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晶振的使用寿命一般在多久

晶振的使用寿命实际表现受多种因素影响，不同应用场景和制造质量差异显著。以下是关键要点解析： 1、晶振的寿命与工作条件有关晶振的使用寿命是受到工作条件的影响的。晶振的工作条件包括电压、温度、湿度等。如果在这些条件下晶振工作过于苛刻或者不符合使用要求，在使用过程中就可能缩短其使用寿命。一般来说，正常工作电压下，晶振的工作寿命可以达到10年左右，但在过高或者过低的电压下工作，就可能使晶振的寿命大大缩短。 2、晶振的寿命与工作环境密切相关晶振的工作环境也会对其使用寿命产生影响。如果晶振暴露在日光下，会加速其老化速度，使其使用寿命缩短。此外，高温、高湿、高腐蚀性气体环境，都可能对晶振的性能产生影响，影响其使用寿命。 3、晶振的寿命与制造质量也有关晶振的制造质量也是影响晶振寿命的一个因素。如果生产质量不过关，会导致自身电性能、波动等问题，影响实际使用寿命。所以，晶振的质量是决定使用寿命的一个重要因素。

晶振

晶发电子 . 2025-09-09 590
精准时钟，稳定核心：±0.05PPM高精度温补晶振

在信息通信、精密测量和高精度定位日益发展的今天，频率源的稳定性和可靠性直接决定了系统的整体性能。扬兴科技推出的高精度温度补偿晶体振荡器(TCXO)，凭借0.05PPM的超高温度稳定性与宽温工作范围(-40°C~+85°C)，成为行业内高端应用的不二之选。产品优势一览 l 温度稳定性:0.05 PPM 在不同环境温度下，频率偏差几乎可以忽略，保证信号长期一致性 l 工作温度范围:-40°C~+85°C 无论是高温户外基站，还是低温极端环境，均能稳定运行。 l 封装尺寸:7050 小巧紧凑，适合高密度电路设计 l 频率范围:10 MHz~52 MHZ 覆盖主流通信与定位系统所需频点，兼容性强。高精度温补晶振对应用的深远影响 1. 基站:保障网络稳定与同步现代 4G/5G基站需要海量小区站点协同工作，频率误差过大会导致数据丢包、时延增加和网络掉线。扬兴科技的高精度TCXO为基站提供稳定的时钟源: l 确保上下行信号精准同步 l 提升网络整体稳定性与用户体验 l 在极端环境下依然维持高可靠性，降低维护成本 2. 高精度测试设备:提升测量可信度在高精度仪器仪表中，频率稳定度直接关系到测试结果的准确性。采用普通晶振，环境温度波动可能造成读数误差，而扬兴科技高精度TCXO则: l 提供长期稳定的基准信号 l 确保数据结果可重复、可信赖 l 满足科研、计量、通信设备测试的严格标准 3. 高精度定位模块:提升授时与定位精度无论是GNSS定位模块还是授时系统，频率偏差都会导致定位漂移与授时误差。扬兴科技的高精度 TCXO 通过极低的温度漂移提升定位精度，减少误差累积确保授时精准到微秒级在电力、交通、金融等行业的时钟同步中发挥核心作用为什么选择扬兴科技? l 技术沉淀:多年专注晶振领域，持续创新。 l 品质保障:严格品控流程，出厂即为高可靠标准。 l 客户导向:面向通信、仪器、定位等高端市场，提供定制化支持，扬兴科技高精度温补晶振，不仅是一颗器件，更是通信稳定、测试可靠、定位精准的关键基石。扬兴科技--让每一份信号更精准，让每一次同步更可靠。

温补晶振,国产晶振,TCXO温补晶振

扬兴科技 . 2025-09-09 535
语音互动、单片机控制，纳祥科技红外摸高计数方案解锁家庭锻炼多方式

全民健身意识增强与体育教学专业化发展，使传统体能训练工具面临数据模糊、反馈滞后、适配性差等问题。纳祥科技本次客户案例——多功能运动红外计数器方案，聚焦于不同人群跳跃、摸高、坐位体前屈等多场景专项训练，通过视听双重反馈、双模式自由切换，提升训练动力，激发潜能。（一）方案概述本方案以单片机作为核心控制器，通过检测摸高、跳跃等动作触发红外感应，自动记录跳跃次数；短按开机键可切换模式。方案采用数码管动态显示当前计数值，并配合语音芯片预存的中文提示音，实现视听双重反馈。方案集成了单片机、语音芯片、数码管、喇叭、充电芯片与锂电池等模块，支持摸高模式（12次/组）与计数模式（最高9999次）2种模式，兼顾功能性与趣味性。（二）功能模块 ①单片机：系统主控，处理逻辑与计时 ②语音芯片：存储语音指令 ③数码管：显示当前计数值（0-9999） ④喇叭：播放音效、语音 ⑤红外感应：非接触式检测跳跃动作，触发精准计数 ⑥机械按键：短按模式切换，长按开关机 ⑦充电芯片+锂电池：主供电来源，支持Type-C快充，低功耗设计延长续航（三）方案演示下面，我们将为您展示本方案—— ①摸高模式，适用于摸高锻炼，12次1组，语音播报当前值 ②计数模式，适用于开合跳，高抬腿等，计数最高可达9999 （四）方案总结本方案将红外检测和语音合成技术融合，模块化硬件便于量产维护，相比同类产品，其在交互友好度、安全性和续航能力上具有显著优势，低成本高性价比，适用于家庭、学校、健身房等场景，具备良好的商业潜力与社会意义。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

方案开发

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-09-09 2 495
恒歌烧结金属滤芯技术：实现0.01μm级高压气体超精过滤

恒歌HG系列过滤器采用多层级烧结金属滤芯，在40MPa高压环境下实现0.01μm过滤精度，成为工业气体净化的核心技术方案。一、烧结滤芯结构设计梯度孔隙架构：基层：80μm不锈钢纤维烧结层(孔隙率65%) 过渡层：15μm球形粉末烧结层(孔隙率45%) 功能层：5μm纳米纤维复合层(孔隙率30%) 三维贯通孔道：孔道曲折度≤1.35(行业平均1.8) 比表面积达8000m²/m³(传统滤芯的3倍) 二、过滤性能关键指标截留效率：颗粒直径 0.1μm 0.05μm 0.01μm 截留率 99.99% 99.97% 99.95% 纳污容量：初始压差0.02MPa 容尘量达1200g/m²(寿命延长50%) 三、极端工况适应性高温高压测试： 250℃/40MPa连续运行1000小时，孔隙结构无坍塌抗热震性能：ΔT=200℃/min骤变后无裂纹化学兼容性：耐受pH1-14介质(氢氟酸除外) 耐硫化氢浓度达20%vol 应用案例：某半导体工厂在氩气净化系统中采用恒歌烧结滤芯后，晶圆表面金属离子污染降低至0.01ppt，良品率提升2.3个百分点。

原创 . 2025-09-09 635
从比亚迪到极氪：三星 MLCC 如何助力主流品牌 800 V 车型量产

作为三星MLCC产品的专业代理商，贞光科技始终致力于为新能源汽车产业链提供高可靠性元器件及技术支持。贞光科技依托专业的技术团队，为车企提供从选型、验证到批量供货的全流程服务，确保客户能够快速导入并稳定应用。谈起当下新能源汽车技术的跃进，不得不将视线投向 800 V 高压平台——它代表了更快充电、更轻车身、更长续航的趋势。比亚迪、极氪等主流品牌在这条道路上正快速前行，而三星电机推出的高压 MLCC 正是这一浪潮中的细节之处，却又不可或缺。高压 MLCC 的角色与价值 2000 V 高压 MLCC 为 800 V 平台提供安全裕度三星专门为 800 V 电动车电池管理系统（BMS）开发了 2000 V 级 MLCC，能够提供超过两倍于工作电压的安全裕度，显著提升了快充下的稳定性和可靠性。从 250 V 到 2000 V：齐全产品覆盖多种系统模块 X7R 制程的 MLCC 产品覆盖额定电压从 250 V 到 2000 V，电容范围在 2.2 nF 到 470 nF，是面向 OBC、DC-DC 转换器、电机驱动逆变器、无线充电、BMS 等高压子系统的理想元件。新增 1812 尺寸，增强结构可靠性三星将产品从传统的 1210 大小扩展到更大的 1812（4.5×3.2 mm）封装，通过材料微细化和软端接技术，提高了 MLCC 在机械弯曲、热循环环境下的可靠性。 1000 V 级 MLCC 领跑量产最近，又推出 1812 尺寸、X7R 材质、100 nF、1000 V 额定的 MLCC，这类元件特别适合安装在高可靠场景下，同时具备量产能力。封装尺寸额定电压电容范围材料特性主要应用领域 1812 mm 250～2000 V 2.2 nF ～ 470 nF X7R（-55 ℃～125 ℃） OBC、DC-DC 转换、逆变器、BMS 等高压子系统 1812 mm 1000 V 100 nF X7R 高速充电 OBC / 电力转换模块多种封装 2000 V 多规格可选高耐压材料 + 安全电压分布设计 BMS 中的关键稳定元件（注：表中内容基于三星公开资料，确保准确引用；如需更详细型号与参数，可参考官方数据手册。）如何帮助 “比亚迪—极氪” 实现 800 V 量产？规格匹配主流技术需求比亚迪和极氪等品牌虽然侧重点不同，但在 800 V 高压平台上都有快充、轻量化、安全冗余等共性要求。三星 MLCC 2000 V 安全裕度产品，恰好满足电池系统对高压、快充的高可靠需求。更高的稳定性意味着更少维护成本尤其是 OBC 和 DC-DC 转换模块，经常经历高温、高频切换，传统薄膜电容存在发热和体积上的局限。X7R MLCC 不仅频率适应性更好，而且体积更小，这减轻了整车电子模块设计的空间压力。量产能力为 OEM 供应链提供稳定保障三星扩展了产品线尺寸，从 1210 到 1812，并开始量产多种规格 MLCC，意味着它能更好响应比亚迪、极氪这样的品牌大批量、高一致性生产需求。全球电动车对高压 MLCC 需求快速增长市场研究机构预计高压 MLCC 市场将以约 22 % 年复合增长率增长，从 2024 年的 40 亿美元增长到 2029 年的 110 亿美元，这背后正是 800 V 平台及其高压元件的需求驱动。

三星电容

三星电容代理商 . 2025-09-09 475
瑞萨电子推出新型16位RL78/L23微控制器（MCU）产品群

针对HMI应用所需的段码式LCD和电容式触控进行优化，为电磁炉提供精准控制；支持通过双区闪存实现便捷、安全的OTA 瑞萨电子今日宣布推出新型16位RL78/L23微控制器（MCU）产品群，进一步拓展其低功耗RL78产品家族。RL78/L23 MCU工作频率为32MHz，集成卓越的低功耗性能与双区闪存、段码式LCD控制器及电容式触控等关键功能，可应用于智能家居电器、消费电子、物联网和表计系统等领域。凭借紧凑的设计和优异的性价比，RL78/L23 MCU能够充分满足现代设备基于显示屏的人机交互界面（HMI）应用对性能与功耗的双重要求。超低功耗运行，优化LCD性能 RL78/L23针对超低功耗进行了优化，适合大多数时间处于待机状态的电池供电应用。其工作电流为109μA/MHz，待机电流可低至0.365μA，并具备1μs快速唤醒时间，有助于最大限度地减少CPU活动。与现有RL78/L1X产品群相比，该产品采用新型VL4参考模式的LCD控制器，可将LCD工作电流降低约30%。其还配备SMS（SNOOZE模式序列器），可在无需CPU干预的情况下实现动态段码式LCD显示。通过将任务转移至SMS，该产品还可最大限度地减少CPU唤醒次数，有助于实现系统级功耗优化。这些创新不仅显著延长电池寿命，还简化设计并降低更换成本，尽可能减少对环境造成的影响。 RL78/L23的工作电压范围为1.6V至5.5V，可直接适配家用电器和工业系统中常用的5V电源，省去对外部电压调节器的需求。该MCU还集成电容式触控感应模块、温度传感器和内部振荡器等关键组件，有效降低BOM成本及PCB尺寸。功能丰富的外设，适用于HMI系统 RL78/L23专为满足HMI市场的灵活需求而设计，在紧凑且经济高效的封装中集成一系列先进功能。其内置的段码式LCD控制器和电容式触控功能，为电磁炉与暖通空调（HVAC）系统等产品打造出流畅、灵敏的用户界面。IH定时器（KB40）可实现精确的多通道加热控制，对电饭煲和电磁炉等智能厨房电器提供核心支持。产品还配备双区闪存，可通过FOTA（空中固件更新）进行无缝固件更新，确保更新时计量等应用系统依旧持续运行，最大限度减少停机时间：双区架构允许一个存储区运行用户程序，而另一个存储区接收更新，如此可确保在整个过程中系统功能始终在线，增强其可靠性。 Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“瑞萨16位RL78产品家族已问世十余年，一直备受市场青睐，特别在家用电器领域表现尤为突出。我很高兴宣布推出RL78/L23，这是RL78微控制器的新一代产品，它具备丰富功能，非常适合智能家电和对成本敏感的物联网解决方案。借助久经市场验证的瑞萨技术，我们旨在通过直观的开发环境打造更好的用户体验，使客户能够更高效、更有信心地投入生产。” RL78/L23的关键特性 16位RL78微控制器，工作频率为32MHz 内置段码式LCD控制器和电容式触控功能最高512KB双区闪存，支持无缝FOTA更新最高32KB的SRAM和8KB的数据闪存 SMS实现超低功耗运行 IH定时器（KB40），支持最多3通道的电磁感应加热控制宽工作电压范围：1.6V至5.5V 工作温度范围：-40°C至+105°C 多种串行接口，包括UART、I2C、CSI 符合IEC60730标准的自检库 44-100引脚LFQFP、LQFP和HWQFN封装直观的开发环境，加速产品上市 RL78/L23配备易于使用的开发环境。开发人员可借助Smart Configurator和QE for Capacitive Touch等支持工具，简化系统设计。此外，瑞萨还提供与Arduino IDE兼容的RL78/L23快速原型开发板，以及用于深入测试和验证的电容式触控评估系统。成功产品组合瑞萨将全新RL78/L23产品群MCU与其产品组合中的众多兼容器件相结合，开发了感应加热电饭煲解决方案及广泛的“成功产品组合”。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来已优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。供货信息 RL78/L23 MCU现已上市，同时提供快速原型开发板（FPB-RL78L23）和电容式触控评估系统（RSSK-RL78L23）。瑞萨MCU优势作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子的MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，是业界优秀的16位及32位MCU供应商，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

