• 企业 | 意法半导体与Metalenz签署新许可协议,加快超表面光学技术应用普及

    ❖ 从生物识别、激光雷达、相机辅助等智能手机应用,到机器人、手势识别及物体检测,新的许可协议可加快超表面光学技术在消费电子、汽车、工业等大规模市场的普及。❖ 该协议扩大了ST使用Metalenz知识产权生产先进超表面光学元件的范围,同时利用ST独有技术和制造平台,将300毫米半导体和光学元件的生产、测试和认证整合起来。   意法半导体(简称ST)和首创超表面光学技术的Metalenz公司宣布签署一项新的技术许可协议。该协议扩大了意法半导体使用Metalenz知识产权生产先进超表面光学元件的能力范围,同时利用意法半导体独有技术和制造平台,将300毫米半导体和光学元件的生产、测试和认证整合起来。 意法半导体执行副总裁兼成像事业部总经理Alexandre Balmefrezol强调:   “目前,市场上只有意法半导体能够提供开创性的光学和半导体的整合技术。自2022年以来,我们采用Metalenz IP生产的超光透镜FlightSense™模块,出货量已突破1.4亿。与Metalenz达成的新许可协议,不仅巩固了我们在消费电子、工业和汽车领域的技术优势,还将助力超光技术从生物识别、激光雷达、相机辅助等智能手机应用扩展到机器人技术、手势识别或物体检测等新领域。而我们独有的、在300毫米半导体晶圆厂制造光学元件的模式,能够确保产品具有高检测精度、高成本效益和高扩展性,从而满足客户开发大规模复杂应用的需求。”   Metalenz联合创始人兼首席执行官Rob Devlin表示: “我们与意法半导体达成的许可协议,有望进一步加快超光技术的应用普及。这项源自哈佛大学的创新技术将得到在市场中具有竞争力的消费电子公司的认可与采用。将光学元件的制造交由半导体厂商负责,或将进一步改变传感器生态系统的格局。随着3D深感应用领域的持续拓展,在我们共同培养的新兴超光市场上,意法半导体的技术优势地位与我们在IP领域的优势相结合,将巩固双方的市场主导地位。” 新的许可协议旨在把握超表面光学器件日益增长的市场机遇。预计到2029年,该市场将出现显著增长,规模有望达到20亿美元*,这主要得益于该技术在新兴显示和成像应用中发挥的重要作用。   2022年,Metalenz公司的超表面光学技术借助意法半导体的直接飞行时间(dToF)FlightSense模块首次亮相。作为从哈佛大学拆分出来成立的科技公司,Metalenz拥有哈佛大学超表面光学基础技术专利的独家许可权。   采用超表面光学透镜替代由多片镜片组成的传统透镜组,可以提高FlightSense测距模块的光学性能和温度稳定性,同时减小尺寸,降低复杂性。    而使用300mm晶圆制造镜片,既能保证镜片具备高精度和高性能,又能充分继承半导体制造工艺固有的可扩展性和稳健性优势。     关于Metalenz Metalenz站在超表面光学技术创新的前沿,解决方案挑战移动成像和传感器的技术极限,志在探索未来无限可能。Metalenz是首家将超光技术推向大众市场的公司,已有数百万片超光镜片集成到消费设备中,仅一片平面镜片就有三到四个复杂透镜和元件的功能,在现有的半导体代工厂实现量产。该公司的首个整体系统解决方案Polar ID是一款突破性的、超安全、小巧且经济实惠的移动端人脸识别解决方案,利用超表面光学独有的偏振光分选功能,使移动设备能够超越现有视觉系统的视距极限。

    意法半导体

    意法半导体中国 . 2025-07-10 1335

  • 技术 | 推理=IOPS:借助美光9550高性能SSD保持前沿地位

    推理将成为数据中心最常见的工作负载,这一点毋庸置疑。随着数据中心日益广泛采用NVIDIA H100,以及非NVL72系统开始部署NVIDIA DGX B200,计算能力正迎来爆炸式增长。    观察PCIe®各代产品带宽扩展与计算能力增长的情况可以发现:从PCIe 3.0到6.0,带宽增长了8倍,而GPU FLOPS在同一时期增长了37.5倍。    我们还发现,过去四年间,训练集群的平均FLOPS增加了905倍,而训练数据集中的数据点数量在同一时期增加了2,500倍。 虽然推理一直是且将继续是计算密集型工作负载,但其对快速存储的依赖正在迅速显现。推理模型将推动大语言模型 (LLM) 的实用性、准确性和资源需求大幅提升。序列长度的增加促使LLM系统设计不断创新,将KV缓存存储到磁盘而非刷新后重新计算正在成为效率更高的做法。这将对企业用于推理的GPU本地系统提出更高的性能要求。   我们关注这一趋势已有一段时间,并因此研发出了美光9550这款性能出色的SSD。其高IOP和卓越能效能够有效契合这些新兴工作负载的需求。    举例而言,我们使用微软的DeepSpeed ZeRO-Inference工具对美光9550与某前沿竞品进行了测试。结果显示,美光9550的读取速度快15%,平均功耗低27%,从而使SSD能耗低37%、系统总能耗低19%。    尽管写入操作只占推理工作负载的一小部分,但不同SSD在写入性能方面存在显著差异。美光9550的写入速度快78%,同时平均功耗低22%。这表明美光9550完成推理任务的能耗仅为其他产品的一半,且系统总能耗低43%。   随着计算能力的迅猛发展以及推理领域令人瞩目的实用性创新成果不断涌现,存储技术亟待跟上步伐。数据中心SSD的开发周期较长;NAND制造、ASIC设计、功耗、散热等环节均对AI系统中存储的最终性能起着关键作用。美光多年来一直在测试人工智能 (AI) 工作负载,并将其视为美光9550以及其他新一代数据中心SSD开发工作的重要组成部分。我们深知,要打造契合未来AI工作负载需求的存储解决方案,就必须在当下先人一步。 测试详情: DeepSpeed ZeRO AIO读取——在GPU内部通过DeepSpeed库模拟合成工作负载。    测试系统:2颗Intel Xeon Platinum 8568Y+、768GB DDR5 DRAM、2块NVIDIA L40S GPU竞品是一款PCIe 5.0高性能数据中心SSD,其在规格和目标用例方面与美光9550相似。    相关数据通过850次测试运行产生,测试历时446小时。

    Micron

    Micron美光科技 . 2025-07-10 950

  • 应用 | 穿越千年的保鲜战:从「一骑红尘」到「“芯”鲜直达」

    一句“日啖荔枝三百颗,不辞长作岭南人” 写出了多少古人对新鲜荔枝的痴迷 而“十里一置飞尘灰,五里一堠兵火催” 也将运送荔枝的艰辛描绘得淋漓尽致 随着《长安的荔枝》热播,贵妃一句“想吃岭南鲜荔枝”,让长安城上演了一场与时间赛跑的鲜果速递!剧中快马加鞭、驿卒累死的场景,道尽了荔枝“一日色变,二日香变,三日味变”的千年贮存难题。古人用大量人力、财力换来的“枝头鲜”,在今日科技加持下,也已有了“冷链运输”这一更从容、更智慧的解决方案。    但,荔枝本身的“娇气”并未改变。从枝头到舌尖,温湿度波动、呼吸作用失控、乙烯释放,依旧是荔枝鲜味的“杀手”。如何让荔枝在长途跋涉中更好地锁住新鲜、延缓风味流失?答案就藏在保鲜贮藏和冷链运输过程中的细节处——通过实时监测各环节中的温湿度和气体,为保鲜措施提供精准的科学依据。 赢在第一步,产地的私荔定制“氧吧” 与人类一样,水果都会以消耗糖类、释放二氧化碳的方式维持生命活动。荔枝自离开枝头起便会开启“自毁程序”,呼吸速率不减反增,进一步加快代谢速度。一旦储存场地的气体控制不好,新鲜荔枝将很快从一个个圆润饱满的果实转变为萎缩变色的“劣质果”。 为第一时间保障荔枝品质不变,产地大多会设立大型气调保鲜库,通过调节氧气、二氧化碳浓度,尽可能地在短时间内抑制荔枝呼吸作用与乙烯合成,在低氧、高二氧化碳的环境下,荔枝呼吸速率、乙烯合成与酶促活性均显著降低,从源头大大延长荔枝鲜果的保鲜期。    在物理包装方面,真空包装与阻湿薄膜的结合应用能有效减少荔枝的水分流失与氧气渗透,切断荔枝氧化反应的“原料”供应,这也是便于后续运输流通的重要辅助手段。 驰骋千里的底气,运输中的“续命”方法 做好产地保鲜工作的同时,专为荔枝远距离运输配备的冷链车也能够通过精准控温控湿,将箱内温湿度恒定在“0℃~4℃”与“90%-95%”,为荔枝打造适宜的定制环境,减少水分流失并抑制微生物繁殖生长。  古代双层瓮保冷 将陶土的呼吸性、水的相变热、蜡的密封性整合为有机系统,可将荔枝保鲜期延长至4~5天。该方法揭示了保鲜的本质:控制温/湿度、气体环境的平衡。 VS 现代 动态温控系统 运输过程中使用智能化温控系统,实时监测车厢内温度、湿度及开关门等影响因素,合理调控温湿度环境,确保荔枝鲜果全程处于理想保鲜环境。    “冻眠锁鲜技术”作为荔枝长途运输和长久保鲜的另一手段,核心是利用-35℃以下的超低温速冻,在荔枝细胞尚未完全衰老前减缓代谢,保持相对休眠状态。其中“快速预冷 - 真空包装 - 精准速冻 - 低温储藏”四个环节,每一环都需要对于温湿度的精确控制。 数字温湿度传感器 SHT4x 无论是气调贮藏还是长途冷链运输,适应-40~125℃工作温度范围、高精度规格且低功耗的SHT4x传感器都可以实时提供精准可靠的温湿度数据,减少运输过程中损耗的同时让消费者手中荔枝的新鲜度尽可能地“定格”在采摘时。    同时SHT4x系列中的SHT43传感器具备优于同类产品的偏差(每年低于0.01°C),并带有独特的ISO17025温度校准证书(三个测量点),可经济高效地大批量生产符合GDP要求的数据记录仪。    从长安到万家:传感器赋能下的「芯」鲜抵达 千年之前,一颗鲜荔枝的抵达,是穷尽分枝植瓮、盐洗隔水、冰块保鲜与竹箨封藏之法造就的奇迹。如今,借助先进的传感器与冷链技术,我们得以在温湿度与气体浓度的科学平衡中,复刻最适宜运输荔枝的环境,让岭南枝头初摘时的清甜最大程度地保留。    跨越千年,荔枝仍在途中,只是这一次,它无需再以驿马的生命作为代价。它们安静地躺在冷链车厢里,被高精度的传感器默默守护着,将“日啖荔枝三百颗”的美好期待照进现实。

