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技术 | 高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。高结温带来的挑战半导体器件在较高温度下工作会降低电路性能，缩短使用寿命。对于硅基半导体而言，晶体管参数会随着温度的升高而下降，由于本征载流子密度的影响，最高极限会低于 300℃。依靠选择性掺杂的器件可能会失效或性能不佳。影响 IC 在高温下工作的主要技术挑战包括：泄漏电流增加 MOS 晶体管阈值电压降低载流子迁移率降低提高闩锁效应（Latch-Up）敏感性加速损耗机制对封装和接合可靠性的挑战要设计出能够在高温下工作的 IC，了解高温下面临的挑战至关重要。下文将探讨 IC 设计面临的挑战。 1.泄漏电流增加 CMOS 电路中泄漏电流的增加主要是由半导体 PN 结泄漏和亚阈值沟道泄漏的增加引起的。 ▷反向偏置 PN 结泄漏在较高温度下，半导体中热能的增加会导致更多电子 - 空穴对的产生，从而产生更高的泄露电流。结泄漏取决于掺杂水平，通常随温度呈指数增长。根据广泛使用的经验法则，温度每升高 10℃，结电流大约增加一倍。二极管的泄漏电流由漂移电流和扩散电流组成：其中， q 为电子的基本电荷， Aj 为结面积，ni 为本征载流子浓度，W 为耗尽区宽度，τ 为有效少数载流子寿命，L 为扩散长度，N 为中性区掺杂密度。在中等温度下，泄漏电流主要由耗尽区中电子 - 空穴对产生的热引起。在高温下，泄漏电流主要由中性区产生的少数载流子引起。漂移电流与耗尽区宽度成正比，这意味着它与结电压的平方根成正比（在正常反向电压下），而扩散电流与结电压无关，并且与掺杂密度 N 成反比。掺杂水平越高，在温度高于约 150°C 时扩散泄漏越少。泄漏电流的指数增加影响了大多数主动器件（如双极晶体管、MOS 晶体管、二极管）和一些被动器件（如扩散电容、电阻）。然而，由氧化物隔离的器件，例如多晶硅电阻、多晶硅二极管、ploy-poly 电容和 metal-metal 电容，并不受结泄漏的影响。结泄漏被认为是高温 bulk CMOS 电路中最严峻的挑战。 ▷亚阈值沟道泄漏 MOS 晶体管关闭时，栅极 - 源极电压 VGS 通常设置为零。由于漏极至源极电压 VDS 非零，因此漏极和源极之间会有小电流流过。当 Vgs 低于阈值电压 Vt 时，即在亚阈值或弱反型区，就会发生亚阈值泄漏。该区域的漏极源极电流并不为零，而是与 Vgs 呈指数关系，主要原因是少数载流子的扩散。该电流在很大程度上取决于温度、工艺、晶体管尺寸和类型。短沟道晶体管的电流会增大，阈值电压较高的晶体管的电流会减小。亚阈值斜率因子 S 描述了晶体管从关断（低电流）切换到导通（高电流）的有效程度，定义为使漏极电流变化十倍所需改变的 VGS 的变化量：其中，n 是亚阈值斜率系数（通常约为 1.5）。对于 n = 1，斜率因子为 60mV/10 倍，这意味着每低于阈值电压 Vt 60mV，漏极电流就会减少十倍。典型的 n = 1.5 意味着电流下降速度较慢，为 90mV/10 倍。为了能够有效地关闭 MOS 晶体管并减少亚阈值泄漏，栅极电压必须降到足够低于阈值电压的水平。 ▷栅极氧化层隧穿泄露对于极薄的栅极氧化层（厚度低于约 3 纳米），必须考虑隧穿泄漏电流的影响。这种电流与温度有关，由多种机制引发。Fowler-Nordheim 遂穿是在高电场作用下，电子通过氧化层形成的三角形势垒时产生。随着有效势垒高度降低，隧道电流随温度升高而增大。较高的温度也会增强 trap-assisted 隧穿现象，即电子借助氧化层中的中间陷阱态通过。对于超薄氧化层，直接隧穿变得显著，由于电子热能的增加，隧穿概率也随之上升。 2.阈值电压降低 MOS 晶体管的阈值电压 Vt 与温度密切相关，通常随着温度的升高而线性降低。这是由于本征载流子浓度增加、半导体禁带变窄、半导体 - 氧化物界面的表面电位的变化以及载流子迁移率降低等因素造成的。温度升高导致的阈值电压降低会引起亚阈值漏电流呈指数增长。 3.载流子迁移率下降载流子迁移率直接影响 MOS 晶体管的性能，其受晶格散射与杂质散射的影响。温度升高时，晶格振动（声子）加剧，导致电荷载流子的散射更加频繁，迁移率随之下降。此外，高温还会增加本征载流子浓度，引发更多的载流子 - 载流子散射，进一步降低迁移率。当温度从 25°C 升高到 200°C 时，载流子迁移率大约会减半。载流子迁移率显著影响多个关键的 MOS 参数。载流子迁移率的下降会降低驱动电流，减少晶体管的开关速度和整体性能。更高的导通电阻会增加功率损耗并降低效率。较低的迁移率还会降低跨导，使亚阈值斜率变缓（增加亚阈值泄漏），降低载流子饱和速度（对于短沟道器件至关重要），并间接影响阈值电压。 4.提高闩锁效应敏感性集成电路中各个二极管、晶体管和其他元件之间的隔离是通过反向偏置 P-N 结来实现的。在电路开发过程中，需采取预防措施以确保这些结在预期应用条件下始终可靠阻断。这些 P-N 结与其他相邻结形成 N-P-N 和 P-N-P 结构，从而产生寄生 NPN 或 PNP 晶体管，这些晶体管可能会被意外激活。当寄生 PNP 和 NPN 双极晶体管相互作用，在电源轨和接地之间形成低阻抗路径时，CMOS IC 中就会出现闩锁效应（Latch-up）。这会形成一个具有正反馈的可控硅整流器（SCR），导致过大的电流流动，并可能造成永久性器件损坏。图 1 显示了标准 CMOS 逆变器的布局截面图。图中还包含寄生 NPN 和 PNP 晶体管。正常工作时，所有结均为反向偏置。图 1. 带标记的寄生双极晶体管逆变器截面图和寄生双极晶体管示意图闩锁效应的激活主要取决于寄生 NPN 和 PNP 晶体管的 β 值，以及 N - 阱、P - 阱和衬底电阻。随着温度的升高，双极晶体管的直流电流增益（β）以及阱和衬底的电阻也会增加。在高温条件下，闩锁效应灵敏度的增加也可以视为双极结型晶体管（BJT）阈值电压的降低，从而更容易在阱和衬底电阻上产生足以激活寄生双极晶体管的压降。基极 - 发射极电压随温度变化降低的幅度约为 -2mV/℃，当温度从 25℃升至 200℃时，基极 - 发射极电压降低 350mV。室温下的典型阈值电压为 0.7V，这意味着阈值电压大约减半。 5.加速损耗机制 Arrhenius 定律在可靠性工程中被广泛用于模拟温度对材料和元器件失效率的影响。其中，R( T) 是速率常数，Ea 是活化能，k 是玻尔兹曼常数（8.617 · 10−5eV/K），T 为绝对温度（单位：开尔文）。通常，每升高10°C可靠性就会降低一半。 ▷经时击穿-TDDB TDDB 是电子器件中的一种失效机制，其中介电材料（例如 MOS 晶体管中的栅氧化层）由于长时间暴露于电场下而随时间退化，导致泄漏电流增加。当电压促使高能电子流动时，在氧化层内部形成导电路径，同时产生陷阱和缺陷。当这些导电路径在氧化层中造成短路时，介电层就会失效。失效时间 TF 随着温度的升高而呈指数级减少。 ▷负 / 正偏置温度不稳定性 - NBTI / PBTI NBTI 影响以负栅极 - 源极电压工作的 p 沟道 MOS 器件，而 PBTI 则影响处于积累区的 NMOS 晶体管。在栅极偏压下，缺陷和陷阱会增加，导致阈值电压升高，漏极电流和跨导减少。这种退化显示出对数时间依赖性和指数温度上升，在高于 125°C 时有部分恢复。 ▷电迁移电迁移是指导体中的金属原子因电流流动而逐渐移位，形成空隙和小丘。因此，如果金属线中形成的空隙大到足以切断金属线，就会导致开路；如果这些凸起延伸得足够长以至于在受影响的金属与相邻的另一金属之间形成桥接，则可能导致短路。电迁移会随着电流密度和温度的升高而加快，尤其是在空隙形成后，会导致电流拥挤和局部发热。金属线发生故障的概率与温度成指数关系，与电流密度成平方关系，与导线长度成线性关系。铜互连器件可承受的电流密度约为铝的五倍，同时可靠性相似。 ▷热载流子退化当沟道电子在 MOS 晶体管漏极附近的高电场中加速，会发生热载流子退化。在栅极氧化层中产生界面态、陷阱或空穴。它影响诸如阈值电压 VT、电流增益 β、导通电阻 RDS_ON 和亚阈值泄漏等参数。在较高温度下，平均自由程减少，降低了载流子获得的能量，使得热载流子退化在低温条件下更为显著。

安森美

安森美 . 2025-05-27 905
产品 | 低至 60nA！圣邦微电子 SGM6040：以「芯片级能效」撬动碳中和未来--重新定义电子设备的「隐形环保力」

圣邦微电子推出自主研发设计的 60nA 静态电流降压型 DC/DC 转换器 SGM6040，器件适用于 IoT 设备、智能门锁&可视化门铃、公用事业表计等以年为计时单位的电池供电应用。从随身携带的智能手机到守护家门的智能门锁，电子设备在赋能现代生活方面扮演着越来越重要的角色。然而，随着智能设备数量的快速增长，在提升生活品质的同时，也让待机功耗成为碳足迹的隐形杀手，无声地抵消着碳中和进程。以模拟芯片技术创新，直击待机功耗。SGM6040，节省每一微安电流，助力碳中和进程。四大核心参数关断模式输入电流：25nA；空载输入电流：60nA； 100% 占空比模式空载输入电流：120nA； 1μA 负载转换效率：>80%（3.6V 输入，1.8V 输出）。 SGM6040 采用自适应纹波控制架构，在维持超低静态电流和极佳轻载效率的同时，优化轻载输出纹波，并具有极佳的 PFM/PWM 模式切换瞬态响应能力，打破“低功耗=低性能”的传统认知。 PFM 模式的轻载纹波特性 PFM/PWM 模式切换瞬态响应速度与稳定性图 2 SGM6040 超轻载效率曲线器件典型参数输入电压范围：1.8V 至 5.5V；输出电压范围：0.8V 至 3.4V；最大输出电流：高达 750mA；空载输入电流：60nA（典型值）；关断模式输入电流：25nA（典型值）；支持 100% 占空比模式；在 3.6V 输入、1.8V 输出且输出电流为 1µA 时，效率高于 80%； VSET 引脚可选择 16 种不同的输出电压；采用 COT（恒定导通时间）控制；具备输出放电功能；自动切换至 PFM（脉冲频率调制）或强制 PWM（脉冲宽度调制）模式；提供可选的强制 PWM 和停止模式；提供符合环保理念的 TDFN-2×1.5-8L 和 WLCSP-0.89×1.19-6B 绿色封装。图 3 SGM6040 典型应用电路图 4 SGM6040 封装示意图除优越的性能外，SGM6040 还配备了很多贴心的功能，为工程师的设计带来便利。一键静音 SGM6040 的 STOP 引脚可以一键关闭开关，有效消除开关引起的干扰。STOP 功能使能后，输出电压会出现短暂的跌落，但器件内部偏置供电电路仍保持工作状态，确保下次能够迅速重启开关。这一设计特别适用于智能家居、医疗设备等对电磁敏感的场景。极简 BOM 仅需 4 个小尺寸外围阻容感器件即可实现完整 BOM，助力产品小型化。一个对地电阻实现 16 种输出电压配置，适配多电压域系统设计。极小封装采用符合环保理念的 TDFN-2×1.5-8L 和 WLCSP-0.89×1.19-6B 绿色封装，供不同应用场景使用。场景落地智能门锁&可视化门铃续航革命在现代智能家居环境中，智能门锁和可视化门铃通常使用多节干电池或锂电池为系统供电，智能门锁电池大部分生命周期都处于待机状态，供电电源静态功耗成为影响-电池续航时长的关键因素。SGM6040 凭借其超低空载功耗以及在极轻负载下的高效率表现，大幅度延伸了电池的续航时间。智能公用事业表计长期免维护智能公用事业计量表通常采用锂-二氧化锰（Li-MnＯ2）电池和亚硫酰氯（SOCl2）电池作为主要供电方案。此类电池凭借其自放电极低、寿命长、工作温度范围宽等优点被广泛运用在需要以年为计时单位的作业场景。然而，此类应用中多存在电池不可充电的问题，需要定期更换电池。如果搭载 SGM6040，凭借其超低静态功耗特性，计量表中的微控制器（MCU）以及周期性工作的通讯模块都可以依赖 SGM6040 进行供电，可有效提升电池工作年限，减少电池更换频次。除上述场景外，SGM6040 还可以被广泛使用在资产追踪设备、可穿戴设备、便携式医疗设备、工业物联网（智能传感器）、智能家居等电子设备上。当 60nA 的电流穿过 SGM6040 的晶圆，它不仅是半导体工艺的进步，更是一个关于“技术向善”的承诺。圣邦微电子正通过模拟芯片的毫米级创新，在纳米级的能效战场上，为全球碳中和目标构建“看不见的基石”。技术参数或许冰冷，但绿色未来终将温暖可触。

