芯查查-电子信息产业数据引擎

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技术 | 借助高度集成的实时控制 MCU 实现更平稳、更静音的电机性能

引言消费者希望电器能够静音运行，并具有更高的机械和电气耐用性。即使手持工具、洗衣机、风扇以及暖通空调(HVAC) 单元等终端设备也是如此。过去，改善声学性能、动态行为和系统寿命的方法是改进机械设计，采用新材料，或者采用热管理或高级控制策略。其中许多控制策略都需要跨多个器件进行实现：一个用于处理，另一个用于检测，额外的器件用于信号调节或保护。虽然这些实现在技术上有效，但可能会跨硬件和软件引入紧密耦合的依赖关系，增加延时和抖动，并且需要投入精力来进行集成和调整。因此，面临的挑战已从实现系统性能目标转向在不增加系统复杂性或成本的情况下实现这些目标。使用统一的处理环境推动电机控制发展在统一的处理环境中实现高级电机控制技术，例如无传感器磁场定向控制 (FOC) 或振动补偿，有助于显著减少协调工作量，减少时序变化并实现更可预测的行为。从软件角度来看，TI的 F28E120SC 等高度集成的实时控制微控制器 (MCU) 提供了统一的处理环境，设计人员可以使用该环境简化电机控制应用中检测、控制和驱动功能的实现。这些 MCU 支持实时电机控制算法（例如无传感器 FOC），当转子位置很难估算时，可帮助设计人员在低速下满足时序预算。更精确的电机控制使扭矩产生更平滑、振动更低和运行更静音，无需依赖外部传感器或专用的加速硬件。图 1 展示了典型电机控制设计中 F28E120SC MCU 的方框图。从硬件的角度来看，这些 MCU 采用集成公式元件，包括高速模数转换器 (ADC) 以及集成式可编程增益放大器和模拟比较器。这些集成式元件可帮助设计人员简化系统信号链，从而实现低噪声电流反馈，无需片外运算放大器或分立式模拟集成电路。由于这种统一的控制架构不依赖于跨分立式器件手动协调时序，因此设计人员可以减少延时、抖动和系统管理时间。此架构还通过同步脉宽调制 (PWM) 和 ADC 触发来改善系统响应，以使采样与开关事件精确保持一致。我们来看两个示例，它们演示了统一处理环境对于电机控制的好处。示例一：洗衣机中的电机控制在洗衣机中，电机控制算法需要适应实际条件，例如开环启动、旋转周期内的突然负载不平衡、清洗阶段不同的扭矩需求以及用于织物护理和甩干的精确速度和方向转换。传统架构通常依赖外部传感器、模拟前端和自定义调优逻辑来平稳且静音地管理这些转换。实时 MCU 将整个控制路径整合到一个器件中。无传感器 FOC 无需位置传感器即可实现平稳可靠的启动和加速。可以使用基于软件的振动补偿来减少桶不平衡和声学噪声，而不是仅依靠机械平衡。更紧凑的确定性控制架构使得洗衣机电机控制器可以更静音地运行、持续时间更长并且更易于制造。示例二：HVAC 系统中的电机控制 HVAC 系统必须在空气流量有限、布板空间紧凑且维护频率不高的密闭且散热受限的外壳中长时间运行电机。可靠、高效的系统包含电机控制功能，例如静音启动、稳定的气流控制和高整体效率。 HVAC 系统可以采用与电器中相同的高级控制技术，但还具有热稳定性和长占空比容差。无传感器控制策略无需霍尔效应传感器或编码器，简化了机械设计并提高了长期可靠性。 F28E120SC 等 MCU 具有误差校正码保护的闪存存储器和奇偶校验保护的静态随机存取存储器，可在长占空比期间提高系统性能。这些 MCU 的高带宽 FOC 运行和死区时间补偿有助于将总谐波失真降低多达 50%，从而实现更平稳的气流控制和更静音的运行。即使开关频率增加或热条件变化，PWM 逻辑和 ADC 采样在单个时钟域内紧密同步也可实现一致的控制行为。然后，设计人员可以对压缩机和风扇负载应用更严格的环路控制，调整开关转换，以便显著降低可闻噪声，并且无需那些会因发热或振动而承受应力的外部元件。结语对于需要在不同负载条件下控制行为需要保持可预测且高效的电机驱动应用，实时控制 MCU 将紧密的模数集成与以周期级精度进行的确定性高性能执行相结合，同时降低了设计成本。

TI

德州仪器 . 2025-10-15 800
企业 | 英特尔与AMD共庆x86生态系统顾问小组一周年，携手助x86计算迈向新阶段

今日，英特尔与AMD共同庆祝x86生态系统顾问小组（下简称EAG）成立一周年。这一联合倡议于2024年10月启动，意在拓展x86生态系统，塑造这一计算架构的未来。该小组汇聚了英特尔、AMD以及核心生态伙伴，着力于通过协作决策、功能标准化以及面向开发者的创新，推动x86平台的持续发展。 EAG聚焦于提升基于x86处理器产品的兼容性、可预测性和一致性，这类产品广泛应用于超级计算机及掌上游戏设备等。过去一年中，EAG在架构和技术发展重点上达成了高度共识，显著增强了整个生态系统的凝聚力与发展动力。 x86功能标准化过去一年，EAG在技术上达成了多项里程碑式进展： •FRED（Flexible Return and Event Delivery）：已确立为标准功能。FRED引入了现代化的中断模型，以降低延迟并提升系统软件的可靠性。 •AVX10：被确立为下一代统一且向后兼容的向量与通用指令集扩展。AVX10在提升吞吐量的同时，能够确保在客户端、工作站和服务器CPU之间的兼容性。 •ChkTag：x86内存标记：为应对长期存在的内存安全漏洞问题，如缓冲区溢出、释放后重用（use-after-free）错误等，EAG推出了统一的内存标记规范——ChkTag。该功能通过硬件指令检测违规行为，帮助增强应用、操作系统、虚拟机管理程序和固件的安全。在编译器和工具链的支持下，开发者可以实现更精确的控制，同时保持性能不受影响。值得注意的是，即使在缺乏硬件支持的处理器上，启用ChkTag的软件仍可兼容运行，从而简化部署，并与现有的影子栈、机密计算等安全功能形成互补。完整的ChkTag规范预计将在今年晚些时候发布，更多详情可访问ChkTag博客。 •ACE（Advanced Matrix Extensions for Matrix Multiplication）：已在整个技术栈中被采纳与实现。ACE对矩阵乘法能力进行标准化，使开发者可以在从笔记本到数据中心服务器的各类设备上都能获得一致的开发体验。未来发展方向在x86 EAG迈入第二年的阶段，诚挚感谢所有成员的踊跃参与和长期投入，这些努力也为小组的持续发展注入了动力。展望未来，EAG将重点关注几个方向：引入全新的战略独立软件开发商（ISV）伙伴；评估能够为客户带来显著优势的新指令集架构（ISA）扩展；以及进一步巩固 x86 架构的长期稳定性与可预测性。

英特尔

英特尔中国 . 2025-10-15 730
产品 | Littelfuse推出首款具有SPDT和长行程且兼容回流焊接的发光轻触开关

全新K5V系列开关融合LED背光、镀金可靠性与紧凑防尘设计，采用耐高温PAR材料，实现高效SMT组装。 Littelfuse宣布推出首款支持回流焊接、具有长行程和单刀双向（SPDT）功能的K5V4发光轻触开关，使K5V系列照明型轻触开关产品系列得到扩展。产品包括鸥翼（GH）和2.1mm引脚浸锡膏（PIP）版本，均兼容回流焊接。 K5V系列轻触开关新型K5V4开关采用高温PAR（聚芳酯）材料制造，热变形阈值为250℃，非常适合从波峰焊工艺过渡到回流焊接工艺的制造商。该开关无需硅胶套或特殊处理，首次实现直接SMT组装，从而降低生产成本，提高产量，提升最终产品质量，同时还保持耐用性和触感性能。 Littelfuse开关与传感器工程副总裁Jeremy Hebras表示：“该款新型K5V4开关专为满足当今紧凑型电子系统的需求而设计，在这些系统中，空间效率、可靠性和用户界面反馈至关重要。K5V开关产品系列旨在满足客户独特的设备架构需求，在这种架构中，主板和组件的位置与前面板成90°角。结合长行程、敏锐触感和背光功能，K5V是需要精确设备控制的理想选择，尤其是在防止意外驱动或缺乏即时用户反馈的情况下。” 主要功能与特色： · 通过PAR材料兼容回流焊接，无需套管； · SPDT触点配置，提供常开和常闭选项； · 敏锐的触觉响应，可听到咔嗒声，具有4N操作力； · 集成高亮度LED，有多种颜色和双色可供选择； · 紧凑型防尘设计，可在密集电路板内可靠运行；· 镀金圆顶触点，具有出色的长期触点性能； · 提供SMT(GH)和THT(PIP)版本，设计灵活。市场与应用： · 数据中心和服务器：系统控制和诊断界面按钮； · 网络基础设施：路由器和电信设备复位和反馈开关；· 工业设备：控制面板界面、安全复位点和信号输入； · 专业音频/视频系统：为混音器、配电板和低光界面提供触感响应。 Littelfuse推出的首款采用回流焊接SMT封装的长行程、SPDT、发光轻触开关，填补了市场上一项关键空白。相比之下，市场上其他同类产品通常需要波峰焊接，增加了装配工艺的复杂性和成本。K5V4系列将卓越的人体工程学、视觉反馈和可制造性结合在一个紧凑、坚固的解决方案中。这一扩充强化了Littelfuse对推动轻触开关技术发展的承诺，为OEM提供针对现代生产环境优化的高性能人机界面（HMI）组件。

