协调，晶振为MCU提供主时钟，保障指令执行和中断响应的实时性。数字音频接口同步：对于支持S/PDIF、I2S或HDMI等数字输入的功放机，晶振确保数据流与主机设备的时钟同步，避免数据丢失或噪声。 4. 无线传输模块的时钟同步在蓝牙/WiFi功放中，晶振为射频模块提供参考频率，确保无线信号调制的准确性，降低误码率（BER），保障音频传输的连贯性。三、晶振选型的关键参数为满足功放机的性能需求，晶振选型需考虑以下参数： 1. 频率精度：通常要求±10ppm（百万分之一）以内，高端设备需±2ppm。 2. 温度稳定性：温补晶振（TCXO）或恒温晶振（OCXO）可应对环境温度变化。 3. 相位噪声：低相位噪声（如150dBc/Hz @10kHz偏移）可减少高频干扰。 4. 负载电容匹配：需与电路设计匹配，避免频率偏移。四、推荐功放机选型方案在数字音频中，时钟频率的相位噪声会影响 DAC 的抖动功能，并导致声源的恶化，为了精确地再现高分辨率声源，因此，采样频率由音频设备外置的石英晶体振荡器提供的音频主时钟信号。常见的晶振频率有：11.2896MHZ、12.288MHZ、22.5792MHZ、24.576MHZ、45.1584MHZ、49.152MHZ。推荐扬兴科技（YXC）YSO110TR系列，频率稳定性±10ppm，频率范围1-125MHZ，可兼容多个电压：1.8-3.3V，工作温度-40~＋85°，系列规格书如下：

有源晶振,晶振,功放机

扬兴科技 . 2025-03-21 1 2 3125
MOS管选型指南：30V/100V耐压、超低导通电阻如何赋能智慧照明？

随着物联网和智能家居技术的不断发展，智慧照明系统正逐渐成为现代生活的一部分。智慧照明不仅能够提供舒适的照明环境，还能有效节约能源，提高生活质量。在这一领域，MOS管扮演着至关重要的角色，本文为您介绍合科泰的MOS管如何满足智慧照明领域的需求。 MOS管在智慧照明中的作用 MOS管作为一种高效的电子开关，在智慧照明系统中的应用主要体现在其能够精确控制LED电流以实现精准调光，提供个性化照明体验；其低导通电阻和高开关速度特性显著降低能耗，提高能源利用效率，助力节能减排；MOS管还能与传感器、控制器等智能组件配合，实现智能化控制，如自动调节亮度或根据人体活动开关灯光；此外，MOS管的快速开关特性有助于减少电流冲击，延长灯具寿命，并提高系统的稳定性和可靠性，确保在家庭、办公室及公共空间提供持续可靠的照明服务。 MOS管选型推荐合科泰电子提供了一系列高性能的MOS管产品，我们的技术团队可以提供专业的选型建议，帮助客户找到最适合其应用需求的产品。在选择MOS管时，应考虑以下几个关键参数：• 导通电阻（RDS(ON)）：较低的导通电阻可以减少能量损耗，提高能效。• 耐压能力（VDS）：确保MOS管能够承受照明系统中的最大电压。• 开关速度：快速的开关响应可以提高系统的整体性能，减少电磁干扰。• 封装类型：根据实际应用的空间和散热需求选择合适的封装。智慧照明是未来照明行业的发展方向，而MOS管作为实现智慧照明的关键组件，其重要性不言而喻。合科泰将继续致力于研发和生产高品质的MOS管产品，助力智慧照明技术的发展，为创造更加智能、绿色、舒适的照明环境贡献力量。了解更多技术细节可访问官网。