低静态电流

圣邦微电子 . 2025-05-27 690
Cadence 率先推出 eUSB2V2 IP 解决方案，助力打造高速连接新范式

为了提供更好的用户体验，包括高质量的视频传输、更新的笔记本电脑（例如最新的 AI PC）和其他前沿设备，都需要 5 纳米及以下的先进节点 SoC，以达成出色的功耗、性能和面积（PPA）目标。然而，随着技术发展到 5 纳米以下的工艺节点，SoC 供应商面临各种挑战，例如平衡低功耗和低工作电压（通常低于 1.2V）的需求。与此同时，市场也需要高分辨率相机、更快的帧率和 AI 驱动的计算，这就要求接口具有更高的数据传输速率和更强的抗电磁干扰（EMI）能力。随着这些性能要求变得越来越复杂，市场亟需创新的解决方案来弥合高效节能和高级功能之间的差距。在此背景下，Cadence 在业内率先推出 eUSB2V2 IP，此 IP 基于先进的台积公司 N3P 工艺，符合最新的嵌入式 USB2 版本 2 标准，可以为笔记本电脑、AI 视频设备和先进的图像信号处理器（ISP）系统提供前所未有的功能，改变了计算设备。首个采用台积公司 N3P 技术的完整 eUSB2V2 IP 解决方案完成流片 eUSB2V2 是 2024 年 9 月发布的新型 USB 标准，标志着现代计算系统 USB 接口发展的重大技术飞跃。Cadence 是率先在台积公司 N3P 工艺上完成全面的 eUSB2V2 接口解决方案流片的公司，该解决方案包括 PHY IP 和控制器 IP，非常适合高级 CPU 和 AI 驱动的应用。该解决方案成为连接传统 USB 2.0 和现代系统的桥梁，可确保无缝兼容。虽然 USB 2.0 的 480Mbps 数据速率足以满足早期笔记本电脑的需求，但现代系统需要更高的带宽来处理高分辨率相机、AI 计算和实时数据处理。eUSB2V2 可扩展到 4.8Gbps，速度提升十倍。这可以支持 4K 视频的无缝传输，实现更流畅的增强现实（AR）应用，也可在消费电子和企业设备中发挥 AI 集成的无限潜力。 “凭借在业内率先采用台积公司 N3P 技术的 eUSB2V2 IP 解决方案，我们可以在简化系统设计的同时，解决低电压运行和高数据速率要求的综合挑战”，Cadence 芯片解决方案事业部协议 IP 高级产品总监 Arif Khan 说道，“这个流片里程碑证明了我们提供领先 IP 技术、助力客户创造优秀创新产品的决心。” 面向各种应用的前沿功能 Cadence 的 eUSB2V2 IP 解决方案为计算、物联网和无线通信行业带来了更高的性能、灵活性和能效。这些解决方案具有可扩展的链路配置、低功耗和卓越的 EMI 降噪等功能，可为支持 AI 的物联网设备、4K 摄像系统和 5G 无线模块等应用提供紧凑的设计，从而实现峰值性能。台积公司 N3P 工艺的先进 PHY IP 可提供高达 4.8Gbps 的非对称链路模式，或 960Mbps 到 4.8Gbps 的对称配置，允许设计人员针对特定用例进行优化。eUSB2V2 IP 完全符合 eUSB2V2 和 UTMI 2.0 标准，支持低功耗状态、可扩展的数据速率以及主机或外设的灵活性，是尖端笔记本电脑、AI 驱动的视频处理和新一代通信系统的理想选择。台积公司北美子公司生态系统和联盟管理部资深总监 Lluis Paris 表示:“此合作伙伴关系体现了我们共同致力于预测科技需求，并提供领先的解决方案以推动产业创新。我们与 Cadence 等 OIP 开放创新平台伙伴持续合作，确保最新的设计解决方案充分利用我们先端制程技术的高性能和高效能优势”。 eUSB2V2 改善 USB 设计针对现代计算面临的挑战，Cadence 全面的 IP 生态系统提供了强大的解决方案，工程师、设计人员和制造商必将从中受益。凭借更高的数据速率、更低的工作电压及更高的灵活性，采用台积公司 N3P 技术的 Cadence eUSB2V2 IP 解决方案流片不仅实现了 USB 接口的进化，也代表着行业的重大飞跃。出于对 Cadence eUSB2V2 IP 解决方案的认可，某重要客户和早期用户已经为他们的新一代计算设备 SoC 购买了此 IP。

Cadence . 2025-05-27 535
MDDG03R04Q,低内阻大电流，服务器和新能源的好帮手

在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N沟道增强型MOS）凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。一、产品概述：PowerTrench工艺与屏蔽栅技术的融合 MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺，结合屏蔽栅结构，通过优化载流子迁移路径与电场分布，实现：极低导通电阻：RDS(on)低至3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），显著降低导通损耗。快速开关性能：优化栅极电荷（Qg）与软恢复体二极管，支持高频应用。工业级可靠性：100% UIS测试认证，确保雪崩能量耐受能力。二、核心性能与关键参数 1. 导通与动态特性 RDS(on)@10V=3.5mΩ：相比传统MOSFET，导通损耗降低，提升电源转换效率。低反向恢复电荷（Qrr）：减少同步整流中的反向导通损耗，优化系统能效。快速开关响应：开启/关断延迟时间优化，适配高频PWM控制。 2. 可靠性认证与环保标准 100% UIS测试：单脉冲雪崩能量（EAS）通过严格验证，保障感性负载场景稳定性。 RoHS合规：无铅环保工艺，符合全球环保法规。 3. 热性能与封装设计 PDFN3*3-8L封装：贴片式金属背板设计提升散热能力，支持持续高电流工况。宽温工作范围：-55℃~150℃，适应严苛环境。三、典型应用场景 1. 同步整流（ATX/服务器/电信PSU）低RDS(on)与Qrr特性：优化DC/DC转换效率，减少同步整流损耗，适用于钛金级电源设计。高频开关能力：适配LLC谐振拓扑，提升功率密度。 2. 工业电机驱动与不间断电源（UPS） 80A持续电流能力：支持伺服电机、AGV小车驱动需求。高雪崩能量耐受：应对电机启停与电池切换瞬态冲击，系统可靠性提升25%。 3. 微型太阳能逆变器（Micro Solar Inverter）高效MPPT控制：低导通损耗提升光伏能量转换效率。宽温工作范围：适应户外极端温度波动，保障长期稳定运行。四、选型推荐除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。

MDD辰达半导体 . 2025-05-27 495
纳祥科技新品NX4919，一款I2S 数字 AB 类耳放芯片，THD+N小于0.1%

数字化时代对音质要求不断提升，推动着音频设备持续革新。在此背景下，纳祥科技新推出了一款高性能I2S数字AB类耳放芯片NX4919芯片，它具备105dB的动态范围，小于0.1%的THD+N指标，可广泛应用于高端音频设备和高保真音响系统，给用户带来更专业的选择。（一）NX4919芯片概述 NX4919是一款I2S数字AB类双声道音频功率放大器芯片，带静音控制脚功能，内含有数字去加重模块、插值滤波器、Multi-Bit数模转换器、输出模拟滤波器，并支持大部分的音频数据格式。芯片基于一个带线性模拟低通滤波器的四阶Multi-Bit Δ∑调制器，自动检测信号频率和主时钟频率，在2KHz和200KHz之间自动调节采样率。当SHUTDOWN管脚电压为GND时，芯片工作在关断模式下，此时芯片的功耗极低，IQ仅为0.4uA；同时芯片内置噪音消除电路，消除了芯片启动和关断过程中的噗噗声和咔嗒声。 NX4919 采用 QFN28 封装，具有输入工作电压范围宽（3.3V~5.0V）、外围简单、成本低等优点，是高保真、小功率电子产品的理想器件。 ▲NX4919半成品图（二）NX4919主要特性 NX4919是一款高性能的I2S 数字 AB 类耳放带DAC，它具备了以下这些特征： ① Muti-BitΔ∑调制器， 24 位 D/A 转换 ② 3.3V~5.0V 工作电压 ③ 自动检测最大到192KHz 的采样频率 ④ 105dB 动态范围 ⑤ -90dB 总谐波失真+信噪比 ⑥ 低时钟抖动敏感度，线性滤波输出 ⑦ 片上数字去加重，支持所有标准音频接口 ⑧ 无需输出耦合电容或外部缓冲电路 ⑨ 在 16Ω负载，噪声及谐波失真<0.1%（f=1KHz）时，输出功率为 140mW ⑩ 在 32Ω负载，噪声及谐波失真<0.1%（f=1KHz）时，输出功率为 80mW ⑪ 关机电流典型值为 0.4uA ⑫ 具有过热保护功能 ⑬ 增益通过外围可以调整，增益带宽最高 2.5MHz ⑭ 极少外部元器件，节省 PCB 空间和 BOM 成本 ▲NX4919功能框图（三）NX4919芯片亮点基于NX4919的特性，可以总结出以下两个主要亮点特质。 ① 精简外部元器件 NX4919采用精简外部元器件设计，通过优化内部电路和先进工艺，仅需极少元件即可高效运行，显著降低BOM成本与生产组装的复杂度。 ② 高保真 NX4919在5V供电驱动16Ω负载时平均输出140mW功率，总谐波失真THD+N小于0.1%，在保证高驱动能力的同时降低功耗，精准还原音频细节。 ▲NX4919管脚配置（四）NX4919应用领域得益于其技术性能、兼容性与易用性，NX4919被广泛应用于多领域，如WIFI播放器、WIFI音箱、DEEPSEEK播放器智能播放设备等。 ▲NX4919应用示例图

