芯查查-电子信息产业数据引擎

16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

技术 | 为什么DC-DC转换器应尽可能靠近负载的负载点(POL)电源？

效率和精度是两大优势，但实现POL转换需要特别注意稳压器设计。接近电源，这是提高电源轨的电压精度、效率和动态响应的最佳方法之一。负载点转换器是一种电源DC-DC转换器，放置在尽可能靠近负载的位置，以接近电源。因POL转换器受益的应用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它们对功率级的要求都越来越高。例如，在汽车应用中，高级驾驶员辅助系统(ADAS)——例如雷达、激光雷达和视觉系统——中使用的传感器数量在稳步倍增，导致需要更快的数据处理（更多功耗）以最小的延迟检测和跟踪周围的物体。在这些数字系统中，有很多都使用高电流和低电压，因此更需要尽可能缩短电源和负载之间的距离。高电流导致的一个明显问题是，从转换器到负载，线路产生的电压会不断下降。图1和图2显示了电源和负载之间引线电阻的最小化如何使转换器的输出电压降最小化——本例中是控制器IC和为CPU供电的MOSFET。图1.PCB走线较窄情况下的DC-DC输出电压降图2.PCB走线较宽情况下的DC-DC输出电压降图2所示的较宽PCB走线减小了压降以达到精度要求，但还必须考虑寄生电感。图2中的PCB走线长度估计有约14.1 nh的电感，如图3的LTspice®模型所示。图3.PCB走线电感的LTspice模型电感会抑制电流的动态变化di/dt，当负载变化时，经过该寄生电感的电流受其时间常数限制，瞬态响应劣化。寄生电感导致的结果是电压下降，如图4中的仿真图所示。图4.DC-DC输出电压突降和瞬态电流将转换器放在负载附近可使PCB电阻和寄生电感的影响最小。DC-DC转换器IC应放置在最靠近CPU的位置。注意，图1和图2显示了传统高电流电源（即开关模式控制器和外部FET）的原理图。控制器FET解决方案可以处理上述应用所需的高电流负载。控制器解决方案的问题是外部FET有空间要求，因而可能难以获得真正的POL稳压器解决方案，如图5的示例布局所示。图5.DC-DC转换器与CPU的理想布局控制器的一个替代方案是单芯片解决方案，其中FET在转换器IC内部。例如， LTC3310S 单片降压调节器（IC尺寸为3 mm×3 mm）可实现负载点解决方案，单个IC最多可提供10 A电流，并联多个IC可提供20 A电流。这些IC分别如图6和图12所示。图6.LTC3310S降压调节器图7.小尺寸LTC3310S支持POL布局除了小封装尺寸外，LTC3310S还支持最大5 MHz的开关频率——高频工作可减小必要的输出电容和整体解决方案PCB尺寸。图8显示了LTC3310S的负载瞬态性能，其中8 A负载变化导致的输出电压偏移小于±40 mV，此性能的实现只需要110μF输出电容。图8.LTC3310S的瞬态响应尽管使用高功率单片POL转换器具有明显的优点，但有一个因素可能是搅局者：热量。如果转换器产生的热量过多，则它将无法用于已然很热的系统中。在上述解决方案中，LTC3310S内部温度升幅通过高效率操作而得以最小化，即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗器件周围的恶劣温度条件下，它也能够可靠地运行。此外，LTC3310S内置精密温度传感器，支持通过SSTT引脚测量内部结温，如图10所示，相应的温度传感器特性如图11所示。图9.LTC3310S的热摄像头图像图10.LTC3310S温度检测引脚图11.软启动和温度监控操作某些单片稳压器可通过多相并联操作扩展到更高负载应用。图12显示了多个LTC3310S器件并联并错相工作，使得电流能力加倍。控制器的时钟由RT引脚上的单个电阻设置，子节点的相对相位通过RT引脚上的电阻分压器编程。在图12所示的情况中，RT接地，将子节点设置为相对于控制器相移180°。图12.20 A双相单片稳压器POL解决方案图13显示了2通道转换器的电感电流和输出纹波电流，如图12所示。同相性能与双反相性能进行比较。反相操作将输出纹波电流（通过抵消）从14 A峰峰值（单相）降低到6 A峰峰值（双相），而无需额外的外部滤波器。图13.比较两个版本的双通道转换器的电感电流和输出电流：(a) 同相通道与 (b) 反相通道总之，LTC3310S是一款高效且小型的POL解决方案，适用于为高耗电CPU、SoC、FPGA供电的高电流电源系统。其尺寸很小，并可优化功率效率，导致自发热很低，因而其可以非常靠近负载。它可以轻松并联，在多相解决方案中使用多个LTC3310S可提高功率。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-08-05 1 680
应用 | 安森美为小米的YU7电动SUV系列提供产品和技术支持

安森美(onsemi ，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布，小米汽车电动SUV产品YU7部分车型配备了由安森美的 EliteSiC M3e 技术支持的先进 800V驱动平台。EliteSiC M3e 平台具有卓越的性能，助力电动汽车制造商能够设计出更小、更轻、更稳定可靠的电动汽车牵引系统。通过将安森美的EliteSiC M3e 技术整合进其主驱逆变器，该平台能实现更高的性能和功率密度，同时降低整体系统成本，为驾驶者提供更长的续航里程。此外，安森美的EliteSiC技术提供行业领先的超低导通电阻，在更小的占位面积内实现更高的峰值功率，使得车辆加速更快，同时不牺牲效率和续航里程。 “安森美的 EliteSiC 技术以业界领先的能效、功率密度和散热性能，助力开发出续航更长、加速更快、可靠性更高的电动汽车，”安森美电源方案事业群总裁 Simon Keeton表示。“我们领先行业的碳化硅技术正在重新定义下一代电动出行的可能性。” 随着全球电气化转型的加速，安森美的 EliteSiC 解决方案持续推动下一代电动汽车的发展，助力实现更高的功率密度、改进的散热性能和卓越的能源效率，为更长的续航里程和更高的性能确立新标准。

安森美

安森美 . 2025-08-05 625
企业 | 安费诺拟105亿美元收购康普宽带业务

据知情人士透露，全球连接器巨头安费诺（Amphenol）即将以约105亿美元（含债务）的价格收购康普控股（CommScope Holding）旗下宽带连接和电缆部门（CCS）。若进展顺利，这项交易最快将于本周一完成。此次收购将创下安费诺公司历史上最大规模的并购记录。就在今年早些时候，该公司刚以超20亿美元收购了康普的移动网络业务。安费诺总部位于美国康涅狄格州，市值约1250亿美元，专业设计互连产品、光纤连接器及特种电缆等产品，其产品线广泛应用于航空航天、信息技术等领域。在人工智能浪潮推动下，数据中心需求激增为其业务带来显著增长。 CCS部门是康普公司最重要的业务单元，2024年实现净销售额28亿美元，主要提供有线电视、住宅宽带网络及数据中心所需的光纤和铜缆连接解决方案。总部位于北卡罗来纳州的康普公司目前市值约17亿美元，今年以来股价已上涨50%。该公司近年持续通过资产剥离减轻债务压力，此前已向安费诺出售移动网络业务。CCS部门的出售将进一步帮助其优化资产负债结构。此项收购反映出数据中心基础设施领域的整合趋势。随着全球数据流量激增，光纤及高速连接技术的市场需求持续扩大，推动行业龙头企业通过并购强化技术布局。

连接器

芯查查资讯 . 2025-08-04 2085
市场周讯 | 英伟达否认H20存在“后门”；传AMD MI350系列涨价66.7%；英诺赛科入选英伟达800V直流电源供应商