    盛思锐

    盛思锐传感器 . 2025-07-10 1450

  • 产品 | Sensirion推出新型数字温湿度传感器

    Sensirion新推出SHT40-AD1P-R2和SHT41-AD1P-R2两款数字温湿度传感器,现已通过其全球代理网络销售。这两款传感器专为要求苛刻的应用环境设计,具有高精度和高可靠性,并配有可拆卸的保护盖,确保搬运和部署过程中的耐用性。 SHT40-AD1P-R2和SHT41-AD1P-R2是Sensirion数字温湿度传感器系列的最新产品。SHT40-AD1P-R2精度为±1.8% RH(max. ±3.5%)和±0.2°C,SHT41-AD1P-R2精度为±1.8% RH(max. ±2.5%)和±0.2°C。两款传感器均采用紧凑型DFN外壳,非常适合空间受限的应用,另外还采用了标准I2C接口和固定的0x45 I2C地址,可以轻松集成到各种设备和系统中。    可拆卸保护盖是两款新品的主要特点,可在搬运和部署过程中提供额外保护,确保即使在大批量生产环境中也能可靠运行。无论是用于工业系统、暖通空调设备还是消费产品,这些传感器都集耐用性、易集成性和高精度测量于一身,适用于各种应用。

    盛思锐

    盛思锐传感器 . 2025-07-10 855

  • 技术 | 为何完全集成式转换环路器件可实现出色的相位噪声性能?

    目前对带宽的需求呈爆炸式增长,从而将载波频率推高至几十千兆赫。在这些高频率下,客户可使用更高的带宽,不必担心频谱过度拥挤。但是,随着频率增加,针对这些器件和频率的仪器仪表解决方案就会变得极其复杂,这是因为仪器仪表解决方案需要提升一个数量级的性能,以避免损坏测试中的器件。本文将介绍几种低相位噪声信号生成方法的优缺点,并介绍转换环路器件,这些器件在不增加复杂性的情况下充分利用所有频率产生方法的优点,可以生成超低相位噪声信号。   锁相环电路剖析 锁相环(PLL)电路常见于许多频率产生器件中。这些器件可确保器件内产生的波形和参考信号相位对齐或锁定为参考信号。图1为PLL的简化框图。压控振荡器(VCO)的输出使用N计数器进行分频,并在鉴频鉴相器(PFD)电路中与参考信号进行比较。这个简单的电路一直是许多教科书的主题,并得到了广泛的研究。我们将使用一些众所周知的基础知识来确定如何大幅降低输出端的相位噪声。     图1. 锁相环电路。 PLL电路的整体相位噪声源于每个构建模块的自身缺陷或相位噪声。可对每个相关联的模块的相位噪声进行建模,并可通过仿真和分析计算精确预测PLL的整体相位噪声。下面我们来回顾一下每个模块,并讨论它们对输出相位噪声的影响。   PFD模块将参考信号与分频输出频率进行比较。该模块产生的误差信号馈入电荷泵电路,该电路产生控制电压,从而控制VCO,直到器件的输出相位与参考相位相匹配。大多数具有集成PFD电路的现代频率产生器件的数据手册中会提供一个品质因数(FOM)。使用FOM可计算带内相位噪声,如下所示: 其中fPFD是PFD频率,N是输出频率分频器的值。请注意,输出频率是fPFD和N分频器值的乘积。对于给定的输出频率,fPFD增加一个因数,N的值就减少相同的因数。由于fPFD,N值减小会将相位噪声减少两倍,这样整体输出相位噪声就会降低。我们可以得出结论,PFD频率越高,载波近端相位噪声就越低。本文接下来的部分就会用到这一发现。 环路滤波器跟踪PFD并对PFD器件所产生的误差信号进行平滑。其设计使用几个系统参数,如电荷泵电流、VCO灵敏度和PFD频率等。环路滤波器的一个不太重要的功能是确定负反馈控制环路的带宽。参考信号会在环路滤波器的控制带宽内影响输出信号的相位噪声。超过这个截止频率,整体相位噪声性能将由VCO的特性主导。我们将在接下来的部分中利用这一点来优化系统的整体相位噪声。 VCO根据其输入端施加的控制电压产生输出频率。VCO的输出频率由控制环路进行更新,直至相位与参考信号的相位锁定。VCO直接影响系统的整体相位噪声。一般来讲,随着VCO的品质提升,相位噪声会降低。但是,提高品质通常会限制器件的整体可调范围。针对窄频操作的VCO通常具有很好的相位噪声性能。 频率产生选项 使用各种不同质量水平以及不同拓扑结构的振荡器,可以有多种方式生成信号。仪器仪表应用通常在低相位噪声和杂散电平方面力求实现最佳性能。我们来回顾一下可以实现极低相位噪声的一些频率产生选项。 使用固定频率振荡器产生频率  具有出色相位噪声性能的一类信号生成器件是固定频率振荡器。这些器件通常具有很高的品质因数,从而实现出色的载波近端相位噪声性能。这些振荡器在预定频率下工作,该频率在很大程度上由器件的几何形状和结构决定,且具有一定的可调能力,使其相位能够锁定至参考源。此类器件包括恒温晶体振荡器(OCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)和压控SAW振荡器(VCSO)等。固定频率振荡器的一个主要缺点是这些器件的频率覆盖范围有限。尽管它们可能适用于以固定频率或其倍数运行的器件,但大多数仪器仪表器件需要可变频率覆盖范围。    图2. 使用固定源产生可变频率。 解决此问题的一种方法需要使用直接数字频率合成器(DDS)或数模转换器(DAC)器件。固定频率信号可用于驱动DDS器件的采样时钟,如图2所示。振荡器的频率可以根据需要通过倍频器或阶跃恢复二极管(SRD)倍频,并在应用到DDS之前进行滤波。DDS可以在第一奈奎斯特工作区产生任意频率,最高为采样频率的一半。一些现代DAC器件甚至可以在第二奈奎斯特区正常工作。图3显示由低相位噪声介质谐振振荡器(DRO)在6  GHz下驱动 AD9164 时的输出频 谱和相位噪声图。相位噪声图显示输出相位噪声非常低,且输出频谱的杂散电平小于–70 dBc。 倍频采样时钟的频谱纯度直接影响器件的输出。一旦信号倍频,输出端就会出现许多谐波。需要对所需信号进行滤波,以在DDS输出端实现低杂散电平。通常,采样时钟处出现的杂散会以类似电平出现在输出端。如果倍频系数较大,滤波器可能需要非常灵敏,这就需要一个明显陡变的区域。   此外,倍频信号的相位噪声随着倍频系数的增大而增大。例如,信号频率每增加一倍,相位噪声就增加6  dB。根据起始相位噪声曲线和倍频系数,本底噪声(远端相位噪声)可能会显著增加,使整体解决方案缺乏吸引力。这是一个众所周知的窘境,采用具有近载波相位噪声的单频、高品质因数器件会带来远载波相位本底噪声。例如,表面声波(SAW)器件在载波频率约为1  GHz时具有出色的载波近端相位噪声性能。在40 GHz以上运行的毫米波器件需要高达40的倍频系数。这可能会使相位本底噪声增加32  dB或更多,从而降低解决方案的吸引力。  图3. AD9164在800 MHz下的输出频谱和相位噪声,使用固定频率振荡器作为采样时钟。 使用宽带PLL器件产生频率  宽带频率合成器解决了许多与单频器件相关的挑战。这些器件(如 ADF4372 微波频率合成器)使用多个VCO内核,每个VCO内核又进一步划分为多个重叠频段。此架构使每个内核和频段都能实现高品质因数。与使用单个内核的架构相比,显著提升了器件的整体性能。 这些器件的一个关键优势是基本工作频率比晶体振荡器或SAW振荡器高。许多现代VCO具有4 GHz至20  GHz甚至更高的基频。这使其在毫米波应用中的载波远端相位噪声性能更具吸引力。例如,在10 GHz基频下运行的器件需要倍频数4以将频率扩展为40  GHz。这意味着相位本底噪声增加12 dB,而使用晶体振荡器则会增加32 dB。 与这些多核和多频段器件相关的一个挑战是找到合成目标频率的最优频段。这可能需要创建查询表来识别正确的频段。具有自动校准功能的器件(如ADF4372和 ADF5610)通过温度和工艺变化使此过程更加简单可靠。这大大地简化了器件的整体操作,可将频率变化简单地编程到器件的寄存器中,并自动确定最佳工作频段。 另一个挑战是与这些器件相关的载波近端相位噪声通常比单频器件要高得多。即使是较低的整体本底相位噪声,较高的载波近端相位噪声也能转化为较高的整体积分噪声。这可能会限制在需要较低积分相位噪声的应用中使用这些器件。 转换环路 转换环路方法充分利用之前提到的所有频率产生方法,并摈弃其缺点。我们先来总结一下迄今为止我们的发现结果,再讨论转换环路的详细信息。 OCXO、SAW等单频器件和具有高品质因数的晶振具有很好的载波近端相位噪声。这些单频器件通常基频较低,因此倍增到毫米波频率时,载波远端相位噪声性能就会略为逊色。理想解决方案应具有这些器件的载波近端性能,同时不会增加载波远端相位噪声。 DDS或DAC器件可将固定频率器件产生可变频率。这些器件还会受到毫米波频率所需的大倍频系数以及抑制次谐波和其他干扰杂散需要滤波的影响。容忍这些缺点方可实现理想解决方案。   宽带频率合成器具有很高的基频和出色的载波远端相位噪声性能。但是,这些器件并非真的具有高品质因数,因此,与单频器件相比,载波近端相位噪声相对较差。需要利用载波远端相位噪声而不恶化载波近端相位噪声性能。 这就将我们带到转换环路器件,如图4所示。使用混频器将输出信号转换为与参考信号频率相匹配的中频(IF),而不是将输出频率除以一个大分频器值。这将分频器值有效地降低至1,从而消除了传统PLL器件中使用大分频器值时产生的噪声。这会使控制环路上出现LO的相位噪声分布。我们可以使用具有出色载波近端性能的单频器件和DDS来产生此LO信号。  图4. 转换环路架构。 环路滤波器带宽是转换环路器件的关键设计参数。如前所述,环路滤波器确定控制环路的整体带宽。换言之,它定义参考信号和LO信号对输出相位噪声的影响程度。在转换环路中,由于载波近端相位噪声极低,我们可以选择大环路滤波器带宽。图5显示转换环路器件的相位噪声曲线及其LO输入。请注意,尽管LO的载波近端相位噪声很低,但载波远端本底噪声高。RF输出跟踪LO相位噪声直到环路滤波器带宽。在此频率偏移后,载波远端相位噪声由VCO定义,此值很低。 转换环路器件本质上利用了使用DDS器件作为LO的单频器件的理想载波近端性能,并通过选择大环路带宽来利用宽带VCO的载波远端相位噪声。这不仅解决了优化哪个相位噪声区域相关的问题,而且实现了极低的输出相位噪声。       图5. 转换环路器件的相位噪声曲线。 转换环路的出色相位噪声性能使其在很多毫米波仪器仪表的应用中很有用。除了相位噪声性能,仪器仪表解决方案还需要将杂散信号抑制到极低的水平。由于存在多个不同频率的强信号,这对于转换环路器件来说非常具有挑战性。在很多情况下,防止LO和IF信号馈通到输出很有挑战性。此外,还可能在输出端产生很多IF、LO和RF信号的交调产物。这些杂散信号会导致整个仪器仪表解决方案具有较差的杂散性能。   ADI公司提供的完全集成式转换环路器件 ADF4401A可应对其中很多挑战。它消除了分立式方案中可能存在的所有馈通路径。这是通过内置屏蔽和最小化馈通机制的总体设计来实现的。此外,它还具有–90   dBc或更低的杂散抑制性能,可与钇铁石榴石(YIG)球形振荡器解决方案匹敌。即使系统的输入不及理想值,器件的输出也具有很低的杂散电平。图6a显示了ADF4401A的输出频谱,其中LO输入包含许多杂散,杂散电平约–40   dBc,如图6b所示。由于需要大量滤波,这种LO信号在仪器仪表解决方案中通常不可用。但是,ADF4401A可接受此LO输入,无需任何额外滤波即可产生图6a所示的输出频谱。 图 6. (a) 6.5 GHz下的转换环路输出频谱和(b) 3 GHz下的LO输入频谱。 使用ADF4401A的内部LO倍频器,有效LO频率变为6 GHz。 在本例中,IF频率为500 MHz。  此器件配备自动校准引擎,可识别给定目标频率的最优VCO频段。在校准模式中,此器件可在实际温度和工艺条件下搜索正确的频段,从而实现无缝的频率调谐过程。 总结 仪器仪表解决方案需要很低的载波信号相位噪声和很低的杂散信号电平,以满足毫米波器件的需求。虽然有各种方法来合成这些信号,但所有方法都要进行利弊权衡,因此,整体解决方案变得越来越复杂。ADI转换环路器件ADF4401A充分利用许多不同频率产生方案的优势,并去除其劣势。可实现出色的相位噪声和优异的杂散性能,且无需进行复杂的滤波。