厂商投稿 . 2025-03-21 1 2 3325
产品 | 矽力杰车规级电源管理芯片SA22001获得TÜV莱茵功能安全ASIL-D产品认证证书

2025年2月26日，国际公认的测试、检验和认证机构TÜV莱茵正式为矽力杰电源管理芯片SA22001颁发 ISO 26262: 2018 ASIL D产品认证证书。矽力杰SA22001凭借出色的产品力和高可靠性，在多家客户进行了板级测试，DV实验，并在多款车载平台中使用，积累了大量反馈和应用经验，获得了客户的一致认可。矽力杰SA22001通过了严苛的AEC-Q100测试，凭借扎实的前端设计和充足的产品验证，在高级驾驶辅助系统等应用中表现出色，成为客户国产化替代的最优选择。矽力杰SA22001通过ASIL D功能安全认证，支持Vout过压保护，欠压保护，过流保护，过温保护，开路短路保护等，凭借其完备的升降压控制技术，高精度电流检测，强大的配置功能，满足了高级驾驶辅助系统应用的高性能和高可靠性要求。 SA22001 ASIL D等级升降压控制芯片 ◆ 输入电压范围：6V ~ 60V ◆ 推荐输出电压范围：4.5V ~ 28V ◆ 输出基准电压：0.8V ±1.5% ◆ 可调开关频率：150kHz至400kHz ◆ 可选扩频功能 ◆ 可调软启动时间 ◆ 预偏置软启动 ◆ 可选轻载强制 PWM或PFM模式 ◆ 输出电压正常指示 ◆ 集成输出过压保护，输出欠压保护，逐周期限流保护，输出过流保护和过热保护 ◆ AEC-Q100 Grade 1 认证 ◆ ISO26262 ASIL D 认证 ◆ 可湿性侧面封装: QFN5×5-32 关于莱茵德国莱茵TÜV 集团成立于1872年，是国际领先的检测、检验、认证、培训、咨询服务提供商，拥有2万多名专家员工，服务网络遍布全球，致力于推动人员、技术、环境，实现安全、可靠、高效的互动。 TÜV莱茵的功能安全及网络安全专家，均为研发出身，凭借在安全系统领域的多年研发经验，对标准的精确理解以及多年认证经验，获得了行业内的高度肯定和信任。TÜV莱茵是最早在中国开展网络安全和功能安全业务的国际第三方认证机构之一，作为核心编委会成员参与了标准制定。 TÜV莱茵一直是汽车检测认证领域的领导者，可为整车厂和零部件供应商提供一站式解决方案。在汽车功能安全和网络安全领域，TÜV莱茵提供的服务涵盖ISO/SAE 21434、ISO 26262、Automotive SPICE、GDPR，渗透测试等，满足企业“全面安全”的需要。

