产品 | 思特威推出面向AI PC与平板应用的全新升级500万像素图像传感器
当前笔记本电脑、平板终端持续向极致轻薄、全屏一体化、AI智能交互迭代，AI PC 更是逐步成为市场主流终端形态。视频会议、人脸识别、人体存在检测、待机常开感知等功能成为标准化刚需，终端对PC图像传感器的小型化、低功耗、全场景成像能力提出更高适配要求。 近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出面向AI PC、平板电脑的500万像素高性能CMOS图像传感器——SC522PC。SC522PC基于思特威SmartClarity®-XL技术平台打造，采用65nm Stacked BSI工艺制程，并搭载思特威专利PixGain HDR®、SFCPixel®等先进技术，兼具超小模组尺寸、高动态范围、高帧率、低功耗等性能优势。同时，SC522PC适配主流16:10屏幕比例，可全面覆盖AI PC、平板等终端设备的高清视讯会议、智能人脸识别、人体存在检测、待机常开（Always-On）等多元化场景，满足轻薄智能终端的全场景高清成像与AI感知需求。 适配16:10主流屏幕比例 超小尺寸适应PC轻薄化 随着AI PC、平板电脑等终端设备对多任务处理、影音娱乐以及高效生产力的需求持续攀升，传统4:3屏幕受限于画幅比例，已逐步被宽高屏取代。SC522PC支持业内主流的16:10 分辨率 输出比例，可精准适配当前AI PC、平板电脑等终端设备的窄边框屏幕设计，在视频会议、直播互动等场景中提供无裁切、无黑边的完整画面，显著提升终端用户的视觉体验。此外，针对AI PC、平板等终端设备日益轻薄化的设计需求，SC522PC采用超薄模组尺寸设计，其Y边尺寸小于4毫米，可在保障成像性能的同时，有效减少整机边框预留空间，适配终端产品轻薄机身的发展趋势。 综合性能优化 打造AI PC新视界 SC522PC基于思特威先进的SmartClarity®-XL技术平台打造，并搭载思特威专利PixGain HDR®、SFCPixel®等多项核心技术。在复杂的光线环境下，SC522PC也可输出清晰、细腻、低延时的高质量影像，全面满足视频会议、人脸识别、人体存在检测、Always-On待机等多元化应用需求。 高动态范围 SC522PC搭载思特威专利PixGain HDR®及ColGain HDR®技术，动态范围最高可达73.7dB，能够在强光、逆光等明暗对比强烈的复杂光线环境下，帮助PC摄像头捕捉画面通透、无运动伪影的优质影像，保留人像与环境细节，助力提升用户在视频会议与实时影像交互场景下的使用体验。 高帧率低延迟 SC522PC支持60fps高帧率高清输出，可显著改善常规30fps视频拍摄易出现的画面卡顿、运动拖尾等问题，有效降低画面延迟，实现顺滑流畅的实时画面捕捉。凭借优异的高帧率性能，SC522PC可充分适配高清视频会议、动态人脸识别等应用场景。即使面对快速移动、手势交互或人脸角度变化等情况，SC522PC依旧能够输出连贯顺滑的画面，完整保留图像关键细节，保障AI识别与视频交互的稳定可靠。 超低功耗 SC522PC支持全时录像(AOV, Always-On Video)功能。通过在1fps低帧率和60fps常规帧率之间智能切换，SC522PC可实现长时间待机，高效支撑PC人体存在检测、Always-On待机常开等功能，赋能AI PC、平板电脑在低功耗运行下的持续智能交互能力。 暗光成像优异 SC522PC搭载思特威专利SFCPixel®技术，并采用先进的超低噪声外围读取电路技术，在实现高感度的同时，有效抑制噪声。即使在室内、逆光、夜晚等复杂光线环境下，SC522PC仍能够为AI PC、平板等终端设备输出清晰明亮、层次细腻的高质量影像，显著改善PC设备在弱光及逆光环境中的成像质量。 为适应PC AI化趋势，思特威已推出SC020MPC(0.16MP)、SC038MPC(0.3MP)、SC200PC(2MP)、SC521PC(5MP)及SC522PC（5MP）等多款PC应用CMOS图像传感器系列化产品，全面覆盖智能感知、高清影像两大核心需求，全方位赋能笔记本、平板电脑智能化影像升级。 目前SC522PC已接受送样，预计将于2026年Q3实现量产。想了解更多有关SC522PC相关信息，请与思特威销售人员联系。
思特威
思特威 SmartSens . 2026-06-18 1764
企业 | 犀牛派X1斩获 2026 金砖国家工业创新大赛“人工智能”赛道银奖
近日，由工业和信息化部国际经济技术合作中心、国家智能网联汽车创新中心主办的2026 年金砖国家工业创新大赛圆满落下帷幕。 经过层层筛选与激烈角逐，成都阿加犀智能科技有限公司自主研发的算・控・交互一体化机器人开发板犀牛派 X1，凭借突出的技术创新实力与成熟的产业落地能力，从众多优质项目中脱颖而出，荣获人工智能赛道选拔赛银奖。 金砖国家工业创新大赛是落实金砖国家新工业革命伙伴关系的核心品牌赛事，成果先后写入金砖国家领导人会晤《北京宣言》《喀山宣言》《里约热内卢宣言》，是面向全球、代表国家级工业创新水平的权威舞台。 本届大赛汇聚众多世界 500 强企业、知名上市公司同台竞技，阿加犀作为首次参赛企业，便斩获人工智能赛道选拔赛银奖，充分展现出在具身智能与端侧 AI 领域的领先竞争力。 技术出海 赋能全球 近年来，阿加犀积极响应国家 “一带一路” 与金砖国家合作倡议，深度参与全球科技创新交流，持续拓展国际市场布局。 2024 年，公司在第二届中国—东盟创新创业大赛中脱颖而出，斩获企业组唯一一等奖，成为中国与东盟科技创新合作、产业互联互通的标杆企业。 此外，阿加犀深度融入国家对外开放与金砖国家合作大局，持续推进国际技术交流与产业落地。 近年来，持续与东南亚、中东等地区保持交流互访，先后接待阿联酋驻华大使馆代表团、东南亚青年精英考察团参访，搭建起稳定的国际技术合作桥梁。 在产业出海与金砖国家市场落地方面，阿加犀以硬核技术方案赋能中国企业走向全球，相关方案均已被收纳至《扬帆再出海：2025高通物联网创新案例集》中。 智能电动轮椅 助力邦邦机器人依托一芯多用机器人解决方案打造智能电动轮椅，产品已进入全球 65 个国家，成功覆盖金砖及新兴市场； 智能植保机器人 支持江苏南通企业基于定制化方案开发智能植保机器人，产品远销巴西等金砖国家，国际订单突破千万元； AI大模型平板解决方案 同时，公司推出的维保 AI 大模型平板解决方案，已在东南亚、中东、欧洲及南美等汽车出海重点市场规模化布局，以技术创新赋能中国智造深度融入全球产业链，为金砖国家及 “一带一路” 沿线的产业智能化升级提供坚实支撑。 此次斩获2026 金砖国家工业创新大赛 “人工智能” 赛道银奖，既是国际权威平台对阿加犀技术创新与产业价值的高度认可，也为公司深化金砖国家及 “一带一路” 市场合作注入强劲动力。 而本次载誉获奖的核心产品算・控・交互一体化机器人开发板犀牛派 X1，凭借领先架构与成熟落地能力，将成为支撑公司全球化布局与产业赋能的关键载体。 获奖产品：犀牛派 X1,重构具身智能开发范式 当前具身智能产业快速发展，工业运维、科研教育等领域智能化需求持续提升，但行业普遍面临算力成本高、兼容性差、算法与硬件协同低效等痛点，难以支撑轻量化模型推理与多模态感知实时处理，制约具身大模型产业化落地。 阿加犀研发的犀牛派 X1 精准破解行业瓶颈，填补低成本、高兼容端侧算力平台的应用空白。 强劲AI算力 集成专用NPU，AI算力高达 48 TOPS (INT8)，等效算力可达156TOPS，可满足机器人视觉定位、关节控制等复杂神经网络推理任务的需求。 高性能处理器 采用 4nm制程异构架构，6核CPU主频峰值达 3.2GHz，在人形机器人等多任务场景中运行更流畅。 算控交互一体 在单平台上深度融合AI算力与高性能处理器，打破传统“AI计算+运动控制”分离的架构瓶颈，实现“算法-硬件”高效闭环。 丰富的接口与扩展性 配备USB 3.0、CAN、SPI、I2C、PWM、UART、LAN/WAN等多种工业接口，无需扩展板卡即可直连各类机器人硬件组件，搭建多种机器人形态。 双系统支持 支持运行 AidLux融合系统（Android 13 + Ubuntu 22.04） 或纯Ubuntu 22.04系统，兼顾移动应用生态与Linux开发环境。 强大的模型与生态 已支持Gemma 4 E4B、Qwen3系列、π0、RDT、GraspMolmo等前沿大模型的端侧高效运行。开发者更可基于犀牛派X1部署 OpenClaw，通过自然语言直接驱动机械臂或机器人完成抓取、移动等精准动作，实现“交互即控制”的全链路闭环。并通过端侧AI生态门户提供超过500个即下即用的AI模型，大幅降低开发门槛。 和全球开发者面对面 依托成熟的产品实力与广泛的生态基础，犀牛派 X1 现已正式成为2026 高通具身智能与机器人大赛官方指定开发板之一，为全球开发者提供高性能、低成本、开箱即用的具身智能开发底座。 2026高通具身智能与机器人大赛已正式启动 大赛面向全阶段项目开放，涵盖机器人创新技术实践Demo、机器人产品平台迁移验证、前瞻机器人技术探索等多种类型，参赛者可根据自有项目创意，灵活选择一款由赛事合作伙伴提供的机器人开发板，进行创新应用开发。 赛事期间将通过技术集训、专家指导等形式，为开发者提供完整的软硬件一体化支持。同时，获奖团队还将有机会对接行业资源，助力其创新应用快速实现商业转化落地。 载誉金砖赛场，既是过往技术出海成果的印证，更是全球化创新布局的全新起点。 依托犀牛派 X1 算控交互一体化核心优势，阿加犀将持续打通算法、硬件、产业落地全链路，一方面持续服务国内机器人企业出海拓市，助力更多中国智能装备走向金砖及全球新兴市场；另一方面联动全球开发者生态，以低成本、高兼容的开发底座降低具身智能创新门槛。 未来公司将持续深耕端侧 AI 与机器人核心技术攻坚，在全球工业智能化变革浪潮中，持续释放中国科创企业的硬核创新力量，坚守技术平权初心，以硬核端侧 AI 技术搭建国内外科创互通桥梁，在全球工业智能化浪潮中持续释放中国科创企业的创新动能。