    ADI

    亚德诺半导体 . 2025-07-10 1 890

  • 产品 | 圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330

    圣邦微电子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。    SGMNL12330 是一款 30V 耐压的单 N 沟道功率 MOSFET,采用紧凑的 TDFN-2×2-6BL 封装,专为高功率密度和高效能应用而设计。该器件具有出色的电流处理能力,在 +25°C 环境下可提供高达 10A 的持续输出电流,脉冲电流能力更达到 40A,满足严苛的负载需求。其超低的导通电阻(典型值仅 9mΩ@VGS = 4.5V)显著降低了功率损耗,使系统能效得到显著提升。    该 MOSFET 在动态性能方面表现优异,总栅极电荷(QG)低至 21.1nC,结合快速的开关特性(开启延迟 10.9ns,关断延迟 28.5ns),使其非常适合高频 PWM 应用场景。器件支持宽范围的栅极驱动电压(±12V),为设计提供了更大的灵活性。在热管理方面,SGMNL12330 展现出卓越的可靠性,其工作结温范围覆盖 -55°C 至 +150°C,并具备 67.3mJ 的雪崩能量耐受能力,确保在恶劣环境下稳定运行。    SGMNL12330 特别适用于需要高效功率转换的各类应用,包括但不限于 DC/DC 转换器、电池管理系统、无线充电模块以及工业自动化设备。其小尺寸封装(仅 2mm×2mm)为空间受限的设计提供了理想解决方案,同时符合 RoHS 及无卤素环保标准。器件提供完善的保护功能,包括热关断和逐周期电流限制,为系统安全保驾护航。   图 2 SGMNL12330 等效电路

    圣邦微

    圣邦微电子 . 2025-07-10 1030

  • 产品丨瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU,涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景

    全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化,专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。 专为电机控制优化的功能集 全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计,尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能,可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比,这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器,可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成,这一针对逆变器驱动进行优化的功能,有助于控制算法的实施。    RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能,包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时,二者协同工作,能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。    瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位 瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外,瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。   Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“历经多年实践验证,瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性,结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准,进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。” RA2T1产品群MCU的关键特性 内核:64MHz Arm® Cortex®-M23 存储:64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存 模拟外设:12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器 系统:高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式 安全功能:PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测 工作温度范围:Ta=-40°C至125°C 工作电压:1.6V至5.5V 封装:48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)    全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP,可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。 成功产品组合 瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合,创建广泛的“成功产品组合”,包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。更多信息,请访问:renesas.com/win。 供货信息 RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持,前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台,支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU,从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取,客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。 瑞萨MCU优势 作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。关于瑞萨电子MCU的更多信息,请访问:renesas.com/MCUs。    (文中相关信息您可识别下方二维码或复制链接至浏览器中打开查阅) RA2T1产品群MCU   https://www.renesas.cn/zh/products/ra2t1 灵活配置软件包   https://www.renesas.com/software-tool/flexible-software-package-fsp 瑞萨的灵活电机控制开发套件   https://www.renesas.cn/zh/design-resources/boards-kits/mck-ra2t1 成功产品组合   https://www.renesas.com/applications (备注)Arm和Arm Cortex是Arm Limited在欧盟和其它国家/地区的注册商标。本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