Littelfuse

Littelfuse . 2025-10-15 895
政策 | 欧盟：将强制要求中国汽车和电池等投资转让技术

10月14日，路透社和彭博社报道：欧盟考虑对中国投资强制技术转让。文章报道：欧盟正在考虑出台新规定，要求中国企业与欧洲企业分享技术，以进入欧盟关键市场。彭博新闻社（Bloomberg News）援引不愿透露姓名的知情人士的话报道称，预计将于11月出台的拟议措施，将适用于寻求在汽车和电池等战略领域开展业务的公司。虽然这些规定在技术上适用于所有非欧盟公司，但它们的具体目的是防止中国的制造业实力压倒欧洲工业。这些规定还将要求外国公司使用最少量的欧盟商品和劳动力，在欧盟领土内增加产品的价值，并有可能与欧洲公司建立合资企业。欧盟贸易专员Maros Sefcovic表示，欧盟欢迎外国投资，但这些投资必须是“真正的投资”。这意味着他们要在欧盟创造新的就业机会，并涉及技术和知识产权的转让。 Maros Sefcovic说，许多欧盟部长都提出了这些问题，现在是欧盟委员会将其转化为具体原则和建议的时候了。

电动汽车

贸易规则与制裁 . 2025-10-15 1 1 3790
产品 | Microchip推出首款3纳米PCIe® Gen 6交换芯片，赋能现代AI基础设施

Switchtec™ Gen 6 PCIe®扇出型交换芯片提供高带宽、低延迟和高级安全功能，适用于高性能计算、云计算和超大规模数据中心随着人工智能（AI）工作负载和高性能计算（HPC）应用对数据传输速度与低延迟的需求持续激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec™ Gen 6 PCIe®交换芯片。作为业界首款采用3纳米制程工艺的PCIe Gen 6交换芯片，Switchtec Gen 6系列旨在实现更低功耗，并支持最多160通道，满足高密度AI系统的连接需求。该系列交换芯片的高级安全功能包括基于硬件的信任根、安全启动功能，并采用符合美国商用国家安全算法规范2.0（CNSA 2.0）的后量子安全加密技术。在以往几代的 PCIe 产品中，数据在 CPU、GPU、内存与存储设备之间传输时常出现带宽瓶颈，导致计算资源利用率不足及算力浪费。PCIe 6.0将单通道带宽提升至64 GT/s（每秒千兆传输），较前代翻倍，为顶尖AI加速器构建高效数据通道。Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片可实现CPU、GPU、SoC、AI加速器与存储设备间高速互联，助力数据中心架构师充分释放下一代AI与云基础设施的潜力。 Microchip负责数据中心解决方案业务的副总裁Brian McCarson表示：“AI时代的快速创新正推动数据中心架构从传统设计转向以共享资源池为核心的新型模式。通过将成熟的Switchtec产品线扩展至PCIe 6.0，我们的技术不仅支持关键计算资源间的直接通信，更打造出迄今性能最强、能效最高的交换芯片产品，助力这一转型。” 作为高性能互连方案，Switchtec Gen 6交换芯片可简化服务器机架内GPU的接口设计，显著降低信号损耗并维持AI网络所需的超低延迟。PCIe 6.0标准引入的流控制单元（FLIT）模式、轻量级前向纠错（FEC）系统及动态资源分配机制，使数据传输效率和可靠性显著提升，尤其适用于AI工作负载中普遍存在的小数据包传输。这些功能改进可优化整体吞吐量并降低有效延迟。 Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片采用 10 堆栈架构，配备 20 个端口，每个端口均支持热插拔（hot-plug）和意外插拔（surprise-plug）控制功能。产品兼容 NTB（非透明桥接）技术，可实现多个主机域的连接与隔离，并支持组播（multicast）功能，以在单一域内实现一对多数据分发。该系列交换芯片内置高级错误隔离机制、全面诊断与调试功能、丰富的 I/O 接口以及集成的 MIPS 处理器，并支持 x8/x16 分叉配置。输入输出参考时钟基于PCIe堆栈设计，每个堆栈含四个输入时钟。请访问Microchip官方网站，了解Microchip全系列PCIe交换芯片的更多信息。 https://www.microchip.com/en-us/products/interface-and-connectivity/pcie-switches 开发工具 Switchtec Gen 6 PCIe系列交换芯片由Microchip ChipLink诊断工具提供全面支持，通过直观的图形用户接口（GUI）实现调试、诊断、配置与分析。ChipLink支持通过带内PCIe或UART、TWI和EJTAG等带外信号进行连接，为设计与部署提供灵活高效的监控与故障排查。配套开发工具包括PM61160-KIT Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片评估工具包，该工具包配备多个接口。

微芯

Microchip微芯 . 2025-10-14 1420
方案 | 光随芯动！杰华特JWQ11903高集成氛围灯方案，赋能智能座舱交互体验升级

据行业研究报告显示，氛围灯在中低端车型的渗透率持续提升，成为车企打造差异化竞争力的关键配置。汽车氛围灯正从简单的内饰装饰，快速升级为集信息指示、音乐律动、情绪调节、安全提醒于一体的核心交互载体。传统多芯片方案存在集成度低、成本高、难达车规级可靠性的痛点，在此背景下，杰华特最新推出JWQ11903，赋能高度集成的汽车氛围灯解决方案。该方案凭借高度集成简化设计、高性价比优化成本、车规级认证保障稳定，同时支持灵活编程的优势，大大助力车企高效打造个性化座舱体验。氛围灯智能进阶之路硬核实力：高集成设计重塑竞争力 JWQ11903通过高度集成化设计，将传统方案中分散的硬件模块整合至单一芯片中，显著简化系统设计复杂度，同时降低BOM成本。其核心硬件配置包括：内置32位RSIC-V内核, 内置16kB的SRAM和256KB的Flash存储； 3通道RGB LED 驱动，单通道最大60mA输出；支持16位PWM调光, 和全工况下100uA分辨率的模拟调光；主从LIN收发器和控制器，具有LIN自动寻址功能；具有集成的10位ADC，用于监测电压以动态温度补偿；通过AEC-Q100认证，集成过压/过温/短路保护；内置灵活的电源管理系统，集成LDO；采用QFN4*4封装，提高硬件设计灵活性。内驱智行：从智能控制到场景化交互 JWQ11903不仅在硬件层面突破创新，更通过软件生态的完善，为车企提供从开发到量产的全链路支持：更智能的低功耗模式，支持软硬件唤醒；更安全的OTA升级，升级程序标准化，固件备份机制；更复杂的灯效，如渐变呼吸，音乐律动，分区控制，场景模式；更精细的温度补偿，芯片集成温度检测和LED 温度检测，实现全温域动态补偿；支持LIN节点地址自动分配，简化配置与调试；支持上位机调试工具，可结合第三方校准工具实现产品的快速开发和量产；更灵活的通用GPIO引脚，助力成为更简洁的车身域控制平台。 JWQ11903的推出，是杰华特深耕汽车照明领域的又一重要布局。其软硬件的协同设计，不仅解决了传统方案的痛点，更助力车企在控制成本的同时，快速推出差异化产品。杰华特将持续以技术创新推动汽车照明从功能满足向体验升级转变，为智能座舱注入更多交互体验价值。汽车级LED驱动芯片矩阵布局通过对车灯领域的深度洞察，杰华特逐步推出丰富的车规级LED线性驱动芯片产品矩阵，如单通道JWQ11711，3通道JWQ11730/31，12通道JWQ11712， 24通道JWQ11724，矩阵大灯解决方案 JWQ1184 + JWQ1182 + JWQ11816，单级升压恒流控制器JWQ11886，DMS恒流驱动器JWQ11880等，将逐渐覆盖车内小灯、动态贯穿式尾灯、汽车前照灯等场景，为车身照明市场提供高集成度、高性能与高可靠性的一站式系统解决方案。

