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UPS PFC效率卡在95%？先把Boost二极管的损耗账算清楚

UPS PFC效率卡在95%？先把Boost二极管的损耗账算清楚开关频率拉到65kHz甚至100kHz，功率器件换了又换，效率却始终在94%到95%之间徘徊。这是不少UPS工程师都遇到过的困惑。问题很可能不在主开关管，而在于PFC级的Boost二极管。每次MOSFET关断时，二极管从正向导通切换到反向截止。硅快恢复二极管（FRD）在这个过程中会产生一个反向恢复电流尖峰，这笔能量损耗会随频率增长而被放大。因此，Boost二极管的高频损耗是UPS高频化设计中的一个隐性瓶颈。相比之下，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用肖特基结结构，没有少数载流子的存储效应，反向恢复电荷趋近于零。在PFC这类高频开关拓扑中，两类器件的表现差距会明显拉开。接下来，我们基于规格书参数，算清楚用SiC二极管替换硅FRD在UPS PFC典型工况下的损耗差异。参数对比：三个关键差异以规格书实测值为准进行参数对比，硅FRD则取同电流级别的典型值。替换选型时请以实际型号的数据手册为准。三个最值得关注的差异如下。其一是反向恢复电荷Qrr接近于零，这直接对应开关损耗的节省。其二是正温度系数特性，这意味着多颗并联时电流能够自动均衡，可以规避硅FRD并联时可能出现的热失控正反馈。其三是最高结温Tj(max)为175℃，比硅FRD高出25℃，为散热设计留出了更大的余量。参数硅FRD（典型值） HSCF10D65 HSCF20D65F VF @ IF额定，25℃ 0.9~1.1V 1.34V 1.35V VF温度系数负温度系数正温度系数正温度系数 Tj(max) 150℃ 175℃ 175℃ Rth(j-c) ~2.5℃/W 2.1℃/W 2.3℃/W 反向恢复电荷 Qrr 50~200nC ≈0nC ≈0nC IR @ VR=650V，25℃ 几十μA 0.11μA 0.33μA 损耗计算：代入65kHz与100kHz真实工况以一台3kW双变换在线式UPS为模型，设定PFC母线电压为400V，二极管导通占空比D约为0.35。开关损耗是两类器件差距最大的地方。导通损耗方面，SiC略高于硅FRD，但需要看总账。取二极管平均电流IF(avg)约为4.2A（基于规格书中Tc=70℃曲线估算），SiC的导通损耗比硅FRD高出约0.5W。需要注意的是，硅FRD是负温度系数，高温下VF降低只是表象，其代价是在并联场景中面临热失控风险；而SiC的正温度系数增幅可预测，在高功率多管并联时设计更为简单。在100kHz频率下，比较单只二极管的总损耗可以发现，频率越高，SiC的开关损耗节省优势越明显。从65kHz到100kHz，SiC已经带来了显著的收益。当频率达到150kHz以上时，硅FRD的开关损耗将急剧恶化，而SiC几乎不受频率影响。这正是高频化趋势下SiC的核心价值所在。替换前的三件事动手替换之前，建议确认以下三个问题。第一，VF差异可能导致PFC输出电压微升，需要确认控制器的电压调节范围是否能够覆盖。第二，EMI风险方面，SiC的结电容特性与硅FRD不同，高频开关可能产生振铃。替换后建议用示波器观察波形，必要时增加RC吸收电路。第三，PCB走线应使二极管尽量贴近MOSFET放置，换向回路的面积要尽可能小。型号规格适用功率段封装 HSCF10D65 650V/10A ≤3kW UPS TO-220-2 HSCF20D65F 650V/20A 3kW~10kW UPS TO-220F-2 以上参数均来自合科泰HSCF系列SiC二极管规格书。如需样品，欢迎联系合科泰团队获取。

碳化硅二极管

厂商投稿 . 2026-07-22 833
适配器MOS管交期一延再延？国产平替，交期可控、产能稳定、性能在线

2026年，电源适配器行业正经历深度洗牌。头部品牌加速聚拢市场份额，中小厂商生存空间持续收窄。与此同时，欧盟空载功耗新规正式落地，单条产线合规改造成本大幅攀升。标准趋严、成本高企、利润微薄——三重压力叠加，本已白热化的行业竞争进一步加剧。行业困局：成本、供应链、节奏三重承压当下电源适配器产业链从BOM选型到产品研发、再到供应链布局，均陷入结构性困境。利润持续缩水，分毫必争。进口同规格MOS管价格普遍是国产产品的2至3倍。单颗器件的差价即可吞噬百万元级年度利润，直接决定一款产品的盈亏存亡。在极致成本竞争下，这样的成本浪费企业无力承担。供应链脆弱，断供风险高悬。消费类电源适配器处于海外功率器件供应末端，MOS管交期拉长数周，产线被迫间歇性停产、订单延期交付。“等货三个月，产线停两周”的供应链危机，已成为所有厂商的心头之患。技术迭代脱节，研发效率受限。海外大厂的产品规划和技术服务面向全球市场，难以适配国内厂商快迭代、短周期、可定制的需求。跨国原厂FAE现场支援排期动辄数周，EMI超标、驱动匹配异常、热管理失衡等调试难题无法及时解决，直接卡住产品上市节奏。合科泰MOS管：多维度实现进口平替参数全面对标，性能不输进口。针对65W至120W主流适配器功率段，经典高压MOS管HKTD4N65实现精准适配。通过优化沟槽栅结构、升级高密度单元设计，在标准化TO-252封装下，产品导通损耗、开关特性与进口竞品持平。参数手册可直接对标选型，无需改版、无需调试，实现进口器件的直接替代。安全可靠，保障电源工况。合科泰产品专为适配器高频开关、电压尖峰频发等复杂工况设计。全系MOS管均完成全方位雪崩击穿测试，抗电路冲击、抗老化能力经过严苛验证，有效打消厂商对国产器件“稳定性差、易损坏”的顾虑。全矩阵覆盖，一站式配齐降本增效。合科泰打造全电压段MOS管产品矩阵，覆盖初级高压开关管、次级同步整流管、辅助电源开关管全品类。单一供应商即可搞定整机功率器件选型，大幅简化供应链流程，减少采购对接成本和库存管理成本，实现供应链轻量化升级。本地化服务，解决研发痛点。依托本土完善的FAE服务体系，合科泰承诺短时间内现场响应。针对客户调试中遇到的EMI整改、热设计优化、驱动匹配异常等问题，工程师一对一协同解决，适配行业极速迭代节奏，为产品上市提速。精准选型指南：不同电路点位专属适配方案电源适配器并非“一颗MOS管通用全场”。初级、次级工况差异极大，选型精准度直接决定整机效率、稳定性与成本。初级侧高压开关管（核心功率回路）推荐型号：HKTD4N65 工况特点：承受直流母线电压，关断尖峰可达500V以上，对耐压、损耗要求极高选型优势：高耐压预留充足安全裕量，有效抵御电压尖峰；超低导通电阻大幅降低整机导通损耗；低栅极电荷适配高频PWM控制，完美适配65W至120W主流适配器次级侧同步整流管（效率关键）推荐型号：HKTD80N03A 工况特点：低压大电流工作模式，导通损耗是整机效率损耗的主要来源选型优势：大电流承载能力搭配极致超低导通电阻，大幅降低整流损耗；TO-252封装兼顾小型化与散热性能，适配高频高效适配器设计需求结语电源适配器行业已告别粗放增长，进入成本可控、技术合规、供应链安全的精细化竞争时代。合科泰进口级平替方案，打破了“性能和成本二选一”的行业困境。让国产替代不再是被动妥协的选择，而是提质、降本、增效的最优解，助力电源适配器企业在行业洗牌中稳住优势、突围增长。

厂商投稿 . 2026-07-22 623
HUF75637S3S与VBL1104N参数对比报告

N沟道功率MOSFET参数对比分析报告一、产品概述 HUF75637S3S：安森美（onsemi，原 Fairchild）N沟道硅MOSFET，耐压100V，采用UltraFET®技术，极低导通电阻（0.030Ω @10V）。封装：TO-263AB (D2PAK)。适用于需要高电流密度和低损耗的开关应用，如电机驱动、电源转换等。 VBL1104N：VBsemi N沟道100V Trench（沟槽）功率MOSFET，低导通电阻，高可靠性，175°C高结温。封装：D2PAK (TO-263)。适用于高效率DC-DC转换器、电机控制、电池保护及各类功率开关应用。二、绝对最大额定值对比参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位漏-源电压 VDSS 100 100 V 栅-源电压 VGSS ±20 ±20 V 连续漏极电流 (Tc=25°C) ID 44 45 A 连续漏极电流 (Tc=100°C/125°C) ID 31 (Tc=100°C) 30 (Tc=125°C) A 脉冲漏极电流 IDM 见图4 135 A 雪崩电流 (单脉冲) IAR / IAV 未提供 35 A 重复雪崩能量 EAR 未提供 61 (L=0.1mH) mJ 最大功率耗散 (Tc=25°C) PD 155 127 W 结温/存储温度 TJ, Tstg -55 ~ +175 -55 ~ +175 °C 分析：两款器件的核心电压与电流额定值非常接近，均为100V/44-45A级别。HUF75637S3S在Tc=25°C时的最大功率耗散更高（155W vs 127W），而VBL1104N明确了重复雪崩能量额定值（61mJ），在应对感性负载尖峰时提供了量化保障。三、电特性参数对比 3.1 导通特性参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位漏-源击穿电压 V(BR)DSS 100 (最小) 100 (最小) V 栅极阈值电压 VGS(th) 2 ~ 4 1 ~ 3 V 导通电阻 (VGS=10V) RDS(on) 0.0255典型/0.030最大 @44A 0.030典型 @5A Ω 正向跨导 gfs 未提供 10 (典型) @15A S 分析：两款器件的标称导通电阻同为0.030Ω，处于同一性能水平。VBL1104N的阈值电压范围（1-3V）更低，在低栅压驱动或电池供电应用中可能更容易开启。 3.2 动态特性参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位输入电容 Ciss 1700 (典型) 3100 (最大) pF 输出电容 Coss 460 (典型) 410 (最大) pF 反向传输电容 Crss 145 (典型) 150 (最大) pF 总栅极电荷 Qg 90典型/108最大 35~60 nC 栅-源电荷 Qgs 6.5 (典型) 11 (典型) nC 栅-漏（米勒）电荷 Qgd 17 (典型) 9 (典型) nC 分析：VBL1104N的总栅极电荷范围更宽（35-60nC），典型值可能显著低于HUF75637S3S（90nC），这意味着其栅极驱动损耗可能更低。同时，其米勒电荷Qgd（9nC）也更低，有助于改善开关性能，减少导通损耗。 3.3 开关时间参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位开通延迟时间 td(on) 11 (典型) 11~20 ns 上升时间 tr 75 (典型) 12~20 ns 关断延迟时间 td(off) 37 (典型) 30~45 ns 下降时间 tf 61 (典型) 12~20 ns 分析：根据典型值，VBL1104N的上升和下降时间（12-20ns）明显快于HUF75637S3S（75ns, 61ns），这表明VBL1104N可能具有更优的高频开关性能，有助于提升系统效率。四、体二极管特性参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位二极管正向压降 VSD 1.0最大 @22A 1.0典型/1.5最大 @30A V 反向恢复时间 trr 105 (最大) 60~100 ns 反向恢复电荷 Qrr 305 (最大) nC 0.15~0.4 μC μC 峰值反向恢复电流 IRRM 未提供 5~8 A 分析：两者体二极管正向压降相近。VBL1104N提供了更宽范围的反向恢复参数，其典型反向恢复时间（60ns）和电荷量可能更低，这对于同步整流等需要体二极管续流的应用更为有利。五、热特性参数符号 HUF75637S3S VBL1104N 单位结-壳热阻 RθJC 0.97 (最大) 1.4 °C/W 结-环境热阻 (特定条件下) RθJA 62 (最大) 40 (PCB Mount) °C/W 分析：HUF75637S3S的结-壳热阻略优（0.97°C/W vs 1.4°C/W），意味着在相同散热条件下，芯片热量更容易传递到外壳。VBL1104N文档给出了在特定PCB安装条件下的结-环境热阻（40°C/W），为系统热设计提供了更具体的参考。六、总结与选型建议 HUF75637S3S 优势 VBL1104N 优势 ◆ 略优的结-壳热阻（0.97°C/W） ◆ 更高的最大功率耗散（155W @Tc=25°C） ◆ 文档提供了丰富的SPICE/SABER仿真模型 ◆ 品牌历史久，市场验证充分 ◆ 更快的典型开关速度（tr/tf 12-20ns） ◆ 更低的典型栅极电荷（Qg 35-60nC）和米勒电荷（Qgd 9nC） ◆ 明确的重复雪崩能量额定值（61mJ） ◆ 更低的栅极阈值电压范围（1-3V），易于驱动 ◆ 体二极管反向恢复特性可能更优选型建议选择 HUF75637S3S：当设计非常看重器件的热性能（结-壳热阻），或需要利用其提供的详细仿真模型进行系统级验证时。其较高的功率耗散能力也适用于对散热要求严苛的紧凑型设计。选择 VBL1104N：当应用侧重于高频开关性能、低栅极驱动损耗以及需要明确的雪崩能量保障时。其更快的开关速度和更低的栅极电荷有助于提升整体系统效率，特别是在高频DC-DC转换或电机PWM驱动等场景中。较低的开启电压也适合用于栅极驱动电压裕量较小的设计。备注：本报告基于 HUF75637S3S（onsemi/Fairchild）和 VBL1104N（VBsemi）官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂数据手册，设计选型请以官方最新文档及实际测试为准。