新品

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-05-27 2 570
晶振在PCB板上如何布局

在很多电路中，系统晶振时钟频率很高，干扰谐波出来的能量也强，谐波除了会从输入与输出两条线导出来外，也会从空间辐射出来，这也导致若PCB中对晶振的布局不够合理，会很容易造成很强的杂散辐射问题，并且一旦产生，很难再通过其他方法来解决，所以在PCB板布局时对晶振和CLK信号线布局非常重要。 · 晶振的等效电路事实上，晶振的作用就像一个串联的RLC电路。晶振的等效电路显示了一个串联的RLC电路，表示晶振的机械振动，与一个电容并联表示与晶振的电气连接，而晶振振荡器便朝着串联谐振运行工作。其中，R是ESR等效串联电阻，L和C分别是等效电感和电容，Cp为寄生电容。 · 晶振在PCB板的设计布局作为数字电路中的心脏，晶振影响着整个系统的稳定性，系统晶振的选择，决定了数字电路的成败。由于晶振内部存在石英晶体，受到外部撞击等情况造成晶体断裂，很容易造成晶振不起振，所以通常在电路设计时，要考虑晶振的可靠安装，其位置尽量不要靠近板边、设备外壳等地方。PCB对晶振布局时通常注意以下几点： ①晶振不能距离板边太近、晶振的外壳必须接地，否则易导致晶振辐射杂讯。在板卡设计时尤其需要注意这点。外壳接地可以避免晶振向外辐射，同时可以屏蔽外来信号对晶振的干扰。如果一定要布置在PCB边缘，可以在晶振印制线边上再布一根GND线，同时在包地线上间隔一段距离就打过孔，将晶振包围起来。 ②晶振下方不能布信号线，否则易导致信号线耦合晶振谐波杂讯。保证完全铺地，同时在晶振的300mil范围内不要布线，这样可以防止晶振干扰其他布线、元器件和层的性能。 ③若滤波器件放在晶振下方，且滤波电容与匹配电阻未按照信号流向排布，会使滤波器的滤波效果变差。耦合电容应尽量靠近晶振的电源引脚，按电源流入方向，依容值从大到小顺序摆放。 ④时钟信号的走线应尽量简短，线宽大一些，在布线长度和远离发热源上寻找平衡。以下图布局为例，晶振的布局方式会相对更优： ①晶振的滤波电容与匹配电路靠近MCU芯片位置，远离板边。 ②晶振的滤波电容与匹配电阻按照信号流向排布，靠近晶振摆放整齐紧凑。 ③晶振靠近芯片处摆放，到芯片的走线尽量短而直。在电路系统中，高速时钟信号线优先级最高。时钟线是一个敏感信号，频率越高，要求走线尽量简短，以保证信号的失真度达到最小。

晶振

扬兴科技 . 2025-05-27 1 1 580
产品 | 芯科科技推出首批第三代无线开发平台SoC

中国，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗无线解决方案领导性创新厂商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代无线开发平台产品组合的首批产品，即采用先进的22纳米（nm）工艺节点打造的两个全新无线片上系统（SoC）产品系列：SiXG301和SiXG302。这些高度集成的解决方案在计算能力、集成度、安全性和能源效率方面实现重大飞跃，可满足线缆供电和电池供电物联网（IoT）设备日益增长的需求。随着智能设备越来越复杂和紧凑，对功能强大、安全和高度集成的无线解决方案的需求空前强烈。全新的第三代无线开发平台SoC凭借先进的处理能力、灵活的内存选项、业界最佳的安全性和高集成度带来的对外部元件的精简，全面兑现了这一承诺。芯科科技的第一代、第二代和第三代无线开发平台产品将继续在市场上相辅相成，全面满足物联网应用的需求。全新的第三代无线开发平台SoC产品包括： • SiXG301：针对线缆供电应用而进行了优化 SiXG301专为线路供电的智能设备而设计，包括一个集成的LED预驱动器，为先进的LED智能照明和智能家居产品提供理想的解决方案，支持蓝牙、Zigbee和Thread，并且也支持Matter。SiXG301的闪存和RAM容量分别为4 MB和512 kB。随着Matter和其他要求更严苛的物联网应用需求不断增长，SiXG301可帮助客户进行面向未来的设计。该款SoC能够同时实现Zigbee、蓝牙和Matter over Thread网络的并发多协议运行，这有助于简化制造SKU、降低成本、节省电路板空间以实现更多器件集成，并提高消费者的可用性。目前已为选定的客户提供SiXG301批量产品，预计将于2025年第三季度全面供货。 • SiXG302：专为提高电池供电效率而设计即将推出的SiXG302将第三代无线开发平台产品扩展到电池供电应用，并且在不牺牲性能的情况下提供突破性的能源效率。SiXG302采用芯科科技先进的电源架构，设计仅使用15 µA/MHz的工作电流，比同类产品低30%。这使其成为Matter和蓝牙应用中采用电池供电的无线传感器和执行器的理想之选。SiXG302计划于2026年向客户提供样品。芯科科技产品线高级副总裁Ross Sabolcik表示：“智能设备正变得越来越复杂，设计人员面临的挑战是在保持能源效率的同时，将更多功能集成到更小的空间内。借助SiXG301和即将推出的SiXG302系列产品，我们可以提供灵活、高度集成的解决方案，以支持下一代物联网设备，无论它们的运行是靠电缆供电还是使用电池供电。 SiXG301和SiXG302系列产品起初将包括用于多协议的“M”类型器件，即SiMG301和SiMG302，以及针对低功耗蓝牙（Bluetooth LE）通信优化的“B”类型器件SiBG301和SiBG302。通过将22 nm工艺节点用于所有的第三代无线开发平台产品，芯科科技正在从智慧城市和工业自动化到医疗保健、智能家居等各种物联网应用领域中，满足对更功能强大、更高效的远边缘（far-edge）设备日益增长的需求。这些全新的SoC为设备制造商提供了一个可扩展且安全的平台，以打造下一波创新的高性能物联网产品。在2025年Works With开发者大会上了解更多有关第三代无线开发平台的信息。此外，芯科科技还将在2025年Works With大会期间重点展示SiXG301，以及业界采用该芯片开发的各种领先的创新产品。这一全球性活动汇聚了行业专家，共同探讨最佳实践、新兴技术和影响行业发展的变革性趋势。Works With大会将在全球多个地区举行，并设置在线形式的大会，以便观众更广泛地参与： • Works With峰会：10月1-2日，德克萨斯州奥斯汀 • Works With大会深圳站：10月23日 • Works With大会班加罗尔站：10月30日 • Works With在线大会：11月19-20日

物联网

Silicon Labs . 2025-05-26 2 715
技术丨GPMI：一次酣畅淋漓的智慧生态接口范式重构

文明的进步和什么有关？文明的进步与信息的存储介质和传递方法密切相关。存储介质的演进使人类能够保存更多知识和经验。从结绳记事到甲骨文、竹简再到纸张、纸带、软盘、硬盘，再到现在的云存储，其发展速度日益加快。相比之下，信息传递方法的更新较为缓慢，尤其是接口技术领域。现有高清视频接口技术已沿用20余年，缺乏本质性升级。这种停滞并不意味着现有接口已足够完善，实际上它们远未满足需求。特别是在超高清传输、多设备协同和电/数聚合等面向未来的应用场景中，现有接口难以胜任。 2025年4月，GPMI（General-Purpose Multimedia Interface，通用多媒体接口）技术在行业内引发广泛关注。该技术由深圳8K超高清视频产业协作联盟（SUCA）于2019年发起，历经6年研发，于2024年11月发布征求意见稿，计划于2025年正式推出。 GPMI到底是个啥 GPMI是面向智慧场景的接口范式重构，旨在解决现有接口在新应用场景中的适配问题。如果说第一代接口满足了模拟信号的物理连接需求、第二代接口满足了数字时代的高清传输标准，那GPMI就是万物互联时代接口「全村的希望」。 GPMI技术架构分为链路层、隧道底座、适配层和业务层。链路层包括主链路（ML）、辅助链路（SL）、线缆信息链路（CL）、供电链路（PL）和USB2链路（UL），其中主链路和辅助链路为必选，其余为可选。 GPMI的隧道底座由电气层、逻辑层和传输层组成，通过适配层的管理适配器、音视频适配器和第三方协议适配器实现设备管理、信号传输等功能。每个设备必须且仅能配置一个管理适配器，支持去中心化管理。 GPMI技术优势深度拆解基于GPMI技术原理，根据GPMI的「说明书」——《通用多媒体接口规范》，GPMI有着七大核心优势，分别是双向多流、双向控制、高功供电、生态兼容、极速传输、快速唤醒和全链安全。先来看GPMI的双向多流能力。GPMI支持视频流和数据流的混合双向传输和组网。这里有两个关键字，一个是双流、一个是双向。在传统接口技术中，现有的一些主流多媒体传输协议只能支持单路视频的传输，或者只支持多路视频的单向传输。而且在传输的过程中，要么只能是视频流、要么只能是数据流，不能混在一起。如果家里只有少数几个设备还好，最多就是多几根线；但如果设备多起来，电视、投影、手机等等，互联+高效通信就很麻烦了。有了GPMI的双向多流能力，就能让它在连接不同设备的时候，既能从发送端向接收端传输信号，也能从接收端收集反馈信号同步回发送端，而且也不限制视频或数据的形式。这样就能让家里的各种屏幕更简单的连接在一起，实现视频内容在不同屏幕之间直接传输和共享，单根线支持192Gbps的带宽。这个功能支持最多128个节点进行组网，特别适合各种带屏幕的智能家居设备之间的互联和数据交互，同时也能有效支持LED拼接屏等商用场景的应用。再来看GPMI的双向控制功能，它的本质就是能让互联起来的主副设备实现角色的「动态重构」。传统的接口技术更多聚焦设备互联，但对于多屏显示和远程控制等方面有较大局限。比如你家的电视虽然现在智能了，但只能还是电视、还是接收视频信号并播放出来。或者在机顶盒和电视的互联中，机顶盒一方面连接电视，另一方面还需要自己连接网络，没办法借助电视的联网能力。但如果有了双向控制功能，机顶盒就能用电视的网络能力接收内容，再把视频传输给电视，而这个互联和传输的过程用一根线就能完成。这相当于终端之间的主从关系可以实现动态切换和重构。按这个思路，电视也可以有更多功能，比如和智能家居相连，作为智能家居的中控屏，甚至可以通过电视遥控器来控制手机。 GPMI的第三个重要功能，就是高功供电。前面说的两个功能还都是广义上数据的传输，但这个功能就是把供电也给整合到一根线里了。通过多合一的接口，GPMI实现了「超高清视频+控制+数据+供电」的整合，它的Type-B接口支持高达480W的供电能力、Type-C接口支持240W的供电能力，已经不是够用了，而是完全够用了。最后再看GPMI的生态融合。USB Promoters 分配 SVID‘0XFF10’给SUCA，SUCA将该ID 用于GPMI接口，使GPMI全面兼容了USB接口标准，不仅确保能与现有设备传输，还为GPMI融入USB生态奠定了基础。不用开发新接口形式，不管对于厂商还是消费者肯定都是好事。从意义上来看，这其实也是未来任何新标准的大趋势，也为我们制定和推广新标准打了个样。未来图景：接口技术如何重构智慧生态有了GPMI技术的加持，至少会从两个方面带来新的发展机会。首先，肯定会解封一些原本受限于现有接口技术的智慧场景。比如前面说的智慧家庭里的多屏生态，就可以通过GPMI实现「连接+交互」的双重优化，让使用者不单单只是看电视，而变成「用电视」。海尔在2024年底就首发了采用GPMI接口的纯境关爱屏智能电视。除了家庭应用，在工业生产和物联领域也应该大有所为，比如把多个工业物联网打通，充分利用资源，组成互联互通的智慧体系。另外，GPMI也可以帮助整个智慧生态建设。比如在硬件层面，GPMI就消除了电源线、信号线、控制线等等一堆线的物理区隔，用一根线实现了「大一统」。在协议层面，不仅打通了前面说的控制+数据+视频的传输，还能帮助构建包含音视频、IoT、能源管理等不同协议的统一传输层。在生态和应用层面，或许也会催生更多新的商业模式。开个脑洞，既然家里的屏幕不只是屏幕本身，而是可以做控制和节点而存在，那是不是可以有个「显示即服务」的商业模式，通过出租和共享各种显示设备及其智慧能力而获利呢？ GPMI是一个接口，更是为包括智慧家庭、汽车电子甚至智能制造等行业的产品和应用、服务打开一扇创新之门。