矽力杰

矽力杰半导体 . 2025-03-20 1 695
产品 | 解码新品STM32WBA6的超能力，释放Matter-低功耗蓝牙应用潜能

最近，意法半导体（ST）重磅升级STM32WBA产品系列，推出STM32WBA6系列新品，能够在单芯片上同时支持蓝牙低功耗（Bluetooth® LE）和IEEE 802.15.4标准的器件。 ▲ STM32WBA6 之所以能做到这点，得益于芯片对内存进行了升级。这款全新产品配备高达2MB的闪存与512KB的RAM。它采用双区闪存设计，可为关键任务系统实现实时固件更新。在功耗管理方面，STM32WBA6也进行了进一步优化，支持STOP2模式，在实时时钟开启的情况下仅消耗5µA电流，相比STOP1模式的7.2µA，节能表现更为优异。这种新的STOP模式是为满足客户需求而生，为设备在运行状态和待机状态之间，提供了全新的中间状态选择。多协议无缝支持，构建互联新生态 STM32WBA6 MCU支持蓝牙低功耗（Bluetooth® LE）、Zigbee、Thread、Matter等在2.4GHz频段运行的协议，并可同时使用多种协议进行通信。比如智能家居桥接器这类系统通过这种方式，既能通过蓝牙与房主的移动应用程序通信，又能同时通过Zigbee等网状网络管理灯光或恒温器。STM32WBA6系列还提供单协议版本，适用于更简单的成本敏感型应用。 STM32WBA6系列在保持节能特性的同时，集成了更多内存和数字系统接口，能够为新颖的产品设计带来更丰富的功能，适用于各类智能连接设备，如可穿戴健康监测设备、动物项圈、电子锁、远程气象传感器等。全新双区闪存设计，释放无限潜能上一代产品STM32WBA5在Matter生态系统中主要充当Thread边界路由器。而新品STM32WBA6独具匠心地采用了双区闪存设计，也就是通过配备2个1MB闪存，将闪存容量提升至2MB，RAM也提升至512K，这一设计使STM32WBA6可作为Matter终端节点设备的单芯片主MCU，支持空中下载（OTA）更新和并发模式。换句话说，它能并行支持流畅运行蓝牙低功耗（Bluetooth® LE）和Thread协议，为用户带来前所未有的便捷体验。有了双区闪存（2x1MB），就不再需要额外的外部存储器，开发人员可以在STM32WBA6上运行终端节点的无线协议栈，大幅简化设计并降低物料成本。对于面向终端节点设备的MCU来说，传统的同类竞品很少采用双区闪存这种复杂架构。 ST之所以选择采用这种设计（2x1MB），是因为Thread、Zigbee、Matter、蓝牙低功耗等本质上都属于低带宽协议，下载固件更新可能需要很长时间，而在此期间关闭设备会严重影响到用户体验。有了双区闪存，用户就可以在设备持续使用的同时，将更新安装到其中一个存储器中。全新USB高速控制器，开启高效新通道 STM32WBA6是首款配备USB 2.0控制器的STM32WB系列产品，能够在烧录固件时更快地填充额外内存。这款MCU主要面向家庭自动化设备等使用电池供电的终端设备，用户主要通过智能手机应用进行交互，因此制造商经常会忽视USB控制器。但面向工业应用时，开发者或工程师会使用USB接口进行烧录操作、维护或日志分析，升级到高速USB接口能够显著提升这部分工程师的使用体验。除了高速USB接口，STM32WBA6还增加了额外的数字接口，包括三个SPI端口、四个I2C端口、三个通用同步异步收发器（USART）和一个低功耗通用异步收发器（LPUART）。全新STOP2模式，功耗管理新境界 STM32WBA6的独特之处还在于它具备STM32WBA5所没有的STOP2低功耗模式。能够实现这种模式要归功于ST在制造工艺方面的改进。每种STOP模式都需要专用逻辑和其他组件，这会占据芯片的空间。芯片越大，冷却难度就越大，成本就越高，成品率也就越低，从而使整个器件的成本更高。STM32WBA6不仅增加了新的STOP模式，还将STM32WBA5的内存增加了一倍。ST作为一家全球IDM芯片原厂，通过工艺创新成功解决了大尺寸芯片的固有难题。优化RF技术，释放全新设计可能性 STM32WBA6的RF性能更为可靠稳定，其输出功率达+10dBm，在蓝牙低功耗1Mbps速率下接收灵敏度为-100.5dBm。 STM32WBA6还进一步优化了RF IP，与STM32WBA5引脚对引脚兼容，提供多种封装形式（WLCSP88、UFQFPN48、VFQFPN68、UFBGA121，封装厚度从0.35mm到0.5mm不等），并且拥有多达86个GPIO，这在开发包含传感器或NFC读取器的多功能应用时非常实用。虽然其他同类产品也会提供类似的RF性能，但在封装多样性和编程灵活性上，很难与STM32WBA6相媲美。增强安全性能，满足用户合规需求 STM32WBA6 MCU还嵌入了符合SESIP3和PSA 3级认证标准的安全组件，包括加密加速器、TrustZone®隔离技术、随机数生成器以及产品生命周期管理功能，帮助客户满足即将实施的RED和CRA法规要求。多元场景，点亮智能新生活多协议支持、强大的安全性、灵活的封装选项，使STM32WBA6成为各种智能无线设备的理想选择：智能锁：2MB闪存便于存储钥匙和数据，双区闪存支持无缝固件升级，大大提升用户体验；集成RF简化设计，优化成本效率；智能家居Matter Over Thread终端设备：+10dBm输出功率保障可靠数据传输，且通过X-CUBE-MATTER软件包认证；2MB闪存和512KB RAM可满足OTA升级，超低功耗特性适合电池供电设备；医疗连续血糖监测/监控：小尺寸封装便于灵活集成，2MB闪存可记录数据，还能降低设备成本；+10dBm的输出功率保证可靠数据传输。除了智能家居和健康医疗应用场景外，STM32WBA6还能满足工业工厂和农业领域的高端应用需求。生态系统协同，加速创新新征程 ST为STM32WBA系列提供完善的软硬件生态，全面支持和集成Bluetooth® Low Energy 5.4、Zigbee、Thread协议栈。在硬件方面，ST为STM32WBA6提供的开发板包括STM32WBA65I-DK1探索套件和NUCLEO-WBA65RI开发板，用户可基于Arduino连接的开发套件，探索STM32WBA6的各种应用。在软件方面，ST通过STM32CubeWBA（连接+示例+外设）、STM32CubeMX（代码生成+功耗计算）、STM32CubeMonRF和STM32CubeProg等软件，简化设计过程。ST还提供专注解决实际应用需求的手机应用和在STM32 Hotspot GitHub上的开放资源，以帮助用户加快智能互联应用创新

