产品｜德州仪器 DLP® 技术为高级封装带来高精度数字光刻解决方案
近日，德州仪器推出新型工业数字微镜器件 (DMD) DLP991UUV ，助力新一代数字光刻技术发展。作为 TI 迄今最高分辨率的直接成像解决方案，该器件具备 890 万像素、亚微米级分辨率能力及每秒 110 千兆像素的数据传输速率，在满足日益复杂的封装工艺对可扩展性、成本效益和精度要求的同时，消除对昂贵掩模技术的依赖。 TI DLP® 技术造就高级封装领域的无掩模数字光刻系统 关键所在 无掩模数字光刻机正广泛应用于高级封装制造领域，这类光刻机无需光掩模或高端模板，即可直接在材料上投射光线进行电路设计与蚀刻。高级封装将多种芯片与技术集成于单一封装内，使数据中心和 5G 等高性能计算应用实现更小巧、更快速、能效更高的系统设计。 借助 TI DLP® 技术，系统组装设备制造商可利用无掩模数字光刻实现高级封装所需的大规模高分辨率印刷。新款 DLP991UUV 作为可编程光掩模，提供精确的像素控制与可靠的高速性能。 TI DLP 技术副总裁兼总经理 Jeff Marsh 表示：“通过推动胶片到数字投影的转型，我们曾重新定义了电影放映行业。如今，TI DLP® 技术再次站在重大产业变革的前沿，推动无掩模数字光刻系统的建设，使全球工程师能够突破当前高级封装的限制，为市场带来强大的计算解决方案。” 高级封装技术的不断发展，对光刻技术的成本效益、可扩展性和精度提出了更高要求。TI DLP® 技术通过消除掩模基础设施及相关费用，有助于显著降低制造成本，同时支持在不更换物理掩模的情况下实现实时、灵活的设计调整。该技术可在各类尺寸基板上实现亚微米级精度，从而提升产量与良率，减少缺陷。这些显著优势恰好契合高级封装制造商在 AI 系统和 5G 网络中对高带宽、低功耗组件日益增长的需求。 DLP991UUV 是 TI 直接成像产品组合中的最新旗舰器件。 该器件的主要特性包括： 超过890万像素的极高分辨率 高达110千兆像素/秒的极快处理速度 405nm波长下功率密度达 22.5W/cm² 支持低至 343nm的工作波长 仅5.4um的微镜间距 德州仪器 (TI) DLP® 技术通过调控数百万个微镜，提供领先的高分辨率显示与高级光控解决方案。 该技术支持多元应用场景：从家庭影院绚丽的 4K 内容投影，到智能汽车照明，乃至下一代工业制造所需的高精度光刻与机器视觉系统。
TI
德州仪器 . 2025-10-16 945
市场 | 2025年Q3全球智能手机出货量同比增长4%，三星、苹果领跑，亚太地区拉动增长
在亚太地区（APAC）和中东非地区（MEA）的强劲表现拉动下，2025年Q3全球智能手机市场出货量同比增长4%。 三星以19%的出货份额领跑市场，Galaxy A系列凭借新发布的A17和A07机型带动品牌增长，而Galaxy Z Fold7在市场上也获得了良好反响。 苹果成为前五大品牌中增长最快的厂商，出货量同比增长9%，主要得益于全球多区域的强劲需求，尤其是在中东及亚太市场。 在新兴品牌中，得益于Pixel 9系列的热销及AI功能的深入整合，谷歌出货量同比增长18%。 根据Counterpoint Research市场监测的初步数据，2025年Q3全球智能手机出货量同比增长4%。尽管北美和欧洲等成熟市场的出货量在本季度出现下滑，但印度、中东非（MEA）、日本及亚太部分地区的强劲表现推动了全球出货的整体增长。 高级分析师Shilpi Jain对市场表现评论道：“发达市场对高端机型的需求依然旺盛，而在印度、亚太及中东非等增长型市场，经济型5G设备也愈发受到青睐。然而，由于去库存策略导致中国市场表现放缓，以及拉美市场的消费者信心偏弱，使得整体增长相对温和。在iPhone 16与iPhone 16e的持续热销的带动下，日本市场保持良好的增长势头，同比增长15%；三星的高端Galaxy S25系列在当地同样表现强劲。 中东非地区本季度出货量同比增长14%，主要由三星与小米的强劲表现驱动，苹果则继续领跑高端细分市场。该区域的增长动力主要来自丰富的中端产品组合，以及返校季需求与节前渠道备货的支撑。” 印度智能手机出货量同比增长9%，受益于提前到来的节庆季需求、政府近期纾困举措带来的消费者情绪改善，以及在积极折扣与渠道促销推动下，高端与中端机型的广泛普及。 全球前五大智能手机品牌出货量份额（初步数据） 来源：Counterpoint Research 市场监测初步报告（按出货量统计） 注：OPPO包含一加OnePlus。百分比因四舍五入可能不为100%。 研究分析师Kamal Singh在评论厂商表现时指出：“三星在2025年Q3以19%的出货份额和6%的同比增长率继续领跑全球市场。其增长主要由Galaxy A系列的强劲表现推动。新近发布的Galaxy Z Fold7在早期用户需求、运营商大力促销及消费者对折叠屏产品的持续关注的共同作用下在市场上表现突出。 苹果本季度全球出货量同比增长9%，为前五大品牌中增速最快。其在日本、中国、西欧及亚太部分地区均实现显著增长。全新发布的iPhone 17系列广受欢迎，多地区预售量创下历史新高。” 小米以14%的出货份额稳居第三，同比增长2%。该品牌在东南亚、中东非及拉美市场的份额持续提升，尤其在中低价位段表现突出，受益于运营商合作、促销活动及线上线下渠道的同步强化。 OPPO与vivo分列本季度全球市场的第四和第五。OPPO在东南亚及中东非市场凭借经济型5G机型实现增长，其子品牌一加（OnePlus）在中国与印度市场实现强势回归。与此同时，vivo则在印度及东南亚保持稳健增长，并持续扩大在其在中东非市场的布局。 除前五品牌之外，谷歌出货量同比增长18%，其Pixel 9系列在市场上表现亮眼，同时AI功能的整合及地域扩张策略也进一步推动了品牌增长。
智能手机
Counterpoint Research . 2025-10-16 2310
市场 | Omdia：2025年第三季度，中国智能手机市场回调3%，vivo重返第一，竞争态势趋紧
要点 Omdia 的最新研究显示，2025年第三季度，中国大陆智能手机市场同比下降3%，市场仍处于调整阶段，同时竞争格局愈发胶着，头部厂商排名差距持续收窄。 vivo以1180万台的出货量重回第一，占据18%市场份额。华为紧随其后排名第二，出货量1050万台，市场份额为16%。苹果延续上一季度的涨势，出货量1010万台，排名相较去年同期上升两位，跻身市场前三。小米出货1000万台，OPPO出货990万台，分别位列第四第五。 Omdia分析师钟晓磊（Lucas Zhong）表示：“尽管市场已连续两个季度回调，但跌幅的收窄意味着年初国家补贴计划带来的阶段性出货波动正在消退，市场节奏逐步回归常态。同时，审慎的出货节奏为厂商提供了健康的库存的水位，为第四季度丰富的旗舰新品发布、双11电商旺季及新一轮补贴政策预留了充足的备货基础。与此同时，厂商也正进行更为长远的战略性部署，华为自今年年初的Pura X起，在其主要新品全面预装Harmony OS 5.0系统，尽管这一举措短期对其系统使用体验提出更高挑战，并需要集中投入资源优化软件兼容，但在长远的坚定执行下仍有望为华为提供强有力的生态护城河，尤其是在存量型市场竞争中。” 他补充道：“主要厂商相继在三季度更新其中低端产品线，在今年部分元器件面临涨价的背景下，厂商对于中低端机型的升级显得更为有针对性且务实。荣耀X70、红米Note 15 Pro、vivo Y500、OPPO A6等新品的迭代方向趋同，均配备7000mAh以上超大电池，并强化防水、防尘及抗摔性能。这不仅体现了厂商对电池技术进步的利用，也精准回应了中大众消费者对耐用性和可靠性的核心需求。” Omdia首席分析师侯林（Hayden Hou）表示：“尽管连续回调，但根据Omdia的预测，2025全年中国大陆智能手机出货在国补背景下预期实现温和增长。本土品牌正通过外观设计、电池、摄像头能力等来实现产品的差异化，并通过不断升级的AI功能及用例强化用户体验，以吸引本地用户——中国用户是全球发达市场中对AI倾向性最强的消费群体。在中国市场的产品创新和技术积累，将为本土品牌在海外市场的产品能力及AI竞争力提升提供宝贵范例。”
vivo
Omdia新消费生态调研-原Canalys . 2025-10-16 3265
产品 | 高精度电流检测放大器 SGM830，全面覆盖 20/50/100/200/500 倍增益，1MHz 带宽助力快速响应