| 政策速览 1. 上海：上海市通信管理局发布关于开展“算力浦江”2025年算力基础设施高质量发展专项行动的通知。其中提到，探索智能体云算力服务。支持本市重点算力调度平台，启动智能体云平台建设研究，将大模型云服务演进升级至智能体云服务，合力研发智能体云服务操作系统，构建智能体开发环境，培育智能体应用市场和开发者社区；支持DeepLink等跨域异构算力互联解决方案，在本市重点算力调度平台率先商用部署，持续优化底层异构芯片的通信传输、跨域调度能力以及大模型并行训练和推理策略，加快形成大模型应用无感知调度异构算力的能力；支持本市重点算力调度平台开展跨域算力中心自动化部署调度算力服务的研究，开展基于电力错峰的算力调度试点，在电力高峰期，将同一训练和推理任务无感知调度至电力资源充沛地区，实现不同地区电力资源高效利用。 2. 上海：上海市经济信息化委28日发布《上海市进一步扩大人工智能应用的若干措施》。其中提出，开展关键技术创新。支持人工智能基础理论、方法和工具、新一代通用人工智能、智能芯片、具身智能、智能软件、脑机接口、智算系统等重点前沿方向的技术创新，按照核定项目总投资给予最高30%、最高5000万元支持。支持各类创新主体参与国家重大项目、战略平台、揭榜挂帅等任务，申报市级配套项目，给予最高5000万元支持。对具有战略性、公益性的关键项目，经市政府批准后可给予最高50%支持。 3. 欧盟：欧盟表示，拟在与美国的贸易协议中购买价值400亿欧元的人工智能芯片。 4. 北京：北京未来科学城管理委员会制定《昌平区“人工智能+医药健康”产业发展实施方案（2025-2027年）（征求意见稿）》，现向社会公开征求意见。其中提到，赋能脑机接口领域创新。推动脑机接口产品研发应用。围绕脑机接口涉及的神经信号采集、解码、控制和反馈等关键环节，支持开展新型柔性神经电极、信号采集芯片以及脑机接口系统所需的传感器、电池等核心器组件研发，加速开发高端脑电生理监测设备、超高场磁共振设备、脑磁图设备、闭环神经刺激和调控设备等核心仪器。鼓励区域内各类医疗、康养机构，率先在神经及精神类疾病诊疗、药物及数字成瘾疾病诊疗、智能康复和健康监测等领域开展脑机接口产品的临床应用。中美：中美最新经贸会谈达成共识，关税暂停措施将再延90天。美企称普遍感受到成本压力，预计下半年影响逐步显现。 | 市场动态 5. 工信部：上半年，信息技术服务收入48362亿元，同比增长12.9%，占全行业收入的68.5%。其中，云计算、大数据服务共实现收入7434亿元，同比增长12.1%，占信息技术服务收入的15.4%；集成电路设计收入2022亿元，同比增长18.8%；电子商务平台技术服务收入5882亿元，同比增长10.2%。 6. SEMI：2025年第二季度全球硅晶圆出货量达到3327百万平方英寸，与2024年同期的3035百万平方英寸相比增长9.6%。环比来看，出货量较今年第一季度的2896百万平方英寸增长14.9%，显示出存储器以外的部分领域开始出现复苏迹象。 7. Counterpoint：全球纯半导体晶圆代工行业的收入将在2025年同比增长17%，超过1650亿美元，高于2021年的1050亿美元，并在2021-2025年期间实现12%的复合年增长率。 8. 2024年中国CIS市场份额上升至19%，未来移动设备、安防和汽车仍是主要动力，平均单价预估稳定在3美元以上。 9. 上半年我国集成电路前五大出口地分别是中国香港、越南、韩国、中国台湾及马来西亚，出口越南同比上升61.4%。 10. 互连器件、被动元件、机电元件原厂为避免库存积压正维持低产能，部分现货出现短缺。 | 上游厂商动态 11. NVIDIA：针对中国国家互联网信息办公室（网信办）就H20芯片可能存在的“后门”安全风险提出的质询，英伟达公司于7月31日深夜作出正式回应，坚决否认其芯片存在任何可被远程访问或控制的隐秘机制。 12. arm：英国芯片IP设计公司Arm Holdings正式宣布将投资开发自有芯片，标志着其商业模式从传统的IP授权向垂直整合的重大转变。这一决策由CEO雷内·哈斯（Rene Haas）在财报会议中披露。 13. 英诺赛科：英诺赛科与联合电子宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。 14. 英飞凌：英飞凌宣布，将在马来西亚额外投资300亿令吉（约508亿RMB），在吉打居林高科技工业园兴建全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂。 15. AMD：AMD已经将其Instinct MI350 AI加速器的售价从15,000美元调高至25,000美元，涨幅高达66.7%，因为AMD认为这款产品的性能足以跟英伟达Blackwell B200竞争。 16. 三星：特斯拉CEO马斯克在X上确认，该公司已与三星电子签署了一项芯片采购协议，此举有望提振这家韩国科技巨头亏损的代工业务。特斯拉CEO马斯克在X上确认，该公司已与三星电子签署了一项芯片采购协议，此举有望提振这家韩国科技巨头亏损的代工业务。 17. NVIDIA：英伟达（NVIDIA）官网8月1日更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。这意味着双方正式达成深度合作，双方将携手推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用。 18. 三星：HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 19. Groq：Groq正洽谈新一轮6亿美元融资，估值接近60亿美元。不过目前交易尚未最终敲定，条款仍有可能调整。2024年8月，Groq曾以28亿美元估值融资6.4亿美元；若此次融资达成，其估值将在约一年内翻倍。该公司此前累计融资已约10亿美元。 20. 华润：西部科学城重庆高新区8个集成电路重点项目近日集中签约，总投资42.5亿元。签约项目包含华润封测扩能项目、东微电子半导体设备西南总部项目、芯耀辉半导体国产先进工艺IP研发中心项目、斯达半导体IPM模块制造项目、芯联芯集成电路公共设计服务平台项目、积分半导体封测项目、锐芯半导体芯片设计及检测总部项目、米特科技硅光集成芯片光纤陀螺项目。 21. 大摩：摩根士丹利（大摩）最新研究报告预测，2026年全球CoWoS晶圆总需求将达100万片，其中英伟达抢下60%产能。 22. NVIDIA：黄仁勋日前访华时宣布，特朗普政府已为他们颁发出口许可，英伟达将开始向中国市场销售H20芯片。消息人士29日透露，由于中国市场需求强劲，英伟达改变了仅依赖现有库存的想法，已于上周向台积电下单了30万块H20芯片。据悉，英伟达此次向台积电的新订单，将补充其现有的60万至70万块H20芯片库存。 23. 安徽：在合肥国有资本创业投资有限公司、晶合集成、青岛高信智汇创业投资合伙企业、合肥建翔投资有限公司等多方注资下，安徽首家半导体光刻掩模版企业——安徽晶镁光罩有限公司（下称“安徽晶镁”）拟成立，多家资方合计向其增资11.95亿元。在合肥国有资本创业投资有限公司、晶合集成、青岛高信智汇创业投资合伙企业、合肥建翔投资有限公司等多方注资下，安徽首家半导体光刻掩模版企业——安徽晶镁光罩有限公司（下称“安徽晶镁”）拟成立，多家资方合计向其增资11.95亿元。 24. 沐曦：在2025世界人工智能大会上，沐曦发布旗舰GPU曦云C600。基于沐曦自主知识产权核心GPU IP架构，集成大容量存储与多精度混合算力，支持MetaXLink超节点扩展技术，会上，沐曦与中国电子技术标准化研究院共同为“人工智能芯片技术研究及开源生态创新联合实验室”揭牌，双方将重点突破AI芯片标准制定与开源生态建设。 25. 上海仪电：上海仪电联合曦智科技、壁仞科技、中兴通讯，正式发布国内首个光互连光交换GPU超节点——光跃LightSphere X。该超节点基于曦智科技全球首创的分布式光交换技术，采用硅光技术的光互连光交换芯片和壁仞科技自主原创架构的大算力通用GPU液冷模组与全新载板互连，并搭载中兴通讯高性能AI国产服务器及仪电智算云平台软件，构建起高带宽、低延迟、灵活可扩展的自主可控智算集群，即将于上海仪电智算中心落地。 26. 海思：进军碳化硅功率器件领域，面向工业高温、高压场景推出两款1200V工规SiC。 27. Intel：拟裁员15%、出售网通业务、暂缓欧洲建厂，集中资源发展AI芯片与核心制程技术。 | 应用端动态 28. 京东：成立智能机器人事业部，其供应链角色定位将加速机器人产业落地和商业化。 29. OPPO:推出首款搭载主动风扇散热的手机K13 Turbo系列，实现手机散热能力新突破。 30. 阿里巴巴：发布首款自研“夸克AI眼镜”，在AI交互、显示与影像、续航等方面实现重大突破。

半导体

芯查查资讯 . 2025-08-04 2 4 2260
IC 品牌故事 | 三次易主，安世半导体的跨国迁徙

Nexperia，中文名为“安世半导体”，总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的IDM半导体公司，每年出货量超过1000亿件产品。目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工，2024年年收入为20.6亿美元。作为分立器件和功率器件的龙头，Nexperia的器件类型丰富，其主要产品线双极晶体管、二极管、ESD保护器件、TVS、信号调节、MOSFET、GaN FET、IGBT等，拥有超15000种产品，这些器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域。 Nexperia的亚洲分销商有中电港、艾睿、安富利、文晔、贸泽等。安世半导体的发展史，堪称一部全球半导体产业格局变迁的缩影——从欧洲工业的技术皇冠，到中国资本主导的国际IDM巨头，其历程交织着技术传承、资本博弈与战略转型。下面请跟随芯查查一起一探究竟吧。起源：飞利浦物理实验室Natlab 故事要从1952年说起。美国贝尔实验在一场晶体管技术研讨会上，同与会的25家美国公司、10家外国公司分享了晶体管技术，并对愿意拿到全部技术细节的公司收取专利授权费25000美元。付费公司中，有一家来自欧洲工业巨头的实验室团队——飞利浦物理实验室（Natlab）。随后，在上世纪50年代中期，飞利浦在荷兰奈梅亨建立晶圆厂，开启制造历程。 Natlab是飞利浦专门进行物理、化学领域基础研究的实验室。一开始，实验室工作集中在改进白炽灯技术上，但之后研究领域不断拓展。节能灯泡、便携式X光机等等，推动飞利浦的产品走向大街小巷，电动剃须刀、吸尘器、咖啡机、电熨斗等。 1965年，飞利浦实验室研发的首个集成电路采用平面光刻工艺，在1.2mm²硅片上集成24个晶体管，功耗较分立元件降低90%。该技术最初应用于军方通信设备，1968年衍生出首款商用TTL逻辑芯片系列HEF4000，被法国电信用于数字交换机升级。 1970年代，Natlab收购Signetics，后者是当时硅谷最大的逻辑器件制造商，建成欧洲首条4英寸晶圆产线，月产能达1.2万。Signetics发明了555计时器芯片的公司，后来成为全球逻辑器件龙头。Signetics的加入，为飞利浦注入了“标准器件”的基因，这正是安世半导体的前身。在50年代到70年代之间，Natlab产出127项有关半导体和消费电子的专利，如晶体管、局部氧化硅、氧化铅光导摄像管等，支撑飞利浦领跑世界影音业务，录像机、盒式磁带、CD播放机都是飞利浦率先推出。1972年，飞利浦创立了当时全球最大的唱片公司宝丽金（Polygram），邓丽君、谭咏麟、张国荣、Beyond、王菲等都曾是其旗下签约艺人。同期，在集成电路制造领域，Natlab研发出一款名为“硅重复器”（Silicon Repeater）。这种类型的机器后来被称为“步进机”（Stepper）。该设备用于光学系统将图像反复投射到晶圆上，俗称光刻。当时飞利浦的光刻技术、精度远高于对手，但是在市场一直翻不起水花，存在感几乎为零。最终，飞利浦于 1982 年开始实施一项非核心业务剥离计划，步进机是其中之一，与荷兰的ASML合作运营这项业务。由于上世纪80年代开始，消费电子狂潮掀起，飞利浦的一心扑在消费产品上，对硬件创新的投入逐渐减少。1988年，ASML逐渐从飞利浦中剥离，开始以独立的市场主体运作，向全球客户提供光刻设备。而在20世纪初，飞利浦决定进行全面的业务转型，将重心从半导体和电子硬件领域转向医疗保健、消费品和照明等高增长行业。收缩：放弃半导体业务，拆分成NXP Arm成立初期，其芯片在性能上难以与英特尔的x86架构抗衡，加上苹果基于Arm610处实际上，一直到20世纪90年代，飞利浦对于半导体业务发展持乐观态度。依托于消费电子的全球出货，半导体的出货量也水涨船高。 1999年，飞利浦以 10 亿美元收购了 VLSI Technology，其为无线通信、网络、消费数字娱乐和高级计算市场制造定制和半定制芯片。在这一年的报告中，飞利浦提及：“首先，半导体市场的近期前景十分光明。其次，我们处于有利地位，可以从快速增长的无线通信市场中获益。第三，VLSI 迅速并入飞利浦所带来的好处将在 2000 年充分显现。” 进入新世纪，飞利浦的半导体业继续高歌猛进，销售额增长了55%，还在美国扩建了MiCRUS Semiconductor 8 英寸晶圆厂。飞利浦已成为车载娱乐、信息系统和车载网络系统的头部供应商。夕阳无限好，只是近黄昏。半导体业务在2001年急转直下。互联网泡沫的破灭给飞利浦带来10亿欧元巨亏，移动电信和所有与 IT 相关的业务都受到了严重影响，美国的 9/11 袭击事件进一步加剧了衰退，半导体业务部门的收入下降了 25%。 2002年，衰退还在持续，飞利浦不得不通过关闭自有代工厂和外部合建代工厂来弥补不断萎靡的半导体业务。除此之外，老牌业务消费电子王座易攻难守，面对来自西门子、三星、东芝、松下、索尼的围猎，毛利率逐年降低。2000年时，飞利浦产品线涵盖200多个品类，但仅医疗设备业务毛利率超过30%。 2004 年，在半导体业务连年亏损之后，飞利浦公司大幅调整战略重点，决定成为一家以市场为导向的医疗保健、生活方式和技术公司。 2006 年 9 月 29 日，Kohlberg Kravis Roberts（KKR），贝恩资本，Silver Lake Partners，Apax Partners和AlpInvest Partners。售价为 79.13 亿欧元（根据 2006 年 12 月 30 日的汇率约为 104.45 亿美元），同时，飞利浦以 8.54 亿欧元的价格收购了新资本重组实体的 19.9% 优先股。这家新资本重组实体，即NXP。聚焦：NXP出售标准产品事业部，安世诞生剥离出来的NXP，脱离了飞利浦繁重冗余的管理制度，在汽车电子、RF、安全芯片领域不断加快扩张速度，一跃成为头部供应商。 2015年，NXP迎来了独立之后最为重大的一次转折。 3月，NXP宣布与竞争对手飞思卡尔半导体达成合并协议。根据2015年6月NXP披露的发行股份进行兼并说明书，以2015年5月29日NXP和飞思卡尔分别在纳斯达克和纽交所的收盘价112.25美元和45.12美元为双方价值依据，NXP对飞思卡尔进行现金+股份收购，收购完成后飞思卡尔将被NXP100%控制，并停止在纽交所上市。新的NXP总市值将超过400亿美元，超过瑞萨电子成为全球最大的汽车半导体厂商，欧洲第一大半导体厂商。同时，在MCU、智能安全认证、工控、模拟芯片等领域实力大增。 2016年，NXP为聚焦高利润车用芯片，将“增长乏力、毛利偏低”的标准产品事业部挂牌出售。该部门拥有11,000名员工、5座工厂及超13,000种产品，年出货量达850亿颗，但毛利率不足30%，显著低于公司主业。几经辗转，最终这个部门成为闻泰科技旗下的安世半导体。并购：闻泰科技蛇吞象 2016年6月14日，在比利时布鲁塞尔，NXP总部会议室里，中国建广资产管理公司谈判代表将最终报价推到桌上：27.5亿美元——这是当时中国最大的半导体海外并购案，也是中国资本第一次买到国际一流公司的核心技术及其优质资产，填补了我国在该领域高端芯片及器件的技术空白。收购内容包括： 5座工厂：英国曼彻斯特的6英寸MOSFET晶圆厂、德国汉堡的“全球最大小信号器件产线”、以及分布中马菲的封测基地。超13,000种产品型号，从二极管到车规级MOSFET 2万家客户名单，包括苹果、博世、大众。 “我们买下的不仅是设备，更是半个世纪的汽车电子Know-how。”建广团队在交割后感叹道。安世半导体专注于分立器件、逻辑器件及MOSFET生产和销售，应用领域包括汽车电子、工业控制、电信通讯、消费电子等。NXP的标准产品客户数量超过2万家。从细分市场的全球排名看，安世二极管和晶体管排名第一、逻辑器件排名第二、仅次于TI；ESD保护器件排名第二；小信号MOSFET排名第二、汽车功率MOSFET排名第二，仅次于英飞凌。 2018年，闻泰市值为194亿元，安世估值347亿元，闻泰是如何介入安世的收购呢？实际上，闻泰的蛇吞象战略并非一蹴而就，整个收购过程从2018年持续到2020年，分2个阶段完成。第一阶段：首次控股，逐渐掌握控制权 2018年5月，闻泰科技通过全资子公司上海中闻、云南省城投、鹏欣智澎、格力、西藏风格及西藏富恒的出资款28.83亿及借款28.83亿，向合肥广芯支付了第一笔转让价款57.18亿元。其中，格力电器以30亿元重金入股，助力闻泰完成对安世半导体的收购，当时持股比例高达12.33% 2019年2月，第二笔转价款57.175亿元的交付到账，闻泰科技对于合肥广芯所持有的约49.4亿元人民币的安世半导体财产份额已收购完成。另外，建广资产、合肥建广、智路资本作为全部境内、境外基金的GP所拥有的全部安世半导体财产份额（北京广汇、合肥广坤、合肥广韬、宁波益穆盛、宁波广宜不参与本次交易的5支境内基金之GP 财产份额暂不交割）和相关权益作价为32.111亿元。而为收购GP所拥有的全部安世半导体财产份额，2018年10月25日，闻泰科技已通过控股的小魅科技，支付了第一笔转价款3.2111亿元。2019年1月2日，小魅科技又向GP转让方支付了第二笔转价款6.4222亿元。此次，小魅科技再次向GP转让方支付了第三笔转让价款共计3.211亿元，已经完成了近一半转价款的支付。 2019年12月，以268亿元总对价完成79.98%股权交割，张学政出任安世董事长，但保留原CEO Frans Scheper的管理团队。图片来源：新财富第二阶段：政策一路绿灯，助力全资运作 2020年6月10日，证监会并购重组审核委员会召开2020年第25次工作会议，闻泰科技收购安世半导体（Nexperia）剩余股权事宜获得无条件通过。此次闻泰科技拟通过发行股份及支付现金方式分别收购合肥裕芯的4名股东之上层出资人的有关权益份额，交易对价63.34亿元。合肥裕芯为持有安世集团股份设立的特殊目的公司，安世半导体是安世集团的全资子公司。本次交易前，闻泰科技已合计持有合肥裕芯74.46%的权益比例，并间接持有安世集团74.46%的控制权。本次交易完成后，闻泰科技将合计持有合肥裕芯98.23%的权益比例，并间接持有安世集团98.23%的权益比例。从6月1日受理，6月3日收到受理通知书，到6月10日获得无条件通过，闻泰科技此次收购和中芯国际闪电过会一样，受到监管部门的高度重视和快速审批。同年9月4日，闻泰宣布公司中标合肥广坤半导体产业投资中心有限合伙份额转让项目，成交金额为3.66亿元。本次收购完成后，公司将持有安世集团100%股权。综上，闻泰通过云南城投、格力提供的资金背书，再加上并购贷款、配套募资等债务融资覆盖支付缺口，成功全资收购安世半导体。收购完成后，闻泰和安世共享客户资源，闻泰将华为、小米等终端客户导入安世供应链，推动其消费电子营收占比从42%升至60%，与此同时，安世半导体也可以利用闻泰科技的客户资源，开拓中国境内的消费电子产品业务，并利用其内资企业身份享受到中国汽车电子、工业与动力等多领域的国产替代红利。 2021年，闻泰科技对安世半导体位于英国曼彻斯特城的晶圆厂进行扩产，提升了安世半导体在晶圆制造方面的产能。同年，闻泰科技还对安世半导体位于马来西亚的封装厂进行扩产，提高安世半导体在封装测试环节的产能，进一步提升了安世半导体在全球半导体封装市场的份额。结语收购后的安世半导体年净利润稳定在23亿元以上。总体看来，业务呈现稳步上升的运营状态。图片来源：芯查查指标，数据源自安世报表闻泰对安世的收购，不仅是资本的跨境流动，更开创了“技术保留在海外，创新根植于中国” 的整合模式。如何让中国市场激活国际技术资产，或许是中国半导体厂商走向国际市场的一条实现路径。 Tips 截至发稿前，芯查查已收录安世半导体物料数据、应用方案。

