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市场 | 端侧AI时代，如何铸造软硬协同“芯”底座？

2025年，随着DeepSeek、机器人、AI Agent、GPT-4o多模态生成等AI应用的接连破圈，“深度思考”、“智能体”、“多模态”等AI概念迅速从专业领域进入大众视野，这不仅催生了全新的大模型软硬件生态，加速各类AI应用形态和终端硬件产品迭代升级，更通过爆发式增长的用户体验，让消费者切实感受到了AI的独特创新价值。行业巨头纷纷加码投入，为模型训练、推理计算、应用开发等核心环节筑牢底层技术支撑。在云侧AI场景如火如荼发展的同时，端侧创新也在奋进提速。包括芯片厂商、操作系统开发商、手机及PC等消费电子企业在内的产业链上下游玩家，共同探索算力提升、成本优化、应用场景拓展等关键要素的平衡之道。端侧设备 AI技术普惠的重要载体随着智能终端设备的不断普及与算力升级，端侧AI已从技术概念转化为实际生产力。PC、手机、机器人、XR设备、智能座舱等消费级终端凭借高渗透率与实时交互特性，成为了AI端侧落地的重要载体。在芯片性能提升和模型优化技术的双重驱动下，当前端侧设备已具备高效部署AI模型的能力，加速了AI应用从云端向终端的迁移。在技术实现路径上，以下几个关键方向值得重点关注：在SLM轻量化模型方面，相较于云端百亿级参数大语言模型（LLM），1.5B至7B参数规模的小语言模型（SLM）凭借优异的计算效率和更低的内存占用，逐渐成为端侧AI的主流选择。以DeepSeek-R1蒸馏版为例，该模型在保持高性能的同时，有效降低计算资源需求，进一步拓宽了端侧AI的应用边界。在多模态计算领域，随着LLM和SLM技术的持续迭代，搭载摄像头、麦克风等多模态传感器的各类主流消费电子在AI技术的加持下，正加速推动图像识别和语音交互技术升级，这不仅实现了隐私数据的本地化安全处理，同时为机器人等新兴应用场景注入了强劲的增长潜能，使其能够实时处理海量音视频数据，进而显著提升环境感知和交互等关键能力。在Copilot智能生产力工具方面，生成式AI已广泛应用于编程辅助、智能办公、图像处理、音视频编辑等诸多生产力场景。这类应用对低延迟和隐私保护的特殊要求，使其天然适配端侧计算架构，同步带动终端算力需求的高速增长。 AI Agent技术正在重构人机交互范式。通过自然语言理解、任务分解和多任务协同等能力，智能助理系统将逐步取代传统图形界面，为用户提供更自然流畅、更高效智能的新型交互体验。异构算力端侧突围赛的“智”胜关键算力，始终是AI应用场景拓展与技术创新的核心要素。相较于云侧集中式部署的高算力CPU和GPU集群，端侧算力则呈现出显著的差异化特性。由于端侧设备数量庞大且分散，算力水平参差不齐，且功耗与成本约束严苛，这些因素催生出了多元化的端侧算力体系。从长远来看，异构计算无疑是端侧AI落地的最优解。 CPU作为端侧设备的基础计算单元，凭借其卓越的通用性，广泛应用于从入门级到高端的各类设备。Arm® Cortex®系列IP不仅满足稳定的通用计算需求，其配套的Kleidi软件库还针对CPU的AI加速能力进行了专门优化。在实际应用中，CPU通常作为AI工作负载的起点，为开发者提供便捷的部署路径。此外，随着LLM日趋轻量化，CPU也承担着更为复杂的AI计算任务。 NPU则凭借其出色的能效优势逐渐成为端侧AI计算的主力担当，特别适合处理高算力、长耗时的AI任务。安谋科技自研新一代“周易”NPU采用专为大模型特性优化的架构设计，将对外带宽提高至256GB/s，全面支持FP16计算，并提供完整的INT4软硬量化加速方案。通过软硬协同优化，“周易”NPU实现了多核算力的高效扩展，为终端设备的智能化升级提供了核心动能。在图形相关的AI计算领域，GPU具有独特优势，在视频处理和游戏场景中表现尤为突出。Arm Mali™和Immotalis™系列GPU在保持优异能效比的同时，通过并行计算架构有效支持各类AI工作负载，以实现图形渲染与AI计算的协同优化，为用户带来更加沉浸式的体验。 CPU、NPU和GPU的协同工作，并结合端云混合计算模式，能够满足绝大多数AI应用场景的不同算力需求。随着异构计算技术的持续演进，端侧设备正逐步承担更大比例的AI计算任务，这一趋势正在重塑整个AI计算生态。软件框架连接AI应用与算力的关键纽带 AI软件生态作为应用发展的土壤，承担着高效调度硬件算力的重任。当前，云侧已形成以“PyTorch+CUDA+GPU”为核心的成熟技术体系，为AI研发提供标准化支持；而端侧AI生态则暴露出诸多亟待解决的问题，例如生态碎片化严重、大模型适配能力欠佳、跨平台兼容性差、扩展性受限、无法快速响应应用功能迭代需求等。为此，安谋科技“周易”NPU提供了一套完整的AI软件平台——“周易”Compass，使开发者可以便捷、快速地进行算法移植和部署。该平台提供一整套端到端的AI软件栈工具，覆盖了仿真器、驱动、Runtime、OpenCL语言编译器、Compiler网络编译器等，能够有效支持不同层级的开发需求。此外，平台新增了对备受开发者关注的Hugging Face模型的支持，并通过开源网络编译器的Parser和OPT、适配TVM、发布DSL特定领域编程语言等举措，切实有效地帮助开发者将基于“周易”NPU的AI技术融入到各类开发项目中。当前，端侧AI软件生态正处于关键发展期，需要在标准化与定制化之间寻找平衡。产业界普遍预期，未来2到3年将形成1至2个主导性的基准框架，需要在保持开放性的同时，深度优化特定硬件平台的计算效能。展望：AI应用为端侧芯片按下创新“加速键” 回顾PC互联网与移动互联网的发展历程，应用需求始终是芯片技术迭代的关键驱动力。在移动应用场景中，对性能与功耗兼顾的需求使CPU大小核架构成为主流；消费者对拍照质量的高要求，推动芯片级影像处理技术成为旗舰手机的标配；人们随时随地的游戏和观影需求，也促使芯片厂商不断提升芯片图形渲染和视频编解码能力。步入新一轮AI技术浪潮，如何构建异构算力体系，协同适配软件生态，加速AI应用在PC、手机、智能穿戴、机器人、座舱等场景的落地，这无疑将成为端侧厂商们实现可持续发展的关键命题。安谋科技将深耕端侧AI领域，通过自研“周易”NPU等产品、结合Arm体系优势、以及开放开源软件生态，持续赋能AI时代的技术创新与产业升级。

安谋科技

安谋科技 . 2025-04-09 1 645
产品 | 艾迈斯欧司朗推出新型高功率455纳米波长蓝色激光二极管

中国上海，2025年4月9日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）今日宣布，推出新型高功率蓝色激光二极管PLPT9 450LC_E，该创新产品拥有高达43%的出色电光效率以及首次达到455纳米波长。PLPT9 450LC_E采用TO90封装，进一步丰富艾迈斯欧司朗蓝激光产品阵容，其设计紧凑而坚固，完美契合对封装强度和光学功率有较高要求的应用场景。 PLPT9 450LC_E产品图片（图片：艾迈斯欧司朗）艾迈斯欧司朗产品经理Michael Mayr表示：“这款新型蓝色激光二极管是蓝色激光技术领域的一大进步，为我们的客户在高要求应用中提供了强大且高效的解决方案。凭借其卓越的高光学功率、高效能以及紧凑的设计，这款455纳米激光二极管极大地优化各行业进一步发展基于激光的应用。” 经过精心设计，PLPT9 450LC_E可在455纳米波长下能够输出高达5.5瓦的光功率。这款新型激光二极管的电光效率显著提升，一般情况下可达43%。凭借高输出功率与高效率，使其在工业和医疗等对光学性能要求极高的应用场景中表现出色。此外，该产品提供2纳米的波长分档，客户可以精准选择合适的器件，实现对波长有严格要求的应用。其采用坚固耐用的TO90金属封装，具备低热阻特性，进一步提升产品的可靠性和稳定性。多样化的转换能力波长转换是蓝色激光技术的关键要素，极大地拓展其多功能性和应用范围。借助荧光粉转换工艺，蓝色激光二极管能够产生高功率白光，适用于对高照明质量有严格要求的应用场景，例如具备窄光束角的聚光灯。除白光之外，蓝色激光还可以通过荧光粉转换工艺转换为其他颜色，如红色、绿色和橙色。在此工艺中，不同的荧光粉材料在受到蓝光激光激发时会发出不同的颜色。这种灵活性能够以精确且高效的方式产生各种颜色，从而满足不同行业的特定需求。舞台照明和特种照明等应用能够从产生广泛光谱颜色的能力中显著受益，从而显著提升其功能和性能。例如，在显微镜应用中，产生特定颜色并结合窄光束角的能力可以大幅提升成像的对比度与细节清晰度。投影及其他应用 PLPT9 450LC_E依靠其强大的高光学功率，使得图像明亮且清晰，在激光投影领域展现出卓越性能。该产品凭借高效率以及稳定可靠的特性，能够全方位满足工业用户的多样化需求，在各类技术解决方案中成为高适配性的关键组件之一。不管是大尺寸的投影，还是复杂精细的激光显示，这款蓝色激光二极管均能发挥出色性能，为多个平台带来显著提升的视觉体验。除在投影领域的广泛应用，蓝色激光在诸如雕刻和焊接等材料处理应用中同样表现出色。凭借其卓越的精确性和可靠性，蓝色激光成为精细打标等工业应用的理想选择。

