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产品 | 一键概览罗姆MOSFET，了解产品优势与技术亮点

高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆的车载MOSFET是符合车载可靠性标准AEC-Q101的高可靠性产品，并且封装阵容丰富，可灵活满足各种车载系统的需求。车载MOSFET 该系列提供可用于各种应用的可高速开关的低导通电阻产品。而且封装产品阵容丰富，可以适应小型化、大电流化的趋势，灵活满足客户的要求。还将通过开发新工艺结构，进一步降低导通电阻、提高开关速度。产品特点车载Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐压分别为40V、60V和100V，均通过采用split gate实现了低导通电阻，有助于车载应用的高效运行。所有型号的产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，并确保高可靠性。封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252（DPAK）封装（6.6mm×10.0mm）。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构，安装可靠性都非常高。产品阵容 RF9G120BKFRA RF9L120BKFRA RQ3G270BKFRA RQ3L270BKFRA RQ3L270BLFRA RQ3L120BKFRA RQ3P270BKFRA RD3G08CBKHRB RD3L04BBKHRB RD3P06BBKHRB 190-800V功率MOSFET 罗姆额定电压为600-800V的功率MOSFET产品，采用先进的超级结技术，兼具高速开关与低导通电阻的卓越性能，能降低应用过程中的能耗损失。该系列精心打造了低噪声规格和高速开关规格两类产品，可依据客户的具体需求精准推荐。在电源应用领域，如PC、服务器、充电器及照明等设备的PFC电路，低噪声规格和高速开关规格产品都是理想之选。专为电机及逆变器节能化量身定制的PrestoMOS™系列产品，内置运用罗姆专利技术制成的快速二极管。此系列适配空调、冰箱、洗衣机等家电，以及太阳能发电等领域所使用的电机及逆变器电路，同时也适用于图腾柱型PFC电路和LLC电路，能有效提升能源利用效率。对于LED照明和工业用途，罗姆特别推荐使用800V规格的产品，以满足其对高电压和高性能的严苛要求。采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET 1. 与以往TO-252封装（6.60mm × 10.00mm × 2.30mm）的产品相比，该产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，该产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。 2. 五款产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。产品阵容 R6004END4 R6003KND4 R6006KND4 R6002JND4 R6003JND4 查看更多 12-150V MOSFET 该系列涵盖N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。这些产品均具备低导通电阻与高开关速度的卓越特性，能有效提升系统效率与响应速度。从小信号处理所需的 MOSFET，到满足大功率需求的功率MOSFET，该系列构建起了完备的产品矩阵，可广泛适用于各类应用场景。另外罗姆还为各位工程师提供产品选型手册及网页，您可点击查看。 100V耐压双MOSFET 1. 采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。 2. 通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。产品阵容 HP8KE6 HP8KE7 HT8KE5 HT8KE6 HP8ME5 查看更多 Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列 1. 该产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。 2. 通过改进栅极结构，Qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。产品阵容 RS6G120BG RS6G100BG RS6L120BG RS6L090BG RS6N120BH RS6P100BH RS6P060BH RS6R060BH RS6R035BH RH6G040BG RH6L040BG RH6P040BH RH6R025BH 查看更多罗姆的MOSFET系列产品凭借其显著的技术特性、丰富多元的产品阵容以及在车载领域稳定可靠的表现，为电子行业提供了广泛且适配性强的解决方案。

罗姆

罗姆半导体集团 . 2025-03-26 650
应用 | 艾迈斯欧司朗×蔚来：ET9搭载智能多像素LED产品EVIYOS HD 25

全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，艾迈斯欧司朗智能多像素LED产品EVIYOS HD 25成功应用于智能电动行政旗舰蔚来ET9。凭借高分辨率、高光效、超大照射范围、像素独立可控等优势，EVIYOS™技术将助力蔚来旗舰车型引领车灯照明智能化未来，共塑智能大灯安全照明新标准。 EVIYOS™技术首次落地国产新能源汽车作为蔚来十年科技创新的集大成之作，蔚来ET9即将迎来首批交付的重要时刻，正式投放市场。ET9在智能驾驶与智能硬件方面为追求极致驾乘体验的消费者提供了卓越选择。在车灯设计上，ET9的智能高清投影大灯搭载了艾迈斯欧司朗EVIYOS™技术。正如ET9发布会上介绍的，这款智能高清投影大灯HDPL可以实现智慧而精准的照明增强、像素级地面投影等极致照明体验。这得益于艾迈斯欧司朗EVIYOS™一体式像素化µ-LED芯片矩阵包含的25,600个独立可控发光芯片，可实现每个微米级的发光芯片都能得到完全精准控制。 EVIYOS™具备像素级图像投影功能，还可助力车灯在夜间为驾驶员呈现循迹光毯、示宽辅助、道路风险高亮提示和礼让通行指示等主动灯光安全功能。此外，高亮度的LED芯片和超大的照射范围，可让车灯在基本照明体验上得到增强，同时，大幅提升其照射在地面上的亮度，提高夜间驾驶的可见性和安全性。这也是EVIYOS™技术首次应用于中国智能电动汽车。 ET9采用的EVIYOS HD 25产品同样也是艾迈斯欧司朗十年研发的工程结晶，是汽车前照灯领域的划时代创新产品。不仅如此，EVIYOS™技术还于2024年荣获了德国最负盛名的科学成就奖——“德国未来奖”。此次合作集双方十年创新之力，彰显了艾迈斯欧司朗与蔚来在汽车智能化领域的前瞻视野与强大实力，将这一领先技术首次落地中国新能源汽车。这也展示了艾迈斯欧司朗致力于与国内新能源车企共同探索车灯智能化发展的承诺。 EVIYOS™技术助力聚焦智能、安全照明 “智慧而精准”是ET9智能高清投影大灯HDPL的亮点之一，其可实现前方500米，覆盖6车道的超远、超广照明增强覆盖，还能实现100米外25厘米的分区照明精准控光。艾迈斯欧司朗的EVIYOS™技术正是实现这一功能背后的核心驱动。EVIYOS HD 25内含了众多微米级发光芯片以及控制驱动，每个发光芯片能够被独立驱动，从而达到25,600像素发光芯片的完全精准控制，有效保障了行车安全。 EVIYOS HD 25还支持车头灯的完全自适应动态控制以及图像投影，可助力照明增强、高速循迹、低速示宽、行人让行。 ET9智能高清投影大灯-辅助通过、EVIYOS HD 25的高分辨率、完全防眩智能远光功能，在远光模式下，通过整车激光雷达摄像头感知前方车辆和行人，在保持最大可见性的前提下避免眩光，使夜间高速行驶更安心。在EVIYOS™高亮度、大照射范围的技术加持下，ET9大灯的最远照射距离从常规大灯的350—400米提升到了500米，让高速行驶更安全。而对于中低速行驶（20~60km/h），远光无法开启，需要近光照的更亮更远的场景，其近光地面亮度提升50%，照射距离从50米提升到70米，让高频城区行驶更安心。 ET9智能高清投影大灯-高速循迹在快速路上，ET9大灯可以依据车速、方向盘转角和前方路况投射出预测自车行驶轨迹的循迹光毯。光毯实时投射本车行驶路径，可以让驾驶者边界直观的在车道中居中，在比较窄路况中辅助通过，还能显著提升本车道的照明亮度，大幅提升了驾驶安全。 ET9智能高清投影大灯-礼让行人 EVIYOS™不仅能够为前方道路提供精确、高效的照明，在交互方面，还能将图形直接投射到路面，为ET9智能高清投影大灯的智能场景化照明交互创造条件。它能与周边环境交互，表达驾驶意图，降低驾驶风险，如在路口提示盲区车辆、前方障碍物高亮提示、无红绿灯路口礼让行人、警示碰撞风险等。 ET9智能高清投影大灯-盲区提示随着车灯技术发展，大灯功能不断拓展，除基础照明外，还向精细化、可调节方向升级，并承载投影、交互、通信等功能。自2023年首代EVIYOS™高像素LED问世以来，艾迈斯欧司朗持续技术深耕，不到一年即完成技术迭代，提升了亮度，优化了杂散光控制，保障了供应链稳定性。此前，已有多家全球知名汽车制造商和一线供应商将EVIYOS HD 25纳入新产品设计和应用。此次与蔚来ET9的合作，进一步实现了25,600像素在中国智能电动汽车高端旗舰车型上的首次应用，未来，EVIYOS™还有望拓展应用于蔚来的多款车型。这也印证了中国新能源汽车行业勇于突破、敢为人先的进取精神。艾迈斯欧司朗期待智能化、多像素LED大灯能在更多车型上应用，持续推动车灯照明技术迈向新高度。

艾迈斯欧司朗

艾迈斯欧司朗 . 2025-03-26 640
突发 | 50余家中企新列入BIS实体清单（附中文名单）

美国商务部工业与安全局（BIS）宣布将来自中国大陆、中国台湾、阿联酋、南非、伊朗等地的80家实体新增至实体清单（Entity List），理由是这些实体从事的活动违背了美国的国家安全和外交政策，具体包括：限制中国获取和发展高性能与超算计算能力以及量子技术；阻碍中国发展高超音速武器项目；防止与南非试飞学院（TFASA）有关的实体利用美国技术培训中国军队；打击伊朗采购无人机（UAV）及相关防务物资的行为；阻止未受到安全保障的核活动及弹道导弹项目的发展。此外，其在联邦公报上刊发两份文件，将50余个中国科技企业和机构纳入所谓的“实体清单”，预期将于3月28日生效。在其中的一份文件中，美国商务部将一系列与中国AI大模型开发、服务器以及超级计算机产业的12家公司列入“实体清单”，包括北京智源人工智能研究院、宁畅信息产业、中科可控旗下的服务器品牌Suma，以及浪潮信息在中国内地以及港台地区的多家子公司。在另一份文件中，还有42家中国公司，19家巴基斯坦公司，以及伊朗、南非、阿联酋的多家公司被纳入“实体清单”。美国商务部长霍华德·鲁特尼克（Howard Lutnick）表示：“在总统特朗普的强有力领导下，商务部正在采取果断行动保护美国利益。我们绝不允许对手利用美国技术来增强其军事力量，并威胁到美国人民的生命安全。我们将动用商务部的一切手段，确保最先进的技术不会落入那些意图伤害美国的人手中。同时，我们将继续推动美国的创新，以确保美国在经济上的无可匹敌的实力。” 美国工业与安全事务副部长杰弗里·I·凯斯勒（Jeffrey I. Kessler）补充道：“美国的技术绝不能被用于对付美国人民。BIS正在发出一个清晰而响亮的信息：特朗普政府将不遗余力地保护我们的国家安全，防止美国的技术和商品被滥用于高性能计算、高超音速导弹、军事航空培训以及威胁国家安全的无人机项目。实体清单是我们众多强有力工具之一，用以识别并切断那些企图利用美国技术从事恶意行为的外国对手。” 此次实体清单的更新包括以下重点： 12家中国实体：因参与开发先进人工智能（AI）、超级计算机和高性能AI芯片，服务于与军民融合用户而被列入清单；（即后附第一批涉中企业） 13家实体：因参与未受到安全保障的核活动而被列入清单； 7家实体：因参与弹道导弹项目而被列入清单； 27家实体：因获取或试图获取美国原产物品以支持中国军事现代化而被列入清单。这些实体与高超音速武器开发及高超音速飞行器设计和建模等活动存在明确关联； 7家位于中国的实体因获取或试图获取美国原产物品以支持中国在量子技术领域的能力提升而被列入清单。 2家中国实体因向已在实体清单上的企业（包括华为及其关联企业海思半导体）销售产品而被列入清单； 2家位于伊朗和中国的实体因试图为伊朗的国防工业和无人机项目采购美国原产物品而被列入清单； 10家实体（位于中国、南非和阿联酋）因与南非试飞学院（TFASA）有联系，并利用西方和北约资源培训中国军队而被列入清单。TFASA已于2023年6月12日被加入实体清单名单1涉及的12家中国企业：具体清单如下： Beijing Academy of Artificial Intelligence - 北京智源人工智能研究院。 Beijing Innovation Wisdom Technology Co., Ltd. - 北京创新智慧科技有限公司。 Henan Dingxin Information Industry Co., Ltd. - 河南鼎信信息技术有限公司。 Inspur (Beijing) Electronic Information Industry Co., Ltd. - 浪潮（北京）电子信息产业有限公司。 Inspur Electronic Information Industry Co., Ltd. - 浪潮电子信息产业股份有限公司。 Inspur Electronic Information (Hong Kong) Co., Ltd. - 浪潮电子信息（香港）有限公司。 Inspur (HK) Electronics Co., Ltd. - 浪潮（香港）电子有限公司。 Inspur Software Co., Ltd. - 浪潮软件股份有限公司。 Nettrix Information Industry Co., Ltd. - 宁畅信息产业（北京）有限公司。 Suma Technology Co., Ltd. - 中科可控信息产业有限公司。 Suma-USI Electronics Co., Ltd. - 中科可控USI电子有限公司。 Inspur Taiwan - 浪潮台湾。名单2涉及的中国企业： Aeronautics Computing Technique Research Institute - 航空计算技术研究所。 Aerospace Star Technology Application Co., Ltd. - 航天星科技应用有限公司。 Air Force Engineering University - 空军工程大学。 Anhui Kehua Sci-Tech Trading Co., Ltd. - 安徽科华科技贸易有限公司。 Associated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd. - 重庆联合光电子有限公司。 Beijing Foundfresh Technology Co., Ltd. - 北京丰鲜科技有限公司。 Beijing Graphene Institute Co., Ltd - 北京石墨烯研究院有限公司。 Beijing Guoke Tianxun Technology Co., Ltd. - 北京国科天讯科技有限公司。 Chengdu Aircraft Design and Research Institute - 成都飞机设计研究所。 China Academy of Launch Vehicle Technology Beijing Institute of Precision Mechatronics Control Equipment - 中国运载火箭技术研究院北京精密机电控制设备研究所。 China Aeronautical Radio Electronics Research Institute - 中国航空无线电电子研究所。 Chinese Academy of Sciences Technology and Engineering Center for Space Utilization - 中国科学院空间应用工程与技术中心。 Chongqing Southwest Integrated Circuit Design Co., Ltd. - 重庆西南集成电路设计有限责任公司。 Gyro Technology Co., Ltd. - 陀螺技术有限公司。 Harbin Aerospace Star Data System Technology Co., Ltd. - 哈尔滨航天星数据系统技术有限公司。 Jiangxi Hongdu Aviation Industry Group Co., Ltd. - 江西洪都航空工业集团有限责任公司。 Nanjing Chunhui Technology Industry Co., Ltd. - 南京春辉科技实业有限公司。 Nanjing Fiberglass Research and Design Institute - 南京玻璃纤维研究设计院有限公司。 Nanjing Panda Handa Technology Co., Ltd. - 南京熊猫汉达科技有限公司。 National Inspection and Testing Holding Group Nanjing National Materials Testing Co., Ltd. - 国检测试控股集团南京国材检测有限公司。 Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所。 ORICAS Import and Export (Beijing) Corporation - 东方国科（北京）进出口有限公司。 Physike Technology Co., Ltd. - 北京飞斯科科技有限公司。 Scikro (Hong Kong) Instruments Limited - 赛澔（香港）仪器有限公司。 Scikro (Shanghai) Instrument Co., Ltd. -赛澔（上海）仪器有限公司 Shaanxi Aerospace Science and Technology Co. - 陕西航天科技集团有限公司。

禁令

芯查查资讯 . 2025-03-26 1 9 8204
连接器 | AI服务器需求高增，高速连接器成长空间广阔

据TrendForce集邦咨询统计，2024年全球服务器市场产值约为3060亿美元，其中AI服务器增长速率高于通用型服务器，产值约为2050亿美元。随着AI服务器需求的持续增长，加上其平均售价更高，2025年AI服务器产值有望达到2980亿美元，占整个服务器市场的70%以上。 NVIDIA首席执行官黄仁勋也在3月19日的GTC大会上表示，随着AI的技术发展，将逐步从生成式AI迈入代理式AI，甚至是物理AI时代，人们对算力的需求仍然是在快速增长，他预计到2030年末，数据中心的建设支出将达到1万亿美元。他同时透露，2024年美国前4大云服务厂商总计采购了130万颗Hopper架构GPU，2025年仅过去两个多月就已经采购了360万颗Blackwell GPU。可见AI服务器的发展速度之快。图： 2024与2025年AI服务器产值占比（来源：集邦咨询） AI服务器相较于通用服务器，具有更强大的计算能力和更高效的数据传输能力，对于数据吞吐量和传输速率的要求大幅提升。比如高速背板连接器就在向更高速率和密度发展，传输速率从10Gbps发展到了112Gbps。图： CX2实物图（来源： Molex）一般来说，AI服务器会配备GPU加速卡、更大的内存容量、更快的网络接口，以及更多的电源等，系统内部连接数量增多，连接器的需求量也随之上升。特别是高速连接器，随着AI产业的发展，高速连接器的需求量将大幅提升。为此，很多连接器厂商看到了该商机，开始推出高速连接器产品，比如莫仕（Molex）就推出了支持224Gbps PAM-4信号速度的CX2双速连接器，以及其增强版CX2-DS连接器及电缆组件。 CX2和CX2-DS产品亮点根据Molex官网的介绍，CX2和CX2-DS可帮助客户满足AI驱动的对更高速度、更大容量的需求，提供近芯片电缆连接器解决方案，支持下一代数据速率的BiPass电缆系统架构。相比使用PCB走线，可显著提升信号完整性（SI）和系统性能。图： CX2和CX2-DS主要参数。（来源： Molex）具体来说，有以下几点特性：一是支持高达112Gbps（CX2）或224Gbps（CX2-DS）信号传输速度。CX2与CX2-DS产品的隔离式收发器/接收器的引脚布局采用了创新的屏蔽结构，并配备了高性能双轴电缆，这有助于在CX2连接器上实现高达112Gbps的传输速率。CX2-DS连接器是CX2的信号速率和带宽翻倍的增强版本，它可实现高达224Gbps的传输速率。这有助于实现新一代高速数据中心。二是高耐用性和可靠性。CX2与CX2-DS双速连接器具有“防拇指”插配接口，连接器和插座组成的两件式配接套件具备机械擦拭功能，可通过闩锁或螺钉实现固定，确保可靠的匹配，不会在安装过程中损坏引脚，并可防止意外断开。由于CX2与CX2-DS双速连接器采用了螺钉啮合连接，可实现完全插配，同时集成了应力消除功能来保护电缆终端区域。三是最大限度地提高系统性能，并拓宽机盒内的连接范围。CX2与CX2-DS的电缆组件使用31 AWG（CX2）或30 AWG（CX2-DS）双轴电缆来支持BiPass电缆系统架构解决方案，以应对224Gbps速度带来的更加严苛的信号完整性性能要求，减少串扰。四是装配简单。 CX2与CX2-DS采用了完全受保护的防误插接口，简化了装配工作，并有助于确保连接器的可靠配接。结语受益于AI服务器的快速增长，高速连接器有望成为下一个快速成长的单品。它是保障AI服务器算力升级的基础零部件。作为基础并且关键的零部件，高速连接器在AI服务器中会有更大的应用前景。当然，Molex的CX2与CX2-DS双速连接器除了可以用在AI服务器领域，也可用于基于以太网的通信系统、路由器和服务器、机器学习系统等应用领域。

molex

芯查查资讯 . 2025-03-26 4 2 1595
禁令 | 马来西亚加强监管NVIDIA芯片流向

3月24日消息，据英国媒体报道，美国要求阻止AI芯片非法流入中国压力下，马来西亚计划加强监管半导体。马来西亚贸易部长表示，美国方面要求马来西亚密切追踪进入该国的高阶NVIDIA芯片动向，因为当中被怀疑有许多芯片最终流入中国，违反了美国的出口规定。因此，已与马来西亚数位部组建了一个工作小组，以加强对马来西亚蓬勃发展的资料中心产业进行监管，而该产业目前严重依赖NVIDIA的芯片。马来西亚贸易部长表示，美国要求我们确保监控每一批运往马来西亚的 NVIDIA 芯片。而且，他们希望我们确保最终能够到达它们应该到达的资料中心内，而不是突然转移到另一艘船上。先前几周的时间里，新加坡已经指控三名男子涉嫌透过马来西亚向中国出售 NVIDIA 芯片，涉案金额达 3.9 亿美元。美国前总统拜登总统任期最后几天，美国推出出口管制措施，为资料中心人工智能芯片建立三级许可制度，阻止中国公司经第三国取得芯片。NVIDIA新加坡办公室占全球销售额近四分之一，引发华盛顿对部分芯片泄漏到中国的怀疑。因为几乎所有销售都是透过新加坡向国际公司开立发票，只有极少数芯片真正在这个城市中被使用。三周前新加坡警方突袭22个地点，逮捕九人，三人因涉嫌欺诈性销售装有NVIDIA芯片的服务器被起诉。检察官指出，欺诈性销售包括戴尔和超微服务器，这使得新加坡已请求美国和马来西亚协助调查服务器的动向。马来西亚为资料中心成长最快市场之一，大部分集中南部柔佛州，18个月内从NVIDIA、微软和TikTok母公司字节跳动等吸引超过250亿美元投资，并与新加坡设立经济特区。

