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展会 | 2025年PCIM Asia Shanghai国际研讨会聚焦电力电子关键应用，共话行业未来发展

亚洲电力电子业界的年度学术会议，PCIM Asia Shanghai国际研讨会将于九月重返上海。本届国际研讨会将聚焦碳化硅、氮化镓、电机驱动和运动控制等热门话题及前沿技术，齐聚业界领袖、技术专家、科研学者分享先进技术解决方案，展望行业未来发展趋势。今年研讨会更设立与演讲者对话专区，为参与各方提供一个专业、开放且高效的交流平台，进一步深化各方的互动与合作。作为亚洲电力电子业界的学术盛会，PCIM Asia Shanghai国际研讨会每年都会与上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会（PCIM Asia Shanghai）同期举行。研讨会专注探索运动控制系统、电源和电力供应解决方案等行业热门话题。其中，电力电子元件及系统、电力转换、智能运动相关的前沿技术和行业趋势都将在研讨会期间得以展示。来自电子行业、应用领域以及科研院所的一众业界精英将于现场分享他们的真知灼见，共议行业未来。 2025年研讨会将有95场演讲，深入探索电力电子于不同领域的应用、先进技术与发展。研讨会将设置主题演讲、口述专场、墙报交流专场、特邀演讲共四大报告形式，满足参与各方多样化的交流需求，打造精彩纷呈的知识共享平台。主题演讲主题演讲将聚焦电力电子领域的前沿发展，围绕数据中心、芯片供电和新能源汽车三大应用场景，探讨能效提升、功率密度优化及可靠性增强等方面的技术突破：华为数字能源侯召政先生将探讨AI数据中心供电架构的演进趋势，分析从高压输入到芯片供电链路的解决方案。剑桥大学龙腾教授将分享高密高效智算芯片供电电源技术，解析如何通过先进电力电子技术满足高性能处理器挑战性的供电需求。苏州汇川联合动力刘畅先生将阐述电动汽车电力电子变换器的技术演进，从系统架构到制造工艺全方位展望未来发展方向。特邀演讲：“功率芯粒技术—面向未来电力电子的超高功率密度平台” 本场特邀演讲将首次提出“电源芯粒（Power Chiplet）”创新概念，作为应对AI服务器、电动汽车车载充电器等领域对元器件小型化日益增长需求的新一代解决方案。演讲由九州工业大学大村一郎教授组织、富士电机藤岛直人先生主持，汇聚了来自中日欧的杰出专家学者，共同探讨芯片嵌入式PCB技术实现超高功率密度和系统集成的创新路径，为突破摩尔定律限制、降低成本并实现异构集成提供了全新思路。九州工业大学大村一郎教授将分享下一代电力电子系统的电源芯片技术； Fraunhofer研究所的Lars Boettcher博士介绍碳化硅MOSFET集成的高性能功率模块； Aoi Electronics的Yoshiaki Aizawa先生分享面向AI和汽车应用的芯片嵌入式面板级电源封装；珠海越亚半导体的冯磊先生则解析电源芯片模组的先进封装方案。口述专场及墙报交流专场亮点口述专场及墙报交流专场将云集来自富士电机、哈尔滨工业大学、三菱电机、同济大学、英飞凌等龙头企业与知名学府的专家学者。他们将分享来自产业界和学术界的优秀论文，围绕硅器件、电动汽车、功率转换、宽禁带功率器件技术、封装、外围元件和电路、智能电网等热门主题展开交流讨论，探索一系列电力电子业界关键细分领域的先进产品、技术突破以及前沿研究的应用与创新，为参与各方搭建沟通桥梁，推动产业知识共享。与演讲者对话专区：深度交流，共筑行业未来本届研讨会特别设立了与演讲者对话专区，演讲人的专业分享将突破传统的单向输出交流形式。专区将为演讲嘉宾提供专属展台，为演讲嘉宾与参会观众搭建更直接、深入的互动平台，促进产学研交流对话。听众可以就演讲中的关键内容、行业热点问题或个人关注的领域，向演讲人提出针对性的问题，分享自身的见解与经验，与一众行业领袖建立长效合作纽带，让创新想法在现场转化为商业机遇。四大奖项表彰电力电子行业杰出成就 PCIM Asia Shanghai国际研讨会将继续颁发多个奖项，表彰为电力电子领域创新及持续发展作出重要贡献的人士。研讨会顾问专家将从创新性、严谨性、应用价值等方面进行评分，最终从95篇优秀投稿中评选出最佳论文奖（由三菱电机赞助）、青年工程师奖（由赛米控丹佛斯赞助）和高校科学家奖（由英飞凌科技赞助）三大奖项的得奖者。另外，本届研讨会也新设置优秀墙报奖，由专场主持人根据演讲人的论文、墙报、现场展示、专业知识及问答情况，当场评选并颁发奖金、奖杯和奖状，以嘉奖墙报演讲人。 2025年PCIM Asia Shanghai国际研讨会观众报名登记现已开放，8月31日前报名更可享早鸟优惠，欢迎有兴趣参与人士登入：https://qr.messefrankfurt.com/03da5报名参会。更多演讲人介绍请浏览https://pcimasia-shanghai.cn.messefrankfurt.com/shanghai/zh-cn/programme-events/pcim-asia-conference.html或关注微信公众号：PCIM电子电力新时代欲了解更多有关PCIM AsiaShanghai的详情，请浏览www.pcimasia-shanghai.com或电邮至pcimasia@china.messefrankfurt.com。 PCIM Asia Shanghai由广州光亚法兰克福展览有限公司和德国美赛高法兰克福展览有限公司联合举办。展会同时也是PCIM品牌一系列全球展会的成员之一，该品牌的其他展会包括： PCIM Asia New Delhi Conference：2025年12月9至10日，印度，新德里 PCIM Expo & Conference—PCIM国际电力组件、可再生能源管理展览会暨研讨会：2026年6月9至11日，德国，纽伦堡 PCIM Asia Shenzhen—深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会：2026年8月26至28日，中国，深圳

PCIM

PCIM . 2025-08-08 1105
产品 | 精准时钟，驱动未来 —— 澜起科技重磅发布多款高性能时钟芯片

澜起科技今日正式宣布，继时钟发生器芯片成功量产后，公司旗下时钟缓冲器和展频振荡器产品已正式进入客户送样阶段。该系列时钟产品凭借高性能、低功耗及易用性等核心优势，将为人工智能、高速通信、工业控制等关键领域提供精准、可靠的时钟信号支撑。作为电子系统的“心脏”，时钟芯片产生的脉冲信号是系统运行的基石，其信号质量直接决定了系统的稳定性与可靠性。澜起科技依托在数模混合芯片设计、核心I/O技术和PLL模块等关键技术的深厚积累和技术创新，成功研发出性能达到国际领先水平的时钟芯片系列产品，为多领域电子系统构建从源头到终端的完整时钟树解决方案，赋能系统高效稳定运行。产品类型：时钟发生器：支持最高4路独立差分输出，提供业界领先的高精度时钟源。时钟缓冲器：具备4至10路可扩展输出，实现信号无损分配。展频振荡器：通过先进的展频技术，有效抑制电磁干扰 (EMI)，显著提升系统稳定性。核心优势：采用先进的数模混合架构，实现了业界领先的超低输出相位噪声。每个输出通道均支持独立配置I/O类型、驱动能力、电压值、输出频率及展频参数，能够精准匹配不同接收端的需求。显著提升信号完整性，有效降低系统功耗与设计复杂度。随着人工智能算力需求的爆发式增长、5G通信的持续升级以及工业自动化程度的不断深化，市场对时钟信号的精度与稳定性提出了越来越严苛的要求。澜起科技的时钟芯片产品凭借高可靠性、超低抖动和广泛的适配能力，已成功通过多家头部客户的严格测试验证。未来，该系列产品将广泛应用于人工智能服务器与数据中心、通信基础设施、工业控制设备、消费电子及汽车电子等领域。澜起科技总裁Stephen Tai先生表示：“时钟芯片是数字系统的脉搏，精准的时序信号是系统稳定运行的基石。澜起科技通过持续的技术创新，为客户提供兼具卓越性能与高度灵活性的解决方案。此次系列产品的成功发布，标志着澜起科技在高精度时钟芯片领域迈出了关键的一步。未来，我们将持续深耕核心技术，以客户需求为导向，助力千行百业加速实现数字化与智能化的转型升级。”

