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市场周讯 | Wolspeed欲申请破产；小米发布自研3nmSoC“玄戒”；MTK首颗2nm芯片将于9月流片

| 政策速览 1. 荷兰：外交部发言人毛宁5月23日主持例行记者会。彭博社记者提问，荷兰外交大臣费尔德坎普周四在会见记者时表示，在此次访华期间，中国官员曾向他提出放宽半导体出口管制的问题。外交部能否证实有关说法并提供更多细节？毛宁表示，费尔德坎普外交大臣访华期间，丁薛祥副总理、王毅外长分别同他举行了会见会谈，就双边关系和共同关心的问题深入交换了意见，两国外长并达成了6点共识。关于半导体出口管制问题，中方已经多次表明立场，半导体产业高度全球化，产供链的形成是市场和企业选择的结果。一段时间以来，个别国家泛化国家安全概念，滥施出口管制和长臂管辖，严重威胁全球产供链稳定。中国和荷兰在半导体领域互补性强，合作互利共赢，双方将通过现有的渠道保持密切沟通，中方愿同包括荷兰在内的国际社会一道，坚持开放合作，共同维护全球半导体产供链的稳定。 | 市场动态 2. IDC：2025年第一季度中国整体PC工作站市场同比增长1.2%，结束了连续下滑的趋势。其中，中小企业市场表现尤为亮眼，同比增长达到74.1%连续两个季度涨幅超30%。大客户市场由于采购周期的延长导致，表现相对低迷，同比增长负24.2%。 3. Canalys：2025年第一季度，中东地区智能手机出货量同比下降4%，至1170万部。尽管2024年市场曾出现强劲复苏，但2025年初因零售需求放缓和消费者趋于谨慎的影响，整体市场出现回落。2025年第一季度，沙特阿拉伯以26%的地区份额稳居中东智能手机市场首位，但出货量同比下降12%。 4. SEMI：2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%，但同比增长27%，这得益于对先进逻辑、高带宽存储器（HBM）和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI 指出，与内存相关的资本支出同比增长57%，而非内存领域的支出同期增长了15%。 5. TrendForce：HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。 6. DRAM方面，由于预期未来供应将趋紧，现货市场DDR4产品价格涨幅大于DDR5产品价格。同时，由于模组厂积极备货，DDR5产品价格也持续小幅上涨。集邦咨询认为，整体来看，2025年第二季现货价格将维持上涨趋势，DDR4与DDR5产品价差将进一步缩小。 7. 日本：由于非AI需求疲软，截至4月，日本在2023和2024财年建造或收购的7家半导体工厂中，只有3家开始量产。 8. 苏州：苏州1-4月出口机电产品4232.8亿元，增长9.7%，其中集成电路出口539.1亿元，增长26.7%；电工器材出口281.4亿元，增长20.6%；电脑零附件出口121.7亿元，增长65.6%。同期工业机器人出口3亿元，增长106.5%。 9. Omdia：今年第一季度，LG共出货约704400台OLED电视，占全球OLED电视出货总量的52.1%，位居第一。三星电子排名第二，占30.8%；索尼公司排名第三，占7.1%。 | 上游厂商动态 10. Wolfspeed：身负巨额债务，Wolfspeed 准备在几周内申请破产。Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性，但效果甚微。该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。 11. Microchip：Microchip对其 PolarFire 现场可编程逻辑 FPGA 和系统级芯片（SoC）器件的价格进行了调整，价格降低了30%。 12. NVIDIA：NVIDIA 将通过深化与宏碁、技嘉和微星的合作，拓宽个人 AI 超级计算机 DGX Spark 的供应。这些计算机将以空前的性能和效率赋能全球开发者、数据科学家和科研人员生态系统。DGX Spark 搭载 NVIDIA GB10 Grace Blackwell 超级芯片和第五代 Tensor Core，具有最高 1 PFLOPS 的 AI 算力和 128GB 统一内存，可将模型无缝导出至 NVIDIA DGX Cloud 或任何加速云或数据中心基础设施。 13. NVIDIA：由于美国政府限制Hopper架构的H20芯片出口至中国，公司正重新审视中国市场战略，但未来不会再推出Hopper系列芯片。针对中国市场，英伟达在H20芯片后不会再推出Hopper系列产品。黄仁勋表示：“不会是Hopper，因为Hopper已无法再调整。” 14. 台积电：台积电近期传出欲调涨晶圆代工报价10％，引发产业链高度关注。英伟达CEO黄仁勋表示，台积电先进制程价格虽高，但“非常值得”。 15. 康盈：5月16日，扬州康盈半导体产业园开业仪式顺利举行，标志着扬州康盈半导体产业园正式投入使用，康盈半导体存储产业布局更进一步，夯实存储产品制造能力。 16. 新紫光：新紫光集团与中国一汽在京签署战略合作协议，双方在国产芯片应用、供应链资源建设、联合技术攻关、产业生态建设、市场互助合作等多维度展开战略合作，共同构建覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、选型应用及系统化解决方案的车规级芯片产业生态，着力打造“芯片+汽车”合作的行业标杆。 17. 三星：三星电子已制定计划在华城工厂建设1c DRAM（第六代10纳米级）生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。 18. 英特尔：英特尔至强6系列CPU新增三款产品，专为管理由最先进的GPU驱动的AI系统而设计。英特尔称，这些配备高性能核心的CPU，融合了英特尔创新的优先核心睿频技术和英特尔速度选择技术，可提供定制的CPU核心频率，从而提升GPU在高要求AI工作负载下的性能，其中一款CPU目前是英伟达最新一代AI加速系统DGX B300的主机CPU。 19. 台积电：台积电与美国芯片公司英特尔已向美国商务部提交意见信，反对对半导体及相关设备和材料加征关税。台积电称，对半导体生产设备征收关税将使成本上升，可能会延误进度，甚至在某些情况下危及许多已宣布以及正在考虑中的项目的商业可行性。台积电建议，对难以在美国本土生产的产品，应该豁免关税。此外，美国政府不对美国境外制造的半导体、含有半导体的下游终端产品与半成品征收关税或采取其他限制性措施。 20. 富士康：富士康宣布在欧洲投资2.5亿欧元，与Thales SA和Radiall SA在法国成立合资企业，专注于先进半导体封装测试，其项目将采用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，使其成为欧洲首个先进的FOWLP封装和测试工厂。 21. 高通：高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙表示，小米自研芯片预计不会对高通业务造成影响，“我们仍然是小米的芯片战略供应商，我认为高通骁龙芯片已经用于小米旗舰机，并将继续用于小米旗舰机。” 22. 高通：高通表示，计划推出一款针对数据中心的定制中央处理器，可以连接英伟达的GPU和软件。此前，高通与总部位于沙特的人工智能公司Humain签署了一份谅解备忘录，旨在开发数据中心。 23. 韦尔股份：韦尔股份公告称，公司拟将公司名称从“上海韦尔半导体股份有限公司”变更为“豪威集成电路（集团）股份有限公司”，证券简称从“韦尔股份”变更为“豪威集团”，证券代码保持“603501”不变。此次变更是基于公司战略规划及经营业务开展需要，不存在利用变更名称影响公司股价、误导投资者的情形，也不存在损害公司和中小股东利益的情形。 24. 纳微半导体：纳微半导体宣布参与NVIDIA 英伟达下一代800V HVDC电源架构开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。 25. ADI：ADI第二季度营收26.4亿美元，所有终端市场均实现两位数的同比增长；毛利率为61.0%，营业利润为6.78亿美元，营业利润率为25.7%，摊薄后每股收益1.14美元；过去12个月的经营现金流为39亿美元，自由现金流为33亿美元，分别占营收的39%和34%；第二季度通过股息和回购向股东返还了7亿美元。 26. 英迪芯：广州信邦智能装备股份有限公司(简称“信邦智能”)发布公告称，公司正在筹划通过发行股份、可转换公司债券以及支付现金的方式向ADK、无锡临英、晋江科宇、VincentIsenWang、扬州临芯等40名交易对方购买无锡英迪芯微电子科技股份有限公司(简称“英迪芯微”)控股权，并拟向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金。 27. 天岳先进：上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划已进入实质性推进阶段。根据规划，该工厂8英寸衬底总体产能目标为60万片，公司将分阶段实施建设，以逐步释放产能并巩固长期竞争力。 28. MTK：联发科CEO蔡力行表示，公司首颗2nm芯片预计将在今年9月完成流片，与3nm芯片相比，性能将提升15%，能耗降低25%，且未来将会采用A16、A14制程。 | 应用端动态 29. 小米：小米15 周年战略新品发布会上公布了小米自主研发设计的芯片：玄戒XRING。玄戒O1采用十核四从集设计，集成2*Cortex-X925@3.9GHz超大核+4*Cortex-A725@3.4GHz性能大核+2*Cortex-A725@1.9GHz能效大核+2*A520@1.8GHz超级能效核。玄戒O1采用了与苹果A18Pro相同的第二代3nm制程，规模上也类似，在109mm²的芯片面积上集成了190亿个晶体管。 30. 小鹏：在今日举办的小鹏汽车2025年Q1财报电话会上，小鹏汽车董事长何小鹏表示，小鹏图灵芯片在2024 年一次流片成功，算力是当前主流车端 AI 芯片的3-7倍，目前进展顺利。二季度将有部分车进入生产环节，三季度图灵芯片车型将会有更大范围放量。下一步，图灵芯片将会部署在第五代机器人上，大幅提高机器人的端侧算力。 31. 软银：软银集团将利用一笔由瑞穗银行、三井住友银行和摩根大通担任主承销商的贷款为其人工智能投资融资。这笔为期一年的150亿美元过桥贷款是软银迄今最大一笔融资之一，将由21家银行提供资金，其中瑞穗银行提供13.5亿美元，SMBC提供12.5亿美元，摩根大通提供10亿美元。此外，汇丰银行和巴克莱银行合计出资9.5亿美元，高盛集团、三菱日联等七家银行共同出资8.5亿美元。这笔资金将助力软银试图影响人工智能发展进程的多年计划。首席财务官后藤芳光在上周财报会上透露，首项议程包括以65亿美元收购芯片设计公司Ampere Computing，以及对OpenAI投资至多300亿美元。

芯片

芯查查资讯 . 2025-05-26 3 1 2080
COMPUTEX 2025：德明利以全栈存储技术赋能“AI NEXT”产业落地

2025年5月20日，全球科技盛会台北国际电脑展启幕。在千亿参数大模型商业化与算力需求指数级增长的双重驱动下，存储技术已从数据载体发展为AI效能的深度落地关键。德明利通过端侧适配方案、全栈技术整合及全球化布局，展现存储技术的革新力量。端侧AI适配性能与能效的双重突破高性能存储矩阵 AI PC的算力基石 ·· PCIe 5.0 SSD ·· 德明利采用新一代PCIe 5.0 x4接口，连续读写速度突破14GB/s，支持千亿参数模型实时加载，适配200层以上3D TLC颗粒，满足高吞吐需求。 ·· DDR5 ·· 容量最大达128GB，支持一键超频技术频率最高达10000+MHz，双通道带宽较DDR4提升2倍，动态电压调节技术使功耗降低20%，兼容英特尔、AMD及国产平台，满足本地大模型推理需求。嵌入式存储让AI设备“轻装上阵” ·· UFS 3.1 ·· 连续读写速度最高达2000MB/s，引入Write Booster技术、主机性能增强器（HPB）等，为AR/VR设备提供实时数据响应能力。 ·· LPDDR5 ·· 支持多Bank模式，数据传输速率高达5500Mbps，通过动态电压频率调整（DVFS）功能降低功耗，适用于对数据处理速度要求较高移动设备和高性能计算平台。全栈技术赋能从芯片到场景的价值链重构德明利依托自研主控芯片优势，通过深度整合存储产业链上下游资源，构建了覆盖存储硬件、系统算法与行业解决方案的全栈能力。一站式定制服务从晶圆到场景的精准落地全流程自主开发覆盖介质特性分析、主控芯片设计、固件算法优化及封装管控，满足四大场景差异化需求。敏捷化需求响应依托战略原厂资源与稳定供应链支持，实现从原型设计到批量交付的快速转化，深化全球“5+1+N”供应链布局，适配定制化的需求开发。全生命周期品质保障全链路研发验证体系建立三重验证体系和专业实验室集群，整合高精度仪器与智能分析平台赋能生产，实现产品特性与场景需求的动态匹配。动态品控体系协调产业链端到端领域，建立可信赖、可预防的制造质量管理体系，实现从晶圆筛选到终端交付的全链路品质追溯。 AI NEXT时代下从芯片到场景，从数据到价值德明利将持续探索AI产业化之路推动存储技术从基础功能向智能化服务价值升级为千行百业打造高效可靠的数据基座