激光二极管

艾迈斯欧司朗 . 2025-04-09 635
测试 | CMOS可靠性测试新趋势：脉冲技术如何助力AI、5G、HPC？

对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结合脉冲应力测试能够提供额外的数据，帮助我们更好地理解依赖频率电路的器件性能。传统上，直流应力和测量技术被广泛用于表征CMOS晶体管的可靠性，例如沟道热载流子注入（HCI）和时间依赖性介电击穿（TDDB）引起的退化。但随着新材料和结构的引入，如高κ材料器件中的电荷捕获现象，可靠性测试的性质发生了变化。这些现象对评估新工艺的可靠性产生了重大影响。同时，人们对评估实际运行中电路的可靠性越来越感兴趣，这些电路中多个设备是动态开关的。因此，新材料和结构的使用使得动态可靠性测试受到更多关注，引入脉冲或交流应力以及脉冲测量来表征应力引起的界面退化变得尤为重要。脉冲表征 - 电荷泵电荷泵（CP）和同时进行C-V（高频和准静态C-V的结合）测量是表征MOS器件中界面陷阱态密度的两种最常用的方法。然而，随着晶体管尺寸缩小，栅氧化物变薄，准静态C-V对于小于3-4nm的氧化物变得不现实；因此，同时C-V不适合新的高κ材料的界面陷阱表征。 CP是理解栅叠加行为的一种有用技术，随着高κ薄膜越来越常用于晶体管栅而变得越来越重要。CP表征了界面和电荷捕获现象。CP结果的变化可用于确定典型的可靠性测试方法所引起的退化量，采用直流或脉冲应力：热载流子注入（HCI）、负偏置温度不稳定性（NBTI）和随时间变化的介电击穿（TDDB）。图1：电荷泵测量示意图。晶体管的源极和漏极连接到地面，而栅极以固定的频率和振幅进行脉冲图1显示了电荷泵测量的示意图。基本的CP技术包括：对晶体管的栅极施加固定幅度、上升时间、下降时间和频率的电压脉冲序列时，测量基极电流。在此测试中，漏极、源连接到地面，衬底通过源测量单元（SMU）连接到地面，用于测量通过栅极的电流（Icp）。两种最常见的CP技术是电压基极扫描和幅值扫描。在电压基极电平扫描中，周期（脉冲宽度）和电压振幅被固定，而扫描脉冲基极电压（图2a)。在每个电压下，测量体电流并绘制基本电压 (ICP vs Vbase)，如图2a所示。图2 用于电荷泵送的两种扫描类型：左图a）基极电压扫描，右图b）脉冲幅度扫描第二种电荷泵技术是电压幅度扫描，它具有一个固定的基本电压和周期 ( 脉冲频率 )，每个扫描步骤的电压振幅都发生了变化（图2b）。所获得的数据与从电压基极扫描中提取的数据相似，但在这种情况下，电荷泵电流与电压幅度 (ICP vs 电压幅度 ) 这些测量也可以在多个频率（周期）上执行，以获得界面陷阱的频率响应。对于高κ材料结构，CP技术可以将被捕获的电荷 (Nit)量化为：在硅基板/界面层以外的捕获电荷可以被感知到。图2a为基底电压扫描的特征ICP曲线，而图2b为电压幅值扫描的特征 ICP曲线。 CP技术也可用于表征界面阱形成的初始阶段。图3显示了使用1MHz频率的“新”CP测量（即以前未测试过的 MOSFET）。暗态电流是初始的CP测量值；较浅的曲线表示随后的测量结果。请注意，在较低的电压下，ICP曲线的形状以及大小都发生了变化。在多次测量后，随着效果饱和，变化趋势就会有效地停止。曲线形状的变化表明，CP测量所施加的电应力导致了界面陷阱的形成。这意味着使用脉冲测量 CP可以有效地对器件施加压力并引起一些退化。脉冲应力下的退化是对我们理解偏置温度不稳定性（BTI）和TDDB的有益补充。图3. “新”器件上的电荷泵测量所引起的应力效应 BTI和TDDB的脉冲应力 BTI（其中包括 NBTI和PBTI）和TDDB有相似的测试方法。这种方法包括两个间隔、应力和测量，其中一个用高电压施加压力，交替定期进行测量，以确定退化量。NBTI和TDDB都是在高温下进行的，以加速退化，减少测试时间，测试时间可能从一小时到两周不等。近年来，对PMOSFET测试来说，NBTI成为了一个日益重要的可靠性问题。NBTI是一种栅极 - 通道界面的变化导致PMOS器件性能退化的现象。退化通常被定义为晶体管阈值电压（VT）的增加和漏极电流（ID）的退化。在老化或场效应场景下，这种退化通过失效降低了产量。 NBTI 测试有一个最近发布的行业标准[7]。NBTI和传统的HCI测试之间最大的测试方法的区别是，在NBTI测试中，当应力被消除时，应力诱导的退化会出现弛豫。这种弛豫对传统的应力和测量技术提出了挑战，因为当器件没有施加电压时，应力间隔和测量间隔之间总是有一个过渡时间。在测量间隔中，一些压力不施加后，鉴于仪器“看到”器件性能，该技术将高估器件寿命，因为退化效应减少后，压力将出现在测量阶段。此外，使用直流应力电压不能准确地表示器件在真实电路中所承受的应力，因为当晶体管没有工作时，大多数器件都会经历弛豫；因此，直流应力技术可能低估晶体管在真实电路中的寿命。随着新技术的可靠性利润率不断缩小，评估晶体管的使用寿命可能是比较昂贵的。除了弛豫作为一种动态可靠性行为，在高κ栅材料的晶体管中也发现了电荷捕获。这是因为在CMOS工艺中沉积高κ材料的过程还不成熟，与二氧化硅门工艺相比，薄膜中还有大量的陷阱中心。当栅极被打开时，电荷可以暂时捕获在栅极中，随着时间的推移改变晶体管的性能，捕获的电荷改变晶体管的阈值电压。根据栅极的质量和捕获条件，捕获电荷可能需要几十毫秒到毫秒。高κ栅极内的电荷分布也会影响电场分布，从而改变高κ栅极的可靠性行为。同时，由于在较低的栅极电压下去除电荷，也存在类似的弛豫效应。弛豫将导致对设备寿命的不准确估计，因为它强烈地依赖于时间，同时随着应力测量的过渡时间，弛豫时间通常在测试环境中没有得到很好的控制。新的可靠性现象的动态特性要求脉冲应力来模拟电路内器件的性能。不同的电路和电路拓扑工作在不同的频率下，因此可能需要与频率相关的寿命提取来建立基于频率寿命的模型。在这些应用中，脉冲应力比直流应力技术有优势。脉冲应力对器件施加动态信号，更好地接近频率相关的电路行为。在脉冲应力期间，应力被中断，退化部分恢复，这恢复了器件的寿命。应力产生的界面陷阱，在应力关闭期间被部分退火或修复。由于这种恢复（或自退火）行为，可靠性工程师和科学家正在使用脉冲应力技术来更好地评估器件的寿命，因为它适用于电路内或产品内的条件。图4. NBTI应力/测量图，显示了两种不同的脉冲应力方法：左图a）使用传统栅极和漏极电压的动态NBTI（DNBTI），右图b）DNBTI模拟逆变器条件，漏极电压与栅极电压处于相反的相位通过使用周期性应力来模拟器件在电路中的应力，脉冲应力基本上是一个短的直流应力，被没有施加应力的时间中断（图4）。对于NBTI，这种应力脉冲之间的非应力部分允许退化恢复到一定程度[9]。这种部分恢复对确定并模拟了该器件的使用寿命行为具有重要意义。部分恢复还不能被很好地理解，并且会因每个使用器件的结构、尺寸和材料的组合而有所不同。图4 显示了两个脉冲应力的例子，尽管还有其他的脉冲应力方法。图4a显示了NBTI的脉冲应力，其中漏极电压在应力间隔期间保持0V。图4b显示了NBTI的脉冲应力，除了栅极电压外漏极电压是脉冲的。这第二种方法用于模拟逆变电路中的单个器件的性能。图4b中的栅极和漏极都受到了压力，因此在器件退化过程中同时存在NBTI和HCI。一般来说，脉冲应力技术产生更少的退化，器件的寿命更长。图5. 由于脉冲应力而导致的Nit退化对于NBTI，脉冲应力技术用于研究单个器件以及数字电路的动态行为。图5显示了不同脉冲应力持续时间导致的 Nit 的增加，结合了图4a的应力方法和图2a的周期性CP测量值。除了BTI，TDDB在静态和动态故障状态中的作用可以很好地被理解。对于在TDDB测试期间监测 SILC（应力引发的泄漏电流），应力/测量图类似于图4a，但Vdrain保持在一个恒定的非零电压，允许在应力期间读取Id。结论脉冲电压为研究高κ薄膜的固有材料、界面和可靠性性能以及基于这些新薄膜的器件提供了关键的能力。脉冲电压同时测量直流电流是电荷的基础，对测量固有电荷捕获具有重要价值。与直流或脉冲应力结合使用，CP还可以研究电荷捕获，以及在高κ-Si界面和高κ薄膜内的新电荷产生。脉冲应力还提供了一种应力方法，可以更好地模拟电路内器件所看到的实际应力，这对各种器件的可靠性测试都很有用，包括BTI、TDDB和HCI。此外，脉冲应力提供了对使用直流应力不能很好监测器件可靠性行为的另一种方法。脉冲应力补充了传统的直流技术，以提供更好地表征器件的可靠性行为。

CMOS

泰克科技 . 2025-04-09 1 600
产品 | Vishay推出符合AEC-Q100标准的性能领先的超小型RGBIR颜色传感器

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2025年4月8日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，光电子产品部推出业界先进、符合AEC-Q100标准的RGBIR颜色传感器---VEML6046X00。Vishay Semiconductors VEML6046X00将高灵敏度光电二极管、低噪声放大器和16位模数转换器集成在2.67 mm x 2.45 mm微型不透明表面贴装封装中，高度仅为0.6 mm。日前发布的车规级器件具有独立的红、绿、蓝和红外（IR）通道，可计算色温，实现显示器白平衡。VEML6046X00绿色通道光频谱灵敏度接近人眼水平，确保高度精确的测量，而红外通道则有助于广泛光源范围内稳定输出。传感器环境光探测范围0 lx至176 klx，日光下不饱和，分辨率高达0.0053 lx/ct，可放在深色透镜背面。 VEML6046X00工作温度高达+110°C，可用于汽车显示器背光控制、信息娱乐系统、后视镜调光、车内照明控制系统、平视显示器、颜色识别、CCT测量、氛围照明和激光前灯监控。传感器支持这些应用易于使用的I²C总线通信接口，并具有中断功能。 VEML6046X00供电电压为2.5 V至3.6 V，I²C总线电压为1.7 V至3.6 V，关断模式下耗电量仅为0.5 μA（典型值）。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，潮湿灵敏度等级达到J-STD-020E标准2a级，车间存放时间为四周。新型RGBIR颜色传感器现可提供样品并已实现量产，供货周期为16周。

