• 企业 | 黄仁勋链博会演讲文字实录

    7月16日,黄仁勋脱掉标志性的皮衣身着唐装出席了第三届链博会。    在开幕式演讲环节中,黄仁勋一度尝试用中文开场,他说,“我在美国长大,学到了很多汉语。”然后他又自嘲中文不好,不想折磨在场听众,随即切换成英语模式。    黄仁勋表示,英伟达始于GPU,在发展的过程中打开了通用计算的大门,为人类的AI奠定了基础,“从Kepler架构,到最新的Blackwell架构,英伟达在人工人工智能计算方面取得了进步。 我们的系统和算法历经了成百上千次的迭代,让英伟达成为一个驱动全球AI生态的计算平台。”    黄仁勋在演讲中特地强调了,2016年,亲自参与为OpenAI赠送全球首台DGX-1超算的细节,当时OpenAI还是一家不起眼的初创公司。    在黄仁勋看来,人工智能已经彻底地改变了各行各业,中国公司在人工智能产业当中发挥了重要的作用。 以下为黄仁勋在链博会上的演讲全文(不改变原意的情况下有调整):   我很荣幸出席链博会,中国供应链是一个奇迹,这也是我首次有机会向供应链企业展示、介绍英伟达。   我在美国长大,学到了很多汉语,但是今天要用中文演讲,我非常紧张。   各位来宾、朋友们,大家好,很高兴这次来到中国。这是我第一次参加链博会,规模非常大,气氛也很热烈,充分体现了中国对创新的坚信,并激励了工匠精神的繁荣。   我现在要用英语讲完我的演讲的剩余部分,不会在剩下的时间里折磨你们。   这是我第一次来到这里。   这一切始于很久以前。英伟达当时还只是一个小型初创公司,我们为PC产品带来了3D显示技术,因此催化了世界上最大的娱乐产业之一的PC游戏产业,这令人自豪。   我们的成就建立在先驱者的基础上,1999年,我们首次开发出了GPU硬件——全世界首个可编程图形处理器,打开一扇新的大门,进入到一个加速计算的新时代。将GPU转换为通用计算引擎,这为AI时代的发展奠定了基础。   数十年前,英伟达GPU的问世,点燃了人工智能的燎原之火。在此之前,相关软件都是基于CPU来运行,而现在,AI的学习都基于GPU的并行计算,这是一种转变,从人类编程的逻辑,转换成机器学习智能,同时也是计算机产业的重启。   2016年,英伟达推出了世界上第一台人工智能超级计算机(注:2016年,黄仁勋亲自为OpenAI交付全球第一台DGX-1),我也参与了交付的工作,交付对象当时还是位于美国旧金山的一家小型、不为人知的初创公司,当时他们在做AlexNet的相关探索。   从Kepler架构,到最新的Blackwell架构,英伟达在人工智能计算方面取得了进步。 我们的系统和算法历经了成百上千次的迭代,让英伟达成为一个驱动全球AI生态的计算平台。   人工智能正在改变每一个行业,这其中包括科学研究,也包括像中国的一些标志性的平台,比如微信、支付宝,还包括路上行驶的自动驾驶汽车,以及人们手中的智能手机,这些都是人工智能的力量,我很期待它在医疗影像诊断技术的应用,这将会改善全球的医疗保健能力。   中国的开发者、创业者正在推动AI的快速创新,现在有100万名开发者投身这一领域,像DeepSeek、阿里巴巴、MiniMax、百度,他们开发的产品都是世界级的,推动了全球人工智能的发展。   中国的开源AI是全球进步的催化剂,以至于全世界各个行业都有机会加入到AI革命当中,开源很关键,对人工智能的安全也至关重要,所以我们需要促进人工智能产业的全球国际标准合作。   今天,人工智能已经成为基础设施,就像AI革命之前,电力和互联网的重要性一样。   从供应链的角度看,它改变了我们构建和运输物品的方式。目前,中国有数百个模拟数字孪生的研究项目,用于设计、优化工厂建设,很多机器人是通过英伟达的Omniverse训练出来的,这是一个虚拟世界,可以有效保障安全。下一波能够理解物理世界,并且执行任务的AI将在10年内出现,它将彻底改变现有的工厂模式,与人类并肩工作,制造智能产品。   人工智能将改变每个行业、公司产品和服务,并引发新的工业革命和增长机遇。

    NVIDIA

    芯查查资讯 . 2025-07-17 3 6 1430

  • 产品 | NB7400高集成度二次保护芯片

    NB7400 为多节电池应用提供双重安全保障。当主保护芯片因故障失效时,该次级保护芯片可独立检测异常过充状态(支持 2-4 节电池组),通过熔断机制永久切断充电回路,有效预防热失控、电池爆裂等危险情况   产品特性: • 宽电压支持:最高耐受32V输入电压 • 高精度检测:过充检测电压可编程(4.20V-4.85V),精度达±20mV(25℃) • 抗干扰设计:可选2/4/6秒延时复位功能,避免误触发 • 超低功耗:正常工作时仅2.5μA,欠压时切换至0.2μA休眠模式 • 集成稳压器:提供1.5V-3.3V稳定输出(精度±2%),支持外接RTC等元件 该芯片采用DFN(PL)2020-8-GH微型封装(2.0×2.0×0.55mm),提供多种电压/延时组合配置。  NB7400 技术规格 高耐压半导体工艺 ● 绝对最大额定值:32V ● 低工作电流:  正常模式(4节电池,单节电压4.15V):典型值2.5μA 关机(待机)模式:最大值0.2μA    1-4节电池高精度电压检测 ●过充检测电压及精度: 4.20V至4.85V可调,±0.020V(25℃),±0.025V            (0℃<Ta<60℃) ● 过充检测延时(带延时缩短功能(1)):2秒/4秒/6秒可选 ● 过充解除电压(VREL1n):VDET1n−0V至VDET1n−0.4V ● 过充解除条件:电压释放型    输出电压 ● 内置稳压器VROUT引脚输出电压(VVROUT)及精度:1.5V至3.3V可调,±2% ● COUT引脚(CMOS输出,高电平有效)输出电压:典型值4.7V   关机功能 ● 关机检测电压(VSHTDn)及精度:2.0V(2)至3.0V可调,±0.05V ● 关机检测延时:2秒/4秒/6秒可选 ● 关机解除电压(VSHTRn):VSHTDn+0.2V   可选过充定时器复位延时   封装 ● NB7400GH封装型号:DFN(PL)2020-8-GH(2.0×2.0×0.55mm) 注: (1) 当VDD‒VC1引脚施加4V±0.2V电压时,延时缩短至原值的约1/80 (2) 仅两节电池串联时,VSHTD2≥2.3V 典型应用电路

    日清纺

    NISSHINBO Micro Devices . 2025-07-17 1 595

  • 市场 | 2024年全球RISC-V芯片出货量已达数百亿颗,中国贡献超半数

    在2025年7月17日开幕的第五届RISC-V中国峰会上,工业和信息化部电子信息司副司长史惠康发表主旨演讲,在分享中,他披露了RISC-V架构的产业化里程碑数据,并系统阐述了中国发展RISC-V的战略路径,将其定位为实现信息技术高水平自立自强的“关键机遇”与“强大引擎”。 数百亿颗芯片:RISC-V从学术走向主流 史惠康在演讲中援引RISC-V国际基金会最新数据指出,目前RISC-V全球生态已呈现爆发式增长,会员单位及个人达4500家,覆盖70余个国家和地区。“尤其令人振奋的是,2024年全球基于RISC-V的芯片出货量已达数百亿颗”,他特别强调,中国贡献了其中超过一半的出货量。这一数据标志着RISC-V已从嵌入式应用大步迈向更广阔的计算领域,其开放协作模式的强大竞争力得到市场充分验证。   他认为RISC-V是实现信息技术高水平自立自强的关键机遇。因为,首先中国企业可以深入参与国际前沿指令集设计与演进,掌握处理器核心技术全流程;其次RISIC-V开源、领授权费、模块化特性可以显著降低芯片设计的门槛与成本,为中国制造开辟新赛道;还有就是国际合作,中国首次实现与全球开发者同步共创的核心芯片技术,有助于提升中国在全球半导体产业的话语权。   三大发展路径 产业的发展离不开政策的支持,2025 年国民经济和社会发展计划草案强调,要促进开源指令集架构等新兴领域抢先突破,抓住RISC-V机遇,克服开源技术分散、生态分化的弊端,走出中国创新发展道路。史惠康在主论坛致辞时表示,他希望中国RISC-V未来发展做好以下三点:   一是深化协同,共筑繁荣生态。依托工信部电子司指导下,于2023年8月成立的RISC-V工委会(已凝聚超80家产学研用单位),在核心指令集扩展、基础工具链、操作系统等关键环节形成合力,“对内构建服务平台,对外传递中国声音”,打造具有国际竞争力的生态体系。   二是加速转化,驱动规模应用。强调“技术的价值最终由市场检验”,需打通实验室到规模化应用的“最后一公里”。一方面持续巩固和扩大RISC-V在物联网、工业控制、边缘计算等相关领域的领先优势和市场渗透率,另一方面要全力推动RISC-V在高性能计算、数据中心服务器、人工智能加速器、智能网联汽车等高价值领域实现规模化商业落地,真正让RISC-V成为中国科技创新的强大引擎。     三是坚定开放,引领全球协作。要以更加积极主动的姿态融入并丰富RISC-V全球生态。支持支持中国企业、科研机构、开源社区深度参与RISC-V国际基金会的相关工作,在基础标准、安全规范、互联互通等全球议题上贡献中国智慧和中国方案。在坚持自主创新的同时,加强与国际顶尖同行在基础研究、前沿技术探索方面的开放合作,吸引全球的创新资源汇聚中国,做全球RISC-V生态的积极建设者和关键贡献者。   总结与展望 史惠康对比全球动态指出,各国正加大RISC-V投入:美国在维系X86/ARM优势同时显著提升对RISC-V关注;欧洲积极利用开源重塑工业竞争力。在此背景下,中国凭借全球最大应用场景、丰富落地实践及技术生态活力,有望通过开放协作模式重塑半导体产业格局。