展会动态

德明利 . 2025-05-26 675
-40℃到+125℃全温域稳定！车规级晶振如何突破温度极限

在汽车电子领域，随着智能化、网联化的快速发展，对车规级电子元件的性能要求日益严苛。晶振作为电子设备的"心脏"，其稳定性直接影响着整个系统的运行精度和可靠性。而汽车所处的环境复杂多变，温度范围极宽，从寒冷地区的-40℃到发动机舱内高达+125℃的高温，普通晶振难以在如此宽泛的温度区间内保持稳定性能。那么，车规级晶振是如何突破温度极限，实现-40℃到+125℃全温域稳定的呢？一、严苛的温度挑战汽车在不同的使用场景下，面临着悬殊的温度差异。在寒冷的冬季，北方地区的室外温度常常低至-40℃，车辆长时间停放后，车载电子设备处于极低的温度环境中；而当车辆行驶时，发动机舱内的温度会急剧升高，特别是在高温天气或长时间高负荷运行时，温度可高达+125℃以上。在这样的温度波动下，普通晶振的晶体材料会因热胀冷缩发生形变，导致振荡频率漂移，进而影响车载电子系统的正常工作，如导航定位不准确、发动机控制失灵等，严重时甚至会危及行车安全。因此，车规级晶振必须具备在极端温度环境下稳定工作的能力。二、材料创新：奠定稳定基础（一）高品质晶体材料的选择晶体是晶振的核心部件，其材料的性能对晶振的温度稳定性起着关键作用。车规级晶振通常选用高纯度、低缺陷的石英晶体作为原材料。石英晶体具有优良的物理和化学稳定性，其频率温度系数较低，能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的振荡频率。此外，通过对石英晶体进行特殊的切割工艺，如采用AT-cut、BT-cut等切割方式，可以进一步优化晶体的频率温度特性，使其在目标温度范围内的频率漂移更小。（二）新型封装材料的应用封装材料不仅要保护晶振内部的核心元件，还需要具备良好的导热性和温度适应性。车规级晶振采用的封装材料通常为金属或陶瓷，这些材料具有较高的机械强度和耐高温、耐低温性能。金属封装具有良好的导热性，能够及时将晶振工作时产生的热量散发出去，避免因温度过高而影响性能；陶瓷封装则具有优异的绝缘性能和温度稳定性，能够在极端温度环境下保持良好的密封性能，防止潮气、灰尘等杂质进入晶振内部，从而保证晶振的长期稳定工作。三、结构设计：优化温度特性（一）温补电路设计为了进一步补偿温度变化对晶振频率的影响，车规级晶振通常采用温补电路设计。温补电路通过实时监测环境温度，利用温度传感器将温度信号转换为电信号，然后通过反馈电路对晶振的振荡频率进行调整。例如，当温度升高时，温补电路会自动调整电容或电阻的值，使晶振的振荡频率保持稳定；当温度降低时，同样通过调整电路参数来抵消温度变化的影响。这种温补设计能够在较宽的温度范围内实现高精度的频率稳定度，满足车规级应用对温度稳定性的严格要求。（二）恒温控制技术对于一些对温度稳定性要求极高的车规级晶振，还会采用恒温控制技术。恒温控制技术通过在晶振内部设置加热元件和温度传感器，将晶振的工作温度维持在一个恒定的范围内，通常为25℃左右。即使外界环境温度发生剧烈变化，恒温系统也能够通过加热或散热来保持晶振内部温度的稳定，从而避免温度变化对晶体振荡频率的影响。这种技术虽然会增加晶振的功耗和成本，但能够实现极高的温度稳定性，适用于对精度要求极高的汽车电子系统，如自动驾驶中的高精度时钟模块。四、制造工艺：确保性能可靠（一）高精度的生产工艺车规级晶振的制造过程需要严格控制各个环节的精度，从晶体的切割、研磨到封装、测试，每一道工序都必须达到极高的标准。例如，晶体的切割精度误差要控制在微米级别，以确保晶体的频率温度特性符合设计要求；封装过程中要保证封装的密封性，避免外界环境对晶振内部元件的影响。此外，还需要采用高精度的测试设备对晶振的各项性能指标进行严格检测，如频率精度、温度稳定性、老化率等，只有通过全温域测试的晶振才能被认定为车规级产品。（二）严格的筛选和老化处理为了确保车规级晶振在实际使用中的可靠性，需要对生产出来的晶振进行严格的筛选和老化处理。筛选过程包括外观检查、电气性能测试、温度循环测试等，剔除存在缺陷或性能不符合要求的产品；老化处理则是将晶振在高温、低温等恶劣环境下进行长时间的老化试验，模拟晶振在实际使用中的老化过程，提前发现潜在的问题，提高晶振的长期可靠性。通过这些严格的制造工艺和质量控制措施，车规级晶振能够在极端温度环境下保持稳定的性能和可靠的工作状态。五、未来发展趋势随着汽车电动化、智能化的不断推进，对车规级晶振的性能要求将越来越高。未来，车规级晶振将朝着更高的温度稳定性、更低的功耗、更小的体积和更高的集成度方向发展。在材料方面，可能会研发出具有更低频率温度系数、更高稳定性的新型晶体材料和封装材料；在设计方面，会进一步优化温补电路和恒温控制技术，提高晶振的温度补偿精度和效率；在制造工艺方面，将采用更加先进的自动化生产设备和检测技术，提高生产效率和产品质量。同时，随着5G、物联网等新技术的应用，车规级晶振还需要具备更好的抗干扰能力和兼容性，以满足未来汽车电子系统的多样化需求。总之，车规级晶振通过材料创新、结构设计优化和严格的制造工艺，成功突破了-40℃到+125℃的温度极限，实现了全温域稳定工作。这不仅为汽车电子系统的可靠运行提供了坚实保障，也推动了汽车智能化、网联化的发展。随着技术的不断进步，车规级晶振将在汽车电子领域发挥更加重要的作用。

晶振

晶发电子 . 2025-05-26 600
CMOS有源晶振电压详解

CMOS有源晶振供电电压与输出电压：方波（CMOS）有源晶振输出电压为交流信号，包含有高电平（Voh）和低电平（Vol），其中高电平约等于其供电电压（约等于90% Vcc）。 Voh: Voltage output high Vol: Voltage output low 使用万用表测量CMOS有源晶振输出电压的问题一般情况下，有源晶振输出的是高频方波信号，而万用表的交流档针对正弦波有效值校准，对方波测量误差极大。因此，万用表无法准确测量有源晶振输出电压，仅能通过直流档间接判断是否起振。利用万用表直流电压档粗测步骤： ①、将万用表调至直流电压档（DC Voltage），红表笔接晶振输出脚，黑表笔接地（GND）。 ②、若输出为方波，直流电压值约为供电电压（Vcc）的50%（例如：3.3V供电时显示约1.65V）。 ③、方波的平均电压为高电平与低电平的中间值，但此方法无法反映真实峰峰值。 ④、仅能初步判断晶振是否起振（若电压接近Vcc或0V，可能晶振损坏）。正确测量工具——示波器：可直接观察波形峰峰值（Vpp）、频率和占空比。示波器设置建议： 1、探头接地线尽量短，避免引入噪声。 2、触发模式设为“边沿触发”，触发电平设为信号幅度的中间值。补充：普通万用表的交流电压档通常仅支持低频（如50Hz~1kHz），而有源晶振的频率通常在MHz级别（如8MHz、16MHz、25MHz等）。高频信号会导致万用表测量值严重偏低甚至完全失效。输出电平与输入电压直接相关，YXC YSO110TR系列可以兼容1.8~3.3V。

晶振,有源晶振,CMOS晶振,晶体振荡器

扬兴科技 . 2025-05-26 580
3核A7+单核M0多核异构，米尔发布低功耗RK3506核心板开发板

近日，米尔电子发布MYC-YR3506核心板和开发板，基于国产新一代入门级工业处理器瑞芯微RK3506，这款芯片采用三核Cortex-A7+单核Cortex-M0多核异构设计，不仅拥有丰富的工业接口、低功耗设计，还具备低延时和高实时性的特点。核心板提供RK3506B/RK3506J、商业级/工业级、512MB/256MB LPDDR3L、8GB eMMC/256MB NAND等多个型号供选择。‌下面详细介绍这款核心板的优势。新一代入门级国产工业处理器RK3506，3核A7+单核M0多核异构瑞芯微RK3506系列处理器是一款专为工业和商业应用设计的高性能芯片，集成了3个Cortex-A7和一个Cortex-M0，具备2D图形引擎，支持MIPI和Parallel DSI等多种显示接口。该处理器还集成了DSMC（Localbus）、FLEXBUS、双百兆以太网、USB2.0、CAN、SDIO/SD/MMC、I2C、SPI和UART等丰富接口。多种外设资源支持 RMII/ USB OTG/ CAN/ FLEXBUS/ DSMC/ SAI/ PDM/ SPDIF/ Audio DSM/ Audio ADC等。强大的图形处理能力瑞芯微RK3506内置2D硬件引擎和显示输出引擎，以最小化CPU负载，满足图像显示需求。支持双通道MIPI输出，最大输出分辨率为1280×1280@60fps。低延时、高实时性 RK3506采用了AMP多核异构，具备强大的实时性能使得一颗芯片便能灵活搭配多种操作系统，确保系统能够快速响应各类输入信号，特别适用于高精度控制系统，满足多种应用需求。品质可靠，高性价比 MYC-YR3506核心板邮票孔引出信号和电源地共计140PIN，这些信号引脚包含了丰富的外设资源。高可靠性保证，严格的测试标准，保障产品高质量作为一款国产真工业级产品，米尔RK3506核心板在设计之初就充分考虑了工业环境的严苛要求。采用高质量元器件，经过严格的环境适应性测试，确保在宽温、高湿、振动等恶劣条件下仍能稳定运行。同时，其紧凑的封装设计和灵活的接口配置，便于用户快速集成到各类工业设备中，提升整体系统的可靠性和稳定性。国产核心板，应用场景丰富适用于新一代电力智能设备、工业网关、工业控制设备、示教器、HMI、商用显示器和智能家居等高可靠性、高实时性要求的应用场景。配套开发板米尔RK3506核心板配置型号表 MYC-YR3506核心板选型表米尔RK3506开发板配置型号表 MYD-YR3506开发板选型表如有需要，您可以通过访问以下米尔电子官网链接了解更多：https://www.myir.cn/shows/156/87.html‍ RK3506、瑞芯微3506、RK3506核心板、RK3506开发板、国产核心板、入门级开发板

