技术 | “低空经济” 崛起,2025无人机市场暗藏哪些潜力趋势?
无人机在环境监测、公共安全、电影制作、电信和科学研究方面发挥着重要作用。此外,无人机在安防和监控领域也至关重要,提高了各领域的工作效率。凭借其多功能和高效性,无人机已成为众多行业必不可少的工具。 在农业领域,无人机用于精准农业、作物监测、灌溉管理,甚至牲畜追踪,从而优化了农场运营并提高了产量。 工业部门依靠无人机完成现场勘测、基础设施检查和项目监控等任务,尤其是在建筑、采矿和能源行业。 无人机正在彻底改变配送服务,能快速运送包裹、医疗用品和紧急援助物资,特别是在偏远或受灾地区。 在环境监测方面,无人机可用于野生动物追踪、森林火灾预防和污染控制,有助于环境保护工作的开展。应急服务部门利用无人机执行搜寻救援、灭火和灾后响应任务,提高了公共安全和救援效率。 配送和货运无人机的意义远不止于运输。它们对提升供应链效率、降低运营成本和减少环境影响起着重要作用。借助先进技术,此类无人机能够完成以前被认为不可能或不切实际的任务。 无人机在媒体行业也扮演着重要角色,为房地产、电影制作和活动报道提供航空摄影和摄像服务。在电信领域,无人机可以协助执行网络巡检,以及将网络连接拓展到偏远地区。 此外,无人机还用于安防与监控,对边境、交通和重要设施进行监测。总体而言,无人机已经改变了各行业的运营方式,为提高效率和保障安全提供了创新方案。 市场信息和趋势:无人机技术的演进 无人机已经从简单的遥控设备发展成为配备先进传感器、 GPS 和自主导航系统的精密机器。这一演变使无人机能够执行各种各样的任务,例如包裹配送、执行监测、巡检等。现代无人机配备了高分辨率相机、深度感知系统和人工智能,能够在复杂环境中自主导航并实时做出决策。 机器学习算法的集成进一步增强了无人机的能力,使其能够优化飞行路径、避开障碍物并适应不断变化的环境。这一技术进步使无人机变得更加可靠和高效,为其在物流行业的广泛应用铺平了道路。因此,如今无人机能够处理各种各样的应用场景,从最后一公里配送,到大规模货物运输均能胜任。 《2024 年无人机行业报告》 着重指出, 全球无人机产业在增长和创新方面表现抢眼。 过去几年里, 无人机行业持续扩张, 数千家公司在农业、 国防、 物流等不同领域研发新的无人机技术。 投资热度依旧不减, 大量投资者参与多轮融资,数百万美元资金涌入这一行业。 Global Market Insights Inc. 的一项研究指出, 到 2032 年, 工业无人机市场规模预计将达到 269 亿美元。 得益于传感器和相机技术的创新, 包括高分辨率成像、 深度感知相机和热像仪, 无人机执行精细化巡检、 勘测和监控的能力显著增强。 人工智能 (AI) 和机器学习的集成使无人机能够自主执行复杂任务, 例如避障、 实时数据分析和高级导航。 这项发展不仅提高了无人机的作业效率, 而且扩大了无人机的应用范围。 此外, 当与先进的数据分析平台集成时, 无人机可以帮助各行业从数据中提取有价值的洞察, 尤其是在农业、 采矿和基础设施等领域。
无人机
安森美 . 2025-07-14 1 800
芯查查社区 | 一次无需任何额外操作的丝印反查
6月初的“丝印反查技巧大证集”活动,芯查查社区号召大家积极秀出各自高效、精准、独特的查询方法,吸引不少用户前来投稿自己的丝印反查“独门秘籍”。芯查查优中选优,挑选若干篇代表性查询贴分享至此。 本文摘取芯查查社区用户“我的电机向太空”经验分享贴,并将其转载至芯查查公众号。更多优质论坛文章请进入文末"阅读原文"查看。 有查友问这个丝印是什么,虽然我们老是按惯性思维先上淘宝看看,但是得给芯查查一个面子。 丝印反查! 震惊!直接搜到了,没有任何所谓的骚操作,全是感情! 和评论区里大佬说的型号一模一样!完全正确。 点开规格书也完全ok,(ノ°▽°)ノ。前几天的bug被活动菌和程序员们神速修复了。 其实这才是xcc真正的使用方法吧(˘•ω•˘),一搜芯片上的丝印,哪怕只搜了一部分,选好引脚,就能把对应的芯片搜出来。 不需要骚操作的芯查查才是真正的: 《好茶》=《好查》
查丝印
芯查查 . 2025-07-14 3 730
企业 | 台积电美国建厂加速:2nm晶圆厂年底前将完成发包
7月14日消息,台积电法说会将于17日登场,美国关税冲击及在美建厂进度备受关注。 据台媒《工商时报》援引供应链透露,尽管面临关税压力,台积电仍持续强化对客户的供应能力,美国亚利桑那州首批三座晶圆厂进度加快:P1厂采用4nm制程,已于2024年第四季投产;P2厂已经于今年4月动工,规划3nm制程,预定2027年下半年量产;而原定2030年底完工的规划2nm及更先进产能的P3厂,现已启动加速流程,预计将于2025年底前完成发包。 业者指出,P2与P3间隔期大幅缩短,显示扩厂节奏明显加快。随着半导体建厂经验持续累积,未来完工时程最快可压缩至一年,与中国台湾作业速度逐步拉近。 供应链方面,台积电加快美国晶圆厂建设进度,有望再度为台系核心供应链带来庞大商机。其中,首轮启动规划的厂务工程业者,如汉唐、帆宣、兆联等,因具备P1厂实战经验,有望明显推升获利表现。 与其他半导体公司多采总包(EPC)模式不同,台积电凭借丰富建厂经验与专业团队,通常将项目细分,亲自主导各系统项目,例如无尘室、机电、化学供应、纯水与废气/废水处理等工程分别招标,业者可直接对接业主,节省不少程序与沟通成本。 中国台湾供应商也积极响应台积电的全球布局。汉唐已取得亚利桑那州多项执照,包括管道、空调与冷冻统包等许可;帆宣则拥有该州的锅炉、蒸气管与电器执照。半导体业者表示,台湾一般半导体厂房工程期约为三季,美国即便压缩,也需约一年时间,若保守估计则得拉长至五季。当地人力效率与工安文化,仍是台厂在美建厂的一大挑战。不过随着P1厂经验累积,P2厂开始展现效益,预料相关供应商获利将逐步改善。 台积电在台建厂脚步同样积极,包括新竹与高雄均持续扩充先进制程产能。不过,相关业者坦言,电力供应可能成为未来关键瓶颈。许多厂商有意自建数据中心,但北部地区,因电力系统接近饱和,申请新案时常遭遇阻碍,恐影响企业在AI时代的布局时效。 半导体业者坦言,赴美设厂除了因应客户需求与美国政府政策拉力,也受到台湾本地种种结构性问题推动。对企业而言,经营的核心是为股东创造最大价值,而非沦为政策谈判的筹码,“靠天吃饭”的佛系经营早已不再被市场接受。
晶圆厂
网络 . 2025-07-14 1 1 660
市场周讯 | 格芯收购MIPS;长鑫存储启动上市辅导;一家300mm晶圆厂重整失败破产
| 政策速览 1. 工信部&市场监管总局:市场监管总局、工业和信息化部印发《计量支撑产业新质生产力发展行动方案(2025—2030年)》。面向集成电路产业发展需求,聚焦集成电路核心计量技术支撑,重点攻克扁平化量值传递等技术难题,突破晶圆级缺陷颗粒计量测试、集成电路参数标准芯片化、3D等先进封装标准物质研制和12英寸晶圆级标准物质研制瓶颈,布局新型原子尺度计量装置、标准和方法创新,围绕几何量、光学、热学、电学等关键参量,突破晶圆温度、真空、气体检测和微振动等集成电路计量技术,研究集成电路关键工艺参数在线计量方法,开展计量测试评价,形成服务集成电路的计量体系。 2. 四部门:国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。其中提出,充电运营企业要加强充电装备技术升级,提高大功率充电设施的运行效率和使用寿命。鼓励对分体式设备采用大功率充电优先的功率分配策略。加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代,推动涵盖零部件、系统集成、运营服务的充电产业链整体升级。面向电动重卡、电动船舶、电动飞机等大容量、高倍率动力电池应用场景,开展单枪兆瓦级充电技术研究与试点应用。应用电力智能管理、无人机巡检、充电安全预警、智慧消防等技术,加强大功率充电站智能化安全管理,提升充电设施智能运维水平。 3. 深圳:深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》(下称《若干措施》)已出台实施。其中提出,要推进深圳市半导体与集成电路产业重点突破和整体提升,构建完善产业生态,增强产业核心竞争力。《若干措施》从高端芯片产品突破、加强芯片设计流片支持、加快EDA工具推广应用、突破核心设备及配套零部件、突破关键制造封装材料、提升高端封装测试水平、加速化合物半导体成熟等方面提出了10条具体支持举措。 4. 上海:浦东新区副区长李慧在2025世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议新闻发布会上表示,作为全国首个人工智能创新应用先导区,上海浦东已经形成了从芯片到终端、从技术到应用的高能级、全链路人工智能产业集群。