芯查查-电子信息产业数据引擎

8 9 10 11 12 13 14 15 16 17

产品 | 超低功耗、超小尺寸Buck-Boost芯片AWP37701Z系列强势来袭

在智能穿戴设备与便携工具飞速发展的今天，续航能力已成为用户体验的核心痛点。越来越多的功能模块增加，以及高昂的整体功耗是否仍在限制您的产品设计？频繁充电是否降低了终端设备的实用价值？中国数模龙头艾为电子带来了突破性解决方案——全新一代超低功耗、超小尺寸Buck-Boost芯片正式发布！它不仅重新定义了电源管理效率，更以极致的能耗控制与稳定输出，为穿戴设备、便携工具及各类智能终端提供持久、可靠的能量支持。无论设备处于待机、轻载还是高负载运行状态，皆能以超低功耗维持高效运转，彻底释放产品的续航潜力。产品优势 1.超低的静态电流，卓越的全范围效率：开启高效能源利用新时代在便携式电子产品持续追求更长续航与更小体积的今天，每一焦耳的能量都至关重要。艾为专为低功耗领域研发的电源管理芯片，以超低静态电流和卓越的效率，为空间与功耗敏感型设备带来前所未有的能效表现。图1：Input Current VS Input Voltage 图2：Efficiency vs Output Current 2. 优异的动态响应特性：保障PPG精准测量的关键在智能手表中，基于光电容积脉搏波（PPG）原理的血氧与心率监测功能，在血液吸收绿光反射红光的基础上，通过LED发射光线至皮肤，并由光电二极管接收反射光信号，进而解析出相关生理参数。该过程要求LED低频闪烁，而每次点亮均会引起电流瞬时陡增，易导致电源电压跌落并引入噪声，直接影响信号采集质量。若电源响应迟缓，则需延长LED点亮时间以稳定信号，造成功耗上升，制约设备续航。因此，供电回路的瞬态响应速度和稳定一致性成为影响PPG性能的关键。艾为电子推出的AWP37701Z电源管理芯片，凭借优异的动态响应能力，可在负载突变后10μs内快速稳定输出电压，有效抑制电压波动与噪声，显著提升PPG信号采集的准确性与可靠性。该芯片为穿戴设备实现高精度、低功耗的血氧与心率监测提供了坚实的电源支撑。图3：Load Transient 3. 无缝平滑模式切换：穿戴供电稳定性新标杆针对电池供电产品的供电系统对稳定性的严苛需求，我们全新推出的Buck-Boost芯片以其卓越的架构设计，实现了Buck、Boost和Buck-Boost三种工作模式间的无缝平滑切换。该芯片彻底解决了传统电源方案在模式转换过程中可能出现的电压阶跃和振荡问题，确保在整个输入电压范围内持续为系统提供纯净、稳定的供电输出。凭借优异的模式切换性能，这款芯片可广泛应用于各类电池供电的电子产品中，为后级电路提供高效可靠的电源支持，尤其适合在输入电压大幅波动环境下要求供电绝对稳定的场景，助力产品实现更优的系统性能。 AWP37701Z产品介绍输入电压范围：2.2V ~ 5.5V 输出电压范围：2.025V ~ 5.2V 超低静态电流：2.8μA 超低关断电流：0.3μA 支持动态电压调节控制(斜率:1V/ms, 2.5V/ms, 5V/ms,10V/ms) 自动选择 PFM 模式和强制 PWM 模式高达 1MHz 的 I2C 接口（I2C 支持 1.2V I/O 电平）最大连续输出电流：VIN ≥ 2.2V, VOUT = 3.5V 时，IOUT最高可达 0.8AVIN ≥ 2.5V, VOUT = 3.5V 时，IOUT最高可达 1AVIN ≥ 3.3V, VOUT = 3.5V 时，IOUT最高可达 1.5A 封装：WLCSP 1.3mmX1.3mm-9B 图4：AWP37701Z封装信息图5： AWP37701Z典型应用图应用场景可广泛应用于可穿戴设备、无线耳机充电仓、智能手机、温湿度计、光学心率监测LED偏压供电、锂电池或两节干电池供电产品等对使用功耗、负载跳变和尺寸有较高要求的产品。图6：应用场景产品选型表 Buckboost 表1： Buckboost产品选型表 Buck 表2： Buck产品选型表 Boost 表3： Boost产品选型表

电源管理

艾为官网 . 2025-10-13 600
企业 | 荷兰强制收回闻泰对安世半导体控制权

10月12日，闻泰科技公告，荷兰政府要求闻泰科技的控股子公司安世不得对资产、知识产权等进行调整，为期一年。与此同时，安世的首席法务官、首席财务官等外籍高管向法院提交请求，要求启动调查。荷兰企业法庭已经暂停了闻泰科技委派的安世半导体CEO履行相关职务。 10月12日晚，闻泰科技发表声明称，荷兰政府以莫须有的“国家安全”为由，对安世半导体实施全球运营冻结，是基于地缘政治偏见的过度干预，而非基于事实的风险评估。此举严重违背了欧盟一贯倡导的市场经济、公平竞争和国际经贸规则。安世半导体个别外籍管理层试图通过法律程序强行改变安世半导体股权结构，其诉求与荷兰政府指令高度联动，本质是借政治压力剥夺股东权利、颠覆公司合法治理结构。公司对此类以“合规”为名、行夺权之实的行为予以谴责。荷兰经济事务部的指令，其核心理由是“保障供应链安全”。但闻泰方面认为，该指令的范围之广、限制之严，已远超常规风险管控，是对一家正常经营的企业实施了严重不合理的外部接管。 2024年12月，闻泰科技被美国商务部列入实体清单。在荷兰方面采取近期这些措施之前，美国收紧了“实体清单”。美东时间2025年9月29日，美商务部发布出口管制穿透性规则，对被列入美“实体清单”等的企业持股超过50%的子公司追加同等出口管制制裁。中国商务部新闻发言人表示，相关规则是美方泛化国家安全、滥用出口管制的又一典型例证。美方此举性质极其恶劣，严重损害受波及企业的正当合法权益，严重冲击国际经贸秩序，严重破坏全球产业链供应链的安全稳定，中方对此坚决反对。中方敦促美方立即纠正错误做法，停止对中国企业的无理打压。中方将采取必要措施，坚决维护中国企业的合法权益。 10月13日（周一），闻泰发布关于重大资产出售的进展公告。闻泰科技（证券代码：600745，转债代码：110081，转债简称：闻泰转债）发布《关于重大资产出售的进展公告》（公告编号：临 2025-147）。公告显示，闻泰科技拟以现金交易方式，向立讯精密、立讯通讯（上海）转让下属标的资产，具体包括昆明闻讯、黄石智通、昆明智通、深圳闻泰、香港闻泰（含印尼闻泰）的 100% 股权，以及无锡闻泰、无锡闻讯、印度闻泰的业务资产包。此前，该交易于 3 月 20 日经闻泰科技第十二届董事会第六次会议、第十二届监事会第三次会议审议通过，5 月 16 日经第十二届董事会第十一次会议、第十二届监事会第五次会议审议通过相关报告书草案，6 月 9 日经 2025 年第二次临时股东大会审议通过，7 月至 9 月间亦多次披露进展。截至公告日，昆明智通、深圳闻泰、黄石智通、昆明闻讯已完成交割；香港闻泰、印尼闻泰于 9 月 16 日完成股权实质性交割，不再纳入闻泰科技合并财务报表，后续程序待办；无锡闻泰、无锡闻讯业务资产包已交割；印度闻泰业务资产包资产已转移，部分权属变更手续未完结。闻泰科技表示将持续履行信息披露义务，提醒投资者谨慎决策、注意风险。