NVIDIA

芯查查资讯 . 2025-03-26 630
市场 | 下游客户库存去化顺利，预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季因应国际形势变化，各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水位较低的OEM可能于第二季提高对DRAM原厂采购量。从供给角度分析，Samsung（三星）的HBM产品认证进度不如预期，但因制程改造未将产能大量转回Conventional DRAM，而SK hynix着重Server和Mobile DRAM生产，暂时限缩PC DDR5供给。至于DDR4市场，由于消费性需求疲弱和部分供应商持续扩产，价格走势偏弱。整体而言，预估第二季PC DRAM价格将和前一季持平。 Server DRAM部分，北美三大CSP扩大采购通用Server，中国主要CSP也更聚焦落实AI Server，推升Server ODM产能利用率，大幅带动DDR5采购动能，预期2025年第二季出货位元将明显成长。从供给来看，原厂大幅转移DDR4的产能至DDR5，但初期仍有供货瓶颈。而NVIDIA （英伟达）B200、B300系列带动HBM需求逐季攀升，增添原厂产能调度的挑战。TrendForce集邦咨询估计，2025年第二季 DDR5价格止跌，而DDR4跌幅将低于市场预期，整体平均合约价将与第一季持平。 Mobile DRAM价格趋向季增，Graphics DRAM缓跌，Consumer DRAM得益于需求回升在Mobile DRAM部分，近期因中国发放手机补贴，高端智能手机占比略有提升，加上来自PC、Server等领域的需求，带动LPDDR5X位元需求增加。LPDDR4X因部分业者大规模扩产，供应充足，但受整体市场氛围影响，第二季跌幅将收敛至季减0%至5%。LPDDR5X的整体供应位元虽有提升，但仍无法满足需求，且主力供应商积极营造紧缺气氛，预估LPDDR5X价格将季增0%至5%。 TrendForce集邦咨询表示，预期第二季Graphics DRAM主要需求将集中于新一代显示卡GDDR7的备货，由于整体供应不足，预计GDDR7价格将持平上季或缓跌。GDDR6市场则因DeepSeek开源模型推升需求，跌势将收敛至3%至8%。从供给来看，GDDR7生产虽已陆续启动，但供货情况尚不稳定，为避免价格于第二季进一步下滑，三大DRAM原厂普遍采取搭售DDR6的策略，以稳定DDR6合约价并加速清理库存。 2025年预期有4G/5G基站扩建、光纤设备升级等新项目推动，有助Consumer DRAM需求缓步增加，库存水位健康的采购端，拉货意愿提高，可望让Consumer DRAM出货恢复季增。从供给端来看，2024年下半年原厂考量库存压力和终端产品成长力道不足，开始保守规划DDR3/4产出，产出已有明显收敛，而在近期采购的需求回温后，将推动2025年第二季DDR4合约价季增0%至5%；DDR3则因先前库存较多，在买卖双方协调下，预料合约价将大致持平第一季。

DRAM

芯查查资讯 . 2025-03-25 2541
软件 | QSPICE：重塑电路设计与企业互动的未来——速度、精度及透明度的新纪元

技术的飞速发展要求工程师们拥有更强大的工具，以便能更迅速、更智能、更精准地进行设计。作为Qorvo的新一代电路仿真工具， QSPICE正满足了这一需求，同时也改变了企业与客户互动的方式。自推出仅一年以来，QSPICE已经证明自己不仅仅是一个设计工具——它作为一项具有前瞻性的创新，弥合了卓越工程技术与业务增长间的鸿沟。面向未来的电路设计在对速度和精度要求极高的行业中，QSPICE重新定义了电路仿真工具所能实现的目标。其将大规模数字逻辑与SPICE仿真相结合的独特能力，为工程师们带来了革命性的飞跃。“这是首次能够将海量数字逻辑与SPICE仿真相结合。”QSPICE的开发者Mike Engelhardt解释道，“此举意义重大——不仅意味着更快的速度或免费使用，更是从根本上改变游戏规则的全新技术。” QSPICE的强大之处在于其能够以出色的速度和透明度处理复杂的设计。对于工程人员来说，这意味着他们不再需要长时间等待仿真结果，或依赖可疑的第三方模型。“如果你是一位经验丰富的建模师，QSPICE能将速度提升10倍。”Engelhardt补充说，“而即便你缺乏经验，它也能让原本不可能的事情变为可能。” 内置如模型生成器等工具，QSPICE让用户可以直接从数据表中创建强大且透明的半导体模型。“这解决了一个大问题。”Engelhardt认为，“如果你正在考虑使用某个特定的晶体管、二极管或MOSFET，就可以快速制作一个模型，运行仿真并决定是否选择该部件。而且，你会清晰地了解模型的具体内容及其原因。” QSPICE的简洁性和速度正在重塑从汽车到电信等依赖尖端设计的行业。此外，它对学生和教育工作者的开放性确保了未来工程师队伍对QSPICE的熟练掌握，从而巩固了其作为可信赖行业标准的地位。助力业务增长 QSPICE所带来的变革性影响不仅涉及工程人员，也是企业，特别是销售和市场领域的强大工具。Qorvo的高层领导Tim McCune视QSPICE为一种战略资产，有助于加深客户关系并扩大品牌认知度。“在销售半导体产品时，你需要数据表、应用说明和SPICE模型。”McCune谈道，“QSPICE将这些结合在一起，帮助工程师快速、有效地评估我们的部件。” Engelhardt强调了QSPICE如何简化传统的繁琐流程。“这一过程令人头疼不已。”他指出，“但QSPICE使得创建模型变得更少出错且极其高效，将原本令人沮丧的体验转化为无缝衔接的操作。” 对于销售团队而言，其优势显而易见。在会议中，QSPICE让销售人员能够通过实时仿真展示Qorvo部件的实际工作情况。这种亲身实践的方式可与客户产生共鸣，使他们能够切实了解Qorvo部件的性能。McCune指出：“你没有太多时间来给客户留下深刻印象。有了QSPICE，我们可以展示——而不仅仅是描述——我们的解决方案能做什么。” 此外，QSPICE的透明度让客户对自己的设计选择充满信心。Engelhardt特别强调了这一优势：“大多数使用第三方模型的人都不清楚建模师认为什么重要或不重要；而QSPICE对此完全透明；你确切地知道自己正在处理什么，而且它确实有效。” QSPICE论坛中，设置为500kHz、I²C接口的“内部振荡器”原理图重新定义技术领域的销售与市场职能得益于QSPICE这款免费且高质量的仿真工具，Qorvo将自己定位为工程师和决策者值得信赖的合作伙伴。这一策略也反映了其它行业领先工具（如Linear Technology的LTspice）的成功经验，进一步巩固了Qorvo在创新领域的领导地位。“我们不怕客户将我们的产品与竞争对手进行比较。”McCune表示，“很多时候，他们都会选择Qorvo。” QSPICE每周的更新、教程以及共享原理图，使其在工程界保持活跃并得到广泛应用。这种持续的互动不仅建立了品牌忠诚度，还提升了Qorvo更广泛产品组合的知名度。对于市场人员而言，QSPICE能够直接与设计师群体建立联系，这为展示Qorvo的解决方案提供了机会，使目标受众产生深刻的共鸣。速度、准确性和透明度的结合，确保了QSPICE不仅是一款工程师的工具，更是一个驱动战略增长的平台。展望未来：积蓄动力，推动创新随着QSPICE步入第二个年头，其重点转向了积蓄发展势头。“Electra年度设计工具奖”和“金电子奖”等荣誉证明了Qorvo对QSPICE的投资取得了富有成效的回报，但该工具真正的价值在于其能够推动切实的成果。从赢得设计项目到加强客户关系，QSPICE正成为Qorvo增长策略中的关键角色。针对这一工具的潜力，Engelhardt总结道：“QSPICE不仅更出色，还是一种全新的存在；它让不可能成为可能，并以设计人员所需的速度和准确性实现这一点。” 通过赋能工程师、简化业务流程和重新定义客户互动，QSPICE正在塑造科技的未来，并为电路设计领域的未来设定标准。无论你是设计师、市场人员还是销售专业人士，QSPICE 都为你提供了在日新月异的行业中创新、竞争，并取胜的工具。

Qorvo

Qorvo Power . 2025-03-25 485
技术 | 深度解析如何利用时延解决方案最大化相控阵性能

在之前关于真时延单元的文章《精准指向的艺术：真时延技术深度解析》中，我们探讨了真时延技术如何在有源电子扫描阵列（AESA）系统中工作，以及实现时延的一些方法；如单片微波集成电路（MMIC）、微带线和带状线。其中，MMIC因其体积小、成本低而最为常用。在现代通信、雷达和相控阵系统中，时延单元（TDU）是实现精确信号发射和接收的基本组件。这些单元确保多个天线元件之间的信号同步，对于优化波束成形、方向性和距离分辨率等性能指标举足轻重。本文将探讨TDU在相控阵系统中的角色、它们与天线性能的关系，以及不同的设计考量如何影响系统效率。讨论还将深入到TDU与移相器的集成、真时延技术，以及波束宽度、扫描角和阵列尺寸之间的关系。相控阵系统与时延单元相控阵系统广泛应用于雷达、通信系统和卫星跟踪等需要定向信号发射及接收的应用中。典型的相控阵由单元阵列子阵构成，每个阵列子阵包含多个天线元件及相关电子设备，如波束成形集成电路（BFIC）和射频（RF）前端模块。这些阵列子阵通常按2x2方阵等配置排列，以便根据需要扩展整体阵列的尺寸及性能，如图1所示。图1，以2x2阵列子阵方阵构建的相控阵相控阵有效运行的关键在于能够控制每个天线元件接收或发射信号的相对时序。这正是TDU的作用所在；它们通过在信号路径中引入受控时延，以确保阵列中信号的正确时序，从而促进相干波束成形并改善信号的方向性。接下来，让我们探讨一下相控阵系统的主要性能指标。相控阵的品质因数：EIRP和G/T 相控阵系统中两个关键的性能指标是等效全向辐射功率（EIRP）和增益温度比（G/T）；其中，EIRP衡量发射机功率，而G/T评估接收机的灵敏度。EIRP测量天线阵列在特定方向上的有效辐射功率，这对于在传输过程中实现足够的信噪比（SNR）十分关键。另一方面，G/T是衡量阵列灵敏度的指标，在接收过程中尤为重要。以下是计算这些性能指标所用的数学公式。相对于各向同性天线的分贝值（dBi）是一个度量单位，用于描述与同时向所有方向辐射的各向同性辐射器相比，天线在单一方向上的辐射功率大小。这两者间的差异称为天线增益，以dBi形式的数值表示。图2，各向同性天线与定向天线阵列 EIRP和G/T都与阵列的辐射功率和增益直接相关，而这些又取决于放大器性能、天线设计和波束成形技术。天线阵列和波束成形技术提高了系统的方向性；但随着方向性的增加，波束宽度也随之变窄，从而给保持足够的瞬时带宽带来挑战。此时，工程人员必须仔细评估系统级的权衡因素，以优化设计。波束成形与阵列设计的权衡天线阵列通常采用均匀线性阵列（ULA）或均匀矩形阵列（URA）配置进行设计；在这两种设计中天线元件分别沿一个或两个轴等距分布。波束成形技术通过将发射或接收的信号聚焦在一个特定方向（称为到达方向，DOA）来提高阵列的方向性。图3，均匀线性阵列与均匀矩形阵列的比较相控阵系统的主要设计权衡之一在于波束宽度与方向性间的取舍。阵列大小和天线元件数量在此权衡中起关键作用。随着元件数量的增加，波束宽度变得更窄，从而提高方向性和增益。然而，过窄的波束宽度可能限制阵列的能力，无法在不显著降低系统瞬时带宽的情况下捕获来自广泛方向的信号。天线阵列的最小波束宽度必须确保瞬时带宽大于所需信号带宽，以保持信号的完整性和性能。天线阵列的波束宽度受阵列大小和最大扫描角度的影响。随着阵列尺寸的增大，尤其是天线元件数量翻倍时，波束宽度会变窄，从而使信号发射和接收更加聚焦。这种聚焦增强了阵列的方向性——大约可翻倍或增加3dB，如图4所示。这种关系对于实现相控阵系统的最佳性能至关重要，其中波束成形和信号方向性是必不可少的。图4，图示波束宽度 vs 元件数量 vs 相对方向性瞬时带宽与波束宽度天线阵列的瞬时带宽必须大于所需信号带宽，以确保阵列能够容纳整个信号而不会显著衰减。例如，在雷达系统中，脉冲宽度（Td）决定了所需信号带宽（Bs），较短的脉冲宽度可提供更好的测距分辨率，但会降低最大探测范围。因此，较短的脉冲宽度可提高测距分辨率，从而更容易且更准确地区分彼此靠近的目标。阵列的波束宽度与阵列中的元件数量（N）和扫描角度（θs）有关。对于在最大频率为10GHz且信号带宽为1.5GHz条件下工作的ULA，阵列最多可以支持16个振子，并且在最大扫描角度为60度时不会显著影响信号质量。阵列的波束宽度可以进一步根据波长（λ）、阵列大小和扫描角度进行计算。例如，在一个最大频率为10GHz的ULA中，Bs=1.5GHz，最大扫描角（θs，max）=60°，则该天线在不显著降低信号质量的情况下，最多可拥有16个阵列振子。此外，阵列的波束宽度可以通过以下公式定义：利用上述方程，我们可以定义不同阵列尺寸波束宽度和扫描角度之间的关系，如下图所示。图5：不同阵列尺寸和扫描角度下的波束宽度现在我们有了确定所需带宽、阵列大小和最大扫描角度的数据，以满足系统要求。确定ULA系统中的真时延在波束成形系统中，移相器和时延单元都被用来控制信号在阵列振子间的路径。移相器通过改变信号的相位来引导波束指向特定方向；时延单元则在信号中引入真延迟，来获得更精确的控制，尤其是在宽带情况下。天线阵列的最小波束宽度必须拥有大于所需信号带宽的瞬时带宽。随着阵列尺寸的增加和扫描角度的扩大，这一要求变得尤为关键。TDU引入真时延而非相位移动，可以实现更精确的波束控制，特别是对于宽带信号。利用下图6中的图表，我们可以确定ULA系统所需的时间延迟。图6，不同阵列尺寸和扫描角度下的波束宽度一个典型6位移相器的最低有效位（LSB）为5.625°。大约需要τ min = 75ps（皮秒）的LSB时延来替代一个5.625 LSB移相器。根据图6和下面的方程，对于一个具有60°最大扫描角的16振子ULA，总共需要650ps的时间延迟。针对更大的阵列或更宽的扫描角，也可以将多个TDU级联起以实现所需的延迟。波束形成器IC配置中的时延单元类型 AESA天线可以使用移相器或TDU来控制信号波束；每种方式都有不同的权衡。TDU更适合于具有较大瞬时带宽的系统；因为其通过在整个频率范围内保持恒定的相位斜率来防止波束失真（即波束倾斜）。相比之下，移相器保持恒定的相位，但在不同频率下可能导致不同的波束导向角度，因此更适合于较窄带宽的系统。移相器近似时间延迟，在中心频率上实现最佳波束控制，但在较高频率下可能导致欠转向，在较低频率下则出现过转向。虽然移相器成本更低且应用广泛，但它们可能在宽带应用中产生波束倾斜。有些架构同时采用TDU和移相器来缓解这一问题，将两者的优势结合起来，如图7右侧所示。工程人员在决定采用哪种方法时，必须考虑系统要求，如阵列尺寸和带宽。在某些情况下，在阵列振子上使用移相器、在部分振子后方布置TDU的混合解决方案可能就足够了；而更大的阵列或宽带应用则可能需要在每个天线振子上都配备TDU。图7，四通道AESA阵列子阵时延单元拓扑结构时延单元的实现方法多种多样，包括开关延时线、传输线，以及电感（L）和电容（C）元件。设计人员会综合考虑各种权衡因素，选择最佳的拓扑结构以满足设计要求。拓扑结构的选择取决于系统的具体要求，包括所需的延时范围、精度以及阵列的物理尺寸。 TDU采用多级结构（由比特位表示）来控制时间延迟。基于开关的TDU设计具有更低的噪声和损耗，但需要更大的裸片尺寸，有时甚至比人工传输线（ATL）设计大三倍。然而，ATL设计由于其人工结构，往往会造成更多的噪声和损耗。在雷达应用领域，扫描角度起着关键作用；其基于具体应用需求，决定了系统究竟应针对近距离目标检测，还是远距离目标检测进行优化。TDU用于调整脉冲宽度，从而影响检测范围。举例来说，2ps（皮秒）的时延可容纳较短的脉冲宽度，适用于检测较近的物体；而4ps的时延则适用于较长的脉冲，能够检测较远的物体。下表展示了在精细和粗略模式下，每一比特位所代表的皮秒级时延。每个应用都需要特定的时延；例如在精细模式下，TDU提供2ps的最小时延和254ps的最大时延；在粗略模式下，TDU可提供高达508ps的最大时延。表1，比特位与时延的对应关系（精细模式 vs 粗略模式）结论时延单元是现代相控阵系统中的关键组件，提供了精密波束成形和提升系统性能所需的精确控制。无论单独使用还是与移相器结合使用，TDU在雷达、通信系统、卫星跟踪等应用中均发挥着不可或缺的作用，有助于实现所需的波束宽度、方向性和信号带宽。时延单元的设计和实施涉及多个方面的权衡，包括阵列尺寸、扫描角度和带宽。通过精心选择适当的TDU拓扑和配置，系统设计人员可以在满足日益复杂宽带应用需求的同时优化性能。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-03-25 580
方案 | 极致性价比USB-C接口ESD保护方案

