基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日推出五款高性能1 V 保护二极管，可为交流耦合射频(RF)传输线路提供优化保护，有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路。其中包括PESD1V0C1BSF和PESD1V0H1BSF等型号，适用于手机、便携式电子设备、通信系统以及计算机与其他外设等应用中的USB4®和ThunderboltTM接口保护。

随着USB4和Thunderbolt接口的数据速率突破10 GHz，ESD保护器件需在确保提供出色射频性能的同时，有效防护敏感的IC免受ESD和浪涌脉冲的影响，尤其是在不合规USB Type-C接口中Vbus与TX/RX之间可能发生短路的情况下。理想的ESD保护器件的选择高度依赖于具体的印刷电路板(PCB)布局设计。虽然收发器IC与保护器件之间走线较短的电路板寄生电感小，有利于高频信号传输，但会削弱系统级ESD鲁棒性。而走线较长的布局虽因电感增加减少了钳位问题，却可能引发信号完整性问题。

Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：

通过全新保护二极管系列，我们为设计人员提供了灵活的选择，可根据其特定PCB布局选用合适的器件，实现最佳保护性能。此外，Nexperia还提供射频及SEED (ESD)仿真模型，以优化器件选型。

这些二极管可为USB4和Thunderbolt接口提供高达±18 kV的ESD防护，并具备出色的浪涌耐受性（平均Ipp可达9.6 A）。器件采用Nexperia广受业界认可的微型无引脚、超低电感DSN0603-2 (SOD962-2)封装，器件电容极低（低至0.1 pF），因此插入损耗极小（在12.8 GHz时低至-0.21 dB），且在高达40 GHz范围内无任何谐振现象。