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产品 | 圣邦微电子推出车规级带看门狗、唤醒、复位和使能功能的线性稳压器 SGM70411Q

圣邦微电子推出 SGM70411Q，一款带看门狗、唤醒、复位和使能功能的车规级线性稳压器。该器件可应用于汽车通用电子控制单元、座舱、车身控制、辅助驾驶（ADAS）、移动车载信息系统等应用。 SGM70411Q 是一款具有 5V 固定输出和低静态电流的低降压线性稳压器。该器件采用用户可编程的复位（nRESET）延迟、看门狗定时器、自动唤醒功能和使能功能，同时具备过热保护和过流保护功能，能够承受最大幅度在 45V 以内的瞬态电压。其输出电压精度高，能够提供高达 150mA（250mA Peak）的输出电流。该器件的静态电流低，典型值为 85µA，睡眠模式下的电流通常小于 1µA，适用于微功耗控制应用。SGM70411Q 通过了 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用，工作环境温度范围为 -40℃ 至 +125℃，并采用符合环保理念的 SOIC-8（Exposed Pad）绿色封装。图 1 SGM70411Q 典型应用电路图 2 SGM70411Q 功能框图此外，我们同步推出 SGM70411Q 的工业级版本——SGM70411，期待广大用户选购。

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-08-13 515
市场 | 2025年上半年全球智能眼镜出货量同比激增110%，其中Meta占据了70%以上的市场份额

2025 年上半年，在Ray-Ban Meta智能眼镜的强劲需求以及小米和RayNeo等新厂商的加入下，全球智能眼镜市场同比增长110%。 Meta在全球智能眼镜市场的份额在2025年上半年升至73%，这主要得益于强劲的需求及其主要生产合作伙伴Luxottica的产能扩张。除了Meta之外，2025年上半年实现出货的主要AI眼镜厂商还有小米、RayNeo、Kopin Solos和Thunderobot，其中小米AI眼镜的首次亮相成为业界最受期待事件。预计2025年下半年将有更多新型AI眼镜进入市场，其中包括 Meta、阿里巴巴和几家规模较小的公司即将发布的产品。Counterpoint预计全球智能眼镜市场的快速增长将持续到2026年及以后。根据Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》报告，2025年上半年国际智能眼镜市场的出货量同比增长了110%。Ray-Ban Meta智能眼镜的强劲需求以及小米、RayNeo和一些小品牌新厂商的加入推动了这一增长。 AI能智能眼镜占2025年上半年总出货量的78%，高于2024年上半年的46%和2024年上半年的66%，这主要归功于Ray-Ban Meta AI眼镜的主导地位。人工智能眼镜细分市场的年增长同比超过250%，大幅超越整体市场。全球智能眼镜出货量（按设备类型）来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新分析师观点高级研究分析师Flora Tang在评论整体市场表现时表示：“到目前为止，今年上半年全球电子设备关税危机对智能眼镜市场的影响有限，因为对于主要的智能眼镜厂商及其制造合作伙伴来说，情况似乎仍在可控范围内。“ 在竞争方面，Tang表示：“尽管其他进入者推出了新产品，但Meta在全球智能眼镜市场的份额在2025年上半年上升到73%。在此期间，Ray-Ban Meta AI眼镜的出货量同比增长超过200%，这反映了强劲的市场需求和Meta主要生产合作伙伴Luxottica的产能提升。Luxottica在Meta的成功中扮演着至关重要的角色，该公司不仅扩大了生产规模，还通过扩充款式种类和推动零售销售来支持产品的长盛不衰。根据我们的渠道跟踪，Luxottica自己的零售网络——包括线上和线下Ray-Ban商店、Sunglass Hut和 LensCrafters——占据了产品销售额的很大一部分。全球智能眼镜市场关键厂商出货量份额来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新分析师观点在谈及市场动态时，Tang说："除Meta外，2025 年上半年活跃的主要AI智能眼镜厂商还包括中国企业，例如RayNeo的RayNeo V3系列、小米的首款小米AI眼镜、Thunderobot的AURA智能眼镜以及Kopin Solos AirGo V 系列。小米的AI眼镜成为全球智能眼镜市场的一匹黑马，尽管仅在2025年上半年上市销售了一周左右，该设备却得到了中国科技爱好者和小米粉丝的大力支持，一举成为了全球第四大畅销机型和AI眼镜品类第三大畅销产品。我们期待小米在未来几个月通过OTA和软件更新继续提升产品性能。" 研究分析师Akshay RS表示：“由于能提供更先进功能（如照片和视频捕捉、图像和物体识别、基于百科全书的问答、实时翻译等）的AI眼镜的竞争日益激烈，，目前包括华为、亚马逊和米家（小米生态链品牌）等厂商在智能音频眼镜领域都在此期间经历了下滑。此外，我们还看到中国公司的新产品，如小米AI眼镜和阿里巴巴的夸克AI眼镜（仍处于预商用阶段），都在积极探索基于玻璃的支付解决方案。这些产品旨在减少用户在户外购物和订餐场景中对智能手机的依赖。" 在Ray-Ban Meta AI眼镜的主导地位推动下，该产品上市的地区（例如北美、西欧和澳大利亚等）引领了全球智能眼镜的出货量增长。2025年第二季度，Meta和Luxottica将业务拓展至印度、墨西哥和阿联酋，这也提升了这些市场的出货量份额。全球智能眼镜出货量份额（按地区）2025年上半年来源：Counterpoint《全球智能眼镜型号出货量追踪》，2025年上半年更新预计从2025年下半年开始，将有更多的AI智能眼镜进入市场，其中包括Meta和阿里巴巴等互联网巨头将推出的产品。Meta最近推出了Oakley Meta眼镜，与Ray-Ban Meta AI眼镜相比，它的电池续航时间更长，视频拍摄质量更高，主要面向运动员和运动爱好者。Counterpoint的行业调查显示，该款产品的市场反馈是积极的。我们预计，Meta将采取更积极的态度，并在Meta Connect活动上推出更丰富的产品阵容，以进一步推动业务增长。与此同时，我们相信苹果公司也在积极探索这一领域，并正在开发其首款AI眼镜。在处理领域，高通最近推出了其高端智能眼镜SoC的升级版AR 1+Gen 1，声称该SoC体积缩小了26%，功耗降低了7%，从而实现更纤薄的产品设计和更长的电池续航时间。与此同时，全志科技等多家中国芯片组制造商正在以经济型的SoC解决方案进入市场，旨在为更经济实惠的智能眼镜提供动力。鉴于市场的发展势头和新进入者的持续涌入，我们上调了2025年和2026年的智能眼镜市场预测。我们仍预计2024年至2029年间市场将以超过60%的复合年增长率增长。这种大幅扩张预计将使整个生态系统的所有参与者受益，包括智能眼镜厂商、处理器供应商、ODM/EMS合作伙伴、音频、电池和结构部件供应商，甚至包括传统眼镜渠道。

AI眼镜

Counterpoint 咨询 . 2025-08-13 1 3000
新品 | 艾为推出SIM卡电平转换AW39103，成功通过高通平台认证

艾为推出SIM卡电平转换产品AW39103，其凭借优异的性能，成功通过高通平台认证，并获得高通最高推荐等级(GOLD)。图1 高通平台认证随着手机平台处理器工艺向 4nm/3nm 演进，其 I/O 电平已降至1.2V，而SIM卡 I/O 仍遵循ISO-7816-3标准，维持Class A/B/C 三档5V/3V/1.8V（目前手机常用 3V/1.8V）。为解决平台与 SIM卡的I/O电平兼容问题，艾为推出 SIM 卡电平转换产品 AW39103，可高效实现电平转换，保障通讯稳定。 AW39103产品特性主控Host端供电电压范围：1.08V~1.98V SIM卡端供电电压范围：1.65V~3.6V 支持25MHz时钟频率内部集成EMI滤波器内部集成必要的上拉电阻和下拉电阻，无需额外的外部电阻 SIM卡端具有高于IEC61000-4-2最高等级的系统级ESD能力：接触放电＞±8kV，空气放电＞±15kV 符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3 接口要求支持主控与SIM卡之间Clock、Data、Reset信号的自动电平转换封装：QFN 1.8mm x 1.4mm-10L、FOWLP 1.06mm x 1.06mm-9B 图2 AW39103典型应用图产品特点一符合ETSI、IMT-2000标准及ISO7816-3规范，可确保SIM卡的正常启用与禁用操作。 AW39103集成三路电平转换器，可对SIM卡的RST、CLK 及IO信号进行电平转换，实现SIM卡端口（1.8V/3V）与主芯片端口（1.2V/1.8V）的正常通讯。产品遵循 ISO-7816-3 标准的关机时序要求：当EN引脚置低时，先关闭 RST_SIM 通路启动关机流程，随后CLK_SIM 和IO_SIM通路由内部下拉电阻拉低，整个关机时序可在 10μs内完成，既能确保SIM卡正确禁用以降低功耗，也能在热插拔场景中避免数据误写与损坏。图3 AW39103关断时序产品特点二 SIM卡端具有强健的ESD防护能力，可省去外部ESD器件，简化设计流程。 AW39103的SIM卡端具备强劲ESD防护能力，可满足IEC 61000-4-2系统级ESD最高等级要求。传统设计中，工程师通常需额外增加或预留ESD防护器件以应对ESD 事件；而采用AW39103后，因其SIM卡侧已集成高等级系统级ESD防护，可直接省去外部ESD器件，简化设计流程。图4 传统平台与先进平台设计对比艾为在电平转换产品领域拥有多年技术积累，全系列产品覆盖消费电子、工业互联、汽车应用等多元场景。详细产品规格可参考下表：

电平转换

艾为官网 . 2025-08-12 90
技术 | 电容触摸技术进化论：瑞萨CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验