什么是USB-C？ USB Type-C（简称USB-C）是通用串行总线（USB）的标准化接口规范。其插头与插座采用对称式设计，支持双向插拔操作，物理尺寸为8.3mm×2.5mm，相较于传统USB Type-A/B接口更为紧凑，便于设备实现轻量化与薄型化设计。该接口兼容USB3.1标准，数据传输速率可达10Gbps；同时支持USB4协议，最高传输速率提升至40Gbps，并与Thunderbolt 3/4技术兼容。此外，USB-C集成USB Power Delivery（PD）协议，最大电力传输能力为240W，已广泛应用于笔记本电脑、平板电脑及小型电器快速充电场景。基于其多功能性与高效性，USB-C已成为现代电子设备接口的优选方案，推动设备互联标准化进程。 ESD保护重要性静电放电（ESD）事件是电子设备损坏的常见原因之一。ESD事件产生的电荷在瞬间释放时，可能会损坏电子设备内部的电路，尤其是对于像USB-C这样高集成度、热插拔的接口来说，更容易受到ESD的影响。USB-C接口由于其高速数据传输能力和支持快充的特性，内部电路相对复杂且敏感。同时，由于其支持热插拔，用户在使用过程中可能会频繁地插拔设备，从而增加了ESD事件发生的可能性。矽力杰USB-C保护方案产品高速差分信号防护 USB-C接口包含两组高速差分信号通道（TX/RX），建议采用8颗超低电容ESD防护芯片（如SYT41A01DXD）。其工作电压为1.0V，峰值脉冲电流3A，封装为DFN0.6x0.3-2。该器件电容范围0.14~0.18pF，可最大限度降低信号衰减，确保高速数据传输稳定性。微型封装设计可优化PCB布局，减少走线弯曲，提升信号完整性。 D+/D-信号防护针对USB2.0标准的D+/D-差分信号，可选用单通道芯片（如SYT02U05DWC）或双通道集成芯片（如SYT13S03SMD）。其工作电压分别为5V与3.3V，浪涌峰值电流分别为4A与7A。 CC/SBU信号防护用于电力传输协议（PD）的CC/SBU信号线需选用ESD二极管（如SYS02H24DWD）。其工作电压为24V，峰值脉冲电流9A，封装为DFN1.0x0.6-2，满足IEC 61000-4-2标准中±30kV（空气/接触）ESD防护要求。 VBUS供电端口防护针对USB-PD快充模式的高压VBUS端口，推荐采用大功率ESD防护芯片（如SYS12V20SLC）。其工作电压20V，浪涌峰值电流25A，封装为DFN1.6x1.0-2，可有效抑制瞬态过压冲击，确保供电系统稳定性。矽力杰USB-C接口ESD保护方案

矽力杰

矽力杰半导体 . 2025-03-25 1 670
市场 | 全球TOP电视ODM工厂月度出货

在去年同期低基数影响下，今年2月的全球电视代工市场延续了1月小幅增长的趋势。根据洛图科技（RUNTO）数据显示，统计范围内，2025年2月，Top10的专业ODM工厂出货总量同比去年同期小幅增长1.9%，但环比1月大幅下降了26.8%。排除春节假期错位的影响，今年1-2月累计来看，Top10的专业ODM工厂出货总量较2024年同期增长1.5%。客观上来说，今年初，全球电视代工市场增长较为乏力。主要原因有三个方面：一、终端市场不景气。中国市场的零售不如预期，导致从2024年底至今积累的库存较高。北美市场也相对羸弱。二、由美国政府发起的关税波动，导致企业难以明确应对。三、面板价格尽管在Q1持续上涨，但市场看空情绪浓厚，整机企业并不急于锁定订单和出货价格。在统计范围内的10家专业工厂中，六家同比上涨，四家下降，整体波动都较大。在六家上涨的工厂中，AMTC（兆驰）、BOE VT（视讯）、KTC（康冠）、HKC（惠科）和Express Luck（彩迅）均是两位数增幅；其余四家工厂的同比降幅也都是两位数。 MOKA（茂佳）2月出货量近100万台，排名第一，领先第二名超过40万台，出货同比增长8.7%。1-2月的累计出货量同比增长9.6%，约228万台，大幅领先第二名约90万台。关于TCL集团自有品牌的表现，根据《2月简报 | 中国电视市场品牌月度出货》数据显示，今年1-2月累计，TCL系品牌在中国电视市场的出货量排名第一，同比上涨接近40%，该增幅亦是行业第一。 AMTC（兆驰）2月出货量接近60万台，排名专业代工厂第二，同比增长20.8%。今年1-2月的累计出货量同比去年同期微增0.8%。 BOE VT（视讯）2月出货量约为55万台，在专业代工厂中排名第三，同比增长19.0%。海外客户Vizio和LGE的出货量同比均增长40%以上，国内主力客户小米出货量同比亦有增长。预计VT今年第一季度出货量同比增幅接近10%，而第二季度将有大幅增长。 TPV（冠捷）2月出货52万台，排在专业代工厂第四，同环比分别下降35.7%和29.0%，跌幅较1月有所扩大。自有品牌Philips（飞利浦）和AOC的合并出货量同环比分别大幅下降约40%和16%。海外客户BestBuy、Vizio、Samsung和SONY的出货量均同比下降超20%。预计今年第一季度以及整个上半年，TPV的出货量较去年同期均将下降超过10%，跌势相较2024年并未缓解。 KTC（康冠）和HKC（惠科）两家工厂的2月出货量分别为45万台和42万台，排名专业代工厂第五和第六，同比增幅分别近30%和20%。今年1-2月累计来看，康冠以超过40%的同比增幅位居行业第一。 Foxconn（富士康）和Express Luck（彩迅）2月出货量分别约为38万台和35万台，分列专业代工厂第七和第八。其中，彩迅同比大幅增长62.8%，当月增幅居行业第一；Foxconn同比则继续下降14.8%。 JPE（金品）和Innolux（群创）分别排在专业代工厂序列的第九和第十。其中，Innolux的出货量仅有10万台，同环比均大幅下降近50%，跌幅靠前。 2025年2月全球专业电视ODM工厂出货排名数据来源：洛图科技（RUNTO），单位：千台注：电视ODM排名不包含长虹、康佳、创维、海信四家自有工厂针对“特朗普宣布对华关税再加10%”的情况，中国也宣布了关税反制措施。近日，特朗普宣布对墨西哥、加拿大两国加征的25%关税措施将暂缓执行，直至4月2日，届时，美国将宣布对所有国家征收对等关税。美国作为全球第一大的电视销售单体国家，整机的进口主要来自墨西哥、中国和越南这三个国家。中国厂商 TCL、海信、MOKA（茂佳）、AMTC（兆驰）和BOE VT（视讯）等均已未雨绸缪，进行了海外工厂布局，当前在产能调控和升级方面还游刃有余。只是在未来，越南、墨西哥的关税变化预期也并不明朗。

TV显示

Runto洛图科技观研 . 2025-03-25 775
企业 | 聚辰股份营收首破10亿

聚辰股份3月24日晚间发布2024年度财务报告，同时公告拟向全体股东每10股派发现金红利3元。数据显示，该公司2024年实现营收10.28亿元，同比增长46.17%。据了解，这是聚辰股份年度营收首次超过10亿元，实现历史同期最好成绩。归母净利润方面，2024年度实现2.9亿元，同比增长189.23%。不过净利润规模尚未恢复至2022年度同期最优水平。关于过去一年的业绩增长，聚辰股份表示，该公司及时把握DDR内存模组换代升级以及汽车级EEPROM芯片供应短缺带来的市场发展机遇，积极顺应下游客户需求并快速做出响应，形成了稳定的产品供货能力和优异的品牌认可度。其中，该公司应用于DDR5内存模组、汽车电子及工业控制等高附加值市场的产品，自2021年第四季度起大批量供货，已成为聚辰股份收入规模扩张和盈利能力提升的重要驱动力。在2024年，聚辰股份已经成为全球市场DDR5 SPD相关产品的主要供应商，该公司与澜起科技通过合作，占据了该领域的先发优势，下游客户实现对行业主要内存模组厂商的覆盖。 EEPROM产品方面，在2024年，聚辰股份应用于工业控制领域的高可靠性EEPROM产品出货量实现高速增长；汽车级EEPROM产品通过积极进行欧洲、美国、韩国、日本等海外重点市场的拓展，成功导入多家全球领先的汽车电子Tier1供应商，产品的销量和收入较上年同期实现高速增长，并加速向汽车核心部件应用领域渗透；受益于终端应用市场需求逐步回暖，新一代EEPROM产品的推出，该公司应用于智能手机摄像头模组、液晶面板等细分市场的EEPROM产品销量在去年实现稳健增长。此外，聚辰股份音圈马达驱动芯片产品已在2024年实现向部分客户小批量供货。据介绍，该公司已与部分头部智能手机厂商合作开发闭环式和光学防抖音圈马达驱动芯片产品，能够满足中高端及旗舰智能手机的市场需求。近三年来，受下游应用市场和宏观经济波动的影响，聚辰股份各主要产品的市场销售情况呈现一定程度上的分化。 2024年度财报显示，分产品来看，聚辰股份的智能卡芯片产品收入进一步收缩，2024年营收规模约为3727万元，销售额减少约30%，同时库存量同比增长89.43%；存储类芯片产品景气度提升，销售额终止在2023年度的下跌态势，并在2024年实现57.74%的增长；音圈马达驱动芯片继续保持高增长，增速达到20.48%。聚辰股份表示，2024年该公司销售订单规模增长，带动音圈马达驱动芯片生产、销售齐增，同时为应对潜在订单需求，在满足当期订单的基础之上进行适度备货，音圈马达驱动芯片库存增加47.76%；而智能卡芯片产品的期末库存量大幅增长，则是由于需求恢复不及预期。 2024年，聚辰股份境外市场恢复增长，增速达到72.41%，境外市场营收规模及增速均超过境内市场。

聚辰股份

科创板日报 . 2025-03-25 720
分析 | 美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长，指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

