芯查查-电子信息产业数据引擎

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Conformal AI Studio 可将 SoC 设计师的效率提升 10 倍

新一代套件包括 AI 驱动的等价验证、ECO 自动化和低功耗静态签核产品随着 SoC 设计日益复杂，形式等效性检查面临更大挑战。为此，Cadence 推出了 Conformal AI Studio——一套全新的逻辑等效性检查（LEC）、自动化ECO（Conformal ECO）和低功耗静态签核解决方案。 Conformal AI Studio 结合人工智能和机器学习（AI/ML）技术，可直接满足现代 SoC 团队日益增长的生产力需求。其核心引擎经加速优化，包括分布式低功耗引擎（支持对拥有数十亿实例的设计进行全芯片功耗签核）、全新算法创新以及面向 LEC 和 ECO 解决方案的简化设置和 AI 赋能流程。借助 Conformal AI Studio 的 ML 驱动的abort解决方案，能够解决高级用户当前面临的较为复杂 LEC 问题。Conformal AI Studio 通过优化最先进的实施工具，将设计效率提升 10 倍，ECO 补丁体积缩小 10 倍，处理速度加快 10 倍，并实现最佳的全流程功率、性能和面积（PPA）。 Conformal AI Studio 创新技术涵盖三种核心产品： Conformal AI Equivalence——支持分布式布尔逻辑等效性检查、AI 仪表板和 ML 驱动的证明引擎。 Conformal AI ECO——自动生成掩膜前后的功能 ECO，创建高质量、高效且可实施的补丁，确保进度的可预测性。 Conformal AI Low Power——使用分布式与层次化流程验证复杂 SoC 中的低功耗电路结构是否符合设计的功耗意图，并执行高效的两个设计的低功耗比较。率先采用 Conformal AI Studio 的客户表示，该解决方案在基础设施 AI、超大规模计算和移动市场的先进 SoC 中展现出显著优势。 “联发科打造了业界领先的 SoC，涵盖广泛的应用领域。我们的设计团队需要创新的 EDA 工具，以更快、更轻松、更可靠地提升 PPA。在执行后期阶段功能 ECO 时，这一挑战尤为突出。”联发科硅产品开发副总经理 CW Ko 解释道。“在试用 Cadence Conformal AI Studio 期间，我们取得了显著成果。相较以往的解决方案，全新的 Conformal AI ECO 流程使战术 ECO 补丁体积缩小了 83%，运行时间缩短了近一半。此外，联发科还部署了 Conformal AI Low Power 的快速电源状态表分析增强功能，在运行时间和内存方面实现了超过 100 倍的提升。目前，我们也开始采用 Conformal AI Studio 最新推出的 ML 驱动型 LEC 中止解决方案。” Conformal AI ECO 引入全新 Smart ECO 流程，使早期合作伙伴的运行时间缩短达 10 倍，补丁体积缩小 10 倍。这种创新方法利用 RTL 级信息和全新的布尔“Smart Cut”优化算法来管理具有多层次结构和高级数据路径的设计。此外，AI 驱动的 ECO 补丁方案选择还简化了功能 ECO 的实施，同时提升了实施效率。 “瑞萨一直在积极测试 Cadence 的新一代 Conformal AI Studio，其结果非常振奋人心。得益于一系列全新 Smart ECO 技术，我们的自动化功能 ECO 流程的运行时间缩短了 50% 以上，同时保持甚至提高了补丁质量；在一项关键 ECO 任务中，运行时间甚至缩短了 90%。”瑞萨电子数字设计和验证总监 Peter Bell 表示。“这些创新大大简化了设置过程，使更多初级工程师能够高效地部署解决方案。我们的团队早早采用了 Conformal AI Studio 的 Cadence JedAI 仪表板，并坚信其跨项目见解将帮助设计人员和管理人员更高效地跟踪其 LEC 任务，以及整个项目过程中的自动化 ECO 运行情况。” 尽管 Cadence 致力于确保 Conformal 工具始终与实现无关，但在与 Cadence 数字设计和签核工具配合使用时，可大幅提升流程效率。Genus Synthesis Solution、Joules RTL Power Solution 和 Innovus Implementation System 加上与 Cadence JedAI Solution 和 Cadence Cerebrus Intelligent Chip Explorer 的集成，不仅能够有效降低功耗，还可进一步提升性能。 “几十年来，Conformal 技术始终是市场上最值得信赖的流程无关 LEC 解决方案，可确保实施工具在不引入硅错误的前提下完成验证工作。然而，设计挑战日益复杂，而 SoC 流片周期却在缩短。”Cadence 高级副总裁兼数字和签核事业部总经理 Chin-Chi Teng 表示。“全新的 Conformal AI Studio 应运而生。新一代完全分布式和多线程核心引擎能够处理当今最复杂的设计，并支持领先的序列优化验证技术，有助提升 PPA。与 Cadence JedAI 大数据平台和 ML 驱动的 Cadence Cerebrus 集成，Conformal AI Studio 可帮助客户将运行时间缩短 5-10 倍，以便在逻辑等效性、ECO 补丁优化以及 SoC 级低功耗静态签核和调试期间实现abort问题解决。”

Cadence . 2025-04-07 2165
MOS管从传统封装到先进封装的演进

背景随着智能设备的普及，电子设备也朝着小型化、高性能和可靠性方向发展。摩尔定律趋缓背景下，封装技术成为提升性能的关键路径。从传统的TO封装到先进封装，MOS管的封装技术经历了许多变革，从而间接地影响到了智能应用的表现。合科泰将带您深入探讨MOS管封装技术的演变。封装技术的演进根据技术层级的不同，MOS管封装可分为三类技术形态，根据其不同的特性和优点，可适用于不同的场景。 1、传统封装：TO系列封装。 20世纪60-90年代，工业与家电设备要求器件具备高机械强度与低成本，对中低功率MOS管需求激增。TO结构基于铜或铁镍合金金属引线框架，外延引脚设计支持外接散热片，通过环氧树脂封装外壳提供超过50G加速度耐受的机械抗冲击能力。TO封装热阻范围为50-80°C/W，广泛运用于中低功率MOS管。 TO系列作为最常见传统封装形式之一，优点是结构简单、成本低、散热性能好，适用于传统应用场景，比如电源适配器、开关电源等。然而，受限于引脚电感过高（>10nH），其开关频率难以突破MHz级别，无法满足高频电路需求。 2、先进封装：QFN封装 2000年后消费电子小型化推动高功率密度、高频需求，同步整流技术普及，要求MOS管开关损耗降低50%以上。QFN封装通过在底部设置占比达70%的铜质焊盘，直接与PCB覆铜层贴合显著提高了散热效率、降低了电阻，同时引线电感低于1nH，可完美适配同步整流Buck电路等高频场景。 QFN封装体积小且热阻低，散热性能优异，适用于高功率、高密度的电路设计，良好的散热性能可以确保MOS管高功率运行的稳定性，比如智能插座、PD快充等。但该封装对焊接工艺精度要求极高，焊接空洞率必须控制在5%以内（IPC标准），否则会因热传导路径受阻导致热性能断崖式下降，直接影响器件可靠性。 3、高端封装：BGA封装 AI、自动驾驶等领域需多芯片协同，驱动系统级封装与高密度互连技术发展。BGA封装作为高端三维集成方案，通过0.4mm间距焊球矩阵布局实现超过1000引脚的高密度互连，结合3D SiP堆叠封装技术，支持多芯片垂直互联，使导通电阻降至0.5mΩ。通过在底部设置球状引脚实现高引脚密度和低电感，提高了可靠性。 BGA封装适用于高性能、高密度的电路设计应用，比如智能门锁、监控摄像头等。BGA与GaN器件协同可实现100MHz超高频开关，并通过AEC-Q101认证耐受175℃结温，已成功应用于自动驾驶激光雷达电源模块、AI训练芯片48V直连供电系统等前沿领域。（需满足AEC-Q101车规认证）不同封装对MOS管的性能影响不同，传统的TO封装散热性能主要依赖散热片，散热效率非常有限；先进封装的QFN封装通过大面积散热片显著提升了散热效率，同时降低了热阻，使其可用于高功率应用；高端封装BGA封装通过球状引脚和结构设计，进一步优化了散热性能。合科泰凭借深厚的技术积累和持续创新，已推出一系列采用先进封装技术的MOS管产品，这些产品在不同的细分应用市场展现出卓越的性能。

MOS管

厂商投稿 . 2025-04-07 1 2150
市场周讯 | 美国对华关税累计超73%，中方反制；ST和英诺赛科达成GaN合作；Wolfspeed濒临破产，市值蒸发超60%

| 政策速览 1. 中国& 美国：美国总统特朗普于当地时间周三宣布全面新关税政策，将对所有进口商品加征10%基础关税，并对部分国家实施更高税率。此举标志着美国贸易政策出现重大转向。新政策综合了此前白宫讨论的两种方案——地毯式关税与一国一税的差异化关税。以叠加方式计算，特朗普和拜登政府对华累计加征的关税总和超过73%（19.3%初始提升 + 拜登新增部分 + 特朗普第二任期54%）。美国政府宣布对中国输美商品征收“对等关税”。美方做法不符合国际贸易规则，严重损害中方的正当合法权益，是典型的单边霸凌做法。根据《中华人民共和国关税法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国对外贸易法》等法律法规和国际法基本原则，国务院批准，自2025年4月10日12时01分起，对原产于美国的进口商品加征关税。有关事项如下：一、对原产于美国的所有进口商品，在现行适用关税税率基础上加征34%关税。二、现行保税、减免税政策不变，此次加征的关税不予减免。三、2025年4月10日12时01分之前，货物已从启运地启运，并于2025年4月10日12时01分至2025年5月13日24时进口的，不加征本公告规定加征的关税。 2. 江苏：江苏省数据局等5部门近日联合印发《江苏省深化智慧城市发展推进城市全域数字化转型的实施方案》，这是全国首个省级层面出台的城市全域数字化转型实施方案。《实施方案》提出：到2027年，全省城市全域数字化转型实现整体跃迁，“五位一体”全域数字化转型格局基本形成，全面建成省市一体的数据资源体系，高使用价值数据供给率超过95%，实现公共数据应归尽归；构建统一的城市运行智能中枢，打造5个城市大模型，推广应用200个以上智能体；数字经济核心产业增加值达1.8万亿元，打造数据产业、物联网、集成电路、信息通信、智能网联汽车、核心软件、人工智能、先进计算等数字产业集群；建立适数化制度创新体系，制定出台10项左右法规规章和规范性文件，13个设区市智慧城市建设水平进入全国百强，特大城市智慧高效治理全国领先。 3. 中欧：中欧双方同意尽快重启电动汽车反补贴案价格承诺谈判，为推动中欧企业开展投资和产业合作营造良好的环境。 | 市场动态 4. Omdia：半导体市场的年收入激增约 25%，达到 6830 亿美元。这一急剧增长归功于人工智能相关芯片的强劲需求，尤其是人工智能 GPU 中使用的HBM，这使得内存领域的年增长率达到 74%。 5. 工信部：前2个月，信息技术服务收入12585亿元，同比增长10.3%。其中，云计算大数据服务同比增长8.8%；集成电路设计同比增长13.5%。前2个月，信息安全产品和服务收入393亿元，同比增长6.8%。前2个月，嵌入式系统软件收入1735亿元，同比增长11.9%。 6. CFM：二季度服务器DDR5价格将出现-5%~-10%的回落，服务器DDR4价格持平至5%的小幅上涨，原厂eSSD合约价预计回落幅度约为10%。由于服务器eSSD和DDR5供应充足，Q2价格预计出现小幅回落，不过AI服务器需求能见度依然较高，全年服务器存储需求仍将保持领涨势头，促使需求端在价格合理水位采取备货行动。 7. 韩国：韩国3月出口额582.8亿美元，同比增长3.1%；进口额533亿美元，同比增长2.3%。得益于高带宽内存（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR5）等高附加值产品的需求增加，半导体出口131亿美元，同比增长11.9%，逼近2022年创下的出口纪录（131.2亿美元）。汽车出口为62亿美元，同比增长1.2%，连续两个月回升。电脑（12亿美元，33.1%）、无线通信设备（13亿美元，13.8%）、显示器（15亿美元，2.9%）等信息技术主力产品出口均实现增长。按出口目的地看，对华出口额为101亿美元，同比减少4.1%；对美出口额为111亿美元，同比增长2.3%。 | 上游厂商动态 8. 联电：联电在新加坡举行新加坡Fab 12i晶圆厂扩建新厂开幕典礼。该扩建新厂第一期总投资约50亿美元，预计2026年开始量产。 9. 格芯：美国芯片制造商格芯与中国台湾第二大芯片制造商联华电子股份有限公司正在探索合并的可能性。 10. ST&英诺赛科：意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能。 11. Wolfspeed：Wolfspeed市值蒸发超60%，濒临破产，跌至自1998年以来新低，这一剧烈跌幅发生在该公司任命新CEO后的第二天。 12. TI：TI通过电子邮件发布的声明中表示，此次裁员是为了“有效支持我们的长期运营计划”而采取的改革措施的一部分，其中包括裁减位于蒂姆帕诺戈斯高速公路旁莱希工厂的一些职位。TI 没有透露有多少员工被解雇——受影响的员工不到 33％。 13. 华润微：华润微发布关于选举公司董事长的公告，公司2025年第二届董事会第二十三次会议审议通过了《关于选举公司第二届董事会董事长的议案》，正式选举何小龙为董事长，何小龙的任期自董事会审议通过之日起至第二届董事会任期届满止。 14. 印度：印度上市公司凯恩斯科技旗下Kaynes Semicon宣布，将于2025年7月交付印度首款封装半导体芯片，初期样品将交付Alpha Omega半导体公司。 15. 高通：正考虑向半导体公司Alphawave IP Group发出收购要约。声明称，高通目前无法确定是否会提出正式要约以及潜在条款内容。根据收购守则，高通须在当地时间4月29日下午5点前宣布明确收购意向或声明不会推进收购。 16. Rapidus：日本政府支持的芯片企业Rapidus周二开始测试生产下一代芯片。这家成立两年的公司正准备在2027年采用2纳米工艺大规模生产半导体。 17. 英特尔：英特尔CEO陈立武谈及代工进展时表示，英特尔18A制程节点正在按既定计划推进，首个外部客户的流片工作即将完成。预计今年下半年，随着英特尔Panther Lake客户端处理器的推出，将开始大规模量产。 18. MTK：联发科推出面向高端 Chromebook Plus 设备的讯鲲 Kompanio Ultra 910 处理器，采用台积电第二代 3nm 工艺，CPU 是 1× Cortex-X925 + 3×Cortex-X4 + 4× Cortex-A720 的 1+3+4“全大核”架构。 19. 睿思芯科：国内 RISC-V 高端核心处理器企业睿思芯科 3 月 31 日发布了“中国首款全自研高性能 RISC-V 服务器芯片”灵羽处理器，宣称该处理器“计算性能已比肩 Intel、AMD 等国际主流型号的服务器芯片”。 20. 国巨旗下的基美 (KEMET) 将调整钽质电容售价，调整规格包含2.5V至10V的47uF-330uF，新价格将于6月1日生效。 | 应用端动态 21. 比亚迪：比亚迪官方宣布出海再提速，全新“西安号”正式下水。比亚迪船队 8 条滚装船已下水过半，全球最大汽车滚装船“深圳号”即将首航。 22. 越疆：越疆机器人宣布升级推出新一代 CRAF 智能力控协作机器人。该系列以自研智控算法为核心，一体化内嵌传感器，旨在提升机器人在精密装配、复杂打磨、焊接、医疗自动化等高端制造领域的柔顺性、安全性和智能力控能力。 23. 特斯拉：马斯克表示 Optimus 机器人将于今年开启试生产，预测今年产能可达 5000~10000 个。特斯拉目标是在 2026 年生产 5 万个。

