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产品 | 矽力杰高精度功率检测器SQ52206系列

产品日益小型化轻量化发展对电量检测提出了更高精度与稳定性的要求。区别于传统ADC+MCU方案，矽力杰SQ52206高性能检测芯片可有效解决延迟和误差痛点，减轻主处理器负担，提升系统整体性能。 SQ52206是一款集成了16bit Δ-Σ ADC的双向高精度功率检测器，支持电压、电流、功率、温度、能量和电量等多项物理量的检测，适用于高边和低边检测应用。 SQ52206高精度电流/功率/能量监控器 ◆ 总线(VBUS)检测电压范围: 0V ~120V ◆ 电流(IN+/ IN-)检测共模电压范围: -0.3V ~120V ◆ 支持高侧或低侧检测 ◆ 集成16位ADC ◆ 高精度: ♢ 0.14% 增益误差（最大值） ♢ ±5μV 差分失调电压（最大值） ◆ 电流、电压、功率、能量和电量的检测及报警功能 ◆ 超低偏置电流：2.5nA（最大值） ◆ 可编程满量程差分范围：±163.84mV/ ±81.92mV/ ±40.96 mV ◆ 内置高精度温度传感器：±1℃（最大值），@25℃ ◆ 内置高精度时钟：±1%（最大值），@25℃ ◆ 内置积分器可用于能量和平均功耗的计算 ◆ 可配置的转换时间及平均次数 ◆ 灵活报警触发机制 ◆ 16个可编程地址 ◆ 支持1.8V I2C兼容接口 ◆ 采用2.7~5.5V单电源供电 ◆ 工作温度范围：–40℃~125℃ ◆ 超薄小尺寸封装：MSOP10(3×3) 高精度双向功率检测，适应多种应用场景 SQ52206提供多种差分电压检测范围：±163.84mV、±80.92mV和±40.96mV，更低的电压范围提升电流检测精度，并显著减少Rshunt上的功耗。支持高达120V的总线电压，适用于多种电压等级的系统。精密温度监控与自动校准，确保检测精度内置高精度温度传感器，不仅可以实时监测芯片温度，还能自动校准采样电阻的温漂，进一步提高电流和功率的测量精度。可编程ADC转换时间与平均次数，优化噪声性能 SQ52206支持66μs至8.244ms的可编程转换时间，并允许配置1至1024次的平均次数。这有助于提高转换过程中的噪声性能，确保更高的测量稳定性和精确度。高精度振荡器，降低测量误差 SQ52206可被用作能量检测器，并绘制功率包络曲线；同时也可以实现充、放电检测。SQ52206采用高精度振荡器，在-40℃至+125℃的全温范围内，误差控制在2%以内，确保能量和电量测量的精度。灵活报警配置，简化故障监控 SQ52206支持同时配置过压、欠压、过流、欠流、过功率、过温等报警事件，报警时通过Alert引脚及时通知处理器。处理器可通过寄存器读取快速了解故障状态，减少处理器负担，提升系统可靠性。极低输入偏置电流与温漂，提升系统效率 SQ52206具备极低的输入偏置电流和温漂，支持大电流检测时使用小采样电阻，减少功耗并提升系统效率。pA级的输入偏置电流支持更高的采样电阻，实现对μA级电流的精准测量。低输入偏置电流的额外优势还包括：降低工作和关断状态下的电流消耗，并支持输入滤波器抑制高频噪声，确保不影响检测精度。宽范围电流检测，满足多样应用需求 SQ52206支持从A到kA的宽电流范围，结合其可编程差分电压范围（±40.96mV至±163.84mV），非常适合用于各种应用场景中的电流检测。丰富的系列选型，适应多种工作环境矽力杰提供多种功率检测器选型，支持-40℃至+125℃的工作温度，广泛适用于服务器、电信设备、笔记本电脑、电池管理、工业自动化、机器人等多个领域。此外，还提供16bit和20bit精度、I2C和SPI接口等多种版本，满足不同应用场景的灵活设计需求。 SQ52206系列数字功率检测器以其高精度、低功耗、灵活配置等优势，适用于各种复杂电流和能量检测场景，是现代电子系统中不可或缺的高性能解决方案。

矽力杰

矽力杰半导体 . 2025-09-16 2200
企业 | Cadence 借助 NVIDIA DGX SuperPOD 模型扩展数字孪生平台库，加速 AI 数据中心部署与运营

中国上海，2025 年 9 月 15 日——楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，Cadence® Reality™ Digital Twin Platform[1] 利用搭载 DGX GB200 系统的 NVIDIA DGX SuperPOD[2] 数字孪生系统实现了库的重大扩展。借助 NVIDIA 高性能加速计算平台的新模型，数据中心设计人员与操作人员将能够在 AI 工厂的构建中轻松部署世界领先的 AI 加速器。作为一款创新解决方案，Cadence Reality Digital Twin Platform 能够在物理实施之前，根据特定服务等级协议对 AI 工厂和数据中心进行高精度建模，准确评估成本、空间、能源、冷却和环境等约束因素影响。 Cadence 高级副总裁兼系统设计与分析事业部总经理 Michael Jackson 表示：“随着 AI 技术的快速发展，需确信自身能够利用目标设备和实用程序满足设计要求。在将搭载 DGX GB200 系统的 NVIDIA DGX SuperPOD 引入到 Cadence Reality Digital Twin Platform 库后，设计人员能够对全球领先加速系统进行高精度仿真，从而缩短关键项目的设计周期，提高决策准确性。” NVIDIA 工业与计算工程总经理 Tim Costa 表示：“构建基于 DGX GB200 系统的 DGX SuperPOD 数字孪生，是推动该生态系统加速 AI 工厂部署的重要一步。随着创新节奏持续加快、服务周期不断缩短，我们与 Cadence 的持续合作可满足这一关键需求。” Cadence Reality Digital Twin 数字孪生平台允许设计人员将供应商提供的、功能与物理实体无异的数字模型拖放至其数据中心数字孪生，从而创建高保真数据中心数字孪生模型。借助这些先进的数字模型，工程师能够以高精度设计整个数据中心和园区，满足特定的功耗、空间、冷却和性能要求。用户只需点击几下鼠标，即可探索各种故障和升级场景。这些数据中心投入运行后，Cadence Reality Digital Twin Platform 可在其整个生命周期中跟踪并保持其最佳性能。将搭载 DGX GB200 系统的 NVIDIA DGX SuperPOD 引入智能元件库，是 Cadence 与 NVIDIA 持续合作[3]的一部分。今年早些时候，两家公司宣布[4] Cadence Reality Digital Twin Platform 支持用于 AI 工厂设计和运营的[5] NVIDIA Omniverse Blueprint[6]。为优化数据中心和 AI 工厂，Cadence 与 NVIDIA 扩展 Cadence Reality 数据中心数字生态系统，以确保其始终契合工程师的最新设计与运维需求。 Cadence Reality Digital Twin 数字孪生平台的智能元件库汇集了来自 750 多家供应商的 14,000 多个项目元件。所有现有数据中心部件均可使用元件库中对应的项目元件进行建模表征。如果某个部件尚未包含在内，Cadence 将根据要求创建并添加该部件，作为其平台支持的一部分。关于 Cadence Cadence 是 AI 和数字孪生领域的市场领导者，率先使用计算软件加速从硅片到系统的工程设计创新。我们的设计解决方案基于 Cadence 的 Intelligent System Design™ 战略，可帮助全球领先的半导体和系统公司构建下一代产品（从芯片到全机电系统），服务超大规模计算、移动通信、汽车、航空航天、工业、生命科学和机器人等领域。2024 年，Cadence® 荣登《华尔街日报》评选的“全球最佳管理成效公司 100 强”榜单。Cadence 解决方案提供无限机会。如需了解更多信息，请访问公司网站www.cadence.com。参考链接复制链接至浏览器查看： [1]：Cadence® Reality™ Digital Twin Platform https://www.cadence.com/en_US/home/tools/reality-digital-twin.html [2]：DGX GB200 系统的 NVIDIA DGX SuperPOD https://www.nvidia.com/en-us/data-center/dgx-gb200/ [3]：Cadence 与 NVIDIA 持续合作 https://www.cadence.com/en_US/home/company/newsroom/press-releases/pr/2024/cadence-and-nvidia-unveil-groundbreaking-generative-ai-and.html [4]：Cadence 与 NVIDIA 宣布 https://community.cadence.com/cadence_blogs_8/b/corporate-news/posts/nvidia-accelerated-compute-blackwell-collaboration-2025 [5]：用于 AI 工厂设计和运营 https://build.nvidia.com/nvidia/digital-twins-for-ai-factories [6]：NVIDIA Omniverse Blueprint https://www.nvidia.com/en-us/omniverse/