RK3506

米尔电子 . 2025-05-26 605
高性能计算 | 硅光芯片代工厂揭秘——技术特点与未来演进

重点内容速览： 1. 格罗方德：GF Fotonix——单片集成的“急先锋” 2. 高塔半导体：“开放赋能”的特种兵，工艺灵活度取胜 3. 台积电：COUPE——先进封装“王者”的光学跨界谈及当前热门技术，人工智能（AI）无疑备受关注。然而，在这场由大模型和大数据驱动的算力革命背后，数据传输正成为一个日益凸显的物理瓶颈。下一代高性能计算和AI数据中心的构建方向逐渐清晰，答案正指向硅光子技术。硅光子技术就是指基于硅和硅基衬底材料，利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，是实现了光子和微电子集成的理想平台。随着传统微电子、光电子技术逐步步入“后摩尔时代”，硅光产业链逐步完善，硅光子技术作为平台型技术，其高速率、高集成度、低成本、低功耗、小型化等特点正逐步凸显，正被广泛应用于光通信、光传感、光计算等多个领域。根据Yole发布的市场研究报告，2023年硅基光电子集成电路（PIC）的市场规模为9,500万美元，预计到2029年，将增长至8.63亿美元以上，年复合增长率高达45%。在硅光集成芯片领域，目前参与的厂商并不多，主要有英特尔、博通、NVIDIA、Marvell、ST等，这些厂商大部分都是Fabless厂商。那么为这些硅光芯片厂商加工芯片的厂商都有谁呢？根据芯查查的统计，目前主要有格罗方德（GlobalFoundries）、高塔半导体（Tower Semiconductor，已被英特尔收购）、台积电（TSMC）、ASE Group，以及虽为IDM厂商但也提供硅光芯片代工服务的ST等厂商。接下来就请跟随芯查查，看看这些硅光芯片代工厂的硅光平台都有哪些特点，目前技术的进展如何吧？格罗方德：GF Fotonix —— 单片集成的“急先锋” 早在2022年时，格罗方德就与博通、思科、Marvell和NVIDIA、以及Ayar Labs、Lightmatter、PsiQuantum、Ranovus、Xanadu等公司合作来开发硅光子平台产品。其硅光子平台名为GF Fotonix，这是一个单片平台，也是一个将其差异化的300mm光子学特性和300GHz级RF-CMOS集成在硅晶片上的平台。 GF Fotonix 通过在单个硅芯片上结合光子系统、射频 (RF) 组件和高性能互补金属氧化物半导体 (CMOS) 逻辑，将以前分布在多个芯片上的复杂工艺整合到单个芯片上。该解决方案展示了单纤数据速率（0.5Tbps / 光纤）。这使得 1.6-3.2Tbps 光学芯片能够提供更快、更高效的数据传输，以及更高效的信号完整性。此外，系统错误率提升高达 10,000 倍，可实现下一代人工智能。 GF Fotonix继承并发展了格罗方德在45nm SOI工艺（45CLO，现已整合入Fotonix品牌下）上的深厚积累。该平台能够提供一套包含高速锗（Ge）光电探测器（据称可达数十GHz响应）、高效电光调制器（如马赫-曾德调制器MZM，支持NRZ和PAM4等多种调制格式）在内的完整光子器件“工具箱”。其波导损耗据称在C波段和O波段均有良好表现，部分关键器件的性能指标已接近或达到业界领先水平。格罗方德强调，通过在300mm晶圆上将光子元件、RF-CMOS电路（用于驱动和信号放大）以及数字CMOS控制逻辑高度集成，支持2.5D封装和片上集成激光器等，可以直接省去部分高成本的封装步骤（如某些情况下的激光器与调制器的分立封装），理论上能带来更优的信号完整性（减少片外连接的寄生参数）、更低的整体功耗（短距离互连）和更紧凑的模块尺寸。这对于空间和功耗都极为敏感的AI数据中心而言，吸引力不言而喻。在生态方面，格罗方德为客户提供成熟的PDK（工艺设计套件），支持主流EDA设计流程，并与Ansys（Lumerical）、Cadence、Synopsys等EDA厂商合作，力图简化设计门槛，缩短产品上市周期。目前，GF Fotonix 解决方案将在公司位于纽约马耳他的先进制造工厂生产，格罗方德可为客户提供参考设计套件、MPW、测试、制程前后、和半导体制造等服务，以帮助客户更快地进入市场。据悉，Ayar Labs、PsiQuantum、Lightmatter等公司已经采用了格罗方德的该平台来制造硅光芯片产品了。预计未来格罗方德的硅光平台将会向更高集成度演进，会集成更多功能，比如WDM复用/解复用器件、更复杂的控制逻辑等，但这对设计和制造的挑战将持续升级，如何在提升良率的同时进一步降低成本，是格罗方德需要持续攻克的难题。高塔半导体：“开放赋能”的特种兵，工艺灵活度取胜高塔半导体（已被英特尔收购，现为英特尔代工服务IFS的一部分），凭借其成熟的硅光工艺平台（基于200mm晶圆），在业内树立了“开放且专业”的口碑。如今，他们正积极向300mm晶圆拓展，以其工艺的灵活性和定制化能力，在激烈的市场竞争中占据一席之地。高塔半导体的硅光平台的一大特色是其开放性和器件库的丰富性。它不仅提供低损耗的SOI波导和氮化硅（SiN）波导（SiN波导因其更低的非线性效应和更宽的透明窗口，在特定应用如WDM和传感中备受青睐），还包括多种类型的光电探测器（如PIN型和雪崩光电二极管APD，后者在低光照条件下灵敏度更高），以及基于PIN二极管的热光或载流子注入型调制器、高效的片上加热器等。高塔半导体以其出色的工艺定制能力著称，能够根据客户的特定需求调整工艺模块。其灵活的MPW（多项目晶圆）服务，为中小型企业和研究机构提供了高性价比的快速原型验证通道，极大加速了创新迭代。目前，高塔半导体正在积极开发300mm硅光平台，不仅是为了提升产能以应对AI数据中心等大规模市场的需求，更是为了能够更好地与其母公司英特尔的先进制程CMOS工艺和先进封装技术（如EMIB、Foveros）产生协同效应，为客户提供更完整的“电子+光子”解决方案。在今年3月份，高塔半导体宣布多家客户的1.6 Tbps硅光子产品在其最新硅光（SiPho）平台上投入量产，最新平台工艺可以支持每通道200Gbps的数据传输速率和8通道并行光学，总计达到1.6Tbps的收发器吞吐量。客户已在高塔半导体硅光平台上设计出突破性的1.6Tbps产品，并已开始订购批量产能。另外，国内光模块企业中际旭创 (Innolight) 是其重要客户，借助高塔的平台量产面向AI和数据中心的高性能光模块，双方在400G/800G乃至1.6T产品的合作上持续深化。台积电：COUPE——先进封装“王者”的光学跨界台积电进入硅光领域的时间并不长，但其一出手就是大招，其COUPE (Compact Universal Photonic Engine) 平台，充分发挥了台积电在先进封装领域的“独孤求败”的优势，试图通过“堆叠”和“组合”的艺术，将光子与电子的融合推向新高度。 COUPE平台的核心打法是“异构集成”，利用其SoIC（System on Integrated Chips）等3D封装技术，将光子芯片（PIC，通常采用40nm/65nm等成熟节点）和电子芯片（EIC，采用N7、N5等先进工艺），以极高的密度集成在一起。这正是实现CPO（光电共封装）的关键。台积电的目标是提供一种标准化的光互联接口，既要“塞”进更多带宽，又要尽可能降低耦合损耗。图：台积电硅光平台（来源：台积电）今年初，根据经济日报的报道，台积电在其硅光子战略上取得了重大进展，该公司最近实现了CPO与先进半导体封装技术的集成，预计将于2025年开始交付样品，2025年下半年迎来1.6T光传输时代。报道称，台积电与博通合作，使用其3nm工艺成功试制了一项关键的CPO技术，即微环调制器（MRM）。这一发展为将CPO与高性能计算（HPC）或 ASIC 芯片集成用于 AI 应用铺平了道路，从而实现了从电信号传输到光信号传输的重大飞跃，用于计算任务。目前，台积电的硅光子战略主要围绕三大关键平台展开，即COUPE 2.0、iOIS 和 EPIC-BOE。这些平台共同构成了台积电实现高带宽、低功耗光学集成的核心技术基础，尤其是在人工智能、高性能计算（HPC）和数据中心应用领域。其中，COUPE 2.0 是台积电的高性能光学引擎平台，专为共封装光学（CPO）设计。其主要特点包括：垂直宽带耦合器（BBC）：实现与光纤的高效垂直耦合，支持波分复用（WDM），显著提高带宽密度。 SoIC-X 混合键合技术：实现光子集成电路（PIC）与电子集成电路（EIC）的紧密集成，支持低延迟、高密度的光电互连。成熟的工艺技术：基于可靠的 65nm 工艺节点，提供稳定的良率和宽达 ±10 微米的对齐容差，提高制造效率。COUPE 2.0 解决了传统光电集成中的对齐和耦合效率低下的问题，为可扩展、高带宽和节能的光学系统提供了可行的路径。硅光器件库的丰富和工艺能力的持续迭代是其保持领先的基础。结语：道阻且长，行则将至其实，除了上面提到的几家硅光平台，还有以代工身份切入硅光平台的意法半导体、新加坡先进微电子、ASE Group、Silex等厂商也可以提供硅光芯片产品的代工服务。以及国内的中芯国际、华虹半导体等也做探索硅光芯片代工，只是目前还没有太多公开的信息提供。可以预见，未来的竞争将更加激烈，合作也将更加紧密。标准化、功耗、成本、光源、生态……这些横亘在前的挑战，需要整个产业链共同攻克。但AI的巨大引擎已经启动，它正以不可逆转的势头，加速着硅光制造技术的成熟与迭代。对于中国半导体产业而言，硅光技术提供了一个在“后摩尔时代”实现追赶甚至部分领域引领的潜在机遇。尽管在核心设备、关键材料和顶尖人才方面仍面临挑战，但凭借巨大的内需市场、持续的政策支持以及本土企业的奋发努力，我们有理由相信，在未来的硅光芯片代工江湖中，中国力量定能占据一席之地。

高性能计算

芯查查资讯 . 2025-05-26 7 1 5435
方案 | 整车48V系统应用加速，长电科技芯片封装方案夯实底层支撑

汽车整车48伏电气系统解决方案（以下简称：48V系统），凭借其技术革新与多维度优势，正逐步成为传统12V低压系统升级的主流方向。目前，多家主机厂正加速在轻度混合动力（BHEV）与纯电动（BEV）车型中应用运用48V系统方案，满足新一代车型日益复杂的供电需求。 48V系统能在保持低压安全标准（<60V）无需增加额外高压防护措施的前提下，显著增强整车供电能力，优化线束结构与系统热管理, 并支持更广泛的功率器件选择，提升系统的灵活性与适应性。在相同功率条件下，48V系统的电流可下降1/4。这一变化可大幅缩小线束线径，减少铜用量、降低布线复杂度与整车重量，同时有效降低传输热损耗，提升整体能效，续航里程并降低成本。得益于更低的能耗，48V系统也能够降低整车的CO₂排放，成为车企在降低碳排放要求下，实现节能减排目标的可行方案。不仅如此，48V生态系统在5G数据中心、云计算等领域同样有着广泛的应用需求，带来新的市场机遇。根据Precedence Research预测，全球汽车48V系统市场规模有望从2024年的83亿美元增至2034年的875亿美元。长电科技汽车电子技术专家表示 48V系统方案对半导体提出了多维度的要求，需要高效、占用空间小的解决方案，推动汽车半导体向更高耐压、更高集成度和模块化设计、更高可靠性的方向发展，并加速碳化硅、氮化镓等新材料应用。 48V系统可分为配电端、控制端、传输端和执行端，不同芯片在各环节中承担电源管理、信号控制和负载驱动等功能，构成完整的电源与控制体系。目前，48V系统目前主要应用于座椅加热器、HVAC鼓风机、热泵、空调压缩机、主动悬挂控制、线控转向、制动系统等高功率子系统，其高效供电能力为智能化与电动化功能的扩展提供了关键支撑。对应的主要芯片包括MOSFET、eFuse、Gate Driver、桥驱动、高边开关及各类DC/DC转换器，对功率负荷能力与系统可靠性提出了更高要求，也更注重功能安全与智能化管理的融合。 48V系统主要应用＆主要涉及芯片和封装形式长电科技凭借在车规级封装领域持续深耕，能够为48V系统提供具备高可靠性的完整封装方案，并在封装协同设计、仿真及封装可靠性验证、材料及性能测试方面为客户提供技术支持服务，为驾驶和能源效率提供底层支撑。比传统12V系统，48V架构要求芯片具备更强的电压承载能力、电流处理能力、和热管理能力，其多样化应用也要求不同的芯片封装形式，包括QFP, PDFN, SOP, SOT, DPAK, TO等。在材料选择上，针对不同的性能及功能要求，选择金、铝、铜等焊线以及铜夹片作为互连材料，通过宽排框架的应用进一步降低封装成本，工艺上，采用烧结工艺进一步提升器件的散热性能，与此同时，考虑到空间利用的有效性，封装方案也在朝着更小尺寸和更高集成度的方向发展。面对电动化和智能化浪潮下48V低压系统的变革，长电科技将继续通过技术创新推动产品升级，助力客户在新一代汽车平台中实现48V系统的应用，共同推动汽车产业朝着更高效率、更低能耗和更高集成度的方向发展。