    瑞萨

    Renesas瑞萨电子 . 2025-07-10 1055

  • 应用 | 多云台三目摄像机:MC632X赋能性价比和性能协同进化

    据洛图科技2025Q1数据显示,传统电商第一季度双目和多目产品的销量份额达到35.2%。在多目化的背景下,多云台三目摄像机凭借多云台设计与丰富场景应用得到广泛关注,富瀚微MC632X芯片性能进化,实现了多云台三目摄像机的极致性价比。 多云台三目摄像机:性价比之王 多云台三目摄像机,三画面,一台顶三台,让视野盲区不在。多云台设计,三个摄像头均可以在APP上随意调整角度,安装灵活,无死角。    摄像机搭载AI智能跟踪,自动跟拍录像,报警精准有效。同时支持多种夜视模式,无论白天夜晚,图像清晰可见。 MC632X芯片:内存优化无止境 采用全新内存优化引擎,极低多媒体内存占用,赋能摄像机充分应用内存空间。在64MB DDR芯片平台实现传统128MB DDR才能达成的多云台三目摄像机应用,同时性能更强化,图像效果、主子码流、AI智能、多云台操控都有着不俗的表现。    MC632X芯片,64MB DDR还可以轻松实现双目4Mp、三目2Mp、四目2Mp(含一路长短焦)、单目5Mp(16:9)等应用,是真正意义上的多目化应用利器。 目前, 多云台三目摄像机方案已在多个厂商落地,凭借产品性价比和性能协同进化 ,引领行业多目化趋势。 

    富瀚微

    富瀚微电子 . 2025-07-10 1 950

  • 企业 | Nordic 联合 Omnispace 和 Gatehouse Satcom 完成5G NB-IoT 卫星演示

    全球领先的低功耗无线连接解决方案提供商Nordic 参与了一项成功的5G NB-IoT试验,该试验由重新定义了21世纪移动连接的Omnispace公司和市场领先的卫星通信软件供应商 Gatehouse Satcom 共同在Omnispace公司运营的非地球静止轨道卫星上进行,标志着业界向偏远和服务不足地区提供基于标准的无缝5G 物联网连接迈出了关键一步。    此次试验的核心是Nordic的小型蜂窝物联网模块nRF9151,它针对卫星通信进行了优化,设计符合3GPP NTN规范。集成了nRF9151的各种低功耗 5G 设备可以通过 Omnispace 的 S 波段非地球静止轨道卫星可靠地收发数据。   Nordic 长距离产品总监Kristian Sæther表示: “我们非常高兴与 Omnispace 合作,将nRF9151 模块集成到其通过卫星连接的创新NB-IoT 连接方案中,这项突破成果使得低功耗物联网设备能够在偏远或基础设施有限的地区通过非静止卫星进行连接,支持资产跟踪和远程监控等用例。”    Omnispace首席执行官Ram Viswanathan表示: “此次演示标志着我们在实现全球无缝 5G 物联网连接方面迈出了重要一步。通过与 Gatehouse Satcom 和 Nordic 合作,我们展示了未来全球通信的可能性,包括与现有 5G 地面蜂窝网络无缝集成的强大非地球静止轨道卫星(NGSO)解决方案。”    Gatehouse Satcom商务副总裁Jesper Noer表示: “我们设计的 5G NTN NB-IoT NodeB 可横跨 GEO、MEO 和 LEO 运行,这次与 Omnispace 的合作演示证明了它在真实 NGSO 状况下具有出色的适应性。这款软件在 S 波段的表现尤其令人兴奋,因为透明的有效载荷架构带来了全新的技术动力。Omnispace 为实现可互操作的全球覆盖带来了美好愿景,我们很荣幸参与了将这一愿景转化为基于标准的实际进展。”    这项成就拓展了低功耗卫星物联网在农业、公用事业、环境监测和物流等行业的应用潜力,在这些行业中,全球范围的弹性连接至关重要。

    Nordic

    Nordic半导体 . 2025-07-09 1490

  • 企业 | 屹唐股份登陆科创板

    7月8日,北京屹唐半导体科技股份有限公司(以下简称“屹唐股份”)于上海证券交易所科创板挂牌上市,由此迈入资本市场,进入全新阶段。 屹唐股份成立于2015年,是面向全球经营的半导体设备公司。主要从事集成电路制造过程中所需晶圆加工设备的研发、生产和销售,面向全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。 核心设备市占率全球领先 研发技术实现突破性创新 作为具备全球认可度的集成电路制造设备供应商,屹唐股份的产品已被多家全球领先的存储芯片制造厂商、逻辑电路制造厂商等集成电路制造厂商所采用,服务的客户覆盖了全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商。广泛且稳定的客户群体为公司在专用设备市场构筑起坚实竞争力,巩固了屹唐股份的市场地位。截至2024年末,公司产品全球累计装机数量已超过4,800台并在相应细分领域处于全球领先地位。根据Gartner2023年统计数据,公司干法去胶设备、快速热处理设备市场占有率均位居全球第二,干法刻蚀设备市场占有率位居全球前十,是我国少数可量产刻蚀设备的厂商之一。    在半导体相关技术及产品的快速迭代下,屹唐股份持续增加研发投入,有效加强技术创新能力,以满足多样化的市场需求。2022年至2024年,公司研发费用分别为52,985.07万元、60,816.15万元和71,689.40万元,占营业收入比例分别为11.13%、15.47%和15.47%。在干法去胶设备、快速热处理设备和干法刻蚀设备领域,屹唐股份实现了多项技术突破与创新,截至2025年2月11日,公司拥有发明专利445项。后续,屹唐股份将把募集资金投入至集成电路装备研发制造服务中心项目建设以及高端集成电路装备研发项目等项目的实施中,以加强技术储备与产品研发,实现创新成果的持续输出、转化与落地,巩固国际领先的技术水平地位。 经营业绩稳健攀升 中国市场前景向好 开创性的技术与稳定的市占率为屹唐股份良好的业务经营情况奠定了基础。2022年至2024年,公司营业收入分别为476,262.74万元、393,142.70万元和463,297.78万元,2024年公司营业收入同比增长17.84%。2022年至2024年公司归母净利润分别为3.83亿元、3.09亿元和5.41亿元,主营业务毛利率分别为28.52%、35.03%和37.39%。随着公司技术工艺的改进升级与新产品的研发落地,屹唐股份各类设备市场份额与盈利水平有望同步增长。    在全球半导体第三次转移趋势下,半导体产业向中国内地转移,我国半导体行业景气度进一步提升,迎来新的发展契机。“十四五”规划等一系列国家政策支持与5G、AI、IoT等新兴行业的发展需求为半导体和集成电路产业带来新的市场空间与机遇。在半导体需求持续整体向好的环境下,以屹唐股份为代表的优质半导体设备企业的发展前景广阔。2022年至2024年,屹唐股份在中国大陆地区出货量及收入均整体呈增长趋势,2024年,屹唐股份来自中国大陆地区的收入占比已达66.67%。面对半导体行业广阔的市场空间,屹唐股份表示,未来公司将进一步提升集成电路装备研发制造产业化能力,持续加大在国内的投入,发挥本地化供应优势,提升来自中国大陆地区的收入规模,提高国内制造基地生产能力、服务能力和研发能力。    屹唐股份总裁兼首席执行官Hao Allen Lu(陆郝安)在上市仪式上表示,屹唐股份将充分发挥在半导体设备领域的技术沉淀与市场优势,紧抓行业发展新机遇,以更加稳健的步伐推进自主创新能力与核心竞争力,以更优良的业绩回报广大投资者。

    屹唐股份

    芯查查资讯 . 2025-07-09 1470

  • 企业 | 格罗方德宣布收购MIPS

    GlobalFoundries宣布已达成最终协议,收购基于 RISC-V 的解决方案和 IP 开发商 MIPS。此次交易将使 GlobalFoundries 能够提供基于 RISC-V 指令集架构 (ISA) 的自有处理器和其他产品,这将使该公司成为其部分代工客户的竞争对手。然而,两家公司强调,MIPS 将作为独立业务运营。   此次收购增强了格罗方德的IP组合,使其能够整合MIPS的技术,包括通用CPU IP、AI推理加速IP以及各种传感器。MIPS近期扩展了其基于RISC-V ISA的处理器产品线,使其Atlas产品线涵盖了适用于通用和实时处理的各种内核,以及专为AI边缘工作负载设计的专用内核。这些内核旨在以相对较低的功耗为嵌入式系统中计算密集型工作负载提供高性能。    MIPS 并入格罗方德后,将使其能够获得差异化的工艺节点和安全的全球制造基地。这不仅可能使处理器 IP 与工艺技术更加紧密地协调,缩短产品上市时间,还能让 MIPS 有机会争夺那些要求在安全设施进行生产的客户(例如美国国防部)的订单。不过,需要注意的是,MIPS 并入格罗方德可能需要数年时间,因此现在谈论优势或额外订单还为时过早。    该交易旨在增强 GlobalFoundries 在一系列终端市场提供集成解决方案的能力,这在一定程度上改变了该公司从合同芯片制造商到各种通用和人工智能应用的集成计算解决方案生产商和代工厂的定位。    格罗方德总裁兼首席运营官Niels Anderskouv表示:“通过此次收购,我们将拓展自身能力,为客户提供更灵活的解决方案,并结合我们差异化的工艺技术和世界一流的制造能力,帮助他们打造一流的产品。此次收购将是我们在汽车、工业和数据中心基础设施等广泛应用领域突破效率和性能界限的有力一步。”    交易完成后,MIPS 将继续作为 GlobalFoundries 旗下的独立业务部门运营。它将保持与其他代工厂和客户的现有合作关系,并支持多个行业的广泛技术。    MIPS 首席执行官 Sameer Wasson 表示:“加入格罗方德标志着 MIPS 开启崭新篇章。格罗方德凭借其安全可靠的全球制造网络,在提供差异化技术方面拥有卓越的业绩,这将增强我们加速创新和扩展解决方案的能力,从而在物理人工智能领域开启新的机遇,并为我们的客户创造更大的价值。”