瑞萨电子 . 2025-09-09 1650
新品推荐 | NVIDIA Jetson AGX Thor为通用人形机器人大脑注入澎湃算力

在人工智能浪潮席卷全球的今天，一场深刻的变革正从数字世界涌向物理世界。机器人技术正从执行单一、固定任务的专用时代，迈向能够在多变环境中执行多样化任务的通用机器人时代。这一转变的核心，是对强大计算能力的极致渴求——机器人需要一个“大脑”，能够实时处理海量传感器数据，并运行复杂的生成式AI模型，从而实现与人类和物理世界智能、安全的交互。图1：NVIDIA Jetson AGX Thor™开发者套件和Jetson T5000™量产级模组（来源：NVIDIA）正是在这一时代背景下，NVIDIA于近日正式宣布，其新一代机器人计算机——NVIDIA Jetson AGX Thor™开发者套件和Jetson T5000™量产级模组，现已全面发售。这不仅仅是一次产品的迭代，更是对物理AI（Physical AI）性能天花板的重新定义。Jetson Thor的问世，旨在为全球数百万机器人开发者赋能，为制造、物流、医疗、农业乃至人形机器人等前沿领域，提供前所未有的端侧实时推理能力。性能的代际飞跃：Blackwell架构驱动的算力猛兽与上一代Jetson AGX Orin™相比，Jetson Thor实现了一次惊人的性能飞跃。其核心动力源自NVIDIA最新的Blackwell GPU架构，并配备了高达128GB的LPDDR5X统一内存。这一强大的硬件组合，使其AI算力飙升至惊人的2070 FP4 TFLOPS，是Jetson AGX Orin的7.5倍。同时，其能效也提升至后者的3.5倍，这意味着在同等功耗下能释放更强大的性能。图2：Jetson AGX Thor开发者套件内部结构图（来源：NVIDIA）除了GPU性能的巨大提升，Jetson Thor还搭载了性能强劲的14核Arm® Neoverse®-V3AE CPU，CPU性能相较上一代提升了3.1倍。而在数据吞吐能力上，其I/O带宽更是达到了Orin的10倍之多，配备了4路25GbE的高速网络接口，足以应对多传感器融合带来的海量数据流挑战。这一系列高性能参数，都集成在一个可在40瓦至130瓦之间灵活配置功耗的紧凑模组中，完美契合了机器人领域对性能、功耗和体积的严苛要求。产品形态详解：T5000模组与开发者套件为了满足从原型开发到规模化量产的不同需求，NVIDIA此次推出了两种产品形态：Jetson T5000模组和Jetson AGX Thor开发者套件。而且这两种产品形态均可在国内购买，中电港旗下的艾矽易商城已有销售。其中Jetson T5000的国内首发价为26,999元（https://www.iceasy.com/product/1950144139587960834）。 Jetson AGX Thor开发者套件的国内首发价为30,999元（https://www.iceasy.com/product/1950144336908992513）。具体参数如下： NVIDIA Jetson T5000模组：生产就绪的AI核心 Jetson T5000是一款生产就绪的模组系统（System-on-Module, SoM），专为大规模商业部署而设计。它采用了NVIDIA Blackwell架构GPU，配备一个Transformer引擎，且支持多实例GPU（MIG），能轻松运行最新的生成式AI模型。更重要的是，它将GPU与14核Arm Neoverse-V3AE CPU等强大计算单元、内存和关键接口高度集成在一块尺寸仅为100毫米x87毫米的板卡上，通过699针的板对板（B2B）连接器与载板连接。 T5000模组关键技术规格： AI性能：2070 TFLOPS（FP4稀疏） GPU：2560核NVIDIA Blackwell架构GPU，配备96个第五代Tensor Core CPU：14核Arm® Neoverse®-V3AE 64位CPU 内存：128 GB 256位LPDDR5X，带宽273 GB/s 视频处理：支持多路4Kp60 H.265视频编码和4K/8K H.265视频解码摄像头接口：支持通过HSB接口连接最多20个摄像头，或通过16通道MIPI CSI-2接口连接最多6个摄像头高速I/O：支持PCIe Gen5，提供4路25GbE网络能力表1：NVIDIA Jetson T5000模组具体参数（来源：NVIDIA官网） NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件：加速创新与原型验证对于希望率先体验Jetson Thor强大性能的开发者和研究人员来说，NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件无疑是理想的起点。该套件包含一个Jetson T5000模组、一块功能丰富的参考载板、带风扇的主动式散热解决方案以及电源适配器，提供了一个“开箱即用”的开发环境。开发者套件载板关键特性存储：板载M.2 Key M插槽，预装1TB NVMe固态硬盘高速网络：1个支持4路25GbE的QSFP28接口，以及1个5GBe RJ45以太网口无线连接：板载M.2 Key E插槽，预装Wi-Fi 6E和蓝牙模组多功能接口：提供多个USB 3.2/3.1接口、HDMI 2.0b和DisplayPort 1.4a视频输出，以及CAN、I2C、SPI等丰富的I/O扩展接口开发者可以轻松地将该套件集成到现有的机器人平台中，无需等待完整的系统设计，即可开始软件开发、算法验证和性能测试工作。表2：NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件规格参数（来源：NVIDIA官网）应用场景：从人形机器人到智慧城市 Jetson Thor的诞生，将极大拓展边缘AI的应用边界。其强大的生成式推理能力和多模态传感器处理能力，使其成为物理AI应用的卓越平台。通用与人形机器人：这是Jetson Thor的核心应用领域。它能够支持从NVIDIA Isaac™ GR00T™等视觉语言动作模型（VLA）到所有主流LLM和VLM的流畅运行。优必选、银河通用、宇树科技、智元机器人等人形机器人企业已率先采用Jetson Thor，以实现机器人更强的敏捷性、更流畅的动作和更高水平的自主交互能力。智能驾驶与自主机器：搭载Jetson AGX Thor的自动驾驶域控制器，能够以其2070 FP4 TFLOPS的强大算力，驱动低速无人车（如物流车、清扫车）等场景。其多传感器同步技术和丰富的接口，确保了感知数据的精准与稳定。边缘大模型与视频分析：Jetson Thor能够在边缘侧本地化部署主流LLM和VLM，为智能客服、工业质检、内容生成等场景提供低延迟、高能效的AI推理能力。结合NVIDIA Metropolis软件栈，它可以构建强大的视频搜索与总结（VSS）智能体，实时分析摄像头数据流。智慧城市与工业自动化：作为智慧城市的“智能引擎”，Thor边缘计算节点可以实时优化交通、预测设备故障等。在工业自动化领域，它能为复杂的机械臂和生产线提供前所未有的智能。完善的软件生态硬件的强大离不开软件生态的支持。Jetson Thor可运行NVIDIA JetPack™ 7软件开发套件，并完全兼容NVIDIA从云到端的全栈式AI软件，包括用于机器人开发的NVIDIA Isaac™、用于视觉AI的NVIDIA Metropolis™以及用于实时传感器处理的NVIDIA Holoscan™。这个拥有超过200万开发者的庞大生态系统，以及超过1000家合作伙伴提供的载板、传感器和软件服务，将帮助开发者极大缩短产品上市时间。结语 NVIDIA Jetson Thor不仅是一款独立的边缘计算模组，更是NVIDIA为机器人领域精心构建的“三台计算机”开发范式中的关键一环。随着Jetson AGX Thor和T5000的正式发布，我们有理由相信，一个由更智能、更强大、更具适应性的机器人所构成的未来，正加速向我们走来。

