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市场 | DDDR4大厂南亚科8月价格平均调涨11-16%

据市场消息，作风向来保守的南亚科8月价格平均调涨11％～16％，预计第4季将再涨双位数水平，南亚科单月转亏为盈的目标有望提前达阵。三星、美光及SK海力士等全球三大DRAM厂因DDR5及HBM未来商机，去年起开始陆续关闭DDR4产能，今年起通知客户逐步减产讯息。DDR4产能在下半年出现明显供给缺口，产品报价持续看涨。虽然今年消费性产品吹逆风，但DDR4却出现现货价及合约报价都同步大幅上涨的明亮前景。原先就在DDR4市场的南亚科顺势搭上这波涨价商机，平常作风保守的公司更主动出击、调涨合约报价。供应链透露，南亚科8月1日正式向客户实施新价格，根据不同客户别分别调涨11％～16％不等。由于DDR4整体市场需求仍大于全球产能，业界推估今年下半年这波DDR4的供给缺口已经达到10％～15％，南亚科酝酿第4季再度上调DDR4的报价，估将可望达到双位数水平。业界进一步说，DRAM市场近两年因消费市场需求锐减，价格走跌，让南亚科截至今年第2季为止缴出连九季亏损。但南亚科最新财报显示，库存金额仍高达300亿元新台币以上，因DDR4近期价格逐月上调，成为让南亚科第3季获利的主要关键。南亚科公告7月合并营收达53.52亿元新台币，创下三年半以来单月新高，月增31.4％，年增94%。累计今年前七月合并营收超越去年同期水平，年增4%，为三年来同期新高。南亚科今年6月开始产能利用率恢复满载，虽然三大DRAM厂仍持续供应DDR4，但南亚科报价较具市场优势。这波DDR4价格强劲，仍使用DDR4的终端产品包括网通、显示器、AI物联网等相关装置，更改设计时间需要至少一年，代表DDR4涨价商机可旺到年底。布局DDR4利基型内存市场的威刚、钰创、创见、宇瞻等相关供应链，摆脱汇损效应后，下半年业绩可望逐季上升，赚DDR4涨价财。搭上涨价潮，内存模块厂有机会将先前打消库存的存货在这波顺利销售，加上新台币汇率开始持稳，业界普遍看好，本季内存模块厂营收有机会缴出近年新高的亮眼成绩。威刚在内存模块厂有相对指针性， 7月营收年成长39.5％至42.61亿元新台币，维持在单月40亿元新台币以上的高水平。近年持续亏损的钰创也传出好消息，7月营收3.07亿元新台币，是近一年以来单月新高，较6月营收月增22.4％。钰创受惠于网通客户持续追加订单，使DDR4规格4Gb至16Gb的出货量都增加。

南亚科

半导体前线 . 2025-08-20 1 7 3385
产品 | 全国产供应链！纳芯微发布NS800RT737x高性能实时控制MCU（DSP），赋能工业与能源核心控制

在实时性要求极高的电力电子与电力拖动领域，如新能源逆变器、工业伺服控制及车载电机驱动中，系统必须在毫秒甚至微秒级完成数据处理与响应。纳芯微全新推出的NS800RT737x系列MCU（DSP）：NS800RT7374/7377/7379，以高性能实时控制内核为核心，集成丰富外设与保护功能，能够显著提升控制精度和系统稳定性，缩短开发周期，提供高可靠国产选择。高性能内核与存储架构，赋能实时运算 NS800RT737x系列采用单/双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM（含256KB TCM*2+256KB SRAM），为复杂算法和多任务处理提供充足空间。 NS800RT737x系列详细规格多通道高速采样与超高精度控制 NS800RT737x系列内置4个12位ADC模块（4.375MSPS），最高支持25路ADC，8对比较器以及2路DAC，可同时采集多路信号，适配高动态响应需求。36路PWM（其中32路高精度PWM）具备124ps最小细分，实现超精细的功率控制，满足光伏储能逆变器、数字电源、电机控制等对控制精度极高的应用。丰富可编程与信号处理外设提升系统集成度 NS800RT737x系列最高支持6个CLB可配置逻辑模块，可通过编程实现各种灵活的功能；16路SDFM(Sigma-Delta Filter Module)提供多路高精度数字输入，适配隔离式电流/电压采样场景；四线QSPI实现高速外部通信；双32通道DMA提升数据传输效率，减轻CPU负载。完善通信接口，护航信息安全 NS800RT737x系列最高支持2路CAN-FD、1路CAN 2.0、4路SPI、6路UART、2路I²C、1路PMBus及一路EMIF外扩总线，确保在车载、工业等多总线环境下的稳定通信。同时，芯片内置CRC、BGCRC、TRNG、HASH-AES等硬件加密引擎，加持信息安全。生态友好，降低开发门槛 NS800RT737x系列兼容ARM常用IDE（Keil、IAR）并支持纳芯微自主开发的NovoStudio工具链，帮助客户快速迁移和部署，缩短产品上市周期。（H）LQFP176 （H）LQFP100 NS800RT737x 封装 NS800RT737x系列评估板

纳芯微

纳芯微电子 . 2025-08-20 1175
技术 | 克服线性直驱光模块(LPO)部署挑战：从标准到规模化

数据中心行业在采用线性直驱光模块（LPO）技术方面正迎来关键节点。随着带宽需求激增和功耗问题日益突出，行业的关注点已从“什么是LPO？”转向更复杂的问题：“如何在保障运营可靠性的同时，成功实现LPO的大规模部署？” 这种转变标志着LPO技术的成熟——超大规模云服务提供商和数据中心运营商如今正专注于克服运营层面的顾虑，确保其在各类基础设施环境中实现无缝部署。标准基础：建立行业信心任何新兴技术的成功部署，都离不开确保互操作性和可靠性的健全标准。全面的LPO标准开发，推动该技术从实验室概念迈向可部署的解决方案。行业标准的制定工作主要聚焦两个关键领域：1）电接口标准与测试；2）光链路性能与部署。光互联论坛（OIF）专注于电接口标准，尤其围绕以下测试点展开: TP1：测试模块输入，模拟主机输出信号到达模块连接器时的状态 TP1a：测试主机ASIC发射器输出经主机板和卡边缘连接器后的状态 TP4：验证模块电输出信号，并校准用于测试主机输入合规性的信号 TP4a：测试主机输入这项工作确立了关键的测试方法，包括用于衡量发射端口质量的电眼闭合四元（EECQ）指标，以及确保最佳信噪比的复杂端口均衡方法。作为补充，LPO多源协议（LPO MSA）正着手解决光链路性能与部署挑战，提出了端到端链路优化方法，以及反映真实部署场景的应力信号测试协议实现真正的即插即用操作早期的LPO实现通常需要在模块与端口间进行手动调谐，由此产生的运营开销抵消了诸多效率优势。而基于标准方法的开发从根本上改变了这一模式。真正的即插即用操作围绕几项关键创新展开：预校准的端口与模块如今可无需手动调整即可协同工作；通用管理接口规范（CMIS）功能支持模块自动配置，以匹配端口特性；基于端口损耗特性的确定性连续时间线性均衡器（CTLE）设置，可确保最佳性能，且无需人工干预。这种方式促进了不同供应商生态系统间的无缝集成，解决了数据中心运营商在使用多供应商设备时的主要顾虑。光功率要求和信号质量满足TP2光功率和消光比规范，对许多早期实现而言是一大挑战。研究表明，电接口均衡不足和驱动器增益不够通常是导致这些问题的原因。解决方案包括全面的驱动器均衡——在使用发射有限脉冲响应（TxFIR）滤波器和驱动器输入CTLE时，确保主机端口完全均衡。此外，调制器专用均衡提供独立调节能力，而发射信号丢失（TX LOS）检测和自动增益控制（AGC）等功能，则确保了在各种条件下的稳定运行。现代LPO驱动器整合了这些功能，既能提供满足TP2要求所需的完整均衡能力，又能保持部署的简便性。高损耗主机端口性能具有高损耗主机端口的数据中心，在维持可接受的误码率（BER）性能方面面临特殊挑战。解决方案是在跨阻抗放大器（TIA）中实现接收端均衡能力，在不同端口损耗特性下实现链路的最佳均衡，同时保持全链路的信噪比优化。诊断和故障排除能力超大规模云服务提供商对LPO相比基于数字信号处理（DSP）的重定时模块在诊断可见性上的降低表示高度关切。对此，行业在发射端和接收端都实现了全面的诊断功能作为回应。发射端诊断包括TX LOS检测、输入信号电平测量和发射功率监控；接收端诊断包括信号丢失（LOS）检测、调制丢失（LOM）监控，以及交换机接收器的眼图监控能力。这些功能与网络管理系统的适当集成，为运营商提供了有效维护和排查LPO部署故障所需的可见性。增强的CMIS集成 CMIS的扩展对实现智能LPO部署至关重要。增强功能包括：模块插入时的自动数据极性设置、基于端口特性的输入均衡器自动配置，以及模块与交换机之间的线性度调整。用于优化输出均衡设置的端口损耗通知，构建了一个全面的自动化框架。这些增强功能是即插即用生态系统的最后一块拼图，使LPO在各类基础设施环境中实现真正无缝的部署成为可能。经验证的互操作性成果 LPO多源协议代表了49家以上公司共同致力于互操作性规范开发的合作成果。2025年初开展的全面互操作性测试有来自成员公司的约90名参与者参与，达成了一项重要里程碑。测试结果令人印象深刻，成功率极高——几乎所有测试链路在连接后立即正常工作。多家模块供应商成功与各类交换机平台实现互操作，且这一成果在多种实现方法中均得到验证。这些结果有效反驳了早期对LPO稳健性的质疑，为该技术已准备好大规模部署提供了具体证据。未来发展和200G演进当前LPO实现的成功为持续创新奠定了基础。开发工作正推进下一代每通道200 Gbps能力，利用先进的仿真模型进行高速性能预测，并针对极端数据速率开发增强均衡技术。通过行业论坛的合作开发，确保未来标准将保持使当前实现成功的互操作性和即插即用特性。预计200G能力的产品将在2025年底前问世，使该技术继续处于光网络创新的前沿。战略部署考量对于评估LPO部署的组织而言，从行业经验中可总结出几个关键成功因素：标准合规性仍是基础——电接口和光接口都必须满足既定规范，以确保互操作性和可靠运行。全面的均衡能力至关重要，需要具备完整均衡、增益和诊断功能的全功能驱动器。现代数据中心环境的复杂性，要求解决方案能够适应各种条件，同时保持最佳性能。智能管理能力（尤其是利用增强的CMIS功能实现无缝即插即用操作）对发挥运营效率优势至关重要。自动化能力降低了部署复杂性和持续的运营开销。最后，与在互操作性和标准制定方面展现领导力的供应商合作，可确保实施方案能成功集成到现有基础设施中，并支持未来的技术演进。前进之路线性直驱光模块技术已成功从一种构建低功耗、高性能光网络的前景方案，发展为可部署的成熟解决方案。行业正有效解决最初阻碍部署的实际挑战，为大规模采用铺平了道路。来自OIF和LPO MSA的全面标准框架，为跨供应商生态系统的可靠互操作性提供了基础；经验证的诊断能力确保满足运营可见性要求；真正的即插即用操作则消除了可能阻碍大规模部署的复杂性障碍。如今的重点已从证明技术可行性，转向优化部署流程和高效扩展运营。通过适当实施符合标准、具备全面均衡和智能管理能力的解决方案，LPO有望实现其降低功耗和复杂性的承诺，同时满足现代数据中心对可靠性和性能的要求。 LPO成功部署的基础已牢固确立。数据中心运营商如今可以满怀信心地评估和实施LPO解决方案，因为技术挑战已得到解决，行业生态系统也为可靠、可扩展的部署提供了支持。下一阶段的重点将是优化操作流程，充分释放最初激发行业对该技术兴趣的效率优势。