澜起科技

澜起科技 . 2025-08-08 1 4740
企业 | 特斯拉解散Dojo团队

知情人士透露，特斯拉将解散其 Dojo 超级计算机团队，其负责人也将离职，这将颠覆该汽车制造商开发无人驾驶技术内部芯片的努力。据不愿透露姓名、因讨论内部事务而不愿透露姓名的消息人士透露，Dojo 项目负责人彼得·班农 (Peter Bannon) 即将离职，首席执行官埃隆·马斯克 (Elon Musk) 已下令停止该项目。消息人士称，该团队最近有约 20 名员工跳槽至新成立的 DensityAI，剩余的 Dojo 员工将被调往特斯拉内部的其他数据中心和计算项目。消息人士称，特斯拉计划增加对外部技术合作伙伴的依赖，包括用于计算的 Nvidia 和 Advanced Micro Devices，以及用于芯片制造的三星电子。据彭博社本周报道，即将正式亮相的DensityAI正在研发芯片、硬件和软件，用于驱动人工智能数据中心，这些数据中心可用于机器人、人工智能代理、汽车应用等多个领域。该公司由Dojo前负责人Ganesh Venkataramanan以及特斯拉前员工Bill Chang和Ben Floering创立。彭博社报道后，特斯拉股价延续盘后跌势，截至纽约时间下午 5 点 29 分，跌幅不到 1%。今年，特斯拉面临着核心人才的流失，因为它面临着日益激烈的竞争、销量下滑以及消费者对马斯克政治活动的强烈不满。Optimus 工程主管米兰·科瓦奇 (Milan Kovac) 和软件工程副总裁戴维·刘 (David Lau) 已于今年早些时候离职，而彭博社在 6 月份报道称，马斯克的长期密友奥米德·阿夫沙尔 (Omead Afshar) 也突然离职。这家电动汽车制造商上个月与三星达成了一项价值 165 亿美元的协议，以确保到 2033 年为止的人工智能半导体供应。该计划是利用即将在德克萨斯州建立的工厂来生产特斯拉的下一代 AI6 芯片，从而使特斯拉的采购渠道多元化，不再局限于领先的芯片制造商台湾半导体制造公司。马斯克在特斯拉最近一次季度财报电话会议上暗示了一项战略转型，暗示公司未来内部技术的迭代可能会与合作伙伴的技术融合。“考虑到Dojo 3和AI6推理芯片，直觉上，我们希望在那里找到融合点，也就是基本上是同一款芯片，”马斯克在7月23日的电话会议上表示。特斯拉首席执行官去年承认，公司可能不会永远追求 Dojo，而是更多地依赖外部合作伙伴。 “我们正在寻求英伟达和 Dojo 的双轨发展，”马斯克在 2024 年 1 月表示。“但我认为 Dojo 的前景渺茫。但值得一试，因为回报可能非常高。” 特斯拉Dojo回顾埃隆·马斯克不想让特斯拉仅仅成为一家汽车制造商。他希望特斯拉成为一家人工智能公司，一家搞清楚如何让汽车实现自动驾驶的公司。对这项任务至关重要的是Dojo，这是特斯拉定制的超级计算机，旨在训练其全自动驾驶 (FSD) 神经网络。FSD 实际上并非完全自动驾驶；它可以执行部分自动驾驶任务，但仍然需要驾驶员保持专注。但特斯拉认为，随着数据、计算能力和训练的不断提升，它可以从近乎自动驾驶迈向完全自动驾驶。这就是 Dojo 的作用所在。马斯克一直在调侃 Dojo，但这位高管在 2024 年期间一直在加紧讨论这款超级计算机。如今已是 2025 年，另一台名为 Cortex 的超级计算机也加入了讨论，但 Dojo 对特斯拉的重要性或许依然生死攸关——随着电动汽车销量下滑，投资者希望特斯拉能够实现自动驾驶。以下是 Dojo 的提及和承诺时间线。 2019，首次提及 Dojo 当年4月22日——在特斯拉自动驾驶日（Autonomy Day）上，这家汽车制造商的人工智能团队登台演讲，探讨了自动驾驶和全自动驾驶，以及驱动两者的人工智能。该公司分享了特斯拉专为神经网络和自动驾驶汽车设计的定制芯片的信息。发布会上，马斯克透露 Dojo 是一台用于训练人工智能的超级计算机。他还指出，届时生产的所有特斯拉汽车都将配备实现完全自动驾驶所需的所有硬件，只需进行软件更新即可。 2020 年，马斯克开始 Dojo 路演 2 月 2 日——马斯克表示，特斯拉很快将在全球拥有超过一百万辆联网汽车，这些汽车配备了实现完全自动驾驶所需的传感器和计算能力，并大力宣传 Dojo 的功能。我们的训练超级计算机 Dojo 将能够处理海量视频训练数据，并高效运行具有海量参数、充足内存和超高核心间带宽的超空间阵列。稍后我们将详细介绍。 8月14日—— 马斯克重申特斯拉计划开发一款名为Dojo的神经网络训练计算机，旨在“处理真正海量的视频数据”，并称其为“一头野兽”。他还表示，Dojo的第一个版本“大约需要一年时间”才能发布，这意味着它的发布日期将在2021年8月左右。 12月 31日 ——埃隆表示， Dojo并非必需，但它会让自动驾驶变得更好。“仅仅比人类驾驶员更安全是不够的，Autopilot最终需要比人类驾驶员安全10倍以上。” 2021年，特斯拉正式推出 Dojo 8月19日——特斯拉在首届“AI Day”上正式宣布推出Dojo超级计算机，旨在吸引工程师加入特斯拉的AI团队。特斯拉还推出了其D1芯片，并表示将与英伟达的GPU一起为Dojo超级计算机提供动力。特斯拉指出，其AI集群将容纳3000块D1芯片。 10 月 12 日——特斯拉发布Dojo 技术白皮书，题为“特斯拉可配置浮点格式和算法指南”。该白皮书概述了一种新型二进制浮点算法的技术标准，该算法用于深度学习神经网络，可以“完全以软件、完全以硬件或任何软件和硬件的组合”实现。 2022年。特斯拉公布 Dojo 进展 8 月 12 日——马斯克表示，特斯拉将“逐步采用 Dojo。明年将不再需要购买那么多增量 GPU。” 9月30日——在特斯拉第二届人工智能日（AI Day）上，该公司宣布已安装首个Dojo机柜，并进行了2.2兆瓦的负载测试。特斯拉表示，他们每天构建一块芯片（由25块D1芯片组成）。特斯拉在台上演示了Dojo，并运行稳定扩散模型，创建了一幅由AI生成的“火星赛博卡车”图像。重要的是，该公司设定了完整的 Exapod 集群完成目标日期，即 2023 年第一季度，并表示计划在帕洛阿尔托建造总共 7 个 Exapod。 2023年。“不太可能的赌注” 4 月 19 日——马斯克在特斯拉第一季度财报发布会上告诉投资者，Dojo“有可能将培训成本提高一个数量级”，并且“有可能成为一种可销售的服务，我们会像亚马逊网络服务提供网络服务一样向其他公司提供这种服务”。马斯克还指出，他“将 Dojo 视为一种不太可能成功的赌注”，但“值得一试”。 6月21日——特斯拉AI X账号发布消息称，该公司的神经网络已经应用于客户车辆。该帖子包含一张图表，展示了特斯拉当前和预计的计算能力时间表，其中显示Dojo将于2023年7月投产，但目前尚不清楚这指的是D1芯片还是超级计算机本身。马斯克当天表示，Dojo已经上线并在特斯拉数据中心运行任务。该公司还预测，到 2024 年 2 月左右，特斯拉的计算能力将跻身全球前五（没有迹象表明这一预测成功），到 2024 年 10 月，特斯拉的计算能力将达到 100 exaflops。 7月19日——特斯拉在第二季度财报中指出，Dojo电动汽车已开始生产。马斯克还表示，特斯拉计划到2024年在Dojo上投入超过10亿美元。 9月6日——马斯克在X上发帖称，特斯拉受到AI训练计算能力的限制，但英伟达和Dojo将解决这个问题。他表示，管理特斯拉每天从其汽车获取的约1600亿帧视频数据极其困难。 2024年，扩大规模的计划 1月24日——在特斯拉第四季度及全年财报电话会议上，马斯克再次承认Dojo是一个高风险、高回报的项目。他还表示，特斯拉正在“走Nvidia和Dojo的双轨路线”，“Dojo正在发挥作用”，并且“正在开展训练工作”。他指出，特斯拉正在扩大Dojo的规模，并制定了“Dojo 1.5、Dojo 2、Dojo 3等一系列计划”。 1月26日——特斯拉宣布计划斥资5亿美元在布法罗建造一台Dojo超级计算机。马斯克随后淡化了这笔投资的重要性，他在X上发帖称，虽然5亿美元是一笔巨款，但“仅相当于英伟达的10k H100系统。特斯拉今年在英伟达硬件上的投入将超过这个数字。目前，在人工智能领域保持竞争力的门槛至少是每年数十亿美元。” 4 月 30 日——据 IEEE Spectrum 报道，在台积电的北美技术研讨会上，该公司表示 Dojo 的下一代训练模块 — — D2 已经投入生产，该模块将整个 Dojo 模块放在一块硅晶片上，而不是连接 25 块芯片来制作一块模块。 5 月 20 日——马斯克指出，Giga Texas 工厂扩建的后部将包括建造“超密集、水冷超级计算机集群”。 6月4日——CNBC报道称，马斯克将为特斯拉预留的数千块英伟达芯片转给了X和xAI。马斯克最初否认该报道不实，但在X上发帖称，由于德州超级工厂（Giga Texas）南扩建工程仍在继续，特斯拉没有地方发送这些英伟达芯片，“所以它们只能放在仓库里”。他指出，该扩建工程将“容纳5万辆用于全自动驾驶（FSD）训练的H100芯片”。他还发帖称： “我之前说过，特斯拉今年将在人工智能方面投入约 100 亿美元，其中约一半用于内部支出，主要是特斯拉设计的人工智能推理计算机和所有车型的传感器，以及 Dojo。用于构建人工智能训练超级集群的 Nvidia 硬件约占总成本的三分之二。我目前对特斯拉今年收购 Nvidia 硬件的最佳预测是 30 亿至 40 亿美元。” 7月1日——马斯克在特斯拉X上透露，目前的特斯拉汽车可能没有合适的硬件来支持该公司的下一代AI模型。他表示，如果不升级车辆推理计算机，“下一代AI的参数数量增加约5倍”将“非常难以实现”。 NVIDIA 供应挑战 7 月 23 日——在特斯拉第二季度财报电话会议上，马斯克表示，对 Nvidia 硬件的需求“如此之高，以至于通常很难获得 GPU”。 “因此，我认为我们需要在 Dojo 上投入更多精力，以确保我们拥有所需的训练能力，”马斯克说道，“我们确实看到了 Dojo 能够与英伟达竞争的潜力。” 特斯拉投资者演示文稿中的一张图表预测，到2024年底，特斯拉的AI训练能力将从6月份的约4万个提升至约9万个H100 GPU。当天晚些时候，马斯克在X上发布消息称，Dojo 1“到年底将拥有约8000个H100 GPU的在线训练能力”。他还发布了这台超级计算机的照片，它似乎采用了与特斯拉Cybertruck相同的类似冰箱的不锈钢外壳。从 Dojo 到 Cortex 7 月 30 日—— 马斯克在回复某人的帖子时表示，AI5 距离大规模生产还有大约 18 个月的时间，该帖子声称要成立一个“特斯拉 HW4/AI4 车主对 AI5 推出时落后感到愤怒”的俱乐部。 8 月 3 日——马斯克在 X 上发帖称，他参观了“Giga Texas（又名 Cortex）的特斯拉超级计算集群”。他指出，该集群将由大约 100,000 个 H100/H200 Nvidia GPU 组成，并“拥有用于 FSD 和 Optimus 视频训练的海量存储空间”。 8 月 26 日——马斯克在 X 上发布了Cortex 的视频，他将其称为“正在奥斯汀特斯拉总部建造的巨型新型 AI 训练超级集群，旨在解决现实世界的 AI 问题”。 2025 年，Dojo 不再更新 1月29日——特斯拉在2024年第四季度及全年财报电话会议上并未提及Dojo。不过，特斯拉在奥斯汀超级工厂的全新AI训练超级集群Cortex却亮相了。特斯拉在股东大会上指出，Cortex已完成部署，该集群由约5万块H100 Nvidia GPU组成。信中写道：“Cortex 帮助实现了 FSD（监督式）的 V13，由于数据量增加了 4.2 倍、视频输入分辨率更高……以及其他增强功能，其安全性和舒适性得到了重大提升。” 在电话会议中，特斯拉首席财务官 Vaibhav Taneja 指出，特斯拉加快了 Cortex 的建设，以加速 FSD V13 的推出。他表示，包括基础设施在内的 AI 相关资本支出“迄今为止已累计约 50 亿美元”。Taneja 表示，他预计 2025 年 AI 相关资本支出将持平。

特斯拉

芯视点 . 2025-08-08 1 1725
产品 | 英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN™生态系统

英诺赛科 (Innoscience) 双向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性价比，可支持新型双向电力电子系统。它取代了传统的背靠背 Si MOSFET，显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统的尺寸，降低了 BOM 成本。当前，我们正在扩展组件生态系统，通过100V 低边驱动 IC INS1011SD 支持 VGaN™。 INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系统更小、更高效、更低成本！英诺赛科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低边驱动器芯片 INS1011SD，旨在优化 40V 至 120V 双向 VGaN™的栅极驱动，简化 BMS（电池管理系统）中的低边电池保护，并消除笨重复杂的背靠背 Si MOS 设计。全球首款，性能卓越超低功耗：8uA 典型静态电流，极大延长电池待机时间高速开关：具备高速开通和关断能力，能够快速响应故障保护系统强驱动力：能够驱动多颗VGaN™并联，满足大电流应用广泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制逻辑宽工作电压与高耐压：VCC提供从8V-90V的电压范围，且关键引脚耐压高标准封装：标准SOP-8封装，方便使用和贴装革命性替代，颠覆传统BMS 英诺赛科 100V 低边驱动芯片 INS1011SD 专为驱动 VGaN™而生，二者结合完美替代传统两颗或多颗背靠背SiMOS及其驱动方案，带来小型化、轻量化、降成本的系统优势。减小系统尺寸和重量： VGaN™体积小，能够以一替二，简化驱动电路；降低系统成本：减小器件数量，如MOSFET、相关驱动及PCB占板面积；提升效率： VGaN™导通电阻Rds(on)更低，开关损耗更小；简单易用：INS1011SD兼容现有主流AFE/MCU控制逻辑，方便工程师集成到现有BMS设计中多领域赋能，提升应用价值高性能 INS1011SD+双向 VGaN™，可广泛应用于电池管理系统（BMS）低边保护、储能电池包、电动交通电池保护、不间断电源和蓄电池保护以及电动工具等电池供电设备保护等，实现更小、更轻、更省、更高效的优势！至此，英诺赛科完成了从单一VGaN™系列到“ VGaN™+专用驱动”的完整解决方案的迈进，推动氮化镓技术实现更广泛、更便捷的应用，构建完善生态。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-08 1430
市场 | 2025年Q2全球智能手机营收首次突破1000亿美元，创历史同期新高

2025年第二季度全球智能手机营收同比增长10%，首次在第二季度突破1000亿美元大关。前五大品牌在2025年第二季度均实现营收同比增长，其中苹果表现最为亮眼，增幅达13% 苹果第二季度营收创历史新高，占据全球智能手机市场营收的 43%。 2025年第二季度全球智能手机平均售价（ASP）达到同期历史最高水平，同比增长7%，其中OPPO在五大品牌中ASP增幅最大，达14%。根据Counterpoint Research最新发布的市场监测服务显示，2025年第二季度全球智能手机市场营收同比增长10%，首次突破1000亿美元大关，创下第二季度历史最高纪录。相比之下，全球智能手机出货量同比增长仅3%。与此同时，2025年第二季度全球平均售价（ASP）也创下第二季度新高，同比上涨7%，接近350美元。高级分析师Shilpi Jain在评论2025年第二季度的市场动态时表示：“尽管多地仍承受宏观经济逆风，全球智能手机市场在 2025 年第二季度依旧实现了销量和营收的双重增长。随着美国关税政策逐步放松，高端设备需求在发达市场表现尤为强劲。融资渠道的拓宽、以旧换新计划的升级，以及更大力度的促销活动，共同降低了消费者进入高端市场的门槛，使高端化进程的速度超出此前预期。” 全球智能手机市场营收同比增长10%，创下第二季度历史纪录数据来源：Counterpoint 市场监测服务初步数据注：自2021年第三季度起，OPPO包含一加品牌数据；ASP以批发价格为基准关于苹果公司的业绩，研究总监Jeff Fieldhack表示：“苹果公司凭借iPhone 16系列产品在全球范围的出色表现及更广泛的全球智能手机市场高端化趋势，进一步巩固了其营收领先地位。由于关税的不确定性，本季度苹果在美国的出货节奏有所提前。与此同时，日本市场受iPhone 16e的带动实现了销售增长，使日本成为苹果增长最快的地区之一。中东、非洲和印度等新兴市场也继续保持强劲增长。” 三星在2025年第二季度继续保持全球智能手机出货量的领先地位，同时营收同比增长4%。该品牌增长主要得益于各地区对其更新的中端A系列设备的强劲需求，同时Galaxy S25系列及新增的S25 Edge机型推动了其在高端市场的销量。 OPPO的ASP在2025年第二季度同比增长14%，为前五大品牌中增幅最高，而其营收则同比增长10%。尽管出货量有所下降，但凭借Reno 13系列与Find X8等高端机型的持续t推动，OPPO实现了ASP与营收的双增长。 vivo在2025年第二季度的营收同比小幅增长4%，出货量则同比增长5%。该品牌持续在印度、中东与非洲和拉丁美洲等市场扩张，同时逐步提升其在欧洲市场的份额。展望未来， Counterpoint预计全球智能手机市场的高端化趋势将延续， 2025 年营收增幅将跑赢销量增长。此外，随着生成式人工智能（ GenAI ）手机与折叠屏机型的关注度持续上升，这两大新兴趋势有望为全球智能手机市场带来显著的增长机会。

智能手机

Counterpoint Research . 2025-08-08 2355
应用 | 智芯半导体电机驱动芯片来袭，让汽车智能座舱吸顶屏“智”启未来新视界！

随着智能汽车向“第三生活空间”演进，座舱的交互与娱乐体验成为车企竞争的新高地。吸顶屏作为提升后排乘客体验的核心部件，其智能化、轻量化、高可靠性的需求日益凸显。智芯半导体凭借自主研发的车规级电机驱动芯片Z20A8300，成功赋能国内某头部智能座舱供应商的吸顶屏折叠系统，以高精度控制、低功耗设计及功能安全认证，推动智能座舱技术升级。智能吸顶屏：座舱体验的“第二屏幕”革命吸顶屏正从单一的显示设备进化为集娱乐、办公、社交于一体的智能终端。现代吸顶屏需满足三大核心需求：空间适应性：通过电动折叠结构减少对车内空间的占用，提升天窗通透性。交互精准性：支持多角度调节，适配不同乘客的观影距离与视角。高可靠性：需通过车规认证（如AEC-Q100），确保在振动、温变等严苛环境下稳定运行。智芯半导体的电机驱动芯片Z20A8300，正是为这类高要求场景量身定制。该芯片符合AEC-Q100 Grade 1标准，支持ASIL-B功能安全等级，与智芯MCU Z20K14X及自主开发的FOC控制算法相结合,可精准控制吸顶屏的折叠电机，实现吸顶屏的丝滑转动。智芯电机驱动芯片的技术硬实力高集成度设计，简化系统架构 3个N-MOS半桥栅极驱动，死区时间可配置集成增益和偏置可配置的运放 SPI接口用于参数配置和诊断反馈支持高边N-MOS防反接保护 2. 功能安全与实时控制故障自诊断：内置过流、过热、欠压保护，实时监测电机状态，确保吸顶屏在异常情况下安全锁定。低延时响应：驱动芯片指令执行延迟＜1μs，满足座舱系统的实时性需求。 3. 电机控制算法支持采用Z20K14x实现双电机FOC算法，控制两个直流无刷电机，实现双电机同步工作。集成HALL自学习功能，自动学习电机的HALL相序以及HALL安装的偏置角度。支持闭环启动，电机无抖动启动，缓启缓停功能实现屏幕的优雅开合。集成自动纠偏功能，运行过程中自动纠正误差，实现屏幕角度精准控制。落地应用：头部供应商的联合创新智芯的电机驱动芯片已被国内某头部智能座舱供应商采用，用于其新一代吸顶屏系统。该方案具备以下亮点： 1. 智能调节：通过车机指令控制电机折叠/展开，结合乘客身高、座椅位置自动优化观影角度。 2. 精准控制: 采用双电机同步运行, 两个电机运行时的最大行程差在2个HALL信号以内，系统自动调整实现屏幕角度和位置精准控制。 3. 静音运行：动态阻尼控制技术将电机噪音降至40分贝以下，提升座舱静谧性。 4. 多屏联动：支持与中控屏、后排娱乐屏的内容共享，打造沉浸式交互体验。目前，该方案已通过国内某车厂的严苛认证，并于2025年第一季度量产。四、从“中国芯”到“世界芯” 技术对标国际：Z20A8300在性能上媲美TI、英飞凌等国际大厂产品，且成本降低30%。生态协同：智芯以芯片为支点，提供“电机驱动+控制算法+应用场景”全栈解决方案，与Tier 1客户深度共创，协同重构硬件架构、软件系统及控制算法，推动电动吸顶屏实现高质量、智能化视觉体验。未来，随着智能座舱向“场景化”演进，智芯半导体将持续迭代产品线，覆盖更多执行机构（如旋转屏、隐藏式出风口），助力车企打造差异化体验。