SGM830 是一款高精度、固定增益、电压输出型电流检测放大器，具备 -4V 至 80V 的宽共模电压输入范围，使其不仅适用于常规的 48V 服务器系统、有源天线系统、服务器电源、储能设备的高边电流检测，还能在负压条件下稳定工作，例如在螺线管反激期间等特殊应用场景中也可以表现优异。SGM830 采用符合环保理念的 SOT-23-5 绿色封装，提供两种引脚排布选项，满足不同应用场景的空间要求。器件工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。 SGM830 典型特性 SGM830 具有多项优异的性能参数： 增益全覆盖：提供 20V/V、50V/V、100V/V、200V/V 和 500V/V 五种固定增益选项，满足不同应用场景的灵活需求； 超高带宽：小信号带宽高达 1MHz，支持高速电流检测和快速过流保护； 快速响应：压摆率 5V/μs，建立时间至 0.5% 精度仅需 6μs，至 5% 精度仅需 1μs； 卓越精度：失调电压低至 ±20μV（典型值），增益误差低至 ±0.02%（典型值）； 优异抗干扰：直流 CMRR 高达 130dB（典型值），50kHz 交流 CMRR 为 70dB（典型值）。 图 1 SGM830 典型应用电路 SGM830 核心特点 电容耦合斩波放大器结构 SGM830 输入端采用电容耦合斩波放大器结构，实现了极低的输入偏置电流 IB（典型值 25nA，VSENSE = 0V），即便在共模电压高达 80V 的情况下也是如此。这种极低的电流消耗使得在对泄漏电流要求极低的应用中能够实现高度精确的电流测量。 图 2 SGM830 功能框图 图 3 输入偏置电流 vs. 共模电压 电容耦合斩波放大器的输入结构也使得 SGM830 的输入失调电流 IOS (IB+ - IB-) 大幅减小。该优势让 SGM830 在添加相同大小输入滤波电阻的情况下，由滤波电阻所带来的增益误差相比于市面上的同类型产品缩小了 10 倍以上。 图 4 输入偏置电流 vs. 差分电压 零漂移架构 SGM830 采用了零漂移输入架构，具有极高的精度，其失调电压很低（典型值 20μV，最大值为 ±170μV），并且在 -40℃ 至 +125℃ 的宽温度范围内的温漂也很小。这些特性提高了测量精度，尤其适用于低电流检测电压的情况，并允许使用较小的分流电阻以最小化功率损耗。 图 5 输入失调电压 vs. 温度 精确比例匹配和出色的温度稳定性的增益网络设计 SGM830 拥有五种固定增益选项（20V/V、50V/V、100V/V、200V/V 和 500V/V），能够满足不同系统的灵活需求。该设备采用了一种精密的闭环架构，其增益由内部电阻网络决定。该网络在电阻之间实现了出色的比例匹配，同时允许更大的绝对值容差范围。这种设计确保了增益的高度稳定性和一致性。SGM830 内部增益电阻具有出色的温度稳定性，确保 SGM830A/B/C/D 的增益误差在全温度范围内保持在 ±0.4%，SGM830E 保持在 ±0.65% 之内，覆盖整个工作温度范围。 图 6 增益误差 vs. 温度 SGM830 典型应用 在工业自动化领域，螺线管和阀门控制对电流检测精度和响应速度要求极高。SGM830 的高精度和高带宽特性使其在这类应用中表现出色。低至 -4V 的共模电压范围，也让 SGM830 在螺线管反激期间等特殊应用场景中也可以表现优异，如图 7 所示，在螺线管应用中，SGM830 能够准确监测电流变化，确保控制的精确性和可靠性。 图 7 螺线管应用中的电流检测 在当今快速发展的电子技术领域，高精度电流检测已成为众多应用的关键需求。SGM830 凭借其卓越的性能和广泛的适用性，无疑为工程师和设计师提供了一个理想的解决方案。其高精度、快速响应和优异的抗干扰能力，使其在各种复杂的应用场景中都能表现出色。无论是在工业自动化、通信系统还是能源管理领域，SGM830 都能确保电流检测的准确性和可靠性，从而助力您的项目实现更高的效率和更好的性能。选择 SGM830，就是选择卓越的品质和可靠的性能，让我们共同期待它在未来应用中的更多可能！
圣邦微
圣邦微电子 . 2025-10-16 555
产品 | 金属烧结分流电阻器UCR10C系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布成功开发出在2012尺寸分流电阻器（10mΩ～100mΩ）领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。 在电流检测领域，无论是车载市场还是工业设备市场，都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外，车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求，一直在大力开发适配度高的分流电阻器，为客户提供电流检测方面的出色解决方案。 新产品是利用烧结工艺在氧化铝基板上形成铜基电阻体制作而成的。通过优化散热结构，与包括厚膜型*1和金属板型*2产品在内的同等尺寸产品相比，其额定功率高1倍，达到1.0W和1.25W。这不仅能满足客户替换长边电极结构*3产品和更大尺寸产品的需求，还可实现设备小型化并减少元器件数量。 而且，通过采用金属电阻体，还实现了低TCR*4（0 to +60ppm / ℃）特性。由于能够抑制温度变化导致的误差，因此可实现高精度的电流检测。 此外，在温度循环可靠性方面，新产品也实现了与金属板型同等的耐久性（－55℃ /＋155℃ 1000次循环）。因此，即使在车载等温度变化剧烈的应用场景中，也能确保高接合可靠性，可长期稳定使用。另外，新产品还完全无铅，在RoHS不要求的部位也不含铅材料，可减轻环境负荷。 新产品已于2025年9月份开始提供样品。如需样品或了解相关事宜，请联系ROHM销售代表或通过ROHM官网的“联系我们”垂询。 ROHM也已开始着手开发3216尺寸（2W）金属烧结分流电阻器“UCR18C系列”，不断扩充大功率、高精度、高可靠性兼具的产品阵容。 ＜应用示例＞ 车载、工业设备、消费电子等各种电流检测用途 ＜术语解说＞ *1) 厚膜型 采用金属玻璃材料作为电阻体的贴片电阻器。除成本优势外，因其电阻体覆膜较厚，在应对脉冲和浪涌方面具有出色的耐受性。 *2) 金属板型 采用金属板作为电阻体的贴片电阻器。其散热性能出色，因低TCR特性而可实现高精度，在性能方面更具优势。 *3) 长边电极结构 沿贴片电阻器本体的长边配置电极的结构。相较于沿短边配置电极的一般结构，这种结构的散热效率更好，可支持大功率应用。 *4) TCR（Temperature Coefficient of Resistance：电阻温度系数） 表示电阻器的阻值随温度变化而变化多少的指标。数值越低，相对环境温度变化的电阻值变化越小，性能越稳定。 UCR10C的TCR因阻值而异。另外，所提供的TCR为10mΩ产品在+25/+155℃范围内的保证值。
罗姆
罗姆半导体集团 . 2025-10-16 480
技术 | 6G 即将到来：重新定义无线的可能性
6G 网络技术是下一代无线技术，有望提供比 5G 更快的速度、更低的延迟和更大的容量。5G 的潜力主要体现在消费者身上，而 6G 将更加专注于支持期待已久的行业应用。6G 仍处于早期开发阶段。但它将彻底改变我们的生活和工作方式。 从5G向6G过渡 当前5G无线技术已普遍用于智能手机、可穿戴设备等消费领域，较前代技术显着提升了传输速度与响应能力。但在智能工厂等数据密集型场景中，5G已显现性能瓶颈。随着工业领域对高速海量数据的需求激增，6G将为基础设施、带宽及计算能力提供坚实的支撑，成为帮助下一代制造技术充分发挥潜能的关键推手。 但这一变革并不会一蹴而就，相关测试预计将于2030年启动。从5G向6G的过渡，与以往的代际升级类似，将需要在硬件和软件方面进行重大投资。例如，为满足6G所需的增强覆盖范围和更大带宽，需要建设新的传输塔。光纤网络的铺设同样至关重要，以应对6G预计产生的海量数据流量。此外还需开发新型软件，高效管理6G互联设备构成的复杂网络。 毫米波在6G中的作用 6G性能提升的关键在于采用毫米波（mmWave）频段。这类波长介于1至10毫米的射频技术相较其他频段具有多重优势：凭借海量带宽容量与超低时延特性，毫米波既能处理海量数据，又能保障高速传输，从而满足制造业企业日益依赖的高吞吐量实时应用需求。但其局限性在于传输距离较短，且穿透墙体、机械等物理障碍的能力有限。 为克服这些限制，6G网络需要密集部署基站，并借助大规模多输入多输出（MIMO）天线和先进的高精度高频连接器等技术支持。即使在最严苛的制造环境中，这些组件也可确保提供强劲稳定的信号。 对制造业的优势 向6G的转型需要巨额资金投入。对于已通过Wi-Fi实现高效运营的制造商而言，其优势必须显着。究竟什么能让制造业企业认为6G转型值得呢? 实时数字孪生 6G凭借高速数据传输与低延迟连接能力，将推动人工智能（AI）、机器学习（ML）及数字孪生技术的发展，实现生产环境的实时镜像。数字孪生技术将实现工业流程的实时监测、控制与自动化，从而提升工厂效率和生产力。操作人员无需在故障发生后被动应对，而是通过数字孪生获取的预测性洞察，预判潜在中断并及时采取措施防止事态恶化。 更智能、更透明的供应链 设想全球供应链中每个集装箱、托盘或零部件都能轻易实时追踪的情景。6G技术将使这一愿景成为现实，助力制造商减少浪费、优化物流并快速应对突发状况。结合数字孪生技术，这将为构建智能供应链提供有力的洞察见解。 自动驾驶汽车制造 凭借支持海量数据流同时传输的带宽，6G技术有望实现全自动汽车装配。电动汽车无需依赖传送带系统，可自主在生产车间内移动，独立完成各装配工序后驶向街道，直达经销商展厅或买家车道。 工厂移动机器人 自主移动机器人（AMR）也将受益于6G提供的低延迟和精准通信，使其能够与人类工人自由安全地协同作业。这种模式无需刚性屏障或固定工作流程，为制造业带来更高灵活性和生产力。 保障数据与云端安全 随着工厂日益实现数字化，网络安全已成为关键任务。然而，每个物联网设备都潜藏安全风险，而随着物联网设备数量激增及实时云端操作的普及，这种风险正持续攀升。