安世半导体

芯查查资讯 . 2025-08-04 3 3 6105
RISC-V | 破局高性能计算，从IP、芯片到生态的全面进阶

重点内容速览： 1. RISC-V IP：百花齐放，性能快速提升 2. 芯片落地：未来可期 RISC-V自2010年诞生以来，迅速发展并普及。其目标是成为一款通用的指令集架构（Instruction Set Architecture，ISA），也就是说它要适合设计各种规模的处理器，包括从最小的嵌入式控制器，到最快的高性能计算机；要兼容各种流行的软件栈和编程语言；适用于所有实现技术，包括FPGA、ASIC、全定制芯片，甚至未来的制造元件技术等。曾有很长一段时间，RISC-V被认为只是用来做较小的芯片和微控制器，限制了它的吸引力。然而，随着2021年RISC-V国际基金会宣布计划将该架构扩展到高性能计算、人工智能和超级计算应用程序后，这种情况很快得到了改变。RISC-V正以其独特的开放性和可扩展性，向传统高性能计算领域发起强劲的冲击，试图打破X86和Arm长期以来的主导地位。 RISC-V正在逐渐被主流市场所接受，源于其开源模式和强大的技术特性。在HPC领域，RISC-V正从嵌入式系统迈向数据中心和超级计算机。比如欧洲处理器计划（EPI）已经将RISC-V选为核心架构，目标是打造百亿亿次计算平台，用于科学研究和复杂模拟。其向量扩展（RVV）支持高效并行计算，简化了大规模数据处理任务的软件开发。在AI领域，RISC-V的自定义指令扩展和RVV使其成为加速神经网络、计算机视觉和自然语言处理的理想选择。NVIDIA近期宣布CUDA将支持RISC-V，给进军RISC-V高性能领域的企业吃了一颗定心丸。如今已经有多家企业推出了针对高性能计算和AI的IP、芯片和解决方案。 RISC-V IP：百花齐放，性能快速提升 X86和Arm不同，RISC-V既年轻（它诞生于2010年，其他ISA大多诞生于1970或1980年代），又开放。其未来不受任何一家公司的兴衰或心血来潮的决策所影响。就拿IP来说，市面上有多家企业可以提供RISC-V IP产品，比如SiFive、晶心科技（Andes）、平头哥、芯来科技等。 SiFive在HPC和AI领域表现抢眼。其高性能处理器IP产品P870-D是一款64位RISC-V内核产品，支持RVA23规范和CHI多集群扩展，配备6发射乱序流水线和专用L2缓存，优化内存性能，适合运行Linux和Android的复杂工作负载。图：SiFive的高性能处理器产品路线图（来源：SiFive官网） SiFive首席应用工程师张岩在不久前的RISC-V中国峰会上表示，P870-D处理器的SpecINT 2006跑分已经达到了18分/GHz。他同时指出，P870做了很多的RAS（可靠性、可用性、可维护性）支持，比如做了ECC，支持RISC-V RAS标准，用树状的数据结果管理RAS的信息，对错误信息进行隔离等。图：SiFive的高性能处理器P870-D概览（来源：SiFive官网）北京开源芯片研究院与中科院共同推动的“香山”开源IP给RISC-V芯片设计企业多了一个选择。据中国科学院计算技术所副所长、中国开放指令生态（RISC-V）联盟秘书长、北京开源芯片研究院首席科学家包云岗教授介绍，“香山”已提供三套开源计算子系统，包含两款迭代演进的CPU核——南湖（对标ARM A76水平）和昆明湖（对标ARM N2水平），以及珠江、温榆河两款片上互连。图：香山开源IP性能对比（来源：北京开源芯片研究院）在性能方面，香山开源IP已经逼近主流，其昆明湖V2在性能上达到15分/GHz，经编译器优化可达18.5分/GHz，与Arm N2的差距已缩小至8%左右。昆明湖V3已在探索中，目标单核22分/GHz，模拟器上已达20.1分/GHz，并增强了安全功能，正努力形成机密虚拟机安全国际标准。图：香山开源高性能RISC-V IP核针对“开源能否做出高质量设计”的疑虑，包云岗明确回应：“开源不等于低质量，开源完全可以做出产品级的交付。”他透露，“香山”在过去一年多时间里，进行了大规模的工业级测试，累计发现并修复了1470项Bug，其中近500个Bug（占总数的37%）由合作企业贡献，充分展现了基于开源的联合开发模式在加速迭代与验证中的显著优势。他特别感谢了奕斯伟、进迭时空、蓝芯算力、算能等贡献企业，以及合见工软、芯华章、新思等提供工具支持的企业。作为RISC-V领域的重要玩家之一的阿里巴巴平头哥在RISC-V领域布局完善，其玄铁C系列产品聚焦高性能和AI加速，其中下一代高性能CPU IP玄铁C930性能也很不错。据悉，C930在架构和微架构上实现了多项创新，典型工作频率已经突破3.4GHz，阶段性SpecINT2006优化成果达到了15.2分，正式迈入高性能处理器门槛。图：玄铁处理器AI能力演进（来源：平头哥） C930在分支预测、指令调度和访存子系统方面均有大幅提升，尤其在向量执行单元上，不仅支持RV官方扩展，还通过玄铁自定义扩展实现了8T配置能力和灵活的算力配比，在GEMM算力利用率上可达友商的2-3倍。玄铁还致力于提供完整的系统解决方案，其XL-300多处理器系统方案和分布式IO MMU设计，均旨在支持大规模、高性能的异构系统搭建。在晶心科技董事长兼CEO林志明看来，“后摩尔时代”RISC-V将是高性能计算领域的重要技术之一。晶心科技针对高性能计算的RISC-V IP产品AX66即将推出，该产品是一款64位RISC-V的CPU IP，支持RVA23 Profile编译器和13级的流水线。其SpecINT2006/GHz分数在9.5~10分之间。芯来科技最新的高性能IP产品是UX1030H，该产品全面支持RVA23，它是一款乱序多发射流水线处理器，可支持16个核，完整支持RVA23所有强制特性和大部分可选特性，包括向量扩展和虚拟化扩展。其对IOMMU和AIA的支持，更是为复杂虚拟化系统、高可靠设备接入和高并发中断调度奠定了基础，为Android在RISC-V架构上的广泛部署打下了坚实基础。随着RISC-V向多核、众核和异构集成协同发展，一致性片上网络（NoC）成为高性能计算平台的关键基础设施。赛昉科技IP产品线总经理周杰在RISC-V中国峰会上介绍了其NoC IP产品StarNOC系列，比如StarNOC-700，采用Ring/Mesh架构和CHI.E协议，最高支持256个RNF，可扩展性强，并在多核网络性能和总线吞吐量测试中展现出近线性增长的优异表现。芯片落地，未来可期 RISC-V IP产品的蓬勃发展，直接促成了RISC-V高性能芯片的快速落地。比如超睿科技的UR-DP1000高性能微处理器芯片，集成了8个UR-CP100处理器核的芯片，单核SpecINT2006可达10.4分/GHz。该产品已于2024年3月量产流片，并批量出货。据超睿科技执行总裁兼CTO蒋江介绍，UR-DP1000上可以运行Ubuntu图形界面和主流桌面应用，展现了RISC-V芯片在市场化的速度和成熟度。他同时表示，超睿科技未来将推出对标Arm Cortex-A78和N2的更高性能核，以及涵盖边缘计算、桌面级和服务器级CPU芯片的完整产品线，其中SP2000服务器芯片将集成32核，有望在明年流片，直接对标高端市场。睿思芯科今年3月底推出的服务器处理器产品“灵羽”是一款40核产品，支持RVA23标准。其单颗芯片支持16根DDR5，最高支持6400MT/s。除了性能，高可扩展性也是核心优势，灵羽支持96通道PCIe 5.0，并支持CXL2.0，在双路情况下，灵羽支持20+盘的NVMe全闪存储，且支持8卡GPU直连，同时支持400G网卡。面向数据中心场景可实现高达8路320核的高密计算服务器方案，已与多家头部OEM合作研发。进迭时空的X100和X200 CPU的SpecINT2006分别达到了9+分/GHz和16+分/GHz，已经在工控级别应用中展现出了稳定性。知合计算则推出了首款“通推一体”CPU产品——基于玄铁处理器的“阿基米德A210”芯片，据悉该芯片已顺利流片并可供尝鲜，这标志着RISC-V在高性能计算与AI融合领域的重要进展。图：Tenstorrent的Callandor芯片特性（来源：Tenstorrent） Tenstorrent正在按计划打造一款高性能RISC-V芯片产品，其代号为Callandor，该公司预计Callandor将会在2027年第一季度推出，到时它将会是世界上最快的CPU。结语除了IP和芯片本身，RISC-V在各个领域软硬件生态的探索和应用落地也变得更加快速起来。RISC-V在高性能计算领域的基础架构支持、操作系统适配、编译工具链、HPC软件栈，以及性能优化等方面也在不断取得进步。虽然生态碎片化、软件成熟度、高端工艺突破，以及市场盈利模式等仍然是挑战，但RISC-V所展现出的开放性、高定制化和强大的社区凝聚力，无疑给它带来了独一无二的破局机会。