阿加犀
阿加犀智能科技 . 2026-06-18 2114
企业 | 华虹宏力82.68亿购买华力微电子97.4988%股权，创科创板最大半导体并购
华虹宏力发行股份购买华力微电子97.4988%股权并募集配套资金事项，于今日（6月18日）接受上交所并购重组审核委员会审议。 这是科创板晶圆代工领域迄今规模最大的并购整合案。根据该公司的重组报告书(上会稿)，本次交易全部以股份支付，发行价格为43.34元/股，合计发行约1.907亿股，对应交易对价82.68亿元。华虹同步推进配套资金募集，上限为75.56亿元，其中约32.95亿元用于华力微技术升级改造，其中现有产线设备升级改造7.65亿元，BSI项目新建25.30亿元;约5.62亿元用于特色工艺研发及产业化，重点发展BCD工艺，丰富工艺平台;其余资金用于补充流动资金和偿还债务。 交易对方为四家机构：华虹集团(控股股东)、上海集成电路产业投资基金、国家集成电路产业投资基金二期(大基金二期)，以及上海国投先导集成电路私募投资基金。其中华虹集团锁定期36个月，大基金二期和地方基金根据持股情况分别设置12个月或36个月锁定期。 华力微市场法估值84.80亿元，增值率323.59% 以2025年8月31日为评估基准日，华力微净资产账面值约20.02亿元，采用市场法评估结果为84.80亿元，评估增值率达323.59%。最终交易作价以市场法评估结果为依据，对应收购97.4988%股权的交易金额为82.68亿元。 较高的估值增值率反映了市场对华力微晶圆代工产能和工艺能力的溢价认可。若交易顺利完成，华力微的65/55nm及40nm逻辑工艺和特色工艺技术将注入上市公司，华虹宏力将新增3.8万片/月的相关制程产能。 IPO承诺的兑现与同业竞争问题的解决 本次重组的根源可追溯至华虹宏力科创板IPO时的一项承诺。当时华虹集团在招股书中明确，上市后三年内将华力微注入上市公司，以解决双方在65/55nm及40nm制程上的同业竞争问题。 华力微与华虹宏力同属华虹集团控制，两家公司均从事晶圆代工业务，但各有侧重：华力微主攻65/55nm和40nm逻辑工艺，华虹宏力深耕特色工艺(嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理等)。此次重组将使两家企业在技术路线和客户结构上实现整合，消除内部竞争，统一产能调度。 从交易性质看，本次收购构成关联交易，但因相关指标未触及规定标准，不构成重大资产重组，亦不构成重组上市(非借壳)。审核路径为并购重组委审核加证监会注册。 半导体行业复苏为并购提供需求支撑 2026年全球半导体行业处于复苏周期。据Omdia数据，2026年第一季度全球半导体营收环比增长27%，其中存储器营收环比增幅超过80%。华虹宏力2026年一季度亦交出业绩答卷：主营收入46.25亿元，同比增长18.22%;归母净利润1.40亿元，同比增长513.10%;毛利率17.63%，同比上升3.8个百分点。 行业景气度回升为晶圆代工并购整合提供了需求基础。机构对电子行业维持"增持"评级，重点看好AI硬件、存储产业链和MLCC产业链三大方向。国内晶圆厂加速导入国产设备及材料，进一步提升了半导体自主可控链条的投资确定性。 市场反响与后续关注 自6月12日披露上会时间以来，华虹宏力市场关注度持续升温。6月15日主力资金净买入4.95亿元，半导体板块整体活跃。6月16日港股华虹宏力盘中因市场对并购方案存在股权稀释担忧而下跌约5%，反映出投资者对交易后股本扩张压力的关注——这也是今日审核后需要观察的关键变量。 若6月18日获得上交所并购重组委审核通过，后续仍须取得证监会同意注册，方能完成交割。业内人士分析，本轮A股半导体并购重组中，以"大基金/地方基金为交易对手方、产能或核心工艺为标的、审核通道正在推进"为特征的案例正在加速通关，华虹宏力收购华力微即是典型案例之一。该交易的审核结果，也将为后续同类半导体并购提供参考。
华虹宏力
芯查查资讯 . 2026-06-18 3164
应用 | 创通联达抢滩AI眼镜量产元年，携手高通Snapdragon START 加速全球产品落地
当地时间6月16日，高通公司在美国长滩举行的增强现实世界博览会（AWE2026)上正式发布面向个人AI设备的交钥匙工具包 Snapdragon®START，AI 智能眼镜成为首发品类。 创通联达（Thundercomm）作为官方推荐的方案与量产合作伙伴，将提供基于高通最新AI眼镜旗舰芯片AR1 plus的"生产就绪型（production-ready）" AI 眼镜解决方案。 这意味着全球 ODM/OEM 客户从今天起，可以通过创通联达直接拿到经过高通官方背书、软硬件一体、可快速量产的AI眼镜方案，把品牌的AI眼镜上市周期，从"从零开始"压缩到"仅需做品牌、做体验、做GTM"。 当地时间6月16-18日，增强现实世界博览会（AWE2026）在美国加州长滩会议中心举行，作为全球规模最大、最具风向标意义的 AR/VR/空间计算与AI眼镜行业大会，AWE汇聚了来自全球XR与个人AI设备的芯片厂、品牌商、ODM、光学/显示供应商与开发者。大会期间，高通推出Snapdragon® Scalable Turnkey AI-Ready Toolkit（START）计划，并将携手创通联达（Thundercomm）助力全球AI眼镜品牌更快、更灵活地将产品推向市场。 AI眼镜产业趋势：已经进入"量产元年" 本届AWE释放的核心信号十分清晰：AI眼镜已从概念走向规模化，品类分化为轻量化AI音频眼镜、HUD信息提示眼镜、AR/空间计算眼镜三大主流形态；以代理式AI（Agentic AI）为核心的"看你所见、听你所闻"的随身智能体，正在让眼镜成为继手机之后最重要的个人AI入口。胜负的关键已经从"做不做得出"，切换为"多快可上市、能不能稳量产、能不能持续迭代AI体验"，换句话说从单点技术比拼，转向端到端生态的较量。 创通联达客户价值："全栈交钥匙"合作伙伴 在START项目首批生态伙伴中，创通联达是少数同时具备高通原厂级协同+可打造智能眼镜产品矩阵+有端到端量产能力的合作伙伴。作为中科创达与高通的合资公司，创通联达深耕XR/智能眼镜赛道多年，从骁龙原厂级协同与BSP适配，到光机/显示集成、多模感知与手势/语音算法，再到端云混合AI、全球认证与量产爬坡，创通联达为客户提供智能眼镜整机交钥匙解决方案，让品牌真正只需要聚焦品牌定位、ID、UX与GTM。 创通联达AI眼镜解决方案核心应用场景 创通联达北美高级副总裁Ali Mesri表示：“骁龙START计划降低了各大品牌面向市场规模化推出智能眼镜的门槛。通过将量产就绪的设计方案与高通技术公司高能效的AI平台相结合，我们将助力打造面向真实使用场景的新一代可穿戴产品。” 对全球ODM/OEM客户而言，选择创通联达，等于以最短路径接入高通Snapdragon START完整能力栈，让自己的AI眼镜产品抢下这一轮AI眼镜量产元年的关键窗口。
中科创达
ThunderSoft中科创达 . 2026-06-18 1659
市场 | 功率半导体再现调价：全系涨价10%-15%
6月15日，上海证券报、财联社等权威媒体披露，#立昂微 近期已向合作客户正式出具产品价格调整通知函，明确功率芯片业务全线产品上调售价，调价政策自2026年6月15日起正式执行，当日及后续出库货物全部按照新定价结算，涨幅区间为10%至15%。 通知函载明本次调价的直接原因：上游硅片等核心原材料价格持续上行，推高企业整体生产成本。公司称已通过优化产线流程、提升生产良率、压缩运营开销等多种方式对冲成本压力，但仍无法覆盖持续增加的生产支出。本次适度上调产品售价，主要用于稳定产品品质、保障持续供货能力，维护长期客户合作关系。公司同时在通知中表示，客户如需了解细分品类调价细则，可对接专属销售顾问沟通确认。 除功率芯片板块调价外，立昂微旗下硅片业务同步推出涨价计划。子公司#金瑞泓 发布通知，受原材料成本上涨影响，自2026年7月1日起，旗下全部半导体硅片产品上调价格，调价幅度同样为10%至15%。两条业务线分时段调价，覆盖公司前端硅片材料、后端功率芯片两大核心制造环节。 在上交所投资者互动平台，有投资者针对网传涨价函真实性进行提问，立昂微于6月16日官方答复确认，公司当前已针对功率芯片产品实施价格调整，定价策略会综合原材料成本、市场订单需求、库存情况等多重因素动态调整。 公开工商与产业资料显示，立昂微为国内具备完整垂直一体化产能的半导体企业，业务分为三大板块，分别是半导体硅片、功率器件芯片、化合物射频及光电芯片，可实现功率芯片所需硅片自主供给。功率芯片产品线覆盖MOS管、肖特基二极管、FRD等品类，产品供货汽车电子、工业控制、AI服务器电源、消费电子等领域，车规级产品已批量导入多家整车及零部件头部厂商。 值得关注的是，2026年内功率半导体行业已出现多轮调价动作。2月，包括士兰微、英飞凌、华润微在内的多家功率半导体企业，明确发布涨价通知或调价计划。 士兰微宣布自3月1日起，小信号二极管/三极管芯片、沟槽TMBS芯片、MOS类芯片等多款功率器件产品，统一涨价10%；英飞凌宣布自4月1日起，上调部分功率开关器件及集成电路（IC）产品价格。 海内外企业调价逻辑相近，均提及上游晶圆、硅片原材料成本上涨，同时下游新能源车、工控、AI算力电源订单持续饱满，现有产能保持满负荷运转。