    格罗方德

    半导体行业观察 . 2025-07-09 1 1435

  • 方案 | 国民技术发布面向AI数据中心的3 kW数字电源参考设计方案

    在人工智能(AI)算力爆发式增长与全球能源结构转型的双重驱动下,电力供给体系正经历从”粗放式”到”智能化”的范式变革。AI数据中心的单机功耗已突破15kW,根据Uptime Institute 2024报告记录,电力消耗已占AI数据中心运营成本的60%以上,AI电源是驱动瓦特向比特转化的智能神经中枢,通过极致能效比与动态调度实现“每度电产出最大有效算力”的价值跃迁。 作为国内领先的平台型MCU芯片设计公司,国民技术围绕数字能源领域进行产品布局,自2024年推出N32H474数字电源专用MCU芯片以来,在开发生态上持续投入,目前已构建起涵盖芯片、电源硬件、控制算法、实时操作系统及配套工具全栈垂直整合生态,实现了软硬协同的实时精准控制与极致能效转化。    7月8日,国民技术正式发布AI数据中心数字电源参考设计方案——高性能单芯片3 kW数字电源方案NS3KW53V5P2L3,该方案以其卓越的集成度和能效表现,助力客户快速构建高效、智能、可靠的电源系统。帮助开发者快速应对AI算力与新能源领域的关键电源挑战,为电力电子技术迈向数字化、智能化提供核心支撑。 高性能单芯片3 kW数字电源参考方案—NS3KW53V5P2L3 NS3KW53V5P2L3是国民技术面向数字电源行业推出的参考设计方案,尤其适用于AI数据中心电源、户外一体化电源等数字电源。该方案以单颗N32H474作为数字主控核心,基于自研Hunter OS实时操作系统开发生态链打造,整机峰值效率≥97.7%,达到业内领先水平。  该方案采用前级两相交错无桥图腾PFC,后级三相交错Y-Y型LLC架构,该架构能够灵活应用各种功率器件,在SiC、GaN等新器件的加持下,能够深度优化性价比,方案构架示意图如下:  3 kW数字电源方案框图 NS3KW53V5P2L3核心架构采用基于SiC器件的两相交错图腾柱PFC前端与基于SiC器件的三相交错LLC DC/DC隔离后端,整个前后级采用一颗N32H474芯片,负责两级功率变换的控制算法、保护逻辑及与上位机通信实现了卓越的综合性能。   方案核心优势: ■ 超高的转换效率:整机峰值效率≥97.7%,50%~100%负载下PF >0.99。 ■ 优异的电气性能: 采用CCM两相交错图腾柱PFC降低输入电流纹波和THD (<5.0% @100%负载), 三相交错式半桥LLC实现高效率、低输出纹波和快速动态负载响应。 ■ 完备的保护功能: 具备过温、输出过流/过压、输入过欠压等保护机制,并通过交错式设计减小输出母线电容需求,提升系统寿命。 ■ 便捷的开发生态: 基于自研Hunter OS生态,集成上位机可视化工具,实现参数在线配置、波形分析和一站式保护策略管理,显著提升系统智能化和调试效率。 电源方案核心指标: 100%负载下的输入电流波形 30%负载下的输入电流波形 不同负载下的电源效率 高精度数字电源专用主控芯片—N32H474 N32H474是国民技术推出的专用于数字电源领域的主控芯片,该芯片基于ARM Cortex-M4F内核设计,最高工作主频 240MHz,支持浮点运算和 DSP 指令,提升了数据处理速度和复杂运算能力,其125ps分辨率的SHRTIM和4个独立12bit 4.7MSPS的ADC,可满足多种复杂拓扑结构,灵活配置PWM。   N32H474数字电源应用关键资源: ■ 高性能,实时控制电源性能   — 240 MHz@Arm-Cortex-M4F,性能达300DMIPS。   — 内置硬件数学函数加速器Cordic,支持整点和浮点运算。 ■ 高集成度模拟器件,简化硬件设计   — 4x 12-bit 4.7Msps  ADC,最多支持51个通道 。   — 8x 12-bit DAC。   — 7x CMP,任意比较器输出可内部连接到任意一个Fault或EEV输入。  ■高精度定时器,为数字电源提供了保障    — 1x 16-bit SHRTIM,12x PWM(125ps),相位可调,10个外部输入事件,可任意I/O映射。   — 3x 16-bit ATIM,每一路ATIM支持6个独立通道,其中4个通道支持4对互补PWM输出。 ■ 丰富且可任意配置的外设接口,支持多节点同步控制   — 8x U(S)ART,其中3个UART支持任意I/O映射,硬件级485使能驱动。   — 3x CAN-FD ,支持任意I/O映射。 N32H474系列MCU主要资源 便捷的数字电源开发生态 国民技术提供自主研发的主控MCU芯片、电源硬件、控制算法、实时操作系统及配套工具全栈开发生态,在行业内率先形成高度抽象的标准化开发框架(标准化开发框架包含数字控制软件框架与上位机调试工具)。这一创新开发生态可显著提高数字电源开发效率,帮助用户快速响应AI与新能源市场的多样化需求。    NS3KW53V5P2L3设计方案控制软件基于自研Hunter OS框架进行软件开发,Hunter OS操作系统是一款基于时间片轮询非枪占式硬实时控制操作系统。基于硬件中断进行调度,具备非常高的可靠性,专为实时控制设计。   数字控制软件架构 数字控制软件架构由4层架构组成,分别为驱动层(BSW)、运行时环境层(RTE)、应用算法层(APP)和上位机工具链层(DebugTool) 四层架构,满足各种标准的认证 工具链 国民技术提供的专业开发工具链包含可配置的图形化调试工具Hunter OS DebugTool以及可视化波形调试工具Huntor OS Graphic等系列工具。    系列工具具备以下优点: ■ 创新性的为数字控制的框架进行了高度抽象,大大简化了软件的编写难度。 ■ 突破性的给实时控制软件提供了图形化参数调试界面,彻底的丢弃传统使用编程器调试软件的方法。 ■ 首次为自动控制(PID)参数整定提供了标准波形显示工具,为自动控制(PID)整定提供全域可视化波形比对,显著提升了自动控制(PID)调试的速度,为企业节省了宝贵的时间资源。    可配置的图形化调试工具-Hunter OS DebugTool 可配置的图形化调试工具 Hunter OS DebugTool图形化调试工具是用户可自定义的标准化工具,布尔控制、显示控制和设置控制的每一项功能都是可以自定义,无需再编程。主要用于对控制软件的多项参数进行调试,旨在提升开发人员在参数调试、状态监控、数据记录等环节的效率。   可视化波形调试工具-Hunter OS Graphic Hunter OS Graphic可视化波形显示工具是一款标准化的波形显示工具,通过高速串口能直观的同时显示4通道波形,其主要功能是提供实时波形可视化,在调试PID或者其他复杂逻辑功能时,能够准确、实时的提供时域波形信息,帮助开发人员高效配置和调整系统参数。 选型与支持 N32H474系列MCU共提供10个增强工业级型号,并实现规模化量产,品质与供应能力获行业广泛认可。可以联系国民技术各地线下销售团队申请样品,或通过官网(www.nationstech.com)联系销售客服以及授权代理商。 开发支持 国民技术提供全栈数字电源开发框架,包括构架源码、工具包、硬件参考设计与相关技术文档。相关资源将陆续在国民技术官网(www.nationstech.com)开放下载,开发者可随时获取最新资料。    为保障开发效率,国民技术提供灵活的线上线下支持: ➢ 线上交流: MCU技术论坛:与工程师社区互动,分享经验。 官方QQ群(群号:710838632):实时技术答疑与更新通知。 ➢ 线下支持:联系各地销售团队,获取定制化技术方案与现场服务。 国民技术以“硬核产品+开放生态+专业支持”助力开发者快速实现数字电源产品落地。

    国民技术

    国民技术 . 2025-07-09 2 2 1265

  • 产品 | 矽力杰、芯来与Vector携手打造高性能车规RISC-V MCU基础软件平台,加速汽车创新

    矽力杰、芯来与Vector携手,共同宣布成功开发并推广面向汽车的高性能车规级RISC-V MCU完整生态。此合作旨在为智能汽车市场提供更强大、可靠且开放的基础软件平台,帮助汽车制造商专注于开发创新的面向消费者的应用程序,从而提升品牌忠诚度、差异化能力和产品价值。 图:矽力杰开发板成功运行Vector MICROSAR OS    关键赋能技术与产品性能 矽力杰SA32D MCU: 内核强劲:基于芯来科技领先的NA900高性能RISC-V CPU IP核。 性能卓越:主频高达300MHz,最高提供6KDMIPS算力,满足复杂车身控制、大三电实时控制和底盘域等高要求场景。 存储配置:集成高达10MB高速Flash和2MB SRAM,保障高效运行与复杂应用存储需求。 稳定可靠:严格遵循车规级标准(AEC-Q100),工作温度范围宽(-40°C至+125°C),确保汽车电子系统在各种严苛环境下的稳定运行。 设计优化:为满足汽车电子特定需求进行专项优化,搭载面向电机控制的自有专利“迅联架构”,具备高灵活性、高实时性的特性。    芯来科技NA900 IP核: 芯来NA900系列是高性能应用处理器级RISC-V CPU IP,提供出色的整数性能(Dhrystone > 5.0 CoreMark/MHz)与高效率,以及丰富的可配置选项与生态支持,是构建车规高算力SoC的理想核心。    Vector MICROSAR Classic: MICROSAR Classic是一整套全面的、实时的嵌入式基础软件协议栈,包括所有必要的硬件和外设驱动程序。MICROSAR Classic的模块化结构能够有效地为整个汽车行业(包括整车厂和供应商)提供创新的解决方案。    您可以定义运行环境:直接在硬件上运行,嵌入Vector的操作系统或其他操作系统。可以作为高性能多核解决方案的基础,也可以作为资源有限的单核环境的简单实时应用。    结语 矽力杰SA32D高性能车规MCU和芯来科技强力的NA900处理器核心,配合Vector成熟的汽车级操作系统及工具链,这一“芯片 + IP + OS/工具”的强大组合,标志着高性能RISC-V计算平台在汽车应用生态的成熟度和可用性达到了新的高度,将为整车厂和一级供应商提供开放、高性能、符合车规的智能汽车解决方案新选择,加速智能汽车创新步伐。

