产品 | 新唐科技推出搭载 EIS 功能的 26 串电池管理芯片，并开始提供样品
新唐科技将于2027年1月开始提供搭载EIS功能的26串电池管理芯片「KA85010UA」的样品。 与传统方法相比，我司自主研发的电感方式，在实现电池劣化诊断、寿命预测以及电芯异常的早期检测的同时，可将EIS测量期间PCB温升降低约93%。此外，我们还提供EIS分析算法，以支持客户顺利的将相关功能导入到实际应用中。 产品优势 EIS集成于BM-IC，可定量评估电池内部状态 可实现电池劣化诊断、寿命预测以及电芯异常的早期检测，为汽车及储能系统安全性的提升作出贡献。 采用自主研发电感法，实现低功耗阻抗测量 与传统方法相比，可将测量期间PCB温升降低约93%，有助于在汽车及储能系统中实施EIS功能。 提供EIS分析算法及从测量环境构建到产品导入的一站式支持 通过支持快速导入基于EIS的电池诊断功能，缩短开发周期。 产品详情 随着汽车电动化以及储能系统（ESS）的应用不断扩大，电池已成为支撑现代社会基础设施的重要组成部分，因此电池的安全性越来越被关注。尤其是在电池系统容量和输出功率不断提升的背景下，市场对于能够提前发现电芯内部短路、异常发热等问题征兆，从而防止重大故障和事故发生的技术需求正在快速增长。 传统电池系统主要通过测量电压、电流和温度来估算电池状态，但难以直接捕捉电池内部正在发生的变化。相比之下，EIS（电化学阻抗谱）测量能够以阻抗特性的形式定量反映电池内部状态的变化，因此被期待在健康状态（SOH）评估、内部温度估算以及电芯异常的早期检测方面的潜力。然而，迄今为止，EIS评估主要依赖实验室环境中的专用测量设备。在实际应用中EIS技术的运用仍还有诸多挑战需要克服，例如发热与噪声干扰该如何管理、如何根据电芯的运行状态来控制测量时机、以及针对测量数据开发对应的EIS分析算法等。 为了解决上述挑战，我司开发了搭载EIS功能的第6代电池管理芯片「KA85010UA」。通过电感式方案抑制发热，可在运行、充电及静置等多种状态下实现EIS测量。此外，我司还提供经过汽车制造商及研究机构联合验证的EIS分析算法，以此来帮助客户更快的实现电池诊断解决方案的产品化。 新产品特点 １. 电池管理芯片中集成了EIS功能，实现电池内部状况的量化评估 实现电池劣化诊断、寿命预测以及电芯异常的早期检测，提升汽车和储能系统的安全性 本产品除具备一般的电池管理功能外，还将基于EIS的阻抗测量功能集成于单颗芯片中。EIS是一种通过向电池施加交流电流所产生的电压与电流响应来计算电池阻抗的技术。因此无需过去所需的专用EIS测量设备，即可在系统内部实施EIS测量，实现对电池内部状态的持续监测与诊断（※1）。 通过EIS获得的阻抗特性，在不同频率范围内能够反映不同的电池内部信息：高频区域可反映端子、连接线路及电解液状态变化；中频区域可反映负极材料状态变化；低频区域可反映正极材料状态变化及内部化学反应情况（图1）。因此，相对于仅凭电压、电流和温度的测量难以判断电池的内部状况的传统方法，EIS能够进行定量评估，用于SOH估算、内部温度推算、电池寿命预测及电芯异常的早期检测，从而提升汽车和储能系统中的电池安全性。 图1 EIS可评估的电池内部状态 ※1：在我司规定的特定评估条件下，将本产品获得的EIS测量结果与专用EIS测量设备以及IEC 62620规定的1kHz交流内阻测量结果进行比较，量化数据验证了两者之间具有高度一致性。相关研究成果已作为与日本产业技术综合研究所（AIST）联合研究成果发表在IEEE论文上。https://doi.org/10.1109/TIM.2026.3661703 ２.采用自主开发的电感法，实现低功耗阻抗测量 较传统方法可降低约93%的PCB温升，解决EIS功能在汽车及储能系统中应用的难题 EIS测量需要通过电路向电池施加交流电流。传统电阻法中，需要数安培电流流经电阻，大部分能量都会转化为热量消耗，因此发热和功耗始终是亟待解决的重要课题。 本产品采用我司自主开发的电感法取代传统的电阻法。通过两个开关器件（FET）控制电流方向，并利用线圈（电感器）储存的能量循环形成交流电流产生测量电流，从而显著降低能量损耗。根据我司的评测结果，与传统电阻法相比，电感法可将电流损耗和PCB温升降低约93%（图2、图3）。 这种低功耗、低发热特性有利于EIS功能在动力电池及储能系统中的实际应用。同时，还能够在运行、充电及静置等各种工作状态下稳定获取EIS测量数据，为更全面的电池状态监测和诊断提供支持。 图2电感法降低功率损耗效 图3电感法降低温升效果 ３.EIS分析算法及从测量环境搭建到产品落地的一站式技术支持 加快电池诊断解决方案的开发，缩短开发周期 仅仅凭EIS获取的阻抗数据是无法进行电池诊断的，需要充分利用这些数据形成算法才能够做到SOH估算、内部温度推算以及电芯异常的检测。此外，实现商业化应用还需要构建高精度阻抗测量环境、针对不同电池类型和应用场景开发专属的EIS分析算法、开发面向实际系统应用的软件平台等庞大的工作。 依托与汽车制造商及研究机构开展联合验证所积累的EIS数据分析经验，我司能够提供从EIS测量环境搭建、电池数据采集与整理，到估算功能开发、异常检测功能实现以及最终应用集成的全流程技术支持。（※2、※3、※4）（图4）。 即使是首次接触EIS技术的客户，也能够借助本公司的支持，更轻松地构建电池诊断系统，加快系统构建并缩短整体开发周期。 图4 电池诊断解决方案开发流程与支持内容 ※2：基于交流法的高速分级（电池劣化诊断）技术验证及其成果 ※3：2024年与日本产业技术综合研究所（AIST）联合开展的电池诊断技术研究成果报告 ※4：2025年与产业技术综合研究所（AIST）关于电池内部温度估算技术的联合研究成果报告 应用领域 电动汽车（EV）、大型储能系统（ESS）、循环利用电池诊断系统等 产品型号 搭载EIS功能的第6代电池管理芯片：KA85010UA 规格参数 型号：KA85010UA 最大支持电芯数：26串 主要功能：电芯电压、电流及温度测量、EIS测量 EIS方式：电感激励方式、采用正交检测进行V/I复数运算 电压测量精度：±2.0mV（EOL） 功能安全与品质标准：支持ISO 26262 ASIL-D、符合AEC-Q100
新唐
新唐MCU . 2026-10-16 1113
产品 | 低边FET驱动型 单节锂电池保护IC
NB7144ZA是一款适用于单节锂离子电池／锂聚合物电池的保护IC，集成高精度过充电、过放电、过电流及短路保护功能，并可选配过温保护和低温保护功能。 本IC还支持强制待机功能，可大幅降低IC的电流消耗；同时内置强制复位功能，可同时关闭充电FET和放电FET，实现MCU的安全重启。 规格 NB7144 系列 输入电压 VDD – VSS = 1.5 V to 5.0 V VDD – VVM = 0 V to 5.5 V (Maximum Rating: 12 V) 元件数 1 电源电流 Typ. 1.50 µA / Max. 3.00 µA (TDET: Disabled) Typ. 2.00 µA / Max. 4.00 µA (TDET: Enabled) 待机电流 Max. 0.20 µA （VDET2: Auto release Type) Max. 0.04 µA （VDET2: Non-Auto release Type) 过充电 检测电压 3.6 V to 4.8 V (0.005 V Step) 过充电 检测电压精度 ±10 mV 过充电检测 延迟时间 1024 ms, 4096 ms 过放电 检测电压 2.0 V to 3.4 V (0.005 V Step) 过放电检测 电压精度 ±35 mV 过放电检测 延迟时间 32 ms, 64 ms, 128 ms 放电过电流 检测电压 VDET31: 0.0050 V to 0.0800 V (0.0005 V Step) VDET32: 0.0100 V to 0.1000 V (0.0005 V Step) 放电过电流 检测电压精度 VDET31: ±1.0 mV (0.0050 V to 0.0300 V), ±1.5 mV (0.0305 V to 0.0500 V), ±2.0 mV (0.0505 V to 0.0800 V) VDET32: ±2.0 mV (0.0100 V to 0.0600 V), ±3.0 mV (0.0605 V to 0.1000 V) 放电过电流检测 延迟时间 VDET31: 8 ms, 16 ms, 32 ms, 512 ms, 1024 ms, 4096 ms VDET32: 8 ms, 16 ms 充电过电流 检测电压 –0.0800 V to –0.0050 V (0.0005 V Step) 充电过电流 检测电压精度 ±1.0 mV (–0.0050 V to –0.0300 V), ±1.5 mV (–0.0305 V to –0.0500 V), ±2.0 mV (–0.0505 V to –0.0800 V) 充电过电流检测 延迟时间 8 ms, 16 ms 短路 检测电压 0.0200 V to 0.2000 V (0.0005 V Step) 短路检测 电压精度 ±3.0 mV (0.0200 V to 0.120 V), ±5.0 mV (0.1205 V to 0.200 V) 检测延迟时间短 0.28 ms, 0.53 ms, 1.1 ms, 2.1 ms 恢复过充的条件 Selectable: Auto Release1 / Auto Release2 / Latch 恢复过放电的条件 Selectable: Auto Release / Latch / Latch2 / Latch3(Slope) 封装 WLCSP-8-ZA3 0 V Battery Charging Selectable: Permission / Inhibition 保护回路/功能 Typical Application
日清纺
NISSHINBO Micro Devices . 2026-10-16 749
方案 | 一键发声，声量升级——基于中微爱芯AiP51080的语音DEMO方案