颜色传感器

Vishay . 2025-04-09 465
市场 | Arm 架构将占据半数 2025 年出货到头部云服务提供商的算力

六年多前，Arm 推出面向下一代云基础设施的 Arm Neoverse 平台，并坚信此灵活且高能效的计算平台所带来的可扩展性能水平，能够推动数据中心生态系统在功能和成本方面实现系统性的变革。如今，Neoverse 技术的部署已达到了新的高度：2025 年出货到头部超大规模云服务提供商的算力中，将有近 50% 是基于 Arm 架构。在人工智能 (AI) 时代，云计算格局正经历根本性重塑。复杂的训练与推理工作负载催生了无尽的算力需求，并对云数据中心带来巨大的压力。鉴于 AI 服务器的数量在未来几年将增长超过 300%，高能效不再是竞争优势，而将成为行业的基本要求。如今，数据中心设计所考量的功耗单位已从兆瓦级跃升到千兆瓦的级别。在此背景下，能效直接决定了数据中心的盈利能力。而对高能效的不懈追求，正是 Arm 过去 35 年的发展历程中始终如一的基因传承。赋能领先的芯片解决方案依托 Neoverse 平台，Arm 为市场领先的合作伙伴开辟了一条战略路径，助力其制定芯片技术路线图，用以适配基于大规模软件运行所获得的洞察，进而为数据中心实现前所未有的整体系统性优化。正因如此，全球十大超大规模云服务提供商都在积极开发基于 Arm 架构的芯片，并将其部署到自家的数据中心中。亚马逊云科技 (AWS)、Google Cloud 和 Microsoft Azure 等超大规模云服务提供商，均已采用 Arm 计算平台来打造自己的通用定制芯片，以改变数据中心和云计算中的能源使用方式。部分用例显示，基于 Arm 架构的芯片较前代产品实现了高达 60% 的能效提升。Arm 的技术优势在于，它能让企业根据自身的基础设施以及内部和托管的软件工作负载，对芯片进行专属的优化。此外，Arm 计算平台还为合作伙伴提供了灵活性，使他们能够为 AI 打造新一代定制化、差异化的芯片解决方案。例如，NVIDIA 为 AI 基础设施打造的 Grace Blackwell 超级芯片，融合了 NVIDIA Blackwell GPU 加速计算架构和基于 Arm Neoverse 平台的 Grace CPU，并集成了超高带宽的一致性网状网络。这一系统专为 AI 工作负载量身定制，能够实现无与伦比的性能。市场对这种定制化 AI 芯片的强劲需求，从 NVIDIA 近期公布的数据可见一斑：仅美国前四大超大规模云服务提供商就已订购了 360 万颗 Blackwell 芯片。而基于 Arm Neoverse 平台的 Grace CPU 正是满足这一庞大需求的重要组件，可为现代 AI 和数据中心应用提供了所需的算力与效率。无缝的软件创新 Arm 合作伙伴推出的通用芯片组，如 AWS 的 Graviton、Google Cloud 的 Axion 以及 Microsoft Azure 的 Cobalt，使软件开发者能够在 Arm 平台上构建应用程序，并享受效率和性能优化等优势。得益于 Arm 架构在总体拥有成本 (TCO) 和能效方面的显著优势，Paramount+、Spotify 和 Uber 等全球热门应用，正纷纷迁移到基于 Arm 架构的云计算基础设施，而且这一趋势正在不断扩大。与此同时，包括 Oracle 和 Salesforce 在内的全球领先的数据平台公司也在将服务向基于 Arm 架构的基础设施迁移。从云端到边缘，Arm 架构铸就行业基石随着高能效成为首当其冲的行业焦点，如今的云计算和数据中心，从芯片到软件，都优先采用 Arm 架构进行设计。Arm 从云端到边缘无处不在，其无可比拟的应用范围和规模，为创新、效率和能力拓展带来了全新的可能。Arm 处于所有计算领域的核心，正引领并定义 AI 时代。Arm 是未来计算的基石。

数据中心

Arm . 2025-04-09 665
关税 | 美光宣布4月9日起加收产品附加费

存储器大厂美光（Micron Technology）已告知美国客户，某些产品将自周三（4月9日）起加收附加费，以因应美国总统川普（Donald Trump）最新的对等关税政策。美光在通知客户的信函上表示，虽然特朗普4月2日宣布的对等关税豁免了半导体，但仍适用内存模组及固态硬盘（SSD）。这些产品应用于汽车、笔电及数据中心服务器等诸多终端商品，美光预计4月9日会加收附加费。美光的海外制造基地大多位于亚洲，当中包括中国大陆、中国台湾、日本、马来西亚及新加坡。美光高层3月21日就在财报电话会议上透露，该公司打算将受关税影响地区的产品成本转嫁给客户。美光3月底才刚发布通知，由于产品迎来出乎意料的需求，因此决定调涨报价。其他亚洲NAND型闪存模组制造商的高层也透露，他们会跟进美光，要美国客户自己想办法解决关税问题。该名人士说：“若他们不承担关税，我们的产品就不会出货。我们无法为你们政府的决定负责。没有任何一家公司能慷慨承担如此高的税率。”

关税

芯查查资讯 . 2025-04-09 11 1 3000
技术 | 汽车质量标准初阶入门：资质认证的真正意义

在之前的文章《汽车质量标准初阶入门：哪些认证标准与我们息息相关》中，我们探讨了当时的车规质量标准。自那时起，汽车市场获得了长足发展，电子设备在车辆内外扮演的角色愈发重要。本文重新审视了这一主题并更新了相关知识点，重点介绍由下一代汽车电子和通信技术所塑造的新标准。现代与下一代汽车现代车辆设计是一项极其复杂的任务。如今的汽车已不仅仅是一部机械装置，而是拥有多达100个可编程电子控制单元（ECU）和上亿行代码的复杂电子生态系统。这些系统负责管理从发动机、动力总成，到信息娱乐、通信和安全功能等的一切事务。随着汽车技术向更先进的驾驶辅助系统和自主驾驶等方向突飞猛进，汽车设计的复杂程度也在持续攀升。这一演进过程中的一个重大转变是向软件定义车辆（SDV）的过渡；即由软件而非硬件决定汽车的功能。不同于围绕机械框架构建的传统车辆，SDV更像是智能手机——通过软件更新不断进化，而无需硬件修改或推出新车型。这种软件驱动的变革是汽车行业的一个重要里程碑，为完全自主驾驶汽车（AV）等的未来发展铺平了道路。此类SDV系统采用了先进的电源管理集成电路（PMIC）、电机控制器件（MCD），以及无线通信系统等，如图1所示。这些SDV车辆连接至云端，能够实现与其环境的无缝数字交互，并允许通过空中下载（OTA）进行软件升级，而无需硬件改动。SDV以软件驱动的架构为设计基础，集成了信息娱乐系统、数字座舱和高级车辆控制等功能。这种方式使SDV具有高度适应性，能够随着新功能的出现而不断进化，变得更加智能，并在其整个生命周期内不断升级并保持互联。图1，车载无线、电源管理和电机控制技术解决方案概览当前，汽车行业已成为电子系统增长最快的市场，高质量元器件的重要性前所未有地突出。消费电子、军事、工业和汽车等不同行业根据其应用场景有着不同的要求。本文针对汽车和消费电子市场进行比较，并重点介绍了资质标准的关键差异。虽然大多数消费电子产品的测试要求不那么严格，但某些消费类产品（如冰箱和洗衣机）的标准要求高于手机。如下表所示，一些消费产品中的电子元件在使用寿命、温度合规性和耐用性方面低于汽车中的元件。表1，车用与消费类产品的温度及可靠性对比汽车电子产品的关键设计要素汽车电子系统日益复杂，并控制着越来越多的功能；因此，以下几个关键设计要素必须纳入考量：坚固性与可靠性：汽车电子元件必须能够承受日常使用中的恶劣条件，包括极端温度、湿度和机械应力。使用寿命：与消费电子产品不同，汽车需稳定可靠地运行十年甚至更久。这种寿命要求每个元件都必须经久耐用。抗干扰：车辆内部的众多电子系统必须共存，且不能产生电磁干扰和射频（RF）信号干扰，以免影响关键功能的性能。为了确保这些因素得到充分解决，汽车行业针对元件的制造和测试制定了严格的质量标准。只有符合这些标准的部件才有资格用于汽车，从而确保它们一旦嵌入车辆电子系统中便不会失效。关键车规质量标准若要使元件获得“车规质量”认证，制造商必须在整个生产和测试过程中遵循若干行业标准。IATF 16949是由国际汽车工作组（IATF）制定的车辆质量管理体系国际标准，适用于为汽车行业制造零件、总成和电子元件的组织。该标准旨在建立一个强调持续改进和缺陷预防的质量管理体系。它还注重减少浪费和供应链差异，同时高效满足客户需求并提升客户满意度。该标准基于ISO 9001，但包括针对各汽车制造商的客户特定要求。该标准立足于七大质量管理原则：以客户为中心、领导作用、全员参与、过程方法、改进、循证决策以及关系管理。汽车电子委员会（AEC）是一个由克莱斯勒（Chrysler）、福特（Ford）和通用汽车（GM）在20世纪90年代成立的行业组织，旨在建立共同的零件认证和质量体系标准。AEC元件技术委员会是制定可靠、高质量电子元件标准的标准化机构。如下表所示，这一委员会已经为汽车领域制定了若干AEC标准。符合以下规格的元件无需额外的元件级认证测试，即可适用于严苛的车载环境。表2，AEC车规标准车规资质测试从晶圆级到成品，车用元件在生产过程的不同阶段都会接受测试：晶圆级与组装：每颗裸片都会接受多次光学检查，以发现元件集成到汽车系统后可能导致故障的任何缺陷。表3，车规和商用产品的晶圆级与组装测试图2，AEC-Q100——关键可靠性测试成品测试及载带卷盘测试：尽管采用了最佳的制造工艺，但始终存在因意外异常导致部件早期失效的风险。因此，汽车制造过程包括成品测试等额外的筛选环节，以便将“异常”部件在送达客户之前识别并剔除。表4，车规和商用产品的成品测试及载带卷盘测试可靠性测试与文档记录：制造商必须遵循一项名为“先进产品质量策划（APQP）”的广泛产品质量计划。这包括编制一份涵盖整个制造过程、测试记录，和失效模式与影响分析（FMEA）的详细文档包。生产件批准程序（PPAP）是该计划的关键部分，它确保所有元件在获得车辆使用批准前均符合必要的质量标准。表5，车规及商用产品的可靠性测试系统级认证系统级认证与组件级认证同样关键，它确保了汽车的合规性、安全性和互操作性。随着车辆系统变得日益复杂，维持客户信任变得至关重要。系统可靠性，尤其是乘客检测和自动刹车等关乎生命安全的技术，必须满足最高标准。 IATF 16949标准解决了这些系统级要求，而ISO 26262标准则专注于汽车电气和电子系统的功能安全，有助于降低风险并保护乘客和道路使用者。此外，SAE J2980为评估这些系统的可靠性提供了指导，涵盖了分析、预测和制造可靠汽车电子设备的最佳实践。如前所述，随着汽车行业的发展，软件定义车辆（SDV）已成为新常态。这些配备基于软件安全应用的SDV变得越来越普遍，增加了随机硬件故障的风险。例如，儿童存在检测系统使用带有嵌入式固件的超宽带（UWB） IC来增强安全性。针对乘用车电气/电子/可编程电子系统的ISO 26262功能安全标准作为基于风险的标准，有助于评估危险情况、定义安全措施，并在整个开发过程中系统地辅助风险管理，以防止因电子故障导致的事故，从而确保配备复杂电子系统的现代车辆拥有较高的安全标准。 ISO 26262标准将风险分为四个汽车安全完整性等级（ASIL）——从ASIL A（最低）到ASIL D（最高），其中ASIL D要求采取最严格的安全措施。下面的表6列出了从ASIL A到ASIL D的安全标准，同时提供了有关适用用例，并详细说明了其旨在预防的危险情况。表6，ASIL安全完整性等级及应用汽车认证的影响随着车辆越来越像“四轮计算设备”，电子元件的质量对于车辆的可靠性和安全性变得举足轻重。尽管一款通过车规认证的射频（RF）滤波器、PMIC或UWB IC可能与商用元件外观相似，但区别在于它们必须满足严格的测试和制造标准。符合车规标准的元件设计旨在能够经受汽车在道路上多年使用过程中所面临的各种严苛驾驶条件。这些标准确保了汽车电子组件不仅功能正常，而且经久耐用、安全可靠，能够承受它们将遇到的极端考验。随着汽车行业的不断发展，遵循这些严格认证标准的重要性将不断提升，以确保未来的车辆尽可能可靠、安全。结语车规认证标准是确保车辆中使用的电子元件能够满足车载环境严苛要求的核心。从坚固性、可靠性，到使用寿命及干扰管理，这些标准确保了每个元件都经久耐用。随着汽车变得越来越先进，其内部的电子系统也越来越复杂，遵循这些标准对于保持道路上车辆的安全性和可靠性至关重要。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-04-09 415
产品 | 用于车身控制模块中 22 路多开关检测接口（MSDI）芯片 SGMCD1020Q