Cadence

Cadence楷登 . 2025-09-16 2070
技术 | OSPI Flash适配秘籍之移形换位大法

继《OSPI Flash适配秘籍之内功心法篇》之后，本文将继续深入探讨如何将Winbond（华邦）W35T51NW OSPI Flash适配到你的系统[JX1] [DX2]中。笔者感谢老铁们对瑞萨嵌入式小百科的持续关注。如果有读者是第一次接触OSPI接口，笔者建议先跳转到内功心法篇，先修炼《内功心法篇》，否则直接上阵，怕是要走火入魔。之前也说了广大不同厂家的OSPI Flash，虽然说大部分功能相似，大部分功能也可以复用，但是不同厂家的OSPI Flash还是存在或多或少的差别。因此如果客户出于成本的考虑，需要更换OSPI Flash的时候，是需要做驱动层的适配工作。那如何做OSPI Flash的驱动的适配工作？请让笔者倾囊相授。首先，不同门派（厂商）的OSPI Flash虽说套路相似，但细节上总有些“暗器”藏着。适配之前，务必翻阅芯片手册，了解其配置流程。尤其是从单线模式切换到八线模式时，稍有不慎，便会“变线”翻车。一般OSPI Flash除了支持8线模式，默认都支持单线模式。所以一般Flash上电复位后，都默认支持单线的协议。单线模式下，大部分厂商的OSPI Flash，命令码以及命令-地址-数据之间的时延（如下时序图中的Latency field）差别较小，但是在八线模式下这些差别就不能忽视，下面笔者会具体说明。图1.OSPI Read transaction时序图 OSPI Flash适配的关键在于从单线模式转换成八线模式的时候，如何正确通过单线指令完成转换。图2说明了Winbond W35T51NW OSPI Flash的具体的配置流程。不同厂商的Flash的初始化和配置流程是不一样的，尤其是涉及到输入输出模式的切换时，这也是移形换位大法的关键所在。大多数厂家的Flash默认设置就是单线模式。所以如果只是适配单线模式的情况下，过程会简单很多。但是多线模式的适配注意事项会更多，也相对麻烦一些。图2展示了W35T51NW设备的存储器读取操作流程，包括XIP（Execute-in-Place）模式和标准命令模式（Standard Command Mode）。以下是对该图的解析： 1.设备启动流程设备上电后，会进行设备初始化并刷新易失性/内部配置寄存器（Volatile/Internal Configuration Register Refresh）。配置寄存器的值，来自非易失性配置寄存器（Non-Volatile Configuration Register），决定设备是进入XIP模式还是标准命令模式。图2.W35T51NW Serial Flash初始化配置流程图 2.XIP模式（Execute-in-Place）如果设备进入XIP模式，它会直接执行地址输入-数据输出序列，用于直接从闪存执行代码，无需额外的读取命令。退出XIP模式需要将XMb设为1。（XMb是Non-Volatile Configuration Register配置寄存器中的一位，由于XIP模式不是本篇文章的重点，这里不做过多的介绍） 3.标准命令模式（Standard Command Mode）在标准命令模式下，需要按照命令-地址-数据输入/输出序列进行数据访问。该模式可以支持不同的数据传输模式，包括： SDR 3字节地址模式 SDR 4字节地址模式 Octal DDR 4字节地址模式 4.工作模式切换在标准命令模式下，默认支持3字节地址模式，但可以通过B7h命令启用4字节地址模式。通过E9h命令可禁用4字节地址模式，切换回3字节地址模式。通过81h命令码写易失性配置寄存器（Volatile Config Reg）可以切换工作模式（从单线转到八线）：通过1s-1s-1s的协议向VCR（volatile Config Reg）寄存器用81h命令码写入E7h/C7h,可以把Flash的协议模式从1s-1s-1s切换成8d-8d-8d。不同的地址模式不影响协议模式的切换。Flash的工作模工切换成功后，紧接着要切换XSPI Master（ra8d1）这边的协议模式。同样的如果要把Flash的协议模式从8d-8d-8d切回1s-1s-1s，此时需要用8d-8d-8d的协议通过81h命令码向VCR写入FFh/DFh。同样Flash的工作模工切换成功后，紧接着要切换XSPI Master（ra8d1）这边的协议模式。两边的协议要一致才能正常工作。这里对VCR寄存器做一些说明，VCR寄存器共有00h-07h共8个地址。其中对00h地址通过81h命令码写入配置值就可以设置Flash的输入输出的协议模式。其它地址范围的配置功能请参考手册中的内容，默认情况下一般不会对其它地址的内容进行配置。这里笔者还想说明一下，手册中除了VCR还有NVCR，这两者有什么区别呢？ NVCR的全称是Non-volatile Configuration Register为非易失性的寄存器，而VCR是易失性的寄存器，即下电之后VCR的内容将会重置为0。所以Flash在启动的时候会默认读取NVCR里面的配置作为默认启动配置，而VCR可以在启动之后再去配置，但是VCR的配置只存在当前的上电周期中生效。如果对Flash下电再上电VCR中的内容将失效。总结一句话，如果开发者想对Flash的启动配置项永久生效就写NVCR，如果是临时调整配置就可以写VCR。图3.Flash输入输出协议模式切换命令调用说明下图让读者感性的认识一下，同样是通过85h命令码读取VCR的内容，示波器的波形会是什么样的？左边是1s-1s-1s可以很清晰的看出85h这个命令码。右边由于示波器通道数有限，加上示波器信号质量也比较差，读者不能清晰的感知到85h这个命令码。但是通过黄色时钟信号通道，读者可以感受到八线的模式下，完成同样的读取VCR的操作所需要的时钟数量会少很多。图4.读取VCR配置值的单线和八线输入输出波形对比图 5.复位硬件复位（Hardware Reset）会使设备重新进入上电初始化状态。软件复位（Software Reset）通过66h+99h指令实现，会让设备回到上电后的初始状态。其次开发者要注意8线输入输出模式，常用的读写擦写使能等指令，不同厂商的命令码可能稍有不同，并且“Latency field”也可能不同。如下图5所示，在4字节地址模式下的快读取的指令，指令码是0Ch，其它的厂商就不一定也是0Ch。所以开发者要查看Flash手册里的指令列表，换Flash芯片需要适配新的指令。此外对于Dummy cycle数值也可能不一样的，也就是前面提到的“Latency Field“。图5中的8（16）表示如果是SDR模式的话，Dummy cycle是8，如果是DDR模式的话，Dummy cycle值是16。图5.Winbond W35T51NW OSPI Flash命令表说明对于Dummy Cycle，在具体的波形图里以如下方式呈现：图6.Fast Read with 4-Byte Address指令SDR时序图笔者想强调一点的是在ODDR模式下，指令的长度变成两个字节。如下图所示，数据可以正常输出。对于这个ODDR工作模式的指令长度要变成2字节的说明在Winbond的Flash使用手册上并没有明确说明。但是在ra8d1的手册上，37.2.2.7章节中有相关的寄存器配置说明。比如在ODDR模式下读取VCR的值的命令码是8585h，而不是85h,对应的command_length 也需要调整为2。图7.RA8D1 OSPI command Type 图8.ODDR模式下读取VCR的值的代码示例最后要注意不同厂家的OSPI Flash所对应的“Device ID”是不一样的。一般驱动代码里都会有读取&校验“Device ID”的操作，所以在驱动代码适配的时候“Device ID”值要从手册中找到对应的读取“Device ID“的指令和ID值。总结来说做OSPI Flash适配要关注以下方面：初始化的配置流程的差异；模式切换时候的差异；关注指令码和Dummy Cycle的差异；以及Flash Device ID的差异。需要技术支持？如您在使用瑞萨MCU/MPU产品中有任何问题，可识别下方二维码或复制网址到浏览器中打开，进入瑞萨技术论坛寻找答案或获取在线技术支持。 https://community-ja.renesas.com/zh/forums-groups/mcu-mpu/

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-09-16 2335
禾赛科技新签美国头部Robotaxi公司超四千万美元激光雷达订单

2025年9月15日，全球自动驾驶出行激光雷达解决方案领导者禾赛科技（纳斯达克：HSAI）今日宣布，与一家美国领先的头部Robotaxi公司进一步深化合作，签订了价值超过四千万美元的激光雷达订单。禾赛将作为其唯一的激光雷达供应商提供远距和近距激光雷达产品，订单计划将于2026年底前完成交付。这一合作充分彰显了禾赛在助力下一代自动驾驶车队规模化发展中的可靠合作伙伴地位。据国际权威机构 Yole Group 发布的《2025 年全球车载激光雷达市场报告》显示，禾赛科技在 2024 年全球 L4 自动驾驶激光雷达市场占有率达61%，连续四年蝉联榜首，是全球头部自动驾驶企业的核心传感器供应商首选。禾赛科技联合创始人及CEO 李一帆表示：“此次深化合作印证了全球头部Robotaxi企业对禾赛技术实力、产品可靠性及规模化量产能力的认可，当行业从试点示范迈向规模化部署阶段，禾赛将持续提供行业领先的激光雷达解决方案，满足最高标准的安全要求，为大规模无人驾驶车队保驾护航。” 依托全球影响力的持续扩大，禾赛通过本次合作进一步强化承诺——以高性能、高可靠且可扩展的激光雷达系统推动自动驾驶发展，全面满足行业最严苛的要求。

禾赛科技

禾赛科技 . 2025-09-16 1 915
企业 | 景嘉微与安超云达成战略合作，携手共建国产化GPU云生态新基座

9月11日上午，长沙景嘉微电子股份有限公司（简称“景嘉微”）与安超云软件有限公司（简称“安超云”）在景嘉微公司会议室成功举行战略合作签约仪式。景嘉微董事长、总裁曾万辉，副总经理、芯片事业部总经理黄剑，安超云董事长郭晓，销售副总裁陶朝晖等双方代表共同出席。基于共同的发展愿景，双方正式签署《战略合作协议》，旨在通过深度整合各自在GPU芯片与云计算软件领域的优势，构建互利共赢、可持续发展的战略合作伙伴关系，携手为用户提供安全可靠、高性能的国产化产品及解决方案。签约现场签约仪式前，双方代表进行了深入会谈，就合作愿景与落地路径进行了充分交流。随后，景嘉微团队陪同安超云代表参观公司科研展厅，全面展示了GPU领域的自主研发成果与技术积累。根据协议，双方将重点推进景嘉微国产GPU与安超云操作系统ArcherOS及安超桌面云软件ArcherDT的深度兼容与互换认证，携手打造高性能、安全可控的云与桌面算力基础平台，积极响应国家信息技术应用创新（信创）战略。合作将聚焦党政机关、央企、国企、公检法等重点行业与关键场景，通过“生态强化、行业深耕、产品融合”三位一体的模式，持续为信创产业和数字经济发展赋能。本次战略合作涵盖三大核心内容： 1.产品整合：双方将共同讨论并制定产品整合方案，开放经双方确认的产品及部分资源，致力于优化联合解决方案的客户体验。安超云将在其产品与解决方案中默认集成景嘉微GPU产品，形成强大的联合解决方案，并优先向其服务的客户群体推荐景嘉微的方案、产品和服务。 2.市场合作：本着优势互补原则，双方将在自身业务领域内积极推广对方产品与解决方案，并在客户推荐中相互支持。景嘉微将保障产品稳定供应与有竞争力的价格，双方共同投入资源开展市场活动。安超云将开放市场渠道并建立服务保障团队，景嘉微则提供相应售后技术支持。 3.联合攻关：双方将就国产基础硬件的研发与适配等关键环节开展联合技术攻关，共同致力于提升和保障客户的产品使用体验，推动国产化生态的成熟与完善。此次景嘉微与安超云的强强联合，标志着国产计算生态在“芯”“云”协同领域迈出了坚实的一步，将为关键行业用户提供更安全、更可靠、性能更卓越的“多芯全栈GPU云”选择，助力客户实现云化转型与安全可控的双重目标。

景嘉微

景嘉微 . 2025-09-16 1925
企业 | 泰凌微电子荣获蓝牙技术联盟“杰出IOP贡献者”与“IOP参与荣誉奖”

在蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）2025年的“Awards & Recognition”评选中，泰凌微电子凭借其在蓝牙新标准互操作性原型（IOP）测试中的卓越表现，荣获“杰出IOP贡献者”（Outstanding IOP Contributor）与“IOP参与荣誉奖”（Recognition of IOP Participation）两项殊荣，彰显了其在蓝牙技术研发领域的领先地位与实力。泰凌微电子在多个新标准的IOP参与上获得了高度认可。在Human Interface Device Working Group（HIDWG）的“杰出IOP贡献者”评选中，公司的研发团队在HID ISO feature IOP过程中，贡献了超过50%的测试结果。这一成就不仅体现了泰凌微电子在技术研究方面的深厚积累，也展示了其在推动蓝牙标准发展中的积极贡献。同时，泰凌微电子的蓝牙团队成员在Shorter Connection Intervals，Ranging Profile and Service和Coordinated Set Name 1.1三个feature上，也获得了“IOP参与荣誉奖”。这些成果进一步证明了泰凌微电子在蓝牙技术领域的全面参与和专业能力。 HID ISO是在HID Profile上增加ISO模式，基于蓝牙核心规范Core_5.2 Controller已有的CIS技术，能够实现最低1mS的Interval，支持最高1K高报点率、低延时的HID类产品应用，如高报点率键鼠、游戏手柄、AR/VR等产品。这一技术的实现，为用户带来了更加流畅和沉浸式的使用体验。 Shorter Connection Intervals（SCI）是即将发布的蓝牙核心规范Core_6.2中Controller的一个重要feature。相比老版本蓝牙低功耗ACL Connection Interval最小只能到7.5mS，支持SCI feature的设备可以实现最低375uS的ACL Connection Interval，并具备数据Flush模式，能够帮助中心和外围设备实现最高2.67K报点率、低延时的数据传输模式。这一技术的突破，为HID类高报点率键鼠、游戏手柄、AR/VR等产品提供了更强大的技术支持。 Ranging Profile and Service（RAS/RAP）是基于蓝牙核心规范 6.0 中Channel Sounding技术构建的专用测距Profile层协议，其设计核心在于高效、安全地实现蓝牙设备间的精确测距。这一技术的应用，预示着蓝牙应用的边界将进一步拓宽。这项技术将在多个领域扮演关键角色，包括但不限于数字钥匙、“Find My”定位服务、智能家居以及工业自动化等。 Coordinated Set Name Characteristic是LE Audio 标准中CSIS1.1版本新增的用于识别设备组内成员的服务特性。例如，在TWS 耳机中，该服务可识别左右耳机；在多设备音频系统中，可识别各个音箱设备。该特性新增了显示设备组名称的功能，进一步提升了用户对设备组的识别与管理能力。泰凌微电子研发团队长期关注和研究蓝牙新标准，提前开发实现原型机，并在全球范围内积极参与IOP互操作兼容性测试。通过这些努力，泰凌微电子不仅帮助推动了蓝牙技术标准的演进和市场化，也进一步巩固了其在蓝牙领域的领先地位。泰凌微电子近几年多次获得IOP相关奖项，充分体现了公司与蓝牙技术联盟以及其他会员公司之间的互动越来越紧密。公司在蓝牙标准推进上的积极参与，始终保持了其在蓝牙新标准研发和产品化方面的领先优势。这些荣誉不仅是对泰凌微电子技术实力的认可，也是对其在蓝牙生态系统中所做贡献的肯定。结语泰凌微电子将继续致力于蓝牙技术的研发和创新，为用户提供更优质的产品和服务，推动蓝牙技术在全球范围内的广泛应用和发展。