人形机器人

芯查查 . 2025-09-08 5410
市场周讯 | 美国撤销台积电南京厂设备运送权；闪迪全系产品涨价10%；博通获100亿美元AI定制芯片大单

| 政策速览 1. 美国：继韩国三星电子和SK海力士后，美国政府又撤销台积电对旗下大陆主要芯片厂南京厂运送必要设备的授权，此举将打击台积电在大陆生产芯片的能力。台积电南京厂主要负责成熟制程，包括16纳米和28纳米，主要用于汽车电子、物联网、智能手机的主流芯片、消费性电子产品等。去年5月，台积电宣布获得美国商务部的VEU授权，但9月2日证实接到美方通知，授权将在今年12月31日到期并撤销。 2. 美国：美国总统特朗普当地时间9月4日宣布，美政府将对未将生产转移至美国的半导体企业进口产品征收关税。他强调，若企业在美投资或有建厂计划，则可豁免关税。特朗普称关税幅度将“相当可观，但不会过高”，并点名表示苹果CEO库克“不错”，因苹果已承诺未来四年在美投资6000亿美元。此前，台积电、三星与SK海力士均已宣布在美建厂。 3. 无锡：2025集成电路（无锡）创新发展大会9月4日在无锡拉开帷幕。本届大会上，长三角国家技术创新中心车规级芯片中试服务平台、无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线、江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线揭牌，中国开放指令生态（RISC-V)联盟江苏省中心启动，无锡城市智算云中心节点发布，立足无锡从人才、技术等方面为集成电路企业创新探索提供更完备的生态支撑。 4. 两部门：工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业2025－2026年稳增长行动方案》，方案指出，加力推进电子信息制造业大规模设备更新、重大工程和重大项目开工建设，充分发挥重大项目撬动牵引作用，推动产业高端化、智能化、绿色化发展。编制完善产业链图谱，有序推动先进计算、新型显示、服务器、通信设备、智能硬件等重点领域重大项目布局。聚焦行业垂直领域场景，切实推动算力转换为生产力，打造以跨平台计算框架为核心的计算生态，加快对多体系芯片、多类型软件、多元化系统的兼容适用，提升产业生态主导地位。加强CPU、高性能人工智能服务器、软硬件协同等攻关力度，开展人工智能芯片与大模型适应性测试。适度超前部署新型基础设施建设，提升各地已建基础设施运营管理水平，强化服务器、芯片和关键模块的兼容适配。 5. 两部门：工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业2025－2026年稳增长行动方案》，方案指出，加强电子信息领域制造业创新中心等创新平台建设，强化行业关键共性技术供给。通过国家重点研发计划相关领域重点专项，持续支持集成电路、先进计算、未来显示、新型工业控制系统等领域科技创新。提升协同攻关效率，支持人工智能、先进存储、三维异构集成芯片、全固态电池等前沿技术方向基础研究。面向光子领域重点环节开展技术攻关，加大对高速光芯片、光电共封等领域的研发投入力度，推动光架构与现有电架构体系生态融合。谋篇布局时空信息产业，一体推进卫星定位、导航、授时、遥感、地理信息系统（GIS）、通信、网络等协同发展，突破多源融合定位、室内外无缝定位、低轨导航增强、自适应抗干扰防欺骗等北斗关键技术。加快网络化、开放化、智能化、协同化的新型工业控制系统和操作系统架构体系研究。加快推动RISC-V产业发展，促进产品技术研发、标准体系建设、应用落地和国际化合作。 | 市场动态 6. TrendForce：2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。 7. 重庆：重庆市智能网联新能源汽车芯片产业联盟9月1日在渝成立。联盟由重庆市及市外的66家整车企业、汽车芯片企业、科研院所等共同组成，将建立产业链上下游信息沟通渠道，打通国产汽车芯片上车应用的技术通道和产业通道，创建“立足重庆，服务全国”的汽车芯片产业创新生态圈。联盟选举赛力斯集团股份有限公司作为联盟理事长单位，重庆长安汽车股份有限公司、华为技术有限公司等6家企业为副理事长单位，重庆赛宝工业技术研究院有限公司为秘书长单位。 8. Omdia：今年第二季度，随着DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，全球DRAM产业的销售额为309.16亿美元（约合人民币2206.04亿元），比前一季度增长了17.3%。凭借着HBM赛道上的优势，SK海力士的DRAM市场占有率（以销售额为准）从第一季度的36.9%上升到第二季度的39.5%，连续两个季度超过了三星电子。 9. 工信部：前7个月，信息技术服务收入57246亿元，同比增长13.4%，占全行业收入的68.8%。其中，云计算、大数据服务共实现收入8663亿元，同比增长12.6%，占信息技术服务收入的15.1%；集成电路设计收入2511亿元，同比增长18.5%；电子商务平台技术服务收入7156亿元，同比增长9.8%。 10. 市场：随着原厂NAND产能加速切换至新制程，旧制程产出明显缩减，尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少，推动其现货价格逐渐上扬。与此同时，新旧制程的切换下令高容量NAND供应较为充足，使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整。 11. TrendForce：2025年第二季因中国市场消费补贴引发的提前备货效应，以及下半年智能手机、笔电/PC、Server新品所需带动，整体晶圆代工产能利用率与出货量转强，推升全球前十大晶圆代工厂营收至417亿美元以上，季增达14.6%的新高纪录。第三季晶圆代工主要成长动能来自新品季节性拉货，先进制程迎来即将推出的新品主芯片订单，高价晶圆将明显助力产业营收，成熟制程亦有周边IC订单加持，预期产业整体产能利用率将较前一季提升，推动营收持续季增。 12. 闪迪：NAND 闪存原厂之一的闪迪 Sandisk 宣布针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行 10% 的普涨。 13.印度：美光、塔塔两家企业的测试芯片开始在印度生产，2025年底前印度将开始启动商业化半导体生产。届时，印度将在全球半导体市场发挥重要作用。 | 上游厂商动态 14. NVIDIA：英伟达同意从Lambda租赁1万个装有英伟达自家AI芯片的GPU服务器，为期四年，总价值13亿美元。此外，英伟达还与该公司达成另一笔2亿美元的交易，租赁8000个装有英伟达芯片的服务器，具体时间尚未确定。这些合约将使英伟达成为Lambda最大的客户。英伟达此前便参投Lambda，参与该公司融资的还有AI技术大牛Andrej Karpathy等。 15. NVIDIA：英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。 16. 英特尔：英特尔首席财务官David Zinsner周四表示，公司将利用美国政府的资金清偿2025年底到期的债务。他强调，英特尔希望在所有债务都到期后，不再借入任何债务。在美国政府表示入股前，英特尔已经从政府处获得了22亿美元，还有57亿美元的拨款尚未到位。此外，英特尔还从《芯片法案》“安全飞地”计划中申请了30亿美元资金，但也存在不确定性。 17. 博通：营收159.6亿美元，同比增长22%，创下纪录新高，预期为158.3亿美元。调整后每股收益1.69美元，预期1.65美元；净利润为41.4亿美元。博通预计第四财季收入为174亿美元，高于华尔街分析师预期的170.2亿美元。博通首席执行官陈福阳表示，已从一家新客户那里获得了100亿美元的定制芯片订单，这一消息令投资者们感到惊喜，并推动该公司股价在盘后交易中上涨超4.5%。 18. 中微：中微公司近日推出六款半导体设备新产品，包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。刻蚀设备方面，新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE®和专注于金属刻蚀的PrimoMenova™12寸ICP单腔刻蚀设备，旨在满足客户在极高深宽比刻蚀和金属刻蚀领域的需求。薄膜沉积设备方面，包括三款原子层沉积产品和一款外延产品，如PreformaUniflash®金属栅系列和PRIMIOEpita®RP双腔减压外延设备。这些新产品预计将对公司未来半导体设备市场拓展和业绩成长性产生积极影响。新产品尚处于市场导入初期，存在市场推广和客户验证等风险，可能对公司收入和盈利带来不确定性。 19. 尼康：日本半导体设备公司尼康目标到2027财年，将其晶圆对准站（用于在光刻前测量晶圆变形）的销售额较2024财年翻一番。报告强调，尼康的“对准站”是其一项关键优势，它可以测量晶圆的变形，从而提高曝光设备的套刻精度。随着3D堆叠和晶圆键合在NAND和逻辑芯片生产中的应用日益广泛，尼康正着眼于EUV领域以外的增长。 20. 存储：由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。 21. 海光信息：海光信息将开放CPU能力，向产业生态伙伴提供直连IP、开放协议及定制化指令集，实现与国内AI芯片的高效衔接，推动应用顺畅对接与调用。 22. Cadence：EDA软件公司Cadence Design宣布，将以27亿欧元（31.6亿美元）收购总部位于斯德哥尔摩的Hexagon AB的设计与工程部门，以扩大客户群并扩展产品组合。 23. 先楫半导体：先楫半导体先楫半导体宣布完成新一轮战略融资，由浦东创投集团旗下科创母基金及张江集团旗下张江科投和张科垚坤基金联合领投。此外，雷赛智能与上海先楫半导体宣布达成一项重大的战略投资合作。双方将携手在人形机器人运动控制领域展开深度合作，共同研发下一代高性能专用运动控制芯片，旨在增强核心部件的自主可控能力，提升整个产业链的竞争实力。 24. 禾赛科技：禾赛科技宣布再获美国Motional全球独家激光雷达订单，连续两年为Motional全电动IONIQ 5 Robotaxi独家供应近距激光雷达，据介绍，该车型单车搭载4颗禾赛激光雷达。 | 应用端动态 25. 吉利：马来西亚车企宝腾今天宣布启用首个电动汽车组装厂，以推动国家电动汽车产业发展。 26. 宇数科技：宇树科技在社交平台X发文披露机器人业务声明，根据IPO计划，公司将在今年10月至12月之间提交上市文件，届时将披露相关运营数据。

市场周迅

芯查查资讯 . 2025-09-08 2360
方案 | 拆解安森美核心光伏方案：从器件到系统，全面推动能效提升

太阳能逆变器种类丰富，可按类型（集中式、组串式、微型）或终端应用场景（住宅、商业、公用事业）进行划分。目前，组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级，单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升，而单价和尺寸却不断下降，这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。集中式太阳能逆变器通常应用于公用事业电站，具有超大容量。但受安装地点限制，近年来其新增装机容量已被组串式太阳能逆变器超越。微型太阳能逆变器主要用于住宅发电，同时也广泛服务于城市基础设施供电，例如路灯、交通信号灯等场景。太阳能逆变器的核心是功率转换部分，具体包含 DC-DC 升压转换器与 DC-AC 逆变器。随着功率器件的持续发展，以及终端产品催生出的新需求，诸多新型拓扑结构应运而生。深入了解这些拓扑结构及功率产品，有助于更透彻地理解整个系统并实现快速设计。光伏逆变器下面的框图展示了由安森美 (onsemi)打造的光伏逆变器解决方案。该框图呈现了光伏逆变器所采用的电源管理和功率转换技术。安森美提供品类齐全的产品，涵盖分立碳化硅 (SiC) 器件、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)、功率模块、隔离式栅极驱动器及电源管理控制器，助力系统实现更高的功率密度和效率。市场信息和趋势碳化硅替代品碳化硅 (SiC) 有助于提供更高的效率以推进当前技术趋势。与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比，SiC 器件在高电压场景下的优势尤为突出：高压器件可简化拓扑结构，无需使用多电平转换器； SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案；同时， SiC MOSFET 的开关速度更快，能够缩小无源器件（尤其是电感）的尺寸。这两方面因素共同提升了功率密度，使相同尺寸和重量的器件可实现更高功率输出。不过，实际应用中必须在成本与性能之间进行权衡，并结合具体需求来选择最合适的解决方案。 IGBT 和 SiC 二极管 SiC 二极管替代方案的应用正愈发普遍，尤其在 DC-DC 转换环节，原因有三：其一，成本已降至合理水平；其二，无需对电路设计进行大幅改动；其三，也是最重要的一点，能显著提升系统性能。此外，工作频率的提高还可缩小无源器件的尺寸。在大功率产品（约 200kW 以上）中， IGBT 仍是首选。一方面， IGBT 在大电流场景下表现优异，且这类系统对工作开关频率的要求不高，因此 IGBT 关断速度慢的问题不会造成太大影响。另一方面，全 SiC 系统需要全新设计，且成本高昂。例如，基于 IGBT 的转换器驱动电路与 SiC 系统不兼容；由于 SiC 元件的短路耐受时间 (SCWT) 短于 IGBT，还需重新设计保护方案。更高的母线电压对大功率的需求持续增长，在同等功率条件下，采用 1500V 组串替代 1100V 组串时，因电流更低而能够降低互联成本。为顺应此类趋势，更高电压等级的开关器件应运而生。无论是选用高压开关器件，还是采用多电平拓扑结构，都能显著提升光伏逆变器的工作功率。关于 1500V 逆变器与 1100V 逆变器的对比，详见后文。表 1： 1500V（型号-2）与 1100V 光伏逆变器的对比公用事业级解决方案 300 kW+ 光伏组串式逆变器 - 公用事业级解决方案安森美发布了采用 F5BP 封装的新型 Si/SiC 混合功率集成模块 (PIM)，可为公用事业级光伏组串式逆变器及储能系统提升 15% 的功率输出。这些模块能够提高功率密度与效率，使光伏逆变器的功率从 300kW 提升至 350kW。这意味着，对于一座 1 吉瓦的光伏电站而言，每小时可额外节省近 2 兆瓦的电力。此外，新型模块凭借更高的功率密度与效率，减少了所需模块的数量，将元件成本降低 25% 以上。该系列模块集成了先进元件，包括 1050V FS7 型 IGBT 与 1200V D3 EliteSiC 二极管，与前代产品相比，功率损耗降低高达 8%，开关损耗减少 15%。这些 PIM 模块在逆变器部分采用创新的 I-NPC 拓扑结构，在升压部分则采用飞跨电容拓扑。此外，它们采用先进的直接键合铜 (DBC) 基板，可大幅减少杂散电感和热阻。这种设计将散热器的热阻降低了 9.3%，有助于在高负载下维持较低的工作温度，进而提升整体可靠性。图 1： 300 kW+ 光伏组串式逆变器原理图图 2： F5BP 与 F5 的热性能 👉Si/SiC 混合模块， F5BP NXH600N105H7F5P2HG 特性 • I 型中性点钳位三电平逆变器模块 • 1050V 场截止 7 型 IGBT 和 1200V SiC 二极管 • 高效率、高功率密度及出色可靠性 • 低热阻底板 • 低电感布局，内置 NTC 热敏电阻优势 • 系统效率高达 99% • 减少模块数量，简化 PCB 设计并降低系统成本应用 • 1500 V 组串式工商业用光伏逆变器图 3： F5BP 封装PIM60 112x62（压接式）