应用背景 Application Background 随着智能语音技术的发展，语音提示功能已广泛应用于儿童玩具、智能家居等多个领域，用户也对设备提出了更高的要求，不仅要能够播放语音，还需要支持多种播放模式、自由调节音量、实时显示状态。为此，中微爱芯推出了一套以AiP51080语音芯片为核心的语音DEMO方案，主控采用AiP8S3408，配合AiP650E显示驱动，并可选配AiP1353音频功放进一步提升播放响度，覆盖从按键交互、语音播放到数码管显示的全链路功能。 解决方案 Solution 本方案围绕AiP51080语音芯片的控制与播放进行开发，以AiP8S3408为主控核心，搭配AiP1353音频功放与AiP650E显示驱动，形成“控制+发声+放大+显示”四位一体的完整架构： AiP51080（语音芯片）：根据MCU指令播放对应语音内容，实现音量加减、循环播放、连码播放、暂停播放、插入静音等，支持PWM直接驱动扬声器 AiP8S3408（MCU）：负责按键检测、逻辑控制与系统调度，控制AiP51080工作和进入休眠等功能 AiP1353（音频功放）：可搭建音频放大电路，增强扬声器驱动能力与实际播放响度 AiP650E（显示驱动）：驱动四位数码管，实时显示命令码、配置模式和地址码 方案特点 Features of the plan 工作电压：DC 5V 显示方式：数码显示管 功能按键：6个功能按键 通信接口：单线通信 上位机：EzCode_I-CORE（AiP51080语音内容设置） 功率放大：搭配AiP1353音频功率放大电路，增强扬声器驱动能力和实际播放响度（非必需） 方案实物 Physical version of the plan PCB主控板 应用电路 Application circuit AiP51080作为一款低成本、高性能的语音芯片，自适应差分PCM（ADPCM）解码算法，内置音频滤波器，适用于各类语音提示应用场景，AiP51080语音芯片典型应用电路如下图所示： AiP51080典型应用图 AiP51080芯片应用框图 如应用场景对播放响度有更高要求，可选配AiP1353音频功放搭建放大电路。AiP1353作为一款音频功率放大器，性能稳定、质量可靠，设计有SHUTDOWN引脚，接至高电平引脚时，芯片进入关断模式。AiP1353功放的应用电路如下图所示： AiP1353电路应用图 芯片资源 Chip resources 语音芯片AiP51080主要参数如下表所示： MCU可采用8051内核的AiP8S3408或者RISC架构的AiP8P003H，主要参数如下表所示： AiP650E作为LED驱动控制专用电路，性能稳定、质量可靠、抗干扰能力强，可适应24小时长期连续工作的应用场合。主要参数如下： 可适配该方案的功放芯片有以下几款，主要参数如下： 结语 Conclusion 本语音DEMO方案以AiP51080语音芯片为核心，搭配主控MCU与显示驱动，实现从语音播放、按键交互到数码管显示的完整功能链路。方案灵活可靠，可根据客户对语音内容、播放方式及功能配置等方面的需求灵活调整；如需更高播放响度，可选配AiP1353音频功放进一步增强扬声器驱动能力。
中微爱芯
中微爱芯官网 . 2026-10-16 567
产品 | 国产优选：AiP74CBT系列总线开关&模拟开关
简介 Introduction AiP74CBT系列是无锡中微爱芯电子有限公司推出的高性能CMOS总线开关与模拟开关，覆盖1路、2路、4路、8路、10路、16路、20路、24路、2选1、4选1、8选1等全规格配置，专为5V系统信号切换、多路复用、总线隔离与路由设计。 产品具有低导通电阻、高速响应、宽温稳定、低功耗等特性，可直接对标国外主流品牌，满足工业、汽车、消费电子、通信设备等多场景可靠应用。 应用优势 Application advantages 电源电压：4.5V～5.5V 导通电阻：典型5Ω，最大7Ω 传输延迟：≤0.25ns 使能/失能时间：≤12ns 工作温度：-40℃～+125℃ 逻辑兼容：TTL/CMOS电平 通道配置：1路、2路、4路、8路、10路、16路、20路、24路、2选1、4选1、8选1 产品优势 Product advantages 低导通损耗：5Ω典型导通电阻，信号传输衰减小、保真度高 低延迟特性：ns级响应，适配高速数字与模拟信号切换 宽温度范围：-40℃～+125℃，车载、工控、户外环境稳定运行 控制灵活：独立使能/通道选择，支持高低有效逻辑，设计便捷 双向传输：A/B端口无方向限制，模拟/数字信号通用 CMOS低功耗：静态电流μA级，系统功耗更优 规格全覆盖：从1路到24路、从多选一到总线开关，一站式选型 封装齐全：支持SOT、SOP、SSOP、TSSOP、VSSOP、XSON、DHVQFN封装，兼容常规板型与小型化高密度设计 高兼容性：参数性能指标可直接对标TI等国外主流品牌，轻松实现进口器件国产化替代 应用领域 Application fields 工业控制：传感器多路复用、IO扩展、总线隔离、信号切换 汽车电子：车载模块信号选通、车内控制单元、车规级信号路由 消费电子：音频路由、接口切换、便携设备、电池供电系统 通信设备：SPI/I2C/UART/JTAG复用、接口热插拔、数据采集 计算机与外设：总线扩展、端口切换、信号电平适配 测试测量：多通道信号采集、高速信号路由、自动化测试 结语 Conclusion AiP74CBT系列以高速、低阻、稳定、全规格为核心优势，覆盖总线开关与模拟开关全场景需求，是5V系统信号切换的理想选择，其核心技术自主可控，供应链安全稳定，性能对标国际主流品牌，是工业、汽车、通信等领域国产化替代的可靠选择。 中微爱芯提供稳定供货、完善技术支持与高性价比方案，助力客户简化设计、提升系统可靠性，轻松实现进口器件国产化替代。
中微爱芯
中微爱芯官网 . 2026-10-16 539
应用 | 微光见真彩，方寸知远近
从镜头到屏幕，全链路协同塑造旗舰影像的“真实感”；光学感知，让每一束光、每一抹色彩、每一层空间都有据可循。 热腾腾的菜刚上桌，手机一拍，诱人的色泽却淡了；朋友聚餐合影，暖暖的灯光下，拍出的人脸却显得冷白；好不容易拍到一张满意的美景图，回家再看，颜色怎么又变了？ 这些体验背后，藏着旗舰手机影像升级的一道新考题。 像素、进光量和计算能力持续提升，为照片留下了更多细节。但用户对一张照片好看的判断，还包括肤色是否自然、灯光氛围是否恰当，以及屏幕呈现是否符合眼前的真实环境。从按下快门到回看照片，任何一个环节的偏差，都可能改变最终观感。 旗舰手机下一阶段值得深耕的方向，是复杂场景下的体验一致性。硬件性能的进步，需要与更准确的环境感知、更细致的系统调校同步推进。 镜头之外，那些负责测量光线、分辨光谱和获取景物距离的微小器件，也因此走到了体验升级的关键位置。 拍得好之后，还要看得对 一张照片在专业显示器上获得好评，回到手机屏幕上，未必带来同样的感受。 专注于影像与显示质量测试的评测机构DXOMARK，在“从镜头到屏幕的端到端成像”研究中，选取五款旗舰手机，将拍摄、显示和用户感知放在同一条链路上考察。研究显示，设备间的亮度调校、色彩呈现和环境适应策略，都可能影响最终观感；仅分别评价摄像头与屏幕，难以完整解释用户的实际体验。 这一观察提醒我们：影像质量的评价，需要延伸到用户观看照片的那一刻。 比如，在暖色餐厅里拍下一道菜，随后走到户外回看。拍摄时的光照影响相机如何记录色彩，观看时的环境又影响屏幕如何呈现画面。两端面对的条件不同，却共同决定了用户对这张照片的判断。 更值得注意的是，“最接近真实”也不等同于“最受喜欢”。 DXOMARK针对一组欧洲消费者的研究发现，真实感评价最高的设备，并未获得最高的整体偏好。用户可以接受一定程度的视觉优化，但亮度、对比度和色彩的偏离，也会降低好感。 由此，旗舰影像的差异化有了更清晰的方向：先掌握可靠的环境信息，再形成可控的风格表达。 色彩可以鲜明，影调可以温暖，屏幕也可以根据观看环境调整。关键在于，系统能够区分哪些变化来自现场光线，哪些属于主动调校。光学感知的价值，正是为这些选择提供依据。 全面屏之下， 环境光测量面临更高要求 显示体验的提升，常常表现为更高的亮度、更丰富的色彩。但在日常使用中，屏幕还需要判断何时该亮、何时该暗，以及如何在不同照明下保持自然观感。 这要求手机对环境的了解，从“有多亮”进一步延伸到“是什么光”。 光传感器的演进也沿着这一方向展开：基础环境光测量支持亮度调节，颜色感知补充色度信息，多通道光谱测量则进一步提供不同波段的光线特征。感知维度的增加，让显示系统获得了更充分的调节依据。 然而，全面屏设计让获取这些信息变得更加困难。 环境光穿过OLED屏幕后，强度大幅衰减；不同波长的透过率差异，改变了传感器接收到的光谱分布；屏幕自身发光，又会混入测量信号。器件藏得更深，系统对测量质量的要求却没有降低。 解决这一问题，需要从光电探测、光学滤膜到采样和补偿共同入手。探测器与读出电路决定微弱信号能否被可靠获取，滤光结构影响不同波段的信息如何被区分，而采样策略及算法，则需要处理屏幕工作状态带来的干扰。 艾迈斯欧司朗的屏下光谱感知技术，正是围绕这些约束展开。通过高灵敏度感知、快速采样与相应算法，该技术可适配哪怕透光率低于1%的OLED屏幕，为环境光测量及显示调节提供支持。 在艾迈斯欧司朗看来，屏下感知的竞争，越来越考验器件与屏幕的共同适配能力。把传感器放入屏下只是完成了空间布局，能够在屏幕亮度、显示内容和外界光照不断变化时保持可靠测量，才真正服务于体验。 这种能力也让全面屏设计与显示舒适度之间，有了更充分的协调空间。 影像风格的背后，需要可靠的光源判断 屏幕需要理解观看环境，相机则需要判断拍摄现场的光。 暖色灯光下的人像、大片红色背景前的合影、霓虹交错的街景，都在考验自动白平衡。相机接收到的光，既包含照明特征，也受到物体反射的影响。判断出现偏差，后续色彩处理就可能偏离预期。 这也是多通道光谱感知的重要应用场景。 XYZ三刺激值颜色传感器能够提供色度信息，但有限的通道难以充分描述光谱细节。增加不同波段的测量，可以为光源识别和光谱估计提供更多线索，帮助系统降低物体颜色对光源判断的干扰。 从技术演进角度解释这一需求：宽通道测量可能难以分辨某些光源的局部光谱特征，而更细致的多通道采样，可以提供额外的识别依据。 业内逐渐达成共识，这种测量能力与品牌影像风格并不冲突。恰恰相反，光源判断越可靠，厂商就越能有意识地调整肤色、饱和度和影调，而不必把精力耗费在纠正不确定的偏色上。 艾迈斯欧司朗面向手机后置摄像头的多通道光谱方案，将颜色与光谱感知、光源识别和频闪检测结合起来。为自动白平衡、自动曝光及抗频闪处理提供数据。独立通道增益、连续HDR频闪测量，以及内置光学校准信息，则进一步兼顾复杂照明条件与终端集成需求。 这些功能需要放在完整的成像过程中理解：光谱测量辅助判断光源，频闪检测帮助系统选择曝光策略，图像处理再将它们转化为具体画面。 因此，衡量升级的效果，也应从一张静态样片延伸到连续使用：人物从窗边走到室内，肤色是否稳定；镜头转向不同背景，白平衡是否频繁跳变；在人工照明下拍视频，明暗条纹能否得到有效控制。 对旗舰手机而言，这些细节决定了用户能否放心地按下快门。 从色彩到空间，深度信息打开另一条路径 光谱信息帮助手机判断光照，距离信息则让系统进一步了解主体与镜头、人物与背景之间的空间关系。 这为对焦和景深处理提供了新的依据，也带来实际的集成挑战：手机内部空间有限，功耗需要控制，新增器件必须带来明确的使用价值。 艾迈斯欧司朗TMF8829将VCSEL发射器、SPAD探测阵列及片上处理功能集成于紧凑模组，最高支持48×32区域的深度测量。相比单点测距，多区域数据能够反映视场内不同位置的距离差异，为图像处理提供更丰富的空间参考。 