    RISC-V

    芯查查资讯 . 2025-07-17 2 2040

  • 市场 | 第五届RISC-V中国峰会上海开幕,中国创新力量获认可

    近年来,RISC-V国际基金会每年都会在中国、美国和欧洲举办全球峰会,全面总结RISC-V指令集生态发展的成果,分享各个领域应用创新的案例,以及规划下一代技术的演进路线等等。今年的第五届RISC-V中国峰会于2025年7月17日,在上海张江科学会堂开幕。 “今年RISC-V国际基金会选择在上海召开,既彰显了基金会对上海发展的高度重视,也体现了对于中国创新力量的充分认可。”上海市委常委、副市长陈杰先生在主论坛的致辞环节表示。 他同时指出,全球加速进入以AI为关键驱动的智能时代,算力呈现出爆发式增长态势,对于处理器的架构创新优化需求迫切,特别是RISC-V作为新兴指令集代表,以开放、简单、灵活等特点受到了业界的广泛关注,也成为国际主流处理器指令集之一。     上海是中国最早支持推动RISC-V的地区之一,而且始终是RISC-V的积极拥抱者、参与者和贡献者,早在2018年上海就发起成立了中国RISC-V产业联盟,2021年成功举办了第一届RISC-V中国峰会,2024年成立了上海开放处理器产业创新中心,初步形成了从芯片设计制造到应用的全覆盖产业链,推动RISC-V在高性能计算、AI算力、智能终端和汽车电子等领域的发展。本次峰会的举办地浦东更是上海发展RISC-V的重要承载地,也正在成为国内RISC-V生态的核心枢纽。     陈杰希望本次峰会成为全球RISC-V领域顶尖专家和一流企业家、投资家的高端交流平台,并表示,上海将进一步加强与RISC-V国际基金会的合作,营造更优的产业生态,特别是完善标准体系、软件基础设施、开展全系列的IP产品攻关,探索发布面向全球企业、高校和社区开发者的统一软硬件开放平台,打造RISC-V的产业集聚区。

    RISC-V

    芯查查资讯 . 2025-07-17 1 1915

  • 应用 | 富瀚微 ISP,助力智能眼镜进入加速期

    随着AI与低功耗技术不断进化,智能眼镜从概念走向实用,尝鲜走向普及。其中Ray-Ban推出的智能眼镜无疑是最具代表性的产品,从第一代Ray-Ban Stories到如今的Ray-Ban Meta,Ray-Ban正影响着智能眼镜市场发展。 据不完全统计,21年发布的Ray-Ban Stories累计出货仅约30万台,而23年发布的Ray-Ban Meta累计出货已超200万台。如此显著的增长背后,是图像效果升级成为关键转折。 从5MP到12MP:激发用户需求的关键 第一代Ray-Ban Stories虽然实现了拍摄、音乐播放等多项功能,但其仅搭载500万像素(5MP)摄像头。当用户将拍摄照片导出至手机时,模糊、细节不足的图像效果暴露无遗。这种“看起来可用、实际难用”的拍摄体验,直接引发用户思考:“我为什么不直接用手机拍?”    Ray-Ban Meta正是从这一点出发,将摄像头升级到1200万像素(12MP),并配合强大的ISP图像处理能力,实现清晰、细腻的图像效果。更为重要的是,12MP正好对齐了智能手机主摄的分辨率标准,让用户在拍摄质量上不再有“心理落差”。    为什么是12MP?在如今的消费电子市场,1200万像素已成为智能手机主摄的“标配”。用户早已习惯了这一画质标准,这意味着,如果智能眼镜拍摄效果明显低于手机,用户当然无法接受。所以,12MP不只是一个技术指标,更是用户体验的心理门槛。  国内市场迟迟未爆发?核心是供应链错位 与海外市场的快速发展相比,国内智能眼镜市场仍处于探索期,爆款产品尚未出现。部分原因是因为上游供应链,特别是ISP芯片尚未真正“对位”消费级需求。    当前,国内不少智能眼镜厂商要么选择高通AR1,但无奈价高人远。要么采用低分辨率的ISP芯片,虽然也具备拍摄能力,但图像效果依然停留在Ray-Ban Stories时代。这不仅无法满足用户需求,甚至可能影响厂商的品牌形象。    这折射出一个市场痛点:急需一颗既能实现12MP拍摄,图像效果好且性价比高的ISP芯片,真正支撑智能眼镜市场。   富瀚微12MP ISP芯片:精准补位 富瀚微新一代12MP ISP芯片MC6350,专为智能眼镜等低功耗、微型设备设计,对位智能眼镜消费级市场需求。 关键优势: 12MP图像处理,高性能ISP,支持降噪、色彩还原等算法。 12nm工艺制程,显著降低功耗,满足产品的长续航要求。 8x8mm超小封装,完美适配小型化产品设计。 与META眼镜效果对比(左MC6350、右META眼镜):      最后的话   智能眼镜要走向普及,必须要跨过“图像效果”这一关键门槛,5MP只是过渡,12MP才是智能眼镜图像的起点。富瀚微凭借多年在图像、芯片设计上的深厚积累,已与多家智能眼镜厂商展开合作,期待与更多产业伙伴携手,共建新一代终端生态,让智能眼镜真正走进千家万户。

    富瀚微

    富瀚微电子 . 2025-07-16 765

  • 技术干货|使用全新的接地电平转换器解决失调电压挑战

    随着系统变得更加紧凑、高效和模块化,设计人员面临着管理不同电压域间通信的新挑战。一个主要示例是<100VDC 架构的兴起,包括电动汽车 (EV)、机器人和储能系统中的 48V 系统。这些架构避免了高电压设计的复杂性,同时能够保持高效的电力输送,从而实现更小尺寸和更高集成度的设计。与此趋势并行的是模块化设计原则的兴起 – 为特定功能定制的优化、可互换组件。例如,电动工具等消费类产品通常依赖于单个可互换电池,这使得充电和多设备管理更加便捷。    随着模块化低压系统的日益普及,出现了新的集成挑战:实现不同电压域和接地域之间的无缝通信。如图 1 所示,TI 的 ±80V 接地电平转换器支持在具有不同接地电位的系统间进行 1.71V 至 5.5V 的电压转换,有助于实现可靠、紧凑且可扩展的系统设计。 图 1:±80V 接地电平转换器,用于桥接不同的接地域 为了解决 80V 以下电压范围的接地偏移问题,设计人员传统上使用电流隔离或分立式电平转换器,但这两种方法在复杂性、尺寸和成本方面都存在折衷:    电流隔离器价格昂贵、体积庞大,且通常在数据速率和时序性能方面受到限制。以下的表 1 重点介绍了此解决方案与接地电平转换器之间的差异。    分立式电平转换器可处理单向低速信号,但不可靠且无法扩展。虽然成本较低,但解决方案尺寸约为 10mm2 至 20mm2。 表 1:接地电平转换器和电流隔离器比较表 接地偏移挑战 模块化设计中的子系统各自具有独立的电压和接地参考。但当这些系统集成时,即使是接地电位的微小差异也会导致信号完整性问题和通信错误。如图 2 和图 3 中所示,接地偏移可能源于直流偏移或交流接地噪声。 直流接地漂移 走线电阻或较长的电缆可能会导致电压差异。在多域系统中,由于局部负载电流或不对称的接地拓扑结构,一个域可能会比另一个域“浮动”几伏。例如,一个子系统通过短而宽的走线连接到主接地,而另一个子系统通过长而窄的走线连接到接地平面。 图 2:使用接地电平转换器解决系统之间的直流接地偏移 交流接地噪声 在数字、模拟和电源电路共存的混合信号系统中,交流接地噪声很常见。在电源侧,该噪声源于开关电源元件所产生快速变化的大返回电流。在数字侧,高速信号转换可以将瞬态电流注入数字接地。这些波动会改变本地接地电位,干扰假定共地参考的子系统之间的通信。 图 3:使用接地电平转换器解决系统之间的交流接地噪声 专为低压系统设计的接地电平转换器 TI 的接地电平转换器支持将 I/O 电压电平从 1.71V 转换到 5.5V,可解决高达 ±80V 的直流接地偏移和高达 140Vpp 的 1MHz 交流噪声抑制,其尺寸仅为更复杂解决方案的七分之一,成本为其一半。TXG8041支持传播延迟 <5ns,通道间偏斜为 0.35ns 的推挽输出,从而实现高达 250Mbps 的系统间实时通信快速数据处理。 TXG8122 支持开漏配置(包括 I2C),功耗仅为现有解决方案的一半,可更大限度地降低功耗,从而延长电池寿命并降低热负荷。这些转换器通过小至 2.25mm2 的封装实现紧凑设计,并通过多种通道类型和配置提供可扩展性。    48V 架构中的应用 48V 架构逐渐受到 EV 制造商的青睐,电子产品设计遵循国际标准化组织最新的 21780 标准,该标准要求对接地偏移进行特定测试,以确保在不同接地电位下工作的器件之间进行可靠通信。在此类系统中,工作在 48V 的控制模块可能需要与 12V 传感器进行通信,即使由于布局或负载条件存在几伏特的接地偏移。    TXG8041支持在 ±80V 接地偏移的不匹配域之间通信,覆盖 48V 电池系统的瞬态,并通过更快的数据速率和低传播延迟支持更高速度的 SPI 通信。如图 4 所示,接地电平转换器采用小至 2.25mm2(对于单通道配置)和 4mm2(对于四通道配置)的封装,显著小于典型的电流隔离器。 图 2:采用 4mm2 SON 封装的 TXG8041 对比尺寸大 7 倍的 29mm2 电隔离器(左);采用 2.25mm2 SON 封装的 TXG8010 对比尺寸大 8 倍的 19mm2 光耦合器(右) 启动电池组监测 电器、电动自行车和储能系统等电池供电系统越来越多地采用堆叠式电池监测器,以支持更高的电压和更长的运行时间。在这些架构中,每个监控器负责测量电池组的一部分。顶部监控器的接地参考电压通常接近整个电池组电压的一半(如 24V),因此与系统微控制器 (MCU) 的接地参考电压不同,导致无法直接通信。这种有意的拓扑结构引入了接地偏移。TXG8122支持 MCU 和电池监测器之间的常用的 I2C 通信。此器件还可降低静态总线条件下的功耗,同时其 4mm2 封装便于小型化并灵活地集成到模块化系统中。 结语 系统之间的接地偏移一直存在,但随着低压模块化架构的普及,这种偏移越来越普遍。TI 的 ±80V 接地电平转换器为这一挑战提供了简单的解决方案 – 支持通过 SPI 或 I2C 等接口在不同接地电平之间进行电压转换。现在,您可以利用此技术,其尺寸和成本仅为传统方法的一小部分,性能提高 2 倍,同时保持信号完整性和可靠的系统运行。