涨价
集邦化合物半导体 . 2026-06-18 3787
企业 | 紫光国微拟19亿元100%收购瑞能半导体
近日，紫光国芯微电子股份有限公司发布发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）。 紫光国微拟通过发行股份及支付现金的方式购买南昌建恩半导体产业投资中心（有限合伙）、北京广盟半导体产业投资中心（有限合伙）、天津瑞芯半导体产业投资中心（有限合伙）等14名交易对方持有的瑞能半导体科技股份有限公司100%股权，并募集配套资金。 本次交易总对价19亿元，同时紫光国微计划向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金，募资总额上限3.96亿元，资金将专项用于支付本次交易现金对价、中介服务费、交易税费等并购整合相关支出。 公告披露，本次交易对价支付结构划分明确：以发行股份支付交易对价15.2亿元，占总交易对价80%；现金支付对价3.8亿元，占总交易对价20%。发行股份购买资产的发行价格为61.75元/股，不低于定价基准日前20个交易日公司股票交易均价的80%，发行股份数量共计24,615,377股。 公开资料显示，瑞能半导是覆盖芯片设计、晶圆制造、封装设计、模块封测全链条的一体化功率半导体厂商，主营功率半导体研发、生产与销售，核心产品矩阵包含晶闸管、功率二极管、碳化硅二极管，同步布局碳化硅 MOSFET、IGBT、功率模块等高端器件，产品广泛落地消费电子、工业制造、新能源、汽车电子等领域。 资料显示，该公司成立于2015年12月，法定代表人为姜海涛，经营范围包括硅材料行业投资、集成电路行业投资、创业投资等，由上海国盛（集团）有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海嘉定工业区开发（集团）有限公司等共同持股。 据其披露的2025年年度报告，2025财年内，沪硅产业各子公司分别启动多项重点建设项目，聚焦300mm及200mm半导体（881121）硅片的技术能力提升与产能扩容，在300mm SOI硅片领域取得阶段性突破，主要产品已完成关键技术研发，进入量产落地与市场验证阶段。
紫光国微
芯查查资讯 . 2026-06-18 2233
产品 | 中微爱芯推出3V高性能模拟开关——AiPTS3A4741
在现代电子设备追求超高能效与极致信号保真度的背景下，模拟开关的性能已成为系统瓶颈的关键之一。AiPTS3A4741是一款0.9Ω低内阻低电压单电源2路模拟开关，可传输轨到轨信号，由使能口（IN）控制开关，高电平有效。 【应用优势】 极低的信号损耗与电压降： 在3V电源下典型值仅为0.9Ω。这意味着在传输信号或进行电源路径管理时，由开关本身引入的损耗和压降降至极低水平，尤其适合对电压精度和功率效率有严苛要求的电池供电系统、便携式设备及数据采集系统。 出色的动态性能与信号保真度： ● 高速开关：t_ON = 15ns，t_OFF = 10ns的快速切换能力，能满足高速数据选通与多路复用的需求。 ● 高带宽：125MHz的-3dB带宽，确保高频模拟信号（如视频、中频信号）能高质量地通过。 ● 优秀的隔离度与串扰性能：在1MHz时，关断隔离度（OISO）典型值达-62dB，串扰（XTALK）低至-95dB，有效防止通道间干扰。 宽广的工作范围与兼容性： ● 宽电压供电：单电源1.6V至3.6V工作，完美覆盖从单节锂电池到3.3V逻辑系统的常见电压。 ● 轨到轨信号处理：支持从GND到VCC的完整摆幅模拟信号通过。 ● 逻辑兼容：在3V供电时，数字控制输入兼容1.8V CMOS逻辑电平，方便与主流低功耗微控制器和处理器直接连接。 高可靠性与小尺寸： ● 大电流能力：支持高达100mA的连续导通电流，可用于中小功率的电源路径切换。 ● 微型封装：提供MSOP超小封装，极大节省PCB空间，是紧凑型设计的理想选择。 【主要特点】 ● 工作电压范围：1.6V~3.6V ● 导通电阻：典型0.9Ω（3V供电） ● -3dB带宽：125MHZ ● 大电流能力：支持高达100mA的连续导通电流 ● 功耗：CMOS低功耗，静态电流输入漏电均小于1μA ● 工作温度：-40℃~125℃ ● 封装形式：MSOP8 【功能框图】 【引脚排列图】 MSOP8 【应用领域】 ● 电池供电设备中的电源与信号路径管理 ● 手机、平板电脑中的音频/视频信号路由 ● 低电压数据采集系统的多路复用器 ● 通信电路中的信号切换与选通 ● PCMCIA卡、调制解调器、硬盘驱动器等外设接口 【结语】 无论是对能效表现有高要求，还是需处理高质量高速信号，AiPTS3A4741（两路常开）均可满足高性能、高可靠性的电路设计需求，适配多类应用场景。
模拟开关
中微爱芯官网 . 2026-06-18 658
产品 | 16KB MTP ROM AD型8位微控制器—AiP8M1516
AiP8M1516是一款AD型8051内核MCU，内置16 KB MTP ROM、256B IRAM、256B XRAM，内部集成Timer0/1/5、WDT、LVD、UART和12bit ADC。 【主要特点】 · 内核：1T 8051 · 工作电压范围：3.5~5.5V@fsys=16MHz · 工作模式：普通模式（RUN）、空闲模式（IDLE）、停止模式（STOP） · 存储器：256B IRAM、256B XRAM、16KB MTP ROM（擦写次数100次） · 时钟：内部16MHz高速振荡、内部32KHz低速振荡 · 低电压复位：5 level选择（1.6V/1.9V/2.4V/2.6V/3.2V/3.8V） · 低电压检测：16 level选择（1.8V~4.2V） · 中断：4个外部中断源、8个内部中断源，中断优先级软件设置； · GPIO：30个多功能双向I/O口，支持独立弱上拉和弱下拉；4档高电平驱动能力可选，2档低电平驱动能力可选； · 定时器：2个8位通用计时器T0/1，1个12位高级定时器T5支持LED单线通信；看门狗定时器WDT，STOP模式下可以定时器唤醒； · 通信接口：1路UART，支持端口全映射； · ADC：12位分辨率A/D转换器，最多支持8个外部输入通道，内部2V/3V/4V/VDD基准； · 烧录：支持两线烧录及在线仿真，支持带电烧录； · 工作温度：-40~+105℃ · 封装形式： SOP32/ SOP28/SSOP28/SSOP24/SOP20/SSOP20/SOP16/SOP8 【功能框图】 图 1 系统框图 【引脚排列图】 图 2 SOP32引脚排列图 图 3 SOP28/SSOP28引脚排列图 图 4 SSOP24引脚排列图 图 5 SOP20/SSOP20引脚排列图 图 6 SOP16引脚排列图 图 7 SOP8引脚排列图 【产品优势】（可选） UART端口支持端口全映射、T5支持LED单线通信 【应用领域】 【结语】 AiP8M1516是一款经济型MCU电路，在延续传统架构高兼容性的基础上，通过内部集成12位ADC、LVD和多级低电压复位等模拟资源，配合宽电压、多种低功耗模式以及丰富的封装形式，适用于从工业控制、消费电子等领域。 如需了解更多产品资讯，请联系我司授权代理商或销售工程师。
MCU
中微爱芯官网 . 2026-06-18 1 735
产品 | 中微爱芯通用运放系列电路，精准匹配每一处放大需求
中微爱芯基于成熟的模拟芯片设计平台，打造完备的通用运放系列。该系列以卓越的直流精度、宽电源电压适应能力及Pin-to-Pin完全兼容，精准赋能消费电子、工业控制、汽车电子、仪器仪表等领域，为客户提供高性价比、供应稳定的国产化芯片解决方案。 【产品特点】 （一）、宽电压工业通用系列： 支持3V~36V宽电压供电，单/双电源灵活适配，具备高抗干扰能力（CMRR/PSRR）。Pin-to-Pin兼容经典LM321/358/324，是工业控制、电源管理、通用信号调理的性价比基石。 基础应用：绝大多数需要宽压供电和基本放大的电路，可选AiP324或AiP358系列。其衍生型号如AiP358L（3-18V低压版）可满足进一步需求。 单通道需求：可选用AiP221或AiP321。 此系列型号包括：AiP221，AiP321，AiP258，AiP358，AiP358S，AiP358L，AiP224，AiP324。 （二）、低压低功耗系列： 为电池供电设备深度优化，最低支持1.8V工作，静态电流低至µA级，轨到轨系列电路，最大化单电源系统的信号摆幅。 超低压起点（1.8V）与高性能：AiP1330是理想选择，兼具低电压与高摆率。 主流锂电供电（2.5V-5.5V）：单通道需求可考虑AiP321L或AiP321LV，四通道系统可选AiP324LV。 此系列型号包括：AiP1330，AiP321L，AiP321LV，AiP8358LV，AiP324L，AiP324LV，AiP358LV。 （三）、JFET/MOSFET精密输入系列： 采用JFET或MOSFET输入，提供极高输入阻抗与极低输入偏置电流，对信号源负载极小。 通用高阻抗、低噪声音频与精密电路：JFET输入系列是首选。其中AiP07x/AiP08x系列提供高带宽与低噪声，AiP061/AiP062/AiP064系列在保持高输入阻抗的同时兼顾低功耗。 此系列型号包括：AiP061，AiP062，AiP064，AiP071，AiP072，AiP074。 （四）、高压高摆率系列： 突破通用运放限制，支持高达40V电压，具备MHz级带宽与>20V/µs高摆率，可直接驱动容性负载。 所有需要处理高压信号或对压摆率、带宽有高要求的场景，如电机驱动、功率电源、自动化测试，均可根据通道数选择AiP8932R（双通道）或AiP8934R（四通道）。单通道需求可选AiP8931R。 此系列型号包括：AiP8931R，AiP8932R，AiP8934R。 （五）、高可靠与车规级系列： 在通用系列基础上，强化可靠性设计，通过车规认证，工作温度范围更宽，满足汽车电子及工业环境要求。 汽车电子或高可靠性工业应用，可直接选择车规级型号AiP2904-Q1（双通道）。其对应的工业级通用型号AiP2904及四通道型号AiP2902也具备高可靠性特质。 此系列型号包括：AiP2904，AiP2902，AiP2904-Q1。 【产品优势】 电压宽广，设计无界：全系列工作电压覆盖1.8V~40V，支持单/双电源供电。同一产品家族也无需为不同电压域变更系统架构。 多元架构，精准赋能：提供BJT、JFET、CMOS、MOSFET四大输入架构的全矩阵选项。根据需求选择内核，从源头优化信号链性能。 引脚全兼容，替换零风险：多种型号实现Pin-to-Pin兼容，降低了国产化替代的设计风险与验证成本。 工业级可靠，稳定如磐：工作温度横跨-40℃~125℃的工业及车规等级，内置完备的ESD防护。 封装全矩阵，落地更高效：提供从微型SOT23、MSOP到标准SOP、DIP、TSSOP的封装矩阵。满足空间的各种需求。 【应用领域】 ·工业控制与自动化：电机驱动、传感器等。 ·汽车电子：适用于车身控制、电池管理等。 ·消费电子与家电：电源管理、音频处理、智能控制等通用信号。 ·便携仪器与设备：日常穿戴等用电池供电的设备等。 ·测试测量与仪器仪表：用于数据采集、有源滤波、精密测量前端。 【结语】 中微爱芯通用运算放大器系列，以其清晰的矩阵规划、卓越的性能参数及高可靠的设计，为全场景信号链应用提供了坚实、灵活且高性价比的国产化基石。我们致力于以稳定可靠的“芯”力量，精准赋能您的每一个创新设计。
运放
中微爱芯官网 . 2026-06-18 1 854
产品 | SK海力士开始供应下一代面向AI的存储器“HBM4E”12层堆叠样品
已向主要客户供应12层HBM4E样品 引脚速率最高可达16Gbps，同时改善性能与能效 采用先进MR-MUF技术，热阻降低17%，显著增强稳定性 “依托业界领先的技术竞争力与量产能力，持续引领AI创新，前瞻性地实现市场所需价值” 韩国首尔，2026年6月18日——SK海力士（简称‘公司’，https://www.skhynix.com）18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。 SK海力士表示：“凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验，公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作，致力于确保按时量产。” 此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。 此外，HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。公司预计，这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。 公司在HBM4E产品采用了先进（Advanced）MR-MUF*工艺，通过12层堆叠实现48GB容量的同时，进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。 *批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，并使其固化。 SK海力士凭借在HBM3、HBM3E和HBM4上积累的量产和供应经验，始终能够适时提供 符合客户需求的存储器解决方案。公司将继续依托经市场认可的品质和供应能力，针对HBM4E产品也继续与客户携手解决AI系统瓶颈问题，全力支持下一代基础设施的构建。 SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长表示：“我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品，夯实持续引领AI创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作，以前瞻性布局实现市场所需价值，进一步巩固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技术领导地位。”
SK海力士
SK海力士 . 2026-06-18 1 1603
产品 | 600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 × 2.3mm）两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。 在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压（VGS(th)）设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性*2，使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。 新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品，以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计，客户可根据应用需求选择合适的产品。 新产品已于2026年6月开始逐步量产（样品价格900日元/个，不含税）。 网售平台已开始供应TOLL封装产品（型号：R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2），电商平台均可购买。 ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET产品阵容，并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。 在数据中心和工业设备领域，随着处理负荷的增加，电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量，市场对电源的效率提升有迫切需求。另外，在设备的小型化发展趋势下，要在有限的空间内实现高输出功率，就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。 为满足这些要求，超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能，因此，散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外，近年来，从降低采购风险的角度出发，多源设计和确保第二供货源至关重要，因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。 ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”，作为有助于降低应用产品功耗的产品，赢得了客户高度好评。 这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性，还采用了散热性能优异的表贴型封装，并具备与常用产品之间的高度兼容性，有助于提高电源设计的灵活性。 术语解说 *1) 超级结MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同，又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比，超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。 *2) 跨导特性 表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性，可提高对栅极控制的响应性，降低开关时的损耗，同时能够适配更广泛的电路条件，从而提升通用性。
ROHM
ROHM . 2026-06-17 1295
涨价 | 极海宣布涨价