半导体

芯查查资讯 . 2025-04-07 3 1 1920
智能驾驶 | 激光雷达进入“千元机”时代，10万以下车型也能用上

重点内容速览： 1. 激光雷达的结构及车载激光雷达的主流方案 2. 车载激光雷达市场格局，中国企业合计占了88%的市场今年可以说是智能驾驶普及之年。2月9日，长安汽车发布了“北斗天枢2.0”智能化战略；2月10日，比亚迪推出“天神之眼”高阶智驾解决方案；3月3日，吉利发布了“千里浩瀚”智能驾驶系统；3月18日，奇瑞公开了“猎鹰智驾”解决方案；再加上推行智能驾驶多年的特斯拉、华为、小鹏、蔚来等，2025年各大车企都纷纷加码智能驾驶。作为智能驾驶的核心零部件，具备感知精度高、识别距离远等优点，更适应黑夜、逆光和大雾等环境的激光雷达也迎来高速发展期，比如尊界S800与改款的M9搭载了4颗激光雷达；比亚迪的天神之眼A/B搭载激光雷达；零跑将在12.98万元的车型上采用激光雷达；长安汽车更是宣布将在10万元级别的车型上搭载激光雷达。再加上奔驰、宝马、奥迪、丰田等在内的国际头部主机厂在2025年也均有激光雷达车型的发售计划。车载激光雷达今年注定是一个高速增长的年份。图：Yole统计的车载激光雷达市场规模（来源Yole）据Yole统计，2024年全球激光雷达市场规模为8.61亿美元，预计到2030年将增长至38.0 4亿美元，年复合增长率高达28%。特别是随着L3，L4级别自动驾驶汽车时代的到来，车载激光雷达的用量将倍增，因为一般L2或L2+级别的自动驾驶车辆一般会采用1~2颗激光雷达，L3级别将采用1颗前视加2到3颗补盲激光雷达实现360°覆盖，而到了L4级别，由于车企或运营商需要负全责，一般会要求更大的安全冗余，或将采用2颗长距激光雷达加上周边4~6颗补盲激光雷达实现车身视角全覆盖。激光雷达的结构及车载激光雷达的主流方案激光雷达是一种利用激光来探测与测距的一种技术，其测量原理主要有两种，即飞行时间法（ToF，Time of Flight）和调频连续波法（FMCW，Frequency Modulated Continuous Wave）。这两种方法能够实现较远距离的测量，比如100至250米。具体来说，ToF是通过直接测量发射激光与回波信号的时间差，基于光在空气中的传播速度得到目标物的距离信息。具有响应速度快、探测精度高的优势，但可能受到其他激光雷达或者环境光的干扰，在高反射率目标上可能出现信号饱和的问题。目前，ToF法已经达到了较高的技术成熟度，具有完整产业链，成本也相对较低，因而实现了广泛应用。而FMCW则采用了相干检测技术，使用频率来测量距离，将发射激光的光频进行线性调制，通过回波信号与参考光进行相干拍频得到频率差，解调出被检测目标的距离及速度，具有可直接测量速度信息，以及抗干扰的优势。FMCW目前技术成熟度较低，对ADC、DSP等元器件的性能要求较高，成本较高，仍处于发展初期。图：激光雷达主要内部结构（来源：禾赛科技招股书）也就是说，激光雷达一般由四大核心模块组成，分别是激光发射模块、激光接收模块、扫描模块和信息处理模块。激光发射模块包括激光驱动、激光器和发射光学系统，主要的功能是产生并发射激光信号。虽然激光器的种类有很多，但目前车载激光雷达主要采用半导体激光器，包括边发射激光器（EEL）和垂直腔面发射激光器（VCSEL）。VCSEL因其低成本和高可靠性逐渐成为主流。按照发射激光的波长，可以分为905nm为代表的近红外激光器和以1550nm为代表的短波红外激光器。因为半导体技术成熟，而且成本优势显著，早期激光雷达系统（包括Velodyne在2005年推出的3D实时激光雷达）主要采用905nm波长的激光器。就算是现在，905nm以及新兴的940nm半导体激光器仍然是主流，预计未来5年都不会有所改变。也有少数厂商，比如图达通和Luminar在使用1550nm的半导体激光器，但由于成本较高，难以满足车企的需求。在激光发射器方面，早期激光雷达厂商主要采用EEL，因为它具备高功率和远距离优势。但是由于EEL体积大，功耗高等劣势，它正逐渐被VCSEL所取代。VCSEL具有小尺寸、低功耗和阵列可扩展性等优势越来越受激光雷达厂商所青睐，再加上其2D可寻址阵列能提升视场角和点密度，以及多结结构增强输出功率，正逐渐成为业界主流。供应商方面，目前激光器市场主要参与者仍以海外厂商为主，包括Ams OSRAM、Lumentum（鲁门特姆）等；国产厂商包括深圳瑞波光电子、常州纵慧芯光半导体、炬光科技和长华科技等。激光接收模块主要用来接收漫反射回来的光，利用光电效应将光信号转化为电信号，从而实现对光信号的探测。主要由接收光学系统、光电探测器、放大器（前置放大器、主放大器等）等组成。通过光电探测器（比如APD、SPAD、SiPM）捕获发射激光并转化为电信号。图片来源：芯查查制图光电探测器方面，早期主要以APD为主，但现在APD已经开始被灵敏度更高的SiPM和SPAD所取代，新的接收器具备更好的噪声抑制、紧凑的设计和量产优势。特别是SPAD-SoC结构（将SPAD与处理器芯片堆叠）正在兴起，其主要优势包括更高光子探测填充因子和更小的尺寸，通过垂直集成SPAD阵列与定制ASIC实现信号处理，降低尺寸、延迟和成本。光电探测器供应商方面，海外厂商主要包括索尼、First Sensor、Hamamatsu（滨松光子）、安森美、量芯集成等；国内厂商包括灵明光子、南京芯视界等；信息处理模块：将接收到的光信号处理成高精度的三维点云数据，支持自动驾驶系统的环境感知。核心算法包括点云分割、目标识别和SLAM。信息处理模块的主芯片一般会采用FPGA，但近几年由于降本及性能需求，头部激光雷达厂商都是在定制自己的ASIC芯片和驱动芯片。供应商方面，主要有Altera、AMD、TI、ADI、紫光国微、智多晶等。扫描模块决定激光雷达的探测范围和分辨率。扫描方式包括机械式、混合固态（如MEMS）和纯固态（比如OPA，Flash）。也就是说，按照扫描方式的不同，激光雷达可以分为机械式、混合固态和固态激光雷达三大类。其中，机械式激光雷达是通过电驱动扫描部件旋转，实现360°全景探测，其缺点是体积大、成本高，且容易受到振动影响，不适合车载应用；混合固态激光雷达又分为转镜式、棱镜式和MEMS式激光雷达，比如MEMS式就是利用微机电系统（MEMS）振镜替代部分机械部件，降低系统尺寸和重量，同时保持较高扫描性能，MEMS激光雷达是当前量产车载激光雷达的主流选择；纯固态激光雷达是完全去除了机械部件，通过光学相控阵（OPA）或面光源（Flash）实现光束控制。OPA和Flash技术具有更高的集成度和可靠性，是未来的发展方向之一。图片来源：芯查查制图其实车载激光雷达市场竞争激烈，进入门槛也很高，比如车规级的激光雷达需要经过1万小时以上数十项车规测试。也就是说，激光雷达产品达到车规级，需要在化学特性、机械特性、电气特性三大方面进行数十项试验，包括备受业界关注的车规级冲击振动和高低温检测。机械式激光雷达技术已经趋于成熟，但由于物理极限和成本高等因素限制，装配和调试困难，扫描频率低，生产周期长，成本较高，并且机械部件寿命不长（约1000~3000小时），难以满足苛刻的车规级要求（至少1万小时以上），因此ADAS量产方案基本以半固态激光雷达为主。车载激光雷达市场格局，中国企业合计占了88%的市场根据Yole的统计，2024年车载激光雷达（包含Robotaxi和乘用车）的总出货量约为160万台，较2023年实现了翻倍增长。其中出货量最大的禾赛科技占了30%的市场份额，速腾聚创、华为和图达通紧随其后，这四家中国激光雷达厂商合计占了88%的市场份额。图：2024年全球车载激光雷达市场份额（来源：Yole）其实，目前在车载激光雷达市场中，全球仅有8家企业具备前装量产车规级主视激光雷达的能力，其中国内有5家，分别是禾赛科技、速腾聚创、华为、图达通和大疆览沃，国外有3家，分别是法雷奥、Luminar和Innoviz。由于大疆览沃在2023年就放弃了车规市场，法雷奥、Luminar和Innoviz则受限于高成本和低采纳率，因此，真正具备市场竞争力的主流车载激光雷达供应商仅有禾赛科技、速腾聚创、华为和图达通四家。图达通目前仅有蔚来一家车企定点，华为更多凭借与问界、智界和阿维塔等ADS全家桶生态车型一站式智驾解决方案售出产品。产品具有性价比的供应商仅有速腾聚创和禾赛科技两家。速腾聚创和禾赛科技都成立于2014年，并相继在2021年和2022年前后实现了车规级产品的量产交付。根据最近这两家公司发布的2024年财报，速腾聚创2024年全年激光雷达总销量达到了54.4万台，同比增长109.6%，其中ADAS领域的激光雷达产品销量约51.98万台，同比增长113.9%。禾赛科技2024年全年激光雷达总交付量为50.19万台，同比增长126.09%，连续4年实现交付量翻倍，其中ADAS激光雷达交付量约为45.64万台，同比增长134.2%。根据最新的消息，速腾聚创今年1至3月，已经助力15款合作车型实现了大规模量产落地，包括广汽丰田铂智3X、传祺向往S7、吉利银河E8等。截至2025年3月31日，速腾聚创已与全球30家汽车整车厂及一级供货商达成紧密合作，定点车型数量已超百款。禾赛科技也在近期披露，截至目前，该公司已经与22家国内外汽车厂商的120款车型达成量产定点合作关系。更为重要的是国内这两家激光雷达厂商近年来在持续降低激光雷达的成本，让激光雷达来到了“千元机”时代。比如2024年，速腾聚创推出了激光雷达新品MX，价格不到200美元。禾赛科技也在2024年推出了激光雷达新品ATX，渗透至10万元级别的车型。据悉，目前ATX已经获得了比亚迪、奇瑞等11家国内头部车企的多款车型定点合作，2025年会启动大规模量产。结语国内车企积极拥抱激光雷达技术，将其广泛应用于各价位车型，包括经济实用型车型。相对来说，欧美车企更加保守，主要限于高端车型，这导致了量产规模有限，目前仅有奔驰、宝马、奥迪和沃尔沃等少数厂商采用。这也导致了国内激光雷达厂商快速崛起，再加上机器人市场的发展，国内激光雷达厂商有望更进一步。