    TI

    德州仪器 . 2025-07-16 625

  • 企业 | 英飞凌CYW55572:为地瓜机器人 RDK S100注入无线通讯动力

    随着服务型、陪伴型和工业辅助机器人加速落地,行业对机器人系统的集成度与响应效率提出了更高要求。地瓜机器人推出的 RDK S100,是一款面向多场景应用的算控一体化机器人开发平台。该平台通过 CPU + BPU + MCU 的异构架构,将核心运算、路径规划与执行控制紧密融合,适用于家庭服务、智能陪伴、工业巡检、医疗辅助等多样化应用场景。这对无线通信能力提出了更高要求,既要稳定可靠,也要具备低功耗与易于集成的特性。 为满足这一需求,英飞凌推出的AIROC™ CYW55572芯片,为地瓜机器人的RDK S100算控一体化机器人开发套件提供了强大的无线通信支持。这款集成Wi-Fi 6和蓝牙® 5.3的SoC芯片,不仅满足了Wi-Fi 6/6E的性能标准,更在多设备、复杂环境下保持了低延迟、高速率的稳定连接,充分释放了边缘AI与IoT设备的潜力。 高速连接,低延迟响应 CYW55572是一款高度集成的无线通信芯片,支持双频2.4G/5G及2x2 MIMO技术,传输速率高达1.2Gbps,确保在网络高负载场景下,依然可保障视频数据流畅传输与控制指令的即时下达,从而大幅提升RDK S100机器人的实时响应和运行效率。    借助OFDMA和MU-MIMO等Wi-Fi 6技术特性,CYW55572可动态调度无线资源,有效提升RDK S100在多设备运行场景下的通信效率。而TWT(Target Wake Time)功能则帮助机器人在任务空闲期间自动进入低功耗状态,有效降低整体功耗,使机器人在执行高强度任务时更节能、更持久。 拓展人机交互边界 CYW55572还整合了蓝牙® 5.3双模功能,进一步丰富了RDK S100近距离通信能力: 支持 LE Audio 与 Auracast™ 广播,可实现高质量无线音频传输; 适配蓝牙遥控器、可穿戴设备、辅助传感器等智能终端,扩展机器人与用户、环境之间的协作维度; 提供多种发射功率选项(0 / 13 / 20 dBm),灵活适配不同通信范围与功耗需求。 CYW55572能为机器人提供灵活、稳定的本地交互能力,使机器人在训练过程中数据的高速实时采集和传输提供强大稳定的连接支持。 丰富接口集成及环境适应性优化 在实际应用中,CYW55572提供丰富的接口(如 PCIe、SDIO、UART、I2S、PCM),能够与RDK S100扩展模块无缝连接,方便集成摄像头、雷达、语音识别等感知单元,增强机器人的环境感知能力和交互能力,从而在服务、工业、医疗等领域实现更广泛的应用。    此外,CYW55572还具备多层安全机制与无限共存优化能力,全面保障通信链路的稳定性与系统的安全运行,适配严苛工业与商用场景。其宽温工作范围(-40°C至85°C)及紧凑封装设计不仅提升了环境适应性,也为机器人系统设计提供了更高的灵活性与空间利用率。    从技术选型到系统集成,CYW55572凭借强大的连接能力、优化的功耗管理、丰富的接口支持与成熟的软件开发工具链,帮助开发者显著缩短产品上市周期、降低整体开发成本。同时,这一芯片的高度可扩展性也为未来产品的功能升级与性能迭代预留了充足空间。    随着机器人技术的不断进步,CYW55572与RDK S100的结合,正推动着机器人系统向更高层次的协同效率与连接稳定性发展。这一解决方案不仅满足了当前机器人对无线通信的高标准要求,更为未来的技术创新和应用拓展提供了坚实的基础。

    英飞凌

    英飞凌官微 . 2025-07-16 1210

  • 技术 | AI的成功密码:探索那些隐藏于幕后的技术!

    如今,人工智能(AI)无处不在——它能回复邮件、推荐电影,甚至能写出令人信服的诗歌,足以让一位电子工程专业的学生摇身一变成为文学才子(剧透一下:无论是哪个专业,都无法让应届毕业生做好心理准备,去应对被算力超群的聊天机器人“降维打击”时的生存焦虑)。   然而,在AI备受瞩目的喧嚣背后,有一个由两个字母组成的缩写词却鲜为人知,那就是RF(射频)。没错,当大家都在惊叹AI的神奇能力时,我想花点时间来赞美一下AI背后那位默默无闻的“幕后英雄”——通信功能;正是它让AI得以实现各种能力。    没有RF技术,AI系统就如同一个个孤立的大脑,静静地待在过热的数据中心,思考着无人能懂的想法。它们需要一种方式来与其它设备、云端以及其它AI系统建立连接。而像Qorvo这样的公司,正是为此而来。   滤波器:AI的无名英雄 在Qorvo,我们专注于解决一个看似平淡无奇,实则举足轻重的问题:让正确的信号顺利通过,将错误的信号拒之门外。我们的体声波(BAW)滤波器和声表面波(SAW)滤波器在AI设备中默默地发挥着关键作用——从智能手机、Wi-Fi路由器到智能汽车,甚至还有工业机器人;即便它们的外形就像长着胳膊的自动售货机。    随着频谱资源日益拥挤,超精密滤波技术变得愈发重要。想象一下,一个AI模型试图区分一只猫、一个烤面包机和一个智能恒温器,而此时隔壁房间有人正在播放4K视频。这将是一片混乱——除非有RF滤波器能够在不同频率之间划出清晰的界限,为每个信号开辟专属的通道。    这正是我们的工作。我们为AI提供清晰的信号和干净的“舞台”,让它能够尽情施展。没有干扰,没有丢包,更不会把蓝牙耳机误认为是机器猫。 电源管理:因为AI永远对电能“胃口大开” 接下来要说的是电源。如果说数据是AI的“燃料”,那么专门的电源管理就是“管道”。Qorvo的PMIC、电池管理IC以及电机控制解决方案,助力所有RF收发器和高耗能系统平稳且高效地运行。   AI芯片就像处于青春期的运动员,胃口极大:它们始终处于运行状态,如果得不到恰当的“喂养”,就会“饿出脾气”。无论是在云端数据中心,还是在边缘设备上运行的电池供电传感器,我们的电源解决方案都能让系统保持凉爽、稳定,避免在固件更新过程中发生自燃。 未来之路:更多滤波器,更强智能 随着AI从工厂自动化到自主飞行送货无人机(想象一下空中飘着披萨的场景)等各个领域的广泛应用,对小型化、高性能RF前端的需求只会不断增长。Qorvo能够将BAW滤波器、功率放大器、开关和控制器集成到空间紧凑且功耗高效的模块中,这正是工程师们所需要的——无需再为性能问题而头疼。    当然,我们也在密切关注下一波技术浪潮:AI雷达?UWB机器视觉?比所服务的系统更小、更快、更智能的BAW和SAW滤波器?这些都是我们的优势领域。 结语:AI赢得关注,RF成就现实 所以,尽管AI总是占据新闻头条,但RF技术却在幕后默默地推动这一切成为可能。在Qorvo,我们很自豪能够参与其中——通过每一个滤波器、放大器和ET PMIC。    让AI去负责思考;我们负责让它始终保持连接。