圣邦微电子推出车规级多路开关检测接口（MSDI）芯片 SGMCD1020Q，为车身控制模块带来全新解决方案。该芯片具备卓越的多通道检测能力，可精确监测多达 22 个通道的开关状态，涵盖 14 路接地开关和 8 路可编程开关（可灵活配置为接地开关或电池开关）。凭借其串行外设接口（SPI），SGMCD1020Q 能够将开关状态信息高效传输至微处理器单元（MCU），确保系统及时响应。此外，芯片内置 22 选 1 模拟多路复用器，可将缓冲后的选定输入模拟信号输出到 AMUX 引脚，供 MCU 进一步读取与处理，全方位满足汽车电子系统对开关检测的高性能需求。 SGMCD1020Q 具备三种灵活的操作模式：正常模式（Normal Mode）、低功耗模式（Low-Power Mode）和轮询模式（Polling Mode）。在正常模式下，器件可被编程，并在检测到开关状态变化时，为开关触点提供精准的上拉或下拉湿电流；低功耗模式则通过关闭自身大部分电路，实现超低功耗运行，其典型待机电流极低，非常适用对睡眠电流有严格要求的汽车和工业场景，能够显著降低系统能耗；轮询模式则会按照预设周期对输入引脚进行检测，快速判定开关状态相较于正常模式是否发生变化，为系统提供了高效且灵活的检测方式。 SGMCD1020Q 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用。芯片采用符合环保理念的 TQFN-5×5-32GL 绿色封装，工作温度范围在 -40℃ 至 +125℃。图 1 SGMCD1020Q 典型应用电路图 2 SGMCD1020Q 功能框图 SGMCD1020Q 典型特性符合汽车可靠性标准 AEC-Q100 Grade 1；支持 12V 汽车系统，具有欠压和过压警告功能；全参数运行电压：6V ≤ VBATP ≤ 28V；全功能运行电压：6V ≤ VBATP ≤ 36V； SGx, SPx 开关输入电压范围：-1V 至 36V；典型待机电流：IBATP = 70μA，IVDDQ = 4.4μA；支持三种工作模式：正常模式、低功耗模式和轮询模式； 14 路接地开关，8 路可编程开关(接地开关或电池开关)； 4 种可配置的湿电流设置：2mA，8mA，12mA，16mA；可选择开关状态改变的唤醒功能；开关状态改变时主动产生中断（INT_B）；使用 3.3V/5.0V SPI 协议可直接与 MCU 连接；采用符合环保理念的 TQFN-5×5-32GL 绿色封装。 SGMCD1020Q 产品优势在汽车电子系统中，车身控制模块（BCM）是用于管控各类车身功能的核心部件。与传统开关接口分立检测方案相比，SGMCD1020Q 凭借其高度集成化的设计、超低功耗特性、丰富的检测功能、便捷的通信接口以及卓越的可靠性，为 BCM 带来全方位的性能提升。它不仅能优化汽车电子系统整体性能，还能显著降低系统成本，同时大幅提升系统的稳定性和可靠性，为汽车电子系统的设计与应用提供了更优的解决方案。一、高度集成，节省空间与成本 SGMCD1020Q 将 22 通道开关检测接口和 22 选 1 模拟多路复用器集成于一体，能够同时检测多个开关状态并处理模拟输入信号。与传统分立方案相比，该芯片显著减少了所需外部元件数量，如电阻、电容和二极管等。这种高度集成设计不仅降低了 MCU 资源占用，还大幅减少了电路板空间，降低了元件采购和生产成本，同时简化了设计流程，提升了系统可靠性。图 3 开关接口分立检测方案二、低功耗模式，助力节能降耗 SGMCD1020Q 具备低功耗模式，典型待机电流 IBATP 仅 70μA，IVDDQ 为 4.4μA。这一特性使其在汽车等对低睡眠状态电流有严格要求的应用场景中表现出色，能够显著降低系统功耗，有效延长汽车电池使用时间，提升汽车电气系统的整体效率。传统分立检测方案则难以实现如此低的功耗水平。三、高可靠性，保障系统稳定运行 SGMCD1020Q 具备多种保护和故障检测机制，涵盖欠压、过压、过热保护以及 SPI 通信错误检测等功能。在汽车复杂多变的电气环境中，这些机制能有效应对各种异常情况，确保系统稳定运行，显著降低故障发生概率。此外，该器件在接地偏移、短路等异常条件下仍能保持正常工作，展现出了卓越的可靠性，相较传统分立检测方案表现更为出色。四、功能丰富，提升检测灵活性 SGMCD1020Q 通过软件配置即可灵活适应多样化的开关检测需求，当需要增加新的开关功能或扩展系统功能时，仅需进行软件升级和少量硬件调整，即可快速实现功能升级，无需像分立方案那样重新设计和布局大量电路，极大地提升了系统的可扩展性和灵活性。其主要功能如下：可编程四档位高精度湿电流：提供 2mA、8mA、12mA 和 16mA 四个档位的湿电流，可根据不同检测需求灵活配置。小电流适用于模拟开关状态检测，有利于 ADC 在满量程范围内实现更精细的分辨；大电流则可有效去除机械开关触点氧化效果，同时具备更强的外部电容电流拉灌能力，显著缩短响应时间。可编程湿电流持续时间：支持连续或脉冲模式，可根据具体应用场景灵活配置湿电流的持续时间，以适应不同的开关检测需求。可编程轮询周期：在轮询模式下，轮询周期可在 3ms 至 128ms 范围内灵活配置，共提供 16 个档位，满足不同检测频率的需求。可选择唤醒功能：当开关状态发生变化，可主动向 MCU 发出通知，提高系统响应速度和实时性，确保快速响应开关操作。高效稳定通信：支持 3.3V/5.0V SPI 协议，可直接与 MCU 进行通信，确保数据传输的高效性和稳定性，进一步优化系统性能。图 4 连续/脉冲湿电流配置图 5 低功耗模式下的典型时序图 SGMCD1020Q 凭借其高度集成、低功耗、高可靠性以及功能丰富的特性，完美契合了现代汽车电子系统对开关检测接口的严格要求，为车身控制模块（BCM）提供了一种高效、节能、可靠的解决方案，将有力推动汽车电子系统的发展和升级，为汽车制造商和用户带来更加优质的产品体验。

低功耗

圣邦微电子 . 2025-04-09 465
融资 | 爱芯元智完成超十亿C轮战略融资，进一步巩固行业领先地位

近日，人工智能感知与边缘计算芯片领域领军企业——爱芯元智正式对外宣布，已于近期顺利完成C轮融资，融资金额超过十亿元人民币，为2024年国内芯片领域规模最大的融资事件之一。本轮融资的投资方包括宁波通商基金、镇海产投、重庆产业投资母基金、重庆两江基金、元禾璞华、韦豪创芯等知名投资机构。本轮资金将主要用于推动下一代先进人工智能芯片的技术研发，加速智能产品量产进程，并加大市场推广力度，旨在为客户提供更高效、智能的解决方案。自成立以来，爱芯元智已完成数轮融资，投资方包括韦豪创芯、启明创投、沄柏资本、美团、元禾璞华、腾讯投资等知名机构。后续，爱芯元智将与新老股东紧密合作，在战略资源上相互协同，共同致力于汽车智能化、边缘计算及机器人等领域的探索与发展。爱芯元智创始人、董事长仇肖莘博士表示：“感谢投资人对爱芯元智的支持，正是你们的远见与助力，让爱芯在人工智能芯片的赛道上持续突破，为行业创新注入强劲动力。当前，AI正深刻重构千行百业，而芯片是这场变革的基石。爱芯元智自创立以来，持续聚焦边端侧人工智能芯片的研发与量产，致力于推动AI能力在不同场景的规模化落地。未来，我们将继续以开放共赢的姿态，与合作伙伴共建智能时代的基础设施，助力行业可持续发展。” 爱芯元智成立于2019年5月，已完成多代人工智能芯片产品的研发和量产工作，自研两大核心技术——爱芯智眸AI-ISP和爱芯通元混合精度NPU，广泛服务于终端计算、智能驾驶、边缘计算等市场。未来，爱芯元智将继续秉承“普惠AI，造就美好生活”的使命，以“构建世界一流的感知与计算平台”为愿景，打造更具智价比优势的产品，不断推进人工智能技术的发展与应用，携手合作伙伴共创美好未来。