整个网络的整体安全性取决于其运行软件的安全性。 6G技术有望在以下方面实现改进： 加密：先进的加密标准将增强网络传输过程中数据的安全性，防止未经授权的访问和解密，从而保护数据在传输和存储期间的安全。 身份验证：6G将整合多因素认证、生物特征识别及人工智能驱动的行为分析技术来验证用户身份。这将强化访问控制，确保敏感数据仅限授权人员访问。 威胁响应：超低延迟带来的近乎即时通信能力，将支持对潜在安全漏洞的实时检测与隔离。 然而值得注意的是，没有任何系统是完美的，制造业企业必须在网络安全的基础上制定6G战略，尤其涉及专有数据和工厂模型时。 逐步采用6G 尽管6G距离现实应用尚需数年时间，但其重塑制造业的潜力巨大。从实时分析到自主系统和智能供应链，有望释放前所未有的效率和能力。与历代无线技术相同，6G不会在初始阶段就全面投入使用。基础设施将分阶段部署，运营商将竞相提供覆盖最广、信号最强且最可靠的服务。正如5G仍在持续进化以释放更多潜能，6G也将经历渐进式发展，其演进过程很可能呈现迭代特征。 对于制造业企业而言，采用6G技术需要战略性考虑，仓促部署而缺乏周密分析可能导致投资浪费。决策者应评估自身现有能力与升级需求、区域6G部署时间表、特定应用的投资回报率，并建立合作伙伴关系共同开发6G就绪解决方案。最终，那些从现在开始规划、探索应用场景、升级基础设施并把握不断演进的连接发展状况的制造业企业，将在6G时代占据领先地位。 Molex 莫仕致力于利用尖端工程专业技术、互连创新和我们的全球足迹，引领 6G 网络、基础设施和设备的发展和演进。我们在最先进技术领域的持续投资使我们能够开发具有成本效益的一流产品，帮助客户实现 6G 理念和技术。
Molex
Molex莫仕连接器 . 2025-10-16 1 1290
思特威推出2亿像素0.61μm像素尺寸超高清手机应用CMOS图像传感器
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，推出2亿像素0.61μm像素尺寸超高清手机应用CMOS图像传感器——SCC80XS。基于思特威先进的SmartClarity®-SL Pro技术平台，SCC80XS采用22nm Stack先进工艺制程，搭载思特威PixGain HDR®、SFCPixel®-SL及AllPix ADAF®等多项优势技术，具备低噪声、高色彩还原度、高感度、低功耗等多项性能优势，且支持高帧率高动态范围视频录制，可适用于高端旗舰手机主摄及辅摄等多类型摄像头，助力旗舰手机影像能力升级，打造全新超高清旗舰画质。 超高清2亿像素 远近清晰尽现 SCC80XS拥有2亿超高清像素，支持传感器内2倍（50MP）及4倍（12.5MP）变焦，可实现全焦段高清拍摄，让远景近景皆清晰。SCC80XS可灵活适用于主摄像头、长焦摄像头、广角摄像头等多类型手机摄像头，为旗舰级智能手机带来全新超清视野。 由SCC80XS拍摄@新疆 SFCPixel®-SL技术 捕获超清夜色 作为0.61μm像素尺寸手机应用CMOS图像传感器，SCC80XS基于思特威先进的SmartClarity®-SL Pro技术平台打造，创新融合专利SFCPixel®-SL技术，实现了噪声的大幅降低。在200MP及50MP模式下，其读取噪声仅约0.7e-，较行业同规格产品降低约47%；12.5MP模式下，其读取噪声仅约1.2e-，较行业同规格产品降低约28%。SCC80XS优异的噪声抑制表现，能够显著提升夜景成像质感，帮助旗舰级智能手机摄像头捕捉到细节清晰、画面细腻的超清夜色。 光学结构升级 高感光高色彩还原 SCC80XS首发采用思特威全新Narrow BDTI（NBDTI™）及Low-n Grid升级光学结构，实现了小像素的高色彩还原度与高光学感度。基于NBDTI™ 光学技术，SCC80XS采用超窄像素隔离结构，可以有效减少光线串扰，避免色彩混杂，让手机摄像头成像颜色更真实、准确。基于Low-n Grid光学技术，SCC80XS通过全新Grid材料，在保障低串扰的同时，大幅提升了光学感度，其峰值量子效率(peak QE)高达80%，能够显著优化光线不足环境下的成像效果，让手机摄像头拍摄画面更明亮、清晰。 高帧率高动态范围 专业视频质感 SCC80XS搭载思特威PixGain HDR®技术，其动态范围最高可达85dB。 在视频拍摄中，基于PixGain HDR®技术，SCC80XS能够保留更多亮部与暗部细节，同时有效抑制运动伪影的产生，帮助手机摄像头实现光影层次丰富、明暗有致且清晰无拖影的高动态范围视频拍摄效果。并且，SCC80XS可支持普通模式下4K 120fps超高帧率视频以及全焦段4K 60fps HDR高帧率高动态范围视频拍摄，带来光影生动、丝滑流畅的视频拍摄体验，满足专业视频创作需求。 由SCC80XS拍摄@苏州 出色对焦性能 超低功耗表现 SCC80XS搭载思特威AllPix ADAF®及Sparse PDAF技术，支持不同光线环境下两种快速对焦模式的灵活切换。当环境光线不足时，SCC80XS可开启AllPix ADAF®模式，通过100%全像素对焦，实现高速、精准的对焦效果。日常光线条件下，SCC80XS则可开启Sparse PDAF模式，通过6%像素相位检测，在保障快速、准确对焦的同时降低运行功耗。 此外，得益于思特威SmartClarity®-SL Pro技术平台与22nm Stack先进工艺制程，SCC80XS实现了功耗的显著优化。其超低功耗性能，能够有效减少手机高清视频录制中的设备发热，保障长时间、稳定拍摄，提升整机续航能力。 马伟剑思特威联合创始人兼首席运营官兼高性能感知BG CEO SCC80XS是思特威全新推出的首颗2亿像素超高清手机应用CMOS图像传感器。作为1/1.28英寸0.61μm小像素尺寸的图像传感器，SCC80XS通过思特威两项全新光学技术—Narrow BDTI（NBDTI™）和Low-n Grid，克服了传统小像素图像传感器在感度和色彩还原上的相对劣势，实现了色彩准确真实、明丽清晰的原彩级影像效果。并且，在思特威SFCPixel®-SL技术的加持下，SCC80XS的噪声大幅降低，能够在光线不足的环境中让画面细节更清晰细腻，轻松驾驭超清夜景拍摄。此外，SCC80XS还具备高动态范围、高帧率、超低功耗等多项性能优势，可灵活应用于旗舰机主摄、长焦、广角等多种摄像头，满足不同影像策略需求，助力旗舰级智能手机迈入2亿超高清时代。
思特威
思特威 SmartSens . 2025-10-16 675
产品 | 中微半导发布高集成、高可靠性增强型CMS80F732x系列 重塑智能控制核心
中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导 股票代码：688380）近期宣布，推出其新一代增强型1T 8051内核Flash MCU——CMS80F732x系列。该系列产品集显示、触摸及控制于一体，以其卓越高集成度及抗干扰能力，为智能家居、小家电、仪器仪表等应用领域，提供高度可靠并具成本效益的单芯片解决方案。 高集成化设计 显著降低系统成本与体积 CMS80F732x系列打破了传统MCU需要外围芯片辅助的设计桎梏，将多项关键功能集成于单芯片之内。芯片内置LED矩阵/点阵驱动，支持最大11段8位的矩阵显示或8*9像素的点阵显示，COM口驱动能力高达150mA，可直接驱动LED，省去了外部专用的LED驱动芯片，显著降低显示类应用（如仪表盘、智能面板）BOM成本与PCB面积。 CMS80F732x系列同时内置高灵敏触摸按键模块，创新性地实现了无需外挂电容的触摸方案，所有I/O口均可配置为触摸通道并支持高精度12位ADC，极大提升了设计灵活性。其触摸灵敏度可调，并配备5通道带死区控制的互补型PWM，支持复杂应用控制与电源管理场景。 卓越抗干扰性能 满足严苛工业应用标准 CMS80F732x系列在设计之初就秉承工业级标准，具备出色的电磁兼容性，可轻松通过动静态10V传导干扰测试，确保产品在电机、继电器等强干扰环境下依然稳定运行，触摸响应精准无误。同时，芯片集成了多档位可选的低压复位（LVR）和低压检测（LVD）功能，结合看门狗定时器，构成了全方位的系统安全监控网络，有效防止因电源波动或程序跑飞导致的系统故障。 CMS80F732x 关键特性 高性能内核：增强型1T 8051，最高支持16MHz运行，效率远超传统8051。 丰富存储：16KB程序Flash、256B RAM、768B XRAM及256B Data Flash，满足复杂应用需求。 全面通信接口：集成2路UART、1路SPI和1路IIC，连接外设无忧。 灵活时钟与低功耗：支持内部32MHz高速和32KHz低速振荡器，具备空闲与休眠模式，有效平衡性能与功耗。 宽泛工作条件：工作电压2.5V-5.5V，温度范围覆盖-40℃至105℃，适应各种环境。 便捷开发：提供SOP16、SOP20和SOP28三种封装形式，支持两线编程与调试，简化开发流程，加速产品上市。 CMS80F732x应用领域 CMS80F732x系列凭借高集成、高可靠性特性，是以下应用的理想选择： 智能家居：智能面板、触摸调光开关、风扇控制器。 小家电：压力锅、智能料理机、咖啡机、电磁炉显示等。 仪器仪表：电动两轮车仪表、手持测量设备、数码显示模块等。