海思

海思技术有限公司 . 2025-05-26 905
应用 | 李未可View AI拍摄眼镜发布：镜观全局，瞬译无界

第一代骁龙® AR1平台 1200万像素IMX681摄像头 WAKE AI大模型多语系AI实时翻译今日，李未可科技在新品发布会上正式推出了李未可View AI拍摄眼镜。这一重磅新品搭载#第一代骁龙AR1平台，在拥有轻盈重量和舒适佩戴感受的同时，还支持AI随身记，AI随地游，AI随时译等特色功能，可带来便捷的高清拍摄与智能交互体验。强大性能，轻便机身李未可View AI拍摄眼镜搭载了第一代骁龙 AR1 平台，该平台集成高通 14-bit ISP 、 Hexagon NPU 以及 Adreno GPU ，具备出色的处理性能，能够应对复杂的计算任务，无论是实时的语音翻译、高清视频录制，还是智能图像识别等场景，都能确保流畅无卡顿的操作体验，为李未可 View AI 拍摄眼镜提供了坚实的硬件基础，以实现卓越的拍摄体验与智能交互。为了能让AI眼镜满足大众日常佩戴需求，李未可将机身轻量化作为重要目标之一。李未可View AI拍摄眼镜机身仅重38g，兼顾时尚与质感的外观可满足商务及休闲出行佩戴场景。在镜片防护等级上也做到了IP5X防尘和IPX4防泼溅，日常实用性大幅增强。卓越画质，捕捉精彩瞬间李未可View AI拍摄眼镜搭载IMX681摄像头，拥有1200万像素的高解析力，搭配F2.4光圈和95°广角配置，能够捕捉丰富细腻的画面细节。无论是壮丽的风景、活泼的人物动态，还是精致的静物特写，都能一一呈现，为用户带来如临其境的视觉享受。此外，该摄像头利用第一代骁龙AR1平台14-bit ISP的先进特性，带来了卓越的镜头畸变控制能力，极大地提升了画面的真实性和准确性，避免了因镜头畸变导致的画面失真问题。在运动拍摄场景下，EIS电子防抖功能则能有效减少手部抖动带来的画面模糊，确保每一帧画面都清晰稳定。 AI翻译，跨国沟通无障碍基于第一代骁龙AR1平台提供的终端侧AI能力，李未可View AI拍摄眼镜拥有强悍的AI翻译系统，支持近180种语言，覆盖了英语、西班牙语、阿拉伯语、印度语等几大语系的不同国家语言，让跨语言交流不再有障碍。在实际使用场景中，无论是商务人士参加国际会议、跨国商务谈判，还是海外旅行者在国外问路、点餐，亦或是留学生在课堂学习、日常交流，李未可View AI拍摄眼镜的AI翻译功能都能实时提供准确、流畅的翻译服务，帮助用户轻松跨越语言障碍，实现高效自然的沟通交流，为用户带来独特而实用的价值体验。售价方面，李未可View AI拍摄眼镜产品零售价1999元，首发特惠价为1699元。

高通

高通中国 . 2025-05-26 1025
企业 | AI赋能制造四大核心方向，赛美特AI生态系统隆重亮相

5月23日，由国产智能工业软件领军企业赛美特主办的“AI无界·智联未来Al Defines the New Fab”AI制造应用峰会在上海成功召开。峰会聚焦人工智能技术与半导体制造的深度融合，吸引了行业专家、技术先锋及生态伙伴共聚一堂，共议AI赋能智能制造的趋势与落地实践，为产业智能化升级提供新思路。在此次峰会上，赛美特从半导体制造AI技术发展、全自主工厂Autonomous Manufacturing实践到AI应用落地方案展开分享，现场通过系统演示，全方位展示AI技术如何重塑生产流程、提升效率与良率。赛美特“AI智造”生态体系亮相四大方向赋能智能制造当前，人工智能技术正加速渗透制造业，推动生产模式向智能化、自主化转型。作为国内少数通过多家12吋晶圆厂量产验证的全自动化国产CIM解决方案服务商，赛美特近年来持续拓展智能制造产品矩阵，覆盖半导体、光伏、面板等多个领域。此次峰会上，赛美特集团董事长兼CEO李钢江介绍赛美特所打造的“AI智造”生态体系，提出以AI Agent知识库、AI检测识别、AI效率管理、AI良率管理四大核心方向，凭借AI技术，重塑制造生态。 AI Agent知识库基于知识图谱技术，整合工厂运营、生产管理、设备维护等全流程数据，形成数字化知识沉淀，助力企业提升综合竞争力；AI检测识别结合AI视觉与机器学习等，实现缺陷分类、质检流程优化，未来计划融合大模型提升检测精度；AI效率管理通过AI赋能的高级排程系统APS与实时决策系统RTD等，动态优化生产节奏与物流调度，提升设备利用率与生产效率；AI良率管理整合YMS、FDC、APC等，引入虚拟量测与过程控制技术，运用AI算法自动调整参数，降低误报率，显著提升良率。李钢江表示：“制造业正经历从信息化到智能化的关键转折。AI技术的深度应用将重构生产逻辑，助力企业突破产能与良率瓶颈。赛美特作为国产智能工业软件领军企业，凭借行业Know-How，全面融合AI技术，持续为制造挖掘无限价值，推动AI技术深入产业，助力产业智能化、自主化升级。” 李钢江表示，目前正带领一支横跨中国、新加坡、马来西亚、韩国、日本的国际化团队在进行深入研究。赛美特的研究方向不仅包括技术突破，更强调通过“行业延伸、软硬结合、产品创新、全球布局”，为中国半导体制造升级提供关键技术支撑，助推更多行业打造会思考的全自动化智能工厂，实现智能化、自主化转型。 AI定义竞争力自主制造成行业刚需在此次发布会上，赛美特AI团队的科学家、核心技术负责人针对行业前沿趋势及热点议题展开了深度分享。几位专家的分享为半导体制造与AI技术的深度融合提供了前瞻性思路，现场气氛热烈。半导体制造因工艺复杂、供应链全球化、管理动态性强等特点，面临效率与良率提升的双重挑战。赛美特集团首席营销官李光珠指出，设备综合效率（OEE）是衡量半导体工厂竞争力的核心指标，需建立“监控-报警-分析-处理”的实时响应体系。对此，赛美特提出以AI驱动的自主制造（Autonomous Manufacturing）体系，通过AI Robot实时采集数据、预测问题并自动调整参数，能够通过自主监控、预测、诊断、控制实现生产闭环，实现“零损失”生产目标。赛美特集团首席科学家闵东植进一步分享了全球领先企业在AI工艺优化、数字孪生与仿真、AI质量检测、预测性维护及生成式AI设计等方向的落地应用案例，并为大家介绍机器学习（ML）与深度学习（DL）技术分别在工艺优化、缺陷检测等领域发挥的关键作用。他提到，目前凭借量产验证的机器学习（ML）技术与系统整合能力，赛美特已经成为国内唯一可提供快速跟进AI战略的软件供应商，能提供无代码平台、AutoML、可解释AI及小数据实时学习的系统产品，覆盖缺陷检测、工艺控制、虚拟量测等模块，助力客户快速构建自主制造能力。赛美特集团AI首席专家韩教授(Dea-Soo Han)围绕动态AI（Dynamic AI）在半导体智能工厂的应用展开深度解读，揭示传统静态模型的局限性与动态AI的突破性价值。通过实时多变量分析、可解释AI（XAI）及小数据自主学习三大能力，动态AI可构建“数据采集-分析-控制-反馈”全流程管理系统，将问题预测前置。韩教授认为，半导体行业已进入“实时智能”时代，动态AI将是突破技术封锁、实现自主可控的关键一步。这也是他十分看好赛美特技术研究方向的原因，赛美特正在让制造工厂从“由工艺主导的经验主义”转向“AI驱动的科学决策”。峰会现场，赛美特集团产品总监金松对Al产品进行系统演示，展示了动态AI在数据分析、预测性维护、工艺控制等场景的应用效果。与会客户表示，赛美特的动态AI自主制造生态系统为生产减负、为产能加量、为质量加分，尤其在实时数据管理与分析方面展现出巨大潜力。随着全球制造业竞争加剧，AI智能化已成必然趋势。当前，中国半导体产业正加速攻坚高端制程，AI自主制造或将成为突破技术封锁、实现行业领先的重要引擎。此次峰会不仅展现了赛美特在AI领域的技术实力，更为行业提供了可复制的实践经验。未来，赛美特将持续深化AI与工业场景的融合，推动中国智能制造生态向更高水平迈进。

赛美特

芯查查资讯 . 2025-05-26 695
企业 | 中科曙光与海光信息拟进行战略重组

2025年5月25日，上海证券交易所主板上市公司曙光信息产业股份有限公司（股票代码：603019.SH）与科创板上市公司海光信息技术股份有限公司（股票代码：688041.SH）共同宣布，两家公司拟进行战略重组。两家公司的A股股票将于5月26日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。这是5月16日《上市公司重大资产重组管理办法》修订发布后，第一单上市公司吸收合并交易。新规明确规定了上市公司之间吸收合并的锁定期要求，并正式建立简易审核程序，将上市公司之间吸收合并作为适用情形之一，进一步释放吸收合并交易潜力。海光信息与中科曙光在中国信息产业领域都占据着重要地位。海光信息专注于国产架构CPU、DCU等核心芯片设计，其产品广泛应用于金融、电信、能源等多个行业的数据中心，以及大数据处理、人工智能等前沿领域，于2022年8月12日登陆上交所科创板。海光信息的主要产品包括高端CPU通用处理器、DCU协处理器，尤其是拥有AMD Zen初代架构的永久授权，是国内唯二的x86处理器企业(另一家是兆芯)。根据财报，海光信息2024年收入91.62亿元，同比增长52.40％，归属于上市公司股东的净利润19.31亿元，同比增长52.87％，当年研发投入同比增长22.63％。而中科曙光深耕高端计算、存储、云计算等领域多年，拥有完整的IT基础架构产品线和完备的计算产业生态，于2014年11月6日在上交所主板挂牌上市。中科曙光是“中科系”上市公司，主要从事高端计算机、存储、安全、数据中心产品的研发制造，同时还有数字基础设施建设、智能计算等业务，主营产品覆盖通用/高端计算机、液冷机房硬件设备、分布式存储产品、网络安全产品、大数据平台、云计算平台。中科曙光2024年收入同比下滑8.4％，净利润增速降至4.1％，是2014年以来的最差年度表现。值得一提的是，中科曙光是海光信息的第一大股东，持股27.96％。截至上周5月23日休市，中科曙光股价为61.90元/股，总市值为906亿元;海光信息股价为136.13元/股，总市值为3164亿元，排名科创板市值第一。截至2024年12月31日，海光信息前两大股东分别为中科曙光、成都国资，分别持股27.96%、17.00%。而且两家公司的实际控制人均为中国科学院计算技术研究所，这种紧密的股权关系和共同的“出身”，为此次合并奠定了坚实基础。中科曙光与海光信息之间的关联交易也较为频繁——2022年、2023年、2024年，中科曙光与海光信息的关联交易金额分别为29.12亿元、24.74亿元、36.89亿元，占海光信息收入的较大比例。一旦合并成功，海光信息的芯片技术优势，与中科曙光在服务器、存储设备等硬件领域的深厚积累相结合，能够打造出更完整的“芯片-硬件-软件”解决方案，构建起“芯片+整机+算力服务”的全链条能力。例如，海光的深算系列DCU性能已达英伟达A100的70%，中科曙光自主研发的硅立方液冷服务器集群可将GPU利用率提升30%以上，二者结合，通过芯片-算法-散热全链路优化，预计合并后三年内，AI训练算力成本可降低40%，推理时延缩短50%，极大地提升产品竞争力，加速国产芯片规模化应用。分析机构预测，合并后的新公司的国产服务器市场份额有望大幅超过目前的15%，AI芯片市场份额到2027年有望突破50%，成为国内算力产业无可争议的龙头企业。技术协同效应明显，生态优势进一步加强。中科曙光在高端计算、存储、云计算等领域具有深厚积累，海光信息专注于国产架构CPU、DCU等核心芯片设计。中科曙光与海光信息进行整合，将优化从芯片到软件、系统的产业布局，汇聚信息产业链上下游优质资源，全面发挥龙头企业引领带动作用，实现产业链“强链补链延链”。中科曙光系统集成能力将增强海光信息高端芯片与计算系统间的技术和应用协同，进一步推动国产芯片在政务、金融、通信、能源等关键行业的规模化应用，推动我国信息产业健康发展。品牌影响力大大提升，优势资源协同效应放大。中科曙光和海光信息的战略重组将实现国内信息产业优势企业资源的深度融合，双方在研发、供应链、市场销售资源等方面叠加发力，聚集核心优势力量共同投入到高端芯片及解决方案研发，以更有竞争力的一体化技术方案提升产品与服务的客户满意度，对塑造主流通用的生态体系产生较为深远的影响。顺应全球产业趋势，服务国家战略需求。当前，全球科技产业正处于快速变革和重构期，此次中科曙光与海光信息的重组符合全球产业链延伸发展的大趋势，有利于打造具有竞争力的创新企业，把握信息产业发展趋势，巩固和扩大两家公司在国产算力产业的积淀，推进算力产业融合发展和国产化进程，在数字中国战略及关键行业应用推进等方面发挥重要作用。规模效应增厚利润、提质增效重要体现。合并后的公司体量扩大、业务前景广泛，技术实力和市场竞争力等方面将会得到较大提升，为企业的长远发展奠定坚实的资本基础。通过规模效应增厚利润，实现上市公司提质增效。中科曙光与海光信息的合并，不仅是两家企业资源的叠加整合，也是我国算力产业“补短板、锻长板”的有益尝试。通过技术互补、产业链协同、市场资源复用，形成规模效应，有望推动公司快速迈向更高的发展台阶。