爱芯元智

爱芯元智AXERA . 2025-04-09 505
合作 | 纳微与兆易创新达成战略合作，打造智能、高效、高功率密度的数字电源解决方案

氮化镓技术和MCU协作融合，及联合研发实验室的优势共振，驱动AI数据中心、电动汽车和太阳能储能等应用领域的电源革新 2025年4月8日讯-纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布与兆易创新科技集团股份有限公司（股票代码：603986）正式达成战略合作伙伴关系，将纳微半导体高频、高速、高集成度的氮化镓技术与兆易创新先进的高算力MCU产品进行优势整合，打造智能、高效、高功率密度的数字电源产品，并配合兆易创新的全产业链的管理能力与纳微对系统应用的深刻理解，加速在AI数据中心、光伏逆变器、储能、充电桩和电动汽车商业化布局。作为战略合作的重要组成部分，纳微还将与兆易创新共建联合研发实验室，融合双方的技术专长和生态资源优势，驱动智能、高效电源管理方案的创新升级。兆易创新GD32 MCU作为中国高性能通用微控制器领域的领跑者，凭借其卓越的性能，广泛应用于能源电力、工业控制、车载设备、运动控制等领域，累计出货量已突破19.8亿颗。其中数字能源是兆易创新的重要战略布局方向。随着数字能源系统的不断发展，其对于高精度、高效率功率控制需求也在日益提升，为了更好地响应这一趋势，兆易创新持续推出了GD32G5、GD32F5、GD32H7等多个系列的高性能MCU，并构建了一系列行业垂直解决方案，为客户带来卓越的产品、方案及全方位的技术支持服务。作为第三代功率半导体的行业领导者，纳微半导体凭借全面的GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件所形成完备的产品组合，为AI数据中心、电动汽车、太阳能储能和消费电子等行业注入充电更快、效率更高和节能环保的“芯”动力。兆易创新高级副总裁、CTO、MCU事业部总经理李宝魁与纳微半导体全球高级副总裁兼亚太区总经理查莹杰等高层共同出席了战略合作签约仪式。双方明确了战略合作方向，并就联合实验室的运营模式展开了深入的交流。左：纳微半导体全球高级副总裁兼亚太区总经理查莹杰右：兆易创新高级副总裁、CTO、MCU事业部总经理李宝魁兆易创新高级副总裁CTO、MCU事业部总经理李宝魁：数字能源是兆易创新重要的战略市场之一。MCU在推动数字电源系统的智能化、提升能效以及保障系统安全性等方面发挥着至关重要的作用。此次与纳微半导体达成战略合作，将高性能GD32 MCU与纳微GaNFast™氮化镓技术深度融合，为数据中心、储能、新能源汽车等应用场景提供更具竞争力的解决方案。这不仅是双方公司技术协同创新的积极实践，更是秉承双方对绿色能源理念的坚持，助力产业向高效化、智能化发展的关键一步。” 纳微半导体全球高级副总裁亚太区总经理查莹杰纳微半导体致力于全球领先的第三代功率半导体技术研发，加速AI数据中心、新能源汽车和移动设备等行业的电气化进程。此次与兆易创新达成战略合作，将充分发挥双方在芯片设计、制造工艺和市场生态上的互补优势。联合实验室的成立不仅加速了下一代高效能电源解决方案的研发，更标志着我们在 ' 智能 + 绿色 ' 战略上的深化布局。我们期待通过这一合作，为全球客户提供更快、更节能的创新产品，共同开启电力电子行业的合作新生态。”

纳微

纳微芯球 . 2025-04-09 1 800
企业 | 赋能AI与能源及数字化转型，TDK解决方案亮相慕尼黑上海电子展

TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）4月7日宣布，将于2025年4月15日至17日慕尼黑上海电子展（展位号N1.210），围绕「为可持续的未来加速转型」的核心理念，集中展示人工智能技术应用、绿色能源与数字化转型的前沿创新成果，覆盖电子应用全领域的创新技术和产品解决方案，推动各行业向更智能、更高效、更低碳的未来加速转型。人工智能、绿色能源与数字化转型这些大趋势将像互联网一样从根本上改变我们熟知的世界，而且速度要快得多。展望未来，这些转型将持续加速并愈发重要。在配备 6G 网络的社会中，元宇宙、智能城市、清洁能源、电动汽车及各类智能设备将互联互通，在这样的环境下，TDK 能为可持续未来、为社会发展做出的贡献正不断扩展。布局人工智能的最新成果展示当前，人工智能正从算法创新向算力基础设施建设的深水区全面演进，大模型参数量指数级增长与边缘计算场景爆发式增加，产业面临指数攀升的算力需求与能源消耗的不可持续矛盾。为解决这一难题，TDK正通过材料科学、制造工艺与系统整合的深度融合来实现突破。本届展会上，TDK将展示致力于商用落地的超低能耗神经形态元件自旋忆阻器，该技术可通过模拟人脑中突触的高效节能运行模式，将人工智能应用的能耗降至传统设备的百分之一，从而降低电力消耗，同时实现免受环境变化影响和长期数据存储。另外， TDK SensEI 推出的edgeRX产品通过边缘计算、传感器融合无线连接以及自动化机器学习算法训练和部署，为工业 4.0 开发预测性维护解决方案，赋予制造业、重工业和可再生能源前所未有的智能水平与提升生产力的可能性。这次他们将带来客户“开箱即用”的AI赋能的边缘状态基准监测 (CbM & PdM) 解决方案，广泛适用于水处理、化工、钢铁、能源、食品加工、制造业、智能物流等行业，可监测发电机、压缩机、电机等复杂机械设备。创新系统方案赋能多市场应用汽车市场 TDK正以先进元器件与解决方案推动电动汽车和自动驾驶汽车的智能化、增强安全性并延长续航能力，通过电动汽车和高级驾驶辅助系统 (ADAS) 的创新解决方案，将重塑移动出行方式并减少环境影响。本届展会将展示的相关创新亮点就包括丰富的温度测量、压力传感和位置检测传感器产品组合、纯电动汽车的热管理解决方案，还有新推出的适合汽车抬头显示和AR/VR应用的压电μ-Mirror模块，该模块搭载压电薄膜驱动，能够以30kHz（垂直）/20kHz（水平）共振频率实现最高8K级Lissajous激光扫描，功耗最高仅90mW。另外，TDK多层氮化铝（AlN）基板技术通过超高热导率与3D集成能力，将高功率芯片尺寸缩减至传统方案的1/5，同时内嵌EMI屏蔽设计简化系统复杂度，为AI服务器、自动驾驶控制器等场景提供“性能不减、体积更小”的硬件升级路径。工业与能源市场随着全球加快减碳步伐，TDK致力于帮助广大客户解决提高能效与生产力遇到的迫切挑战。借助人工智能、传感器融合和前沿电子元器件，TDK正在为工业应用、建筑和家居打造更智能、更可持续的解决方案，包括即将亮相本届展会的全新超声波传感器模块与温度与压力传感解决方案等。信息通信技术（ICT）市场万物互联的新纪元，TDK在推进数字化转型方面扮演着至关重要的角色，相关解决方案不仅保障通信系统可靠运行，还为实现更智能、更可靠、更节能的网络奠定基础。该领域应用的亮点展品包括可充电多层陶瓷芯片CeraCharge、高精度定位传感器和用于视网膜直接投影的超小型全彩激光模块等。诚邀您莅临2025年慕尼黑上海电子展TDK展台（展位号N1.210）了解更多解决方案，亲身体验TDK布局人工智能和多应用市场的最新成果，感受TDK通过持续创新，如何以科技之力加速社会向可持续未来的转型进程。

人工智能

TDK . 2025-04-08 335
收购 | 英飞凌 25 亿美元收购Marvell汽车业务

德国芯片制造商英飞凌科技周一表示，将以约 25 亿美元现金的价格收购 Marvell Technology汽车以太网业务，以扩大其微控制器部门。汽车以太网业务将成为英飞凌汽车部门的一部分，预计今年将创造2.25亿美元至2.5亿美元的收入，毛利率接近60%。英飞凌已从银行获得收购融资，并将承担额外债务来为该交易融资，并预计该交易将于今年完成。 Cantor Fitzgerald 高级董事总经理 CJ Muse 表示：“Marvell 已明确表示，他们是一家 AI 优先的公司，专注于定制硅片和网络。”“在这样的背景下，汽车以太网不再是人们关注的焦点，因此他们愿意以合适的价格出售，这是有道理的。以 10 倍的销售额来说，这是一个相当有吸引力的价格。” 周一盘后交易中，Marvell 股价上涨近 4%。该公司上个月预计其第一季度营收将与华尔街预期一致。摩根大通分析师将这一不温不火的预测归因于“内部数据中心产品增长放缓”，指的是对在服务器之间传输数据的以太网电缆和光纤通道的需求减弱。在英飞凌看来，通过这单收购，公司能加速其软件定义汽车系统能力的建设，补充和扩展其市场领先的微控制器业务。 Marvell 今天宣布，该公司已达成最终协议，根据该协议，英飞凌科技股份公司 (“英飞凌”) 将以25 亿美元的全现金交易收购 Marvell 的汽车以太网业务。预计该业务在 2026 财年的收入将在2.25 亿至 2.5 亿美元之间。此次收购包括 Marvell 的 Brightlane 汽车以太网产品组合和相关资产。此次交易已获得 Marvell 董事会的批准，预计将在 2025 日历年内完成，但须遵守惯例成交条件和监管部门的批准。英飞凌表示，以太网是低延迟、高带宽通信的关键支持技术，对软件定义汽车至关重要。此外，它在人形机器人等相邻应用领域也具有巨大潜力。这项计划中的投资将加强英飞凌在美国本已强大的影响力，包括广泛的研发活动。英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“作为全球第一大汽车行业半导体解决方案供应商，此次收购对英飞凌而言具有重大战略意义。我们将利用这种高度互补的以太网技术，将其与我们现有的广泛产品组合相结合，为客户提供更全面、领先的软件定义汽车解决方案。此次交易将支持我们未来的盈利增长战略，包括人形机器人等物理 AI 领域的新机遇。” Marvell 领先的 Brightlane 汽车以太网 PHY 收发器、交换机和桥接器产品组合支持从当今的 100 Mbps（兆比特每秒）到市场领先的 10 Gbps（千兆比特每秒）的网络数据速率。它还支持当今和未来车载网络所需的安全功能。 Marvell 汽车以太网业务的客户包括 50 多家汽车制造商，其中包括十大领先 OEM 中的八家。强大的客户关系以 2030 年前约 40 亿美元的设计订单和强大的创新路线图为后盾，为未来的收入增长铺平了道路。该业务预计在 2025 日历年创造 2.25 亿至 2.5 亿美元的收入，毛利率约为 60%，这得益于英飞凌无与伦比的全球汽车客户渠道带来的进一步加速的巨大潜力。通过整合研发力量并利用英飞凌的生产范围，预计可实现额外的成本协同效应。Marvell 汽车以太网业务拥有数百名技术精湛、敬业的员工，主要办事处位于美国、德国和亚洲。交易完成后，Marvell 汽车以太网业务将成为英飞凌汽车部门的一部分。以太网连接解决方案对于软件定义汽车至关重要，是高效 E/E 架构的基础，包括中央计算、区域和端点。高级驾驶辅助系统、自动驾驶和无线软件更新等复杂功能需要大量安全的数据处理、网络和存储。与英飞凌 AURIX™ 微控制器系列的结合创造了一个综合产品系列，结合了通信解决方案和实时控制。此次收购旨在进一步巩固英飞凌在微控制器领域的领先地位。英飞凌将利用现有流动资金并承担额外债务，以全现金交易的方式为收购 Marvell 汽车以太网业务提供资金。英飞凌已从银行获得收购融资。该交易需满足常规成交条件，包括获得监管部门批准，预计将于 2025 年内完。 Marvell 董事长兼首席执行官Matt Murphy表示：“Marvell 已转型为领先的数据基础设施解决方案提供商，数据中心终端市场在 2025 财年第四季度贡献了 75% 的综合收入。我们为汽车以太网业务有机增长所取得的进展感到无比自豪。鉴于其极具吸引力的估值，我们相信此次交易将为 Marvell 股东带来最强劲的财务回报。借助英飞凌针对汽车应用优化的平台，我们相信汽车以太网业务将为持续增长和成功做好准备。”

英飞凌

芯查查资讯 . 2025-04-08 600
产品 | 川土微电子CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动器