智能驾驶

芯查查资讯 . 2025-04-07 10 2 3985
政策 | 特朗普发布对等关税34%，累计平均关税超70%

美国总统特朗普于当地时间周三宣布全面新关税政策，将对所有进口商品加征10%基础关税，并对部分国家实施更高税率。此举标志着美国贸易政策出现重大转向。特朗普在发布会上称，此次政策是“美国贸易政策的解放日”，旨在针对“贸易不良行为者”实施差别化关税。新政策综合了此前白宫讨论的两种方案——地毯式关税与一国一税的差异化关税。如果这些关税完全落地，美国的有效关税率或从2024年的2.4%大幅上升22.7个百分点，至25.1%，这将超过1930年《斯穆特-霍利关税法案》实施后的关税水平。政策核心内容地毯式关税：美国将对所有进口商品加征基础10%的全面关税，这与其此前总统竞选过程中所承诺的10%地毯式关税一致，将于4月5日零点01分生效。此前钢铝、汽车等已落地25%关税税率的行业不受此政令的影响。另外铜、药品、半导体、木材、部分关键金属与能源产品也被排除在对等关税框架外，这些行业是特朗普此前提到计划加征更高行业关税的品类，但具体落地时间与税率仍未公布。一国一税：欧盟20%、日本24%、韩国25%、中国大陆34%、中国台湾32%、印度26%、泰国36%、瑞士31%等国则采取一国一税制度。此类关税于4月9日零点01分启动。图片来源：白宫，NBC News，中金公司研究部中国：对华加征34%的新关税，将在特朗普政府此前实施的关税基础上累加，此前特朗普因中国在芬太尼贸易问题上扮演的角色已经加征20%的关税。这意味着在4月9日之后，对中国进口商品的基础关税税率将达到54%。如果将特朗普第二任期前的关税计算在内，美国对中国商品的平均关税提高到70%以上。此外，还要关注特朗普最终会否因中国购买委内瑞拉石油而对其额外加征25%的关税。豁免清单：钢铝、汽车等已实施25%关税的行业不受新政策影响；铜、药品、半导体、木材、关键金属与能源产品暂被排除在10%关税框架外，但未来可能加征更高税率。加拿大与墨西哥继续享有《美墨加协定》（USMCA）关税豁免，但不符合协议的商品需缴纳25%从价关税（加拿大能源产品为10%）。小包裹关税调整：5月2日起，800美元以下进口小包裹的免税政策终止，统一征收30%或25美元/件关税（6月1日后升至50美元/件）。国际上的反应这是特朗普今年1月上台后，迄今为止宣布的最大规模的新关税政策，向包括盟友在内的全世界祭出关税大棒，美其名曰“阻止他国剥削美国”。这些关税再一次加快逆全球化的脚步，减缓全球经济增速。从一双袜子到电动汽车，从一颗元器件到餐桌上的食物，价格都要上涨。美国企业要么自己承担成本，要么转嫁消费者。但现实是，最后超市、百货衣食商品、本土制造商、4S店等使用了进口材料，都会变贵。关税实施后，各国作何反应？加拿大总理特鲁多批评新关税损害国际贸易体系，称将采取反制措施，具体细节待与各省协商后公布。欧盟冯德莱恩周三在对欧盟议员发表讲话时表示：“欧洲并未挑起这场对抗。我们并不一定要进行报复，但如果有必要，我们有一项强有力的反制计划，并且会加以实施。” 墨西哥与加拿大或因豁免政策获得更多美国市场份额。经济学家路易斯· 德拉卡列指出，两国在北美供应链中的优势地位可能进一步巩固。中国外交部发言人郭嘉昆近日表示，我们注意到美国的主要贸易伙伴已纷纷作出回应。贸易战、关税战没有赢家，没有哪个国家的发展繁荣是靠加征关税实现的。美方做法违反世贸组织规则，损害以规则为基础的多边贸易体制和各国人民共同利益，也无益于解决自身问题。对美国的影响美股期货全线暴跌：标普500指数期货跌3.4%，纳斯达克100指数期货跌4.2%，道琼斯指数期货跌2.2%。美元指数回落0.5%，投资者转向“衰退交易”，抛售银行股与小盘股。罗素2000指数期货接近熊市边缘。图片来源：新浪财经截图特朗普政府强调关税可“保护本土产业并增加财政收入”，预估最高可为美国创收7000亿美元（占GDP的2.3%）。但美国分析师称特朗普政策“比最坏预期更激进”，尤其对中国34%的税率引发市场恐慌。除此之外，美联储陷入“滞胀”困局，短期降息可能性极低。新关税或导致美国实际GDP增速下降1.3个百分点，消费者价格指数（PCE）通胀上升1.9个百分点，叠加当前通胀预期高企（一年期预期5%，五年期4.1%）。通胀预期攀升与关税推高物价的双重压力下，美联储需至少两个月评估政策影响。若上半年维持利率不变，“政策救市”预期落空，市场调整压力或进一步放大。美国汽车零部件进口关税清单范围扩大，5月3日起生效。新车价格或上涨2500至2万美元，视生产地与零部件来源而定。关税收入预计增加7374亿美元，但相当于变相财政紧缩，私人部门投资与消费意愿受抑。若美元升值，影响或部分抵消，反之经济压力加剧。对中国的影响根据特朗普和拜登政府历次对华关税政策及最新宣布的34%关税，以下是各阶段关税加征的累计情况： 1. 特朗普第一任期（2017-2021年）初始加征：2018年起，特朗普依据“301调查”对中国商品分四轮加征关税，涵盖约3600亿美元商品，涉及税率从10%到25%不等。平均关税水平：截至2020年，中国输美商品的平均关税从3.1%上升至19.3%。重点领域：钢铁和铝制品分别被加征25%和10%的全球性关税，后对中国进一步施加反补贴税。 2. 拜登政府（2021-2025年）延续与调整：拜登保留了特朗普时期的大部分关税，并针对高科技领域（如半导体、电动车）新增针对性关税。例如，对中国电动车加征了25%的新关税。平均关税水平：整体维持在特朗普第一任期后的高位（约19.3%），部分商品因新增关税略有提升。 3. 特朗普第二任期（2025年1月至今） 2025年2月：宣布对所有中国商品加征10%关税，使平均关税从19.3%提升至29.3%。 2025年3月：再次加征10%，累计关税升至39.3%。 2025年4月3日（最新宣布）：新增34%关税，若针对所有中国商品，则总平均关税可能达到约73.3%。 4. 总体累计关税实际影响：由于部分关税针对特定商品且存在豁免，实际平均税率可能低于名义值。例如，彼得森国际经济研究所估算，特朗普第一任期后实际平均税率为19.3%，而后续加征可能使部分商品税率超过50%。美国政府对于特定商品，例如光伏、钢铝产品，产品原有关税率加上232条款关税率25%、301条款关税率25%以及2月份以来继续加征的20%，关税税率将会高达70%。美国是中国最大的贸易顺差来源国，若加征40%关税，中国对美贸易顺差可能减少3375亿美元，整体顺差规模将显著下降。图片来源：网络，图为中美贸易差额分行业看，食品饮料、电子、轻工制造、纺织服装等对美出口依赖度较高的行业受冲击最大。5月对汽车零部件加征25%的关税，中国汽车制造商需加速供应链本地化或转向其他市场。此外，半导体和医疗将是关税递增的重灾区，这将倒逼我国技术加速自主创新和产业链多元化。出海方面，中国企业不得不对现有的模式进行调整，海外仓、本土化运营和多元化市场布局将成为应对贸易壁垒的核心策略。中国企业亟需从“低价竞争”转向品牌化与供应链全球化布局，长期或推动产业升级。特朗普的“对等关税”无视WTO规则，可能加剧全球贸易体系碎片化。中国通过推动RCEP、金砖合作等多边机制，增强自身在国际贸易中的话语权。例如，中国对东盟、非洲等“一带一路”国家出口快速增长（2024年对东盟出口增长12%），有效分散了对美依赖。美国在中国出口中的份额已从2017年的21.6%降至2024年的13.6%。此外，我国也可能对美采取提升关税策略，如对美国农产品大豆、玉米增加关税。高关税或为谈判策略，未来存在下调空间。但短期内，市场波动与供应链不确定性将持续发酵。历史经验证明，制造业回流并不能依靠筑高墙，2018年中美贸易战期间，美国农牧业市场大幅下滑，制造业回流却并未有多好的成效。关税、禁令不仅没有“MEGA”，还会引发全球各国对美国征收报复性关税，全球贸易进一步萎缩，回到区域经济圈的旧时代。