安世

芯查查资讯 . 2025-10-13 8398
安世控制权变局，闻泰跨国并购错了吗？

10月12日，闻泰科技公告，荷兰政府要求闻泰科技的控股子公司安世不得对资产、知识产权等进行调整，为期一年。与此同时，安世的首席法务官、首席财务官等外籍高管向法院提交请求，要求启动调查。荷兰企业法庭已经暂停了闻泰科技委派的安世半导体CEO履行相关职务。闻泰科技近年遭遇系列战略挫折，从印度投资失利到核心资产控制权旁落，公司正经历前所未有的转型阵痛。印度智能制造产业园项目终止 2023年12月28日，闻泰科技发布公告终止印度智能制造产业园项目，为其国际化布局画上句号。该项目于2021年6月启动，原计划投资11亿元建设年产1500万台智能手机的生产基地，用地面积达500亩。但受2022年8月印度政府《外国直接投资审查令》修订影响，进口设备关税从10%升至25%，本土采购比例要求提高至40%，导致项目建设周期延误18个月。截至终止时，公司累计投入1.16亿元，剩余1.85亿元募集资金全部用于补充流动资金。公告显示，项目终止主要因"投资回报率降至3.2%，不符合战略发展预期"。 ODM业务出售给立讯精密 2025年闻泰科技分阶段向立讯精密出售消费电子ODM业务，总交易对价43.89亿元。 1月23日，立讯精密子公司立讯通讯以6.16亿元收购嘉兴永瑞、上海闻泰信息等3家子公司。 3月20日，剩余37.73亿元交易完成，涉及昆明闻讯、黄石智通等6家公司及印度闻泰资产包。此次交易包含32条SMT生产线、47条组装线和1890台测试设备，涵盖荣耀、小米、联想等核心客户资源。 7月15日全部交割完成后，闻泰科技彻底退出运营多年的ODM领域，此举旨在剥离持续亏损业务——该板块2024年净亏损12亿元，毛利率仅2.73%。光学镜头厂商欧亚菲收购亏损闻泰科技以24.2亿元收购欧菲光子公司广州得尔塔影像技术100%股权及江西晶润光学设备，正式切入苹果光学模组供应链。交易包含127台生产设备、31项专利及230名技术人员，原股东承诺2021-2023年苹果订单不低于30亿元。但实际运营中，该业务连续三年亏损，2021-2023年累计净亏损13.89亿元（2021年3.35亿、2022年3.35亿、2023年7.19亿）。2023年11月27日，因苹果订单未续约，公司决定停止生产相关产品，当年计提资产减值2.95亿元、资产处置损失2.26亿元。2024年2月，相关生产设备通过拍卖变现1.2亿元。安世半导体控制权变动即本次事件。2025年9月30日，荷兰经济事务部以"国家安全"为由下达资产冻结令（编号J2025/930-001），限制安世半导体全球30个主体的资产处置。10月1日，安世半导体CFO Stefan Tilger向鹿特丹企业法庭申请临时措施，10月7日法庭作出裁决（案件编号2025/1007），暂停闻泰科技董事长张学政在安世的执行董事职务，任命Jan Willem Kerkhoff为临时董事并托管裕成控股持有的99股股份。作为全球第三大功率分立器件厂商，安世半导体2024年为闻泰贡献147.15亿元营收和22.97亿元净利润，占公司净利润超90%。目前闻泰科技暂时失去控制权，但仍保留经济收益权，2025年第三季度已确认投资收益减少4.7亿元。芯查查曾为安世半导体撰写一篇发展史文章，呈现了闻泰科技收购安世半导体的雄心与胆量。作为中国半导体产业国际化的标杆案例，闻泰科技收购安世半导体的历程始终与国家科技自立自强战略同频共振。2016年，中国资本首次将国际一流半导体IDM企业纳入麾下，填补了我国在高端功率器件领域的技术空白，为汽车电子、工业控制等关键产业链自主化提供了核心支撑。安世半导体12,500名员工、15,000余种产品的全球化布局，不仅是闻泰科技从消费电子向半导体转型的战略支点，更是中国企业突破技术封锁、参与全球高端制造竞争的重要实践。闻泰科技收购安世半导体的战略抉择，绝非失误，而是中国半导体产业突破技术壁垒和资本壁垒的勇敢尝试。荷兰政府对安世股权的托管，恰恰折射出全球产业链重构中，中国企业面临的新型挑战。这不是要不要全球化的问题，而是如何在复杂国际形势下，将技术并购转化为自主创新能力，进而构建更具韧性的全球产业链供应链。面对这一时代命题，中国半导体企业正在探索突围路径：既要通过跨国并购获取先进技术与市场资源，更要强化本土研发体系，将"外来技术"转化为"内生能力"。闻泰科技在保留安世经济收益权的同时，加速推进功率器件、车规芯片的国产化替代，正是这一思路的实践——将全球化资源转化为自主可控的产业优势，才是应对挑战的根本之道。从安世半导体的案例中，我们也应看到：复杂的国际形势下，跨国并购是技术追赶的加速器，但绝非捷径。跨国并购本质是技术话语权的博弈。中国跨国企业对国际政治风险的评估、核心技术掌握和技术转后问题的应对与处理，与国际上成熟的跨国企业存在一定差距。现旧文重发，供各位读者参考。 Nexperia，中文名为“安世半导体”，总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的IDM半导体公司，每年出货量超过1000亿件产品。目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工，2024年年收入为20.6亿美元。作为分立器件和功率器件的龙头，Nexperia的器件类型丰富，其主要产品线双极晶体管、二极管、ESD保护器件、TVS、信号调节、MOSFET、GaN FET、IGBT等，拥有超15000种产品，这些器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域。 Nexperia的亚洲分销商有中电港、艾睿、安富利、文晔、贸泽等。安世半导体的发展史，堪称一部全球半导体产业格局变迁的缩影——从欧洲工业的技术皇冠，到中国资本主导的国际IDM巨头，其历程交织着技术传承、资本博弈与战略转型。下面请跟随芯查查一起一探究竟吧。起源：飞利浦物理实验室Natlab 故事要从1952年说起。美国贝尔实验在一场晶体管技术研讨会上，同与会的25家美国公司、10家外国公司分享了晶体管技术，并对愿意拿到全部技术细节的公司收取专利授权费25000美元。付费公司中，有一家来自欧洲工业巨头的实验室团队——飞利浦物理实验室（Natlab）。随后，在上世纪50年代中期，飞利浦在荷兰奈梅亨建立晶圆厂，开启制造历程。 Natlab是飞利浦专门进行物理、化学领域基础研究的实验室。一开始，实验室工作集中在改进白炽灯技术上，但之后研究领域不断拓展。节能灯泡、便携式X光机等等，推动飞利浦的产品走向大街小巷，电动剃须刀、吸尘器、咖啡机、电熨斗等。 1965年，飞利浦实验室研发的首个集成电路采用平面光刻工艺，在1.2mm²硅片上集成24个晶体管，功耗较分立元件降低90%。该技术最初应用于军方通信设备，1968年衍生出首款商用TTL逻辑芯片系列HEF4000，被法国电信用于数字交换机升级。 1970年代，Natlab收购Signetics，后者是当时硅谷最大的逻辑器件制造商，建成欧洲首条4英寸晶圆产线，月产能达1.2万。Signetics发明了555计时器芯片的公司，后来成为全球逻辑器件龙头。Signetics的加入，为飞利浦注入了“标准器件”的基因，这正是安世半导体的前身。在50年代到70年代之间，Natlab产出127项有关半导体和消费电子的专利，如晶体管、局部氧化硅、氧化铅光导摄像管等，支撑飞利浦领跑世界影音业务，录像机、盒式磁带、CD播放机都是飞利浦率先推出。1972年，飞利浦创立了当时全球最大的唱片公司宝丽金（Polygram），邓丽君、谭咏麟、张国荣、Beyond、王菲等都曾是其旗下签约艺人。同期，在集成电路制造领域，Natlab研发出一款名为“硅重复器”（Silicon Repeater）。这种类型的机器后来被称为“步进机”（Stepper）。该设备用于光学系统将图像反复投射到晶圆上，俗称光刻。当时飞利浦的光刻技术、精度远高于对手，但是在市场一直翻不起水花，存在感几乎为零。最终，飞利浦于 1982 年开始实施一项非核心业务剥离计划，步进机是其中之一，与荷兰的ASML合作运营这项业务。由于上世纪80年代开始，消费电子狂潮掀起，飞利浦的一心扑在消费产品上，对硬件创新的投入逐渐减少。1988年，ASML逐渐从飞利浦中剥离，开始以独立的市场主体运作，向全球客户提供光刻设备。而在20世纪初，飞利浦决定进行全面的业务转型，将重心从半导体和电子硬件领域转向医疗保健、消费品和照明等高增长行业。收缩：放弃半导体业务，拆分成NXP 一直到20世纪90年代，飞利浦对于半导体业务发展持乐观态度。依托于消费电子的全球出货，半导体的出货量也水涨船高。1999年，飞利浦以 10 亿美元收购了 VLSI Technology，其为无线通信、网络、消费数字娱乐和高级计算市场制造定制和半定制芯片。在这一年的报告中，飞利浦提及：“首先，半导体市场的近期前景十分光明。其次，我们处于有利地位，可以从快速增长的无线通信市场中获益。第三，VLSI 迅速并入飞利浦所带来的好处将在 2000 年充分显现。” 进入新世纪，飞利浦的半导体业继续高歌猛进，销售额增长了55%，还在美国扩建了MiCRUS Semiconductor 8 英寸晶圆厂。飞利浦已成为车载娱乐、信息系统和车载网络系统的头部供应商。夕阳无限好，只是近黄昏。半导体业务在2001年急转直下。互联网泡沫的破灭给飞利浦带来10亿欧元巨亏，移动电信和所有与 IT 相关的业务都受到了严重影响，美国的 9/11 袭击事件进一步加剧了衰退，半导体业务部门的收入下降了 25%。 2002年，衰退还在持续，飞利浦不得不通过关闭自有代工厂和外部合建代工厂来弥补不断萎靡的半导体业务。除此之外，老牌业务消费电子王座易攻难守，面对来自西门子、三星、东芝、松下、索尼的围猎，毛利率逐年降低。2000年时，飞利浦产品线涵盖200多个品类，但仅医疗设备业务毛利率超过30%。 2004 年，在半导体业务连年亏损之后，飞利浦公司大幅调整战略重点，决定成为一家以市场为导向的医疗保健、生活方式和技术公司。 2006 年 9 月 29 日，Kohlberg Kravis Roberts（KKR），贝恩资本，Silver Lake Partners，Apax Partners和AlpInvest Partners。售价为 79.13 亿欧元（根据 2006 年 12 月 30 日的汇率约为 104.45 亿美元），同时，飞利浦以 8.54 亿欧元的价格收购了新资本重组实体的 19.9% 优先股。这家新资本重组实体，即NXP。聚焦：NXP出售标准产品事业部，安世诞生剥离出来的NXP，脱离了飞利浦繁重冗余的管理制度，在汽车电子、RF、安全芯片领域不断加快扩张速度，一跃成为头部供应商。 2015年，NXP迎来了独立之后最为重大的一次转折。 3月，NXP宣布与竞争对手飞思卡尔半导体达成合并协议。根据2015年6月NXP披露的发行股份进行兼并说明书，以2015年5月29日NXP和飞思卡尔分别在纳斯达克和纽交所的收盘价112.25美元和45.12美元为双方价值依据，NXP对飞思卡尔进行现金+股份收购，收购完成后飞思卡尔将被NXP100%控制，并停止在纽交所上市。新的NXP总市值将超过400亿美元，超过瑞萨电子成为全球最大的汽车半导体厂商，欧洲第一大半导体厂商。同时，在MCU、智能安全认证、工控、模拟芯片等领域实力大增。 2016年，NXP为聚焦高利润车用芯片，将“增长乏力、毛利偏低”的标准产品事业部挂牌出售。该部门拥有11,000名员工、5座工厂及超13,000种产品，年出货量达850亿颗，但毛利率不足30%，显著低于公司主业。几经辗转，最终这个部门成为闻泰科技旗下的安世半导体。并购：闻泰科技蛇吞象 2016年6月14日，在比利时布鲁塞尔，NXP总部会议室里，中国建广资产管理公司谈判代表将最终报价推到桌上：27.5亿美元——这是当时中国最大的半导体海外并购案，也是中国资本第一次买到国际一流公司的核心技术及其优质资产，填补了我国在该领域高端芯片及器件的技术空白。收购内容包括： 5座工厂：英国曼彻斯特的6英寸MOSFET晶圆厂、德国汉堡的“全球最大小信号器件产线”、以及分布中马菲的封测基地。超13,000种产品型号，从二极管到车规级MOSFET 2万家客户名单，包括苹果、博世、大众。 “我们买下的不仅是设备，更是半个世纪的汽车电子Know-how。”建广团队在交割后感叹道。安世半导体专注于分立器件、逻辑器件及MOSFET生产和销售，应用领域包括汽车电子、工业控制、电信通讯、消费电子等。NXP的标准产品客户数量超过2万家。从细分市场的全球排名看，安世二极管和晶体管排名第一、逻辑器件排名第二、仅次于TI；ESD保护器件排名第二；小信号MOSFET排名第二、汽车功率MOSFET排名第二，仅次于英飞凌。 2018年，闻泰市值为194亿元，安世估值347亿元，闻泰是如何介入安世的收购呢？实际上，闻泰的蛇吞象战略并非一蹴而就，整个收购过程从2018年持续到2020年，分2个阶段完成。第一阶段：首次控股，逐渐掌握控制权 2018年5月，闻泰科技通过全资子公司上海中闻、云南省城投、鹏欣智澎、格力、西藏风格及西藏富恒的出资款28.83亿及借款28.83亿，向合肥广芯支付了第一笔转让价款57.18亿元。其中，格力电器以30亿元重金入股，助力闻泰完成对安世半导体的收购，当时持股比例高达12.33% 2019年2月，第二笔转价款57.175亿元的交付到账，闻泰科技对于合肥广芯所持有的约49.4亿元人民币的安世半导体财产份额已收购完成。另外，建广资产、合肥建广、智路资本作为全部境内、境外基金的GP所拥有的全部安世半导体财产份额（北京广汇、合肥广坤、合肥广韬、宁波益穆盛、宁波广宜不参与本次交易的5支境内基金之GP 财产份额暂不交割）和相关权益作价为32.111亿元。而为收购GP所拥有的全部安世半导体财产份额，2018年10月25日，闻泰科技已通过控股的小魅科技，支付了第一笔转价款3.2111亿元。2019年1月2日，小魅科技又向GP转让方支付了第二笔转价款6.4222亿元。此次，小魅科技再次向GP转让方支付了第三笔转让价款共计3.211亿元，已经完成了近一半转价款的支付。 2019年12月，以268亿元总对价完成79.98%股权交割，张学政出任安世董事长，但保留原CEO Frans Scheper的管理团队。图片来源：新财富第二阶段：政策一路绿灯，助力全资运作 2020年6月10日，证监会并购重组审核委员会召开2020年第25次工作会议，闻泰科技收购安世半导体（Nexperia）剩余股权事宜获得无条件通过。此次闻泰科技拟通过发行股份及支付现金方式分别收购合肥裕芯的4名股东之上层出资人的有关权益份额，交易对价63.34亿元。合肥裕芯为持有安世集团股份设立的特殊目的公司，安世半导体是安世集团的全资子公司。本次交易前，闻泰科技已合计持有合肥裕芯74.46%的权益比例，并间接持有安世集团74.46%的控制权。本次交易完成后，闻泰科技将合计持有合肥裕芯98.23%的权益比例，并间接持有安世集团98.23%的权益比例。从6月1日受理，6月3日收到受理通知书，到6月10日获得无条件通过，闻泰科技此次收购和中芯国际闪电过会一样，受到监管部门的高度重视和快速审批。同年9月4日，闻泰宣布公司中标合肥广坤半导体产业投资中心有限合伙份额转让项目，成交金额为3.66亿元。本次收购完成后，公司将持有安世集团100%股权。综上，闻泰通过云南城投、格力提供的资金背书，再加上并购贷款、配套募资等债务融资覆盖支付缺口，成功全资收购安世半导体。收购完成后，闻泰和安世共享客户资源，闻泰将华为、小米等终端客户导入安世供应链，推动其消费电子营收占比从42%升至60%，与此同时，安世半导体也可以利用闻泰科技的客户资源，开拓中国境内的消费电子产品业务，并利用其内资企业身份享受到中国汽车电子、工业与动力等多领域的国产替代红利。 2021年，闻泰科技对安世半导体位于英国曼彻斯特城的晶圆厂进行扩产，提升了安世半导体在晶圆制造方面的产能。同年，闻泰科技还对安世半导体位于马来西亚的封装厂进行扩产，提高安世半导体在封装测试环节的产能，进一步提升了安世半导体在全球半导体封装市场的份额。结语收购后的安世半导体年净利润稳定在23亿元以上。总体看来，业务呈现稳步上升的运营状态。图片来源：芯查查制表，数据源自安世报表闻泰对安世的收购，不仅是资本的跨境流动，更开创了“技术保留在海外，创新根植于中国” 的整合模式。如何让中国市场激活国际技术资产，或许是中国半导体厂商走向国际市场的一条实现路径。