与摄像头图像结合后，系统可以利用图像识别主体，再参考深度信息辅助选择焦点、追踪运动人物，并判断人物与前后景物的关系。 深度感知的用途，还可以延伸至空间交互。 ARCore是Google面向移动设备推出的增强现实开发平台，帮助开发者将虚拟内容与真实环境融合。其开发文档说明，系统可以根据手机移动时采集的连续图像估计深度，也可以结合设备上受支持的ToF传感器数据，用于物体放置、遮挡处理及交互。 因此，手机空间感知值得沿着一条务实的路径推进：先改善对焦、人像等高频体验，再通过软件与应用开发拓展测距、扫描和AR交互。这样，新增的感知能力才有机会从一项配置，成长为被持续使用的功能。 旗舰体验的差异，最终落在协同细节中 从屏下环境光测量，到拍摄端的光谱和频闪检测，再到多区域深度感知，手机正在获得更丰富的外部信息。 传感器放在哪里、如何校准、数据交给哪个处理环节、算法如何响应，以及这些过程消耗多少功率，都需要围绕具体场景共同设计。光学感知的升级，也因此推动器件厂商与终端品牌更早、更深入地协作。 如果将影像与显示的共同优化作为重要观察方向，一个核心问题值得思考：当整机同时面对空间、成本与性能要求，如何让各个环节的投入，最终体现为用户能够察觉的改善？ 艾迈斯欧司朗的判断是，解决这一问题，需要把制造、器件与算法能力放到同一套应用目标下。 光谱通道的响应，关系到系统能够区分哪些光线特征；封装与光学设计，影响器件在机身中的安装和测量；校准与补偿算法，则帮助系统处理器件差异和实际使用条件。任何一个环节，都可能影响最终数据质量。 艾迈斯欧司朗在晶圆制造、光学滤膜、封装测试及算法方面的积累，为这种协同提供了基础。包括基于法布里–珀罗结构的光学滤波技术，以及面向屏下应用的光谱重构和屏幕发光干扰补偿，其作用都需要在整机环境中得到落实。 在实际应用中，艾迈斯欧司朗携手国内头部手机企业，将光谱与多区域深度感知融入显示、对焦和成像系统，通过器件适配与联合调校，让环境测量服务于具体体验。 这也意味着，旗舰视觉体验的评价需要更贴近日常使用：从室外走进室内，屏幕是否自然适应；人物移动时，焦点是否及时跟随；灯光变化后，色彩是否稳定；拍摄与回看之间，是否保留了用户期待的氛围与质感。 这些问题，比单一参数更接近用户对一部旗舰手机的长期判断。 从镜头到屏幕，影像的每一次呈现都经历了感知、处理与调校。把光线测得更准确，把空间关系判断得更可靠，再让这些信息在系统中有效流动，是光学传感持续创造价值的方向。最终，技术的进阶会融入那些无需反复调整、抬手就能自然记录与观看的日常瞬间。
ams OSRAM
感光现象 . 2026-10-15 1414
技术 | 壁仞科技率先支持阶跃星辰Step 5 Preview大模型，快速打通推理全链路
10月15日，阶跃星辰正式开源旗下面向真实世界Agentic任务的基座大模型Step 5 Preview。壁仞科技基于AI推理框架vLLM与成熟的BIRENSUPA™ 软件栈，在壁砺™系列通用GPU上快速完成模型适配，率先向广大开发者及用户提供快速部署方案，以及高效稳定的体验。 Step 5 Preview基于壁砺™系列通用GPU完成推理任务 Step 5 Preview：面向Agentic任务 根据阶跃星辰官方介绍，Step 5 Preview在AI编程、软件工程、专业知识工作等任务上达到前沿水平，并在金融领域展现出尤为突出的能力。其采用稀疏MoE架构，总参数量600B，每个Token 激活27B参数，支持1M Token上下文窗口和视觉输入。 AI编程：在Repository-level软件工程、前端与可视化开发以及可编程设备等领域表现出色。它能够在大型代码库中工作，跨文件进行协同修改，执行并验证结果，并在首次尝试未成功时持续迭代优化。 长周期智能体任务执行：为超越单次回复的工作流而设计。它能够在连续运行的任务中持续进行多轮工具调用、执行、验证和修订，同时利用长上下文信息，在复杂工作流中保持连贯性。 专业知识工作：能够处理大量源材料，包括长文档、图表、截图、图像和视频。它将研究检索、多模态理解与工具调用相结合，为复杂的专业任务生成结构化的分析成果。 金融领域：在金融领域展现出尤为突出的能力。金融任务通常需要定量推理、证据综合，以及对海量金融信息及辅助材料的分析，而这正是该模型的强项所在。 Step 5 Preview在多个任务中的性能表现 国芯+国模，共建国产AI生态 本次Day0适配中，针对Step 5 Preview模型的文本理解和生成以及高效推理能力，壁仞科技基于AI推理框架vLLM与成熟的BIRENSUPA™ 软件栈，在壁砺™系列通用GPU上快速完成模型适配，打通了权重加载、服务启动、文本生成等关键链路，并完成功能与精度验证。同时，壁仞科技自研全栈多智能体平台 SUPACODE™可自动解析并适配Step 5 Preview的DSA、SummaryCache和MoE等关键模块，在此基础上快速打通推理全链路。 BIRENSUPA™深度兼容主流AI框架，开箱性能优异，可显著降低开发者的模型部署与应用门槛。随着人工智能领域应用需求的快速增长，壁仞科技作为国内领先的通用智能计算解决方案提供商，持续引领国产AI生态建设。2026年1月以来，壁仞科技已成功支持数十款领先大模型的“Day0”级适配。依托高性能通用GPU产品与成熟软件生态，壁仞科技将加强与国产基础模型企业合作，以“国芯国模”协同发展为契机，共建国产AI生态，推动智能终端、AI智能体走向千行百业。
壁仞科技
壁仞科技Birentech . 2026-10-15 1295
原厂 | 三星公布下一代内存与存储技术
三星电子在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术，此举彰显了该公司在提升人工智能（AI）基础设施以及加强与全球科技企业合作方面的努力。 会上，这家韩国科技巨头与AMD共同演示了内存扩展解决方案，并展出了与AI芯片厂商Groq和英伟达相关的产品。 新战略覆盖三大领域 随着AI模型日益庞大、AI代理承担的任务愈发复杂，市场对更大内存容量、更快的数据处理速度以及更高效的存储需求不断增长。为此，三星在会上展示了涵盖内存扩展、计算速度和数据存储三大领域的创新技术。 其中一大亮点是，三星与AMD联合展示的基于Compute Express Link（CXL）的内存扩展解决方案。 据了解，CXL技术可实现处理器与其他计算组件共享内存资源，使AI系统无需完全依赖单台服务器内部安装的内存，即可利用额外的内存容量。 该解决方案采用三星基于CMM-D的内存池化技术，使多个系统能够更灵活地共享内存，有助于在AI推理过程中应对不断增长的工作负载，即训练好的模型生成响应时的计算需求。 此外，三星还展示了其新一代高性能内存产品，包括定制化的高带宽内存（HBM）和HBM5，以及存算一体技术，后者可在内存芯片内部执行特定计算，减少数据传输并提升能效。 公司展出了2纳米环绕栅极晶圆、Groq语言处理单元晶圆、以及英伟达的Groq 3 LPX系统，凸显其在内存与先进芯片制造领域的综合能力。 在数据存储与管理方面，三星推出了企业级固态硬盘及专为优化AI推理中信息存储与检索而设计的技术，其中包括键值缓存优化技术，可帮助AI模型复用先前处理的信息，从而更高效地生成响应。 三星还强调，将其致力于与客户合作，对整个AI系统进行优化，而不仅仅局限于单个半导体产品的开发。其三星MAX实验室可让客户在商业化前，针对真实世界的人工智能工作负载测试内存与存储技术。 在此前之前，三星已在行业各大盛会上频繁进行的技术发布，包括今年3月的英伟达GTC大会、6月的COMPUTEX展会以及8月的“未来存储与内存”会议。三星正将其产品组合从人工智能加速器的关键组件HBM，拓展至系统内存、固态硬盘（SSD）和NAND闪存领域。 此外，三星也在深化与AMD的合作关系。 10月7日，在AMD首席执行官苏姿丰访问韩国期间，双方探讨了在内存和代工领域的潜在合作。今年早些时候，两家公司已签署谅解备忘录，旨在加强下一代人工智能内存与计算技术方面的协作。
三星
科创板日报 . 2026-10-15 1589
方案 | 144芯装进单机柜：天数智芯展示首个超节点方案
10月12日至16日，2026中国国际工业博览会在上海举行。天数智芯系统化超节点布局中的首个方案——天垓300 IXL144首次亮相，在单柜内集成144颗GPU与18颗CPU，配备约10.1TB 显存。 超节点规模落地，考题从“造得出”转向“用得起” 大模型与智能体（Agent）加速进入生产，超节点正成为AI基础设施的主力单元。IDC报告显示，智能体进一步拉陡了算力需求曲线，2026年中国智能算力规模预计达2576.5 EFLOPS，同比增长87.9%。需求真实放量，超节点的规模部署随之展开。 从技术验证走向规模采购，客户需要算清三笔账：一是迁移账，已有的模型与代码是否需要推倒重写；二是机房账，是否要为整机柜专门改造供电、承重与散热，乃至新建机 房；三是运营账，每百万有效Token的成本能否下降，算力能否按需扩展而不形成闲置。 迁移、机房与运营三笔账合在一起，衡量的正是超节点的系统经济效能——在真实部署条件下，单位投入能够持续产出多少有效算力，这也是全要素生产率在算力基础设施层面的具体体现。天数智芯认为，能够规模铺开的超节点，需要同时具备更高的集成密度、对现有机房更友好、对已有代码更兼容，天垓300 IXL144即沿这一方向设计。 144芯装进单机柜，在系统层面回应规模部署 天垓300 IXL144方案在单柜内集成144颗GPU与18颗CPU，配备约10.1TB显存。其价值不止于密度，更在于系统经济效能的整体改善。 其一，单机柜形态，贴近常规机柜标准。主流整机柜超节点多采用专用整机柜形态，配套专属液冷与供电，往往要求专门机房，即“先建房、再上柜”，改造投入大、周期长。IXL144采用贴近常规机柜标准的单机柜形态，在供配电、承重与散热条件匹配时即可进入现有机房；结合灵活组网拓扑，可一次规划、分步扩展，避免一次性过度投入，使客户在现有机房条件下获得超节点级算力。 其二，通用GPU兼容主流生态，降低迁移上线成本。自主通用GPU架构与自研软件栈兼容CUDA生态，支持客户复用已有模型、主流框架及开发经验，降低迁移工作量与上线成本。作为通用GPU，同一底座既承载大模型训练与推理，也支撑金融估值、科学智能等任务，区别于仅适配特定AI负载的专用芯片，迁移成本与上线周期相应下降。 其三，整柜互联，144颗GPU协同如一。高带宽整柜P2P互联、100ns级单跳时延、原生Load/Store与跨节点显存直访，将144颗GPU组成统一内存语义的高带宽域；约10.1TB显存为模型权重、MoE专家和长上下文KV Cache留出空间。模型所需并行资源更多在单柜内协同，高频All-to-All交互留在柜内、减少跨柜等待；互联参考设计在特定MoE All-to-All场景实现有效带宽提升15%，资源利用率与单柜业务承载随之改善。 面向大规模在线推理业务，IXL144围绕高并发请求、多业务并行与流量波动等运行特点，以吞吐能力、响应时延和资源利用率为系统优化重点，兼顾业务高峰期的服务承载与低谷期的算力利用，着力提升多业务协同承载能力和长期运营效率。 天数智芯同时关注算力全生命周期的使用效率。在交付与服务环节，本地化团队可提供必要的部署、运维与扩容支持，为大型算力投入提供长期保障；更核心的是系统经济效能的提升——通过计算、互联与调度的协同，让同等投入转化为更多有效算力。据测算，每百万有效Token的成本较国际主流方案可降低40%。 天垓系列已实现万卡级规模部署，天数智芯由此具备系统级交付与运维经验。从今年1月公布四代架构路线图、7月WAIC发布天垓300、效能对标并超越Hopper架构国际主流方案，到此次展示天垓300 IXL144，旗舰GPU能力正从单芯片延伸至整机柜，并在真实机房中持续迭代。 “超节点不是单一产品，而是一项系统工程，最终比拼的是系统经济效能。”天数智芯副总裁邹翾表示，“天垓300 IXL144只是一个开始，是天数智芯整套系统化超节点方案中率先推出的第一个；面向不同算力规模、不同机房条件的完整产品布局已经形成，后续将逐一呈现，系统展示我们对超节点的整体思考与技术布局。”