关税

芯查查资讯 . 2025-04-03 1 11 8400
技术 | 低损耗、高可靠性：先进IGBT技术驱动家电能效升级

在当前快速发展的消费电子市场中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种核心电子元器件，凭借其卓越的开关性能、低导通损耗和良好的热管理能力，成为现代家电技术的重要组成部分。面对家电行业对性能与可靠性要求的日益增长以及用户对能效的高度关注，安世半导体的 650 V G3 IGBT 以其优越的开关性能、热性能和严格的可靠性标准脱颖而出，为开发高效、可靠的家电设备提供了新选择，展现出广泛的应用潜力。本文将家电应用拆解为三个子应用，从电机拖动、PFC（功率因数校正）电路、感应加热入手，分别讨论安世半导体 650 V G3 平台的 IGBT 的应用优势。 1. 电机拖动 1.1 电机拖动在家电中的应用介绍电机拖动技术在家电应用中发挥着至关重要的作用，通过精确控制电机，实现高效、智能和节能的运行。它不仅负责驱动设备，还涉及能量的高效转换，提升了整体性能。在家电中，电动机将电能转换为机械能，以实现各种功能。例如，洗衣机中的 Motor Drive 调节电机的转速和扭矩，以适应不同的洗涤模式，从而提高洗净效果和降低噪音。借助高效的能量转换机制，洗衣机能够更快速地完成洗涤任务，同时减少水和电的消耗。在空调中，变频电机通过智能调节压缩机的转速，根据室内温度变化优化制冷和制热过程。而在吸尘器中，电机实现了吸力的精确调节，使得清洁过程既高效又安静。此外，电机拖动系统能够进一步提升能量利用效率。例如，在某些电器中，制动时产生的机械能可以被回收转换为电能，供给其他设备使用。通过这些应用，电机拖动不仅提升了家电的性能和使用体验，还促进了节能减排的目标，使现代家居生活更加便捷、环保与智能。图 1：Motor in home appliance 在含有电机拖动的家电应用中，最普遍的拓扑形式是三相全桥拓扑。三相全桥拓扑是一种常用于三相交流电机（如异步电机、永磁同步电机等）驱动的电路配置。它由六个开关器件（通常是 MOSFET 或 IGBT）组成，分别对应三相电机的三个绕组。三相全桥拓扑的基本工作原理是通过控制每一相的开关状态来实现对电机的转动方向和转速的控制。具体来说： ▸ 每相电机绕组都连接到两个开关器件，形成一定的电路。 ▸ 通过交替导通不同的开关，能够产生在电机绕组之间的旋转磁场，从而驱动电机旋转。 ▸ 控制系统通过 PWM 信号控制开关器件的开关状态，从而调节电机的速度和转矩。图 2：Motor drive application diagram 在工业及家电应用中，三相全桥的开关管的开关频率通常较低（<20kHz）。在这种情况下，开关管的导通损耗通常占据总损耗的主导部分。由图 3 可以看出，在给定条件下的电机拖动应用中，IGBT 器件的损耗占比中最高的是导通损耗，占比 71.6%。使用低导通损耗的 IGBT 可以最大幅度提升系统效率和降低结温，这对节能减排以及产品可靠性方面皆有好处。图 3：应用于电机拖动中的 IGBT 器件损耗占比 1.2 安世半导体 650 V G3 IGBT 在电机拖动中的应用性能安世半导体的 650 V G3 M 系列中速 IGBT 管具有较低的导通损耗以及优化的关断损耗，非常适合较低开关频率（<20 kHz）的场合，例如电机拖动。同时 175 度的工作结温以及较小的热阻保证了工作时的结温余量。严苛的可靠性标准例如 HV- H3TRB 保证了器件在极端情况下的可靠运行。较低的 Vcesat 与 Vf 以 NGW50T65M3DFP 中速管为例，远低于竞品的 Vcesat 以及 Vf 将助力降低电机拖动应用中的损耗，从而保证更高的系统效率及更低的工作结温，助力节能减排以及产品可靠性。表 1：650 V G3 IGBT 单管产品系列 TO247-3L 封装表 2：650 V G3 IGBT 单管产品系列 D2PAK&TO220FP 封装图 4：Vcesat——NGW50T65M3DFP v.s. 竞品图 5：Vf——NGW50T65M3DFP v.s. 竞品高效率与低温升在 400 V 电机拖动系统测试中，NGW40T65M3DFP 中速管被用于与竞品对比在电机拖动应用中的性能情况。在图 6 中可以观测到在不同输出电流情况下，NGW40T65M3DFP 在不同相上都有更优的热表现。在图 7 的系统效率 MAP 图中可以看到，NGW40T65M3DFP 相比于竞品，在不同转速和扭矩下具有更大面积的高效率区域。图 6：电机系统中三相 IGBT 的壳温表现图 7：电机系统效率 MAP 图图 8：PFC 电路在功率回路的位置 2. PFC 2.1 PFC 在家电中的应用介绍 PFC（功率因数校正）电路在现代家电中起着至关重要的作用，尤其是在电源设计方面。随着对能效和环保要求的提高，家电产品越来越关注功率因数的优化，以减少电力损耗和提高电能使用效率。功率因数是表征电气设备能效的一个重要指标，表示有功功率（实际被用来做功的电力）与视在功率（供电系统的总电力）之间的比例。功率因数的提高可以降低电力损耗，提高电源的利用效率，并减少对电网的负担。 PFC 电路有不同的拓扑实现形式，例如单相 CCM boost PFC、2 通道或 3 通道交错 CCM PFC、图腾柱 PFC、交错图腾柱 PFC 等，这些拓扑结构有其适用的功率范围。以家用空调为例，5 kW 以下功率的家用空调中，单相 CCM boost PFC 和 2 通道的交错 CCM PFC 比较普遍，开关频率通常在 30 kHz 以上，推荐使用安世半导体 H 系列 650V IGBT。 2.2 安世半导体 650 V G3 IGBT 在 PFC 中的应用性能为进一步评估 650 V G3 H 系列 IGBT 在 PFC 中的性能表现，以 NGW40T65H3DHP 为例在 5 kW 交错 PFC 板上与竞品进行了对比测试。图 9 为交错 PFC 的拓扑电路。表 3 和表 4 分别显示了测试中的竞品信息以及测试条件。其中 C 竞品为中速 IGBT 管，作为对照组。E 竞品为逆导 IGBT。图 9：交错 PFC 拓扑较低的电压过冲当 IGBT 关断时，由于功率回路杂感的存在，会在功率开关两端形成瞬时的电压过冲。越低的电压过冲会有更大的电压安全裕量，从而减小系统的故障率，提升了稳定性。在 400 V 系统中，如果以 85% 的阻断电压（这里阻断电压是 650 V）定义为安全裕量边界，那么 NGW40T65H3DHP 的电压过冲远在这之下，且仅略高于竞品 C 的中速管。图 10：Vpeak - Vin @ 25℃ Full Load 优异的 EMI 性能在现代电力电子应用中，尤其是在电机驱动、变频器、开关电源和家电设备中，功率器件（如 IGBT 和 MOSFET）的快速开关能力是实现高效能和优化性能的关键。然而，快速开关也带来了电磁干扰（EMI）的问题，需要在设计和应用中加以重视。安世半导体 650 V G3 IGBT 具有优异的 EMI 性能，为设计者直接替换开关管而无需重新进行 EMI 设计提供可能。图 11 显示了 NGW40T65H3DHP 与其他竞品相比的 dV/dt（电压变化率）表现。越低的 dV/dt 代表更优的 EMI 性能。可以看出 NGW40T65H3DHP 具有最优的 EMI 性能，其 dV/dt 甚至略低于 C 竞品的中速管。图 11：dV/dt 对比@full load@Tamb=55℃ 均衡的系统效率图 12 显示了 NGW40T65H3DHP 与其他竞品在 55℃环境温度下的系统效率对比。由于兼顾了电压过冲和 EMI 性能，其在系统效率上的表现略微均衡。D 竞品与 E 竞品有着最高的系统效率，但同时也有较高的电压过冲和较逊色的 EMI 性能。图 12：Efficiency - Vin @ Tamb=55℃ Full load 优异的热性能为了更为公平地对比结温表现，利用 PLECS 软件复现了测试电路及测试条件。并对功率器件建立热模型。热模型包括开关损耗数据，导通损耗数据及热阻网络数据。其中，开关损耗数据由实际测试中的波形计算而得。导通损耗和热阻网络数据源自规格书。图 13 所示为得到开关损耗数据表格的过程。图 14 所示为相关仿真波形。图 13：绘制开关损耗数据表格图 14：PLECS PFC 仿真波形在实际测试中系统效率较高的 E 竞品（也是客户常用的型号）被选为与 NGW40T65H3DHP 进行损耗及结温对比，结果如表 5 所示。可以看到竞品 E 相比 NGW40T65H3DHP 在损耗方面略有优势。但在平均结温方面，NGW40T65H3DHP 有着 9.8℃ 的优势，在最高结温方面，有着 18.5℃的优势。这标志着更低的静态热阻以及更优异的动态热响应。表 5：竞品 E 与 NGW40T65H3DHP 在 PLECS PFC 仿真中的损耗及结温对比@Tamb=25℃ 3. 感应加热 3.1 感应加热在家电中的应用感应加热是一种基于电磁感应原理的加热技术，它通过在导体中产生涡流来实现快速加热。近年来，感应加热技术逐渐在家电领域得到了广泛应用，特别是在厨房电器中，例如电磁炉、电饭煲、部分烤箱等。感应加热的基本原理是利用交变磁场对导电材料（如金属）产生的提高温度的涡流效应。当高频电流通过感应线圈时，会在其周围产生交变磁场。如果将具有电导率的材料放置在磁场中，会在材料内部产生涡流，从而产生热量。感应线圈通常在拓扑中以谐振电感的形式存在，如图 15 所示为半桥型感应加热的拓扑图，感应线圈与两个谐振电容共同组成了谐振电路，两个开关管组成半桥驱动谐振电路。通过调整开关管的开关频率可以调整系统的输出功率。图 15：半桥感应加热拓扑 3.2 安世半导体 650 V G3 IGBT 在感应加热中的应用性能较低的关断损耗用 PLECS 搭建一个半桥感应加热的仿真电路，并为其设置了一些仿真参数（来自客户），如表 4。表 4：PLECS Induction heating 仿真条件我们可以得到图 16 的 IGBT 以及反并联二极管的开关波形。可以观察到，在感应加热应用中，IGBT 的电流在过零点时处于导通状态，所以开通损耗为零，只存在导通损耗和关断损耗。这为安世半导体 650 V G3 IGBT 的应用创造了优势，因为其关断损耗经过优化后可以维持在较低的水平。如图 17 所示，在175℃的结温条件下，NGW50T65H3DFP 的关断损耗远低于竞品 Comp.1~Comp.3。图 16：PLECS Induction heating 波形图 17：双脉冲测试 Eoff - Rg @50A@175℃ 较低的损耗及结温如图 18 所示为 NGW50T65H3DFP、Comp.1 与 Comp.3 在该仿真中所得出的不同开关频率下的损耗（Comp2. 未提供热阻曲线数据故未纳入仿真）。可以看出，虽然 NGW50T65H3DFP 这颗高速管在导通损耗方面与竞品略有差距，但由于其优异的开关损耗，总损耗仍然为最低水平。并且由于其较低的热阻，仿真结温也为最低，如图 19 所示。图 18：PLECS Induction heating, Powerloss - Fsw @Ta=50℃ 图19：PLECS Induction heating, Tj - Fsw@Ta=50℃ 小结综上所述，安世半导体的 650 V G3 IGBT 在家电应用中的优越性能显著提升了设备的效率和可靠性。在电机拖动、PFC（功率因数校正）电路和感应加热等三大主要领域，650 V G3 IGBT 展现了其在降低损耗、优化热管理和改善电磁干扰（EMI）方面的突出优势。通过合理设计和高性能集成，这款 IGBT 不仅提升了系统的整体效率，还确保了运行的稳定性和耐用性。其严格的可靠性标准也为在各种工作条件下的可靠运行提供了保障，将其定位为家电行业中现有设计的优秀替代方案及新设计的理想选择。凭借这些特性，安世半导体的 650 V G3 IGBT 为消费者的家电产品赋能，推动了智能、节能和环保的现代家居生活，展示了其在未来市场中的广阔前景。

安世

安世半导体 . 2025-04-03 1 1 1265
应用 | Qorvo凭借超宽带（UWB）技术推进室内导航应用

在日新月异的科技世界，Qorvo的超宽带（UWB）技术堪称一项突破性创新。如果您曾好奇设备如何在室内实现精准定位，UWB便是答案。Qorvo的UWB技术重新定义了室内导航，通过无缝集成Wi-Fi等现有基础设施来强化位置追踪功能。从家庭到大型企业，它彻底改变了我们与周围环境的交互方式。 UWB利用高频无线电波在宽频谱上传输数据，从而实现非凡的精度。该技术通过测量短脉冲信号的飞行时间，达到了极高的准确性。实现这一技术的关键组件包括UWB天线和传感器，它们协同工作，即使在多层建筑和地下设施等复杂环境中，也能提供详尽的定位数据。 UWB的精度无与伦比，所达成的厘米级定位远超传统系统。这种精确度在多个行业领域重塑了用户体验，在需要精确位置追踪的应用中展现出巨大价值。随着越来越多的行业认识到其潜力，UWB必将成为其运营中不可或缺的一部分，并推动创新与效率的提升。 Qorvo UWB在室内导航应用中的优势想象一下，在繁忙的购物中心自如穿梭，或在家中轻松找到遗失的物品——这便是Qorvo UWB技术的优势所在。其精准定位能力使用户能够以厘米级的精度定位物品并导航，远超传统系统。在医疗保健领域，这意味着工作人员可以快速找到关键设备，提高效率并改善患者护理。在零售业，顾客可直接被引导至所需商品，而员工则能更有效地管理库存。UWB还通过精确的访问控制增强智能楼宇的安全性。借助与Wi-Fi 7的集成，UWB确保了无缝、可靠的室内体验，彻底改变了我们与周围环境的互动方式。 Qorvo UWB的工作原理 Qorvo UWB的核心在于利用高频无线电波实现精确的室内定位。该技术通过宽频谱传输数据，因此具有极高的精确度。其奥秘在于测量信号从发射器传输到接收器所需的时间，即飞行时间。UWB的脉冲持续时间很短，使其能够以厘米级的精度进行测量。 Qorvo UWB采用专用的天线和传感器来协同捕获并处理这些数据。这些组件可以绘制出详细的环境地图，精确标注物体和人员的位置。与在室内表现不佳的GPS不同，UWB在多层建筑和地下区域等复杂环境中仍表现优异。 UWB与现有基础设施（如Wi-Fi 7企业接入点）的集成，进一步增强了其功能。这种协同作用实现了精确的位置追踪和无缝连接，提升了各种环境下的用户体验。该技术不仅精度高，而且稳健，是那些需要精确定位和实时数据行业的可靠选择。 Qorvo UWB在室内空间的应用 UWB的多功能性在多种环境中大放异彩。在零售业，其通过在店内为顾客提供导航、引导他们找到所需商品，从而优化整体购物体验。库存管理也得到了提升；实时追踪能力确保货架始终充足。医疗保健设施受益匪浅，因为工作人员可以快速找到关键设备，从而提高患者护理和运营效率。在智能楼宇中，UWB通过精确的访问控制和资源管理带来增强的安全性。例如，它可以跟踪资产和人员的移动，确保一切物品和人员都在适当的位置。这种精确度不仅提高了安全性，还简化了日常运营。在家中，UWB技术促进了与智能设备间的无缝互动，创造了一个直观的环境，让您的设备能够毫无障碍地协同工作。想象一下，当您走进房间，灯光、恒温器和音乐便会根据您的喜好自动调整。机场和交通枢纽也利用UWB高效引导旅客，以减轻压力并改善旅行体验。从找到最近的洗手间到导航至登机口，UWB确保您一路顺畅。这些应用无一不展示了UWB技术如何彻底改变室内导航，成为多个行业不可或缺的组成部分。 UWB与其它技术的比较在比较和评估各种室内导航技术时，UWB的精度尤为突出。与提供基于邻近位置定位的蓝牙不同，UWB带来厘米级精度，因而成为关键应用的首选。例如，在需要确定物体确切位置的环境中（如区分不同房间），UWB表现出色。Wi-Fi精细时间测量（FTM）可以改进位置数据，但无法匹敌UWB的精度。对于医疗保健和零售等行业而言，UWB不仅能确定大致区域，还能确定区域内的具体位置；正是这种精确度使得UWB脱颖而出，在其它技术无法胜任的场合提供可靠且精准的定位，由此带来颠覆性变革。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-04-03 4 1 1435
AI | 移远通信携手火山引擎：加速AI大模型技术应用，共绘AIoT智能未来新蓝图