微碧

微碧半导体 . 2026-07-22 504
Melexis扩展免代码单线圈风扇驱动器系列，强力赋能AI GPU散热

Melexis宣布，推出一款电流达2.2A的单线圈冷却风扇驱动芯片——MLX90412-D，其具有“即插即用”的易用特性，可实现无缝集成。作为MLX90412系列的新成员，它为更高功率的风扇提供了更强的可配置性和更平稳的电机控制。该芯片针对运行条件较为苛刻的场景进行了优化，适用于数据中心供电系统、AI工作站GPU、不间断电源（UPS）、工业驱动器及家用电器等领域。现代电子系统日益增长的功率密度对散热性能提出了更高要求。无论是工业电源、数据中心基础设施，还是AI工作站，设计人员必须在管理更高热负荷的同时，兼顾系统可靠性、高效率和紧凑的设计尺寸。在这些应用环境中，更大尺寸、更高功率的风扇需为更复杂的电子设备提供有效保护，而制造商仍面临系统成本、设计工作量、声学性能和寿命稳定性等多重约束。MLX90412-D以兼顾各方需求的设计思路应对这一挑战，在紧凑的免代码解决方案中，完美融合了先进的电机控制功能与迈来芯久经考验的可靠性。为了简化系统设计，MLX90412-D将“即插即用”的免代码集成优势延伸至更高功率的单线圈风扇应用中。相比传统的微控制器（MCU）的分立式方案，这款全集成芯片，不仅大幅度减少软件开发工作量和外部元件数量，还让客户能够轻松升级现有设计。该芯片支持对速度曲线、频率发生器（FG）信号选项和电机控制行为等关键参数进行灵活配置，使设计人员无需编写任何固件即可微调风扇性能。在单线圈性能足以满足应用需求的情况下，与三相方案相比，MLX90412-D为风扇控制提供了一条更具成本效益且稳健的替代途径。 MLX90412-D具备2.2A的电流限制，可支持更高功率的风扇设计，涵盖在12V电压下功率高达约18W以及在24V下功率高达36W的应用场景。这使其非常适合工业电源、UPS、数据中心供电系统、工业驱动器、家电电子散热，以及AI工作站中使用的高功率VGA/GPU散热——在这些应用场景中，单个较大的鼓风机风扇往往比多个小型风扇更受青睐。该芯片集成了一系列全面的保护和诊断功能，包括可编程堵转保护（LRP）、过温关断（TSD）、可编程过压保护（OVP）和过流保护（OCP），进一步保障了运行的安全性。 MLX90412-D还采用了改进的电机控制算法，可带来更平稳的启停表现、更低的声学噪声和更长的使用寿命。优化后的比例积分（PI）调节功能使得风扇即使在极低转速下也能实现稳定运行，而多种启停配置文件则可帮助设计人员匹配不同的应用需求。 “MLX90412-D为工程师设计更高功率的单线圈冷却风扇提供了一种更简便的方法，同时在质量和可配置性方面毫不妥协，”迈来芯市场经理欧炫宏表示，“其免代码配置、灵活的速度控制以及我们久经考验的可靠性，能够有效减少客户的设计投入，同时有效满足工业电源系统和AI工作站应用中的散热需求。” MLX90412-D采用DFN10（3×3mm²）封装。现已开始提供样品。

Melexis . 2026-07-22 595
碳化硅与氮化镓在电源设计中的应用：技术路线分化与国产替代窗口

宽禁带半导体在过去五年从概念走向落地。2026年，碳化硅和氮化镓已经不再是“下一代技术”，而是在各自优势场景中进入了规模应用阶段。两条技术路线在电源设计中的应用边界越来越清晰，国产厂商的布局策略也开始出现分化。碳化硅：高压大功率场景的确定性选择碳化硅的优势区间非常明确——650V以上的高压、大功率场景。新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机、直流快充桩、光伏逆变器，这些应用对电压等级和功率密度的要求，使得碳化硅成为确定性选择。从器件参数来看，碳化硅MOSFET在650V以上电压等级的开关损耗和导通损耗，已经全面优于硅基IGBT。目前主流的1200V碳化硅MOSFET，比同等功率等级的IGBT模块在系统层面可提升3%到5%的效率。这个数字单独看不大，但对于一个100kW的光伏逆变器来说，3%的效率提升意味着每年多发上千度电，在全生命周期内的经济价值远超器件本身的价格差。碳化硅的另一个优势是高温稳定性。硅基器件在结温超过175℃后性能急剧恶化，而碳化硅的理论工作结温可以到300℃以上。虽然目前量产器件标称结温仍多在175℃到200℃之间，但这个上限正在被逐年推高，对于需要耐受恶劣环境的应用来说，碳化硅的耐高温特性具有不可替代的价值。氮化镓：中低压高频场景的渗透加速氮化镓的优势区间在650V以下的中低压、高频场景。消费电子快充是氮化镓最成功的规模化应用案例。一颗65W的氮化镓充电器，体积只有传统硅基充电器的一半，效率可以做到93%以上。但氮化镓的价值远不止快充。在数据中心服务器电源、通信基站功率放大器、以及光伏微型逆变器中，氮化镓的高频开关特性可以显著减小变压器和滤波电感的体积。对于寸土寸金的数据中心机柜来说，电源体积缩小20%意味着可以塞进更多服务器，这是氮化镓在这个场景的核心价值。氮化镓的技术短板同样明显。它在高压场景的可靠性还没有经过长期验证，650V以上的氮化镓器件目前只有少数厂商量产出货。此外，氮化镓器件的栅极驱动电压窗口极窄，对驱动电路设计的要求比硅基MOSFET严格得多，这在一定程度上限制了它在对可靠性要求更高的工业场景中的应用。国产厂商的双轨策略国内宽禁带半导体厂商的布局策略在2026年已经分化。在碳化硅赛道，国内玩家主要沿两条路径推进。一是碳化硅衬底和外延的自主化生产，天科合达和山东天岳的6英寸碳化硅衬底良率已经接近国际水平，8英寸衬底也进入了小批量试产阶段。二是碳化硅模块的封装和应用方案，比亚迪、斯达半导体已经将自研碳化硅模块用在了自家新能源车型上，完成了从芯片到整车的垂直验证。在氮化镓赛道，英诺赛科、纳微半导体在消费快充领域已经站稳脚跟，正在向数据中心电源适配器这个更大的市场渗透。值得注意的是，国产氮化镓器件在650V以下的常闭型HEMT产品上，性能参数已经与国际同行基本持平，价格上的优势则在逐步收窄——这说明国产氮化镓正在从“替代”走向“对标”。选型建议对于电源设计工程师来说，宽禁带器件的选型在2026年已经有一个比较明确的决策框架。大功率、高电压、强散热需求的应用，碳化硅是确定性的方向。中小功率、高频开关、对体积和重量敏感的应用，氮化镓的优势更明显。两者在650V附近有一些交叠，但根据具体系统的拓扑结构和成本约束，通常只有一条路线是最优解。国产碳化硅和氮化镓器件的技术成熟度在快速提升，但验证体系和应用生态的完善程度，与国际大厂仍有差距。在可靠性要求极高的场景下，国产器件需要更充分的验证数据作为选型支撑。这个差距不是性能参数的差距，而是时间积累和信任建立的差距。