    Qorvo

    Qorvo半导体 . 2025-07-16 3 845

  • 技术 | OSPI Flash适配秘籍之内功心法篇

    OSPI Flash(Octal SPI Flash)是一种基于SPI(串行外设接口)扩展的高速串行Flash存储器,采用8-bit数据总线通信方式。相比传统的SPI或Quad SPI(QSPI),OSPI提供更高的数据吞吐率与更优的系统性能。OSPI Flash主要应用在高性能嵌入式系统启动,图形界面处理(GUI)/人机交互界面(HMI),嵌入式AI模型存储等领域。瑞萨高性能MCU、MPU都提供了功能强大的OSPI接口,它不仅可以工作在8线的高速模式下,还兼容普通的单线(SPI),双线(DSPI)和四线(QSPI)的多种工作模式和多种协议模式。    然而面对广大不同厂家的OSPI Flash,虽然说大部分功能相似,大部分功能也可以复用,但是不同厂家的OSPI Flash还是存在或多或少的差别。因此如果客户出于成本的考虑,需要更换OSPI Flash的时候,需要做驱动层的适配工作。那如何做OSPI Flash的驱动的适配工作?    下面我以Renesas RA8D1这款高性能MCU为例来说明如何进行OSPI Flash驱动的适配工作,总结成两篇适配秘籍,可以供客户参考。公欲善其事,必先懂其基(基本原理),本篇文章先就OSPI的一些工作模式和协议等基本概念做一个相对系统的介绍。后续的篇章我们将以Winbond W35T51NW OSPI Flash为例来展开具体的驱动的适配工作。请感兴趣的读者持续关注!    读者朋友们可以先了解一下RA8D1的OSPI specifications: RA8D1的OSPI工作模式:    Support Protocol modes below xSPI规范支持多种协议模式,包括1S-1S-1S、4S-4D-4D、8D-8D-8D、1S-2S-2S、2S-2S-2S、1S-4S-4S、4S-4S-4S等。这些模式主要是基于数据传输位宽(线数)和时钟模式(SDR/DDR)进行区分。 协议模式的基本概念 1S、2S、4S、4D、8D代表了数据传输过程中使用的线数: ○ 1S(Single Line,单线):每个时钟周期传输1bit数据。 ○ 2S(Dual Line,双线):每个时钟周期传输2bit数据(双线,每根线1bit)。 ○ 4S(Quad Line,四线):每个时钟周期传输4bit数据(四线,每根线1bit)。 ○ 4D(Qcta Line,四线DDR):每个时钟周期传输8bit数据,因为采用DDR(DDR双数据速率)模式,时钟周期的上升沿传输4bit数据,下降沿传输4bit数据。 ○ 8D(Octa Line,八线DDR):每个时钟周期传输16bit数据,因为采用DDR(DDR双数据速率)模式,时钟周期的上升沿传输8bit数据,下降沿传输8bit数据。    SDR(Single Data Rate,单数据速率)DDR(Double Data Rate,双数据速率): ○ SDR:仅在时钟上升沿传输数据。 ○ DDR:在时钟上升沿和下降沿传输数据,线数相同的情况下吞吐量是SDR的2倍。 具体模式说明 不同模式的主要区别在于xSPI接口访问Flash的地址、命令和数据阶段分别使用多少条数据线进行传输。   模式   命令阶段   地址阶段   数据阶段   时钟模式   1S-1S-1S   1-bit   1-bit   1-bit   SDR   4S-4D-4D   4-bit   DDR4-bit   DDR4-bit   DDR   8D-8D-8D   DDR8-bit   DDR8-bit   DDR8-bit   DDR   1S-2S-2S   1-bit   2-bit   2-bit   SDR   2S-2S-2S   2-bit   2-bit   2-bit   SDR   1S-4S-4S   1-bit   4-bit   4-bit   SDR   4S-4S-4S   4-bit   4-bit   4-bit   SDR    下面以1S-1S-1S、4S-4D-4D、8D-8D-8D三种协议模式举例说明    1S-1S-1S(传统SPI模式) ○ 命令、地址、数据阶段都使用单线传输(每个时钟周期1bit)。 ○ 这种模式兼容传统SPI,但传输速度较慢。 ○ 优点:兼容性好,适用于低速SPI设备。    4S-4D-4D(Quad SPI DDR模式) ○ 命令阶段:使用4-bit传输(相比1S提高4倍)。 ○ 地址阶段:使用4-bitDDR传输(时钟上升沿和下降沿都发送数据)。 ○ 数据阶段:使用4-bitDDR传输,吞吐量更高。 ○ 优点:相比1S-1S-1S,吞吐量提高了8倍,适用于高速NORFlash存储应用。    8D-8D-8D(Octa SPI DDR模式) ○ 命令、地址、数据都使用8-bitDDR传输。 ○ 相比4S-4D-4D,吞吐量翻倍。 ○ 适用于极高速NORFlash存储,如PSRAM、Octa Flash、Octa HyperRAM。 Configurable address length 支持可配置的地址长度(常见如24-bit或32-bit地址模式): 24-bit通常用于小于16MB(128Mbit)的Flash; 32-bit用于更大容量的Flash(>16MB);   Configurable initial access latency cycle 指访问延迟周期(Latency Cycle)可配置,在XIP或连续读取模式中尤为关键: 设备允许设置dummy cycle数量; 适应不同主频、控制器时序要求; 优化带宽性能或兼容性。 Support XiP mode 支持Execute in Place(XIP)模式: MCU/MPU可将Flash映射入内部地址空间; 支持直接读取并执行,不需复制到RAM; 通常与memory-mapped mode、持续读取命令组合使用。    RA8D1的OSPI接口功能: Support Write Data Mask(支持写数据掩码) 允许在写入数据时屏蔽某些字节,使其不被改写,而其他字节仍然可以被正常写入。 这种功能通常用于按位更新存储器内容,而无需先读取、修改、再写入完整数据。    Support In-band Reset(支持带内复位) 通过OSPI总线上的指令或数据序列触发设备复位,而不是依赖额外的硬件复位引脚。   ○ 适用于系统集成度高、不易接触硬件复位引脚的应用,如嵌入式系统和工业控制设备。    Memory-mapping(内存映射模式) OSPI控制器支持将外部Flash设备的存储空间直接映射到MCU地址空间,使其像内部RAM/ROM一样被访问。    Support up to 256MB address space each CS(每个CS支持高达256MB的地址空间) 在内存映射模式下,每个片选(CS,Chip Select)可支持高达256MB的存储空间,这意味着可以使用较大的外部存储器。    应用场景:   ○ 适用于大容量代码存储(如执行XIP(execute In Place)),即代码直接在Flash中运行,而无需拷贝到RAM。   ○ 适用于存储大量数据,如日志记录、固件存储、AI推理模型等。    Prefetch function for burst-read with  low latency(预取功能,提高突发读取性能) 在突发读取(BurstRead)模式下,OSPI控制器会提前读取后续数据并存入缓冲区,减少访问延迟。 应用场景:   ○ 适用于实时性要求较高的应用,例如高速图像处理、实时操作系统(RTOS)等。   ○ XIP模式下,可以减少CPU访问外部Flash的延迟,提高程序运行效率。    Outstanding buffer for burst-write with high throughput(突发写入优化,提高吞吐量) 突发写入(BurstWrite)时,OSPI控制器使用Outstanding buffer(写入缓冲区),允许CPU快速提交数据,而不必等待Flash完成写入,提高吞吐量。 应用场景:   ○ 适用于数据流量较大的应用,如数据记录、固件升级、机器学习模型加载等。   Manual command(手动指令模式) OSPI支持手动发送自定义指令,使其适用于不同厂商的Flash设备,并提供更灵活的操作方式。 Configurable up to 4 commands(可配置最多4条指令):用户可以预设4条常用指令(如读、写、擦除等),减少软件控制开销,提高效率。  Status Register Polling function(状态寄存器轮询功能):允许MCU轮询Flash的状态寄存器,以确定Flash是否完成写入、擦除等操作,避免不必要的等待。    Input Strobe port timing shift(输入同步信号端口的时序调整) 在高速OSPI传输中,数据可能会有时序偏移。这个功能允许调整数据采样时钟,以确保数据稳定可靠。 应用场景:   ○ 当使用不同的Flash器件时,可能会因工艺或PCB布局导致时序误差,调整该参数可以优化信号完整性。   ○ 适用于高速通信场景,如工业自动化、汽车电子、无线通信设备等。    下面具体给读者解读一下在8D-8D-8D协议下的时序图:   点击查看大图        图中相关信号线的含义如下表所示:   信号   含义   说明   clk_spi(Internal Clock)   控制器内部工作时钟   控制器使用的内部时钟,驱动SPI状态机,不直接输出   OM_CS0/CS1   片选信号   有效为低,表示与Flash通信开始   OM_SCLK   外部SPI时钟   控制器发出的时钟信号,Flash据此采样或发送数据   OM_SIO[7:0]   Octal IO数据线   8位数据总线,双向通信(收发命令/地址/数据)   OM_DQS   数据选通信号   DDR模式下Flash输出的时钟对齐信号,用于控制器采样数据 从上图可以看到command field的一个时钟周期的上升沿可以采集8位数据(因为有OM_SIO0-OM_SIO7八根线的数据,每根线上一位数据),下降沿也可以采集8位数据,这样一个时钟周期可以采集16bit的数据。同样的道理地址段两个时钟周期,可以采集32位数据。那么这样数据段的传输速率,相比1S-1S-1S协议提高了16倍。

    瑞萨

    瑞萨嵌入式小百科 . 2025-07-16 835

  • 方案 | Molex推出家庭能源存储解决方案

    家庭里用能源的方式,正在发生一种根本性的转变。能源供应商和消费者之间曾经存在的被动关系,已转变为了由房主做出的主动决策。能源的获取、存储和分配方式、时间及地点现在由家庭能源管理系统控制,这些系统的可靠性对于用户的采用决策至关重要。    家庭能源管理转型与储能核心价值 家庭能源模式正从被动消费转向主动管理。房主通过能源管理系统自主控制能源获取、存储与分配,系统可靠性成为用户决策关键。可再生能源技术助力家庭降低用能成本,缓解电价波动影响。 家庭储能技术痛点与创新 电池储能系统(BESS)、物联网(IoT)及车到户(V2H)技术正重塑家庭能源管理,但行业仍面临挑战: ●用户对BESS安全性存疑(如火灾误解); ●需兼顾高功率吞吐、低接触电阻与紧凑设计; ●组件需满足可靠性与快速量产需求;   1.SW1 连接器   2.接线板   3.Mini-Fit 连接器   4.成品电源和信号单线电缆组件   5.Nano-Fit 连接器   6.Busbar   7.PowerPlane 母排连接器   8.Mega-Fit 连接器     Molex分级解决方案    应用场景   痛点   Molex解决方案   住宅   BESS   高功率与小型化矛盾   多功能连接器与线缆组件: • 正锁机制/树脂增强(防松脱) • 预压接引线(简化装配) • 定制化电缆方案   公用事业   BESS   系统扩展性与电网兼容性   高功率连接器与母排: • 自对齐设计(降低安装难度) • 耐高温材料(适应严苛环境) • 超声波焊接技术(提升稳定性)    住宅电池储能系统(BESS)解决方案 家庭储能系统捕捉多余的太阳能以备后用,并具备物联网(IoT)功能以提升效率。为了使这些系统达到最佳性能,连接性至关重要。    设计人员面临着在实现高功率的同时保持低接触电阻和最小电压降的挑战,同时还需解决如尽量减小元件体积等限制。为帮助解决这些难题,Molex提供了多功能连接器和线缆组件,旨在满足多样化的系统需求,支持各种配置和电路尺寸。这些解决方案提升了性能效率,简化了组装流程,助力该快速发展的行业更快推向市场。    Molex在家用电池储能系统市场提供创新解决方案:   产品   特色优势   图片 线到板   颜色编码选项   正锁机制   增强接触保护   树脂增强 信号/低功率电缆   独立布线选项   耐用包覆设计   预压接引线   可定制电缆解决方案 Busbars   灵活Busbar   硬质Busbars   层压Busbars   定制方案 接线端子   免维护操作     结实结构     杠杆激活设计     弹簧端接    公用事业电池储能系统(BESS)解决方案 为公用事业规模的电池储能系统(BESS)提供先进解决方案,依赖于稳健的连接性和高效的电力管理。      Molex的解决方案专为满足大型储能的苛刻需求而设计,确保系统的可靠性和可扩展性。这些解决方案支持与现有基础设施的无缝集成,提升公用事业电池系统的整体效率和使用寿命。    Molex公用事业电池储能系统解决方案:   产品   特色优势   图片 高功率连接器   混合电力解决方案   正锁功能   自对齐设计   耐高温 高功率线缆   高功率电缆至母线/面板   现货选项   超声波焊接能力   可定制电缆解决方案   Busbars   灵活Busbars   硬质Busbars   层压Busbars   定制方案 接线端子   免维护操作     结实结构     杠杆激活设计     弹簧端接      核心产品优势 安全认证 UL认证连接器与母排保障高功率场景安全运行; 全球合规 解决方案符合区域市场动态监管要求; 工程能力 80年互连技术经验支持定制化开发。    Molex莫仕拥有80多年的丰富经验,能够通过领先的互连解决方案和无与伦比的工程专业知识帮助家庭能源管理等行业发挥出它们的潜力。我们经过UL认证的连接器和母排可确保在大功率、恶劣环境应用中安全运行,保证产品的高可靠性。同时,在监管要求不断变化的行业中,我们的全球影响力能够提供符合区域市场需求的解决方案。  