天数智芯
天数智芯 . 2026-10-15 1309
市场 | AR眼镜加速迈向消费市场，预估2026年出货量翻倍至131万台
根据TrendForce集邦咨询最新《2026近眼显示市场趋势与技术分析》，AR眼镜逐步由概念验证走向消费市场，Meta Ray-Ban Display Glasses展现超乎市场预期的成长动能，不仅提升消费者对AR眼镜的关注，也带动品牌与供应链加快产品布局。受益于Meta产品带动的外溢效应，其余AR眼镜品牌亦积极拓展产品线与销售市场，趁着其他科技巨头尚未全面入局，承接消费者对AR眼镜的尝鲜需求。TrendForce集邦咨询预估，全球AR眼镜出货量将由2025年的62万台跃升至2026年131万台，年增率达111.1%。 从品牌格局来看，2026年Meta将以约20%的出货占比持续领先，其余四大品牌包括XREAL、Even Realities（逸文科技）、Rokid（乐奇）与RayNeo（雷鸟创新），四者合计占全球出货比重53.2%，显示Meta之外的品牌亦已形成可观的市场规模。其中，XREAL聚焦观影类AR眼镜，携手Google（谷歌）开发的Aura预计于2026年底上市，进一步扩大品牌与产品影响力。Even Realities则专注信息提示型AR眼镜，以轻量化与外型设计优化佩戴体验。Rokid与RayNeo则通过多元产品布局，满足消费者不同的使用场景。前五大品牌持续扩充产品组合并触及更多消费群体，成为推动2026年全球AR眼镜出货量突破百万台的主要动能。 TrendForce集邦咨询表示，伴随着AR眼镜出货创新高，预估OLEDoS与LEDoS两大光引擎技术合计将占据约80%的市场。OLEDoS凭借观影类产品的广泛采用，市占率微幅领先，但跨领域应用也受到限制。因此，OLEDoS技术已开始回头朝单绿色规格发展，试图向下抢进信息提示型产品市场，为即将释放的庞大产能预先寻觅新的突破口。 另一方面，主打轻量化优势的LEDoS虽是当前信息提示型眼镜普及的核心引擎，但短期内仍难以突破全彩化的技术屏障。为打破单绿显示的局限，供应链正力图开创红绿双色产品，通过提升信息辨识的视觉层次，向上突围扩张应用边界。随着LEDoS与OLEDoS两大显示技术持续突破规格与应用领域，以及LCoS渗透率获得Meta产品带动，不仅为品牌端提供更丰富的资源与弹性的成本空间，亦为AR眼镜的创新与场景拓展注入强劲动能，预计2027年出货量将再成长近80%。
AR眼镜
TrendForce集邦咨询 . 2026-10-15 1274
原厂 | 长江存储跃居全球 NAND 出货量第三，提交 IPO 申请并布局 DRAM 领域
长江存储已递交上海证券交易所科创板 IPO 申请，此前，同为中国存储芯片厂商的长鑫存储于 2026 年 7 月成功登陆科创板。 2026 年第二季度，长江存储按 NAND 出货量排名升至全球第三，仅次于三星和 SK 海力士，领先于铠侠和美光。若将 SK 海力士旗下 Solidigm 的出货量剥离计算，长江存储位居全球第二。 在四个季度内（2025 年第一季度至 2026 年第一季度），长江存储的全球 NAND 营收份额增长超过五成（从 9% 升至 14%），其营收同比增幅最高达 478%。 随着 AI 数据中心部署的持续推进，企业级 SSD 业务营收预计到 2028 年将接近长江存储总营收的 39%，而该业务在 2024 年时几乎为零。 长江存储正将其自主研发的 Xtacking 晶圆键合技术从 NAND 拓展至 DRAM，旨在从一家国内 NAND 标准化产品供应商向下一代 AI 存储领域转型。 根据 Counterpoint Research 存储市场追踪与预测，2026 年第二季度，长江存储按 NAND 出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和 SK 海力士，超过铠侠和美光。若将 SK 海力士旗下 Solidigm 的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。 按出货量划分的全球 NAND 市场份额 来源：Counterpoint Research 存储市场追踪与预测，2026 年 9 月 长江存储营收 2023 年第一季度至 2026 年第二季度 来源：Counterpoint Research 存储市场追踪与预测，2026 年 9 月 与此同时，在2025年第一季度至2026年第一季度期间，长江存储的全球 NAND 营收份额从9% 升至14%，增幅超过五成，是同期主要 NAND 厂商中营收份额增长较快的厂商。受 AI 需求拉动，整个 NAND 市场受到提振，其营收同比增幅最高达到 478%。 Counterpoint Research 高级分析师 Jeongku Choi 表示：“在 AI 推动 NAND行业进入超级周期的背景下，长江存储已成为增长最快的厂商。尽管面临地缘政治的影响，长江存储在能力和产能方面的投资依然审慎且有效。2026 年长江存储的营收增速有望达到行业及同业增速的 6 倍。” 增长动能究竟源自何处 长江存储的增长势头很大程度上源于其两年前尚鲜少涉足的领域：面向 AI 数据中心的企业级 SSD。 Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 表示：“长江存储抓住了价格上涨和国内需求量上升的双重上行周期机遇，但此前一直未能充分获取企业级SSD的溢价。我们预计其服务器相关业务的营收占比将从 2024 年的几乎为零，增长至 2028 年的近 39%。其关键战略在于与群联电子（Phison）、大普微（DapuStor）、慧荣科技（Silicon Motion）、得瑞领新（DERA） 和 平头哥（T-Head） 建立主控芯片合作伙伴关系，同时深化与华为这一重要国内企业客户的合作。更关键的问题在于，长江存储能否将此转化为中国以外客户的设计导入机会，而不仅仅是国内超大规模云服务商。这将为该公司挑战行业领军者三星提供进一步动力。” 竞相认可的技术优势 长江存储排名持续上升的背后，是其自主研发的 Xtacking 架构。该架构在两片独立的晶圆上分别制造存储阵列和外围逻辑电路，随后将两者键合在一起，使每一层都能采用最适合各自需求的制造工艺。 来源：Counterpoint Research 存储市场追踪与预测，2026 年 9 月 Counterpoint Research 研究副总裁 Neil Shah 表示：“在长江存储武汉总部的一楼，设有一面展示其自主知识产权的实体‘专利墙’。Xtacking 等创新技术使长江存储能够利用成熟的、而非最尖端的光刻设备持续增加存储层数。在美国出口管制限制其获取先进设备的背景下，这构成了一项重要优势。这种技术优势极具分量的印证——这是鲜有中国挑战者能企及的成就：全球最大的NAND 制造商三星电子于 2025 年 2 月获得了长江存储 Xtacking 专利的授权许可。” 这一技术优势背后还有广泛的研发投入作为支撑。根据长江存储 IPO 招股书， 2023 年至 2025 年累计研发投入达到 142 亿元人民币，占营收比例超过 5%；研发人员共计 4,796 人，占员工总数的 30% 以上；已获授权的发明专利达 5,611 项。 将 Xtacking 技术延伸至 DRAM 长江存储的下一步布局，是将 Xtacking 技术优势从 NAND 延伸至 DRAM——这是一个其此前从未实现规模化量产的市场。自 2025 年 10 月以来，长江存储一直在其第二座晶圆厂进行第二代 16Gb LPDDR5 芯片的研发与测试工作，数据传输速率为 7,500 MT/s，月产能约为 5,000 片晶圆，且未采用高介电常数金属栅极（HKMG）技术。与此同时，该公司正在研发一款速度更快、数据传输速率达到 9,600 MT/s 的版本。该版本采用垂直沟道晶体管（VCT）4F² 存储单元架构，属于更为根本性的架构重新设计。如果该产品达到预期性能目标，计划将在第三座晶圆厂实现量产。 Shah 表示：“从长远来看，长江存储的技术路线图指向 3D DRAM，即存储单元垂直堆叠而非平面排列。Counterpoint Research 预计，这一技术转型将有利于像长江存储这类拥有成熟晶圆键合技术的企业。” Counterpoint Research 持续关注四大方向 DRAM 业务进展：长江存储采用 VCT/4F² 架构、目标速率为 9,600 MT/s 的 LPDDR5 产品，能否通过产品认证，并按计划在第三座晶圆厂实现量产；以及其 3D DRAM 路线图的成型速度。此前开发的 7,500 MT/s LPDDR5（第二代）产品目前仍处于第二座晶圆厂的研发与测试阶段，暂无量产计划。 企业级 SSD 在中国以外的市场拓展：服务器相关业务营收占比预计将从 2024 年接近于零升至 2028 年的约 39%。后续需关注其主控芯片合作伙伴生态及与华为的合作关系能否转化为中国以外客户的设计订单，而不仅限于国内超大规模云服务商。 出口管制升级：长江存储自 2022 年 12 月起被列入美国实体清单。目前，一项待审议的美国法案《MATCH 法案》明确提及长江存储，针对其技术路线所依赖的深紫外（DUV）光刻、刻蚀及沉积设备实施限制。 产能建设：长江存储在实现其既定长期目标方面的进展，即月产能达到约 50 万片晶圆（含 DRAM）并占据全球 NAND 市场 20% 的份额（目前出货量份额为 16.5%）。
长江存储
Counterpoint 咨询 . 2026-10-15 2632
市场 | Omdia：2026年第三季度全球智能手机市场下滑20%，内存危机重塑竞争格局