RISC-V

芯查查资讯 . 2025-08-04 8 4330
技术 | 一种简单的方法可以保护电源设计免受故障影响

正常运行时间是工业自动化、楼宇自动化、运动控制和过程控制等应用中保障生产力和盈利能力的关键指标。执行维护、人为失误和设备故障都会导致停机。与停机相关的维修成本和生产力损失可能非常高，具体取决于行业和事件的性质。与维护和人为失误相关的停机无法避免，但大多数与设备相关的故障是可以预防的。本文重点介绍由电源故障引起的停机，以及如何在设备的电源系统中使用现代保护IC来防止发生电源故障。系统电源保护概述电源系统会受到许多电应力因素和故障的影响。沿着电气路径，雷击或电感性负载切换导致的电压浪涌和瞬变、存储电容的初始充电导致的冲击电流、接线错误或线束意外短路导致的反向电压、过流和过热，都可能造成性能退化或不可逆转的损害。有必要在负载周围建立一个保护范围，以处理这些潜在的灾难性事件。本文将讨论一些常见术语、电源故障类型、可用的传统解决方案及其挑战，以及现代保护IC及其优势。常用术语除了分立解决方案，还有许多提供单一功能保护的集成解决方案。例如浪涌保护器（或过压保护器）提供防浪涌电压保护；热插拔控制器（或冲击限制器）可以防范冲击电流影响； ORing控制器（或理想二极管控制器）可以防止反向电压并提供电源分配；电子熔断器（或限流器）可以防止短路或过载；功率限制器/负载开关/USB开关/电源选择器为具有多个输入电源或多个负载的系统提供管理和控制功能。图1展示了这些产品，均可用于提供系统电源保护。然而，它们仅提供部分解决方案来保护系统免受电压、电流或温度故障的影响。因此需要一个整体解决方案来提供完整、全面的系统电源保护。图1.各种单功能保护解决方案需要提供系统电源保护的应用图2展示了一个通用系统板电源分配。该板从三个独立的输入电源接收电力，为一个大保持电容充电，产生自用电路板电源，并将电力传送给两个后续外围设备。此系统板的输入端和输出端均需要多种电源保护和配电功能。图2.通用系统板电源分配在输入电源保护方面，它需要过压/欠压、电子熔断器、冲击限制和反向电压保护。如果此板由一个功率有限的电源供电，则它还需要功率限制功能。由于该板从三个不同电源接收电力，因此需要电源ORing或电源多路复用器。电源ORing自动选择电压最高的电源为电路板供电，而电源复用允许系统选择使用哪个电源，无论其电压如何，只要它在工作范围内即可。该板还需要反向电压保护，这样较高电压的电源就不会反向驱动较低电压的电源。现在，对于输出电源保护，该板需要限流保护以防止输出过载或连接器短路，需要反向电压保护以防止意外短接到较高电压轨。为了管理输出电源分配，该板需要负载开关、ORing和功率限制功能。系统电源故障的三种主要类型系统电源故障主要分为三类（见图3）：电压故障、电流故障和温度故障。下面详细讨论每一种故障类型。图3.系统故障的三种主要类型电压故障：由于雷击、保险丝熔断、短路、热插拔事件、电缆感应振铃等多种不同事件，输入电压可能高于和/或低于正常直流电压范围。雷击可能导致高能浪涌电压，这通常由前端瞬变电压抑制器(TVS)和输入滤波器处理。图4总结了IEC 61000-4-4电快速瞬变规范。经过TVS和输入滤波器处理之后，系统板级的残余浪涌电压可能仍然很大，有时达到标称直流输入电压的两到三倍。图4.IEC 61000-4-4电快速瞬变规范图5演示了一个短路事件，10英尺电缆末端的短暂短路导致其电压振铃并达到50.4 V峰值，是其正常电压24 VDC的两倍。电压还振铃下降到约11 V。一个鲁棒的系统在整个振铃过程中会继续运行而不会中断，至少会不受损害地幸存下来。类似的电压振铃可能发生在感性负载切换事件期间，发生在热插拔事件期间（例如将一个带有放电电容的卡插入带电背板），或发生在系统中其他地方出现保险丝熔断的时候。图5.短暂短路后的电缆振铃系统接线错误很罕见，但仍可能发生。例如，在机架安装系统中，人们可能会反向插入卡或电源线极性连接错误。当输入电压突然下降（输入短路或低电平振铃）时，输出电容现在处于较高电位，会导致反向电压状况。当输出突然短接到较高电压轨（例如在集束电缆中）时，也会发生反向电压状况。虽然输入反向电压故障很少见，但一旦发生，就可能造成代价高昂的系统损坏。电流故障：输出过载和短路是两种明显的电流故障。当系统超容量运行时，就会触发过流加载。至于短路，这可能是由电路板上的故障元件引起。如果有人不小心将扳手掉到电源连接器上或落入电缆束中，可能会发生严重短路事件。未受保护的电路板可能会遭受永久性损坏，更糟糕的是可能着火。将带有放电电容的电路板插入带电背板时，会涌入一股电流为电容充电。不加控制时，此冲击电流遵循以下方程： I = CdV/dt 其中： I = 冲击电流 C = 电容 dV/dt = 电容电压随时间的变化率如果将放电电容(0 V)插入24 V带电背板，这种情况下的dV/dt是瞬时的（无限大），转换为I = 无限大。如果没有冲击控制，这种非常高的电流尖峰会损坏连接器，熔断保险丝，并导致背板电压振铃。当发生反向电压事件时，反向流动的电流可能造成系统严重损坏。图6展示了冲击/短路电流和反向电流。图6.冲击/短路电流和反向电流温度故障：如果设计得当，系统应能正常运行而不会出现温度故障。但是，某种初始故障状况（例如长时间过载情况、系统风扇失效或失灵、系统进气口/排气口意外阻塞或房间空调失效）可能会触发温度故障。为防止系统受损和潜在的火灾相关问题，当系统或其元器件之一的温度达到危险水平时，过温保护会关断系统。与过温关断相比，热保护更智能。在运行期间，当某种初始故障导致温度升高到正常值以上时，热保护会向系统提供警告和处理方案。例如，系统可以选择去除非关键负载，以较低开关速度运行，从而降低功耗。这样，系统可以较低的性能运行，避免过热关断，直至初始故障得到解决。未提供保护的系统影响和设计挑战所有电气系统都会遇到电压、电流和热故障，因此在设计验证测试阶段，忽视保护功能可能会阻碍系统设计顺利完成。事实上，更糟糕的情况是工厂车间的生产线关停。全面保护设备免受故障损害的保护电路很有用，可尽量延长系统正常运行时间。系统工程师若要全面保护其产品，必须解决一些设计挑战。分立或部分IC实现方案需要许多外部元件。图7展示了一个使用40个分立元器件的完整系统电源保护解决方案。元器件的容差叠加分析起来很繁琐。随着时间推移，无论是验证和确保其性能，还是实现系统精度以及对故障做出快速响应，都很困难。使用多个元器件的结果是解决方案尺寸很大。由于系统平均无故障时间(MTBF)很低，拥有成本很高。图7.一个系统电源保护电路使用了40个分立元器件简化系统保护使用分立电路或部分IC实现保护的传统方法在过去可能效果不错，但它不适应现代系统。现代系统的电路板空间更小，开发时间更短，开发预算紧张。鉴于这种转变，更适合现代系统的保护解决方案是什么？它应是高集成度保护IC（见图8），需要集成场效应晶体管(FET)、电流检测/限流、功率限制、热保护和欠压/过压保护。此外，满足国际电工委员会(UL/IEC)安全要求的全集成式保护IC更胜一筹。更高的集成度与安全认证相结合，可为现代系统提供可靠保护。图8.单芯片高集成度解决方案保护IC示例和关键工作概念 ADI 的MAX17613和MAX17526是符合现代系统要求的保护IC范例。 MAX17613（图9）是一款60 V/3 A保护IC，具备所有关键元器件和特性，例如正向和反向FET、可编程电流检测、热保护、可编程欠压闭锁(UVLO)和过压闭锁(OVLO)，这些全都集成在单个IC中。它还有一个CLMODE引脚，用于选择IC对电流故障的响应模式——连续、闭锁还是自动重试模式。图9.高集成度60 V/3 A保护IC MAX17526（图10）是一款60 V/6 A保护IC，同时也是一款全集成式IC。此外，它还具有先进的保护特性，例如功率限制和热控电流折返。图10.具有功率限制的高集成度60 V/6 A保护IC 现在，让我们以MAX17526为例详细考察几个关键特性。如图11所示，MAX17526测量系统消耗的电流，并使用SETI引脚将其报告给系统控制器。电阻RSETI可以调整，以根据系统要求对限流水平进行编程。图11.MAX17526的限流设置和监控功能图12展示了MAX17526的限流功能以及它如何控制系统上电期间的冲击电流。一个1000 µF大电容以受控方式充电，左侧充电电流为电流限值的1.0倍，右侧充电电流为电流限值的2.0倍，而电压源不会崩溃。图12.冲击电流保护图13显示了MAX17526特有的功率限制特性，它可用于限制输入或输出功率，具体取决于节点VEXT连接到输入电压(VIN)还是输出电压(VOUT)。IC动态调整电流限值以实现对输入或输出功率的限制。图13.功率限制保护图14展示了当该IC配置为限制输出功率时，功率限制特性如何将输出功率限制在10 W。图14.输出功率限制响应 UL/IEC安全认证如前所述，现代系统也可以利用保护IC的所有安全合规性方面。通过UL 2367、IEC 60950或IEC 62368认证的保护IC可以简化系统级安全要求，从而降低认证相关成本并缩短认证时间，有助于加快产品上市。例如，ADI的 MAX17608 和 MAX17613 是通过UL和IEC认证的保护IC。电源系统是所有系统或设备的关键模块。电源故障是固有的，确实会发生，但通过实施适当的电路保护，可以防止发生系统故障和设备停机，这对于当今竞争激烈的全球商业环境中的生产力和盈利能力至关重要。与传统的分立或单功能IC解决方案相比，当今的先进保护IC提供小封装、高性能、高可靠性、易于设计和认证的整体系统保护。此外，这些保护IC提供的一些先进特性使系统具备监控和诊断功能，对于当今复杂的终端设备，这类功能可以发挥重要作用。使用全集成式保护IC是能够以低成本应对代价高昂的停机时间的有效方式。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-08-01 4 1525
产品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ 2B模块，采用六单元配置，通过AQG324认证。一个模块采用CoolSiC™ MOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOP™ IGBT7技术 1200V、100A，配备发射极控制EC7二极管、NTC和PressFIT压接技术。产品型号： ■ FS17MR12W2M1H_B11_A ■ FS100R12W2T7_B11_A 产品特点高度可靠的压接引脚预涂导热界面材料紧凑型设计可集成表面贴装SMD器件应用价值卓越的引脚-PCB连接性能更优异的热性能表现显著降低组装复杂度提供更高的设计灵活性竞争优势优化系统成本规模化生产简化设计系统可靠性高应用领域车载充电风电 DC-DC变换器电子扭矩分配及辅助系统