中科曙光

芯查查资讯 . 2025-05-26 2100
产品 | 中微半导SC8F096：8位RISC内核资源高配，重新定义高性价比MCU

中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）近期发布8位RISC内核MTP芯片SC8F096系列，SC8F096集成丰富资源，内置16MHz RC振荡，提供8K×16 ROM及336B RAM存储组合，支持30个GPIO与1.8V-5.5V宽工作电压，内置触摸、运放、比较器、LED、LCD、PD/QC、单线RGB驱动，目前为中微半导旗下8位RISC内核同类产品资源最为完善与丰富的系列，可为成本敏感型项目提供创新解决方案。秉承平台化、系列化产品设计理念，中微半导8位RISC产品已完成全系列布局，产品矩阵包含SC8P05x、SC8P06x、SC8F05x、SC8F07x、SC8F08x、SC8F09x等系列。该系列延续性强，资源梯度覆盖：从1K到8K ROM满足不同需求层次，硬件引脚P2P兼容，开发者无需进行大量代码修改，只需熟悉其中一款产品，即可整个系列无缝替代，系列化产品资源优势有助开发人员快速实现方案迁移与功能扩展，并降低开发风险与开发时间。 SC8F096是增强型闪存8位CMOS单片机，为8位RISC产品线中资源配置高配定位。SC8F096具有8K×16 ROM及336B RAM，GPIO最多30个，支持多外设扩展，1.8V-5.5V宽泛工作电压，集成高精度OPA，可应用在一些小信号放大场合，例如大范围的温度检测、无线充的解码等。SC8F096在不同的电子设备中有广泛应用潜力，如PD快充、智能家电（LCD面板控制）、消费电子（RGB灯带）、物联网终端等领域。SC8F096同时兼具高抗干扰/抗静电特性，亦适用于市电、电机等复杂环境。产品特性丰富外设集成存储资源：8K×16 ROM+336B RAM，支持多次编程，固件升级更灵活显示驱动：10个IO驱动90颗LED（正反推技术）+6×24段LCD（支持1/2、1/3bias）电源管理：内置PD/QC协议取电模块，支持成品带电升级（电池应用友好）人机交互：15路触摸按键+单线RGB灯驱动模块信号处理：12位ADC+高精度OPA（小信号放大）+2路比较器通信接口：2×UART、1×SPI、1×IIC、5路10位PWM 强抗干扰设计 ESD/EMC优化，适用于市电、电机等噪声环境封装灵活可选提供SOP16、QFN20、SSOP24、SSOP28、QFN24、QFN32、LQFP32多封装，兼顾成本与扩展性平台化、系列化兼容全系列管脚自上向下兼容（SC8P05x/06x、SC8F05x-09x等），代码复用率超90%，开发人员掌握一款即可快速迁移至同系产品，降低选型与调试风险应用场景消费电子：RGB灯光控制、触摸家电、PD/QC快充配件、电子烟、无线充等工业控制：HMI面板（LCD+LED驱动）、抗干扰传感器节点、市电、电机等物联网终端：电池供电设备（支持固件远程升级）开发支持支持SCMCU IDE平台开发，提供完善的开发套件，包括仿真板、仿真器、DEMO例程等。产品状态中微半导SC8P096系列目前已实现批量生产和交付，搭配设计灵活的解决方案，有助于简化产品设计并加快芯片评估及方案开发进程。

中微半导

中微半导 . 2025-05-26 755
方案 | 掌握拓扑选择：优化电池供电设备设计

随着技术的不断进步，我们如今能够研发出比以往更紧凑、功率更大、使用寿命更长且充电速度更快的电池。在道路上，由电池驱动的车辆数量日益增多。在家庭中，从手持电动工具到割草机，各类设备都已实现无线化。在建筑领域，锤钻、冲击扳手、圆锯、射钉枪等设备也都依靠电池供电。在仓库里，叉车、托盘搬运车、自动引导车辆 (AGV) 等物料搬运设备，都因电池性能的提升而获益匪浅。随着电池供电设备变得越来越普及，快速充电对于提升此类设备的便利性至关重要。本文讨论了设计高效电池充电系统时必须考虑的标准，介绍了较为常用的拓扑，并阐述了安森美 (onsemi) 的功率半导体如何助力实现高性能方案。电池充电系统电池充电系统适用于多种类型的化学电池，包括铅酸电池、镍氢电池和锂离子电池。目前，大多数电池供电设备采用 12V 至 120V 的锂离子或磷酸锂电池。电池充电器必须根据应用的要求和工作环境进行设计。对于手持式电动工具而言，电池充电器必须紧凑轻便，并且能够在无需强制散热的情况下运行。此类小型高效充电器需要高能量密度，这要求充电器必须具备低功率损耗和更小的散热器，而快速充电则需要高频充电器。在工业应用中，充电器必须坚固耐用，能够承受恶劣的室内外环境，并且可能需要由 120-277 V 交流电源，甚至 480V 交流电源来供电。因此，设计人员必须为其最终应用谨慎选择最佳拓扑，并优化器件选择，以满足性价比要求。电池充电拓扑图 1 显示了典型电池充电系统的框图。在前端，来自市电的输入电压经滤波后，通过功率因数校正 (PFC) 电路转换为直流电压。该系统的第二级由 DC-DC 转换和恒压/恒流控制功能组成，用以提供所需的充电输出。图 1：典型电池充电系统框图许多设计利用微控制器对充电器进行编程，以提供不同的电池电压和电流能力。为应用选择最佳拓扑接下来，我们将分析几种电路拓扑，并讨论它们在不同电池供电应用中的适用性。 PFC 拓扑连续导通模式升压拓扑（图 2）是最简单且成本最低的 PFC 拓扑，它由输入 EMI 滤波器、桥式整流器、升压电感器、升压 FET 和升压二极管组成。图 2：连续导通模式升压拓扑使用固定频率平均模式控制器，例如安森美的 NCP1654 和 NCP1655 CCM PFC 控制器，可以实现更高的 PFC 和更低的总谐波失真 (THD) 水平。这些器件极大地简化了 PFC 的实现，有效减少了外部元件的数量，同时集成了输入功率失控箝位电路等多种安全特性。对于更高功率的应用，安森美的 FAN9672 和 FAN9673 PFC 控制器是不错的选择。碳化硅 (SiC) 在充电应用中具有显著优势，包括低开关损耗和高工作频率。因此，在 PFC 设计中建议使用 SiC 升压二极管。在 2KW 至 6.6KW 的高功率应用中，输入桥的损耗明显更高，通过用 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 等有源开关代替二极管，可以降低这些损耗。其他常见的拓扑包括半无桥 PFC 和图腾柱 PFC (TPFC)，它们消除了桥式整流器，并且损耗更低。TPFC（图 3）由 EMI 滤波器、升压电感器、高频半桥、低频半桥、双通道栅极驱动器和固定频率 TPFC 控制器组成。图 3：图腾柱 PFC 拓扑 TPFC 电路的高频桥臂要求功率开关中集成具有低反向恢复时间的二极管，SiC 和 GaN 功率开关均适合此级。安森美建议，对于 600W 至 1.2KW 的功率水平，使用集成栅极驱动器的 GaN，而对于 1.5KW 至 6.6KW 的应用，则使用 SiC FET。集成 SiC 二极管的 IGBT 可用于 20-40KHz 的较高频率应用。电路的低频桥臂可以使用低 RDS(on) 超级结 MOSFET 或低 VCE(SAT) IGBT。对于更高功率（4.0 KW 至 6.6KW）的应用，设计人员应考虑采用交错式 TPFC 拓扑。安森美 650V EliteSiC MOSFET 为 TPFC 设计的高频桥臂提供了一系列选择。对于 3.0kW 应用，可以考虑使用 NTH4L032N65M3S。对于高达 6.6kW 的应用，NTH4L015N65M2 和 NTH4L023N065M3S 是不错的选择。对于 TPFC 电路的低频桥臂，NTHL017N60S5 器件是一个合适的选择。 2. 隔离式 DC-DC 转换器对于隔离式 DC-DC 转换，根据应用的功率水平，可以采用多种不同的拓扑。带有次级侧同步桥式整流器的半桥 LLC 拓扑（图 4）非常适合 600W 至 3.0KW 的充电器应用。根据功率水平的不同，可以使用 GAN 功率开关（NCP58921，600W 至 1.0KW）或 SiC MOSFET（2KW 和 3.0KW）。对于更高功率水平（4.0KW 至 6.6KW）的应用，设计人员应考虑采用全桥 LLC（图 5）或交错式 LLC 拓扑。图 4：集成 Lr 的半桥 LLC 设计人员可以选择将 NTBL032N65M3S 或 NTBL023N065M3S EliteSiC MOSFET 用于初级侧半桥，而对于次级侧同步整流器，可以选用 80-50V PowerTrench® MOSFET（例如 NTBL0D8N08X 和 NTBL4D0N15MC）。图 5：带有次级电压倍增电路的全桥 LLC 拓扑乘坐式割草机、叉车和电动自行车等应用可能需要功率水平介于 6.6KW 至 11.0KW 之间的双有源桥 (DAB) 充电解决方案。双有源桥拓扑（图 6）适用于 6.0KW 至 30.0KW 的应用，并且可以将多个 6.0KW 充电器并联使用来支持 12.0KW 至 30KW 的应用。图 6：双有源桥技术根据应用的具体要求，设计人员可以采用不同形式的双有源桥拓扑。对于采用 120-347V 单相交流输入电压的工业充电器，可以使用单级双有源桥拓扑（图 7），而对于功率水平在 4.0KW 至 11.0KW 的应用，则需要采用三相双有源桥，其初级拓扑中使用双向交流开关，次级拓扑中使用全桥。图 7：单级双有源桥转换器安森美的产品组合中包括适用于双向开关应用的 650-750V Elite SiC MOSFET 和 iGaN HEMT 器件。NTBL032N65M3S 和 NTBL023N65M3S EliteSiC MOSFET 建议用于初级双向开关，iGaN 技术同样也适用。优化拓扑和器件选择电动工具和设备的便捷性取决于电池能否实现快速高效充电。电池充电解决方案的设计人员必须考虑所需的功率水平和工作电压，精心选择最佳的拓扑。此外，设计人员为设计选择的器件必须能够满足应用的性能要求。安森美的产品组合涵盖广泛的低压、中压和高压功率分立器件，其中包括二极管、MOSFET、IGBT 等硅基器件。基于 SiC 的开关器件正日益受到青睐，因为它们具有更快的开关速度和出色的低损耗运行特性，从而能够在不牺牲性能的情况下提高功率密度。借助安森美的芯片和封装技术，安森美的功率器件具有出色的质量和稳健性，能够帮助您超越设计目标。