杰华特

杰华特微电子股份有限公司 . 2025-10-14 1350
企业 |芯驰携手IAR赋能臻驱科技，推动国产车规级MCU在新能源汽车动力系统落地

作为新能源汽车动力总成中双电机控制器领域的领先企业，臻驱科技面临国产车规级MCU平台迁移的关键挑战。臻驱科技携手芯驰与IAR，通过国产高端车规级MCU与完整工具链的协同优势，共同推动新能源汽车双电机控制领域的国产化应用。臻驱科技专注于新能源汽车动力总成及相关控制器研发，产品覆盖电控总成、功率模块及动力域、底盘域控制器等，服务国内外整车厂。公司实现电控功率砖小型化与成本优化，具备功能安全和国产化替代方案，依托强大研发与测试体系保持行业领先。随着国产高端车规级MCU的崛起，臻驱科技经过全面评估之后选择了芯驰的E3，亟需一款适配芯驰E3车规级MCU的高性能工具链，以支持平台迁移。国内严苛的“上车时间窗口”对工具链的性能、适配性和本地化服务提出了极高要求。在基于芯驰E3车规级MCU的项目中，臻驱科技必须在新开发环境下完成底层MCAL驱动融合和平台代码移植，同时保障算力优化、满足功能安全。芯驰E3：国产高端车规级MCU新选择芯驰E3是基于Arm Cortex-R（R5和R52+）内核的高端车规级MCU，面向新能源汽车动力域控制器等关键应用场景。芯驰E3在算力、实时性、安全性等方面表现突出，支持ASIL-D级功能安全，已广泛应用于电驱动、底盘控制等领域。IAR与芯驰保持长期合作，率先完成对E3车规级MCU的深度适配，并在工具链优化、功能安全认证和本地化服务方面提供持续支持。双方已联合推动了多家车规级客户项目落地，为国产高端车规级MCU在新能源汽车等关键行业的规模化应用奠定了坚实基础。为何选择IAR开发工具链臻驱科技在2022年与芯驰合作新项目时，首次评估并最终选择了IAR工具链。其核心原因在于：多架构支持与生态深度适配：IAR支持Arm、RISC-V等主流架构，已与著名国际产品和包括芯驰在内的国产车规级MCU完成深度适配，并与国内外AUTOSAR厂商紧密合作，满足平台化软件架构需求。完整的集成开发环境，包含领先的编译器和强大的调试器，支持代码编辑、编译和调试，同时也支持命令行工具和 VS Code 扩展。提供经过认证的功能安全版本，满足ISO 26262功能安全标准，加速功能安全产品开发和认证。内置静态代码分析工具C-STAT和动态代码分析工具C-RUN，轻量化设计，无需复杂编译器设置，通过勾选配置实现代码规则检查，上手容易，适合开发人员日常使用，提升代码质量。专业本地化服务：拥有专属本地化团队，包括客户经理、售前FAE、售后技术工程师等，响应迅速精准、效率高。通过中文官网和微信公众号提供丰富技术内容，定期举办线上培训，促进客户技术成长与项目顺利推进。 IAR工具链在臻驱科技项目中的深度应用 IAR Embedded Workbench for Arm功能安全版作为芯驰E3的核心工具链，为项目提供了从代码编译到调试烧录的全流程支持，并集成了静态与动态代码分析工具，臻驱科技能够在开发早期发现并修复缺陷，大幅提升软件稳定性与可靠性。结合芯驰底层MCAL驱动，IAR提供贯穿项目全生命周期的本地技术支持，涵盖技术答疑、版本兼容指导和丰富培训资源，确保工具链与臻驱科技软件架构深度融合，保障项目高效交付与量产。三方的合作，实现了“工具 + 芯片 + 应用”的深度融合，加速了国产化平台的落地。此外，臻驱科技高度评价IAR在产品性能和本地化服务上的卓越表现。臻驱科技表示，IAR工具链在功能安全合规性方面领先业界，本地化服务团队以专业高效、响应迅速著称，软硬件（产品与团队）双重优势的结合，快速解决了开发过程中的各类问题。客户收益显著提升开发效率，支持平台化软件架构，减少重复开发工作持续优化代码质量，提前发现并修复缺陷，提高软件的稳定性和可靠性缩短产品上市周期，降低整体开发成本，确保项目按时量产交付合作伙伴寄语与芯驰和IAR的合作，是我们技术升级和应对激烈市场竞争的关键选择。IAR不仅提供了高效稳定的工具链，更凭借其深厚的生态适配能力，帮助我们实现了国产化平台的无缝迁移和快速开发。同时，本地化服务团队的专业支持和快速响应，大大提升了我们的开发效率和问题解决速度。展望未来，双方将从单一工具采购迈向技术共建、生态共生与合规共担，通过智能化工具链与灵活商业模式携手应对行业挑战。 ——余浩，臻驱科技软件首席工程师通过与IAR的长期合作，我们为客户在E3平台上的开发提供了可靠的工具链和专业本地化服务。与臻驱科技的成功实践，充分展示了国产高端车规级MCU在高性能汽车应用中的可靠性与价值。芯驰与 IAR 将继续在技术生态、工具链优化与功能安全合规等方向展开更紧密的合作，共同打造协同、可持续的汽车电子生态。 ——张曦桐，芯驰科技MCU产品线总经理 IAR持续积极推动在汽车动力域的相关解决方案，我们观察到目前不论主机厂或Tier1都有工具平台化的需求，希望能通过一套完整的工具解决方案来一次性满足项目管理、代码编辑、编译、调试和功能安全认证的全流程覆盖的解决方案。目前臻驱科技已经通过IAR Embedded Workbench for Arm功能安全版来达到此目标，也是IAR在汽车动力域的经典客户案例。未来 IAR 将继续深化在汽车动力域的投入，助力更多企业应对汽车电子复杂性与安全性的双重挑战，携手行业伙伴共建可靠的开发生态。 ——Kiyo Uemura，IAR亚太区副总裁

芯驰科技

芯驰科技SemiDrive . 2025-10-14 2285
企业 | 纳微半导体与兆易创新数字能源联合实验室揭牌，加速高效电源管理方案落地

2025年10月11日，纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）与兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁（左）纳微系统应用工程副总裁黄秀成（右）共同为联合实验室揭幕该实验室将纳微半导体在高频、高速、高集成度氮化镓以及拥有沟槽辅助平面技术的GeneSiC碳化硅领域的产品优势与兆易创新在GD32 MCU领域的深厚积累相结合，面向AI数据中心、光伏逆变、储能等新兴市场，提供智能、高效的数字能源解决方案。成果展示自筹备以来，数字能源联合实验室已取得一系列丰硕成果，先后推出4.5kW、12kW服务器电源，以及500W单级微型逆变器等解决方案。这些方案以先进拓扑，满足行业“高效率、高功率密度”等需求演进方向。方案的落地不仅展现了纳微半导体与兆易创新在数字能源领域的创新实力，也凸显了双方技术融合所带来的独特优势与市场竞争力。 500W单级光伏微逆方案基于纳微双向GaNFast™氮化镓功率芯片与兆易创新GD32G553 MCU ，采用单级一拖一架构，具备高效率、低损耗、高集成度和成本优化等优势。结合优化的混合调制策略与软开关技术，峰值效率超过97.5%，CEC效率超过97%，MPPT效率超过99.9%。单级架构直接实现直流到交流的转换，省去一级直流-直流变换环节，提升功率密度，并减少器件数量和损耗。通过磁集成设计与纳微双向氮化镓开关，可进一步缩小尺寸，降低BOM成本。 4.5kW和12kW AI服务器电源方案基于纳微GaNSafe™氮化镓功率芯片与第三代快速碳化硅MOSFETs产品，结合兆易创新GD32G553 MCU打造的4.5kW和12kW AI服务器电源方案，专为AI和传统服务器以及超大规模数据中心设计。其中的12kW方案不仅符合开放计算项目（OCP）、开放机架v3（ORv3）及CRPS规范，更以极简元器件布局，超越80 PLUS红宝石“Ruby”标准，实现97.8%峰值效率。揭牌仪式上，兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁与纳微半导体系统应用工程副总裁黄秀成共同为实验室揭牌，并就未来合作方向及实验室运营模式进行了深入探讨。双方一致表示，将以联合实验室为平台，深化技术协同，加速创新成果转化。此次联合实验室的成立，不仅是对纳微半导体与兆易创新前期合作成果的肯定，更预示着双方在数字能源领域的广阔合作前景。未来，实验室将继续以技术创新为核心，加速高效电源管理方案在更多应用场景的落地，驱动数字能源产业的高质量发展。