智芯

智芯SEMI . 2025-08-08 1525
应用 | 告别进口依赖！ZGAD250S14，国产频谱分析仪核心芯片的自主可控之选

频谱分析仪作为射频信号测量的"黄金标准"，在卫星通信、电子对抗、移动通信和电磁兼容测试等领域发挥着不可替代的作用。随着5G/6G通信、卫星互联网等技术的发展，对频谱分析仪的动态范围、分辨率和实时性提出了更高要求。本文将深入解析超外差式频谱分析仪的系统架构，重点介绍ZYNALOG徴格半导体自主研发的高速ADC芯片ZGAD250S14如何突破传统瓶颈，为现代频谱分析系统提供关键技术支持。图1：频谱分析仪频谱分析仪超外差架构的原理和特点超外差架构频谱分析仪的基本原理为：通过本地振荡器(LO)与混频器的协同工作，可将任意高频信号下变频至固定的中频(IF)进行处理，具有灵活的频率变换能力。其特点为：前端电路无需针对每个频段单独优化中频处理链可针对特定频率进行深度优化系统可覆盖从kHz到GHz的宽广频率测试范围对中频信号的处理，可分为传统的模拟中频处理和数字中频处理。传统的模拟中频一般会使用对数放大器、包络检波器、视频滤波器等，但由于其分辨率带宽高、扫描时间长，不利于更高要求的频谱分析应用。接下来着重介绍数字中频技术。数字中频技术：大幅突破RBW 传统的模拟中频受制于模拟LC和晶体滤波器，只能实现1kHz及更高的分辨率带宽(RBW)，而数字中频技术是现代频谱分析仪的重大革新，它可使最窄的分辨率带宽达到1Hz~300Hz。该技术通过高速ADC替代中频滤波后的模拟分辨率带宽滤波器，经ADC数字化后再采用数字滤波处理。这种架构革新不仅显著提升了测量速度和频率分辨率，更增强了仪器处理复杂信号的能力。图2：数字中频频谱分析仪方案 ZGAD250S14：重新定义频谱分析ADC标准 ADC作为数字中频技术核心器件，凭借高采样率和宽动态范围，可以将中频信号快速数字化。作为频谱分析仪信号链的"数字门户"，ZGAD250S14 ADC芯片以突破性性能树立行业新标杆。关键参数解析： 250Msps采样率：支持宽频带信号实时捕获 90dB SFDR：确保微小信号不被杂散干扰淹没 70dB SNR：提供卓越的信号保真度 1.8V单电源供电：简化系统电源设计 378mW超低功耗：解决高密度集成散热难题 1.5GHz全功率带宽：满足各类中频采样频率要求图3：基本功能框架实测性能展示在11MHz输入信号测试中，ZGAD250S14展现出：极高的采样精度极低的本底噪声优异的动态范围 11Mhz输入信号频率时AD性能完整信号链解决方案优化系统级设计徵格半导体提供从前端驱动到电压基准的完整信号链支持： ZYNALOG差分驱动器ZGA25XX参数 ZGA2501 ZGA2521 ZGA2511 供电电压(V) 4.7 – 5.25 4.7 – 5.25 2.7 - 5.5 3dB带宽(MHz) 2570 2570 500 压摆率（V/μs) 7800 7800 1100 静态电流(mA) 52 52 24 总谐波失真 (HD2/HD3) -87.2dB/-94.9dB -87.2dB/-94.9dB -99dB/-111dB 电压噪声(nV/√Hz)@1MHz 1.116 1.116 5 输入偏置电流 (μA) 56 56 8 温度范围(℃) -40℃to+125℃ -40℃to+125℃ -40℃to+125℃ 封装 UQFN-14 UQFN-16 SOIC8 兼容芯片 LMH6554 THS4508 THS4509 THS4511 THS4513 THS4520 AD8138 AD8139 AD8132 AD8131 THS4551 THS4521 ZYNALOG电压基准ZGR系列参数 ZGR12XX ZGR11XX ZGR10XX 温漂(ppm/℃) 5 15 30 输出电压(V) 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 1.25 1.8 2.048 2.5 3.0 3.3 4.096 供电电压(Vmax) 5.5V 5.5V 5.5V 精度(max) ±0.1% ±0.1% ±0.2% 温度范围(℃) -40℃ ～125℃ -40℃ ～125℃ -40℃ ～125℃ 封装 SOP-8 SOT23-3 SOT23-5 SOT23-6 SOT23-3 SOT23-5 SOT23-6 兼容芯片 REF50XX ADR42X ADR43X ADR44X ADR45XX REF31XX REF30XX REF33XX ZYNALOG优势一、品质可靠：每颗芯片均采用全正向设计，从架构定义到物理实现全程自主可控，确保产品的稳定性。二、出色性价比：保证芯片性能同时，对比国际大厂同类产品，价格更具优势。三、稳定交付：交付周期准时可靠，保证每一位客户供应链的安全稳定。四、技术支持：专业顶尖的设计团队提供全周期高效的客户支持。技术赋能未来我们诚邀各行业合作伙伴共同探索频谱分析技术的创新应用，携手推进中国高端测试仪器的自主化进程。

徴格半导体

徴格半导体 . 2025-08-08 820
应用 | 应对AI智能眼镜低功耗设计挑战，引爆下一代智能终端新纪元！

随着AI与智能硬件的不断融合，AI智能眼镜已经不再是科幻作品中的产物，而是真正走进了大众生活。如今，市场上涌现出形态各异、功能丰富的AI眼镜新品，覆盖了从随身助理到健康管理的多元应用场景。操作的便捷性成为AI眼镜的一大亮点：用户无需频繁掏出手机，便可以流畅实现提词、拍摄、物体识别、实时翻译、导航、健康监测、支付等操作，其无限的应用可能性被喻为“承载人机交互应用的极佳载体”。 AI眼镜的电力挑战 AI眼镜面临的主要挑战在于电池续航能力。受限于设备本身的重量，AI眼镜所配备的电池容量通常仅为200~300mAh。为了支持多样化的应用场景，相关高性能应用处理器多采用6nm及以下的先进工艺节点。虽然该制程下的芯片具备卓越的动态运行性能，但同时带来了严重的漏电问题——随着工艺节点的微缩，芯片的漏电流呈数十倍增长。高漏电流与有限电池容量之间的矛盾显著缩短了产品的实际使用时间，对用户体验构成负面影响。 AI眼镜的主流架构当前市面上的AI眼镜解决方案主要采用两种主流架构—— "应用处理器+协处理器”架构 “应用处理器+协处理器”方案能够给用户带来更丰富的功能体验。应用处理器基于先进工艺制程，芯片偏重于高性能，通常支持高分辨率摄像头、视频编码、高性能的神经网络处理单元，Wi-Fi和蓝牙通信。协处理器通常采用成熟工艺技术芯片，芯片通常使用长通道晶体管和短通道晶体管结合，芯片侧重常开模式下低主频运行功耗和静态功耗。协处理器通常具有完整的音频接口和相当的音频处理能力，可以支持语音唤醒，语音通话和音乐播放。图像处理器GPU和显示接口可以支持矢量文字，图片的绘制，内置的AI运算处理单元还可以加速语音识别，降噪等音频算法。 “应用处理器+协处理器”架构框图 “低功耗处理器” 主控架构 “低功耗处理器” 主控方案更加注重眼镜重量、佩戴的舒适性和使用时长。重量是眼镜用户体验最核心的因素之一。低功耗处理器作为AI眼镜的主控制器可以更大规模减少外围电源器件的数量和电池体积，从而可以使眼镜重量控制在30g以内。低功耗处理器主控架构框图 i.MX RT：突破架构创新和电池续航瓶颈 i.MX RT500、i.MX RT600和i.MX RT700是恩智浦i.MX RT低功耗产品系列的三款芯片。这些芯片作为协处理器，目前被广泛应用于全球多家客户的创新AI眼镜设计中。 i.MX RT500 Fusion F1 DSP可以支持智能眼镜的语音唤醒，音乐播放和通话功能。同时, 图形处理器和显示接口最大可以支持VGA分辨率的图像显示。i.MX RT600主要作为智能眼镜的音频协处理器，最大主频600MHz的HiFi4处理器可以支持绝大多数的降噪，波束成形及唤醒算法。 i.MX RT500、i.MX RT600在芯片设计层面应用了多项低功耗技术，如I3C总线、动态电压调节、低静态功耗SRAM、工艺-电压-温度传感器、低功耗时钟源、时钟，电源域开关等。 i.MX RT700是i.MX RT系列的最新一代产品，采用双DSP（HiFi4/HiFi1）架构，支持多种复杂度的算法处理。其2.5D GPU显示控制器和MIPIDSI接口可以支持最大720P、每秒60帧图形显示。同时，i.MX RT700配备了Neutron神经网络加速单元，结合eIQ软件开发环境，能快速部署机器学习应用，极大简化客户开发流程。 i.MX RT700在低功耗设计方面实现了进一步优化，其动态功耗相比i.MX RT600降低了45%，而静态功耗仅为i.MX RT600的20%。i.MX RT700通过“精细化分区设计”实现功耗优化，片上系统分成了主计算区域（main compute domain）、传感器计算区域（sense compute domain）、媒体区域（media domain）、电源控制区域、共享区域、DSP区域及常开区域（Always-on domain）。这些区域均可通过电源开关实现独立的开启与关闭，部分区域还可根据运算频率的变化动态调节电压，实现性能与能耗的最优平衡。 AI眼镜省电秘诀：基于应用场景切换模式作为AI眼镜中的协处理器，i.MX RT700能够基于不同的应用场景，通过灵活配置电源管理和时钟域，实现角色切换：既可作为高性能多媒体数据处理的AI计算单元，也可在超低功耗状态下，作为语音输入传感器枢纽（Sensor Hub）进行数据处理。智能眼镜主要依赖语音控制实现用户交互，因此语音唤醒是使用时间最长的场景，也是决定AI眼镜电池寿命的关键。在主流方案中，协处理器需要保持激活状态以确保接收用户的语音命令，而在嘈杂环境下进行语音识别还需要降噪算法的参与。基于此用户场景，i.MX RT700可以被配置为传感器模式，此时只有HiFi1 DSP、DMA、MICFIL、SRAM、电源控制（PMC）等少数模块处于活动状态，MICFIL用于麦克风信号的采集，DMA用于麦克风信号的搬运，HiFi1 用于号的降噪和唤醒算法执行，其他芯片的内部模块都处于掉电状态。 i.MX RT700传感器枢纽模式另外，除了传感器模式的应用，低功耗无失真音频时钟源FRO, 麦克风模块的FIFO和硬件语音检测（Hardware VAD），DMA唤醒等低功耗技术也保证i.MX RT700语音唤醒场景的系统功耗可以低至1.91 mW，在持续监听的同时最大限度节省电量。对于视频显示的用户场景，i.MX RT700可以配置为“高性能模式”。在此模式下，矢量图形加速器GPU, 显示控制器（LCDIF），显示总线MIPIDSI及显示缓存xSPI2都会使能。i.MX RT700的各个外设处于高频运行模式。在“高性能模式”下，i.MX RT700也支持MIPI ULPS (Ultra Low Power State)，动态电压调节等低功耗技术。 i.MX RT700高性能图像渲染模式 i.MX RT700用到的低功耗技术还包括状态保持（State Retention Power Gated），开关电容电压转化模块（Switched Capacitor Power Converter）, 聚合电源管理（Aggregated Power Management）等等。作为AI/AR眼镜的电源管理方案，PMIC也发挥着很重要的作用。PMIC不仅可为MCU和各种外设提供电源，其所集成的DVS功能可以配合MCU实现各种复杂的高/低频率以及高/低功耗工作模式，以保证系统的整体功耗最优，电池续航时间最长。作为i.MX RT500/600的电源方案，PCA9420拥有315mA的电池充电能力，以及两路buck和两路LDO，可实现对i.MX RT500/600的电源轨全覆盖。作为i.MX RT700的电源方案，PCA9422拥有640mA电池充电能力，基于软件的电量计FLEXGAUGE™，三路buck输出，四路LDO输出，以及一个buck-boost输出，不但能够覆盖i.MX RT700的电源轨需求，还能轻松驾驭各种外设的电源需求，提供一个整体的电源管理方案。随着智能硬件与人工智能的不断融合，选择合适的低功耗高性能芯片成为产品创新的关键。i.MX RT系列凭借其深厚的技术积累，为AI眼镜等前沿应用提供了坚实的基础。本文作者尔宾，恩智浦边缘处理事业部MCU应用技术经理，毕业于北京工业大学，获通信工程学士学位、电路与系统硕士学位，于2008年加入恩智浦半导体公司后，专注于IIoT低功耗微控制器产品的应用开发和产品支持。