在全国11个先导区建设评估中,浦东新区多年蝉联第一;推出了模力社区、张江机器人谷等产业集聚空间,集聚数百家创新主体;截至2024年底,浦东新区人工智能产业规模超1600亿元,占全市40%;全国首个国地共建人形机器人创新中心在浦东加快发展,工业、金融、医疗、航运、文旅等多领域代表性的垂类模型在浦东走向应用落地。 5. 武汉:武汉大学集成电路学院今日正式揭牌成立,由中国科学院院士刘胜担任院长。长江存储科技控股有限责任公司与武汉大学签署战略合作协议,共同探索“产教融合、协同育人”新模式,培养兼具理论基础和工程能力的复合型人才。 | 市场动态 6. Trendforce: 由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品,并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL),引发市场对旧世代产品积极备货,叠加传统旺季备货动能,将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%,若纳入HBM,整体DRAM涨幅将季增15%至20%。 7. SIA:美国半导体行业协会SIA数据显示,今年5月全球实现589.8 亿美元半导体销售额,同比增长19.8%、环比则增长3.5%。整体上来看全球各区域市场都实现了相较去年同期和上个月的增长。 8. 小摩:HBM市场供需紧张将持续至2027年,该市场在供需紧张、技术迭代与AI需求共振下持续扩容,SK海力士与美光凭借技术和产能优势领跑,主权AI浪潮则为行业增长注入新动能。尽管短期存在认证延迟、产能爬坡等扰动,长期看HBM仍是DRAM行业增长的核心引擎。 9. CMF:2024年手机分离式存储占嵌入式存储比重约68%。而去年年底以来,随着存储原厂LPDDR4X产能持续缩减,相应的集成式存储方案供应也受到了影响,近期部分手机厂商正加速推动采购需求从集成式进一步转向分离式,预计今年国产手机市场分离式方案占比将高达82%。 10. Canalys:2025年第二季度,台式机、笔记本电脑和工作站的总出货量同比增长7.4%,达到6760万台。其中,笔记本(包括移动工作站)出货量达5390万台,同比增长7%;台式机(包括台式工作站)出货量增长9%,达到1370万台。 11. 中汽协:发布2025年6月汽车工业产销数据,6月汽车产销分别完成279.4万辆和290.4万辆,同比分别增长11.4%和13.8%。1-6月汽车产销分别完成1562.1万辆和1565.3万辆,同比分别增长12.5%和11.4%。 12. 韩国:中国大力推动国内半导体生产,加上全面的“以旧换新”补贴计划,导致中国本土8英寸晶圆制造需求日益转向精通成熟制程技术的韩国企业。DB HiTek(东部高科))、SK Key Foundry等韩国代工企业在中国客户的推动下实现了持续增长。 | 上游厂商动态 13. 台积电:台积电7月3日发布声明称,将在两年内逐步淘汰其GaN半导体代工业务,并停止200mm晶圆生产的研发。 14. 台积电:台积电6月销售额2637.1亿元台币,同比增长26.9%。台积电1-6月累计销售额1.77万亿元台币,同比增长40%。 15. Arago:光子芯片公司获得2600万美元种子轮融资,旨在加速其光子处理器JEF的商业化进程。该芯片利用激光而非晶体管处理数据,能够实现与顶级GPU相当的性能,同时能耗仅为其十分之一。联合领投方Earlybird称,Arago正在为AI芯片创造一个“DeepSeek时刻”。 16. 格芯:格芯(GlobalFoundries)宣布达成最终协议,收购RISC-V架构解决方案及知识产权开发商MIPS。此次交易将使格芯能够提供基于RISC-V指令集架构(ISA)的自有处理器及产品。 17. 屹唐股份:半导体设备制造商屹唐股份7月8日登陆科创板,早盘报21元/股,上涨148.5%。 18. 华大九天:7月9日,华大九天发布公告将终止并购芯和半导体,原因是交易各方未就核心条款达成一致。 19. 长鑫存储:国内最大的DRAM存储企业长鑫存储启动上市辅导,DRAM存储芯片市场被韩美厂商垄断,长鑫的技术在加速迭代追赶全球先进水平,产能在2024年实现翻倍增长。未来长鑫上市有望持续拉动扩产,设备国产化率有望逐步提升,建议重点关注长鑫设备、封测、模组及IC载板产业链受益标的。 20. 三星:三星电子第二季度销售额74.00万亿韩元,预估75.77万亿韩元;营业利润4.60万亿韩元,预估6.18万亿韩元。 21. 时代芯存:7月8日消息,江苏时代芯存半导体有限公司管理人发布公告,宣布重整投资人华芯杰创集成电路制造(广东)有限公司违约,重整计划执行失败。这意味着这座座烂尾的300mm晶圆厂复活无望。 22. 北方华创:北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、多晶硅薄膜沉积技术,成功攻克高深宽比结构填充、高平坦度薄膜生长和兼容低温工艺三大技术瓶颈,标志着北方华创在高端半导体装备领域持续取得关键技术突破。 23. NVIDIA:7 月 9 日,英伟达成为全球首家市值达到 4 万亿美元的公司。 24. 村田:村田正在大规模生产其第一款采用XBAR技术的高频滤波器。该高频滤波器融合了村田专有的表面声波(SAW)滤波器技术及其子公司Resonant的XBAR技术,可提取所需信号,同时实现低插入损耗和高衰减。 25. LPDDR6: 7月9日,JEDEC发布最新的LPDDR6标准 JESD209-6。该标准旨在显著提升移动设备和人工智能等应用场景的内存速度与效率,是内存技术的重大进步。 26. 瑞萨电子: 近日,瑞萨电子宣布推出三款新型高压 650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型 800V 高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器等场景。 27. 英特尔:英特尔在以色列计划裁员数百人,并考虑关闭位于以色列的 Fab28 半导体工厂。报告中并未提及具体裁员人数,仅透露会影响数百名员工,此外消息称英特尔还考虑关闭位于以色列南部城市基里亚特加特(Kiryat Gat)的 Fab28 制造工厂。 28. 恩智浦:恩智浦大中华区汽车电子市场总监周翔透露,公司正在中国选一家晶圆厂作为其合作伙伴,计划将恩智浦的产品从前道到后道、从晶圆到封装测试全部在中国实现。 29. 海思:7月10日,华为海思正式宣布其Hi2131 Cat.1物联芯片正式上市。该芯片休眠功耗低至150uA。 30. 纳芯微:7月11日, 纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列,该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上,集成了米勒钳位功能,同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。 | 应用端动态 31. 苹果:苹果基础模型团队负责人、著名华人工程师庞若鸣 (Ruoming Pang) 即将离职加入Meta。2021年,庞若鸣从Alphabet加入苹果。过去两周,Scale AI创始人汪滔、前GitHub CEO纳特·弗里德曼、OpenAI多模态负责人毕树超、GPT-4o图像生成核心余家辉等11名顶尖研究者已陆续加入Meta。 32. 智元机器人:7月9日,A股上市公司上纬新材发布公告披露,智元机器人拟通过与核心团队共同出资设立的持股平台“智元恒岳”,以协议转让+部分要约收购的方式,合计拿下63.62%的股份,正式成为公司控股股东。 33. 沃尔沃:沃尔沃汽车已开始在其中国业务部门裁员,其中大部分裁员将影响其位于上海的技术和研发中心。受影响的部门包括工程、研发和供应链管理部门。据报道,员工将获得N+3(N为工作年限)的遣散费。 34. 智元机器人和宇树科技:7月11日,中国移动采购与招标网显示智元机器人和宇树科技中标中移(杭州)信息技术有限公司人形双足机器人代工服务采购项目。此次采购项目总预算1.24亿元,其中智元机器人和宇树科技分别获得7800万元和4605万元采购额。 35. xAI:美东时间7月12日,埃隆·马斯克旗下的SpaceX被媒体爆出,同意向xAI投资20亿美元,旨在助力其在人工智能竞争中赶上对手,并计划探索人工智能技术在太空中的应用。
DRAM
芯查查资讯 . 2025-07-14 1 3430
智能音频 | 从立体声到全景声,智能音频如何改变智能驾舱体验?