事件：美光于3月21日公布FY25Q2财报（注：截至2月28日的3个月期间），营收80.5亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。评论： 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引，摊薄EPS超指引预期。按NON-GAAP口径，美光FY25Q2收入为80.5亿美元，符合指引（79±2亿美元），同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，符合指引（38.5%±1.0pcts）；摊薄EPS为1.56美元，超指引预期。 2、NAND业务表现相对疲软，HBM收入环比持续高增长。 1）按产品划分：①DRAM单季收入61.2亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；②NAND单季收入18.6亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP环比下降高十位数百分比； 2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND价格影响；③手机（MBU）收入10.7亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3亿美元，同比-8%/环比-3%。 3、上修2025年HBM市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。 1）数据中心：公司继续上修2025年HBM市场规模至350亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025财年HBM收入达数十亿美元，2026年实现HBM4大规模量产； 2）PC：预计2025年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10终止及AI PC带来换机需求，平均DRAM容量将从12GB增至16GB及以上； 3）手机：预计2025年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM容量将从8GB增至12GB及以上； 4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。 4、指引FY25Q3 DRAM及NAND量价齐升，2025年资本支出聚焦HBM扩产。 1）FY25Q3指引：按NON-GAAP口径，指引收入88±2亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1美金； 2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM及NAND位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI终端产品需求强劲；NAND价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善； 3）需求：公司将CY2025 DRAM位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比； 4）供给：预计CY2025年HBM产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025年末减少10% NAND产能；公司预计FY25Q3 Capex超30亿美元，FY2025为140亿美元，绝大部分用于HBM及厂建、后端制造及研发。风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。附录：美光FY2025Q2业绩说明会纪要时间：2025年3月21日出席：Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官 Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO Satya Kumar–副总裁、IR兼资管会议纪要根据公开信息整理如下：管理层介绍：美光正处于公司历史上最具竞争力的地位，并且我们在行业内的高利润率产品类别中不断提高市场份额。我们强劲的产品发展势头使我们得以深化与客户的关系，美光处于行业领先地位的产品如今更稳固地嵌入了客户的高价值产品规划路线中。在第二财季，数据中心DRAM的收入创下了新纪录。HBM的收入环比增长超过50%，达到了一个新的里程碑，季度收入超过10亿美元。我们的HBM出货量超过了预期计划，这表明我们在持续扩大生产规模方面执行有力。我们大容量DRAM的收入，加上我们在数据中心领域处于行业领先地位的LPDDR的收入，两者总和在本季度也超过了10亿美元的里程碑。美光仍然是全球唯一一家能够大量向数据中心供应LPDDR的公司，这彰显了我们的创新开拓精神，以及我们与客户在差异化解决方案方面的深度合作关系。随着我们继续保持这一发展势头，预计在DRAM和NAND的出货量增长的推动下，美光第三财季的收入将再创新高。我们认为，AI数据中心的需求，加上HBM的量产爬坡及其相关的贸易比例，将导致前沿领域的供应紧张，并限制非HBM的DRAM供给。我们预计，NAND领域各公司宣布的供应调整举措将改善NAND市场的供需态势。技术与运营美光的1β DRAM技术在行业中处于领先地位。我们通过推出1γ制程节点，以及上个月首次向市场出货基于1γ制程的D5，进一步巩固了我们的领先优势。美光的1γ制程是我们首个采用EUV技术的动态随机存取存储器制程节点。与我们的1β动态随机存取存储器相比，1γ制程实现了功耗降低20%、性能提升15%，并且位密度提高了超过30%。美光领先的G9 NAND技术制程节点能够生产出行业内速度最快的基于TLC的闪存产品。我们在推进这一制程节点的量产爬坡时，充分考虑了行业内的供需平衡情况。制造情况更新美光持续进行审慎的投资，使我们能够充分利用由人工智能所驱动的巨大增长机遇。我们专注于在现有制造工厂中扩大HBM的产能，以满足直至2026年的市场需求。今年1月，我们在新加坡开始建设一座高带宽内存先进封装工厂。这项投资使我们能够从2027日历年起大幅扩大我们的整体先进封装产能。我们在爱达荷州新建的DRAM制造工厂完成了一个重要的建设里程碑，这使得我们在本季度能够收到该项目的首笔“美国芯片与科学法案”拨款资金。这座位于爱达荷州的新制造工厂将从2027财年起实现可观的DRAM产出。终端市场计算硬件的巨大进步降低了生成式AI模型中每个token的成本。这些硬件方面的改进，再加上更高效的算法和软件，降低了推理成本，使得基于生成式AI的功能能够更广泛地应用于新的应用程序和使用场景中。这种应用范围不断扩大为AI整体需求创造了一个强劲的增长动力，并且AI生态系统中的关键参与者所取得的近期创新成果以及正在研发中的成果，将继续推动这一增长趋势。随着GPU和定制化人工智能加速器性能随着新一代产品的推出而不断提升，这些高性能处理器对内存带宽的需求愈发迫切。HBM提供了必要的带宽，能够以最有效和高效的方式发挥这些强大处理器的性能。我们很高兴看到这个复杂且高价值的产品类别所蕴含的增长机遇，如今我们的客户已认可美光在高带宽内存技术方面在行业中的领先地位。数据中心最近，大型超大规模客户重申，他们在2025日历年的资本投资将实现强劲的同比增长。我们预计2025日历年服务器出货量将实现中个位数百分比的增长，其中传统服务器和人工智能服务器均会增长。我们看到了对HBM的强劲需求，并且再次上调了我们对2025日历年HBM的潜在市场规模的预估，将其提高到超过350亿美元。按年化计算的口径下，我们仍有望在2025日历年第四季度使HBM市场份额达到与我们DRAM供应份额相近的水平。如前所述，美光2025日历年HBM产能已全部售空。我们发现2026年对我们HBM的供应需求依然强劲，并且正在与客户就满足他们2026日历年的HBM需求进行协议洽谈。美光处于行业领先地位的HBM3E相比竞争对手的产品功耗降低了30%，并且我们的12Hi HBM3E产品相比竞争对手8H的产品，具有显著的20%的功耗优势，同时内存容量高出50%。我们已经开始大规模量产12Hi HBM3E产品，并专注于提升产能和良品率。我们预计在2025日历年下半年，12Hi HBM3E产品将占我们HBM出货量的绝大部分。我们在HBM的更多平台适配和客户认证方面取得了良好进展。美光的8Hi HBM3E产品已被设计应用于英伟达的GB200系统中，而我们12Hi HBM3E产品则被设计应用于GB300系统中。在第二财季，我们开始向我们的第三家大型HBM3E客户进行批量出货，并且预计随着时间推移还会有更多客户。我们预计在2025财年HBM的收入将达到数十亿美元。展望未来，我们对美光的HBM4充满期待，该产品将于2026日历年实现大规模量产。与HBM3E相比，我们的HBM4产品的带宽提升超过60%。我们推出HBM4的时间契合客户的需求，并且我们致力于在能效、质量和性能方面，向市场推出最优秀的HBM4产品。我们经证实的HBM产品性能、强大的HBM产品规划路线，以及卓越的制造能力，使美光在利用下一代HBM4和HBM4E解决方案方面具备独特优势。美光在数据中心领域率先采用了低功耗内存技术。在AI服务器中，美光的低功耗内存相比D5，将内存功耗降低了三分之二以上。随着服务器内存从焊接模组向SOCAMM形式转变（注：美光SOCAMM采用低功耗DRAM和压缩连接内存模块（CAMM）配合，适用于LPDDR5X的数据中心模块化外形尺寸，较传统的DDR5 RDIMM可节省空间），我们预计将在服务器低功耗内存领域保持领先地位。美光的SOCAMM是与英伟达合作开发的，用于支持GB300系统。采用SOCAMM形式的LPDDR使服务器的制造和维护更加便捷，有助于推动低功耗内存技术在服务器市场更广泛的应用。我们有望在2025财年通过面向数据中心的大容量D5和低功耗产品系列实现数十亿美元的收入。 PC领域我们预计2025日历年PC市场的出货量将达中个位数百分比增长，且增长主要集中在2025日历年下半年。2025年10月Windows10系统将终止，再加上现有设备使用年限较长，以及客户希望确保其PC硬件规格在未来能够支持出色的AI应用程序，这些都是推动市场增长的关键因素。AIPC至少需要16GB DRAM，许多型号所需的内存甚至比去年PC平均12GB的内存容量更高。在本季度，我们向PC客户提供了基于1γ制程的16Gb D5产品样品。在NAND方面，我们推出了基于G9制程的4600高性能SSDs，这是目前客户端市场上速度最快的固态硬盘，并且我们的2650主流固态硬盘已通过多家PC OEM认证。智能手机领域我们预计2025日历年智能手机的出货量增长幅度仍将保持在低个位数百分比。智能手机客户的库存动态变化如预期般发展，这使得我们在第三财季的智能手机用DRAM和NAND的位元出货量实现了增长。AI技术的应用依然是推动移动设备用DRAM需求增长的一个重要因素。具备AI功能的旗舰手机的DRAM容量越来越多地达到12GB或更高，而去年的机型平均容量仅为8GB。智能手机OEM正在采用美光处于行业领先地位的传输速率达9.6Gbps的LP5X DRAM，以提升人工智能性能。与在同一SoC上使用传统速率等级内存的设备相比，其每秒处理的token数量最多可增加20%。在本季度，我们宣布美光的LP5X DRAM和第四代通用UFS 4.0 NAND被应用于三星Galaxy S25系列的高端机型中。美光的移动设备用DRAM和UFS存储解决方案需求旺盛，并将在全年陆续应用于各款旗舰和高端智能手机中。此外，我们目前正在提供业内首款基于移动设备用G9制程管理的NAND的UFS 4.1解决方案的样品，其存储密度最高可达1TB。汽车与工业领域汽车OEM、工业以及消费类嵌入式产品客户目前正处于调整库存水平的后期阶段。在汽车领域，我们嵌入式业务部门（EBU）的收入中占比最大，随着具备人AI功能的车载信息娱乐系统变得更加丰富，以及驾驶辅助功能不断增强，每辆汽车的内存和存储容量持续增加。如今，先进的自动驾驶出租车平台所配备的DRAM容量超过200GB，是普通汽车平均内存容量的20到30倍。美光凭借其处于行业领先地位的汽车产品系列，能够很好地利用这一发展趋势。在本季度，我们宣布业内首款支持9.6Gbps速率等级的汽车用LP5X DRAM产品已具备量产条件，该产品可满足汽车内AI驱动应用对性能日益增长的需求。此外，我们的4150 SSD成为业内首款通过汽车行业认证的企业级SSD产品，目前已向目标客户提供样品，这进一步巩固了我们在这一重要市场中致力于创新和保持领先地位的决心。市场展望 2024日历年，DRAM的位元需求增长幅度达到了high-teens，这与我们之前的预期相符。2024日历年，NAND的位元需求增长幅度约为10%，略低于我们此前预计的低十位数百分比。我们预测2025日历年DRAM的位元需求增长幅度位于中至高十位数百分比，而NAND的位元需求增长幅度将处于低十位数百分比。从中期来看，我们预计DRAM和NAND行业的位元需求CAGR均将达到中十位数百分比。 NAND技术的更新换代大幅提高了整体的位元产出量。通过延长制程节点更新换代的间隔时间，持续削减NAND行业的capex以及晶圆产能，NAND行业的供需有望实现持续平衡。NAND行业晶圆产能未充分利用有助于改善NAND市场的短期供需态势。我们预计在2025日历年，美光在DRAM和NAND方面的供应增长幅度将低于行业需求增长幅度。随着2025日历年的推进，我们预计库存天数将减少。我们期望在2025日历年保持在DRAM和NAND市场的位元份额。在DRAM方面，我们预计整个2025日历年HBM的产量将大幅提升。如前所述，生产相同数量的位元，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍。展望未来，我们预计随着HBM4的推出，其贸易比例将有所上升，而当HBM4E推出时，这一比例预计将超过4:1。在可预见的未来，硅片使用强度的持续显著增加，将导致行业前沿制程节点的供应紧张，并限制非HBM产能。在NAND方面，我们的制造工厂产能仍未充分利用，晶圆产量较之前的水平下降了中十位数百分比。我们计划重新利用部分未充分利用的NAND设备，以支持以资本高效的方式转换到前沿制程节点。与2024财年结束时的水平相比，这一策略将使2025财年结束时NAND晶圆产能实现超过10%的结构性削减。我们将继续审慎管理NAND的供应，包括资本投资水平、新技术制程节点的量产爬坡速度、制造工厂的产能以及与需求增长相匹配的产能利用率。我们2025财年的资本支出计划保持不变，约为140亿美元。我们的资本投资很大一部分集中在多年期的工厂设施投资上，以支持我们的DRAM和HBM制造业务，包括我们在爱达荷州的制造工厂、新加坡的HBM先进封装工厂以及中国台湾地区的DRAM测试工厂。美光将继续审慎管理我们的整体设备投资，以使供应增长与需求相匹配。关于关税方面，对于极少量可能会受到新宣布针对加拿大、墨西哥和中国的关税影响的产品，我们将继续关注未来可能出台的关税政策，并准备与客户和供应商合作，以了解未来关税的影响以及可能出现的供应链选择方案。在关税确实产生影响的情况下，我们会将这些成本转嫁给我们的客户。财务情况美光第二财季的每股收益（EPS）超出了预期指引范围，营收和毛利率则在预期范围内。第二财季总营收约为81亿美元，环比下降8%，同比增长38%。分产品 DRAM:第二财季DRAM营收为61亿美元，同比增长47%，占总营收的76%。环比来看，DRAM营收下降了4%。由于产品组合的改善，位元出货量下降高个位数百分比，而价格上涨中个位数百分比。 NAND:第二财季NAND营收为19亿美元，同比增长18%，占美光总营收的23%。环比来看，NAND营收下降了17%，位元出货量略有增加，而价格下降高十位数百分比。受面向消费者的出货量增加的推动，第二财季NAND的位元出货量高于我们的预期。分部门计算与网络业务部门：营收环比增长4%，达到46亿美元，占总营收的57%。在HBM营收环比增长超过50%的推动下，该业务部门的营收连续第三个季度创下新的季度纪录。存储业务部门：营收为14亿美元，环比下降20%。该业务部门营收下降的主要原因是，在经历了几个季度的强劲增长后，数据中心客户减少了存储方面的投资，以及整个NAND行业的价格影响。手机业务部门：营收为11亿美元，环比下降30%，这是因为移动设备客户继续改善其库存状况。嵌入式业务部门：营收为10亿美元，环比下降3%。环比营收下降主要是由于汽车客户采取了库存改善措施。运营业绩毛利率：第二财季的综合毛利率为37.9%，环比下降了160个基点，主要原因是面向消费市场的产品定价，尤其是NAND产品的定价，以及如前所述，NAND产品组合向面向消费类产品的转变。我们持续推进的DRAM产品组合向高价值产品的转变，在一定程度上抵消了这些因素的影响。 Opex：第二财季的运营支出为10亿美元，环比持平。由于产品提前通过认证以及某些研发项目的时间安排，研发（R&D）支出低于计划水平。营业利润：第二财季我们实现了20亿美元的营业利润，营业利润率为24.9%，环比下降约260个基点，同比去年同期增长了21个百分点。第二财季经调整的EBITDA为41亿美元，EBITDA利润率为50.7%，环比上升10个基点，同比去年同期增长了14个百分点（即增加了20亿美元）。税费：第二财季的税费为2.14亿美元，实际税率为10.7%，由于本季度一次性项目的影响，实际税率低于我们的预期指引。每股收益：第二财季非美国通用会计准则的摊薄每股收益为1.56美元，高于预期指引区间的上限，上一季度为每股1.79美元，去年同期为每股0.42美元。现金流：在第二财季，我们的经营活动现金流超过39亿美元，扣除政府激励资金后的资本支出为31亿美元。因此，本季度的自由现金流为8.57亿美元。库存情况：我们第二财季末的库存为90亿美元，库存天数为158天，如之前所通报的那样有所增加，较上一季度增加了9天。现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末我们持有96亿美元的现金及投资，若算上未动用的信贷额度，我们的流动性资产为121亿美元。在第二财季，我们通过发行10亿美元的10年期优先票据和17亿美元的定期贷款延长了债务到期期限，所得款项主要用于偿还2026年到期的票据以及此前的定期贷款余额。季度末，我们的总债务为144亿美元，净杠杆率较低，债务的加权平均到期年份为2032年。季度结束后，我们续签了五年期循环信贷额度并将其规模增至35亿美元。这为我们增加了10亿美元的流动性资金，并进一步提升了我们的财务灵活性。业绩展望位元出货量：我们预计第三财季DRAM和NAND的位元出货量将实现增长。毛利率：我们预计第三财季的毛利率将环比下降，这其中包括面向消费市场的产品出货量增加所带来的影响。NAND产能的未充分利用将继续对毛利率造成压力。运营支出：我们预计第三财季的运营支出约为11.3亿美元，2025财年的运营支出将增长超过10%，这反映了为支持包括HBM在内的高价值产品组合而计划增加的支出。库存：随着位元出货量的增加，我们预计第三财季的库存天数将减少。我们仍预计2025财年末DRAM的库存将较为紧张。税率：对于第三财季和第四财季，我们估计非美国通用会计准则下的税率约为14%。资本支出：我们预计第三财季的资本支出将超过30亿美元。我们对2025财年的资本支出预计仍约为140亿美元。2025财年的绝大部分资本支出将用于支持HBM业务，以及工厂设施建设、后端制造和研发投资。鉴于关税实施的时间、性质和具体方式存在不确定性，潜在的新关税所带来的影响未包含在我们的业绩指引中。 FY25Q3 Non-GAAP业绩指引我们预计营收为88亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率在36.5%左右，上下浮动100个基点；运营支出约为11.3亿美元，上下浮动1500万美元。如前所述，我们预计第三财季的税率约为14%。基于约11.4亿股的流通股数量，我们预计每股收益为1.57美元，上下浮动0.1美元。结束语在第二财季，美光的收益超出了预期指引范围，数据中心DRAM的营收再次创下纪录，领先的HBM产量不断提升，并且推出了行业内最先进的DRAM制程技术。对于第三财季，我们预计在业绩指引的中间值水平上实现创纪录的季度营收。在巩固领先地位并把握未来巨大增长机遇的过程中，我们正集中研发资源，严格把控资本投入，并保持强劲的资产负债表状况。美光处于独特的优势地位，能够充分利用从数据中心到边缘设备等领域由人工智能驱动的变革性增长机遇。我们有望在2025财年实现创纪录的营收，并大幅提升盈利能力。我们有信心凭借审慎的投资以及专注于高价值产品组合的转变，应对当前的市场动态。这是我所经历的内存和存储领域最激动人心的时期，美光的创新处于这场革命的前沿。我们对未来的机遇感到兴奋，并将继续致力于为所有利益相关者创造价值。 Q&A Q：我们是否仍可以预期毛利率可能从FY25Q4开始改善？这种改善会涵盖数据中心相关产品和消费类相关产品，以及整个DRAM业务和NAND业务板块吗？ A：关于FY25Q3的情况，正如我们在会议上所指出环比下降了，下降的主要原因是面向消费的产品销量占比增加、CY25Q1面向消费者市场的定价降低，以及行业整体NAND市场状况。不过较高的HBM产品销量在一定程度上抵消了这些不利因素。尽管毛利率有所下降，但情况已经有所改善，最新的观点反映在了今天的业绩指引当中。我们预计FY25Q4毛利率会有所上升。就有利因素而言，我们预计市场状况会有所改善，我们预计HBM及其他高价值产品将实现增长，并有助于产品组合的优化。至于一些不利因素，我们确实看到了NAND产能未充分利用的情况。实际上由于我们的产能已从结构上进行了削减，FY25Q3期间这些相关成本会减少一些，而随着FY25Q4库存出清，我们会面临更多此类成本的冲击。我们已经采取了措施来管理NAND的供应，这部分业务仍在逐步恢复，我们打算在CY25Q2采取调价措施，并努力维持供应纪律。FY25Q4我们将会有一些与厂建、新节点以及我们正在推进的DRAM相关的启动成本。简而言之，我们预计第四季度的利润率会比第三季度有所上升。 Q：您对2025年DRAM行业的位元需求预测从中十位数百分比增长提高到中至高十位数百分比增长，是因为HBM增长嘛？今年您是否看到DRAM内的其他细分领域也在推动行业位元需求呈现出更好的态势呢？ A：我们曾预计在消费业务领域，到春季时客户的库存情况会有所改善。而实际情况也正如我们所预计的那样发展。当然，智能手机和PC市场上配备AI的设备也越来越多，这推动了数据容量的增长。因此，随着客户库存逐渐接近更健康的水平，我们看到客户恢复了采购，而所有这些情况都符合我们对2025年位元需求的预期。当然，数据中心业务依旧强劲。在数据中心领域，HBM无疑是推动收入增长的重要因素。就数据中心的位元需求增长而言,高密度DIMM产品以及美光在行业中处于领先地位的低功耗内存产品，也都对2025年的需求增长起到了推动作用。 Q：关于第三财季的业绩指引方面，你们预计收入将增长约7.5亿美元。你们提到DRAM和NAND的位元出货量都有增加，这两项业务分别贡献了多少呢？ A：关于给定的收入数字。你已经有了DRAM和NAND截至目前的年度收入、位元出货量增长以及价格等方面的数据。而且我们也向你提供了本年度位元需求增长的数据。所以我认为我们已经向你介绍了业务的大致情况，你应该能够基于这些对收入预期做出一些关于出货量和价格方面的假设。我们确实预计在第三季度DRAM和NAND的位元出货量都会有所增长。 Q：是否预计DRAM业务和NAND业务的收入都会增长？ A：增长的倾向将体现在拥有HBM产品且涉足数据中心领域的DRAM业务。 Q：贵公司认为在FY25Q4能恢复到FY25Q2的利润率水平吗？何时能看到HBM业务以及在非HBM的DRAM业务方面的成本削减举措带来的效益？什么时候能看到一个清晰的毛利率数据？ A：我们不会提供FY25Q4的数据。我们已经表明FY25Q4的毛利率会比FY25Q3有所上升。我们在技术和产品的市场覆盖范围方面处于有史以来的最佳状态。制造业的运营情况也非常良好。在成本方面，为了帮助你进行建模分析，我们预计FY2025 DRAM的综合成本将基本持平。FY2025 NAND综合成本将下降中十位数百分比。所以我们正在对NAND业务采取供应方面的举措。这包括降低产能、削减资本支出、推迟工艺节点转换，我们已经开始看到这部分业务出现了一些改善的迹象。在DRAM业务方面，HBM会持续增长，数据中心业务也会更广泛地发展，而且DRAM的前沿技术供应紧张。我们再次预计到本财年末，我们的DIO水平将低于我们设定的目标。当然，我们会继续专注于提高我们在DRAM和NAND业务方面的收入中高利润领域的占比。我们的产品组合处于最佳定位，因此要继续推动产品组合及其结构优化，切实专注于增强盈利能力。我们已经谈到过需求趋势。我们对DRAM的需求趋势很有信心，在NAND业务方面，供应管控将至关重要。我们当然会极其关注这一点，而且AI也有利于提升数据中心和边缘计算领域对我们DRAM的需求。我们的技术地位、产品地位以及成本状况也都持续保持良好。 Q：最近一些内存价格有所上涨，这在多大程度上是由真实的需求增长导致的，多大程度是与关税相关的提前采购所造成的？行业的定价动态具有多大的可持续性？ A：正如我们所指出的DRAM的需求驱动因素，以及消费业务领域中NAND在智能手机，和PC方面的需求驱动因素都在改善，尤其是智能手机，因为消费市场中的客户正逐渐接近其正常的库存水平。这也再次符合我们之前的预测。就PC而言，很可能在今年下半年我们就会看到AI PC方面出现更强劲的需求趋势，并且AI PC的普及率会不断提高。 AI PC相比过去的电脑需要更多的DRAM容量。普通PC平均配备12GB内存，而运行算力达到40 TOPS及以上的带有NPU的AI PC则需要16GB及以上的内存。PC领域存在着良好的需求趋势，智能手机领域也有同样的情况。有多款智能手机推出，而且未来还会有更多智能手机上市，其中不少将是AI智能手机，这些手机的DRAM容量更高，超过12GB，而去年的手机平均是8GB。数据中心对DRAM的需求趋势也依然强劲，所以需求趋势向好。在供应方面，正如刚刚所提及的，前沿产品的供应很紧张。出现这种情况是因为对HBM的需求不断增加及贸易比例变化所致。 NAND方面，各个厂商采取的供应举措，以及晶圆厂的产能未充分利用的情况，无疑也在改善供应状况，所有这些因素都在改善行业的供需环境。我们正专注于推动在CY25Q2涨价。并且，我们的产品在各个终端市场领域都具有良好的定位。我们真心期待能够继续最大限度地把握业务机会，并持续提高我们业务中来自行业高利润领域的占比。 Q：12Hi HBM4良率会不会比8Hi HBM3E低？这会对毛利率产生什么负面影响？ A：首先，我们非常满意8Hi HBM3E。FY25Q2，我们实际交付的HBM3E数量比计划的要多，并且首次实现了超过10亿美元的营收，这是一个重要的里程碑。而且8 Hi HBM3E表现依然出色。我们的良率不错，产能提升进展顺利，执行工作也开展得很顺利。在产能提升和良率提升方面，8 Hi积累的经验会在我们提升12 Hi过程中提供帮助。如我们之前所宣布的，我们现在已经实现了12 Hi量产。就像任何其他新产品一样，而且这些产品高度复杂，HBM是行业内有史以来制造的最复杂的产品，对于这类复杂产品，在早期阶段良率自然会有一个提升的过程。我们预计12 Hi产品价格当然会高于8H产品，并且也会继续显著提升我们DRAM的利润率。在今年下半年，将我们的绝大部分产能转向12 Hi产品。随着我们提升这方面的产量，良率当然也会持续提高。正如我们和你们分享过的那样，到今年年底，我们预计HBM业务的市场份额将与我们在整个行业DRAM业务中的市场份额相符。 Q：目前你们的DIO是153天，而你们将在两个季度内降至120天，为了实现这一目标需要减少多少库存数量？HBM的一些供应趋势等因素对库存产生了多大影响呢？贵司是如何削减这么多库存的？ A：第二季度的DIO天数是158天。DRAM市场的情况比NAND市场更为紧张。我们在NAND业务方面采取的供应举措。我们已经看到那里的出货量有了良好的增长，并且预计这种增长会持续下去。但是行业现状是存在产能未充分利用的情况，我们在削减资本支出，并且推迟工艺节点的转换。在DRAM方面，人工智能驱动的增长与HBM以及其他产品系列相关，尤其是HBM，由于其行业交易比例的情况，使得该市场供应紧张。我们之前设定的库存目标是120天的DIO，并且我们预计在FY25Q4 DRAM的库存天数将低于这一目标。 Q：你们给出下一季度的库存情况指引了吗？库存开始下降了吗？ A：DIO在今年内会下降。 Q：在NAND业务上，如何考虑FY25Q3和FY25Q4的产能未充分利用费用以及期间成本？该如何思考FY25Q4和FY26Q1新增的建设成本呢？ A：我们FY25Q3的期间成本比最初预计的要低，部分原因是我们从结构上降低了产能。因此，更多的产能未充分利用费用将计入库存，然后会以这种方式逐步消化而不是计入期间成本。这些期间成本，确实会在FY25Q4以及FY2026年对毛利率造成压力。但我们认为业务的增长、市场状况的改善以及产品组合的优化，这些因素综合起来会使FY25Q4毛利率有所提高。至于启动成本，从FY25Q3到FY25Q4，按环比来看其影响相对较小。但随着我们接近爱达荷州晶圆厂的晶圆投产，到FY2026年这个成本数字会增加。 Q：你们调高了对HBM行业的规模预期，对于上半年和下半年的情况，你们是否有一个特定的思考框架？ A：下半年的收入随着从8Hi向12Hi转变会持续增长，因为12 Hi相比8Hi会有一定的溢价。所以我们预计CY2025 HBM的行业TAM将超过350亿美元，并且2025年下半年的收入在这一总额中所占的比例会比上半年更大。当然，这里所说的超过350亿美元就是我们提到的HBM行业的市场规模。HBM客户群体正在不断扩大。我们现在已经开始向第三家大型客户供货了。所以客户群体的扩大也有助于推动下半年HBM业务收入的增长。 Q：在DRAM方面，LP4和DDR4产品的市场覆盖情况如何？随着下半年HBM业务开始增长，同时一些消费市场也逐渐恢复正常，这对收入和利润率的影响如何？ A：关于DDR4和LP4产品，在上个季度的财报电话会议上我们曾提到，在本财年剩余时间里，来自这些LP4和DDR4产品的收入大约占我们公司总收入的10%。所以在本财年剩余时间里，我们预计情况仍会如此。关于第二个问题，这在公司的整体收入中占比较小。而且我们在D5、HBM以及基于D5和LP5的产品方面处于领先地位，无论是在数据中心还是在消费市场的其他领域。所以，随着时间的推移，LP4和D4产品的占比当然会继续缩小。从DRAM的需求驱动因素以及供应紧张程度来看，DRAM行业的整体状况正在改善。这也会对DRAM市场各个部分的整体动态产生一定影响。 Q：明年你们是否仍将提升HBM产能？ A：我们曾说过到CY2025结束时，我们在HBM领域的市场份额将与DRAM领域的市场份额相当。所以从目前的发展态势来看，在CY2026我们全年的市场份额相比2025年将会更高。而且我们依然高度专注于持续提升HBM的产能。我之前提到过，我们在持续提升产能方面执行得相当不错，不断从8Hi向12Hi转变，并且非常专注于明年将HBM4推向市场，当然，同时也会满足与此相关的所有产能需求。虽然我们目前还没有对2026年的市场份额做出预测，但我们对自己在HBM领域的地位、与客户的紧密关系、在技术和产品方面的执行能力以及整体的制造水平都非常有信心。 Q：过去三个季度年收入与三年前市场回升时相近，但当时毛利率高10个百分点。现折旧变化不大、营收基数相同但毛利率低约10个点？这是否意味着毛利率难再超 50%？如何让毛利率回到该水平？ A：总体而言，我们在DRAM业务上的毛利率一直处于良好水平，而且这再次得益于我们基于D5产品、LPD5产品以及HBM产品所确立的强大技术和产品优势地位。NAND业务才是拉低我们毛利率的因素。当然，由于整个行业环境以及行业总体的供需失衡状况，我们在NAND业务上一直保持关注，所以无论是在DRAM还是NAND业务方面，毛利率始终取决于供需环境，但我们也非常注重增加高价值解决方案在业务中的占比。在NAND业务上我们也在持续这样做。随着我们看到行业内的供应管控更加严格，我们完全有理由预期NAND业务的行业基本面也会得到改善，在这方面持续保持对供应管控的关注也很重要。因此，展望未来，正如我们所指出的，我们会继续高度关注进一步强化我们的收入结构以及业务中的产品结构，使其更多地向高利润率产品倾斜，无论是在NAND还是DRAM领域，继续关注产品组合的优势，密切管理供需关系，并且密切管理我们的技术研发和投产进程，以确保我们的供需能够良好匹配，当然我们也会非常关注总体成本。基于这些，我们乐观地认为随着行业整体结构的改善，业务基本面也会随之改善。 Q：您提到毛利率较低的部分原因是消费端占比增加，实际上你们NAND业务下滑幅度比DRAM业务要大得多。在DRAM业务方面，你们是否也看到了对消费端占比增加？为什么会出现这种情况？如何改变这种状况？ A：我们在数据中心业务方面表现良好，并且正如我们所指出的，我们在数据中心的DRAM业务占比持续增加。在数据中心的DRAM领域，我们拥有领先的产品，包括HBM、SOCAMM等，DRAM方面我们进展顺利；过去几个季度消费端的客户库存积压情况比较严重，DRAM业务也存在这种情况。随着客户库存逐渐接近正常水平，再加上消费类终端受到AI拉动，我们看到需求出现了强劲反弹，尤其是在智能手机方面。实际上这导致了HBM的行业交易问题，同时消费端需求的强劲反弹也造成了前沿产品供应紧张，这些供需基本面因素使我们能够在CY25Q2推动价格上涨。 NAND业务方面也是同样的情况，行业内采取的供应举措，以及客户及消费端的库存逐渐恢复正常，也使得NAND业务的需求有所回升。我们也会在CY25Q2推动NAND业务的价格上涨。