HMI（人机界面）是指用户与机器设备之间进行信息交互的硬件与软件系统，其核心功能是实现用户指令输入、系统状态反馈及数据可视化呈现。从形态上看，HMI涵盖触控面板、显示屏幕、按键旋钮等输入输出组件。根据贝哲斯咨询发布的《基于触摸的人机界面（HMI）行业研究报告》，2023年全球基于触摸的 HMI市场规模达357.82亿元，预计到2029年将增长至498.64亿元，预测期间的年复合增长率（CAGR）为5.37%。纵观HMI发展史，一个核心要义是用更少物理约束实现更自然信息交换。因此，传统物理按键逐渐退出历史舞台，电容式触摸技术凭借高抗噪、低功耗、高精度等优势，已成为现代HMI人机界面的核心交互方式。多年来，瑞萨电子一直在深耕电容式触摸技术，其第三代电容式触控技术（CTSU2）自2019年推出市场后，便得到了市场的广泛欢迎。电容式触摸技术的核心参数以及CTSU2的优势从技术原理来看，电容式触摸技术基于人体电场的电容耦合效应，通过检测电极电容变化来定位触摸位置。该技术主要分为自电容（绝对电容）技术和互电容（投射电容）技术：前者每个电极独立构成电容，触摸时人体靠近会改变电极的寄生电容值，控制器通过检测电容变化确定触摸位置；后者由横向（X轴）和纵向（Y轴）电极阵列组成交叉电容网络，每个交叉点形成耦合电容，触摸时人体会耦合部分电场，导致交叉点电容值下降，通过检测各点电容变化量确定触摸坐标。整个电容式触摸系统主要包括触控面板、触控控制器（一般是MCU）和驱动软件。其中，触控控制器作为系统的硬件核心，主要集成电容检测电路、信号处理芯片，负责采样、滤波、坐标计算。衡量一款电容式触摸系统是否优质，有许多关键参数，包括分辨率、采样率、信噪比、抗干扰能力等。分辨率主要关系到触控精度，指单位面积内可识别的最小触摸点间距，精度越高，触控定位越精准；采样率为每秒检测触摸信号的次数，高采样率能够提升触控流畅度；信噪比是信号强度与噪声强度的比值，高信噪比能够减少误触，提升抗干扰能力；抗干扰能力则综合包括抗电磁干扰（EMI）、抗静电（ESD）、抗环境光干扰，以及防水防污等性能。当然，对于一些应用场景，系统的低功耗水平同样至关重要。瑞萨电子深耕电容式触摸技术多年，很早就推出了第二代技术IP——CTSU，并搭载于相关的MCU产品上。2019年，瑞萨电子将第三代电容式触控技术（CTSU2）推向市场。相较于前代CTSU技术，CTSU2在抗干扰能力、功耗控制、防水性能、功能集成等方面实现了显著突破。 CTSU2通过多频测量与主动屏蔽，在抗干扰性能方面取得革命性提升。CTSU2基于三频率测量，可有效抑制同步噪声，即使某一频率受干扰，其他两个频率仍能准确捕捉电容变化，确保测量结果的稳定性，从而在测量端大幅提升抗噪性能。 CTSU2在第二代技术的基础上，优化了屏蔽电极的设计，可实现多个电极共用一个屏蔽电极，使硬件的设计难度大幅降低。同时，通过驱动触摸电极与屏蔽护罩电极以相同电位和相位工作，CTSU2可大幅降低水滴、油渍等污染物导致的误触。 CTSU2也着重优化了精度和灵敏度。首先，CTSU2 提高了Sensor（电流计数器）的温漂精度，适用于温度变化大的应用场景；其次，CTSU2在通用触摸IP技术上，增加了高速并行扫描功能（Capacitance Frequency Conversion），大幅减少了扫描次数，从而缩短了按键的延时响应，非常适合矩阵排列的多按键使用场景。此外，相较于第二代技术，CTSU2在功耗方面表现更佳。CTSU2在通用IP的基础上，针对低功耗触摸应用，增加了多电极连接（Multi Electrode Connection）和自动判断功能（Auto Judgement）。其中，自动判断功能在MCU待机状态下（如休眠模式），无需唤醒CPU即可检测触摸事件，一旦检测到触摸，系统自动切换至正常工作模式；多电极连接功能可将所有电极连在一起进行一次扫描，从而减少了每个通道逐一扫描的时间。瑞萨电子触摸MCU产品矩阵综上所述，CTSU2作为瑞萨电子在电容式触摸技术领域的集大成者，通过多频测量、主动屏蔽、低功耗设计、高集成度等核心创新，重新定义了复杂环境下的触控体验。目前，瑞萨电子已经推出了多种内核的触控MCU产品，RL78（16bit）和RX（32bit）为瑞萨私有内核MCU，RA（32bit）为ARM内核产品。其中，RL78/G23、G22系列，RX140系列，以及RA2L1、RA2E1、RA4L1系列均基于CTSU2技术。以RA2L1为例，该系列MCU基于Arm® Cortex®-M23核心，CPU时钟频率最高 48MHz，采用优化的制程和瑞萨电子的低功耗工艺技术，是业界一流水平的超低功耗微控制器——相较于竞品，RA2L1为例运行模式电流和待机模式电流都更低。RA2L1产品群配备了增强型电容式触摸感应单元（CTSU2）、串行通信接口、高精度模拟电路和定时器，可应用于消费者应用、家用电器、工业自动化、楼宇自动化、医疗与保健等领域。当前，瑞萨电子在电容触摸MCU方面产品类型丰富，用户可基于封装、闪存大小和触摸通道数量的需求快速选型。其中既有基于CTSU2技术的产品，也有基于CTSU技术的产品，满足用户的差异化需求。同时，灵活的产品选型也表明，瑞萨电子的技术优势不仅体现在性能参数的提升，更通过与 MCU、安全模块和开发工具的深度协同，为汽车、工业、医疗等市场提供了“硬件+软件+生态”的一站式解决方案。结语从技术原理的革新到MCU产品矩阵的深度布局，瑞萨通过CTSU2技术将电容触摸体验推向新高度，不仅满足消费电子、工业自动化、医疗健康等多领域对触控精度与稳定性的严苛需求，更以“硬件+软件+ 生态”的一站式解决方案，构建起从技术创新到场景落地的完整闭环。在HMI向智能化、轻量化演进的趋势下，瑞萨电子凭借CTSU2技术与多元MCU产品的协同发力，正持续为全球用户打造更自然、更可靠的人机交互生态，推动触控技术在万物互联时代释放更大价值。

瑞萨电子

Renesas瑞萨电子 . 2025-08-12 1 935
技术 | 使用LTspice仿真来解释电压依赖性影响

本文说明如何使用LTspice仿真来解释由于使用外壳尺寸越来越小的陶瓷电容器而引起的电压依赖性（或直流偏置）影响。尺寸越来越小、功能越来越多、电流消耗越来越低，为满足这些需求，必须对元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，电压依赖性或直流偏置的影响也受到关注。要实现陶瓷电容器的微型化，就必须在越来越小的空间内实现更高的电容值。为此，具有高介电常数(ε)和越来越薄的介电绝缘层的材料正在被实现，这使得现在有可能在工业级规模上生产高质量的陶瓷层。遗憾的是，介电常数εr = ƒ()是电场强度的函数，因此电容表现出电压依赖性。根据陶瓷类型和层厚度，这种影响可以非常显著。在最大允许电压下，电容下降到标称值的10％以下并不罕见。在将恒定电压作用于MLCC的应用中（例如解耦电容），很容易考虑此影响。只要电压保持恒定，就可以从制造商提供的数据手册或在线工具中获取剩余电容值。但是，对于电压可变的情况该怎么办？例如在图4中，开关稳压器上的输入滤波器采用5 V USB电源至24 V工业电源供电。另一个例子是，2线以太网PHY与相同线路上不同电压值的电源交流耦合。在此类情况下，使用LTspice进行电路仿真可提供有用的洞察。有些MLCC制造商已经提供了相应的直流偏置模型供下载。此外，LTspice提供了模仿电压依赖行为的方法及实施工具。对此，电容与电压关系的曲线及图3中描述的方法之一很有用。 LTspice提供了一个众所周知的具有恒定电容的电容模型以及一个非线性模型。该非线性模型用于求解电荷方程。由于需要保留电荷，直接求解非线性电容模型是不合适的。但在这里，这不应该是问题，因为电容是通过电荷对电压微分来获得的。反过来，必须对电压相关电容进行积分。这已经针对如下方法完成，因此无需任何数学知识便可使用这些模型。一阶方法使用线性电压依赖性：从中通过积分可得出：以上便是电荷方程。现在可以将其直接插入LTspice术语中，以代替电容器的电容值： Q=x*{c0V}-0.5*x**2*({c0V}-{cVmax})/{Vmax}. 然而，许多MLCC的近乎恒定的初始电容即使在中等电压下也会迅速降低，之后几乎保持恒定。在此类情况下，如果仅使用线性模型，则对于较大范围的电容，有效电容会被高估。对于这种分布广泛的情况，可以使用基于双曲正切(Tanh)的模型：无需进一步的辅助工具便可轻松估算参数。图1.Tanh近似函数和相关参数电容值可由电荷等式替换 Q=x*({C0+Csat})/2+({Csat-C0})/4*{Vtra}*ln(cosh((x-{Vth})*2/{Vtra})). 图2.10 µF MLCC 为了检查LTspice中的电容模型，应用了恒定电压斜坡。这样，通过电容的电流量便完全对应于电容值，因为：图3清楚地显示了所提出的非线性模型相对于标准恒电容模型的优越性。利用这种电容曲线，线性模型足以适用于大多数应用。图3.在LTspice中以不同电容模型仿真10μF 6.3V 0805 MLCC的示例最后应注意的是，这里仅仿真了单个非理想效应。MLCC仍然存在许多其他效应，包括老化、温度依赖性、频率依赖性、AC幅度依赖性、电介质吸收等。对于许多应用，将直流偏置依赖性视为唯一的主要效应就足够了。在制造第一个原型之前，LTspice可以用作解释直流偏置等非理想特性的实用工具。图4.针对不同电源电压，使用Tanh模型从转换器侧仿真 LT8619 降压调节器的输入滤波器的干扰电流抑制

ADI

亚德诺半导体 . 2025-08-12 1 1040
技术 | 基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium Nitride, GaN）无疑是最具代表性的技术之一。本文为第一篇，将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。 GaN技术优势 GaN作为一种宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor），其材料特性天然地优于硅，在多个关键指标上具备显著优势。在相同输出功率的条件下，GaN可在 MHz 等级的开关频率下工作，能显著缩小磁性元件（如变压器与电感）与滤波电容的体积，实现更高的功率密度与更小的系统尺寸。 GaN 元件具备较小的输入与输出电容，同时无反向恢复电流，能有效降低死区时间损耗（Dead Time Loss）与反向恢复损耗（Reverse Recovery Loss），使其在高频开关下仍维持高效率。虽然 GaN 的单位面积成本高于硅，但其更低的 RDS(on)使整体效率更佳，并能减少散热器面积与系统散热需求。虽然 GaN 本身具备卓越性能，但其驱动与控制的难度较高。单纯采用分立式 GaN 所带来的设计挑战不容忽视，特别是在高频驱动、PCB 布线、EMI 控制与可靠性设计方面，难度远高于传统硅 MOSFET。为了解决上述问题，整合型 GaN（Integrated GaN，简称 iGaN）技术应运而生。安森美iGaN概述本文将介绍安森美（onsemi）所推出的iGaN产品，为读者在元件选择与系统设计上提供实际参考。同时，本文针对PCB Layout 实操技巧与参考设计准则，协助设计者实际应用并优化系统效能。文章最后，提供300W高效能游戏适配器的参考设计以及实验数据。安森美将 e-mode GaN 与栅极驱动器（Gate Driver）整合于单一封装中。这样的整合大幅减少了 PCB 上的布线长度与相关的寄生参数，使得 GaN 开关可以更快速、更稳定地运作。如图1所示，安森美的产品带来的优势包括： PWM信号幅度合规性: 能够兼容多种PWM信号幅度，包括3.3V、5V和10V。这使得集成GaN技术在不同的应用场景中具有更高的灵活性和适应性。而分立GaN无法满足多种PWM信号幅度的需求。 6V钳位驱动保护GaN栅极氧化层: 具有6V钳位驱动功能，能够有效保护GaN栅极氧化层，防止其受到过高电压的损害。分立GaN技术则缺乏这一保护措施，可能会导致GaN栅极氧化层在高电压环境下受到损害。调节VDRV和驱动强度以驱动GaN速度: 可以根据需求调节驱动强度，以适应不同的应用要求。这使得iGaN技术在不同的应用场景中具有更高的灵活性和适应性。最小化驱动器和GaN之间的线路电感: 能够最小化驱动器和GaN之间的线路电感，这有助于提高系统的性能和可靠性。分立GaN技术则无法有效减少线路电感，可能会导致系统性能下降。噪音免疫性/CMTI评级（150+ V/ns）: 具有较高的噪音免疫性和CMTI评级（150+ V/ns），这有助于提高系统的稳定性和可靠性。分立GaN技术则无法提供这一功能，可能会导致系统在高噪音环境下出现不稳定的情况。图1 安森美iGaN的优势安森美作为业界领先的 iGaN 技术供应商，其 NCP5892x系列涵盖650V/ 50mohm, 78mohm以及150mohm 范围，广泛应用于快充电源、工业电源、服务器电源模组等领域。图2以NCP58921为例，呈现功能框图和引脚说明。该产品将高性能高频驱动器和 650 V、50 mΩ 氮化镓 (GaN)整合在一个开关结构中。硅驱动器和 GaN HEMT 功率开关的强大组合，相比分立式 GaN，性能更卓越。同时，TQFN26 8 x 8 mm封装降低了电路和封装寄生效应，同时实现了更紧凑的设计。图2 NCP58921的功能框图和引脚说明另一方面，使用者会在给定的应用和条件下检查元件的电压应力或是系统EMI特性。原因是PCB 布局寄生电容以及电感寄生电容和电源回路杂散电感会影响开关切换的表现。NCP58921 可透过串联 RON电阻和 VDR 去耦 CVDR 电容来调整开启压摆率 (dv/dt)。建议的 VDR 去耦电容为多层陶瓷电容器 (MLCC) X7R 材质。 CVDR电容为 100 nF，额定电压高于 25 V，可提供更好的热/电压稳定性。务必添加串联电阻 (RON)，以便设定turn on slew rate并进行应用调试。建议的起始 RON值为 33 Ω。 RON电阻值取决于应用要求和工作频率，但 100 Ω 应被视为最大值。图3是调整不同的RON值，表现出不同的dv/dt。图3 iGaN透过调整RON产生不同的 dv/dt iGaN虽已大幅降低传统 GaN 设计在驱动与匹配上的困难，但良好的 PCB layout仍是发挥其高速、高效率特性的关键。尤其在高电压、高频率、高功率密度应用中，即便微小的布线失误，也可能引发 EMI、切换尖峰、震荡甚至元件损坏。接下来，将以实际设计为导向，逐步说明 iGaN 的 PCB 布线原则，涵盖关键元件摆放、高频回路设计以及接地处理。 VDD, LDO旁路电容 iGaN 在高速驱动驱动过程，在栅极电容的短暂充电期间需要更高的电流。此电源电流透过内部调节器从 VDD 解偶电容 CVDD 提供，该电容用于解耦 VDD 电源电压。 CVDD 必须直接连接在 VDD 和 GND 接脚之间。 CVDD 电容应为至少 1 uF 的陶瓷电容，并尽可能靠近电源引脚，以便滤除高频操作下所有的突波。 LDO OUT 是通用稳压器的输出，用于为 5 V 数字隔离器或隔离栅极驱动器供电。此稳压器需要在 LDO OUT 和 GND 引脚之间连接陶瓷电容，以解耦输出电压。建议电容值为 100 nF，其材料应为稳定性良好的 X7R。图4为典型的半桥电路PCB布局以及元件位置，可看到CVDD位于VDD的引脚附近，LDO OUT的引脚与GND之间也有陶瓷电容。图4 半桥架构下Layout布局减少寄生电感如果功率回路中的寄生电感太大，搭配iGaN极高的电流变化率 di/dt，容易产生尖峰电压，甚至导致损坏。同时，这也会产生大量辐射 EMI。如图5所示，标示了 Vbus、HB、GND 以及旁边的 bypass 陶瓷电容。我们可以看到，从 Vbus → iGaN →Switch Node →iGaN，再经由 Via 返回 GND，这整条就是高功率电流回路。为了减少寄生电感，在PCB布局时，把 iGaN 与旁路电容（MLCC）放在彼此紧邻位置，减少回路的长度。同时，使用宽铜面，并在下一层有完整 GND 作为返回路径，可形成电场与磁场的抵销。上层与内层中间的板厚越薄越好，有助于形成耦合电感来等效减少整个路径上的寄生电感。图5 半桥架构下的高功率电流路径减少Switch Node 寄生电容 iGaN器件具有非常低的输出电容，并且以高dv/dt快速切换，从而产生非常低的开关损耗。为了保持这种低开关损耗，必须最小化添加到(switch node)开关节点的额外电容。根据电容的公式， C=0.0886⋅εr⋅A/h 这里： εr：是材料的介电常数，FR4 材质约为 4.5 A：是 Switch Node 与其他平面（如 GND 或 Heatsink）的重叠面积 h：是这两个导体之间的距离（通常为板厚、Dielectric）简单来说，最小化开关节点平面与其他电源和地平面的重叠，整体形成的寄生电容 C 也会跟着下降。此外，亦可以通过以下指南来最小化开关节点的寄生电容： 1. 将功率电感器尽可能靠近iGaN器件。 2. 功率电感器必须使用单层绕组构造，以最小化绕组内电容。 3. 如果单层电感器不可行，考虑在主电感器和iGaN器件之间放置一个小电感器，以有效屏蔽GaN器件免受额外电容的影响。 4. 如果使用背面散热器，使用最少的开关节点铜覆盖面积在底层铜层上，以改善热散热。