在汽车工业的百年发展史当中,车载音响系统从最初的收音机,逐渐演变为带有CD播放器、多媒体播放功能的立体声系统。如今,随着智能座舱的兴起,以及消费者对沉浸式体验的极致追求,汽车音频正迎来一场从“听得见”到“听得好”,再到“听得懂”,甚至是“听得像身临其境”的革命。也就是说,汽车音频正加速从传统从立体声,迈向沉浸式全景声时代。 然而,在汽车的智能驾舱中实现全景声并非易事。受限于有限的空间、复杂的噪声环境(例如燃油车/混动车的发动机噪声、路噪、风噪、胎噪等,电动汽车的胎噪和风噪等),传统音频系统难以提供理想的听觉体验。 同时,为了让用户获得“声临其境”的沉浸式听觉体验,很多汽车制造商在座舱内增加了扬声器的数量,比如新能源车型普遍配置了8~12个扬声器,部分旗舰车型甚至超过了20个扬声器,这加剧了车内声学环境的复杂性,带来了混响、共振、低频衰减等问题,甚至可能导致高端车型的用户对音响效果不满意。 为了解决这些挑战,并支持更复杂的沉浸式音频功能,车载音频系统对算力、实时性和功耗提出了更高的要求。智能音频解决方案应运而生,它通过软硬件结合的创新技术,为构建未来的沉浸式智能座舱奠定了基础。目前已经有不少国内外厂商推出了智能音频解决方案,例如ADI、TI、瑞芯微、国芯科技等。 ADI:基于高性能DSP与汽车音频总线的解决方案 在高性能智能音频解决方案方面,ADI除了麦克风和扬声器之外,可以提供完整的音频信号链产品和解决方案,比如音频放大器、音频ADC、音频编解码器、音频信号处理器、音频DAC、汽车音频总线(A2B),以及模拟功放与数字功放等相关产品。 比如其音频处理器已经有20多年的发展历史,从最开始的Sigma DSP开始,到现在很多客户使用的SHARC DSP系列。其被广泛使用的ADSP-SC594集成了高达1GHz的双核SHARC+ DSP和Arm Cortex-A5处理器,拥有2MB片内SRAM(带ECC保护),并支持DDR3内存扩展(支持1.35V DDR3L器件)。其创新型数字音频接口(DAI)包括8个全SPORT接口、S/PDIF Rx/Tx、ASRC对、精密时钟发生器以及PDM麦克风输入,支持多通道解码,能够解码从5.1.2、5.1.4到7.1甚至9.1声道等多种配置。 更新的ADSP-21837则具有高达1GHz的SHARC-FX DSP及400MHz频率的Arm Cortex M33内核,进一步提升了处理能力和能效比。 图:ADSP-21837概述(来源:芯查查) ADI另一个值得一提的音频技术就是A2B总线,它是ADI开发的一种高带宽双向数字音频总线,能够在相当长的距离上(最大节点距离可达15m,通过菊花链连接后,长度可超过40m)通过一条非屏蔽双绞线实现I2S、TDM、PDM(脉冲密度调制)数据的传输,同时还能传输I2C控制信息、时钟,以及供电信号。在同一个A2B网络中,时钟能够确保所有节点保持同步,同时每个节点都能接收麦克风和串行音频数据。 据ADI官方的介绍,A2B总线具有高度的可配置性和灵活性,易于使用;可以降低系统和电缆成本,同时降低复杂性;具有出色的音频质量;更重要的是,它具有确定性低延迟(低于50µs),因为它针对音频算法做了特殊设计,可以极大优化降噪算法的效率。 据悉,目前几乎全球所有的汽车客户都已经在使用A2B总线。ADI在今年3月份的公开场合表示,大概已经有6000万颗A2B芯片在汽车上使用,其可靠性得到了广泛验证。 如果您对ADI的智能音频解决方案感兴趣的话,芯查查在7月17日将会联合ADI举办一场线下沙龙活动,届时ADI的技术专家将会在现场为您介绍ADI的智能音频解决方案的独特之处。同时,您也可以与ADI的专家面对面交流。 图:芯查查技术沙龙第4期(来源:芯查查) TI:新一代DSP重塑智能座舱音频体验 TI在汽车音频领域也投入较早,尤其是在高度集成的DSP和高品质模拟音频器件方面表现出色。为应对智能座舱对沉浸式音频体验、语音交互、主动降噪、安全提醒等音频应用需求,TI在今年推出了系列创新产品,包括AM275x-Q1 MCU和AM62D-Q1处理器,以及D类音频放大器TAS6754-Q1两个系列产品。 其中,AM275x-Q1 MCU和AM62D-Q1处理器两款产品基于相同芯片设计,提供不同的配置方案,两款产品都搭载了德州仪器C7000 DSP内核,具备强大的运算能力。 C7000 DSP内核基于256位矢量运算,可以根据单周期访问L2储存器,具有更快的速度,内核运算能力更强,最高主频为1GHz,每个内核可以提供40GFLOPS的运算能力。此外,还配备了神经网络NPU加速器,客户可以在该芯片上运行自定义的AI算法。 这两款产品主要区别在于是否配备DDR内存,AM275x-Q1是单芯片解决方案,片上集成了大容量存储器(最高10.75MB),包括4.75MB L2和6MB L3的Memory,可以很好解决大部分不需要外置DDR的音频应用。 针对高质量音频文件播放或复杂算法等大容量应用场景,AM62D-Q1则集成了DDR4接口,便于进行大容量存储扩展。AM62D-Q1最高可配置4个A53内核,易于集成基于Arm的算法或第三方Arm算法,加速开发周期。 TAS6754-Q1 D类音频放大器基于TI独有的单电感调试技术,在达成相同功放效果和能耗表现的前提下,可比传统D类音频放大器节省一半的外围电感器件,有效降低系统成本和PCB面积。 TI为汽车音频系统提供完整的嵌入式、模拟和电源产品及方案,其放大器、数据转换器和MPU等产品确保了低噪声、低失真和低延迟,从而实现高品质音质。同时,放大器还具备过流保护、实时IV检测、负载诊断、强大的ESD和EMI保护等高级特性。 国内厂商:砥砺前行,不甘人后 在国际厂商持续升级其智能音频解决方案的时候,国内半导体厂商也在积极布局,并退出了具备竞争力的产品,在汽车智能音频领域崭露头角。比如瑞芯微的RK2118芯片、国芯科技的CCD5001座舱音频处理DSP芯片等。 瑞芯微的RK2118系统级芯片(SoC)已于2024年Q4投入量产,该SoC采用了22nm制程,具备Cadence的Tensilica HiFi 4 DSP,大容量SRAM,且集成了瑞芯微自研的音频NPU,实现了“多核异构”技术架构的深度融合,支持人声分离/增强、音乐分离、降噪、ECNR、虚拟环绕声等汽车算法。RK2118已引起汽车行业的极大兴趣。值得注意的是,它已被部分的汽车制造商和 Tier 1采用。 6月初,瑞芯微官方发布消息称,RK2118-YX成功通过了DTS两项核心认证,即DTS Virtual:X (适用于 AVR / Soundbar 产品) 与 DTS:X 认证。这标志着瑞芯微在高端音频处理技术领域突破性进展,为家庭影院、Soundbar 及车载娱乐系统等领域提供沉浸式音效解决方案,支持杜比全景声。 图:瑞芯微RK2118-YX成功通过了DTS两项核心认证(来源:瑞芯微) 国芯科技针对新能源汽车市场,成功研发了一款面向高端座舱音频处理的DSP芯片——CCD5001,并规划了完整的系列化产品。CCD5001采用了12nm车规级工艺,搭载了Cadence的Tensilica HiFi 5 DSP内核,拥有高达6.4GFLOPS的单核算力,与其对标产品ADI的ADSP21565相比,在音频处理FIR性能上提升了2倍多。该芯片还在FIR/IIR硬件加速器和ASRC异步采样率转换等功能上进行了创新优化,为车载音频应用提供了硬件支持。 此外,CCD5001还具备16个全双工音频串行输入/输出端口,支持多达256个音频通道,能够满足杜比Atoms全景声等高端音效技术的需求。国芯科技还基于该芯片开发了车载音效处理框架和图形化算法设计工具,为Tier1供应商和汽车厂商提供了便捷的开发环境和算法集成能力。 在算法和生态合作方面,国芯科技已与歌尔声学、DSPC、艾思科(ASK)、ARAMYS及赛朗声学等多家行业头部企业建立合作关系,共同打造完整和闭环的DSP算法生态。 根据国芯科技官网的消息,CCD5001已经在2025年3月实现量产。 另外,芯驰科技的智能座舱芯片(比如X9系列),集成了高性能CPU和AI加速模块,能够承载高级音效算法,例如主动降噪(ANC)、车辆内部通信,以及外部声音警示等。通过将音频处理能力与中央计算平台融合,降低了系统复杂性,并提升了整体性能。 结语 从简单的立体声系统到充满智慧的全景声体验,汽车音频的进化之路承载着无限可能。国际领先的半导体企业如ADI和TI凭借其深厚的技术积累,持续推动着行业的发展。与此同时,中国半导体企业也在奋起直追,凭借本土创新和成本优势,逐步在市场中占据一席之地。 未来,随着人工智能、5G通信和更先进的传感器技术与汽车音频的深度融合,我们有理由相信,汽车将不仅仅是出行的工具,更将成为一个私密、沉浸、智能且充满“声音魔力”的移动空间。这场变革的序幕才刚刚拉开,机遇与挑战并存,但无疑充满看点。
智能音频
芯查查 . 2025-07-14 1 23 6670
企业 | 兆易创新与RT-Thread睿赛德达成战略合作,共筑国产嵌入式技术底座
近日,兆易创新(GigaDevice)宣布与国内知名嵌入式操作系统睿赛德科技(RT-Thread)达成战略合作,成为RT-Thread高级合作伙伴,这标志着双方在嵌入式系统生态建设领域的协同迈入全新阶段。双方将基于RT-Thread先进内核与组件生态,覆盖支持兆易创新GD32全系产品,并重点深化GD32F5、GD32VW553和GD32H7三大产品线的软硬件协同与合作,为工业控制、消费电子、AIoT等多元化场景提供更加坚实的技术支撑,进一步助力开发者加速创新实践,推动高性能、高可靠性的嵌入式解决方案落地。 RT-Thread创始人熊谱翔表示:“RT-Thread深耕嵌入式操作系统近20年,此次和国内半导体行业标杆企业兆易创新合作,将推进操作系统与芯片深度融合,通过软硬件协同优化,特别是发挥睿赛德在操作系统方面支持多种开发工具、友好的开发环境、良好的兼容与拓展性、完整的产业链生态能力、创新十足且活跃的社区等优势,持续为行业带来更高效的开发体验,加速千行百业的创新发展。” 兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁表示:“RT-Thread作为国产嵌入式操作系统的领军企业,其开放完整的生态体系与兆易创新推动产业自主化进程的使命高度契合。GD32 MCU已服务全球超2万家客户,累计出货量突破20亿颗,成为中国32位通用MCU市场的核心支柱。本次战略携手,是两大生态力量的深度融合,将以芯片与操作系统的协同进化,重塑产业开发范式,依托全系GD32芯片与RT-Thread的深度适配,整合开发工具链,提升客户效率;同时共建生态标准,加速边缘AI等创新落地。期待与RT-Thread并肩拓界,为嵌入式行业的智能化升级注入新动力。” RT-Thread睿赛德与兆易创新的战略合作将为嵌入式领域带来全新的技术协同效应。通过将兆易创新高性能MCU产品与RT-Thread操作系统的优势深度整合,显著降低复杂嵌入式系统的设计门槛,加速行业的创新应用落地,还将推动整个行业向更高性能、更低功耗的方向发展。 未来,双方将持续深化技术融合,通过优化软硬件协同、完善开发工具链、丰富应用案例库等方式,为全球开发者提供更完善的技术支持,共同促进嵌入式技术的创新突破与产业升级。
MCU