美光

招商电子 . 2025-03-25 765
【招商电子】美光FY25Q2跟踪报告：HBM收入环比持续高增长，指引FY25Q3 DRAM和NAND量价齐升

事件：美光于3月21日公布FY25Q2财报（注：截至2月28日的3个月期间），营收80.5亿美元，同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，均符合指引。评论： 1、FY25Q2收入和毛利率符合指引，摊薄EPS超指引预期。按NON-GAAP口径，美光FY25Q2收入为80.5亿美元，符合指引（79±2亿美元），同比+38.3%/环比-7.5%；毛利率37.9%，同比+17.9pcts/环比-1.6pcts，符合指引（38.5%±1.0pcts）；摊薄EPS为1.56美元，超指引预期。 2、NAND业务表现相对疲软，HBM收入环比持续高增长。 1）按产品划分：①DRAM单季收入61.2亿美元，同比+47.3%/环比-4.3%，占比76%，位元出货量环比下降高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；②NAND单季收入18.6亿美元，同比+18.4%/环比-17.2%，占比23%，位元出货量略有增加，ASP环比下降高十位数百分比； 2）按业务划分：①计算和网络（CNBU）收入45.6亿美元，续创历史新高，同比+109%/环比+4%，其中HBM环比增长超50%；②存储（SBU）收入13.9亿美元，同比+54%/环比-20%，环比下降系数据中心客户减少存储投资及NAND价格影响；③手机（MBU）收入10.7亿美元，同比-33%/环比-30%，系手机客户仍持续去库存所致；④嵌入式（EBU）收入10.3亿美元，同比-8%/环比-3%。 3、上修2025年HBM市场规模指引，消费类终端持续复苏和存储扩容。 1）数据中心：公司继续上修2025年HBM市场规模至350亿美元，指引2026年需求仍然强劲。公司预计其2025财年HBM收入达数十亿美元，2026年实现HBM4大规模量产； 2）PC：预计2025年出货量增长中个位数百分比，出货集中于下半年，系Windows10终止及AI PC带来换机需求，平均DRAM容量将从12GB增至16GB及以上； 3）手机：预计2025年出货量增长低个位数百分比，手机客户库存调整符合预期，平均DRAM容量将从8GB增至12GB及以上； 4）汽车：库存调整进入尾声阶段，随着AI车载及智驾系统发展，内存和存储容量持续增加。 4、指引FY25Q3 DRAM及NAND量价齐升，2025年资本支出聚焦HBM扩产。 1）FY25Q3指引：按NON-GAAP口径，指引收入88±2亿美元，中值同比+29.2%/环比+9.3%；毛利率36.5%±1pcts，中值同比+8.4pcts/环比-1.4pcts，环比下降系消费产品出货量增加及NAND产能未充分利用所致；摊薄EPS 1.57±0.1美金； 2）出货量和价格：FY25Q3 DRAM及NAND位元出货将环比增长，消费类产品出货预计增加；DRAM价格预计环比上升，主要系前沿产品供应紧张，AI终端产品需求强劲；NAND价格也预计环比上升，主要系供给侧减产同时消费类需求复苏，供需格局改善； 3）需求：公司将CY2025 DRAM位元需求增长率从中十位数百分比上调至中至高十位数百分比，NAND位元需求增长率仍为低十位数百分比，中期DRAM和NAND位元需求增长CAGR均达中十位数百分比； 4）供给：预计CY2025年HBM产能大幅提升，未来传统DRAM产能持续受限，指引FY2025年末减少10% NAND产能；公司预计FY25Q3 Capex超30亿美元，FY2025为140亿美元，绝大部分用于HBM及厂建、后端制造及研发。风险提示：宏观经济及政策风险；DRAM和NAND景气度下滑风险；新品研发不及预期的风险；行业竞争加剧的风险。附录：美光FY2025Q2业绩说明会纪要时间：2025年3月21日出席：Mark Murphy–执行副总裁兼首席财务官 Sanjay Mehrotra–董事长、总裁兼CEO Satya Kumar–副总裁、IR兼资管会议纪要根据公开信息整理如下：管理层介绍：美光正处于公司历史上最具竞争力的地位，并且我们在行业内的高利润率产品类别中不断提高市场份额。我们强劲的产品发展势头使我们得以深化与客户的关系，美光处于行业领先地位的产品如今更稳固地嵌入了客户的高价值产品规划路线中。在第二财季，数据中心DRAM的收入创下了新纪录。HBM的收入环比增长超过50%，达到了一个新的里程碑，季度收入超过10亿美元。我们的HBM出货量超过了预期计划，这表明我们在持续扩大生产规模方面执行有力。我们大容量DRAM的收入，加上我们在数据中心领域处于行业领先地位的LPDDR的收入，两者总和在本季度也超过了10亿美元的里程碑。美光仍然是全球唯一一家能够大量向数据中心供应LPDDR的公司，这彰显了我们的创新开拓精神，以及我们与客户在差异化解决方案方面的深度合作关系。随着我们继续保持这一发展势头，预计在DRAM和NAND的出货量增长的推动下，美光第三财季的收入将再创新高。我们认为，AI数据中心的需求，加上HBM的量产爬坡及其相关的贸易比例，将导致前沿领域的供应紧张，并限制非HBM的DRAM供给。我们预计，NAND领域各公司宣布的供应调整举措将改善NAND市场的供需态势。技术与运营美光的1β DRAM技术在行业中处于领先地位。我们通过推出1γ制程节点，以及上个月首次向市场出货基于1γ制程的D5，进一步巩固了我们的领先优势。美光的1γ制程是我们首个采用EUV技术的动态随机存取存储器制程节点。与我们的1β动态随机存取存储器相比，1γ制程实现了功耗降低20%、性能提升15%，并且位密度提高了超过30%。美光领先的G9 NAND技术制程节点能够生产出行业内速度最快的基于TLC的闪存产品。我们在推进这一制程节点的量产爬坡时，充分考虑了行业内的供需平衡情况。制造情况更新美光持续进行审慎的投资，使我们能够充分利用由人工智能所驱动的巨大增长机遇。我们专注于在现有制造工厂中扩大HBM的产能，以满足直至2026年的市场需求。今年1月，我们在新加坡开始建设一座高带宽内存先进封装工厂。这项投资使我们能够从2027日历年起大幅扩大我们的整体先进封装产能。我们在爱达荷州新建的DRAM制造工厂完成了一个重要的建设里程碑，这使得我们在本季度能够收到该项目的首笔“美国芯片与科学法案”拨款资金。这座位于爱达荷州的新制造工厂将从2027财年起实现可观的DRAM产出。终端市场计算硬件的巨大进步降低了生成式AI模型中每个token的成本。这些硬件方面的改进，再加上更高效的算法和软件，降低了推理成本，使得基于生成式AI的功能能够更广泛地应用于新的应用程序和使用场景中。这种应用范围不断扩大为AI整体需求创造了一个强劲的增长动力，并且AI生态系统中的关键参与者所取得的近期创新成果以及正在研发中的成果，将继续推动这一增长趋势。随着GPU和定制化人工智能加速器性能随着新一代产品的推出而不断提升，这些高性能处理器对内存带宽的需求愈发迫切。HBM提供了必要的带宽，能够以最有效和高效的方式发挥这些强大处理器的性能。我们很高兴看到这个复杂且高价值的产品类别所蕴含的增长机遇，如今我们的客户已认可美光在高带宽内存技术方面在行业中的领先地位。数据中心最近，大型超大规模客户重申，他们在2025日历年的资本投资将实现强劲的同比增长。我们预计2025日历年服务器出货量将实现中个位数百分比的增长，其中传统服务器和人工智能服务器均会增长。我们看到了对HBM的强劲需求，并且再次上调了我们对2025日历年HBM的潜在市场规模的预估，将其提高到超过350亿美元。按年化计算的口径下，我们仍有望在2025日历年第四季度使HBM市场份额达到与我们DRAM供应份额相近的水平。如前所述，美光2025日历年HBM产能已全部售空。我们发现2026年对我们HBM的供应需求依然强劲，并且正在与客户就满足他们2026日历年的HBM需求进行协议洽谈。美光处于行业领先地位的HBM3E相比竞争对手的产品功耗降低了30%，并且我们的12Hi HBM3E产品相比竞争对手8H的产品，具有显著的20%的功耗优势，同时内存容量高出50%。我们已经开始大规模量产12Hi HBM3E产品，并专注于提升产能和良品率。我们预计在2025日历年下半年，12Hi HBM3E产品将占我们HBM出货量的绝大部分。我们在HBM的更多平台适配和客户认证方面取得了良好进展。美光的8Hi HBM3E产品已被设计应用于英伟达的GB200系统中，而我们12Hi HBM3E产品则被设计应用于GB300系统中。在第二财季，我们开始向我们的第三家大型HBM3E客户进行批量出货，并且预计随着时间推移还会有更多客户。我们预计在2025财年HBM的收入将达到数十亿美元。展望未来，我们对美光的HBM4充满期待，该产品将于2026日历年实现大规模量产。与HBM3E相比，我们的HBM4产品的带宽提升超过60%。我们推出HBM4的时间契合客户的需求，并且我们致力于在能效、质量和性能方面，向市场推出最优秀的HBM4产品。我们经证实的HBM产品性能、强大的HBM产品规划路线，以及卓越的制造能力，使美光在利用下一代HBM4和HBM4E解决方案方面具备独特优势。美光在数据中心领域率先采用了低功耗内存技术。在AI服务器中，美光的低功耗内存相比D5，将内存功耗降低了三分之二以上。随着服务器内存从焊接模组向SOCAMM形式转变（注：美光SOCAMM采用低功耗DRAM和压缩连接内存模块（CAMM）配合，适用于LPDDR5X的数据中心模块化外形尺寸，较传统的DDR5 RDIMM可节省空间），我们预计将在服务器低功耗内存领域保持领先地位。美光的SOCAMM是与英伟达合作开发的，用于支持GB300系统。采用SOCAMM形式的LPDDR使服务器的制造和维护更加便捷，有助于推动低功耗内存技术在服务器市场更广泛的应用。我们有望在2025财年通过面向数据中心的大容量D5和低功耗产品系列实现数十亿美元的收入。 PC领域我们预计2025日历年PC市场的出货量将达中个位数百分比增长，且增长主要集中在2025日历年下半年。2025年10月Windows10系统将终止，再加上现有设备使用年限较长，以及客户希望确保其PC硬件规格在未来能够支持出色的AI应用程序，这些都是推动市场增长的关键因素。AIPC至少需要16GB DRAM，许多型号所需的内存甚至比去年PC平均12GB的内存容量更高。在本季度，我们向PC客户提供了基于1γ制程的16Gb D5产品样品。在NAND方面，我们推出了基于G9制程的4600高性能SSDs，这是目前客户端市场上速度最快的固态硬盘，并且我们的2650主流固态硬盘已通过多家PC OEM认证。智能手机领域我们预计2025日历年智能手机的出货量增长幅度仍将保持在低个位数百分比。智能手机客户的库存动态变化如预期般发展，这使得我们在第三财季的智能手机用DRAM和NAND的位元出货量实现了增长。AI技术的应用依然是推动移动设备用DRAM需求增长的一个重要因素。具备AI功能的旗舰手机的DRAM容量越来越多地达到12GB或更高，而去年的机型平均容量仅为8GB。智能手机OEM正在采用美光处于行业领先地位的传输速率达9.6Gbps的LP5X DRAM，以提升人工智能性能。与在同一SoC上使用传统速率等级内存的设备相比，其每秒处理的token数量最多可增加20%。在本季度，我们宣布美光的LP5X DRAM和第四代通用UFS 4.0 NAND被应用于三星Galaxy S25系列的高端机型中。美光的移动设备用DRAM和UFS存储解决方案需求旺盛，并将在全年陆续应用于各款旗舰和高端智能手机中。此外，我们目前正在提供业内首款基于移动设备用G9制程管理的NAND的UFS 4.1解决方案的样品，其存储密度最高可达1TB。汽车与工业领域汽车OEM、工业以及消费类嵌入式产品客户目前正处于调整库存水平的后期阶段。在汽车领域，我们嵌入式业务部门（EBU）的收入中占比最大，随着具备人AI功能的车载信息娱乐系统变得更加丰富，以及驾驶辅助功能不断增强，每辆汽车的内存和存储容量持续增加。如今，先进的自动驾驶出租车平台所配备的DRAM容量超过200GB，是普通汽车平均内存容量的20到30倍。美光凭借其处于行业领先地位的汽车产品系列，能够很好地利用这一发展趋势。在本季度，我们宣布业内首款支持9.6Gbps速率等级的汽车用LP5X DRAM产品已具备量产条件，该产品可满足汽车内AI驱动应用对性能日益增长的需求。此外，我们的4150 SSD成为业内首款通过汽车行业认证的企业级SSD产品，目前已向目标客户提供样品，这进一步巩固了我们在这一重要市场中致力于创新和保持领先地位的决心。市场展望 2024日历年，DRAM的位元需求增长幅度达到了high-teens，这与我们之前的预期相符。2024日历年，NAND的位元需求增长幅度约为10%，略低于我们此前预计的低十位数百分比。我们预测2025日历年DRAM的位元需求增长幅度位于中至高十位数百分比，而NAND的位元需求增长幅度将处于低十位数百分比。从中期来看，我们预计DRAM和NAND行业的位元需求CAGR均将达到中十位数百分比。 NAND技术的更新换代大幅提高了整体的位元产出量。通过延长制程节点更新换代的间隔时间，持续削减NAND行业的capex以及晶圆产能，NAND行业的供需有望实现持续平衡。NAND行业晶圆产能未充分利用有助于改善NAND市场的短期供需态势。我们预计在2025日历年，美光在DRAM和NAND方面的供应增长幅度将低于行业需求增长幅度。随着2025日历年的推进，我们预计库存天数将减少。我们期望在2025日历年保持在DRAM和NAND市场的位元份额。在DRAM方面，我们预计整个2025日历年HBM的产量将大幅提升。如前所述，生产相同数量的位元，HBM3E所需的晶圆数量是D5的三倍。展望未来，我们预计随着HBM4的推出，其贸易比例将有所上升，而当HBM4E推出时，这一比例预计将超过4:1。在可预见的未来，硅片使用强度的持续显著增加，将导致行业前沿制程节点的供应紧张，并限制非HBM产能。在NAND方面，我们的制造工厂产能仍未充分利用，晶圆产量较之前的水平下降了中十位数百分比。我们计划重新利用部分未充分利用的NAND设备，以支持以资本高效的方式转换到前沿制程节点。与2024财年结束时的水平相比，这一策略将使2025财年结束时NAND晶圆产能实现超过10%的结构性削减。我们将继续审慎管理NAND的供应，包括资本投资水平、新技术制程节点的量产爬坡速度、制造工厂的产能以及与需求增长相匹配的产能利用率。我们2025财年的资本支出计划保持不变，约为140亿美元。我们的资本投资很大一部分集中在多年期的工厂设施投资上，以支持我们的DRAM和HBM制造业务，包括我们在爱达荷州的制造工厂、新加坡的HBM先进封装工厂以及中国台湾地区的DRAM测试工厂。美光将继续审慎管理我们的整体设备投资，以使供应增长与需求相匹配。关于关税方面，对于极少量可能会受到新宣布针对加拿大、墨西哥和中国的关税影响的产品，我们将继续关注未来可能出台的关税政策，并准备与客户和供应商合作，以了解未来关税的影响以及可能出现的供应链选择方案。在关税确实产生影响的情况下，我们会将这些成本转嫁给我们的客户。财务情况美光第二财季的每股收益（EPS）超出了预期指引范围，营收和毛利率则在预期范围内。第二财季总营收约为81亿美元，环比下降8%，同比增长38%。分产品 DRAM:第二财季DRAM营收为61亿美元，同比增长47%，占总营收的76%。环比来看，DRAM营收下降了4%。由于产品组合的改善，位元出货量下降高个位数百分比，而价格上涨中个位数百分比。 NAND:第二财季NAND营收为19亿美元，同比增长18%，占美光总营收的23%。环比来看，NAND营收下降了17%，位元出货量略有增加，而价格下降高十位数百分比。受面向消费者的出货量增加的推动，第二财季NAND的位元出货量高于我们的预期。分部门计算与网络业务部门：营收环比增长4%，达到46亿美元，占总营收的57%。在HBM营收环比增长超过50%的推动下，该业务部门的营收连续第三个季度创下新的季度纪录。存储业务部门：营收为14亿美元，环比下降20%。该业务部门营收下降的主要原因是，在经历了几个季度的强劲增长后，数据中心客户减少了存储方面的投资，以及整个NAND行业的价格影响。手机业务部门：营收为11亿美元，环比下降30%，这是因为移动设备客户继续改善其库存状况。嵌入式业务部门：营收为10亿美元，环比下降3%。环比营收下降主要是由于汽车客户采取了库存改善措施。运营业绩毛利率：第二财季的综合毛利率为37.9%，环比下降了160个基点，主要原因是面向消费市场的产品定价，尤其是NAND产品的定价，以及如前所述，NAND产品组合向面向消费类产品的转变。我们持续推进的DRAM产品组合向高价值产品的转变，在一定程度上抵消了这些因素的影响。 Opex：第二财季的运营支出为10亿美元，环比持平。