    MCU

    矽力杰半导体 . 2025-07-09 2250

  • 大联大品佳集团推出基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案

    大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于微芯科技(Microchip)dsPIC33CK256MP506主控MCU的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案。 图示1-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的展示板图 随着全球能源结构的深刻变革,家用储能系统迎来巨大发展机遇。据权威机构数据显示,全球户用储能市场新增装机规模预计将从2021年的9.5GWh激增至2025年的93.4GWh,复合增长率高达77.07%。与此同时,便携式储能市场同样展现出强劲的增长势头,预计到2027年将达到900亿元规模。为了满足市场对高效、便携储能电源的迫切需求,大联大品佳基于Microchip dsPIC33CK256MP506 MCU推出3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案。该方案采用先进的数字控制技术,通过“电流内环+电压外环”的双环数字控制策略,实现高达100KHz的开关频率,并配备短路、过流、欠压、过压等保护功能,进一步确保电源系统的稳定运行。 图示2-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的场景应用图 本方案核心采用的dsPIC33CK256MP506是Microchip旗下高性能数字处理控制器,内置16位dsPIC33CK CPU,主频为100MHz,搭载256K Flash和24K RAM,具备DSP和增强型外设。并且芯片控制代码内部集成的数字电源专用零极点补偿算法函数,可对PFC的电压电流环进行补偿运算,从而省去诸多外围补偿器件,节约系统设计成本。 除此之外,方案还搭载Microchip MSC035SMA070B4碳化硅MOSFET、MCP1755-3302稳压器、MCP6072-E/SN运算放大器、Infineon IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET、2EDF7275F MOSFET栅极驱动器以及TI LMH6642运算放大器等产品,能够为新能源储能逆变设计提供兼具高性能与高性价比的方案。 图示3-大联大品佳基于Microchip产品的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案的方块图 借助这些高性能的器件和先进的设计,本方案不仅能够确保储能电源的可靠并网运行,还能显著降低转换损耗、提升功率密度。此外,通过优化设计流程和提供完善的开发支持,本方案可有效降低开发难度,缩短开发周期,从而帮助客户更快地将产品推向市场。 核心技术优势: 高速DSP运算:Microchip dsPIC33CK256MP506为高性能数字电源专用控制器,DSC主核工作频率为100MHz,单指令周期运行; 高分辨率PWM驱动:PWM分辨率为250ps,以合适的开关频率提高电源转换效率,保证良好的EMI特性; 专用ADC内核与共享ADC模块:ADC转换延时仅285ns; 双向图腾柱PFC:单相交流220V输入,实现双向AC-DC变换运行,高功率密度、高效率、高功率因数; 交流正弦输出并网:经调制的正弦PWM产生经调制的正弦初级MOSFET电流,在输出电容上产生整流正弦电压/电流; 双环路数字控制:采用双环路数字控制,开关频率可达100KHz,超高分辨率控制; MPLAB X IDE图形化配置:MPLAB X IDE中的MCC插件,以图形化配置生成各类外设模块的初始化代码和底层驱动,可极大降低软件开发难度,减轻工程师的开发负担,常规应用无需看寄存器定义即可完成开发。 方案规格: 输入电压:单相AC 220V; 最大功率:3.3KW; 输入电流:15A; 输出电压:400DC +/- 5Vdc; PWM频率:100KHz; 转换效率:98.5%; iTHD:小于5%(在Load >20%时); USB在线升级:支持(使用MCC生成代码); 环境温度:小于50℃; 尺寸:208mm×88mm×45mm。 本篇新闻主要来源自大大通: 基于Microchip dsPIC33CK256MP506高性能DSP开发的3.3KW双向图腾柱PFC逆变电源方案 如有任何疑问,请登陆【大大通】进行提问,超过七百位技术专家在线实时为您解答。欢迎关注大联大官方微博(@大联大)及大联大微信平台:(公众账号中搜索“大联大”或微信号wpg_holdings加关注)。  

    大联大 . 2025-07-09 1055

  • 从DS12C887到 YSN8130:实时时钟芯片的小型化、低功耗革新之路

    在实时时钟(RTC)芯片领域,DS12C887这款由 Dallas 公司生产的RTC芯片,凭借断电后仍可依靠备用电源持续运行的特性,成为众多设备可靠的时间管家。它不仅具备秒、分、小时、日、星期、月、年的精准计数功能,还支持可编程的中断输出,无论是二进制还是BCD码时间格式都能轻松驾驭。 此外,DS12C887时钟芯片中带有128BRAM,可用于存储信息;可编程的方波输出,搭配简单的微控制器接口,使其在计算机系统、家用电器、工业控制等领域得以广泛应用。 然而,随着智能设备不断向小型化、低功耗、高精度方向发展,其DIP24 封装带来的PCB 空间占用、10μA典型功耗对续航的压力,以及±1 分钟/月的计时误差,逐渐成为物联网、穿戴设备等场景的瓶颈。如今,YSN8130以LGA3.2×2.5×1.0mm 的小型封装(体积缩减95%)、双电源低功耗设计(功耗降低 90%),以及10倍精度提升,从“空间革命、续航跃升、精度跃迁、功能进化”四大维度,让RTC从“能用”走向“好用”,为便携设备的计时需求提供更优解。       一、小型化:空间革命 传统痛点:DS12C887采用庞大的DIP24封装(24引脚),简单的并行接口,传输速率较慢,占用大量PCB空间,布线复杂。 YSN8130突破:采用先进的I²C串行接口,仅需两根信号线,引脚数量锐减90%。LGA 3.2×2.5×1.0mm超微型封装,体积相较DS12C887缩小95%以上。完美契合智能手表、智能家居等对空间极度敏感的便携设备需求。         二、超低功耗:续航跃升 传统痛点:DS12C887典型功耗约10μA,对电池供电设备续航构成压力。 YSN8130突破:典型功耗低至0.9μA (FOUT关闭时),功耗降低90%。采用双电源设计(主电源VDD: 1.6-5.5V,备用电源VBAT: 1.2-5.5V),无缝支持外部电池或超级电容备份。为智能门锁、运动穿戴、智能家居等设备带来数倍延长的电池寿命,显著提升用户体验。     三、高精度计时:稳定可靠 传统痛点:DS12C887无补偿下月误差可达±1分钟,且工作温度仅支持0~70℃,难以满足工业等高精度场景。 YSN8130突破: 精度达±5ppm(约±13秒/月),精度提升10倍。工作温度支持-40~85℃,满足多种场景使用需求。       四、功能全面:智能升级 传统局限:DS12C887主要提供基础RTC功能和RAM,如遇世纪年份需手动校准 YSN8130优势: 配备基础RTC,集成丰富功能: · 集成数字校准、直接支持跨世纪日期; · 闹钟中断:精准触发定时任务(如智能家居场景联动); · 定时器:提供灵活计时功能; · 智能电池管理:实时监测备份电源状态,有效防止数据丢失; · 支持事件触发。 YSN8130凭借小型化、超低功耗、超高精度、丰富功能的全面优势,广泛应用于工业控制,智能穿戴,智能家居,医疗设备等领域。 有RTC需求可以联系小扬获取免费样品,提供相关技术支持~  