光伏逆变器

安森美 . 2025-09-08 1435
技术 | ST紧凑灵活的功率开关提高汽车安全性能

随着汽车电子设备日益复杂，车企对体积紧凑、高能效、可靠的解决方案的需求不断增长，多输出功率开关在集成度、成本效益、故障诊断和能效方面优势愈发明显。现代汽车工业越来越依赖众多的低功率电子模块，例如，传感器、LED和继电器。这些组件虽然单个功耗较低，但考虑总体功耗，仍需要高效、可靠且安全的电源管理解决方案。专为低功率负载设计的多输出功率开关是解决这些难题的关键元器件，它在优化安全性和物料清单成本（BOM）方面具有显著优势。L9026已被证实是非常有效的低功率负载控制器件，其可配置性、稳健性和安全性非常出色，适合汽车等应用领域。汽车系统的变化堪称翻天覆地，集成了大量的低电流设备，例如，LED转向灯、传感器、继电器和小型执行器。过去，这些低功率负载是由分立功率开关或继电器驱动控制，导致布线复杂度增加，成本上升，可靠性降低。多输出功率开关，通过将多个通道集成于专为低功率负载应用设计的单个器件中，能够有效地解决这些挑战。多输出开关的典型用途有车身控制模块（BCM）、仪表盘、信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）、传感器控制器、网关模块。为了优化功耗，这些应用对待机和休眠模式的功耗提出了严格的要求。如何正确选择功率开关紧凑型功率开关可以优化车辆内部空间利用率，使制造商能够在不增加体积或重量的情况下增加更多的功能。随着车辆设计与功能日益复杂多样，其重要性愈发凸显。可靠性在汽车应用中依然至关重要。车辆关键功能的连续不间断运行，在维护车辆行驶安全、防止可能危及乘员安全或车辆运行的系统故障发生方面，发挥至关重要的作用。随着电动汽车和混合动力汽车的日益普及，能效变得比以往任何时候都更加重要。高能效的功率开关可以最大限度地减少能量损耗，从而延长车辆续航里程，并降低总功耗，这对于满足严格的环境法规和消费者期望至关重要。最后，在当今快速发展的汽车领域，设计灵活性同样是关键因素。 L9026可配置多通道开关为了应对这些挑战，L9026多通道开关是一个灵活性和稳健性俱佳的开关式负载驱动解决方案，可以无缝集成到现代汽车系统中。它支持八个驱动通道，其中两个是固定的高边驱动，其余六个通道可配置为高边或低边驱动（见图1），适合驱动LED照明、执行器、继电器和其他关键电源管理任务。图1 - L9026多通道功率开关简图 L9026提供全方位的电气安全保护功能，即使在多变的易发生故障的环境中也能确保设备可靠运行。L9026具有过流、过热、开路和短路保护功能，在各种故障情况下保护器件和车辆的电气系统安全。 L9026的最低工作电压为3V，在发动机启动、电池极性反接等极端情况下表现出极强的稳健性。此外，在出现SPI故障、小故障或低电量等特定故障时，跛行回家功能支持使用预选的两个驱动器维持汽车的基本功能正常运行。凭借其高级保护与诊断功能，L9026能够有效支持系统达到ISO 26262 ASIL-B安全等级。通过SPI接口可以启用实时诊断功能，连续监测每个通道。此功能支持预测性维护策略，能够及早发现潜在问题，并在车辆的整个生命周期内优化性能。 L9026采用HTSSOP24封装和VFQFPN32小封装，紧凑的尺寸使其更具竞争优势，非常适合空间受限的汽车应用场景。新增的安全引脚增强了控制功能，提高了系统管理的灵活性，在关键应用中效果更好。 HTSSOP24（散热薄型小体积24引脚封装）：该封装可以提供很高的板级可靠性（BLR），耐受-40°C至+125°C的热循环，在振动、机械碰撞、温度波动等恶劣的汽车环境下，能保持焊点的完整性。HTSSOP24封装尤其适用于耐用性和使用寿命重要的恶劣工作环境。 VFQFPN32（极薄细间距四方扁平无引线32引脚封装）：封装小、薄，非常适合空间受限的应用场景。这两款封装帮助系统设计人员平衡电路板空间、散热要求和可靠性，从而增强整体系统的稳健性和灵活性。结论 L9026集先进的安全功能、紧凑的设计和强大的性能于一身，是对可配置性、容错性和可靠性要求很高的汽车应用的理想之选。即使在最严苛的条件下，L9026也能确保汽车系统连续、安全地运行。 L9026可配置多通道开关提供两种封装的选项和全面的安全机制，让系统设计人员能够灵活、可靠地构建更安全、更稳健、更高效的汽车电子系统，这使L9026成为不断推进汽车向更智能、更安全、更可持续方向持续演进的基础器件。参考文献 [1] P. Del Croce, J. Hadzi-Vukovic, B. Meldt, and M. Ladurner, “Configurable High Side Power Switch in Smart Power Technology”, 14th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, 2007. [2] M. Wendt, L. Thoma, B. Wicht, D. Schmitt-Landsiedel, “A Configurable High-Side/Low-Side Driver with Fast and Equalized Switching Delay,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jul. 2008. [3] L. Creosteanu, A. Danchiv, G. Brezeanu, “Automotive High Side Power Switch Driver Circuit,” Proceedings of the 2008 International Semiconductor Conference, 13-15 Oct. 2008. [4] M. Bonarrigo, G. Gambino, and F. Scrimizzi, “Intelligent Power Switches Augment Vehicle Performance and Comfort”, Power Electronics News, 10 Oct. 2023.

功率开关

意法半导体 . 2025-09-08 1460
市场 | 2025年Q2，中国大陆PC出货量同比增长12% ，苹果PC市场增幅领先，华为稳居平板市场首位

Canalys（现并入Omdia）的最新数据显示，2025年第二季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）同比增长12%，出货量达1020万台。无论是消费端还是商用端需求均表现良好，出货量分别同比增长13%和12%。这一增长主要受到持续的消费补贴以及国有企业和政府强劲采购活动的推动。与此同时，平板电脑出货量同比增长18%，本季度总计910万台。未来预测显示，中国大陆PC出货量将在2025年增长2%，2026年增长3%；而平板电脑预计在2025年增长8%，但在2026年下降9%。 Canalys（现并入Omdia）高级分析师徐颖（Emma Xu）表示；“国补仍然是厂商取得成功的重要因素，2025年第二季度，苹果表现尤为突出。定价更具竞争力的新款MacBook Air在政策助力下，为苹果在中国大陆市场贡献了强劲增长。除此之外，上游CPU厂商之间的竞争也推动了设备升级，大量高性价比的PC产品进入市场。AMD推出了全新的Ryzen AI系列AI PC芯片，以及最新的Radeon RX 9060 GPU和Ryzen 9000系列处理器，其定价均具备相对竞争力。同时，Intel和AMD在2025年第二季度也对前代产品提供了大幅折扣，尽管厂商在本季度发布了一波新品，但PC平均售价依然环比下降。徐颖表示：“2025年第二季度，中国大陆AI PC出货量占整体PC市场的28%，这表明消费者与企业对更高硬件性能的需求正在不断增强。中国本土AI生态系统正在快速发展——从上游AI芯片（如寒武纪、昇腾，主要部署于企业与云厂商），到边缘端的软件和硬件平台（如统信UOS和鸿蒙操作系统），均在不断完善。中国政府于2025年8月正式发布《人工智能+行动》，提出到2027年AI设备和智能体普及率达到70%，到2030年AI软件与应用普及率达到90%，并在2035年让中国社会全面进入AI时代。这一政策将加速本地AI基础设施建设及边缘设备（包括AI PC）的普及，也将推动未来几年AI智能体与助手在这些设备上的商业化落地。” 预计中国大陆PC市场将在2025年同比增长2%，2026年同比增长3%，主要受消费补贴以及国有企业和政府采购带来的换机需求推动。Canalys（现并入Omdia）的预测，AI PC渗透率将快速提升，2025年将达到34%，2026年进一步升至52%。到2029年底，大中华区预计累计出货约1.07亿台AI PC，为AI应用的广泛使用奠定坚实的装机基础。徐颖表示：“与PC市场形成对比，中国大陆平板电脑市场表现相对稳定。随着厂商竞争加剧，规格升级、产品组合多元化以及AI功能正逐渐成为新常态。为维持市场份额，厂商正瞄准更广泛的用户群体，例如游戏玩家、创作者和休闲娱乐用户，并推出更具针对性的产品，包括小尺寸游戏平板以及配备AI功能的高性能机型。小米已推出其首款游戏平板，更多厂商预计也将跟进。不过，在高端市场，苹果和华为依旧保持强势领导地位。随着整体平板渗透率已达到较高水平，厂商在扩大市场份额或提升盈利能力方面将面临更大挑战。AI融合等增值创新技术，或繁荣的内容生态，将日益成为关键的差异化因素。” Canalys（现并入Omdia）预测，2025年中国大陆平板电脑市场将在上半年补贴推动下创下新高，全年出货量将达到3400万台，同比增长8%。但随着消费者需求降温，预计2026年市场将萎缩9%，出货量降至3100万台。

PC

Canalys . 2025-09-08 2855
AI服务器 | 从产品关键参数，看国产AI芯片迈向整体崛起

近年来，在外部环境的重重压力与内部需求的井喷式爆发双重驱动下，国产AI芯片产业正经历一场深刻的蜕变。从“点”上的突破到“面”上的铺开，一股“整体崛起”的力量正在汇聚。本文将带您深入探寻这股浪潮，并盘点那些已经崭露头角、值得我们关注的国产AI芯片产品。国产AI芯片的崛起并非偶然，而是一场由市场需求、技术演进、外部环境和政策支持共同驱动的结果。首先，大模型竞赛引爆了对算力的指数级需求，国内云服务提供商（CSP）的AI资本支出持续提升。其次，美国对先进AI芯片的出口限制，以及NVIDIA专供中国市场芯片要么性能偏低，要么价格太过昂贵，从客观上倒逼国内客户将采购策略转向本土供应商。更重要的是，国内产业生态日趋成熟。一方面，国产先进制程的产能与良率正逐步提升；另一方面，以DeepSeek为代表的国产大模型开始深度适配国产AI芯片，中国信通院甚至发布了专门的适配清单，涵盖了华为、寒武纪、昆仑芯、海光信息、摩尔线程等厂商，形成了软硬件协同的良性循环，例如DeepSeek在8月下旬发布的最新V3.1模型采用了UE8M0 FP8精度，能与国内AI芯片更好地系统工作；最后，国家政策的强力护航为产业发展注入了“强心剂”。国务院在8月26日发布的《关于深入实施“人工智能+”行动的意见》通知，明确了到2027年，新一代智能终端、智能体等应用普及率超70%的目标，为国产芯片的应用铺平了道路。群雄并起：国产AI芯片全景图在探讨国产AI芯片之前，我们需要明确一下什么是AI芯片。狭义的AI芯片指的是专门为AI算法做了特殊加速设计的芯片，主流架构包括GPU（通用性强，生态成熟）和ASIC（针对特定场景，能效比高）。例如NVIDIA最新的基于Blackwell架构的B300 GPU以其卓越的计算性能和能效比受到市场追捧，而Google的TPU芯片（一种ASIC）则以其专为机器学习优化的设计提供高速数据处理。正是在这样的背景下，一批优秀的国产AI芯片企业脱颖而出，形成了包括云端训练、云端推理、边缘计算等在内的全场景产品矩阵。例如寒武纪、昆仑芯、平头哥、海光信息、燧原科技、摩尔线程、沐曦科技、壁仞科技、天数智芯等厂商都有推出AI芯片产品。由于评判一颗AI芯片的性能离不开算力、算力精度、显存、显存带宽、卡间互联、功耗、制程等关键指标。下面芯查查梳理了目前国内主流云端AI芯片的核心参数，以期为市场选择提供参考。算力在迅速提升，能效比仍有差距常用的算力衡量指标包括FLOPS（每秒浮点运算次数）和OPS（每秒运算次数）。常见单位有TOPS（每秒万亿次操作）和TFLOPS（每秒万亿次浮点操作），一般用TOPS来衡量设备的推理算力，用TFLOPS来衡量设备训练算力，TFLOPS数值越高，反映了模型在训练时的效率越高。算力精度作为可以衡量算力水平的一种方式，可分为浮点计算和整型计算。其中浮点计算可细分为半精度（2Bytes，FP16）、单精度（4Bytes，FP32）和双精度（8Bytes，FP64）浮点计算，加上整型精度（1Byte，INT8）。不同的计算精度适用于不同场景。FP32和FP16常用于训练，而FP16和INT8则在推理场景中更具效率优势。芯查查统计了目前国内已经量产出货的国产AI芯片算力、功耗、能效比和制程方面的情况（见表1）。表1：国产AI芯片算力、功耗、能效比与制程情况统计（来源：各公司官网，芯查查）从芯查查统计的算力衡量指标中可以看到，国产AI芯片当中，大都公布的是FP16和INT8算力精度，其中FP16精度算力指标中超过200FLOPS的有寒武纪的思元590、思元290、昆仑芯P800、平头哥的含光800、海光信息的深算三号、沐曦科技的曦云C500、壁仞科技的BR系列等产品。已经超过了H20提供的148FLOPS FP16算力。在制程方面，目前国外的AI芯片制程已经到了3nm制程，但国内的AI芯片仍然以7nm为主。例如Google最新的TPU Ironwood（TPU v7p）和亚马逊的Trainium3都使用了最先进的3nm制程；NVIDIA最新的Blackwell系列GPU产品采用的是台积电的4NP制程（相当于4nm的高性能版本）；AMD、英特尔、Meta及微软均采用了5nm制程。国内厂商中，寒武纪、海光信息、壁仞科技和摩尔线程等均被美国列入了“实体清单”，其晶圆代工产能供应受限，智能采用国内最为先进的工艺。燧原科技的所有产品则主要采用了GlabalFoundries的12nm制程进行制造。在能效方面，目前NVIDAI的Blackwell系列GPU能效比在所有架构里面最高，比如GB200在功耗为2,700W的情况下，能效比可达到1.9。而国产AI芯片的功耗绝大多数都在500W以下，能效比基本都低于1.0。芯片间互联大都采用自研互联技术AI算力的比拼已经进入了“集群”时代，单颗芯片的性能提升虽然很重要，但多卡、多节点的高效互联则更为关键。NVIDIA凭借其成熟的NVLink和NVSwitch技术构建了强大的护城河。相比之下，国内AI芯片厂商大多采用私有互联方案，尚未形成统一开放的标准，这在一定程度上限制了大规模集群的扩展性和效率。表2：国产AI芯片Scale-up互联技术（来源：各公司官网，芯查查） 2022年，寒武纪被美国列入实体清单，禁止与台积电合作，寒武纪遭受第二次大挫折。随后，寒武纪转向与中芯国际合作，生产制造被局限于更成熟的工艺节点。例如寒武纪目前主要采用其自研的MLU-Link技术、昆仑芯采用K-Link、壁仞科技采用B-Link、摩尔线程采用MT-Link等。根据摩尔线程招股书的信息，其自研的MT-Link最开始在其曲院架构中实现，通信速率为56Gbps，通信带宽为240GB/s。随后在其平湖架构中升级到了MT-Link2.0，通信速率提升至112Gbps，通信带宽提升至800GB/s。目前已经完成了MT-Link3.0的研发，通信带宽提升到了1.3TB/s，达到了行业领先水平。国产AI芯片也大都采用HBM，但以HBM2e为主显存是GPU用于存储数据和纹理的专用内存，与系统内存（DRAM）不同，显存具有更高的带宽和更快的访问速度。显存的大小和性能将直接影响GPU处理大规模数据的能力。而显存带宽则是GPU与显存之间数据传输的桥梁。其计算方式是显存带宽=显存位宽X显存频率。表3：国产AI芯片显存及显存带宽参数（来源：各公司官网，芯查查）目前国际厂商的显存以HBM3和HBM3e为主，国内AI芯片厂商虽然也大都采用了HBM存储，但以HBM2e为主，显存容量最高已经达到64GB。可以看到，这几年国产AI芯片厂商在芯片微架构、制程、生态等方面不断追赶海外头部供应商，这里列举的都是已经量产的，其实还有一些最新的产品目前并没有公开的数据，但其实已经得到了很大的提升。特别是卡间互联的性能提升相比前几年有了很大的进步。未来展望：从“可用”到“好用” 国产AI芯片的崛起之路，注定充满挑战，但也充满希望。展望未来，我们有理由相信随着技术不断成熟、生态逐步完善、应用场景持续深化，国产AI芯片将不仅在国内市场站稳脚跟，更有望在全球AI算力的版图中占据一席之地。这其中，生态建设是关键。因为一颗芯片的成功离不开软件、工具链和开发者社区的支持，只有构建起繁荣的生态建设，才能将硬件的算力真正转化为用户的生产力。未来国产AI芯片厂商必须加大在软件生态上的投入，吸引更多开发者，打造“中国的CUDA”。另外，软硬协同，系统优化也很重要。因为AI算力的比拼早已不是单纯的芯片性能竞赛，而是包括芯片、服务器、高速互联、集群管理和AI框架在内的系统工程。UALink等开放互联标准的兴起为国产AI芯片提供了新机遇，底层的SerDes等高速接口技术是实现自主可控的关键环节。最后，拥抱开源，合作共赢，让国产AI芯片从“可用”实现“好用”的跨越。AI技术的发展离不开全球协作。在自主可控的前提下，积极拥抱开源社区，与全球开发者共同推动技术进步，是中国AI芯片产业融入世界、提升竞争力的必由之路。