珠海极海半导体有限公司近日发布价格调整通知称，受上游原材料成本大幅攀升、晶圆代工及封装测试等成本递增影响，公司供应链承压明显。为保障产品质量、稳定供应及长期供应安全，公司决定对部分产品价格进行调整，新价格将于2026年7月1日起生效。 通知表示，针对目前正在进行的项目与订单，极海销售及技术支持团队将第一时间与客户对接，尽最大努力保障交付。公司称，此次调价是基于供应成本变化作出的必要措施，并将继续致力于交付创新产品和解决方案，为客户创造价值。对于价格调整相关疑问，客户可联系公司销售经理、客服团队或通过官方邮箱沟通。
极海
极海 . 2026-06-17 2205
TO-252封装MOS管Id标称80A，实际能过多少？
前言 翻开任何一颗TO-252封装的 MOS管规格书，Id这一栏的数字60A、80A，甚至达到120A，看着很可观。但是如果你按这个数字去设计，板子大概率是要出事的。这个原因很简单，Id的数值是在外壳温度Tc=25℃条件下测的，这意味着外壳温度比室温还低。除非你把器件泡在液氮里，否则实际使用中外壳不可能只有25℃。这是全行业的标注惯例，如果不懂这个惯例，就很可能会踩进三个坑。 坑一：Id标称值不等于实际可用电流 TO-252也叫D-PAK（注意和D2PAK/TO-263区分，后者体积更大散热更好），是功率器件中用得最多的封装之一。它主要依靠PCB散热，没有额外散热器。实际工作中，管壳温度很容易达到80-100℃。按照规格书中的ID-Tc降额曲线，当Tc=100℃时，允许的电流大约只有标称值的40%-50%。 举个具体的例子，比如合科泰HKTD80N06，规格书标称ID=80A@Tc=25℃。但在Tc=100℃时，按降额曲线实际允许电流约40A左右。如果按80A来设计，一上电就会过热。 快速估算方法：对TO-252封装，实际可用电流≈标称Id×（40%-50%）。更精确的值查规格书的ID-Tc降额曲线。但这个估算还不够，因为还有第二个坑。 坑二：导通电阻温度上涨，功耗也会跟着涨 规格书标注的导通电阻是25℃结温下的典型值。MOSFET的导通电阻有正温度系数，温度越高导通电阻RDS(ON)越大： 不同工艺有差异，SGT工艺的温漂通常比平面工艺小一些，但趋势一致。 算一笔账：假设25℃时RDS(ON)=6.5mΩ，设计电流30A，此时功耗=6.5mΩ×30²=5.85W。但实际结温到100℃时，RDS(ON)涨到约10mΩ，功耗变成10mΩ×900=9W。多了3W的热，进一步推高结温，形成正反馈。 很多人只算了25℃的功耗，散热片选小了，量产回来温升超标，返工。 规避方法：计算功耗时，RDS(ON)乘以1.5倍（低压管）或1.8倍（高压管）。有RDS(ON)-Tj曲线的看曲线，更准确。 坑三：热阻算不对，结温控不住 知道功耗还不够，还得知道热量散不散得出去。这里要用热阻来算结温： Tj = Ta + P × RθJA Ta是环境温度，P是功耗，RθJA是结到环境的热阻。 TO-252的热阻陷阱在于：规格书给的RθJA是基于标准测试条件（2英寸²铜箔、1oz铜厚、自由对流）测的，实际PCB往往达不到这个条件。紧凑型设计中，实际RθJA可能比规格书值高50%-100%。 完整算例 用合科泰TO-252型号做个完整算例 以HKTD80N06为例，60V/80A N-MOSFET，RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V，Tj(max)=150℃，RθJC=1.1℃/W。 场景：BMS保护板，环境温度60℃，持续工作电流25A，PCB散热焊盘约1in²，预估RθJA≈90℃/W。 第1步：算功耗（考虑温漂） 先假设Tj=100℃，RDS(ON)约6.5×1.5=9.75mΩ P = 9.75mΩ × 25² = 6.1W 第2步：算结温 Tj = 60 + 6.1 × 90 = 60 + 549 = 609℃??? 明显超了。这说明RθJA=90℃/W的情况下，单靠PCB散热不够。 换一种思路：反向算最大允许功耗 Tj(max)=150℃，留15℃余量，目标Tj≤135℃ P(max) = (135 - 60) / 90 = 0.83W 在RDS(ON)=9.75mΩ时，0.83W对应电流 = √(0.83/0.00975) ≈ 9.2A 结论：在环境60℃、RθJA=90℃/W的条件下，HKTD80N06持续工作电流大约9A，远低于标称的80A。 这说明什么？不是管子不行，是TO-252封装的散热能力决定了实际可用电流。 标称80A是在无限大散热器+25℃壳温的理想条件下测的，和实际应用是两码事。 如果需要过25A怎么办？ 增大散热焊盘面积（2in²以上），RθJA可降至约70℃/W 加散热过孔（9个以上），将热量导到背面铜层 用2oz厚铜板 并联两颗管子分摊电流 以RθJA=70℃/W重算： P(max) = (135-60)/70 = 1.07W，电流≈10.5A 还是不够。25A需要更低的热阻或更低RDS(ON)的管子。 换HKTD120N04（RDS(ON)=1.7mΩ），同样条件下： RDS(ON)@100℃≈2.6mΩ，P=2.6mΩ×25²=1.6W Tj = 60 + 1.6×70 = 60 + 112 = 172℃ Tj超了150℃，说明25A持续电流在这个散热条件下仍然不够。需要继续优化散热或降低工作电流。 这个算例的核心结论：选MOS管不是看Id标称值够不够，而是用热阻反算结温，确保Tj在安全范围内。 3个参数一起看的速查方法 不想一步步算的话，用这个简化流程： 确定实际工作电流I和环境温度Ta 从规格书查RDS(ON)@VGS=10V，乘以1.5得高温值 算功耗：P = RDS(ON)_hot × I² 从规格书查RθJA，根据实际PCB条件加20%-100% 算结温：Tj = Ta + P × RθJA_actual Tj<Tj(max)-15℃→安全； Tj≥Tj(max)→需要换更低RDS(ON)的管子或优化散热 TO-252中低压MOSFET 以上Id@25℃均为规格书标注值，实际设计请按本文方法降额计算。如需规格书或样品申请，请联系合科泰团队。
MOSFET
厂商投稿 . 2026-06-17 1582
RFP22N10与VBM1104N参数对比报告
N沟道功率MOSFET参数对比分析报告 一、产品概述 RFP22N10：安森美（onsemi，原Fairchild）N沟道硅功率MOSFET，耐压100V，连续漏极电流22A，低导通电阻（典型0.080Ω），采用MegaFET工艺，开关速度快。封装：TO-220AB/TO-263AB。适用于开关调节器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动。 VBM1104N：VBsemi N沟道100V功率MOSFET，采用沟槽技术，具备极低的导通电阻（典型0.036Ω@10V）和高电流能力（55A），175°C最高结温。封装：TO-220AB。适用于需要高效率和高功率密度的开关应用。 二、绝对最大额定值对比 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 漏-源电压 VDSS 100 100 V 栅-源电压 VGSS ±20 ±20 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 22 55 A 脉冲漏极电流 IDM 50 120 A 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 100 127 W 沟道/结温 Tch/TJ 175 175 °C 存储温度范围 Tstg -55 ~ +175 -55 ~ +175 °C 雪崩能量（单脉冲/重复） EAS / EAR - 61 mJ 雪崩电流 IAV - 35 A 分析：VBM1104N 在电流和功率处理能力上优势显著，连续电流（55A vs 22A）和脉冲电流（120A vs 50A）均远高于RFP22N10，最大功率耗散也更高（127W vs 100W）。两者耐压等级相同。VBM1104N 明确提供了雪崩能量和电流额定值，表明其在感性负载切换中的鲁棒性有量化保证。 三、电特性参数对比 3.1 导通特性 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 漏-源击穿电压 V(BR)DSS 100 (最小) 100 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 2 ~ 4 1 ~ 3 V 导通电阻 (VGS=10V) RDS(on) 0.080 最大 0.036 典型 Ω 正向跨导 gfs 未提供 10 (典型) S 分析：VBM1104N 的导通电阻（RDS(on)）显著低于 RFP22N10（典型0.036Ω vs 最大0.080Ω），这意味着在相同电流下导通损耗更低，效率更高。其阈值电压范围也更低，在低压驱动场景下可能更具优势。 3.2 动态特性 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 输入电容 Ciss 1700 (典型，图10) 4500 (典型) pF 输出电容 Coss ~300 (典型，图10) 270 (典型) pF 反向传输电容 Crss ~50 (典型，图10) 90 (典型) pF 总栅极电荷 Qg 150 (最大) 35 ~ 60 nC 栅-源电荷 Qgs 未提供 11 (典型) nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 未提供 9 (典型) nC 分析：VBM1104N 的总栅极电荷 Qg 范围（35-60nC）优于 RFP22N10 的最大值（150nC），意味着其栅极驱动损耗和驱动要求可能更低。