宽禁带半导体

原创 . 2026-07-22 742
企业 | 稳先微：从高边开关到“超级PMOS”，在智能配电节点上重写国产功率芯片的价值坐标

在国产模拟与功率半导体加速走向深水区的当下，市场真正关心的问题，已经从“能不能做出来”，转向“能不能在系统层面替代国际大厂，并定义下一代应用场景”。从这一点看，稳先微正在尝试给出自己的答案：他们以高边开关为切入口，以“超级PMOS”为核心产品概念，把传统开关器件重新定义为面向汽车、工业与机器人场景的智能配电节点。图：稳先微市场概览与产品组合（来源：稳先微）近期，芯查查采访了稳先微总经理宋利军博士，据他介绍，稳先微成立于2000年，总部位于深圳，在西安、无锡等地布局研发与创新资源，围绕BCD、UHV、SGT等工艺平台积累产品能力，并逐步建立起覆盖12V、24V、48V乃至100V应用场景的高边开关与超级PMOS产品矩阵。其产品规划不仅瞄准汽车电气架构升级，也在同步切入工业设备、机器人、低空飞行器等新型智能终端场景，满足新型智能终端设备对配电与负载控制提出的新需求。从“器件替代”走向“系统定义” 过去很多人理解高边开关，往往把它看作一个偏底层、偏执行层的功率器件：负责给负载上电、断电、保护和诊断，核心价值似乎更多体现在参数表上。但近年来，稳先微提出了“超级PMOS”概念。宋利军对芯查查表示，超级PMOS既是一种高边开关产品族，也是一种围绕“高集成、可诊断、可保护、可替代、可扩展”建立起来的产品平台。他认为在汽车电动化、工业智能化持续演进的阶段，开关器件不仅仅是“通”与“断”的问题，还需要承担故障识别、电流感知、保护策略执行以及系统稳定运行的职责。如果说传统PMOS更多扮演的是单一器件角色，那么稳先微希望传递给市场的，是超级PMOS作为“智能负载控制单元”的新价值主张：在一个越来越复杂的边缘电气系统中，它是一个决定系统可靠性、可维护性和扩展性的关键节点。图：稳先微超级PMOS产品矩阵（来源：稳先微）因此，稳先微的超级PMOS系列产品并非是一两款产品，而是形成了较为完整的系列化布局，覆盖了40V、60V、100V等多个电压平台，封装包括ESOP-8L、ESSOP-14L、DFN9×6-14L、SOP等，支持单通道、双通道及多通道配置，并根据不同应用场景提供电流检测、数字诊断、锁存、自动重启等差异化功能。例如，40V平台已经覆盖WS9008S、WS7140S、WSD7130S等多个型号；60V平台则延展出WST6020NC、WSTD6050NC、WSTQ6160NC等产品；到了100V平台，WSH4100SC、WSH4100ST、WSH4100STC、WSH4100STCP等型号又进一步把使用边界推向更高电压应用环境。这种布局本身就在释放一个非常明确的信号：稳先微并不是把超级PMOS当作某个细分市场的“战术产品”，而是将其作为可以持续复制到更多电压等级和行业场景中的“战略产品平台”。按照宋利军的规划，稳先微对超级PMOS的产品技术路径是“单芯片全集成”。这种“All-in-One”的设计理念，将会让超级PMOS具备就地决策、就地保护、就地诊断与故障监测的核心能力，无需外部MCU下达指令，即可自主完成各类电力管理操作。为什么是“超级PMOS” 稳先微把这一系列产品称为“超级PMOS”，其意义是希望借此完成一次对传统高边开关话语体系的重构。此类产品强调的价值至少包括四个层面：第一是高集成度，把驱动、保护、诊断等能力尽可能集成在单芯片或高度优化的器件中；第二是面向真实负载场景的保护能力，覆盖过流、过温、短路等系统风险；第三是对主流国际型号的兼容与替代能力；第四是面向新应用场景的宽电压与多版本扩展。图：稳先微的超级PMOS解决方案与传统高边方案对比（芯查查制图，信息来源稳先微）宋利军对芯查查坦诚，之所以选择超级PMOS这个产品类别，也是一次“痛苦”的战略转型。稳先微创立之初主要是做LED驱动芯片的，当时国内芯片设计公司处于一个野蛮生长阶段，大家普遍都是做市场热销的单点产品，很少深度思考产业发展趋势、产品规划、客户的核心痛点等问题。稳先微也不例外，因此，在度过了几年高速发展期后，陷入了产品竞争的红海，而且还在竞争中逐渐落伍。此时，稳先微开始思考，未来的路该如何走？刚好在2021年出现了一个偶然的机会，那就是车规级芯片大面积缺货。所有的汽车主机厂都在满市场找可用的芯片，以比亚迪为代表的车企向所有国产芯片公司开放了他们需求。按照他们的分类，车规芯片有十大品类，其中与稳先微有关系的模拟类大概有3到4个，包括电源、车灯、驱动，以及高低边开关和eFuse。稳先微在拿到这些需求后，并没有马上去做产品开发，而是对每一个品类都进行了分析，包括进入门槛、know how，未来迭代方向等。最后，他们选择了车规高边开关和低边开关，以及eFuse产品。宋利军解释称，之所以选择这两个品类，是因为他们认为这两个品类未来能够做成一个标准品类，而且还能平台化。图：稳先微汽车电子产品矩阵（来源：稳先微）然后，稳先微以车规级高边开关起步，逐步拓展其他市场。如今，他们正在持续强化其“平台型功率半导体企业”的角色，拥有BCD、UHV、SGT等工艺及平台积累，建立起了覆盖汽车电子、工业控制、电源管理等多个方向的产品布局。这意味着，高边开关和超级PMOS虽然是稳先微最突出的焦点，但并不是孤立存在的，它们背后连接的是整个功率配电、驱动和保护生态。图：稳先微的先进工艺竞争力（来源：稳先微）可以看到，稳先微在高边开关之外，还同步布局E-fuse、隔离驱动等相关产品线，形成了围绕“智能配电”和“负载管理”的组合拳。这类布局对于汽车和机器人场景尤其重要，因为随着整车与整机系统电气化程度提高，单点器件竞争力已经不足以构建客户粘性，能够提供成体系方案的厂商，更容易进入主机厂、Tier1或系统集成商的设计框架。因此，稳先微当前的战略方向可以理解为：以高边开关与超级PMOS为先锋产品，先在最容易体现差异化价值的智能配电节点建立品牌认知；再通过产品平台的延展，把这种认知扩展到更广的功率管理版图中。这是一个典型的“从爆款类目切入，再向平台公司进化”的路径。汽车之外的新市场根据稳先微的规划与产品推出节奏，其超级PMOS产品电压平台已经不仅限于传统12V车身电子场景，而是向24V、48V、60V、100V等更广阔的区间延展。这意味着他们已经在为汽车之外的行业需求做准备，尤其是工业自动化设备、机器人、储能外围配电、低空飞行器电气控制等新兴市场。这些市场有一个共同特征：它们都在快速迈向电气化与智能化，但系统工程成熟度、设计验证节奏和成本敏感度与汽车行业并不完全相同。这就要求芯片企业既要提供足够稳定和可靠的器件，又要提供更灵活的版本和更快的响应速度。稳先微已经推出多种封装、不同诊断能力、不同保护策略和多电压版本的超级PMOS产品，某种程度上正是为了满足这种跨行业、多层级客户结构下的产品适配需求。特别是在机器人应用中，智能负载控制的重要性正在快速提升。电机、阀、执行器、风扇、照明、辅助供电模块等都需要更高颗粒度的配电管理和故障隔离。如果一家公司能够将开关器件做成带诊断、带保护、带版本化能力的“标准化智能电气节点”，就有机会在机器人产业链中获得比传统功率器件更高的议价权和更深的系统嵌入度。结语在当前的国产半导体竞争中，真正能够穿越周期的公司，是那些能够把技术能力转化为产品平台、再把产品平台转化为市场认知的企业。稳先微围绕高边开关和超级PMOS所展开的布局，正体现出这种从技术走向战略、从单品走向平台的进化轨迹。可以预见，随着汽车电子、工业自动化和机器人市场继续演进，智能开关与智能配电节点的重要性会持续上升。对稳先微而言，超级PMOS不是一个简单的新名称，而是其参与下一轮产业竞争、塑造品牌差异化以及通往更高目标的关键抓手。

稳先微

芯查查资讯 . 2026-07-21 700
应用 | 机器人感知的“王牌”，被这家120年历史的公司亮出来了

2026年7月，上海气温逼近40度，比天气更热的是刚刚落幕的2026世界人工智能大会（WAIC 2026）。本届大会展览面积首次突破10万平方米，1100余家企业携4000余项展品亮相，而在众多展品中，机器人始终是绕不开的主角。今年，具身智能首次被列为大会核心赛道，参展企业猛增至200多家，更值得关注的是展台气质的变化——往年机器人展区的常见画面是跳舞、翻跟头等炫技表演，今年却被各种真实作业场景所取代……人形机器人、四足机器狗、割草机器人、陪伴机器人等形态各异的智能体纷纷走向落地。机器人正从展台上的“演员”，走向工厂、药房、仓库和家庭。然而，无论形态如何变化，一个核心命题始终不变：机器人如何在复杂、非结构化的真实世界中安全、精准地感知环境并与之交互？答案藏在传感器的进化里。近日，艾迈斯欧司朗联合代理商立功科技的一场技术研讨会，系统展示了其在机器人感知领域的两大核心传感方案——dToF（直接飞行时间传感器）与OFS（光学压力传感器）。这两项技术分别对应机器人的“视觉”与“触觉”甚至“接近感应”，正在为下一代机器人的精准感知强势赋能。告别“玻璃恐惧症”：dToF让机器人真正“看见” 在机器人避障领域，可供选择的方案并不少——单目/双目摄像头、超声波、红外、激光雷达……但每种方案都有其局限性。摄像头在暗光环境下效果不佳，超声波精度差、响应慢，激光雷达成本高昂。ToF方案凭借较高的分辨率、较低的算力消耗以及适中的成本，正在成为越来越多机器人厂商的选择。不过，没有任何一种单一传感方案是万能的。艾迈斯欧司朗高级市场经理王树刚表示，要想实现真正完善的避障与物体识别，业界越来越倾向于采用融合式方案。艾迈斯欧司朗的dToF产品在这一组合中扮演了灵活的角色——它既可以单独部署完成基础避障任务，也可以与摄像头、激光雷达等传感器协同工作，为更复杂的感知系统提供关键的深度数据补充。艾迈斯欧司朗在ToF领域深耕多年，其dToF（直接飞行时间）传感器方案已成为行业标杆。dToF技术的原理并不复杂：传感器发射一束红外光脉冲，当光线碰到物体反射回来，通过测量光脉冲的往返时间，即可精确计算出距离。但知易行难，要将这一原理在极小尺寸内实现高精度、高分辨率的深度感知，考验的是从芯片设计到光学封装的全栈能力。 TMF8829是艾迈斯欧司朗最新给出的答案——一颗将dToF传感器分辨率大幅提升至行业少见的48×32分区，即多达1,536个测距点的产品。这意味着，相比8×8 ToF传感器只能“看到”64个点的距离信息，而TMF8829可以“看到”1,536个点——分辨率提升了整整24倍。上图右侧的图像就是TMF8829能够输出的点云数据，可以看出这个人形数据还是非常清晰的。更关键的是，这一切被封装在仅5.7mm×2.9mm×1.5mm的尺寸内。这颗芯片集成了两颗940nm VCSEL以及SPAD接收阵列，同时还内置了两个M0内核的MCU用于片上数据处理。这种高度集成化的设计，使得机器人厂商在狭小的空间内比如关节部位设计时会更加友好。这种全栈集成能力，并非偶然。事实上，艾迈斯欧司朗拥有120年的光学解决方案经验，在光传感器领域位列全球第一，同时在LED封装与汽车照明领域也占据全球首位。从发射端到接收端，再到完整的模组设计，艾迈斯欧司朗具备全链条光学系统集成能力——这一底层优势，为其在机器人感知领域的拓展奠定了独特的技术根基。此外，在实际表现上，TMF8829的室内测距可达11米，FOV（视场角）达到80°，距离误差仅为±2.5mm以内。这意味着它不仅能检测到远距离的障碍物，还能捕捉到手指滑动这样的细微动作。值得一提的是，TMF8829内置了玻璃检测算法。市面上很多避障方案在面对玻璃时会直接“失效”——机器人误以为前方空无一物，径直撞上去。而TMF8829能够识别玻璃的存在，并同时检测到玻璃后方的物体/人（如上图左上角示例），为机器人提供了更完整的环境认知能力。在立功科技展示的机器狗避障demo中，TMF8829成功替代了传统的激光雷达方案，在面对玻璃门、高反射率的电梯门、吸光性强的毛绒物体等传统传感器容易“失效”的场景时，依然保持了稳定的点云输出和避障效果。 OFS：让机器人“摸到”世界的温度如果说dToF解决的是机器人“看得见”的问题，那么OFS解决的则是机器人“拿捏得准”的难题。在机器人灵巧手、夹爪等末端执行器上，触觉感知长期面临灵敏度不足的瓶颈。传统的电容式、压阻式传感器各有局限——电容式容易受液体和电磁干扰，压阻式在动态响应和耐久性上存在短板。而艾迈斯欧司朗的光学压力传感方案，走出了一条完全不同的技术路径。 OFS的原理基于光学的形变检测：传感器包含一个LED发射器和一个光电探测器，LED发出940nm的红外光，经上表面反射后被探测器接收。当外力按压导致上表面发生形变时，反射光的光通量会随之变化——哪怕形变仅有1µm，也能被精确捕捉。这种光学方案的独特优势在于：它不惧电磁干扰，不受表面液体影响，甚至可以穿透金属、玻璃、木材等材质工作。对于需要在潮湿、油污等恶劣环境下运行的机器人来说，这无疑是一个巨大的加分项。在产品层面，艾迈斯欧司朗提供了集成式和分离式两种方案。集成式方案将AFE（模拟前端）、发射器和接收器集成在单颗芯片中；分离式方案则将光学前端例如SFH 7061与模拟前端比如AS7150分开布局，为空间受限的灵巧手等设计提供了更大的灵活性。立功科技基于艾迈斯欧司朗OFS技术开发的灵巧手方案，已经能够实现精准的压力检测与接近感应双重功能。在实际演示中，快速按压传感器时，输出波形能够实时跟随——灵敏度和实时性得到了充分验证。更值得关注的是，OFS不仅可以检测“按压”这一动作，还能在手指靠近但尚未接触时提前感知——这种“接近感应”能力，为机器人在抓取前的预判提供了关键信息，这种多元场景应用的能力，也让OFS更易受到客户青睐。双感融合：机器人感知的下一站从技术演进的角度看，单一的传感方案很难满足机器人日益复杂的感知需求。避障需要dToF提供高精度的深度数据，精细操作需要OFS提供灵敏的触觉反馈——两者并非替代关系，而是互相成就。艾迈斯欧司朗的dToF与OFS方案，正在从两个维度为机器人构建完整的感知体系。在视觉维度，TMF8829凭借1,536个分区的高分辨率3D感知能力，让机器人在复杂环境中实现无盲区的避障与导航；在触觉维度，OFS凭借微米级的形变检测精度，让灵巧手能够感知最细微的接触变化。更重要的是，这两套方案都具备“跨形态复用”的能力——无论是人形、四足还是轮式机器人，都可以快速部署。在机器人形态日益多元化的今天，特别是当机器人从工厂走向家庭、从重复劳动走向柔性交互的关键转折上，这种平台化且具备多元应用能力的传感方案无疑能够帮助厂商缩短研发周期、降低落地成本。