安森美

安森美 . 2025-08-12 745
展会｜电子与嵌入式年度大展8月26日开幕！热门展品和演讲人抢先看

All for AI, All for GREEN 作为电子与嵌入式技术年度大展，elexcon2025将汇聚全球超过400家优质技术提供商，发布有关GPU、AI存算与边缘计算、AI存储与新型存储、高性能MCU/MPU、数字电源等嵌入式技术；GaN、高速连接等高性能电子元件组件；chiplet、AI电源系统级封装、PLP与TGV等先进封测技术等。海量demo展示嵌入式技术、芯片和元器件在消费电子、AI硬件、机器人、机器视觉、电动汽车与智能驾驶、工业控制、物联网等领域的应用！专业观众火热抢票中🔥 一键预约👇🏻展会入场证+会议门票热门展品现场抢先看「 elexcon2025 展商速览」同期论坛、研讨会与开发者会议展会同期召开的15+论坛、研讨会，涵盖边缘AI、具身智能、AI算力、智能驾舱、新能源汽车三电技术、机器视觉、SiP与先进封装等热门议题，超过70位专家参与演讲。会议详细日程大湾区开发者/工程师嘉年华专为大湾区工程师打造的硬核技术嘉年华，海量原厂和方案商，几千个demo现场上手，大厂开发板、开发工具领不停，多场次技术论坛和开发者活动，现场硬核拆解和游戏可参与，60+主流工程师社群深度参与，现场更多惊喜盲盒等你来拆！开发工程师年度必冲技术展会🔥 一键预约👇🏻展会入场证+会议门票 AI 特色专区 elexcon2025深圳国际电子展暨嵌入式展特设AI专区，沉浸式探展AI专题，聚焦AI热门产品及元器件，覆盖AI机器人、AI玩具、AI眼镜等，汇聚雷鸟等30+家AI+垂直赛道头部展商抢先发布，抓住AI浪潮洞察行业最前沿趋势！现场更多AI+产品惊喜等你来探！ AI玩具互动体验区小鹰视界、蓝讯智能、新迪泰电子、德馨童娱乐、乐开科技、Oilovef、组创微、知慧云等 AI机器人生态专区越疆、兆威机电、鑫精诚、高创传动、迈特芯、睿研智能、帕西尼、西恩科技、模量科技、忆海原识、大寰机器人、逐际动力、华力创科学、三喜机器人、AIRS+创新中心+联盟、德国浩亭（Harting）公司等 AI眼镜专区雷鸟、百亿美、微光科技、摩尔图像、鸿石光电、视享科技、豪鹏、深圳易天科技、深圳联合影像、影目科技、酷睿视、多屏未来、谷东科技、亮亮视野、仙瞬科技、松尖塑胶、光粒科技、积善科技等扫码进入预登记系统用户注册进入预登记注册页面，大陆观众输入手机号及验证码；海外及港澳台观众点击海外注册页面，输入邮箱。（划重点：注册手机号别忘记～后续可凭该手机号登陆，查看预约凭证及邀约好友）填写个人信息及问卷准确填写个人信息，输入真实姓名、真实有效的证件号码，并完成问卷填写。预登记成功显示以下界面即完成预登记，现场凭此确认码及名片换取胸卡证件入场。还可帮好友填写信息一齐观展。站在技术浪潮之巅，我们不仅是见证者，更是推动者！ 8月26-28日，我们现场见！立即登记领取门票 🎫 抢大厂开发板！

展会

芯查查资讯 . 2025-08-12 2 2200
压控晶体振荡器参数及选型

＞压控晶振的介绍压控晶振（VCXO，Voltage Controlled Crystal Oscillator）简称：VCXO是石英晶体振荡器的一种，全称：电压控制晶体振荡器，是一种与晶体谐振器串联插入变容二极管，根据外部加入的电压使二极管的容量发生变化，来达到输出频率可根据晶体谐振器的负载电容特性变化的晶体振荡器。＞构成及原理 VCXO主要由石英谐振器、变容二极管和振荡电路组成，其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容，从而“牵引”石英谐振器的频率，以达到频率调制的目的。VCXO大多用于锁相技术、频率负反馈调制的目的。＞压控晶振特点压控晶振是由品质因素极高的石英晶体振子（即谐振器和振荡电路组成）。晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等，共同决定振荡器的性能。压控晶体振荡器具有以下特点：＞压控晶振的重要参数如何选购一款合适的VCXO压控晶振，主要从以下9个参数维度来考量。 ①标称频率标称频率是指压控晶振（VCXO）在标准工作条件（如控制电压为中间值、常温、额定电源电压）下的中心输出频率。它是VCXO的基准频率，通常由内部的石英晶体谐振器决定。 ②频率稳定度(关键参数) 指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用ppm(百万分之一)表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。 ③电源电压常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V应用较广。 ④输出方式根据需求采用不同输出（CMOS、CML、TTL、PECL、LVPECL、 LVDS、HCSL等）每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。应该关注三态或互补输出的要求。 ⑤工作温度常规工作温度-40~+85℃，存储温度-55~+125℃，某些特殊场合如航天军用等对温度有更苛刻的要求。 ⑥相位噪声和抖动相位噪声和抖动都是衡量输出时钟 “纯净度” 的指标：它们描述的是信号在理想周期之外的随机或确定性偏差有多大，数值越小，时钟越干净，系统误码率越低。 1）相位噪声（Phase Noise）定义：在频域上，信号频谱的 “裙边” 有多宽。单位：dBc/Hz（相对于载波功率，每赫兹带宽的噪声功率）。 2）抖动（Jitter）定义：在时域上，真实边沿与理想边沿的时间偏差（统计值）。单位：ps（皮秒）。相噪是频域的噪声功率分布，影响信号频谱纯度；抖动是时域的时钟边沿不确定性，决定时序精度。两者本质是同一现象的两种表述方式，但优化手段不同（如低噪声电源改善相噪，PCB布局减少抖动）。 ⑦牵引范围是针对压控晶振的参数。带有压控功能的晶振为(VCXO) ，通过施加外部控制电压(1.65±1.35V)使振荡频率可变的频率偏差范围，表示变化频率（增大或缩小）与中心频率的比值，范围一般为±50ppm~±200ppm。取决于VCXO的结构和所选择的晶体。 ⑧封装尺寸与其它电子元件相似，石英振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折中。 ⑨老化率在所有其它条件都恒定不变的情况下，振荡器的频率仍会随着时间推移而发生的漂移，这种长期漂移是由晶体元件和振荡电路的其它元器件缓慢变化造成的，即晶振随时间变化而引起的频率变化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。＞ YXC压控晶振选型推荐 · CMOS压控晶振＞ YSV310PR系列产品特点： * CMOS输出 *10~250MHz频率范围任意编程 *宽牵引范围：±50ppm（min.） *低抖动：1.0ps typ. *快速交付、交期灵活 *封装：3.2x2.5mm、5.0x3.2mm、7.0x5.0mm *应用于太阳能光伏、锂电池、10 GB以太网、SONET、SATA、SAS、光纤通道等。＞ YSV311PJ系列产品特点： *可编程压控晶振 *多种电压可选（1.8V、2.5V、3V、3.3V） *15~250MHz宽频率范围任意编程 *CMOS输出 *宽牵引范围：±200ppm typ. *超低抖动：0.15ps typ. *封装：5.0x3.2mm、7.0x5.0mm · 差分压控晶振＞ YSV220PR系列产品特点： *压控差分晶振VCXO *10~1500MHz超宽频率范围任意编程 *多种电压可选（2.5V、3.3V） *宽牵引范围 *输出类型丰富（LVDS、LVPECL） *快速交付、交期灵活 *封装：3.2x2.5mm、5.0x3.2mm、7.0x5.0mm ＞ YSV221PJ系列产品特点： *15~2100MHz超宽频率范围任意编程 *多种电压可选（1.8V、2.5V、3.3V） *宽牵引范围：±200ppm typ. *输出种类丰富（LVDS、PECL、HCSL、CML） *超低抖动：0.163ps typ. *封装：5.0x3.2mm、7.0x5.0mm Tips：小扬给大家送一个选型口诀 “先定频点，再定可调范围；小封装省空间，大封装低相噪；数字用 CMOS，高速用差分。” 记住了吗？

压控晶振,VCXO,压控晶体振荡器,有源晶振

扬兴科技 . 2025-08-12 590
纳祥科技客户案例：基于单片机的红蓝光电动喷雾按摩梳方案

随着现代生活节奏加快，头发护理与头皮健康管理需求日益增长。普通梳子仅具备基础梳理功能，无法满足用户对按摩放松、光疗养护、便携性等多元化需求。纳祥科技针对以上问题与客户需求，推出了一款集多模式振动按摩、红蓝光疗于一体的红蓝光电动喷雾按摩梳方案，旨在为用户提供便捷简单的头皮护理解决方案。（一）方案概述本方案集成3档振动按摩、红蓝光疗及雾化功能：以单片机为核心控制单元，振动模块通过PWM调速驱动微型马达，实现低/中/高3档强度调节；雾化片将水槽液体转化为纳米级雾；光疗模块采用红光(波长：640~650nm±10)与蓝光(波长:460~470nm±10) 交替模式，覆盖不同需求。方案集合单片机、微型振动马达、充电IC、锂电池、雾化片、LED灯、3个独立按键【开关/出雾口（长按开关，短按出雾口）、震动、光疗键】等关键组件，通过高频振动按摩头皮，减缓长时间用脑导致的压力和疲劳，兼顾功能性与便携性。（二）功能模块（1）核心模块 ①振动系统：微型振动马达通过PWM调频实现低/中/高3档强度 ②光疗系统：红光促循环，蓝光抑油脂，通过独立LED灯珠切换实现 ③雾化系统：雾化片将水槽内的液体（水/精油）转化为喷雾，按键触发 ④电源管理：锂电池（500mAh）搭配充电芯片，支持USB-C快充，长效续航（2）控制逻辑 ①单片机核心：低功耗MCU处理按键信号，协调振动、灯光、雾化等功能 ②按键定义： ●开关/出雾口键：长按（>2s）开关机，短按触发一次雾化 ●震动键：循环切换振动档位（低→中→高循环） ●光疗键：循环切换红光→蓝光→关闭（红光常亮促循环，蓝光闪烁控油）（三）方案演示我们将为您展示本方案—— ①长按开机，短按出雾/关雾 ②短按光疗键，红光、蓝光交替 ③短按震动键，具备3种震动模式（四）方案总结本方案具有操作简便、便携性强的显著特点，能够精准满足头皮健康护理的多功能需求，适用于日常护发、差旅等多种应用场景。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