虽然其输入电容 Ciss 较大，但输出电容 Coss 与RFP22N10相近。综合Qg和Coss来看，VBM1104N可能具备更优的开关性能FOM（RDS(on)*Qg）。 3.3 开关时间 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 开通延迟时间 td(on) 13 (典型) 11 ~ 20 ns 上升时间 tr 24 (典型) 12 ~ 20 ns 关断延迟时间 td(off) 65 (典型) 30 ~ 45 ns 下降时间 tf 18 (典型) 12 ~ 20 ns 分析：从典型值看，VBM1104N 的开关速度整体上优于 RFP22N10，尤其是关断延迟和下降时间更短，这有助于降低关断损耗。但需注意VBM1104N的参数是一个范围，实际应用取决于具体工作条件。 四、体二极管特性 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 二极管正向压降 VSD 1.5 (最大) 1.0 ~ 1.5 V 反向恢复时间 trr 200 (最大) 60 ~ 100 ns 反向恢复电荷 Qrr 未提供 0.15 ~ 0.4 μC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供 5 ~ 8 A 分析：VBM1104N 的体二极管反向恢复性能明显更优，其反向恢复时间（trr）和电荷（Qrr）都显著低于 RFP22N10。这使得 VBM1104N 在同步整流、电机驱动H桥等需要体二极管续流的应用中，产生的反向恢复损耗和噪声更小。 五、热特性 参数 符号 RFP22N10 VBM1104N 单位 结-壳热阻 RθJC 1.5 1.4 °C/W 结-环境热阻 (特定条件) RθJA 62 (TO-220) 40 (PCB Mount) °C/W 分析：两款器件的结-壳热阻非常接近，表明其封装本身的热传导能力相似。VBM1104N 在特定的PCB安装条件下给出了更优的结-环境热阻（40°C/W vs 62°C/W），这意味着在相同散热条件下，VBM1104N可能能够散发更多的热量，与其更高的功率耗散额定值相匹配。 六、总结与选型建议 RFP22N10 优势 VBM1104N 优势 ◆ 技术成熟，品牌知名度高，供应链稳定 ◆ 动态参数（如Ciss）在文档中以曲线形式提供，便于详细分析 ◆ 提供SOA（安全工作区）曲线，便于可靠性设计 ◆ 极低的导通电阻（0.036Ω），导通损耗显著降低 ◆ 更高的连续和脉冲电流能力（55A/120A） ◆ 更优的体二极管反向恢复性能（trr, Qrr更低） ◆ 更低的总栅极电荷（Qg），驱动损耗更小 ◆ 更优的开关速度（尤其是下降时间） ◆ 文档明确提供了雪崩能量额定值 ◆ 在PCB安装下热阻表现更佳 选型建议 选择 RFP22N10：在对供应商品牌和长期供货稳定性有严格要求，或在对开关频率要求不高、更看重经典设计可继承性的应用中。其提供的SOA曲线对于需要精确热设计和安全性评估的应用是一个优势。 选择 VBM1104N：在追求高效率、高功率密度的现代开关电源（如DC-DC转换器、电机驱动、电动工具）应用中。其超低的RDS(on)能直接降低传导损耗，优异的体二极管和开关性能有助于提升系统整体效率。更高的电流和功率处理能力也使其能胜任更严苛的负载条件。在大多数需要优化性能的新设计中，VBM1104N是更具竞争力的选择。 备注：本报告基于 RFP22N10（Fairchild/onsemi）和 VBM1104N（VBsemi）官方数据手册内容生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请务必以最新的官方文档和实际应用验证为准。
微碧
微碧半导体 . 2026-06-17 1008
思特威亮相AutoSens USA，全场景车载视觉方案赋能智驾升级
思特威（上海）电子科技股份有限公司于6月9日至11日，携多款车载（AT）系列图像传感器及全场景车载视觉解决方案重磅亮相美国底特律亨廷顿广场的AutoSens USA 2026，全面展示其在车载前视、360°全景环视、舱内OMS、DMS等核心智能驾驶场景的前沿技术成果与应用解决方案。 多场景车载视觉解决方案，全面助力智驾感知升级 展会现场，思特威8.3MP高性能车规级CMOS图像传感器SC860AT搭配飞凌微M1车载视觉处理芯片的高性能车载前视解决方案首次线下亮相。SC860AT基于全新CARSens®-XR Gen 2技术平台打造，搭载Lofic HDR®3.0、SFCPixel®等先进技术，并支持AB-Exposure™双帧曝光控制功能，具备高帧率、高感度、高动态范围等核心性能优势。凭借出色的成像表现，该方案可助力车载前视摄像头实现高清、精准的环境感知与目标识别，有效推动智能辅助驾驶系统迭代升级。 在车载环视场景，思特威带来了基于3MP高性能车规级图像传感器SC360AT打造的360°全景环视应用解决方案，该方案可助力智能汽车精准感知周边环境，大幅提升泊车、窄路会车等场景的行车安全性与通行便捷性。作为基于CARSens®-XR Gen 2工艺技术打造的Stacked BSI + Rolling Shutter架构图像传感器产品，SC360AT搭载Lofic HDR®3.0、LFS等多项先进技术，在感度、动态范围、噪声抑制、LED闪烁抑制等方面均表现优异，可为环视摄像头提供可靠、清晰、准确的实时影像。 舱内感知领域，由思特威5MP车规级图像传感器SC533AT搭配飞凌微M1车载视觉处理芯片组成的舱内乘员监控系统(OMS)应用方案，可精准识别车内乘员位置、面部状态和行为动作，实时监测车内儿童、宠物及随身物品，同时提供舱内拍照等娱乐功能，全方位提升车内乘员的出行安全并优化驾乘体验。 此次展出的舱内驾驶员监控系统(DMS)应用方案搭载了思特威2.3MP车规级Sensor+ISP二合一全局快门图像传感器SC233AT。作为背照式全局快门图像传感器，SC233AT兼具高感度、高动态范围以及优异的近红外成像能力，可输出无畸变、高质量的实时舱内影像，精准捕捉车内驾驶员的面部、眼部和头部信息，实时监测驾驶状态，有效规避疲劳驾驶、分心驾驶等各类行车安全隐患。 高端成像技术，赋能高阶智驾新时代 6月10日，在展会同期专题论坛上，思特威美国分公司总经理汪小勇受邀发表题为《Empowering Intelligent Driving: Advancing High Dynamic Range and High Resolution in Automotive CIS（更高动态范围、更高分辨率的车规级CIS，为智能驾驶赋能）》的精彩演讲。 汪小勇表示，全球智能驾驶产业正高速迭代升级，车载CIS作为智能驾驶感知系统的核心视觉入口，重要性愈发凸显。他向参会观众详细介绍了思特威前沿的车载感知技术和完善的车载CIS产品矩阵，并重点解读了“CIS + AI SoC”创新车载视觉感知解决方案。他表示，思特威始终以技术创新为核心，紧跟行业发展趋势，持续打造高性能、高可靠性的车载CIS产品及解决方案，助力智能驾驶感知系统迭代升级。 此外，汪小勇现场透露，依托深厚的车载SoC技术积淀，思特威子公司飞凌微电子将推出全新一代升级款车载AI视觉处理芯片M2，以更灵活丰富、更稳定可靠的车载影像方案，为高阶智能驾驶规模化落地筑牢视觉基础。 作为全球智能汽车感知领域的行业盛会，AutoSens始终是全球汽车供应链交流前沿技术、建立行业共识的重要平台。本次亮相AutoSens USA，既是思特威车载技术实力的有力彰显，也体现了公司对全球智能驾驶产业发展趋势的积极响应。未来，思特威将持续深耕技术研发与技术创新，以更前沿的核心技术、更完备的全场景解决方案，携手行业伙伴共同推动智能驾驶感知系统向更高性能、更高可靠性方向持续演进，为全球智能汽车产业贡献中国“芯”力量。
思特威 . 2026-06-17 1372
Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流，铁芯损耗降低20%