中微半导
中微半导 . 2025-10-16 530
技术 | 手机背壳如何自定义灯效？艾为灯语®与潮流美学的再次碰撞！
手机背壳呼吸灯作为视觉交互的重要载体，既是品牌辨识度的核心符号，也是用户情感连接的纽带。在超薄机身与复杂灯效的双重需求下，背壳呼吸灯面临着 “空间受限、功耗敏感、CPU负荷过重、灯效多样化” 的技术挑战。艾为灯语®系列驱动芯片通过硬件架构革新与灯效算法优化，构建了从芯片到灯效呈现的全链路技术解决方案，重新定义了手机背壳呼吸灯的技术标准。 一、核心技术挑战 相比较传统指示灯，手机背壳呼吸灯因其特殊的应用场景，技术难度显著提高，主要面临以下四大挑战： 表1 核心技术挑战 二、艾为灯语®的底层技术支撑体系 针对手机背壳呼吸灯的技术痛点，中国数模龙头艾为电子通过芯片集成设计、功耗优化、灯效控制等多维度创新，形成了完善的底层技术支撑体系，具体技术亮点如下： 性能优化：减轻CPU负荷，提升运行稳定性 内置MCU分担资源：针对CPU负荷过重问题，艾为AW22118/AW22127/AW22216等芯片内置独立MCU+Flash架构，支持客制个性化灯效，无需占用主CPU资源。这一设计不仅优化了手机性能，还减少了因CPU高负载引发的散热问题。 图1 AW22127功能框图 功耗控制：全场景低功耗设计 智能亮度调节：艾为灯语系列产品支持 GCC（全局电流控制）、PWM（脉冲宽度调制）、Color（颜色控制）多维度调节： Color：用于配置灯效颜色，满足不同场景的视觉需求； PWM：实现灯效亮度的细腻变化，避免亮度突变带来的视觉不适； GCC：根据场景动态调整整体亮度，例如电池电量较低时减小 GCC 值，或针对日常、游戏、省电等模式设置专属 GCC 参数，从源头降低功耗。 休眠模式降耗：空闲状态下让芯片进入休眠模式，待机电流＜1μA，较传统方案降低 90%，避免长期待机对电池容量的损耗，延长手机续航时间。 空间优化：集成化设计缩减占用体积 芯片集成升压功能：艾为新推出的AW21209，集成了1X/1.5X自适应charge pump升压，供电电压低至2.7V，且无需额外Boost升压芯片给LED供电。这一设计不仅简化了电路结构，还减少元件数量，显著节省了手机内部空间，为机身轻薄化创造了条件。 图2 AW21209功能框图 多厚度规格可选： 艾为呼吸灯有0.37mm/0.55mm/0.75mm/0.85mm/1.2mm等多种厚度的芯片，可根据手机机身设计需求灵活选择。 灯效丰富性：灵活模式实现复杂炫彩效果 双模式基础灯效：芯片支持Manual和Pattern模式，可轻松实现常亮和呼吸等基础灯效。 复杂灯效拓展：在Manual基础上，增加实时修改亮度和颜色，可实现流水灯、彩虹环、图案显示等复杂炫彩的灯效，满足用户对个性化的视觉体验的需求。 人机互动拓展：通过时域和频域混合算法，精准提取音乐节奏，经过动态增强节奏，经过同步声光转化算法。这一设计做到了声光同步，在语音互动、影音、游戏等场景实现人机互动。 三、实战案例 艾为灯语®系列芯片已在多款手机产品中实现落地应用，通过技术与场景的深度结合，为用户带来优质的视觉交互体验。其共性特征如下： 表2 技术维度与案例共性 Tecno POVA 6 Pro 环形呼吸灯 搭载艾为灯语®矩阵型呼吸灯驱动AW20216QNR芯片，实现 210 颗LED 的环形背壳灯效，技术亮点包括： 功耗表现：可以根据环境光和电池电量自动调整艾为矩阵呼吸灯驱动的所有灯珠的亮度；并精准控制每一个LED的电流， 使其精准控制每个场景下的功耗。 交互响应：收到消息时灯效启动延迟＜30ms，支持与铃声节奏同步，实现 “声光协同” 效果。通过音频频谱分析算法，灯效强度随音量大小动态变化。 丰富灯效：在艾为灯语的加持下，用户可以根据9种场景随意设置101种灯效的同时，不用增加内部空间的占用。 图3 Tecno POVA 6 Pro Dynamic-Eye光效示意 GT20 机甲环路 该机型搭载艾为AW22127QNR驱动芯片，实现90颗微型 LED 的背壳呼吸灯效，核心技术如下： 硬件设计：采用LED灯珠降低功耗，引入带MCU的灯效驱动芯片分担主处理器压力。 软件设计：通过PWM和Color精准调试每颗灯珠的亮度和颜色，实现多级亮度和256*256*256种颜色配比；并搭载了艾为的灯随音动算法做了丰富的灯随音动效果。 用户体验：可以针对不同APP、不同信息设置专属灯效，也可以根据游戏、影音和日常等场景设置不同的灯效。 图4 GT20光效示意 nothing phone 2 该机型搭载艾为AW20036QNR驱动芯片，为背壳的Glyph界面提供了动力，核心技术如下： 精准的灯光控制：手机通过64级DIM和256级FADE精准控制Glphy界面上每颗灯珠的亮度和颜色，通过Glyph界面就能获取到对应的信息，例如外卖状态、倒计时、打车时间等等。 丰富的交互场景：用户可以为每个联系人或应用程序创建其独特的闪烁灯光序列，Glphy右上角的灯与特定App的通知互动；Glphy界面编辑器自定义灯光和声音效果，激活Google语音助手时，Glphy灯组可展示手机的收音状态，增加了人机互动的趣味性。 四、丰富的呼吸灯驱动 除了上述提到的呼吸灯驱动IC，中国数模龙头艾为电子拥有直驱型、矩阵型、GPIO+LED二合一、“灯随音动”型等多种驱动IC，每一颗都拥有其独特的优势，使其可以广泛应用于不同设计、不同型号的手机。 表3 矩阵型呼吸驱动选型表 表4 直驱型呼吸灯驱动选型表
呼吸灯
艾为官网 . 2025-10-15 460
技术 | 借助高度集成的实时控制 MCU 实现更平稳、更静音的电机性能
引言 消费者希望电器能够静音运行，并具有更高的机械和电气耐用性。即使手持工具、洗衣机、风扇以及暖通空调(HVAC) 单元等终端设备也是如此。 过去，改善声学性能、动态行为和系统寿命的方法是改进机械设计，采用新材料，或者采用热管理或高级控制策略。其中许多控制策略都需要跨多个器件进行实现：一个用于处理，另一个用于检测，额外的器件用于信号调节或保护。虽然这些实现在技术上有效，但可能会跨硬件和软件引入紧密耦合的依赖关系，增加延时和抖动，并且需要投入精力来进行集成和调整。 因此，面临的挑战已从实现系统性能目标转向在不增加系统复杂性或成本的情况下实现这些目标。 使用统一的处理环境推动电机控制发展 在统一的处理环境中实现高级电机控制技术，例如无传感器磁场定向控制 (FOC) 或振动补偿，有助于显著减少协调工作量，减少时序变化并实现更可预测的行为。从软件角度来看，TI的 F28E120SC 等高度集成的实时控制微控制器 (MCU) 提供了统一的处理环境，设计人员可以使用该环境简化电机控制应用中检测、控制和驱动功能的实现。 这些 MCU 支持实时电机控制算法（例如无传感器 FOC），当转子位置很难估算时，可帮助设计人员在低速下满足时序预算。更精确的电机控制使扭矩产生更平滑、振动更低和运行更静音，无需依赖外部传感器或专用的加速硬件。 图 1 展示了典型电机控制设计中 F28E120SC MCU 的方框图。 从硬件的角度来看，这些 MCU 采用集成公式元件，包括高速模数转换器 (ADC) 以及集成式可编程增益放大器和模拟比较器。这些集成式元件可帮助设计人员简化系统信号链，从而实现低噪声电流反馈，无需片外运算放大器或分立式模拟集成电路。 由于这种统一的控制架构不依赖于跨分立式器件手动协调时序，因此设计人员可以减少延时、抖动和系统管理时间。此架构还通过同步脉宽调制 (PWM) 和 ADC 触发来改善系统响应，以使采样与开关事件精确保持一致。 我们来看两个示例，它们演示了统一处理环境对于电机控制的好处。 示例一 ：洗衣机中的电机控制 在洗衣机中，电机控制算法需要适应实际条件，例如开环启动、旋转周期内的突然负载不平衡、清洗阶段不同的扭矩需求以及用于织物护理和甩干的精确速度和方向转换。传统架构通常依赖外部传感器、模拟前端和自定义调优逻辑来平稳且静音地管理这些转换。 实时 MCU 将整个控制路径整合到一个器件中。无传感器 FOC 无需位置传感器即可实现平稳可靠的启动和加速。可以使用基于软件的振动补偿来减少桶不平衡和声学噪声，而不是仅依靠机械平衡。 更紧凑的确定性控制架构使得洗衣机电机控制器可以更静音地运行、持续时间更长并且更易于制造。 示例二 ：HVAC 系统中的电机控制 HVAC 系统必须在空气流量有限、布板空间紧凑且维护频率不高的密闭且散热受限的外壳中长时间运行电机。可靠、高效的系统包含电机控制功能，例如静音启动、稳定的气流控制和高整体效率。 HVAC 系统可以采用与电器中相同的高级控制技术，但还具有热稳定性和长占空比容差。无传感器控制策略无需霍尔效应传感器或编码器，简化了机械设计并提高了长期可靠性。 F28E120SC 等 MCU 具有误差校正码保护的闪存存储器和奇偶校验保护的静态随机存取存储器，可在长占空比期间提高系统性能。这些 MCU 的高带宽 FOC 运行和死区时间补偿有助于将总谐波失真降低多达 50%，从而实现更平稳的气流控制和更静音的运行。 即使开关频率增加或热条件变化，PWM 逻辑和 ADC 采样在单个时钟域内紧密同步也可实现一致的控制行为。然后，设计人员可以对压缩机和风扇负载应用更严格的环路控制，调整开关转换，以便显著降低可闻噪声，并且无需那些会因发热或振动而承受应力的外部元件。 结语 对于需要在不同负载条件下控制行为需要保持可预测且高效的电机驱动应用，实时控制 MCU 将紧密的模数集成与以周期级精度进行的确定性高性能执行相结合，同时降低了设计成本。