长电科技

长电科技 . 2025-05-23 1 1 1040
企业 | 纳微半导体入选NVIDIA新一代数据中心800V HVDC架构

加利福尼亚州托伦斯2025年5月21日讯——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布参与NVIDIA 英伟达（纳斯达克股票代码: NVDA) 下一代800V HVDC电源架构开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。 NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，旨在为未来AI的计算负载提供高效、可扩展的电力传输能力，实现更高可靠性、更优效率并简化基础设施设计。现行的数据中心普遍采用传统的54V机架内部配电架构，仅能支撑数百千瓦（kW）的负载。该架构依赖体积庞大的铜制母线将低压电力从电源模块传输至计算单元。然而，当功率需求超过200kW时，该架构受限于功率密度、铜材用量和系统效率等方面的物理极限。为满足日益增长的AI算力需求，现代AI数据中心需配置吉瓦（GW）级供电系统。NVIDIA创新性地采用固态变压器（SST）和工业级整流器，在数据中心外直接将13.8kV交流电转换为800V高压直流，省去多级AC/DC和DC/DC变换环节，显著提升能效与可靠性。得益于800V高压直流的高电压特性，在相同功率传输要求下，可通过降低电流强度使铜缆直径减少最高45%。传统54V直流系统若需支持兆瓦级机架，将消耗超过200公斤铜材，这无法满足吉瓦级下一代AI数据中心的可持续发展。 800V高压直流无需额外配置AC-DC变换器，就可直接为IT机架供电，通过DC-DC变换器降压后为包括Rubin Ultra在内的GPU供电。纳微半导体凭借氮化镓与碳化硅技术，已在AI数据中心供电解决方案领域确立领先地位。高功率GaNSafe™氮化镓功率芯片集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都仅通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个分离的氮化镓HEMT一样被处理，不需要额外的VCC引脚。在二次侧DC-DC变换领域，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，专为输出48V-54V的AI数据中心电源优化设计，可实现高速、高效、低占板面积的功率转换。凭借着在碳化硅领域的20年技术创新积累，纳微GeneSiC™独家的“沟槽辅助平面栅”技术可提供业界领先的温度特性，为功率需求高、可靠性要求高的应用提供高速、低温升运行的功率转换方案。第三代快速碳化硅MOSFET相较同类产品不仅效率显著提升，外壳温度也低25°C，同时使用寿命长3倍。纳微GeneSiC™碳化硅产品覆盖650V至6.5kV超高压全电压范围，已在多个兆瓦级储能并网逆变器项目中成功应用。纳微氮化镓与碳化硅技术，打造电网到GPU的完整电力传输链路 2023年8月，纳微半导体推出了一款高速、高效的3.2kW CRPS电源，相较传统硅基方案体积缩小40%，适用于AI与边缘计算场景。随后发布的4.5kW CRPS电源实现137W/in³功率密度与超97%效率。2024年11月，纳微推出全球首款8.5kW AI数据中心电源，采用氮化镓与碳化硅技术实现98%效率，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）标准。此外，纳微自研的IntelliWeave数字控制技术，与GaNSafe功率器件和第三地快速碳化硅MOSFET结合，能使PFC峰值效率高达99.3%，而功率损耗较现有方案降低30%。在5月21日Computex台北国际电脑展期间，纳微举办了“AI科技之夜”，全球首发了12kW AI数据中心电源解决方案。纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan “纳微很荣幸能够参与到NVIDIA 800V HVDC的架构建设当中。我们在高功率氮化镓与碳化硅领域的创新已开拓多个全球首例，并成功切入AI数据中心与电动汽车等新兴市场。全面的产品组合使我们能够支持NVIDIA从电网到GPU的800V HVDC完整电力基建。衷心的感谢NVIDIA对我们技术实力与推动数据中心供电革新的认可。” NVIDIA 800V HVDC架构可让端到端能效提升5%，降低70%的维护成本（由于电源故障减少），并借助高压直流电与IT机架直连技术显著降低冷却成本。

纳微半导体

纳微芯球 . 2025-05-23 1 1465
产品 | 高压不惧，小巧有力——纳芯微车规级绝压传感器NSPAD1N系列拓展压力传感性能边界

纳芯微近日发布全新 NSPAD1N 系列超小体积绝压传感器，专为车规及多种压力检测应用场景打造。该系列产品具备高精度、低功耗、快速响应和强承压能力，符合AEC-Q100标准，支持模拟和数字多种输出方式，广泛适用于座椅气囊、座椅按摩、汽车ECU气压检测、通机控制器等车规场景，同时兼容工业控制、智能气表等工业及消费应用。随着汽车逐步演化为集舒适与智能于一体的“移动第三生活空间”，座椅作为关键交互部件，正经历从基础支撑向智能舒适系统的转型。座椅气囊和按摩功能也日益成为提升驾乘体验与安全性能的重要配置。针对这一趋势，NSPAD1N系列采用高精度信号调理芯片，对MEMS芯体输出进行校准和温度补偿，支持10kPa至400kPa压力范围内的模拟输出（0~5V）及数字输出（I2C/SPI），灵活适配多种应用需求。该系列采用3mm x3mm DFN-8的小型封装，并配备可润湿侧翼设计(wettable flank)，满足车规电子小型化布板需求，支持AOI自动焊接检测。其创新的MIS基板方案，有效规避传统LGA-FR4方案在温度循环下的分层风险，显著提升在高低温交变环境下的结构稳定性。此外，传感器正面采用四小孔进气结构，在确保气流通畅的同时形成物理屏障，有效防止异物侵入芯片腔体，提升环境适应性。 NSPAD1N系列还具备高转换速度、低功耗以及强过载与耐爆压力能力，在复杂工况下依然保持高度稳定与可靠。产品特性高精度、低功耗高度线性，100%温度补偿，无需校准；全寿命精度优于±1%F.S.（-20℃~115℃），工作电流<3mA。多种输出方式支持模拟（绝对压力输出）与数字（I2C/SPI）信号，适配性强，便于集成。量程与输出灵活定制 10kPa~400kPa范围可调，支持定制供电电压和输出方式，覆盖多样应用需求。小型化封装 3mm x 3mm DFN-8车规封装，外围电路精简，助力小型化设计与系统优化。车规级可靠性符合AEC-Q100标准，可承受600kPa过载与800kPa爆破压力，确保在严苛环境下的稳定运行。依托自主可控的MEMS设计与封装工艺，以及多压力温度点自动化批量标定能力，纳芯微为客户提供稳定高效的交付保障，降低供应链风险。同时支持定制化MEMS晶圆和合封产品开发，灵活应对多元应用场景。

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-05-23 1 1 1210
产品 | 小米发布自研3nm SoC