ams OSRAM

感光现象 . 2026-07-21 854
企业 | NVIDIA Agent Toolkit 扩展全新 Omniverse 库，赋能 AI 智能体构建“仿真就绪”世界

NVIDIA 今日宣布，NVIDIA Agent Toolkit 现已包含 NVIDIA Omniverse™ 库 —— 这是一套软件组件集合，为 AI 智能体提供各种工具和技能，从而为现有应用添加物理 AI 功能并为仿真准备 3D 内容。机器人、工厂和自主系统在进入现实世界运行之前，需要先在仿真环境中进行设计、测试和训练。为仿真准备 3D 内容不仅需要逼真的视觉效果 —— 资产还需要具备正确的结构、材质、规模、标签、传感器和物理属性。借助 NVIDIA Agent Toolkit 中的 NVIDIA Omniverse 库，AI 智能体具备了构建工作流、检查场景、标记问题和准备资产的工具和技能，帮助开发者更快地将 3D 内容转换为可直接用于仿真的环境。 NVIDIA 创始人兼首席执行官黄仁勋表示：“物理 AI 时代将始于在仿真中构建。结合 Omniverse 库的 NVIDIA Agent Toolkit 将 AI 智能体引入开发者已在使用的 3D 工具中，帮助构建可直接用于仿真的世界，让机器人、工厂和自主系统在进入现实世界之前，早在其中进行训练和测试。” 包括 SideFX 和 PTC 在内的软件制造商正在集成 Omniverse 库，以实现面向智能体的传感器仿真、物理仿真和资产验证，从而帮助将代理式 AI 引入开发者和技术美术已经用于准备 3D 内容的应用和工作流中。 Omniverse 库将物理 AI 技能引入 NVIDIA Agent Toolkit NVIDIA Agent Toolkit 帮助软件制造商构建连接工具、技能和数据源的 AI 智能体。Omniverse 库通过在现有应用中提供用于传感器仿真、GPU 加速物理仿真以及可直接用于仿真资产验证的可调用工具，将这些智能体扩展到 3D 和物理 AI 工作流中。全新 Omniverse 库 —— 包括 ovrtx、ovphysx 和 CAD-to-SimReady 技能 —— 已在 GitHub 上公开发布，为 AI 智能体提供了构建工作流的工具，以检查场景、测试更改并为仿真准备 3D 资产。用于在 Blender 中集成 Omniverse 库的全新蓝图现也可在 GitHub 上获取。这些库的主要功能包括： ● NVIDIA RTX 传感器仿真：ovrtx 帮助应用从 3D 场景生成摄像头、激光雷达、雷达和其他传感器输出，以便开发者和 AI 智能体可以测试物理 AI 系统如何感知虚拟环境。 ● 物理行为：ovphysx 使用 GPU 加速物理仿真，通过碰撞、质量、摩擦和运动等属性为 3D 场景带来逼真的行为，因此团队可以先在仿真中测试物体和系统之间的交互。 ● 面向仿真的 3D 对象：CAD-to-SimReady 技能有助于将计算机辅助设计 (CAD) 数据转换为基于 OpenUSD 构建的 SimReady 资产，赋予 3D 内容物理 AI 仿真和虚拟测试所需的属性。软件制造商使用 Omniverse 库进行构建包括 SideFX 和 PTC 在内的软件制造商，以及 ForgeCAD、光轮智能、Moonlake AI 和 Palatial 等初创公司均率先采用 Omniverse 库 (现已成为 NVIDIA Agent Toolkit 的一部分) 进行构建。 SideFX 正在使用 OpenUSD 工作流以及 ovrtx 和 ovphysx 库，探索智能体如何帮助将 Omniverse 库集成到其 Houdini 程序化 3D 内容创作工作流中，为技术美术提供生成、测试物理仿真效果和准备仿真内容的途径。 SideFX 总裁兼首席执行官 Kim Davidson 表示：“程序化 3D 创作对于构建仿真、机器人和工业 AI 所需的复杂、可控世界至关重要。借助 NVIDIA Omniverse 库和 OpenUSD，SideFX 正在探索面向智能体的工具如何支持 Houdini 工作流，帮助技术美术在保持对创作过程的把控的同时，审核、测试并为仿真准备程序化内容。” PTC Onshape CAD 和产品数据管理 (PDM) 平台正在使用 OpenUSD 和 ovrtx 将云原生设计工作流与物理仿真相连接，帮助产品设计内容与 CAD、PDM、协作和仿真工作流保持连接。 PTC 总裁兼首席执行官 Neil Barua 表示：“工程团队正在寻求在整个开发过程中以更具连接性的方式进行设计、协作和仿真。PTC 与 NVIDIA 的协作支持了这一更广泛的愿景，而 NVIDIA Omniverse 库有助于实现可直接用于仿真的工作流，使验证和测试更接近产品设计的环节。” 在 SIGGRAPH 上展示的 “SimReady” Blender 是一个在 Blender 中借助 NVIDIA Omniverse 库和 NVIDIA NemoClaw™ 构建的示例工作流。它展示了软件制造商如何将面向智能体的仿真功能 —— 包括 NVIDIA RTX 传感器仿真、物理仿真和验证 —— 添加到现有 3D 应用中，同时保持创作者的把控权。该蓝图现已作为在 Blender 中集成 Omniverse 库的蓝图公开发布。该演示还预览了这些基于 Omniverse 库、作为 NVIDIA Agent Toolkit 一部分的工作流如何在本地运行，支持的设备从搭载 NVIDIA RTX Spark™ 超级芯片的笔记本电脑和紧凑型桌面主机，到搭载 NVIDIA Grace Blackwell Ultra 的 NVIDIA DGX Station 系统。RTX Spark 笔记本电脑将于今年秋季由华硕、戴尔、惠普、联想、微软 Surface 和微星推出，宏碁和技嘉的相关产品也将随后推出。DGX Station 系统可通过华硕、戴尔、技嘉、惠普、微星、Supermicro 和 Exxact 进行订购。包括 NVIDIA 初创加速计划成员在内初创公司，也正在使用 Omniverse 库和技能来添加智能体辅助资产和场景准备工作流。Palatial 正在使用 Omniverse CAD-to-SimReady 技能，从 CAD 输入大规模自动创建和验证 SimReady 资产。光轮智能在其 SimReadyGen 技术中使用由 OpenUSD 提供支持的 Omniverse Content Agent ，根据文本提示生成物理精确的 SimReady 资产。 ForgeCAD 和 Moonlake AI 正在探索由智能体驱动的 3D 内容工作流，这些工作流使用 Omniverse 功能来帮助生成、增强并为物理 AI 仿真准备资产。

NVIDIA

NVIDIA . 2026-07-21 791
企业 | 长鑫存储产能被预定至2027年底

据Digitimes援引知情人士消息报道称，在全球内存（DRAM）持续供不应求、价格飙升的背景下，长鑫存储的产能已被预订到了2027年底。据报道，苹果已在内部启动对长鑫存储LPDDR5X芯片的测试验证，初步规划仅用于中国市场销售的机型。同时，苹果正牵头多家美国科技企业，游说美国监管机构放宽对长鑫存储产品的采购限制。此外，包括戴尔科技、惠普、联想在内的多家PC大厂已开始提前锁定长鑫存储的DRAM供应，以确保未来两年的产品计划。供应链人士指出，目前长鑫存储的大客户将优先获得供应，中小型PC厂商未来则可能面临更大采购压力。据Omdia数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫存储全球市场份额已达7.67%，位列全球第四大DRAM厂商。

长鑫存储

芯查查资讯 . 2026-07-21 1001
企业 | 国民技术×博世：N32A系列打入主流新能源车企，批量上车！

随着多车企批量量产阶段的开启，国民技术与全球汽车供应链领军者德国博世实现战略协同。搭载国民技术N32A系列车规级MCU的博世汽车涉水雷达及倒车雷达，已成功应用于国内主流新能源车企的主力车型，并进入批量应用阶段。这标志着国民技术车规产品在通过博世严苛认证的同时，获得了国内头部主机厂的规模化验证与认可，技术成熟度与客户信任度达到国际一线水准。国民技术N32A车规芯片迈上更高台阶，形成多车企批量应用业务矩阵。全球顶级供应链的战略协同与批量验证博世是全球汽车供应链的“隐形冠军”，其对芯片的选择向来以严苛著称。国民技术N32A系列能够被博世涉水雷达、倒车雷达等多款雷达方案采用，意味着其在性能、可靠性、安全性和长期供货能力上已达到国际一线水准。这些特性，使N32A系列成为雷达、BMS、T-Box、智能座舱等车载应用的理想选择。目前，该系列已陆续在多家国内头部主机厂及国际Tier 1的项目中完成导入或进入量产阶段。 32A系列打动博世与主流新能源车企的关键涉水雷达常用于检测积水深度、涉水路况预警等场景。倒车雷达则广泛应用于泊车辅助、障碍物检测等日常驾驶场景。两者都对MCU的模拟信号处理能力、环境适应性、实时响应速度提出了极高要求。国民技术N32A系列给出了清晰的答案： ●多算力选择：N32A 系列（包含N32A455，N32A052，N32A003）主频覆盖48MHz~144MHz多种算力选择； ● 高集成模拟外设：最多4个12bit 5Msps ADC、4个轨到轨运放、7个高速比较器，单芯片即可完成复杂信号链，特别适合涉水雷达的微弱信号采集； ● 车规级可靠性：成熟车规工艺，AEC-Q100 Grade 1认证，工作温度-40℃～125℃，即使在涉水、高湿、泥沙冲击等恶劣环境下仍稳定运行； ● 硬件安全：内置国密/国际密码算法硬件加速引擎，保障数据通信与系统安全。这些特性，使N32A系列成为雷达、BMS、T-Box、智能座舱等车载应用的理想选择。国民技术汽车电子领域全面支撑面向汽车市场，国民技术已构建完整的车规级产品矩阵： ● 全系列车规级MCU、BMS、安全芯片等核心器件 ● 产品符合IATF 16949、ISO 26262、AEC-Q100等汽车电子质量认证标准 ● 并提供参考设计、量产工具、产测方案，帮助客户快速落地。从技术突破到全球头部客户的信任背书，国民技术正以真实量产的案例，证明其在车规芯片领域的可靠性与竞争力。