TI
德州仪器 . 2025-10-15 635
企业 | 英特尔与AMD共庆x86生态系统顾问小组一周年，携手助x86计算迈向新阶段
今日，英特尔与AMD共同庆祝x86生态系统顾问小组（下简称EAG）成立一周年。这一联合倡议于2024年10月启动，意在拓展x86生态系统，塑造这一计算架构的未来。该小组汇聚了英特尔、AMD以及核心生态伙伴，着力于通过协作决策、功能标准化以及面向开发者的创新，推动x86平台的持续发展。 EAG聚焦于提升基于x86处理器产品的兼容性、可预测性和一致性，这类产品广泛应用于超级计算机及掌上游戏设备等。过去一年中，EAG在架构和技术发展重点上达成了高度共识，显著增强了整个生态系统的凝聚力与发展动力。 x86功能标准化 过去一年，EAG在技术上达成了多项里程碑式进展： •FRED（Flexible Return and Event Delivery）：已确立为标准功能。FRED引入了现代化的中断模型，以降低延迟并提升系统软件的可靠性。 •AVX10：被确立为下一代统一且向后兼容的向量与通用指令集扩展。AVX10在提升吞吐量的同时，能够确保在客户端、工作站和服务器CPU之间的兼容性。 •ChkTag：x86内存标记：为应对长期存在的内存安全漏洞问题，如缓冲区溢出、释放后重用（use-after-free）错误等，EAG推出了统一的内存标记规范——ChkTag。该功能通过硬件指令检测违规行为，帮助增强应用、操作系统、虚拟机管理程序和固件的安全。在编译器和工具链的支持下，开发者可以实现更精确的控制，同时保持性能不受影响。值得注意的是，即使在缺乏硬件支持的处理器上，启用ChkTag的软件仍可兼容运行，从而简化部署，并与现有的影子栈、机密计算等安全功能形成互补。完整的ChkTag规范预计将在今年晚些时候发布，更多详情可访问ChkTag博客。 •ACE（Advanced Matrix Extensions for Matrix Multiplication）：已在整个技术栈中被采纳与实现。ACE对矩阵乘法能力进行标准化，使开发者可以在从笔记本到数据中心服务器的各类设备上都能获得一致的开发体验。 未来发展方向 在x86 EAG迈入第二年的阶段，诚挚感谢所有成员的踊跃参与和长期投入，这些努力也为小组的持续发展注入了动力。展望未来，EAG将重点关注几个方向：引入全新的战略独立软件开发商（ISV）伙伴；评估能够为客户带来显著优势的新指令集架构（ISA）扩展；以及进一步巩固 x86 架构的长期稳定性与可预测性。
英特尔
英特尔中国 . 2025-10-15 620
产品 | Littelfuse推出首款具有SPDT和长行程且兼容回流焊接的发光轻触开关
全新K5V系列开关融合LED背光、镀金可靠性与紧凑防尘设计，采用耐高温PAR材料，实现高效SMT组装。 Littelfuse宣布推出首款支持回流焊接、具有长行程和单刀双向（SPDT）功能的K5V4发光轻触开关，使K5V系列照明型轻触开关产品系列得到扩展。产品包括鸥翼（GH）和2.1mm引脚浸锡膏（PIP）版本，均兼容回流焊接。 K5V系列轻触开关 新型K5V4开关采用高温PAR（聚芳酯）材料制造，热变形阈值为250℃，非常适合从波峰焊工艺过渡到回流焊接工艺的制造商。该开关无需硅胶套或特殊处理，首次实现直接SMT组装，从而降低生产成本，提高产量，提升最终产品质量，同时还保持耐用性和触感性能。 Littelfuse开关与传感器工程副总裁Jeremy Hebras表示：“该款新型K5V4开关专为满足当今紧凑型电子系统的需求而设计，在这些系统中，空间效率、可靠性和用户界面反馈至关重要。K5V开关产品系列旨在满足客户独特的设备架构需求，在这种架构中，主板和组件的位置与前面板成90°角。结合长行程、敏锐触感和背光功能，K5V是需要精确设备控制的理想选择，尤其是在防止意外驱动或缺乏即时用户反馈的情况下。” 主要功能与特色： · 通过PAR材料兼容回流焊接，无需套管； · SPDT触点配置，提供常开和常闭选项； · 敏锐的触觉响应，可听到咔嗒声，具有4N操作力； · 集成高亮度LED，有多种颜色和双色可供选择； · 紧凑型防尘设计，可在密集电路板内可靠运行；· 镀金圆顶触点，具有出色的长期触点性能； · 提供SMT(GH)和THT(PIP)版本，设计灵活。 市场与应用： · 数据中心和服务器：系统控制和诊断界面按钮； · 网络基础设施：路由器和电信设备复位和反馈开关；· 工业设备：控制面板界面、安全复位点和信号输入； · 专业音频/视频系统：为混音器、配电板和低光界面提供触感响应。 Littelfuse推出的首款采用回流焊接SMT封装的长行程、SPDT、发光轻触开关，填补了市场上一项关键空白。相比之下，市场上其他同类产品通常需要波峰焊接，增加了装配工艺的复杂性和成本。K5V4系列将卓越的人体工程学、视觉反馈和可制造性结合在一个紧凑、坚固的解决方案中。 这一扩充强化了Littelfuse对推动轻触开关技术发展的承诺，为OEM提供针对现代生产环境优化的高性能人机界面（HMI）组件。
Littelfuse
Littelfuse . 2025-10-15 610
政策 | 欧盟：将强制要求中国汽车和电池等投资转让技术
10月14日，路透社和彭博社报道： 欧盟考虑对中国投资强制技术转让。 文章报道： 欧盟正在考虑出台新规定，要求中国企业与欧洲企业分享技术，以进入欧盟关键市场。 彭博新闻社（Bloomberg News）援引不愿透露姓名的知情人士的话报道称，预计将于11月出台的拟议措施，将适用于寻求在汽车和电池等战略领域开展业务的公司。 虽然这些规定在技术上适用于所有非欧盟公司，但它们的具体目的是防止中国的制造业实力压倒欧洲工业。 这些规定还将要求外国公司使用最少量的欧盟商品和劳动力，在欧盟领土内增加产品的价值，并有可能与欧洲公司建立合资企业。 欧盟贸易专员Maros Sefcovic表示，欧盟欢迎外国投资，但这些投资必须是“真正的投资”。 这意味着他们要在欧盟创造新的就业机会，并涉及技术和知识产权的转让。 Maros Sefcovic说，许多欧盟部长都提出了这些问题，现在是欧盟委员会将其转化为具体原则和建议的时候了。
电动汽车
贸易规则与制裁 . 2025-10-15 1 1 2760
产品 | Microchip推出首款3纳米PCIe® Gen 6交换芯片，赋能现代AI基础设施
Switchtec™ Gen 6 PCIe®扇出型交换芯片提供高带宽、低延迟和高级安全功能，适用于高性能计算、云计算和超大规模数据中心 随着人工智能（AI）工作负载和高性能计算（HPC）应用对数据传输速度与低延迟的需求持续激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec™ Gen 6 PCIe®交换芯片。作为业界首款采用3纳米制程工艺的PCIe Gen 6交换芯片，Switchtec Gen 6系列旨在实现更低功耗，并支持最多160通道，满足高密度AI系统的连接需求。该系列交换芯片的高级安全功能包括基于硬件的信任根、安全启动功能，并采用符合美国商用国家安全算法规范2.0（CNSA 2.0）的后量子安全加密技术。 在以往几代的 PCIe 产品中，数据在 CPU、GPU、内存与存储设备之间传输时常出现带宽瓶颈，导致计算资源利用率不足及算力浪费。PCIe 6.0将单通道带宽提升至64 GT/s（每秒千兆传输），较前代翻倍，为顶尖AI加速器构建高效数据通道。Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片可实现CPU、GPU、SoC、AI加速器与存储设备间高速互联，助力数据中心架构师充分释放下一代AI与云基础设施的潜力。 Microchip负责数据中心解决方案业务的副总裁Brian McCarson表示：“AI时代的快速创新正推动数据中心架构从传统设计转向以共享资源池为核心的新型模式。通过将成熟的Switchtec产品线扩展至PCIe 6.0，我们的技术不仅支持关键计算资源间的直接通信，更打造出迄今性能最强、能效最高的交换芯片产品，助力这一转型。” 作为高性能互连方案，Switchtec Gen 6交换芯片可简化服务器机架内GPU的接口设计，显著降低信号损耗并维持AI网络所需的超低延迟。PCIe 6.0标准引入的流控制单元（FLIT）模式、轻量级前向纠错（FEC）系统及动态资源分配机制，使数据传输效率和可靠性显著提升，尤其适用于AI工作负载中普遍存在的小数据包传输。这些功能改进可优化整体吞吐量并降低有效延迟。 Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片采用 10 堆栈架构，配备 20 个端口，每个端口均支持热插拔（hot-plug）和意外插拔（surprise-plug）控制功能。产品兼容 NTB（非透明桥接） 技术，可实现多个主机域的连接与隔离，并支持组播（multicast）功能，以在单一域内实现一对多数据分发。该系列交换芯片内置高级错误隔离机制、全面诊断与调试功能、丰富的 I/O 接口以及集成的 MIPS 处理器，并支持 x8/x16 分叉配置。输入输出参考时钟基于PCIe堆栈设计，每个堆栈含四个输入时钟。请访问Microchip官方网站，了解Microchip全系列PCIe交换芯片的更多信息。 https://www.microchip.com/en-us/products/interface-and-connectivity/pcie-switches 开发工具 Switchtec Gen 6 PCIe系列交换芯片由Microchip ChipLink诊断工具提供全面支持，通过直观的图形用户接口（GUI）实现调试、诊断、配置与分析。ChipLink支持通过带内PCIe或UART、TWI和EJTAG等带外信号进行连接，为设计与部署提供灵活高效的监控与故障排查。配套开发工具包括PM61160-KIT Switchtec Gen 6 PCIe交换芯片评估工具包，该工具包配备多个接口。