兆易创新GigaDevice . 2025-07-14 1295
产品 | 日清纺单节锂离子电池保护IC “NB7123 系列”和“NB7130 系列”开始上市
日清纺微电子推出的单节锂离子电池保护IC “高边FET驱动类型的NB7123系列”和“低边FET驱动类型的NB7130系列” 拥有行业领先水平的±6.5 mV超高精度过充检测能力。 随着VR/AR(虚拟现实/增强现实)的普及,搭载单节锂离子电池的可穿戴/听戴式设备市场规模正在不断扩大。特别是这些贴身佩戴设备,为了防止电池起火,安全保护措施的重要性变得日益显著,对保护电压的高精度化需求也日益增加。 另一方面,以往的单节锂离子电池保护电路主要使用的是低边配置FET的电路结构。然而,近年来,随着电池组的多样化以及与主机通信的便利性,越来越多的设备开始采用高边配置FET的保护电路。 为了满足这些市场需求,本公司推出了两种类型的电池保护IC,一种是驱动高边FET,另一种是驱动低边FET,通过超高精度过充检测功能可以进一步提高安全性。由此,为了让更多客户可以使用,我们将扩大产品阵容。 本产品群除了有过充检测外,还有过放检测、放电过电流检测、充电过电流检测、负载短路检测、0V充电禁止电压、高温检测,这些特性的精度也处于行业领先水平,有助于构建进一步提高安全性的保护电路。 此外,工作温度范围为-40°C至105°C(以往产品为-40°C至85°C),即使在高温环境下也能够确保正常的电池保护工作。 产品特点 1. 行业领先水平的超高精度过充检测电压 电池检测电压范围: 4.3 V to 4.7 V (NB7123 系列) 4.3 V to 4.8 V (NB7130 系列) 25°C 精度: ±6.5 mV -20°C to 60°C 精度: ±8 mV 随着充电电压趋于上升,提高精度将有助于提高安全性。 2. 行业领先水平的高精度充放电过流检测和负载短路检测功能 “NB7123 系列” 放电过电流检测电压范围: 0.006 V to 0.040 V, 精度: ±1.0 mV 充电过电流检测电压范围: -0.006 V to -0.050 V, 精度: ±1.0 mV 负载短路检测电压范围: 0.020 V to 0.100 V, 精度: ±1.0 mV “NB7130 系列” 放电过电流检测电压范围: 0.006 V to 0.050 V, 精度: ±0.75 mV 充电过电流检测电压范围: -0.006 V to -0.050 V, 精度: ±0.75 mV 负载短路检测电压范围: 0.020 V to 0.080 V, 精度: ±1.0 mV 0.081 V to 0.125 V, 精度: ±2.0 mV 由于过流检测的低压化和高精度化,使得检测电阻(RSENS)低阻化。减少电路板的发热和降低电池组阻抗可以抑制大电流时的发热,从而简化电路板的热设计。 3. 高精度过放检测电压 电池检测电压范围: 2.0 V to 3.0 V, 精度: ±17 mV 由于精度高,可以将电池容量使用到接近其最小限度,有助于延长电池使用时间。 4. 高精度0V充电禁止电压 设定范围: 1.20 V to 2.00 V, 精度: ±20 mV 对 0V 电池(低压电池)充电有内部短路的危险性,因此从安全方面考虑,实现了禁止电压的高精度化。 5. 高精度高温检测 设定温度范围: 40°C to 85°C, 精度: ±2°C 通过连接外部热敏电阻,可以实现高精度的温度检测,从而高精度地保护电池组免受异常温度的影响,有助于提高安全性。 6. 支持宽温范围 工作环境温度范围: -40°C to 105°C 工作温度最大值从之前的85°C扩大到105°C,即使在工业设备应用等高温环境下也能实现正常的电池保护工作。 7. 超小型封装 采用超小超薄的WLCSP封装 NB7123: WLCSP-8-ZA2 (1.66 × 1.08 × 0.38 mm) NB7130: WLCSP-8-ZA1 (1.65 × 0.97 × 0.40 mm) 应用示例 锂离子电池组(单节) 搭载设备示例 智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机、智能眼镜 基本电路示例
电池保护IC
日清纺 . 2025-07-11 5 1 1845
市场 | 预计Q3整体DRAM价格季增15%至20%,短期内DDR4仍将供不应求
根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品,并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL),引发市场对旧世代产品积极备货,叠加传统旺季备货动能,将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%,若纳入HBM,整体DRAM涨幅将季增15%至20%。 预估3Q25 NAND Flash合约价季增5%至10%,手机需求弱抑制eMMC、UFS涨幅 根据TrendForce集邦咨询最新调查,NAND Flash市场历经2025年上半年的减产与库存去化,供需失衡情况已明显改善。随着原厂转移产能至高毛利产品,市场流通供给量缩减。需求面则有企业加码AI投资,以及NVIDIA(英伟达)新一代Blackwell芯片大量出货支撑。展望第三季NAND Flash价格走势,预估平均合约价将季增5%至10%,但eMMC、UFS产品因智能手机下半年展望不明,涨幅较低。
DRAM
TrendForce集邦 . 2025-07-11 1 2 1500
企业 | Intel以色列大规模裁员!甚至考虑关闭Fab 28晶圆厂
陈立武就任Intel CEO之后,采取了一系列变革措施,并且据说4月份就提醒员工将会大裁员,但一直没有公布裁员计划,只有一些坊间传闻。 根据最新曝料,Intel本周起已经低调开始了大规模裁员,单独通知被裁的员工,沟通相关事宜。 本次裁员会在未来几周内全面铺开,有的员工将会被通知立即走人,而有的还要等最终决定。 Intel尚未公布具体裁员人数,也暂未看到相关传闻。Intel Foundry晶圆厂制造业务的裁员比例预计可高达15-20%,包括技术人员、工程师、研发人员等,尤其是在俄勒冈州厂区。 汽车业务将被关停,大部分员工都会被裁。市场营销部门同样会裁掉很多人,相关业务会在很大程度上外包给埃哲森,世界上最大的咨询公司,未来会更多利用AI从事市场营销活动。 去年夏天,Intel曾经裁员多达1.5万人,公司全球员工总数降为约10.9万人。 晶圆制造与代工方面,陈立武仍然承诺坚定投入,但也有了很大的变化,比如美国俄亥俄州、德国、以色列的工厂扩建升级计划都被暂停,比如18A工艺更多用于自家产品而不是代工重点,这个任务交给未来的14A。 另据报道,Intel在颇为倚重的以色列也开始了裁员,而此前Intel一直避免这么做,因为以色列政府给了Intel极大的支持。其中在Kiryat Gat地区的Fab 28晶圆厂,至少会有200人左右丢掉饭碗,包括中层管理人员、一线总监、远程运营中心技术人员等。 Intel目前在以色列一共有9000多名员工,Fab 28晶圆厂就有大约4000人。此番裁员后,Intel以色列员工将下降至8500人左右,也就是共裁员约500人。2023年底,以色列政府承诺补贴Intel 32.5亿美元,用于在Fab 28晶圆厂旁边兴建一座新的Fab 38,但此计划已经在2024年中暂时搁浅。 甚至有说法称,Intel正在考虑彻底关闭Fab 28晶圆厂,这简直有点难以想象,以色列方面肯定不会愿意。Intel发言人对此拒绝证实或否认,只是很官方地表示:“一如今年早些时候宣布的,我们正在努力成为一家更精简的、更快速的、更高效的公司。” “简化组织结构,赋予工程师更大权利,可以让我们更好地满足客户需求,强化执行力。我们会在认真思考未来所需产品的基础上,慎重做出决定。在完成这项重大任务的时候,我们会尊重过并妥善安置员工。”
晶圆厂
硬件世界 . 2025-07-11 2 2 1130
技术 | 极海APM32F411低压无感FOC双电机参考方案,助力电机控制系统能效提升
在“双碳”政策的推动下,双电机凭借高效化、集成化、智能化等特性,在新能源汽车、工业自动化、医疗设备以及可再生能源等领域的重要性日益凸显。根据Business Research insights数据预测,2024年全球双电机市场规模约为27亿美元,2025年~2033年,将以7.2%的复合年增长率,从28.9亿美元增长到50亿美元。 为了满足行业对更高效和更可靠方案的需求,极海推出了APM32F411低压无感FOC双电机参考方案,其中还搭配了2颗GHD3440电机专用栅极驱动器。整个方案兼具高效率、高可靠和高性比等优势;低噪音设计,可提供更好的用户体验;同时还配备完善的过流、过压、故障诊断等功能,适用于空调、冰箱等智能家电、以及摄像云台、AGV底盘、无人机电调、洗拖机器人、伺服电机、汽车电机、燃料泵等多场景应用。 APM32F411低压无感FOC双电机参考方案介绍 本方案前级通过APM32F411高性能高适配型MCU,集成两个高级定时器,每个高级定时器可输出三路带死区的互补 PWM,实现单芯片驱动两路BLDC 或 PMSM;集成两个12位高精度ADC分别对两路PMSM独立采样。后级则通过GHD3440电机专用栅极驱动器进行驱动信号放大,来控制MOSFET开关,最终实现对BLDC 或 PMSM的FOC控制。 图:方案框图 图:双电机应用于无人机电调 方案优势 高算力控制: APM32F411主控芯片搭载Cortex-M4F内核,主频高达120MHz,可在单核内实现两路速度环、电流环双环运算,实现双路独立PMSM或BLDC控制; 丰富接口资源:集成U(S)ART、I2C、QSPI、SDIO、CAN等,既能满足无感/无感FOC控制、有感/无感方波控制,还能支持霍尔、磁编、光电等类型编码器; 执行效率高:MCU芯片以32KHz频率执行电流环,执行时间14μs,仅占执行周期的50%,剩余时间还可用于执行速度环、PFC、通信、显示等任务; 支持单/双电阻采样、三相反电势采样; 12V~72V DC宽电压输入,单电机最大功率100W。 图:电路板实物图 APM32F411高性能高适配型MCU Cortex-M4F内核,主频高达 120MHz,支持FPU和DSP指令,性能强劲,能轻松应对复杂的电机控制任务; 集成高达128KB的SRAM、512KB的Flash、以及SMC,配合强劲运算性能,可运行丰富算法,为方案设计提供广阔的发挥空间; 丰富外设资源:U(S)ARTx6、I2Cx3、SPIx5、QSPIx1、USB_OTGx1、CANx2、SDIOx1; 内置CRC32运算单元,可为用户提供高集成、高可靠的SoC方案。 GHD3440电机专用栅极驱动器 200V双N沟道三相驱动器,适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案; 支持5.5V~18V输入电压范围,3.3V/5V逻辑输入兼容,有效放大电路控制信号,实现对电机的高精度、高速度以及低功耗的控制; 内置欠压保护、直通防止功能,250ns死区时间; 峰值输入电流1.0A@12V,3.3nF负载下降时间60ns;峰值输出电流0.8A@12V,3.3nF负载上升时间90ns,能迅速对输入信号或负载变化作出精准反应,提高电机运行效率; 工作温度范围-40~+105℃,可保障在严苛工作环境下的稳定运行。 面向电机控制市场,极海APM32F411低压无感FOC双电机参考方案,可提供配套技术文档、软硬件开发工具和本地化服务支持,以满足高端消费电子与工业控制领域的多样化需求,助力工程师快速上手进行性能评估和二次开发。面向电机应用智能化与物联网升级,极海将持续优化产品线,强化产品性能,助力双电机技术向高性能、高能效与低成本方向发展。