4月2日，移远通信受邀参加火山引擎联合英特尔在深圳举办的“AIoT智变浪潮”技术沙龙。活动以“大模型+音视频，如何驱动AI硬件体验革新”为主题，众多行业大咖齐聚一堂，围绕硬件智能升级面临的挑战、对话式AI驱动的创新应用等热门话题展开深入探讨。作为火山引擎的重要合作伙伴，移远通信副总经理辛健在活动中发表题为“聚势破界：从万物互联到万物智能，与火山共绘AIoT生态新图景”的演讲。他详细介绍了移远针对AI硬件升级提供的软硬件一体的AI整体解决方案，并着重分享了飞鸢物联网平台与火山引擎豆包大模型的深度融合，在推动千行百业数智化转型中的关键作用。移远通信副总经理辛健携手火山引擎，推动云端AI大模型应用新高度移远通信以全域连接技术和飞鸢物联平台为核心，借助火山引擎强大的AI能力，成为推动AIoT生态智能化升级关键拼图。双方深度合作，共同探索云端AI大模型在硬件端的应用新高度。融合豆包RTC，打造AI玩具整体解决方案随着AI大模型的持续创新与深度应用，对话式AI迎来了全新发展阶段。AI玩具作为大模型在硬件端落地的重要场景，成功实现了从“被动应答”到“主动陪伴”的跨越，为用户带来了沉浸式、个性化的智能陪伴体验。作为全球领先的物联网整体解决方案供应商，移远通信积极布局AI智能陪伴赛道，通过与火山引擎豆包RTC大模型的深度融合，打造了AI玩具整体解决方案。该方案集无线通信模组、AI音频算法、飞鸢物联网平台于一体，为AI玩具的智能化升级提供从硬件、算法到平台的一站式服务。 ■ 硬件方面：提供蜂窝、Wi-Fi两大版本，满足不同AI玩具的硬件需求。同时，推出智能AI盒子，轻松实现玩具的智能化升级。 ■ 算法方面：在端侧集成全链路纯软音频算法，包括VAD人声检测、AEC回声消除、ANS音频降噪、KWS语音唤醒等，提高设计的灵活性和自由度。 ■ 平台方面：通过QuecThing SDK快速接入飞鸢物联网平台，实现与公版App、OEM App等终端应用的无缝对接，方便用户全方位管控AI玩具，如自定义唤醒词、角色切换、声音切换、在线升级、订阅服务等。在豆包RTC的支持下，移远AI玩具整体解决方案在延迟方面表现优异，较基于webSocket协议的方案降低了50%，并支持对话实时打断、字幕实时下发等功能，可为用户带来更加智能、流畅的语音交互体验。值得一提的是，移远飞鸢物联网平台不仅支持实时音视频传输、声音复刻、情绪识别、文字识别及语义识别等功能，还涵盖了大模型的智能调优与训练、角色定制与管理、AI智能体功能与管理等全方位服务。不仅为AI玩具智能功能的实现奠定了基础，更为AI拍学机、智能家居设备、智慧零售机、机器人、农机导航等AI智能体的开发提供一站式解决方案。全系智能模组接入豆包VLM多模态AI大模型除了豆包RTC，在AI大模型领域，移远通信与火山引擎合作深入。日前，移远全系智能模组已全面接入豆包VLM多模态AI大模型。这意味着搭载移远任意智能模组的终端设备，均可无缝融合多模态AI大模型的强大功能，用户可通过语音、文字、图像等多种方式与AI设备进行自然交互，享受前所未有的智能化服务体验。全面的AI能力，推动AI技术加速落地在推动AI技术应用方面，移远通信有着清晰的战略布局。一方面，通过“‘AI模组’+云端大模型+飞鸢物联网平台”，实现AI大模型的云端部署；另一方面，打造了高算力AI模组，推动AI能力的本地化落地。同时，为了方便AI模型的端侧部署，移远通信还打造了端侧AI大模型解决方案，不仅提升了响应的实时性，还确保了隐私安全，并能在无网环境下正常工作，大大降低了推理成本。该方案基于移远高算力AI模组SG885G-WF，搭载高通QCS8550平台，具备高达48 TOPS的综合算力，为方案功能的实现提供了充足的算力支持。移远端侧AI大模型解决方案在全语音链路上实现了无缝衔接与高效运行，能够为用户带来更自然的语音交互以及更加个性化的服务体验。目前，该方案已在具身理疗机器人等多个场景实现了落地。 AI技术是驱动未来产业发展的关键力量。移远将继续加大在AI领域的布局，携手火山引擎等合作伙伴，共同推动AI、大模型技术加速落地，以全栈AI能力赋能千行百业的数智化变革，共同开创AIoT生态的持续繁荣与崭新未来。

移远通信

移远通信 . 2025-04-03 2 1 1015
产品 | 开启游戏新时代：NVIDIA 实现神经网络渲染技术的突破性增强功能

近日，NVIDIA 宣布了 NVIDIA RTX™ 神经网络渲染技术的突破性增强功能。NVIDIA 与微软合作，将在 4 月的 Microsoft DirectX 预览版中增加神经网络着色技术，让开发者能使用 NVIDIA GeForce RTX™ GPU 中的 AI Tensor Cores，在游戏的图形渲染管线内加速神经网络渲染。神经网络着色是图形编程的一场革命，将 AI 与传统渲染相结合，大幅提升帧率、增强图像质量，并降低系统资源占用。微软 Direct3D 开发经理 Shawn Hargreaves 表示：“微软将在 DirectX 和 HLSL 中添加协同矢量支持，并于今年 4 月推出预览版。这将在整个游戏行业实现神经网络渲染，从而推动图形编程的进一步发展。解锁 NVIDIA RTX 上的 Tensor Cores，将使开发者能充分利用 RTX 神经网络着色技术，在 Windows 平台上打造更丰富、更身临其境的游戏体验。” 此外，面向游戏开发者的技术套件 NVIDIA RTX Kit 也迎来重大更新，虚幻引擎 5 支持 RTX Mega Geometry 和 RTX Hair 功能。 NVIDIA RTX Remix 开源平台正式发布，旨在帮助 Modder 重制经典游戏，打造令人惊艳的游戏效果。全新《半条命 2》RTX 版 Demo 已发布，支持最新神经网络渲染增强技术，包括全景光线追踪、NVIDIA DLSS 4 多帧生成、RTX Neural Radiance Cache、RTX Skin 等。 NVIDIA 还迎来了另外一个重要里程碑，现已有超过 100 款游戏和应用支持 DLSS 4。 RTX Kit 正式登陆虚幻引擎 5 用于创造游戏的三角形数量在过去 30 年中呈指数级增长。随着虚幻引擎 5 Nanite 几何系统的推出，开发者可以构建拥有数亿三角形的开放世界。然而，随着光线追踪游戏场景的几何复杂性激增，光线追踪的计算成本也呈指数级增长，实现实时渲染帧率变得极其困难。RTX Mega Geometry 能够加速复杂几何场景的光线追踪，使开发者可以使用比当下标准多 100 倍的三角形。RTX Mega Geometry 现已在虚幻引擎 5 的 NVIDIA RTX（NvRTX）分支中向开发者开放。 NVIDIA GeForce RTX 50 系列 GPU 推出 RTX Hair。Linear-Swept Spheres （LSS）是由 GeForce RTX 50 系列 GPU 加速的全新基元，为加速头发和毛发的光线追踪带来重大改进。相比传统的三角形图元，LSS 能够更精确地表示单根头发，从而提升渲染仿真数字人时的图像质量和性能。RTX Hair 现已在虚幻引擎 5 的 NvRTX 分支中开放使用。在 CES 2025，NVIDIA 通过“Zorah”技术 Demo 展示了神经网络渲染功能。在 GDC 上，基于虚幻引擎 5 的新版 Zorah Demo 集成了最新的神经网络渲染技术，包括 RTX Mega Geometry、RTX Hair、ReSTIR 路径追踪和 ReSTIR 直接光照。通过 RTX Demo 重返《半条命 2》 RTX Remix 正式发布，支持 DLSS 4 多帧生成及多项全新 RTX 神经网络渲染技术，以及众多玩家期待的升级功能，令 Modder 能以更高的图像质量和帧率打造出更惊艳的 RTX 重制版游戏。一年前，NVIDIA 推出了 RTX Remix 测试版，让经典游戏的重制版拥有全景光线追踪光照、增强材质以及最新的 RTX 技术。从那时起，已有超过 3 万名 Modder 使用 RTX Remix 对数百款经典游戏进行 MOD 改造，超过 100 万名玩家体验了 RTX Remix MOD 作品，例如 NVIDIA Lightspeed Studios 的《传送门》RTX 版以及 MOD 创作者打造的《传送门：序曲》RTX 版。《半条命 2》玩家可通过游戏平台免费下载《半条命 2》RTX 版 Demo，在莱温霍姆和诺瓦矿场等场景中体验 RTX Remix 的功能。重制版由《半条命 2》四个顶级 MOD 团队在 Orbifold Studios 联合开发。《半条命 2》RTX 版集成了全景光线追踪、重制资产、DLSS 4、NVIDIA Reflex、RTX Neural Radiance Cache、RTX Skin 以及 RTX Volumetrics 等先进技术。超过 100 款游戏和应用现已支持 DLSS 4 DLSS 4 随 GeForce RTX 50 系列 GPU 一同发布，受到了玩家的热烈响应，并迅速被游戏开发者广泛采用。现在已有超过 100 款游戏和应用支持 DLSS 4，比 DLSS 3 提前两年达成这一里程碑，成为 NVIDIA 历史上采用速度最快的游戏技术。 DLSS 4 首次推出多帧生成技术，借助 AI 可为每个渲染帧生成多达三帧以进一步提高帧率。多帧生成技术可与全套 DLSS 技术协同运行，与传统渲染技术相比，性能提升至高可达 8 倍。这项性能升级让 GeForce RTX 50 系列 GPU 和笔记本电脑能在最高分辨率下获得更佳图像质量，并以惊人的帧率运行游戏。《失落之魂》、《解限机》、《影之刃零》、《剑星》、《湮灭之潮》以及《兽猎突袭》将在发布时支持 DLSS 4，为 GeForce RTX 玩家提供出色的 PC 游戏体验。

NVIDIA

NVIDIA英伟达 . 2025-04-03 1 1090
技术 | 嵌入式AI技术漫谈：深度学习的困局

使用神经网络实现机器学习，网络的每个层都将对输入的数据做一次抽象，多层神经网络构成深度学习的框架，可以深度理解数据中所要表示的规律。从原理上看，使用深度学习几乎可以描述和模拟一切规律，但实际上，这个过程效率非常低，需要消耗大量的存储空间描述网络的参数，并且需要大量的数据样本覆盖规律可能涉及到的情景。优秀的数学家们在过往的研究中，已经发现和总结出了一些描述规律的方法，例如，使用FFT提取数据流中的频率和能量分布特征，我们并不需要再用神经网络的方式以非常低效的方式模拟这些已知的规律，尤其是在资源受限的嵌入式硬件环境当中。一种较好的实践，是利用已知的、高效的特征提取方法作为机器学习框架（AI模型）的前端，取代用于模拟其中规律的初级网络结构，然后再结合更小巧的机器学习方法，例如SVM，或者小规模的NN网络做更高层次的抽象，从而设计出小巧高效的模型。总结观点：使用深度学习表示规律效率低。在机器学习中使用深度网络替代已知的数学公式是愚蠢的。将已有数学公式表示的特征提取方法和小规模深度学习结合，是资源受限的嵌入式AI应用的一种有效实践。如下原文是我在瑞萨的一位专职于AI技术开发的同事Stuart Feffer（Reality AI的创始人之一）发表的一篇博客，我翻译了其中大部分内容，以展开阐述在对数据样本做预处理的过程中使用合适的特征变换对深度学习的意义。英文原文链接 https://www.renesas.com/en/blogs/ffts-and-stupid-deep-learning-tricks 深度学习（Deep Learning）几乎已经主导了机器学习领域——它可以利用简单叠加多层神经网络来发现底层数据中隐藏的规律，并且取得了巨大成功。例如，当使用深度学习来识别一张猫的图片时，深度网络的最低层会学习识别边缘、明暗梯度等视觉特征。然后，更高层次的网络会学习将这些特征组合成的各种模式，再更高层次的网络会学习这些模式组合形成的标志性的形态，而更高层次的网络则会学习进一步将这些形态组合起来以识别出猫。在那些数据中隐藏的规律过于复杂、无法通过其他方式被发现的情况下，深度学习有着巨大的优势。只要有足够的时间和数据，深度学习几乎可以学习到任何合理的变换规律。深度学习能够破解出世界上所有的特征。然而，这总是个好主意吗？在受限（嵌入式）环境中，它可能是不适合的。相比于其他传统数值方法，深度学习的收敛速度慢得离谱。几个世纪以来，杰出的数学家们付出了巨大努力，为大量的问题想出了最优解决方案，比如：从已知分布进行统计推断、对许多重要类型函数的近似、线性代数中的信息分析，以及像快速傅里叶变换（FFT）这样的频域分析方法。实际上，深度学习方法是试图用统一的结构和方法，以解决不同的新问题——它们或许能得到接近真实的结果，但却要以极高的低效率为代价。举个例子，在嵌入式应用中有一个常见的问题：描述和监测一台旋转设备的工作状况。在这一领域的经典工程学中，一个典型方法是使用傅里叶变换——振动和旋转具有天然的属性特征，即是频率，另外，监测功率峰值和频谱形状也能揭示出大量信息。有些峰值是在预期内会出现的，而有些则是不好的（意味着设备可能存在问题）。此时，假设我们有一个二分类问题，使用FFT能够巧妙地区分两个类别：正常和故障。但是，当我们不知道FFT能取得很好效果的时候，我们没有运行FFT并将其得到的特征用作模型输入，而是直接构建了一个深度学习模型，并让它去学习这两个类别——实际上是希望在深度网络的较低层中模拟出这种傅里叶变换。快速傅里叶变换是一种由人类精心设计的出色算法，用于实现所谓的离散傅里叶变换（DFT）。但离散傅里叶变换本质上是一种线性矩阵运算，所以将DFT映射到神经网络（神经网络就是在进行输入向量和权重矩阵的乘法计算）中是相当简单的。它看起来会像是一层全连接的节点集合，（理想情况下）权重接近离散傅里叶变换矩阵，并且使用线性激活函数。然后，这个单一的特征层可以连接到更高层，以便基于傅里叶峰值做出决策。但是，我们来考虑一下这里的各个方面：为了得到这种简单的表示形式，我们实际上不得不为这一层设计特殊的线性激活函数，而在大多数的深度网络是使用非线性的激活函数。这就意味着常规构建的深度网络已经有些偏离了目标。为了使这个网络收敛到接近实际的离散傅里叶变换，需要一大组组织良好的示例数据，这些数据要涵盖整个频率空间。来自实际振动或旋转设备的真实数据可能无法提供这种多样性，从而无法训练出一个描述完备的网络。即使是这种离散傅里叶变换的“最佳情况”网络表示，也需要N^2次乘法运算。而快速傅里叶变换（FFT）的优势就在于它只需要N log2（N）次运算。为什么我们要故意让在嵌入式芯片上执行的更大的运算量呢？快速傅里叶变换只是众多特征空间运算的例子之一，当这些运算通过神经网络来学习时，会陷入不必要的困境。对于我们所描述的嵌入式应用中“关键频率峰值”的问题，甚至还可以有更有效的数学表示方法表示其中的规律，但如果使用深度学习网络表示这个规律，若没有巨大的计算资源，实际上不可能对其进行建模。还有一些甚至更简单的变换，神经网络处理起来也很困难。像平方或开平方根这样基本的运算，都需要借助隐藏层网络以及数量极不相称的大量节点才能精确求解。诸如，标准差或均方根，这样明显的工程度量指标，若要使用神经网络来学习和计算它们，效率也极其低下。所以，尤其是对于嵌入式和资源受限的应用场景，使用特征空间是一种更好的方法。借助深度学习从头开始学习数学特征是可行的。但对于某些问题而言，这可能并非良策，而对于那些每个时钟周期和每字节内存都十分关键的受限或嵌入式应用来说，这无疑是一场必输的博弈。如果存在更直接的方法，那么使用深度学习来进行特征发现就是对资源的极大浪费。对于这些应用来说，更好的做法，是使用那些已知的、或者能够被证明可以区分目标类别的可靠特征。 Reality AI基于自动化的智能特征提取。我们采用机器学习作为AI算法框架，探索种类繁多且已被充分理解的数学和工程领域的特征空间，并应用诸如稀疏编码之类的机制，从而比直接使用深度学习更快地收敛到相关特征，并更高效地表达这些特征。这有两个优点：由此得出的特征计算在计算效率上很高，尤其适合资源受限的嵌入式环境。从基础物理和时频特性方面来看，计算结果是可以解释的，无需借助任何由网络所表示的“黑箱”操作。利用以这种方式发现的特征空间，再进行机器学习，仍然能够发挥机器学习在做出复杂决策方面的优势。如此，还可以部署更简单的算法，比如支持向量机（SVM）、决策树或规模较小的神经网络，与深度学习相比，能大幅节省资源。近年来，深度学习已被用于实现一些非凡的成就。但它并非是解决所有问题的万能钥匙。套用罗伯特・海因莱因（Robert Heinlein，20世纪最有影响力的科幻作家之一）的话来说，“对于某些问题而言，使用深度学习有点像是试图教猪唱歌。这既浪费你的时间，又会惹恼那头猪。” 需要技术支持？如您在使用瑞萨MCU/MPU产品中有任何问题，可识别下方二维码或复制网址到浏览器中打开，进入瑞萨技术论坛寻找答案或获取在线技术支持。 https://community-ja.renesas.com/zh/forums-groups/mcu-mpu/