微芯
Microchip微芯 . 2025-10-14 1205
方案 | 光随芯动！杰华特JWQ11903高集成氛围灯方案，赋能智能座舱交互体验升级
据行业研究报告显示，氛围灯在中低端车型的渗透率持续提升，成为车企打造差异化竞争力的关键配置。汽车氛围灯正从简单的内饰装饰，快速升级为集信息指示、音乐律动、情绪调节、安全提醒于一体的核心交互载体。 传统多芯片方案存在集成度低、成本高、难达车规级可靠性的痛点，在此背景下，杰华特最新推出JWQ11903，赋能高度集成的汽车氛围灯解决方案。该方案凭借高度集成简化设计、高性价比优化成本、车规级认证保障稳定，同时支持灵活编程的优势，大大助力车企高效打造个性化座舱体验。 氛围灯智能进阶之路 硬核实力：高集成设计 重塑竞争力 JWQ11903通过高度集成化设计，将传统方案中分散的硬件模块整合至单一芯片中，显著简化系统设计复杂度，同时降低BOM成本。其核心硬件配置包括： 内置32位RSIC-V内核, 内置16kB的SRAM和256KB的Flash存储； 3通道RGB LED 驱动，单通道最大60mA输出； 支持16位PWM调光, 和全工况下100uA分辨率的模拟调光； 主从LIN收发器和控制器，具有LIN自动寻址功能； 具有集成的10位ADC，用于监测电压以动态温度补偿； 通过AEC-Q100认证，集成过压/过温/短路保护； 内置灵活的电源管理系统，集成LDO； 采用QFN4*4封装，提高硬件设计灵活性。 内驱智行：从智能控制到场景化交互 JWQ11903不仅在硬件层面突破创新，更通过软件生态的完善，为车企提供从开发到量产的全链路支持： 更智能的低功耗模式，支持软硬件唤醒； 更安全的OTA升级，升级程序标准化，固件备份机制； 更复杂的灯效，如渐变呼吸，音乐律动，分区控制，场景模式； 更精细的温度补偿，芯片集成温度检测和LED 温度检测，实现全温域动态补偿； 支持LIN节点地址自动分配，简化配置与调试； 支持上位机调试工具，可结合第三方校准工具实现产品的快速开发和量产； 更灵活的通用GPIO引脚，助力成为更简洁的车身域控制平台。 JWQ11903的推出，是杰华特深耕汽车照明领域的又一重要布局。其软硬件的协同设计，不仅解决了传统方案的痛点，更助力车企在控制成本的同时，快速推出差异化产品。杰华特将持续以技术创新推动汽车照明从功能满足向体验升级转变，为智能座舱注入更多交互体验价值。 汽车级LED驱动芯片矩阵布局 通过对车灯领域的深度洞察，杰华特逐步推出丰富的车规级LED线性驱动芯片产品矩阵，如单通道JWQ11711，3通道JWQ11730/31，12通道JWQ11712， 24通道JWQ11724，矩阵大灯解决方案 JWQ1184 + JWQ1182 + JWQ11816，单级升压恒流控制器JWQ11886，DMS恒流驱动器JWQ11880等，将逐渐覆盖车内小灯、动态贯穿式尾灯、汽车前照灯等场景，为车身照明市场提供高集成度、高性能与高可靠性的一站式系统解决方案。
杰华特
杰华特微电子股份有限公司 . 2025-10-14 1165
企业 |芯驰携手IAR赋能臻驱科技，推动国产车规级MCU在新能源汽车动力系统落地
作为新能源汽车动力总成中双电机控制器领域的领先企业，臻驱科技面临国产车规级MCU平台迁移的关键挑战。臻驱科技携手芯驰与IAR，通过国产高端车规级MCU与完整工具链的协同优势，共同推动新能源汽车双电机控制领域的国产化应用。 臻驱科技专注于新能源汽车动力总成及相关控制器研发，产品覆盖电控总成、功率模块及动力域、底盘域控制器等，服务国内外整车厂。公司实现电控功率砖小型化与成本优化，具备功能安全和国产化替代方案，依托强大研发与测试体系保持行业领先。 随着国产高端车规级MCU的崛起，臻驱科技经过全面评估之后选择了芯驰的E3，亟需一款适配芯驰E3车规级MCU的高性能工具链，以支持平台迁移。国内严苛的“上车时间窗口”对工具链的性能、适配性和本地化服务提出了极高要求。在基于芯驰E3车规级MCU的项目中，臻驱科技必须在新开发环境下完成底层MCAL驱动融合和平台代码移植，同时保障算力优化、满足功能安全。 芯驰E3：国产高端车规级MCU新选择 芯驰E3是基于Arm Cortex-R（R5和R52+）内核的高端车规级MCU，面向新能源汽车动力域控制器等关键应用场景。芯驰E3在算力、实时性、安全性等方面表现突出，支持ASIL-D级功能安全，已广泛应用于电驱动、底盘控制等领域。IAR与芯驰保持长期合作，率先完成对E3车规级MCU的深度适配，并在工具链优化、功能安全认证和本地化服务方面提供持续支持。双方已联合推动了多家车规级客户项目落地，为国产高端车规级MCU在新能源汽车等关键行业的规模化应用奠定了坚实基础。 为何选择IAR开发工具链 臻驱科技在2022年与芯驰合作新项目时，首次评估并最终选择了IAR工具链。其核心原因在于： 多架构支持与生态深度适配：IAR支持Arm、RISC-V等主流架构，已与著名国际产品和包括芯驰在内的国产车规级MCU完成深度适配，并与国内外AUTOSAR厂商紧密合作，满足平台化软件架构需求。 完整的集成开发环境，包含领先的编译器和强大的调试器，支持代码编辑、编译和调试，同时也支持命令行工具和 VS Code 扩展。 提供经过认证的功能安全版本，满足ISO 26262功能安全标准，加速功能安全产品开发和认证。 内置静态代码分析工具C-STAT和动态代码分析工具C-RUN，轻量化设计，无需复杂编译器设置，通过勾选配置实现代码规则检查，上手容易，适合开发人员日常使用，提升代码质量。 专业本地化服务：拥有专属本地化团队，包括客户经理、售前FAE、售后技术工程师等，响应迅速精准、效率高。通过中文官网和微信公众号提供丰富技术内容，定期举办线上培训，促进客户技术成长与项目顺利推进。 IAR工具链在臻驱科技项目中的深度应用 IAR Embedded Workbench for Arm功能安全版作为芯驰E3的核心工具链，为项目提供了从代码编译到调试烧录的全流程支持，并集成了静态与动态代码分析工具，臻驱科技能够在开发早期发现并修复缺陷，大幅提升软件稳定性与可靠性。 结合芯驰底层MCAL驱动，IAR提供贯穿项目全生命周期的本地技术支持，涵盖技术答疑、版本兼容指导和丰富培训资源，确保工具链与臻驱科技软件架构深度融合，保障项目高效交付与量产。三方的合作，实现了“工具 + 芯片 + 应用”的深度融合，加速了国产化平台的落地。 此外，臻驱科技高度评价IAR在产品性能和本地化服务上的卓越表现。臻驱科技表示，IAR工具链在功能安全合规性方面领先业界，本地化服务团队以专业高效、响应迅速著称，软硬件（产品与团队）双重优势的结合，快速解决了开发过程中的各类问题。 客户收益 显著提升开发效率，支持平台化软件架构，减少重复开发工作 持续优化代码质量，提前发现并修复缺陷，提高软件的稳定性和可靠性 缩短产品上市周期，降低整体开发成本，确保项目按时量产交付 合作伙伴寄语 与芯驰和IAR的合作，是我们技术升级和应对激烈市场竞争的关键选择。IAR不仅提供了高效稳定的工具链，更凭借其深厚的生态适配能力，帮助我们实现了国产化平台的无缝迁移和快速开发。同时，本地化服务团队的专业支持和快速响应，大大提升了我们的开发效率和问题解决速度。展望未来，双方将从单一工具采购迈向技术共建、生态共生与合规共担，通过智能化工具链与灵活商业模式携手应对行业挑战。 ——余浩，臻驱科技软件首席工程师 通过与IAR的长期合作，我们为客户在E3平台上的开发提供了可靠的工具链和专业本地化服务。与臻驱科技的成功实践，充分展示了国产高端车规级MCU在高性能汽车应用中的可靠性与价值。芯驰与 IAR 将继续在技术生态、工具链优化与功能安全合规等方向展开更紧密的合作，共同打造协同、可持续的汽车电子生态。 ——张曦桐，芯驰科技MCU产品线总经理 IAR持续积极推动在汽车动力域的相关解决方案，我们观察到目前不论主机厂或Tier1都有工具平台化的需求，希望能通过一套完整的工具解决方案来一次性满足项目管理、代码编辑、编译、调试和功能安全认证的全流程覆盖的解决方案。目前臻驱科技已经通过IAR Embedded Workbench for Arm功能安全版来达到此目标，也是IAR在汽车动力域的经典客户案例。未来 IAR 将继续深化在汽车动力域的投入，助力更多企业应对汽车电子复杂性与安全性的双重挑战，携手行业伙伴共建可靠的开发生态。 ——Kiyo Uemura，IAR亚太区副总裁