根据Omdia预估，2026年第三季度全球智能手机出货量同比降20%，内存成本挤压利润；三星、苹果合计占全球出货量的45%，表现出较强韧性，市场下行进一步加剧了竞争格局的两极分化。 根据Omdia的初步估算，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，跌幅较上一季度的6%明显扩大。尽管旗舰新品陆续发布，渠道也在为年末节日销售旺季备货，出货量仍出现环比下降。持续的内存和存储成本压力限制了厂商的定价灵活性，促使厂商缩减低利润机型的出货。 市场下行进一步加剧了竞争格局的两极分化。三星和苹果合计占全球出货量的45%，较去年同期提升约8个百分点。与主要面向大众市场、出货量降幅更大的竞争对手相比，两家厂商表现出较强的韧性，表明当前市场下行正在重塑竞争格局。 三星以23%的市场份额稳居第一，尽管出货量同比下降，市场份额仍有所提升。广泛的产品组合和成熟的全球渠道布局帮助三星缓解了市场下行的冲击，8月上市的Galaxy Z Fold8和Flip8系列也巩固了其高端定位。展望未来，平衡出货规模、产品组合的盈利能力与高端化进程，对维持三星的竞争地位将愈发重要。 苹果位列第二，市场份额为22%，在整体市场下行中展现出较强的韧性。iPhone 17系列需求持续，9月发布的iPhone 18 Pro和Pro Max也帮助苹果保持了市场势头。iPhone Duo标志着苹果进入折叠屏智能手机市场，使其产品阵容突破传统形态，为满足不断变化的消费者需求、获取增量需求带来新的机会。尽管AI尚未成为消费者购机的主要驱动因素，Apple Intelligence有望在打造差异化用户体验、维持苹果长期生态优势方面发挥越来越重要的作用。 小米以12%的市场份额稳居第三，OPPO（含realme和一加）以9%的市场份额位列第四。vivo以8%的市场份额跻身前五。 内存成本上涨正在挤压各价位段的盈利空间，对价格更敏感的产品受到的影响尤为明显。这也迫使厂商重新评估入门级产品的盈利能力，在产品定位、定价和市场覆盖方面作出更审慎的选择。厂商正优先推动均价增长和产品结构优化，从而维持出货价值并保护盈利能力。 Omdia首席分析师侯林（Hayden Hou）表示：“元器件成本上涨以及厂商应对策略的差异正在重塑竞争格局，但仅看市场份额并不能反映全貌。随着厂商在出货规模、收入和盈利能力之间作出不同取舍，评估其表现时不能仅看其出货量本身。更重要的是，厂商在本轮市场下行中作出的战略决策，其长期影响可能超越当前的成本周期。拓展新的渠道合作伙伴、提升购机融资能力、强化高端产品组合，将决定哪些厂商能够在成本压力缓解后，建立更具竞争力且可持续的商业模式。” Omdia资深分析师钟晓磊（Lucas Zhong）表示：“对于主要依靠价格优势参与竞争的厂商，在维持出货规模的同时保护盈利能力，已成为愈发艰难的平衡。这一压力在新兴市场尤为突出，当地消费者对价格更加敏感，厂商也高度依赖利润空间本就有限的入门级机型。然而，通过缩减出货量来保护利润率存在长期风险，对新兴厂商尤其如此。市场布局收缩可能削弱品牌曝光度及其在渠道中的影响力，而重建这些优势或将需要数年时间。厂商需要更谨慎地选择竞争市场，将资源集中在能够兼顾盈利能力和市场地位的市场与产品上。” 钟晓磊进一步表示：“展望第四季度，旗舰新品发布、促销活动和节日仍难以抵消持续的供应端压力。厂商需要在严格管理库存的同时，采用更有效的购机融资、以旧换新及运营商合作方式来支持换机需求，避免依赖大范围降价促销。尽管出货量仍面临压力，价格上涨正在逐步重塑消费者的价格预期，可能为未来换机周期中的高价值机型创造更多机会。能够提升这类产品的购买便利性，并带来切实用户体验改善的厂商，将在下一轮换机周期中占据更有利的位置。”
智能手机
Omdia新消费生态调研-原Canalys . 2026-10-15 1463
市场 | 前三季度我国集成电路出口增长99.1%
10月14日，国新办举行新闻发布会，介绍2026年前三季度进出口情况。据海关统计，今年前三季度，装备制造业引领作用突出，贡献了近9成的出口增量。集成电路出口增长99.1%，电动汽车、锂电池、风力发电机组及其零件等绿色产品分别增长72.3%、36.4%和22.4%。 “从实践看，随着我国先进制造业不断做大做强，产业体系升级和融合发展加快推进，持续为外贸增长焕新赋能。”海关总署新闻发言人、副署长王军表示，前三季度，工业机器人、电子元件、电脑零部件、电工器材等产品进出口合计超10万亿元，增长58.9%，拉动整体进出口增长11.3个百分点。“中国制造”品牌影响力持续提升，自主品牌出口增速达26.7%，占出口的24.8%，比重较去年同期提升两个百分点。 王军指出，针对当前全球消费领域场景化、个性化的趋势，我国出口走“量”更走“心”，不仅重视“大订单”，也心系“小需求”。比如，近年来，沉浸式的第一视角短视频作品日益火爆，国内企业“量体裁衣”，开发了具备人物跟随、语音手势控制、AI自动剪辑等功能的便携式拍摄设备，深受全球短视频创作者的青睐。前三季度，我国出口数字相机增长了40.5%。类似的产品还有不少，从完美适配野外露营等场景需求的迷你制冰机，到即装即用的便携式空调，“中国造”带着高品质和硬技术跨洋出海。 据介绍，人工智能蓬勃发展，推动全球算力投资建设提速，对算力终端设备及制造所需的中间产品需求持续扩张。同时，随着大规模的算力设施运行，全球对电力设备的需求也在同步提升。“我国依托完整产业体系和科技创新能力，为应对全球算力和电力需求增长提供坚实的支撑。”王军说道。 算力方面，前三季度，我国出口集成电路增长99.1%，电脑零附件增长2.1倍，固态硬盘等存储部件增长1.3倍，保障了全球算力产业链中间产品的稳定供应；出口服务器等数据处理设备增长7.2%，助力全球算力基础设施建设。此外，我国的AI眼镜、智能仿生机器人等终端产品持续走向国际市场，不断丰富着全球人工智能应用场景。 在电力方面，前三季度产品出口多点发力。从“制、输、储”三个领域来看：制能领域，出口光伏产品增长10.3%，风力发电机组及其零件增长22.4%，持续填补全球清洁能源的供给缺口；输能领域，出口电线电缆增长28.1%，变压器增长22.5%；储能领域，出口各类蓄电池增长34.8%，远销全球200多个国家和地区。
集成电路
中国电子报 . 2026-10-15 1092
让AI走进物理世界：具身智能应用技术创新论坛圆满落幕
10月14日，2026湾区半导体产业生态博览会（深圳）同期举办的“让AI走进物理世界——具身智能应用技术创新论坛”在深圳会展中心（福田）举行。论坛由深圳市半导体与集成电路产业联盟、深圳市机器人协会主办，中电港芯查查协办。论坛汇聚机器人、计算平台、运动控制、互连与安全领域的产业代表，围绕具身智能从概念走向工程落地、从问题挑战到解决之道等方面展开交流。 图：论坛现场高朋满座，人气满满 深圳市机器人协会：《From Demo to Deployment》 深圳市机器人协会专职秘书长谭维佳首先带来《From Demo to Deployment》致辞，探讨机器人真正投入实际工作所需的技术与产业条件。 图：深圳市机器人协会专职秘书长谭维佳致辞 她指出，具身智能落地不是单一算法的突破，而需跨越硬件、数据和模型三重挑战。现有数据集往往偏重成功案例，缺少跌倒、滑移及人工干预等异常记录，因此数据建设应先解决质量与物理有效性，再追求规模；围绕明确场景构建可靠、轻量、可解释的系统，也可能比等待单一通用模型更快实现产业应用。 优必选：推动人形机器人落地 优必选科技副总裁、研究院副院长庞建新博士以《推动人形机器人落地应用》为题，介绍了面向工业制造的技术架构与应用实践。 图：优必选科技副总裁、研究院副院长庞建新博士 他指出，组装、分拣、检测等柔性任务仍依赖大量人工，人形机器人凭借双足移动、双臂操作和灵巧手，有望适应非结构化制造环境，工业制造是其率先实现规模应用的重要方向。 优必选提出“大脑—小脑”协同的分层架构：世界模型负责长时序推理与任务拆解，VLA多模态模型承担感知和技能规划，学习型全身控制系统负责高频执行及安全保障，实现智能决策与稳定运动的跨层协同。 分享还介绍了Co-Agent协作智能体、Thinker多模态大模型、双目视觉和语义导航，并展示Walker S2自主上料、任务规划及低腰分拣等实践；力、触觉与惯性信息的融合，则为柔顺操作和稳定运动提供支撑。 华沿机器人：赋能芯片柔性制造 华沿机器人姜弃疾带来《华沿机器人用全栈自研技术引领芯片柔性制造新格局》主题分享，围绕精密定位、光模块插拔一致性、晶圆搬运洁净要求和重复作业用工四大挑战，介绍协作机器人、七轴人形手臂与高精密运动平台三类产品。 图：华沿机器人姜弃疾 据姜弃疾介绍，华沿高精密XYZ直线电机平台可实现±0.05μm重复定位精度和1纳米分辨率，可用于晶圆检测、光纤耦合等场景；高阶螺旋线初光搜索方案则旨在降低运动冲击与振动，缩短耦合节拍。 姜弃疾强调，依托电机、伺服驱动、关节模组及控制系统的全栈自研能力，华沿希望将精密操作与自动化搬运结合，推动半导体产线向少人化、柔性化发展。 阿加犀：打通服务机器人执行链路 成都阿加犀智能科技有限公司技术负责人康斌以《基于“高通跃龙平台”＋Harness VLA驱动的机器人方案实践》为题，分享酒店巡检、接待、语义导航与视觉抓取的一体化实践。 图：成都阿加犀智能科技有限公司技术负责人康斌 康斌指出，服务机器人不仅需要模型，还需要完整的执行系统，以解决任务链路割裂、决策与控制冲突、语义记忆失真及技能复用困难。 阿加犀采用分层架构：模型负责意图理解和任务规划，Harness执行框架负责状态约束、技能调度、结果验证及失败恢复，技能库封装导航、巡检与抓取等能力，使任务过程可追溯、可复盘。 以“去桌上拿瓶水”为例，系统需完成地点查询、导航、目标确认、抓取和返回交付，并设置重试与人工介入机制；端侧方案以高通跃龙IQ10为目标平台，规划本地运行视觉、VLA、语音和导航服务，减少网络依赖并保护数据隐私。 AMD：开放生态加速机器人研发 AMD大中华区嵌入式销售部门物理AI业务拓展总监张磊（Louis Zhang）以《Powering Physical AI for Robotics》（赋能机器人物理AI）为题，介绍覆盖机器人计算、控制与通信的软硬件布局。 图：AMD大中华区嵌入式销售部门物理AI业务拓展总监张磊 机器人“大脑”需要同时处理多模型推理、导航规划与实时控制，Ryzen AI Embedded X100系列通过CPU、GPU、NPU和统一内存架构，支撑不同工作负载协同运行；Kria AI机器人开发平台进一步集成FPGA，为原型开发提供基础。 AMD的重点不仅是算力，还包括基于开放生态的集成化开发资源：Robotics Software Suite结合ROCm、机器人SDK及加速ROS节点，提供视觉、导航与操作相关工具，并通过HIP支持CUDA代码迁移，降低平台适配与系统集成门槛。 此外，AMD还展示面向关节多轴控制、“大脑”与关节间通信、传感器接入及融合的计算能力，希望通过软硬件和合作伙伴协同，加快具身智能产品研发与部署。 