MCU
Geehy极海半导体 . 2025-07-11 1 1320
产品 | Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计,可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。 新款肖特基二极管具备不受温度影响的容性开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。此外,其开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。这些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)结构带来更多优势,例如凭借高峰值正向电流(IFSM)展现出卓越的浪涌电流耐受能力。这一特性减少了对额外保护电路的需求,显著降低系统复杂度,使工程师能够在高压应用中以更小尺寸实现更高效率。 PSC20120J采用真双引脚D2PAK R2P (TO-263-2)表面贴装(SMD)功率塑料封装,而PSC20120L则采用真双引脚TO247 R2P (TO-247-2)通孔功率塑料封装。这些热稳定封装可在高达175℃的工作温度下提升器件在高压应用中的可靠性。作为高品质半导体产品的成熟制造商,Nexperia凭借强大供应链支持的多种半导体技术赢得市场信赖,这进一步为设计者提供了保障。 Nexperia (安世半导体) Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
SiC
安世半导体 . 2025-07-11 1200
产品 | 纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列,该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上,集成了米勒钳位功能,同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。 图:NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比 5A米勒钳位功能,助力半桥电路安全可靠 在实际应用中,OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为,尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用,门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小,使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时,为了避免因米勒效应引发的桥臂直通,通常需要调整驱动电路。 然而,在很多情况下,即使精心调整了驱动参数、正负供电电压,以及优化PCB栅极寄生参数,也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥,也可能带来潜在的安全隐患。 图:开关过程中米勒效应原理 纳芯微推出NSI6602MxEx系列,为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能,能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径,有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装,为SiC等器件的安全应用保驾护航。 NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享 在使用SiC功率器件时,由于其高dv/dt特性,门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤,是高性能驱动设计的一大挑战。 图:常规驱动方案 如上图常规解决 SiC 器件门极串扰方案所示,这些传统手段虽然“理论可行”,但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。 下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。在相同驱动参数与layout条件下,NSI6602MxEx能显著抑制正负Vswing,搭配适当负压关断后,可将门极串扰压制至安全范围以内。 图:不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形 图:不同方案效果对比 更进一步,对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件,NSI6602MxEx 甚至无需负压,也能实现串扰可控,极大降低系统设计复杂度。 附:测试电路及上管开通关断时刻下管测试波形 图:NSI6602MxEx测试电路 图:上管开通时刻下管测试波形 ±10A输出电流,助力外围电路精简设计 NSI6602MxEx提供超强驱动能力,最大可输出10A的拉灌电流,支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷(Qg)的功率管,还是在多管并联的应用中,与传统方案相比,NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器,即可实现高效驱动,有效简化外围电路设计。此外,32V最大工作电压,极限35V的最大耐压,可以应对更高的EOS冲击,搭配精简的驱动外围设计,大幅提高了整个电路系统的可靠性。 可编程死区及多档欠压阈值,助力设计灵活配置 NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置,通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间,此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出;搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑,为终端应用提供丰富的控制逻辑;另外,副边电源欠压UVLO设有8V,12V,17V三种选择,适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。 NSI6602MxEx产品特性: 5700VRMS隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT 高CMTI:150 kV/μs 输入侧电源电压:3V ~ 18V 驱动侧电源电压:高达 32V 轨到轨输出 峰值拉灌电流:±10A 峰值米勒钳位电流:5A 驱动电源欠压:8V/12V/17V三档可选 可编程死区时间 可选的正反逻辑使能配置 典型传播延时:80ns 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃ 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 符合 RoHS 标准的封装类型:SOW18,爬电距离 >8mm 图:典型应用电路 产品选型与封装 NSI6602MxEx系列提供六种型号可选,具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格,灵活适配多种应用场景。
隔离半桥驱动
纳芯微电子 . 2025-07-11 805
产品 | Nordic 发布高集成电源管理IC nPM1304
Nordic 推出全新 nPM1304电源管理 IC (PMIC)。nPM1304秉承 nPM1300 的成功理念,为需要小型电池的空间受限应用提供了理想的解决方案。小型电池的能源预算极其紧张,所有功能都必须以尽可能低的功耗运行。 业界首款用于小型电池产品的超低功耗精确电量计 nPM1304 PMIC 为低功耗和尺寸受限的应用提供了独特的系统管理功能和精准的电量计。Nordic 独特的基于算法的电量计方法利用电压、电流和温度监测,并结合数学电池模型来估算电池的充电状态,其精度可与库仑计等专用电量计设备相媲美,但不会产生额外的功耗和固有的误差累积。Nordic 率先以适合小电池能源预算的功耗提供当今产品用户所期望的电量计精度。 专用电量计装置在产品活动状态下的功耗往往高达 50µA,在休眠状态下的功耗为 7µA。例如,对于平均电流消耗为 200µA 的产品,传统的电量计方法在总能源预算中所占比例过高,令人难以接受。然而,Nordic 解决方案在活动状态下的功耗仅为 8µA,在休眠状态下的功耗为零,并提供准确的电量状态估算,且不会明显缩短电池寿命。 支持电池充电 nPM1304 采用线性充电模组,可为单节锂离子、锂聚合物和磷酸铁锂电池充电,该模组支持 4 至 100 mA 的充电电流和 3.5 至 4.65 V 的可编程终止电压。该电池充电器具有自动热调节功能,并可编程设定充电期间芯片的最高温度。 专为下一代应用而设计 nPM1304 适用于所有配备小型可充电电池的终端产品,包括智能戒指、运动表现追踪器和个人健康监护设备。 Nordic PMIC 产品总监Geir Kjosavik 表示:“紧凑型互联传感器设备的需求正在快速增长。我们消费电子和医疗保健领域的客户正在不断突破小尺寸器件的极限。nPM1304 为他们提供了突破性的解决方案——以超低功耗精准估算剩余电池寿命——这正是市场翘首以盼的。” nPM1304 为 Nordic 的超低功耗 nRF52、nRF53 和 nRF54 系列系统级芯片(SoC) 以及其他微控制器 (MCU) 提供电源管理,并优化了最高效率和紧凑尺寸。 单芯片集成全面的系统功能 nPM1304 包含与 nPM1300 PMIC 相同的系统功能。除了电池充电和电量计外,它还包含两个超高效降压转换器、两个负载开关/低压差 (LDO)、5 个 GPIO 和 3 个 LED 驱动器。它还具有兼容 I2C 的双线接口 (TWI),可轻松配置一系列高级系统管理功能,包括通过一或两个按钮实现的集成硬复位功能、精确的电池电量计、系统级看门狗、断电警告以及启动失败恢复。它将通常需要五个或更多分立组件的电路集成到单个芯片中,从而降低了最终产品的材料清单(BoM)。
电源管理
Nordic半导体 . 2025-07-11 695
技术 | FS24功能安全SBC芯片:四大优势,为区域控制器节点设计提供便利!