芯驰科技
芯驰科技SemiDrive . 2025-10-14 1830
企业 | 纳微半导体与兆易创新数字能源联合实验室揭牌，加速高效电源管理方案落地
2025年10月11日，纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）与兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。 兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁（左） 纳微系统应用工程副总裁黄秀成（右）共同为联合实验室揭幕 该实验室将纳微半导体在高频、高速、高集成度氮化镓以及拥有沟槽辅助平面技术的GeneSiC碳化硅领域的产品优势与兆易创新在GD32 MCU领域的深厚积累相结合，面向AI数据中心、光伏逆变、储能等新兴市场，提供智能、高效的数字能源解决方案。 成果展示 自筹备以来，数字能源联合实验室已取得一系列丰硕成果，先后推出4.5kW、12kW服务器电源，以及500W单级微型逆变器等解决方案。这些方案以先进拓扑，满足行业“高效率、高功率密度”等需求演进方向。方案的落地不仅展现了纳微半导体与兆易创新在数字能源领域的创新实力，也凸显了双方技术融合所带来的独特优势与市场竞争力。 500W单级光伏微逆方案 基于纳微双向GaNFast™氮化镓功率芯片与兆易创新GD32G553 MCU ，采用单级一拖一架构，具备高效率、低损耗、高集成度和成本优化等优势。结合优化的混合调制策略与软开关技术，峰值效率超过97.5%，CEC效率超过97%，MPPT效率超过99.9%。单级架构直接实现直流到交流的转换，省去一级直流-直流变换环节，提升功率密度，并减少器件数量和损耗。通过磁集成设计与纳微双向氮化镓开关，可进一步缩小尺寸，降低BOM成本。 4.5kW和12kW AI服务器电源方案 基于纳微GaNSafe™氮化镓功率芯片与第三代快速碳化硅MOSFETs产品，结合兆易创新GD32G553 MCU打造的4.5kW和12kW AI服务器电源方案，专为AI和传统服务器以及超大规模数据中心设计。其中的12kW方案不仅符合开放计算项目（OCP）、开放机架v3（ORv3）及CRPS规范，更以极简元器件布局，超越80 PLUS红宝石“Ruby”标准，实现97.8%峰值效率。 揭牌仪式上，兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁与纳微半导体系统应用工程副总裁黄秀成共同为实验室揭牌，并就未来合作方向及实验室运营模式进行了深入探讨。双方一致表示，将以联合实验室为平台，深化技术协同，加速创新成果转化。 此次联合实验室的成立，不仅是对纳微半导体与兆易创新前期合作成果的肯定，更预示着双方在数字能源领域的广阔合作前景。未来，实验室将继续以技术创新为核心，加速高效电源管理方案在更多应用场景的落地，驱动数字能源产业的高质量发展。
纳微
纳微芯球 . 2025-10-14 1280
应用 | 基于AIK-RA8D1的人脸识别的应用演示
随着科技的进步，人脸识别技术已逐渐成为一种主流的安全验证手段。它不依赖传统的密码，而是通过面部特征识别来验证身份，从而提升了安全性并带来了更大的便利性。本文将介绍如何通过瑞萨RA8D1微控制器与Aizip人脸识别技术结合，实现高效且低功耗的人脸识别应用。 人脸识别的优势 传统的密码验证方式存在很多缺点。首先，密码容易泄露或被共享，可能导致未经授权的人访问设备或系统，甚至可能引发安全事故。相比之下，人脸识别技术通过识别每个人独特的面部特征，提供了更加安全的身份认证方式。更重要的是，现代的人脸识别结束不再依赖云端计算，能够在本地设备上完成人脸识别，大大提高了效率并增强了安全性。 基于AIK-RA8D1的人脸识别技术优势 瑞萨与Aizip的技术结合，利用瑞萨RA8D1微控制器，提供了本地离线的人脸识别应用。该技术在不依赖云端的情况下，实现了高效、低功耗的人脸识别。不仅适用于个人身份认证，还可以广泛应用于门禁系统、设备保护等场景。 技术优势： 最小占用空间：仅需1.8MB闪存和850KB内存，同时支持多达100名注册用户。 增强隐私保护：100%本地处理消除对云连接的需求，保护用户数据。 硬件简便性：仅需标准摄像头和微控制器（MCU），无需专用深度传感器。 实际部署：在各种光线条件下，即使佩戴面部配件（如眼镜等），仍能保持准确性。 瑞萨RA8D1实现人脸识别的应用演示 下面演示使用瑞萨RA8D1开发板加载Aizip人脸识别技术实现人脸识别检测应用： 初始设置 首先，在瑞萨RA8D1微控制器上加载Aizip的人脸识别程序。开发板上有三个按钮，左侧是代表重置键的红色按钮，右侧是两个蓝色按钮，分别为按钮S2和按钮S3。在按钮S2的上方有LED1指示灯。如图1所示。 图1 瑞萨RA8D1开发板套件按钮与指示灯说明 进入检测模式 系统通电后，会自动进入检测模式。此时，系统会扫描视野范围内的面部。如果是第一次使用，系统会识别到面部，但不会将其识别为注册用户，指示灯会显示红色。如图2所示，系统识别到未注册用户，此时屏幕左侧“UserID”显示“/”，屏幕右侧“Face id”显示“fail”，指示灯显示红色。 图2 系统识别到未注册用户 录入系统 为了让系统能够识别特定的面部，需要进入录入模式。按下S3按钮，系统会存储当前的面部信息，此时屏幕的左侧显示“register User 0”，代表注册的第1个用户。如图3所示。 图3 将人脸录入系统 退出录入模式 人脸录入完成后再次按下S3按钮，系统会返回到检测模式。此时，如果系统再次检测到该用户的面部，系统会识别为已注册用户，指示灯会显示绿色。如图4所示，屏幕左侧“UserID”显示“0”，屏幕右侧“Face id”显示“pass”，指示灯亮绿灯。 图4 系统识别已注册用户 即使摘下眼镜，系统仍然能够准确识别该面部，如图5所示。 图5 已注册用户摘下眼镜也能准确识别 如果其他人的面部进入镜头，系统会检测到他们的面部，但由于他们不是注册用户，指示灯会再次显示红色。如图6所示。 图6 检测到未注册用户，指示灯变红 人脸数统计功能 Aizip的人脸识别技术非常灵活，能够根据需求进行调整。如果不需要单独识别每个用户，仅需要统计摄像头范围内的面部数量，瑞萨的技术也能够实现这一功能。如图7所示。无论是面部数量统计，还是对授权用户的识别，都可以在本地完成。 图7 统计摄像头范围内的面部数量 结语 随着人脸识别技术的普及，越来越多的行业开始采用这一技术。未来，基于瑞萨RA8D1微控制器的人脸识别应用将进入更多领域，提供更加安全、高效、便捷的用户体验。 AIK-RA8D1 https://www.renesas.com/en/design-resources/boards-kits/aik-ra8d1
瑞萨
瑞萨嵌入式小百科 . 2025-10-14 755
市场 | 2026年CSP资本支出预计将高达5,200亿美元，GPU采购与ASIC研发成创新高核心驱动力
根据TrendForce集邦咨询最新调查，随着AI Server需求快速扩张，全球大型云端服务业者（CSP）正扩大采购NVIDIA（英伟达）GPU整柜式解决方案、扩建数据中心等基础建设，并加速自研AI ASIC，预估将带动2025年Google（谷歌）、AWS（亚马逊云科技）、Meta、Microsoft（微软）、Oracle（甲骨文）和Tencent（腾讯）、Alibaba（阿里巴巴）、Baidu（百度）等八大CSP的合计资本支出突破4,200亿美元，约为2023年与2024年资本支出相加的水平，年增幅更高达61%。 TrendForce集邦咨询表示，2026年在GB/VR等AI机柜方案持续放量下，八大CSP的总资本支出有望再创新高，年增达24%，来到5,200亿美元以上。除此之外，支出结构已从能直接创造收益的设备，转向Server、GPU等资产，意味着巩固中长期竞争力与市占率优先于改善短期获利。 2025年GB200/GB300 Rack为CSP重点布局的整柜式AI方案，需求量成长将优于预期。客户除主要来自北美前四大CSP和Oracle外，Tesla/xAI、Coreweave和Nebius等的需求亦有提升，以执行云端AI租赁服务或生成式AI。2026年CSP将扩大布局GB300 Rack整柜式方案，并于下半年起逐步转至NVIDIA Rubin VR200 Rack新方案。 CSP自研芯片出货量有望逐年攀升 北美四大CSP持续深化AI ASIC布局，以强化在生成式AI与大型语言模型运算上的自主性与成本掌控能力。Google与Broadcom（博通）合作TPU v7p（Ironwood），锁定训练应用，预计于2026年逐步放量，将接替TPU v6e （Trillium）的核心AI加速平台。TrendForce集邦咨询预估Google TPU出货量将持续领先，2026年更有望实现逾40%的年增长。 AWS主力部署Trainium v2，将于2025年底推出液冷版本机柜，而由Alchip、Marvell（美满电子）参与设计的Trainium v3，首款规格预计于2026年第一季量产。TrendForce集邦咨询估计2025年AWS自研ASIC出货量将大幅成长一倍以上，年度增速为四大业者之最，2026年的年增幅度可望逼近20%。 Meta则加强与Broadcom合作，预计于2025年第四季量产MTIA v2，提升推理效能与降低延迟。TrendForce集邦咨询预估2025年MTIA出货主要部署于Meta内部AI平台与推荐系统，待2026年采用HBM的MTIA v3推出，整体出货规模将呈双倍以上成长。 Microsoft则规划由GUC协助量产Maia v2，预计于2026年上半启动。此外，Maia v3因设计调整延后量产时程，预计短期内Microsoft自研芯片出货量相当有限，进度较落后竞争对手。