AI芯片

芯查查 . 2025-09-08 5 6650
方案 | 人形机器人时代的连接之钥：Molex赋能未来智能伙伴

近年来，人形机器人成为了科技圈和资本市场最炙手可热的明星之一。从初创企业纷纷入局、到科技巨头争相布局、媒体的密集报道、公众广泛热议，再加上资本市场的热捧，人形机器人成为了科技界的焦点。随着智能化技术的发展，特别是生成式AI的飞速发展，赋予了人形机器人更加智能化的感知、交互和决策能力，同时电驱动成为“肢体”主流技术路线，实现了更加精准的行走和操作，提高了研发迭代速度。虽然目前的人形机器人产业整体仍处于发展的初级阶段，但这“星星之火”，正预示着未来“燎原之势”的巨大潜力。如高盛的报告指出，如果技术突破和成本下降顺利推进，到2035年人形机器人市场规模将高达1,540亿美元。特斯拉的CEO埃隆·马斯克更是认为未来人形机器人需求量会达到100亿至200亿台。而且业界普遍认为，2025年是人形机器人的量产元年，多家头部人形机器人企业都先后公布了其今年的量产目标，多数都在2,000至5,000台。人形机器人的量产与发展离不开电子产业链的强力支撑，比如电机控制模块、电池组、毫米波雷达或激光雷达（LiDAR）等传感器模组、摄像头模组等，而这些模组需要实时协同工作，因此，如何将这些关键模组连接起来，并应对振动、紧凑和高可靠性的挑战，是连接器厂商与人形机器人厂商共同面对的问题。作为全球领先的连接器解决方案提供商，Molex正在以其创新的产品应对人形机器人量产带来的挑战，赋能合作伙伴。人形机器人的核心挑战与Molex的战略布局在人形机器人产品中，连接器和线缆就是确保机器人高效运转的“神经网络”。从头部传感器到肢体执行器，从AI计算模块到电池管理系统，都需要用到连接器和线缆。而且人形机器人不同于传统工业机械臂，其设计追求仿生化，体积更加紧凑、运动更加灵活，而且集成度更高。这意味着内部组件必须做到小型化，同时承受频繁振动和冲击。据了解，Molex在人形机器人领域早已布局，针对人形机器人量产所需的电机模块、电池组、LiDAR模块和摄像头模块等关键零部件的连接，可提供线对板（Wire-to-Board）、板对板（Board-to-Board）和柔性扁平电缆（FFC）/柔性印刷电路（FPC）等连接解决方案。 Molex连接器产品普遍具有紧凑尺寸（pitch低至0.50mm）、振动可靠性（符合USCar-2规范）和成本优势。这些特性源于Molex的创新设计，如双接触点和盲插引导，帮助机器人制造商简化供应链，减少库存管理负担。接下来，我们具体看看Molex针对人形机器人领域的主要产品和连接解决方案。 Mirror Mezz连接器：AI计算的“高速桥梁” 在人形机器人的“大脑”——AI计算模块中，NVIDIA Jetson AGX Orin、Jetson Thor等高性能处理器通常会用作人形机器人的主控。Molex的Mirror Mezz连接器专为此类应用设计，它支持高达112Gbps的数据速率（另有Mirror Mezz 增强版传输速率可达224G），确保机器人实时处理视觉、语音和运动数据。图片来源：来源molex，下同 Mirror Mezz系列最大亮点是阴阳同体（hermaphroditic）接口设计：只需一个零件号即可实现配对，简化BOM管理和库存。相比传统连接器，这种设计减少了工具需求，并支持多种堆叠高度（5、8或11mm），适应不同机器人板间距。通过2.50mm和5.50mm两种高度的交叉/自配对，实现灵活组合。特性方面，Mirror Mezz符合USCar-2规范，具备 robust 盲插引导和引脚护罩，防止插接时损坏触点。即使在0.70mm盲插偏差下，也能精确对齐。球栅阵列（BGA）SMT端接方式熟悉且低剖面，优于其他方法。“无桩”接触接口提供卓越信号完整性（SI），最小堆叠高度仅5.00mm，双接触点确保可靠性。反对梁支撑设计在配对状态下提供全支撑，最大擦拭距离1.50mm，耐受振动和冲击。在实际应用中，Mirror Mezz在NVIDIA Drive Orin模块中的表现突出，可帮助机器人实现高效数据传输。相比竞争产品，Mirror Mezz减少了零件数，提高制造效率，成本效益显著。 Easy-On FD19系列FFC/FPC连接器：灵活连接的“多面手” 人形机器人的“神经系统”需处理大量信号传输，如从摄像头镜头到模块板，或电池监测板间连接。Molex的Easy-On FD19系列FFC/FPC连接器（0.50mm/1.00mm pitch）正是为此而生，提供双接触设计，确保安全连接。 FD19系列支持宽电路范围（0.50mm pitch：4-80电路；1.00mm pitch：4-30电路），操作温度高达125°C，适用于汽车级环境如机器人关节振动。双接触点提供冗余，确保即使一侧失效，信号仍可靠传输。宽前部设计便于FFC/FPC插入，减少操作错误；带锁扣的FPC类型接受有/无耳电缆，提供牢固保持。其他特性包括：清晰可闻的“咔嗒”锁扣，确保正确配对；低卤素材料，环保合规；宽拾取放置区，便于SMT喷嘴操作；镍屏障防止焊料和助焊剂爬升。电气性能优秀：最大电压50V，电流0.5A/电路，接触电阻<40mΩ，绝缘电阻>50MΩ。图：FD19系列连接器主要特性与优势（来源：Molex）在人形机器人中，FD19适用于摄像头模块（信号/电源传输）和电池组（FFC用于电池单元监测）。例如，在Orbbec（奥比中光）摄像头中，它连接镜头到板，确保高清图像传输无中断。工业应用如无人机和机器人臂中，FD19的耐用性（20次插拔循环）帮助应对振动挑战。相比传统连接器，FD19的低剖面（高度1.90mm）和灵活性，使其成为紧凑机器人设计的首选。 Zero-Hachi 连接器：微型空间的“可靠守护” 人形机器人的肢体和手部需小型、可靠连接方案来实现灵活动作。Molex的Zero-Hachi 0.80mm Pitch 线对板连接器系统，正针对这一痛点而设计，其高度仅1.60mm，电路范围2-20，支持28-32 AWG线缆。 Zero-Hachi的核心是双点接触设计，确保电气稳定性；U形压接端子引导正确插入；摩擦锁扣提升配对保持力。镀金层版本提供更高电流（2电路：2.5A；6电路：1.5A；20电路：1.2A），镀锡层稍低但成本更优。装配钉提供强劲PCB固定，防止向上扳动损坏；易握设计便于操作；“检查标记”特征允许视觉验证配对完整性。物理特性方面，LCP外壳耐高温（-40至+105°C），Corson铜合金接触点镀Au/Tin，Ni底层。低卤素、RoHS合规，包装支持自动化（如压纹带）。在机器人灵巧手中，Zero-Hachi用于电源+USB连接，如Molex的1.20mm Pico-EZmate类似应用。相比1.0mm pitch产品，Zero-Hachi的细间距节省空间，适用于穿戴设备和无人机扩展到机器人。实际测试显示，其在振动环境下可靠性提升30%，帮助制造商降低故障率。 2.4GHz/5GHz SMT MID Chip天线：无线通信的“隐形翅膀” 人形机器人也会用到实时无线通信，例如Wi-Fi、Bluetooth和ZigBee等。Molex的2.4GHz/5GHz SMT MID Chip天线（PN:1461750001）是表面贴装设备天线，尺寸仅5.00mm x 3.00mm x 4.00mm，完美嵌入机器人头部。 2.4GHz/5GHz SMT MID Chip支持Band#1（2400-2483.5MHz）和Band#2（5150-5850MHz），峰值增益3.0dBi@2.4GHz、4.2dBi@5GHz，总效率>70%。线性极化、全向辐射图案，确保信号覆盖均匀。返回损耗<-6dB，电气连接SMD，无电缆需求。更重要的是，该系列产品符合低卤素（IEC 61249-2-21）、REACH SVHC无含、EU RoHS等合规性要求。包装为压纹带卷，便于自动化组装。在机器人头部，MID天线用于FSD/摄像头，支持2.4/5/5.8GHz通信，与RF连接器（如MMCX/SMP）配合。相比外部天线，SMT设计节省空间，重量仅0.058g，振动耐受性高，帮助机器人实现无缝联网。其他关键产品：全面覆盖机器人生态 Molex的产品线远不止于此。Mini50系列（2mm pitch，未密封/密封，USCar-2合规）用于伺服电机连接，支持高振动环境。HSAutoLink优化100BaseT1s，支持多节点菊链，尺寸最小化（11.00mm x 8.95mm PCB），数据率至1Gbps，适用于传感器网络如超声波和雷达。在电池组应用中，线对板（0.8/1.0/1.25mm pitch带锁）和FFC/FPC用于监测和连接电池单元。大功率EXTreme Ten60（4P+25S）处理大电流。LiDAR模块中，板对板 0.50mm pitch确保信号完整。此外，还有Pico-Clasp、PicoBlade、Micro-Lock Plus、Milli-Grid、Nano-Fit、Micro-Fit等产品也很适合人形机器人应用。这些产品共同构建了机器人连接生态，能够满足人形机器人对空间、可靠性和成本的需求。结语人形机器人市场正爆发，Molex以创新连接器赋能制造商。从Mirror Mezz的高速传输，到Zero-Hachi的微型可靠性，再到FD19的灵活性和MID天线的无线自由，Molex产品正在帮助客户解决振动、空间和成本的痛点，帮助机器人从实验室走向大众。

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芯查查资讯 . 2025-09-05 1 10 4890
产品丨近5亿玩家的电竞市场，产业快速增长助力电竞装备焕新升级