川土微电子全新推出全国产化CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动器，支持±800V高压隔离与20V宽电源供电，兼具驱动能力（+1.9A/−2.2A）与低延时（70ns）特性，为中小功率场景提供高性价比解决方案。产品概述 CA-IS3223EHS-Q1是一款高边隔离和低边非隔离的高速、高压半桥栅极驱动器，高边采用电容隔离技术，可耐受±800V隔离电压及高dv/dt环境，低边非隔离设计适配灵活供电需求。宽电压兼容：支持3.3V/5V/15V逻辑输入，VDD/VBS供电范围最高达20V。高驱动效率：低输出压降优化MOSFET/IGBT导通性能，集成300ns死区时间，避免桥臂直通风险。严苛环境适配：结温覆盖-40℃至125℃，满足工业与车载场景的可靠性需求。特性高性能驱动能力输出峰值电流：+1.9A（拉电流）/−2.2A（灌电流）低传输延时：70ns（典型值），脉宽失真≤10ns，确保信号精准同步。高可靠隔离设计高边隔离耐压：±800V，低边非隔离适配灵活拓扑。高低压侧独立UVLO控制，抗脉冲干扰能力达20ns。汽车级认证与封装符合 AEC-Q100要求，兼容RoHS标准。采用环保 SOIC8封装，兼顾紧凑性与散热需求。典型应用场景工业驱动：半桥驱动、电机控制（风扇/泵）、光伏逆变器。消费电子：小家电、电源模块（DC/DC、AC/DC）。汽车电子：车载电源、电机驱动系统。

川土微

川土微电子chipanalog . 2025-04-08 815
技术 | 如何实现基于英飞凌TRAVEO™ T2G系列芯片的Dual Bank方案架构实现OTA功能

最近在英飞凌开发者论坛中注意到，许多开发者都在讨论和提问关于如何实现基于TRAVEO™ T2G系列芯片的OTA（Over-The-Air，远程升级技术）更新应用。为了帮助大家更好地基于TRAVEO™ T2G系列芯片的Dual Bank方案架构实现OTA功能，本文将简要介绍其原理，并提供相关的资源和示例代码，希望能够为大家提供参考和帮助。 OTA（Over-the-Air）是一种通过无线通信协议远程更新设备固件的软件更新方法，在现代智能汽车和联网汽车的快速发展下，在汽车应用中越来越受到重视。通过OTA更新，设备制造商可以在设备部署后修复漏洞、添加新功能或优化性能，而无需物理接触设备。它既可以提升用户体验和安全性，又降低维护成本和环境影响做出贡献，为汽车行业的持续发展和创新提供了强大支持。 TRAVEO™ T2G 系列支持双区（Dual Bank）模式，允许RWW（Read While Write）功能。Dual Bank 是一种支持OTA更新的存储架构，它使用两个独立的存储区来确保固件更新的可靠性和安全性。Dual bank技术通常涉及A/B分区机制，在OTA更新过程中，新固件会先被下载到备用分区，下载完成后，系统会在下次启动时从新分区启动。客户可以基于其特殊的dual bank 模式进行相同位置的固件更新，提升了固件更新的灵活性和效率。 TRAVEO™ T2G Dual Bank划分 TRAVEO™ T2G芯片的闪存分为Code Flash和Work Flash。 Code Flash用于存储程序代码，即芯片的固件或软件。 Work Flash用于存储数据，即程序运行时需要存储的数据，例如配置信息、日志数据等。在Dual Bank模式下， Code Flash被划分为两个独立存储体（Logical Bank 0和Logical Bank 1），在不同mapping下，存储体地址互换，以支持动态重映射。以下图CYT2B7芯片为例： Mapping A： Logical Bank 0地址: 0x1000_0000-0x1008_8000， Logical Bank 1地址: 0x1200_0000-0x1208_8000 Mapping B： Logical Bank 0地址: 0x1200_0000-0x1208_8000， Logical Bank 1地址: 0x1000_0000-0x1008_8000 从上图CYT2B7芯片的memory map可见，TRAVEO™ T2G系列的code flash可以分成Single Bank 模式和Dual Bank 模式。通过配置FLASHC_FLASH_CTL寄存器的MAIN_BANK_MODE位与MAIN_MAP位实现对模式的控制。 MAIN_BANK_MODE位 (FLASHC_FLASH_CTL[12])：置1启用Dual Bank模式，置0返回Single Bank模式1。 MAIN_MAP位 (FLASHC_FLASH_CTL[8])：仅在Dual Bank模式下有效，0选择Mapping A，1选择Mapping B 当然，Work Flash也可配置为Single Bank模式或Dual Bank模式，可通过FLASHC_FLASH_CTL寄存器的WORK_BANK_MODE位与WORK_MAP位进行配置。需要注意的是这几位在复位时都会被清除。ROM boot和flash boot不会改变这些配置。换句话说，TRAVEO™ T2G系列MCU在 Arm® Cortex®-M0+应用程序启动之前总是以Single Bank模式启动。应用程序需要根据实际需求手动配置Dual Bank功能。 TRAVEO™ T2G Dual Bank模式优势高可靠性：dual bank结构允许在一个bank进行更新的同时，另一个bank继续执行当前的固件。这种方式确保了更新过程中设备的正常运行，避免了因更新失败导致的系统崩溃。无缝切换：更新完成后，系统可以无缝切换到新固件，无需长时间的停机或重启过程。容错能力：如果在更新过程中出现问题，系统可以回滚到旧版本固件，保证设备的稳定性和可靠性。减少停机时间：由于更新可以在后台进行，设备的停机时间大大减少，提高了设备的可用性。安全性：TRAVEO™ T2G系列MCU配备硬件安全模块，提供强大的加密和认证机制，确保OTA更新的安全性和完整性。更新固件实现流程固件更新：假设CM4/7用户程序代码运行在Bank 0即处于Mapping A映射时，接收到通过车辆局域网（如CAN FD或以太网）发送的固件更新请求和数据。 CM0+用户程序开始擦除整个Bank 1的code flash区域和特定的work flash区域，其中work flash区域需要放置remap参数，用于标识下一次复位后需要设置Mapping A还是Mapping B，即最新程序存储于bank 0还是bank 1中。在此示例中，将更新bank 1的code flash，故而下一次复位后将使用Mapping B。完成flash擦除后，CM0+用户程序将相同的CM0+用户程序代码复制到Bank 1，并编程新的CM4/7用户程序代码。需要注意的是，以CYT2B7芯片为例，无论是运行在Mapping A需要更新bank 1的程序还是运行在Mapping B需要更新bank 0，更新地址皆处于0x1200_0000-0x1208_8000，而非0x1000_0000-0x1008_8000。最后，CM0+更新work flash中的remap参数，以便在下一次复位时切换应用程序代码。系统启动与切换在复位后，CM4/7和CM0+开始执行ROM boot程序。CM4/7进入等待中断（WFI）状态，直到CM0+使能它。 CM0+完成ROM boot和flash boot后，执行其用户程序代码。在CM0+用户程序配置FLASHC_FLASH_CTL 寄存器MAIN_BANK_MODE位为dual bank模式，并读取work flash中的remap参数。如果从work flash读取的数据是预期值，CM0+会跳转到SRAM代码，然后通过设FLASHC_FLASH_CTL 寄存器的MAIN_MAP位将code flash 的mapping切换为“Mapping B”。需要注意的是，改变这一位将改变flash的映射，故必须将此部分切换mapping操作的代码置于SRAM中执行，而不能继续在flash中执行。在完成切换操作后，code flash bank 0的地址将与code flash bank 1的地址交换。 CM0+跳回到code flash中执行程序并使能CM4/7。CM4/7和CM0+运行程序地址不变，但此时执行的已是bank 1中的新代码。

英飞凌

英飞凌官微 . 2025-04-08 600
产品 | Qorvo 推出全新 BLDC 电机驱动器 ACT72350 —— 有效缩减方案尺寸、设计周期和 BOM 成本

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）近日宣布为其不断壮大的电源管理产品系列增添一款高度集成的无刷直流（BLDC）电机驱动器。相较于分立式解决方案，Qorvo新推出的160V三相栅极驱动器大幅减小了汽车和工业电机控制系统的尺寸，显著缩短了设计时间，降低了物料清单（BOM）的成本/元件数量。 Qorvo的ACT72350在BLDC电机控制系统中可替代多达40个分立元件，并提供可配置模拟前端（AFE），使客户能够根据其确切的传感和位置检测需求进行配置。此外，它还配备了一个带有内部DC-DC降压转换器和低压差线性稳压器（LDO）的可配置电源管理器，以支持内部组件并作为主机MCU设备的可选电源。25V至160V的宽输入电压范围还使客户能够将其设计复用于多种电池供电的电机控制应用，包括电动工具和园艺工具、无人机、电动汽车和电动自行车等。 Qorvo电源管理事业部总经理Jeff Strang表示：“我们电源管理产品组合的最新成员为客户的BLDC电机设计带来了更大的灵活性，显著缩减了总体解决方案尺寸、设计周期以及BOM成本。ACT72350 提供了实现BLDC电机控制系统所需的关键模拟电路，并且可以与各种流行的MCU配合使用。” ACT72350通过可编程传播延迟、精确的电流感测和BEMF反馈，以及针对安全关键型应用而设计的差异化功能实现了高效率。这款坚固耐用、基于SOI技术的电机驱动器现已上市，并采用9.0毫米x 9.0毫米57引脚QFN封装。