国民技术

国民技术 . 2026-07-21 917
应用 | 机器人近场3D视觉，如何实现低功耗、单传感器部署？

工业机器人越来越多地被要求在动态、狭窄的空间中精准作业——抓取、分拣、码垛、手内操作……这些任务的共同难点在于：如何在离末端执行器最近的地方，实现可靠的3D感知？传统方案（主动立体视觉、结构光、ToF）往往体积大、功耗高、最小工作距离受限，难以直接部署在末端执行器附近。多传感器设计还带来标定漂移、维护成本高等一系列问题。莱迪思与 Airy3D 的联合方案，从根本上改变了这一局面。 Airy3D 是一家3D计算机视觉公司，成立于2015年，获得英特尔资本（Intel Capital）与博世创投（Robert Bosch Venture Capital）等机构支持，拥有超过28项专利。其核心产品 DepthIQ™ 无需主动光源、无需多摄像头，通过在标准 CMOS 传感器上添加专利微米级透射衍射掩膜（TDM），在采集端直接进行光学深度编码，将任意2D图像传感器转变为同时输出2D图像与深度图的3D感知设备——且不改变传感器封装形态。2025年，DepthIQ™ 荣获 Edge AI and Vision 年度产品奖。在与莱迪思的联合方案中，关键深度处理阶段由莱迪思 CrossLink™-NX FPGA 在传感器侧完成，大幅降低应用处理器负载，释放算力用于感知、规划与控制任务。整个模组体积超小，通过标准 MIPI 接口接入，适合直接集成在机器人末端执行器或夹爪上。这意味着什么？近场感知无盲区，支持10–50 cm工作范围无自遮挡，宽视场，实时响应低功耗、无风扇设计，适应密集工业环境单传感器架构，降低系统BOM与维护成本 FPGA边缘处理面向未来，可扩展ISP等功能无论是传送带分拣、人形机器人手部操控，还是多机器人产线部署，这一方案都提供了可规模化、成本可控的3D视觉路径。

Latticesemi

Latticesemi . 2026-07-21 742
产品 | 圣邦微电子推出车规级、16V、2.5A、三相、集成FET的电机驱动器SGM42560Q

圣邦微电子推出SGM42560Q，一款车规级、16V、2.5A、三相、集成FET的电机驱动器。该器件可应用于三相无刷直流电机驱动器。 SGM42560Q是一款三相半桥驱动器，专为驱动三相无刷直流（BLDC）电机而设计，并集成了三个电流检测放大器（CSA），用于实时监测电机三相电流。图1 SGM42560Q功能框图器件每个半桥均配备独立的ENx使能输入和PWMx控制输入，其高侧MOSFET的栅极驱动电压由内部电荷泵生成，无需外部自举电路，有效简化了系统设计。它具备宽泛的电源适应性，工作电压为3V至16V，可提供2.5A持续电流与5A峰值电流，且在+25℃时，导通电阻低至185mΩ（高侧与低侧总和），兼顾了高效能与低损耗。此外，器件内部集成3.3V/50mA LDO稳压器，支持100% PWM占空比驱动和自动同步整流，进一步优化了功率转换效率。图2 SGM42560Q典型应用电路在安全防护方面，SGM42560Q配备了欠压锁定（UVLO）、可调阈值的过流保护（OCP）以及过热关断（TSD）等多重保护机制，并通过nFAULT引脚输出故障状态信号，便于系统实时诊断与快速响应。该产品符合AEC-Q100 Grade 1标准，确保在-40℃至+125℃的严苛温度环境下稳定运行，充分满足汽车电子应用对可靠性的高要求。封装形式采用符合环保理念的TQFN-3×4-24L绿色封装，为空间受限的应用场景提供了紧凑高效的解决方案。图3 SGM42560Q封装引脚图

圣邦微

圣邦微电子 . 2026-07-21 721
技术 | 纳芯微车载SerDes产品的ESD防护技术介绍

纳芯微通过三重防护架构——器件级ESD防护、RS-FEC前向纠错、物理层重传机制——为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器提供了系统级解决方案。基于ISO 10605-2023标准的完整测试验证表明，产品在上电ESD（接触放电±8KV、空气放电±25KV）和下电ESD（Pin放电±8KV）测试中均满足等级A要求。与对标同类器件相比，纳芯微SerDes在CE/RE测试中裕量普遍高2-6dB，为整车厂商提供了更高的设计余量和可靠性保障。 1. 车载SerDes系统的ESD挑战：从客户痛点出发现代智能汽车中，摄像头到域控制器的高速数据传输链路已成为ADAS和自动驾驶系统的关键组成部分。NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器构成的SerDes系统通常部署在车外摄像头模组与车内域控制器之间，暴露于复杂的整车电磁环境中。车外摄像头镜头、外壳及线束接口等位置直接面临静电放电的风险，这些位置在车辆使用、维护过程中极易与人体或工具接触，产生高达数千伏的静电放电事件。在实际工程应用中，客户在ESD测试中常遇到两类典型问题：带电ESD测试异常：系统正常工作时施加ESD干扰，导致画面黑屏、闪屏、卡顿，直接影响ADAS、智能座舱功能的实时性与可靠性不带电ESD测试损坏：系统未上电状态下的ESD冲击，造成芯片永久性损坏、器件失效，增加物料成本与维修复杂度图1.1 花屏图1.2 闪屏图1.3 黑屏这些问题不仅延长了研发验证周期，更对行车安全构成潜在威胁。一次ESD测试失败可能意味着数周的设计迭代与重新验证，直接拖慢项目进度并增加开发成本。 2. ESD问题根因深度剖析：带电与不带电场景的差异 ESD失效机理因系统工作状态不同而存在本质差异，理解这些差异是设计有效防护方案的前提。带电ESD失效机制：系统正常运行时，ESD瞬态干扰通过以下路径影响系统功能：信号链路瞬时扰动：ESD电流耦合至高速差分信号线，导致信号波形畸变，产生纳秒级误码突发 FEC纠错能力超限：传统SerDes的前向纠错（FEC）机制在密集误码冲击下无法完全恢复数据，错误累积超过阈值缺乏动态重传机制：链路层协议未设计针对瞬态干扰的快速重传机制，导致画面中断时间延长这种失效模式表现为功能暂时性异常，在ESD事件结束后系统可能恢复正常，但期间的功能中断已对安全关键应用构成风险。不带电ESD失效机制系统未上电时，ESD能量直接作用于器件物理结构：引脚耐压击穿：高压静电直接击穿I/O引脚的ESD保护结构，造成永久性硬件损伤内部结构过载：芯片内部ESD防护电路在超出设计规格的电压下烧毁，失去保护功能器件参数漂移：ESD应力导致晶体管阈值电压、漏电流等关键参数发生不可逆变化此类损伤是硬件永久性的，通常需要更换芯片或模块才能修复，直接增加物料与维修成本。 3. 纳芯微系统级ESD解决方案：三重防护架构针对上述失效机理，纳芯微为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器设计了系统级的三重防护架构，从器件到链路再到系统层面提供全方位保护。 3.1 器件级ESD防护设计在芯片设计阶段，纳芯微采用了多层级的ESD防护策略：高等级HBM/CDM防护：芯片内部集成经过车规验证的ESD保护结构，提供8KV HBM和±2KV CDM的防护能力接口浪涌抑制：高速差分接口采用对称的TVS阵列设计，对共模和差模ESD干扰均有良好的抑制效果电源域隔离：数字与模拟电源域之间设计隔离缓冲，防止ESD噪声通过电源网络传播这些设计确保在不带电ESD场景下，芯片具备足够的鲁棒性避免永久性损伤。 3.2 隔离电源设计参数为应对带电ESD导致的瞬时误码，纳芯微SerDes集成了增强型RS-FEC（里德-所罗门前向纠错）机制：高纠错能力：采用RS(528,514)编码方案，可纠正单个符号中的7字节错误，纠错能力较传统方案提升40% 低延迟处理：专用硬件编解码器实现纳秒级处理延迟，确保实时视频流不受影响自适应纠错：根据链路误码率动态调整纠错策略，在ESD事件期间最大化数据完整性在实际测试中，该FEC机制能在ESD干扰下确保画面质量不受影响。 3.3 物理层重传机制针对FEC无法纠正的严重误码情况，纳芯微设计了物理层自动重传协议：快速错误检测：在物理层实时监测链路质量选择性重传：仅重传出错数据包，避免整帧重传带来的带宽浪费链路自愈：重传成功后自动恢复至正常传输模式，无需上层协议干预这套机制确保在允许有错误包，但要重传成功的测试标准下，系统能够快速恢复，避免画面黑屏或卡顿。 4. 严苛测试验证：基于ISO 10605-2023标准的完整闭环为验证三重防护架构的实际效果，纳芯微使用软龙格工装和度信工装，在实验室暗室中完成了基于ISO 10605-2023标准的完整ESD测试。 4.1 测试照片图4.1.1 图像画面图4.1.2 2米线长图4.1.3 8米线长摄像头接触放电摄像头接触放电摄像头空气放电控制器接触放电图4.1.4 放电位置 4.2 上电ESD测试验证测试系统配置2米和8米两种线长，模拟实际车载部署中的不同布线场景。测试严格按照ISO 10605-2023标准执行，具体条件如下：表4.2.1 测试结果测试结果：在所有测试等级下，NLS9116/NLS9246系统均满足等级A要求。测试过程中画面保持稳定，无黑屏、闪屏或卡顿现象。特别值得注意的是，在标准允许的“错误包重传成功”机制下，系统能够快速恢复，展现了物理层重传机制的实际效果。 4.2 下电ESD测试验证在不带电状态下，对芯片引脚进行±8KV的接触放电测试，每个等级重复10次。测试后对芯片进行完整功能验证，并测量关键引脚的LCR参数。测试结果：所有被测芯片功能正常，无任何异常。LCR参数变化率均小于5%，远低于标准要求的10%上限。这验证了器件级ESD防护设计的有效性，确保芯片在运输、装配等未上电场景下的可靠性。 5. 竞品EMC性能对比：裕量优势彰显技术领先性除了ESD性能，纳芯微SerDes在整体EMC性能上也展现出显著优势。与对标同类器件的对比测试显示，纳芯微产品在多个关键指标上具有明显裕量优势。竞品对比EMC优势 CE/RE多频段裕量高2-6dB：在150K-245MHz传导骚扰和150K-6GHz辐射骚扰测试中，裕量普遍优于竞品满足GNSS加严格要求：1G-5GHz频段满足CISPR 25-2021 Class 5的加严限值，部分频段裕量达8-14dB 更宽松的设计余量：更大的EMC裕量意味着PCB设计约束更少，系统成本更低，量产一致性更高具体数据表明，在150K-175MHz频段的CE测试中，纳芯微产品在50mm位置的PK裕量达到7dB，比竞品高1dB；在171M-245MHz频段（1MHz带宽）的AVG裕量达到9dB，优势明显。RE测试中，1G-5GHz GNSS加严频段的垂直极化裕量达到3-4dB，而竞品在该频段的部分极化方向接近限值边缘。 6. 客户价值：从测试通过到整车可靠性的跨越对于整车厂商和Tier1供应商，纳芯微SerDes解决方案带来三重核心价值：降低研发风险与成本：一次性通过ESD测试，避免重复验证的设计迭代，缩短项目周期3-4周提升系统可靠性：在整车寿命周期内，抵御实际使用环境中的ESD事件，降低现场故障率增强供应链安全性：本土化研发与技术支持，快速响应客户需求，保障项目进度纳芯微SerDes通过系统级ESD设计，帮助客户一次性通过严苛的车规测试，显著降低研发验证风险，加速产品上市进程，最终提升整车系统的长期可靠性。三重防护架构的协同作用，确保了从芯片级鲁棒性到系统级功能完整的全方位保障。