ST

意法半导体中国 . 2025-03-20 2 1125
收购 | 软银65亿美元收购Ampere Computing

软银集团同意收购半导体设计公司 Ampere Computing LLC，此举将进一步扩大这家日本投资公司进军人工智能基础设施的步伐。据彭博新闻社审阅的一份声明称，软银将以全现金交易的方式收购 Ampere，这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司估值为 65 亿美元。此次收购预计将于周三晚些时候宣布。 Ampere 的早期支持者包括甲骨文公司和私募股权公司凯雷集团，此次交易为众多希望利用人工智能消费热潮获利的芯片公司增添了新的活力。彭博新闻社 2 月份报道称，软银正在就收购 Ampere 进行深入谈判。作为交易的一部分，甲骨文和凯雷将出售其在 Ampere 的股份，该交易预计将于 2025 年下半年完成。Ampere 将作为软银的全资子公司运营，保留其名称和圣克拉拉总部。 Ampere 为数据中心机器生产处理器，其中包括芯片设计公司 Arm Holdings Plc 使用的技术，该公司的多数股权由软银持有。彭博新闻当时报道称，Ampere 由前英特尔公司高管 Renee James 创立并领导，2021 年日本软银计划对其进行少数股权投资，Ampere 的估值超过 80 亿美元。从那时起，芯片市场的竞争变得更加激烈，几家大型科技公司争相开发与 Ampere 相同的产品。通过收购 Ampere，软银获得了为数不多的大型设计团队之一，该团队专门设计数据中心使用的先进芯片，而这些团队目前还不属于其他公司。软银之所以这么做，是因为在人工智能基础设施支出失控的情况下，这些芯片的需求激增。软银还在寻找一种方法，通过尚未拥有的先进产品来提高其吸引部分支出的能力——即使通过 Arm。 Ampere 是试图利用在手机领域占主导地位的 Arm 技术在利润丰厚的数据中心芯片业务中开辟利基市场的公司之一。其中大多数都失败了或被收购了。软银收购 Ampere 使这一努力得以延续。在大型数据中心资源大量消耗使其越来越难以构建和运行的情况下，该公司一直宣称其芯片的能效要高得多。 Arm 本身正寻求从技术层面的提供商转变为能够卖出更高价位的更完整解决方案的卖家。对于 Ampere 而言，成为一家大公司的一部分将使其能够获得资源，甚至可能获得更大的客户群，从而使芯片设计的经济效益得以实现。软银董事长兼首席执行官孙正义在声明中表示：“人工智能的未来需要突破性的计算能力。Ampere 在半导体和高性能计算方面的专业知识将有助于加速这一愿景，并深化我们对美国人工智能创新的承诺。” 软银集团将收购 Ampere Computing软银集团公司今天宣布，将以 65 亿美元的全现金交易收购领先的独立硅片设计公司 Ampere® Computing。根据协议条款，Ampere 将作为软银集团的全资子公司运营并保留其名称。作为交易的一部分，Ampere 的主要投资者——凯雷集团（纳斯达克股票代码：CG）和甲骨文公司（纽约证券交易所代码：ORCL）——正在出售其在 Ampere 的各自股份。随着软银集团扩大对 Cristal intelligence 和 Stargate 等企业的人工智能基础设施投资，此次收购将有助于增强软银集团在关键领域的能力并加速其增长计划。软银集团公司董事长兼首席执行官孙正义表示：“人工智能的未来需要突破性的计算能力。 Ampere 在半导体和高性能计算方面的专业知识将有助于加速这一愿景，并深化我们对美国人工智能创新的承诺。”Ampere 创始人兼首席执行官 Renee James 表示：“我们有着共同的愿景，那就是推动 AI 发展，我们很高兴加入软银集团，并与其旗下的领先科技公司合作。这对我们的团队来说是一个极好的结果，我们很高兴能够推动我们的 AmpereOne® 路线图，以实现高性能 Arm 处理器和 AI。”Ampere 成立于 2018 年，总部位于硅谷，最初专注于云原生计算，后来扩展到可持续人工智能计算。该公司拥有多种产品，适用于从边缘到云数据中心的一系列云工作负载。

软银

芯查查资讯 . 2025-03-20 10 1 3355