由于产品提前通过认证以及某些研发项目的时间安排，研发（R&D）支出低于计划水平。营业利润：第二财季我们实现了20亿美元的营业利润，营业利润率为24.9%，环比下降约260个基点，同比去年同期增长了21个百分点。第二财季经调整的EBITDA为41亿美元，EBITDA利润率为50.7%，环比上升10个基点，同比去年同期增长了14个百分点（即增加了20亿美元）。税费：第二财季的税费为2.14亿美元，实际税率为10.7%，由于本季度一次性项目的影响，实际税率低于我们的预期指引。每股收益：第二财季非美国通用会计准则的摊薄每股收益为1.56美元，高于预期指引区间的上限，上一季度为每股1.79美元，去年同期为每股0.42美元。现金流：在第二财季，我们的经营活动现金流超过39亿美元，扣除政府激励资金后的资本支出为31亿美元。因此，本季度的自由现金流为8.57亿美元。库存情况：我们第二财季末的库存为90亿美元，库存天数为158天，如之前所通报的那样有所增加，较上一季度增加了9天。现金及债务总额：在资产负债表方面，季度末我们持有96亿美元的现金及投资，若算上未动用的信贷额度，我们的流动性资产为121亿美元。在第二财季，我们通过发行10亿美元的10年期优先票据和17亿美元的定期贷款延长了债务到期期限，所得款项主要用于偿还2026年到期的票据以及此前的定期贷款余额。季度末，我们的总债务为144亿美元，净杠杆率较低，债务的加权平均到期年份为2032年。季度结束后，我们续签了五年期循环信贷额度并将其规模增至35亿美元。这为我们增加了10亿美元的流动性资金，并进一步提升了我们的财务灵活性。业绩展望位元出货量：我们预计第三财季DRAM和NAND的位元出货量将实现增长。毛利率：我们预计第三财季的毛利率将环比下降，这其中包括面向消费市场的产品出货量增加所带来的影响。NAND产能的未充分利用将继续对毛利率造成压力。运营支出：我们预计第三财季的运营支出约为11.3亿美元，2025财年的运营支出将增长超过10%，这反映了为支持包括HBM在内的高价值产品组合而计划增加的支出。库存：随着位元出货量的增加，我们预计第三财季的库存天数将减少。我们仍预计2025财年末DRAM的库存将较为紧张。税率：对于第三财季和第四财季，我们估计非美国通用会计准则下的税率约为14%。资本支出：我们预计第三财季的资本支出将超过30亿美元。我们对2025财年的资本支出预计仍约为140亿美元。2025财年的绝大部分资本支出将用于支持HBM业务，以及工厂设施建设、后端制造和研发投资。鉴于关税实施的时间、性质和具体方式存在不确定性，潜在的新关税所带来的影响未包含在我们的业绩指引中。 FY25Q3 Non-GAAP业绩指引我们预计营收为88亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率在36.5%左右，上下浮动100个基点；运营支出约为11.3亿美元，上下浮动1500万美元。如前所述，我们预计第三财季的税率约为14%。基于约11.4亿股的流通股数量，我们预计每股收益为1.57美元，上下浮动0.1美元。结束语在第二财季，美光的收益超出了预期指引范围，数据中心DRAM的营收再次创下纪录，领先的HBM产量不断提升，并且推出了行业内最先进的DRAM制程技术。对于第三财季，我们预计在业绩指引的中间值水平上实现创纪录的季度营收。在巩固领先地位并把握未来巨大增长机遇的过程中，我们正集中研发资源，严格把控资本投入，并保持强劲的资产负债表状况。美光处于独特的优势地位，能够充分利用从数据中心到边缘设备等领域由人工智能驱动的变革性增长机遇。我们有望在2025财年实现创纪录的营收，并大幅提升盈利能力。我们有信心凭借审慎的投资以及专注于高价值产品组合的转变，应对当前的市场动态。这是我所经历的内存和存储领域最激动人心的时期，美光的创新处于这场革命的前沿。我们对未来的机遇感到兴奋，并将继续致力于为所有利益相关者创造价值。 Q&A Q：我们是否仍可以预期毛利率可能从FY25Q4开始改善？这种改善会涵盖数据中心相关产品和消费类相关产品，以及整个DRAM业务和NAND业务板块吗？ A：关于FY25Q3的情况，正如我们在会议上所指出环比下降了，下降的主要原因是面向消费的产品销量占比增加、CY25Q1面向消费者市场的定价降低，以及行业整体NAND市场状况。不过较高的HBM产品销量在一定程度上抵消了这些不利因素。尽管毛利率有所下降，但情况已经有所改善，最新的观点反映在了今天的业绩指引当中。我们预计FY25Q4毛利率会有所上升。就有利因素而言，我们预计市场状况会有所改善，我们预计HBM及其他高价值产品将实现增长，并有助于产品组合的优化。至于一些不利因素，我们确实看到了NAND产能未充分利用的情况。实际上由于我们的产能已从结构上进行了削减，FY25Q3期间这些相关成本会减少一些，而随着FY25Q4库存出清，我们会面临更多此类成本的冲击。我们已经采取了措施来管理NAND的供应，这部分业务仍在逐步恢复，我们打算在CY25Q2采取调价措施，并努力维持供应纪律。FY25Q4我们将会有一些与厂建、新节点以及我们正在推进的DRAM相关的启动成本。简而言之，我们预计第四季度的利润率会比第三季度有所上升。 Q：您对2025年DRAM行业的位元需求预测从中十位数百分比增长提高到中至高十位数百分比增长，是因为HBM增长嘛？今年您是否看到DRAM内的其他细分领域也在推动行业位元需求呈现出更好的态势呢？ A：我们曾预计在消费业务领域，到春季时客户的库存情况会有所改善。而实际情况也正如我们所预计的那样发展。当然，智能手机和PC市场上配备AI的设备也越来越多，这推动了数据容量的增长。因此，随着客户库存逐渐接近更健康的水平，我们看到客户恢复了采购，而所有这些情况都符合我们对2025年位元需求的预期。当然，数据中心业务依旧强劲。在数据中心领域，HBM无疑是推动收入增长的重要因素。就数据中心的位元需求增长而言,高密度DIMM产品以及美光在行业中处于领先地位的低功耗内存产品，也都对2025年的需求增长起到了推动作用。 Q：关于第三财季的业绩指引方面，你们预计收入将增长约7.5亿美元。你们提到DRAM和NAND的位元出货量都有增加，这两项业务分别贡献了多少呢？ A：关于给定的收入数字。你已经有了DRAM和NAND截至目前的年度收入、位元出货量增长以及价格等方面的数据。而且我们也向你提供了本年度位元需求增长的数据。所以我认为我们已经向你介绍了业务的大致情况，你应该能够基于这些对收入预期做出一些关于出货量和价格方面的假设。我们确实预计在第三季度DRAM和NAND的位元出货量都会有所增长。 Q：是否预计DRAM业务和NAND业务的收入都会增长？ A：增长的倾向将体现在拥有HBM产品且涉足数据中心领域的DRAM业务。 Q：贵公司认为在FY25Q4能恢复到FY25Q2的利润率水平吗？何时能看到HBM业务以及在非HBM的DRAM业务方面的成本削减举措带来的效益？什么时候能看到一个清晰的毛利率数据？ A：我们不会提供FY25Q4的数据。我们已经表明FY25Q4的毛利率会比FY25Q3有所上升。我们在技术和产品的市场覆盖范围方面处于有史以来的最佳状态。制造业的运营情况也非常良好。在成本方面，为了帮助你进行建模分析，我们预计FY2025 DRAM的综合成本将基本持平。FY2025 NAND综合成本将下降中十位数百分比。所以我们正在对NAND业务采取供应方面的举措。这包括降低产能、削减资本支出、推迟工艺节点转换，我们已经开始看到这部分业务出现了一些改善的迹象。在DRAM业务方面，HBM会持续增长，数据中心业务也会更广泛地发展，而且DRAM的前沿技术供应紧张。我们再次预计到本财年末，我们的DIO水平将低于我们设定的目标。当然，我们会继续专注于提高我们在DRAM和NAND业务方面的收入中高利润领域的占比。我们的产品组合处于最佳定位，因此要继续推动产品组合及其结构优化，切实专注于增强盈利能力。我们已经谈到过需求趋势。我们对DRAM的需求趋势很有信心，在NAND业务方面，供应管控将至关重要。我们当然会极其关注这一点，而且AI也有利于提升数据中心和边缘计算领域对我们DRAM的需求。我们的技术地位、产品地位以及成本状况也都持续保持良好。 Q：最近一些内存价格有所上涨，这在多大程度上是由真实的需求增长导致的，多大程度是与关税相关的提前采购所造成的？行业的定价动态具有多大的可持续性？ A：正如我们所指出的DRAM的需求驱动因素，以及消费业务领域中NAND在智能手机，和PC方面的需求驱动因素都在改善，尤其是智能手机，因为消费市场中的客户正逐渐接近其正常的库存水平。这也再次符合我们之前的预测。就PC而言，很可能在今年下半年我们就会看到AI PC方面出现更强劲的需求趋势，并且AI PC的普及率会不断提高。 AI PC相比过去的电脑需要更多的DRAM容量。普通PC平均配备12GB内存，而运行算力达到40 TOPS及以上的带有NPU的AI PC则需要16GB及以上的内存。PC领域存在着良好的需求趋势，智能手机领域也有同样的情况。有多款智能手机推出，而且未来还会有更多智能手机上市，其中不少将是AI智能手机，这些手机的DRAM容量更高，超过12GB，而去年的手机平均是8GB。数据中心对DRAM的需求趋势也依然强劲，所以需求趋势向好。在供应方面，正如刚刚所提及的，前沿产品的供应很紧张。出现这种情况是因为对HBM的需求不断增加及贸易比例变化所致。 NAND方面，各个厂商采取的供应举措，以及晶圆厂的产能未充分利用的情况，无疑也在改善供应状况，所有这些因素都在改善行业的供需环境。我们正专注于推动在CY25Q2涨价。并且，我们的产品在各个终端市场领域都具有良好的定位。我们真心期待能够继续最大限度地把握业务机会，并持续提高我们业务中来自行业高利润领域的占比。 Q：12Hi HBM4良率会不会比8Hi HBM3E低？这会对毛利率产生什么负面影响？ A：首先，我们非常满意8Hi HBM3E。FY25Q2，我们实际交付的HBM3E数量比计划的要多，并且首次实现了超过10亿美元的营收，这是一个重要的里程碑。而且8 Hi HBM3E表现依然出色。我们的良率不错，产能提升进展顺利，执行工作也开展得很顺利。在产能提升和良率提升方面，8 Hi积累的经验会在我们提升12 Hi过程中提供帮助。如我们之前所宣布的，我们现在已经实现了12 Hi量产。就像任何其他新产品一样，而且这些产品高度复杂，HBM是行业内有史以来制造的最复杂的产品，对于这类复杂产品，在早期阶段良率自然会有一个提升的过程。我们预计12 Hi产品价格当然会高于8H产品，并且也会继续显著提升我们DRAM的利润率。在今年下半年，将我们的绝大部分产能转向12 Hi产品。随着我们提升这方面的产量，良率当然也会持续提高。正如我们和你们分享过的那样，到今年年底，我们预计HBM业务的市场份额将与我们在整个行业DRAM业务中的市场份额相符。 Q：目前你们的DIO是153天，而你们将在两个季度内降至120天，为了实现这一目标需要减少多少库存数量？HBM的一些供应趋势等因素对库存产生了多大影响呢？贵司是如何削减这么多库存的？ A：第二季度的DIO天数是158天。DRAM市场的情况比NAND市场更为紧张。我们在NAND业务方面采取的供应举措。我们已经看到那里的出货量有了良好的增长，并且预计这种增长会持续下去。但是行业现状是存在产能未充分利用的情况，我们在削减资本支出，并且推迟工艺节点的转换。在DRAM方面，人工智能驱动的增长与HBM以及其他产品系列相关，尤其是HBM，由于其行业交易比例的情况，使得该市场供应紧张。我们之前设定的库存目标是120天的DIO，并且我们预计在FY25Q4 DRAM的库存天数将低于这一目标。 Q：你们给出下一季度的库存情况指引了吗？库存开始下降了吗？ A：DIO在今年内会下降。 Q：在NAND业务上，如何考虑FY25Q3和FY25Q4的产能未充分利用费用以及期间成本？该如何思考FY25Q4和FY26Q1新增的建设成本呢？ A：我们FY25Q3的期间成本比最初预计的要低，部分原因是我们从结构上降低了产能。因此，更多的产能未充分利用费用将计入库存，然后会以这种方式逐步消化而不是计入期间成本。这些期间成本，确实会在FY25Q4以及FY2026年对毛利率造成压力。但我们认为业务的增长、市场状况的改善以及产品组合的优化，这些因素综合起来会使FY25Q4毛利率有所提高。至于启动成本，从FY25Q3到FY25Q4，按环比来看其影响相对较小。但随着我们接近爱达荷州晶圆厂的晶圆投产，到FY2026年这个成本数字会增加。 Q：你们调高了对HBM行业的规模预期，对于上半年和下半年的情况，你们是否有一个特定的思考框架？ A：下半年的收入随着从8Hi向12Hi转变会持续增长，因为12 Hi相比8Hi会有一定的溢价。所以我们预计CY2025 HBM的行业TAM将超过350亿美元，并且2025年下半年的收入在这一总额中所占的比例会比上半年更大。当然，这里所说的超过350亿美元就是我们提到的HBM行业的市场规模。HBM客户群体正在不断扩大。我们现在已经开始向第三家大型客户供货了。所以客户群体的扩大也有助于推动下半年HBM业务收入的增长。 Q：在DRAM方面，LP4和DDR4产品的市场覆盖情况如何？随着下半年HBM业务开始增长，同时一些消费市场也逐渐恢复正常，这对收入和利润率的影响如何？ A：关于DDR4和LP4产品，在上个季度的财报电话会议上我们曾提到，在本财年剩余时间里，来自这些LP4和DDR4产品的收入大约占我们公司总收入的10%。所以在本财年剩余时间里，我们预计情况仍会如此。关于第二个问题，这在公司的整体收入中占比较小。而且我们在D5、HBM以及基于D5和LP5的产品方面处于领先地位，无论是在数据中心还是在消费市场的其他领域。所以，随着时间的推移，LP4和D4产品的占比当然会继续缩小。从DRAM的需求驱动因素以及供应紧张程度来看，DRAM行业的整体状况正在改善。这也会对DRAM市场各个部分的整体动态产生一定影响。 Q：明年你们是否仍将提升HBM产能？ A：我们曾说过到CY2025结束时，我们在HBM领域的市场份额将与DRAM领域的市场份额相当。所以从目前的发展态势来看，在CY2026我们全年的市场份额相比2025年将会更高。而且我们依然高度专注于持续提升HBM的产能。我之前提到过，我们在持续提升产能方面执行得相当不错，不断从8Hi向12Hi转变，并且非常专注于明年将HBM4推向市场，当然，同时也会满足与此相关的所有产能需求。虽然我们目前还没有对2026年的市场份额做出预测，但我们对自己在HBM领域的地位、与客户的紧密关系、在技术和产品方面的执行能力以及整体的制造水平都非常有信心。 Q：过去三个季度年收入与三年前市场回升时相近，但当时毛利率高10个百分点。现折旧变化不大、营收基数相同但毛利率低约10个点？这是否意味着毛利率难再超 50%？如何让毛利率回到该水平？ A：总体而言，我们在DRAM业务上的毛利率一直处于良好水平，而且这再次得益于我们基于D5产品、LPD5产品以及HBM产品所确立的强大技术和产品优势地位。NAND业务才是拉低我们毛利率的因素。当然，由于整个行业环境以及行业总体的供需失衡状况，我们在NAND业务上一直保持关注，所以无论是在DRAM还是NAND业务方面，毛利率始终取决于供需环境，但我们也非常注重增加高价值解决方案在业务中的占比。在NAND业务上我们也在持续这样做。随着我们看到行业内的供应管控更加严格，我们完全有理由预期NAND业务的行业基本面也会得到改善，在这方面持续保持对供应管控的关注也很重要。因此，展望未来，正如我们所指出的，我们会继续高度关注进一步强化我们的收入结构以及业务中的产品结构，使其更多地向高利润率产品倾斜，无论是在NAND还是DRAM领域，继续关注产品组合的优势，密切管理供需关系，并且密切管理我们的技术研发和投产进程，以确保我们的供需能够良好匹配，当然我们也会非常关注总体成本。基于这些，我们乐观地认为随着行业整体结构的改善，业务基本面也会随之改善。 Q：您提到毛利率较低的部分原因是消费端占比增加，实际上你们NAND业务下滑幅度比DRAM业务要大得多。在DRAM业务方面，你们是否也看到了对消费端占比增加？为什么会出现这种情况？如何改变这种状况？ A：我们在数据中心业务方面表现良好，并且正如我们所指出的，我们在数据中心的DRAM业务占比持续增加。在数据中心的DRAM领域，我们拥有领先的产品，包括HBM、SOCAMM等，DRAM方面我们进展顺利；过去几个季度消费端的客户库存积压情况比较严重，DRAM业务也存在这种情况。随着客户库存逐渐接近正常水平，再加上消费类终端受到AI拉动，我们看到需求出现了强劲反弹，尤其是在智能手机方面。实际上这导致了HBM的行业交易问题，同时消费端需求的强劲反弹也造成了前沿产品供应紧张，这些供需基本面因素使我们能够在CY25Q2推动价格上涨。 NAND业务方面也是同样的情况，行业内采取的供应举措，以及客户及消费端的库存逐渐恢复正常，也使得NAND业务的需求有所回升。我们也会在CY25Q2推动NAND业务的价格上涨。