汽车市场日新月异,国产新能源汽车的产销量屡创新高。在这一背景下,车载电子电气架构不断迭代升级,新技术层出不穷。如今,以区域控制器划分的车载电子电气架构已成为市场的主流。传统的车身电子ECU正逐渐转变为区域控制器的节点单元。 针对这些节点单元,恩智浦不仅提供了相应的处理器方案,还推出了节点的SBC芯片。本文将为大家详细介绍符合功能安全ASIL-B系统需求的FS24 SBC芯片。 FS24是一款高集成度的SBC,其内部集成了两路电源和一路CAN FD物理层。5×5mm的小巧封装以及少量的BOM(物料清单),为客户提供了符合12V系统应用的ASIL-B供电和CAN通讯方案。其中,一路HVBUCK支持持续电流能力400mA,一路LDO支持电流150mA。CAN FD支持5Mbps通讯。此外,该芯片还集成了看门狗、低功耗和多路唤醒等功能。 图:FS24 SBC芯片框图 接下来,让我们一起探讨FS24芯片的优势: 功能安全和高可靠性 恩智浦的SBC芯片一直是行业内的功能安全电源领导者。如今,其产品已发展到第四代,从定义初期到量产,再到后续的质量支持,都严格遵循ISO26262标准的要求。无论是生产流程还是芯片架构设计,都符合功能安全标准。 从Safety Case到Safety Assessment等生命周期的所有要求文档一应俱全,恩智浦可以为客户提供Safety Manual、FMEDA以及功能安全评估报告等文档,协助客户完成第三方功能安全认证。作为功能安全家族的一员,FS24能够实现硬件等级的ASIL-B,满足ASIL-B系统的功能安全需求。 此外,凭借丰富的车载电源制造经验,恩智浦自SBC芯片量产初期就进行了大量的测试,包括高低温寿命应力测试、ISO标准和各大车厂的电池波形测试(如抛负载和电性实验)、EMC芯片级和系统级测试(如ESD、BCI、CE、RE等),以及大量的实验室参数和应用测试等。这些丰富的经验为电源的稳定性提供了有力保障,让客户在长期使用中更加放心。 图:FS24具有功能安全和高可靠性 高集成度和灵活性 FS24集成了两路电源,输入均为车载12V电池。其中,一路BUCK支持稳定输出400mA负载能力,另一路LDO支持150mA负载能力。同时,集成的CAN FD物理层采用了恩智浦传统强势芯片TJ14xy的IP,确保了芯片CAN通讯的稳定性。 除此之外,该芯片还集成了3路电平唤醒源、看门狗和LDT计时器,并为外部电源提供了一路独立监控。其特色的HID标号功能为硬件设计一致性提供了方案。通过三个HID引脚的不同外部接线组合,可标定9个位置或号码,为UWB锚点设计提供了硬件一致性设计的可能性。由于芯片集成度高且可靠性强,在5V-40V的电池区间内,FS24凭借少BOM、小封装等优势,为客户节约了PCB尺寸和BOM成本。 同时,FS24支持OTP烧写,恩智浦电源产品线开放了OTP配置权限,客户可以根据自身需求,灵活定制所需的电源和功能型号,为不同项目的设计提供了很高的灵活性。 图:FS24搭配UWB和KW45的方案 低功耗模式和多种唤醒源 FS24支持休眠模式(LPON)和睡眠模式(LPOFF)。当芯片工作在休眠模式时,HVBUCK会自动跳转到PFM模式,并提供100mA以上的电流能力。此时,芯片自身消耗低至40uA,且在休眠模式下提供了看门狗和电源监测功能。在睡眠模式下,电流仅为35uA。 此外,芯片支持多种唤醒源,包括CAN唤醒、定时唤醒、3路外部高压唤醒和SPI唤醒等。这些特定的唤醒功能,无论是与MCU还是与UWB、蓝牙、NFC搭配使用时,都能更好地满足其低功耗要求。 图:FS24搭配NFC和S32K1的方案 出色的技术支持资源 作为恩智浦的SBC芯片,FS24和其他兄弟产品线紧密合作。恩智浦为其搭配S32K3x和UWB提供了软件资源,包括符合Autosar架构的RTD复杂驱动软件;针对UWB Ranger5,恩智浦也有相应的参考设计电路。客户可以参考这些软硬件设计,迅速完成自己的项目。 恩智浦非常重视中国客户资源,积极布局中国区技术支持,尤其是电源产品线,能够为大中国区内的客户提供及时、专业、全面的技术支持。根据本地客户的需求,恩智浦还编写了相关的中文技术文档,并培训了本地代理商,确保中小型客户也能获得良好的技术支持。 图:NCJ29D6开发板 SBC芯片作为系统的供电芯片,如今在各个系统中的应用越来越广泛。许多国产半导体厂商也在积极布局这一领域。凭借多年的汽车行业积累以及功能安全和高可靠性等优势,恩智浦深受主流车厂的青睐。未来的SBC架构将更加贴近系统需求,与MCU和系统需求的融合度将更大。 定义一个好的产品不仅意味着集成更多的功能,更要贴合实际应用需求,满足客户不同场景需求的同时,降低功能和成本的冗余。在这方面,恩智浦将持续加强与本土化Tier1和车厂的沟通,定义出更多符合中国客户需求的产品。这也是恩智浦电源产品线的期望。
SBC
NXP客栈 . 2025-07-11 920
技术 | LPDDR6内存标准正式发布:冲击14.4GHz!
JEDEC近日发布了LPDDR6内存标准,规范编号JESD209-6,可显著提升移动设备、AI应用的性能、能效、安全。 性能方面,LPDDR6采用双子通道架构,保持最小访问间隔32字节的同时,允许更灵活的操作。 1、每颗裸片(Die)支持两个子通道,每个子通道分为12个数据信号线(DQ),优化通道性能。 2、每个子通道包含4个指令/寻址(CA)指令,优化减少焊球数量,改进数据访问速度。 3、支持静态能效模式,可支持更大容量,最大化利用bank资源。 4、支持弹性数据访问,实时突发长度控制,支持32/64字节访问。 5、支持动态写入NT-ODT(非目标片上终止),可以根据负载需求调整ODT,改进信号完整性。 不过,JEDEC并未规定LPDDR6的数据传输率(频率),根据此前说法起步就超过了10Gbps,可以达到10667Mpbps,而最高可以做到14400Mbps,也可以说是14.4GHz。 相比之下,LPDDR5起步为6400Mbps,LPDDR5X提升至8533Mpbs,SK海力士自己做的LPDDR5T则能跑到9600Mbps。 能效方面,LPDDR6进一步降低了电压和功耗,采用VDD2供电,并且采用双电源供电。 其他节能特性还有: 1、交替时钟命令输入,提高性能和能效。 2、低功耗动态电压频率吊证(DVFSL),在低频率运行时减少VDD2供电,从而节省功耗。 3、动态效率模式,采用单个子通道接口,适合低功耗、低带宽场景。 4、支持部分自刷新、主动刷新,降低刷新功耗。 安全性和可靠性方面,LPDDR6也有了很大的提升。 1、支持每行激活计数(PRAC),支持内存数据完整性。 2、支持预留元模式(Carve-Out Meta),通过为关键任务分配特定内存区域,提高整体系统可靠性。 3、支持可编程链路保护机制、ECC纠错校验。 4、支持命令/地址(CA)奇偶校验、错误擦洗、寸内自测试(MBIST),以增强错误检测能力和系统可靠性。 Advantest、Cadence、Synopsys、三星、SK海力士、美光、高通、联发科等半导体测试厂商、内存芯片厂商、终端厂商都表达了对LPDDR6的支持和期待。 就在上个月,三星电子宣布,将于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工艺,开始量产下一代LPDDR6内存,并向高通等科技巨头供货。 1c DRAM作为DRAM制造的第六代工艺节点,相比前代实现了更高的晶体管密度和更优的能效比。 三星通过“设计变更”策略显著提升了1c DRAM的良品率(冷态达50%,热态达60%-70%),并计划在韩国华城工厂建设新产线扩大产能。 基于此工艺开发的LPDDR6内存,在带宽和功耗表现上均有显著提升,能够满足AI模型训练、移动终端高性能计算等对内存性能的严苛需求。 行业消息显示,高通的下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存,并计划于今年的骁龙峰会上正式亮相。 三星计划通过向高通等厂商供货,深化在智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场的渗透,巩固其技术壁垒。此外,三星也将在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术,构建覆盖AI全场景的内存解决方案。 为支持LPDDR6及1c DRAM的量产,三星正积极推进华城工厂新生产线的建设,预计最早于今年年底完成。 值得注意的是,三星打破了传统的开发顺序,正同步开发面向DDR(服务器/PC)和LPDDR(移动/低功耗)应用的1c DRAM产品,以加速其商业化进程。
LPDDR6
硬件世界 . 2025-07-11 1 1205
产品 | Vishay AC03-CS系列轴向绕线安全电阻现推出WSZ引线版本