华成工控：聚焦国产运动控制 深圳市华成工业控制股份有限公司董事、机器人行业总监杜晓磊的分享主题为《基于国产总线的具身智能运动控制底座重构》，分享了具身“小脑”控制系统及工业场景落地思路。 图：深圳市华成工业控制股份有限公司董事、机器人行业总监杜晓磊 围绕“大脑”负责感知规划、“小脑”负责实时执行的分工，华成推出集成力控、双臂协同和轨迹规划算法的控制方案，支持全关节拖动示教、碰撞检测及自适应阻抗控制，并通过开放接口与上层AI平台协同。 在总线方面，华成工控方案引入智爻总线与EtherSpark技术，推动供电通信一体化及控制、视觉信号融合，通过低时延通信支撑集中式驱控，简化末端电子系统与布线，提升热可靠性。 面向灵巧手，华成展示了基于国产FPGA的32自由度驱控一体方案；结合双臂叠毛巾、端子装配和力位混合控制等案例，公司希望依托运动控制积累与算法、数据、平台闭环，推动具身机器人从“能演示”走向稳定作业。 Molex：可靠互连推动规模制造 Molex客户经理周斌以《Molex接插件在机器人领域的应用与赋能》为题，围绕高速数据、运动可靠性和量产一致性，介绍从主控、视觉到关节与灵巧手的互连方案。 图：Molex客户经理周斌 机器人从手工样机走向量产，连接器不仅要“接得上”，还需兼顾信号完整性、持续运动中的接触稳定性，以及线束装配效率和制造一致性。 MiniMix将电源与信号集成于同一接口，提供15A至30A等级方案，以减少接口和线束数量；Mirror Mezz、HFM支持主控与感知高速链路，锁扣式USB-C则应对振动冲击下的松脱风险。 针对关节与灵巧手，MiniSquare、Micro-Lock Plus及浮动板对板等方案分别提供混合连接、锁紧和装配偏差补偿；Molex还希望与中电港生态协同，形成可复制的参考架构，缩短选型验证周期。 三未信安：筑牢全生命周期安全 三未信安副总裁刘坚以《具身智能安全底座：HSM与SE安全芯片落地实践》为题，介绍面向智能无人设备的全生命周期安全方案。 图：三未信安副总裁刘坚 分享围绕指令失控、程序篡改、模型窃取、身份仿冒及恶意升级等风险，提出云端HSM密码机与设备端SE安全芯片、TEE可信执行环境协同的安全架构。 通过产线身份灌装建立“一机一证、一机一密”，结合可信启动、指令签名、防重放和OTA校验，方案将信任链从出厂延伸至运行与运维；标准化SDK、统一API及审计追溯，则为量产和持续运营提供安全支撑。 圆桌论坛：探讨芯控底座重构 论坛最后的《定义物理AI的底座——具身智能的芯控重构》圆桌环节，将交流延伸至计算、控制、感知及产业生态协同。参与嘉宾包括中电港芯查查运营总监李素君，华成工控董事、机器人行业总监杜晓磊，中电港萤火工场副总经理沈奕鹏，黑芝麻智能机器人业务中心总监曹旺，格见半导体副总裁卢兴强，Melexis机器人业务负责人王俊，以及进迭时空机器人研发部具身算法负责人李兆涵。 图：圆桌讨论现场 圆桌从不同产业环节的视角切入物理AI底座，为本次论坛关于机器人本体、算法、算力、控制和核心器件的交流提供了跨领域对话平台。 总之，具身智能走进物理世界，不仅需要更强的模型与算力，还需要可靠的运动执行、互连、安全保障和可复制的制造体系；以真实场景为牵引，推动软硬件协同与产业链合作，才能让机器人从“完成一次演示”迈向“持续创造价值”。 为此，中电港芯查查在网站上推出了“具身智能机器人产业应用创新生态”专区（https://www.xcc.com/robot?category=218），供产业链人士参考。 与此同时，中电港芯查查作为2026湾芯展优秀产业生态伙伴，将持续链接具身智能产业链上下游资源，加大在机器人产业的投入与布局，深化与全球顶尖科技企业的战略合作，为合作伙伴提供芯片数据、应用方案和产业信息服务，致力于成为全球首选的集成电路应用创新生态平台。
芯查查
芯查查 . 2026-10-15 1 2 1561
企业 | Molex莫仕越南兴安扩建工厂正式投产
2026年9月，Molex莫仕位于越南兴安省的扩建工厂一期工程已竣工，并举行落成仪式。 新工厂占地25万平方米，位于升龙第二工业园（Thang Long Industrial Park II），具备先进制造、工程研发和质量保证能力，将为高速数据中心领域的客户提供有力支持。 先进制造 X 工程研发 X 质量保证 为高速数据中心领域的客户提供有力支持 作为Molex莫仕在越南的第二个生产基地，兴安工厂目前拥有近5,000名员工，预计到2026年底，员工人数将增至8,000名。 目前 近 5000 名员工 2026年底 增至 8000 名 “近二十年来，越南始终是我们开展业务和投资的理想之地。此次扩建体现了我们对越南以及亚太地区客户的长期承诺。 通过持续投资先进的连接器制造技术和能力，我们将能够更好地服务全球客户。我们高度重视当地丰富的人才资源，并期待进一步壮大团队，推动长期增长。” Molex莫仕首席执行官 Joe Nelligan表示，“兴安扩建工厂将与Molex莫仕位于河内的工厂形成协同效应。河内工厂占地2.8万平方米，自2007年投产以来，目前拥有约1,000名员工。” 两处基地均整合了工程、制造、供应链和支持职能，并通过以员工为本的现代化工作环境，促进当地人才的职业发展与技能提升。 为提高运营效率并践行环境保护承诺，两处工厂均配备先进的节能系统，包括现场太阳能发电、专业电力管理系统（PMS）、LED照明、电子控制装置和变频空调系统，并统一由楼宇管理系统（BMS）进行智能控制。
先进制造
Molex莫仕连接器 . 2026-10-14 1540
市场 | Q3'26中国智算中心投资额同比增长34.4%，算力网络迎来密集落地期
2026年作为“十五五”规划开局之年，中国智能算力中心产业在政策赋能、AI产业落地、技术迭代的三重驱动下，保持高速扩容态势。根据CINNO • IC Research最新统计数据显示，2026年第三季度中国智能算力中心产业投资额约7,288亿元，同比增长34.4%。目前，国内智算产业已告别粗放式建设阶段，呈现出储备放量蓄力、建设梯次落地、区域分化升级、绿色化与国产化协同迭代四大核心趋势，行业发展质量持续提升。 一、整体市场趋势：投资热度延续，产业进入“储备先行、分批兑现”的增长周期 中国智能算力中心产业投资规模延续稳步扩张态势，根据CINNO • IC Research最新统计数据显示，2026年第三季度中国智能算力中心产业投资额约为7,288亿元，同比增长34.4%，较2025年同期的5,424亿元增加1,864亿元，投资规模持续扩大，算力基础设施已成为数字经济重点投资方向。 从产业底层逻辑看：政策端，国家算力互联互通节点体系建设加快推进，“1+M+N”三级体系加速构建，全国算力资源统筹布局持续完善；需求端，人工智能大模型加速向产业化落地迈进，智能制造、自动驾驶、生物医药等实体经济领域算力需求快速增长，为智算产业提供了长期稳定的市场支撑。 当前，产业呈现前端储备翻倍增长、中端建设稳步推进、后端投产持续释放的良性梯次发展格局。根据CINNO • IC Research最新统计数据显示，2026年第三季度智算中心产业项目共计62个，其中拟建/筹备阶段项目投资额达5,217亿元，占总投资71.6%；交付/投产阶段约993.6亿元，占13.6%；开工/在建阶段约917.4亿元，占12.6%；封顶/完工阶段约160亿元，占2.2%。拟建/筹备阶段占比超七成，表明市场对中长期算力供需缺口的预期明确，行业项目储备池持续扩容，后续增长动力充足。 图示：Q3'26中国智能算力中心产业投资项目进程分布情况，来源：CINNO • IC Research 与2025年同期相比，拟建/筹备类项目从约2,620亿元跃升至5,217亿元，增幅高99.1%，项目储备规模实现近乎翻倍增长。开工/在建阶段合计投资从889.0亿元微增至917.4亿元，同比增长3.2%，占比从16.4%小幅下降至12.6%；封顶/完工阶段从1,154亿元降至160.0亿元，同比下降86.1%，交付/投产阶段从761.1亿元增至993.6亿元，同比增长30.5%。 整体来看，第三季度开工在建项目投资小幅增长、占比略有回落，封顶完工项目规模短期调整，主要系2025年同期多个大型项目集中封顶、2026年第三季度封顶项目以中小规模为主所致；交付投产项目同比稳步增长，存量产能持续释放。综合项目建设节奏判断，国内智算产业正处于“储备蓄力、分批兑现”的关键窗口期，随着储备项目逐步转入施工、投产阶段，2026年第四季度至2027年行业有望迎来新一轮集中封顶与投产高峰。 二、区域发展趋势：集聚效应持续强化，“北绿电、南国产化”差异化格局加快成形 随着全国一体化算力网络建设不断深化，中国智算产业布局的集聚化、差异化特征日益明显。各区域依托资源禀赋和产业基础形成错位发展路径：北方枢纽依托清洁能源优势发展绿电算力，南方枢纽依托科创与产业优势推进国产算力规模化落地，全国性产业分工格局基本成型，头部区域集群效应、示范效应持续凸显。 北方算力：从“规模集聚”迈向“算电协同”新阶段 北方算力枢纽依托风光等清洁能源资源优势，成为全国绿电智算的重要承载地，产业发展正从“规模集聚”向“高质量算电协同”转型。以内蒙古为代表，第三季度区域项目签约、备案落地节奏明显加快。依托2026绿色算力（人工智能）大会平台，呼和浩特、乌兰察布双核集中签约一批重大项目，覆盖算电协同、零碳智算等方向；同期，一批零碳算力基地、智算集群项目集中获批备案，落地范围覆盖多个盟市。 从落地项目特征看，万卡级智算集群、GW级算力园区成为区域布局重点，新建项目普遍采用绿电直供、液冷散热、高密机柜等技术路线，PUE等能效管控指标持续收紧，源网荷储一体化成为项目建设的重要方向。项目集中落地、技术标准同步升级，印证了算电协同、绿色低碳已成为全国智算产业的核心发展逻辑，清洁能源与算力基础设施深度融合正成为新建项目的主流选择。 图示: Q3'26中国智能算力中心产业投资项目地域分布情况，来源: CINNO • IC Research 南方算力：聚焦算力自主可控，国产算力加快规模化商用 南方算力枢纽依托科技创新与产业配套优势，聚焦算力自主可控，加快国产算力商业化落地。以广东为代表，区域智算产业形成“国产化+液冷化”协同迭代趋势。第三季度，粤港澳大湾区首个“国芯训国模”昇腾万卡智算集群在韶关上线，依托国产超节点构建规模化算力资源池，标志着区域国产算力由试点应用迈向规模化商用新阶段。 同时，算电协同模式在南方枢纽加快复制推广，广东相关规划已明确提出推动算力中心与新能源场址、电网协同建设。目前，韶关、广州等核心算力节点的高密液冷方案、国产算力设备应用比例持续提升，产业功能由基础算力供给向国产算力训练、推理一体化服务升级，全国算力国产化替代的重要示范区域地位进一步巩固。 三、技术迭代趋势：绿色低碳与国产替代双轨并行，行业建设标准全面升级 结合第三季度各区域落地项目与储备项目特征，中国智算产业技术迭代明显提速，行业竞争逻辑正由单纯的算力规模比拼，转向绿色能效、自主可控、软硬件协同的综合能力竞争，两大技术趋势将贯穿中国智能算力中心项目建设全过程。 一是绿色低碳由建设要求升级为行业准入门槛和核心竞争力。当前新建、在建、拟建智算项目普遍将绿电利用、低PUE管控、储能配套作为核心建设内容。 二是国产化替代进入规模化落地新阶段。在市场需求与供应链安全双重驱动下，国产芯片、超节点、智算集群解决方案加速落地，算力底层自主可控将成为行业长期发展主线。