    Molex

    Molex莫仕连接器 . 2025-07-16 770

  • 企业 | 博通发布51.2 Tbps 交换机 ASIC,正面挑战NVLink

    像 AMD 这样的芯片供应商可能正在缩小与 Nvidia 在 GPU FLOPS、内存带宽和 HBM 容量方面的差距,但如果没有 NVLink 和 NVSwitch 等高速互连和交换机,他们扩展性能的能力仍然有限。    这些技术使 Nvidia 能够构建拥有 72 个 GPU 的机架级系统,而英特尔和 AMD 仍停留在 8 个 GPU 的水平。为了突破这一限制,许多业内人士纷纷支持新兴的 Ultra Accelerator Link (UALink)协议,这是 Nvidia NVLink 的开放替代方案。    但并非所有人都认同新协议的必要性,也并非所有人都愿意等待首款 UALink 硬件的流片。作为 UALink 联盟的创始成员,博通如今认为以太网完全有能力更快地完成这项工作。    博通Tomahawk产品线经理Pete Del Vecchio告诉El Reg : “在网络的各个部分采用相同的技术会带来巨大的好处。在监控、遥测和调试工具方面,使用以太网有很多好处。这就是为什么我们认为UALink不会消失。”    博通目前还没有交出UALink的会员卡。它在谈判桌上仍然有发言权,而德尔·维基奥也不排除未来转用UALink的可能性。但他表示,就目前情况而言,这还不在路线图上。    “我们的立场是,你不需要拥有一些正在开发的规格,也许几年后你就会拥有一款芯片,”德尔维奇奥说。    相反,博通正在推进一项名为“扩展以太网”(Scale-upEthernet,简称SUE)的竞争技术。博通声称,该技术将支持在任何以太网平台上至少拥有1024个加速器的扩展系统。相比之下,英伟达表示其NVLink交换机技术可以支持576个加速器,但迄今为止,我们尚未发现任何超过72个GPU插槽的部署。 Tomahawk Ultra Broadcom 为 SUE 推出的头条芯片是新发布的 Tomahawk Ultra,这是一款 51.2 Tbps 交换机 ASIC,经过专门调整,可与传统超级计算机和 HPC 集群中的 Nvidia InfiniBand 以及类似于 Nvidia 的 GB200 NVL72 或 AMD 的 Helios 的机架规模部署中的 NVLink 竞争。    如果你感到好奇,虽然 Tomahawk Ultra 确实共享相同的封装并且与 Broadcom 的 Tomahawk 5(TH5)引脚兼容,但其内部的硅片却完全不同。    该芯片组不仅具有 512 x 100 Gbps 串行器反序列化器 (SerDes) 的相对较大的基数,还专门针对高性能网络进行了调整,据称可提供低至 250 纳秒的延迟,同时每秒推送约 770 亿次 64 字节数据包。    这一点至关重要,因为这些较小的数据包在高性能计算 (HPC) 系统中很常见,并且对于无法支持随之而来的更高消息速率的网络设备来说,可能会造成问题。Tomahawk Ultra 通过实施优化的以太网报头解决了这个问题,即使在处理较小的数据包时也能承载更大的有效载荷。    该芯片还具有全套拥塞控制机制,包括前向纠错和基于信用的流量控制,以减轻数据包丢失,同时保持与现有以太网 NIC 和 DPU 的兼容性。    该交换机还提供对网络内集体的支持,Nvidia 在其 NVLink 交换机中将其称为 SHARP,并允许将 all-reduce 等操作卸载到网络上,这有利于通过减少完成这些操作所需的带宽来提高网络效率。    说到纵向扩展交换机架构,与英伟达第五代 NVLink 交换机相比,Tomahawk Ultra 提供的带宽略高于后者,分别为 51.2 Tbps 和 28.8 Tbps。这意味着,使用与英伟达 72-GPU NVL 系统相同数量的交换机,博通可以支持包含 128 个加速器的纵向扩展架构。    与 UALink 相比,Del Vecchio 声称 Tomahawk Ultra 已经提供了更好的延迟,尽管在第一台硬件实际发货之前很难评估这一说法。    正如 AMD 架构与战略总监兼 UALink 联盟主席 Kutis Bowman 最近告诉我们的姊妹网站The Next Platform那样,该联盟预计交换机延迟将在 100-150 纳秒范围内,如果他们能够实现这一目标,这可能会使该协议在某些应用中占据优势。    话虽如此,我们仍需拭目以待,看看博通最新的芯片在实际应用中与 NVLink 以及最终的 UALink 究竟有何差距。值得庆幸的是,我们不必等待太久。博通表示,Tomahawk Ultra ASIC 已开始向客户发货,而且由于它们与 TH5 引脚兼容,因此重新利用现有的交换机机箱应该相对简单。 两全其美? 当然,UALink 硬件尚未上市并不意味着 AMD 或英特尔无法使用该协议。早在 4 月份,UALink 联盟就发布了其首个规范;而在今年 6 月份的 Advancing AI 大会上,AMD发布了Helios 机架系统,该系统将同时使用 UALink 和以太网作为其扩展架构。   没错,对于其首批机架式系统,AMD 将通过传统以太网交换机传输 UALink 协议,这意味着当其网络合作伙伴仍在将其首款 UALink 硅片推向市场时,AMD 将开始解决 v1.0 规范中任何潜在的问题。    “其他传输协议,例如 UALink 或 Infinity Fabric,也可以通过以太网传输。如果你已经拥有能够实现低延迟、高可靠性的芯片,那么你就可以进行任何你想进行的操作,只需通过以太网即可。”博通首席产品线经理 Robin Grindley 告诉我们。    然而,通过以太网隧道传输 UALink 并非理想之选。最值得注意的是,你根本无法接近 UALink 100-150 纳秒的目标。另一方面,你无法交付你没有的东西,如果 AMD 等到 2027 年才将其 Helios 机架推向市场,它将不得不与 Nvidia 600 千瓦、144 个 GPU 插槽的 Kyber 系统竞争。

    博通

    半导体行业观察 . 2025-07-16 825

  • 产品 | 日清纺微电子推出NB7400高集成度二次保护芯片

    NB7400为多节电池应用提供双重安全保障。当主保护芯片因故障失效时,该次级保护芯片可独立检测异常过充状态(支持2-4节电池组),通过熔断机制永久切断充电回路,有效预防热失控、电池爆裂等危险情况。   产品特性:   • 宽电压支持:最高耐受32V输入电压 • 高精度检测:过充检测电压可编程(4.20V-4.85V),精度达±20mV(25℃) • 抗干扰设计:可选2/4/6秒延时复位功能,避免误触发 • 超低功耗:正常工作时仅2.5μA,欠压时切换至0.2μA休眠模式 • 集成稳压器:提供1.5V-3.3V稳定输出(精度±2%),支持外接RTC等元件   该芯片采用DFN(PL)2020-8-GH微型封装(2.0×2.0×0.55mm),提供多种电压/延时组合配置。具体参数请查阅产品手册,购买渠道可通过官网查询授权代理商名   NB7400 技术规格 高耐压半导体工艺 ● 绝对最大额定值:32V ● 低工作电流 正常模式(4节电池,单节电压4.15V):典型值2.5μA 关机(待机)模式:最大值0.2μA 1-4节电池高精度电压检测   ● 过充检测电压(VDET1n)及精度: 4.20V至4.85V可调,±0.020V(25℃),±0.025V(0℃<Ta<60℃) ● 过充检测延时(带延时缩短功能(1)):2秒/4秒/6秒可选 ● 过充解除电压(VREL1n):VDET1n−0V至VDET1n−0.4V ● 过充解除条件: 电压释放型 输出电压 ● 内置稳压器VROUT引脚输出电压(VVROUT)及精度: 1.5V至3.3V可调,±2% ● COUT引脚(CMOS输出,高电平有效)输出电压:典型值4.7V 关机功能 ● 关机检测电压(VSHTDn)及精度: 2.0V(2)至3.0V可调,±0.05V ● 关机检测延时: 2秒/4秒/6秒可选 ● 关机解除电压(VSHTRn): VSHTDn+0.2V 可选过充定时器复位延时   封装 ● NB7400GH封装型号:DFN(PL)2020-8-GH(2.0×2.0×0.55mm) 注: (1) 当VDD‒VC1引脚施加4V±0.2V电压时,延时缩短至原值的约1/80 (2) 仅两节电池串联时,VSHTD2≥2.3V   典型应用电路 外形图