纳祥科技

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-12 1 2095
Vishay新款汽车级IHDM电感器即便在恶劣环境下仍保持出色的感值及饱和电流稳定性

这种直插型电感器采用变线绕阻，铁粉合金磁芯技术，可实现低直流电阻（DCR），从而减少功耗，并提高效率日前，威世科技宣布，推出两款全新IHDM汽车级直插型扁线电感器---IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A，这些器件采用1107封装尺寸，软饱和电流可达422 A。凭借所采用的铁粉合金磁芯技术，Vishay 电感器产品线的IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A在-40°C至+180°C的严苛工作温度范围内，具有出色的感值和饱和电流稳定性，功耗低，散热性能优异。日前发布的这两款器件的扁线绕阻直流电阻（DCR）低至0.22 m，可最大限度减少损耗，改善额定电流性能，从而提高效率。与基于铁氧体的竞品解决方案相比，IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A在+125 C以上温度条件下，额定电流和饱和电流分别提高30%。电感器具有软饱和特性，因此电感值随着电流的增加而缓慢下降，并且不受温度影响。这些通过AEC-Q200认证的器件的耐压高达350 V，适用于大电流、高温功率应用中的DC/DC转换器、逆变器、车载充电器（OBC）、域控制单元（DCU）以及用于内燃机（ICE）、混合动力（HEV）和全电动（EV）汽车中电机和开关噪声抑制的滤波器。这些电感器有两种磁芯材料可供选择，可根据应用优化性能。 IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A的引脚剥离了绝缘层并镀锡，适用于通孔固定。Vishay可根据客户需求定制不同的感值、直流电阻（DCR）、额定电流和额定电压。安装方式也可根据需求定制，包括引脚裸铜、表面贴装和鱼眼端子。为降低锡须生长风险，电感器采用热浸镀锡。器件符合 RoHS 和 Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表： (1) 直流电流 (A) 会造成ΔT下降约40 C (2) 直流电流 (A) 会造成L0下降约20 % (3)直流电流 (A) 会造成L0下降约30 % IHDM-1107BBEV-2A和IHDM-1107BBEV-3A现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

vishay . 2025-08-12 515
市场 | 2025年上半年中国半导体产业投资额约4,550亿元，同比下滑9.8%

“根据CINNO Research最新统计数据，2025年上半年，中国半导体产业（含台湾）总投资额为4,550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。值得注意的是，半导体设备投资逆势增长53.4%，成为唯一实现正增长的领域，凸显了中国在供应链自主可控方面的战略决心。” 一、中国半导体产业投资趋势分析：2025年上半年投资总额下降，设备领域逆势增长根据CINNO Research最新统计数据，2025年上半年，中国半导体产业（含台湾）总投资额为4,550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。值得注意的是，半导体设备投资逆势增长53.4%，成为唯一实现正增长的领域，凸显了中国在供应链自主可控方面的战略决心。 2025年上半年中国半导体产业投资呈现明显的结构性特征。根据CINNO Research最新统计数据，从细分领域来看：晶圆制造领域依然占据主导地位，投资规模达2,340亿元，占总投资的51.4%，但较去年同期回落5.1%，显示出成熟制程投资趋于饱和的态势。半导体材料领域获得593亿元投资，占比13.0%，虽然整体下滑8.1%，但投资结构持续优化，特别是高端材料领域占比显著提升。芯片设计领域投资853亿元（占比18.7%）和封装测试领域417亿元（占比9.2%）则遭遇较大幅度调整，同比分别下滑23.7%和28.1%，反映出消费电子需求疲软和国际供应链重组带来的直接影响。虽然全球半导体市场周期性调整与国际技术管制形成双重压力，但中国半导体产业正通过投资结构的战略性优化，在设备自主化、材料创新等关键领域积蓄突破动能，为下一阶段的产业升级奠定基础。图示: 2025年1-6月中国半导体产业投资项目分布情况来源: CINNO • IC Research 二、封锁倒逼创新：中国半导体设备投资的逆势增长逻辑与突围路径中国半导体设备投资的逆势增长，本质上是一场被外部压力倒逼的自主创新突围战。美国的技术封锁如同一把双刃剑，在限制中国获取先进设备的同时，也彻底激活了本土半导体设备的创新动能。政策层面，大基金和地方专项基金的精准灌溉，为设备研发注入了强劲动力；市场需求端，国内晶圆厂扩建潮与国产化替代政策形成了稳定的订单保障；技术突破上，中微半导体、北方华创等企业在刻蚀、薄膜沉积等关键设备领域已跻身国际先进行列。这种“封锁-倒逼-突破”的发展范式，正在重塑全球半导体设备产业格局，中国从被动接受者逐步转变为重要的创新参与者。尽管光刻机等核心设备仍面临瓶颈，但持续的研发投入和产业链协同创新，正在为最终突破积蓄力量。三、中国半导体产业投资趋势分析：地域分布与材料领域投资聚焦地域分布：高度集中，江苏与上海领跑根据CINNO Research最新统计数据，中国大陆21个省市（含直辖市）的半导体投资分布中，前五大区域集中了近八成资金：江苏省以20.7%的占比领跑全国，成为半导体投资的核心集聚区；上海市以18.8%的占比紧随其后；浙江省（14.4%）、北京市（12.5%）和湖北省（12.5%）分列三至五位，五地合计占比达78.9%。这种高度集中的投资格局主要源于三方面因素：其一，长三角地区凭借深厚的产业积淀，如晶圆制造和封装测试领域的完整产业链；其二，政策资源倾斜，以上海、北京为代表的城市通过专项基金和人才政策形成制度优势；其三，区域协同效应凸显，以上海为龙头的长三角半导体产业生态圈已显现规模效应。值得注意的是，湖北省凭借存储芯片产业的突破性发展，跻身投资前五，展现出新兴产业集群的崛起态势。材料领域投资：2025年上半年中国半导体材料领域投资呈现明显的技术升级特征。根据CINNO Research最新数据，在半导体材料细分领域中，第三代半导体材料（SiC/GaN）以162亿元的投资规模位居榜首，占总投资的27.3%，展现出强劲的发展势头。这类宽禁带半导体材料因其在新能源汽车电控系统、5G基站射频器件和智能电网等高端应用场景中的性能优势，正成为产业重点突破方向。与此同时，电子特气领域也获得114亿元投资，占比达19.3%，位居第二。高纯电子特气作为晶圆制造的关键耗材，其投资增长反映出国内企业在半导体材料供应链关键环节的持续突破。值得注意的是，这两个重点领域的投资合计占比接近50%，凸显出中国半导体材料产业正从传统硅基材料向高端特色材料进行战略转型的发展路径。从全球产业格局来看，2025年半导体行业正经历着深刻的周期性调整与结构性变革。尽管AI、5G和物联网等新兴技术持续释放长期增长潜力，但全球经济下行压力与地缘政治冲突的双重影响，使得行业投资呈现明显的分化态势。作为全球最大的半导体消费市场，中国产业发展的独特路径正在重塑全球供应链生态——美国的出口管制虽然在短期内制约了技术获取，却意外激活了中国在设备与材料领域的创新动能，推动本土企业加速突破28nm以下制程设备、第三代半导体材料等关键技术瓶颈。展望未来，中国半导体产业将进入“精耕细作”的新发展阶段。其成长轨迹将取决于三个关键变量的动态平衡：自主创新能力的实质性突破、产业政策工具的精准施策，以及国际技术合作的弹性空间。在全球化退潮与技术民族主义抬头的背景下，中国半导体产业正在走出一条独具特色的发展道路，这种以自主可控为根基、以开放合作为补充的战略取向，或将重新定义全球半导体产业的价值链格局。

半导体

IC Research . 2025-08-11 2080
产品丨超高能效LED：高性能室内照明的理想之选

艾迈斯欧司朗新一代中功率LED为原始设备制造商（OEM）提供面向未来的超高效、长寿命及节能的解决方案——成为灯槽、线条灯与筒灯等商业照明装置的最优选择。全球领先的智能传感和发射器解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，推出满足室内照明应用关键指标的高光效、深度调光性能、可靠性、耐用性与灵活性新型中功率LED——OSCONIQ® S 3030和DURIS® E 2835。 OSCONIQ® S 3030 GW QSLMS1.SM（显色指数80）与GW QSLMS1.KM（显色指数90）代表专为高性能室内照明打造的新一代超高效中功率LED；DURIS® E 2835 GW JTLPS1.SM（显色指数80）与GW JTLPS1.KM（显色指数90）则是在2835平台推出的光效巅峰产品。这些白光中功率3V LED不仅具备卓越发光效能，更以紧凑封装实现高可靠性与设计灵活性。 OSCONIQ® S 3030 在4000K色温（显色指数80）下光效值高达235lm/W，具备深度调光能力与精准色彩控制等先进特性。其长维护周期特性完美适配办公室面板灯、灯槽及连续线条灯。集成至高棚灯与低棚灯照明装置时，可为仓库及制造空间提供均匀辅助照明。 OSCONIQ® S 3030 同时提供高显色指数选项（CRI 80与CRI 90）及2700K至6500K宽色温范围，优化建筑装饰照明与商业展陈效果。卓越的抗硫化氢性能与强化的热循环稳定性，确保其在严苛工况下的长期可靠运行。 DURIS® E 2835 LED专为嵌入式面板灯、线条灯及筒灯应用精密设计。在4000K色温与0.5W输入功率下，典型光效值达225lm/W（显色指数80）与207lm/W（显色指数90）。采用紧凑的2835封装尺寸，支持低至1mA的深度调光，并提供严格的色容差控制（≤3 SDCM），是医疗设施与商业建筑等高要求室内商业照明设计的高效解决方案。凭借高光效输出、卓越耐腐蚀性以及支持即插即用兼容性的稳固焊盘设计，DURIS® E 2835 LED同样适用于需持久高输出解决方案的工业环境与仓储设施。本系列支持2700K至6500K宽色温范围，并在105℃环境下实现LM-80 L90 > 36,000小时可靠长效性能。客户可基于OSCONIQ® S 3030或DURIS® E 2835灵活选择沿用现有设计方案或启用新方案。OSCONIQ系列在效能指标与使用寿命上略胜一筹，而DURIS系列则提供更具性价比的经济型方案。艾迈斯欧司朗通过双产品线布局，精准满足多元化应用场景与客户需求。

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2025-08-11 1075
方案 | 中微半导基于CMS8M3310高性价比无感方波电动工具方案