Qorvo

Qorvo半导体 . 2025-04-08 1 615
电子设备的 “心脏起搏器” 晶振，一文深度剖析

晶振是什么在我们日常使用的各种电子设备中，从手机、电脑到智能手表，甚至汽车和工业控制系统，都存在着一个小小的元件，它如同电子设备的心脏，稳定地跳动，为整个系统提供精准的时间和频率基准，这就是晶振。也许你从未注意过它，但它却默默发挥着不可或缺的作用。晶振，全称晶体振荡器（CrystalOscillator），是在电路中提供频率基准的被动元器件，能产生频率高度稳定的交流信号，使得电路工作在一个稳定的频率范围内，广泛应用于汽车、数字、电子等行业。简单来说，它就像是电子设备的“心跳起搏器”，为整个系统提供稳定的时钟信号，确保各个部件有条不紊地协同工作。晶振的分类晶振主要分为有源晶振和无源晶振。一般我们说的“晶振”指的是有源晶振，而无源晶振通常叫“晶体”，或者叫“谐振器”。有源晶振和无源晶两者最大的区别是：有源晶振自身即可起振，而无源晶振则需要外加专门的时钟电路才能起振。打个比方，有源晶振就像是自带发动机的汽车，可以独立启动并运行；而无源晶振则像是没有发动机的汽车，需要借助外部的动力（时钟电路）才能发动起来。除了有源晶振和无源晶振，还有一些在特定的领域发挥着重要作用的晶振：温补晶振（TCXO）：具有温度补偿功能，可以自动调整频率以补偿温度变化对晶体频率的影响。它采用特殊的温度补偿网络，通过热敏电阻感知环境温度的变化，并通过电压控制电路调整晶体谐振器的频率，使其与基准频率保持一致。温补晶振的频率稳定度通常在10-7~10-6量级，适用于对频率精度要求较高的应用，如GPS接收器、通信设备和卫星通信系统等。恒温晶振（OCXO）：通过恒温控制来保持晶体谐振器的温度稳定。它利用加热电阻和温度传感器等元件，使晶体谐振器始终处在一个恒定的温度下工作，以此来减少因温度变化带来的频率波动。恒温晶振的频率稳定性通常优于温补晶振，在宽温度范围内，能保持高精度的频率输出，常用于对时钟精度要求非常高的应用，如卫星导航、无线通信基站、科学仪器和精密测量设备等。不过，它的启动时间相对较长，制造成本也相对较高。压控晶振（VCXO）：其输出频率可以通过输入电压进行控制。通过改变控制电压，能够实现对振荡频率的调整，主要用于锁相环、频率合成器等电路中，在通信、雷达等领域有广泛应用。不同类型的晶振各有特点，在实际应用中，需要根据具体的需求和场景来选择合适的晶振，以确保电子设备的稳定运行。晶振的工作原理压电效应要理解晶振的工作原理，首先得从压电效应说起。1880年，法国物理学家皮埃尔・居里（PierreCurie）和雅克・居里（JacquesCurie）兄弟发现了压电效应，即某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷；当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态。反之，当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失。这种机械能与电能之间相互转换的特性，正是晶振工作的基础。在晶振中，常用的压电材料是石英晶体，它具有良好的压电性能和极高的稳定性。当在石英晶体的两个电极上施加交变电场时，根据逆压电效应，晶体会产生机械振动；而晶体的机械振动又会根据正压电效应产生交变电场，如此循环往复。谐振原理当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。在晶振内部，石英晶体与振荡电路相连。当给晶振加上电源后，振荡电路会提供一个初始的电信号，激励石英晶体产生机械振动。由于压电效应，机械振动又会转化为电信号反馈给振荡电路。如此循环，晶振就能持续产生稳定的频率信号输出。晶振有什么作用提供时钟信号：晶振在电子系统中提供精确稳定的时钟信号，用于同步和控制各种操作。时钟信号决定了系统的工作频率和时间精度，对于数字系统、通信系统和计时系统等都起着至关重要的作用。确保数据传输的正确性：在数据传输过程中，需要严格的时序同步，以确保数据的准确传递。晶振作为主时钟源，能够提供可靠的时钟信号，为数据的传输和处理提供准确的时间基准。实现信号稳定性：晶振的振荡频率非常稳定，且受环境温度等因素的影响较小。它能够提供稳定的振荡信号，避免信号波动和时序偏移，保证系统的可靠性和稳定性。支持精确定时：许多应用领域对于精确定时要求极高，如航空航天、科学仪器等。晶振提供的精确的时钟信号能够满足这些应用的需求，确保系统或仪器的精度和稳定性。晶振作为一种重要的时钟源，通过晶体的谐振特性产生稳定的振荡信号，为电子系统提供精准的时间基准。它在同步、控制和数据传输等方面发挥着重要的作用。晶振的应用领域晶振作为电子设备的“心跳起搏器”，广泛应用于各个领域，为众多电子设备的稳定运行提供了不可或缺的时钟信号。移动通信物联网领域：在手机、平板电脑等移动通信设备中，晶振为无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、5G等）提供精确的时钟信号，确保数据的稳定传输和设备的高效运行。例如，手机中常用的晶振频率为24MHz，NFC技术使用13.56MHz、27.120MHz等晶振。在手机的CPU中，晶振提供的时钟信号决定了处理器的运行速度，直接影响手机的整体性能和响应速度。网络通讯领域：在路由器、交换机、服务器等网络设备中，晶振发挥着至关重要的作用。它为网络设备提供稳定的时钟信号，确保数据的准确传输和网络的稳定运行。例如，路由器常用的晶振频率有12MHz、16MHz、26MHz、40MHz等，这些不同频率的晶振满足了路由器在不同数据传输速率和功能需求下的稳定运行。汽车电子领域：汽车电子系统中，晶振广泛应用于发动机控制系统、车载导航系统、汽车音响系统、安全气囊系统等。它为这些系统提供精确的时钟信号，保证汽车各部件的协调工作和稳定运行。一辆汽车中应用到的晶振可高达200多颗，不同的晶振频率在系统中有不同的应用和功能。例如，4MHz用于汽车仪表盘、发动机控制模块（ECM）、空调控制等基本控制系统；8MHz用于车载多媒体设备、仪表盘、车载信息娱乐系统；10MHz用于定位系统接收器、车载通信设备等需要较高精度的应用；12MHz用于一些高速通信系统，如汽车自动驾驶系统、车载电脑等。安防监控领域：在摄像头、录像机、报警器等安防设备中，晶振为图像采集、数据传输和存储等功能提供稳定的时钟信号。例如，安防摄像头常用的晶振频率有12MHz、16MHz、24MHz、27MHz、40MHz等，这些频率确保了摄像头能够准确地捕捉图像，并将图像数据稳定地传输和存储。家电领域：在电视机、空调、冰箱、洗衣机等家电产品中，晶振为家电的微处理器、遥控器、显示屏等部件提供稳定的时钟信号，保证家电的各项功能正常运行。例如，彩色电视机常用的晶振频率有443MHz（PA制）、3.58MHz（NSC制）和8.86MHz（TDA3560、TDA3565等集成电路用）等；空调常用的晶振频率有32.768KHz、4.000MHz和4.194304MHz等。如何选择一款合适的晶振在电子电路设计中，选择合适的晶振至关重要，它直接影响到电子设备的性能、稳定性和可靠性。以下是一些选择晶振时需要考虑的关键因素。确定频率范围：在选择晶振时，首先要明确系统的频率范围需求，确保所选晶振的频率能够满足系统的要求。比如，常见的微控制器时钟频率有8MHz、16MHz、32MHz等，而无线通信模块中的蓝牙通常使用2400MHz左右的晶振。考虑精度和稳定性：晶振的精度和稳定性对于系统的性能至关重要，在选择晶振时，要充分考虑系统对精度和稳定性的要求。例如，在一些对时钟精度要求极高的通信应用中，可能需要选择精度在±1ppm以下的晶振，以确保数据传输的准确性和稳定性。考虑工作温度范围：晶振的工作温度范围应与系统的工作温度范围相匹配，确保晶振在预期的温度范围内能够正常工作。不同类型的晶振其工作温度范围也有所不同，如普通晶振的工作温度范围一般为-40℃至+85℃，而工业级晶振的工作温度范围可能更宽，可达-55℃至+125℃。在一些特殊的应用场景中，如汽车电子、航空航天等，需要选择能够在极端温度条件下稳定工作的晶振。选择合适的负载电容：负载电容是组成振荡电路时的必备条件。在通常的振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗，而振荡电路作为一个容抗被使用。负载电容可以是任意值，但10-30PF会更佳。对该电容的要求较高，习惯用NPO(C0G)材质的电容。负载电容的大小会影响晶振的振荡频率和稳定性，因此在选择晶振时，需要根据晶振的规格书来选择合适的负载电容。品牌与供应商选择：尽量选择知名品牌的晶振及外部器件，这些品牌和供应商通常具备更可靠的品质保证和更长的使用寿命，能够满足更为严格的技术要求和生产标准。同时，选择知名品牌和有信誉的供应商还能确保获得优质的售后服务和技术支持，有助于降低维护成本和减少生产停机时间。像日本的爱普生（EPSON）、精工（SEIKO），国产的晶发电子、泰晶科技、扬兴等都是知名的晶振品牌。晶振，这个小小的电子元件，却在现代电子世界中发挥着举足轻重的作用。它凭借着稳定的频率输出，为各类电子设备提供了精确的时间基准和时钟信号，确保设备的各个部件能够有条不紊地协同工作。从消费电子到通信设备，从汽车电子到工业控制，晶振无处不在，它就像是电子设备的 “心脏起搏器”，让每一个电子设备都能稳定、高效地运行。

晶振

官网 . 2025-04-08 3 1 2070
涨价 | 国巨涨价，涨幅超10%

近日，由于AI需求激增，被动元件市场掀起涨价风。根据网友提供的国巨集团涨价通知，国巨旗下基美将于6月1日起调涨被动元件钽电容的报价，涨幅将超过10%。涨价函中提到，过去三年来，聚合物钽电容产品线在多个关键市场领域的需求大幅增长，同时也面临劳动力、材料和设备成本上升的挑战。随着成本持续上升，要维持某些旧型号产品（特别是B规格尺寸）的盈利能力变得越来越困难。基美进一步指出，公司仍然致力于进一步扩大产能，以支持不断增长的市场需求，同时保持高质量、技术领先和卓越的交付能力。鉴于此背景，将对部分2.5V至10V B规格的产品（电容值47 uF至330 uF）进行价格调整，以确保并提升高标准服务。据了解，钽质电容部分料号自去年第四季开始短缺，目前供需缺口达10%以上，而且全球三大厂基美、松下、AVX等公司不愿意扩产，业界预期，钽质电容缺货潮可能将延续至今年底。业界表示，钽质电容过去以苹果的采购量最大，占整体消费性应用的30%，是钽质电容的第一大客户，然而随着AI服务器崛起，在高速运算、高耗能、高电压的运作环境下，带动钽质电容需求，其中AI GPU大厂大量消耗钽电，主要供应商的产能向缺料的规格倾斜，排挤其他规格的产能。国巨作为全球最大电阻、钽电容，以及第三大的积层陶瓷电容（MLCC）和电感制造商，其收购的基美在全球钽电容市占超过四成，具有绝对话语权。而在基美发出涨价通知之前，内地钽电龙头湘怡电子已在去年12月份调涨价格20%。另外，Vishay也反馈由于GB200大量采用Vishay的聚合物钽电容，目前其在2025年已面临供不应求的状态。从富昌电子行情报告可以看到，美国Vishay聚合物钽电容货期呈现增长趋势；日本AVX和Panasonic聚合物钽电容货期也呈现增长趋势。业界密切关注国巨集团开出今年钽电容涨价第一枪后，松下、AVX等厂商是否也会开始调升价格，推升新一波涨势。