    保护芯片

    日清纺 . 2025-07-15 2 1055

  • 企业 | 矽力杰×HighTec打造汽车芯片“黄金组合”!SA32D MCU+RISC-V工具链破局高功能安全应用新时代

    当国产车规MCU的性能巅峰碰撞全球领先的RISC-V开发环境,一场重塑汽车电子研发模式的变革正在发生!矽力杰半导体宣布与国际嵌入式工具链领导者HighTec达成战略合作,以“国产高性能MCU+全栈开发工具”组合拳,打通智能汽车芯片落地的“最后一公里”。 黄金搭档:为何此次合作是汽车芯片界的“破局利器”? 强化技术自主性 HighTec提供全球首款通过ISO 26262认证的RISC-V开发环境,弥补RISC-V生态在成熟工具链上的短板,同时,HighTec的纯德国技术背景可确保工具链无地缘政治风险。    缩短研发周期 HighTec针对矽力杰SA32D芯片的RISC-V架构深度优化提供高效的代码编译支持,充分释放SA32D的性能和资源优势,同时,HighTec RISC-V工具链满足ISO26262 ASIL D标准需求,可减少开发者在功能安全认证中的投入,实现从芯片设计到产品认证全流程的无缝衔接。    ASIL-D安全体系全覆盖 双ASIL-D级认证(芯片+工具链)构筑汽车功能安全双保险。 HighTec S32D demo工程    矽力杰SA32D MCU:中国自主可控的ASIL-D级“安全盾牌” 硬核参数   技术维度   性能指标   安全认证   ISO 26262 ASIL-D + AEC-Q100 Grade1   处理器架构   RISC-V多核锁步集群   主频   300MHz(实时控制核)+150MHz(信息安全核)   安全加密引擎   国密SM2/3/4 + AES256+RSA4096硬件加速   功能安全机制   双看门狗+ECC内存+故障注入检测    场景定义力 智能底盘:支持电子机械制动(EMB)纳秒级响应 电池大脑:实现BMS毫伏级电压采样精度 智驾域控:多核异构架构处理感知-决策-执行全链路 高效电机:自研自主专利的“迅联架构”,实现高端30000转以上电机控制 HighTec开发套件:汽车级平台化 高性能开发工具 行业内领先的编译器技术架构:基于先进的LLVM技术,支持多种编程语言(C/C++、Rust),具有编译速度快、代码密度高以及执行效率高等特点,满足不同汽车应用场景的需求。 深度优化:针对矽力杰SA32D系列的MCU从软硬件架构进行多级别、多角度的深度优化,最大程度发挥芯片性能,减少硬件资源需求,提升代码执行效率。 高安全性和高可靠性:满足ISO 26262 ASIL D标准要求,通过严格的测试和验证,确保编译结果的准确性和稳定性,满足汽车电子等高安全性和高可靠性领域的需求。 生态合作:支持主流的AUTOSAR和调试器供应商等合作伙伴。 产业破壁:构建汽车芯片命运共同体 矽力杰MCU产品线总经理孟建斌指出:“此次合作将国产芯片的‘硬实力’与国际化工具链的‘软生态’深度融合,让中国车企不再受制于芯片开发工具的‘卡脖子’难题。”    HighTec全球销售总裁Mario Cupelli强调:“RISC-V的开源、开放架构与HighTec拥抱开源技术的理念完美契合。在全球供应链不确定性加剧的背景下,此次合作不仅为汽车嵌入式领域提供了规避地缘政治风险的高可靠性选择,更将加速RISC-V生态在中国关键市场的成熟。”

    矽力杰

    矽力杰半导体 . 2025-07-15 2940

  • 企业 | AOS出售重庆万国半导体20%股权,约10.76亿元

    7月14日,美国Alpha and Omega Semiconductor Limited(“AOS”)今日宣布,已与一位战略投资者签署股份转让协议,出售其位于中国重庆的功率半导体封装、测试及12英寸晶圆制造合资工厂(重庆万国)约20.3%的股权。    根据协议,该投资者将以总计1.5亿美元(约合人民币10.76亿元)的现金对价收购这部分股权,分四期支付,具体以满足特定条件为前提。AOS预计此次交易将在2025年底前完成。 本次交易前,AOS持有重庆万国约39.2%的股权;本次出售后,AOS将减持约一半股份。基于此次交易的估值,按照美国通用会计准则(GAAP),AOS预计将在截至2025年6月30日的财季中对重庆万国的股权投资确认一笔减值损失,并在非通用会计准则(non-GAAP)下予以剔除。   此次出售将为AOS带来额外且可观的资金,用于持续投入技术研发、创新项目以及并购与主营业务互补的资产,从而加速开发和推广面向全球客户的创新、多元化功率半导体产品。 值得注意的是,此次交易不会影响AOS与重庆万国的持续业务合作,AOS仍将依据现有协议享有重庆万国的晶圆制造及封装测试产能,同时其专有技术和知识产权也将继续受到保护。 AOS首席执行官Stephen Chang表示:“我们与重庆万国的长期伙伴关系依然稳固,重庆万国在我们的供应链中扮演着重要角色。今天的交易符合我们多年前制定的资产变现路径,也体现了我们持续为股东创造价值的承诺。通过兑现我们在重庆万国中的一部分价值,我们得以将资金再投资于人才、工具和知识产权,以拓展产品组合,同时保留支撑我们增长战略的供应链伙伴关系。”   值得注意的是,美国商务部7月2日宣布,芯片公司Alpha and Omega Semiconductor(AOS)已同意支付425万美元与美国商务部达成和解,以解决其2019年华为被列入实体清单后,未经授权向华为出口1650个电源控制器等产品的违规行为。 尽管相关产品在美国之外生产,但因从美国出口,仍受美国出口管制约束。此次出售重庆万国股权,或许是AOS公司为应对地缘政治带来的监管压力而做出的决策。   AOS 总部位于加州桑尼维尔,业务覆盖美国和亚洲,在俄勒冈州希尔斯伯勒设有晶圆制造工厂。作为全球供应商,其产品组合丰富,包括各种分立功率器件、宽带隙功率器件、电源管理 IC 和模块等,涵盖功率 MOSFET、SiC、IGBT 等,面向个人电脑、数据中心、智能手机、汽车电子产品等大批量应用。   AOS 拥有广泛的知识产权和技术知识,能推出创新产品满足先进电子产品的电源需求,通过整合多种技术开发高性能电源管理解决方案。多年来,AOS 致力于遵守包括出口管制法规在内的所有适用监管要求,并显著强化流程和政策以确保持续合规,其核心价值观和合规文化将支持其扩大客户群和丰富产品供应的战略努力。

    半导体

    芯查查资讯 . 2025-07-15 1235

  • 技术 | 一文讲透汽车区域控制架构,以及那些关键技术

    三十年前,汽车堪称机械工程领域的奇迹之作,但以如今的标准来看,其构造相当简单:入门级汽车仅配有收音机和电子点火装置;车窗升降器是手动的;仪表盘上装有机电式速度计和一些警示灯;电力通过仪表盘上的开关直接从电池传输至前大灯……那时的汽车没有防抱死制动系统 (ABS) 和安全气囊,也没有中央计算机,所有部件都使用模拟信号,并且相互独立。 区域控制架构的核心概念与设计逻辑 如今,车辆集成了数百种功能,其中许多功能是法规强制要求或消费者所需求的。为了实现这些功能,汽车制造商陆续安装了电子控制单元 (ECU)。每个系统(制动、照明、信息娱乐等)均配备了各自的 ECU、软件和布线。随着时间的推移,单辆汽车中形成了由 100 到 150 个 ECU 组成的复杂网络,并且这个网络还在继续变得越来越复杂。为了突破这种复杂性,汽车制造商开始采用软件定义汽车 (SDV) 架构。SDV旨在实现软件控制的集中化,从而简化功能的更新、管理和扩展。然而,即使实现了这种转变,若汽车制造商不重新考量车辆的物理架构,底层的布线和分布式硬件仍可能成为系统瓶颈。   于是,区域控制架构应运而生,这是一种基于位置的现代设计策略,对 SDV 原则起到补充作用,并显著简化了车辆系统。 图 1. 30年前的传统式架构示意图,采用集中式配电 区域控制架构是一种范式转变,它依据位置而非功能来组织车辆电子设备。不再为每个子系统配备专属的 ECU,而是在车辆的各个区域(如左前角、右后角或车舱内)安装区域控制器。这些控制器管理各自区域内的本地设备,如车灯、开关和传感器。并非每个组件都运行各自的软件,而是由区域控制器充当中心枢纽,负责配电和数据通信。    这些区域控制器连接到中央计算机,中央计算机中装有定义车辆行为的核心软件。因此,对于中央门锁、照明或温度控制,无需单独的 ECU,中央计算单元做出决策,区域控制器负责执行。    这种转变用更简单、更易于管理的区域布局取代了数百条点对点的线路,显著提高了设计的清晰度和系统效率。  解决区域设计关键实施挑战,核心优势凸显重大进步 尽管区域控制架构优势显著,但实施过程并非毫无挑战。首先,并非所有边缘模块都可以完全去除智能功能。一些组件(例如先进的照明系统)为实现性能、安全性或专有功能,仍需要本地处理。一级供应商提供的这些模块带有内置软件,因为他们拥有对模块进行编程和控制的专业知识。    这给采用区域设计的 SDV 带来了一项核心挑战,即需在集中控制与本地化灵活性之间找到平衡。在许多情况下,汽车制造商负责处理中央计算软件,而一级供应商则管理所制造模块的嵌入式软件。实现纯软件的中央大脑是目标,但往往需要做出妥协。   传统的 ECU 使用 CAN 和 LIN 等传统通信协议,这些协议适用于独立模块,但在区域控制架构中扩展时会变得难以管理。这正是汽车以太网(特别是10BASE-T1S)发挥作用的地方。    10BASE-T1S 是一种专为汽车应用设计的低速(10 Mbps)多分支以太网标准。它允许多个节点(如前大灯、转向灯和门锁)共享一对双绞线,减少了对昂贵点对点连接的需求。  图 2. 10BASE-T1S 多分支连接示例 这种方法简化了布线,降低了成本,并利用了以太网成熟的生态系统(包括时间同步和错误恢复功能),避免了 100BASE-T1 或千兆以太网等高速以太网的开销。对于低带宽设备来说,这些高速以太网是不必要的。    总体而言区域控制架构在车辆开发、生产和运营方面具有五大优势: 降低布线复杂性和重量:减少电线和连接器的使用,既减轻了车重,又缩短了制造时间。 降低材料和装配成本:简化布线意味着制造成本降低,维护更加简便。 提高可扩展性:通过软件即可添加或更改新功能,无需重新设计硬件布局。 集中软件控制:简化开发流程,并支持无线 (OTA) 更新,这是 SDV 的关键推动因素。 更智能的功能协调:以照明为例。在传统车辆中,要实现解锁时前大灯闪烁,需要集成多个 ECU。在区域设计中,中央计算机发送单个命令,然后由相应的区域控制器执行该命令,无需冗余布线或单独的照明逻辑。  从以太网到智能开关,安森美助力向区域控制架构转型 作为全球领先的汽车半导体技术供应商,安森美 (onsemi)认为区域控制架构体现了车辆设计与制造方式的范式转变,通过提供业界领先的产品和解决方案,安森美正在助力全球汽车制造商向区域控制架构转型。通过按物理位置对功能进行分组,并利用基于以太网的通信,汽车制造商显著降低了系统复杂性、布线成本和维护难度。    例如,区域控制器不仅负责数据中继,还为其所在区域内的组件配电。这意味着它们在系统安全和诊断方面起着关键作用,为此,安森美非常重视智能开关的作用,安森美的智能开关功能已经远不止基本的电路保护。这些智能器件具备以下特性: 每个通道的电压和电流监测功能 支持 ASIL B、ASIL D 等汽车安全标准 故障安全和故障运行模式,即使检测到故障,也能确保功能持续运行 例如,在发生故障时,安森美智能开关可以降低功率、隔离故障,或进入安全回退模式,而不是完全关闭前大灯等关键系统。这种洞察和控制能力对于更高级别的自动驾驶来说至关重要。  图 3. 典型的区域配电架构 与软件定义汽车的原则相结合时,区域设计为更快的创新、更广泛的定制和更智能的诊断铺平了道路。借助 10BASE-T1S、远程控制协议 IC 和智能配电等支持技术,安森美正在助力汽车制造商实现这一愿景,提供可扩展、安全且高效的区域控制方案,以满足现代出行不断变化的需求。