小米 15 周年战略新品发布会，正式发布了三款 15 周年献礼之作：小米15S Pro、小米平板7 Ultra、小米手表S4 15周年纪念版，它们都搭载了小米自主研发设计的芯片：玄戒XRING。小米 3nm 旗舰处理器：玄戒O1，10核CPU+16核GPU，A18的6核CPU+5核GPU 玄戒O1采用十核四从集设计，集成2*Cortex-X925@3.9GHz超大核+4*Cortex-A725@3.4GHz性能大核+2*Cortex-A725@1.9GHz能效大核+2*A520@1.8GHz超级能效核，兼顾峰值爆发性能和日用能效，实验室安兔兔跑分达到了300万分以上。工艺制程上，玄戒O1采用了与苹果A18Pro相同的第二代3nm制程，规模上也类似，在109mm²的芯片面积上集成了190亿个晶体管。CPU单核性能单核成绩突破 3000 分大关，但相比单核性能业界领跑的 A18 Pro 仍有差距。多核成绩 9500 分以上，略优于 A18 Pro。总体来说，玄戒O1的CPU性能已经进入第一梯队。玄戒O1在能效方面也比较突出。在瞬时高爆发场景中，玄戒O1的功耗接近苹果A18 Pro，当然由于单核性能的差距，在峰值性能上仍与A18 Pro有一定距离。游戏等需要持续高性能输出场景，得益于四颗性能大核，表现与苹果不相上下；日常使用场景，比如看视频、刷抖音、微博等中低负载场景，能效核心能够大幅优化日常使用能效。在GPU方面，玄戒O1 搭载了Arm最新的Immortalis-G925 GPU，并使用了16核的超大规模，峰值性能大幅领先A18 Pro。从测试数据来看，玄戒O1曼哈顿3.1测试达到330帧、Aztec 1440p测试达到110帧，大幅度领先苹果A18 Pro，同性能下功耗相比A18 Pro 低35%。玄戒O1的GPU采用了动态性能调度技术。重载游戏时，全核全速运行；轻载游戏时，只开启部分核心；绘制完一帧就休眠，等下一帧绘制再唤醒，在帧间实现微秒级的状态切换；长时间不用 GPU，GPU全部下电，提供最佳的功耗表现。对于手机而言，除了CPU和GPU性能，影像系统的能力还取决于ISP。玄戒O1还内置了小米第四代旗舰ISP影像处理器，体现到影像能力上，可以提供高速高画质的体验，ISP每秒可以同时处理 87 亿像素，并且内置独立3A加速单元，自动对焦、自动曝光、自动白平衡这些关键性能指标，最高可以提速100%。另外，实时多帧HDR融合和AI智能降噪能力，在ISP中以硬件单元实现，让视频动态范围更高、“鬼影”更小。特别是夜景视频，每一帧画面都能AI智能降噪，极暗光环境下，信噪比最高提升20倍，夜景更加纯净。Omdia在此前的分析中认为，作为首代产品，玄戒O1 主要承担技术验证使命，规划出货量保守控制在数十万级别，受小规模流片影响，初期成本会居高不下。甚至有消息称，本次两款终端平摊下，玄戒O1的平均每片成本高达万元。下面就来看看这次首发搭载玄戒O1的两款终端产品。小米15S Pro：首发玄戒O1，支持UWB，升级散热雷军表示，去年10月发布的小米15 Pro是小米史上销量最好的Pro。而小米15S Pro是基于小米15 Pro研发的“15周年纪念版”，拥有龙鳞纤维和远空蓝两个外观版本，闪光灯处均添加了XRING自研芯片的专属徽印。除了搭载玄戒O1之外，小米15S Pro在多个方面都进行了升级，包括搭载翼型环形冷泵Pro，散热面积达到4053mm²，导热性能再提升30%；支持UWB超宽带互联，比蓝牙定位更准，抗干扰，更安全，可以作为车钥匙、地铁无感支付等，与YU7联动可以实现无感解锁，靠近自动解锁，主动迎宾。由于定位精准，UWB车钥匙还能实现靠近3秒自动打开前后备箱，离车可以自动落锁等功能。价格方面，小米15S Pro有16+512和16+1TB两个版本，价格分别是5499元和5999元，现已正式发售。小米Pad7 Ultra：轻薄、大电池、搭载玄戒O1 小米平板业务在今年第一季度取得了史无前例的成绩，出货量同比增长56.1%，首次进入了全球前三。这次推出的小米Pad7 Ultra，被雷军称为“小米史上最强平板”，是小米平板高端化的第一枪。小米平板7 Ultra采用全金属一体化外观设计，极致轻薄。整机厚度5.1 mm，重量609g，携带无负担。共有黑色、迷雾灰紫两款配色可选。小米平板7 Ultra采用14英寸超大OLED屏幕，这也是小米首款OLED平板。雷军表示，这块屏幕硬件成本大约相当于同尺寸LCD屏幕的2.5倍。同时，这块14英寸OLED屏分辨率达到3.2K，峰值亮度高达1600nits，支持HDR10+、12bit色深；还拥有3.95mm极窄边框设计，屏占比高达93.6%；采用小米15系列同款的M9低功耗发光材料，同亮度下，对比C8发光材料屏幕功耗降低了8.5%，它还是一块专业原色屏，支持小米生态多屏同色。小米平板7 Ultra还配备旗舰八扬声器、16.5cc超大音腔腔体体积、4组高功率功放独立驱动，提供绝佳影音体验。与小米15S Pro一样，小米平板7 Ultra也搭载了玄戒O1旗舰处理器，但超大核主频从3.9GHz降至3.7GHz。一般来说，平板的性能释放会更好，处理器也能够更长时间保持在高频，利于长时间高负载输出。小米给这款平板定位是“高效生产力工具”，拥有专业 PC 级办公能力，工作台多任务操作能够多窗口自动布局，非常高效。支持 PC 级的 WPS、CAD、CAJ 专业软件，还能远控 PC、作为电脑副屏使用。苹果生态也特别友好，支持苹果办公套件，如 Numbers、Keynote、Pages，以及苹果设备文件、图片互传。同时针对视频会议进行了硬件优化，包括32MP前置相机，支持智能人像居中；以及4麦克风阵列拾音，支持AI声纹降噪。小米平板7 Ultra提供三种内存配置，分别是：12GB+256GB，建议零售价 5699元；12GB+512GB，建议零售价5999元；16GB+1TB，建议零售价6799 元。同时小米还推出了一款悬浮键盘，售价1399元，配备全域压感触控板和1.3mm的超大键程。小米手表：搭载玄戒T1 长续航 4G 手表芯片小米在小米手表S4 eSIM 15周年纪念版上，带来了小米首款长续航4G手表芯片玄戒T1。这颗芯片不是简单的手表芯片，它内部集成了小米首款 4G 基带，代表着小米在基带这一关键赛道上迈出了重要的一步，支持 eSIM 独立通信，整个蜂窝通信链路由小米自主设计。在玄戒T1的加持下，小米手表S4 eSIM 15周年纪念版性能大幅提升的同时，待机功耗降低66%、VoLTE功耗降低46%、数据业务功耗降低27%，哪怕是在eSIM的场景下，都可以做到9天的超长续航。雷军表示，基带研发是难以想象的浩瀚工程，研发投入大、难度高，且网络环境多样，需要对不同基站供应商逐一适配。小米在玄戒T1上进行了海量的现网测试，测试了100多个城市基站，累计测试里程超过了15万公里。小米手表S4 eSIM 15周年纪念版还支持小米SU7、小米YU7 系列远程控车、开关锁、启动、闪灯鸣笛、控制前后备箱、空调通风等功能；开通eSIM，不带手机也可以轻松操控小米汽车。小米手表S4 eSIM 15周年纪念版有黑色和绿焰两个颜色，售价均为1299元。小米YU7：7月上市，售价不低于19.9万元小米SU7的热度在今年毫无疑问超越了市面上其他车型，2025年，小SU7系列累计交付超过25.8万台。4月份SU7交付超过2.8万台，是20万以上价位所有汽车的销量冠军。而小米汽车的第二款产品，YU7（御7），定位为豪华高性能中大型SUV，实际尺寸达到了5米长、近2米宽，轴距达到3米，前备箱容量高达141L，支持电动开合。外观上，小米YU7延续了小米SU7的家族化设计语言，在空气动力学上进行了多处细节优化。比如 100挡主动进气格栅，可以智能开合，降低 18个Counts，最高增加 14km续航；尾部的扰流板，我们工程师优化了很多轮，比一般的扰流板设计降低了10个Counts。量产车最大蚌式铝机盖，面积3.11m²，采用一体化设计，与整车型面浑然一体，不仅好看还能降低2个Counts。内饰方面，YU7的最大亮点就是挡风玻璃下方的小米天际屏全景显示，几乎贯穿车辆的A住。这并不是一块简单的屏幕，据雷军介绍，这是通过三块MiniLED 屏幕，将信息直接反射到前风挡下黑区，实现1.1m超宽全景显示，显示像素密度高达108PPD，1200nits可视峰值亮度，全局903分区控光。转向盲区、地图、速度、驾驶模式、音乐等多种信息都能够在这块屏上显示。动力方面，小米YU7 MAX双电机全轮驱动版本，最大马力690PS、峰值功率508kW，0-100km/h 加速3.23s，最高时速253km/h；100-0km/h最短制动距离33.9m。底盘方面，小米YU7搭载连续阻尼可变减振器，可以精准匹配路况需求，快速调节阻尼力，能适应山路、城市高架、城郊烂路的需求。比如在烂路的时候，悬架可以快速回弹，确保更好的舒适性。此外，闭式双腔空气弹簧，支持5挡高度调节，最大上下调节范围75mm，最高222mm的离地间隙，可以胜任更多路况；还可快速调节空气弹簧刚度，最大高低刚度差超40%，能够在保持路感的同时更加舒适。续航方面，小米YU7有两个电池版本，分别是标准版和Pro版上的96.3 kWh磷酸铁锂电池，以及MAX版上的101.7kWh三元锂电池。标准版为单电机后驱，提供 CLTC 835km续航；Pro版是四驱，支持CLTC 770km续航；MAX版高性能四驱，提供CLTC 760km续航，以及5.2C超级快充。安全性上，小米YU7采用的铠甲笼式钢铝混合车身全面升级，车头正面有效吸能空间达到 659mm，拥有更大的缓冲区。车尾则沿用三段式大压铸后地板，非常坚固。底部增加 1500MPa 防刮底横梁，能大幅降低石头刮坏电池包的可能，同时，也采用了小米SU7 Ultra 同款“防弹涂层”，进一步保证电池安全。同时，在四门防撞梁上采用了2200MPa小米超强钢，它是目前汽车行业中最强的热成型钢，使用在四门防撞梁上，能有效提升侧面碰撞中的乘员舱保护，前门防撞梁承载能力提升52.4%，后门防撞梁承载能力提升37.6%。在电子电气架构上，小米进一步集成了域控制器，将辅助驾驶、智能座舱、整车控制器和T-BOX集成到一个四合一域控制器上，大幅降低了重量以及体积，优化哨兵模式等功能的能耗。值得一提的是，小米YU7座舱芯片没有采用目前主流的8295，而是搭载了第三代骁龙8移动平台，采用4nm制程。能做到车机开启快、应用启动快、OTA升级也更快，小米YU7最快15分钟就能完成一次整车OTA。在辅助驾驶硬件上，小米YU7全系标配激光雷达、4D毫米波雷达和英伟达Thor车载计算平台，拥有700TOPS算力。总结下来，YU7目前的三个版本分别是：小米YU7标准版，拥有 835km 超长续航、96.3 kWh 磷酸铁锂大电池；小米YU7 Pro版，超长续航四驱版，支持770km超长续航，搭载双电机四驱和闭式双腔空簧，零百加速4.27秒，拥有更好的驾驶感和通过性；小米YU7 Max版，是高性能四驱版本，零百加速3.23秒，最高时速253km/h，还升级了101.7 kWh 三元锂大电池、支持760km超长续航、5.2C 超级快充，搭载了布雷博四活塞卡钳、电动吸合门等豪华配置。最后，小米YU7预计7月正式上市，价格不会低于19.9万元。

小米

芯查查资讯 . 2025-05-23 9 1 3740
产品 | 功耗降低56%！爱普生研发新款晶体振荡器

爱普生开发出一款恒温晶体振荡器(OCXO)“OG7050CAN”，其功耗比爱普生早期的OG1409系列产品（“早期产品”）低56%*1。新款OCXO尺寸为7.0×5.0毫米，高度为3.3毫米（典型值），体积比早期产品小85%。该振荡器体积小、节能，是下一代通信基础设施中参考信号源的理想选择。恒温晶体振荡器(OCXO)“OG7050CAN” 基站和数据中心等有线和无线骨干通信设施中的参考信号源必须符合严格的精度和稳定性标准。恒温晶体振荡器由于其高稳定性而被用作此类应用中的参考信号源。晶体振荡器封闭在控温室（“温箱”*2）中。即使环境温度发生变化，温箱内的温度也能保持恒定，从而最大限度地减少频率漂移。随着第五代通信系统（5G）的推出、物联网（IoT）的普及、数据中心人工智能（AI）的使用以及即将到来的6G服务的推动，通信数据流量持续增长。这些变化预计将导致基站和数据中心的功耗急剧增加，并推动对用作参考信号源的低功耗OCXO的需求。左侧：早期产品。右侧：新开发产品为了满足这一需求，爱普生利用其晶体器件、半导体和安装技术开发出一种OCXO，其功耗比之前的产品降低了56%*1，体积缩小了85%。这一改进在很大程度上得益于温箱的小型化和应力补偿(SC)切割晶体单元。传统OCXO的内部结构（概念图）与普通晶体振荡器中使用的AT切割晶体单元*3不同，SC切割晶体单元具有高度稳定性，并且耐热冲击和抗震性。早期产品采用直径为6毫米的圆形SC切割晶体单元，需要大型温箱和大量电力来保持恒温。为了解决这个问题，爱普生重新设计了晶体单元，使用矩形结构代替圆形结构。他们不仅成功地将SC切割晶体单元的尺寸缩小了90%，同时还提高了性能并降低了功耗。与早期产品相比，重新设计还将温箱的体积减少了96%。开发人员面临的另一个挑战是实现低功耗温箱结构。爱普生开发并优化了自己的振荡器IC和加热器IC，以将SC切割晶体单元保持在恒温的温箱中，同时最大限度地降低功耗。温箱用导热性低的粘合剂粘合在OCXO封装内，以改善内部绝缘。这限制了加热器IC的热量损失并保持低功耗。通过使用数字方式（而非传统的模拟方式）控制SC切割晶体单元的温度，即使在环境温度波动时开发人员也能保持晶体单元的温度更加稳定，从而将OCXO的频率/温度特性从±50×10-9降低到±3×10-9*4。早期产品：0.43W@25℃ 新开发的产品：0.2W@25℃ 这些发展带来了高精度OCXO，其功耗比旧产品降低了56%*1（25℃时为0.2W），体积缩小了85%（7.0×5.0mm）。功耗降低使SC切割晶体单元的温度能够更快稳定，与旧产品相比，启动时的频率收敛时间降低了5倍以上。新型OCXO将于近期开始提供样品，感兴趣的朋友请咨询爱普生销售或授权代理商。作为晶体器件的领导者，爱普生将继续提供满足各种电子设备和社会基础设施需求的晶体器件产品。新产品特性：低功耗：25℃（静止空气）时0.2W 尺寸小：7.0×5.0×3.3mm，典型值频率/温度特性：±3×10-9 启动时间至频率稳定在±20×10-9：30s以内 PLL*5功能允许通过内部IC设置将输出频率设置为1MHz至170MHz之间的任意值抖动减少功能可控制PLL引起的噪声恶化新产品主要规格*6：备注： *1 爱普生OG1409 系列 OCXO（现已停产）在25℃时功耗在0.43W，新产品的功耗为0.2W。 *2 温箱：用于将腔体内部保持在特定恒定温度的装置。 *3 AT切割晶体单元：晶体谐振器，其晶体芯片由以特定角度切割的粗糙晶体制成，称为AT切割。它覆盖兆赫（MHz）波段，是使用最广泛的石英晶体类型。AT切割晶体的频率/温度特性为三次函数，零交叉点接近室温，因此它们具有出色的温度特性。 *4 10-9表示十亿分之一，±10×10-9也通常称为±10 ppb。 *5 PLL：锁相环的缩写，是一种产生所需输出频率以匹配特定频率的时钟信号的电子电路。 *6 参数源自爱普生实验室，因设置和方法不同可能存在差异。 *7 客户选型后由爱普生授权第三方提供销售与配送服务，爱普生不对第三方行为负责。