美光

招商电子 . 2025-03-25 650
企业 | 晶丰明源2024年营收超15亿元，净利亏损63%

近日，上海晶丰明源半导体股份有限公司（以下简称“晶丰明源”）发布了2024年度财报。财报显示，晶丰明源2024年实现销售收入15.04亿元，较上年同比上升15.38%，但归母净利润-0.33亿元，同比减亏63.78%。单季度来看，晶丰明源2024年第四季度归母净利润为2125万元，系时隔一年后首次单季度盈利。晶丰明源总部位于上海，在杭州、成都和香港设有子公司，在深圳、厦门、中山、东莞、苏州等13个城市设有客户支持中心。公司专注于电源管理和电机控制芯片的研发和销售，坚持自主创新，产品覆盖LED照明驱动芯片、AC/DC电源管理芯片、DC/DC电源管理芯片、电机控制驱动芯片等，广泛应用于LED照明、家电、手机、个人电脑、服务器、基站、网通、汽车、工业控制等领域。其中，AC/DC电源芯片作为该公司第二增长曲线，收入相较于上年提升39.64%。用于大、小家电领域的AC/DC电源产品，销售收入同比上升79.13%；应用于充电器、适配器领域的AC/DC电源产品，销售收入同比上升30.56%。同时，2024年电机控制驱动芯片、高性能计算电源芯片销售收入增长同样明显，增幅分别达95.67%、1402.25%。与此同时，晶丰明源产品销售结构进一步平衡，以上三类产品营收占比均有不同程度提升，而去年LED照明驱动芯片的营收占比则从2023年的72.30%降至57.76%。晶丰明源表示，该公司自研的第一代0.18μmBCD工艺平台已实现量产，正推进第二代0.18μmBCD工艺的测试，第二代工艺平台量产后将在性能提升、成本优化等方面进一步提供助力；更高性价比的65nm LDMOS工艺平台取得阶段性成果，预计2025年进入试产阶段。

晶丰明源

芯查查资讯 . 2025-03-25 1 625
产品 | 600MHz RISC-V 双核加持！先楫HPM6P00重新定义国产高性能混合信号MCU

2025 年 3 月 25 日，上海 —— 高性能微控制器及嵌入式解决方案提供商上海先楫半导体科技有限公司（先楫半导体，HPMicro）正式发布全新一代高性能混合信号微控制器 —— HPM6P00 系列，聚焦工业自动化、智能电源及精密伺服控制领域。作为该系列的旗舰产品HPM6P81内置 RISC-V 双核，主频高达 600 MHz，支持多达 32 路高分辨率 PWM 输出，配备 4 个独立 16 位 ADC（多达32个模拟输入通道）和 8 个高速模拟比较器，并集成 Σ∆ 数字滤波、硬件电流环等高精度运动控制模块，满足严苛控制应用需求。 HPM6P00系列凭借卓越的计算性能、精准的模拟与控制能力、高精度定位与测量，以及丰富的通信接口，为新能源、工业自动化、机器人等前沿领域提供核心驱动力，助力客户打造更高效、更可靠的数字电源与运动控制系统，加速产业智能化升级。增强核心技术 1. 高实时性双核，提供澎湃算力： RISC-V 双核支持双精度浮点运算及强大的DSP扩展，主频600MHz，性能超过 6780 CoreMark™ 和 3420 DMIPS。 32KB 高速缓存 (I/D Cache) 和双核各高达 256KB 的零等待指令和数据本地存储器 (ILM / DLM)，加上256KB 通用 SRAM，极大避免了低速外部存储器引发的性能损失。双核各司其职，可分别专注控制环路运算和通讯等其他任务，实现算力与实时性的双重突破。 2. 增强PWM输出，重新定义电源和运动控制功率驱动的灵活性边界：输出通道多达32个通道，全部支持100ps级别高分辨率PWM调制精度，PWM波形灵活。支持最多32路独立PWM或者16对互补PWM输出。 PWM输出可通过互联管理模块与ADC等外设协同。 3. 强大的模拟外设，实现多通道精密测量与数字系统无缝对接： 4个16位ADC，转化率超过2MSPS，共32个模拟输入通道。 ADC支持差分和单端模拟输入，差分模式下ADC有效位数可达13.5位。 8个模拟比较器，内部集成12b DAC作为参考，可以对输入模拟信号进行上下限的窗口监测。 4. 实时控制系统，专为高精度控制场景打造：硬件空间坐标变换单元，实现硬件Clark和Park变换。闭环控制器。各类位置编码器接口，可以连接不同制式的绝对式和脉冲式编码器，实现旋转变压器解码。典型应用参考作为智能控制的核心引擎，先楫半导体HPM6P00 MCU的应用场景涵盖双向储能方案、双向微型逆变器、直流充电桩、锂电池均衡维护仪、储能系统能量管理、新能源汽车电机驱动及电池热监控等关键环节，其典型应用系统架构请参考下图。 1. 双向储能方案 2. 直流充电桩方案 3. 双向微型逆变器方案 4. 锂电池均衡维护仪方案赋能多元场景此次先楫半导体发布的新品HPM6P00系列不仅突破性能边界，更通过软硬件协同优化，集成电源模块、智能外设和灵活功耗模式，实现了从nA级待机到高效运行的全面覆盖。这些特性使其在电池驱动、能量采集及高可靠性场景中成为不可替代的核心组件。 • 能源与电源：数字电源、逆变器、电池管理系统（BMS） • 工业自动化：机械臂关节控制、PLC模块、智能传感器 • 精密设备：医疗仪器、3D打印、激光加工 • 消费电子：高端家电、无人机云台控制 HPM6P00EVK提供RGMII千兆网口、CAN接口、音频接口、sigma-detal 转换接口、HS USB接口以及标准的电机接口，可以适配先楫的电机驱动板。同时，HPM6P00EVK的FEMC/PPI插槽方便用户实现各类总线接口，并默认提供FEMC/PPI子板，可实现SDRAM、SRAM和并口的ADC采样功能。此外，HPM6P00EVK提供树莓派部分接口以及板载的调试接口可以方便用户进行调试，也提供标准的JTAG接口供用户选择。

先楫半导体

先楫半导体HPMicro . 2025-03-25 710
技术 | 基于小华HC32F334的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计

本文介绍了基于小华HC32F334数字电源控制器的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计：着重介绍了工频过零点电流畸变控制、工频过零点附近的逻辑处理、轻载效率和THD优化、准确负电流检测与防干扰设计、变频交错功能实现、以及保护功能设计，更多功能期待大家亲测品鉴。参考设计简介随着服务器计算需求的增长，特别是云计算和人工智能（AI）计算的兴起，服务器CPU/GPU所需功率在大幅增加，服务器电源的功率预算已经从21世纪初的200W至300W范围，增加到现在的800W至2000W，并且未来可能进一步增加到3000W/5500W甚至8000W以上‌。为了满足电子产品对高质量电源的需求，同时，在行业头部企业和节能减排宏观趋势的驱动下，服务器电源的行业标准也将从当前国内普遍采用的CRPS2.2标准逐渐升级到M-CRPS标准，新标准对掉电再恢复的冲击电流、电网电流THD、PF值及功率密度等方面提出了更为严格的要求，THD新旧标准差异如图1所示。图 1 M_CRPS/CRPS标准中THDi的要求应服务器电源高效、高功率密度的要求，图腾柱PFC相比传统二极管整流boost PFC每次能量传输少经过一个开关管、更为高效，因而在服务器电源、通信电源等领域得到了广泛应用，图腾柱PFC和传统拓扑的对比如图2所示。图 2 传统拓扑与图腾柱拓扑对比为进一步提升图腾柱PFC的效率和功率密度，TCM模式相对于DCM、CCM、CRM模式优势明显，如图3所示，TCM模式有利于实现全负载范围内的ZVS开通。在功率等级较高的情况下，单路 PFC 的输入纹波电流很大，滤波器的体积也会相应增大。为解决大功率场景中 PFC 电感和滤波器体积过大的问题，可采用多相（N相）交错技术。采用该技术后，输入电感电流频率成倍增加，输入滤波器差模部分所需的截止频率也成倍增加，因此可极大地降低系统滤波器的体积，有利于功率密度提升。图 3 电感电流工作模式对比基于上述考虑，小华半导体推出了基于HC32F334芯片的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计方案。系统具体控制框图如图4所示，方案采用互感器检测正、负向电流实现整流管OCP保护以及续流管负电流关断，同时实现交错控制。图5为满载电流交错以及主管实现ZVS的情况。图6为参考方案的THD、PF值以及效率曲线。参考方案的THD与PF值指标满足更加严格的M_CRPS标准。方案实现的主要要点与难点如下： 1、工频过零点电流畸变控制； 2、工频过零点附近的逻辑处理，包含： a) 对调整流管与续流管的驱动脉冲； b) 切换相应的负电流检测事件配置； c) 切换相应的OCP保护事件配置； d) 更改相应的消隐窗口配置； e) 工频过零点附近驱动关波逻辑； 3、轻载效率和THD优化； 4、准确负电流检测与防干扰设计； 5、变频交错功能实现； 6、保护功能设计，介绍： a) 电感电流的OCP保护； b) 以及软件防饱和保护；图 4 小华TCM_PFC系统控制框图图 5 Vin>Vout/2下的ZVS实现以及电感电流交错波形图 6 额定220V输入下THD曲线(左轴)和PF值(右轴)以及不同输入下的效率曲线方案设计要点工频过零点电流畸变控制在工频过零点附近，受续流管的反向恢复、采样电路延时、驱动电路延时的影响，在负电流达到阈值后电感电流会继续以的斜率上升一段时间（绝对值），导致实际关断的负电流会比给定值大一些。然而，在工频过零点附近输入电压瞬时值比较低，电感电流的上升斜率缓慢，会导致过零点附近的TON开出来的电流恢复不到负电流给定值以上。最终的结果是TON结束后，由于此刻母线电压相对较高，电感电流会以比较大的斜率下降到负向OCP保护阈值处，使得工频过零点电流出现尖刺。因此，在电感电流恢复到给定值以上之前的时间要防止开通续流管，同时要保证主管的脉冲在TON结束后能够重新开启。小华HC32F334芯片针对上述问题，对外设细节进行了优化处理，以便应对上述问题。芯片增加了外部事件消隐延迟功能，如图7所示。工频过零点附近，当负电流持续有效时，在死区时间结束后会清零计数器进而重新开启TON，直到负电流恢复到给定值以上。本方案中，负电流检测消隐信号跟随功率管脉冲动态调整，图8为未开启消隐延迟功能的发波示意图，图9为开启消隐延迟功能的发波示意图。图 7 消隐模式下触发计数器清零的外部事件延迟功能图 8 未开启消隐延迟功能驱动发波示意图图 9 开启消隐延迟功能驱动发波示意图未开启消隐延迟功能时，由于工频过零点附近TON开启未能使负电流恢复到给定值以上，样机工作异常，频繁的进入负向OCP的过流保护，不能正常起机，如图10所示。当开启消隐延迟功能时，如图11所示，样机正常工作，工频过零点附近电流波形平滑无尖刺。图 10 消隐延迟功能未开启图 11 消隐延迟功能开启工频过零点附近的逻辑处理无桥图腾柱拓扑在工频换相附近，需要处理以下逻辑：基于HC32F334芯片外设优异的性能，以上逻辑均可以通过配置外设轻松搞定。通过HRPWM外设的swap功能，可配置寄存器实现逻辑①对调整流管与续流管的驱动脉冲逻辑。由上一章节介绍的消隐窗口，通过配置更改事件的消隐模式即可实现逻辑①更改相应的消隐窗口配置的需求。HRPWM外设发波单元可配置选择10个外部事件中任一一个或多个作为清零、捕获、PWM动作的触发源，更改寄存器配置可轻松实现逻辑②、③负电流检测以及OCP保护逻辑的切换配置。逻辑④实现的一般方法是通过在环路中断程序中判断标志位后操作寄存器来关闭驱动脉冲，这样做的缺点是每个环路中断中必须要软件干预才可以，同时开关波会有跟中断服务函数相等时长的延时，另外关断逻辑还会跟控制耦合在一起，增加逻辑的复杂性。利用HC32F334芯片的EMB外设可轻松搞定上述问题。配置EMB外设的端口保护功能，过零点附近操作GPIO口的置高置低来提供EMB外设的端口保护源，保护功能配置为状态释放，这样无需软件干预即可释放驱动脉冲。过零点附近的驱动关波波形以及驱动切换如图12所示。图12 工频过零点驱动波形图另外，HC32F334芯片的HRPWM外设包含丰富的事件用来控制PWM输出，如相比于竞品，HC32F334的事件更多：除周期点、零点外，有6个比较寄存器动作点，和10个外部事件输入动作源。并且在计数器的上升计数，下降计数时可以配置不同的输出状态。表1 PWM控制事件基于HC32F334芯片如此灵活的发波性能，配置高频臂的驱动如图20所示，在环路中断中分别更改寄存器HRGCMAR、HRGCMER的值即可分别实现驱动的脉宽缓起的逻辑。轻载效率和THD优化本文采用的TCM模式是CRM模式的衍生，其共同点是电感电流均为三角波，不同点是，CRM模式电感电流最小值为0，而TCM模式电感电流最小值为负值。因此，TCM模式下得THD可参照CRM模式类比过来，将TCM模式下的电流平均值补偿为CRM模式下的平均值即可得到与CRM模式下相同得THD效果。如图13所示为TCM模式下电流补偿示意图：图 13 TCM模式下THD补偿图 TCM模式下得电感电流平均值与CRM模式下得电感电流平均值相等，可列出等式：求解令p= ,解得：小华HC32F334芯片为基于32bit Cortex-M4F CPU，内置FPU，同时具备最大 128KB 的 Flash memory，因此上述算法软件实现可通过公式计算或者查表的方式轻松实现。补偿后的波形如图6所示，满足M-CRPS标准要求。另外，为了提高轻载效率以及THD，方案在40%负载以下工作在单路模式，这对输入滤波器提出了更高的要求。如图14所示，为方案中采用两级滤波器仿真模型图以及滤波器的幅频特性。图 14 输入滤波器特性仿真如图14所示，滤波器包含两个谐振频率，本方案中两路工作模式切换至单路工作模式后，工作频率相比两路工作模式下会降低，进而穿越如图14所示的最右侧的谐振频率。由于该谐振频率点的衰减系数突然变小，同时由于是工作在TCM模式下，电感电流波形为三角波，幅值比较大，这样位于谐振点附近的电感电流衰减系数不够，导致三角波电感电流几乎无衰减。在输入滤波器看进去的电流如图15所示，滤波器在谐振频率29KHz处对电感电流几乎无衰减。如果将滤波器的谐振频率降低，必然要增加差模感量或者X电容容值，这样会导致输入滤波器的插入损耗进一步增加或者导致无功电流增加影响PF值。图 15 输入电流震荡波形本方案通过在X电容上串入电阻，很好地解决了上述问题，串入电阻后的滤波器波特图如图16所示。图 16 X电容串电阻后的滤波器波特图准确负电流检测与防干扰设计 TCM模式下的PFC工作在变频模式，频率范围可由20kHz至300kHz区间变化，因此负电流检测对检测回路的带宽要求较高，参考方案使用高频互感器进行检测，如图17所示。当电流从互感器T1的7引脚流向8引脚，Q4和Q5开通进行正向电流的OCP检测，以及ZCD电流的检测；当互感器不检测电流（关断），Q4和Q5关断，互感器T1由D17进行退磁。与串联的互感器采样回路分别实现了的OCP采样与的负电流采样，采样波形如图18、19所示。采样波形分别经过高速比较器输出至MCU芯片HRPWM外设，经过HRPWM外设灵活的外部事件处理性能实现逐周期的OCP电流保护功能以及负向电流检测功能。如图20所示，为高频臂驱动发波示意图。HC32F334的HRPWM外设具备外部事件消隐功能，可以忽略指定时间发生的外部事件，其中指定消隐时间配置非常灵活，用户可以通过寄存器设置选择下面任意一种模式： ①消隐时间可以由本单元滤波偏移寄存器EEFOFFSETAR到窗口寄存器EEFWINAR ②其他单元生成的消隐信号 ③其他单元的PWM信号：PWMA_PRE1或PWMB_PRE1 ④本单元计数值等于周期值或者锯齿波硬件清零到偏移值EEFOFFSETAR（或窗口值EEFWINAR）的时间 ⑤本单元计数值等于0到偏移值EEFOFFSETAR（或窗口值EEFWINAR）的时间本参考方案中，因OCP电流保护与负向电流检测两路事件为弱信号，在管子动作时很容易受干扰。HRPWM外设针对外部事件可配置消隐窗口，在消隐窗口时间内可忽略外部事件作用。因此，针对OCP保护以及负电流检测事件分别做了内部消隐。得益于HC32F334芯片外部事件灵活的消隐功能，本参考方案可分别对OCP事件配置消隐模式④，对负向的电流检测事件配置消隐模式⑤，进而保证驱动以及保护不受干扰，正确运行。图 17 电流检测电路图 18 续流管负电流采样波形图 19 主管OCP电流采样波形图20 基于HC32F334的TCM_PFC高频臂驱动发波配置示意图变频交错功能实现本参考方案中两路交错TCM_PFC在变频控制时，需实时矫正两路相位差，以便保证两路能够可靠交错。HRPWM模块每个单元timer都支持PWM输出和捕获功能同时使能，每个单元都有两路捕获功能，因此第一路timer既可以通过本单元ovf事件触发本单元捕获，测量出本路的开关周期T，还可以通过第二路timer的ovf事件触发第一路timer的捕获功能，从而得到从路相对于主路的相位P，进而计算出当前实时检测到的相位P与理论目标相位（180°）的差：，而后通过占空比微调使得从路相对于主路的相位保持在180°左右。如图21所示，两路电感电流实现了可靠的交错。图 21 两路电感电流波形以及主路的驱动与Vds波形保护功能设计如图22所示，为方案中高频功率电感的饱和电流测试波形。PFC电感饱和后，感量会急剧下降，进而会导致严重的功率损坏。因此，PFC电感的防饱和保护功能至关重要，除了单周期的OCP功能外，控制软件中还需增加一层保护。控制软件依据公式（2-1），通过查询输入电压瞬时值来限制TON得大小来间接限制得大小。 (2‑1) 图 22 高频电感饱和电流波形测试图交错无桥图腾柱TCM_PFC应用方案扩展随着以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体的发展，以及高性能MCU数字电源处理器的不断升级迭代，基于CCM模式的无桥图腾柱应用将会越来越广泛。小华HC32F334也能很好地支持基于CCM模式的无桥图腾柱拓扑控制策略，系统框图如图23所示。欢迎大家开发探讨。图 23 两路交错无桥图腾柱CCM_PFC系统框图总结随着AI和人工智能等新一代信息技术产业的蓬勃发展，服务器电源的高效率和高功率密度要求日益增强。本文详细介绍了基于小华HC32F334数字电源控制器的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC参考设计，重点介绍了工频过零点电流畸变控制、工频过零点附近的逻辑处理、轻载效率和THD优化、准确负电流检测与防干扰设计、变频交错功能的实现、及保护功能设计。上述分析和实验结果表明，小华HC32F334从芯片层面保证了图腾柱PFC控制功能的实现；同时灵活性的PWM波形控制功能有利于各种电源拓扑的数字控制开发，让用户使用起来更便捷、更安全！