中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）无感方波电动工具方案专为锂电工具类产品设计，采用高性能的8位MCU-CMS8M3310GA24SS搭配CMS6D180三相预驱芯片，实现优异成本控制，且具备高可靠性、高效率的无感方波电机控制，特别适用于要求高启动力矩和超低速运行的应用场景。该方案在成本控制、工作效率、性能稳定性和用户安全性方面表现卓越，是各类锂电工具：如电钻、电扳手、角磨机、割草机等的理想选择。其高启动力矩、优异的低速性能、强大的抗堵转能力和全面的保护机制，确保了产品在复杂工况下的出色性能和可靠性。核心优势 - 集成虚拟中心点和母线分压，精简外围电路，节约BOM成本 - 驱动耐压高，覆盖10串应用 - 无感方波控制方式 - 适应不同负载启动，100%启动成功 - 启动抖动小，运行平稳 - 支持宽范围电机功率（50W-350W），适配多款电机开发方案规格 - 电机极对数：一对极 - 输入电压：18-25.2Vdc - 电机额定功率：50W-350W - 电机额定转速：60000RPM - PWM开关频率：10~20KHz - 控制方式：无感方波控制 - 保护功能：过欠压、过流、短路、缺相、堵转等核心器件功能参数 MCU-CMS8M3310GA24SS 内核：增强型1T 8051（兼容MCS-51）存储：Flash16KB，RAM 256B，XRAM 512B 工作电压：VLVR3~5.5V@16MHz 1T；VLVR1~5.5V@16MHz 2T 工作温度：温度-40℃~105℃ 定时器：2x8位，2x16位 PWM：6通道增强型PWM 模拟外设： 2路模拟比较器 (ACMP0/1) 1路可编程增益放大器 (PGA，4/8/12/16倍) 1路高精度12位ADC (内建1.2V高精度基准) GPIO：22个通用I/O口三相预驱芯片-CMS6D180-SSOP24 集成2路线性稳压器 5V/30mA输出（带限流保护） 12V/60mA输出（带限流保护）集成三相中压高速栅极驱动悬浮偏移电压+200V 内置直通防止功能、360ns死区时间峰值拉电流0.82A@12V (上升时间70ns@3.3nF) 峰值灌电流0.93A@12V (下降时间50ns@3.3nF) 内置VREG12V、VBS欠压保护、VBAT欠压功能过温保护功能：过温阈值160℃/140℃ 内置电源分压输出模块，分压比1/11 抗静电能力：2000V（HBM）、750（CDM） >>原理框图 >>开发板 >>启动波形 >>运行波形

中微半导

中微半导 . 2025-08-11 1195
技术 | 5V MCU 有什么新增功能？

尽管通用系统设计趋向于采用较低的电源电压，但由于信噪比的物理特性和 5V 传感器的普及，5V 电路仍然是一种流行的设计方法。但是，选择 5V MCU 并不意味着您需要在性能、低功耗或安全性等现代 MCU 优势上有所妥协。 MSPM0H321x 是一个 MCU 系列，设计人员能够利用它们应对 5V 系统的设计挑战，同时增强系统安全性、电源效率和性能。那么，MSPM0H321x 系列 5V MCU 有什么新功能？ MSPM0H321x 系列（包括 MSPM0H3216）基于通用硬件、工具和软件库的 MSPM0 生态系统而构建。借助这些器件和资源，硬件和软件工程师可以在各种应用（从电动工具到汽车设计，甚至包括厨房电器，如图 1 所示）中，轻松地重复使用基于 MSPM0 的设计中的现有代码。图 1：可以使用 MSPM0 MCU 的示例应用这些 MCU 提供引脚到引脚高度兼容的功能，有助于加快器件更换和升级的速度。由于所有 MSPM0 器件上都采用 DriverLib API，因此 MSPM0 系列中器件之间的软件移植也得到了简化。MSPM0H321x MCU 将安全性、低功耗运行和性能融于一身。安全性 MSPM0H321x 5V MCU 系列基于 MSPM0 平台的安全基础构建而成，提供灵活且经济实惠的安全配置功能。客户安全代码 (CSC) 硬件安全架构使设计人员能够在其设计中锁定可定制的信任根。 CSC 提供了硬件功能，可强制执行经过身份验证且具有防回滚保护功能的安全启动。MSPM0H321x MCU 还支持在现场进行安全的固件更新。随着支持软件的产品中安全性变得越来越重要，MSPM0H321x MCU 使应用能够满足当前的安全要求并准备好满足未来需求。低功耗 MSPM0H321x MCU具有低功耗性能和低延迟功耗模式转换功能。这使得应用能够“尽量休眠”，从而可能节省更多功耗。借助 MSPM0 系统控制 (SYSCTL) 架构，应用可以在待机模式下达到 3.5uA 的低功耗状态，同时让 SRAM、CPU 和外设保持待机，并在 20us 内即可退回到运行模式。在需要更低延迟才能从待机状态通过 UART 或 I2C 总线接收命令的情况下，MSPM0H321x 系列支持异步快速时钟请求，即使在 CPU 唤醒之前，此类请求也可以在检测到传入数据时请求快速时钟。特性和性能尽管是以低功耗性能为重点，MSPM0H321x 系列也具有模拟和数字功能组合，由以 32MHz 运行的Arm® Cortex-M0+® CPU 实现，具有单周期乘法扩展以及高达 64kB 的闪存和 8kB SRAM。12 位 ADC 采样速率高达 1.5MSPS，具有高达 27 个输入通道，可支持各种控制和感应应用。高级控制计时器 (TIMA)具有增强的 PWM 生成模式，适用于具有死区功能和超低延迟故障处理的互补对。此外，MSPM0H321x 系列还具有多种封装，其中包括两个引脚间距为 0.8mm 的选项，适用于超低成本 PCB 组装工艺。自 MCU 推出以来，嵌入式工程师不断寻找新的创新方法来利用这些通用器件。MSPM0 产品系列包括支持 1.62V 至 3.6V 电源电压的器件，可帮助工程师采用较低的工作电压，从而降低系统功耗并降低成本要求。但是，仍然需要支持 5V 电源电压的现代 MCU。在具有传统 5V 电路或复杂抗噪能力挑战的应用中，MSPM0H321x MCU 使硬件设计人员能够在 5V 系统中本地工作，并受益于创新的安全性、低功耗和性能特性。

TI

德州仪器 . 2025-08-11 710
有奖直播 | 音频IC基础与高端音响MUSES系列芯片介绍

当音响发烧友花费数万元升级设备时，当录音师在专业棚里反复调试音色时，他们追求的都是同一个目标——最纯净、最真实的声音还原。这个"耳朵经济"蓬勃发展的时代，音频质量已经成为消费者最敏感的神经之一。无论是音乐发烧友对Hi-Res的执着追求，还是游戏玩家对沉浸式音效的苛刻要求，亦或是影视工作者对声音细节的精准把控，都在推动着音频技术的边界不断拓展。然而，真正的好声音从何而来？决定最终音质表现的"最后一公里"，往往取决于那颗小小的音频IC芯片。它就像音响系统的心脏，默默决定着声音的纯净度、动态范围和信噪比等关键指标。 8月19日14:30 ，芯查查直播间邀请日清纺FAE，和大家带来日清纺在高端音响方面的产品与方案分享。直播嘉宾王惠宣，日清纺微电子FAE，在集成电路与半导体器件领域具备深厚专业积累，精通客户技术难题解决方案，擅长市场分析。直播内容音频基础知识音频IC的作用 MUSES系列芯片概述应用案例日清纺微电子品牌战略点击文末此处即可进入直播间。进入芯查查直播间的用户，填写报名问卷后，有机会赢取小米定制鼠标、芯查查电脑包等精美周边文创等丰厚礼品，快来参与吧！ 8月19日14:30 相约芯查查直播间日清纺专场还有多款互动礼物，快来参与吧~