泰凌微

泰凌微电子 . 2025-09-16 1 595
产品 | 威盛入局RISC-V，推出2G主频芯片

过去，威盛电子最广为人知的产品就是X86处理器，但自2020年将部分芯片组产品相关技术、数据等知识产权 (不含专利权)出售给予威盛间接持股合计达 14.75% 之上海兆芯集成电路有限公司之后，市场上已经很久没有考到这个公司在大芯片方面的进展。但最近，有消息显示，这家厂商似乎有意借助RISC-V，再度杀入边缘、嵌入式，甚至PC行业。如图所示，该公司在官网推出了一款名为VIA Galilee-R2的芯片。该芯片拥有主频高达2GHz的RISC-V 处理器，支持2-Port PCIe 4 x4/x8/x16、2-Port PCIe 4 x1和RC port x6；同时，该芯片还支持64-bit 3200Mbps DDR4 x4、x8 and x16, DIMM和UDIMM/RDIMM/LRDIMM；此外，该芯片还支持IEEE1149.1 JTAG和 I2C x1, SPI x1, UART x1, GPIO x1以及LPC x1等接口。对于这颗芯片，大家又有怎样的看法。威盛的“大芯片”往事翻看威盛的历史，可以追溯到1987年。当年，前Intel员工陈文琦于美国加州费利蒙成立Symphony公司，自任总经理。之后，VIA总经理陈文琦从Symphony把员工送回台湾，开始在台湾研发芯片。对啦，顺便提一下，陈文琦之妻为宏达电（HTC）董事长王雪红，王雪红为台塑集团创办人王永庆二房三女，有“台湾女首富”之称。 1996年，VIA在PC Common Architecture标准集团扮演主要的角色，推动从ISA总线转换到PCI总线。 VIA在ISA向PCI总线过渡阶段起家，在芯片组与控制器方面进步神速，凭借不错的性能和超高性价比，很快就成为仅次于Intel的第二大芯片组厂商，并在2000年左右，超越Intel获得了超过一半的市占率，极盛时期曾一度超过70%。到了1999年，VIA并购Cyrix（美国国家半导体的一个部门）以及Integrated Device Technology旗下Centaur，开始进入微处理器的市场。这两桩收购也让远在大洋彼岸的美国人大吃了一惊。其连续并购美国国家半导体公司及美国IDT微处理器两家公司，涉足CPU市场，并成功推出CYRIX3处理器，幵始大举抢攻Intel的CPU市场，并很快成为IBM、惠普、康柏等国际大公司的客户。其实早在1998年11月，威盛成为全球第一家获得英特尔Slot1芯片组的所有相关专利与技术授权的芯片组厂商﹔1999年7月，英特尔宣布支持PC133架构，威盛取得下一世代主机板规格主导权﹔2000年7月，威盛与英特尔诉讼案宣告和解，PC133与DDR266已达成厂商未来发展共识。第一个标上威盛品牌的x86 处理器，是Cyrix 代号「Joshua（约书亚）」的Cyrix III，在2000 年2 月22 日进入市场，但极为短命，活不到半年就夭折。回看威盛当年进军X86处理器的时间，非常微妙。早在1998 年11 月，Cyrix 在美国的零售通路还保有22% 占有率，但在1999 年2 月，Intel 发动高主频Celeron 大攻势之后（同时AMD 也用K6-2 展开抢攻），Cyrix 产品竞争力一落千丈，只能低价促销，美国零售通路占有率瞬间被侵蚀到剩下不到5%，单季销量量跌至150 万颗，产品平均单价更从49 美元一路滑落到42 美元，而品牌电脑和笔电市场就更毫无还手之力。至于Centaur 的总体销售量跟Cyrix 相比，更是还差得远。还有一点，砸了超过两亿美元进军x86 处理器市场的威盛，透过收购Cyrix 而得到的Intel P6 总线授权，期限只到2006 年5 月，2001 年3 月25 日让VIA C3 取代Cyrix III，更等于直接把Cyrix 品牌丢到水里。到头来，手上还有专利可和Intel 讨价还价的Centaur则是仅剩的有价值资产。后来，威盛按照策略推进芯片的规划和研发，然而在这个过程中威盛团队吃尽苦头。祸不单行的是，在此期间，Intel也以威盛未得其同意，擅自销售Pentium 4 处理器相关芯片组为由，对其发动官司诉讼大战，并纠缠了近3 年。 2000年，就是在这一年，威盛收购了IC Ensemble Inc，开始研发音效芯片。 2001年，威盛订出的迦南计划（Project Canaan），兵分四路，进军光存储芯片、绘图芯片、CPU与网络芯片，并且收购S3 Graphics的图形部门。 2002年，威盛收购LSI Logic的CDMA2000设计部门，从而创建威睿电通有限公司（VIA Telecom）。 2004年，VIA开始Isaiah处理器的研发工作。 2005年2月，VIA庆祝生产第一亿个AMD芯片组。 2007年7月，VIA因新一代Intel授权无法顺利获取，决定放弃毛利低且成熟的芯片组事业，转而聚焦于自家处理器平台，生产支持C7的芯片组。原有的三个事业部再度缩减为两个。 2008年5月，VIA正式发布Isaiah核心处理器，并命名为VIA Nano（威盛凌珑）1000/2000处理器系列，与C7处理器针脚是互相兼容，功耗介乎3-5W。 2011年7月6日：VIA宣布出售子公司S3 Graphics给宏达电子 2019年11月18日，位于美国得州，发表了 x86 世界首款内置人工智能辅助处理器的“服务器等级系统单片机”。 2020年10月27日，威盛电子通过两家子公司将x86处理器和芯片组技术出售给上海兆芯。 2021年11月4日，Intel与威盛电子签署契约，Intel将延揽威盛子公司Centaur部分员工加入，完成后Intel将给付Centaur美金1亿2500万元。

威盛电子

芯视点 . 2025-09-16 1285
企业 | HSAutoLink C 凭借其智能模块和多功能集成的优势荣获2025年半导体市场创新表现奖

近日，2025年度半导体市场创新表现奖在Elexcon展会期间揭晓，Molex莫仕凭借其 HSAutoLink C 互连系统以其智能模块和多功能集成的优势，荣获“年度优秀被动元件产品奖”。 HSAutoLink C 互联系统系列将更多功能集成到更小、更可靠的模块中，可帮助汽车制造商应对严峻的空间挑战。 HSAutoLink C 互连系统采用 24 针设计，将多种线缆布线方案集成到一个紧凑外壳内，如此高密度设计能确保在优化空间利用率的同时实现卓越功能性。可提供高达 40Gbps 的高速数据传输率和 240W 的功率传输，支持包括 USB、LVDS 和以太网的多种协议。 5路USCAR 30连接器与24路HSAutoLink C互联系统对比（板端底座设计仅供参考）同时提供密封和非密封两种选项。连接器位置保证 (CPA) 有助于确保在高湿度、强振动的严苛汽车运行环境中的可靠性，而多电缆出线和压力释放角度则有助于简化模块设计。非密封密封该系统设计和装配流程经过简化（包括现成的电缆组件和多种键控选项），把原型设计化繁为简，并加快了产品上市时间。 HSAutoLink 互联系统除了HSAutoLink C, 莫仕的HSAutoLink 系列互连系统为各行各业的恶劣环境和高挑战性应用提供了先进的数据连接。采用锁定装置以防止意外断开，并提供密封选项以防止在潮湿环境中发生故障。 HSAutoLink 支持高达 480Mbps 的 USB 数据端口连接数据速率。HSAutoLink II 则提供高达 13.5Gbps 的速度，适用于娱乐屏幕、多设备充电和云连接配件等高级应用。

Molex

Molex莫仕连接器 . 2025-09-16 1400
产品 ▏500mA 带过流保护的LDO_LTP755L

LTP755L系列是基于CMOS工艺的低压差、低功耗线性稳压器，提供500mA，具有低压降电压、高纹波抑制、高输出精度和低供电电流。LTP755L系列包括一个精确的电压基准模块、一个误差放大器、电压设置电阻网络、P型金属氧化物半导体场效应管（P-MOSFET）通路器件、热关断电路和具有短路保护的限流电路。 LTP755L采用了一种出色的CMOS工艺，以最大限度地减少供电电流。配备低导通电阻的P-MOS旁路器件，以实现更低的压降电压。LTP755L还具备EN（启用）功能，可节省更多能源并延长电池寿命。 LTP755L系列采用SOT23-5、DFN1*1-4和DFN2*2-6封装。 LTP755L 主要特点输入电压范围：1.9 to 5.5 V（6V max) 输出电压范围：1.0 to 3.6 V(可定制) 或外部电阻可调低压差：260mV typical at 500mA @ 2.6~3.6Vout 低静态电流：50 µA (典型值）高PSRR：70dB @ 1kHz 带短路保护，过流保护，过温保护输出主动放电带使能（SOT23-5,DFN2*2-6) 封装信息：SOT23-5，DFN 1*1-4 and DFN 2*2-6 主要优势支持可调输出版本给敏感系统提供更高的电源抑制能力完善的保护功能，防止短路对芯片的损伤配合输入或使能引脚，断电快速放电，给到输出明确状态支持灵活的小封装应用需求 LTP755L 主要市场和应用电池供电类设备参考电压摄像头手持类设备系统框图 LTP755L 订购信息 Note1: xx stands for output voltage, e.g. if xx = 18, the outputvoltage is 1.8V; ifxx=A,the output voltage is adjustable version.

先积集成

先积集成 . 2025-09-15 3335
技术 | 瑞萨发布适用于NPU部署AI模型的RUHMI工具集

什么是RUHMI？伴随着瑞萨新推出了集成了Ethos-U55 NPU和Arm Cortex-M85 CPU内核的全新高性能RA8P1微控制器，瑞萨提供了一套用于将常用AI模型部署到高性能计算平台的工具，以充分利用目标平台的硬件AI计算加速单元完成AI计算任务，这就是RUHMI。 RUHMI的全称是“Robust Unified Heterogenous Model Integration”，意为“健壮的、通用的、可适配异构芯片平台的模型转换器”。如图1所示。图 1：RUHMI的全称使用RUHMI工具集，可将常用机器学习开发平台，例如TensorFlow、PyTorch开发的以及ONNX格式保存的模型转换成可直接部署在瑞萨处理器平台（例如RA8P1）上的C源码（由CPU执行）和二进制可执行程序（由NPU执行）。特别对于集成了Ethos-U55这样的专用NPU的硬件平台，使用RUHMI工具集完成部署的机器学习模型执行效率，要远高于使用通用工具实现同样的功能。熟悉瑞萨AI产品家族的开发者可能会想到为支持瑞萨自主研发DRP-AI硬件加速引擎而开发的DRP-AI TVM工具，可以将一些视觉AI模型部署到RZ/V芯片平台上（Arm Cortex-A55+DRP-AI），实际上，RUHMI的设计就借鉴了DRP-AI TVM的关键技术。 RUHMI面向不同阶段的开发者提供了命令行和图形化界面两种使用方式，用以为用户提供更好的AI编译器/转换器开发体验。并且随着RUHMI后续支持更多瑞萨的芯片产品，将会整合MCU和MPU的AI开发工具链，将硬件的差异性同模型开发分离出来，让AI应用开发者更专注于模型的设计和开发，而硬件层面上始终可以受益于最优化的执行效率。 RUHMI的技术细节 RUHMI是一个工具集，内部包含一系列可以单独完成任务的工具。例如，RUHMI使用模型解析器（Model Importer/Parser）将多种开源的模型结构文件转换成中间层代码（Intermediate Representation），然后通过模型优化器（Model Optimizer）对模型进行优化，包括量化（将FT32量化成INT8）、微调和剪枝，然后将能够被硬件加速单元（NPU）处理的计算过程和需要软件处理（CPU）的计算过程分割开来，分别生成适用于专用硬件单元和CPU的源码或可执行二进制文件。图 2：RUHMI的功能框图开始使用RUHMI开发使用RUHMI的开发流是非常简单的。对于开发者，先通过瑞萨的RUHMI产品主页访问到RUHMI在GitHub上的项目主页，然后下载对应的工具软件包并安装到本地主机，运行工具转换，然后将转换后的代码/二进制文件集成到嵌入式工程的源码工程中，编译下载，即可完成部署。如图3所示。图 3：使用RUHMI的开发流其中，RUHMI在GitHub上的项目主页如图4-5所示。 RUHMI在GitHub站点的项目主页 RUHMI在GitHub上的项目主页 github.com/renesas/ruhmi-framework-mcu 使用RUHMI对模型进行转换，有两种方式，命令行和图形用户界面。图形界面适合对模型转换器进行简单试用，对于资深开发者建议使用命令行方式，以使用更多功能的API，并方便集成至自动化工作流中。另外，命令行开发方式还可适用于Linux系统平台。如图6所示。图 6：RUHMI的命令行和图形用户界面 RUHMI的图形用户界面工具是集成至瑞萨的e2Studio集成开发环境中，生成的源文件和二进制文件最终在e2Studio环境中编译生成部署在目标芯片的固件文件，可以下载至芯片中运行。样例和性能实际上，首次发布的RUHMI工具包中已经包含了两个用例，基于瑞萨官方的EK-RA8P1电路板，分别实现了人脸识别和图像分类两个模型在RA8P1芯片上的部署。设计程序的系统框图，如图7所示。图 7：RUHMI的两个样例工程：人脸识别和图像分类通过分别运行这两个用例，启用NPU（Ethos-U55）的情况下，相对于不使用NPU的，执行推理提速将近20倍。如图8所示。图 8：RUHMI使用NPU明显提速样例和性能目前，RUHMI在GitHub站点上的产品主页已经对公众开放，提供充分的文档、软件工具以及样例工程，开发者可以前往下载，安装并试用。瑞萨电子将面向中国的开发者组织线上和线下的培训和技术交流。需要技术支持？如您在使用瑞萨MCU/MPU产品中有任何问题，可识别下方二维码或复制网址到浏览器中打开，进入瑞萨技术论坛寻找答案或获取在线技术支持。