安世

芯查查资讯 . 2025-10-13 4 1 7075
新品推荐 | 艾迈斯欧司朗推出高可靠性电容传感器AS8580

近日，艾迈斯欧司朗宣布推出高可靠性、高灵敏度电容式传感器产品AS8580，该传感器大幅提高了测量的灵敏度，从而可以实现非接触式的传感，比如接近、滑动等手势检测，同时保留了独特的I/Q正交解调的测量方式，避免了环境变化对测量结果的影响。因此，该传感器特别适用于汽车内外饰应用场景。 AS8580应用系统框架 AS8580集成了信号发射单元和接收单元。发射单元的驱动电路，对外部的负载施加了一个正弦波的电压信号，由于负载的电流响应，受阻抗中的电阻/电容分量的不同，产生了信号幅值和相位的变化。接收单元检测负载的电流响应，此电流响应被转换成电压的矢量信号，并通过正交解调的方法，将信号解调成电阻/电容相对应的分量值。12位的内置ADC电路用于信号的处理，并自动将测量数据数字化，输出的是代表负载中的电阻成份的I值和代表电容成份的Q值。图：AS8580应用系统框架图（来源：艾迈斯欧司朗）方案优势及主要特性 AS8580所采用的正交解调方式（I/Q正交），将阻抗矢量中处于90°正交的电阻分量和电容分量进行独立分离，正交解调的电容测量方式，可以有效解决因测量负载以及测量回路阻抗中的电容性分量和电阻性分量相互串扰问题。这样可以更容易判别人或人体接近或者接触的状态，降低误判的可能性。其主要的优势如下：首先，凭借1.9 fF/LSB的灵敏度，AS8580能精准实现触控与接近侦测，适用于从传统触控按钮到仪表盘、顶置控制台中的接近传感器等多种场景；二是稳定性，其低温漂移特性确保在温度变化下性能稳定；三是低功耗，其低功耗休眠模式的功耗低至20 µA，满足能效设计需求。四是安全性，AS8580已经通过了ISO 26262、ASIL B级（汽车安全完整性等级 B）以及AEC‑Q100  Grade  1车规认证，符合安全相关系统的集成要求，这对于传感器可靠性直接影响整车功能和用户体验的应用尤为关键；五是设计灵活，AS8580通过标准SPI接口实现便捷集成，且能够不依赖特定微控制器，灵活应用于多种平台。这一特性不仅简化系统设计，还支持可扩展架构。主要应用场景 AS8580电容传感器可用于门把手上车门开关的接近传感器，也可以用于后备箱车门的脚踢开关的传感器，以及乘客人员在位检测和液位高度检测等应用。此外，在消费电子与工业领域，其高灵敏度和稳健性能同样适用于触控／接近控制界面，如厨房无按钮炉灶控制或智能建筑门禁系统。

艾迈斯欧司朗

芯查查资讯 . 2025-10-13 1 1325
中国晶圆厂最新产线布局与产能全解析（2025版）

重点内容速览： 1. Foundry晶圆厂在中国的分布 2. IDM晶圆厂在中国的分布近25年来，中国在晶圆厂产能方面发展非常迅速，据Semi统计，在2000年时，全球晶圆厂产能中，美国和日本占了全球50%以上，中国大陆仅占2%左右。2010年，半导体产业向韩国和中国台湾省转移，此时两者共占了全球35%的产能，而中国大陆约为9%。到了2020年，随着原有产线的扩产，以及新产线的增加，中国大陆已经占据全球17%的产能。特别是过去5年来，在地缘政治和供应链安全考虑的推动下，中国晶圆厂产能得到了进一步的快速提升，尤其是成熟制程方面（28nm及以下节点）。根据Semi的数据，2024年中国大陆主流节点（22nm~40nm）的产能占全球25%，今年将达到32%，2028年更是有望达到42%。这一方面是因为中国芯片设计企业在消费电子和通信等中低端应用领域快速提升市场份额，且持续推动供应链国产化；另一方面还有国际半导体企业在中国推行“Local for Local”策略有关。图：中国半导体产业分布热力图（来源：芯查查SaaS）当然，这更加离不开我国在晶圆制造领域的投资持续加大。据芯查查统计，目前国内在运营的晶圆厂有200多座，主要集中在经济发达、产业配套完善的地区。其中，长三角地区是晶圆厂最为集中的区域，拥有全国近一半的晶圆厂数量，此外，珠三角地区和中西部地区，比如武汉、合肥和西安等地也形成了重要的产业聚集区。接下来就请跟随芯查查一起看看我国主要的晶圆厂布局情况。 Foundry晶圆厂在中国的布局与全球半导体产业类似，中国的晶圆厂也主要分为两大类Foundry（纯晶圆代工）的晶圆制造厂和IDM（集成器件制造商）厂商的晶圆制造厂。Foundry专注于为Fabless（无晶圆厂）企业提供代工服务，而国内大部分的芯片企业都是Fabless企业，因此在整个半导体产业链当中Foundry的晶圆厂占据重要地位。国内的Foundry厂商以中芯国际、华虹半导体和晶合集成为代表，他们正在加速技术突破和产能扩张。同时，台积电、联电等国际Foundry企业也在中国大陆设有生产基地。此外，还有一些新成立的Foundry企业，比如粤芯、增芯、鹏芯微、昇维旭等。拿中芯国际来说，在上海，该企业拥有多家12英寸晶圆厂，分别由中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯南方集成电路制造有限公司和中芯东方集成电路制造有限公司运营。其中，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司运营中芯国际一厂（S1），该厂始建于2006年，并在2009年、2015年、2016年和2021年进行了多次改扩建。成立于2016年12月的中芯南方集成电路制造有限公司，2017年初开始着手SN1和SN2两条12英寸产线的建设，总规划产能7万片每月，目前SN1产线已经通过验收，SN2还在建。中芯东方成立于2021年11月，并在2022年规划了在上海临港建设一条全新的12英寸代工生产线，预计产能10万片每月，制程为28nm，目前该产线尚未进行验收。在北京，中芯国际有三座晶圆厂，分别由中芯北京、中芯北方、中芯京城运营。其中中芯北京运营的B2是国内第一条12英寸产线，后来陆续改造升级成了28nm制程产线。中芯北方是中芯国际与北京市政府共同投资成立的12英寸晶圆厂，主要量产28nm和40nm制程的产品。9月底，中芯国际拟收购国家集成电路基金、亦庄国投、中关村发展等机构所拥有的49%的股权，收购后中芯国际将全资持有中芯北方所有股权。中芯京城由中芯国际、北京亦庄国投、大基金二期共同出资成立，聚焦于生产28nm及以上集成电路生产，总投资497亿元，分两期建设，规划产能10万片每月12英寸晶圆产能，一期已经完工，二期将根据市场需求适时启动。在天津，中芯国际也有一家8英寸晶圆厂，可提供28nm至180nm不同技术节点的晶圆代工与技术服务。在深圳，中芯国际有一家8英寸晶圆厂和一家12英寸晶圆厂。其中8英寸晶圆厂2014年底就已经投产。扩建的12英寸晶圆厂由中芯国际与深重投联合出资建设，规划产能为4万片每月12英寸晶圆产能。除了这些，中芯国际还有中芯宁波、中芯绍兴等晶圆厂项目，不过这些晶圆厂中芯国际并未控股，仅是持有一部分股份而已。今年6月5日，中芯国际发布公告将出售中芯宁波所持有的14.832%股份给国科微，此后，国科微将持有该工厂94.366%的股份。图：中芯国际部分晶圆厂数据（来源：芯查查SaaS）华虹集团包括华虹宏力和上海华力，上市公司华虹半导体旗下的产能仅包括华虹宏力。华虹半导体定位于特色工艺晶圆代工，专注于功率离散型、模拟、NOR闪存、逻辑、功率器件、射频、CIS、MCU等特色工艺领域。提供多种1.0μm至65/55nm工艺节点的可定制工艺选择，其产品广泛应用于新能源汽车、绿色能源、物联网等新兴领域。根据此前招股书的信息，华虹半导体定位于特色工艺晶圆代工，上海华力定位于先进逻辑工艺晶圆代工。目前华虹半导体的晶圆厂主要分布在上海和江苏无锡，其中上海有三座8英寸晶圆厂，分别是位于上海浦东新区金桥的华虹一厂、张江高科技园区的华虹二厂，以及康桥工业区的华虹三厂；在江苏无锡建有一座12英寸晶圆厂华虹七厂。2024年12月10日，华虹无锡（二期）12英寸生产线（华虹九厂）建成投片，预计2025年开始产能爬坡，可提供包括40nm制程在内的更丰富的工艺平台产品组合。二期项目聚焦车规级芯片制造，包括先进特色IC和高端功率器件，建成后产能8.3万片每月。上海华力定位于先进逻辑工艺晶圆代工，主要覆盖逻辑集成电路代工服务。上海华力只拥有2座12英寸晶圆厂（华虹五厂和华虹六厂），合计月产能约7.5万片，可提供65/55nm至28/22nm不同技术节点的芯片制造服务。 2025年8月17日，华虹半导体发布公告正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买上海华力控股权。也就是说，未来华虹五厂和华虹六厂的产能也将注入华虹半导体。值得一提的是，上海华力已经接手了格罗方德（GlobalFoundries）在成都的工厂，并成立了HLMC Fab10。晶合集成成立于2015年5月，由合肥市建设投资控股（集团）与力晶创新投资控股合资建设，是安徽省首家12英寸晶圆代工企业。晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务，目前主要提供150nm至40nm制程节点，同时也在进一步发展28nm及以上工艺。该公司已经实现包括显示驱动芯片（DDIC）、微控制器（MCU）、CMOS图像传感器（CIS）、电源管理（PMIC）、逻辑应用（Logic）等平台各类产品量产，产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、汽车电子等领域。新晶圆厂方面，广州增芯科技在2024年6月28日启动通线投产；2022年开工建设，位于深圳的润鹏半导体12英寸集成电路生产线在2024年12月31日举行了通线仪式，该项目满产后年产能可达48万片12英寸功率芯片晶圆；粤芯半导体12英寸晶圆厂三期项目在2024年12月28日正式通线。其他主要Foundry晶圆厂的信息见下表，更多晶圆厂数据请到芯查查SaaS板块查阅。图： Foundry晶圆厂在中国的布局（来源：芯查查，各公司官网） IDM晶圆厂在中国的分布中国大陆的IDM企业在存储芯片、功率半导体等领域取得了显著进展，代表企业包括长江存储、长鑫存储、华润微、士兰微等。这些企业通过垂直整合模式，掌握从设计到制造的全产业链能力。比如士兰微在浙江省杭州市和福建省厦门市都有布局晶圆厂，覆盖了5英寸、6英寸、8英寸，以及12英寸等多种晶圆尺寸，形成了完整的功率半导体和特色工艺体系。在杭州基地有士兰集成、士兰集昕，在厦门基地有士兰集科、士兰集宏、以及士兰明镓。其中杭州基地以5/6英寸和8英寸产线为主，深耕成熟特色工艺，例如BCD和IGBT等；厦门基地以8英寸和12英寸产线为核心，聚焦高端功率半导体和MEMS传感器，并拓展SiC技术。图：士兰微部分晶圆厂信息（来源：芯查查SaaS）此外，华润微、矽力杰、捷捷微电、英诺赛科、扬杰科技等IDM企业均为功率半导体企业。国际IDM厂商当中有三星和SK海力士在中国有布局，其中SK海力士还在2020年收购了英特尔在中国的晶圆厂大连工厂，2025年3月已经完成收购，晶圆厂名称也正式改名为爱思开海力士半导体存储技术（大连）有限公司。以下是中国大陆主要IDM晶圆厂的分布及产能情况，更多IDM晶圆厂信息欢迎到芯查查SaaS板块查阅。图：IDM晶圆厂在中国的布局（来源：芯查查，各公司官网）结语中国大陆晶圆厂的布局正朝着规模化、集群化和技术多元化的方向发展。在Foundry领域，本土企业如中芯国际和华虹半导体在成熟制程和特色工艺方面持续发力，并积极向先进制程迈进。在IDM领域，长江存储和合肥长鑫等企业在存储芯片制造上取得了突破性进展，而华润微、士兰微等则在功率半导体、模拟芯片等领域占据重要地位。尽管中国大陆晶圆制造产业取得了显著成就，但在先进制程技术、高端设备和材料方面仍面临挑战。然而，随着国家政策的大力支持和产业链上下游的协同发展，中国晶圆厂的本土化进程将进一步加速，未来有望在全球半导体产业中扮演更加重要的角色。