这些器件采用宽体SMD-8封装，CTI值为600，爬电距离和电气间隙≥ 11 mm，VIORM为1500 Vpeak，VIOWM为1060 VRMS 今天Vishay宣布，其IHXL系列径向通孔电感器新增四款产品---IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A，IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31，旨在以更低成本提供更佳性能。车规级IHXL1500VZ-3A和IHXL-2000VZ-3A以及商用型IHXL1500VZ-31和IHXL-2000VZ-31采用新型铁合金磁芯材料，与上一代相比，铁芯损耗降低20%，同时温升更低。该系列器件可在+155 °C高温下工作，并为高达209 A的滤波应用提供出色的电磁兼容性（EMC）。 此次发布的Vishay Dale器件可应用于汽车、工业、太阳能及风能领域，可在电池充电系统、无刷直流电机（BLDC）以及差模扼流圈和升压功率因数校正（PFC）扼流圈中充当大电流输入滤波器、DC/DC转换器和DC-Link滤波器。相较于上一代IHXL系列器件，该系列电感器价格更低，同时兼具铁芯损耗更小、电感值高达10 µH的优势，可实现更高阻抗以优化滤波性能，并增强开关转换器的纹波电流控制。 IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31采用磁屏蔽结构，配有压制铁粉芯体，可约束杂散磁通，最大限度地减少与周围元器件的耦合；相较于内部线圈裸露的传统绕线器件，最大程度地提升了EMC。这种压制铁粉结构还具有内部热阻低的特性，可减少热点，在采用主动冷却时进一步提升性能，同时，平顶设计简化了外部散热器的安装。 该系列电感器内部采用厚实的铜导体，支持55 A至209 A的宽范围负载电流，适用于1500（38.1 mm x 38.1 mm x 21.89 mm）和2000（50.8 mm x 50.8 mm x 21.7 mm）封装尺寸。其软饱和磁芯材料可避免硬饱和，确保在宽负载条件下（包括高瞬变电流尖峰期间），电感保持稳定。IHXL1500VZ-3A、IHXL1500VZ-31、IHXL-2000VZ-3A和IHXL-2000VZ-31符合 RoHS 标准、无卤素，且满足Vishay绿色要求，具有高抗热冲击、耐潮和抗机械冲击性能，并可提供定制的端接方式、电感值、电流、温度和电压额定值。 器件规格表： 产品编号 IHXL1500VZ-3A IHXL1500VZ-31 IHXL2000VZ-3A IHXL2000VZ-31 电感 (µH) 0.68至10 1.2至10 DCR典型值 (mΩ) 0.12至1.10 0.14至0.82 DCR最大值 (mΩ) 0.13至1.16 0.15至0.86 温升电流典型值 (A)(1) 55至180 / 88至280 83至209 / 118至315 饱和电流典型值 (A)(2) 49至235 / 72至335 83至243 / 123至349 SRF典型值 (MHz) 7.6至37.8 5.1至19.1 AEC-Q200 是 否 是 否 封装尺寸 1500 2000 尺寸 (mm) 38.1 x 38.1 x 21.89 50.8 x 50.8 x 21.7 (1) 分别导致ΔT约为40 °C和80 °C的直流电流 (A) (2) 分别导致L0下降约20%和30%的直流电流 (A) 新款IHXL系列电感器现已上市，供货周期为14周。
Vishay . 2026-06-17 1071
移动电源新规后的BOM选型：TC-03方案必须看这5个器件
移动电源新规GB 4943.1-2022实施之后，2024年过到现在，行业经历了一波BOM整改潮。 新规对温升、电气间隙、过充保护都提出了更明确的要求。原来能过认证的老方案，换料是大概率事件。 TC-03作为市面上走量比较大的单芯片方案，配套器件选对了，认证能省不少心。选错了，调试周期拉长，认证机构打回重来，时间成本比器件贵多了。 这篇文章不聊大道理，直接拆TC-03方案里最关键的5个器件，手把手说清楚怎么选、选什么型号。 先搞清楚TC-03方案的BOM结构 TC-03是集成度比较高的方案，外围器件不多，但每个器件的功能角色都很关键。 主控芯片负责充电管理、协议握手、电量显示。单芯片方案的好处是BOM少，但对外围器件的可靠性要求反而更高——芯片把能集成的都集成进去了，剩下的器件必须"顶硬上"。 新规认证卡的主要是这几个点： · 充电链路过温保护响应速度 · 输入过压防护等级 · 输出端浪涌承受能力 · 放电路径MOSFET的耐压裕量 下面5个器件，直接对应这4个认证点。 器件1：LDO/充电管理IC外围滤波 —— HKT4059E TC-03本身是主控芯片，但芯片供电的稳定性直接影响整机的保护响应速度。 HKT4059E在这类方案里主要扮演两个角色：给主控芯片稳定供电，给充电MOS提供驱动电平。 选型关注点： · 输入耐压要覆盖USB口最大输入电压（一般要求30V以上，新规后建议留20%余量） · 静态电流越小越好，待机功耗影响移动电源的"虚电"表现 · 热性能要关注，实际USB口附近环境温度可能超过规格书测试温度 HKT4059E规格参数： · 输入耐压：30V · 输出电压：固定5V or 可调 · 静态电流：50μA典型值 · 封装：SOT-23-5 这颗器件替换时注意PIN脚兼容性问题，不同品牌的LDO引脚定义可能有差异，开关版和线性版的封装也不一样。 器件2：输入端口TVS保护 —— SMAJ5.0A USB-C口是整机最脆弱的外部接口，插拔静电、浪涌是家常便饭。 TVS管是必须加的，不是可选项。 选型逻辑： · 钳位电压要低于后级芯片的耐压值，USB口后级一般就是主控IC · 反应速度要快，TVS的钳位响应时间在皮秒级，静电打进来要第一时间响应 · 功率选择看实际场景，固定布局的移动电源选600W即可，如果整机有长线缆暴露使用场景，考虑1000W以上 SMAJ5.0A参数参考： · 峰值脉冲功率：600W（10/1000μs） · 击穿电压：6.0V（典型值） · 钳位电压：9.2V（@IPP 1A） · 封装：DO-214AC（SMA） 新规后认证机构对USB口的ESD测试等级普遍提高到接触放电±8kV，空气放电±15kV。TVS选型时确保通过这个等级。 器件3：输出整流肖特基 —— SK34 移动电源升压输出路径上，需要一个快恢复整流器件。 这里用肖特基是标准选择，正向压降低、开关速度快，非常适合升压拓扑。 选型关注点： · 正向电流要大于整机最大输出电流的1.5倍以上，有余量 · 反向耐压至少是输出电压的2倍，升压到9V/12V的场景要尤其注意 · 散热设计要跟上，肖特基在高频开关时温升不低 SK34参数： · 平均正向电流：3A · 峰值正向浪涌电流：80A · 反向耐压：40V · 正向压降：0.55V（@3A） · 封装：SMA 这颗器件出问题通常表现为输出带载能力下降，或者升压效率明显变低。如果量产发现效率不达标，先排查肖特基的正向压降和温升。 器件4：控制信号快恢复二极管 —— FR107L FR107L在TC-03方案里主要用在充电控制信号路径和放电MOSFET的驱动保护电路里。 这类快恢复二极管不是主角，但信号路径上缺了它，可能导致充电切换时序出问题，或者MOSFET关断速度不够快，引起损耗增加。 选型参数对比： FR107L适合控制信号场景，电流规格1A够用。如果是主功率路径，需要上FR207或者快恢复桥堆。 器件5：放电路径MOSFET —— HKTD50N03 这是整个BOM里最关键的一颗。 移动电源放电时，电流从内部电池经过MOSFET流到输出端。MOSFET的导通电阻直接影响效率，温升直接影响安全性。 选型逻辑： · RDS(ON)越低越好，但低压MOS的导通电阻一般都能做到很低，重点看封装散热能力 · 耐压要覆盖电池电压+余量，单节锂电池4.2V满充，选30V耐压够用，新规后建议用40V更稳妥 · SOA（安全操作区）要关注，短路时MOSFET不能轻易失效 HKTD50N03参数： · N沟道 · 漏源极耐压：30V（部分规格40V） · 栅极阈值电压：1.5~2.5V · 导通电阻：RDS(ON) ≤ 10mΩ（@VGS=10V） · 连续漏极电流：50A · 封装：TO-252（DPAK） MOSFET并联使用时要格外注意均流问题。TC-03方案如果支持大功率输出（18W以上），建议单颗MOS的电流规格留足余量，不要走到并联那条路。 合科泰的配套优势 说完单个器件，聊聊整套配齐的好处。 移动电源BOM器件数量不多，但每个器件之间有配合关系。TVS的钳位电压影响后级IC的浪涌耐受，MOSFET的开关速度影响整机的动态响应，肖特基的正向压降影响升压效率。 分开采购器件，参数匹配要自己做。合科泰提供方案级配套，可以减少器件匹配的成本和时间。 配套采购的好处： · 器件参数经过匹配验证，不用担心互相"打架" · 封装形式统一，贴片工艺参数一致性好 · 一站式供货，不存在某个器件断供导致BOM不齐 选购建议 TC-03方案新规整改，核心思路就一条：把原来"能用就行"的器件，换成"认证能过"的器件。 几个具体的建议： 第一，TVS和MOSFET是认证整改的重点器件，这两个优先换规格更高的。LDO和肖特基可以先看库存，如果现有物料能过认证就不动。 第二，换料后一定要重新跑一次完整测试。新规认证不是单点测试，是整机综合测试，一个器件改了，其他参数可能连锁变化。 第三，小批量试产验证过了再大批量。有些器件 datasheet 参数漂亮，实测性能可能有差异。
移动电源新规
厂商投稿 . 2026-06-17 1162
AP-0316 语音处理模组技术解析：AI降噪、回声消除与波束成形的工程实现