近期，爆火的电竞世界杯落下帷幕，赛季吸引了7.5亿次在线观看。这场电竞狂欢赛场上，各类顶尖电竞装备的身影随处可见，这是新一轮电竞市场快速增长的缩影，市场的快速增长则带动如显示器、鼠标、手柄、耳机等电竞装备升级。 2025年上半年，中国电竞用户规模近4.93亿人¹，如此规模的市场上，最显而易见的装备当属显示器了。其中，200Hz和240Hz等高刷新率的机型在激烈的市场竞争中快速推进²，显示器升级主要表现在：刷新率仍将继续提升，未来几年主流刷新率有望提升到300Hz以上。同时，响应时间也会不断缩短，为玩家提供更流畅、无拖影的游戏体验。多种护眼技术将会大范围应用，护眼将会成为电竞显示器的标配功能。朱雀专业电竞显示解决方案高刷和护眼为玩家抢占先机职业赛事中，刷新率和响应速度决定着胜负，支持低延高刷的芯片这时候就显得尤为重要了，上海海思朱雀专业电竞显示解决方案，正是为此应运而生。 1-400Hz 超宽频域 VRR 技术。采用朱雀专业电竞显示解决方案芯片的实时算力调度，实现帧率与刷新率的纳秒级同步，极速电竞场景无拖影、无撕裂。变频无闪，健康护眼。采用朱雀专业电竞显示解决方案的芯片支持帧率在高低区间波动时，平衡刷新率的动态调整与画面稳定性，达到画面变频时平稳过渡，起到抗闪烁效果，为护眼保驾护航。同时，朱雀专业电竞显示解决方案还在AI真实、多屏如一显示、抗文字串扰、绿色节能等方面有着出色的表现，不仅能在电竞游戏中为玩家抢占先机，更能带来舒适、护眼、节能的优越交互体验。百微秒级延时星闪8K鼠标&手柄 “学霸”也要好装备电竞赛事中，鼠标、手柄是否延迟或丢包也影响着比赛的输赢。目前大部分电竞赛事中采用的是有线形式，主要是因为它连接稳定。但是线的存在的确也影响选手的操纵自由。这时，低时延高回报、稳定性、轻量化的星闪走进电竞赛场就恰逢其时了。星闪鼠标、手柄，具备星闪技术原生的超短帧和帧间超短间隔的优势：时延低至百微秒量级。鼠标可具备8000Hz回报率，在转瞬即逝的赛事画面中指哪打哪。手柄则支持2000Hz回报率，4倍速又快又稳。具备超强抗干扰能力，即便身处电竞场景电磁风暴中，依然可以保证数据传输的连续性和可靠性。轻量化设计能显著降低手腕负担，在高频操作中能减少手腕疲劳，提升操作精度。星闪无线音频无损音效，沉浸体验无论是游戏角色的360°腾空还是紧张的打斗场景，星闪都能凭借其大带宽、抗干扰的优势，实时、立体为玩家还原无损音效，为玩家带来身临其境的游戏体验。超高带宽，无损传输：带宽较传统方案提升6倍，配合L2HC音频编解码技术，还原CD级原声音质。 Polar码技术，抗干扰。星闪的Polar码技术，有效提升无线传输通路信噪比，在多设备、复杂环境下确保聆听质量。 16MB/s的传输速率，结合Audio Vivid菁彩声带来的三维立体声效果，让玩家犹如置身游戏舞台般立体、畅快。电竞和高阶办公等细分场景，促使市场向前向上，市场也就亟需高性能产品催动行业向上向好发展。朱雀专业电竞显示解决方案以及星闪连接，立足根技术，持续创新提供更智能、更高刷、更护眼的显示解决方案和更稳定、可靠、高质的连接能力，不断推动行业快速高质发展。

海思

海思技术有限公司 . 2025-09-05 1 3440
企业 | 村田中国亮相2025开放数据中心大会：技术创新赋能数据中心发展

由开放数据中心委员会(ODCC)主办的“2025开放数据中心大会”将于9月9日至11日于北京国际会议中心召开，本届大会将以“拥抱AI变革，点燃算网引擎”为题，齐聚算力产业头部玩家共话行业未来。全球居先的综合电子元器件制造商村田中国（以下简称“村田”）也将携多款高效节能产品及解决方案亮相大会，以创新技术和高品质产品支撑数据中心高质量发展，展位号：2楼B13。数字经济时代背景下，随着云服务、AI、物联网等技术的迅速发展，算力作为核心生产力正逐步成为各行各业的战略发展重点。而其带来的电力需求则亟需更高效、可靠的电源解决方案支撑。面对挑战，村田能够提供面向数据中心整机柜供电的完整解决方案，从符合ORV3 HPR标准的整机柜供电电源箱，到mCRPS电源模块，以及用于UBB主板以及OAM加速计算模组的多级电源产品，为众多AI应用厂商提供完整且方便易用的全套多样化电源方案，以支持高性能计算和智能化应用的发展。此次大会，村田将展示多款电源模块、静噪元件、传感器产品，以满足数据中心技术不断升级下的行业高效能需求。电源及电池解决方案村田此次带来的MWOCES-191-P-D*1是一款33kW, 19”1RU, ORV3兼容的电源框，提供多至6片67mm 1U的PSU电源的功率供给，以及1片远程管理单元 (RMU)。PSU方面，此次带来的 MWOCP67-5500-B-RM*2是一款高效的ORV3前端电源PSU, 50.5V/5.5kW输出，峰值效率大于97.5%。此外，村田还带来包括电力分配单元、M-CRPS电源模块、DC/DC电源砖、以及圆柱形锂离子电芯等产品，从电源管理到电池电芯，为客户提供周全的稳定供电方案。＊1开发中，规格及外观如有更改，恕不另行通知 * 2 开发中，规格及外观如有更改，恕不另行通知集成封装解决方案（integrated package solution）*3：村田的集成封装解决方案专为高性能电源模块与半导体封装应用设计，将电容电感元器件嵌入电路板，有效降低了PDN 阻抗。其电容内置通孔连接方式支持垂直供电架构，进一步增加供电效率，优化板级布局和电源完整性。村田的集成封装解决方案适用于上至1000A的电源模块和高性能 IC 封装，可大量应用于服务器、AI 加速器、光模块等对功耗与空间敏感的终端设备。模块化设计助力系统小型化与高能效运行，为数据中心与计算平台提供有效支撑。 *3参考产品，产品规格和外观如有变更，恕不另行通知适用于光电应用的电感产品组合：村田Bias-T 电感方案具备出众的宽带插损性能，适用于高速光收发器等对高频响应要求严苛的应用场景，同时兼顾性能与空间利用。村田DC/DC 降压电感方案则可满足设备对小尺寸、低高度（T=0.8mm.Max）及大电流能力的多重需求。此外，村田还带来适用于交换机光接口的小尺寸、高性能 LC 滤波解决方案，以及适用于网络设备、基站等大电流对应铁氧体磁珠BLE系列产品，产品组合多样，充分满足网络通信设备多元化的发展需求。热敏电阻及传感器：现场，村田还带来了温度传感、气压传感等传感器件。基于电容式MEMS技术开发的村田气压传感器，具有防水、低噪声、高精度的特点，包含温度补偿，可进行倾斜检测，特别适合水冷系统。而村田的热敏电阻尺寸小巧，可靠性高，是数据中心应用不二的性价比之选。全球数字化转型加速，数据中心的电力需求和运维要求变得更加复杂。作为全球少有的可以提供从电池电芯和电容器产品开始集成的电源方案供应商，村田从器件级别强化电源产品的生产和质量控制。村田始终致力于推动技术创新，以高效、稳定的电源解决方案及元器件产品帮助客户在激烈的市场竞争中抢占先机，为数据中心业务的可持续发展提供坚实的支持。” 现场还将会有来自村田的技术专家与您面对面交流。欢迎您莅临村田展位（2楼B13），深入了解村田在数据中心领域的创新。同期，村田还将参加9月10日-12日于深圳宝安国际会展中心召开的中国国际光电博览会（CIOE），展示覆盖光通信领域关键应用的诸多创新产品和解决方案，诚邀您的莅临。