小华半导体

小华半导体有限公司 . 2025-03-25 1 580
产品 | 圣邦微电子推出具备功率监控和 SMBus 功能的 1 至 4 节电池充电控制器 SGM41538/SGM41538B

圣邦微电子推出 SGM41538/SGM41538B，一款支持混合动力提升和纯电池提升模式，具备功率监控和 SMBus 功能的 1 至 4 节电池充电控制器。该器件可应用于支持电池/电容器备份的系统，笔记本电脑、超级本、二合一设备和平板电脑，工业与医疗设备及便携式设备。 SGM41538 和 SGM41538B 是高效的同步多化学电池充电器，适用于 1 至 4 节电池，专为高密度应用设计，显著减少了外部元件数量。 SGM41538 和 SGM41538B 支持混合动力增强模式（Hybrid Power Boost，HPB），当系统功率需求超过适配器额定功率时，电池能够辅助适配器供电。此外，它们还具备从充电到放电的超快速切换功能，确保在不同工作模式之间切换时系统运行平稳，不会出现崩溃的情况。 SGM41538 和 SGM41538B 还提供纯电池升压模式（Battery-Only-Boost Mode）。在适配器不在场且电池电压（VBAT）高于最低系统运行电压（VSYSMIN）时，电池场效应晶体管（BATFET）会直接将电池连接到系统。当 VBAT 降至接近 VSYSMIN 或更低时，升压转换器会被激活，以提升低电池电压并调节系统电压，直至电池存储的能量被完全利用并耗尽。此外，SGM41538 和 SGM41538B 配备了精确的功率和电流监控功能，通过各自的引脚（IADP、IDCHG、PMON）分别监测适配器电流、电池放电电流和系统功率，以便主机在需要时能够限制 CPU 并降低系统功率。它们还支持两级输入电流限制，最大化适配器的功率利用率，同时最小化电池放电。充电电压、输入电流、充电电流和放电电流的限制精度分别为 -0.3%~0.35%（16mV/Step）、-2.2%~2.5%（64mA/Step）、-1.5%~3.5%（64mA/Step）和 -3.5%~1.5%（512mA/Step）。设备的供电源会在电池和适配器之间自动选择。外部 N-MOSFET（ACFET、RBFET 和 BATFET）的集成栅极驱动器由两个内部电荷泵供电。SGM41538 和 SGM41538B 的集成 SMBus 接口允许电源管理控制器精确设置和调节输入电流、充电电流、放电电流和充电电压，并提供了一整套可编程保护功能。 SGM41538 和 SGM41538B 还增强了安全性保护，防止过压、过流、电池短路、电感短路和 MOSFET 短路。它们支持四种开关频率：300kHz、400kHz、600kHz 和 800kHz，并通过 ILIM 引脚实现对系统电流限制的实时控制。 SGM41538 和 SGM41538B 采用符合环保理念的 TQFN-4×4-28BL 绿色封装，能够在 -40℃ 至 +125℃ 的结温范围内稳定工作，适用于广泛的高密度应用。图 1 SGM41538 电池充电典型应用图 2 SGM41538/SGM41538B 功能框图

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圣邦微电子 . 2025-03-25 465
拆解纳祥科技超声波清洗机方案电路板，了解提升清洁效率的秘密

随着生活品质的提升，眼镜、珠宝、牙套等各类精细物件的清洗日益增长，但传统手洗难彻底除垢且易损物件，小型超声波清洗机方案凭借高效便捷等优势出圈，满足多场景清洁需求。今天一起看看纳祥科技展示的超声波清洗机方案。㈠方案概述纳祥科技超声波清洗机方案，其原理是发生器产生的高频振荡电信号，通过换能器转换成高频的机械振动，传播到清洗液中。超声波在液体中产生微小气泡，这些气泡在高压环境下不断生长并迅速破裂，从而产生强大的冲击力。这种 “空化效应” 产生的连续高压深入清洁盲区，使污垢迅速剥落，达到清洗目的。本方案配备控制主板，集成电源管理模块、超声驱动电路、单片机、触摸感应器等核心电子元件，各元件布局合理，线路连接简洁，确保设备运行稳定可靠。㈡方案实施流程我们以眼镜清洗为例，展示本方案—— ① 将眼镜放入清洗槽中，加入清水（也可加入2~5滴清洗液） ② 接入适配器电源，机器指示灯闪烁 ③ 轻触按键，指示灯长亮，开启超声波清洗机 ④ 清洗结束，取出眼镜，放在自来水下冲洗一遍即可备注：除了眼镜，本方案还能清洗耳环、剃须刀、牙套、项链、牙刷、化妆刷、手镯、手表等物品。㈢方案功能本方案利用超声波在液体中产生的空化作用，通过46KHz的高频震波，在220V额定电压下，有效清除物体表面的污垢和杂质。在实际设计与应用过程中，本方案集成了漏电保护、过载保护、过温保护以及功率控制等功能，以确保设备运行的安全性。㈣总结本方案通过高集成度芯片选型与智能化设计，实现小型超声波清洗机的低成本、低功耗及高可靠性，满足办公室、宿舍、居家等多场景需求。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

纳祥科技,超声波,超声波清洗方案,电子方案

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-03-25 1 2425
企业 | 奔向物理AI，NVIDIA推出开源人形机器人基础模型Isaac GR00T N1

在北京时间3月19日凌晨的NVIDIA GTC 2025上，NVIDIA首席执行官黄仁勋大声宣布，AI浪潮将继续，现在我们已经从生成式AI时代，来到了代理式AI时代，接下来将是物理AI时代。NVIDIA走在时代的前沿，在大家都在代理式AI时代时，他们已经在为物理AI时代的到来做准备了。在黄仁勋看来，机器人将是物理AI时代的重要标志。因此，在GTC大会上，NVIDIA针对机器人推出了一系列全新的产品，包括全球首个开源且完全可定制的基础模型Isaac GR00T N1，以及其他仿真框架和蓝图，比如用于生成合成数据的Isaac GR00T Blueprint、与Google DeepMind及Disney Research共同开发的、专为机器人开发而构建的开源物理引擎 Newton，以及与GE医疗合作的Isaac for Healthcare等。 Isaac GR00T N1的特性与优势能够制造出跟人类一样可以自主执行任务的人形机器人一直是一个令人着迷的目标。近年来，随着机器人硬件、AI和加速计算的进步，让这个看似遥远的目标变得触手可及了。当然，为现实世界任务和不可预测环境场景开发通用人形机器人仍然面临着一系列的挑战。比如每一项任务都需要一个专用的AI模型，而通用人形机器人需要执行海量的任务，这就必然需要这些任务的特定数据，然后用这些数据进行训练，再得到一个可用的模型。如果每一项任务，每一个环境都需要从头训练模型，这将是一项非常庞大的工程，而且成本很高。那有没有什么好的办法呢？NVIDIA给出了他们的一套解决方案，那就是Isaac GR00T，通过提供开源的提供开源 SimReady数据、Isaac Sim和Isaac Lab等仿真框架、合成数据蓝图及预训练基础模型，助力攻克这些挑战并加速通用人形机器人开发进程。今年推出的Isaac GR00T N1就是一个面向通用人形机器人的开源基础模型，该模型采用了双系统架构的视觉-语言-动作（VLA）模型。其中，“系统 1”是一个快速思考的动作模型，反映人类的本能反应或直觉。“系统 2”是慢思考模型，用于进行经过深度思考的决策制定。系统2由视觉语言模型提供支持，它会对所处环境和接收到的指令进行推理，从而规划行动。系统1随后将这些规划转化为精确、连续的机器人运动。系统1基于人类演示数据和 NVIDIA Omniverse平台生成的海量合成数据进行训练。 Isaac GR00T N1采用海量人形机器人数据集，再加上Isaac GR00T Blueprint组件生成的合成数据，以及互联网上大规模的视频数据训练后，可将该训练后的模型调整适配到特定机器人本体、任务场景与环境条件下。目前，开发者可以通过Hugging Face平台免费获得GR00T N1模型的部分训练数据。据悉，GR00T N1可轻松适应并完成通用任务，如单手或双手抓取、移动物体，将物体从一只手臂转移到另一只手臂，或执行需要长语境和通用技能组合的多步骤任务。这些功能可应用于物品搬运、包装和检查等各种使用场景中。当然，开发者和研究人员可以使用真实数据或合成数据针对特定人形机器人或任务对GR00T N1进行后训练。 1X Technologies首席执行官Bernt Børnich认为GR00T N1模型在机器人推理和技能方面实现了重大突破，仅需要少量的后训练数据，就能在NEO Gamma上全面部署。目前除了1X Technologies，Agility Robotics、波士顿动力、Mentee Robotics 和 NEURA Robotics也都在采用GR00T N1来开发他们的人形机器人产品。 Isaac GR00T Blueprint简化训练数据众所周知，在AI领域算力、算法和数据是其关键三要素，在人形机器人的训练中，数据也是非常关键的。但如果仅靠物理捕获数据，其成本高昂，耗时耗力。因为真实世界中，每人一天只有24小时，由此产生的人类演示数据，对人形机器人来说是远远不够的。但NVIDIA推出的用于合成运动生成的Isaac GR00T Blueprint刚好可以弥补这个不足。该蓝图基于Omniverse 和 NVIDIA Cosmos Transfer 世界基础模型构建，让开发者可以通过少量的人工演示生成大量合成运动数据，以用于操作任务。根据NVIDIA官网的介绍，利用为蓝图提供的首批组件，NVIDIA 能够在短短11小时内生成780,000个合成轨迹，相当于6,500小时或连续九个月的人类演示数据。然后，通过将合成数据与真实数据相结合，与仅使用真实数据相比，NVIDIA将GR00T N1的性能提高了40%。 Isaac GR00T N1的性能根据NVIDIA官网对GR00T N1模型进行模拟和现实基准测试评估，以衡量其在多样化机器人形态和操作任务中的性能表现。其中，仿真实验采用了三个不同的基准测试，现实测试则聚焦于GR-1人形机器人的桌面操作任务。首先是仿真基准测试。仿真实验采用了三个基准测试：其中两个为先前研究中已有的开源基准，另一个是新开发的套件，旨在模拟现实世界中的桌面操作任务。表1：各仿真基准测试的平均成功率（每项任务使用100次演示）真实环境测试中，这些模型在多种需要精确物体操控、双手协调动作和高级空间意识的操作任务上进行了评估。表2：GR-1人形机器人在现实任务中的平均策略成功率（来源：NVIDIA）表3：GR-1人形机器人中现实任务中的平均策略成功率（来源：NVIDIA）从这些测试中可以看到，GR00T N1不仅学习新任务的效率更高，其接收语言指令的精度也显著优于基线方案。结语除了前面提到的人形机器人，NVIDIA还与Google DeepMind 和 Disney Research 合作，共同开发开源物理引擎 Newton，可让机器人学习如何以更高的精度处理复杂任务。NVIDIA还通过Isaac for Healthcare，与GE医疗合作为能够挽救生命的医疗设备赋予自主能力，助力全球医疗服务普及。可以看出，NVIDIA在人形机器人领域布局甚广，且非常具有前瞻性。

人形机器人

芯查查资讯 . 2025-03-24 2 1 785
产品 | 全球首款批量装车1500V高耐压大功率SiC芯片助力全球最强超级e平台

在3月17日的超级e平台技术发布会上，比亚迪发布了划时代超级e平台，推出闪充电池、3万转电机和全新一代车规级碳化硅功率芯片，核心三电全维升级，搭配全球首个电动车全域千伏架构，刷新多项全球之最。 “超级e平台技术”，是全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，该系统将电池、电机、电源、空调等都做到了“千伏级”承载能力，以超高电压1000V、超大电流1000A 、超大功率1000kW ，实现兆瓦闪充。当千伏电压架构加持下的新能源汽车在追求极致性能的道路上疾驰，一道横亘在工程师面前的“高压天堑"却让研发历程步履维艰。在千伏级高压系统平台上关断时，加持在器件上的反电动势远远超过了现有车用碳化硅模块的耐压极限，如同海啸冲击堤坝一般，面临着巨大的挑战。在工业发展中，电机技术始终牢牢占据关键的地位，构筑起工业的核心基础。电机技术每一次革新，都有力彰显着一个企业技术能力的跃升。早期，高压电驱技术限制了电机甚至整车性能的发挥，阻碍整车布局，使得系统难以达到最优适配，汽车行业对于提升车用碳化硅的耐压等级、动力性需求极为迫切。全新一代SiC功率芯片，全技术链自研自产针对1000V高压系统及兆瓦闪充需求，比亚迪半导体另辟蹊径，依托集团垂直整合优势，快速开发推出1500V大功率SiC芯片，解决了模块耐压瓶颈，这是汽车电机驱动领域首次大规模量产应用的最高电压等级SiC芯片。 1500V高耐压大功率SiC芯片这项里程碑式创新，在业界率先实现乘用车千伏级电压架构的稳定运行，匹配了汽车超高功率充电，助力超级e平台成为全球首个量产的乘用车“全域千伏高压架构”，实现电池、电机、电源、空调等都做到1000V，达到全球量产最快充电速度——闪充5分钟，畅行400公里。超级e平台：全球最强专业纯电平台多重极致防护，铸就高压电控系统“金刚”之躯面对新能源汽车在各种极端工况下依然能够稳定工作的"炼狱考验"，研发团队为1500V车规级SiC模块构筑起多重技术护城河。这款SiC模块，之所以能成为高压平台卓越性能的颠覆者，不仅在于先进的芯片特性，也因其独特的创新结构设计，结合先进的激光焊接技术，实现创新、高效和可持续性设计的完美结合。高电压平台双面银烧结SiC模块亮点业内首创满足高达1000V电压平台应用，真正释放了电机的潜能，开启高效电力传输新纪元。高效率、低损耗 5nH低杂散电感设计，相比传统封装可以降低30%动态损耗，提升整车效率和续航能力。长寿命、高可靠性采用耐高温塑封材料及纳米银烧结工艺，实现了200℃工作结温，功率循环寿命超越常规工艺3倍以上，让芯片在各种极端工况下仍然能够稳定工作，为整车提供了坚实的动力保障。耐振动性能远超目前可靠性试验标准，随机振动特性曲线可超过14G，±XYZ六向加速度耐受能力完全满足模块侧装、倒装等不同安装方式，满足应用端多样化、灵活性的配置需求，实现随心所欲的功能部署与性能优化。小体积、轻量化通过塑封模块引线框架、底板一体成型注塑工艺，摒弃传统灌封模块外框设计，降低杂散电感的同时，实现器件尺寸的显著缩减，同输出能力下相较传统灌封模块总体积减小28%，赋予应用端更多设计空间，极大提升了系统的效率和可靠性。丰富的车规级量产应用经验为汽车提供核心支撑此次，比亚迪发布超级e平台，电动车核心三电再进化。比亚迪半导体通过芯片设计、晶圆制造、模块封装等关键环节的全面突破，解决了高压电驱系统的关键瓶颈之一，助力整车打造一款真正突破极限的电驱总成，为新能源汽车性能升级提供核心支撑。与此同时，该方案有力推动了1000V高压平台加速普及，助力新能源汽车电控、电驱技术向更高能效、更长续航演进，引领电驱总成进入 “3” 时代，助力整车动力性、经济性、舒适性全面提升。比亚迪半导体在国内功率半导体领域拥有领先的全产业链一体化IDM运营能力，深耕功率器件20余年，具备丰富的IGBT和SiC 芯片设计、晶圆制造、模块封装及测试应用经验。丰富的量产经验与整车使用数据，推动半导体产品创新迭代，快速实现技术方案的突破与创新。成立至今，比亚迪半导体已形成多项国内首创技术，同时有多项产品在国内实现率先应用，多个品类国内市占率处于行业领先地位，在全球新能源汽车市场上也展现了其强大的竞争力和影响力。比亚迪半导体不仅是国内第一家实现车规级IGBT大规模量产的企业，也是国内第一家车规级SiC模块批量装车的企业，新能源汽车功率模块市场占有率在国内高居榜首。同时，其自主研发的车规级MCU、BMS AFE、车用电流传感器、车规级LED光源等系列产品装车量位列国内自主品牌前列。依托国内新能源汽车产业的飞速发展，比亚迪半导体打破国产车规级半导体下游应用瓶颈，成功打造集成化的车规级产品协同应用平台，提供高效、智能、集成的新型半导体产品，为广大客户提供领先的车规级半导体整体解决方案。

比亚迪

比亚迪半导体 . 2025-03-24 640