Semtech

Semtech升特半导体 . 2025-08-20 905
晶振行业必备术语手册：工程师必收藏(上)

在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。本文将从常规名词切入，解析晶振材料、结构、电路等关键概念，让“门槛”变成“垫脚石”。由于内容较长将分为上下两篇文章解释，本文是上篇，介绍内容有： · 石英材料及频率控制产品 · 压电性 · 石英晶体切割类型 · 振动方式 · 频率-温度特性 · 晶体谐振器的等效电路＞石英材料及频率控制产品石英是一种具有压电性的晶体（SiO₂），广泛应用于电子设备的频率控制。其主要产品分为两类：体声波器件：如晶体谐振器、晶体滤波器和时钟振荡器（如皮尔斯振荡器、压控振荡器等）。表面声波器件：如声表面波（SAW）谐振器和滤波器，利用叉指换能器（IDT）在石英表面产生高频振动。 (图1)结晶石英材料＞压电性在稳定状态下，SiO₂（二氧化硅）的电偶极子沿硅的六轴排列，整体呈电中性。当外加电场时：沿偶极方向施加电场：硅侧显正电，氧侧显负电，感应电场平衡系统。反向施加电场（硅侧负电、氧侧正电）：氧离子相互靠近，其水平振动频率与垂直交变电场同步，振幅取决于电场与偶极子的夹角。当交变电场频率与氧离子水平振动频率一致时发生共振，振幅取决于电场与偶极的夹角。三维器件中，电场由晶圆表面电极提供，偶极方向由切割角度决定。压电性是石英晶体的一项重要物理特性，它描述了电能和机械能之间的相互转换。具体来说： ○ 当对石英晶体施加机械应力（如挤压、拉伸或弯曲）时，其内部电荷会重新分布，在晶体表面产生电压。 ○ 反之，当对石英晶体施加电压（或交变电场）时，晶体内部的原子会发生位移，导致晶体产生机械形变或振动。正是利用这种“电-力”相互转换的特性，我们才能让石英晶体在电路中精确地振动，从而产生稳定的频率信号。 (图2)SiO₂的一维压电简化＞石英晶体切割类型根据对石英棒切割角度的不同，有不同种类的石英板材，例如AT、BT、CT、DT、NT、GT切型板材。不同类型的石英板材，以一组欧拉角表示，具有不同的可用弹性、压电和介电性能。这是设计石英晶体器件的基本参数。最常用的石英切割类型如图3所示。 (图3)Z板石英晶体的取向角。＞振动模式石英晶体单元的振动类型分为弯曲振动，扩张振动，表面切变振动和厚度切变振动。通常使用的振动类型和切割方式的示意图列在表1中。基频和泛音可以在任何类型的谐振器中工作。基频和泛音可以在任何类型的谐振器中工作。最常用的是基频，但对于厚度型器件也常用泛音，如图4所示。） (图4)振动模式和切割角度。＞频率-温度特性石英产品大多作为电路元件用于频率选择和/或频率控制，因此器件的频率-温度特性是最重要的参数。这种百万分之一(ppm)级频率-温度特性的稳定性是石英频率器件的另一个优点，是LCR离散分量振荡电路无法在大规模生产中实现的。对于常用的石英晶体切割，其频率-温度特性如图5所示。 (图5)各种石英切片的频率-温度特性。AT切型是石英器件中最受欢迎的MHz晶体切割。(图6)为+x轴俯视图AT切型方向。 (图6)AT平台定位图7显示了AT晶体切角与频率温度特性的关系。结果表明，AT切割石英在较宽的温度范围内具有良好的频率稳定性，由于在这个温度范围内，频率温度曲线的一阶和二阶导数（即温度系数的一阶和二阶分量）都趋近于零，因此其频率变化主要由三阶函数控制。 △fs(i)=A1(Ti-25)3+A2(Ti-25)2+A3(Ti-25)+A4 (图7)AT-cut 频率-温度特性＞晶体谐振器的等效电路 (图8)显示了金属型和陶瓷贴片型谐振器的简图及其符号。当工作在谐振频段附近时，空载谐振器的电学特性可以用巴特沃斯-范戴克(Butterworth-VanDyke,BVD等效电路近似表示，如图9所示。 A)金属柱型谐振器 B)陶瓷贴片d型谐振器 CL C)象征水晶细针利用图8所示的参数，对晶体谐振器和由晶体谐振器组成的振荡器的主要电学特性进行如下描述。 (图9)电容特性 C0:并联电容 C1:动态电容 L1:动态电感 R1:动态电阻

晶振,晶振电路,晶振参数,晶振电容

扬兴科技 . 2025-08-19 6 1785
企业 | 芯擎科技完成新一轮融资，获得两省首单AIC

近期，芯擎科技宣布完成规模超10亿元人民币的B轮融资。在去年中国国有企业结构调整基金二期等多家机构投资的基础上，又有多地政府基金、险资和银资积极参与，总计融资金额超10亿元人民币。在本轮融资中，芯擎科技成功获得湖北、山东两省首单AIC股权项目，在国资、银资、险资以及产业链协同资本等多维度实现里程碑式进展。芯擎科技创始人、董事兼CEO汪凯博士表示：“新一轮融资的顺利完成，体现了投资人对芯擎技术实力和发展前景的高度认可，更为公司的长远规划注入了新的活力。未来，芯擎将继续保持技术创新和市场拓展的双重优势，不断推动中国汽车智能化的升级和发展。” 成为“黄金标的 ”，筑牢长期投资价值成立近6年，芯擎科技已经拥有了颇具协同优势的投资人阵容，从汽车产业链上下游、集成电路全产业链到众多地方政府的支持，成功构建了多方合力的产业生态与发展格局。芯擎科技的B轮整体融资由国调二期基金领投，多地国资产业基金跟投，还成功获得湖北、山东两省AIC首单以及央企险资太平金控的战略投资，跻身国家科技金融改革试点的标杆受益企业行列，深度融入“科技-产业-金融”的国家级循环。更多耐心资本的加持，突显了芯擎商业化能力的可持续性与稳健性。点燃“座舱+智驾”双引擎盖世汽车数据显示，芯擎科技在2024年已经成为国产智能座舱芯片市占率第一的公司。此外，芯擎也是国内为数不多可同时覆盖智能座舱到智能驾驶关键SoC的供应商。依托“龍鹰”系列座舱芯片、“星辰”系列高阶辅助驾驶芯片以及AI加速芯片，芯擎科技可以为生态伙伴打造众多个性化解决方案，并对其开放全场景生态平台，分别从芯片基础能力，操作系统、系统软件、中间件、算法算子库、AI工具链，生态方案等多方面赋能，提供一站式算法开发和端到端的大模型部署。 2021年，芯擎科技推出国内首款7纳米车规级智能座舱芯片“龍鹰一号”，目前，该芯片已在国内外数十款主力车型里应用或定点，包括一汽红旗天工系列、吉利领克系列、银河系列、德国大众在欧洲和美洲的海外车型，以及其他知名车厂即将推出的主力车型。 2024年，芯擎科技推出全场景高阶辅助驾驶芯片“星辰一号”，直接对标国际先进主流产品，并在CPU性能、AI算力、ISP处理能力、NPU等关键指标上实现全面提升。在不久前结束的2025香港车博会上，汪凯博士表示芯擎科技正在研发新一代座舱芯片“龍鹰二号Ultra”和“龍鹰二号Lite”。 “大生态”驱动新增长曲线芯擎科技秉持“大生态”的开放合作模式，一直在积极探索和布局第二增长曲线，并已在具身智能、低空经济、边缘计算等领域展现出强劲的上升势头。在今年的上海国际车展上，搭载了“龍鹰一号”工业芯片的机器人备受瞩目。汪凯博士说道：“全球智能汽车的发展可谓飞速，马上就会进入淘汰赛阶段，芯擎科技已经有了坚实的技术积累和市场基础，在国际国内两大市场的双重推动下，公司在新一轮融资后仍会坚定地加大研发投入，持续拓宽护城河，让更多产品用上更好的‘中国芯’。”

芯擎科技

芯擎科技SiEngine . 2025-08-19 1850
企业 | 软银集团与英特尔公司签署20亿美元投资协议

软银集团与英特尔公司今日宣布签署最终证券购买协议。根据协议，软银将以每股23美元的价格认购英特尔普通股，总投资额达20亿美元。该交易需满足惯例成交条件。软银的投资是基于英特尔的长期愿景，即通过加速布局支持数字化转型、云计算及下一代基础设施的先进技术，实现人工智能变革。前瞻性陈述 This document contains certain forward-looking statements related to the proposed transaction between Intel and SoftBank, including statements regarding the benefits and the timing of the transaction. Words such as “anticipate,” “believe,” “could,” “estimate,” “expect,” “forecast,” “intend,” “likely,” “may,” “plan,” “potential,” “project,” “predict,” “seek,” “should,” “target,” “would” and “will” and variations of such words and similar expressions are intended to identify such forward-looking statements. Such statements are based on management’s expectations as of the date they were first made and involve risks and uncertainties, many of which are beyond our control, that could cause our actual results to differ materially from those expressed or implied in our forward-looking statements. Such risks and uncertainties include, among others, uncertainties as to the timing of the consummation of the transaction and the potential failure to satisfy the conditions to the consummation of the transaction, including the expiration or termination of any applicable waiting periods, and the receipt of any required approvals, under the Hart-Scott-Rodino Antitrust Improvements Act of 1976; inability to realize expected benefits of the transaction; litigation related to the transaction or otherwise; potential adverse reactions or changes to business relationships resulting from the announcement or completion of the transaction; and other risks detailed in Intel’s filings with the Securities and Exchange Commission (the “SEC”), including those discussed in Intel’s most recent Annual Report on Form 10-K and in any subsequent periodic reports on Form 10-Q and Form 8-K, each of which is on file with or furnished to the SEC and available at the SEC’s website at www.sec.gov. SEC filings for Intel are also available on Intel’s Investor Relations website at www.intc.com. Readers are cautioned not to place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the date they were first made. Unless otherwise required by applicable law, Intel and SoftBank undertake no obligation and do not intend to update these forward-looking statements, whether as a result of new information, future events or otherwise.