日清纺

芯查查资讯 . 2025-08-11 12 5 3200
IC 品牌故事 | 开放合作+特色深耕，华虹的突围之路

华虹集团是中国拥有先进芯片制造主流工艺技术的国有8+12英寸集成电路制造产业集团。2023年，华虹集团在科创板上市，募资超200亿元，创下当年A股最大IPO纪录。2024年，华虹集团营收143.88亿元，归母净利润为3.81亿元，全年平均产能利用率接近100%；折合8英寸后的全年晶圆出货量同比增长超过10%，其中，独立式非易失性存储器、模拟和电源管理、逻辑与射频三大产品线收入及占比取得较大幅度增长。华虹的前身是1996年国家"909工程"的主体承担单位。目前，华虹集团集成电路制造核心业务分布在上海浦东金桥、张江、康桥和江苏无锡四个基地，共拥有3条8英寸和4条12英寸芯片生产线。经过28年发展，华虹已成长为全球产能排名第一的功率器件代工厂，也是中国大陆第二大晶圆代工企业。一家被被给予着万众期待的半导体企业，如何一步步伴随历史潮流发展壮大？请跟随芯查查一起回溯华虹集团的过往吧！图片来源：TrendForece，华虹位列全球第六起源：用市场换技术，用股权换时间故事要从1997年说起。 1997年的春天，上海浦东一处工地上，打桩机的轰鸣声格外刺耳。时任电子工业部部长胡启立站在工地边缘，眉头紧锁。这位中国半导体产业的老将心里清楚，脚下这片土地承载着整个国家的期望——这里是“909工程”的主体项目上海华虹微电子的施工现场。 “909工程”投资上百亿，计划建设一条8英寸生产线，生产工艺水平达到0.5微米，这个项目的工程主体承担单位——上海华虹微电子有限公司正式成立。公司承载着国家意志和产业梦想，在中央财政极其困难的情况下，仍确保"909工程"百亿资金到位。图片来源：网络，图为华虹NEC八英寸项目当时的中国半导体产业正深陷寒冬。一方面，《瓦森纳协定》“N-2原则”（即美国出口的技术必须落后最新技术的两代）如铁幕般横亘，海外技术出口对中国严防死守。另一方面，此前“908工程”（无锡华晶项目）的惨痛教训历历在目：闭门研发十年，结果是投产时与国际主流技术落后两代，连年亏损如无底洞。前车之鉴，后事之师。“909”工程究竟要怎么铺展呢？半导体产业有一个特点，外国技术转让或者国外直接投资能够大幅驱动进口技术国的半导体产业技术升级，意味着半导体的国际学习溢出效应很大。所以，当时的909工程没有执着于“干中学”，而是全球公开寻找外部合作企业。当时，华虹集团对于合作方提出了3个要求：合作伙伴需要转让先进的集成电路制造技术：8英寸生产线，0.5微米工艺。合作伙伴必须以现金方式入股并参与到合资公司的经营中，共同承担风险。合作伙伴必须承诺三分之一的返销加工量，还要负责培训技术和管理人员。电子工业部陆续向日本富士通、东芝、NEC、冲电气(OKI)公司，欧洲的西门子、飞利浦公司，美国的Intel、IBM、AMD、惠普、德州仪器、Rockwell等公司发出了参与“909”建设的正式邀请。商人是逐利的，对于外国投资方来说，这个项目不仅要转移技术（虽然不是最新的），还要承担设备的折旧、产品销量等诸多责任。所以，这些公司普遍反应冷淡，或者提出了很多附加条件。在华虹奠基仪式过去4个多月后，有一家日本企业出现了——NEC，日本电气株式会社。这家姗姗来迟的日本企业是当时世界上第二大的半导体制造公司，此前已经和北京首钢合建了一座6英寸的芯片工厂，首钢NEC。虽然NEC表现出合作意向，但谈判进展漫长且紧张。NEC日方首席代表山本一郎坚持只转让0.8微米技术，理由“中国工人素质达不到更高工艺要求”。关键时刻，胡启立部长亲自致信日本通产大臣佐藤信孝，信中写道：“中日半导体合作不应只是商业交易，更应成为两国技术友谊的桥梁。”这封信通过外交渠道转交，最终促成日本政府出面协调。书中记载，NEC会长关本忠弘在接到通产省电话后，连夜召开董事会，最终同意转让0.35微米工艺。图片来源：网络 NEC会长关本忠弘是一位代表日本和NEC利益，有政治头脑和战略目光的企业家。最终NEC不仅愿意现金参股30%，而且转让的工艺水平（0.35微米）超出了中方的引进目标。最重要的是，NEC 同意保证“909”生产线满负荷运转，产品除中方要求加工的外，均由NEC负责返销。为了不让“909”项目重蹈覆辙，华虹集团主导的芯片产线建设可谓快马加鞭，使用“三班倒”施工方案：土建、设备安装、工艺调试三个环节并行推进。建设时期，恰逢全球半导体产业正在经历下行周期，909工程是当时唯一一个加快建设完工的芯片工厂。 1999年2月23日，第一片64MB DRAM芯片下线。华虹仅用18个月完成“909”工程8英寸超大规模集成电路生产线，意味着中国有了自己的第一条深亚微米超大规模集成电路生产线。投产首月良率就达到82%，三个月后攀升至92%，远超NEC大阪工厂同期水平。除了NEC，还有一个外国公司值得一提。比利时IMEC——欧洲一家微电子研究中心，当时正在拓展中国市场，对与华虹的合作非常感兴趣，愿意以技术合作的方式，帮助华虹开发0.25微米和0.18微米的标准CMOS工艺技术，合同总价1200万美元。这段时间，华虹派出一支学习团队前往比利时IMEC学习，带回了IMEC0.18微米技术整套工艺资料及0.25微米技术后道5层铝布线工艺资料，使得华虹集团基本具备开发自己的0.18/0.25 微米工艺技术的能力。 2001年，华虹和IMEC续约战略合作备忘录，华虹又派出多支工程师队伍学习0.13 微米和0.09微米的CMOS工艺技术研发平台。 2003年4月，华虹集团向美国IDT公司转让新涛半导体，实现了国内自主投资芯片设计企业的首次对外转让。聚焦：从存储转型代工厂 2001年，华虹遭遇成立以来最大危机。由于互联网经济泡沫和911事件的冲击，半导体市场萎靡不振，存储又是其中表现最差的一个，DRAM价格暴跌90%。此外，日本合资方NEC已自身难保，半导体业务给NEC造成了巨额亏损，不得不将将DRAM业务剥离出去。图片来源：网络当时华虹最核心业务就是DRAM，面对上述的双重压力，2003年，华虹做出战略转向：退出DRAM红海，全面转型晶圆代工，也顺势从NEC手上提前收回经营自主权（原约定5年的合资经营合作）。这次的转型，被华虹的内部称为“华虹遵义会议”。随后，华虹开始组建一支本土的半导体制造精英团队。从美国引进了方朋、赖磊平等技术专家负责华虹NEC的代工转型工作。这一抉择背后，是深刻的历史教训——1990年代韩国三星通过DRAM超车成功的案例虽令人神往，但彼时中国既无技术积累，更缺市场支撑，盲目追赶只会重蹈“908工程”覆辙。时任华虹集团总经理方朋组建了一支评估团队，秘密评估三个转型方向。其一、智能卡芯片。中国即将启动二代身份证换发计划，预计需求超10亿片，华虹已掌握0.35μm EEPROM工艺，具备开发条件，但需要需突破德国英飞凌的专利壁垒。图片来源：网络其二、功率半导体。中国加入WTO后，长三角制造业爆发催生巨大需求，英飞凌、仙童等国际大厂纷纷在沪设立研发中心，华虹拥有8英寸生产线，可改造为功率器件专用产线。其三，模拟/混合信号芯片。消费电子爆发带动电源管理IC需求，华虹已开发出0.35μm BCD工艺原型，而且当时中国国内手机厂商80%的PMIC依赖进口。团队用“三色评估法”（红/黄/绿）对各项指标打分，最终功率半导体以87分（满分100）位列第一，但方朋力主"三箭齐发"的多元化策略。 2003年4月，方朋通过产业关系获知公安部正在评估身份证芯片国产化方案，要求产品100%国产化、100%安全、100%可靠。他立即组建“身份证专项组”，并三赴公安部展示华虹的样品，最终拿下订单。功率半导体布局同步展开。如前文，功率器件在长三角爆发出巨大需求，英飞凌、仙童等国际大厂纷纷在沪设立研发中心，产业know-how加速外溢。华虹抓住天时地利，2002年建成全球首个8英寸功率器件代工厂，沿着MOSFET——超级结MOSFET——IGBT的技术路线稳步攀升。模拟芯片制造方面，第二批在比利时IMEC学成归来的工程师开始进入华虹 NEC 生产线，配合代工工厂转型标准逻辑工艺的研发工作。在现有设备的基础上，重新开发标准COMS工艺。通过在生产线上增添部分设备，华虹NEC基本形成完整的0.18微米工艺，2004年该工艺大生产技术实现量产。图片来源：网络到2004年初，华虹NEC已经与包括大唐、华大、士兰、中兴通讯等国内著名系统厂商和设计公司建立了战略合作伙伴关系，树立了国内代工市场占有率第一的地位，在很大程度上实现了当初“909”服务国内市场的目标。 2007年9月，华虹二厂实现量产。 2010年1月，“909”工程升级改造——华力微电子12英寸项目——华虹五厂启动建设 2010年5-10月，华虹集团成功完成2010年上海世博票务系统，实现RFID技术全球范围内展会领域最大规模的应用。 2013年1月，华虹NEC和宏力半导体完成合并，成立上海华虹宏力半导体制造有限公司。 2014年10月，华虹半导体红筹股香港联交所挂牌，8英寸制造平台实现上市。 2016年12月，华力二期12英寸生产线项目——华虹六厂开工。守护：安比精神，创造华虹速度 2018年，全球晶圆短缺危机与行业上行周期共振，华虹落子无锡。华虹七厂——全球首条12英寸功率器件专线破土动工。 533天。无锡市政府3天完成700亩用地审批、98天主厂房封顶、单月安装87台设备……无一不彰显出中国速度。速度快，困难也不小。2018年7月，第10号台风“安比”正以每小时30公里的速度直扑无锡，预计中心最大风力达14级（42米/秒）。华虹此时正值关键建厂阶段：价值1.2亿美元的ASML XT 1900Gi光刻机刚运抵厂区，这是当时全球仅6台的功率器件专用光刻机。但是设备尚未完成安装，临时工棚仅达到抗10级风标准，周边排水系统未完全建成，现场留守工程人员多为设备安装团队，恰逢ASML荷兰工程师团队回国休假，设备处于无人监管状态。危急时刻，华虹工程师用人墙抵住工棚钢架，厂区积水达1.2米深，团队轮番人工排水，半个身子都泡在水里。台风登陆无锡后，临时搭建的工棚也被掀翻，华虹的设备工程师们用钢梁搭建临时支架、用防水布搭成“人工帐篷”保护光刻机。经过8小时鏖战，台风终于过境，检测显示光刻机湿度<5%，符合安装标准。此次事件后，华虹立即制定极端天气设备防护SOP，“安比精神”也成为华虹员工的必修课。 2019年9月，华虹七厂建成投产，再创“华虹速度”。8英寸平台固守0.35微米至90纳米，12英寸主攻90纳米至55纳米。2019年到2022年，12英寸营收占比从不足1%跃升至40%。功率半导体，成为华虹最锋利的矛。新的战场：行业周期中攀登下一座高峰 2023年，行业寒潮袭来，华虹全年营收下滑7.7%。然而，其功率器件板块逆势狂飙16.5%，销售收入达9.02亿美元，贡献近40%营收，超越嵌入式存储登顶。12英寸产能利用率保持95%以上，车规级IGBT通过14家车企认证，超级结MOSFET、IGBT——这些新能源汽车的功率器件，成为华虹穿越周期的压舱石。 2023年，华虹以A股当年最大IPO募资超200亿元，吹响无锡二期（即华虹九厂）冲锋号。聚焦车规级芯片，规划月产能8万片12英寸晶圆。2023年6月开工，2024年8月设备搬入，12月投片量产，速度再破纪录。一、二期满产后，月产能至少18万片，剑指全球最大12英寸功率半导体代工平台。 2024年，行业弱复苏下华虹承压明显，营收降12%，毛利率仅10%，净利润暴跌80%。来到2025年，华虹第二季度销售收入5.661亿美元，同比增长18.3%，环比增长4.6%；毛利率10.9%，同比上升0.4个百分点，环比上升1.7个百分点。对于第三季度，华虹预计销售收入约在6.2亿美元至6.4亿美元之间，毛利率约在10%至12%之间。第二季度产能利用率达到108.3%，环比今年第一季度的102.7%、同比2024年第二季度的97.9%，均有提升。今年第二季度，华虹公司的产能利用率创下近几个季度以来的新高。图片来源：华虹2025Q2财报截图结语从身份证芯片到新能源功率器件，绑定中国产业链爆发性需求，是华虹穿越周期的护城河。从909工程的技术引进，到12英寸功率器件的自主创新，华虹的历程揭示了中国半导体产业的升级路径：在全球化合作中坚持自主发展，在市场波动中坚守技术深耕。这种“特色工艺+本土生态”的发展模式，正为更多中国半导体企业提供启示。 Tips 截至发稿前，芯查查已收录华虹相关资讯信息。点击进入芯查查华虹品牌页即可查看相关数据。

华虹

芯查查资讯 . 2025-08-11 11 8571
技术 | AW96205DNR高性能手机防水游戏肩键：艾为触控，重塑移动游戏体验

在移动游戏产业蓬勃发展的当下，手游外设已从 “可选配件” 升级为 “核心装备”。其中，手机电容式防水肩键凭借无物理触点、低延迟响应、IP68 级防水等特性，成为专业手游玩家的首选。技术演进背景：从机械到电容的必然转型传统的手机游戏物理肩键，存在以下三大主要痛点：机械磨损（按键寿命约50万次）防水缺陷（物理缝隙导致IP68认证困难）空间占用（单按键占用＞35mm³）在手机游戏肩键的方案应用上，电容式防水肩键与传统物理肩键之间，主要区别如下：电容式方案的核心优势在于非接触式触发，彻底解决了物理按键的磨损、进灰、防水难题。通过算法优化，其最小触发距离已接近物理按键的键程体验。100Hz的响应速度在《和平精英》《原神》等竞技游戏中可带来明显的操作优势。容式肩键的技术挑战：游戏肩键主要技术要求电容式检测，主要依赖的是检测电容的变化，来判断是否为按键触摸。检测电容的变化量，与实际按压的接触面积，以及检测电极上的介电常数，有很大的相关性。考虑到游戏场景下用户的操作复杂性，每次按压的实际接触面积是不一致的，且可能存在边缘触摸的可能性（边缘接触面小，信号变化小），单一的阈值检测的方案，无法覆盖所有的接触场景。另一方面，长期使用，人手汗液会残留在检测电极表面，使电容变化量，较干燥场景下，变化更大，增加了误触发的风险。同时，长期使用，检测电极表面温度会上升，也会对检测结果产生较大的干扰。基于上述描述，电容式游戏按键，面临的具体技术难点，可总结如下： 1. 极速响应与全区域触发干手快速点击：响应时间需实现100Hz以上，确保连击操作无感知滞后。边缘按压：最低需要实现1/3键面的按压识别（电极边缘信号衰减导致灵敏度下降30%~50%）。 2. 复杂环境下的稳定识别带水/汗操作：在 0.1~0.3ml 液体残留（模拟洗手后未擦干状态）下保持>95%识别率。姿势变化抗干扰：手指侧滑/滚动按压时，会导致接触面积变化，信号特征不稳定。 3. 精细化触发控制轻触识别：手指轻搭在接触面上可识别缓慢按压：速度≥0.2mm/s 可识别长按稳定：持续10s+ 无断触悬空防误触：感应距离≤2mm（精度±0.3mm）艾为游戏肩键算法方案：大禹防水算法在容式游戏肩键的应用场景上，艾为有一套自研的成熟算法方案——大禹防水算法。该算法方案，是为了应对游戏场景下的各类问题，定制开发的一种专用方案。目前，已在手机游戏肩键上应用，市场端反馈良好。方案的技术特点如下：刷新速率可达到500HZ以上，满足快速响应的需求；最多支持三档灵敏度的调节，以适应不同群体对响应速度的要求；通过按压信号的特征识别，实现高精度判别，提高了水、汗场景下识别的准确率；采用阶梯式分段的阈值设定策略，适应不同手势下的按键触发；自适应基线调整策略，保证长时使用的稳定性；水量预测方案，根据信号特征，预测按键残留的水量，采用特定的基线策略，应对水量过多残留的场景。 1. 算法模块框架该方案，算法在底层固件实现。上层可通过指令下发的方式，对初始电容状态进行校准，以及对灵敏度的设置。底层固件，经过一系列算法处理，输出算法判定后的触摸、非触摸状态，供上层处理。算法模块框图如下：图1 算法模块框图 2. 典型应用场景下的数据展示针对游戏肩键场景下的几种典型操作手法，进行测试，数据特征如下（VALID表示有效信号量，STATUS0表示常规触摸方案的触摸状态，STATUS1表示“大禹防水”触摸方案的触摸状态）：图2 干手点击图3 干手按压变化按压姿势图4 带水点击从典型场景数据测试结果可以看出： 1）“大禹防水”算法方案，在防水性能上优于常规触摸方案。在有水渍残留的场景下，对数据趋势的变化，更敏感，更易捕捉到离手动作； 2）“大禹防水”算法方案，在干手情况下，也能做到与常规触摸方案等同的触摸效果。艾为游戏肩键方案实施：芯片选型艾为游戏肩键应用，算法集成在AW96205DNR系列芯片内，该款芯片的主要特性如下：图5 AW96205DNR应用框图芯片特性介绍 5通道高灵敏度 Cap Sensor -电容分辨率：1aF -补偿电容：220 pF -高性能自适应温补算法 -“大禹”防水防汗算法 -程序灵活，支持客制化 -10000次在线升级（OTA）低功耗 -Active：22uA -Doze：6.7uA -Sleep：5.5uA -Deep Sleep: 2.5uA I²C ： 400 kHz, 地址可扩展 VCC：2.7~3.6V 内存：16kB Flash，8kB RAM 温度：-40°C~85°C