    安森美

    安森美 . 2025-07-15 515

  • 产品 | 艾为重磅发布新一代小封装、超低功耗、全适配硅负极电池智能数字音频功放

    随着音频领域技术的持续发展以及终端用户对音频效果的追求不断升级,为给用户带来极致的音频体验,艾为推出了全新一代Digital Smart K智能数字音频功放——AW88271CSR。该产品具备三大核心优势:超低功耗、超小封装,以及全面支持各类硅负极电池。 图1 AW88271CSR封装 AW88271CSR是一款支持I²S/TDM接口的智能数字音频功放,其最大功率可达5.4W@8Ω。该芯片内置高精度IV反馈电路,能实时监测负载喇叭的工作状态并提供保护;UVL=1.7V,可全面适配各类硅负极电池应用,有效延长设备续航时间。 在封装设计上,该芯片实现小型化迭代,创新性地采用 0.35mm引脚间距,显著减小了芯片尺寸,大幅降低PCB占板面积。同时,其搭载LPC与Adaptive Multi-Driving技术,不仅使小信号效率提升10%以上,还能显著降低功放的噪声与功耗。 图2 典型应用框图 全适配硅负极电池 随着硅负极电池的逐步普及,设备关机电压持续下调 —— 从原先的3.4V降至当前的2.8V,未来将下探至2.3V。这一趋势对芯片的低压工作性能提出了更强烈、更严苛的要求。 艾为AW88271凭借1.7V的业内超低欠压锁定值,能够全面适配各类硅负极电池,完美满足上述低压工作需求。 图3 电池关机电压演进 手机功放业界超小封装 AW88271CSR创新性地采用0.35mm引脚间距设计,进一步缩小了芯片尺寸,单颗芯片尺寸仅为1.84mm×1.84mm;相较于上一代产品AW88261FOR,其芯片面积缩减46%。  图4 较上一代芯片面积变化 低功耗技术持续升级 AW88271CSR创新性地将低功耗技术与LPC技术相结合,形成 “组合拳” 效应,能大幅提升在各类应用场景中的运行效率,有效降低整机功耗,为用户带来更长久的设备待机时间。    全新低功耗技术 AW88271CSR采用全新低功耗技术,在不同音量场景下均能实现效率提升:中小信号场景效率提升10% 以上,大音量场景效率提升约5%,有效降低了芯片功耗。不同音量下的具体功耗收益如下表所示。 表1 不同音量下的功耗收益 LPC技术 LPC功能开启后,可有效降低功放的噪声与功耗。这一模式在静态功耗控制与底噪优化方面带来显著收益,相较于上一代产品,相关性能得到了明显提升。 表2 较上一代性能收益对比 AW88271CSR作为新一代Digital Smart K系列的新成员,可广泛应用于智能手机、平板电脑、个人电脑、工业互联等各类电子设备。凭借低功耗、小封装以及全面适配各类硅负极电池这三大核心优势,该芯片持续为用户带来更优质的音频体验。艾为也将始终致力于为全球消费者打造更高品质的科技体验。    更多Digital SmartK系列选型推荐:

    艾为

    艾为之家 . 2025-07-15 735

  • 企业 | NVIDIA CEO 黄仁勋在美国和中国推广 AI

    本月,NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋在美国和中国推广 AI,强调了 AI 将为全球商业和社会带来的诸多益处。    在美国华盛顿,黄仁勋会见了美国总统特朗普和政策制定者们,重申了 NVIDIA 在支持政府创造就业机会、加强美国 AI 基础设施和本土制造业,以及保持美国在 AI 领域领先地位等方面所做出的努力。    在中国,黄仁勋与政府和业界官员会面,探讨 AI 将如何提高生产力和扩大机遇。此次会谈强调了世界各地的研究人员如何推进安全可靠的 AI,进而造福全人类。    黄仁勋还向客户分享了最新消息,NVIDIA 正在提交重新销售 NVIDIA H20 GPU 的申请。美国政府已向 NVIDIA 保证将授予许可证,并且 NVIDIA 希望尽快启动交付。最后,黄仁勋宣布推出一款全新且完全兼容的 NVIDIA RTX PRO GPU,该产品“是为智能工厂和物流打造数字孪生 AI 的理想选择”。    黄仁勋在访问期间指出,世界已经到达一个拐点—— AI 已经成为一种基础资源,就像能源、水和互联网一样。黄仁勋强调,NVIDIA 致力于支持开源研究、基础模型和应用开发,从而实现 AI 的普及,并将为拉丁美洲、欧洲、亚洲以及所有其他地区的新兴经济体提供支持。    “通用、开源的研究和基础模型是 AI 创新的支柱,”黄仁勋在华盛顿接受记者采访时表示。“我们相信,每种民用模型都能够在美国的技术堆栈上实现理想运行,这将帮助世界各国选择我们的解决方案。”

    NVIDIA

    NVIDIA英伟达 . 2025-07-15 580

  • 产品 | 功率密度跃升50%!英诺赛科SolidGaN重塑电源设计天花板

    全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 发布4款基于 700V SolidGaN平台新品:ISG6123TA / ISG6123TP / ISG6124TA / ISG6124TP,采用TOLL,TOLT主流大功率器件封装,兼容传统控制器和驱动器应用生态,实现简单易用。 当前,服务器电源向更高功率爬升(从2kW到6kW)、光伏逆变器追求99%效率、车载OBC挑战3.3kW/L甚至更高功率密度,电源设计工程师面临着系统复杂、热管理难、可靠性不稳定的三重焦虑。英诺赛科ISG612x系列SolidGaN具备高开关频率、高功率密度及高散热能力,可实现氮化镓在更高功率电源应用中的极致高效与稳定! 颠覆性创新,重构GaN价值逻辑 01. “无感替换”生态  10-24V宽栅压驱动:兼容SiC/IGBT控制器  引脚兼容设计:TP与TA版本功能引脚一一对应  集成LDO栅极钳位,彻底消除Vgs过冲风险    02. 性能边界突破   100V/ns dv/dt保护 + 0.5Ω强下拉米勒钳位,消除负压需求 零反向恢复电荷 (Qrr=0),开关损耗降低40%  超低热阻:    TOLT封装:0.48℃/W(ISG6124TP)    TOLL封装:0.46℃/W(ISG6123TA)    03. 应用优势提升  可应用于1KW~6KW服务器电源、空调电源、工业电源等大功率应用; 对比传统方案效率提升1~2%,功率密度提高50%    04. 与同类型产品对比可实现  开关频率提升3倍(2MHz vs 650kHz SiC)   功率密度提高50%(实测数据)   系统元件减少60%(驱动+保护电路整合) 英诺赛科612X系列产品矩阵 从单点突破到全栈赋能!截至目前,英诺赛科ISG612X系列合封氮化镓(SolidGaN) 已推出8款产品,不仅为工程师提供了多样化选择,还能实现便捷设计,让简单易用与极致性能不再对立。      如需获取ISG612X系列产品规格书,请登录英诺赛科官网www.innoscience.com  查看与下载;如需申请ISG612X系列样品,请发送需求至邮箱:jiaxinhuang@innoscience.com ,或直接与销售联系。