纳芯微

纳芯微电子 . 2026-07-21 595
市场 | 2026 年第二季度中国智能手机出货量同比下降 2%；华为、苹果逆势增长

2026 年第二季度，中国智能手机出货量同比下降 2%。受存储成本持续上涨影响，手机厂商采取更为保守的生产计划，并优先布局利润率更高的机型。华为在第二季度进一步巩固市场领先地位，市场份额达到 23%，主要得益于畅享 90 Pro Max 的强劲需求以及全产品线稳健的价格策略。苹果第二季度表现优于整体市场，iPhone 17 系列持续热销，加之与高端安卓机型之间的价格差距缩小，提升了其市场竞争力。随着存储价格持续攀升，智能手机厂商已启动第二轮终端售价上调，预计将在 2026 年下半年进一步抑制整体市场需求。根据 Counterpoint Research 市场监测报告的初步数据，2026 年第二季度中国智能手机出货量同比下降 2%。由于存储价格持续上涨，智能手机 OEM 厂商纷纷采取更为保守的生产计划，内存成本的大幅上涨促使智能手机厂商采取更为保守的生产策略，将重心从追求出货量转向提升盈利能力。为了保障利润率，许多厂商选择减少了低端机型的生产，并优先布局利润率更高的产品，导致整体出货量下降，市场分化进一步加剧。中国前六大智能手机品牌出货量占比（初步数据）来源：Counterpoint Research 初步市场监测报告（基于 Sell-in）注：OPPO 包括一加和 realme。由于四舍五入，百分比总和可能不等于 100%。 2026 年第二季度，华为继续保持中国智能手机市场第一的位置，市场份额达到 23%，创下自 2020 年第四季度以来的新高。华为的出色表现主要得益于畅享 90 Pro Max 的强劲需求，以及整体产品组合的稳健表现，推动其出货量同比增长 24%。与此同时，Pura X Max 成功首发进一步验证了横向阔折叠这一创新形态的市场潜力，不仅拓宽了高端折叠屏市场，也为华为带来了新的出货增长动力。苹果在 2026 年第二季度同样实现逆势增长，出货量同比增长 23%，表现明显优于整体市场。随着零部件成本上涨推动安卓阵营普遍提价，苹果相对稳定的产品定价策略进一步增强了市场竞争力。此外，消费者预期苹果将在 2026 年第三季度涨价，也促使部分消费者提前购机。中国安卓 OEM 厂商以保障盈利能力为先，而非追求出货规模，通过缩减出货量并提高终端零售价格来缓解成本压力。尽管整体市场需求疲软，多款新品上市仍在一定程度上缓解了下滑压力。OPPO 的 Reno 16 系列和 A 系列、vivo 的 S60 系列及 Y600 Pro 进一步夯实了大众市场基础；小米依靠红米 K90 系列拉动出货；荣耀在 X80 系列稳定出货的同时，Magic V6 进一步巩固了其在高端折叠屏市场的竞争优势。整体来看，2026 年上半年中国智能手机市场仍展现出一定的韧性，出货量同比下降 3%。这主要归因于 OEM 厂商此前仍在消化 2025 年底及 2026 年第一季度采购的存储库存，因此较高的存储成本尚未完全传导至终端零售价格。随着采用高成本内存的产品将在 2026 年下半年陆续上市，新一轮智能手机涨价预计将进一步抑制消费者需求，并对整体市场形成更大压力。

智能手机

Counterpoint 咨询 . 2026-07-21 770
产品 | 适用于二节至四节锂离子电池或锂聚合物二次电池的过充电保护IC

一款适用于二节至四节锂离子电池或锂聚合物二次电池的过充电保护IC。本产品内置高精度电压检测电路、延迟电路，以及用于外部实时时钟（RTC）的电压稳压器。此外，还配备了可将电源电流降至最小的关断检测电路。另外，通过在CTLC引脚连接外部PTC热敏电阻，可实现温度保护功能。规格保护回路/功能功能说明 Typical Application 对于长寿命的设备，零部件的停产会对设备持续生产带来重要的麻烦，在这种情况下，寻找替代部件，重新测试都会对设备带来不必要的风险和成本。为了尽量避免这种状况，⽇清纺微电⼦开展了·长期供应计划。⽇清纺微电⼦的长期供应计划是，计划中的产品对象，最短也会维持10年的供应。另外，如果供应期后停止生产，最少提前一年通知客户。产品对象每年一月更新一次。当客户选择了⽇清纺微电⼦的PLP服务时，可以放心的使用⽇清纺微电⼦的产品而不会被突然停产所困扰。