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-04-03 1 850
市场 | 人工智能推动 2024 年收入创纪录，但汽车和工业领域仍面临困境

2024 年是半导体市场创纪录的一年，根据 Omdia 数据显示，半导体市场的年收入激增约 25%，达到 6830 亿美元。这一急剧增长归功于人工智能相关芯片的强劲需求，尤其是人工智能 GPU 中使用的高带宽内存（HBM），这使得内存领域的年增长率达到 74%。在经历了充满挑战的 2023 年之后，存储器的反弹帮助提升了整体市场。然而，这一创纪录的一年掩盖了整个行业的不均衡表现。数据处理部门增长强劲，而其他关键部门如汽车、消费和工业半导体在 2024 年却出现了收入下降。这些挣扎凸显了原本蓬勃发展的市场中的薄弱环节。人工智能和内存成就强劲的 2024 年在整个 2024 年，人工智能对半导体市场的影响一直占据主导地位，推动了创纪录的收入并重塑了行业动态。英伟达成为当之无愧的领导者，凭借其人工智能 GPU，过去几年的收入增长强劲，市场份额不断攀升。作为人工智能应用的重要组成部分，HBM 的销量也随之激增，大大提高了内存公司的收入。虽然 HBM 的增长速度超过了其他 DRAM 领域，但供需平衡的改善也促进了平均销售价格（ASP）的提高和整个内存市场的收入增长。工业领域面临连续第二年下滑工业半导体领域的衰退始于 2023 年，在 2024 年进一步加深，给专注于这一领域的公司带来了挑战。“从历史上看，工业半导体市场每年增长约6%，然而，在经历了2021年和2022年两年高于平均水平的增长后，2024年半导体市场收入出现了两位数的下滑。” Omdia 首席分析师 Cliff Leimbach 说：“需求减少加上库存调整使 2024 年成为工业领域困难的一年。在这一领域拥有大量业务的公司的市场份额排名也因此下滑。” 汽车市场停滞不前虽然汽车半导体市场的表现好于工业领域，但它在 2024 年也经历了收入下滑。从 2020 年到 2023 年，汽车半导体市场的规模几乎翻了一番，远远超过了 10% 的历史平均年增长率。需求疲软导致 2024 年出现萎缩，打破了近年来市场稳步上升的轨迹。英伟达荣登榜首，市场排名发生变化英伟达在人工智能驱动的GPU领域的主导地位，使其在半导体公司收入排名中跃居首位，超过了 2023 年排名第一的三星。强劲的内存市场也重塑了排行榜，三星、SK 海力士和美光都跻身收入最大的七家半导体公司之列。与 2023 年的排名相比，这些公司的排名都至少上升了一位，这标志着与前一年的排名相比发生了重大变化，当时这些公司分布在前十一位。

AI

Omdia . 2025-04-02 1000
技术 | TI 超小型 M0+ MCU 封装为您的设计提供更多可能性

随着电路和系统设计尺寸越来越小，工程师为自己的设计选择合适的器件变得非常困难。在许多不同的应用（例如耳塞、温度计、可穿戴设备、触控笔、便携式传感器）以及其他空间关键型应用中，您需要购买一款恰如所需的器件并允许在不增加电路板尺寸的情况下添加更多功能。为应对这一挑战，德州仪器 (TI) 提供了相应设计，在产品系列 MSPM0C110x 中推出了超小型微控制器 (MCU)，该 MCU 具有 8 个引脚（对于 WSON-DSG 封装），尺寸仅为 2mm x 2mm。MSPM0C MCU 基于 32 位 Arm® Cortex®-M0+ 内核，并提供高度集成的外设、低功耗模式和小封装尺寸。更多可能性：尺寸德州仪器 (TI) 投资优化了封装产品，旨在提供灵活的选项，助力您创建更高效的设计。例如，MSPM0C 的 WSON 封装比常见的 8 引脚 SOIC 封装小 7.35 倍。图 1：SOIC 和 WSON 之间的尺寸比较 MSPM0C110x 采用 8 引脚 WSON 封装，其中包含多达 6 个 IO，支持工程师无缝连接各种传感器、执行器和外设，因此是各种应用的理想选择。借助 MSPM0C110x 经优化的 IO，设计人员能够在不受接口限制的情况下进行创新设计。例如，在设计时尚的触控笔时，工程师可以针对受限的 PCB 尺寸来选择外形小巧的 MCU。MCU 的紧凑尺寸可确保高效利用有限的布板空间。除了整体尺寸外，MSPM0C MCU 还具有高精度内部振荡器，无需外部晶体。MSP WSON 8 引脚封装的 Z 高度仅为 0.8mm，远小于 SOIC 8 引脚封装的高度（近 2mm）。这些因素共同为实现低成本空间敏感型设计提供助力。更多可能性：特性该产品系列易于使用，可作为功率监测器、计时器控制器、I/O 扩展器、辅助控制功能、传感器读取器、协议传输工具等引入系统。这些选项不受限制。尽管外形紧凑，MSPM0C110x 的功能却丝毫不受影响。MSPM0C110x 器件基于增强型 Arm® Cortex®-M0+ 内核平台，工作频率高达 24MHz，可提供高达 16KB 的嵌入式闪存和 1KB 的 SRAM。这款小型器件具有许多高级特性，能够为不同用例提供优势。表 1：采用 WSON 封装的 MSPM0C110x 器件型号在电动牙刷和剃须刀等许多应用中，ADC 必不可少。该小型 2mm x 2mm MCU 不再采用占用布板空间的分立式器件设计，而是采用集成式 12 位 1.5Msps ADC 来准确监测系统的电池电源电压，因此对功能不造成限制。更多可能性：引脚对引脚兼容该 MSPM0C110x 系列还与其他器件以及竞争器件引脚对引脚兼容。设计人员可以使用我们的简单迁移工具，通过复制和粘贴头文件并转换基本外设，将应用代码从现有代码移植到 MSP 平台。借助这种硬件和软件兼容性，可加快您的开发速度并缩短开发时间。结语这些 MCU 尺寸可能非常小，但由于器件具有 -40°C 至 125°C 的额定工作温度，因此在任何环境下都能提供稳健的性能。您可以立即开始使用我们 TI.com 上的器件并评估我们的 LaunchPad，实现您的小尺寸低成本设计。随着我们步入由高空间利用率器件所定义的新时代，MSPM0C110x 致力于助力工程师打造更小型、更智能的产品。

TI

德州仪器 . 2025-04-02 730
产品 | 宽频带、3225尺寸车载PoC电感器

株式会社村田制作所完成了3225尺寸车载PoC电感器LQW32FT_2H系列的商品化。本产品已从2025年1月起开始批量生产。近年来，随着先进驾驶辅助系统（ADAS）的普及，高清车载摄像头的安装数量不断增加。在使用差动数据传输标准（LVDS，Low Voltage Differential Signal）传输的车载摄像系统中，大多采用将信号和电源重叠到1根同轴电缆的高速接口PoC（Power Over Coax）。 PoC电路除了通过电路处理单元处理宽带信号外，还需要在宽带中维持高阻抗以分离信号和电源，因此通常使用多个电感器。鉴于此，村田通过采用自主研发的陶瓷材料和产品结构来实现高阻抗，从而减少了PoC电感器的使用量。电感器使用空间的缩减，有助于实现终端设备的小型化和轻量化。主要规格产品名称 LQW32FT_2H系列尺寸（mm） 3.2×2.5×2.3 电感值 22μＨ工作温度范围 -40～125℃ 其它符合AEC-Q200标准 * AEC-Q200是AEC (Automotive Electronics Council，汽车电子协会）制定的一项标准村田今后也将继续开发满足市场需求的产品，为汽车的高性能化和高功能化作出贡献。

村田

Murata村田中国 . 2025-04-02 555
技术 | 英飞凌Pre-driver家族又添新成员：BGAP3D30H

英飞凌运用其先进的SiGe工艺，推出了第三代高性能Pre-driver 产品BGAP3D30H。该产品主要用于RF Transceiver 和PA之间，具有高增益，高线性度，线性度可调和外围匹配简单等特点。其主要参数如下表：高增益上图为高低温实际测试结果。常温25℃增益，3.6GHz，典型值可达到40.1dB。高温115℃增益，边缘频点，也可达到38dB。在3.1~4.2GHz带宽内，增益平坦度<1dB。在-40℃~+115温度范围内，增益变化量约为±1dB。高输出功率输出功率1dB压缩点，常温，3.6GHz可达到31.4dBm。高温115℃，4.2GHz，也可以达到29dBm。高线性度 20MHz 测试信号，输出功率18dBm, 3.6GHz, 开环ACLR可达约-57dBc。 100MHz 测试信号，输出功率18dBm, 3.6GHz, 开环ACLR可达约-51dBc。线性度可调功能对于pre-driver来讲，更好的ACLR表现和更低的功耗是一对矛盾的指标。BGAP3D30H通过一颗外部电阻，提供了线性度可调功能。用户可根据自身具体需求，可将静态电流在±20% 范围内灵活调节。上图为高温115℃条件下，ACLR指标测试结果，外部电阻取16k~24k欧姆范围。上图为高温115℃，增益，功耗，AM-AM曲线的测试结果，外部电阻取16k~24k欧姆范围。外围匹配简单 BGAP3D30H外围电路非常简单，总计只需要5颗器件。如上图所示， VCC1和VCC2 仅各需2颗电源滤波电容，1颗外部电阻用于调节线性度性能，无射频匹配元件。结语英飞凌是全球领先的半导体科技公司，致力于打造一个更加便利、安全和环保的世界。我们提供全面的半导体解决方案，实现高效的能源管理、智能出行以及安全、无线通信，连接现实与数字世界。

英飞凌

英飞凌官微 . 2025-04-02 1 735
技术 | SiC JFET Cascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性

碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以 Cascode 配置结合在一起，构造出一个常关开关模式“FET”，这种结构保留了大部分SiC JFET的优点。第一篇介绍了Cascode结构，本文为第二篇，将介绍Cascode开关特性。 Cascode开关特性 ☑ 硬开关大多数 Cascode结构的关断损耗（Eoff）低于开通损耗（Eon）。这一特性在数据手册的开关损耗与电流关系图中明显体现，如图3(a)所示。 Cascode结构的固有开关速度主要由JFET电容及其片上栅极电阻决定，这些参数通过设计进行调整使总开关损耗具有竞争力：Etotal= Eoff+ Eon。应用 Cascode的主要目的是减慢关断速度，以抑制电压过冲和振铃。因此，理解 Cascode的电容特性非常重要。图1展示了一个带有感性负载的 Cascode在关断时的情况。图中标注了其输出电容（等于JFET的栅漏电容）、片上JFET栅极电阻，以及SiC JFET与Si MOSFET。图 1 带缓冲电路的Cascode关断情况图 1 中的实线箭头表示 Cascode 导通时流经感性负载和 Cascode 的电流。当 Cascode关断时，它变为电阻特性，随着 Cascode漏极-源极电压的增加，电流转向输出电容和 JFET 栅极电阻。由于缺乏栅极-漏极电容，只有负载电流会对 Cascode 输出电容充电； Cascode栅极不会强制流过电流。这使得 Cascode的栅极电荷较低，并且不受 dV/dt 感应（寄生）导通的影响，这些都是 Cascode的吸引人之处。然而，这也对开关速度控制提出了挑战：由于 Cascode输出电容的充电过程不涉及栅极电流，调整 Cascode栅极电阻无法直接调节开关电压压摆率（dV/dt）。栅极电阻可以调整 Cascode MOSFET 的开关速度，从而可以间接调整开关电流压摆率 di/dt。 (这只是一种简化的解释，因为如果 Cascode栅极电阻足够大，dV/dt 就可以调节，但这样开关延迟时间就会过长）。由于 Cascode的关断速度相对于导通速度更快（见图 3(a)），建议在硬开关应用中使用关断缓冲电路，通常采用电阻电容 (RC) 缓冲器的形式，连接在漏极和源极之间。该设计通过增加外部可调的输出电容和阻尼电阻，对 Cascode结构的固定输出电容进行补偿。图 1 显示了关断期间从 Cascode分流出的额外电流，从而降低了 Cascode的 dV/dt 和 di/dt。这种方式有效弥补了仅通过栅极电阻调节开关速度的局限性。图2：在硬导通过程中，存储在输出电容Coss及部分缓冲电容中的能量会在 Cascode中耗散。在图 2 中，输出电容加上额外的缓冲电容由漏极-源极电容表示。在导通过程中，存储在输出电容Coss及部分缓冲电容中的能量会在 Cascode中耗散。缓冲电容的剩余能量则耗散在缓冲电阻中（如果安装的话）。不过，这只会导致总开关损耗略有增加。图 3 UJ4SC075005L8S 的 (a) 开关损耗与电流的关系，以及 (b) 缓冲电阻能量与电流的关系图8(a)展示了UJ4SC075005L8S Cascode在硬开关条件下的损耗与电流的关系。从图中可以看出，导通时的开关损耗显著高于关断时的损耗，这是许多 Cascode器件的典型特征。图8(b)则显示了相同器件对应的缓冲电阻的能量损耗。总的缓冲损耗占总硬开关损耗的3%到5%。需要注意的是，如果没有缓冲电路，通常会出现过多的关断电压过冲和振铃现象。使用缓冲电路后，无论是导通还是关断，Cascode的VDS（漏源电压）、VGS（栅源电压）以及ID（漏极电流）波形都会受到抑制。实践证明，缓冲电路是调节 Cascode开关特性的最有效方法。相比于没有缓冲电路且增加栅极电阻的情况，使用缓冲电路并减少栅极电阻能够降低总开关损耗。SiC JFET Cascode和许多 SiC MOSFET 都是如此。 ☑ 软开关软开关通常包括零电压开关（ZVS），这是由于 FET 在反向电流流过之后才导通，从而使漏极-源极电压几乎为零。图 4 Coss和缓冲电路电容中存储的能量在 ZVS 导通时被回收利用在图4(a)中，右下侧的 Cascode 正在关断，而右上侧的 Cascode 开始续流（freewheel）。此时，漏源电荷从右上侧 Cascode 循环到负载。类似地，在图4(b)中，左上侧的 Cascode 正在关断，而左下侧的 Cascode 开始续流，漏源电荷从左下侧 Cascode 循环到输入端和负载。因此，在零电压开关（ZVS）条件下，不仅消除了导通开关损耗，还因回收了存储在输出电容（Coss）和缓冲电容（若存在）中的能量，从而降低了关断损耗。若电路中包含缓冲电阻，缓冲电容中的部分能量当然会在缓冲电阻中耗散。若无缓冲电路，软开关与硬开关的关断损耗（Eoff）差异即为硬开关的Eoff减去Eoss。对于高速开关器件而言，这一差值通常很小。凭借快速的关断速度、灵活的栅极驱动特性以及低 RDS.Coss（SiC JFET 的低 RDS.A）相结合， Cascode 在软开关应用中展现出显著优势。根据电路中其他地方的缓冲情况（例如变压器和/或输出整流器两端），即使在 ZVS 导通的情况下，仍可能需要为 Cascode配置漏源电容以实现关断缓冲。若电路工作在非谐振模式且硬开关状态，则在缓冲电容上串联一个阻尼电阻可能有助于优化性能。 ☑ 开关过程中Cascode 的内部动态解析我们再次以图1中带有感性负载的 Cascode 关断过程为例，图 5重新绘制了这一过程，但包括了杂散电感。当 Cascode 中的MOSFET关断时，其电阻增大，漏源电压随之上升。实际上，除非 Cascode 的栅极电阻异常大， Cascode 的MOSFET在关断过程中都会发生雪崩击穿，将JFET的栅源电压钳位在-25 V。这对 JFET 来说是完全安全的，因其栅源雪崩电压远低于-25 V。对MOSFET而言亦无风险，因其设计可耐受大电流下的重复雪崩，且雪崩持续时间极短，能量低。此时，负载电流从 JFET 和 MOSFET 沟道分流，对输出电容（和缓冲电容）充电，直到电路中的其他器件续流电流。图 5 包括杂散电感和相关电容在内的Cascode Cascode 栅极电阻越小， Cascode的 MOSFET VDS上升越快，MOSFET 将 JFET VGS箝位在 -25 V 的时间越长。当 JFET VGS被箝位在 -25 V 时，即 MOSFET 处于雪崩状态时，JFET VGS与其阈值电压之间的差值最大。此时JFET 的抗噪声能力最强。当存储在杂散电感中的能量充分衰减，MOSFET 就会退出雪崩状态，此时通常会出现振铃。杂散电感主要存在于源极连接线和封装源极引脚中。雪崩结束后，随着JFET完成关断瞬态，MOSFET的VDS将稳定在接近JFET阈值电压的水平。若此时源极电感噪声过大，就会超过 JFET VGS与 JFET 阈值电压之间的差值，从而导致 JFET 误导通。 Cascode结构尤其受益于配备独立Kelvin源极引脚的封装设计。该设计通过消除栅极驱动回路中负载电流感应电压，有效抑制 Cascode栅极（即其内部MOSFET栅极）的振铃，进而降低内部JFET栅极的振铃。类似原理亦适用于导通过程： Cascode中MOSFET的快速导通可缩短其VDS接近JFET阈值电压的持续时间，从而提升抗噪声能力。 ☑ 续流后的恢复图6 续流 Cascode在“反向恢复”过程中的状态转换现在，让我们考虑一个如图 6（a）所示的续流 Cascode。即使MOSFET在死区时间内被栅极关断，续流 Cascode的 MOSFET 仍能保持 JFET 导通。电流需换向到另一个 Cascode（本例中为下方）并反向，上方 Cascode才能支持漏极-源极电压。续流 Cascode中JFET的栅源电压（VGS）必须从略高于正值转变为低于JFET阈值电压的负值。首先，续流 Cascode的 MOSFET 会经历真正的反向恢复，由于 30 V MOSFET 的少数载流子寿命很短，此过程速度极快且电荷量极小，如图 6(b) 所示。随后，与前述硬开关关断类似，MOSFET通常进入雪崩状态。JFET的VGS变化取决于其输出电容（栅漏电容）与片上栅极电阻。与此同时，电流继续流过续流 JFET 及其 MOSFET，直到 JFET 完成关断序列，如图 6（c）所示。其中只有一小部分电流来自续流 Cascode的 MOSFET 体二极管，大部分反向恢复电荷来自续流 Cascode中 JFET 关断时的电流。这种 Cascode反向恢复效应与温度无关，在很大程度上也与电流无关，因为它取决于 JFET 栅极-漏极电容和 JFET 栅极电阻。无论电流大小，恢复电荷都大致相同，这使得大电流下的开关波形看起来相当不错，但在小电流下会产生相对较高的 Eon。图 7 UF4SC120023K4S（1200 V、23 mΩ第四代 Cascode器件）的开关损耗-电流关系曲线 Cascode器件数据手册中呈现的Eon与电流曲线偏移（基于感性负载硬开关半桥测试数据）直观体现了这一反向恢复效应。图 7 显示了一个通过推断得到的 Eon曲线的示例，若能在接近零电流条件下测量Eon，其值几乎完全由续流 Cascode的反向恢复过程引起的。 ☑ Cascode 的权衡 SiC JFET Cascode 结构与 SiC MOSFET 的权衡因素截然不同。在 SiC 上制造 MOS 栅极的挑战与 Cascode 结构无关。 Cascode结构的基本权衡因素在于反向恢复电荷效应及其相关的硬开关导通损耗与关断时的电压过冲、以及易产生振铃和振荡之间的平衡。调节这一权衡的主要“调节点”是 Cascode 中 JFET 的栅极电阻，但由于其封装在器件内部而无法调整，因此需依赖外部缓冲电路和栅极电阻来调节开关。较高的 JFET 栅极电阻会减慢 Cascode 开关压摆率，从而使器件更易于使用，但代价是较高的反向恢复电荷和硬开关导通损耗。 Gen3 "UJ3 "系列器件提供了这种选择，其内部 JFET 栅极电阻高于安森美（onsemi）所有其他 Cascode产品。UJ3 系列尤其适用于软开关及低频应用场景。而安森美第三代 "UF3" 系列及所有第四代 Cascode 产品则专门进行了优化以实现行业领先的总开关损耗，同时具有更高的开关压摆率。结语 Cascode 配置是在开关模式应用中利用常开型SiC JFET的低RDS.A的一种方法。灵活的栅极驱动、快速关断以及低RDS. Coss使得 Cascode 在软开关应用中表现出色。没有栅漏电容带来了低栅极电荷，但同时也限制了栅极电阻对开关速度的控制，因此 Cascode可利用缓冲电路来调节固有的快速关断速度。 Cascode硬开关反向恢复效应在很大程度上与温度和电流无关。使用Kelvin源连接和尽可能小的栅极电阻时， Cascode 工作效果最佳。可提供用户指南、应用笔记、视频、仿真文件、免费在线仿真工具和计算器软件以及专业的技术支持。

安森美

安森美 . 2025-04-02 1 930
软件 | 先楫半导体HPM_SDK v1.9.0 发布

下载地址 https://resource.hpmicro.com/sdk_env_v1.9.0.zip 版本更新概况 [New] 增加HPM6P00系列MCU以及hpm6p00evk支持 [New] 增加了开发板已知问题说明 [Update] 将全系列开发板VCore电压调节至1.275V，HPM6750系列开发板主频设成816MHz，HPM6300系列开发板主频设成648MHz。 [Update] 支持了Cache Maintenance API可重入，取消了Cache Maintenance时关闭全局中断。 [Update] 更新了MCAN驱动，将静态AHB_SRAM占用改为动态申请,在减少对AHB_SRAM占用的同时提供了更大的灵活性。 1、新增/更新的中间件(Middleware) [Update] CherryUSB CherryUSB版本由v1.4.2更新至v1.4.3 [Update] rtthread-nano rtthread-nano版本由v3.1.5更新至v4.1.1 [Update] mhd_wifi 修复长时间测试底层驱动报超时错误的问题 [Update] LVGL 支持90, 180, 270度旋转 2、新增/更新的组件(Components) [New]hpm_jpeg 新增hpm_jpeg组件，支持直接buffer模式和自动分配模式，并且自动维护cache，极大简化应用编程 [Update] hpm_panel 支持HPM6800双屏异显，可同时驱动两路lvds、两路mipi、或者单路lvds和单路mipi 3、Samples改动 [New] Cherryusb WebUSB 新增了CherryUSB WebUSB示例 [New] BGPR Retention 新增了BGPR Retention示例 [New] PWMv2 samples 新增了PWMv2同步、移相、比较点触发、固定占空比修改频率四种场景的示例 [New] SENT samples 新增了SPI模拟SENT信号编码的示例，GPTMR解码SENT信号搬到了SENT samples [New] image/hpm_jpeg 新增了hpm_jpeg示例,展示hpm_jpeg组件的使用方法 [New] dual_panel 新增了dual_panel示例,展示hpm_panel组件双屏异显的使用方法 [Update]xpi_nor_api示例增加了面向xSPI通信接口的xpi_util驱动封装更多更新内容，请参考在线文档 https://hpm-sdk.readthedocs.io/en/latest/CHANGELOG.html 4、测试工具版本 ZCC 3.2.5, libnn/lindsp 3.2.5 Segger Embedded Studio 8.22a IAR workbench for RISC-V 3.30.1 5、已知问题 ZCC (3.2.5) 相关 lld在处理带NOLOAD属性section优化时会出现最终链接地址overlap的问题。 libnn 3.2.5: tpt_elementwise_add_s8输入参数符号错误, 将在工具链下个版本修复。 -具体可以参考 samples/tflm/face_obj 的Readme IAR Embedded Workbench相关可以从IAR官网购买或者下载试用版本（14天），调试方式目前仅支持I-jet调试（正与IAR沟通解决使用openocd gdbserver进行调试出现的问题）在工程开启优化可能导致程序运行异常使用EWRISCV集成的Andes toolchain，coremark分数低于使用Segger Embedded Studio集成的Andes Toolchain的结果常用链接 1、在线工具 hpm tools (pinmux & clock) 链接：https://tools.hpmicro.com/login 在线文档 hpm_sdk 在线文档中文：https://hpm-sdk-zh.readthedocs.io/zh-cn/latest/ English：https://hpm-sdk.readthedocs.io/en/latest/ knowledage base 链接：https://kb.hpmicro.com/ 代码仓库 sdk_env github：github.com/hpmicro/sdk_env gitee：https://gitee.com/hpmicro/sdk_env hpm_sdk github：github.com/hpmicro/hpm_sdk gitee：https://gitee.com/hpmicro/sdk_env riscv_openocd github：github.com/hpmicro/riscv-openocd (相对于上游版本，只添加了HPMicro MCU对应flash algorithm) riscv-gnu-toolchain releases (发布不同平台编译后的工具链) github：github.com/hpmicro/riscv-gnu-toolchain/releases 在使用过程中有任何疑问或者建议，欢迎在github对应项目中提交问题提交 sdk_env Issues 链接： github.com/hpmicro/sdk_env/issues hpm_sdk Issues 链接： github.com/hpmicro/hpm_sdk/issues 讨论区 hpm_sdk Discussions 链接： github.com/hpmicro/hpm_sdk/discussions sdk_env Discussions 链接： github.com/hpmicro/sdk_env/discussions