电容式检测

艾为官网 . 2025-08-11 55
企业 | 传NVDIAI、AMD向美政府上缴售往大陆AI芯片15%收入

据金融时报》报道，英伟达公司和AMD)已同意向美国政府提供其在中国芯片销售收入的15%。《金融时报》引用熟悉情况的人士，包括一名美国官员的话称，这项协议是与特朗普政府达成的获取对国内出口许可证安排的一部分，这些许可证已于上周获批。报道称，英伟达将分享其H20芯片在中国销售收入的15%，而AMD也将分享其MI308芯片收入的类似比例。上周有报道称，特朗普政府已开始发放许可证，允许英伟达和AMD恢复销售其面向国内市场的芯片。今年早些时候，这两家公司被禁止在中国销售产品。但过去两个月两国之间关系改善，使特朗普政府允许这两家公司在国内恢复部分芯片销售。尽管如此，作为拜登时代对国内限制措施的一部分，英伟达和AMD仍被禁止在国内销售其最先进的人工智能芯片。 H20是英伟达专门为中国市场制造的芯片，在国内一度是热销产品，被国内众多主要人工智能开发商使用，包括国内众多互联网那个大厂及大模型企业。国内方面，网信办7月31日约谈了英伟达，要求说明芯片的漏洞或后门的安全风险问题，并提交相关证明材料。首席执行官黄仁勋曾批评美国对中国销售的限制，因为这样的举措将阻止英伟达进入一个主要市场。

AI芯片

今日芯闻 . 2025-08-11 5 1960
市场周讯 | 特朗普要求英特尔CEO立即辞职；TI 6万余款产品涨价；特斯拉解散Dojo 超级计算机团队

| 政策速览 1. 七部门：工业和信息化部、国家发展改革委、教育部、国家卫生健康委、国务院国资委、中国科学院、国家药监局近日发布关于推动脑机接口产业创新发展的实施意见。其中提出，突破关键脑机芯片。发展高通道、高速率脑信号采集芯片，强化模数转换、通道管理和噪声抑制，增强脑信号采集放大能力。研发高性能、超低功耗脑信号处理芯片，强化并行处理能力，推动感知、计算和调节等功能的一体化集成。研发超低功耗、高速率、高可靠的通信芯片，提升脑信号传输和抗干扰能力。 2. 美国：美国总统特朗普表示，美国将对芯片和半导体征收约100%的关税，但不针对“在美国建厂”的公司。除了苹果外，包括台积电、英伟达和格罗方德（GlobalFoundries）在内的几家顶级芯片制造商已经承诺在美国生产部分产品。而根据半导体行业协会的数据，自2020年以来，美国已经宣布了130多个投资项目，总额达6000亿美元。、 3. 上海：上海市人民政府办公厅印发《上海市具身智能产业发展实施方案》。其中提到，发挥上海自主智算芯片、本体机器人与大模型企业集聚优势，加快具身智能专用芯片、核心主板等核心零部件研制，增强软硬协同适配能力，开发匹配具身机器人本体需求的关键配套产品。推动关节模组、智能传感器、视觉相机等高价值零部件企业研发生产基地在沪落地。 4. 上海：上海市人民政府办公厅印发《上海市支持企业加强基础研究增强高质量发展新动能的若干措施》，其中指出，支持企业与政府深入实施“探索者计划”。完善“探索者计划”组织实施机制，充分发挥政府引导作用，支持企业面向经济社会发展急需领域和重大需求，聚焦底层关键科学问题，布局基础研究项目。吸纳更多集成电路、生物医药、人工智能等产业领域企业加入“探索者计划”，对重点领域企业凝练提出的紧迫急需选题动议，予以快速响应支持。 | 市场动态 5. Canalys：2025年第二季度，全球平板出货实现连续六季度增长，华为表现抢眼，跃升至第三；联想稳居上半年Chromebook市场首位。 6. 行业：2029年全球机器人市场规模将突破4000亿美元，中国市场将占据近半份额。 7. 行业：2024年全国新型储能累计装机规模达7376万千瓦/1.68亿千瓦时，占全球总装机比例超40%。 8. 行业：2024年我国北斗产业规模达5700亿元，北斗终端22亿台，超2.88亿部智能手机支持北斗定位，预期今年规模将超6000亿元，下一步发力低空经济领域。 9. 现货：据现货市场消息，以下原厂部分系列存在涨价可能：（1）TI：PMIC、DSP、数据转换器、MCU；（2）ADI：开关、多路复用器IC、线性产品、MAXIM；（3）ST：分立器件、模拟器件；（4）NXP：汽车MCU；（5）ALTERA：Cyclone、MAX系列。 10. WSTS：今年1~6月全球半导体市场规模达3460亿美元，同比增长18.9%。一季度市场规模约1670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1800亿美元，同比增长19.6%。上半年逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体则增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长 4%。 11. SIA：2025年第二季度全球半导体销售额为1797亿美元，同比增长近20%，环比增长7.8%。SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示，今年第二季度全球芯片销售依然强劲，市场同比增长主要得益于亚太和美洲市场的销售增长，预计下半年全球市场将实现年度增长。 12. 华大九天：华大九天推出先进封装版图设计解决方案Empyrean Storm。Empyrean Storm是一款专为先进封装设计打造的具备自动布线与物理验证的版图平台，可提升Chiplet布线效率。 13. 工信部：工信部发布数据，上半年，软件产品收入15441亿元，同比增长10.6%，占全行业收入比重为21.9%。其中，基础软件产品收入903亿元，同比增长13.8%；工业软件产品收入1445亿元，同比增长8.8%。上半年，信息技术服务收入48362亿元，同比增长12.9%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入7434亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的15.4%；集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%；电子商务平台技术服务收入5882亿元，同比增长10.2%。 | 上游厂商动态 14. 英特尔：美国前总统特朗普（Donald Trump）周四通过社交媒体“真相社交”发文，称英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）存在“严重的利益冲突”，并要求其“立即辞职”。他表示：“这个问题没有其他解决办法。” 15. TI：已经通知部分客户将对产品进行涨价，本次涨价每个客户涨价情况不一，但涨价品类和涨价幅度远超6月2日那次涨价。据悉，本轮涨价涉及6万多个产品料号，其中6.5%的料号涨价小于10%、37.6%的料号涨价10%~20%、14.4%的料号涨价20%~30%、41.3%的料号涨价超过30%，工业和汽车等长周期应用领域的产品涨价幅度普遍较高。 16. 安费诺：全球连接器巨头安费诺（Amphenol）即将以约105亿美元（含债务）的价格收购康普控股（CommScope Holding）旗下宽带连接和电缆部门（CCS）。全球连接器巨头安费诺（Amphenol）即将以约105亿美元（含债务）的价格收购康普控股（CommScope Holding）旗下宽带连接和电缆部门（CCS）。 17. 博世：博世集团宣布，正式完成对美国江森自控（Johnson Controls）暖通空调（HVAC）业务的收购。这笔耗资80亿美元（约74亿欧元）的交易，不仅是博世公司史上规模最大的收购案，更标志着其在能源与建筑技术领域的战略布局迈出了关键一步。 18. 英飞凌：2025财年第三季度营收为 37.04 亿欧元，利润为6.68 亿欧元，利润率18.0%。预计Q4营收将达到 39 亿欧元。在此基础上，利润率预计为17%~19%左右。 19. 安森美：2025年第二季度收入为14.687亿美元，非GAAP毛利率均为37.6%，经营活动现金流为1.843亿美元，自由现金流为1.061亿美元。 20. 博通：Broadcom现已推出 Jericho4 以太网结构路由器——一个用于分布式 AI 基础设施的平台。Jericho4 系列在大多数企业网络中并不常见。这款 ASIC 专为大规模 AI 集群而设计，这些集群的目标是 100 万个 AI 加速器，并具有线速 MACsec 加密等功能。 21. NXP：总收入：29.26 亿美元，同比降 6%，环比增 3%；GAAP 毛利率：53.4%，非公认会计准则毛利率：56.5%。其中，汽车业务：17.29 亿美元，环比增 3%，工业与物联网：5.46 亿美元，环比增 7%，移动：3.31 亿美元，环比降 2%，通信基础设施及其他：3.20 亿美元，环比增 2%。 22. 纳微：2025年Q2季度营收1450万美元，本季度的GAAP营业亏损2170万美元，2024年同期营业亏损为3110万美元，2025年第一季度营业亏损为2530万美元。此外，NVIDIA选中纳微半导体参与下一代800V HVDC数据中心电源架构开发。 23. 海思：上海海思朱雀临境显示推出 AI-Touch 触控解决方案，它专为手机触控量身打造具备防误触防水、又准又快、强抗干扰的卓越性能。AI-Touch 的技术亮点在于创新端侧 AI 核与高性能 RISC-V双核驱动模式，通过自主创新芯片设计与软件算法融合，让每一次操作都精准流畅。 24. 华大：华大电子凭借其自主研发的CIU9872B_01系列芯片产品，成功助力中国银行、工商银行、中信银行、广发银行、民生银行等多家银行发行银联-VISA双标卡。这款集银联PBOC标准与国际EMV标准于一体的芯片卡，有效解决传统磁条卡在安全性与兼容性方面短板，标志着我国金融芯片产品实现从本土化到全球化的跨越式突破。 25. 英诺赛科：推出全球首款 100V 低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化 40V 至 120V 双向 VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS 设计。 26. AMD：XILINX 16/20/28nm系列或将实行配额制，交期拉长，部分Kintex7、Virtex7或推出对华专供型号。 27. 南芯科技：发布第二代车规级HSD SC77450CQ，是国内首颗全国产供应链垂直集成工艺的高边开关产品。 28. 台积电：台积电7月销售额3231.7亿元台币，同比增长25.8%；今年前7个月累计销售额2.1万亿元台币，同比增长37.6%。 29. 中芯国际：中芯国际发布业绩，2025年二季度整体实现销售收入22.09亿美元，环比下降1.7%；毛利率为20.4%，环比下降2.1个百分点；产能利用率92.5%，环比增长了2.9个百分点。公司上半年销售收入为44.6亿美元，较去年同期增长22.0%；毛利率21.4%，较去年同期提升7.6个百分点。公司预期国际财务报告准则下的指引为：第三季度收入环比增长5%至7%，毛利率介于18%至20%的范围内。中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，从目前最新的订单状况来看，预计至少到今年10月份左右，中芯国际产能依然维持供不应求，表明客户获取市场份额的能力可以持续。因关税政策紧急拉货动作到8、9月份停止，预计到第四季度急单和拉货情况会相对变缓，但中芯国际对订单获取有很大信心。 30. 华虹：华虹半导体发布业绩，2025年第二季度销售收入5.661亿美元，同比增长18.3%，环比增长4.6%；毛利率10.9%，同比上升0.4个百分点，环比上升1.7个百分点；母公司拥有人应占利润800万美元，同比上升19.2%，环比上升112.1%。2025年第三季度指引：预计销售收入约在6.2亿美元至6.4亿美元之间，预计毛利率约在10%至12%之间。 31. 三星：三星电子已开始为组建1c DRAM生产线下达半导体设备采购订单。部分退火设备已完成订购，三星正与合作伙伴商讨沉积设备订单规模。此外，基于1c DRAM的半导体芯片封装设备供应商也在遴选中。业界预测通过此次投资，三星电子到明年上半年将形成月产能15-20万片晶圆（以投片量计）的1c DRAM生产能力。 32. AMD：AMD称提前量产MI350，预计人工智能（AI）芯片收入将在三季度增长，预计年度AI收入有望达到数百亿美元以上。 33. 英特尔：用于生产下一代“Panther Lake”、被英特尔寄予厚望的“翻身仗”制程Intel 18A良率偏低。两位知情人士称，自去年年底以来，通过18A工艺生产的PantherLake芯片中，仅有5%左右可以提供给客户。今年夏天，这一比例升至约10%，但仍远低于英特尔的量产门槛。当前良率水平远不足以支撑Panther Lake的盈利量产，若无法大幅提升，英特尔可能被迫以低利润率或亏损价销售该芯片。 | 应用端动态 34. 帕西尼：完成新一轮 A 系列融资，本轮由京东战略领投，浦耀信晔、宏兆基金、张科垚坤、上市公司新国都、北京昌平先进能源制造产业直投基金、财鑫资本、复琢投资跟投，老股东湖南财信产业基金、钧犀资本、TCL创投、毅达资本持续加码，庚辛资本中国继续担任独家战略财务顾问。帕西尼全球首创的 6D 霍尔阵列传感技术能以每秒数百万次的高频率对多层嵌套磁场阵列分布进行高精度采集，经传感器内封装的非线性力学反演算法处理，最终以极高的可靠性与 1000Hz 的频率输出精细的六维力触觉及其分布信息。帕西尼在短短 4 个月内，已狂揽 10 亿元人民币，刷新了全球相关领域的融资规模与融资速度，进一步夯实了其在该赛道的绝对领先地位。 35. 特斯拉：特斯拉将解散其 Dojo 超级计算机团队，其负责人也将离职，这将颠覆该汽车制造商开发无人驾驶技术内部芯片的努力。Dojo 项目负责人彼得·班农 (Peter Bannon) 即将离职，CEO埃隆·马斯克已下令停止该项目，约 20 名员工跳槽至新成立的 DensityAI，剩余的 Dojo 员工将被调往特斯拉内部的其他数据中心和计算项目。 36. 长安汽车：中国长安汽车集团有限公司在渝成立，着力智能汽车机器人、飞行汽车、具身智能等领域，加快开拓东南亚、中东非洲、中南美洲、欧亚、欧洲五大区域市场。