PFC拓扑

onsemi . 2025-05-26 635
技术 | 驱动汽车电子创新：RIGOL CAN-FD总线分析解决方案

在当今快速发展的汽车行业中，智能化、网联化和自动驾驶技术的兴起正在重塑汽车的电子架构。随着车辆功能的日益复杂，从高级驾驶辅助系统（ADAS）到车联网（V2X）通信，再到整车级的软件更新（OTA），汽车内部的数据传输需求呈指数级增长。传统 CAN 总线技术由德国博世公司于1986年推出，在面对当今复杂多变的汽车电子架构时，已逐渐显露出其性能瓶颈。为了突破这一限制，满足汽车行业对高速数据传输和高可靠性通信的需求，2015年由ISO 11898-1标准定义，CAN-FD（CAN with Flexible Data-Rate）总线技术应运而生，为汽车电子通信带来了更高的带宽、更大的数据帧容量和更强的容错能力。根据市场研究机构的数据显示，截至2024年，全球汽车电子系统中传统 CAN 总线的市场占比已从2018年的90%以上下降至约60%，而 CAN-FD 总线的市场占比则从2018年的不足5%迅速增长至2024年的约25%，根据行业调研，2025年新上市车型中CAN-FD渗透率将超过60%。随着新一代智能化汽车迅猛发展，CAN-FD逐渐成为新一代车载网络的核心协议，尤其在L3级以上自动驾驶系统中，其高带宽和低延迟优势愈发显著。这一趋势表明，汽车行业对更高带宽和更高效通信协议的需求正在快速增长。 RIGOL 作为电子测试测量领域的佼佼者，凭借其先进的示波器技术和专业的总线分析解决方案，为CAN-FD总线的开发、测试和验证提供了强有力的支持。一、CAN-FD总线技术：突破传统CAN总线的限制在传统的CAN总线架构下，一帧报文最多只能传输64位（8个字节）的数据，而在实际应用中，总线负载率已接近70%，已难以满足现代汽车电子系统的需求。CAN-FD总线技术实现三大突破：双速率模式：仲裁段保持1Mbps，数据段提速至8Mbps；数据扩容：单帧最大支持64字节；增强校验：17/21位CRC算法+固定填充位。图：CAN和CAN-FD总线的数据帧差异 CAN-FD总线具有多种优异性能：高速数据传输：CAN-FD总线支持灵活的数据传输速率，数据段可达8 Mbit/s，相比传统CAN 总线的1 Mbit/s，数据传输速率大幅提升。差分信号传输：采用差分信号传输方式，具有出色的抗噪性能，能够在复杂的电磁环境中保持信号的稳定性和完整性。非破坏性位仲裁机制：通过信息内的标识符ID决定信息发送的优先顺序，确保已发送数据的完整性和及时性。无地址概念：继承自CAN总线的CAN-FD总线上的节点没有“地址”的概念，这使得在总线上增加节点时，不会对已有节点的软硬件及应用层造成影响。容错处理功能：所有节点都可以检测出错误，并在检测到错误时立即通知总线上的其他节点。正在发送消息的节点如果检测到错误，会立即停止当前的发送，并重复发送此消息，直到消息成功发送为止。远程数据请求：通过发送“遥控帧”请求其他单元发送数据，增强了总线的交互能力。二、CAN-FD总线分析对示波器的需求 CAN-FD总线技术的复杂性和高性能要求对测试设备提出了更高的挑战。示波器在CAN-FD总线的开发、调试和验证过程中扮演着至关重要的角色。为了确保CAN-FD总线的可靠性和性能，示波器需要具备以下关键特性：高采样率：能够清晰捕捉和显示串行模拟信号，观测其物理特性。大存储深度：记录较长时间的总线控制过程，满足长时间观测的需求。强大的触发功能及高波形捕获率：能够捕获错误并对应捕获波形，发掘问题根因。三、RIGOL CAN-FD总线分析解决方案 RIGOL提供完善的CAN-FD的总线分析解决方案，通过高性能数字示波搭载协议分析功能，在实际设计场景中，能够帮助工程师准确捕获实际的CAN-FD总线波形，不仅可以清晰观察到CAN-FD总线的物理信号，还可以通过协议解码功能轻松地发现错误、调试硬件、加快开发进度，为高速度、高质量完成工程提供保障。 RIGOL MHO/DHO5000 系列数字示波器：高性能测试平台 RIGOL MHO/DHO5000 系列数字示波器是RIGOL为满足复杂电子系统测试需求而推出的高性能示波器。该系列示波器搭载RIGOL自研的半人马座技术平台，具备以下突出优势：高分辨率与高带宽：提供12bit高分辨率，4GSa/s实时采样率以及最高 1 GHz 模拟带宽，能够更真实地捕捉并还原信号。大存储深度：最大500 Mpts存储深度，即使在高采样率下也能采集更长时间的波形。快速录制模式：实现最高1,000,000 wfms/s 波形捕获率，更容易捕获偶发的信号瑕疵。强大的串行总线分析功能：支持多种主流串行总线，包括 RS232/UART、I2C、SPI、LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay、I2S、MIL-STD-1553等。协议解码与分析：精准定位问题 RIGOL MHO/DHO5000 系列示波器的串行总线分析功能为CAN-FD总线的开发和测试提供了强大的支持，能够满足CAN-FD总线物理信号的测试需求，并且能够提供简便的解码设置操作界面，支持：灵活的屏幕多窗口分屏显示：同步显示解码结果与列表结果，方便观测总线数据信息。多路总线分析功能：满足同时分析多路CAN节点的需要。让工程师可以轻松地对CAN-FD总线信号进行解码和分析。实时观测总线上的数据帧结构、传输速率、信号质量等关键信息，帮助工程师快速定位和解决问题。四、总结随着汽车电子系统的不断发展，CAN-FD总线技术凭借其高速数据传输能力和强大的容错处理功能，已成为现代汽车电子通信的关键技术。RIGOL MHO/DHO5000系列数字示波器以其卓越的性能和强大的总线分析功能，为CAN-FD总线的开发、测试和验证提供了全面的解决方案。通过RIGOL的先进测试工具，工程师能够更加高效地进行协议解码、信号分析和问题诊断，从而推动汽车电子技术的创新和发展。

CAN-FD

RIGOL . 2025-05-26 1 735
智能手环PCB设计涉及到的分立器件

背景现代社会，人们的各种压力越来越大，睡眠质量显得尤为重要。智能手环作为热门的穿戴式智能设备，其中集成了运动监测、睡眠追踪、心率测量、体温检测等多种功能，其内部电路集中在较小的PCB板上要实现低功耗、高精度的平衡。合科泰将在以下讲解其构成和PCB设计注意事项。构成及原理智能手环通常由射频电路单元、时钟电路单元、存储器电路单元、传感器电路单元和主控MCU单元等组成，其功能主要有睡眠检测、心率测量、体温检测等。睡眠监测是在感应我们的身体在睡眠时有没有比较大的动作，体动记录仪有三轴传感器能够灵敏的从3个方向记录到轻微的移动。心率测量常见的方法有光电透射测量法和心电信号测量法，光电透射测量法利用心脏跳动引起血液透光率变化；心电信号测量法原理与医院心电图检测类似，利用人体组织和体液导电，收集体表电极变化，经算法处理得出心率数值。体温检测采用高精度NTC热敏电阻，在36-42度体温范围内精度可达0.01度，阻值精度±0.05%。但需保证与手腕紧密贴合，否则可能因热量辐射问题影响测量准确性。 PCB注意事项智能手环PCB设计需注意多方面事项。首先布局上要分区，将各电路单元合理划分，时钟与晶振电路走线短且避开数据线，关键走线做好敷铜、环地保护，晶振部分挖铜处理；其次，射频电路作为关键部分，基于低功耗蓝牙传输，要注重天线形状、布局及外壳材料影响，需射频天线工程师参与。同时要做好ESD防护设计与检测，以适应不同地区标准。还要预留系统升级接口，前期确定USB接口或无线推送等升级方式。综上所述，智能手环的布局是实现多功能集成的核心，为此需要考虑到各模块的元器件选型，如在充电回路控制中可使用合科泰NMOS管A03420，提高可靠性和降低损耗；维持电池均衡可使用合科泰的HKTQ30P03，低阻高效、快速响应；接口信号保护可使用肖特基二极管，推荐SD103AW。通过功能分区布局，结合短距走线与信号屏蔽设计，可实现紧凑空间内实现健康监测、无线传输与低功耗的平衡，合科泰为智能手环的高精度数据采集与长期可靠运行奠定硬件基础。

智能手环

厂商投稿 . 2025-05-26 655
车载AI算力需求激增，紫光国芯车规级LPDDR4如何满足低功耗高性能？

车载AI算力需求快速增长，使存储系统成为关键组件。贞光科技代理的紫光国芯车规级LPDDR4凭借低功耗、高性能和可靠性优势，成功满足智能汽车存储需求，树立国产车载芯片应用典范。随着自动驾驶技术普及，贞光科技将借助其技术实力和行业资源，优化紫光国芯存储产品应用方案，提供专业一站式服务。作为授权代理商，贞光科技连接存储技术与市场需求，助力智能汽车产业发展。随着智能驾驶时代到来，汽车正转变为移动计算平台。车载AI技术对存储器提出新挑战：既要高性能，又需低功耗和车规级可靠性。贞光科技代理的紫光国芯车规级LPDDR4存储器，以其卓越性能成为国产芯片产业链中的关键一环，为智能汽车提供坚实的"记忆力"支持。作为官方授权代理商，贞光科技通过专业技术团队和完善供应链，让这款国产存储器更好地服务国内汽车厂商。本文将探讨车载AI算力需求现状及贞光科技如何通过紫光国芯LPDDR4产品满足市场需求。车载AI算力需求激增的背景与挑战智能驾驶推动算力需求爆发式增长随着L2+到L4级自动驾驶技术的逐步落地，车载计算平台需要实时处理来自多个摄像头、激光雷达、毫米波雷达等传感器的海量数据。据麦肯锡报告显示，全自动驾驶汽车每小时可产生高达4TB的数据。与此同时，先进驾驶辅助系统(ADAS)、自适应巡航控制(ACC)、车道保持辅助(LKA)等功能正变得日益普及，这些应用都需要强大的计算能力支持。据IDC预测，到2026年，全球车载AI芯片市场规模将达到320亿美元，年复合增长率超过35%。在算力方面，从L2到L4级自动驾驶，单车所需的算力从数十TOPS（每秒万亿次操作）增长到数百甚至上千TOPS，呈现指数级增长趋势。车载存储系统面临的多重挑战性能挑战：车载AI应用需要高速数据传输和快速访问能力，以支持实时图像识别、目标检测和路径规划等计算密集型任务。功耗挑战：尤其对于新能源汽车而言，电力资源宝贵，要求存储系统在保证性能的同时尽可能降低能耗。可靠性挑战：车载环境复杂多变，温度范围宽（-40℃至125℃），且存在振动、湿度等恶劣条件，对芯片可靠性提出严格要求。安全挑战：车载系统安全性直接影响人身安全，存储器需具备数据完整性保护和错误检测纠正功能。长生命周期：汽车产品通常需要10-15年的供应保障，远超消费电子产品。贞光科技代理的紫光国芯车规级LPDDR4技术特点及优势核心技术参数与架构创新带宽表现：支持高达4266Mbps的数据传输速率，单通道带宽最高可达17GB/s，双通道配置下可达34GB/s，有效满足多摄像头并行处理和高精度地图实时渲染等场景需求。容量配置：提供2Gb到32Gb多种容量选择，灵活适配不同层级自动驾驶平台，可组建单颗粒最高4GB容量配置。低功耗设计：创新性采用双通道架构和自适应功耗管理技术，典型工作电压仅为1.1V，较同代DDR4产品降低约40%功耗，特别适合电动汽车平台。增强型ECC：集成先进的错误检测与纠正(ECC)技术，支持单比特错误自动纠正和多比特错误检测，保障数据完整性。差异化低功耗解决方案深度睡眠模式优化：相比标准LPDDR4，优化了深度睡眠(Deep Power Down)模式的唤醒时间，从传统的数百微秒缩短至数十微秒，同时保持超低功耗状态，特别适用于汽车频繁启停场景。部分阵列自刷新：创新性引入部分阵列自刷新(Partial Array Self Refresh)技术，允许系统仅刷新存储关键数据的内存区域，而将其他区域置于低功耗状态，据实测可降低自刷新功耗达35%。动态电压频率调节：支持根据系统负载动态调整工作电压和频率，在轻负载场景下可将功耗降至最低，而在需要高性能时快速提升性能表现。温度感知功耗控制：集成温度监测电路，根据芯片温度自动调整刷新率和工作参数，确保在高温环境下可靠工作的同时优化功耗表现。车规级可靠性保障 AEC-Q100 Grade 2认证：通过汽车电子元件认证标准的严格测试，温度工作范围达-40℃至105℃，满足大多数车载应用场景。增强型抗干扰能力：采用增强型I/O缓冲设计和改进的信号完整性技术，提高在电磁干扰环境下的稳定性。热保护机制：内置多重热保护机制，当温度超过安全阈值时自动调整工作状态或触发保护性关断，防止芯片损坏。长寿命周期保障：承诺10年以上的产品供应保障和15年技术支持，解决汽车厂商对长生命周期的顾虑。贞光科技助力紫光国芯车规级LPDDR4在车载AI应用中的实践典型应用场景分析贞光科技凭借多年车载电子领域的经验积累，为各大汽车厂商提供了定制化的存储解决方案，在以下典型场景中实现了出色应用效果：智能座舱系统：紫光国芯LPDDR4支持高清仪表盘、中控屏及后排娱乐系统的流畅运行，满足多屏互动、语音识别和AR导航等AI应用需求。贞光科技提供完整的应用参考设计，帮助客户快速集成。 ADAS系统：为环视摄像头、前视雷达等传感器数据的实时处理提供高速缓存，支持车道偏离预警、自适应巡航控制等功能的低延迟响应。自动驾驶计算平台：作为L2+至L3级自动驾驶计算平台的关键组件，提供大容量、高带宽的数据交换通道，满足复杂神经网络模型的运行需求。车载边缘AI推理：支持车载AI模型的本地化部署和实时推理，无需依赖云端计算，保障系统在网络不稳定环境下的可靠性。结语车载AI算力需求快速增长，使存储系统成为关键组件。贞光科技代理的紫光国芯车规级LPDDR4凭借低功耗、高性能和可靠性优势，成功满足智能汽车存储需求，树立国产车载芯片应用典范。随着自动驾驶技术普及，贞光科技将借助其技术实力和行业资源，优化紫光国芯存储产品应用方案，提供专业一站式服务。作为授权代理商，贞光科技连接存储技术与市场需求，助力智能汽车产业发展。