日清纺

NISSHINBO Micro Devices . 2026-07-21 672
2026 VBsemi｜3D打印机各模块功率器件参数分析与型号推荐

3D打印机功率器件需求升级进入2026年，3D打印机正在从传统桌面级设备，逐步向高速打印、大尺寸成型、多喷头控制、工业级连续运行和智能化控制方向发展。整机系统中，热床加热、喷头加热、风扇散热、电源输入保护、MCU外围负载控制等模块，都离不开高可靠、高效率的功率MOSFET器件。在3D打印机控制板中，MOSFET不仅承担简单的开关功能，还直接影响整机的加热速度、温控精度、PCB温升、电源安全性和长期运行稳定性。尤其是在热床大电流、喷头快速加热、多路风扇控制和电源防反接保护等场景中，MOSFET的导通电阻、耐压、电流能力、封装散热能力和驱动兼容性，都会影响整机方案表现。 VBsemi围绕3D打印机核心功率链路，提供覆盖热床主MOS、工业热床MOS、喷头加热MOS、风扇驱动MOS、防反接MOS、MCU负载开关、小功率外围开关和中功率电源保护的完整型号组合，帮助客户实现更低损耗、更高集成度和更可靠的控制板设计。 3D打印机功率系统核心模块分析 3D打印机的功率器件主要分布在以下几个关键位置：功能模块主要作用器件需求热床主MOS 控制热床大电流加热超低导通电阻、大电流、低温升工业热床MOS 适配更高功率热床平台高耐压、大电流、高可靠喷头加热MOS 控制喷嘴加热棒小封装、快速响应、低损耗风扇驱动MOS 控制热端风扇、模型冷却风扇小体积、低功耗、易驱动防反接MOS 电源输入保护低压降、大电流、安全保护 MCU负载开关控制传感器、显示屏、通信模块等低阈值、小封装、低功耗小功率外围开关 LED、蜂鸣器、小风扇等控制 SOT23小封装、逻辑驱动中功率高边开关主板输入保护、中功率支路开关 P沟道、TO252封装、较高电流能力各模块型号推荐与参数分析 1. 热床主MOS 推荐型号：VBGQA1400 封装：DFN8(5×6)；类型：Single-N MOSFET；耐压：40V；电流：250A；导通电阻：0.8mΩ @ VGS=10V；工艺：SGT 热床是3D打印机中功耗最高的模块之一，尤其在大尺寸平台、快速升温平台和高温材料打印场景下，热床MOS需要长期承受较大的持续电流。VBGQA1400采用DFN8(5×6)封装，具备40V耐压、250A电流能力和0.8mΩ超低导通电阻，非常适合12V、24V热床主开关应用。 0.8mΩ的低RDS(on)能够显著降低导通损耗，减少MOSFET发热，提升热床控制板长期运行稳定性。对于高电流热床控制板，该型号可以有效降低PCB铜箔和器件本体温升，适合桌面级高速3D打印机和大功率热床平台。应用优势：关键指标参数表现应用价值 VDS 40V 适配12V/24V热床平台 ID 250A 满足大电流热床控制 RDS(on) 0.8mΩ 降低发热，提高效率封装 DFN8(5×6) 适合紧凑型控制板布局工艺 SGT 兼顾低阻与高电流能力推荐应用：热床主开关、大功率加热平台、桌面级高速3D打印机热床控制板。 2. 工业热床MOS 推荐型号：VBGQA1601 封装：DFN8(5×6)；类型：Single-N MOSFET；耐压：60V；电流：200A；导通电阻：1.3mΩ @ VGS=10V；工艺：SGT 工业级3D打印机通常采用更高功率热床、更长线缆和更复杂的供电系统，对MOSFET耐压裕量和热稳定性要求更高。VBGQA1601具备60V耐压和200A电流能力，相比40V器件拥有更高的电压安全裕量，更适合24V、36V以及部分更高电压热床系统。 1.3mΩ的低导通电阻能够保证在高功率热床场景下依然保持较低损耗，DFN8(5×6)封装也有助于提升散热效率和PCB空间利用率。对于工业级长时间连续运行设备，VBGQA1601能够在耐压、导通损耗和封装体积之间取得良好平衡。应用优势：关键指标参数表现应用价值 VDS 60V 提供更高电压裕量 ID 200A 支持工业热床大电流 RDS(on) 1.3mΩ 降低持续导通损耗封装 DFN8(5×6) 利于散热和小型化工艺 SGT 高功率平台更稳定推荐应用：工业3D打印机热床、大尺寸热床、高功率加热平台、24V/36V热床系统。 3. 喷头加热MOS 推荐型号：VBQF1307 封装：DFN8(3×3)；类型：Single-N MOSFET；耐压：30V；电流：35A；导通电阻：9mΩ @ VGS=4.5V，7.5mΩ @ VGS=10V；工艺：Trench 喷头加热模块通常用于控制加热棒，实现喷嘴温度快速响应和稳定控制。相比热床模块，喷头加热功率较小，但对控制精度、开关响应和板级空间要求更高。 VBQF1307采用DFN8(3×3)小型封装，适合紧凑型喷头控制板和多喷头系统。其30V耐压适合常见12V/24V喷头加热平台，35A电流能力为加热棒控制提供充足裕量。该型号在4.5V驱动下导通电阻仅9mΩ，说明其能够较好适配MCU或驱动芯片输出控制，降低低压驱动场景下的损耗。应用优势：关键指标参数表现应用价值 VDS 30V 适合12V/24V喷头加热 ID 35A 满足喷头加热棒控制 RDS(on) 7.5mΩ @ 10V 降低开关导通损耗低压驱动 9mΩ @ 4.5V 适合MCU/驱动芯片控制封装 DFN8(3×3) 适合多喷头紧凑布局推荐应用：喷头加热、加热棒控制、多喷头温控模块、小型加热执行单元。 4. 风扇驱动MOS 推荐型号：VBQG1410 封装：DFN6(2×2)；类型：Single-N MOSFET；耐压：40V；电流：12A；导通电阻：12mΩ @ VGS=10V；工艺：Trench 3D打印机中通常包含热端风扇、模型冷却风扇、主板散热风扇、腔体循环风扇等多个风扇负载。风扇驱动MOS需要具备小体积、低导通损耗和良好的开关可靠性。 VBQG1410采用DFN6(2×2)小型封装，非常适合多路风扇控制板布局。40V耐压可覆盖12V/24V风扇系统，并提供一定电压裕量。12A电流能力对于常见风扇负载已经具备较大余量，有利于提升可靠性。12mΩ导通电阻能够有效降低小功率驱动模块的发热。应用优势：关键指标参数表现应用价值 VDS 40V 覆盖12V/24V风扇系统 ID 12A 满足多类风扇驱动需求 RDS(on) 12mΩ 降低风扇控制损耗封装 DFN6(2×2) 极小体积，便于多路集成工艺 Trench 成熟可靠，适合开关控制推荐应用：模型冷却风扇、热端风扇、主板散热风扇、腔体循环风扇。 5. 防反接MOS 推荐型号：VBQA2302 封装：DFN8(5×6)；类型：Single-P MOSFET；耐压：-30V；电流：-120A；导通电阻：2.2mΩ @ VGS=10V；工艺：Trench 3D打印机电源输入端常见12V/24V供电，如果用户接线错误，可能造成主板损坏、热床异常发热或控制系统烧毁。因此，输入端防反接保护非常重要。 VBQA2302为P沟道MOSFET，适合用于电源输入防反接方案。与传统二极管防反接相比，MOSFET方案导通压降低、损耗更小，尤其适合大电流热床和主控板输入保护。其-120A电流能力和2.2mΩ低导通电阻能够在大电流输入场景下保持较低温升，提高整机安全性。应用优势：关键指标参数表现应用价值类型 Single-P 适合高边防反接设计 VDS -30V 适配12V/24V输入系统 ID -120A 支持大电流输入保护 RDS(on) 2.2mΩ 比二极管方案损耗更低封装 DFN8(5×6) 适合主电源入口布局推荐应用：电源输入防反接、主板输入保护、热床供电保护、24V平台电源保护。 6. MCU负载开关推荐型号：VBQG2216 封装：DFN6(2×2)；类型：Single-P MOSFET；耐压：-20V；电流：-10A 导通电阻：40mΩ @ VGS=2.5V，28mΩ @ VGS=4.5V，20mΩ @ VGS=10V 工艺：Trench MCU负载开关主要用于控制传感器、电源支路、显示屏、通信模块、LED灯带或低压外围电路。该模块通常电流较小，但对低压驱动、低功耗和小封装要求较高。 VBQG2216采用P沟道结构，适合高边负载开关应用。其阈值电压为-0.6V，低压驱动能力较好，可适配3.3V/5V逻辑控制系统。DFN6(2×2)封装体积小，适合控制板多路负载开关集成。该型号在2.5V栅压下即可实现40mΩ导通电阻，适合低压MCU控制场景。应用优势：关键指标参数表现应用价值类型 Single-P 适合高边负载开关 VDS -20V 适合低压外围电源 Vth -0.6V 易于低压逻辑驱动 RDS(on) 40mΩ @ 2.5V 适合3.3V/5V控制封装 DFN6(2×2) 小型化、多路集成推荐应用：MCU外围负载开关、传感器供电控制、显示屏电源控制、LED支路控制、通信模块电源开关。 7. 小功率外围开关推荐型号：VB1330 品牌：VBsemi；产品类型：MOSFET 封装：SOT23-3；结构：Single-N；VDS：30V；VGS：±20V；Vth：1.7V RDS(on)：33mΩ @ VGS=4.5V，30mΩ @ VGS=10V；ID：6.5A 工艺：Trench VB1330是一款小封装N沟道MOSFET，适合用于3D打印机中的小功率开关控制支路。相比热床和喷头加热模块，小功率外围负载通常电流较小，但数量较多，对器件封装尺寸、成本和逻辑驱动兼容性要求较高。它采用SOT23-3封装，结构简单、体积小，适合高密度控制板布局。30V耐压可以覆盖常见12V/24V低压支路，6.5A电流能力适合风扇、LED、蜂鸣器、传感器供电、小型电磁负载等控制场景。其在4.5V驱动下RDS(on)为33mΩ，能够满足常见MCU控制或低压驱动场景。因SOT23-3封装散热能力有限，不建议用于热床主MOS或大功率喷头加热MOS，更适合作为外围小功率控制器件使用。应用价值：参数表现对3D打印机的意义 SOT23-3封装体积小适合高密度PCB布局 30V耐压覆盖12V/24V支路适合常见低压负载 6.5A电流能力满足小功率负载可用于风扇、LED、蜂鸣器等 33mΩ @ 4.5V 支持低压驱动适合MCU控制支路推荐应用：小型风扇驱动、LED灯带控制、蜂鸣器控制、传感器供电开关、小型负载开关、辅助电源支路控制。 8. 中功率高边开关与输入保护推荐型号：VBE2412 品牌：VBsemi；产品类型：MOSFET 封装：TO252；结构：Single-P；VDS：-40V；VGS：±20V；Vth：-2V RDS(on)：15mΩ @ VGS=4.5V，12mΩ @ VGS=10V；ID：-50A 工艺：Trench VBE2412是一款P沟道MOSFET，采用TO252封装，适合3D打印机中的中功率高边开关、电源输入保护和部分电源支路控制。对于12V/24V平台，-40V耐压能够提供较好的电压裕量，TO252封装也具备比小型贴片封装更好的散热能力。在3D打印机应用中，VBE2412可用于电源输入端防反接保护、主板电源开关、中功率负载支路开关等位置。作为P-MOS器件，它适合高边开关设计，电路实现相对简单，不需要复杂的高边驱动结构。相比传统二极管防反接方案，P-MOS方案可以降低导通压降和功率损耗。不过，VBE2412的RDS(on)为12mΩ，相比VBQA2302的2.2mΩ更高。因此，在热床主回路这类大电流路径中，如果长期承载较大电流，发热会明显增加。它更推荐用于中功率输入保护和电源支路开关，而不是大功率热床主MOS。应用价值：参数表现对3D打印机的意义 Single-P结构适合高边开关电路实现简单 -40V耐压电压裕量较高适合12V/24V输入保护 -50A电流能力支持中功率支路可用于主板输入或电源支路 12mΩ @ 10V 损耗低于二极管方案适合防反接和电源开关 TO252封装散热能力较好适合中功率应用推荐应用：电源输入防反接、主板电源高边开关、中功率电源支路控制、24V输入保护模块。 VBsemi 3D打印机功率器件推荐总表功能推荐型号类型封装电压电流主要特点热床主MOS VBGQA1400 N-MOS DFN8(5×6) 40V 250A 0.8mΩ超低阻，适合大电流热床工业热床MOS VBGQA1601 N-MOS DFN8(5×6) 60V 200A 高耐压裕量，适合工业热床喷头加热MOS VBQF1307 N-MOS DFN8(3×3) 30V 35A 小封装，适合喷头加热控制风扇驱动MOS VBQG1410 N-MOS DFN6(2×2) 40V 12A 小体积，适合多路风扇驱动防反接MOS VBQA2302 P-MOS DFN8(5×6) -30V -120A 低压降，大电流输入防反接 MCU负载开关 VBQG2216 P-MOS DFN6(2×2) -20V -10A 低阈值，适合3.3V/5V逻辑控制小功率外围开关 VB1330 N-MOS SOT23-3 30V 6.5A 小封装，适合风扇、LED、小负载中功率高边开关 VBE2412 P-MOS TO252 -40V -50A 适合输入保护、中功率电源开关 VBsemi 3D打印机功率器件方案以“低损耗、小型化、高可靠、易集成”为核心，覆盖从主电源入口到加热系统、散热系统、外围负载和MCU控制支路的完整功率链路。 1. 降低整机功耗：VBGQA1400、VBGQA1601等低RDS(on)器件可显著降低热床大电流路径损耗，减少控制板温升，提高电源利用效率。 2. 提升温控稳定性：VBQF1307适合喷头加热控制，有助于实现快速响应和稳定温控，提升打印质量和材料适配能力。 3. 增强系统安全性：VBQA2302、VBE2412可用于电源输入防反接和高边电源保护，降低接线错误带来的损坏风险。 4. 支持控制板小型化：DFN8(5×6)、DFN8(3×3)、DFN6(2×2)、SOT23-3等封装组合，有利于多模块、高密度控制板设计。 5. 覆盖桌面级到工业级应用：从VB1330这类小功率外围开关，到VBGQA1400、VBGQA1601这类大电流热床MOS，VBsemi可覆盖桌面级、专业级、工业级3D打印机的不同功率需求。面向2026年3D打印机高速化、智能化和工业化趋势，功率器件的合理选型将直接影响整机效率、热稳定性、电源安全性和长期可靠性。VBsemi通过VBGQA1400、VBGQA1601、VBQF1307、VBQG1410、VBQA2302、VBQG2216、VB1330、VBE2412等多款MOSFET产品，为3D打印机热床、喷头、风扇、防反接、MCU负载开关和外围小功率控制提供完整的功率器件解决方案。该方案兼顾低损耗、高电流、小封装和易集成优势，可帮助3D打印机厂商优化控制板设计，降低系统温升，提升整机安全性与产品竞争力。展会邀请面向2026年3D打印机高速化、智能化与工业化升级趋势，VBsemi将持续围绕加热控制、电源保护、风扇驱动、负载开关等关键模块，提供高效率、低损耗、小型化的功率器件选型方案，助力客户提升整机稳定性与产品竞争力。 2026年7月1日—3日，微碧半导体 VBsemi 将亮相 2026慕尼黑上海电子展，在现场展示面向3D打印机、AI服务器电源、机器人、储能、新能源及高频电源等应用领域的功率器件解决方案。诚邀各位客户、合作伙伴及行业朋友莅临上海新国际博览中心 N5.150展位，与VBsemi团队面对面交流，共同探讨功率器件国产化替代与高可靠应用方案。展会名称： 2026慕尼黑上海电子展参展品牌：微碧半导体 VBsemi 展位号： N5.150 展会时间： 2026年7月1日—3日展会地点：上海新国际博览中心 VBsemi期待与您相聚上海，共话功率器件创新应用与未来合作机遇！