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-09-15 3390
企业 | HCI杭晶电子：压电晶体行业优质生产制造商

苏州杭晶电子科技有限公司（https://www.hcixtal.com.cn/）成立于2014年，专注于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售，是研产销一体的科技中小型企业。通过专业的团队组合及先进之生产技术，搭建起石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等多条完整的产品线。以健全的供应链系统，高品质产品、极低失效率保障以及快速专业的售前售后服务。在压电晶体行业，杭晶电子的技术、质量均处于领先地位。产品应用范围涵盖移动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等，扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能。持续致力于技术研究开发及品质落实扎根，营运据点遍布香港、台湾、北京、深圳、成都、上海、杭州、苏州等世界各地，使杭晶得以提供服务予世界电子大厂。一、产品推荐石英品体振荡器是内置震荡芯片与石英品体的小型有源时钟模块。在应用品体诸振器时，通常需要对电路的实际负载、负性阻抗及激励功率等参数进行测试，以选择合适的品体诸振器与之匹配。相比较常规的石英晶体振荡器，差分系列产品（LVPEL、LVDS、HCSL）具备高速、低功耗、低相躁优点，可适用于光纤通信，网络交换机、千兆网、高端服务器等相关网络设备领域。 OCXO恒温晶体振荡器是将石英晶片放于恒温槽内，让晶片温度基本维持恒定的晶体振荡器，常选用高精度SC切型与低成本AT切型石英晶片制造振子。该系列产品频率稳定性可达10⁻⁹量级，老化率与相位噪声极低，短稳、抗震及加速特性突出，被大量用于通讯基站、微波雷达、精密仪器、遥测、导航等需高精度频率的场景。可提供不同封装尺寸，有5MHz、10MHz、30MHz、100MHz等不同常见频率点，并支持2E/3E等定制化要求。 VCXO压控晶体振荡器设有控制电压输入脚，借调整控制电压改变输出频率偏差。可供应多种封装尺寸及多样频点、频差和输出类型，多用于对频率需灵活调控的通讯、精密仪器及军工等相关领域。 TCXO温补晶体振荡器借助温度-负载补偿电路，让自身频率温度特性接近平直，属高精度晶体振荡器。其频率稳定性可控制在1PPM内，还能实现较小尺寸。可供应带压控及不带压控等多样类型，配备多种尺寸、频点、频率稳定性及输出类型选项，可用于通讯导航、移动终端、精密仪器和军工等领域。除此以外，HCI还可以提供定制滤波器系列产品（晶体滤波器、声表滤波器、陶瓷滤波器）、谐振器系列产品（声表谐振器、陶瓷谐振器）等等。二、品牌优势杭晶电子科技有限公司（HCI）注重满足市场及客户需求的变化，为客户提供更深层、更贴合、更适配的问题解决方案。 1、技术能力 2、技术支持 3、资质证书 4、符合ROHS / Reach SVHC法规要求

杭晶电子

杭晶电子 . 2025-09-15 3945
技术 | HCI杭晶电子：差分晶振在不同领域中的应用

一、差分晶振在边缘计算中的应用体现差分晶振在边缘计算中起到了关键作用，尤其是在高性能计算和通信需求场景中。差分晶振的高性能特性，使其成为边缘计算设备中不可或缺的核心组件，推动了边缘计算在智慧城市、工业制造和实时通信中的广泛应用。其主要应用主要展现在：高速数据传输差分晶振具备低相位噪声和高频率稳定性，是支持5G网络、光纤通信和数据中心的核心元件，为边缘计算节点与云端的高速连接提供基础保障。高精度时钟同步边缘计算需要多个设备协同工作，差分晶振通过提供高精度的同步时钟信号，确保分布式系统的时间一致性。抗干扰能力增强差分晶振的信号差分传输设计，有效减少了外部电磁干扰，提高了边缘计算设备在复杂环境下的可靠性。 AI计算加速在边缘AI应用中，差分晶振为GPU、FPGA等核心芯片提供精准时钟支持，提升实时推理和计算能力。工业边缘场景适用于工业物联网设备，通过高可靠性和抗震性能，保障工业边缘节点的持续稳定运行。 ★常用频点展示差分晶振在边缘计算设备中，通过提供高频率和低相位噪声的时钟信号，有效提高了系统的稳定性和传输效率，是高性能边缘计算的核心组件之一。常用频点如下：常用频点应用 25 MHz / 27 MHz 常用于网络交换机、路由器以及与边缘计算相关的通信设备。 100 MHz / 125 MHz 支持高速数据传输，适用于边缘服务器和存储设备。 156.25 MHz 在高性能网络设备中，用于光模块和数据中心应用，支撑边缘计算的高速通信需求。 200 MHz 及以上用于极高性能计算设备，适合AI边缘计算和实时数据处理的场景。系列规格书参考二、差分晶振在光通信模块中的应用及关键技术解析 1、差分晶振在光模块中的典型应用高速SerDes时钟源应用场景：为PAM4调制器、CDR电路提供基准时钟。案例参数：100G/400G光模块常用156.25 MHz或312.500 MHz差分晶振，抖动性能<50 fs RMS（集成带宽12 kHz-20 MHz）。多通道同步应用场景：在CFP2/QSFP-DD等多通道光模块中，通过差分时钟树实现多路信号的相位同步。关键技术：多输出差分晶振（如4路LVDS）可减少时钟偏斜（Skew）至±50 ps以内。温度补偿方案温补差分晶振（Differential TCXO）：在光模块中，通过内置温度传感器和补偿算法，实现全温范围内频偏≤±2.5ppm。 2、行业趋势与选型建议技术发展趋势高频化：支持224 GHz频率的差分晶振已进入量产，适配1.6T光模块需求。小型化：2520封装（2.5×2.5 mm）逐步替代5032/7050，满足CPO（共封装光学）的紧凑布局。集成化：内置电源滤波器和扩频功能的差分晶振可进一步简化电路设计。 ★选型关键指标（工业级）参数典型要求频率范围 10-3000MHz 频率稳定度（总频差） ±25 ppm 相位抖动 <100 fs RMS（12k-20M）输出类型 LVDS/LVPECL/HCSL 工作温度 -40°C ~ +105°C 功耗 <80 mW（LVDS） ★选型关键指标（高稳高精度要求）温补差分晶振（TCXO LVDS/LVPECL），杭晶TC32D6/TC32P6/TC53H8系列满足客户高稳高精度要求。参数典型要求频率范围 10-3000MHz 频率精度 ±1.0ppm 稳定度 ±2.5ppm@-40+85°C 相位抖动 <100 fs RMS（12k-20M）输出类型 LVDS/LVPECL 工作温度 -40°C ~ +85°C 功耗 <80 mW（LVDS） # 杭晶差分系列型号参考展示杭晶可以提供10~2000MHz高稳定低抖动的差分晶振，供不同客户在不同领域中的应用。

杭晶电子

杭晶电子 . 2025-09-15 3195
产品 | 骁龙旗舰移动平台即将迎来新成员——第五代骁龙8至尊版

• 第五代骁龙8至尊版是我们旗舰移动平台产品家族中的最新成员。 • “至尊版”的命名专属于我们最具行业领先性的产品，也就是在功能、体验和创新方面不断突破边界的平台。 • 产品路线图中未来发布的移动平台也将采用相同的“第五代”代际命名。 2025骁龙峰会已进入倒计时！下一代旗舰移动平台——#第五代骁龙8至尊版也将如期而至。在揭开其移动性能的面纱之前，请让我带大家深入了解这次发布为何意义重大，以及为何现在我们要对产品代际加以梳理。为什么是第五代，是不是跳过了几个代际？乍一看似乎跳过了几代，但其实不然，逻辑也很简单。自从我们采用全新的单数字命名体系和视觉标识以来，第五代骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite Gen 5）代表着骁龙8系旗舰移动平台的第五代产品。通过“第五代”的命名，我们不仅强化了该平台的领先地位，也简化了消费者对我们产品路线图的理解。所以不妨这样理解，第五代不仅是一个数字，更是引领骁龙8系旗舰产品家族不断向前的标志。命名策略发生变化了吗？没有。这只是我们的产品路线图中一个前所未有的节点。去年推出的骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite）作为旗舰产品线中的新层级，带来了前所未有的性能提升，也是该层级首款亮相的平台。我们的命名体系融合了对多重因素的考量，包括性能表现、发布时间以及每个平台在整个产品组合中的定位。所以，虽然命名方式看似有所变化，但实则是我们既定框架的延续——一个始终随着技术演进而不断发展的命名体系。为什么叫至尊版？我们相信这款平台将带来真正的至尊体验，它不仅是一款全新的移动平台，更是骁龙8系旗舰层级中的巅峰之作。去年的骁龙8至尊版将Qualcomm Oryon CPU这一自研的定制架构引入移动平台产品组合。通过将CPU纳入自研体系并从SoC的整体设计进行考量，我们才得以实现为达到行业领先的速度和卓越能效所需的灵活性和优化能力。它重新定义了旗舰性能，而今年，我们将对其进一步提升。 “至尊版” 这个命名专属于我们最具行业领先性的产品，即那些在功能、体验和创新方面不断突破边界的产品。这不仅关乎命名，更是一份承诺。对于其他产品组合而言，意味着什么？第五代骁龙8至尊版只是我们广泛产品路线图的一部分。未来发布的移动平台也将采用相同的“第五代”代际命名。这种一致性有助于消费者和OEM厂商更清晰地了解每款产品的定位，从而洞悉其带来的性能与体验升级。写在最后第五代骁龙8至尊版不仅是一款全新的移动处理器，更是骁龙旗舰产品层级演进中的关键时刻。通过延续我们既定的命名体系，聚焦产品性能、发布时间和产品组合定位，我们正在助力消费者和合作伙伴精准把握我们的产品路线图。