英飞凌

英飞凌工业半导体 . 2025-08-01 2 1390
产品 | 思远半导体SY5881：消费类SSD模组的卓越电源解决方案

在当今数字化时代，消费类电子设备的性能与稳定性愈发重要。作为固态硬盘（SSD）模组的核心组件，电源管理集成电路（PMIC）的性能直接影响着SSD的整体表现。思远半导体精心打造的SY5881 PMIC，为消费类SSD模组量身定制，以其卓越的特性与强大的功能，成为提升SSD性能、优化用户体验的理想之选。高集成度设计，简化PCB布局 SY5881功率部分集成了四个DC – DC降压转换器可以分别输出4A/4A/2A/2A电流和两个线性调节器可配置为load switch，这种高度集成的设计极大地减少了外部元件的使用数量，一颗芯片支持SSD盘片上所有供电需求。在有限的PCB空间中，无需复杂的布线与众多分立元件的布局，便能轻松实现简洁高效的电源管理。不仅降低了设计的复杂性，缩短了产品开发周期，还减少了因元件过多可能导致的故障风险，提高了产品的可靠性与稳定性。使用SY5881后，PCB面积可以缩小约15%。高精度、高效率与高灵活性 1. DC - DC 转换器：SY5881的DC - DC转换器具备高精度的电压调节能力，输出电压精度可达 ±1%，能够为SSD的各个组件提供稳定且精准的供电。在高效节能方面，其转换效率最高可达到 95%，有效降低了能源损耗，减少发热，延长了SSD的使用寿命。优秀的低功耗设计，满足SSD模组在各种低功耗要求。而且，通过灵活的引脚配置与寄存器设置，可根据不同的应用场景和负载需求，对DC - DC转换器的工作模式、输出电压等进行灵活调整，满足多样化的设计需求。 2. 线性调节器：两个线性调节器分别为小电流负载提供供电，线性调节器具有低噪声、高电源抑制比的特点，能够为对电源质量要求极高的组件提供纯净的电源，确保其稳定工作。丰富的接口与灵活的配置 SY5881采用I2C接口对芯片寄存器进行操作，通过I2C总线，用户可以方便地对芯片的各种功能进行配置与监控，如设置DC - DC转换器的输出电压、电流限制，调整线性调节器的工作状态等。同时，芯片还配备了8个GPIO（通用输入/输出）引脚，这些引脚可根据用户的具体需求进行灵活配置，实现诸如电源开启/关闭控制、故障指示、状态反馈等基础功能，为系统设计提供了极大的灵活性。全方位的故障保护为了确保SSD在各种复杂环境下的安全可靠运行，SY5881集成了全面的故障保护功能，包括输出过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、短路保护、输入过压保护和过温保护。当检测到异常情况时，芯片会在发出中断同时迅速采取相应的保护措施，如切断输出、调整工作状态等，避免因故障导致的设备损坏或数据丢失，为SSD的稳定运行保驾护航。环保封装，符合国际标准 SY5881采用WLCSP-36（2.4 mm x 2.4 mm）封装，这种封装形式具有尺寸小、寄生参数低的优点，非常适合对空间要求苛刻的消费类SSD模组应用。同时，芯片无卤无铅，完全符合RoHS标准，体现了思远半导体对环境保护的高度重视。广泛的应用场景 SY5881凭借其出色的性能与特性，在消费类电子领域拥有广泛的应用场景。除了在消费类SSD模组中发挥核心作用外，还适用于穿戴设备、移动设备及嵌入式计算平台等。在智能手表等穿戴设备中，其高集成度与低功耗特性可有效延长设备续航时间；在平板电脑等移动设备中，能为存储模块提供稳定电源，保障数据读写的高效与稳定；在工业控制、智能家居等嵌入式计算平台中，其强大的故障保护与灵活配置能力可满足复杂环境下的应用需求。思远半导体的SY5881 PMIC，以其高集成度、高精度、高效率、高灵活性以及全方位的故障保护等优势，成为消费类SSD模组的优质之选。无论是对于SSD模组制造商，还是消费类电子设备厂商，选择SY5881都意味着选择了更高的产品性能、更低的开发成本和更强的市场竞争力。

SSD

思远官网 . 2025-08-01 90
企业 | NVIDIA：回应H20芯片后门问题，不存在任何远程访问或控制的后门机制

针对中国国家互联网信息办公室（网信办）就H20芯片可能存在的“后门”安全风险提出的质询，英伟达公司于7月31日深夜作出正式回应，坚决否认其芯片存在任何可被远程访问或控制的隐秘机制。据网信办官方消息，依据《网络安全法》、《数据安全法》、《个人信息保护法》相关规定，国家网信办于7月31日约谈英伟达中国代表，要求其就H20芯片是否预留“后门”、是否存在数据泄露风险进行说明，并提交相关技术证明材料。网信办指出，所谓“后门”风险指芯片中可能存在的绕过正常认证或安全控制的隐秘路径，可能威胁中国用户的数据安全和隐私权益。此次约谈正值敏感时机：美国政府于本月撤销了2023年4月对英伟达H20芯片的出口禁令，该芯片正是英伟达为规避美国对华先进AI芯片出口限制而专门开发的产品。分析认为，中国监管机构的及时介入，既是对本土数据安全的保护，也可能成为中美贸易谈判中的筹码。英伟达回应：强调技术安全性此次争议的核心在于“后门”风险。所谓“后门”是指在硬件或软件中预留的隐秘路径，可能被用于绕过正常认证或监控系统。面对质疑，英伟达发言人通过声明强调：“网络安全对我们至关重要。英伟达的芯片中不存在任何可供他人远程访问或控制的后门机制。”该公司重申，其产品在设计、制造及供应链环节均遵循全球最高安全标准。值得注意的是，美国国内近期也在推动强化芯片出口管制的安全机制。美国国会两院正审议《芯片安全法案》（Chip Security Act），要求受出口管制的芯片配备“位置验证功能”，以追踪芯片地理位置并防止非法转移。该法案主要推动者、众议员比尔·福斯特（Bill Foster）声称，相关“追踪定位”和“远程关闭”技术已成熟，但英伟达并未在回应中提及此类技术是否应用于H20芯片。 H20是中美科技博弈的产物自2022年起，美国以“国家安全”为由逐步限制向中国出口先进AI芯片，包括A100/H100等高端型号。H20芯片就诞生于美国对华半导体出口限制升级的背景下。为规避禁令，英伟达于2024年基于上一代Hopper架构，推出性能相对Blackwell架构低、但仍优于多数国产芯片的H20，以满足中国市场需求，也被称为“降配版”芯片。类似的“中国特供版”还有A800、H800。然而，2025年4月，美国政府再次收紧政策，要求对华出口H20需获许可，直至7月15日才重新放行。英伟达首席执行官黄仁勋近期高调访华，7月16日他在第三届中国国际供应链促进博览会开幕式上用中文发表演讲，并称中国在AI领域具备“坚实基础”，强调CUDA技术的开放性。黄仁勋表示，中国AI发展不可阻挡，出口限制反而会加速本土创新，但美国平台的缺席可能削弱其全球竞争力。然而，此次后门质疑事件或对其在华业务构成新的挑战。《观察者网》科技评论员指出，若中国进一步限制H20销售，可能加速国产半导体替代进程，推动技术自立。安全部门频发风险警示，自主可控成焦点中国国家安全部此前曾发文提醒，境外生产的芯片、智能设备或软件可能在设计阶段预埋“后门”，通过特定信号远程操控设备，例如开启摄像头或收集数据。文章建议，重点涉密岗位应采用自主可控的芯片和操作系统。此次事件中，美国议员推动的《芯片安全法案》虽未通过，但已引发国际社会对芯片供应链安全性的广泛讨论。英伟达作为全球AI芯片龙头，其产品安全性争议折射出技术冷战背景下，各国对关键基础设施自主可控的迫切需求。有网络安全资深专家指出，此次“约谈”并非正式的“调查”，是一种新型监督管理方式，以提醒来避免严重风险。从公告的表述来看，该“约谈”可能处于非常初级的阶段。而这次采用约谈并发公告的形式，就是为了公开回应热点，突出警示意义：总体而言，一是要了解情况，切实排除风险；二是回应社会关切，表明积极维护国家安全、公共安全的立场。根据公开数据，英伟达中国区营收占比已由20%-25%降至个位数百分比，但中国市场对于英伟达而言至关重要，是其第二大销售市场。若H20芯片再度受限，预计公司可能损失140亿至180亿美元收入。然而，黄仁勋此前坦言，H20出口禁令导致英伟达数十亿美元库存减记，并迫使中国AI企业转向自主开发，进一步加剧了美国对华技术封锁的“双刃剑”效应。

H20

电子工程专辑 . 2025-08-01 1 9 5340
方案 | Nexperia推出高可靠性USB Type-C与PD控制器，完善消费电子应用的18-140W适配器一站式解决方案