NXP

NXP客栈 . 2025-08-08 1 1440
技术 | 借助PCIe发展，引领数据中心的未来

随着人工智能(AI)、机器学习(ML)和云计算的发展，数据中心不得不面对爆炸式增长的数据，压力不断增长。这些工作负载需要更快、更高效的基础设施，以前所未有的速度处理和存储数据。要实现这一转型，核心在于PCIe（外围组件高速互连），这是高速数据传输的关键推动因素。随着时间推移，PCIe不断发展，已可满足现代数据中心不断增长的性能需求，成为其架构中不可或缺的一部分。但PCIe的未来是什么，它将如何继续塑造数据中心格局？借助PCIe提高数据传输率和带宽效率每一代PCIe都致力于提高数据传输速率，以支持数据密集型工作负载。例如，PCIe 6.0提供64GTps的数据传输率，比PCIe 5.0的32GTps翻了一倍，更是显著超过PCIe 2.0的5GTps。这些改进与AI/ML、云计算和大数据分析的发展保持同步，其中高带宽和低延迟至关重要。 PCIe 6.0的一个突出特性是使用PAM4（四电平脉冲幅度调制）。传统的NRZ（不归零）编码每个时钟周期传输一比特逻辑信息，而PAM4使用四个不同的电压电平，每个周期可以传输两比特逻辑信息。这样一来，PCIe 6.0能够在不增加带宽消耗的情况下将数据传输率提高一倍，这一点至关重要，因为现代工作负载需要效率，但又不能压垮现有的基础设施。 PAM4调制：为未来的PCIe世代铺平道路随着数据需求的增加，PAM4调制已成为一项基础技术，不仅体现在PCIe 6.0中，还体现在未来更迭中。它能够在不扩大带宽的情况下显著提高数据传输率，因此是带宽效率至关重要的环境的理想选择。高性能计算(HPC)和AI/ML等应用程序需要处理大量数据集，对减少延迟的要求极高。PAM4通过使吞吐量翻倍来实现这一目标，因此非常适合带宽占用大的工作负载。然而，这项技术也带来了挑战。PAM4的多个电压水平对噪声更加敏感，因此在高速下保持数据准确性更加困难。为解决这个问题，需要前向纠错(FEC)和信道均衡等技术来确保数据完整性。展望未来，随着PCIe 7.0等PCIe标准的发展，PAM4将继续在实现更快的数据传输方面发挥关键作用。利用高级解决方案解决信号完整性问题随着PCIe数据传输率的攀升，信号完整性越发成为一项巨大的挑战。高频传输会带来插入损耗、回波损耗和符号间干扰(ISI)等问题，这些问题会降低信号质量，导致数据错误和性能下降，特别是在PCIe 6.0及更高版本的高速下。 PAM4在提高数据传输率的同时，也降低了信噪比(SNR)，使得系统对噪声和信号失真更加敏感。为确保可靠的数据传输，数据中心依靠信号中继器和重定时器来辅助传输。信号中继器放大和重塑信号以抵消衰减，而重定时器则清除抖动并重新生成信号，从而提高高速信号完整性。除了信号调节，电缆解决方案对于维持信号质量也至关重要。有源电缆具有内置放大器和均衡器，有助于保持大型数据中心长距离的信号完整性。对于较短的距离，无源电缆提供了一种具有成本效益的替代方案，因为信号衰减不是什么大问题。这些解决方案协同作用，支持高速数据传输的同时也不影响性能。分离架构和AI/ML的崛起数据中心正朝着分离架构发展，其中计算、存储和网络资源被分成模块化组件。这种方法可提供更大的灵活性和可扩展性，使数据中心能够根据工作负载需求动态地分配资源。它还避免了传统整体式基础设施中出现的效率低下问题，即经常过度配置资源。 PCIe是分离架构中的关键组件，可提供连接计算、存储和网络组件所需的高速、低延迟连接。它具有可扩展性和灵活性，因此是高效连接分布式资源的理想解决方案。这对于资源密集型AI和ML工作负载尤其重要，因为它们是资源密集型的，需要以最小的延迟实现大量的数据吞吐量。PCIe可在提供高带宽的同时保持低延迟，确保数据中心能够应对日益增长的AI/ML需求，同时支持未来的技术扩展。PCIe可实现跨分离式系统的无缝数据传输，帮助数据中心管理日益复杂的工作负载。展望未来：PCIe 6.0及更高版本虽然PCIe 6.0的64 GT/s数据传输率已令人瞩目，但看起来未来能实现更快的速率。PCIe 7.0等下一代标准有望进一步推动数据传输速率，以满足AI、ML和云计算日益增长的数据需求。 PAM4调制仍将是这些进步的核心，可在不增加带宽需求的情况下实现更高的数据吞吐量。由PCI-SIG主导的全行业标准化将确保新的PCIe技术在各个系统之间顺利集成。这些标准化工作对于保持兼容性和可扩展性至关重要，使数据中心能够在不发生重大中断的情况下采用PCIe技术。 Molex莫仕实现PCIe更迭在PCIe不断更迭的背景下，高速互连对于支持现代数据中心至关重要。这些互连提供可扩展性和相应性能，可应对不断增长的工作负载，推动高效的数据处理和大吞吐量。在数据中心不断突破性能界限的过程中，Molex莫仕始终积极采用现代PCIe标准（5.0到7.0），成为高速互连领域的领军企业。Molex莫仕提供广泛的解决方案，可满足数据中心不断发展的需求，确保无缝、高速的数据传输和卓越的可靠性。 NextStream电缆组件：NextStream支持PCIe 6.0及更高版本，可为计算、AI服务器、存储和网络连接组件提供高速、低延迟的连接。这些组件采用先进的信号完整性技术，旨在最大限度地减少延迟，改善分离式数据中心的性能。此外，NextStream电缆还支持有源电缆选项（包括内部信号中继器），可满足需要更薄电缆(32 AWG/34 AWG)或需要尽量减少信号衰减的系统的严苛插入损耗要求。扩展阅读👉NearStack PCIe连接器系统：这款低型连接器系统针对PCIe 6.0进行了优化，可提供直接连接以增强信号完整性并减少延迟，支持高达64Gbps的数据传输率。其设计改善了热管理，因此是高性能计算和AI应用的理想选择。 PCIe 7.0准备就绪：Molex莫仕已经为下一代PCIe 7.0标准做好了准备，开发了相应的解决方案，可通过PAM4调制等技术提供更高的数据传输率，同时保持带宽效率。借助Molex莫仕全面的PCIe解决方案组合，数据中心架构师可以确保其基础设施能够适应未来的工作负载需求，包括AI、ML、云计算和大数据分析。Molex积累了数十年的工程专业知识并提供多种创新产品，是PCIe更迭历程中值得信赖的合作伙伴。

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Molex莫仕连接器 . 2025-08-08 1 985
企业 | 特朗普：英特尔CEO陈立武须立即辞职没有其他解决办法

美国总统特朗普（Donald Trump）周四通过社交媒体“真相社交”发文，称英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）存在“严重的利益冲突”，并要求其“立即辞职”。他表示：“这个问题没有其他解决办法。” 这一表态源于共和党籍联邦参议员汤姆·科顿（Tom Cotton）周三致信英特尔董事会主席弗兰克·耶里（Frank D. Yeary），对陈立武与中国企业的关系及其前雇主Cadence的违规行为提出质疑。科顿的三大核心质疑 Cadence的违规记录科顿在信中询问英特尔董事会是否知晓，在聘用陈立武之前，Cadence曾因违反美国出口管制规定而收到传票。上周，Cadence承认向中国某院校出售硬件和软件，违反美国出口管制，并支付1.406亿美元罚款达成和解。美国司法部指出，Cadence在2015年至2021年期间，通过其中国子公司向中国某院校提供受管制的电子设计自动化工具，且未获得必要的出口许可。陈立武在2008年至2021年担任Cadence CEO，并担任执行董事长至2023年5月，该违规行为发生在其任职期间。陈立武在中国的投资今年4月，路透社报道称，陈立武本人或其运营的风险基金曾向数百家中国芯片及先进制造公司投资至少2亿美元。知情人士称，陈立武已从部分中国实体撤资，但具体范围尚不明确。美国法律并未禁止公民投资与中国有关联的企业，除非这些企业被明确列入美国财政部的一份中国企业管制清单。目前尚无证据表明陈立武投资了名单上的企业。英特尔参与“安全飞地计划”的潜在风险去年9月，英特尔获得拜登政府根据《芯片和科学法》提供的30亿美元资助，用于“安全飞地计划”（Secure Enclave），旨在为美国政府提供安全的半导体制造能力。科顿质疑陈立武是否充分披露其与中国企业的关系，并询问英特尔是否要求其从与中国有关联的企业撤资。他强调：“英特尔必须负责任地管理美国纳税人的钱，并遵守安全法规。” 英特尔回应英特尔发言人表示：“英特尔和陈先生坚定致力于维护美国的国家安全，以及我们在美国国防生态系统中的角色完整性。”公司称将就相关问题与科顿进一步沟通。背景延伸：美国对中国技术的持续警惕同日，七名共和党参议员联名致信美国商务部，要求评估中国开源人工智能模型（如DeepSeek）可能带来的数据安全风险，并询问这些模型是否可能向中国关联企业提供美国用户数据。参议员们已提出立法草案，拟禁止DeepSeek在美国政府设备上运行，并禁止联邦承包商使用该技术。美国商务部尚未就此置评。事件影响目前，英特尔股价尚未出现剧烈波动，但此事凸显美国政界对半导体行业高管与中国关联的高度敏感。在中美科技竞争加剧的背景下，类似审查可能成为常态。