    实时时钟,时钟芯片,RTC,时钟晶振

    扬兴科技 . 2025-07-09 1 1170

  • 如何部署流媒体服务实现监控功能--基于米尔TI AM62x开发板

    本文将介绍基于米尔电子MYD-YM62X开发板(米尔基于TI AM62开发板)的部署流媒体服务实现监控功能方案的开发测试。摘自优秀创作者-HonestQiao 米尔-TI AM62x开发板除了可以用官方的CSI摄像头,还可以直接使用第三方的USB摄像头,我手头正好有几个个USB摄像头: 经过实测,可以很好的在米尔-TI AM62x开发板上使用。 这篇分享,就是在这块开发板上部署流媒体服务,通过USB摄像头实现监控功能。 一、软件准备 要在Linux上面部署流媒体服务,mjpg-streamer是最合适的。 首先,在应用开发环境中,进行 mjpg-streamer 跨平台编译,具体步骤如下:                       git clone https://github.com/jacksonliam/mjpg-streamer cd mjpg-streamer/mjpg-streamer-experimental find -name "Makefile" -exec sed -i "s/CC = gcc/#CC = gcc/g" {} \; grep -rn 'CC = gcc' * make clean make file mjpg_streamer # mjpg_streamer: ELF 64-bit LSB executable, ARM aarch64, version 1 (SYSV), dynamically linked, interpreter /lib/ld-linux-aarch64.so.1, BuildID[sha1]=48d2a902d1672913291a75a055d224d340d77649, for GNU/Linux 3.14.0, with debug_info, not stripped 上面代码步骤中,使用find+sed,来替换Makefile中的CC配置。 因为应用开发环境提供了CC变量,可以直接使用。 将最终编译出来的mjpg_streamer,部署到开发板上备用,具体如下:   ssh root@192.168.10.11 "mkdir ~/mjpeg_server/" scp mjpg_streamer root@192.168.10.11:~/mjpeg_server/ scp *.so root@192.168.10.11:~/mjpeg_server/ 最终,开发板上部署的文件如下: 二、摄像头信息获取 米尔官方的系统,提供了v4l2工具,可以直接使用。 1. 查看当前的摄像头设备:   v4l2-ctl --list-devices 可以看到,找到了USB接口的摄像头,对应的设备地址为 /dev/video0   2. 查看摄像头的支持的格式类型   v4l2-ctl --list-formats -d /dev/video0   3. 查看摄像头的具体参数:   v4l2-ctl -D -d /dev/video0 三、流媒体服务启用 前面安装好了mjpeg_server,现在可以启用测试了:   cd ~/mjpg_streamer ./mjpg_streamer -i "input_uvc.so -d /dev/video0 -n -r 640x480 -f 10" -o "output_http.so -p 8081 -w ./ -c test:test123" 上述命令中,使用/dev/video0做为输入,分辨率为640x480,输出端口为8081。 为了安全起见,设置了一个简单的账户密码test/test123。实际使用中,应该使用复杂的用户名和密码。 成功后,显示如下表示成功: 启动成功后,就可以通过网址 http://192.168.10.11:8081/?action=stream 进行访问了。其中192.168.10.11为开发板的地址。 整体环境如下: 实际操作效果如下: 00:2 摄像头视频录制结果:【二次测试录制】   四、总结 从上面的实测视频可以看到,视频流的延迟非常非常低低,而且也非常的流畅,没有丝毫的卡顿。 另外,也看了一下当时的CPU负载: 资源占用非常低。 不过,有一点小小遗憾的是,该开发板暂时还不支持双USB摄像头,不然可以上多个一起玩了。 总的来说,虽然米尔-TI AM6231属于米尔-TI AM62x中三个型号的最低配版本,但是做一下工业基础应用,完全足够了。

    AM62

    米尔电子 . 2025-07-09 890

  • 展会 | 2025年PCIM Asia Shanghai聚焦电气化交通,丰富活动共筑高端综合平台

    上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(PCIM Asia Shanghai)将于2025年9月24至26日重返上海新国际博览中心(N4及N5馆)。本届展会聚焦电气化交通、太阳能与风能、储能、氢能、人工智能和数据中心的电力电子应用等应用领域,届时将举办一系列精彩活动,包括国际研讨会、主题论坛及全新的电气化交通展示专区等活动,打造集技术展示、产业对接、行业趋势洞察于一体的高端平台。今年展会新增电气化交通深度探索半日团,带领参与各方深入国家磁浮交通工程技术研究中心及大众新能源汽车产线,了解电气化交通最新趋势及技术方案。   PCIM Asia Shanghai自2002年落户中国以来,迄今仍是亚洲市场少有的专注于电力电子领域的专业商贸平台。展会以展览会与研讨会相结合的模式,深耕亚洲市场二十余载,已成为连接业界与科研成果的纽带,每年均汇聚行业与学术界的专家,分享前沿研究成果、行业洞察,更通过覆盖半导体功率器件、功率IC、无源元件、封测技术到系统解决方案等的全方位展示,涵盖全产业价值链。 业界精英云集共议产业发展 与展会同期举办的PCIM Asia Shanghai国际研讨会也将重磅回归,齐聚一众行业领袖及专家学者,聚焦电力电子于电气化交通的关键应用。今年研讨会的重点内容包括来自汇川动力、剑桥大学及华为数字能源的专家学者主题演讲,他们将分享在电动汽车电源转换器、人工智能与数据中心电源技术方面的前沿成果。 丰富同期活动,探索电力电子新能源应用 除备受欢迎的展会及国际研讨会外,今年的PCIM Asia Shanghai将围绕电气化交通的主题举办一系列精彩同期活动,打造高效的技术交流与商业合作平台。亮点活动的详情如下: 电气化交通产业链展示专区 汇聚国内外新能源汽车产业链龙头企业和创新力量,集中展示电力电子在新能源汽车产业链的应用,展现电气化转型的多元化应用,通过“科普展示+实物演示+互动体验”的多维形式,直观解析关键技术原理与创新突破。 电气化交通深度探索半日团 今年展会将在第三天组织产业链相关技术研发负责人、高校专家等进行电气化交通专题深度探索团,由同济大学康劲松教授主持,深入国家磁浮交通工程技术研究中心,大众新能源汽车产线,了解电气化交通發展趋势及先进技术方案,并举行小型闭门会议作专题探讨。 行业领军企业展现电力电子产业价值链 2025年展会展览面积达25,000平方米,预计吸引约260家来自国内外的行业领军企业。五大赞助商:三菱电机、赛米控丹佛斯、富士电机、英飞凌和罗姆将继续鼎力支持PCIM Asia Shanghai 2025。更有众多国内外知名企业已确认参展,包括安森美、安世半导体、博世、东芝、方正微、宏微、华润微、基本半导体、美蓓亚、迈来芯、南瑞半导体、PI、日立能源、太阳诱电、威世、瑶芯微、宜普电源转换、英诺赛科、扬杰、中国中车等。它们将于为期三天的展会上呈现一系列涵盖功率半导体元件、集成电路、传感器、智能运动等电力电子相关创新产品及解决方案。 2025年PCIM Asia Shanghai观众报名登记现已开放,欢迎有兴趣参与人士登入:https://b.gymf.com.cn/wechat/?activityId=82&source=PM8报名参会。

    展会

    PCIM Asia Shanghai . 2025-07-08 1 2 1370

  • 方案 | 极海 BMP561 单串电量计方案:高效精准的电源管理,让 AI 眼镜续航更可靠

    随着技术的加速迭代,AI眼镜正由基础功能交互向轻量化、智能化、时尚化方向快速演变。根据Sigmaintell预测,2025年全球AI智能眼镜市场规模将达到570万台,同比实现110%的爆发式增长;未来5年,有望以19%的复合增长率突破1360万台,这标志着AI眼镜产业正迎来从概念验证到规模化商用的转变。 AI眼镜、智能手机、平板、笔记本、无人机等智能设备的广泛普及,使得优化电源管理技术成为提升产品竞争力的关键。高效精准的电量监测与管理,对于延长电池寿命、保障设备安全以及提升用户体验至关重要。   针对电源管理行业对高精度、低功耗以及延长电池寿命的需求,极海推出采用BMP561单节电池电量监测计芯片的单串电量计参考方案。该方案能够精确监测电池状态、延长电池寿命、提升安全性、支持智能充电管理以及促进系统集成与优化,为设备提供高效且可靠的电池管理方案,从而简化硬件设计、降低BOM成本、提高系统可靠性。   BMP561单串电量计参考方案 极海BMP561单串电量计参考方案,具有低功耗、高可靠和高性价比等特点,可实现单串电芯监测、电池电量估算及支持I2C通讯,适用于AI眼镜、手机、平板、笔记本、智能手环、智能手表、POS机等单串电池管理场景。 该方案由两部分组成: BMP561:集成高精度ADC采样电流和电压,并进行电量估算; 保护电路:实现欠压、过压、过流、短路等保护功能。 方案框图 方案优势    高精度:支持软件高精度库伦计数器,集成16位高精度V-ADC和C-ADC分别同步采样电压和电流,进行电量估算   低功耗:支持多种节能模式,深度睡眠模式18μA@25℃结合智能休眠机制,可显著延长电池续航能力   高可靠:集成一套可根据电池标定适配的算法以及适用于芯片的采样方式和功耗模式,使得芯片在采样精度、低功耗以及SOC精度上最大化   BMP561芯片特性 32位Arm® Cortex®-M0+内核,可根据电池实时状态及时处理和更新计算电池容量,不需要通过外部MCU处理; 2个16位ADC分别采样电压和电流,为算法提供数据支撑; I2C通讯可实现与外部器件的数据交互; HMAC-SHA256认证响应器,支持电池组侧电量监测。 单串电量计作为电池管理系统中重要的组成部分,是推动电池管理向智能化、高精度、高可靠性方向发展的关键技术基础。极海BMP561单串电量计参考方案,配有可视化上位机调试界面的工具链,实现方案参数调整、校准以及实现固件的在线/离线升级功能。同时产品具备完善的开发生态,可提供配套技术文档、软硬件开发工具和本地化服务支持,有助于工程师快速开发、加速产品量产落地。