CSP
TrendForce集邦 . 2025-10-14 675
技术 | 车载OBC应用笔记-功率MOS管
第一部分：系统分析 1、系统框架： 随着电动汽车的发展，功率MOS管在汽车电子的应用也日益增多，本文就车载OBC中全桥变换器功率MOS应用及注意事项做简单记要。 定义： OBC是车载充电机的简称（On Board Charger），主要功能：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给电动电池进行充电。电动汽车的OBC主要由功率电路（PFC+移相全桥/LLC）和控制电路组成，可分为单向OBC和双向OBC，单向OBC只能给动力电池充电，双向OBC可以把动力电池的直流电逆变成为家用220V交流电。 OBC基本框架： 全桥 LLC 谐振变换器以能在宽输入全负载范围内实现原边开关管的零电压开通和副边整流二极管的零电流关断，降低了开关损耗，而且变压器的漏感可作为谐振电感，减小了变换器的体积等优点，成为当前谐振变换器主流。在全桥LLC变换器中需要一个带有反向快速恢复体二极管的MOSFET，才能获得更高的可靠性。 2、工作原理 全桥变换电路基本架构： 上图中，Q1-Q4为主功率开关管，D1-D4，C1-C4 为开关管的体二极管与寄生电容，T 为主功率变压器，谐振电感 Lr（也可是变压器的漏感），谐振电容 Cr 和励磁电感 Lm 组成 LLC 谐振变换器的谐振网络。 基本工作原理和工作时序： 阶段 1 （t0 - t1 ）： 在 t=t0 时刻之前，Q1，Q3 的 寄生反并联二极管D1，D3 已经导通，因此，在 t=t0 时刻，Q1，Q3 实现零电压开通。 变压器原边承受正向电压，整流二极管DR1 导通， 为负载提供能量，DR2截止。 此时励磁电感的电压被钳位在 nV0 ，不参与谐振过程，励磁电流im 线性上升。 阶段 2（t1 - t2 ）：在 t=t1 时刻，谐振电流 ir 与励磁电流 im 相等，整流二极管 DR1 零电流关断， 输出侧与谐振回路完全脱离，DR1和 DR2 的电流为零，励磁电感 Lm 不在被钳位，参与谐振过程，谐振电流 ir 继续对谐振电容 Cr 充电。 阶段 3（t2 - t3 ）：在 t=t2 时刻，开关管 Q1、Q3 关断，谐振电流ir 对 Q1、Q3 的结电容充电，Q2、Q4 的结电容放电，在 t3 时刻，Q2，Q4 两端电压下降到零， 为 Q2，Q4 零电压开通准备了条件。 阶段 4（t3 -t4 ）：开关管 Q1、Q3 仍是关断状态，ir 和 im 都在下降，变压器原边承受反向电压，整流二极管 DR2 导通。 励磁电感的电压重新被输出钳位，所以，退出谐振过程，参与谐振的只有谐振电感 Lr 和谐振电容 Cr 。 阶段 5（t4 - t5 ）：在 t=t4 时刻，开关管 Q2，Q4 开通，输入电压通过 Lr ，Cr 谐振向负载传输能量。 在 t=t5 时刻，谐振电流 ir 与达到励磁电流 im 相等， 输出侧与谐振回路脱离， 整流二极管DR2 实现零电流关断，Lm 仍被钳位，不参加谐振，励磁电流 i m线性下降。 阶段 6（t5 - t6 ）：在 t=t5 时刻，整流二极管 DR2 零电流关断，输出侧与谐振回路脱离，励磁电感的电压不在被钳位，参与谐振过程。 阶段 7（t6 - t7 ）：在 t=t6 时刻，开关管 Q2、Q4 关断，Q1、Q3 结电容放电。 在 t=t7 时刻，寄生二极管 D1、D3 导通，Q1、Q3 两端的电压下降到零， 为开关管 Q1、Q3 的零电压开通准备了条件。 阶段 8（t7 - t8 ）：开关管 Q2、Q4 仍然关断，整流二极管 DR1导通。 励磁电感的电压被输出钳位，所以，不参与谐振过程，发生谐振的只有谐振电感 Lr 和谐振电容 Cr 。 工作波形如下： 第二部分：失效模式分析 1、启动失效模式 在变换器启动开始前，谐振电容和输出电容刚好完全放电。与正常工作状况相比，在启动过程中，这些空电容会使低边开关的体二极管深度导通。因此流经体二极管的反向恢复电流非常高，致使当高边开关导通时引起直通问题。 启动状态下潜在失效模式简化图 在t4~t5时段，MOSFET流过非常大的直通电流，该电流由MOSFET体二极管的反向恢复电流引起。这会产生很大的反向恢复dv/dt，加剧栅极振荡，严重时会击穿mos。当采用的MOSFET体二极管的反向恢复特性较差时，这种失效机理将会更加严重。 启动状态时功率MOSFET的测量波形 2、过载失效模式 过载时功率MOSFET的测量波形 变换器正常工作在ZVS区域，但过载时，工作点移动到ZCS区域，并且串联谐振变换器特性成为主导。过载情况下，开关电流增加，ZVS消失，Lm被反射负载RLOAD完全短路。这种情况通常会导致变换器工作在ZCS区域。ZCS（谐振点以下）严重的缺点是：开通时为硬开关，从而导致二极管反向恢复应力。此外，还会增加开通损耗，产生噪声或EMI。 二极管关断伴随非常大的dv/dt，因此在很大的di/dt条件下，会产生很高的反向恢复电流尖峰。该大电流会使MOSFET损耗大大增加、发热严重。MOSFET结温的升高会降低其 dv/dt的能力。在极端情况下，损坏MOSFET，使整个系统失效。 3、短路失效模式 短路时，MOSFET导通电流非常高（理论上无限高），频率也会降低。当发生短路时，谐振回路中Lm被旁路。LLC谐振变换器可以简化为由Cr和 Lr组成的谐振电路，因为Cr只与Lr发生谐振。短路时次级二极管在CCM模式下连续导通。短路状态下工作模式几乎与过载状态下一样，但是短路状态更糟糕，因为流经开关体二极管的反向恢复电流更大。 短路时功率MOSFET的测量波形 第三部分：器件失效原理分析 1、体二极管反向恢复dv/dt 二极管由通态到反向阻断状态的开关过程称为反向恢复。下图给出了MOSFET体二极管反向恢复的波形。首先体二极管正向导通，持续一段时间。这个时段中，二极管P-N结积累电荷。当反向电压加到二极管两端时，释放储存的电荷，回到阻断状态。在此过程中，反向电流迅速上升并达到峰值，随后逐渐衰减至零。由于载流子复合需要一定时间，体二极管在反向恢复期间呈现短暂的导通状态，导致瞬态大电流与高电压同时存在于器件中，产生显著的功率应力。这一阶段的dv/dt过高会引发较大的位移电流，可能造成栅极电压抬升，诱发MOSFET误导通，进而加剧损耗，甚至导致器件热失效。 体二级管反向恢复时电流和电压波形 体二级管反向恢复时电流和电压波形 2、击穿 dv/dt 另一种失效模式是击穿dv/dt。它是击穿和静态 dv/dt 的组合。功率器件同时承受雪崩电流和位移电流。如果开关过程非常快，在体二极管反向恢复过程中，漏源极电压可能超过最大额定值。过高的电压峰值使 MOSFET 进入雪崩击穿模式。dv/dt 越大，建立起的位移电流就越大。位移电流叠加到雪崩电流后，器件受到伤害，导致失效。基本上，导致失效的根本原因是大电流、高温度引起的寄生BJT导通，但主要原因是体二极管反向恢复或击穿。实践中，这两种失效模式随机发生，有时同时发生。 第四部分：案例分析 案例1：客户3.3KW充电机应用 问题点：关断栅极震荡严重 使用NCE65TF099做LLC电路，输入直流320V到460V，输出交流220V，负载15A。 主电路图： 问题描述：在测试过程中，发现MOS存在关断震荡的情况，测试波形如下： 测试发现黄色波形的震荡产生在MOS管DS向上爬升阶段，说明体二极管漏源电压突然上升，CGD位移电流给QGS充电，栅压过冲上升。 改进方法： 在MOS管G、D极增加磁珠 加大DS的吸收（222+2.2Ω） 加大MOS的驱动电阻（22Ω），减小MOS的关断电阻4.7Ω 在GS端并联电容，最大加大到332,均可有效抑制正端及驱动负电压。 更改后测试波形： 结论：通过对全桥LLC电路的调整，加大驱动电阻、减小关断电阻、同时在G、D增加磁珠能有效防止驱动震荡。 案例2：客户10KW充电机应用 问题点：上电启动失效 使用NCE65NF036T做LLC电路，输入直流320V到460V，输出交流220V，负载45A。 驱动局部电路图： 问题描述：器件体二极管反向恢复期间，上下管出现直通。启动瞬间器件失效，测量波形如下； 改进方法： 开通电阻有原先10ohm调整为 43ohm，关断用三极管直接下拉。 更改后测量波形：启动工作正常，未发生直通损坏。 结论：通过调整，加大驱动电阻、减小关断电阻，降低其开通速度减小di/dt，从而减小体二极管的反向恢复dv/dt，避免栅极驱动电压抬升过高，导致直通。
新洁能
无锡新洁能股份有限公司 . 2025-10-14 920
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