英特尔

芯查查资讯 . 2025-08-08 12 2 4595
技术 | 如何提升半桥 GaN 驱动器性能？PCB布局很关键

本文重点介绍了由100 V半桥氮化镓(GaN)驱动器驱动的半桥GaN转换器的有效设计实践，着重探讨如何降低电压振铃并提升热性能。100 V GaN驱动器用于优化GaN FET的性能，充分发挥GaN FET的优势并提供稳健的过压保护。近年来，氮化镓(GaN)技术凭借其相较于传统硅MOSFET的优势，包括更低的寄生电容、无体二极管、出色的热效率和紧凑的尺寸，极大地改变了半导体行业。GaN器件变得越来越可靠，并且能够在很宽的电压范围内工作。现在，GaN器件已被广泛用于消费电子产品、汽车电源系统等众多应用，有效提升了效率和功率密度。 GaN器件具有许多独特的电气特性，例如低栅极电压限值和死区期间的高反向传导损耗，因此需要专门的驱动器来驱动。不建议在没有额外保护电路的情况下，使用常规硅MOSFET驱动器来驱动GaN FET，以免导致性能问题和潜在的器件受损风险。尽管GaN FET市场在不断扩大，但专用的GaN驱动器仍旧稀缺。 ADI公司开发了旗下首款100 V半桥GaN驱动器LT8418。这款先进的驱动器具备稳健的拉电流和灌电流能力，并集成了智能自举开关，能够维持稳定的自举电压，相对于VCC的压降非常小。此外，这款器件具有分离栅极驱动器，可以精细控制导通和关断摆率，从而降低振铃并优化电磁干扰(EMI)性能，因而这款IC非常适合要求苛刻的应用，例如D类放大器、高效率数据中心电源、高频DC-DC转换器和电机驱动器。然而，以高开关速度工作的GaN转换器对于电路板寄生元件引起的振铃特别敏感。如果过冲或下冲电压超过绝对最大阈值，FET可能会受损。因此，要在GaN应用中采用这款新器件，运用最佳设计实践来提升效率和性能至关重要。降低寄生电感在开关事件期间，电流的快速变化会导致PCB布局中固有的寄生电感与杂散电容产生谐振，进而引起转换器中各个节点出现振铃。当开关速度非常快时，由于快速di/dt瞬变，振铃会更加显著。在半桥配置中，寄生电感的主要来源是功率环路和栅极环路，如图1所示。图1. 半桥配置中的常见寄生电感源。功率环路电感包括FET漏极电感LD、共源电感LCS以及来自输入电容和PCB走线的寄生电感。栅极环路电感包括栅极电感LGATE和共源电感LCS。图2和图3展示了寄生电感的影响，表现为开关节点电压和栅极信号上出现了更大振铃。开关节点处的振铃会增加开关损耗并降低EMI性能。同时，栅极信号上的振铃可能会超过栅极电压阈值和绝对额定值，导致FET误导通/关断和栅极永久性损坏。因此，尽可能降低GaN转换器中的寄生电感以确保稳健运行至关重要。图2.热回路寄生电感导致开关节点电压出现振铃。图3.栅极环路寄生电感导致栅极信号出现振铃。采用内部垂直布局来降低热回路电感为了尽可能降低降压或升压转换器中的热回路电感，关键是减小dv/dt快速转换期间的电感效应和相关电压尖峰，从而提高效率和EMI性能。热回路布局至关重要，它由GaN FET和热回路电容的位置确定，决定了热回路的物理尺寸，进而决定了热回路的电感大小。为了尽可能降低热回路电感，建议采用图4所示的内部垂直布局。图4. 优化布局 - 采用内部垂直布局，使FET和热回路电容位于同一层。在这种布局中，高侧和低侧FET并排放置在同一PCB层上。并行布置可有效缩短互连走线的长度。多个热回路电容（低等效串联电阻(ESR)的陶瓷电容）也放置在同一层上，并直接毗邻FET的源极和漏极端子。这种布局利用内部第一层作为功率环路返回路径，此路径与顶层上的正向路径非常接近，从而有效缩小热回路的物理尺寸。由此还可确保热回路杂散电感与电路板总厚度无关。此外，正向和返回电流的感应磁场相互抵消，进一步降低了寄生电感。适当布置热回路电容以优化热性能 GaN器件由于尺寸紧凑且接触面积有限，在高开关频率和高负载下可能会承受极大的热应力。因此，在设计PCB布局时，采用有效的热管理实践对于确保性能可靠至关重要。在降压转换器配置中，由于硬开关产生的损耗，顶部FET通常会经受更高的温度。为了增强散热，建议将高频热回路电容器放置在更靠近底部FET的位置。这种布置不仅能够优化高频环路的电气路径，而且在顶部FET周围提供了额外的空间，有助于改善散热。在这种布局中，内部第一层上的电源平面（位于Q1和Q2下方）是VIN。这种布局策略的顶层如图5a所示。相比之下，在升压配置中，底部FET通常会因为硬开关而承受更高的热应力。因此，高频热回路电容应位于顶部FET附近，并在底部FET周围留出空间以改善散热。返回地平面位于第二层。这种布局如图5b所示。图5. 适当布置热回路电容以改善降压和升压配置的散热效果：(a)降压布局，电容靠近底部FET；(b)升压布局，电容靠近顶部FET。通孔虽小但有用在FET的焊盘上直接布置多个层间连接通孔，有助于进一步降低热回路寄生电感，如图6所示。由于漏极和源极端子交错排列，因此流过这些通孔的电流方向相反，进而形成多个方向相反但相邻的磁场环路。这些磁环导致磁场自我抵消，故热回路中的寄生电感显著降低。图6. 在GaN器件的焊盘上布置通孔以改善热导率和电导率。此外，这些通孔能够有效增强散热性能，将FET的热能传输到其他PCB层的铜平面，因此有助于维护器件在高功率运行期间的热完整性。通孔还能将电流分配到多个PCB层上，并能有效降低电阻。建议填充这些通孔，以防止焊接过程中放气和焊料泄漏，并提升散热和导电性能。图7比较了两个由LT8418驱动的GaN降压电路板之间的温度差异。在相同工作条件下，采用推荐布局实践设计的电路板与设计糟糕的电路板相比，前者搭载的GaN FET的温度明显更低（相差最多28˚C）。图7. 温度比较，测量条件：VIN = 48 V，VOUT = 12 V，IOUT = 10 A，FSW = 500 kHz。建议的设计实践使FET温度降低近30˚C：(a)设计糟糕的布局 - FET温度高；(b) 采用建议设计实践的布局 - FET温度低。善用栅极电阻 GaN FET的固有特性使其绝对最大栅极电压额定值通常在6 V左右，低于硅(Si) MOSFET。因此，不建议使用针对较高栅极电压而设计的常规Si MOSFET驱动器来驱动GaN器件。设计GaN转换器时务必小心，避免因电压尖峰或栅极振铃而造成损坏。若以过高的速度切换GaN FET，可能会导致开关节点出现严重的电压过冲和振荡。如上所述，这种现象主要是由电路内的寄生电感和电容引起的。此外，开关节点和栅极之间的耦合可能会引起意外的振荡，进而触发FET误导通。这种意外导通可能会造成直通状况，即高侧和低侧FET同时导通，产生过大的电流。此现象不仅会降低系统效率，而且会给FET带来热过应力和永久性损坏的严重风险。为了缓解这个问题，必须调整栅极信号的摆率，从而确保电路的可靠性并延长其使用寿命。 LT8418用于驱动栅极电压介于3.85 V至5.5 V之间的GaN器件，为栅极提供了充足的安全裕度。GaN FET应尽可能靠近IC放置，以缩短栅极走线，有效降低栅极电感。此外，这款GaN驱动器具有分离栅极驱动特性，支持通过栅极电阻独立调整导通和关断摆率。利用此特性可以对开关行为进行精细调整，从而满足系统要求。栅极电阻可消耗高频振铃的能量，从而起到抑制栅极信号振荡的作用。应谨慎选择栅极电阻值，以平衡开关速度、EMI性能和栅极损耗。为了确定最优栅极电阻值，推荐做法是在诸如最大负载和最高开关电压等最坏情况下，在试验台上评估栅极信号。先从较高的栅极电阻值（如3.3 Ω）开始测试，有助于抑制初始振铃并建立一个安全基准。然后逐步降低电阻值，同时监测栅极信号上是否出现过度振铃、过冲或下冲。要确保栅极电压波形在最大额定栅极电压以下和阈值电压以上具有足够的安全裕度。此方法通过优化电阻值来实现可接受的信号质量和效率，同时维持足够的抑制效果。图8a显示了使用2 Ω的理想顶部栅极电阻时，降压转换器的一些典型波形。这些波形很干净，没有明显的过冲或振铃，表明抑制有效且开关特性得到了优化。相比之下，图8b突出显示了由于顶部栅极电阻(1 Ω)不足，导致顶部栅极信号出现过冲，超过6 V 的安全阈值，可能会造成GaN FET损坏和EMI提高。图8. 顶部栅极电阻值足够大和不够大两种情况下降压转换器的波形：(a) RTGP = 2 Ω - 波形干净，振铃非常小；(b) RTGP = 1 Ω - 振荡波形，超过栅极最大额定值。测试点布局不当可能导致误判—务必小心糟糕的测试点布局可能会引入寄生电感，导致观测到的信号失真，产生错误读数，并可能让开发者误判电路性能。因此，为了准确测量栅极信号，尤其是在高速切换的情况下，适当的测试点布局至关重要。设计测试点的关键做法之一是使用短开尔文连接。这种方法将目标读取信号与其他噪声信号分离，能够有效降低共享寄生元件的影响，并确保探头直接在FET端子处测量实际栅极信号。为了测量底部栅极和开关节点信号，建议使用低电容无源探头，并让弹簧接地引线靠近GaN FET的GND，以尽可能降低探头物理连接的影响。顶部栅极VGS 信号以开关节点为基准，因此读取该信号较为困难。这项任务适合使用高速差分探头。为了获得更好的结果，此类光学差分探头通常需要搭配专用的MMCX连接器，如图9所示。图9. 读取栅极信号时，建议差分探头使用MMCX连接器。图10还展示了不当的测试点设计和合理的测试点设计的波形比较。图10. 不当的测试点设计和合理的测试点设计的波形比较：(a)不当的测试点布局导致波形上出现假振铃；(b)从合理的测试点布局采集到的干净波形。结论本文重点介绍了由LT8418驱动的GaN半桥转换器的关键设计实践。例如，采用优化的PCB布局、合理的电容布置及精细调整的栅极电阻来确保电路稳健运行，使用精密测量技术来验证电路性能等。在此基础上，结合LT8418的先进特性，则对于要求高效率、小尺寸和热稳定性的高频应用，LT8418将成为理想的驱动器。

ADI

ADI智库 . 2025-08-07 1 1425
产品 | 思特威推出智能安防应用4MP近红外增强图像传感器新品

近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，宣布推出4MP高性能图像传感器新品——SC489SL。该款产品基于思特威SmartClarity®-3工艺技术打造，首次采用了思特威全新Lightbox IR®-2近红外增强技术，对关键特性近红外感度进行了深度优化，能够在户外低照度远距离场景中，为安防摄像头提供清晰明亮的画面信息。同时，SC489SL还搭载了SFCPixel®等多项先进技术，具备高动态范围、低噪声、低功耗等性能优势，以出色稳定的高品质影像捕捉能力，助力智能安防应用的全面升级。全新Lightbox IR®-2技术成就超高近红外感度在安防监控的实际应用中，传统摄像头常面临在夜间等暗光环境下成像模糊、过暗、噪点多等难点挑战，特别是户外远距离低照度场景，对摄像头内部图像传感器的近红外感度性能提出了更为严苛的要求。针对以上痛点，思特威新一代Lightbox IR®-2近红外增强技术，通过硅片外延优化及背侧深沟槽隔离(BDTI)工艺，成功实现了背照式工艺架构下近红外感度的显著提升。作为首款搭载该技术的背照式高性能产品，与前代产品相比，SC489SL在850nm波段和940nm波段下的峰值量子效率(peak QE)分别提升约45%和40%，能够帮助摄像头有效扩大在双红外补光灯下的可视范围，实现120米的夜间超远距离清晰成像，从而为安防监控的户外夜间远距离拍摄等提供可靠支持。综合性能全面优化影像实力多维进阶作为一款面向智能安防应用的背照式高性能图像传感器，SC489SL拥有高动态范围、低噪声、低功耗等性能优势，能够以清晰稳定的成像表现，满足安防摄像头在高明暗对比度、低照度等多种光线条件下的拍摄需求。SC489SL支持单帧曝光ColGain HDR®和双帧曝光行交叠HDR(2-exposure staggered HDR)两种高动态模式，在光线明暗对比强烈的环境中，能够减少画面亮部过曝和暗部丢失，呈现出明暗有度、细节丰富的高质量影像。并且，得益于思特威先进的SFCPixel®、超低噪声外围读取电路技术，SC489SL的噪声抑制性能突出，读取噪声(RN)低至0.6e-，帮助摄像头在暗光环境下捕捉到更加清晰、干净的影像信息。此外，基于思特威出色的低功耗设计，在90fps的工作帧率下，SC489SL的功耗可低至300mW，能有效降低摄像头运行功耗和工作发热量，助力安防监控的全天候持续稳定运行。 SC489SL目前已接受送样，预计将于2025年Q4实现量产。

思特威

思特威 SmartSens . 2025-08-07 1 1065
技术 | 数据中心的硬件构成有哪3个关键技术？

数据中心如今已成为与电力以及通、信同等重要的社会基础设施。然而，大多数人只是将数据中心视为一个巨型计算机系统，类似日常使用的诸如计算机、笔记本电脑、智能手机等信息处理设备。实际上，数据中心采用了与个人电脑不同的专有技术，硬件构成包括三个更为关键的要素——半导体、网络、冷却技术。数据中心 ≠≠≠ “巨型计算机” 数据中心的规模各不相同。单个公司或远程办公室使用约100台服务器的微型数据中心，大型数据中心则可能拥有5000多台服务器，有些设施甚至部署多达百万台服务器。因此，人们很可能顺理成章地认为数据中心相当于“巨型的计算机”。无论规模大小，这些数据中心都配备了执行信息处理的大量服务器和存储数据的存储器，并通过复杂的网络相互连接在一起。并且，根据情况的不同，有时会单独执行多样且庞大的处理任务，有时则多台设备协同工作，灵活有效地处理众多用户发起的多样化任务（信息处理作业）。对比数据中心这种专有的运行模式，普通个人电脑与数据中心在系统架构、构成要素及设计理念上产生了差异（下图）。我们日常使用的电脑原本就是以个人使用为前提设计的。因此，它具有易于识别使用目的和处理任务的特点，同时也便于定制所需电脑的配置规格。例如，经常外出办公的用户会选择便携性出众的笔记本电脑，而热衷3D游戏的玩家则会购买图形处理功能强劲的游戏电脑。相比之下，数据中心需要迅速有效地处理来自众多用户的多种多样的任务。在多数情况下，业务内容迥异的多家企业会共用同一数据中心的服务器。因此，需要并行设置大量搭载了高通用性CPU（Central Processing Unit）的服务器，通过无缝连接多个服务器来应对待处理任务的变化。这种由多台高通用性服务器组成的系统架构，还具有能够根据需求的增长而灵活扩展服务器的可扩展性优势。此外，由于待处理数据量庞大，引入能够实现高速、大容量数据传输的网络技术显得至关重要。通常，会采用100Gbps以上的高速互联网线路。此外，下一代数据中心正朝着引入光通信技术的方向发展，以满足高速、大容量、低延迟、能源节省和高安全性的需求。为了迅速处理数据中心的大量任务，还需要一种能够在CPU和存储器之间更高速读写数据的机制。因此，近年来出现了在CPU邻近的DRAM与存储器之间使用新式内存的趋势，这类被称为SCM（Storage Class Memory）的技术兼具高速数据访问与大容量存储功能，旨在提升系统的性能和效率。近年来，人工智能（AI）相关任务急剧增加，搭载了GPU（Graphics Processing Unit）和TPU（Tensor Processing Unit）等虽需略微牺牲通用性却能有效执行AI相关处理的芯片的服务器应用案例也日益增多。在AI相关处理中，GPU等与内存之间或内存与存储器之间的数据传输，相比传统任务需要更高速且更大容量的数据交换。因此，引入了更高带宽的网络。通常来说，专门用于此类AI相关处理的服务器与通用服务器混合部署的情况较为少见，它们往往作为AI数据中心被单独设置。核心理念：“可靠性”与“冗余化” 个人电脑并不需要24小时365天持续使用。此外，即便发生故障，基本上只会给用户带来困扰。数据中心发生严重缺陷或故障，可能会给整个社会带来严重混乱。首先，数据中心需要持续稳定地处理支撑人们生活和社会活动的各项任务。因此，服务器内用于处理信息的CPU、内存，以及存储数据的存储器等，都需要具备能够持续运行的高可靠性。特别是内存方面，会使用具备保护数据完整性、检测并纠正比特误码功能的ECC（Error-Correcting Code）DRAM。用于存储器的闪存也需选择能够承受频繁数据访问的类型。其次，在系统方面，数据中心需要引入了预防缺陷和故障发生的机制。数据中心所使用的服务器配备了高性能的冷却系统。特别是在AI数据中心，高负荷连续运行已成为常态，除了常规的风冷系统外，还会采用液冷或将服务器直接浸入高导热液体中进行散热的浸没式冷却等精良技术。此外，数据中心采用冗余系统结构，可在发生故障时迅速切换至备用设备。具体而言，数据中心系统采用了虚拟化技术，可在服务器发生缺陷时，将正在执行的任务迅速切换至另一台服务器。另外，若用于运行服务器等的电源系统发生故障，根据情况不同，可能会造成无法挽回的损失。因此，数据中心还引入了冗余电源系统，并且为了确保在停电时数据中心仍能持续运行一段时间，在系统的电力接入端还设置了UPS（不间断电源装置）。当今的数据中心都已引入多项专有技术，核心硬件架构中的半导体、网络、和冷却系统三大要素是保障数据中心稳定运行的关键。可以预见，未来还需开发更多面向多方面课题解决的技术。特别是在近年来，以减少电力消耗为首的环境负荷降低技术的重要性日益凸显。预计将逐步引入新技术，例如搭载能源节省设计芯片的服务器，以及采用直流供电以减少电源系统中电力转换次数等措施。 OCP（Open Compute Project）是一个促使有效硬件规格和设计的开源社区，旨在满足日益增长的数据中心需求。据称，符合OCP规格和设计的硬件可为大型数据中心带来高处理能力、高经济效益和低能耗。村田是OCP（开放计算项目）的成员之一，下期，我们将为您介绍什么是符合OCP的数据中心集中供电系统？