高通

高通中国 . 2025-09-15 4695
产品 | 思瑞浦接口与驱动芯片驶入快车道

在工业、汽车、通信和新能源应用中，接口和驱动产品有着不可或缺的作用。思瑞浦是最早布局接口和驱动的国内模拟半导体公司之一，公司在接口和驱动方向持续大力投入，目前接口和栅极驱动产品数量占28%，2025年上半年该类产品营收同比增长了82%，产品覆盖CAN接口收发器、RS485接口收发器、I2C接口、数字隔离器、低边栅极驱动、半桥/多路栅极驱动、隔离栅极驱动等。特别是CAN接口收发器，目前在国内半导体公司中产品品类最全。最新一代的接口和栅极驱动产品全部使用国产晶圆生产和封装测试，通过严苛的各种认证，具备国际先进水平。思瑞浦接口芯片产品线涵盖CAN、LIN、RS485、RS232、I2C、I3C、LVDS、ASN、LOGIC、LEVEL SHIFTER等多类芯片，已推出超600款型号，广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、新能源及消费电子等领域，累计服务客户数超5000家，实现超15亿片出货。产品具备高抗干扰、高ESD防护、宽电压供电及低功耗等优势，助力客户构建稳定、高效的设备连接方案，在严苛环境下依然保持可靠通信。同时适应工业级温度范围，提供高可靠性保护，支持1.8V至5.5V宽压操作，具备低静态电流和多节点组网能力，可满足不同场景对通信距离、速率和可靠性的高要求。思瑞浦栅极驱动产品线涵盖低边、半桥及隔离等多种类型、100多款高性能栅极驱动产品，旨在为MOSFET、SiCFET、GaNFET 和IGBT等功率器件提供稳定可靠的驱动解决方案。产品广泛应用于AI计算、机器人、先进制造、储能及电力系统等领域，已获得超过千家客户的长期信任，积累了超过亿片芯片的市场应用经验。思瑞浦栅极驱动器的关键特性包括低传输延迟、高共模瞬态抑制（CMTI）、增强隔离耐压以及大电流驱动能力。第二代隔离栅极驱动进一步优化CMTI超过200V/ns，EMI通过CISPR25 Class5最高标准。多重特性协同作用，显著提升电源系统效率，并赋予其高可靠性。思瑞浦隔离产品线涵盖1-6通道数字隔离器、隔离接口（隔离485、隔离CAN、隔离I2C）、隔离驱动、隔离运放、隔离ADC和隔离电源等多类产品，已推出230余款型号，广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏逆变、电力系统及通信设备等领域，累计服务超1000家客户，实现超1亿片出货量。产品具备高隔离耐压、高传输速率、高可靠性及低功耗等优势，为客户系统提供安全、稳定的电气隔离保障。全面ESD防护，保障通信稳定思瑞浦接口产品全系集成高等级ESD结构，代表产品TPT75176系列具备±15kV ESD能力，支持高速率、多节点通信，广泛应用于工控伺服、PLC、飞控、电力监控和智能电表等场景。卓越EMC性能，为汽车安全通讯筑牢基础思瑞浦可提供全面的CAN收发器系列产品,以最常用的TPT1044xQ系列为例，该产品符合ISO11898-2:2024、SAE J2284-1至SAE J2284-5高速控制器局域网（CAN）物理层标准的CAN收发器，性能达国际领先水平。其通过欧洲权威机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC全项测试，获最高Class3等级认证，涵盖发射射频干扰、抗射频干扰等四大核心测试项，完全符合IEC62228-3标准。TPT1044xQ已成功入选大众全球CAN接口优选供应商列表，为其在全球汽车市场的广泛应用奠定了坚实基础。同时思瑞浦还可提供SBC芯片，其内置LDO、看门狗、CAN、LIN接口，通过系统集成减小板级面积。低功耗高效能，降低系统运行成本 M-LVDS产品TPT9H2211在不同工作模式下均保持低功耗特性：仅驱动工作时电流最大22mA，收发均禁用时电流低至4mA，可减少设备能耗与散热压力。同时其4.7ns最大传播延迟与2.2ns信号上升/下降时间，能满足高速数据传输需求，兼顾效率与速度。高隔离耐压，保障系统安全稳定思瑞浦隔离产品提供高达5000VRMS的电气隔离强度，有效防止高压串扰，保护低压侧设备和人员安全。代表产品TPT76XX系列数字隔离器具有200kV/µs高共模抑制比，可显著提升工业电机驱动、光伏逆变器及车载电源等高压系统的可靠性和安全性。稳定的偏置电流Ib实现更高精度的电流检测除了极低的增益误差和失调电压外，为进一步提升系统整体检测误差， TPA8000等隔离运放实现了极低的偏置电流，并且在共模电压和温度变化的情况下，仍然保持稳定，助力高压伺服、充电桩等应用实现更高精度的电流检测。单端输出的小型化设计凭借在客户应用领域的深入理解，思瑞浦率先推出了单端输出的电压检测运放TPA8023，相比传统的隔离运放，可以节省后级差分转单端的电路，降低成本的同时节省PCB板面积。在小型化应用产品上深受终端客户欢迎。小型化进一步提高AI服务器电源功率密度 AI服务器电源正经历功率密度飞跃，汽车电源模块则步入小型化新阶段。在此趋势下，思瑞浦TPM27524Q和TPM1020栅极驱动器以其紧凑的DFN1.5*1.5-8和WLCSP0.8*1.22-6封装脱颖而出，为小尺寸、高功率密度的电源解决方案提供了理想的驱动选型。它满足对尺寸和性能的双重严苛需求，助力AI服务器及汽车电子电源实现更高效、更集成的设计。 EMI性能突出，轻松满足严苛车规标准思瑞浦新一代隔离驱动产品在电磁干扰（EMI）性能上实现更高性能，其辐射干扰（RE）表现尤为出色。即使在仅使用两层PCB且未添加磁珠的简化外围电路设计中，TPM5355Q系列产品仍可满足严苛的车规CISPR25 Class 5电磁兼容标准，从而显著降低了系统EMI设计和调试的复杂度。高CMTI能力（共模瞬态抗扰度） CMTI是衡量隔离栅极驱动器性能的核心参数，代表其在高压快速瞬变条件下维持信号完整性的能力。CMTI越高，越适用于高开关频率应用。思瑞浦的隔离驱动产品（如TPM23525、TPM5355Q），已具备200kV/µs以上的高CMTI能力，充分满足氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体材料的高频工作要求。全面智能保护功能，系统运行更安全随着功率等级提升和宽禁带器件的广泛应用，系统干扰与保护机制面临更大挑战。思瑞浦致力于通过智能化设计应对这些难题：针对半桥串扰与直通问题，系列产品（如TPM5355M、TPM81530M）集成米勒钳位功能，显著增强半桥结构的稳定性；面对功率器件短路风险，TPM23514D等产品具备退饱和（Desat）保护与软关断机制，可在微秒级时间内快速响应并安全关断，有效避免“炸机”，大幅提升系统可靠性。思瑞浦的接口、驱动和隔离产品线以其创新的技术为核心，持续为工业、通信、汽车等各行各业提供高效率、可靠以及安全的解决方案。未来，公司将继续聚焦高耐压、大电流、高集成、高可靠性、低功耗等技术方向，深入AI服务器、工业4.0、汽车电子、光储充一体化等战略领域，助力客户构建更安全、更高效、更互联的智能系统。

3PEAK

思瑞浦3PEAK . 2025-09-15 1 1 2535
技术 | 如何告别电容“嗷嗷叫”？艾为有秘术！

在智能音箱、游戏设备、车载座舱等搭载呼吸灯驱动的产品中，啸叫问题如同潜伏的“体验杀手”，悄然侵蚀着用户的使用感受。这种不期而至的噪声不仅会拉低产品的质感，更可能引发用户对设备稳定性的疑虑。中国数模龙头艾为电子深耕呼吸灯产品15余年，“艾为灯语”®更在行业树立灯效标杆。针对这一痛点，艾为推出多款高性能呼吸灯驱动芯片，凭借多重技术从根源破解啸叫难题。啸叫的根源啸叫现象的核心成因可分为两类：机械振动：当LED驱动电流的开关频率处于人耳可听范围（20Hz-20kHz）时，PCB板、电感、电容等元件会因共振产生啸叫；此外，多层陶瓷电容器（MLCC）的压电效应（电压变化引发物理形变）会使其周期性膨胀与收缩，进而带动PCB板振动，形成明显的啸叫。电磁辐射：高频开关动作产生的电磁干扰（EMI），会通过空气传播或电路传导的方式被其他元件接收，最终转化为啸叫。针对这两类根源，传统解决方案多依赖单一滤波手段，难以彻底消除啸叫。而艾为呼吸灯驱动芯片通过多重技术从源头到传播路径实现全链路管控，如同为呼吸灯驱动系统打造了一套全方位的“降噪防护盾”。抗啸叫技术扩频技术支持多种扩频范围选择，启用后，总的电磁发射能量会被分散到更宽的频带范围内，从而显著降低电磁干扰的峰值能量。图1 频率范围扩展示意图表1 扩频功能开启时不同SSR_AMP对应的OSC频率范围时序优化分组延迟：多路PWM同时开关会对LED的阳极电流造成冲击，进而对滤波电容形成压力，而电容承受的瞬时压力过大会引发机械振动，最终产生啸叫。通过分组延迟设计，可避免多路LED同时开启，降低电流的瞬间冲击幅度，从而减少电容的振动诱因，从源头缓解啸叫问题。可编程相位时间：消鬼影时间（DGST）、建立时间（SETUP）和保持时间（HOLD）均可独立配置，确保开关动作避开LED驱动系统的机械共振频率。图2 整体时序参数示意图转换速率调整可通过控制电流源开启或关闭的过渡时间，灵活调节电流变化率。当电流变化更平缓时，产生的电磁干扰（EMI）会显著降低。图3 转换速率调整示意图时钟分频提供多种时钟分频选项，对应不同的PWM频率。通过时钟分频可选择20kHz以上的PWM频率，确保开关频率完全处于人耳可听范围之外——如同将噪声“藏”进人耳无法感知的频段。表2 不同PWM_CLK_DIV与PWM_MODE下的PWM frequency参数表（注意：上述技术以AW25072SQNR为例，其他芯片具体参数可能存在差异，以数据手册为准。）效果对比测试样本1：AW25072SQNR（矩阵式呼吸灯驱动） AW25072SQNR与友商同规格芯片，均驱动18X4LED矩阵（单路驱动电流均为30mA），在灯效完全一致的条件下，使用专业声学设备在消音室环境中采样，结果显示：AW25072SQNR的噪声水平稳定在20dB（相当于树叶轻微摩擦声，人耳几乎无感知），全频段能量分布平缓无峰值；友商产品噪声达35dB（接近耳语声，易被清晰察觉），且在1kHz-20kHz人耳敏感频段存在显著能量波动。测试样本2：AW23003QNR-Q1（车载氛围灯驱动） AW23003QNR-Q1与友商同规格车规级芯片，在相同硬件环境、灯效完全一致的条件下，使用专业声学设备在消音室环境中采样，AW23003QNR-Q1的噪声水平稳定在21dB（完全融入车载环境噪声，人耳几乎无感知）；友商产品噪声40dB以上（按客户描述“嗷嗷叫”，严重影响用户体验）。测试结论在消费电子与车载电子应用场景中，测试数据可充分证明：艾为呼吸灯驱动芯片凭借多重抗啸叫技术，在噪声控制上展现出显著优势，能为设备带来更安静、稳定的使用体验。更关键的是，无需额外搭配电解电容或钽电容辅助降噪，不仅简化了电路设计，还直接减少了外围元件采购成本，有效降低了整体BOM成本。芯片选型 AW23003QNR-Q1 图4 AW23003QNR-Q1的典型应用电路图 AW23003QNR-Q1是一款专门针对车载氛围灯的效果多样化而设计的芯片，可以提高汽车整体氛围灯灯效的调试便捷性。AW23003QNR-Q1集成了32位MCU平台。该平台提供了卓越的计算性能和高效的中断系统，同时外围器件使用的管脚数量较少，功耗更低。其主要特性如下： AEC-Q100 Grade1，满足ISO7637 工作电压范围：6V至18V，抛负载电压：45V 32-bit MCU 最高工作频率：16MHz 64KB FLASH，具有擦写保护功能 16KB SRAM存储器 3通道16bit PWM LED驱动，最大60mA /通道支持LED结压（0V至8V）检测，支持LED温度补偿 6个通用GPIO口支持PWM模式支持外部LIN收发器复用功能集成LIN收发器，支持自动寻址功能支持SAE J2602/LIN2.x协议的LIN从机接口 1个WDT，1个WWDG 2个通用Timer，1个wakeup Timer 12位ADC转换器、支持13通道参考电压可选（1.2V/2.4V/3.3V）温度传感器 VBAT电压检测 LED结压检测支持SWD调试支持上电复位（POR）和欠压复位（BOR）功能工作条件：-40至125°C 封装形式：WBQFN 4X4-20L AW25072SQNR 图5 AW25072SQNR的典型应用电路图 AW25072SQNR是艾为全新推出的高性能LED驱动芯片，可稳定驱动18X4的LED矩阵。该芯片集成扩频技术、分组延迟、可编程相位时间、转换速率调整及时钟分频等多重抗啸叫功能，能从根源将啸叫控制在人耳不可感知范围。其主要特性如下：电源电压范围：2.7V至5.5V 工作温度范围：-40°C至105°C 与EN_VIO兼容的逻辑引脚：1.2V-5.5V 高精度LED矩阵拓扑结构： 18个恒流灌电流源（CS）和4个扫描开关（SW），用于72个LED 可配置为1至4个SW 器件间误差：±4% 通道间误差：±4% 超低功耗：关断模式：当EN_VIO为低电平时，ICC ≤ 1μA 待机模式：当EN_VIO为高电平且CHIP_EN = 0（数据保留）时，ICC ≤ 2μA 工作模式：当通道电流为51mA时，ICC = 2.4mA（典型值）模拟调光：所有LED点支持全局8位电流设置每个恒流灌电流源支持单独8位电流设置每个LED点具有12位PWM控制分辨率集成开路/短路检测去鬼影降低电磁干扰（EMI）：扩频 CS组延迟转换速率调整接口选择：当IFS为低电平时，1MHz（最大）I2C 当IFS为高电平时：当EN_VIO ≥ 3.6V时，20MHz（最大）SPI 当EN_VIO ≥ 1.8V时，12MHz（最大）SPI 封装：QFN 4X4 - 32L封装艾为拥有丰富的呼吸灯驱动芯片家族，在不同LED路数配置下均能保持强大的降噪性能，全面覆盖多样化场景的设计需求。如需了解其他型号的详细参数、适配场景，欢迎参考下方的产品选型表：表3 艾为呼吸灯驱动芯片选型参数表