    极海半导体

    Geehy极海半导体 . 2025-07-08 1380

  • 企业 | 长鑫存储启动上市辅导,预期估值超1400亿元

    7月7日,中国证监会官网显示,国产DRAM存储器大厂长鑫科技集团股份有限公司的IPO辅导备案申请获安徽证监局受理,辅导机构为中金公司、中信建投证券。 官方资料介绍,长鑫存储成立于2016年,主要从事动态随机存取存储器(DRAM)产品的研发、设计生产及销售。公司注册资本达601.9亿元,无控股股东。第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业(有限合伙),直接持有公司21.67%股份。    官网显示,长鑫存储是一家一体化存储器制造公司,专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年,长鑫存储总部位于安徽合肥,在国内外拥有多个研发中心和分支机构。    长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力,已推出多款DRAM商用产品,广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。    公司核心管理层由拥有25年以上经验半导体行业领军人物领衔,共同引领公司成长与践行战略。 公司管理层持续营造创新文化,鼓励技术创新,并吸纳了来自全球知名半导体企业的人才, 致力于为客户、为市场提供高价值的产品与服务,实现商业成功。    长鑫存储首席执行官为曹堪宇博士,曹堪宇博士于2017年加入长鑫存储,在担任产品研发执行副总裁以及技术研发执行副总裁期间,制定公司研发战略及设计路线,完成了多款产品的开发和量产应用,实现了DRAM从无到有的转变,并兼任过技术研究与开发、市场及战略等多个领域的管理工作。2023年4月起,他开始担任长鑫存储首席执行官。    加入长鑫存储前,曹堪宇博士曾担任兆易创新战略市场副总裁。他曾在北京凡达讯科技有限公司任首席执行官,并于2005年联合创立了昆天科微电子技术有限公司,担任中国区总经理。    公开信息显示,目前已有多家知名投资机构入股长鑫存储,包括合肥产投集团、安徽省投、建信金融、大基金二期、兆易创新、小米、美的、阿里、腾讯等。 2024年3月份,长鑫科技宣布了新一轮融资,总额高达108亿元,投前估值约1400亿元。 长鑫存储官网显示,2018年,长鑫存储成功研发了国内首个8Gb DDR4芯片。2019年9月20日,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,与国际主流DRAM产品同步的8Gb DDR4首度亮相。   2023年11月28日,长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品,包括12Gb的LPDDR5颗粒,12GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片。 12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。   作为半导体科技产业巨头,市场人士认为,长鑫科技产业链投资价值巨大。作为国内DRAM厂商的代表,长鑫科技拥有显著的市场优势,其多元的产品线和多年来深耕本土市场的积累令其市场认可度不断提升,是竞争激烈的芯片行业内具备稀缺性的投资标的。 长鑫科技的IPO进展此前一直备受关注,此番完成备案辅导,标志着公司上市有了实质性进展。

    长鑫存储

    独角兽早知道 . 2025-07-08 2215

  • 技术 | 共模浪涌抑制的可行性方案—共模电感搭配过压器件

    共模浪涌以前没有特别关注过,最近看到几个类似的应用,因此结合DeepSeek强大的功能与网上搜集到的经验分享,稍作整理归纳,供被共模浪涌困扰的小伙伴简单参考。    讲到浪涌抑制不得不先介绍一下EMC核心产品之一,共模电感,是一种用于抑制共模噪声的电子元件,广泛应用于电源、通信和信号线路中。它的主要作用是滤除电路中的共模干扰信号,同时允许差模信号(有用信号)通过。     共模电感的结构 共模电感通常由两个绕组(线圈)绕制在同一个磁芯上组成,这两个绕组的匝数相同,绕制方向相同。其结构特点如下: - 双绕组设计:两个绕组分别串联在电路的两条信号线上。 - 磁芯材料:通常采用高磁导率的铁氧体材料,以增强电感量。 - 对称性:两个绕组在磁芯上的绕制方式对称,确保对共模噪声的抑制效果一致。 共模电感的工作原理 共模电感的工作原理基于电磁感应的基本原理: 1. 共模噪声抑制:当共模噪声电流流过两个绕组时,由于电流方向相同,会在磁芯中产生叠加的磁场,从而产生较大的感抗(阻抗)。这种感抗会阻碍共模噪声电流的通过,从而抑制共模噪声。   2. 差模信号通过:当差模信号(有用信号)流过两个绕组时,由于电流方向相反,在磁芯中产生的磁场会相互抵消,因此对差模信号的感抗很小。这样,差模信号可以几乎无损耗地通过共模电感。 共模电感的阻抗特性 1. 对共模噪声:共模电感呈现高阻抗,能够有效抑制共模噪声。 2. 对差模信号:共模电感呈现低阻抗,允许差模信号顺利通过。 共模浪涌对共模电感的影响 1. 磁芯饱和:共模浪涌通常伴随着大电流,可能导致共模电感的磁芯饱和。磁芯饱和后,电感量急剧下降,导致共模电感的抑制效果显著减弱,无法有效滤除共模噪声。 2. 绕组过热:大电流通过共模电感的绕组时,会产生焦耳热(I²R损耗),可能导致绕组温度升高。如果浪涌持续时间较长或能量较大,可能损坏绕组的绝缘层,甚至烧毁共模电感。 3. 绝缘击穿:共模浪涌的高电压可能超过共模电感的绝缘耐压极限,导致绕组之间或绕组与磁芯之间发生击穿。绝缘击穿会直接损坏共模电感,甚至引发短路故障。 4. 性能下降:即使共模电感未完全损坏,多次承受浪涌冲击后,其磁芯和绕组的性能可能逐渐退化,导致电感量下降、损耗增加,最终影响其滤波效果。   共模电感在抑制共模浪涌中的作用 尽管共模电感可能受到共模浪涌的影响,但它仍然是抑制共模浪涌的重要元件之一。其作用主要体现在: 1. 抑制高频噪声:共模电感对高频共模噪声有较好的抑制作用,可以减少浪涌中的高频分量。 2. 延缓浪涌上升时间:共模电感的感抗可以延缓浪涌的上升时间,从而降低浪涌的峰值电压和电流。 3. 与其他保护器件配合:共模电感通常与TVS二极管、压敏电阻(MOV)、气体放电管(GDT)等浪涌保护器件配合使用,形成多级保护电路,提高系统的抗浪涌能力。 应对共模浪涌的措施 为了减少共模浪涌对共模电感的影响,并提高电路的抗浪涌能力,可以采取以下措施: 1. 选择合适的共模电感:   - 高饱和电流:选择磁芯饱和电流较高的共模电感,以承受较大的浪涌电流;   - 高绝缘耐压:选择绝缘耐压等级较高的共模电感,以承受浪涌的高电压;   - 耐高温材料:选择耐高温的绕组和磁芯材料,以提高抗浪涌能力。 2. 增加浪涌保护器件:   - TVS二极管:在共模电感后并联TVS二极管,用于钳位浪涌电压;   - 压敏电阻(MOV):在输入端并联压敏电阻,吸收浪涌能量;   - 气体放电管(GDT):用于泄放大电流浪涌,保护后续电路。 3. 多级保护设计:采用多级保护电路,例如:第一级使用GDT或MOV进行粗保护,第二级使用共模电感抑制高频噪声,第三级使用TVS二极管进行精细保护。这种设计可以分散浪涌能量,减少对单个器件的冲击。 4. 优化电路布局:将共模电感尽量靠近输入端,以减少浪涌对后续电路的影响。确保共模电感的接地良好,以提供有效的共模噪声泄放路径。 共模电感搭配过压保护器件抑制共模浪涌方案分析 从前面的分析可以看出,共模浪涌对共模电感的影响主要体现在磁芯饱和、绕组过热、绝缘击穿和性能下降等方面。因此除了电感本身的设计,也可以通过外部电路的协助来实现浪涌抑制的调整,该方案的探讨主要目的是削减共模感应电压,从而减少或规避电感本身绝缘击穿或者端子间的放电拉弧现象,从而保证共模浪涌的能量可靠抑制。    1.通过PCB加放电齿的方式,共模浪涌在共模电感两端感应高电压之后,利用绝缘击穿尖端放电的原理,实现了能量的泄放,防止因为共模过压导致的对后级电路的二次伤害。但是加放电齿长时间使用会出现氧化甚至碳化的情况,同时不能涂刷三防漆。 2. 共模电感并联压敏电阻MOV,该方案具有较高的性价比,能量吸收能力强,有贴片与插件多种可选,但是压敏电阻本身的结电容较大,通常在几百pF以上,因此对于线路EMI设计会有影响,需要重点考虑。 3. 共模电感并联气体放电管GDT,气体放电管有贴片与插件可选,最大的优点就是结电容小,通常在1pF以下,对于EMI影响较小,同时具有高浪涌吸收能力。 4. 共模电感并联固体放电管SIDACtor,固体放电管最大优点就是半导体结构,响应速度快,同时不会有寿命衰减的限制,可靠性较高,该产品有贴片小尺寸DO-214AB封装,目前在OBC上已经广为认可,缺点就是结电容较大,在200-300pF左右,因此选用之后需要对EMI重点设计。    我们知道一般共模回路都会直接加压敏电阻与气体放电管串联接地,起到抑制共模浪涌的作用,但是对于一些共模电压过高的情况可以考虑上述方案,或者因为高压绝缘检测的要求,气体放电管必须选择高压2500-3000V的时候,该方案适用。对于共模已经添加低压气体放电管对地,高压绝缘检测的时候通过松开气体放电管与地端连接的螺丝方式,那么无需考虑该方案。

    共模浪涌

    Littelfuse . 2025-07-08 1 1165

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