英特尔

英特尔中国 . 2025-08-19 1 2210
方案 | 中微半导基于CMS32M6736E 高性价比无感FOC割草机方案

中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导股票代码：688380）基于电机专用SoC芯片CMS32M6736E，推出具有成本效益的FOC割草机驱动方案。该方案专为高性价比且严苛工况的割草机设计，集成200V耐压6N预驱，有效控制BOM成本并简化开发流程。方案支持无感FOC（单/双/三电阻采样）+无感方波启动双模式，兼顾效率与兼容性。最大功率2000W，最大电转速100000RPM，通过精准转矩控制与高速动态响应，实现更平稳、高效、安全的动力输出，显著提升割草机作业效率与用户体验。核心优势 - 极速响应：支持100000RPM+电转速，适应高负载草坪切割 - 强劲动力：最大功率2000W，满足大面积草坪作业需求 - 双模控制：支持无感FOC（单/双/三电阻采样）+无感方波启动，兼顾效率与兼容性 - 高性价比：集成200V耐压6N预驱，精简外围电路 - 适配度高：超宽输入电压40-80V DC（适配多电池配置） - 高效运行：高速效率补偿算法，相电流平滑补偿算法，运行效率高且稳定 - 启动即成功：顺风启动，启动顺滑，100%启动成功 - 全面硬件保护：完备的主动限制、故障保护、重启功能 - 简化开发：电机兼容性高，参数调整极少方案参数 - 输入电压：40-80V DC - 最大电转速：100000RPM+ - PWM开关频率：20KHz - 最大功率：2000W - 控制方式：无感单/双/三电阻FOC - 闭环方式：速度环、功率环 - 保护功能：过欠压、过流、短路、缺相、堵转等核心器件功能 CMS32M6736EGH48FA 强大配置：Arm Cortex®-M0+ @72MHz（工作电压1.8V-5.5V）宽温运行：-40℃~105℃工业级温度范围丰富存储：128KB FLASH，4KB SRAM0，8KB SRAM1 高精度采样： ·27通道12-BIT ADC@1.2MSPS（实时电流闭环） ·4路可编程PGA（增益1-15×全差分）智能驱动： ·6通道EPWM+硬件死区控制 ·2组CCP模块，支持4路PWM输出+4通道同步捕获（无感位置检测）集成预驱：200V耐压6N预驱（5-20V驱动电压）计算加速：单周期32位硬件乘法器、除法器、开方/除法器丰富定时器：2x32/16-BIT，1x4通道16-BIT，1x12-BIT间隔定时器,1x24-BIT SYSTICK，1x17-BIT WDT 充足接口：32个通用GPIO 开发板原理框图顺风启动波形运行相电流波形中微半导CMS32M6736E割草机方案以“高集成FOC控制+200V预驱”为核心，实现对电机速度和转矩的精准控制。其2000W强劲动力及100000RPM高速响应，有望为割草机提供兼具高性能、高可靠、极简设计的全新驱动解决方案选择。

割草机

中微半导 . 2025-08-19 1 1600
技术 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。本技术文章概述了一种新型单级转换器（称为“cyclo 转换器”），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效，体积更小，同时还降低了成本。简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1 所示。图 1：微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC..230VAC)。功率级别过去通常在 300-400W 之间，但最近也出现了每个输入功率高达 600W 以及多输入系统的实施。微型逆变器传统上构建为单向转换器，因为电力是从光伏电池板流向交流电网。主要有两种实施：隔离式电流源逆变器 (CSI) 和隔离式电压源逆变器 (VSI)。VSI 略为复杂，但在功率级别相当的情况下效率更高。需要使用隔离栅将光伏电池板与高压交流连接隔离，以免在有人触碰电池板时发生电气危险。此外，隔离级也可以减少共模电压在光伏板的寄生电容中产生的漏电流。要将隔离式直流/直流级双向用于储能系统，需要进行的更改是用 CLLLC 或双有源电桥 (DAB) 等双向转换器取代推挽式或反激式级，如图 2 所示。交流/直流级保持不变，既可以是图腾柱 PFC/逆变器，也可以是单极或双极运行的全桥。图 2：便携式电源的双向功率级拓扑 CLLLC 是一种谐振转换器，控制 MCU 利用频率调制来控制输出功率。谐振控制器在接近谐振频率的窄范围内运行时效率很高。双有源电桥通常以固定频率运行，功率流由两侧输入电桥和输出电桥之间的相移控制。两种方案各有利弊。具体选择哪一个方案取决于系统要求，如输入和输出电压范围。两级转换器的功率效率通常限制在 96% 的范围内（从直流到交流），尤其是在整流级上使用二极管单向运行时。从纯电源开关数量的角度来看，两级转换器很容易出现多达 10-12 个高压开关元件。本文介绍了一种新型单级转换器参考设计 TIDA-010954，该设计使上述终端设备的实施更高效、体积更小，同时降低了成本。功率转换控制算法基于扩展相移，降低了对 MCU 速度和软件复杂性的要求。 Cyclo 转换器基础知识 cyclo 转换器或 cyclo 逆变器通过合成无中间直流链路的交流电源各段的输出波形，将一种恒定幅度和频率的交流波形转换为另一种较低频率的交流波形。对于微型逆变器或便携式电源的用例，输入波形为纯直流。输出为交流电网连接。图 3 直观显示了可能的实施方案。图 3：直流侧全桥和交流侧半桥的 cyclo 转换器在本例中，直流侧实施全桥，在变压器 T1 的初级侧生成输入信号 VP。交流侧实施半桥配置（带电容分压器），模拟次级侧各段 VS 的交流输出 VGRID。对于正输出信号，开关 S1B 和 S2B 永久导通。该转换器可视为以相移方式运行的双有源电桥。对 S1A 施加 PWM，对 S2A 施加互补，则两者的输出电压和电流类似。传输的功率大小由 VP 和 VS 之间的相移决定。对于负输出电压，S1A 和 S2A 永久导通。同样，开关 S1B 和 S2B 会形成一个用于负输出电压和电流的相移双有源电桥。在参考设计 TIDA-010954 中，TI 的 GaN 器件用于以快速开关频率运行转换器，以尽可能减小所有磁性元件的体积，同时不牺牲效率。为何使用 GaN？ • cyclo 转换器是一种软开关拓扑，这意味着开关损耗可以忽略不计。 • 与 SiC 或 SiFET 相比，GaN FET 的关断损耗要低得多。 • GaN 器件的输出电容 COSS 低于 SiFET。这有助于实现更宽的零电压开关范围。 • 导通损耗由器件的 RDSON 引起，这决定了转换器最终将有多少损耗。初级侧使用的器件是 100V GaN 半桥 LMG2100R026（RDSON 为 2.6mΩ）。对于次级侧，使用的是带集成栅极驱动器的 650V GaN 器件：LMG3650R035（RDSON 为 35mΩ）。设计注意事项和效果只要开关在软开关模式下运行，相移双有源电桥转换器就能有较高的效率。当次级侧电压发生变化时（例如交流侧的正弦波），很难实现这一点。TIDA-010954中实施了两种相移控制方法。对于大功率，在交流峰值附近实施“模式 II”。对于小功率（交流斜率和交流信号的过零点），则使用“模式 III”。模式 II 和模式 III 的相移控制差异如图 4 所示。图 4：相移模式和控制变量控制变量 D1 和 D2 用于控制功率流，并在微控制器 (TMS320F28P550) 中根据转换器的运行模式进行计算。需要指出的是，在模式 II 下，初级电压 VP 始终领先于次级电压 VS，以实现正向功率传输。对于反向功率传输，VP 始终滞后于 VS。这是为了使转换器在软开关模式下进行大功率传输。在模式 III 下，初级电压脉冲 VP 完全包含在次级电压脉冲 VS 内。这是为了降低变压器中的 RMS 电流和减少开关中的传导损耗。除了相移控制外，还实施了频率控制，以在转换器轻负载运行时保持变压器中较小的 RMS 电流。转换器的工作频率在 300kHz 到 600kHz 之间变化。具有可变频率调制的扩展相移控制在 TMS320F28P550 内核（时钟速度为 150MHz）上的 20kHz (50us) 中断服务例程中运行，所需 MCU 利用率低于 40%。这样便可添加额外的辅助整理例程并在单个 MCU 上运行控制。之所以能实现如此低的利用率，是因为微控制器具有“可配置逻辑块 (CLB)”等高级功能，可在硬件中运行时间关键型代码，而无需加载 MCU。此外，TMS320P550 还具有非常出色的外设，能够在极短的时间内同时更新 PWM，用于相移和频率调制。为了在传统 MCU 上实现此功能，通常需要额外的 FPGA 或 ASIC 实施来执行这类组合控制算法。使用 PLEXIM 仿真器对设计进行仿真，以在硬件构建之前预测控制的正常功能。图 5 显示在两种不同负载条件（300W 和600W）下 40VDC 输入和 230VAC 输出的模拟结果。图 5：300W 和 600W 负载条件的模拟结果在模拟时可以看到模式变化，即当转换器更改工作模式时，电流波形上会出现少量峰值（红色）。 TIDA-010954 采用标准 6 层 PCB 制造。所有 GaN 器件均采用底部冷却方式，将功率耗散到 PCB 中，无需额外的散热器。图 6 所示为转换器图片。该设计的功率密度约为 600W/L。这比目前具有相同额定功率的商用两级微型逆变器高约两倍。图 6：cyclo 转换器 TIDA-010954 的照片在实验室的各种负载条件下对转换器进行了测量。图 7 显示转换器交流输出的时间域测量值。图 7：300W 和 600W 负载条件的测量结果模拟和测量之间的完美吻合如图 5 所示。在 600W 的满载条件下测得的总谐波失真仅为 2.6%，远低于并网微型逆变器 3% 的要求。不同负载条件下的测试是一个重要的性能参数。转换器不仅需要在满载和 50% 负载条件下实现高效率，还需要在较轻负载条件下实现高效率。图 8 给出了测得的效率曲线。峰值效率约为 97%。图 8：测量效率与负载条件间的关系为了比较不同的微型逆变器设计，我们定义了加权效率。最常见的定义是 Euro 和 CEC 效率。上述曲线表示 ηEURO 约为 95.4%，ηCEC 约为 96.4%。与市场上基于传统两级拓扑的解决方案相比，这一效率非常高。成本优化系统成本是微型逆变器或便携式电源设计的一个重要考虑因素。本节深入探讨了从基于 SiFET 的两级转换器迁移到基于 GaN 的单级转换器如何对系统成本产生积极的影响。在 cyclo转换器中，可以减少电源开关的数量。对于推挽式和反激式转换器，直流侧使用的开关额定电压需为 170V；而对于 cyclo 转换器，单面板输入的额定电压可为 100V。这种新型循环转换器的工作频率范围在 300kHz 到 600kHz 之间。这意味着，与两级转换器相比，磁性元件设计（变压器和电感器）要小得多。“两级”转换器的工作频率通常低于 100kHz，以保持较小的 SiFET 开关损耗。此外，与全桥交流/直流转换器相比，cyclo 转换器接入电网所需的 EMI 滤波器要小得多。这就降低了总体成本。图 9 展示了成本比较。推挽式转换器的成本用作相对比较的 100% 基准。图 9：成本比较电源开关的成本略有增加，而磁性元件的成本则大幅下降。因此，整体解决方案的成本降低了 12%。结语本技术文章概述了一种新型单级转换器（cyclo 转换器），它使微型逆变器和便携式电源的实施更加高效、尺寸更小，同时还降低了成本。功率转换控制算法基于具有附加频率调制的扩展相移。这提高了中低输出功率级别的效率。通过使用新型实时 C2000™ MCU，控制算法无需外部 FPGA 或专用 ASIC 即可运行。