国巨

芯查查资讯 . 2025-04-07 1150
展会 | 深圳国际半导体展覆盖半导体完整产业链，即刻登记参观领会刊！

第七届深圳国际半导体展(简称：SEMI-e) 将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办。现SEMI-e 2025报名通道已全面开启，4月13日前登记成功可获取SEMI-e 2024完整会刊！扫码登记免费获取！作为行业极具影响力和专业性的半导体展会，SEMI-e 2025立足行业前沿，横跨产业上下游，汇聚超900家优质展商，覆盖60,000m²展出面积，展品范围涵盖芯片及芯片设计、半导体设备、半导体材料、先进封装、半导体核心零部件、宽禁带半导体及功率器件、AI算力等领域，致力于打造一个覆盖半导体全产业链的多维度科技盛会。为半导体、电力电子、电子制造、显示制造以及汽车、信息通信、消费电子等领域打造集商贸洽谈、国际交流及品牌展示为一体的专业展示平台，助力拓展全球商机；也是寻找研发和生产制造中所需要的材料、器件、设备及解决方案的一站式高效采购平台，提供商贸需求精准配对，快速拓展商业社交圈，把握行业发展前沿资讯和动态。特设五大主题专区，凸显企业聚集效应 SEMI-e 聚焦半导体完整产业链、供应链及超大规模应用市场，着力打造半导体制造及先进封装、芯片及芯片设计、AI 算力、半导体核心零部件、宽禁带半导体及功率器件五大主题专区，全方位展现行业创新成果。半导体制造及先进封装：集中展示半导体设备、半导体材料、先进封装等最新技术成果和解决方案等。半导体核心零部件：集中展示机器视觉、传感器、密封圈、精密轴承、金属零部件、Valve 阀、硅 / SiC 件、Robots、石英件、过滤器、射频电源、陶瓷件、ESC 静电吸盘、压力 Gauge、泵、MFC流量计、步进马达、运动控制、伺服电机、直线模组、无尘拖链、封装模具、制冷设备、感应加热器等。宽禁带半导体及功率器件：覆盖第三代半导体碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、石墨及碳材料、立方氮化硼（C-BN）；第四代半导体氧化镓（Ga2O3）、金刚石、氮化铝（AlN）；晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件等；芯片及芯片设计：集中展示 IC 及相关电子产品设计、EDA、存储芯片、CPU 芯片、传感器芯片、模拟芯片、数字芯片、数字信号处理芯片等，向全球电子产业展现 “中国芯” 力量； AI算力：AI芯片、服务器、交换器、电源、液冷温控等。多领域观众齐聚，同期高峰论坛共探产业发展 SEMI-e 2025预计吸引超50,000专业观众，覆盖半导体制造及服务、半导体核心产品、电子电子、电子制造、照明与显示、汽车、能源、消费电子、工业、信息通信及科研院所等重要应用领域。往届观众包括：台积电、高塔半导体、力晶积成、晶合集成、中芯国际、华为海思、紫光展锐、兆易创新、华大九天、株洲时代电气、特变电工、阳光电源、三菱电机、立讯精密、伟创力、欣旺达、京东方、TCL华星光电、比亚迪、小鹏、理想、蔚来、阳光动力、亿纬锂能、ABB、发那科、埃斯顿、中科院半导体研究所、中科院长春光机所等。（仅为部分企业名单，排名不分先后）同期将举办超20场精彩纷呈的高峰论坛，通过“展+会”的模式，汇聚产、学、研、用产业链上下游龙头企业、高校和科研机构等领军人物，分享前沿技术、研究成果与市场走势，话题围绕集成电路、功率器件、半导体制造等核心领域及环节。随着新能源汽车、可再生能源发电、智能电网等领域对高性能功率器件的需求不断增长，同期宽禁带半导体及功率器件会议将展开讨论第三代半导体、车规级功率半导体等主题，深度探讨和拓展宽禁带半导体材料及功率器件的广泛应用。此外，多领域的高速发展对芯片的需求也更加集成化、智能化，以适应复杂多变的应用场景，同期的芯片及芯片设计论坛将集中探讨车规级芯片、AI算力芯片及EDA设计等热门话题；半导体制造作为整个产业链的核心环节，制造过程涉及到复杂的工艺和技术，现场将围绕核心制造技术、先进封装技术及材料、TGV技术等关键制造环节举行相关主题论坛。与CIOE中国光博会双展联动，开拓下游市场 SEMI-e 与 CIOE 中国光博会同期举办，双展携手共同打造32万平方米的光电技术与半导体产业超级盛宴。作为覆盖光电全产业链的综合性展会，CIOE 中国光博会集中展示光电芯片、光模块、传感器、激光器等优质企业，为半导体产业的光电子器件、传感器等核心领域做支撑，与SEMI-e实形成互为依托的上下游，共同服务于多个交叉领域的广泛观众，如新型显示、新能源汽车、消费电子、工业机器人、数据中心、能源等，形成从设计研发到终端应用的完整产业闭环。即日起至4月13日，登记参观可免费获取完整会刊，2025 年 9 月 10 - 12 日，深圳国际会展中心，期待与您共赴这场半导体领域的科技盛宴！关于深圳国际半导体展（www.semi-e.com）第七届深圳国际半导体展(简称：SEMI-e) 将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办。作为行业极具影响力和专业性的半导体展会，SEMI-e 2025立足行业前沿，横跨产业上下游，汇聚超900家优质展商，覆盖60,000m²展出面积，展品范围涵盖芯片及芯片设计、半导体设备、半导体材料、先进封装、半导体核心零部件、宽禁带半导体及功率器件、AI算力等领域，致力于打造一个覆盖半导体全产业链的多维度科技盛会。SEMI-e将与CIOE中国光博会同期举办，携手打造一场规模达32万平方米的光电技术与半导体产业超级盛会。双展联动不仅深度完善了半导体产业链的布局，更形成了上下游产业链相互依托、协同发展的良好态势，共同助力下游应用市场的蓬勃繁荣。

展会

semi-e . 2025-04-07 665
市场 | 2025年2月全球半导体销售额为549亿美元，同比增长17.1%

美国半导体行业协会 (SIA) 近日宣布，2025年2月全球半导体销售额为549亿美元，较2024年2月的469亿美元增长17.1%，比2025年1月的565亿美元下降2.9%。但由于2月份比1月份少3添，如果按照每天的销售额来计算，1月份每天的销量为18.22亿美元，2月份为19.61亿美元，也就是说2月份的每天销量相比1月份略有增长。月度销售额由世界半导体贸易统计组织 (WSTS)编制，代表三个月的移动平均值。按收入计算，SIA 代表了美国半导体行业的 99%，以及近三分之二的非美国芯片公司。 SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 表示：“尽管月度销售额略有下降，但 2 月份全球半导体行业月度销售额创下历史新高，推动了强劲的同比增长。连续 10 个月同比增长超过 17% ，其中美洲地区销售额同比增长近 50%。” 从地区来看，美洲（48.4%）、亚太/所有其他地区（10.8%）、中国（5.6%）和日本（5.1%）的销售额同比上涨，但欧洲（-8.1%）的销售额下降。2 月份，亚太/所有其他地区（-0.1%）、欧洲（-2.4%）、中国（-3.1%）、日本（-3.1%）和美洲（-4.6%）的销售额环比下降。根据此前数据，WSTS预计2025年全球半导体市场规模将达到6971亿美元，同比增长11%。具体来说，AI学习和推理所需的GPU等高性能半导体产品预计将实现增长，运算用半导体的增长率预计将达到17%，高于今年6月份预测的10%。此外，由于AI数据中心主要集中的美洲市场，其销售额预计将增长15%。然而，WSTS同时指出，当前纯电动汽车、智能手机和个人电脑的销售增长势头疲软，预计这一趋势将持续影响2025年的市场表现。特别是在模拟半导体领域，用于温度和摄像头影像数据处理的增长率预计将降至5%，低于之前7%的增长预期。以下是2025年半导体行业的主要发展趋势 2025年AI 加速器所需搭配的 HBM3、HBM3e 等高端产品渗透率持续上升，以及新一代 HBM4 预计于 2025 年下半年推出所产生的带动作用。非存储领域则有望增长 13%，主要得益于采用先进制程芯片的需求旺盛，如 AI 服务器、高端手机芯片等，此外，成熟制程芯片市场也将在消费电子市场回温的激励下呈现积极表现。 IC设计方面，亚太地区的 IC 设计企业产品线丰富多样，应用领域遍布全球，涵盖智能手机应用处理器（AP）、电视系统级芯片（SoC）、有机发光二极管显示驱动芯片（OLED DDIC）、液晶显示器触控与显示驱动集成芯片（LCD TDDI）、无线芯片（WiFi）、电源管理芯片（PMIC）、微控制器（MCU）、专用集成电路（ASIC）等必备芯片。随着库存水平基本得到控制、个人设备需求回暖，以及 AI 运算需求延伸至各类应用从而带动整体需求，预计 2025 年亚太地区 IC 设计整体市场将持续增长，年增长率达 15%。在传统晶圆代工 1.0 的定义下，台积电的市场份额从 2023 年的 59% 稳步上升，预计 2024 年将达到 64%，2025 年更是将扩大至 66%，远远超过三星、中芯国际、联电等竞争对手。而在晶圆代工 2.0 定义中（包括晶圆代工、非内存的集成器件制造商制造、封装测试、光罩制作），2023 年台积电的市场份额为 28%，但在 AI 驱动先进制程需求大幅提升的形势下，预计其市场份额将在 2024 年和 2025 年快速攀升，彰显在新旧产业结构下的全方位竞争优势。 2025 年晶圆制造产能将年增 7%，其中先进制程产能将年增 12%，平均产能利用率有望维持在 90% 以上的高位，由 AI 需求驱动引发的半导体繁荣景象持续推进。 2025 年，预计在消费电子的带动下，以及汽车与工业控制领域可能出现的零星库存回补动力支持下，整体需求将持续回暖。8 英寸晶圆厂平均产能利用率有望从 2024 年的 70% 攀升至 75%，12 英寸成熟制程平均产能利用率也将提升至 76% 以上，预计 2025 年晶圆代工产能利用率平均提升 5 个百分点。 2025 年，中国大陆封测市场份额将持续上升，中国台湾地区厂商则巩固在 AI 图形处理器（GPU）等高端芯片的封装优势。预计 2025 年整个封测产业将增长 9%。在扇出型面板级封装方面，从 2025 年起将快速发展，目前以玻璃Base制程为主，应用于电源管理芯片、射频芯片等小型芯片，预计经过数年技术积累后有望进军对封装面积要求更大的 AI 芯片市场，并导入技术门槛更高的玻璃基底产品。

半导体

SIA . 2025-04-07 930
国产电流可调充电管理IC纳祥科技NX7013，PIN TO PIN如韵CN3302

纳祥科技NX7013 是一款4A异步双节可调充电IC，它控制片外NMOS 导通，电感电流上升，当检测外部电路检测电阻RCS 设置上限时，片外NMOS 截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池，当检测外部电路检测电阻RCS 设置下限时，片外NMOS 再次导通，周而复始。在性能上，NX7013 可以PIN TO PIN如韵CN3302 。 ▲NX7013产品外形（一）NX7013主要特性 NX7013主要特性如下展示： ● 输入电压工作范围3.0V~6.5V ● 最高工作频率1MHz ● 充电电流外部可调 ▲NX7013功能框图（二）NX7013芯片亮点 NX7013采用简洁的外围设计，集成多种保护功能，大大提高了系统性能。 ① 外围器件简洁 NX7013 采用极简的外围器件，简化电路，易于集成，可有效减少整体方案尺寸，降低BOM 成本，使得产品更加紧凑和高效。 ② 多种保护功能 NX7013 还集成了完善的保护功能，如输入欠压、电池过压和芯片过温保护等，提高系统的可靠度和稳定性。 ▲NX7013管脚配置（三）NX7013应用领域目前，NX7013凭借其卓越的性能与独特的设计优势，已经被广泛应用于蓝牙音响、电动工具、便携式设备之中，显著提高了充电效率，增强了安全性。 ▲NX7013应用示例图

充电芯片

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