纳微

纳微芯球 . 2025-10-14 1655
应用 | 基于AIK-RA8D1的人脸识别的应用演示

随着科技的进步，人脸识别技术已逐渐成为一种主流的安全验证手段。它不依赖传统的密码，而是通过面部特征识别来验证身份，从而提升了安全性并带来了更大的便利性。本文将介绍如何通过瑞萨RA8D1微控制器与Aizip人脸识别技术结合，实现高效且低功耗的人脸识别应用。人脸识别的优势传统的密码验证方式存在很多缺点。首先，密码容易泄露或被共享，可能导致未经授权的人访问设备或系统，甚至可能引发安全事故。相比之下，人脸识别技术通过识别每个人独特的面部特征，提供了更加安全的身份认证方式。更重要的是，现代的人脸识别结束不再依赖云端计算，能够在本地设备上完成人脸识别，大大提高了效率并增强了安全性。基于AIK-RA8D1的人脸识别技术优势瑞萨与Aizip的技术结合，利用瑞萨RA8D1微控制器，提供了本地离线的人脸识别应用。该技术在不依赖云端的情况下，实现了高效、低功耗的人脸识别。不仅适用于个人身份认证，还可以广泛应用于门禁系统、设备保护等场景。技术优势：最小占用空间：仅需1.8MB闪存和850KB内存，同时支持多达100名注册用户。增强隐私保护：100%本地处理消除对云连接的需求，保护用户数据。硬件简便性：仅需标准摄像头和微控制器（MCU），无需专用深度传感器。实际部署：在各种光线条件下，即使佩戴面部配件（如眼镜等），仍能保持准确性。瑞萨RA8D1实现人脸识别的应用演示下面演示使用瑞萨RA8D1开发板加载Aizip人脸识别技术实现人脸识别检测应用：初始设置首先，在瑞萨RA8D1微控制器上加载Aizip的人脸识别程序。开发板上有三个按钮，左侧是代表重置键的红色按钮，右侧是两个蓝色按钮，分别为按钮S2和按钮S3。在按钮S2的上方有LED1指示灯。如图1所示。图1 瑞萨RA8D1开发板套件按钮与指示灯说明进入检测模式系统通电后，会自动进入检测模式。此时，系统会扫描视野范围内的面部。如果是第一次使用，系统会识别到面部，但不会将其识别为注册用户，指示灯会显示红色。如图2所示，系统识别到未注册用户，此时屏幕左侧“UserID”显示“/”，屏幕右侧“Face id”显示“fail”，指示灯显示红色。图2 系统识别到未注册用户录入系统为了让系统能够识别特定的面部，需要进入录入模式。按下S3按钮，系统会存储当前的面部信息，此时屏幕的左侧显示“register User 0”，代表注册的第1个用户。如图3所示。图3 将人脸录入系统退出录入模式人脸录入完成后再次按下S3按钮，系统会返回到检测模式。此时，如果系统再次检测到该用户的面部，系统会识别为已注册用户，指示灯会显示绿色。如图4所示，屏幕左侧“UserID”显示“0”，屏幕右侧“Face id”显示“pass”，指示灯亮绿灯。图4 系统识别已注册用户即使摘下眼镜，系统仍然能够准确识别该面部，如图5所示。图5 已注册用户摘下眼镜也能准确识别如果其他人的面部进入镜头，系统会检测到他们的面部，但由于他们不是注册用户，指示灯会再次显示红色。如图6所示。图6 检测到未注册用户，指示灯变红人脸数统计功能 Aizip的人脸识别技术非常灵活，能够根据需求进行调整。如果不需要单独识别每个用户，仅需要统计摄像头范围内的面部数量，瑞萨的技术也能够实现这一功能。如图7所示。无论是面部数量统计，还是对授权用户的识别，都可以在本地完成。图7 统计摄像头范围内的面部数量结语随着人脸识别技术的普及，越来越多的行业开始采用这一技术。未来，基于瑞萨RA8D1微控制器的人脸识别应用将进入更多领域，提供更加安全、高效、便捷的用户体验。 AIK-RA8D1 https://www.renesas.com/en/design-resources/boards-kits/aik-ra8d1

瑞萨

瑞萨嵌入式小百科 . 2025-10-14 895
市场 | 2026年CSP资本支出预计将高达5,200亿美元，GPU采购与ASIC研发成创新高核心驱动力

根据TrendForce集邦咨询最新调查，随着AI Server需求快速扩张，全球大型云端服务业者（CSP）正扩大采购NVIDIA（英伟达）GPU整柜式解决方案、扩建数据中心等基础建设，并加速自研AI ASIC，预估将带动2025年Google（谷歌）、AWS（亚马逊云科技）、Meta、Microsoft（微软）、Oracle（甲骨文）和Tencent（腾讯）、Alibaba（阿里巴巴）、Baidu（百度）等八大CSP的合计资本支出突破4,200亿美元，约为2023年与2024年资本支出相加的水平，年增幅更高达61%。 TrendForce集邦咨询表示，2026年在GB/VR等AI机柜方案持续放量下，八大CSP的总资本支出有望再创新高，年增达24%，来到5,200亿美元以上。除此之外，支出结构已从能直接创造收益的设备，转向Server、GPU等资产，意味着巩固中长期竞争力与市占率优先于改善短期获利。 2025年GB200/GB300 Rack为CSP重点布局的整柜式AI方案，需求量成长将优于预期。客户除主要来自北美前四大CSP和Oracle外，Tesla/xAI、Coreweave和Nebius等的需求亦有提升，以执行云端AI租赁服务或生成式AI。2026年CSP将扩大布局GB300 Rack整柜式方案，并于下半年起逐步转至NVIDIA Rubin VR200 Rack新方案。 CSP自研芯片出货量有望逐年攀升北美四大CSP持续深化AI ASIC布局，以强化在生成式AI与大型语言模型运算上的自主性与成本掌控能力。Google与Broadcom（博通）合作TPU v7p（Ironwood），锁定训练应用，预计于2026年逐步放量，将接替TPU v6e （Trillium）的核心AI加速平台。TrendForce集邦咨询预估Google TPU出货量将持续领先，2026年更有望实现逾40%的年增长。 AWS主力部署Trainium v2，将于2025年底推出液冷版本机柜，而由Alchip、Marvell（美满电子）参与设计的Trainium v3，首款规格预计于2026年第一季量产。TrendForce集邦咨询估计2025年AWS自研ASIC出货量将大幅成长一倍以上，年度增速为四大业者之最，2026年的年增幅度可望逼近20%。 Meta则加强与Broadcom合作，预计于2025年第四季量产MTIA v2，提升推理效能与降低延迟。TrendForce集邦咨询预估2025年MTIA出货主要部署于Meta内部AI平台与推荐系统，待2026年采用HBM的MTIA v3推出，整体出货规模将呈双倍以上成长。 Microsoft则规划由GUC协助量产Maia v2，预计于2026年上半启动。此外，Maia v3因设计调整延后量产时程，预计短期内Microsoft自研芯片出货量相当有限，进度较落后竞争对手。