TI

德州仪器 . 2025-08-19 1055
展会｜《观展攻略》一键收藏！深圳国际电子展暨嵌入式展8月26-28日福田会展中心盛大启幕！

第22届深圳国际电子展暨嵌入式展将于2025年8月26-28日在深圳（福田）会展中心盛！大！开！幕！这份精心整理的【观展攻略】已为大家备好速速收藏转发~ 观众登记即将进入倒计时🔥一键预约展会入场证+会议门票深圳国际电子展暨嵌入式展时间： 2025年8月26日（周二）9:00-17:00 2025年8月27日（周三）9:00-17:00 2025年8月28日（周四）9:00-15:00 地点：深圳会展中心（福田）1号馆规模：400+全球优质企业、3W+专业观众不可错过的新产品、新技术发布高通推出跃龙新品牌赋能工业及嵌入式物联网产业 NVIDIA新品亮相： NVIDIA Jetson AGX Thor开发者套件/模组，为人形机器人设计的高性能平台达摩院玄铁推出高性能C系列、高能效E系列和高实时R系列等多款玄铁处理器产品部分展商展品一览观众进馆流程 400+优质展商、3W+专业观众电子与嵌入式技术 | 年度大展！作为电子与嵌入式技术年度大展，elexcon2025将汇聚全球超过400家优质技术提供商，发布有关GPU、AI存算与边缘计算、AI存储与新型存储、高性能MCU/MPU、数字电源等嵌入式技术；GaN、高速连接等高性能电子元件组件；chiplet、AI电源系统级封装、PLP与TGV等先进封测技术等。海量demo展示嵌入式技术、芯片和元器件在消费电子、AI硬件、机器人、机器视觉、电动汽车与智能驾驶、工业控制、物联网等领域的应用！会议详细日程专为大湾区工程师打造的硬核技术嘉年华，海量原厂和方案商，几千个demo现场上手，大厂开发板、开发工具领不停，多场次技术论坛和开发者活动，现场硬核拆解和游戏可参与，60+主流工程师社群深度参与，现场更多惊喜盲盒等你来拆！嘉年华专区展商 KAIFA GALA 多场开发者培训活动 8.26 p.m. 思特威&易灵思第二届机器视觉方案大会 8.27 a.m. 立创开源社区工程师专场活动嵌入式开发加速度：硬件验证的极速响应与迭代之道 8.27 p.m. 2025瑞萨MCU/MPU工业技术研讨会开发工程师领票通道一键预约展会入场👇🏻KAIFA GALA AI 特色专区 elexcon2025深圳国际电子展暨嵌入式展特设AI专区，沉浸式探展AI专题，聚焦AI热门产品及元器件，覆盖AI机器人、AI玩具、AI眼镜等，汇聚雷鸟等30+家AI+垂直赛道头部展商抢先发布，抓住AI浪潮洞察行业最前沿趋势！现场更多AI+产品惊喜等你来探！ AI玩具互动体验区小鹰视界、蓝讯智能、新迪泰电子、德馨童娱乐、深圳玩具协会、Oilovef、组创微、知慧云等 AI机器人生态专区越疆、兆威机电、鑫精诚、高创传动、迈特芯、睿研智能、帕西尼、西恩科技、模量科技、忆海原识、大寰机器人、逐际动力、华力创科学、三喜机器人、德国浩亭、正运动技术、AIRS+创新中心+联盟等 AI眼镜专区雷鸟、百亿美、微光科技、摩尔图像、鸿石光电、视享科技、豪鹏、深圳易天科技、影目科技、酷睿视、多屏未来、谷东科技、亮亮视野、仙瞬科技、光粒科技、积善科技等一键登记领取免费门票站在技术浪潮之巅，我们不仅是见证者，更是推动者！ 8月26-28日，我们现场见！ elexcon

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elexcon深圳国际电子展 . 2025-08-19 1 1 1610
怎么判断晶振的好坏，有什么简单的办法

今天来聊聊晶振的好坏判断方法，3个步骤轻松搞定。一、外观检查：先看脸，再看脚晶振体积虽小，但问题往往写在“脸上”。第一步，用肉眼观察：裂痕与破损：晶振表面如果有明显裂纹或缺口，大概率内部晶体已碎裂，直接报废。引脚氧化：引脚发黑或有绿色锈斑，说明接触不良，可能导致信号中断。用橡皮擦轻轻擦拭氧化层，再重新焊接试试。封装异常：有源晶振（通常4引脚）的金属壳若鼓起或变形，可能内部电路损坏。如果外观没问题，再进入下一步测试。二、万用表测试：3招快速排查万用表是电子维修的“万能钥匙”，以下操作无需拆解设备，直接在电路板上进行： 1.电阻法（检测短路）步骤：万用表调至R×10k档，表笔接触晶振两脚。结果：阻值无穷大：正常，无短路。阻值接近0Ω：内部短路，直接换新。注意：此方法只能排除短路，无法判断是否开路或频率异常。 2.电压法（判断是否起振）步骤：万用表调至直流电压档，红表笔接晶振引脚，黑表笔接地。结果：无源晶振：两脚电压应接近电源电压的一半（如5V供电时约2.5V），且两脚电压有差异。若两脚电压相同或接近0V，可能未起振。有源晶振：输出脚电压接近电源电压（如3.3V供电时为3V左右），否则可能损坏。 3.电容法（辅助参考）步骤：万用表切换至电容档，测量晶振两脚电容。结果：正常晶振容量在几十到几百皮法（pF），若容量明显减小，可能内部老化。三、替换法：终极验证如果前两步无法确定，直接换晶振是最可靠的方法：型号匹配：必须选择同频率、同封装的晶振，有源晶振还要注意工作电压（如3.3V或5V）。负载电容：无源晶振需搭配原电路的匹配电容（通常标注在电路板上），否则可能导致频率偏移。操作技巧：焊接时用恒温烙铁（300℃左右），避免过热损坏。有源晶振引脚有方向性，接反会导致停振。替换后通电测试，若设备恢复正常，说明原晶振已失效。小技巧：听声辨好坏进阶操作：用1.5V电池连接晶振两脚，贴近耳朵仔细听。若听到轻微的哒哒声，说明晶振正在振荡；无声则可能未起振或损坏。不过此方法仅适用于低频晶振（如32.768kHz钟表晶振），高频晶振声音微弱难以分辨。注意事项：区分有源与无源：有源晶振自带振荡电路，直接输出方波；无源晶振需外部电路驱动，输出正弦波。测试方法不同，别弄混！安全第一：测试时确保电路板断电，避免触电。试电笔测晶振的方法（需插入市电）存在风险，非专业人士慎用。专业工具辅助：有条件的话，用示波器观察波形最准确——正常晶振应输出稳定的正弦波或方波，且频率与标称值偏差极小。总结：外观检查：快速排除物理损坏。万用表三招：电阻、电压、电容分步测试。替换法：终极验证，省时省力。小技巧：电池听声法，适合新手应急判断。

晶发电子 . 2025-08-19 440
客户案例开发：纳祥科技电动抽水器方案，集合专用IC、单片机、电动马达

传统桶装水取水依赖人工倾倒，存在操作费力、水量难控、安全隐患等问题，且对老人及力量不足者不友好；普通抽水器缺乏智能控制，费时又费力。纳祥科技针对以上问题与客户的个性化定制需求，推出一款基于单片机控制的桶装水电动抽水器方案，可适用于多种主流桶装水，简约实用，提升了便捷性与精准度。㈠方案概述本方案以单片机为核心控制器，单片机接收按键信号后，同步点亮蓝色LED，驱动电机运转；二次按键触发停机指令，电机断电并锁定状态。方案集合了专用IC、单片机、电动马达、锂电池、充电接口、led指示灯等关键组件，LED指示灯提供状态反馈，锂电池供电支持长时间无线作业，节能环保，可靠性强。㈡功能模块 ①主控MCU：逻辑运算、信号处理、中断响应 ②电动马达：提供稳定水压 ③LED指示灯：蓝色=运行中，红色=充电中 ④锂电池组：支持长时间连续工作 ⑤充电接口：USB便捷充电，电压为直流5V，电流1A ⑥机械结构：PP材质，双卡位设计，套上即用㈢方案演示我们将以18.9L桶装水为你展示本方案—— ①将方案固定在桶口 ②短按按键，蓝色LED灯亮起，电机启动抽水 ③再次短按，电机立即停转，LED灯熄灭㈣方案总结本方案以极简交互实现核心功能，兼顾可靠性与性价比，具备过流保护与过充保护，在保证稳定性的同时降低成本，为桶装水取用提供智能化解决方案，具有广泛的应用前景，如家庭饮水机配套、办公室茶吧快速换水、露营车载供水等。我们现将提供完整的方案技术支持与迭代，欢迎您与我们深入交流与探讨。

方案开发

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2025-08-19 1 1 750
企业 | 硬核技术集结，贸泽电子将绿色亮相elexcon2025深圳国际电子展