先楫半导体

先楫半导体HPMicro . 2025-04-02 1 690
IP | 芯原推出新一代集成AI的ISP9000图像信号处理器，赋能智能视觉应用

2025年4月2日，中国上海——芯原股份 (芯原，股票代码：688521.SH) 今日发布其ISP9000系列图像信号处理器 (ISP) IP——面向日益增长的智能视觉应用需求而打造的新一代AI ISP解决方案。ISP9000采用灵活的AI优化架构，提供卓越的图像质量，具备低延迟的多传感器管理能力，并与AI深度融合，是智能机器、监控摄像头和AI PC等应用的理想之选。凭借AI加持的ISP功能，芯原的ISP9000系列IP能够实现卓越的图像质量。其集成了先进的AI降噪 (AI NR) 算法，结合多尺度2D和3D噪声抑制及YUV域色度噪声抑制 (CNR)，形成了多域降噪架构，可有效减少噪声并保留细节，在极低光照环境下表现尤为出色。该系列IP支持三重曝光高动态范围 (HDR) 处理和动态范围压缩，并配备20比特流水线，能够保留高动态范围场景中明暗区域的关键细节。此外，ISP9000还集成了3A功能，即自动曝光、自动对焦和自动白平衡，支持至多25个感兴趣区域 (ROI) 配置，可实现AI辅助的目标检测与识别。用户还可以集成第三方3A库，为特定应用需求灵活定制3A算法。 ISP9000支持多传感器配置，并通过硬件加速的多上下文管理 (MCM) 和帧切片处理机制，实现高效的数据流切换，确保多传感器数据流的稳定性，具备低延迟和低成本的优势。它支持多达16个传感器，并集成芯原的VI200视频接口IP，以实现与主流MIPI Rx接口的无缝连接。ISP9000的可扩展多核架构支持高达8K@30fps和4K@120fps的高性能处理。通过芯原的FLEXA SBI接口，ISP9000可优化数据传输，高效连接视频编码器、神经网络处理单元 (NPU) 或显示处理器，从而形成优化的子系统解决方案。此外，为了进一步增强智能视觉功能，ISP9000配备了芯原AcuityPercept AI自动ISP调优系统。与传统的专注于人类感知图像质量的调优方式不同，AcuityPercept优化了ISP设置，以在AI/NPU路径中实现优质的目标识别性能，可适应特定的AI算法和应用需求。 “随着AI在各类设备中的广泛应用以及机器人技术的快速发展，市场对新一代ISP的需求持续增长，以满足不断演进的产品要求。”芯原首席战略官、执行副总裁、IP事业部总经理戴伟进表示，“除了提供高图像质量和低功耗外，新一代ISP还需高效支持多传感器，具备快速上下文切换和低延迟响应能力，同时优化输出以兼顾NPU处理和人眼视觉需求，并能与目标感知NPU协同实现自动调优。ISP9000的架构设计充分考虑了这些需求，并结合领先客户的反馈进行开发。通过深度融合AI技术，ISP9000在极低光照环境下实现了卓越的图像质量，超越了传统计算机视觉技术的能力。”

芯原

芯原VeriSilicon . 2025-04-02 1 785
产品 | 驱动未来，赋能工业自动化

在当今快速发展的工业自动化领域，精准的电机控制是实现高效、可靠设备运行的核心。作为领先的半导体解决方案提供商，圣邦微电子致力于为工程师和制造商提供高性能、高可靠性的电机驱动解决方案。今天，我们为您详细介绍三款旗舰级驱动芯片：SGM42540A、SGM42541A 和 SGM42544A。这三款驱动芯片凭借其宽泛的供电电压范围、强大的保护功能和简单的控制接口，在工业自动化领域展现出了卓越的性能。且它们在设计上各有侧重，能够满足从单电机驱动到复杂多电机系统的多样化需求。可靠、高效、易用圣邦微电子重视产品的可靠性和易用性。SGM42540A、SGM42541A 和 SGM42544A 在设计上继承了这些理念，具备以下共性：宽泛的供电电压范围三款驱动芯片均支持 8V 至 50V 的电机供电电压范围，SGM42544A 更是扩展至 55V。这种宽广的电压兼容性意味着无论您是开发小型便携设备，还是高功率工业机械，我们的芯片都能完美适配您的电源系统。全方位的保护机制我们深知工业环境的复杂性，因此三款芯片均配备了全面的保护功能，包括过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD）。这些功能不仅能够有效防止芯片在异常情况下受损，还能保障整个系统的稳定运行，延长设备使用寿命。简单易用的控制接口圣邦微电子始终致力于降低系统集成的复杂性。三款驱动芯片均采用并行数字控制接口，与行业标准设备无缝兼容。这意味着您无需复杂的编程或额外的适配器，即可快速实现电机的精准控制。符合环保理念的封装设计我们深知可持续发展的重要性，因此三款芯片均采用 TSSOP-28（Exposed Pad）封装。这种封装不仅散热性能出色，还符合环保标准，助力您的产品在性能和环保方面双达标。满足多样化需求尽管在核心特性上高度一致，但圣邦微电子的这三款驱动芯片在应用场景和功能细节上各有侧重。 SGM42540A：单H桥驱动，高电流输出的可靠伙伴单 H 桥设计：专注于驱动单个有刷直流电机，结构简单，易于集成。 5 位电流控制：支持 32 个限流档位，提供更广泛的电流调节范围，适合对电流精度要求较高的应用。高电流输出：在 24V 供电下，能够提供高达 5A 的峰值电流和 3.5A 的连续电流，电流输出能力强，适合高功率直流电机。 SGM42541A：双 H 桥驱动，复杂运动控制的理想选择双 H 桥设计：SGM42541A 内置两个H桥驱动器，能够同时驱动一个双极性步进电机或两个直流电机。这种双桥结构使其在需要多电机协同工作的应用中表现出色，如打印机、扫描仪和舞台/影视灯光设备等。 2 位电流控制：支持 4 个限流档位，可实现更精细的电机控制，满足不同负载需求。多种衰减模式：提供快速、慢速和混合衰减模式，可根据具体应用需求灵活选择，优化电机性能。 SGM42544A：四半桥驱动，灵活适配多种负载四半桥设计：提供四个半桥驱动通道，每个通道均可独立控制，能够驱动四个电磁阀、继电器、直流电机或其他感性负载。单/双极性电源支持：支持单电源或双极性电源（最高 ±27.5V），使其在电源配置上更加灵活，适用于更多应用场景。并联输出：支持输出并联，可实现更高的电流输出能力，满足大电流负载需求。应用场景推荐圣邦微电子的这三款驱动芯片凭借其卓越的性能和灵活的设计，能够满足各种工业自动化需求。 SGM42540A：适合单个直流电机驱动的应用，如银行点钞清分设备、按摩椅、小型工业机械等。其高电流输出能力能够满足高功率电机的需求，为您的设备提供强劲动力。 SGM42541A：适用于需要多电机协同工作的设备，如舞台灯光设备、打印机、工业机器人关节控制等。搭配 MCU 的控制，其双 H 桥设计能够精准实现复杂运动，是您实现步进电机控制的理想选择。 SGM42544A：在需要同时控制多个感性负载的场景中表现出色，如纺织机械、自动化生产线中的电磁阀控制、多电机驱动系统等。其灵活的电源配置和并联输出功能为系统设计提供了更大的自由度。结语作为领先的半导体解决方案提供商，圣邦微电子始终致力于为客户提供高性能、高可靠性的产品。无论您是从事机器人研发、工业设备制造还是自动化系统集成，圣邦微电子的这三款驱动芯片都是您实现高效、可靠电机控制的理想选择。选择圣邦微电子，让您的项目在性能和可靠性上更上一层楼！我们期待与您携手，共同推动工业自动化的发展，创造更加智能、高效的未来。

电机驱动

圣邦微电子 . 2025-04-02 2 890
企业 | 联电新加坡Fab12i晶圆厂扩建新厂开幕，预计2026年量产

中国台湾省晶圆代工厂联华电子（联电，UMC）4月1日在新加坡举行新加坡Fab 12i晶圆厂扩建新厂开幕典礼。该扩建新厂第一期总投资约50亿美元，预计2026年开始量产。据悉，Fab 12i将提供28/22nm节点制程，这是新加坡境内最先进的半导体晶圆代工制程。该项目第一期月产能规划为3万片，达产后Fab 12i晶圆厂的年整体产能将突破100万片12英寸晶圆大关。联电表示，此次扩建将在未来几年为当地创造约700个高科技人才就业岗位，并为未来投资计划预留第二期的空间。联华电子总经理简山杰表示，新厂的开幕象征着联电迈入新的里程碑，将使我们能更有效地满足未来芯片对于联网、汽车与人工智能持续创新的需求。同时，新加坡具有独特的地理位置，也将使这座新厂能协助客户强化供应链韧性。

晶圆代工

芯查查资讯 . 2025-04-02 755
展会 | SiC技术赋能AR眼镜新纪元半导体巨头竞逐千亿级AR生态市场

随着全球AI算力需求激增和消费电子场景革新，2025年成为“AI眼镜爆发元年”。在这一浪潮中，以碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体企业异军突起，凭借其高导热、低能耗、耐高压等特性，成为AR/VR设备核心元器件供应商的“新宠”。据TrendForce最新报告显示，今年全球AI眼镜出货量预计突破1.2亿台，其中搭载SiC功率模块的设备占比超60%，推动相关企业市值年内平均增长87%。 SiC技术破局：从散热瓶颈到沉浸式体验飞跃传统AR眼镜长期受限于散热效率与续航能力，而SiC材料的引入正在改写行业规则。以中科汉韵、天岳先进为代表的国内SiC企业，通过纳米级沟槽栅极技术将器件开关损耗降低40%，成功适配8K Micro-OLED显示屏与全息投影模组需求。深圳某头部AR品牌实测数据显示，采用SiC方案的设备连续工作温度下降18℃，续航时间延长至12小时，助力户外工业巡检、医疗手术导航等专业场景落地。生态战升级：从硬件竞赛到操作系统争夺在微软HoloLens 3、苹果Vision Pro 2等国际品牌加速迭代的同时，华为、OPPO等国内厂商依托本土SiC供应链优势，推出适配中文AI语音助手的多模态交互眼镜。值得关注的是，咪鼠科技近日发布全球首款SiC+石墨烯复合散热方案的AI会议眼镜，其搭载的“动态唇语识别算法”在嘈杂环境下将语音转写准确率提升至98.7%，已获比亚迪、蔚来等车企智能座舱订单。行业风向标：SEMI-e第七届深圳国际半导体展“第三代半导体及功率器件主题专区” 为深化产业链协同创新，SEMI-e 2025立足行业前沿，着力打造宽禁带半导体及功率器件主题专区。该主题专区将综合呈现第三代半导体、第四代半导体、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件等核心产品与解决方案，为参展商与专业卖家提供技术交流与采购对接的高效平台。往届参与企业斯达半导体、捷捷微电、士兰微电子、新洁能、三安光电、安世半导体、扬杰电子、天科合达、泰科天润、奕斯伟硅片、上海超硅、中欣晶圆、中环领先、天岳先进、南砂晶圆、烁科晶体、天域半导体、同光股份、晶盛机电、GaNext镓未来、比亚迪半导体、方正微电子、优界科技、万年芯、爱仕特、爱思强、科友半导体、黄河旋风、纳设智能、乾晶半导体、晶镓半导体、陕西宇腾、致能科技、先导集团...... *仅为部分企业，排名不分先后 “AI眼镜正在重构人机交互的终极形态。”目前SEMI-e2025第三代半导体专题展区内已有部分展商涉及AR智能眼镜，SEMI-e组委会负责人表示，“这场由半导体材料革新驱动的产业革命，或将催生下一个万亿级市场。” 参会及技术交流可以扫下面二维码加入群聊。

semi-e

semi-e . 2025-04-01 705