贞光科技

贞光科技 . 2025-05-26 785
Melexis宣布任命两名新董事会成员，进一步呈现对亚太地区的投资承诺

今天Melexis（迈来芯）宣布，于2025年5月13日举行的年度股东大会批准相关决议后，将任命齐玲女士和Kazuhiro Takenaka先生为董事会新成员。此次任命彰显Melexis在亚太地区（APAC）市场进一步拓展的坚定决心与宏伟抱负。齐玲女士拥有超过20年的国际商业管理经验，履历丰富且多元。她目前担任两家多媒体和动画电影公司的首席执行官，展现出卓越的领导才能与商业洞察力。齐玲女士长期为在华外资企业提供专业服务，助力其在中国市场的业务拓展与战略布局。她还曾担任一家总部位于欧洲的晶圆代工厂董事会成员，在半导体领域积累了深厚且专业的经验。此外，她出任过比利时一家私人银行的董事，这一经历进一步丰富了她多元化的职业履历。在教育背景方面，齐玲女士毕业于辽宁大学，获得国际贸易英语专业学士学位，并在安特卫普大学进修取得荷兰语证书。 Kazuhiro Takenaka先生在半导体和电子工程行业拥有超过45年的辉煌职业生涯，曾在Nissan Motor和Seiko Epson等知名企业任职。在Seiko Epson工作期间，Takenaka先生凭借出色的沟通能力和战略眼光，与国际利益相关者广泛合作，成功推动与美国公司建立合作伙伴关系，并在欧洲、亚洲和美国等关键市场构建起稳固的业务关系。他的加入将为董事会带来极具价值的行业见解和多元化的视角，尤其在拓展汽车以外的市场领域，将发挥重要作用。此次任命后，迈来芯董事会成员人数增至7人，由Françoise Chombar女士担任董事会主席。新董事会成员任期自任命生效日起计四年，至2028年12月31日结束的财政年度账目的年度股东大会后终止。除任命两位新董事外，本次股东大会的其余议案——包括两位董事连任、末期股息分配等——均获得多数股东的支持与批准。谈及两名新董事的任命，Chombar女士表示：“亚太地区对迈来芯至关重要，其销售额占公司总销售额的60%以上，其中大中华区贡献近半壁江山。此次齐玲女士和Kazuhiro Takenaka先生的加入具有重要的战略价值——他们丰富的行业经验和见解，将为Melexis实施战略路线图提供关键支持，为公司在亚太地区的本地化运营及全球业务市场拓展注入强劲动力。” 如需了解Melexis最新的业务运营情况和战略举措，请点击下方链接查看公司最新年度报告。

Melexis . 2025-05-26 475
市场周讯 | Wolspeed欲申请破产；小米发布自研3nmSoC“玄戒”；MTK首颗2nm芯片将于9月流片

| 政策速览 1. 荷兰：外交部发言人毛宁5月23日主持例行记者会。彭博社记者提问，荷兰外交大臣费尔德坎普周四在会见记者时表示，在此次访华期间，中国官员曾向他提出放宽半导体出口管制的问题。外交部能否证实有关说法并提供更多细节？毛宁表示，费尔德坎普外交大臣访华期间，丁薛祥副总理、王毅外长分别同他举行了会见会谈，就双边关系和共同关心的问题深入交换了意见，两国外长并达成了6点共识。关于半导体出口管制问题，中方已经多次表明立场，半导体产业高度全球化，产供链的形成是市场和企业选择的结果。一段时间以来，个别国家泛化国家安全概念，滥施出口管制和长臂管辖，严重威胁全球产供链稳定。中国和荷兰在半导体领域互补性强，合作互利共赢，双方将通过现有的渠道保持密切沟通，中方愿同包括荷兰在内的国际社会一道，坚持开放合作，共同维护全球半导体产供链的稳定。 | 市场动态 2. IDC：2025年第一季度中国整体PC工作站市场同比增长1.2%，结束了连续下滑的趋势。其中，中小企业市场表现尤为亮眼，同比增长达到74.1%连续两个季度涨幅超30%。大客户市场由于采购周期的延长导致，表现相对低迷，同比增长负24.2%。 3. Canalys：2025年第一季度，中东地区智能手机出货量同比下降4%，至1170万部。尽管2024年市场曾出现强劲复苏，但2025年初因零售需求放缓和消费者趋于谨慎的影响，整体市场出现回落。2025年第一季度，沙特阿拉伯以26%的地区份额稳居中东智能手机市场首位，但出货量同比下降12%。 4. SEMI：2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%，但同比增长27%，这得益于对先进逻辑、高带宽存储器（HBM）和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI 指出，与内存相关的资本支出同比增长57%，而非内存领域的支出同期增长了15%。 5. TrendForce：HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。 6. DRAM方面，由于预期未来供应将趋紧，现货市场DDR4产品价格涨幅大于DDR5产品价格。同时，由于模组厂积极备货，DDR5产品价格也持续小幅上涨。集邦咨询认为，整体来看，2025年第二季现货价格将维持上涨趋势，DDR4与DDR5产品价差将进一步缩小。 7. 日本：由于非AI需求疲软，截至4月，日本在2023和2024财年建造或收购的7家半导体工厂中，只有3家开始量产。 8. 苏州：苏州1-4月出口机电产品4232.8亿元，增长9.7%，其中集成电路出口539.1亿元，增长26.7%；电工器材出口281.4亿元，增长20.6%；电脑零附件出口121.7亿元，增长65.6%。同期工业机器人出口3亿元，增长106.5%。 9. Omdia：今年第一季度，LG共出货约704400台OLED电视，占全球OLED电视出货总量的52.1%，位居第一。三星电子排名第二，占30.8%；索尼公司排名第三，占7.1%。 | 上游厂商动态 10. Wolfspeed：身负巨额债务，Wolfspeed 准备在几周内申请破产。Wolfspeed 一直在努力应对工业和汽车市场需求低迷以及关税引发的不确定性，但效果甚微。该公司股价在盘后交易中下跌逾57%。 11. Microchip：Microchip对其 PolarFire 现场可编程逻辑 FPGA 和系统级芯片（SoC）器件的价格进行了调整，价格降低了30%。 12. NVIDIA：NVIDIA 将通过深化与宏碁、技嘉和微星的合作，拓宽个人 AI 超级计算机 DGX Spark 的供应。这些计算机将以空前的性能和效率赋能全球开发者、数据科学家和科研人员生态系统。DGX Spark 搭载 NVIDIA GB10 Grace Blackwell 超级芯片和第五代 Tensor Core，具有最高 1 PFLOPS 的 AI 算力和 128GB 统一内存，可将模型无缝导出至 NVIDIA DGX Cloud 或任何加速云或数据中心基础设施。 13. NVIDIA：由于美国政府限制Hopper架构的H20芯片出口至中国，公司正重新审视中国市场战略，但未来不会再推出Hopper系列芯片。针对中国市场，英伟达在H20芯片后不会再推出Hopper系列产品。黄仁勋表示：“不会是Hopper，因为Hopper已无法再调整。” 14. 台积电：台积电近期传出欲调涨晶圆代工报价10％，引发产业链高度关注。英伟达CEO黄仁勋表示，台积电先进制程价格虽高，但“非常值得”。 15. 康盈：5月16日，扬州康盈半导体产业园开业仪式顺利举行，标志着扬州康盈半导体产业园正式投入使用，康盈半导体存储产业布局更进一步，夯实存储产品制造能力。 16. 新紫光：新紫光集团与中国一汽在京签署战略合作协议，双方在国产芯片应用、供应链资源建设、联合技术攻关、产业生态建设、市场互助合作等多维度展开战略合作，共同构建覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、选型应用及系统化解决方案的车规级芯片产业生态，着力打造“芯片+汽车”合作的行业标杆。 17. 三星：三星电子已制定计划在华城工厂建设1c DRAM（第六代10纳米级）生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（P4）建设第一条1c DRAM量产线，规划产能为每月3万片。 18. 英特尔：英特尔至强6系列CPU新增三款产品，专为管理由最先进的GPU驱动的AI系统而设计。英特尔称，这些配备高性能核心的CPU，融合了英特尔创新的优先核心睿频技术和英特尔速度选择技术，可提供定制的CPU核心频率，从而提升GPU在高要求AI工作负载下的性能，其中一款CPU目前是英伟达最新一代AI加速系统DGX B300的主机CPU。 19. 台积电：台积电与美国芯片公司英特尔已向美国商务部提交意见信，反对对半导体及相关设备和材料加征关税。台积电称，对半导体生产设备征收关税将使成本上升，可能会延误进度，甚至在某些情况下危及许多已宣布以及正在考虑中的项目的商业可行性。台积电建议，对难以在美国本土生产的产品，应该豁免关税。此外，美国政府不对美国境外制造的半导体、含有半导体的下游终端产品与半成品征收关税或采取其他限制性措施。 20. 富士康：富士康宣布在欧洲投资2.5亿欧元，与Thales SA和Radiall SA在法国成立合资企业，专注于先进半导体封装测试，其项目将采用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，使其成为欧洲首个先进的FOWLP封装和测试工厂。 21. 高通：高通首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙表示，小米自研芯片预计不会对高通业务造成影响，“我们仍然是小米的芯片战略供应商，我认为高通骁龙芯片已经用于小米旗舰机，并将继续用于小米旗舰机。” 22. 高通：高通表示，计划推出一款针对数据中心的定制中央处理器，可以连接英伟达的GPU和软件。此前，高通与总部位于沙特的人工智能公司Humain签署了一份谅解备忘录，旨在开发数据中心。 23. 韦尔股份：韦尔股份公告称，公司拟将公司名称从“上海韦尔半导体股份有限公司”变更为“豪威集成电路（集团）股份有限公司”，证券简称从“韦尔股份”变更为“豪威集团”，证券代码保持“603501”不变。此次变更是基于公司战略规划及经营业务开展需要，不存在利用变更名称影响公司股价、误导投资者的情形，也不存在损害公司和中小股东利益的情形。 24. 纳微半导体：纳微半导体宣布参与NVIDIA 英伟达下一代800V HVDC电源架构开发，旗下GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅技术将为Kyber机架级系统内的Rubin Ultra等GPU提供电力支持。 25. ADI：ADI第二季度营收26.4亿美元，所有终端市场均实现两位数的同比增长；毛利率为61.0%，营业利润为6.78亿美元，营业利润率为25.7%，摊薄后每股收益1.14美元；过去12个月的经营现金流为39亿美元，自由现金流为33亿美元，分别占营收的39%和34%；第二季度通过股息和回购向股东返还了7亿美元。 26. 英迪芯：广州信邦智能装备股份有限公司(简称“信邦智能”)发布公告称，公司正在筹划通过发行股份、可转换公司债券以及支付现金的方式向ADK、无锡临英、晋江科宇、VincentIsenWang、扬州临芯等40名交易对方购买无锡英迪芯微电子科技股份有限公司(简称“英迪芯微”)控股权，并拟向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金。 27. 天岳先进：上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划已进入实质性推进阶段。根据规划，该工厂8英寸衬底总体产能目标为60万片，公司将分阶段实施建设，以逐步释放产能并巩固长期竞争力。 28. MTK：联发科CEO蔡力行表示，公司首颗2nm芯片预计将在今年9月完成流片，与3nm芯片相比，性能将提升15%，能耗降低25%，且未来将会采用A16、A14制程。 | 应用端动态 29. 小米：小米15 周年战略新品发布会上公布了小米自主研发设计的芯片：玄戒XRING。玄戒O1采用十核四从集设计，集成2*Cortex-X925@3.9GHz超大核+4*Cortex-A725@3.4GHz性能大核+2*Cortex-A725@1.9GHz能效大核+2*A520@1.8GHz超级能效核。玄戒O1采用了与苹果A18Pro相同的第二代3nm制程，规模上也类似，在109mm²的芯片面积上集成了190亿个晶体管。 30. 小鹏：在今日举办的小鹏汽车2025年Q1财报电话会上，小鹏汽车董事长何小鹏表示，小鹏图灵芯片在2024 年一次流片成功，算力是当前主流车端 AI 芯片的3-7倍，目前进展顺利。二季度将有部分车进入生产环节，三季度图灵芯片车型将会有更大范围放量。下一步，图灵芯片将会部署在第五代机器人上，大幅提高机器人的端侧算力。 31. 软银：软银集团将利用一笔由瑞穗银行、三井住友银行和摩根大通担任主承销商的贷款为其人工智能投资融资。这笔为期一年的150亿美元过桥贷款是软银迄今最大一笔融资之一，将由21家银行提供资金，其中瑞穗银行提供13.5亿美元，SMBC提供12.5亿美元，摩根大通提供10亿美元。此外，汇丰银行和巴克莱银行合计出资9.5亿美元，高盛集团、三菱日联等七家银行共同出资8.5亿美元。这笔资金将助力软银试图影响人工智能发展进程的多年计划。首席财务官后藤芳光在上周财报会上透露，首项议程包括以65亿美元收购芯片设计公司Ampere Computing，以及对OpenAI投资至多300亿美元。