2025年8月19日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于8月26-28日亮相elexcon2025深圳国际电子展（展位号：1号馆 1Q30号展位）。elexcon2025以 “AII for AI, AIl for GREEN”为主题，深度聚焦AI与绿色双碳上的全栈技术与供应链支持。届时，贸泽电子将携手Amphenol, DFRobot, ESPRESSIF, NXP, Microchip, Renesas, Seeed Studio, Silicon Labs, Vicor等知名厂商，聚焦嵌入式AI、电源、能源系统、电动工具、绿色出行、AI算力、工业自动化、电动汽车等前沿技术与绿色应用。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“AI技术的革命性突破正在重塑全球能源产业格局，为绿色低碳转型提供了前所未有的技术驱动力。作为电子产业年度盛会，elexcon2025汇聚了AI算力芯片、嵌入式智能、边缘计算及具身机器人等前沿技术生态，构建了覆盖AI与绿色能源全产业链的创新交流平台。贸泽电子将依托'AI+'技术矩阵，深入展示人工智能在能源生产、传输、存储等全价值链的创新应用，与业界同仁共同探索数字化赋能碳中和目标的实践路径，推动可持续能源生态系统的构建。” 今年展会现场，贸泽将联袂多家合作伙伴带来一系列极具探索性的创意项目：包括：DFRobot的LattePanda Sigma单板计算机与Qwen3大语言模型融合互动；基于NXP MCX A34x的双电机控制方案和最大功率点追踪方案；Seeed Studio的基于Nivida Jetson平台的最新的边缘AI解决方案，涉及边缘AI、机器人、无人机、具身智能等前沿技术热点。观众更可直接与原厂资深工程师面对面交流，探讨技术细节、设计思路与实际应用案例。贸泽展位上，还将展示知名原厂的多款最新开发板，涵盖 AI、物联网、机器人控制等不同领域，助力开发者创意落地。除了现场用户能免费赢取新一代开发板外，线上用户也可以参与评测活动申请心仪板卡，此外，现场还设置了机器狗高能PK赛和幸运抽奖游戏，欢迎广大用户前来挑战，体验潮流科技互动魅力。欢迎现场用户前来参与嘉年华活动，即有机会免费赢取以下开发板奖品： DFRobot行空板K10 AI编程开发板 Espressif Systems ESP32-S3-BOX-3新一代开源AIoT套件 Infineon Technologies CY8CPROTO-041TP PSOC™ 4100T Plus原型设计套件 Microchip Technology PIC32CM JH01 Curiosity Nano+触摸评估套件 Nordic Semiconductor nRF54L15开发套件 NXP Semiconductors FRDM-MCXA156 开发板 Raspberry Pi Compute Module 5 (CM5) Renesas Electronics RTK7EKA4L1S01001BE RA4L1评估套件 Seeed Studio Grove智能红外手势传感器 Silicon Labs BG22蓝牙无线SoC Explorer套件 STMicroelectronics NUCLEO-WB05KZ Nucleo-64板 Texas Instruments LP-MSPM0G3507 LaunchPad™开发套件

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贸泽电子 . 2025-08-19 455
企业 | 和芯星通携手思博伦通信，测试验证系列导航定位芯片/模块符合GB/T 45086.1标准

近日，和芯星通与全球知名的通信测试解决方案提供商思博伦通信（Spirent Communications）开展了一项测试验证活动，借助思博伦通信 GSS7000 GNSS 模拟器的专业测试方案，验证和芯星通面向车载前装市场的全系产品（包括UC6580A导航定位芯片和UM62X、UM67X、UM68X、以及UM980A导航定位模组等）已符合中国 GB/T 45086.1-2024《车载定位系统技术要求及试验方法第1部分:卫星定位》标准测试（以下简称“标准”），为和芯星通在车载 GNSS 定位系统的合规应用奠定了坚实基础。随着智能网联汽车与自动驾驶技术的飞速发展，GNSS（全球导航卫星系统）作为核心定位技术，在车辆导航、自动驾驶决策、紧急救援等场景中发挥着不可替代的作用。中国汽车标准化技术委员会制定并发布了 GB/T 45086.1-2024 标准，该标准已经纳入GB 45672-2025《车载事故紧急呼叫系统》和GB/T 32960.2-2025《电动汽车远程服务与管理系统技术规范第2部分：车载终端》等强制性规范，成为车载 GNSS 产品进入中国市场的关键门槛。和芯星通与思博伦通信作为核心单位参与了该标准的起草及验证的全过程。 GB/T 45086.1-2024 标准对车载定位系统提出了全面的测试要求，包括跟踪灵敏度、捕获灵敏度、首次定位时间、定位精度和速度精度等，测试需在北斗多模和北斗单模下进行。此外，标准还定义了特殊事件测试，明确了周翻转、闰秒处理、伪距突变等特殊场景的测试方案，标准中强调了北斗多模、北斗优先、北斗单模在车载的应用，这对芯片的能力提出了更高要求。和芯星通在车载领域已经拥有10余年稳定出货历史，车载导航定位芯片与模组已广泛应用于车载前装的座舱导航，智能驾驶和T-BOX等市场，具有领先的市占率。凭借其在车载座舱及辅助驾驶市场的高性能、高可靠、高稳定获得全球领先的Tier1供应商和OEM厂的高度认可并建立了深度合作关系，未来将继续携手产业链上下游合作伙伴，服务汽车行业客户前瞻发展。思博伦卫星定位模拟器可精准复现复杂的真实卫星定位信号，不仅可包括完整的卫星星座信息，符合最新ICD规范的卫星电文，还可精准仿真载体在高动态下的伪距变化及多普勒效应，是标准化测试更佳选择。方案已广泛使用于认证实验室、整车厂商、Tier1 厂商及芯片、模块供应商。此次测试验证的成功，标志着和芯星通车载导航定位芯片和模组具备符合中国车载 GNSS 新标的技术能力，也彰显了两家标杆企业为推动国内汽车定位生态系统的标准化、合规性以及稳健性积极助力。

和芯星通

和芯星通 . 2025-08-18 2505
企业 | 华虹收购华力微

8月17日晚间，华虹公司发布公告，为解决IPO承诺的同业竞争事项，公司正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买上海华力微电子有限公司（简称“华力微”）控股权，同时配套募集资金。据悉，本次收购标的资产为华力微所运营的与华虹公司65/55nm和40nm存在同业竞争的资产（华虹五厂）所对应的股权。目前，该标的资产正处于分立阶段。于2023年华虹公司科创板上市之初，华虹集团发布了《关于避免同业竞争的补充承诺函》：“自发行人首次公开发行人民币普通股股票并于科创板上市之日起三年内，按照国家战略部署安排，在履行政府主管部门审批程序后，华虹集团将华力微注入发行人”。华虹公司登陆科创板两年之际，此次交易的推进，不仅充分彰显了大股东履行承诺的担当，更是上市公司看好未来市场发展的体现，代表了其对特色工艺晶圆代工行业的坚定信心。（点击看：2年内：秦健或推华力微注入华虹）公告表示，本次交易预计不构成重大资产重组；不会导致公司实际控制人发生变更，不构成重组上市。为了避免对公司股价造成重大影响，此次预计停牌时间不超过10个交易日。今年上半年，华虹公司精益管理成效凸显，12英寸产线产能不断爬坡，出货量持续增长，二季度产能利用率创下近几个季度新高。有业内人士分析表示，若此次交易顺利推进，将对华虹公司12英寸产能不断扩充、差异化特色工艺深入推进产生积极影响，助益上市公司业绩的稳步增长。

英诺赛科

芯榜 . 2025-08-18 1605
产品 | 英诺赛科第三代700V GaN全面上市，能效提升30%，热管理升级！

英诺赛科(Innoscience)，全球氮化镓(GaN)功率半导体领导者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市！该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。核心性能跃升 (相较Gen2.5) 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计开关性能提升20-30%，电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率热性能优化：在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性丰富封装，满足多元需求全新Gen3 700V系列提供丰富的标准封装选项，满足多元化应用场景需求： DFN5x6 (极致紧凑) DFN8x8 (平衡性能与尺寸) TO252 (通用性强，散热佳) SOT223 (经典封装) 其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻(Ron)低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。应用拓展与升级得益于更低的导通电阻(Ron)和开关损耗，Gen3 700V系列为以下应用领域带来更高效率、更小尺寸的解决方案： PD快充/适配器 (尤其高功率) LED照明驱动电源智能家电电源数据中心服务器电源工业开关电源(SMPS) 为设计创造核心价值英诺赛科第三代700V GaN技术通过实质性的核心参数优化，为电源设计工程师带来多重价值：提升系统能效：显著降低开关损耗与导通损耗优化热管理：降低器件工作温度，提升系统可靠性节省空间与成本：缩小芯片及系统整体尺寸，减少外围元件需求简化设计升级：提供与现有方案兼容的标准封装和平滑升级路径英诺赛科Gen3 700V氮化镓功率器件系列，以其可量化的性能优势——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及优化的热管理，为电源设计工程师提供了创新的高性能解决方案，是实现更高功率密度、更高系统效率设计目标的理想选择。