爱普生

爱普生电子元器件 . 2025-05-23 1085
产品 | 半导体行业采用 NVIDIA Blackwell 和 CUDA-X 加速设计制造

TSMC、Cadence、西门子、新思科技和 KLA 采用 NVIDIA Blackwell 进行芯片设计和制造。 TSMC、Cadence、KLA、西门子和新思科技正采用 NVIDIA CUDA-X 和 NVIDIA Blackwell 平台来推进半导体制造。 NVIDIA Blackwell GPU、NVIDIA Grace CPU、高速 NVIDIA NVLink 网络架构和交换机，以及诸如 NVIDIA cuDSS 和 NVIDIA cuLitho 等特定领域的 NVIDIA CUDA-X 库，正帮助改进高级芯片制造领域的计算光刻和设备仿真。 TSMC 计算机辅助设计技术部门研究员兼总监 Jeff Wu 表示：“我们与 NVIDIA 的合作代表了半导体工艺仿真领域的重大进步。CUDA-X 库和 NVIDIA Grace Blackwell 带来的计算加速将以更低成本模拟复杂的制造流程和设备行为，从而加快工艺流程开发。” NVIDIA cuLitho 和 Blackwell 将光刻速度提升最高达 25 倍。GPU 加速可帮助领先的光刻提供商和半导体制造商（如 TSMC）在开始生产之前就能够以无可比拟的速度预测并纠正光刻问题。本月初，电子设计自动化（EDA）软件和服务提供商 Cadence 宣布推出其 Millennium M2000 平台，该平台完全基于 NVIDIA Blackwell 构建，专为 EDA 市场而打造。M2000 是一款可扩展的交钥匙解决方案，可借助一系列全面加速的 Cadence 设计工具部署 NVIDIA Grace Blackwell 和 CUDA-X 库。 Cadence 还是首批采用 NVIDIA NVLink Fusion 的企业之一，该技术可进行定制化硅芯片扩展，以满足模型训练和代理式 AI 推理等要求严苛的工作负载的需求。通过采用 NVLink Fusion，Cadence 可帮助超大规模企业优化并验证整个设计过程。本月，Cadence 宣布推出 Millennium M2000 AI 超级计算机，以实现硅芯片、系统和药物设计转型。基于 NVIDIA Blackwell 平台的选件包括 NVIDIA Grace Blackwell 机架系统，可使用 Cadence Cerebrus AI Studio 和 Cadence 多物理场系统分析工具来处理大型系统级芯片、3D-IC 和子系统实施与签核，以及用于小型芯片设计和仿真的全新 NVIDIA RTX Blackwell GPU。 Cadence 公司副总裁兼系统设计与分析部门总经理 Michael Jackson 表示：“我们与 NVIDIA 的协作一直致力于突破电子设计自动化以及系统设计和分析的边界。完全基于 NVIDIA Blackwell 构建的 Millennium M2000 平台，其意义已不仅仅是能够加快仿真速度，还重新定义了 AI 驱动式创新基础设施，让曾经难以企及的突破成为现实。” 西门子正通过 NVIDIA CUDA-X 库的并行处理能力和 Grace Blackwell 平台的突破性性能，来显著加快其 Calibre 平台的运行速度。这种技术整合可在半导体关键制造步骤中实现前所未有的速度和精度，包括纳米级精度的光学邻近效应校正、全流程的物理验证、鲁棒型可制造性分析设计、严密的可靠性验证，以及从设计到制造流程的无缝集成与自动化。西门子 EDA CEO Mike Ellow 表示：“通过采用 NVIDIA CUDA-X 和 Grace Blackwell，我们的 Calibre 平台可更快、更高效地进行光学邻近效应校正，而不会牺牲高级半导体节点的精度。随着芯片的复杂性持续增加，这一点尤为重要。” 此外，领先的 EDA 软件和服务提供商新思科技正将 NVIDIA CUDA-X 库和 Blackwell 用于其 EDA 工具，包括 Synopsys PrimeSim、Proteus、S-Litho、Sentaurus Device 和 QuantumATK。通过集成 CUDA-X 库，新思科技在 NVIDIA Blackwell GPU 上取得了突破性的 Sentaurus Device、QuantumATK 和 S-Litho 基准测试结果，与同类 CPU 基础设施相比，性能分别提升了 12 倍、15 倍和 20 倍。另外，新思科技最近还在 NVIDIA GTC 期间宣布，其预计在 NVIDIA Blackwell 平台上，Synopsys PrimeSim 和 Synopsys Proteus 的运行速度将分别提升 30 倍和 20 倍。新思科技战略与产品管理高级副总裁 Sanjay Bali 表示：“长期以来，新思科技一直在与 NVIDIA 协作，加速运行我们的 EDA 解决方案，以更大限度地发挥工程团队的潜力。基于我们业界首创的方法，新思科技正将 NVIDIA Blackwell 架构应用于 TCAD、计算光刻和原子仿真产品，以实现前所未有的性能提升。通过在我们业界领先的仿真求解器中集成 NVIDIA CUDA-X 库和 NVIDIA Blackwell 架构，我们实现了变革性提速，并重新定义了 EDA 推动半导体制造创新的方式。” 半导体流程控制设备制造商 KLA 与 NVIDIA 十余年来，一直在利用 GPU 和 CUDA 生态系统的经优化的高性能计算解决方案，推动 KLA 基于物理学的 AI 的发展。受设计复杂程度增加、产品周期缩短、高价值晶圆产能提升和先进封装需求增长等 AI 驱动的趋势影响，在半导体制造领域，流程控制的重要性日益提升。KLA 行业领先的检测和计量系统通过运行复杂 AI 算法来截取并处理图像，以闪电般的速度查找最关键的半导体缺陷。 KLA 寻求针对某些市场来借助 NVIDIA RTX Blackwell GPU 和 CUDA-X 库，进一步加速为半导体芯片制造提供支持的推理工作负载。通过将 NVIDIA Blackwell 嵌入到 EDA、制造和流程控制中，NVIDIA 正在帮助半导体行业更快交付新一代高性能芯片。

NVIDIA

NVIDIA英伟达企业解决方案 . 2025-05-23 920
方案 | 豪威集团发布车载智能高边开关解决方案：完备的保护和诊断功能，支持功能安全（ASIL-B）

豪威集团，全球排名前列的先进数字成像、模拟、显示技术等半导体解决方案开发商，推出一款全新的高性能车规级智能高边开关芯片ONXQ000。随着汽车智能化的高速发展，车载摄像头、超声波雷达等各类传感器在智驾系统和智能座舱的应用量剧增。对于这些遍布于车身、远离各个域控制器的设备而言，安全稳定的供电能力以及发生故障时的及时的诊断和保护尤为重要。在安全等级要求较高的智驾域和车身域，高集成度、支持汽车功能安全的高边开关芯片已经成为大多数主机厂和Tier1的首选。 ONXQ000系列产品可同时为四路摄像头和USS等设备供电。该系列芯片具备超低休眠电流、宽输入电压范围、高精度电流检测，可调过流限值，并具有完备的诊断和保护机制，为智驾系统和数字座舱域控制器提供了更丰富的设计选择。该款产品的产品特征、产品优势和典型应用框图详情如下：产品特征 • 1000mΩ内阻的四通道开关，具有故障诊断功能 • 超低至0.5uA的休眠电流 • 高精度电流检测 • 可通过外部电阻配置过载电流限制 • 灵活的I2C可选地址 • 保护功能: –对地短路和过载保护并进行输出限流 –输入欠压保护 –输入过压保护 –双重过热保护机制，输出自动重启功能可选 –输入失地和失电源保护 –开关管漏源钳位和输出负压钳位保护 • 诊断功能: –过载和对地短路检测 –负载开路和短接到电池检测 –可通过I2C接口读出状态信息 –可通过全局报错实现快速中断 • AEC-Q100 Grade 1 • 该产品共有3个版本，特点如下： –Ver-A：ONXQ000-PAxx：每路输出具有独立故障报告输出 –Ver-B：ONXQ000-PBxx：模拟信号输出电流检测值 –Ver-C：ONXQ000-PCxx：内置ADC，带有I2C接口，增强诊断功能，满足ASIL-B等级功能安全 • HTSSOP-20L 封装产品优势 • 宽工作电压范围，耐压高达40V，支持直连12V电池 • 支持I2C接口（Ver-C） –可通过寄存器配置各种功能 –通过状态寄存器报告错误 –可通过I2C接口读取输出电流，电压及输入电压等信息 • 内置10bit ADC (Ver-C) –电压读取范围达到40V –电流读取范围达到2A –LSB精度 40mV，2mA • 支持ASIL-B的功能安全(Ver-C) • 多达8个I2C地址可选(Ver-C) • 具有应对继电器，螺线管，阀类或其他感性负载的输出负压保护 • 内置电池极性反接保护，电池反接时开关管自动导通，实现更好的保护功能 • 内置上拉电流源，开路检测时，无需增加外围电路 • 对Vin, Output 等重点引脚, 提供4kV的增强ESD保护 • 独特的输出负压钳位保护功能 –ONXQ000带有输出负压钳位保护功能，当负载是继电器，螺线管，阀类等感性负载，或输出端使用了长线缆的情况下，开关关闭的瞬间输出端会产生负压，过低的负压可能对芯片造成损坏。 –不带有此功能的产品，只能依靠开关管的漏源钳位保护电路，在12V的工况下，输出负压低于-40V时才能触发Vds钳位保护 (如下图所示)。 –在同工况下，ONXQ000 内置的负压保护电路，可将输出电压稳定钳位在-20V左右（如下图所示），以减小对芯片的冲击。典型应用框图 ONXQ000主要应用场景为智能座舱域控制器，智能驾驶域控制器及车身ZCU，可为摄像头、超声波雷达及童锁灯、迎宾灯、氛围灯等小功率设备提供供电和保护功能。带有I2C接口的ONXQ000-PCxx，可以大量减少上位机MCU或SOC的I/O占用，简化系统设计复杂度，最少只需占用4个I/O。