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日推出全新系列USB Type-C与USB供电(USB PD)控制器IC，支持消费电子领域18-140W的USB充电器设计。随着此次新系列的推出，Nexperia成为能够完整提供18-140W高效电源适配器所需各种器件的半导体制造商，为设计人员带来一站式解决方案，有助于简化供应链并加快产品开发与上市进程。 NEX52041和NEX52080均搭载嵌入式MCU，并且分别配备16 kB和32 kB的MTP-ROM，能够灵活支持定制化功能的设计与更新，并可通过固件升级确保充电器持续符合最新的USB标准。新推出的USB PD控制器支持多种充电协议，有助于确保USB端口可为来自不同厂商的手机、笔记本电脑及其他设备提供稳定充电。除了支持USB PD协议外，新推出的控制器还支持多种基于D+/D-的快充协议，可进一步提升与新旧设备的兼容性。 NEX52041和NEX52080为单端口USB PD控制器，分别采用4mm x 4mm的QFN-16和QFN-24封装，配备多个可编程的GPIO及I2C接口，支持多IC通信，适用于多端口充电器中的智能功率管理，有助于节省系统功率预算。与需要依赖于外部器件才能实现充分保护的同类竞品不同，NEX52041和NEX52080在连接器引脚上具备高达30 V的过压容限，不仅提升了系统可靠性，还减少了对外部保护器件的需求，从而有助于降低物料清单 (BOM) 成本。 NEX52041和NEX52080采用恒压 (CV) 和恒流 (CC) 控制环路，支持使用光耦的应用，并可兼容多种DC/DC及AC/DC转换器。设计人员可将新推出的USB PD控制器与Nexperia的AC/DC控制器、MOSFET、GaN器件及TVS/ESD产品搭配使用，快速实现适用于多种USB充电器的一站式解决方案。

安世半导体

安世半导体 . 2025-07-31 1 1940
企业 | 国家网信办约谈英伟达公司

近日，英伟达算力芯片被曝出存在严重安全问题。此前，美议员呼吁要求美出口的先进芯片必须配备“追踪定位”功能。美人工智能领域专家透露，英伟达算力芯片“追踪定位”“远程关闭”技术已成熟。为维护中国用户网络安全、数据安全，依据《网络安全法》《数据安全法》《个人信息保护法》有关规定，国家互联网信息办公室于7月31日约谈了英伟达公司，要求英伟达公司就对华销售的H20算力芯片漏洞后门安全风险问题进行说明并提交相关证明材料。

网信

新闻联播 . 2025-07-31 8 2295
产品 | Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。这些器件采用合并PIN肖特基（MPS）设计，最小爬电距离为3.2 mm，融合低电容电荷与温度不变的开关特性等优点，可提高高速硬开关电源设计的效率。对于高压应用，Vishay日前发布的器件的高爬电距离增强了电绝缘性能，而其SlimSMA HV封装采用CTI 600的模制化合物，以确保出色的电绝缘性。对于空间受限的设计，这些二极管厚度仅为0.95 mm，而具有类似封装尺寸的SMA和SMB封装竞品的厚度为2.3 mm。与硅二极管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何温度下都能保持低至7.2 nC的低容性电荷，从而加快开关速度，降低功率损耗，提高高频应用的效率。此外，这些器件几乎没有恢复尾电流，从而进一步提高了效率，而其MPS结构可降低正向压降至1.30 V。 VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作温度高达+175 C，其典型应用包括服务器电源中使用的DC/DC和AC/DC转换器的自举二极管、防并联二极管和PFC二极管；发电和存储系统；工业驱动器和工具；以及X射线发生器。这些器件具有正温度系数，便于在这些应用中实现并联。这些二极管符合RoHS标准，无卤素，湿度灵敏度等级为1，符合J-STD-020标准，并满足JESD 201第二类whisker 测试要求。器件规格表：产品编号 VS-3C01EJ12-M3 VS-3C02EJ07-M3 VS-3C02EJ12-M3 IF (A) 1 2 2 VR (V) 1200 650 1200 （VF at IF (V)） 1.35 1.30 1.35 IR at VR at 175 ℃(μA) 4.5 2.0 5.0 QC (nC) 7.5 7.2 13 配置 SlimSMA HV (DO-221AC) 封装单个新款SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。

Vishay

Vishay . 2025-07-31 1280
产品丨瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E（MPU）。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面（HMI）应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元（NPU），可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。高性能边缘计算与HMI功能 RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清（1920x1080）视频，其输出接口包括LVDS（双链路）、MIPI-DSI和并行RGB接口；此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。” RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0（2通道）、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。低功耗待机与快速Linux恢复从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW；深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。全面的Linux软件支持瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包（VLP），并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。 RZ/G3E的关键特性 CPU：四核Cortex®-A55（最高1.8GHz）、Cortex®-M33 NPU：Ethos™-U55（512GOPS） HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X（带ECC） 5G通信连接：PCIe 3.0（2通道）、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD 工作温度：-40°C至125°C 封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA 产品生命周期：根据产品生命周期计划（PLP）提供15年供货保障瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统（SoM）解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM（Size-M规格），以及MXT的OSM（Size-L规格）。成功产品组合瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。供货信息 RZ/G3E和评估板套件现已上市；该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。（文中相关信息您可识别下方二维码或复制链接至浏览器中打开查阅） RZ/G系列 https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/rz-mpus/rzg-series RA8P1微控制器 https://www.renesas.com/zh/products/ra8p1 经验证的Linux软件包（VLP） https://www.renesas.cn/zh/products/microcontrollers-microprocessors/rz-mpus/rzg-series/verified-linux-package 成功产品组合 https://www.renesas.com/zh/applications （备注）Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

瑞萨电子

Renesas瑞萨电子 . 2025-07-31 2130
企业 | 移远 × 飞傲：给HiFi设备加点“智能Buff”

传统HiFi播放器的那些糟心事，你是不是也遇过？系统封闭，主流音乐APP根本用不了；歌曲信息混乱，手动整理到抓狂；想带出门，又被“砖头”似的体积劝退……别慌，HiFi设备的智能时代，已悄悄来临。作为全球领先的AIoT整体解决方案供应商，移远通信与全球HiFi头部品牌飞傲（FIIO）深度合作，基于移远高端4G智能模组SC200V，打造的飞傲便携高清无损音乐播放器M21系列，不仅实现了开放式Android系统下全球流媒体高解析音频直出，更以AI歌曲信息补全、个性化音效、复古UI联动等创新AI功能，成为未来HiFi设备的全新标杆。移远通信COO张栋表示：“在物联网技术深度渗透消费电子的今天，HiFi 设备的智能化不是选择题，而是必答题。移远与飞傲的合作，通过SC200V将物联网的连接能力、AI 算力与专业音频技术深度融合，不仅精准破解了用户在传统HiFi设备使用过程中的痛点问题，更通过底层技术创新，重新定义便携 HiFi 的产品形态。” 飞傲联合创始人Kean指出：“发烧友对‘极致音质’的追求从未改变，但新时代的 HiFi 设备，必须学会‘聪明地’满足需求。飞傲与移远的合作，让 M21 系列既筑牢了‘无损音质’的根基，又通过开放系统、AI 功能打破了传统 HiFi 的场景局限。这不是简单的功能叠加，而是用技术协同实现‘1+1>2’的体验跃升。这正是新一代HiFi该有的样子。” 飞傲M21系列：开放智能+小巧便携，颠覆HiFi体验流媒体的爆发式增长，让用户对设备的系统开放性、联网能力、个性化服务需求激增，传统HiFi播放器“操作繁琐、体积庞大、场景局限”的短板愈发明显。而在移远SC200V的强劲赋能下，飞傲M21系列实现了针对性突破，让便携HiFi的体验迎来颠覆性升级。在移远SC200V的加持下，M21系列搭载开放式Android 13系统，不仅将全力支持FIIO未来的Android版本升级计划，还能很好地兼容全球主流音乐APP及后续版本迭代。针对“歌曲信息混乱”这一痛点，M21系列配备AI歌曲ID3信息自动匹配补全功能。依托移远SC200V模组稳定的联网功能，用户启用飞傲音乐（FiiO Music）服务后，设备可实时联网检索当前歌曲的歌手、专辑、封面等，并自动嵌入到用户歌曲信息中，既保留了用户音频的原始品质，又省去了手动整理的繁琐，让音乐收藏管理更轻松。而AI音效联动功能则精准击中音乐发烧友的“个性化调校”需求。当开启音效联动功能后，M21系列能自动记录用户的多段EQ调节习惯，形成专属音效参数库。当搭配复古套件时，系统可智能调用适配参数，让每一次聆听都更贴合个人偏好。为保证音频信号在传输过程中的品质，SC200V与飞傲自研DAPS数字引擎、双飞秒始终以及FPGA数字副核心深度协同，确保第三方APP高清音频“无损直出”，让用户原汁原味地捕捉无损音质的细腻表现。更重要的是，在实现丰富智能功能的同时，M21系列保持了小巧轻便的机身设计，让用户既能享受智能化带来的体验升级，又能轻松携带设备穿梭于日常场景。 SC200V：藏在M21里的“技术引擎” 飞傲M21系列的突破，离不开移远SC200V的底层技术支撑。该模组从性能、功耗、认证等多个维度，为其创新突破注入了关键动能。强大性能：支撑智能体验落地移远SC200V模组基于高通SM6225平台打造，搭载八核Kryo™处理器，主频高达2.4GHz，并配备1 TOPS的NPU算力，将飞傲自研音频、音效相关算法运算效率提升了2倍，为飞傲M21系列的智能化体验与精细音效调节提供了核心AI算力支持。同时，得益于SC200V强大的处理能力，飞傲M21系列支持10段高精度参量均衡器“10-band PEQ”，用户可对歌曲细节表现进行精确调节，如自定义频点、自定义带宽、自定义增益等。低功耗设计：破解体积与续航难题此前，受限于传统处理器的能效表现，便携智能HiFi播放器为保证续航不得不采用大容量电池，导致设备体积庞大，被用户戏称为“砖头”，严重制约了移动场景下的使用体验。而SC200V搭载的高通SM6225平台，采用6nm制程工艺，在具备强大处理能力的同时显功耗显著下降，这使得M21系列在兼顾性能的同时又有着小巧轻便的身躯，彻底解决了用户出门携带的痛点。全链路护航：抢占全球市场先机对于布局全球市场的飞傲而言，移远通信不仅为其带来了高性能模组产品，更在合规认证、本地化适配等方面提供了“一站式解决方案”，成为其出海征程的重要推手。在海外市场准入环节，不同国家和地区的射频合规标准（如FCC、CE、MIC等）复杂多变。而移远SC200V在设计阶段便已集成全球主流市场的合规认证，使得M21系列无需额外投入大量精力攻克认证难题，大幅缩短了产品上市周期。同时，移远通信良好的技术支持，为飞傲节省了大量研发资源。在移远团队的配合下，主控平台导入周期缩短至1年，让M21系列得以快速响应流媒体升级浪潮，率先抢占市场先机。深化合作：解锁智能音频更多可能 M21系列凭借“智能体验+极致音质+便携设计”的综合优势，上市后迅速引爆全球市场，成为HiFi行业的现象级产品。除了M21系列，移远与飞傲将持续深化合作，打造下一代台式流媒体播放器，深度融合飞傲房间音频相关算法，通过联网数据交换和远程云计算，分析用户房间声学参数，提供个性化房间声学校准服务，实现智能音频产品对出行、居家场景的全覆盖，推动HiFi行业向更智能、更场景化的方向演进。随着物联网技术与音频技术的深度融合，未来，移远通信将持续以技术创新为锚点，携手飞傲等更多伙伴，在智能化升级与高品质体验的双重维度上，推动HiFi设备打开更广阔的应用场景，为用户带来更出色的听觉体验。