数据中心

村田 . 2025-09-04 1 5015
『从射频信号完整性到电源完整性』利用SEPIA直接从时域波形进行环路分析

Qorvo首席系统工程师/高级管理培训师 Masashi Nogawa将通过《从射频信号完整性到电源完整性》这一系列文章，与您探讨射频（RF）电源的相关话题，以及电源轨可能对噪声敏感的RF和信号链应用构成的挑战。我们之前介绍过工程师可以采用多种方法结合频域与时域技术来分析电压调节模块（VRM）的行为。这篇文章将介绍另一种利用对阶跃变化的负载瞬态响应的方法；在未来的文章中，我们还将更深入地探讨其学术方面的话题。这个方法是采用Picotest公司Steve Sandler开发的“电源完整性分析稳定性评估（SEPIA）”软件所展现的技术。这种分析可通过仿真或使用由实际物理设备记录的测试波形数据来进行。 SEPIA方法利用了这样一个假设：任何作为滤波器的电路在应对阶跃负载时都会表现出相似的振铃特征。如果它们具有相同的品质因数（Q），只要底层系统表现出二次行为，它们就会显现相同的振铃特征。以图1为例，该图由下文所述之仿真生成；其中，在Q值为5.52的情况下，它产生了20个易于检测的振铃峰值。系统设置的差异会导致振铃频率、幅度和直流偏置的不同。但是，所有Q值为5.52的系统都将具有相同数量的峰值及相同的衰减率。图1，品质因数Q = 5.52系统的振铃峰值借助这种关系，我们可以通过对未知系统施加阶跃负载，并根据振铃波形获得其Q值。除了利用这种关系获得未知系统的Q值外，SEPIA软件还可以基于教科书中的公式来估算目标电路中元件的参数。为确保高精度，阶跃负载的上升或下降时间应尽可能快且电容性极小；即快于最大测量带宽的35%或至少比被测设备（DUT）控制环路带宽快5倍。提取环路信息后，SEPIA软件会执行参数拟合程序，以构建二次电路模型。为验证基于SEPIA技术的准确性，我们可以使用一对仿真实验来进行验证。这两个VRM仿真实验模型具有等效结构并且可以用二次方程建模，但阻尼电阻的位置不同。如图2所示，通过将第一次SEPIA分析的结果输入到第二次SEPIA处理中，我们可以确认两个结果完全一致，因此证明该技术如预期般有效。图2，验证：SEPIA提取链中的正确参数掌握从本系列《负载调节ΔVout/ΔIout与输出阻抗Zout》所介绍的各种方法一直到SEPIA软件的所有ZOUT评估手段，我们可以在本文后半部分以未知特性的降压（Buck）直流/直流（DC/DC）调节器作为VRM目标进行详细分析。仿真这些实验中的仿真均使用QSPICE™运行，并将SEPIA程序作为用C++编写的QSPICE用户自定义模块进行捕获。该模块被标记为SEPIA@QSPICE模块，并包含在GitHub上Qorvo代码库中提供的仿真文件集中。该模块与用Python编写的PyQSPICE模块一起，使用Jupyter Lab平台负责所有数据的处理、计算、绘图和记录工作。第1次仿真，SEPIA再现其输入：Model-0 Model-0，原理图图3中的原理图展示了我们在QSPICE中测试SEPIA实现行为的第一个模型，即Model-0；该模型可在Github上获取。由于这是一个简单的RLC谐振电路，我们可以使用交流仿真来相对直接地分析其性能。然而，对VRM进行交流仿真并不总是那么容易；这也正是SEPIA等方法的价值所在。图3，SEPIA@QSPICE Model-0原理图在此模型中，阻尼电阻的主要来源来自电感器的直流电阻（DCR）和电容器的等效串联电阻（ESR）。可以使用以下公式计算此电路的Q值。等式11-1 Model-0，SEPIA报告/日志仿真运行时，我们SEPIA@QSPICE模块的灰盒监视器会实时检测每个振铃峰值和谷值。此输出如图4中的橙色曲线所示，为使用SEPIA程序分析衰减特性提供了时间与幅度数据。图4，SEPIA@QSPICE模块实时峰值检测仿真结束时，SEPIA模块会输出以下信息：报告/日志文件瞬态仿真文件集交流仿真文件集文本日志文件展示了SEPIA模块如何处理仿真结果。查看其中红色高亮显示的文本，我们能够看到SEPIA模块提取的元件参数。将它们与原理图上的值进行比较，可看到这些参数已被成功提取。 ======== SEPIA Result Begin ======== SEPIA: Q= 5.57, Icoil/2=2.22e-15, f=70.89(kHz), T=14.11(us), PM=10.26(deg), SEPIA: Z=2.24e-02, L=4.98e-08, C=9.96e-05, SEPIA: (sL+Rcoil) // ((1/sC)+Rcap) Modeling Rcoil+Rcap=4.02e-03, Rcoil=2.00e-03, Rcap=2.02e-03, SEPIA: (sL) // (1/sC) // Rdump Modeling Rdump=1.24e-01, Rcoil=2.00e-03, SEPIA: preAve=5.00e+00, postAve=5.00e+00 ======== SEPIA Result End ======== 仿真平台的输出是已准备好运行的QSPICE的输入文件。它们所含的电路模型完全相同，但使用了不同的QSPICE仿真指令：“.TRAN”或“.AC”；我们能够看到它们之间是如何比较的。想要了解详情的读者，可以参考会话文件。 Model-0，瞬态响应观察SEPIA模块输出的QSPICE仿真结果并与原始原理图仿真结果对比，我们确认在时域中两者的曲线完全相同，没有明显差异。图5，SEPIA@QSPICE Model-0输入与输出瞬态响应对比 Model-0，输出阻抗同样地，在频域中观察输出阻抗时，我们可以看到SEPIA模块输出的曲线与原始模型曲线完全一致。图6，SEPIA@QSPICE Model-0输入与输出输出阻抗对比第2次模拟，SEPIA再现其输入：Model-1 Model-1，原理图图7中的原理图展示了第二个模型，即Model-1；其为QSPICE而构建，用于检查SEPIA所实现的性能。该模型的会话文件也可从GitHub获取。与Model-0一样，它也是一个相对简单的RLC谐振电路，适用于交流仿真。图7，SEPIA@QSPICE Model-1原理图在这个模型中，我们将电感器DCR和负载电阻R1提供的阻尼电阻成分进行了分配。该电路中与Q的关系由以下等式表示。等式11-2 Model-1，SEPIA报告/日志利用Model-1仿真的日志输出可以看到，通过与原理图上的参数进行比较，SEPIA模块成功提取了元件参数（红色高亮显示）。 ======== SEPIA Result Begin ======== SEPIA: Q= 5.52, Icoil/2=2.66e-15, f=70.89(kHz), T=14.11(us), PM=10.35(deg), SEPIA: Z=2.25e-02, L=5.02e-08, C=9.88e-05, SEPIA: (sL+Rcoil) // ((1/sC)+Rcap) Modeling Rcoil+Rcap=4.08e-03, Rcoil=1.01e-06, Rcap=4.08e-03, SEPIA: (sL) // (1/sC) // Rdump Modeling Rdump=1.24e-01, Rcoil=1.01e-06, SEPIA: preAve=5.00e+00, postAve=5.00e+00 ======== SEPIA Result End ======== 与Model-0一样，我们也可以比较瞬态及交流仿真文件集提供的结果。想要深入了解细节的读者，可以查看会话文件。 Model-1，瞬态响应在SEPIA的输出中我们可以观察到，与源原理图仿真相比，在时域中我们得到了完全一致的曲线，没有明显的差异（图8）。图8，SEPIA@QSPICE Model-1输入与输出瞬态响应对比 Model-1，输出阻抗在频域分析中也是如此；再次且正如预期的那样，我们可以看到SEPIA模型输出的曲线与原始模型的曲线完全一致（见图9）。图9，SEPIA@QSPICE Model-1输入与输出输出阻抗对比未知环路VRM的分析，仿真#3 在测试台上评估VRM时，很少能通过简单的交流仿真来确定模块的闭环性能；它通常是一个“黑盒”。工程师可能会发现，在使用瞬态和交流仿真模式创建独立模型进行分析时，需要花费大量时间来证明这两种方式都能准确呈现目标电路。然而，当处理具有未知环路性能的DUT时，可以保证总能测量输出电压端口并使用该数据来确定ZOUT、稳定性和瞬态响应。从本系列的《负载调节ΔVout/ΔIout与输出阻抗Zout》开始，我们介绍了使用VRM的ZOUT在时域和频域中获得准确结果的各种技术。为总结关于ZOUT的工作，我们可以对一个降压（Buck）开关DC/DC调节器进行分析。分析策略该过程包括下面详细列出的七个步骤；这些步骤可在Qorvo的Github代码库上关于仿真#3的会话文件中找到。 1. 仿真#3-1 对包含SEPIA@QSPICE模块的DUT电路原理图进行瞬态仿真以生成SEPIA结果。然后，我们运行其余操作，将其结果与SEPIA分析进行比较。 2. 仿真#3-2 对由SEPIA@QSPICE模块生成的“瞬态”模型进行瞬态仿真。 3. 仿真#3-3 对由SEPIA@QSPICE模块创建的“交流”模型进行交流仿真。 4. 仿真#3-4 对原始原理图进行交流仿真，但确保VRM处于关闭状态以提供ZOUT(VRM=OFF)。在这里，我们可以运行交流仿真，因为VRM保持在其关闭状态。 5. ZOUT计算根据《瞬态响应中的ZOUT：时域与频域间的联系》中所述的过程，并使用为仿真#3-1开发的模型，我们通过对得出的阶跃负载响应进行拉普拉斯变换来提取ZOUT(VRM=ON)。然后，依照第8篇文章所述的过程，我们可以使用ZOUT(VRM=ON)和ZOUT(VRM=OFF)值作为输入来重构环路传递函数。 6. 导入离线准备完毕且经完全验证的传递函数虽然我们在这里不深究细节，但可以导入由DUT VRM设计完全验证的交流仿真所生成的数据集，并将其作为参考。 7. 验证/比较有了这些不同的结果，我们可以比较DUT的环路传递函数。概括地说，这些结果包括：来自仿真#3-1的SEPIA结果；使用第5步中技术创建的重构环路传递函数；以及第6步中描述的导入数据。降压调节器DUT原理图图10显示了我们的DUT的原理图：一个从5V输入产生3.3V输出的降压调节器。它有几个重要元件，采用恒定导通时间（COT）控制，带有线圈电流反馈用于环路补偿。输出电容器被假定为一个具有非常低ESR的器件；这通常是多层陶瓷电容器（MLCC）的典型特征。图10，未知环路降压VRM原理图步骤-1：仿真#3-1 我们使用SEPIA@QSPICE模块运行瞬态模拟；日志文件提供了以下提取的环路信息。 ======== SEPIA Result Begin ======== SEPIA: Q= 1.54, Icoil/2=1.54e-03, f=17.75(kHz), T=56.34(us), PM=35.73(deg), SEPIA: Z=4.26e-02, L=3.45e-07, C=1.91e-04, SEPIA: (sL+Rcoil) // ((1/sC)+Rcap) Modeling Rcoil+Rcap=2.76e-02, Rcoil=1.43e-05, Rcap=2.76e-02, SEPIA: (sL) // (1/sC) // Rdump Modeling Rdump=6.57e-02, Rcoil=1.43e-05, SEPIA: preAve=3.30e+00, postAve=3.30e+00 ======== SEPIA Result End ======== 在这一步骤中，SEPIA软件为我们提供了所需的信息，接下来的步骤则用于验证该技术的准确性。由于这是一个开关电源，其输出电压波形将显示出开关纹波；这使得我们更难以聚焦于核心振铃波形。为解决这一问题，我们使用移动平均滤波器对原始输出电压波形进行滤波。图11展示了仿真#3-1原始和滤波后的时域响应波形。图11，原始降压VRM的阶跃负载瞬态响应，采用移动平均滤波器步骤-2：仿真#3-2 利用SEPIA模块在步骤#3-1中生成的降压调节器瞬态模型，我们进行了仿真并将其与原始仿真结果进行比较；如图12所示。请注意，步骤#3-1中的仿真轨迹从输出电压为零开始，这触发了调节器的慢启动功能。而SEPIA提取的模型则直接从3.3V直流电压开始。正如我们所观察到的，SEPIA程序提取了环路参数，并将这个未知的VRM精确建模为一个简单的RLC电路，仅在绝对直流偏置点上存在微小差异。图12，原始降压VRM与SEPIA提取模型的阶跃负载瞬态响应对比步骤-3：仿真#3-3 同样地，我们利用SEPIA模块创建了交流模型。对该模型的仿真结果如图13中的橙色曲线所示。步骤-4：仿真#3-4 当VRM保持在其关闭状态时，我们可以仿真原始降压调节器的原理图来评估其在关闭状态下的输出阻抗。这就形成了图13中的绿色虚线曲线。需要注意的是，这一步骤相当于单独仿真输出电容模块。此外，如果使用了MLCC，在分析物理评估板的行为时，还应考虑其表现出的直流偏置效应。步骤-5.1：ZOUT计算使用《瞬态响应中的ZOUT：时域与频域间的联系》中所描述的技术，我们根据仿真#3-1重新构建了VRM在开启状态下的输出阻抗。如图13中的蓝色曲线所示，这也包括了步骤3和4中生成的曲线图。可以看到，该方法对输出阻抗曲线进行了非常准确的重构。图13，原始降压VRM与SEPIA提取模型的输出阻抗对比步骤-5.2：环路传递函数计算利用为图13创建的图，我们采用《从输出阻抗ZOUT重构环路传递函数》中的技术，从ZOUT(VRM=ON)和ZOUT(VRM=OFF)中重构了该VRM[ii]的环路传递函数；由此生成图14所显示的蓝色曲线。步骤-6：导入离线数据由于我们正在复用过去项目中的VRM模型，因此就已经有了一个经过全面验证的传递函数；这些数据在图14中以橙色曲线显示。步骤-7：对比因此，图14提供了结合步骤-5.2和步骤-6所构建的综合结果。此外，从步骤-1开始使用仿真#3-1，可以绘制出由SEPIA技术获得的ZOUT频率峰值；在图中用绿色虚线交叉标记。可以看到，这三个结果彼此吻合得很好，尤其是在17.8kHz的单位增益频率点附近；这也是我们所关注的区域。图14，原始降压VRM与SEPIA提取模型的环路传输函数对比结论正如我们所见，SEPIA技术能够以直接且简单的方式准确获取VRM的环路信息。它还可以仅使用仿真或测量得到的阶跃负载瞬态响应来创建等效模型。通过回顾本系列之前介绍的技术，我们还确认，利用时域阶跃响应测量和频域ZOUT曲线数据，未知系统的输出阻抗特性可以提供足够的系统环路传递函数信息。此外，我们还展示了如何从ZOUT(VRM=ON)和ZOUT(VRM=OFF)中重构环路传递函数。

Qorvo

Qorvo Power . 2025-09-04 3160
产品 | 川土微电子CA-HP6242高速双通道轨至轨输出放大器

在高速数据采集与高清视频处理的世界里，信号链的精度与速度决定着系统的天花板。传统放大器面临动态范围受限、带宽不足、功耗过高的三重挑战。川土微电子CA-HP6242高速双通道轨至轨输出放大器，以“大带宽+低失真+强驱动能力”的三重优势，为专业视频与高速信号处理系统注入全新动能！产品概述 CA-HP6242是一款低功耗，电压反馈、高速运算放大器，可工作在±2.5V或±5V供电电压下。支持单电源供电，输入电压可低于负轨200mV，高至正轨以下1V。输出电压摆幅可达双轨的50mV以内（RL=10kΩ，典型值）。另外，在18MHz范围内，提供0.1dB的增益平坦度、0.02%的差分增益误差和0.04°的差分相位误差。基于这些特性，CA-HP6242适用于专业的视频信号处理，包括摄像头、视频开关及其他任何高速的设备。低谐波失真和快速建立特性使得CA-HP6242可以用于高速ADC的驱动级。 CA-HP6242在±5V供电下的工作电流低至13mA，提供SOIC8(S)、MSOP8(M)两种封装，工作温度覆盖-40℃~+125℃工业级范围。特性满足±2.5V，±5V工作电压输出摆幅±4.8V（RL=1kΩ，极限值）输入电压范围低至低于电源低轨200mV 在输入超过工作电压0.4V时没有相位翻转每通道功耗低至6.5mA ±5V供电时高速和快速建立： • 135MHz,-3 dB带宽（G=+1） • 235V/μs 的电压转换速率 • 16ns的1%的建立时间视频指标（RL=150Ω, G = +2) • 18MHz以内0.1dB的增益平坦度 • 0.02%的差分增益误差 • 0.04°的差分相位误差低谐波失真：-77dBc 最差谐波（5MHz输入信号） 50mA驱动电流工作温度：-40°C ~125°C 典型应用场景视频系统：专业摄像头信号调理、视频切换矩阵、高清视频传输链路高速数据采集：高速ADC驱动器、测试测量设备前端缓冲、示波器输入级医疗成像设备：超声前端信号调理、医疗监控设备模拟通道工业控制：自动化设备传感器信号放大、高速闭环控制回路 CA-HP6242以“大带宽、低失真、强驱动能力”为核心优势，成为专业视频处理与高速数据采集系统的优选解决方案。其低功耗特性与工业级可靠性，进一步助力客户提升系统能效与鲁棒性。