微碧

微碧半导体 . 2026-07-21 651
Vishay 扩充 ILHB 系列车规级铁氧体磁珠，支持更广泛的 EMC 降噪应用

器件现已推出 0402、0603、0805、1008、1206 多款小型封装，额定电流高达 6A，阻抗范围10Ω～2700Ω 日前，威世科技Vishay Intertechnology宣布，扩展其适用于大电流滤波的 ILHB 系列车规级多层片式铁氧体磁珠。Vishay Dale 器件提升通流能力、缩小封装尺寸，进一步扩大阻抗范围，可满足更多场景下的电磁兼容（EMC）降噪需求。 ILHB 系列现有 0402、0603、0805、1008 以及 1206 五种封装，额定电流高达 6A，阻抗值为 10 Ω 至 2700 Ω。产品阵容扩充后，设计人员可选用更小的封装器件实现更大通流；同封装、同阻抗下，产品载流能力提高两到三倍。经过封装、额定电流及阻抗范围全面扩充，ILHB 系列铁氧体磁珠可满足广泛电磁兼容降噪应用场景下，各种设备大电流、高频及专用信号滤波需求，包括车载配电与能源管理系统、工业自动化系统、家居和楼宇控制装置、计算机及外设、消费类设备、白色家电、医疗仪器、航空电子设备、通信基础设施等。为简化器件选型，ILHB系列产品数据手册已补充多项设计参数，工程师无需查阅多张特性图表，即可预估磁珠不同频率下的电气性能。新增参数包含：阻抗峰值与对应频率、阻抗低于标称值以下的频率、电抗-电阻频率交叉点（X-R 交点）。该系列器件通过 AEC Q200 认证，采用银质（Ag）内电极，外部镀层为铜（Cu）、镍（Ni）、锡（Sn）。铁氧体磁珠的工作温度范围为 -55 C 至 +125 C，符合 RoHS和 Vishay绿色标准，无卤素。器件规格表： (1) 额定电流指20 C 环境温度下温升达到 40 C 时的直流电流 (2) Zpk = 阻抗曲线峰值 (3) Zpk 下 F = Zpk对应的频率 (4) ZDO 下 F= 高于 100MHz阻抗降至标称阻抗时的频率 (5) XL/XR 交叉点 = 抗与阻抗的交叉点 ILHB 系列铁氧体磁珠现可提供样品并已实现量产，供货周期为 8 到 10 周。

Vishay . 2026-07-21 546
芯资讯｜韬定律重构产业逻辑，功率器件与电阻迎来价值重估

2026年5月，韬（τ）定律是某头部企业在国际电路与系统研讨会正式发布的半导体产业新发展理论，是国内首个引领全球半导体演进的全新技术准则。韬定律以“时间缩微”替代“几何缩微”，这一全新理论正在改写功率半导体与电阻行业的内在逻辑。行业当前真实现状传统摩尔定律“几何缩微”模式逼近物理极限，亚纳米制程成本暴涨，且高端EUV光刻机受限，制程迭代难度大幅提升。尤其功率半导体领域，芯片性能瓶颈早已不是晶体管尺寸，而是回路电阻、寄生时延带来的损耗与发热问题。韬定律恰恰给出了一条全新的突围路径。韬定律如何重构功率器件+电阻赛道韬定律提出：芯片性能提升的本质不是晶体管变小，而是数据跑得更快。核心衡量指标是τ越小，电路响应越快。这一框架对功率器件意义重大，功率器件工作在大电流、高频状态，回路中多一点电阻，就多一分发热、多一分延迟。韬定律推动产业从“拼制程”转向“拼低阻、拼集成、拼时延”，对功率器件和电阻提出了全新技术要求。韬定律促使产业四大核心转变低导通电阻成为硬指标：MOSFET、IGBT等功率器件从源头降低导通电阻，减少发热损耗，适配高频大电流的新能源、工控、储能场景。集成化电阻需求爆发：普通贴片电阻需求趋于稳定，高精度采样电阻、超低寄生功率电阻、薄膜微型电阻成为刚需，内嵌封装模组以压缩RC时延，适配芯片内封、模组集成场景。功率SiP模组成主流：功率器件+电阻+驱动电路一体化集成，通过2.5D/3D堆叠和逻辑折叠技术，无需外部PCB布线即可全域压缩RC参数，广泛应用于新能源车电控、光伏储能、快充、服务器电源。先进封装站上C位：封装从后端辅助升级为性能优化的核心环节，混合键合、TSV等工艺需求激增。小结韬定律重构半导体产业逻辑，低阻、低寄生、高集成、高可靠、车规级成为功率器件与被动元器件的核心刚需。深耕行业多年的合科泰，是国内少数同时覆盖车规级功率器件+碳化硅产品+高端被动元器件的原厂自研自产企业，完美适配韬定律降RC、缩时延、低损耗的核心技术要求。合科泰：卡位韬定律高端赛道的核心原厂 1. 深耕车规级器件＋碳化硅产品合科泰提前布局车规级器件+碳化硅产品双赛道，聚焦新能源车、光伏储能、高端工控等长景气刚需领域，依托产品高壁垒、高稳定、高粘性的优势，稳稳夯实企业抗周期营收底盘。 2. 半导体功率器件+被动元器件合科泰拥有二极管、三极管、mos管、合金电阻、贴片电阻等众多产品，适用于多个领域：AI人形机器人、人工智能、工业电子、汽车电子、医疗电子、仪器仪表、电源、消费类电子等领域。 3. 原厂自主生产，品质可控合科泰拥有完整的封测工艺技术，无需外协，全流程自主管控，能够灵活调配产能、规避周期库存风险，持续以高品质、高性价比、稳交付的优势领先进入中高端市场。

合科泰

厂商投稿 . 2026-07-21 574
时钟发生器&时钟缓冲器选型指南

针对时钟发生器（Clock Generator）、时钟缓冲器（Clock Buffer），梳理选型核心参数，做好型号推荐及对标芯片替代。全系时钟芯片核心优势：数模混合自研、230fs超低相位抖动、全系列PCIe 1.0~7.0兼容、Pin to Pin替代国际大厂、多电平输出可编程、宽电压供电。一、基础概念与选型核心判断维度 · 基础概念时钟发生器Generator：内置PLL，可单颗产生多路不同频/同频基准时钟，替代分立晶振；适合系统主时钟源、光模块、SSD、GPU主控时钟。时钟缓冲器 Buffer：无PLL，仅对输入基准时钟做扇出、电平转换、多路分配；分通用扇出缓冲、服务器多通道PCIe专用缓冲，用于时钟树分发、多芯片同步时钟。 · 选型必看关键参数: * 频率范围：1~333.33MHz通用、10~1.2GHz高频、1~400MHz服务器PCIe专用 * 输出电平：LVDS / HCSL / LP_HCSL / LVPECL / CML / LVCMOS（单端） * 输出通道数量：差分通道+单端CMOS组合 * 供电电压：1.5V/1.8V/2.5V/3.3V多档兼容 * 封装：LGA / VFQFN / WQFN / QFN / GQFN（薄型服务器专用） * 关键性能：RMS相位抖动（典型230fs@156.25MHz）、PSRR、无毛刺切换（G后缀） * 控制方式：I2C/OTP/引脚硬配置 * 协议兼容：PCIe 1.0~7.0、CC/SRnS/SRIS架构 * 替代需求：Pin to Pin替换TI/Silicon Labs/IDT原厂料二、选型快速判定规则 · 仅需1~2路差分时钟、空间受限 → SYKG1011系列 · 双路差分，SSD/光模块标准方案 → SYKG1021（推荐） · 4路差分多设备同步、通用国产化替换 → SYKG1042（主推） · 需800M~1.2GHz高频SerDes时钟 → SYKG1100E · 纯LP-HCSL、PCIe多通道计算卡 → SYKG1090E / SYKG1200E 三、通用时钟缓冲器选型快速判定 · 需要3.1GHz高频差分、多电平兼容 → SYKB23F系列 · 仅PCIe LP-HCSL、成本优先 → SYKB23H系列 · 多路单端低速时钟、管理芯片 → SYKBC系列 · 主备时钟切换、热插拔系统 → 后缀带G型号（无毛刺切换） · 通道数量：4路小卡 → F04；8路中端主板→F08；10路AI多卡 → F10 四、服务器专用PCIe Gen7时钟缓冲器 SYKBD 选型规则 · AI整机、多GPU背板、高密度2U服务器 → SYKBD20AL系列（薄型优先ALK） · 标准双路存储服务器 → SYKBD16AK · 4U机架、8插槽以内PCIe设备 → SYKBD12AK · 单GPU子卡、Riser扩展卡 → SYKBD08AK · 支持时钟热插拔、冗余备份架构 → 后缀GK型号（无毛刺切换）五、通用选型关键注意事项 1. 抖动性能优先：PCIe Gen5/7、800G光模块必须选用230fs低抖动型号，避免高速链路误码。 2. PCIe版本匹配：全系列支持PCIe 1.0~7.0，新硬件优先SYKBD20AL服务器专用缓冲。 3. 主备时钟冗余：需要时钟热插拔、双源切换，统一选择带G/GK后缀无毛刺切换型号。 4. Pin to Pin替代：Renesas/Microchip/Diodes/TI方案国产化替换，直接选用表格内对应对标型号，PCB无需改版。 5. 供电匹配：多芯片混合系统优先1.8V/3.3V宽电压型号，简化电源设计。 6. 封装选型：高密度服务器、薄型板卡选用GQFN超薄封装；小型模块选用LGA小封装。六、选型总结 1. 需要产生多路不同频率基准时钟 → SYKG时钟发生器； 2. 已有基准时钟，仅做多路扇出/电平转换、通用硬件 → SYKB通用缓冲； 3. 服务器主板、PCIe Gen7、大规模LP-HCSL时钟分发 → SYKBD服务器专用缓冲； 4. 国产化替代优先选择手册标注“推荐”型号，兼顾性能、供货、Pin兼容三大核心需求。

时钟发生器

扬兴科技 . 2026-07-21 560
纳祥科技DC-DC有感1A降压芯片NX10，一款国产芯片多重保护功能

纳祥科技NX10是一款高效率同步降压DC-DC转换器，输入电压范围为2.7V~6V，专为高效紧凑的解决方案而优化。该器件内置集成开关，可提供高达1A的输出电流；并具备完善的保护功能，包括欠压锁定保护（UVLO）、输入过压保护（OVP）、输出过流保护（OCP）、输出短路保护以及过温保护等。在性能上，NX10可兼容替换SY8008。（一）主要特性 NX10主要具备以下芯片特性： ① 输出电压范围可调：2.7V至6V ② 精准反馈参考电压：0.6V（±2%） ③ 最大输出电流可达1A ④ 静态工作电流：40uA(典型值) ⑤ 待机电流：0.1uA(典型值) ⑥ 内部固定的脉宽调制频率：1.5MHZ ⑦ 最高效率达95% ⑧ 过流保护和输出短路保护 ⑨ 过温保护 ⑩ 输入欠压锁定保护 ⑪ 输入过压保护 ⑫ 封装：SOT23-5 （二）芯片亮点 NX10在成本、品质与封装设计上具备显著优势，具体体现在以下三个方面—— ①高性价比 NX10以极具竞争力的价格提供了稳定的输出电压和电流，在保证系统可靠运行的同时显著降低了BOM成本，尤其适合对成本敏感的消费电子与工业控制应用场景。 ②国产品质保障作为国产芯片，NX10经过严格的品质管控与可靠性测试验证，性能指标对标国际一线品牌，在供货稳定性、技术支持响应速度以及交期保障方面具有显著优势。 ③小型化封装 NX10采用SOT23-5紧凑型封装，在保证良好散热性能的前提下大幅减小占板面积，便于高密度PCB布局设计，尤其适合空间受限的便携式设备与模块化电源方案。（三）应用领域 NX10凭借小尺寸、高效率与优异的性价比，可广泛应用于各类消费电子与工业设备场景，包括机顶盒、固态硬盘、笔记本电脑、玩具及便携式产品等，是低压供电方案中的理想选择。

降压芯片

深圳市纳祥科技有限公司微信公众号 . 2026-07-21 1 574