呼吸灯

艾为官网 . 2025-09-15 420
AI服务器 | 2025 H1国内上市AI算力芯片相关企业深度分析

重点内容速览： 1. 财务状况分析，所有相关企业营收均增长 2. 细分赛道景气度判断近年来，谷歌、微软、Meta、亚马逊、腾讯、阿里巴巴、百度、字节跳动等厂商不断提高资本开支用于AI基础设施的投资，特别是AI服务器的建设。据IDC统计，2024年全球AI服务器市场规模预计为1,251亿美元，2025年增长至1,587亿美元，2028年将会达到2,227亿美元，其中中国AI服务器市场2025预计为259亿美元，到2028年将会增长至552亿美元，年复合增长率达30.6%。 AI服务器中使用的算力芯片主要是云端AI算力芯片，主要有通用型AI算力芯片和专用型AI算力芯片。通用型AI算力芯片主要包括CPU、GPU、FPGA等；专用型AI算力芯片是专门针对AI领域设计的芯片，主要包括TPU、NPU和ASIC等。当前AI算力芯片当中，GPU是主流，NVIDIA主导着全球AI算力芯片市场。不过，这两年国内也有不少企业开始推出相关产品，并逐渐渗透。本文对国内半导体AI算力芯片相关企业2025年上半年的财务表现、细分赛道景气度进行了深度分析。涵盖的企业包括AI算力芯片企业寒武纪和海光信息、定制芯片企业芯原股份和翱捷科技、代工企业中芯国际和封装企业长电科技和通富微电等。财务状况分析，所有相关企业营收均增长由于美国从2022年开始，连续不断对高端AI算力芯片进行出口管制，不断加大对NVIDIA与AMD高端GPU芯片供应进行限制，国产AI算力芯片企业迎来了黄金发展机遇，不过部分国产芯片企业，比如寒武纪、海光信息、壁仞科技、摩尔线程，以及最近的复旦微电等都进入了美国出口管制“实体清单”，晶圆代工产能供应受到限制，影响了国产AI算力芯片的发展速度。尽管如此，国产AI算力芯片相关企业在2025年上半年仍取得了较好的成绩。表1：国产AI算力芯片相关企业财务状况统计（来源：各公司财报，芯查查）比如寒武纪在2025年上半年营收达到了28.81亿元，同比增长超过了43倍，而且首次半年度实现盈利，净利率达到了36.04%。这主要是因为美国持续限制中国进口高端AI算力芯片，国内算力需求逐渐转向本土供应商，再加上大模型技术的快速发展，刺激了国产AI芯片行业的红利。其云端产品线贡献了99.6%的收入，导致了其业绩爆发。研发投入为5.42亿元，相比去年的4.47亿元，增加了21.1%。海光信息2025年上半年营收为54.64亿元，同比增长了45.21%，毛利率和净利率轻微下降。研发投入显著增加32.41%达到了14.98亿元，这体现了海光信息持续在技术创新上的投入，以提升长期竞争力。海光信息的产品包括海光通用处理器（CPU）和海光协处理器（DCU），其DCU系列产品可广泛应用于大数据处理、人工智能、商业计算等领域。海光DCU属于GPGPU的一种，基于大规模并行计算微结构进行设计，片上集成了高带宽内存芯片，可以在大规模数据计算过程中提供优异的数据处理能力，能支持全精度模型训练，兼容“类CUDA”环境，具有生态系统优势。据悉，海光DCU已经实现了LLaMa、GPT、ChatGLM、Bloom等大模型全面应用，与国内的悟道、文心一言、通义千问、DeepSeek等大模型也实现了适配。芯原股份是一家具有自主半导体IP，为客户提供平台化、全方位、一站式芯片定制服务和半导体IP授权服务的企业。据悉，芯原股份已经拥有丰富的面向AI应用的软硬件芯片定制平台解决方案，覆盖了智能手表和AR/VR等可穿戴设备、AI PC、AI手机、汽车、机器人等端侧计算设备，以及数据中心和服务器等高性能云端AI算力芯片。2025年上半年，芯原股份实现了9.74亿元营收，同比增长4.49%；毛利率43.32%，略有下降；净利率虽然仍是亏损，但亏损幅度已经收窄。研发投入方面，则持续增加研发投入，达到了6.12亿元。 2025年上半年，芯原股份的VPU、NPU和GPGPU IP在数据中心和服务器领域中得到了广泛应用。为了顺应大算力需求所推动的SoC向SiP发展趋势，芯原正在以“IP芯片化”、“芯片平台化”和“平台生态化”理念为行动指导方针，从接口IP、Chiplet芯片架构、先进封装技术、面向AIGC和智慧出行的解决方案等方面入手，持续推进其Chiplet技术、项目的研发和产业化。翱捷科技是一家提供无线通信、超大规模芯片的平台型芯片企业。2025年上半年翱捷科技的营收为18.98亿元，同比增长14.67%；毛利率为24.72%；与芯原股份一样，翱捷科技仍然是一家处于亏损状态的企业。但在研发上，翱捷科技仍在持续投入，并保持增长，2025年上半年的研发投入为6.68亿元，同比增长12.35%。翱捷科技在AI服务器上的业务主要通过帮助客户定制ASIC芯片来实现的。据悉，翱捷科技已经为登临科技、美国Moffett等多家AI企业提供芯片定制服务。2025年上半年，翱捷科技芯片定制项目实现了营收1.44亿元，与去年同期的2.87亿元减少了1.43亿元。至于原因，翱捷科技的解释是，一方面是前两年公司根据业务发展节奏，曾战略性将ASIC资源向自研芯片进行倾斜调整；另一方面是此类业务的订单交付周期长，通常在1.5年左右，而收入确认需在交付后一次性完成，这一特性也对当期营收产生了影响。定制业务方面，翱捷科技提供Turnkey一站式交付，不仅为客户提供芯片定制服务，且在完成定制芯片后，继续支持客户后续量产和产品迭代的需求。在销售规模增长的同时，翱捷科技持续加大研发投入，2025年上半年该公司合计投入了15个研发项目，投入费用高达6.68亿元，同比增长12.35%。中芯国际是一家晶圆代工企业，2025年上半年，该公司实现总营业收入323.48亿元，同比增长23.14%；利润总额达到36.27亿元，同比增长98.77%；实现归母净利润23.01亿元，同比增长39.76%。中芯国际具有中国大陆最为领先的先进制程技术，有望充分受益于AI算力芯片国产化浪潮。随着美国对半导体出口政策的日趋严格，国内芯片设计企业获取先进制程的难度逐步加大。在先进制程方面，中芯国际具有国内极为稀缺的先进制程晶圆代工能力，随着AI算力需求旺盛，AI算力芯片国产替代加速推进，中芯国际有望充分受益。长电科技是一家封测企业，2025年上半年，在半导体行业复苏背景下，该公司实现营收稳健增长，营业收入达到186.05亿元，同比增长20.14%，反映出下游市场需求回升、国内订单增加以及客户提前投料带来的积极推动；归母净利润和扣非归母净利润同比分别下降23.98%和24.75%，主要受在建工厂尚处于产品导入期、财务费用上升以及部分原材料价格波动影响。然而公司毛利率从2025年Q1的12.6%提升至Q2的14.3%，环比上升1.7个百分点，计算电子收入占比从2024年全年的16.2%提升至2025年上半年的22.4%。在高性能先进封装领域，长电科技推出的XDFOI Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已经按计划进入稳定量产阶段，该技术是一种面向Chiplet的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案。通富微电也是一家封测企业，2025年上半年，该公司实现营业收入130.38亿元，同比增长17.67%；实现归母净利润4.12亿元，同比增长27.72%；实现扣非归母净利润4.20亿元，同比增长32.85%；实现毛利率14.75%，同比略微增长。 2025年上半年，通富微电大尺寸FCBGA已开发进入量产阶段，超大尺寸FCBGA已预研完成并进入正式工程考核阶段；公司通过产品结构设计优化、材料选型及工艺优化，解决了超大尺寸下的产品翘曲和散热问题；光电合封（CPO）领域，公司技术研发取得突破性进展，相关产品已通过初步可靠性测试。细分赛道景气度判断对于行业景气度的判断有多种方法，本文主要通过“库存周转天数+产能利用率”的简便二维模型，结合SEMI最新报告数据，对AI算力芯片、先进制程代工和先进封装细分赛道2025Q3的景气度进行简单判断，供大家参考。首先是AI算力芯片设计赛道，目前产能利用率高，库存周转天数较低。受益于AI大模型训练和推理的旺盛需求，AI算力芯片处于供不应求状态。中芯国际2025年Q2产能利用率达到了92.5%，并且SEMI预测由于AI需求，到2028年先进芯片制造产能将增长69%，反映出代工厂对AI相关订单的积极响应和产能扩展预期。虽然寒武纪和海光信息在2025年上半年财报中并没有披露库存数据，但从安森美截至2025年9月2日的207.29天库存周转天数来看，模拟芯片等领域库存压力较大，但AI芯片领域则呈现不同的景象。由此可以得出简单的结论，AI算力芯片赛道处于高景气周期，呈现高产能利用率，低库存周转的特征。二是定制芯片赛道，产能利用率中等偏高，库存周转天数属于中等。芯原股份和翱捷科技的业务与具体客户和下游应用强相关。芯原股份的5nm FinFET工艺成功流片经验表明其在先进制程领域具备竞争力，有望受益于AI、HPC等高端需求。翱捷科技2025H1芯片定制业务营收同比下滑，显示出部分客户需求波动。定制芯片的库存水平取决于客户的下单节奏和产品生命周期。部分领域（如消费电子）可能面临库存调整，而与AI、汽车电子等高增长领域相关的定制芯片需求则较为稳健。因此，定制芯片赛道景气度分化，主要与下游应用市场关联度较高，与AI和汽车电子等高景气度赛道绑定的企业景气度更高。三是芯片代工细分赛道，先进制程景气度高，成熟制程承压，库存周转天数属于中等。产能利用率方面，整体较高，但结构分化。中芯国际和华虹集团的产能利用率从去年Q4开始就一直处于高位，SEMI预测全球晶圆厂产能利用率在2030年前将维持在70%左右，这可能预示着成熟制程将面临更大的竞争压力。代工厂的库存主要为在制品。AI相关订单需求旺盛，周转速度快；而消费电子等领域需求疲软，可能导致部分成熟制程产品库存增加。也就是说，芯片代工环节，呈现结构性分化态势。与AI相关的先进制程需求旺盛，景气度高；而成熟制程则面临价格战和产能过剩的风险，景气度相对较低。四是芯片封装细分赛道，先进封装景气度高，库存周转天数低。长电科技的2.5D/3D封装、晶圆级封装等先进封装产线接近满产。通富微电深度绑定大客户AMD，受益于其AI芯片的强劲需求。由于先进封装是AI芯片产业链的关键环节，产能瓶颈导致供不应求，库存水平较低。因此，先进封装赛道处于高景气周期，呈现“高产能利用率、低库存周转”的特征，是AI时代确定性较高的受益环节。结语近年来，美国半导体出口管制不断升级，国内半导体产业自主可控需求仍然迫切。在云端AI算力芯片领域，虽然国内产品与国际供应商相比有一定差距，但只要产业链协同发展，仍然是有希望的。比如DeepSeek通过技术创新就降低了对训练芯片性能和内存等关键资源的需求，让大模型训练也可以在国产芯片中进行。未来，在国产AI算力芯片厂商、CPU厂商、操作系统厂商、AI服务器与一体机厂商，云计算与IDC厂商等国产算力生态链的共同努力下，国产大模型与国产AI算力芯片有望加速发展。