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年7月10日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其AC03-CS系列轴向绕线安全电阻现可提供便于拾放加工的弯线选件,即WSZ引线型选件,使该器件能够用作表面贴装元件,从而缩短装配时间并降低成本。 Vishay Draloric AC03-CS系列电阻在正常运行时可用作突入电流限制电阻器,还可用作预充电、放电和缓冲电阻器。这些器件旨在确保汽车电子、电能表以及工业驱动和家用电器电源在高直流电压过载或意外施加120 VRMS / 240 VRMS交流主电压时安全、安静地熔断。 对于具有挑战性的工作条件,这些器件具有-40 ℃至+200℃的工作温度范围,并采用符合UL 94 V-0标准的坚固耐燃的硅酮水泥涂层。这种涂层使电阻器能够保护印刷电路板和其他元件,最大限度降低因极端电气过载而起火的风险,而无需额外串联熔丝。 AC03-CS系列符合AEC-Q200标准,具有高达4 kV的高浪涌电压能力(根据IEC 61000-4-5标准,1.2/50 µs脉冲),在环境温度为40℃时的额定功率为3 W。这些器件的电阻范围为1 Ω至100 Ω,电阻公差为± 5 %,温度系数(TCR)为± 200 ppm/K。这些电阻器符合RoHS标准,无卤素,满足Vishay绿色标准,采用镀锡端接,以兼容无铅(Pb)和含铅(Pb)焊接工艺。 AC03-CS系列电阻现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。
电阻
Vishay . 2025-07-11 810
Wolfspeed 与恩智浦携手推出经过全面测试的800V牵引逆变器参考设计
下一代 800 V 电动汽车牵引逆变器参考设计:提高电动汽车的性能耐久性和续航里程 为了实现零排放的未来,汽车行业迫切需要重塑。我们今天所了解和驾驶的燃油车历经了数十年的演变发展。新型电动汽车的舒适度、驾驶体验、耐用期限和安全性应能够与燃油车相媲美。为此,汽车制造商必须加速推出性能相当甚至超越燃油车的新款差异化电动车型,这需要做出大胆决策、尝试新材料,并寻找拥有同样愿景和创新渴望的合作伙伴。 图 1:功率逆变器模块解剖构造 为了支持其汽车合作伙伴并加速汽车电气化进程,Wolfspeed 与恩智浦 (NXP) 携手推出了一款经过全面测试的 800 V 牵引逆变器参考设计。该设计能够帮助电动汽车系统架构师有效克服诸多障碍,包括选择合适的组件以提升系统效率、符合功能安全认证标准,以及确保长期可靠性。 电动汽车牵引逆变器参考设计是一个完整的系统解决方案,包含基于 Arm® Cortex®-M7 的 S32K39 MCU、电源管理符合功能安全标准的 FS26 系统基础芯片,以及最新一代高压隔离栅极驱动器 GD3162。为了完善该系统,设计中还包含 Wolfspeed 1200 V 三相全桥 YM 碳化硅功率模块。 图 2:基于恩智浦 (NXP) 800 V EV -INVERTERGEN3 参考设计和 Wolfspeed 碳化硅功率模块的完整 ECU 解决方案 该电动汽车牵引逆变器参考设计已在 Wolfspeed 慕尼黑实验室通过硬件在环 (HIL) 设置进行了联合测试。在 800 V 电池工作条件下,其峰值功率超过了 300 kW。 图 3:实验室 HIL 设置的测试结果 为最大限度提升效率而设计:动态栅极强度满足不同的功率需求 实验室仿真结果显示,得益于恩智浦 (NXP) 高压栅极驱动器的专用功能,最高效率提升近 1%。该功能使设计人员能够根据实时运行条件动态调整栅极驱动信号强度,从而在效率、开关速度和电磁性能之间实现平衡。根据全球统一轻型车辆测试程序(WLTP) 的一些模型,与传统电动汽车解决方案相比,该设计有望将续航里程增加 14 英里(近 22.5 公里)。 图 4:效率提升增益曲线 全面的功能安全设计理念:确保从器件到系统级功能安全 在 FuSA 方面,合规组件的设计始终以高质量和高可靠性为优先原则。安全性贯穿于设计、制造、文档编制以及技术支持的每一个环节。在电动汽车牵引逆变器参考设计中,采用了符合最高风险等级 ASIL D 的组件,包括恩智浦 (NXP) 的 S32K396 MCU、FS2633 系统基础芯片及 GD3162 高压栅极驱动器。为了进一步简化客户集成流程,设计还提供了一些 FuSa 文档,例如系统安全概念,详细阐释了从假设安全目标到硬件和软件级别的安全要求。 为实现可靠性和长久耐用性而设计:YM 碳化硅功率模块 针对 800 V 牵引逆变器而设计的碳化硅解决方案。相比传统的硅 IGBT,碳化硅材料本质上更可靠、更耐用。Wolfspeed YM 系列车规模块以先进封装技术为支撑,将为系统的长期可靠性注入新的选择。 1200 V 三相全桥YM系列碳化硅功率模块采用直接冷却的铜针翅基板设计,通过将针翅直接浸入冷却剂中,不仅简化了系统组装,还显著提升了热性能。此外,模块使用氮化硅基板,这种坚固的陶瓷材料具有卓越的抗热冲击和耐磨性,有效地将芯片产生的热量快速散发,从而降低系统工作温度。另一个创新的封装特性是烧结芯片粘接技术。这种先进的芯片粘合方法在芯片和氮化硅基板之间建立了牢固的结合,从而确保出色的导热性和机械耐久性,支持更高的功率输出并提供优异的热循环性能。直接冷却铜针翅技术和烧结芯片粘接技术共同提高了热性能和系统使用寿命。 YM 模块通过铜夹片代替传统的焊线,大幅提升了模块的载流能力与功率循环寿命。同时,其优化的端子布局有效降低了封装电感,减少电压过冲,实现了超低开关损耗。为了降低潜在的机械故障风险,车规级 YM 模块采用硬质环氧树脂封装。与凝胶基封装相比,环氧树脂模塑料不仅提供了优异的防潮性能,还具备更强的结构完整性。通过将烧结芯片粘接、铜夹和环氧树脂模塑料相结合,与同类竞争产品相比,模块使用寿命得以延长至 3 倍。 图 5:Wolfspeed 三相全桥 YM 系列碳化硅功率模块 先进的封装技术为车规级的 YM3 功率模块提供了强有力保障,能够有效应对在严苛汽车环境中运行的挑战。这一设计确保了性能的一致性,还赋予了模块卓越的耐用性。 结论 Wolfspeed 与恩智浦 (NXP) 携手打造的 800 V 牵引逆变器参考设计,标志着汽车行业向电动化迈出的重要一步。该参考设计解决了电动汽车设计人员面临的关键挑战,包括提升效率、功能安全和长期可靠性,确保了电动汽车的性能可与燃油车相媲美甚至超越燃油车。凭借动态栅极强度调节技术和先进的碳化硅功率模块,这款参考设计成为电动汽车设计人员的重要工具,助力打造高质量、高能效、安全的电动车型,同时确保其在整个生命周期内保持卓越的性能表现。
Wolfspeed . 2025-07-11 630
产品丨Hi2131 Cat.1芯片,省电强网,解物联难题
在万物互联的时代,物联网应用已经渗透到了人们生活的方方面面。 从共享经济的蓬勃发展,到移动支付的便捷交易,再到智能安防的实时保障,稳定可靠的通信链路是保障运行效率的前提。 面对数以亿计的在网设备,哪怕极低概率的通信异常都会导致大量的设备离线,轻则影响用户体验、抬高企业运维成本,重则引发安全事故、威胁大众生命财产安全。 Cat.1以网络覆盖广、物联成本优等特点,逐步成为广域物联应用广泛的技术,是连接设备与数据、现实与虚拟的关键纽带。 Cat.1设备的通信功耗与通信性能是保障稳定通信链路的两个重要因素:低功耗提高设备续航能力与通信可获得性,高通信性能提高了设备通信能力。 但是,在复杂的无线电磁环境中,Cat.1设备的低功耗与高通信性能往往难以兼得: 若要提高设备通信性能,大都需要付出更高的功耗代价,导致设备的续航能力下降,影响通信可获得性。 若要满足设备低功耗要求,设备通信性能往往需要打折,导致通信链路不稳定。 上海海思新上市的Hi2131 Cat.1芯片,正是针对这些痛点而精心打造,为实现万物智联提供高性能、低功耗的稳定可靠通信链路。 续航能力再飞跃 超轻架构+极简休眠: Hi2131 Cat.1芯片采用超轻量芯片架构与极简休眠管理,将休眠功耗一举压缩至惊人的150uA。相较于常见的同类型芯片,保活功耗直降30%以上,数传功耗亦降低10%。 长效运行新标杆:功耗的显著优化直接转化为设备续航能力的跃升。这意味着共享设备维护周期大幅延长,用户体验与运维成本同步优化。 性能硬核提升 高性能通信: Hi2131的下行信号接收性能比同类型芯片平均提升了1dBm。赋予设备更强大的 “抓信号”能力。 高稳定通信:在地下停车场、电梯井等网络边缘环境中,Hi2131依然能提供更稳定的通信链路,减少数据丢包和通信中断现象,保障设备的稳定运行。 赋能千行百业 Hi2131的“高性能+低功耗”双重突破,为多个关键物联网场景带来质的提升: 共享经济:更低功耗保障共享设备如充电宝、单车等长期可靠运行,1dBm性能增益保障地下车库设备运行流畅,降低运维成本。 移动支付:性能提升保障移动支付在拥挤展会、偏远市集等地信号稳定,提升支付成功率;超低功耗则延长设备使用时间。 智能安防:150uA休眠功耗让无线摄像头电池寿命延长,1dBm增益保障设备在电梯、楼道监控等环境稳定在线。 当连接不再妥协,创新便有了无限可能。上海海思Hi2131芯片正为Cat.1打开功耗与性能双优的新维度,驱动物联网向更稳定、更持久、更深入的方向加速进化。 上海海思正通过与行业头部伙伴的深度协作,加速Hi2131在多元场景的落地应用,致力于推动Cat.1生态繁荣,赋能千行百业智能化升级——在高效与可靠兼顾的通信基座上,构筑一个真正万物智联的未来。
海思
海思技术有限公司 . 2025-07-10 1425
展会 | 湾芯展2025 观众预登记正式开启!