智算中心
IC Research . 2026-10-14 2709
技术 | 加速人形机器人开发：晶晨半导体与先楫半导体在2026 年中国工博会上展示基于 EtherCAT的关节电机控制方案
上海，2026 年10 月13日 —— 晶晨半导体今日宣布，其边缘AI系统级芯片 A311Y3已被先楫半导体采用，作为基于EtherCAT的机器人关节演示方案中的主控芯片。该方案正在2026年中国国际工业博览会（CIIF 2026）上联合展出。该演示方案基于一个八轴人形机器人平台，集成了晶晨 A311Y3 边缘AI SoC与先楫 HPM5E3Y高性能电机控制MCU。其中，A311Y3 SoC运行Linux操作系统，承载触控屏人机界面（HMI），并作为EtherCAT主站，协同控制多个由HPM5E3Y驱动的关节电机。 通过触控屏调节运动方向与速度，八个轴同步协调运动。屏幕上实时显示的位置反馈与实际关节角度实时对应，完整呈现了从指令下发、实时执行到关节状态反馈的全闭环运动控制链路。 该联合演示表明，高性能边缘计算与专用实时电机控制相结合，可有力支撑人形机器人及其他先进机器人系统的开发。 A311Y3：边缘计算与EtherCAT主站控制 在该系统的分层架构中，晶晨A311Y3 作为上层计算平台，负责应用处理、用户交互及 EtherCAT 主站通信。 其关键功能包括： 基于Linux的控制平台 运行Linux系统，管理多个EtherCAT连接的电机驱动节点的通信。 交互式HMI 驱动触控屏界面，支持运动指令下达、系统监控与实时运动可视化。 端侧AI能力 提供最高8 TOPS的NPU计算性能，为未来集成机器视觉、感知及其他端侧AI应用预留了充足空间。 灵活的系统连接性 提供PCIe 3.0、2.5GbE/GbE 以太网以及双CAN-FD接口，用于连接传感器、存储及扩展模块。 在每个机器人关节处，先楫HPM5E3Y作为EtherCAT从站MCU，执行电机实时磁场定向控制（FOC），采样位置信息，并向A311Y3主站上报关节状态。 通过将上层计算与应用处理与下层实时电机控制相分离，该架构使两层可以独立开发和优化。同时，它为机器人开发者提供了一个评估平台，用于验证系统架构、EtherCAT 组网及多轴协调运动控制。 A311Y3 关键技术规格 工艺 / CPU 6nm制程，八核 ——2× Arm Cortex-A78 @ 2.4GHz + 6× Cortex-A55 @ 2.0GHz AI性能 8 TOPS NPU，用于端侧AI推理 操作系统 Yocto Linux、Debian及Android 16+（符合Google VSR规范） 以太网 1×2.5GbE以太网MAC（HSGMII）+ 1×千兆以太网MAC（RGMII） 工业连接 双CAN-FD，另有多通道UART / I2C / SPI / PWM 温度等级 提供消费级与工业级版本 应用市场 AI NAS、计算卡、智能平板、机器人、工业控制、智能汽车及大屏商用显示 先楫半导体首席营销官Danny Chen表示：“人形机器人既需要智能化的上层计算，也需要在每个关节处实现精准、确定性的控制。先楫 HPM5E3Y 正是针对机器人关节应用的高要求而设计，集高性能处理、集成式 EtherCAT 连接与实时电机控制于一体。通过将HPM5E3Y与晶晨A311Y3相结合，我们展示了这些互补技术如何协同工作，实现多轴协调运动并简化机器人系统开发。我们期待与晶晨携手，帮助客户加速下一代机器人解决方案的开发与部署。” 晶晨股份企业战略高级副总裁谢健磊（James Xie）表示：“机器人的协调运动，需要上层控制器与关节级驱动系统之间的紧密协作。本次演示展示了A311Y3如何将基于Linux的应用处理、交互式HMI及EtherCAT主站通信集成为单一边缘计算平台。与先楫的专用电机控制MCU相结合，它为开发集成式运动控制系统的机器人及工业客户提供了灵活的基础。” 在2026年中国工博会期间，晶晨与先楫的工程团队将到场，与行业观众及潜在合作伙伴就机器人关节驱动系统、EtherCAT 组网、多轴协调及系统集成展开深入交流。
边缘AI
晶晨Amlogic . 2026-10-14 2163
产品 | 纳芯微发布四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列 ，赋能汽车与工业自动化应用
在汽车域控、底盘及发动机ECU和工业PLC系统中，多路电磁阀、继电器等负载的驱动普遍面临MCU的IO资源紧张、感性负载关断时电压尖峰高、故障难以定位、预测性维护困难等挑战。如何节约IO资源以实现多路负载控制，并对各路负载进行独立监测与保护，是系统设计中的核心挑战。 NSD5614系列支持SPI串口与并口双输入接口，具备四通道独立诊断与保护功能，内置60V高压钳位，增强ESD性能可达±4kV，支持输出并联及最高200kHz PWM开关频率，全面简化多路负载驱动的系统开发，显著提升整机鲁棒性。 NSD5614系列提供车规和工规两种版本，满足不同应用领域的需求。车规版本适用于12V/24V/48V汽车应用场景，可驱动底盘、发动机ECU及车身域控中的各类电磁阀、继电器等负载。工规版本面向工业自动化PLC与智能终端等领域的各类低边负载应用。 SPI接口支持多芯片菊花链级联，大幅减少输入IO和信号隔离数量，降低系统成本 NSD5614系列除了支持简单的并口输入控制输出外，还支持通过SPI接口控制输出。SPI通信支持两种连接方式： 下图左为SPI并行连接方式，多个NSD5614从设备共用通信线SDI/SDO/SCK，每个芯片单独连接片选信号NCS。 下图右为SPI菊花链（Daisy Chain）连接方式，多个NSD5614从设备共用时钟信号SCK和片选信号NCS，每个芯片的SDI和SDO采用菊花链连接。 图1 多芯片SPI接口控制连接方式 采用SPI串口连接多个NSD5614芯片，可大幅减少控制IO口数量。特别是在菊花链级联模式下，针对工业PLC中N个四通道低边驱动的应用，仅需1个SPI口和1个四通道数字隔离器，即可替代原本所需的4N个输入IO口和4N个光耦隔离器件。 关断状态下的的负载开路（OL）和短路到地（SCG）诊断，精准定位反馈故障 NSD5614支持负载开路（OL）和短路到地（SCG）诊断功能，可在驱动芯片关断状态（Off state）下进行检测，帮助系统在驱动负载前及时发现异常，提升系统的可预测性和可维护性。 Off state诊断的原理是在芯片内部的MOS管关断时，通过对OUT端施加上下拉电流，使OUT端电压处于不同电位，从而检测OUT端的负载连接状态。 当VOUT>0.6*VDD时，判定OUT端负载连接正常（Normal）。 当0.4*VDD<VOUT<0.6*VDD，且持续超过110μs时，判定OUT端负载开路（OPL）。 当VOUT<0.4*VDD，且持续超过110μs时，判定OUT端短路到地（SCG）。 内置高压钳位管与通道独立保护机制，全面提升系统可靠性 NSD5614用于驱动感性负载时，当低边MOS关断后，感性负载开始退磁（Demagnetization）。为防止OUT端产生过高电压而损坏内部MOS管，芯片内置的高压钳位管将VDS电压钳位至VDS(CL)，使续流电流逐渐衰减至零，如下图3所示，对应t从0到t1的阶段。 高压钳位管的EAS钳位能量可参考下图中的计算公式，也可通过示波器计算该阶段的输出电压、电流和时间的积分。 图2 输出钳位及钳位能量 NSD5614具备全面的保护和诊断功能，包括四通道独立的过温保护、过流保护、负载开路和短路到地诊断检测，以及VM电压欠压保护，有助于提升系统可靠性。 封装与选型 纳芯微四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列现已全面量产，更大电流、更低内阻的NSD5624系列正在样品阶段。两款产品均支持输出通道独立控制，并具备全面的智能诊断与保护功能，可满足汽车及工业领域的高可靠性应用需求。 进一步咨询NSD5614产品及申请样片，可邮件sales@novosns.com；更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。 图3 NSD5614系列选型表 纳芯微MotivDrive®：面向汽车、工业和智能终端市场的高可靠电机驱动方案 MotivDrive®是纳芯微倾力打造的电机驱动产品家族，以高集成、安全可靠、品类丰富为核心优势，产品覆盖直流有刷电机、步进电机、直流无刷电机的集驱和预驱（NSD7系列、NSD8系列、NSD3系列），继电器、电磁阀与螺线管的低边驱动（NSD56系列、NSD1x4系列）等多种品类。 MotivDrive®电机驱动产品支持高精度电流采样，并集成过流、过温、欠压保护及堵转、负载开路检测等全面的保护与诊断功能，帮助客户减少外围器件，实现小型化与高可靠性的系统设计。
低边驱动
纳芯微电子 . 2026-10-14 1540
国产替代超越CS4361、软硬件兼容：纳祥科技多通道DAC NX1227动态范围更新至106dB
在音频系统设计中，DAC（数模转换器）往往决定了整条链路的"天花板"，而动态范围与总谐波失真+信噪比（THD+N），正是衡量这块"天花板"的两把标尺。近日，纳祥科技NX1227迎来一次指标级突破：动态范围从100dB提升到106dB，THD+N从-90dB优化到-96dB，实现对CS4361的PIN TO PIN替代超越，软硬件兼容。 ⑴ 先看突破：这几点提升为何值得关注 动态范围决定了大信号与小信号之间可还原的层次跨度，数值越高，弱音细节越不易被淹没；THD+N则直接反映声音的纯净度，负值越小越干净。两项指标同步改善，意味着NX1227在解析力与失真控制上都迈上了一个台阶。 ⑵ 技术拆解：架构与特性 从架构看，NX1227系列是一款国产6路I2S输出数模转换芯片，内部集成插值滤波器、multi-bit数模转换器与输出模拟滤波器，支持大部分音频数据格式。其核心基于一个带线性模拟低通滤波器的四阶multi-bit Δ∑调制器，并通过检测信号频率与主时钟频率，在2KHz与216KHz之间自动调节采样率。此外，芯片内置数字去加重模块，可在3.3V和5V下工作，采用TSSOP20封装。 关键特性可归纳为：Muti-bit Δ∑调制器、24bit D/A转换器、自动检测最大到192KHz的信号频率、106dB动态范围、-96dB总谐波失真+信噪比、低时钟抖动敏感度、3.3V或5V工作电压、线性滤波输出、片上数字去加重、输出静音控制。 ⑶ 工程视角的三个加分项 一是外置元件少，外围电路更精简，芯片尺寸更小、功耗更低，整体成本也更可控，便于方案快速落地。 二是采样率覆盖全面，支持SSM模式下的48、44.1、32kHz，DSM模式下的96、88.2、64kHz，以及QSM模式下的192、176.4、128kHz。 三是具备片上数字去加重功能（测试条件：Fs为44.1kHz），可提升信号信噪比、减少传输失真，保障数据的准确与可靠。 ⑷ 落地场景 目前，NX1227已被广泛用于车载5.1音箱、5.1家庭影院等设备，能够满足家庭影音的高需求。 ⑸ 结语 从100dB到106dB，是国产音频DAC向高保真持续逼近的又一个注脚。对工程师而言，一颗兼顾性能与成本的国产DAC，或许正是当下方案选型的新选项。