AI服务器

芯查查资讯 . 2025-09-15 8 5 2.4w
芯查查精彩亮相SEMI-e 2025，以数据赋能产业合作伙伴

9月10日-12日，为期三天的SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展在深圳国际会展中心（宝安新馆）圆满落幕。本届展会由CIOE中国光博会与集成电路产业技术创新联盟（简称大联盟）共同主办，覆盖了芯片设计、晶圆制造、封装测试、设备材料、EDA/IP及终端应用等全产业链。展会总展示面积超过30万平米、汇聚5000多家参展企业，举办了110多场同期会议，构建起“光电+半导体”的协同生态盛会。图片来源：展会官方电子信息产业数据引擎——中电港芯查查亮相本届深圳国际半导体展（展位号：14号馆14N11），全面展示了芯查查覆盖半导体产业的海量数据资源与服务能力，多维度展示行业生态全景。图片来源：芯查查展位抽奖现场在展会上，芯查查推出的“下载APP赠送人形机器人产业权威报告”活动备受关注，现场反响热烈。众多行业人士通过扫码参与互动，不仅获取了高价值行业报告，还有机会赢取快充充电线、定制电脑包、文创帆布袋等惊喜礼品。同期，芯查查在9月11日推出的“云逛展”现场直击了艾迈斯欧斯朗展台，深度探索dTOF、先进LED、新一代红外IR:6等前沿光学技术。展会虽已结束，但芯查查仍然会持续为产业伙伴赋能。依托芯片数据查询、商城交易、行业社区资讯和SaaS工具四大核心业务，芯查查致力于为电子行业用户提供深度、可靠的决策支持与服务。用户仍可通过关注“芯查查”服务号，在聊天框回复“报告”，免费获取《人形机器人产业权威报告》，并在芯查查视频号继续回顾本次展会采访的精彩内容。图片来源：芯查查逛展直播

展会

芯查查 . 2025-09-15 1030
政策｜美制裁清单遇中方组合拳，全球芯片产业链迎大考

事件详情当地时间9 月 12 日，美国商务部工业与安全局（BIS）率先出手，将 23 家中国实体列入实体清单，其中 13 家为半导体相关企业，美方以“违背国家安全或外交政策利益”为由实施限制。这一举措延续了其泛化国家安全概念、打压中国科技产业的一贯策略，直接影响相关企业的全球供应链合作。作为回应，中国商务部于9 月 13 日迅速宣布对原产于美国的进口模拟芯片发起反倾销调查，明确指出美方行为是破坏全球产业链供应链安全稳定的霸权行径。此次调查覆盖功率管理、信号链等关键模拟芯片品类，直指美国半导体产业的优势领域，体现了中方在科技领域反制不公待遇的决心。中方在反倾销调查之外，同步启动了针对美国对华集成电路领域相关措施的反歧视调查（商务部公告2025年第50号）。这一调查覆盖美国自2018年以来实施的多项歧视性政策，包括：基于301调查对中国集成电路产品加征关、2022以来来通过多轮规则限制半导体产品、制造设备对华出口，限制"美国人"参与中国半导体项目、依据《芯片与科学法》限制企业在华开展经贸与投资活动以及2025年5月发布的对华先进计算集成电路及AI模型训练的限制措施等。这些保护主义做法涉嫌对华歧视，是对中国发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的遏制打压，不仅危害中国发展利益，还严重损害全球半导体产业链供应链稳定，中方对此坚决反对。关键事件时间： 9 月 12 日：美国BIS 将 23 家中国实体列入清单，13 家半导体企业受影响 9 月 13 日：中国商务部启动对美模拟芯片反倾销调查、对美集成电路领域相关措施发起反歧视调查同期：全球存储芯片巨头美光科技近期突然通知客户，暂停所有DRAM和NAND闪存产品的报价，甚至停止讨论2026年的长期合同，理由是"面临严重的供应短缺"。美方制裁措施实体清单新增企业详情本次美国将23 家中国实体列入实体清单，其中半导体相关企业占 13 家，覆盖北京、上海、深圳等多地，业务方向涵盖 HPC/AI 芯片、汽车电子等敏感域，部分企业存在多地域分支布局，制裁范围呈现技术针对性与地域广泛性的双重特征。复旦系企业集群以“复旦”为核心关联的企业共 6 家，涉及芯片设计及系统技术领域，包括：北京复旦微电子技术股份有限公司（注册地：北京）上海复旦微电子集团股份有限公司（注册地：上海）及其香港子公司深圳市复旦微电子有限公司（注册地：深圳）上海复控华龙微系统技术有限公司（注册地：上海）上海复微迅捷数字科技股份有限公司（注册地：上海）该集群企业业务覆盖从芯片设计到系统集成的产业链环节，部分产品可能应用于工业控制、信息安全等关键领域。华岭/吉姆西等技术型企业聚焦半导体核心技术研发的企业共3 家，其中上海华岭集成电路技术股份有限公司因涉及HPC/AI 芯片领域成为本次制裁重点：上海华岭集成电路技术股份有限公司（注册地：上海，核心业务：HPC/AI 芯片相关技术研发）吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司（注册地：无锡）吉存半导体科技(上海)有限公司（注册地：上海）这类企业在先进制程芯片测试、存储芯片研发等环节具备技术积累，其业务方向与美国当前技术遏制重点高度重合。楠菲微电子多地分支网络长沙楠菲微电子及其子公司形成跨地域业务布局，本次全链条被纳入制裁范围，涉及4 家实体：长沙楠菲微电子有限公司（注册地：长沙）常州楠菲微电子有限公司（注册地：常州，子公司）成都市楠菲微电子有限公司（注册地：成都，子公司）深圳市楠菲微电子有限公司（注册地：深圳，子公司）该企业分支覆盖长三角与珠三角半导体产业集群区域，业务可能涉及汽车电子等敏感应用场景。本次实体清单新增企业呈现三大特征——一是以高校关联企业（如复旦系）为切入点，精准打击产学研融合链条；二是重点锁定 HPC/AI 芯片等前沿技术领域；三是通过关联企业及子公司“全链条制裁”，强化对技术扩散的遏制效果。从地域分布看，13 家企业覆盖北京、上海、深圳、无锡、长沙等 8 个城市及香港地区，形成对中国半导体产业核心区域的“多点覆盖”；业务层面则涵盖芯片设计、测试、系统集成等关键环节，凸显美国对中国半导体产业“全链条遏制”的战略意图。中方反制措施反倾销调查具体内容中国商务部于2025年9月13日发布公告（2025年第27号），决定对原产于美国的进口模拟芯片发起反倾销立案调查。此次调查依据《中华人民共和国反倾销条例》进行，符合WTO规则，源于2025年7月23日江苏省半导体行业协会代表国内产业提交的申请。被调查产品虽聚焦于40nm及以上成熟工艺节点，却覆盖了汽车、工业等关键领域的“刚需芯片”，其技术细节与调查程序的规范性备受行业关注。产品范围与技术细节：聚焦成熟制程此次调查的模拟芯片主要涵盖两大品类，均采用40nm及以上工艺制程，具体技术参数与应用场景如下：通用接口芯片作为设备间数据传输的“翻译官”，包含： CAN接口收发器芯片（符合ISO11898标准）：汽车电子的核心通信组件，负责行车电脑、传感器与执行器间的信号传输，如车载娱乐系统与CAN总线的连接 RS485接口收发器芯片（符合TIA/EIA-485标准）：工业控制网络的“神经纤维”，支持长距离多节点通信，广泛用于智能电表、工业机器人 I2C接口芯片：消费电子与工业设备的“轻量化通信枢纽”，适用于传感器与微控制器间的短距离数据交换数字隔离器芯片（符合IEC 60747-5-2标准）：保障高压系统与低压控制电路的安全隔离，常见于新能源汽车充电桩、光伏逆变器栅极驱动芯片功率电子设备的“功率开关指挥官”，具备将低压控制信号转化为高压/大电流驱动信号的核心功能，具体包括：低边栅极驱动芯片：控制单个功率管的基础驱动单元，用于简单的DC-DC转换器半桥/多路栅极驱动芯片：支持复杂拓扑结构的功率变换，如电机驱动系统中的三相桥电路隔离栅极驱动芯片：在高压与低压系统间建立电气隔离，确保新能源汽车逆变器、工业变频器的安全运行这些芯片虽未采用最先进制程，但其工艺成熟度与可靠性要求极高，长期以来美国企业凭借技术积累占据全球主要市场份额。根据调查申请材料显示，2022至2024年期间，相关产品自美进口量累计增长37%，进口价格却累计下降52%，对国内产业形成明显价格压制。调查程序：规范透明的法律框架此次调查严格遵循法定程序，商务部通过多环节设计保障各方权利：立案与调查期设定倾销调查期为2024年1月1日至2024年12月31日，聚焦一年内的价格行为产业损害调查期延长至2022年1月1日至2024年12月31日，以全面评估长期影响核心调查步骤企业登记阶段：涉案美国出口商、生产商需在公告发布后20天内完成应诉登记，未登记企业将可能被采用“可获得最佳信息” 问卷发放与答复：商务部将向登记企业发放详细问卷，内容涵盖生产流程、成本结构、出口价格等核心数据，企业需在37天内提交准确答复</li> 补充信息提交：调查机关可根据需要要求企业补充材料，并举行听证会保障各方陈述权，确保调查结论基于充分证据商务部强调，此次调查严格遵循“无歧视原则”，所有利害关系方均可通过法定渠道提交意见。被调查产品在《中华人民共和国进出口税则》中归为85423990项下（该税则号其他产品除外），具体商品范围已在公告中通过技术参数与应用场景双重界定，避免对非涉案产品造成影响。从产业安全视角看，此次调查不仅是对贸易公平的维护，更是对汽车、工业等战略产业供应链韧性的强化。随着国内模拟芯片企业在成熟制程领域的技术突破，建立公平竞争的市场环境将加速“国产替代”从实验室走向产业化落地。中方行业协会立场表达中国半导体行业协会于9月13日发表声明，明确对商务部发起的反倾销调查表示支持。协会强调，半导体产业的健康发展离不开公平的市场环境，这既是产业链上下游协同创新的基础，也是全球技术交流与产业进步的前提。协会在声明中特别指出，产业发展应依靠"技术创新、产业链上下游协同、平等互利的国际合作"，并呼吁通过"市场规则良性竞争"实现可持续进步。这一主张既体现了对开放合作的坚持，也凸显了对全球产业链稳定的重视。针对此次调查，协会表示将积极配合调查机关开展工作，通过合法途径维护产业公平贸易秩序和企业合法权益。在全球半导体产业面临复杂挑战的背景下，这一立场既展现了中方行业组织对市场规则的尊重，也为产业健康发展提供了明确的方向指引。中方行业协同应对中国商务部依据《反倾销条例》启动相关调查程序，外交部及商务部发言人均明确表态，谴责美方“滥施非法单边制裁”，认为其持续将“经贸科技问题政治化、工具化、武器化”的行为违反国际法和国际关系基本准则。中方强调将通过法律手段坚定维护国内企业合法权益，反对任何形式的技术封锁。中国半导体行业协会同步呼吁产业链上下游加强协同创新，通过技术攻关与生态共建突破外部限制，提升产业整体竞争力。美方：市场策略调整与“国家安全”逻辑主导市场层面，美光公司已着手调整存储芯片报价策略，通过暂停部分常规产品线报价、释放涨价预期以应对AI 算力需求激增带来的结构性缺口。政策层面，美国商务部工业与安全局（BIS）延续“国家安全”叙事，将更多半导体企业及技术纳入出口管制清单，这一做法引发行业对全球供应链稳定性的担忧，部分跨国企业开始重新评估区域化产能布局。结语当前中美半导体行业的互动正深刻重塑全球产业格局。随着全球产业链重构加速，半导体行业的地缘政治属性将进一步增强，未来发展将呈现多维度变革趋势。中美双方的政策互动已导致全球半导体供应链出现“双重标准”倾向，企业不得不在合规成本与技术合作之间寻求平衡，中小厂商面临的市场不确定性显著上升。美国持续将经贸科技问题政治化、工具化，中方则通过合法合规贸易救济措施维护产业权益。这种博弈短期内可能导致全球半导体供应链进一步紧张，长期来看各国加快本土产业链建设的趋势将更加明显。对中国而言，模拟芯片等关键领域的本土化进程有望加速，通过国产替代降低外部依赖；而美方制裁加码可能加剧全球供应链割裂，推动形成区域化供应体系，全球半导体产业格局或将面临深刻调整。在地缘政治与技术创新双重驱动下，供应链区域化、技术竞争白热化、价格周期性波动将成为未来行业发展的三大关键词。企业需在供应链韧性建设与技术研发投入间寻找平衡，以应对日益复杂的市场环境。