CSP

TrendForce集邦 . 2025-10-14 860
技术 | 车载OBC应用笔记-功率MOS管

第一部分：系统分析 1、系统框架：随着电动汽车的发展，功率MOS管在汽车电子的应用也日益增多，本文就车载OBC中全桥变换器功率MOS应用及注意事项做简单记要。定义： OBC是车载充电机的简称（On Board Charger），主要功能：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给电动电池进行充电。电动汽车的OBC主要由功率电路（PFC+移相全桥/LLC）和控制电路组成，可分为单向OBC和双向OBC，单向OBC只能给动力电池充电，双向OBC可以把动力电池的直流电逆变成为家用220V交流电。 OBC基本框架：全桥 LLC 谐振变换器以能在宽输入全负载范围内实现原边开关管的零电压开通和副边整流二极管的零电流关断，降低了开关损耗，而且变压器的漏感可作为谐振电感，减小了变换器的体积等优点，成为当前谐振变换器主流。在全桥LLC变换器中需要一个带有反向快速恢复体二极管的MOSFET，才能获得更高的可靠性。 2、工作原理全桥变换电路基本架构：上图中，Q1-Q4为主功率开关管，D1-D4，C1-C4 为开关管的体二极管与寄生电容，T 为主功率变压器，谐振电感 Lr（也可是变压器的漏感），谐振电容 Cr 和励磁电感 Lm 组成 LLC 谐振变换器的谐振网络。基本工作原理和工作时序：阶段 1 （t0 - t1 ）：在 t=t0 时刻之前，Q1，Q3 的寄生反并联二极管D1，D3 已经导通，因此，在 t=t0 时刻，Q1，Q3 实现零电压开通。变压器原边承受正向电压，整流二极管DR1 导通，为负载提供能量，DR2截止。此时励磁电感的电压被钳位在 nV0 ，不参与谐振过程，励磁电流im 线性上升。阶段 2（t1 - t2 ）：在 t=t1 时刻，谐振电流 ir 与励磁电流 im 相等，整流二极管 DR1 零电流关断，输出侧与谐振回路完全脱离，DR1和 DR2 的电流为零，励磁电感 Lm 不在被钳位，参与谐振过程，谐振电流 ir 继续对谐振电容 Cr 充电。阶段 3（t2 - t3 ）：在 t=t2 时刻，开关管 Q1、Q3 关断，谐振电流ir 对 Q1、Q3 的结电容充电，Q2、Q4 的结电容放电，在 t3 时刻，Q2，Q4 两端电压下降到零，为 Q2，Q4 零电压开通准备了条件。阶段 4（t3 -t4 ）：开关管 Q1、Q3 仍是关断状态，ir 和 im 都在下降，变压器原边承受反向电压，整流二极管 DR2 导通。励磁电感的电压重新被输出钳位，所以，退出谐振过程，参与谐振的只有谐振电感 Lr 和谐振电容 Cr 。阶段 5（t4 - t5 ）：在 t=t4 时刻，开关管 Q2，Q4 开通，输入电压通过 Lr ，Cr 谐振向负载传输能量。在 t=t5 时刻，谐振电流 ir 与达到励磁电流 im 相等，输出侧与谐振回路脱离，整流二极管DR2 实现零电流关断，Lm 仍被钳位，不参加谐振，励磁电流 i m线性下降。阶段 6（t5 - t6 ）：在 t=t5 时刻，整流二极管 DR2 零电流关断，输出侧与谐振回路脱离，励磁电感的电压不在被钳位，参与谐振过程。阶段 7（t6 - t7 ）：在 t=t6 时刻，开关管 Q2、Q4 关断，Q1、Q3 结电容放电。在 t=t7 时刻，寄生二极管 D1、D3 导通，Q1、Q3 两端的电压下降到零，为开关管 Q1、Q3 的零电压开通准备了条件。阶段 8（t7 - t8 ）：开关管 Q2、Q4 仍然关断，整流二极管 DR1导通。励磁电感的电压被输出钳位，所以，不参与谐振过程，发生谐振的只有谐振电感 Lr 和谐振电容 Cr 。工作波形如下：第二部分：失效模式分析 1、启动失效模式在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低边开关的体二极管深度导通。因此流经体二极管的反向恢复电流非常高，致使当高边开关导通时引起直通问题。启动状态下潜在失效模式简化图在t4~t5时段，MOSFET流过非常大的直通电流，该电流由MOSFET体二极管的反向恢复电流引起。这会产生很大的反向恢复dv/dt，加剧栅极振荡，严重时会击穿mos。当采用的MOSFET体二极管的反向恢复特性较差时，这种失效机理将会更加严重。启动状态时功率MOSFET的测量波形 2、过载失效模式过载时功率MOSFET的测量波形变换器正常工作在ZVS区域，但过载时，工作点移动到ZCS区域，并且串联谐振变换器特性成为主导。过载情况下，开关电流增加，ZVS消失，Lm被反射负载RLOAD完全短路。这种情况通常会导致变换器工作在ZCS区域。ZCS（谐振点以下）严重的缺点是：开通时为硬开关，从而导致二极管反向恢复应力。此外，还会增加开通损耗，产生噪声或EMI。二极管关断伴随非常大的dv/dt，因此在很大的di/dt条件下，会产生很高的反向恢复电流尖峰。该大电流会使MOSFET损耗大大增加、发热严重。MOSFET结温的升高会降低其 dv/dt的能力。在极端情况下，损坏MOSFET，使整个系统失效。 3、短路失效模式短路时，MOSFET导通电流非常高（理论上无限高），频率也会降低。当发生短路时，谐振回路中Lm被旁路。LLC谐振变换器可以简化为由Cr和 Lr组成的谐振电路，因为Cr只与Lr发生谐振。短路时次级二极管在CCM模式下连续导通。短路状态下工作模式几乎与过载状态下一样，但是短路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复电流更大。短路时功率MOSFET的测量波形第三部分：器件失效原理分析 1、体二极管反向恢复dv/dt 二极管由通态到反向阻断状态的开关过程称为反向恢复。下图给出了MOSFET体二极管反向恢复的波形。首先体二极管正向导通，持续一段时间。这个时段中，二极管P-N结积累电荷。当反向电压加到二极管两端时，释放储存的电荷，回到阻断状态。在此过程中，反向电流迅速上升并达到峰值，随后逐渐衰减至零。由于载流子复合需要一定时间，体二极管在反向恢复期间呈现短暂的导通状态，导致瞬态大电流与高电压同时存在于器件中，产生显著的功率应力。这一阶段的dv/dt过高会引发较大的位移电流，可能造成栅极电压抬升，诱发MOSFET误导通，进而加剧损耗，甚至导致器件热失效。体二级管反向恢复时电流和电压波形体二级管反向恢复时电流和电压波形 2、击穿 dv/dt 另一种失效模式是击穿dv/dt。它是击穿和静态 dv/dt 的组合。功率器件同时承受雪崩电流和位移电流。如果开关过程非常快，在体二极管反向恢复过程中，漏源极电压可能超过最大额定值。过高的电压峰值使 MOSFET 进入雪崩击穿模式。dv/dt 越大，建立起的位移电流就越大。位移电流叠加到雪崩电流后，器件受到伤害，导致失效。基本上，导致失效的根本原因是大电流、高温度引起的寄生BJT导通，但主要原因是体二极管反向恢复或击穿。实践中，这两种失效模式随机发生，有时同时发生。第四部分：案例分析案例1：客户3.3KW充电机应用问题点：关断栅极震荡严重使用NCE65TF099做LLC电路，输入直流320V到460V，输出交流220V，负载15A。主电路图：问题描述：在测试过程中，发现MOS存在关断震荡的情况，测试波形如下：测试发现黄色波形的震荡产生在MOS管DS向上爬升阶段，说明体二极管漏源电压突然上升，CGD位移电流给QGS充电，栅压过冲上升。改进方法：在MOS管G、D极增加磁珠加大DS的吸收（222+2.2Ω）加大MOS的驱动电阻（22Ω），减小MOS的关断电阻4.7Ω 在GS端并联电容，最大加大到332,均可有效抑制正端及驱动负电压。更改后测试波形：结论：通过对全桥LLC电路的调整，加大驱动电阻、减小关断电阻、同时在G、D增加磁珠能有效防止驱动震荡。案例2：客户10KW充电机应用问题点：上电启动失效使用NCE65NF036T做LLC电路，输入直流320V到460V，输出交流220V，负载45A。驱动局部电路图：问题描述：器件体二极管反向恢复期间，上下管出现直通。启动瞬间器件失效，测量波形如下；改进方法：开通电阻有原先10ohm调整为 43ohm，关断用三极管直接下拉。更改后测量波形：启动工作正常，未发生直通损坏。结论：通过调整，加大驱动电阻、减小关断电阻，降低其开通速度减小di/dt，从而减小体二极管的反向恢复dv/dt，避免栅极驱动电压抬升过高，导致直通。

新洁能

无锡新洁能股份有限公司 . 2025-10-14 2175
方案 | 英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案，赋能新一代AI Factories

800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放。如同电动汽车行业从400V向800V的升级，机架电压从48V提升至800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗以及铜材的需求。英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。基于48V电压的传统人工智能系统正面临严峻的挑战——效率低下、铜耗过高，超过45%的总功耗耗费在散热上。未来的人工智能集群（如搭载超过500块GPU的机架）若沿用旧式PSU电源设计，将无空间容纳计算单元。800 VDC架构正是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案。除了向800V机架电源过渡外，该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。只有氮化镓功率器件（GaN）能够同时满足这些严苛要求。为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，以缩小磁性元件和电容器的尺寸。现有机架式电源的典型开关频率最高约300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势：在800V输入侧，英诺赛科氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%。在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%。与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800 VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，其动态响应得到提升，同时降低了电路板上的电容成本。作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商，从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。英诺赛科氮化镓在可靠性方面同样处于领先地位。其第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温（175°C）验证及大样本失效验证。自主开发的在线动态电阻监测与长期板级应力测试确保其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年。作为全球领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性。通过整合800 VDC电源架构与英诺赛科氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃，开启更高效、更高性能、更可靠且更环保的人工智能加速计算新时代。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-10-14 1195
方案 | 800VDC，AI能效之钥：AOS创新功率组合方案

AOS公司以创新方案赋能新一代AI数据中心800V直流（800VDC）电源架构——碳化硅、氮化镓、功率MOSFET及电源IC解决方案构建高效能源基石。日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)宣布其全线功率半导体解决方案助力NVIDIA最新发布的800伏直流架构。NVIDIA这一创新架构旨在为下一代人工智能数据中心提供动力支撑，其采用兆瓦级机柜设计，以应对人工智能工作负载的指数级增长。从传统的54V供电转向800V直流系统，是数据中心设计领域的一次根本性变革。这一突破性架构旨在突破现有基础设施的物理限制，通过简化电能转换环节、实现更高效电力传输，可显著提升系统能效、减少铜材消耗并增强运行可靠性。要实现这种范式转变，需要采用先进的碳化硅和氮化镓等功率半导体技术，以最高效率应对更高电压与频率的运作要求。作为高性能数据中心市场的核心供应商，我们的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产品组合，与采用800V直流架构的新一代AI工厂的核心技术需求高度契合。目前我们正与NVIDIA展开深度合作，致力于为800V直流系统研发功率半导体解决方案——从初始的交流转直流环节，到机柜内的最终直流转换阶段，为新型配电模块提供所需的高效能效与功率密度。 ——Ralph Monteiro电源IC及分立器件产品线资深副总裁 AOS公司在宽禁带半导体研发制造领域的技术积淀，正为这场变革注入强劲动力。公司产品与新一代AI工厂800V直流架构中的关键功率转换环节高度契合：高压转换场景应用：AOS公司的碳化硅器件（包括第三代AOM020V120X3与顶部散热型AOGT020V120X2Q产品）具备卓越的耐压表现与低损耗特性，可完美适配两种创新架构——既适用于边柜供电方案（Sidecar方案），也能用在单极转换方案（即SST方案），将13.8kV交流电网电力一步到位转换为800V直流的颠覆性设计。这种直接转换方式显著优化了供电链路结构，全面提升系统能效。高密度直流转换方案：在机柜内部，AOS公司的650V氮化镓场效应晶体管（如即将推出的AOGT035V65GA1）与100V氮化镓器件（如AOFG018V10GA1），为800V直流电至GPU所需低压的高密度转换提供关键技术支撑。这些器件的高频开关特性使得转换器体积更小、重量更轻，从而释放宝贵空间以部署更多计算单元，同时显著提升散热效率。创新封装技术：AOS公司的80V、100V堆叠式MOSFET（如AOPL68801）与100V氮化镓器件采用共用封装设计，使设计人员能在LLC拓扑次级侧及54V-12V总线变换器中灵活权衡成本与能效。其创新的堆叠封装技术更为LLC次级侧插座带来了突破性的功率密度提升。多相控制器解决方案：针对54V至12V的转换阶段及后续AI SoC的降压需求，AOS还提供支持多路输出的16相控制器。该高性能解决方案通过精准的相位控制实现能效优化，为人工智能计算核心提供稳定可靠的电力供应。通过提供这些核心功率技术，AOS公司正全力推动800V直流架构的优势落地——包括实现高达5%的端到端能效提升，减少45%的铜材用量，并显著降低维护与冷却成本。这一技术布局充分彰显了AOS公司致力于构建更可持续、更具弹性扩展能力的人工智能基础设施的坚定承诺。图｜OCP全球峰会现场在10月13日举办的OCP全球峰会上，NVIDIA不仅首度展示未来万亿瓦级AI智造工厂的宏伟愿景，也正式揭晓了其新一代AI工厂配电系统的核心生态合作伙伴。作为名单中芯片方案供应商之一，AOS公司将为新型配电模块提供卓越的能效与功率密度，以此为核心基础，助力构筑面向未来的AI智算基础设施。