晶圆厂

芯查查资讯 . 2025-10-13 1 9124
展会 | 展会定义新风向探索新未来！2025消费电子创新大会（CEIC2025）11月深圳启幕

随着新一轮科技革命和产业变革深入发展，中国成为全球最大的创新消费电子市场，将引领全球科技创新和消费电子新风向。在人工智能重塑消费电子创新格局之际，一个世界级的创新消费电子盛会正当其时。 2025消费电子创新大会（CEIC 2025）应运而生，将于2025年11月6日-8日在深圳会展中心（福田）隆重举办。大会以“新电子新体验新消费”为主题，旨在打造一个立足中国、辐射全球的消费电子创新展与前瞻思想碰撞的盛会。大会由国际星闪无线短距通信联盟（iSLA）、世界超高清视频产业联盟（UWA）、世界无线局域网应用发展联盟（WAA）、全球智慧物联网联盟（GIIC）、全球计算联盟（GCC）、全球固定网络创新联盟（NIDA）、深圳市共熵产业与标准创新服务中心（Comentropy）等产业与标准组织联合主办，工业和信息化部国际经济技术合作中心承办，旨在推动全球产业协同创新。聚焦底层创新，描绘智能世界全景蓝图 CEIC 2025首次将智能世界核心技术领域的底层创新汇聚起来，集中展示在AI、连接、媒体、终端、计算、网络等领域的底层技术突破，并深入探讨这些技术如何驱动新标准与新场景的诞生，描绘一幅触手可及的创新全景与应用图谱，是消费电子领域首个以底层创新为基础，全场景展示前瞻产品和未来消费电子趋势的全球盛会。众多来自消费电子、汽车电子和行业智能化领域的突破性创新科技产品将在此迎来全球首秀，包括星闪、鸿蒙、菁彩影像和菁彩声技术加持的创新产品将为观众带来全新体验。精彩纷呈，打造不容错过的行业盛宴大会将举行开幕式、主论坛、专题分论坛及大型展览。同时，新品发布会、创新“碰投会”、开发者活动、CEIC创新奖发布以及菁彩音乐节等多元活动将接连上演，助力产业链上下游精准对接，激发无限可能。届时，全球范围内的创新科技企业、思想领袖、专家学者、投资机构及行业组织代表将齐聚一堂，分享真知灼见，共同发布未来消费电子创新趋势。 CEIC 2025期待与全球创新伙伴携手，在深圳这座充满活力的城市，共同见证并定义消费电子的未来！敬请持续关注消费电子创新大会，获取CEIC2025最新动态与注册信息！

展会

国际星闪联盟 . 2025-10-11 1980
技术 | 设计配备电源导轨与处理器导轨监测解决方案的数据中心电源架构

机器智能正在开启生产力的新时代，并逐渐融入我们生活和社会的各个学科和职能领域当中。机器智能依赖计算平台来执行代码、解读数据，并能在瞬间从数万亿数据点中获取信息。支撑机器智能的计算硬件需具备高速度、极高可靠性与强大功能。设计人员必须将稳健的设计实践与自诊断功能及持续监测方案相结合，才能预防或管理系统中的潜在故障，如数据损坏或通信错误。此类监测系统的一个核心要素是对全系统电源导轨进行监控。本文将探讨并阐述为企业应用设计电源导轨与处理器导轨监测解决方案的最佳实践。了解电源架构企业计算依赖复杂的电源架构，将交流电能从电源输送至系统各负载点。图 1 简要展示了服务器机架中的元件。图 1 服务器机架概略图表：分布式电池备份单元 (BBU) 和电源单元 (PSU) 连接至汇流条，由汇流条向机架分配交流电。高效 PSU（钛金级设计的效率通常高于 91%）将交流电（208V 或 240V）转换为 48V 并分配到整个机架。然后，配电板 (PDB) 将直流电源转换为各种电压（通常为 12V、5V、3.3V），为主板、存储、网络接口卡 (NIC)、交换机及系统散热等子系统供电。每个子系统均配备有在本地管理的电源架构。电池备份单元 (BBU) 在交流线路中断时维持系统电力供应。耐用性设计每个子系统都需要可靠的电源设计与监测。我们来进一步探讨其中的部分子系统。 PSU PSU 具有多种监测类型，以确保可靠的运行和输电。PSU 可监测交流电源的输出电压，同时检测内部温度、过压和欠压情况以及短路。服务器设计还需要 N+1 冗余：“N”表示满足服务器电源需求的最少 PSU 数量。如果其中一个 PSU 遇到临时或永久故障或失效，则可使用附加的 PSU（“+1”）。 PDB 如前所述，PDB 将 48V 输入转换为多种直流导轨电压，包括 12V、5V 和 3.3V。尽管可以采用带简单并联基准的比较器来监测各电源轨的过压/欠压情况，但现代电压监控器不仅尺寸小巧、易于设计，还具有诸多额外优势，例如磁滞与输入检测延迟实现防噪性能，可调输出延迟避免加电期间误触发，更高精度造就最高的检测可靠性。许多新的电压监控器（例如德州仪器 (TI) TPS3760）的额定电压高达 70V，可直接监测 48V 和其他总线电压，无需低压降稳压器或专用电源导轨。除了实时监控，高级监测集成电路还可以提供最重要导轨电压的遥测数据，实现预测性维护和历史故障分析，从而显著减少系统停机时间。另一个设计注意事项是早期电源故障检测。这些电路会监测特定电源导轨是否突然出现压降，并提醒主机或处理器在预期断电前迅速采取措施。高速且精密的欠压监控器可执行此功能。图 2 展示了此类设计的示例及其计时示意图。图 2 计时示意图的电压监控器示例，监测 0.85 至 6.0V 电源导轨是否突然出现压降，以便在断电时采取措施。主板主板电源导轨给设计人员带来了一系列不同的挑战，本节将更详细地探讨这些挑战。处理器导轨监测现代处理器对电源导轨的波动极为敏感。造成这种情况的原因有很多，但主要是因为这些处理器在低至 0.7V 的电压下运行，对电压波动的容差更低，而且采用了动态电压和频率调节等功能。因此，这些处理器需要高精度的窗口电压监控器。窗口监控器可监测电源电压是否存在过压和欠压情况。适用于这些应用的器件（如 TI 的 TPS389006）具有 ±6mV 的精度。设计人员可以通过 I2C 寄存器将毛刺滤波器调整至高达 650ns。电源导轨设计的另一个核心方面是系统在负载快速瞬变期间保持稳定的能力。现代处理器可在几微秒内从空闲状态切换到满载状态，如果电源和监测系统没有设计快速环路响应和适当的输出电容，则会导致急剧的压降或过冲。正确的加电和断电时序对于主板和处理器也至关重要。时序控制可确保系统正确初始化，例如，处理器可能要求内存控制器正常运行后再执行指令。时序控制还可防止加电期间输入较大的浪涌电流和电压峰值。在断电期间，时序控制可在断电之前为内存和存储器件提供足够的时间来保存数据或完成操作，从而保持数据完整性。图 3 提供了监测电源导轨和对其进行时序控制的设计示例。图 3 实现正确系统初始化的电源导轨监测与和时序控制示例。最后，管理输入浪涌电流对配备热插拔元件的系统至关重要，可避免触发电路保护或导致电源总线失稳。集成限流与故障检测功能的热插拔控制器可确保顺利插入和移除，不会影响其他正在运行的子系统。未来趋势企业行业已蓄势待发，准备切换至 400VDC 配电系统，这将消除冗余的变电环节和 I²R 损耗，提升效率，并减少铜材用量与成本。此类高压系统将需要更强大的导轨监测能力，配合更快的故障检测与隔离技术，以维持安全性与系统正常运行时间。为了满足该领域未来的设计需求，新一代高压监测解决方案应运而生。卓越的电源架构对于企业系统持续可靠运行至关重要。将稳健的电源设计实践与实时监测及早期故障检测相结合，有助于预防意外故障并保护关键工作负载。随着系统复杂度提升及电源架构演进（尤其是向更高压配电转型），精心规划与导轨监控将在提供安全高效的性能方面持续发挥作用。

TI

德州仪器 . 2025-10-11 970
产品 | 双路J-FET输入型的高端音频运放MUSES8921上市

“MUSES8921”. 本产品是MUSES系列中的J-FET输入类型标准型号，MUSES系列汇集了本公司近50年的运算放大器设计技术和经验，旨在尽可能忠实地再现原声。我们采用的模拟技术旨在追求细腻的声音再现性，从音乐的细微差别、氛围感到静谧感的表达。产品不局限于数值上的表现，而是对音质进行了彻底的听觉评估，实现了真正热爱原声的音乐爱好者们所期待的理想性能。主要特点如下：输入等效噪声电压（噪声特性）：　8.0nV/√Hz typ （at f=1kHz）增益带宽积：　11.0MHz typ 总谐波失真：　0.0004% typ 高电压转换速率：　25V/μs typ 低输入偏置电流：　5pA typ 这些特性使其非常适合用于音频前置放大器、参考放大器、有源滤波器、线路放大器和电流-电压转换放大器等高音质音频设备。 “MUSES”是旨在追求高音质的音频半导体器件品牌，是基于以下理念而诞生的世界上独一无二的产品。追求高品位的声音追求不染色、不夸张、无损、忠实于原声的声音追求无法用数值表达、与感性共鸣的声音产品特点 1. 作为MUSES标准型号的J-FET输入类型，目标是追求高音质在音质备受好评的“MUSES8920/A”的基础上，运用了MUSES旗舰型开发过程中积累的高音质音频技术。通过重新设计信号路径和电源路径，并彻底优化元件配置，从而提升了音质。 2. 最适合电流-电压转换放大器的音频特性除了具有低噪声、低失真和高电压转换速率之外，还添加了J-FET 输入特点的低输入偏置电流特性，即使用于电流-电压转换放大器，也能发挥出优异的性能。 3. 采用小型、高散热封装（DFN）采用可在有限空间内安装的小型DFN封装。在实现设备小型化和提高设计自由度的同时，优异的散热性能使其即使在高输出时也能确保稳定工作，从而支持高可靠性设计。应用示例电脑音响、桌面音响便携式音频播放器便携式耳机放大器车载音响专业音响