英诺赛科

英诺赛科 INNOSCIENCE . 2025-08-18 1725
市场周讯 | 美光中国区裁员；台积电推出6吋晶圆生产；特朗普政府考虑入股英特尔

| 政策速览 1. 美国：美国白宫证实，两家美国芯片制造商NVIDIA和AMD已经同意一项特殊协议，将其在华销售芯片收入的15%上缴给美国政府，以换取相关产品的出口许可证。白宫表示，该协议未来可能扩大至更多公司。美国商务部仍在研究相关法律依据以及具体操作方式，细节将由商务部进一步说明。 2. 美国：美国总统特朗普在8月11日与美国芯片制造商英特尔新任首席执行官（CEO）陈立武会面，双方均发声证实此次会面。值得注意的是，就在几天前，特朗普曾发帖点名要求陈立武立即辞职。当地时间11日，特朗普在其社交平台上发帖称他已与陈立武会面，“我与英特尔公司的陈立武先生会面，一同出席的还有（美国）商务部长霍华德·卢特尼克和财政部长斯科特·贝森特。这次会面非常有趣。他的成功和崛起令人惊叹。陈先生将与我的内阁成员们深入交流，并计划于下周向我提交具体建议方案”。CNBC称，英特尔发言人也证实了这一会面。该公司同日在一份声明中说，“今日早些时候，陈先生有幸与特朗普总统会面，就英特尔致力于加强美国技术和制造业领导地位进行了坦诚和建设性的讨论”。 3. 杭州：杭州市司法局发布公告，市发改委起草了《杭州市促进具身智能机器人产业发展条例（草案）》，现公开征求意见。《草案》提出，将具身智能机器人产业纳入全市政策支持框架，通过制度设计增强政策合力，进一步规范产业高质量发展路径。其中指出，面对当前研发训练需求和未来具身智能机器人的广泛应用需求，要求加强网络和算力基础设施规划布局，建立多元多元智算供给服务体系，提升算力资源利用效率，降低算力使用成本。明确核心技术主攻方向，聚焦具身智能“大脑”（具身智能大模型）、“小脑”（运动控制系统）及“本体”（机器人核心部件和整机）三大核心以及专用芯片等“卡脖子”环节。打造技术攻关平台，支持重大科技基础设施、重点实验室等具身智能机器人相关研发平台建设和运营，鼓励科研设施与仪器面向企业开放。 4. 美国：特朗普政府正在与英特尔谈判，希望入股这家陷入困境的公司，并借此改善该公司财务状况。特朗普政府的入股将有助于改善英特尔的资金状况，为英特尔目前在俄亥俄州建设的工厂提供资金。不过也有专家指出，尽管注资可能短期有助资金面，但对于英特尔长期技术落后的问题，恐难发挥实质影响。 | 市场动态 5. IDC：2025年上半年中国蓝牙耳机市场出货量约5,998万台，同比增长7.5%。真无线耳机市场出货量3,831万台，同比增长8.0%；入门级市场仍然为主要拉动力量，高端旗舰市场有所复苏。 6. Counterpoint：2025年上半年全球智能眼镜出货量同比激增110%，其中Meta占据了70%以上的市场份额。人工智能眼镜细分市场的年增长同比超过250%，大幅超越整体市场。 7. IC Research：2025年上半年，中国半导体产业（含台湾）总投资额为4,550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。值得注意的是，半导体设备投资逆势增长53.4%，成为唯一实现正增长的领域，凸显了中国在供应链自主可控方面的战略决心。 8. 国家数据局：“十四五”以来集成电路加快布局形成覆盖设计、制造、封装测试、装备材料的完整产业链】财联社8月14日电，国家数据局局长刘烈宏8月14日在国新办举行的“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会上介绍，经过多年持续攻坚，我国在数字领域突破了一批关键核心技术，展示出我国显著的发展成绩。集成电路加快布局，形成覆盖设计、制造、封装测试、装备材料的完整产业链；国产操作系统加速崛起，鸿蒙系统生态设备总量突破11.9亿台，为手机、汽车、家电等1200多类产品装上“智能中枢”；我国人工智能综合实力实现整体性、系统性跃升，人工智能专利数量占全球总量的60%。 9. Counterpoint：联发科旗舰天玑9000系列芯片在2024年全球出货量约为1800万颗，同比增长60%；而2023年出货量约为1100万颗。该机构预测联发科旗舰天玑9000芯片在2025年全球出货量有望进一步攀升到2400万颗，出货额达到20亿美元。 10. CFM：近期市场传出部分原厂推迟停产DDR4计划消息，、部分高价DDR4颗粒向下调整，并未出现恐慌性抛售的现象。LPDDR4X短期交付压力犹存，存储厂商继续推动LPDDR4X产品价格上涨，涨幅相对来说较为缓和。嵌入式方面，部分原厂供应主流客户一定数量低容量eMMC产品，同时还面向下游存储厂商释放部分MLC NAND资源，价格均出现较大涨幅，多数存储厂商跟随资源价格而上调相应的低容量eMMC产品价格。未来若低容量MLC NAND价格进一步上涨，8/16/32GB eMMC与64GB eMMC或将出现全面倒挂。 11. 韩国：韩国7月信息通信技术（ICT）出口额为221.9亿美元，同比增长14.5%，创历年同月最高纪录；韩国7月ICT进口额同比增长9.8%，为133.2亿美元；7月ICT贸易收支实现88.7亿美元顺差。按出口品目看，半导体出口额同比增长31.2%，连续四个月创新高；通信设备增加4.6%；显示器下降8.9%；手机下降21.7%；计算机及周边设备下降17.1%。 12. CINNO：2025年上半年，中国半导体产业（含中国台湾）总投资额为4550亿元，同比下滑9.8%，这一变化反映了全球半导体行业正处于周期性调整阶段。且相比去年同比下降41.6%，已有明显收敛向好之势。 13. TrendForce：相较PC和Server市场，近期消费级DRAM的供应更加紧张，其终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等，主要存储器的采用规格为DDR4，但供给排序在PC与Server应用之后，使得该市场供需失衡相对更加严峻。七月消费级DDR4合约价飙涨逾60~85%，因此大幅上修第三季消费级DDR4合约价到季增85%-90%。 14. TrendForce：全球 OLED 显示器的出货规模将达 266 万台，同比增幅高达 86%。放到整体显示器出货中来看，今年 OLED 技术的渗透率约为 2%；到三年后的 2028 年，由于成长动能的延续 OLED 渗透率有望达到 5%。 15. WSTS：2025年第二季度全球半导体市场规模为1800亿美元，较2025年第一季度增长7.8%，较2024年第二季度增长19.6%。2025年第二季度是连续第六个季度同比增长超过18%。 | 上游厂商动态 16. 台积电：台积电决定在未来两年内逐步退出六吋晶圆制造业务，并持续整并八吋晶圆产能以提升营运效益。 17. ASMPT：宣布对中国制造运营战略优化，决定关闭深圳宝安区的先进半导体设备（深圳）有限公司。尽管 AEC 2024 年仍实现 4.85 亿元内部营收、2060 万元净收益，净资产达 4.44 亿元，但 ASMPT 以长远视角推动产能优化：短期承担 3.6 亿元一次性重组成本（涵盖 950 名员工遣散费、停产费用及存货撇销），却为集团锁定了每年 1.15 亿元的运营成本节省。 18. 美光：美光（Micron）中国区于8月11日启动裁员，主要涉及国内嵌入式团队研发、测试以及FAE/AE等支持部门，上海、深圳等多地员工受影响。美光回应指出，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5的开发。 19. 杭州：全国首台国产商业电子束光刻机“羲之”近日已进入应用测试，其精度比肩国际主流设备，标志着量子芯片研发从此有了“中国刻刀”。在测试现场，浙大余杭量子研究院相关团队紧张忙碌着，一台模样酷似大型钢柜的机器正在做应用测试，电子显示屏上不断闪烁着实时参数。“这不是普通的机器，而是一支能在头发丝上雕刻出整座城市地图的‘纳米神笔’。”依托省重点实验室，这台研究院自主研发的新一代100kV电子束光刻机“羲之”已正式投入市场。 20. 上海合晶：上海合晶郑州12英寸大硅片二期目前建造的重点是洁净室的建造，计划9月底完成交付。该项目预计在明年三季度建成。项目投产后，计划每月生产出10万片12英寸的硅片。 21. 屹唐股份：公司因认为应用材料公司非法获取并使用了公司的等离子体源及晶圆表面处理相关的核心技术秘密，在中国境内以申请专利的方式披露了该技术秘密，且将该专利申请权据为己有，违反了《中华人民共和国反不正当竞争法》的规定，构成侵犯商业秘密的违法行为，向北京知识产权法院提起诉讼，诉讼金额为人民币9999万元。公司表示，本次诉讼不会对公司经营方面产生重大不利影响，也不会影响公司正常生产经营。最终实际影响将取决于法院生效判决结果。 22. 三星：为与英特尔、台积电争夺超大规模芯片系统集成订单，三星电子正研发基于415mm×510mm尺寸长方形面板的SoP（System on Panel，面板上系统）封装，这是一项无需PCB基板和硅中介层、采用RDL重布线层实现通信的先进封装技术。 23. 山石网科：公司ASIC安全专用芯片已经交付厂家进行量产流片，尚未回片。公司通过ASIC安全专用芯片的技术创新，预计将为公司的安全硬件产品在性能和性价比上提供显著的竞争优势，并有望在信创及国产化领域实现市场份额的提升。 24. Normal Computing：美国初创公司 Normal Computing 宣布成功流片 CN101，这是全球首款热力学计算芯片。热力学计算（Thermodynamic Computing）是一种利用物理系统热噪声和随机性进行计算的新型计算范式，通过系统达到热平衡状态来获得计算结果，适用于非确定性算法；流片是指芯片设计完成后，将电路图交付制造的里程碑节点，标志着设计阶段结束，进入试产流程。 25. 三星：三星电子在美国得克萨斯州泰勒市建设的“特斯拉专供”2nm 先进制程晶圆代工生产线将于 2026 年下半年正式投运，初期产量预计落在每月 1~1.5 万片 12 英寸晶圆水平。 26. DEEPX：韩国边缘 AI 芯片企业 DEEPX 当地时间宣布与三星晶圆代工以及韩国芯片设计服务企业 GAONCHIPS 签署正式协议，三方将共同打造全球首款 2nm 端侧生成式 AI 芯片 DX-M2。DEEPX 表示，相较于上代产品 DX-M1 使用的三星 5nm 工艺，三星 2nm 工艺实现了能效翻倍。 27. 三星：三星电子将投资250亿日元（约合1.7亿美元）在日本横滨建立先进芯片封装研发中心。三星计划于2027年3月开设该研究实验室，旨在加强与日本半导体材料和设备制造商以及东京大学的合作。 | 应用端动态 28. 埃安：广汽集团发布公告，旗下控股子公司广汽埃安新能源汽车股份有限公司将向华望汽车技术(广州)有限公司增资6亿元。完成此次增资后，广汽集团直接持有华望汽车71.43%股权，通过广汽埃安间接持有28.57%股权。 29. 联想：截至 2025 年 6 月 30 日止的第一财季，联想集团收入上升 22% 至 188 亿美元，创有史以来最高第一季度收入。按香港财务报告准则计算，权益持有人应占溢利同比增长 108% 至 5.053 亿美元。按非香港财务报告准则计算，权益持有人应占溢利同比增长 22% 至 3.89 亿美元。 30. 小鹏：小鹏汽车发布公告称，继公司与大众汽车集团于2024年7月22日签订电子电气架构技术战略合作联合开发协议后，双方又签订了扩大该战略合作的协议。小鹏汽车发布公告称，继公司与大众汽车集团于2024年7月22日签订电子电气架构技术战略合作联合开发协议后，双方又签订了扩大该战略合作的协议。

半导体

芯查查资讯 . 2025-08-18 1425
有奖直播 | 在线评测AI眼镜！元器件应用方案有哪可玩性？

当清晨，你戴上眼镜，眼前的咖啡机自动显示今日推荐的饮品配方；地铁上，外语路牌实时翻译叠加在真实视野中；会议室里，同事的发言实时转化成文字并标注重点...这不再是科幻电影的场景，随着AI及大模型的爆发式发展，AI眼镜正以惊人的速度从概念走向量产。据IDC最新数据，2025年Q1中国智能眼镜市场出货量同比暴涨116.1%，其中AI功能产品占比已突破60%。更值得关注的是，这个被称为"百镜大战"的市场混战中，真正的胜负手藏在那些微小却关键的元器件里：一片Micro LED显示模组如何让图像亮度提升3倍？一颗3nm工艺的SoC芯片怎样实现端侧大模型运算？这些问题的答案，正决定着AI眼镜未来市场格局。 8月22日14:30 ，芯查查直播间邀请中电港产品总监朱屹与特邀嘉宾麦满权👏聊聊AI眼镜的元器件方案有哪些可玩性！本场直播芯查查将租赁两台主流AI眼镜，快来直播间和我们一起云测评呀~ 直播嘉宾麦满权，30余年半导体和电子行业全球经验，璞励咨询（深圳）有限公司管理合伙人，上海杉达大学教授。朱屹，中电港产品总监，电子元器件行业资深从业人员，25年+元器件供应链经验。直播内容 AI眼镜市场进入”百镜大战“了吗？ AI眼镜元器件方案及其供应链剖析 AI眼镜带来了产业新机遇吗？点击此处即可进入直播间。进入芯查查直播间的用户，有机会赢取芯查查电脑包等精美周边文创等丰厚礼品，快来参与吧！ 8月22日14:30 相约芯查查直播间数说芯事专场还有多款互动礼物