AOS

AOSemi . 2025-10-14 1910
市场 | 中国半导体行业协会就荷兰干预安世半导体运营发表最新设声明

近日，我会会员企业闻泰科技在荷兰的分支机构安世半导体（Nexperia）受到当地政府的干预，引发产业界高度关注。中国半导体行业协会对此表示严重关切，并郑重表明以下立场： 1.我们坚定支持会员单位捍卫自身的合法权益，维护公平、公正、非歧视的营商环境和全球产业链的稳定。 2.我们反对滥用“国家安全”概念、对中国企业海外分支机构实施选择性和歧视性限制的做法。 3.针对特定企业的歧视性措施，将破坏开放、包容、协同的全球半导体生态，我们对此坚决反对。中国半导体行业协会将持续关注事态发展，积极倾听会员呼声，并通过一切合法渠道向国际社会表达中国产业界的共同关切。

荷兰

中国半导体行业协会 . 2025-10-14 860
产品 | NVIDIA Spectrum-X 以太网交换机助力 Meta 和 Oracle 加速网络性能

Meta 推出基于 NVIDIA Spectrum 以太网的交换机，用于 Facebook 开放交换系统平台。 Oracle 采用 Spectrum-X 以太网交换机构建十亿瓦级（Giga-Scale）AI 超级计算机。美国加利福尼亚州圣何塞——OCP——太平洋时间 2025 年 10月 13 日——NVIDIA 今天宣布 Meta 和 Oracle 将升级为基于 NVIDIA Spectrum-X™ 以太网交换机的 AI 数据中心网络。 Meta 和 Oracle 正将 Spectrum-X 以太网交换机标准化为一种开放的加速网络架构，加快大规模部署，显著提升 AI 训练效率，并缩短获取洞察的时间。 NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示：“万亿参数模型正在将数据中心转变为十亿瓦级（Giga-Scale）AI 工厂，Meta 和 Oracle 等行业领导者正在将 Spectrum-X 以太网定义为推动这场产业变革的标准。Spectrum-X 不仅是更快的以太网，更是 AI 工厂的神经系统，帮助超大规模企业将数百万个 GPU 连接到一起构建成一台巨型计算机，从而训练有史以来规模最大的模型。” Oracle 将构建由 NVIDIA Vera Rubin 架构提供加速并通过 Spectrum-X 以太网进行互连的十亿瓦级（Giga-Scale）AI 工厂。 Oracle 云基础设施执行副总裁 Mahesh Thiagarajan 指出：“Oracle 云基础设施专为 AI 工作负载而设计，我们与 NVIDIA 的合作进一步巩固了我们在 AI 领域的领先地位。通过采用 Spectrum-X 以太网网络，我们能够以突破性的效率实现数百万个 GPU 的互连，帮助客户更快速地训练和部署新一代生成式和推理 AI，并从中受益。” Meta 将 Spectrum 以太网交换机集成到 Facebook 开放交换系统（Facebook Open Switching System “FBOSS”）的网络基础设施中，这是一款专为管理和控制大规模网络交换机而开发的软件平台。二者的集成将加快大规模部署，提升 AI 训练效率，并缩短获取洞察的时间。 Meta 网络工程副总裁 Gaya Nagarajan 表示：“Meta 的新一代 AI 基础设施需要业界前所未有的大规模、开放且高效的网络，通过将 NVIDIA Spectrum 以太网集成到 Minipack3N 交换机和 FBOSS 中，我们既可以扩展我们的开放网络平台，又可以提升训练更大规模的模型的效率和可预测性，为数十亿用户提供生成式 AI 服务。” NVIDIA Spectrum-X 以太网网络平台 NVIDIA Spectrum-X 以太网网络平台专为万亿参数模型时代打造，由 Spectrum-X 以太网交换机和 Spectrum-X 以太网 SuperNIC 组成业界首个专为 AI 打造的以太网网络平台，帮助超大规模企业以前所未有的效率和规模互连数百万个 GPU。万亿参数模型和生成式 AI 正在重新定义数据中心的规模。Spectrum-X 以太网网络持续拓展 AI 部署规模，保障了构建全球先进的 AI 基础设施所需的性能与可扩展性。 Spectrum-X 以太网网络展现出创纪录的效率，以其先进的拥塞控制技术，助力全球最大的 AI 超级计算机实现了 95% 的数据吞吐量。相比之下，通用以太网在规模部署中，会发生不计其数的流量冲突，导致吞吐量降低至大约 60% 的水平。这一效率的飞跃标志着面向 AI 的大规模网络在经济效益和性能方面实现了突破性进展。 NVIDIA Spectrum-XGS 以太网技术是 Spectrum-X 以太网网络平台的一部分，可实现跨区域扩展，可将跨城市、国家乃至跨大陆的数据中心连接成超大规模的十亿瓦级（Giga-Scale）AI 超级工厂。 Spectrum-X 为 NVIDIA 的全栈平台（包括 GPU、CPU、NVIDIA NVLink™ 及软件）而构建，可提供从计算到网络的无缝性能衔接。其先进的拥塞控制、动态路由以及 AI 驱动的遥测功能，可确保大规模 AI 训练和推理集群的效率和可预测性。

NVIDIA

NVIDIA . 2025-10-14 9 2725
产品 | 车规认证 + 集成工艺双buff！思瑞浦高边开关TPW20400QQ守护ADAS稳定

聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出全新一代低功耗车载摄像头四通道高边开关TPW20400QQ，广泛应用在汽车座舱、ADAS等领域。 TPW20400QQ是一款四通道高边电源开关，专为汽车环境中的摄像头、雷达等应用而设计。该芯片支持AEC-Q100车规认证，具备过流保护、短路保护、开路检测、热关断和可配置的输出限流等关键功能。它通过I2C接口进行配置和状态读取，具有出色的诊断能力，并支持高达4个独立通道的智能控制，每路可独立开关和设定限流值，能高效匹配 ADAS 系统、智能座舱中多路摄像头的差异化供电管理需求，为车载电子系统的稳定运行提供有力支撑。 TPW20400QQ产品优势低待机功耗 TPW20400QQ在全温-40°C至125°C、四个通道都使能、无负载的待机工况下，IIN和IVDD均能保持低待机功耗，满足汽车电子应用领域低功耗需求。宽输入电压范围 Vin满足3V~12V宽输入电压范围，且EN最高支持15V。高集成度与高精度保护，简化设计并提升可靠性 TPW20400QQ将多达四个通道的保护开关及相关的控制和诊断逻辑集成于一颗4mm x 4mm的微小芯片中，仅需少量外部电容和一颗用于设定限流值的电阻（RISET）即可构建完整的四通道电源保护系统。这种高集成度设计极大地简化了电路，缩短了开发周期。更重要的是，其内部集成的电流限制功能精度高达±8%，远优于分立方案，能够为后级摄像头提供更精准、更可靠的过流保护。全面的诊断功能与I2C接口，支持功能安全ASIL-B 在对安全性要求极高的汽车应用中，仅实现保护功能是远远不够的，系统还需要能够及时了解电源链路的健康状况。TPW20400QQ通过I2C接口，主控MCU可以实时读取每个通道的输出电压、负载电流以及芯片供电电压等关键信息。当发生故障时（如对地短路、对电池短路、过流、过压等），TPW20400QQ不仅会执行保护动作，还会在内部寄存器中记录详细的故障状态。MCU可以随时查询这些状态，从而快速定位问题所在，并做出相应的系统级决策。这种全面的诊断能力，使得TPW20400QQ能够很好地支持ASIL-B等级的功能安全应用需求，确保了整个ADAS系统在各种工况下的安全可靠。灵活的通道并行功能，轻松应对大电流需求 TPW20400QQ支持多通道并联，能够为更高电流需求的负载提供解决方案。这一特性为系统设计提供了极大的灵活性，使得工程师可以使用同一款芯片来应对不同功率等级的负载需求，减少了物料种类，简化了库存管理。灵活实用的寄存器扩展功能 CLCFG——Latch Mode or Auto-Retry Mode Select； CLSET——限流点比例调节:100%/75%/50%/25%； STAT3独立的Over Temperature Warning,阈值150℃。 TPW20400QQ产品特性 •输入电压范围 -电源电压（VDD）：3V至5.5V -输入电压（VIN）：3V至15V •低导通电阻：400（mΩ） •最多4个输出通道：可并联多个通道以支持更高电流 •可调电流限制 -每个通道的电流限制范围：18mA至672mA -电流限制精度：8% -使用Iset引脚和专用寄存器进行配置 •超低低待机电流：小于0.4uA（typ） •通过8位1MHz I2C接口读取电流和电压 •功能安全符合ASIL-B标准 •故障诊断 -对电池短路和对地短路诊断 -输入过压/欠压诊断 -差分输出过压/欠压诊断 •保护功能 -输出对电池短路保护 -过流和对地短路保护 -过温保护 •AEC-Q100：1级，环境温度（TA）：−40°C 至 +125°C •封装选项：QFN4X4-20 TPW20400QQ典型应用 TPW20400QQ支持3V至15V的相机电源输入和3V至5.5V的器件供电，输入到输出的电压降仅为110mV（典型值，300mA时）。它可以作为独立保护器运行，也可以通过I2C接口与控制器连接，实现高级控制和诊断功能。其紧凑的4mm x 4mm封装使其易于集成到空间受限的设计中。