川土微

川土微电子chipanalog . 2025-09-04 3185
产品 | Vivado 用于 Spartan UltraScale+：快速设计由此开始

随着 AMD Spartan UltraScale+ 系列现已投入量产，解锁其功能集的最快途径便是采用最新 AMD Vivado 工具版本（ 2025.1 或更高版本）和全新操作指南资源。该集成型设计套件能通过一键式时序收敛，将设计从 RTL 阶段推进到硬件阶段，从而帮助缩短迭代周期。让我们来看看该设计套件提供的功能特性。统一流程，减少迭代次数 Vivado 工具流程将仿真、综合、实现、时序分析和调试整合到单个工具链中——并集成了流程的每个阶段：通过多种途径的设计输入：RTL 导入、通过 IP Integrator 进行基于块的设计，或使用 AMD Vitis 统一软件平台导入使用 C/C++ 或 MathWorks® 开发的 IP。仿真：使用 XSIM 在 RTL、综合后和布局布线后进行功能验证，以及硬件协同仿真。综合与布局布线：内置的免许可综合功能与布局布线协同工作，助力实现 QoR 目标，包括引导流程和机器学习驱动算法，以快速满足时序收敛要求。调试：使用 ChipScope 以系统内硬件速度采集和分析信号——直接在 Vivado 工具环境进行。典型的设计循环可从 RTL 或基于 IP 的输入开始，通常使用 Vivado 工具中的 HDL 模板来创建计数器、状态机和其他常见结构，然后通过仿真进行验证。在实现之前，约束向导和 I/O 规划查看器可帮助确认时钟、I/O 布局和约束分组。设计检查点支持在任何阶段暂停和恢复综合或布局布线。随着 PCB 设计的演进，后期更改（例如 I/O 交换或引脚重新分配）可以通过增量编译高效处理。快速迭代对于小型 FPGA 设计至关重要，每天进行多次迭代是常态，因此集成型流程避免了管理来自不同工具的中间文件的需求。面向 Spartan UltraScale+ 的 Vivado 设计套件教程视频演示了如何在一个项目中构建、仿真和实现完整的设计。一键式时序收敛要在一键式流程中满足时序要求而无需手动调整 RTL，这是 FPGA 设计人员面临的一个常见挑战。为了满足 FMAX（最大工作频率）目标而进行多次设计变更，一直是导致项目延误的常见原因。猜测哪些布局布线方案可能会改善 FMAX，然后等待数小时才能看到结果，并期盼获得更好的结果，这些过程可能会陷入“无休止”的循环。 Vivado 设计套件经过多个版本的调优，以满足最复杂 FPGA 和自适应 SoC 的 FMAX 目标。Vivado 设计套件 2025.1 版本和 Spartan UltraScale+ SU35P FPGA 结合使用时采用一键式流程，可在至高 250 MHz 的频率下实现平均 92% 的通过率1，无需任何设计变动，从而消除了为满足时序要求而反复试验的周期。设计人员可以依赖基于约束的流程、自动管道化和预优化的布局布线策略，无需深厚的工具专业知识或手动调优。广泛、优化的 IP 产品组合助力快速开发 IP 复用是加速设计的关键，Vivado IP 编目提供了显著的领先优势——近 400 个预验证的软核，使您能够快速构建基础架构并专注于IP 差异化。Spartan UltraScale+ 高密度器件中新的硬块（包括 LPDDR4x/5 内存控制器和 PCIe® Gen4 ）可助力进一步加速设计收敛，提供交钥匙性能。通过消除对可编程逻辑的需求，高端器件中的硬 IP 预计可将整体能效提升至多 60%2。在 Vivado IP 目录中，您可以探索和实例化各种 IP——从基础组件到水平子系统（如 DSP、接口和内存控制器），一直到针对工业、汽车、视觉和其他市场的应用量身定制的垂直 IP。利用 Vivado IP Integrator 这一通过 AXI 互连自动化简化组装的图形界面，能将硬 IP、软 IP 和自定义 RTL 相结合。准备开始了吗 Spartan UltraScale+ 器件现已投入量产，AMD Vivado 设计套件的完全支持现已开放免费下载。无论您是 Vivado 工具新手、Spartan UltraScale+ 系列新手，还是两者兼而有之，专用资源页面都包含教程、视频、参考设计和文档，助您快速上手。 1. 基于 AMD 在 2025 年 7 月进行的最差负时序裕量测试，针对 AMD Vivado 设计套件 2025.1 版和 Spartan UltraScale+ SU35P FPGA，分别在 -1（最慢）速度等级（150MHz -250Mhz）下对 46 个设计，以及在 -2（最快）速度等级（200MHz – 250Mhz）下对 41 个设计进行了测试。结果因器件、设计、配置和其他因素而有所不同。 (VIV-018) 2. 预测基于 AMD 在 2024 年 1 月进行的内部分析，使用基于 AMD Artix UltraScale+ AU7P FPGA 逻辑规模计数的总功耗计算（静态功耗加动态功耗），借助 Xilinx 功耗估算器 (XPE) 工具 2023.1.2 版本，估算 AMD Spartan UltraScale+ SU200P FPGA 与 AMD Artix 7 7A200T FPGA 的总功耗对比。总功耗接口结果可能会在最终产品发布后，因配置、设计、使用和其他因素而有所不同。(SUS-006)

AMD

Xilinx赛灵思官微 . 2025-09-04 1 2785
产品 | 圣邦微电子推出 85V、16 位、带 I²C 接口的高精度功率监控器 SGM838

圣邦微电子推出面向 AI 服务器总线的功率监控器 SGM838，一款具有报警功能的 85V、16 位、带 I²C 兼容接口的高精度功率监控器。除 48V AI 服务器外，器件适用范围还包括：企业级服务器、电信设备、ATE 测试、48V 储能系统等应用。 SGM838 内置 16 位 Σ-Δ ADC，可以实现 ±163.84mV 或 ±40.96mV 的满量程差分输入，共模输入电压范围达到 0V 至 85V，无论是高压侧还是低压侧的传感应用，SGM838 都能轻松应对，提供全方位的监测解决方案。在监测功能方面，SGM838 不仅能够精准监测电流、电压，还能实时测量温度并计算功率，并支持快速警报功能。其内置温度传感器精度达 ±1℃，能够帮助用户实时监控系统环境温度。在设计上，SGM838 专为精密测量应用打造，凭借低偏移电压和低增益漂移特性，其在面对温度变化时仍能保持测量精度。在宽范围电流测量领域，低偏移电压和低噪声特性可实现从安培（A）级到千安培（kA）级的测量，同时确保低功耗运行。此外，纳安（nA）级的偏置电流，使其适用于高阻值传感电阻，从而确保在微安（μA）级测量范围内也能保持高度精准，满足用户对高精度测量的严格标准。 SGM838 的 ADC 转换时间可在 150µs 至 4.12ms 区间内灵活选择，平均采样模式提供 1x 到 1024x 的 8 个档位选择，这不仅有助于降低噪声，还能满足不同应用场景下的数据采集需求。同时，设备提供快速警报功能，以 150μs 转换时间为例，根据过阈值电压大小，警报响应速度可达 24μs 至 275μs。一旦检测到故障事件，包括：总线电压异常、电流限制、过功率或过温等情况，器件可以在极短时间内快速响应，给故障处理争取时间，最大限度地减少设备停机损失。 SGM838 采用符合环保理念的 MSOP-10 绿色封装，工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。图 1 SGM838 高压侧/低压侧传感应用电路图

圣邦微

圣邦微电子 . 2025-09-04 1470
技术 | 一款可直接为噪声敏感型器件供电的开关电源

传统上，开关模式电源(SMPS)噪声较高，无法直接用于噪声敏感型模数转换器(ADC)，因此需要额外的低压差(LDO)稳压器来供电。近年来，SMPS技术取得了显著进展，特别是Silent Switcher®架构和电磁干扰(EMI)噪声屏蔽技术的应用，有效降低了EMI辐射和输出纹波电压。得益于此，我们可以将采用噪声抑制技术的单一SMPS器件置于噪声敏感型器件附近，而不会影响ADC的信噪比(SNR)。本文将详细探讨这项技术。您是否遇到过ADC的输出结果出现轻微偏差和随机变化的情况？这可能是由ADC系统内部的噪声引起的。一个常见的噪声源是压控振荡器(VCO)的供电轨。此供电轨上的噪声可能会给时钟信号带来抖动，而时钟信号随后会用作ADC的采样时钟。如果抖动较大，ADC转换就可能出现误差，进而产生异常数据。众所周知，SMPS在电压转换过程中需要进行开关操作，因此不可避免地会产生噪声。如果将SMPS用于时钟的供电轨，就会将噪声引入ADC系统。为了尽可能减小误差，通常采用具备噪声抑制能力的LDO稳压器为噪声敏感型器件供电。 ADI的LTM8080降压型稳压器SMPS等器件，集成了后调节双LDO稳压器和噪声抑制技术。类似于独立的LT3045 LDO稳压器，这款 SMPS器件能够提供低噪声供电轨。为什么必须关注供电轨噪声？供电轨噪声是能够对系统性能产生显著影响的一个关键因素。图1中，LT3045 LDO稳压器用作低噪声供电轨，为ADF4372频率合成器的VCO供电。然后，ADF4372为AD9208 ADC和FPGA板生成时钟信号。图 2显示了从LT3045 LDO稳压器输出获得的相位噪声图，此图可作为比较备选供电轨方案的基准。图1. VCO/ADC设置的基本框图图2. 作为基准的LT3045相位噪声图（1 GHz，2 MHz范围）相较于基准设计，如果采用噪声较高的供电轨，噪声频谱图会不太理想，如图3所示，其中边带略有升高。当这些边带达到一定水平时，会给ADC采样时钟的上升沿带来抖动（图4）。结果，ADC会在非预期的时间点对模拟输入信号进行采样，导致生成包含位错误的异常数据字。图3. 高噪声SMPS的相位噪声图示例（1.23 GHz，2 MHz范围）图4. 高噪声VCO供电轨引起ADC采样时钟边沿抖动（VCO输出），进而造成 ADC采样误差位错误的发生可能会造成显著的后果，尤其是当位错误很严重时。ADC的实际数据字与预期数据字的偏差可能会触发系统出现意外行为。例如，如果数据字指示的输入电压高于实际电压，器件可能会在系统尚未准备好的情况下被提前激活。在安全关键应用中，这种意外状态可能会导致安全特性被禁用。得益于EMI噪声屏蔽技术，SMPS现在可以放置在LDO稳压器附近，而不会将开关噪声耦合到LDO稳压器的输出端。如果将SMPS和LDO 稳压器封装在一起，除了降低噪声之外，还能获得其他优势。参见表1。表1. SMPS + LDO稳压器相较于独立LDO稳压器的优势单个封装中集成开关降压转换器和LDO稳压器的优势将关降压转换器(SMPS)与LDO稳压器集于一体的器件具备多项优势。它可以由12 V或24 V等标准供电轨供电，输入电源非常灵活。此外，可以设计中间总线来维持一个高于LDO稳压器输出的特定电压，这样即使器件由较高电压供电也能稳定工作。这种“电压输入到输出控制”(VIOC)特性通过控制上游SMPS的输出，确保 LDO稳压器具有设定的裕量。要想在提升效率的同时保持电源抑制比(PSRR)，VIOC不可或缺。 SMPS与LDO稳压器的组合，使得对噪声敏感的布线可以在器件内部电路中进行。因此，只需在PCB层面应用基本布线技术，即足以优化器件的噪声性能。 SMPS与LDO稳压器的组合，使得对噪声敏感的布线可以在器件内部电路中进行。因此，只需在PCB层面应用基本布线技术，即足以优化器件的噪声性能。如果器件的SMPS部分能够提供比LDO稳压器额定值更大的电流，则可以将多个LDO稳压器集成到封装中。此外，外部LDO稳压器可以连接到中间总线，从而为用户的设计提供更大的灵活性。为了确保符合器件数据手册中提到的规格，我们对这款完全集成的SMPS加LDO稳压器组合器件进行了全面的测试，以保证器件满足规定的要求。噪声低如LDO稳压器的开关降压转换器与基准LDO稳压器方案相比，LTM8080的输入电源电压灵活性更大，而且功率损耗更低。图5展示了采用LTM8080的示例解决方案，体现了设计灵活性。LTM8080与共封装的降压稳压器和LDO稳压器一起，集成了EMI噪声屏蔽，能够有效引导辐射噪声的传播方向。图5. LTM8080解决方案取代了ADF4372SD2Z评估板上的两个LT3045 LDO稳压器，而且支持可选的用户自定义第三LDO稳压器输出，以实现更大的系统灵活性。表2. SNR比较：LTM8080对比LT3045 图6. 相位噪声图：LTM8080（左）与LT3045（右）结论测试结果清楚地表明，具备先进噪声抑制技术（例如EMI噪声屏蔽）的SMPS器件可以有效取代LDO稳压器来为噪声敏感型供电轨供电。尽管概念验证主要针对VCO供电轨，但集成SMPS和LDO稳压器的解决方案所具备的设计灵活性，也能惠及许多其他对噪声敏感的应用。

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ADI智库 . 2025-09-04 2 945