AI眼镜

芯查查 . 2025-08-18 1 1630
RISC-V | 群雄逐鹿工业芯片市场

重点内容速览： 1. SiFive：RISC-V IP的先行者与创新者 2. 晶心科技：高效能/低功耗RISC-V IP的供应商 3. 芯来科技：国产RISC-V处理器IP供应商 4. 瑞萨电子：工业级MCU/MPU的积极布局者 5. 兆易创新：最早的RISCV MCU玩家 6. 海思：发力工业市场，均支持AI场景扩展 7. 先楫半导体：聚焦高性能和实时性 8. 沁恒微：从接口IP与芯片切入工业控制市场 9. 匠芯创科技：泛工业应用芯片的创新者 10. 中科昊芯：专注于RISC-V DSP产品开发据SHD Group统计，基于RISC-V的SoC芯片的渗透率将会从2024年的5.9%增长到2031年的25.7%，且到2031年RISC-V SoC芯片的出货量将超过200亿颗，主要应用在消费、计算机、汽车、数据中心、工业和网络通信等领域，其中工业领域的渗透率将达到27%，是RISC-V处理器主要的增长引擎之一。这意味着RISC-V正从一个技术新秀，迅速成为工业领域不可或缺的核心力量。图：2031年RISC-V芯片在不同应用市场的渗透率（来源：SHD Group）再加上RISC-V的开放性，吸引了全球众多半导体厂商的积极参与。在工业芯片领域，国际半导体厂商与中国本土半导体企业正展开一场精彩的竞逐，共同推动RISC-V技术的创新与落地。 SiFive：RISC-V IP的先行者与创新者作为RISC-V领域的先驱和RISC-V国际协会的创始首席会员，SiFive目前主要专注于提供高性能、低功耗的RISC-V处理器核心IP解决方案。其IP产品组合广泛，旨在满足从边缘计算到数据中心等不同计算需求，之前的文章中有提到SiFive可以提供高性能计算和车规级IP，其实，在工业领域，其IP核的灵活性和可配置性备受青睐。根据其官网的信息，SiFive的核心IP产品线主要有四大系列： SiFive Essential系列：该系列处理器IP可高度定制，以符合与应用相关的的特定要求。主要应用于MCU、物联网设备、实时控制，以及控制平面计算处理。主要产品包括2系列、6系列和7系列。 SiFive Performance系列：该系列处理器IP提供更高的计算密度和性能，同时拥有高效能的区域占用面积，能更好地应对现代工作负载。主要应用于移动计算、消费电子产品、数据中心和边缘基础设施。主要产品包括P400系列、P600系列和P800系列产品。 SiFive Intelligence系列：该系列处理器IP具有可扩展矢量计算功能的高性能AI数据流处理器，可应用于AI工作负载、数据流管理、目标检测、语音和推荐处理等应用。主要产品包括X200系列、X300系列和XM系列。 SiFive Automotive系列：该系列处理器IP涵盖了广泛的优化RISC-V功能安全处理器（ISO26262 ASIL-B、ASIL-D和拆分-锁定核），主要应用于ADAS、自动驾驶、车载信息娱乐系统、车身、动力总成以及中央计算等应用。主要产品包括E6-A系列、E7-A系列和S7-A系列。 SiFive的IP以其高度的灵活性和可配置性著称，允许客户根据特定的工业应用需求进行深度定制，从而在功耗、面积和性能之间取得最佳平衡，加速RISC-V在工业领域的SoC设计创新。晶心科技：高效能/低功耗RISC-V IP的供应商晶心科技（Andes Technology）成立于2005年，是另一家在RISC-V处理器IP领域具有重要影响力的厂商，尤其在高效能、低功耗的32/64位嵌入式处理器IP方面表现突出。作为RISC-V国际协会的创始首席会员，晶心科技的产品广泛应用于AI/ML、通信、FPGA到影像处理、物联网、微控制器、传感器，以及各种存储设备等多个领域。根据其官网的信息，晶心科技的RISC-V处理器全球市场占有率超过了30%。截至2024年底，嵌入AndesCore的全球客户SoC累计出货量已突破160亿颗。晶心科技的主要客户包括联发科技、联咏科技、群联电子、瑞萨电子、Rain AI、泰凌微、先楫半导体、元视芯、希姆计算、Rivos、普林芯驰等。其核心IP产品线包括23系列、25系列、27系列、45系列、60系列、Vector系列和FuSA系列。图：晶心科技RISC-V处理器IP系列概述（来源：晶心科技）比如今年1月份推出的AX66是高效能乱序AX60系列的第二款成员，该系列IP具有13级流水线、4宽译码，以及8宽乱序执行，且引入了许多新的功能，包括向量和向量加密支持、虚拟机和AIA、Multi-Cluster支持接口（CHI）以及RVA23规范支持。AX66在性能扩展性、多媒体、安全性及虚拟化方面的多样化能力，使其成为高效能Linux和Android应用中理想的主处理器，适用于边缘/数据中心AI、信息娱乐、高档家电、网络及影像/摄影应用等。芯来科技：国产RISC-V处理器IP供应商芯来科技成立于2018年，是中国大陆首家专业RISC-V处理器IP和芯片解决方案公司。其自研的RISC-V处理器IP已授权多家知名芯片公司进行量产，产品广泛应用于物联网、AI、工控等领域。目前，芯来科技已经打造了N/U、NX/UX四大通用CPU IP产品线和NS、NA、NI三大垂直CPU IP产品线，覆盖从低功耗到入门级高性能的全场景。图：芯来科技产品线布局（来源：芯来科技）比如其N100系列内核就是一款超低功耗嵌入式RISC-V处理器CPU IP，旨在为客户提供更高效率、低功耗、小面积的RISC-V解决方案，适用于对功耗和成本敏感的工业物联网设备。 N900系列包括N900（32位）、U900（32位+MMU）、NX900（64位）和UX900（64位+MMU）四个产品系列，其中U900、UX900带MMU可以运行重型操作系统，如Linux等。它适合应用于AIoT边缘计算、数据中心、网络设备和基带通信等领域。例如，格见发布的GS32F075系列高性能实时工业控制DSP就内置了基于芯来科技N900 RISC-V处理器内核，可与TI TMS320F28075系列硬件Pin2Pin兼容，适用于数字能源、工业自动化、机器人和电机控制等主流应用需求。除了CPU IP之外，芯来科技还推出子系统模式，将分离IP授权模式，提升到SoC子系统定制与授权模式。子系统模式面向客户推出的不再是单独的CPU IP，也不是一个个独立的SoC IP，而是一个完整的SoC子系统。子系统模式基本上囊括了SoC前端80%的共性工作，让SoC设计公司只需要做20%的自有部分，譬如第三方或自有IP集成，IO、PLL、工艺集成（SRAM、IO、PLL、PMU、模拟）等。除了上面提到的IP厂商，市面上也有非常多的RISC-V厂商在针对工业应用场景推出相关的芯片。比如瑞萨、兆易创新、海思、先楫半导体、沁恒微、全志科技、匠芯创科技等。瑞萨电子：工业级MCU/MPU的积极布局者瑞萨电子（Renesas）作为全球领先的半导体解决方案供应商，积极拥抱RISC-V，并率先推出了基于RISC-V的32位微控制器（MCU）和微处理器（MPU）产品。瑞萨的RISC-V芯片旨在面向广泛市场，包括物联网、消费电子、医疗设备、小家电和工业系统等，尤其在工业领域展现出强大的竞争力。瑞萨电子在2024年推出的通用32位RISC-V MCU产品R9A02G021系列，这是瑞萨首款采用其自研RISC-V 32位CPU内核的通用MCU系列。该系列MCU以其高能效、高性能的特点，特别适合成本敏感和低功耗的工业应用。它集成了128KB代码闪存、4KB数据闪存、支持ECC的16KB SRAM，以及多种外设，可广泛应用于工业控制、电机控制、语音驱动人机界面等场景。此外，其RZ/Five系列MPU采用了RISC-V CPU内核（AX45MP单核），主频高达1.0GHz，并支持16位DDR3L/DDR4接口。该系列MPU还集成了Gb以太网、CAN和USB 2.0等多种工业常用接口，主要面向工业互联网终端或网关市场，为工业自动化和工业物联网应用提供高性能计算和丰富的连接选项。瑞萨电子在RISC-V领域的策略是提供通用型MCU和MPU，而非仅针对特定应用，这使得其产品在工业领域具有更广泛的适用性。同时，瑞萨也与Andes Technology等RISC-V IP供应商合作，共同开发和推广RISC-V解决方案，进一步巩固其在工业市场的地位。兆易创新：最早的RISC-V MCU玩家兆易创新很早就开始了RISC-V MCU产品的布局，2019年就推出了其第一款基于RISC-V内核的32位通用MCU——GD32VF103系列，主频为108MHz。图：兆易创新推出的 RISC-V MCU产品GD32VF103系列（来源：芯查查）据其官网资料，GD32VF103系列采用了RISC-V的Bumblebee处理器内核，该内核由兆易创新与芯来科技联合开发，专为物联网和超低功耗场景设计。GD32VF103系列具备108MHz运算主频、16KB至128KB片上闪存和6KB至32KB SRAM缓存，支持gFlash专利技术，确保高速数据访问。具体应用方面，GD32VF031系列MCU在多个领域得到了实际应用。例如，在工业控制方面，GD32VF103凭借其高性能和低功耗特性，被广泛应用于传感器网络和智能硬件等市场。此外，GD32VF103还被应用于智能家居设备中，为家电行业的全面智能化升级提供了核心动能。海思：发力工业市场，均支持AI场景扩展华为海思近期发布了两款RISC-V MCU芯片，分别是Hi3066M与Hi3065P。其中，Hi3066M是针对家电端侧智能化需求设计的嵌入式AI MCU，使用海思自有RISC-V内核，内置eAI引擎，支持200MHz主频、64KB SRAM和512KB内置Flash，可应用于空调、冰箱，以及洗衣机等端侧AI应用场景；另一款Hi3065P是针对家电、工业等领域设计的高性能、大存储实时控制MCU，也是使用海思自有RISC-V内核，主频为200MHz，具有64KB SRAM和最大512KB内置Flash，能支持复杂算法实时处理和算法升级，可应用于空调、变频器、光伏逆变、便携储能等数字电机控制、开关电源控制类应用。图：海思基于RISC-V内核的MCU产品（来源：海思）其实除了最新的Hi3065P，海思此前还推出过Hi3065H和Hi3061M两款RISC-V MCU，这两款产品主要针对工业市场，且均支持AI场景扩展，不过Hi3065H的主频为200MHz，Hi3061M的主频为150MHz。先楫半导体：聚焦高性能和实时性先楫半导体是一家MCU初创公司，其产品基本都是基于RISC-V内核。该公司看到了MCU跨界发展趋势后，成立之初就从高性能MCU切入，推出了第一款高性能的MCU产品HPM6700，随后根据客户的需求，依托自身的技术实力和创新能力，依次推出了高性价比的HPM6300、集成精准控制的HPM6200、集成运动控制的HPM5300、集成仪表显示的HPM6800，以及集成了ESC的HPM6E00、HPM6E8Y、HPM5E00等系列RISC-V MCU产品。图：先楫半导体展示的电机控制解决方案（来源：先楫半导体）先楫半导体的产品可广泛应用于人形机器人、伺服驱动、工业自动化、新能源等场景。比如其获得了德国倍福公司正式授权的EtherCAT从站控制器的产品HPM6E00，该芯片内置了RISC-V双核，主频高达600MHz，支持多达3端口千兆以太网路由模块、多种工业以太网协议和时间敏感网络 (Time-Sensitive Networking)，具有32路高分辨率PWM输出、16位ADC、Σ-∆数字滤波等外设模块。HPM6E8Y集成双PHY以太网收发器，完美适配小空间、高算力、强通信的机器人关节控制需求。沁恒微：从接口IP与芯片切入工业控制市场沁恒微是一家基于自研专业接口IP、内核IP构建一体化芯片的集成电路设计企业。公司基于自研USB/以太网PHY、RISC-V内核等核心技术，开发了USB/蓝牙/以太网接口芯片及多类型MCU产品，形成"感知+控制+连接+云聚"解决方案。其产品主要应用于工业控制、物联网等领域。根据其招股书介绍，截至2025年5月，沁恒微已拥有179项专利和55项商标，是国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、高新技术企业。在MCU产品布局方面，RISC-V3A 内核是沁恒微自研的第一代32位青稞微处理器IP，随后还推出了RISC-V4、V5F等更高版本内核，对标Arm MCU内核IP。据悉，RISC-V青稞系列内核IP中，V3A/V4B版本对标Arm Cortex-M3，V4F版本对标Arm Cortex-M4，V5F版本对标Arm Cortex-M7高性能内核。具体产品方面，其双核RISC-V MCU产品CH32H417，该产品青稞RISC-V5F和RISC-V3F双内核设计的互联型通用微控制器，集成USB 3.2 Gen1控制器和收发器、百兆以太网MAC及PHY、SerDes高速隔离收发器、Type-C/PD控制器及PHY。图：沁恒微CH32V305RBT6概述（来源：芯查查）根据芯查查数据平台的数据，沁恒微的CH32V系列是基于RISC-V内核青稞32位RISC-V4F设计的工业级通用微控制器，包括CH32V305连接型MCU、CH32V307互联型MCU、CH32V208 无线型MCU等。其中，CH32V30x系列基于青稞V4F微处理器设计，支持单精度浮点指令和快速中断响应，支持144MHz主频零等待运行，提供8组串口、4组电机PWM高级定时器、SDIO、DVP数字图像接口、4组模拟运放、双ADC单元、双DAC单元，内置USB2.0高速PHY收发器（480Mbps）、千兆以太网MAC及10兆物理层收发器等。比如，CH32V307具有高性能、低功耗、丰富的外围接口和高度可扩展性等优点，在工业控制、汽车电子、消费电子等领域得到了广泛应用。匠芯创科技：泛工业应用芯片的创新者广东匠芯创科技有限公司成立于2019年，总部位于横琴粤港澳深度合作区，同时在珠海高新、深圳、广州、苏州和杭州设立了研发和市场运营中心。该公司是国内工业控制芯片研发与设计的新兴力量，专注于RISC-V SoC芯片设计、工业控制、多媒体人机交互和人工智能等核心技术。其主要产品包括RISC-V应用处理器、RISC-V MCU和RISC-V工业DSP三大类。其中RISC-V应用处理器目前有一款人机交互HMI SoC产品D21x系列MPU。该系列MPU采用了国产64位高算力RISC-V内核，内置了16位DDR控制器，且提供丰富的互联外设接口，配备了2D图像加速引擎和H.264解码引擎。D21x系列支持工控宽温，具有高可靠性、高安全性、高开放度的设计标准，可广泛应用于工业自动化控制，人机界面HMI、物联网关、智慧家居和智慧工业等领域。图：匠芯创基于国产RISC-V架构的工规级芯片布局（来源：匠芯创） RISC-V MCU产品包括D13x系列、D12x系列和G73x系列。这些产品均为RISC-V 32位内核，D13x系列是显示控制一体跨界MCU，配备强大的2D图形加速、PNG解码、JPEG编解码引擎，具有丰富的屏接口、高分辨率PWM和多路高精度定时器，可以处理各类实时数据与实时控制。全系列支持工业宽温、高可靠性、高开放性，可广泛应用于工业HMI、网关、串口屏等泛工业和智慧家居领域。 RISC-V工业DSP产品则包括M6800、M76E00/M73E00、M7600/M7300，以及M76P00/M73P00系列产品。比如M6800系列是一款专为工业自动化（伺服电机、变频器、PLC、机器人等）、光伏能源与数字电源等行业应用而设计的工业DSP产品，主频高达500MHz，内置了DSP、FPU、HCL、Cordic等处理单元，具有强大的处理性能与高效的运行算法能力；M6800系列提供大容量内存和丰富的外设接口，处理各类实时数据与实时控制，具备高可靠性、高安全性、高开放度的特点，适用于泛工业领域等各类应用。可以说，匠芯创的产品线覆盖了从高性能MPU到实时MCU的广泛需求。中科昊芯：专注于RISC-V DSP产品开发北京中科昊芯科技有限公司成立于2019年，是国家级专精特新 “小巨人” 及国家高新技术企业。该公司主要专注于RISC-V开源指令架构进行DSP的设计并实现量产。其产品主要针对工业控制、新能源汽车、光伏储能及白色家电等领域。图：中科昊芯展示的HX2000系列RISC-V DSP产品（来源：中科昊芯公众号）其自研的H28x内核专为工业控制、电机驱动等高实时性场景设计；核心产品线HX2000系列32位RISC-V DSP，集成了高性能内核与应用外设，在处理、传感和驱动方面深度优化，显著提升实时控制应用中的闭环性能。据其官方公众号介绍，目前中科昊芯可提供10多个产品系列，近百款型号选择，已在多个领域头部企业批量应用；同时其自主研发的Haawking IDE、Haawking-Downloader编程工具及HXLink系列仿真器等，均已大规模商用，实现了从内核到工具的完全自主可控。结语其实除了上面提到的这些企业和产品，还有很多其他相关企业也在RISC-V这个赛道上奋力奔跑。RISC-V芯片在工业场景中的应用，正从概念走向现实，从点状突破走向全面开花。它不仅为工业界带来了性能更优、功耗更低、成本更具竞争力的芯片选择，更重要的是，其开放、灵活的特性，正在激发前所未有的创新活力，推动工业控制、工业物联网和智能制造向更高层次发展。随着全球RISC-V生态的日益成熟，以及国际与中国本土厂商的共同努力，我们有理由相信，RISC-V将成为工业新时代不可或缺的“芯”动力。