    英诺赛科

    英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-07-15 585

  • 企业 | 新思收购Ansys获得我国有条件批准

    2025年7月14日,市场监管总局发布消息,决定附加限制性条件批准新思科技公司收购安似科技公司股权案。 鉴于此项经营者集中在全球和中国境内光学软件、光子软件市场、部分 EDA 软件市场和设计 IP 市场具有或者可能具有排除、限制竞争效果,根据申报方提交的附加限制性条件承诺方案,市场监管总局决定附加限制性条件批准此项集中,要求集中双方和集中后实体履行如下义务: 剥离光学解决方案相关业务,即新思科技整个光学和光子器件仿真业务。 剥离功耗分析软件有关业务,即安似科技功耗分析软件相关的研发、分销、许可、销售等业务。 遵守所有现有客户合同,包括价格和服务水平条款。不得终止现有客户合同,不得拒绝中国客户续签现有客户合同的要求,公平、合理、无歧视地向中国客户供应主要用于寄生分析、晶体管级电源完整性分析和功率器件分析的新思科技 EDA 产品和安似科技 EDA 产品。 不得以任何方式捆绑搭售交易双方相关产品,不得阻碍或限制客户单独购买或使用新思科技或安似科技相关产品,不得在服务水平、价格或功能等方面对客户差别对待。 继续支持安似科技相关 EDA 产品或主要用于寄生分析、功率器件分析和晶体管级电源完整性分析的新思科技相关 EDA 产品所支持的行业标准格式。 继续维持并应中国客户要求续签有关产品的现有互操作性协议。 在获得中国客户书面支持的情况下,根据第三方 EDA 厂商的要求,与第三方 EDA 厂商签订互操作性协议。 【保密信息】 一、案件背景   新思科技公司(以下简称“新思科技”)于1986年成立于美国,是一家纳斯达克证券交易所上市公司,主要从事电子设计自动化(EDA)软件和设计知识产权(IP)业务,为芯片和电子系统开发公司提供解决方案。安似科技公司(以下简称“安似科技”)成立于1970年,同样是一家纳斯达克上市公司,主要业务为开发和销售数字模型仿真与分析(S&A)软件和服务,其S&A软件可用于半导体设计领域,可视为EDA软件。2024年1月15日,新思科技与安似科技签署协议,新思科技将以现金和换股形式收购安似科技所有流通的普通股,交易完成后,安似科技将成为新思科技的全资子公司。 二、审查过程 该交易虽未达到国务院规定的申报标准,但有证据显示其具有或可能具有排除、限制竞争的效果。市场监管总局于2024年5月11日书面要求新思科技就本交易进行申报。2024年7月10日,本案以非简易程序申报。2024年12月5日,市场监管总局确认申报材料符合要求,受理并开始初步审查。2025年1月3日,决定实施进一步审查。2025年4月3日,经申报方同意,延长审查期限。2025年5月15日,审查期限中止计算,2025年7月11日恢复计算,目前处于进一步审查延长阶段,截止日为2025年8月2日。 三、竞争分析 市场监管总局经审查认为,此项集中对全球和中国境内光学软件、光子软件、部分EDA软件和设计IP市场具有或可能具有排除、限制竞争的效果。在光学软件市场,2023年新思科技和安似科技的全球市场份额分别为25%—30%和40%—45%,合计65%—70%,交易后赫芬达尔—赫希曼指数(HHI指数)增量达2312.8,市场高度集中,交易将进一步提高市场集中度,消除有力竞争者,使集中后实体获得市场支配地位。光子软件市场、寄存器传输级(RTL)功耗分析软件市场、晶体管级电源完整性分析软件市场、功率器件分析软件市场和寄生分析软件市场也存在类似情况,交易后市场集中度进一步提高,集中后实体市场控制力增强,其他竞争者难以形成有效竞争约束。此外,交易还可能对具有相邻关系的全球和中国境内部分EDA软件和设计IP市场产生排除、限制竞争的影响。 四、附加限制性条件 为减少此项经营者集中对竞争造成的不利影响,市场监管总局要求集中双方和集中后实体履行以下义务:剥离新思科技整个光学和光子器件仿真业务以及安似科技功耗分析软件相关业务;遵守现有客户合同,公平、合理、无歧视地向中国客户供应相关产品;不得捆绑搭售相关产品,不得阻碍客户单独购买或使用相关产品,不得差别对待客户;继续支持相关行业标准格式;维持并续签现有互操作性协议,与第三方EDA厂商签订互操作性协议等。上述限制性条件自生效日起10年内有效,期限届满后自动终止。市场监管总局有权监督检查申报方履行上述义务的情况,如未履行,将依法处理。 市场监管总局附加限制性条件批准新思科技收购安似科技股权案,体现了其在维护市场公平竞争、保护消费者利益方面的决心和担当,也为相关企业在进行经营者集中行为时提供了重要的参考和警示。

    EDA

    cinno . 2025-07-14 2 1505

  • 产品 | Cadence 推出面向新一代音频应用的支持缓存一致性的对称多核处理器 HiFi 5s SMP

    新一代消费电子及汽车音频系统的复杂性与日俱增,基于生成式 AI 的音频处理、沉浸式音效以及软件定义汽车中的高级信息娱乐系统等市场驱动因素,对音频 DSP 性能提出了更高的要求。然而,单个 DSP 已无法满足日益增长的计算需求,而多个 DSP 又会大幅增加编程难度。 如今,原始设备制造商(OEM)和系统级芯片(SoC)供应商必须在日益紧迫的产品上市压力下,独立完成所有多核硬件设计和软件开发工作。与此同时,程序员们正艰难应对基于软件的共享存储域的复杂同步问题,绞尽脑汁设法将任务合理分配到多核集群中。这可能导致设计性能无法达到预期。   在这个快速发展的背景下,亟需一种开箱即用的硬件设计,并配备支持多核的操作软件,以减少硬件设计时间,并有效管理多核音频产品开发中的软件复杂性。   多核创新技术让卓越性能和易用性成为可能   为简化多个 DSP 的编程流程,Cadence 对其旗舰产品 Xtensa LX8 平台进行了升级,新版本将具备对称多处理能力。借助全新的 Xtensa Multicore LX8 平台,SoC 设计人员可自动生成最多八个具备硬件缓存一致性的对称多处理器(SMP)集群。   Cadence 将高性能的 Tensilica HiFi 5s DSP 平台提升至新高度,并基于此推出首款产品。Tensilica 支持缓存一致性的 HiFi 5s SMP 提供了可扩展的性能和更高的资源利用率,同时简化了各种音频 DSP 应用的软件开发。   TECHnalysis Research 总裁 Bob O'Donnell 指出:“鉴于当今汽车中娱乐和信息应用的日益复杂,对能够提供支持对称多处理等技术的强大音频处理平台的需求日益凸显。考虑到软件定义汽车预计将随着时间的推移提供各种新型功能,您就能理解为什么汽车制造商和一级原始设备制造商(OEM)需要在其新车中尽可能地融入最先进的 IVI 功能。”   支持缓存一致性的 HiFi 5s 对称多核处理器   Tensilica 缓存一致性 HiFi 5s SMP 专为高性能、低功耗音频应用而优化设计,支持从双核扩展到八核,并集成了中断分发器和跨核调试能力等集群特性。应用开发由 Zephyr 和FreeRTOS 这两个流行的开源多核实时操作系统(RTOS)提供支持。Cadence 自有RTOS XOS 的多核支持计划将于 2025 年晚些时候推出。   简易软硬件集成   客户在指定 HiFi 5s DSP 配置和核心数量后的几小时内,即可从 Cadence 的 Xtensa 处理器生成器(XPG)下载多核集群,这大大简化了硬件集成流程。设计人员还将获得一个完整的、支持多核的软件开发工具包(SDK)。   该多核感知 RTOS 能在各核心间分配任务并管理跨核软件同步,减轻应用负载。缓存一致性使得 SMP 集群中的每个核心都能获得统一的存储视图,从而避免了非一致性多核设计中常见的碎片化问题和利用率不足的缺陷。如此一来,应用能够轻松根据核心数量进行扩展,以满足不同的性能需求。   客户和合作伙伴一致看好缓存一致性 HiFi 5s SMP Bestechnic 总经理赵国光表示:“无论是小型耳塞、无线耳机还是智能音箱,如今的消费者追求高度沉浸式的音频体验。要满足如此广泛的产品和用例,需要一个易于编程的可扩展音频计算平台。Tensilica HiFi 5s SMP 出色地满足了这些需求,同时还能最大限度地提高资源利用率,从而能够将高性价比的产品及时推向市场。”   “汽车信息娱乐市场瞬息万变,每一轮更新都要推出新功能,因此快速上市至关重要。在这个高度动态化的市场中,高效快速地开发和部署复杂音频软件是成功的关键。”Dashchip 公司联合创始人兼首席科学家缪海波说道,“缓存一致性多核 HiFi 5s SMP 提供了前所未有的可扩展性和适应性,同时大大简化了软件开发难度,使 OEM 能够及时为消费者提供高度沉浸式的车内音频体验。”   杜比实验室副总裁兼消费娱乐事业部总经理 Mahesh Balakrishnan 表示:“从影院到家庭、从手机到现在的汽车,享受杜比全景声(Dolby Atmos)体验从未如此轻松。我们为消费者带来创新音频体验的能力建立在与 Cadence 等合作伙伴的深入协作之上。我们非常高兴地庆祝这项最新创新,它将为原始设备制造商(OEM)提供更多选择,以无缝满足日益增长的下一代音频需求。”   “我们很高兴看到 Cadence 市场领先的 Tensilica HiFi DSP 持续创新。由我们好评如潮的 AudioWeaver 工具生成的汽车和 TWS 耳机音频应用,高效映射至 Tensilica 缓存一致性 HiFi 5s SMP,它提供了真正的并发处理能力以实现可扩展性能。该平台提供的硬件缓存一致性机制帮助我们避免了基于软件的跨核同步错误,使多核软件开发变得轻而易举。”长期与 Cadence 合作的 DSP Concepts 公司首席技术官 Paul Beckman 表示,“使用 AudioWeaver,OEM 现在可以及时在缓存一致性 HiFi 5s SMP 平台上实现更高的性能配置,并确保每个多核配置对可用总内存和周期的利用率达到最大化。”   让客户与合作伙伴双双获益 统一的资源视图简化了合作伙伴软件的集成,该视图允许将可用的 DSP 周期和总可用内存信息开放给客户的代码。通过硬件管理缓存一致性,消除了跨核相关的软件同步错误,从而提高了产品质量并减少了退货。经过高度调优的 SMP 架构使音频应用能够实现接近理论最大值的性能,并与核心数量相匹配。适应应用变更能力也得到极大促进,有效缩短了软件开发的总体完成时间。   “随着音频设备日益复杂,如何管理复杂软件并充分发挥多 DSP 计算平台的潜力是一项挑战,”Cadence 芯片解决方案事业部 Tensilica 产品高级市场总监 Chris Jones 说道,“编程便捷性和软件可靠性对于帮助客户获得竞争优势愈发关键。我们新推出了可配置的 Tensilica 缓存一致性 HiFi 5s SMP 解决方案,让客户能够高效扩展音频产品,同时实现更高的资源利用率并加速产品上市。”   依托 Xtensa 平台业界领先的指令集可扩展性,客户可以增强 HiFi 5s ISA 以优化自己的应用。Xtensa SDK 包含 SystemC 模型,用于加速软件开发进程。Cadence 及其强大的合作伙伴生态系统(涵盖 200 多家合作伙伴)提供众多 HiFi 优化软件包和音频/声音/语音编解码器,帮助客户迅速为每个产品 SKU 提供正确的功能集。   产品供应 缓存一致性 HiFi 5s SMP 已被早期客户采用,现正式上市。客户可通过 SDK 提供的多核示例快速上手。

    汽车音频

    Cadence . 2025-07-14 790

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