村田

Murata村田中国 . 2025-08-07 1075
方案 | 从民用飞行器到人形机器人，GD32 MCU覆盖电机控制多元场景

自2013年推出首颗32位MCU以来，兆易创新历经十余年深耕，出货量稳步攀升，截至今年上半年，累计出货量已突破20亿颗。作为国内通用MCU领域的领军企业，兆易创新的脚步从未停歇，始终在更多元的应用探索中不懈前行，致力于在产品质量上迈向新高度。在2025第五届国际电机驱动与控制论坛上，兆易创新MCU市场部陈树敏围绕电机驱动领域的技术突破与应用实践，以《GD32 MCU为电机驱动提供多维度的解决方案》为题发表主题演讲，系统分享了兆易创新在该领域的创新成果与前沿布局。面向多元领域的解决方案矩阵电机作为各类电子电器设备不可或缺的核心部件，其发展空间很大程度上由以MCU为核心的电机控制方案所决定。陈树敏表示，兆易创新针对工业、家电、消费电子及新兴市场等不同领域的差异化需求，量身打造了一系列适配性强、性能优异的电机控制解决方案，全面覆盖多场景下的电机驱动与控制需求。伺服电机在工业领域应用非常广泛。兆易创新的双伺服电机方案，采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能GD32F4作为主控芯片，主频高达240MHz，实现双伺服电机、高集成度低成本控制。这个方案可实现基于14位精度磁编码器定位的FOC磁场定向控制，并采用位置环、速度环、电流环三闭环控制，支持双电阻、三电阻电流采样方式。 EtherCAT®伺服从站解决方案是兆易创新在工业领域推出的一款重要方案。该方案以主频高达600MHz ARM® Cortex®-M7与ESC控制器二合一的GD32H75E为主控芯片，同时满足伺服控制性能和BOM成本的优化。其伺服驱动采用标准CiA 402协议，通过TwinCAT进行实时控制，提供开箱即用解决方案。该方案内置自有强化算法，可在轮廓位置模式（PP）下采用梯形曲线规划。同时，基于芯片内部的HPDF模块，方案能以低成本实现高精度In-line电流的采样。在消费电子领域，传统打印机需要使用4路高成本步进细分控制芯片，兆易创新3D打印机方案通过ARM® Cortex®-M7内核的GD32H7，搭配低成本的H桥驱动，实现4轴步进细分控制。其自研的XYZE 4轴细分控制算法，最高实现1024个细分，让正弦波电流同静音效果都得到最大优化。在整体指标上，该方案可媲美市场上主流方案，最高打印速度600mm/s，最大加速度20000mm/s2（某款机型，其他机型需适配实测）。此外，工具领域中，锂电电钻方案采用Cortex®-M4内核的GD32F310系列作为主控，以精简的外围器件实现优异控制性能，目前已在头部园林工具客户中实现批量生产。面对民用低空飞行和人形机器人这两大今年行业热点，兆易创新也带来了相应解决方案。在民用飞行器的飞控模块上，采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能GD32F4作为主控芯片，主频高达240MHz，支持Betaflight开源平台，电调模块则采用高性价比的GD32E231系列（Cortex®-M23内核，主频72MHz），兼容AM32开源软件及兆易创新自研电调控制固件。针对人形机器人，兆易创新提供全场景解决方案，在灵巧手部分，可通过 GD32E513/GD32G553实现单MCU多电机控制，或采用集成EtherCAT®的GD32H75E方案完成手部姿态算法、动作协调与通讯互联；雷达控制部分由GD32F303系列辅助FPGA实现感知功能，GD32F470系列为雷达算法提供算力支持；手臂/腿部关节部位则可通过GD32E513/GD32G553/GD32H7及GDSCN832构建高性能、小体积、多电机的控制方案。以技术深耕构建全维度竞争力除了丰富多元的解决方案，兆易创新在算法与开发支持层面同样表现突出。其核心算法已覆盖BLDC与正弦波两大控制领域，所有MCU型号均支持有传感器与无传感器两种定位方式，同时集成无感启动算法及多种保护算法，为电机控制的稳定性与安全性提供坚实保障。在开发套件方面，兆易创新提供了多种入门级电机评估套件，包括针对工业级、消费级、汽车级的FOC套件及常规BLDC套件，用户可通过官网渠道申请获取。更重要的是，其构建了完整的GD32开发生态体系，从产品开发套件、解决方案到IDE&编译器及开发量产工具，全面覆盖市面上各类主流应用场景，为开发者提供全流程支持。目前，兆易创新已构建起完善的量产产品矩阵，覆盖从入门级M23内核、主流级M4内核到更高性能的M7内核产品。公司还在各细分领域深耕细作，持续投入资源打磨技术与产品。除电机控制方案外，兆易创新还提供数字电源、IoT等领域的解决方案，并与合作伙伴携手，共同拓展更细分的控制应用场景，为产业发展提供更全面的支持。

GD

GD32MCU . 2025-08-07 1125
产品 | 圣邦微电子推出 SSD 系统供电的高效率低功耗 PMIC SGM260320：集成三路 Buck、两路 LDO 及负载开关

圣邦微电子推出 SGM260320，一款集成三路 Buck、两路 LDO 及负载开关的高性能电源管理集成电路（PMIC）。该芯片凭借卓越的电气性能和丰富的功能特性，不仅能精准满足 SSD 系统对高能效和低待机功耗的核心需求，还能简化板级电路设计，并通过 OTP（一次性编程）和 I²C 接口实现智能控制，为 SSD 系统、FPGA、微控制器等终端设备提供高效供电方案，助力其实现智能化管理升级。超强集成，单芯片解决多 Rail 供电 SGM260320 将多种电源功能集成在小巧的 WLCSP-2.42×2.82-36B 封装中，替代分立器件显著节省板级空间。三路高性能 Buck 转换器：Buck1 支持最大 4A 输出电流，Buck2/Buck3 各支持 3A 输出电流，工作频率 1.125MHz 或 2.25MHz，输出电压精度 ±1%，调节电压范围覆盖 0.6V 至 2.991V 或 0.8V 至 3.9875V，可灵活调节，精细步长 9.375mV/12.5mV，精准匹配不同应用的电压需求。两路高稳定 LDO：LDO1/LDO2 最大输出为 300mA，电压调节范围和步长与 Buck 一致，确保供电协同。智能负载开关：Buck1 和 LDO1/LDO2 均可配置为负载开关，轻松应对 3.3V 总线等场景的供电切换需求，提升系统灵活性。高效节能 + 灵活调控，性能全面拉满效率与智能双优，让供电系统更可靠、更省心。高能效表现：Buck 采用同步整流技术提升转换效率，3.3V 转 2.5V 效率高达 95%@1A，配合 COT 控制架构实现卓越瞬态响应。中重载时稳定运行于 PWM 模式以降低纹波，轻载时自动切换至节能模式（PSM），最大限度减少静态电流。用户可根据具体应用场景，灵活优化功耗、纹波和瞬态响应，降低待机功耗，其功耗表现完全满足 SSD 系统低待机功耗需求。动态电压调节（DVS）：三路 Buck 支持通过 I²C 接口、GPIO 引脚或睡眠模式触发等方式实现 DVS。可根据工作负载需求动态调整电压以优化功耗，电压转换无缝衔接。出厂客制化配置：通过代码矩阵索引（CMI）预设参数，可针对不同需求编程配置每个通道的上电输入触发源（Trigger）、开启延时、默认电压等参数，4 个 GPIO 均支持 EXT_PG、DVS、SYS_EN、nRESET 等 8 种丰富的配置功能，无需改动硬件即可实现系统针对性优化，大幅提升适配效率。 I²C 智能控制：通过 1MHz 高速 I²C 接口，可实时调节输出电压、开关频率等关键参数，同时支持电源状态监控，实现电源良好（PG）、过压（OV）、欠压（UV）、过流（OC）等多种故障预警。全场景稳定适配：输入电压范围 2.7V 至 5.5V，支持 -40℃ 至 +125℃ 宽温工作，无论是消费电子还是工业设备场景，均能保持稳定可靠运行。多重保护，供电安全无忧内置全方位保护机制，为设备提供坚实可靠的安全保障。输入过压/欠压（OV/UV）、输出过压/欠压（OV/UV）：精准监控电压波动，避免异常电压波动影响器件和负载。输出过流（OC）、短路保护（SCP），搭配热关断（TSD）功能：有效防止芯片因过载、短路导致过热损坏。可编程电流限制：可根据不同负载需求灵活调整电流阈值，适配性更强。广泛适用，适配多场景应用无论是数据存储、工业控制还是智能设备领域，SGM260320 均能适配，满足多样化供电需求。固态硬盘（SSD）：为控制器和存储单元提供稳定的多路供电，其高转换效率、低功耗及动态电压特性，在数据高速读写过程中持续保障电源稳定，为存储系统的长效运行奠定坚实基础。 FPGA 与微控制器：精准匹配核心芯片的动态电压需求，助力高性能运算稳定运行。个人导航设备：依托宽温特性与高效节能设计，有效延长设备续航时间。典型应用电路 & 封装设计 SGM260320 为 SSD 系统供电提供完整的电源解决方案，助力产品实现小型化设计。器件采用符合环保理念的 WLCSP-2.42×2.82-36B 绿色封装，体积小、散热性能优异，尤其适合对空间要求较高的设计场景。通过高集成、高效率与智能化控制，SGM260320 为多领域设备供电带来更优方案，推动终端产品在性能、可靠性与小型化上的全面升级。图 1 SGM260320 典型应用电路图 2 SGM260320 封装示意图

SSD

圣邦微电子 . 2025-08-07 1125
技术 | 如何使用工业级串行数字输入来设计具有并行接口的数字输入模块

MAX22190 和 MAX22199 默认提供串行化数据，但在需要实时、低延迟或更高速度的系统中，最好为每个工业级数字输入通道提供电平转换的实时逻辑信号。这些工业级数字输入在基于SPI或引脚(LATCH)的时序控制下，对8个24 V灌电流输入的状态进行采样和串行化，以便用户可以通过SPI读出8个状态。使用串行接口可以尽量减少需要隔离的逻辑信号数量，对于高通道数数字输入模块很有帮助。逻辑信号的串行化是指通过对信号进行同步采样，将信号变成时间量化的形式。但这意味着实时信息内容会丢失。在某些系统中，这种信息丢失可能会引发问题。例如，增量编码器或计数器等应用关注开关信号之间的时序差异。这些应用要么需要采用高速采样和高速串行读出，要么需要利用 MAX22195所提供的非串行化并行数据。通过并行操作方式使用MAX22190/MAX22199，能够实现诊断功能和配置灵活性。本文深入探讨了这种方法的特点、局限性和设计考量。详情这项技术的核心在于将8个LED输出用作逻辑信号。LED可以直观地指示数字输入的状态，这对于安装、维护和使用都很有用。IEC 61131-2标准明确定义了工业级输入的特性和规格，而输出状态本质上是二元的：要么为开，要么为关。 MAX22190/MAX22199采用无能耗LED驱动器，LED由现场传感器/开关供电，而不是从数字输入模块中的电源获得电流/功率。这些器件将输入电流限制在由REFDI电阻设置的某一水平。这样做是为了尽量降低模块的功耗。对于常见的1型/3型数字输入，输入电流通常设置为约2.3 mA（典型值），大于IEC标准要求的2.0 mA最小值。IC将约2.3 mA现场输入(IN)电流的大部分传输至LED输出引脚，芯片仅消耗约160 µA电流。 LED驱动器输出的是电流而非电压，因此需要将电流转换为电压，才能与其他逻辑器件（如数字隔离器、微控制器等）对接。为了实现此目的，电阻是最简便的跨阻元件，如图1所示。图1. LED引脚用作基于电压的逻辑输出。产品数据手册中没有介绍如何以这种方式使用LED输出引脚。本文探讨了其特性和可能的局限性。 LED引脚特性在LED引脚上使用接地电阻来产生电压输出时，需要考虑以下事项： LED引脚容许的最大电压是多少？从LED引脚到IN引脚是否存在交互/反馈？具体来说：由于IEC标准规定了最小电流水平，LED引脚上的电压是否会导致IN输入电流发生变化？ LED输出电流是否表现出不良的瞬态行为，例如过冲或上升/下降缓慢？当输入以高速率切换时，LED输出是否适合用作高速逻辑信号？ LED输出是否需要滤波？（可通过SPI编程）根据MAX22190/MAX22199数据手册所列的绝对最大额定值，容许的最大LED引脚电压为+6 V。因此，LED引脚适合用作5 V（和3.3 V）逻辑输出，但须注意，电压不得高于6 V。需要评估LED引脚电压对其他关键特性的影响。特别值得关注的是在高LED引脚电压下IN输入电流的变化，因为相关标准对IN输入电流有明确要求。对于3型数字输入，要注意的关键情况是现场电压接近所定义的11 V导通状态阈值电压时。对于接近11 V电平的三个现场输入电压（9 V、10 V和11 V），图2显示了实测的现场IN电流与LED引脚电压的依赖关系。之所以选择 10 V和9 V电平，是因为它们处于3型输入的过渡区间内，并且它们的输入电流没有最小值要求，而11 V要求输入电流的最小值为 2 mA。当现场电压为11 V阈值时，蓝色曲线显示：当LED电压高于约5.8 V时，IN电流开始下降。在6 V时，电流仅下降0.6%。对于9 V和10 V的情况（它们处于对电流无明确要求的过渡区间），测量结果显示：对于高达5.5 V的输入，输入电流仍然高于2 mA。总之，以上结果表明MAX22190/MAX22199能够产生5 V LED逻辑输出（及3.3 V等较低电压逻辑输出），同时仍然兼容3型数字输入。对于1型数字输入，情况非常简单，因为导通阈值为15 V，要高得多，因而LED引脚也能提供5 V逻辑电平，而不会对现场输入电流产生任何影响。图2. 现场输入电流与LED引脚电压的依赖关系。关于切换条件下LED输出电流的瞬态行为，图3显示了10 kHz切换的情况。使用1.5 kΩ电阻将电流转换为电压。示波器截图显示，LED输出不会产生可能损坏逻辑输入器件的瞬态过冲或下冲。上升和下降时间很快，不会造成信号失真。使用SPI接口 MAX22190/MAX22199具有SPI可编程滤波器，支持每通道毛刺/噪声滤波。这些器件提供8个最长20 ms的滤波时间常数。针对高速应用，可以旁路滤波器。选定的噪声滤波也适用于LED输出，以使视觉表现与电信号一致。诊断通过SPI提供，例如低电源电压报警、过热警告、REFDI和REFWB引脚上的短路检测及现场输入的断线检测。寄存器位的上电默认状态为：所有8个输入都处于使能状态所有输入滤波器都处于旁路状态断线检测处于禁用状态 REFDI和REFWB（仅限MAX22199）引脚的短路检测处于禁用状态因此，在不需要毛刺滤波（比如对于高速信号）和诊断的应用中，无需使用SPI接口。如果需要每通道可选的毛刺/噪声滤波，或者需要诊断检测功能，则可以使用SPI。并行操作示例图3显示了一个10 kHz现场输入（黄色曲线）及所产生的LED输出电压（蓝色曲线）。LED输出上使用了一个1.5 kΩ电阻，以提供3.3 V逻辑信号。毛刺滤波已禁用（默认旁路模式）。图3. 10 kHz切换；通道1：现场输入；通道2：LED输出。 LED输出波形没有显示出过冲或其他不良的异常现象，例如导通状态下电压变化不定。这说明LED输出可以用作电压输出。我们对其特点和局限性进行了研究。毛刺滤波 MAX22190和MAX22199提供每通道可选的毛刺滤波。下面以滤波时间设置为800 µs的200 Hz开关信号为例，展示毛刺滤波器对LED输出的影响。指定的毛刺宽度通过改变占空比来模拟。对正毛刺和负毛刺均进行了研究。图4显示了750 µs正脉冲被800 µs毛刺滤波器滤除的示例。因此，正毛刺滤波对LED输出和SPI数据均有效。然而，负毛刺并未在LED输出端被滤除，如图5所示，750 µs下降脉冲传播到LED输出端。这与使用SPI读出数据的情况不同，后者的正毛刺和负毛刺均被成功滤除。图5. 负毛刺滤波。图6显示了使能800 µs毛刺滤波器且输入以50%占空比切换时的LED输出信号。上升沿延迟约770 µs，而下降沿没有延迟。这说明滤波器未能妥善处理LED输出。图6. 对LED输出的滤波效应。高频切换对于要求高开关频率、低传输延迟或低偏斜的应用，毛刺滤波会被禁用。在旁路模式（毛刺滤波器）和100 kHz输入下，LED输出产生图7所示的波形。下降沿显示出约60 ns的低传输延迟，但上升沿具有显著的传输延迟和抖动。上升沿抖动在±0.5 µs范围内，平均传输延迟为约1 µs。上升延迟和抖动的原因是约1 MHz的采样，如数据手册中所述。在下降沿不会发生采样，因此响应速度很快。图7. 100 kHz输入切换，滤波器旁路。这表明，LED输出具有最大约1.5 µs的上升时间/下降时间偏斜，并伴有抖动。通道间偏斜在下降沿较低，但在上升沿要高得多。这可能会限制LED输出在某些应用中的使用。设计考量本部分讨论LED输出引脚用作电压输出时需要考虑的一些事项。为确保安全，应当对MAX22190/MAX22199电流驱动型LED输出的电压进行限制，使之不超过所驱动的逻辑输入的安全电平。虽然REFDI电阻将IN现场输入电流设置为典型电流水平，但实际IN电流存在±10.6%的容差，如数据手册中所述。因此，电阻两端的电压将在±10.6%范围内。逻辑输入通常存在严格规定的绝对最大额定值，如VL + 0.3 V，其中VL为逻辑电源电压。当连接两个逻辑信号时，通常使用公共VL电源来确保匹配，因为标准逻辑输出采用推挽或开漏输出，其最大输出电压由逻辑电源VL定义/限制。为了确保输入不超过绝对最大额定值，可以降低典型LED引脚的输出电压。或者，可以认为LED引脚的约2.3 mA输出电流不会对逻辑输入造成损害，因为逻辑输入通常设计成能够承受远高于此的闩锁电流（一般在50 mA至100 mA范围）。这需要针对所考虑的器件进行验证。第三种方案是通过箝位来限制电压，此方案相对而言不理想。标准逻辑输出为推挽式，阻抗较低，为驱动逻辑输入提供了很好的灵活性。相比之下，LED输出是开漏输出，开关速度由下拉电阻和寄生电容决定。在无额外电容的情况下，可以实现100 kHz及以上的开关频率。结论虽然根据文档的说明，MAX22190/MAX22199工业级数字输入用于串行数据操作，但它们也可用作提供8个并行输出的8通道输入模块。为实现此目的，原本用于视觉状态指示的LED驱动器被转用作基于电压或基于电流的逻辑输出。以这种方式使用并行操作时，是否使用SPI接口并非强制要求，用户可以获得所有诊断和器件配置功能，但也存在一些限制。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-08-07 1 770
产品 | 换“芯”升级！多家银行双标卡背后的技术密码