DAC
深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2026-10-14 1386
晶振中pF和 ppm分别是什么意思？
在晶振选型和电路设计中，pF和ppm是两个出现频率极高的参数，但它们代表完全不同的物理意义。pF关乎晶振“能否精确振荡在标称频率上”，而ppm则描述晶振“频率偏差有多大”。理解这两个参数，是正确使用晶振、保证系统时钟精度的前提。 pF是电容单位“皮法”（picofarad），在无源晶振参数中，它通常指负载电容（LoadCapacitance，CL）。无源晶振本身不振荡，必须配合外部起振电路（如皮尔斯振荡器）才能工作。晶振在电路中看到的等效外部电容，就称为负载电容。晶振规格书会标注一个标称CL值（如8pF、12pF、20pF），只有外部电路提供的实际电容等于该值时，晶振才会精确振荡在标称频率上。 负载电容如何计算呢，典型皮尔斯振荡电路中，晶振两脚各接一个电容到地，分别记为C1和C2，则： 其中Cstray是PCB走线、芯片引脚及焊盘产生的寄生电容，通常在2~5pF。一般取C1=C2，那么 例如，晶振标称CL=12pF，假设Cstray=3pF，则外接电容应为18pF左右。 如果出现负载电容不匹配，例如CL偏大，则实际振荡频率低于标称频率（频偏为负），CL偏小则实际振荡频率高于标称频率（频偏为正）。频偏过大会导致通信失败、计时不准、无线信号偏移等问题，因此，无源晶振必须严格匹配负载电容。 ppm是百万分之一（parts per million），用于表示频率偏差相对于标称频率的比例。1ppm表示百万分之一的偏差。例如，一个10MHz晶振的±10ppm意味着实际频率可能在9.9999MHz~10.0001MHz之间，偏差最大为100Hz。 在晶振参数中ppm可能出现在多个场合，常见的有： 频率容差：常温（25℃）下的初始偏差，单位ppm。 频率温度稳定度（Frequency Stability over Temperature）：全工作温度范围内相对于25℃频率的最大漂移，单位ppm。 老化率：长时间工作后频率的缓慢漂移，通常为ppm/年。 通常情况下，ppm数值越小，频率精度越高，但成本也越高。不同应用对ppm要求不同： 普通MCU时钟：±30~±50ppm足够；USB、以太网：通常要求±50ppm以内，部分要求±30ppm；无线通信（如GSM、LoRa、蓝牙）：可能要求±10ppm或更优；高精度测量、GPS：常需±2.5ppm、±1ppm甚至更高精度，此时需采用温补晶振（TCXO）。 pF与ppm两者并非无关，负载电容不匹配会导致晶振实际工作频率偏离标称值，从而产生额外的ppm级偏差。例如，一个±10ppm的无源晶振，若负载电容偏差5pF，可能额外引入±20ppm的频率偏移，使总偏差远超规格。因此，精确匹配pF是保证ppm精度的前提。 晶振选型建议： 无源晶振（Crystal）先查芯片规格书，确认所需频率与负载电容CL，再选CL值一致的型号；外部匹配电容按C1=C2≈2×(CL−Cstray)配置，其中Cstray为走线与引脚的杂散电容，通常取3～5pF。扬兴YSX321SL、YSX221SL、YSX211SL覆盖多种标准CL值，可直接按参数对号入座。 有源晶振（OSC）重点核对三项：供电电压、输出类型（CMOS/LVDS等）、频率稳定度（ppm）。YSO690PR、YSO212PU系列具备低抖动、宽温工作、多电压可选等特点，适用于工业控制与消费类电子。 高精度场景（TCXO/OCXO）对时序或频率精度要求较高时，选用温补晶振（TCXO）或恒温晶振（OCXO）。YSO510TP稳定度可达±2.5ppm，提供2016/2520/3225等小型封装，适合无线模块、GNSS定位等应用。
晶振,有源晶振,无源晶振
扬兴科技 . 2026-10-14 868
2026云栖大会 | 从新型存储到下一代企业级SSD，德明利多款重磅新品首次集中亮相
9月22日-24日，2026云栖大会在杭州国际博览中心顺利举行。德明利亮相算力基石馆2E17展位，德明利围绕“企业存储核心芯片提供商”和“AI基础设施方案提供商”两大定位，从新型相变存储介质PCM存储解决方案、PCIe6.0 SSD及企业级全谱系产品矩阵三个方向，持续完善面向AI基础设施的分层存储能力。 01 现场演讲 G2.5：CXL扩展存储分层 提升Token经济效益 随着大模型从训练走向规模化推理，AI基础设施正围绕Token经济性重构，超长上下文与高并发推理推动KV Cache从GB级跃升至TB级。传统HBM、DRAM、SSD分层体系面临容量、成本与持久化三重挑战，DRAM与SSD之间仍需一个兼顾容量、时延与持久化的新层级，于是基于CXL内存语义的G2.5层正成为弥补传统内存和闪存之间的关键新存储层级。本次云栖大会由海光承办的分论坛上，德明利现场分享了面向G2.5层的CXL扩展存储分层方案。 PCM（相变存储器）兼具非易失、低时延与高耐久特性，德明利以“内存扩展的自研主控芯片H9560+PCM介质+模组”形成G2.5层新型存储解决方案，以CXL内存语义构建全新存储结构、释放G2.5层潜力，提升Token经济效益。未来德明利将携手国产化算力生态做好生态适配，充分释放PCM介质潜力与CXL+PCM方案的存储价值，为国产AI基础设施提供更具性价比的存储底座。 02 聚焦新型相变存储介质PCM芯片 布局AI分层存储新层级 CXL+PCM面向内存扩展：Hima9560内存扩展芯片布局本地扩展与内存池化 随着AI服务器内存容量需求持续提升，单纯依赖本地DRAM/RDIMM扩容面临容量与成本压力。CXL为本地内存扩展和内存池化提供了新的连接方式，PCM则提供了不同于DRAM的扩展介质选择。 Hima9560 CXL内存扩展主控通过CXL内存语义将PCM接入服务器内存体系，在保留本地DRAM/RDIMM的基础上拓展更大容量，并进一步面向内存池化等场景拓展应用。 NVMe+PCM面向高频持久化存储：Hima8560推进PCM SSD产品化落地 AI场景正在推动Storage内部进一步分工。大容量Data SSD继续承担主体数据存储，而KV Cache持久化、热数据缓存等负载对写入频率、耐久度及访问时延提出更高要求，推动传统容量型SSD之上形成新的高频持久化存储层。 面向这一需求，Hima8560 PCM桥接芯片已完成回片验证，通过桥接PCM介质与现有eSSD主控方案，可与不同主控组合，提升PCM在现有eSSD体系中的产品适配与应用拓展能力。 基于Hima8560，德明利最新推出TP58N2新型超高速缓存盘PCM SSD，产品采用E3.S形态与PCIe5.0接口，具备150 DWPD高耐久及10μs级随机读时延，与大容量SSD形成分层协同，增加新的高性能持久化存储选择。 03 重磅亮相PCIe6.0旗舰SSD 面向下一代AI服务器存储方案 德明利首次展示国内率先推出的最新企业级PCIe 6.0旗舰SSD TE619A，采用E3.S、E1.S等EDSFF形态及TLC介质，容量覆盖3.84TB和7.68TB，最高顺序读取带宽达28GB/s、顺序写入带宽达12.5GB/s、随机读取性能最高达6000K IOPS，并围绕PCIe6.0新一代高速接口提前布局，面向下一代AI服务器对高带宽、高并发及高密度部署的存储需求。 04 构建面向AI基础设施的 全谱系企业级产品矩阵 围绕AI基础设施对性能、容量、可靠性及部署效率的差异化需求，德明利进一步完善企业级产品矩阵，覆盖DDR5内存、PCIe5.0/6.0企业级SSD及SATA SSD，并通过TLC、QLC等不同介质以及多种产品形态，适配AI服务器、分布式存储及云数据中心等不同应用场景。 多规格方案PCIe5.0产品矩阵：覆盖高密度与容量效率需求 围绕PCIe5.0平台，德明利已形成覆盖TLC、QLC等不同介质及多类技术方案的企业级SSD产品矩阵。 61.44TB QLC SSD高密度大容量存储：提升规模化数据承载 TE518C QLC企业级NVMe SSD采用PCIe5.0接口，覆盖U.2与E1.L双形态，容量达到30.72TB和61.44TB，最高顺序读取带宽14GB/s。通过QLC高密度介质与超大容量设计，提升单盘及服务器的数据承载密度，适配AI数据池、分布式存储及云计算等大规模数据场景。 透明压缩PCIe5.0 SSD：提升容量效率，优化存储TCO TE5121E硬件透明压缩企业级SSD提供3.84TB至15.36TB容量，通过控制器层面的硬件透明压缩提升有效容量利用率，在满足数据承载需求的同时优化云基础设施存储TCO。 自研双模主控方案：提升多协议、多平台适配能力 德明利自研Hima3361企业级双模主控将SATA与PCIe两种接口能力集成于统一芯片平台，面向数据中心多协议、多平台并存的长期需求，减少不同接口方案间的重复开发，并提升产品复用、适配及定制效率。 基于该主控，首次推出TS3198、TS3398企业级SSD进一步覆盖U.2、M.2等不同形态，为服务器系统盘及多平台部署提供更灵活的产品选择。 企业级内存：兼顾性能、可靠性与部署需求 德明利同步展示DDR5 RDIMM及ECC SO-DIMM等企业级内存产品。 其中，DDR5 RDIMM面向AI服务器、云计算及数据中心等高带宽、大容量内存需求； ECC SO-DIMM采用紧凑型模组设计并支持系统级ECC纠错能力，适配边缘计算、工业设备及紧凑型服务器等对空间与数据可靠性要求较高的场景。 EDSFF新形态部署：覆盖不同服务器平台与存储架构 德明利企业级SSD覆盖U.2、E1.S、E1.L、E3.S、M.2及2.5英寸等多种形态，支持PCIe与SATA等不同接口，可根据通用服务器、高密度服务器及分布式存储等不同平台需求进行灵活适配。 其中，E1.S、E1.L、E3.S等EDSFF形态进一步满足高密度部署、散热及空间利用率等需求，提升企业级存储在不同系统架构中的部署灵活性。 当推理的效率与成本成为AI落地的核心约束，存储正从被动承载走向主动参与计算调度。德明利以自研核心芯片为起点，打通从介质、芯片到企业级产品的完整能力，为AI系统的效率与成本提供更底层的支撑。
TWSC . 2026-10-14 1855
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