豪威集团

豪威集团 OmniVision . 2025-05-23 930
技术 | 确保可靠性：碳化硅产品上市前的开发与制造

从 MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车 (EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风险--由于碳化硅可提高性能，推迟采用该技术可能会导致丧失市场竞争优势。在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。 SiC半导体有何不同？在化学层面上，Si和SiC的区别仅仅是增加了碳原子。但这导致SiC的晶圆具有更坚硬的纤锌矿型原子结构，相比之下，Si的原子结构为较弱的金刚石型。这种结构差异使得SiC在高温下具有更高的机械稳定性、出色的热导率、较低的热膨胀系数以及更宽的禁带。层间禁带宽度的增加导致半导体从绝缘状态切换到导电状态的阈值更高。第三代半导体的开关阈值介于 2.3 电子伏特（eV）和 3.3 电子伏特（eV）之间，而第一代和第二代半导体的开关阈值介于 0.6 eV 和 1.5 eV 之间。 (图 1）图 1：宽禁带物理特性就性能而言，宽禁带（WBG）半导体的击穿电压明显更高，对热能的敏感性也更低。因此，与硅半导体相比，它们具有更高的稳定性、更强的可靠性、通过减少功率损耗提高效率，以及更高的温度阈值。对于电子行业来说，这可以提高现有设计的效率，并促进电动汽车和可再生能源转换器向更高电压发展。这将带来更多益处，如减少原材料和冷却要求（由于相同功率下电流减小）、减小系统尺寸和重量，以及缩短电动汽车的充电时间。 (图 2）图 2：碳化硅应用优势了解半导体可靠性 MOSFET、二极管或功率模块发生故障会带来灾难性后果。对于直流快充、电池储能系统和工业太阳能逆变器等关键能源基础设施中的元件来说尤为重要。从严重的停机维修，到品牌声誉损失，甚至更广泛的损害或伤害，确保这些元件的可靠性至关重要。典型的半导体要在相当大的负载和应力下工作，这一点在高压SiC应用中尤为明显。在器件的整个使用寿命期间，功率循环、热不稳定性和瞬态、电子运动和低功率电场等因素都可能导致半导体过早失效。偏压温度不稳定性 (BTI) BTI 是影响硅产品可靠性的一种常见老化现象。当在介电界面或其附近，由于界面陷阱电荷的产生，这种现象会导致 "导通 "电阻增加，从而降低阈值电压，减慢开关速度。负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是 MOSFET 的主要可靠性问题之一，通常会随着晶体管的老化而逐渐显现。这一点对于栅极至源极电压为负值或对栅极施加负偏压的器件尤为明显。经时栅极氧化物击穿 (TDDB，Time-Dependent Gate Oxide Breakdown) TDDB 是指在工作过程中，由于持续施加的电偏压和地球电磁辐射的影响，栅极氧化物有可能受损的现象。这是一种基于老化的失效机制，会限制半导体产品的使用寿命。功率和热影响器件上剧烈的功率循环会增加MOSFET的瞬时应力，并可能产生超过击穿电压的电压尖峰。虽然抑制措施有助于随时间减少浪涌效应，但即使是减弱了的动态应力仍会影响器件的可靠性。由于半导体材料的结构本身是其运行的关键，当衬底的不同区域以不同的速度冷却和收缩时，激烈和反复的热循环会导致元件损坏。双极性老化由SiC MOSFET体二极管应力引起的双极性老化，可能导致“导通”状态下的电阻增加，这是由于体二极管正向偏置时流过的电流触发的。这种老化有时也表现为前向电压漂移或关断状态漏电流增加。最常见的是由于现有外延层基晶面位错（BPDs）的激活所引起，通过合理设计外延层并在生产过程中进行扫描可以预防这种激活。确保半导体可靠性对于 SiC 制造商之一的安森美（onsemi ）而言，要确保 SiC 产品能够满足下一代应用的性能要求，就必须针对 SiC 结构量身定制广泛的质量和可靠性项目。要认识到SiC的局限性，从而确定其可靠的工作条件，了解其失效模式和机制至关重要。通过追溯这些失效模式和机制，并通过深入分析、可以暴露弱点和制定纠正措施。项目基础与合作由于许多高性能的SiC应用还涉及到具有长生命周期的系统，因此至关重要的是，SiC的测试要紧密符合应用的预期。为了加深对碳化硅材料失效模式的了解，安森美的质量项目包括一个多元化的团队，其中包括参与前端制造、研发、应用测试和失效分析的人员。通过与世界各地的大学和专业研究中心合作，这一项目得到了进一步加强。晶圆质量认证晶圆质量认证（也称为内在质量认证）主要关注晶圆制造过程，其目的是确保按照合格流程加工的所有晶圆都具有稳定的内在高可靠性水平。这或许是任何 SiC 可靠性中最关键的因素，因为晶圆缺陷既可能导致封装时立即出现故障，也可能在产品的后期寿命中出现问题。为确保长期的可靠性，安森美开发了一系列深入的方法，包括视觉和电子筛选工具，旨在消除有缺陷的晶粒。晶圆制造工艺流程始于衬底扫描，在此过程中使用坐标跟踪和自动分类技术来识别和跟踪缺陷。在整个生产过程中，多次检验扫描用于在关键步骤中识别潜在缺陷（图3）。图3：前端流程中的扫描和检查电气筛选也在多个阶段实施，例如晶圆验收测试、老化测试和晶圆级晶粒分类，以及动态部件平均值测试，以消除电气异常值。最后，所有晶圆都要接受彻底的自动化出厂检查，其中包括视觉缺陷的识别。广泛测试无论是在SiC产品的开发过程中，还是在产品的持续生产过程中，安森美都会进行一系列的测试，旨在测试整个生产过程（晶圆制造、产品封装和应用测试）的质量和可靠性。击穿电荷(QBD)测试安森美使用 QBD 作为评估栅极氧化物质量的一种直接而有效的方法，与栅极氧化物厚度无关。安森美的方法是在室温下对正向偏置栅极施加 5 mA/cm² 的电流，这种破坏性测试在精度和灵敏度方面超过了线性电压 QBD测试，能够检测到内在分布中的细微差异。图 4 显示了平面SiC和Si栅极氧化物内在性能对比测试结果。图 4：SiC NMOS 电容、1200 V 40 mΩ EliteSiC MOSFET 和Si MOSFET 产品的 QBD 测量值在比较内在QBD 的性能（与栅极氧化物厚度无关）时，在相同标称厚度下，安森美平面SiC的内在性能比Si提高了 50 倍。这显示了SiC在性能和可靠性方面的巨大飞跃。在生产过程中，每批产品的栅极氧化物质量是通过将SiC MOSFET产品晶粒的采样QBD与大面积（2.7 mm x 2.7 mm）NMOS电容器进行对比来评估的，并且设定了严格的标准以确保任何异常值都被剔除。 TDDB 测试为了确保其SiC产品的寿命，安森美进行了广泛的TDDB应力测试，这些测试远远超出了常规工作条件。图5展示了一个SiC生产MOSFET的TDDB测试数据示例。该器件在175°C的温度下经受了一系列栅极电压和与电子俘获相关的氧化物电场的影响。图 5：SiC 生产 MOSFET 的 TDDB 数据（175oC 和低于 9 MV/cm 时的应力）即使采用保守的模型，在栅极电压为 21V 的情况下，预测的失效时间为20年，这远高于该型号规定的工作电压（18V）。跨职能方法体系除了QBD和TDDB测试之外，安森美还在公司内部以及与独立的学术研究人员合作，进行一系列广泛的实验。包含双极性老化、动态应力测试和BTI老化测试在内的全套测试流程，构成了一种广泛的跨职能方法体系，旨在对晶圆到最终应用产品进行全面测试。这确保了安森美的产品能够兑现SiC的承诺——提高效率、加快开关速度、支持更高电压以及增强可靠性，以更精确地符合客户的系统要求。 2023 年 11 月，安森美在斯洛伐克的 Piestany 开设了先进的电动汽车系统应用实验室，进一步扩大其应用测试范围。该实验室旨在为电动汽车和可再生能源逆变器下一代系统解决方案的开发提供支持。该实验室包括各种专有测试设备和来自 AVL 等业界知名制造商的解决方案。碳化硅--市场准备就绪的技术大规模采用 SiC 还将面临一些挑战，例如半导体制造商要跟上需求的步伐，由于有了广泛的测试项目（如安森美开展的测试项目），电子行业应该不会对 SiC 的可靠性和性能感到担忧。对于日益增多的高要求应用，包括电动汽车和可再生能源转换器，SiC 技术应成为工程师的首选。过去，对于电子工程师来说，要找到在投放市场后立即在性能和可靠性方面实现飞跃的元件和应用级解决方案极具挑战性，但 SiC 技术却可以做到这一点。

碳化硅

安森美 . 2025-05-23 810
技术 | XMOS推出支持AES67标准的以太网音频解决方案

中国深圳，2025年5月——全球领先的边缘AI和智能音频专家XMOS宣布：推出支持AES67标准的以太网音频解决方案和对应的开发板，以支持零售和工业环境中广泛采用的公共广播系统、建筑物中的背景音乐及音频采集、公共交通或建筑设施中的小型对讲解决方案；该开发板集成了将语音和音频设备添加到任何网络所需的一切功能。AES67协议已在欧洲等区域市场得到了广泛的应用，XMOS计划将在2025年下半年支持中国客户引入该方案，向包括国内市场在内的全球市场提供更加灵活和性价比更高的专业音频产品和系统。 AES67 是由音频工程协会（AES）设立的一项开放标准，它采用基于IP的音频（AoIP）来解决专业音频领域中存在多种音频传输协议的兼容性和设备控制问题。常见的专业音频协议包括‌CobraNet、‌Livewire、‌Wheatnet-IP和‌Dante等，每种协议都有自己的优势，但它们之间的兼容问题导致了音频设备和系统的集成变得复杂且昂贵。AES67作为一个开放标准和无缝通信框架，通过提供设备管理、连接管理、传输管理和时钟同步，允许音频设备通过IP和以太网进行高精度同步和低延迟的音频传输，使音频设备能够实现互联互通并提高了音频网络系统的灵活性和扩展性。 XMOS结合自己在音频处理领域内丰富的经验，并采用其集边缘AI、控制、DSP和灵活IP于一体的XCORE处理器，为专业音频设备制造商提供了一种符合AES67标准的音频开发板。同时，该音频板上集成的放大器可以提供高达30W的功率，可以实现强大的音频回放；集成的麦克风可以拾音或感知其他音频事件。该方案支持以太网（PoE）供电，仅使用一根电缆就实现信号和电能的传输和设备运行；且用于回声消除、定向捕获和声量增强的音频算法符合AES67音频协议栈标准。图：XMOS的AES67解决方案系统架构原理图 XMOS解决方案的优势 • 该开发板包括了AES67协议栈和AFEnext音频算法的授权。 • 提供原理图、BOM清单、Gerbers、库、应用笔记、参考应用程序，同时以开源方式提供特定的XTC工具。 • 每个开发板构成一个端点，从而创建一个完整的、仅用两片开发板的端到端解决方案。 • XMOS的架构允许对所有的GPIO进行灵活的配置，包括处理核心分配以及快速和确定的访问引脚和路由。网络协议（包括软件定义的MAC）、实时音频处理和uC功能都在同一个通用芯片上实现。 • 已将多个器件集成到一个XCORE处理器中，从而可以实现快速开发。相比其它解决方案，降低了复杂性、成本和功耗。 “XMOS的XCORE是一类全新的、易用的高性能微控制器，具有多个处理器内核、令人难以置信的灵活的I/O、以及独特的时频确定性。通过使用XCORE，您可以轻松设计新的嵌入式电子系统和边缘AI方案。”XMOS亚太区市场和销售负责人牟涛说道。“除了支持符合AES67标准的以太网音频，XMOS多样化的智能音频技术和方案目前已经被广泛应用于消费电子、智能家居、智能汽车和办公应用，不仅为各种终端和系统提供了高质量的音频，而且作为无所不在的人机接口和新兴生产力工具帮助这些应用连入各种网络和云生态。” 如希望了解XMOS全球领先的智能音频解决方案、软件定义SoC、边缘AI应用及其在其他垂直行业的应用，或希望与我们合作共同开发面向全球的创新性产品，交流诸如AES67标准以太网音频等产品导入计划，请发邮件到：ThomasMu@xmos.com 与XMOS面对面交流第23届广州国际专业灯光、音响展览会（以下简称“广州展”）将于5月27 – 30日在中国进出口商品交易会展馆A、B、D区盛大启幕。XMOS作为全球领先的数字音频及多媒体AI处理芯片及解决方案提供商，将携其分销商晓龙国际、威健实业和瑞致科技，以及增值分销及设计公司飞腾云和其它方案公司共同参加本届广州展，届时将展出先进音频接口、AI降噪及空间音频、DSP音效、Hi-Fi解码器参考设计和麦克风阵列参考设计等技术和方案。欢迎莅临XMOS展位：5.2A66。