思瑞浦

思瑞浦3PEAK . 2025-10-13 800
企业 | 高通承认违反中国反垄断法

近日，中国国家市场监督管理总局（以下简称“市场监管总局”）宣布对美国半导体制造商高通公司启动反垄断调查，指控其在收购以色列芯片设计公司Autotalks时未依法进行申报，涉嫌违反《中华人民共和国反垄断法》。据路透社报道，高通公司已承认未在收购过程中告知中国有关部门，但未立即回应置评请求。市场监管总局明确表示将 “秉持依法依规、客观公正原则” 推进调查工作。 2023年5月，高通公司宣布计划收购Autotalks公司，后者总部位于以色列，并在北美、中国、德国、法国、日本和韩国设有办事处，是一家专注于生产预防汽车碰撞通信芯片的无晶圆厂半导体公司，其产品直接影响自动驾驶车辆的避障、通行等核心安全功能，因此收购引发中、美、英等多国反垄断机构关注。交易规模未公开，多家媒体当时披露金额为数亿美元，后续以色列媒体曾报道 “最终价格显著低于预期”。 2024年3月12日，在收到举报后，市场监管总局对该项集中进行了综合评估，认为虽未达到申报标准，但可能具有排除、限制竞争的效果。市场监管总局根据《反垄断法》第二十六条规定，书面通知高通公司要求其进行申报，未申报或申报后获得批准前不得实施集中。高通公司于3月14日致函市场监管总局，表示放弃此项交易。同期，英国竞争与市场管理局（CMA）、美国联邦贸易委员会（FTC）亦因竞争担忧介入审查，高通当时对美英监管也作出 “终止收购” 的承诺。然而，令人意外的是，2025年6月，高通公司在未进行申报、也未与市场监管总局作任何沟通的情况下，完成了对Autotalks的收购，并将后者技术纳入 “骁龙数字底盘” 产品组合，用于强化车载通信与自动驾驶系统能力。市场监管总局迅速行动 2025 年 10 月，接到举报后，市场监管总局进行了核实，高通公司也承认了未申报收购的相关事实。在相关事实清楚、证据确凿的基础上，市场监管总局依法对高通公司收购Autotalks公司违法实施经营者集中事宜进行立案调查。根据《国务院关于经营者集中申报标准的规定》，经营者集中需申报的标准为：全球营业额合计超 120 亿元且至少两个参与者在中国境内营业额均超 8 亿元，或中国境内营业额合计超 40 亿元且至少两个参与者在中国境内营业额均超 8 亿元。市场监管总局明确，高通收购 Autotalks 虽未达到上述量化标准，但经评估 “具有或者可能具有排除、限制竞争效果”，因此依据《反垄断法》第二十六条要求其申报。 10 月 12 日，市场监管总局反垄断二司负责人在答记者问时表示，这是市场监管总局依据《反垄断法》开展的一项日常执法工作。他强调，《反垄断法》第二十六条规定，经营者集中未达到国务院规定的申报标准，但有证据证明具有或者可能具有排除、限制竞争效果的，国务院反垄断执法机构可以要求经营者申报；经营者未依照规定进行申报的，国务院反垄断执法机构应当依法进行调查。

高通

芯查查资讯 . 2025-10-13 2005
产品 | 圣邦微电子推出 40V 耐压、低导通电阻、高性能的 N 沟道 MOSFET SGMNQ12340

圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。 SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（VGS = 10V），最大值不超过 18mΩ（VGS = 10V），能有效降低导通损耗。同时，它拥有低栅极电荷与电容，总栅极电荷（QG）典型值为 8.5nC（VGS = 10V），输入电容低、开关速度快，非常适合高频应用。其小巧的 TDFN 封装尺寸仅为 2mm×2mm，为高密度 PCB 布局提供了理想选择，并且产品符合 RoHS 标准，无卤素，满足环保要求。在主要参数方面，SGMNQ12340 的漏源电压（VDS）为 40V，在 +25°C 环境温度下的连续漏极电流（ID）可达 9A，栅源阈值电压（VGS_TH）范围在 1.2V 至 2.2V 之间，总功耗（PD）在 +25°C 环境温度下为 2W，其广泛的工作温度范围覆盖 -55°C 至 +150°C，确保了其在各种严苛环境下的可靠性。

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-10-13 900
产品 | 养生壶爆炸事件背后的MOSFET选型思考 - 从一起安全事故看电路可靠性设计

前言一岁孩童全身40%烫伤，养生壶突然爆炸的事故令人痛心。济南一名网民称，家中使用的养生壶突然爆炸，崩出的碎玻璃砸中一岁孩子，热水造成孩子全身40%大面积烫伤。这起事故不仅是一个家庭悲剧，更为整个小家电行业敲响了警钟。作为MOSFET厂家，我们深知功率半导体器件作为养生壶等小家电的“心脏”，其选型与可靠性直接关系到用户安全。本文将深入分析养生壶的电路结构，并探讨MOSFET选型如何成为产品安全设计的关键环节。 01 养生壶安全与电路可靠性意义在这起事故中，作为电子工程师，我们应当思考更深层次的问题——电路系统的可靠性如何保证？养生壶本质上是通过内部MCU控制发热丝的通断实现加热和恒温。任何功率控制元件的失效都可能导致温度失控或电路短路，从而引发严重后果。 02 养生壶系统架构与MOSFET关键作用要理解MOSFET在养生壶中的重要性，我们首先需要了解养生壶的整体系统架构。以下是典型养生壶的系统拓扑结构：微碧典型养生壶的系统拓扑结构图从图中可以看出，养生壶的电路系统主要由电源转换、控制逻辑和功率输出三大模块构成。MOSFET作为功率开关，位于整个系统的关键路径上，控制着加热丝的通断电流。典型的养生壶内部包含多个电路模块：升压模块（将锂电池电压转化为控制板所需电压）、锂电池充电模块、处理器（通常是51系列CMOS微控制器）、显示模块、电流检测模块（用于安全保护）、加热片模块和温度传感器模块。养生壶各模块的MOSFET需求与选型参数在不同电路模块中，MOSFET的参数选择各有侧重。以下是养生壶主要功能模块的MOSFET需求分析：电源转换模块在开关电源中，MOSFET需要具备高击穿电压和快速开关特性。如VBE165R07S这样的高压MOSFET，为MCU提供稳定的5V/150mA电源。微碧电源转换模块拓扑结构图工作原理分析：输入保护：保险丝提供过流保护，EMI滤波器抑制电网干扰整流滤波：整流桥将交流变为直流，大电容平滑电压开关转换：PWM控制器驱动MOSFET高频开关，通过变压器实现隔离降压反馈稳压：光耦隔离反馈确保输出电压稳定，提供过压过流保护 MOSFET Q1关键参数要求：耐压：Vds ≥ 600V（应对浪涌电压）电流：Id ≥ 5A（满足12V/2A输出需求）开关速度：tr/tf < 50ns（工作频率65kHz）导通电阻：Rds(on) < 0.5Ω（降低导通损耗）这里推荐型号：VBE165R07S 此部分MOSFET的关键参数要求： - 漏源击穿电压（VDS）：应高于最大输入电压的1.5-2倍，通常选择500V-600V额定电压 - 开关频率：1.2MHz左右，要求低栅极电荷（Qg < 10nC） - 封装：倾向于小体积封装如252，满足空间受限设计加热控制模块微碧加热控制模块拓扑结构图双MOSFET并联设计（高功率版本）拓扑图这是决定安全性的最关键部分。加热控制MOSFET直接管理着大电流的通断，需特别关注： - 持续漏极电流（ID）：必须大于最大加热电流，通常选择20A-30A级别 - 导通电阻（RDS（on））：尽可能低（<50mΩ）以减少导通损耗和发热 - 散热能力：要求封装具有低热阻（<1℃/W），考虑使用TO-220或D²PAK封装 MOSFET Q2关键参数要求：耐压：Vds ≥ 60V（留有余量应对尖峰）电流能力：Id ≥ 30A（800W加热功率约3.6A，3倍裕量）导通电阻：Rds(on) < 10mΩ（降低发热损耗）栅极电荷：Qg < 100nC（确保快速开关）热阻：Rθjc < 1.5℃/W（良好散热特性）这里推荐型号：VBE1606（国内同封装下EAS最大）电池管理模块对于便携式养生壶，电池充放电管理同样关键：微碧电池管理模块拓扑结构图（便携式养生壶） - 栅源阈值电压（VGS（th））：与MCU的GPIO输出电压匹配（通常2.5-5.5V） - 反向恢复电荷（Qrr）：尽可能小，以提高效率并减少电压尖峰微碧充放电MOSFET拓扑结构图（养生壶）电池管理MOSFET关键参数：充电MOSFET Q3要求：耐压：Vds ≥ 20V（3串锂电池满电12.6V）电流：Id ≥ 5A（2A充电电流，2.5倍裕量）导通电阻：Rds(on) < 20mΩ（降低压降）封装：DFN3X3或更小（空间受限）这里推荐型号：VBQF2205(该MOSFET在国内达到同封装下功率密度最高) 放电MOSFET Q4要求：耐压：Vds ≥ 20V 电流：Id ≥ 10A（峰值放电电流）导通电阻：Rds(on) < 10mΩ（提高效率）体二极管：快速恢复特性（续流作用）这里推荐型号：VBQF1202 04 MOSFET失效模式与养生壶安全性的关联 MOSFET的失效会直接导致养生壶危险情况的发生。主要失效模式包括： SOA（安全工作区）失效微碧MOSFET与普通MOSFET SOA电流实测根据VB推出的100V MOSFET产品为例，SOA优化的产品，60V实测，过电流能力提升了3-4倍，从而提升了系统应用的可靠性。当MOSFET超出其安全工作区时会发生永久性损坏。养生壶中的加热MOSFET可能因长时间工作在不安全区域而累积损伤。例如，如果MOSFET的结温（Tj）超过最大额定值，即使未立即失效，也会加速器件老化。设计时应确保Tj ≤ 0.8×Tjmax，如150℃器件限制在120℃使用。雪崩击穿失效当MOSFET承受高于其额定值的电压时，会发生雪崩击穿。在养生壶中，加热丝的感性负载特性可能导致关断时产生电压尖峰。解决方案包括：选择额定电压高于最大工作电压30%以上的MOSFET，并在漏源极之间加入缓冲电路或TVS二极管。 dV/dt失效 MOSFET关断时，电压变化率（dV/dt）过高可能导致寄生电容的充电电流触发寄生双极晶体管导通。这在高频开关的电源模块中尤为突出。 05 高可靠性MOSFET选型规范与设计准则为确保养生壶的安全运行，MOSFET选型应遵循以下规范：电参数降额设计 - 电压降额：工作电压不超过额定值的60% - 电流降额：持续电流不超过额定值的70% - 温度降额：结温不超过最大值的80% 动态特性优化 - 栅极总电荷（Qg）：选择Qg较低的MOSFET，以确保驱动能力充足 - 开关速度：权衡开关损耗和EMI，通过栅极电阻调整开关速度安全裕量与冗余设计 - 击穿电压裕量：比负载电压与二极管正向电压之和至少高10V - 短路保护：确保在短路条件下，MOSFET仍处于SOA范围内下表对比了养生壶关键模块的MOSFET选型要求：养生壶模块-主加热控制关键参数：VDS ≥ 600V, ID ≥ 20A 推荐MOSFET规格：RDS(on) < 90mΩ, SOA宽安全考量：过流保护，温度监控推荐型号：VBM165R32S 养生壶模块-电源转换关键参数：VDS ≥ 500V, 低Qg 推荐MOSFET规格：集成开关电源芯片安全考量：过压保护，软启动推荐型号：VBE165R07S 养生壶模块-电池管理关键参数：低VGS(th)，低Qg 推荐MOSFET规格：逻辑电平驱动，小封装安全考量：防反接，过充保护推荐型号：VBQF2205/VBQF1202 06 从选型到量产：构建高可靠性养生壶的完整流程设计阶段验证 - 热仿真分析：评估MOSFET在最坏情况下的结温 - 失效模式与影响分析（FMEA）：识别潜在故障点并制定缓解措施样品验证测试 - 加速寿命试验：在85℃/85%RH环境下测试500小时，等效于室温工作5年 - 开关循环测试：验证MOSFET的开关耐久性 - 静电放电（ESD）测试：确保HBM模型下ESD防护≥8kV 微碧MOSFET品质验证测试数据量产质量控制 - SPC监控：关键参数如BGA焊点空洞率控制在<5% - 批次筛查：100%温度循环（-55℃~125℃ 5次）加功能测试 MOSFET作为养生壶功率控制的核心，其可靠性直接关系到用户安全。从这起事故可以看出，看似普通的小家电，其技术设计门槛并不低。选择适当的MOSFET并遵循严谨的可靠性设计准则，是防止类似悲剧再次发生的关键。作为MOSFET厂家，我们建议小家电制造商不仅要关注元件成本，更要建立完善的可靠性设计流程。只有在设计阶段就充分考虑各种失效模式，并进行相应的防护设计，才能真正确保产品的安全性。对于养生壶等与用户安全密切相关的产品，MOSFET的选型不应是成本导向的妥协，而应是安全导向的精准匹配。