近日，中国电子所属华大电子凭借其自主研发的CIU9872B_01系列芯片产品，成功助力中国银行、工商银行、中信银行、广发银行、民生银行等多家银行发行银联-VISA双标卡。这款集银联PBOC标准与国际EMV标准于一体的芯片卡，有效解决传统磁条卡在安全性与兼容性方面短板，标志着我国金融芯片产品实现从本土化到全球化的跨越式突破。一张信用卡同时印有银联和Visa标识，既能在国内使用也能在国外刷，这就是双标卡。过去，大多双标卡采用磁条形式，但如今，随着时代和支付市场的发展，芯片卡已逐渐成为主流。芯片卡支付账单无需繁琐插卡、输入密码，只需轻轻一拍即可完成，这在当今快节奏的消费场景中，便捷性尤为突出。近日，多家银行已开始将磁条双标卡升级为芯片卡，其中搭载的芯片就是华大电子自主研发的CIU9872B_01系列芯片产品。 CIU9872B_01系列芯片产品延续前一代产品技术路线，重新定义金融IC卡芯片技术标杆，致力于构建全场景支付生态，提升全生命周期价值，具有小场强、超低功耗、高性能、高可靠、多接口等优势。同时，该产品采用EMV双应用标准，支持 VISA 和银联最新非接标准，实现“一卡走天下”——境内银联、境外银联/VISA网络全覆盖，轻松应对境内外插卡、拍卡全场景支付。值得一提的是，CIU9872B_01系列芯片产品于5月最新通过国际最高安全等级CC EAL6+认证，产品生命周期远超行业水平。同时，该产品获得EMVCo、商密二级、CCRC EAL5+银联芯片安全认证等权威资质，通过北京国家金融科技认证中心严苛测评，构建从芯片设计到生产制造的全链路安全防护体系，不仅提升用户体验，更显著降低金融机构换卡成本，助力生态伙伴快速开拓海外市场。

华大

CEC中国电子 . 2025-08-07 1680
芯查查报告 | TI悄然对6万余款产品全面调价，对国产模拟芯片和终端厂商有何影响？

近日，根据芯查查对产业链的跟踪，TI已经通知部分客户将对产品进行涨价，本次涨价每个客户涨价情况不一，但涨价品类和涨价幅度远超6月2日那次涨价。据悉，本轮涨价涉及6万多个产品料号，其中6.5%的料号涨价小于10%、37.6%的料号涨价10%~20%、14.4%的料号涨价20%~30%、41.3%的料号涨价超过30%，工业和汽车等长周期应用领域的产品涨价幅度普遍较高。不过，据业内人士透露，TI此次涨价中也有一些汽车客户并没有涨价；工业客户中在年度议价周期内的客户也没有涨价；但是大部分中小客户都已经涨价。由于TI并没有发布正式的涨价通知函，目前所有的TI涨价信息都是产业链内的企业传出来的消息，不过可以确定的是，TI确实已经涨价。那么，TI为何在这个时候连续涨价，涨价的目的是为了修复毛利率低下的战略选择，还是行业回暖的信号释放？TI涨价对国产模拟芯片厂商及终端厂商有哪些影响呢？ TI“静默式涨价”全貌，策略性提价的背后原因分析 2025年5月29日，TI开始悄然对毛利率较低、有下一代新产品储备的产品进行涨价，当时的涨价思路是重点对前期降价幅度较大、毛利率较低的产品，比如汽车模拟IC和通用电源IC，进行涨价，此次涨价可以视为TI的一次小范围试水。 8月初，仅仅过了两个月之后，TI又启动了新一轮涨价，而且此次涨价规模之广、力度之大远超市场预期。TI的这两次涨价都有哪些特点？首先，6月试探，8月全面爆发。6月份涨价产品涉及3,300多个料号，比如ADC/DAC、运放、LDO、DCDC、隔离等，其中以信号链产品涨价幅度较大。8月，涨价范围增至6万款料号，覆盖几乎所有行业客户，涨幅普遍在10%~30%之间。其次，工业和汽车类应用领域产品全面上调。8月份调价的6万多个料号中，涨幅超过30%的料号占比达到41.3%，这些高涨幅的产品主要集中在工业控制、汽车电子等长周期领域。工业领域（PLC前端芯片、通信接口芯片）和汽车电子（车规级PMIC、BMS隔离芯片）成为涨价重心，部分16位ADC和电源管理芯片涨幅达20%-28%。这两大板块是TI营收与利润的支柱，涨价意在巩固其高利润市场。三是分步策略与产品迭代。6月份涨价产品聚焦在信号链产品，8月转向电源管理（LDO、DCDC等），以及数字隔离器、隔离驱动芯片等关键器件，逐步优化利润结构。同时，TI通过大幅提高老款料号的价格，引导客户转向利润更高的新一代产品，加速技术更新。比如有代理商表示，某款2018年发布的DCDC转换器涨价了22%，但更新款的替代型号价格仅微调了5%。四是中国市场考量。自从2023年TI加入模拟芯片价格战以来，其产品售价与国产模拟芯片价格相差不大，这使得其中国区毛利率长期低于全球平均水平。面对国内市场的激烈竞争和长期的“价格战”，TI需要通过价格调整来缓解利润压力，平衡区域性盈利表现。其实，TI此次涨价是多重因素共振的结果。模拟芯片行业在经历了两年多的高库存和价格战之后，今年年初开始，复苏的暖意逐渐显现。TI财报显示，Q1和Q2营收分别同比增长11%和16%。ADI等同行也确认工业市场复苏、渠道库存下降。TI选择此时涨价，既顺应市场需求回暖，也向行业传递“冬天已过”的信号。图：主要封装测试厂商稼动率情况统计（中电港芯查查统计）作为为数不多的IDM厂商（集芯片设计、制造、封装测试于一身），TI拥有高度垂直整合的供应链。这赋予了它在产能规划、成本控制和市场定价上的自主权和灵活性。在芯片成本（如高纯度硅片）、运营成本持续上涨的背景下，TI通过涨价来消化成本压力，并保障其领先的毛利率水平，是符合其长期战略的。IDM模式的“护城河”也让其在提价上更有底气。此外，近年来的地缘政治与市场博弈也起了一定的作用。美国发起的“对等关税”政策现在都还在博弈当中，这让半导体行业的未来也充满不确定性。TI此举在追求自身利润最大化的同时，或许在某种程度上调整其在中国市场的竞争策略，寻找新的平衡点。对中国模拟芯片厂商的影响 TI的这波涨价潮，无疑为国产模拟芯片企业带来了很大的机会。过去数年，国内模拟芯片厂商在国产替代的浪潮中取得了长足的进步，从消费级到工业级，甚至部分汽车级产品都具备了较强的自给能力。比如圣邦股份、纳芯微、思瑞浦、杰华特等一大批国内模拟芯片厂商在电源管理、信号链、MCU等领域异军突起，逐步蚕食TI等国际半导体厂商的市场份额。如今，TI涨价，下游客户的成本压力剧增，寻求替代方案的意愿将会更加强烈。这无疑是国产模拟芯片厂商加速导入、抢占市场份额、实现更大突破的历史性窗口。率先推出价格战，这在某种意义上来看，TI在竞争中开始示弱。不过TI选择此时涨价也有一定是市场因素。这个时间段刚好是大家将更多产能投入先进制程制造的阶段，对于模拟芯片常用的成熟制程产能正显得有些不足。我们看到晶圆代工厂，比如SMIC和华虹，近期业绩有望超预期，稼动率有望回升，但从芯片设计、流片代工、封装测试，到最终量产交付，整个产业链的协同和产能爬坡需要时间和投入。面对突增订单，国产模拟芯片厂商能否快速扩产，稳定供货成为关键。因为，即便有订单上门，若无法保证稳定、大规模的供货能力，这份“天上掉下来的馅饼”也可能变成“看得见吃不着”的难题。此外，在一些高技术壁垒、对可靠性要求极高的工业和车规级领域，国产芯片在产品线广度、技术深度、长期稳定供货以及客户服务方面，与TI等国际厂商相比，仍存在差距。如何利用这次窗口期，不仅抢份额，更要借势提升技术和品质，才是国产替代的真正考验。对终端企业的影响面对国际半导体厂商的涨价，下游终端企业无疑首当其冲，成本将会骤然上升。此时，一套行之有效的“生存法则”至关重要。因此，芯查查建议：首先，紧急沟通，力争不涨或少涨。对于已经收到涨价通知的终端企业，尤其是采购量大、议价能力强的龙头企业，应该立即与TI原厂及代理商进行深度沟通和谈判，争取获得更优的涨幅，或延缓涨价，减少公司成本支出。其次，短期囤货，化解燃眉之急。在市场价格传导完全之前，对需涨价的关键料号，可考虑适度加大库存备货，以对冲短期成本上涨，并为后续的战略调整赢得时间。但也要警惕过渡囤货带来的资金压力和库存风险。三是灵活调整，探索同品牌替代。在尚未完全导入国产化方案前，可主动与TI或其他国际品牌沟通，了解是否有同品牌内未涨价或涨幅较低的替代型号，以保持供应链的稳定性。四是加速国产化替代进程。这是应对单一供应商风险、实现供应链自主可控的长期根本策略。企业应立即加速对国产模拟芯片的评估、测试和导入，建立并完善多元化供应商体系，降低对少数国际半导体厂商的依赖。五是锁定长期价格，防患未然。对有明确长期需求预测的关键料号，可尝试与TI或其他主要供应商签订长期采购协议，锁定未来一段时间的价格，确保采购成本的可预期性。