音频运放

日清纺 . 2025-10-11 1 2675
展会 | 下周“湾芯展”，新凯来携最新设备亮相！

新凯来将携最新半导体设备亮相，600家国内外龙头骨干企业云集搭建新技术、新产品、新成果“黄金秀场”；龙岗区将推出138公顷产业集聚区，打造面向全球的半导体和集成电路产业科技创新高地；晶圆制造、先进封装、化合物半导体、芯片设计四大核心展区，集中展现全球最新成果与发展脉动…… 2025湾区半导体产业生态博览会将于10月15日-17日在深圳会展中心(福田)举行。今年将有哪些“芯”特色、“芯”亮点、“芯”成效？ 10月10日，深圳市政府新闻办举行新闻发布会，介绍“2025湾区半导体产业生态博览会”相关情况。市发展改革委主任郭子平，龙岗区副区长徐红丽，深圳市半导体与集成电路产业联盟理事长戴军，就深圳相关产业发展、博览会亮点及筹备情况答记者问。市委宣传部副部长、市政府新闻办主任苏荣才主持新闻发布会。打造中国半导体自主品牌第一展郭子平介绍，“湾芯展”是国内外半导体产业链、供应链和价值链深度融合的交流平台，去年首届展览面积4万平方米，汇聚400家国内外龙头企业，实现开门红。今年，将全面对标“更高规格、更广辐射、更深融合、更优服务”的目标，展览面积超过6万平方米，参展企业超过600家，助力深圳成为全球半导体科技产业创新的前沿观察站、市场风向标、合作交易场。 “本届湾芯展重点突出更加市场化、更加前沿化、更加国际化和更加品牌化四个特点。”郭子平表示，深圳秉持“搭建平台、幕后服务”的理念，通过有为政府和有效市场的有机结合，实现展会培育与产业发展同频共振、与企业成长互促共赢。市场化上，本届湾芯展引进国际光刻大会、芯片学术大会等多个高端论坛，定制化提供供需双方一对一邀约和专场对接服务，持续增强展商和观众的参与意愿与合作黏性。前沿化领域，本届湾芯展除设置晶圆制造、先进封装等四大核心展区外，还打造了AI芯片与边缘计算生态、RISC-V生态、Chiplet与先进封装生态三大特色展区，搭建新技术、新产品、新成果“黄金秀场”。国际化方面，本届湾芯展吸引了来自全球20多个国家超600家龙头骨干企业及知名院校机构参展，并特邀欧洲、东南亚、日韩等地区官方机构和龙头企业代表，举办中国制造出海国际供需对接会等多场国际专业论坛，共绘开放包容、协同创新的全球半导体产业发展新图景。品牌化上，展会创新升级“线上+展间+线下”三位一体的全年全域资源对接服务机制，促进技术、产品、市场、信息、资金、政策等全要素汇聚融通，着力打造具有全球影响力的中国半导体自主品牌第一展。新凯来将携最新半导体设备亮相半导体与集成电路是科技竞争的“战略高地”、产业升级的“核心引擎”、国家安全的“重要基石”。深圳通过构建“一基金、一展会、一论坛、一协会、一联盟、一团队”等“六个一”工作体系，推动创新要素加速集聚，持续完善产业发展生态。郭子平表示，深圳半导体与集成电路产业实现了从零起步到全链条突破的跨越式发展，为全市科技创新和产业升级注入强大动能。从政策赋能看，出台了一系列政策举措，通过支持核心技术攻关、建设公共服务平台、鼓励创新成果推广应用等普惠性政策举措，为产业核心竞争力提升提供坚实政策保障；在资金投入上，深圳以超常规力度支持半导体与集成电路产业发展，设立一期规模50亿元的产业投资基金并投入运作，重点投向产业链关键领域和薄弱环节。在汇聚人才方面，深圳坚持引育留用多措并举，建立多层次集成电路人才队伍，有力夯实人才培养根基；在搭建合作桥梁上，打造产业综合服务平台，搭建“湾芯展”等专业展会平台，吸引产业链上下游企业广泛参与，为产业协同创新与高效发展提供有力支撑。郭子平表示，得益于政策、资金、人才、平台等方面的协同发力，深圳半导体与集成电路产业生态持续优化，产业发展成效显著，正朝着加快打造具有全球重要影响力的产业创新发展高地稳步迈进。从产业规模看，2024年全市半导体与集成电路产业规模达2564亿元，同比增长26.8%；2025年上半年继续保持快速增长态势，产业规模达1424亿元，同比增长16.9%。 “今年3月28日，新凯来在上海的半导体设备展上大放异彩，该公司当时推出6大类31款半导体设备，本届湾芯展请大家继续拭目以待。新凯来包含了几个子公司，每一个子公司都将在这次的展会中带来意想不到的惊喜。”郭子平说。龙岗将推出138公顷半导体产业集聚区依托湾芯展等产业平台，龙岗区半导体与集成电路产业发展成果显著。截至 2025年上半年，全区半导体与集成电路产业链企业已扩大至215家，已形成千亿级产业规模，产业集聚效应逐渐显现。徐红丽介绍，2025年湾芯展龙岗区将独立设置展台，围绕广大产业企业关心关切的重大项目建设、产业生态构建、链上企业支持、公共服务配置等方面成果进行集中展示，展出龙岗较为完备的产业链，涵盖 IC 设计、制造、封测、设备、材料、公共平台及检测机构等全产业链环节。 “我们将重磅推出以罗山科技园为核心的半导体产业集聚区，该园区位于深莞惠几何中心，占地面积138公顷、建筑面积123万平方米，能够为企业提供高品质的办公、生活空间，将打造为集科技创新、产业孵化、高端制造、人才引育等于一体，面向全球的半导体和集成电路产业科技创新高地。”徐红丽说。戴军介绍，本届展会已全面就绪，实现规模与质量的双跃升，将全力打造一场彰显“芯”特色、突出“芯”亮点、创造“芯”成效的行业盛会。大湾区重大项目集群与参展企业面对面，重投系企业以及比亚迪、富士康、大疆、长江存储、华虹集团等5000名头部企业专业采购商参展，共享国际国内半导体最大增量市场机遇。万里眼、启云方、汇川技术、阿里达摩院等一批头部企业和新锐力量携多款重量级新品密集首发，定义产业新高度；汇聚全球龙头企业，美国应用材料、泛林、科磊，日本东电、迪思科、尼康，德国默克、蔡司，英国爱德华，韩国3M、周星工程，匈牙利瑟米莱伯及北方华创、新凯来、拓荆等国内外头部企业悉数参展；重磅发布来自14个国家69名顶尖专家评选出的“2024中国芯片科学十大进展”；揭牌启动50亿规模的深圳市赛米产业投资基金、揭牌设立深圳先进制造业供应链创新服务平台；揭晓2025“湾芯奖”，表彰在技术创新、市场影响、产业服务等多个维度表现突出的优秀企业。“本届展会亮点纷呈，如繁星闪耀，欢迎各界朋友亲临现场，体验这场以‘芯生态’为内核、以‘圳绽放’为特色的行业盛会”。

展会

湾芯展 . 2025-10-11 2890
政策 | 美国对华关税征收100%，管制“所有关键软件”出口

当地时间2025年10月10日，美国总统特朗普在社交媒体上宣布：从11月1日起，对中国产品征收100%关税；并对所有关键软件实施出口管制。理由是，中国在10日9日发布对相关稀土实施出口管制的决定。在此影响下，美国股市迎来六个月来最大跌幅，标普500指数下跌2.7%，抹去了本周全部涨幅，是自4月10日以来的最糟单日表现；纳斯达克100指数下跌3.5%；芝加哥大豆期货一度下跌1.9%。不过，特朗普在周五也承认，如果中方撤回对稀土出口的限制，他可能会收回这一大规模加税计划，同时强调他本月晚些时候仍有可能与中方会面。“这就是我定在11月1日的原因，”特朗普说，“我们拭目以待。” 特朗普推特截图本轮贸易战始末（截至10月11日）美方： 10月3日，美国海关与边境保护局宣布，从10月14日起，将对中国企业拥有或经营的船舶、中国籍船舶及中国造船舶加收港口服务费。 10月7日，美国众议院“中美战略竞争特别委员会”:准备再次限制出口中国能获得的光刻机设备 10月9日，特朗普要求中国恢复采购美国大豆，并威胁对中国进口商品加征关税。 10月9日，知情人士透露，特朗普政府考虑限制甚至禁止TP-Link在美运营。 10月9日，参议院通过国防授权法案，其中包括限制英伟达等对华出口AI芯片、禁止中国生物科技公司、限制美国资本对中国高科技领域的投资等。中方： 10月10日，中国交通运输部：14日起对美国拥有、运营或建造的船舶收取特别港务费 10月9日，中方商务部宣布对境外稀土相关物项、稀土相关技术、稀土设备和原辅料相关物项、部分中重稀土相关物项、超硬材料相关物项、锂电池和人造石墨负极材料相关物项实施出口管制，即0.1%及以上的中国稀土制品，需有中国的出口许可，才能出口其他国家。 10月9日，中方商务部决定将反无人机技术公司等外国实体列入不可靠实体清单。

芯片

芯查查资讯 . 2025-10-11 1 10 1.3w
产品 | 上海贝岭发布小容量Nor Flash系列产品

上海贝岭作为国内集成电路行业首家上市公司，定位为中国一流的模拟和数模混合集成电路产品和应用方案供应商。公司依托在存储芯片领域的技术积淀与市场深耕，推出BL25WQ40A/20A/10A/05A Nor Flash产品（BL：代表贝岭；25：代表SPI协议；WQ：代表工作电压1.65V~3.6V；40/20/10/05：代表容量为4Mbit/2Mbit/1Mbit/512Kbit；A：代表版本号），为满足广大客户在物联网、能效监测、工业控制、车载电子、可穿戴设备、消费电子等领域应用中，对存储产品高性能、高安全性与小型化的需求提供了更丰富多元的解决方案。 BL25WQ40A/20A/10A/05A核心亮点速览贝岭小容量 Nor Flash 产品以高性能、高安全性、小体积为核心优势，旨在解决智能设备升级中的存储瓶颈：核心优势关键特性客户价值高速传输 QPI模式，速率高达480Mbps 设备响应更快，体验更流畅灵活安全防护最小1KB保护，5位保护位+CMP 精准保护数据，节省存储空间硬件级防克隆 128位唯一ID + OTP寄存器提升设备身份安全，防止克隆低功耗微型化 0.1μA深掉电，3x2mm小封装延长续航，适配微型设备易用兼容 1.65V~3.6V宽电压，JEDEC标准设计更简单，集成更轻松 1.疾速响应支持创新的QPI模式，传输速率高达480Mbps，显著提升设备启动、固件升级和数据读取效率，让智能设备运行更流畅。 2.精细防护独创5位保护位+CMP互补机制，支持最小1KB扇区的灵活保护，精准锁定关键数据（如密钥），有效提升空间利用率与安全性，满足智能家居、工业控制等场景的加密需求。 3.硬件安全内置128位ID及4x256字节OTP（一次性编程）寄存器，从芯片源头构建防克隆、防篡改的坚固防线，保护设备身份和敏感信息安全。 4.低功耗小体积 0.1μA深掉电电流与 3mmx2mm 超小封装，有效延长便携设备续航，为空间受限的微型设备（如TWS耳机、智能手表）提供理想选择。 5.宽电压兼容 1.65V~3.6V宽电压工作范围，轻松适配多种电源方案，简化客户设计，降低外围成本。图2 产品框图广泛适用赋能多元场景贝岭小容量Nor Flash 产品凭借优异的性能和可靠性，是以下应用的理想存储选择：物联网节点：设备认证、参数存储、固件存储与执行（XIP）。工业控制：PLC、HMI、传感器模块的程序存储与关键数据保护。车载电子：仪表盘、辅助系统、信息娱乐模块的代码存储。可穿戴设备：智能手表、TWS耳机等空间和功耗敏感设备的固件与数据存储。消费电子：智能家居设备、打印机、网络模块等。图3 产品应用场景可靠保障助力客户成功为确保持续稳定的供应与无缝集成体验，我们提供：严格质量管控 100%功能检测及高低温老化测试，符合工业级可靠性标准。本地化支持公司在上海、南京、深圳、成都和西安等地建立了研发和销售队伍，并拥有强大的FAE团队支持能力，能帮助客户快速完成产品设计导入。全流程兼容性测试确保与主流平台的良好兼容性。上海贝岭产品涵盖电源管理、功率与驱动、智能计量及系统集成类产品、高端模拟、标准品等产品类别。聚焦于汽车电子、能效监测、工控储能、大家电、网络通讯、智能终端等应用市场。深耕客户需求，为客户提供丰富的产品解决方案。秉持用“芯”创造美好生活的使命，上海贝岭集中业务资源加快产品向工控、汽车电子应用领域的转型升级，着力打造华大半导体旗下功率器件和模拟电路业务平台，朝着“成为中国一流的集成电路产品和应用方案供应商”的愿景不断努力，与合作伙伴一起，共同成就美好的未来！

上海贝岭

上海贝岭 . 2025-10-10 2800
市场 | 第三季度全球PC出货量加速增长，换机需求持续释放

国际数据公司（IDC）今日发布初步研究结果，2025年第三季度全球个人电脑（PC）出货量同比增长9.4%，总量达7580万台。此增长态势符合市场预期，表明在Windows 11升级与老旧设备换新潮的推动下，PC市场正保持稳健活力。 IDC全球移动设备追踪部门副总裁Jean Philippe Bouchard指出，尽管整体市场在Windows系统过渡与设备更新需求驱动下表现强劲，但区域差异显著。北美市场仍受进口关税政策与宏观经济不确定性的影响。预计对Windows 11兼容新机的需求将延续至2026年。亚太地区（含日本与中国）在本季度表现突出，实现两位数增长。 IDC全球设备追踪部门高级研究经理Maciek Gornicki分析认为，日本市场受Windows 10服务终止与GIGA教育项目推动，成为增长主力。日本以外地区增长相对温和，主要受宏观环境与Windows 11普及较慢的制约，但仍存在由疫情期间所购设备进入更新周期带来的局部机会。备注：本报告所涉“传统PC”包括台式机、笔记本电脑和工作站，不包含平板电脑及x86服务器。如果供应商的差异在数据的估计差异范围内，IDC 会宣布其并列:两个或两个以上供应商之间的出货量市场份额不超过百分之零点一(0.1%)。出货量数据涵盖渠道分销及最终用户销售；OEM销售额计入对应销售品牌。

PC

IDC咨询 . 2025-10-10 1 1270
产品 | ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”，该产品在低VF（正向电压）和低IR（反向电流）这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。近年来，随着ADAS摄像头等应用的精度提升，其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制，从而存在对应用产品造成损坏的风险，而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面，为了防止运行时的热失控，还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下，ROHM通过从根本上重新改进器件结构，成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管，使其能够胜任保护工作。 “RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品，它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构，同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性，新产品即使在严苛的环境条件（VF：Ta=－40℃、IR：Ta=125℃）下，仍同时满足市场VF＜300mV（IF=7.5mA）和IR＜20mA（VR=3V）的特性要求。因此，新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏，还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE（2.5mm × 1.4mm）封装形式，兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中，均可灵活使用。另外，新产品还符合车载电子元器件可靠性标准（AEC-Q101），在要求高可靠性和长期稳定运行的下一代电子设备设计中，可作为理想的保护器件运用。新产品已经在稳定的供应体系下开始量产供应（样品价格：130日元/个，不含税）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。未来，ROHM将通过不断扩充小型封装的产品阵容，进一步满足应用产品日益增长的小型化需求。产品主要特性应用示例・ADAS摄像头、智能对讲系统、安防摄像头、家庭物联网设备等配备图像传感器的应用术语解说 *1) 光生电压光传感器等领域的常用术语，指因光照产生的电压。通常而言，光照强度越大或传感器像素越高，所产生的电压就越大。