半导体

芯查查资讯 . 2025-08-11 1 2245
RISC-V | 芯片上车，国产厂商已经走在了前面

重点内容速览： 1. 紫荆半导体：长城汽车的RISC-V先锋 2. 二进制半导体：央企联合的高可靠性探索 3. 芯来科技：RISC-V车规IP的“破冰者”，定义安全与标准 4. 奕斯伟计算：构筑“RISC-V + AI”计算矩阵，赋能智能汽车场景 RISC-V已经在消费领域，尤其是个人音频、智能穿戴领域发展良好，在工业通用控制领域也在积极布局，但在高门槛、高附加值的汽车应用和高性能计算领域占比还比较低，这也说明在这两个领域RISC-V的发展空间更大。芯查查上周的文章介绍了RISC-V在高性能计算领域的发展情况。这篇文章将主要介绍RISC-V在汽车应用领域的进度。图：RISC-V渗透率持续快速增长（来源：Omdia） RISC-V芯片上车是大势所趋，而且自2024年下半年开始已经按下了加速键。目前在RISC-V的车规级IP方面，已经有多家厂商推出了相关产品。比如SiFive的E6-A、E7-A、S7-A（64位）、X200-A（64位）、X280-A等；晶心科技（Andes）的N25F-SE、D25F-SE、D23-SE、D45-SE；阿里巴巴达摩院旗下的玄铁R910/R908（A）；芯来科技的NA300/900等；以及奕斯伟计算的S500A（64位）、R520A、R500A、E330A、E320A、E302A等。可以看到，这些厂商当中大部分都是国产厂商。其实，不仅是IP，在芯片端，国产厂商也已经走在了前面。在英飞凌今年3月宣布，未来几年将会推出基于RISC-V的全新汽车微控制器，新产品将纳入其汽车MCU品牌AURIX系列；德国博世才开始评估RISC-V在ESP系统中的替代方案时，国产半导体厂商的RISC-V车规级芯片已经量产流片成功，准备在汽车上试点了，最快2026年Q1就会上车了。紫荆半导体：长城汽车的RISC-V先锋长城汽车孵化的南京紫荆半导体有限公司（简称紫荆半导体，Cercis-Semi）于2024年11月29日成立，专注于RISC-V车规级芯片的设计，其产品不仅给长城使用，也会供应整个汽车行业。紫荆半导体首席战略官许兴奎在不久前的RISC-V中国峰会上表示，紫荆半导体的第一目标是通过自研产品实现全栈可控的RISC-V车规级芯片供应；第二个目标是2028年以后，通过并购、合作，实现IPO的目标；最终将紫荆半导体打造成一个平台型的芯片供应商。其自研产品方面主要集中在MCU、模拟芯片和域控SoC。据他介绍，其旗舰产品“紫荆M100”是一款32位RISC-V MCU，符合ISO 26262 ASIL-B安全等级，支持国密HSM、ISO 21434标准和AEC-Q100 Grade 1认证。紫荆M100采用4级流水线架构，性能提升38%，增强型ESD设计（HBM±8kV，CDM±2000V）满足越野场景需求，实现CPU核、核心IP和配套软件100%自主研发。图片来源：紫荆半导体紫荆M100的研发速度创行业纪录： 6个月完成FPGA点亮，12个月实现流片，6个月完成ASIL-D开发流程。据悉，目前紫荆M100量产芯片已经下线，正在封装测试，预计9月份上车测试，计划2026年Q1完成上车任务。除了M100，紫荆半导体还在规划M200，M300产品的研发。其中M200将采用40nm工艺，计划2026年年底实现交付，应用于T-Box更复杂的场景；M300预计今年年底将会启动研发，应用于动力底盘应用。二进制半导体：央企联合的高可靠性探索作为由中国信科与东风汽车两大央企联合孵化的“国家队”选手，武汉二进制半导体自成立之初就肩负着推动车规MCU产业化的重任。二进制研发团队从2017年开始切换到RISC-V赛道，并于2019年研发成功了RISC-V架构的工业控制MCU，2021年研发过工业交换的SoC产品。在2024年11月正式推出RISC-V架构的全流程自主可控的高性能MCU芯片DF30。据悉，DF30这款车规级MCU是由东风汽车定义，二进制半导体负责设计的一款RISC-V产品。它采用了芯来科技NA900系列处理器IP、使用多核锁步处理器、最高主频为350MHz、采用了国内40nm车规工艺，全流程国内闭环，功能安全等级达到了ASIL-D，具有低功耗、高规格及国民商等多种安全加密算法。在二进制半导体CTO陈永洲看来，在技术创新上，DF30实现了四大关键突破：首先，基于开源RISC-V架构，显著提升了开发与调试的速度和灵活性；其次，通过算法、硬件与软件的深度融合，构建了多重安全机制下的可信执行环境；再者，它支持高性能的定时管理单元、高精度的PWM波形调制，以及可编程的MCS内核，能实现复杂的8线程控制；最后，也是至关重要的一点，DF30是国产先进工艺的首次车规级应用，标志着从设计到制造的全面自主。 DF30不仅仅是一款新产品的发布，更是对“全流程自主可控”的一次全面实践。陈永洲强调，这款芯片实现了高达ASIL-D级别的功能安全，通过了严苛的AECQ100认证，并采用了先进的多核锁步处理器架构。在技术创新上，DF30实现了四大关键突破：首先，基于开源RISC-V架构，显著提升了开发与调试的速度和灵活性；其次，通过算法、硬件与软件的深度融合，构建了多重安全机制下的可信执行环境；再者，它支持高性能的定时管理单元、高精度的PWM波形调制以及可编程的MCS内核，能实现复杂的8线程控制；最后，也是至关重要的一点，DF30是国产先进工艺的首次车规级应用，标志着从设计到制造的全面自主。为了确保DF30的可靠性，二进制团队对其进行了包含295项基础、压力和应用测试在内的系统性验证，并成功完成了上车的冬季实地摸底测试，证明了其在极低温环境下的稳定、可靠与安全性。目前，团队正积极筹备夏季热区测试，为大规模量产铺平最后道路。在推动产业化方面，二进制半导体深知“孤木不成林”的道理。公司同步释放了OS、MCAL、SDK等全套AUTOSAR软件及其配套开发环境，目前已联合多家头部企业完成了发动机和安全气囊控制器的开发，极大地缩短了客户的应用开发周期。同时，二进制积极投身于RISC-V生态共建，从修复Linux Kernel的BUG，到推动完善国产AUTOSAR生态，再到联合伙伴优化编译器工具（使编译负载率降低12%），全方位地为RISC-V在汽车领域的繁荣贡献力量。陈永洲最后呼吁，RISC-V车规生态的成熟需要全行业的协同攻坚，共同推动一个真正自主可控的中国“芯”体系的构建。芯来科技：RISC-V车规IP的“破冰者”，定义安全与标准在产业链的上游，作为一家纯粹的CPU IP供应商，芯来科技扮演了RISC-V车规生态“破冰者”和“奠基人”的角色。芯来科技目前有3款针对汽车应用的RISC-V内核IP产品，分别是NA300、NA900和NA1000，其中NA9000对标Arm的R52、A55系列内核，NA1000对标Arm的A76、A78内核。芯来科技汽车电子产品经理范添彬表示，虽然近几年来国内车规芯片厂商比较多，但车规IP并不多，无论是功能安全的ISO26262标准，还是真正的量产，车规IP相对可参考的经验比较少，成熟方案就更少了。对于新兴的RISC-V架构而言，一张权威的功能安全认证证书是进入汽车行业的“敲门砖”，它能极大降低客户的解释成本和集成风险。为了拿到这张“入场券”，芯来科技针对不同的安全等级，提供了精细化的解决方案： ASIL-D方案：采用物理上“硬碰硬”的双核锁步（Lock-Step）机制。这种方案虽然在诊断覆盖率上无懈可击，能达到99%，但会带来约2.5倍的面积增加，因此更适用于对成本不极度敏感的核心安全控制器。 ASIL-B方案：则是一种更为精巧的软硬件结合方案。硬件层面，通过ECC、关键寄存器备份等方式处理随机硬件失效和软失效；软件层面，芯来提供了一套强大的软件自测库（STL），通过在CPU运行时注入自检程序，来周期性地诊断硬件的健康状况，确保在不大幅增加硬件成本的前提下，达到超过90%的故障诊断覆盖率。一系列成就的背后，是芯来科技对ISO 26262标准的深刻理解和严格遵循。他们创新性地将整车厂的FMEA（失效模式与影响分析）方法论应用到了IP的微架构设计中，对每一个子模块的失效模式都进行了详尽的分析和验证关联，并建立了完整的CPU开发V模型，确保了产品的最高质量。目前，芯来的NA系列车规IP已获得18家客户的正式授权，其中4家已实现大规模量产，其IP方案被广泛应用于东风DF30、矽力杰SA32D6等真实的车规芯片中，覆盖了除自动驾驶主控A核外的绝大多数车身、底盘和网关控制场景。奕斯伟计算：构筑“RISC-V + AI”计算矩阵，赋能智能汽车场景与聚焦于MCU的二进制和紫荆不同，北京奕斯伟计算则展示了其作为智能解决方案提供商的广阔视野。在智能汽车场景，奕斯伟计算可提供智能座舱、智能控制解决方案。其中，智能座舱解决方案通过RISC-V技术矩阵打通从图像采集到屏幕显示完整链条，提供涵盖车载视觉感知、通信连接及人机交互的整体解决方案；智能控制解决方案涵盖采用自研RISC-V内核的车载通用MCU和车载电机专用MCU，具有外设接口丰富、实时控制精度高、强容错与安全保障、轻量级AI应用等优势，可应用于车门、车窗、安全带、座椅等。图：奕斯伟计算展示的智能汽车解决方案也就是说，奕斯伟计算的产品布局覆盖了从感知、连接、通用控制到区域控制器的多个关键领域，其核心竞争力在于能够利用一个成熟的技术平台，快速开发出针对不同应用场景、且均达到ASIL-B功能安全等级的系列化芯片。在IP产品方面，奕斯伟计算的RISC-V内核IP R500A在今年6月份通过了德国莱茵TÜV颁发的ASIL-B功能安全认证，成为全球首个通过德国莱茵TÜV ASIL-B 功能安全认证的RISC-V 内核。 R500A是一款高性能32位RISC-V车规级实时内核产品。其CoreMark性能高达5.794 CoreMarks/MHz，即在每兆赫兹主频下可实现约 5.794 分的计算性能，DMIPS在legal和best分别达到2.552、7.297DMIPS/MHz。凭借精简高效的架构设计，R500A在实时性、低延迟及安全隔离性上表现卓越。结语除了上面提到的这些公司，SiFive、晶心科技、阿里巴巴达摩院的玄铁团队、国芯科技等也是RISC-V车规级芯片的重要参与者。此外，还有更多生态链的企业，比如经纬恒润、普华、兆松科技、IAR System、知从科技等多家企业也都在为RISC-V芯片上车在做着努力。可以预见的是，未来几年将会有更多的RISC-V芯片会在汽车上出现，而中国企业在RISC-V汽车电子赛道上已经全面布局和深度耕耘，这展示出他们不仅是技术的追随者，更是标准的参与者和生态的共建者。更预示着，一个由中国企业深度参与并塑造的RISC-V汽车电子新生态正破土而出，蓄势待发。

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