模拟芯片

芯查查资讯 . 2025-08-06 10 3 7985
企业 | 纳微半导体公布2025年第二季度财务业绩

2025年第二季度营收达1450万美元宣布将进一步聚焦AI数据中心及其能源基建领域，通过与生态系统内的领军企业开展战略合作，并利用新增1亿美元融资，携手全新的低成本制造合作伙伴，实现进一步发展加利福尼亚州托伦斯2025年8月4日讯 – 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日公布了未经审计截至2025年6月30日的2025年第二季度财务业绩。纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan “尽管面临全行业性的挑战，我对纳微在第二季度的表现感到满意。我们基于与英伟达（NVIDIA）及该领域其他领军企业的合作，正进一步聚焦AI数据中心和相关能源基建领域。此外，我们通过出售约2000万股普通股筹集了1亿美元额外资金，并宣布与一家新的8英寸氮化镓代工厂建立合作，以扩大产能并降低成本，这两项举措都将支持我们布局AI数据中心这一快速增长市场的计划。过去五年，我们成功为氮化镓移动快充创造了全新市场，如今我们计划打造一个规模更大的新兴市场，涵盖面向AI数据中心及其关键能源基建的氮化镓和碳化硅技术。我们预计，到2030年，氮化镓和碳化硅技术将助力AI数据中心服务器机架功率容量提升100倍，相关市场潜力将扩大至26亿美元。” 2025年第二季度财务亮点营收 2025年第二季度总营收为1450万美元，2024年同期为2050万美元，2025年第一季度为1400万美元。营业亏损本季度的GAAP营业亏损2170万美元，2024年同期营业亏损为3110万美元，2025年第一季度营业亏损为2530万美元。非GAAP营业亏损为1060万美元，2024年同期营业亏损为1330万美元，2025年第一季度营业亏损为1180万美元。现金截至2025年6月30日，现金及现金等价物增至1.612亿美元。市场、客户和技术亮点 NVIDIA选中纳微半导体参与下一代800V HVDC数据中心电源架构开发，纳微的全系列氮化镓和碳化硅产品将在三个功率转换级发挥作用：第一级：固态变压器（SSTs）有望取代老旧的低频变压器（LFTs），借助纳微独特的超高压（UHV）碳化硅技术提升电网效率和稳定性，预计到2030年创造约每年5亿美元的市场机会。第二级：800V DC/DC转换器可利用纳微的高压氮化镓和碳化硅产品，结合纳微全新的80-200V氮化镓产品，以实现最高效率和功率密度，预计到2030年的相关市场机会将达每年10亿美元。第三级：为AI处理器供电的48V DC/DC转换器可采用纳微全新的80-200V氮化镓产品，以实现最高效率和功率密度，预计到2030年相关市场机会将达每年12亿美元。研发时间表：每个功率级的初步客户评估已完成，最终工程样品预计于第四季度推出；预计2026年完成最终供应商选择和系统设计，于2027年实现量产。宣布与力积电（Powerchip）达成合作，由其生产一流的8英寸180nm氮化镓产品，以支持更高水平的集成，预计将降低成本并扩大产能，助力实现AI数据中心技术路线图和增长目标。通过普通股发售筹得9700万美元净现金，这笔资金将为公司的研发及增长计划提供支持，重点投向AI数据中心及相关能源基础设施市场。纳微将聚焦移动、消费及家电领域中的高端市场，引领该细分领域发展，此举将优化营收结构，并逐步提升利润率，同时在不增加短期运营支出的前提下，加大对AI数据中心和相关能源基建领域的关注与投入。持续领跑高端氮化镓快充市场，小米采用纳微推出目前全球最小、最快的90W充电器，其尺寸仅与12W硅基充电器相当。业务展望 2025年第三季度净营收预计为1000万美元，上下浮动50万美元，主要受关税风险及更具选择性的移动快充业务战略影响。第三季度非GAAP毛利率预计为38.5%，上下浮动 0.5%；非GAAP运营支出预计约为1550万美元。纳微2025第二季度财务业绩电话会议和网络直播信息重播：可于纳微半导体官方网站的投资者关系页面回看https://ir.navitassemi.com/ 非公认会计准则财务指标本新闻稿和我们公开网播中的各项陈述含有未按美国公认会计准则计算的财务指标，我们称之为 “非公认会计准则财务指标”，包括(i)非公认会计准则毛利率、(ii)非公认会计准则营业费用、(iii)非公认会计准则运营损失、(iv)非公认会计准则每股亏损。这些非公认会计准则财务指标均从公认会计准则结果调整而来，排除了某些费用，排除项目概况见后文表内“公认会计准则财务指标调整为非公认会计准则财务指标”部分。我们相信这些非公认会计准则财务指标向投资者提供了有关公司经营业绩的有益补充信息，将与公司经营无关的项目排除在计算之外，以便投资者比较不同时期的财务指标。我们认为，通过非公认会计准则财务指标可以快速了解公司经营情况，即将非公认会计准则财务指标与公认会计准则指标相结合，通过把非公认会计准则财务指标调整至公认会计准则财务指标，能够更全面了解公司经营业绩。尽管如此，上述非公认会计准则财务指标应视为补充，并不优于也不能替代根据公认会计准则计算的财务指标。有关前瞻性陈述的提醒本新闻稿（含“业务展望”部分）包括《1934年证券交易法》（修订后版本）第21E条所指的“前瞻性陈述”。所谓“客户项目价值”及相关信息均属前瞻性陈述。其他前瞻性陈述可能使用诸如“我们预计” “预计”“估计”“计划”“规划”“预测”“打算”“预期”“相信”“寻求”，也可能使用旨在预测或表明未来事件、趋势或者并非陈述历史情况的其他类似表达。客户项目价值和其他前瞻性陈述的依据是有关财务和业绩指标的估计和预测，以及有关市场机会、市场份额的前瞻等等。无论本新闻稿中是否具体说明，以上陈述内容均系于各种假设、基于纳微管理层的当下预期，并非实际业绩预测。前瞻性陈述仅供演示说明，不是针对任何事实或概率的担保、保证、预测或定论，投资者也不可将前瞻性陈述当作事实或概率相关担保、保证、预测或定论信赖。实际事件和情况很难甚至无法预测，且会与假设和预期不同。诸多影响业绩的实际事件和情况超出纳微控制之外，以及影响前瞻性陈述的风险和不确定性众多。与AI数据中心市场发展相关的风险。例如，尽管本新闻稿及相关网络直播中关于AI数据中心领域氮化镓和碳化硅功率半导体产品（由纳微及其他供应商提供）的市场发展及未来需求的陈述基于纳微认为合理的研究和分析，但这些陈述仍存在重大不确定性，尤其是纳微的产品旨在颠覆现有市场并创造新市场。与传统硅基解决方案等成熟市场不同（历史趋势具有一定预测价值），新市场面临独特挑战：市场接受度及目标市场不确定性：在新兴市场中，对纳微产品及客户产品的需求难以预测，因为客户偏好可能尚未完全明确且变化迅速。此外，对我们产品的需求取决于新兴系统架构的接受度。例如，我们对800V AI数据中心电源应用中氮化镓和碳化硅基产品的预测，取决于对800V系统本身接受度和增长的假设。缺乏历史数据：在成熟市场，营收预测可基于往期趋势支持；相比之下，针对新应用场景的产品几乎没有先例，导致传统预测方法可靠性降低。竞争动态不可预测：若纳微的产品重塑或创造新市场格局，竞争环境可能以意想不到的方式演变。例如，可能出现新的竞争对手，或在纳微希望进入的市场（包括碳化硅市场）中，拥有成熟研发和制造资源及长期客户关系的传统竞争对手可能选择推出竞争性氮化镓或碳化硅解决方案。行业周期性及波动性：半导体行业具有周期性波动特点。在新兴市场中，这种固有不确定性更为突出，需求可能因宏观经济事件、供应链冲击、监管变化或技术周期而大幅波动。由于纳微的增长战略依赖于成功创造和拓展此前不存在的市场（或在纳微进入前存在显著差异的市场），纳微可能会经历营收增长不一致或低于预期的时期，且盈利能力可能受影响。这些因素可能对纳微的运营业绩和财务状况产生重大影响。投资者不应将过往业绩或管理层预测作为这些动态市场中未来业绩的指标。其他风险：其他风险包括纳微能否为合理预算和调整支出而预测营收；能否拓展客户群并在新市场或地区建立合作关系；由于上述因素及其他因素（如未能成功将收购业务整合到纳微的业务和运营系统中），业务增长可能无法实现或无法在预期时间内实现；收购对客户和供应商关系的影响，或未能维持和拓展这些关系；其他业务发展努力的成败；纳微的财务状况和运营业绩；能否将技术拓展至新市场和应用；竞争对纳微业务的影响（包括在纳微希望进入的市场中已站稳脚跟且资源充足的竞争对手的行动，包括碳化硅市场）；客户终端市场的需求水平及客户预测此类需求的能力（总体而言及针对各代产品或技术）；能否吸引、培养和留住关键人才；政府贸易政策变化（包括关税征收及跨境投资监管，特别是涉及中美两国的政策）；美国、中国及其他国家的其他监管动态；产品生产和销售地区发生流行病等事件的影响；以及能否保护知识产权。这些及其他风险因素在纳微截至2024年12月31日的10-K表年度报告“风险因素”部分（第 15 页起）、最新10-Q表季度报告的“风险因素”部分及向美国证券交易委员会（SEC）提交的其他文件中均有讨论。若上述风险（及SEC报告中更详细讨论的风险）成为现实，或前瞻性陈述所依据的假设被证明不正确，实际结果可能与这些前瞻性陈述暗示的结果存在重大差异。有关客户项目价值和设计定案项目的说明 “客户项目价值”指基于潜在客户对合格项目表达的兴趣所反映的预估未来业务潜力，以客户终端产品生命周期内可能实现的预估收入表述。“设计定案项目”指终端客户在特定生产项目中选用纳微产品，以客户终端产品生命周期内可能实现的收入表述。所有客户项目价值及设计定案项目信息均构成前瞻性陈述。客户项目价值与设计定案项目不构成订单、不可作为未完成订单或未来收入预估的替代指标，亦不得被视为任何其他财务绩效衡量标准。相反，纳微使用此类术语旨在表明公司对跨终端市场的未来潜在业务及相关变化的当前判断。时间范围因产品类型及应用而异。因此，实际实现的业务取决于以下因素：潜在客户最终是否选择纳微解决方案；在双重或多源供应情形下，客户项目中授予纳微解决方案的份额相对于其他供应商的比例；客户对所选解决方案的成功认证；客户启动生产所需的时间；客户进入全面量产阶段的持续时间与速度；以及纳微基于预期收入、利润率及下文“关于前瞻性陈述的警示声明”中所述的客户项目价值相关因素，在整个过程中作出的战略决策。纳微半导体未经审计合并利润报表（公认会计准则）（除每股金额外，单位均为千美元）纳微半导体非公认会计准则财务指标调整为公认会计准则成果（除每股金额外，单位均为千美元）纳微半导体简明合并资产负债表（单位：千美元）

纳微

纳微芯球 . 2025-08-06 3070
方案 | 上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用

当今世界的主要能源来源还是化石能源，而化石能源在使用后会排出大量的污染物，严重影响到人类的健康问题。太阳能因其取之不尽用之不竭且无环境污染等优点，已经成为人类追求新能源的首选；太阳能的应用非常广泛，其中最主要的发电应用有光热发电、光伏发电等；在太阳能的多种应用中，光伏发电是目前世界上最为普遍的一种方式。光伏逆变器是太阳能发电系统的心脏，它将太阳能电池板产生的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流电，其性能直接影响发电效率、电网兼容性和系统可靠性。绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有大电流、高电压、易驱动等良好的特性，广泛应用于光伏逆变器。上海贝岭一直积极研发新一代的IGBT技术，为满足市场终端需求，推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7，助力客户光伏逆变器应用高效率、高可靠性设计。典型应用拓扑上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7，额定电流80A，耐压650V，对目前主流户用光伏逆变器拓扑Heric等都有很好的匹配，同时也适用于三相NPC1和NPC2(横管)的应用。表1 主流光伏逆变拓扑 BLG80T65FDH7 产品特点上海贝岭BLG80T65FDH7采用新一代微沟槽多层场截止IGBT技术，通过微沟槽结构增加载流子注入效率，优化导通压降；场截止层加速关断时的载流子抽取，降低开关损耗；多层场截止结构提高高温稳定性；同时内部采用超快速软恢复二极管进行反并联。技术特性精准匹配光伏逆变器对高效、高频、高可靠性的需求。性能特点：优化开通损耗和关断损耗，开关频率高低导通压降Vce(sat)，减小器件的导通损耗 Vce(sat)正温度系数，易于并联使用高BVces耐压能力低VF和快软恢复二极管 HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命符合175℃结温的工业级和车规级考核标准 BLG80T65FDH7 产品核心优势 4.1 效率优势——低饱和压降Vce(sat) 光伏应用中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大，影响导通损耗的主要参数为VCE(sat)，常温25℃和高温175℃下贝岭BLG80T65FDH7导通压降达到国际大厂水平，且比竞品略低。且随着结温上升，VCE(sat)正温度系数，有利于解决并联应用中的均流和热平衡问题。图4.1 VGE=15V 饱和压降对比 4.2 动态性能升级——低开关损耗在光伏逆变应用中，单管IGBT一般设计工作在20kHz左右，并且有高频化的趋势，因此降低IGBT开关损耗也尤为重要，上海贝岭BLG80T65FDH7降低导通压降，同时优化了开关损耗，如图4.2所示， BLG80T65FDH7开启损耗和竞品相差不大，关断损耗比竞品略低，总开关损耗略小于竞品，性能达到国际大厂 S5系列水平。图4.2 IGBT开关损耗对比 4.3 IGBT合封二极管——较低VF 和Qrr BLG80T65FDH7合封较低VF的二极管，有利于降低二极管续流过程的导通损耗。如表2所示，贝岭IGBT合封二极管VF和竞品相差不大。表2 IGBT合封二极管压降对比相同测试条件下，BLG80T65FDH7合封二极管 Qrr比竞品更小，在高频应用中损耗更小，更有优势。图4.3 IGBT合封二极管Qrr对比 4.4 温升表现良好——板级温升测试上海贝岭BLG80T65FDH7基于优异的器件设计，各项参数和功率器件国际大厂I公司接近，部分参数更优，为光伏应用通过系统测试提供了保障。如图4.4，在常温环境下，上海贝岭BLG80T65FDH7和I公司产品在10kW光伏逆变平台测试，壳温基本一致，产品性能满足客户的需求。图4.4 IGBT壳温对比上海贝岭功率器件选型方案上海贝岭功率器件产品系列齐全，包括MOSFET、IGBT等产品，满足客户各类光伏逆变器设计需求，具体型号参考表3：表3 功率器件选型表上海贝岭IC器件选型方案上海贝岭在光伏逆变器领域产品配套齐全，除功率器件以外，还可以提供各类电源管理IC和信号链IC供客户选择，具体型号参考表4：表 4 IC器件选型表

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