罗姆

罗姆半导体集团 . 2025-10-10 1295
产品 | Melexis推出首款双输入电感式传感器，服务未来汽车电子系统

Melexis推出MLX90514双输入电感传感器芯片。这款新型器件可同时处理两组线圈的信号，并在片上计算差分角度或游标角度。它专为下一代汽车应用设计，尤其适用于转向扭矩反馈、转向角度感测或转向齿条电机控制（包括线控转向实现）等系统。当前，汽车行业正经历由电气化、自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）共同驱动的重大变革。这些发展趋势使得车辆控制系统的复杂性大幅提升，尤其体现在需要双通道位置传感来获取精确扭矩和角度测量数据的系统中，如转向扭矩反馈、转向齿条电机控制（包括线控转向实现）等。长期以来，将两个单通道IC相结合或采用磁性传感器，一直是许多应用场景的传统解决方案。但在特定场景下，采用替代方案能够更有效地降低系统的复杂性和成本。双输入MLX90514凭借在片上集成差分和游标角度计算功能，可有效应对上述挑战。该设计显著降低对主机系统处理能力的要求，使传感器设计得以更加紧凑、简洁。在电气化进程加速推进，以及替代出行应用对可靠且高性价比传感解决方案的需求持续攀升的背景下，该能力的重要性愈发凸显。迈来芯首款双电感式ASSP 作为迈来芯推出的首款双电感式特定应用标准产品（ASSP），MLX90514拥有灵活的接口选项（独立模块配备SENT、SPC和PWM接口，嵌入式模块采用SPI接口）并集成片上处理能力。该芯片能够直接在传感器端完成复杂位置信息的计算（如差分角度或游标角度），显著降低系统工作量，无需使用多个IC，从而有效简化设计复杂度，并减少物料清单（BOM）中的元件数量。此外，其SENT/SPC输出支持高达24位的有效载荷，能够以高保真方式同步传输两个12位通道的数据——这对于实现高精度扭矩和角度传感至关重要。 MLX90514专为要求严苛的汽车应用设计，它集成一系列先进功能，旨在提升传感性能的同时，简化系统设计： ✔ 零延迟同步双通道操作：在关键的汽车系统中，延迟是影响实时高精度位置传感性能的关键因素，而MLX90514有效解决此问题。 ✔ 外部PWM信号集成：该器件提供附加输入端口，能够读取来自外部源（如磁性传感器）的PWM信号。借助此特性，MLX90514能够在单个器件内整合并处理多圈角度及扭矩数据，从而提供全面的传感解决方案。 ✔ 支持紧凑线圈设计与更密度PCB布局：MLX90514具备处理微小电感输入信号的能力，因此可支持紧凑的线圈设计和更密集的PCB布局。这有助于开发体积更小、集成度更高的传感模块，且无需牺牲任何性能表现。 ✔ 支持ASIL D级传感系统：针对汽车转向扭矩和角度的应用，MLX90514提供符合汽车安全完整性等级D（ASIL D）标准的独立安全元件，为系统提供最高级别的功能安全保障。 Melexis 产品线总监 Lorenzo Lugani 表示： MLX90514堪称一款具有划时代意义的变革性产品。基于对电感传感技术的深刻理解，我们精心打造出这款双输入芯片（IC），旨在应对汽车系统日益增长的复杂度。它不仅是一款全新产品，更是一套综合性解决方案，集简化设计流程、削减物料清单（BOM）成本，以及实现关键数据同步零延迟传输功能于一体。如今，工程师们可拥有一款性能强劲且极具性价比的传感器，将其广泛应用于线控转向、扭矩传感等前沿领域，为下一代电气化与自动驾驶汽车的蓬勃发展铺就坦途。依托迈来芯丰富的行业经验和专业的应用支持，这款传感器已成为持续拓展的电感产品组合的核心一环。它将助力客户从单一可信赖的供应商处获取丰富的创新型电感解决方案。

迈来芯

迈来芯Melexis . 2025-10-10 1100
方案 | 中微半导高性价比高速风筒公模方案助力快速开发与量产

随着消费者对干发效率与使用体验要求的提升，高速风筒市场持续增长，其核心在于通过10万转以上的直流无刷电机提供爆发性风量。传统方案常因系统复杂、开发周期长、综合成本高而制约客户产品快速落地。中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）针对这一痛点，推出基于电机控制MCU CMS32M6310及驱动芯片CMS6D220开发的11万转高性价比高速风筒整体解决方案，该方案以高性能、高可靠、低成本为核心优势，精准匹配公模市场对“高转速、小体积、低成本、快上市”的核心需求，帮助客户在保障产品性能与可靠性的前提下，大幅缩短研发周期，增强终端价格竞争力。核心优势 - 高效开发提供从芯片、FOC算法到PCB图纸的全套软硬件资料“交钥匙”方案，客户无需深厚的电机控制技术积累，即可快速完成原型机开发，研发周期缩短50%以上。 - 成本竞争力提供芯片级高性价比解决方案，同时通过母线电容容值降低50%为客户实现显著的综合成本优势。 - 平稳顺滑采用自收敛直接闭环启动算法，确保在不同负载下均实现100%启动成功；相电流平滑补偿技术，从根本上杜绝“抖手”现象。 - 安全无忧全面保护机制，内置过欠压、过流、短路、缺相、堵转等多重保护电路，为产品长期稳定运行提供全方位安全保障。方案规格 - 电机极对数：一对极 - 输入电压：220 VAC - 电机额定功率：120W - 电机额定转速：11W RPM - PWM开关频率：25KHz - 控制方式：无感单/双电阻FOC - 闭环方式：速度环、功率环 - 保护功能：过欠压、过流、短路、缺相、堵转 - 发热丝最大功率：1500W 方案核心器件专用电机控制芯片-CMS32M6310DE24SS ARM Cortex®-M0+内核 @48MHz 工作电压2.0–5.5V 作温度：-40℃至85℃ 存储：64KB Flash，8KB SRAM 丰富定时器资源与6通道增强型PWM模块内置22通道12位ADC 22个通用GPIO，支持多种外设扩展具备强算力与高集成度栅极驱动芯片-CMS6D220 单相中压高速栅极驱动IC 悬浮偏移电压+600V 工作电压范围10–20V，支持5V逻辑输入内置 VCC、VBS欠压保护UVLO 内置直通防止功能、350ns死区时间峰值输出电流0.21A@15V，1nF负载上升时间87ns 峰值吸入电流0.41A@15V，1nF负载下降时间45ns 有效减少开关损耗，适用高速风筒、高压风机、高压水泵、高压角磨等 >>开发板 >> 原理框图 >>启动及运行波形启动波形运行波形中微半导高性价比高速风筒方案是针对公模市场量身定制的一站式解决方案。可有效解决系统复杂度、开发难度和综合成本三大层面的痛点，帮助客户在保证高端产品体验的同时，实现快速量产和显著成本优势，为抢占高速风筒市场提供有力支持。

中微半导

中微半导 . 2025-10-10 1 1340
企业 | 闻泰科技订单持续旺盛，暂停报价、发货

9月30日，据闻泰科技向客户发布的业务调整通知，宣布因市场需求显著增长导致供应紧张，将暂停短期发货、价格报价及价格协议，同步启动生产与交付能力全面审查。据相关媒体了解，这一举措的背后，是闻泰科技旗下安世半导体订单量的持续攀升。从其近期的财务数据上可见端倪。半导体业务毛利率37% 2025年上半年，闻泰科技实现营业收入253.41亿元，归属于上市公司股东的净利润达4.74亿元，同比大幅增长237.36%；扣非净利润为3.35亿元。其中第二季度业绩环比持续改善，展现出强劲增长动能。业绩高增长的背后，是闻泰科技半导体业务的强劲表现。半年报显示，闻泰科技半导体业务实现收入与利润双增长，业务毛利率达到37.89%，成为推动公司整体发展的核心引擎。闻泰科技是全球领先的集研发设计和生产制造于一体的基础半导体、光学/显示模组、产品集成企业。公司自2006年起从事手机方案设计，随后逐步从独立设计公司（IDH）转型为集研发设计与生产制造为一体的ODM，并一路发展成为全球领先的手机ODM公司。2019年，公司成功收购安世半导体切入半导体IDM领域。安世半导体是全球领先的分立与功率芯片IDM龙头厂商，是全球龙头的汽车半导体公司之一，拥有近1.6万种产品料号。其产品质量、供应体系具有全球领导地位，每年可交付1000多亿件产品。德国汉堡、英国曼彻斯特和新港（Newport）晶圆厂全部为车规级晶圆厂，大部分产品均符合车规级的严格标准，其产品广泛应用于全球各类电子设计。截至2025年中，安世半导体累计出货量突破千亿颗，服务全球超2.5万家客户，产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、AI服务器等核心领域。订单持续增长订单激增的态势，管理层在先前的闻泰科技沟通会就透露过。据闻泰科技管理层表示，2025年上半年，公司逻辑IC和MOS等产品在中国区的国产化订单增长显著。从第三季度订单情况看，公司半导体业务的收入环比持续增长。目前订单能见度下，各个下游的景气度趋势较好。首先在汽车市场，中国区的增长势头延续，同时欧洲汽车客户的库存健康，从第二季度逐步进入补库周期，欧洲新能源汽车的渗透率提升显著。工业方面，上半年安世半导体业务中工业和AI电源相关的收入同比增长超过16%，全球性工业复苏的趋势比较明显，国内的设备更新政策、全球各个地区的再工业化以及数据中心建设需求旺盛，都带动了工业订单的上升。第三季度从订单看，工业和电源相关的订单环比仍在延续增长。面对订单激增带来的供应挑战，闻泰科技的应对既体现了对品质的坚守，也展现了供应链管理的前瞻性。一方面，闻泰科技已构建覆盖德国、英国晶圆制造基地，以及中国、菲律宾、马来西亚封装工厂的全球化产能网络，具备多区域协同生产能力；另一方面，此次暂停发货与能力审查，旨在通过全面评估现有产能、物流及供应链效率，确保后续交付既满足订单规模需求，又符合长期品质标准。闻泰科技停牌 10月9日，闻泰科技公告，近期闻泰科技股份有限公司因存在尚未披露的重要信息，为保证公平信息披露，避免公司股价异常波动，维护广大投资者利益，根据《上海证券交易所上市公司自律监管指引第4号——停复牌》相关规定，经公司向上海证券交易所申请，公司股票及可转换公司债券自2025年10月9日（星期四）开市起停牌，预计停牌时间不超过2个交易日。停牌期间，公司可转换公司债券“闻泰转债”将暂停转股。尽管发布停牌公告，但市场分析机构对半导体前景持乐观态度。随着汽车电动化与智能化渗透率的提升、AI基建与应用的高速增长以及工业需求的持续旺盛，2025年下半年功率及模拟半导体景气度有望进一步攀升。闻泰科技注重研发创新，持续推出高单价产品，能凭借高技术壁垒与技术质量优势，有望赢得更多全球客户仍可，持续增厚业绩。