移远通信

移远通信 . 2025-07-31 1095
方案 | TCL Q65H Soundbar搭载炬芯科技无线家庭影院方案

在家庭影音需求升级、无线音频技术加速发展的背景下，炬芯科技携手国际知名品牌TCL，推出新一代TCL Q65H Soundbar。该产品搭载炬芯科技ATS2835P + ATS2833P无线音频方案，方案中ATS2835P单芯片集成蓝牙与 2.4GHz 私有协议连接路径，轻松实现Soundbar与手机/电视与低音炮的无线互联，兼顾高音质与低延迟，带来更简洁、更沉浸的家庭影院体验。一芯双模高集成，连接更自由炬芯科技ATS2835P + ATS2833P 无线音频方案可同时支持蓝牙连接手机与 2.4GHz 私有协议连接低音炮，Soundbar上仅需要ATS2835P一颗芯片，精简硬件设计。得益于此，在家庭观影场景中，用户只需通过蓝牙将手机与TCL Q65H Soundbar连接，即可无线播放影视原声或音乐。同时，Soundbar 通过 2.4GHz 私有协议与无线低音炮保持高稳定性连接，无需繁琐布线，客厅瞬间变身沉浸式影院。高品质音效，打造听觉盛宴 TCL Q65H Soundbar 由 5 个主声道+1 个重低音声道组成，构建真正的5.1物理环绕声系统。基于炬芯科技 ATS2835P + ATS2833P 无线音频方案，采用先进的LC3/LC3+音频编解码技术，配合高性能DAC，确保音频信号在传输和解码过程中保持高保真度。芯片的音频性能指标优异，带来纯净、细腻的声音表现，输出的声音细节清晰丰富，为高品质视听体验提供保障。低延迟，音画同步更震撼在无线音频传输领域，延迟控制一直是衡量产品性能的关键指标。炬芯科技 ATS2835P + ATS2833P 无线音频方案通过高度集成的系统架构，将蓝牙音频接收、2.4GHz 私有协议传输、音频解码与音频输出等关键模块集成于单颗芯片中，显著缩短信号处理路径，实现低至24ms的低音频传输延迟。尤其是在家庭影院中，低音炮常常承担爆炸声、鼓点等大动态低频内容，对延迟和同步性要求极高。炬芯自研的 2.4GHz 私有协议确保低音炮与主机之间连接稳定，低频输出与画面及其他声道精准对齐，避免音画不同步引发的割裂感，真实还原震撼低频冲击力。丰富解码兼容，畅享智能互联 TCL Q65H Soundbar支持杜比全景声（Dolby Atmos）与DTS:X临境音等主流高阶音频解码技术，更具空间感与层次感的立体声场体验。同时，ATS2835P+ATS2833P无线音频方案集成蓝牙™ Core 5.3，支持手机等移动设备独立连接，传输更稳定，音质更纯净，全面提升日常听音体验。此外，TCL Q65H配备HDMI eARC 接口，支持杜比全景声高解析度音频传输，变刷新率和自动低延迟提升音频细节，精彩瞬间不再错过。 *图片来源：TCL官网炬芯科技双芯片解决方案对于更多声道需求的家庭影院系统，炬芯科技提供双芯片解决方案。系统通过经典蓝牙或 LE Audio 连接 Soundbar 与手机、电视等音源设备；而 Soundbar 与后置环绕音箱及低音炮之间，则采用无线收发模组（Tx/Rx Module）进行配对连接。基于炬芯自研的 2.4GHz 私有协议，实现Soundbar与两个后置环绕音箱、低音炮之间的无线连接，该方案最多可同时传输 5 个无线音频声道，支持更复杂的声场布局，为用户打造更完整的家庭影院沉浸体验。炬芯科技家用音频事业部总经理齐亚军表示：炬芯科技将推出支持 7.1.4 声道的新一代无线家庭影院传输方案，融合端侧 AI 技术实现声场智能适配，持续拓展解决方案的声道深度与性能边界，不断推动无线家庭影院技术迈向新高度。炬芯科技将在全场景AI音频布局下，持续深耕无线家庭影院音频领域，依托多年的音频技术沉淀，不断突破性能边界。通过为客户提供更具前瞻性的无线家庭影院解决方案，助力其打造更具市场竞争力的音频产品。同时，将全场景 AI 深度转化为跨场景的智能体验升级——从家庭影院的声场自适应调校，到日常听音的个性化音效匹配、语音增强，让技术突破贯穿全场景，为全球消费者带来更卓越、便捷、沉浸的全场景家庭影音体验。

炬芯科技

炬芯科技 . 2025-07-31 1130
方案 | 光谱新视界：从蓝光到红外光的激光器解决方案

无论是在工业制造、医疗技术还是汽车领域，激光器都能实现精密距离测量、高精度材料加工，并为医疗应用开辟全新可能。近日，艾迈斯欧司朗在慕尼黑光博会展示了其最新激光创新成果。机器人技术与自动化的光学传感方案在机器人技术和自动化领域，激光器是实现高精度距离测量与物体检测的核心要素。采用VCSEL（垂直腔体表面发射激光）的产品组合，如BIDOS® P3435 Q BELAGO 1.2点阵发射器和 BIDOS® P2433 Q V105Q121A 850泛光照明器，被广泛应用于3D传感。该点阵发射器采用940nm波长，生成精确的点阵图案并由近红外（NIR）图像传感器捕捉，进而构建3D地图——这正是主动立体视觉（ASV）与结构光（SL）等技术的核心要素。这些3D地图为机器人提供高分辨率的环境空间感知能力。而850nm泛光照明器则能实现均匀辅助照明，在飞行时间（ToF）应用中提供精准距离测量——这正是自动导引车（AGV）的关键需求。除激光光源外，艾迈斯欧司朗还提供系列兼容传感器，包括用于ASV与SL相机系统的图像传感器，以及将单个VCSEL与多个光电二极管集成于单一封装内的直接飞行时间（dToF）传感器模块。除智能传感器外，艾迈斯欧司朗还提供多元化的发射器与光电探测器产品组合，为开发者的系统设计赋予更高灵活性。激光二极管的多元应用：蓝绿、绿、蓝光实战解析波长488nm的蓝绿色激光二极管在医疗诊断中至关重要，因其能高效激发荧光染料。此项技术可实现对生物样本（如DNA测序）的精准分析。 PLT5 488HB_EP蓝绿色激光二极管提供300mW输出功率，亮度可达前代产品的五倍，显著提升效率并拓宽应用场景。凭借±2nm的精密波长稳定性，该器件增强了荧光显微镜下的细微结构可视效果，简化细胞结构研究。此外，它还拓展了舞台及体育场馆照明的可用色域。绿激光二极管在需要高视觉感知精度与精准光线引导的应用中表现尤为出色。其波长位于人类视觉系统最敏感区间，使其成为日光环境或强光条件下测量任务的理想选择。在建筑测绘领域，它们能够实现精准激光找平与精密测量。在物流条码扫描等距离测量与目标捕捉场景中，绿激光同样能提供快速精确的结果。在娱乐与投影行业，它们可打造绚丽夺目的灯光特效——尤其适用于俱乐部、舞台及音乐会场景。 PLT5 520HB_P绿色激光二极管凭借520nm波长、紧凑外形及130mW光输出功率（较前代提升18%），在这些高性能应用中展现出卓越效率优势。蓝激光具备多功能特性，适用于多种应用场景。利用其色彩转换特性，蓝激光二极管不仅能产生高功率白光，还能衍生出红、绿、橙等丰富色系，显著拓宽了该技术的应用范围。 PLPT9 450LC_E蓝色激光二极管工作波长为455nm，采用紧凑型封装设计，同时具备5.5瓦的高光功率输出。其高功率密度特性使其成为显微成像、大型投影及激光雕刻等材料处理应用的理想选择。在计量技术与舞台照明中，蓝色激光器更以卓越光学性能呈现高强度光束而广受青睐。除激光技术外，艾迈斯欧司朗同步推出新一代红外LED产品——OSLON® Black系列SFH 4715B与SFH 4716B。这些器件在1mm²芯片上搭载稳定高效的IR:6技术，典型辐射功率输出达1050mW，亮度较前代产品提升26%。此项性能升级显著增强光学系统效能，使OSLON® Black系列成为工业与消费环境中各类工业自动化及安全应用的理想解决方案。激光技术详解：采用VCSEL与EEL的红外及彩色激光器在本届尼慕黑光博会上，艾迈斯欧司朗凭借全面的激光技术布局，展示了其产品的高性能与高灵活性。艾迈斯欧司朗激光器覆盖波长范围极广，从可见光谱（400-700nm）延伸至人眼不可见光谱（700nm以上）。这种多样性有力支持了各类高性能解决方案的设计开发。艾迈斯欧司朗激光产品组合基于两大核心技术：VCSEL与EEL（边缘发射激光器）。VCSEL垂直于半导体表面发射光线，特别适用于移动设备、工业系统及汽车领域的3D传感。EEL沿半导体边缘发射光束，可完美适配需要高强度或持续运行的应用场景——例如材料加工、照明系统及激光雷达系统。从工业机器人到医疗设备，艾迈斯欧司朗激光技术为复杂应用挑战提供精确高效的解决方案。激光技术的持续研发与创新迭代巩固了其在这一关键技术领域的领导地位。艾迈斯欧司朗在全球激光二极管领域持有超过2000项有效专利资产*，保持着业内独一无二的领先优势*。