智能音频

XMOS . 2025-05-22 995
产品 | 思特威推出4MP智能安防应用图像传感器升级新品SC4336H

2025年5月22日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出4MP智能安防应用图像传感器——SC4336H。作为思特威基于DSI™-3工艺技术打造的首款产品，SC4336H采用1/3"靶面尺寸设计，搭载了SFCPixel®等思特威专利技术，拥有高感度、高色彩还原度、低噪声、低功耗等性能优势，凭借出色稳定的高质感成像，充分满足智能安防应用的性能升级需求。近红外感度跃升，成就出色暗光影像在安防监控低照度场景的实际应用中，以室内监控为例，采用940nm红外补光的应用方案无红曝现象，对室内人员休息干扰较小，其市场需求显著增长。这一趋势对图像传感器的近红外感度性能提出了更高要求。 SC4336H基于思特威全新DSI™-3工艺技术打造，通过优化硅片外延以及前道工艺，实现了近红外感度的大幅提升，帮助摄像头在红外灯下获得高质量的暗光成像效果。在850nm波段，SC4336H的峰值量子效率(peak QE)较前代产品显著提升约21%，能够在夜间等低照度场景为摄像头捕捉到细节清晰的画面信息。在940nm波段，SC4336H的峰值量子效率(peak QE)较前代产品提升约15%，可在极暗或无光的环境中输出清晰明亮的优质影像，满足夜晚红外补光监控的使用需求，保障监控画面的清晰度与输出画质的稳定性。高感光高色彩还原度，打造清晰生动图像作为一款面向智能安防应用的性能升级产品，SC4336H依托思特威先进的DSI™-3工艺技术、Microlens及色彩优化工艺，实现了可见光感度、色彩还原度等性能的优化，能够为安防摄像头带来高清细腻、艳丽生动的画面质感。可见光感度增强基于DSI™-3工艺技术，SC4336H在可见光波段拥有优异的感光性能，520nm波段下的峰值量子效率(peak QE)优于同规格FSI工艺图像传感器，能够实现媲美同规格BSI工艺图像传感器的成像效果，帮助摄像头获得更加真实清晰的高品质影像。高色彩还原度当周围环境光线不足时，图像传感器的色彩捕捉质量会受到影响，容易导致色彩偏移失真。SC4336H搭载了思特威先进的Microlens及色彩优化工艺，能够精确捕捉并还原各种色彩的细微差别，避免出现偏色、画面过暗等情况，呈现出明亮逼真、艳丽生动的图像色彩。精准噪声抑制，兼顾功耗显著优化 SC4336H搭载思特威专利的SFCPixel®技术与超低噪声外围读取电路技术，噪声抑制性能突出。与行业同规格产品相比，其读取噪声(RN)大幅降低约53%，固定噪声(FPN)降低约72%，可显著减少画面中的噪点，即使在暗光场景下也能为摄像头捕获到更清晰干净、细腻丰富的影像画面，有效提升安防监控的图像捕捉能力。得益于内部电路模块的精准化控制设计，SC4336H实现了功耗的显著优化。在30fps工作帧率下，SC4336H的功耗低至120mW左右(低功耗模式)，能够有效减少摄像头因长时间运行造成的发热情况，满足安防终端应用的全天候视频录制需求。此外，SC4336H还可与前代产品Pin2Pin兼容(CSP 35pin)，能够在已有硬件设计的基础上实现无缝替换，帮助客户加速摄像头产品的迭代升级。作为思特威智能安防应用H系列的首款产品，SC4336H在继承前代系列产品性能优势的基础上实现了进一步优化，在感度、色彩还原度等方面表现出色，能充分满足室内云台摄像头、户外监控摄像头等智能安防应用的性能升级需求。未来，思特威将依托DSI™-3工艺技术，推出更多分辨率规格、更高性能的图像传感器产品，助力多元终端应用的全面升级，推动安防行业的智能化再进阶。目前，SC4336H已接受送样，将于2025年Q3实现量产。

CMOS图像传感器

思特威 . 2025-05-22 1 1000
报告 | 2025年4月元器件供应链监测报告——芯查查指数1+7分析

本篇报告运用芯查查指数分析半导体市场整体行情，包括传感器、存储器、分立器件、光电器件、逻辑电路、模拟电路、微处理器7大类元器件的细分指数分析和2025年4月的价格&交期概览。点击此处跳转报告原文链接（登录后才可跳转到报告页哦~）结论先行 4月份芯查查指数为76.14，位于基准100（100以上说明比2022年行情好，100以下说明不如2022年行情）点以下，市场需求意愿较低迷，本月元器件市场整体平均价格有所下降，供货交期缩短 ;去库存完成后量开始缓慢回升，整个半导体行业较去年同期指数下降，主要原因为成熟制程的分立器件、模拟器件产能充足，价格持续下降所致。部分品类出现高景气局面，存储类的HBM、DDR5、闪存和智能AI芯片。但由于半导体行业整体产能相对充裕，交期缩短，厂商这间通过低价格抢占市场竞争激烈，因此整个行业仍呈现出低景气度状态。

芯查查指数

芯查查资讯 . 2025-05-22 3 1 1695
市场 | 2025年一季度中国PC工作站市场中小企业需求攀升，连续两季度增长超30%

2025年第一季度，中国PC工作站市场迎来关键转折点。根据IDC最新发布的数据显示，2025年第一季度中国整体PC工作站市场同比增长1.2%，结束了连续下滑的趋势。其中，中小企业市场表现尤为亮眼，同比增长达到74.1%连续两个季度涨幅超30%。大客户市场由于采购周期的延长导致，表现相对低迷，同比增长负24.2% 同时，在工业制造、高科技电子、专业服务业和高校为主的行业对于PC工作站的需求进一步提升。IDC预计，中国PC工作站市场出货量2025-2029年复合增长率将达到14.2%。中小企业市场年增长率连续两季度超30% 随着数字化转型加速，中小企业对高性能计算的需求显著提升。以设计、影视编辑、数据分析等为主的中小企业，因业务场景对实时渲染、AI推理和复杂建模的依赖增强，也将对高性能生产力工具产生更强的需求。IDC数据显示，2025年第一季度中国PC工作站中小企业市场同比增长74.1%，连续两个季度同比增长超30%。软件信息、专业服务以及工业制造引领PC工作站行业出货量增长 IDC《中国PC市场分行业出货跟踪报告》显示，2025年第一季度中小企业市场中28.7%的PC工作站出货集中在软件及信息服务，同比增长130.0%，成为中小企业PC工作站出货占比最高的行业。AI大模型技术的发展及中小型互联网企业数量的增加成为其增长的主要驱动力。在大型企业市场中，在区域政策推动下，制造业中高端研发需求使得工业及其他制造由2024年第一季度的7.1%提升至 2025年第一季度的 10.5%。另外，随着大模型以及芯片半导体需求的增加，2025年预计软件信息服务和高科技电子行业PC工作站的出货预计将出现明显增长。市场格局 2025年第一季度，中国PC工作站市场联想仍以39.1%占据第一的地位；戴尔位居第二，份额同比下降；惠普位居第三，份额同比有所提升。

PC工作站

IDC咨询 . 2025-05-22 1 1100
市场 | 人形机器人马拉松背后的思考，兆易创新如何赋能机器人产业

机器人在成为“人”的道路上又跨出了新一步尝试。4月19日，北京亦庄的一场特殊竞技成为舆论关注的焦点，二十几支人形机器人队伍在马拉松的赛场上展开竞技。这场戏剧化的演出引发了大家对人形机器人相关问题的进一步思考。近日，第三十三届中国国际电子生产设备暨微电子工业展（NEPCON China）在上海举办，兆易创新携多款产品亮相。在展会期间的人形机器人制造技术沙龙上，兆易创新MCU事业部产品市场总监李懿发表了《从一场马拉松来看当前人形机器人的痛点及未来发展》的演讲。 ▲ 兆易创新MCU事业部产品市场总监李懿一个机器人有20个左右的自由度和关节，每个关节都有其特定的负载要求。在完成一个动作时，各关节之间需要精准协调，如果协调不当，例如手关节快，而腿关节慢，就容易导致摔跤。对此，李懿重点强调了两个点：一是每个关节单独硬件设计要过硬，二是每个关节之间需要形成一个闭环实时网络系统以实现高效通信，该网络系统通常采用EtherCAT®标准。他提到：“兆易创新GD32G553系列高性能MCU，采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达216MHz，比较适合控制一些大的关节。对于需要更加精密运动控制的精细关节，其对算法实时性要求更高，采用Arm® Cortex®-M7内核、主频600MHz的GD32H7系列MCU会更加合适。有的客户一个机器人整体算下来会用到20多个M7内核的MCU，再加上10多个M33内核的MCU去做不同的关节任务，这些关节之间通过内置的总线进行通信，以保障每个关节之间的运动同步和数据同步。该系统的抖动可控制在纳秒级，同步周期约125微秒，甚至更短。” GD32 MCU 产品家族 ▲ GD32 MCU产品布局尽管当前机器人的速度只有10公里/h，但李懿认为5-10年后其速度将超越普通运动员甚至顶尖选手。而这种性能的提升伴随着重大安全隐患——频繁故障可能导致严重后果，这与自动驾驶汽车面临的安全挑战高度相似。对此，他呼吁：“机器人设计必须像智能驾驶汽车一样，对整个产品功能安全有全局性的考量。既要系统性地规划整体电子电器架构，又要对每个零部件有一定的功能安全要求。只有构建这样的全链条安全保障，才能最终实现安全可靠的商业化应用。” IEC61508/ISO10218 功能安全交付包 ▲ 功能安全交付包除了功能安全以外，李懿还强调了信息安全，这个容易让人忽视的问题。每个机器人厂家都不希望自己的商业机密被友商破解，要解决这个问题，既需要行业标准的健全，法律法规的完善，同时，也需要产业链上下游软硬件协同配合，以此杜绝安全隐患。值得一提的是，在功能安全及信息安全方面，兆易创新都针对性地制定了解决方案以保证客户的芯片安全。完善的信息安全交付包 ▲ 信息安全交付包演讲最后，李懿对兆易创新的MCU生态系统进行了简单介绍，罗列了该公司现有的生态工具。作为深耕机器人行业多年的企业，兆易创新拥有127家全球泛机器人客户，能够在各个环节给予开发者足够的支持，帮助客户完成设计，助力国产机器人行业创新！总之，兆易创新的芯片产品长期深耕机器人领域，凭借深厚的技术积淀和成熟的解决方案，已成功赋能多家头部具身智能企业。公司通过覆盖MCU、传感器、存储等全栈产品矩阵，为人形机器人提供从感知、决策到执行的全链条芯片级支持。

兆易创新

兆易创新GigaDevice . 2025-05-22 1020
报名 | 人工智能赋能研修班

人工智能已经成为国家战略科技力量的重要组成部分，技术人员与科研人员需要全面了解人工智能的核心技术，比如机器学习、深度学习、强化学习等，以及DeepSeek核心技术优势；管理层作为企业的决策者和领导者，需要具备人工智能的战略视野和应用能力，以应对技术变革带来的机遇与挑战。本次培训由罗铁坚教授领衔，联合产业界资深专家，融合20年科研教学经验与一线实战案例，直击AI核心通点！此次研修班主要有两大课程，分别是针对企业管理层的“人工智能赋能管理层高级研修班”和针对技术及科研人员的“人工智能技术及科研人员研修班”。其中，针对管理层的课程亮点如下：一、聚焦战略认知、技术趋势与组织重塑的深度融合；二、面向管理决策者，讲授AI的实际价值与落地方法；三、强化“大模型+应用场景+组织能力”联动思维；四、通过DeepSeek等案例启发管理者构建数字化转型蓝图。时间：5月26日 14：00~17：30； 5月27日 9：00~12：30 地点：深圳市南山区招商前海经贸中心一期A座20层主讲导师：罗铁坚教授，中国科学院大学计算机科学与技术学院教授/博士生导师、中国科学院软件研究所智能软件研究中心总工程师/研究员（兼）、《工程研究》杂志副主编。研究领域包括机器智能、数据科学、系统安全、软件工程等。 2003 年指导研发千万行代码的中科院教育云应用至今，主持完成过 20 多项国家级和企业项目，发表了 100 多篇学术论文和英文专著一部，拥有 30 多项软件著作权和发明专利。部分论文发表在 IEEE Transactions on Image Processing、Cybernetics、Pattern Recognition、 ECCV、 ACM MM、 AAAI、IJCAI 等期刊和顶会上。获国产银行系统“九五”攻关项目一等奖。获人工智能学会的全国大学生智能设计竞赛优秀指导教师奖、中国科学院朱李月华优秀教师奖。

人工智能

芯查查资讯 . 2025-05-22 1 6 2080