政策

芯查查资讯 . 2025-09-15 2 3 1.1w
展会 | 前瞻布局产业创新，全链协同引领半导体行业未来方向！——SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展盛大开幕

9月10日，深圳国际会展中心内前沿技术密集亮相，全球半导体行业目光聚焦于此——SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展正式启幕。本届展会由CIOE中国光博会与集成电路产业技术创新联盟（简称大联盟）共同主办，深圳市中新材会展有限公司与爱集微（上海）科技有限公司承办，在规模与行业影响力上实现全面跃升，为全球半导体及集成电路产业构建起高效交流与创新展示的平台。在双展联合开幕式上，数百位嘉宾齐聚，包括科技部原副部长，季华实验室理事长、大联盟理事长曹健林，中国科学院院士、中国光学学会理事长顾瑛，国家02专项总师、中国科学院微电子研究所原所长、中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春，中国科学院姚建铨院士，中国工程院范滇元院士，中国科学院尤肖虎院士，中国工程院张学军院士，中国科学院祝宁华院士，中国工程院外籍院士常瑞华，中国国际光电博览会创始人、执行主席杨宪承等，以及来自光电、集成电路全产业链各环节的重点企业、高校和科研院所代表，为开幕式注入强劲的行业影响力与专业高度。曹健林先生在致辞中表示，随着半导体、激光、计算机、通信、新能源、人工智能技术的飞速发展，光电融合已经成为科技发展的大趋势。SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE 中国光博会实现首次“同期同地”联合举办，正是顺应了这一发展趋势。他也对展会未来发展提出三方面期望：一是依托双展融合优势，助力破解产业转型中的 “卡脖子” 技术瓶颈与 “内卷” 发展困境，在推动新质生产力培育过程中积极借鉴国际先进经验；二是搭建高效交流渠道，促进跨领域技术与经验共享，抓住全球产业合作机遇，拓宽我国相关产业 “走出去” 的路径；三是充分发挥平台资源聚合作用，激发行业创新灵感，同时为国际合作深化与新型产业建设人才培养提供有力支撑。顾瑛女士指出，中国光学学会作为展会的执行机构与合作伙伴，20多年来一直大力支持展会的发展。今年展会带给人们更大的惊喜是SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE中国光博会的联合，这是展会协同融合创新发展的重要举措，也将带给人们这一划时代技术变革的全新体验。双展联动带来的几千家国际国内优秀光电科技企业，几百场行业研究报告与专题会议，无数先进技术与研究成果的产品项目汇聚于此。参会将能够感受到现场这些新兴技术融合与碰撞。叶甜春先生指出，光电技术和半导体集成电路作为数字经济时代的核心驱动力，二者正通过深度融合、协同演进，深刻重塑全球产业格局 —— 这种联动发展既是技术迭代的必然趋势，更是产业布局的核心需求。他表示双展的联合举办的这一创新模式充分释放‘1+1 远大于 2’的聚合效应，不仅能为参展企业与专业观众提供更丰富的价值赋能、更广阔的产业视野、更充足的商业机遇，更将为国内外光电与半导体产业的持续繁荣注入强劲动力。期待各方以展会为纽带，深化交流合作，共同创造产业发展的丰硕成果。双展联动深度融合，全产业链图景完整呈现 SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE 中国光博会实现首次 “同期同地” 联合举办。双展整合后规模突破 30 万平方米，吸引超 5000 家优质展商齐聚，构建起覆盖集成电路、光电子两大核心领域的 “超级展示平台”，集中呈现全球行业顶尖产品与前沿技术成果。一方面，集成电路全产业链在此实现 “一站式” 完整呈现，为观众提供全维度产业视角；另一方面，先进制造工艺夯实光电子器件制造基础，让光电子器件实现更高的集成度与智能化水平，双展联动让下游应用场景联动更趋紧密，既能促进上下游企业精准对接，更能强化跨环节协同合作。这种 “1+1>2” 的联动模式，双向赋能，打破了单一产业展会的边界限制，推动两大战略产业从技术研发、供应链构建到市场应用的全链条深度耦合，将加速光芯片、硅光技术、光电集成等前沿领域的技术突破与场景落地，构建更完整、更紧密的产业共同体。光电融合也是打破“后摩尔时代”性能瓶颈的关键技术之一，随着硅光子学、异质集成等技术的成熟，光电融合将在通信、计算、医疗、自动驾驶等领域持续释放潜力，推动新一代信息技术的革命性发展，为产业高质量可持续发展注入强劲新动能。全产业链领军企业聚力，助产业协同发展本次展会凭借强大的行业影响力，汇聚了半导体全产业链的核心代表力量，涵盖芯片设计、制造、封测、材料、设备等多个关键领域，全方位展现半导体产业的顶尖实力与发展活力，成为行业内极具影响力与代表性的盛会。在芯片及芯片设计领域，集结了众多引领技术方向的领军企业。其中，紫光展锐是全球领先的平台型芯片设计企业，深耕通信半导体产业二十余年，拥有芯片设计、无线通信、软硬件系统集成技术能力；中兴微电子以通信技术为核心，已具备复杂SoC芯片前后端全流程设计能力，为产业发展提供关键核心支撑；北京君正深耕处理器、多媒体、AI 等计算技术，芯片在智能视频监控、AIoT、工业与消费、生物识别、教育电子领域，占据稳健广阔市场；兆芯掌握自主通用处理器及其系统平台芯片研发设计的核心技术，全面覆盖指令集、微架构、互连、IO及其实现技术等关键领域；国芯科技拥有RISC-V、PowerPC和M*Core三大指令集40余款自主CPU内核和NPU等IP，为客户提供IP授权、芯片定制和自主芯片及模组产品。华大九天作为领先的EDA提供商，发力制造端贯通设计制造全链条；芯原股份依托自主半导体IP与芯片定制服务，为设计企业赋能，这些企业共同构成了我国芯片设计领域的核心力量；晶圆制造、封装测试领域的核心企业纷纷亮相，进一步夯实展会的产业核心地位。华虹半导体作为国内技术领先的晶圆代工厂，在特色工艺领域成果显著；武汉新芯聚焦于三维集成、数模混合和特色存储等业务；通富微电作为国内封测行业的龙头企业之一，具备强大的封装测试能力，为芯片成品化提供关键保障；华进半导体作为国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心，通过以企业为创新主体的产学研用相结合的模式，开展系统封装设计、2.5D/3D 集成、晶圆级扇出封装、大尺寸FCBGA封装、光电合封、SiP封装等关键核心技术研发；这些制造及封测环节的核心代表企业，让展会成为展现芯片制造实力的重要窗口；功率器件及化合物领域，本届展会比亚迪半导体展示功率半导体、智能控制IC、光电半导体等核心产品及服务；瑞能半导体解锁“高能器件”，携全新TSPAK系列碳化硅产品、超级结MOSFET等产品亮相；天科合达凭借在碳化硅材料领域的持续创新与产业化能力，重点带来及分享碳化硅材料的创新产品及技术；半导体设备的展示也是本次展会的 “硬核” 亮点，汇聚了国内设备产业的核心力量：北方华创、中微半导体、盛美上海、华海清科、拓荆科技、芯源微、京仪装备、中科飞测、苏州天准、华卓精科、芯上微装、御微半导体、微崇半导体、日联科技、恩腾半导体、上银科技、新松半导体、山善、容道社、俐玛精测、建华高科、宇环精研、大族微电子、同飞股份、快克芯装备、山善…，这些设备企业共同共同构建起产业发展的 “核心矩阵”；展会进一步打通半导体产业链协同链路，除核心设备企业外，沪硅产业、江丰电子、安集科技、上海新阳、中船特气、南大光电、硕成集团、天承科技、皇冠等半导体材料领域核心代表企业，以及富创精密、沈阳科仪、雷赛智能、全传科技、派纳维森、中村精机、新莱集团、云德半导体、固高伺创、智赢等半导体设备零部件领域重点企业也共同参与。从半导体材料到设备零部件，再到核心设备，展会实现了半导体设备产业链关键环节的 “全链条覆盖”，全方位展现国内半导体产业生态的完整性与协同发展能力，凸显其在行业内的标杆性与代表性。此外，展会还吸引了科研机构与产业联盟的深度参与，季华实验室、示范性微电子学院产学融合发展联盟、集成电路材料创新联合体、中国汽车芯片产业创新战略联盟、国家第三代半导体技术创新中心 (深圳) 等权威联盟与创新中心，搭建起产学研用协同发展的桥梁，推动产业链上下游资源整合与技术协同，让展会成为链接产业资源、引领行业发展方向的核心平台，进一步强化了展会在半导体产业中的核心代表力。本届展会在双展联动模式上的探索以及领军企业的集聚与全产业链的联动，形成了从“设计工具-芯片制造-封装测试-设备材料”的全链条创新网络。这种生态化的集聚效应，不仅加速了技术难题的协同攻关，更打破了产业链各环节的信息壁垒，推动形成“研发-产业化-市场反馈”的良性循环，并将为我国在光电融合、芯片自主化等关键领域抢占全球技术制高点、打造国际竞争新优势提供了重要的产业协同载体，更成为落实国家 “自主可控、安全高效” 产业链供应链战略的生动实践。高规格峰会预判趋势，顶尖智慧定义行业未来为进一步强化前瞻引领作用，展会同期举办的超 20 场高规格峰会，汇聚分析师、企业领袖与技术专家，以 “数据预判 + 趋势解读+技术探讨” 的方式，为行业提供未来的发展蓝图。会议主题覆盖端侧/边缘AI芯片、RISC-V、功率半导体、新型半导体材料、半导体设备、半导体零部件、半导体检测与测试、光电合封CPO、TGV技术、汽车芯片、制造生态等热门话题。论坛汇聚华大九天、云天励飞、苏州国芯、一汽红旗、东芯半导体、佰维存储、华睿科技、北方华创、盛美半导体、南砂晶圆、华进半导体以及RISC-V领域知名厂商的企业代表，还有清华大学集成电路学院、厦门大学、南方科技大学、深圳平湖实验室等专家教授，通过面对面交流、技术探讨让行业对未来市场规模、技术方向有更清晰的认知，为企业战略布局提供关键参考。当前半导体产业面临从供应链到前沿技术的重大变革，这需要凝聚各方智慧，联动相关产业，共同突破发展瓶颈。这些论坛会议精准切入了半导体产业的“变革赛道”，实现了“产业实践”与“学术前沿”的深度碰撞。从技术前沿到半导体产业趋势预判，再到跨界融合机遇的挖掘，SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展以全方位的前瞻布局，成为引领半导体行业未来方向的 “核心枢纽”。 9 月10-12日这场盛会持续释放前瞻价值，助力全球半导体企业把握变革机遇，共同推动产业向更高质量、更宽领域的未来迈进。

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SEMI-e . 2025-09-12 5850
展会 | 2025 IPC CEMAC 电子制造年会完整日程公布｜精彩不容错过

2025 IPC CEMAC电子制造年会将于9月25日至26日在上海举办。年会以“Shaping a Sustainable Future（共塑可持续未来）”为主题，汇聚国内外专家学者、产业领袖与制造精英，围绕先进封装、新兴产业、PCB/PCBA技术、AI与数字化转型以及ESG可持续发展等热点话题展开深入探讨，推动电子行业的健康可持续发展。一、日程概览本届大会将呈现28场主题演讲、5场标准开发技术组会议、4场委员会会议，以及多场项目发布与特别活动，为与会者深入了解前沿趋势、掌握最新技术进展、拓展合作交流提供专业平台。二、9月25日详细日程三、9月26日详细日程四、报名参会大会观众报名截止日期为9月15日。名额有限，请尽早注册以确保席位。请扫描下方二维码报名参会五、特别鸣谢感谢以下企业对CEMAC的大力支持（排名不分先后）高级赞助商：太阳油墨（苏州）有限公司、深圳市美信检测技术股份有限公司、快克智能装备股份有限公司、上海望友信息科技有限公司支持赞助商：上海旭同实业有限公司、昇捷颂科技股份有限公司、锐来赛思检测技术（常州）有限公司、东莞市崴泰电子有限公司、确信爱法金属（上海）贸易有限公司、深圳市一博科技股份有限公司、昆山泰威尔电子科技有限公司、世达汽车科技（上海）有限公司 2025 IPC CEMAC电子制造年会组委会 2025年9月11日

IPC亚洲

IPC亚洲 . 2025-09-12 1 8015