备受瞩目的半导体行业盛会——湾区半导体产业生态博览会(简称:湾芯展)将于今年10月15-17日在深圳会展中心(福田)隆重举行,观众预登记今日正式开启!诚邀全球半导体产业链的精英翘楚齐聚深圳,共赴这场半导体行业年度盛会! 观众预登记正式开启! “码”上预登记▲ 免费观展,解锁多重好礼! 湾芯展2025 湾芯展2025以 “芯启未来,智创生态” 为主题,展览面积 6 万㎡,汇聚 600 + 国内外半导体头部企业,覆盖 IC 设计、晶圆制造、先进封测三大产业链,预计吸引超 6 万专业观众。同期将举办 20 + 场峰会论坛,集结行业精英,搭建 “展览展示+高峰论坛+奖项榜单+双招双引+研究报告”五位一体平台,助力半导体产业协同发展。 600+产业链“顶流”集结 国际代表ASML、AMAT、Lam Research、TEL、KLA、Merck、DISCO、KE、SCREEN、FerroTec、SHIBAURA及国内代表北方华创、中微、新凯来、盛美、拓荆、芯源微、华海清科、上海微电子、雅克科技、江丰电子、至纯、上海贝岭、国民技术、时擎科技 、北大IC设计等600+半导体领军企业将参展参会,覆盖半导体全产业链以及市场热点领域,打造半导体行业一站式展示与交流平台。 4大主题展区 精心打造 IC 设计、晶圆制造、先进封装、化合物半导体 4 大主题展区,全链条展示半导体产业链前沿技术、成果、产品及应用,助力把握行业全貌、机遇与趋势、需求。 2025湾区半导体大会 2025 湾区半导体大会由 两大高端研讨会、一场开幕式暨半导体产业发展峰会及 20 + 技术论坛组成,聚焦光刻、设备、零部件、材料、先进封装、IC设计、人工智能(AI)、出海、投融资、人才等行业热门与重要议题,邀数百位行业大咖分享前沿与趋势,打造年度思想盛宴。 湾芯奖:中国半导体行业至高荣誉 🏆湾芯奖🏆由湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)组委会权威设立,聚焦半导体全产业链,旨在表彰国内外企业在技术突破、产品创新、生态构建等方面的卓越贡献,同时致敬推动行业进步的领军人物与先锋力量。 精彩回顾 2024湾区半导体产业生态博览会以“实现开门红、成果超预期”的亮眼表现获得人民日报与新华社高度评价。作为深圳市政府指导、深芯盟主办的国内顶级半导体展会,上届汇聚400家企业、吸引6.8万观众、举办22场论坛,线上互动达108万次,入选“2024年深圳发展改革十件大事”,成功迈出打造“中国半导体自主品牌第一展”的关键一步。 预登记多重福利 即日起完成预登记,即可享受以下多重福利: 1、免现场注册登记 2025年9月25日前注册的观展观众,组团胸卡提前寄送,省去现场排队烦恼。 2、免排队快速入场预登记观众可快速入场,告别现场排队烦恼。 3、提前预约论坛席位预登记观众可提前预约热门论坛席位,避免错过精彩内容。 4、尊享专属资讯预登记观众将享受专属资讯服务,可第一时间收到展会最新资讯,展商动态、展品信息尽掌握。5、VIP买家专属特权早注册、早审核,凭真实采购需求升级为VIP买家,获专属贵宾接待、休息间及定制供应商洽谈预约等服务。 6、额外福利 早鸟礼:前100名预登记观众可领取京东卡50元(需凭短信通知,展会现场兑换)。 抽奖机会:完成预登记并添加官方企微好友,可参与抽奖(如50元京东卡、戴森吹风机等)。 组团优惠:5人成团报名可享专属礼遇,适合企业采购或团队参观。 也可通过以下渠道进行预登记: · 微信公众号:打开“湾芯展”微信公众号,首页菜单栏点击“预约观展”——“观众预登记”; · 微信小程序:点此进入 “湾芯展” 微信小程序——首页点击“注册登记”; · 官方网站:复制链接 https://www.semibay.cn,使用浏览器打开,首页点击“观众服务”——“观众预登记”。 芯启未来,智创生态湾芯展2025与您相约!
展会
湾芯展 . 2025-07-10 1245
产品 | 思特威推出3MP车规级CMOS图像传感器新品SC326AT
近日,技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens,股票代码688213),推出Automotive Sensor (AT) Series系列3MP车规级图像传感器性能升级新品——SC326AT。作为思特威车载系列产品中首颗实现全流程国产化的CMOS图像传感器,SC326AT基于思特威CarSens®-XR工艺技术打造,采用3.0µm单像素与背照式架构设计,在感度、噪声抑制、高温成像稳定性、功耗控制等核心性能方面实现了显著优化,支持高达120dB的高动态范围模式和片上ISP功能,以清晰、精准、可靠的成像效果,满足车载环视摄像头的升级需求。此外,SC326AT符合ISO 26262 ASIL-B汽车功能安全和ISO 21434汽车网络安全两项标准要求,凭借高可靠性和高安全性,助力智能汽车应用的升级与变革。 超高感度与动态范围 暗光逆光皆高清 新品SC326AT基于思特威CarSens®-XR工艺技术打造,具有3.0µm大像素尺寸,在感度、信噪比、动态范围等多项性能方面优势显著,能有效降低暗光、逆光、强光等各类复杂光线环境对图像传感器成像质量的干扰,为360°全景环视影像等智能汽车感知系统应用提供清晰、准确的车辆周边区域影像信息。 高感度与高信噪比 SC326AT通过单像素架构、BSI结构和材料优化,在确保高水准色彩性能的基础上,实现了更佳的感度与信噪比。SC326AT在520nm可见光波段下的峰值量子效率(QE)高达85%,即使在车辆处于照明不足的地下停车场等暗光环境时也能为环视摄像头带来更明亮、更清晰的画面。 高动态范围(HDR) SC326AT支持PixGain HDR® + VS三帧HDR模式,可实现高达120dB的动态范围,能帮助车载摄像头捕捉到更多的画面亮部与暗部细节,有效减少强光、逆光等极端光线条件下画面亮部过曝、暗部细节缺失等情况的出现,从而提升车载影像系统检测识别的精度。 出色噪声抑制表现 高温成像稳定如一 SC326AT基于思特威先进的CarSens®-XR工艺技术、SFCPixel®技术和读取电路架构优化设计,在噪声抑制和高温成像稳定性方面实现了性能提升。在最大增益模式下,SC326AT的固定噪声(FPN)较前代产品大幅降低约52%,能够让车载摄像头在暗光环境下的成像更清晰干净。同时,SC326AT在105℃高温环境下的暗电流(DC)、DSNU和白点(White Pixel)分别降低约47%、74%和14%,在面临高温长时间运行环境时能为车载摄像头提供稳定、可靠的实时影像信息。 得益于思特威先进的CarSens®-XR工艺技术,采用BSI架构的SC326AT图像传感器实现了优异的低功耗表现。在PixGain HDR®+ VS三帧HDR模式YUV格式下,SC326AT的典型功耗低至350mW以下。超低功耗性能,能帮助降低车载摄像头的整机工作发热量,从而提升车载摄像头的稳定性与可靠性。 片上Sensor+ISP二合一 环视影像品质再进阶 SC326AT支持片上ISP功能,其内置的自研ISP算法,覆盖ISP图像处理全链路(ISP Pipeline)RAW域、RGB域以及YUV域,包含AGC、AEC、AWB、HDR合成、降噪等多种功能,从图像的清晰度、噪声、色彩等多个维度进行优化,满足车载环视摄像头应用对高质量图像的需求。 此外,SC326AT支持iBGA封装并与前代产品Pin2Pin兼容,确保客户能在已有硬件设计基础上实现无缝替换,加速车载环视摄像头应用的迭代升级。 SC326AT是思特威车载系列产品中首颗实现全流程国产化的CMOS图像传感器。相较前代产品,具备3.0µm单像素背照式架构的SC326AT在感度、噪声抑制、高温成像稳定性等核心性能方面实现了进一步提升,能为车载环视摄像头应用提供清晰、准确、可靠的实时影像。SC326AT作为3MP车载应用图像传感器,实现了从设计、制造到量产的全流程国产化,凭借高性能和成本优势,成为车载CIS产品供应体系的又一优质选择,将有效提升思特威在汽车产业供应链中的韧性与竞争力。目前,思特威旗下的车载(AT)系列已拥有覆盖1MP~8MP分辨率的丰富产品规格,可满足ADAS、感知与舱内三大应用场景需求。未来,思特威将持续拓展AT系列产品矩阵,不断开发更多不同规格、高性能、高可靠性的车规级图像传感器产品,助力汽车行业智能化升级。 SC326AT目前已接受送样,将于2025年Q4实现量产。
思特威
思特威 SmartSens . 2025-07-10 1130
- 1
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 500