ams OSRAM

艾迈斯欧司朗 . 2025-07-31 1095
产品 | 多功能DC-DC数字电源控制器重磅首发

工业和汽车等应用正在加速向48 V供电系统过渡，这一趋势的背后是48 V架构在效率、功率密度和系统性能上的显著优势。相较于传统的12 V供电系统，48 V架构能够在相同功率下大幅降低电流，从而减少布线中的能量损耗，并允许使用更细、更轻的导线，降低系统成本和重量。除此之外，48 V架构能够为高功率需求的设备提供更强的电力支持，满足现代工业设备对高性能和复杂功能的需求。近日，慧能泰推出了首款多功能DC-DC数字电源控制器——HP1000。它专为高密度、高效DC-DC电源转换而设计，配备符合PMBus™ 1.2版标准的接口。该器件提供先进的电源控制解决方案，主要面向典型为48 V输入的隔离式和非隔离式DC-DC次级侧应用，涵盖闭环隔离拓扑（如全桥变换器、半桥变换器、有源钳位正激变换器、推挽变换器等）、开环隔离拓扑（如开环LLC变换器，中间母线电源IBC）、多相交错降压变换器、混合开关电容变换器（Hybrid Switched-capacitor Converters)等场景。在AI服务器与机器人技术爆发式发展的驱动下，48 V电源架构正成为高功率密度场景的必然选择。通过四倍电压提升，电流锐减至原有水平的四分之一，传输损耗大幅减低，从根本上突破传输损耗与散热瓶颈，实现能效的跨越式升级。借助HP1000数字电源控制器，新型拓扑技术（如混合开关电容架构）深度融合电容储能与高频开关特性，在超高降压比场景下达成效率与功率密度的双重突破。而采用HP1000控制基于氮化镓（GaN）的多相交错变换器为实现更小体积、更高效率提供了可能。 HP1000具备广泛编程能力，包括集成高性能数字补偿器，支持快速输入电压前馈，支持多种PWM输出类型及时序配置，恒流模式，以及软启动/停止序列与同步功能。此外，其还提供灵活的保护特性，包括过压保护（OVP）、短路保护（SCP）、反向电流保护（RCP）和过温保护（OTP），致力于打造可靠的电源管理方案。 HP1000采用直观的用户可编程界面，无需工程师具备软件知识，硬件工程师就能直接监控电源的各个状态，同时可以灵活修改各项电源配置（包括环路），以快速定位问题与进行性能优化。采用图形化的界面配置，可以大大提升产品推出速度。 HP1000可广泛应用于隔离或非隔离DCDC砖模块电源，中间母线电源转换器，通讯电源，工业智能电源系统等场景。HP1000提供4mm x 4mm QFN-24L封装。图1：HP1000 QFN-24L封装及引脚定义图 HP1000芯片特性✦ • 多功能电压模式数字控制器 • −40°C到+125°C运行温度范围 • 符合PMBus Revision 1.2通讯接口，支持PEC和自定义扩展指令 • 最大6路可编程PWM输出，312.5 ps等效分辨率 – 可编程开关频率范围50 kHz到1 MHz – 针对开环LLC应用支持可编程多段占空比和开关频率的软启动 – 频率同步 – PWM1/2支持HiZ模式 • 高速电压采样ADC – 独立的50 MHz跟踪型ADC分别用于输入电压和输出电压采样 – 采样范围0到1.6 V – 支持副边整流后电压作为输入电压采样 • 高速电流采样ADC – 独立的25 MHz Σ-Δ ADC分别用于原边电流和输出电流采样 – 支持原边逐周期峰值电流快速保护 – 支持副边逐周期峰值电流快速保护 – 支持副边同步整流管等效二极管模式 • 高性能环路控制 – 高性能数字环路补偿器 – 支持双采样双更新 – 高速输入电压前馈控制 – 预偏置启动 – 副边同步整流管DCM模式控制 • 其他功能 – 独立的25 MHz Σ-Δ ADC用于通用模拟信号采样，如温度、PMBus地址检测等 – 数字被动均流 – IMON输出电流指示 – 外部NTC电阻温度检测 – ROV冗余输出电压过压保护 – 丰富、灵活、可独立编程的故障检测和保护机制 – 支持4个可编程通用IO – 可兼容DOSA模拟Trim功能 • 通过直观的图形用户界面（GUI）进行编程图2：HP1000典型应用框图 HP1000集成了可灵活配置零极点的高性能Type-III数字补偿器，对差分输出电压VS±信号通过高速跟踪型ADC的进行采样、滤波后进入环路运算，可有效降低系统扰动对高速环路控制的影响。同时，HP1000支持双采样双更新模式，有效降低控制延迟、提高系统带宽和相位裕度。图3是输入电压48 V，输出电压12 V，负载20 A时，使能双采样双更新模式，穿越频率16.3 kHz, 相位裕度67.8°，增益裕度10.6 dB。图3：闭环传递函数bode图，双采样双更新使能图4是相同条件下关闭双采样双更新模式，穿越频率10.7 kHz, 相位裕度59.5°，增益裕度10.75 dB。图4：闭环传递函数bode图，双采样双更新关闭 HP1000通过高速跟踪型ADC，支持对输入电压进行直接采样（GPA模式）或副边整流电压采样（VRS模式）。在变压器隔离的硬开关桥式拓扑应用中，通过VRS模式副边整流电压的平台电压进行采样，可实时参与输入电压前馈计算，从而使输出的PWM脉宽实时跟随输入电压变化。图5：通过VFF的VRS采样模式对输入电压进行实施检测与输入电压前馈计算图6：输出电流20 A, 输入电压从36 V 到75 V跳变 (< 10 μs)，斜率6 V/μs C1: VIN; C2: PWM2; C3: Primary Current; C4: VOUT (AC) HP1000具备完善的数字电源监控功能（PSU Monitor），主机可通过PMBus接口实时精准获取电源的输入电压、输出电压、输出电流、输出功率、模块温度和故障保护状态等重要信息，这使得系统管理者可以实时了解电源状态和安全运行。图7：HP1000系统实时监控界面图8和图9为输出电流和输出电压监控测试数据：图8：输出电流监测图9：输出电压监测慧能泰同步推出了HP1000 240 W的全桥变换器评估板。该评估板基本参数如下：输入电压：36到75 VDC 输出电压：12 VDC 输出功率：240 W 开关频率：200 kHz 图10：采用HP1000的240 W全桥变换器评估板以下是评估板部分性能测试结果：图11：负载调整率图12：输入电压调整率图13：负载跳变，输入电压48 V, 输出电流0到10 A，负载斜率2.5 A/μs C1: VOUT (AC); C4: IOUT 图14：负载跳变，输入电压48 V, 输出电流10 A到20 A，负载斜率2.5 A/μs C1: VOUT (AC); C4: IOUT 图15：负载跳变，输入电压48 V, 输出电流0到20 A，负载斜率2.5 A/μs C1: VOUT (AC); C4: IOUT 图16：输出电压过电压保护与重启 C1: VOUT; C4: IOUT 图17：输出电流恒定电流以及过流欠压保护与重启 C1: VOUT; C4: IOUT 图18：输出短路保护与重启，输入电压48 V，输出端口短路 C1: VOUT; C4: IOUT 从“够用”到“卓越”，HP1000让电源设计更简单、更高效、更智能！

慧能泰

慧能泰半导体 . 2025-07-31 1 2035
企业 | Arm：已在开发自有芯片

7月31日，英国芯片IP设计公司Arm Holdings正式宣布将投资开发自有芯片，标志着其商业模式从传统的IP授权向垂直整合的重大转变。这一决策由CEO雷内·哈斯（Rene Haas）在财报会议中披露，引发行业广泛关注。长期以来，Arm通过授权芯片设计架构（如Cortex系列）和收取专利费盈利，而非自行开发和生产芯片，客户涵盖苹果、高通、英伟达等全球半导体巨头。其技术广泛应用于99%的智能手机和数据中心领域。然而，随着人工智能技术的爆发式增长，Arm开始寻求更直接的商业参与。通过CSS实现，打造Chiplet等实体方案根据路透社报道，Arm计划最早今年夏天推出首款自主研发的芯片，定位为面向数据中心的中央处理器（CPU），并可根据客户需求定制。该芯片将采用Arm v9架构，通过“计算子系统（Compute Sub Systems，CSS）产品的物理体现”形式推出，生产则外包给台积电等代工厂。 Rene Haas明确强调：“我们正在有意识地加大投资力度，不再局限于设计本身，还可能进一步迈向实际制造，例如打造芯粒(Chiplets)或甚至潜在解决方案。” Chiplet指的是大型芯片的模块化缩小版本，每个chiplet执行特定功能，设计人员可以将多个chiplet拼接组合成完整的处理器。媒体报道，为了组建能够生产chiplet和成品芯片的团队，Arm已开始从其客户中挖角，并与客户竞争订单。据透露，Arm计划涉足“物理芯片、主板乃至系统”的开发，并已启动大规模人才招募，包括从现有客户公司引入专家。此举被视为软银集团创始人孙正义推动的“Stargate计划”的一部分，旨在通过整合Arm技术构建AI基础设施网络，与OpenAI、甲骨文等合作投资约400亿英镑。市场反应与财务影响自2023年上市以来，Arm股价已飙升约150%。目前其股价相当于预期收益的80多倍，远高于英伟达、AMD和其他专注于人工智能的芯片制造商的市盈率。然而Arm本次的转型计划直接影响了其资本市场表现，7月30日，Arm美股盘后大幅下跌 8.5%。以下是Arm第一财季财报要点—— 主要财务数据：营收：Arm第一财季营收为10.5亿美元，略低于分析师预估的10.6亿美元，高于去年同期的9.39亿美元。营收增长主要受到基于Arm架构芯片在数据中心使用量增加的带动，相关的版税收入增长了25%。净利润：Arm第一财季净利润1.3亿美元，低于去年同期的2.23亿美元。调整后EPS：Arm第一财季调整后每股收益为0.35美元，与预期一致。业绩指引：营收：Arm预计第二财季季度的营收将在10.1亿美元至11.1亿美元之间，符合分析师预期的10.6亿美元。调整后EPS：Arm预测第二财季的调整后每股收益将在0.29美元至0.37美元之间，中值略低于分析师平均预估0.36美元。在财报中，Arm预计第二财季的利润略低于分析师预期。分析认为，这可能是因全球贸易紧张局势可能冲击其主要市场——智能手机领域的需求。根据国际数据公司（IDC）的数据，2025年4月至6月期间，全球智能手机出货量仅增长1%。 2025年第二季度全球智能手机出货量前五大公司、市场份额及同比增速（图自：IDC） Arm的芯片技术几乎支持了全球所有智能手机，其保守的业绩预测也反映出美国总统特朗普的关税政策带来的不确定性正在影响全球制造商及其供应商。尽管如此，Arm的IP业务仍保持高毛利率，显示其核心技术仍具强劲吸引力。分析师预计，Arm将继续在智能手机处理器市场保持主导地位。与客户竞争格局发生变化 Arm的垂直整合战略可能重塑半导体行业生态，尤其是将导致Arm与部分客户在芯片订单上形成直接竞争关系。例如其传统客户苹果、英伟达等，这可能削弱Arm“中立技术供应商”地位。 Arm自研芯片将直接应用于AI数据中心，与英伟达Grace CPU、亚马逊Graviton服务器处理器等展开竞争。据悉Meta已与Arm达成合作，成为其自研芯片的首批客户之一，而高通与Meta的类似谈判仍在继续。但与此同时，Arm也将实现手机等移动设备市场之外的技术生态扩张，其可定制化设计或吸引更多云服务提供商采用Arm架构。

arm

芯查查资讯 . 2025-07-31 1 4 1690
企业 | 英诺赛科与联合电子成立氮化镓 (GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发

联合实验室致力于基于GaN的系统设计，构建新能源汽车电力电子系统的未来英诺赛科利用联合汽车电子的专业系统知识，改进GaN技术全球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科（香港联交所代码：02577.HK）与联合汽车电子（以下简称：联合电子）宣布成立联合实验室，利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。得益于GaN技术相较于传统硅基功率器件的优势，GaN功率器件在电动汽车、可再生能源系统、人工智能及数据中心电源领域应用广泛。与传统硅相比，采用GaN的转换器和逆变器功率损耗可降低高达10倍，显著提升了效率、功率密度并降低系统成本，实现体积更小、重量更轻的优势，并减少二氧化碳排放。联合电子副总经理郭晓潞博士表示： “我们很高兴与英诺赛科合作，英诺赛科自2015年以来一直致力于GaN技术的量产，此次合作将加强双方包括高层管理人员在内的合作。我们已开发出基于GaN的高功率密度车载充电机。我们期待通过该实验室继续加强合作，推动氮化镓OBC应用创新。” 英诺赛科首席执行官吴金刚博士表示： “我们很高兴与联合汽车电子建立联合实验室，联合汽车电子是汽车电子领域的全球领导者，也是宽禁带功率器件应用领域的技术领导者。英诺赛科已开发出业界性能最高、可靠性最高的GaN工艺，电压范围涵盖15V至1200V，并拥有全球最大的8英寸产能。我们期待与联合汽车电子携手，充分利用我们在GaN领域的优势，为基于GaN的电动汽车技术创新贡献力量。” GaN由于其材料特性，可在功率转换中实现系统性能的新标准，显著降低损耗，从而提高效率、减小体积、减轻重量，从而降低系统BOM成本。GaN功率器件的应用范围已远远超出消费电子产品，在数据中心、工业和光伏设备中已实现量产，并被应用于电动汽车电力电子系统。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-30 1 9044