RISC-V

芯查查资讯 . 2025-08-18 2 8 4880
企业 | 贸泽电子将盛装亮相2025 IOTE深圳物联网展

提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于8月27-29日亮相IOTE 2025 第二十四届国际物联网展（展位号：10号馆 10B9号展位）。本次展会，贸泽将携手Amphenol, Renesas, Silicon Labs, Vicor等国际知名厂商，探索智能传感、系统安全、电源、无线连接、智慧城市、边缘计算、具身智能、智能制造、大模型等热点技术与创新应用。贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士表示：“AI与IoT的深度融合正以前所未有的速度和规模重塑世界，推动社会进步和产业升级，也改变着人们的生活方式。IOTE 2025不仅在规模上再创新高，更联动AGIC人工智能展、ISVE智慧商显展等垂直领域，首次实现跨行业技术碰撞与场景赋能。今年贸泽电子再度参与这场科技盛会，通过沉浸式的技术体验、热门应用展示及开发者互动，向业界展示AIoT赋能万物智联的无限可能。” 展会上，贸泽电子携手多家全球领先厂商带来最新开发板及前沿技术方案，现场更通过"技术展示+动手实践"的创新形式，为开发者搭建了深度交流的平台。此次还将特别展示由贸泽工程师自主研发的两大特色项目：基于MCX N236人脸检测追踪云台、树莓派AI语音助手；同时也将带来今年M-DESIGN设计大赛中的创意项目，包括：STM32N6设计的人体姿态识别系统、树莓派5-STM32的汽车仪表盘、ESP32-S3系列开发板实现的BLE遥控车、基于STEPico2040和STEPFPGA的智能交通灯控制实验系统。我们也将于8月28日携手科技up主开启逛展直播，用户可提前预约并参与直播互动，见证更多精彩内容。贸泽将持续通过开放、共享的交流平台，连接原厂、开发者与创客，共同推动创新落地。

物联网

贸泽电子 . 2025-08-18 700
产品 | 极端高温催生技术革命：SiC器件为空调注入极端工况“免疫力”

“ 今年夏季，全国范围内的极端高温（多地突破40℃）不仅点燃了空调消费热潮，更引发了一波前所未有的“罢工”危机。京东数据显示，7月以来空调维修订单同比暴涨10倍，北京、重庆等高温地区维修需求甚至激增300%，平均等待时长超48小时。这场“维修潮”暴露出传统空调压缩机在极端工况下的可靠性短板——硅基IGBT器件损耗高、耐高温性不足，导致压缩机频繁过载停机。在此背景下，碳化硅（SiC）功率器件凭借高效、耐高温的特性，正成为空调压缩机技术升级的核心突破口。碳化硅器件：三大核心优势重构技术格局作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）以其宽禁带（3.26eV）与高导热率（4.9W/cm·K）的物理特性，完美适配高温环境下的压缩机运行需求。其技术优势主要体现在以下三方面：高效节能，降低系统负荷 • SiC器件可将空调系统效率提升1.5%-3%。以11kW压缩机系统为例，采用SiC技术后总损耗降低50%以上，制冷速度提升20%，显著缓解了极端高温下的设备运行压力。高频化设计，缩小系统体积 • SiC器件支持更高的开关频率，可大幅减少电感、电容等无源元件的体积，使控制器功率密度提升30%，为空调设备的小型化设计提供了可能。高温可靠性，适配极端工况 • SiC器件的结温上限达175℃，在高温漏电流抑制和静态损耗控制方面较硅基器件具有显著优势。在40℃以上的极端环境中，其故障率较传统硅基方案降低60%，显著提升了压缩机的稳定性。电路拓扑革新：四大技术路径实现高效集成为充分发挥SiC器件的性能优势，电路拓扑设计需从传统硅基方案向高效集成方向升级，主要包括以下四种技术路径：典型硅基PFC升级方案 • 通过替换硅基IGBT为SiC MOSFET，优化功率因数校正（PFC）电路，可降低开关损耗，提升系统效率。 ▲SiC器件选型推荐半无桥PFC拓扑 • 简化桥式电路结构并减少开关器件数量，结合SiC高频特性降低导通损耗，适用于中大功率压缩机系统。 ▲SiC器件选型推荐全无桥PFC拓扑 • 完全取消桥式电路中的二极管，实现全SiC器件的高效开关，显著提升功率密度，适配小型化、高集成度的控制器设计。 ▲SiC器件选型推荐逆变器级的全碳化硅解决方案 • 将SiC器件用于逆变器功率级，实现压缩机驱动全频段高效运行，保障极端工况下的可靠性。 ▲SiC器件选型推荐结语通过材料创新与电路拓扑的协同优化，SiC器件正推动空调压缩机从“被动适应”向“主动突破”极端环境的技术转型，为高温气候下的制冷设备可靠性提供了全新解决方案。

爱仕特

深圳爱仕特科技有限公司 . 2025-08-15 4 3940