闻泰

芯查查资讯 . 2025-10-10 1 1.2w
技术 | 详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，电压介于0.9V和1.75V之间。但是，尽管电流需求在稳步增长，留给电源的空间却并没有增加—这个现实已达到了热设计的极限甚至超出。如此高电流的电源通常被分割为两个或更多相，每一相提供15A到30A。这种方式使元件的选择更容易。例如，一个60A电源变成了两个30A电源。但是，这种方法并没有额外增加板上空间，对于热设计方面的挑战基本上没有多大帮助。在设计大电流电源时，MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著，这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样，电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的热量等不利因素的挑战。而且，除了电源下面少量的印制板铜膜外，没有任何其它手段可以用来协助耗散功率。在挑选MOSFET时，首先是要选择有足够的电流处理能力，并具有足够的散热通道的器件。最后还要量化地考虑必要的热耗和保证足够的散热路径。本文将一步一步地说明如何计算这些MOSFET的功率耗散，并确定它们的工作温度。然后，通过分析一个多相、同步整流、降压型CPU核电源中某一个30A单相的设计实例，进一步阐明这些概念。计算MOSFET的耗散功率为了确定一个MOSFET是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散，它主要包含阻性和开关损耗两部分： PDDEVICE TOTAL = PDRESISTIVE + PDSWITCHING 由于MOSFET的功率耗散很大程度上依赖于它的导通电阻(RDS(ON))，计算RDS(ON)看上去是一个很好的出发点。但是MOSFET的RDS(ON)与它的结温(TJ)有关。话说回来，TJ又依赖于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的热阻(ΘJA)。这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的因素，我们可以采用一种迭代过程获得我们所需要的结果(图1)。图1. 该流程图展示了选择各MOSFET (同步整流器和开关MOSFET)的迭代过程。在这个过程中，各MOSFET的结温为假设值，两个MOSFET的功率耗散和允许环境温度通过计算得出。当允许的环境温度达到或略高于我们所期望的机箱内最高温度时(机箱内安装了电源及其所驱动的电路)，这个过程就结束了。迭代过程始于为每个MOSFET假定一个结温，然后，计算每个MOSFET各自的功率耗散和允许的环境温度。当允许的环境气温达到或略高于电源及其所驱动的电路所在的机壳的期望最高温度时，这个过程便结束了。有些人总试图使这个计算所得的环境温度尽可能高，但通常这并不是一个好主意。这样作就要求采用更昂贵的MOSFET，在MOSFET下铺设更多的铜膜，或者要求采用一个更大、更快速的风扇产生气流—所有这些都不是我们所期望的。从某种意义上讲，先假定一个MOSFET结温，然后再计算环境温度，这是一种逆向的考虑方法。毕竟环境温度决定了MOSFET的结温—而不是相反。不过，从一个假定的结温开始计算要比从环境温度开始容易一些。对于开关MOSFET和同步整流器，我们可以选择一个最大允许的管芯结温(TJ(HOT))作为迭代过程的出发点。多数MOSFET的数据资料只规定了+25°C下的最大RDS(ON)，不过最近有些MOSFET文档也给出了+125°C下的最大值。MOSFET的RDS(ON)随着温度而增加，典型温度系数在0.35%/°C至0.5%/°C之间(图2)。图2. 典型功率MOSFET的导通电阻的温度系数在0.35%每度(绿线)至0.5%每度(红线)之间如果拿不准，可以用一个较差的温度系数和MOSFET的+25°C规格(或+125°C规格，如果有的话)近似估算在选定的TJ(HOT)下的最大RDS(ON)： RDS(ON)HOT = RDS(ON)SPEC [1 + 0.005 × (TJ(HOT) - TSPEC)] 其中，RDS(ON)SPEC是计算所用的MOSFET导通电阻，TSPEC是规定RDS(ON)SPEC时的温度。利用计算出的RDS(ON)HOT，可以确定同步整流器和开关MOSFET的功率消耗，具体做法如下所述。在下面的章节中，我们将讨论如何计算各个MOSFET在给定的管芯温度下的功率消耗，以及完成迭代过程的后续步骤(整个过程详述于图1)。同步整流器的功耗除最轻负载以外，各种情况下同步整流器MOSFET的漏-源电压在打开和关闭过程中都会被续流二极管钳位。因此，同步整流器几乎没有开关损耗，它的功率消耗很容易计算。只需要考虑阻性损耗即可。最坏情况下的损耗发生在同步整流器工作在最大占空比时，也就是当输入电压达到最大时。利用同步整流器的RDS(ON)HOT和工作占空比，通过欧姆定律，我们可以近似计算出它的功率消耗： PDSYNCHRONOUS RECTIFIER = [ILOAD² × RDS(ON)HOT] × [1 - (VOUT/VINMAX)] 开关MOSFET的功耗开关MOSFET的阻性损耗计算和同步整流器非常相似，也要利用它的占空比(不同于前者)和RDS(ON)HOT： PDRESISTIVE = [ILOAD² × RDS(ON)HOT] × (VOUT/VIN) 开关MOSFET的开关损耗计算起来比较困难，因为它依赖于许多难以量化并且通常没有规格的因素，这些因素同时影响到打开和关闭过程。我们可以首先用以下粗略的近似公式对某个MOSFET进行评价，然后通过实验对其性能进行验证： PDSWITCHING = (CRSS × VIN² × fSW × ILOAD)/IGATE 其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数)，fSW为开关频率，IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET (不同代MOSFET 的成本差别很大)，我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散最小的器件。这个器件应该具有均衡的阻性和开关损耗。使用更小(更快)的MOSFET所增加的阻性损耗将超过它在开关损耗方面的降低，而更大(RDS(ON)更低) 的器件所增加的开关损耗将超过它对于阻性损耗的降低。如果VIN是变化的，需要在VIN(MAX)和VIN(MIN)下分别计算开关MOSFET的功率耗散。MOSFET功率耗散的最坏情况可能会出现在最低或最高输入电压下。该耗散功率是两种因素之和：在VIN(MIN)时达到最高的阻性耗散(占空比较高)，以及在VIN(MAX)时达到最高的开关损耗(由于VIN²项的缘故)。一个好的选择应该在VIN的两种极端情况下具有大致相同的耗散，并且在整个VIN范围内保持均衡的阻性和开关损耗。如果损耗在VIN(MIN)时明显高出，则阻性损耗起主导作用。这种情况下，可以考虑用一个更大一点的开关MOSFET (或将一个以上的多个管子相并联)以降低RDS(ON)。但如果在VIN(MAX)时损耗显著高出，则应该考虑降低开关MOSFET的尺寸(如果是多管并联的话，或者去掉一个MOSFET)，以便使其开关速度更快一点。如果阻性和开关损耗已达平衡，但总功耗仍然过高，有多种办法可以解决：改变问题的定义。例如，重新定义输入电压范围。改变开关频率以便降低开关损耗，有可能使用更大一点的、RDS(ON)更低的开关MOSFET。增加栅极驱动电流，有可能降低开关损耗。MOSFET自身的内部栅极电阻最终限制了栅极驱动电流，实际上限制了这种方法的有效性。采用一个改进技术的MOSFET，以便同时获得更快的开关速度、更低的RDS(ON)和更低的栅极电阻。脱离某个给定的条件对MOSFET的尺寸作更精细的调整是不大可能的，因为器件的选择范围是有限的。选择的底线是MOSFET在最坏情况下的功耗必须能够被耗散掉。热阻下一步是要计算每个MOSFET周围的环境温度，在这个温度下，MOSFET结温将达到我们的假定值(按照前面图1所示的迭代过程，确定合适的MOSFET来作为同步整流器和开关MOSFET)。为此，首先需要确定每个MOSFET结到环境的热阻(ΘJA)。热阻的估算可能会比较困难。单一器件在一个简单PCB上的ΘJA测算相对容易一些，而要在一个系统内去预测实际电源的热性能是很困难的，那里有许多热源在争夺有限的散热通道。如果有多个MOSFET被并联使用，其整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。我们可以从MOSFET的ΘJA规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，ΘJA通常接近于62°C/W。其他类型的封装，有些带有散热片或裸露的导热片，其热阻一般会在40°C/W至50°C/W (表1)。表1. MOSFET封装的典型热阻可以用下面的公式计算MOSFET的管芯相对于环境的温升： TJ(RISE) = PDDEVICE TOTAL × ΘJA 接下来，计算导致管芯达到预定TJ(HOT)时的环境温度： TAMBIENT = TJ(HOT) - TJ(RISE) 如果计算出的TAMBIENT低于机壳的最大额定环境温度(意味着机壳的最大额定环境温度将导致MOSFET的预定TJ(HOT)被突破)，必须采用下列一条或更多措施：升高预定的TJ(HOT)，但不要超出数据手册规定的最大值。选择更合适的MOSFET以降低MOSFET的功耗。通过增加气流或MOSFET周围的铜膜降低ΘJA。重算TAMBIENT (采用速算表可以简化计算过程，经过多次反复方可选出一个可接受的设计)。另一方面，如果计算出的TAMBIENT高出机壳的最大额定环境温度很多，可以采取下述可选步骤中的任何一条或全部：降低预定的TJ(HOT)。减小专用于MOSFET散热的覆铜面积。采用更廉价的MOSFET。最后这几个步骤是可选的，因为在此情况下MOSFET不会因过热而损坏。不过，通过这些步骤，只要保证TAMBIENT高出机壳最高温度一定裕量，我们可以降低线路板面积和成本。上述计算过程中最大的误差源来自于ΘJA。你应该仔细阅读数据资料中有关ΘJA规格的所有注释。一般规范都假定器件安装在1in²的2oz铜膜上。铜膜耗散了大部分的功率，不同数量的铜膜ΘJA差别很大。例如，带有1in²铜膜的D-Pak封装ΘJA会达到50°C/W。但是如果只将铜膜铺设在引脚的下面，ΘJA将高出两倍(表1)。如果将多个MOSFET并联使用，ΘJA主要取决于它们所安装的铜膜面积。两个器件的等效ΘJA可以是单个器件的一半，但必须同时加倍铜膜面积。也就是说，增加一个并联的MOSFET而不增加铜膜的话，可以使RDS(ON)减半但不会改变ΘJA很多。最后，ΘJA规范通常都假定没有任何其它器件向铜膜的散热区传递热量。但在高电流情况下，功率通路上的每个元件，甚至是PCB引线都会产生热量。为了避免MOSFET过热，需仔细估算实际情况下的ΘJA，并采取下列措施：仔细研究选定MOSFET现有的热性能方面的信息。考察是否有足够的空间，以便设置更多的铜膜、散热器和其它器件。确定是否有可能增加气流。观察一下在假定的散热路径上，是否有其它显著散热的器件。估计一下来自周围元件或空间的过剩热量或冷量。设计实例图3所示的CPU核电源提供1.5V/60A输出。两个工作于300kHz的相同的30A功率级总共提供60A输出电流。MAX1544 IC驱动两级电路，采用180°错相工作方式。该电源的输入范围7V至24V，机壳的最大额定环境温度为+60°C。图3. 该降压型开关调节器中的MOSFET经由本文所述的迭代过程选出。板级设计者通常采用该类型的开关调节器驱动今天的高性能CPU。同步整流器由两片并联的IRF6603 MOSFET组成，组合器件的最大RDS(ON)在室温下为2.75mΩ，在+125°C (预定的TJ(HOT))下近似为4.13mΩ。在最大占空比94%，30A负载电流，以及4.13mΩ最大RDS(ON)时，这些并联MOSFET的功耗大约为3.5W。提供2in²铜膜来耗散这些功率，总体ΘJA大约为18°C/W，该热阻值取自MOSFET的数据资料。组合MOSFET的温升将接近于+63°C，因此该设计应该能够工作在最高+60°C的环境温度下。开关MOSFET由两只IRF6604 MOSFET并联组成，组合器件的最大RDS(ON)在室温下为6.5mΩ，在+125°C (预定的TJ(HOT))下近似为9.75mΩ。组合后的CRSS为380pF。MAX1544的1Ω高边栅极驱动器可提供将近1.6A的驱动。VIN = 7V时，阻性损耗为1.63W，而开关损耗近似为0.105W。输入为VIN = 24V时，阻性损耗为0.475W 而开关损耗近似为1.23W。总损耗在各输入工作点大致相等，最坏情况(最低VIN)下的总损耗为1.74W。 28°C/W的ΘJA将产生+46°C的温升，允许工作于最高+80°C的环境温度。若环境温度高于封装的最大规定温度，设计人员应考虑减小用于MOSFET的覆铜面积，尽管该步骤不是必须的。本例中的覆铜面积只单独考虑了MOSFET的需求。如果还有其它器件向这个区域散热的话，可能还需要更多的覆铜面积。如果没有足够的空间增加覆铜，则可以降低总功耗，传递热量到低耗散区，或者采用主动的办法将热量移走。结论热管理是大功率便携式设计中难度较大的领域之一。这种难度迫使我们有必要采用上述迭代过程。尽管该过程能够引领板级设计者靠近最终设计，但是还必须通过实验来最终确定设计流程是否足够精确。计算MOSFET的热性能，为它们提供足够的耗散途径，然后在实验室中检验这些计算，这样有助于获得一个健壮的热设计。