微碧

微碧半导体 . 2025-10-13 890
产品 | 全球第三国内首款顶部散热TOLT封装功率MOSFET-VBGQTA1101

近日，国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET，更以"热传导与电流路径解耦"的核心设计，实现了功率密度与散热效率的跨越式升级，标志着我国在高功率半导体封装技术领域成功跻身国际先进行列。创新封装，破解高功率散热难题 VBGQTA1101采用的TOLT封装，通过将散热路径与电流传输路径分离，彻底解决了传统封装中热管理与电气性能相互制约的痛点： - 热阻大幅降低90%，整体耗散功率提升超90%，轻松应对415A大电流、100V高压的严苛工况； - 结区到散热器热阻降低20%以上，即使在FR4标准PCB板上，也能显著降低电路板温度； - 顶部直连散热器，消除PCB焊料热阻，为工程师提供"更高功率输出"或"更省冷却成本"的灵活选择。无引脚封装当中从性能最小DFN2X2到最大的 TOLL封装，其中TOLT又是基于TOLL为基础的全新封装。下面是TOLL封装和TOLT封装的对比可以发现和TOLL封装相比较，TOLT最大的改进在于热阻降低非常明显整体耗散功提升超过90%以上。 TOLT封装还具有以下优点： 1，TOLT封装技术能实现极高的功率输出。得益于顶部散热设计带来的显著提升，该方案无需增加元件数量和系统体积即可满足高功率需求应用。正因如此，TOLT封装特别适用于大电流应用场景。如电动自行车、电动滑板车、电动摩托车、微型电动车和叉车等应用。 2，消除PCB和焊料互连来缩短散热通路，对MOSFET的性能提升具有显著影响。有实验对这两种方案进行了研究，结果显示：即使采用传统方案，使用FR4型PCB时，从结区到散热器的总热阻仍可至少降低20%。对于研发工程师而言，这意味着要么在相同功率应用下节省冷却系统成本，要么通过相同系统架构实现更高功率输出。 3，由于底部无需散热，其它元器件可以设计在另外一面，更加节省空间，同时源极和漏极爬电距离增加，绝缘效果更好。多领域应用，赋能产业升级电动交通领域电机控制器：作为电机驱动的核心开关元件，确保大电流下的高效可靠运行电池管理系统：在充放电回路中提供高效的功率控制，提升能源利用率 DC-DC转换器：为车载电源系统提供稳定可靠的功率转换应用模块：电动自行车控制器、电动摩托车驱动模块、叉车电控系统工业自动化伺服驱动器：满足高动态响应下的峰值电流需求，提升控制精度工业电源：在大功率开关电源中实现更高效率的功率转换变频器模块：为电机驱动提供可靠的功率输出，适应严苛工业环境应用模块：PLC功率输出模块、机械臂伺服驱动、智能仓储物流系统新能源与电力系统光伏逆变器：提升Boost电路和逆变电路的效率与可靠性储能系统：在电池储能单元的功率控制中发挥关键作用充电设施：为电动汽车充电桩提供高效的功率处理能力应用模块：组串式逆变器功率模块、直流充电桩电源模块、储能变流器智能家电与消费电子大功率电源：适配游戏本、高性能台式机等设备的电源需求电机驱动：驱动大功率工具、智能家电中的电机系统快速充电：支持高功率密度快充解决方案的设计应用模块：高端游戏本电源、无人机充电基站、智能家居中央控制系统功率密度跃升，重塑工业应用边界这款器件在同等体积下实现功率密度显著提升，让大功率设计不再受限于空间： - RDS(10V)仅1.2mΩ，导通损耗极低，效率全面提升； - 专为高功率密度应用优化：在有限空间内实现最大功率输出； - 系统架构简化：无需额外增加元件，即可满足持续增长的高功率需求。布局革新，解锁PCB设计新可能 TOLT封装的底部无散热设计，带来更多系统集成优势： - 双面布局自由：PCB背面可安心布置其他元器件，空间利用率大幅提升； - 安全性能增强：源极与漏极爬电距离增加，绝缘性能更优，系统可靠性全面提升； - 组装工艺简化：兼容现有生产工艺，降低制造成本。技术领先，打破国际垄断目前全球已知仅英飞凌、美台掌握类似技术，微碧半导体作为中国首家全球第三成功研发TOLT封装功率MOSFET的企业，不仅填补了国内技术空白，更将为工业、汽车电子、新能源等领域客户带来更具竞争力的国产高端解决方案。 VBGQTA1101关键参数： - 封装：TOLT-16 - 电压：100V，栅极电压±20V - 导通电阻：1.2mΩ @10V - 电流：415A - 技术：SGT工艺微碧半导体此次推出的TOLT封装功率MOSFET，不仅是封装技术的革新，更是对高功率应用场景的深度重构。该产品已进入量产阶段，将为大功率工业应用带来全新的技术体验和设计可能。

微碧

微碧半导体 . 2025-10-13 1275