芯片

芯查查资讯 . 2025-05-26 3 1 2070
COMPUTEX 2025：德明利以全栈存储技术赋能“AI NEXT”产业落地

2025年5月20日，全球科技盛会台北国际电脑展启幕。在千亿参数大模型商业化与算力需求指数级增长的双重驱动下，存储技术已从数据载体发展为AI效能的深度落地关键。德明利通过端侧适配方案、全栈技术整合及全球化布局，展现存储技术的革新力量。端侧AI适配性能与能效的双重突破高性能存储矩阵 AI PC的算力基石 ·· PCIe 5.0 SSD ·· 德明利采用新一代PCIe 5.0 x4接口，连续读写速度突破14GB/s，支持千亿参数模型实时加载，适配200层以上3D TLC颗粒，满足高吞吐需求。 ·· DDR5 ·· 容量最大达128GB，支持一键超频技术频率最高达10000+MHz，双通道带宽较DDR4提升2倍，动态电压调节技术使功耗降低20%，兼容英特尔、AMD及国产平台，满足本地大模型推理需求。嵌入式存储让AI设备“轻装上阵” ·· UFS 3.1 ·· 连续读写速度最高达2000MB/s，引入Write Booster技术、主机性能增强器（HPB）等，为AR/VR设备提供实时数据响应能力。 ·· LPDDR5 ·· 支持多Bank模式，数据传输速率高达5500Mbps，通过动态电压频率调整（DVFS）功能降低功耗，适用于对数据处理速度要求较高移动设备和高性能计算平台。全栈技术赋能从芯片到场景的价值链重构德明利依托自研主控芯片优势，通过深度整合存储产业链上下游资源，构建了覆盖存储硬件、系统算法与行业解决方案的全栈能力。一站式定制服务从晶圆到场景的精准落地全流程自主开发覆盖介质特性分析、主控芯片设计、固件算法优化及封装管控，满足四大场景差异化需求。敏捷化需求响应依托战略原厂资源与稳定供应链支持，实现从原型设计到批量交付的快速转化，深化全球“5+1+N”供应链布局，适配定制化的需求开发。全生命周期品质保障全链路研发验证体系建立三重验证体系和专业实验室集群，整合高精度仪器与智能分析平台赋能生产，实现产品特性与场景需求的动态匹配。动态品控体系协调产业链端到端领域，建立可信赖、可预防的制造质量管理体系，实现从晶圆筛选到终端交付的全链路品质追溯。 AI NEXT时代下从芯片到场景，从数据到价值德明利将持续探索AI产业化之路推动存储技术从基础功能向智能化服务价值升级为千行百业打造高效可靠的数据基座

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德明利 . 2025-05-26 670
-40℃到+125℃全温域稳定！车规级晶振如何突破温度极限

在汽车电子领域，随着智能化、网联化的快速发展，对车规级电子元件的性能要求日益严苛。晶振作为电子设备的"心脏"，其稳定性直接影响着整个系统的运行精度和可靠性。而汽车所处的环境复杂多变，温度范围极宽，从寒冷地区的-40℃到发动机舱内高达+125℃的高温，普通晶振难以在如此宽泛的温度区间内保持稳定性能。那么，车规级晶振是如何突破温度极限，实现-40℃到+125℃全温域稳定的呢？一、严苛的温度挑战汽车在不同的使用场景下，面临着悬殊的温度差异。在寒冷的冬季，北方地区的室外温度常常低至-40℃，车辆长时间停放后，车载电子设备处于极低的温度环境中；而当车辆行驶时，发动机舱内的温度会急剧升高，特别是在高温天气或长时间高负荷运行时，温度可高达+125℃以上。在这样的温度波动下，普通晶振的晶体材料会因热胀冷缩发生形变，导致振荡频率漂移，进而影响车载电子系统的正常工作，如导航定位不准确、发动机控制失灵等，严重时甚至会危及行车安全。因此，车规级晶振必须具备在极端温度环境下稳定工作的能力。二、材料创新：奠定稳定基础（一）高品质晶体材料的选择晶体是晶振的核心部件，其材料的性能对晶振的温度稳定性起着关键作用。车规级晶振通常选用高纯度、低缺陷的石英晶体作为原材料。石英晶体具有优良的物理和化学稳定性，其频率温度系数较低，能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的振荡频率。此外，通过对石英晶体进行特殊的切割工艺，如采用AT-cut、BT-cut等切割方式，可以进一步优化晶体的频率温度特性，使其在目标温度范围内的频率漂移更小。（二）新型封装材料的应用封装材料不仅要保护晶振内部的核心元件，还需要具备良好的导热性和温度适应性。车规级晶振采用的封装材料通常为金属或陶瓷，这些材料具有较高的机械强度和耐高温、耐低温性能。金属封装具有良好的导热性，能够及时将晶振工作时产生的热量散发出去，避免因温度过高而影响性能；陶瓷封装则具有优异的绝缘性能和温度稳定性，能够在极端温度环境下保持良好的密封性能，防止潮气、灰尘等杂质进入晶振内部，从而保证晶振的长期稳定工作。三、结构设计：优化温度特性（一）温补电路设计为了进一步补偿温度变化对晶振频率的影响，车规级晶振通常采用温补电路设计。温补电路通过实时监测环境温度，利用温度传感器将温度信号转换为电信号，然后通过反馈电路对晶振的振荡频率进行调整。例如，当温度升高时，温补电路会自动调整电容或电阻的值，使晶振的振荡频率保持稳定；当温度降低时，同样通过调整电路参数来抵消温度变化的影响。这种温补设计能够在较宽的温度范围内实现高精度的频率稳定度，满足车规级应用对温度稳定性的严格要求。（二）恒温控制技术对于一些对温度稳定性要求极高的车规级晶振，还会采用恒温控制技术。恒温控制技术通过在晶振内部设置加热元件和温度传感器，将晶振的工作温度维持在一个恒定的范围内，通常为25℃左右。即使外界环境温度发生剧烈变化，恒温系统也能够通过加热或散热来保持晶振内部温度的稳定，从而避免温度变化对晶体振荡频率的影响。这种技术虽然会增加晶振的功耗和成本，但能够实现极高的温度稳定性，适用于对精度要求极高的汽车电子系统，如自动驾驶中的高精度时钟模块。四、制造工艺：确保性能可靠（一）高精度的生产工艺车规级晶振的制造过程需要严格控制各个环节的精度，从晶体的切割、研磨到封装、测试，每一道工序都必须达到极高的标准。例如，晶体的切割精度误差要控制在微米级别，以确保晶体的频率温度特性符合设计要求；封装过程中要保证封装的密封性，避免外界环境对晶振内部元件的影响。此外，还需要采用高精度的测试设备对晶振的各项性能指标进行严格检测，如频率精度、温度稳定性、老化率等，只有通过全温域测试的晶振才能被认定为车规级产品。（二）严格的筛选和老化处理为了确保车规级晶振在实际使用中的可靠性，需要对生产出来的晶振进行严格的筛选和老化处理。筛选过程包括外观检查、电气性能测试、温度循环测试等，剔除存在缺陷或性能不符合要求的产品；老化处理则是将晶振在高温、低温等恶劣环境下进行长时间的老化试验，模拟晶振在实际使用中的老化过程，提前发现潜在的问题，提高晶振的长期可靠性。通过这些严格的制造工艺和质量控制措施，车规级晶振能够在极端温度环境下保持稳定的性能和可靠的工作状态。五、未来发展趋势随着汽车电动化、智能化的不断推进，对车规级晶振的性能要求将越来越高。未来，车规级晶振将朝着更高的温度稳定性、更低的功耗、更小的体积和更高的集成度方向发展。在材料方面，可能会研发出具有更低频率温度系数、更高稳定性的新型晶体材料和封装材料；在设计方面，会进一步优化温补电路和恒温控制技术，提高晶振的温度补偿精度和效率；在制造工艺方面，将采用更加先进的自动化生产设备和检测技术，提高生产效率和产品质量。同时，随着5G、物联网等新技术的应用，车规级晶振还需要具备更好的抗干扰能力和兼容性，以满足未来汽车电子系统的多样化需求。总之，车规级晶振通过材料创新、结构设计优化和严格的制造工艺，成功突破了-40℃到+125℃的温度极限，实现了全温域稳定工作。这不仅为汽车电子系统的可靠运行提供了坚实保障，也推动了汽车智能化、网联化的发展。随着技术的不断进步，车规级晶振将在汽车电子领域发挥更加重要的作用。

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晶发电子 . 2025-05-26 600