ADI

亚德诺半导体 . 2025-10-10 845
产品 | AMD 锐龙嵌入式 9000 系列为工业计算与自动化带来下一代性能和效率

工业计算正在快速演进，随之对平衡性能、能效和长期可靠性的平台提出了新的要求。AMD 正应对这一挑战，推出专为工业 PC、自动化系统和机器视觉应用打造的 Ryzen™（锐龙）嵌入式 9000 系列处理器。这一全新系列能提供卓越的每瓦性能、低时延以及工业客户所需的长期稳定性。锐龙嵌入式 9000 系列处理器的多功能性在其目标应用中得到充分展现。对于工业 PC，它集性能、集成显卡和效率于一身，这些正是恶劣环境下供电和维持运行所需。在工业控制和自动化领域，该处理器能提供机器人、边缘计算和智慧工厂运行所需的低时延、高吞吐量性能。在机器视觉领域，实时 AI 推理和高级视频处理的结合有助于确保缺陷检测、质量控制以及测试与测量等任务能以卓越的精度和速度执行。锐龙嵌入式 9000 系列处理器采用先进的 AMD “Zen 5” 架构为核心，旨在突破性能和效率的极限。该系列处理器基于 4nm 制程打造，能提供至多 16 个高性能核心，可配置功率范围涵盖 65 瓦至 170 瓦，从而可以针对从注重节能的工业控制到用于工厂自动化的高吞吐量机器视觉系统等各种应用定制系统。通过支持用于 AI 和视频处理的 AVX-512 指令集，该处理器性能得到了进一步提升。结合 DDR5 内存、PCIe® Gen 5 连接以及采用 AMD 3D V-Cache™ 技术的至高 128MB 的缓存，锐龙嵌入式 9000 系列处理器能为时延敏感型任务提供所需的速度和吞吐量。对于需要图形和可视化功能的应用，AMD RDNA™ 2 架构无需独立 GPU 即可提供经济高效的显示和视觉解决方案，从而同时降低了复杂性与系统成本。持久可靠性工业部署通常跨越数年乃至数十年时间，因此需要能够适配如此漫长生命周期的平台。锐龙嵌入式 9000 系列正是基于这一现实需求打造。该平台采用 AMD AM5 插槽设计，可提供向后和向前兼容性，易于安装。锐龙嵌入式 9000 系列处理器可提供长达 7 年的产品供货期和可靠性保障，因此系统设计人员可以确信，其投资在未来很长一段时间内都将持续有效。预计将于今年晚些时候上市的锐龙 PRO 嵌入式 SKU 将进一步延长支持周期，提供长达 10 年的产品供货和可靠性保障。此外，AMD PRO 技术还能提供多层安全性和无缝可管理性，并内置 AMD 平台安全启动（ AMD Platform Secure Boot ）1 和 AMD 内存防护系统（ AMD Memory Guard ）2 全内存加密等保护功能，以帮助抵御不断演进的网络威胁。从工厂车间到医疗系统，无论环境多么严苛，锐龙嵌入式 9000 系列都旨在提供始终如一、值得信赖的性能。面向未来除了性能和可靠性，锐龙嵌入式 9000 系列的工程设计还致力于为解决方案提供商带来所需的灵活性和可扩展性，以应对当前及未来的挑战。涵盖 WiFi 6E、PCIe® Gen 5 和高速 I/O 的丰富连接能力，使得打造的平台不仅在目前性能强大，还能灵活应变以支持未来技术。凭借 AM5 插槽的兼容性和广泛的 SKU，系统架构师可以扩展解决方案以满足各种应用需求，同时有效控制成本。 AMD 锐龙嵌入式 9000 系列处理器提供了一款专为耐用性和创新性而构建的平台。它通过结合先进的每瓦性能、强大的可靠性以及面向未来的可扩展性，赋能工业和嵌入式系统设计人员打造出能够经受时间考验的解决方案。锐龙嵌入式 9000 系列处理器提供了既高瞻远瞩又稳定可靠的基石，是工业计算向前迈出的一大步。 1. 启用 AMD 平台安全启动功能的 OEM 厂商，允许其加密签名的 BIOS 代码仅在其搭载支持 AMD 平台安全启动功能的主板的平台上运行。处理器中的一次性可编程保险丝将处理器与 OEM 的固件代码签名密钥绑定。自该时起，该处理器只能与使用相同代码签名密钥的主板一同使用。GD-192。 2. AMD 锐龙 PRO、AMD 锐龙 Threadripper PRO 和 AMD Athlon PRO 处理器包含使用 AMD 防护系统的完整系统内存加密功能。需要 OEM 厂商支持。购买前请咨询系统制造商。GD-206。某些 AMD 技术可能需要第三方启用或激活。支持的功能可能因操作系统而异。请与系统制造商确认具体功能。任何技术或产品都无法完全安全。GD-18b。

赛灵思

Xilinx赛灵思官微 . 2025-10-10 830
技术 | 英特尔公布Panther Lake处理器架构细节

今年晚些时候，Panther Lake将在位于亚利桑那州的英特尔最新晶圆厂进入大规模量产。英特尔首席执行官陈立武站在位于亚利桑那州钱德勒市的英特尔Ocotillo园区中，正手持代号为Panther Lake的英特尔酷睿Ultra处理器（第三代）的晶圆。Panther Lake是首款基于Intel 18A制程工艺节点打造的客户端SoC。（图片来源：英特尔公司）新闻亮点：英特尔预览了代号Panther Lake的英特尔® 酷睿™ Ultra处理器（第三代），这是首款基于Intel 18A制程工艺打造的客户端 SoC。 Panther Lake现已正式进入生产阶段，正按计划推进以满足客户需求，并有望成为业界广受欢迎的PC平台。首次展示英特尔® 至强® 6+（代号 Clearwater Forest），这款基于Intel 18A的下一代服务器产品，在功耗与性能方面实现了重大改进。 Intel 18A是英特尔研发并制造的最先进半导体节点。位于亚利桑那州的Fab 52已全面投入运营，并将在今年晚些时候实现基于Intel 18A的大规模量产，进一步巩固英特尔在技术与制造领域的领导地位。今日，英特尔公布了代号Panther Lake的新一代客户端处理器英特尔® 酷睿™ Ultra（第三代）的架构细节，该产品预计将于今年晚些时候开始出货。Panther Lake是英特尔首款基于Intel 18A制程工艺打造的产品，这一制程是是英特尔研发并制造的最先进的半导体工艺。英特尔还预览了英特尔® 至强® 6+（代号 Clearwater Forest），这是公司首款基于Intel 18A的服务器处理器，预计将于2026年上半年推出。Panther Lake和Clearwater Forest，以及基于Intel 18A制程的多代产品，正在位于亚利桑那州钱德勒市的英特尔全新尖端工厂Fab 52进行生产。英特尔首席执行官陈立武表示：“得益于半导体技术的巨大飞跃，我们正迈入一个令人振奋的全新计算时代，这些技术进步有望塑造未来数十年的发展。结合领先的制程技术、制造能力和先进封装技术，我们的新一代计算平台将成为推动公司各业务领域创新的催化剂，助力我们打造一个全新的英特尔。” 英特尔® 酷睿™ Ultra 处理器（第三代）是首款基于Intel 18A制程工艺打造的客户端系统级芯片（SoC），将为广泛的消费级与商用AI PC、游戏设备以及边缘计算解决方案提供算力支持。Panther Lake引入了可扩展的多芯粒（multi-chiplet）架构，将在不同外形规格、市场细分和价格区间，为合作伙伴提供前所未有的灵活性。亮点包括：具备Lunar Lake级别的能效与Arrow Lake级别的性能。最多配备16个全新性能核（P-core）与能效核（E-core），相比上一代CPU性能提升超过50%。全新英特尔锐炫™ GPU，最多配备12个Xe核心，图形性能相比上一代提升超过50% 均衡的XPU设计以实现全新水平的AI加速，平台AI性能最高可达180 TOPS（每秒万亿次运算）。除了 PC 领域，Panther Lake还将扩展至包括机器人在内的边缘应用。全新的Intel Robotics AI 软件套件与参考板为客户提供先进的AI能力，使其能够快速创新并开发高性价比的机器人，并利用Panther Lake同时实现控制与AI/感知功能。 Panther Lake将于今年开始进入大规模量产，首款SKU预计在年底前出货，并于2026年1月实现广泛的市场供应。 Clearwater Forest：为现代数据中心带来高效与可扩展性 Clearwater Forest是英特尔下一代能效核处理器，即英特尔® 至强® 6+。这款处理器基于Intel 18A制程工艺，是现阶段英特尔效率超高的服务器处理器。英特尔计划在2026年上半年推出至强6+。产品亮点：最多可配备288个能效核。相比上一代，每周期指令数（IPC）提升17%。在密度、吞吐量和能效方面实现显著提升。 Clearwater Forest专为超大规模数据中心、云服务提供商和电信运营商打造，帮助企业扩展工作负载、降低能源成本，并驱动更智能的服务。 Intel 18A：树立行业新标准 Intel 18A是英特尔开发和制造的首个2纳米级别制程节点，与Intel 3制程工艺相比，其每瓦性能提升高达15%，芯片密度提升约30%。该节点在英特尔位于俄勒冈州的基地完成研发、制造验证并进入早期生产阶段，目前正加速在亚利桑那州实现大规模量产。 Intel 18A的关键创新包括： RibbonFET：这是英特尔十多年来推出的首个全新晶体管架构，能够实现更大规模与更高效的开关控制，从而显著提升性能并改善能效。 PowerVia：突破性的背面供电系统，优化电力传输与信号传递。此外，英特尔的先进封装与3D芯片堆叠技术Foveros，可将多个芯粒（chiplet）堆叠并集成到先进的SoC设计中，在系统层面提供灵活性、可扩展性与性能优势。 Intel 18A制程将作为核心技术平台，支撑英特尔未来至少三代客户端与服务器产品的研发与生产。更多背景：什么是 x86 架构？现代计算的基础简述（https://newsroom.intel.com/tech101/x86-architecture-foundation-of-modern-computing）有关所有性能声明，请访问 intel.com/performanceindex 获取更多详细信息。测试结果可能有所差异。 1 基于 SPECrate® 2017_int_base（n 份拷贝）对处理器长期预期稳定状态功耗的估算。截至 2025 年 9 月。结果可能有所差异。详情请参见 intel.com/performanceindex。 2 基于 SPECrate® 2017_int_base（n 份拷贝）的估算。截至 2025 年 9 月。结果可能有所差异。详情请参见 intel.com/performanceindex。 3 基于Panther Lake参考验证平台，与Lunar Lake和Arrow Lake-H参考验证平台对比，在 3DMark Solar Bay、《赛博朋克 2077》和《无主之地3》中的测试结果。 4 基于产品规格。更多信息请参见 ark.intel.com。基于英特尔内部分析，将Intel 18A与Intel 3对比，截至 2024年2月。结果可能有所差异。详情请参见 Intel18A官方页面。

英特尔

英特尔中国 . 2025-10-10 1505
技术 | I²C通信故障深度解析：艾为全链路经验指南

凭借在芯片设计、封装测试到应用方案支持等环节的长期技术积累，中国数模龙头艾为电子已形成一套成熟的全链路质量保障经验，能够系统性地预防和解决I²C通信问题。本文将从IC芯片设计、封装、测试和应用等角度，深入剖析I²C通信故障的根源，并提供切实可行的解决方案。 I²C不通的常见原因和诊断 01 设计缺陷 I²C通信依赖稳定且可靠的时钟信号和数据信号，若设计中存在信号反射、串扰或阻抗不匹配、防护不足等问题，可能导致通信异常。表1: 常见问题及解决措施 02 封装与测试方面芯片制造过程中，工艺参数的偏差可能导致I²C通信性能不达标封装过程中可能出现引脚损伤、焊料气泡或封装翘曲等问题，影响I²C通信的稳定性测试过程中，温度、湿度或电磁干扰等因素可能影响I²C通信性能测试设备的精度或稳定性不足可能导致漏检或误判表2：常见问题及解决措施 03 电路应用方面主要涉及到硬件电路设计中，信号完整性、电源噪声、设备地址与上拉电阻配置相关方面。表3：常见问题及解决措施艾为的质量管控措施对于上述问题，数模龙头艾为电子具备从设计、封装测试和应用方案的全链路质量措施。 01 设计阶段的严格把控艾为在芯片设计阶段采用正向设计和源头创新，确保I²C通信的信号完整性和抗干扰能力⁠⁠；通过仿真和验证，优化电源噪声抑制和信号完整性设计。 02 封装与测试环节的管控艾为与优质的封测厂合作并建立长期合作关系，定期评估其质量管理体系，确保封装质量；在测试环节，艾为采用ATE（自动测试设备）进行全生命周期测试，确保I²C通信性能符合设计要求。 03 应用方案开发针对各类产品具有完善的应用方案设计指导与checklist，为产品设计初期提供有效的建议，进而从产品设计源头避免I²C不通问题的发生。

I2C

艾为官网 . 2025-10-09 275