语音处理模组在嵌入式音频系统中扮演着越来越重要的角色。AP-0316 是一款集成了 AI 降噪（AIENC）、声学回声消除（AEC）和多接口的 DSP 模组。本文从技术角度分析其核心功能的实现原理、关键性能指标的工程含义，以及在实际系统集成中需要注意的技术细节。 一、AIENC 降噪：从传统方法到神经网络模型 传统降噪方法（谱减法、维纳滤波、MMSE）基于噪声平稳性和独立同分布假设，通过估计噪声谱并减去得到语音谱。这类方法在处理平稳噪声（如风扇、空调）时有一定效果，但对非平稳瞬态噪声（如敲击声、金属掉落、风吹麦克风）失效，因为噪声谱随时间快速变化，无法准确估计。 AP-0316 的 AIENC 采用神经网络模型进行时频掩蔽估计。其核心思路是：预先用大量含噪语音数据训练一个深度神经网络（可能是 DNN 或 GRU），输入带噪语音的对数功率谱或 MFCC 特征，输出一个软掩蔽（soft mask），表示每个时频单元属于语音的概率。然后将该掩蔽应用于原始频谱，再合成时域信号。 规格书中的降噪深度 45-90dB 对应掩蔽值的动态范围。90dB 的降噪意味着掩蔽值接近 0（完全压制），这在物理上要求模型对噪声的识别置信度极高。实际效果取决于噪声类型与训练数据的匹配度。从应用角度看，该方案对以下噪声类型有效： 宽带平稳噪声：风扇、空调、投影仪 瞬态冲击噪声：键盘敲击、关门、工具掉落 风噪：湍流引起的低频爆破音 周期性机械噪声：电机、压缩机 技术局限包括：如果噪声与语音在时频域上完全重叠且特征相似（例如另一人的背景语音），模型可能无法区分，导致语音失真或噪声残留。因此 AIENC 主要抑制环境噪声，而非分离多说话人。 二、AEC 回声消除：延迟容忍与参考信号质量 AEC 的工作原理是自适应滤波器模拟回声路径，从麦克风信号中减去参考信号。NLMS（归一化最小均方）是最常见的算法，其收敛速度和稳态误差受步长参数和滤波器阶数影响。 AP-0316 宣称的 100dB 回声消除能力，意味着自适应滤波器稳态回波损耗增强（ERLE）可达 100dB。这需要： 滤波器阶数足够高（通常 > 512 阶，对应 48kHz 采样率下约 10ms 冲击响应长度） 参考信号与回声信号之间的非线性失真极小 双端讲话检测（DTD）准确，避免滤波器发散 100ms 延迟容忍是较为突出的指标。回声路径总延迟包括：播放缓冲、DSP 处理、蓝牙编解码（典型 50-150ms）、空气中的传播（34m/100ms）。普通 AEC 算法在延迟超过 30-50ms 时因步长-延迟失配导致稳定性下降。AP-0316 能够处理 100ms 延迟，说明其内部使用了延迟补偿机制（如可变延迟线）或长阶自适应滤波器。 在实际使用中，参考信号的质量直接决定 AEC 上限。规格书特别指出：当使用 D 类功放时，输出为 PWM 方波，其中包含高频载波和谐波，与麦克风拾取的音频信号（经过低通滤波）不一致，直接作为参考会导致误差信号发散。必须从功放的前端（即 D 类调制之前的模拟或 PCM 信号）取参考。 三、双数字麦克风波束成形 波束成形利用空间选择性增强特定方向的信号。对于两个间距为 d 的麦克风，到达时间差（TDOA）为 τ = d·cosθ / c，其中 θ 为入射角，c 为声速。通过延迟求和或广义旁瓣抵消（GSC）可形成指向性。 AP-0316 支持两种波束模式： 单波束单输出：在两个麦克风的中点处形成一个定向拾音区域。默认中轴 90°，覆盖 ±30°。这意味着正对设备方向的声音被增强，侧面声音被衰减。该模式的波束宽度由麦克风间距和算法参数决定。间距越大，低频指向性越强，但可能出现空间混叠（当 d > λ/2 时，高频会出现栅瓣）。对于 8kHz 以上频率，λ/2 ≈ 21.5mm，因此 20mm 间距是合理折衷。 双波束双输出：两个独立的波束分别以两个麦克风为中心，输出两路独立音频。这相当于两个虚拟指向性麦克风，各自指向相反或不同方向。该模式要求两个波束的响应在空间上解耦，串音通常要求低于 -20dB。实现方式可能是每个麦克风的信号分别通过固定波束形成器，或者基于独立分量分析（ICA）进行盲源分离。 技术挑战在于：波束成形对麦克风相位匹配敏感。两个数字麦克风之间的灵敏度差异和相位偏差会严重降低波束指向性。因此量产时需要挑选一致性好的麦克风，并在固件中可能加入校准系数。 四、多接口设计的系统考量 AP-0316 同时提供模拟差分麦克风、PDM 数字麦克风、I2S、USB 和模拟音频输入输出。这一方面增加了灵活性，另一方面也带来信号链选择的问题。 PDM 数字麦 vs 模拟麦：数字麦输出 1 位 PDM 流，通过模组内部抽取滤波转换为 PCM。其优点是抗干扰能力强，适合长线缆或高噪声环境。模拟麦需要差分走线，且对射频干扰敏感。但模拟麦成本较低，且可选择高灵敏度型号以延长拾音距离。 I2S 接口主模式：模组固定作为 I2S 主设备，输出 LRCLK（48kHz）和 BCLK（3.072MHz）。当与外部 SOC 连接时，SOC 必须设置为从模式，且需支持该时钟频率。如果 SOC 的 PLL 无法精确锁定 3.072MHz，会导致时钟失步和采样偏移。解决方法是使用异步采样率转换器（ASRC）或选择支持该频率的 SOC。 参考信号路径：AEC 参考信号可通过多种方式输入。最简 USB 模式中，参考信号取自 USB 下行音频，无需外接。模拟模式中，通过 LINE_IN 引脚输入。规格书强调，LINE_IN 最大输入 1Vrms，超过会导致 ADC 削顶，产生非线性失真，破坏 AEC 性能。 五、T1/T2 参数切换的实现分析 T1/T2 引脚提供四种距离档位，其内部作用不仅是改变前置放大器增益。分析可推测其调整的参数集包括： 麦克风偏置 / 增益：近距离档位降低增益以避免饱和，远距离档位提升增益以提高信噪比。 降噪算法阈值：远距离模式中，语音信号本身较弱，降噪算法必须更保守，避免语音被误判为噪声。因此降噪深度可能降低（例如从 90dB 降到 45dB）以换取语音保真度。 AEC 步长与泄露系数：远距离模式下，麦克风信号中回声比例可能变化（喇叭声相对较小），需要调整自适应滤波器更新速度。 风噪检测灵敏度：近距离模式下，风噪可能远大于语音，需要更激进的风噪抑制。 这些参数组合在上电时由硬件引脚状态锁存，并加载到 DSP 内部寄存器。运行时不能动态切换，但可通过 MCU 控制模拟开关来模拟引脚高低电平，实现上电后的配置变更。 六、性能边界与适用场景 基于技术分析，AP-0316 适合以下场景： 通话设备中的回音消除和降噪需求，尤其是喇叭音量高、结构紧凑的产品（如会议麦克风、智能音箱、车载免提）。 需要定向拾音或双通道分离的应用（如翻译设备、双讲录音）。 对开发周期敏感的项目，希望用现成模组而非自研算法。 不适合的场景： 极低功耗（静态 65mA 对于电池供电偏大）。 需要自定义音频算法或实时参数调整（如专业调音台、效果器）。 多麦克风阵列（≥4 通道）或 360° 声源定位。 高采样率录音（>48kHz）。 七、总结 AP-0316 的技术价值在于将成熟的 AI 降噪、高性能 AEC 和波束成形算法固化为硬件模组，并提供了灵活的接口和配置选项。工程师在使用时，需要理解其算法的工作原理与局限，合理设计声学结构和参考信号路径，才能充分发挥其性能。本文仅从技术角度分析，不涉及商业推广，具体设计请参考官方规格书并结合实测验证。
AI降噪
原创 . 2026-06-17 1036
安森美将在2026慕尼黑上海电子展呈现系统级智能电源与感知创新
覆盖汽车、AI数据中心、工业自动化和能源基础设施等关键应用，体现端到端系统级集成能力 安森美（onsemi）宣布将于7月1-3日亮相2026 慕尼黑上海电子展（electronica Shanghai 2026），展位号：N5.505。 electronica Shanghai是亚洲领先的电子行业盛会，作为参展商之一，此次安森美将围绕汽车、AI数据中心、工业自动化、能源基础设施等关键领域，以四大主题板块展示覆盖从晶圆、器件、封装到系统级集成的完整技术路径，以“系统筑基，智驭高效”为核心主张，诠释如何通过智能电源与智能感知协同，实现更高效率、功率密度与系统级集成能力。 ·汽车解决方案 围绕电动化与电子电气架构升级，安森美展示了覆盖动力总成、车载网络与感知系统的系统级解决方案。相关演示涵盖11kW矩阵式车载充电、主驱逆变器 (B2S)、基于 10BASE T1S 的区域架构，并结合智能车灯、电子压缩机与位置感知技术，呈现从供电、控制到执行层的完整车规级系统能力。 ·AI 数据中心 通过完整的电源链路演示，安森美展现了从电网侧到芯片供电的端到端电源架构。现场包括固态电子断路器、高压到低压的 IBC 转换平台、多功率等级 PSU 系统以及基于 SiC JFET 与 MOSFET 的高效电源方案，体现其在 AI 基础设施中的高密度、高效率电能转换能力。 ·工业自动化 面向智能制造场景，安森美展示了融合驱动、控制与感知的一体化解决方案，涵盖机器人执行与位置控制、工业电机驱动以及基于 iTOF 与图像传感器的视觉与深度感知能力，体现从功率控制到智能感知的系统级协同。 ·Si/SiC端到端解决方案与 Treo展墙 Si/SiC端到端解决方案 通过跨应用场景展示，呈现从晶圆、封装到系统的全栈功率技术能力，覆盖储能、光伏、汽车与工业应用，同时整合 SiC、SiC JFET、GaN 及先进封装技术，现场还将展示行业内领先企业基于安森美技术打造的储能系统方案，进一步体现安森美的系统级方案如何实现高效率与高功率密度设计。 Treo展墙 展示基于 Treo 模拟与混合信号平台的系统级集成能力，涵盖电源管理、信号链与连接接口，并通过音频定位等演示体现其在系统级设计中的应用价值。 安森美诚邀您莅临N5.505展位，与现场专家共同交流前沿技术与应用方案，并探索安森美如何以智能电源与智能感知技术赋能更高效、智能的未来。更多信息，请访问网站：electronica Shanghai 2026。
安森美 . 2026-06-17 1001
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